JP2023501527A - 可変エッチング深さを有する斜め格子を製造する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (18)
- 回折光学素子を形成する方法であって、
基板の上に光学格子層を設けることと、
前記光学格子層の上にハードマスクをパターニングすることと、
前記ハードマスクの上に犠牲層を形成することであって、前記犠牲層は、前記光学格子層の上面から測定して不均一な高さを有する、前記ハードマスクの上に犠牲層を形成することと、
光学格子を形成するために、前記光学格子層内に複数の角度付きトレンチをエッチングすることであって、前記複数のトレンチのうちの第1のトレンチの第1の深さは、前記複数のトレンチのうちの第2のトレンチの第2の深さとは異なる、光学格子を形成するために、前記光学格子層内に複数の角度付きトレンチをエッチングすることと
を含む方法。 - 前記犠牲層を形成することは、
前記ハードマスクの上に前記犠牲層を堆積させることと、
傾斜した底面を有するトレンチを形成するために、前記犠牲層をエッチングすることと
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記トレンチを形成するために、垂直エッチングを行うこと
を更に含む、請求項2に記載の方法。 - 前記トレンチを前記光学格子層内に凹設するために、前記光学格子層をエッチングすることと、
前記トレンチの傾斜した底面に沿って、第2のハードマスクを形成することと、
前記ハードマスク及び前記第2のハードマスクの上に、光学平坦化層(OPL)及びフォトレジスト(PR)を形成することと、
前記OPL、前記PR、及び前記第2のハードマスクを貫通する複数の垂直トレンチをエッチングすることと、
前記OPL及び前記PRを除去することであって、前記OPL及び前記PRの除去後に、前記複数のトレンチを前記光学格子層内にエッチングする、前記OPL及び前記PRを除去することと
を更に含む、請求項2に記載の方法。 - 前記エッチングは、前記光学格子層の上面によって画定される平面に対する垂線に対して非ゼロの角度で角度付きイオンエッチングを行うことを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記角度付きイオンエッチングは反応性イオンビームによって行われ、前記基板は前記反応性イオンビームに対して走査方向に沿って走査される、請求項5に記載の方法。
- 前記基板の上にエッチングストップ層を形成することを更に含み、前記光学格子層は前記エッチングストップ層の上に形成される、請求項1に記載の方法。
- 回折光学素子を形成する方法であって、
基板の上に光学格子層を設けることと、
前記光学格子層の上にハードマスクを設けることであって、前記ハードマスクは一連の開口部を含む、前記光学格子層の上にハードマスクを設けることと、
前記ハードマスクの上に犠牲層を形成することと、
前記犠牲層に凹部を形成することであって、前記凹部によって、前記犠牲層は、前記光学格子層の上面から測定して不均一な高さを有するようになる、前記犠牲層に凹部を形成することと、
光学格子を形成するために、前記光学格子層を貫通する複数の角度付きトレンチをエッチングすることであって、前記複数の角度付きトレンチのうちの第1のトレンチの第1の深さは、前記複数のトレンチのうちの第2のトレンチの第2の深さとは異なる、光学格子を形成するために、前記光学格子層を貫通する複数の角度付きトレンチをエッチングすることと
を含む方法。 - 前記犠牲層を形成することは、
前記ハードマスクの上に前記犠牲層を堆積させることと、
前記トレンチの傾斜した底面を形成するために、前記犠牲層をエッチングすることと
を含む、請求項8に記載の方法。 - 前記トレンチを光学格子層内に凹設するために、前記光学格子層をエッチングすることと、
前記トレンチの傾斜した底面に沿って、第2のハードマスクを形成することと、
前記ハードマスク及び前記第2のハードマスクの上に、光学平坦化層(OPL)及びフォトレジスト(PR)を形成することと、
前記OPL、前記PR、及び前記第2のハードマスクを貫通する複数の垂直トレンチをエッチングすることと、
前記OPL及び前記PRを除去することであって、前記OPL及び前記PRの除去後に、前記光学格子層を貫通する前記複数のトレンチをエッチングする、前記OPL及び前記PRを除去することと
を更に含む、請求項9に記載の方法。 - 前記エッチングは、前記光学格子層の上面によって画定される平面に対する垂線に対して非ゼロの角度で角度付きイオンエッチングを行うことを含む、請求項8に記載の方法。
- 前記角度付きイオンエッチングは反応性イオンビームによって行われ、前記基板は前記反応性イオンビームに対して走査方向に沿って走査される、請求項11に記載の方法。
- 前記基板の上にエッチングストップ層を形成することを更に含み、前記光学格子層は前記エッチングストップ層の上に形成される、請求項8に記載の方法。
- 回折光学素子を形成する方法であって、
基板の上に光学格子層を設けることと、
前記光学格子層の上にハードマスクをパターニングすることと、
前記ハードマスクの上に犠牲層を堆積させることと、
前記犠牲層にトレンチを形成するために、前記犠牲層の一部を除去することであって、前記トレンチは、第1の平面を画定する傾斜した底面を含み、前記第1の平面は、前記光学格子層の上面によって画定される第2の平面と非平行である、前記犠牲層にトレンチを形成するために、前記犠牲層の一部を除去することと、
光学格子を形成するために、前記光学格子層内に複数の角度付きトレンチをエッチングすることであって、前記複数のトレンチのうちの第1のトレンチの第1の深さは、前記複数のトレンチのうちの第2のトレンチの第2の深さとは異なる、光学格子を形成するために、前記光学格子層内に複数の角度付きトレンチをエッチングすることと
を含む方法。 - 前記光学格子層の上面から測定して不均一な高さを有する前記犠牲層を形成することを更に含む、請求項14に記載の方法。
- 前記トレンチを前記光学格子層内に凹設するために、前記光学格子層をエッチングすることと、
前記トレンチの傾斜した底面に沿って、第2のハードマスクを形成することと、
前記ハードマスク及び前記第2のハードマスクの上に、光学平坦化層(OPL)及びフォトレジスト(PR)を形成することと、
前記OPL、前記PR、及び前記第2のハードマスクを貫通する複数の垂直トレンチをエッチングすることと、
前記OPL及び前記PRを除去することであって、前記OPL及び前記PRの除去後に、前記複数のトレンチを前記光学格子層内にエッチングする、前記OPL及び前記PRを除去することと
を更に含む、請求項14に記載の方法。 - 前記エッチングは、前記光学格子層の上面によって画定される前記第2の平面に対する垂線に対して非ゼロの角度で角度付きイオンエッチングを行うことを含む、請求項14に記載の方法。
- 角度付きイオンエッチングは反応性イオンビームによって行われ、前記基板は前記反応性イオンビームに対して走査方向に沿って走査される、請求項14に記載の方法。
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