JP2023039404A - Plasma processing apparatus - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 119
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 85
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 2
- 102220499349 Synaptotagmin-like protein 5_V21A_mutation Human genes 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 239000012267 brine Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 102220198018 rs77064436 Human genes 0.000 description 1
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical compound O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
本開示の例示的実施形態は、プラズマ処理装置に関するものである。 An exemplary embodiment of the present disclosure relates to a plasma processing apparatus.
基板に対するプラズマ処理では、プラズマ処理装置が用いられる。一種のプラズマ処理装置は、シャワーヘッドを備えている。シャワーヘッドは、チャンバ内に設けられた基板支持部の上方に設けられている。シャワーヘッドは、複数のガス孔を提供している。下記の特許文献１は、複数のガス孔の中での異常放電を抑制するために、複数のガス孔に連通するガス溝が、シャワーヘッドの下面に設けられている。 A plasma processing apparatus is used for plasma processing of a substrate. One type of plasma processing apparatus is equipped with a showerhead. A showerhead is provided above a substrate support provided within the chamber. The showerhead provides multiple gas holes. In Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2002-100000, gas grooves communicating with a plurality of gas holes are provided on the bottom surface of a shower head in order to suppress abnormal discharge in the plurality of gas holes.
本開示は、シャワーヘッドの複数のガス孔の中におけるガスの解離を抑制する技術を提供する。 The present disclosure provides a technique for suppressing gas dissociation in a plurality of gas holes of a showerhead.
一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置が提供される。プラズマ処理装置は、チャンバ、基板支持部、上部電極、及び少なくとも一つの電源を備える。チャンバは、その内部に処理空間を提供している。基板支持部は、チャンバ内に設けられている。上部電極は、処理空間の上方から処理空間にガスを導入するシャワーヘッドを構成している。上部電極は、第１の電極及び第２の電極を含む。第１の電極は、処理空間に向けて開口した複数の第１のガス孔を提供する。第２の電極は、第１の電極上に直接的に又は間接的に設けられており、複数の第１のガス孔にそれぞれ連通する複数の第２のガス孔を提供する。少なくとも一つの電源は、第２の電極の電位を第１の電極の電位に対して正側の電位に設定するように構成されている。 In one exemplary embodiment, a plasma processing apparatus is provided. A plasma processing apparatus includes a chamber, a substrate support, an upper electrode, and at least one power source. The chamber provides a processing space within it. A substrate support is provided within the chamber. The upper electrode constitutes a showerhead that introduces gas into the processing space from above the processing space. The upper electrode includes a first electrode and a second electrode. The first electrode provides a plurality of first gas holes open toward the processing space. A second electrode is provided directly or indirectly on the first electrode and provides a plurality of second gas holes respectively communicating with the plurality of first gas holes. The at least one power supply is configured to set the potential of the second electrode to a positive potential with respect to the potential of the first electrode.
一つの例示的実施形態によれば、シャワーヘッドの複数のガス孔の中におけるガスの解離を抑制することが可能となる。 According to one exemplary embodiment, it is possible to suppress dissociation of gas in the plurality of gas holes of the showerhead.
以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。 Various exemplary embodiments are described in detail below with reference to the drawings. In addition, suppose that the same code|symbol is attached|subjected to the part which is the same or equivalent in each drawing.
図１は、一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。一実施形態においては、図１に示すようにプラズマ処理システムが提供される。プラズマ処理システムは、プラズマ処理装置１を含む。プラズマ処理装置１は、制御部２を更に含んでいてもよい。
FIG. 1 is a schematic diagram of a plasma processing apparatus according to one exemplary embodiment. In one embodiment, a plasma processing system is provided as shown in FIG. A plasma processing system includes a
制御部２は、種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａを含んでもよい。コンピュータ２ａは、例えば、処理部（ＣＰＵ：Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）２ａ１、記憶部２ａ２、及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２に格納されたプログラムに基づいて種々の制御動作を行うように構成され得る。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。
The
プラズマ処理装置１は、容量結合型のプラズマ処理装置である。プラズマ処理装置１は、チャンバ１０、基板支持部１２、及び上部電極１４を備えている。チャンバ１０は、その内部において処理空間１０ｓを提供している。チャンバ１０は、略円筒形状を有している。チャンバ１０の側壁は、電気的に接地されている。
The
プラズマ処理装置１は、排気システム４０を更に含み得る。排気システム４０は、例えばチャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでいてもよい。処理空間１０ｓ内の圧力は、圧力調整弁によって調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでいてもよい。
基板支持部１２は、チャンバ１０内に設けられている。基板支持部１２は、その上に載置される基板Ｗを支持するように構成されている。基板支持部１２は、その上に載置されるエッジリングＥＲを更に支持するように構成されていてもよい。基板Ｗは、基板支持部１２上でエッジリングＥＲによって囲まれた領域の中に配置される。
A substrate support 12 is provided within the
一実施形態において、基板支持部１２は、基台１６及び静電チャック１８を含んでいてもよい。基台１６は、導電性部材を含む。基台１６の導電性部材は、下部電極として機能する。静電チャック１８は、基台１６の上に配置される。基板Ｗは、静電チャック１８上に載置される。静電チャック１８は、基板Ｗを静電引力によって保持するように構成されている。
In one embodiment, substrate support 12 may include
なお、基板支持部１２は、静電チャック１８、エッジリングＥＲ、及び基板Ｗのうち少なくとも一つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでいてもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路、又はこれらの組み合わせを含んでいてもよい。流路には、ブラインやガスのような熱媒体が流れる。また、基板支持部１２は、基板Ｗの裏面と静電チャック１８との間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を更に含んでいてもよい。 The substrate supporter 12 may include a temperature control module configured to adjust at least one of the electrostatic chuck 18, the edge ring ER, and the substrate W to a target temperature. The temperature control module may include heaters, heat transfer media, flow paths, or combinations thereof. A heat medium such as brine or gas flows through the flow path. The substrate support 12 may further include a heat transfer gas supply configured to supply a heat transfer gas to the gap between the back surface of the substrate W and the electrostatic chuck 18 .
プラズマ処理装置１は、高周波電源３１及びバイアス電源３２を更に含み得る。高周波電源３１は、チャンバ１０内でガスからプラズマを生成するためにソース高周波電力ＲＦを供給するように構成されている。ソース高周波電力ＲＦは、１３ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。高周波電源３１は、整合器３１ｍを介して高周波電極に接続されている。整合器３１ｍは、高周波電源３１の負荷のインピーダンスを高周波電源３１の出力インピーダンスに整合させるための整合回路を含んでいる。高周波電極は、基板支持部１２の電極、例えば、基台１６の導電性部材であってもよい。高周波電極は、基板支持部１２の他の電極であってもよい。或いは、高周波電極は、上部電極１４であってもよい。
The
バイアス電源３２は、基板支持部１２のバイアス電極（例えば、基台１６の導電性部材）に電気的に接続されている。バイアス電源３２は、基板支持部１２上に載置された基板Ｗにプラズマからイオンを引き込むために電気バイアスエネルギーＢＥを基板支持部１２のバイアス電極に供給するように構成されている。なお、バイアス電源３２は、基台１６の導電性部材とは別の基板支持部１２の電極に電気的に接続されていてもよい。
The
電気バイアスエネルギーＢＥは、波形周期ＣＹ（図１１～図１４を参照）を有しており、周期的に供給される。波形周期ＣＹは、バイアス周波数の逆数である時間長を有する。バイアス周波数は、１００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚの範囲内の範囲内の周波数であり得る。 The electrical bias energy BE has a waveform period CY (see FIGS. 11-14) and is applied periodically. Waveform period CY has a time length that is the reciprocal of the bias frequency. The bias frequency can be a frequency within the range of 100 kHz to 13.56 MHz.
電気バイアスエネルギーＢＥは、バイアス高周波電力（図１４の基板の電位を参照）であるか、電圧のパルス（図１１～図１３のバイアス電極の電位を参照）を含んでいてもよい。バイアス高周波電力は、バイアス周波数を有する。バイアス高周波電力の波形は、バイアス周波数を有する正弦波である。電気バイアスエネルギーＢＥがバイアス高周波電力である場合には、バイアス電源３２は、整合器３２ｍを介して基板支持部１２のバイアス電極に接続される。整合器３２ｍは、バイアス電源３２の負荷のインピーダンスをバイアス電源３２の出力インピーダンスに整合させるための整合回路を含む。
The electrical bias energy BE may be bias RF power (see substrate potential in FIG. 14) or may comprise a pulse of voltage (see bias electrode potential in FIGS. 11-13). The bias RF power has a bias frequency. The bias RF power waveform is a sine wave with a bias frequency. When the electrical bias energy BE is bias high-frequency power, the
電圧のパルスは、バイアス周波数の逆数である時間間隔で周期的に発生される。電圧のパルスは、負の極性を有していてもよい。電圧のパルスは、直流電圧から生成される電圧のパルスであってもよい。電圧のパルスは、矩形パルス波、三角パルス波、インパルス波のような任意の波形を有していてもよい。 A pulse of voltage is generated periodically at a time interval that is the reciprocal of the bias frequency. The voltage pulse may have a negative polarity. The voltage pulse may be a voltage pulse generated from a DC voltage. The voltage pulses may have arbitrary waveforms such as rectangular pulse waves, triangular pulse waves, impulse waves.
以下、図１と共に図２を参照する。図２は、一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置の上部電極の部分拡大断面図である。上部電極１４は、処理空間１０ｓの上方から処理空間１０ｓにガスを導入するシャワーヘッドを構成している。上部電極１４は、チャンバ１０の側壁の上端開口を閉じており、処理空間１０ｓを画成している。上部電極１４は、チャンバ１０の側壁から電気的に絶縁されている。
FIG. 2 will be referred to together with FIG. 1 below. FIG. 2 is a partially enlarged cross-sectional view of an upper electrode of a plasma processing apparatus according to one exemplary embodiment. The
上部電極１４は、第１の電極２１及び第２の電極２２を含む。第１の電極２１は、略円盤形状を有している。第１の電極２１は、例えばシリコン、炭化ケイ素、又は石英から形成される。第１の電極２１の下面は、処理空間１０ｓに接する。第１の電極２１は、複数の第１のガス孔２１ｈを提供している。複数の第１のガス孔２１ｈは、第１の電極２１をその板厚方向に貫通しており、処理空間１０ｓに向けて開口している。
第２の電極２２は、第１の電極２１上に直接的に設けられている。なお、第２の電極２２は、第１の電極２１上に間接的に設けられていてもよい。第２の電極２２は、略円盤形状を有している。第２の電極２２は、アルミニウムのような金属又は炭化ケイ素から形成されている。第２の電極２２の表面は、膜２２ａから構成されていてもよい。膜２２ａは、耐腐食性を有する膜であり、例えば陽極酸化処理によって生成されたアルマイト膜である。第２の電極２２は、複数の第２のガス孔２２ｈを提供している。複数の第２のガス孔２２ｈは、鉛直方向に延びており、複数の第１のガス孔２１ｈにそれぞれ連通している。
A
第２の電極２２は、ガス拡散室２２ｄ及びガス導入ポート２２ｐを更に提供していてもよい。ガス拡散室２２ｄは、第２の電極２２の中に設けられている。複数の第２のガス孔２２ｈは、ガス拡散室２２ｄから下方に延びている。ガス導入ポート２２ｐは、ガス拡散室２２ｄに接続されている。ガス導入ポート２２ｐには、ガス供給部２４が接続されている。
The
ガス供給部２４は、一つ以上のガスソース２４ｓ及び一つ以上の流量制御器２４ｃを含み得る。ガス供給部２４は、一つ以上のガスを、それぞれに対応のガスソース２４ｓからそれぞれに対応の流量制御器２４ｃを介してガス導入ポート２２ｐに供給するように構成される。ガス導入ポート２２ｐに供給された一つ以上のガスは、ガス拡散室２２ｄ、複数の第２のガス孔２２ｈ、及び複数の第１のガス孔２１ｈを介して、チャンバ１０内に導入される。
一実施形態において、複数の第２のガス孔２２ｈの各々の第１の電極２１の側の端部２２ｔはテーパー状をなしていてもよい。即ち、複数の第２のガス孔２２ｈの各々の第１の電極２１の側の端部２２ｔは、対応の第１のガス孔２１ｈからの鉛直方向における距離の減少に応じて増加する直径を有していてもよい。一実施形態においては、端部２２ｔの開口（下端開口）の直径は、対応の第１のガス孔２１ｈの直径よりも大きい。この実施形態によれば、第１の電極２１と第２の電極２２の熱膨張率の差に起因して、各第２のガス孔２２ｈと対応の第１のガス孔２１ｈとの間に位置ずれが生じても、各第２のガス孔２２ｈと対応の第１のガス孔２１ｈが互いに連通する状態が保たれる。
In one embodiment, the
一実施形態において、第２の電極２２は、温調機構を有していてもよい。温調機構は、第２の電極２２の中に形成された流路２２ｆを含んでいてもよい。流路２２ｆには、熱媒体（例えば冷媒）の供給装置が接続される。供給装置は、チャンバ１０の外部に設けられている。供給装置から流路２２ｆに供給された熱媒体は、流路２２ｆの中を流れて、供給装置に戻される。なお、第２の電極２２の温調機構は、流路２２ｆに加えて、ヒータを含んでいてもよい。
In one embodiment, the
プラズマ処理装置１は、少なくとも一つの電源を更に備える。少なくとも一つの電源は、第２の電極２２の電位を第１の電極２１の電位に対して正側の電位に設定するように構成されている。即ち、少なくとも一つの電源は、第２の電極２２の電位を第１の電極２１の電位よりも正側に高い電位に設定する。第１の電極２１の電位は、負の電位、０Ｖ（グランド電位）、又はフローティングであってもよい。例えば、第１の電極２１の電位は、正の電位であってもよく、第２の電極２２の電位は、第１の電極２１の電位よりも正側に高くてもよい。或いは、第１の電極２１の電位は、０Ｖであってもよく、第２の電極２２の電位は、正の電位であってもよい。或いは、第１の電極２１の電位は、負の電位であってもよく、第２の電極２２の電位は、０Ｖであってもよい。或いは、第１の電極２１の電位は、負の電位であってもよく、第２の電極２２の電位は、第１の電極２１の電位よりも正側に高い負の電位であってもよい。
The
図１及び図２に示す実施形態において、プラズマ処理装置１は、少なくとも一つの電源として単一の直流電源５１を備えており、更に抵抗分割回路５２を更に備えている。直流電源５１は、可変直流電源であり得る。直流電源５１の正極は、グランドに接続されている。直流電源５１の負極は、抵抗分割回路５２の一端に接続されている。抵抗分割回路５２において異なる電位を有する二つのノード５２ｃ及び５２ｄは、第１の電極２１及び第２の電極２２にそれぞれ電気的に接続されている。
In the embodiment shown in FIGS. 1 and 2, the
一実施形態において、抵抗分割回路５２は、抵抗５２ａ及び抵抗５２ｂを含む。抵抗５２ａの一端は、直流電源５１の負極に接続されている。ノード５２ｃは、抵抗５２ａの一端と直流電源５１の負極とを互いに接続する電気的パス上に設けられており、第１の電極２１に電気的に接続されている。ノード５２ｃは、フィルタ５３ｆ及びスイッチ５３ｓを介して第１の電極２１に接続されていてもよい。フィルタ５３ｆは、高周波電力を遮断するか減衰させるローパスフィルタである。
In one embodiment,
抵抗５２ｂの一端は、抵抗５２ａの他端に電気的に接続されており、抵抗５２ｂの他端は、グランドに接続されている。ノード５２ｄは、抵抗５２ｂの一端と抵抗５２ａの他端とを互いに接続する電気的パス上に設けられており、第２の電極２２に電気的に接続されている。ノード５２ｄは、フィルタ５４ｆ及びスイッチ５４ｓを介して第２の電極２２に接続されていてもよい。フィルタ５４ｆは、高周波電力を遮断するか減衰させるローパスフィルタである。
One end of the
図１に示すように、抵抗５２ａは、固定抵抗であってもよい。或いは、図２に示すように、抵抗５２ａは、可変抵抗であってもよい。抵抗５２ａが可変抵抗である場合には、第１の電極２１と第２の電極２２との間の電位差を調整することが可能となる。また、抵抗５２ｂは、固定抵抗であってもよく、可変抵抗であってもよい。
As shown in FIG. 1,
かかる抵抗分割回路５２を備えるプラズマ処理装置１では、第１の電極２１の電位は、負の電位となる。第２の電極２２の電位は、負の電位であり、且つ、第１の電極２１の電位に対して正側の電位となる。
In the
以下、図３の（ａ）及び図３の（ｂ）を参照する。図３の（ａ）は一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置における二次電子の挙動を示す図であり、図３の（ｂ）は第１の電極の電位と第２の電極の電位が互いに同じ場合の二次電子の挙動を示す図である。図３の（ａ）及び図３の（ｂ）において、「＋」を囲む円は正イオンを示しており、「－」を囲む円は二次電子を示している。プラズマ処理装置１では、シャワーヘッドは、複数のガス孔を提供している。複数のガス孔の各々は、複数の第１のガス孔２１ｈのうち一つとこれに連通する第２のガス孔２２ｈを含む。第１の電極２１の電位と第２の電極２２の電位が互いに同一である場合には、プラズマから正イオンが複数のガス孔に進入して第２の電極２２に衝突することにより二次電子が発生して、当該二次電子により放電が発生し得る。一方、プラズマ処理装置１では、第２の電極２２の電位は第１の電極２１の電位に対して正側の電位に設定される。したがって、プラズマ処理装置１では、処理空間１０ｓ内のプラズマから正イオンが複数のガス孔に進入して第２の電極２２に衝突することにより二次電子が第２の電極２２から放出されても、二次電子は即座に第２の電極２２に引き付けられる。故に、複数のガス孔の中のガスに二次電子が衝突して、複数のガス孔の中でガスが解離することが抑制される。
3(a) and 3(b) are referred to below. FIG. 3(a) is a diagram showing the behavior of secondary electrons in a plasma processing apparatus according to one exemplary embodiment, and FIG. 3(b) shows the potential of the first electrode and the potential of the second electrode is the same as the behavior of secondary electrons. In FIGS. 3(a) and 3(b), circles surrounding "+" indicate positive ions, and circles surrounding "-" indicate secondary electrons. In the
一実施形態においては、第２の電極２２の電位と第１の電極２１の電位との間の差は、５Ｖ以上であってもよい。かかる電位の差によれば、複数のガス孔の中でのガスの解離がより効果的に抑制される。
In one embodiment, the difference between the potential of the
以下、図４及び図５を参照する。図４は、別の例示的実施形態においてプラズマ処理装置に採用される少なくとも一つの電源を示す図である。図５は、更に別の例示的実施形態においてプラズマ処理装置に採用される少なくとも一つの電源を示す図である。図４及び図５に示すように、プラズマ処理装置１は、少なくとも一つの電源として、第１の電源及び第２の電源、即ち直流電源５１１及び直流電源５１２を含んでいてもよい。直流電源５１１及び直流電源５１２の各々は、可変直流電源であってもよい。
Please refer to FIGS. 4 and 5 below. FIG. 4 is a diagram illustrating at least one power source employed in a plasma processing apparatus in another exemplary embodiment; FIG. 5 is a diagram illustrating at least one power source employed in a plasma processing apparatus in yet another exemplary embodiment; As shown in FIGS. 4 and 5, the
図４に示す実施形態では、直流電源５１１の正極は、グランドに接続されている。直流電源５１１の負極は、フィルタ５３ｆ及びスイッチ５３ｓを介して第１の電極２１に接続されている。直流電源５１２の正極は、グランドに接続されている。直流電源５１２の負極は、フィルタ５４ｆ及びスイッチ５４ｓを介して第２の電極２２に接続されている。図４に示す実施形態においても、第１の電極２１の電位は、負の電位となる。また、第２の電極２２の電位も、負の電位である。第２の電極２２の電位は、第１の電極２１の電位に対して正側の電位に設定される。
In the embodiment shown in FIG. 4, the positive terminal of
図５に示す実施形態では、直流電源５１１の正極は、グランドに接続されている。直流電源５１１の負極は、フィルタ５３ｆ及びスイッチ５３ｓを介して第１の電極２１に接続されている。直流電源５１２の負極は、直流電源５１１の負極に接続されている。直流電源５１２の正極は、フィルタ５４ｆ及びスイッチ５４ｓを介して第２の電極２２に接続されている。図５に示す実施形態においても、第１の電極２１の電位は、負の電位となる。また、第２の電極２２の電位は、負の電位であり得る。第２の電極２２の電位は、第１の電極２１の電位に対して正側の電位に設定される。
In the embodiment shown in FIG. 5, the positive terminal of
図５に示す実施形態においては、直流電源５１１及び直流電源５１２を用いる点で図４に示す実施形態と共通する。しかしながら、図４に示す実施形態では、直流電源５１１及び直流電源５１２の各々として高電圧の電源を用いなければならない場合がある。一方、図５に示す実施形態では、直流電源５１２として比較的低電圧の電源を用いても、第１の電極２１と第２の電極２２との間の電位差を適切に設定することができる。
The embodiment shown in FIG. 5 is common to the embodiment shown in FIG. 4 in that a
以下、図６の（ａ）及び図６の（ｂ）を参照する。図６の（ａ）及び図６の（ｂ）の各々は、更に別の例示的実施形態においてプラズマ処理装置に採用される上部電極の部分拡大断面図である。図６の（ａ）及び図６の（ｂ）に示すように、上部電極１４は、誘電体層２３を更に含んでいてもよい。誘電体層２３は、シリコン、炭化シリコン、又は酸化アルミニウムから形成される。
6(a) and 6(b) are referred to below. Each of FIGS. 6a and 6b is a partially enlarged cross-sectional view of an upper electrode employed in a plasma processing apparatus in still another exemplary embodiment. The
図６の（ａ）に示すように、誘電体層２３は、第１の電極２１と第２の電極２２との間に設けられている。誘電体層２３は、第１の電極２１の上面又は第２の電極２２の下面に溶射によって形成されてもよい。或いは、誘電体層２３は、誘電体から形成された板であってもよく、第１の電極２１の上面と第２の電極２２の下面との間に挟持されてもよい。
As shown in (a) of FIG. 6, the
図６の（ｂ）に示すように、誘電体層２３は、第１の電極２１の下面に形成されていてもよい。誘電体層２３は、第１の電極２１の下面に溶射によって形成されてもよい。或いは、誘電体層２３は、誘電体から形成された板であってもよく、第１の電極２１の下面に対して固定されていてもよい。なお、誘電体層２３は、第２の電極２２の上面に形成されていてもよい。
As shown in (b) of FIG. 6, the
以下、図７を参照する。図７は、更に別の例示的実施形態においてプラズマ処理装置に採用される上部電極の部分拡大断面図である。図７に示すように、上部電極１４は、導電層２２ｇを更に有していてもよい。導電層２２ｇは、複数の第２のガス孔２２ｈの各々の端部２２ｔを画成する表面領域に形成されている。導電層２２ｇは、導電性を有する材料から形成される。導電層２２ｇは、例えば、シリコン、炭化ケイ素、アルミニウム、又はチタンから形成される。
Refer to FIG. 7 below. FIG. 7 is a partially enlarged cross-sectional view of an upper electrode employed in a plasma processing apparatus in yet another exemplary embodiment; As shown in FIG. 7, the
少なくとも一つの電源は、上述した第２の電極２２の電位を設定するために、導電層２２ｇに電圧を印加してもよい。図７に示す例では、ノード５２ｄは、フィルタ５４ｆ及びスイッチ５４ｓを介して導電層２２ｇに接続されている。なお、図４に示すように直流電源５１１及び直流電源５１２が用いられる場合には、直流電源５１２の負極が、フィルタ５４ｆ及びスイッチ５４ｓを介して導電層２２ｇに接続される。また、図５に示すように直流電源５１１及び直流電源５１２が用いられる場合には、直流電源５１２の正極が、フィルタ５４ｆ及びスイッチ５４ｓを介して導電層２２ｇに接続される。
At least one power source may apply a voltage to the
図７に示す実施形態においても、抵抗５２ａは固定抵抗であってもよく、可変抵抗であってもよい。また、図７に示す実施形態においても、抵抗５２ｂは、固定抵抗であってもよく、可変抵抗であってもよい。
Also in the embodiment shown in FIG. 7, the
以下、図８～図１０を参照する。図８～図１０の各々は、更に別の例示的実施形態においてプラズマ処理装置に採用される上部電極の断面図である。プラズマ処理装置１において採用される上部電極１４において、第１の電極２１又は第１の電極２１と第２の電極２２の双方は、径方向及び／又は周方向において複数の部分に分離されていてもよい。
8 to 10 will be referred to below. Each of FIGS. 8-10 is a cross-sectional view of an upper electrode employed in a plasma processing apparatus in yet another exemplary embodiment. In the
図８に示す実施形態では、第１の電極２１は、部分２１ｃ及び部分２１ｅを含む。部分２１ｃと部分２１ｅは、互いから分離されている。部分２１ｃは、径方向において第１の電極２１の中央の領域を構成する。部分２１ｃは、平面視では円形の領域である。部分２１ｅは、部分２１ｃの径方向外側の領域であり、第１の電極２１の周縁領域を構成している。部分２１ｅは、平面視では環状の領域である。部分２１ｃと部分２１ｅとの間には空間が設けられていてもよく、部分２１ｃと部分２１ｅとの間に絶縁体材料が設けられていてもよい。
In the embodiment shown in FIG. 8,
図８に示す実施形態において、部分２１ｃ及び部分２１ｅの各々には、フィルタ５３ｆ及びスイッチ５３ｓを介して直流電源５１１が電気的に接続される。第２の電極２２には、フィルタ５４ｆ及びスイッチ５４ｓを介して直流電源５１２が電気的に接続される。
In the embodiment shown in FIG. 8, a
図９に示す実施形態では、図８に示す実施形態と同様に、第１の電極２１は、部分２１ｃ及び部分２１ｅを含む。図９に示す実施形態では、第２の電極２２は、部分２２ｃ及び部分２２ｅを含む。部分２２ｃと部分２２ｅは、互いから分離されている。部分２２ｃは、径方向において第２の電極２２の中央の領域を構成する。部分２２ｃは、平面視では円形の領域である。部分２２ｃは、部分２１ｃ上に設けられる。部分２２ｅは、部分２２ｃの径方向外側の領域であり、第２の電極２２の周縁領域を構成している。部分２２ｅは、平面視では環状の領域である。部分２２ｅは、部分２１ｅ上に設けられる。部分２２ｃと部分２２ｅとの間には空間が設けられていてもよく、部分２２ｃと部分２２ｅとの間に絶縁体材料が設けられていてもよい。
In the embodiment shown in FIG. 9, similar to the embodiment shown in FIG. 8,
図９に示す実施形態において、部分２１ｃ及び部分２１ｅの各々には、フィルタ５３ｆ及びスイッチ５３ｓを介して直流電源５１１が電気的に接続される。部分２２ｃ及び部分２２ｅの各々には、フィルタ５４ｆ及びスイッチ５４ｓを介して直流電源５１２が電気的に接続される。
In the embodiment shown in FIG. 9, a
図１０に示す実施形態では、第１の電極２１は、部分２１ｃ及び部分２１ｅに加えて、部分２１ｍを含んでいる。部分２１ｃ、部分２１ｍ、及び部分２１ｅは、互いから分離されている。部分２１ｍは、部分２１ｃと部分２１ｅとの間の領域である。部分２１ｍは、平面視では環状の領域である。部分２１ｃと部分２１ｍとの間には空間が設けられていてもよく、部分２１ｃと部分２１ｍとの間に絶縁体材料が設けられていてもよい。部分２１ｍと部分２１ｅとの間には空間が設けられていてもよく、部分２１ｍと部分２１ｅとの間に絶縁体材料が設けられていてもよい。
In the embodiment shown in FIG. 10,
図１０に示す実施形態において、部分２１ｃ、部分２１ｍ、及び部分２１ｅの各々には、フィルタ５３ｆ及びスイッチ５３ｓを介して直流電源５１１が電気的に接続される。第２の電極２２には、フィルタ５４ｆ及びスイッチ５４ｓを介して直流電源５１２が電気的に接続される。
In the embodiment shown in FIG. 10, each of the
以下、図１１～図１４を参照する。図１１～図１４は、一例のタイミングチャートである。図１１～図１４の各々は、基板支持部１２のバイアス電極の電位、チャンバ１０内で生成されるプラズマの電位、並びに、上部電極の第１の電極及び第２の電極の各々の電位のタイミングチャートを示している。
11 to 14 are referred to below. 11 to 14 are timing charts of examples. Each of FIGS. 11-14 illustrates the potential of the bias electrode of the substrate support 12, the potential of the plasma generated in the
図１１～図１４に示すように、波形周期ＣＹは、期間Ｐ１及び期間Ｐ２を含んでいる。期間Ｐ１は、波形周期ＣＹ内の負位相期間である。期間Ｐ１における基板Ｗの電位又はバイアス電極の電位は、波形周期ＣＹ内の基板Ｗの平均電位又はバイアス電極の平均電位よりも低い。期間Ｐ１において、基板Ｗの電位又はバイアス電極の電位は、負の電位であり得る。期間Ｐ２は、波形周期ＣＹ内の期間Ｐ１以外の期間であり、波形周期ＣＹ内の正位相期間である。期間Ｐ２において、基板Ｗの電位又はバイアス電極の電位は、０Ｖ以上であり得る。 As shown in FIGS. 11 to 14, waveform cycle CY includes period P1 and period P2. A period P1 is a negative phase period within the waveform period CY. The potential of the substrate W or the potential of the bias electrode in the period P1 is lower than the average potential of the substrate W or the average potential of the bias electrode within the waveform period CY. In the period P1, the potential of the substrate W or the potential of the bias electrode can be negative. A period P2 is a period other than the period P1 within the waveform cycle CY, and is a positive phase period within the waveform cycle CY. During the period P2, the potential of the substrate W or the potential of the bias electrode may be 0V or higher.
図１１～図１４に示すように、プラズマ処理装置１の少なくとも一つの電源、即ち直流電源５１又は直流電源５１１及び５１２は、第１の電極２１の電位を、電位Ｖ２１Ａのように一定に設定してもよい。また、プラズマ処理装置１の少なくとも一つの電源は、第２の電極２２の電位を、電位Ｖ２２Ａのように一定に設定してもよい。
As shown in FIGS. 11 to 14, at least one power supply of the
或いは、図１１～図１４に示すように、プラズマ処理装置１の少なくとも一つの電源、即ち直流電源５１又は直流電源５１１及び５１２は、第１の電極２１の電位を、電位Ｖ２１Ｂ又はＶ２１Ｃのように電気バイアスエネルギーＢＥに同期して変化させてもよい。また、プラズマ処理装置１の少なくとも一つの電源は、第２の電極２２の電位を、電位Ｖ２２Ｂ又はＶ２２Ｃのように電気バイアスエネルギーＢＥに同期して変化させてもよい。
Alternatively, as shown in FIGS. 11 to 14, at least one power supply of the
具体的には、プラズマ処理装置１の少なくとも一つの電源は、電位Ｖ２１Ｂ又はＶ２１Ｃのように、期間Ｐ２における第１の電極２１の電位を、期間Ｐ１における第１の電極２１の負の電位よりも正側に高い電位に設定してもよい。また、プラズマ処理装置１の少なくとも一つの電源は、電位Ｖ２２Ｂ又はＶ２２Ｃのように、期間Ｐ２における第２の電極２２の電位を、期間Ｐ１における第２の電極２２の負の電位よりも正側に高い電位に設定してもよい。この場合には、期間Ｐ２において、プラズマと上部電極１４との間の電位差を低下させることが可能である。その結果、プラズマから上部電極１４に向かうイオンの速度を低減させて、二次電子の発生を抑制することが可能となる。
Specifically, at least one power source of the
また、プラズマ処理装置１の少なくとも一つの電源は、電位Ｖ２１Ｂ又はＶ２１Ｃのように、期間Ｐ１における第１の電極２１の負の電位の絶対値を、期間Ｐ２における第１の電極２１の電位の絶対値よりも大きい値に設定してもよい。また、プラズマ処理装置１の少なくとも一つの電源は、電位Ｖ２２Ｂ又はＶ２２Ｃのように、期間Ｐ１における第２の電極２２の負の電位の絶対値を、期間Ｐ２における第２の電極２２の電位の絶対値よりも大きい値に設定してもよい。この場合には、期間Ｐ１においてイオンが基板Ｗに衝突することにより基板Ｗから二次電子が放出されても、上部電極１４に向かう二次電子の速度が低減される。
In addition, at least one power source of the
なお、図１１～図１４に示すように、波形周期ＣＹにおける第１の電極２１及び第２の電極２２の各々の電位は、二つの期間の電位（期間Ｐ１の電位と期間Ｐ２の電位）、即ち二値をとってもよい。別の例では、波形周期ＣＹ内の期間の数は、二つ以外の他の数であってもよい。また、波形周期ＣＹにおける第１の電極２１及び第２の電極２２の電位は、スムーズに変化してもよい。
11 to 14, the potential of each of the
図１５の（ａ）及び図１５の（ｂ）は、電源の制御に関連する一例の構成を示す図である。図１５の（ａ）に示すように、プラズマ処理装置１は、第１の電極２１の電位及び第２の電極２２の電位を電気バイアスエネルギーＢＥに同期して変化させるために、電源コントローラ６０を更に備えていてもよい。電源コントローラ６０は、バイアス電源３２及び直流電源５１に同期信号を与える。電源コントローラ６０は、直流電源５１に位相信号を更に与える。バイアス電源３２は、与えられた同期信号に同期して電気バイアスエネルギーＢＥを発生する。直流電源５１は、与えられた同期信号に同期し、且つ、位相信号に応じて、第１の電極２１の電位及び第２の電極２２の電位を変化させる。なお、直流電源５１の波形周期ＣＹ内での出力電圧の波形は、予め設定されていてもよく、或いは、レシピデータに基づいて設定されてもよい。或いは、図１５の（ｂ）に示すように、バイアス電源３２が、同期信号及び位相信号を発生して、直流電源５１に与えてもよい。
(a) and (b) of FIG. 15 are diagrams showing an example configuration related to control of the power supply. As shown in (a) of FIG. 15, the
図１６の（ａ）及び図１６の（ｂ）は、電源の制御に関連する一例の構成を示す図である。図１６の（ａ）に示すように、プラズマ処理装置１は、第１の電極２１の電位及び第２の電極２２の電位を電気バイアスエネルギーＢＥに同期して変化させるために、電源コントローラ６１を更に備えていてもよい。電源コントローラ６１は、バイアス電源３２、直流電源５１１、及び直流電源５１２に同期信号を与える。電源コントローラ６１は、直流電源５１１及び直流電源５１２に位相信号を更に与える。バイアス電源３２は、与えられた同期信号に同期して電気バイアスエネルギーＢＥを発生する。直流電源５１１及び直流電源５１２の各々は、与えられた同期信号に同期し、且つ、位相信号に応じて、第１の電極２１の電位及び第２の電極２２の電位を変化させる。なお、直流電源５１１及び直流電源５１２の各々の波形周期ＣＹ内での出力電圧の波形は、予め設定されていてもよく、或いは、レシピデータに基づいて設定されてもよい。或いは、図１６の（ｂ）に示すように、バイアス電源３２が、同期信号及び位相信号を発生して、直流電源５１１及び直流電源５１２に与えてもよい。
(a) and (b) of FIG. 16 are diagrams showing an example configuration related to control of the power supply. As shown in (a) of FIG. 16, the
以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な追加、省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。 While various exemplary embodiments have been described above, various additions, omissions, substitutions, and modifications may be made without being limited to the exemplary embodiments described above. Also, elements from different embodiments can be combined to form other embodiments.
例えば、複数の第２のガス孔２２ｈのうち少なくとも一つ又は複数の第２のガス孔２２ｈの各々は、複数の第１のガス孔２１ｈのうち二つ以上の第１のガス孔２１ｈに連通していてもよい。また、複数の第１のガス孔２１ｈの各々は、屈曲していてもよい。
For example, at least one of the plurality of
ここで、本開示に含まれる種々の例示的実施形態を、以下の［Ｅ１］～［Ｅ１６］に記載する。 Various exemplary embodiments included in the present disclosure will now be described in [E1] to [E16] below.
［Ｅ１］
その内部に処理空間を提供するチャンバと、
前記チャンバ内に設けられた基板支持部と、
前記処理空間の上方から前記処理空間にガスを導入するシャワーヘッドを構成する上部電極であり、
前記処理空間に向けて開口した複数の第１のガス孔を提供する第１の電極と、
前記第１の電極上に直接的に又は間接的に設けられており、前記複数の第１のガス孔にそれぞれ連通する複数の第２のガス孔を提供する第２の電極と、
を含む該上部電極と、
前記第２の電極の電位を前記第１の電極の電位に対して正側の電位に設定するように構成された少なくとも一つの電源と、
を備えるプラズマ処理装置。
[E1]
a chamber providing a processing space therein;
a substrate support provided within the chamber;
an upper electrode that constitutes a shower head that introduces gas into the processing space from above the processing space;
a first electrode providing a plurality of first gas holes opening toward the processing space;
a second electrode provided directly or indirectly on the first electrode and providing a plurality of second gas holes respectively communicating with the plurality of first gas holes;
the upper electrode comprising
at least one power source configured to set the potential of the second electrode to a positive potential with respect to the potential of the first electrode;
A plasma processing apparatus comprising:
［Ｅ１］の実施形態において、シャワーヘッドは、複数のガス孔を提供している。複数のガス孔の各々は、複数の第１のガス孔のうち一つとこれに連通する第２のガス孔を含む。［Ｅ１］の実施形態では、処理空間内のプラズマから正イオンが複数のガス孔に進入して第２の電極に衝突することにより二次電子が第２の電極から放出されても、二次電子は即座に第２の電極に引き付けられる。したがって、複数のガス孔の中のガスに二次電子が衝突して、複数のガス孔の中でガスが解離することが抑制される。 In the embodiment of [E1], the showerhead provides a plurality of gas holes. Each of the plurality of gas holes includes one of the plurality of first gas holes and a second gas hole communicating therewith. In the embodiment of [E1], even if secondary electrons are emitted from the second electrode by positive ions entering the plurality of gas holes from the plasma in the processing space and colliding with the second electrode, secondary Electrons are immediately attracted to the second electrode. Therefore, it is possible to prevent the secondary electrons from colliding with the gas in the plurality of gas holes to dissociate the gas in the plurality of gas holes.
［Ｅ２］
前記第２の電極の電位は、前記第１の電極の電位よりも、＋５Ｖ以上高い、［Ｅ１］に記載のプラズマ処理装置。
[E2]
The plasma processing apparatus according to [E1], wherein the potential of the second electrode is +5 V or more higher than the potential of the first electrode.
［Ｅ３］
前記少なくとも一つの電源は、前記第１の電極の電位を負の電位、０Ｖ、又はフローティングに設定するように構成されている、［Ｅ１］又は［Ｅ２］に記載のプラズマ処理装置。
[E3]
The plasma processing apparatus according to [E1] or [E2], wherein the at least one power supply is configured to set the potential of the first electrode to a negative potential, 0 V, or floating.
［Ｅ４］
前記少なくとも一つの電源として単一の電源を備え、
前記単一の電源に接続された抵抗分割回路を更に備え、
前記抵抗分割回路において異なる電位を有する二つのノードが前記第１の電極及び前記第２の電極にそれぞれ電気的に接続されている、［Ｅ１］～［Ｅ３］の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
[E4]
comprising a single power source as the at least one power source;
further comprising a resistive divider circuit connected to the single power supply;
The plasma according to any one of [E1] to [E3], wherein two nodes having different potentials in the resistive divider circuit are electrically connected to the first electrode and the second electrode, respectively. processing equipment.
［Ｅ５］
前記少なくとも一つの電源として、前記第１の電極に電気的に接続された第１の電源と、該第１の電源とは別の第２の電源であり前記第２の電極に電気的に接続された該第２の電源と、を備える、［Ｅ１］～［Ｅ３］の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
[E5]
The at least one power source includes a first power source electrically connected to the first electrode and a second power source separate from the first power source and electrically connected to the second electrode. The plasma processing apparatus according to any one of [E1] to [E3], further comprising: the second power supply.
［Ｅ６］
前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた誘電体層を更に備える、［Ｅ１］～［Ｅ５］の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
[E6]
The plasma processing apparatus according to any one of [E1] to [E5], further comprising a dielectric layer provided between the first electrode and the second electrode.
［Ｅ７］
前記第２の電極は、前記複数の第２のガス孔の各々の前記第１の電極の側の端部を画成する表面領域に導電層を有し、
前記少なくとも一つの電源は、前記導電層に電圧を印加するように構成されている、
［Ｅ１］～［Ｅ６］の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
[E7]
the second electrode has a conductive layer on a surface region defining an end portion of each of the plurality of second gas holes on the side of the first electrode;
the at least one power source is configured to apply a voltage to the conductive layer;
The plasma processing apparatus according to any one of [E1] to [E6].
［Ｅ８］
前記第１の電極は、互いから分離された複数の部分を含み、
前記少なくとも一つの電源は、前記複数の部分に電圧を印加するように構成されている、
［Ｅ１］～［Ｅ６］の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
[E8]
said first electrode comprising a plurality of portions separated from each other;
the at least one power source configured to apply a voltage to the plurality of portions;
The plasma processing apparatus according to any one of [E1] to [E6].
［Ｅ９］
前記第１の電極の前記複数の部分は、径方向において互いから分離されている、［Ｅ８］に記載のプラズマ処理装置。
[E9]
The plasma processing apparatus of [E8], wherein the plurality of portions of the first electrode are radially separated from each other.
［Ｅ１０］
前記第２の電極は、温調機構を有する、［Ｅ１］～［Ｅ９］の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
[E10]
The plasma processing apparatus according to any one of [E1] to [E9], wherein the second electrode has a temperature control mechanism.
［Ｅ１１］
前記温調機構は、前記第２の電極の中に形成された流路であり、その中で熱媒体が流される該流路を含む、［Ｅ１０］に記載のプラズマ処理装置。
[E11]
The plasma processing apparatus according to [E10], wherein the temperature control mechanism is a channel formed in the second electrode, and includes the channel through which a heat medium flows.
［Ｅ１２］
前記複数の第２のガス孔の各々の前記第１の電極の側の端部はテーパー状をなしており、
前記複数の第２のガス孔の各々の前記端部の開口の直径は、前記複数の第１のガス孔の各々の直径よりも大きい、
［Ｅ１］～［Ｅ１１］の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
[E12]
each of the plurality of second gas holes has a tapered end on the side of the first electrode,
the diameter of the end opening of each of the plurality of second gas holes is larger than the diameter of each of the plurality of first gas holes;
The plasma processing apparatus according to any one of [E1] to [E11].
［Ｅ１３］
前記第１の電極は、シリコン、炭化ケイ素、又は石英から形成されており、
前記第２の電極は、金属又は炭化ケイ素から形成されている、
［Ｅ１］～［Ｅ１２］の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
[E13]
the first electrode is made of silicon, silicon carbide, or quartz;
wherein the second electrode is made of metal or silicon carbide;
The plasma processing apparatus according to any one of [E1] to [E12].
［Ｅ１４］
波形周期を有する電気バイアスエネルギーを周期的に前記基板支持部に供給するように構成され、
前記波形周期は、前記基板の電位が該波形周期内の該基板の平均電位よりも低い負位相期間と該波形周期内の該負位相期間以外の期間である正位相期間とを含み、
前記少なくとも一つの電源は、前記正位相期間における前記第１の電極の電位を前記負位相期間における前記第１の電極の負の電位よりも正側に高い電位に設定するように構成されている、
［Ｅ１］～［Ｅ１３］の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
[E14]
configured to periodically supply electrical bias energy having a waveform period to the substrate support;
the waveform period includes a negative phase period in which the potential of the substrate is lower than the average potential of the substrate within the waveform period and a positive phase period which is a period other than the negative phase period within the waveform period,
The at least one power supply is configured to set the potential of the first electrode during the positive phase period to a higher positive potential than the negative potential of the first electrode during the negative phase period. ,
The plasma processing apparatus according to any one of [E1] to [E13].
［Ｅ１５］
波形周期を有する電気バイアスエネルギーを周期的に前記基板支持部に供給するように構成され、
前記波形周期は、前記基板の電位が該波形周期内の該基板の平均電位よりも低い負位相期間と該波形周期内の該負位相期間以外の期間である正位相期間とを含み、
前記少なくとも一つの電源は、前記負位相期間における前記第１の電極の負の電位の絶対値を前記正位相期間における前記第１の電極の電位の絶対値よりも大きい値に設定するように構成されている、
［Ｅ１］～［Ｅ１３］の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
[E15]
configured to periodically supply electrical bias energy having a waveform period to the substrate support;
the waveform period includes a negative phase period in which the potential of the substrate is lower than the average potential of the substrate within the waveform period and a positive phase period which is a period other than the negative phase period within the waveform period,
The at least one power supply is configured to set the absolute value of the negative potential of the first electrode during the negative phase period to a value greater than the absolute value of the potential of the first electrode during the positive phase period. has been
The plasma processing apparatus according to any one of [E1] to [E13].
［Ｅ１６］
前記電気バイアスエネルギーは、バイアス高周波電力であるか前記波形周期の時間間隔で周期的に発生される電圧のパルスである、［Ｅ１４］又は［Ｅ１５］に記載のプラズマ処理装置。
[E16]
The plasma processing apparatus according to [E14] or [E15], wherein the electric bias energy is bias high-frequency power or a pulse of voltage generated periodically at time intervals of the waveform period.
以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。 From the foregoing description, it will be appreciated that various embodiments of the present disclosure have been set forth herein for purposes of illustration, and that various changes may be made without departing from the scope and spirit of the present disclosure. Will. Therefore, the various embodiments disclosed herein are not intended to be limiting, with a true scope and spirit being indicated by the following claims.
１…プラズマ処理装置、１０…チャンバ、１２…基板支持部、１４…上部電極、２１…第１の電極、２１ｈ…第１のガス孔、２２…第２の電極、２２ｈ…第２のガス孔、５１…直流電源。
DESCRIPTION OF
Claims (17)
前記チャンバ内に設けられた基板支持部と、
前記処理空間の上方から前記処理空間にガスを導入するシャワーヘッドを構成する上部電極であり、
前記処理空間に向けて開口した複数の第１のガス孔を提供する第１の電極と、
前記第１の電極上に直接的に又は間接的に設けられており、前記複数の第１のガス孔にそれぞれ連通する複数の第２のガス孔を提供する第２の電極と、
を含む該上部電極と、
前記第２の電極の電位を前記第１の電極の電位に対して正側の電位に設定するように構成された少なくとも一つの電源と、
を備えるプラズマ処理装置。 a chamber providing a processing space therein;
a substrate support provided within the chamber;
an upper electrode that constitutes a shower head that introduces gas into the processing space from above the processing space;
a first electrode providing a plurality of first gas holes opening toward the processing space;
a second electrode provided directly or indirectly on the first electrode and providing a plurality of second gas holes respectively communicating with the plurality of first gas holes;
the upper electrode comprising
at least one power source configured to set the potential of the second electrode to a positive potential with respect to the potential of the first electrode;
A plasma processing apparatus comprising:
前記単一の電源に接続された抵抗分割回路を更に備え、
前記抵抗分割回路において異なる電位を有する二つのノードが前記第１の電極及び前記第２の電極にそれぞれ電気的に接続されている、請求項１に記載のプラズマ処理装置。 comprising a single power source as the at least one power source;
further comprising a resistive divider circuit connected to the single power supply;
2. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein two nodes having different potentials in said resistance divider circuit are electrically connected to said first electrode and said second electrode, respectively.
前記少なくとも一つの電源は、前記導電層に電圧を印加するように構成されている、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。 the second electrode has a conductive layer on a surface region defining an end portion of each of the plurality of second gas holes on the side of the first electrode;
the at least one power source is configured to apply a voltage to the conductive layer;
The plasma processing apparatus according to claim 1.
前記少なくとも一つの電源は、前記複数の部分に電圧を印加するように構成されている、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。 said first electrode comprising a plurality of portions separated from each other;
the at least one power source configured to apply a voltage to the plurality of portions;
The plasma processing apparatus according to claim 1.
前記複数の第２のガス孔の各々の前記端部の開口の直径は、前記複数の第１のガス孔の各々の直径よりも大きい、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。 each of the plurality of second gas holes has a tapered end on the side of the first electrode,
the diameter of the end opening of each of the plurality of second gas holes is larger than the diameter of each of the plurality of first gas holes;
The plasma processing apparatus according to claim 1.
前記第２の電極は、金属又は炭化ケイ素から形成されている、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。 the first electrode is made of silicon, silicon carbide, or quartz;
wherein the second electrode is made of metal or silicon carbide;
The plasma processing apparatus according to claim 1.
前記波形周期は、前記基板の電位が該波形周期内の該基板の平均電位よりも低い負位相期間と該波形周期内の該負位相期間以外の期間である正位相期間とを含み、
前記少なくとも一つの電源は、前記正位相期間における前記第１の電極の電位を前記負位相期間における前記第１の電極の負の電位よりも正側に高い電位に設定するように構成されている、
請求項１～１３の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。 configured to periodically supply electrical bias energy having a waveform period to the substrate support;
the waveform period includes a negative phase period in which the potential of the substrate is lower than the average potential of the substrate within the waveform period and a positive phase period which is a period other than the negative phase period within the waveform period,
The at least one power supply is configured to set the potential of the first electrode during the positive phase period to a higher positive potential than the negative potential of the first electrode during the negative phase period. ,
The plasma processing apparatus according to any one of claims 1-13.
前記波形周期は、前記基板の電位が該波形周期内の該基板の平均電位よりも低い負位相期間と該波形周期内の該負位相期間以外の期間である正位相期間とを含み、
前記少なくとも一つの電源は、前記負位相期間における前記第１の電極の負の電位の絶対値を前記正位相期間における前記第１の電極の電位の絶対値よりも大きい値に設定するように構成されている、
請求項１～１３の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。 configured to periodically supply electrical bias energy having a waveform period to the substrate support;
the waveform period includes a negative phase period in which the potential of the substrate is lower than the average potential of the substrate within the waveform period and a positive phase period which is a period other than the negative phase period within the waveform period,
The at least one power supply is configured to set the absolute value of the negative potential of the first electrode during the negative phase period to a value greater than the absolute value of the potential of the first electrode during the positive phase period. has been
The plasma processing apparatus according to any one of claims 1-13.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202211038728.4A CN115775715A (en) | 2021-09-08 | 2022-08-29 | Plasma processing apparatus |
| KR1020220113139A KR20230036996A (en) | 2021-09-08 | 2022-09-07 | Plasma processing apparatus |
| US17/940,508 US20230077143A1 (en) | 2021-09-08 | 2022-09-08 | Plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021145970 | 2021-09-08 | ||
| JP2021145970 | 2021-09-08 | ||
| JP2021193070 | 2021-11-29 | ||
| JP2021193070 | 2021-11-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| JP2023039404A true JP2023039404A (en) | 2023-03-20 |
Family
ID=85600654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2022106117A Pending JP2023039404A (en) | 2021-09-08 | 2022-06-30 | Plasma processing apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2023039404A (en) |
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