JP2024007905A - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】区画壁の損傷を抑制できる技術を提供する。【解決手段】本開示の一態様によるプラズマ処理装置は、側壁に開口を有する処理容器と、前記開口を覆うと共に前記処理容器の内部と連通する内部空間を形成する区画壁と、前記区画壁を貫通して前記内部空間に着脱可能かつ気密に挿入され、ＲＦ電力が供給される内部電極と、前記区画壁の外部に設けられる外部電極と、を備える。【選択図】図１
Description
本開示は、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関する。
縦型のプラズマ処理装置において、処理容器の側壁に形成された開口を覆うようにしてプラズマ区画壁を設け、プラズマ区画壁で覆われた内部空間においてプラズマを生成する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１では、プラズマ区画壁の対向する一対の側壁に平行平板型のプラズマ電極が配設され、プラズマ区画壁の少なくともプラズマ電極に対応する領域が合成石英にて形成されている。
本開示は、区画壁の損傷を抑制できる技術を提供する。
本開示の一態様によるプラズマ処理装置は、側壁に開口を有する処理容器と、前記開口を覆うと共に前記処理容器の内部と連通する内部空間を形成する区画壁と、前記区画壁を貫通して前記内部空間に着脱可能かつ気密に挿入され、ＲＦ電力が供給される内部電極と、前記区画壁の外部に設けられる外部電極と、を備える。
本開示によれば、区画壁の損傷を抑制できる。
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
〔プラズマ処理装置〕
図１～図４を参照し、実施形態に係るプラズマ処理装置１について説明する。以下、「合成石英」とは、高純度の四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）を酸化して合成した合成シリカガラスのことを意味する。また、「天然石英」とは、天然の石英粉を溶融した溶融石英ガラス（電気溶融と火炎溶融）を意味する。また、合成石英と天然石英を合わせて、シリカガラスと称す。
図１～図４を参照し、実施形態に係るプラズマ処理装置１について説明する。以下、「合成石英」とは、高純度の四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）を酸化して合成した合成シリカガラスのことを意味する。また、「天然石英」とは、天然の石英粉を溶融した溶融石英ガラス（電気溶融と火炎溶融）を意味する。また、合成石英と天然石英を合わせて、シリカガラスと称す。
プラズマ処理装置１は、複数（例えば５０枚～２００枚）の基板Ｗに対して一度に処理を行うバッチ式の装置である。基板Ｗは、例えばシリコンウエハ等の半導体ウエハである。プラズマ処理装置１は、リアクタ１０と、ガス供給部３０と、プラズマ生成部４０と、排気部５０と、加熱部６０と、制御部９０とを備える。
リアクタ１０は、下端が開放された有天井の円筒形状を有する。リアクタ１０は、内部を減圧可能である。リアクタ１０は、多段に配列された複数の基板Ｗを内部に収容する処理容器として機能する。リアクタ１０は、例えば天然石英により形成される。
リアクタ１０の下端には、ボトムフランジ１１が形成される。ボトムフランジ１１は、メタルフランジ２１により支持される。メタルフランジ２１は、Ｏリング等のシール部材２２を介してボトムフランジ１１の外縁を挟み込むように設けられる。メタルフランジ２１は、例えばステンレス鋼により形成される。ボトムフランジ１１の下面には、蓋体１２がＯリング等のシール部材１３を介して気密に取り付けられる。これにより、リアクタ１０の下端の開口が気密に塞がれる。蓋体１２は、例えばステンレス鋼により形成される。蓋体１２の中央部には、磁性流体シール１４を介して回転軸１５が貫通させて設けられる。回転軸１５は、蓋体１２に対して相対的に回転可能である。蓋体１２及び回転軸１５は、リアクタ１０に対して相対的に昇降可能である。回転軸１５の上端には、回転台１６が設けられる。回転台１６の上には、保温筒１７を介してボート１８が載置される。保温筒１７及びボート１８は、例えば天然石英により形成される。保温筒１７は、リアクタ１０の下端の開口からの放熱を防ぐ。ボート１８は、蓋体１２と一体として昇降可能である。ボート１８は、回転軸１５と一体として回転可能である。ボート１８は、複数の基板Ｗを上下方向に多段に配列して保持する。
リアクタ１０の側壁には、その長手方向（上下方向）に沿って矩形状の開口１９が設けられる。開口１９の上下方向の長さは、ボート１８の長さと同じであるか、又はボート１８の長さよりも長く上下方向へそれぞれ延びるようにして形成される。開口１９は、後述する区画壁４１に覆われる。区画壁４１は、内部空間Ｐを形成する。内部空間Ｐは、開口１９を介してリアクタ１０の内部と連通する。
リアクタ１０の側壁の下部には、排気ポート２０が設けられる。リアクタ１０の内部は、排気ポート２０を介して後述する排気部５０により排気される。
ガス供給部３０は、原料ガス供給部３１と、反応ガス供給部３２とを含む。
原料ガス供給部３１は、リアクタ１０内に挿通される原料ガス供給管３１ａを備えると共に、リアクタ１０の外部に原料ガス供給経路３１ｂを備える。原料ガス供給経路３１ｂには、ガスの流通方向の上流側から下流側に向かって順に、原料ガス源３１ｃ、マスフローコントローラ３１ｄ、バルブ３１ｅが設けられる。これにより、原料ガス源３１ｃの原料ガスは、バルブ３１ｅにより供給タイミングが制御されると共に、マスフローコントローラ３１ｄにより所定の流量に調整される。原料ガスは、原料ガス供給経路３１ｂから原料ガス供給管３１ａに流入し、原料ガス供給管３１ａからリアクタ１０内に吐出される。原料ガスは、例えば金属含有ガス、シリコン含有ガスであってよい。金属含有ガスとしては、例えば四塩化チタン（ＴｉＣｌ４）ガスが挙げられる。シリコン含有ガスとしては、例えばジクロロシラン（ＤＣＳ）ガスが挙げられる。
反応ガス供給部３２は、内部空間Ｐに挿通される反応ガス供給管３２ａを備えると共に、リアクタ１０の外部に反応ガス供給経路３２ｂを備える。反応ガス供給経路３２ｂには、ガスの流通方向の上流側から下流側に向かって順に、反応ガス源３２ｃ、マスフローコントローラ３２ｄ、バルブ３２ｅが設けられる。これにより、反応ガス源３２ｃの反応ガスは、バルブ３２ｅにより供給タイミングが制御されると共に、マスフローコントローラ３２ｄにより所定の流量に調整される。反応ガスは、反応ガス供給経路３２ｂから反応ガス供給管３２ａに流入し、反応ガス供給管３２ａから内部空間Ｐに吐出される。反応ガスは、原料ガスと反応して反応生成物を生成するガスであり、例えば窒化ガスであってよい。窒化ガスとしては、例えばアンモニア（ＮＨ３）ガスが挙げられる。
各ガス供給管（原料ガス供給管３１ａ、反応ガス供給管３２ａ）は、例えば天然石英により形成される。原料ガス供給管３１ａは、リアクタ１０の内面の近傍を上下方向に沿って直線状に延在すると共に、リアクタ１０の下部においてＬ字状に屈曲し、リアクタ１０の側面を貫通してリアクタ１０の外部まで延びる。反応ガス供給管３２ａは、区画壁４１の内面の近傍を上下方向に沿って直線状に延在すると共に、区画壁４１の底面を貫通してリアクタ１０の外部まで延びる。
原料ガス供給管３１ａにおいてリアクタ１０の内部に位置する部位には、複数の原料ガス吐出口３１ｆが設けられる。反応ガス供給管３２ａにおいて内部空間Ｐに位置する部位には、複数の反応ガス吐出口３２ｆが設けられる。各吐出口（原料ガス吐出口３１ｆ、反応ガス吐出口３２ｆ）は、それぞれのガス供給管の延在方向に沿って所定の間隔ごとに形成される。各吐出口は、水平方向に向けてガスを吐出する。各吐出口同士の間隔は、例えばボート１８に保持される基板Ｗの間隔と同じに設定される。各吐出口の高さ方向の位置は、上下方向に隣り合う基板Ｗ間の中間位置に設定される。これにより、各吐出口は隣り合う基板Ｗ間の対向面にガスを効率的に供給できる。
ガス供給部３０は、複数種類のガスを混合して１つの供給管から混合したガスを吐出してもよい。例えば、原料ガス供給管３１ａはリアクタ１０の内部に不活性ガスを吐出可能に構成されてもよい。例えば、反応ガス供給管３２ａは内部空間Ｐに不活性ガスを吐出可能に構成されてもよい。ガス供給部３０は、原料ガス供給管３１ａ及び反応ガス供給管３２ａの他に、別のガスを供給する供給管を更に備えてもよい。
プラズマ生成部４０は、区画壁４１と、導入管４２と、内部電極４３と、外部電極４４と、シール部４５と、ＲＦ電源４６とを有する。
区画壁４１は、リアクタ１０の側壁の一部に設けられる。区画壁４１は、複数の基板Ｗの配列方向に沿って延在する。区画壁４１は、リアクタ１０の側壁に気密に溶接される。区画壁４１は、水平断面において凹状を有する。区画壁４１は、開口１９を覆うと共にリアクタ１０の内部と連通する内部空間Ｐを形成する。内部空間Ｐには、反応ガス供給管３２ａが設けられる。区画壁４１は、例えば天然石英により形成される。区画壁４１の底面には、内部電極４３が挿入される導入開口４１ａが設けられる。
導入管４２は、区画壁４１の底面に気密に溶接される。導入管４２は、例えば天然石英により形成される。導入管４２は、円筒形状を有し、導入開口４１ａを覆うと共に内部が導入開口４１ａを介して内部空間Ｐと連通する。
内部電極４３は、区画壁４１を貫通して内部空間Ｐに着脱可能かつ気密に挿入される。内部電極４３は、絶縁管４３ａと、棒状電極４３ｂとを有する。
絶縁管４３ａは、上端が封止された細長い円筒形状を有する。絶縁管４３ａは、区画壁を貫通して内部空間Ｐに気密に挿入され、複数の基板Ｗの配列方向に沿って延在する。絶縁管４３ａの内部の雰囲気は、例えば大気又は不活性ガスであってよい。絶縁管４３ａの内部の圧力は、例えば大気圧であってよい。絶縁管４３ａの外径は、導入開口４１ａの内径及び導入管４２の内径よりも小さい。この場合、絶縁管４３ａは、区画壁４１との間に隙間をあけて内部空間Ｐに挿入可能であり、かつ導入管４２の内部に隙間をあけて挿入可能である。
絶縁管４３ａの材質は、例えばアルミナ等のセラミックス、天然石英であってよい。基板Ｗに対してプラズマ処理を行う際のプラズマによるイオンダメージや、リアクタ１０の内部をドライクリーニングする際のフッ素系ガスによる腐食を抑制するという観点では、絶縁管４３ａの材質は天然石英が好ましい。
絶縁管４３ａの材質は、合成石英であることが特に好ましい。内部空間Ｐに設けられる絶縁管４３ａはプラズマに晒されるため、プラズマ中のイオンによるスパッタリングやエッチングによりダメージを受ける。特に、酸素を含まず水素を含むガス（例えばアンモニアガス、水素ガス）からプラズマを生成する場合、プラズマ中のイオンによるダメージに加えて、シリカガラス中の酸素が水素により引き抜かれてシリカガラスの表層に構造変化が生じる。これにより、シリカガラス中に大きな歪みが発生し、その応力によって絶縁管４３ａが損傷する場合がある。そこで、絶縁管４３ａの材質として、天然石英よりも微細構造が緻密でより高いエッチング耐性が期待される合成石英を用いることで、絶縁管４３ａの損傷を抑制できる。また、合成石英は、ＯＨ基の濃度が２００ｐｐｍ以上であることが好ましい。この場合、合成石英に発生する応力が低減され、絶縁管４３ａの損傷を抑制しやすい。さらに、シリカガラス中に発生する応力を緩和するため、絶縁管４３ａは、管軸と直交する断面が円形状又は楕円形状であることが好ましい。
棒状電極４３ｂは、細長い円柱状を有し、絶縁管４３ａの内部に挿入される。棒状電極４３ｂは、下端が絶縁管４３ａの下端から大気中に引き出され、図示しない給電ライン及び整合器を介してＲＦ電源４６に接続される。棒状電極４３ｂには、ＲＦ電源４６からＲＦ電力が供給される。棒状電極４３ｂは、内部空間Ｐに設置されるため、プラズマ処理温度（例えば４００℃）以上で使用される。棒状電極４３ｂの材質は、低抵抗率の金属が好ましく、銅や鉄を使用できるが、銅や鉄は天然石英中の拡散係数が大きいので、リアクタ１０の内部への金属汚染を避けるという観点から、耐熱性及び耐酸化性の高いニッケル合金が好ましい。
外部電極４４は、第１外部電極４４ａと、第２外部電極４４ｂとを有する。第１外部電極４４ａ及び第２外部電極４４ｂは、それぞれ上下方向を長手方向とする細長い矩形板状を有する。第１外部電極４４ａ及び第２外部電極４４ｂは、区画壁４１の側壁の外面に固定される。第１外部電極４４ａと第２外部電極４４ｂとは、対向配置される。この場合、内部電極４３にＲＦ電力が供給されると、内部電極４３と第１外部電極４４ａとの間、及び内部電極４３と第２外部電極４４ｂとの間に容量結合形プラズマ（capacitively coupled plasma：ＣＣＰ）が生成される。このため、内部空間Ｐの広い範囲でプラズマを生成できる。ただし、外部電極４４は、第１外部電極４４ａと第２外部電極４４ｂのいずれか一方のみを有していてもよい。第１外部電極４４ａ及び第２外部電極４４ｂは、例えば接地される。この場合、区画壁４１の側壁の内面へのプラズマによるダメージを抑制できる。
シール部４５は、導入管４２の下端において第２隙間Ｇ２を気密にシールする。シール部４５は、内筒部材４５ａと、シール部材４５ｂと、スリーブ４５ｃと、外筒部材４５ｄとを有する。
内筒部材４５ａは、メタルフランジ２１の底壁を貫通して設けられる。内筒部材４５ａは、例えばメタルフランジ２１と一体で形成される。内筒部材４５ａは、外周面に雄ネジ部を有する。
シール部材４５ｂは、絶縁管４３ａ、スリーブ４５ｃ及びボトムフランジ１１の間に設けられる。シール部材４５ｂは、例えばＯリングである。
スリーブ４５ｃは、内筒部材４５ａの内部に挿入される。スリーブ４５ｃは、上方に移動することにより、上端でシール部材４５ｂを押しつぶす。これにより、絶縁管４３ａ、スリーブ４５ｃ及びボトムフランジ１１の３点にシール部材４５ｂが押し付けられることで第２隙間Ｇ２が気密にシールされる。
外筒部材４５ｄは、内周面に内筒部材４５ａの雄ネジ部と螺合する雌ネジ部を有する。外筒部材４５ｄの雌ネジ部を内筒部材４５ａの雄ネジ部に螺合させることにより、スリーブ４５ｃが上方に移動する。外筒部材４５ｄは、例えばナットである。
ＲＦ電源４６は、棒状電極４３ｂにＲＦ電力を供給する。これにより、内部空間Ｐに供給される反応ガスからプラズマが生成される。ＲＦ電力の周波数は、例えば１３．５６ＭＨｚである。
排気部５０は、排気通路５１と、圧力調整弁５２と、真空ポンプ５３とを有する。排気通路５１は、排気ポート２０に接続される。排気部５０は、真空ポンプ５３によりリアクタ１０の内部を排気しながら、圧力調整弁５２によりリアクタ１０の内部の圧力を調整する。
加熱部６０は、リアクタ１０の周囲に設けられる。加熱部６０は、有天井の円筒形状のヒータチャンバ６１と、ヒータチャンバ６１の内面に螺旋状に設けられるヒータ線６２とを有する。加熱部６０は、ヒータ線６２の発熱によりリアクタ１０の内部に収容された各基板Ｗを加熱する。
制御部９０は、例えばプラズマ処理装置１の各部の動作を制御することにより、後述するプラズマ処理方法を実施する。制御部９０は、例えばコンピュータであってよい。プラズマ処理装置１の各部の動作を行うコンピュータのプログラムは、記憶媒体に記憶される。記憶媒体は、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、フラッシュメモリ、ＤＶＤ等であってよい。
図５を参照し、実施形態に係るプラズマ処理装置１を用いて行われるプラズマ処理方法について説明する。実施形態に係るプラズマ処理方法は、制御部９０がプラズマ処理装置１の各部の動作を制御することにより行われる。以下では、プラズマ処理として、プラズマＡＬＤ（plasma-enhanced atomic layer deposition：ＰＥＡＬＤ）により、基板Ｗの上に窒化シリコン（ＳｉＮ）膜を形成する場合を例に挙げて説明する。
まず、複数の基板Ｗを保持したボート１８を予め所定の温度の調整されたリアクタ１０の内部にその下方より上昇させて搬入し、蓋体１２によりリアクタ１０の下端の開口を閉じることによりリアクタ１０の内部を密閉する。続いて、排気部５０によりリアクタ１０の内部を真空引きしてプロセス圧力に維持すると共に、加熱部６０により基板温度を上昇させてプロセス温度に維持し、回転軸１５の回転によりボート１８を回転させる。
次に、制御部９０は、図５に示されるステップＳ１～Ｓ５を実施して各基板Ｗの上にＳｉＮ膜を形成する。
ステップＳ１では、原料ガス供給部３１からリアクタ１０の内部にＤＣＳガスを供給し、各基板Ｗの上にＤＣＳガスを吸着させる。ステップＳ１では、反応ガス供給部３２から内部空間Ｐに不活性ガスを供給してもよい。この場合、リアクタ１０の内部に供給されるＤＣＳガスの内部空間Ｐへの侵入を抑制できる。
ステップＳ２は、ステップＳ１の後に実施される。ステップＳ２では、排気部５０によりリアクタ１０の内部を真空引きしながら、原料ガス供給部３１からリアクタ１０の内部に不活性ガスを供給すると共に反応ガス供給部３２から内部空間Ｐに不活性ガスを供給する。これにより、リアクタ１０の内部及び内部空間Ｐに残るＤＣＳガスが排出される。ステップＳ２では、排気部５０によるリアクタ１０の内部の真空引きと、原料ガス供給部３１からリアクタ１０の内部への不活性ガスの供給及び反応ガス供給部３２から内部空間Ｐへの不活性ガスの供給とを交互に行ってもよい。ステップＳ２では、原料ガス供給部３１と反応ガス供給部３２のいずれか一方のみから不活性ガスを供給してもよい。
ステップＳ３は、ステップＳ２の後に実施される。ステップＳ３では、反応ガス供給部３２から内部空間ＰにＮＨ３ガスを供給すると共に、ＲＦ電源４６から内部電極４３にＲＦ電力を印加することにより、内部空間ＰにおいてＮＨ３ガスからプラズマを生成する。生成されたプラズマに含まれる活性種は内部空間Ｐからリアクタ１０の内部に拡散し、各基板Ｗの上に吸着したＤＣＳガスが窒化されてＳｉＮ膜が形成される。ステップＳ３では、原料ガス供給部３１からリアクタ１０の内部に不活性ガスを供給してもよい。この場合、原料ガス供給管３１ａの内部への活性種の侵入を抑制できる。このため、原料ガス供給管３１ａの内部にＳｉＮ膜が堆積することを抑制できる。
ステップＳ４は、ステップＳ３の後に実施される。ステップＳ４では、排気部５０によりリアクタ１０の内部を真空引きしながら、原料ガス供給部３１からリアクタ１０の内部に不活性ガスを供給すると共に反応ガス供給部３２から内部空間Ｐに不活性ガスを供給する。これにより、リアクタ１０の内部及び内部空間Ｐに残るＮＨ３ガスが排出される。ステップＳ４では、排気部５０によるリアクタ１０の内部の真空引きと、原料ガス供給部３１からリアクタ１０の内部への不活性ガスの供給及び反応ガス供給部３２から内部空間Ｐへの不活性ガスの供給とを交互に行ってもよい。ステップＳ４では、原料ガス供給部３１と反応ガス供給部３２のいずれか一方のみから不活性ガスを供給してもよい。
ステップＳ５は、ステップＳ４の後に実施される。ステップＳ５では、ステップＳ１～Ｓ４を設定回数実施したか否かを判定する。実施回数が設定回数に達していない場合（ステップＳ５のＮＯ）、ステップＳ１～Ｓ４を再び実施する。一方、実施回数が設定回数に達している場合（ステップＳ５のＹＥＳ）、ＳｉＮ膜の膜厚が目標膜厚に達しているので、処理を終了する。このように、実施回数が設定回数に達するまでステップＳ１～Ｓ４を繰り返すことにより、各基板Ｗの上にＳｉＮ膜が形成される。ステップＳ５の設定回数は、例えばＳｉＮ膜の目標膜厚に応じて設定される。ステップＳ５の設定回数は、１回であってもよく、複数回であってもよい。
以上に説明したように、実施形態のプラズマ処理装置１によれば、区画壁４１を貫通して内部空間Ｐに着脱可能かつ気密に挿入され、ＲＦ電力が供給される内部電極４３と、区画壁４１の外部に設けられる外部電極４４とを備える。このようにＲＦ電力が供給される電極を内部空間Ｐに設けることにより、プラズマによるダメージを受けやすい箇所を、区画壁４１の側壁の内面ではなく、着脱可能な内部電極４３の表面にすることができる。これにより、区画壁４１に歪みが発生して損傷することを抑制できるので、区画壁４１及び区画壁４１が溶接されるリアクタ１０の寿命を延ばすことができる。また、内部電極４３を構成する絶縁管４３ａはプラズマによりダメージを受けやすくなるが、内部電極４３は区画壁４１に対して着脱可能である。このため、定期的に絶縁管４３ａのみを交換すればよく、メンテナンスコスト及び環境負荷を低減できる。
これに対し、内部空間Ｐを形成する区画壁４１の２つの側壁の外面に対向配置される一対の電極（以下「平行平板電極」という。）を設け、平行平板電極間にＲＦ電力を供給して内部空間Ｐでプラズマを生成する場合を考える。この場合、区画壁４１の側壁の内面がプラズマ中のイオンによるスパッタリングやエッチングによりダメージを受ける。特に、酸素を含まず水素を含むガス（例えばアンモニアガス、水素ガス）からプラズマを生成する場合、プラズマ中のイオンによるダメージに加えて、シリカガラス中の酸素が水素により引き抜かれてシリカガラスの表層に構造変化が生じる。これにより、シリカガラス中に大きな歪みが派生し、その応力によって絶縁管４３ａが損傷する場合がある。このように、区画壁４１及び区画壁４１が溶接されるリアクタ１０の寿命が短くなる。
〔プラズマ処理装置の変形例〕
図６を参照し、実施形態の変形例に係るプラズマ処理装置１Ａについて説明する。図６に示されるプラズマ処理装置１Ａは、プラズマが生成される内部空間Ｐが２つある点で、プラズマ処理装置１と異なる。なお、その他の構成についてはプラズマ処理装置１と同じであってよい。以下、プラズマ処理装置１と異なる点を中心に説明する。
図６を参照し、実施形態の変形例に係るプラズマ処理装置１Ａについて説明する。図６に示されるプラズマ処理装置１Ａは、プラズマが生成される内部空間Ｐが２つある点で、プラズマ処理装置１と異なる。なお、その他の構成についてはプラズマ処理装置１と同じであってよい。以下、プラズマ処理装置１と異なる点を中心に説明する。
２つの内部空間Ｐは、それぞれ区画壁４１により形成される。２つの区画壁４１は、リアクタ１０の周方向における異なる位置に設けられる。例えば、２つの区画壁４１は、リアクタ１０の周方向において原料ガス供給管３１ａを挟むように設けられる。
プラズマ処理装置１Ａにおいても、プラズマ処理装置１と同様の作用効果が得られる。なお、内部空間Ｐは３つ以上設けられてもよい。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
１、１Ａ プラズマ処理装置
１０ リアクタ
１９ 開口
４１ 区画壁
４３ 内部電極
４４ 外部電極
Ｐ 内部空間
１０ リアクタ
１９ 開口
４１ 区画壁
４３ 内部電極
４４ 外部電極
Ｐ 内部空間
Claims (12)
- 側壁に開口を有する処理容器と、
前記開口を覆うと共に前記処理容器の内部と連通する内部空間を形成する区画壁と、
前記区画壁を貫通して前記内部空間に着脱可能かつ気密に挿入され、ＲＦ電力が供給される内部電極と、
前記区画壁の外部に設けられる外部電極と、
を備える、プラズマ処理装置。 - 前記区画壁は、前記内部電極が挿入される導入開口を有し、
前記区画壁に固定され、前記導入開口と内部が連通する筒形状の導入管を更に備え、
前記内部電極は、前記導入管の内部に挿入される、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。 - 前記内部電極は、筒形状の絶縁管と、前記絶縁管の内部に挿入される棒状電極とを有する、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。 - 前記絶縁管は、合成石英により形成される、
請求項３に記載のプラズマ処理装置。 - 前記合成石英のＯＨ基の濃度が、２００ｐｐｍ以上である、
請求項４に記載のプラズマ処理装置。 - 前記絶縁管は、管軸と直交する断面が円形状又は楕円形状である、
請求項３に記載のプラズマ処理装置。 - 前記外部電極は、接地される、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。 - 前記外部電極は、前記区画壁の対向する２つの側面に設けられる、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。 - 前記処理容器の内部に原料ガスを供給する原料ガス供給部と、
前記内部空間に前記原料ガスと反応する反応ガスを供給する反応ガス供給部と、
を更に備える、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。 - 前記処理容器は、多段に配列された複数の基板を収容するよう構成され、
前記区画壁及び前記内部電極は、前記複数の基板の配列方向に沿って延在する、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。 - 側壁に開口を有する処理容器と、前記開口を覆うと共に前記処理容器の内部と連通する内部空間を形成する区画壁と、前記区画壁を貫通して前記内部空間に着脱可能かつ気密に挿入され、ＲＦ電力が供給される内部電極と、前記区画壁の外部に設けられる外部電極とを備えるプラズマ処理装置において、前記処理容器の内部に収容された基板に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理方法であって、
前記プラズマ処理は、前記内部電極に前記ＲＦ電力を印加することにより、前記内部空間に供給されるガスからプラズマを生成することを含む、
プラズマ処理方法。 - 前記ガスは、水素を含む、
請求項１１に記載のプラズマ処理方法。
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