JP2023111190A - メモリシステムおよび制御方法 - Google Patents

Abstract

【課題】不揮発性メモリに対するアクセスを柔軟に制御するメモリシステムを実現する。【解決手段】メモリシステムは、不揮発性メモリにおいて実行されているコマンドが消去／プログラムコマンドであり、且つ、（ｉ）第１のコマンドグループに含まれるリードコマンドの数もしくは第１のコマンドグループに含まれるリードコマンドそれぞれに関連付けられている重みの合計が第１の値以上であるという第１の条件、または（ｉｉ）第１のコマンドグループに一つ以上のリードコマンドが含まれ、且つ消去／プログラムコマンドの実行が開始あるいは再開されてからの経過時間が第２の値以上であるという第２の条件のいずれかが満たされた場合、不揮発性メモリにサスペンドコマンドを送信することによって消去／プログラムコマンドの実行を中断する。【選択図】図５

Description

本発明の実施形態は、不揮発性メモリを制御する技術に関する。

近年、不揮発性メモリを備えるメモリシステムが広く普及している。このようなメモリシステムの一つとして、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリを備えるソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）が知られている。

ＳＳＤは、データセンターのサーバのような様々なホスト計算機システムのストレージデバイスとして使用されている。

ＳＳＤのようなストレージデバイスにおいては、不揮発性メモリに対するアクセスを柔軟に制御可能にするための新たな技術の実現が必要とされる。

特許第５９３７５９８号公報 特許第６２４０３０９号公報 米国特許第１０，５９２，１７１号明細書

本発明が解決しようとする課題は、不揮発性メモリに対するアクセスを柔軟に制御可能なメモリシステムを提供することである。

実施形態によれば、ホストに接続可能なメモリシステムは、不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリに電気的に接続されたコントローラとを具備する。前記コントローラは、前記不揮発性メモリに送出すべきリードコマンドを含む第１のコマンドグループと、前記不揮発性メモリに送出すべき消去コマンドと前記不揮発性メモリに送出すべきプログラムコマンドのうち少なくとも一方が含まれる第２のコマンドグループとを受け付ける。前記コントローラは、前記第１のコマンドグループと前記第２のコマンドグループとのうちから、コマンドが実行されるべきコマンドグループを選択する。前記コントローラは、前記選択したコマンドグループに含まれるコマンドの実行を開始する。前記不揮発性メモリにおいて実行されているコマンドが消去／プログラムコマンドであり、且つ、（ｉ）前記第１のコマンドグループに含まれるリードコマンドの数もしくは前記第１のコマンドグループに含まれる前記リードコマンドそれぞれに関連付けられている重みの合計が第１の値以上であるという第１の条件、または（ｉｉ）前記第１のコマンドグループに一つ以上のリードコマンドが含まれ、且つ前記消去／プログラムコマンドの実行が開始あるいは再開されてからの経過時間が第２の値以上であるという第２の条件のいずれかが満たされた場合、前記コントローラは、前記不揮発性メモリにサスペンドコマンドを送信することによって前記消去／プログラムコマンドの実行を中断する。前記コントローラは、前記第１のコマンドグループに含まれるリードコマンドの実行を開始する動作を、前記第１のコマンドグループにリードコマンドが無くなるか、または前記消去／プログラムコマンドの中断中に実行されたリードコマンドの数もしくは前記中断中に実行されたリードコマンドそれぞれに関連付けられている重みの合計が第３の値以上になるまで繰り返してから、前記中断された消去／プログラムコマンドの実行を再開する。

実施形態に係るメモリシステムとホストとの関係を示すブロック図。 実施形態のメモリシステムとホストとの間の役割分担を説明するための図。 実施形態のメモリシステムの構成例を示すブロック図。 実施形態に係るメモリシステムにおいて使用される、複数のチャンネルと複数のＮＡＮＤ型フラッシュメモリダイとの関係を示すブロック図。 実施形態のメモリシステムにおいて、スケジューリング動作を実行するスケジューラを示す図。 実施形態に係るメモリシステムにおいて、プログラムコマンドの実行中に受け付けられた複数のリードコマンドの数に応じて、プログラムコマンドを中断する動作を示す図。 実施形態に係るメモリシステムにおいて、プログラムコマンドの実行が開始されてからの経過時間に応じて、プログラムコマンドを中断する動作を示す図。 実施形態に係るメモリシステムにおいて、プログラムコマンドの実行が再開されてからの経過時間に応じて、プログラムコマンドを中断する動作を示す図。 実施形態に係るメモリシステムにおいて、プログラムコマンドが中断されている間に実行されたリードコマンドの数に応じて、中断されていたプログラムコマンドの実行を再開する動作を示す図。 実施形態に係るメモリシステムにおいて、累積重みを使用したスケジューリング動作を実行するスケジューラを示す図。 スケジューラの第１の入力（ｉｎｐｕｔ＃０）のリードコマンドの実行が開始された場合に実行されるバーチャルタイム（ＶＴ）更新動作と、スケジューラの第２の入力（ｉｎｐｕｔ＃１）の消去／プログラムコマンドの実行が開始された場合に実行されるＶＴ更新動作とを示す図。 ＶＴの値に基づいて、ｉｎｐｕｔ＃０とｉｎｐｕｔ＃１から、コマンドが実行されるべき高優先度の入力を選択する動作を示す図。 ｉｎｐｕｔ＃０のリードコマンドの実行後にｉｎｐｕｔ＃１のプログラムコマンドを実行する動作を示す図。 実施形態に係るメモリシステムにおいて、プログラムコマンドの実行中に受け付けられたリードコマンドの数に応じて、実行中のプログラム動作を中断し、中断中に更新されたＶＴの値に応じて、中断されているプログラム動作の実行を再開する動作を示す図。 サスペンド動作と再開動作とを含むスケジューリング動作の手順を示すフローチャート。 累積重みを使用した、サスペンド動作と再開動作とを含むスケジューリング動作の手順を示すフローチャート。

以下、図面を参照して、実施形態を説明する。
まず、図１を参照して、本実施形態に係るメモリシステムとホストとの関係を説明する。

このメモリシステムは、不揮発性メモリにデータを書き込み、不揮発性メモリからデータを読み出すように構成された半導体ストレージデバイスである。このメモリシステムは、ＮＡＮＤフラッシュ技術ベースのフラッシュストレージデバイス１として実現されている。

フラッシュストレージデバイス１は、ホスト２にケーブルまたはネットワークを介して接続されてもよい。

ホスト（ホストデバイス）２は、複数のフラッシュストレージデバイス１を制御するように構成されている。ホスト２は、複数のフラッシュストレージデバイス１を含むフラッシュアレイをストレージとして使用するように構成された情報処理装置によって実現される。この情報処理装置はパーソナルコンピュータであってもよいし、サーバコンピュータであってもよい。

以下では、サーバコンピュータのような情報処理装置がホスト２として機能する場合を例示して説明する。

ホスト（サーバ）２と複数のフラッシュストレージデバイス１は、インタフェース１０を介して相互接続される（内部相互接続）。この相互接続のためのインタフェース１０としては、これに限定されないが、ＰＣＩ Ｅｘｐｒｅｓｓ（ＰＣＩｅ）（登録商標）、ＮＶＭ Ｅｘｐｒｅｓｓ（ＮＶＭｅ）（登録商標）、Ｅｔｈｅｒｎｅｔ（登録商標）、ＮＶＭｅ ｏｖｅｒ Ｆａｂｒｉｃｓ（ＮＶＭｅＯＦ）等を使用し得る。

ホスト２として機能するサーバコンピュータの典型例としては、データセンター内のサーバコンピュータ（以下、サーバと称する）が挙げられる。

ホスト２がデータセンター内のサーバによって実現されるケースにおいては、このホスト（サーバ）２は、ネットワーク３０を介して複数のエンドユーザ端末（クライアント）３に接続されてもよい。ホスト２は、これらエンドユーザ端末３に対して様々なサービスを提供することができる。

ホスト（サーバ）２によって提供可能なサービスの例には、（１）システム稼働プラットフォームを各クライアント（各エンドユーザ端末３）に提供するプラットホーム・アズ・ア・サービス（ＰａａＳ）、（２）仮想サーバのようなインフラストラクチャを各クライアント（各エンドユーザ端末３）に提供するインフラストラクチャ・アズ・ア・サービス（ＩａａＳ）、等がある。

複数の仮想マシンが、このホスト（サーバ）２として機能する物理サーバ上で実行されてもよい。ホスト（サーバ）２上で走るこれら仮想マシンの各々は、この仮想マシンに対応するクライアント（エンドユーザ端末３）に各種サービスを提供するように構成された仮想サーバとして機能することができる。各仮想マシンにおいては、この仮想マシンに対応するエンドユーザ端末３によって使用される、オペレーティングシステムおよびユーザアプリケーションが実行される。

ホスト（サーバ）２においては、フラッシュトランスレーションレイヤ（ホストＦＴＬ）も実行される。このホストＦＴＬは、アクセス対象のデータを識別するためのデータ識別子（タグ）それぞれとフラッシュストレージデバイス１内の不揮発性メモリの物理アドレスそれぞれとの間のマッピングを管理するアドレス変換テーブルであるルックアップテーブル（ＬＵＴ）を含む。ホストＦＴＬは、このＬＵＴを使用することによって、フラッシュストレージデバイス１の不揮発性メモリにおける物理的なデータ配置を知ることができる。

フラッシュストレージデバイス１は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのような不揮発性メモリを含む。不揮発性メモリは、各々が複数のページを含む複数のブロックを含む。これらブロックの各々は、データを消去するデータ消去動作の単位である。データ消去動作は「消去動作」または「ブロック消去」としても参照される。各ブロックに含まれる複数のページの各々は、不揮発性メモリにデータを書き込むデータ書き込み動作、および不揮発性メモリからデータを読み出すデータ読み出し動作の単位である。

フラッシュストレージデバイス１は、ローレベルアブストラクションを実行することができる。ローレベルアブストラクションは不揮発性メモリのアブストラクションのための機能である。ローレベルアブストラクションは、データ配置を補助する機能等を含む。データ配置を補助する機能の例は、ホスト２からのユーザデータが書き込まれるべき書き込み先ブロックを割り当てる機能、ユーザデータの書き込み先位置（書き込み先ブロック、この書き込み先ブロック内の位置）を決定する機能、ユーザデータが書き込まれたこの書き込み先位置を示す物理アドレス（ブロックアドレス、ブロック内オフセット）を上位階層（ホスト２）に通知する機能、等を含む。

ブロックアドレスは、不揮発性メモリに含まれる複数のブロックのうちの特定の一つのブロックを識別するためのブロック識別子である。不揮発性メモリが複数の不揮発性メモリダイを含む場合には、ブロックアドレスは、ダイ識別子とブロックアドレスとの組み合わせによって表される。あるいは、各不揮発性メモリダイが複数のブレーンを含む場合には、ブロックアドレスは、ダイ識別子と、ブレーン識別子と、ブロックアドレスとの組み合わせによって表される。

また、データ配置を補助する機能の例は、不揮発性メモリに既に書き込まれているユーザデータがコピーされるべきコピー先ブロックを割り当てる機能、ユーザデータのコピー先位置（コピー先ブロック、このコピー先ブロック内の位置）を決定する機能、ユーザデータがコピーされたこのコピー先位置を示す物理アドレス（ブロックアドレス、ブロック内オフセット）を上位階層（ホスト２）に通知する機能、等を含んでいてもよい。

フラッシュストレージデバイス１は、ホスト２から受信される様々なコマンドを実行する。これらコマンドには、フラッシュストレージデバイス１の不揮発性メモリにデータを書き込むためのライトコマンド、不揮発性メモリからデータを読み出すためのリードコマンド、不揮発性メモリに既に書き込まれているデータを不揮発性メモリ内の別の記憶位置にコピーするコピーコマンド、等が含まれる。

図２はフラッシュストレージデバイス１とホスト２との間の役割分担を示す図である。

ホスト（サーバ）２においては、複数のエンドユーザにそれぞれ対応する複数の仮想マシン２１が実行される。各仮想マシン２１においては、対応するエンドユーザによって使用される、オペレーティングシステムおよびユーザアプリケーション２２が実行される。

また、ホスト（サーバ）２においては、複数のユーザアプリケーション２２にそれぞれ対応する複数のＩ／Ｏサービス２３が実行される。これらＩ／Ｏサービス２３には、論理ブロックアドレス（ＬＢＡ）ベースのブロックＩ／Ｏサービス、キー・バリュー・ストアサービスなどが含まれてもよい。各Ｉ／Ｏサービス２３は、タグそれぞれとフラッシュストレージデバイス１の物理アドレスそれぞれとの間のマッピングを管理するルックアップテーブル（ＬＵＴ）を含む。

ここで、タグとは、アクセス対象のデータを識別するためのデータ識別子を意味する。例えば、ＬＢＡのような論理アドレスがタグとして使用される。あるいは、ユーザアドレス（例えば、キー・バリュー・ストアのキー、またはこのキーのハッシュ値、等）がタグとして利用されてもよい。

フラッシュストレージデバイス１の物理アドレスは、フラッシュストレージデバイス１に含まれる不揮発性メモリ内の物理記憶位置を特定するためのアドレスである。

ＬＢＡベースのブロックＩ／Ｏサービスにおいては、論理アドレス（ＬＢＡ）それぞれとフラッシュストレージデバイス１の物理アドレスそれぞれとの間のマッピングを管理するＬＵＴが使用されてもよい。

一方、キー・バリュー・ストアサービスにおいては、キー（またはキーのハッシュ値）それぞれとこれらキーに対応するデータが格納されているフラッシュストレージデバイス１の物理アドレスそれぞれとこれらキーに対応するデータそれぞれのデータ長との間のマッピングを管理するＬＵＴが使用されてもよい。

各エンドユーザは、使用すべきアドレッシング方法（ＬＢＡ、キー・バリュー・ストアのキー、このキーのハッシュ値、等）を選択することができる。

ホスト（サーバ）２においては、複数の仮想マシン２１にそれぞれ対応する複数のライトバッファ（ＷＢ）２４が管理されている。あるユーザアプリケーション２２からのライトデータは、このユーザアプリケーション２２に対応する仮想マシン２１用のライトバッファ（ＷＢ）２４に一時的に格納される。

ホスト（サーバ）２からフラッシュストレージデバイス１へのコマンドの送信およびフラッシュストレージデバイス１からホスト（サーバ）２へのコマンド完了のレスポンス等の返送は、ホスト（サーバ）２およびフラッシュストレージデバイス１の各々に存在するＩ／Ｏキュー１００を介して実行される。

フラッシュストレージデバイス１は、フラッシュストレージデバイス１の不揮発性メモリを論理的に分割することによって得られる複数の領域それぞれをＱｏＳドメイン１１として管理する。これらＱｏＳドメイン１１の各々は、不揮発性メモリに含まれる複数のブロックの部分集合である。不揮発性メモリに含まれる複数のブロックの各々は一つのＱｏＳドメイン１１のみに属し、同じブロックが異なるＱｏＳドメイン１１に同時に属することはない。

これらＱｏＳドメイン１１は、ＱｏＳドメインＩＤと称される識別子によってそれぞれ識別される。これらＱｏＳドメインＩＤは、これら複数の領域（複数のＱｏＳドメイン）をそれぞれアクセスするための複数の識別子として使用される。

本実施形態においては、ホスト２から発行される各ライトコマンド（ライト要求）は、例えば、ＱｏＳドメインＩＤと、ライトデータのタグ（例えば、ライトデータに対応するＬＢＡ）と、ライトデータの長さと、ライトデータが格納されているホスト２のメモリ内の位置を示すバッファアドレスとを指定する。ホスト２のメモリは、以下では、単にホストメモリとしても参照される。

ライトコマンドをホスト２から受信した場合、フラッシュストレージデバイス１は、ライトコマンドによって指定されたＱｏＳドメインＩＤに対応するＱｏＳドメインに含まれるフリープロック群のうちの一つのフリーブロックを選択し、この選択したフリーブロックに対する消去動作（データ消去動作）を実行し、そして消去動作が実行されたフリーブロックを、このＱｏＳドメイン用の新たな書き込み先ブロックとして割り当てる。

ここで、書き込み先ブロックとは、データが書き込まれるべきブロックを意味する。このＱｏＳドメイン用の書き込み先ブロックが既に割り当てられている場合には、このＱｏＳドメイン用の新たな書き込み先ブロックを割り当てる処理の実行は不要である。

フラッシュストレージデバイス１は、ホスト２から受信したライトコマンドに関連付けられたライトデータをホストメモリから取得し、取得したライトデータをこのＱｏＳドメイン用に新たに割り当てられた書き込み先ブロック（またはこのＱｏＳドメイン用に既に割り当てられている書き込み先ブロック）に書き込む。

この場合、フラッシュストレージデバイス１は、ホスト２から受信したライトデータを、このライトデータのタグ（例えば、ライトデータに対応するＬＢＡ）と一緒に書き込み先ブロックに書き込む。

受信されたライトコマンドに関連付けられたライトデータが書き込み先ブロックに書き込まれると、フラッシュストレージデバイス１は、このデータのタグと、このデータの長さと、このデータが書き込まれた物理記憶位置を示す物理アドレス（ブロックアドレス、ブロック内オフセット）とをホスト２にアドレス記録要求として送信する。アドレス記録要求は、データが書き込まれた物理記憶位置を示す物理アドレスをホスト２に通知するための物理アドレス通知メッセージとして使用される。

フラッシュストレージデバイス１からのアドレス記録要求の受信に応じて、ホスト２は、このデータに対応するＬＢＡのようなタグにこの物理アドレスが関連付けられるようにホスト２のＬＵＴ（論理物理アドレス変換テーブル）を更新する。

ホスト２は、フラッシュストレージデバイス１の不揮発性メモリの物理記憶位置それぞれに格納されているデータが有効データまたは無効データのいずれであるかを、ＬＵＴを使用して管理することができる。ここで、有効データとは、ＬＢＡのようなタグに関連付けられている最新のデータを意味する。つまり、ホスト２のＬＵＴ（論理物理アドレス変換テーブル）から最新のデータとしてリンクされているデータは有効データである。また、無効データとは、ＬＢＡのようなタグに関連付けられていないデータを意味する。ホスト２のＬＵＴからリンクされていないデータは無効データである。例えば、あるＬＢＡに対応する更新データがフラッシュストレージデバイス１に書き込まれた場合には、このＬＢＡに対応する以前のデータは無効データとなる。

ホスト２から発行される各リードコマンド（リード要求）は、例えば、読み出し対象データが格納されている物理記憶位置を示す物理アドレス（ブロックアドレス、ブロック内オフセット）と、読み出し対象データの長さと、読み出し対象データが転送されるべきホストメモリ内の位置を示すバッファアドレスとを指定する。

リードコマンドをホスト２から受信した場合、フラッシュストレージデバイス１は、受信したリードコマンドによって指定される物理アドレスによって示される不揮発性メモリ内の物理記憶位置から読み出し対象データを読み出し、読み出した読み出し対象データを、受信したリードコマンドによって指定されるバッファアドレスによって示されるホストメモリ内の位置に転送する。

ホスト２から発行される各コピーコマンド（コピー要求）は、例えば、コピー元ブロックを示す物理アドレス（つまりコピー元ブロックのブロックアドレス）、コピー先ブロックを示す物理アドレス（つまりコピー先ブロックのブロックアドレス）、コピー元ブロックに対応するバリッドビットマップを示す。

バリッドビットマップは、コピー元ブロック内の複数の物理記憶位置にそれぞれに対応する複数のビットを含む。これら複数のビットの各々は、このビットに対応する物理記憶位置に有効データが存在するか否かを示す。換言すれば、バリッドビットマップは、コピー元ブロックに格納されているデータそれぞれが有効データまたは無効データのいずれであるかを示す。

コピーコマンドをホスト２から受信したことに応じて、フラッシュストレージデバイス１は、バリッドビットマップに基づいて、コピー元ブロックに格納されている各有効データを特定し、コピー元ブロックに格納されている各有効データをコピー先ブロックにコピーする。この場合、フラッシュストレージデバイス１は、コピー元ブロックに格納されている各有効データを、各有効データに対応するタグ（例えば、有効データに対応するＬＢＡ）と一緒に、コピー先ブロックにコピーする。

そして、フラッシュストレージデバイス１は、例えば、コピーされた各有効データのタグ（例えばＬＢＡ）と、各有効データの長さと、各有効データのコピー元物理アドレスと、各有効データのコピー先物理アドレスとを指定するアドレス変更要求を、ホスト２に送信する。

図３は、フラッシュストレージデバイス１の構成例を示す。

フラッシュストレージデバイス１は、コントローラ４および不揮発性メモリ（例えばＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５）を含む。フラッシュストレージデバイス１は、ランダムアクセスメモリ、例えば、ＤＲＡＭ６を含む。

コントローラ４は、Ｔｏｇｇｌｅ ＮＡＮＤフラッシュインタフェース、オープンＮＡＮＤフラッシュインタフェース（ＯＮＦＩ）のような、ＮＡＮＤインタフェース４５を介して、不揮発性メモリであるＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に電気的に接続されている。コントローラ４は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５を制御するように構成されたメモリコントローラとして動作する。このコントローラ４は、Ｓｙｓｔｅｍ－ｏｎ－ａ－ｃｈｉｐ（ＳｏＣ）のような回路によって実現されてもよい。

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５は、マトリクス状に配置された複数のメモリセルを含むメモリセルアレイを含む。ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５は、２次元構造のフラッシュメモリであってもよいし、３次元構造のフラッシュメモリであってもよい。

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５のメモリセルアレイは、複数のブロックＢＬＫ０～ＢＬＫｍ－１を含む。ブロックＢＬＫ０～ＢＬＫｍ－１の各々は複数のページ（ここではページＰ０～Ｐｎ－１）を含む。ブロックＢＬＫ０～ＢＬＫｍ－１の各々は、データ消去動作の単位として機能する。ブロックは、「消去ブロック」、「物理ブロック」、または「物理消去ブロック」と称されることもある。ページＰ０～Ｐｎ－１の各々は、データ書き込み動作およびデータ読み込み動作の各々の単位である。

ＤＲＡＭ６は、揮発性の半導体メモリである。ＤＲＡＭ６は、例えば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に書き込むべきデータを一時的に格納するために使用される。また、ＤＲＡＭ６の記憶領域は、コントローラ４によって使用される様々な管理データを格納するために使用される。

次に、コントローラ４の詳細な構成について説明する。

コントローラ４は、ホストインタフェース（Ｉ／Ｆ）４１と、ＣＰＵ４２と、直接メモリアクセスコントローラ（ＤＭＡＣ）４３と、ＥＣＣ（Ｅｒｒｏｒ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ Ｃｏｄｅ）エンコード／デコード部４４と、ＮＡＮＤインタフェース（Ｉ／Ｆ）４５と、ＤＲＡＭインタフェース（Ｉ／Ｆ）４６とを含む。これらホストインタフェース４１と、ＣＰＵ４２と、ＤＭＡＣ４３と、ＥＣＣエンコード／デコード部４４と、ＮＡＮＤインタフェース４５と、ＤＲＡＭインタフェース４６とは、バス４０を介して相互接続される。

ホストインタフェース４１は、ホスト２との通信を実行するホストインタフェース回路である。ホストインタフェース４１は、例えば、ＰＣＩｅコントローラである。あるいは、フラッシュストレージデバイス１がＥｔｈｅｒｎｅｔ（登録商標）を介してホスト２に接続される構成においては、ホストインタフェース４１は、ＮＶＭｅ ｏｖｅｒ Ｆａｂｌｉｃｓ（ＮＶＭｅＯＦ）コントローラであってもよい。ホストインタフェース４１は、ホスト２から様々なコマンドを受信する。これらコマンドは、ライトコマンド、リードコマンド、コピーコマンド、等が含まれる。

ＣＰＵ４２は、プロセッサである。ＣＰＵ４２は、ホストインタフェース４１と、ＤＭＡＣ４３と、ＥＣＣエンコード／デコード部４４と、ＮＡＮＤインタフェース４５と、ＤＲＡＭインタフェース４６とを制御する。ＣＰＵ４２は、フラッシュストレージデバイス１への電源の供給に応じて、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５または図示しないＲＯＭから制御プログラム（ファームウェア）をＤＲＡＭ６にロードする。

ＤＭＡＣ４３は、直接メモリアクセス（ＤＭＡ）を実行する回路である。ＤＭＡＣ４３は、ＣＰＵ４２の制御の下、ホスト２のメモリ（不図示）と、ＤＲＡＭ６との間のデータ転送を実行する。

ＥＣＣエンコード／デコード部４４は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５にデータをライトすべき時、このデータをエンコードすることによってこのデータにエラー訂正コード（ＥＣＣ）を冗長コードとして付加する。ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５からデータがリードされた時、ＥＣＣエンコード／デコード部４４は、リードされたデータに付加されたＥＣＣを使用して、このデータのエラー訂正を行う。

ＮＡＮＤインタフェース４５は、複数の不揮発性メモリダイを制御するメモリインタフェース回路である。ＮＡＮＤインタフェース４５は、ＣＰＵ４２の制御の下、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５を制御する。ＮＡＮＤインタフェース４５は、例えば、複数のチャンネル（Ｃｈ）を介して複数のＮＡＮＤ型フラッシュメモリダイに接続される。ＮＡＮＤインタフェース４５とＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５との間の通信は、例えば、Ｔｏｇｇｌｅ ＮＡＮＤフラッシュインタフェースまたはオープンＮＡＮＤフラッシュインタフェース（ＯＮＦＩ）に準拠して実行される。

ＤＲＡＭインタフェース４６は、ＤＲＡＭ６を制御するＤＲＡＭインタフェース回路である。ＤＲＡＭインタフェース４６は、ＣＰＵ４２の制御の下、ＤＲＡＭ６を制御する。

次に、ＤＲＡＭ６の構成例について説明する。ＤＲＡＭ６の記憶領域の一部は、コマンドキュー６１と、ブロック管理テーブル６２を格納するために使用される。

コマンドキュー６１は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に送信されるべき、一つ以上のコマンドを格納するキューである。コマンドキュー６１は、例えば、先入れ先出しバッファ（ＦＩＦＯバッファ）として実現され得る。コマンドキュー６１は、コマンドの種類ごとにそれぞれ異なるキューが用意されていてもよい。例えば、コマンドキュー６１は、リードコマンドを格納するためのキューである。

ブロック管理テーブル６２は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５内の複数のブロックそれぞれに対応する複数の管理テーブルを含む。各管理テーブルは、この管理テーブルに対応するブロックを管理するための管理情報（メタデータ）を格納するために使用される。メタデータは、これに限定されないが、対応するブロックの書き換え回数（プログラム／イレーズサイクルの数）、オープン／クローズ状態、等を含んでいてもよい。オープン／クローズ状態は、このブロックがオープン状態またはクローズ状態のいずれであるかを示す。オープン状態は、このブロックが書き込み先ブロックとして使用中の状態を示す。クローズ状態は、このブロックがデータで満たされているアクティブブロックとして管理されている状態を示す。

次に、ＣＰＵ４２の機能構成例について説明する。ＣＰＵ４２は、スケジューラ４２１と、サスペンドマネージャ４２２とを含む。スケジューラ４２１およびサスペンドマネージャ４２２の一部または全部は、ファームウェアによって制御されてもよいし、コントローラ４の専用ハードウェアによって実現されてもよい。

スケジューラ４２１は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５へアクセスするための複数のコマンドを受け付け、これらコマンドのうちから、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に送出すべきコマンドを決定するスケジューリング動作を行う。

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５へのアクセスには、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５にデータを書き込むライト動作（プログラム動作）、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５からデータを読み出す読み出し動作、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に既に書き込まれているデータをブロック単位で消去するデータ消去動作が含まれる。

したがって、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５へアクセスするためにＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に送出されるべきコマンドは、消去コマンド、プログラムコマンド、リードコマンドに大別される。

スケジューラ４２１は、スケジューリング動作を制御するために、累積重みを管理する。累積重みは、スケジューラ４２１の第１の入力に入力されるリードコマンド（第１コマンドグループ）と、スケジューラ４２１の第２の入力に入力される消去コマンドおよびプログラムコマンド（第２コマンドグループ）との間の優先順位を定めるために使用されるパラメータである。累積重みは、実行が開始された各コマンドに関連付けられた重みを使用して更新される。

スケジューラ４２１は、累積重みに基づいて、第１の入力および第２の入力のうちから、コマンドが実行されるべき入力を選択する。スケジューラ４２１は、選択した入力に入力されているコマンドを実行する。

ここで、コマンドの実行とは、このコマンドに対応する動作を実行するためのコマンドシーケンスをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に送信することによってこのコマンドに対応する動作をＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に実行させることを意味する。

サスペンドマネージャ４２２は、スケジューラ４２１からＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に出力されるコマンドシーケンスに基づいて、実行中の消去／プログラムコマンドに対する中断の回数または中断時間の合計を監視する。ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５において実行されているコマンドが消去コマンドまたはプログラムコマンドであり、且つ実行中の消去コマンドまたはプログラムコマンドに対する中断回数または中断時間の合計が上限値未満である場合、サスペンドマネージャ４２２は、実行中の消去コマンドまたはプログラムコマンドを中断するサスペンド動作を実行することをスケジューラ４２１に許可する。

サスペンド動作は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５において実行中の消去／プログラムコマンドの実行を中断（サスペンド）し、代わりに第１のコマンドグループに含まれるリードコマンドの実行を開始する動作である。

消去／プログラムコマンドが実行されているときに、ある条件が満たされた場合、スケジューラ４２１は、実行中の消去／プログラムコマンドを中断させるためのサスペンドコマンドを発行する。そして、消去／プログラムコマンドが中断されているときに、別の条件が満たされた場合、スケジューラ４２１は、中断されている消去／プログラムコマンドを再開させるためのレジュームコマンドを発行する。

次に、複数のチャンネルと複数のＮＡＮＤ型フラッシュメモリダイとの関係について説明する。図４は、実施形態に係るメモリシステムにおいて使用される、複数のチャンネルと複数のＮＡＮＤ型フラッシュメモリダイとの関係の例を示すブロック図である。

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５は、図４に示すように、複数のＮＡＮＤ型フラッシュメモリダイ（ＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップ）を含んでいてもよい。個々のＮＡＮＤ型フラッシュメモリダイは独立して動作可能である。このため、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリダイは、並列動作可能な単位として機能する。図４においては、ＮＡＮＤインタフェース１３に１６個のチャンネルＣｈ．０～Ｃｈ．１５が接続されており、１６個のチャンネルＣｈ．０～Ｃｈ．１５の各々に２つのＮＡＮＤ型フラッシュメモリダイが接続されている場合が例示されている。

この場合、チャンネルＣｈ．０～Ｃｈ．１５に接続された１６個のＮＡＮＤ型フラッシュメモリダイ＃０～＃１５がバンク＃０として編成されてもよく、またチャンネルＣｈ．０～Ｃｈ．１５に接続された残りの１６個のＮＡＮＤ型フラッシュメモリダイ＃１６～＃３１がバンク＃１として編成されてもよい。

バンクは、複数のメモリダイをバンクインタリーブによって並列動作させるための単位として機能する。図４の構成例においては、１６個のチャンネルと、２つのバンクを使用したバンクインタリーブとによって、最大３２個のＮＡＮＤ型フラッシュメモリダイを並列動作させることができる。

データ消去動作およびブロック割り当て動作は、一つのブロックの単位で実行される。この場合、一つのブロックは一つの物理ブロックであってもよいし、並列動作可能な複数の物理ブロックの集合を含む一つのブロックグループであってもよい。ブロックグループはスーパーブロックとしても参照される。

一つのブロックグループ、つまり複数の物理ブロックの集合を含む一つのスーパーブロックは、これに限定されないが、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリダイ＃０～＃３１から一つずつ選択される計３２個の物理ブロックを含んでいてもよい。なお、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリダイ＃０～＃３１の各々はマルチプレーン構成を有していてもよい。例えば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリダイ＃０～＃３１の各々が、２つのプレーン（プレーン＃０、プレーン＃１）を含むマルチプレーン構成を有する場合には、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に含まれるプレーンの総数は６４個である。一つのスーパーブロックはＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に含まれるこれら６４個のプレーンから一つずつ選択される計６４個の物理ブロックを含んでいてもよい。

一つのスーパーブロックにデータを書き込む動作においては、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリダイ＃０～＃３１それぞれに対するデータ書き込み動作が並列に実行される。これにより、例えば、３２ページ分のライトデータ（プレーン＃０、プレーン＃１を含むマルチプレーン構成を有する場合には、６４ページ分のライトデータ）をＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５内のＮＡＮＤ型フラッシュメモリダイ＃１～＃３２に書き込む動作を並列に実行することができる。

次に、スケジューリング動作について説明する。図５は、実施形態に係るメモリシステムにおいて、スケジューリング動作を実行するスケジューラ４２１を示す図である。

コントローラ４において、ホスト２から受信した各ライトコマンドは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に送出すべきプログラムコマンドとしてスケジューラ４２１に送られる。ホスト２から受信した各リードコマンドは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に送出すべきリードコマンドとしてスケジューラ４２１に送られる。

また、コントローラ４においては、ホスト２から受信した各コピーコマンドに対応するデータ読み出し動作およびデータ書き込み動作を実行するためのリードコマンドおよびプログラムコマンドが生成される。コントローラ４によって生成されるリードコマンドおよびプログラムコマンドも、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に送出すべきリードコマンドおよびプログラムコマンドとしてスケジューラ４２１に送られる。

また、ガベージコレクション動作において、コントローラ４は、リードコマンドおよびプログラムコマンドを生成する。

また、書き込み先ブロックを割り当てる動作において、コントローラ４は、フリーブロックに対する消去動作を実行するための消去コマンドを生成する。コントローラ４によって生成される消去コマンドは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に送出すべき消去コマンドとしてスケジューラ４２１に送られる。

この消去コマンドは、データをブロック単位で消去する消去動作を実行するために使用される。プログラムコマンドは、ホスト２から受信したライトデータまたはホスト２からのコピーコマンドによって指定されたコピー対象データをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に書き込むために使用される。また、プログラムコマンドは、ガベージコレクション動作においてＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５のコピー元ブロックから読み出されたデータをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５のコピー先ブロックに書き込むためにも使用される。リードコマンドは、ホスト２から要求されたリード対象データまたはホスト２からのコピーコマンドによって指定されたコピー対象データをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５から読み出すために使用される。また、リードコマンドは、ガベージコレクション動作においてＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５のコピー元ブロックからデータを読み出すためにも使用される。

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５においては、リードコマンド（読み出し動作）の実行に要する時間は、消去コマンド（消去動作）またはプログラムコマンド（プログラム動作）の実行に要する時間よりも短い。

リードコマンド（読み出し動作）の実行に要する時間は、例えば、数十μｓ～１００μｓである。消去コマンド（消去動作）またはプログラムコマンド（プログラム動作）の実行に要する時間は、例えば、１ｍｓ～数ｍｓである。

このように、一つの消去／プログラムコマンド（一つの消去コマンドまたは一つのプログラムコマンド）の実行に要する時間は、一つのリードコマンドの実行に要する時間の１０倍から数十倍である。

ホスト２は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５の総アクセス時間を読み出し動作とプログラム動作とに所定の比率で配分すべきことをフラッシュストレージデバイス１に要求する場合がある。

例えば、ホスト２が、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５の総アクセス時間の５０パーセントの時間を読み出し動作のために割り当て、残りの時間をプログラム動作に割り当てることを要求する場合、つまり読み出し動作とプログラム動作との間の時間配分を１：１にすることを要求する場合を想定する。一つのリードコマンドの実行に要する時間が１００μｓであり、一つのプログラムコマンドの実行に要する時間が３ｍｓであるケースにおいては、一つのプログラムコマンドの実行に要する時間は一つのリードコマンドの実行に要する時間の３０倍である。したがって、この場合には、スケジューラ４２１は、リードコマンドがプログラムコマンドの３０倍の頻度で実行されるようにスケジューリング動作を行う。これにより、読み出し動作とプログラム動作との間の時間配分を１：１にすることができる。

また、ホスト２は、読み出し動作と消去動作とプログラム動作との間の時間配分を１：１：１にすることを要求する場合もあり得る。一つのリードコマンドの実行に要する時間が１００μｓであり、一つの消去コマンドの実行に要する時間が１ｍｓであり、一つのプログラムコマンドの実行に要する時間が３ｍｓであるケースにおいては、一つの消去コマンドの実行に要する時間は一つのリードコマンドの実行に要する時間の１０倍であり、一つのプログラムコマンドの実行に要する時間は一つのリードコマンドの実行に要する時間の３０倍である。したがって、スケジューラ４２１は、リードコマンドが消去コマンドの１０倍の頻度で実行され、且つリードコマンドがプログラムコマンドの３０倍の頻度で実行されようにスケジューリング動作を行う。これにより、読み出し動作と消去動作とプログラム動作との間の時間配分を１：１：１にすることができる。

さらに、ホスト２は、リードコマンドのレイテンシ（リードレイテンシ）の変動量をある値以下に抑えるべきことをフラッシュストレージデバイス１に要求する場合がある。

したがって、スケジューラ４２１は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に送出すべきリードコマンドそれぞれを受け付けるための第１の入力と、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に送出すべき消去コマンドそれぞれとＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に送出すべきプログラムコマンドそれぞれとを受け付けるための第２の入力のうちから、コマンドが処理されるべき入力を選択する、というスケジューリング動作を行う。

ここで、コマンドの処理とは、このコマンドに対応する動作を実行するためのコマンドシーケンスをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に送信することによってこのコマンドに対応する動作をＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に実行させることを意味する。

スケジューラ４２１は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に含まれるＮＡＮＤ型フラッシュメモリダイ毎に、スケジューリング動作を実行する。以下では、あるＮＡＮＤ型フラッシュメモリダイに対するスケジューリング動作を例示するが、他のＮＡＮＤ型フラッシュメモリダイに対するスケジューリング動作も同様の手順で実行される。

スケジューラ４２１は、このＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に送出すべきリードコマンドを含む第１のコマンドグループを受け付けるための第１の入力（ｉｎｐｕｔ＃０）と、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に送出すべき消去コマンドとＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に送出すべきプログラムコマンドのうち少なくとも一方が含まれる第２のコマンドグループを受け付けるための第２の入力（ｉｎｐｕｔ＃１）とを有する。スケジューラ４２１は、選択された入力に格納されているコマンドを実行する。以下では、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に送出すべき消去コマンドとＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に送出すべきプログラムコマンドとが、第２のコマンドグループとして第２の入力（ｉｎｐｕｔ＃１）に入力される場合について説明する。

スケジューラ４２１は、スケジューリング動作を制御するために、累積リード（ＶＴＰＳ）と、リード数（ＲｉｎＱ）と、経過時間（Ｔ）とを管理テーブルＴ＃０を用いて管理する。

累積リード（ＶＴＰＳ、Ｖｉｒｔｕａｌ Ｔｉｍｅ Ｐｅｒ Ｓｕｓｐｅｎｄ）は、一度のサスペンド中に処理されたリードコマンドの数の合計である。あるいは、ＶＴＰＳは、一度のサスペンド中に処理されたリードコマンドそれぞれに関連付けられた重みの合計であってもよい。

リード数（ＲｉｎＱ）は、ｉｎｐｕｔ＃０に入力されたリードコマンドの数、つまり、コマンドキュー６１に格納されている未処理のリードコマンドの数である。あるいは、ＲｉｎＱは、コマンドキュー６１に格納されている未処理のリードコマンドそれぞれに関連付けられた重みの合計であってもよい。

経過時間（Ｔ）は、消去／プログラムコマンドの処理が開始されてから経過した時間である。そして、Ｔは、その消去／プログラムコマンドが中断された際にリセットされる。Ｔは、消去／プログラムコマンドの処理が再開された際に、再度カウントを開始する。そのため、Ｔは、一つの消去／プログラムコマンドの処理が開始されてから経過した時間、あるいは、一つの消去／プログラムコマンドの処理が中断された後に再開されてから経過した時間である。

サスペンドマネージャ４２２は、スケジューラ４２１からＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に出力されるコマンドシーケンスに基づいて、実行中の消去／プログラムコマンドに対する中断の回数または中断時間の合計を監視する。ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５において実行されているコマンドが消去コマンドまたはプログラムコマンドであり、且つ実行中の消去コマンドまたはプログラムコマンドに対する中断回数または中断時間の合計が上限値未満である場合、サスペンドマネージャ４２２は、中断可能を示すフラグ（Ｒｅａｄａｂｌｅ ｆｌａｇ）をオン状態に設定することで、スケジューラ４２１がサスペンドコマンドを発行することを許可する。

スケジューラ４２１がサスペンドコマンドを発行するための条件は、第１のコマンドグループに含まれるリードコマンドの数、つまり、コマンドキュー６１に格納されている未実行のリードコマンドの数が第１の値に達したことである（第１のサスペンド条件）。スケジューラ４２１に入力された未実行のリードコマンドは、ペンディング中のリードコマンドとも称される。

一つの消去／プログラムコマンド当たりに許容される中断回数は、ある上限値までに制限される場合がある。このため、消去／プログラムコマンドの中断中に実行されるリードコマンドの数が少なすぎると、この消去／プログラムコマンドの中断回数が上限値を超えやすくなる。この消去／プログラムコマンドの中断回数が上限値を超えると、もはやこの消去／プログラムコマンドの実行を中断できない。したがって、例えば、この消去／プログラムコマンドの中断回数が上限値を超えた後にスケジューラ４２１に入力されるどのリードコマンドも、この消去／プログラムコマンドの実行が完了するまで、実行できなくなる。したがって、これらリードコマンドのレイテンシが大きくなる。

第１のコマンドグループに含まれるリードコマンドの数が第１の値に達したという条件（第１のサスペンド条件）が満たされた場合に消去／プログラムコマンドの実行を中断することにより、消去／プログラムコマンドの１回の中断中に、第１の値以上の数のリードコマンドを実行することができる。これにより、リードコマンドのレイテンシの変動を低減できる。

また、リードコマンドが第１のコマンドグループに含まれ、且つ、消去／プログラムコマンドの実行が開始または再開されてからの経過時間が第２の値に達したという条件（第２のサスペンド条件）も、スケジューラ４２１がサスペンドコマンドを発行するための条件として使用される。

第１のサスペンド条件または第２のサスペンド条件のいずれかが満たされた場合に消去／プログラムコマンドの実行を中断することにより、たとえコマンドキュー６１に格納されている未実行のリードコマンドの数が第１の値未満であっても、各リードコマンドのレイテンシの増加を抑制できる。

例えば、消去／プログラムコマンドの開始または再開から第２の値に対応する時間が経過する前に一つのリードコマンドがスケジューラ４２１に入力された場合、このリードコマンドは、消去／プログラムコマンドの開始または再開から第２の値に対応する時間が経過するまで実行されない。つまり、消去／プログラムコマンドの実行を中断する動作は、消去／プログラムコマンドの開始または再開から第２の値に対応する時間が経過するまで待たされる。この間に、スケジューラ４２１に新たなリードコマンドが到着する場合もあるので、ペンディング中のリードコマンドの数を増やすことができる。消去／プログラムコマンドの開始または再開から第２の値に対応する時間が経過すると、消去／プログラムコマンドの実行が中断される。そして、この時点までにスケジューラ４２１に入力されているペンディング中の各リードコマンドが実行される。

スケジューラ４２１は、第１のコマンドグループに含まれるリードコマンドの数、つまり、未実行のリードコマンドの数を管理する。あるいは、スケジューラ４２１は、未実行のリードコマンドそれぞれに関連付けられた重みの合計を管理してもよい。スケジューラ４２１は、未実行のリードコマンドの数と、第１の値とを比較する代わりに、未実行のリードコマンドそれぞれに関連付けられた重みの合計と、第１の値とを比較することで、サスペンドコマンドを発行するための条件が満たされているか否かを判定してもよい。

スケジューラ４２１は、消去／プログラムコマンドの実行が開始されてからの経過時間を管理する。スケジューラ４２１は、消去／プログラムコマンドの実行が開始されてからの経過時間が第２の値に達した時に、コマンドキュー６１に一つ以上のリードコマンドが格納されていた場合、サスペンドコマンドを発行する。また、スケジューラ４２１は、消去／プログラムコマンドの実行が再開されてからの経過時間を管理する。スケジューラ４２１は、消去／プログラムコマンドの実行が再開されてからの経過時間が第２の値に達した時に、コマンドキュー６１に一つ以上のリードコマンドが格納されていた場合、サスペンドコマンドを発行する。

具体的には、リード数（ＲｉｎＱ）の値が、第１の値である最小累積リード（ＭＮＶＴ、ＭｉＮｉｍｕｍ Ｖｉｒｔｕａｌ Ｔｉｍｅ）に達した時（第１のサスペンド条件が満たされた時）、Ｒｅａｄａｂｌｅ ｆｌａｇがオン状態である場合、スケジューラ４２１は、消去／プログラムコマンドの実行を中断し、代わりにｉｎｐｕｔ＃０に格納されているリードコマンドの実行を開始する。

また、ｉｎｐｕｔ＃０に未処理のリードコマンドがあり、且つ、経過時間（Ｔ）の値が、第２の値である最大サスペンド間隔（ＭＸＳＩ、ＭａＸｉｍｕｍ Ｓｕｓｐｅｎｄ Ｉｎｔｅｒｖａｌ）に達した時（第２のサスペンド条件が満たされた時）、Ｒｅａｄａｂｌｅ ｆｌａｇがオン状態である場合、スケジューラ４２１は、消去／プログラムコマンドの実行を中断し、代わりにｉｎｐｕｔ＃０に格納されているリードコマンドの実行を開始する。

一方、Ｒｅａｄａｂｌｅ ｆｌａｇがオフ状態である場合には、ＲｉｎＱがＭＮＶＴに達した、あるいはＴがＭＸＳＩに達したとしても、スケジューラ４２１は、実行中のコマンドを中断させない。

そして、消去コマンドまたはプログラムコマンドが中断されている間に、リード数（ＲｉｎＱ）が０になった場合、スケジューラ４２１は、中断されている消去コマンドまたはプログラムコマンドの実行を再開する。

また、消去コマンドまたはプログラムコマンドが中断されている間に、累積リード（ＶＴＰＳ）が最大累積リード数（ＭＸＶＴＰＳ、ＭａＸｉｍｕｍ Ｖｉｒｔｕａｌ Ｔｉｍｅ Ｐｅｒ Ｓｕｓｐｅｎｄ）に達した場合、スケジューラ４２１は、中断されている消去コマンドまたはプログラムコマンドの実行を再開する。

ここで、リードコマンドに関連付けられている重みは、リードコマンドにパラメータの一つとして含まれていてもよい。また、全てのリードコマンドに共通の重みが、リードコマンドの重み（Ｗｒ）として管理されていてもよい。

このとき、リードコマンドの重み（Ｗｒ）、最小リード数（ＭＮＶＴ）、最大サスペンド間隔（ＭＸＳＩ）、最大累積リード数（ＭＸＶＴＰＳ）それぞれは、あらかじめ設定された値であってもよいし、ホスト２によって指定された値であってもよい。スケジューラ４２１は、リードコマンドの重み（Ｗｒ）と、最小リード数（ＭＮＶＴ）と、最大サスペンド間隔（ＭＸＳＩ）と、最大累積リード数（ＭＸＶＴＰＳ）とを、管理テーブルＴ＃１を用いて管理する。

図５において、リードコマンドの重み（Ｗｒ）は、例えば、１である。Ｗｒ＝１は、リードコマンドそれぞれに関連付けられた重みが１であることを示す。Ｗｒ＝１である場合、リードコマンドそれぞれに関連付けられた重みの合計と、リードコマンドの数とは、同じ値を示すことになる。

最小リード数（ＭＮＶＴ）は、例えば、４である。消去コマンドまたはプログラムコマンドを実行中に、未実行のリードコマンドの数が４に達した場合（または未実行のリードコマンドそれぞれに関連付けられた重みの合計が４に達した場合）、スケジューラ４２１は、消去コマンドまたはプログラムコマンドを中断する。

最大サスペンド間隔（ＭＸＳＩ）は、例えば、５である。消去コマンドまたはプログラムコマンドの実行の開始または再開されてから経過した時間が５に達した場合、スケジューラ４２１は、消去コマンドまたはプログラムコマンドを中断する。

最大累積リード数（ＭＸＶＴＰＳ）は、例えば、８である。消去コマンドまたはプログラムコマンドの１回のサスペンド中に処理されたリードコマンドの数の合計、つまりＶＴＰＳ、が８に達した場合、スケジューラ５２１は、中断されている消去コマンドまたはプログラムコマンドの実行を再開させる。

次に、プログラムコマンドの実行中に、ＲｉｎＱの値がＭＮＶＴに達したことに応じて、サスペンド動作を実行する動作について説明する。図６は、実施形態に係るメモリシステムにおいて、プログラムコマンドの実行中に受け付けられた複数のリードコマンドの数に応じて、プログラムコマンドを中断する動作について説明する図である。

まず、時刻ｔにおいて、プログラムコマンドＰ１が実行されており、未実行のリードコマンドの数（ＲｉｎＱ）は、２である。コマンドキュー６１には、リードコマンドＲ１と、リードコマンドＲ２とが格納されている。

次いで時刻ｔ＋１になると、リードコマンドＲ３およびリードコマンドＲ４が、コマンドキュー６１に格納される。これにより、ＲｉｎＱが４になる。コントローラ４は、ＲｉｎＱの値がＭＮＶＴに達した（第１のサスペンド条件が満たされた）と判定する。

そして、時刻ｔ＋２になると、コントローラ４は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５にサスペンドコマンドを送信することで、プログラムコマンドＰ１の実行を中断する。そして、コントローラ４は、リードコマンドＲ１を実行する。このサスペンド中に実行されたリードコマンドの数（ＶＴＰＳ）は、１になる。そして、ＲｉｎＱの値は、３になる。

時刻ｔ＋３になると、コントローラ４は、リードコマンドＲ２を実行する。そして、ＶＴＰＳは、２になる。ＲｉｎＱの値は、２になる。

ここで、コントローラ４は、リードコマンドＲ５をさらに受信する。時刻ｔ＋４になると、コントローラ４は、リードコマンドＲ３を実行する。そして、ＶＴＰＳは、３になる。ＲｉｎＱの値は、２になる。

時刻ｔ＋５になると、コントローラ４は、リードコマンドＲ４を実行する。そして、ＶＴＰＳは、４になる。ＲｉｎＱの値は、１になる。

時刻ｔ＋６になると、コントローラ４は、リードコマンドＲ５を実行する。そして、ＶＴＰＳは、５になる。ＲｉｎＱの値は、０になる。これにより、コントローラ４は、未実行のリードコマンドが無くなったことを判定する。

そして、時刻ｔ＋７になると、コントローラ４は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５にレジュームコマンドを発行することで、プログラムコマンドＰ１の実行を再開する。このとき、ＶＴＰＳは、リセットされている。コマンドキュー６１には、いずれのリードコマンドも格納されていない。このように、たとえサスペンド中に実行されたリードコマンドの数（ＶＴＰＳ）がＭＸＶＴＰＳ（＝８）に達していなくても、第１のコマンドグループに未実行のリードコマンドが無くなると、プログラムコマンドＰ１の実行が再開される。

次に、プログラムコマンドの実行が開始されてから経過した時間ＴがＭＸＳＩに達したことに応じて、プログラムコマンドの実行中にサスペンド動作を実行する動作について説明する。図７は、実施形態に係るメモリシステムにおいて、プログラムコマンドの実行が開始されてからの経過時間に応じて、プログラムコマンドを中断する動作について説明する図である。

まず、時刻ｔにおいて、コントローラ４は、プログラムコマンドＰ１の実行を開始する。このとき、未実行のリードコマンドの数（ＲｉｎＱ）は、０である。

次いで、時刻ｔ＋１になると、リードコマンドＲ１が、コマンドキュー６１に格納される。これにより、ＲｉｎＱの値が、１になる。コントローラ４は、更新されたＲｉｎＱの値がＭＮＶＴに未だ達していないことを判定すると、プログラムコマンドＰ１を中断させるためのサスペンドコマンドを発行しないことを決定する。

そして、時刻ｔ＋５になると、コントローラ４は、プログラムコマンドＰ１の実行が開始された時刻ｔから経過した時間がＭＸＳＩに達したことを判定する。そして、ＲｉｎＱの値が１以上であるため、コントローラ４は、第２のサスペンド条件が満たされたと判定する。

時刻ｔ＋６になると、コントローラ４は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５にサスペンドコマンドを送信することで、プログラムコマンドＰ１の実行を中断する。そして、コントローラ４は、リードコマンドＲ１を実行する。このサスペンド中に実行されたリードコマンドの数（ＶＴＰＳ）は、１になる。ＲｉｎＱの値が０になる。これにより、コントローラ４は、未実行のリードコマンドが無くなったことを判定する。

時刻ｔ＋７になると、コントローラ４は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５にレジュームコマンドを発行することで、プログラムコマンドＰ１の実行を再開する。このとき、ＶＴＰＳは、リセットされている。コマンドキュー６１には、いずれのリードコマンドも格納されていない。

次に、プログラムコマンドの実行が再開されてから経過した時間ＴがＭＸＳＩに達したことに応じて、プログラムコマンドの実行中にサスペンド動作を実行する動作について説明する。図８は、実施形態に係るメモリシステムにおいて、プログラムコマンドの実行が再開されてからの経過時間に応じて、プログラムコマンドを中断する動作について説明する図である。

時刻ｔにおいて、プログラムコマンドＰ１は、中断されている。また、リードコマンドＲ５が実行されている。プログラムコマンドＰ１のサスペンド中に実行されたリードコマンドの数（ＶＴＰＳ）は、５である。そして、リードコマンドＲ５が実行されたことにより、コマンドキュー６１に格納されている未実行のリードコマンドの数（ＲｉｎＱ）は、０である。これにより、コントローラ４は、未実行のリードコマンドが無くなったことを判定する。 そして、時刻ｔ＋１になると、コントローラ４は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５にレジュームコマンドを送信することによって、プログラムコマンドＰ１の実行を再開する。このとき、ＶＴＰＳはリセットされている。コマンドキュー６１には、いずれのリードコマンドも格納されていない。

次いで、時刻ｔ＋２になると、リードコマンドＲ６が、コマンドキュー６１に格納される。これにより、ＲｉｎＱの値が１になる。コントローラ４は、更新されたＲｉｎＱの値がＭＮＶＴに未だ達していないことを判定すると、プログラムコマンドＰ１を中断させるためのサスペンドコマンドを発行しないことを決定する。

そして、時刻ｔ＋６になると、コントローラ４は、プログラムコマンドＰ１の実行が再開された時刻ｔ＋１から経過した時間がＭＸＳＩに達したことを判定する。そして、ＲｉｎＱの値が１以上であるため、コントローラ４は、第２のサスペンド条件が満たされたと判定する。

時刻ｔ＋７になると、コントローラ４は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５にサスペンドコマンドを送信することで、プログラムコマンドＰ１の実行を中断する。そして、コントローラ４は、リードコマンドＲ６を実行する。ＶＴＰＳは、１になる。そして、ＲｉｎＱの値が、０になる。 時刻ｔ＋８になると、コントローラ４は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５にレジュームコマンドを発行することで、中断されていたプログラムコマンドＰ１の実行を再開させる。このとき、ＶＴＰＳは、リセットされている。コマンドキュー６１には、いずれのリードコマンドも格納されていない。

次に、プログラムコマンドのサスペンド中に実行されたリードコマンドの数が、ＭＸＶＴＰＳに達したことに応じて、中断されていたプログラムコマンドの実行が再開される動作について説明する。図９は、実施形態に係るメモリシステムにおいて、プログラムコマンドが中断されている際に実行されたリードコマンドの数に応じて、中断されていたプログラムコマンドの実行が再開される動作について説明する図である。

まず、時刻ｔにおいて、コントローラ４は、プログラムコマンドＰ１を実行している。そして、コマンドキュー６１に格納されているリードコマンドの数（ＲｉｎＱ）は、２である。

次いで、時刻ｔ＋１において、リードコマンドＲ３およびリードコマンドＲ４が、コマンドキュー６１に格納される。これにより、ＲｉｎＱの値は、４になる。コントローラ４は、更新されたＲｉｎＱの値がＭＮＶＴに達したことを判定すると、プログラムコマンドＰ１を中断させるためのサスペンドコマンドをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に発行することを決定する。

そして、時刻ｔ＋２になると、コントローラ４は、サスペンドコマンドをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に送信することで、プログラムコマンドＰ１の実行を中断する。コントローラ４は、リードコマンドＲ１を実行する。このサスペンド中に実行されたリードコマンドの数（ＶＴＰＳ）は、１である。コマンドキュー６１には、リードコマンドＲ２、Ｒ３およびＲ４が格納されているため、ＲｉｎＱは、３である。

時刻ｔ＋３になると、コントローラ４は、リードコマンドＲ２を実行する。ＶＴＰＳは、２である。コマンドキュー６１には、リードコマンドＲ３およびＲ４が格納されているため、ＲｉｎＱは、２である。

時刻ｔ＋４において、リードコマンドＲ５～Ｒ１０がコマンドキュー６１に格納される。そして、コントローラ４は、リードコマンドＲ３を実行する。ＶＴＰＳは、３である。コマンドキュー６１には、リードコマンドＲ４～Ｒ１０が格納されているため、ＲｉｎＱは、７である。

次いで、時刻ｔ＋５において、コントローラ４は、リードコマンドＲ４を実行する。ＶＴＰＳは、４である。コマンドキュー６１には、リードコマンドＲ５～Ｒ１０が格納されているため、ＲｉｎＱは、６である。

時刻ｔ＋６において、コントローラ４は、リードコマンドＲ５を実行する。ＶＴＰＳは、５である。コマンドキュー６１には、リードコマンドＲ６～Ｒ１０が格納されているため、ＲｉｎＱは、５である。

時刻ｔ＋７において、コントローラ４は、リードコマンドＲ６を実行する。ＶＴＰＳは、６である。コマンドキュー６１には、リードコマンドＲ７～Ｒ１０が格納されているため、ＲｉｎＱは、４である。

時刻ｔ＋８において、コントローラ４は、リードコマンドＲ７を実行する。ＶＴＰＳは、７である。コマンドキュー６１には、リードコマンドＲ８、Ｒ９、およびＲ１０が格納されているため、ＲｉｎＱは、３である。

時刻ｔ＋９において、コントローラ４は、リードコマンドＲ８を実行する。ＶＴＰＳは、８である。コマンドキュー６１には、リードコマンドＲ９、およびＲ１０が格納されているため、ＲｉｎＱは、２である。ここで、コントローラ４は、ＶＴＰＳが、最大累積リード数（ＭＸＶＴＰＳ）に達したことを判定する。ＶＴＰＳがＭＸＶＴＰＳに達したことを判定したコントローラ４は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に中断されているプログラムコマンドＰ１の実行を再開させるレジュームコマンドを発行することを決定する。

時刻ｔ＋１０になると、コントローラ４は、レジュームコマンドをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に送信することで、プログラムコマンドＰ１の実行を再開する。ＶＴＰＳの値は、リセットされる。そして、未実行のリードコマンドの数（ＲｉｎＱ）は、２である。

次に、スケジューラ４２１が、累積重みを使用して、複数の入力のうちから優先度の高い入力を選択する場合について説明する。図１０は、実施形態に係るメモリシステムにおいて、累積重みを使用したスケジューリング動作を実行するスケジューラを示す図である。

スケジューラ４２１は、図５で説明した累積リード（ＶＴＰＳ）、未実行のリードコマンドの数（ＲｉｎＱ）、および経過時間（Ｔ）に加えて、累積重み（ＶＴ）をテーブルＴ＃０を用いて管理する。さらに、スケジューラ４２１は、リードコマンドの重み（Ｗｒ）の他に、プログラムコマンドの重み（Ｗｐ）、およびイレーズコマンドの重み（Ｗｅ）をテーブルＴ＃１を用いて管理していてもよい。あるいは、スケジューラ４２１は、各コマンドに含まれている重みを使用してもよい。

ここでは、スケジューラ４２１が、累積重み（ＶＴ）が初期値（例えば、０）よりも大きい場合にｉｎｐｕｔ＃０（第１コマンドグループ）を高優先度の入力（コマンドグループ）として選択し、累積重みが初期値よりも小さい場合にｉｎｐｕｔ＃１（第２コマンドグループ）を高優先度の入力（コマンドグループ）として選択するというポリシー（ポリシー＃１）を利用するケースについて説明する。

この場合、累積重みは、第１のコマンドグループの一つのリードコマンドの実行が開始された場合、一つのリードコマンドに関連付けられた重みをこの累積重みから減算することによって得られる値に更新される。

また、第２のコマンドグループの一つの消去／プログラムコマンドの実行が開始された場合には、累積重みは、この一つの消去／プログラムコマンドに関連付けられた重みをこの累積重みに加算することによって得られる値に更新される。

累積重みの値が初期値よりも大きいという条件を満たしている間は、第１のコマンドグループが高優先度のコマンドグループとして選択される。つまり、累積重みの値が初期値よりも大きい間は、ｉｎｐｕｔ＃０に入力される各リードコマンドがｉｎｐｕｔ＃１に入力される各消去コマンドおよび各プログラムコマンドよりも優先して実行される。一方、累積重みの値が初期値よりも小さいという条件を満たしている間は、第２のコマンドグループが高優先度のコマンドグループとして選択される。つまり、累積重みの値が初期値よりも小さい間は、ｉｎｐｕｔ＃１に入力される各消去コマンドおよび各プログラムコマンドがｉｎｐｕｔ＃０に入力される各リードコマンドよりも優先して実行される。

したがって、例えば、各リードコマンドに関連付けられた重みを小さな値に設定した場合には、たとえ第１のコマンドグループが高優先度のコマンドグループとして一旦選択されても、累積重みは僅かしか減少されない。第１のコマンドグループの一つのリードコマンドの実行が開始されても、累積重みは僅かに減少するだけであるので、累積重みは初期値よりも大きい値に維持されやすくなり、この結果、第１のコマンドグループが高優先度の入力として再び選択されやすくなる。

また、各消去／プログラムコマンドに関連付けられた重みを大きな値に設定した場合には、第２のコマンドグループが高優先度の入力として一旦選択されると、累積重みは大きく増加される。したがって、各消去／プログラムコマンドに関連付けられた重みを大きな値に設定した場合には、第２のコマンドグループが高優先度のコマンドグループとして一旦選択されると、累積重みが大きく増加され、これによってしばらくの間は、第２のコマンドグループは高優先度の入力として選択され難くなる。

よって、例えば、各リードコマンドに関連付けられた重みを１に設定し、且つ各消去／プログラムコマンドに関連付けられた重みを３０に設定した場合には、リードコマンドを、消去／プログラムコマンドの３０倍の頻度で実行することが可能となる。

なお、累積重みが初期値に等しい場合には、第１のコマンドグループのリードコマンドと第２のコマンドグループの消去／プログラムコマンドのどちらが実行されてもよい。また、たとえ累積重みが初期値よりも小さい場合であっても、第２のコマンドグループに消去／プログラムコマンドがない場合には、第１のコマンドグループのリードコマンドが実行される。同様に、たとえ累積重みが初期値よりも大きい場合であっても、第１のコマンドグループにリードコマンドがない場合には、第２のコマンドグループの消去／プログラムコマンドが実行される。

また、累積重みの値がある上限値に達した後は、たとえ新規の消去／プログラムコマンドの実行が開始されても、累積重みの値は増加されず、累積重みの値は上限値に維持される。同様に、累積重みの値がある下限値に達した後は、たとえ新規のリードコマンドの実行が開始されても、累積重みの値は減少されず、累積重みの値は下限値に維持される。

これまでの説明ではポリシー＃１を利用する場合を説明したが、ポリシー＃１を利用する代わりに、ポリシー＃２が利用されてもよい。

ポリシー＃２では、累積重みが初期値（例えば、０）よりも小さい場合に第１のコマンドグループが高優先度のコマンドグループとして選択され、累積重みが初期値よりも大きい場合に第２のコマンドグループが高優先度のコマンドグループとして選択される。

ポリシー＃２が利用されるケースにおいては、累積重みは、第１のコマンドグループの一つのリードコマンドの実行が開始された場合、累積重みは、一つのリードコマンドに関連付けられた重みをこの累積重みに加算することによって得られる値に更新される。また、第２のコマンドグループの一つの消去／プログラムコマンドの実行が開始された場合には、累積重みは、この一つの消去／プログラムコマンドに関連付けられた重みをこの累積重みから減算することによって得られる値に更新される。

また、ポリシー＃２が利用されるケースにおいては、累積重みの値が初期値よりも小さいという条件を満たしている間は、第１のコマンドグループが高優先度のコマンドグループとして選択される。つまり、累積重みの値が初期値よりも小さい間は、第１のコマンドグループの各リードコマンドが第２のコマンドグループの各消去コマンドおよび各プログラムコマンドよりも優先して実行される。

一方、累積重みの値が初期値よりも大きいという条件を満たしている間は、第２のコマンドグループが高優先度のコマンドグループとして選択される。つまり、累積重みの値が初期値よりも大きい間は、第２のコマンドグループに入力される各消去／プログラムコマンドが第１のコマンドグループに入力される各リードコマンドよりも優先して実行される。

ここでは、各リードコマンドは、１の重みに関連付けられており、各消去コマンドは、１０の重みに関連付けられており、各プログラムコマンドは、３０の重みに関連付けられている。これにより、リードコマンド、消去コマンド、およびプログラムコマンドのそれぞれが処理される頻度は、１：１０：３０になり得る。この比率は、各コマンドの実行に必要とされる時間などに基づいて決定されてもよい。

そして、コマンドキュー６１は、累積重み（ＶＴ）の値に応じて、格納可能なリードコマンドの数が変更されてもよい。累積重み（ＶＴ）の値が、ｉｎｐｕｔ＃０が高優先度の入力として選択される条件（ＶＴ＞０）を満たしている場合、コントローラ４は、コマンドキュー６１に格納可能なリードコマンドの数の上限を、累積重み（ＶＴ）の値に比例する数に設定する。例えば、ＶＴが３０で、各リードコマンドの重みが１である場合、コマンドキュー６１に格納可能なリードコマンドの数の上限は３０に設定される。また、ＶＴが３０で、各リードコマンドの重みが２である場合、コマンドキュー６１に格納可能なリードコマンドの数の上限は１５に設定される。この結果、コマンドキュー６１のサイズを必要以上に大きくすることなく、実行されるリードコマンドの数と実行される消去／プログラムコマンドの数との間の比率を目的の時間配分に対応する比率に近づけるための制御を効率よく実行することができる。また、累積重みの値が、ｉｎｐｕｔ＃０が高優先度の入力として選択されるという条件を満たさない場合（ＶＴ≦０）、コントローラ４は、コマンドキュー６１に格納可能なリードコマンドの数の上限を１に設定する。これにより、累積重み（ＶＴ）が、第１の入力が高優先度の入力として選択される条件を満たしていない間（ＶＴ≦０）は、コマンドキュー６１に格納可能なリードコマンドの最大数を１に維持することができる。よって、例えば、ｉｎｐｕｔ＃１から消去／プログラムコマンドが無くなった直後に、コマンドキュー６１内のリードコマンドを即座に実行することができる。

次に、累積重み（ＶＴ）の更新動作について説明する。図１１は、スケジューラのｉｎｐｕｔ＃０のリードコマンドの実行が開始された場合に実行されるＶＴ更新動作と、スケジューラのｉｎｐｕｔ＃１の消去またはプログラムコマンドの実行が開始された場合に実行されるＶＴ更新動作とを示す図である。ここでは、ポリシー＃１が使用される場合を想定する。

最初に、図１１の（Ａ）を参照して、ｉｎｐｕｔ＃０に３つのリードコマンドが連続して入力され、ｉｎｐｕｔ＃１に消去コマンドあるいはプログラムコマンドがまったく入力されない場合について説明する。ｉｎｐｕｔ＃０に入力される各リードコマンドにおいては、重みＷｒ（＝１）が設定されている。フラッシュストレージデバイス１は、これらのリードコマンドを連続的に実行する。

最初に、時刻ｔにおいて、ＶＴの値は初期値（例えば０）に設定される。ここでは、ｉｎｐｕｔ＃１に消去コマンドあるいはプログラムコマンドがまったく入力されない場合を想定しているため、次の実行対象のコマンドとしてｉｎｐｕｔ＃０の最初のリードコマンドが選択される。時刻ｔ＋１において、最初のリードコマンドの実行が開始されると、この最初のリードコマンドに対応する重みＷｒがＶＴから減算され、ＶＴ＝０－１＝－１になる。

最初のリードコマンドの実行が完了すると、時刻ｔ＋２において、２番目のリードコマンドの実行が開始される。２番目のリードコマンドの実行が開始されると、この２番目のリードコマンドに対応する重みＷｒがＶＴから減算され、ＶＴ＝－１－１＝－２になる。

２番目のリードコマンドの実行が完了すると、時刻ｔ＋３において、３番目のリードコマンドの実行が開始される。３番目のリードコマンドの実行が開始されると、この３番目のリードコマンドに対応する重みＷｒがＶＴから減算され、ＶＴ＝－２－１＝－３になる。

このようにして、各リードコマンドの実行開始の度、各リードコマンドに対応する重みを使用してＶＴの値の更新が行われる。

次に、図１１の（Ｂ）を参照して、ｉｎｐｕｔ＃０にリードコマンドがまったく入力されず、ｉｎｐｕｔ＃１にプログラムコマンド、消去コマンド、プログラムコマンドがこの順で入力される場合について説明する。

最初に、時刻ｔにおいて、ＶＴの値は初期値（例えば０）に設定される。ここでは、ｉｎｐｕｔ＃０にリードコマンドがまったく入力されない場合を想定しているため、次の実行対象のコマンドとしてｉｎｐｕｔ＃１の最初のコマンド（ここでは、プログラムコマンド）が選択される。時刻ｔ＋１において、プログラムコマンドの実行が開始されると、このプログラムコマンドに対応する重みＷｐ（＝３０）がＶＴに加算され、ＶＴ＝０＋３０＝＋３０になる。

このプログラムコマンドの実行が完了すると、時刻ｔ＋２において、次のコマンド（ここでは、消去コマンド）の実行が開始される。消去コマンドの実行が開始されると、この消去コマンドに対応する重みＷｅ（＝１０）がＶＴに加算され、ＶＴ＝３０＋１０＝＋４０になる。

このプログラムコマンドの実行が完了すると、時刻ｔ＋３において、さらに次のコマンド（ここでは、プログラムコマンド）の実行が開始される。ＶＴの上限値が＋４０に設定されている場合においては、このプログラムコマンドの実行が開始されても、ＶＴの値は上限値（＝＋４０）に維持される。

このようにして、プログラムコマンドあるいは消去コマンドの実行が開始される度に、プログラムコマンドあるいは消去コマンドに対応する重みを使用してＶＴの値の更新が行われる。

次に、コントローラ４が、累積重みの値に基づいて、高優先度の入力を選択する動作について説明する。図１２は、ＶＴの値に基づいて、ｉｎｐｕｔ＃０とｉｎｐｕｔ＃１から、高優先度の入力を選択する動作を示す図である。図１２の（Ａ）、（Ｂ）の各々においては、二つの入力ｉｎｐｕｔ＃０、ｉｎｐｕｔ＃１の各々にコマンドが入力されている場合が想定されている。

図１２の（Ａ）では、ＶＴの値が０より大きい場合が例示されている。ＶＴが０より大きい場合、スケジューラ４２１は、ｉｎｐｕｔ＃０を高優先度の入力として選択し、ｉｎｐｕｔ＃０に入力されるコマンド（リードコマンド）の実行を開始する。

図１２の（Ｂ）では、ＶＴの値が０より小さい場合が例示されている。ＶＴが０より小さい場合、スケジューラ４２１は、ｉｎｐｕｔ＃１を高優先度の入力として選択し、ｉｎｐｕｔ＃１に入力されるコマンド（ここではプログラムコマンド）の実行を開始する。

次に、コントローラ４が、累積重みに基づいて、リードコマンドと、プログラムコマンドとを実行する動作について説明する。図１３は、ｉｎｐｕｔ＃０に入力される幾つかのリードコマンドの実行が完了した後に、ｉｎｐｕｔ＃１に入力されるプログラムコマンドの実行を開始する動作を示す図である。

最初に、時刻ｔにおいて、ＶＴの値は初期値（例えば０）に設定される。ここで、ｉｎｐｕｔ＃０に２つのリードコマンドが連続して入力され、ｉｎｐｕｔ＃１に消去コマンドあるいはプログラムコマンドがまったく入力されない場合を想定する。

時刻ｔ＋１において、ｉｎｐｕｔ＃０の最初のリードコマンドの実行が開始され、ＶＴからこの最初のリードコマンドに対応するＷｒ（＝１）が減算され、ＶＴ＝０－１＝－１となる。次に、時刻ｔ＋２において、２番目のリードコマンドの実行が開始され、ＶＴからこの２番目のリードコマンドに対応するＷｒ（＝１）が減算され、ＶＴ＝－１－１＝－２となる。ここで、ｉｎｐｕｔ＃１にプログラムコマンドが入力されると、スケジューラ４２１は、ＶＴ＜０であるため、ｉｎｐｕｔ＃１を高優先度の入力として選択する。

したがって、時刻ｔ＋３において、プログラムコマンドの実行が開始され、ＶＴにこのプログラムコマンドに対応するＷｐ（＝３０）が加算され、ＶＴ＝－２＋３０＝＋２８となる。ここで、ｉｎｐｕｔ＃０に後続のリードコマンドが入力された場合を想定する。この場合、このプログラムコマンドの実行が完了すると、スケジューラ４２１は、ＶＴ＞０であるため、ｉｎｐｕｔ＃０を高優先度の入力として選択する。

そして、時刻ｔ＋４において、この後続のリードコマンドの実行が開始され、ＶＴからこの後続のリードコマンドに対応するＷｒ（＝１）が減算され、ＶＴ＝＋２８－１＝＋２７となる。

このように、各コマンドの重みに応じて累積重みＶＴの値の更新を行いながら、各コマンドが実行される。

次に、累積重みの値に基づいて、サスペンド中のプログラムコマンドの実行を再開する動作について説明する。図１４は、実施形態に係るメモリシステムにおいて、プログラムコマンドの実行中に受け付けられたリードコマンドの数に応じて、実行中のプログラム動作を中断し、中断中に更新されたＶＴの値に応じて、中断されているプログラム動作の実行を再開する動作を示す図である。

まず、時刻ｔにおいて、コントローラ４は、プログラムコマンドＰ１を実行している。ここで、累積重み（ＶＴ）の値は、７である。そして、コマンドキュー６１に格納されている未実行のリードコマンドの数（ＲｉｎＱ）は、２である。

このとき、時刻ｔ＋１において、リードコマンドＲ３およびリードコマンドＲ４が、コマンドキュー６１に格納される。コマンドキュー６１には、リードコマンドＲ１～Ｒ４が格納されているため、ＲｉｎＱの値は、４である。これにより、コントローラ４は、ＲｉｎＱの値がＭＮＶＴに達しており、ＶＴの値が０以上であることを判定する。コントローラ４は、実行中のプログラムコマンドＰ１を中断させるためのサスペンドコマンドをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に発行することを決定する。そして、サスペンドコマンドを受信したＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５は、プログラムコマンドＰ１の実行を中断する。

そして、時刻ｔ＋２において、コントローラ４は、サスペンドコマンドをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に送信することで、プログラムコマンドＰ１の実行を中断する。コントローラ４は、リードコマンドＲ１を実行する。ここでは、各リードコマンドに割り当てられている重みの値が、１である場合を想定する。ＶＴの値は、６（＝７－１）である。このサスペンド中に実行されたリードコマンドの数（ＶＴＰＳ）は、１である。そして、ＲｉｎＱの値は、３である。

時刻ｔ＋３において、コントローラ４は、リードコマンドＲ２を実行する。ＶＴの値は、５（＝６－１）である。ＶＴＰＳは、２である。ＲｉｎＱは、２である。

次いで、時刻ｔ＋４において、リードコマンドＲ５～Ｒ１０が、コマンドキュー６１に格納される。コントローラ４は、リードコマンドＲ３を実行する。ＶＴの値は、４（＝５－１）である。ＶＴＰＳは、３である。ＲｉｎＱは、７である。

時刻ｔ＋５において、コントローラ４は、リードコマンドＲ４を実行する。ＶＴの値は、３（＝４－１）である。ＶＴＰＳは、４である。ＲｉｎＱは、６である。

時刻ｔ＋６において、コントローラ４は、リードコマンドＲ５を実行する。ＶＴの値は、２（＝３－１）である。ＶＴＰＳは、５である。ＲｉｎＱは、５である。

時刻ｔ＋７において、コントローラ４は、リードコマンドＲ６を実行する。ＶＴの値は、１（＝２－１）である。ＶＴＰＳは、６である。ＲｉｎＱは、４である。

時刻ｔ＋８において、コントローラ４は、リードコマンドＲ７を実行する。ＶＴの値は、０（＝１－１）である。ＶＴＰＳは、７である。ＲｉｎＱは、３である。ここで、コントローラ４は、ＶＴの値が０以下になったことに応じて、中断されているプログラムコマンドＰ１の実行を再開させるレジュームコマンドをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に発行することを決定する。 時刻ｔ＋９において、コントローラ４は、プログラムコマンドＰ１の実行を再開する。プログラムコマンドＰ１は、既に開始されていたため、ＶＴの加算を実行しない。そのため、ＶＴの値は、０である。ＶＴＰＳの値は、リセットされている。そして、ＲｉｎＱの値は、３である。

次に、スケジューリング動作の手順について説明する。図１５は、サスペンド動作と再開動作とを含むスケジューリング動作の手順を示すフローチャートである。

ここでは、第２の入力が選択されている場合を想定する。コントローラ４は、プログラムコマンドまたは消去コマンドを実行する（ステップＳ１０１）。コントローラ４は、プログラムコマンドまたは消去コマンドをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に送信することで、プログラムコマンドまたは消去コマンドを実行する。

コントローラ４は、未実行のリードコマンドの数（ＲｉｎＱ）が最小リード数（ＭＮＶＴ）に達しているか否かを判定する（ステップＳ１０２）。コントローラ４は、コマンドキュー６１に格納されているリードコマンドそれぞれに関連付けられた重みの合計を、ＲｉｎＱの値として管理していてもよい。

ＲｉｎＱの値がＭＮＶＴに達していない場合、つまり第１のサスペンド条件が満たされていない場合（ステップＳ１０２でＮｏ）、コントローラ４は、未実行のリードコマンドが一つ以上あり、且つプログラム動作あるいは消去動作の開始時点または再開時点からの経過時間が最大サスペンド間隔（ＭＸＳＩ）に達しているという第２のサスペンド条件が満たされているか否かを判定する（ステップＳ１０３）。

第２のサスペンド条件が満たされていない場合（ステップＳ１０３でＮｏ）、コントローラ４は、実行中のプログラム動作または消去動作を続行する（ステップＳ１０４）。

そして、コントローラ４は、実行中のプログラム動作または消去動作が完了したか否かを判定する（ステップＳ１０５）。

実行中のプログラム動作または消去動作が完了した場合（ステップＳ１０５でＹｅｓ）、コントローラ４は、このプログラム動作または消去動作に対するサスペンド動作を制御するスケジューリング動作を終了する。

実行中のプログラム動作または消去動作が完了していない場合（ステップＳ１０５でＮｏ）、コントローラ４は、ステップＳ１０２に戻る。コントローラ４は、実行中のプログラム動作または消去動作について、サスペンド動作を実行するか否かを再度判定する。

ＲｉｎＱの値がＭＮＶＴに達した場合（ステップＳ１０２でＹｅｓ）、あるいは、未実行のリードコマンドが一つ以上あり、且つ経過時間がＭＸＳＩに達した場合（ステップＳ１０３でＹｅｓ）、コントローラ４は、実行中のプログラム動作または消去動作を中断する（ステップＳ１０６）。コントローラ４は、サスペンドコマンドをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に送信する。

コントローラ４は、リードコマンドを実行する（ステップＳ１０６）。コントローラ４は、リードコマンドが実行されたことに応じて、ＲｉｎＱの値と、このサスペンド中に実行されたリードコマンドの数（ＶＴＰＳ）とを更新する。

そして、コントローラ４は、未実行のリードコマンドが一つ以上あるか否かを判定する（ステップＳ１０８）。

未実行のリードコマンドが一つ以上ある場合（ステップＳ１０８でＹｅｓ）、コントローラ４は、ＶＴＰＳが最大累積リード数（ＭＸＶＴＰＳ）に達したか否かを判定する（ステップＳ１０９）。

ＶＴＰＳがＭＸＶＴＰＳに達していない場合（ステップＳ１０９でＮｏ）、コントローラ４は、コマンドキュー６１に格納されている次のリードコマンドを、さらに実行する（ステップＳ１０７）。

未実行のリードコマンドがない（ステップＳ１０８でＮｏ）、あるいはＶＴＰＳがＭＸＶＴＰＳに達した場合（ステップＳ１０９でＹｅｓ）、コントローラ４は、中断されているプログラム動作または消去動作を再開する（ステップＳ１１０）。コントローラ４は、ステップＳ１０６で中断されたプログラム動作または消去動作を再開させるレジュームコマンドをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に発行する。

そして、コントローラ４は、ステップＳ１０５に移行する。

次に、累積重みを使用する場合のスケジュール動作の手順について説明する。図１６は、累積重みを使用した、サスペンド動作と再開動作とを含むスケジューリング動作の手順を示すフローチャートである。

ここでは、第２の入力が選択されている場合を想定する。コントローラ４は、プログラムコマンドまたは消去コマンドを実行する（ステップＳ２０１）。コントローラ４は、プログラムコマンドまたは消去コマンドをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に送信することで、プログラムコマンドまたは消去コマンドを実行する。

コントローラ４は、累積重み（ＶＴ）の値が０以下であるか否かを判定する（ステップＳ２０２）。

ＶＴが０より大きい場合（ステップＳ２０２でＮｏ）、コントローラ４は、未実行のリードコマンドの数（ＲｉｎＱ）が最小リード数（ＭＮＶＴ）に達しているか否かを判定する（ステップＳ２０３）。コントローラ４は、コマンドキュー６１に格納されているリードコマンドそれぞれに関連付けられた重みの合計を、ＲｉｎＱの値として管理していてもよい。

ＲｉｎＱの値がＭＮＶＴに達していない場合、つまり第１のサスペンド条件が満たされていない場合（ステップＳ２０３でＮｏ）、コントローラ４は、未実行のリードコマンドが一つ以上あり、且つプログラム動作あるいは消去動作の開始時点または再開時点からの経過時間が最大サスペンド間隔（ＭＸＳＩ）に達しているという第２のサスペンド条件が満たされているか否かを判定する（ステップＳ２０４）。

ＶＴが０以下である場合（ステップＳ２０２でＹｅｓ）、または、第１のサスペンド条件と第２のサスペンド条件のいずれも満たされていない場合（ステップＳ２０４でＮｏ）、コントローラ４は、実行中のプログラム動作または消去動作を続行する（ステップＳ２０５）。

そして、コントローラ４は、実行中のプログラム動作または消去動作が完了したか否かを判定する（ステップＳ２０６）。

実行中のプログラム動作または消去動作が完了した場合（ステップＳ２０６でＹｅｓ）、コントローラ４は、このプログラム動作または消去動作に対するサスペンド動作を実行するか否かを判定するスケジューリング動作を終了する。

実行中のプログラム動作または消去動作が完了していない場合（ステップＳ２０６でＮｏ）、コントローラ４は、ステップＳ２０２に戻る。コントローラ４は、実行中のプログラム動作または消去動作について、サスペンド動作を実行するか否かを再度判定する。

ＶＴが０より大きく（ステップＳ２０２でＮｏ）、ＲｉｎＱの値がＭＮＶＴに達した場合（ステップＳ２０３でＹｅｓ）、あるいは、ＶＴが０より大きく（ステップＳ２０２でＮｏ）、未実行のリードコマンドが一つ以上あり、且つ経過時間がＭＸＳＩに達した場合（ステップＳ２０４でＹｅｓ）、コントローラ４は、実行中のプログラム動作または消去動作を中断する（ステップＳ２０７）。コントローラ４は、サスペンドコマンドをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に送信する。

コントローラ４は、リードコマンドを実行する（ステップＳ２０８）。コントローラ４は、リードコマンドが実行されたことに応じて、ＲｉｎＱの値と、このサスペンド中に実行されたリードコマンドの数（ＶＴＰＳ）とを更新する。

そして、コントローラ４は、ＶＴが０以下であるか否かを判定する（Ｓ２０９）。

ＶＴが０より大きい場合（ステップＳ２０９でＮｏ）、コントローラ４は、未実行のリードコマンドが一つ以上あるか否かを判定する（ステップＳ２１０）。

未実行のリードコマンドが一つ以上ある場合（ステップＳ２１０でＹｅｓ）、コントローラ４は、ＶＴＰＳが最大累積リード数（ＭＸＶＴＰＳ）に達したか否かを判定する（ステップＳ２１１）。

ＶＴＰＳがＭＸＶＴＰＳに達していない場合（ステップＳ２１１でＮｏ）、コントローラ４は、コマンドキュー６１に格納されている次のリードコマンドを、さらに実行する（ステップＳ２０８）。

ＶＴが０以下（ステップＳ２０９でＹｅｓ）、未実行のリードコマンドがない（ステップＳ２１０でＮｏ）、あるいは、ＶＴＰＳがＭＸＶＴＰＳに達した場合（ステップＳ２１１でＹｅｓ）、コントローラ４は、中断されているプログラム動作または消去動作を再開する（ステップＳ２１２）。コントローラ４は、ステップＳ１０６で中断されたプログラム動作または消去動作を再開させるレジュームコマンドをＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に送信する。

そして、コントローラ４は、実行中のプログラム動作または消去動作が完了したか否かを判定する（ステップＳ２０６）。

以上で説明したように、本実施形態では、コントローラ４は、フラッシュストレージデバイス１の状況に合わせて、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５に送出すべきコマンドを柔軟に選択することができる。具体的には、コントローラ４は、コマンドキュー６１に格納されている未実行のリードコマンドの数（ＲｉｎＱ）と、プログラムコマンドまたは消去コマンドの実行が開始または再開されてからの経過時間（Ｔ）と、サスペンド中に実行されたリードコマンドの数（ＶＴＰＳ）とを管理することで、消去／プログラムコマンドの中断および再開を制御する。

コントローラ４は、ＲｉｎＱの値がＭＮＶＴ以上のときに、実行中の消去／プログラムコマンドを中断させることで、消去／プログラムコマンドの一度のサスペンドの間に、ＭＮＶＴ以上の数のリードコマンドを実行することができる。これにより、リードコマンドのレイテンシの変動を低減できる。

また、コントローラ４は、サスペンドの間に実行されたリードコマンドの数（ＶＴＰＳ）がＭＸＶＴＰＳ（＞ＭＮＶＴ）に達した際に、中断された消去／プログラムコマンドの実行を再開する。これにより、一度のサスペンドの間に実行されるリードコマンドの数の上限を設定することができる。なお、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５において、中断中に実行可能なリードコマンドの数または中断中に実行可能なリードコマンドそれぞれの重みの合計の上限値が物理的制約として規定されている場合には、コントローラ４は、ＭＸＶＴＰＳと、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ５において規定されている上限値のうちで、より小さい値を、一度のサスペンドの間に実行されるリードコマンドの数の上限として使用する。

また、コントローラ４は、ＲｉｎＱが１以上であって、経過時間ＴがＭＸＳＩに達した際にも、実行中の消去／プログラムコマンドを中断させることで、たとえ未実行のリードコマンドの数がＭＮＶＴ未満である場合であっても、リードコマンドのレイテンシの増加を抑制できる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１…フラッシュストレージデバイス、２…ホスト、３…エンドユーザ端末、４…コントローラ、５…ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ、６…ＤＲＡＭ、４１…ホストインタフェース、４２…ＣＰＵ、４３…ＤＭＡＣ、４４…ＥＣＣエンコード／デコード部、４５…ＮＡＮＤインタフェース、４６…ＤＲＡＭインタフェース、６１…コマンドキュー、６２…ブロック管理テーブル、４２１…スケジューラ、４２２…サスペンドマネージャ。

Claims (10)

1. ホストに接続可能なメモリシステムであって、
   不揮発性メモリと、
   前記不揮発性メモリに電気的に接続され、前記不揮発性メモリに送出すべきリードコマンドを含む第１のコマンドグループと、前記不揮発性メモリに送出すべき消去コマンドと前記不揮発性メモリに送出すべきプログラムコマンドのうち少なくとも一方が含まれる第２のコマンドグループとを受け付け、前記第１のコマンドグループと前記第２のコマンドグループとのうちから、コマンドが実行されるべきコマンドグループを選択し、前記選択したコマンドグループに含まれるコマンドの実行を開始するように構成されたコントローラと、を具備し、
   前記コントローラは、
   前記不揮発性メモリにおいて実行されているコマンドが消去／プログラムコマンドであり、且つ、（ｉ）前記第１のコマンドグループに含まれるリードコマンドの数もしくは前記第１のコマンドグループに含まれる前記リードコマンドそれぞれに関連付けられている重みの合計が第１の値以上であるという第１の条件、または（ｉｉ）前記第１のコマンドグループに一つ以上のリードコマンドが含まれ、且つ前記消去／プログラムコマンドの実行が開始あるいは再開されてからの経過時間が第２の値以上であるという第２の条件のいずれかが満たされた場合、前記不揮発性メモリにサスペンドコマンドを送信することによって前記消去／プログラムコマンドの実行を中断し、
   前記第１のコマンドグループに含まれるリードコマンドの実行を開始する動作を、前記第１のコマンドグループにリードコマンドが無くなるか、または前記サスペンドコマンドによる中断中に実行されたリードコマンドの数もしくは前記中断中に実行されたリードコマンドそれぞれに関連付けられている重みの合計が第３の値以上になるまで繰り返してから、前記中断された消去／プログラムコマンドの実行を再開するように構成されている、メモリシステム。
2. 前記不揮発性メモリにおいて、前記中断中に実行可能なリードコマンドの数または前記中断中に実行可能なリードコマンドそれぞれの重みの合計の上限値が規定されている場合、
   前記コントローラは、
   前記ホストによって前記第３の値として指定された値と、前記不揮発性メモリにおいて規定されている前記上限値のうちで、より小さい値を、前記第３の値として使用するように構成されている請求項１に記載のメモリシステム。
3. 前記不揮発性メモリにおいて、一つの消去／プログラムコマンドの実行中に許容される中断の回数または前記一つの消去／プログラムコマンドの実行中に許容される中断時間の合計についての上限値が規定されている場合、
   前記コントローラは、前記消去／プログラムコマンドに対する中断の回数または中断時間の合計が前記上限値に達した後は、前記第１の条件および前記第２の条件にかかわらず、前記消去／プログラムコマンドの実行を中断せずに前記消去／プログラムコマンドの実行を継続するように構成されている請求項１に記載のメモリシステム。
4. 前記不揮発性メモリにおいて、一つの消去／プログラムコマンドの実行の開始または再開から次回の中断までの間に確保すべきインターバル時間が規定されている場合、
   前記コントローラは、前記消去／プログラムコマンドの実行の開始または再開からの経過時間が前記インターバル時間に満たない間は、前記第１の条件および前記第２の条件にかかわらず、前記消去／プログラムコマンドの実行を中断せずに前記消去／プログラムコマンドの実行を継続するように構成されている請求項１に記載のメモリシステム。
5. 前記コントローラは、
   累積重みが初期値よりも大きい場合に、前記第１のコマンドグループを前記第２のコマンドグループよりも優先して選択することによって、前記第１のコマンドグループのリードコマンドを実行し、
   前記リードコマンドを実行する際に、前記リードコマンドに関連付けられている重みを、前記累積重みから減算し、
   前記累積重みが前記初期値よりも小さい場合に、前記第２のコマンドグループを前記第１のコマンドグループよりも優先して選択することによって、前記第２のコマンドグループの消去／プログラムコマンドを実行し、
   前記消去／プログラムコマンドを実行する際に、前記消去／プログラムコマンドに関連付けられている重みを、前記累積重みに加算し、
   前記不揮発性メモリにおいて実行されているコマンドが消去／プログラムコマンドであり、前記累積重みが前記初期値よりも大きく、且つ、前記第１の条件または前記第２の条件のうちのいずれかが満たされている場合、前記不揮発性メモリにサスペンドコマンドを送信することによって前記消去／プログラムコマンドの実行を中断し、
   前記第１のコマンドグループのリードコマンドの実行を開始する動作を、前記累積重みが前記初期値以下になるか、前記第１のコマンドグループにリードコマンドが無くなるか、または前記消去／プログラムコマンドの中断中に実行されたリードコマンドの数もしくは前記中断中に実行されたリードコマンドそれぞれに関連付けられている重みの合計が前記第３の値以上になるまで繰り返してから、前記中断されている消去／プログラムコマンドの実行を再開するように構成されている、請求項１に記載のメモリシステム。
6. 前記コントローラは、前記不揮発性メモリに送出すべき一つ以上のリードコマンドを格納可能なコマンドキューを含み、
   前記累積重みの値が前記初期値よりも大きい場合、前記コマンドキューに格納可能なリードコマンドの数の上限を、前記累積重みの値に比例する数に設定し、
   前記累積重みの値が前記初期値以下である場合、前記コマンドキューに格納可能なリードコマンドの数の上限を１に設定するように構成されている、請求項５に記載のメモリシステム。
7. 前記コントローラは、
   累積重みが初期値よりも小さい場合に、前記第１のコマンドグループを前記第２のコマンドグループよりも優先して選択することによって、前記第１のコマンドグループのリードコマンドを実行し、
   前記リードコマンドを実行する際に、前記リードコマンドに関連付けられている重みを、前記累積重みに加算し、
   前記累積重みが前記初期値よりも大きい場合に、前記第２のコマンドグループを前記第１のコマンドグループよりも優先して選択することによって、前記第２のコマンドグループの消去／プログラムコマンドを実行し、
   前記消去／プログラムコマンドを実行する際に、前記消去／プログラムコマンドに関連付けられている重みを、前記累積重みから減算し、
   前記不揮発性メモリにおいて実行されているコマンドが消去／プログラムコマンドであり、前記累積重みが前記初期値よりも小さく、且つ、前記第１の条件または前記第２の条件のうちのいずれかが満たされている場合、前記不揮発性メモリにサスペンドコマンドを送信することによって前記消去／プログラムコマンドの実行を中断し、
   前記第１のコマンドグループのリードコマンドの実行を開始する動作を、前記累積重みが前記初期値以上になるか、前記第１のコマンドグループにリードコマンドが無くなるか、または前記消去／プログラムコマンドの中断中に実行されたリードコマンドの数もしくは前記中断中に実行されたリードコマンドそれぞれに関連付けられている重みの合計が前記第３の値以上になるまで繰り返してから、前記中断されている消去／プログラムコマンドの実行を再開するように構成されている、請求項１に記載のメモリシステム。
8. 前記コントローラは、前記不揮発性メモリに送出すべき一つ以上のリードコマンドを格納可能なコマンドキューを含み、
   前記累積重みの値が前記初期値よりも小さい場合、前記コマンドキューに格納可能なリードコマンドの数の上限を、前記累積重みの値に比例する数に設定し、
   前記累積重みの値が前記初期値以上である場合、前記コマンドキューに格納可能なリードコマンドの数の上限を１に設定するように構成されている、請求項７に記載のメモリシステム。
9. 前記不揮発性メモリは、リードコマンド、消去コマンド、およびプログラムコマンドを実行するように構成され、前記リードコマンドの実行に要する時間は、前記消去コマンドの実行に要する時間および前記プログラムコマンドの実行に要する時間のどちらよりも短い、請求項１に記載のメモリシステム。
10. 不揮発性メモリを制御する制御方法であって、
    前記不揮発性メモリに送出すべきリードコマンドを含む第１のコマンドグループと、前記不揮発性メモリに送出すべき消去コマンドと前記不揮発性メモリに送出すべきプログラムコマンドのうち少なくとも一方が含まれる第２のコマンドグループとを受け付けることと、
    前記第１のコマンドグループと前記第２のコマンドグループとのうちから、コマンドが実行されるべきコマンドグループを選択することと、
    前記選択したコマンドグループに含まれるコマンドの実行を開始すること、
    前記不揮発性メモリにおいて実行されているコマンドが消去／プログラムコマンドであり、且つ、（ｉ）前記第１のコマンドグループに含まれるリードコマンドの数もしくは前記第１のコマンドグループに含まれる前記リードコマンドそれぞれに関連付けられている重みの合計が第１の値以上であるという第１の条件、または（ｉｉ）前記第１のコマンドグループに一つ以上のリードコマンドが含まれ、且つ前記消去／プログラムコマンドの実行が開始あるいは再開されてからの経過時間が第２の値以上であるという第２の条件のいずれかが満たされた場合、前記不揮発性メモリにサスペンドコマンドを送信することによって前記消去／プログラムコマンドの実行を中断することと、
    前記第１のコマンドグループに含まれるリードコマンドの実行を開始する動作を、前記第１のコマンドグループにリードコマンドが無くなるか、または前記消去／プログラムコマンドの中断中に実行されたリードコマンドの数もしくは前記中断中に実行されたリードコマンドそれぞれに関連付けられている重みの合計が第３の値以上になるまで繰り返してから、前記中断されている消去／プログラムコマンドの実行を再開することと、を具備する制御方法。

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