JP2023181069A - wiring board - Google Patents

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Hiroki Wakamori
伊久哉 寺内
Ikuya Terauchi
崇広 山田
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Abstract

To provide a wiring board which is less likely to cause breakage of a wire.SOLUTION: The wiring board of the present invention includes an insulation layer 101, and a conductor layer 102 including a wire EW formed on the insulation layer 101. The wire EW includes a first region WA1 and a second region WA2 with different wire thicknesses. A wire width in the second region WA2 is smaller than that in the first region WA1. A wire thickness in the second region WA2 is smaller than that in the first region WA1.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、配線基板に関する。 The present invention relates to a wiring board.

特許文献1に開示されている配線基板の製造方法では、配線導体を構成する電解銅めっき層の上面が研磨され、配線導体の厚さが均一にされる。 In the method for manufacturing a wiring board disclosed in Patent Document 1, the upper surface of an electrolytic copper plating layer constituting a wiring conductor is polished to make the thickness of the wiring conductor uniform.

特開2003-258410号公報JP2003-258410A

特許文献1に開示される製造方法により製造される配線基板では、配線導体の厚さは、配線導体の粗密やパターン幅に関係なく研磨により一定にされている。配線の幅が比較的小さい場合には、配線の厚さが減少することで断線の虞が高まる場合があると考えられる。 In the wiring board manufactured by the manufacturing method disclosed in Patent Document 1, the thickness of the wiring conductor is made constant by polishing regardless of the density or pattern width of the wiring conductor. When the width of the wiring is relatively small, it is considered that the risk of wire breakage increases as the thickness of the wiring decreases.

本発明の配線基板は、絶縁層と、前記絶縁層上に形成される配線を含む導体層と、を備えている。前記配線は、互いに配線厚さが異なる第1の領域及び第2の領域を含んでおり、前記第2の領域における配線幅は、前記第1の領域における配線幅よりも小さく、前記第2の領域における配線厚さは、前記第1の領域における配線厚さよりも大きい。 The wiring board of the present invention includes an insulating layer and a conductor layer including wiring formed on the insulating layer. The wiring includes a first region and a second region having different wiring thicknesses, the wiring width in the second region is smaller than the wiring width in the first region, and the wiring width in the second region is smaller than the wiring width in the first region. The wiring thickness in the region is greater than the wiring thickness in the first region.

本発明の実施形態によれば、同一の配線における配線幅の比較的小さい領域(第2の領域)においては、配線幅の比較的大きい領域(第1の領域)に対して、配線厚さは大きい。配線幅が比較的小さい領域での断線の虞は低減され得ると考えられる。 According to an embodiment of the present invention, in a region (second region) where the wiring width is relatively small in the same wiring, the wiring thickness is smaller than in a region (first region) where the wiring width is relatively large. big. It is thought that the risk of wire breakage in a region where the wiring width is relatively small can be reduced.

一実施形態の配線基板の一例を示す平面図。FIG. 1 is a plan view showing an example of a wiring board according to an embodiment. 図1におけるA-A線に沿った断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 1. 図1におけるB-B線に沿った断面図。FIG. 2 is a sectional view taken along line BB in FIG. 1. 一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。FIG. 1 is a diagram showing an example of a method for manufacturing a wiring board according to an embodiment. 一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。FIG. 1 is a diagram showing an example of a method for manufacturing a wiring board according to an embodiment. 一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。FIG. 1 is a diagram showing an example of a method for manufacturing a wiring board according to an embodiment. 一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。FIG. 1 is a diagram showing an example of a method for manufacturing a wiring board according to an embodiment. 一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。FIG. 1 is a diagram showing an example of a method for manufacturing a wiring board according to an embodiment. 一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。FIG. 1 is a diagram showing an example of a method for manufacturing a wiring board according to an embodiment. 一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。FIG. 1 is a diagram showing an example of a method for manufacturing a wiring board according to an embodiment. 一実施形態の配線基板の製造方法の一例を示す図。FIG. 1 is a diagram showing an example of a method for manufacturing a wiring board according to an embodiment.

本発明の実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。以下、参照される図面においては、各構成要素の正確な比率を示すことは意図されておらず、本実施形態の特徴が理解され易いように描かれている。 A wiring board according to an embodiment of the present invention will be explained with reference to the drawings. The drawings referred to hereinafter are not intended to show exact proportions of each component, but are drawn so that the features of the present embodiment can be easily understood.

図1には、一実施形態の配線基板の一例である配線基板の平面図が示されている。図2Aには、図1におけるA-A線に沿った断面図が示され、図2Bには、図1におけるB-B線沿った断面図が示されている。なお、図1に示される平面図及び図2A、2Bに示される断面図は、実施形態の配線基板が有し得る複数の絶縁層及び導体層のうち、実施形態の配線基板が有すべき任意の1層の導体層102及び絶縁層101の一部分を示している。導体層102の絶縁層101と反対側には、さらなる絶縁層が積層される場合がある。また、絶縁層101の導体層102と反対側には、更なる導体層が形成される場合がある。 FIG. 1 shows a plan view of a wiring board that is an example of a wiring board according to an embodiment. 2A shows a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 1, and FIG. 2B shows a cross-sectional view taken along line BB in FIG. Note that the plan view shown in FIG. 1 and the cross-sectional views shown in FIGS. 2A and 2B represent arbitrary layers that the wiring board of the embodiment should have among the plurality of insulating layers and conductor layers that the wiring board of the embodiment may have. A portion of one conductor layer 102 and insulating layer 101 is shown. An additional insulating layer may be laminated on the opposite side of the conductor layer 102 from the insulating layer 101. Further, an additional conductor layer may be formed on the side of the insulating layer 101 opposite to the conductor layer 102.

なお、本実施形態の配線基板の説明においては、絶縁層101の厚さ方向において、導体層102が形成される側を、「上」、「上側」と称し、導体層102が形成される側に対して反対側を、「下」、「下側」と称する。 Note that in the description of the wiring board of this embodiment, the side on which the conductor layer 102 is formed in the thickness direction of the insulating layer 101 is referred to as "upper" or "upper side", and the side on which the conductor layer 102 is formed is referred to as "upper" or "upper side". The opposite side is referred to as the "bottom" or "lower side."

絶縁層101は、例えば、所謂ビルドアップ配線基板の形態の配線基板を構成し得る複数の絶縁層の内の任意の一層の絶縁層であり、例えば、エポキシ樹脂を用いて形成され得る。絶縁層101は、例えば、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BT樹脂)又はフェノール樹脂などの絶縁性樹脂を用いて形成される場合もある。絶縁層101は、ガラス繊維などの補強材(芯材)及び/又はシリカ、アルミナなどの無機フィラーを含む場合がある。 The insulating layer 101 is, for example, an arbitrary insulating layer among a plurality of insulating layers that can constitute a wiring board in the form of a so-called build-up wiring board, and may be formed using, for example, epoxy resin. The insulating layer 101 may be formed using an insulating resin such as bismaleimide triazine resin (BT resin) or phenol resin, for example. The insulating layer 101 may contain a reinforcing material (core material) such as glass fiber and/or an inorganic filler such as silica or alumina.

絶縁層101上に形成される導体層102は、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成され得る。導体層102は、例えば、銅箔などの金属箔、及び/又は、めっきもしくはスパッタリングなどで形成される金属膜によって構成され得る。図示の例では、絶縁層101の表面上に形成されている導体層102は、無電解めっき膜層102n(好ましくは無電解銅めっき膜)、及び電解めっき膜層102e(好ましくは電解銅めっき膜)を含む2層構造を有している。しかし、導体層102の構造は、無電解めっき膜層102n及び電解めっき膜層102eの2層構造に限定されない。導体層102は金属箔層、無電解めっき膜層、及び電解めっき膜層を含む3層以上の層構造を有する場合があり得る。 The conductor layer 102 formed on the insulating layer 101 may be formed using any metal such as copper or nickel. The conductor layer 102 may be made of, for example, a metal foil such as a copper foil, and/or a metal film formed by plating, sputtering, or the like. In the illustrated example, the conductor layer 102 formed on the surface of the insulating layer 101 includes an electroless plated film layer 102n (preferably an electroless copper plating film) and an electrolytic plated film layer 102e (preferably an electrolytic copper plating film). ) has a two-layer structure. However, the structure of the conductor layer 102 is not limited to the two-layer structure of the electroless plated film layer 102n and the electrolytic plated film layer 102e. The conductor layer 102 may have a layer structure of three or more layers including a metal foil layer, an electroless plated film layer, and an electroplated film layer.

実施形態の配線基板に含まれる導体層102は、その導体パターンとして配線EWを有するようにパターニングされている。図示される3本の配線EWは、それぞれ、配線EWの長さ方向において、配線幅の異なる複数の領域を有している。具体的には、配線EWは、配線幅が比較的大きい第1の領域WA1、及び、第1の領域WA1よりも配線幅の小さい第2の領域WA2を有している。第1の領域WA1における配線幅A1は第2の領域WA2における配線幅A2よりも大きい。また、図示の例では、複数の配線EWのそれぞれは、導体層102に含まれる、平面方向(絶縁層101の表面の延在方向)おいて拡がる所謂ベタパターンBPと隣接している。 The conductor layer 102 included in the wiring board of the embodiment is patterned to have wiring EW as its conductor pattern. The three wires EW illustrated each have a plurality of regions with different wire widths in the length direction of the wire EW. Specifically, the wiring EW includes a first area WA1 having a relatively large wiring width and a second area WA2 having a smaller wiring width than the first area WA1. The wiring width A1 in the first area WA1 is larger than the wiring width A2 in the second area WA2. Further, in the illustrated example, each of the plurality of wirings EW is adjacent to a so-called solid pattern BP included in the conductor layer 102 and extending in the planar direction (extending direction of the surface of the insulating layer 101).

図2Aには、配線EWの第1の領域WA1に対応する部分の配線幅方向に沿った断面が示され、図2Bには、配線EWの第2の領域WA2に対応する部分の配線幅方向に沿った断面が示されている。図2Aと図2Bとの比較から理解されるように、配線EWの厚さについて、第2の領域WA2における配線厚さT2が、第1の領域WA1における配線厚さT1よりも大きい。すなわち、配線EWは、配線幅が比較的大きく、且つ、配線厚さが比較的小さい第1の領域WA1と、配線幅が比較的小さく、且つ、配線厚さが比較的大きい第2の領域WA2とを有している。 2A shows a cross section along the wiring width direction of a portion of the wiring EW corresponding to the first area WA1, and FIG. 2B shows a cross section of the wiring EW corresponding to the second area WA2 in the wiring width direction. A cross section along is shown. As understood from the comparison between FIG. 2A and FIG. 2B, regarding the thickness of the wiring EW, the wiring thickness T2 in the second area WA2 is larger than the wiring thickness T1 in the first area WA1. That is, the wiring EW has a first area WA1 with a relatively large wiring width and a relatively small wiring thickness, and a second area WA2 with a relatively small wiring width and a relatively large wiring thickness. It has

第2の領域WA2の配線幅A2は第1の領域WA1の配線幅A1より小さく、第2の領域WA2の配線厚さT2は第1の領域WA1の配線厚さT1より大きい。このように、配線EWの比較的配線幅が小さい第2の領域WA2において、配線厚さが比較的大きくされていることによって、配線EWの、特に第2の領域WA2における断線の虞が低減される場合がある。 The wiring width A2 of the second area WA2 is smaller than the wiring width A1 of the first area WA1, and the wiring thickness T2 of the second area WA2 is larger than the wiring thickness T1 of the first area WA1. In this way, by making the wiring thickness relatively large in the second area WA2 where the wiring width is relatively small, the possibility of disconnection of the wiring EW, especially in the second area WA2, is reduced. There may be cases where

例えば、具体的には、配線EWの第1の領域WA1においては、配線幅は、12μm~95μm程度に形成され、配線厚さは8μm~15μm程度とされ得る。これに対して、配線EWの第2の領域WA2においては、配線幅は、7μm~90μm程度に形成され、配線厚さは12μm~18μm程度とされ得る。 For example, specifically, in the first region WA1 of the wiring EW, the wiring width may be formed to be approximately 12 μm to 95 μm, and the wiring thickness may be approximately 8 μm to 15 μm. On the other hand, in the second region WA2 of the wiring EW, the wiring width may be formed to be approximately 7 μm to 90 μm, and the wiring thickness may be approximately 12 μm to 18 μm.

配線EWの比較的配線幅が小さい第2の領域WA2において、配線厚さが比較的大きくされていることにより、同一の配線EW内における抵抗値のばらつきの程度を小さく抑制することが可能となり得る。すなわち、同一の配線EW内における、配線幅方向に沿った、配線の長さ方向に直交する断面の面積(断面積)のばらつきの程度が抑制される場合がある。 By making the wiring thickness relatively large in the second area WA2 where the wiring width of the wiring EW is relatively small, it may be possible to suppress the degree of variation in resistance value within the same wiring EW to a small level. . That is, the degree of variation in the cross-sectional area (cross-sectional area) perpendicular to the length direction of the wire along the wire width direction within the same wire EW may be suppressed.

具体的には、配線EWの、配線幅が比較的大きい第1の領域WA1における配線の長さ方向に直交する断面の面積と、配線幅が比較的小さい第2の領域WA2における配線の長さ方向に直交する断面の面積との差異は、それぞれの領域における配線厚さが調整されていることにより、抑制され得る。例えば、第1の領域WA1における配線EWの配線幅A1が30μm程度であり第2の領域WA2における配線幅A2が20μm程度である場合には、第1の領域WA1における配線EWの配線厚さT1が10μm程度とされ第2の領域WA2における配線厚さT2が15μm程度とされ得る。 Specifically, the area of the cross section of the wiring EW perpendicular to the length direction of the wiring in the first area WA1 where the wiring width is relatively large, and the length of the wiring in the second area WA2 where the wiring width is relatively small. The difference with the area of the cross section perpendicular to the direction can be suppressed by adjusting the wiring thickness in each region. For example, when the wiring width A1 of the wiring EW in the first area WA1 is about 30 μm and the wiring width A2 of the second area WA2 is about 20 μm, the wiring thickness T1 of the wiring EW in the first area WA1 is may be approximately 10 μm, and the wiring thickness T2 in the second area WA2 may be approximately 15 μm.

好ましくは、第1の領域WA1における配線幅方向に沿った、配線の長さ方向に直交する断面の面積と、第2の領域WA2における配線幅方向に沿った、配線の長さ方向に直交する断面の面積とは、略一定とされ得る。換言すれば、配線EWの第1の領域WA1における配線長さ方向における単位長さ当たりの電気抵抗値と、配線EWの第2の領域WA2における配線長さ方向における単位長さ当たりの電気抵抗値とは、略等しい値を有し得る。上述されたように、第1の領域WA1における配線幅A1及び配線厚さT1と、第2の領域WA2における配線幅A2及び配線厚さT2との関係が調整されていることにより、断線の虞が低減されると共に抵抗値のばらつきが抑えられる配線EWが提供され得る。 Preferably, the area of a cross section along the wiring width direction in the first area WA1 and perpendicular to the wiring length direction and the area of the cross section perpendicular to the wiring length direction along the wiring width direction in the second area WA2. The cross-sectional area may be approximately constant. In other words, the electrical resistance value per unit length in the wiring length direction in the first area WA1 of the wiring EW and the electrical resistance value per unit length in the wiring length direction in the second area WA2 of the wiring EW. and may have approximately equal values. As described above, the relationship between the wiring width A1 and the wiring thickness T1 in the first area WA1 and the wiring width A2 and the wiring thickness T2 in the second area WA2 is adjusted, thereby reducing the risk of disconnection. It is possible to provide a wiring EW in which resistance value is reduced and variation in resistance value is suppressed.

なお、導体層102内における導体厚さの差異の程度は、導体層102上に被覆され得るさらなる絶縁層と、導体層102及び導体層102のパターン間に露出する絶縁層101との密着の観点から、小さい方が望ましい場合がある。従って、配線EWにおける、第1の領域WA1の配線厚さと第2の領域WA2の配線厚さとの差は15μm以下であることが望ましい場合がある。また、同一の配線EW内での配線幅の差異(第1の領域WA1における配線幅と第2の領域WA2における配線幅との差異)は、同一の配線内における抵抗値の変化を抑制しながらも、配線厚さの差異を抑制させる観点から30μm以下とされていることが好ましく、10μm以下とされることがさらに好ましい。 Note that the degree of difference in conductor thickness within the conductor layer 102 is determined from the viewpoint of adhesion between a further insulating layer that may be coated on the conductor layer 102 and the insulating layer 101 exposed between the conductor layer 102 and the patterns of the conductor layer 102. Therefore, a smaller value may be desirable. Therefore, in the wiring EW, it may be desirable that the difference between the wiring thickness in the first area WA1 and the wiring thickness in the second area WA2 is 15 μm or less. Furthermore, the difference in wiring width within the same wiring EW (the difference between the wiring width in the first area WA1 and the wiring width in the second area WA2) can be adjusted while suppressing the change in resistance value within the same wiring. From the viewpoint of suppressing differences in wiring thickness, the thickness is preferably 30 μm or less, and more preferably 10 μm or less.

配線基板の製造方法の説明において後述されるように、導体層102の形成においては、配線EW周囲に形成されるべき導体の存在量の調整により、配線EWの厚さの調整が比較的精度高く実現される場合がある。従って、形成される導体層102では、配線EWの第1の領域WA1の周囲に存在する導体の量と、第2の領域WA2の周囲に存在する導体の量とが異なる場合がある。 As will be described later in the description of the wiring board manufacturing method, in forming the conductor layer 102, the thickness of the wiring EW can be adjusted with relatively high precision by adjusting the amount of conductor to be formed around the wiring EW. It may be realized. Therefore, in the formed conductor layer 102, the amount of conductor present around the first region WA1 of the wiring EW may differ from the amount of conductor present around the second region WA2.

図1に示されるように、第1の領域WA1と第2の領域WA2との間には、第1の領域WA1から第2の領域WA2へと漸移的に配線幅が減少する領域が形成されている。第1の領域WA1と第2の領域WA2との間に介在している漸移的に配線幅が変化する領域は第3の領域WA3と称される。配線幅が第1の領域WA1から第2の領域WA2に向けて漸移的に減少している第3の領域WA3においては、配線厚さが第1の領域WA1から第2の領域WA2に向けて漸移的に増加している。 As shown in FIG. 1, a region is formed between the first region WA1 and the second region WA2, where the wiring width gradually decreases from the first region WA1 to the second region WA2. has been done. The region interposed between the first region WA1 and the second region WA2 and in which the wiring width gradually changes is referred to as a third region WA3. In the third area WA3, where the wiring width gradually decreases from the first area WA1 to the second area WA2, the wiring thickness decreases from the first area WA1 to the second area WA2. It is gradually increasing.

第1の領域WA1における配線の長さ方向に直交する断面の面積と、第2の領域WA2における配線の長さ方向に直交する断面の面積とが、略一定とされることが上述されたように、第3の領域WA3における配線の長さ方向に直交する断面の面積も、第1の領域WA1及び第2の領域WA2の断面積と略一定にされ得る。 As described above, the area of the cross section perpendicular to the length direction of the wiring in the first region WA1 and the area of the cross section perpendicular to the length direction of the wire in the second region WA2 are approximately constant. Furthermore, the area of the cross section perpendicular to the length direction of the wiring in the third region WA3 can also be made substantially constant with the cross-sectional areas of the first region WA1 and the second region WA2.

この場合、第3の領域WA3において、漸移的な配線幅の変化に伴って、断面積が一定となるように、配線厚さが漸移的に変化し得る。具体的には、第3の領域WA3においては、第1の領域WA1から第2の領域WA2にむけて漸移的に配線幅が減少するのに伴って、第1の領域WA1から第2の領域WA2にむけて、断面積が一定となるように、漸移的に配線厚さが増大し得る。これにより、同一の配線EWにおける単位長さ当たりの電気抵抗値は略一定である場合があり得る。 In this case, in the third region WA3, as the wiring width gradually changes, the wiring thickness may gradually change so that the cross-sectional area becomes constant. Specifically, in the third area WA3, as the wiring width gradually decreases from the first area WA1 to the second area WA2, the wiring width decreases from the first area WA1 to the second area WA1. The interconnect thickness may gradually increase toward the region WA2 so that the cross-sectional area becomes constant. As a result, the electrical resistance value per unit length in the same wiring EW may be approximately constant.

実施形態の配線基板は、任意の一般的な配線基板の製造方法によって製造され得る。図3A~図3Hを参照して、図1に示される、配線基板が有する絶縁層101上の導体層102が製造される場合を例に、配線基板の製造方法が説明される。なお、以下、図3A~図3Hを参照して説明される製造方法においては、図2A及び図2Bと同様に、配線基板の絶縁層101及び導体層102に対応する部分の断面図が示され、特に、導体層102の製造について説明される。 The wiring board of the embodiment may be manufactured by any general wiring board manufacturing method. With reference to FIGS. 3A to 3H, a method for manufacturing a wiring board will be described using as an example the case where the conductor layer 102 on the insulating layer 101 of the wiring board shown in FIG. 1 is manufactured. Note that in the manufacturing method described below with reference to FIGS. 3A to 3H, a cross-sectional view of a portion of the wiring board corresponding to the insulating layer 101 and the conductive layer 102 is shown similarly to FIGS. 2A and 2B. In particular, the fabrication of the conductor layer 102 will be described.

先ず、図3Aに示されるように、絶縁層101の積層までが完了した積層体が用意される。絶縁層101としては、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BT樹脂)又はフェノール樹脂などの絶縁性樹脂を含む樹脂フィルムが用いられ得る。絶縁層101の一方の表面上の全体に亘って金属膜層102nが形成される。例えば、無電解めっきによって、無電解銅めっき膜層である金属膜層102nが形成される。金属膜層102nは、例えば、銅を含むターゲットを用いたスパッタリングによって形成される場合があり得る。 First, as shown in FIG. 3A, a laminate in which the insulating layer 101 has been laminated is prepared. As the insulating layer 101, for example, a resin film containing an insulating resin such as epoxy resin, bismaleimide triazine resin (BT resin), or phenol resin may be used. A metal film layer 102n is formed entirely on one surface of the insulating layer 101. For example, the metal film layer 102n, which is an electroless copper plating film layer, is formed by electroless plating. The metal film layer 102n may be formed, for example, by sputtering using a target containing copper.

次いで、図3Bに示されるように、金属膜層102n上には、電解めっき用のめっきレジスト102rが形成される。例えば、金属膜層102n上の全域を被覆するように、例えば、感光性のポリヒドロキシエーテル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、又はポリイミド樹脂などを含むめっきレジスト102rが、例えば、スプレーコーティング又はフィルムの貼り付けなどによって全域に形成される。 Next, as shown in FIG. 3B, a plating resist 102r for electrolytic plating is formed on the metal film layer 102n. For example, a plating resist 102r containing, for example, photosensitive polyhydroxy ether resin, epoxy resin, phenol resin, or polyimide resin is applied, for example, by spray coating or by applying a film, so as to cover the entire area on the metal film layer 102n. It is formed over the entire area by attaching, etc.

次いで、図3C、及び、図3Dに示されるように、めっきレジスト102rに開口が形成される。めっきレジスト102rには、導体層102が有するべき、配線EW及びベタパターンBPを有する導体パターン(図1参照)に応じた、開口が形成される。なお、図3C及び後に参照する図3E、図3Gには、実施形態の配線基板の説明において参照された、図2Aに示される第1の領域WA1の断面に対応する部分が示されており、図3D及び後に参照する図3F、図3Hには、図2Bに示される第2の領域WA2の断面に対応する部分が示されている。 Next, as shown in FIGS. 3C and 3D, an opening is formed in the plating resist 102r. An opening is formed in the plating resist 102r in accordance with a conductor pattern (see FIG. 1) having the wiring EW and the solid pattern BP that the conductor layer 102 should have. Note that FIG. 3C and FIGS. 3E and 3G, which will be referred to later, show a portion corresponding to the cross section of the first area WA1 shown in FIG. 2A, which is referred to in the description of the wiring board of the embodiment. FIG. 3D and FIGS. 3F and 3H, which will be referred to later, show a portion corresponding to the cross section of the second area WA2 shown in FIG. 2B.

めっきレジスト102rの開口は、例えば、適切な開口パターンを有するマスクを用いた露光及び現像によって形成され得る。具体的には、めっきレジスト102rには、形成されるべき配線EWのパターンに従った開口WO、及び、形成されるべきベタパターンBPに従った開口POが形成される。 The openings in the plating resist 102r can be formed, for example, by exposure and development using a mask having an appropriate opening pattern. Specifically, an opening WO according to the pattern of the wiring EW to be formed and an opening PO according to the solid pattern BP to be formed are formed in the plating resist 102r.

図3Cと図3Dとの比較から理解されるように、形成されるべき配線EWの第2の領域WA2に対応する部分の開口WOの開口幅は、第1の領域WA1に対応する部分の開口WOの開口幅よりも小さく形成される。形成されるべき配線EWの第2の領域WA2に対応する部分の開口WOの開口幅は7μm~90μm程度に形成され、形成されるべき配線EWの第1の領域WA1に対応する部分の開口WOの開口幅は12μm~95μm程度に形成され得る。 As can be understood from a comparison between FIG. 3C and FIG. 3D, the opening width of the opening WO in the portion corresponding to the second area WA2 of the wiring EW to be formed is the same as that of the opening in the portion corresponding to the first area WA1. It is formed smaller than the opening width of the WO. The opening width of the opening WO in the portion corresponding to the second region WA2 of the wiring EW to be formed is approximately 7 μm to 90 μm, and the opening WO in the portion corresponding to the first region WA1 of the wiring EW to be formed is approximately 7 μm to 90 μm. The opening width can be formed to be about 12 μm to 95 μm.

開口WOに隣接して形成される開口POは、平面視において、第1の領域WA1に対応する部分の開口WOの周囲の領域の面積に占める開口WO、POの面積の割合と、第2の領域WA2に対応する部分の開口WOの周囲の領域の面積に占める開口WO、POの面積の割合とが異なるように形成され得る。 The opening PO formed adjacent to the opening WO is determined by the ratio of the area of the openings WO and PO to the area of the area surrounding the opening WO in the portion corresponding to the first area WA1, and the second area. The openings WO and PO may be formed to have different ratios of area to the area of the area surrounding the opening WO in the portion corresponding to the area WA2.

第2の領域WA2に対応する開口WOの周囲の領域における開口WO、POが占める面積の割合が、第1の領域WA1に対応する開口WOの周囲の領域における開口WO、POが占める面積の割合よりも小さくなるように開口POが形成されることにより、続く、図3E、及び図3Fを参照して説明される電解めっき層102eの形成が良好に実現され得る。図3E、及び、図3F、に示されるような、開口WO内への厚さの異なる電解めっき層102eの充填が良好に実現される場合がある。 The ratio of the area occupied by the openings WO and PO in the area around the opening WO corresponding to the second area WA2 is the ratio of the area occupied by the openings WO and PO in the area around the opening WO corresponding to the first area WA1. By forming the opening PO to be smaller than the above, the subsequent formation of the electrolytic plating layer 102e described with reference to FIGS. 3E and 3F can be successfully realized. Filling of the electrolytic plated layers 102e with different thicknesses into the openings WO as shown in FIGS. 3E and 3F may be achieved satisfactorily.

次いで、図3E、及び、図3Fに示されるように、開口WO、PO内に、電解めっきにより導体が充填され、電解めっき層102eが形成される。金属膜層102nをシード層として用いた電解めっきにより、めっきレジスト102rの開口WOの内部が導体で充填され配線EWを構成する電解めっき層102eが形成されると共に、開口POの内部が導体で充填され配線EW周囲のベタパターンを構成する電解めっき層102eが形成される。 Next, as shown in FIGS. 3E and 3F, the openings WO and PO are filled with a conductor by electrolytic plating to form an electroplated layer 102e. By electrolytic plating using the metal film layer 102n as a seed layer, the inside of the opening WO of the plating resist 102r is filled with a conductor to form the electroplated layer 102e that constitutes the wiring EW, and the inside of the opening PO is filled with the conductor. Then, an electroplated layer 102e forming a solid pattern around the wiring EW is formed.

電解めっき層102eの形成においては、図3E及び図3Fに示されるように、図3Fに示される、形成される配線EWの第2の領域WA2に対応する部分の電解めっき層102eは、図3Eに示される、形成される配線EWの第1の領域WA1に対応する部分の電解めっき層102eよりも厚さが大きく形成される。上述されたような、開口WO周囲の領域における開口POが占める割合が異なる場合、開口WO、PO内に形成される電解めっき層102eの厚さが異なり得る。具体的には、開口WO及び開口POの配置に関連した電流密度の分布に伴う、電解めっきの条件(温度、めっき時間など)の適切な調整により、開口WO周囲の領域における開口POが占める割合が異なる領域での厚さが異なる電解めっき層102eが、比較的良好に形成される場合がある。 In forming the electrolytic plated layer 102e, as shown in FIGS. 3E and 3F, the electrolytic plated layer 102e in the portion corresponding to the second area WA2 of the wiring EW to be formed shown in FIG. The electrolytic plated layer 102e is formed to be thicker than the electroplated layer 102e in the portion corresponding to the first region WA1 of the wiring EW to be formed, as shown in FIG. As described above, when the ratio of the area occupied by the opening PO in the area around the opening WO is different, the thickness of the electroplated layer 102e formed in the opening WO and PO may be different. Specifically, by appropriately adjusting the electrolytic plating conditions (temperature, plating time, etc.) according to the current density distribution related to the arrangement of the openings WO and PO, the proportion occupied by the openings PO in the area around the openings WO can be reduced. An electroplated layer 102e having different thicknesses in different regions may be formed relatively well.

第1の領域WA1に対応する、図3Eに示される配線EWの配線厚さ(金属膜層102n及び電解めっき層102eの厚さ)は、開口WOの幅(配線幅)が12μm~95μmである場合には、8μm~15μmとなるように形成され得る。これに比して、第2の領域WA2に対応する、図3Fに示される、配線EWの配線厚さは、開口WOの幅が7μm~90μmである場合には、12μm~18μmとなるように形成され得る。このように、配線幅に対する配線厚さが調整され得ることにより、形成される配線EWの第1の領域WA1と第2の領域WA2とにおける配線の断面積が略等しく調整される場合があり得る。 The wiring thickness (the thickness of the metal film layer 102n and the electrolytic plating layer 102e) of the wiring EW shown in FIG. 3E, which corresponds to the first area WA1, is such that the width of the opening WO (wiring width) is 12 μm to 95 μm. In some cases, it may be formed to have a thickness of 8 μm to 15 μm. In contrast, when the width of the opening WO is 7 μm to 90 μm, the wiring thickness of the wire EW shown in FIG. 3F corresponding to the second area WA2 is 12 μm to 18 μm. can be formed. In this way, since the wiring thickness relative to the wiring width can be adjusted, the cross-sectional areas of the wiring in the first region WA1 and the second region WA2 of the wiring EW to be formed may be adjusted to be approximately equal. .

次いで、図3G及び図3Hに示されるように、めっきレジスト102rが除去されると共に、めっきレジスト102rの除去により露出する金属膜層102nがエッチングにより除去される。配線EWを含む導体層102の形成が完了する。配線基板の製造においては、導体層102の形成が完了した後、導体層102上に任意の更なる絶縁層及び導体層が積層される場合がある。 Next, as shown in FIGS. 3G and 3H, the plating resist 102r is removed, and the metal film layer 102n exposed by the removal of the plating resist 102r is removed by etching. Formation of the conductor layer 102 including the wiring EW is completed. In manufacturing wiring boards, after the formation of conductor layer 102 is completed, optional additional insulating and conductor layers may be laminated on conductor layer 102.

実施形態の配線基板は、配線基板が備える導体層102が、図示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。導体層102に含まれる配線EWは、少なくとも配線幅が比較的大きく配線厚さが比較的小さい第1の領域WA1と、第1の領域WA1よりも配線幅が小さく配線厚さの大きい第2の領域WA2とを有していればよい。配線EWは、第1の領域WA1及び第2の領域WA2と配線幅並びに配線厚さが異なる更なる第4の領域をも有する場合がある。また、配線基板が備える絶縁層101には、導体層102と、導体層102と反対側に形成され得る導体層とを接続するビア導体が形成され得る。 The wiring board of the embodiment is not limited to one in which the conductor layer 102 of the wiring board has the illustrated structure and the structure, shape, and material exemplified in this specification. The wiring EW included in the conductor layer 102 has at least a first area WA1 with a relatively large wiring width and a relatively small wiring thickness, and a second area WA1 with a smaller wiring width and a larger wiring thickness than the first area WA1. It is sufficient if the area WA2 is included. The wiring EW may also include a fourth region having a wiring width and wiring thickness different from the first region WA1 and the second region WA2. Further, a via conductor connecting the conductor layer 102 and a conductor layer that may be formed on the opposite side to the conductor layer 102 may be formed in the insulating layer 101 included in the wiring board.

101 絶縁層
102 導体層
102n 金属膜層
102e 電解めっき層
102r めっきレジスト
EW 配線
BP ベタパターン
WO、PO 開口
WA1 第1の領域
WA2 第2の領域
101 Insulating layer 102 Conductor layer 102n Metal film layer 102e Electrolytic plating layer 102r Plating resist EW Wiring BP Solid pattern WO, PO Opening WA1 First area WA2 Second area

Claims (6)

絶縁層と、前記絶縁層上に形成される配線を含む導体層と、を備える、配線基板であって、
前記配線は、互いに配線厚さが異なる第1の領域及び第2の領域を含んでおり、
前記第2の領域における配線幅は、前記第1の領域における配線幅よりも小さく、
前記第2の領域における配線厚さは、前記第1の領域における配線厚さよりも大きい。
A wiring board comprising an insulating layer and a conductor layer including wiring formed on the insulating layer,
The wiring includes a first region and a second region having mutually different wiring thicknesses,
The wiring width in the second region is smaller than the wiring width in the first region,
The wiring thickness in the second region is greater than the wiring thickness in the first region.
請求項1記載の配線基板であって、前記第1の領域における前記配線の長さ方向に直交する断面の面積と、前記第2の領域における前記配線の長さ方向に直交する断面の面積とは、略等しい。 2. The wiring board according to claim 1, wherein an area of a cross section perpendicular to the length direction of the wire in the first region, and an area of a cross section perpendicular to the length direction of the wire in the second region. are approximately equal. 請求項1記載の配線基板であって、前記第2の領域における配線幅は90μm以下であり、配線厚さは18μm以上である。 2. The wiring board according to claim 1, wherein the wiring width in the second region is 90 μm or less, and the wiring thickness is 18 μm or more. 請求項1記載の配線基板であって、
前記配線は、前記第1の領域と前記第2の領域との間に介在する第3の領域をさらに含み、
前記第3の領域における配線幅は、前記第1の領域から前記第2の領域に向けて漸移的に減少し、
前記第3の領域における配線厚さは、前記第1の領域から前記第2の領域に向けて漸移的に増大する。
The wiring board according to claim 1,
The wiring further includes a third region interposed between the first region and the second region,
The wiring width in the third region gradually decreases from the first region to the second region,
The wiring thickness in the third region gradually increases from the first region to the second region.
請求項4記載の配線基板であって、前記第1の領域における配線幅方向に沿った断面の面積と、前記第2の領域における配線幅方向に沿った断面の面積と、前記第3の領域における配線幅方向に沿った断面の面積とは、略等しい。 5. The wiring board according to claim 4, wherein: an area of a cross section along the wiring width direction in the first region, an area of a cross section along the wiring width direction in the second region, and the third region. The area of the cross section along the wiring width direction is approximately equal. 請求項1記載の配線基板であって、
前記第1の領域における配線幅と前記第2の領域における配線幅との差は、10μm以下であり、
前記第1の領域における配線厚さと前記第2の領域における配線厚さとの差は、15μm以下である。
The wiring board according to claim 1,
The difference between the wiring width in the first region and the wiring width in the second region is 10 μm or less,
The difference between the wiring thickness in the first region and the wiring thickness in the second region is 15 μm or less.
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