JP2023111693A - Pulse wave measuring apparatus - Google Patents
Pulse wave measuring apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023111693A JP2023111693A JP2022013670A JP2022013670A JP2023111693A JP 2023111693 A JP2023111693 A JP 2023111693A JP 2022013670 A JP2022013670 A JP 2022013670A JP 2022013670 A JP2022013670 A JP 2022013670A JP 2023111693 A JP2023111693 A JP 2023111693A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pulse wave
- strain
- measuring device
- wave measuring
- housing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 8
- 239000004033 plastic Substances 0.000 abstract description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 abstract description 5
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 abstract 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 49
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 44
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 43
- 239000010408 film Substances 0.000 description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 22
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 22
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 210000004204 blood vessel Anatomy 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 210000002321 radial artery Anatomy 0.000 description 5
- 210000000707 wrist Anatomy 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 3
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 3
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 3
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 210000003205 muscle Anatomy 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethylene naphthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 210000003491 skin Anatomy 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010003210 Arteriosclerosis Diseases 0.000 description 1
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002482 Cu–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000737 Duralumin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000011775 arteriosclerosis disease Diseases 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000036772 blood pressure Effects 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000805 composite resin Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 201000005299 metal allergy Diseases 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Measuring Pulse, Heart Rate, Blood Pressure Or Blood Flow (AREA)
Abstract
Description
本発明は、脈波測定装置に関する。 The present invention relates to a pulse wave measuring device.
心臓が血液を送り出すことに伴い発生する脈波を検出する脈波センサが知られている。一例として、外力の作用により撓み可能に支持されている起歪体となる受圧板と、その受圧板の撓みを電気信号に変換する圧電変換手段とが設けられた脈波センサが挙げられる。この脈波センサは、受圧板の可撓領域が外方に向かって凸曲面となるドーム状に形成されており、圧電変換手段として受圧板における頂部の内面に圧力検出素子を備えている(例えば、特許文献1参照)。 2. Description of the Related Art A pulse wave sensor is known that detects a pulse wave generated as the heart pumps out blood. One example is a pulse wave sensor provided with a pressure-receiving plate serving as a strain-generating body supported flexibly by the action of an external force, and piezoelectric conversion means for converting the flexure of the pressure-receiving plate into an electrical signal. In this pulse wave sensor, the flexible region of the pressure receiving plate is formed in a dome shape with a convex curved surface facing outward, and a pressure detecting element is provided on the inner surface of the top of the pressure receiving plate as piezoelectric conversion means (for example, , see Patent Document 1).
脈波センサは、微小な信号を検出する必要があるため、脈波センサを用いた脈波測定装置では、測定精度を向上するために、脈波センサを被験者に適度に密着させる必要がある。 Since a pulse wave sensor needs to detect minute signals, a pulse wave measuring device using a pulse wave sensor needs to bring the pulse wave sensor into close contact with the subject in order to improve measurement accuracy.
しかし、上記の脈波センサにおいて、受圧板はSUSや銅等の材料を用いて数十μm~数百μm程度の厚さに形成されているため、橈骨動脈に押し付けると、人の皮膚、筋肉、血管からの反発力により塑性変形するおそれがあった。 However, in the above-described pulse wave sensor, the pressure receiving plate is made of a material such as SUS or copper and is formed with a thickness of several tens of μm to several hundreds of μm. , there is a risk of plastic deformation due to the repulsive force from blood vessels.
本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、脈波センサの塑性変形を抑制可能な脈波測定装置を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a pulse wave measuring device capable of suppressing plastic deformation of a pulse wave sensor.
本脈波測定装置は、被験者に装着可能な脈波測定装置であって、筐体と、前記筐体に固定された脈波センサと、を有し、前記脈波センサは、ひずみゲージが配置された起歪体を備え、前記起歪体が前記被験者に接触可能な状態で前記筐体に固定され、前記起歪体の前記被験者側の面であるセンサ面は、前記筐体の前記センサ面の周囲に位置する面に対して、前記被験者から遠ざかる方向に窪んでいる。 The present pulse wave measuring device is a pulse wave measuring device that can be worn by a subject, and has a housing and a pulse wave sensor fixed to the housing, and the pulse wave sensor is provided with a strain gauge. The strain body is fixed to the housing in a state in which the strain body can contact the subject, and the sensor surface, which is the subject side surface of the strain body, is the sensor of the housing. It is recessed in the direction away from the subject with respect to the surface positioned around the surface.
開示の技術によれば、脈波センサの塑性変形を抑制可能な脈波測定装置を提供できる。 According to the disclosed technique, it is possible to provide a pulse wave measuring device capable of suppressing plastic deformation of the pulse wave sensor.
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments for carrying out the invention will be described with reference to the drawings. In each drawing, the same components are denoted by the same reference numerals, and redundant description may be omitted.
〈第1実施形態〉
[脈波測定装置1]
図1は、第1実施形態に係る脈波測定装置を例示する斜視図であり、脈波測定装置を被験者の手首に装着した様子を示している。図2は、第1実施形態に係る脈波測定装置を例示する表面側斜視図である。図3は、第1実施形態に係る脈波測定装置を例示する裏面側斜視図である。図4は、第1実施形態に係る脈波測定装置を例示する側面図である。
<First embodiment>
[Pulse wave measuring device 1]
FIG. 1 is a perspective view illustrating the pulse wave measuring device according to the first embodiment, showing how the pulse wave measuring device is worn on the wrist of a subject. FIG. 2 is a front side perspective view illustrating the pulse wave measuring device according to the first embodiment. FIG. 3 is a back side perspective view illustrating the pulse wave measuring device according to the first embodiment. FIG. 4 is a side view illustrating the pulse wave measuring device according to the first embodiment;
なお、図4の矢印Nは、脈波センサ40のセンサ面40sの法線方向を示している。図1~図4の説明では、便宜上、矢印Nの始点(根元)側を「上側」と称し、矢印Nの終点(矢尻)側を「下側」と称する。又、各部位の上側に位置する面を「上面」と称し、各部位の下側に位置する面を「下面」と称する。ただし、脈波測定装置1は天地逆の状態で用いることもできる。又、脈波測定装置1は任意の角度で配置することもできる。又、平面視とは、矢印Nの方向で対象物を視ることを指すものとする。そして、平面形状とは、矢印Nの方向で対象物を視たときの、対象物の形状を指すものとする。
An arrow N in FIG. 4 indicates the normal direction of the
図1~図4を参照すると、脈波測定装置1は、被験者に装着可能な腕時計型のウェアラブルデバイスであり、主に、筐体10と、脈波センサ40と、ベルト部90とを有している。
With reference to FIGS. 1 to 4, the pulse
脈波測定装置1は、例えば、脈波センサ40が被験者の橈骨動脈の近くに配置されるように、被験者の手首に装着される。脈波は、心臓が血液を送り出すことに伴い発生する血管の容積変化を波形としてとらえたもので、脈波測定装置1は、血管の容積変化をモニターすることができる。
The pulse
筐体10は、上部11と、下部12と、蓋部13とを有している。上部11は、平面形状が略矩形状の中空の箱であり、上側が開口している。下部12は、平面形状が上部11よりも小さい略矩形状であり、上部11の下面から下側に突起している。蓋部13は、上部11の上側の開口を塞いでいる。蓋部13は、例えば、4隅において、ねじ70により上部11及び/又は下部12と取り外し自在に固定することができる。上部11、下部12、及び蓋部13は、例えば、金属や樹脂等から形成できる。なお、上部11と下部12とは一体に形成されたものでもよく、接着剤や溶接等により別体を接合したものでもよい。
The
上部11の内部に、例えば、電池や電子部品が搭載されてもよい。上部11に搭載される電子部品は、例えば、脈波センサ40が測定した信号を処理する信号処理用の半導体や、信号処理の結果を外部に送信する無線通信用の半導体を含んでもよい。脈波測定装置1と外部回路等とを有線で接続する場合は、上部11の側面等にコネクタを配置してもよいし、上部11の側面等からケーブルを引き出してもよい。
For example, a battery or electronic components may be mounted inside the
下部12の略中央には、矢印N方向に貫通する平面形状が略円形の貫通孔12xが設けられている。貫通孔12xは脈波センサ40を固定するための孔であり、脈波センサ40は貫通孔12xに挿入された状態で下部12に固定されている。脈波センサ40と下部12との固定には、ねじ止めや圧入等の任意の方法を用いることができる。
A through-
脈波センサ40は、筐体10の下部12に固定されている。具体的には、脈波センサ40は、ひずみゲージ100(後述)が配置された起歪体42(後述)を備え、起歪体42が被験者に接触可能な状態で筐体10に固定されている。起歪体42の被験者側の面であるセンサ面40sは、筐体10のセンサ面40sの周囲に位置する面である下部12の下面12aに対して、被験者から遠ざかる方向に窪んでいる。
つまり、脈波センサ40のセンサ面40sは、筐体10の下面よりも矢印Nの根元側に窪んだ位置にある。センサ面40sの筐体10の下面からの窪み量Dは、例えば、矢印N方向に測定して1mm以上2mm以下程度とすることができる。なお、脈波センサ40のセンサ面40sとは反対側の面は、下部12内に収まってもよいし、上部11内に突起してもよい。
That is, the
なお、センサ面40sは、例えば、筐体10のセンサ面40sの周囲に位置する面(筐体10の下部12の下面12a)と平行である。ここでの平行は、±5度の誤差を許容するものとする。
Note that the
ベルト部90は、例えば、ベルト本体91と、第1接続部92と、第2接続部93とを有している。ベルト本体91は、例えば、樹脂、ゴム、布等により形成され、伸縮性を有する。伸縮性を有するベルト本体91を用いることにより、脈波センサ40による被験者の橈骨動脈への押圧力を確保することができる。第1接続部92及び第2接続部93は、ベルト本体91を筐体10の下部12の両端に接続するための部材である。第1接続部92及び第2接続部93は、例えば、樹脂、ゴム等により形成することができる。
The
図示の例では、ベルト本体91の一端は、第1接続部92の一端に設けられた溝に挿入されて固定されている。第1接続部92の他端にはベルト本体91の幅方向の両側に突起する突起部が設けられている。第1接続部92の2つの突起部は、下部12の一端側に設けられた切れ込み部の対向する一対の貫通孔に一軸で揺動自在に取り付けられている。
In the illustrated example, one end of the
また、ベルト本体91の他端は、第2接続部93の一端に設けられた溝に挿入されて固定されている。第2接続部93の他端にはベルト本体91の幅方向の両側に突起する突起部が設けられている。第2接続部93の2つの突起部は、下部12の他端側に設けられた切れ込み部の対向する一対の貫通孔に一軸で揺動自在に取り付けられている。
The other end of the belt
第1接続部92及び第2接続部93は、必要に応じて設けることができる。すなわち、ベルト部90をベルト本体91のみから構成し、ベルト本体91の一端を直接筐体10の下部12の一端に揺動自在に取り付け、ベルト本体91の他端を直接筐体10の下部12の他端に揺動自在に取り付けてもよい。
The first connecting
ベルト本体91は、図示の例のような連続した1つの構造体であってもよいが、複数の構造体から構成してもよい。例えば、一端が第1接続部92に固定された第1帯状体と、一端が第2接続部93に固定された第2帯状体とを設け、第1帯状体の他端と第2帯状体の他端とを面ファスナー等により取り外し自在に接続可能な構成としてもよい。この場合、第1帯状体の他端と第2帯状体の他端を接続する位置により、脈波測定装置1を被験者に装着する際の締め付け強さを変えることができる。つまり、ベルト本体91の長さを調整することで、被験者の橈骨動脈と脈波センサ40との密着性を向上させ、一定の圧力をかけ続けることができる。
The
脈波測定装置1で高精度の脈波を得ることで、血糖値や血圧等をモニターすることができる。また、動脈硬化等の予測が可能となる。
By obtaining highly accurate pulse waves with the pulse
仮に、脈波測定装置1において、脈波センサ40のセンサ面40sが筐体10の下面(下部12の下面12a)から突起しているとすると、脈波測定装置1を被験者の腕に装着する際に、センサ面40sが被験者の腕に接触して塑性変形し、脈波の正確な測定ができなくなるおそれがある。また、脈波測定装置1を被験者の腕に装着して測定する際の押圧力が強くなるため、手首の皮膚、筋肉、血管等からの反発力でセンサ面40sが塑性変形し、脈波の正確な測定ができなくなるおそれがある。
If, in the pulse
しかし、本実施形態に係る脈波測定装置1では、脈波センサ40のセンサ面40sは、筐体10のセンサ面40sの周囲に位置する面に対して、被験者から遠ざかる方向に窪んでいる。これにより、脈波測定装置1を被験者の腕に装着する際に、センサ面40sが被験者の腕に接触しないため、センサ面40sが塑性変形するおそれがない。また、脈波測定装置1を被験者の腕に装着して測定する際の押圧力が強くなり過ぎないため、手首の皮膚、筋肉、血管等からの反発力を軽減でき、センサ面40sの塑性変形を抑制できる。
However, in the pulse
さらに、センサ面40sが筐体10の下面から突起している或いは筐体10の下面と面一であるならば常時、センサ面40sと被験者の肌とが触れているのに対して、本実施形態に係る脈波測定装置1によれば、測定の際にベルト等の締め付けにより圧力をかけた状態でなければ、センサ面40sが積極的に肌に触れることはない。このため、脈波センサ40の保護や金属アレルギー対策等にも繋がる。
Furthermore, if the
なお、脈波センサ40と蓋部13との間に、脈波センサ40を被験者側に付勢する付勢機構を有してもよい。付勢機構は、例えば、ばねのみで構成してもよいし、ばねと、ばねの付勢力を調整する調整部とを含む構成としてもよいし、その他の構成としてもよい。脈波センサ40を被験者側に付勢する付勢機構を有することで、脈波センサ40のセンサ面40sを被験者の手首に安定的に押圧可能となる。
A biasing mechanism that biases the
[脈波センサ40]
図5は、第1実施形態に係る脈波センサを例示する斜視図である。図6は、第1実施形態に係る脈波センサを例示する平面図である。図7は、第1実施形態に係る脈波センサを例示する断面図であり、図6のA-A線に沿う断面を示している。なお、図5~図7は、図4等とは視る方向が異なっており、図4では脈波センサ40のセンサ面40sは下側にあるが、図5~図7では上側となる。
[Pulse wave sensor 40]
FIG. 5 is a perspective view illustrating the pulse wave sensor according to the first embodiment; FIG. 6 is a plan view illustrating the pulse wave sensor according to the first embodiment; FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating the pulse wave sensor according to the first embodiment, showing a cross section along line AA in FIG. 5 to 7 are viewed from a different direction from FIG. 4, etc. In FIG. 4, the
図5~図7を参照すると、脈波センサ40は、筐体41と、起歪体42と、ひずみゲージ100とを有している。
5 to 7, the
起歪体42は、基部42aと、梁部42bと、負荷部42cと、延伸部42dとを有している。起歪体42は、例えば、平面視で4回対称の形状である。起歪体42の材料としては、例えば、SUS(ステンレス鋼)、銅、及びアルミニウム等を用いることができる。なお、起歪体42の材料としては、金属に限らず、ガラス等の非金属を用いてもよい。起歪体42は例えば平板状であり、各構成要素は、例えばプレス加工法等により一体に形成されている。負荷部42cを除く起歪体42の厚さtは、例えば、一定である。厚さtは、例えば、0.01mm以上0.25mm以下である。
The
なお、図5~図7における脈波センサ40の説明では、便宜上、起歪体42の負荷部42cが設けられている側を[上側]と称し、負荷部42cが設けられていない側を「下側」と称する。又、各部位の上側に位置する面を「上面」と称し、各部位の下側に位置する面を「下面」と称する。ただし、脈波センサ40は天地逆の状態で用いることができる。、又、脈波センサ40は任意の角度で配置することもできる。又、平面視とは対象物を起歪体42のセンサ面40sに対する上側から下側への法線方向で対象物を視ることを指すものとする。そして、平面形状とは、前記法線方向で対象物を視たときの、対象物の形状を指すものとする。
In the description of the
脈波センサ40において、筐体41は起歪体42を保持する部分である。筐体41は円筒状であって、下面側が塞がれ上面側が開口されている。筐体41は、例えば、金属や樹脂等から形成できる。筐体41の上面側の開口を塞ぐように、略円板状の起歪体42が接着剤等により固定されている。起歪体42は、ひずみゲージ100が配置されており、脈波を検出する部分である。
In
起歪体42において、基部42aは、図5及び図6に示す円形の破線よりも外側の円形枠状(リング状)の領域である。なお、円形の破線よりも内側の領域を円形開口部と称する場合がある。つまり、起歪体42の基部42aは、円形開口部を備えている。基部42aの幅w1は、例えば、1mm以上5mm以下である。基部42aの内径d(すなわち、円形開口部の直径)は、例えば、5mm以上40mm以下である。
In the
梁部42bは、基部42aの内側を橋渡しするように設けられている。梁部42bは、例えば、平面視で十字状に交差する2本の梁を有し、2本の梁の交差する領域は円形開口部の中心を含む。図6の例では、十字を構成する1本の梁がX方向を長手方向とし、十字を構成する他の1本の梁がY方向を長手方向とし、両者は直交している。直交する2本の梁の各々は、基部42aの内径d(円形開口部の直径)より内側にあり、かつ可能な限り長いことが好ましい。つまり、各々の梁の長さは、円形開口部の直径と略等しいことが好ましい。梁部42bを構成する各々の梁において、交差する領域以外の幅w2は一定であり、例えば、1mm以上5mm以下である。幅w2が一定であることは必須ではないが、幅w2を一定とすることで、ひずみをリニアに検出するできる点で好ましい。
The
負荷部42cは、梁部42bに設けられている。負荷部42cは、例えば、梁部42bを構成する2本の梁の交差する領域に設けられる。負荷部42cは、梁部42bの上面から突起している。梁部42bの上面を基準とする負荷部42cの突起量は、例えば、0.1mm程度である。梁部42bは可撓性を有しており、負荷部42cに負荷が加わると弾性変形する。
The
4つの延伸部42dは、平面視で基部42aの内側から梁部42bの方向に延伸する扇形の部分である。各々の延伸部42dと梁部42bとの間には、1mm程度の隙間が設けられている。なお、当該隙間を例えば0.05~0.2mm程度とした場合には、外部から筐体41内部へのコンタミ侵入を防止することが可能である。延伸部42dは、脈波センサ40のセンシングには寄与しないため、設けなくてもよい。脈波センサ40は、外部との電気信号の入出力を行うシールドケーブルやフレキシブル基板等(図示せず)を有している。
The four extending
なお、起歪体42のセンサ面40sは、基部42aの上面、梁部42bの上面、及び延伸部42dの上面により構成されている。負荷部42cは、センサ面40sよりも突起している。センサ面40sは、例えば、平面である。
The
ひずみゲージ100は、起歪体42に設けられている。ひずみゲージ100は、例えば、梁部42bの下面側に設けることができる。梁部42bは平板状であるため、ひずみゲージを容易に貼り付けることができる。ひずみゲージ100は、1個以上設ければよいが、本実施形態では、4つのひずみゲージ100を設けている。4つのひずみゲージ100を設けることで、フルブリッジにより、ひずみを検出することができる。
The
4つのひずみゲージ100のうちの2つは、X方向を長手方向とする梁の負荷部42cに近い側(円形開口部の中心側)に、平面視で負荷部42cを挟んで対向するように配置されている。4つのひずみゲージ100のうちの他の2つは、Y方向を長手方向とする梁の基部42aに近い側に、平面視で負荷部42cを挟んで対向するように配置されている。このような配置により、圧縮力と引張力を有効に検出してフルブリッジにより大きな出力を得ることができる。
Two of the four
脈波センサ40は、負荷部42cが被験者の橈骨動脈に当たるように被験者の腕に固定して使用される。被験者の脈波に応じて負荷部42cに負荷が加わって梁部42bが弾性変形すると、ひずみゲージ100の抵抗体の抵抗値が変化する。脈波センサ40は、梁部42bの変形に伴なうひずみゲージ100の抵抗体の抵抗値の変化に基づいて脈波を検出できる。脈波は、例えば、ひずみゲージ100の電極と接続された測定回路から、周期的な電圧の変化として出力される。
The
[ひずみゲージ100]
図8は、第1実施形態に係るひずみゲージを例示する平面図である。図9は、第1実施形態に係るひずみゲージを例示する断面図(その1)であり、図8のB-B線に沿う断面を示している。図8及び図9を参照すると、ひずみゲージ100は、基材110と、抵抗体130と、配線140と、電極150と、カバー層160とを有している。なお、図8では、便宜上、カバー層160の外縁のみを破線で示している。なお、カバー層160は、必要に応じて設けることができる。
[Strain gauge 100]
FIG. 8 is a plan view illustrating a strain gauge according to the first embodiment; FIG. FIG. 9 is a cross-sectional view (part 1) illustrating the strain gauge according to the first embodiment, showing a cross section along line BB in FIG. 8 and 9, the
なお、図8及び図9におけるひずみゲージ100の説明では、便宜上、ひずみゲージ100において、基材110の抵抗体130が設けられている側を「上側」と称し、抵抗体130が設けられていない側を「下側」と称する。又、各部位の上側に位置する面を「上面」と称し、各部位の下側に位置する面を「下面」と称する。ただし、ひずみゲージ100は天地逆の状態で用いることもできる。又、ひずみゲージ100は任意の角度で配置することもできる。例えば、図7では、ひずみゲージ100は、図9とは上下が反転した状態で梁部42bに貼り付けられる。つまり、図9の基材110が接着剤等で梁部42bの下面に貼り付けられる。又、平面視とは、基材110の上面110aに対する上側から下側への法線方向で対象物を視ることを指すものとする。そして、平面形状とは、前記法線方向で対象物を視たときの、対象物の形状を指すものとする。
8 and 9, in the
基材110は、抵抗体130等を形成するためのベース層となる部材である。基材110は可撓性を有する。基材110の厚さは特に限定されず、ひずみゲージ100の使用目的等に応じて適宜決定されてよい。例えば、基材110の厚さは5μm~500μm程度であってよい。なお、起歪体42の外面から受感部へのひずみの伝達性、および、環境変化に対する寸法安定性の観点から考えると、基材110の厚さは5μm~200μmの範囲内であることが好ましい。また、絶縁性の観点から考えると、基材110の厚さは10μm以上であることが好ましい。
The
基材110は、例えば、PI(ポリイミド)樹脂、エポキシ樹脂、PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)樹脂、PEN(ポリエチレンナフタレート)樹脂、PET(ポリエチレンテレフタレート)樹脂、PPS(ポリフェニレンサルファイド)樹脂、LCP(液晶ポリマー)樹脂、ポリオレフィン樹脂等の絶縁樹脂フィルムから形成される。なお、フィルムとは、厚さが500μm以下程度であり、かつ可撓性を有する部材を指す。
The
基材110が絶縁樹脂フィルムから形成される場合、当該絶縁樹脂フィルムには、フィラーや不純物等が含まれていてもよい。例えば、基材110は、シリカやアルミナ等のフィラーを含有する絶縁樹脂フィルムから形成されてもよい。
When the
基材110の樹脂以外の材料としては、例えば、SiO2、ZrO2(YSZも含む)、Si、Si2N3、Al2O3(サファイヤも含む)、ZnO、ペロブスカイト系セラミックス(CaTiO3、BaTiO3)等の結晶性材料が挙げられる。又、前述の結晶性材料以外に非晶質のガラス等を基材110の材料としてもよい。又、基材110の材料として、アルミニウム、アルミニウム合金(ジュラルミン)、チタン等の金属を用いてもよい。金属を用いる場合、金属製の基材110上に絶縁膜が設けられる。
Materials other than the resin of the
抵抗体130は、基材110の上側に所定のパターンで形成された薄膜である。ひずみゲージ100において、抵抗体130は、ひずみを受けて抵抗変化を生じる受感部である。抵抗体130は、基材110の上面110aに直接形成されてもよいし、基材110の上面110aに他の層を介して形成されてもよい。なお、図8では、便宜上、抵抗体130を濃い梨地模様で示している。
The
抵抗体130は、複数の細長状部が長手方向を同一方向(図8の例ではX方向)に向けて所定間隔で配置され、隣接する細長状部の端部が互い違いに連結されて、全体としてジグザグに折り返す構造である。複数の細長状部の長手方向がグリッド方向となり、グリッド方向と垂直な方向がグリッド幅方向(図8の例ではY方向)となる。
In the
抵抗体130において、最もY+側に位置する細長状部のX-側の端部は、Y+方向に屈曲し、抵抗体130のグリッド幅方向の一方の終端130e1に達する。また、最もY-側に位置する細長状部のX-側の端部は、Y-方向に屈曲し、抵抗体130のグリッド方向の他方の終端130e2に達する。各々の終端130e1及び130e2は、配線140を介して、電極150と電気的に接続されている。言い換えれば、配線140は、抵抗体130のグリッド幅方向の各々の終端130e1及び130e2と各々の電極150とを電気的に接続している。
In the
抵抗体130は、例えば、Cr(クロム)を含む材料、Ni(ニッケル)を含む材料、又はCrとNiの両方を含む材料から形成することができる。すなわち、抵抗体130は、CrとNiの少なくとも一方を含む材料から形成することができる。Crを含む材料としては、例えば、Cr混相膜が挙げられる。Niを含む材料としては、例えば、Cu-Ni(銅ニッケル)が挙げられる。CrとNiの両方を含む材料としては、例えば、Ni-Cr(ニッケルクロム)が挙げられる。
The
ここで、Cr混相膜とは、Cr、CrN、及びCr2N等が混相した膜である。Cr混相膜は、酸化クロム等の不可避不純物を含んでいてもよい。 Here, the Cr mixed phase film is a film in which Cr, CrN, Cr 2 N and the like are mixed. The Cr mixed phase film may contain unavoidable impurities such as chromium oxide.
抵抗体130の厚さは特に限定されず、ひずみゲージ100の使用目的等に応じて適宜決定されてよい。例えば、抵抗体130の厚さは0.05μm~2μm程度であってよい。特に、抵抗体130の厚さが0.1μm以上である場合、抵抗体130を構成する結晶の結晶性(例えば、α-Crの結晶性)が向上する。また、抵抗体130の厚さが1μm以下である場合、抵抗体130を構成する膜の内部応力に起因する、(i)膜のクラックおよび(ii)膜の基材110からの反りが、低減される。
The thickness of the
横感度を生じ難くすることと、断線対策とを考慮すると、抵抗体130の幅は10μm以上100μm以下であることが好ましい。更に言えば、抵抗体130の幅は10μm以上70μm以下であることが好ましく、10μm以上50μm以下であるとより好ましい。
In consideration of making it difficult for lateral sensitivity to occur and taking measures against disconnection, the width of the
例えば、抵抗体130がCr混相膜である場合、安定な結晶相であるα-Cr(アルファクロム)を主成分とすることで、ゲージ特性の安定性を向上させることができる。又例えば、抵抗体130がCr混相膜である場合、抵抗体130がα-Crを主成分とすることで、ひずみゲージ100のゲージ率を10以上、かつゲージ率温度係数TCS及び抵抗温度係数TCRを-1000ppm/℃~+1000ppm/℃の範囲内とすることができる。ここで、「主成分」とは、抵抗体を構成する全物質の50重量%以上を占める成分のことを意味する。ゲージ特性を向上させるという観点から考えると、抵抗体130はα-Crを80重量%以上含むことが好ましい。更に言えば、同観点から考えると、抵抗体130はα-Crを90重量%以上含むことがより好ましい。なお、α-Crは、bcc構造(体心立方格子構造)のCrである。
For example, when the
又、抵抗体130がCr混相膜である場合、Cr混相膜に含まれるCrN及びCr2Nは20重量%以下であることが好ましい。Cr混相膜に含まれるCrN及びCr2Nが20重量%以下であることで、ひずみゲージ100のゲージ率の低下を抑制することができる。
Also, when the
又、Cr混相膜におけるCrNとCr2Nとの比率は、CrNとCr2Nの重量の合計に対し、Cr2Nの割合が80重量%以上90重量%未満となるようにすることが好ましい。更に言えば、同比率は、CrNとCr2Nの重量の合計に対し、Cr2Nの割合が90重量%以上95重量%未満となるようにすることがより好ましい。Cr2Nは半導体的な性質を有する。そのため、前述のCr2Nの割合を90重量%以上95重量%未満とすることで、TCRの低下(負のTCR)が一層顕著となる。更に、前述のCr2Nの割合を90重量%以上95重量%未満とすることで抵抗体130のセラミックス化を低減することができる。したがってため、抵抗体130の脆性破壊が起こりにくくすることができる。
Also, the ratio of CrN and Cr 2 N in the Cr mixed phase film is preferably such that the ratio of Cr 2 N is 80% by weight or more and less than 90% by weight with respect to the total weight of CrN and Cr 2 N. . More preferably, the ratio of Cr 2 N to the total weight of CrN and Cr 2 N is 90% by weight or more and less than 95% by weight. Cr 2 N has semiconducting properties. Therefore, by setting the ratio of Cr 2 N to 90% by weight or more and less than 95% by weight, the decrease in TCR (negative TCR) becomes even more pronounced. Furthermore, by setting the ratio of Cr 2 N to 90% by weight or more and less than 95% by weight, it is possible to reduce the use of ceramics in the
一方で、CrNは化学的に安定であるという利点も有する。Cr混相膜にCrNをより多く含むことで、不安定なNが発生する可能性を低減することができるため、安定なひずみゲージを得ることができる。ここで「不安定なN」とは、Cr混相膜の膜中に存在し得る、微量のN2もしくは原子状のNのことを意味する。これらの不安定なNは、外的環境(例えば高温環境)によっては膜外へ抜け出ることがある。不安定なNが膜外へ抜け出るときに、Cr混相膜の膜応力が変化し得る。 On the other hand, CrN also has the advantage of being chemically stable. By including more CrN in the Cr mixed phase film, the possibility of generating unstable N can be reduced, so a stable strain gauge can be obtained. Here, “unstable N” means a trace amount of N 2 or atomic N that may exist in the Cr mixed-phase film. These unstable N may leak out of the film depending on the external environment (for example, high temperature environment). When unstable N escapes out of the film, the film stress of the Cr mixed phase film can change.
配線140は、基材110上に設けられている。配線140は、抵抗体130及び電極150と電気的に接続されている。配線140は、直線状には限定されず、任意のパターンとすることができる。また、配線140は、任意の幅及び任意の長さとすることができる。なお、図8では、便宜上、配線140を抵抗体130よりも薄い梨地模様で示している。
The
電極150は、基材110上に設けられている。電極150は、配線140を介して抵抗体130と電気的に接続されている。電極150は、平面視において、配線140よりも拡幅して略矩形状に形成されている。電極150は、ひずみにより生じる抵抗体130の抵抗値の変化を外部に出力するための一対の電極である。電極150には、例えば外部接続用のリード線等が接合される。電極150の上面に、銅等の抵抗の低い金属層、または、金等のはんだ付け性が良好な金属層を積層してもよい。抵抗体130と配線140と電極150とは便宜上別符号としているが、両者は同一工程において同一材料により一体に形成することができる。なお、図8では、便宜上、電極150を配線140と同じ梨地模様で示している。
カバー層160は、必要に応じて、基材110上に設けられる。カバー層160は、基材110の上面110aに、抵抗体130及び配線140を被覆し電極150を露出するように設けられる。カバー層160の材料としては、例えば、PI樹脂、エポキシ樹脂、PEEK樹脂、PEN樹脂、PET樹脂、PPS樹脂、複合樹脂(例えば、シリコーン樹脂、ポリオレフィン樹脂)等の絶縁樹脂が挙げられる。なお、カバー層160は、フィラーや顔料を含有しても構わない。カバー層160の厚さは、特に制限されず、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、カバー層160の厚さは2μm~30μm程度とすることができる。カバー層160を設けることで、抵抗体130に機械的な損傷等が生じることを抑制することができる。又、カバー層160を設けることで、抵抗体130を湿気等から保護することができる。
A
ひずみゲージ100において、抵抗体130の材料としてCr混相膜を用いた場合、高感度化かつ、小型化を実現することができる。例えば、従来のひずみゲージの出力が0.04mV/2V程度であったのに対して、抵抗体130の材料としてCr混相膜を用いた場合は0.3mV/2V以上の出力を得ることができる。また、従来のひずみゲージの大きさ(ゲージ長×ゲージ幅)が3mm×3mm程度であったのに対して、抵抗体130の材料としてCr混相膜を用いた場合の大きさ(ゲージ長×ゲージ幅)は0.3mm×0.3mm程度に小型化することができる。
In the
したがって、抵抗体130の材料としてCr混相膜を用いたひずみゲージ100は、起歪体42の狭い部位に配置する必要があり、かつ橈骨動脈に発生する極めて微小な変動の検出が必要な脈波測定装置1に特に好適に用いることができる。また、抵抗体130の材料としてCr混相膜を用いたひずみゲージ100は、従来のひずみゲージよりも高抵抗である。したがって、電池で駆動する場合に、低消費電力化が可能となるため、電池寿命を長くすることができる。
Therefore, the
[ひずみゲージの製造方法]
以下、ひずみゲージ100の製造方法について説明する。ひずみゲージ100を製造するためには、まず、基材110を準備し、基材110の上面110aに金属層(便宜上、金属層Aとする)を形成する。金属層Aは、最終的にパターニングされて抵抗体130、配線140、及び電極150となる層である。従って、金属層Aの材料や厚さは、前述の抵抗体130、配線140、及び電極150の材料や厚さと同様である。
[Manufacturing method of strain gauge]
A method of manufacturing the
金属層Aは、例えば、金属層Aを形成可能な原料をターゲットとしたマグネトロンスパッタ法により成膜することができる。金属層Aは、マグネトロンスパッタ法に代えて、反応性スパッタ法、蒸着法、アークイオンプレーティング法、またはパルスレーザー堆積法等を用いて成膜されてもよい。 The metal layer A can be formed, for example, by magnetron sputtering using a raw material capable of forming the metal layer A as a target. The metal layer A may be formed using a reactive sputtering method, a vapor deposition method, an arc ion plating method, a pulse laser deposition method, or the like instead of the magnetron sputtering method.
なお、基材110の上面110aに下地層を形成してから金属層Aを形成してもよい。例えば、基材110の上面110aに、所定の膜厚の機能層をコンベンショナルスパッタ法により真空成膜してもよい。このように下地層を設けることによって、ひずみゲージ100のゲージ特性を安定化させることができる。
Note that the metal layer A may be formed after forming a base layer on the
本願において、機能層とは、少なくとも上層である金属層A(抵抗体130)の結晶成長を促進する機能を有する層を指す。機能層は、更に、基材110に含まれる酸素または水分による金属層Aの酸化を防止する機能、および/または、基材110と金属層Aとの密着性を向上する機能を備えていることが好ましい。機能層は、更に、他の機能を備えていてもよい。
In the present application, the functional layer refers to a layer having a function of promoting crystal growth of at least the upper metal layer A (resistor 130). The functional layer further has a function of preventing oxidation of the metal layer A due to oxygen or moisture contained in the
基材110を構成する絶縁樹脂フィルムは酸素や水分を含むことがあり、また、Crは自己酸化膜を形成することがある。そのため、特に金属層AがCrを含む場合、金属層Aの酸化を防止する機能を有する機能層を成膜することが好ましい。
The insulating resin film forming the
このように、金属層Aの下層に機能層を設けることにより、金属層Aの結晶成長を促進可能となり、安定な結晶相からなる金属層Aを作製することができる。その結果、ひずみゲージ100において、ゲージ特性の安定性が向上する。又、機能層を構成する材料が金属層Aに拡散することにより、ひずみゲージ100において、ゲージ特性が向上する。
In this way, by providing the functional layer under the metal layer A, it becomes possible to promote the crystal growth of the metal layer A, and the metal layer A having a stable crystal phase can be produced. As a result, in the
図10は、第1実施形態に係るひずみゲージを例示する断面図(その2)である。図10は、抵抗体130、配線140、及び電極150の下地層として機能層120を設けた場合のひずみゲージ100の断面形状を示している。
FIG. 10 is a cross-sectional view (part 2) illustrating the strain gauge according to the first embodiment. FIG. 10 shows the cross-sectional shape of the
機能層120の平面形状は、例えば抵抗体130、配線140、及び電極150の平面形状と略同一にパターニングされてよい。しかしながら、機能層120と抵抗体130、配線140、及び電極150との平面形状は略同一でなくてもよい。例えば、機能層120が絶縁材料から形成される場合には、機能層120を抵抗体130、配線140、及び電極150の平面形状と異なる形状にパターニングしてもよい。この場合、機能層120は例えば抵抗体130、配線140、及び電極150が形成されている領域にベタ状に形成されてもよい。或いは、機能層120は、基材110の上面全体にベタ状に形成されてもよい。
The planar shape of the
次に、フォトリソグラフィによって金属層Aをパターニングすることで、図8に示す平面形状の抵抗体130、2つの配線140、及び2つの電極150を形成する。
Next, by patterning the metal layer A by photolithography, a
抵抗体130、配線140、及び電極150を形成した後、基材110の上面110aにカバー層160を形成してもよい。カバー層160は抵抗体130及び配線140を被覆するが、電極150はカバー層160から露出していてよい。例えば、基材110の上面110aに、抵抗体130及び配線140を被覆し電極150を露出するように、半硬化状態の熱硬化性の絶縁樹脂フィルムをラミネートして、その後に当該絶縁樹脂フィルムを加熱して硬化させることにより、カバー層160を形成することができる。以上の工程により、ひずみゲージ100が完成する。
A
以上、好ましい実施形態等について詳説したが、上述した実施形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。 Although the preferred embodiments and the like have been described in detail above, the present invention is not limited to the above-described embodiments and the like, and various modifications and substitutions can be made to the above-described embodiments and the like without departing from the scope of the claims. can be added.
1 脈波測定装置、10 筐体、11 上部、12 下部、12a 下面、12x 貫通孔、13 蓋部、40 脈波センサ、41 筐体、42 起歪体、42a 基部、42b 梁部、42c 負荷部、42d 延伸部、40s センサ面、70 ねじ、90 ベルト部、91 ベルト本体、92 第1接続部、93 第2接続部、100 ひずみゲージ、110 基材、110a 上面、130 抵抗体、130e1,130e2 終端、140 配線、150 電極、160 カバー層
1 Pulse
Claims (8)
筐体と、
前記筐体に固定された脈波センサと、を有し、
前記脈波センサは、ひずみゲージが配置された起歪体を備え、前記起歪体が前記被験者に接触可能な状態で前記筐体に固定され、
前記起歪体の前記被験者側の面であるセンサ面は、前記筐体の前記センサ面の周囲に位置する面に対して、前記被験者から遠ざかる方向に窪んでいる、脈波測定装置。 A pulse wave measuring device attachable to a subject,
a housing;
and a pulse wave sensor fixed to the housing,
The pulse wave sensor includes a strain body in which a strain gauge is arranged, and the strain body is fixed to the housing so as to be in contact with the subject,
A pulse wave measuring device, wherein a sensor surface, which is a surface of the strain body on the side of the subject, is recessed in a direction away from the subject with respect to a surface of the housing located around the sensor surface.
前記帯状体は、伸縮性を有する請求項1乃至3の何れか一項に記載の脈波測定装置。 a belt-shaped body having one end connected to one side of the housing and the other end connected to the other side of the housing;
The pulse wave measuring device according to any one of claims 1 to 3, wherein the belt-like body has stretchability.
円形開口部を備えた基部と、
前記基部の内側を橋渡しする梁部と、
前記梁部に設けられた負荷部と、を有し、
前記起歪体の変形に伴なう前記ひずみゲージの抵抗値の変化に基づいて脈波を検出する、請求項1乃至4の何れか一項に記載の脈波測定装置。 The strain-generating body is
a base with a circular opening;
a beam that bridges the inside of the base;
and a load portion provided on the beam portion,
5. The pulse wave measuring device according to any one of claims 1 to 4, wherein the pulse wave is detected based on a change in the resistance value of the strain gauge that accompanies deformation of the strain body.
前記梁の交差する領域は、前記円形開口部の中心を含み、
前記梁の交差する領域に、前記負荷部が設けられている、請求項5に記載の脈波測定装置。 The beam portion has two beams that intersect in a cross shape in a plan view,
the area of intersection of the beams includes the center of the circular opening;
6. The pulse wave measuring device according to claim 5, wherein said load section is provided in an area where said beams intersect.
4つの前記ひずみゲージのうちの2つは、第1方向を長手方向とする前記梁の前記負荷部に近い側に、平面視で前記負荷部を挟んで対向するように配置され、
4つの前記ひずみゲージのうちの他の2つは、前記第1方向と直交する第2方向を長手方向とする前記梁の前記基部に近い側に、平面視で前記負荷部を挟んで対向するように配置されている、請求項6に記載の脈波測定装置。 Equipped with four strain gauges,
Two of the four strain gauges are arranged on a side of the beam having a first direction as a longitudinal direction and close to the load section so as to face each other across the load section in a plan view,
The other two of the four strain gauges are opposed to the side of the beam near the base portion whose longitudinal direction is the second direction orthogonal to the first direction, with the load portion interposed therebetween in a plan view. 7. The pulse wave measuring device according to claim 6, arranged to:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022013670A JP2023111693A (en) | 2022-01-31 | 2022-01-31 | Pulse wave measuring apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022013670A JP2023111693A (en) | 2022-01-31 | 2022-01-31 | Pulse wave measuring apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023111693A true JP2023111693A (en) | 2023-08-10 |
Family
ID=87551722
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022013670A Pending JP2023111693A (en) | 2022-01-31 | 2022-01-31 | Pulse wave measuring apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2023111693A (en) |
-
2022
- 2022-01-31 JP JP2022013670A patent/JP2023111693A/en active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2022239663A1 (en) | Pulse wave sensor | |
JP2020034536A (en) | Battery pack | |
JP2022008536A (en) | Battery pack | |
JP2023111693A (en) | Pulse wave measuring apparatus | |
WO2023106197A1 (en) | Pulse wave measurement device | |
JP7537836B2 (en) | Vital Sensor | |
JP2023021715A (en) | Pulse wave measuring device | |
WO2024190692A1 (en) | Pulse wave sensor | |
JP2023021714A (en) | Pulse wave measuring device | |
WO2024204575A1 (en) | Pulse wave sensor | |
WO2024204574A1 (en) | Pulse wave sensor | |
JP2023004652A (en) | Pulse wave measuring device | |
WO2024005193A1 (en) | Adjustment method for pulse wave measuring device, pulse wave measuring system, and pulse wave measuring device | |
WO2023167172A1 (en) | Pulse wave sensor | |
WO2022249717A1 (en) | Vital sensor | |
JP7571976B2 (en) | Pulse wave sensor | |
JP2023134364A (en) | pulse wave sensor | |
WO2023037832A1 (en) | Pulse wave sensor | |
JP2023129273A (en) | pulse wave sensor | |
WO2023167171A1 (en) | Pulse wave sensor | |
WO2022244642A1 (en) | Sensor module and battery pack | |
JP2024116722A (en) | Vital Sensor | |
JP2024143982A (en) | Pulse wave sensor | |
JP2024143983A (en) | Pulse wave sensor | |
JP2024006486A (en) | vital sensor |