JP2023135845A - Laminated electronic component - Google Patents

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Abstract

To achieve a laminated electronic component capable of lowering the height thereof.SOLUTION: An electronic component 1 includes a ground conductor layer 611, inductors L11, L12, capacitors C11, C12, and a laminate 50. The inductor L11 and the capacitor C11 and the inductor L12 and the capacitor C12 are used to configure LC resonators 11, 12, respectively. In a lamination direction T, the LC resonators 11, 12 each exist between a bottom face 50A of the laminate 50 and the ground conductor layer 611, but do not exist between a top face 50B of the laminate 50 and the ground conductor layer 611. In the lamination direction T, the inductors L11, L12 are disposed between the bottom face 50A and the capacitor C11 and between the bottom face 50A and the capacitor C12, respectively.SELECTED DRAWING: Figure 7

Description

本発明は、LC共振器を覆うグランド用導体層を備えた積層型電子部品に関する。 The present invention relates to a multilayer electronic component including a grounding conductor layer covering an LC resonator.

近年、携帯電話機やスマートフォンに代表される小型移動体通信機器では、多機能化、小型化が進み、それに伴い、電子部品の実装の高密度化が進んでいる。その結果、小型移動体通信機器では、実装基板に実装される複数の電子部品の間隔が小さくなってきている。 In recent years, small mobile communication devices such as mobile phones and smartphones have become more multi-functional and smaller, and as a result, the density of electronic components has been increased. As a result, in small mobile communication devices, the intervals between multiple electronic components mounted on a mounting board are becoming smaller.

複数の電子部品の間隔が小さくなると、複数の電子部品間における電磁干渉が生じやすくなる。これに対し、例えば、特許文献1には、上面側にグランド電極を設けることによって、外部からのノイズを遮断するバンドパスフィルタが開示されている。特許文献1に開示されたバンドパスフィルタは、インダクタの線路電極がグランド電極に対向するLC共振器を備えている。 When the distance between the plurality of electronic components becomes smaller, electromagnetic interference between the plurality of electronic components is more likely to occur. On the other hand, for example, Patent Document 1 discloses a bandpass filter that blocks external noise by providing a ground electrode on the upper surface side. The bandpass filter disclosed in Patent Document 1 includes an LC resonator in which a line electrode of an inductor faces a ground electrode.

特開2013-128232号公報Japanese Patent Application Publication No. 2013-128232

小型移動体通信機器に用いられる電子部品には、小型化および低背化も求められている。ここで、特許文献1に開示されたバンドパスフィルタのように、インダクタを構成するインダクタ用導体層が、グランドに接続されるグランド用導体層に対向する構造を有する電子部品を低背化する場合について考える。この場合、インダクタ用導体層とグランド用導体層との間隔を小さくすると、インダクタ用導体層とグランド用導体層との間に浮遊容量が生じ、所望の特性を得られなくなるおそれがある。そのため、上記の構造を有する電子部品では、インダクタ用導体層とグランド用導体層との間隔を小さくすることが難しく、その結果、電子部品を低背化することが難しかった。 Electronic components used in small mobile communication devices are also required to be smaller and lower in profile. Here, when reducing the height of an electronic component that has a structure in which an inductor conductor layer that constitutes an inductor faces a ground conductor layer that is connected to the ground, such as the bandpass filter disclosed in Patent Document 1, think about. In this case, if the distance between the inductor conductor layer and the ground conductor layer is reduced, stray capacitance will occur between the inductor conductor layer and the ground conductor layer, and there is a risk that desired characteristics may not be obtained. Therefore, in the electronic component having the above structure, it is difficult to reduce the distance between the inductor conductor layer and the ground conductor layer, and as a result, it is difficult to reduce the height of the electronic component.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、LC共振器を覆うグランド用導体層を備えた積層型電子部品であって、低背化が可能な積層型電子部品を提供することにある。 The present invention has been made in view of these problems, and its purpose is to provide a multilayer electronic component that is equipped with a grounding conductor layer that covers an LC resonator, and that can be made low in profile. It's about doing.

本発明の積層型電子部品は、グランドに接続されるグランド用導体層と、少なくとも1つのインダクタと、複数のコンデンサと、積層体とを備えている。積層体は、積層された複数の誘電体層を含み、被実装体に対向する第1の面と第1の面とは反対側の第2の面とを有している。積層体は、グランド用導体層、少なくとも1つのインダクタおよび複数のコンデンサを一体化するためのものである。少なくとも1つのインダクタと複数のコンデンサは、少なくとも1つのLC共振器を構成するために用いられている。少なくとも1つのLC共振器は、複数の誘電体層の積層方向において、第1の面とグランド用導体層との間には存在するが、第2の面とグランド用導体層との間には存在しない。少なくとも1つのインダクタは、積層方向において、第1の面と複数のコンデンサとの間に配置されている。 The multilayer electronic component of the present invention includes a grounding conductor layer connected to the ground, at least one inductor, a plurality of capacitors, and a laminate. The laminate includes a plurality of stacked dielectric layers, and has a first surface facing the mounted object and a second surface opposite to the first surface. The laminate is for integrating a grounding conductor layer, at least one inductor, and a plurality of capacitors. At least one inductor and multiple capacitors are used to configure at least one LC resonator. At least one LC resonator exists between the first surface and the grounding conductor layer in the stacking direction of the plurality of dielectric layers, but between the second surface and the grounding conductor layer. not exist. At least one inductor is disposed between the first surface and the plurality of capacitors in the stacking direction.

本発明の積層型電子部品において、グランド用導体層は、積層体内において第1の面よりも第2の面により近い位置に配置されていてもよい。 In the multilayer electronic component of the present invention, the grounding conductor layer may be located closer to the second surface than the first surface in the multilayer body.

また、本発明の積層型電子部品は、更に、それぞれ積層体に一体化され且つグランド用導体層に対向する複数のコンデンサ用導体層を備えていてもよい。この場合、複数の誘電体層は、グランド用導体層と複数のコンデンサ用導体層との間に介在する少なくとも1つの誘電体層を含んでいてもよい。複数のコンデンサは、グランド用導体層、複数のコンデンサ用導体層および少なくとも1つの誘電体層によって構成されていてもよい。 Furthermore, the multilayer electronic component of the present invention may further include a plurality of capacitor conductor layers, each of which is integrated into the multilayer body and faces the ground conductor layer. In this case, the plurality of dielectric layers may include at least one dielectric layer interposed between the ground conductor layer and the plurality of capacitor conductor layers. The plurality of capacitors may include a ground conductor layer, a plurality of capacitor conductor layers, and at least one dielectric layer.

また、本発明の積層型電子部品において、少なくとも1つのLC共振器は、複数のLC共振器であってもよい。この場合、少なくとも1つのインダクタは、複数のインダクタであってもよい。また、この場合、複数のLC共振器の各々は、複数のインダクタのうちの少なくとも1つのインダクタと、複数のコンデンサのうちの少なくとも1つのコンデンサとによって構成されていてもよい。 Furthermore, in the multilayer electronic component of the present invention, the at least one LC resonator may be a plurality of LC resonators. In this case, the at least one inductor may be a plurality of inductors. Further, in this case, each of the plurality of LC resonators may include at least one inductor among the plurality of inductors and at least one capacitor among the plurality of capacitors.

また、本発明の積層型電子部品において、少なくとも1つのインダクタは、第1のスルーホール列と、第2のスルーホール列と、第1のスルーホール列と第2のスルーホール列とを接続するインダクタ用導体層とを含んでいてもよい。第1のスルーホール列と第2のスルーホール列の各々は、2つ以上のスルーホールが直列に接続されることによって構成されていてもよい。この場合、インダクタ用導体層は、積層方向において、第1の面と第1および第2のスルーホール列との間に配置されていてもよい。また、この場合、インダクタ用導体層は、複数の誘電体層の各々の短手方向および長手方向の両方と非平行になるように延在する部分を含んでいてもよい。また、インダクタ用導体層は、積層方向に直交する第1の方向に延在する部分と、積層方向に直交し且つ第1の方向と交差する第2の方向に延在する部分とを含んでいてもよい。 Furthermore, in the multilayer electronic component of the present invention, the at least one inductor connects the first through hole row, the second through hole row, and the first through hole row and the second through hole row. The conductor layer for an inductor may also be included. Each of the first through hole row and the second through hole row may be configured by two or more through holes connected in series. In this case, the inductor conductor layer may be arranged between the first surface and the first and second through-hole rows in the stacking direction. Further, in this case, the inductor conductor layer may include a portion extending non-parallel to both the lateral direction and the longitudinal direction of each of the plurality of dielectric layers. Further, the inductor conductor layer includes a portion extending in a first direction perpendicular to the lamination direction and a portion extending in a second direction perpendicular to the lamination direction and intersecting the first direction. You can stay there.

また、本発明の積層型電子部品は、更に、第1の面に配置されたグランド端子と、積層体内においてグランド用導体層とグランドとを接続する複数のスルーホールとを備えていてもよい。 Furthermore, the multilayer electronic component of the present invention may further include a ground terminal disposed on the first surface and a plurality of through holes connecting the ground conductor layer and the ground within the multilayer body.

また、本発明の積層型電子部品において、第1の面と少なくとも1つのインダクタとの間には、少なくとも1つのインダクタに接続されたコンデンサが存在しなくてもよい。 Furthermore, in the multilayer electronic component of the present invention, there may be no capacitor connected to the at least one inductor between the first surface and the at least one inductor.

本発明の積層型電子部品では、少なくとも1つのLC共振器は、複数の誘電体層の積層方向において、第1の面とグランド用導体層との間には存在するが、第2の面とグランド用導体層との間には存在しない。少なくとも1つのインダクタは、積層方向において、第1の面と複数のコンデンサとの間に配置されている。これにより、本発明によれば、低背化が可能な積層型電子部品を実現することができるという効果を奏する。 In the multilayer electronic component of the present invention, at least one LC resonator exists between the first surface and the grounding conductor layer in the stacking direction of the plurality of dielectric layers, but between the second surface and the grounding conductor layer. It does not exist between it and the ground conductor layer. At least one inductor is disposed between the first surface and the plurality of capacitors in the stacking direction. As a result, according to the present invention, it is possible to realize a multilayer electronic component that can be made low in height.

本発明の一実施の形態に係る積層型電子部品の回路構成を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a circuit configuration of a multilayer electronic component according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施の形態に係る積層型電子部品の外観を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing the appearance of a laminated electronic component according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施の形態に係る積層型電子部品の積層体における1層目ないし3層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing pattern-formed surfaces of first to third dielectric layers in a laminate of a laminate type electronic component according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施の形態に係る積層型電子部品の積層体における4層目ないし6層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing pattern-formed surfaces of fourth to sixth dielectric layers in a laminate of a multilayer electronic component according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施の形態に係る積層型電子部品の積層体における7層目ないし9層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing pattern-formed surfaces of the seventh to ninth dielectric layers in the laminate of the multilayer electronic component according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施の形態に係る積層型電子部品の積層体における10層目ないし12層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing pattern-formed surfaces of the tenth to twelfth dielectric layers in the laminate of the multilayer electronic component according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施の形態に係る積層型電子部品の積層体の内部を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing the inside of a laminate of a laminate type electronic component according to an embodiment of the present invention. 比較例の積層型電子部品の積層体における1層目ないし3層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing pattern-formed surfaces of first to third dielectric layers in a laminate of a laminate electronic component of a comparative example. 比較例の積層型電子部品の積層体における4層目ないし6層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram showing pattern-formed surfaces of fourth to sixth dielectric layers in a laminate of a laminate type electronic component of a comparative example. 比較例の積層型電子部品の積層体における7層目ないし9層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram showing pattern-formed surfaces of the seventh to ninth dielectric layers in a laminate of a laminated electronic component of a comparative example. 比較例の積層型電子部品の積層体における10層目ないし12層目の誘電体層のパターン形成面を示す説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing pattern-formed surfaces of the 10th to 12th dielectric layers in a laminate of a laminate type electronic component of a comparative example. 比較例の積層型電子部品の積層体の内部を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing the inside of a laminate of a laminate type electronic component of a comparative example. 比較例のモデルの通過減衰特性および反射減衰特性を示す特性図である。FIG. 7 is a characteristic diagram showing transmission attenuation characteristics and reflection attenuation characteristics of a model of a comparative example. 実施例のモデルの通過減衰特性および反射減衰特性を示す特性図である。It is a characteristic diagram showing the transmission attenuation characteristic and the reflection attenuation characteristic of the model of the example.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図1を参照して、本発明の一実施の形態に係る積層型電子部品(以下、単に電子部品と記す。)1の構成の概略について説明する。図1には、電子部品1の例として、バンドパスフィルタを示している。電子部品1は、少なくとも1つのインダクタと、複数のコンデンサとを備えている。少なくとも1つのインダクタと複数のコンデンサは、少なくとも1つのLC共振器を構成するために用いられている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. First, with reference to FIG. 1, an outline of the configuration of a laminated electronic component (hereinafter simply referred to as electronic component) 1 according to an embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 shows a bandpass filter as an example of the electronic component 1. Electronic component 1 includes at least one inductor and multiple capacitors. At least one inductor and multiple capacitors are used to configure at least one LC resonator.

少なくとも1つのLC共振器は、複数のLC共振器であってもよい。この場合、少なくとも1つのインダクタは、複数のインダクタである。複数のLC共振器の各々は、複数のインダクタのうちの少なくとも1つのインダクタと、複数のコンデンサのうちの少なくとも1つのコンデンサとによって構成されている。 The at least one LC resonator may be multiple LC resonators. In this case, the at least one inductor is a plurality of inductors. Each of the plurality of LC resonators is configured by at least one inductor among the plurality of inductors and at least one capacitor among the plurality of capacitors.

本実施の形態では特に、電子部品1は、第1のポート2と、第2のポート3と、回路構成上第1のポート2と第2のポート3の間に設けられた2つのLC共振器11,12とを備えている。2つのLC共振器11,12は、電磁結合するように構成されている。第1およびポート2,3の各々は、信号の入力または出力のためのポートである。なお、本出願において、「回路構成上」という表現は、物理的な構成における配置ではなく、回路図上での配置を指すために用いている。 In particular, in this embodiment, the electronic component 1 includes a first port 2, a second port 3, and two LC resonances provided between the first port 2 and the second port 3 due to the circuit configuration. It is equipped with containers 11 and 12. The two LC resonators 11 and 12 are configured to be electromagnetically coupled. Each of the first and ports 2 and 3 is a port for inputting or outputting a signal. Note that in this application, the expression "on the circuit configuration" is used to refer to the layout on the circuit diagram rather than the layout in the physical configuration.

電子部品1は、少なくとも1つのインダクタとして、2つのインダクタL11,L12を備えている。また、電子部品1は、複数のコンデンサとして、2つのコンデンサC11,C12を備えている。コンデンサC11,C12は、それぞれインダクタL11,L12に接続されている。LC共振器11は、インダクタL11とコンデンサC11によって構成されている。LC共振器12は、インダクタL12とコンデンサC12によって構成されている。 The electronic component 1 includes two inductors L11 and L12 as at least one inductor. Further, the electronic component 1 includes two capacitors C11 and C12 as a plurality of capacitors. Capacitors C11 and C12 are connected to inductors L11 and L12, respectively. The LC resonator 11 is composed of an inductor L11 and a capacitor C11. The LC resonator 12 is composed of an inductor L12 and a capacitor C12.

インダクタL11,L12は、互いに磁気結合する。電子部品1は、更に、インダクタL11とインダクタL12とを容量結合させるコンデンサC10を備えている。 Inductors L11 and L12 are magnetically coupled to each other. The electronic component 1 further includes a capacitor C10 that capacitively couples the inductor L11 and the inductor L12.

以下、図1を参照して、電子部品1のその他の回路構成の一例について説明する。電子部品1は、更に、インダクタL1,L2,L3,L4と、コンデンサC1,C2,C3とを備えている。インダクタL1の一端は、第1のポート2に接続されている。コンデンサC1の一端は、インダクタL1の他端に接続されている。コンデンサC10の一端は、コンデンサC1の他端に接続されている。 Hereinafter, an example of another circuit configuration of the electronic component 1 will be described with reference to FIG. 1. The electronic component 1 further includes inductors L1, L2, L3, L4 and capacitors C1, C2, C3. One end of the inductor L1 is connected to the first port 2. One end of the capacitor C1 is connected to the other end of the inductor L1. One end of capacitor C10 is connected to the other end of capacitor C1.

コンデンサC2の一端は、コンデンサC10の他端に接続されている。インダクタL2の一端は、コンデンサC2の他端に接続されている。インダクタL2の他端は、第2のポート3に接続されている。 One end of capacitor C2 is connected to the other end of capacitor C10. One end of inductor L2 is connected to the other end of capacitor C2. The other end of the inductor L2 is connected to the second port 3.

コンデンサC3の一端は、第1のポート2に接続されている。コンデンサC3の他端は、第2のポート3に接続されている。 One end of the capacitor C3 is connected to the first port 2. The other end of capacitor C3 is connected to second port 3.

インダクタL11とコンデンサC11の各一端は、コンデンサC1とコンデンサC10の接続点に接続されている。インダクタL12とコンデンサC12の各一端は、コンデンサC2とコンデンサC10の接続点に接続されている。インダクタL11,L12の各他端は、インダクタL3の一端に接続されている。コンデンサC11,C12の各他端は、インダクタL4の一端に接続されている。インダクタL3,L4の各他端は、グランドに接続されている。 One end of each of the inductor L11 and the capacitor C11 is connected to the connection point between the capacitor C1 and the capacitor C10. One end of each of the inductor L12 and the capacitor C12 is connected to the connection point between the capacitor C2 and the capacitor C10. The other ends of the inductors L11 and L12 are connected to one end of the inductor L3. The other ends of the capacitors C11 and C12 are connected to one end of the inductor L4. The other ends of the inductors L3 and L4 are connected to ground.

なお、インダクタL1とコンデンサC1は、接続の順序が図1に示した例とは反対であってもよい。すなわち、コンデンサC1の一端が第1のポート2に接続され、インダクタL1の一端がコンデンサC1の他端に接続され、コンデンサC10の一端がインダクタL1の他端に接続されていてもよい。この場合にも、図1に示した構成と同じ特性を得ることができる。 Note that the inductor L1 and capacitor C1 may be connected in the opposite order from the example shown in FIG. 1. That is, one end of the capacitor C1 may be connected to the first port 2, one end of the inductor L1 may be connected to the other end of the capacitor C1, and one end of the capacitor C10 may be connected to the other end of the inductor L1. In this case as well, the same characteristics as the configuration shown in FIG. 1 can be obtained.

同様に、インダクタL2とコンデンサC2は、接続の順序が図1に示した例とは反対であってもよい。すなわち、インダクタL2の一端がコンデンサC10の他端に接続され、コンデンサC2の一端がインダクタL2の他端に接続され、コンデンサC2の他端が第2のポート3に接続されていてもよい。この場合にも、図1に示した構成と同じ特性を得ることができる。 Similarly, the inductor L2 and capacitor C2 may be connected in the opposite order from the example shown in FIG. That is, one end of the inductor L2 may be connected to the other end of the capacitor C10, one end of the capacitor C2 may be connected to the other end of the inductor L2, and the other end of the capacitor C2 may be connected to the second port 3. In this case as well, the same characteristics as the configuration shown in FIG. 1 can be obtained.

次に、図2を参照して、電子部品1のその他の構成について説明する。図2は、電子部品1の外観を示す斜視図である。 Next, other configurations of the electronic component 1 will be described with reference to FIG. 2. FIG. 2 is a perspective view showing the external appearance of the electronic component 1.

電子部品1は、更に、積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含む積層体50を備えている。第1のポート2、第2のポート3、LC共振器11,12、インダクタL1~L4およびコンデンサC1~C3,C10は、積層体50に一体化されている。 The electronic component 1 further includes a laminate 50 including a plurality of stacked dielectric layers and a plurality of conductor layers. The first port 2, the second port 3, the LC resonators 11 and 12, the inductors L1 to L4, and the capacitors C1 to C3 and C10 are integrated into the laminate 50.

積層体50は、複数の誘電体層の積層方向Tの両端に位置する底面50Aおよび上面50Bと、底面50Aと上面50Bを接続する4つの側面50C~50Fとを有している。側面50C,50Dは互いに反対側を向き、側面50E,50Fも互いに反対側を向いている。側面50C~50Fは、上面50Bおよび底面50Aに対して垂直になっている。 The laminate 50 has a bottom surface 50A and a top surface 50B located at both ends in the stacking direction T of the plurality of dielectric layers, and four side surfaces 50C to 50F connecting the bottom surface 50A and the top surface 50B. The side surfaces 50C and 50D face oppositely to each other, and the side faces 50E and 50F also face oppositely to each other. The side surfaces 50C to 50F are perpendicular to the top surface 50B and the bottom surface 50A.

ここで、図2に示したように、X方向、Y方向、Z方向を定義する。X方向、Y方向、Z方向は、互いに直交する。本実施の形態では、積層方向Tに平行な一方向を、Z方向とする。また、X方向とは反対の方向を-X方向とし、Y方向とは反対の方向を-Y方向とし、Z方向とは反対の方向を-Z方向とする。 Here, as shown in FIG. 2, the X direction, Y direction, and Z direction are defined. The X direction, Y direction, and Z direction are orthogonal to each other. In this embodiment, one direction parallel to the stacking direction T is defined as the Z direction. Further, the direction opposite to the X direction is defined as the -X direction, the direction opposite to the Y direction is defined as the -Y direction, and the direction opposite to the Z direction is defined as the -Z direction.

図2に示したように、底面50Aは、積層体50における-Z方向の端に位置する。上面50Bは、積層体50におけるZ方向の端に位置する。底面50Aおよび上面50Bの各々の形状は、X方向に長い矩形形状である。側面50Cは、積層体50における-X方向の端に位置する。側面50Dは、積層体50におけるX方向の端に位置する。側面50Eは、積層体50における-Y方向の端に位置する。側面50Fは、積層体50におけるY方向の端に位置する。 As shown in FIG. 2, the bottom surface 50A is located at the end of the laminate 50 in the −Z direction. The upper surface 50B is located at the end of the laminate 50 in the Z direction. Each of the bottom surface 50A and the top surface 50B has a rectangular shape that is long in the X direction. The side surface 50C is located at the end of the laminate 50 in the −X direction. The side surface 50D is located at the end of the laminate 50 in the X direction. The side surface 50E is located at the end of the stacked body 50 in the −Y direction. The side surface 50F is located at the end of the stacked body 50 in the Y direction.

底面50Aは、基板等の図示しない被実装体に対向する。底面50Aは、本発明における「第1の面」に対応する。積層体50において、上面50Bは、底面50Aとは反対側に位置する。上面50Bは、本発明における「第2の面」に対応する。 The bottom surface 50A faces an unillustrated mounting object such as a board. The bottom surface 50A corresponds to the "first surface" in the present invention. In the laminate 50, the top surface 50B is located on the opposite side from the bottom surface 50A. The upper surface 50B corresponds to the "second surface" in the present invention.

電子部品1は、更に、積層体50の底面50Aに設けられた端子111,112,113,114,115,116を備えている。端子111,112,113は、側面50Fよりも側面50Eにより近い位置において、X方向にこの順に並んでいる。端子114,115,116は、側面50Eよりも側面50Fにより近い位置において、-X方向にこの順に並んでいる。 The electronic component 1 further includes terminals 111, 112, 113, 114, 115, and 116 provided on the bottom surface 50A of the laminate 50. The terminals 111, 112, and 113 are arranged in this order in the X direction at a position closer to the side surface 50E than the side surface 50F. The terminals 114, 115, and 116 are arranged in this order in the −X direction at a position closer to the side surface 50F than the side surface 50E.

端子114は第2のポート3に対応し、端子116は第1のポート2に対応している。従って、第1および第2のポート2,3は、積層体50の底面50Aに設けられている。端子111~113,115の各々は、グランドに接続される。端子111~113,115の各々は、本発明における「グランド端子」に対応する。 Terminal 114 corresponds to second port 3, and terminal 116 corresponds to first port 2. Therefore, the first and second ports 2 and 3 are provided on the bottom surface 50A of the stacked body 50. Each of terminals 111-113, 115 is connected to ground. Each of the terminals 111 to 113, 115 corresponds to a "ground terminal" in the present invention.

電子部品1は、更に、積層体50に一体化され且つグランドに接続されるグランド用導体層611を備えている。グランド用導体層611は、底面50Aよりも上面50Bにより近い位置に配置されている。後述するように、LC共振器11,12は、積層方向Tにおいて、底面50Aとグランド用導体層611との間には存在するが、上面50Bとグランド用導体層611との間には存在しない。 The electronic component 1 further includes a grounding conductor layer 611 that is integrated with the laminate 50 and connected to the ground. The grounding conductor layer 611 is placed closer to the top surface 50B than the bottom surface 50A. As described later, the LC resonators 11 and 12 exist between the bottom surface 50A and the ground conductor layer 611 in the stacking direction T, but do not exist between the top surface 50B and the ground conductor layer 611. .

次に、図3(a)ないし図6(c)を参照して、積層体50を構成する複数の誘電体層および複数の導体層の一例について説明する。この例では、積層体50は、積層された12層の誘電体層を有している。以下、この12層の誘電体層を、下から順に1層目ないし12層目の誘電体層と呼ぶ。また、1層目ないし12層目の誘電体層を符号51~62で表す。 Next, an example of a plurality of dielectric layers and a plurality of conductor layers that constitute the laminate 50 will be described with reference to FIGS. 3(a) to 6(c). In this example, the laminate 50 has 12 stacked dielectric layers. Hereinafter, these 12 dielectric layers will be referred to as 1st to 12th dielectric layers in order from the bottom. Further, the first to twelfth dielectric layers are represented by numerals 51 to 62.

図3(a)ないし図6(a)において、複数の円は複数のスルーホールを表している。誘電体層51~60の各々には、複数のスルーホールが形成されている。複数のスルーホールは、それぞれ、スルーホール用の孔に導体ペーストを充填することによって形成される。複数のスルーホールの各々は、端子、導体層または他のスルーホールに接続されている。 In FIGS. 3(a) to 6(a), multiple circles represent multiple through holes. A plurality of through holes are formed in each of the dielectric layers 51 to 60. Each of the plurality of through holes is formed by filling a hole for the through hole with a conductive paste. Each of the plurality of through holes is connected to a terminal, a conductive layer, or another through hole.

図3(a)は、1層目の誘電体層51のパターン形成面を示している。誘電体層51のパターン形成面には、端子111~116が形成されている。また、図3(a)では、端子114に接続された特定のスルーホールを符号51T7で示し、端子116に接続された特定のスルーホールを符号51T6で示している。 FIG. 3(a) shows the patterned surface of the first dielectric layer 51. Terminals 111 to 116 are formed on the patterned surface of the dielectric layer 51. Further, in FIG. 3A, a specific through hole connected to the terminal 114 is indicated by a reference numeral 51T7, and a specific through hole connected to the terminal 116 is indicated by a reference numeral 51T6.

図3(b)は、2層目の誘電体層52のパターン形成面を示している。誘電体層52のパターン形成面には、導体層521,522が形成されている。また、図3(b)では、誘電体層51に形成された2つの特定のスルーホール51T6,51T7に接続される2つの特定のスルーホールを、それぞれ符号52T6,52T7で示している。 FIG. 3(b) shows the patterned surface of the second dielectric layer 52. Conductive layers 521 and 522 are formed on the patterned surface of the dielectric layer 52. Further, in FIG. 3(b), two specific through holes connected to two specific through holes 51T6 and 51T7 formed in the dielectric layer 51 are indicated by symbols 52T6 and 52T7, respectively.

図3(c)は、3層目の誘電体層53のパターン形成面を示している。誘電体層53のパターン形成面には、導体層531,532が形成されている。誘電体層52に形成された特定のスルーホール52T6は、導体層531に接続されている。誘電体層52に形成された特定のスルーホール52T7は、導体層532に接続されている。 FIG. 3C shows the patterned surface of the third dielectric layer 53. Conductive layers 531 and 532 are formed on the patterned surface of the dielectric layer 53. A specific through hole 52T6 formed in the dielectric layer 52 is connected to the conductor layer 531. A specific through hole 52T7 formed in the dielectric layer 52 is connected to the conductor layer 532.

また、図3(c)では、導体層531に接続された2つの特定のスルーホールを符号53T6で示し、導体層532に接続された2つの特定のスルーホールを符号53T7で示している。 Further, in FIG. 3(c), two specific through holes connected to the conductor layer 531 are indicated by the reference numeral 53T6, and two specific through holes connected to the conductor layer 532 are indicated by the reference numeral 53T7.

図4(a)は、4層目の誘電体層54のパターン形成面を示している。図4(a)では、誘電体層53に形成された2つの特定のスルーホール53T6に接続される2つの特定のスルーホールを、符号54T6で示し、誘電体層53に形成された2つの特定のスルーホール53T7に接続される2つの特定のスルーホールを、符号54T7で示している。 FIG. 4A shows the patterned surface of the fourth dielectric layer 54. FIG. In FIG. 4A, two specific through holes connected to two specific through holes 53T6 formed in the dielectric layer 53 are indicated by reference numerals 54T6, and two specific through holes formed in the dielectric layer 53 are shown as 54T6. Two specific through-holes connected to the through-hole 53T7 are indicated by reference numeral 54T7.

図4(b)は、5層目の誘電体層55のパターン形成面を示している。誘電体層55のパターン形成面には、インダクタ用導体層551,552が形成されている。導体層551,552の各々は、互いに反対側に位置する第1端および第2端を有している。 FIG. 4(b) shows the patterned surface of the fifth dielectric layer 55. Inductor conductor layers 551 and 552 are formed on the patterned surface of the dielectric layer 55. Each of the conductor layers 551, 552 has a first end and a second end located opposite to each other.

また、図4(b)では、導体層551の第1端に接続された特定のスルーホールを符号55T1で示し、導体層551の第2端に接続された特定のスルーホールを符号55T2で示し、導体層552の第1端に接続された特定のスルーホールを符号55T3で示し、導体層552の第2端に接続された特定のスルーホールを符号55T4で示している。また、誘電体層54に形成された2つの特定のスルーホール54T6に接続される2つの特定のスルーホールを符号55T6で示し、誘電体層54に形成された2つの特定のスルーホール54T7に接続される2つの特定のスルーホールを符号55T7で示している。 Further, in FIG. 4(b), a specific through hole connected to the first end of the conductive layer 551 is indicated by the symbol 55T1, and a specific through hole connected to the second end of the conductive layer 551 is indicated by the symbol 55T2. , a specific through hole connected to the first end of the conductive layer 552 is designated by the reference numeral 55T3, and a specific through hole connected to the second end of the conductor layer 552 is designated by the reference numeral 55T4. Further, two specific through holes connected to two specific through holes 54T6 formed in the dielectric layer 54 are indicated by reference numeral 55T6, and are connected to two specific through holes 54T7 formed in the dielectric layer 54. Two specific through-holes are designated 55T7.

図4(c)は、6層目の誘電体層56のパターン形成面を示している。図4(c)では、誘電体層55に形成された4つの特定のスルーホール55T1,55T2,55T3,55T4に接続される4つの特定のスルーホールを、それぞれ符号56T1,56T2,56T3,56T4で示している。また、誘電体層55に形成された2つの特定のスルーホール55T6に接続される2つの特定のスルーホールを符号56T6で示し、誘電体層55に形成された2つの特定のスルーホール55T7に接続される2つの特定のスルーホールを符号56T7で示している。 FIG. 4C shows the patterned surface of the sixth dielectric layer 56. In FIG. 4(c), four specific through holes connected to four specific through holes 55T1, 55T2, 55T3, and 55T4 formed in the dielectric layer 55 are designated by symbols 56T1, 56T2, 56T3, and 56T4, respectively. It shows. Further, two specific through holes connected to two specific through holes 55T6 formed in the dielectric layer 55 are indicated by reference numeral 56T6, and are connected to two specific through holes 55T7 formed in the dielectric layer 55. Two specific through-holes are designated 56T7.

図5(a)は、7層目の誘電体層57のパターン形成面を示している。誘電体層57のパターン形成面には、導体層571が形成されている。誘電体層56に形成された特定のスルーホール56T2,56T4は、導体層571に接続されている。 FIG. 5A shows the patterned surface of the seventh dielectric layer 57. A conductor layer 571 is formed on the patterned surface of the dielectric layer 57. Specific through holes 56T2 and 56T4 formed in dielectric layer 56 are connected to conductor layer 571.

また、図5(a)では、誘電体層56に形成された2つの特定のスルーホール56T1,56T3に接続される2つの特定のスルーホールを、それぞれ符号57T1,57T3で示している。また、導体層571に接続された特定のスルーホールを符号57T5で示している。また、誘電体層56に形成された2つの特定のスルーホール56T6に接続される2つの特定のスルーホールを符号57T6で示し、誘電体層56に形成された2つの特定のスルーホール56T7に接続される2つの特定のスルーホールを符号57T7で示している。 Further, in FIG. 5A, two specific through holes connected to two specific through holes 56T1 and 56T3 formed in the dielectric layer 56 are indicated by symbols 57T1 and 57T3, respectively. Further, a specific through hole connected to the conductor layer 571 is indicated by the reference numeral 57T5. Further, two specific through holes connected to two specific through holes 56T6 formed in the dielectric layer 56 are indicated by reference numeral 57T6, and are connected to two specific through holes 56T7 formed in the dielectric layer 56. Two specific through-holes are designated 57T7.

図5(b)は、8層目の誘電体層58のパターン形成面を示している。誘電体層58のパターン形成面には、導体層581,582が形成されている。誘電体層57に形成された2つの特定のスルーホール57T6は、導体層581に接続されている。誘電体層57に形成された2つの特定のスルーホール57T7は、導体層582に接続されている。 FIG. 5(b) shows the patterned surface of the eighth dielectric layer 58. Conductive layers 581 and 582 are formed on the patterned surface of the dielectric layer 58. Two specific through holes 57T6 formed in dielectric layer 57 are connected to conductor layer 581. Two specific through holes 57T7 formed in dielectric layer 57 are connected to conductor layer 582.

また、図5(b)では、誘電体層57に形成された3つの特定のスルーホール57T1,57T3,57T5に接続される3つの特定のスルーホールを、それぞれ符号58T1,58T3,58T5で示している。また、導体層581に接続された特定のスルーホールを符号58T6で示し、導体層582に接続された特定のスルーホールを符号58T7で示している。 In addition, in FIG. 5(b), three specific through holes connected to the three specific through holes 57T1, 57T3, and 57T5 formed in the dielectric layer 57 are indicated by symbols 58T1, 58T3, and 58T5, respectively. There is. Further, a specific through hole connected to the conductor layer 581 is indicated by the reference numeral 58T6, and a specific through hole connected to the conductor layer 582 is indicated by the reference numeral 58T7.

図5(c)は、9層目の誘電体層59のパターン形成面を示している。誘電体層59のパターン形成面には、コンデンサ用導体層591,592,593と、導体層594,595とが形成されている。誘電体層58に形成された2つの特定のスルーホール58T1,58T3は、それぞれ導体層594,595に接続されている。誘電体層58に形成された2つの特定のスルーホール58T6,58T7は、それぞれ導体層591,592に接続されている。 FIG. 5C shows the patterned surface of the ninth dielectric layer 59. On the patterned surface of the dielectric layer 59, capacitor conductor layers 591, 592, 593 and conductor layers 594, 595 are formed. Two specific through holes 58T1 and 58T3 formed in dielectric layer 58 are connected to conductor layers 594 and 595, respectively. Two specific through holes 58T6 and 58T7 formed in dielectric layer 58 are connected to conductor layers 591 and 592, respectively.

また、図5(c)では、導体層594に接続された特定のスルーホールを符号59T1で示し、導体層595に接続された特定のスルーホールを符号59T3で示し、誘電体層58に形成された特定のスルーホール58T5に接続される特定のスルーホールを符号59T5で示している。 Further, in FIG. 5(c), a specific through hole connected to the conductor layer 594 is indicated by a reference numeral 59T1, a specific through hole connected to the conductor layer 595 is indicated by a reference numeral 59T3, and a specific through hole connected to the conductor layer 594 is indicated by a reference numeral 59T3. A specific through hole connected to the specific through hole 58T5 is indicated by a reference numeral 59T5.

図6(a)は、10層目の誘電体層60のパターン形成面を示している。誘電体層60のパターン形成面には、コンデンサ用導体層601,602が形成されている。誘電体層59に形成された2つの特定のスルーホール59T1,59T3は、それぞれ導体層601,602に接続されている。また、図6(a)では、誘電体層59に形成された特定のスルーホール59T5に接続される特定のスルーホールを符号60T5で示している。 FIG. 6A shows the patterned surface of the tenth dielectric layer 60. Capacitor conductor layers 601 and 602 are formed on the patterned surface of the dielectric layer 60. Two specific through holes 59T1 and 59T3 formed in dielectric layer 59 are connected to conductor layers 601 and 602, respectively. Further, in FIG. 6A, a specific through hole connected to a specific through hole 59T5 formed in the dielectric layer 59 is indicated by a reference numeral 60T5.

図6(b)は、11層目の誘電体層61のパターン形成面を示している。誘電体層61のパターン形成面には、グランド用導体層611が形成されている。誘電体層60に形成された特定のスルーホール60T5は、グランド用導体層611に接続されている。 FIG. 6(b) shows the patterned surface of the eleventh dielectric layer 61. A grounding conductor layer 611 is formed on the patterned surface of the dielectric layer 61. A specific through hole 60T5 formed in the dielectric layer 60 is connected to a grounding conductor layer 611.

図6(c)は、12層目の誘電体層62のパターン形成面を示している。誘電体層62のパターン形成面には、導体層よりなるマーク621が形成されている。 FIG. 6(c) shows the patterned surface of the twelfth dielectric layer 62. Marks 621 made of a conductive layer are formed on the patterned surface of the dielectric layer 62.

図2に示した積層体50は、1層目の誘電体層51のパターン形成面が積層体50の底面50Aになり、12層目の誘電体層62のパターン形成面とは反対側の面が積層体50の上面50Bになるように、1層目ないし12層目の誘電体層51~62が積層されて構成される。 In the stacked body 50 shown in FIG. 2, the patterned surface of the first dielectric layer 51 is the bottom surface 50A of the stacked body 50, and the surface opposite to the patterned surface of the twelfth dielectric layer 62. The first to twelfth dielectric layers 51 to 62 are stacked so that the top surface 50B of the stacked body 50 is formed.

符号を付した複数の特定のスルーホールを除く図3(a)ないし図6(a)に示した複数のスルーホールの各々は、1層目ないし12層目の誘電体層51~62を積層したときに、積層方向Tにおいて重なる導体層または積層方向Tにおいて重なる他のスルーホールに接続されている。また、複数の特定のスルーホールを除く図3(a)ないし図6(a)に示した複数のスルーホールのうち、端子内または導体層内に位置するスルーホールは、その端子またはその導体層に接続されている。 Each of the plurality of through holes shown in FIGS. 3(a) to 6(a), excluding the plurality of specific through holes with reference numerals, is formed by laminating the first to twelfth dielectric layers 51 to 62. At this time, it is connected to a conductor layer that overlaps in the stacking direction T or to another through hole that overlaps in the stacking direction T. Furthermore, among the plurality of through holes shown in FIGS. 3(a) to 6(a) excluding the plurality of specific through holes, the through holes located in the terminal or the conductor layer are It is connected to the.

図7は、1層目ないし12層目の誘電体層51~62が積層されて構成された積層体50の内部を示している。図7に示したように、積層体50の内部では、図3(a)ないし図6(c)に示した複数の導体層と複数のスルーホールが積層されている。なお、図7では、マーク621を省略している。 FIG. 7 shows the inside of a stacked body 50 configured by stacking first to twelfth dielectric layers 51 to 62. As shown in FIG. 7, inside the laminate 50, a plurality of conductor layers and a plurality of through holes shown in FIGS. 3(a) to 6(c) are stacked. Note that in FIG. 7, the mark 621 is omitted.

以下、図1に示した電子部品1の回路の構成要素と、図3(a)ないし図6(c)に示した積層体50の内部の構成要素との対応関係について説明する。LC共振器11のインダクタL11は、インダクタ用導体層551と、特定のスルーホール55T1,55T2,56T1,56T2,57T1,58T1とによって構成されている。LC共振器11のコンデンサC11は、コンデンサ用導体層601と、グランド用導体層611と、これらの導体層の間の誘電体層60とによって構成されている。コンデンサ用導体層601は、導体層594と特定のスルーホール59T1を介して、インダクタL11を構成する特定のスルーホール58T1に接続されている。 Hereinafter, the correspondence between the circuit components of the electronic component 1 shown in FIG. 1 and the internal components of the laminate 50 shown in FIGS. 3(a) to 6(c) will be explained. The inductor L11 of the LC resonator 11 includes an inductor conductor layer 551 and specific through holes 55T1, 55T2, 56T1, 56T2, 57T1, and 58T1. The capacitor C11 of the LC resonator 11 includes a capacitor conductor layer 601, a ground conductor layer 611, and a dielectric layer 60 between these conductor layers. The capacitor conductor layer 601 is connected to a specific through hole 58T1 constituting the inductor L11 via the conductor layer 594 and a specific through hole 59T1.

LC共振器12のインダクタL12は、インダクタ用導体層552と、特定のスルーホール55T3,55T4,56T3,56T4,57T3,58T3とによって構成されている。LC共振器11のコンデンサC12は、コンデンサ用導体層602と、グランド用導体層611と、これらの導体層の間の誘電体層60とによって構成されている。コンデンサ用導体層602は、導体層595と特定のスルーホール59T3を介して、インダクタL12を構成する特定のスルーホール58T3に接続されている。 The inductor L12 of the LC resonator 12 includes an inductor conductor layer 552 and specific through holes 55T3, 55T4, 56T3, 56T4, 57T3, and 58T3. The capacitor C12 of the LC resonator 11 includes a capacitor conductor layer 602, a ground conductor layer 611, and a dielectric layer 60 between these conductor layers. The capacitor conductor layer 602 is connected to a specific through hole 58T3 that constitutes the inductor L12 via the conductor layer 595 and a specific through hole 59T3.

コンデンサC10は、コンデンサ用導体層593,601,602と、これらの導体層の間の誘電体層59とによって構成されている。 The capacitor C10 is composed of capacitor conductor layers 593, 601, 602 and a dielectric layer 59 between these conductor layers.

インダクタL1は、特定のスルーホール53T6,54T6,55T6,56T6,57T6によって構成されている。インダクタL2は、特定のスルーホール53T7,54T7,55T7,56T7,57T7によって構成されている。 Inductor L1 is configured by specific through holes 53T6, 54T6, 55T6, 56T6, and 57T6. Inductor L2 is configured by specific through holes 53T7, 54T7, 55T7, 56T7, and 57T7.

コンデンサC1は、コンデンサ用導体層591,601と、これらの導体層の間の誘電体層59とによって構成されている。コンデンサC2は、コンデンサ用導体層592,602と、これらの導体層の間の誘電体層59とによって構成されている。コンデンサC3は、導体層521,531,532と、これらの導体層の間の誘電体層52とによって構成されている。 The capacitor C1 is composed of capacitor conductor layers 591 and 601 and a dielectric layer 59 between these conductor layers. The capacitor C2 is composed of capacitor conductor layers 592, 602 and a dielectric layer 59 between these conductor layers. Capacitor C3 is composed of conductor layers 521, 531, 532 and a dielectric layer 52 between these conductor layers.

次に、図2ないし図7を参照して、本実施の形態に係る電子部品1の構造上の特徴について説明する。LC共振器11,12は、積層方向Tにおいて、底面50Aとグランド用導体層611との間には存在するが、上面50Bとグランド用導体層611との間には存在しない。すなわち、インダクタL11,L12およびコンデンサC11,C12は、積層方向Tにおいて、底面50Aとグランド用導体層611との間には存在するが、上面50Bとグランド用導体層611との間には存在しない。積層体50に対してZ方向の先にある位置から積層体50を見たときに、グランド用導体層611は、LC共振器11,12を覆っている。 Next, with reference to FIGS. 2 to 7, structural features of the electronic component 1 according to the present embodiment will be described. The LC resonators 11 and 12 exist between the bottom surface 50A and the ground conductor layer 611 in the stacking direction T, but do not exist between the top surface 50B and the ground conductor layer 611. That is, the inductors L11, L12 and the capacitors C11, C12 exist between the bottom surface 50A and the ground conductor layer 611 in the stacking direction T, but do not exist between the top surface 50B and the ground conductor layer 611. . When the laminate 50 is viewed from a position ahead of the laminate 50 in the Z direction, the grounding conductor layer 611 covers the LC resonators 11 and 12.

インダクタL11,L12は、積層方向Tにおいて、底面50AとコンデンサC11,C12との間に配置されている。すなわち、インダクタL11,L12は、コンデンサC11,C12の-Z方向の先に配置されている。-Z方向は、グランド用導体層611から底面50Aに向かう方向でもある。 The inductors L11 and L12 are arranged in the stacking direction T between the bottom surface 50A and the capacitors C11 and C12. That is, the inductors L11 and L12 are arranged ahead of the capacitors C11 and C12 in the −Z direction. The −Z direction is also the direction from the grounding conductor layer 611 toward the bottom surface 50A.

コンデンサC1,C2,C10は、積層方向Tにおいて、インダクタL11,L12とコンデンサC11,C12との間に配置されている。 Capacitors C1, C2, and C10 are arranged in the stacking direction T between inductors L11 and L12 and capacitors C11 and C12.

底面50AとインダクタL11,L12との間には、インダクタL11,L12に接続されていないコンデンサC3は存在するが、インダクタL11,L12に接続されたコンデンサは存在しない。 Between the bottom surface 50A and the inductors L11, L12, there is a capacitor C3 not connected to the inductors L11, L12, but there is no capacitor connected to the inductors L11, L12.

コンデンサ用導体層601は、グランド用導体層611に対向している。誘電体層60は、コンデンサ用導体層601とグランド用導体層611との間に介在する。前述のように、コンデンサC11は、コンデンサ用導体層601、グランド用導体層611および誘電体層60によって構成されている。 The capacitor conductor layer 601 faces the ground conductor layer 611. The dielectric layer 60 is interposed between the capacitor conductor layer 601 and the ground conductor layer 611. As described above, the capacitor C11 includes the capacitor conductor layer 601, the ground conductor layer 611, and the dielectric layer 60.

コンデンサ用導体層602は、グランド用導体層611に対向している。誘電体層60は、コンデンサ用導体層602とグランド用導体層611との間に介在する。前述のように、コンデンサC12は、コンデンサ用導体層602、グランド用導体層611および誘電体層60によって構成されている。 The capacitor conductor layer 602 faces the ground conductor layer 611. The dielectric layer 60 is interposed between the capacitor conductor layer 602 and the ground conductor layer 611. As described above, the capacitor C12 includes the capacitor conductor layer 602, the ground conductor layer 611, and the dielectric layer 60.

グランド用導体層611は、符号を付した複数の特定のスルーホールを除く複数のスルーホールの一部を介して、端子115に接続されていると共に、複数の特定のスルーホールを除く複数のスルーホールの他の一部と導体層522を介して、端子111~113に接続されている。本実施の形態では、積層体50の側面50C~50Fには、グランド用導体層611と端子111~113,115とを接続するための導体層は設けられていない。 The grounding conductor layer 611 is connected to the terminal 115 through a portion of a plurality of through holes excluding a plurality of specific through holes with reference numerals, and is connected to a plurality of through holes excluding a plurality of specific through holes. It is connected to the terminals 111 to 113 via the other part of the hole and the conductor layer 522. In this embodiment, a conductor layer for connecting the ground conductor layer 611 and the terminals 111 to 113, 115 is not provided on the side surfaces 50C to 50F of the laminate 50.

ここで、2つ以上のスルーホールが直列に接続されることによって構成された構造物を、スルーホール列と言う。積層体50は、スルーホール55T1,56T1,57T1,58T1によって構成されたスルーホール列T1と、スルーホール55T2,56T2によって構成されたスルーホール列T2と、スルーホール55T3,56T3,57T3,58T3によって構成されたスルーホール列T3と、スルーホール55T4,56T4によって構成されたスルーホール列T4とを含んでいる。スルーホール列T1,T3は、本発明における「第1のスルーホール列」に対応し、スルーホール列T2,T4は、本発明における「第2のスルーホール列」に対応する。 Here, a structure formed by connecting two or more through holes in series is referred to as a through hole array. The laminate 50 includes a through hole row T1 made up of through holes 55T1, 56T1, 57T1, 58T1, a through hole row T2 made up of through holes 55T2, 56T2, and a through hole 55T3, 56T3, 57T3, 58T3. The through-hole row T3 includes a through-hole row T3 made up of a plurality of through-holes, and a through-hole row T4 made up of through-holes 55T4 and 56T4. The through-hole rows T1 and T3 correspond to the "first through-hole row" in the present invention, and the through-hole rows T2 and T4 correspond to the "second through-hole row" in the present invention.

インダクタ用導体層551は、スルーホール列T1とスルーホール列T2とを接続している。インダクタ用導体層551は、積層方向Tにおいて、底面50Aとスルーホール列T1,T2との間に配置されている。インダクタL11は、スルーホール列T1,T2およびインダクタ用導体層551を含んでいる。 The inductor conductor layer 551 connects the through hole row T1 and the through hole row T2. The inductor conductor layer 551 is arranged in the stacking direction T between the bottom surface 50A and the through hole rows T1 and T2. Inductor L11 includes through-hole rows T1 and T2 and an inductor conductor layer 551.

インダクタ用導体層551は、複数の誘電体層51~62の各々の短手方向(底面50Aおよび上面50Bの短手方向と同じ)と複数の誘電体層51~62の各々の長手方向(底面50Aおよび上面50Bの長手方向と同じ)と非平行になるように延在する部分551Aを含んでいる。インダクタ用導体層551は、更に、複数の誘電体層51~62の各々の短手方向(底面50Aおよび上面50Bの短手方向と同じ)に延在する部分551Bを含んでいる。本実施の形態では特に、部分551Aは、Y方向から-X方向に向かって傾いた方向に平行な方向に延在している。部分551Bは、Y方向に平行な方向に延在している。 The inductor conductor layer 551 is formed in the lateral direction of each of the plurality of dielectric layers 51 to 62 (same as the lateral direction of the bottom surface 50A and the top surface 50B) and in the longitudinal direction of each of the plurality of dielectric layers 51 to 62 (the bottom surface 50A and the upper surface 50B). The inductor conductor layer 551 further includes a portion 551B extending in the lateral direction of each of the plurality of dielectric layers 51 to 62 (same as the lateral direction of the bottom surface 50A and the top surface 50B). Particularly in this embodiment, the portion 551A extends in a direction parallel to the direction inclined from the Y direction toward the −X direction. Portion 551B extends in a direction parallel to the Y direction.

インダクタ用導体層552は、スルーホール列T3とスルーホール列T4とを接続している。インダクタ用導体層552は、積層方向Tにおいて、底面50Aとスルーホール列T3,T4との間に配置されている。インダクタL12は、スルーホール列T3,T4およびインダクタ用導体層552を含んでいる。 The inductor conductor layer 552 connects the through hole row T3 and the through hole row T4. The inductor conductor layer 552 is arranged in the stacking direction T between the bottom surface 50A and the through-hole rows T3 and T4. Inductor L12 includes through-hole rows T3 and T4 and an inductor conductor layer 552.

インダクタ用導体層552は、複数の誘電体層51~62の各々の短手方向(底面50Aおよび上面50Bの短手方向と同じ)と複数の誘電体層51~62の各々の長手方向(底面50Aおよび上面50Bの長手方向と同じ)と非平行になるように延在する部分552Aを含んでいる。インダクタ用導体層552は、更に、複数の誘電体層51~62の各々の短手方向(底面50Aおよび上面50Bの短手方向と同じ)に延在する部分552Bを含んでいる。本実施の形態では特に、部分552Aは、Y方向からX方向に向かって傾いた方向に平行な方向に延在している。部分552Bは、Y方向に平行な方向に延在している。 The inductor conductor layer 552 is formed in the lateral direction of each of the plurality of dielectric layers 51 to 62 (same as the lateral direction of the bottom surface 50A and the top surface 50B) and the longitudinal direction of each of the plurality of dielectric layers 51 to 62 (the bottom surface 50A and the upper surface 50B). The inductor conductor layer 552 further includes a portion 552B extending in the lateral direction of each of the plurality of dielectric layers 51 to 62 (same as the lateral direction of the bottom surface 50A and the top surface 50B). Particularly in this embodiment, the portion 552A extends in a direction parallel to the direction inclined from the Y direction toward the X direction. Portion 552B extends in a direction parallel to the Y direction.

次に、本実施の形態に係る電子部品1の作用および効果について説明する。本実施の形態では、グランド用導体層611は、LC共振器11,12すなわちインダクタL11,L12およびコンデンサC11,C12を覆っている。もし、積層方向Tにおいて、インダクタがコンデンサとグランド用導体層との間に配置されている場合、インダクタとグランド用導体層との間隔が小さくなると、インダクタとグランド用導体層との間に浮遊容量が生じ、所望の特性を得られなくなるおそれがある。これを防止するためには、インダクタとグランド用導体層との間隔を意図的に大きくする必要がある。 Next, the functions and effects of the electronic component 1 according to the present embodiment will be explained. In this embodiment, the grounding conductor layer 611 covers the LC resonators 11 and 12, that is, the inductors L11 and L12 and the capacitors C11 and C12. If the inductor is placed between the capacitor and the grounding conductor layer in the stacking direction T, if the distance between the inductor and the grounding conductor layer becomes small, there will be a stray capacitance between the inductor and the grounding conductor layer. may occur, making it impossible to obtain desired characteristics. In order to prevent this, it is necessary to intentionally increase the distance between the inductor and the grounding conductor layer.

これに対し、本実施の形態では、インダクタL11,L12は、積層方向Tにおいて、底面50AとコンデンサC11,C12との間に配置されている。これにより、本実施の形態によれば、前記の場合に比べて、グランド用導体層611とインダクタL11,L12との間隔を大きくすることができる。これにより、本実施の形態によれば、グランド用導体層611とインダクタL11,L12との間隔を意図的に大きくすることが不要になる。その結果、本実施の形態によれば、電子部品1を低背化することができる。 In contrast, in the present embodiment, inductors L11 and L12 are arranged between bottom surface 50A and capacitors C11 and C12 in stacking direction T. As a result, according to the present embodiment, the distance between the grounding conductor layer 611 and the inductors L11 and L12 can be increased compared to the above case. As a result, according to the present embodiment, it is not necessary to intentionally increase the distance between the grounding conductor layer 611 and the inductors L11 and L12. As a result, according to this embodiment, the height of the electronic component 1 can be reduced.

また、本実施の形態では、上面50Bとグランド用導体層611との間には、LC共振器11,12に限らず、電子部品1の回路の構成要素は存在しない。そのため、本実施の形態では、グランド用導体層611が形成された誘電体層61には、スルーホールが存在しない。これにより、本実施の形態によれば、グランド用導体層611が、スルーホールが存在する他の誘電体層に形成される場合に比べて、グランド用導体層611の面積を大きくすることができる。 Furthermore, in this embodiment, there are no circuit components of the electronic component 1, not only the LC resonators 11 and 12, between the upper surface 50B and the grounding conductor layer 611. Therefore, in this embodiment, there is no through hole in the dielectric layer 61 on which the grounding conductor layer 611 is formed. As a result, according to the present embodiment, the area of the grounding conductor layer 611 can be increased compared to the case where the grounding conductor layer 611 is formed in another dielectric layer in which a through hole is present. .

また、本実施の形態では、コンデンサ用導体層601,602がグランド用導体層611に対向することによって、コンデンサC11,C12が構成されている。前述のように、グランド用導体層611の面積を大きくすることができることから、コンデンサ用導体層601,602の各々の面積も大きくすることができる。これにより、本実施の形態によれば、設計可能なコンデンサC11,C12のキャパシタンスの範囲を大きくすることができ、電子部品1の設計の自由度を高めることができる。 Further, in this embodiment, capacitors C11 and C12 are configured by having capacitor conductor layers 601 and 602 facing ground conductor layer 611. As described above, since the area of the ground conductor layer 611 can be increased, the area of each of the capacitor conductor layers 601 and 602 can also be increased. As a result, according to the present embodiment, the range of capacitances of the capacitors C11 and C12 that can be designed can be increased, and the degree of freedom in designing the electronic component 1 can be increased.

また、後述する比較例の電子部品のように、キャパシタンスを大きくするために、積層方向Tにおいて互いに異なる位置に配置された3つ以上のコンデンサ用導体層を設ける場合がある。これに対し、本実施の形態では、コンデンサ用導体層601,602の面積を大きくすることによって、コンデンサC11,C12のキャパシタンスを大きくすることができる範囲が、従来よりも大きくなる。これによっても、本実施の形態によれば、電子部品1を低背化することができる。 Furthermore, as in the electronic component of a comparative example described later, three or more capacitor conductor layers arranged at different positions in the stacking direction T may be provided in order to increase the capacitance. In contrast, in the present embodiment, by increasing the area of the capacitor conductor layers 601 and 602, the range in which the capacitance of the capacitors C11 and C12 can be increased is larger than that of the conventional case. According to this embodiment, the height of the electronic component 1 can also be reduced by this.

また、本実施の形態では、インダクタL11のインダクタ用導体層551とインダクタL12のインダクタ用導体層552は、グランド用導体層611から比較的離れた位置に配置されているため、グランド用導体層611との間で浮遊容量を生じさせにくい。そのため、本実施の形態によれば、浮遊容量を生じさせたり浮遊容量を大きくさせたりすることなく、インダクタ用導体層551,552の幅や長さを大きくすることができる。このように、本実施の形態によれば、インダクタL11,L12の設計の自由度を高めるすることができる。例えば、インダクタ用導体層551を長くすることによって、インダクタ用導体層551とスルーホール列T1とスルーホール列T2とによって囲まれた空間、すなわちインダクタL11の開口を大きくすることができる。同様に、インダクタ用導体層552を長くすることによって、インダクタ用導体層552とスルーホール列T3とスルーホール列T4とによって囲まれた空間、すなわちインダクタL12の開口を大きくすることができる。 Furthermore, in this embodiment, the inductor conductor layer 551 of the inductor L11 and the inductor conductor layer 552 of the inductor L12 are arranged at a relatively distant position from the ground conductor layer 611. Stray capacitance is less likely to occur between the Therefore, according to this embodiment, the width and length of the inductor conductor layers 551 and 552 can be increased without causing stray capacitance or increasing the stray capacitance. In this manner, according to the present embodiment, the degree of freedom in designing the inductors L11 and L12 can be increased. For example, by lengthening the inductor conductor layer 551, the space surrounded by the inductor conductor layer 551, the through-hole rows T1, and the through-hole rows T2, that is, the opening of the inductor L11 can be increased. Similarly, by lengthening the inductor conductor layer 552, the space surrounded by the inductor conductor layer 552, the through-hole rows T3, and the through-hole rows T4, that is, the opening of the inductor L12 can be increased.

本実施の形態では特に、インダクタ用導体層551,552の各々は、Y方向から傾いた方向に延在する部分を含んでいる。これにより、本実施の形態によれば、インダクタ用導体層551,552の各々がY方向に平行な方向(誘電体層55の短手方向)に延在する部分のみからなる場合に比べて、インダクタ用導体層551,552の長さを大きくすることができる。 Particularly in this embodiment, each of the inductor conductor layers 551 and 552 includes a portion extending in a direction inclined from the Y direction. As a result, according to the present embodiment, compared to the case where each of the inductor conductor layers 551 and 552 consists of only a portion extending in a direction parallel to the Y direction (the lateral direction of the dielectric layer 55), The length of the inductor conductor layers 551 and 552 can be increased.

次に、シミュレーションの結果を参照して、本実施の形態の効果について説明する。シミュレーションでは、実施例のモデルと比較例のモデルを用いた。実施例のモデルは、本実施の形態に係る電子部品1のモデルである。比較例のモデルは、比較例の電子部品のモデルである。比較例の電子部品の回路構成は、図1に示した本実施の形態に係る電子部品1の回路構成と同じである。 Next, the effects of this embodiment will be described with reference to simulation results. In the simulation, a model of the example and a model of the comparative example were used. The model of the example is a model of the electronic component 1 according to the present embodiment. The comparative example model is a model of an electronic component of the comparative example. The circuit configuration of the electronic component of the comparative example is the same as the circuit configuration of the electronic component 1 according to the present embodiment shown in FIG.

始めに、図8(a)ないし図12を参照して、比較例の電子部品101の構成について説明する。電子部品101は、積層された1層目ないし12層目の誘電体層71~82を含む積層体70を備えている。電子部品101の回路の構成要素は、積層体70に一体化されている。図8(a)ないし図11(a)において、複数の円は複数のスルーホールを表している。誘電体層71~80の各々には、複数のスルーホールが形成されている。 First, the configuration of an electronic component 101 as a comparative example will be described with reference to FIGS. 8(a) to 12. The electronic component 101 includes a stacked body 70 that includes stacked first to twelfth dielectric layers 71 to 82. The circuit components of the electronic component 101 are integrated into the laminate 70. In FIGS. 8(a) to 11(a), multiple circles represent multiple through holes. A plurality of through holes are formed in each of the dielectric layers 71-80.

図8(a)は、1層目の誘電体層71のパターン形成面を示している。誘電体層71のパターン形成面には、端子211,212,213,214,215,216が形成されている。端子214は第2のポート3に対応し、端子216は第1のポート2に対応している。 FIG. 8A shows the patterned surface of the first dielectric layer 71. Terminals 211, 212, 213, 214, 215, and 216 are formed on the patterned surface of the dielectric layer 71. Terminal 214 corresponds to second port 3 and terminal 216 corresponds to first port 2.

図8(b)は、2層目の誘電体層72のパターン形成面を示している。誘電体層72のパターン形成面には、コンデンサ用導体層721,722が形成されている。図8(c)は、3層目の誘電体層73のパターン形成面を示している。誘電体層73のパターン形成面には、コンデンサ用導体層731,732が形成されている。 FIG. 8(b) shows the patterned surface of the second dielectric layer 72. Capacitor conductor layers 721 and 722 are formed on the patterned surface of the dielectric layer 72. FIG. 8C shows the patterned surface of the third dielectric layer 73. Capacitor conductor layers 731 and 732 are formed on the patterned surface of the dielectric layer 73.

図9(a)は、4層目の誘電体層74のパターン形成面を示している。誘電体層74のパターン形成面には、コンデンサ用導体層741,742が形成されている。図9(b)は、5層目の誘電体層75のパターン形成面を示している。誘電体層75のパターン形成面には、コンデンサ用導体層751,752,753と、導体層754,755,756,757が形成されている。図9(c)は、6層目の誘電体層76のパターン形成面を示している。誘電体層76のパターン形成面には、コンデンサ用導体層761が形成されている。 FIG. 9A shows the patterned surface of the fourth dielectric layer 74. Capacitor conductor layers 741 and 742 are formed on the patterned surface of the dielectric layer 74. FIG. 9(b) shows the patterned surface of the fifth dielectric layer 75. On the patterned surface of the dielectric layer 75, capacitor conductor layers 751, 752, 753 and conductor layers 754, 755, 756, 757 are formed. FIG. 9C shows the patterned surface of the sixth dielectric layer 76. A capacitor conductor layer 761 is formed on the patterned surface of the dielectric layer 76 .

図10(a)は、7層目の誘電体層77のパターン形成面を示している。誘電体層77のパターン形成面には、導体層771が形成されている。図10(b)は、8層目の誘電体層78のパターン形成面を示している。誘電体層78のパターン形成面には、導体層は形成されていない。 FIG. 10A shows the patterned surface of the seventh dielectric layer 77. A conductor layer 771 is formed on the patterned surface of the dielectric layer 77. FIG. 10(b) shows the patterned surface of the eighth dielectric layer 78. No conductor layer is formed on the patterned surface of the dielectric layer 78.

図10(c)は、9層目の誘電体層79のパターン形成面を示している。誘電体層79のパターン形成面には、インダクタ用導体層791,792が形成されている。インダクタ用導体層791,792の各々の形状は、本実施の形態におけるインダクタ用導体層551,552の各々の形状とほぼ同じである。 FIG. 10C shows the patterned surface of the ninth dielectric layer 79. Inductor conductor layers 791 and 792 are formed on the patterned surface of the dielectric layer 79. The shape of each of the inductor conductor layers 791 and 792 is substantially the same as the shape of each of the inductor conductor layers 551 and 552 in this embodiment.

図11(a)は、10層目の誘電体層80のパターン形成面を示している。誘電体層80のパターン形成面には、導体層は形成されていない。図11(b)は、11層目の誘電体層81のパターン形成面を示している。誘電体層81のパターン形成面には、グランド用導体層811が形成されている。図11(c)は、12層目の誘電体層82のパターン形成面を示している。誘電体層82のパターン形成面には、導体層よりなるマーク821が形成されている。 FIG. 11A shows the patterned surface of the tenth dielectric layer 80. No conductor layer is formed on the patterned surface of the dielectric layer 80. FIG. 11(b) shows the patterned surface of the eleventh dielectric layer 81. A ground conductor layer 811 is formed on the patterned surface of the dielectric layer 81 . FIG. 11C shows the patterned surface of the 12th dielectric layer 82. Marks 821 made of a conductive layer are formed on the patterned surface of the dielectric layer 82 .

比較例の電子部品101の積層体70は、1層目の誘電体層71のパターン形成面が積層体70の底面になり、12層目の誘電体層82のパターン形成面とは反対側の面が積層体70の上面になるように、1層目ないし12層目の誘電体層71~82が積層されて構成される。 In the laminate 70 of the electronic component 101 of the comparative example, the pattern-formed surface of the first dielectric layer 71 is the bottom surface of the laminate 70, and the pattern-formed surface of the twelfth dielectric layer 82 is the opposite side to the pattern-formed surface of the twelfth dielectric layer 82. The first to twelfth dielectric layers 71 to 82 are stacked so that their surfaces become the upper surface of the laminate 70.

複数のスルーホールの各々は、1層目ないし12層目の誘電体層71~82を積層したときに、積層方向Tにおいて重なる導体層または積層方向Tにおいて重なる他のスルーホールに接続されている。また、複数のスルーホールのうち、端子内または導体層内に位置するスルーホールは、その端子またはその導体層に接続されている。 Each of the plurality of through holes is connected to a conductor layer that overlaps in the stacking direction T or another through hole that overlaps in the stacking direction T when the first to twelfth dielectric layers 71 to 82 are stacked. . Further, among the plurality of through holes, a through hole located within the terminal or within the conductor layer is connected to the terminal or the conductor layer.

図12は、1層目ないし12層目の誘電体層71~82が積層されて構成された積層体70の内部を示している。図12に示したように、積層体70の内部では、図8(a)ないし図11(c)に示した複数の導体層と複数のスルーホールが積層されている。なお、図12では、マーク821を省略している。 FIG. 12 shows the inside of a stacked body 70 configured by stacking first to twelfth dielectric layers 71 to 82. As shown in FIG. 12, inside the laminate 70, a plurality of conductor layers and a plurality of through holes shown in FIGS. 8(a) to 11(c) are stacked. Note that in FIG. 12, the mark 821 is omitted.

以下、電子部品101の回路の構成要素(図1に示した電子部品1の回路の構成要素と同じ)と、図8(a)ないし図11(c)に示した積層体70の内部の構成要素との対応関係について説明する。LC共振器11のインダクタL11は、インダクタ用導体層791と、インダクタ用導体層791と導体層756とを接続する複数のスルーホールと、インダクタ用導体層791と導体層771とを接続する複数のスルーホールとによって構成されている。LC共振器11のコンデンサC11は、コンデンサ用導体層721,731,741と、これらの導体層の間の誘電体層72,73とによって構成されている。 Hereinafter, the circuit components of the electronic component 101 (same as the circuit components of the electronic component 1 shown in FIG. 1) and the internal configuration of the laminate 70 shown in FIGS. 8(a) to 11(c) will be described. The correspondence with elements will be explained. The inductor L11 of the LC resonator 11 includes an inductor conductor layer 791, a plurality of through holes connecting the inductor conductor layer 791 and the conductor layer 756, and a plurality of through holes connecting the inductor conductor layer 791 and the conductor layer 771. It consists of a through hole. The capacitor C11 of the LC resonator 11 is composed of capacitor conductor layers 721, 731, 741 and dielectric layers 72, 73 between these conductor layers.

LC共振器12のインダクタL12は、インダクタ用導体層792と、インダクタ用導体層792と導体層757とを接続する複数のスルーホールと、インダクタ用導体層792と導体層771とを接続する複数のスルーホールとによって構成されている。LC共振器11のコンデンサC12は、コンデンサ用導体層722,732,742と、これらの導体層の間の誘電体層72,73とによって構成されている。 The inductor L12 of the LC resonator 12 includes an inductor conductor layer 792, a plurality of through holes connecting the inductor conductor layer 792 and the conductor layer 757, and a plurality of through holes connecting the inductor conductor layer 792 and the conductor layer 771. It consists of a through hole. The capacitor C12 of the LC resonator 11 is composed of capacitor conductor layers 722, 732, 742 and dielectric layers 72, 73 between these conductor layers.

コンデンサC10は、コンデンサ用導体層741,742,753と、これらの導体層の間の誘電体層74とによって構成されている。 The capacitor C10 is composed of capacitor conductor layers 741, 742, 753 and a dielectric layer 74 between these conductor layers.

インダクタL1は、端子216とコンデンサ用導体層751とを接続する複数のスルーホールによって構成されている。インダクタL2は、端子214とコンデンサ用導体層752とを接続する複数のスルーホールによって構成されている。 The inductor L1 is composed of a plurality of through holes that connect the terminal 216 and the capacitor conductor layer 751. The inductor L2 is composed of a plurality of through holes that connect the terminal 214 and the capacitor conductor layer 752.

コンデンサC1は、コンデンサ用導体層741,751と、これらの導体層の間の誘電体層74とによって構成されている。コンデンサC2は、コンデンサ用導体層742,752と、これらの導体層の間の誘電体層74とによって構成されている。コンデンサC3は、コンデンサ用導体層751,752,761と、これらの導体層の間の誘電体層75とによって構成されている。 The capacitor C1 is composed of capacitor conductor layers 741 and 751 and a dielectric layer 74 between these conductor layers. The capacitor C2 is composed of capacitor conductor layers 742 and 752 and a dielectric layer 74 between these conductor layers. The capacitor C3 is composed of capacitor conductor layers 751, 752, 761 and a dielectric layer 75 between these conductor layers.

比較例の電子部品101では、インダクタL11,L12は、積層方向Tにおいて、コンデンサC11,C12とグランド用導体層811との間に配置されている。また、インダクタ用導体層791,792は、グランド用導体層811に対向している。インダクタ用導体層791,792とグランド用導体層811との間には、いかなるコンデンサも存在しない。 In the electronic component 101 of the comparative example, the inductors L11 and L12 are arranged in the stacking direction T between the capacitors C11 and C12 and the grounding conductor layer 811. Further, the inductor conductor layers 791 and 792 face the ground conductor layer 811. No capacitor is present between the inductor conductor layers 791 and 792 and the ground conductor layer 811.

次に、シミュレーションの結果について説明する。シミュレーションでは、電子部品1と電子部品101の各々の通過帯域がほぼ一致し、電子部品1と電子部品101の各々の通過帯域の低域側の周波数領域における減衰特性がほぼ一致するように、実施例のモデルと比較例のモデルを設計した。 Next, the results of the simulation will be explained. In the simulation, the passbands of the electronic component 1 and the electronic component 101 are almost the same, and the attenuation characteristics in the lower frequency region of the passband of the electronic component 1 and the electronic component 101 are almost the same. An example model and a comparative example model were designed.

図13は、比較例のモデルの通過減衰特性および反射減衰特性を示す特性図である。図13において、横軸は周波数を示し、縦軸は減衰量を示している。また、図13において、符号91を付した曲線は、電子部品101の通過減衰特性を示している。また、符号92を付した曲線は、電子部品101の第1のポート2における反射減衰特性を示している。 FIG. 13 is a characteristic diagram showing the transmission attenuation characteristics and reflection attenuation characteristics of a model of a comparative example. In FIG. 13, the horizontal axis shows the frequency, and the vertical axis shows the amount of attenuation. Further, in FIG. 13, a curve with reference numeral 91 indicates the transmission attenuation characteristic of the electronic component 101. Further, a curve labeled 92 shows the return loss characteristic at the first port 2 of the electronic component 101.

図14は、比較例のモデルの通過減衰特性および反射減衰特性を示す特性図である。図14において、横軸は周波数を示し、縦軸は減衰量を示している。また、図14において、符号93を付した曲線は、電子部品1の通過減衰特性を示している。また、符号94を付した曲線は、電子部品1の第1のポート2における反射減衰特性を示している。 FIG. 14 is a characteristic diagram showing the transmission attenuation characteristics and reflection attenuation characteristics of the model of the comparative example. In FIG. 14, the horizontal axis shows the frequency, and the vertical axis shows the amount of attenuation. Moreover, in FIG. 14, a curve with reference numeral 93 indicates the transmission attenuation characteristic of the electronic component 1. Further, a curve labeled 94 shows the return loss characteristic at the first port 2 of the electronic component 1.

バンドパスフィルタでは、通過帯域の高域側の周波数領域において、減衰量の絶対値で表される通過減衰量を大きくすることが求められる場合がある。図13および図14から、実施例のモデルでは、比較例のモデルに比べて、通過帯域よりも高域側の広い周波数領域において、通過減衰量が大きくなることが分かる。シミュレーションの結果から理解されるように、本実施の形態によれば、インダクタL11,L12を底面50AとコンデンサC11,C12との間に配置することにより、通過帯域よりも高域側の広い周波数領域において、通過減衰量を大きくすることができる。 In a bandpass filter, it is sometimes required to increase the amount of pass attenuation expressed by the absolute value of the amount of attenuation in the frequency region on the high side of the pass band. It can be seen from FIGS. 13 and 14 that in the model of the example, the amount of pass attenuation is larger in a wide frequency region higher than the pass band, compared to the model of the comparative example. As understood from the simulation results, according to the present embodiment, by arranging the inductors L11 and L12 between the bottom surface 50A and the capacitors C11 and C12, a wide frequency range higher than the passband can be achieved. In this case, the amount of passing attenuation can be increased.

なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、本発明の電子部品は、1つのLC共振器のみを含んでいてもよいし、3つ以上のLC共振器を含んでいてもよい。 Note that the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications are possible. For example, the electronic component of the present invention may include only one LC resonator, or may include three or more LC resonators.

1…電子部品、2…第1のポート、3…第2のポート、11,12…共振器、50…積層体、50A…底面、50B…上面、50C~50F…側面、611…のグランド用導体層、C1~C3,C10~C12…コンデンサ、L1~L4,L11,L12…インダクタ。 1...Electronic component, 2...First port, 3...Second port, 11, 12...Resonator, 50...Laminated body, 50A...Bottom surface, 50B...Top surface, 50C to 50F...Side surface, 611...For grounding Conductor layer, C1 to C3, C10 to C12...capacitor, L1 to L4, L11, L12...inductor.

Claims (11)

グランドに接続されるグランド用導体層と、
少なくとも1つのインダクタと、
複数のコンデンサと、
積層された複数の誘電体層を含み、被実装体に対向する第1の面と前記第1の面とは反対側の第2の面とを有し、前記グランド用導体層、前記少なくとも1つのインダクタおよび前記複数のコンデンサを一体化するための積層体とを備え、
前記少なくとも1つのインダクタと前記複数のコンデンサは、少なくとも1つのLC共振器を構成するために用いられ、
前記少なくとも1つのLC共振器は、前記複数の誘電体層の積層方向において、前記第1の面と前記グランド用導体層との間には存在するが、前記第2の面と前記グランド用導体層との間には存在せず、
前記少なくとも1つのインダクタは、前記積層方向において、前記第1の面と前記複数のコンデンサとの間に配置されていることを特徴とする積層型電子部品。
a grounding conductor layer connected to the ground;
at least one inductor;
multiple capacitors,
It includes a plurality of laminated dielectric layers, has a first surface facing the mounted object, and a second surface opposite to the first surface, the grounding conductor layer, the at least one a laminate for integrating one inductor and the plurality of capacitors,
The at least one inductor and the plurality of capacitors are used to configure at least one LC resonator,
The at least one LC resonator exists between the first surface and the grounding conductor layer in the stacking direction of the plurality of dielectric layers, but between the second surface and the grounding conductor layer. It does not exist between layers,
The multilayer electronic component, wherein the at least one inductor is disposed between the first surface and the plurality of capacitors in the stacking direction.
前記グランド用導体層は、前記積層体内において前記第1の面よりも前記第2の面により近い位置に配置されていることを特徴とする請求項1記載の積層型電子部品。 2. The multilayer electronic component according to claim 1, wherein the grounding conductor layer is located closer to the second surface than the first surface in the multilayer body. 更に、それぞれ前記積層体に一体化され且つ前記グランド用導体層に対向する複数のコンデンサ用導体層を備え、
前記複数の誘電体層は、前記グランド用導体層と前記複数のコンデンサ用導体層との間に介在する少なくとも1つの誘電体層を含み、
前記複数のコンデンサは、前記グランド用導体層、前記複数のコンデンサ用導体層および前記少なくとも1つの誘電体層によって構成されていることを特徴とする請求項1または2記載の積層型電子部品。
Further, a plurality of capacitor conductor layers each integrated with the laminate and facing the ground conductor layer,
The plurality of dielectric layers include at least one dielectric layer interposed between the ground conductor layer and the plurality of capacitor conductor layers,
3. The multilayer electronic component according to claim 1, wherein the plurality of capacitors are constituted by the ground conductor layer, the plurality of capacitor conductor layers, and the at least one dielectric layer.
前記少なくとも1つのLC共振器は、複数のLC共振器であり、
前記少なくとも1つのインダクタは、複数のインダクタであることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の積層型電子部品。
the at least one LC resonator is a plurality of LC resonators;
4. The multilayer electronic component according to claim 1, wherein the at least one inductor is a plurality of inductors.
前記複数のLC共振器の各々は、前記複数のインダクタのうちの少なくとも1つのインダクタと、前記複数のコンデンサのうちの少なくとも1つのコンデンサとによって構成されていることを特徴とする請求項4記載の積層型電子部品。 5. The LC resonator according to claim 4, wherein each of the plurality of LC resonators is configured by at least one inductor among the plurality of inductors and at least one capacitor among the plurality of capacitors. Laminated electronic components. 前記少なくとも1つのインダクタは、第1のスルーホール列と、第2のスルーホール列と、前記第1のスルーホール列と前記第2のスルーホール列とを接続するインダクタ用導体層とを含み、
前記第1のスルーホール列と前記第2のスルーホール列の各々は、2つ以上のスルーホールが直列に接続されることによって構成されていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の積層型電子部品。
The at least one inductor includes a first through hole row, a second through hole row, and an inductor conductor layer connecting the first through hole row and the second through hole row,
6. Each of the first through hole row and the second through hole row is configured by two or more through holes connected in series. The laminated electronic component described in .
前記インダクタ用導体層は、前記積層方向において、前記第1の面と前記第1および第2のスルーホール列との間に配置されていることを特徴とする請求項6記載の積層型電子部品。 7. The multilayer electronic component according to claim 6, wherein the inductor conductor layer is disposed between the first surface and the first and second through hole rows in the stacking direction. . 前記インダクタ用導体層は、前記複数の誘電体層の各々の短手方向および長手方向の両方と非平行になるように延在する部分を含むことを特徴とする請求項6または7記載の積層型電子部品。 The laminate according to claim 6 or 7, wherein the inductor conductor layer includes a portion extending non-parallel to both the lateral direction and the longitudinal direction of each of the plurality of dielectric layers. type electronic components. 前記インダクタ用導体層は、前記積層方向に直交する第1の方向に延在する部分と、前記積層方向に直交し且つ前記第1の方向と交差する第2の方向に延在する部分とを含むことを特徴とする請求項8記載の積層型電子部品。 The inductor conductor layer has a portion extending in a first direction perpendicular to the lamination direction, and a portion extending in a second direction perpendicular to the lamination direction and intersecting the first direction. 9. The laminated electronic component according to claim 8, further comprising a laminate type electronic component. 更に、前記第1の面に配置されたグランド端子と、
前記積層体内において前記グランド用導体層と前記グランドとを接続する複数のスルーホールとを備えたことを特徴とする請求項1ないし9のいずれかに記載の積層型電子部品。
Further, a ground terminal disposed on the first surface;
10. The multilayer electronic component according to claim 1, further comprising a plurality of through holes connecting the ground conductor layer and the ground in the multilayer body.
前記第1の面と前記少なくとも1つのインダクタとの間には、前記少なくとも1つのインダクタに接続されたコンデンサが存在しないことを特徴とする請求項1ないし10のいずれかに記載の積層型電子部品。 11. The multilayer electronic component according to claim 1, wherein there is no capacitor connected to the at least one inductor between the first surface and the at least one inductor. .
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