JP2023056962A - 発光装置、画像形成装置、光電変換装置、電子機器、照明装置、移動体、および、発光装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】表示装置の発光効率や色純度の向上に有利な技術を提供する。【解決手段】基板の主面の上に複数の発光素子が配された発光装置であって、前記複数の発光素子のそれぞれは、発光層と、前記発光層と前記基板の主面との間に配され、前記発光層で生成された光を反射する反射層と、前記反射層と前記発光層との間に配された第１電極と、前記反射層と前記第１電極との間に配された光学距離調整層と、前記第１電極の周縁部を覆い、かつ、前記複数の発光素子のうち互いに隣り合う２つの発光素子間において前記光学距離調整層と前記発光層との間に配された絶縁層と、前記絶縁層から前記光学距離調整層を通過し、前記第１電極に電気的に接触しながら前記反射層の上面の高さに達するように延びる導電性プラグと、を含む。【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置、画像形成装置、光電変換装置、電子機器、照明装置、移動体、および、発光装置の製造方法に関する。

有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子などの自発光素子を用いた発光装置への関心が高まっている。特許文献１には、発光素子を用いた表示装置をフルカラー化する際に、発光効率や色純度を向上させるために、各発光色の発光光を共振させて取り出す共振器構造を導入した発光素子が示されている。

特開２００７－０５９１１６号公報

特許文献１に示される構成において、反射パターンと透明導電性材料を用いた対向電極との間の光学的距離を調整するための透明誘電膜に、反射パターンと対向電極とを電気的に接続するプラグが設けられている。特許文献１に示されるプラグは、透明誘電膜の所定の位置にコンタクトホールを設け、金属などの導電材料を堆積させてコンタクトホールを埋め込み、ＣＭＰ法などを用いて不要な導電材料を研磨することによって形成されうる。この研磨工程において、導電材料だけでなく透明誘電膜の表面が研磨されてしまい、透明誘電膜の膜厚が、共振器構造を実現するための適切な膜厚からずれてしまう可能性がある。

本発明は、発光装置の発光効率や色純度の向上に有利な技術を提供することを目的とする。

上記課題に鑑みて、本発明の実施形態に係る発光装置は、基板の主面の上に複数の発光素子が配された発光装置であって、前記複数の発光素子のそれぞれは、発光層と、前記発光層と前記基板の主面との間に配され、前記発光層で生成された光を反射する反射層と、前記反射層と前記発光層との間に配された第１電極と、前記反射層と前記第１電極との間に配された光学距離調整層と、前記第１電極の周縁部を覆い、かつ、前記複数の発光素子のうち互いに隣り合う２つの発光素子間において前記光学距離調整層と前記発光層との間に配された絶縁層と、前記絶縁層から前記光学距離調整層を通過し、前記第１電極に電気的に接触しながら前記反射層の上面の高さに達するように延びる導電性プラグと、を含むことを特徴とする。

本発明によれば、発光装置の発光効率や色純度の向上に有利な技術を提供することができる。

本実施形態にかかる発光装置の平面図および断面図。 図１の発光装置の製造方法を示す断面図。 図１の発光装置の製造方法を示す断面図。 図１の発光装置の製造方法を示す断面図。 図１の発光装置の変形例を示す断面図。 図１の発光装置の変形例を示す平面図。 図６の発光装置の断面図。 図６の発光装置の断面図。 本実施形態の発光装置の断面図。 本実施形態の発光装置を用いた画像形成装置の一例を示す図。 本実施形態の発光装置の応用例を示す図。 本実施形態の発光装置を用いた光電変換装置の一例を示す図。 本実施形態の発光装置を用いた電子機器の一例を示す図。 本実施形態の発光装置の応用例を示す図。 本実施形態の発光装置を用いた照明装置の一例を示す図。 本実施形態の発光装置を用いた移動体の一例を示す図。 本実施形態の発光装置を用いたウェアラブルデバイスの一例を示す図。

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

図１（ａ）、１（ｂ）～７を参照して、本開示の実施形態による発光装置について説明する。図１（ａ）は、本実施形態における発光装置１００の平面図である。発光装置１００は、例えば、基板に発光層を含む複数の画素が２次元アレイ状に配された表示領域２０１と、表示領域２０１で表示させる画像の画素信号の書き込み動作を制御する周辺回路領域２０２とを含みうる。発光装置１００は、表示領域２０１に静止画像や動画像などの画像（映像）を表示しうる。画像は、モノクロの画像であってもよいし、フルカラーの画像であってもよい。

図１（ｂ）は、表示領域２０１に配された、有機機能層１１１に有機ＥＬ材料などの自発光材料を含み構成される発光層を備える発光素子を含む画素１５０の断面図である。本実施形態において、表示領域２０１の基板１０１の主面１２１の上には、複数の画素１５０が形成されている。複数の画素１５０のそれぞれは、それぞれ異なる色の光を出射する副画素１５１ｂ、副画素１５１ｇ、副画素１５１ｒを含む。以下、特定の副画素を示す場合は、副画素１５１「ｂ」のように参照番号の後に添え字を追加し、何れの副画素であってもよい場合は、単に副画素「１５１」と記載する。他の構成要素においても同様である。

複数の副画素１５１のそれぞれに、発光素子１２０が配されている。発光素子１２０のそれぞれは、反射層１０５、光学距離調整層１０７、絶縁層１０８、透過電極１０９、発光層を含む有機機能層１１１、導電性プラグ１１０、上部電極１１２を含む。基板１０１は、例えばシリコンなどの、半導体材料を用いた基体である。基板１０１の主面１２１には、それぞれの副画素１５１における発光（例えば、光量や発光時間など）を制御するためのトランジスタなどの素子１０２が配されている。素子１０２の上には、基板１０１の主面１２１および素子１０２を覆うように、層間絶縁層１０３が配されている。層間絶縁層１０３内には、配線パターンなどが形成された導電層１０４が配されている。図１（ｂ）に示される構成では、１層の導電層１０４が配されている。しかしながら、これに限られることはなく、２層以上の導電層１０４が、層間絶縁層１０３に配されていてもよい。

層間絶縁層１０３の上方、発光層を含む有機機能層１１１と基板１０１の主面１２１との間には、発光層で生成された光を反射する反射層１０５が配されている。反射層１０５の材料として、例えば、アルミニウム合金などの金属材料が選ばれうる。トランジスタのソース／ドレイン領域など素子１０２と導電層１０４との間、導電層１０４と反射層１０５との間には、導電性プラグ１０６が配されている。導電性プラグ１０６は、トランジスタのソース／ドレイン領域やゲート電極など素子１０２と導電層１０４との間や、導電層１０４と反射層１０５との間などを電気的に接続する。導電性プラグ１０６には、例えばチタン／窒化チタン（Ｔｉ／ＴｉＮ）などのバリアメタル層を含むタングステン（Ｗ）などが用いられる。

光学距離調整層１０７は、複数の層１０７ｂ、１０７ｇ、１０７ｒから構成される積層構造を有しうる。光学距離調整層１０７は、少なくとも一部が反射層１０５と透過電極１０９との間に配される。また、光学距離調整層１０７の一部は、副画素１５１ｂ、１５１ｇにおいて透過電極１０９の周縁部を覆っている。絶縁層１０８は、透過電極１０９の周縁部を覆い、かつ、複数の副画素１５１のそれぞれの発光素子１２０のうち互いに隣り合う発光素子間において光学距離調整層１０７と発光層を含む有機機能層１１１との間に配される。光学距離調整層１０７および絶縁層１０８には、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの誘電材料が用いられうる。

透過電極１０９（第１電極）は、反射層１０５と発光層を含む有機機能層１１１との間に配され、発光層で生成された光を透過する。透過電極１０９には、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などの透明導電性材料が用いられる。

反射層１０５と透過電極１０９とは、導電性プラグ１１０を介して電気的に接続される。導電性プラグ１１０は、絶縁層１０８から光学距離調整層１０７を通過し、透過電極１０９に電気的に接触しながら反射層１０５に達するように延びる。導電性プラグ１１０は、反射層１０５に接するように反射層１０５の側に配された面１３１と、絶縁層１０８の中に配される面１３２と、を有し、面１３１と面１３２とを接続するように、基板１０１の主面１２１に対して直交する方向に延びている。また、導電性プラグ１１０は、基板１０１主面１２１に対する正射影において、面１３１が、面１３２と重なっている。導電性プラグ１１０は、面１３２から面１３１へと絶縁層１０８および光学距離調整層１０７を貫通して延び、一部が透過電極１０９に達し、かつ、他の一部が反射層１０５に達する形状を有している。導電性プラグ１１０は、いわゆるシェアードコンタクト構造に類似した構造を有する。このような構造の導電性プラグ１１０を用いることで、貫通孔を１つ設けるだけで、予め形成されている深さの異なる２つの層（例えば、透過電極１０９および反射層１０５）を、２つの層を形成した後に電気的に接続させることができる。この導電性プラグ１１０の構造は、後述する製造方法を用いることで形成することができる。

透過電極１０９の上に配されている光学距離調整層１０７および絶縁層１０８の一部は、透過電極１０９と発光層を含む有機機能層１１１とを接触させるためにエッチングされ、開口部１１６が形成されている。透過電極１０９および絶縁層１０８の上方には、透過電極１０９および絶縁層１０８を覆うように、自発光材料を含む発光層を備える有機機能層１１１が配される。ここで、「上」、「上方」とは、図１（ｂ）の上方向、基板１０１の主面１２１から主面１２１の法線方向に離れる方向を示す。したがって、透過電極１０９の上方に有機機能層１１１が配されると記載されている場合、有機機能層１１１は、透過電極１０９よりも基板１０１（主面１２１）から離れた位置に配されていることを意味する。

有機機能層１１１の上方には、上部電極１１２（第２電極）が配されている。上部電極１１２には、透過電極１０９と同様に透明導電性材料が用いられうる。透過電極１０９および上部電極１１２が、有機機能層１１１に対するアノードおよびカソードとして機能し、発光素子を構成する。有機機能層１１１および上部電極１１２は、図１（ｂ）に示されるように、複数の副画素１５１で共有されていてもよい。例えば、有機機能層１１１および上部電極１１２は、表示領域２０１の全体にわたって一体的に形成されていてもよい。

上部電極１１２の上方には、封止層１１３が配される。封止層１１３には、例えば、窒化シリコンなどの材料が用いられる。封止層１１３によって、基板１０１上に形成されたトランジスタなどの素子１０２や有機機能層１１１などの各構成要素が封止され、外気や水分の侵入が抑制される。

封止層１１３の上方には、それぞれの副画素１５１の発光素子１２０に対応するようにカラーフィルタ１１４が配される。本実施形態において、有機機能層１１１に含まれる発光層が白色に発光し、カラーフィルタ１１４は、副画素１５１ｂ、１５１ｇ、１５１ｒでそれぞれ互いに異なる色に変換する。本実施形態において、副画素１５１ｂには、青色の光を透過するカラーフィルタ１１４ｂが、副画素１５１ｇには、緑色の光を透過するカラーフィルタ１１４ｇが、副画素１５１ｒには、赤色の光を透過するカラーフィルタ１１４ｒが、それぞれ形成されている。

次いで、図２（ａ）～４（ｂ）を用いて光学距離調整層１０７を用いた共振器構造、および、反射層１０５と透過電極１０９とを電気的に接続する導電性プラグ１１０の製造方法について詳細に説明する。図２（ａ）～４（ｂ）の各図において、反射層１０５より下方（基板１０１の主面１２１に近い方）の構成要素は、図１（ｂ）と同様であってもよい。このため、層間絶縁層１０３よりも基板１０１側の構成要素は、一部、図示を省略する。

まず、図２（ａ）に示されるように、層間絶縁層１０３が形成された基板１０１の上に、複数の副画素１５１のそれぞれの発光素子１２０に対応し、有機機能層１１１に配された発光層で生成された光を反射する反射層１０５が形成される。反射層１０５は、例えば、ＡｌＣｕ膜をスパッタ法などの成膜方法を用いて成膜し、フォトリソグラフィ工程、ドライエッチング工程などの工程を経て形成される。それぞれの反射層１０５は、対応する副画素１５１のトランジスタなどの素子１０２に、導電性プラグ１０６を介して電気的に接続される。このように、反射層は、導電体でありうる。

次いで、図２（ｂ）に示されるように、反射層１０５上面に、光学距離調整層１０７のうち層１０７ｂとして、ＣＶＤ法などの成膜方法を用いて、例えば、酸化シリコンを成膜する。次いで、層１０７ｂの上に、例えば、ＩＴＯ膜をスパッタ法などの成膜方法を用いて成膜し、フォトリソグラフィ工程、ドライエッチング工程などの工程を経て副画素１５１ｂに配される発光素子１２０ｂの透過電極１０９ｂが形成される。ここで、反射層１０５と透過電極１０９ｂとの間に形成された光学距離調整層１０７のうち層１０７ｂによって規定される膜厚Ｔｂは、副画素１５１ｂに配される発光素子１２０ｂの有機機能層１１１に含まれる発光層で発生した光が、反射層１０５との間で反射、共振することによって所望の第１ピーク波長を有する光を最も強め合うように設定される。

透過電極１０９ｂを形成した後、図２（ｃ）に示されるように、透過電極１０９ｂおよび層１０７ｂを覆うように、光学距離調整層１０７のうち層１０７ｇを成膜する。層１０７ｇとして、ＣＶＤ法などの成膜方法を用いて、例えば、酸化シリコンが成膜されてもよい。次いで、層１０７ｇの上に、例えば、ＩＴＯ膜をスパッタ法などの成膜方法を用いて成膜し、フォトリソグラフィ工程、ドライエッチング工程などの工程を経て副画素１５１ｇに配される発光素子１２０ｇの透過電極１０９ｇが形成される。ここで、反射層１０５と透過電極１０９ｇとの間に形成された光学距離調整層１０７のうち層１０７ｂ、１０７ｇによって規定される膜厚Ｔｇは、副画素１５１ｇに配される発光素子１２０ｇの有機機能層１１１に含まれる発光層で発生した光が、反射層１０５との間で反射、共振することによって、上述の第１ピーク波長とは異なる所望の第２ピーク波長を有する光を最も強め合うように設定される。

透過電極１０９ｇを形成した後、図３（ａ）に示されるように、透過電極１０９ｇおよび層１０７ｇを覆うように、光学距離調整層１０７のうち層１０７ｒを成膜する。層１０７ｒとして、ＣＶＤ法などの成膜方法を用いて、例えば、酸化シリコンが成膜されてもよい。次いで、層１０７ｒの上に、例えば、ＩＴＯ膜をスパッタ法などの成膜方法を用いて成膜し、フォトリソグラフィ工程、ドライエッチング工程などの工程を経て副画素１５１ｒに配される発光素子１２０ｒの透過電極１０９ｒが形成される。ここで、反射層１０５と透過電極１０９ｒとの間に形成された光学距離調整層１０７のうち層１０７ｂ、１０７ｇ、１０７ｒによって規定される膜厚Ｔｒは、副画素１５１ｒに配される発光素子１２０ｒの有機機能層１１１に含まれる発光層で発生した光が、反射層１０５との間で反射、共振することによって、上述の第１ピーク波長および第２ピーク波長とは異なる所望の第３ピーク波長を有する光を最も強め合うように設定される。以上の工程によって、反射層１０５の上に、光学距離調整層１０７と、光学距離調整層１０７の中または上に、複数の副画素１５１のそれぞれの発光素子１２０に対応し、有機機能層１１１中の発光層で生成された光を透過する透過電極１０９と、が形成される。

次いで、図３（ｂ）に示されるように、光学距離調整層１０７および透過電極１０９を覆うように絶縁層１０８が形成される。絶縁層１０８として、ＣＶＤ法などの成膜方法を用いて、例えば、酸化シリコンが成膜されてもよい。絶縁層１０８の表面（上面）は、例えば、ＣＭＰ工程などの平坦化処理によって平坦化される。

絶縁層１０８の表面を平坦化させた後、フォトリソグラフィ工程、ドライエッチング工程などの工程を経て絶縁層１０８から光学距離調整層１０７を通過し、透過電極１０９の一部を露出させながら反射層１０５に達するように延びるコンタクトホール１１５が形成される。コンタクトホール１１５は、絶縁層１０８の上側から絶縁層１０８および光学距離調整層１０７を貫通して透過電極１０９に達し、かつ、一部が反射層１０５に達するように開口される。

コンタクトホール１１５を形成した後、図４（ａ）に示されるように、コンタクトホール１１５に導電性プラグ１１０が形成される。例えば、Ｔｉ／ＴｉＮバリアメタル層を形成した後にタングステン膜を成膜し、コンタクトホール１１５を埋め込む。コンタクトホール１１５を埋め込んだ後に、例えばＣＭＰ工程などの平坦化処理（研磨処理）が行われ、絶縁層１０８の表面に堆積されたタングステン膜などの導電材料を研磨することによって、導電性プラグ１１０が形成される。この平坦化処理によって、絶縁層１０８の表面の一部は、研磨され除去されうる。しかしながら、平坦化処理は、絶縁層１０８によって覆われている光学距離調整層１０７には影響せず、光学距離調整層１０７の膜厚（膜厚Ｔｂ、Ｔｇ、Ｔｒ）は維持される。

次いで、導電性プラグ１１０を覆うように絶縁層をさらに形成し導電性プラグ１１０を埋設する。導電性プラグ１１０を覆う絶縁層は、例えば、酸化シリコンなど絶縁層１０８と同じ材料で形成されてもよい。このため、図４（ｂ）では、導電性プラグ１１０を覆う絶縁層は、絶縁層１０８と一体化して示されている。さらに、図４（ｂ）に示されように、フォトリソグラフィ工程、ドライエッチング工程などの工程を経て、絶縁層１０８および光学距離調整層１０７の一部を貫通し、透過電極１０９のうちコンタクトホール１１５を形成した一部とは異なる部分を露出させる開口部１１６が形成される。このドライエッチング工程において、絶縁層１０８および光学距離調整層１０７のエッチングレートは、透過電極１０９のエッチングレートに対して十分高い条件で処理が行われ、透過電極１０９がエッチングストッパとしても機能してもよい。

以上の工程によって、副画素１５１ｂ、１５１ｇ、１５１ｒに、膜厚Ｔｂ、Ｔｇ、Ｔｒで規定される光学距離調整層１０７を有する共振器構造が形成される。つまり、複数の副画素１５１のそれぞれに配される発光素子１２０が、反射層１０５と透過電極１０９との間の距離が互いに異なる副画素１５１ｂの発光素子１２０ｂ、副画素１５１ｇの発光素子１２０ｇ、副画素１５１ｒの発光素子１２０ｒを含み、光学距離調整層１０７が、層１０７ｂ、１０７ｇ、１０７ｒを含む。副画素１５１ｂの発光素子１２０ｂにおいて、反射層１０５ｂと透過電極１０９ｂとの間に光学距離調整層１０７のうち層１０７ｂが配され、透過電極１０９ｂの周縁部と絶縁層１０８との間に光学距離調整層１０７のうち層１０７ｇ、１０７ｒが配される。また、副画素１５１ｇの発光素子１２０ｇにおいて、反射層１０５ｇと透過電極１０９ｇとの間に光学距離調整層１０７のうち層１０７ｂ、１０７ｇが配され、透過電極１０９ｇの周縁部と絶縁層１０８との間に光学距離調整層１０７のうち層１０７ｒが配される。さらに、副画素１５１ｒの発光素子１２０ｒにおいて、反射層１０５ｒと透過電極１０９ｒとの間に光学距離調整層１０７のうち層１０７ｂ、１０７ｇ、１０７ｒが配される。

また、反射層１０５と透過電極１０９とを電気的に接続する導電性プラグ１１０が形成される。上述したように、導電性プラグ１０６は、光学距離調整層１０７の上に配された絶縁層１０８の中から透過電極１０９を経て反射層１０５に達する。このため、導電性プラグ１１０の面１３２は、複数の副画素１５１に配されたそれぞれの発光素子１２０の何れの発光素子の透過電極１０９よりも基板１０１の主面１２１から離れた位置に配されうる。また、導電性プラグ１１０は、透過電極１０９の外縁部の上面および側面のうち一部に接している。

開口部１１６を形成した後、所望のパターニングの開口を有した蒸着マスクを用いた真空蒸着法などによって、透過電極１０９の開口部１１６によって露出した部分に接するように発光層を含む有機機能層１１１が形成される。さらに、有機機能層１１１の上に配される上部電極１１２、上部電極１１２の上に配される封止層１１３、封止層１１３の上に配されるカラーフィルタ１１４が、それぞれ所望の工程を用いて形成される。これらの工程によって、図１（ｂ）に示されるような副画素１５１（発光素子１２０）が配された画素１５０を表示領域２０１に備える発光装置１００が形成される。

本実施形態に示される導電性プラグ１１０によって反射層１０５と透過電極１０９とが接続された構造によれば、導電性プラグ１１０を形成する際のＣＭＰ処理などの平坦化処理（研磨処理）に起因する光学距離調整層１０７の膜厚の減少が避けることができる。すなわち、透過電極１０９を形成する前に、下地となる光学距離調整層１０７にビアを設けてプラグを形成し、その上に透過電極１０９を形成する場合には、透過電極１０９を形成する下地層の上面を平坦化するために、ＣＭＰ処理などの平坦化処理を行う必要がある。しかし、本実施形態に示される導電性プラグ１１０によれば、透過電極１０９の形成後に導電性プラグを形成することができるので、光学距離調整層１０７を形成した後に、ＣＭＰ処理などの平坦化処理を施す必要がない。したがって、それぞれの副画素１５１ｂ、１５１ｇ、１５１ｒの発光素子１２０ｂ、１２０ｇ、１２０ｒに適した、所望の膜厚Ｔｂ、Ｔｇ、Ｔｒを有する光学距離調整層１０７ｂ、１０７ｇ、１０７ｒを容易に形成することが可能になる。結果として、発光装置１００の発光効率や色純度を向上させることが可能になる。

さらに、絶縁層１０８および光学距離調整層１０７を貫通して透過電極１０９に達し、かつ、一部が反射層１０５に達するコンタクトホール１１５を形成し、このコンタクトホール１１５に導電性プラグ１１０を形成する。このような構成を用いることによって、導電性プラグ１１０に対して反射層１０５および透過電極１０９を過剰にオーバーラップさせずに、接続不良を抑制しつつ反射層１０５と透過電極１０９とを電気的に接続できる。つまり、画素１５０（副画素１５１）の微細化を図ることが容易になる。結果として、発光装置１００の高精細化が可能になる。

上述の発光装置１００の変形例について、図５を用いて説明する。図５に示される発光装置１００は、複数の副画素１５１のそれぞれに配された発光素子１２０のそれぞれが、反射層１０５に加えて、反射層１０５と同層に配された導電部材２０５を有する。反射層１０５と導電部材２０５とは、電気的に分離されている。図５に示される例では、導電部材２０５は、下層の導電性プラグ１０６と電気的に接続されているが、反射層１０５は、下層の各層とは電気的には接続されておらず、フローティングとされている。反射層１０５は、導電性プラグ１０６以外の導電部材によって、下層の別の層と電気的に接続されていてもよい。導電部材２０５は、上述の図２（ａ）のように、反射層１０５を形成した後に、反射層１０５のうちの導電性プラグ１０６と接続されている部分を、反射層１０５の他の部分から電気的に分離させることによって形成可能である。この結果、導電性プラグ１０６と接続されている部分が導電部材２０５になり、その他の部分が反射層１０５になる。反射層１０５の上面と導電部材２０５との上面とは同じ高さになっている。

この変形例においても、導電性プラグ１１０は、絶縁層１０８から光学距離調整層１０７を通過し、透過電極１０９に電気的に接触しながら反射層１０５の上面の高さに達するように延びて形成されている。導電部材２０５を設けずに、導電性プラグ１１０が導電性プラグ１０６に直接接するようにしてもよい。すなわち、導電性プラグ１１０が、反射層１０５の下面に達するように延びて形成されていてもよい。

上述の発光装置１００の他の変形例について、図６～８を用いて説明する。発光装置１００は、図６に示されるように、複数の画素１５０が２次元アレイ状に配された表示領域２０１と、表示領域２０１で表示させる画像の画素信号の書き込み動作を制御する周辺回路領域２０２と、を含む。ここで、表示領域２０１の中央部を表示領域２０１Ｃとする。また、表示領域２０１Ｃよりも表示領域２０１の外縁に近く、図６において左側の領域を表示領域２０１Ｌ、同じく表示領域２０１Ｃよりも表示領域２０１の外縁に近く、図６において右側の領域を表示領域２０１Ｒとする。

図７（ａ）に示されるように、本実施形態において、図１（ｂ）に示される構成に追加して、複数の副画素１５１のそれぞれには、発光層を含む有機機能層１１１よりも基板１０１の主面１２１から離れた位置にマイクロレンズ３０１がさらに配されている。マイクロレンズ３０１は、カラーフィルタ１１４の上に配される。換言すると、カラーフィルタ１１４は、マイクロレンズ３０１と発光層を含む有機機能層１１１との間に配される。ここで、図６～８の各図において、反射層１０５より下方（基板１０１の主面１２１に近い方）の構成要素は、図１（ｂ）と同様であってもよい。このため、層間絶縁層１０３よりも基板１０１側の構成要素の図示は省略されている。

マイクロレンズ３０１は、例えば、透明な樹脂によって半球状や涙滴状などの形状に形成されている。有機機能層１１１に含まれる発光層で生成され、副画素１５１ｂ、１５１ｇ、１５１ｒの発光素子１２０ｂ、１２０ｇ、１２０ｒが備える共振器構造によって、それぞれ異なるピーク波長を有する光の放射を、マイクロレンズ３０１は収束させる。マイクロレンズ３０１の形成は、まず、例えば塗布法などの適当の方法を用いて透明樹脂を成膜する。次いで、フォトリソグラフィ工程などを用いて透明樹脂を所望のパターン形状に成形し、パターン化された透明樹脂を熱処理することによって流動化させることで、マイクロレンズ３０１が形成できる。

さらに、本実施形態において、表示領域２０１のうち一部の領域において、副画素１５１は、カラーフィルタ１１４およびマイクロレンズ３０１の中心と、対応する透過電極１０９の中心と、の相対的なずれが生じるように形成されている。ここで、透過電極１０９の「中心」は、基板１０１の主面１２１に対する正射影における透過電極１０９の幾何学的重心位置でありうる。基板１０１の主面１２１に対する正射影において、透過電極１０９が、例えば矩形状を有する場合、２つの対角線の交点が中心である。カラーフィルタ１１４およびマイクロレンズ３０１についても「中心」の意味は同様である。

具体的には、表示領域２０１の中央部の表示領域２０１Ｃにおいて、図７（ａ）に示されるように、画素１５０Ｃのそれぞれの副画素１５１の発光素子１２０の透過電極１０９の中心と、対応するカラーフィルタ１１４およびマイクロレンズ３０１の中心と、は互いに一致するように配されている。一方、表示領域２０１の外縁に近い表示領域２０１Ｌ、２０１Ｒに配された画素１５０Ｌ、１５０Ｒにおいて、図７（ｂ）、図８に示されるように、画素１５０Ｌ、１５０Ｒのそれぞれの副画素１５１の発光素子１２０の透過電極１０９の中心と、対応するカラーフィルタ１１４およびマイクロレンズ３０１の中心とが、ずれるように配されている。

より詳細には、画素１５０は、表示領域２０１の中央部の表示領域２０１Ｃに配された画素１５０Ｃ（図７（ａ）に示される。）と、画素１５０Ｃよりも複数の画素１５０が配された表示領域２０１の外縁に近い位置（表示領域２０１Ｌ、２０１Ｒ）に配される画素１５０Ｌ、１５０Ｒ（図７（ｂ）、８に示される。）と、を含む。ここで、基板１０１の主面１２１に対する正射影において、画素１５０Ｌ、１５０Ｒの副画素１５１に配される発光素子１２０の透過電極１０９の中心と画素１５０Ｌ、１５０Ｒの副画素１５１に配される発光素子１２０のマイクロレンズ３０１の中心との間の距離が、画素１５０Ｃの副画素１５１に配される発光素子１２０の透過電極１０９の中心と画素１５０Ｃの副画素１５１に配される発光素子１２０のマイクロレンズ３０１の中心との間の距離よりも大きくなっている。この場合、図７（ｂ）、８に示されるように、画素１５０Ｌ、１５０Ｒの副画素１５１に配される発光素子１２０において、マイクロレンズ３０１の中心が、透過電極１０９の中心よりも表示領域２０１の中心から表示領域２０１の外縁に向かう方向にずれている。つまり、図６、７（ｂ）に示されるように、表示領域２０１Ｃよりも左側の領域である表示領域２０１Ｌに配された画素１５０Ｌの副画素１５１に配される発光素子１２０において、マイクロレンズ３０１の中心が、透過電極１０９の中心よりも左側にずれている。同様に、図６、８に示されるように、表示領域２０１Ｃよりも右側の領域である表示領域２０１Ｒに配された画素１５０Ｒの副画素１５１に配される発光素子１２０において、マイクロレンズ３０１の中心が、透過電極１０９の中心よりも右側にずれている。複数の副画素１５１に配されたそれぞれの発光素子１２０において、表示領域２０１の中心から表示領域２０１の外縁に向かうにつれて、基板１０１の主面１２１に対する正射影における透過電極１０９の中心と対応するマイクロレンズ３０１の中心との間の距離（ずれ量）が、連続的または段階的に大きくなっていてもよい。

同様に、基板１０１の主面１２１に対する正射影において、画素１５０Ｌ、１５０Ｒの副画素１５１に配される発光素子１２０の透過電極１０９の中心と画素１５０Ｌ、１５０Ｒの副画素１５１に配される発光素子１２０のカラーフィルタ１１４の中心との間の距離が、画素１５０Ｃの副画素１５１に配される発光素子１２０の透過電極１０９の中心と画素１５０Ｃの副画素１５１に配される発光素子１２０のカラーフィルタ１１４の中心との間の距離よりも大きくなっていてもよい。この場合、図７（ｂ）、８に示されるように、画素１５０Ｌ、１５０Ｒの副画素１５１に配される発光素子１２０において、カラーフィルタ１１４の中心が、透過電極１０９の中心よりも表示領域２０１の中心から表示領域２０１の外縁に向かう方向にずれている。つまり、図６、７（ｂ）に示されるように、表示領域２０１Ｃよりも左側の領域である表示領域２０１Ｌに配された画素１５０Ｌの副画素１５１に配される発光素子１２０において、カラーフィルタ１１４の中心が、透過電極１０９の中心よりも左側にずれている。同様に、図６、８に示されるように、表示領域２０１Ｃよりも右側の領域である表示領域２０１Ｒに配された画素１５０Ｒの副画素１５１に配される発光素子１２０において、カラーフィルタ１１４の中心が、透過電極１０９の中心よりも右側にずれている。複数の副画素１５１に配されたそれぞれの発光素子１２０において、表示領域２０１の中心から表示領域２０１の外縁に向かうにつれて、基板１０１の主面１２１に対する正射影における透過電極１０９の中心と対応するカラーフィルタ１１４の中心との間の距離（ずれ量）が、連続的または段階的に大きくなっていてもよい。

ここで、複数の発光素子１２０のそれぞれの発光素子において、基板１０１の主面１２１に対する正射影における透過電極１０９の中心と対応するカラーフィルタ１１４の中心との間の距離（ずれ量）が、基板１０１の主面１２１に対する正射影における透過電極１０９の中心と対応するマイクロレンズ３０１の中心との間の距離以下であってもよい。有機機能層１１１の発光層からの光に対して、カラーフィルタ１１４は、透過電極１０９とマイクロレンズ３０１との間に配されているためである。また、基板１０１の主面１２１に対する正射影において、複数の副画素１５１のそれぞれの副画素において、マイクロレンズ３０１の中心と対応するカラーフィルタ１１４の中心とが、同じ位置にあってもよい。マイクロレンズ３０１からカラーフィルタ１１４までの距離が、透過電極１０９からカラーフィルタ１１４およびマイクロレンズ３０１までの距離と比較して短いためである。

以上のように、表示領域２０１の中央部から外縁側に離れる方向に、透過電極１０９の中心位置に対して、カラーフィルタ１１４、マイクロレンズ３０１の中心位置をずらして配置する。この構成によって、発光装置１００は、図７（ｂ）、８に示される矢印のような広角な光を射出でき、より広い視野角特性を得ることが可能になる。

また、図７（ｂ）、８に示されるように、基板１０１の主面１２１に対する正射影において、導電性プラグ１１０が、透過電極１０９の周縁部のうち表示領域２０１の中心に近い部分で透過電極１０９に接触していてもよい。ここで、透過電極１０９のうち表示領域２０１の中心に近い部分は、透過電極１０９の基板１０１の主面１２１に正射影のうち表示領域２０１の中心側の半分の面積の領域であってもよい。例えば、透過電極１０９が略矩形状である場合、当該部分は、透過電極１０９の表示領域２０１の中心の側に配されている辺であってもよい。

図６、７（ｂ）に示されるように、表示領域２０１Ｃよりも左側の領域である表示領域２０１Ｌに配された画素１５０Ｌの副画素１５１に配される発光素子１２０において、導電性プラグ１１０は、透過電極１０９の表示領域２０１の中心に近い右側に配されている。同様に、図６、８に示されるように、表示領域２０１Ｃよりも左側の領域である表示領域２０１Ｒに配された画素１５０Ｒの副画素１５１に配される発光素子１２０において、導電性プラグ１１０は、透過電極１０９の表示領域２０１の中心に近い左側に配されている。このように、導電性プラグ１１０を、透過電極１０９の中心に対するカラーフィルタ１１４およびマイクロレンズ３０１の中心をずらす方向とは逆の位置に配する。この配置は、導電性プラグ１１０による広角側に広がる光のけられが生じず、広い視野角特性の劣化を抑制することを可能にする。

図６～８を用いた説明では、表示領域２０１のうち中央部の表示領域２０１Ｃおよび表示領域２０１Ｃよりも左および右に位置する表示領域２０１Ｌ、２０１Ｒの３つの領域に分けた例を用いて説明したが、これに限定されるものではない。表示領域２０１の中央部から外縁に向けた相対的な位置に応じて、ずれの方向およびずれ量を適宜、複数の領域に分けて適用することが可能である。

ここで、本実施形態の発光装置１００を、画像形成装置、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置、移動体、および、ウェアラブルデバイスに適用した応用例について図９（ａ）～１７（ｂ）を用いて説明する。まず、上述の発光装置１００の各構成の詳細や変形例を示した後に、応用例、適用例を説明する。以下の説明において、上述の透過電極１０９、有機機能層１１１および上部電極１１２を含む発光素子１２０の構成を、有機発光素子と表現する場合がある。

本実施形態の有機発光素子は、第一電極と第二電極と、これら電極間に配置される有機化合物層と、を少なくとも有する。第一電極及び第二電極は、一方が陽極で他方が陰極である。本実施形態の有機発光素子において、有機化合物層は発光層を有していれば単層であってもよいし複数層からなる積層体であってもよい。ここで有機化合物層が複数層からなる積層体である場合、有機化合物層は、発光層の他に、ホール注入層、ホール輸送層、電子ブロッキング層、ホール・エキシトンブロッキング層、電子輸送層、電子注入層等を有してもよい。また発光層は、単層であってもよいし、複数の層からなる積層体であってもよい。

本実施形態の有機発光素子において、上記有機化合物層の少なくとも一層が本実施形態に係る有機金属錯体を含有する。具体的には、本実施形態に係る有機化合物は、上述した発光層、ホール注入層、ホール輸送層、電子ブロッキング層、ホール・エキシトンブロッキング層、電子輸送層、電子注入層等のいずれかに含まれている。本実施形態に係る有機化合物は、好ましくは、発光層に含まれる。

本実施形態の有機発光素子において、本実施形態に係る有機化合物が発光層に含まれる場合、発光層は、本実施形態に係る有機化合物のみからなる層であってもよいし、本実施形態に係る有機金属錯体と他の化合物とからなる層であってもよい。ここで、発光層が本実施形態に係る有機金属錯体と他の化合物とからなる層である場合、本実施形態に係る有機化合物は、発光層のホストとして使用してもよいし、ゲストとして使用してもよい。また発光層に含まれ得るアシスト材料として使用してもよい。ここでホストとは、発光層を構成する化合物の中で質量比が最も大きい化合物である。またゲストとは、発光層を構成する化合物の中で質量比がホストよりも小さい化合物であって、主たる発光を担う化合物である。またアシスト材料とは、発光層を構成する化合物の中で質量比がホストよりも小さく、ゲストの発光を補助する化合物である。尚、アシスト材料は、第２のホストとも呼ばれている。ホスト材料を第一の化合物、アシスト材料を第二の化合物と呼ぶこともできる。

本実施形態に係る有機化合物を発光層のゲストとして用いる場合、ゲストの濃度は、発光層全体に対して０．０１質量％以上２０質量％以下であることが好ましく、０．１質量％以上１０質量％以下であることがより好ましい。

本発明者らは種々の検討を行い、本実施形態に係る有機化合物を、発光層のホスト又はゲストとして、特に、発光層のゲストとして用いると、高効率で高輝度な光出力を呈し、かつ極めて耐久性が高い素子が得られることを見出した。この発光層は単層でも複層でも良いし、他の発光色を有する発光材料を含むことで本実施形態の発光色である赤の発光と混色させることも可能である。複層とは発光層と別の発光層とが積層している状態を意味する。この場合、有機発光素子の発光色は赤に限られない。より具体的には白色でもよいし、中間色でもよい。白色の場合、別の発光層が赤以外の色、すなわち青色や緑色を発光する。また、製膜方法も蒸着もしくは塗布製膜で製膜を行う。この詳細については、後述する実施例で詳しく説明する。

本実施形態に係る有機金属錯体は、本実施形態の有機発光素子を構成する発光層以外の有機化合物層の構成材料として使用することができる。具体的には、電子輸送層、電子注入層、ホール輸送層、ホール注入層、ホールブロッキング層等の構成材料として用いてもよい。この場合、有機発光素子の発光色は赤に限られない。より具体的には白色発光でもよいし、中間色でもよい。

ここで、本実施形態に係る有機化合物以外にも、必要に応じて従来公知の低分子系及び高分子系のホール注入性化合物あるいはホール輸送性化合物、ホストとなる化合物、発光性化合物、電子注入性化合物あるいは電子輸送性化合物等を一緒に使用することができる。以下にこれらの化合物例を挙げる。

ホール注入輸送性材料としては、陽極からのホールの注入を容易にして、かつ注入されたホールを発光層へ輸送できるようにホール移動度が高い材料が好ましい。また有機発光素子中において結晶化等の膜質の劣化を抑制するために、ガラス転移点温度が高い材料が好ましい。ホール注入輸送性能を有する低分子及び高分子系材料としては、トリアリールアミン誘導体、アリールカルバゾール誘導体、フェニレンジアミン誘導体、スチルベン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、ポリ（ビニルカルバゾール）、ポリ（チオフェン）、その他導電性高分子が挙げられる。さらに上記のホール注入輸送性材料は、電子ブロッキング層にも好適に使用される。以下に、ホール注入輸送性材料として用いられる化合物の具体例を示すが、もちろんこれらに限定されるものではない。

正孔輸送材料としてあげた中でも、ＨＴ１６乃至ＨＴ１８は、陽極に接する層に用いることで駆動電圧を低減することができる。ＨＴ１６は広く有機発光素子に用いられている。ＨＴ１６に隣接する有機化合物層に、ＨＴ２、ＨＴ３、ＨＴ４、ＨＴ５、ＨＴ６、ＨＴ１０、ＨＴ１２を用いてよい。また、一つの有機化合物層に複数の材料を用いてもよい。

主に発光機能に関わる発光材料としては、縮環化合物（例えばフルオレン誘導体、ナフタレン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、テトラセン誘導体、アントラセン誘導体、ルブレン等）、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、スチルベン誘導体、トリス（８－キノリノラート）アルミニウム等の有機アルミニウム錯体、イリジウム錯体、白金錯体、レニウム錯体、銅錯体、ユーロピウム錯体、ルテニウム錯体、及びポリ（フェニレンビニレン）誘導体、ポリ（フルオレン）誘導体、ポリ（フェニレン）誘導体等の高分子誘導体が挙げられる。

以下に、発光材料として用いられる化合物の具体例を示すが、もちろんこれらに限定されるものではない。

発光材料が炭化水素化合物である場合、エキサイプレックス形成による発光効率低下やエキサイプレックス形成による発光材料の発光スペクトルの変化による色純度低下を低減できるので、好ましい。

炭化水素化合物とは炭素と水素のみで構成される化合物であり、上記の例示化合物の中ではＢＤ７、ＢＤ８、ＧＤ５乃至ＧＤ９、ＲＤ１である。

発光材料は５員環を含む縮合多環である場合、イオン化ポテンシャルが高いため、酸化しにくく、高耐久な寿命の素子となるため好ましい。上記の例示化合物の中ではＢＤ７、ＢＤ８、ＧＤ５乃至ＧＤ９、ＲＤ１である。

発光層に含まれる発光層ホストあるいは発光アシスト材料としては、芳香族炭化水素化合物もしくはその誘導体の他、カルバゾール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、トリス（８－キノリノラート）アルミニウム等の有機アルミニウム錯体、有機ベリリウム錯体等が挙げられる。

以下に、発光層に含まれる発光層ホストあるいは発光アシスト材料として用いられる化合物の具体例を示すが、もちろんこれらに限定されるものではない。

ホスト材料は炭化水素化合物である場合、本発明の化合物が電子や正孔をトラップしやすくなるため高効率化の効果が大きく好ましい。炭化水素化合物とは炭素と水素のみで構成される化合物であり、上記の例示化合物の中ではＥＭ１乃至ＥＭ１２及びＥＭ１６乃至ＥＭ２７である。

電子輸送性材料としては、陰極から注入された電子を発光層へ輸送することができるものから任意に選ぶことができ、ホール輸送性材料のホール移動度とのバランス等を考慮して選択される。電子輸送性能を有する材料としては、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ピラジン誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、有機アルミニウム錯体、縮環化合物（例えばフルオレン誘導体、ナフタレン誘導体、クリセン誘導体、アントラセン誘導体等）が挙げられる。さらに上記の電子輸送性材料は、ホールブロッキング層にも好適に使用される。

以下に、電子輸送性材料として用いられる化合物の具体例を示すが、もちろんこれらに限定されるものではない。

電子注入性材料としては、陰極からの電子注入が容易に可能なものから任意に選ぶことができ、正孔注入性とのバランス等を考慮して選択される。有機化合物としてｎ型ドーパント及び還元性ドーパントも含まれる。例えば、フッ化リチウム等のアルカリ金属を含む化合物、リチウムキノリノール等のリチウム錯体、ベンゾイミダゾリデン誘導体、イミダゾリデン誘導体、フルバレン誘導体、アクリジン誘導体があげられる。

また上記の電子輸送材料と合わせて用いることもできる。

有機発光素子は、基板の上に、絶縁層、第一電極、有機化合物層、第二電極を形成して設けられる。陰極の上には、保護層、カラーフィルタ、マイクロレンズ等を設けてよい。カラーフィルタを設ける場合は、保護層との間に平坦化層を設けてよい。平坦化層はアクリル樹脂等で構成することができる。カラーフィルタとマイクロレンズとの間において、平坦化層を設ける場合も同様である。

基板は、石英、ガラス、シリコンウエハ、樹脂、金属等が挙げられる。また、基板上には、トランジスタなどのスイッチング素子や配線を備え、その上に絶縁層を備えてもよい。絶縁層としては、第一電極との間に配線が形成可能なように、コンタクトホールを形成可能で、かつ接続しない配線との絶縁を確保できれば、材料は問わない。例えば、ポリイミド等の樹脂、酸化シリコン、窒化シリコンなどを用いることができる。

電極は、一対の電極を用いることができる。一対の電極は、陽極と陰極であってよい。有機発光素子が発光する方向に電界を印加する場合に、電位が高い電極が陽極であり、他方が陰極である。また、発光層にホールを供給する電極が陽極であり、電子を供給する電極が陰極であるということもできる。

陽極の構成材料としては仕事関数がなるべく大きいものが良い。例えば、金、白金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、コバルト、セレン、バナジウム、タングステン、等の金属単体やこれらを含む混合物、あるいはこれらを組み合わせた合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム等の金属酸化物が使用できる。またポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン等の導電性ポリマーも使用できる。

これらの電極物質は一種類を単独で使用してもよいし、二種類以上を併用して使用してもよい。また、陽極は一層で構成されていてもよく、複数の層で構成されていてもよい。

反射電極として用いる場合には、例えばクロム、アルミニウム、銀、チタン、タングステン、モリブデン、又はこれらの合金、積層したものなどを用いることができる。上記の材料にて、電極としての役割を有さない、反射膜として機能することも可能である。また、透明電極として用いる場合には、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛などの酸化物透明導電層などを用いることができるが、これらに限定されるものではない。電極の形成には、フォトリソグラフィ技術を用いることができる。

一方、陰極の構成材料としては仕事関数の小さなものがよい。例えばリチウム等のアルカリ金属、カルシウム等のアルカリ土類金属、アルミニウム、チタニウム、マンガン、銀、鉛、クロム等の金属単体またはこれらを含む混合物が挙げられる。あるいはこれら金属単体を組み合わせた合金も使用することができる。例えばマグネシウム－銀、アルミニウム－リチウム、アルミニウム－マグネシウム、銀－銅、亜鉛－銀等が使用できる。酸化錫インジウム（ＩＴＯ）等の金属酸化物の利用も可能である。これらの電極物質は一種類を単独で使用してもよいし、二種類以上を併用して使用してもよい。また陰極は一層構成でもよく、多層構成でもよい。中でも銀を用いることが好ましく、銀の凝集を低減するため、銀合金とすることがさらに好ましい。銀の凝集が低減できれば、合金の比率は問わない。例えば、銀：他の金属が、１：１、３：１等であってよい。

陰極は、ＩＴＯなどの酸化物導電層を使用してトップエミッション素子としてもよいし、アルミニウム（Ａｌ）などの反射電極を使用してボトムエミッション素子としてもよいし、特に限定されない。陰極の形成方法としては、特に限定されないが、直流及び交流スパッタリング法などを用いると、膜のカバレッジがよく、抵抗を下げやすいためより好ましい。

有機化合物層は、単層で形成されても、複数層で形成されてもよい。複数層を有する場合には、その機能によって、ホール注入層、ホール輸送層、電子ブロッキング層、発光層、ホールブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、と呼ばれてよい。有機化合物層は、主に有機化合物で構成されるが、無機原子、無機化合物を含んでいてもよい。例えば、銅、リチウム、マグネシウム、アルミニウム、イリジウム、白金、モリブデン、亜鉛等を有してよい。有機化合物層は、第一電極と第二電極との間に配置されてよく、第一電極及び第二電極に接して配されてよい。

陰極の上に、保護層を設けてもよい。例えば、陰極上に吸湿剤を設けたガラスを接着することで、有機化合物層に対する水等の浸入を低減し、表示不良の発生を低減することができる。また、別の実施形態としては、陰極上に窒化ケイ素等のパッシベーション膜を設け、有機化合物層に対する水等の浸入を低減してもよい。例えば、陰極を形成後に真空を破らずに別のチャンバに搬送し、ＣＶＤ法で厚さ２μｍの窒化ケイ素膜を形成することで、保護層としてもよい。ＣＶＤ法の成膜の後で原子堆積法（ＡＬＤ法）を用いた保護層を設けてもよい。ＡＬＤ法による膜の材料は限定されないが、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウム等であってよい。ＡＬＤ法で形成した膜の上に、さらにＣＶＤ法で窒化ケイ素を形成してよい。ＡＬＤ法による膜は、ＣＶＤ法で形成した膜よりも小さい膜厚であってよい。具体的には、５０％以下、さらには、１０％以下であってよい。

保護層の上にカラーフィルタを設けてもよい。例えば、有機発光素子のサイズを考慮したカラーフィルタを別の基板上に設け、それと有機発光素子を設けた基板と貼り合わせてもよいし、上記で示した保護層上にフォトリソグラフィ技術を用いて、カラーフィルタをパターニングしてもよい。カラーフィルタは、高分子で構成されてよい。

カラーフィルタと保護層との間に平坦化層を有してもよい。平坦化層は、下の層の凹凸を低減する目的で設けられる。目的を制限せずに、材質樹脂層と呼ばれる場合もある。平坦化層は有機化合物で構成されてよく、低分子であっても、高分子であってもよいが、高分子であることが好ましい。

平坦化層は、カラーフィルタの上下に設けられてもよく、その構成材料は同じであっても異なってもよい。具体的には、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、尿素樹脂等があげられる。

有機発光装置は、その光出射側にマイクロレンズ等の光学部材を有してよい。マイクロレンズは、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等で構成されうる。マイクロレンズは、有機発光装置から取り出す光量の増加、取り出す光の方向の制御を目的としてよい。マイクロレンズは、半球の形状を有してよい。半球の形状を有する場合、当該半球に接する接線のうち、絶縁層と平行になる接線があり、その接線と半球との接点がマイクロレンズの頂点である。マイクロレンズの頂点は、任意の断面図においても同様に決定することができる。つまり、断面図におけるマイクロレンズの半円に接する接線のうち、絶縁層と平行になる接線があり、その接線と半円との接点がマイクロレンズの頂点である。

また、マイクロレンズの中点を定義することもできる。マイクロレンズの断面において、円弧の形状が終了する点から別の円弧の形状が終了する点までの線分を仮想し、当該線分の中点がマイクロレンズの中点と呼ぶことができる。頂点、中点を判別する断面は、絶縁層に垂直な断面であってよい。

平坦化層の上には、対向基板を有してよい。対向基板は、前述の基板と対応する位置に設けられるため、対向基板と呼ばれる。対向基板の構成材料は、前述の基板と同じであってよい。対向基板は、前述の基板を第一基板とした場合、第二基板であってよい。

本発明の一実施形態に係る有機発光素子を構成する有機化合物層（正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層等）は、以下に示す方法により形成される。

本発明の一実施形態に係る有機発光素子を構成する有機化合物層は、真空蒸着法、イオン化蒸着法、スパッタリング、プラズマ等のドライプロセスを用いることができる。またドライプロセスに代えて、適当な溶媒に溶解させて公知の塗布法（例えば、スピンコーティング、ディッピング、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等）により層を形成するウェットプロセスを用いることもできる。

ここで真空蒸着法や溶液塗布法等によって層を形成すると、結晶化等が起こりにくく経時安定性に優れる。また塗布法で成膜する場合は、適当なバインダー樹脂と組み合わせて膜を形成することもできる。

上記バインダー樹脂としては、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、尿素樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

また、これらバインダー樹脂は、ホモポリマー又は共重合体として一種類を単独で使用してもよいし、二種類以上を混合して使用してもよい。さらに必要に応じて、公知の可塑剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤等の添加剤を併用してもよい。

発光装置は、発光素子に接続されている画素回路を有してよい。画素回路は、第一の発光素子、第二の発光素子をそれぞれ独立に発光制御するアクティブマトリックス型であってよい。アクティブマトリックス型の回路は電圧プログラミングであっても、電流プログラミングであってもよい。駆動回路は、画素毎に画素回路を有する。画素回路は、発光素子、発光素子の発光輝度を制御するトランジスタ、発光タイミングを制御するトランジスタ、発光輝度を制御するトランジスタのゲート電圧を保持する容量、発光素子を介さずにＧＮＤに接続するためのトランジスタを有してよい。

発光装置は、表示領域と、表示領域の周囲に配されている周辺領域とを有する。表示領域には画素回路を有し、周辺領域には表示制御回路を有する。画素回路を構成するトランジスタの移動度は、表示制御回路を構成するトランジスタの移動度よりも小さくてよい。

画素回路を構成するトランジスタの電流電圧特性の傾きは、表示制御回路を構成するトランジスタの電流電圧特性の傾きよりも小さくてよい。電流電圧特性の傾きは、いわゆるＶｇ－Ｉｇ特性により測定できる。

画素回路を構成するトランジスタは、第一の発光素子など、発光素子に接続されているトランジスタである。

有機発光装置は、複数の画素を有する。画素は互いに他と異なる色を発光する副画素を有する。副画素は、例えば、それぞれＲＧＢの発光色を有してよい。

画素は、画素開口とも呼ばれる領域が、発光する。この領域は第一領域と同じである。画素開口は１５μｍ以下であってよく、５μｍ以上であってよい。より具体的には、１１μｍ、９．５μｍ、７．４μｍ、６．４μｍ等であってよい。

副画素間は、１０μｍ以下であってよく、具体的には、８μｍ、７．４μｍ、６．４μｍであってよい。

画素は、平面図において、公知の配置形態をとりうる。例えは、ストライプ配置、デルタ配置、ペンタイル配置、ベイヤー配置であってよい。副画素の平面図における形状は、公知のいずれの形状をとってもよい。例えば、長方形、ひし形等の四角形、六角形、等である。もちろん、正確な図形ではなく、長方形に近い形をしていれば、長方形に含まれる。副画素の形状と、画素配列と、を組み合わせて用いることができる。

本発明の一実施形態に係る有機発光素子は、表示装置や照明装置の構成部材として用いることができる。他にも、電子写真方式の画像形成装置の露光光源や液晶表示装置のバックライト、白色光源にカラーフィルタを有する発光装置等の用途がある。

表示装置は、エリアＣＣＤ、リニアＣＣＤ、メモリーカード等からの画像情報を入力する画像入力部を有し、入力された情報を処理する情報処理部を有し、入力された画像を表示部に表示する画像情報処理装置でもよい。

また、撮像装置やインクジェットプリンタが有する表示部は、タッチパネル機能を有していてもよい。このタッチパネル機能の駆動方式は、赤外線方式でも、静電容量方式でも、抵抗膜方式であっても、電磁誘導方式であってもよく、特に限定されない。また表示装置はマルチファンクションプリンタの表示部に用いられてもよい。

次に、図面を参照しながら本実施形態に係る発光装置について説明する。

図９（ａ）、９（ｂ）は、有機発光素子とこの有機発光素子に接続されるトランジスタとを有する発光装置の例を示す断面模式図である。トランジスタは、能動素子の一例である。トランジスタは薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であってもよい。

図９（ａ）は、本実施形態に係る発光装置の構成要素である画素の一例である。画素は、副画素８１０を有している。副画素はその発光により、８１０Ｒ、８１０Ｇ、８１０Ｂに分けられている。発光色は、発光層から発光される波長で区別されても、副画素から出社する光がカラーフィルタ等により、選択的透過または色変換が行われてもよい。それぞれの副画素は、層間絶縁層８０１の上に第一電極である反射電極８０２、反射電極８０２の端を覆う絶縁層８０３、第一電極と絶縁層とを覆う有機化合物層８０４、第二電極である透明電極８０５、保護層８０６、カラーフィルタ８０７を有している。

層間絶縁層８０１は、その下層または内部にトランジスタ、容量素子を配されていてよい。トランジスタと第一電極は不図示のコンタクトホール等を介して電気的に接続されていてよい。

絶縁層８０３は、バンク、画素分離膜とも呼ばれる。第一電極の端を覆っており、第一電極を囲って配されている。絶縁層の配されていない部分が、有機化合物層８０４と接し、発光領域となる。

有機化合物層８０４は、正孔注入層８４１、正孔輸送層８４２、第一発光層８４３、第二発光層８４４、電子輸送層８４５を有する。

第二電極は、透明電極であっても、反射電極であっても、半透過電極であってもよい。

保護層８０６は、有機化合物層に水分が浸透することを低減する。保護層は、一層のように図示されているが、複数層であってよい。層ごとに無機化合物層、有機化合物層があってよい。

カラーフィルタ８０７は、その色により８０７Ｒ、８０７Ｇ、８０７Ｂに分けられる。カラーフィルタは、不図示の平坦化膜上に形成されてよい。また、カラーフィルタ上に不図示の樹脂保護層を有してよい。また、カラーフィルタは、保護層８０６上に形成されてよい。またはガラス基板等の対向基板上に設けられた後に、貼り合わせられよい。

図９（ｂ）の発光装置８００は、有機発光素子８２６とトランジスタの一例としてＴＦＴ８１８が記載されている。ガラス、シリコン等の基板８１１とその上部に絶縁層８１２が設けられている。絶縁層の上には、ＴＦＴ８１８等の能動素子が配されており、能動素子のゲート電極８１３、ゲート絶縁膜８１４、半導体層８１５が配置されている。ＴＦＴ８１８は、他にも半導体層８１５とドレイン電極８１６とソース電極８１７とで構成されている。ＴＦＴ８１８の上部には絶縁膜８１９が設けられている。絶縁膜に設けられたコンタクトホール８２０を介して有機発光素子８２６を構成する陽極８２１とソース電極８１７とが接続されている。

なお、有機発光素子８２６に含まれる電極（陽極、陰極）とＴＦＴに含まれる電極（ソース電極、ドレイン電極）との電気接続の方式は、図９（ｂ）に示される態様に限られるものではない。つまり陽極又は陰極のうちいずれか一方とＴＦＴソース電極またはドレイン電極のいずれか一方とが電気接続されていればよい。ＴＦＴは、薄膜トランジスタを指す。

図９（ｂ）の発光装置８００では有機化合物層を１つの層の如く図示をしているが、有機化合物層８２２は、複数層であってもよい。陰極８２３の上には有機発光素子の劣化を低減するための第一の保護層８２４や第二の保護層８２５が設けられている。

図９（ｂ）の発光装置８００ではスイッチング素子としてトランジスタを使用しているが、これに代えて他のスイッチング素子として用いてもよい。

また、図９（ｂ）の発光装置８００に使用されるトランジスタは、単結晶シリコンウエハを用いたトランジスタに限らず、基板の絶縁性表面上に活性層を有する薄膜トランジスタでもよい。活性層として、単結晶シリコン、アモルファスシリコン、微結晶シリコンなどの非単結晶シリコン、インジウム亜鉛酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物等の非単結晶酸化物半導体が挙げられる。なお、薄膜トランジスタはＴＦＴ素子とも呼ばれる。

図９（ｂ）の発光装置８００に含まれるトランジスタは、Ｓｉ基板等の基板内に形成されていてもよい。ここで基板内に形成されるとは、Ｓｉ基板等の基板自体を加工してトランジスタを作製することを意味する。つまり、基板内にトランジスタを有することは、基板とトランジスタとが一体に形成されていると見ることもできる。

本実施形態に係る有機発光素子はスイッチング素子の一例であるＴＦＴにより発光輝度が制御され、有機発光素子を複数面内に設けることでそれぞれの発光輝度により画像を表示することができる。なお、本実施形態に係るスイッチング素子は、ＴＦＴに限られず、低温ポリシリコンで形成されているトランジスタ、Ｓｉ基板等の基板上に形成されたアクティブマトリクスドライバーであってもよい。基板上とは、その基板内ということもできる。基板内にトランジスタを設けるか、ＴＦＴを用いるかは、表示部の大きさによって選択され、例えば０．５インチ程度の大きさであれば、Ｓｉ基板上に有機発光素子を設けてもよい。

図１０（ａ）～１０（ｃ）は、本実施形態の発光装置１００を用いた画像形成装置の一例を表す模式図である。図１０（ａ）に示される画像形成装置９２６は、感光体９２７、露光光源９２８、現像部９３１、帯電部９３０、転写器９３２、搬送部９３３（図１０（ａ）の構成において、搬送ローラー）、定着器９３５を含む。

露光光源９２８から光９２９が照射され、感光体９２７の表面に静電潜像が形成される。この露光光源９２８に、本実施形態の発光装置１００が適用できる。現像部９３１は、現像剤としてトナーなどを含み、露光された感光体９２７に現像剤を付与する現像器として機能しうる。帯電部９３０は、感光体９２７を帯電させる。転写器９３２は、現像された画像を記録媒体９３４に転写する。搬送部９３３は、記録媒体９３４を搬送する。記録媒体９３４は、例えば、紙やフィルムでありうる。定着器９３５は、記録媒体に形成された画像を定着させる。

図１０（ｂ）および図１０（ｃ）には、露光光源９２８に発光部９３６が長尺状の基板に長手方向に沿って複数配置されている様子を示す模式図である。この発光部９３６に、本実施形態の発光装置１００が適用されうる。つまり、表示領域２０１に配された複数の画素１５０の副画素１５１に配される発光素子１２０が、基板の長手方向に沿って配される。方向９３７は、感光体９２７の軸に平行な方向である。この列方向は、感光体９２７が回転する際の軸の方向と同じである。この方向９３７は、感光体９２７の長軸方向と呼ぶこともできる。

図１０（ｂ）は、発光部９３６を感光体９２７の長軸方向に沿って配置した形態である。図１０（ｃ）は、図１０（ｂ）に示される発光部９３６の配置の変形例であり、第１列と第２列とのそれぞれにおいて発光部９３６が列方向に交互に配置されている形態である。第１列と第２列とでは、行方向に異なる位置に発光部９３６が配置されている。第１列には、複数の発光部９３６が間隔をあけて配され、第２列には、第１列の発光部９３６同士の間隙に対応する位置に発光部９３６が配される。また、行方向にも、複数の発光部９３６が間隔をあけて配されている。図１０（ｃ）に示される発光部９３６の配置は、たとえば格子状に配置されている状態、千鳥格子に配置されている状態、あるいは市松模様と言い換えることもできる。

図１１は、本実施形態の発光装置１００を用いた表示装置の一例を表す模式図である。表示装置１０００は、上部カバー１００１と、下部カバー１００９と、の間に、タッチパネル１００３、表示パネル１００５、フレーム１００６、回路基板１００７、バッテリー１００８を有していてもよい。タッチパネル１００３および表示パネル１００５は、フレキシブルプリント回路ＦＰＣ１００２、１００４が接続されている。回路基板１００７には、トランジスタなどの能動素子が配される。バッテリー１００８は、表示装置１０００が携帯機器でなければ、設けなくてもよいし、携帯機器であっても、この位置に設ける必要はない。表示パネル１００５に、本実施形態の発光装置１００が適用できる。表示パネル１００５として機能する発光装置１００の表示領域２０１は、回路基板１００７に配されたトランジスタなどの能動素子と接続され動作する。

図１１に示される表示装置１０００は、複数のレンズを有する光学部と、当該光学部を通過した光を受光し電気信号に光電変換する撮像素子とを有する光電変換装置（撮像装置）の表示部に用いられてもよい。光電変換装置は、撮像素子が取得した情報を表示する表示部を有してもよい。また、表示部は、光電変換装置の外部に露出した表示部であっても、ファインダ内に配置された表示部であってもよい。光電変換装置は、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラであってもよい。

図１２は、本実施形態の発光装置１００を用いた光電変換装置の一例を表す模式図である。光電変換装置１１００は、ビューファインダ１１０１、背面ディスプレイ１１０２、操作部１１０３、筐体１１０４を有してよい。光電変換装置１１００は、撮像装置とも呼ばれうる。表示部であるビューファインダ１１０１に、本実施形態の発光装置１００が適用できる。この場合、発光装置１００は、撮像する画像のみならず、環境情報、撮像指示などを表示してもよい。環境情報には、外光の強度、外光の向き、被写体の動く速度、被写体が遮蔽物に遮蔽される可能性などであってよい。

撮像に適するタイミングはわずかな時間である場合が多いため、少しでも早く情報を表示した方がよい。したがって、有機ＥＬ素子などの有機発光材料を発光層に含む発光装置１００がビューファインダ１１０１に用いられうる。有機発光材料は応答速度が速いためである。有機発光材料を用いた発光装置１００は、表示速度が求められる、これらの装置に、液晶表示装置よりも適している。

光電変換装置１１００は、不図示の光学部を有する。光学部は複数のレンズを有し、光学部を通過した光を受光する筐体１１０４内に収容されている光電変換素子（不図示）に結像する。複数のレンズは、その相対位置を調整することで、焦点を調整することができる。この操作を自動で行うこともできる。

発光装置１００、は、電子機器の表示部に適用されてもよい。その際には、表示機能と操作機能との双方を有してもよい。携帯端末としては、スマートフォンなどの携帯電話、タブレット、ヘッドマウントディスプレイなどが挙げられる。

図１３は、本実施形態の発光装置１００を用いた電子機器の一例を表す模式図である。電子機器１２００は、表示部１２０１と、操作部１２０２と、筐体１２０３を有する。筐体１２０３には、回路、当該回路を有するプリント基板、バッテリー、通信部を有してよい。操作部１２０２は、ボタンであってもよいし、タッチパネル方式の反応部であってもよい。操作部１２０２は、指紋を認識してロックの解除等を行う、生体認識部であってもよい。通信部を有する携帯機器は通信機器ということもできる。表示部１２０１に、本実施形態の発光装置１００が適用できる。

図１４（ａ）、１４（ｂ）は、本実施形態の発光装置１００を用いた表示装置の一例を表す模式図である。図１４（ａ）は、テレビモニタやＰＣモニタなどの表示装置である。表示装置１３００は、額縁１３０１を有し表示部１３０２を有する。表示部１３０２に、本実施形態の発光装置１００が適用できる。表示装置１３００は、額縁１３０１と表示部１３０２とを支える土台１３０３を有していてもよい。土台１３０３は、図１４（ａ）の形態に限られない。例えば、額縁１３０１の下辺が土台１３０３を兼ねていてもよい。また、額縁１３０１および表示部１３０２は、曲がっていてもよい。その曲率半径は、５０００ｍｍ以上６０００ｍｍ以下であってよい。

図１４（ｂ）は、本実施形態の発光装置１００を用いた表示装置の他の一例を表す模式図である。図１４（ｂ）の表示装置１３１０は、折り曲げ可能に構成されており、いわゆるフォルダブルな表示装置である。表示装置１３１０は、第１表示部１３１１、第２表示部１３１２、筐体１３１３、屈曲点１３１４を有する。第１表示部１３１１と第２表示部１３１２とに、本実施形態の発光装置１００が適用できる。第１表示部１３１１と第２表示部１３１２とは、つなぎ目のない１枚の表示装置であってよい。第１表示部１３１１と第２表示部１３１２とは、屈曲点で分けることができる。第１表示部１３１１と第２表示部１３１２とは、それぞれ異なる画像を表示してもよいし、第１表示部と第２表示部とで１つの画像を表示してもよい。

図１５は、本実施形態の発光装置１００を用いた照明装置の一例を表す模式図である。照明装置１４００は、筐体１４０１と、光源１４０２と、回路基板１４０３と、光学フィルム１４０４と、光拡散部１４０５と、を有していてもよい。光源１４０２に、本実施形態の発光装置１００が適用できる。光学フィルム１４０４は光源の演色性を向上させるフィルタであってよい。光拡散部１４０５は、ライトアップなど、光源の光を効果的に拡散し、広い範囲に光を届けることができる。必要に応じて、最外部にカバーを設けてもよい。照明装置１４００は、光学フィルム１４０４と光拡散部１４０５との両方を有していてもよいし、何れか一方のみを有していてもよい。

照明装置１４００は例えば室内を照明する装置である。照明装置１４００は白色、昼白色、その他青から赤のいずれの色を発光するものであってよい。それらを調光する調光回路を有してよい。照明装置１４００は、光源１４０２として機能する発光装置１００に接続される電源回路を有していてもよい。電源回路は、交流電圧を直流電圧に変換する回路である。また、白とは色温度が４２００Ｋで昼白色とは色温度が５０００Ｋである。また、照明装置１４００は、カラーフィルタを有してもよい。また、照明装置１４００は、放熱部を有していてもよい。放熱部は装置内の熱を装置外へ放出するものであり、比熱の高い金属、液体シリコンなどが挙げられる。

図１６は、本実施形態の発光装置１００を用いた車両用の灯具の一例であるテールランプを有する自動車の模式図である。自動車１５００は、テールランプ１５０１を有し、ブレーキ操作などを行った際に、テールランプ１５０１を点灯する形態であってもよい。本実施形態の発光装置１００は、車両用の灯具としてヘッドランプに用いられてもよい。自動車は移動体の一例であり、移動体は船舶やドローン、航空機、鉄道車両、産業用ロボットなどであってもよい。移動体は、機体とそれに設けられた灯具を有してよい。灯具は機体の現在位置を知らせるものであってもよい。

テールランプ１５０１に、本実施形態の発光装置１００が適用できる。テールランプ１５０１は、テールランプ１５０１として機能する発光装置１００を保護する保護部材を有してよい。保護部材は、ある程度高い強度を有し、透明であれば材料は問わないが、ポリカーボネートなどで構成されてもよい。また、保護部材は、ポリカーボネートにフランジカルボン酸誘導体、アクリロニトリル誘導体などを混ぜてよい。

自動車１５００は、車体１５０３、それに取り付けられている窓１５０２を有してもよい。窓は、自動車の前後を確認するための窓であってもよいし、透明なディスプレイであってもよい。当該透明なディスプレイに、本実施形態の発光装置１００が用いられてもよい。この場合、発光装置１００が有する電極などの構成材料は透明な部材で構成される。

図１７（ａ）、１７（ｂ）を参照して、本実施形態の発光装置１００のさらなる適用例について説明する。発光装置１００は、例えばスマートグラス、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、スマートコンタクトのようなウェアラブルデバイスとして装着可能なシステムに適用できる。このような適用例に使用される撮像表示装置は、可視光を光電変換可能な撮像装置と、可視光を発光可能な発光装置とを有する。

図１７（ａ）は、１つの適用例に係る眼鏡１６００（スマートグラス）を説明する。眼鏡１６００のレンズ１６０１の表面側に、ＣＭＯＳセンサやＳＰＡＤのような撮像装置１６０２が設けられている。また、レンズ１６０１の裏面側には、本実施形態の発光装置１００が設けられている。

眼鏡１６００は、制御装置１６０３をさらに備える。制御装置１６０３は、撮像装置１６０２と各実施形態に係る発光装置１００に電力を供給する電源として機能する。また、制御装置１６０３は、撮像装置１６０２と発光装置１００の動作を制御する。レンズ１６０１には、撮像装置１６０２に光を集光するための光学系が形成されている。

図１７（ｂ）は、１つの適用例に係る眼鏡１６１０（スマートグラス）を説明する。眼鏡１６１０は、制御装置１６１２を有しており、制御装置１６１２に、撮像装置１６０２に相当する撮像装置と、発光装置１００が搭載される。レンズ１６１１には、制御装置１６１２内の撮像装置と、発光装置１００からの発光を投影するための光学系が形成されており、レンズ１６１１には画像が投影される。制御装置１６１２は、撮像装置および発光装置１００に電力を供給する電源として機能するとともに、撮像装置および発光装置１００の動作を制御する。制御装置１６１２は、装着者の視線を検知する視線検知部を有してもよい。視線の検知は赤外線を用いてよい。赤外発光部は、表示画像を注視しているユーザーの眼球に対して、赤外光を発する。発せられた赤外光の眼球からの反射光を、受光素子を有する撮像部が検出することで眼球の撮像画像が得られる。平面視における赤外発光部から表示部への光を低減する低減手段を有することで、画像品位の低下を低減する。

赤外光の撮像により得られた眼球の撮像画像から表示画像に対するユーザーの視線を検出する。眼球の撮像画像を用いた視線検出には任意の公知の手法が適用できる。一例として、角膜での照射光の反射によるプルキニエ像に基づく視線検出方法を用いることができる。

より具体的には、瞳孔角膜反射法に基づく視線検出処理が行われる。瞳孔角膜反射法を用いて、眼球の撮像画像に含まれる瞳孔の像とプルキニエ像とに基づいて、眼球の向き（回転角度）を表す視線ベクトルが算出されることにより、ユーザーの視線が検出される。

本発明の一実施形態に係る発光装置１００は、受光素子を有する撮像装置を有し、撮像装置からのユーザーの視線情報に基づいて表示画像を制御してよい。

具体的には、発光装置１００は、視線情報に基づいて、ユーザーが注視する第１視界領域と、第１視界領域以外の第２視界領域とを決定する。第１視界領域、第２視界領域は、発光装置１００の制御装置が決定してもよいし、外部の制御装置が決定したものを受信してもよい。発光装置１００の表示領域において、第１視界領域の表示解像度を第２視界領域の表示解像度よりも高く制御してもよい。つまり、第２視界領域の解像度を第１視界領域よりも低くしてよい。

また、表示領域は、第１表示領域、第１表示領域とは異なる第２表示領域とを有し、視線情報に基づいて、第１表示領域および第２表示領域から優先度が高い領域が決定される。第１表示領域、第２表示領域は、発光装置１００の制御装置が決定してもよいし、外部の制御装置が決定したものを受信してもよい。優先度の高い領域の解像度を、優先度が高い領域以外の領域の解像度よりも高く制御してよい。つまり優先度が相対的に低い領域の解像度を低くしてよい。

なお、第１視界領域や優先度が高い領域の決定には、ＡＩを用いてもよい。ＡＩは、眼球の画像と当該画像の眼球が実際に視ていた方向とを教師データとして、眼球の画像から視線の角度、視線の先の目的物までの距離を推定するよう構成されたモデルであってよい。ＡＩプログラムは、発光装置１００が有しても、撮像装置が有しても、外部装置が有してもよい。外部装置が有する場合は、通信を介して、発光装置１００に伝えられる。

視認検知に基づいて表示制御する場合、外部を撮像する撮像装置を更に有するスマートグラスに好ましく適用できる。スマートグラスは、撮像した外部情報をリアルタイムで表示することができる。

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神および範囲から離脱することなく、様々な変更および変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

１００：発光装置、１０１：基板、１０５：反射層、１０７：光学距離調整層、１０８：絶縁層、１０９：透過電極、１１０：導電性プラグ、１２０：発光素子、１２１：主面

Claims (20)

1. 基板の主面の上に複数の発光素子が配された発光装置であって、
   前記複数の発光素子のそれぞれは、発光層と、前記発光層と前記基板の主面との間に配され、前記発光層で生成された光を反射する反射層と、前記反射層と前記発光層との間に配された第１電極と、前記反射層と前記第１電極との間に配された光学距離調整層と、前記第１電極の周縁部を覆い、かつ、前記複数の発光素子のうち互いに隣り合う２つの発光素子間において前記光学距離調整層と前記発光層との間に配された絶縁層と、前記絶縁層から前記光学距離調整層を通過し、前記第１電極に電気的に接触しながら前記反射層の上面の高さに達するように延びる導電性プラグと、を含むことを特徴とする発光装置。
2. 前記導電性プラグは、前記反射層の側に配された第１面と、前記絶縁層の中に配される第２面と、を有し、前記第１面と前記第２面とを接続するように、前記主面に対して直交する方向に延びており、
   前記主面に対する正射影において、前記第１面が、前記第２面と重なっていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記第２面が、前記複数の発光素子の何れの発光素子の前記第１電極よりも前記主面から離れた位置に配されていることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
4. 前記複数の発光素子のそれぞれの発光素子において、前記発光層よりも前記主面から離れた位置にマイクロレンズが配されることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の発光装置。
5. 前記複数の発光素子は、第１発光素子と、前記第１発光素子よりも前記複数の発光素子が配された表示領域の外縁に近い位置に配される第２発光素子と、を含み、
   前記主面に対する正射影において、前記第２発光素子の前記第１電極の中心と前記第２発光素子に対応する前記マイクロレンズの中心との間の距離が、前記第１発光素子の前記第１電極の中心と前記第１発光素子に対応する前記マイクロレンズの中心との間の距離よりも大きいことを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
6. 前記第２発光素子において、前記第２発光素子に対応する前記マイクロレンズの中心が、前記第１電極の中心よりも前記表示領域の中心から前記表示領域の外縁に向かう方向にずれていることを特徴とする請求項５に記載の発光装置。
7. 前記複数の発光素子のそれぞれの発光素子において、前記表示領域の中心から前記表示領域の外縁に向かうにつれて、前記主面に対する正射影における前記第１電極の中心と対応する前記マイクロレンズの中心との間の距離が、連続的または段階的に大きくなることを特徴とする請求項５または６に記載の発光装置。
8. 前記複数の発光素子のそれぞれの発光素子において、前記マイクロレンズと前記発光層との間にカラーフィルタがさらに配され、
   前記主面に対する正射影において、前記第２発光素子の前記第１電極の中心と前記第２発光素子に対応する前記カラーフィルタの中心との間の距離が、前記第１発光素子の前記第１電極の中心と前記第１発光素子に対応する前記カラーフィルタの中心との間の距離よりも大きいことを特徴とする請求項５乃至７の何れか１項に記載の発光装置。
9. 前記第２発光素子において、前記第２発光素子に対応する前記カラーフィルタの中心が、前記第１電極の中心よりも前記表示領域の中心から前記表示領域の外縁に向かう方向にずれていることを特徴とする請求項８に記載の発光装置。
10. 前記複数の発光素子のそれぞれの発光素子において、前記表示領域の中心から前記表示領域の外縁に向かうにつれて、前記主面に対する正射影における前記第１電極の中心と対応する前記カラーフィルタの中心との間の距離が、連続的または段階的に大きくなることを特徴とする請求項８または９に記載の発光装置。
11. 前記複数の発光素子のそれぞれの発光素子において、前記主面に対する正射影における前記第１電極の中心と対応する前記カラーフィルタの中心との間の距離が、前記主面に対する正射影における前記第１電極の中心と対応する前記マイクロレンズの中心との間の距離以下であることを特徴とする請求項８乃至１０の何れか１項に記載の発光装置。
12. 前記主面に対する正射影において、前記導電性プラグが、前記第１電極のうち前記複数の発光素子が配された表示領域の中心に近い部分で前記第１電極に接触することを特徴とする請求項１乃至１１の何れか１項に記載の発光装置。
13. 前記複数の発光素子が、前記反射層と前記第１電極との間の距離が互いに異なる第３発光素子、第４発光素子および第５発光素子を含み、
    前記光学距離調整層が、第１層、第２層および第３層を含み、
    前記第３発光素子において、前記反射層と前記第１電極との間に前記第１層が配され、前記周縁部と前記絶縁層との間に前記第２層および前記第３層が配され、
    前記第４発光素子において、前記反射層と前記第１電極との間に前記第１層および前記第２層が配され、前記周縁部と前記絶縁層との間に前記第３層が配され、
    前記第５発光素子において、前記反射層と前記第１電極との間に前記第１層、前記第２層および前記第３層が配されることを特徴とする請求項１乃至１２の何れか１項に記載の発光装置。
14. 感光体と、前記感光体を露光するための露光光源と、露光された前記感光体に現像剤を付与する現像器と、前記現像器に現像された像を記録媒体に転写する転写器とを有し、
    前記露光光源が請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の発光装置を有することを特徴とする画像形成装置。
15. 前記複数の発光素子が、前記基板の長手方向に沿って配されていることを特徴とする請求項１４に記載の画像形成装置。
16. 複数のレンズを有する光学部と、前記光学部を通過した光を受光する撮像素子と、画像を表示する表示部と、を有し、
    前記表示部は、前記撮像素子が撮像した画像を表示する表示部であり、かつ、請求項１乃至１３の何れか１項に記載の発光装置を有することを特徴とする光電変換装置。
17. 表示部が設けられた筐体と、前記筐体に設けられ、外部と通信する通信部と、を有し、
    前記表示部は、請求項１乃至１３の何れか１項に記載の発光装置を有することを特徴とする電子機器。
18. 光源と、光拡散部および光学フィルムの少なくとも一方と、を有する照明装置であって、
    前記光源は、請求項１乃至１３の何れか１項に記載の発光装置を有することを特徴とする照明装置。
19. 機体と、前記機体に設けられている灯具と、を有する移動体であって、
    前記灯具は、請求項１乃至１３の何れか１項に記載の発光装置を有することを特徴とする移動体。
20. 基板に発光層を含む複数の発光素子が配された発光装置の製造方法であって、
    前記基板の上に、前記複数の発光素子のそれぞれに対応し、前記発光層で生成された光を反射する反射層を形成する工程と、
    前記反射層の上に、光学距離調整層と、前記光学距離調整層の中または上に、前記複数の発光素子のそれぞれに対応し、前記発光層で生成された光を透過する第１電極と、を形成する工程と、
    前記光学距離調整層および前記第１電極を覆うように絶縁層を形成する工程と、
    前記絶縁層から前記光学距離調整層を通過し、前記第１電極の一部を露出させながら前記反射層の上面の高さに達するように延びるコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールに導電性プラグを形成する工程と、
    前記第１電極のうち前記一部とは異なる部分を露出させ、前記部分に接するように前記発光層を形成する工程と、
    を含むことを特徴とする製造方法。

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