JP2023034044A - Method for manufacturing laminate, method for forming curing pattern, laminate and photosensitive composition - Google Patents

Method for manufacturing laminate, method for forming curing pattern, laminate and photosensitive composition Download PDF

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正宏 増島
Masahiro Masujima
憲一 山形
Kenichi Yamagata
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Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
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Abstract

To provide a method for manufacturing a laminate which can be formed into a resin cured film that enables a high aspect of a pattern and is less likely to be peeled from a support, and a photosensitive composition which is useful as a material forming the lowest layer of the laminate.SOLUTION: A method for manufacturing a laminate 10 includes the steps of forming a first resist layer 11 on a support 20 using a first photosensitive composition, and forming a second resist layer 12 on the first resist layer 11 using a second photosensitive composition, wherein a photosensitive composition having sensitivity higher than that of the second photosensitive composition is used as the first photosensitive composition. The first photosensitive composition contains a polyfunctional aromatic epoxy compound, an optical acid generator, and an alicyclic epoxy compound.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、積層体の製造方法、硬化パターン形成方法、積層体及び感光性組成物に関する。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for producing a laminate, a method for forming a cured pattern, a laminate, and a photosensitive composition.

電気電子回路の受動素子の一つであるインダクタとして、樹脂硬化膜からなる絶縁部と、銅などのめっき層からなるコイルパターンと、を有する巻線型インダクタが利用されている。
図5は、巻線型インダクタの一例を示す一部断面図である。図5に示す巻線型インダクタ200は、支持体20上に形成されたコイル形状の硬化パターン120と、硬化パターン120のスペースを埋めるめっき層30とからなる。
巻線型インダクタは、支持体上にレジスト層を形成し、このレジスト層に対してフォトマスクを介して選択的に露光し、現像した後に硬化させて、絶縁部となるコイル形状の硬化パターン(樹脂硬化膜)を形成し、次いで、この絶縁部間にめっきを施すことにより製造される。
2. Description of the Related Art As an inductor, which is one of the passive elements of electric and electronic circuits, a wire-wound inductor having an insulating portion made of a cured resin film and a coil pattern made of a plated layer of copper or the like is used.
FIG. 5 is a partial cross-sectional view showing an example of a wire-wound inductor. A wire-wound inductor 200 shown in FIG. 5 comprises a coil-shaped hardening pattern 120 formed on a support 20 and a plating layer 30 filling a space in the hardening pattern 120 .
A wire-wound inductor is made by forming a resist layer on a support, selectively exposing the resist layer through a photomask, developing it, and then curing it to form a coil-shaped cured pattern (resin It is produced by forming a hardened film) and then plating between the insulating portions.

巻線型インダクタの製造に関する技術としては、従来、第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上に形成され、スパイラル状に巻回されたコイルパターンと、前記第1の絶縁層上に形成され、前記コイルパターンに沿って配置された層内絶縁パターンと、前記コイルパターン及び前記層内絶縁パターンを覆う第2の絶縁層と、を備えたコイル部品の製造方法が提案されている(特許文献1、2参照)。 Conventionally, as a technique for manufacturing a wire-wound inductor, a first insulating layer, a spirally wound coil pattern formed on the first insulating layer, and a coil pattern formed on the first insulating layer and a method of manufacturing a coil component including an in-layer insulating pattern arranged along the coil pattern and a second insulating layer covering the coil pattern and the in-layer insulating pattern (Patent References 1 and 2).

特開2020-136466号公報JP 2020-136466 A 特開2020-136467号公報JP 2020-136467 A

近年、電気電子部品の多機能化が進み、インダクタにおいては、小型化及び電流容量維持が求められる。かかる要求に応えるためには、インダクタを構成する絶縁部の微細化が必要である。しかしながら、絶縁部の微細化に伴い、絶縁部を形成する硬化パターン(樹脂硬化膜)のアスペクト比が大きくなり、樹脂硬化膜と支持体との接する面積が狭くなる。これに対して、従来の製造方法では、支持体から樹脂硬化膜が剥がれやすく、短絡が起こるおそれがある。 2. Description of the Related Art In recent years, electrical and electronic components have become multi-functional, and inductors are required to be small and maintain current capacity. In order to meet such demands, it is necessary to miniaturize the insulating portion that constitutes the inductor. However, with the miniaturization of the insulating portion, the aspect ratio of the cured pattern (cured resin film) forming the insulating portion increases, and the contact area between the cured resin film and the support decreases. On the other hand, in the conventional manufacturing method, the cured resin film is easily peeled off from the support, which may cause short circuit.

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、パターンの高アスペクト化が図れ、かつ、支持体から剥がれにくい樹脂硬化膜となり得る積層体及びその製造方法、並びに、当該積層体の最下層を形成する材料として有用な感光性組成物、及び硬化パターンを提供することを課題とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and a laminate that can achieve a high aspect ratio of the pattern and can be a cured resin film that is difficult to peel off from the support, a method for producing the same, and the lowest layer of the laminate It is an object to provide a photosensitive composition useful as a material for forming a and a cured pattern.

本発明者らは、検討により、巻線型インダクタの絶縁部となるコイル形状の硬化パターン(樹脂硬化膜)を形成するに際し、第1のレジスト層と第2のレジスト層との積層体を活用し、支持体と接する第1のレジスト層の材料である第1の感光性組成物の感度を、第1のレジスト層に隣接する第2のレジスト層の材料である第2の感光性組成物の感度よりも高くすることで、支持体と第1のレジスト層との密着性が高められて、支持体からの樹脂硬化膜の剥がれ、硬化パターンの倒れが抑制されることを見出し、本発明を完成するに至った。
上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。
The inventors of the present invention have found, through investigation, that a laminate of a first resist layer and a second resist layer is utilized when forming a coil-shaped cured pattern (resin cured film) that serves as an insulating portion of a wire-wound inductor. , the sensitivity of the first photosensitive composition which is the material of the first resist layer in contact with the support, the sensitivity of the second photosensitive composition which is the material of the second resist layer adjacent to the first resist layer By making the sensitivity higher than the sensitivity, the adhesion between the support and the first resist layer is enhanced, and peeling of the cured resin film from the support and collapse of the cured pattern are suppressed. Completed.
In order to solve the above problems, the present invention employs the following configurations.

すなわち、本発明の第1の態様は、支持体上に、第1の感光性組成物を用いて第1のレジスト層を形成する工程と、前記第1のレジスト層上に、第2の感光性組成物を用いて第2のレジスト層を形成する工程と、を有する、積層体の製造方法であって、前記第1の感光性組成物として、前記第2の感光性組成物に比べて高い感度を持つ感光性組成物を用いることを特徴とする、積層体の製造方法である。 That is, the first aspect of the present invention comprises the steps of forming a first resist layer on a support using a first photosensitive composition, and forming a second photosensitive composition on the first resist layer. and forming a second resist layer using a photosensitive composition, wherein the first photosensitive composition is compared with the second photosensitive composition. A method for producing a laminate, characterized by using a photosensitive composition having high sensitivity.

本発明の第2の態様は、前記第1の態様に係る積層体の製造方法により製造された積層体を露光する工程と、前記露光後の積層体を現像して、レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを硬化させて硬化パターンを得る工程と、を有することを特徴とする、硬化パターン形成方法である。 A second aspect of the present invention includes a step of exposing the laminate manufactured by the laminate manufacturing method according to the first aspect, and a step of developing the exposed laminate to form a resist pattern. and a step of curing the resist pattern to obtain a cured pattern.

本発明の第3の態様は、第1のレジスト層と第2のレジスト層との積層体であって、前記第1のレジスト層は、多官能芳香族エポキシ化合物と、光酸発生剤と、下記一般式(m1)で表される脂環式エポキシ化合物とを含む層であり、前記第2のレジスト層は、多官能芳香族エポキシ化合物と、光酸発生剤とを含む層(但し、前記脂環式エポキシ化合物を含有するものを除く)であることを特徴とする、積層体である。 A third aspect of the present invention is a laminate of a first resist layer and a second resist layer, wherein the first resist layer comprises a polyfunctional aromatic epoxy compound, a photoacid generator, It is a layer containing an alicyclic epoxy compound represented by the following general formula (m1), and the second resist layer is a layer containing a polyfunctional aromatic epoxy compound and a photoacid generator (provided that the (excluding those containing an alicyclic epoxy compound).

Figure 2023034044000002
[式中、R~R18は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は有機基である。Xは、2価の連結基又は単結合である。]
Figure 2023034044000002
[In the formula, R 1 to R 18 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom or an organic group. X is a divalent linking group or a single bond. ]

本発明の第4の態様は、多官能芳香族エポキシ化合物と、光酸発生剤と、下記一般式(m1)で表される脂環式エポキシ化合物とを含有することを特徴とし、インダクタにおける絶縁部の、支持体と接する層を形成するための感光性組成物である。 A fourth aspect of the present invention is characterized by containing a polyfunctional aromatic epoxy compound, a photoacid generator, and an alicyclic epoxy compound represented by the following general formula (m1): It is a photosensitive composition for forming the layer in contact with the support.

Figure 2023034044000003
[式中、R~R18は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は有機基である。Xは、2価の連結基又は単結合である。]
Figure 2023034044000003
[In the formula, R 1 to R 18 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom or an organic group. X is a divalent linking group or a single bond. ]

本発明によれば、パターンの高アスペクト化が図れ、かつ、支持体から剥がれにくい樹脂硬化膜となり得る積層体及びその製造方法、並びに、当該積層体の最下層を形成する材料として有用な感光性組成物、及び硬化パターンを提供することができる。 According to the present invention, a laminate that can achieve a high aspect ratio of a pattern and can be a cured resin film that is difficult to peel off from a support, a method for producing the same, and a photosensitive material useful as a material for forming the bottom layer of the laminate Compositions and cure patterns can be provided.

支持体20上に形成された積層体10の一実施形態を示す断面図である。1 is a cross-sectional view showing one embodiment of a laminate 10 formed on a support 20; FIG. 支持体20上に形成された積層体10を露光する工程(iv)を説明するための模式図である。4 is a schematic diagram for explaining a step (iv) of exposing the laminate 10 formed on the support 20. FIG. 露光後の積層体10を現像して、レジストパターン110を形成する工程(v)を説明するための模式図である。FIG. 10 is a schematic diagram for explaining a step (v) of developing the exposed laminate 10 to form a resist pattern 110. FIG. レジストパターン110を硬化させて、樹脂硬化膜10cからなる硬化パターン120を得る工程(vi)を説明するための模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram for explaining a step (vi) of curing a resist pattern 110 to obtain a cured pattern 120 composed of a cured resin film 10c; 巻線型インダクタの一例を示す一部断面図である。1 is a partial cross-sectional view showing an example of a wire-wound inductor; FIG.

本明細書及び本特許請求の範囲において、「脂肪族」とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、芳香族性を持たない化合物等を意味するものと定義する。
「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の1価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。
「アルキレン基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の2価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「ハロゲン化アルキル基」は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
「フッ素化アルキル基」は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基をいう。
「構成単位」とは、高分子化合物(樹脂、重合体、共重合体)を構成するモノマー単位(単量体単位)を意味する。
「置換基を有していてもよい」と記載する場合、水素原子(-H)を1価の基で置換する場合と、メチレン基(-CH-)を2価の基で置換する場合と、の両方を含む。
「露光」は、放射線の照射全般を含む概念とする。
In the present specification and claims, the term "aliphatic" is a concept relative to aromatics, meaning groups having no aromaticity, compounds having no aromaticity, etc. Define.
"Alkyl group" includes linear, branched and cyclic monovalent saturated hydrocarbon groups unless otherwise specified. The same applies to the alkyl group in the alkoxy group.
Unless otherwise specified, the "alkylene group" includes straight-chain, branched-chain and cyclic divalent saturated hydrocarbon groups.
A "halogenated alkyl group" is a group in which some or all of the hydrogen atoms of an alkyl group are substituted with halogen atoms, and the halogen atoms include fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms.
A "fluorinated alkyl group" refers to a group in which some or all of the hydrogen atoms in an alkyl group have been substituted with fluorine atoms.
A "structural unit" means a monomer unit (monomeric unit) that constitutes a polymer compound (resin, polymer, copolymer).
When describing "optionally having a substituent", when replacing a hydrogen atom (-H) with a monovalent group, and when replacing a methylene group (-CH 2 -) with a divalent group and both.
“Exposure” is a concept that includes irradiation of radiation in general.

本発明は、インダクタにおける絶縁部を構成し得る、硬化パターンの最下層(支持体と接する層)を形成するための感光性材料に特徴があり、当該最下層以外の構成については公知の技術を適用できる。
図1~4は、インダクタにおける絶縁部を構成する硬化パターンの形成プロセスの一実施形態を説明するための模式図である。
以下、添付の図面を参照しながら、硬化パターンの形成プロセスについて説明する。
なお、図面では、各構成要素を見やすくするため、構成要素を模式的に示している場合があり、構成要素によっては寸法の縮尺を異ならせて示すこともある。
The present invention is characterized by a photosensitive material for forming the bottom layer of the cured pattern (the layer in contact with the support), which can constitute the insulating portion of the inductor, and known techniques can be used for the configuration of layers other than the bottom layer. Applicable.
1 to 4 are schematic diagrams for explaining an embodiment of a process for forming a cured pattern that constitutes an insulating portion in an inductor.
The process of forming a cured pattern will now be described with reference to the accompanying drawings.
In the drawings, in order to make each component easy to see, the component may be shown schematically, and depending on the component, the scale of the dimensions may be changed.

(積層体の製造方法)
本発明の第1の態様は、支持体上に、第1の感光性組成物を用いて第1のレジスト層を形成する工程と、前記第1のレジスト層上に、第2の感光性組成物を用いて第2のレジスト層を形成する工程と、を有する、積層体の製造方法である。かかる積層体の製造方法においては、前記第1の感光性組成物として、前記第2の感光性組成物に比べて高い感度を持つ感光性組成物を用いることを特徴とする。
(Laminate manufacturing method)
A first aspect of the present invention comprises a step of forming a first resist layer on a support using a first photosensitive composition, and a second photosensitive composition on the first resist layer. and forming a second resist layer using a material. In such a laminate manufacturing method, a photosensitive composition having higher sensitivity than the second photosensitive composition is used as the first photosensitive composition.

かかる積層体の製造方法の一実施形態として、例えば図1に示す積層体10の製造方法について説明する。
図1は、支持体20上に形成された積層体10の一実施形態を示す断面図である。
積層体10は、支持体20と接する第1のレジスト層11と、第2のレジスト層12と、第3のレジスト層13と、第4のレジスト層14とがこの順に積層したものである。
As one embodiment of the method for manufacturing such a laminate, for example, a method for manufacturing the laminate 10 shown in FIG. 1 will be described.
FIG. 1 is a cross-sectional view showing one embodiment of a laminate 10 formed on a support 20. As shown in FIG.
The laminate 10 is formed by laminating a first resist layer 11 in contact with a support 20, a second resist layer 12, a third resist layer 13, and a fourth resist layer 14 in this order.

積層体10は、支持体20上に、第1の感光性組成物を用いて第1のレジスト層11を形成する工程(i)と、第1のレジスト層11上に、第2の感光性組成物を用いて第2のレジスト層12を形成する工程(ii)と、第2のレジスト層12上に、第3のレジスト層13及び第4のレジスト層14をこの順に形成する工程(iii)と、を有する製造方法により製造することができる。
以下、工程(i)~(iii)の各工程について説明する。第1の感光性組成物及び第2の感光性組成物の詳細については後述する。
The layered product 10 is produced by a step (i) of forming a first resist layer 11 on a support 20 using a first photosensitive composition, and a second photosensitive composition on the first resist layer 11 . Step (ii) of forming a second resist layer 12 using the composition, and step (iii) of forming a third resist layer 13 and a fourth resist layer 14 on the second resist layer 12 in this order. ), and can be manufactured by a manufacturing method having.
Each of steps (i) to (iii) will be described below. Details of the first photosensitive composition and the second photosensitive composition will be described later.

<工程(i)>
工程(i)では、支持体20上に、第1の感光性組成物を用いて第1のレジスト層11を形成する。本実施形態において、第1の感光性組成物には、後述の工程(ii)で使用する第2の感光性組成物に比べて高い感度を持つ感光性組成物を用いる。
支持体20上に第1のレジスト層11を形成する方法としては、例えば、溶液状態の第1の感光性組成物を支持体上に塗布してプレベーク(PAB)処理を行う方法でもよいし、膜(フィルム)形状の第1の感光性組成物と支持体とをラミネートする方法でもよい。
<Step (i)>
In step (i), a first resist layer 11 is formed on a support 20 using a first photosensitive composition. In this embodiment, the first photosensitive composition is a photosensitive composition having higher sensitivity than the second photosensitive composition used in step (ii) described below.
The method of forming the first resist layer 11 on the support 20 may be, for example, a method of applying the first photosensitive composition in a solution state onto the support and pre-baking (PAB) treatment. A method of laminating the film-shaped first photosensitive composition and a support may also be used.

溶液状態の第1の感光性組成物を用いる場合、まず、支持体20上に、溶液状態の第1の感光性組成物を、スピンコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法等の公知の方法で塗布し、ベーク(ポストアプライベーク(PAB))処理を、例えば50~150℃の温度条件にて2~60分間施すことにより、支持体20上に第1のレジスト層11(感光性樹脂膜)を形成する。 When using the first photosensitive composition in a solution state, first, the first photosensitive composition in a solution state is applied onto the support 20 by a known method such as a spin coating method, a roll coating method, or a screen printing method. and bake (post-apply bake (PAB)) treatment at a temperature of, for example, 50 to 150° C. for 2 to 60 minutes to form the first resist layer 11 (photosensitive resin film) on the support 20. ).

膜(フィルム)形状の第1の感光性組成物を用いる場合、上記と同様にして感光性樹脂膜を基材フィルム上に予め形成した積層フィルム(1)を、感光性樹脂膜と支持体20とが隣接するようにラミネートすることにより、支持体20上に第1のレジスト層11(感光性樹脂膜)を形成する。
第1の感光性組成物を用いた感光性樹脂膜と支持体20とをラミネートする際の条件については、例えば温度30~100℃、圧力0.1~0.5MPa、加工速度0.2~1.0m/minとすることが好適である。
When the first photosensitive composition in the form of a film is used, a laminated film (1) in which a photosensitive resin film is previously formed on a base film in the same manner as described above is laminated with the photosensitive resin film and the support 20. A first resist layer 11 (photosensitive resin film) is formed on the support 20 by laminating so that the .
The conditions for laminating the photosensitive resin film using the first photosensitive composition and the support 20 are, for example, a temperature of 30 to 100° C., a pressure of 0.1 to 0.5 MPa, and a processing speed of 0.2 to 0.2. 1.0 m/min is preferable.

第1のレジスト層11(感光性樹脂膜)の厚さは、50μm以下が好ましく、より好ましくは5~50μmであり、さらに好ましくは10~40μmである。 The thickness of the first resist layer 11 (photosensitive resin film) is preferably 50 μm or less, more preferably 5 to 50 μm, still more preferably 10 to 40 μm.

前記積層フィルム(1)を構成する基材フィルムとしては、公知のものを使用でき、例えば熱可塑性樹脂フィルム等が用いられる。この熱可塑性樹脂としては、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステルが挙げられる。基材フィルムの厚さは、好ましくは2~150μmである。 As the base film constituting the laminate film (1), a known one can be used, and for example, a thermoplastic resin film or the like is used. The thermoplastic resin includes polyester such as polyethylene terephthalate. The thickness of the base film is preferably 2-150 μm.

支持体20としては、従来公知のものを用いることができ、例えば、電子部品用の基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの等が挙げられる。
電子部品用の基板として、より具体的には、シリコン、窒化シリコン、チタン、タンタル、タンタル酸リチウム(LiTaO)、ニオブ、ニオブ酸リチウム(LiNbO)、パラジウム、チタンタングステン、銅、クロム、鉄、アルミニウムなどの金属製の基板や、ガラス基板等が挙げられる。
配線パターンの材料としては、例えば銅、アルミニウム、ニッケル、金等が挙げられる。
また、支持体20としては、上記のような基板上に、有機材料の膜が設けられたものであってもよい。有機材料の膜としては、有機反射防止膜(有機BARC)や、多層レジスト法における下層有機膜等の有機膜が挙げられる。
また、支持体20としては、上記のような基板に、熱硬化性樹脂を含浸させたもの(熱硬化性樹脂を含む基板)であってもよい。ここでの熱硬化性樹脂としては、ビスマレイミドトリアジン樹脂などが挙げられる。
本実施形態における支持体20には、耐熱性、電気特性、加工しやすさ、コスト等の点から、熱硬化性樹脂を含む基板を備えるものを用いることが好ましく、ビスマレイミドトリアジン樹脂を含む基板を備えるものを用いることがより好ましい。
As the support 20, a conventionally known one can be used.
More specifically, substrates for electronic components include silicon, silicon nitride, titanium, tantalum, lithium tantalate (LiTaO 3 ), niobium, lithium niobate (LiNbO 3 ), palladium, titanium tungsten, copper, chromium, and iron. , metal substrates such as aluminum, glass substrates, and the like.
Materials for the wiring pattern include, for example, copper, aluminum, nickel, and gold.
Further, the support 20 may be one in which an organic material film is provided on the substrate as described above. Examples of organic material films include organic antireflection coatings (organic BARC) and organic films such as lower layer organic films in multilayer resist methods.
Further, the support 20 may be a substrate as described above impregnated with a thermosetting resin (a substrate containing a thermosetting resin). A bismaleimide triazine resin etc. are mentioned as a thermosetting resin here.
From the viewpoints of heat resistance, electrical properties, ease of processing, cost, etc., the support 20 in the present embodiment preferably includes a substrate containing a thermosetting resin, and a substrate containing a bismaleimide triazine resin. is more preferably used.

<工程(ii)>
工程(ii)では、第1のレジスト層11上に、第2の感光性組成物を用いて第2のレジスト層12を形成する。本実施形態において、第2の感光性組成物には、第1の感光性組成物に比べて低い感度を持つ感光性組成物を用いる。
第1のレジスト層11上に第2のレジスト層12を形成する方法としては、膜(フィルム)形状の第2の感光性組成物と、第1のレジスト層11とをラミネートする方法が挙げられる。
膜(フィルム)形状の第2の感光性組成物を用い、上記と同様にして感光性樹脂膜を基材フィルム上に予め形成した積層フィルム(2)を、第2の感光性組成物を用いた感光性樹脂膜と第1のレジスト層11とが隣接するようにラミネートすることにより、第1のレジスト層11上に第2のレジスト層12を形成する。
第2の感光性組成物を用いた感光性樹脂膜と、第1のレジスト層11とをラミネートする際の条件については、例えば温度30~100℃、圧力0.1~0.5MPa、加工速度0.2~1.0m/minとすることが好適である。
<Step (ii)>
In step (ii), a second resist layer 12 is formed on the first resist layer 11 using a second photosensitive composition. In the present embodiment, a photosensitive composition having lower sensitivity than the first photosensitive composition is used for the second photosensitive composition.
A method of forming the second resist layer 12 on the first resist layer 11 includes a method of laminating the second photosensitive composition in the form of a film and the first resist layer 11. .
Using the second photosensitive composition in the form of a film, a laminated film (2) in which a photosensitive resin film is formed in advance on a base film in the same manner as described above, is prepared using the second photosensitive composition. A second resist layer 12 is formed on the first resist layer 11 by laminating the photosensitive resin film and the first resist layer 11 so that they are adjacent to each other.
The conditions for laminating the photosensitive resin film using the second photosensitive composition and the first resist layer 11 are, for example, a temperature of 30 to 100° C., a pressure of 0.1 to 0.5 MPa, and a processing speed. It is preferable to set it to 0.2 to 1.0 m/min.

第2のレジスト層12(感光性樹脂膜)の厚さは、80μm以下が好ましく、より好ましくは40~80μmであり、さらに好ましくは50~70μmである。 The thickness of the second resist layer 12 (photosensitive resin film) is preferably 80 μm or less, more preferably 40 to 80 μm, still more preferably 50 to 70 μm.

前記積層フィルム(2)を構成する基材フィルムとしては、公知のものを使用でき、例えば熱可塑性樹脂フィルム等が用いられる。この熱可塑性樹脂としては、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステルが挙げられる。基材フィルムの厚さは、好ましくは2~150μmである。 As the base film constituting the laminate film (2), a known one can be used, and for example, a thermoplastic resin film or the like is used. The thermoplastic resin includes polyester such as polyethylene terephthalate. The thickness of the base film is preferably 2-150 μm.

<工程(iii)>
工程(iii)では、第2のレジスト層12上に、第3のレジスト層13及び第4のレジスト層14をこの順に形成する。
第3の感光性組成物、第4の感光性組成物には、それぞれ、前記工程(ii)で使用する第2の感光性組成物と同じものを用いることができる。
工程(iii)における操作としては、まず、第2のレジスト層12と、膜(フィルム)形状の第3の感光性組成物とをラミネートして、第2のレジスト層12上に第3のレジスト層13を形成する。次いで、第3のレジスト層13と、膜(フィルム)形状の第4の感光性組成物とをラミネートして、第3のレジスト層13上に第4のレジスト層14を形成する。
<Step (iii)>
In step (iii), a third resist layer 13 and a fourth resist layer 14 are formed in this order on the second resist layer 12 .
As the third photosensitive composition and the fourth photosensitive composition, the same composition as the second photosensitive composition used in the step (ii) can be used.
As the operation in step (iii), first, the second resist layer 12 and a film-shaped third photosensitive composition are laminated, and a third resist is formed on the second resist layer 12. A layer 13 is formed. Next, the third resist layer 13 and a film-shaped fourth photosensitive composition are laminated to form a fourth resist layer 14 on the third resist layer 13 .

第3のレジスト層13を形成する際のラミネート条件、第4のレジスト層14を形成する際のラミネート条件については、それぞれ、第2のレジスト層12を形成する際の条件と同様である。
第3のレジスト層13(感光性樹脂膜)の厚さは、80μm以下が好ましく、より好ましくは40~80μmであり、さらに好ましくは50~70μmである。
第4のレジスト層14(感光性樹脂膜)の厚さは、80μm以下が好ましく、より好ましくは40~80μmであり、さらに好ましくは50~70μmである。
The lamination conditions for forming the third resist layer 13 and the lamination conditions for forming the fourth resist layer 14 are the same as the conditions for forming the second resist layer 12 .
The thickness of the third resist layer 13 (photosensitive resin film) is preferably 80 μm or less, more preferably 40 to 80 μm, still more preferably 50 to 70 μm.
The thickness of the fourth resist layer 14 (photosensitive resin film) is preferably 80 μm or less, more preferably 40 to 80 μm, still more preferably 50 to 70 μm.

次いで、支持体20上に積層した第1から第4のレジスト層に対し、必要に応じてベーク(ポストアプライベーク(PAB))処理を、例えば30~50℃の温度条件にて20~60分間施す。
以上により、第1のレジスト層11と、第2のレジスト層12と、第3のレジスト層13と、第4のレジスト層14と、がこの順に積層した積層体10を、支持体20上に製造することができる。
Next, the first to fourth resist layers laminated on the support 20 are subjected to baking (post-apply bake (PAB)) treatment, for example, at a temperature of 30 to 50° C. for 20 to 60 minutes, if necessary. Apply.
As described above, the laminate 10 in which the first resist layer 11, the second resist layer 12, the third resist layer 13, and the fourth resist layer 14 are laminated in this order is formed on the support 20. can be manufactured.

積層体10について:
上述した工程(i)、工程(ii)及び工程(iii)を有する製造方法により製造された積層体10は、4層のレジスト層が積層したものである。
図1において、支持体20表面からの積層体10の高さ、すなわち、4層のレジスト層全体の厚さは、例えば60~260μmである。
About laminate 10:
The laminated body 10 manufactured by the manufacturing method having the steps (i), (ii), and (iii) described above is a laminate of four resist layers.
In FIG. 1, the height of the laminate 10 from the surface of the support 20, that is, the total thickness of the four resist layers is, for example, 60 to 260 μm.

<感光性組成物>
本実施形態の積層体の製造方法においては、前記第1の感光性組成物として、前記第2の感光性組成物に比べて高い感度を持つ感光性組成物を用いることを特徴とする。
<Photosensitive composition>
In the method for producing a laminate according to the present embodiment, a photosensitive composition having higher sensitivity than the second photosensitive composition is used as the first photosensitive composition.

「第2の感光性組成物に比べて高い感度を持つ感光性組成物」とは、各感光性組成物を用いてそれぞれ、同一の条件でレジストパターンを形成した際、ターゲットとする所定形状のレジストパターンが形成される最適露光量Eop(mJ/cm)が、第2の感光性組成物を用いた場合の最適露光量Eopに比べて少ない値を示す感光性組成物をいう。 "A photosensitive composition having higher sensitivity than the second photosensitive composition" means that when a resist pattern is formed under the same conditions using each photosensitive composition, a predetermined shape as a target is obtained. A photosensitive composition in which the optimum exposure dose Eop (mJ/cm 2 ) for forming a resist pattern is smaller than the optimum exposure dose Eop when the second photosensitive composition is used.

例えばターゲットサイズをライン幅20μm/スペース幅50μmとしたラインアンドスペースパターン(LSパターン)の形成を試みる際、厚さ25μmの感光性樹脂膜に対して、ghi線を照射し、90℃で5分間の露光後加熱を行った場合で、第1の感光性組成物の最適露光量Eop(1)と、第2の感光性組成物の最適露光量Eop(2)との差(Eop(2)-Eop(1))は、好ましくは10(mJ/cm)以上であり、より好ましくは30(mJ/cm)以上であり、さらに好ましくは50~100(mJ/cm)である。
前記の差(Eop(2)-Eop(1))が、好ましい範囲の下限値以上であれば、支持体と第1のレジスト層との密着性が強まり、支持体から剥がれにくい積層体が製造されやすくなる。
For example, when attempting to form a line-and-space pattern (LS pattern) with a target size of 20 μm line width/50 μm space width, a photosensitive resin film having a thickness of 25 μm is irradiated with ghi rays and heated at 90° C. for 5 minutes. The difference between the optimum exposure amount Eop (1) of the first photosensitive composition and the optimum exposure amount Eop (2) of the second photosensitive composition (Eop (2) -Eop(1)) is preferably 10 (mJ/cm 2 ) or more, more preferably 30 (mJ/cm 2 ) or more, still more preferably 50 to 100 (mJ/cm 2 ).
If the difference (Eop(2)-Eop(1)) is equal to or greater than the lower limit of the preferred range, the adhesion between the support and the first resist layer is strengthened, and a laminate that is difficult to peel off from the support is produced. easier to be

レジストパターンを形成する際に感度が異なる感光性組成物としては、露光における放射線の吸収性が相違する組成物を組み合わせて用いること、又は樹脂成分の重合速度が相違する組成物を組み合わせて用いることが好ましい。 As the photosensitive compositions having different sensitivities when forming a resist pattern, it is possible to use a combination of compositions having different radiation absorption in exposure, or a combination of compositions having different polymerization rates of resin components. is preferred.

以下、樹脂成分の重合速度が相違する組成物の組合せの一例、すなわち、第1の感光性組成物として感光性組成物(R1)と、第2の感光性組成物として感光性組成物(R2)との組合せについて説明する。
感光性組成物(R1)と感光性組成物(R2)とは、一般式(m1)で表される脂環式エポキシ化合物を含有するか否か、の点で異なる。
Hereinafter, an example of a combination of compositions in which the polymerization rate of the resin component is different, that is, a photosensitive composition (R1) as the first photosensitive composition and a photosensitive composition (R2) as the second photosensitive composition ) will be explained.
The photosensitive composition (R1) and the photosensitive composition (R2) differ in whether they contain an alicyclic epoxy compound represented by general formula (m1).

≪感光性組成物(R1)≫
第1の感光性組成物の一実施形態として、多官能芳香族エポキシ化合物と、光酸発生剤と、下記一般式(m1)で表される脂環式エポキシ化合物と、を含有する感光性組成物(R1)が挙げられる。
この感光性組成物(R1)は、一般式(m1)で表される脂環式エポキシ化合物を含有するため、樹脂成分の重合速度が高められて、レジストパターンを形成する際に高感度化が図られる。
<<Photosensitive composition (R1)>>
As an embodiment of the first photosensitive composition, a photosensitive composition containing a polyfunctional aromatic epoxy compound, a photoacid generator, and an alicyclic epoxy compound represented by the following general formula (m1): (R1).
Since this photosensitive composition (R1) contains the alicyclic epoxy compound represented by the general formula (m1), the polymerization rate of the resin component is increased, and the sensitivity is increased when forming a resist pattern. planned.

第1の感光性組成物の一実施形態である感光性組成物(R1)は、多官能芳香族エポキシ化合物(以下「(A)成分」ともいう)と、光酸発生剤(以下「(I)成分」ともいう)と、下記一般式(m1)で表される脂環式エポキシ化合物(以下「(m1)成分」ともいう)と、を含有する。
かかる感光性組成物(R1)を用いて感光性樹脂膜(レジスト層)を形成し、該感光性樹脂膜に対して選択的に露光を行うと、該感光性樹脂膜の露光部では、(I)成分から酸が発生し、該酸の作用により(A)成分中のエポキシ基が開環重合して、有機溶剤を含有する現像液に対する該感光性樹脂膜の溶解性が減少する一方で、該感光性樹脂膜の未露光部では、有機溶剤を含有する現像液に対する該感光性樹脂膜の溶解性が変化しないため、該感光性樹脂膜の露光部と未露光部との間で、有機溶剤を含有する現像液に対する溶解性の差が生じる。そのため、該感光性樹脂膜を、有機溶剤を含有する現像液で現像すると、未露光部が溶解除去されて、ネガ型のパターンが形成される。
The photosensitive composition (R1), which is one embodiment of the first photosensitive composition, comprises a polyfunctional aromatic epoxy compound (hereinafter also referred to as “(A) component”) and a photoacid generator (hereinafter “(I ) component”) and an alicyclic epoxy compound represented by the following general formula (m1) (hereinafter also referred to as “(m1) component”).
When a photosensitive resin film (resist layer) is formed using such a photosensitive composition (R1), and the photosensitive resin film is selectively exposed to light, ( Acid is generated from component I), and the action of the acid causes ring-opening polymerization of epoxy groups in component (A), reducing the solubility of the photosensitive resin film in a developer containing an organic solvent. , in the unexposed area of the photosensitive resin film, since the solubility of the photosensitive resin film in a developer containing an organic solvent does not change, between the exposed area and the unexposed area of the photosensitive resin film, There is a difference in solubility in developers containing organic solvents. Therefore, when the photosensitive resin film is developed with a developer containing an organic solvent, the unexposed portion is dissolved and removed to form a negative pattern.

多官能芳香族エポキシ化合物((A)成分)について:
(A)成分は、露光によってネガ型のパターンを形成するのに充分なエポキシ基を1分子中に有する化合物が挙げられる。
本実施形態の感光性組成物(R1)で用いられる(A)成分としては、ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂が挙げられる。
Regarding the polyfunctional aromatic epoxy compound (component (A)):
Component (A) includes a compound having sufficient epoxy groups in one molecule to form a negative pattern by exposure.
The component (A) used in the photosensitive composition (R1) of the present embodiment includes novolac epoxy resins and bisphenol epoxy resins.

≪ノボラック型エポキシ樹脂≫
ノボラック型エポキシ樹脂(以下「(A1)成分」ともいう)としては、下記一般式(anv0)で表されるエポキシ樹脂が好適に挙げられる。
≪Novolac type epoxy resin≫
As the novolak-type epoxy resin (hereinafter also referred to as "component (A1)"), epoxy resins represented by the following general formula (anv0) are suitable.

Figure 2023034044000004
[式中、Rp1及びRp2は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素原子数1~5のアルキル基である。複数のRp1は、互いに同一であってもよく異なっていてもよい。複数のRp2は、互いに同一であってもよく異なっていてもよい。nは、1~5の整数である。REPは、エポキシ基含有基である。複数のREPは、互いに同一であってもよく異なっていてもよい。]
Figure 2023034044000004
[In the formula, R p1 and R p2 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. A plurality of R p1 may be the same or different from each other. A plurality of R p2 may be the same or different from each other. n 1 is an integer from 1 to 5; REP is an epoxy group-containing group. Multiple REPs may be the same or different. ]

前記式(anv0)中、Rp1、Rp2の炭素原子数1~5のアルキル基は、例えば炭素原子数1~5の直鎖状、分岐鎖状、又は環状のアルキル基である。直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。環状のアルキル基としては、シクロブチル基、シクロペンチル基等が挙げられる。
なかでもRp1、Rp2としては、水素原子又は直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基が好ましく、水素原子又は直鎖状のアルキル基がより好ましく、水素原子又はメチル基が特に好ましい。
式(anv0)中、複数のRp1は、互いに同一であってもよく異なっていてもよい。複数のRp2は、互いに同一であってもよく異なっていてもよい。
In the formula (anv0), the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms of R p1 and R p2 is, for example, a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Linear or branched alkyl groups include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group and the like. . A cyclobutyl group, a cyclopentyl group, etc. are mentioned as a cyclic alkyl group.
Among them, R p1 and R p2 are preferably a hydrogen atom or a linear or branched alkyl group, more preferably a hydrogen atom or a linear alkyl group, and particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group.
In formula (anv0), a plurality of R p1 may be the same or different. A plurality of R p2 may be the same or different from each other.

前記式(anv0)中、nは、1~5の整数であり、好ましくは2又は3であり、より好ましくは2である。 In the formula (anv0), n1 is an integer of 1 to 5, preferably 2 or 3, more preferably 2.

前記式(anv0)中、REPは、エポキシ基含有基である。
EPのエポキシ基含有基としては、特に限定されるものではなく、エポキシ基のみからなる基;脂環式エポキシ基のみからなる基;エポキシ基又は脂環式エポキシ基と、2価の連結基とを有する基が挙げられる。
脂環式エポキシ基とは、3員環エーテルであるオキサシクロプロパン構造を有する脂環式基であって、具体的には、脂環式基とオキサシクロプロパン構造とを有する基である。
脂環式エポキシ基の基本骨格となる脂環式基としては、単環であっても多環であってもよい。単環の脂環式基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等が挙げられる。また、多環の脂環式基としては、ノルボルニル基、イソボルニル基、トリシクロノニル基、トリシクロデシル基、テトラシクロドデシル基等が挙げられる。また、これら脂環式基の水素原子は、アルキル基、アルコキシ基、水酸基等で置換されていてもよい。
エポキシ基又は脂環式エポキシ基と、2価の連結基とを有する基の場合、式中の酸素原子(-O-)に結合した2価の連結基を介してエポキシ基又は脂環式エポキシ基が結合することが好ましい。
In the formula (anv0), REP is an epoxy group-containing group.
The epoxy group-containing group of R EP is not particularly limited, and includes a group consisting only of an epoxy group; a group consisting only of an alicyclic epoxy group; an epoxy group or an alicyclic epoxy group and a divalent linking group. and a group having
An alicyclic epoxy group is an alicyclic group having an oxacyclopropane structure which is a three-membered ring ether, and specifically a group having an alicyclic group and an oxacyclopropane structure.
The alicyclic group that forms the basic skeleton of the alicyclic epoxy group may be monocyclic or polycyclic. Examples of monocyclic alicyclic groups include cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, cycloheptyl and cyclooctyl groups. Moreover, a norbornyl group, an isobornyl group, a tricyclononyl group, a tricyclodecyl group, a tetracyclododecyl group etc. are mentioned as a polycyclic alicyclic group. Moreover, the hydrogen atoms of these alicyclic groups may be substituted with an alkyl group, an alkoxy group, a hydroxyl group, or the like.
In the case of a group having an epoxy group or alicyclic epoxy group and a divalent linking group, the epoxy group or alicyclic epoxy It is preferred that the groups are attached.

ここで、2価の連結基としては、特に限定されないが、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基、ヘテロ原子を含む2価の連結基等が好適なものとして挙げられる。 Here, the divalent linking group is not particularly limited, but preferably includes a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, a divalent linking group containing a hetero atom, and the like.

置換基を有していてもよい2価の炭化水素基について:
かかる2価の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であってもよく、芳香族炭化水素基であってもよい。
2価の炭化水素基における脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
該脂肪族炭化水素基として、より具体的には、直鎖状若しくは分岐鎖状の脂肪族炭化水素基、又は構造中に環を含む脂肪族炭化水素基等が挙げられる。
Regarding the optionally substituted divalent hydrocarbon group:
Such a divalent hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group.
The aliphatic hydrocarbon group in the divalent hydrocarbon group may be saturated or unsaturated, and is usually preferably saturated.
More specifically, the aliphatic hydrocarbon group includes a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in its structure, and the like.

前記直鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素原子数が1~10であることが好ましく、1~6がより好ましく、1~4がさらに好ましく、1~3が最も好ましい。直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基[-CH-]、エチレン基[-(CH-]、トリメチレン基[-(CH-]、テトラメチレン基[-(CH-]、ペンタメチレン基[-(CH-]等が挙げられる。
前記分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素原子数が2~10であることが好ましく、2~6がより好ましく、2~4がさらに好ましく、2又は3が最も好ましい。分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、-CH(CH)-、-CH(CHCH)-、-C(CH-、-C(CH)(CHCH)-、-C(CH)(CHCHCH)-、-C(CHCH-等のアルキルメチレン基;-CH(CH)CH-、-CH(CH)CH(CH)-、-C(CHCH-、-CH(CHCH)CH-、-C(CHCH-CH-等のアルキルエチレン基;-CH(CH)CHCH-、-CHCH(CH)CH-等のアルキルトリメチレン基;-CH(CH)CHCHCH-、-CHCH(CH)CHCH-等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素原子数1~5の直鎖状のアルキル基が好ましい。
The linear aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, still more preferably 1 to 4 carbon atoms, and most preferably 1 to 3 carbon atoms. As the straight-chain aliphatic hydrocarbon group, a straight-chain alkylene group is preferable, and specifically, a methylene group [ --CH.sub.2-- ], an ethylene group [--( CH.sub.2 ) .sub.2-- ], a trimethylene group [ -(CH 2 ) 3 -], tetramethylene group [-(CH 2 ) 4 -], pentamethylene group [-(CH 2 ) 5 -] and the like.
The branched chain aliphatic hydrocarbon group preferably has 2 to 10 carbon atoms, more preferably 2 to 6 carbon atoms, still more preferably 2 to 4 carbon atoms, and most preferably 2 or 3 carbon atoms. The branched aliphatic hydrocarbon group is preferably a branched alkylene group, and specifically, -CH(CH 3 )-, -CH(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2- , -C(CH 3 )(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 )(CH 2 CH 2 CH 3 )-, -C(CH 2 CH 3 ) 2 - and other alkylmethylene groups;- CH(CH 3 )CH 2 -, -CH(CH 3 )CH(CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 CH 2 -, -CH(CH 2 CH 3 )CH 2 -, -C(CH 2 Alkylethylene groups such as CH 3 ) 2 -CH 2 -; alkyltrimethylene groups such as -CH(CH 3 )CH 2 CH 2 - and -CH 2 CH(CH 3 )CH 2 -; -CH(CH 3 ) Examples include alkylalkylene groups such as alkyltetramethylene groups such as CH 2 CH 2 CH 2 — and —CH 2 CH(CH 3 )CH 2 CH 2 —. As the alkyl group in the alkylalkylene group, a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferred.

前記構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、脂環式炭化水素基(脂肪族炭化水素環から水素原子を2個除いた基)、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。前記直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、前記と同様のものが挙げられる。
前記脂環式炭化水素基は、炭素原子数が3~20であることが好ましく、3~12であることがより好ましい。
前記脂環式炭化水素基は、多環式基であってもよく、単環式基であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素原子数3~6のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。
多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから2個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては、炭素原子数7~12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
The aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure includes an alicyclic hydrocarbon group (a group obtained by removing two hydrogen atoms from an aliphatic hydrocarbon ring), and an alicyclic hydrocarbon group that is linear or branched. Examples thereof include a group bonded to the end of a chain aliphatic hydrocarbon group and a group in which an alicyclic hydrocarbon group intervenes in the middle of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group. Examples of the linear or branched aliphatic hydrocarbon group include those mentioned above.
The alicyclic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 12 carbon atoms.
The alicyclic hydrocarbon group may be a polycyclic group or a monocyclic group. As the monocyclic alicyclic hydrocarbon group, a group obtained by removing two hydrogen atoms from a monocycloalkane is preferable. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples include cyclopentane and cyclohexane.
The polycyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group obtained by removing two hydrogen atoms from a polycycloalkane, and the polycycloalkane preferably has 7 to 12 carbon atoms. includes adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane and the like.

2価の炭化水素基における芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも1つ有する炭化水素基である。この芳香環は、(4n+2)個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素原子数は、5~30であることが好ましく、5~20がより好ましく、6~15がさらに好ましく、6~12が特に好ましい。芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を2つ除いた基(アリーレン基またはヘテロアリーレン基);2以上の芳香環を含む芳香族化合物(例えばビフェニル、フルオレン等)から水素原子を2つ除いた基;前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を1つ除いた基(アリール基またはヘテロアリール基)の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基(例えば、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等のアリールアルキル基におけるアリール基から水素原子をさらに1つ除いた基)等が挙げられる。前記アリール基またはヘテロアリール基に結合するアルキレン基の炭素原子数は、1~4であることが好ましく、1~2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。
The aromatic hydrocarbon group in the divalent hydrocarbon group is a hydrocarbon group having at least one aromatic ring. This aromatic ring is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having (4n+2) π electrons, and may be monocyclic or polycyclic. The number of carbon atoms in the aromatic ring is preferably 5-30, more preferably 5-20, still more preferably 6-15, and particularly preferably 6-12. Specific examples of the aromatic ring include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene; mentioned. The heteroatom in the aromatic heterocycle includes oxygen atom, sulfur atom, nitrogen atom and the like. Specific examples of aromatic heterocycles include pyridine rings and thiophene rings.
Specific examples of aromatic hydrocarbon groups include groups obtained by removing two hydrogen atoms from the above aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle (arylene group or heteroarylene group); aromatic compounds containing two or more aromatic rings A group obtained by removing two hydrogen atoms from (e.g., biphenyl, fluorene, etc.); One of the hydrogen atoms of the group obtained by removing one hydrogen atom from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring (aryl group or heteroaryl group) A group in which one is substituted with an alkylene group (for example, a benzyl group, a phenethyl group, a 1-naphthylmethyl group, a 2-naphthylmethyl group, a 1-naphthylethyl group, a hydrogen from an arylalkyl group such as a 2-naphthylethyl group) group from which one atom has been further removed), and the like. The number of carbon atoms in the alkylene group bonded to the aryl group or heteroaryl group is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.

2価の炭化水素基は、置換基を有していてもよい。
2価の炭化水素基としての、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、有していなくてもよい。該置換基としては、フッ素原子、フッ素原子で置換された炭素原子数1~5のフッ素化アルキル基、カルボニル基等が挙げられる。
The divalent hydrocarbon group may have a substituent.
A linear or branched aliphatic hydrocarbon group as a divalent hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include a fluorine atom, a fluorine-substituted fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and a carbonyl group.

2価の炭化水素基としての、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基における脂環式炭化水素基は、置換基を有していてもよいし、有していなくてもよい。該置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基等が挙げられる。
前記置換基としてのアルキル基としては、炭素原子数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。
前記置換基としてのアルコキシ基としては、炭素原子数1~5のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基が最も好ましい。
前記置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
前記置換基としてのハロゲン化アルキル基としては、前記アルキル基の水素原子の一部または全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
脂環式炭化水素基は、その環構造を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子を含む置換基で置換されてもよい。該ヘテロ原子を含む置換基としては、-O-、-C(=O)-O-、-S-、-S(=O)-、-S(=O)-O-が好ましい。
An alicyclic hydrocarbon group in an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in its structure as a divalent hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group and the like.
The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group or a tert-butyl group.
The alkoxy group as the substituent is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, preferably a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, an iso-propoxy group, an n-butoxy group and a tert-butoxy group. A methoxy group and an ethoxy group are most preferred.
The halogen atom as the substituent includes a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom and the like, and a fluorine atom is preferred.
Examples of the halogenated alkyl group as the substituent include groups in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with the halogen atoms.
Some of the carbon atoms constituting the ring structure of the alicyclic hydrocarbon group may be substituted with a heteroatom-containing substituent. Preferred heteroatom-containing substituents are -O-, -C(=O)-O-, -S-, -S(=O) 2 - and -S(=O) 2 -O-.

2価の炭化水素基としての、芳香族炭化水素基は、当該芳香族炭化水素基が有する水素原子が置換基で置換されていてもよい。例えば当該芳香族炭化水素基中の芳香環に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよい。該置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基等が挙げられる。
前記置換基としてのアルキル基としては、炭素原子数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基であることが最も好ましい。
前記置換基としてのアルコキシ基、ハロゲン原子およびハロゲン化アルキル基としては、前記脂環式炭化水素基が有する水素原子を置換する置換基として例示したものが挙げられる。
In the aromatic hydrocarbon group as a divalent hydrocarbon group, a hydrogen atom of the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent. For example, a hydrogen atom bonded to an aromatic ring in the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, and a hydroxyl group.
The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group or a tert-butyl group.
Examples of the alkoxy group, halogen atom and halogenated alkyl group as the substituent include those exemplified as the substituent for substituting the hydrogen atom of the alicyclic hydrocarbon group.

ヘテロ原子を含む2価の連結基について:
ヘテロ原子を含む2価の連結基におけるヘテロ原子とは、炭素原子および水素原子以外の原子であり、例えば酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ハロゲン原子等が挙げられる。
For bivalent linking groups containing heteroatoms:
The heteroatom in the heteroatom-containing bivalent linking group is an atom other than a carbon atom and a hydrogen atom, such as an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom, a halogen atom and the like.

ヘテロ原子を含む2価の連結基において、該連結基として好ましいものとしては、-O-、-C(=O)-O-、-C(=O)-、-O-C(=O)-O-;-C(=O)-NH-、-NH-、-NH-C(=O)-O-、-NH-C(=NH)-(Hはアルキル基、アシル基等の置換基で置換されていてもよい。);-S-、-S(=O)-、-S(=O)-O-、一般式-Y21-O-Y22-、-Y21-O-、-Y21-C(=O)-O-、-C(=O)-O-Y21、-[Y21-C(=O)-O]m”-Y22-または-Y21-O-C(=O)-Y22-で表される基[式中、Y21およびY22はそれぞれ独立して置換基を有していてもよい2価の炭化水素基であり、Oは酸素原子であり、m”は0~3の整数である。]等が挙げられる。
前記へテロ原子を含む2価の連結基が-C(=O)-NH-、-NH-、-NH-C(=O)-O-、-NH-C(=NH)-の場合、そのHはアルキル基、アシル等の置換基で置換されていてもよい。該置換基(アルキル基、アシル基等)は、炭素原子数が1~10であることが好ましく、1~8であることがさらに好ましく、1~5であることが特に好ましい。
式-Y21-O-Y22-、-Y21-O-、-Y21-C(=O)-O-、-C(=O)-O-Y21-、-[Y21-C(=O)-O]m”-Y22-または-Y21-O-C(=O)-Y22-中、Y21およびY22は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基である。該2価の炭化水素基としては、上述した2価の連結基としての説明で挙げた「置換基を有していてもよい2価の炭化水素基」と同様のものが挙げられる。
21としては、直鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、直鎖状のアルキレン基がより好ましく、炭素原子数1~5の直鎖状のアルキレン基がさらに好ましく、メチレン基またはエチレン基が特に好ましい。
22としては、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基が好ましく、メチレン基、エチレン基またはアルキルメチレン基がより好ましい。該アルキルメチレン基におけるアルキル基は、炭素原子数1~5の直鎖状のアルキル基が好ましく、炭素原子数1~3の直鎖状のアルキル基がより好ましく、メチル基が最も好ましい。
式-[Y21-C(=O)-O]m”-Y22-で表される基において、m”は0~3の整数であり、0~2の整数であることが好ましく、0または1がより好ましく、1が特に好ましい。つまり、式-[Y21-C(=O)-O]m”-Y22-で表される基としては、式-Y21-C(=O)-O-Y22-で表される基が特に好ましい。なかでも、式-(CHa’-C(=O)-O-(CHb’-で表される基が好ましい。該式中、a’は、1~10の整数であり、1~8の整数が好ましく、1~5の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましく、1が最も好ましい。b’は、1~10の整数であり、1~8の整数が好ましく、1~5の整数がより好ましく、1または2がさらに好ましく、1が最も好ましい。
Among the heteroatom-containing bivalent linking groups, preferred examples of the linking group include -O-, -C(=O)-O-, -C(=O)-, and -OC(=O). -O-; -C(=O)-NH-, -NH-, -NH-C(=O)-O-, -NH-C(=NH)- (H is substituted with an alkyl group, an acyl group, etc. group); -S-, -S(=O) 2 -, -S(=O) 2 -O-, general formula -Y 21 -O-Y 22 -, -Y 21 -O-, -Y 21 -C(=O)-O-, -C(=O)-O-Y 21 , -[Y 21 -C(=O)-O] m″ -Y 22 - or - a group represented by Y 21 -OC(=O)-Y 22 - [wherein Y 21 and Y 22 are each independently a divalent hydrocarbon group optionally having a substituent; , O is an oxygen atom, and m″ is an integer from 0 to 3. ] and the like.
When the divalent linking group containing a heteroatom is -C(=O)-NH-, -NH-, -NH-C(=O)-O-, -NH-C(=NH)-, The H may be substituted with a substituent such as an alkyl group or acyl. The substituent (alkyl group, acyl group, etc.) preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and particularly preferably 1 to 5 carbon atoms.
formulas -Y 21 -O-Y 22 -, -Y 21 -O-, -Y 21 -C(=O)-O-, -C(=O)-O-Y 21 -, -[Y 21 -C (=O)-O] m″ -Y 22 - or -Y 21 -O-C(=O)-Y 22 -, Y 21 and Y 22 each independently have a substituent and Examples of the divalent hydrocarbon group include the divalent hydrocarbon group optionally having substituent(s) mentioned in the above description of the divalent linking group ” and the like.
Y 21 is preferably a straight-chain aliphatic hydrocarbon group, more preferably a straight-chain alkylene group, more preferably a straight-chain alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, and a methylene group or an ethylene group. Especially preferred.
Y 22 is preferably a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, more preferably a methylene group, an ethylene group or an alkylmethylene group. The alkyl group in the alkylmethylene group is preferably a straight-chain alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a straight-chain alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and most preferably a methyl group.
In the group represented by the formula -[Y 21 -C(=O)-O] m″ -Y 22 -, m″ is an integer of 0 to 3, preferably an integer of 0 to 2, and 0 or 1 is more preferred, and 1 is particularly preferred. That is, the group represented by the formula -[Y 21 -C(=O)-O] m″ -Y 22 - is represented by the formula -Y 21 -C(=O)-O-Y 22 - is particularly preferred, and among these, a group represented by the formula —(CH 2 ) a′ —C(═O)—O—(CH 2 ) b′ — is preferred, in which a′ is 1 to An integer of 10, preferably an integer of 1 to 8, more preferably an integer of 1 to 5, more preferably 1 or 2, and most preferably 1. b' is an integer of 1 to 10, and 1 to 8 is preferred, an integer of 1 to 5 is more preferred, 1 or 2 is more preferred, and 1 is most preferred.

なかでも、REPにおけるエポキシ基含有基としては、グリシジル基が好ましい。 Among them, a glycidyl group is preferable as the epoxy group-containing group in REP .

また、(A1)成分としては、下記一般式(anv1)で表される構成単位を有する樹脂も好適に挙げられる。 Further, as the component (A1), a resin having a constitutional unit represented by the following general formula (anv1) is also suitable.

Figure 2023034044000005
[式中、REPは、エポキシ基含有基である。Ra22及びRa23は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数1~5のアルキル基又はハロゲン原子である。]
Figure 2023034044000005
[In the formula, REP is an epoxy group-containing group. R a22 and R a23 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogen atom. ]

前記式(anv1)中、Ra22、Ra23の炭素原子数1~5のアルキル基は、前記式(anv0)中のRp1、Rp2の炭素原子数1~5のアルキル基と同様である。
a22、Ra23のハロゲン原子は、塩素原子又は臭素原子であることが好ましい。
前記式(anv1)中、REPは、前記式(anv0)中のREPと同様であって、グリシジル基が好ましい。
In the formula (anv1), the alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms for R a22 and R a23 are the same as the alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms for R p1 and R p2 in the formula (anv0). .
The halogen atoms of R a22 and R a23 are preferably chlorine atoms or bromine atoms.
In formula (anv1), R EP is the same as R EP in formula (anv0), and is preferably a glycidyl group.

以下に、前記式(anv1)で表される構成単位の具体例を示す。 Specific examples of the structural unit represented by the formula (anv1) are shown below.

Figure 2023034044000006
Figure 2023034044000006

(A1)成分は、前記構成単位(anv1)のみからなる樹脂であってもよく、構成単位(anv1)と他の構成単位とを有する樹脂であってもよい。
この他の構成単位としては、例えば、下記一般式(anv2)~(anv3)でそれぞれ表される構成単位が挙げられる。
The (A1) component may be a resin consisting only of the structural unit (anv1), or may be a resin having the structural unit (anv1) and other structural units.
Other structural units include, for example, structural units represented by the following general formulas (anv2) to (anv3).

Figure 2023034044000007
[式中、Ra24は、置換基を有していてもよい炭化水素基である。Ra25~Ra26、Ra28~Ra30は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数1~5のアルキル基又はハロゲン原子である。Ra27は、エポキシ基含有基又は置換基を有していてもよい炭化水素基である。]
Figure 2023034044000007
[In the formula, R a24 is a hydrocarbon group optionally having a substituent. R a25 to R a26 and R a28 to R a30 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogen atom. R a27 is an epoxy group-containing group or a hydrocarbon group optionally having a substituent. ]

前記式(anv2)中、Ra24は、置換基を有していてもよい炭化水素基である。置換基を有していてもよい炭化水素基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、又は環状の炭化水素基が挙げられる。
該直鎖状のアルキル基は、炭素原子数が1~5であることが好ましく、1~4がより好ましく、1または2がさらに好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基、n-ペンチル基等が挙げられる。これらの中でも、メチル基、エチル基またはn-ブチル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。
In the formula (anv2), R a24 is a hydrocarbon group which may have a substituent. The hydrocarbon group which may have a substituent includes a linear or branched alkyl group or a cyclic hydrocarbon group.
The linear alkyl group preferably has 1 to 5 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms, and still more preferably 1 or 2 carbon atoms. Specific examples include methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group and the like. Among these, a methyl group, an ethyl group or an n-butyl group is preferable, and a methyl group or an ethyl group is more preferable.

該分岐鎖状のアルキル基は、炭素原子数が3~10であることが好ましく、3~5がより好ましい。具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、tert-ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、1,1-ジエチルプロピル基、2,2-ジメチルブチル基等が挙げられ、イソプロピル基であることが好ましい。 The branched-chain alkyl group preferably has 3 to 10 carbon atoms, more preferably 3 to 5 carbon atoms. Specific examples include an isopropyl group, an isobutyl group, a tert-butyl group, an isopentyl group, a neopentyl group, a 1,1-diethylpropyl group and a 2,2-dimethylbutyl group, with an isopropyl group being preferred.

a24が環状の炭化水素基となる場合、該炭化水素基は、脂肪族炭化水素基でも芳香族炭化水素基でもよく、また、多環式基でも単環式基でもよい。
単環式基である脂肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素原子数3~6のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。
多環式基である脂肪族炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから1個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては、炭素原子数7~12のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
When R a24 is a cyclic hydrocarbon group, the hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group, and may be a polycyclic group or a monocyclic group.
As a monocyclic aliphatic hydrocarbon group, a group obtained by removing one hydrogen atom from a monocycloalkane is preferable. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples include cyclopentane and cyclohexane.
The aliphatic hydrocarbon group which is a polycyclic group is preferably a group obtained by removing one hydrogen atom from a polycycloalkane, and the polycycloalkane preferably has 7 to 12 carbon atoms. adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane and the like.

a24の環状の炭化水素基が芳香族炭化水素基となる場合、該芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも1つ有する炭化水素基である。
この芳香環は、4n+2個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素原子数は5~30であることが好ましく、5~20がより好ましく、6~15がさらに好ましく、6~12が特に好ましい。芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環;前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
a24における芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を1つ除いた基(アリール基またはヘテロアリール基);2以上の芳香環を含む芳香族化合物(例えばビフェニル、フルオレン等)から水素原子を1つ除いた基;前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基(例えば、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等のアリールアルキル基など)等が挙げられる。前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環に結合するアルキレン基の炭素原子数は、1~4であることが好ましく、1~2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。
When the cyclic hydrocarbon group for R a24 is an aromatic hydrocarbon group, the aromatic hydrocarbon group is a hydrocarbon group having at least one aromatic ring.
This aromatic ring is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugated system having 4n+2 π electrons, and may be monocyclic or polycyclic. The number of carbon atoms in the aromatic ring is preferably 5-30, more preferably 5-20, even more preferably 6-15, and particularly preferably 6-12. Specific examples of the aromatic ring include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene; mentioned. The heteroatom in the aromatic heterocycle includes oxygen atom, sulfur atom, nitrogen atom and the like. Specific examples of aromatic heterocycles include pyridine rings and thiophene rings.
Specific examples of the aromatic hydrocarbon group for R a24 include groups obtained by removing one hydrogen atom from the above aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring (aryl group or heteroaryl group); containing two or more aromatic rings A group obtained by removing one hydrogen atom from an aromatic compound (e.g., biphenyl, fluorene, etc.); A group in which one of the hydrogen atoms of the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle is substituted with an alkylene group (e.g., benzyl group, phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, arylalkyl group such as 2-naphthylethyl group, etc.). The number of carbon atoms in the alkylene group bonded to the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2, and particularly preferably 1.

前記式(anv2)、(anv3)中、Ra25~Ra26、Ra28~Ra30は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数1~5のアルキル基又はハロゲン原子である。
炭素原子数1~5のアルキル基、ハロゲン原子は、それぞれ、前記Ra22、Ra23と同様である。
In formulas (anv2) and (anv3), R a25 to R a26 and R a28 to R a30 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogen atom.
The alkyl group having 1 to 5 carbon atoms and the halogen atom are the same as defined above for R a22 and R a23 respectively.

前記式(anv3)中、Ra27は、エポキシ基含有基、又は置換基を有していてもよい炭化水素基である。Ra27のエポキシ基含有基は、前記式(anv0)中のREPと同様である。Ra27の置換基を有していてもよい炭化水素基は、前記式(anv2)中のRa24と同様である。 In the formula (anv3), R a27 is an epoxy group-containing group or a hydrocarbon group which may have a substituent. The epoxy group-containing group of R a27 is the same as R EP in the formula (anv0). The hydrocarbon group optionally having a substituent for R a27 is the same as R a24 in the formula (anv2).

以下に、前記式(anv2)~(anv3)でそれぞれ表される構成単位の具体例を示す。 Specific examples of structural units represented by formulas (anv2) to (anv3) are shown below.

Figure 2023034044000008
Figure 2023034044000008

(A1)成分が、構成単位(anv1)に加えて他の構成単位を有する場合、(A1)成分中の各構成単位の割合は、特に限定されるものではないが、(A1)成分を構成する全構成単位の合計に対して、エポキシ基を有する構成単位の合計が10~90モル%が好ましく、20~80モル%がより好ましく、30~70モル%がさらに好ましい。 When the component (A1) has other structural units in addition to the structural unit (anv1), the ratio of each structural unit in the component (A1) is not particularly limited, but it constitutes the component (A1). The total amount of constituent units having an epoxy group is preferably 10 to 90 mol%, more preferably 20 to 80 mol%, and even more preferably 30 to 70 mol%, based on the total amount of all constituent units.

(A1)成分の市販品としては、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂として、jER-152、jER-154、jER-157S70、jER-157S65(以上、三菱ケミカル株式会社製)、EPICLON N-740、EPICLON N-740、EPICLON N-770、EPICLON N-775、EPICLON N-660、EPICLON N-665、EPICLON N-670、EPICLON N-673、EPICLON N-680、EPICLON N-690、EPICLON N-695、EPICLON HP5000(以上、DIC株式会社製)、EOCN-1020(以上、日本化薬株式会社製)等が挙げられる。 Commercially available products of component (A1) include, for example, novolac type epoxy resins such as jER-152, jER-154, jER-157S70, and jER-157S65 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), EPICLON N-740, and EPICLON N. -740, EPICLON N-770, EPICLON N-775, EPICLON N-660, EPICLON N-665, EPICLON N-670, EPICLON N-673, EPICLON N-680, EPICLON N-690, EPICLON N-695, EPICLON HP5000 (above, manufactured by DIC Corporation), EOCN-1020 (above, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), and the like.

(A1)成分としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
本実施形態の感光性組成物(R1)中、(A1)成分の含有量は、(A)成分の全質量(質量%)に対して、50質量%以上でもよいし、70質量%以上でもよいし、90質量%以上でもよいし、100質量%であってもよい。
As the component (A1), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
In the photosensitive composition (R1) of the present embodiment, the content of component (A1) may be 50% by mass or more, or 70% by mass or more, relative to the total mass (% by mass) of component (A). It may be 90% by mass or more, or may be 100% by mass.

≪ビスフェノール型エポキシ樹脂≫
ビスフェノール型エポキシ樹脂(以下「(A2)成分」ともいう)としては、ビスフェノール骨格を含む構成単位を有する樹脂であればよく、そのなかでも固形ビスフェノール型エポキシ樹脂が好ましい。
固形ビスフェノール型エポキシ樹脂とは、25℃において固体状の、ビスフェノール骨格を含む構成単位を有する樹脂をいう。
(A2)成分におけるエポキシ当量は、例えば、800g/eq.以上であることが好ましく、800~1200g/eq.がより好ましく、900~1100g/eq.がさらに好ましい。
≪Bisphenol type epoxy resin≫
The bisphenol-type epoxy resin (hereinafter also referred to as "(A2) component") may be any resin having a structural unit containing a bisphenol skeleton, and among these, a solid bisphenol-type epoxy resin is preferable.
A solid bisphenol type epoxy resin refers to a resin having a structural unit containing a bisphenol skeleton that is solid at 25°C.
The epoxy equivalent of component (A2) is, for example, 800 g/eq. 800 to 1200 g/eq. is more preferable, and 900 to 1100 g/eq. is more preferred.

(A2)成分としては、下記一般式(abp1)で表されるエポキシ樹脂が好適に挙げられる。 As the (A2) component, epoxy resins represented by the following general formula (abp1) are suitable.

Figure 2023034044000009
[式中、REPは、エポキシ基含有基である。複数のREPは、互いに同一であってもよく異なっていてもよい。Ra31及びRa32は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数1~5のアルキル基、又は炭素原子数1~5のフッ素化アルキル基である。na31は、1~50の整数である。]
Figure 2023034044000009
[In the formula, REP is an epoxy group-containing group. Multiple REPs may be the same or different. R a31 and R a32 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. na 31 is an integer of 1-50. ]

前記式(abp1)中、REPは、前記式(anv0)中のREPと同様であり、グリシジル基が好ましい。
前記式(abp1)中、Ra31、Ra32における炭素原子数1~5のアルキル基は、前記式(anv0)中のRp1、Rp2における炭素原子数1~5のアルキル基と同様である。なかでもRa31、Ra32としては、それぞれ、水素原子又はメチル基が好ましい。
a31、Ra32における炭素原子数1~5のフッ素化アルキル基は、前記のRa31、Ra32における炭素原子数1~5のアルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。
前記式(abp1)中、na31は、1~50の整数であり、好ましくは4~15の整数であり、より好ましくは5~8の整数である。
In formula (abp1), R EP is the same as R EP in formula (anv0), and is preferably a glycidyl group.
In the formula (abp1), the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms in R a31 and R a32 is the same as the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms in R p1 and R p2 in the formula (anv0). . Among them, each of R a31 and R a32 is preferably a hydrogen atom or a methyl group.
In the fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms for R a31 and R a32 , part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms for R a31 and R a32 are substituted with fluorine atoms. groups.
In the formula (abp1), na 31 is an integer of 1-50, preferably an integer of 4-15, more preferably an integer of 5-8.

(A2)成分としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
(A2)成分として使用可能な市販品は、例えば、jER-4005、jER-4007、jER-4010(以上、三菱ケミカル株式会社製);jER-827、jER-828、jER-834、jER-1001、jER-1002、jER-1003、jER-1055、jER-1007、jER-1009、jER-1010(以上、三菱ケミカル株式会社製);EPICLON860、EPICLON1050、EPICLON1051、EPICLON1055(以上、DIC株式会社製)等が挙げられる。
As the component (A2), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
Commercial products that can be used as the (A2) component include, for example, jER-4005, jER-4007, jER-4010 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation); jER-827, jER-828, jER-834, jER-1001 , jER-1002, jER-1003, jER-1055, jER-1007, jER-1009, jER-1010 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation); EPICLON860, EPICLON1050, EPICLON1051, EPICLON1055 (manufactured by DIC Corporation), etc. is mentioned.

また、上記の(A1)成分及び(A2)成分以外の多官能芳香族エポキシ化合物には、上述したもの以外に、下記化学式(A3-1)で表される化合物、下記化学式(A3-2)で表される化合物をそれぞれ使用してもよい。
下記化学式(A3-1)で表される化合物として使用可能な市販品は、例えば、TECHMORE VG-3101L(プリンテック株式会社製)等が挙げられる。
下記化学式(A3-2)で表される化合物として使用可能な市販品は、例えば、ショウフリー(登録商標)BATG(昭和電工株式会社製)等が挙げられる。
In addition, polyfunctional aromatic epoxy compounds other than the above components (A1) and (A2) include compounds represented by the following chemical formula (A3-1) and chemical formulas (A3-2) below, in addition to those described above. You may use the compound represented by each.
Examples of commercial products that can be used as the compound represented by the following chemical formula (A3-1) include TECHMORE VG-3101L (manufactured by Printec Co., Ltd.).
Commercially available products that can be used as the compound represented by the following chemical formula (A3-2) include, for example, Showfree (registered trademark) BATG (manufactured by Showa Denko KK).

Figure 2023034044000010
Figure 2023034044000010

また、上述したもの以外の多官能芳香族エポキシ化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル;ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテル、ジトリメチロールプロパンテトラグリシジルエーテル、ジグリセリンテトラグリシジルエーテル、エリスリトールテトラグリシジルエーテル;キシリトールペンタグリシジルエーテル、ジペンタエリスリトールペンタグリシジルエーテル、イノシトールペンタグリシジルエーテル;ジペンタエリスリトールヘキサグリシジルエーテル、ソルビトールヘキサグリシジルエーテル、イノシトールヘキサグリシジルエーテル等も挙げられる。 Examples of polyfunctional aromatic epoxy compounds other than those mentioned above include trimethylolpropane triglycidyl ether, glycerin triglycidyl ether; pentaerythritol tetraglycidyl ether, ditrimethylolpropane tetraglycidyl ether, diglycerin tetraglycidyl ether, and erythritol. Tetraglycidyl ether; xylitol pentaglycidyl ether, dipentaerythritol pentaglycidyl ether, inositol pentaglycidyl ether; dipentaerythritol hexaglycidyl ether, sorbitol hexaglycidyl ether, inositol hexaglycidyl ether and the like.

本実施形態の感光性組成物(R1)において、(A)成分としては、(A1)成分を含むものが好適に用いられる。
(A)成分のポリスチレン換算重量平均分子量は、好ましくは100~300000であり、より好ましくは200~200000であり、さらに好ましくは300~200000である。このような重量平均分子量とすることにより、支持体と第1のレジスト層との剥離が生じにくくなる。
In the photosensitive composition (R1) of the present embodiment, as the component (A), one containing the component (A1) is preferably used.
The polystyrene equivalent weight average molecular weight of component (A) is preferably 100 to 300,000, more preferably 200 to 200,000, and still more preferably 300 to 200,000. With such a weight-average molecular weight, separation between the support and the first resist layer is less likely to occur.

実施形態の感光性組成物(R1)中の(A)成分の含有量は、形成しようとする第1のレジスト層の厚さ等に応じて調整すればよい。 The content of component (A) in the photosensitive composition (R1) of the embodiment may be adjusted according to the thickness of the first resist layer to be formed.

光酸発生剤((I)成分)について:
実施形態の感光性組成物(R1)において、(I)成分には、紫外線、遠紫外線、KrF、ArF等のエキシマレーザー光、X線、電子線等といった活性エネルギー線の照射を受けてカチオンを発生し、そのカチオンが重合開始剤となり得る、光カチオン重合開始剤を用いることが好ましい。
本実施形態の感光性組成物(R1)で用いられる(I)成分としては、オニウムボレート塩(以下「(I1)成分」ともいう)、(I1)成分以外の光カチオン重合開始剤(その他光カチオン重合開始剤)が挙げられる。
About the photoacid generator (component (I)):
In the photosensitive composition (R1) of the embodiment, the component (I) is irradiated with active energy rays such as ultraviolet rays, far ultraviolet rays, excimer laser light such as KrF and ArF, X-rays, electron beams, and the like to convert cations. It is preferable to use a photocationic polymerization initiator that is generated and whose cation can serve as a polymerization initiator.
The (I) component used in the photosensitive composition (R1) of the present embodiment includes an onium borate salt (hereinafter also referred to as “(I1) component”), a photocationic polymerization initiator other than the (I1) component (other light cationic polymerization initiator).

≪オニウムボレート塩≫
オニウムボレート塩((I1)成分)は、露光により比較的に強い酸を発生する。このため、(I1)成分を含有する感光性組成物(R1)を用いてパターンを形成することにより、充分な感度が得られて良好なパターンが形成される。また、(I1)成分の使用は、毒性や金属腐食のおそれも低い。
(I1)成分としては、例えば、下記一般式(I1)で表される化合物が好適に挙げられる。
≪Onium borate salt≫
An onium borate salt (component (I1)) generates a relatively strong acid upon exposure. Therefore, by forming a pattern using the photosensitive composition (R1) containing the component (I1), sufficient sensitivity can be obtained and a good pattern can be formed. In addition, the use of component (I1) has a low risk of toxicity and metal corrosion.
As the component (I1), for example, compounds represented by the following general formula (I1) are suitable.

Figure 2023034044000011
[式中、Rb01~Rb04は、それぞれ独立に、置換基を有してもよいアリール基、又はフッ素原子である。qは1以上の整数であって、Qq+は、q価の有機カチオンである。]
Figure 2023034044000011
[In the formula, R b01 to R b04 are each independently an optionally substituted aryl group or a fluorine atom. q is an integer of 1 or more, and Q q+ is a q-valent organic cation. ]

・アニオン部
前記式(I1)中、Rb01~Rb04におけるアリール基は、炭素原子数が5~30であることが好ましく、5~20がより好ましく、6~15がさらに好ましく、6~12が特に好ましい。具体的には、ナフチル基、フェニル基、アントラセニル基などが挙げられ、入手が容易であることからフェニル基が好ましい。
b01~Rb04におけるアリール基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、特に限定されるものではないが、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基(直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、炭素原子数は1~5が好ましい)、ハロゲン化アルキル基が好ましく、ハロゲン原子又は炭素原子数1~5のハロゲン化アルキル基がより好ましく、フッ素原子又は炭素原子数1~5のフッ素化アルキル基が特に好ましい。アリール基がフッ素原子を有することにより、アニオン部の極性が高まり好ましい。
中でも、式(I1)のRb01~Rb04としては、それぞれ、フッ素化されたフェニル基が好ましく、パーフルオロフェニル基が特に好ましい。
Anion portion In the above formula (I1), the aryl group in R b01 to R b04 preferably has 5 to 30 carbon atoms, more preferably 5 to 20 carbon atoms, still more preferably 6 to 15 carbon atoms, and 6 to 12 carbon atoms. is particularly preferred. Specific examples include a naphthyl group, a phenyl group, an anthracenyl group, and the like, and a phenyl group is preferable because it is easily available.
The aryl groups in R b01 to R b04 may have a substituent. The substituents are not particularly limited, but are halogen atoms, hydroxyl groups, alkyl groups (preferably linear or branched alkyl groups, preferably having 1 to 5 carbon atoms), and halogenated alkyl groups. is preferred, a halogen atom or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is more preferred, and a fluorine atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is particularly preferred. When the aryl group has a fluorine atom, the polarity of the anion portion is increased, which is preferable.
Among them, each of R b01 to R b04 in formula (I1) is preferably a fluorinated phenyl group, and particularly preferably a perfluorophenyl group.

前記式(I1)で表される化合物のアニオン部の好ましい具体例としては、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート([B(C);テトラキス[(トリフルオロメチル)フェニル]ボレート([B(CCF);ジフルオロビス(ペンタフルオロフェニル)ボレート([(CBF);トリフルオロ(ペンタフルオロフェニル)ボレート([(C)BF);テトラキス(ジフルオロフェニル)ボレート([B(C)等が挙げられる。
中でも、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート([B(C)が特に好ましい。
Preferred specific examples of the anion portion of the compound represented by the formula (I1) include tetrakis(pentafluorophenyl)borate ([B(C 6 F 5 ) 4 ] ); tetrakis[(trifluoromethyl)phenyl] Borate ([B(C 6 H 4 CF 3 ) 4 ] ); difluorobis(pentafluorophenyl)borate ([(C 6 F 5 ) 2 BF 2 ] ); trifluoro(pentafluorophenyl)borate ([ (C 6 F 5 )BF 3 ] ); tetrakis(difluorophenyl)borate ([B(C 6 H 3 F 2 ) 4 ] );
Among them, tetrakis(pentafluorophenyl)borate ([B(C 6 F 5 ) 4 ] ) is particularly preferred.

・カチオン部
前記式(I1)中、Qq+としては、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオンが好適に挙げられ、下記の一般式(ca-1)~(ca-5)でそれぞれ表される有機カチオンが特に好ましい。
The cation portion In the formula (I1), Q q+ preferably includes a sulfonium cation and an iodonium cation, and organic cations represented by the following general formulas (ca-1) to (ca-5) are particularly preferred. preferable.

Figure 2023034044000012
[式中、R201~R207、およびR211~R212は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基、ヘテロアリール基、アルキル基またはアルケニル基を表す。R201~R203、R206~R207、R211~R212は、相互に結合して、式中のイオウ原子と共に環を形成してもよい。R208~R209は、それぞれ独立に、水素原子または炭素原子数1~5のアルキル基を表す。R210は、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、または置換基を有していてもよい-SO-含有環式基である。L201は、-C(=O)-または-C(=O)-O-を表す。Y201は、それぞれ独立に、アリーレン基、アルキレン基またはアルケニレン基を表す。xは、1または2である。W201は、(x+1)価の連結基を表す。]
Figure 2023034044000012
[In the formula, R 201 to R 207 and R 211 to R 212 each independently represent an optionally substituted aryl group, heteroaryl group, alkyl group or alkenyl group. R 201 to R 203 , R 206 to R 207 and R 211 to R 212 may combine with each other to form a ring together with the sulfur atom in the formula. R 208 to R 209 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. R 210 is an optionally substituted aryl group, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted alkenyl group, or an optionally substituted —SO 2 —containing cyclic group. L 201 represents -C(=O)- or -C(=O)-O-. Each Y 201 independently represents an arylene group, an alkylene group or an alkenylene group. x is 1 or 2; W 201 represents a (x+1)-valent linking group. ]

201~R207、およびR211~R212におけるアリール基としては、炭素原子数6~20の無置換のアリール基が挙げられ、フェニル基、ナフチル基が好ましい。
201~R207、およびR211~R212におけるヘテロアリール基としては、前記アリール基を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換されたものが挙げられる。ヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。このヘテロアリール基として、9H-チオキサンテンから水素原子を1つ除いた基;置換ヘテロアリール基として、9H-チオキサンテン-9-オンから水素原子を1つ除いた基などが挙げられる。
201~R207、およびR211~R212におけるアルキル基としては、鎖状又は環状のアルキル基であって、炭素原子数1~30のものが好ましい。
201~R207、およびR211~R212におけるアルケニル基としては、炭素原子数が2~10であることが好ましい。
201~R207、およびR210~R212が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、カルボニル基、シアノ基、アミノ基、オキソ基(=O)、アリール基、下記の式(ca-r-1)~(ca-r-10)でそれぞれ表される基が挙げられる。
The aryl group for R 201 to R 207 and R 211 to R 212 includes unsubstituted aryl groups having 6 to 20 carbon atoms, preferably phenyl group and naphthyl group.
Examples of heteroaryl groups for R 201 to R 207 and R 211 to R 212 include those in which part of the carbon atoms constituting the aryl group are substituted with heteroatoms. Heteroatoms include oxygen atoms, sulfur atoms, nitrogen atoms, and the like. Examples of the heteroaryl group include groups obtained by removing one hydrogen atom from 9H-thioxanthene; examples of substituted heteroaryl groups include groups obtained by removing one hydrogen atom from 9H-thioxanthene-9-one.
The alkyl group for R 201 to R 207 and R 211 to R 212 is preferably a chain or cyclic alkyl group having 1 to 30 carbon atoms.
The alkenyl groups for R 201 to R 207 and R 211 to R 212 preferably have 2 to 10 carbon atoms.
Examples of substituents that R 201 to R 207 and R 210 to R 212 may have include an alkyl group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a carbonyl group, a cyano group, an amino group, an oxo group (= O), an aryl group, and groups represented by the following formulas (ca-r-1) to (ca-r-10).

Figure 2023034044000013
[式中、R’201は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基である。]
Figure 2023034044000013
[In the formula, each R′ 201 is independently a hydrogen atom, an optionally substituted cyclic group, an optionally substituted chain alkyl group, or a substituted is a chain alkenyl group that may be ]

前記の式(ca-r-1)~(ca-r-10)中、R’201は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、又は置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基である。 In the above formulas (ca-r-1) to (ca-r-10), R' 201 is each independently a hydrogen atom, an optionally substituted cyclic group, a substituent a chain alkyl group which may be substituted or a chain alkenyl group which may have a substituent.

置換基を有していてもよい環式基:
該環式基は、環状の炭化水素基であることが好ましく、該環状の炭化水素基は、芳香族炭化水素基であってもよく、環状の脂肪族炭化水素基であってもよい。脂肪族炭化水素基は、芳香族性を持たない炭化水素基を意味する。また、脂肪族炭化水素基は、飽和であってもよく、不飽和であってもよく、通常は飽和であることが好ましい。
Cyclic group optionally having a substituent:
The cyclic group is preferably a cyclic hydrocarbon group, and the cyclic hydrocarbon group may be an aromatic hydrocarbon group or a cyclic aliphatic hydrocarbon group. An aliphatic hydrocarbon group means a hydrocarbon group without aromaticity. Also, the aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated, and is usually preferably saturated.

R’201における芳香族炭化水素基は、芳香環を有する炭化水素基である。該芳香族炭化水素基の炭素原子数は3~30であることが好ましく、5~30であることがより好ましく、5~20がさらに好ましく、6~15が特に好ましく、6~10が最も好ましい。ただし、該炭素原子数には、置換基における炭素原子数を含まないものとする。
R’201における芳香族炭化水素基が有する芳香環として具体的には、ベンゼン、フルオレン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ビフェニル、もしくはこれらの芳香環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環、又は、これらの芳香環もしくは芳香族複素環を構成する水素原子の一部がオキソ基などで置換された環が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。
R’201における芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香環から水素原子を1つ除いた基(アリール基:例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基など)、前記芳香環の水素原子の1つがアルキレン基で置換された基(例えば、ベンジル基、フェネチル基、1-ナフチルメチル基、2-ナフチルメチル基、1-ナフチルエチル基、2-ナフチルエチル基等のアリールアルキル基など)、前記芳香環を構成する水素原子の一部がオキソ基などで置換された環(例えばアントラキノン等)から水素原子を1つ除いた基、芳香族複素環(例えば9H-チオキサンテン、9H-チオキサンテン-9-オンなど)から水素原子を1つ除いた基等が挙げられる。前記アルキレン基(アリールアルキル基中のアルキル鎖)の炭素原子数は、1~4であることが好ましく、1~2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。
The aromatic hydrocarbon group for R' 201 is a hydrocarbon group having an aromatic ring. The number of carbon atoms in the aromatic hydrocarbon group is preferably 3 to 30, more preferably 5 to 30, still more preferably 5 to 20, particularly preferably 6 to 15, most preferably 6 to 10. . However, the number of carbon atoms does not include the number of carbon atoms in the substituent.
Specific examples of the aromatic ring of the aromatic hydrocarbon group for R′ 201 include benzene, fluorene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, biphenyl, or those in which some of the carbon atoms constituting the aromatic ring are substituted with heteroatoms. or rings in which some of the hydrogen atoms constituting these aromatic rings or aromatic heterocycles are substituted with oxo groups or the like. The heteroatom in the aromatic heterocycle includes oxygen atom, sulfur atom, nitrogen atom and the like.
Specific examples of the aromatic hydrocarbon group for R′ 201 include a group obtained by removing one hydrogen atom from the aromatic ring (aryl group: for example, a phenyl group, a naphthyl group, an anthracenyl group, etc.), and a hydrogen atom of the aromatic ring. one of which is substituted with an alkylene group (e.g., a benzyl group, a phenethyl group, a 1-naphthylmethyl group, a 2-naphthylmethyl group, a 1-naphthylethyl group, an arylalkyl group such as a 2-naphthylethyl group, etc.), A group obtained by removing one hydrogen atom from a ring in which a portion of the hydrogen atoms constituting the aromatic ring is substituted with an oxo group (e.g., anthraquinone, etc.), an aromatic heterocyclic ring (e.g., 9H-thioxanthene, 9H-thioxanthene) -9-one, etc.) with one hydrogen atom removed. The alkylene group (the alkyl chain in the arylalkyl group) preferably has 1 to 4 carbon atoms, more preferably 1 to 2 carbon atoms, and particularly preferably 1 carbon atom.

R’201における環状の脂肪族炭化水素基は、構造中に環を含む脂肪族炭化水素基が挙げられる。
この構造中に環を含む脂肪族炭化水素基としては、脂環式炭化水素基(脂肪族炭化水素環から水素原子を1個除いた基)、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の末端に結合した基、脂環式炭化水素基が直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基の途中に介在する基などが挙げられる。
前記脂環式炭化水素基は、炭素原子数が3~20であることが好ましく、3~12であることがより好ましい。
前記脂環式炭化水素基は、多環式基であってもよく、単環式基であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素原子数3~6のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては、炭素原子数7~30のものが好ましい。中でも、該ポリシクロアルカンとしては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等の架橋環系の多環式骨格を有するポリシクロアルカン;ステロイド骨格を有する環式基等の縮合環系の多環式骨格を有するポリシクロアルカンがより好ましい。
The cyclic aliphatic hydrocarbon group for R' 201 includes an aliphatic hydrocarbon group containing a ring in its structure.
The aliphatic hydrocarbon group containing a ring in this structure includes an alicyclic hydrocarbon group (a group obtained by removing one hydrogen atom from an aliphatic hydrocarbon ring), and an alicyclic hydrocarbon group that is linear or branched. Examples thereof include a group bonded to the end of a chain aliphatic hydrocarbon group and a group in which an alicyclic hydrocarbon group intervenes in the middle of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group.
The alicyclic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 12 carbon atoms.
The alicyclic hydrocarbon group may be a polycyclic group or a monocyclic group. The monocyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a monocycloalkane. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples include cyclopentane and cyclohexane. The polycyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a polycycloalkane, and the polycycloalkane preferably has 7 to 30 carbon atoms. Among them, the polycycloalkanes include polycycloalkanes having a bridged ring system polycyclic skeleton such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane; condensed ring systems such as cyclic groups having a steroid skeleton; Polycycloalkanes having a polycyclic skeleton of are more preferred.

なかでも、R’201における環状の脂肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカンまたはポリシクロアルカンから水素原子を1つ以上除いた基が好ましく、ポリシクロアルカンから水素原子を1つ除いた基がより好ましく、アダマンチル基、ノルボルニル基が特に好ましく、アダマンチル基が最も好ましい。 Among them, the cyclic aliphatic hydrocarbon group for R′ 201 is preferably a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from monocycloalkane or polycycloalkane, and a group obtained by removing one hydrogen atom from polycycloalkane. More preferred are an adamantyl group and a norbornyl group, and most preferred is an adamantyl group.

脂環式炭化水素基に結合してもよい、直鎖状または分岐鎖状の脂肪族炭化水素基は、炭素原子数が1~10であることが好ましく、1~6がより好ましく、1~4がさらに好ましく、1~3が最も好ましい。
直鎖状の脂肪族炭化水素基としては、直鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、メチレン基[-CH-]、エチレン基[-(CH-]、トリメチレン基[-(CH-]、テトラメチレン基[-(CH-]、ペンタメチレン基[-(CH-]等が挙げられる。
分岐鎖状の脂肪族炭化水素基としては、分岐鎖状のアルキレン基が好ましく、具体的には、-CH(CH)-、-CH(CHCH)-、-C(CH-、-C(CH)(CHCH)-、-C(CH)(CHCHCH)-、-C(CHCH-等のアルキルメチレン基;-CH(CH)CH-、-CH(CH)CH(CH)-、-C(CHCH-、-CH(CHCH)CH-、-C(CHCH-CH-等のアルキルエチレン基;-CH(CH)CHCH-、-CHCH(CH)CH-等のアルキルトリメチレン基;-CH(CH)CHCHCH-、-CHCH(CH)CHCH-等のアルキルテトラメチレン基などのアルキルアルキレン基等が挙げられる。アルキルアルキレン基におけるアルキル基としては、炭素原子数1~5の直鎖状のアルキル基が好ましい。
The linear or branched aliphatic hydrocarbon group, which may be bonded to the alicyclic hydrocarbon group, preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, and 1 to 4 is more preferred, and 1-3 are most preferred.
As the straight-chain aliphatic hydrocarbon group, a straight-chain alkylene group is preferable, and specifically, a methylene group [ --CH.sub.2-- ], an ethylene group [--( CH.sub.2 ) .sub.2-- ], a trimethylene group [ -(CH 2 ) 3 -], tetramethylene group [-(CH 2 ) 4 -], pentamethylene group [-(CH 2 ) 5 -] and the like.
The branched aliphatic hydrocarbon group is preferably a branched alkylene group, and specifically, -CH(CH 3 )-, -CH(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2- , -C(CH 3 )(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 )(CH 2 CH 2 CH 3 )-, -C(CH 2 CH 3 ) 2 - and other alkylmethylene groups;- CH(CH 3 )CH 2 -, -CH(CH 3 )CH(CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 CH 2 -, -CH(CH 2 CH 3 )CH 2 -, -C(CH 2 Alkylethylene groups such as CH 3 ) 2 -CH 2 -; alkyltrimethylene groups such as -CH(CH 3 )CH 2 CH 2 - and -CH 2 CH(CH 3 )CH 2 -; -CH(CH 3 ) Examples include alkylalkylene groups such as alkyltetramethylene groups such as CH 2 CH 2 CH 2 — and —CH 2 CH(CH 3 )CH 2 CH 2 —. As the alkyl group in the alkylalkylene group, a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferred.

置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基:
R’201の鎖状のアルキル基としては、直鎖状又は分岐鎖状のいずれでもよい。
直鎖状のアルキル基としては、炭素原子数が1~20であることが好ましく、1~15であることがより好ましく、1~10が最も好ましい。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デカニル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、イソトリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、イソヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。
分岐鎖状のアルキル基としては、炭素原子数が3~20であることが好ましく、3~15であることがより好ましく、3~10が最も好ましい。具体的には、例えば、1-メチルエチル基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、1-エチルブチル基、2-エチルブチル基、1-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、4-メチルペンチル基などが挙げられる。
A chain alkyl group optionally having a substituent:
The chain alkyl group for R' 201 may be linear or branched.
The linear alkyl group preferably has 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 15 carbon atoms, and most preferably 1 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, decanyl group, undecyl group, dodecyl group, tridecyl group, isotridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, hexadecyl group, isohexadecyl group, heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, icosyl group, henicosyl group, docosyl group and the like.
The branched-chain alkyl group preferably has 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 15 carbon atoms, and most preferably 3 to 10 carbon atoms. Specifically, for example, 1-methylethyl group, 1-methylpropyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, 1-ethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, 1-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 4-methylpentyl group and the like.

置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基:
R’201の鎖状のアルケニル基としては、直鎖状又は分岐鎖状のいずれでもよく、炭素原子数が2~10であることが好ましく、2~5がより好ましく、2~4がさらに好ましく、3が特に好ましい。直鎖状のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基(アリル基)、ブチニル基などが挙げられる。分岐鎖状のアルケニル基としては、例えば、1-メチルビニル基、2-メチルビニル基、1-メチルプロペニル基、2-メチルプロペニル基などが挙げられる。
鎖状のアルケニル基としては、上記の中でも、直鎖状のアルケニル基が好ましく、ビニル基、プロペニル基がより好ましく、ビニル基が特に好ましい。
A chain alkenyl group optionally having a substituent:
The chain alkenyl group for R' 201 may be linear or branched, and preferably has 2 to 10 carbon atoms, more preferably 2 to 5 carbon atoms, and still more preferably 2 to 4 carbon atoms. , 3 are particularly preferred. Examples of linear alkenyl groups include vinyl groups, propenyl groups (allyl groups), and butynyl groups. Examples of branched alkenyl groups include 1-methylvinyl group, 2-methylvinyl group, 1-methylpropenyl group, 2-methylpropenyl group and the like.
Among the above, the chain alkenyl group is preferably a linear alkenyl group, more preferably a vinyl group or a propenyl group, and particularly preferably a vinyl group.

R’201の環式基、鎖状のアルキル基またはアルケニル基における置換基としては、例えば、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基、ニトロ基、アミノ基、オキソ基、上記R’201における環式基、アルキルカルボニル基、チエニルカルボニル基等が挙げられる。 Examples of substituents on the cyclic group, chain alkyl group or alkenyl group of R' 201 include an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, a carbonyl group, a nitro group, an amino group, an oxo group, and the above A cyclic group, an alkylcarbonyl group, a thienylcarbonyl group and the like for R' 201 can be mentioned.

なかでも、R’201は、置換基を有していてもよい環式基、置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基が好ましい。 Of these, R' 201 is preferably an optionally substituted cyclic group or an optionally substituted chain alkyl group.

201~R203、R206~R207、R211~R212は、相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成する場合、硫黄原子、酸素原子、窒素原子等のヘテロ原子や、カルボニル基、-SO-、-SO-、-SO-、-COO-、-CONH-または-N(R)-(該Rは炭素原子数1~5のアルキル基である。)等の官能基を介して結合してもよい。形成される環としては、式中のイオウ原子をその環骨格に含む1つの環が、イオウ原子を含めて、3~10員環であることが好ましく、5~7員環であることが特に好ましい。形成される環の具体例としては、例えばチオフェン環、チアゾール環、ベンゾチオフェン環、チアントレン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、9H-チオキサンテン環、チオキサントン環、チアントレン環、フェノキサチイン環、テトラヒドロチオフェニウム環、テトラヒドロチオピラニウム環等が挙げられる。 When R 201 to R 203 , R 206 to R 207 and R 211 to R 212 are mutually bonded to form a ring together with the sulfur atom in the formula, heteroatoms such as a sulfur atom, an oxygen atom and a nitrogen atom, a carbonyl group, -SO-, -SO 2 -, -SO 3 -, -COO-, -CONH- or -N(R N )- (the R N is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms); You may couple|bond via functional groups, such as. As the ring to be formed, one ring containing a sulfur atom in the formula in its ring skeleton is preferably a 3- to 10-membered ring including a sulfur atom, particularly a 5- to 7-membered ring. preferable. Specific examples of the ring formed include a thiophene ring, a thiazole ring, a benzothiophene ring, a thianthrene ring, a benzothiophene ring, a dibenzothiophene ring, a 9H-thioxanthene ring, a thioxanthone ring, a thianthrene ring, a phenoxathiine ring, and a tetrahydro A thiophenium ring, a tetrahydrothiopyranium ring, and the like are included.

前記式(ca-3)中、R208~R209は、それぞれ独立に、水素原子または炭素原子数1~5のアルキル基を表し、水素原子又は炭素原子数1~3のアルキル基が好ましく、アルキル基となる場合、相互に結合して環を形成してもよい。 In the formula (ca-3), R 208 to R 209 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, When forming an alkyl group, they may be bonded to each other to form a ring.

前記式(ca-3)中、R210は、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、又は置換基を有していてもよい-SO-含有環式基である。
210におけるアリール基としては、炭素原子数6~20の無置換のアリール基が挙げられ、フェニル基、ナフチル基が好ましい。
210におけるアルキル基としては、鎖状又は環状のアルキル基であって、炭素原子数1~30のものが好ましい。
210におけるアルケニル基としては、炭素原子数が2~10であることが好ましい。
In the formula (ca-3), R 210 is an optionally substituted aryl group, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted alkenyl group, or It is a —SO 2 —containing cyclic group optionally having a substituent.
The aryl group for R 210 includes an unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, preferably a phenyl group or a naphthyl group.
The alkyl group for R 210 is preferably a chain or cyclic alkyl group having 1 to 30 carbon atoms.
The alkenyl group for R 210 preferably has 2 to 10 carbon atoms.

前記の式(ca-4)、式(ca-5)中、Y201は、それぞれ独立に、アリーレン基、アルキレン基又はアルケニレン基を表す。
201におけるアリーレン基は、R’201における芳香族炭化水素基として例示したアリール基から水素原子を1つ除いた基が挙げられる。
201におけるアルキレン基、アルケニレン基は、R’201における鎖状のアルキル基、鎖状のアルケニル基として例示した基から水素原子を1つ除いた基が挙げられる。
In the above formulas (ca-4) and (ca-5), each Y 201 independently represents an arylene group, an alkylene group or an alkenylene group.
Examples of the arylene group for Y 201 include groups obtained by removing one hydrogen atom from the aryl group exemplified as the aromatic hydrocarbon group for R′ 201 .
Examples of the alkylene group and alkenylene group for Y 201 include groups obtained by removing one hydrogen atom from the groups exemplified as the chain alkyl group and chain alkenyl group for R′ 201 .

前記の式(ca-4)、式(ca-5)中、xは、1または2である。
201は、(x+1)価、すなわち2価または3価の連結基である。
201における2価の連結基としては、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基が好ましく、上記式(A1)中のREPで例示した置換基を有していてもよい2価の炭化水素基と同様の基が好ましい。W201における2価の連結基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよく、環状であることが好ましい。なかでも、アリーレン基の両端に2個のカルボニル基が組み合わされた基、又はアリーレン基のみからなる基が好ましい。アリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基等が挙げられ、フェニレン基が特に好ましい。
201における3価の連結基としては、前記W201における2価の連結基から水素原子を1個除いた基、前記2価の連結基にさらに前記2価の連結基が結合した基などが挙げられる。W201における3価の連結基としては、アリーレン基に2個のカルボニル基が結合した基が好ましい。
In the above formulas (ca-4) and (ca-5), x is 1 or 2.
W 201 is a (x+1)-valent, ie divalent or trivalent linking group.
The divalent linking group in W 201 is preferably a divalent hydrocarbon group which may have a substituent, and may have a substituent exemplified for R EP in the above formula (A1). Groups similar to divalent hydrocarbon groups are preferred. The divalent linking group in W 201 may be linear, branched or cyclic, preferably cyclic. Among them, a group in which two carbonyl groups are combined at both ends of an arylene group, or a group consisting only of an arylene group is preferable. The arylene group includes a phenylene group, a naphthylene group and the like, and a phenylene group is particularly preferred.
The trivalent linking group for W 201 includes a group obtained by removing one hydrogen atom from the divalent linking group for W 201 , a group obtained by further bonding the divalent linking group to the divalent linking group, and the like. mentioned. The trivalent linking group for W 201 is preferably a group in which two carbonyl groups are bonded to an arylene group.

前記式(ca-1)で表される好適なカチオンとして具体的には、下記式(ca-1-1)~(ca-1-24)でそれぞれ表されるカチオンが挙げられる。 Specific examples of suitable cations represented by formula (ca-1) include cations represented by formulas (ca-1-1) to (ca-1-24) below.

Figure 2023034044000014
Figure 2023034044000014

Figure 2023034044000015
[式中、R”201は、水素原子又は置換基である。該置換基としては、前記R201~R207およびR210~R212が有していてもよい置換基として挙げたものと同様である。]
Figure 2023034044000015
[Wherein, R 201 is a hydrogen atom or a substituent . is.]

また、前記式(ca-1)で表されるカチオンとしては、下記一般式(ca-1-25)~(ca-1-35)でそれぞれ表されるカチオンも好ましい。 As the cation represented by the formula (ca-1), cations represented by the following general formulas (ca-1-25) to (ca-1-35) are also preferable.

Figure 2023034044000016
Figure 2023034044000016

Figure 2023034044000017
[式中、R’211はアルキル基である。Rhalは、水素原子又はハロゲン原子である。]
Figure 2023034044000017
[In the formula, R′ 211 is an alkyl group. R hal is a hydrogen atom or a halogen atom. ]

また、前記式(ca-1)で表されるカチオンとしては、下記化学式(ca-1-36)~(ca-1-48)でそれぞれ表されるカチオンも好ましい。 As the cation represented by the formula (ca-1), cations represented by the following chemical formulas (ca-1-36) to (ca-1-48) are also preferable.

Figure 2023034044000018
Figure 2023034044000018

前記式(ca-2)で表される好適なカチオンとして具体的には、ジフェニルヨードニウムカチオン、ビス(4-tert-ブチルフェニル)ヨードニウムカチオン等が挙げられる。 Specific examples of suitable cations represented by the formula (ca-2) include diphenyliodonium cations and bis(4-tert-butylphenyl)iodonium cations.

前記式(ca-3)で表される好適なカチオンとして具体的には、下記式(ca-3-1)~(ca-3-6)でそれぞれ表されるカチオンが挙げられる。 Specific examples of suitable cations represented by formula (ca-3) include cations represented by formulas (ca-3-1) to (ca-3-6) below.

Figure 2023034044000019
Figure 2023034044000019

前記式(ca-4)で表される好適なカチオンとして具体的には、下記式(ca-4-1)~(ca-4-2)でそれぞれ表されるカチオンが挙げられる。 Specific examples of suitable cations represented by formula (ca-4) include cations represented by formulas (ca-4-1) to (ca-4-2) below.

Figure 2023034044000020
Figure 2023034044000020

また、前記式(ca-5)で表されるカチオンとしては、下記一般式(ca-5-1)~(ca-5-3)でそれぞれ表されるカチオンも好ましい。 As the cation represented by the formula (ca-5), cations represented by the following general formulas (ca-5-1) to (ca-5-3) are also preferable.

Figure 2023034044000021
[式中、R’212はアルキル基又は水素原子である。R’211はアルキル基である。]
Figure 2023034044000021
[In the formula, R′ 212 is an alkyl group or a hydrogen atom. R' 211 is an alkyl group. ]

上記の中でも、カチオン部[(Qq+1/q]は、一般式(ca-1)で表されるカチオンが好ましく、式(ca-1-1)~(ca-1-48)でそれぞれ表されるカチオンがより好ましく、式(ca-1-25)で表されるカチオン、式(ca-1-29)で表されるカチオン、式(ca-1-35)で表されるカチオン、式(ca-1-47)で表されるカチオン、式(ca-1-48)で表されるカチオンがさらに好ましい。 Among the above, the cation moiety [(Q q+ ) 1/q ] is preferably a cation represented by the general formula (ca-1), and each of the formulas (ca-1-1) to (ca-1-48) The cation represented by the formula (ca-1-25) is more preferable, the cation represented by the formula (ca-1-29), the cation represented by the formula (ca-1-35), A cation represented by formula (ca-1-47) and a cation represented by formula (ca-1-48) are more preferable.

以下に、好適な(I1)成分の具体例を挙げる。 Specific examples of preferred component (I1) are given below.

Figure 2023034044000022
Figure 2023034044000022

≪その他光カチオン重合開始剤≫
上記(I1)成分以外の光カチオン重合開始剤としては、例えば、下記一般式(I2-1)又は(I2-2)で表される化合物(以下「(I2)成分」という);下記一般式(I3-1)又は(I3-2)で表される化合物(以下「(I3)成分」という)が挙げられる。
≪Other Photocationic Polymerization Initiators≫
Examples of photocationic polymerization initiators other than the component (I1) include compounds represented by the following general formula (I2-1) or (I2-2) (hereinafter referred to as "(I2) component"); Compounds represented by (I3-1) or (I3-2) (hereinafter referred to as "component (I3)") can be mentioned.

(I2)成分について:
(I2)成分は、下記一般式(I2-1)又は(I2-2)で表される化合物である。
(I2)成分は、露光により比較的に強い酸を発生するため、(I)成分を含有する感光性組成物を用いてパターンを形成する場合に、充分な感度が得られて良好なパターンが形成される。
(I2) About the component:
The component (I2) is a compound represented by the following general formula (I2-1) or (I2-2).
Since the component (I2) generates a relatively strong acid upon exposure, when a pattern is formed using the photosensitive composition containing the component (I), sufficient sensitivity can be obtained and a good pattern can be obtained. It is formed.

Figure 2023034044000023
[式中、Rb05は、置換基を有していてもよいフッ素化アルキル基、又はフッ素原子である。複数のRb05は、互いに同一であってもよく異なっていてもよい。qは1以上の整数であって、Qq+は、q価の有機カチオンである。]
Figure 2023034044000023
[In the formula, R b05 is an optionally substituted fluorinated alkyl group or a fluorine atom. A plurality of R b05 may be the same or different. q is an integer of 1 or more, and Q q+ is a q-valent organic cation. ]

Figure 2023034044000024
[式中、Rb06は、置換基を有していてもよいフッ素化アルキル基、又はフッ素原子である。複数のRb06は、互いに同一であってもよく異なっていてもよい。qは1以上の整数であって、Qq+は、q価の有機カチオンである。]
Figure 2023034044000024
[In the formula, R b06 is an optionally substituted fluorinated alkyl group or a fluorine atom. A plurality of R b06 may be the same or different. q is an integer of 1 or more, and Q q+ is a q-valent organic cation. ]

・アニオン部
前記式(I2-1)中、Rb05は、置換基を有していてもよいフッ素化アルキル基、又はフッ素原子である。複数のRb05は、互いに同一であってもよく異なっていてもよい。
b05におけるフッ素化アルキル基は、炭素数が1~10であることが好ましく、1~8がより好ましく、1~5がさらに好ましい。具体的には、炭素数1~5のアルキル基において、水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。
中でも、Rb05としては、フッ素原子又は炭素数1~5のフッ素化アルキル基が好ましく、フッ素原子又は炭素数1~5のパーフルオロアルキル基がより好ましく、フッ素原子、トリフルオロメチル基又はペンタフルオロエチル基がさらに好ましい。
Anion Moiety In the above formula (I2-1), R b05 is an optionally substituted fluorinated alkyl group or a fluorine atom. A plurality of R b05 may be the same or different.
The fluorinated alkyl group for R b05 preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and even more preferably 1 to 5 carbon atoms. Specific examples include alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms in which some or all of the hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms.
Among them, R b05 is preferably a fluorine atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a fluorine atom or a perfluoroalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a fluorine atom, a trifluoromethyl group or pentafluoro Ethyl groups are more preferred.

式(I2-1)で表される化合物のアニオン部は、下記一般式(b0-2a)で表されるものが好ましい。 The anion portion of the compound represented by formula (I2-1) is preferably represented by general formula (b0-2a) below.

Figure 2023034044000025
[式中、Rbf05は、置換基を有していてもよいフッ素化アルキル基である。nbは、1~5の整数である。]
Figure 2023034044000025
[In the formula, Rbf05 is a fluorinated alkyl group which may have a substituent. nb 1 is an integer from 1 to 5; ]

式(b0-2a)中、Rbf05における置換基を有していてもよいフッ素化アルキル基としては、前記Rb05で挙げた、置換基を有していてもよいフッ素化アルキル基と同様である。
式(b0-2a)中、nbは、1~4の整数が好ましく、2~4の整数がより好ましく、3が最も好ましい。
In formula (b0-2a), the optionally substituted fluorinated alkyl group for R bf05 is the same as the optionally substituted fluorinated alkyl group for R b05 . be.
In formula (b0-2a), nb 1 is preferably an integer of 1 to 4, more preferably an integer of 2 to 4, and most preferably 3.

前記式(I2-2)中、Rb06は、置換基を有していてもよいフッ素化アルキル基、又はフッ素原子である。複数のRb06は、互いに同一であってもよく異なっていてもよい。
b06におけるフッ素化アルキル基は、炭素数が1~10であることが好ましく、1~8がより好ましく、1~5がさらに好ましい。具体的には、炭素数1~5のアルキル基において、水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基が挙げられる。
中でも、Rb06としては、フッ素原子又は炭素数1~5のフッ素化アルキル基が好ましく、フッ素原子又は炭素数1~5のパーフルオロアルキル基がより好ましく、フッ素原子がさらに好ましい。
In formula (I2-2) above, R b06 is an optionally substituted fluorinated alkyl group or a fluorine atom. A plurality of R b06 may be the same or different.
The fluorinated alkyl group for R b06 preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and even more preferably 1 to 5 carbon atoms. Specific examples include alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms in which some or all of the hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms.
Among them, R b06 is preferably a fluorine atom or a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a fluorine atom or a perfluoroalkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and still more preferably a fluorine atom.

・カチオン部
式(I2-1)、式(I2-2)中、qは1以上の整数であって、Qq+は、q価の有機カチオンである。
このQq+としては、上記式(I1)中のQq+と同様のものが挙げられ、その中でも、一般式(ca-1)で表されるカチオンが好ましく、式(ca-1-1)~(ca-1-48)でそれぞれ表されるカチオンがより好ましく、式(ca-1-25)で表されるカチオン、式(ca-1-29)で表されるカチオン、式(ca-1-35)で表されるカチオン、式(ca-1-47)で表されるカチオンがさらに好ましい。
Cation Moiety In formulas (I2-1) and (I2-2), q is an integer of 1 or more, and Q q+ is a q-valent organic cation.
Examples of Q q+ include those similar to Q q+ in the above formula (I1). Among them, the cation represented by general formula (ca-1) is preferable, and the Cations represented by (ca-1-48) are more preferable, respectively, a cation represented by formula (ca-1-25), a cation represented by formula (ca-1-29), a cation represented by formula (ca-1 -35) and the cation represented by the formula (ca-1-47) are more preferred.

以下に、好適な(I2)成分の具体例を挙げる。 Specific examples of suitable (I2) component are given below.

Figure 2023034044000026
Figure 2023034044000026

(I3)成分について:
(I3)成分は、下記一般式(I3-1)又は(I3-2)で表される化合物である。
(I3) About the component:
The (I3) component is a compound represented by the following general formula (I3-1) or (I3-2).

Figure 2023034044000027
[式中、Rb11~Rb12は、ハロゲン原子以外の置換基を有していてもよい環式基、ハロゲン原子以外の置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、又はハロゲン原子以外の置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基である。mは1以上の整数であって、Mm+は、それぞれ独立に、m価の有機カチオンである。]
Figure 2023034044000027
[Wherein, R b11 to R b12 are a cyclic group optionally having a substituent other than a halogen atom, a chain alkyl group optionally having a substituent other than a halogen atom, or a halogen atom It is a chain alkenyl group optionally having a substituent other than . m is an integer of 1 or more, and each M m+ is independently an m-valent organic cation. ]

{(I3-1)成分}
・アニオン部
式(I3-1)中、Rb12は、ハロゲン原子以外の置換基を有していてもよい環式基、ハロゲン原子以外の置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、又はハロゲン原子以外の置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基であって、上述したR’201の説明中の環式基、鎖状のアルキル基、鎖状のアルケニル基のうち、置換基を有しないもの又はハロゲン原子以外の置換基を有するものが挙げられる。
b12としては、ハロゲン原子以外の置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、又はハロゲン原子以外の置換基を有していてもよい脂肪族環式基であることが好ましい。
鎖状のアルキル基としては、炭素原子数1~10であることが好ましく、3~10であることがより好ましい。脂肪族環式基としては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等から1個以上の水素原子を除いた基(ハロゲン原子以外の置換基を有していてもよい);カンファー等から1個以上の水素原子を除いた基であることがより好ましい。
b12の炭化水素基は、ハロゲン原子以外の置換基を有していてもよく、該置換基としては、前記式(I3-2)のRb11における炭化水素基(芳香族炭化水素基、脂肪族環式基、鎖状のアルキル基)が有していてもよいハロゲン原子以外の置換基と同様のものが挙げられる。
ここでいう「ハロゲン原子以外の置換基を有していてもよい」とは、ハロゲン原子のみからなる置換基を有する場合を排除するのみではなく、ハロゲン原子を1つでも含む置換基を有する場合(例えば、置換基がフッ素化アルキル基である場合等)を排除するものである。
{(I3-1) component}
Anion portion In formula (I3-1), R b12 is a cyclic group optionally having a substituent other than a halogen atom, a chain alkyl group optionally having a substituent other than a halogen atom , or a chain alkenyl group which may have a substituent other than a halogen atom, and which is a cyclic group, a chain alkyl group, and a chain alkenyl group in the description of R' 201 described above. , those having no substituents or those having substituents other than halogen atoms.
R b12 is preferably a chain alkyl group optionally having a substituent other than a halogen atom or an aliphatic cyclic group optionally having a substituent other than a halogen atom.
The chain alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 3 to 10 carbon atoms. Aliphatic cyclic groups include groups obtained by removing one or more hydrogen atoms from adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane, etc. (which may have substituents other than halogen atoms); camphor It is more preferable to be a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from etc.
The hydrocarbon group of R b12 may have a substituent other than a halogen atom , and examples of the substituent include the hydrocarbon group (aromatic hydrocarbon group, aliphatic tricyclic group, chain alkyl group) may have the same substituents other than the halogen atom.
Here, "may have a substituent other than a halogen atom" not only excludes the case of having a substituent consisting only of a halogen atom, but also the case of having a substituent containing at least one halogen atom (for example, when the substituent is a fluorinated alkyl group, etc.).

以下に、(I3-1)成分のアニオン部の好ましい具体例を示す。 Preferred specific examples of the anion portion of component (I3-1) are shown below.

Figure 2023034044000028
Figure 2023034044000028

・カチオン部
式(I3-1)中、Mm+は、m価の有機カチオンである。
m+の有機カチオンとしては、上記一般式(ca-1)~(ca-5)でそれぞれ表されるカチオンと同様のものが好適に挙げられ、これらの中でも、上記一般式(ca-1)で表されるカチオンがより好ましい。この中でも、上記一般式(ca-1)中のR201、R202、R203のうちの少なくとも1つが、置換基を有していてもよい炭素原子数16以上の有機基(アリール基、ヘテロアリール基、アルキル基またはアルケニル基)であるスルホニウムカチオンが、解像性やラフネス特性が向上することから特に好ましい。
前記の有機基が有していてもよい置換基としては、上記と同様であり、アルキル基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、カルボニル基、シアノ基、アミノ基、オキソ基(=O)、アリール基、上記式(ca-r-1)~(ca-r-10)でそれぞれ表される基が挙げられる。
前記の有機基(アリール基、ヘテロアリール基、アルキル基またはアルケニル基)における炭素原子数は、好ましくは16~25、より好ましくは16~20であり、特に好ましくは16~18であり、かかるMm+の有機カチオンとしては、例えば、上記式(ca-1-25)、(ca-1-26)、(ca-1-28)~(ca-1-36)、(ca-1-38)、(ca-1-46)、(ca-1-47)でそれぞれ表されるカチオンが好適に挙げられ、その中でも、上記式(ca-1-29)で表されるカチオンが特に好ましい。
Cation Moiety In formula (I3-1), M m+ is an m-valent organic cation.
As the organic cation of M m+ , the same cations as the cations represented by the above general formulas (ca-1) to (ca-5) are preferably mentioned, and among these, the above general formula (ca-1) A cation represented by is more preferable. Among these, at least one of R 201 , R 202 and R 203 in the general formula (ca-1) is an optionally substituted organic group having 16 or more carbon atoms (aryl group, hetero A sulfonium cation (aryl group, alkyl group or alkenyl group) is particularly preferred because it improves resolution and roughness characteristics.
The substituents that the organic group may have are the same as those described above, and include an alkyl group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a carbonyl group, a cyano group, an amino group, an oxo group (=O), an aryl groups, and groups represented by the above formulas (ca-r-1) to (ca-r-10).
The number of carbon atoms in the organic group (aryl group, heteroaryl group, alkyl group or alkenyl group) is preferably 16 to 25, more preferably 16 to 20, and particularly preferably 16 to 18. Examples of m+ organic cations include the above formulas (ca-1-25), (ca-1-26), (ca-1-28) to (ca-1-36), (ca-1-38) , (ca-1-46), and (ca-1-47) are preferable, and among them, the cation represented by the above formula (ca-1-29) is particularly preferable.

{(I3-2)成分}
・アニオン部
式(I3-2)中、Rb11は、ハロゲン原子以外の置換基を有していてもよい環式基、ハロゲン原子以外の置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基、又はハロゲン原子以外の置換基を有していてもよい鎖状のアルケニル基であって、上述したR’201の説明中の環式基、鎖状のアルキル基、鎖状のアルケニル基のうち、置換基を有しないもの又はハロゲン原子以外の置換基を有するものが挙げられる。
{(I3-2) component}
Anion portion In formula (I3-2), R b11 is a cyclic group optionally having a substituent other than a halogen atom, a chain alkyl group optionally having a substituent other than a halogen atom , or a chain alkenyl group which may have a substituent other than a halogen atom, and which is a cyclic group, a chain alkyl group, and a chain alkenyl group in the description of R' 201 described above. , those having no substituents or those having substituents other than halogen atoms.

これらのなかでも、Rb11としては、ハロゲン原子以外の置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、ハロゲン原子以外の置換基を有していてもよい脂肪族環式基、又はハロゲン原子以外の置換基を有していてもよい鎖状のアルキル基が好ましい。これらの基が有していてもよい置換基としては、水酸基、オキソ基、アルキル基、アリール基、ラクトン含有環式基、エーテル結合、エステル結合、又はこれらの組合せが挙げられる。
エーテル結合やエステル結合を置換基として含む場合、アルキレン基を介していてもよく、この場合の置換基としては、下記一般式(y-al-1)~(y-al-7)でそれぞれ表される連結基が好ましい。
なお、下記一般式(y-al-1)~(y-al-7)において、上記式(I3-2)中のRb11と結合するのが、下記一般式(y-al-1)~(y-al-7)中のV’101である。
Among these, R b11 is an aromatic hydrocarbon group optionally having a substituent other than a halogen atom, an aliphatic cyclic group optionally having a substituent other than a halogen atom, or a halogen A chain alkyl group which may have substituents other than atoms is preferred. Substituents these groups may have include hydroxyl groups, oxo groups, alkyl groups, aryl groups, lactone-containing cyclic groups, ether bonds, ester bonds, and combinations thereof.
When it contains an ether bond or an ester bond as a substituent, it may be via an alkylene group, and the substituent in this case is represented by the following general formulas (y-al-1) to (y-al-7), respectively. is preferred.
In the following general formulas (y-al-1) to (y-al-7), R b11 in the above formula (I3-2) is bound to the following general formulas (y-al-1) to It is V' 101 in (y-al-7).

Figure 2023034044000029
[式中、V’101は、単結合または炭素原子数1~5のアルキレン基である。V’102は、炭素原子数1~30の2価の飽和炭化水素基である。]
Figure 2023034044000029
[In the formula, V′ 101 is a single bond or an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms. V' 102 is a divalent saturated hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms. ]

V’102における2価の飽和炭化水素基は、炭素原子数1~30のアルキレン基であることが好ましく、炭素原子数1~10のアルキレン基であることがより好ましく、炭素原子数1~5のアルキレン基であることがさらに好ましい。 The divalent saturated hydrocarbon group for V' 102 is preferably an alkylene group having 1 to 30 carbon atoms, more preferably an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, and 1 to 5 carbon atoms. is more preferably an alkylene group of

V’101およびV’102におけるアルキレン基としては、直鎖状のアルキレン基でもよく分岐鎖状のアルキレン基でもよく、直鎖状のアルキレン基が好ましい。
V’101およびV’102におけるアルキレン基として、具体的には、メチレン基[-CH-];-CH(CH)-、-CH(CHCH)-、-C(CH-、-C(CH)(CHCH)-、-C(CH)(CHCHCH)-、-C(CHCH-等のアルキルメチレン基;エチレン基[-CHCH-];-CH(CH)CH-、-CH(CH)CH(CH)-、-C(CHCH-、-CH(CHCH)CH-等のアルキルエチレン基;トリメチレン基(n-プロピレン基)[-CHCHCH-];-CH(CH)CHCH-、-CHCH(CH)CH-等のアルキルトリメチレン基;テトラメチレン基[-CHCHCHCH-];-CH(CH)CHCHCH-、-CHCH(CH)CHCH-等のアルキルテトラメチレン基;ペンタメチレン基[-CHCHCHCHCH-]等が挙げられる。
また、V’101又はV’102における前記アルキレン基における一部のメチレン基が、炭素原子数5~10の2価の脂肪族環式基で置換されていてもよい。当該脂肪族環式基は、R’201の環状の脂肪族炭化水素基(単環式の脂環式炭化水素基、多環式の脂環式炭化水素基)から水素原子をさらに1つ除いた2価の基が好ましく、シクロへキシレン基、1,5-アダマンチレン基又は2,6-アダマンチレン基がより好ましい。
The alkylene group for V' 101 and V' 102 may be a straight-chain alkylene group or a branched alkylene group, and a straight-chain alkylene group is preferred.
Specific examples of the alkylene group for V' 101 and V' 102 include a methylene group [-CH 2 -]; -CH(CH 3 )-, -CH(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 -, -C(CH 3 )(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 )(CH 2 CH 2 CH 3 )-, -C(CH 2 CH 3 ) 2 - and other alkylmethylene groups; ethylene groups [-CH 2 CH 2 -]; -CH(CH 3 )CH 2 -, -CH(CH 3 )CH(CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 CH 2 -, -CH(CH 2 CH 3 ) Alkylethylene groups such as CH 2 -; trimethylene group (n-propylene group) [-CH 2 CH 2 CH 2 -]; -CH(CH 3 )CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH(CH 3 ) Alkyltrimethylene groups such as CH 2 -; Tetramethylene group [-CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 -]; -CH(CH 3 )CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH(CH 3 )CH 2 Alkyltetramethylene groups such as CH 2 —; pentamethylene groups [—CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 CH 2 —] and the like.
Further, part of the methylene groups in the alkylene group in V'101 or V'102 may be substituted with a divalent aliphatic cyclic group having 5 to 10 carbon atoms. The aliphatic cyclic group is obtained by removing one hydrogen atom from the cyclic aliphatic hydrocarbon group (monocyclic alicyclic hydrocarbon group, polycyclic alicyclic hydrocarbon group) of R′ 201 . A divalent group is preferred, and a cyclohexylene group, a 1,5-adamantylene group or a 2,6-adamantylene group is more preferred.

前記芳香族炭化水素基としては、フェニル基もしくはナフチル基がより好ましい。
前記脂肪族環式基としては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等のポリシクロアルカンから1個以上の水素原子を除いた基であることがより好ましい。
前記鎖状のアルキル基としては、炭素原子数が1~10であることが好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等の直鎖状のアルキル基;1-メチルエチル基、1-メチルプロピル基、2-メチルプロピル基、1-メチルブチル基、2-メチルブチル基、3-メチルブチル基、1-エチルブチル基、2-エチルブチル基、1-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、3-メチルペンチル基、4-メチルペンチル基等の分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。
A phenyl group or a naphthyl group is more preferable as the aromatic hydrocarbon group.
More preferably, the aliphatic cyclic group is a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane.
The chain alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms, and specific examples thereof include methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group and octyl group. , nonyl group, linear alkyl group such as decyl group; 1-methylethyl group, 1-methylpropyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, 1- Examples include branched chain alkyl groups such as ethylbutyl, 2-ethylbutyl, 1-methylpentyl, 2-methylpentyl, 3-methylpentyl, and 4-methylpentyl.

b11としては、ハロゲン原子以外の置換基を有していてもよい環式基が好ましい。
以下に、(I3-2)成分のアニオン部の好ましい具体例を示す。
R b11 is preferably a cyclic group optionally having a substituent other than a halogen atom.
Preferred specific examples of the anion portion of component (I3-2) are shown below.

Figure 2023034044000030
Figure 2023034044000030

・カチオン部
式(I3-2)中、Mm+は、m価の有機カチオンであり、前記式(I3-1)中のMm+と同様である。
Cation Moiety In formula (I3-2), M m+ is an m-valent organic cation, which is the same as M m+ in formula (I3-1).

また、(I)成分は、樹脂膜の高弾性化、及び、残渣無く微細構造を形成しやすい点から、露光によりpKa(酸解離定数)が-5以下の酸を発生する光カチオン重合開始剤であることが好ましい。より好ましくはpKaが-6以下、さらに好ましくはpKaが-8以下の酸を発生する光カチオン重合開始剤を用いることにより、露光に対する高い感度を得ることが可能となる。(I)成分が発生する酸のpKaの下限は、好ましくは-15以上である。かかる好適なpKaの酸を発生する光カチオン重合開始剤を用いることで、高感度化が図られやすくなる。
ここで「pKa(酸解離定数)」とは、対象物質の酸強度を示す指標として一般的に用いられているものをいう。なお、本明細書におけるpKaは、25℃の温度条件における値である。また、pKa値は、公知の手法により測定して求めることができる。また、「ACD/Labs」(商品名、Advanced Chemistry Development社製)等の公知のソフトウェアを用いた計算値を用いることもできる。
In addition, the component (I) is a photocationic polymerization initiator that generates an acid with a pKa (acid dissociation constant) of -5 or less by exposure, in order to increase the elasticity of the resin film and to easily form a fine structure without residue. is preferably By using a photocationic polymerization initiator that generates an acid having a pKa of preferably −6 or less, more preferably −8 or less, high sensitivity to exposure can be obtained. The lower limit of the pKa of the acid generated by component (I) is preferably -15 or more. By using a photocationic polymerization initiator that generates an acid with such a suitable pKa, it becomes easier to achieve high sensitivity.
Here, "pKa (acid dissociation constant)" is generally used as an indicator of acid strength of a target substance. In addition, pKa in this specification is a value in 25 degreeC temperature conditions. Also, the pKa value can be obtained by measuring by a known method. Also, calculated values using known software such as "ACD/Labs" (trade name, manufactured by Advanced Chemistry Development) can be used.

以下に、好適な(I3)成分の具体例を挙げる。 Specific examples of suitable (I3) component are given below.

Figure 2023034044000031
Figure 2023034044000031

(I)成分としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
本実施形態の感光性組成物(R1)において、(I)成分は、(I1)成分、(I2)成分及び(I3)成分からなる群より選択される少なくとも一種が好ましく、(I1)成分と(I3)成分とを含むもの、(I2)成分と(I3)成分とを含むものがより好ましく、(I1)成分と(I3)成分とを含むもの、一般式(I2-1)で表される化合物と(I3)成分とを含むものがさらに好ましく、(I1)成分と一般式(I3-1)で表される化合物とを含むもの、一般式(I2-1)で表される化合物と一般式(I3-1)で表される化合物とを含むものが特に好ましい。
As the component (I), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
In the photosensitive composition (R1) of the present embodiment, the component (I) is preferably at least one selected from the group consisting of the component (I1), the component (I2) and the component (I3). Those containing the component (I3), those containing the components (I2) and (I3) are more preferable, those containing the components (I1) and (I3), represented by the general formula (I2-1) and a compound represented by the general formula (I3-1), a compound represented by the general formula (I2-1) and a compound represented by the general formula (I2-1) are more preferable. and a compound represented by general formula (I3-1) is particularly preferred.

本実施形態の感光性組成物(R1)中、(I)成分の含有量は、(A)成分の全質量部を100質量部としたときに、0.1~5質量部であることが好ましく、0.15~3質量部であることがより好ましく、0.2~1質量部であることがさらに好ましい。
(I1)成分の含有量が、前記の好ましい範囲の下限値以上であると、充分な感度が得られて、レジストパターンのリソグラフィー特性がより向上する。加えて、樹脂硬化膜の強度がより高められる。一方、前記の好ましい範囲の上限値以下であると、感度が適度に制御され、良好な形状のレジストパターンが得られやすくなる。
In the photosensitive composition (R1) of the present embodiment, the content of component (I) is 0.1 to 5 parts by mass when the total parts by mass of component (A) is 100 parts by mass. It is preferably from 0.15 to 3 parts by mass, and even more preferably from 0.2 to 1 part by mass.
When the content of component (I1) is at least the lower limit of the preferred range, sufficient sensitivity can be obtained, and the lithography properties of the resist pattern are further improved. In addition, the strength of the cured resin film is further enhanced. On the other hand, when it is equal to or less than the upper limit of the preferred range, the sensitivity is moderately controlled, and a resist pattern with a good shape can be easily obtained.

一般式(m1)で表される脂環式エポキシ化合物((m1)成分)について: Regarding the alicyclic epoxy compound represented by the general formula (m1) (component (m1)):

Figure 2023034044000032
[式中、R~R18は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は有機基である。Xは、2価の連結基又は単結合である。]
Figure 2023034044000032
[In the formula, R 1 to R 18 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom or an organic group. X is a divalent linking group or a single bond. ]

前記式(m1)中、R~R18におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。 In formula (m1), the halogen atoms for R 1 to R 18 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom and the like.

前記式(m1)中、R~R18における有機基としては、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、又はこれらの2つ以上が結合した基を含む炭化水素基等が挙げられる。 In the above formula (m1), the organic group for R 1 to R 18 includes an aliphatic hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, or a hydrocarbon group containing a group in which two or more of these are bonded. A hydrogen group and the like can be mentioned.

~R18における有機基について、上記脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数1~20のアルキル基、炭素数2~20のアルケニル基、炭素数2~20のアルキニル基等が挙げられる。
炭素数1~20のアルキル基のなかでも、好ましくは炭素数1~10のアルキル基であり、特に好ましくは炭素数1~4のアルキル基である。
炭素数2~20のアルケニル基のなかでも、好ましくは炭素数2~10のアルケニル基であり、特に好ましくは炭素数2~4のアルケニル基である。
炭素数2~20のアルキニル基のなかでも、好ましくは炭素数2~10のアルキニル基であり、特に好ましくは炭素数2~4のアルキニル基である。
Regarding the organic groups for R 1 to R 18 , examples of the aliphatic hydrocarbon group include an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, an alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, and the like. be done.
Among the alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms, alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms are preferred, and alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms are particularly preferred.
Among alkenyl groups having 2 to 20 carbon atoms, alkenyl groups having 2 to 10 carbon atoms are preferred, and alkenyl groups having 2 to 4 carbon atoms are particularly preferred.
Among the alkynyl groups having 2 to 20 carbon atoms, alkynyl groups having 2 to 10 carbon atoms are preferred, and alkynyl groups having 2 to 4 carbon atoms are particularly preferred.

~R18における有機基について、上記脂環式炭化水素基としては、例えば、炭素数3~12のシクロアルキル基、炭素数3~12のシクロアルケニル基、炭素数4~15の架橋環式炭化水素基等が挙げられる。
炭素数3~12のシクロアルキル基としては、例えばシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロドデシル基等が挙げられる。
炭素数3~12のシクロアルケニル基としては、例えばシクロヘキセニル基等が挙げられる。
炭素数4~15の架橋環式炭化水素基としては、例えばビシクロヘプタニル基、ビシクロヘプテニル基等が挙げられる。
Regarding the organic groups for R 1 to R 18 , the alicyclic hydrocarbon group includes, for example, a cycloalkyl group having 3 to 12 carbon atoms, a cycloalkenyl group having 3 to 12 carbon atoms, and a bridged ring having 4 to 15 carbon atoms. Formula hydrocarbon group, etc. are mentioned.
Examples of the cycloalkyl group having 3 to 12 carbon atoms include cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cyclododecyl group and the like.
The cycloalkenyl group having 3 to 12 carbon atoms includes, for example, a cyclohexenyl group.
Examples of the bridged cyclic hydrocarbon group having 4 to 15 carbon atoms include a bicycloheptanyl group and a bicycloheptenyl group.

~R18における有機基について、上記芳香族炭化水素基としては、例えば、炭素数6~14のアリール基等が挙げられる。
炭素数6~14のアリール基のなかでも、好ましくは炭素数6~10のアリール基であり、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
Regarding the organic groups for R 1 to R 18 , examples of the aromatic hydrocarbon group include aryl groups having 6 to 14 carbon atoms.
Among the aryl groups having 6 to 14 carbon atoms, aryl groups having 6 to 10 carbon atoms are preferred, such as phenyl group and naphthyl group.

~R18における有機基について、上記の「これらの2つ以上が結合した基」としては、例えば、シクロへキシルメチル基等の炭素数3~12のシクロアルキル置換炭素数1~20のアルキル基;メチルシクロヘキシル基等の炭素数1~20のアルキル置換炭素数3~12のシクロアルキル基;ベンジル基、フェネチル基等の炭素数7~18のアラルキル基(特に好ましくは、炭素数7~10のアラルキル基);シンナミル基等の炭素数6~14のアリール置換炭素数2~20のアルケニル基;トリル基等の炭素数1~20のアルキル置換炭素数6~14のアリール基;スチリル基等の炭素数2~20のアルケニル置換炭素数6~14のアリール基等が挙げられる。 Regarding the organic groups for R 1 to R 18 , the above-mentioned “group in which two or more of these are bonded” includes, for example, C 3-12 cycloalkyl-substituted C 1-20 alkyl such as cyclohexylmethyl group group; alkyl-substituted cycloalkyl group having 3 to 12 carbon atoms having 1 to 20 carbon atoms such as methylcyclohexyl group; aralkyl group having 7 to 18 carbon atoms such as benzyl group and phenethyl group (particularly preferably aralkyl group); C6-C14 aryl-substituted C2-C20 alkenyl group such as cinnamyl group; C1-C20 alkyl-substituted C6-C14 aryl group such as tolyl group; styryl group, etc. and an alkenyl-substituted aryl group having 6 to 14 carbon atoms having 2 to 20 carbon atoms.

~R18における有機基は、ヘテロ原子を含んでいてもよく、例えば、酸素原子又はハロゲン原子を含む炭化水素基、あるいは、置換基を有していてもよいアルコキシ基が挙げられる。
酸素原子又はハロゲン原子を含む炭化水素基としては、上記の炭化水素基における少なくとも1つの水素原子が、酸素原子を有する基又はハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
The organic group for R 1 to R 18 may contain a heteroatom, and examples thereof include a hydrocarbon group containing an oxygen atom or a halogen atom, or an optionally substituted alkoxy group.
The hydrocarbon group containing an oxygen atom or a halogen atom includes a group in which at least one hydrogen atom in the above hydrocarbon group is substituted with a group having an oxygen atom or a halogen atom.

酸素原子を有する基としては、例えば、ヒドロキシ基;ヒドロパーオキシ基;炭素数1~10のアルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブチルオキシ基等);炭素数2~10のアルケニルオキシ基(アリルオキシ基等);炭素数1~10のアルキル基、炭素数2~10のアルケニル基、ハロゲン原子及び炭素数1~10のアルコキシ基からなる群より選択される置換基を有していてもよい炭素数6~14のアリールオキシ基(例えば、トリルオキシ基、ナフチルオキシ基等);炭素数7~18のアラルキルオキシ基(ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基等);炭素数1~10のアシルオキシ基(アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、(メタ)アクリロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等);炭素数1~10のアルコキシカルボニル基(メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基等);炭素数1~10のアルキル基、炭素数2~10のアルケニル基、ハロゲン原子及び炭素数1~10のアルコキシ基からなる群より選択される置換基を有していてもよい炭素数6~14のアリールオキシカルボニル基(例えば、フェノキシカルボニル基、トリルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等);炭素数7~18のアラルキルオキシカルボニル基(ベンジルオキシカルボニル基等);グリシジルオキシ基等のエポキシ基含有基;エチルオキセタニルオキシ基等のオキセタニル基含有基;炭素数1~10のアシル基(アセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基等);イソシアナート基;スルホ基;カルバモイル基;オキソ基;あるいはこれらの2つ以上が単結合又は炭素数1~10のアルキレン基等を介して結合した基等が挙げられる。 The group having an oxygen atom includes, for example, a hydroxy group; a hydroperoxy group; an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms (methoxy group, ethoxy group, propoxy group, isopropyloxy group, butoxy group, isobutyloxy group, etc.); carbon Alkenyloxy group having 2 to 10 carbon atoms (such as allyloxy group); selected from the group consisting of alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, halogen atom and alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms optionally substituted aryloxy groups having 6 to 14 carbon atoms (e.g., tolyloxy group, naphthyloxy group, etc.); aralkyloxy groups having 7 to 18 carbon atoms (benzyloxy group, phenethyloxy group, etc.); C1-C10 acyloxy group (acetyloxy group, propionyloxy group, (meth)acryloyloxy group, benzoyloxy group, etc.); C1-C10 alkoxycarbonyl group (methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, propoxycarbonyl group) group, butoxycarbonyl group, etc.); having a substituent selected from the group consisting of an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms, a halogen atom and an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms; aryloxycarbonyl group having 6 to 14 carbon atoms (eg, phenoxycarbonyl group, tolyloxycarbonyl group, naphthyloxycarbonyl group, etc.); aralkyloxycarbonyl group having 7 to 18 carbon atoms (benzyloxycarbonyl group, etc.); epoxy group-containing groups such as glycidyloxy; oxetanyl group-containing groups such as ethyloxetanyloxy; acyl groups having 1 to 10 carbon atoms (acetyl, propionyl, benzoyl, etc.); isocyanate; sulfo; carbamoyl an oxo group; or a group in which two or more of these are bonded via a single bond or an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms.

ハロゲン原子を含む炭化水素基におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。 A halogen atom in the hydrocarbon group containing a halogen atom includes a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom and the like.

~R18における有機基について、アルコキシ基としては、炭素数1~10のアルコキシ基が挙げられ、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブチルオキシ基等が挙げられる。 The alkoxy group for R 1 to R 18 includes alkoxy groups having 1 to 10 carbon atoms, such as methoxy, ethoxy, propoxy, isopropyloxy, butoxy, and isobutyloxy. be done.

~R18における有機基について、前記アルコキシ基が有していてもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等)、ヒドロキシ基、炭素数1~10のアルコキシ基、炭素数2~10のアルケニルオキシ基、炭素数6~14のアリールオキシ基、炭素数1~10のアシルオキシ基、メルカプト基、炭素数1~10のアルキルチオ基、炭素数2~10のアルケニルチオ基、炭素数6~14のアリールチオ基、炭素数7~18のアラルキルチオ基、カルボキシ基、炭素数1~10のアルコキシカルボニル基、炭素数6~14のアリールオキシカルボニル基、炭素数7~18のアラルキルオキシカルボニル基、アミノ基、モノ又はジ炭素数1~10のアルキルアミノ基、炭素数1~10のアシルアミノ基、エポキシ基含有基、オキセタニル基含有基、炭素数1~10のアシル基、オキソ基、又はこれらの2つ以上が単結合もしくは炭素数1~10のアルキレン基等を介して結合した基等が挙げられる。 Regarding the organic groups represented by R 1 to R 18 , examples of substituents that the alkoxy group may have include halogen atoms (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom, etc.), hydroxy group, and 1 carbon atom. -10 alkoxy group, C2-10 alkenyloxy group, C6-14 aryloxy group, C1-10 acyloxy group, mercapto group, C1-10 alkylthio group, C2 ~10 alkenylthio group, arylthio group having 6 to 14 carbon atoms, aralkylthio group having 7 to 18 carbon atoms, carboxy group, alkoxycarbonyl group having 1 to 10 carbon atoms, aryloxycarbonyl group having 6 to 14 carbon atoms, C7-18 aralkyloxycarbonyl group, amino group, mono- or di-C1-10 alkylamino group, C1-10 acylamino group, epoxy group-containing group, oxetanyl group-containing group, C1- 10 acyl groups, oxo groups, or groups in which two or more of these are bonded via a single bond or an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms.

前記式(m1)中のR~R18は、上記の中でも、水素原子が好ましく、R~R18の全部が水素原子であるものが特に好ましい。 Among the above, R 1 to R 18 in the formula (m1) are preferably hydrogen atoms, and particularly preferably all of R 1 to R 18 are hydrogen atoms.

前記式(m1)中、Xにおける、2価の連結基としては、例えば、二価の炭化水素基、カルボニル基、エーテル結合、エステル結合、アミド基、又はこれらの複数が連結した基等が挙げられる。
上記の二価の炭化水素基としては、例えば、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数1~18のアルキレン基(好ましくは、直鎖状又は分岐鎖状の炭素数1~3のアルキレン基);炭素数3~12のシクロアルキレン基;炭素数3~12のシクロアルキリデン基(好ましくは、炭素数3~6のシクロアルキレン基、又は炭素数3~6のシクロアルキリデン基)等が挙げられる。
直鎖状又は分岐鎖状の炭素数1~3のアルキレン基としては、メチレン基、メチルメチレン基、ジメチルメチレン基、エチレン基、プロピレン基、トリメチレン基等が挙げられる。
炭素数3~12のシクロアルキレン基としては、1,2-シクロペンチレン基、1,3-シクロペンチレン基、シクロペンチリデン基、1,2-シクロヘキシレン基、1,3-シクロヘキシレン基、1,4-シクロヘキシレン基、シクロヘキシリデン基等が挙げられる。
In the formula (m1), the divalent linking group in X includes, for example, a divalent hydrocarbon group, a carbonyl group, an ether bond, an ester bond, an amide group, or a group in which a plurality of these are linked. be done.
Examples of the divalent hydrocarbon group include a linear or branched alkylene group having 1 to 18 carbon atoms (preferably a linear or branched alkylene group having 1 to 3 carbon atoms). a cycloalkylene group having 3 to 12 carbon atoms; a cycloalkylidene group having 3 to 12 carbon atoms (preferably a cycloalkylene group having 3 to 6 carbon atoms or a cycloalkylidene group having 3 to 6 carbon atoms);
The linear or branched alkylene group having 1 to 3 carbon atoms includes methylene group, methylmethylene group, dimethylmethylene group, ethylene group, propylene group, trimethylene group and the like.
The cycloalkylene group having 3 to 12 carbon atoms includes a 1,2-cyclopentylene group, a 1,3-cyclopentylene group, a cyclopentylidene group, a 1,2-cyclohexylene group and a 1,3-cyclohexylene group. , 1,4-cyclohexylene group, cyclohexylidene group and the like.

前記式(m1)中のXは、上記の中でも、単結合であることが好ましい。 Among the above, X in the formula (m1) is preferably a single bond.

好適な(m1)成分としては、3,4-エポキシシクロヘキシルメチル(3,4-エポキシ)シクロヘキサンカルボキシレート、(3,4,3’,4’-ジエポキシ)ビシクロヘキシル、ビス(3,4-エポキシシクロヘキシルメチル)エーテル、1,2-エポキシ-1,2-ビス(3,4-エポキシシクロヘキサン-1-イル)エタン、2,2-ビス(3,4-エポキシシクロヘキサン-1-イル)プロパン、1,2-ビス(3,4-エポキシシクロヘキサン-1-イル)エタン等が挙げられる。 Preferred (m1) components include 3,4-epoxycyclohexylmethyl(3,4-epoxy)cyclohexane carboxylate, (3,4,3′,4′-diepoxy)bicyclohexyl, bis(3,4-epoxy cyclohexylmethyl)ether, 1,2-epoxy-1,2-bis(3,4-epoxycyclohexan-1-yl)ethane, 2,2-bis(3,4-epoxycyclohexan-1-yl)propane, 1 , 2-bis(3,4-epoxycyclohexan-1-yl)ethane and the like.

(m1)成分としては、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
本実施形態の感光性組成物(R1)中、(m1)成分の含有量は、(A)成分の全質量部を100質量部としたときに、0.5~20質量部であることが好ましく、1~15質量部であることがより好ましく、2~10質量部であることがさらに好ましい。
(m1)成分の含有量が、前記の好ましい範囲の下限値以上であると、レジストパターンを形成する際に高感度化が図られて、支持体と感光性樹脂膜(第1のレジスト層)との密着性を高められやすくなる。一方、前記の好ましい範囲の上限値以下であると、フィルム化が容易になる。
As the component (m1), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
In the photosensitive composition (R1) of the present embodiment, the content of component (m1) is 0.5 to 20 parts by mass when the total parts by mass of component (A) is 100 parts by mass. It is preferably from 1 to 15 parts by mass, and even more preferably from 2 to 10 parts by mass.
When the content of the component (m1) is at least the lower limit of the above preferred range, the sensitivity is increased when forming the resist pattern, and the support and the photosensitive resin film (first resist layer) It becomes easier to increase the adhesion with. On the other hand, when it is equal to or less than the upper limit of the preferred range, film formation is facilitated.

任意成分について:
本実施形態の感光性組成物(R1)は、上述した(A)成分、(I)成分及び(m1)成分以外に、必要に応じてその他成分(任意成分)を含有してもよい。
感光性組成物(R1)には、所望により、混和性のある添加剤、例えば金属酸化物、シランカップリング剤、増感剤成分、溶剤、膜の性能を改良するための付加的樹脂、溶解抑制剤、塩基性化合物、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤などを適宜、添加含有させることができる。
About optional ingredients:
The photosensitive composition (R1) of the present embodiment may optionally contain other components (optional components) in addition to the components (A), (I) and (m1) described above.
The photosensitive composition (R1) optionally contains miscible additives such as metal oxides, silane coupling agents, sensitizer components, solvents, additional resins to improve film performance, dissolution Inhibitors, basic compounds, plasticizers, stabilizers, colorants, antihalation agents and the like can be added and contained as appropriate.

金属酸化物((M)成分)としては、例えば、ケイ素(金属ケイ素)、チタン、ジルコニウム、ハフニウム等の金属の酸化物が挙げられる。これらの中でも、ケイ素の酸化物が好ましく、この中でもシリカを用いることが特に好ましい。(M)成分を併有することで、膜強度、耐熱性が高められた樹脂硬化膜が得られやすく、また、良好な形状で高解像のレジストパターンを形成し得る。(M)成分の形状は、粒子状であることが好ましい。 Examples of metal oxides (component (M)) include oxides of metals such as silicon (metallic silicon), titanium, zirconium and hafnium. Among these, oxides of silicon are preferred, and among these, it is particularly preferred to use silica. By including the component (M), a cured resin film having improved film strength and heat resistance can be easily obtained, and a resist pattern having a good shape and high resolution can be formed. The shape of component (M) is preferably particulate.

シランカップリング剤としては、例えば、カルボキシ基、メタクリロイル基、イソシアナート基、エポキシ基等の反応性置換基を有するシランカップリング剤が挙げられる。具体例としては、トリメトキシシリル安息香酸、γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等が挙げられる。 Silane coupling agents include, for example, silane coupling agents having reactive substituents such as carboxy groups, methacryloyl groups, isocyanate groups, and epoxy groups. Specific examples include trimethoxysilylbenzoic acid, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, β-(3,4-epoxycyclohexyl). and ethyltrimethoxysilane.

増感剤成分としては、露光によるエネルギーを吸収して、そのエネルギーを他の物質に伝達し得るものであれば特に限定されるものではない。増感剤成分として具体的には、ベンゾフェノン、p,p’-テトラメチルジアミノベンゾフェノン等のベンゾフェノン系光増感剤、カルバゾール系光増感剤、アセトフェン系光増感剤、1,5-ジヒドロキシナフタレン等のナフタレン系光増感剤、フェノール系光増感剤、9-エトキシアントラセン等のアントラセン系光増感剤、ビアセチル、エオシン、ローズベンガル、ピレン、フェノチアジン、アントロン等の公知の光増感剤を用いることができる。 The sensitizer component is not particularly limited as long as it can absorb energy from exposure and transmit the energy to other substances. Specific examples of sensitizer components include benzophenone-based photosensitizers such as benzophenone and p,p'-tetramethyldiaminobenzophenone, carbazole-based photosensitizers, acetophene-based photosensitizers, and 1,5-dihydroxynaphthalene. naphthalene-based photosensitizers, phenol-based photosensitizers, anthracene-based photosensitizers such as 9-ethoxyanthracene, biacetyl, eosin, rose bengal, pyrene, phenothiazine, and known photosensitizers such as anthrone. can be used.

本実施形態の感光性組成物(R1)は、さらに、溶剤(以下「(S)成分」ということがある)を含有してもよい。
(S)成分としては、例えば、γ-ブチロラクトン等のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトン(MEK)、シクロヘキサノン、メチル-n-ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2-ヘプタノンなどのケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコールなどの多価アルコール類;2-メトキシブチルアセテート、3-メトキシブチルアセテート、4-メトキシブチルアセテート、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類または前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体[これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)が好ましい];ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル(EL)、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶剤、ジメチルスルホキシド(DMSO)等が挙げられる。
The photosensitive composition (R1) of the present embodiment may further contain a solvent (hereinafter sometimes referred to as "(S) component").
Examples of the component (S) include lactones such as γ-butyrolactone; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK), cyclohexanone, methyl-n-pentyl ketone, methyl isopentyl ketone and 2-heptanone; ethylene glycol and diethylene glycol. , propylene glycol, dipropylene glycol; 2-methoxybutyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, 4-methoxybutyl acetate, ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, or dipropylene glycol Compounds having an ester bond such as monoacetate, monoalkyl ethers such as monomethyl ethers, monoethyl ethers, monopropyl ethers and monobutyl ethers of the polyhydric alcohols or compounds having an ester bond, or ether bonds such as monophenyl ethers [Among these, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and propylene glycol monomethyl ether (PGME) are preferred]; cyclic ethers such as dioxane, methyl lactate, lactic acid Esters such as ethyl (EL), methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate; anisole, ethyl benzyl ether, cresyl methyl ether, diphenyl ether, di Aromatic organic solvents such as benzyl ether, phenetol, butylphenyl ether, ethylbenzene, diethylbenzene, pentylbenzene, isopropylbenzene, toluene, xylene, cymene and mesitylene, dimethylsulfoxide (DMSO) and the like.

(S)成分は、1種を単独で用いてもよく、2種以上の混合溶剤として用いてもよい。 The (S) component may be used singly or as a mixed solvent of two or more.

(S)成分を含む場合の使用量は、特に限定されず、感光性組成物を基板等に液垂れが無く塗布可能な濃度で、塗布膜厚に応じて適宜設定される。
たとえば、固形分濃度が50質量%以上となるように(S)成分を使用することができ、固形分濃度が60質量%以上となるように(S)成分を使用することができる。
また、(S)成分を実質的に含まない態様(すなわち、固形分濃度が100質量%である態様)も採用できる。
When the component (S) is included, the amount used is not particularly limited, and is appropriately set according to the coating film thickness at a concentration at which the photosensitive composition can be coated onto a substrate or the like without dripping.
For example, the (S) component can be used so that the solid content concentration is 50% by mass or more, and the (S) component can be used so that the solid content concentration is 60% by mass or more.
Moreover, the aspect (namely, the aspect whose solid content concentration is 100 mass %) which does not contain (S) component substantially can be employ|adopted.

≪感光性組成物(R2)≫
第2の感光性組成物の一実施形態として、多官能芳香族エポキシ化合物と、光酸発生剤と、を含有する感光性組成物(R2)(但し、上記一般式(m1)で表される脂環式エポキシ化合物を含有するものを除く)が挙げられる。
上述のように、感光性組成物(R1)と感光性組成物(R2)とは、一般式(m1)で表される脂環式エポキシ化合物を含有するか否か、の点で相違する。この相違によって、感光性組成物(R1)が感光性組成物(R2)に比べて高い感度を持つように調整する。
<<Photosensitive composition (R2)>>
As an embodiment of the second photosensitive composition, a photosensitive composition (R2) containing a polyfunctional aromatic epoxy compound and a photoacid generator (represented by the general formula (m1) excluding those containing alicyclic epoxy compounds).
As described above, the photosensitive composition (R1) and the photosensitive composition (R2) differ in whether or not they contain the alicyclic epoxy compound represented by the general formula (m1). Due to this difference, the photosensitive composition (R1) is adjusted to have higher sensitivity than the photosensitive composition (R2).

第2の感光性組成物の一実施形態である感光性組成物(R2)は、多官能芳香族エポキシ化合物と、光酸発生剤と、を含有する。
かかる感光性組成物(R2)を用いて感光性樹脂膜(レジスト層)を形成し、該感光性樹脂膜に対して選択的に露光を行うと、該感光性樹脂膜の露光部では、光酸発生剤から酸が発生し、該酸の作用により多官能芳香族エポキシ化合物中のエポキシ基が開環重合して、有機溶剤を含有する現像液に対する該感光性樹脂膜の溶解性が減少する一方で、該感光性樹脂膜の未露光部では、有機溶剤を含有する現像液に対する該感光性樹脂膜の溶解性が変化しないため、該感光性樹脂膜の露光部と未露光部との間で、有機溶剤を含有する現像液に対する溶解性の差が生じる。そのため、該感光性樹脂膜を、有機溶剤を含有する現像液で現像すると、未露光部が溶解除去されて、ネガ型のパターンが形成される。
The photosensitive composition (R2), which is one embodiment of the second photosensitive composition, contains a polyfunctional aromatic epoxy compound and a photoacid generator.
When a photosensitive resin film (resist layer) is formed using such a photosensitive composition (R2), and the photosensitive resin film is selectively exposed to light, the exposed portions of the photosensitive resin film are exposed to light. Acid is generated from the acid generator, and the action of the acid causes ring-opening polymerization of the epoxy groups in the polyfunctional aromatic epoxy compound, reducing the solubility of the photosensitive resin film in a developer containing an organic solvent. On the other hand, in the unexposed portion of the photosensitive resin film, since the solubility of the photosensitive resin film in the developer containing the organic solvent does not change, , there is a difference in solubility in a developer containing an organic solvent. Therefore, when the photosensitive resin film is developed with a developer containing an organic solvent, the unexposed portion is dissolved and removed to form a negative pattern.

多官能芳香族エポキシ化合物について:
感光性組成物(R2)が含有する多官能芳香族エポキシ化合物としては、上述した感光性組成物(R1)が含有する多官能芳香族エポキシ化合物((A)成分)と同様のものが挙げられる。
本実施形態の感光性組成物(R2)において、多官能芳香族エポキシ化合物としては、上記(A1)成分を含むものが好適に用いられる。
実施形態の感光性組成物(R2)中の多官能芳香族エポキシ化合物の含有量は、形成しようとする第2のレジスト層の厚さ等に応じて調整すればよい。
About Polyfunctional Aromatic Epoxy Compounds:
Examples of the polyfunctional aromatic epoxy compound contained in the photosensitive composition (R2) include those similar to the polyfunctional aromatic epoxy compound (component (A)) contained in the photosensitive composition (R1) described above. .
In the photosensitive composition (R2) of the present embodiment, as the polyfunctional aromatic epoxy compound, one containing the component (A1) is preferably used.
The content of the polyfunctional aromatic epoxy compound in the photosensitive composition (R2) of the embodiment may be adjusted according to the thickness of the second resist layer to be formed.

光酸発生剤について:
感光性組成物(R2)が含有する光酸発生剤としては、上述した感光性組成物(R1)が含有する光酸発生剤((I)成分)と同様のものが挙げられる。
本実施形態の感光性組成物(R2)において、光酸発生剤としては、上記の(I1)成分、(I2)成分及び(I3)成分からなる群より選択される少なくとも一種が好ましく、(I1)成分を含むもの、一般式(I2-2)で表される化合物を含むものがより好ましく、(I1)成分を含むものがさらに好ましい。
本実施形態の感光性組成物(R2)中、光酸発生剤の含有量は、多官能芳香族エポキシ化合物の全質量部を100質量部としたときに、0.1~5質量部であることが好ましく、0.15~3質量部であることがより好ましく、0.2~2質量部であることがさらに好ましい。
About the photoacid generator:
Examples of the photoacid generator contained in the photosensitive composition (R2) include those similar to the photoacid generator (component (I)) contained in the photosensitive composition (R1) described above.
In the photosensitive composition (R2) of the present embodiment, the photoacid generator is preferably at least one selected from the group consisting of the above components (I1), (I2) and (I3). ) component, more preferably a compound represented by general formula (I2-2), and still more preferably a component (I1).
In the photosensitive composition (R2) of the present embodiment, the content of the photoacid generator is 0.1 to 5 parts by mass when the total parts by mass of the polyfunctional aromatic epoxy compound is 100 parts by mass. preferably 0.15 to 3 parts by mass, even more preferably 0.2 to 2 parts by mass.

任意成分について:
本実施形態の感光性組成物(R2)は、上述した多官能芳香族エポキシ化合物及び光酸発生剤以外に、必要に応じてその他成分(任意成分)を含有してもよい。
感光性組成物(R2)には、所望により、混和性のある添加剤、例えば金属酸化物、シランカップリング剤、増感剤成分、溶剤、膜の性能を改良するための付加的樹脂、溶解抑制剤、塩基性化合物、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤などを適宜、添加含有させることができる。
About optional ingredients:
The photosensitive composition (R2) of the present embodiment may optionally contain other components (optional components) in addition to the above-described polyfunctional aromatic epoxy compound and photoacid generator.
The photosensitive composition (R2) optionally contains miscible additives such as metal oxides, silane coupling agents, sensitizer components, solvents, additional resins to improve film performance, dissolution Inhibitors, basic compounds, plasticizers, stabilizers, colorants, antihalation agents and the like can be added and contained as appropriate.

以上説明した第1の態様に係る積層体の製造方法においては、支持体20と接する第1のレジスト層11を形成するための第1の感光性組成物として、第2のレジスト層12を形成するための第2の感光性組成物に比べて高い感度を持つ感光性組成物が用いられている。このため、かかる積層体の製造方法によれば、支持体20から剥がれにくい樹脂硬化膜となり得る積層体10を製造することが可能である。 In the method for manufacturing a laminate according to the first aspect described above, the second resist layer 12 is formed as the first photosensitive composition for forming the first resist layer 11 in contact with the support 20. A photosensitive composition is used that has a higher sensitivity than the second photosensitive composition for Therefore, according to the method for manufacturing the laminate, it is possible to manufacture the laminate 10 capable of forming a cured resin film that is difficult to peel off from the support 20 .

上述した積層体の製造方法の一実施形態では、第1の感光性組成物及び第2の感光性組成物として、樹脂成分の重合速度が相違する組成物の組合せを採用したが、両者の感度が異なる組成物の組合せであれば、本発明はこれに限定されるものではない。 In one embodiment of the method for producing a laminate described above, a combination of compositions having resin components with different polymerization rates was employed as the first photosensitive composition and the second photosensitive composition. is a combination of different compositions, the present invention is not limited to this.

上述した積層体の製造方法の一実施形態では、第3のレジスト層13を形成するための第3の感光性組成物、及び第4のレジスト層14を形成するための第4の感光性組成物には、それぞれ、第2のレジスト層12を形成するための第2の感光性組成物と同じものを用いることができるとしたが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明の効果を奏する範囲で、第3の感光性組成物及び第4の感光性組成物をそれぞれ適宜選択することができる。 In one embodiment of the method for manufacturing the laminate described above, the third photosensitive composition for forming the third resist layer 13 and the fourth photosensitive composition for forming the fourth resist layer 14 Although it is possible to use the same composition as the second photosensitive composition for forming the second resist layer 12, the present invention is not limited to this. The third photosensitive composition and the fourth photosensitive composition can be appropriately selected within the range in which the effects of the present invention are exhibited.

上述した積層体の製造方法の一実施形態では、工程(ii)及び工程(iii)において、第2のレジスト層12、第3のレジスト層13、第4のレジスト層14をそれぞれ積層する方法を、膜(フィルム)形状の感光性組成物をラミネートする方法としたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、下層を溶解しにくい溶剤を選択し、溶液状態の感光性組成物を下層上に塗布してプレベーク(PAB)処理を行う方法により、第2のレジスト層12、第3のレジスト層13、第4のレジスト層14をそれぞれ積層することもできる。 In one embodiment of the method for manufacturing the laminate described above, in the steps (ii) and (iii), the method of laminating the second resist layer 12, the third resist layer 13, and the fourth resist layer 14 respectively. , a method of laminating a film-shaped photosensitive composition, but the present invention is not limited to this. For example, the second resist layer 12, the third resist layer 13, a second resist layer 12, a third resist layer 13, a second resist layer 12, a third resist layer 13, a second resist layer 12, a third resist layer 13, and a The fourth resist layers 14 can also be laminated respectively.

上述した積層体の製造方法の一実施形態では、積層体を4層構造としたが、これに限定されず、2層以上の構造であればよく、層数については所望の高さ、アスペクト比に応じて設定すればよい。
上述した積層体の製造方法の一実施形態では、工程(i)~(iii)を有する方法について説明したが、これに限定されず、必要に応じて、これら以外の工程を有していてもよい。
In one embodiment of the method for manufacturing a laminate described above, the laminate has a four-layer structure, but is not limited to this, and may have a structure of two or more layers. should be set accordingly.
In one embodiment of the method for manufacturing a laminate described above, a method having steps (i) to (iii) has been described, but the method is not limited to this, and may include steps other than these as necessary. good.

(硬化パターン形成方法)
本発明の第2の態様は、上述した第1の態様に係る積層体の製造方法により製造された積層体を露光する工程と、前記露光後の積層体を現像して、レジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを硬化させて硬化パターンを得る工程と、を有する、硬化パターン形成方法である。
(Curing pattern forming method)
A second aspect of the present invention includes a step of exposing a laminate manufactured by the method for manufacturing a laminate according to the first aspect described above, and developing the exposed laminate to form a resist pattern. and curing the resist pattern to obtain a cured pattern.

硬化パターンは、図1に示される支持体20上に形成された積層体10を露光する工程(iv)と、露光後の積層体10を現像して、レジストパターン110を形成する工程(v)と、レジストパターン110を硬化させて、樹脂硬化膜10cからなる硬化パターン120を得る工程(vi)と、を有する製造方法により製造することができる。
以下、工程(iv)~(vi)の各工程について説明する。
The cured pattern is formed by the step (iv) of exposing the laminate 10 formed on the support 20 shown in FIG. 1 and the step (v) of developing the exposed laminate 10 to form a resist pattern 110. and a step (vi) of curing the resist pattern 110 to obtain a cured pattern 120 composed of the cured resin film 10c.
Each of steps (iv) to (vi) will be described below.

<工程(iv)>
工程(iv)では、支持体20上に形成された積層体10を露光する。
例えば、公知の露光装置を用いて、図2で示すように、積層体10に対し、コイル形状のパターンが形成されたフォトマスク90を介した選択的露光を行う。
工程(iv)における露光処理により、露光後の積層体10は、露光により現像液に対する溶解性が変化した露光部10bと、変化のない未露光部10dとなる。
<Step (iv)>
In step (iv), the laminate 10 formed on the support 20 is exposed.
For example, as shown in FIG. 2, the laminate 10 is selectively exposed through a photomask 90 on which a coil-shaped pattern is formed using a known exposure apparatus.
By the exposure treatment in step (iv), the laminated body 10 after exposure becomes an exposed portion 10b whose solubility in the developing solution has changed due to the exposure and an unexposed portion 10d which has no change.

前記の選択的露光を行った後、露光後の積層体10に対し、必要に応じてベーク(ポストエクスポージャーベーク(PEB))処理を、例えば50~80℃の温度条件にて30~60分間施す。 After performing the selective exposure, the exposed laminate 10 is optionally subjected to baking (post-exposure bake (PEB)) treatment at a temperature of 50 to 80° C. for 30 to 60 minutes. .

露光に用いる波長は特に限定されず、放射線、例えば波長が300~500nmの紫外線、i線(波長365nm)又は可視光線を選択的に照射(露光)する。これらの放射線の線源としては、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、メタルハライドランプ、アルゴンガスレーザーなどを用いることができる。
ここで放射線とは、紫外線、可視光線、遠紫外線、X線、電子線などを意味する。放射線照射量は、組成物中の各成分の種類、配合量、塗膜の膜厚などによって異なるが、例えば超高圧水銀灯使用の場合、100~2000mJ/cmである。
The wavelength used for exposure is not particularly limited, and radiation such as ultraviolet rays with a wavelength of 300 to 500 nm, i-rays (wavelength of 365 nm), or visible light is selectively irradiated (exposed). Low-pressure mercury lamps, high-pressure mercury lamps, extra-high pressure mercury lamps, metal halide lamps, argon gas lasers, and the like can be used as sources of these radiations.
Radiation here means ultraviolet rays, visible rays, deep ultraviolet rays, X-rays, electron beams, and the like. The dose of radiation varies depending on the type and blending amount of each component in the composition, the film thickness of the coating film, etc., but is 100 to 2000 mJ/cm 2 in the case of using an ultra-high pressure mercury lamp, for example.

積層体10に対する露光方法は、空気や窒素等の不活性ガス中で行う通常の露光(ドライ露光)であってもよく、液浸露光(Liquid Immersion Lithography)であってもよい。 The exposure method for the laminate 10 may be normal exposure (dry exposure) performed in air or an inert gas such as nitrogen, or may be liquid immersion lithography.

<工程(v)>
工程(v)では、露光後の積層体10を現像して、コイル形状のレジストパターン110を形成する。
例えば、第1の感光性組成物として感光性組成物(R1)と、第2の感光性組成物として感光性組成物(R2)との組合せの場合、露光後の積層体10を、有機溶剤を含有する現像液(有機系現像液)で現像することにより、図3に示すように、積層体10の未露光部10dが溶解除去され、露光部10bが残像して、ネガ型のレジストパターン110が形成される。
現像の後、好ましくはリンス処理を行う。必要に応じてベーク処理(ポストベーク)を行ってもよい。
<Step (v)>
In step (v), the exposed laminate 10 is developed to form a coil-shaped resist pattern 110 .
For example, in the case of a combination of a photosensitive composition (R1) as the first photosensitive composition and a photosensitive composition (R2) as the second photosensitive composition, the laminate 10 after exposure is treated with an organic solvent. By developing with a developer (organic developer) containing 110 is formed.
After development, a rinse treatment is preferably performed. Baking (post-baking) may be performed as necessary.

有機系現像液が含有する有機溶剤としては、感光性組成物の配合成分を溶解し得るものであればよく、公知の有機溶剤の中から適宜選択できる。具体的には、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、ニトリル系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤等の極性溶剤、炭化水素系溶剤等が挙げられる。 The organic solvent contained in the organic developer may be any one capable of dissolving the ingredients of the photosensitive composition, and can be appropriately selected from known organic solvents. Specific examples include polar solvents such as ketone-based solvents, ester-based solvents, alcohol-based solvents, nitrile-based solvents, amide-based solvents, ether-based solvents, and hydrocarbon-based solvents.

ケトン系溶剤としては、例えば、1-オクタノン、2-オクタノン、1-ノナノン、2-ノナノン、アセトン、4-ヘプタノン、1-ヘキサノン、2-ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、プロピレンカーボネート、γ-ブチロラクトン、メチルアミルケトン(2-ヘプタノン)等が挙げられる。これらの中でも、ケトン系溶剤としては、メチルアミルケトン(2-ヘプタノン)が好ましい。 Examples of ketone solvents include 1-octanone, 2-octanone, 1-nonanone, 2-nonanone, acetone, 4-heptanone, 1-hexanone, 2-hexanone, diisobutyl ketone, cyclohexanone, methylcyclohexanone, phenylacetone, and methyl ethyl ketone. , methyl isobutyl ketone, acetylacetone, acetonyl acetone, ionone, diacetonyl alcohol, acetylcarbinol, acetophenone, methylnaphthyl ketone, isophorone, propylene carbonate, γ-butyrolactone, methyl amyl ketone (2-heptanone) and the like. Among these, methyl amyl ketone (2-heptanone) is preferable as the ketone solvent.

エステル系溶剤としては、例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル、酢酸イソアミル、メトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、2-メトキシブチルアセテート、3-メトキシブチルアセテート、4-メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、3-エチル-3-メトキシブチルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、2-エトキシブチルアセテート、4-エトキシブチルアセテート、4-プロポキシブチルアセテート、2-メトキシペンチルアセテート、3-メトキシペンチルアセテート、4-メトキシペンチルアセテート、2-メチル-3-メトキシペンチルアセテート、3-メチル-3-メトキシペンチルアセテート、3-メチル-4-メトキシペンチルアセテート、4-メチル-4-メトキシペンチルアセテート、プロピレングリコールジアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル、炭酸エチル、炭酸プロピル、炭酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、ピルビン酸ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸イソプロピル、2-ヒドロキシプロピオン酸メチル、2-ヒドロキシプロピオン酸エチル、メチル-3-メトキシプロピオネート、エチル-3-メトキシプロピオネート、エチル-3-エトキシプロピオネート、プロピル-3-メトキシプロピオネート等が挙げられる。これらの中でも、エステル系溶剤としては、酢酸ブチル又はPGMEAが好ましい。 Examples of ester solvents include methyl acetate, butyl acetate, ethyl acetate, isopropyl acetate, amyl acetate, isoamyl acetate, ethyl methoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), ethylene glycol monoethyl ether acetate, Ethylene glycol monopropyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, ethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monopropyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, diethylene glycol mono Ethyl ether acetate, 2-methoxybutyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, 4-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, 3-ethyl-3-methoxybutyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, 2-ethoxybutyl acetate, 4-ethoxybutyl acetate, 4-propoxybutyl acetate, 2-methoxypentyl acetate, 3-methoxypentyl acetate, 4-methoxypentyl acetate, 2- Methyl-3-methoxypentyl acetate, 3-methyl-3-methoxypentyl acetate, 3-methyl-4-methoxypentyl acetate, 4-methyl-4-methoxypentyl acetate, propylene glycol diacetate, methyl formate, ethyl formate, formic acid Butyl, propyl formate, ethyl lactate, butyl lactate, propyl lactate, ethyl carbonate, propyl carbonate, butyl carbonate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, butyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl propionate , ethyl propionate, propyl propionate, isopropyl propionate, methyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxypropionate, methyl-3-methoxypropionate, ethyl-3-methoxypropionate, ethyl-3-ethoxy propionate, propyl-3-methoxypropionate and the like. Among these, butyl acetate or PGMEA is preferable as the ester solvent.

ニトリル系溶剤としては、例えば、アセトニトリル、プロピオ二トリル、バレロニトリル、ブチロ二トリル等が挙げられる。 Nitrile solvents include, for example, acetonitrile, propionitrile, valeronitrile, butyronitrile and the like.

有機系現像液には、必要に応じて公知の添加剤を配合できる。該添加剤としては、例えば界面活性剤が挙げられる。界面活性剤としては、特に限定されないが、例えばイオン性や非イオン性のフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤等を用いることができる。
界面活性剤としては、非イオン性の界面活性剤が好ましく、非イオン性のフッ素系界面活性剤、又は非イオン性のシリコン系界面活性剤がより好ましい。
界面活性剤を配合する場合、その配合量は、有機系現像液の全量に対して、通常0.001~5質量%であり、0.005~2質量%が好ましく、0.01~0.5質量%がより好ましい。
Known additives can be added to the organic developer as needed. Examples of such additives include surfactants. Although the surfactant is not particularly limited, for example, ionic or nonionic fluorine-based and/or silicon-based surfactants can be used.
As the surfactant, a nonionic surfactant is preferable, and a nonionic fluorine-based surfactant or a nonionic silicon-based surfactant is more preferable.
When a surfactant is blended, its blending amount is usually 0.001 to 5% by mass, preferably 0.005 to 2% by mass, and 0.01 to 0.5% by mass, relative to the total amount of the organic developer. 5% by mass is more preferred.

現像処理は、公知の現像方法により実施することが可能であり、例えば、支持体上の積層体を現像液中に一定時間浸漬する方法(ディップ法)、積層体表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止する方法(パドル法)、積層体表面に現像液を噴霧する方法(スプレー法)、一定速度で回転している積層体上に一定速度で現像液塗出ノズルをスキャンしながら現像液を塗出し続ける方法(ダイナミックディスペンス法)等が挙げられる。 The development treatment can be carried out by a known development method, for example, a method of immersing the laminate on the support in a developer for a certain period of time (dip method), a method of applying the developer to the surface of the laminate by surface tension. A method of heaping up and standing still for a certain period of time (paddle method), a method of spraying the developer onto the laminate surface (spray method), and scanning the developer dispensing nozzle at a constant speed on the laminate rotating at a constant speed. A method of continuously applying the developer (dynamic dispensing method) and the like can be mentioned.

リンス液を用いたリンス処理(洗浄処理)は、公知のリンス方法により実施できる。該リンス処理の方法としては、たとえば一定速度で回転している積層体上にリンス液を塗出し続ける方法(回転塗布法)、リンス液中に積層体を一定時間浸漬する方法(ディップ法)、積層体表面にリンス液を噴霧する方法(スプレー法)等が挙げられる。
リンス処理は、有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。
Rinsing treatment (cleaning treatment) using a rinse liquid can be performed by a known rinsing method. Examples of the method of the rinsing treatment include a method of continuously applying the rinse solution onto the laminate rotating at a constant speed (rotation coating method), a method of immersing the laminate in the rinse solution for a certain period of time (dip method), A method of spraying a rinse liquid onto the surface of the laminate (spray method) and the like can be mentioned.
For the rinsing treatment, it is preferable to use a rinsing liquid containing an organic solvent.

<工程(vi)>
工程(vi)では、工程(v)で形成されたレジストパターン110を硬化させて硬化パターン120を得る。
例えば、工程(v)で形成されたレジストパターン110に対し、加熱処理(キュア操作)を行い、硬化させることにより、図4に示すように、樹脂硬化膜10cからなる硬化パターン120が得られる。
樹脂硬化膜10cにおいては、第1~第4のレジスト層が硬化して一体化している。
工程(vi)での前記加熱処理(キュア操作)は、例えば温度100~250℃、0.5~2時間の条件で行うことができる。
<Step (vi)>
In step (vi), the resist pattern 110 formed in step (v) is cured to obtain a cured pattern 120 .
For example, the resist pattern 110 formed in step (v) is subjected to a heat treatment (curing operation) and cured to obtain a cured pattern 120 composed of the cured resin film 10c as shown in FIG.
In the cured resin film 10c, the first to fourth resist layers are cured and integrated.
The heat treatment (curing operation) in step (vi) can be performed, for example, at a temperature of 100 to 250° C. for 0.5 to 2 hours.

硬化パターン120について:
図4において、硬化パターン120は、コイル形状のパターンであり、永久膜としてインダクタにおける絶縁部を構成し得る。そして、樹脂硬化膜10cと樹脂硬化膜10cとの間は、銅などでめっきが施されることになる。
硬化パターン120の高さ(h)は、例えば60~260μmである。
硬化パターン120の幅(w)は、例えば1~100μmである。
硬化パターン120のアスペクト比(h/w)は、例えば1~80である。
About curing pattern 120:
In FIG. 4, the cured pattern 120 is a coil-shaped pattern, which can form the insulation in the inductor as a permanent film. Then, the space between the cured resin films 10c is plated with copper or the like.
The height (h) of the cured pattern 120 is, for example, 60-260 μm.
The width (w) of the cured pattern 120 is, for example, 1 to 100 μm.
The aspect ratio (h/w) of the cured pattern 120 is, for example, 1-80.

以上説明した第2の態様に係る硬化パターン形成方法においては、第1の態様に係る積層体の製造方法により製造された積層体10が用いられている。このため、かかる硬化パターン形成方法によれば、支持体20から剥がれにくい樹脂硬化膜10cを製造することが可能である。 In the cured pattern forming method according to the second aspect described above, the laminate 10 manufactured by the laminate manufacturing method according to the first aspect is used. Therefore, according to such a cured pattern forming method, it is possible to manufacture a cured resin film 10c that is difficult to peel off from the support 20 .

上述した実施形態では、第1の感光性組成物として感光性組成物(R1)と、第2の感光性組成物として感光性組成物(R2)と、を採用している。感光性組成物(R1)と感光性組成物(R2)とは、一般式(m1)で表される脂環式エポキシ化合物((m1)成分)を含有するか否か、の点で異なる。
積層体10においては、支持体20上に第1のレジスト層11と第2のレジスト層12とがこの順に積層している。第1のレジスト層11は感光性組成物(R1)により形成され、第2のレジスト層12は感光性組成物(R2)により形成されている。
感光性組成物(R1)に含有される(m1)成分は、芳香族エポキシ化合物に比べて、エポキシ基の開環重合の速度が高い。このため、(m1)成分を含有する感光性組成物(R1)は、樹脂成分の重合速度が高められ、高感度化が図られる。
そして、レジストパターン110を形成する際に、支持体20と接する第1のレジスト層11の方が、第1のレジスト層11に隣接する第2のレジスト層12を形成するための感光性組成物(R2)よりも高感度化が図られることで、支持体20と第1のレジスト層11との密着性が強められる。これによって、パターンの高アスペクト化が図れ、かつ、支持体20から剥がれにくい樹脂硬化膜10cが形成され、パターン倒れが抑制されるなど、コイル形状の硬化パターン120を安定に製造することができる。
In the embodiment described above, the photosensitive composition (R1) is used as the first photosensitive composition, and the photosensitive composition (R2) is used as the second photosensitive composition. The photosensitive composition (R1) and the photosensitive composition (R2) differ in whether or not they contain an alicyclic epoxy compound represented by general formula (m1) (component (m1)).
In the laminate 10, a first resist layer 11 and a second resist layer 12 are laminated in this order on a support 20. As shown in FIG. The first resist layer 11 is made of a photosensitive composition (R1), and the second resist layer 12 is made of a photosensitive composition (R2).
The component (m1) contained in the photosensitive composition (R1) has a higher rate of ring-opening polymerization of the epoxy group than the aromatic epoxy compound. For this reason, the photosensitive composition (R1) containing the (m1) component has an increased polymerization rate of the resin component, resulting in higher sensitivity.
Then, when forming the resist pattern 110, the first resist layer 11 in contact with the support 20 is the photosensitive composition for forming the second resist layer 12 adjacent to the first resist layer 11. By achieving higher sensitivity than (R2), the adhesion between the support 20 and the first resist layer 11 is strengthened. As a result, it is possible to increase the aspect ratio of the pattern, form the cured resin film 10c that is difficult to peel off from the support 20, and suppress pattern collapse, thereby stably manufacturing the coil-shaped cured pattern 120.

また、かかる硬化パターン形成方法によれば、インダクタを構成する絶縁部の微細化を安定に実現することが可能である。したがって、かかる硬化パターン形成方法は、インダクタにおける絶縁部の製造に有用な方法である。 Further, according to such a cured pattern forming method, it is possible to stably achieve miniaturization of the insulating portion that constitutes the inductor. Therefore, such a cured pattern forming method is a useful method for manufacturing an insulating portion in an inductor.

上述した硬化パターン形成方法の一実施形態では、工程(v)において、露光後の積層体10を、有機溶剤を含有する現像液(有機系現像液)で現像したが、本発明はこれに限定されるものではなく、感光性組成物の特性に応じて、アルカリ現像液で現像する場合であってもよい。アルカリ現像液としては、例えば0.1~10質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液が挙げられる。 In one embodiment of the cured pattern forming method described above, in step (v), the laminate 10 after exposure is developed with a developer containing an organic solvent (organic developer), but the present invention is limited to this. However, depending on the characteristics of the photosensitive composition, it may be developed with an alkaline developer. Examples of the alkaline developer include 0.1 to 10 mass % tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution.

(積層体)
本発明の第3の態様は、第1のレジスト層と第2のレジスト層との積層体である。かかる積層体において、前記第1のレジスト層は、多官能芳香族エポキシ化合物と、光酸発生剤と、下記一般式(m1)で表される脂環式エポキシ化合物とを含む層であり、前記第2のレジスト層は、多官能芳香族エポキシ化合物と、光酸発生剤とを含む層(但し、前記脂環式エポキシ化合物を含有するものを除く)であることを特徴とする。
(Laminate)
A third aspect of the present invention is a laminate of a first resist layer and a second resist layer. In such a laminate, the first resist layer is a layer containing a polyfunctional aromatic epoxy compound, a photoacid generator, and an alicyclic epoxy compound represented by the following general formula (m1), The second resist layer is characterized by being a layer containing a polyfunctional aromatic epoxy compound and a photo-acid generator (excluding those containing the alicyclic epoxy compound).

Figure 2023034044000033
[式中、R~R18は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は有機基である。Xは、2価の連結基又は単結合である。]
Figure 2023034044000033
[In the formula, R 1 to R 18 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom or an organic group. X is a divalent linking group or a single bond. ]

かかる積層体の一実施形態としては、上述した(積層体の製造方法)における工程(i)及び工程(ii)により製造される、第1のレジスト層11と第2のレジスト層12との積層体が挙げられる。
第1のレジスト層についての説明は、上述した第1のレジスト層11、並びに、これを形成するための感光性組成物(R1)が含有する多官能芳香族エポキシ化合物、光酸発生剤、一般式(m1)で表される脂環式エポキシ化合物及び任意成分についての説明とそれぞれ同様である。
第2のレジスト層についての説明は、上述した第2のレジスト層12、並びに、これを形成するための感光性組成物(R2)が含有する多官能芳香族エポキシ化合物、光酸発生剤及び任意成分についての説明とそれぞれ同様である。
As an embodiment of such a laminate, a laminate of the first resist layer 11 and the second resist layer 12 manufactured by the steps (i) and (ii) in the above-described (method for manufacturing a laminate) body.
The description of the first resist layer includes the above-described first resist layer 11 and the polyfunctional aromatic epoxy compound contained in the photosensitive composition (R1) for forming this, the photoacid generator, general The explanations for the alicyclic epoxy compound represented by formula (m1) and optional components are the same as those described above.
The description of the second resist layer includes the above-described second resist layer 12 and the polyfunctional aromatic epoxy compound, photoacid generator and optional It is the same as the description of each component.

以上説明した第3の態様に係る積層体においては、第1のレジスト層と第2のレジスト層とが、一般式(m1)で表される脂環式エポキシ化合物((m1)成分)を含むか否か、の点で異なる。
この(m1)成分は、芳香族エポキシ化合物に比べて、エポキシ基の開環重合の速度が高い。このため、(m1)成分を含有する第1のレジスト層は、レジストパターンの形成において、樹脂成分の重合速度が高められ、高感度化が図られる。
そして、レジストパターンを形成する際に、支持体と接する第1のレジスト層の方が、第1のレジスト層に隣接する第2のレジスト層よりも高感度化が図られることで、支持体と第1のレジスト層との密着性が強められる。このため、かかる積層体によれば、パターンの高アスペクト化が図れ、かつ、支持体から剥がれにくい樹脂硬化膜が形成され、パターン倒れが抑制されるなど、コイル形状の硬化パターンを安定に製造することが可能となる。
In the laminate according to the third aspect described above, the first resist layer and the second resist layer contain an alicyclic epoxy compound represented by the general formula (m1) (component (m1)). or not.
This component (m1) has a higher rate of ring-opening polymerization of the epoxy group than the aromatic epoxy compound. Therefore, the first resist layer containing the component (m1) can increase the polymerization speed of the resin component in the formation of the resist pattern, thereby achieving high sensitivity.
Then, when forming a resist pattern, the first resist layer in contact with the support has higher sensitivity than the second resist layer adjacent to the first resist layer. Adhesion to the first resist layer is strengthened. Therefore, according to this laminate, it is possible to increase the aspect ratio of the pattern, form a cured resin film that is difficult to peel off from the support, suppress pattern collapse, and stably manufacture a coil-shaped cured pattern. becomes possible.

(感光性組成物)
本発明の第4の態様は、多官能芳香族エポキシ化合物と、光酸発生剤と、下記一般式(m1)で表される脂環式エポキシ化合物とを含有する、感光性組成物である。かかる感光性組成物は、インダクタにおける絶縁部の、支持体と接する層を形成するための感光性組成物として好適なものである。
(Photosensitive composition)
A fourth aspect of the present invention is a photosensitive composition containing a polyfunctional aromatic epoxy compound, a photoacid generator, and an alicyclic epoxy compound represented by the following general formula (m1). Such a photosensitive composition is suitable as a photosensitive composition for forming the layer of the insulating part of the inductor, which is in contact with the support.

Figure 2023034044000034
[式中、R~R18は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は有機基である。Xは、2価の連結基又は単結合である。]
Figure 2023034044000034
[In the formula, R 1 to R 18 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom or an organic group. X is a divalent linking group or a single bond. ]

かかる感光性組成物についての説明は、上述した(積層体の製造方法)における感光性組成物(R1)についての説明と同様である。
かかる感光性組成物は、上述した(積層体)における第1のレジスト層、図1に示す積層体10における第1のレジスト層11、すなわち、積層体の最下層(支持体と接する層)を形成する材料として有用である。
The description of this photosensitive composition is the same as the description of the photosensitive composition (R1) in the above-described (Laminate production method).
Such a photosensitive composition forms the first resist layer in the above-described (laminate), the first resist layer 11 in the laminate 10 shown in FIG. It is useful as a forming material.

以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は以下の例によって限定されるものではない。 EXAMPLES The present invention will be described in more detail below with reference to examples, but the present invention is not limited to the following examples.

<感光性組成物の調製>
表1に示す各成分を、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)に混合して溶解し、PTFEフィルター(孔径1μm、PALL社製)を用いて濾過を行い、各例の感光性組成物(固形分50~80質量%の溶液)をそれぞれ調製した。
<Preparation of photosensitive composition>
Each component shown in Table 1 was mixed and dissolved in propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), filtered using a PTFE filter (pore size 1 μm, manufactured by PALL), and the photosensitive composition of each example (solid content 50 to 80 wt% solutions) were prepared respectively.

Figure 2023034044000035
Figure 2023034044000035

表1中、各略号はそれぞれ以下の意味を有する。[ ]内の数値は、各成分の配合量(質量部;固形分換算)である。
(A)-1:下記化学式(A1-1)で表されるノボラック型エポキシ樹脂。商品名「jER-157S70」、三菱ケミカル株式会社製。
(A)-2:下記化学式(A1-2)で表されるノボラック型エポキシ樹脂。商品名「EPICLON N-770」、DIC株式会社製。
In Table 1, each abbreviation has the following meaning. The numbers in [ ] are the blending amounts of each component (parts by mass; converted to solid content).
(A)-1: A novolak-type epoxy resin represented by the following chemical formula (A1-1). Trade name "jER-157S70", manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation.
(A)-2: A novolak type epoxy resin represented by the following chemical formula (A1-2). Trade name “EPICLON N-770” manufactured by DIC Corporation.

Figure 2023034044000036
Figure 2023034044000036

(I)-1:下記化学式(I2-2-1)で表される光酸発生剤。
(I)-2:下記化学式(I1-4)で表される光酸発生剤。
(I)-3:下記化学式(I2-1-1)で表される光酸発生剤。
(I)-4:下記化学式(I1-5)で表される光酸発生剤。
(I)-5:下記化学式(I3-1-1)で表される光酸発生剤。
(I)-1: A photoacid generator represented by the following chemical formula (I2-2-1).
(I)-2: A photoacid generator represented by the following chemical formula (I1-4).
(I)-3: A photoacid generator represented by the following chemical formula (I2-1-1).
(I)-4: A photoacid generator represented by the following chemical formula (I1-5).
(I)-5: A photoacid generator represented by the following chemical formula (I3-1-1).

Figure 2023034044000037
Figure 2023034044000037

Figure 2023034044000038
Figure 2023034044000038

(m1)-1:下記化学式(m1-1)で表される脂環式エポキシ化合物。商品名「セロキサイド8000」、株式会社ダイセル製。 (m1)-1: An alicyclic epoxy compound represented by the following chemical formula (m1-1). Trade name "Celoxide 8000", manufactured by Daicel Corporation.

Figure 2023034044000039
Figure 2023034044000039

<感光性組成物の感度Eopの測定>
上記の感光性組成物(1)~(7)の感度を、以下のようにして測定した。
感光性組成物(1)~(7)を用い、5インチのシリコンウェーハ上に、各組成の感光性樹脂膜を厚さ25μmでそれぞれ形成した。
その後、前記感光性樹脂膜に対し、アライナー(キヤノン株式会社製、PLA-501F)を用いて、パターンを有するマスクを前記感光性樹脂膜に密着させて、ghi線を照射した。
その後、90℃のホットプレートで、5分間の露光後加熱を行った。
その後、23℃にて、PGMEAで120秒間パドル現像を行い、振り切り乾燥を行って、ラインアンドスペースパターン(以下単に「LSパターン」ということがある。)を得た。最適露光量(Eop)の評価のために、ターゲットサイズであるライン幅20μm/スペース幅50μmのLSパターンを得た。
上記LSパターンの形成において、ターゲットとするLSパターンが形成される最適露光量Eop(mJ/cm)を求めた。その結果を「感度Eop(mJ/cm)」として表2に示した。
<Measurement of sensitivity Eop of photosensitive composition>
The sensitivities of the above photosensitive compositions (1) to (7) were measured as follows.
Using the photosensitive compositions (1) to (7), a photosensitive resin film of each composition was formed to a thickness of 25 μm on a 5-inch silicon wafer.
After that, the photosensitive resin film was irradiated with ghi rays after a mask having a pattern was brought into close contact with the photosensitive resin film using an aligner (PLA-501F manufactured by Canon Inc.).
After that, post-exposure heating was performed for 5 minutes on a hot plate at 90°C.
Thereafter, puddle development was performed with PGMEA at 23° C. for 120 seconds, followed by shaking off drying to obtain a line-and-space pattern (hereinafter sometimes simply referred to as “LS pattern”). For the evaluation of the optimum exposure dose (Eop), an LS pattern with a target size of 20 μm line width/50 μm space width was obtained.
In forming the LS pattern, the optimum exposure dose Eop (mJ/cm 2 ) for forming the target LS pattern was determined. The results are shown in Table 2 as "sensitivity Eop (mJ/cm 2 )".

<硬化パターンの形成>
感光性組成物(1)~(7)を用いて、コイル形状の硬化パターンの形成を試みた。
<Formation of cured pattern>
An attempt was made to form a coil-shaped cured pattern using the photosensitive compositions (1) to (7).

積層フィルムの作製:
感光性組成物(4)を、基材フィルム上に、アプリケーターを用いて塗布し、オーブンにて70℃、10分間の乾燥を行うことにより、膜厚20μmの感光性樹脂膜(4)を形成して、感光性の積層フィルム(F4)を得た。
Preparation of laminated film:
The photosensitive composition (4) is applied onto the base film using an applicator and dried in an oven at 70° C. for 10 minutes to form a photosensitive resin film (4) having a thickness of 20 μm. Thus, a photosensitive laminated film (F4) was obtained.

感光性組成物(4)を感光性組成物(5)へ変更した以外は、前記のように塗布、乾燥を行うことにより、基材フィルム上に膜厚20μmの感光性樹脂膜(5)を形成して、感光性の積層フィルム(F5)を得た。 Except for changing the photosensitive composition (4) to the photosensitive composition (5), a photosensitive resin film (5) having a thickness of 20 μm was formed on the base film by coating and drying as described above. to obtain a photosensitive laminated film (F5).

感光性組成物(4)を感光性組成物(1)へ変更した以外は、前記のように塗布、乾燥を行うことにより、基材フィルム上に膜厚55μmの感光性樹脂膜(1)を形成して、感光性の積層フィルム(F1)を得た。 Except for changing the photosensitive composition (4) to the photosensitive composition (1), a photosensitive resin film (1) having a thickness of 55 μm was formed on the base film by coating and drying as described above. formed to obtain a photosensitive laminated film (F1).

感光性組成物(4)を感光性組成物(2)へ変更した以外は、前記のように塗布、乾燥を行うことにより、基材フィルム上に膜厚65μmの感光性樹脂膜(2a)を形成して、感光性の積層フィルム(F2a)を得た。 A photosensitive resin film (2a) having a thickness of 65 μm was formed on the base film by coating and drying as described above, except that the photosensitive composition (4) was changed to the photosensitive composition (2). formed to obtain a photosensitive laminated film (F2a).

感光性組成物(4)を感光性組成物(2)へ変更した以外は、前記のように塗布、乾燥を行うことにより、基材フィルム上に膜厚55μmの感光性樹脂膜(2b)を形成して、感光性の積層フィルム(F2b)を得た。 Except that the photosensitive composition (4) was changed to the photosensitive composition (2), a photosensitive resin film (2b) having a thickness of 55 μm was formed on the base film by applying and drying as described above. to obtain a photosensitive laminated film (F2b).

(実施例1)
第1のレジスト層を形成する工程:
積層フィルム(F4)の基材フィルム上に形成した前記感光性樹脂膜(4)と、ビスマレイミドトリアジン樹脂を含む5インチシリコン基板(支持体)とを、前記感光性樹脂膜(4)と前記支持体とが隣接するように、45℃、0.3MPa、0.5m/minの条件でラミネートして、前記支持体上に第1のレジスト層を形成した。
(Example 1)
Step of forming the first resist layer:
The photosensitive resin film (4) formed on the base film of the laminated film (F4) and the 5-inch silicon substrate (support) containing the bismaleimide triazine resin are combined with the photosensitive resin film (4) and the A first resist layer was formed on the support by laminating under the conditions of 45° C., 0.3 MPa, and 0.5 m/min so as to be adjacent to the support.

第2のレジスト層を形成する工程:
次いで、前記第1のレジスト層を構成する感光性樹脂膜(4)に接する基材フィルムを剥離し、その露出した感光性樹脂膜(4)と、積層フィルム(F2a)の基材フィルム上に形成した前記感光性樹脂膜(2a)とを、50℃、0.3MPa、0.5m/minの条件でラミネートして、支持体と第1のレジスト層と第2のレジスト層との積層体(4a)を得た。
Step of forming a second resist layer:
Next, the base film in contact with the photosensitive resin film (4) constituting the first resist layer is peeled off, and the exposed photosensitive resin film (4) and the base film of the laminated film (F2a) are The formed photosensitive resin film (2a) is laminated under the conditions of 50° C., 0.3 MPa, and 0.5 m/min to obtain a laminate of the support, the first resist layer, and the second resist layer. (4a) was obtained.

第3のレジスト層を形成する工程:
次いで、前記第2のレジスト層を構成する感光性樹脂膜(2a)に接する基材フィルムを剥離し、その露出した感光性樹脂膜(2a)と、積層フィルム(F2a)の基材フィルム上に形成した前記感光性樹脂膜(2a)とを、50℃、0.3MPa、0.5m/minの条件でラミネートして、積層体(4a)と第3のレジスト層との積層体(4b)を得た。
Step of forming a third resist layer:
Next, the base film in contact with the photosensitive resin film (2a) constituting the second resist layer is peeled off, and the exposed photosensitive resin film (2a) and the base film of the laminated film (F2a) are The formed photosensitive resin film (2a) is laminated under conditions of 50° C., 0.3 MPa, and 0.5 m/min to obtain a laminate (4a) and a laminate (4b) of a third resist layer. got

第4のレジスト層を形成する工程:
次いで、前記第3のレジスト層を構成する感光性樹脂膜(2a)に接する基材フィルムを剥離し、その露出した感光性樹脂膜(2a)と、積層フィルム(F2a)の基材フィルム上に形成した前記感光性樹脂膜(2a)とを、50℃、0.3MPa、0.5m/minの条件でラミネートして、前記支持体上に第1~第4のレジスト層がこの順に積層した積層体(4)を得た。
そして、得られた積層体(4)に対し、温度40℃、30分間のベーク処理(PAB)を行った。
Step of forming a fourth resist layer:
Next, the base film in contact with the photosensitive resin film (2a) constituting the third resist layer is peeled off, and the exposed photosensitive resin film (2a) and the base film of the laminated film (F2a) are The formed photosensitive resin film (2a) was laminated under the conditions of 50° C., 0.3 MPa, and 0.5 m/min, and the first to fourth resist layers were laminated in this order on the support. A laminate (4) was obtained.
Then, the obtained laminate (4) was subjected to baking treatment (PAB) at a temperature of 40° C. for 30 minutes.

積層体(4)について
支持体:ビスマレイミドトリアジン樹脂を含む5インチシリコン基板
第1のレジスト層:膜厚20μmの感光性樹脂膜(4)
第2のレジスト層:膜厚65μmの感光性樹脂膜(2a)
第3のレジスト層:膜厚65μmの感光性樹脂膜(2a)
第4のレジスト層:膜厚65μmの感光性樹脂膜(2a)
Laminate (4) Support: 5 inch silicon substrate containing bismaleimide triazine resin First resist layer: 20 μm thick photosensitive resin film (4)
Second resist layer: photosensitive resin film (2a) with a thickness of 65 μm
Third resist layer: photosensitive resin film (2a) with a film thickness of 65 μm
Fourth resist layer: photosensitive resin film (2a) with a film thickness of 65 μm

積層体を露光する工程:
次いで、ベーク処理(PAB)後の積層体(4)に対し、アライナー(キヤノン株式会社製、PLA-501F)を用い、コイル形状のパターンを有するマスクを介して、1000mJ/cm(i線積算値)を露光した。
その後、60℃のホットプレートで、45分間の露光後加熱を行った。
Step of exposing the laminate:
Next, using an aligner (PLA-501F, manufactured by Canon Inc.), 1000 mJ/cm 2 (i-line integrated value) were exposed.
After that, post-exposure heating was performed for 45 minutes on a hot plate at 60°C.

現像する工程:
次いで、露光後加熱を行った後の積層体(4)に対し、現像液としてPGMEAを用いて、23℃で45分間の溶剤現像(Dip,Vertical)を行い、コイル形状のレジストパターンを得た。
その後、PGMEAを用いて1分間のリンス処理を行った。
Developing process:
Then, the laminate (4) after the post-exposure heating was subjected to solvent development (Dip, Vertical) at 23° C. for 45 minutes using PGMEA as a developer to obtain a coil-shaped resist pattern. .
After that, a rinse treatment was performed for 1 minute using PGMEA.

硬化パターンを得る工程:
次いで、リンス処理後のレジストパターンに対し、オーブンにて温度200℃、1時間の加熱処理を行い、コイル形状の硬化パターンを得た。
Steps to obtain cured pattern:
Then, the rinsed resist pattern was heat-treated in an oven at a temperature of 200° C. for 1 hour to obtain a coil-shaped cured pattern.

(実施例2)
第1~第4のレジスト層を形成する工程:
積層フィルム(F4)を積層フィルム(F5)へ変更した以外は、実施例1と同様にして、ビスマレイミドトリアジン樹脂を含む5インチシリコン基板(支持体)上に第1~第4のレジスト層がこの順に積層した積層体(5)を得た。
そして、得られた積層体(5)に対し、温度40℃、30分間のベーク処理(PAB)を行った。
(Example 2)
Steps of forming first to fourth resist layers:
First to fourth resist layers were formed on a 5-inch silicon substrate (support) containing a bismaleimide triazine resin in the same manner as in Example 1, except that the laminated film (F4) was changed to the laminated film (F5). A laminate (5) was obtained by laminating in this order.
Then, the obtained laminate (5) was subjected to baking (PAB) at a temperature of 40° C. for 30 minutes.

積層体(5)について
支持体:ビスマレイミドトリアジン樹脂を含む5インチシリコン基板
第1のレジスト層:膜厚20μmの感光性樹脂膜(5)
第2のレジスト層:膜厚65μmの感光性樹脂膜(2a)
第3のレジスト層:膜厚65μmの感光性樹脂膜(2a)
第4のレジスト層:膜厚65μmの感光性樹脂膜(2a)
Laminate (5) Support: 5-inch silicon substrate containing bismaleimide triazine resin First resist layer: 20 μm-thick photosensitive resin film (5)
Second resist layer: photosensitive resin film (2a) with a thickness of 65 μm
Third resist layer: photosensitive resin film (2a) with a film thickness of 65 μm
Fourth resist layer: photosensitive resin film (2a) with a film thickness of 65 μm

積層体を露光する工程、現像する工程、硬化パターンを得る工程:
次いで、ベーク処理(PAB)後の積層体(5)に対し、実施例1と同様にして、積層体を露光する工程、現像する工程、及び硬化パターンを得る工程の各操作を行い、コイル形状の硬化パターンを得た。
Steps of exposing the laminate, developing, and obtaining a cured pattern:
Next, in the same manner as in Example 1, the laminated body (5) after baking (PAB) was subjected to the steps of exposing the laminated body, developing, and obtaining a cured pattern. A cure pattern of .

(比較例1)
第1~第4のレジスト層を形成する工程:
積層フィルム(F4)を積層フィルム(F1)へ変更し、加えて、積層フィルム(F2a)を積層フィルム(F2b)へ変更した以外は、実施例1と同様にして、ビスマレイミドトリアジン樹脂を含む5インチシリコン基板(支持体)上に第1~第4のレジスト層がこの順に積層した積層体(1)を得た。
そして、得られた積層体(1)に対し、温度40℃、30分間のベーク処理(PAB)を行った。
(Comparative example 1)
Steps of forming first to fourth resist layers:
5 containing a bismaleimide triazine resin in the same manner as in Example 1, except that the laminated film (F4) was changed to the laminated film (F1), and the laminated film (F2a) was changed to the laminated film (F2b). A laminate (1) was obtained in which the first to fourth resist layers were laminated in this order on an inch silicon substrate (support).
Then, the obtained laminate (1) was subjected to baking (PAB) at a temperature of 40° C. for 30 minutes.

積層体(1)について
支持体:ビスマレイミドトリアジン樹脂を含む5インチシリコン基板
第1のレジスト層:膜厚55μmの感光性樹脂膜(1)
第2のレジスト層:膜厚55μmの感光性樹脂膜(2b)
第3のレジスト層:膜厚55μmの感光性樹脂膜(2b)
第4のレジスト層:膜厚55μmの感光性樹脂膜(2b)
Laminate (1) Support: 5-inch silicon substrate containing bismaleimide triazine resin First resist layer: Photosensitive resin film (1) having a thickness of 55 µm
Second resist layer: photosensitive resin film (2b) with a film thickness of 55 μm
Third resist layer: photosensitive resin film (2b) with a film thickness of 55 μm
Fourth resist layer: photosensitive resin film (2b) with a film thickness of 55 μm

積層体を露光する工程、現像する工程:
次いで、ベーク処理(PAB)後の積層体(1)に対し、実施例1と同様にして、積層体を露光する工程、及び現像する工程の各操作を行ったところ、前記支持体から積層体(1)が剥離し除去されて、コイル形状のレジストパターン形成は不可であった。
Step of exposing and developing the laminate:
Then, in the same manner as in Example 1, the laminate (1) after the baking treatment (PAB) was subjected to the steps of exposing and developing the laminate. (1) was peeled off and removed, making it impossible to form a coil-shaped resist pattern.

(比較例2)
第1~第4のレジスト層を形成する工程:
積層フィルム(F4)を積層フィルム(F2b)へ変更し、加えて、積層フィルム(F2a)を積層フィルム(F2b)へ変更した以外は、実施例1と同様にして、ビスマレイミドトリアジン樹脂を含む5インチシリコン基板(支持体)上に第1~第4のレジスト層がこの順に積層した積層体(2)を得た。
そして、得られた積層体(2)に対し、温度40℃、30分間のベーク処理(PAB)を行った。
(Comparative example 2)
Steps of forming first to fourth resist layers:
5 containing a bismaleimide triazine resin in the same manner as in Example 1, except that the laminated film (F4) was changed to the laminated film (F2b), and in addition, the laminated film (F2a) was changed to the laminated film (F2b). A laminate (2) was obtained in which the first to fourth resist layers were laminated in this order on an inch silicon substrate (support).
Then, the resulting laminate (2) was subjected to baking (PAB) at a temperature of 40° C. for 30 minutes.

積層体(2)について
支持体:ビスマレイミドトリアジン樹脂を含む5インチシリコン基板
第1のレジスト層:膜厚55μmの感光性樹脂膜(2b)
第2のレジスト層:膜厚55μmの感光性樹脂膜(2b)
第3のレジスト層:膜厚55μmの感光性樹脂膜(2b)
第4のレジスト層:膜厚55μmの感光性樹脂膜(2b)
Laminate (2) Support: 5-inch silicon substrate containing bismaleimide triazine resin First resist layer: 55 μm-thick photosensitive resin film (2b)
Second resist layer: photosensitive resin film (2b) with a film thickness of 55 μm
Third resist layer: photosensitive resin film (2b) with a film thickness of 55 μm
Fourth resist layer: photosensitive resin film (2b) with a film thickness of 55 μm

積層体を露光する工程、現像する工程:
次いで、ベーク処理(PAB)後の積層体(2)に対し、実施例1と同様にして、積層体を露光する工程、及び現像する工程の各操作を行ったところ、前記支持体から積層体(2)が剥離し除去されて、コイル形状のレジストパターン形成は不可であった。
Step of exposing and developing the laminate:
Then, in the same manner as in Example 1, the laminated body (2) after the baking treatment (PAB) was subjected to the steps of exposing the laminated body and developing. (2) was peeled off and removed, making it impossible to form a coil-shaped resist pattern.

(実施例3)
第1のレジスト層を形成する工程:
前記支持体上に、感光性組成物(6)を、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で、温度90℃で5分間のプレベーク(PAB)処理を行い、乾燥することにより、第1のレジスト層として膜厚25μmの感光性樹脂膜(6)を形成した。
(Example 3)
Step of forming the first resist layer:
On the support, the photosensitive composition (6) is applied using a spinner, pre-baked (PAB) on a hot plate at a temperature of 90 ° C. for 5 minutes, and dried to obtain the first A photosensitive resin film (6) having a thickness of 25 μm was formed as a resist layer.

第2のレジスト層を形成する工程:
次いで、前記第1のレジスト層を構成する感光性樹脂膜(6)と、積層フィルム(F2b)の基材フィルム上に形成した前記感光性樹脂膜(2b)とを、40℃、0.3MPa、0.5m/minの条件でラミネートして、支持体と第1のレジスト層と第2のレジスト層との積層体(6a)を得た。
Step of forming a second resist layer:
Next, the photosensitive resin film (6) constituting the first resist layer and the photosensitive resin film (2b) formed on the base film of the laminated film (F2b) were heated at 40° C. and 0.3 MPa. , and 0.5 m/min to obtain a laminate (6a) of the support, the first resist layer, and the second resist layer.

第3のレジスト層を形成する工程:
次いで、前記第2のレジスト層を構成する感光性樹脂膜(2b)に接する基材フィルムを剥離し、その露出した感光性樹脂膜(2b)と、積層フィルム(F2b)の基材フィルム上に形成した前記感光性樹脂膜(2b)とを、40℃、0.3MPa、0.5m/minの条件でラミネートして、積層体(6a)と第3のレジスト層との積層体(6b)を得た。
Step of forming a third resist layer:
Next, the base film in contact with the photosensitive resin film (2b) constituting the second resist layer is peeled off, and the exposed photosensitive resin film (2b) and the base film of the laminated film (F2b) are coated with The formed photosensitive resin film (2b) is laminated under conditions of 40° C., 0.3 MPa, and 0.5 m/min to obtain a laminate (6a) and a laminate (6b) of the third resist layer. got

第4のレジスト層を形成する工程:
次いで、前記第3のレジスト層を構成する感光性樹脂膜(2b)に接する基材フィルムを剥離し、その露出した感光性樹脂膜(2b)と、積層フィルム(F2b)の基材フィルム上に形成した前記感光性樹脂膜(2b)とを、40℃、0.3MPa、0.5m/minの条件でラミネートして、前記支持体上に第1~第4のレジスト層がこの順に積層した積層体(6)を得た。
そして、得られた積層体(6)に対し、温度40℃、60分間のベーク処理(PAB)を行った。
Step of forming a fourth resist layer:
Next, the base film in contact with the photosensitive resin film (2b) constituting the third resist layer is peeled off, and the exposed photosensitive resin film (2b) and the base film of the laminated film (F2b) are The formed photosensitive resin film (2b) was laminated under the conditions of 40° C., 0.3 MPa, and 0.5 m/min, and the first to fourth resist layers were laminated in this order on the support. A laminate (6) was obtained.
Then, the obtained laminate (6) was subjected to a baking treatment (PAB) at a temperature of 40° C. for 60 minutes.

積層体(6)について
支持体:ビスマレイミドトリアジン樹脂を含む5インチシリコン基板
第1のレジスト層:膜厚25μmの感光性樹脂膜(6)
第2のレジスト層:膜厚55μmの感光性樹脂膜(2b)
第3のレジスト層:膜厚55μmの感光性樹脂膜(2b)
第4のレジスト層:膜厚55μmの感光性樹脂膜(2b)
Laminate (6) Support: 5-inch silicon substrate containing bismaleimide triazine resin First resist layer: 25 μm-thick photosensitive resin film (6)
Second resist layer: photosensitive resin film (2b) with a film thickness of 55 μm
Third resist layer: photosensitive resin film (2b) with a film thickness of 55 μm
Fourth resist layer: photosensitive resin film (2b) with a film thickness of 55 μm

積層体を露光する工程:
次いで、ベーク処理(PAB)後の積層体(6)に対し、アライナー(キヤノン株式会社製、PLA-501F)を用い、コイル形状のパターンを有するマスクを介して、1000mJ/cm(i線積算値)を露光した。
その後、60℃のホットプレートで、45分間の露光後加熱を行った。
Step of exposing the laminate:
Next, an aligner (PLA-501F manufactured by Canon Inc.) was applied to the laminate (6) after baking (PAB) through a mask having a coil-shaped pattern at 1000 mJ/cm 2 (i-line integrated value) were exposed.
After that, post-exposure heating was performed for 45 minutes on a hot plate at 60°C.

現像する工程:
次いで、露光後加熱を行った後の積層体(6)に対し、現像液としてPGMEAを用いて、23℃で40分間の溶剤現像(Dip,Vertical)を行い、コイル形状のレジストパターンを得た。
その後、PGMEAを用いて5分間のリンス処理を行った。
Developing process:
Then, the laminate (6) after the post-exposure heating was subjected to solvent development (Dip, Vertical) at 23° C. for 40 minutes using PGMEA as a developer to obtain a coil-shaped resist pattern. .
After that, a rinse treatment was performed for 5 minutes using PGMEA.

硬化パターンを得る工程:
次いで、リンス処理後のレジストパターンに対し、オーブンにて温度200℃、1時間の加熱処理を行い、コイル形状の硬化パターンを得た。
Steps to obtain cured pattern:
Then, the rinsed resist pattern was heat-treated in an oven at a temperature of 200° C. for 1 hour to obtain a coil-shaped cured pattern.

(実施例4)
第1のレジスト層を形成する工程:
前記支持体上に、感光性組成物(7)を、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で、温度90℃で5分間のプレベーク(PAB)処理を行い、乾燥することにより、第1のレジスト層として膜厚25μmの感光性樹脂膜(7)を形成した。
(Example 4)
Step of forming the first resist layer:
On the support, the photosensitive composition (7) is applied using a spinner, pre-baked (PAB) on a hot plate at a temperature of 90 ° C. for 5 minutes, and dried to obtain the first A photosensitive resin film (7) having a thickness of 25 μm was formed as a resist layer.

第2~第4のレジスト層を形成する工程:
次いで、前記第1のレジスト層である感光性樹脂膜(7)上に、実施例3と同様にして、積層フィルム(F2b)を用いて第2~第4のレジスト層(それぞれ前記感光性樹脂膜(2b))を形成する工程の各操作を行い、前記支持体上に第1~第4のレジスト層がこの順に積層した積層体(7)を得た。
そして、得られた積層体(7)に対し、温度40℃、60分間のベーク処理(PAB)を行った。
Steps of forming second to fourth resist layers:
Next, on the photosensitive resin film (7), which is the first resist layer, in the same manner as in Example 3, a laminated film (F2b) is used to form the second to fourth resist layers (each of the photosensitive resin Each operation of the step of forming the film (2b)) was carried out to obtain a laminate (7) in which the first to fourth resist layers were laminated in this order on the support.
Then, the obtained laminate (7) was subjected to baking treatment (PAB) at a temperature of 40° C. for 60 minutes.

積層体(7)について
支持体:ビスマレイミドトリアジン樹脂を含む5インチシリコン基板
第1のレジスト層:膜厚25μmの感光性樹脂膜(7)
第2のレジスト層:膜厚55μmの感光性樹脂膜(2b)
第3のレジスト層:膜厚55μmの感光性樹脂膜(2b)
第4のレジスト層:膜厚55μmの感光性樹脂膜(2b)
Laminate (7) Support: 5-inch silicon substrate containing bismaleimide triazine resin First resist layer: 25 μm-thick photosensitive resin film (7)
Second resist layer: photosensitive resin film (2b) with a film thickness of 55 μm
Third resist layer: photosensitive resin film (2b) with a film thickness of 55 μm
Fourth resist layer: photosensitive resin film (2b) with a film thickness of 55 μm

積層体を露光する工程、現像する工程、硬化パターンを得る工程:
次いで、ベーク処理(PAB)後の積層体(7)に対し、実施例3と同様にして、積層体を露光する工程、現像する工程、及び硬化パターンを得る工程の各操作を行い、コイル形状の硬化パターンを得た。
Steps of exposing the laminate, developing, and obtaining a cured pattern:
Next, in the same manner as in Example 3, the laminated body (7) after the baking treatment (PAB) was subjected to the steps of exposing the laminated body, developing, and obtaining a cured pattern. A cure pattern of .

(比較例3)
第1のレジスト層を形成する工程:
前記支持体上に、感光性組成物(3)を、スピンナーを用いて塗布し、ホットプレート上で、温度90℃で5分間のプレベーク(PAB)処理を行い、乾燥することにより、第1のレジスト層として膜厚25μmの感光性樹脂膜(3)を形成した。
(Comparative Example 3)
Step of forming the first resist layer:
The photosensitive composition (3) is applied onto the support using a spinner, pre-baked (PAB) on a hot plate at a temperature of 90° C. for 5 minutes, and dried to form the first layer. A photosensitive resin film (3) having a thickness of 25 μm was formed as a resist layer.

第2~第4のレジスト層を形成する工程:
次いで、前記第1のレジスト層である感光性樹脂膜(3)上に、実施例3と同様にして、積層フィルム(F2b)を用いて第2~第4のレジスト層(それぞれ前記感光性樹脂膜(2b))を形成する工程の各操作を行い、前記支持体上に第1~第4のレジスト層がこの順に積層した積層体(3)を得た。
そして、得られた積層体(3)に対し、温度40℃、60分間のベーク処理(PAB)を行った。
Steps of forming second to fourth resist layers:
Next, on the photosensitive resin film (3) which is the first resist layer, in the same manner as in Example 3, using the laminated film (F2b), the second to fourth resist layers (each of the photosensitive resin Each operation of the step of forming the film (2b)) was carried out to obtain a laminate (3) in which the first to fourth resist layers were laminated in this order on the support.
Then, the resulting laminate (3) was subjected to baking (PAB) at a temperature of 40° C. for 60 minutes.

積層体(3)について
支持体:ビスマレイミドトリアジン樹脂を含む5インチシリコン基板
第1のレジスト層:膜厚25μmの感光性樹脂膜(3)
第2のレジスト層:膜厚55μmの感光性樹脂膜(2b)
第3のレジスト層:膜厚55μmの感光性樹脂膜(2b)
第4のレジスト層:膜厚55μmの感光性樹脂膜(2b)
Laminate (3) Support: 5 inch silicon substrate containing bismaleimide triazine resin First resist layer: 25 μm thick photosensitive resin film (3)
Second resist layer: photosensitive resin film (2b) with a film thickness of 55 μm
Third resist layer: photosensitive resin film (2b) with a film thickness of 55 μm
Fourth resist layer: photosensitive resin film (2b) with a film thickness of 55 μm

積層体を露光する工程、現像する工程:
次いで、ベーク処理(PAB)後の積層体(3)に対し、実施例3と同様にして、積層体を露光する工程、及び現像する工程の各操作を行ったところ、前記支持体から積層体(3)が剥離し除去されて、コイル形状のレジストパターン形成は不可であった。
Step of exposing and developing the laminate:
Then, in the same manner as in Example 3, the laminate (3) after the baking treatment (PAB) was subjected to the steps of exposing the laminate to light and developing the laminate. (3) was peeled off and removed, making it impossible to form a coil-shaped resist pattern.

上記<硬化パターンの形成>において、各例におけるパターン形成後の状態を、SEM観察(倍率500倍)により目視で評価した。かかる評価は、下記の評価基準に基づいて行い、その結果を表2に示した。
評価基準
A:コイル形状の硬化パターンの形成が確認された。
B:積層体又は硬化パターンを確認できなかった。
かかる評価がAであれば、支持体と硬化パターン(樹脂硬化膜)との密着性が強く、支持体から硬化パターンが剥がれにくい、と言える。
In <Formation of cured pattern>, the state after pattern formation in each example was visually evaluated by SEM observation (magnification: 500). Such evaluation was performed based on the following evaluation criteria, and the results are shown in Table 2.
Evaluation Criteria A: Formation of a coil-shaped cured pattern was confirmed.
B: No laminate or cured pattern was observed.
If the evaluation is A, it can be said that the adhesion between the support and the cured pattern (resin cured film) is strong and the cured pattern is difficult to peel off from the support.

Figure 2023034044000040
Figure 2023034044000040

表2に示す結果から、実施例1~4の硬化パターン形成方法によれば、パターンの高アスペクト化が図れ、かつ、支持体から剥がれにくい樹脂硬化膜となり得る積層体、及びコイル形状の硬化パターンを形成できること、が確認された。 From the results shown in Table 2, according to the cured pattern forming method of Examples 1 to 4, a laminate that can achieve a high aspect ratio of the pattern and can be a resin cured film that is difficult to peel off from the support, and a coil-shaped cured pattern. was confirmed to be able to form

実施例1~4で用いた感光性組成物(4)~(7)は、比較例1~3で用いた感光性組成物(1)~(3)に比べて、当該積層体の最下層を形成する材料として有用であること、が確認された。 The photosensitive compositions (4) to (7) used in Examples 1 to 4 are compared to the photosensitive compositions (1) to (3) used in Comparative Examples 1 to 3, the lowest layer of the laminate It was confirmed that it is useful as a material for forming

以上、添付の図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明はかかる形態例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。 Although the preferred embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, it goes without saying that the present invention is not limited to such embodiments. The various shapes, combinations, etc., of the constituent members shown in the above examples are merely examples, and various modifications can be made based on design requirements and the like without departing from the gist of the present invention.

10 積層体、10b 露光部、10c 樹脂硬化膜、10d 未露光部、11 第1のレジスト層、12 第2のレジスト層、13 第3のレジスト層、14 第4のレジスト層、20 支持体、90 フォトマスク、110 レジストパターン、120 硬化パターン 10 Laminate 10b Exposed portion 10c Resin cured film 10d Unexposed portion 11 First resist layer 12 Second resist layer 13 Third resist layer 14 Fourth resist layer 20 Support 90 photomask, 110 resist pattern, 120 curing pattern

Claims (9)

支持体上に、第1の感光性組成物を用いて第1のレジスト層を形成する工程と、
前記第1のレジスト層上に、第2の感光性組成物を用いて第2のレジスト層を形成する工程と、
を有する、積層体の製造方法であって、
前記第1の感光性組成物として、前記第2の感光性組成物に比べて高い感度を持つ感光性組成物を用いる、積層体の製造方法。
forming a first resist layer on a support using a first photosensitive composition;
forming a second resist layer on the first resist layer using a second photosensitive composition;
A method for manufacturing a laminate,
A method for producing a laminate, wherein a photosensitive composition having higher sensitivity than the second photosensitive composition is used as the first photosensitive composition.
前記第1の感光性組成物は、多官能芳香族エポキシ化合物と、光酸発生剤と、下記一般式(m1)で表される脂環式エポキシ化合物とを含有する感光性組成物である、請求項1に記載の積層体の製造方法。
Figure 2023034044000041
[式中、R~R18は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は有機基である。Xは、2価の連結基又は単結合である。]
The first photosensitive composition is a photosensitive composition containing a polyfunctional aromatic epoxy compound, a photoacid generator, and an alicyclic epoxy compound represented by the following general formula (m1). The manufacturing method of the laminated body of Claim 1.
Figure 2023034044000041
[In the formula, R 1 to R 18 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom or an organic group. X is a divalent linking group or a single bond. ]
前記第2の感光性組成物は、多官能芳香族エポキシ化合物と、光酸発生剤とを含有する感光性組成物(但し、前記脂環式エポキシ化合物を含有するものを除く)である、請求項2に記載の積層体の製造方法。 The second photosensitive composition is a photosensitive composition containing a polyfunctional aromatic epoxy compound and a photoacid generator (excluding those containing the alicyclic epoxy compound). Item 3. A method for producing a laminate according to item 2. 前記支持体は、ビスマレイミドトリアジン樹脂を含む基板を備える、請求項1~3のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。 The method for producing a laminate according to any one of claims 1 to 3, wherein the support comprises a substrate containing a bismaleimide triazine resin. 請求項1~4のいずれか一項に記載の積層体の製造方法により製造された積層体を露光する工程と、
前記露光後の積層体を現像して、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを硬化させて硬化パターンを得る工程と、
を有する、硬化パターン形成方法。
A step of exposing a laminate produced by the method for producing a laminate according to any one of claims 1 to 4;
A step of developing the exposed laminate to form a resist pattern;
a step of curing the resist pattern to obtain a cured pattern;
A method for forming a cured pattern.
前記硬化パターンは、コイル形状のパターンである、請求項5に記載の硬化パターン形成方法。 6. The cured pattern forming method according to claim 5, wherein the cured pattern is a coil-shaped pattern. 前記硬化パターンは、インダクタにおける絶縁部を構成する、請求項6に記載の硬化パターン形成方法。 7. The method of forming a hardening pattern according to claim 6, wherein the hardening pattern constitutes an insulating portion in an inductor. 第1のレジスト層と第2のレジスト層との積層体であって、
前記第1のレジスト層は、多官能芳香族エポキシ化合物と、光酸発生剤と、下記一般式(m1)で表される脂環式エポキシ化合物とを含む層であり、
前記第2のレジスト層は、多官能芳香族エポキシ化合物と、光酸発生剤とを含む層(但し、前記脂環式エポキシ化合物を含有するものを除く)である、積層体。
Figure 2023034044000042
[式中、R~R18は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は有機基である。Xは、2価の連結基又は単結合である。]
A laminate of a first resist layer and a second resist layer,
The first resist layer is a layer containing a polyfunctional aromatic epoxy compound, a photoacid generator, and an alicyclic epoxy compound represented by the following general formula (m1),
The laminate, wherein the second resist layer is a layer containing a polyfunctional aromatic epoxy compound and a photoacid generator (excluding the layer containing the alicyclic epoxy compound).
Figure 2023034044000042
[In the formula, R 1 to R 18 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom or an organic group. X is a divalent linking group or a single bond. ]
多官能芳香族エポキシ化合物と、
光酸発生剤と、
下記一般式(m1)で表される脂環式エポキシ化合物と
を含有し、
インダクタにおける絶縁部の、支持体と接する層を形成するための感光性組成物。
Figure 2023034044000043
[式中、R~R18は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は有機基である。Xは、2価の連結基又は単結合である。]
a polyfunctional aromatic epoxy compound;
a photoacid generator;
and an alicyclic epoxy compound represented by the following general formula (m1),
A photosensitive composition for forming a layer of an insulator in an inductor, the layer being in contact with a support.
Figure 2023034044000043
[In the formula, R 1 to R 18 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom or an organic group. X is a divalent linking group or a single bond. ]
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