JP2023072556A

JP2023072556A - Substrate conveyance apparatus

Info

Publication number: JP2023072556A
Application number: JP2021185189A
Authority: JP
Inventors: 健弘新藤; Takehiro Shindo; 東偉李; dong wei Li; 凌欣蒋; Lingxin Jiang
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2021-11-12
Filing date: 2021-11-12
Publication date: 2023-05-24

Abstract

To provide a substrate conveyance apparatus which allows space-saving and is capable of high-speed conveyance.SOLUTION: A substrate conveyance apparatus comprises: a planar motor which is provided in a conveyance chamber and has coils aligned therein; a plurality of conveyance units each of which has a permanent magnet and moves on the planar motor to convey a substrate; a first passage provided in the conveyance chamber and a second passage adjacent to the first passage; and a magnetic shield which is provided on the first passage so as to shield against a magnetic field between the first passage and the second passage.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、基板搬送装置に関する。 The present invention relates to a substrate transport apparatus.

特許文献１には、搬送室内に設けられた平面モータ上で磁気浮上し、基板を搬送する搬送ユニットを備える基板搬送装置が開示されている。 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-200003 discloses a substrate transfer apparatus including a transfer unit that transfers a substrate by magnetically levitating on a planar motor provided in a transfer chamber.

特開２０２１－８６９８６号公報JP 2021-86986 A

ところで、基板搬送装置は、装置の小型化及び搬送時間の短縮（高速搬送）が求められている。 By the way, substrate transport devices are required to be downsized and to shorten the transport time (high-speed transport).

上記課題に対して、一側面では、省スペースで高速搬送可能な基板搬送装置を提供することを目的とする。 An object of one aspect of the present invention is to provide a space-saving substrate transfer apparatus capable of high-speed transfer.

上記課題を解決するために、一の態様によれば、搬送室に設けられ、配列されたコイルを有する平面モータと、永久磁石を有し、前記平面モータ上を移動して基板を搬送する複数の搬送ユニットと、前記搬送室内に設けられる第１通路及び前記第１通路と隣接する第２通路と、前記第１通路に設けられ、前記第１通路と前記第２通路との間の磁場を遮蔽する磁気シールドと、を備える、基板搬送装置が提供される。 In order to solve the above problems, according to one aspect, a plurality of planar motors having coils arranged in a transfer chamber and having permanent magnets move on the planar motors to transfer substrates. a transfer unit, a first passage provided in the transfer chamber, a second passage adjacent to the first passage, and a magnetic field between the first passage and the second passage provided in the first passage and a magnetic shield for shielding.

一の側面によれば、省スペースで高速搬送可能な基板搬送装置を提供することができる。 According to one aspect, it is possible to provide a space-saving substrate transfer apparatus capable of high-speed transfer.

一実施形態に係る基板処理システムの一例の構成を示す平面図。1 is a plan view showing the configuration of an example of a substrate processing system according to one embodiment; FIG. 一実施形態に係る搬送ユニットの一例を示す斜視図。FIG. 2 is a perspective view showing an example of a transport unit according to one embodiment; 基板搬送装置の駆動原理を説明する斜視図。The perspective view explaining the drive principle of a board|substrate conveying apparatus. 搬送ユニットが処理室に基板Ｗを搬送する動作の一例を示す平面図。FIG. 5 is a plan view showing an example of the operation of the transport unit transporting the substrate W to the processing chamber; ムーバー内に配列される永久磁石の配置を示す断面図の一例。An example of a cross-sectional view showing the arrangement of permanent magnets arranged in the mover. 搬送ユニットの進行方向にみた真空搬送室の断面模式図の一例。An example of the cross-sectional schematic diagram of the vacuum transfer chamber seen in the advancing direction of a transfer unit. 搬送ユニットの進行方向にみた真空搬送室の断面模式図の一例。An example of the cross-sectional schematic diagram of the vacuum transfer chamber seen in the advancing direction of a transfer unit. 搬送ユニットの進行方向にみた真空搬送室の断面模式図の一例。An example of the cross-sectional schematic diagram of the vacuum transfer chamber seen in the advancing direction of a transfer unit. 搬送ユニットの進行方向にみた真空搬送室の断面模式図の一例。An example of the cross-sectional schematic diagram of the vacuum transfer chamber seen in the advancing direction of a transfer unit. 他の搬送ユニットの側面図の一例。An example of a side view of another transport unit. 真空搬送室の平面図の他の一例。Another example of the plan view of the vacuum transfer chamber.

以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present disclosure will be described with reference to the drawings. In each drawing, the same components are denoted by the same reference numerals, and redundant description may be omitted.

＜基板処理システム１００＞
一実施形態に係る基板処理システム１００の全体構成の一例について、図１を用いて説明する。図１は、一実施形態に係る基板処理システム１００の一例の構成を示す平面図である。 <Substrate processing system 100>
An example of the overall configuration of a substrate processing system 100 according to one embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a plan view showing an example configuration of a substrate processing system 100 according to one embodiment.

図１に示す基板処理システム１００は、クラスタ構造（マルチチャンバタイプ）のシステムである。基板処理システム１００は、複数の処理室１１０と、真空搬送室１２０と、ロードロック室１３０と、大気搬送室１４０と、ロードポート１５０と、制御部１６０と、を備えている。なお、図１において、真空搬送室１２０の長手方向をＸ方向とし、真空搬送室１２０の短手方向（幅方向）をＹ方向とし、真空搬送室１２０の高さ方向をＺ方向として説明する。 The substrate processing system 100 shown in FIG. 1 is a cluster structure (multi-chamber type) system. The substrate processing system 100 includes a plurality of processing chambers 110 , a vacuum transfer chamber 120 , a load lock chamber 130 , an atmospheric transfer chamber 140 , a load port 150 and a controller 160 . 1, the longitudinal direction of the vacuum transfer chamber 120 is the X direction, the lateral direction (width direction) of the vacuum transfer chamber 120 is the Y direction, and the height direction of the vacuum transfer chamber 120 is the Z direction.

処理室１１０は、所定の真空雰囲気に減圧され、その内部にて半導体ウェハ（以下、「基板Ｗ」ともいう。）に所望の処理（エッチング処理、成膜処理、クリーニング処理、アッシング処理等）を施す。処理室１１０は、真空搬送室１２０に隣接して配置される。処理室１１０と真空搬送室１２０とは、ゲートバルブ１１２の開閉により連通する。処理室１１０は、基板Ｗを載置する載置台１１１を有する。なお、処理室１１０における処理のための各部の動作は、制御部１６０によって制御される。 The processing chamber 110 is depressurized to a predetermined vacuum atmosphere, and a semiconductor wafer (hereinafter also referred to as a “substrate W”) is subjected to desired processing (etching, film formation, cleaning, ashing, etc.) therein. Apply. The processing chamber 110 is arranged adjacent to the vacuum transfer chamber 120 . The processing chamber 110 and the vacuum transfer chamber 120 communicate with each other by opening and closing a gate valve 112 . The processing chamber 110 has a mounting table 111 on which the substrate W is mounted. The operation of each unit for processing in the processing chamber 110 is controlled by the control unit 160 .

真空搬送室１２０は、ゲートバルブ１１２，１３２を介して、複数の室（処理室１１０、ロードロック室１３０）と連結され、所定の真空雰囲気に減圧されている。また、真空搬送室１２０の内部には、基板Ｗを搬送する基板搬送装置１２５が設けられている。基板搬送装置１２５は、真空搬送室１２０に配置される平面モータ１０と、平面モータ１０上を移動可能な複数の搬送ユニット３０（３０Ａ，３０Ｂ）と、を有する。搬送ユニット３０は、平面モータ１０上を移動可能なムーバー３１と、基板Ｗを保持することが可能に構成されたアーム３２と、を有する。基板搬送装置１２５は、ゲートバルブ１１２の開閉に応じて、処理室１１０と真空搬送室１２０との間で基板Ｗの搬入及び搬出を行う。また、基板搬送装置１２５は、ゲートバルブ１３２の開閉に応じて、ロードロック室１３０と真空搬送室１２０との間で基板Ｗの搬入及び搬出を行う。なお、基板搬送装置１２５の動作、ゲートバルブ１１２，１３２の開閉は、制御部１６０によって制御される。なお、基板搬送装置１２５（平面モータ１０、搬送ユニット３０）については、図２から図４を用いて後述する。 The vacuum transfer chamber 120 is connected to a plurality of chambers (processing chamber 110, load lock chamber 130) via gate valves 112 and 132, and is decompressed to a predetermined vacuum atmosphere. A substrate transfer device 125 for transferring the substrate W is provided inside the vacuum transfer chamber 120 . The substrate transfer device 125 has a planar motor 10 arranged in the vacuum transfer chamber 120 and a plurality of transfer units 30 (30A, 30B) movable on the planar motor 10. As shown in FIG. The transport unit 30 has a mover 31 movable on the planar motor 10 and an arm 32 configured to hold the substrate W. As shown in FIG. The substrate transfer device 125 carries in and out the substrate W between the processing chamber 110 and the vacuum transfer chamber 120 according to the opening and closing of the gate valve 112 . Also, the substrate transfer device 125 carries in and out the substrate W between the load lock chamber 130 and the vacuum transfer chamber 120 according to the opening and closing of the gate valve 132 . The operation of the substrate transfer device 125 and the opening and closing of the gate valves 112 and 132 are controlled by the controller 160 . The substrate transfer device 125 (planar motor 10, transfer unit 30) will be described later with reference to FIGS. 2 to 4. FIG.

また、真空搬送室１２０には、真空搬送室１２０の長手方向（Ｘ方向）に伸びる第１通路１２１及び第２通路１２２が設けられている。第１通路１２１と第２通路１２２とは、隣接して並行に設けられている。また、第１通路１２１には、トンネル状の磁気シールド２００が設けられている。即ち、真空搬送室１２０には、真空搬送室１２０の長手方向に伸びるトンネル状の磁気シールド２００が設けられ、磁気シールド２００の内側に搬送ユニット３０が通行可能な第１通路１２１と、磁気シールド２００の外側に搬送ユニット３０が通行可能な第２通路１２２と、が設けられる。 Further, the vacuum transfer chamber 120 is provided with a first passage 121 and a second passage 122 extending in the longitudinal direction (X direction) of the vacuum transfer chamber 120 . The first passage 121 and the second passage 122 are provided adjacent to each other in parallel. A tunnel-shaped magnetic shield 200 is provided in the first passage 121 . That is, the vacuum transfer chamber 120 is provided with a tunnel-shaped magnetic shield 200 extending in the longitudinal direction of the vacuum transfer chamber 120 . A second passage 122 through which the transport unit 30 can pass is provided on the outside of the .

ロードロック室１３０は、真空搬送室１２０と大気搬送室１４０との間に設けられている。ロードロック室１３０は、基板Ｗを載置する載置台１３１を有する。ロードロック室１３０は、大気雰囲気と真空雰囲気とを切り替えることができるようになっている。ロードロック室１３０と真空雰囲気の真空搬送室１２０とは、ゲートバルブ１３２の開閉により連通する。ロードロック室１３０と大気雰囲気の大気搬送室１４０とは、ドアバルブ１３３の開閉により連通する。なお、ロードロック室１３０内の真空雰囲気または大気雰囲気の切り替えは、制御部１６０によって制御される。 The load lock chamber 130 is provided between the vacuum transfer chamber 120 and the atmospheric transfer chamber 140 . The load lock chamber 130 has a mounting table 131 on which the substrate W is mounted. The load lock chamber 130 can switch between an atmospheric atmosphere and a vacuum atmosphere. The load lock chamber 130 and the vacuum transfer chamber 120 having a vacuum atmosphere communicate with each other by opening and closing a gate valve 132 . The load lock chamber 130 and the atmospheric transfer chamber 140 having an atmospheric atmosphere communicate with each other by opening and closing a door valve 133 . Switching between the vacuum atmosphere and the air atmosphere in the load lock chamber 130 is controlled by the control unit 160 .

大気搬送室１４０は、大気雰囲気となっており、例えば清浄空気のダウンフローが形成されている。また、大気搬送室１４０の内部には、基板Ｗを搬送する搬送装置（図示せず）が設けられている。搬送装置（図示せず）は、ドアバルブ１３３の開閉に応じて、ロードロック室１３０と大気搬送室１４０との間で基板Ｗの搬入及び搬出を行う。なお、搬送装置（図示せず）の動作、ドアバルブ１３３の開閉は、制御部１６０によって制御される。 The atmospheric transfer chamber 140 has an atmospheric atmosphere, and for example, a down flow of clean air is formed. Further, a transport device (not shown) for transporting the substrate W is provided inside the atmospheric transport chamber 140 . A transport device (not shown) loads and unloads substrates W between the load lock chamber 130 and the atmosphere transport chamber 140 in accordance with the opening and closing of the door valve 133 . The operation of the conveying device (not shown) and the opening and closing of the door valve 133 are controlled by the controller 160 .

また、大気搬送室１４０の壁面には、ロードポート１５０が設けられている。ロードポート１５０は、基板Ｗが収容されたキャリア（図示せず）又は空のキャリアが取り付けられる。キャリアとしては、例えば、ＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）等を用いることができる。 A load port 150 is provided on the wall surface of the atmospheric transfer chamber 140 . A carrier (not shown) containing substrates W or an empty carrier is attached to the load port 150 . For example, a FOUP (Front Opening Unified Pod) or the like can be used as the carrier.

搬送装置（図示せず）は、ロードポート１５０に取り付けられたキャリアに収容された基板Ｗを取り出して、ロードロック室１３０の載置台１３１に載置することができる。また、搬送装置（図示せず）は、ロードロック室１３０の載置台１３１に載置された基板Ｗを取り出して、ロードポート１５０に取り付けられたキャリアに収容することができる。 A transport device (not shown) can take out the substrate W accommodated in the carrier attached to the load port 150 and place it on the stage 131 of the load lock chamber 130 . Further, the transport device (not shown) can take out the substrate W placed on the placing table 131 of the load lock chamber 130 and store it in the carrier attached to the load port 150 .

制御部１６０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）及びＨＤＤ（Hard Disk Drive）を有する。制御部１６０は、ＨＤＤに限らずＳＳＤ（Solid State Drive）等の他の記憶領域を有してもよい。ＨＤＤ、ＲＡＭ等の記憶領域には、プロセスの手順、プロセスの条件、搬送条件が設定されたレシピが格納されている。 The control unit 160 has a CPU (Central Processing Unit), ROM (Read Only Memory), RAM (Random Access Memory), and HDD (Hard Disk Drive). The control unit 160 may have another storage area such as an SSD (Solid State Drive) in addition to the HDD. A storage area such as an HDD or RAM stores recipes in which process procedures, process conditions, and transfer conditions are set.

ＣＰＵは、レシピに従って各処理室１１０における基板Ｗの処理を制御し、基板Ｗの搬送を制御する。ＨＤＤやＲＡＭには、各処理室１１０における基板Ｗの処理や基板Ｗの搬送を実行するためのプログラムが記憶されてもよい。プログラムは、記憶媒体に格納して提供されてもよいし、ネットワークを通じて外部装置から提供されてもよい。 The CPU controls the processing of the substrate W in each processing chamber 110 according to the recipe, and controls the transport of the substrate W. FIG. The HDD or RAM may store a program for executing the processing of the substrate W in each processing chamber 110 and the transport of the substrate W. FIG. The program may be stored in a storage medium and provided, or may be provided from an external device through a network.

次に、基板処理システム１００の動作の一例について説明する。ここでは、基板処理システム１００の動作の一例として、ロードポート１５０に取り付けられたキャリアに収容された基板Ｗを処理室１１０で処理を施し、ロードポート１５０に取り付けられた空のキャリアに収容する動作に沿って説明する。なお、動作の開始時点において、ゲートバルブ１１２，１３２、ドアバルブ１３３は閉じており、ロードロック室１３０内は大気雰囲気となっている。 Next, an example of the operation of the substrate processing system 100 will be described. Here, as an example of the operation of the substrate processing system 100, an operation of processing a substrate W accommodated in a carrier attached to the load port 150 in the processing chamber 110 and accommodating it in an empty carrier attached to the load port 150. I will explain along. At the start of the operation, the gate valves 112 and 132 and the door valve 133 are closed, and the inside of the load lock chamber 130 is in the atmosphere.

制御部１６０は、ドアバルブ１３３を開ける。制御部１６０は、大気搬送室１４０内の搬送装置を制御して、ロードポート１５０のキャリアから基板Ｗを取り出し、ロードロック室１３０の載置台１３１に載置する。基板Ｗがロードロック室１３０の載置台１３１に載置され、搬送装置がロードロック室１３０から退避すると、制御部１６０は、ドアバルブ１３３を閉じる。 Control unit 160 opens door valve 133 . The control unit 160 controls the transfer device in the atmosphere transfer chamber 140 to take out the substrate W from the carrier of the load port 150 and place it on the mounting table 131 of the load lock chamber 130 . When the substrate W is mounted on the mounting table 131 of the load-lock chamber 130 and the transfer device is withdrawn from the load-lock chamber 130 , the controller 160 closes the door valve 133 .

制御部１６０は、ロードロック室１３０の排気装置（図示せず）を制御して室内の空気を排気し、ロードロック室１３０を大気雰囲気から真空雰囲気へと切り替える。 The control unit 160 controls the exhaust device (not shown) of the load lock chamber 130 to exhaust the air in the room, and switches the load lock chamber 130 from the atmospheric atmosphere to the vacuum atmosphere.

次に、ロードロック室１３０の載置台１３１に載置された基板Ｗを、処理室１１０に搬送して、載置台１１１に載置する。具体的には、制御部１６０は、ゲートバルブ１３２を開ける。制御部１６０は、後述する基板搬送装置１２５を制御して、予め設定された受渡位置までアーム３２をロードロック室１３０に挿入し、ロードロック室１３０の載置台１３１に載置された基板Ｗを保持して、真空搬送室１２０へと搬送する。アーム３２がロードロック室１３０から退避すると、制御部１６０は、ゲートバルブ１３２を閉じる。 Next, the substrate W mounted on the mounting table 131 of the load lock chamber 130 is transported to the processing chamber 110 and mounted on the mounting table 111 . Specifically, the controller 160 opens the gate valve 132 . The control unit 160 controls the substrate transfer device 125, which will be described later, to insert the arm 32 into the load-lock chamber 130 to a preset delivery position, and remove the substrate W placed on the mounting table 131 of the load-lock chamber 130. It is held and transferred to the vacuum transfer chamber 120 . When the arm 32 is withdrawn from the load lock chamber 130 , the controller 160 closes the gate valve 132 .

制御部１６０は、搬送先の処理室１１０のゲートバルブ１１２を開ける。制御部１６０は、基板搬送装置１２５を制御して、予め設定された受渡位置までアーム３２を処理室１１０に挿入し、保持している基板Ｗを処理室１１０の載置台１１１に載置する。アーム３２が処理室１１０から退避すると、制御部１６０は、ゲートバルブ１１２を閉じる。 The control unit 160 opens the gate valve 112 of the processing chamber 110 of the transfer destination. The control unit 160 controls the substrate transfer device 125 to insert the arm 32 into the processing chamber 110 to a preset transfer position, and mount the held substrate W on the mounting table 111 of the processing chamber 110 . When the arm 32 is withdrawn from the processing chamber 110 , the controller 160 closes the gate valve 112 .

制御部１６０は、処理室１１０を制御して、基板Ｗに所望の処理を施す。 The control unit 160 controls the processing chamber 110 to subject the substrate W to desired processing.

基板Ｗの処理が終了すると、処理室１１０の載置台１１１に載置された基板Ｗを、ロードロック室１３０に搬送して、載置台１３１に載置する。具体的には、制御部１６０は、ゲートバルブ１１２を開ける。制御部１６０は、基板搬送装置１２５を制御して、予め設定された受渡位置までアーム３２を処理室１１０に挿入し、処理室１１０の載置台１１１に載置された基板Ｗを保持して、真空搬送室１２０へと搬送する。アーム３２が処理室１１０から退避すると、制御部１６０は、ゲートバルブ１１２を閉じる。 When the processing of the substrate W is completed, the substrate W placed on the mounting table 111 of the processing chamber 110 is transported to the load lock chamber 130 and mounted on the mounting table 131 . Specifically, the controller 160 opens the gate valve 112 . The control unit 160 controls the substrate transfer device 125 to insert the arm 32 into the processing chamber 110 to a preset delivery position, hold the substrate W mounted on the mounting table 111 in the processing chamber 110, and Transfer to vacuum transfer chamber 120 . When the arm 32 is withdrawn from the processing chamber 110 , the controller 160 closes the gate valve 112 .

制御部１６０は、ゲートバルブ１３２を開ける。制御部１６０は、基板搬送装置１２５を制御して、予め設定された受渡位置までアーム３２をロードロック室１３０に挿入し、保持している基板Ｗをロードロック室１３０の載置台１３１に載置する。アーム３２がロードロック室１３０から退避すると、制御部１６０は、ゲートバルブ１３２を閉じる。 The controller 160 opens the gate valve 132 . The control unit 160 controls the substrate transfer device 125 to insert the arm 32 into the load-lock chamber 130 to a preset transfer position, and mount the held substrate W on the mounting table 131 of the load-lock chamber 130 . do. When the arm 32 is withdrawn from the load lock chamber 130 , the controller 160 closes the gate valve 132 .

制御部１６０は、ロードロック室１３０のガス供給装置（図示せず）を制御して室内に例えば清浄空気を供給し、ロードロック室１３０を真空雰囲気から大気雰囲気へと切り替える。 The control unit 160 controls a gas supply device (not shown) of the load lock chamber 130 to supply, for example, clean air into the chamber, thereby switching the load lock chamber 130 from a vacuum atmosphere to an atmospheric atmosphere.

制御部１６０は、ドアバルブ１３３を開ける。制御部１６０は、搬送装置（図示せず）を制御して、ロードロック室１３０の載置台１３１に載置された基板Ｗを取り出し、ロードポート１５０のキャリアに収容する。基板Ｗがロードロック室１３０の載置台１３１から取り出され、搬送装置（図示せず）がロードロック室１３０から退避すると、制御部１６０は、ドアバルブ１３３を閉じる。 Control unit 160 opens door valve 133 . The control unit 160 controls a transfer device (not shown) to take out the substrate W placed on the placement table 131 of the load lock chamber 130 and store it in the carrier of the load port 150 . When the substrate W is removed from the mounting table 131 of the load-lock chamber 130 and the transfer device (not shown) is withdrawn from the load-lock chamber 130 , the controller 160 closes the door valve 133 .

なお、基板処理システム１００において、基板搬送装置１２５は、ロードロック室１３０の載置台１３１に載置された基板Ｗを処理室１１０の載置台１１１に搬送し、処理済の基板Ｗを処理室１１０の載置台１１１からロードロック室１３０の載置台１３１に搬送する構成を例に説明したが、これに限られるものではない。基板搬送装置１２５は、一の処理室１１０の載置台１１１に載置された基板Ｗを他の処理室１１０の載置台１１１に搬送する構成であってもよい。 In the substrate processing system 100, the substrate transfer device 125 transfers the substrate W placed on the mounting table 131 of the load lock chamber 130 to the mounting table 111 of the processing chamber 110, and transfers the processed substrate W to the processing chamber 110. Although the configuration in which the wafer is transported from the mounting table 111 of the load lock chamber 130 to the mounting table 131 of the load lock chamber 130 has been described as an example, it is not limited to this. The substrate transfer device 125 may be configured to transfer the substrate W mounted on the mounting table 111 of one processing chamber 110 to the mounting table 111 of another processing chamber 110 .

＜基板搬送装置１２５＞
次に、基板搬送装置１２５について、更に説明する。基板搬送装置１２５は、真空搬送室１２０に配置される平面モータ１０と、平面モータ１０上を移動可能な搬送ユニット３０と、を有する。 <Substrate transfer device 125>
Next, the substrate transfer device 125 will be further described. The substrate transfer device 125 has a planar motor 10 arranged in the vacuum transfer chamber 120 and a transfer unit 30 movable on the planar motor 10 .

図２は、一実施形態に係る搬送ユニット３０の一例を示す斜視図である。搬送ユニット３０は、ムーバー３１と、アーム３２とを有する。ムーバー３１は、平面モータ１０上を磁気浮上して移動することが可能に構成されている。アーム３２は、一端側がムーバー３１に固定され、他端側に基板Ｗを保持することが可能に構成されている。また、搬送ユニット３０は、真空搬送室１２０内に複数台設けられていてもよい。 FIG. 2 is a perspective view showing an example of the transport unit 30 according to one embodiment. The transport unit 30 has a mover 31 and an arm 32 . The mover 31 is configured to be magnetically levitated on the planar motor 10 to move. One end of the arm 32 is fixed to the mover 31, and the other end of the arm 32 can hold the substrate W. As shown in FIG. Also, a plurality of transfer units 30 may be provided in the vacuum transfer chamber 120 .

平面モータ１０及び搬送ユニット３０のムーバー３１について、図３を用いて更に説明する。図３は、基板搬送装置１２５の駆動原理を説明する斜視図である。 The planar motor 10 and the mover 31 of the transport unit 30 will be further described with reference to FIG. FIG. 3 is a perspective view for explaining the driving principle of the substrate transfer device 125. As shown in FIG.

平面モータ１０は、複数のコイル１５が配列されている。コイル１５は、電流が供給されることにより、磁場を発生する。制御部１６０（図１参照）は、各コイル１５に通電する電流値を個別に制御可能に構成されている。 A plurality of coils 15 are arranged in the planar motor 10 . The coil 15 generates a magnetic field by being supplied with an electric current. The control unit 160 (see FIG. 1) is configured to be able to individually control the value of the current applied to each coil 15 .

ムーバー３１は、複数の永久磁石３５が配列されている。コイル１５が生成する磁場によって、ムーバー３１は、平面モータ１０上で磁気浮上することができる。また、コイル１５が生成する磁場によって、ムーバー３１は、平面モータ１０上を移動することができる。 The mover 31 has a plurality of permanent magnets 35 arranged therein. The magnetic field generated by the coil 15 allows the mover 31 to magnetically levitate above the planar motor 10 . The magnetic field generated by the coil 15 also allows the mover 31 to move on the planar motor 10 .

この様な構成により、制御部１６０（図１参照）は、平面モータ１０の各コイル１５の電流値を制御することで、ムーバー３１の位置、向き、傾き、浮上量を制御することができるように構成されている。 With such a configuration, the control unit 160 (see FIG. 1) can control the position, orientation, inclination, and flying height of the mover 31 by controlling the current value of each coil 15 of the planar motor 10. is configured to

また、平面モータ１０には、ムーバー３１の位置等を検出するセンサが設けられている。センサは、平面モータ１０内に設けられ、ムーバー３１の永久磁石３５の磁場を検出する磁場センサであってもよい。これにより、制御部１６０（図１参照）は、センサの検出値に基づいて、ムーバー３１の位置等を検出することができる。 Further, the planar motor 10 is provided with a sensor for detecting the position of the mover 31 and the like. The sensor may be a magnetic field sensor provided in the planar motor 10 and detecting the magnetic field of the permanent magnet 35 of the mover 31 . Thereby, the control unit 160 (see FIG. 1) can detect the position of the mover 31 and the like based on the detection value of the sensor.

図４は、搬送ユニット３０が処理室１１０に基板Ｗを搬送する動作の一例を示す平面図である。図４（ａ）に示すように、搬送ユニット３０は、平面モータ１０上を自由に移動することができる。これにより、破線で図示するように搬送ユニット３０は、アーム３２の向きを真空搬送室１２０の長手方向に対して傾け、搬送ユニット３０を回転させながら真空搬送室１２０の長手方向に移動する。これにより、実線で図示するように搬送ユニット３０は、基板Ｗを保持したアーム３２をゲートバルブ１１２から処理室１１０内に挿入することができる。そして、搬送ユニット３０を回転させながら移動することにより、基板Ｗを載置台１１１に受け渡す位置まで移動することができる。このように、搬送ユニット３０（ムーバー３１）の位置、向きを制御することにより、アーム３２で保持した基板Ｗを真空搬送室１２０と処理室１１０の間で搬送（搬入、搬出）することができる。 FIG. 4 is a plan view showing an example of the operation of the transport unit 30 transporting the substrate W to the processing chamber 110. As shown in FIG. As shown in FIG. 4( a ), the transport unit 30 can freely move on the planar motor 10 . As a result, the transfer unit 30 tilts the direction of the arm 32 with respect to the longitudinal direction of the vacuum transfer chamber 120 and moves in the longitudinal direction of the vacuum transfer chamber 120 while rotating the transfer unit 30 as illustrated by the broken line. As a result, the transfer unit 30 can insert the arm 32 holding the substrate W into the processing chamber 110 through the gate valve 112 as shown by the solid line. By rotating and moving the transport unit 30 , the substrate W can be moved to a position where it is delivered to the mounting table 111 . By controlling the position and orientation of the transport unit 30 (mover 31 ) in this way, the substrate W held by the arm 32 can be transported (loaded in and unloaded) between the vacuum transport chamber 120 and the processing chamber 110 . .

また、図４（ｂ）に示すように、真空搬送室１２０には、第１通路１２１を有するトンネル状の磁気シールド２００が設けられている。磁気シールド２００は、搬送ユニット３０が処理室１１０へ基板Ｗを搬送（搬入、搬出）する際の妨げとならない位置に設けられている。具体的には、磁気シールド２００は、真空搬送室１２０の長手方向において隣接する２つのゲートバルブ１１２の間に配置されている。これにより、破線で図示するように、搬送ユニット３０は、アーム３２の向きを真空搬送室１２０の長手方向に向けて第２通路１２２を移動し、搬送ユニット３０を回転させながら真空搬送室１２０の長手方向に移動する。これにより、実線で図示するように、基板Ｗを保持したアーム３２をゲートバルブ１１２から処理室１１０内に挿入することができる。そして、搬送ユニット３０を回転させながら移動することにより、基板Ｗを載置台１１１に受け渡す位置まで移動することができる。 Further, as shown in FIG. 4B, the vacuum transfer chamber 120 is provided with a tunnel-shaped magnetic shield 200 having a first passage 121 . The magnetic shield 200 is provided at a position that does not interfere with the transfer (carrying in and out) of the substrate W to the processing chamber 110 by the transfer unit 30 . Specifically, the magnetic shield 200 is arranged between two gate valves 112 adjacent in the longitudinal direction of the vacuum transfer chamber 120 . As a result, the transfer unit 30 moves along the second passage 122 with the arm 32 directed in the longitudinal direction of the vacuum transfer chamber 120, as illustrated by the dashed line, and rotates the transfer unit 30 to move the vacuum transfer chamber 120. Move longitudinally. As a result, the arm 32 holding the substrate W can be inserted into the processing chamber 110 through the gate valve 112, as indicated by the solid line. By rotating and moving the transport unit 30 , the substrate W can be moved to a position where it is delivered to the mounting table 111 .

図５は、ムーバー３１内に配列される永久磁石３５の配置を示す断面図の一例である。なお、図５において、磁束を矢印で示す。図５に示すように、永久磁石３５は、永久磁石３５のＮ極３５Ｎ及びＳ極３５Ｓの向きを変えて複数配列するハルバッハ配列で配置されている。これにより、平面モータ１０と対向する面の側であるムーバー３１の下面側領域４１に磁界を集中させ、ムーバー３１と平面モータ１０との間に強い磁場を形成することができる。また、ムーバー３１の上面側領域４２における磁場を弱くすることができる。 FIG. 5 is an example of a cross-sectional view showing the arrangement of permanent magnets 35 arranged in the mover 31. As shown in FIG. In addition, in FIG. 5, the magnetic flux is indicated by an arrow. As shown in FIG. 5, the permanent magnets 35 are arranged in a Halbach arrangement in which a plurality of N poles 35N and S poles 35S of the permanent magnets 35 are arranged in different directions. As a result, the magnetic field can be concentrated in the lower surface side region 41 of the mover 31 , which is the side facing the planar motor 10 , and a strong magnetic field can be formed between the mover 31 and the planar motor 10 . Also, the magnetic field in the upper surface side region 42 of the mover 31 can be weakened.

ここで、図５に示すように、ムーバー３１の側面側領域４３において、漏れ磁束が生じている。このため、一の搬送ユニット３０Ａと他の搬送ユニット３０Ｂとが逆向きに高速移動して近傍ですれ違う際、一の搬送ユニット３０Ａによって搬送される基板Ｗは、他の搬送ユニット３０Ｂの側面側領域４３を通過する。このため、搬送ユニット３０Ａによって搬送される基板Ｗにおいて磁場が変化することにより、基板Ｗ内に形成された素子に誘導起電力が生じるおそれがある。同様に、搬送ユニット３０Ｂによって搬送される基板Ｗにおいて磁場が変化することにより、基板Ｗ内に形成された素子に誘導起電力が生じるおそれがある。 Here, as shown in FIG. 5 , leakage magnetic flux is generated in the side area 43 of the mover 31 . Therefore, when the one transport unit 30A and the other transport unit 30B move in opposite directions at high speed and pass each other in the vicinity, the substrate W transported by the one transport unit 30A is moved to the side area of the other transport unit 30B. Pass 43. Therefore, there is a possibility that an induced electromotive force is generated in the elements formed in the substrate W due to the change in the magnetic field in the substrate W transported by the transport unit 30A. Similarly, a magnetic field change in the substrate W transported by the transport unit 30B may cause an induced electromotive force in the elements formed in the substrate W. FIG.

また、基板Ｗ内の素子に生じる誘導起電力は、搬送ユニット３０Ａ，３０Ｂがすれ違う際の距離が近いほど誘導起電力が大きくなる。また、基板Ｗ内の素子に生じる誘導起電力は、すれ違う搬送ユニット３０Ａ，３０Ｂの相対速度が速いほど誘導起電力が大きくなる。 In addition, the induced electromotive force generated in the elements in the substrate W increases as the distance between the transfer units 30A and 30B becomes shorter. Further, the induced electromotive force generated in the elements in the substrate W increases as the relative speed of the transport units 30A and 30B passing each other increases.

このため、真空搬送室１２０のＹ方向の幅を狭くして小型化するほど、２つの搬送ユニット３０がすれ違う際の距離が近くなり、基板Ｗ内の素子に生じる誘導起電力が大きくなる。また、搬送ユニット３０の移動速度を速くするほど、２つの搬送ユニット３０がすれ違う際の相対速度が速くなり、基板Ｗ内の素子に生じる誘導起電力が大きくなる。 Therefore, as the width of the vacuum transfer chamber 120 in the Y direction is narrowed to reduce the size, the distance between the two transfer units 30 becomes shorter and the induced electromotive force generated in the elements in the substrate W increases. Further, the faster the moving speed of the transport unit 30, the faster the relative speed when the two transport units 30 pass each other, and the greater the induced electromotive force generated in the elements in the substrate W. FIG.

これらの課題に対し、図１に示すように、本実施形態の基板処理システム１００は、磁気シールド２００を有している。 To solve these problems, the substrate processing system 100 of this embodiment has a magnetic shield 200 as shown in FIG.

磁気シールド２００は、例えばＦｅ系の強磁性体材料で形成されてもよい。また、磁気シールド２００は、Ａｌ系の反強磁性体材料で形成されてもよい。また、磁気シールド２００は、強磁性体のシールドと反強磁性体のシールドの二重シールド構造であってもよい。磁気シールド２００の材料は、搬送ユニット３０Ａ，３０Ｂがすれ違う際の基板Ｗに生じる磁場変化の周波数特性に応じて、好適に磁気を遮蔽する材料を適宜選択してもよい。換言すれば、磁気シールド２００の材料は、搬送ユニット３０Ａ，３０Ｂがすれ違う際の相対速度に基づいて、好適に磁気を遮蔽する材料を適宜選択してもよい。 The magnetic shield 200 may be made of, for example, an Fe-based ferromagnetic material. Alternatively, the magnetic shield 200 may be made of an Al-based antiferromagnetic material. The magnetic shield 200 may also have a double shield structure of a ferromagnetic shield and an antiferromagnetic shield. As the material of the magnetic shield 200, a material that preferably shields magnetism may be appropriately selected according to the frequency characteristics of the magnetic field change that occurs in the substrate W when the transfer units 30A and 30B pass each other. In other words, the material of the magnetic shield 200 may be appropriately selected based on the relative speed when the transfer units 30A and 30B pass each other.

図６は、搬送ユニット３０の進行方向にみた真空搬送室１２０の断面模式図の一例である。図１及び図６に示すように、真空搬送室１２０には、搬送ユニット３０（３０Ａ，３０Ｂ）が通行可能な第１通路１２１及び第２通路１２２が形成されている。また、第１通路１２１は、トンネル状の磁気シールド２００で覆われている。第１通路１２１と第２通路１２２との間には、磁気シールド２００の側壁２１０が配置されている。制御部１６０は、互いに逆向きに移動する２つの搬送ユニット３０（３０Ａ，３０Ｂ）が真空搬送室１２０内ですれ違う際、一方の搬送ユニット３０Ｂが磁気シールド２００で覆われた第１通路１２１を通過中に、他方の搬送ユニット３０Ａが第２通路１２２を通過するように制御する。これにより、第１通路１２１を通過する搬送ユニット３０Ｂの側面側の漏れ磁場は、磁気シールド２００によって遮蔽され、第２通路１２２を通過する搬送ユニット３０Ａに保持される基板Ｗの素子に誘導起電力が生じることを防止することができる。また、第２通路１２２を通過する搬送ユニット３０Ａの側面側の漏れ磁場は、磁気シールド２００によって遮蔽され、第１通路１２１を通過する搬送ユニット３０Ｂに保持される基板Ｗの素子に誘導起電力が生じることを防止することができる。 FIG. 6 is an example of a schematic cross-sectional view of the vacuum transfer chamber 120 viewed in the direction of movement of the transfer unit 30. As shown in FIG. As shown in FIGS. 1 and 6, the vacuum transfer chamber 120 is formed with a first passage 121 and a second passage 122 through which the transfer units 30 (30A, 30B) can pass. Also, the first passage 121 is covered with a tunnel-shaped magnetic shield 200 . A side wall 210 of the magnetic shield 200 is arranged between the first passage 121 and the second passage 122 . When the two transfer units 30 (30A, 30B) moving in opposite directions pass each other in the vacuum transfer chamber 120, the controller 160 allows one of the transfer units 30B to pass through the first passage 121 covered with the magnetic shield 200. The other transport unit 30A is controlled to pass through the second passage 122 during the operation. As a result, the leakage magnetic field on the side surface side of the transport unit 30B passing through the first path 121 is shielded by the magnetic shield 200, and an electromotive force is induced in the element of the substrate W held by the transport unit 30A passing through the second path 122. can be prevented from occurring. Also, the leakage magnetic field on the side surface of the transport unit 30A passing through the second path 122 is shielded by the magnetic shield 200, and the element of the substrate W held by the transport unit 30B passing through the first path 121 is induced electromotive force. can be prevented from occurring.

これにより、真空搬送室１２０に形成される第１通路１２１及び第２通路１２２を近づけることができる。即ち、真空搬送室１２０の幅を狭くして小型化することができ、基板処理システム１００を小型化することができる。また、２つの搬送ユニット３０が真空搬送室１２０内ですれ違う際の速度を高くすることができる。これにより、基板搬送装置１２５の搬送時間を短縮し、基板処理システム１００の生産性を向上させることができる。 Thereby, the first passage 121 and the second passage 122 formed in the vacuum transfer chamber 120 can be brought close to each other. That is, the width of the vacuum transfer chamber 120 can be narrowed to reduce the size, and the substrate processing system 100 can be reduced in size. Also, the speed at which the two transfer units 30 pass each other in the vacuum transfer chamber 120 can be increased. As a result, the transfer time of the substrate transfer device 125 can be shortened, and the productivity of the substrate processing system 100 can be improved.

また、磁気シールド２００は、真空搬送室１２０の長手方向において、中間領域に設けることが好ましい。真空搬送室１２０の長手方向の端に近い領域において、搬送ユニット３０は停止状態からの加速開始または停止するための減速をしており、移動速度は、抑えられている。これに対し、真空搬送室１２０の長手方向の中間領域において、搬送ユニット３０の移動速度が最大となる。このため、すれ違う搬送ユニット３０Ａ，３０Ｂの相対速度が高くなる真空搬送室１２０の長手方向の中間領域に磁気シールド２００を設けることにより、大きな誘導起電力の発生を防止することができる。 Also, the magnetic shield 200 is preferably provided in the intermediate region in the longitudinal direction of the vacuum transfer chamber 120 . In a region near the longitudinal end of the vacuum transfer chamber 120, the transfer unit 30 starts accelerating from a stopped state or decelerates to stop, and the moving speed is suppressed. On the other hand, in the middle region in the longitudinal direction of the vacuum transfer chamber 120, the moving speed of the transfer unit 30 becomes maximum. Therefore, by providing the magnetic shield 200 in the middle region in the longitudinal direction of the vacuum transfer chamber 120 where the relative speed of the transfer units 30A and 30B passing each other increases, generation of a large induced electromotive force can be prevented.

なお、磁気シールド２００の形状は、これに限られるものではない。第１通路１２１と第２通路１２２との間に配置される磁気シールド２００の側壁２１０は、矩形に屈曲していてもよい。 Note that the shape of the magnetic shield 200 is not limited to this. A side wall 210 of the magnetic shield 200 arranged between the first passage 121 and the second passage 122 may be bent in a rectangular shape.

図７は、搬送ユニット３０の進行方向にみた真空搬送室１２０の断面模式図の一例である。磁気シールド２００の側壁２１０は、段部２１１を有している。これにより、第１通路１２１は、上側において第２通路１２２に向かって突出する突出空間１２１ａが形成される。また、第２通路１２２は、突出空間１２１ａよりも下側において第１通路１２１に向かって突出する突出空間１２２ａが形成される。突出空間１２１ａと突出空間１２２ａとは、上下に重なって形成される。 FIG. 7 is an example of a schematic cross-sectional view of the vacuum transfer chamber 120 viewed in the direction of movement of the transfer unit 30. As shown in FIG. A side wall 210 of the magnetic shield 200 has a stepped portion 211 . As a result, the first passage 121 forms a protruding space 121a that protrudes toward the second passage 122 on the upper side. Further, the second passage 122 is formed with a protruding space 122a that protrudes toward the first passage 121 below the protruding space 121a. The protruding space 121a and the protruding space 122a are formed so as to overlap vertically.

制御部１６０は、第１通路１２１を通過する搬送ユニット３０Ｂの浮上量を増加させるように制御する。これにより、第１通路１２１を通過する搬送ユニット３０Ｂに支持される基板Ｗは、突出空間１２１ａを通過する。また、制御部１６０は、第２通路１２２を通過する搬送ユニット３０Ａの浮上量を減少させるように制御する。これにより、第２通路１２２を通過する搬送ユニット３０に支持される基板Ｗは、突出空間１２２ａを通過する。これにより、真空搬送室１２０の幅（Ｙ方向）を狭め、装置をより小型化することができる。 The controller 160 controls to increase the floating amount of the transport unit 30B passing through the first passage 121 . As a result, the substrate W supported by the transport unit 30B passing through the first passage 121 passes through the projecting space 121a. Further, the control section 160 performs control so as to reduce the floating amount of the transport unit 30A passing through the second passage 122 . Accordingly, the substrate W supported by the transport unit 30 passing through the second passage 122 passes through the projecting space 122a. As a result, the width (Y direction) of the vacuum transfer chamber 120 can be narrowed, and the apparatus can be made more compact.

図８は、搬送ユニット３０の進行方向にみた真空搬送室１２０の断面模式図の一例である。磁気シールド２００の側壁２１０は、段部２１２を有している。これにより、第１通路１２１は、下側において第２通路１２２に向かって突出する突出空間１２１ｂが形成される。また、第２通路１２２は、突出空間１２１ｂよりも上側において第１通路１２１に向かって突出する突出空間１２２ｂが形成される。突出空間１２１ｂと突出空間１２２ｂとは、上下に重なって形成される。 FIG. 8 is an example of a schematic cross-sectional view of the vacuum transfer chamber 120 as seen in the traveling direction of the transfer unit 30 . A side wall 210 of the magnetic shield 200 has a step 212 . As a result, the first passage 121 has a protruding space 121b that protrudes toward the second passage 122 on the lower side. Further, the second passage 122 is formed with a projecting space 122b projecting toward the first passage 121 above the projecting space 121b. The protruding space 121b and the protruding space 122b are formed so as to overlap vertically.

また、第１通路１２１を通過する搬送ユニット３０Ｂと第２通路１２２を通過する搬送ユニット３０Ａとで、基板Ｗを保持する高さが異なっている。即ち、搬送ユニット３０Ａと搬送ユニット３０Ｂは、アーム３２の構造・取付位置が異なっている。これにより、第１通路１２１を通過する搬送ユニット３０に支持される基板Ｗは、突出空間１２１ｂを通過する。また、第２通路１２２を通過する搬送ユニット３０に支持される基板Ｗは、突出空間１２２ｂを通過する。これにより、真空搬送室１２０の幅（Ｙ方向）を狭め、装置をより小型化することができる。 Further, the height at which the substrate W is held differs between the transport unit 30B passing through the first passage 121 and the transport unit 30A passing through the second passage 122 . That is, the transport unit 30A and the transport unit 30B differ in the structure and mounting position of the arm 32. As shown in FIG. As a result, the substrate W supported by the transport unit 30 passing through the first passage 121 passes through the projecting space 121b. Also, the substrate W supported by the transport unit 30 passing through the second passage 122 passes through the projecting space 122b. As a result, the width (Y direction) of the vacuum transfer chamber 120 can be narrowed, and the apparatus can be made more compact.

図９は、搬送ユニット３０の進行方向にみた真空搬送室１２０の断面模式図の一例である。磁気シールド２００の側壁２１０は、傾斜する段部２１３を有している。これにより、第１通路１２１は、下側において第２通路１２２に向かって突出する突出空間１２１ｃが形成される。また、第２通路１２２は、突出空間１２１ｃよりも上側において第１通路１２１に向かって突出する突出空間１２２ｃが形成される。突出空間１２１ｃと突出空間１２２ｃとは、上下に重なって形成される。 FIG. 9 is an example of a schematic cross-sectional view of the vacuum transfer chamber 120 as seen in the traveling direction of the transfer unit 30 . A side wall 210 of the magnetic shield 200 has a sloped step 213 . As a result, the first passage 121 forms a protruding space 121c that protrudes toward the second passage 122 on the lower side. Further, the second passage 122 is formed with a projecting space 122c projecting toward the first passage 121 above the projecting space 121c. The protruding space 121c and the protruding space 122c are formed so as to overlap vertically.

制御部１６０は、第１通路１２１を通過する搬送ユニット３０Ｂ及び第２通路１２２を通過する搬送ユニット３０Ａの左右の浮上量を調整して搬送ユニット３０Ａ，３０Ｂを傾斜させる。即ち、制御部１６０は、搬送ユニット３０Ａ，３０Ｂの進行方向（Ｘ方向）を回転軸とする搬送ユニット３０Ａ，３０Ｂの傾きを制御する。これにより、第１通路１２１を通過する搬送ユニット３０Ｂに支持される基板Ｗは、突出空間１２１ｃを通過する。一方、第２通路１２２を通過する搬送ユニット３０Ａに支持される基板Ｗは、突出空間１２１ｃの上方に配置される突出空間１２２ｃを通過する。これにより、真空搬送室１２０の幅（Ｙ方向）を狭め、装置をより小型化することができる。 The controller 160 adjusts the left and right floating amounts of the transport unit 30B passing through the first path 121 and the transport unit 30A passing through the second path 122 to tilt the transport units 30A and 30B. That is, the control section 160 controls the inclination of the transport units 30A and 30B with the traveling direction (X direction) of the transport units 30A and 30B as the rotation axis. As a result, the substrate W supported by the transport unit 30B passing through the first passage 121 passes through the projecting space 121c. On the other hand, the substrate W supported by the transport unit 30A passing through the second path 122 passes through the projecting space 122c arranged above the projecting space 121c. As a result, the width (Y direction) of the vacuum transfer chamber 120 can be narrowed, and the apparatus can be made more compact.

なお、突出空間１２１ａと突出空間１２２ａとの上下関係、突出空間１２１ｂと突出空間１２２ｂとの上下関係、突出空間１２１ｃと突出空間１２２ｃとの上下関係は、図７から図９に示す関係に限られるものではなく、逆であってもよい。 The vertical relationship between the projecting spaces 121a and 122a, the vertical relationship between the projecting spaces 121b and 122b, and the vertical relationship between the projecting spaces 121c and 122c are limited to the relationships shown in FIGS. It may be vice versa.

また、第１通路１２１と第２通路１２２との間に配置される磁気シールド２００の側壁２１０は、開閉可能に構成されていてもよい。例えば、側壁２１０を昇降する機構を有していてもよい。処理室１１０に基板Ｗを搬送する際は、側壁２１０を真空搬送室１２０内から退避させる。これにより、側壁２１０と搬送ユニット３０との干渉を防ぐことができる。また、２つの搬送ユニット３０Ａ，３０Ｂがすれ違う際は、側壁２１０を真空搬送室１２０内に配置する。これにより、第１通路１２１に磁気シールド２００を形成して、基板Ｗの素子に誘導起電力が生じることを防止することができる。 Moreover, the side wall 210 of the magnetic shield 200 arranged between the first passage 121 and the second passage 122 may be configured to be openable and closable. For example, it may have a mechanism for raising and lowering the side wall 210 . When transferring the substrate W to the processing chamber 110 , the side wall 210 is retracted from the inside of the vacuum transfer chamber 120 . Thereby, interference between the side wall 210 and the transport unit 30 can be prevented. Also, when the two transfer units 30A and 30B pass each other, the side wall 210 is arranged inside the vacuum transfer chamber 120. As shown in FIG. As a result, the magnetic shield 200 can be formed in the first passage 121 to prevent induced electromotive force from being generated in the elements of the substrate W. FIG.

また、搬送ユニット３０は、ムーバー３１とアーム３２とを備え、アーム３２で基板Ｗを支持するものとして説明したが、これに限られるものではない。図１０は、他の搬送ユニット３０Ｃの側面図の一例である。図１１は、真空搬送室１２０の平面図の他の一例である。 Further, although the transport unit 30 has the mover 31 and the arm 32 and supports the substrate W with the arm 32, the transport unit 30 is not limited to this. FIG. 10 is an example of a side view of another transport unit 30C. 11 is another example of a plan view of the vacuum transfer chamber 120. FIG.

搬送ユニット３０Ｃは、ムーバー３１の上に基板Ｗを載置して搬送する構成であってもよい。真空搬送室１２０には、平面モータ１０と、搬送ユニット３０Ｃと、搬送アーム１２５Ａと、を備える。搬送アーム１２５Ａは、搬送ユニット３０Ｃの上に基板Ｗを受け渡す、及び、搬送ユニット３０Ｃの上に載置された基板Ｗを受け取ることができるように構成されている。また、搬送アーム１２５Ａは、処理室１１０の載置台１１１、ロードロック室１３０の載置台１３１に基板Ｗを受け渡す、載置台１１１、載置台１３１から基板Ｗを受け取ることができるように構成されている。そして、搬送ユニット３０Ｃは、基板Ｗを載置して真空搬送室１２０内を移動することができる。これにより、搬送ユニット３０Ｃは、真空搬送室１２０内を長手方向に移動して、他の搬送アームまで基板Ｗを搬送することができる。 The transport unit 30C may be configured to place the substrate W on the mover 31 and transport it. The vacuum transfer chamber 120 includes a planar motor 10, a transfer unit 30C, and a transfer arm 125A. The transport arm 125A is configured to transfer the substrate W onto the transport unit 30C and to receive the substrate W placed on the transport unit 30C. Further, the transport arm 125A is configured to transfer the substrate W to the mounting table 111 of the processing chamber 110 and the mounting table 131 of the load lock chamber 130, and to receive the substrate W from the mounting table 111 and the mounting table 131. there is Then, the transfer unit 30C can move the inside of the vacuum transfer chamber 120 with the substrate W placed thereon. Thereby, the transport unit 30C can move in the longitudinal direction inside the vacuum transport chamber 120 and transport the substrate W to another transport arm.

真空搬送室１２０には、真空搬送室１２０の長手方向（Ｘ方向）に伸びる第１通路１２１及び第２通路１２２が設けられている。第１通路１２１と第２通路１２２とは、隣接して並行に設けられている。また、第１通路１２１には、トンネル状の磁気シールド２００が設けられている。磁気シールド２００は、真空搬送室１２０の長手方向（Ｘ方向）に開口するように設けられている。搬送ユニット３０Ｃは、実線矢印で示すように、基板Ｗを載せた状態で磁気シールド２００内を長手方向（Ｘ方向）に移動することができる。また、搬送アーム１２５Ａは、二点鎖線で示すように、磁気シールド２００の開口から磁気シールド２００内にアクセスすることにより、磁気シールド２００内の搬送ユニット３０Ｃに基板Ｗを受け渡す、磁気シールド２００内の搬送ユニット３０Ｃから基板Ｗを受け取ることができる。 The vacuum transfer chamber 120 is provided with a first passage 121 and a second passage 122 extending in the longitudinal direction (X direction) of the vacuum transfer chamber 120 . The first passage 121 and the second passage 122 are provided adjacent to each other in parallel. A tunnel-shaped magnetic shield 200 is provided in the first passage 121 . The magnetic shield 200 is provided so as to open in the longitudinal direction (X direction) of the vacuum transfer chamber 120 . The transport unit 30C can move in the longitudinal direction (X direction) in the magnetic shield 200 with the substrate W placed thereon, as indicated by the solid line arrow. In addition, as indicated by the two-dot chain line, the transfer arm 125A transfers the substrate W to the transfer unit 30C inside the magnetic shield 200 by accessing the inside of the magnetic shield 200 through the opening of the magnetic shield 200. can receive the substrate W from the transport unit 30C.

以上、基板処理システム１００について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本開示の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。 Although the substrate processing system 100 has been described above, the present disclosure is not limited to the above embodiments and the like, and various modifications and improvements are possible within the scope of the present disclosure described in the claims. is.

１０平面モータ
１５コイル
３０，３０Ａ～３０Ｃ搬送ユニット
３１ムーバー
３２アーム
３５永久磁石
１００基板処理システム
１１０処理室
１２０真空搬送室
１２１第１通路
１２２第２通路
１３０ロードロック室
１４０大気搬送室
１５０ロードポート
１６０制御部
２００磁気シールド
２１０側壁
２１１～２１３段部 10 planar motor 15 coils 30, 30A to 30C transfer unit 31 mover 32 arm 35 permanent magnet 100 substrate processing system 110 processing chamber 120 vacuum transfer chamber 121 first passage 122 second passage 130 load lock chamber 140 atmosphere transfer chamber 150 load port 160 Control unit 200 Magnetic shield 210 Side walls 211 to 213 Stepped portion

Claims

a planar motor provided in the transfer chamber and having an array of coils;
a plurality of transfer units having permanent magnets and moving on the planar motor to transfer substrates;
a first passage provided in the transfer chamber and a second passage adjacent to the first passage;
and a magnetic shield provided in the first passage for shielding a magnetic field between the first passage and the second passage.

a control unit that controls the operation of the transport unit by controlling the energization of the coil;
The control unit
A first transport unit passes through the first passageway and a second transport unit passes the magnetic shield as it passes through the second passageway;
The substrate transfer apparatus according to claim 1.

wherein the magnetic shield has a step on a side wall between the first passage and the second passage;
The substrate transfer apparatus according to claim 1 or 2.

controlling the floating amount of the transport unit to transport the substrate supported by the transport unit;
The substrate transfer apparatus according to claim 3.

The transport unit has a first transport unit and a second transport unit that support the substrate at different heights.
The substrate transfer apparatus according to claim 3.

The substrate supported by the transport unit is transported by controlling the floating amount of the transport unit and controlling the inclination of the transport unit about the traveling direction of the transport unit as a rotation axis.
The substrate transfer apparatus according to claim 3.

The magnetic shield is provided so that a side wall between the first passage and the second passage can be opened and closed.
The substrate transfer apparatus according to claim 1 or 2.