JP2023103746A - Measurement device, measurement method, and measurement program - Google Patents

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秀徳 岩下
Hidenori Iwashita
雄一郎 奥川
Yuichiro Okugawa
芳春 広島
Yoshiharu Hiroshima
善明 鬼柳
Yoshiaki Oniyanagi
道弘 古坂
Michihiro Furusaka
隆 加美山
Takashi Kamiyama
博隆 佐藤
Hirotaka Sato
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Hokkaido University NUC
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Abstract

To provide a technique that enables accurate soft error testing of semiconductor devices at an electronic system level in a cosmic proton beam environment.SOLUTION: A measurement device 1 comprises a computation unit 12 configured to apply an acceleration coefficient of neutrons from an accelerator neutron source in a proton beam environment to a neutron-caused soft error occurrence rate in semiconductor devices within an electronic system as measured using the accelerator neutron source, and regard the soft error occurrence rate after the application of the acceleration coefficient as the soft error occurrence rate of the semiconductor devices in the cosmic proton beam environment.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、宇宙陽子線環境におけるSEU（Single Event Upset）の影響を測定する技術に関する。SEUとは、単一の粒子（中性子、陽子、重粒子等）が半導体デバイス（メモリ等のLSI）に入射し、核反応により生成された電荷によって内部に保存されたデータが反転してしまう事象をいう。SEUは、ソフトエラーとも呼ばれる。 The present invention relates to a technique for measuring the effects of SEU (Single Event Upset) in a cosmic proton beam environment. SEU is an event in which a single particle (neutron, proton, heavy particle, etc.) enters a semiconductor device (LSI such as memory), and the data stored inside is reversed due to the electric charge generated by the nuclear reaction. Say. An SEU is also called a soft error.

宇宙空間では、太陽や銀河から発生した宇宙放射線が飛び交っている。宇宙放射線の主成分は陽子であるため、宇宙空間で半導体デバイスを運用する場合には、陽子線の影響を把握する必要がある。 In outer space, cosmic radiation generated from the sun and galaxies flies around. Since the main component of cosmic radiation is protons, it is necessary to understand the effects of proton beams when operating semiconductor devices in outer space.

宇宙陽子線の影響を地上で測定する場合、陽子加速器が用いられる。陽子加速器を用いて陽子が半導体デバイスにSEUを発生させる割合を測定し、その半導体デバイスで単位時間・単位面積あたりに通過する陽子の数を掛け合わせることで、宇宙陽子線環境におけるSER（Soft Error Rate；単位時間あたりのSEU／ソフトエラー発生数）を算出する（非特許文献１）。 A proton accelerator is used to measure the effects of cosmic proton rays on the ground. By measuring the rate at which protons generate SEU in a semiconductor device using a proton accelerator and multiplying the number of protons that pass through the semiconductor device per unit time and unit area, SER (soft error Rate (SEU/number of soft errors occurring per unit time) is calculated (Non-Patent Document 1).

具体的には、陽子加速器を用いて陽子SEUクロスセクションを測定する。ここで、SEUクロスセクションとは、粒子が半導体デバイスにSEUを発生させる割合を表す尺度である。粒子によるSEUクロスセクションσは、半導体デバイスにフルエンスΦ[n/cm2]（単位面積に入射する粒子の総数）を照射したときに発生したSEUの値をＮとすると、式（１）で表される。 Specifically, proton SEU cross-sections are measured using a proton accelerator. Here, the SEU cross-section is a measure representing the rate at which particles generate SEU in a semiconductor device. The SEU cross-section σ due to particles is expressed by formula (1), where N is the SEU value generated when the semiconductor device is irradiated with a fluence Φ [n/cm 2 ] (the total number of particles incident on a unit area). be done.

Figure 2023103746000002
Figure 2023103746000002

陽子加速器は、式（１）より、陽子（proton）による陽子SEUクロスセクションσｐを測定する。その後、測定装置は、陽子SEUクロスセクションσｐの測定結果を用いて、式（２）より、宇宙陽子線環境におけるSERを算出する。 The proton accelerator measures the proton SEU cross-section σ p by protons from equation (1). After that, the measuring device calculates SER in the cosmic proton beam environment from equation (2) using the measurement result of the proton SEU cross-section σp .

Figure 2023103746000003
Figure 2023103746000003

σｐ（Ｅ）は、エネルギーＥの陽子SEUクロスセクションである。φｐ（Ｅ）は、宇宙環境におけるエネルギーＥの陽子フラックス（単位時間・単位面積あたりに通過する陽子の数）である。 σ p (E) is the proton SEU cross-section of energy E; φ p (E) is the proton flux of energy E in the space environment (the number of protons passing per unit time/unit area).

従来は、上記方法を用いて、半導体デバイスレベル（LSI単体）のソフトエラー試験（SEU影響の測定・評価）が行われていた。 Conventionally, soft error tests (measurement and evaluation of SEU effects) at the semiconductor device level (single LSI) have been performed using the above method.

N. A. Dodds、外33名、“The Contribution of Low-Energy Protons to the Total On-Orbit SEU Rate”、IEEE Transactions on Nuclear Science、vol.62、no.6、2015年12月、p.2440-p.2451N. A. Dodds, 33 others, “The Contribution of Low-Energy Protons to the Total On-Orbit SEU Rate”, IEEE Transactions on Nuclear Science, vol.62, no.6, December 2015, p.2440-p. 2451

しかしながら、陽子により、半導体デバイスレベルではなく、半導体デバイスを含む電子システムレベル（例えば、通信装置）のソフトエラー試験を行うと、陽子が半導体デバイス以外の物質（例えば、筐体、ヒートシンク、ヒートスプレッダ）と反応し、減衰や二次粒子（例えば、中性子）等が生成されてしまう。そのため、陽子により電子システムレベルのソフトエラー試験を行うのは困難であった。 However, when protons are used to perform soft error tests not at the semiconductor device level, but at the electronic system level that includes semiconductor devices (e.g. communication equipment), protons are found to interact with substances other than semiconductor devices (e.g. housings, heat sinks, heat spreaders). Reaction, attenuation, secondary particles (for example, neutrons), etc. will be generated. Therefore, it has been difficult to perform soft error testing at the electronic system level using protons.

本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、宇宙陽子線環境における半導体デバイスのソフトエラー試験を電子システムレベルで正確に実施可能な技術を提供することである。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a technique that enables accurate soft error testing of semiconductor devices at the electronic system level in a cosmic proton beam environment.

本発明の一態様の測定装置は、加速器中性子源を用いて測定された中性子による電子システム内の半導体デバイスでのソフトエラー発生率に対して、陽子線環境での前記加速器中性子源による中性子の加速係数を適用し、前記加速係数の適用後の前記ソフトエラー発生率を宇宙陽子線環境における前記半導体デバイスのソフトエラー発生率とする演算部、を備える。 A measurement apparatus according to one aspect of the present invention measures a soft error rate in a semiconductor device in an electronic system due to neutrons measured using an accelerator neutron source. a computing unit that applies a coefficient and sets the soft error rate after application of the acceleration factor as the soft error rate of the semiconductor device in a cosmic proton beam environment.

本発明の一態様の測定方法は、測定装置で行う測定方法において、加速器中性子源を用いて測定された中性子による電子システム内の半導体デバイスでのソフトエラー発生率に対して、陽子線環境での前記加速器中性子源による中性子の加速係数を適用し、前記加速係数の適用後の前記ソフトエラー発生率を宇宙陽子線環境における前記半導体デバイスのソフトエラー発生率とするステップ、を行う。 In the measurement method of one embodiment of the present invention, in the measurement method performed by the measurement apparatus, the soft error rate in a semiconductor device in an electronic system due to neutrons measured using an accelerator neutron source is measured in a proton beam environment. applying a neutron acceleration factor from the accelerator neutron source, and setting the soft error incidence rate after application of the acceleration factor as the soft error incidence rate of the semiconductor device in a cosmic proton beam environment.

本発明の一態様の測定プログラムは、上記測定装置としてコンピュータを機能させる。 A measurement program according to one embodiment of the present invention causes a computer to function as the measurement device.

本発明によれば、宇宙陽子線環境における半導体デバイスのソフトエラー試験を電子システムレベルで正確に実施可能な技術を提供できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the technique which can perform the soft error test of the semiconductor device in the cosmic proton beam environment correctly at an electronic system level can be provided.

図１は、測定システムの全体構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing the overall configuration of the measurement system. 図２は、加速係数の算出フローを示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a calculation flow of an acceleration factor. 図３は、ソフトエラー発生率の算出フローを示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a calculation flow of the soft error rate. 図４は、中性子線を電子システムに照射した場合において、その電子システム内の半導体デバイスに照射される粒子数のシミュレーション結果を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing simulation results of the number of particles irradiated to a semiconductor device in an electronic system when a neutron beam is irradiated to the electronic system. 図５は、陽子線を電子システムに照射した場合において、その電子システム内の半導体デバイスに照射される粒子数のシミュレーション結果を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing simulation results of the number of particles irradiated to a semiconductor device in an electronic system when proton beams are irradiated to the electronic system. 図６は、測定装置のハードウェア構成を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing the hardware configuration of the measuring device.

以下、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。図面の記載において同一部分には同一符号を付し説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the description of the drawings, the same parts are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

［概要］
本発明は、中性子に着目する。 [overview]
The present invention focuses on neutrons.

宇宙放射線の主成分は陽子であるが、中性子により発生するソフトエラーの事象は、陽子により発生するソフトエラーの事象と同じ事象である。つまり、原因となる粒子に依らず、発生する事象としては同じである。また、中性子は、電荷を持たないため、電子システムの実装部品やその位置に依存することなく、電子システム内の半導体デバイスに対して均一に中性子を照射可能である。 Although the main component of cosmic radiation is protons, soft error events caused by neutrons are the same events as soft error events caused by protons. That is, regardless of the particle that causes it, the phenomenon is the same. In addition, since neutrons do not have electric charges, it is possible to uniformly irradiate semiconductor devices in an electronic system with neutrons, regardless of the mounted parts of the electronic system and their positions.

そこで、本発明は、宇宙空間で使用する電子システムのソフトエラー試験を、加速器中性子源で実施する。具体的には、ある半導体デバイスを搭載した電子システムについてソフトエラー試験を行う際に、陽子と中性子との各エネルギー依存SEUクロスセクションデータを用いて宇宙陽子線環境での中性子の加速係数を算出し、加速器中性子源を用いた中性子による電子システムレベルのソフトエラー試験の試験結果に対して適用する。 Therefore, the present invention implements a soft error test of an electronic system used in outer space with an accelerator neutron source. Specifically, when performing a soft error test on an electronic system equipped with a certain semiconductor device, we calculated the neutron acceleration factor in the cosmic proton environment using each energy-dependent SEU cross-section data of protons and neutrons. , applies to test results of neutron electronic system level soft error tests using an accelerator neutron source.

［システム構成］
図１は、本実施形態に係る測定システムの全体構成を示す図である。 [System configuration]
FIG. 1 is a diagram showing the overall configuration of a measurement system according to this embodiment.

測定システム１００は、中性子を用いて宇宙陽子線の影響を地上で測定するシステムである。測定システム１００は、測定装置１と、加速器中性子源２と、半導体デバイスを内蔵する電子システム３と、を備える。 The measurement system 100 is a system that uses neutrons to measure the effects of cosmic proton rays on the ground. The measurement system 100 includes a measurement device 1, an accelerator neutron source 2, and an electronic system 3 containing a semiconductor device.

測定装置１は、入力部１１と、演算部１２と、出力部１３と、加速係数演算部１４と、を備える。 The measurement device 1 includes an input section 11 , a calculation section 12 , an output section 13 and an acceleration factor calculation section 14 .

加速係数演算部１４は、陽子エネルギーに依存する陽子SEUクロスセクションデータと、陽子エネルギーの陽子フラックスと、中性子エネルギーに依存する中性子SEUクロスセクションデータと、中性子エネルギーの中性子フラックスと、を用いて、宇宙陽子線環境での加速器中性子源２による中性子の加速係数を算出する機能を備える。 The acceleration factor calculation unit 14 uses the proton SEU cross-section data dependent on proton energy, the proton flux of proton energy, the neutron SEU cross-section data dependent on neutron energy, and the neutron flux of neutron energy, It has a function of calculating the neutron acceleration factor by the accelerator neutron source 2 in the proton beam environment.

入力部１１は、加速器中性子源２が電子システム３内の半導体デバイスに対して中性子線を照射したときの中性子フルエンスと、中性子による電子システム３内の半導体デバイスでのソフトエラー発生率と、を入力する機能を備える。 The input unit 11 inputs the neutron fluence when the accelerator neutron source 2 irradiates the semiconductor device in the electronic system 3 with a neutron beam, and the soft error occurrence rate in the semiconductor device in the electronic system 3 due to neutrons. It has a function to

演算部１２は、中性子による電子システム３内の半導体デバイスでのソフトエラー発生率に対して、加速係数演算部１４で算出された中性子の加速係数を適用し、その加速係数を適用したソフトエラー発生率を宇宙陽子線環境における当該半導体デバイスのソフトエラー発生率として出力する機能を備える。 The calculation unit 12 applies the neutron acceleration factor calculated by the acceleration factor calculation unit 14 to the soft error occurrence rate in the semiconductor device in the electronic system 3 due to neutrons, and applies the acceleration factor to the occurrence of soft errors. It has a function of outputting the rate as the soft error occurrence rate of the semiconductor device in the cosmic proton beam environment.

出力部１３は、宇宙陽子線環境における半導体デバイスのソフトエラー発生率をモニタ装置等へ出力する機能を備える。 The output unit 13 has a function of outputting the soft error occurrence rate of the semiconductor device in the cosmic proton beam environment to a monitor device or the like.

［加速係数の算出方法］
図２は、加速係数の算出フローを示す図である。 [Calculation method of acceleration factor]
FIG. 2 is a diagram showing a calculation flow of an acceleration factor.

ステップＳ１０１、Ｓ１０２；
まず、陽子加速器は、陽子エネルギーに依存する半導体デバイス単体の陽子SEUクロスセクションを測定する。次に、加速器中性子源２は、中性子エネルギーに依存する半導体デバイス単体の中性子SEUクロスセクションを測定する。 Steps S101, S102;
First, the proton accelerator measures the proton SEU cross-section of a single semiconductor device dependent on proton energy. Next, the accelerator neutron source 2 measures the neutron SEU cross-section of the single semiconductor device depending on the neutron energy.

陽子SEUクロスセクションの測定は、前述したように既存技術を用いて実施可能である。中性子SEUクロスセクションの測定も既存技術を用いて実施可能である。例えば、飛行時間法を用いて中性子SEUクロスセクションを測定できる。具体的には、半導体素子でSEUが発生した場合に正常時と異なる値を出力する判定回路を半導体デバイス内に形成しておき、中性子放射線環境において、その判定回路で発生した異常動作の発生数を基に中性子SEUクロスセクションを算出する。 Proton SEU cross-section measurements can be performed using existing techniques, as described above. Neutron SEU cross-section measurements can also be performed using existing techniques. For example, time-of-flight methods can be used to measure neutron SEU cross-sections. Specifically, when an SEU occurs in a semiconductor device, a determination circuit is formed in the semiconductor device that outputs a value different from that in normal conditions. Calculate the neutron SEU cross-section based on

ステップＳ１０３；
その後、測定装置１において、加速係数演算部１４が、上記陽子エネルギーに依存する陽子SEUクロスセクションと、その陽子エネルギーの陽子フラックスと、上記中性子エネルギーに依存する中性子SEUクロスセクションと、その中性子エネルギーの中性子フラックスと、を用いて、式（３）より、宇宙陽子線環境での加速係数ＦＡを算出する。 Step S103;
After that, in the measurement device 1, the acceleration factor calculation unit 14 calculates the proton SEU cross-section dependent on the proton energy, the proton flux of the proton energy, the neutron SEU cross-section dependent on the neutron energy, and the neutron energy Acceleration factor F A in the cosmic proton beam environment is calculated from equation (3) using neutron flux and .

Figure 2023103746000004
Figure 2023103746000004

σｐ（Ｅｐ）は、陽子エネルギーＥｐ（ｐ：proton）の陽子SEUクロスセクションである。φｐ（Ｅｐ）は、陽子エネルギーＥｐの陽子フラックスである。σｎ（Ｅｎ）は、中性子エネルギーＥｎ（ｎ：neutron）の中性子SEUクロスセクションである。φｎ（Ｅｎ）は、中性子エネルギーＥｎの中性子フラックスである。 σ p (E p ) is the proton SEU cross-section of proton energy E p (p:proton). φ p (E p ) is the proton flux at proton energy E p . σ n (E n ) is the neutron SEU cross-section of the neutron energy E n (n: neutron). φ n (E n ) is the neutron flux at neutron energy E n .

加速係数ＦＡは、宇宙陽子線環境に対して中性子加速器環境（加速器中性子源２）が中性子を何倍加速してソフトエラー試験をできるかを示す指標となる。 The acceleration factor F A is an index indicating how many times the neutron accelerator environment (accelerator neutron source 2) accelerates neutrons relative to the cosmic proton beam environment for soft error testing.

なお、上記算出フローは、例である。例えば、ステップＳ１０２をステップＳ１０１よりも前又は同時に行ってもよい。また、陽子SEUクロスセクションや中性子SEUクロスセクションについて、既存のデータがあれば、ステップＳ１０１やステップＳ１０２を行わず、それらの既存のデータを用いて加速係数ＦＡを算出してもよい。 Note that the above calculation flow is an example. For example, step S102 may be performed before or at the same time as step S101. If there is existing data for the proton SEU cross-section and the neutron SEU cross-section, the acceleration factor FA may be calculated using the existing data without performing steps S101 and S102.

［ソフトエラー発生率の算出方法］
図３は、ソフトエラー発生率の算出フローを示す図である。 [Calculation method of soft error rate]
FIG. 3 is a diagram showing a calculation flow of the soft error rate.

ステップＳ２０１；
まず、加速器中性子源２は、ソフトエラー発生率の測定対象である半導体デバイスを含む電子システム３に対して中性子を照射し、その中性子による当該電子システム３内の当該半導体デバイスでのソフトエラー発生率を測定する。 Step S201;
First, the accelerator neutron source 2 irradiates neutrons to the electronic system 3 including the semiconductor device, which is the target of soft error rate measurement, and the soft error rate in the semiconductor device in the electronic system 3 due to the neutrons to measure.

ここで、電子システム内の半導体デバイスに対して中性子線を照射した場合のシミュレーション結果を図４に示す。このシミュレーションでは、80[MeV]の中性子線を電子システムに照射し、LSI１及びLSI２での陽子と中性子の各粒子数を計算した。電子システムを模擬するため、筐体としてのステンレス、ヒートシンク、ヒートスプレッダ、LSI、プリント基板を再現している。 Here, FIG. 4 shows a simulation result when a semiconductor device in an electronic system is irradiated with a neutron beam. In this simulation, the electronic system was irradiated with 80 [MeV] neutron beams, and the numbers of protons and neutrons in LSI1 and LSI2 were calculated. In order to simulate an electronic system, the stainless steel housing, heat sink, heat spreader, LSI, and printed circuit board are reproduced.

図４（ａ）は、中性子線の入力に対して前側のLSI１に照射される各粒子数である。図４（ｂ）は、後側のLSI２に照射される各粒子数である。LSI１もLSI２も、照射される粒子数にほとんど変化がなく、粒子の照射位置によらずほぼ同じであった。この結果から、中性子は、電子システム内の半導体デバイスに対して均一に照射可能であり、電子システム部品の実装位置に依存しないことがわかる。それゆえ、中性子を用いることで、宇宙陽子線環境における半導体デバイスのソフトエラー試験を電子システムレベルで正確に実施することができる。 FIG. 4(a) shows the number of particles irradiated to the LSI 1 on the front side with respect to the input of the neutron beam. FIG. 4(b) shows the number of particles irradiated to the LSI 2 on the rear side. In both LSI1 and LSI2, there was almost no change in the number of irradiated particles, and it was almost the same regardless of the irradiation position of the particles. From this result, it can be seen that neutrons can uniformly irradiate the semiconductor device in the electronic system and does not depend on the mounting positions of the electronic system components. Therefore, by using neutrons, it is possible to accurately perform soft error testing of semiconductor devices at the electronic system level in the cosmic proton environment.

同じシミュレーション系で陽子線を照射した場合のシミュレーション結果を図５に示す。LSI１では、ステンレスやヒートシンク等の影響により、もともと80[MeV]であった陽子のピークが28[MeV]まで減衰していることがわかる。また、陽子が電子システムの様々な部位と反応し、中性子が生成されていることがわかる。さらに、後側のLSI２では、その影響が大きくなり、陽子と中性子との各数が逆転してしまうことがわかる。このように、陽子を用いて電子システムレベルの試験を行うのは困難である。 FIG. 5 shows the results of simulation in the case of proton beam irradiation in the same simulation system. In LSI1, it can be seen that the proton peak, which was originally 80 [MeV], is attenuated to 28 [MeV] due to the influence of stainless steel and heat sink. It can also be seen that protons interact with various parts of the electronic system to produce neutrons. Furthermore, it can be seen that in the rear LSI2, the influence is greater, and the numbers of protons and neutrons are reversed. Thus, it is difficult to perform electronic system level testing using protons.

ステップＳ２０２；
その後、測定装置１において、入力部１１は、加速器中性子源２で測定された電子システム３内の半導体デバイスでのソフトエラー発生率を入力し、そのソフトエラー発生率を演算部１２に出力する。 Step S202;
After that, in the measurement device 1 , the input unit 11 inputs the soft error occurrence rate in the semiconductor device in the electronic system 3 measured by the accelerator neutron source 2 and outputs the soft error occurrence rate to the calculation unit 12 .

そして、演算部１２は、上記ソフトエラー発生率に対して上記加速係数ＦＡを適用し、その加速係数ＦＡを適用したソフトエラー発生率を、宇宙陽子線環境における半導体デバイスのソフトエラー発生率として出力部１３に出力する。 Then, the calculation unit 12 applies the acceleration factor FA to the soft error incidence rate, and calculates the soft error incidence rate to which the acceleration factor FA is applied as the soft error incidence rate of the semiconductor device in the cosmic proton beam environment. , and output to the output unit 13 .

例えば、演算部１２は、加速係数ＦＡが１千万であり、加速器中性子源２でのソフトエラー発生率が１時間に１００回であった場合には、宇宙空間では１千万時間（１時間×１千万）でソフトエラーが１００回発生すると予測計算する。 For example, if the acceleration factor F A is 10 million and the soft error occurrence rate at the accelerator neutron source 2 is 100 times per hour, the calculation unit 12 will calculate 10 million hours in outer space (1 (time x 10 million), it is predicted that soft errors will occur 100 times.

その後、出力部１３は、そのソフトエラー発生率を、宇宙陽子線環境で発生する障害数レポートに入力して各種装置（例えば、モニタ装置、印刷装置、サーバ装置、クライアント装置）へ出力する。 After that, the output unit 13 inputs the soft error occurrence rate into a report on the number of failures occurring in the cosmic proton beam environment, and outputs the report to various devices (for example, a monitor device, a printer device, a server device, and a client device).

［効果］
本実施形態によれば、測定装置１は、加速器中性子源を用いて測定された中性子による電子システム３内の半導体デバイスでのソフトエラー発生率に対して、陽子線環境での前記加速器中性子源による中性子の加速係数を適用し、前記加速係数の適用後の前記ソフトエラー発生率を宇宙陽子線環境における前記半導体デバイスのソフトエラー発生率とする演算部１２、を備えるので、宇宙陽子線環境における半導体デバイスのソフトエラー試験を電子システムレベルで正確かつ低コストで実施することができる。 [effect]
According to the present embodiment, the measurement apparatus 1 measures the soft error rate in the semiconductor device in the electronic system 3 due to neutrons measured using an accelerator neutron source in a proton beam environment. A calculation unit 12 that applies a neutron acceleration factor and sets the soft error occurrence rate after applying the acceleration factor as the soft error occurrence rate of the semiconductor device in a space proton environment, so that the semiconductor device in a space proton environment Device soft error testing can be performed accurately and at low cost at the electronic system level.

［その他］
本発明は、上記実施形態に限定されない。本発明は、本発明の要旨の範囲内で数々の変形が可能である。本実施形態に係る測定装置１は、コンピュータとプログラムによっても実現でき、プログラムを記録媒体に記録することも、ネットワークを通して提供することも可能である。 [others]
The invention is not limited to the above embodiments. The present invention can be modified in many ways within the scope of the gist of the present invention. The measuring apparatus 1 according to this embodiment can also be realized by a computer and a program, and the program can be recorded on a recording medium or provided through a network.

例えば、本実施形態に係る測定装置１は、図６に示すように、ＣＰＵ９０１と、メモリ９０２と、ストレージ９０３と、通信装置９０４と、入力装置９０５と、出力装置９０６と、を備えた汎用的なコンピュータシステムを用いて実現できる。メモリ９０２及びストレージ９０３は、記憶装置である。当該コンピュータシステムにおいて、ＣＰＵ９０１がメモリ９０２上にロードされた所定のプログラムを実行することにより、測定装置１の各機能が実現される。 For example, as shown in FIG. 6, the measuring apparatus 1 according to the present embodiment is a general-purpose device including a CPU 901, a memory 902, a storage 903, a communication device 904, an input device 905, and an output device 906. can be realized using a computer system Memory 902 and storage 903 are storage devices. In the computer system, each function of the measuring apparatus 1 is realized by the CPU 901 executing a predetermined program loaded on the memory 902 .

測定装置１は、１つのコンピュータで実装されてもよい。測定装置１は、複数のコンピュータで実装されてもよい。測定装置１は、コンピュータに実装される仮想マシンであってもよい。測定装置１用のプログラムは、ＨＤＤ、ＳＳＤ、ＵＳＢメモリ、ＣＤ、ＤＶＤ等のコンピュータ読取り可能な記録媒体に記憶できる。測定装置１用のプログラムは、通信ネットワークを介して配信することもできる。 The measuring device 1 may be implemented with one computer. The measurement device 1 may be implemented with multiple computers. The measuring device 1 may be a virtual machine implemented on a computer. A program for the measuring device 1 can be stored in computer-readable recording media such as HDD, SSD, USB memory, CD, and DVD. The program for measuring device 1 can also be distributed via a communication network.

１…測定装置
１１…入力部
１２…演算部
１３…出力部
１４…加速係数演算部
２…加速器中性子源
３…電子システム
１００…測定システム
９０１…ＣＰＵ
９０２…メモリ
９０３…ストレージ
９０４…通信装置
９０５…入力装置
９０６…出力装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Measurement apparatus 11... Input part 12... Calculation part 13... Output part 14... Acceleration factor calculation part 2... Accelerator neutron source 3... Electronic system 100... Measurement system 901... CPU
902... Memory 903... Storage 904... Communication device 905... Input device 906... Output device

Claims (4)

加速器中性子源を用いて測定された中性子による電子システム内の半導体デバイスでのソフトエラー発生率に対して、陽子線環境での前記加速器中性子源による中性子の加速係数を適用し、前記加速係数の適用後の前記ソフトエラー発生率を宇宙陽子線環境における前記半導体デバイスのソフトエラー発生率とする演算部、
を備える測定装置。 Applying the neutron acceleration factor by the accelerator neutron source in a proton beam environment to the soft error occurrence rate in the semiconductor device in the electronic system due to neutrons measured using the accelerator neutron source, and applying the acceleration factor A computing unit that uses the later soft error rate as the soft error rate of the semiconductor device in a cosmic proton beam environment;
A measuring device comprising a 前記加速係数を、陽子エネルギーに依存する陽子SEU（Single Event Upset）クロスセクションと、前記加速器中性子源を用いて測定された中性子エネルギーに依存する中性子SEUクロスセクションと、を用いて、算出する加速係数演算部を更に備える請求項１に記載の測定装置。 The acceleration factor is calculated using a proton energy-dependent proton SEU (Single Event Upset) cross-section and a neutron SEU cross-section dependent on the neutron energy measured using the accelerator neutron source. The measuring device according to claim 1, further comprising an arithmetic unit. 測定装置で行う測定方法において、
加速器中性子源を用いて測定された中性子による電子システム内の半導体デバイスでのソフトエラー発生率に対して、陽子線環境での前記加速器中性子源による中性子の加速係数を適用し、前記加速係数の適用後の前記ソフトエラー発生率を宇宙陽子線環境における前記半導体デバイスのソフトエラー発生率とするステップ、
を行う測定方法。 In the measurement method performed by the measuring device,
Applying the neutron acceleration factor by the accelerator neutron source in a proton beam environment to the soft error occurrence rate in the semiconductor device in the electronic system due to neutrons measured using the accelerator neutron source, and applying the acceleration factor setting the later soft error rate as the soft error rate of the semiconductor device in a cosmic proton beam environment;
How to measure. 請求項１又は２に記載の測定装置としてコンピュータを機能させる測定プログラム。 A measuring program that causes a computer to function as the measuring device according to claim 1 or 2.
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