JP2023114211A - wiring board - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、配線基板に関する。 The present invention relates to wiring boards.
特許文献1に開示されている半導体パッケージは複数の接続構造を有している。複数の接続構造は、互いの間隙がパッシベーション層で充填されることによって一体の半導体パッケージを構成している。接続構造は交互に積層される絶縁層及びで再分配層(導体層)を含んでおり、複数の接続構造それぞれが有する絶縁層及び再分配層は、略等しい厚さを有している。 The semiconductor package disclosed in Patent Document 1 has a plurality of connection structures. A plurality of connection structures form an integrated semiconductor package by filling the gaps between them with a passivation layer. The connection structure includes insulating layers and redistribution layers (conductor layers) that are alternately laminated, and the insulating layers and redistribution layers of each of the plurality of connection structures have approximately the same thickness.
特許文献1に開示されている半導体パッケージに含まれる複数の接続構造それぞれに含まれる導体層(再分配層)の厚さは略等しい。半導体パッケージ内において導体厚が略均一であることから、同一の半導体パッケージ内に、異なる特性を有する配線が形成され難い場合があると考えられる。 The conductor layers (redistribution layers) included in each of the plurality of connection structures included in the semiconductor package disclosed in Patent Document 1 have approximately the same thickness. Since the conductor thickness is substantially uniform within the semiconductor package, it may be difficult to form wiring having different characteristics within the same semiconductor package.
本発明の配線基板は、交互に積層される複数の絶縁層及び導体層を備え、平面方向において互いに離間して配置される複数の副基板と、前記複数の副基板間の間隙を充填し、前記複数の副基板を結合する封止層と、を有している。前記複数の副基板のうち少なくとも2つの副基板は、互いに異なる厚さの前記導体層を有している。 A wiring board of the present invention comprises a plurality of insulating layers and conductor layers that are alternately laminated, a plurality of sub-boards spaced apart from each other in a plane direction, and filling the gaps between the plurality of sub-boards, and a sealing layer that bonds the plurality of sub-substrates. At least two sub-boards among the plurality of sub-boards have the conductor layers with different thicknesses.
本発明の実施形態によれば、配線基板は、異なる導体厚を有する複数の副基板を含む。同一の配線基板内に、伝送される信号に見合った特性を有する複数の配線パターンが設けられ得る。信号の伝送品質が優れた配線基板が提供され得る。 According to embodiments of the present invention, a wiring board includes multiple sub-boards having different conductor thicknesses. A plurality of wiring patterns having characteristics matching the signals to be transmitted can be provided in the same wiring board. A wiring board with excellent signal transmission quality can be provided.
本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。なお、以下、参照される図面においては、各構成要素の正確な比率を示すことは意図されておらず、本発明の特徴が理解され易いように描かれている。図1には、一実施形態の配線基板が有し得る構造の一例として、配線基板1の断面図が示されている。 A wiring board according to one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. It should be noted that the drawings referred to hereinafter are not intended to show the exact proportions of the constituent elements, but are drawn so that the features of the present invention can be easily understood. FIG. 1 shows a cross-sectional view of a wiring board 1 as an example of a structure that the wiring board of one embodiment can have.
図1に示されるように、配線基板1は、厚さ方向に対して直行する方向に延在する2つの表面である、F面FS、及び、F面FSと反対側のB面BSを有している。配線基板1は、複数の積層体10A、10B、10Cを有している。積層体10Aは複数の導体層12a及び絶縁層11aを有している。積層体10Bは複数の導体層12b及び絶縁層11bを有している。積層体10Cは複数の導体層12c及び絶縁層11cを有している。複数の積層体10A、10B、10Cは、それぞれビルドアップ配線板における所謂ビルドアップ部と同様の積層構造を有している。
As shown in FIG. 1, the wiring board 1 has two surfaces, an F surface FS and a B surface BS opposite to the F surface FS, which are two surfaces extending in a direction perpendicular to the thickness direction. are doing. The wiring board 1 has a plurality of
複数の積層体10A、10B、10Cは、互いに結合されることで一体的に配線基板1を構成している。複数の積層体10A、10B、10Cは、副基板10A、10B、10Cとも称される。なお、副基板10Aは第1副基板10Aとも称され、副基板10Bは第2副基板10Bとも称され、副基板10Cは第3副基板10Cとも称される。
The plurality of
複数の副基板10A、10B、10Cは平面方向において互いに離間して配置されている。なお「平面方向」とは、絶縁層11a、11b、11c及び導体層12a、12b、12cが延在している、図示における左右の方向を意味しており、すなわち、配線基板1の厚さ方向に対して略直交する方向を意味している。複数の副基板10A、10B、10C間の間隙は封止層100によって充填されている。封止層100は、複数の副基板10A、10B、10C同士を結合させており、これにより複数の副基板10A、10B、10Cは一体化されている。
The plurality of
複数の副基板10A、10B、10Cは、それぞれ、平面方向に延在する2つの表面として第1面10AF、10BF、10CF、及び、第1面10AF、10BF、10CFと反対側の第2面10AS、10BS、10CS、を有している。複数の副基板10A、10B、10Cの第1面10AF、10BF、10CFを構成する導体層12a、12b、12cは、その導体パターンとして、導体パッド12ap、12bp、12cpを含んでいる。複数の副基板10A、10B、10Cの第2面10AS、10BS、10CSを構成する導体層12a、12b、12cは、その導体パターンとして、導体パッド12ac、12bc、12ccを含んでいる。
Each of the plurality of
図示の例では、封止層100は、複数の副基板10A、10B、10C間の間隙を充填すると共に、複数の副基板10A、10B、10Cの上面(第1面)10AF、10BF、10CFをも被覆している。第1面10AF、10BF、10CFを被覆する封止層100には、導体パッド12ap、12bp、12cpの位置に対応する開口100a、100b、100cが形成されている。開口100a、100b、100cの底部には、導体パッド12ap、12bp、12cpの上面が露出している。
In the illustrated example, the
配線基板1のF面FSは、封止層100の表面(上面)、封止層100に形成される開口100a、100b、100cの内面、及び、開口100a、100b、100cから露出する導体パッド12ap、12bp、12cpの表面(上面)から構成されている。F面FSは、外部の電子部品EDa、EDb、EDc1、EDc2が搭載され得る部品搭載面であり、導体パッド12ap、12bp、12cpは、適切な導電性を有する接続部材(例えば、はんだ)を介してEDa、EDb、EDc1、EDc2の接続パッドに接続され得る部品接続パッドとして機能する。
The F surface FS of the wiring board 1 includes the surface (upper surface) of the
図示の例では、B面BSは、封止層100の表面(下面)、及び、副基板10A、10B、10Cの表面(第2面)10AS、10BS、10CSによって構成されている。B面BSには、各副基板10A、10B、10Cが有する導体パッド12ac、12bc、12ccが露出している。配線基板1のB面BSは、外部の配線基板(例えば、任意の電気機器のマザーボード)などの外部要素に配線基板1自体が実装される場合に、外部要素に接続される接続面であり得る。導体パッド12ac、12bc、12ccは任意の基板、電気部品、又は機構部品などと接続され得る。
In the illustrated example, the B surface BS is composed of the surface (lower surface) of the
なお、本実施形態の配線基板の説明においては、配線基板1の各構成要素における導体パッド12ac、12bc、12ccが露出するB面BSに近い側を「下」、「下方」、又は「下側」と称し、B面BSから遠い側、すなわちB面BSを基準としてF面FS側を「上」、「上方」、又は「上側」と称する。従って、配線基板1を構成する各要素の説明において、配線基板1の厚さ方向におけるB面BSの外側を向く表面は「下面」とも称され、F面FSの外側を向く面は「上面」とも称される。 In the description of the wiring board of the present embodiment, the side closer to the B-side BS where the conductor pads 12ac, 12bc, and 12cc of each component of the wiring board 1 are exposed is referred to as "lower", "downward", or "lower side". , and the side far from the B-side BS, that is, the F-side FS with respect to the B-side BS is referred to as "upper", "upper", or "upper". Therefore, in the description of each element constituting the wiring board 1, the outward surface of the B surface BS in the thickness direction of the wiring substrate 1 is also referred to as the "lower surface", and the outward surface of the F surface FS is also referred to as the "upper surface". Also called
配線基板1を構成する複数の副基板10A、10B、10Cは、それぞれ部品搭載領域EDAa、EDAb、EDAcを有している。第1副基板10Aの部品搭載領域EDAaを構成する部品接続パッド12apは、外部の電子部品EDaと接続される。第2副基板10Bの部品搭載領域EDAbを構成する部品接続パッド12bpは、外部の電子部品EDbと接続される。第3副基板10Cの部品搭載領域EDAcを構成する部品接続パッド12cpは、外部の電子部品EDc1、EDc2と接続される。すなわち、副基板10A、10B、10Cそれぞれが有する部品接続パッド12ap、12bp、12cpは、副基板10A、10B、10Cごとに個別の部品搭載領域EDAa、EDAb、EDAcを有している。
A plurality of
配線基板1に搭載され得る電子部品EDa、EDb、EDc1、EDc2としては、例えば、半導体集積回路装置やトランジスタなどの能動部品のような電子部品が例示される。図示において、第1副基板10Aに搭載され得る電子部品EDaは、例えば、HBM(High Bandwidth Memory)、DRAM(Dynamic Randam Access Memory)などのメモリ素子などであり得る。また、第2副基板10Bに搭載され得る電子部品EDbは、例えば、高速通信用の集積回路などの通信用部品であり得る。また、第3副基板10cに搭載され得る電子部品EDc1、EDc2は、例えば、論理回路を組み込んだロジックチップなどの集積回路、又は、MPU(Micro Processor Unit)などのプロセッサであり得る。
Examples of the electronic components EDa, EDb, EDc1, and EDc2 that can be mounted on the wiring board 1 include electronic components such as semiconductor integrated circuit devices and active components such as transistors. In the drawing, the electronic component EDa that can be mounted on the
副基板10Aは複数の絶縁層11a及び導体層12aが交互に積層されることで形成され、一層の絶縁層11aの厚さ方向の両側に形成される2つの導体層12aは、ビア導体13aを介して接続されている。副基板10Bは複数の絶縁層11b及び導体層12bが交互に積層されることで形成され、一層の絶縁層11bの厚さ方向の両側に形成される2つの導体層12bは、ビア導体13bを介して接続されている。副基板10Cは複数の絶縁層11c及び導体層12cが交互に積層されることで形成され、一層の絶縁層11cの厚さ方向の両側に形成される2つの導体層12cは、ビア導体13cを介して接続されている。
The
複数の副基板10A、10B、10Cは、それぞれ略等しい厚さを有している。図示の例では、第1副基板10A、及び第2副基板10Bは、それぞれ、5層の絶縁層11a、11b及び、6層の導体層12a、12bによって構成され、第3副基板10Cは、6層の絶縁層11c及び7層の導体層12cによって構成されている。すなわち、実施形態の配線基板においては、複数の副基板それぞれを構成する絶縁層及び導体層の厚さは異なり得る。特に、導体層に関して、複数の副基板のうち、少なくとも2つの副基板において導体層が有する厚さ(導体厚)が異なっている。これにより、複数の副基板のそれぞれに搭載され得る電子部品に応じた特性の回路が、副基板ごとに形成されることが可能となり得る。
The plurality of
図1に示される例の配線基板1においては、副基板10A、10B、10Cのすべてにおける導体層12a、12b、12cの厚さがそれぞれ異なっている。具体的には、第1、第2、及び第3副基板10A、10B、10C、のそれぞれが有する導体層12a、12b、12cが有する厚さの最小値は、それぞれ異なっている。 In the wiring board 1 of the example shown in FIG. 1, the thicknesses of the conductor layers 12a, 12b, 12c are different in all the sub-boards 10A, 10B, 10C. Specifically, the minimum thicknesses of the conductor layers 12a, 12b and 12c of the first, second and third sub-boards 10A, 10B and 10C are different from each other.
さらに具体的には、メモリ素子が搭載され得る第1副基板10Aの導体層12aは電源用の配線パターンを含んでおり比較的厚さが大きく、導体厚の最小値は例えば、20μm以上、かつ、25μm未満の値を有している。高速通信用の集積回路が搭載され得る第2副基板10Bの導体層12bは高速通信用の導体パターンを含んでおり、導体厚の最小値は第1副基板10Aの導体層12aが有する導体厚の最小値よりも小さく、導体厚の最小値は例えば、15μm以上、かつ、20μm未満の値を有している。プロセッサが搭載され得る第3副基板10Cの導体層12cは比較的微細な導体パターンを有しており、導体厚の最小値は第2副基板10Bの導体層12bが有する導体厚の最小値よりも小さく、最小値は例えば、5μm以上、かつ、15μm未満の値を有している。
More specifically, the
第3副基板10Cに含まれる導体層12cは、複数の副基板10A、10B、10Cが有する導体層12a、12b、12cのうち、最も小さい導体厚を有しており、また、最も微細な配線パターンを含み得る。例えば、第3副基板10Cにおいては、導体層12cが有する配線パターンのライン幅の最小値が10μm以下であり、ライン間距離の最小値は10μm以下である。図示の例においては、第1副基板10A及び第2副基板10Bにおける、導体層12a、12bが有する配線パターンのライン幅の最小値は15μm以上であり、ライン間距離の最小値は15μm以上である。すなわち、第3副基板10Cは、導体層12cが有する配線パターンとして、配線基板1内における最も微細な配線パターンを有し得る。
The
すなわち、図示される複数の副基板10A、10B、10Cのうち、第2副基板10Bが有する導体厚の最小値は第1副基板10Aが有する導体厚の最小値よりも小さく、第3副基板10Cが有する導体厚の最小値は第2副基板10Bが有する導体厚の最小値よりも小さい。これにより、第1、第2、及び第3副基板10A、10B、10Cのそれぞれにおいて、搭載され得る電子部品EDa、EDb、EDc1、EDc2に適した特性を有する配線パターンが形成される場合がある。第1、第2、及び第3副基板10A、10B、10Cのそれぞれの導体層における信号伝送特性が向上し得る。 That is, among the plurality of illustrated sub-boards 10A, 10B, and 10C, the minimum conductor thickness of the second sub-board 10B is smaller than the minimum conductor thickness of the first sub-board 10A. The minimum conductor thickness of 10C is smaller than the minimum conductor thickness of second sub-board 10B. As a result, wiring patterns having characteristics suitable for the electronic components EDa, EDb, EDc1, and EDc2 that can be mounted may be formed on the first, second, and third sub-boards 10A, 10B, and 10C, respectively. . Signal transmission characteristics in each conductor layer of the first, second, and third sub-boards 10A, 10B, and 10C can be improved.
図示される例では、複数の副基板10A、10B、10Cのうち、第1副基板10Aは第3副基板10Cの平面方向における一方の側に隣接している。第2副基板10Bは、第3副基板10Cの平面方向における第1副基板10Aとは反対側に隣接している。すなわち、電源パターンを含み得る導体層12aを有する第1副基板10Aと、高速通信用の回路パターンを含み得る第2副基板10Bとの間には、第3副基板10Cが介在している。
In the illustrated example, among the plurality of sub-boards 10A, 10B, and 10C, the first sub-board 10A is adjacent to the third sub-board 10C on one side in the planar direction. The second sub-board 10B is adjacent to the third sub-board 10C on the side opposite to the first sub-board 10A in the plane direction. That is, the third sub-board 10C is interposed between the first sub-board 10A having the
図示されるように、複数の副基板10A、10B、10Cのそれぞれは、平面方向に延在する2つの表面(第1面10AF、10BF、10CF、及び、第2面10AS、10BS、10CS)のうち、少なくとも一方の面に凹部を有している。複数の副基板10A、10B、10Cのそれぞれが有する凹部10Ar、10Br、10Cr1、10Cr2には、隣接する副基板の一部が嵌入している。 As illustrated, each of the plurality of sub-boards 10A, 10B, 10C has two surfaces (first surfaces 10AF, 10BF, 10CF and second surfaces 10AS, 10BS, 10CS) extending in the plane direction. At least one of the surfaces has a concave portion. A part of the adjacent sub-boards is fitted into the concave portions 10Ar, 10Br, 10Cr1 and 10Cr2 of each of the plurality of sub-boards 10A, 10B and 10C.
具体的には、第1副基板10Aは、その第1面10AFに凹部10Arを有し、凹部10Ar内には第3副基板10Cの一部が入り込んでいる。第2副基板10Bは、その第1面10BFに凹部10Brを有し、凹部10Brには第3副基板10Cの一部が入り込んでいる。第3副基板10Cは、その第2面10CSに凹部10Cr1、10Cr2を有しており、凹部10Cr1には第1副基板10Aの一部が入り込み、凹部10Cr2には第2副基板10Bの一部が入り込んでいる。 Specifically, the first sub-substrate 10A has a recess 10Ar on its first surface 10AF, and a part of the third sub-substrate 10C enters the recess 10Ar. The second sub-board 10B has a recess 10Br on its first surface 10BF, and a portion of the third sub-board 10C enters the recess 10Br. The third sub-board 10C has recesses 10Cr1 and 10Cr2 on its second surface 10CS. A part of the first sub-board 10A enters the recess 10Cr1, and a part of the second sub-board 10B enters the recess 10Cr2. is entering.
複数の副基板10A、10B、10Cの配置において、このような構成を有することにより、配線基板1における望ましくない変形が抑制される場合がある。具体的には、例えば、配線基板1の任意の副基板に対してその厚さ方向に沿ってかかる外力が、特に、隣接する副基板の凹部の内面を介して隣接する副基板へと効果的に応力分散され得る。複数の副基板10A、10B、10C間で効果的に応力が分散されることにより、配線基板1における、例えば反りなどの望ましくない変形の発生が抑制される場合がある。 Undesirable deformation of the wiring board 1 may be suppressed by having such a configuration in the arrangement of the plurality of sub-boards 10A, 10B, and 10C. Specifically, for example, an external force applied along the thickness direction to an arbitrary sub-board of the wiring board 1 is effectively applied to the adjacent sub-board via the inner surface of the concave portion of the adjacent sub-board. can be stress distributed. By effectively dispersing the stress among the plurality of sub-boards 10A, 10B, and 10C, the occurrence of undesirable deformation such as warpage in the wiring board 1 may be suppressed.
副基板10A、10B、10Cのそれぞれを構成する絶縁層11a、11b、11cは、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BT樹脂)又はフェノール樹脂などの絶縁性樹脂を用いて形成され得る。各絶縁層11a、11b、11cは、ガラス繊維などの補強材(芯材)及び/又はシリカ、アルミナなどの無機フィラーを含んでいてもよい。
The insulating
また、絶縁層11a、11b、11cは、熱可塑性樹脂を含む場合もあり得る。特に、高速通信用の配線パターンを含み比較的高周波の信号を伝送し得る第2副基板10Bを構成する絶縁層11bは、比誘電率及び誘電正接が比較的低い熱可塑性樹脂を含んでいることが好ましい。具体的には、熱可塑性樹脂のなかでも比較的、誘電率及び誘電正接の低い、フッ素樹脂、液晶ポリマー(LCP)、フッ化エチレン樹脂(PTFE)、ポリエステル樹脂(PE)、変性ポリイミド樹脂(MPI)のうちのいずれかを含んでもよい。導体層12bを介して搬送される高周波信号の誘電損失が比較的小さく抑えられ得る。
Moreover, the insulating
複数の副基板10A、10B、10C間の間隙を充填する封止層100は、例えば、感光性のエポキシ樹脂を含み得る。また、封止層100は、絶縁層11a、11b、11c同様に、フッ素樹脂、液晶ポリマー(LCP)、フッ化エチレン樹脂(PTFE)、ポリエステル樹脂(PE)、変性ポリイミド樹脂(MPI)などの熱可塑性樹脂を含んでいてもよい。
The
各副基板10A、10B、10Cに含まれる導体層12a、12b、12c及びビア導体13a、13b、13cは、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成され、例えば、銅箔などの金属箔、及び/又は、めっき若しくはスパッタリングなどで形成される金属膜によって構成され得る。導体層12a、12b、12c及びビア導体13a、13b、13cは、図1では単層構造で示されているが、2つ以上の金属層を有する多層構造を有し得る。導体層12a、12b、12c及びビア導体13a、13b、13cは、例えば、金属箔又は無電解めっき膜と電解めっき膜とを含む2層構造を有し得る。
図2には、実施形態の配線基板の他の例として配線基板2が示されている。配線基板2は、図1を参照して上述された配線基板1と比較して、第3副基板10Cに形成される凹部10Cr2及び第2副基板10Bに形成される凹部10Brの位置が、配線基板の厚さ方向において反対側に形成される点を除き、同じ構造を有している。 FIG. 2 shows a wiring board 2 as another example of the wiring board of the embodiment. Wiring board 2 is different from wiring board 1 described above with reference to FIG. It has the same structure except that it is formed on the opposite side in the thickness direction of the substrate.
具体的には、図1を参照して説明された配線基板1においては、第3副基板10Cの凹部10Cr1、10Cr2は、第2面10CSのみに形成され、第2副基板10Bの凹部10Brは第1面10BFに形成されている。これに対して、配線基板2においては、第3副基板10Cの凹部10Cr1は第2面10CSに形成され、凹部10Cr2は第1面10CFに形成されている。また、第2副基板10Bの凹部10Brは第2面10BSに形成されている。 Specifically, in the wiring board 1 described with reference to FIG. 1, the recesses 10Cr1 and 10Cr2 of the third sub-board 10C are formed only on the second surface 10CS, and the recess 10Br of the second sub-board 10B is formed only on the second surface 10CS. It is formed on the first surface 10BF. On the other hand, in the wiring board 2, the recess 10Cr1 of the third sub-board 10C is formed on the second surface 10CS, and the recess 10Cr2 is formed on the first surface 10CF. Also, the recess 10Br of the second sub-board 10B is formed on the second surface 10BS.
すなわち、第3副基板10Cにおいては、その第1面10CF及び第2面10CSの双方に凹部10Cr1、10Cr2が形成されており、凹部10Cr1、10Cr2のそれぞれには、隣接する副基板10A、10Bの一部が嵌入している。このような構成によって、特に、第3副基板10Cに対して、その厚さ方向に沿ってかかり得る外力は、さらに効果的に、隣接する副基板10B、10Aへと分散される場合がある。具体的には、上側(第1面10CF側)から第3副基板10Cに係る外力は第1副基板10Aが入り込む凹部10Cr1を介して第1副基板10Aへと分散され、下側(第2面10CS側)から第3副基板10Cに係り得る外力は、凹部10Cr2を介して第2副基板10Bへと効果的に分散される場合がある。配線基板1の望ましくない反りなどの変形が効果的に抑制される場合がある。 That is, in the third sub-board 10C, recesses 10Cr1 and 10Cr2 are formed on both the first surface 10CF and the second surface 10CS, and the recesses 10Cr1 and 10Cr2 are formed on the adjacent sub-substrates 10A and 10B, respectively. Some are stuck. With such a configuration, in particular, an external force that may be applied along the thickness direction of the third sub-board 10C may be more effectively distributed to the adjacent sub-boards 10B and 10A. Specifically, the external force applied to the third sub-board 10C from the upper side (first surface 10CF side) is dispersed to the first sub-board 10A via the recess 10Cr1 into which the first sub-board 10A enters, An external force that may be applied to the third sub-substrate 10C from the surface 10CS side) may be effectively dispersed to the second sub-substrate 10B via the recess 10Cr2. Undesirable deformation such as warping of the wiring board 1 may be effectively suppressed.
続いて、図3A~図3Eを参照して、図1に示される配線基板1が製造される場合を例に、配線基板の製造方法が説明される。先ず、図3Aに示されるように、支持板SBが用意される。支持板SBの厚さ方向における一方の表面には接着層BLが設けられる。支持板SBには、例えば、ガラス繊維などの芯材にエポキシ樹脂などの樹脂材料を含浸してなるプリプレグ、銅などを含む金属板、又はセラミックスやガラスなどの板状体が用いられ得る。 Next, a method of manufacturing a wiring board will be described with reference to FIGS. 3A to 3E, taking the case of manufacturing the wiring board 1 shown in FIG. 1 as an example. First, as shown in FIG. 3A, a support plate SB is prepared. An adhesive layer BL is provided on one surface in the thickness direction of the support plate SB. For the support plate SB, for example, a prepreg obtained by impregnating a core material such as glass fiber with a resin material such as epoxy resin, a metal plate containing copper, or a plate-like body such as ceramics or glass can be used.
図3Cを参照して後述されるように、接着層BLの支持板SBと反対側には、副基板10A、10B、10Cの第2面10AS、10BS、10CS、及び封止層100が密着する。接着層BLは、支持板SBとの間に、これら副基板10A、10B、10Cの第2面10AS、10BS、10CS、及び封止層100との間との接着力よりも強い接着力を発現し得る材料が好ましく用いられる。接着層BLを構成する材料は、副基板10A、10B、10Cの第2面10AS、10BS、10CS及び封止層100との間との接着性を加熱などの任意の処理によって喪失するものであってもよい。例えば、アクリル系樹脂接着剤が接着層BLの材料として含まれ得る。
As will be described later with reference to FIG. 3C, the second surfaces 10AS, 10BS, and 10CS of the sub-substrates 10A, 10B, and 10C and the
次いで、図3Bに示されるように、支持板SB上に接着層BLを介して副基板10A、10B、10Cが配置される。副基板10A、10B、10Cは、その導体パッド12ac、12bc、12ccを有する第2面10AS、10BS、10CSを支持板SBに向けて配置される。副基板10A、10B、10Cは、第1副基板10Aに第3副基板10Cが隣接し、第3副基板10Cの第1副基板10Aと反対側に第2副基板10Bが隣接しし、互いの間に間隙を有するように配置される。 Next, as shown in FIG. 3B, the sub-substrates 10A, 10B, and 10C are arranged on the support plate SB via the adhesive layer BL. The sub-boards 10A, 10B, 10C are arranged with the second surfaces 10AS, 10BS, 10CS having their contact pads 12ac, 12bc, 12cc facing the support plate SB. The sub-boards 10A, 10B, and 10C are arranged such that the third sub-board 10C is adjacent to the first sub-board 10A, and the second sub-board 10B is adjacent to the third sub-board 10C on the opposite side of the first sub-board 10A. are arranged so as to have a gap between them.
例えば、先ず、第1副基板10A及び第2副基板10B接着層BL上の所望の位置に配置される。次いで、第1副基板10Aの第1面10AFに形成されている凹部10Ar内に第3副基板10Cの第1副基板10A側の一部が入り込み、第2副基板10Bの第1面10BFに形成されている凹部10Br内に第3副基板10Cの第2副基板10B側の一部が入り込むように、第3副基板10Cが接着層BL上に配置される。 For example, first, the first sub-substrate 10A and the second sub-substrate 10B are arranged at desired positions on the adhesive layer BL. Next, a part of the third sub-board 10C on the side of the first sub-board 10A enters the concave portion 10Ar formed in the first surface 10AF of the first sub-board 10A, and the first surface 10BF of the second sub-board 10B is formed. The third sub-substrate 10C is arranged on the adhesive layer BL such that a part of the third sub-substrate 10C on the second sub-substrate 10B side enters the formed recess 10Br.
第1、第2、及び第3副基板10A、10B、10Cは、例えば、一般的なビルドアップ配線板の製造方法により、それぞれ別個に形成され得る。第1、第2、及び第3副基板10A、10B、10Cは、例えば、ベース板上への導体パッド12ac、12bc、12ccを含む導体層12a、12b、12cの形成、及び、その上側への絶縁層11a、11b、11c及び、導体層12a、12b、12cの積層によって形成され得る。積層の完了後、副基板10A、10B、10Cはベース板から取り外され、副基板10A、10B、10Cのそれぞれに、凹部10Ar、10Br、10Cr1、10Cr2が形成される。例えば、ルーター加工により、副基板の一部を切削することに因り、凹部10Ar、10Br、10Cr1、10Cr2が形成され得る。
The first, second, and third sub-boards 10A, 10B, and 10C can be separately formed by, for example, a general build-up wiring board manufacturing method. The first, second, and third sub-boards 10A, 10B, and 10C, for example,
次いで、図3Cに示されるように、封止層100が形成される。例えば、支持板SB上の、副基板10A、10B、10Cが配置されている領域を含む所望の空間を囲う枠体(図示せず)が形成され、この枠体の内側に封止層100を構成する樹脂材料(例えば、エポキシ樹脂)が流動性を有する状態で注入される。注入された樹脂材料は、副基板10A、10B、10Cそれぞれの間の間隙を充填し、第1面10AF、10BF、10CFを完全に被覆する。注入された樹脂材料の硬化後に枠体は取り外され、図3Bに示される状態となる。封止層100によって、第1、第2、及び第3副基板10A、10B、10Cそれぞれの間の間隙が充填され、副基板10A、10B、10Cは一体的に結合される。硬化した封止層100の上面は、必要に応じて、化学機械研磨などの任意の方法で研磨され得る。
An
次いで、図3Dに示されるように、封止層100に開口100a、100b、100cが形成される。開口100a、100b、100cは、例えば、フォトリソグラフィによって形成され得る。副基板10A、10B、10Cが有する部品接続パッド12ap、12bp、12cpに対応した開口パターンを有するマスクを用いた露光及び現像によって、底部に部品接続パッド12ap、12bp、12cpの上面を露出する開口100a、100b、100cが形成される。
次いで、図3Eに示されるように、接着層BLと副基板10A、10B、10Cが分離され、支持板SBが除去される。支持板SBの除去により、副基板10A、10B、10Cの第2面10AS、10BS、10CS、及び、封止層100の表面(下面)から構成されるB面BSが露出する。なお、部品接続パッド12ap、12bp、12cp、及び、導体パッド12ac、12bc、12ccの露出面には、無電解めっき、半田レベラ、又はスプレーコーティングなどによって、Au、Ni/Au、Ni/Pd/Au、はんだ、又は耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜(図示せず)が形成されてもよい。以上の工程を経ることによって、図1の配線基板1が完成する。
Next, as shown in FIG. 3E, the adhesive layer BL and the sub-substrates 10A, 10B, 10C are separated, and the support plate SB is removed. By removing the support plate SB, the B surface BS composed of the second surfaces 10AS, 10BS, and 10CS of the sub-substrates 10A, 10B, and 10C and the surface (lower surface) of the
実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。例えば、配線基板が有し得る複数の副基板の数は3に限定されない。配線基板は4以上の副基板を有し得る。また、各副基板は任意の数の樹脂絶縁層及び配線層を有し得る。配線基板を構成するすべての副基板のそれぞれが互いに異なる層数の絶縁層及び導体層を有してもよい。 The wiring substrates of the embodiments are not limited to those having the structures illustrated in each drawing, and the structures, shapes, and materials illustrated in this specification. For example, the number of sub-boards that a wiring board can have is not limited to three. A wiring board may have four or more sub-boards. Also, each sub-board may have any number of resin insulating layers and wiring layers. All the sub-boards constituting the wiring board may each have different numbers of insulating layers and conductor layers.
1、2 配線基板
10A 副基板(第1副基板)
10B 副基板(第2副基板)
10C 副基板(第3副基板)
10AF、10BF、10CF 第1面
10AS、10BS、10CS 第2面
11a、11b、11c 絶縁層
12a、12b、12c 導体層
12ap、12bp、12cp 導体パッド(部品接続パッド)
12ac、12bc、12cc 導体パッド
100 封止層
100a、100b、100c 開口
10Ar、10Br、10Cr1、10Cr2 凹部
FS F面
BS B面
SB 支持板
BL 接着層
EDAa、EDAb、EDAc 部品搭載領域
1, 2
10B sub-board (second sub-board)
10C sub-board (third sub-board)
10AF, 10BF, 10CF First surface 10AS, 10BS,
12ac, 12bc,
Claims (9)
前記複数の副基板間の間隙を充填し、前記複数の副基板を結合する封止層と、
を有する配線基板であって、
前記複数の副基板のうち少なくとも2つの副基板は、互いに異なる厚さの前記導体層を有している。 a plurality of sub-boards comprising a plurality of alternately laminated insulating layers and conductor layers, the sub-boards being spaced apart from each other in a planar direction;
a sealing layer that fills gaps between the plurality of sub-substrates and bonds the plurality of sub-substrates;
A wiring board having
At least two sub-boards among the plurality of sub-boards have the conductor layers with different thicknesses.
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