JP2023097632A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の表面に存在する除去対象物を効率良く除去することができる新規な基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】光照射によって構造が変化する光反応化合物１０３およびポリマー成分１０１を含有するポリマー膜１００を、保持位置に保持されている基板Ｗの主面に形成される。ポリマー膜１００が形成されている基板Ｗの主面に向けて光出射部材８から光が出射される。基板Ｗの主面に対して、ポリマー膜１００を除去するポリマー膜除去処理が実行される。【選択図】図８Ｂ

Description

この発明は、基板を処理する基板処理装置、および、基板を処理する基板処理方法に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウェハ、液晶表示装置および有機ＥＬ(Electroluminescence)表示装置等のＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板等が含まれる。

パーティクル等の除去対象物を基板の主面から除去する手法が求められている。たとえば、下記特許文献１には、トップコート液を基板に供給してトップコート液から揮発成分を揮発させることでトップコート膜を形成し、トップコート膜を除去液に溶解させて基板から除去する基板処理が開示されている。トップコート液からトップコート膜が形成される際に起こる体積収縮によって、基板からパーティクルが引き離される。

特開２０１４－１９７７１７号公報

この発明の１つの目的は、基板の表面に存在する除去対象物を効率良く除去することができる新規な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。

この発明の一実施形態は、保持位置に基板を保持する基板保持部材と、光照射によって構造が変化する光反応化合物およびポリマー成分を含有するポリマー膜を、前記保持位置に保持されている基板の主面に形成するポリマー膜形成部材と、前記保持位置に保持されている基板の主面に向けて光を出射する光出射部材と、前記保持位置に保持されている基板の主面に対して、ポリマー膜を除去するポリマー膜除去処理を実行するポリマー膜除去部材とを含む、基板処理装置を提供する。

この方法によれば、基板の主面上のポリマー膜に含有される光反応化合物の構造が光照射によって変化する。そのため、光照射によってポリマー膜が変形し、基板の主面からポリマー膜の少なくとも一部が基板の主面から引き離される。ポリマー膜を基板の主面から引き離すことによって、ポリマー膜に保持されている除去対象物を基板の主面から引き離すことができる。除去対象物がポリマー膜とともに基板の主面から引き離されている状態でポリマー膜を基板の主面から除去することによって、基板の主面から除去対象物を効果的に除去することができる。

この発明の一実施形態では、前記光反応化合物が、ジアリルエテン系化合物、および、アゾベンゼン系化合物の少なくとも一方を含む。

ジアリルエテン系化合物、およびアゾベンゼン系化合物は、光照射によって構造が変化する。ポリマー膜中の成分の構造変化によってポリマー膜が変形し、ポリマー膜の少なくとも一部が基板の主面から引き離される。光照射によって、ポリマー膜は、たとえば、湾曲する。

この発明の一実施形態では前記ポリマー膜除去部材が、前記ポリマー膜除去処理として、前記ポリマー膜を剥離する剥離液を前記基板の主面に供給する剥離液供給処理を実行する剥離液供給部材を含む。そのため、剥離液によってポリマー膜の剥離を促進し、基板の主面から除去対象物を効果的に除去することができる。

この発明の一実施形態では、前記ポリマー膜形成部材が、前記ポリマー成分よりも前記剥離液に対する溶解性が高い高溶解性物質をさらに含有する前記ポリマー膜を形成する。そのため、剥離液によって高溶解性物質を溶解しつつ、ポリマー膜を維持することができる。したがって、ポリマー成分で除去対象物を保持しながら、ポリマー膜と基板の主面との界面に剥離液を作用させることができる。その結果、ポリマー膜を基板の主面から速やかに剥離しつつ、ポリマー膜とともに除去対象物を基板の主面から効率良く除去することができる。

この発明の一実施形態では、前記ポリマー膜除去部材が、前記ポリマー膜除去処理として、前記ポリマー膜を吸引して前記基板の主面から前記ポリマー膜を除去する吸引除去処理を実行する吸引部材を含む。基板の主面からポリマー膜の少なくとも一部が基板の主面から引き離されているため、ポリマー膜は、光照射を行う前よりも基板の主面から剥離し易い。そのため、吸引によってポリマー膜を基板の主面から除去できる。

また、基板の主面に剥離液を供給することなく吸引によってポリマー膜を除去できれば、基板の主面を乾燥させる手間を省くことができる。

この発明の他の実施形態は、光照射によって構造が変化する光反応化合物およびポリマー成分を含有するポリマー膜を基板の主面に形成するポリマー膜形成工程と、前記基板の主面上の前記ポリマー膜に光を照射する光照射工程と、前記光照射工程の後、前記基板の主面から前記ポリマー膜を除去するポリマー膜除去工程とを含む、基板処理方法を提供する。この基板処理方法によれば、上述した基板処理装置と同様の効果を奏する。

この発明の他の実施形態において、前記光反応化合物が、ジアリルエテン系化合物、および、アゾベンゼン系化合物の少なくとも一方を含んでいてもよい。

この発明の他の実施形態において、前記ポリマー膜除去工程が、前記ポリマー膜を剥離する剥離液を前記基板の主面上の前記ポリマー膜に供給する剥離液供給工程を含んでいてもよい。

この発明の他の実施形態において、前記ポリマー膜形成工程が、前記ポリマー成分よりも前記剥離液に対する溶解性が高い高溶解性物質をさらに含有する前記ポリマー膜を形成する工程を含んでいてもよい。

この発明の他の実施形態において、前記ポリマー膜除去工程が、前記基板の主面上の前記ポリマー膜を吸引して前記基板の主面から前記ポリマー膜を除去する吸引除去工程を含んでいてもよい。

この発明の他の実施形態において、前記ポリマー膜除去工程が、前記光反応化合物の構造変化によって前記ポリマー膜を湾曲させることによって、前記基板の主面から前記ポリマー膜を引き離す工程を含んでいてもよい。

図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示す図解的な平面図である。 図２は、前記基板処理装置に備えられる処理ユニットの構成を説明するための模式図である。 図３は、前記処理ユニットで用いられるポリマー含有液に含有される光反応化合物としてのジアリルエテン系化合物の光照射による構造変化について説明するための化学反応式である。 図４は、前記処理ユニットで用いられるポリマー含有液に含有される光反応化合物としてのアゾベンゼン系化合物の光照射による構造変化について説明するための化学反応式である。 図５は、前記基板処理装置の電気的構成を説明するためのブロック図である。 図６は、前記基板処理装置によって実行される第１基板処理を説明するためのフローチャートである。 図７は、前記第１基板処理中の基板の様子について説明するための模式図である。 図８Ａは、前記第１基板処理においてポリマー膜が除去される様子について説明するための模式図である。 図８Ｂは、前記第１基板処理においてポリマー膜が除去される様子について説明するための模式図である。 図８Ｃは、前記第１基板処理においてポリマー膜が除去される様子について説明するための模式図である。 図８Ｄは、前記第１基板処理においてポリマー膜が除去される様子について説明するための模式図である。 図９は、前記基板処理装置によって実行される第２基板処理を説明するためのフローチャートである。 図１０は、前記第２基板処理においてポリマー膜が除去される様子について説明するための模式図である。 図１１は、第２実施形態に係る基板処理装置に備えられる処理ユニットの構成を説明するための模式図である。 図１２は、第２実施形態に係る前記基板処理装置によって実行される基板処理を説明するためのフローチャートである。 図１３は、第２実施形態に係る前記基板処理装置によって実行される基板処理中の基板の様子について説明するための模式図である。 図１４Ａは、第２実施形態に係る前記基板処理装置によって実行される基板処理においてポリマー膜が除去される様子について説明するための模式図である。 図１４Ｂは、第２実施形態に係る前記基板処理装置によって実行される基板処理においてポリマー膜が除去される様子について説明するための模式図である。 図１４Ｃは、第２実施形態に係る前記基板処理装置によって実行される基板処理においてポリマー膜が除去される様子について説明するための模式図である。 図１５は、光出射部材の第１変形例について説明するための模式図である。 図１６は、光出射部材の第２変形例について説明するための模式図である。 図１７は、光出射部材の第３変形例について説明するための模式図である。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して説明する。

＜第１実施形態に係る基板処理装置の構成＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１のレイアウトを示す図解的な平面図である。

基板処理装置１は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Ｗは、円形状を有する。基板Ｗは一対の主面を有する。基板処理装置１は、基板Ｗを処理する複数の処理ユニット２と、処理ユニット２で処理される複数枚の基板Ｗを収容するキャリアＣが載置されるロードポートＬＰと、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットＩＲおよびＣＲと、基板処理装置１を制御するコントローラ３とを備える。

搬送ロボットＩＲは、キャリアＣと搬送ロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。搬送ロボットＣＲは、搬送ロボットＩＲと処理ユニット２との間で基板Ｗを搬送する。搬送ロボットＩＲおよびＣＲは、複数のロードポートＬＰから複数の処理ユニット２に向かって延びる搬送経路ＴＲ上に配置されている。

複数の処理ユニット２は、たとえば、同様の構成を有している。複数の処理ユニット２は、水平に離れた４つの位置にそれぞれ配置された４つの処理タワーＴＷを形成している。各処理タワーＴＷは、上下方向に積層された複数（たとえば、３つ）の処理ユニット２を含む。４つの処理タワーＴＷは、搬送経路ＴＲの両側に２つずつ配置されている。

処理ユニット２は、処理液で基板Ｗを処理するウェット処理ユニット２Ｗである。ウェット処理ユニット２Ｗ内で基板Ｗに向けて供給される処理液としては、ポリマー含有液、剥離液、残渣溶解液等が挙げられる。

図２は、ウェット処理ユニット２Ｗの構成を説明するための模式図である。

ウェット処理ユニット２Ｗは、基板Ｗを所定の保持位置に保持しながら、回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック５と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に向けて光を出射する光出射部材８と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面（上側の主面）に向けて処理液を吐出する複数の処理液ノズル（ポリマー含有液ノズル９、剥離液ノズル１０、および、残渣溶解液ノズル１１）と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗから飛散する液体を受ける処理カップ７と、スピンチャック５、処理カップ７、光出射部材８および複数の処理液ノズルを収容するチャンバ４とを備える。

回転軸線Ａ１は、基板Ｗの上面の中心部を通る中心軸線である。保持位置は、回転軸線Ａ１が基板Ｗの上面の中心部を通る位置であり、基板Ｗの上面が水平な位置である。

チャンバ４は、チャンバ本体４ａと、チャンバ本体４ａに設けられた開口部４ｂと、開口部４ｂを開閉するシャッタユニット４ｃとを含む。シャッタユニット４ｃが開口部４ｂを開いている状態で、搬送ロボットＣＲによって、チャンバ本体４ａ内に基板Ｗを搬入したりチャンバ本体４ａから基板Ｗを搬出したりすることができる。チャンバ本体４ａおよびシャッタユニット４ｃは、遮光性を有しており、シャッタユニット４ｃが開口部４ｂを閉じている状態では、チャンバ４の外部からの光が遮断される。

スピンチャック５は、処理カップ７に取り囲まれている。スピンチャック５は、水平方向に沿う円板形状を有するスピンベース２１と、スピンベース２１の上方で基板Ｗを把持しスピンベース２１よりも上方で基板Ｗの周縁部を把持する複数のチャックピン２０と、スピンベース２１に連結され鉛直方向に延びる回転軸２２と、回転軸２２をその中心軸線（回転軸線Ａ１）のまわりに回転させる回転駆動機構２３とを含む。

複数のチャックピン２０は、スピンベース２１の周方向に間隔を空けてスピンベース２１の上面に配置されている。回転駆動機構２３は、たとえば、電動モータ等のアクチュエータを含む。回転駆動機構２３は、回転軸２２を回転させることでスピンベース２１および複数のチャックピン２０が回転軸線Ａ１のまわりに回転する。これにより、基板Ｗは、スピンベース２１および複数のチャックピン２０とともに回転軸線Ａ１のまわりに回転される。

複数のチャックピン２０は、基板Ｗの周縁部に接触して基板Ｗを把持する閉位置と、基板Ｗに対する把持を解除する開位置との間で移動可能である。複数のチャックピン２０は、開閉機構（図示せず）によって移動される。

複数のチャックピン２０は、閉位置に位置するとき、基板Ｗの周縁部を把持して基板Ｗを保持位置に保持する。複数のチャックピン２０は、開位置に位置するとき、基板Ｗに対する把持を解除する一方で、基板Ｗの周縁部を下方から支持する。開閉機構は、たとえば、リンク機構と、リンク機構に駆動力を付与するアクチュエータとを含む。

複数の処理液ノズルは、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に向けて、ポリマー含有液の連続流を吐出するポリマー含有液ノズル９と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に向けて剥離液の連続流を吐出する剥離液ノズル１０と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面に向けて残渣溶解液の連続流を吐出する残渣溶解液ノズル１１とを含む。

ポリマー含有液ノズル９から吐出されるポリマー含有液は、溶質および溶媒を含有する。ポリマー含有液の溶質は、光照射によって構造が変化する光反応化合物と、溶媒の少なくとも一部が蒸発（揮発）することで固体状または半固体状の膜（ポリマー膜）を形成するポリマー成分と、剥離液に対する溶解度がポリマー成分よりも高い高溶解性物質とを含有する。

ポリマー含有液は、固体状または半固体状の膜（ポリマー膜）を形成する成分（後述するポリマー成分）を含有する。半固体状とは、固体成分と液体成分とが混合している状態である。固体状とは、液体成分が含有されておらず固体成分のみによって構成されている状態である。溶媒が残存しているポリマー膜は、半固体状であり、溶媒が完全に消失しているポリマー膜は、固体状である。

ポリマー成分は、高溶解性物質よりも後述する剥離液に対する溶解度が低いため、低溶解性物質ともいう。ポリマー成分は、たとえば、ノボラックである。高溶解性物質は、たとえば、２，２－ビス（４－ヒドロキシフェニル）プロパンである。ポリマー成分および高溶解性物質の詳細は、後述する。

光反応性化合物は、第１波長を有する光によって第１構造から第２構造に変化し、第１波長とは異なる第２波長を有する光によって第２構造から第１構造に変化する。光反応化合物は、たとえば、ジアリルエテン系化合物およびアゾベンゼン系化合物の少なくともいずれかを含む。

ジアリルエテン系化合物としては、たとえば、以下の化学式１～化学式６に示す化合物を用いることができる。

図３に示すように、ジアリルエテン系化合物は、光照射によって、構造が変化する。ジより詳しくは、ジアリルエテン系化合物は、たとえば、２００ｎｍ以上３８０ｎｍ以下の波長（第１波長）を有する光が照射されることによって開環体（第１構造）から閉環体（第２構造）に異性化する。ジアリルエテン系化合物は、たとえば、４００ｎｍ以上７６０ｎｍ以下の波長（第２波長）を有する光が照射されることによって閉環体（第２構造）から開環体（第１構造）に異性化する。すなわち、ジアリルエテン系化合物は、紫外線の照射によって開環体から閉環体に異性化し、可視光の照射によって、閉環体から開環体に異性化する。ポリマー膜に含有されるジアリルエテン系化合物が開環体から閉環体に異性化することによって、ポリマー膜は、湾曲するように変形する。

アゾベンゼン系化合物としては、たとえば、以下の化学式７および化学式８に示す化合物を用いることができる。

図４に示すように、アゾベンゼン系化合物も、光照射によって構造が変化する。詳しくは、アゾベンゼン系化合物は、たとえば、２００ｎｍ以上３８０ｎｍ以下の波長（第１波長）を有する光が照射されることによって、トランス体（第１構造）からシス体（第２構造）に異性化する。アゾベンゼン系化合物は、たとえば、４００ｎｍ以上７６０ｎｍ以下の波長（第２波長）を有する光が照射されることによって、シス体（第２構造）からトランス体（第１構造）に異性化する。すなわち、アゾベンゼン系化合物は、紫外線の照射によってトランス体からシス体に異性化し、可視光の照射によって、シス体からトランス体に異性化する。ポリマー膜に含有されるアゾベンゼン系化合物がトランス体からシス体に異性化することによって、ポリマー膜は、湾曲するように変形する。

ポリマー含有液に含有されている溶媒は、常温（たとえば、５℃以上２５℃以下の温度であり、室温ともいう。）で液体であり、溶質を溶解させることができる物質であればよい。ポリマー含有液は、たとえば、ＩＰＡ（イソプロパノール）等の有機溶剤である。ポリマー含有液に含有されている有機溶剤は、たとえば、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、エステル、アルコールおよびエーテルのうちの少なくとも１つを含む。

具体的には、有機溶剤は、ＩＰＡ等のアルコール類、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル類、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノエチルエーテル（ＰＧＥＥ）等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）等の乳酸エステル類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、メチルエチルケトン、２－ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルピロリドン等のアミド類、γ－ブチロラクトン等のラクトン類等である。これらの有機溶剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。また、溶媒は、有機溶剤とＤＩＷ（脱イオン水）等の水との混合液であってもよい。

ポリマー含有液ノズル９には、ポリマー含有液ノズル９にポリマー含有液を案内するポリマー含有液配管４０が接続されている。ポリマー含有液配管４０には、ポリマー含有液配管４０内の流路を開閉するポリマー含有液バルブ５０が設けられている。バルブが配管に設けられているとは、バルブが配管に介装されていることを意味してもよい。ポリマー含有液バルブ５０が開かれることでポリマー含有液がポリマー含有液ノズル９から吐出される。

剥離液ノズル１０から吐出される剥離液は、ポリマー膜を剥離して基板Ｗの主面から除去するための液体である。剥離液は、たとえば、アンモニア水であるが、アンモニア水以外のアルカリ性水溶液（アルカリ性液体）であってもよい。アンモニア水以外のアルカリ性水溶液の具体例としては、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）水溶液、および、コリン水溶液、ならびにこれらのいずれかの組合せが挙げられる。剥離液は、純水（好ましくはＤＩＷ）であってもよいし、中性または酸性の水溶液（非アルカリ性水溶液）であってもよい。

剥離液ノズル１０には、剥離液ノズル１０に剥離液を案内する剥離液配管４１が接続されている。剥離液配管４１には、剥離液配管４１内の流路を開閉する剥離液バルブ５１が設けられている。剥離液バルブ５１が開かれることで、剥離液が剥離液ノズル１０から吐出される。

残渣溶解液ノズル１１から吐出される残渣溶解液は、剥離液によってポリマー膜が剥離されて基板Ｗの主面から除去された後に基板Ｗの主面に残留する残渣を溶解させる液体である。残渣溶解液は、たとえば、ＩＰＡ等の有機溶剤である。有機溶剤としては、ポリマー含有液に含有される溶媒として列挙したものを用いることができる。

残渣溶解液ノズル１１には、残渣溶解液ノズル１１に残渣溶解液を案内する残渣溶解液配管４２が接続されている。残渣溶解液配管４２には、残渣溶解液配管４２内の流路を開閉する残渣溶解液バルブ５２が設けられている。残渣溶解液バルブ５２が開かれることで、残渣溶解液液が残渣溶解液ノズル１１から吐出される。

複数の処理液ノズルは、複数のノズル移動機構３５，３６，３７によってそれぞれ移動可能である。複数のノズル移動機構３５，３６，３７は、対応する処理液ノズルを少なくとも水平方向に移動させることができる。各処理液ノズルは、基板Ｗの上面の中心部に対向する中心位置と、平面視で処理カップ７の外側に位置する退避位置との間で移動可能である。各ノズル移動機構３５，３６，３７は、対応する処理液ノズルを支持する支持アーム（図示せず）と、支持アームを駆動する駆動機構（図示せず）とを含む。駆動機構は、たとえば、モータ等のアクチュエータを含む。

処理カップ７の構成は、特に限定されるものではない。処理カップ７は、たとえば、スピンチャック５に保持された基板Ｗから外方に飛散する処理液を受け止める複数（図２では２つ）のガード７１と、複数のガード７１によって下方に案内された処理液をそれぞれ受け止める複数（図２では２つ）のカップ７２と、複数のガード７１および複数のカップ７２を取り囲む円筒状の外壁部材７３とを含む。

各ガード７１は、平面視でスピンチャック５を取り囲む筒状の形態を有している。各ガード７１の上端部は、ガード７１の内側に向かうように傾斜している。各カップ７２は、上向きに開放された環状溝の形態を有している。複数のガード７１および複数のカップ７２は、同軸上に配置されている。

複数のガード７１は、ガード昇降駆動機構（図示せず）によって個別に昇降される。ガード昇降駆動機構は、たとえば、複数のガード７１をそれぞれ昇降駆動する複数のアクチュエータを含む。複数のアクチュエータは、電動モータおよびエアシリンダの少なくとも一方を含む。

光出射部材８は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面（上側の表面）に上方から対向する対向部材６と、対向面６ａに取り付けられた光源としての複数のランプ８０とを含む。

対向部材６は、基板Ｗとほぼ同じ径またはそれ以上の径を有する円板状に形成されている。対向面６ａは、スピンチャック５よりも上方でほぼ水平面に沿って配置されている。対向部材６において対向面６ａとは反対側には、回転軸６０が固定されている。対向部材６は、対向面６ａと基板Ｗの上面との間の空間内の雰囲気を当該空間の外部の雰囲気から遮断する。そのため、対向部材６は、遮断板ともいう。

複数のランプ８０は、対向面６ａの全域に等間隔で配置されている。複数のランプ８０には、通電させたり複数のランプ８０への通電を停止したりするように構成されている通電ユニット８５が接続されている。ランプ８０は通電されることにより光を出射する。各ランプ８０か出射される光は、たとえば、赤外線、紫外線、可視光等が挙げられる。ランプ８０は、たとえば、エキシマランプ、キセノンランプ、水銀ランプ、重水素ランプ、ＬＥＤランプ等である。ランプ８０から出射される光は、たとえば、２００ｎｍ以上７６０ｎｍ以下の波長を有することが好ましい。

対向部材６は、昇降機構６１によって鉛直方向に移動される。昇降機構６１は、たとえば、回転軸６０を支持する支持部材（図示せず）に結合されたボールねじ機構（図示せず）と、当該ボールねじ機構に駆動力を与える電動モータ（図示せず）とを含む。昇降機構６１は、対向部材リフタ（遮断板リフタ）ともいう。昇降機構６１は、対向部材６とともに複数のランプ８０を鉛直方向に移動させる。昇降機構６１は、ランプ昇降ユニット（ランプリフタ）の一例である。

図５は、基板処理装置１の電気的構成を説明するためのブロック図である。

コントローラ３は、マイクロコンピュータを備え、所定の制御プログラムに従って基板処理装置１に備えられた制御対象を制御する。

具体的には、コントローラ３は、プロセッサ３Ａ（ＣＰＵ）と、制御プログラムが格納されたメモリ３Ｂとを含む。コントローラ３は、プロセッサ３Ａが制御プログラムを実行することによって、基板処理のための様々な制御を実行するように構成されている。とくに、コントローラ３は、搬送ロボットＩＲ，ＣＲ、回転駆動機構２３、ノズル移動機構３５，３６，３７、通電ユニット８５、昇降機構６１、ポリマー含有液バルブ５０、剥離液バルブ５１、残渣溶解液バルブ５２等を制御するようにプログラムされている。

また、図５には、代表的な部材が図示されているが、図示されていない部材についてコントローラ３によって制御されないことを意味するものではなく、コントローラ３は、基板処理装置１に備えられる各部材を適切に制御することができる。図５には、後述する変形例および第２実施形態で説明する部材についても併記しており、これらの部材もコントローラ３によって制御される。

後述する図６に示す各工程は、コントローラ３が基板処理装置１に備えられる各部材を制御することにより実行される。言い換えると、コントローラ３は、後述する図６に示す各工程を実行するようにプログラムされている。

＜第１基板処理＞
図６は、基板処理装置１によって実行される第１基板処理を説明するためのフローチャートである。図７は、第１基板処理中の基板Ｗの上面の様子について説明するための模式図である。

基板処理装置１による第１基板処理では、図６に示すように、ポリマー含有液供給工程（ステップＳ１）、ポリマー膜形成工程（ステップＳ２）、加熱工程（ステップＳ３）、剥離液供給工程（ステップＳ４）、残渣溶解工程（ステップＳ５）、および、スピンドライ工程（ステップＳ６）が実行される。以下では、図２および図６を主に参照して、第１基板処理の詳細について説明する。図７については適宜参照する。

まず、未処理の基板Ｗは、搬送ロボットＣＲ（図１を参照）によってキャリアＣからウェット処理ユニット２Ｗに搬入され、スピンチャック５に渡される（搬入工程）。これにより、基板Ｗは、スピンチャック５によって保持位置に保持される（基板保持工程）。基板Ｗは、スピンチャック５に保持されている状態で、回転軸線Ａ１のまわりに回転される（基板回転工程）。基板Ｗは、スピンドライ工程（ステップＳ６）が終了するまで、スピンチャック５によって保持され続ける。

基板Ｗがスピンチャック５に保持された後、基板Ｗの上面にポリマー含有液を供給するポリマー含有液供給工程（ステップＳ１）が実行される。具体的には、ポリマー含有液ノズル９が処理位置に配置される。処理位置は、たとえば、中心位置である。第１基板処理では、特に説明がある場合を除いて、以下の各処理液ノズルの処理位置も中心位置である。

ポリマー含有液ノズル９が処理位置する状態で、ポリマー含有液バルブ５０が開かれる。これにより、図７（ａ）に示すように、ポリマー含有液ノズル９からポリマー含有液が吐出され、基板Ｗの上面にポリマー含有液が着液する。基板Ｗの上面に着液したポリマー含有液は、基板Ｗの上面を広がり基板Ｗの上面の全体に行き渡り、基板Ｗの上面の全体に塗り広げられる（塗布工程）。すなわち、基板Ｗの上面にポリマー含有液が供給される。ポリマー含有液は、たとえば、０．０６Ｌ／ｍｉｎで４秒間、基板Ｗの上面に供給される。ポリマー含有液が基板Ｗの上面に供給されている間、基板Ｗは、たとえば、０ｒｐｍ以上１５００ｒｐｍ以下の回転速度で回転される。

次に、基板Ｗの上面へのポリマー含有液の供給を停止した状態で、基板Ｗを回転させることで、基板Ｗの上面にポリマー膜１００を形成するポリマー膜形成工程（ステップＳ２）が実行される。

具体的には、少なくとも基板Ｗの上面の中心部にポリマー含有液が付着した後に、ポリマー含有液バルブ５０が閉じられる。これにより、ポリマー含有液ノズル９からのポリマー含有液の吐出が停止され、基板Ｗの上面への新たなポリマー含有液の供給が停止される。ポリマー含有液の供給が停止されて基板Ｗの上面に付着しているポリマー含有液から溶媒の少なくとも一部が蒸発することによって、図７（ｂ）に示すように、基板Ｗの上面にポリマー膜１００が形成される。ポリマー含有液ノズル９は、基板Ｗの上面にポリマー膜１００を形成するポリマー膜形成部材の一例である。

なお、ポリマー含有液バルブ５０が閉じられた後においても、基板Ｗの回転が継続される。ポリマー含有液バルブ５０が閉じられた後、基板Ｗは、たとえば、０ｒｐｍ以上２５００ｒｐｍ以下の回転速度で６０秒間回転される。基板Ｗの回転に起因する遠心力は、基板Ｗ上のポリマー含有液だけでなく、基板Ｗ上のポリマー含有液に接する気体にも作用する。そのため、遠心力の作用により、当該気体が基板Ｗの中心側から周縁側に向かう気流が形成される。この気流により、基板Ｗ上のポリマー含有液に接する気体状態の溶媒が基板Ｗに接する雰囲気から排除される。そのため、基板Ｗ上のポリマー含有液からの溶媒の蒸発（揮発）が促進される。

ポリマー膜１００は、ポリマー含有液よりも溶媒の含有量が少ないため、ポリマー含有液と比較して粘度が高い。そのため、ポリマー膜１００は、基板Ｗが回転しているにもかかわらず、基板Ｗ上から完全に排除されずに基板Ｗ上に留まる。

次に、基板Ｗの上面上のポリマー膜１００に光を照射する光照射工程（ステップＳ３）が実行される。

具体的には、光出射部材８を所定の照射位置に配置した状態でランプ８０を通電する。これにより、図７（ｃ）に示すように、光出射部材８から基板Ｗの上面へ向けて光が出射され、光出射部材８から出射された光が、基板Ｗの上面上のポリマー膜１００に照射される。詳しくは後述するが、これにより、ポリマー膜１００に含有される光反応化合物の構造が変化し、ポリマー膜１００の少なくとも一部が基板Ｗの上面から剥離される。基板Ｗの上面への光照射は、たとえば、６０秒間実行される。光照射中の基板Ｗの回転速度は、たとえば、０ｒｐｍ以上２５００ｒｐｍ以下である。

次に、基板Ｗの上面に剥離液を供給する剥離液供給工程（ステップＳ４）が実行される。

具体的には、光出射部材８からの光の出射が停止され、その後、剥離液ノズル１０が処理位置に配置される。剥離液ノズル１０が処理位置に配置されている状態で、剥離液バルブ５１が開かれる。これにより、図７（ｄ）に示すように、剥離液ノズル１０から基板Ｗの上面へ向けて剥離液が吐出される。基板Ｗの上面へ向けて吐出された剥離液は、ポリマー膜１００に含有される高溶解性物質を溶解しながら、ポリマー膜１００を剥離する。剥離液ノズル１０からの剥離液の吐出を継続することで、図７（ｅ）に示すように、基板Ｗの上面からポリマー膜１００が除去される（ポリマー膜除去工程）。このように、剥離液ノズル１０は、基板Ｗの上面に剥離液を供給する剥離液供給処理を実行する剥離液供給部材として機能する。さらにいうと、剥離液ノズル１０は、ポリマー膜１００を基板Ｗの上面から除去するポリマー膜除去処理を実行するポリマー膜除去部材の一例である。

剥離液は、たとえば、２Ｌ／ｍｉｎで６０秒間、基板Ｗの上面に供給される。剥離液が基板Ｗの上面に供給されている間、基板Ｗは、たとえば、０ｒｐｍ以上２５００ｒｐｍ以下の回転速度で回転される。

次に、基板Ｗの上面に残渣溶解液を供給する残渣溶解工程（ステップＳ５）が実行される。

具体的には、剥離液バルブ５１が閉じられ、その代わりに、残渣溶解液ノズル１１が処理位置に配置されて残渣溶解液バルブ５２が開かれる。これにより、剥離液ノズル１０からの剥離液の吐出が停止され、図７（ｆ）に示すように、残渣溶解液ノズル１１から基板Ｗの上面へ向けて残渣溶解液が吐出される。基板Ｗの上面へ向けて吐出された残渣除去液は、剥離液によってポリマー膜１００が除去された後に基板Ｗの上面に残留する残渣を溶解させる。残渣溶解液は、たとえば、１Ｌ／ｍｉｎで３０秒間、基板Ｗの上面に供給される。残渣溶解液が基板Ｗの上面に供給されている間、基板Ｗは、たとえば、０ｒｐｍ以上２５００ｒｐｍ以下の回転速度で回転される。

次に、基板Ｗを高速回転させて基板Ｗの上面を乾燥させるスピンドライ工程（ステップＳ６）が実行される。具体的には、残渣溶解液バルブ５２が閉じられる。これにより、基板Ｗの上面への残渣溶解液の供給が停止される。

そして、回転駆動機構２３が基板Ｗの回転を加速し、基板Ｗを高速回転させる。基板Ｗは、スピンドライ速度、たとえば、１５００ｒｐｍで回転される。それによって、大きな遠心力が基板Ｗ上の残渣溶解液に作用し、基板Ｗ上の残渣溶解液が基板Ｗの周囲に振り切られる。そして、回転駆動機構２３が基板Ｗの回転を停止させる。搬送ロボットＣＲが、ウェット処理ユニット２Ｗに進入して、スピンチャック５から処理済みの基板Ｗをすくい取って、ウェット処理ユニット２Ｗ外へと搬出する（搬出工程）。その基板Ｗは、搬送ロボットＣＲから搬送ロボットＩＲへと渡され、搬送ロボットＩＲによって、キャリアＣに収納される。

次に、図８Ａ～図８Ｄを用いて、第１基板処理においてポリマー膜１００が除去されるメカニズムの一例について説明する。必ずしも以下に説明するメカニズムに基づいて、ポリマー膜１００が基板Ｗの上面から除去されるというものではなく、光反応化合物の構造変化によってポリマー膜１００の少なくとも一部が基板Ｗの上面から引き離されて、最終的にポリマー膜１００が基板Ｗの上面から除去されればよい。図８Ａ～図８Ｄは、第１基板処理においてポリマー膜１００が除去される様子について説明するための模式図である。

ポリマー膜形成工程（ステップＳ２）において形成されたポリマー膜１００は、図８Ａに示すように、基板Ｗの上面に付着しているパーティクル１５０（除去対象物）を保持している。ポリマー膜１００は、固体状態の高溶解性物質１０２（高溶解性固体）と、固体状態のポリマー成分１０１と、固体状態の光反応化合物１０３（光反応化合物固体）とを含有している。

図８Ｂを参照して、光照射工程（ステップＳ３）において、ポリマー膜１００に対して紫外線等の光が照射されることによって、ポリマー膜１００中の光反応化合物１０３の構造が第１構造１２１（図８Ａを参照）から第２構造１２２に変化し、ポリマー膜１００が湾曲するように変形する。ポリマー膜１００の湾曲によって、ポリマー膜１００が分裂し、複数の第１湾曲膜片１３１が形成される。第１湾曲膜片１３１は、たとえば、ポリマー膜１００の厚さ方向に対する交差方向における両端部が基板Ｗの上面から離間するように湾曲している。すなわち、第１湾曲膜片１３１は、弓形状を有していてもよい。ポリマー膜１００の湾曲によって、ポリマー膜１００の少なくとも一部（第１湾曲膜片１３１の両端部１３１ａ）が基板Ｗの上面から剥離される（湾曲剥離工程）。

光反応化合物１０３がジアリルエテン系化合物である場合には、第１構造１２１が開環体であり、第２構造１２２が閉環体である（図３を参照）。図３において、Ｍｅは、メチル基を意味する。光反応化合物がアゾベンゼン系化合物である場合には、第１構造１２１がトランス体であり、第２構造１２２がシス体である（図４を参照）。

図８Ｃを参照して、剥離液供給工程（ステップＳ３）において、基板Ｗの上面に向けて剥離液が供給される。第１湾曲膜片１３１同士の間の隙間Ｇを通って剥離液が、ポリマー膜１００（第１湾曲膜片１３１）と基板Ｗの上面との界面に剥離液が進入する。これにより、ポリマー膜１００の剥離が促進される。なお、剥離液の液膜の厚さとポリマー膜１００との厚さとの関係性は、図８Ｃに示すものに限られない。

また、ポリマー膜１００（第１湾曲膜片１３１）に剥離液が接触することによって、高溶解性物質１０２が剥離液に選択的に溶解される。すなわち、ポリマー膜１００が部分的に溶解される（溶解工程、部分溶解工程）。ここで、ポリマー含有液の溶媒と剥離液とが混和可能であり、かつ、ポリマー膜１００中に溶媒が適度に残留している場合には、剥離液は、ポリマー膜１００に残留している溶媒に溶け込みながら高溶解性物質１０２を溶解させることができる。そのため、高溶解性物質１０２を速やかに溶解させることができる。

「高溶解性物質１０２が選択的に溶解される」とは、高溶解性物質１０２のみが溶解されるという意味ではない。「高溶解性物質１０２が選択的に溶解される」とは、ポリマー成分１０１も僅かに溶解されるが、大部分の高溶解性物質１０２が溶解されるという意味である。

高溶解性物質１０２の選択的な溶解をきっかけとして、ポリマー膜１００において高溶解性物質１０２が偏在している部分を起点としてクラック１０４が形成される（クラック形成工程）。

図８Ｄを参照して、クラック１０４の形成に起因して第１湾曲膜片１３１がさらに分裂して、第１湾曲膜片１３１よりも細かな複数の第２湾曲膜片１３２が形成される。このように、剥離液によって、ポリマー膜１００の分裂を促進しながら、ポリマー膜１００を基板Ｗの上面から剥離することができる。

そして、剥離液の供給を継続することによって、複数の第２湾曲膜片１３２となったポリマー膜１００が、パーティクル１５０を保持している状態で、剥離液によって洗い流される。言い換えると、パーティクル１５０を保持する複数の第２湾曲膜片１３２が基板Ｗ外に押し出されて基板Ｗの上面から排除される（ポリマー膜排除工程、除去対象物排除工程）。これにより、基板Ｗの上面を良好に洗浄することができる。その後、残渣除去工程（ステップＳ５）が実行される（図６も参照）。

＜第２基板処理＞
図９は、基板処理装置１によって実行される第２基板処理を説明するためのフローチャートである。図１０は、第２基板処理においてポリマー膜１００が剥離される様子について説明するための模式図である。

第２基板処理が第１基板処理（図６を参照）と主に異なる点は、光照射工程（ステップＳ３）および剥離液供給工程（ステップＳ４）が並行して行われる点である。具体的には、ポリマー膜１００が形成された状態の基板Ｗの上面に対して光出射部材８からの光を照射しながら、剥離液ノズル１０から吐出される剥離液が基板Ｗの上面に供給される。光照射は、剥離液の供給の全期間において実行されている必要はなく、剥離液の供給の一部の期間において、光照射が行われればよい。

図１０に示す第２基板処理のメカニズムは、第１基板処理に示すメカニズム（図８Ａ～図８Ｄを参照）と異なり、光照射によってポリマー膜１００を湾曲するように変形させながら、剥離液によって高溶解性物質１０２を選択的に溶解させることができる。

第１実施形態によれば、基板Ｗの上面上のポリマー膜１００に含有される光反応化合物１０３の構造が光照射によって変化する。そのため、光照射によってポリマー膜１００が変形し、基板Ｗの上面からポリマー膜１００の少なくとも一部が基板Ｗの上面から引き離される。基板Ｗの上面からポリマー膜１００を引き離すことによって、ポリマー膜１００に保持されているパーティクル１５０を基板Ｗの上面から引き離すことができる。パーティクル１５０がポリマー膜１００とともに基板Ｗの上面から引き離されている状態でポリマー膜１００を基板Ｗの上面から除去することによって、基板Ｗの上面からパーティクル１５０を効果的に除去することができる。

また、第１実施形態によれば、光反応化合物１０３が、ジアリルエテン系化合物、および、アゾベンゼン系化合物の少なくともいずれかを含む。ジアリルエテン系化合物、およびアゾベンゼン系化合物は、光照射によって構造が変化する。ポリマー膜１００中の成分の構造変化によってポリマー膜１００が変形し、基板Ｗの上面からポリマー膜１００の少なくとも一部が基板Ｗの上面から引き離される。

また第１実施形態によれば、ポリマー膜除去処理として剥離液供給処理が実行される。そのため、剥離液によってポリマー膜１００の剥離を促進し、基板Ｗの上面からパーティクル１５０を効果的に除去することができる。

また第１実施形態によれば、基板Ｗの上面に形成されるポリマー膜１００は、ポリマー成分１０１および光反応化合物１０３に加えて、高溶解性物質１０２を含有する。そのため、剥離液によって高溶解性物質１０２を溶解しつつ、基板Ｗの上面にポリマー膜１００を維持することができる。したがって、ポリマー成分１０１でパーティクル１５０を保持しながら、ポリマー膜１００と基板Ｗの上面との界面に剥離液を作用させることができる。その結果、ポリマー膜１００を基板Ｗの上面から速やかに剥離しつつ、ポリマー膜１００とともにパーティクル１５０を基板Ｗの上面から効率良く除去することができる。

また、ポリマー膜１００への光照射が遮光性のチャンバ４内で行われる。そのため、ポリマー膜１００中の光反応化合物１０３の意図しない構造変化を抑制することができる。そのため、光出射部材８から出射される光によってポリマー膜１００を効果的に変形させることができる。

＜第２実施形態に係る基板処理装置の構成＞
次に、第２実施形態に係る基板処理装置１Ａの構成について説明する。基板処理装置１Ａのレイアウトは、第１実施形態に係る基板処理装置１と同様である（図１を参照）。図１１は、基板処理装置１Ａに備えられるウェット処理ユニット２Ｗの構成を説明するための模式図である。図１１において、前述の図１～図１０に示された構成と同等の構成については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。後述する図１２～図１４についても同様である。

第２実施形態に係る処理ユニット２が、第１実施形態に係るウェット処理ユニット２Ｗ（図２を参照）と主に異なる点は、剥離液ノズル１０の代わりに、吸引ノズル１２が設けられている点、および、ポリマー含有液に高溶解性物質が含有されていない点である。

吸引ノズル１２は、ポリマー膜除去処理として、基板Ｗの上面上のポリマー膜１００を吸引して基板Ｗの上面からポリマー膜１００を除去する吸引除去処理を実行する吸引部材の一例である。吸引ノズル１２は、吸引配管４３に接続されている。吸引配管４３は、真空ポンプ等の吸引装置５５に連結されている。吸引装置５５は、基板処理装置１Ａの一部を構成していてもよいし、基板処理装置１Ａを設置する施設に備えられた基板処理装置１Ａとは別の装置であってもよい。吸引配管４３には、吸引配管４３を開閉する吸引バルブ５３が設けられている。吸引バルブ５３を開くことによって、吸引ノズル１２は、吸引ノズル１２の吸引口１２ａに接する雰囲気を吸引する。

吸引ノズル１２は、ノズル移動機構３８によって移動可能である。ノズル移動機構３８は、吸引ノズル１２を水平方向に移動させることができる。吸引ノズル１２は、基板Ｗの上面の中心部に対向する中心位置と、平面視で処理カップ７の外側に位置する退避位置との間で移動可能である。ノズル移動機構３８の構成は、他のノズル移動機構３５，３６，３７と同様である。

＜第２実施形態に係る基板処理装置による基板処理＞
次に、基板処理装置１Ａによる基板処理の一例について説明する。図１２は、基板処理装置１Ａによって実行される基板処理を説明するためのフローチャートである。図１３は、基板処理装置１Ａによって実行される基板処理中の基板Ｗの様子について説明するための模式図である。

第２実施形態に係る基板処理装置１Ａによる基板処理では、図１２に示すように、ポリマー含有液供給工程（ステップＳ１）、ポリマー膜形成工程（ステップＳ２）、光照射工程（ステップＳ３）および吸引除去工程（ステップＳ７）が実行される。以下では、図１１および図１２を主に参照して、基板処理の詳細について、第１実施形態に係る基板処理装置１による第１基板処理（図６および図７を参照）との相違点を中心に説明する。図１３については適宜参照する。

第１基板処理と同様に、図１３（ａ）に示すように、基板Ｗの上面にポリマー含有液を供給するポリマー含有液供給工程（ステップＳ１）が実行され、その後、図１３（ｂ）に示すように、基板Ｗの上面にポリマー膜１００が形成される（ポリマー膜形成工程：ステップＳ２）。さらにその後、図１３（ｃ）に示すように、基板Ｗの上面上のポリマー膜１００に光を照射する光照射工程（ステップＳ３）が実行される。

次に、基板Ｗの上面上のポリマー膜１００を吸引して基板Ｗの上面からポリマー膜１００を除去する吸引除去工程（ステップＳ７）が実行される。

具体的には、光出射部材８からの光の出射が停止され、その後、吸引ノズル１２が基板Ｗの上面に対向する位置に配置される。吸引ノズル１２が基板Ｗの上面に対向する状態で、吸引バルブ５３が開かれる。これにより、図１３（ｄ）に示すように、基板Ｗの上面上のポリマー膜１００が吸引ノズル１２の吸引口１２ａから吸引される。吸引ノズル１２による吸引を継続することで、図１３（ｅ）に示すように、基板Ｗの上面からポリマー膜１００が除去される（ポリマー膜除去工程）。吸引バルブ５３を開いた後、ノズル移動機構３８が吸引ノズル１２を回転状態の基板Ｗの上面に対向させながら水平方向に移動させることでポリマー膜１００を基板の上面の全体から満遍なく除去することができる。吸引ノズル１２流量は、たとえば、２Ｌ／ｍｉｎの吸引流量で６０秒間実行され、吸引ノズル１２による吸引が行われている間、基板Ｗは、たとえば、０ｒｐｍ以上１００ｒｐｍ以下で回転される。

このように、吸引ノズル１２は、基板Ｗの上面からポリマー膜１００を吸引して基板Ｗの上面から除去する吸引除去処理を実行する吸引除去部材として機能する。さらにいうと、吸引ノズル１２は、ポリマー膜１００を基板Ｗの上面から除去するポリマー膜除去処理を実行するポリマー膜除去部材の一例である。

次に、図１４Ａ～図１４Ｃを用いて、第２実施形態に係る基板処理においてポリマー膜１００が除去されるメカニズムの一例について説明する。必ずしも以下に説明するメカニズムに基づいて、ポリマー膜１００が基板Ｗの上面から除去されるというものではなく、光反応化合物の構造変化によってポリマー膜１００の少なくとも一部が基板Ｗの上面から引き離されて、最終的にポリマー膜１００が基板Ｗの上面から除去されればよい。図１４Ａ～図１４Ｃは、第２実施形態に係る基板処理においてポリマー膜１００が除去される様子について説明するための模式図である。

ポリマー膜形成工程（ステップＳ２）において形成されたポリマー膜１００は、図１４Ａに示すように、基板Ｗの上面に付着しているパーティクル１５０（除去対象物）を保持している。ポリマー膜１００は、固体状態のポリマー成分１０１と、固体状態の光反応化合物１０３（光反応化合物固体）とを含有している。

図１４Ｂを参照して、光照射工程（ステップＳ３）において、ポリマー膜１００に対して紫外線等の光が照射されることによって、ポリマー膜１００中の光反応化合物１０３の構造が第１構造１２１（図１４Ａを参照）から第２構造１２２に変化し、ポリマー膜１００が湾曲するように変形する。ポリマー膜１００の湾曲によって、ポリマー膜１００が分裂し、複数の湾曲膜片１３３が形成される。

光反応化合物１０３がジアリルエテン系化合物である場合には、第１構造１２１が開環体であり、第２構造１２２が閉環体である。光反応化合物がアゾベンゼン系化合物である場合には、第１構造１２１がトランス体であり、第２構造１２２がシス体である。

図１４Ｃを参照して、吸引除去工程（ステップＳ７）において、吸引ノズル１２によって基板Ｗの上面上の複数の湾曲膜片１３３が吸引される。これにより、基板Ｗの上面から複数の湾曲膜片１３３が除去される。光照射によって、ポリマー膜１００の少なくとも一部が基板Ｗの上面から剥離されており、かつ、ポリマー膜１００が分裂しているため、光照射されていないポリマー膜１００を基板Ｗから引き離す場合と比較して、吸引ノズル１２の吸引力によって基板Ｗの上面から引き離しやすい。

第２実施形態によれば、基板Ｗの上面上のポリマー膜１００に含有される光反応化合物１０３の構造が光照射によって変化する。そのため、光照射によってポリマー膜１００が変形し、基板Ｗの上面からポリマー膜１００の少なくとも一部が基板Ｗの上面から引き離される。基板Ｗの上面からポリマー膜１００を引き離すことによって、ポリマー膜１００に保持されているパーティクル１５０を基板Ｗの上面から引き離すことができる。パーティクル１５０がポリマー膜１００とともに基板Ｗの上面から引き離されている状態でポリマー膜１００を基板Ｗの上面から除去することによって、基板Ｗの上面からパーティクル１５０を効果的に除去することができる。

また第２実施形態によれば、光反応化合物１０３が、ジアリルエテン系化合物、および、アゾベンゼン系化合物の少なくともいずれかを含む。ジアリルエテン系化合物、およびアゾベンゼン系化合物は、光照射によって構造が変化する。このような構造変化によってポリマー膜１００が変形し、基板Ｗの上面からポリマー膜１００の少なくとも一部が基板Ｗの上面から引き離される。

また第２実施形態によれば、基板Ｗの上面からポリマー膜１００の少なくとも一部が基板Ｗの上面から引き離されているため、ポリマー膜１００は、光照射を行う前よりも基板Ｗの上面から剥離し易い。そのため、吸引によってポリマー膜１００を基板Ｗの上面から除去できる。

また、基板Ｗの上面に剥離液を供給することなく吸引によってポリマー膜１００を除去できれば、基板Ｗの上面を乾燥させる手間を省くことができる。

＜光出射部材の変形例＞
次に、光出射部材８の変形例について説明する。光出射部材８の構成は、図２および図１１に示すものに限られず、基板Ｗの主面上に形成されたポリマー膜１００に所望の光を照射できるように構成されていればよい。たとえば、光出射部材は、図１５～図１７に示す構成を採ることが可能である。

図１５は、光出射部材の第１変形例について説明するための模式図である。図１６は、光出射部材の第２変形例について説明するための模式図である。図１７は、光出射部材の第３変形例について説明するための模式図である。

図１５を参照して、光出射部材８は、チャンバ４内に設けられた移動機構８６によって、照射位置とホーム位置（退避位置）との間で水平方向に移動するように構成されていてもよい。

照射位置は、基板Ｗの上面に光出射部材８が対向する位置である。照射位置は、光出射部材８から基板Ｗの上面への光の照射が可能な位置である。退避位置は、光出射部材８から基板Ｗの上面へ光が照射されない位置である。光出射部材８は、照射位置に位置するときに、光出射部材８が基板Ｗの上面に対向する。光出射部材８は、ホーム位置に位置するとき、基板Ｗの上面には対向せず、平面視において、処理カップ７の外方に位置する。

第１変形例に係る光出射部材８は、ランプ８０と、ランプ８０を収容するランプホルダ８１とを含む。移動機構８６は、ランプホルダ８１を支持するアーム８７と、アーム８７に接続され鉛直に延びる回動軸８９と、回動軸８９を介してアーム８７を移動させるアーム駆動機構８８とを含む。アーム駆動機構８８は、たとえば、アーム８７を水平移動させるために回動軸８９をその中心軸線（回動軸線Ａ２）まわりに回転させるモータと、回動軸８９とともにアーム８７を昇降させるボールねじ機構とを含む。

第１変形例では、基板Ｗの上面に対して平行な方向に光出射部材８を移動させながら、基板Ｗの上面に光を照射することができる。

図１６に示す第２変形例では、ランプ８０は、直線状に延びるアーム８７内に配置された棒状である。この場合、図１５に示す第１変形例よりも広範囲に光を照射することができる。

図１７に示す第３変形例では、光出射部材８は、図２、図９および図１１に示すウェット処理ユニット２Ｗとは別に基板処理装置１，１Ａに設けられたドライ処理ユニット２Ｄに光出射部材２０２が設けられている。

ドライ処理ユニット２Ｄは、ドライチャンバ２００と、ドライチャンバ２００内に配置され基板Ｗを載置する載置台２０１と、載置台２０１に載置されている基板Ｗの上面に向けて光を出射する光出射部材２０２とを含む。光出射部材２０２は、載置台２０１上の基板Ｗの上面に対向する対向面２０３ａを有する対向部材２０３と、対向部材２０３に取り付けられた光源としての複数のランプ２０４とを含む。ランプ２０４には、電させたり複数のランプ２０４への通電を停止したりするように構成されている通電ユニット２０５が接続されている。ランプ２０４の詳細は、上述のランプ８０（図２を参照）と同様である。

第３変形例において、ウェット処理ユニット２Ｗのスピンチャック５は、第１保持位置に基板Ｗを保持する第１基板保持部材として機能し、ドライ処理ユニット２Ｄの載置台２０１は、第２保持位置に基板Ｗを保持する第２基板保持部材として機能する。第１基板保持部材および第２基板保持部材は、基板保持部材を構成する。

基板Ｗは、搬送ロボットＣＲによって、ウェット処理ユニット２Ｗおよびドライ処理ユニット２Ｄの間で搬送される。そのため、ポリマー膜形成工程（ステップＳ２）がウェット処理ユニット２Ｗで行われ、基板Ｗがドライ処理ユニット２Ｄに搬送される。その後、光照射工程（ステップＳ３）がドライ処理ユニット２Ｄで行われ、基板Ｗがウェット処理ユニット２Ｗに搬送される。そして、ウェット処理ユニット２Ｗ内で、第１実施形態に係る第１基板処理（図６を参照）の剥離液供給工程（ステップＳ４）～スピンドライ工程（ステップＳ６）、または、第２実施形態に係る基板処理（図１３を参照）の吸引除去工程（ステップＳ７）が実行される。

以下では、上述した各実施形態で用いられるポリマーおよび高溶解性物質について説明する。

以下では、「Ｃ_ｘ～ｙ」、「Ｃ_ｘ～Ｃ_ｙ」および「Ｃ_ｘ」などの記載は、分子または置換基中の炭素の数を意味する。例えば、Ｃ_１～６アルキルは、１以上６以下の炭素を有するアルキル鎖（メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル等）を意味する。

ポリマーが複数種類の繰り返し単位を有する場合、これらの繰り返し単位は共重合する。特に限定されて言及されない限り、これら共重合は、交互共重合、ランダム共重合、ブロック共重合、グラフト共重合、またはこれらの混在のいずれであってもよい。ポリマーや樹脂を構造式で示す際、括弧に併記されるｎやｍ等は繰り返し数を示す。

＜ポリマー含有液に含有されるポリマー成分（低溶解性物質）＞
（Ａ）ポリマー成分は、ノボラック、ポリヒドロキシスチレン、ポリスチレン、ポリアクリル酸誘導体、ポリマレイン酸誘導体、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール誘導体、ポリメタクリル酸誘導体、およびこれらの組合せの共重合体、の少なくとも１つを含む。好ましくは、（Ａ）ポリマー成分は、ノボラック、ポリヒドロキシスチレン、ポリアクリル酸誘導体、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸誘導体、およびこれらの組合せの共重合体、の少なくとも１つを含んでいてもよい。さらに好ましくは、（Ａ）ポリマー成分は、ノボラック、ポリヒドロキシスチレン、ポリカーボネート、およびこれらの組合せの共重合体、の少なくとも１つを含んでいてもよい。ノボラックはフェノールノボラックであってもよい。

ポリマー含有液は（Ａ）ポリマー成分として、上記の好適例を１または２以上組み合わせて含んでも良い。たとえば、（Ａ）ポリマー成分はノボラックとポリヒドロキシスチレンの双方を含んでもよい。

（Ａ）ポリマー成分は乾燥されることで膜化し、前記膜は剥離液で大部分が溶解されることなく除去対象物を保持したまま剥がされることが、好適な一態様である。なお、剥離液によって（Ａ）ポリマー成分のごく一部が溶解される態様は許容される。

好ましくは、（Ａ）ポリマー成分はフッ素および／またはケイ素を含有せず、より好ましくは双方を含有しない。

前記共重合はランダム共重合、ブロック共重合が好ましい。

権利範囲を限定する意図はないが、（Ａ）ポリマー成分の具体例として、下記化学式９～化学式１５に示す各化合物が挙げられる。

（アスタリスク＊は、隣接した構成単位への結合を示す。）

（ＲはＣ_１～４アルキル等の置換基を意味する。アスタリスク＊は、隣接した構成単位への結合を示す。）

（Ｍｅは、メチル基を意味する。）
（Ａ）ポリマー成分の重量平均分子量（Ｍｗ）は好ましくは１５０～５００，０００であり、より好ましくは３００～３００，０００であり、さらに好ましくは５００～１００，０００であり、よりさらに好ましくは１，０００～５０，０００である。

溶解性は公知の方法で評価することができる。例えば、２０℃～３５℃（さらに好ましくは２５±２℃）の条件において、フラスコに前記（Ａ）または後述の（Ｂ）を５．０質量％アンモニア水に１００ｐｐｍ添加し、蓋をし、振とう器で３時間振とうすることで、（Ａ）または（Ｂ）が溶解したかで求めることができる。振とうは攪拌であっても良い。溶解は目視で判断することもできる。溶解しなければ溶解性１００ｐｐｍ未満、溶解すれば溶解性１００ｐｐｍ以上とする。溶解性が１００ｐｐｍ未満は不溶または難溶、溶解性が１００ｐｐｍ以上は可溶とする。広義には、可溶は微溶を含む。不溶、難溶、可溶の順で溶解性が低い。狭義には、微溶は可溶よりも溶解性が低く、難溶よりも溶解性が高い。

＜ポリマー含有液に含有される高溶解性物質＞
（Ｂ）高溶解性物質は（Ｂ’）クラック促進成分である。（Ｂ’）クラック促進成分は、炭化水素を含んでおり、さらにヒドロキシ基（－ＯＨ）および／またはカルボニル基（－Ｃ（＝Ｏ）－）を含んでいる。（Ｂ’）クラック促進成分がポリマーである場合、構成単位の１種が１単位ごとに炭化水素を含んでおり、さらにヒドロキシ基および／またはカルボニル基を有する。カルボニル基とは、カルボン酸（－ＣＯＯＨ）、アルデヒド、ケトン、エステル、アミド、エノンが挙げられ、カルボン酸が好ましい。

権利範囲を限定する意図はなく、理論に拘束されないが、ポリマー含有液が乾燥され基板上にポリマー膜を形成し、剥離液がポリマー膜を剥離する際に（Ｂ）高溶解性物質が、ポリマー膜が剥がれるきっかけとなる部分を生むと考えられる。このために、（Ｂ）高溶解性物質は剥離液に対する溶解性が、（Ａ）ポリマーよりも高いものであることが好ましい。（Ｂ’）クラック促進成分がカルボニル基としてケトンを含む態様として環形の炭化水素が挙げられる。具体例として、１，２－シクロヘキサンジオンや１，３－シクロヘキサンジオンが挙げられる。

より具体的な態様として、（Ｂ）高溶解性物質は、下記（Ｂ－１）、（Ｂ－２）および（Ｂ－３）の少なくともいずれか１つで表される。
（Ｂ－１）は下記化学式１６を構成単位として１～６つ含んでなり（好適には１～４つ）、各構成単位が連結基（リンカーＬ_１）で結合される化合物である。ここで、リンカーＬ_１は、単結合であってもよいし、Ｃ_１～６アルキレンであってもよい。前記Ｃ_１～６アルキレンはリンカーとして構成単位を連結し、２価の基に限定されない。好ましくは２～４価である。前記Ｃ_１～６アルキレンは直鎖、分岐のいずれであっても良い。

Ｃｙ_１はＣ_５～３０の炭化水素環であり、好ましくはフェニル、シクロヘキサンまたはナフチルであり、より好ましくはフェニルである。好適な態様として、リンカーＬ_１は複数のＣｙ_１を連結する。

Ｒ_１はそれぞれ独立にＣ_１～５アルキルであり、好ましくはメチル、エチル、プロピル、またはブチルである。前記Ｃ_１～５アルキルは直鎖、分岐のいずれであっても良い。

ｎ_ｂ１は１、２または３であり、好ましくは１または２であり、より好ましくは１である。ｎ_ｂ１’は０、１、２、３または４であり、好ましくは０、１または２である。

下記化学式１７は、化学式１６に記載の構成単位を、リンカーＬ_９を用いて表した化学式である。リンカーＬ_９は単結合、メチレン、エチレン、またはプロピレンであることが好ましい。

権利範囲を限定する意図はないが、（Ｂ－１）の好適例として、２，２－ビス（４－ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２’－メチレンビス（４－メチルフェノール）、２，６－ビス［（２-ヒドロキシ－５－メチルフェニル）メチル］－４－メチルフェノール、１，３－シクロヘキサンジオール、４，４’－ジヒドロキシビフェニル、２，６－ナフタレンジオール、２，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルヒドロキノン、１，１，２，２－テトラキス（４－ヒドロキシフェニル）エタン、が挙げられる。これらは、重合や縮合によって得てもよい。

一例として下記化学式１８に示す２，６－ビス［（２－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）メチル］－４－メチルフェノールを取り上げ説明する。同化合物は（Ｂ－１）において、化学式１６の構成単位を３つ有し、構成単位はリンカーＬ_１（メチレン）で結合される。ｎ_ｂ１＝ｎ_ｂ１’＝１であり、Ｒ_１はメチルである。

（Ｂ－２）は下記化学式１９で表される。

Ｒ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_２３、およびＲ_２４は、それぞれ独立に水素またはＣ_１～５のアルキルであり、好ましくは水素、メチル、エチル、ｔ－ブチル、またはイソプロピルであり、より好ましくは水素、メチル、またはエチルであり、さらに好ましくはメチルまたはエチルである。

リンカーＬ_２１およびリンカーＬ_２２は、それぞれ独立に、Ｃ_１～２０のアルキレン、Ｃ_１～２０のシクロアルキレン、Ｃ_２～４のアルケニレン、Ｃ_２～４のアルキニレン、またはＣ_６～２０のアリーレンである。これらの基はＣ_１～５のアルキルまたはヒドロキシで置換されていてもよい。ここで、アルケニレンとは、１以上の二重結合を有する二価の炭化水素を意味し、アルキニレンとは、１以上の三重結合を有する二価の炭化水素基を意味するものとする。リンカーＬ_２１およびリンカーＬ_２２は、好ましくはＣ_２～４のアルキレン、アセチレン（Ｃ_２のアルキニレン）またはフェニレンであり、より好ましくはＣ_２～４のアルキレンまたはアセチレンであり、さらに好ましくはアセチレンである。

ｎ_ｂ２は０、１または２であり、好ましくは０または１、より好ましくは０である。

権利範囲を限定する意図はないが、（Ｂ－２）の好適例として、３，６－ジメチル－４－オクチン－３,６－ジオール、２，５－ジメチル－３－ヘキシン－２，５－ジオール、が挙げられる。別の一形態として、３－ヘキシン－２，５－ジオール、１，４－ブチンジオール、２，４－ヘキサジイン－１，６－ジオール、１，４－ブタンジオール、シス－１，４－ジヒドロキシ－２－ブテン、１，４－ベンゼンジメタノールも（Ｂ－２）の好適例として挙げられる。

（Ｂ－３）は下記化学式２０で表される構成単位を含んでなり、重量平均分子量 （Ｍｗ）が５００～１０，０００のポリマーである。Ｍｗは、好ましくは６００～５，０００であり、より好ましくは７００～３，０００である。

ここで、Ｒ_２５は－Ｈ、－ＣＨ_３、または－ＣＯＯＨであり、好ましくは－Ｈ、または－ＣＯＯＨである。１つの（Ｂ－３）ポリマーが、それぞれ化学式２０で表される２種以上の構成単位を含んでなることも許容される。

権利範囲を限定する意図はないが、（Ｂ－３）ポリマーの好適例として、アクリル酸、マレイン酸、またはこれらの組合せの重合体が挙げられる。ポリアクリル酸、マレイン酸アクリル酸コポリマーがさらに好適な例である。

共重合の場合、好適にはランダム共重合またはブロック共重合であり、より好適にはランダム共重合である。

一例として、下記化学式２１に示す、マレイン酸アクリル酸コポリマーを挙げて説明する。同コポリマーは（Ｂ－３）に含まれ、化学式２０で表される２種の構成単位を有し、１の構成単位においてＲ_２５は－Ｈであり、別の構成単位においてＲ_２５は－ＣＯＯＨである。

言うまでもないが、ポリマー含有液は（Ｂ）高溶解性物質として、上記の好適例を１または２以上組み合わせて含んでも良い。例えば、（Ｂ）高溶解性物質は２，２－ビス（４－ヒドロキシフェニル）プロパンと３，６－ジメチル－４－オクチン－３,６－ジオールの双方を含んでも良い。

（Ｂ）高溶解性物質は、分子量８０～１０，０００であってもよい。高溶解性物質は、好ましくは分子量９０～５０００であり、より好ましくは１００～３０００である。

＜その他の実施形態＞
この発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものではなく、さらに他の形態で実施することができる。

（１）ポリマー含有液ノズル９からポリマー含有液が吐出されている間、基板Ｗを低速度（たとえば、１０ｒｐｍ）で回転させ、その後、ポリマー含有液ノズル９からのポリマー含有液の吐出が停止された後、基板Ｗの回転を加速し基板Ｗをスピンオフ速度（たとえば、１５００ｒｐｍ）で回転させてもよい。これにより、基板Ｗの上面の中央領域に付着しているポリマー含有液を基板Ｗの上面に薄く広げられ、基板Ｗの上面にポリマー含有液の薄膜を形成することができる。

（２）ポリマー膜除去処理は、光照射工程後に、ポリマー膜１００を溶解させる溶解液を、基板Ｗの上面に向けて供給する溶解液供給処理であってもよい。光照射によってポリマー膜１００の少なくとも一部が基板Ｗの上面から剥離されているため、溶解液を供給してポリマー膜１００を溶解させたとしても、光照射に起因するポリマー膜１００の剥離によって、基板Ｗの上面から引き離されたパーティクル１５０が溶解液とともに基板Ｗの上面から除去される。

（３）第２実施形態に係るポリマー含有液ノズル９から吐出されるポリマー含有液には、高溶解性物質が含有されていない。しかしながら、第２実施形態に係るポリマー含有液ノズル９から吐出されるポリマー含有液にも、高溶解性物質が含有されていてもよい。

（４）ポリマー膜１００は、光照射によって、必ずしも弓形状に湾曲した湾曲膜片となる必要はなく、ポリマー膜１００の少なくとも一部が剥離されればよい。たとえば、ポリマー膜１００は、光照射によって、半球状に変形して、半球状の膜片が形成されてもよい。また、ポリマー膜１００は、光照射によって、Ｖ字状に屈曲してもよいし、Ｖ字状の膜片が形成されてもよい。また、様々な形状の膜片が混在していてもよい。

（５）上述の各実施形態とは異なり、剥離液ノズル１０および吸引ノズル１２が設けられていてもよく、剥離液の供給と、ポリマー膜１００の吸引との両方によって、ポリマー膜１００が除去されてもよい。たとえば、ポリマー膜１００を吸引によって除去した後に、基板Ｗの上面に剥離液が供給されてもよい。また、ポリマー膜１００の吸引と、光照射とが並行して実行されてもよい。

（６）上述の各実施形態では、基板Ｗの上面に対して基板処理が実行される。しかしながら、基板Ｗの下面に対して基板処理が実行されてもよい。

（７）上述の各実施形態では、スピンチャック５は、基板Ｗの周縁を複数のチャックピン２０で把持する把持式のスピンチャックである。しかしながら、スピンチャック５は、スピンベース２０に基板Ｗを吸着させる真空吸着式のスピンチャックであってもよい。、
（８）スピンチャック５は、必ずしも基板Ｗを水平に保持する必要はない。すなわち、スピンチャック５は、基板Ｗを鉛直に保持してもよいし、基板Ｗの上面が水平面に対して傾斜するように基板Ｗを保持してもよい。

（９）上述の各実施形態では、複数のノズルから複数の流体がそれぞれ吐出されるように構成されている。しかしながら、各流体の吐出の態様は、上述の各実施形態に限定されない。

（１０）上述の各実施形態において、配管、ポンプ、バルブ、アクチュエータ等についての図示を一部省略しているが、これらの部材が存在しないことを意味するものではなく、実際にはこれらの部材は適切な位置に設けられている。たとえば、対応する処理液ノズルから吐出される処理液の流量を調整する流量調整バルブ（図示せず）が各配管に設けられていてもよい。

（１１）上述の各実施形態では、コントローラ３が基板処理装置１の全体を制御する。しかしながら、基板処理装置１の各部材を制御するコントローラは、複数箇所に分散されていてもよい。また、コントローラ３は、各部材を直接制御する必要はなく、コントローラ３から出力される信号は、基板処理装置１の各部材を制御するスレーブコントローラに受信されてもよい。

（１２）また、上述の実施形態では、基板処理装置１が、搬送ロボットＩＲ，ＣＲと、複数の処理ユニット２と、コントローラ３とを備えている。しかしながら、基板処理装置１は、単一の処理ユニット２とコントローラ３とによって構成されており、搬送ロボットを含んでいなくてもよい。あるいは、基板処理装置１は、単一の処理ユニット２のみによって構成されていてもよい。言い換えると、処理ユニット２が基板処理装置の一例であってもよい。

その他、特許請求の範囲に記載した範囲で種々の変更を行うことができる。

１ ：基板処理装置
１Ａ ：基板処理装置
５ ：スピンチャック（基板保持部材）
８ ：光出射部材
９ ：ポリマー含有液ノズル（ポリマー膜形成部材）
１０ ：剥離液ノズル（剥離液供給部材、ポリマー膜除去部材）
１２ ：吸引ノズル（吸引部材、ポリマー膜除去部材）
１００ ：ポリマー膜
１０１ ：ポリマー成分
１０２ ：高溶解性物質
１０３ ：光反応化合物
２０１ ：載置台（基板保持部材）
２０２ ：光出射部材
Ｗ ：基板

Claims (12)

1. 保持位置に基板を保持する基板保持部材と、
   光照射によって構造が変化する光反応化合物およびポリマー成分を含有するポリマー膜を、前記保持位置に保持されている基板の主面に形成するポリマー膜形成部材と、
   前記保持位置に保持されている基板の主面に向けて光を出射する光出射部材と、
   前記保持位置に保持されている基板の主面に対して、ポリマー膜を除去するポリマー膜除去処理を実行するポリマー膜除去部材とを含む、基板処理装置。
2. 前記光反応化合物が、ジアリルエテン系化合物、および、アゾベンゼン系化合物の少なくとも一方を含む、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記ポリマー膜除去部材が、前記ポリマー膜除去処理として、前記ポリマー膜を剥離する剥離液を前記基板の主面に供給する剥離液供給処理を実行する剥離液供給部材を含む、請求項１または２に記載の基板処理装置。
4. 前記ポリマー膜形成部材が、前記ポリマー成分よりも前記剥離液に対する溶解性が高い高溶解性物質をさらに含有する前記ポリマー膜を形成する、請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記ポリマー膜除去部材が、前記ポリマー膜除去処理として、前記ポリマー膜を吸引して前記基板の主面から前記ポリマー膜を除去する吸引除去処理を実行する吸引部材を含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 前記ポリマー膜除去処理において、前記光反応化合物の構造変化によって前記ポリマー膜を湾曲させることによって、前記ポリマー膜の少なくとも一部が前記基板の主面から引き離される、請求項１～５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
7. 光照射によって構造が変化する光反応化合物およびポリマー成分を含有するポリマー膜を基板の主面に形成するポリマー膜形成工程と、
   前記基板の主面上の前記ポリマー膜に光を照射する光照射工程と、
   前記光照射工程の後、前記基板の主面から前記ポリマー膜を除去するポリマー膜除去工程とを含む、基板処理方法。
8. 前記光反応化合物が、ジアリルエテン系化合物、および、アゾベンゼン系化合物の少なくとも一方を含む、請求項７に記載の基板処理方法。
9. 前記ポリマー膜除去工程が、前記ポリマー膜を剥離する剥離液を前記基板の主面上の前記ポリマー膜に供給する剥離液供給工程を含む、請求項７または８に記載の基板処理方法。
10. 前記ポリマー膜形成工程が、前記ポリマー成分よりも前記剥離液に対する溶解性が高い高溶解性物質をさらに含有する前記ポリマー膜を形成する工程を含む、請求項９に記載の基板処理方法。
11. 前記ポリマー膜除去工程が、前記基板の主面上の前記ポリマー膜を吸引して前記基板の主面から前記ポリマー膜を除去する吸引除去工程を含む、請求項７～１０のいずれか一項に記載の基板処理方法。
12. 前記ポリマー膜除去工程が、前記光反応化合物の構造変化によって前記ポリマー膜を湾曲させることによって、前記基板の主面から前記ポリマー膜を引き離す工程を含む、請求項７～１１のいずれか一項に記載の基板処理方法。

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