JP2023035855A - Electrostatic chuck and processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の態様は、静電チャック、および処理装置に関する。 Aspects of the present invention relate to electrostatic chucks and processing apparatus.
アルミナ等のセラミック誘電体基板および電極を備えた静電チャックは、該電極に静電吸着用電力を印加し、シリコンウェーハ等の基板を静電力によって吸着するものである。このような静電チャックにおいては、セラミック誘電体基板の表面と、吸着対象物である基板の裏面と、の間にヘリウム(He)等の不活性ガスを流し、吸着対象物である基板の温度をコントロールしている。 An electrostatic chuck having a ceramic dielectric substrate such as alumina and an electrode applies electrostatic chucking power to the electrode to chuck a substrate such as a silicon wafer by electrostatic force. In such an electrostatic chuck, an inert gas such as helium (He) is flowed between the front surface of the ceramic dielectric substrate and the back surface of the substrate to be attracted, and the temperature of the substrate to be attracted is changed. is controlling
例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition)装置、スパッタリング装置、イオン注入装置、エッチング装置など、基板に対する処理を行う装置において、処理中に基板の温度上昇を伴うものがある。このような装置に用いられる静電チャックでは、セラミック誘電体基板と吸着対象物である基板との間にHe等の不活性ガスを流し、基板に不活性ガスを接触させることで基板の温度上昇を抑制している。 2. Description of the Related Art For example, some apparatuses for processing a substrate, such as a CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus, a sputtering apparatus, an ion implantation apparatus, and an etching apparatus, accompany a temperature rise of the substrate during the processing. In an electrostatic chuck used in such an apparatus, an inert gas such as He is caused to flow between a ceramic dielectric substrate and a substrate to be adsorbed, and the substrate is brought into contact with the inert gas to raise the temperature of the substrate. is suppressed.
He等の不活性ガスによる基板温度の制御を行う静電チャックにおいては、セラミック誘電体基板及びセラミック誘電体基板を支持するベースプレートに、He等の不活性ガスを導入するための穴(ガス導入路)が設けられる。また、セラミック誘電体基板には、ベースプレートのガス導入路と連通する貫通孔が設けられる。これにより、ベースプレートのガス導入路から導入された不活性ガスは、セラミック誘電体基板の貫通孔を通って、基板の裏面へ導かれる。 In an electrostatic chuck that controls the substrate temperature using an inert gas such as He, a hole for introducing an inert gas such as He (gas introduction path) is provided in a ceramic dielectric substrate and a base plate that supports the ceramic dielectric substrate. ) is provided. Also, the ceramic dielectric substrate is provided with a through-hole communicating with the gas introduction path of the base plate. Thereby, the inert gas introduced from the gas introduction path of the base plate is led to the back surface of the substrate through the through holes of the ceramic dielectric substrate.
ここで、装置内で基板を処理する際、装置内のプラズマから金属製のベースプレートに向かう放電(アーク放電)が発生することがある。ベースプレートのガス導入路やセラミック誘電体基板の貫通孔は、放電の経路となりやすいことがある。そこで、ベースプレートのガス導入路やセラミック誘電体基板の貫通孔に、多孔質部を設けることで、アーク放電に対する耐性(絶縁耐圧等)を向上させる技術がある。例えば、特許文献1には、ガス導入路内にセラミック焼結多孔体を設け、セラミック焼結多孔体の構造及び膜孔をガス流路にすることで、ガス導入路内での絶縁性を向上させた静電チャックが開示されている。また、特許文献2には、ベースプレートのガス導入路およびセラミック誘電体基板の貫通孔にセラミック製の多孔体を配置した静電チャックが開示されている。また、特許文献3には、ベースプレートのガス導入路あるいはセラミック誘電体基板の貫通孔にセラミック製の多孔体を配置するとともに、ベースプレートとセラミック誘電体基板とを接着する接着層のうち、ガス導入路および/または貫通孔に露出する箇所にプロテクト材を配置して接着剤の侵食を抑制することが記載されている。
このような静電チャックにおいて、アーク放電の抑制効果を長時間維持することが望まれている。
Here, when a substrate is processed in the apparatus, discharge (arc discharge) may occur from the plasma in the apparatus toward the metal base plate. The gas introduction path of the base plate and the through hole of the ceramic dielectric substrate are likely to serve as discharge paths. Therefore, there is a technique of improving resistance to arc discharge (dielectric strength voltage, etc.) by providing a porous portion in the gas introduction path of the base plate or the through hole of the ceramic dielectric substrate. For example, in Patent Document 1, a sintered ceramic porous body is provided in the gas introduction path, and the structure and membrane pores of the sintered ceramic porous body are used as the gas flow path to improve the insulation in the gas introduction path. An electrostatic chuck is disclosed. Further, Patent Document 2 discloses an electrostatic chuck in which a ceramic porous body is arranged in a gas introduction path of a base plate and through holes of a ceramic dielectric substrate. Further, in Patent Document 3, a ceramic porous body is arranged in a gas introduction path of a base plate or a through hole of a ceramic dielectric substrate, and an adhesive layer for bonding the base plate and the ceramic dielectric substrate includes a gas introduction path. and/or disposing a protective material at a portion exposed to the through-hole to suppress erosion of the adhesive.
In such an electrostatic chuck, it is desired to maintain the effect of suppressing arc discharge for a long period of time.
本発明は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、アーク放電の低減効果を長期間維持することができる静電チャック、および処理装置を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an electrostatic chuck and a processing apparatus capable of maintaining the effect of reducing arc discharge for a long period of time.
第1の発明は、吸着の対象物を載置する第1主面と、前記第1主面とは反対側の第2主面と、を有するセラミック誘電体基板と、前記セラミック誘電体基板を支持し、前記セラミック誘電体基板側の上面と、前記表面と反対側の下面と、を有するベースプレートと、前記セラミック誘電体基板と、前記ベースプレートとの間に設けられた接合部と、前記セラミック誘電体基板、前記ベースプレートおよび前記接合部を貫通するガス導入路であって、前記セラミック誘電体基板に位置する第1孔部と、前記ベースプレートに位置する第2孔部と、前記接合部に位置する第3孔部と、を有するガス導入路と、前記第1孔部に設けられたざぐり部と、前記第3孔部側の第1面と、前記第1面とは反対側の第2面と、を有し、前記ざぐり部に設けられたセラミック多孔質部と、前記接合部のうち前記第3孔部側の端部に対向して設けられた弾性体と、を備え、前記セラミック多孔質部は、前記第1面と前記第2面とをつなぐ側面をさらに有し、前記側面は、前記第1面側の第1側部と、前記第2面側の第2側部と、前記第1側部と前記第2側部との間の第3側部と、を有し、かつ 前記ベースプレートから前記セラミック誘電体基板へ向かう方向を第1方向とし、前記第1方向に略直交する方向を第2方向としたときに、前記第1側部のうちの少なくとも前記第1面と接する領域に前記第1方向に対して傾斜する第1傾斜部を設けており、 前記第2方向視において、前記第1面は、前記接合部および前記弾性体と重なり、前記セラミック多孔質部は、前記第1傾斜部において前記弾性体と接するよう構成される、静電チャックである。 A first invention comprises a ceramic dielectric substrate having a first main surface on which an object to be attracted is placed and a second main surface opposite to the first main surface, and the ceramic dielectric substrate. a base plate that supports and has an upper surface on the side of the ceramic dielectric substrate and a lower surface on the opposite side to the surface; a junction provided between the ceramic dielectric substrate and the base plate; a gas introduction passage penetrating through the substrate, the base plate and the joint, the first hole located in the ceramic dielectric substrate, the second hole located in the base plate, and the joint located in the joint a gas introduction path having a third hole, a counterbored portion provided in the first hole, a first surface on the side of the third hole, and a second surface opposite to the first surface. and a ceramic porous portion provided in the counterbored portion, and an elastic body provided facing an end portion of the joint portion on the third hole side, The material further has a side surface connecting the first surface and the second surface, the side surface comprising a first side portion on the side of the first surface, a second side portion on the side of the second surface, and a third side portion between the first side portion and the second side portion, wherein a direction from the base plate toward the ceramic dielectric substrate is defined as a first direction and substantially orthogonal to the first direction. A first inclined portion that is inclined with respect to the first direction is provided in a region of the first side portion that is in contact with at least the first surface, and the second direction is the direction in which the In view, the electrostatic chuck is configured such that the first surface overlaps the joint portion and the elastic body, and the ceramic porous portion is configured to contact the elastic body at the first inclined portion.
使用時に静電チャックが大きな温度変化に曝されてセラミック誘電体基板および/またはベースプレートが熱によって膨張又は収縮する場合がある。このとき、ガス導入路の第1孔部に配置されたセラミック多孔質部にも熱による応力が加わることで、多孔質部が膨張して第3孔部側に変形する場合がある。この静電チャックによれば、弾性体を設け、この弾性体が、セラミック多孔質部のうち、第1面側の第1側部において、第1面と接する領域に設けた第1傾斜部と接するように構成している。そのため、セラミック多孔質部の変形を第1傾斜部および弾性体で吸収することで、セラミック多孔質部の破損を抑制することができる。そのため、アーク放電の抑制効果を長期間維持することができる。また、第3孔部において接合部の端部に対向して弾性体を配置しているため、静電チャック使用時に端部がプラズマによって腐食されてパーティクルが生じることを抑制できる。また、第2方向視において第1面が接合部および弾性体と重なるよう構成しているため、アーキング耐性を高めることができる。 During use, the electrostatic chuck may be exposed to large temperature changes causing thermal expansion or contraction of the ceramic dielectric substrate and/or base plate. At this time, thermal stress is also applied to the ceramic porous portion arranged in the first hole portion of the gas introduction passage, and the porous portion may expand and deform toward the third hole portion. According to this electrostatic chuck, the elastic body is provided, and the elastic body is connected to the first inclined portion provided in the region in contact with the first surface in the first side portion on the first surface side of the ceramic porous portion. configured to touch. Therefore, by absorbing the deformation of the ceramic porous portion by the first inclined portion and the elastic body, it is possible to suppress breakage of the ceramic porous portion. Therefore, the effect of suppressing arc discharge can be maintained for a long period of time. In addition, since the elastic body is arranged in the third hole so as to face the end of the joint, it is possible to suppress the generation of particles due to plasma corrosion of the end when the electrostatic chuck is used. In addition, since the first surface overlaps the joint portion and the elastic body when viewed in the second direction, arcing resistance can be enhanced.
第2の発明は、第1の発明において、前記セラミック多孔質部は、ガス透過性を有する多孔部と、前記多孔部よりも緻密な緻密部と、を有し、前記緻密部は前記多孔部の外周を覆うように配置されており、前記第1傾斜部は前記緻密部に設けられる、静電チャックである。 A second invention is based on the first invention, wherein the ceramic porous portion has a gas-permeable porous portion and a dense portion denser than the porous portion, and the dense portion is the porous portion. and the first inclined portion is provided in the dense portion.
この静電チャックによれば、弾性体と接する傾斜部の強度がより高まるため、セラミック多孔質部の破損を効果的に抑制して、アーク放電の低減効果を長期間維持することができる。 According to this electrostatic chuck, since the strength of the slant portion in contact with the elastic body is increased, damage to the ceramic porous portion can be effectively suppressed, and the effect of reducing arc discharge can be maintained for a long period of time.
第3の発明は、第1または第2の発明において、前記第1側部は前記第1傾斜部からなる、静電チャックである。 A third invention is the electrostatic chuck according to the first or second invention, wherein the first side portion comprises the first inclined portion.
この静電チャックによれば、セラミック多孔質部の破損を効果的に抑制して、アーク放電の低減効果を長期間維持することができる。 According to this electrostatic chuck, breakage of the ceramic porous portion can be effectively suppressed, and the effect of reducing arc discharge can be maintained for a long period of time.
第4の発明は、第3の発明において、前記第3側部の少なくとも一部であって、前記第1傾斜部と連続する第2傾斜部を備えており、
前記ざぐり部と前記第2傾斜部との間に前記セラミック多孔質部をざぐり部に固定する固定部が設けられる、静電チャックである。
A fourth invention is the third invention, further comprising a second inclined portion which is at least part of the third side portion and which is continuous with the first inclined portion,
In the electrostatic chuck, a fixing portion for fixing the ceramic porous portion to the counterbored portion is provided between the counterbore portion and the second inclined portion.
この静電チャックによれば、固定部をプラズマから離間した位置に配置できるため、固定部のプラズマによる侵食を抑制でき、アーク放電の抑制効果を長期間維持することができる。 According to this electrostatic chuck, since the fixed portion can be arranged at a position away from the plasma, erosion of the fixed portion by the plasma can be suppressed, and the effect of suppressing arc discharge can be maintained for a long period of time.
第5の発明は、第4の発明において、前記第2側部の前記第2方向に沿う長さは、前記ざぐり部の前記第2方向に沿う長さと略同じである、静電チャックである。 A fifth invention is the electrostatic chuck according to the fourth invention, wherein the length of the second side portion along the second direction is approximately the same as the length of the counterbore portion along the second direction. .
この静電チャックによれば、セラミック多孔質部のうち、プラズマに最も近い第2側部とざぐり部との間の隙間がほとんどないため、アーク放電低減の抑制効果を長期間維持することができる。 According to this electrostatic chuck, since there is almost no gap between the second side portion of the ceramic porous portion that is closest to the plasma and the counterbore portion, the effect of suppressing arc discharge reduction can be maintained for a long period of time. .
第6の発明は、第1または第2の発明において、前記弾性体のうち、前記第1傾斜部と接する部分における前記第1方向に沿う長さが、前記接合部の前記第1方向に沿う長さよりも大きい、静電チャックである。 In a sixth invention, in the first or second invention, the length of a portion of the elastic body in contact with the first inclined portion along the first direction is along the first direction of the joint portion. Larger than length, electrostatic chuck.
この静電チャックによれば、弾性体が、接合部の端部とセラミック多孔質部との間の物理的な障壁となるため、接合部がプラズマで腐食されパーティクルが発生した場合であっても、該パーティクルがセラミック多孔質部に侵入することで経時的にガス流量が低下することを抑制できる。そのため、アーク放電の抑制効果を長時間維持することができる。 According to this electrostatic chuck, the elastic body acts as a physical barrier between the edge of the joint and the ceramic porous part, so even if the joint is corroded by plasma and particles are generated, , it is possible to suppress the decrease in gas flow rate over time due to the particles penetrating into the ceramic porous portion. Therefore, the effect of suppressing arc discharge can be maintained for a long time.
第7の発明は、第1または第2の発明において、前記弾性体が環状であり、前記第1方向視で前記第1面は前記弾性体で囲われる、静電チャックである。 A seventh invention is the electrostatic chuck according to the first or second invention, wherein the elastic body is annular, and the first surface is surrounded by the elastic body when viewed from the first direction.
この静電チャックによれば、弾性体の位置決めが容易となり、弾性体によるセラミック多孔質部の破損抑制効果をより確実に享受することができる。 According to this electrostatic chuck, the positioning of the elastic body is facilitated, and the effect of suppressing breakage of the ceramic porous portion by the elastic body can be more reliably received.
第8の発明は、第1または第2の発明において、前記弾性体は、ポリテトラフルオロエチレン、ポリイミドのうちの少なくともいずれかを含む、静電チャックである。 An eighth invention is the electrostatic chuck according to the first or second invention, wherein the elastic body includes at least one of polytetrafluoroethylene and polyimide.
この静電チャックによれば、セラミック多孔質部の破損を効果的に抑制して、アーク放電低減の抑制効果を長期間維持することができる。 According to this electrostatic chuck, damage to the ceramic porous portion can be effectively suppressed, and the effect of suppressing arc discharge reduction can be maintained for a long period of time.
第9の発明は、上記のいずれか1つの静電チャックと、前記静電チャックに設けられたガス導入路にガスを供給可能な供給部と、を備えたことを特徴とする処理装置である。 この処理装置によれば、アーク放電の低減を図ることができる。 A ninth aspect of the present invention is a processing apparatus comprising any one of the electrostatic chucks described above and a supply unit capable of supplying a gas to a gas introduction path provided in the electrostatic chuck. . According to this processing apparatus, arc discharge can be reduced.
第10の発明は、吸着の対象物を載置する第1主面と、前記第1主面とは反対側の第2主面と、を有するセラミック誘電体基板と、前記セラミック誘電体基板を支持し、前記セラミック誘電体基板側の上面と、前記上面と反対側の下面と、を有するベースプレートと、前記セラミック誘電体基板と、前記ベースプレートと、の間に設けられた接合部と、前記セラミック誘電体基板、前記ベースプレートおよび前記接合部を貫通するガス導入路であって、前記セラミック誘電体基板に位置する第1孔部と、前記ベースプレートに位置する第2孔部と、前記接合部に位置する第3孔部と、を有するガス導入路と、前記第1孔部または前記第2孔部に設けられたざぐり部と、前記第3孔部側の第1面と、前記第1面とは反対側の第2面と、を有し、前記ざぐり部に設けられたセラミック多孔質部と、前記接合部のうち前記第3孔部側の端部に対向して設けられた弾性体と、を備え、前記ベースプレートから前記セラミック誘電体基板へ向かう方向を第1方向とし、前記第1方向に直交する方向を第2方向としたときに、前記セラミック多孔質部は、前記第1面を有する第1セラミック部分と、前記第2面を有する第2セラミック部分と、前記第1方向において前記第1セラミック部分と前記第2セラミック部分との間に位置する第3セラミック部分と、を含み、前記第1セラミック部分の前記第2方向に沿う長さは、前記第3セラミック部分の前記第2方向に沿う長さよりも短く、前記第2方向視において、前記第1面は、前記接合部および前記弾性体と重なり、前記弾性体の少なくとも一部は、前記第1方向において前記第3セラミック部分と重なり、前記弾性体は、前記第1セラミック部分及び前記第3セラミック部分の少なくともいずれかと接する、静電チャックである。 A tenth aspect of the invention provides a ceramic dielectric substrate having a first principal surface on which an object to be attracted is placed and a second principal surface opposite to the first principal surface, and the ceramic dielectric substrate. a base plate that supports and has an upper surface on the side of the ceramic dielectric substrate and a lower surface on the opposite side to the upper surface; a junction provided between the ceramic dielectric substrate and the base plate; A gas introduction path penetrating through a dielectric substrate, the base plate and the junction, the first hole located in the ceramic dielectric substrate, the second hole located in the base plate, and the junction located in the junction. a gas introduction path having a third hole, a counterbored portion provided in the first hole or the second hole, a first surface on the side of the third hole, and the first surface and a second surface on the opposite side, a ceramic porous portion provided in the counterbored portion, and an elastic body provided to face the end portion of the joint portion on the third hole side. , wherein a direction from the base plate to the ceramic dielectric substrate is defined as a first direction, and a direction perpendicular to the first direction is defined as a second direction, the ceramic porous portion is configured to extend along the first surface. a first ceramic portion having said second surface; and a third ceramic portion located between said first ceramic portion and said second ceramic portion in said first direction; The length of the first ceramic portion along the second direction is shorter than the length of the third ceramic portion along the second direction. overlapping the elastic body, at least a portion of the elastic body overlapping the third ceramic portion in the first direction, the elastic body being in contact with at least one of the first ceramic portion and the third ceramic portion; It is an electrostatic chuck.
この静電チャックによれば、熱によるセラミック多孔質部の変形を、弾性体で吸収することで、セラミック多孔質部の破損を抑制することができる。そのため、アーク放電の抑制効果を長期間維持することができる。 According to this electrostatic chuck, deformation of the ceramic porous portion due to heat is absorbed by the elastic body, thereby suppressing breakage of the ceramic porous portion. Therefore, the effect of suppressing arc discharge can be maintained for a long period of time.
第11の発明は、第10の発明において、前記セラミック多孔質部は、前記第1面と前記第2面とをつなぐ側面を有し、前記側面は、前記第1面側の第1側部と、前記第2面側の第2側部と、前記第1側部と前記第2側部との間の第3側部と、を有し、前記第1側部のうちの少なくとも前記第1面と接する領域に前記第1方向に対して傾斜する第1傾斜部が設けられ、前記セラミック多孔質部は、前記第1傾斜部において前記弾性体と接する、静電チャックである。 In an eleventh aspect based on the tenth aspect, the ceramic porous portion has a side surface connecting the first surface and the second surface, and the side surface is a first side portion on the first surface side. and a second side on the second face side and a third side between the first side and the second side, wherein at least the first side of the first side A first inclined portion inclined with respect to the first direction is provided in a region in contact with the first surface, and the ceramic porous portion is an electrostatic chuck in contact with the elastic body at the first inclined portion.
この静電チャックによれば、熱によるセラミック多孔質部の変形を、弾性体で吸収することで、セラミック多孔質部の破損を抑制することができる。 According to this electrostatic chuck, deformation of the ceramic porous portion due to heat is absorbed by the elastic body, thereby suppressing breakage of the ceramic porous portion.
第12の発明は、第10の発明において、前記第3セラミック部分は、前記第2方向に沿って延びる延在面、を有し、前記弾性体は、前記延在面と接する、静電チャックである。 In a twelfth aspect based on the tenth aspect, the electrostatic chuck of the tenth aspect is characterized in that the third ceramic portion has an extension surface extending along the second direction, and the elastic body is in contact with the extension surface. is.
この静電チャックによれば、熱によるセラミック多孔質部の変形を、弾性体で吸収することで、セラミック多孔質部の破損を抑制することができる。 According to this electrostatic chuck, deformation of the ceramic porous portion due to heat is absorbed by the elastic body, thereby suppressing breakage of the ceramic porous portion.
第13の発明は、第10~第12のいずれか1つの発明において、前記セラミック多孔質部は、ガス透過性を有する多孔部と、前記多孔部よりも緻密な緻密部と、を有し、前記緻密部は、前記多孔部の外周を覆うように配置されており、前記弾性体は、前記緻密部に接する、静電チャックである。 In a thirteenth invention, in any one of the tenth to twelfth inventions, the ceramic porous portion has a porous portion having gas permeability and a dense portion denser than the porous portion, The dense portion is arranged so as to cover the outer periphery of the porous portion, and the elastic body is an electrostatic chuck that is in contact with the dense portion.
この静電チャックによれば、弾性体と接する部分の強度がより高まるため、セラミック多孔質部の破損を効果的に抑制して、アーク放電の低減効果を長期間維持することができる。 According to this electrostatic chuck, since the strength of the portion in contact with the elastic body is increased, damage to the ceramic porous portion can be effectively suppressed, and the effect of reducing arc discharge can be maintained for a long period of time.
第14の発明は、第10~第12のいずれか1つの発明において、前記第2セラミック部分の前記第2方向に沿う長さは、前記ざぐり部の前記第2方向に沿う長さと略同じである、静電チャックである。 In a fourteenth aspect based on any one of the tenth to twelfth aspects, the length of the second ceramic portion along the second direction is substantially the same as the length of the counterbored portion along the second direction. There is an electrostatic chuck.
この静電チャックによれば、セラミック多孔質部とざぐり部との隙間を抑制できるため、アーク放電低減の抑制効果を長期間維持することができる。 According to this electrostatic chuck, since the gap between the ceramic porous portion and the counterbore portion can be suppressed, the effect of suppressing arc discharge reduction can be maintained for a long period of time.
第15の発明は、第10~第12のいずれか1つの発明において、前記弾性体は、前記第1方向において圧縮変形している、静電チャックである。 A fifteenth invention is the electrostatic chuck according to any one of the tenth to twelfth inventions, wherein the elastic body is compressed and deformed in the first direction.
この静電チャックによれば、接合部からパーティクルが発生したとしても、該パーティクルがセラミック多孔質部に到達することを抑制できる。 According to this electrostatic chuck, even if particles are generated from the joint portion, it is possible to prevent the particles from reaching the ceramic porous portion.
第16の発明は、第10~第12のいずれか1つの発明において、前記弾性体が環状であり、前記第1方向視で前記第1面は前記弾性体で囲われる、静電チャックである。 A sixteenth invention is the electrostatic chuck according to any one of the tenth to twelfth inventions, wherein the elastic body is annular, and the first surface is surrounded by the elastic body when viewed from the first direction. .
この静電チャックによれば、弾性体の位置決めが容易となり、弾性体によるセラミック多孔質部の破損抑制効果をより確実に享受することができる。 According to this electrostatic chuck, the positioning of the elastic body is facilitated, and the effect of suppressing breakage of the ceramic porous portion by the elastic body can be more reliably received.
第17の発明は、第10~第12のいずれか1つの発明において、前記弾性体は、ポリテトラフルオロエチレン及びポリイミドのうちの少なくともいずれかを含む、静電チャックである。 A seventeenth invention is the electrostatic chuck according to any one of the tenth to twelfth inventions, wherein the elastic body includes at least one of polytetrafluoroethylene and polyimide.
この静電チャックによれば、セラミック多孔質部の破損を効果的に抑制して、アーク放電低減の抑制効果を長期間維持することができる。 According to this electrostatic chuck, damage to the ceramic porous portion can be effectively suppressed, and the effect of suppressing arc discharge reduction can be maintained for a long period of time.
第18の発明は、請求項10~12のいずれか1つに記載の静電チャックと、前記静電チャックに設けられたガス導入路にガスを供給可能な供給部と、を備えたことを特徴とする処理装置である。
この処理装置によれば、アーク放電の低減を図ることができる。
An eighteenth invention comprises the electrostatic chuck according to any one of claims 10 to 12, and a supply unit capable of supplying gas to a gas introduction path provided in the electrostatic chuck. A processing device characterized by:
According to this processing apparatus, arc discharge can be reduced.
本発明の態様によれば、アーク放電の低減効果を長期間維持することができる静電チャック、および処理装置が提供される。 An aspect of the present invention provides an electrostatic chuck and a processing apparatus capable of maintaining the effect of reducing arc discharge for a long period of time.
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
なお、各図中において、ベースプレート50からセラミック誘電体基板11へ向かう方向をZ方向(第1方向の一例に相当する)、Z方向と略直交する方向の1つをY方向(第2方向の一例に相当する)、Z方向及びY方向に略直交する方向をX方向(第2方向の一例に相当する)としている。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, in each drawing, the same reference numerals are given to the same constituent elements, and detailed description thereof will be omitted as appropriate.
In each figure, the direction from the
(静電チャック)
図1は、本実施形態に係る静電チャックを例示する模式断面図である。
図1に示すように、本実施形態に係る静電チャック110は、セラミック誘電体基板11と、ベースプレート50と、多孔質部90と、を備える。この例では、静電チャック110は、多孔質部70をさらに備えている。
(electrostatic chuck)
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating an electrostatic chuck according to this embodiment.
As shown in FIG. 1, an
セラミック誘電体基板11は、例えば焼結セラミックによる平板状の基材である。例えば、セラミック誘電体基板11は、酸化アルミニウム(Al2O3)を含む。例えば、セラミック誘電体基板11は、高純度の酸化アルミニウムで形成される。セラミック誘電体基板11における酸化アルミニウムの濃度は、例えば、99原子パーセント(atоmic%)以上100atоmic%以下である。高純度の酸化アルミニウムを用いることで、セラミック誘電体基板11の耐プラズマ性を向上させることができる。セラミック誘電体基板11は、対象物W(吸着対象物)が載置される第1主面11aと、第1主面11aとは反対側の第2主面11bと、を有する。対象物Wは、例えばシリコンウェーハなどの半導体基板である。
The ceramic
セラミック誘電体基板11には、電極12が設けられる。電極12は、セラミック誘電体基板11の第1主面11aと、第2主面11bと、の間に設けられる。電極12は、セラミック誘電体基板11の中に挿入されるように形成されている。電極12には、接続部20および配線211を介して電源210が電気的に接続される。電源210により、電極12に吸着保持用電圧を印加することによって、電極12の第1主面11a側に電荷を発生させ、静電力によって対象物Wを吸着保持することができる。
電極12の形状は、セラミック誘電体基板11の第1主面11a及び第2主面11bに沿った薄膜状である。電極12は、対象物Wを吸着保持するための吸着電極である。電極12は、単極型でも双極型でもよい。図1に例示をした電極12は双極型であり、同一面上に2極の電極12が設けられている。セラミック誘電体基板11には、電極12に加えて、高周波印加用の電極やヒータ電極を設けてもよい。
The shape of the
電極12には、セラミック誘電体基板11の第2主面11b側に延びる接続部20が設けられている。接続部20は、例えば、電極12と導通するビア(中実型)やビアホール(中空型)である。接続部20は、ロウ付けなどの適切な方法によって接続された金属端子でもよい。
The
ベースプレート50は、セラミック誘電体基板11を支持する部材である。ベースプレート50は、セラミック誘電体基板11側の上面50uと、上面50uとは反対側の下面50dと、を有する。セラミック誘電体基板11は、図2(a)に例示をした接合部60によってベースプレート50の上に固定される。接合部60は、例えば、シリコーン接着剤が硬化したものとすることができる。この例では、ベースプレート50の上面50uと、セラミック誘電体基板11の第2主面11bと、が接合部60と接するよう構成されている。
The
ベースプレート50は、例えば金属製である。ベースプレート50は、例えば、アルミニウム製の上部50aと下部50bとに分けられており、上部50aと下部50bとの間に連通路55が設けられている。連通路55の一端側は、入力路51に接続され、連通路55の他端側は、出力路52に接続される。ベースプレート50は、第2主面11b側の端部に溶射部(図示しない)を有していてもよい。溶射部は、例えば溶射によって形成される。溶射部は、ベースプレート50の第2主面11b側の端面(上面50u)を構成してもよい。溶射部は、必要に応じて設けられ、省略可能である。
The
ベースプレート50は、静電チャック110の温度調整を行う役目も果たす。例えば、静電チャック110を冷却する場合には、入力路51から冷却媒体を流入し、連通路55を通過させ、出力路52から流出させる。これにより、冷却媒体によってベースプレート50の熱を吸収し、その上に取り付けられたセラミック誘電体基板11を冷却することができる。一方、静電チャック110を保温する場合には、連通路55内に保温媒体を入れることも可能である。セラミック誘電体基板11やベースプレート50に発熱体を内蔵させることも可能である。ベースプレート50やセラミック誘電体基板11の温度を調整することで、静電チャック110によって吸着保持された対象物Wの温度を調整することができる。
The
また、セラミック誘電体基板11の第1主面11a側には、必要に応じてドット13が設けられており、ドット13の間に溝14が設けられている。すなわち、第1主面11aは凹凸面であり、凹部と凸部とを有する。第1主面11aの凸部がドット13に相当し、第1主面11aの凹部が溝14に相当する。溝14は、例えば、XY平面内において連続して延びるものとすることができる。それによって、He等のガスを第1主面11a全体に分配することができる。静電チャック110に載置された対象物Wの裏面と溝14を含む第1主面11aとの間に空間が形成される。
ドット13の高さ、溝14の深さ、ドット13及び溝14の面積比率、形状等を適宜選択することで、対象物Wの温度や対象物Wに付着するパーティクルを好ましい状態にコントロールすることができる。
By appropriately selecting the height of the
セラミック誘電体基板11、ベースプレート50および接合部60を貫通するように、ガス導入路53が設けられる。ガス導入路53は、セラミック誘電体基板11に位置する第1孔部53aと、ベースプレート50に位置する第2孔部53bと、接合部60に位置する第3孔部53cと、を有する。第2孔部53bは、ベースプレート50を例えば貫通するように設けられる。第2孔部53bは、ベースプレート50を直線的に貫通してもよいし、途中で分岐してもよい。ガス導入路53は、ベースプレート50の複数箇所に設けられてもよい。
A
第1孔部53aは、例えば溝14と接続される。第1孔部53aは、第2主面11bから第1主面11aにかけて設けられる。すなわち、第1孔部53aは、第2主面11bから第1主面11aまでZ方向に延び、セラミック誘電体基板11を貫通する。
The
第2孔部53bは、第3孔部53cを介して第1孔部53aと連通する。第2孔部53bに流入したガス(ヘリウム(He)等)は、第2孔部53bを通過した後に、第3孔部53cを通過し、その後、第1孔部53aに流入する。
The
第1孔部53aに流入したガスは、第1孔部53aを通過した後に、対象物Wと溝14を含む第1主面11aとの間に設けられた空間に流入する。これにより、対象物Wをガスによって直接冷却することができる。
The gas that has flowed into the
第1孔部53aおよび第2孔部53bの少なくともいずれかに、ざぐり部53sが設けられる。ざぐり部53sには多孔質部90および/または多孔質部70が配置される。
第1孔部53aは、第1主面11aを包含する第1部分53aaと、第2主面11bを包含する第2部分53abと、を有する。第1部分53aaと第2部分53abとの間に更なる部分を有していてもよい。ざぐり部53sは、例えば第2部分53abに設けられる。
第2孔部53bは、上面50uを包含する第3部分53buと、下面50dを包含する第4部分53bdと、を有する。第3部分53buと第4部分53bdとの間に更なる部分を有していてもよい。ざぐり部53sは、例えば第3部分53buに設けられる。
A counterbored
The
The
多孔質部90および/または多孔質部70は、ざぐり部53sに設けられる。多孔質部90は、第3孔部53c側の第1面90aと、第1面90aと反対側の第2面90bとを有する。多孔質部70は、第3孔部53c側の第3面70aと、第3面70aと反対側の第4面70bとを有する。本明細書では、多孔質部がセラミック誘電体基板11の内部(第1孔部53a)に配置される場合を多孔質部90、ベースプレート50の内部(第2孔部53b)に配置される場合を多孔質部70とする。
The
ガス導入路53において、ヘリウムなどの冷却ガスは第2孔部53b、第3孔部53c、第1孔部53a、の順に流れ、例えば溝14を介してセラミック誘電体基板11の第1主面11a側に供給される。静電チャック使用時には、第1主面11a側にプラズマが位置することとなる。したがって、セラミック多孔質部90を第1孔部53aに、セラミック多孔質部70を第2孔部53bに、それぞれ配置する場合には、プラズマのより近くに配置されるセラミック多孔質部90のアーキング耐性を、セラミック多孔質部70よりも高めることが望ましい。一例として、多孔質部90の第1多孔部91(詳細は後述)の孔径を多孔質部70の第2多孔部71の孔径よりも小さくする、第1多孔部91の気孔率を第2多孔部71の気孔率よりも小さくする、ことが挙げられる。この場合、ガス流の上流側に位置する多孔質部70のガス透過性を、ガス流の下流側に位置する多孔質部90のガス透過性よりも高くすることができるため、ガス流量制御の観点からも好ましい。なお、多孔質部70は設けなくてもよい。
In the
図2は、実施形態に係る静電チャックを例示する模式図である。
図3は、実施形態に係るセラミック多孔質部を例示する模式断面図である。
図2は、多孔質部90および多孔質部70の周辺を例示する模式断面図であり、図1に示す領域Aの拡大図に相当する。
FIG. 2 is a schematic diagram illustrating the electrostatic chuck according to the embodiment.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view illustrating the ceramic porous portion according to the embodiment.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating the periphery of the
なお、煩雑となるのを避けるために、図2においてはドット13(例えば、図1を参照)を省いて描いている。 To avoid complication, the dots 13 (see, for example, FIG. 1) are omitted in FIG.
図2に示すように、この例では第1孔部53aに設けられたざぐり部53sに多孔質部90が配置され、第2孔部53bに設けられたざぐり部53sに多孔質部70が配置されている。多孔質部90の第1面90aは第3孔部53cに露出する露出面である。第1面90aとセラミック誘電体基板11の第2主面11bとは略同一平面上にある。多孔質部70の第3面70aは第3孔部53cに露出する露出面である。第3面70aとベースプレート50の上面50uとは略同一平面上にある。
As shown in FIG. 2, in this example, the
この例では、第1孔部53aに設けられたざぐり部53sのXまたはY方向に沿う長さtsは、第3孔部53cのXまたはY方向に沿う長さtcと同じかそれよりも小さい。多孔質部90のXまたはY方向に沿う長さt1はざぐり部の長さtsと同じかそれよりも小さい。そのためアーキング抑制効果を高めることができる。
In this example, the length ts along the X or Y direction of the counterbored
多孔質部90の横幅(長さt1)がざぐり部53sの横幅(長さts)と同じであれば、多孔質部90の側面(第1面90aおよび第2面90bのそれぞれに垂直な面)とざぐり部53sとの間における放電を抑制することができる。例えばセラミック誘電体基板11と多孔質部90とを焼結により一体化することで、長さt1と長さtsとを同じにすることができる。多孔質部90の固定については後述する。
If the width (length t1) of the
図3に示すように、多孔質部90は、第1面90aと第2面90bとをつなぐ側面90sを有する。側面90sは多孔質部90の外周面である。多孔質部90が円柱形状の場合、側面90sは環状である。側面90sは、第1面90a側の第1側部90s1、第2面90b側の第2側部90s2、および第1側部90s1と第2側部90s2との間の第3側部90s3とを有する。例えば、第1側部90s1の下端は、第1面90aに接続され、第1側部90s1は、第1面90aと接する。例えば、第2側部90s2の上端は、第2面90bに接続され、第2側部90s2は、第2面90bと接する。このうち、第1側部90s1は、接合部60の最も近くに位置し第1面90aと接する領域に、第1傾斜部S1を有している。第1傾斜部S1では側面90sはZ方向に対して傾斜している。第1面90aのXまたはY方向視での長さ(横幅)は、第2面90bのXまたはY方向視での長さよりも小さい。
図2に示すように、多孔質部90の第1面90aは、XまたはY方向視にて接合部60と重なる。第1面90aは第3孔部53cに位置する。第3孔部53c(空間)に絶縁性のセラミック多孔質部90が配置されるため、アーキング耐性を高めることができる。
As shown in FIG. 3, the
As shown in FIG. 2, the
静電チャック110は、弾性体30を備えている。弾性体30は接合部60の端部60eと対向して設けられる。図2では弾性体30と接合部60とがXまたはY方向において接する例を示しているが、弾性体30と接合部60との間が離間していてもよい。第1面90aは、XまたはY方向視にて後述の弾性体30とも重なる。
弾性体30はZ方向においてセラミック多孔質部90とベースプレート50とで挟まれている。この例ではベースプレート50の第2孔部53bに多孔質部70が設けられており、弾性体30はZ方向においてセラミック多孔質部90と多孔質部70とで挟まれている。このとき、弾性体30は多孔質部90と第1傾斜部S1において接している。
使用時に静電チャックが大きな温度変化に曝されてセラミック誘電体基板11および/またはベースプレート50が熱によって膨張又は収縮する場合がある。このとき、ガス導入路の第1孔部53aに配置されたセラミック多孔質部90にも熱による応力が加わることで、多孔質部90が膨張して第3孔部53c側に変形する場合がある。この静電チャック110によれば、弾性体30を設け、この弾性体30が、セラミック多孔質部90のうち、第1面90a側の第1側部90s1において、第1面90aと接する領域に設けた第1傾斜部S1と接するように構成している。そのため、セラミック多孔質部90の変形を第1傾斜部S1および弾性体30で吸収することで、セラミック多孔質部90の破損を抑制することができる。そのため、アーク放電の抑制効果を長期間維持することができる。また、第3孔部53cには接合部60の端部60eに対向して弾性体30を配置しているため、静電チャック使用時に端部60eがプラズマによって腐食されてパーティクルが生じることを抑制できる。
The
The
During use, the electrostatic chuck may be exposed to large temperature changes, causing the ceramic
弾性体30は、絶縁性および耐プラズマ性を有する材料により構成されている。弾性体30は、例えば多孔質部90の変位を吸収できる程度の弾性(柔軟性)を有している。弾性体は樹脂により構成される。樹脂として、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)などのフッ素樹脂、ポリイミドなどが挙げられる。弾性体の形状が環状である場合、位置決めがしやすく、製造面においても好ましい。
The
図3に示すように、多孔質部90は、多孔部(第1多孔部91)と、緻密部(第1緻密部93)とを有する。第1多孔部91はガス透過性を有する。第1緻密部93は、第1多孔部91よりも緻密である。第1多孔部91の気孔率は、第1緻密部93の気孔率よりも大きい。第1多孔部91は、複数の孔を有する。複数の孔は所定範囲の孔径を有する直線の孔であることが好ましい。この場合、孔径は、例えば、1um~30umである。複数の孔は互いに連通しつつランダムに配置されていてもよい。第1緻密部93は実質的にガス透過性を有していなくてもよい。第1緻密部93は第1多孔部91の外周を覆うように配置される。第1緻密部93を設けることで多孔質部90の剛性を高めることができる。例えば、多孔質部90の側面90sとざぐり部53sとの間に接着剤を配置する場合、第1緻密部93を設けることで多孔質部90に接着剤が侵入してガス透過性が悪化することを抑制できる。
As shown in FIG. 3, the
側面90sにおいて、第1傾斜部S1は緻密部(第1緻密部93)に設けられている。そのため、弾性体30と接する第1傾斜部S1の強度をより高めることができ、セラミック多孔質部90の破損を効果的に抑制して、アーク放電の低減効果を長期間維持することができる。 この例では、弾性体30の第1傾斜部と接する部分におけるZ方向に沿う長さは、接合部60のZ方向に沿う長さよりも大きい。そのため、弾性体30が、接合部60の端部60eとセラミック多孔質部90との間の物理的な障壁となるため、接合部60がプラズマで腐食されパーティクルが発生した場合であっても、該パーティクルがセラミック多孔質部90に侵入することで経時的にガス流量が低下することを抑制できる。そのため、アーク放電低減の抑制効果を長時間維持することができる。
第1側部90s1が第1傾斜部S1からなる、つまり第1側部90s1全体が第1傾斜部S1を構成することも、セラミック多孔質部の破損抑制の観点から好ましい。
In the
It is also preferable that the first side portion 90s1 is formed of the first inclined portion S1, that is, that the entire first side portion 90s1 constitutes the first inclined portion S1 from the viewpoint of suppressing breakage of the ceramic porous portion.
弾性体30のXまたはY方向に沿う長さは、第1多孔部91の外周に配置される第1緻密部93のXまたはY方向に沿う長さよりも小さいことも好ましい。この場合、多孔質部90の破損を効果的に抑制できる。また、弾性体30が第1多孔部91とZ方向視で重なり多孔質部90のガス流量が低下することを抑制できる。
弾性体30が環状の場合、XまたはY方向に沿う長さとは、環(リング)の幅を言う。第1緻密部93のXまたはY方向に沿う長さとは、第1多孔部91を覆う環状(リング)の幅を言う。
It is also preferable that the length of the
When the
図2に示す例では同様に、多孔質部70は、第2多孔部71と、第2緻密部73とを有する。第2多孔部71はガス透過性を有する。第2緻密部73は、第2多孔部71よりも緻密である。第2多孔部71の気孔率は、第2緻密部73の気孔率よりも大きい。第2緻密部73は実質的にガス透過性を有していなくてもよい。第2緻密部73は第2多孔部71の外周を覆うように配置される。なお、第2多孔部71において、複数の孔が所定範囲の孔径を有する直線上の孔の場合、孔径は第1多孔部91のそれよりも大きくてもよい。静電チャック110が第2孔部53bに配置された多孔質部70を備える場合、弾性体30は、多孔質部70の第3面70aと接している。多孔質部70が第2多孔部71および第2緻密部73を有する場合、弾性体30は第2緻密部73と接することが好ましい。弾性体30は、第2多孔部71の一部と接していてもよい。
Similarly, in the example shown in FIG. 2 , the
なお、多孔質部90において第1多孔部91として、第1緻密部93の外周を覆う部分に加え、他の部分を有していてもよい。他の部分の例としては、例えば、第1緻密部93の中央付近であって、Z方向視で第1孔部53aの第1部分53aaと重なる部分である第1中央緻密部が挙げられる。多孔質部70においても第2多孔部71として、第2緻密部73の外周を覆う部分に加え、他の部分を有していてもよい。他の部分としては、Z方向視で第1孔部53aの第1部分53aaと重なる部分、Z方向視で第1緻密部93のうち中央付近に配置された部分を囲う部分、である第2中央緻密部が挙げられる。
第1中央緻密部、第2中央緻密部の詳細について、本明細書の一部を構成するものとして日本特開2020-072261号公報および日本特開2020-150257号公報の内容を援用する。
例えば、第1多孔部91の密度は、第1緻密部93の密度よりも低い。例えば、第1多孔部91のガス透過性は、第1緻密部93のガス透過性よりも高い。例えば、第1多孔部91は、円柱状である。第1緻密部93は、第1多孔部91の外周側面に接する。第1緻密部93は、第1多孔部91の外周側面を囲む環状(管状)である。
例えば、第2多孔部71の密度は、第2緻密部73の密度よりも低い。例えば、第2多孔部71のガス透過性は、第2緻密部73のガス透過性よりも高い。例えば、第2多孔部71は、円柱状である。第2緻密部73は、第2多孔部71の外周側面に接する。第2緻密部73は、第2多孔部71の外周側面を囲む環状(管状)である。
In addition to the portion covering the outer periphery of the first
For details of the first central dense portion and the second central dense portion, the contents of JP-A-2020-072261 and JP-A-2020-150257 are incorporated as part of the present specification.
For example, the density of the first
For example, the density of the second
図4は、他の実施形態に係る静電チャックを例示する模式図である。
図4に示す例では、多孔質部90において、第3側部90s3の少なくとも一部が第2傾斜部S2を有している。この例では第1側部90s1が第1傾斜部S1からなり、第2傾斜部S2は第1傾斜部S1と連続している。つまり多孔質部90の第1面90a側から第1傾斜部S1、第2傾斜部S2が連続して配置されている。第2傾斜部S2とざぐり部53sとの間に固定部65が設けられている。そのため、固定部65をプラズマから離間した位置に配置できるため、固定部65のプラズマによる侵食を抑制でき、アーク放電低減の抑制効果を長期間維持することができる。
固定部65は、接合部60と同様のものを利用でき、例えば、シリコーン接着剤が硬化したものとすることができる。この例では第1傾斜部S1の第1面90aに対する角度θ1と、第2傾斜部S2の第1面90aに対する角度θ2は同じである。角度θ1を角度θ2よりも大きくすると、第2傾斜部S2とざぐり部53sとの間の空間がより小さく、第1傾斜部S1とざぐり部53sまたは接合部60との間の空間がより大きくなる。そのため、アーキング耐性を高めつつ、多孔質部90の破損を効果的に抑制できる。また、角度θ1を角度θ2よりも小さくすると、第2傾斜部S2とざぐり部53sとの間の空間がより大きくなる。そのため、固定部65によって、多孔質部90をより強固に固定することができる。θ1、θ2は例えば15°~50°である。第1傾斜部S1の第1面90aからのZ方向の最大距離は、一例として、多孔質部90のZ方向の距離(高さ)の30%以下である。第2傾斜部S2第1面90aからのZ方向の最大距離は、一例として、多孔質部90のZ方向の距離(高さ)の60%以下である。
FIG. 4 is a schematic diagram illustrating an electrostatic chuck according to another embodiment.
In the example shown in FIG. 4, in the
The fixing
図4に示すように、多孔質部90の第2側部90s2のXまたはY方向に沿う長さは、ざぐり部53sのXまたはY方向に沿う長さと略同じでもよい。つまり、第2側部90s2とざぐり部53sとの間にはXまたはY方向に沿って隙間がほとんどない。そのためアーキング耐性を高めることができる。第2側部90s2とざぐり部53sとの間に固定部がないことも好ましい。この場合、使用中に固定部がプラズマによって浸食されアーキング耐性が経時的に低下することを抑制できる。
As shown in FIG. 4, the length along the X or Y direction of the second side portion 90s2 of the
第3孔部53cに絶縁性のアーキング抑制部(図示しない)を配置してもよい。アーキング抑制部によって第3孔部53cの空間を略埋めることでアーキング耐性を高めることができる。アーキング抑制部はガスが通過可能に構成される。アーキング抑制部は弾性を有していてもよい。アーキング抑制部はポリイミド、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)などのフッ素樹脂、エポキシ樹脂などで構成されてもよい。アーキング抑制部はセラミックで構成されてもよい。アーキング抑制部のガス透過率は、多孔質部90よりも高いことが好ましい。
多孔質部90の気孔率は、多孔質部70の気孔率よりも小さくてもよい。ガス導入路53において、プラズマ雰囲気により近い部分に配置される多孔質部90の気孔率を相対的に小さくすることで、アーキング耐性をより高めることができる。
図2および図3において、2つの多孔質部(多孔質部90、多孔質部70)を備えた静電チャックの例を説明したが、これに限らず目的に応じて変更可能であり、多孔質部90のみでもよい。
An insulating arc suppressor (not shown) may be arranged in the
The porosity of the
2 and 3, an example of an electrostatic chuck having two porous portions (
ざぐり部53sの横幅(ts)は、一例として1mm~5mmである。第1孔部53aにおいて、第1部分53aaのXまたはY方向に沿う長さt1aは、例えば0.05ミリメートル(mm)以上0.5mm以下である。
The width (ts) of the counterbored
なお、第1孔部53aの第1部分53aaが溝14に開口する場合、第1部分53aaの横幅(t1a)は第1部分53aaの溝と接する部分の幅である。多孔質部90の横幅(t1)および多孔質部70横幅(長さt2)はいずれも、最も大きい部分の寸法である。多孔質部の50%以上、好ましくは70%以上、より好ましくは90%以上がこの寸法を有することが好ましい。
When the first portion 53aa of the
接合部60の高さ(長さh2)は、例えば100μm~1000μm、好ましくは200μm~600μmである。なお接合部60のZ方向に沿う長さは、第3孔部53cのZ方向に沿う長さと同じである。
The height (length h2) of the joint 60 is, for example, 100 μm to 1000 μm, preferably 200 μm to 600 μm. The length of the
この例では、多孔質部90の第2面90bは第1孔部53aの内部に位置している。つまり、第2面90bとセラミック誘電体基板11の第1主面11aとは同一平面を構成しない。多孔質部70の第4面70bは第2孔部53bの内部に位置している。つまり、第4面70bとベースプレート50の下面50dとは同一平面を構成しない。
In this example, the
多孔質部90および多孔質部70の材料には、絶縁性を有するセラミックが用いられる。多孔質部90(後述の第1多孔部91及び第1緻密部93のそれぞれ)は、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化チタン(TiO2)及び酸化イットリウム(Y2O3)の少なくともいずれかを含む。これにより、多孔質部90の高い絶縁耐圧と高い剛性とを得ることができる。
Insulating ceramic is used as the material of the
例えば、多孔質部90は、酸化アルミニウム、酸化チタン、及び酸化イットリウムのいずれかを主成分とする。
この場合、セラミック誘電体基板11の酸化アルミニウムの純度は、多孔質部90の酸化アルミニウムの純度よりも高くすることができる。この様にすれば、静電チャック110の耐プラズマ性等の性能を確保し、かつ、多孔質部90の機械的強度を確保することができる。一例としては、多孔質部90に微量の添加物を含有させることにより、多孔質部90の焼結が促進され、気孔の制御や機械的強度の確保が可能となる。
For example, the
In this case, the purity of the aluminum oxide of the ceramic
多孔質部90および多孔質部70の詳細について、本明細書の一部を構成するものとして日本特許6489277号公報の内容を援用する。
For details of the
本明細書において、セラミック誘電体基板11の酸化アルミニウムなどのセラミックス純度は、蛍光X線分析、ICP-AES法(Inductively Coupled Plasma-Atomic Emission Spectrometry:高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法)などにより測定することができる。
In this specification, the purity of ceramics such as aluminum oxide of the ceramic
多孔質部において、例えば、多孔部(第1多孔部91、第2多孔部71)の材料と緻密部(第1緻密部93、第2緻密部73)の材料とは、同じである。ただし、多孔部の材料は緻密部の材料と異なっていてもよい。多孔部の材料の組成は、緻密部の材料の組成と異なっていてもよい。
In the porous portion, for example, the material of the porous portions (the first
セラミック誘電体基板11及び多孔質部70における気孔率は、例えば、走査型電子顕微鏡により得られた画像を画像解析することで算出される。密度は、JIS C 2141 5.4.3に基づいて測定される。
The porosities of the ceramic
(製造方法)
以上説明した実施形態に係る静電チャックの製造方法を以下に述べる。
第1孔部53aに多孔質部90が配置されたセラミック誘電体基板11と、第2孔部53bに多孔質部70が配置されたベースプレート50とを準備する。多孔質部90として、側面90sが第1傾斜部S1を有するものを用いる。セラミック誘電体基板11の第2主面11bまたはベースプレート50の上面50uに接合部60となる接着剤を配置する。また、ベースプレート50またはセラミック誘電体基板11の所定位置に弾性体30を配置する。そして第1傾斜部S1と弾性体30とが接する状態で、第1孔部53aと第2孔部53bとが対向するようにベースプレート50とセラミック誘電体基板11とを接合して接合部60を形成する。
(Production method)
A method of manufacturing the electrostatic chuck according to the embodiment described above will be described below.
The ceramic
(処理装置)
図5は、本実施の形態に係る処理装置200を例示する模式図である。
図5に示すように、処理装置200には、静電チャック110、電源210、媒体供給部220、および供給部230を設けることができる。
電源210は、静電チャック110に設けられた電極12と電気的に接続されている。電源210は、例えば、直流電源とすることができる。電源210は、電極12に所定の電圧を印加する。また、電源210には、電圧の印加と、電圧の印加の停止とを切り替えるスイッチを設けることもできる。
(Processing device)
FIG. 5 is a schematic diagram illustrating the
As shown in FIG. 5,
The
媒体供給部220は、入力路51および出力路52に接続されている。媒体供給部220は、例えば、冷却媒体または保温媒体となる液体の供給を行うものとすることができる。
媒体供給部220は、例えば、収納部221、制御弁222、および排出部223を有する。
The
The
収納部221は、例えば、液体を収納するタンクや工場配管などとすることができる。また、収納部221には、液体の温度を制御する冷却装置や加熱装置を設けることができる。収納部221には、液体を送り出すためのポンプなどを備えることもできる。
The
制御弁222は、入力路51と収納部221の間に接続されている。制御弁222は、液体の流量および圧力の少なくともいずれかを制御することができる。また、制御弁222は、液体の供給と供給の停止とを切り替えるものとすることもできる。
The
排出部223は、出力路52に接続されている。排出部223は、出力路52から排出された液体を回収するタンクやドレイン配管などとすることができる。なお、排出部223は必ずしも必要ではなく、出力路52から排出された液体が収納部221に供給されるようにしてもよい。この様にすれば、冷却媒体または保温媒体を循環させることができるので省資源化を図ることができる。
The
供給部230は、ガス供給部231、およびガス制御部232を有する。
ガス供給部231は、ヘリウムなどのガスを収納した高圧ボンベや工場配管などとすることができる。なお、1つのガス供給部231が設けられる場合を例示したが、複数のガス供給部231が設けられるようにしてもよい。
The
The
ガス制御部232は、複数のガス導入路53とガス供給部231との間に接続されている。ガス制御部232は、ガスの流量および圧力の少なくともいずれかを制御することができる。また、ガス制御部232は、ガスの供給と供給の停止とを切り替える機能をさらに有するものとすることもできる。ガス制御部232は、例えば、マスフローコントローラやマスフローメータなどとすることができる。
The
図5に示すように、ガス制御部232は、複数設けることができる。例えば、ガス制御部232は、第1主面11aの複数の領域毎に設けることができる。この様にすれば、供給するガスの制御を複数の領域毎に行うことができる。この場合、複数のガス導入路53毎にガス制御部232を設けることもできる。この様にすれば、複数の領域におけるガスの制御をより精密に行うことができる。なお、複数のガス制御部232が設けられる場合を例示したが、ガス制御部232が複数の供給系におけるガスの供給を独立に制御可能であれば1台であってもよい。
As shown in FIG. 5, a plurality of
ここで、対象物Wを保持する手段には、バキュームチャックやメカニカルチャックなどがある。しかしながら、バキュームチャックは大気圧よりも減圧された環境においては用いることができない。また、メカニカルチャックを用いると対象物Wが損傷したり、パーティクルが発生したりするおそれがある。そのため、例えば、半導体製造プロセスなどに用いられる処理装置には静電チャックが用いられている。 Here, means for holding the object W include a vacuum chuck, a mechanical chuck, and the like. However, the vacuum chuck cannot be used in an environment with pressure reduced below atmospheric pressure. Moreover, if a mechanical chuck is used, the object W may be damaged or particles may be generated. For this reason, for example, electrostatic chucks are used in processing apparatuses used in semiconductor manufacturing processes.
この様な処理装置においては、処理空間を外部の環境から隔離する必要がある。そのため、処理装置200は、チャンバ240をさらに備えることができる。チャンバ240は、例えば、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な気密構造を有するものとすることができる。
また、処理装置200は、複数のリフトピンと、複数のリフトピンを昇降させる駆動装置を備えることができる。対象物Wを搬送装置から受け取ったり、対象物Wを搬送装置に受け渡したりする際には、リフトピンが駆動装置により上昇し第1主面11aから突出する。搬送装置から受け取った対象物Wを第1主面11aに載置する際には、リフトピンが駆動装置により下降しセラミック誘電体基板11の内部に収納される。
In such a processing apparatus, it is necessary to isolate the processing space from the external environment. As such,
The
また、処理装置200には、処理の内容に応じて各種の装置を設けることができる。例えば、チャンバ240の内部を排気する真空ポンプなどを設けることができる。チャンバ240の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生装置を設けることができる。チャンバ240の内部にプロセスガスを供給するプロセスガス供給部を設けることができる。チャンバ240の内部において対象物Wやプロセスガスを加熱するヒータを設けることもできる。なお、処理装置200に設けられる装置は例示をしたものに限定されるわけではない。処理装置200に設けられる装置には既知の技術を適用することができるので詳細な説明は省略する。
Further, the
図6は、本実施形態に係る静電チャックを例示する模式断面図である。
図7は、本実施の形態に係る処理装置を例示する模式図である。
図6は、図1に示した静電チャックに対応する。図7は、図5に示した処理装置に対応する。
図7に表したように、この例では、静電チャック110a(静電チャック110の一例)と、セラミック誘電体基板11c(セラミック誘電体基板11の一例)が設けられている。
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating an electrostatic chuck according to this embodiment.
FIG. 7 is a schematic diagram illustrating a processing apparatus according to this embodiment.
FIG. 6 corresponds to the electrostatic chuck shown in FIG. FIG. 7 corresponds to the processing device shown in FIG.
As shown in FIG. 7, in this example, an
図8は、実施形態に係る静電チャックを例示する模式断面図である。
図8は、多孔質部90および多孔質部70の周辺を例示する模式断面図であり、図4に対応する。なお、実施形態の説明において、ベースプレート50からセラミック誘電体基板11へ向かう方向を「上」といい、セラミック誘電体基板11からベースプレート50へ向かう方向を「下」という場合がある。また、セラミック多孔質部90を、多孔質部90と呼び、セラミック多孔質部70を、多孔質部70と呼ぶ場合がある。
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view illustrating the electrostatic chuck according to the embodiment.
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view illustrating the periphery of the
第1孔部53aは、第2方向(XY平面内の1つの方向)において、セラミック誘電体基板11と並ぶ。XY平面は、Z方向に対して垂直な平面である。例えば、第1孔部53aは、セラミック誘電体基板11に設けられた孔の少なくとも一部によって形成される。第2孔部53bは、第2方向において、ベースプレート50と並ぶ。例えば、第2孔部53bは、ベースプレート50に設けられた孔の少なくとも一部によって形成される。第3孔部53cは、接合部60を貫通し、第2方向において、接合部60と並ぶ。例えば、第3孔部53cは、接合部60に囲まれた空間(孔)の少なくとも一部によって形成される。
The
例えば、第1孔部53a、第2孔部53b及び第3孔部53cのそれぞれの外周のXY平面における形状は、円状である。なお、円状という範囲は、完全な円(真円)のみならず、真円が歪んだ形状を含んでもよく、例えば、楕円や扁平円を含んでもよい。円柱状は、円状の断面形状を有する柱状である。
For example, the shape in the XY plane of each outer periphery of the
第1孔部53aは、第1部分53aaと、第2部分53abと、中間部分53acとを含む。中間部分53acは、第1部分53aaと第2部分53abとの間に位置する。中間部分53acは、例えば、多孔質部90の第2面90bと、セラミック誘電体基板11(座繰り面53ah)との間の空間を含む。
The
第2部分53abは、ざぐり部53sを含む。例えば、第1部分53aa、第2部分53ab、中間部分53ac、及び、ざぐり部53sのそれぞれの外周のXY平面における形状は、円状である。ざぐり部53sの第2方向に沿う長さtsは、第1部分53aaの当該第2方向に沿う長さt1aよりも長い。なお、長さtsは、例えば、ざぐり部53sの直径であり、ざぐり部53sの平面形状の最大幅である。平面形状の最大幅は、XY平面内の方向に沿った長さのうちの最大値である。長さt1aは、例えば、第1部分53aaの直径であり、第1部分53aaの平面形状の最大幅である。例えば、ざぐり部53sは、第1孔部53aのうち、第1部分53aaから径が拡大した部分の少なくとも一部である。例えば、XY平面内において、ざぐり部53sの中心の位置は、第1部分53aaの中心の位置と略同じである。
The second portion 53ab includes a counterbored
例えば、ざぐり部53sの第2方向に沿う長さtsは、第3孔部53cの当該第2方向に沿う長さtc以下である。なお、長さtcは、例えば、第3孔部53cの直径であり、第3孔部53cの平面形状の最大幅である。
例えば、多孔質部90の第2方向に沿う長さt1は、ざぐり部53sの長さts以下である。なお、長さt1は、例えば、多孔質部90の直径であり、多孔質部90の平面形状の最大幅である。
For example, the length ts along the second direction of the counterbored
For example, the length t1 along the second direction of the
第1部分53aaの上端は、セラミック誘電体基板11の第1主面11aに設けられ、第1主面11aの溝14と連続する。第1部分53aaは、第1主面11aの溝14に直接接続される。第2部分53abの下端は、セラミック誘電体基板11の第2主面11bに設けられる。ざぐり部53sの下端は、セラミック誘電体基板11の第2主面11bに設けられる。
The upper end of the first portion 53aa is provided on the first
セラミック誘電体基板11は、第1孔部53aの内周側面53asと交差する座ぐり面53ahを有する。座ぐり面53ahは、例えば第2方向に延在し、下方を向く。第1部分53aaの下端は、座ぐり面53ahに設けられている。
The ceramic
多孔質部90の第1面90aは、ベースプレート50側の下面であり、第2面90bは、上面である。第1面90a及び第2面90bのそれぞれは、例えばXY平面に沿って延び、実質的に平面である。第1面90aと多孔質部70(又はベースプレート50)との間には、空間が形成されている。
The
弾性体30は、第2方向において、接合部60及び第1面90aのそれぞれと並ぶ。弾性体30は、第1面90aと接合部60の端部との間に位置する。例えば、接合部60は、弾性体30によって、第1面90aと多孔質部70(又はベースプレート50)との間の空間と隔離されている。これにより、接合部60がプラズマやガスに曝されることが抑制され、保護される。例えば、ガス導入路53のうちのガスが通過可能な空間に、接合部60が直接接しないように、弾性体30が配置されている。
The
多孔質部90は、第1セラミック部分901と、第2セラミック部分902と、第3セラミック部分903と、を含んでもよい。第1セラミック部分901は、多孔質部90の下部であり、第1面90aを有する。第2セラミック部分902は、多孔質部90の上部であり、第2面90bを有する。第3セラミック部分903は、Z方向において、第1セラミック部分901と第2セラミック部分902との間に位置する部分である。すなわち、第3セラミック部分903のZ方向の位置は、第1セラミック部分901のZ方向の位置と、第2セラミック部分902のZ方向の位置と、の間である。
The
第1セラミック部分901の第2方向に沿う長さt901は、第2セラミック部分902の第2方向に沿う長さt902よりも短い。第1セラミック部分901の第2方向に沿う長さt901は、第3セラミック部分903の第2方向に沿う長さt903よりも短い。なお、長さt901は、例えば第1セラミック部分901の直径であり、第1セラミック部分901の平面形状の最大幅である。長さt902は、例えば第2セラミック部分902の直径であり、第2セラミック部分902の平面形状の最大幅である。長さt903は、例えば第3セラミック部分903の直径であり、第3セラミック部分903の平面形状の最大幅である。
A length t901 of the first
例えば、第1セラミック部分901の側面(XY平面に対して交差する外周面)は、Z方向に対して傾斜している。この場合、第1セラミック部分901の長さt901は、Z方向に沿って変化し、下方に向かうにつれて例えば単調に短くなる。例えば、第2セラミック部分902の側面は、Z方向に沿って延びている。この場合、第2セラミック部分902の長さt902は、Z方向に沿って一定である。また、例えば、第3セラミック部分903の側面は、Z方向に対して傾斜している。この場合、第3セラミック部分903の長さt903は、Z方向に沿って変化し、下方に向かうにつれて例えば単調に短くなる。
For example, the side surface of the first ceramic portion 901 (peripheral surface intersecting the XY plane) is inclined with respect to the Z direction. In this case, the length t901 of the first
この例では、第1セラミック部分901及び第3セラミック部分903は、円錐台状であり、第2セラミック部分902は、円柱状である。例えば、XY平面内において、第1セラミック部分901の中心の位置は、第2セラミック部分902の中心の位置と略同じである。
In this example, the first
第1セラミック部分901の側面は、例えば、前述の第1側部90s1である。第2セラミック部分902の側面は、例えば第2側部90s2である。第3セラミック部分903の側面は、例えば第3側部90s3である。
The side surface of the first
弾性体30の少なくとも一部は、Z方向において、第3セラミック部分903と重なる。言い換えれば、弾性体30の少なくとも一部は、第3セラミック部分903とZ方向において並ぶ。この例では、環状の弾性体30のうちの内周側の部分は、Z方向において、第1セラミック部分901、第2セラミック部分902及び第3セラミック部分903と重なる。環状の弾性体30のうちの外周側の部分は、Z方向において、多孔質部90と重ならない。ただし、弾性体30の全体が、Z方向において、多孔質部90と重なってもよい。
At least part of the
弾性体30は、第1セラミック部分901及び第3セラミック部分903の少なくともいずれかと接する。この例では、弾性体30は、第1セラミック部分901の傾斜した側面と接する。
The
例えば、第2セラミック部分902の第2方向に沿う長さt902は、ざぐり部53sの第2方向に沿う長さtsと略同じである。具体的には、第2セラミック部分902の第2方向における一端、及び、第2セラミック部分902の当該第2方向における他端は、それぞれ、ざぐり部53s(ざぐり部53sを形成するセラミック誘電体基板11の内周面)と接する。例えば、第2セラミック部分902の外径(長さt902)は、ざぐり部53sの内径(長さts)と略同じである。これにより、セラミック多孔質部90のうち、プラズマに最も近い第2セラミック部分902と、ざぐり部53sと、の間の隙間がほとんどないため、アーク放電低減の抑制効果を長期間維持することができる。なお、「略同じ」又は「同じ」とは、厳密に同じであることのみに限らず、例えば製造ばらつきに起因する程度の範囲、又は、製造上の遊び(例えばざぐり部内に多孔質部を配置するため等の、僅かな隙間)の範囲において異なることを含んでもよい。
For example, the length t902 along the second direction of the second
図9は、実施形態に係る静電チャックを例示する模式断面図である。
図9は、図8に示すC-C線における断面である。なお、図8は、図9のD-D線における断面に対応する。D-D線は、多孔質部90の平面形状の中心を通る。
例えば、第1多孔部91は、円柱状である。第1緻密部93は、第1多孔部91の外周側面91sに接する。第1緻密部93は、第1多孔部91の外周側面91sを囲む環状(管状)である。
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view illustrating the electrostatic chuck according to the embodiment.
FIG. 9 is a cross section taken along line CC shown in FIG. Note that FIG. 8 corresponds to a cross section taken along line DD in FIG. The DD line passes through the center of the planar shape of the
For example, the first
図9に表したように、環状の弾性体30の内周側は、その環状の全周にわたって第1傾斜部S1と接していてもよい。また、環状の弾性体30の外周側は、その環状の全周にわたって接合部60の端部60eと接していてもよい。
As shown in FIG. 9, the inner peripheral side of the annular
図10は、実施形態に係る静電チャックを例示する模式断面図である。
図10は、図1と同様の静電チャックの一部を例示する模式断面図である。ただし、この例は、多孔質部90の形状等において、前述の例と異なる。この例においても、第1孔部53aと、第2孔部53bと、第3孔部53cと、を有するガス導入路53が設けられる。第1孔部53aは、ざぐり部53sを有する。多孔質部90の一部は、ざぐり部53s内に配置される。弾性体30は、接合部60の第3孔部53c側の端部と対向する。弾性体30は、第2方向において、接合部60と並ぶ。
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view illustrating an electrostatic chuck according to the embodiment;
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view illustrating part of the electrostatic chuck similar to FIG. However, this example differs from the above example in the shape of the
図10に表したように、多孔質部90は、第1セラミック部分901と、第2セラミック部分902と、第3セラミック部分903と、を有する。この例においても、第1セラミック部分901の第2方向に沿う長さt901は、第2セラミック部分902の第2方向に沿う長さt902よりも短い。第1セラミック部分901の第2方向に沿う長さt901は、第3セラミック部分903の第2方向に沿う長さt903よりも短い。
As shown in FIG. 10, the
多孔質部90は、側面90fを有する。側面90fは、XY平面に対して交差する外周面である。側面90fは、第1セラミック部分901の側面901fと、第2セラミック部分902の側面902fと、第3セラミック部分903の側面903fと、を有する。側面901fは、Z方向に交差する方向(例えばZ方向に垂直な方向)を向き、例えばZ方向に沿って延びる。側面902fは、Z方向に対して交差する方向を向く。側面903fは、Z方向に対して交差する方向(例えばZ方向に垂直な方向)を向き、例えばZ方向に沿って延びる。側面901f、側面902f、及び側面903fのそれぞれは、Z方向に対して平行でもよい。側面901f、側面902f、及び側面903fのそれぞれは、Z方向に対して傾斜していてもよい。
The
この例では、多孔質部90は、第1セラミック部分901の側面901fと、第3セラミック部分903の側面903fと、の間に設けられた段差を有する。具体的には、第3セラミック部分903は、第2方向に沿って延びる延在面903hを有する。延在面903hは、例えばXY平面と平行である。延在面903hは、側面901fと側面903fとを接続する。延在面903hは、第3セラミック部分903の下面であり、下方を向く。第1セラミック部分901は、第3セラミック部分903の下面(延在面903h)の中央部から下方に突出した凸部である。例えば、第1セラミック部分901、第2セラミック部分902及び第3セラミック部分903のそれぞれは、円柱状である。第2セラミック部分902は、円錐台状でもよい。
In this example, the
第2方向視において、多孔質部90の第1面90aは、弾性体30及び接合部60と並ぶ。言い換えれば、弾性体30は、第2方向において、接合部60及び第1面90aのそれぞれと並ぶ。
The
弾性体30の少なくとも一部は、Z方向において、第3セラミック部分903と重なる。この例では、環状の弾性体30の全体が、Z方向において、第3セラミック部分903と重なっている。
At least part of the
弾性体30は、第1セラミック部分901及び第3セラミック部分903の少なくともいずれかと接する。図10の例では、弾性体30の上面(上端部)は、第3セラミック部分903の延在面903hと接している。弾性体30の側面(内周面)は、第1セラミック部分901の側面901fと接してもよい。また、弾性体30の下面(下端部)は、例えば、多孔質部70(又はベースプレート50)に接する。
The
このように、実施形態においては、弾性体30の少なくとも一部がZ方向において第3セラミック部分903と重なり、弾性体30は、第1セラミック部分901及び第3セラミック部分903の少なくともいずれかと接する。これにより、熱によるセラミック多孔質部90の変形を、弾性体30で吸収することで、セラミック多孔質部90の破損を抑制することができる。そのため、アーク放電の抑制効果を長期間維持することができる。
また、第2方向視において、第1面90aは、接合部60及び弾性体30と重なる。つまり、第1セラミック部分901の一部が、第3孔部53cに配置される。これにより、アーキング耐性を高めることができる。また、第3孔部53cには接合部60の端部60eに対向して弾性体30を配置しているため、静電チャック使用時に端部60eがプラズマによって腐食されてパーティクルが生じることを抑制できる。
Thus, in the embodiment, at least a portion of the
In addition, the
弾性体30のZ方向に沿う長さ30tは、例えば、接合部60のZ方向に沿う長さh2と同じである。これにより、例えば、接合部60からパーティクルが発生したとしても、該パーティクルが多孔質部90に到達することを抑制できる。長さ30tは、長さh2よりも長くてもよい。
The
図11は、実施形態に係る静電チャックを例示する模式断面図である。
図11は、図10に示すA-A線における断面である。なお、図10は、図11のB-B線における断面に対応する。B-B線は、多孔質部90の平面形状の中心を通る。
多孔質部90は、第1多孔部91と、第1緻密部93と、を有する。
FIG. 11 is a schematic cross-sectional view illustrating an electrostatic chuck according to the embodiment;
FIG. 11 is a cross section taken along line AA shown in FIG. 10 corresponds to the cross section taken along line BB of FIG. Line BB passes through the center of the planar shape of
The
第1多孔部91は、例えば円柱状である。第1緻密部93は、第1多孔部91の外周側面91sに接する。第1緻密部93は、第1多孔部91の外周側面91sを囲む環状(管状)である。
The first
弾性体30は、第1緻密部93と接する。例えば、第3セラミック部分903の延在面903hは、第1緻密部93に設けられる。第1セラミック部分901の側面901fは、この例では第1多孔部91に設けられているが、第1緻密部93に設けられてもよい。これにより、弾性体と接する第1セラミック部分901及び第3セラミック部分903の少なくともいずれかの強度がより高まるため、セラミック多孔質部の破損を効果的に抑制して、アーク放電の低減効果を長期間維持することができる。
The
環状の弾性体30の上面は、その環状の全周にわたって、第3セラミック部分903の延在面903hと接していてもよい。環状の弾性体30の内周側面は、その環状の全周にわたって第1セラミック部分901の側面901fと接していてもよい。
The upper surface of the annular
図12は、実施形態に係る静電チャックを例示する模式断面図である。
図12は、図1と同様の静電チャックの一部を例示する模式断面図である。ただし、この例は、多孔質部70やその周辺の形状等において、前述の例と異なる。
FIG. 12 is a schematic cross-sectional view illustrating an electrostatic chuck according to the embodiment;
FIG. 12 is a schematic cross-sectional view illustrating a part of the electrostatic chuck similar to FIG. 1. FIG. However, this example differs from the above example in the shape of the
図12は、例えば、Z方向に平行であり、多孔質部70の平面形状の中心を通る断面である。図12に表したように、セラミック誘電体基板11、ベースプレート50及び接合部60を貫通するガス導入路53が設けられる。ガス導入路53は、第1孔部53a、第2孔部53b及び第3孔部53cを有する。
FIG. 12 is, for example, a cross section parallel to the Z direction and passing through the center of the planar shape of the
第1孔部53aは、第2方向において並ぶ複数の細孔16を有する。各細孔16は、第3孔部53cから溝14までZ方向に延びる。
The
第2孔部53bは、第3部分53buと、第4部分53bdと、を有する。この例では、第3部分53buが、ざぐり部53sを含む。すなわち、この例において、ざぐり部53sは、第2孔部53bに設けられる。ざぐり部53sは、第1孔部53aに設けられなくてもよい。第3部分53buの上端は、ベースプレート50の上面50uに設けられる。ざぐり部53sの上端は、上面50uに設けられる。例えば、第4部分53bdは、ざぐり部53sの下端に接続される。第4部分53bdの下端は、ベースプレート50の下面50dに設けられる。
The
例えば、第3部分53bu、第4部分53bd、及び、ざぐり部53sのそれぞれの外周のXY平面における形状は、円状である。ざぐり部53sの第2方向に沿う長さtsは、第4部分53bdの当該第2方向に沿う長さよりも長い。第4部分53bdの当該第2方向に沿う長さは、例えば、第4部分53bdの直径であり、第4部分53bdの平面形状の最大幅である。例えば、ざぐり部53sは、第2孔部53bのうち下方の部分(例えば第4部分53bd)から径が拡大した部分の少なくとも一部である。例えば、XY平面内において、ざぐり部53sの中心の位置は、第4部分53bdの中心の位置と略同じである。
For example, the outer peripheries of the third portion 53bu, the fourth portion 53bd, and the counterbored
多孔質部70の一部は、ざぐり部53sに設けられる。多孔質部70は、第3孔部53c側の第1面70c(例えば第3面70a)と、第1面70cとは反対側の第2面70d(例えば第4面70b)と、を有する。多孔質部70の第1面70cは、セラミック誘電体基板11側の上面であり、第2面70dは、下面である。第1面70c及び第2面70dのそれぞれは、例えばXY平面に沿って延び、実質的に平面である。第1面70cとセラミック誘電体基板11との間には、空間が形成されている。
A portion of the
弾性体30は、接合部60のうち第3孔部53c側の端部60eに対向して設けられる。この例では、弾性体30は、端部60eに接している。弾性体30は、第2方向において、接合部60及び第1面70cのそれぞれと並ぶ。言い換えれば、第2方向視において、第1面70cは、接合部60及び弾性体30と重なる。弾性体30は、第1面70cと接合部60の端部60eとの間に位置する。これにより、接合部60がプラズマやガスに曝されることが抑制され、保護される。例えば、接合部60は、弾性体30によって、第1面70cとセラミック誘電体基板11との間の空間と隔離されている。例えば、ガス導入路53のうちのガスが通過可能な空間に、接合部60が直接接しないように、弾性体30が配置されている。
The
多孔質部70は、側面70sを有する。側面70sは、XY平面に対して交差する外周面である。側面70sは、第1面70cと第2面70dとをつなぐ。側面70sは、第1面70c側の第1側部70s1と、第2面70d側の第2側部70s2と、第1側部70s1と第2側部70s2との間の第3側部70s3と、を有する。第1側部70s1のうちの少なくとも第1面70cと接する領域にZ方向に対して傾斜する第1傾斜部S11が設けられる。この例では、第1側部70s1が第1傾斜部S11からなる。すなわち、第1傾斜部S11は、第1面70cと接し、Z方向に対して傾斜している。また、第3側部70s3は、Z方向に対して傾斜する第2傾斜部S12を有する。例えば、第2傾斜部S12は第1傾斜部S11と連続している。つまり、多孔質部70の第1面70c側から第1傾斜部S11、第2傾斜部S12が連続して配置されている。第2傾斜部S12とざぐり部53sとの間に固定部を設けてもよい。
The
多孔質部70は、第1セラミック部分701と、第2セラミック部分702と、第3セラミック部分703と、を含む。第1セラミック部分701は、多孔質部70の上部であり、第1面70cを有する。第2セラミック部分702は、多孔質部90の下部であり、第2面70dを有する。Z方向において、第3セラミック部分703は、第1セラミック部分701と第2セラミック部分702との間に位置する部分である。すなわち、第3セラミック部分703のZ方向の位置は、第1セラミック部分701のZ方向の位置と、第2セラミック部分702のZ方向の位置との間である。
The
第1セラミック部分701の第2方向に沿う長さt701は、第2セラミック部分702の第2方向に沿う長さt702よりも短い。第1セラミック部分701の第2方向に沿う長さt701は、第3セラミック部分703の第2方向に沿う長さt703よりも短い。なお、長さt701は、例えば第1セラミック部分701の直径であり、第1セラミック部分701の平面形状の最大幅である。長さt702は、例えば第2セラミック部分702の直径であり、第2セラミック部分702の平面形状の最大幅である。長さt703は、例えば第3セラミック部分703の直径であり、第3セラミック部分703の平面形状の最大幅である。
A length t701 of the first
第1セラミック部分701の側面は、Z方向に対して傾斜している。この場合、第1セラミック部分701の長さt701は、Z方向に沿って変化し、上方に向かうにつれて例えば単調に短くなる。例えば、第2セラミック部分702の側面は、Z方向に沿って延びている。この場合、第2セラミック部分702の長さt702は、Z方向に沿って一定である。また、例えば、第3セラミック部分703の側面は、Z方向に対して傾斜している。この場合、第3セラミック部分703の長さt703は、Z方向に沿って変化し、上方に向かうにつれて例えば単調に短くなる。
A side surface of the first
この例では、第1セラミック部分701及び第3セラミック部分703は、円錐台状であり、第2セラミック部分702は、円柱状である。例えば、XY平面内において、第1セラミック部分701の中心の位置は、第2セラミック部分702の中心の位置と略同じである。
In this example, the first
第1セラミック部分701の側面は、例えば第1側部70s1である。第2セラミック部分702の側面は、例えば第2側部70s2である。第3セラミック部分703の側面は、例えば第3側部70s3である。
The side surface of the first
弾性体30の少なくとも一部は、Z方向において、第3セラミック部分703と重なる。言い換えれば、弾性体30の少なくとも一部は、第3セラミック部分703とZ方向において並ぶ。この例では、環状の弾性体30のうちの内周側の部分は、Z方向において、第1セラミック部分701、第2セラミック部分702及び第3セラミック部分703と重なる。環状の弾性体30のうちの外周側の部分は、Z方向において、多孔質部70と重ならない。ただし、弾性体30の全体が、Z方向において、多孔質部70と重なってもよい。
At least part of the
弾性体30は、第1セラミック部分701及び第3セラミック部分903の少なくともいずれかと接する。この例では、弾性体30は、第1セラミック部分901の傾斜した側面と接する。すなわち、多孔質部70は、第1傾斜部S11において弾性体30と接する。
The
以上説明したように、弾性体30の少なくとも一部がZ方向において第3セラミック部分703と重なり、弾性体30は、第1セラミック部分701及び第3セラミック部分703の少なくともいずれかと接する。これにより、熱によるセラミック多孔質部70の変形を、弾性体30で吸収することで、セラミック多孔質部70の破損を抑制することができる。そのため、アーク放電の抑制効果を長期間維持することができる。
また、第2方向視において、第1面70cは、接合部60及び弾性体30と重なる。つまり、第1セラミック部分701の一部が、第3孔部53cに配置される。これにより、アーキング耐性を高めることができる。また、第3孔部53cには接合部60の端部60eに対向して弾性体30を配置しているため、静電チャック使用時に端部60eがプラズマによって腐食されてパーティクルが生じることを抑制できる。
As described above, at least part of the
In addition, the
例えば、第2セラミック部分702の第2方向に沿う長さt702は、ざぐり部53sの第2方向に沿う長さtsと略同じである。具体的には、第2セラミック部分702の第2方向における一端、及び、第2セラミック部分702の当該第2方向における他端は、それぞれ、ざぐり部53s(ざぐり部53sを形成するベースプレート50の内周面)と接する。例えば、第2セラミック部分702の外径(長さt702)は、ざぐり部53sの内径(長さts)と略同じである。これにより、セラミック多孔質部70とざぐり部53sとの隙間を抑制できるため、アーク放電低減の抑制効果を長期間維持することができる。
For example, the length t702 along the second direction of the second
例えば、第2多孔部71は、円柱状である。第2緻密部73は、第2多孔部71の外周側面に接する。第2緻密部73は、第2多孔部71の外周側面を囲む環状(管状)である。環状の弾性体30の内周側は、その環状の全周にわたって第1傾斜部S11と接していてもよい。また、環状の弾性体30の外周側は、その環状の全周にわたって接合部60の端部60eと接していてもよい。
For example, the second
図13は、実施形態に係る静電チャックを例示する模式断面図である。
図13は、図1と同様の静電チャックの一部を例示する模式断面図である。ただし、この例では、多孔質部70やその周辺の形状等において、前述の例と異なる。図13は、例えば、Z方向に平行であり、多孔質部70の平面形状の中心を通る断面である。この例においても、第1孔部53aと、第2孔部53bと、第3孔部53cと、を有するガス導入路53が設けられる。第2孔部53bは、ざぐり部53sを有する。多孔質部70の一部は、ざぐり部53s内に配置される。弾性体30は、接合部60の第3孔部53c側の端部と対向する。弾性体30は、第2方向において、接合部60と並ぶ。
FIG. 13 is a schematic cross-sectional view illustrating an electrostatic chuck according to the embodiment;
FIG. 13 is a schematic cross-sectional view illustrating a part of the electrostatic chuck similar to FIG. 1. FIG. However, in this example, the shape of the
図13に表したように、多孔質部70は、第1セラミック部分701と、第2セラミック部分702と、第3セラミック部分703と、を有する。この例においても、第1セラミック部分701の第2方向に沿う長さt701は、第2セラミック部分702の第2方向に沿う長さt702よりも短い。第1セラミック部分701の第2方向に沿う長さt701は、第3セラミック部分703の第2方向に沿う長さt703よりも短い。
As shown in FIG. 13, the
多孔質部70は、側面70fを有する。側面70fは、XY平面に対して交差する外周面である。側面70fは、第1セラミック部分701の側面701fと、第2セラミック部分702の側面702fと、第3セラミック部分703の側面703fと、を有する。側面701fは、Z方向に交差する方向(例えばZ方向に垂直な方向)を向き、例えばZ方向に沿って延びる。側面702fは、Z方向に対して交差する方向を向く。側面703fは、Z方向に対して交差する方向(例えばZ方向に垂直な方向)を向き、例えばZ方向に沿って延びる。側面701f、側面702f、及び側面703fのそれぞれは、Z方向に対して平行でもよい。側面701f、側面702f、及び側面703fのそれぞれは、Z方向に対して傾斜していてもよい。
The
この例では、多孔質部70は、第1セラミック部分701の側面701fと、第3セラミック部分703の側面703fと、の間に設けられた段差を有する。具体的には、第3セラミック部分703は、第2方向に沿って延びる延在面703hを有する。延在面703hは、例えばXY平面と平行である。延在面703hは、側面701fと側面703fとを接続する。延在面703hは、第3セラミック部分703の上面であり、上方を向く。第1セラミック部分701は、第3セラミック部分703の上面(延在面703h)の中央部から上方に突出した凸部である。例えば、第1セラミック部分701、第2セラミック部分702及び第3セラミック部分703のそれぞれは、円柱状である。第2セラミック部分702は、円錐台状でもよい。
In this example, the
第2方向視において、多孔質部70の第1面70cは、弾性体30及び接合部60と並ぶ。言い換えれば、弾性体30は、第2方向において、接合部60及び第1面70cのそれぞれと並ぶ。
The
弾性体30の少なくとも一部は、Z方向において、第3セラミック部分703と重なる。この例では、環状の弾性体30の全体が、Z方向において、第3セラミック部分703と重なっている。
At least part of the
弾性体30は、第1セラミック部分701及び第3セラミック部分703の少なくともいずれかと接する。図13の例では、弾性体30の下面は、第3セラミック部分703の延在面703hと接している。弾性体30の側面(内周面)は、第1セラミック部分701の側面701fと接してもよい。また、弾性体30の上面は、例えば、セラミック誘電体基板11に接する。
The
このように、実施形態においては、弾性体30の少なくとも一部がZ方向において第3セラミック部分703と重なり、弾性体30は、第1セラミック部分701及び第3セラミック部分703の少なくともいずれかと接する。これにより、熱によるセラミック多孔質部70の変形を、弾性体30で吸収することで、セラミック多孔質部70の破損を抑制することができる。そのため、アーク放電の抑制効果を長期間維持することができる。
また、第2方向視において、第1面70cは、接合部60及び弾性体30と重なる。つまり、第1セラミック部分701の一部が、第3孔部53cに配置される。これにより、アーキング耐性を高めることができる。また、第3孔部53cには接合部60の端部60eに対向して弾性体30を配置しているため、静電チャック使用時に端部60eがプラズマによって腐食されてパーティクルが生じることを抑制できる。
Thus, in the embodiment, at least a portion of the
In addition, the
弾性体30のZ方向に沿う長さ30tは、例えば、接合部60のZ方向に沿う長さh2と同じである。長さ30tは、長さh2よりも長くてもよい。また、例えば、弾性体30は、第3セラミック部分703の延在面703hと、セラミック基板11と、によってZ方向の力が加えられている。弾性体30は、Z方向において圧縮変形していてもよい。すなわち、弾性体30の長さ30tは、弾性体30の自然長(セラミック基板11及び多孔質部による圧力が印加されていない場合のZ方向の長さ)よりも短くてもよい。例えば、接合部60からパーティクルが発生したとしても、該パーティクルが多孔質部70に到達することを抑制できる。
The
多孔質部70は、第2多孔部71と、第2緻密部73と、緻密部72と、を有する。緻密部72は、例えば円柱状である。緻密部72は、第2多孔部71よりも緻密である。第2多孔部71の気孔率は、緻密部72の気孔率よりも大きい。例えば、第2多孔部71の密度は、緻密部72の密度よりも低い。第2多孔部71のガス透過性は、緻密部72のガス透過性よりも高い。緻密部72は、実質的にガス透過性を有していなくてもよい。第2多孔部71は、緻密部72の外周側面に接する。第2多孔部71は、緻密部72の外周側面を囲む環状(管状)である。なお、緻密部72が設けられない場合、第2多孔部71は、例えば円柱状である。第2緻密部73は、第2多孔部71のが外周側面に接する。第2緻密部73は、第2多孔部71の外周側面を囲む環状(管状)である。
The
弾性体30は、第2緻密部73と接する。例えば、第1セラミック部分701の側面701f及び第3セラミック部分703の延在面703hは、それぞれ、第2緻密部73に設けられる。これにより、弾性体と接する第1セラミック部分701及び第3セラミック部分703の少なくともいずれかの強度がより高まるため、セラミック多孔質部の破損を効果的に抑制して、アーク放電の低減効果を長期間維持することができる。
The
環状の弾性体30の下面は、その環状の全周にわたって、第3セラミック部分703の延在面703hと接していてもよい。環状の弾性体30の内周側面は、その環状の全周にわたって第1セラミック部分701の側面701fと接していてもよい。
The lower surface of the annular
実施形態は、以下の構成を含んでもよい。
(構成1)
吸着の対象物を載置する第1主面と、前記第1主面とは反対側の第2主面と、を有するセラミック誘電体基板と、
前記セラミック誘電体基板を支持し、前記セラミック誘電体基板側の上面と、前記表面と反対側の下面と、を有するベースプレートと、
前記セラミック誘電体基板と、前記ベースプレートとの間に設けられた接合部と、
前記セラミック誘電体基板、前記ベースプレートおよび前記接合部を貫通するガス導入路であって、
前記セラミック誘電体基板に位置する第1孔部と、
前記ベースプレートに位置する第2孔部と、
前記接合部に位置する第3孔部と、を有するガス導入路と、
前記第1孔部に設けられたざぐり部と、
前記第3孔部側の第1面と、前記第1面とは反対側の第2面と、を有し、前記ざぐり部に設けられたセラミック多孔質部と、
前記接合部のうち前記第3孔部側の端部に対向して設けられた弾性体と、を備え、
前記セラミック多孔質部は、前記第1面と前記第2面とをつなぐ側面をさらに有し、
前記側面は、
前記第1面側の第1側部と、
前記第2面側の第2側部と、
前記第1側部と前記第2側部との間の第3側部と、を有し、かつ
前記ベースプレートから前記セラミック誘電体基板へ向かう方向を第1方向とし、前記第1方向に略直交する方向を第2方向としたときに、
前記第1側部のうちの少なくとも前記第1面と接する領域に前記第1方向に対して傾斜する第1傾斜部を設けており、
前記第2方向視において、前記第1面は、前記接合部および前記弾性体と重なり、
前記セラミック多孔質部は、前記第1傾斜部において前記弾性体と接するよう構成され
る、静電チャック。
(構成2)
前記セラミック多孔質部は、ガス透過性を有する多孔部と、前記多孔部よりも緻密な緻密部と、を有し、前記緻密部は前記多孔部の外周を覆うように配置されており、前記第1傾斜部は前記緻密部に設けられる、構成1記載の静電チャック。
(構成3)
前記第1側部は前記第1傾斜部からなる、構成1または2に記載の静電チャック。
(構成4)
前記第3側部の少なくとも一部であって、前記第1傾斜部と連続する第2傾斜部を備えており、
前記ざぐり部と前記第2傾斜部との間に前記セラミック多孔質部をざぐり部に固定する固定部が設けられる、構成3記載の静電チャック。
(構成5)
前記第2側部の前記第2方向に沿う長さは、前記ざぐり部の前記第2方向に沿う長さと略同じである、構成4記載の静電チャック。
(構成6)
前記弾性体のうち、前記第1傾斜部と接する部分における前記第1方向に沿う長さが、前記接合部の前記第1方向に沿う長さよりも大きい、構成1~5のいずれか1つに記載の静電チャック。
(構成7)
前記弾性体が環状であり、前記第1方向視で前記第1面は前記弾性体で囲われる、構成1~6のいずれか1つに記載の静電チャック。
(構成8)
前記弾性体は、ポリテトラフルオロエチレン、ポリイミドのうちの少なくともいずれかを含む、構成1~7のいずれか1つに記載の静電チャック。
(構成9)
構成1~8のいずれか1つに記載の静電チャックと、
前記静電チャックに設けられたガス導入路にガスを供給可能な供給部と、
を備えたことを特徴とする処理装置。
(構成10)
吸着の対象物を載置する第1主面と、前記第1主面とは反対側の第2主面と、を有するセラミック誘電体基板と、
前記セラミック誘電体基板を支持し、前記セラミック誘電体基板側の上面と、前記上面と反対側の下面と、を有するベースプレートと、
前記セラミック誘電体基板と、前記ベースプレートと、の間に設けられた接合部と、
前記セラミック誘電体基板、前記ベースプレートおよび前記接合部を貫通するガス導入路であって、前記セラミック誘電体基板に位置する第1孔部と、前記ベースプレートに位置する第2孔部と、前記接合部に位置する第3孔部と、を有するガス導入路と、
前記第1孔部または前記第2孔部に設けられたざぐり部と、
前記第3孔部側の第1面と、前記第1面とは反対側の第2面と、を有し、前記ざぐり部に設けられたセラミック多孔質部と、
前記接合部のうち前記第3孔部側の端部に対向して設けられた弾性体と、
を備え、
前記ベースプレートから前記セラミック誘電体基板へ向かう方向を第1方向とし、前記第1方向に直交する方向を第2方向としたときに、前記セラミック多孔質部は、前記第1面を有する第1セラミック部分と、前記第2面を有する第2セラミック部分と、前記第1方向において前記第1セラミック部分と前記第2セラミック部分との間に位置する第3セラミック部分と、を含み、
前記第1セラミック部分の前記第2方向に沿う長さは、前記第3セラミック部分の前記第2方向に沿う長さよりも短く、
前記第2方向視において、前記第1面は、前記接合部および前記弾性体と重なり、
前記弾性体の少なくとも一部は、前記第1方向において前記第3セラミック部分と重なり、
前記弾性体は、前記第1セラミック部分及び前記第3セラミック部分の少なくともいずれかと接する、静電チャック。
(構成11)
前記セラミック多孔質部は、前記第1面と前記第2面とをつなぐ側面を有し、
前記側面は、前記第1面側の第1側部と、前記第2面側の第2側部と、前記第1側部と前記第2側部との間の第3側部と、を有し、
前記第1側部のうちの少なくとも前記第1面と接する領域に前記第1方向に対して傾斜する第1傾斜部が設けられ、
前記セラミック多孔質部は、前記第1傾斜部において前記弾性体と接する、構成10に記載の静電チャック。
(構成12)
前記第3セラミック部分は、前記第2方向に沿って延びる延在面、を有し、
前記弾性体は、前記延在面と接する、構成10に記載の静電チャック。
(構成13)
前記セラミック多孔質部は、ガス透過性を有する多孔部と、前記多孔部よりも緻密な緻密部と、を有し、
前記緻密部は、前記多孔部の外周を覆うように配置されており、
前記弾性体は、前記緻密部に接する、構成10~12のいずれか1つに記載の静電チャック。
(構成14)
前記第2セラミック部分の前記第2方向に沿う長さは、前記ざぐり部の前記第2方向に沿う長さと略同じである、構成10~13のいずれか1つに記載の静電チャック。
(構成15)
前記弾性体は、前記第1方向において圧縮変形している、構成10~14のいずれか1つに記載の静電チャック。
(構成16)
前記弾性体が環状であり、前記第1方向視で前記第1面は前記弾性体で囲われる、構成10~15のいずれか1つに記載の静電チャック。
(構成17)
前記弾性体は、ポリテトラフルオロエチレン及びポリイミドのうちの少なくともいずれかを含む、構成10~16のいずれか1つに記載の静電チャック。
(構成18)
構成10~17のいずれか1つに記載の静電チャックと、
前記静電チャックに設けられたガス導入路にガスを供給可能な供給部と、
を備えたことを特徴とする処理装置。
Embodiments may include the following configurations.
(Configuration 1)
a ceramic dielectric substrate having a first main surface on which an object to be attracted is placed and a second main surface opposite to the first main surface;
a base plate that supports the ceramic dielectric substrate and has an upper surface facing the ceramic dielectric substrate and a lower surface opposite to the surface;
a joint provided between the ceramic dielectric substrate and the base plate;
a gas introduction path penetrating through the ceramic dielectric substrate, the base plate and the joint,
a first hole located in the ceramic dielectric substrate;
a second hole located in the base plate;
a gas introduction path having a third hole located at the joint;
a counterbored portion provided in the first hole;
a ceramic porous portion having a first surface on the side of the third hole portion and a second surface opposite to the first surface, the ceramic porous portion being provided in the counterbored portion;
an elastic body provided facing the end of the joint portion on the third hole side,
The ceramic porous portion further has a side surface connecting the first surface and the second surface,
The aspect is
a first side portion on the side of the first surface;
a second side portion on the second surface side;
and a third side portion between the first side portion and the second side portion, wherein a direction from the base plate toward the ceramic dielectric substrate is defined as a first direction and substantially orthogonal to the first direction. When the direction to do is the second direction,
A first inclined portion inclined with respect to the first direction is provided in a region of the first side portion that is in contact with at least the first surface,
When viewed from the second direction, the first surface overlaps the joint portion and the elastic body,
The electrostatic chuck, wherein the ceramic porous portion is configured to contact the elastic body at the first inclined portion.
(Configuration 2)
The ceramic porous portion has a porous portion having gas permeability and a dense portion denser than the porous portion, and the dense portion is arranged so as to cover the outer circumference of the porous portion, and The electrostatic chuck according to configuration 1, wherein the first inclined portion is provided in the dense portion.
(Composition 3)
3. The electrostatic chuck of configuration 1 or 2, wherein the first side comprises the first angled portion.
(Composition 4)
a second sloping portion that is at least part of the third side portion and that is continuous with the first sloping portion;
The electrostatic chuck according to configuration 3, wherein a fixing portion for fixing the ceramic porous portion to the counterbore is provided between the counterbore and the second inclined portion.
(Composition 5)
5. The electrostatic chuck according to configuration 4, wherein the length of the second side portion along the second direction is substantially the same as the length of the counterbore portion along the second direction.
(Composition 6)
any one of configurations 1 to 5, wherein a length of a portion of the elastic body in contact with the first inclined portion along the first direction is longer than a length of the joint portion along the first direction; Electrostatic chuck as described.
(Composition 7)
The electrostatic chuck according to any one of configurations 1 to 6, wherein the elastic body is annular, and the first surface is surrounded by the elastic body when viewed from the first direction.
(Composition 8)
The electrostatic chuck according to any one of configurations 1 to 7, wherein the elastic body includes at least one of polytetrafluoroethylene and polyimide.
(Composition 9)
an electrostatic chuck according to any one of configurations 1 to 8;
a supply unit capable of supplying gas to the gas introduction path provided in the electrostatic chuck;
A processing device comprising:
(Configuration 10)
a ceramic dielectric substrate having a first main surface on which an object to be attracted is placed and a second main surface opposite to the first main surface;
a base plate that supports the ceramic dielectric substrate and has an upper surface facing the ceramic dielectric substrate and a lower surface opposite to the upper surface;
a joint provided between the ceramic dielectric substrate and the base plate;
A gas introduction path penetrating through the ceramic dielectric substrate, the base plate and the joint, the gas introducing passage comprising: a first hole positioned in the ceramic dielectric substrate; a second hole positioned in the base plate; and the joint a gas introduction path having a third hole located at
a counterbored portion provided in the first hole or the second hole;
a ceramic porous portion having a first surface on the side of the third hole portion and a second surface opposite to the first surface, the ceramic porous portion being provided in the counterbored portion;
an elastic body provided facing the end of the joint portion on the third hole side;
with
When the direction from the base plate to the ceramic dielectric substrate is defined as a first direction, and the direction perpendicular to the first direction is defined as a second direction, the ceramic porous portion is a first ceramic body having the first surface. a second ceramic portion having said second face; and a third ceramic portion located between said first ceramic portion and said second ceramic portion in said first direction;
the length of the first ceramic portion along the second direction is shorter than the length of the third ceramic portion along the second direction;
When viewed from the second direction, the first surface overlaps the joint portion and the elastic body,
at least a portion of the elastic body overlaps the third ceramic portion in the first direction;
The electrostatic chuck, wherein the elastic body is in contact with at least one of the first ceramic portion and the third ceramic portion.
(Composition 11)
The ceramic porous portion has a side surface connecting the first surface and the second surface,
The side surface includes a first side portion on the first surface side, a second side portion on the second surface side, and a third side portion between the first side portion and the second side portion. have
A first inclined portion that is inclined with respect to the first direction is provided in a region of the first side portion that is in contact with at least the first surface,
11. The electrostatic chuck according to configuration 10, wherein the ceramic porous portion is in contact with the elastic body at the first inclined portion.
(Composition 12)
the third ceramic portion has an extended surface extending along the second direction;
The electrostatic chuck according to configuration 10, wherein the elastic body is in contact with the extension surface.
(Composition 13)
The ceramic porous portion has a porous portion having gas permeability and a dense portion denser than the porous portion,
The dense portion is arranged so as to cover the outer circumference of the porous portion,
13. The electrostatic chuck according to any one of configurations 10 to 12, wherein the elastic body is in contact with the dense portion.
(Composition 14)
14. The electrostatic chuck according to any one of configurations 10 to 13, wherein the length of the second ceramic portion along the second direction is substantially the same as the length of the counterbored portion along the second direction.
(Composition 15)
The electrostatic chuck according to any one of configurations 10 to 14, wherein the elastic body is compressively deformed in the first direction.
(Composition 16)
The electrostatic chuck according to any one of configurations 10 to 15, wherein the elastic body is annular, and the first surface is surrounded by the elastic body when viewed from the first direction.
(Composition 17)
17. The electrostatic chuck according to any one of configurations 10 to 16, wherein the elastic body includes at least one of polytetrafluoroethylene and polyimide.
(Composition 18)
an electrostatic chuck according to any one of configurations 10 to 17;
a supply unit capable of supplying gas to the gas introduction path provided in the electrostatic chuck;
A processing device comprising:
本願明細書において、「垂直」、「平行」及び「直交」は、厳密な垂直、厳密な平行及び厳密な直交だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直、実質的に平行、及び実質的に直交であれば良い。 In the present specification, "perpendicular", "parallel" and "perpendicular" include not only strictly perpendicular, strictly parallel and strictly orthogonal, but also variations in the manufacturing process, for example, substantially perpendicular, It is sufficient if they are substantially parallel and substantially orthogonal.
以上、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。例えば、静電チャック110として、クーロン力を用いる構成を例示したが、ジョンソン・ラーベック力を用いる構成であっても適用可能である。また、前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。また、前述した各実施の形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
The embodiments of the present invention have been described above. However, the invention is not limited to these descriptions. For example, as the
11 セラミック誘電体基板、 11a 第1主面、 11b 第2主面、 12 電極、 13 ドット、 14 溝、 16 細孔、 20 接続部、 30 弾性体、 50 ベースプレート、 50a 上部、 50b 下部、 50u 上面、 50d 下面、 51 入力路、 52 出力路、 53 ガス導入路、 53a 第1孔部、 53aa 第1部分、 t1a 長さ(横幅)、 53ab 第2部分、 53ac 中間部分、 53b 第2孔部、 53bu 第3部分、 53bd 第4部分、 53c 第3孔部、 tc 長さ(横幅)、 53s ざぐり部、 ts 長さ(横幅)、 55 連通路、 60 接合部、 60e 端部、 h2 長さ(高さ)、 65 固定部、 70 セラミック多孔質部(多孔質部)、 70a 第3面、 70b 第4面、 70c 第1面、 70d 第2面、 70f 側面、 70s 側面、 71 第2多孔部、 72 緻密部、 73 第2緻密部、 t2 長さ(横幅)、 90 セラミック多孔質部(多孔質部)、 90a 第1面、 90b 第2面、 90f 側面、 90s 側面、 90s1 第1側部、 90s2 第2側部、 90s3 第3側部、 91 第1多孔部、 91s 外周側面、 93 第1緻密部、 t1 長さ(横幅)、 110 静電チャック、 200 処理装置、 210 電源、 211 配線、 220 媒体供給部、 221 収納部、 222 制御弁、 223 排出部、 230 供給部、 231 ガス供給部、 232 ガス制御部、 240 チャンバ、 701 第1セラミック部分、 701f 側面、 702 第2セラミック部分、 702f 側面、 703 第3セラミック部分、 703f 側面、 703h 延在面、 901 第1セラミック部分、 901f 側面、 902 第2セラミック部分、 902f 側面、 903 第3セラミック部分、 903f 側面、 903h 延在面、 S1 第1傾斜部、 S2 第2傾斜部、 S11 第1傾斜部、 S12 第2傾斜部、 t4a 長さ、 t701 長さ、 t702 長さ、 t703 長さ、 t901 長さ、 t902 長さ、 t903 長さ、 θ1 角度、 θ2 角度、 W 対象物 11 ceramic dielectric substrate 11a first principal surface 11b second principal surface 12 electrode 13 dot 14 groove 16 pore 20 connection portion 30 elastic body 50 base plate 50a upper portion 50b lower portion 50u upper surface 50d lower surface 51 input path 52 output path 53 gas introduction path 53a first hole 53aa first portion t1a length (width) 53ab second portion 53ac intermediate portion 53b second hole 53bu third portion 53bd fourth portion 53c third hole portion tc length (width) 53s counterbored portion ts length (width) 55 communicating passage 60 junction 60e end h2 length ( height), 65 fixed portion, 70 ceramic porous portion (porous portion), 70a third surface, 70b fourth surface, 70c first surface, 70d second surface, 70f side surface, 70s side surface, 71 second porous portion , 72 Dense portion 73 Second dense portion t2 Length (width) 90 Ceramic porous portion (porous portion) 90a First surface 90b Second surface 90f Side 90s Side 90s1 First side , 90s2 second side portion 90s3 third side portion 91 first porous portion 91s outer peripheral side surface 93 first dense portion t1 length (width) 110 electrostatic chuck 200 processing device 210 power supply 211 wiring , 220 medium supply unit, 221 storage unit, 222 control valve, 223 discharge unit, 230 supply unit, 231 gas supply unit, 232 gas control unit, 240 chamber, 701 first ceramic part, 701f side surface, 702 second ceramic part, 702f side surface 703 third ceramic portion 703f side surface 703h extension surface 901 first ceramic portion 901f side surface 902 second ceramic portion 902f side surface 903 third ceramic portion 903f side surface 903h extension surface S1 First inclined portion S2 Second inclined portion S11 First inclined portion S12 Second inclined portion t4a length t701 length t702 length t703 length t901 length t902 length t903 length θ1 angle θ2 angle W object
Claims (18)
前記セラミック誘電体基板を支持し、前記セラミック誘電体基板側の上面と、前記表面と反対側の下面と、を有するベースプレートと、
前記セラミック誘電体基板と、前記ベースプレートとの間に設けられた接合部と、
前記セラミック誘電体基板、前記ベースプレートおよび前記接合部を貫通するガス導入路であって、
前記セラミック誘電体基板に位置する第1孔部と、
前記ベースプレートに位置する第2孔部と、
前記接合部に位置する第3孔部と、を有するガス導入路と、
前記第1孔部に設けられたざぐり部と、
前記第3孔部側の第1面と、前記第1面とは反対側の第2面と、を有し、前記ざぐり部に設けられたセラミック多孔質部と、
前記接合部のうち前記第3孔部側の端部に対向して設けられた弾性体と、を備え、
前記セラミック多孔質部は、前記第1面と前記第2面とをつなぐ側面をさらに有し、
前記側面は、
前記第1面側の第1側部と、
前記第2面側の第2側部と、
前記第1側部と前記第2側部との間の第3側部と、を有し、かつ
前記ベースプレートから前記セラミック誘電体基板へ向かう方向を第1方向とし、前記第1方向に略直交する方向を第2方向としたときに、
前記第1側部のうちの少なくとも前記第1面と接する領域に前記第1方向に対して傾斜する第1傾斜部を設けており、
前記第2方向視において、前記第1面は、前記接合部および前記弾性体と重なり、
前記セラミック多孔質部は、前記第1傾斜部において前記弾性体と接するよう構成され
る、静電チャック。 a ceramic dielectric substrate having a first main surface on which an object to be attracted is placed and a second main surface opposite to the first main surface;
a base plate that supports the ceramic dielectric substrate and has an upper surface facing the ceramic dielectric substrate and a lower surface opposite to the surface;
a joint provided between the ceramic dielectric substrate and the base plate;
a gas introduction path penetrating through the ceramic dielectric substrate, the base plate and the joint,
a first hole located in the ceramic dielectric substrate;
a second hole located in the base plate;
a gas introduction path having a third hole located at the joint;
a counterbored portion provided in the first hole;
a ceramic porous portion having a first surface on the side of the third hole portion and a second surface opposite to the first surface, the ceramic porous portion being provided in the counterbored portion;
an elastic body provided facing the end of the joint portion on the third hole side,
The ceramic porous portion further has a side surface connecting the first surface and the second surface,
The aspect is
a first side portion on the side of the first surface;
a second side portion on the second surface side;
and a third side portion between the first side portion and the second side portion, wherein a direction from the base plate toward the ceramic dielectric substrate is defined as a first direction and substantially orthogonal to the first direction. When the direction to do is the second direction,
A first inclined portion inclined with respect to the first direction is provided in a region of the first side portion that is in contact with at least the first surface,
When viewed from the second direction, the first surface overlaps the joint portion and the elastic body,
The electrostatic chuck, wherein the ceramic porous portion is configured to contact the elastic body at the first inclined portion.
前記ざぐり部と前記第2傾斜部との間に前記セラミック多孔質部をざぐり部に固定する固定部が設けられる、請求項3記載の静電チャック。 a second sloping portion that is at least part of the third side portion and that is continuous with the first sloping portion;
4. The electrostatic chuck according to claim 3, wherein a fixing portion for fixing said ceramic porous portion to said counterbored portion is provided between said counterbore portion and said second inclined portion.
前記静電チャックに設けられたガス導入路にガスを供給可能な供給部と、
を備えたことを特徴とする処理装置。 an electrostatic chuck according to claim 1 or 2;
a supply unit capable of supplying gas to the gas introduction path provided in the electrostatic chuck;
A processing device comprising:
前記セラミック誘電体基板を支持し、前記セラミック誘電体基板側の上面と、前記上面と反対側の下面と、を有するベースプレートと、
前記セラミック誘電体基板と、前記ベースプレートと、の間に設けられた接合部と、
前記セラミック誘電体基板、前記ベースプレートおよび前記接合部を貫通するガス導入路であって、前記セラミック誘電体基板に位置する第1孔部と、前記ベースプレートに位置する第2孔部と、前記接合部に位置する第3孔部と、を有するガス導入路と、
前記第1孔部または前記第2孔部に設けられたざぐり部と、
前記第3孔部側の第1面と、前記第1面とは反対側の第2面と、を有し、前記ざぐり部に設けられたセラミック多孔質部と、
前記接合部のうち前記第3孔部側の端部に対向して設けられた弾性体と、
を備え、
前記ベースプレートから前記セラミック誘電体基板へ向かう方向を第1方向とし、前記第1方向に直交する方向を第2方向としたときに、前記セラミック多孔質部は、前記第1面を有する第1セラミック部分と、前記第2面を有する第2セラミック部分と、前記第1方向において前記第1セラミック部分と前記第2セラミック部分との間に位置する第3セラミック部分と、を含み、
前記第1セラミック部分の前記第2方向に沿う長さは、前記第3セラミック部分の前記第2方向に沿う長さよりも短く、
前記第2方向視において、前記第1面は、前記接合部および前記弾性体と重なり、
前記弾性体の少なくとも一部は、前記第1方向において前記第3セラミック部分と重なり、
前記弾性体は、前記第1セラミック部分及び前記第3セラミック部分の少なくともいずれかと接する、静電チャック。 a ceramic dielectric substrate having a first main surface on which an object to be attracted is placed and a second main surface opposite to the first main surface;
a base plate that supports the ceramic dielectric substrate and has an upper surface facing the ceramic dielectric substrate and a lower surface opposite to the upper surface;
a joint provided between the ceramic dielectric substrate and the base plate;
A gas introduction path penetrating through the ceramic dielectric substrate, the base plate and the joint, the gas introducing passage comprising: a first hole positioned in the ceramic dielectric substrate; a second hole positioned in the base plate; and the joint a gas introduction path having a third hole located at
a counterbored portion provided in the first hole or the second hole;
a ceramic porous portion having a first surface on the side of the third hole portion and a second surface opposite to the first surface, the ceramic porous portion being provided in the counterbored portion;
an elastic body provided facing the end of the joint portion on the third hole side;
with
When the direction from the base plate to the ceramic dielectric substrate is defined as a first direction, and the direction perpendicular to the first direction is defined as a second direction, the ceramic porous portion is a first ceramic body having the first surface. a second ceramic portion having said second face; and a third ceramic portion located between said first ceramic portion and said second ceramic portion in said first direction;
the length of the first ceramic portion along the second direction is shorter than the length of the third ceramic portion along the second direction;
When viewed from the second direction, the first surface overlaps the joint portion and the elastic body,
at least a portion of the elastic body overlaps the third ceramic portion in the first direction;
The electrostatic chuck, wherein the elastic body is in contact with at least one of the first ceramic portion and the third ceramic portion.
前記側面は、前記第1面側の第1側部と、前記第2面側の第2側部と、前記第1側部と前記第2側部との間の第3側部と、を有し、
前記第1側部のうちの少なくとも前記第1面と接する領域に前記第1方向に対して傾斜する第1傾斜部が設けられ、
前記セラミック多孔質部は、前記第1傾斜部において前記弾性体と接する、請求項10に記載の静電チャック。 The ceramic porous portion has a side surface connecting the first surface and the second surface,
The side surface includes a first side portion on the first surface side, a second side portion on the second surface side, and a third side portion between the first side portion and the second side portion. have
A first inclined portion that is inclined with respect to the first direction is provided in a region of the first side portion that is in contact with at least the first surface,
11. The electrostatic chuck according to claim 10, wherein said ceramic porous portion is in contact with said elastic body at said first inclined portion.
前記弾性体は、前記延在面と接する、請求項10に記載の静電チャック。 the third ceramic portion has an extended surface extending along the second direction;
11. The electrostatic chuck according to claim 10, wherein said elastic body is in contact with said extension surface.
前記緻密部は、前記多孔部の外周を覆うように配置されており、
前記弾性体は、前記緻密部に接する、請求項10~12のいずれか1つに記載の静電チャック。 The ceramic porous portion has a porous portion having gas permeability and a dense portion denser than the porous portion,
The dense portion is arranged so as to cover the outer circumference of the porous portion,
The electrostatic chuck according to any one of claims 10 to 12, wherein said elastic body is in contact with said dense portion.
前記静電チャックに設けられたガス導入路にガスを供給可能な供給部と、
を備えたことを特徴とする処理装置。 an electrostatic chuck according to any one of claims 10 to 12;
a supply unit capable of supplying gas to the gas introduction path provided in the electrostatic chuck;
A processing device comprising:
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2022
- 2022-07-15 JP JP2022114206A patent/JP2023035855A/en active Pending
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