JP2023020998A - 有機化合物、発光デバイス、表示装置、電子機器、発光装置、照明装置 - Google Patents

有機化合物、発光デバイス、表示装置、電子機器、発光装置、照明装置 Download PDF

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Abstract

【課題】利便性、有用性または信頼性に優れた新規な有機化合物を提供する。【解決手段】下記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物である。JPEG2023020998000035.jpg70167ただし、Ｒ１乃至Ｒ２６の少なくとも一は重水素であり、他は、水素、アルキル基、シクロアルキル基、トリアルキルシリル基、アリール基等である。【選択図】なし

Description

本発明の一態様は、有機化合物、発光デバイス、表示装置、電子機器、発光装置、照明装置または半導体装置に関する。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
有機化合物を用いたエレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏ ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用する発光デバイス（有機ＥＬ素子）の実用化が進んでいる。これら発光デバイスの基本的な構成は、一対の電極間に発光材料を含む有機化合物層（ＥＬ層）を挟んだものである。この素子に電圧を印加して、キャリアを注入し、当該キャリアの再結合エネルギーを利用することにより、発光材料からの発光を得ることができる。
このような発光デバイスは自発光型であるため、液晶ディスプレイに比べ視認性が高くディスプレイの画素として好適である。また、このような発光デバイスを用いたディスプレイは、バックライトが不要であり薄型軽量に作製できることも大きな利点である。さらに非常に応答速度が速いことも特徴の一つである。
また、これらの発光デバイスは発光層を二次元に連続して形成することが可能であるため、面状に発光を得ることができる。これは、白熱電球またはＬＥＤに代表される点光源、あるいは蛍光灯に代表される線光源では得難い特色であるため、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。
このように発光デバイスを用いたディスプレイまたは照明装置はさまざまな電子機器に好適であるが、より良好な効率、寿命を有する発光デバイスを求めて研究開発が進められている。
発光デバイスの特性は、目覚ましく向上してきたが効率または耐久性をはじめ、あらゆる特性に対する高度な要求に対応するには未だ不十分と言わざるを得ない。特に、ＥＬ特有の問題として未だあげつらわれる焼き付きなどの問題を解決する為には、劣化による効率の低下は小さければ小さいほど都合が良い。
劣化に関しては、発光中心物質およびその周辺の材料により大きく左右されるため、良好な特性を有するホスト材料の開発が盛んにおこなわれている。
国際公開ＷＯ２０２０／１６５６９４号パンフレット
本発明の一態様は、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な有機化合物を提供することを課題の一とする。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な発光デバイスを提供することを課題の一とする。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することを課題の一とする。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な電子機器を提供することを課題の一とする。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な発光装置を提供することを課題の一とする。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な照明装置を提供することを課題の一とする。または、新規な有機化合物、新規な発光デバイス、新規な表示装置、新規な電子機器、新規な発光装置、新規な照明装置または新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
（１）本発明の一態様は、下記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物である。
Figure 2023020998000001
ただし、Ｒ１乃至Ｒ２６の少なくとも一は重水素である。
また、Ｒ１乃至Ｒ７の少なくとも一は、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基または置換もしくは無置換のアリール基のいずれか一であり、Ｒ１乃至Ｒ７の他は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基または置換もしくは無置換のアリール基のいずれか一である。なお、本明細書において、水素は重水素を含む。
また、Ｒ８乃至Ｒ２６は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基または置換もしくは無置換のアリール基のいずれか一である。なお、アルキル基である場合は炭素数３以上１０以下であり、シクロアルキル基である場合は炭素数３以上１０以下であり、トリアルキルシリル基である場合は炭素数３以上１２以下であり、アリール基である場合は炭素数６以上２５以下である。
（２）また、本発明の一態様は、下記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物である。
Figure 2023020998000002
ただし、Ｒ１乃至Ｒ７は、水素である。
また、Ｒ２０乃至Ｒ２６の少なくとも一は、重水素であり、Ｒ２０乃至Ｒ２６の他およびＲ８乃至Ｒ１９は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基または置換もしくは無置換のアリール基のいずれか一である。なお、アルキル基である場合は炭素数３以上１０以下であり、シクロアルキル基である場合は炭素数３以上１０以下であり、トリアルキルシリル基である場合は炭素数３以上１２以下であり、アリール基である場合は炭素数６以上２５以下である。
（３）また、本発明の一態様は、下記一般式（Ｇ２）で表される有機化合物である。
Figure 2023020998000003
ただし、Ｒ１乃至Ｒ７は、それぞれ独立に、水素または置換もしくは無置換のアリール基のいずれか一である。
また、Ｒ８乃至Ｒ１９は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基または置換もしくは無置換のアリール基のいずれか一である。なお、アルキル基である場合は炭素数３以上１０以下であり、シクロアルキル基である場合は炭素数３以上１０以下であり、トリアルキルシリル基である場合は炭素数３以上１２以下であり、アリール基である場合は、炭素数６以上２５以下である。なお、Ｄは重水素を表す。
（４）また、本発明の一態様は、下記一般式（Ｇ２）で表される有機化合物である。
Figure 2023020998000004
ただし、Ｒ１乃至Ｒ７は、それぞれ独立に、水素または置換もしくは無置換のアリール基であり、当該アリール基は炭素数６以上２５以下である。
また、Ｒ８乃至Ｒ１９は水素である。
これにより、炭素－水素結合より結合解離エネルギーが大きい炭素－重水素結合を利用して、化合物の結合解離エネルギーを大きくすることができる。また、励起状態における化合物構造内の結合解離を抑制することができる。また、炭素－重水素結合の解離による化合物の劣化または変質を抑制することができる。また、劣化物の生成を抑えることができる。なお、例えば、発光デバイスの発光層に好適に用いることができる。また、例えば、発光デバイスの発光層に接する層に好適に用いることができる。このように、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な有機化合物を提供することができる。
（５）また、本発明の一態様は、第１の電極と、第２の電極と、ユニットと、を有する発光デバイスである。
ユニットは第１の電極および第２の電極の間に挟まれ、ユニットは、発光性の有機化合物および上記の有機化合物を含む。
これにより、炭素－水素結合より結合解離エネルギーが大きい炭素－重水素結合を利用して、化合物の結合解離エネルギーを大きくすることができる。また、励起状態における化合物構造内の結合解離を抑制することができる。また、炭素－重水素結合の解離による化合物の劣化または変質を抑制することができる。また、劣化物の生成を抑えることができる。また、劣化物による発光効率の低下を抑制することが可能となる。また、発光効率の高い発光デバイスを提供することができる。また、良好な駆動寿命を備える発光デバイスを提供することができる。また、駆動に伴う発光色の変化を抑制できる。また、色純度の高い発光デバイスを提供することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な発光デバイスを提供することができる。
（６）また、本発明の一態様は、第１の電極と、第２の電極と、ユニットと、を有する発光デバイスである。
ユニットは、第１の電極および第２の電極の間に挟まれ、ユニットは、第１の層、第２の層および第３の層を備える。
第１の層は、第２の層および第３の層の間に挟まれ、第３の層は、第２の電極および第１の層の間に挟まれる。
第２の層は、第１の層および第１の電極の間に挟まれ、第２の層は、正孔輸送性の材料を含む。
第１の層は、発光性の有機化合物および上記の有機化合物を含む。
（７）また、本発明の一態様は、第１の電極と、第２の電極と、ユニットと、を有する発光デバイスである。
ユニットは、第１の電極および第２の電極の間に挟まれ、ユニットは、第１の層、第２の層および第３の層を備える。
第１の層は、第２の層および第３の層の間に挟まれ、第３の層は、第２の電極および第１の層の間に挟まれる。
第２の層は、第１の層および第１の電極の間に挟まれ、第２の層は、正孔輸送性の材料を含み、第１の層は発光性の有機化合物を含む。
第３の層は、上記の有機化合物を含む。
（８）また、本発明の一態様は、発光性の有機化合物ＥＭが、青色の蛍光を放出する、上記の発光デバイスである。
（９）また、本発明の一態様は、上記の発光デバイスと、トランジスタまたは基板と、を有する表示装置である。
（１０）また、本発明の一態様は、上記の表示装置と、センサ、操作ボタン、スピーカまたはマイクと、を有する電子機器である。
（１１）また、本発明の一態様は、上記の発光デバイスと、トランジスタまたは基板と、を有する発光装置である。
（１２）また、本発明の一態様は、上記の発光装置と、筐体と、を有する照明装置である。
本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。
なお、本明細書中における発光装置とは、発光素子を用いた画像表示デバイスを含む。また、発光素子にコネクター、例えば異方導電性フィルム又はＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、又は発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも、発光装置に含む場合がある。さらに、照明器具等は、発光装置を有する場合がある。
本発明の一態様によれば、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な有機化合物を提供することができる。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な発光デバイスを提供することができる。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な電子機器を提供することができる。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な発光装置を提供することができる。または、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な照明装置を提供することができる。または、新規な有機化合物、新規な発光デバイス、新規な表示装置、新規な電子機器、新規な発光装置、新規な照明装置または新規な半導体装置を提供することができる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
図１（Ａ）および（Ｂ）は、本発明の一態様の発光デバイスの構成を説明する図である。 図２（Ａ）および（Ｂ）は、本発明の一態様の発光デバイスの構成を説明する図である。 図３（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態に係る表示装置の構成を説明する図である。 図４（Ａ）および（Ｂ）は、実施の形態に係る表示装置の構成を説明する図である。 図５（Ａ）および（Ｂ）はアクティブマトリクス型発光装置の概念図である。 図６（Ａ）および（Ｂ）はアクティブマトリクス型発光装置の概念図である。 図７はアクティブマトリクス型発光装置の概念図である。 図８（Ａ）および（Ｂ）はパッシブマトリクス型発光装置の概念図である。 図９（Ａ）および（Ｂ）は照明装置を表す図である。 図１０（Ａ）乃至（Ｄ）は電子機器を表す図である。 図１１（Ａ）乃至（Ｃ）は電子機器を表す図である。 図１２は照明装置を表す図である。 図１３は照明装置を表す図である。 図１４は車載表示装置及び照明装置を表す図である。 図１５（Ａ）乃至（Ｃ）は電子機器を表す図である。 図１６（Ａ）および（Ｂ）は、２αＮ－αＮＰｈＡ－ｄ７の１Ｈ ＮＭＲスペクトルを表す図である。 図１７は、２αＮ－αＮＰｈＡ－ｄ７のトルエン溶液における吸収スペクトルおよび発光スペクトルを表す図である。 図１８は、実施例に係る発光デバイスの構成を説明する図である。 図１９は、実施例に係る発光デバイスの電流密度－輝度特性を説明する図である。 図２０は、実施例に係る発光デバイスの輝度－電流効率特性を説明する図である。 図２１は、実施例に係る発光デバイスの電圧－輝度特性を説明する図である。 図２２は、実施例に係る発光デバイスの電圧－電流特性を説明する図である。 図２３は、実施例に係る発光デバイスの輝度－外部量子効率特性を説明する図である。 図２４は、実施例に係る発光デバイスの発光スペクトルを説明する図である。 図２５は、実施例に係る発光デバイスの規格化輝度の経時変化を説明する図である。
本発明の一態様の有機化合物は、下記一般式（Ｇ１）で表される。
Figure 2023020998000005
ただし、上記一般式（Ｇ１）において、Ｒ１乃至Ｒ２６の少なくとも一は、重水素であり、Ｒ１乃至Ｒ７の少なくとも一は、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基または置換もしくは無置換のアリール基のいずれか一であり、Ｒ１乃至Ｒ７の他は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基または置換もしくは無置換のアリール基のいずれか一であり、Ｒ８乃至Ｒ２６は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基または置換もしくは無置換のアリール基のいずれか一である。なお、アルキル基は炭素数３以上１０以下であり、シクロアルキル基は炭素数３以上１０以下であり、トリアルキルシリル基は炭素数３以上１２以下であり、アリール基は炭素数６以上２５以下である。
これにより、炭素－水素結合より結合解離エネルギーが大きい炭素－重水素結合を利用して、化合物の結合解離エネルギーを大きくすることができる。また、励起状態における化合物構造内の結合解離を抑制することができる。また、炭素－重水素結合の解離による化合物の劣化または変質を抑制することができる。また、劣化物の生成を抑えることができる。なお、例えば、発光デバイスの発光層に好適に用いることができる。また、例えば、発光デバイスの発光層に接する層に好適に用いることができる。このように、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な有機化合物を提供することができる。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の有機化合物について説明する。
＜有機化合物の例１＞
本実施の形態で説明する有機化合物は、下記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物である。
Figure 2023020998000006
ただし、上記一般式（Ｇ１）において、Ｒ１乃至Ｒ２６の少なくとも一は、重水素である。
また、Ｒ１乃至Ｒ７の少なくとも一は、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基または置換もしくは無置換のアリール基のいずれか一である。また、Ｒ１乃至Ｒ７の他は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基または置換もしくは無置換のアリール基のいずれか一である。なお、本明細書において、水素は重水素を含む。
Ｒ８乃至Ｒ２６は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基または置換もしくは無置換のアリール基のいずれか一である。
なお、Ｒ１乃至Ｒ２６に置換するアルキル基は炭素数３以上１０以下であり、Ｒ１乃至Ｒ２６に置換するシクロアルキル基は炭素数３以上１０以下であり、Ｒ１乃至Ｒ２６に置換するトリアルキルシリル基は炭素数３以上１２以下であり、Ｒ１乃至Ｒ２６に置換するアリール基は、炭素数６以上２５以下である。
Ｒ１乃至Ｒ２６に置換するアルキル基としては、例えば、プロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基等を挙げることができる。
また、Ｒ１乃至Ｒ２６に置換するシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ビシクロ［２．２．１］ヘプチル基、トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカニル基、ノルアダマンチル基等を挙げることができる。
また、Ｒ１乃至Ｒ２６に置換するトリアルキルシリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル基等を挙げることができる。
また、Ｒ１乃至Ｒ２６に置換するアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アセナフチレニル基、アントリル基、フェナントリル基、ビフェニル基、トリフェニレニル基、フルオレニル基、スピロフルオレニル基等を挙げることができる。
なお、Ｒ１乃至Ｒ２６に置換する上述の置換基は、いずれも、他の置換基を有してもよい。他の置換基としては、例えば、上述のアルキル基、上述のシクロアルキル基、上述のトリアルキルシリル基、上述のアリール基、または、重水素等を挙げることができる。
これにより、炭素－水素結合より結合解離エネルギーが大きい炭素－重水素結合を利用して、化合物の結合解離エネルギーを大きくすることができる。また、一般式（Ｇ１）においてＲ１乃至Ｒ２６の少なくとも一が重水素であると、分子構造が安定するため好ましく、Ｒ１乃至Ｒ２６全てが重水素であると、更に好ましい。また、励起状態における化合物構造内の結合解離を抑制することができる。また、炭素－重水素結合の解離による化合物の劣化、または変質を抑制することができる。また、劣化物の生成を抑えることができる。なお、例えば、発光デバイスの発光層に好適に用いることができる。また、例えば、発光デバイスの発光層に接する層に好適に用いることができる。なお、有機化合物の炭素に結合する水素を重水素に置換しても、当該有機化合物の発光スペクトルおよび量子収率が大きく変化することはない。従って、水素に換えて重水素を備える有機化合物は、それを用いる発光デバイスの発光特性を損なうことなく、耐熱性を向上させることができる。また、発光デバイスの製造工程において、例えば、真空蒸着工程などの加熱を伴う製造工程において、有機化合物の劣化を抑制することができる。また、発光デバイスの駆動にともなう劣化を抑制することができる。このように、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な有機化合物を提供することができる。
《有機化合物の具体例１》
上記構成を有する有機化合物の具体的な例を以下に示す。
Figure 2023020998000007
Figure 2023020998000008
＜有機化合物の例２＞
また、本実施の形態で説明する有機化合物は、下記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物である。
Figure 2023020998000009
ただし、上記一般式（Ｇ１）において、Ｒ１乃至Ｒ７は、水素である。
また、Ｒ２０乃至Ｒ２６の少なくとも一は、重水素であり、Ｒ２０乃至Ｒ２６の他およびＲ８乃至Ｒ１９は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基または置換もしくは無置換のアリール基のいずれか一である。
なお、Ｒ８乃至Ｒ２６に置換するアルキル基は炭素数３以上１０以下であり、Ｒ８乃至Ｒ２６に置換するシクロアルキル基は炭素数３以上１０以下であり、Ｒ８乃至Ｒ２６に置換するトリアルキルシリル基は炭素数３以上１２以下であり、Ｒ８乃至Ｒ２６に置換するアリール基は炭素数６以上２５以下である。
なお、一般式（Ｇ１）で表される有機化合物の最高被占軌道（ＨＯＭＯ：Ｈｉｇｈｅｓｔ ｏｃｃｕｐｉｅｄ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｏｒｂｉｔａｌ）および最低空軌道（ＬＵＭＯ：Ｌｏｗｅｓｔ ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｏｒｂｉｔａｌ）は、アントラセン骨格に分布する。アントラセン骨格に直接結合する水素、具体的には、好ましくはＲ２０乃至Ｒ２６の少なくとも一、より好ましくはＲ２０乃至Ｒ２６のすべてを重水素化することにより、炭素－水素結合において起こりえる結合解離を抑制することができる。つまり、炭素－重水素結合の解離を抑制することができる。また、励起状態において、炭素－重水素結合の解離を抑制することができる。また、正孔を有する状態において、炭素－重水素結合の解離を抑制することができる。また、電子を有する状態において、炭素－重水素結合の解離を抑制することができる。また、例えば、発光デバイスの発光層に用いて、信頼性を向上することができる。また、発光デバイスの駆動に伴う発光効率の低下を抑制することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な有機化合物を提供することができる。
《有機化合物の具体例２》
上記構成を有する有機化合物の具体的な例を以下に示す。
Figure 2023020998000010
＜有機化合物の例３＞
また、本実施の形態で説明する有機化合物は、下記一般式（Ｇ２）で表される有機化合物である。
Figure 2023020998000011
ただし、上記一般式（Ｇ２）において、Ｒ１乃至Ｒ７は、それぞれ独立に、水素または置換もしくは無置換のアリール基のいずれか一である。
また、Ｒ８乃至Ｒ１９は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基または置換もしくは無置換のアリール基のいずれか一である。
なお、Ｒ８乃至Ｒ１９に置換するアルキル基は炭素数３以上１０以下であり、Ｒ８乃至Ｒ１９に置換するシクロアルキル基は炭素数３以上１０以下であり、Ｒ８乃至Ｒ１９に置換するトリアルキルシリル基は炭素数３以上１２以下であり、Ｒ８乃至Ｒ１９に置換するアリール基は炭素数６以上２５以下である。
なお、一般式（Ｇ２）で表される有機化合物のＨＯＭＯおよびＬＵＭＯは、アントラセン骨格に分布する。アントラセン骨格に直接結合する水素、具体的には、Ｒ２０乃至Ｒ２６のすべてを重水素化することにより、炭素－水素結合において起こりえる結合解離を抑制することができる。つまり、炭素－重水素結合の解離を抑制することができる。また、励起状態において、炭素－重水素結合の解離を抑制することができる。また、正孔を有する状態において、炭素－重水素結合の解離を抑制することができる。また、電子を有する状態において、炭素－重水素結合の解離を抑制することができる。また、アントラセン骨格の２位および９位に置換したナフチル基並びに１０位に置換したフェニル基に導入された置換基には、本発明の有機化合物の耐熱性を向上する効果が期待できる。また、分子配向を調整する効果が期待できる。また、発光デバイスの光取り出し効率を向上する効果が期待できる。また、キャリアの輸送性を調整する効果を期待できる。また、発光デバイスのキャリアバランスを調整することができる。また、発光デバイスの駆動電圧を低減することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な有機化合物を提供することができる。
《有機化合物の具体例３》
上記構成を有する有機化合物の具体的な例を以下に示す。
Figure 2023020998000012
＜有機化合物の例４＞
また、本実施の形態で説明する有機化合物は、下記一般式（Ｇ２）で表される有機化合物である。
Figure 2023020998000013
ただし、上記一般式（Ｇ２）において、Ｒ１乃至Ｒ７は、それぞれ独立に、水素または置換もしくは無置換のアリール基である。
また、Ｒ８乃至Ｒ１９は、水素である。
なお、Ｒ１乃至Ｒ７に置換するアリール基は、炭素数６以上２５以下である。
《有機化合物の具体例４》
上記構成を有する有機化合物の具体的な例を以下に示す。
Figure 2023020998000014
Figure 2023020998000015
＜有機化合物の合成方法＞
本発明の一態様の有機化合物の合成方法を、以下に示す合成スキームを用いて説明する。
一般式（Ｇ１）で表される有機化合物は、例えば、アントラセン誘導体のハロゲン化合物またはトリフラート基を持つ化合物と、ナフタレン化合物のボロン酸または有機ホウ素化合物と、ベンゼン化合物のボロン酸または有機ホウ素化合物を、鈴木・宮浦カップリング反応によりカップリングして得ることができる。
なお、（ａ１）はアントラセン誘導体のハロゲン化合物またはトリフラート基を持つ化合物であり、（ａ２）および（ａ３）はナフタレン化合物のボロン酸または有機ホウ素化合物であり、（ａ４）はベンゼン化合物のボロン酸または有機ホウ素化合物である。
Figure 2023020998000016
上記合成スキームにおいて、Ｒ１乃至Ｒ２６の少なくとも一は重水素である。また、Ｒ１乃至Ｒ７の少なくとも一は、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基または置換もしくは無置換のアリール基のいずれか一である。また、Ｒ１乃至Ｒ７の他は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基または置換もしくは無置換のアリール基のいずれか一である。Ｒ８乃至Ｒ２６は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基または置換もしくは無置換のアリール基のいずれか一である。また、Ｒ２７およびＲ２８は、水素である。
また、Ｒ２９乃至Ｒ３４は、それぞれ独立に、水素、又は炭素数１乃至６のアルキル基のいずれかを表し、Ｒ２９およびＲ３０、Ｒ３１およびＲ３２、Ｒ３３およびＲ３４は互いに結合して環を形成していても良い。
また、Ｘ１乃至Ｘ３は、それぞれ独立に、ハロゲン、又は、トリフラート基を表し、Ｘ１乃至Ｘ３がハロゲンの場合は特に塩素、臭素、ヨウ素が好ましい。
上記合成スキームで表されるカップリング反応において用いることができるパラジウム触媒としては、酢酸パラジウム（ＩＩ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロライド等が挙げられる。
上記パラジウム触媒の配位子としては、トリ（オルト－トリル）ホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン等が挙げられる。
上記合成スキームで表されるカップリング反応において用いることができる塩基としては、ナトリウム ｔｅｒｔ－ブトキシド等の有機塩基、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム等の無機塩基等が挙げられる。
上記合成スキームで表されるカップリング反応において、用いることができる溶媒としては、トルエンと水の混合溶媒、トルエンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、キシレンと水の混合溶媒、キシレンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、ベンゼンと水の混合溶媒、ベンゼンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類と水の混合溶媒などが挙げられる。ただし、用いることができる溶媒はこれらに限られるものでは無い。また、トルエンと水、又はトルエンとエタノールと水の混合溶媒、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類と水の混合溶媒がより好ましい。
また、上記合成スキームに示す鈴木・宮浦カップリング反応において、アントラセン化合物の有機ホウ素化合物又はボロン酸と、ナフタレン化合物のハロゲン化物又はトリフラート置換体と、ベンゼン化合物のハロゲン化物又はトリフラート置換体をカップリングしてもよい。
また、上記合成スキームにおいて行う反応は、鈴木・宮浦カップリング反応に限られるものではなく、有機錫化合物を用いた右田・小杉・スティルカップリング反応、グリニヤール試薬を用いたカップリング反応、銅、又は銅化合物を用いたウルマン反応等を用いることができる。
また、上記合成スキームにあるハロゲン化反応において、用いることができるハロゲン化試薬としては、臭素、ヨウ素、Ｎ－ブロモスクシンイミド、Ｎ－クロロスクシンイミド、Ｎ－ヨードスクシンイミド等が挙げられる。
また、上記合成スキームにあるハロゲン化反応において、用いることができる溶媒としては、アセトン、トルエン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、酢酸エチル、クロロホルム、ジクロロメタン等が挙げられる。
また、上記スキームにおいて、（ａ１）乃至（ａ４）のうち、いずれかのユニットの水素を重水素化する場合、所望のユニットの重水素化反応により、重水素化体を得ることができる。
また、（Ｇ１）の合成法としては、（Ｇ１）におけるＲ１乃至Ｒ２６のいずれも重水素を含まない化合物を（Ｇ１）の前駆体として、前駆体を重水素化することにより（Ｇ１）を得ることもできる。
なお、上記重水素化反応において、用いることができる溶媒としては、ベンゼン－ｄ６、トルエン－ｄ８、キシレン－ｄ１０、重水等が挙げられる。ただし、用いることができる溶媒はこれらに限られるものでは無い。
また、上記重水素化反応において、用いることができる触媒としては塩化モリブデン（Ｖ）、塩化タングステン（ＶＩ）、塩化ニオブ（Ｖ）、塩化タンタル（Ｖ）、塩化アルミニウム（ＩＩＩ）、塩化チタン（ＩＶ）、塩化スズ（ＩＶ）等が挙げられる。ただし、用いることができる触媒はこれらに限られるものでは無い。
本発明の一態様のホスト材料用アントラセン化合物は以上のように合成することが可能である。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光デバイス５５０Ｘの構成について、図１（Ａ）および（Ｂ）を参照しながら説明する。
図１（Ａ）は、本発明の一態様の発光デバイスの構成を説明する断面図であり、図１（Ｂ）は、本発明の一態様の発光デバイスに用いる材料のエネルギー準位を説明するダイアグラムである。
なお、本明細書において、１以上の整数を値にとる変数を符号に用いる場合がある。例えば、１以上の整数の値をとる変数ｐを含む（ｐ）を、最大ｐ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、１以上の整数の値をとる変数ｍおよび変数ｎを含む（ｍ，ｎ）を、最大ｍ×ｎ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。
＜発光デバイス５５０Ｘの構成例＞
本実施の形態で説明する発光デバイス５５０Ｘは、電極５５１Ｘと、電極５５２Ｘと、ユニット１０３Ｘと、を有する。電極５５２Ｘは、電極５５１Ｘと重なり、ユニット１０３Ｘは、電極５５１Ｘおよび電極５５２Ｘの間に挟まれる。
＜ユニット１０３Ｘの構成例＞
ユニット１０３Ｘは単層構造または積層構造を備える。例えば、ユニット１０３Ｘは、層１１１Ｘ、層１１２および層１１３を備える（図１（Ａ）参照）。ユニット１０３Ｘは光ＥＬＸを射出する機能を備える。
層１１１Ｘは層１１２および層１１３の間に挟まれ、層１１２は電極５５１Ｘおよび層１１１Ｘの間に挟まれ、層１１３は電極５５２Ｘおよび層１１１Ｘの間に挟まれる。
例えば、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、キャリアブロック層、などの機能層から選択した層を、ユニット１０３Ｘに用いることができる。また、正孔注入層、電子注入層、励起子ブロック層および電荷発生層などの機能層から選択した層を、ユニット１０３Ｘに用いることができる。
《層１１１Ｘの構成例１》
キャリア輸送性を備える材料を層１１１Ｘに用いることができる。キャリア輸送性を備える材料を、例えば、ホスト材料に用いることができる。なお、層１１１Ｘに含まれる発光性の材料より大きいバンドギャップを備える材料を、ホスト材料に用いる構成が好ましい。これにより、層１１１Ｘにおいて生じる励起子からホスト材料へのエネルギー移動を、抑制することができる。
［アントラセン骨格を有するホスト材料の構成例１］
アントラセン骨格を有する有機化合物を、ホスト材料に用いることができる。特に、発光物質に蛍光発光物質を用いる場合において、アントラセン骨格を有する有機化合物は好適である。これにより、発光効率および耐久性が良好な発光デバイスを実現することができる。
例えば、実施の形態１で説明する有機化合物をホスト材料に用いることができる。
これにより、炭素－水素結合より結合解離エネルギーが大きい炭素－重水素結合を利用して、化合物の結合解離エネルギーを大きくすることができる。また、励起状態における化合物構造内の結合解離を抑制することができる。また、炭素－重水素結合の解離による化合物の劣化または変質を抑制することができる。また、劣化物の生成を抑えることができる。また、劣化物による発光効率の低下を抑制することが可能となる。また、発光効率の高い発光デバイスを提供することができる。また、良好な駆動寿命を備える発光デバイスを提供することができる。また、駆動に伴う発光色の変化を抑制できる。また、色純度の高い発光デバイスを提供することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な発光デバイスを提供することができる。
［混合材料の構成例］
また、複数種の物質を混合した材料を、ホスト材料に用いることができる。例えば、正孔輸送性を有する材料と電子輸送性を有する材料を、混合材料に用いることができる。例えば、層１１２に用いることができる正孔輸送性を有する材料を混合材料に用いることができる。また、例えば、層１１３に用いることができる電子輸送性を有する材料を混合材料に用いることができる。
混合材料に含まれる正孔輸送性を有する材料と電子輸送性を有する材料の重量比の値は、（正孔輸送性を有する材料／電子輸送性を有する材料）＝（１／１９）以上（１９／１）以下とすればよい。これにより、層１１１Ｘのキャリア輸送性を容易に調整することができる。また、再結合領域の制御も簡便に行うことができる。
《層１１１Ｘの構成例２》
例えば、発光性の材料を層１１１Ｘに用いることができる。また、発光性の材料およびホスト材料を、層１１１Ｘに用いることができる。また、層１１１Ｘを発光層ということができる。なお、正孔と電子が再結合する領域に層１１１Ｘを配置する構成が好ましい。これにより、キャリアの再結合により生じるエネルギーを、効率よく光にして射出することができる。
また、電極等に用いる金属から遠ざけて層１１１Ｘを配置する構成が好ましい。これにより、電極等に用いる金属による消光現象を抑制することができる。
また、反射性を備える電極等から層１１１Ｘまでの距離を調節し、発光波長に応じた適切な位置に、層１１１Ｘを配置する構成が好ましい。これにより、電極等が反射する光と、層１１１Ｘが射出する光との干渉現象を利用して、振幅を強め合うことができる。また、所定の波長の光を強めて、光のスペクトルを狭線化することができる。また、鮮やかな発光色を強い強度で得ることができる。換言すれば、電極等の間の適切な位置に層１１１Ｘを配置して、微小共振器構造（マイクロキャビティ）を構成することができる。
例えば、蛍光発光物質、りん光発光物質または熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ：Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ Ｄｅｌａｙｅｄ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ）を示す物質を、発光性の材料に用いることができる。これにより、キャリアの再結合により生じたエネルギーを、発光性の材料から光ＥＬＸとして放出することができる（図１（Ａ）参照）。
［蛍光発光物質］
蛍光発光物質を層１１１Ｘに用いることができる。例えば、以下に例示する蛍光発光物質を層１１１Ｘに用いることができる。なお、これに限定されず、さまざまな公知の蛍光性発光物質を層１１１Ｘに用いることができる。
具体的には、５，６－ビス［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－２，２’－ビピリジン（略称：ＰＡＰ２ＢＰｙ）、５，６－ビス［４’－（１０－フェニル－９－アントリル）ビフェニル－４－イル］－２，２’－ビピリジン（略称：ＰＡＰＰ２ＢＰｙ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス［３－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルスチルベン－４，４’－ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－４’－（１０－フェニル－９－アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－４’－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，１１－テトラ（ｔｅｒｔ－ブチル）ペリレン（略称：ＴＢＰ）、４－（１０－フェニル－９－アントリル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’－（２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラセン－９，１０－ジイルジ－４，１－フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－［４－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ’－（ピレン－１，６－ジイル）ビス［（６，Ｎ－ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン）－８－アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ－０３）、３，１０－ビス［Ｎ－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ナフト［２，３－ｂ；６，７－ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）－０２）、３，１０－ビス［Ｎ－（ジベンゾフラン－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ナフト［２，３－ｂ；６，７－ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＦｒＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）－０２）、等を用いることができる。
特に、１，６ＦＬＰＡＰｒｎまたは１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ－０３のようなピレンジアミン化合物に代表される縮合芳香族ジアミン化合物は、ホールトラップ性が高く、発光効率または信頼性に優れているため好ましい。
また、Ｎ－［４－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’－オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン－２，７，１０，１５－テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、９，１０－ジフェニル－２－［Ｎ－フェニル－Ｎ－（９－フェニル－カルバゾール－３－イル）－アミノ］－アントラセン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ－［９，１０－ビス（１，１’－ビフェニル－２－イル）－２－アントリル］－Ｎ，９－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ－［９，１０－ビス（１，１’－ビフェニル－２－イル）－２－アントリル］－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０－ビス（１，１’－ビフェニル－２－イル）－Ｎ－［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ－フェニルアントラセン－２－アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９－トリフェニルアントラセン－９－アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）、クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’－ジフェニルキナクリドン（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２－ビス（１，１’－ビフェニル－４－イル）－６，１１－ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、等を用いることができる。
また、２－（２－｛２－［４－（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝－６－メチル－４Ｈ－ピラン－４－イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２－｛２－メチル－６－［２－（２，３，６，７－テトラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベンゾ［ｉｊ］キノリジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ－ピラン－４－イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メチルフェニル）テトラセン－５，１１－ジアミン（略称：ｐ－ｍＰｈＴＤ）、７，１４－ジフェニル－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メチルフェニル）アセナフト［１，２－ａ］フルオランテン－３，１０－ジアミン（略称：ｐ－ｍＰｈＡＦＤ）、２－｛２－イソプロピル－６－［２－（１，１，７，７－テトラメチル－２，３，６，７－テトラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベンゾ［ｉｊ］キノリジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ－ピラン－４－イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２－｛２－ｔｅｒｔ－ブチル－６－［２－（１，１，７，７－テトラメチル－２，３，６，７－テトラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベンゾ［ｉｊ］キノリジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ－ピラン－４－イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２－（２，６－ビス｛２－［４－（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝－４Ｈ－ピラン－４－イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２－｛２，６－ビス［２－（８－メトキシ－１，１，７，７－テトラメチル－２，３，６，７－テトラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベンゾ［ｉｊ］キノリジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ－ピラン－４－イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）、等を用いることができる。
［熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）を示す物質］
ＴＡＤＦ材料を層１１１Ｘに用いることができる。例えば、以下に例示するＴＡＤＦ材料を発光性の材料に用いることができる。なお、これに限定されず、さまざまな公知のＴＡＤＦ材料を、発光性の材料に用いることができる。
ＴＡＤＦ材料は、Ｓ１準位とＴ１準位との差が小さく、わずかな熱エネルギーによって三重項励起状態から一重項励起状態に逆項間交差（アップコンバート）できる。これにより、三重項励起状態から一重項励起状態を効率よく生成することができる。また、三重項励起エネルギーを発光に変換することができる。
また、２種類の物質で励起状態を形成する励起錯体（エキサイプレックス、エキシプレックスまたはＥｘｃｉｐｌｅｘともいう）は、Ｓ１準位とＴ１準位との差が極めて小さく、三重項励起エネルギーを一重項励起エネルギーに変換することが可能なＴＡＤＦ材料としての機能を有する。
なお、Ｔ１準位の指標としては、低温（例えば７７Ｋから１０Ｋ）で観測されるりん光スペクトルを用いればよい。ＴＡＤＦ材料としては、その蛍光スペクトルの短波長側の裾において接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをＳ１準位とし、りん光スペクトルの短波長側の裾において接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをＴ１準位とした際に、そのＳ１とＴ１の差が０．３ｅＶ以下であることが好ましく、０．２ｅＶ以下であることがさらに好ましい。
また、ＴＡＤＦ材料を発光物質として用いる場合、ホスト材料のＳ１準位はＴＡＤＦ材料のＳ１準位より高い方が好ましい。また、ホスト材料のＴ１準位はＴＡＤＦ材料のＴ１準位より高いことが好ましい。
例えば、フラーレン及びその誘導体、アクリジン及びその誘導体、エオシン誘導体等をＴＡＤＦ材料に用いることができる。また、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウム（Ｐｄ）等を含む金属含有ポルフィリンをＴＡＤＦ材料に用いることができる。
具体的には、構造式を以下に示す、プロトポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｐｒｏｔｏ ＩＸ））、メソポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｍｅｓｏ ＩＸ））、ヘマトポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｈｅｍａｔｏ ＩＸ））、コプロポルフィリンテトラメチルエステル－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｃｏｐｒｏ ＩＩＩ－４Ｍｅ））、オクタエチルポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（ＯＥＰ））、エチオポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｅｔｉｏ Ｉ））、オクタエチルポルフィリン－塩化白金錯体（ＰｔＣｌ２ＯＥＰ）、等を用いることができる。
Figure 2023020998000017
また、例えば、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環の一方または両方を有する複素環化合物をＴＡＤＦ材料に用いることができる。
具体的には、構造式を以下に示す、２－（ビフェニル－４－イル）－４，６－ビス（１２－フェニルインドロ［２，３－ａ］カルバゾール－１１－イル）－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＩＣ－ＴＲＺ）、９－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）－９’－フェニル－９Ｈ，９’Ｈ－３，３’－ビカルバゾール（略称：ＰＣＣｚＴｚｎ）、２－｛４－［３－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、２－［４－（１０Ｈ－フェノキサジン－１０－イル）フェニル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＸＺ－ＴＲＺ）、３－［４－（５－フェニル－５，１０－ジヒドロフェナジン－１０－イル）フェニル］－４，５－ジフェニル－１，２，４－トリアゾール（略称：ＰＰＺ－３ＴＰＴ）、３－（９，９－ジメチル－９Ｈ－アクリジン－１０－イル）－９Ｈ－キサンテン－９－オン（略称：ＡＣＲＸＴＮ）、ビス［４－（９，９－ジメチル－９，１０－ジヒドロアクリジン）フェニル］スルホン（略称：ＤＭＡＣ－ＤＰＳ）、１０－フェニル－１０Ｈ，１０’Ｈ－スピロ［アクリジン－９，９’－アントラセン］－１０’－オン（略称：ＡＣＲＳＡ）、等を用いることができる。
Figure 2023020998000018
該複素環化合物は、π電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有するため、電子輸送性及び正孔輸送性が共に高く、好ましい。特に、π電子不足型複素芳香環を有する骨格のうち、ピリジン骨格、ジアジン骨格（ピリミジン骨格、ピラジン骨格、ピリダジン骨格）、およびトリアジン骨格は、安定で信頼性が良好なため好ましい。特に、ベンゾフロピリミジン骨格、ベンゾチエノピリミジン骨格、ベンゾフロピラジン骨格、ベンゾチエノピラジン骨格はアクセプタ性が高く、信頼性が良好なため好ましい。
また、π電子過剰型複素芳香環を有する骨格の中でも、アクリジン骨格、フェノキサジン骨格、フェノチアジン骨格、フラン骨格、チオフェン骨格、及びピロール骨格は、安定で信頼性が良好なため、当該骨格の少なくとも一を有することが好ましい。なお、フラン骨格としてはジベンゾフラン骨格が、チオフェン骨格としてはジベンゾチオフェン骨格が、それぞれ好ましい。また、ピロール骨格としては、インドール骨格、カルバゾール骨格、インドロカルバゾール骨格、ビカルバゾール骨格、３－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール骨格が特に好ましい。
なお、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香環の電子供与性とπ電子不足型複素芳香環の電子受容性が共に強くなり、Ｓ１準位とＴ１準位のエネルギー差が小さくなるため、熱活性化遅延蛍光を効率よく得られることから特に好ましい。なお、π電子不足型複素芳香環の代わりに、シアノ基のような電子吸引基が結合した芳香環を用いても良い。また、π電子過剰型骨格として、芳香族アミン骨格、フェナジン骨格等を用いることができる。
また、π電子不足型骨格として、キサンテン骨格、チオキサンテンジオキサイド骨格、オキサジアゾール骨格、トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、アントラキノン骨格、フェニルボランまたはボラントレン等の含ホウ素骨格、ベンゾニトリルまたはシアノベンゼン等のニトリル基またはシアノ基を有する芳香環または複素芳香環、ベンゾフェノン等のカルボニル骨格、ホスフィンオキシド骨格、スルホン骨格等を用いることができる。
このように、π電子不足型複素芳香環およびπ電子過剰型複素芳香環の少なくとも一方の代わりにπ電子不足型骨格およびπ電子過剰型骨格を用いることができる。
《層１１２の構成例》
例えば、正孔輸送性を有する材料を、層１１２に用いることができる。また、層１１２を正孔輸送層ということができる。なお、層１１１Ｘに含まれる発光性の材料より大きいバンドギャップを備える材料を、層１１２に用いる構成が好ましい。これにより、層１１１Ｘにおいて生じる励起子から層１１２へのエネルギー移動を、抑制することができる。
［正孔輸送性を有する材料］
正孔移動度が、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上である材料を、正孔輸送性を有する材料に好適に用いることができる。
例えば、アミン化合物またはπ電子過剰型複素芳香環骨格を有する有機化合物を、正孔輸送性を有する材料に用いることができる。具体的には、芳香族アミン骨格を有する化合物、カルバゾール骨格を有する化合物、チオフェン骨格を有する化合物、フラン骨格を有する化合物等を用いることができる。特に、芳香族アミン骨格を有する化合物またはカルバゾール骨格を有する化合物は、信頼性が良好であり、また、正孔輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与するため好ましい。
芳香族アミン骨格を有する化合物としては、例えば、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１，１’－ビフェニル］－４，４’－ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’－ビス［Ｎ－（スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－３’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４－（１－ナフチル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’－ジ（１－ナフチル）－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、９，９－ジメチル－Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、等を用いることができる。
カルバゾール骨格を有する化合物としては、例えば、１，３－ビス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、４，４’－ジ（Ｎ－カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、３，６－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）－９－フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、３，３’－ビス（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）、等を用いることができる。
チオフェン骨格を有する化合物としては、例えば、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）、２，８－ジフェニル－４－［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＩＩ）、４－［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］－６－フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＶ）、等を用いることができる。
フラン骨格を有する化合物としては、例えば、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ－ＩＩ）、４－｛３－［３－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ－ＩＩ）、等を用いることができる。
《層１１３の構成例》
例えば、電子輸送性を有する材料、アントラセン骨格を有する材料および混合材料等を、層１１３に用いることができる。また、層１１３を電子輸送層ということができる。なお、層１１１Ｘに含まれる発光性の材料より大きいバンドギャップを有する材料を、層１１３に用いる構成が好ましい。これにより、層１１１Ｘにおいて生じる励起子から層１１３へのエネルギー移動を、抑制することができる。
［電子輸送性を有する材料］
例えば、金属錯体またはπ電子不足型複素芳香環骨格を有する有機化合物を、電子輸送性を有する材料に用いることができる。
電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００である条件において、電子移動度が１×１０－７ｃｍ２／Ｖｓ以上、５×１０－５ｃｍ２／Ｖｓ以下である材料を、電子輸送性を有する材料に好適に用いることができる。これにより、電子輸送層における電子の輸送性を抑制することができる。または、発光層への電子の注入量を制御することができる。または、発光層が電子過多の状態になることを防ぐことができる。
金属錯体としては、例えば、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２－メチル－８－キノリノラト）（４－フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８－キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２－（２－ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２－（２－ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）、等を用いることができる。
π電子不足型複素芳香環骨格を有する有機化合物としては、例えば、ポリアゾール骨格を有する複素環化合物、ジアジン骨格を有する複素環化合物、ピリジン骨格を有する複素環化合物、トリアジン骨格を有する複素環化合物等を用いることができる。特に、ジアジン骨格を有する複素環化合物、ピリジン骨格を有する複素環化合物は、信頼性が良好であり好ましい。また、ジアジン（ピリミジンまたはピラジン）骨格を有する複素環化合物は、電子輸送性が高く、駆動電圧を低減することができる。
ポリアゾール骨格を有する複素環化合物としては、例えば、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、３－（４－ビフェニリル）－４－フェニル－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、１，３－ビス［５－（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７）、９－［４－（５－フェニル－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、２，２’，２’’－（１，３，５－ベンゼントリイル）トリス（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ－ＩＩ）、等を用いることができる。
ジアジン骨格を有する複素環化合物としては、例えば、２－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３－（３’－ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３’－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、４，６－ビス［３－（フェナントレン－９－イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６－ビス［３－（４－ジベンゾチエニル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ－ＩＩ）、４，８－ビス［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ベンゾ［ｈ］キナゾリン（略称：４，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｑｎ）、等を用いることができる。
ピリジン骨格を有する複素環化合物としては、例えば、３，５－ビス［３－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５－トリ［３－（３－ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）、等を用いることができる。
トリアジン骨格を有する複素環化合物としては、例えば、２－［３’－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－１，１’－ビフェニル－３－イル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＦＢＰＴｚｎ）、２－［（１，１’－ビフェニル）－４－イル］－４－フェニル－６－［９，９’－スピロビ（９Ｈ－フルオレン）－２－イル］－１，３，５－トリアジン（略称：ＢＰ－ＳＦＴｚｎ）、２－｛３－［３－（ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－イル）フェニル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＢｎｆＢＰＴｚｎ）、２－｛３－［３－（ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－６－イル）フェニル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＢｎｆＢＰＴｚｎ－０２）、等を用いることができる。
［アントラセン骨格を有する材料１］
アントラセン骨格を有する有機化合物を、層１１３に用いることができる。特に、実施の形態１において説明するアントラセン骨格を有する有機化合物を、層１１３に用いることができる。
［アントラセン骨格を有する材料２］
また、アントラセン骨格と複素環骨格の両方を含む有機化合物を好適に用いることができる。例えば、アントラセン骨格と含窒素５員環骨格の両方を含む有機化合物を用いることができる。または、２つの複素原子を環に含む含窒素５員環骨格とアントラセン骨格の両方を含む有機化合物を用いることができる。具体的には、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、等を当該複素環骨格に好適に用いることができる。
例えば、アントラセン骨格と含窒素６員環骨格の両方を含む有機化合物を用いることができる。または、２つの複素原子を環に含む含窒素６員環骨格とアントラセン骨格の両方を含む有機化合物を用いることができる。具体的には、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環等を当該複素環骨格に好適に用いることができる。
［混合材料の構成例］
また、複数種の物質を混合した材料を、層１１３に用いることができる。具体的には、アルカリ金属、アルカリ金属化合物またはアルカリ金属錯体と、電子輸送性を有する物質とを含む混合材料を、層１１３に用いることができる。なお、電子輸送性を有する材料のＨＯＭＯ準位が－６．０ｅＶ以上であるとより好ましい。
なお、例えば、アクセプタ性を有する物質と正孔輸送性を有する材料の複合材料を層１０４に用いることができる。具体的には、アクセプタ性を有する物質と、－５．７ｅＶ以上－５．４ｅＶ以下の比較的深いＨＯＭＯ準位ＨＭ１を有する物質との複合材料を、層１０４に用いることができる（図１（Ｂ）参照）。このような複合材料を層１０４に用いる構成と組み合わせて、当該混合材料を層１１３に好適に用いることができる。これにより、発光デバイスの信頼性を向上することができる。
また、当該混合材料を層１１３と、上記複合材料を層１０４に用いる構成に、さらに、正孔輸送性を有する材料を層１１２に用いる構成を組み合わせて、好適に用いることができる。例えば、上記比較的深いＨＯＭＯ準位ＨＭ１に対して、－０．２ｅＶ以上０ｅＶ以下の範囲にＨＯＭＯ準位ＨＭ２を有する物質を、層１１２に用いることができる（図１（Ｂ）参照）。これにより、発光デバイスの信頼性を向上することができる。なお、本明細書等において、上記の発光デバイスをＲｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ－Ｓｉｔｅ Ｔａｉｌｏｒｉｎｇ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ構造（ＲｅＳＴＩ構造）と呼称する場合がある。
アルカリ金属、アルカリ金属化合物またはアルカリ金属錯体が、層１１３の厚さ方向において濃度差（０である場合も含む）をもって存在する構成が好ましい。
例えば、８－ヒドロキシキノリナト構造を含む金属錯体を用いることができる。また、８－ヒドロキシキノリナト構造を含む金属錯体のメチル置換体（例えば２－メチル置換体または５－メチル置換体）等を用いることもできる。
８－ヒドロキシキノリナト構造を含む金属錯体としては、８－ヒドロキシキノリナト－リチウム（略称：Ｌｉｑ）、８－ヒドロキシキノリナト－ナトリウム（略称：Ｎａｑ）等を用いることができる。特に、一価の金属イオンの錯体、中でもリチウムの錯体が好ましく、Ｌｉｑがより好ましい。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光デバイス５５０Ｘの構成について、図１（Ａ）を参照しながら説明する。
＜発光デバイス５５０Ｘの構成例＞
本実施の形態で説明する発光デバイス５５０Ｘは、電極５５１Ｘと、電極５５２Ｘと、ユニット１０３Ｘと、層１０４と、を有する。電極５５２Ｘは、電極５５１Ｘと重なり、ユニット１０３Ｘは、電極５５１Ｘおよび電極５５２Ｘの間に挟まれる。また、層１０４は、電極５５１Ｘおよびユニット１０３Ｘの間に挟まれる。なお、例えば、実施の形態２において説明する構成を、ユニット１０３Ｘに用いることができる。
＜電極５５１Ｘの構成例＞
例えば、導電性材料を電極５５１Ｘに用いることができる。具体的には、金属、合金または導電性化合物を含む膜を、単層または積層で電極５５１Ｘに用いることができる。
例えば、効率よく光を反射する膜を電極５５１Ｘに用いることができる。具体的には、銀および銅等を含む合金、銀およびパラジウム等を含む合金またはアルミニウム等の金属膜を電極５５１Ｘに用いることができる。
また、例えば、光の一部を透過し、光の他の一部を反射する金属膜を電極５５１Ｘに用いることができる。これにより、微小共振器構造（マイクロキャビティ）を発光デバイス５５０Ｘに設けることができる。または、所定の波長の光を他の光より効率よく取り出すことができる。または、スペクトルの半値幅が狭い光を取り出すことができる。または、鮮やかな色の光を取り出すことができる。
また、例えば、可視光について透光性を有する膜を、電極５５１Ｘに用いることができる。具体的には、光が透過する程度に薄い金属の膜、合金の膜または導電性酸化物の膜などを、単層または積層で、電極５５１Ｘに用いることができる。
特に、４．０ｅＶ以上の仕事関数を備える材料を電極５５１Ｘに好適に用いることができる。
例えば、インジウムを含む導電性酸化物を用いることができる。具体的には、酸化インジウム、酸化インジウム－酸化スズ（略称：ＩＴＯ）、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム－酸化スズ（略称：ＩＴＳＯ）、酸化インジウム－酸化亜鉛、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（略称：ＩＷＺＯ）等を用いることができる。
また、例えば、亜鉛を含む導電性酸化物を用いることができる。具体的には、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、アルミニウムを添加した酸化亜鉛などを用いることができる。
また、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等を用いることができる。または、グラフェンを用いることができる。
《層１０４の構成例１》
正孔注入性を有する材料を、層１０４に用いることができる。また、層１０４を正孔注入層ということができる。
例えば、正孔移動度が、電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００であるときに、１×１０－３ｃｍ２／Ｖｓ以下である材料を層１０４に用いることができる。また、１×１０４［Ω・ｃｍ］以上１×１０７［Ω・ｃｍ］以下の抵抗率を備える膜を、層１０４に用いることができる。また、好ましくは、層１０４は、５×１０４［Ω・ｃｍ］以上１×１０７［Ω・ｃｍ］以下の抵抗率を備え、より好ましくは、１×１０５［Ω・ｃｍ］以上１×１０７［Ω・ｃｍ］以下の抵抗率を備える。
《層１０４の構成例２》
具体的には、アクセプタ性を有する物質を、層１０４に用いることができる。または、複数種の物質を含む複合材料を、層１０４に用いることができる。これにより、正孔を、例えば、電極５５１Ｘから注入しやすくすることができる。または、発光デバイス５５０Ｘの駆動電圧を小さくすることができる。
［アクセプタ性を有する物質］
有機化合物および無機化合物を、アクセプタ性を有する物質に用いることができる。アクセプタ性を有する物質は、電界の印加により、隣接する正孔輸送層あるいは正孔輸送性を有する材料から電子を引き抜くことができる。
例えば、電子吸引基（ハロゲン基またはシアノ基）を有する化合物を、アクセプタ性を有する物質に用いることができる。なお、アクセプタ性を有する有機化合物は蒸着が容易で成膜がしやすい。これにより、発光デバイス５５０Ｘの生産性を高めることができる。
具体的には、７，７，８，８－テトラシアノ－２，３，５，６－テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４－ＴＣＮＱ）、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１－ヘキサシアノ－１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ－ＣＮ）、１，３，４，５，７，８－ヘキサフルオロテトラシアノ－ナフトキノジメタン（略称：Ｆ６－ＴＣＮＮＱ）、２－（７－ジシアノメチレン－１，３，４，５，６，８，９，１０－オクタフルオロ－７Ｈ－ピレン－２－イリデン）マロノニトリル、等を用いることができる。
特に、ＨＡＴ－ＣＮのように複素原子を複数有する縮合芳香環に電子吸引基が結合している化合物が、熱的に安定であり好ましい。
また、電子吸引基（特にフルオロ基のようなハロゲン基またはシアノ基）を有する［３］ラジアレン誘導体は、電子受容性が非常に高いため好ましい。
具体的には、α，α’，α’’－１，２，３－シクロプロパントリイリデントリス［４－シアノ－２，３，５，６－テトラフルオロベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’－１，２，３－シクロプロパントリイリデントリス［２，６－ジクロロ－３，５－ジフルオロ－４－（トリフルオロメチル）ベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’－１，２，３－シクロプロパントリイリデントリス［２，３，４，５，６－ペンタフルオロベンゼンアセトニトリル］、等を用いることができる。
また、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を、アクセプタ性を有する物質に用いることができる。
また、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の錯体化合物、４，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’－ビス｛４－［ビス（３－メチルフェニル）アミノ］フェニル｝－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）等の芳香族アミン骨格を有する化合物を用いることができる。
また、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等を用いることができる。
［複合材料の構成例１］
また、例えば、アクセプタ性を有する物質と正孔輸送性を有する材料を含む複合材料を層１０４に用いることができる。これにより、仕事関数が大きい材料だけでなく、仕事関数の小さい材料を電極５５１Ｘに用いることができる。または、仕事関数に依らず、広い範囲の材料から、電極５５１Ｘに用いる材料を選ぶことができる。
例えば、芳香族アミン骨格を有する化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、ビニル基を有している芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）などを、複合材料の正孔輸送性を有する材料に用いることができる。また、正孔移動度が、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上である材料を、複合材料の正孔輸送性を有する材料に好適に用いることができる。
また、比較的深いＨＯＭＯ準位を有する物質を、複合材料の正孔輸送性を有する材料に好適に用いることができる。具体的には、ＨＯＭＯ準位が－５．７ｅＶ以上－５．４ｅＶ以下であると好ましい。これにより、ユニット１０３Ｘへの正孔の注入を容易にすることができる。また、層１１２への正孔の注入を容易にすることができる。また、発光デバイス５５０Ｘの信頼性を向上することができる。
芳香族アミン骨格を有する化合物としては、例えば、Ｎ，Ｎ’－ジ（ｐ－トリル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ｐ－フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’－ビス｛４－［ビス（３－メチルフェニル）アミノ］フェニル｝－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５－トリス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、等を用いることができる。
カルバゾール誘導体としては、例えば、３－［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６－ビス［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３－［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）アミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）、４，４’－ジ（Ｎ－カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５－トリス［４－（Ｎ－カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９－［４－（１０－フェニル－９－アントラセニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、１，４－ビス［４－（Ｎ－カルバゾリル）フェニル］－２，３，５，６－テトラフェニルベンゼン、等を用いることができる。
芳香族炭化水素としては、例えば、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ｔ－ＢｕＤＮＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（１－ナフチル）アントラセン、９，１０－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ビス（４－フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ－ＢｕＤＢＡ）、９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０－ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラセン（略称：ｔ－ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０－ビス（４－メチル－１－ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ビス［２－（１－ナフチル）フェニル］アントラセン、９，１０－ビス［２－（１－ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７－テトラメチル－９，１０－ジ（１－ナフチル）アントラセン、２，３，６，７－テトラメチル－９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン、９，９’－ビアントリル、１０，１０’－ジフェニル－９，９’－ビアントリル、１０，１０’－ビス（２－フェニルフェニル）－９，９’－ビアントリル、１０，１０’－ビス［（２，３，４，５，６－ペンタフェニル）フェニル］－９，９’－ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１－テトラ（ｔｅｒｔ－ブチル）ペリレン、ペンタセン、コロネン、等を用いることができる。
ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’－ビス（２，２－ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０－ビス［４－（２，２－ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）、等を用いることができる。
高分子化合物としては、例えば、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４－ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ－（４－｛Ｎ’－［４－（４－ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル－Ｎ’－フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）、等を用いることができる。
また、例えば、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格およびアントラセン骨格のいずれかを備える物質を、複合材料の正孔輸送性を有する材料に好適に用いることができる。また、ジベンゾフラン環またはジベンゾチオフェン環を含む置換基を有する芳香族アミン、ナフタレン環を有する芳香族モノアミン、または９－フルオレニル基がアリーレン基を介してアミンの窒素に結合する芳香族モノアミンを備える物質を、複合材料の正孔輸送性を有する材料に用いることができる。なお、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）アミノ基を有する物質を用いると、発光デバイス５５０Ｘの信頼性を向上することができる。
これらの材料としては、例えば、Ｎ－（４－ビフェニル）－６，Ｎ－ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－アミン（略称：ＢｎｆＡＢＰ）、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）－６－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ）、４，４’－ビス（６－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－イル）－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ＢｎｆＢＢ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－６－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（６））、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（８））、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［２，３－ｄ］フラン－４－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（ＩＩ）（４））、Ｎ，Ｎ－ビス［４－（ジベンゾフラン－４－イル）フェニル］－４－アミノ－ｐ－ターフェニル（略称：ＤＢｆＢＢ１ＴＰ）、Ｎ－［４－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－Ｎ－フェニル－４－ビフェニルアミン（略称：ＴｈＢＡ１ＢＰ）、４－（２－ナフチル）－４’，４’’－ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢ）、４－［４－（２－ナフチル）フェニル］－４’，４’’－ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢｉ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（６；１’－ビナフチル－２－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（７；１’－ビナフチル－２－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ－０３）、４，４’－ジフェニル－４’’－（７－フェニル）ナフチル－２－イルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡＰβＮＢ－０３）、４，４’－ジフェニル－４’’－（６；２’－ビナフチル－２－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（７；２’－ビナフチル－２－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ－０３）、４，４’－ジフェニル－４’’－（４；２’－ビナフチル－１－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（５；２’－ビナフチル－１－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ－０２）、４－（４－ビフェニリル）－４’－（２－ナフチル）－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢ）、４－（３－ビフェニリル）－４’－［４－（２－ナフチル）フェニル］－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ｍＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４－（４－ビフェニリル）－４’－［４－（２－ナフチル）フェニル］－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４－フェニル－４’－（１－ナフチル）トリフェニルアミン（略称：αＮＢＡ１ＢＰ）、４，４’－ビス（１－ナフチル）トリフェニルアミン（略称：αＮＢＢ１ＢＰ）、４，４’－ジフェニル－４’’－［４’－（カルバゾール－９－イル）ビフェニル－４－イル］トリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ）、４’－［４－（３－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］トリス（１，１’－ビフェニル－４－イル）アミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ－０２）、４－［４’－（カルバゾール－９－イル）ビフェニル－４－イル］－４’－（２－ナフチル）－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉβＮＢ）、Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－Ｎ－［４－（１－ナフチル）フェニル］－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－アミン（略称：ＰＣＢＮＢＳＦ）、Ｎ，Ｎ－ビス（［１，１’－ビフェニル］－４－イル）－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－アミン（略称：ＢＢＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ－ビス（［１，１’－ビフェニル］－４－イル）－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－４－アミン（略称：ＢＢＡＳＦ（４））、Ｎ－（１，１’－ビフェニル－２－イル）－Ｎ－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－４－アミン（略称：ｏＦＢｉＳＦ）、Ｎ－（４－ビフェニル）－Ｎ－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）ジベンゾフラン－４－アミン（略称：ＦｒＢｉＦ）、Ｎ－［４－（１－ナフチル）フェニル］－Ｎ－［３－（６－フェニルジベンゾフラン－４－イル）フェニル］－１－ナフチルアミン（略称：ｍＰＤＢｆＢＮＢＮ）、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－３’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－４’－［４－（９－フェニルフルオレン－９－イル）フェニル］トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＢｉ）、４－フェニル－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４－（１－ナフチル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’－ジ（１－ナフチル）－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、Ｎ－（１，１’－ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）、Ｎ，Ｎ－ビス（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ－９Ｈ－フルオレン－４－アミン、Ｎ，Ｎ－ビス（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ－９Ｈ－フルオレン－３－アミン、Ｎ，Ｎ－ビス（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ－９Ｈ－フルオレン－２－アミン、Ｎ，Ｎ－ビス（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ－９Ｈ－フルオレン－１－アミン、等を用いることができる。
［複合材料の構成例２］
例えば、アクセプタ性を有する物質と、正孔輸送性を有する材料と、アルカリ金属のフッ化物またはアルカリ土類金属のフッ化物とを、含む複合材料を、正孔注入性を有する材料に用いることができる。特に、原子比率において、フッ素原子が２０％以上である複合材料を好適に用いることができる。これにより、層１０４の屈折率を低下することができる。または、発光デバイス５５０Ｘの内部に屈折率の低い層を形成することができる。または、発光デバイス５５０Ｘの外部量子効率を向上することができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光デバイス５５０Ｘの構成について、図１（Ａ）を参照しながら説明する。
＜発光デバイス５５０Ｘの構成例＞
本実施の形態で説明する発光デバイス５５０Ｘは、電極５５１Ｘと、電極５５２Ｘと、ユニット１０３Ｘと、層１０５と、を有する。電極５５２Ｘは、電極５５１Ｘと重なり、ユニット１０３Ｘは、電極５５１Ｘおよび電極５５２Ｘの間に挟まれる。また、層１０５は、ユニット１０３Ｘおよび電極５５２Ｘの間に挟まれる。なお、例えば、実施の形態２において説明する構成を、ユニット１０３Ｘに用いることができる。
＜電極５５２Ｘの構成例＞
例えば、導電性材料を電極５５２Ｘに用いることができる。具体的には、金属、合金または導電性化合物を含む材料を、単層または積層で電極５５２Ｘに用いることができる。
例えば、実施の形態３において説明する電極５５１Ｘに用いることができる材料を、電極５５２Ｘに用いることができる。特に、電極５５１Ｘより仕事関数が小さい材料を電極５５２Ｘに好適に用いることができる。具体的には、仕事関数が３．８ｅＶ以下である材料が好ましい。
例えば、元素周期表の第１族に属する元素、元素周期表の第２族に属する元素、希土類金属およびこれらを含む合金を、電極５５２Ｘに用いることができる。
具体的には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）等、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）を、電極５５２Ｘに用いることができる。
《層１０５の構成例》
例えば、電子注入性を有する材料を、層１０５に用いることができる。また、層１０５を電子注入層ということができる。
具体的には、ドナー性を有する物質を、層１０５に用いることができる。または、ドナー性を有する物質と電子輸送性を有する材料を複合した材料を、層１０５に用いることができる。または、エレクトライドを、層１０５に用いることができる。これにより、例えば、電極５５２Ｘから電子を注入しやすくすることができる。または、仕事関数が小さい材料だけでなく、仕事関数の大きい材料を電極５５２Ｘに用いることができる。または、仕事関数に依らず、広い範囲の材料から、電極５５２Ｘに用いる材料を選ぶことができる。具体的には、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、ケイ素または酸化ケイ素を含有した酸化インジウム－酸化スズなどを、電極５５２Ｘに用いることができる。または、発光デバイス５５０Ｘの駆動電圧を小さくすることができる。
［ドナー性を有する物質］
例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属またはこれらの化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩等）を、ドナー性を有する物質に用いることができる。または、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を、ドナー性を有する物質に用いることもできる。
アルカリ金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）としては、酸化リチウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、炭酸リチウム、炭酸セシウム、８－ヒドロキシキノリナト－リチウム（略称：Ｌｉｑ）、等を用いることができる。
アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）としては、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、等を用いることができる。
［複合材料の構成例１］
また、複数種の物質を複合した材料を、電子注入性を有する材料に用いることができる。例えば、ドナー性を有する物質と電子輸送性を有する材料を、複合材料に用いることができる。
［電子輸送性を有する材料］
例えば、金属錯体またはπ電子不足型複素芳香環骨格を有する有機化合物を、電子輸送性を有する材料に用いることができる。例えば、実施の形態２において説明するユニット１０３Ｘに用いることができる電子輸送性を有する材料を、当該複合材料に用いることができる。
［複合材料の構成例２］
また、微結晶状態のアルカリ金属のフッ化物と電子輸送性を有する材料を、複合材料に用いることができる。または、微結晶状態のアルカリ土類金属のフッ化物と電子輸送性を有する材料を、複合材料に用いることができる。特に、アルカリ金属のフッ化物またはアルカリ土類金属のフッ化物を５０ｗｔ％以上含む複合材料を好適に用いることができる。または、ビピリジン骨格を有する有機化合物を含む複合材料を好適に用いることができる。これにより、層１０５の屈折率を低下することができる。または、発光デバイス５５０Ｘの外部量子効率を向上することができる。
［複合材料の構成例３］
例えば、非共有電子対を備える第１の有機化合物および第１の金属を含む複合材料を、層１０５に用いることができる。また、第１の有機化合物の電子数と第１の金属の電子数の合計が奇数であると好ましい。また、第１の有機化合物１モルに対する第１の金属のモル比率は、好ましくは０．１以上１０以下、より好ましくは０．２以上２以下、さらに好ましくは０．２以上０．８以下である。
これにより、非共有電子対を備える第１の有機化合物は、第１の金属と相互に作用し、半占有軌道（ＳＯＭＯ：Ｓｉｎｇｌｙ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）を形成することができる。また、電極５５２Ｘから層１０５に電子を注入する場合に、両者の間にある障壁を低減することができる。また、第１の金属は水または酸素との反応性が乏しいため、発光デバイス５５０Ｘの耐湿性を向上することができる。
また、電子スピン共鳴法（ＥＳＲ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｓｐｉｎ ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）を用いて測定したスピン密度が、好ましくは１×１０１６ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以上、より好ましくは５×１０１６ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以上、さらに好ましくは１×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以上である複合材料を、層１０５に用いることができる。
［非共有電子対を備える有機化合物］
例えば、電子輸送性を有する材料を、非共有電子対を備える有機化合物に用いることができる。例えば、電子不足型複素芳香環を有する化合物を用いることができる。具体的には、ピリジン環、ジアジン環（ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環）、トリアジン環の少なくとも一つを有する化合物を用いることができる。これにより、発光デバイス５５０Ｘの駆動電圧を低減することができる。
なお、非共有電子対を備える有機化合物のＬＵＭＯ準位が、－３．６ｅＶ以上－２．３ｅＶ以下であると好ましい。また、一般にＣＶ（サイクリックボルタンメトリ）、光電子分光法、光吸収分光法、逆光電子分光法等により、有機化合物のＨＯＭＯ準位及びＬＵＭＯ準位を見積もることができる。
例えば、４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、２，９－ジ（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、ジキノキサリノ［２，３－ａ：２’，３’－ｃ］フェナジン（略称：ＨＡＴＮＡ）、２，４，６－トリス［３’－（ピリジン－３－イル）ビフェニル－３－イル］－１，３，５－トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）等を、非共有電子対を備える有機化合物に用いることができる。なお、ＮＢＰｈｅｎはＢＰｈｅｎと比較して、高いガラス転移温度（Ｔｇ）を備え、耐熱性に優れる。
また、例えば、銅フタロシアニンを、非共有電子対を備える有機化合物に用いることができる。なお、銅フタロシアニンの電子数は奇数である。
［第１の金属］
例えば、非共有電子対を備える第１の有機化合物の電子数が偶数である場合、周期表における奇数の族である第１の金属および第１の有機化合物の複合材料を、層１０５に用いることができる。
例えば、第７族の金属であるマンガン（Ｍｎ）、第９族の金属であるコバルト（Ｃｏ）、第１１族の金属である銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、第１３族の金属であるアルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）は、周期表において奇数の族である。なお、第１１族の元素は、第７族または第９族元素と比べて融点が低く、真空蒸着に好適である。特に、Ａｇは融点が低く好ましい。
なお、電極５５２Ｘおよび層１０５にＡｇを用いることにより、層１０５および電極５５２Ｘの密着性を高めることができる。
また、非共有電子対を備える第１の有機化合物の電子数が奇数である場合、周期表における偶数の族である第１の金属および第１の有機化合物の複合材料を、層１０５に用いることができる。例えば、第８族の金属である鉄（Ｆｅ）は、周期表において偶数の族である。
［エレクトライド］
例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等を、電子注入性を有する材料に用いることができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光デバイス５５０Ｘの構成について、図２（Ａ）を参照しながら説明する。
図２（Ａ）は本発明の一態様の発光デバイスの構成を説明する断面図である。
＜発光デバイス５５０Ｘの構成例＞
また、本実施の形態で説明する発光デバイス５５０Ｘは、電極５５１Ｘと、電極５５２Ｘと、ユニット１０３Ｘと、層１０６と、を有する（図２（Ａ）参照）。電極５５２Ｘは、電極５５１Ｘと重なり、ユニット１０３Ｘは、電極５５１Ｘおよび電極５５２Ｘの間に挟まれる。層１０６は、電極５５２Ｘおよびユニット１０３Ｘの間に挟まれる。
《層１０６の構成例１》
層１０６は、電圧を加えることにより、陽極側に電子を供給し、陰極側に正孔を供給する機能を備える。また、層１０６を電荷発生層ということができる。
例えば、実施の形態３において説明する層１０４に用いることができる正孔注入性を有する材料を層１０６に用いることができる。具体的には、複合材料を層１０６に用いることができる。
また、例えば、当該複合材料を含む膜と、正孔輸送性を有する材料を含む膜を積層した積層膜を、層１０６に用いることができる。
《層１０６の構成例２》
層１０６は、層１０６＿１および層１０６＿２を備える。層１０６＿２は、層１０６＿１および電極５５２Ｘの間に挟まれる。
《層１０６＿１の構成例》
例えば、電子輸送性を有する材料を層１０６＿１に用いることができる。また、層１０６＿１を電子リレー層ということができる。層１０６＿１を用いると、層１０６＿１の陽極側に接する層を、層１０６＿１の陰極側に接する層から遠ざけることができる。層１０６＿１の陽極側に接する層と、層１０６＿１の陰極側に接する層の間の相互作用を軽減することができる。層１０６＿１の陽極側に接する層に電子をスムーズに供給することができる。
層１０６＿１の陽極側に接する層に含まれるアクセプタ性を有する物質のＬＵＭＯ準位と、層１０６＿１の陰極側と接する層に含まれる物質のＬＵＭＯ準位の間に、ＬＵＭＯ準位を備える物質を、層１０６＿１に好適に用いることができる。
例えば、－５．０ｅＶ以上、好ましくは－５．０ｅＶ以上－３．０ｅＶ以下の範囲にＬＵＭＯ準位を備える材料を、層１０６＿１に用いることができる。
具体的には、フタロシアニン系の材料を層１０６＿１に用いることができる。または、金属－酸素結合および芳香族配位子を有する金属錯体を層１０６＿１に用いることができる。
《層１０６＿２の構成例》
例えば、実施の形態３において説明する層１０４に用いることができる正孔注入性を有する材料を層１０６＿２に用いることができる。具体的には、複合材料を層１０６＿２に用いることができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光デバイス５５０Ｘの構成について、図２（Ｂ）を参照しながら説明する。
図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に図示する構成とは異なる構成を備える本発明の一態様の発光デバイスの構成を説明する断面図である。
＜発光デバイス５５０Ｘの構成例＞
本実施の形態で説明する発光デバイス５５０Ｘは、電極５５１Ｘと、電極５５２Ｘと、ユニット１０３Ｘと、層１０６と、ユニット１０３Ｘ２と、を有する（図２（Ｂ）参照）。
ユニット１０３Ｘは、電極５５２Ｘおよび電極５５１Ｘの間に挟まれ、層１０６は、電極５５２Ｘおよびユニット１０３Ｘの間に挟まれる。
ユニット１０３Ｘ２は、電極５５２Ｘおよび層１０６の間に挟まれる。なお、ユニット１０３Ｘ２は、光ＥＬＸ２を射出する機能を備える。
また、発光デバイス５５０Ｘは層１０５＿２を有し、層１０５＿２は層１０６およびユニット１０３Ｘの間に挟まれる。
言い換えると、発光デバイス５５０Ｘは、積層された複数のユニットを、電極５５１Ｘおよび電極５５２Ｘの間に有する。なお、積層する複数のユニットの数は２に限られず、３以上のユニットを積層することができる。なお、電極５５１Ｘおよび電極５５２Ｘの間に挟まれた積層された複数のユニットと、複数のユニットの間に挟まれた層１０６と、を備える構成を、積層型の発光デバイスまたはタンデム型の発光デバイスという場合がある。
これにより、電流密度を低く保ったまま、高輝度の発光を得ることができる。または、信頼性を向上することができる。または、同一の輝度で比較して駆動電圧を低減することができる。または、消費電力を抑制することができる。
《ユニット１０３Ｘ２の構成例１》
ユニット１０３Ｘ２は、層１１１Ｘ２、層１１２＿２および層１１３＿２を備える。層１１１Ｘ２は、層１１２＿２および層１１３＿２の間に挟まれる。
ユニット１０３Ｘに用いることができる構成を、ユニット１０３Ｘ２に用いることができる。例えば、ユニット１０３Ｘと同一の構成をユニット１０３Ｘ２に用いることができる。
《ユニット１０３Ｘ２の構成例２》
また、ユニット１０３Ｘとは異なる構成をユニット１０３Ｘ２に用いることができる。例えば、ユニット１０３Ｘの発光色とは色相が異なる光を射出する構成を、ユニット１０３Ｘ２に用いることができる。
具体的には、赤色の光および緑色の光を射出するユニット１０３Ｘと、青色の光を射出するユニット１０３Ｘ２を積層して用いることができる。これにより、所望の色の光を射出する発光デバイスを提供することができる。例えば、白色の光を射出する発光デバイスを提供することができる。
《層１０６の構成例》
層１０６は、ユニット１０３Ｘまたはユニット１０３Ｘ２の一方に電子を供給し、他方に正孔を供給する機能を備える。例えば、実施の形態５において説明する層１０６を用いることができる。
《層１０５＿２の構成例》
層１０５＿２は、電子注入性を有する材料を含む。なお、層１０５＿２を電子注入層ということができる。例えば、実施の形態４において説明する層１０５に用いることができる材料を、層１０５＿２に用いることができる。
＜発光デバイス５５０Ｘの作製方法＞
例えば、乾式法、湿式法、蒸着法、液滴吐出法、塗布法または印刷法等を用いて、電極５５１Ｘ、電極５５２Ｘ、ユニット１０３Ｘ、層１０６、およびユニット１０３Ｘ２の各層を形成することができる。また、異なる方法を各構成の形成に用いることができる。
具体的には、真空蒸着装置、インクジェット装置、スピンコーター、コーティング装置、グラビア印刷装置、オフセット印刷装置、スクリーン印刷装置などを用いて発光デバイス５５０Ｘを作製することができる。
例えば、金属材料のペーストを用いる湿式法またはゾル－ゲル法を用いて、電極を形成することができる。また、酸化インジウムに対し１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いて、スパッタリング法により、酸化インジウム－酸化亜鉛膜を形成することができる。また、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５ｗｔ％以上５ｗｔ％以下、酸化亜鉛を０．１ｗｔ％以上１ｗｔ％以下含有したターゲットを用いて、スパッタリング法により酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）膜を形成することができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置７００の構成について、図３（Ａ）および図３（Ｂ）を参照しながら説明する。
図３（Ａ）は、本発明の一態様の表示装置７００の構成を説明する断面図であり、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）とは異なる本発明の一態様の表示装置７００の構成を説明する断面図である。
なお、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いて作製されるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスと呼称する場合がある。
ファインメタルマスクを用いた作製方法では、隣り合う発光デバイスの間隔を、例えば、１０μｍ未満にすることは困難である。ガラス基板上のフォトリソグラフィ法を用いた作製方法では、隣り合う発光デバイスの間隔を、例えば、１０μｍ未満、５μｍ以下、３μｍ以下、２μｍ以下、１．５μｍ以下、１μｍ以下、または、０．５μｍ以下にまで狭めることができる。また、シリコンウエハ上のフォトリソグラフィ法を用いた作製方法では、例えばＬＳＩ向けの露光装置を用いて、隣り合う発光デバイスの間隔を、５００ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、さらには５０ｎｍ以下にまで狭めることもできる。
これにより、隣り合う発光デバイスの間に存在する非発光領域の面積を大幅に縮小することができる。また、開口率を１００％に近づけることが可能となる。例えば、本発明の一態様の表示装置においては、開口率を、４０％以上、５０％以上、６０％以上、７０％以上、８０％以上、さらには９０％以上であって、１００％未満を実現することもできる。
＜表示装置７００の構成例１＞
本実施の形態で説明する表示装置７００は、発光デバイス５５０Ｘ（ｉ，ｊ）と、発光デバイス５５０Ｙ（ｉ，ｊ）とを有する（図３（Ａ）参照）。発光デバイス５５０Ｙ（ｉ，ｊ）は、発光デバイス５５０Ｘ（ｉ，ｊ）と隣接する。
また、表示装置７００は絶縁膜５２１を有し、発光デバイス５５０Ｘ（ｉ，ｊ）および発光デバイス５５０Ｙ（ｉ，ｊ）は、絶縁膜５２１上に形成される。
《発光デバイス５５０Ｘ（ｉ，ｊ）の構成例》
発光デバイス５５０Ｘ（ｉ，ｊ）は、電極５５１Ｘ（ｉ，ｊ）と、電極５５２Ｘ（ｉ，ｊ）と、ユニット１０３Ｘ（ｉ，ｊ）を有する。また、層１０４および層１０５を有する。
例えば、実施の形態２乃至実施の形態６において説明する発光デバイスを、発光デバイス５５０Ｘ（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、電極５５１Ｘに用いることができる構成を電極５５１Ｘ（ｉ，ｊ）に用いることができる。また、ユニット１０３Ｘに用いることができる構成をユニット１０３Ｘ（ｉ，ｊ）に用いることができる。また、層１０４に用いることができる構成を発光デバイス５５０Ｘ（ｉ，ｊ）の層１０４に用いることができ、層１０５に用いることができる構成を発光デバイス５５０Ｘ（ｉ，ｊ）の層１０５に用いることができる。
《発光デバイス５５０Ｙ（ｉ，ｊ）の構成例１》
本実施の形態で説明する発光デバイス５５０Ｙ（ｉ，ｊ）は、電極５５１Ｙ（ｉ，ｊ）と、電極５５２Ｙ（ｉ，ｊ）と、ユニット１０３Ｙ（ｉ，ｊ）と、を有する（図３（Ａ）参照）。電極５５２Ｙ（ｉ，ｊ）は電極５５１Ｙ（ｉ，ｊ）と重なり、ユニット１０３Ｙ（ｉ，ｊ）は、電極５５１Ｙ（ｉ，ｊ）および電極５５２Ｙ（ｉ，ｊ）の間に挟まれる。
電極５５１Ｙ（ｉ，ｊ）は電極５５１Ｘ（ｉ，ｊ）に隣接し、電極５５１Ｙ（ｉ，ｊ）は電極５５１Ｘ（ｉ，ｊ）との間に間隙５５１ＸＹ（ｉ，ｊ）を備える。
また、例えば、電極５５１Ｘ（ｉ，ｊ）に用いることができる材料を、電極５５１Ｙ（ｉ，ｊ）に用いることができる。なお、電極５５１Ｙ（ｉ，ｊ）に供給する電位は、電極５５１Ｘ（ｉ，ｊ）と同じであっても、異なってもよい。異なる電位を供給することで、発光デバイス５５０Ｙ（ｉ，ｊ）を発光デバイス５５０Ｘ（ｉ，ｊ）とは異なる条件で駆動することができる。
《ユニット１０３Ｙ（ｉ，ｊ）の構成例１》
ユニット１０３Ｙ（ｉ，ｊ）は、単層構造または積層構造を備える。例えば、ユニット１０３Ｙ（ｉ，ｊ）は、層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）、層１１２および層１１３を備える（図３（Ａ）参照）。層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）は層１１２および層１１３の間に挟まれ、層１１２は電極５５１Ｙ（ｉ，ｊ）および層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）の間に挟まれ、層１１３は電極５５２Ｙ（ｉ，ｊ）および層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）の間に挟まれる。
例えば、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、キャリアブロック層、などの機能層から選択した層を、ユニット１０３Ｙ（ｉ，ｊ）に用いることができる。また、正孔注入層、電子注入層、励起子ブロック層および電荷発生層などの機能層から選択した層を、ユニット１０３Ｙ（ｉ，ｊ）に用いることができる。
《発光デバイス５５０Ｙ（ｉ，ｊ）の構成例２》
また、発光デバイス５５０Ｙ（ｉ，ｊ）は、層１０４と、層１０５と、を有する。層１０４は、電極５５１Ｙ（ｉ，ｊ）およびユニット１０３Ｙ（ｉ，ｊ）の間に挟まれ、層１０５は、ユニット１０３Ｙ（ｉ，ｊ）および電極５５２Ｙ（ｉ，ｊ）に間に挟まれる。
なお、発光デバイス５５０Ｘ（ｉ，ｊ）の構成の一部を発光デバイス５５０Ｙ（ｉ，ｊ）の構成の一部に用いることができる。これにより、構成の一部を共通にすることができる。また、作製工程を簡略化することができる。
＜表示装置７００の構成例２＞
また、本実施の形態で説明する表示装置７００は、絶縁膜５２８を有する（図３（Ａ）参照）。
《絶縁膜５２８の構成例》
絶縁膜５２８は開口部を備え、一の開口部は電極５５１Ｘ（ｉ，ｊ）と重なり、他の開口部は電極５５１Ｙ（ｉ，ｊ）と重なる。
＜表示装置７００の構成例３＞
本実施の形態で説明する表示装置７００は、発光デバイス５５０Ｘ（ｉ，ｊ）と、発光デバイス５５０Ｙ（ｉ，ｊ）と、を有し、発光デバイス５５０Ｙ（ｉ，ｊ）は発光デバイス５５０Ｘ（ｉ，ｊ）と隣接する（図３（Ｂ）参照）。
なお、発光デバイス５５０Ｘ（ｉ，ｊ）は、電極５５１Ｘ（ｉ，ｊ）と、電極５５２Ｘ（ｉ，ｊ）と、ユニット１０３Ｘ（ｉ，ｊ）と、を有する。また、層１０４Ｘ（ｉ，ｊ）および層１０５を備え、層１０４に用いることができる構成を層１０４Ｘ（ｉ，ｊ）に用いることができる。
発光デバイス５５０Ｙ（ｉ，ｊ）は、電極５５１Ｙ（ｉ，ｊ）と、電極５５２Ｙ（ｉ，ｊ）と、ユニット１０３Ｙ（ｉ，ｊ）と、を有する。また、層１０４Ｙ（ｉ，ｊ）および層１０５を備え、電極５５１Ｙ（ｉ，ｊ）は、電極５５１Ｘ（ｉ，ｊ）との間に、間隙５５１ＸＹ（ｉ，ｊ）を備える。
層１０４Ｙ（ｉ，ｊ）は、電極５５１Ｙ（ｉ，ｊ）および電極５５２Ｙ（ｉ，ｊ）の間に挟まれ、層１０４Ｙ（ｉ，ｊ）は電極５５１Ｙ（ｉ，ｊ）に接し、層１０４Ｙ（ｉ，ｊ）は正孔注入性を有する材料を含む。また、層１０４Ｙ（ｉ，ｊ）は、層１０４Ｘ（ｉ，ｊ）との間に、間隙１０４ＸＹ（ｉ，ｊ）を備え、間隙１０４ＸＹ（ｉ，ｊ）は間隙５５１ＸＹ（ｉ，ｊ）と重なる。
また、発光デバイス５５０Ｙ（ｉ，ｊ）はユニット１０３Ｙ（ｉ，ｊ）を備え、ユニット１０３Ｙ（ｉ，ｊ）は発光デバイス５５０Ｘ（ｉ，ｊ）との間に間隙を備える。
層１０４Ｙ（ｉ，ｊ）が、層１０４Ｘ（ｉ，ｊ）との間に、間隙１０４ＸＹ（ｉ，ｊ）を備える点、ユニット１０３Ｙ（ｉ，ｊ）の構成において、層１１２Ｙ（ｉ，ｊ）が層１１２Ｘ（ｉ，ｊ）との間に間隙を備える点および層１１３Ｙ（ｉ，ｊ）が層１１３Ｘ（ｉ，ｊ）との間に間隙を備える点が、図３（Ａ）を用いて説明する表示装置７００とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成については、上記の説明を援用する。
《層１０４Ｙ（ｉ，ｊ）の構成例》
正孔注入性を有する材料を、層１０４Ｙ（ｉ，ｊ）に用いることができる。また、層１０４Ｙ（ｉ，ｊ）を正孔注入層ということができる。例えば、層１０４に用いることができる構成を層１０４Ｙ（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、１×１０４［Ω・ｃｍ］以上１×１０７［Ω・ｃｍ］以下の抵抗率を備える膜を、層１０４Ｙ（ｉ，ｊ）に用いることができる。また、好ましくは、層１０４Ｙ（ｉ，ｊ）は、５×１０４［Ω・ｃｍ］以上１×１０７［Ω・ｃｍ］以下の抵抗率を備え、より好ましくは、１×１０５［Ω・ｃｍ］以上１×１０７［Ω・ｃｍ］以下の抵抗率を備える。
また、層１０４Ｙ（ｉ，ｊ）は、層１０４Ｘ（ｉ，ｊ）との間に、間隙１０４ＸＹ（ｉ，ｊ）を備える。これにより、層１０４Ｙ（ｉ，ｊ）および層１０４Ｘ（ｉ，ｊ）の間を流れる電流を、抜本的に抑制することができる。また、隣接する発光デバイスが意図せず動作してしまう、クロストーク現象を抑制することができる。また、クロストーク現象の発生が抑制された表示装置７００を提供できる。
《ユニット１０３Ｙ（ｉ，ｊ）の構成例３》
ユニット１０３Ｙ（ｉ，ｊ）は、層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）、層１１２Ｙ（ｉ，ｊ）および層１１３Ｙ（ｉ，ｊ）を備える（図３（Ｂ）参照）。
層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）は、層１１２Ｙ（ｉ，ｊ）および層１１３Ｙ（ｉ，ｊ）の間に挟まれ、層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）は層１１１Ｘ（ｉ，ｊ）との間に間隙を備える。
層１１２Ｙ（ｉ，ｊ）は、層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）および電極５５１Ｙ（ｉ，ｊ）の間に挟まれ、層１１２Ｙ（ｉ，ｊ）は層１１２Ｘ（ｉ，ｊ）との間に間隙を備える。
層１１３Ｙ（ｉ，ｊ）は、層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）および電極５５２Ｙ（ｉ，ｊ）の間に挟まれ、層１１３Ｙ（ｉ，ｊ）は層１１３Ｘ（ｉ，ｊ）との間に間隙を備える。
換言すれば、ユニット１０３Ｙ（ｉ，ｊ）はユニット１０３Ｘ（ｉ，ｊ）との間に溝を備え、ユニット１０３Ｙ（ｉ，ｊ）は当該溝に沿って一の側壁を備える。また、ユニット１０３Ｘ（ｉ，ｊ）も当該溝に沿って他の側壁を備え、当該他の側壁は当該一の側壁と対向する。
＜表示装置７００の構成例４＞
本実施の形態で説明する表示装置７００は、例えば、絶縁膜５２９ＸＹ（ｉ，ｊ）を有する（図３（Ｂ）参照）。
《絶縁膜５２９ＸＹ（ｉ，ｊ）の構成例》
絶縁膜５２９ＸＹ（ｉ，ｊ）は絶縁膜５２９（１）および絶縁膜５２９（２）を備える。
絶縁膜５２９（１）は絶縁膜５２９（２）および絶縁膜５２１の間に挟まれ、絶縁膜５２９（１）は絶縁膜５２１と接する。また、絶縁膜５２９（１）はユニット１０３Ｙ（ｉ，ｊ）の側壁と接する領域と、ユニット１０３Ｘ（ｉ，ｊ）の側壁と接する領域と、を備える。
＜表示装置７００の構成例５＞
また、本実施の形態で説明する表示装置７００は、層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）を備える（図３（Ａ）または図３（Ｂ）参照）。
《層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）の構成例１》
例えば、発光性の材料、または発光性の材料およびホスト材料を、層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）に用いることができる。また、層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）を発光層ということができる。なお、正孔と電子が再結合する領域に層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）を配置する構成が好ましい。これにより、キャリアの再結合により生じるエネルギーを、効率よく光にして射出することができる。また、電極等に用いる金属から遠ざけて層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）を配置する構成が好ましい。これにより、電極等に用いる金属による消光現象を抑制することができる。
例えば、層１１１Ｘ（ｉ，ｊ）に用いる発光性の材料とは異なる発光性の材料を層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、発光色の色相が異なる発光性の材料を層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）に用いることができる。これにより、色相が互いに異なる発光デバイスを配置することができる。または、色相が互いに異なる複数の発光デバイスを用いて加法混色することができる。または、個々の発光デバイスでは表示することができない色相の色を表現することができる。
例えば、青色の光を射出する発光デバイス、緑色の光を射出する発光デバイスおよび赤色の光を射出する発光デバイスを表示装置７００に配置することができる。または、白色の光を射出する発光デバイス、黄色の光を射出する発光デバイスおよび赤外線を射出する発光デバイスを表示装置７００に配置することができる。
《層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）の構成例２》
例えば、蛍光発光物質、りん光発光物質またはＴＡＤＦ材料を、発光性の材料に用いることができる。これにより、キャリアの再結合により生じたエネルギーを、発光性の材料から光ＥＬＹとして放出することができる（図３（Ａ）または図３（Ｂ）参照）。
［蛍光発光物質］
例えば、層１１１Ｘに用いることができる蛍光発光物質を、層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）に用いることができる。なお、これに限定されず、さまざまな公知の蛍光性発光物質を層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）に用いることができる。
［りん光発光物質］
りん光発光物質を層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、以下に例示するりん光発光物質を層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）に用いることができる。なお、これに限定されず、さまざまな公知のりん光性発光物質を層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）に用いることができる。
例えば、４Ｈ－トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、１Ｈ－トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、イミダゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属イリジウム錯体、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、希土類金属錯体、白金錯体、等を層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）に用いることができる。
［りん光発光物質（青色）］
４Ｈ－トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体等としては、トリス｛２－［５－（２－メチルフェニル）－４－（２，６－ジメチルフェニル）－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール－３－イル－κＮ２］フェニル－κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ－ｄｍｐ）３］）、トリス（５－メチル－３，４－ジフェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）３］）、トリス［４－（３－ビフェニル）－５－イソプロピル－３－フェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｔｚ－３ｂ）３］）、等を用いることができる。
１Ｈ－トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体等としては、トリス［３－メチル－１－（２－メチルフェニル）－５－フェニル－１Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１－ｍｐ）３］）、トリス（１－メチル－５－フェニル－３－プロピル－１Ｈ－１，２，４－トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１－Ｍｅ）３］）、等を用いることができる。
イミダゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体等としては、ｆａｃ－トリス［１－（２，６－ジイソプロピルフェニル）－２－フェニル－１Ｈ－イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）３］）、トリス［３－（２，６－ジメチルフェニル）－７－メチルイミダゾ［１，２－ｆ］フェナントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ－Ｍｅ）３］）、等を用いることができる。
電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属イリジウム錯体等としては、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１－ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２－［３’，５’－ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：［Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ）］）、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）、等を用いることができる。
なお、これらは青色のりん光発光を示す化合物であり、４４０ｎｍから５２０ｎｍに発光波長のピークを有する化合物である。
［りん光発光物質（緑色）］
ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体等としては、トリス（４－メチル－６－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）３］）、トリス（４－ｔ－ブチル－６－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）３］）、（アセチルアセトナト）ビス（６－メチル－４－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（６－ｔｅｒｔ－ブチル－４－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［６－（２－ノルボルニル）－４－フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［５－メチル－６－（２－メチルフェニル）－４－フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（４，６－ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、等を用いることができる。
ピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体等としては、（アセチルアセトナト）ビス（３，５－ジメチル－２－フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（５－イソプロピル－３－メチル－２－フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－ｉＰｒ）２（ａｃａｃ）］）、等を用いることができる。
ピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体等としては、トリス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）３］）、ビス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ）］）、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ）］）、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）３］）、トリス（２－フェニルキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）３］）、ビス（２－フェニルキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ）］）、［２－ｄ３－メチル－８－（２－ピリジニル－κＮ）ベンゾフロ［２，３－ｂ］ピリジン－κＣ］ビス［２－（５－ｄ３－メチル－２－ピリジニル－κＮ２）フェニル－κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｐｐｙ－ｄ３）２（ｍｂｆｐｙｐｙ－ｄ３）］）、［２－ｄ３－メチル－（２－ピリジニル－κＮ）ベンゾフロ［２，３－ｂ］ピリジン－κＣ］ビス［２－（２－ピリジニル－κＮ）フェニル－κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ｍｂｆｐｙｐｙ－ｄ３）］）、等を用いることができる。
希土類金属錯体としては、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ）］）、などが挙げられる。
なお、これらは主に緑色のりん光発光を示す化合物であり、５００ｎｍから６００ｎｍに発光波長のピークを有する。また、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性または発光効率において、際だって優れる。
［りん光発光物質（赤色）］
ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体等としては、（ジイソブチリルメタナト）ビス［４，６－ビス（３－メチルフェニル）ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｉｂｍ）］）、ビス［４，６－ビス（３－メチルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｐｍ）］）、ビス［４，６－ジ（ナフタレン－１－イル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）２（ｄｐｍ）］）、等を用いることができる。
ピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体等としては、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５－トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ）］）、ビス（２，３，５－トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２，３－ビス（４－フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ）］）、等を用いることができる。
ピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体等としては、トリス（１－フェニルイソキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）３］）、ビス（１－フェニルイソキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ）］）、等を用いることができる。
希土類金属錯体等としては、トリス（１，３－ジフェニル－１，３－プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ）］）、トリス［１－（２－テノイル）－３，３，３－トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ）］）、等を用いることができる。
白金錯体等としては、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８－オクタエチル－２１Ｈ，２３Ｈ－ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）、等を用いることができる。
なお、これらは、赤色のりん光発光を示す化合物であり、６００ｎｍから７００ｎｍに発光のピークを有する。また、ピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、表示装置に良好に用いることができる色度の赤色発光が得られる。
［熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）を示す物質］
例えば、層１１１Ｘに用いることができるＴＡＤＦ材料を、層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）に用いることができる。なお、これに限定されず、さまざまな公知のＴＡＤＦ材料を層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）に用いることができる。
《層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）の構成例３》
キャリア輸送性を備える材料をホスト材料に用いることができる。例えば、正孔輸送性を有する材料、電子輸送性を有する材料、ＴＡＤＦ材料、アントラセン骨格を有する材料および混合材料等をホスト材料に用いることができる。例えば、層１１１Ｘに用いることができるホスト材料を、層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）に用いることができる。なお、層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）に含まれる発光性の材料より大きいバンドギャップを備える材料を、ホスト材料に用いる構成が好ましい。これにより、層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）において生じる励起子からホスト材料へのエネルギー移動を、抑制することができる。
［正孔輸送性を有する材料］
正孔移動度が、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上である材料を、正孔輸送性を有する材料に好適に用いることができる。
例えば、層１１２に用いることができる正孔輸送性を有する材料を、層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、正孔輸送層に用いることができる正孔輸送性を有する材料を、層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）に用いることができる。
［電子輸送性を有する材料］
例えば、金属錯体またはπ電子不足型複素芳香環骨格を有する有機化合物を、電子輸送性を有する材料に用いることができる。
例えば、層１１３に用いることができる電子輸送性を有する材料を、層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、電子輸送層に用いることができる電子輸送性を有する材料を、層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）に用いることができる。
［アントラセン骨格を有する材料］
アントラセン骨格を有する有機化合物を、ホスト材料に用いることができる。特に、発光物質に蛍光発光物質を用いる場合において、アントラセン骨格を有する有機化合物は好適である。これにより、発光効率および耐久性が良好な発光デバイスを実現することができる。また、実施の形態１で説明する有機化合物をホスト材料に用いることができる。
アントラセン骨格を有する有機化合物としては、ジフェニルアントラセン骨格、特に９，１０－ジフェニルアントラセン骨格を有する有機化合物が化学的に安定であるため好ましい。また、ホスト材料がカルバゾール骨格を有する場合、正孔の注入・輸送性が高まるため好ましい。特に、ホスト材料がジベンゾカルバゾール骨格を含む場合、カルバゾールよりもＨＯＭＯ準位が０．１ｅＶ程度浅くなり、正孔が入りやすくなる上に、正孔輸送性にも優れ、耐熱性も高くなるため好適である。なお、正孔注入・輸送性の観点から、カルバゾール骨格に換えて、ベンゾフルオレン骨格またはジベンゾフルオレン骨格を用いてもよい。
したがって、９，１０－ジフェニルアントラセン骨格およびカルバゾール骨格を共に有する物質、９，１０－ジフェニルアントラセン骨格およびベンゾカルバゾール骨格を共に有する物質、９，１０－ジフェニルアントラセン骨格およびジベンゾカルバゾール骨格を共に有する物質は、ホスト材料として好ましい。
例えば、６－［３－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）フェニル］－ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン（略称：２ｍＢｎｆＰＰＡ）、９－フェニル－１０－｛４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）ビフェニル－４’－イル｝アントラセン（略称：ＦＬＰＰＡ）、９－（１－ナフチル）－１０－［４－（２－ナフチル）フェニル］アントラセン（略称：αＮ－βＮＰＡｎｔｈ）、９－フェニル－３－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、９－［４－（１０－フェニル－９－アントラセニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、７－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－７Ｈ－ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）、３－［４－（１－ナフチル）－フェニル］－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、等を用いることができる。
特に、ＣｚＰＡ、ｃｇＤＢＣｚＰＡ、２ｍＢｎｆＰＰＡ、ＰＣｚＰＡは非常に良好な特性を示す。
［熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）を示す物質］
ＴＡＤＦ材料をホスト材料に用いることができる。ＴＡＤＦ材料をホスト材料に用いると、ＴＡＤＦ材料で生成した三重項励起エネルギーを、逆項間交差によって一重項励起エネルギーに変換することができる。さらに、励起エネルギーを発光物質に移動することができる。換言すれば、ＴＡＤＦ材料はエネルギードナーとして機能し、発光物質はエネルギーアクセプターとして機能する。これにより、発光デバイスの発光効率を高めることができる。
これは、上記発光物質が蛍光発光物質である場合に、非常に有効である。また、このとき、高い発光効率を得るためには、ＴＡＤＦ材料のＳ１準位は、蛍光発光物質のＳ１準位より高いことが好ましい。また、ＴＡＤＦ材料のＴ１準位は、蛍光発光物質のＳ１準位より高いことが好ましい。したがって、ＴＡＤＦ材料のＴ１準位は、蛍光発光物質のＴ１準位より高いことが好ましい。
また、蛍光発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈するＴＡＤＦ材料を用いることが好ましい。そうすることで、ＴＡＤＦ材料から蛍光発光物質への励起エネルギーの移動がスムーズとなり、効率よく発光が得られるため、好ましい。
また、効率よく三重項励起エネルギーから逆項間交差によって一重項励起エネルギーが生成されるためには、ＴＡＤＦ材料でキャリア再結合が生じることが好ましい。また、ＴＡＤＦ材料で生成した三重項励起エネルギーが蛍光発光物質の三重項励起エネルギーに移動しないことが好ましい。そのためには、蛍光発光物質は、蛍光発光物質が有する発光団（発光の原因となる骨格）の周囲に保護基を有すると好ましい。該保護基としては、π結合を有さない置換基が好ましく、飽和炭化水素が好ましく、具体的には炭素数３以上１０以下のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３以上１０以下のシクロアルキル基、炭素数３以上１０以下のトリアルキルシリル基が挙げられ、保護基が複数あるとさらに好ましい。π結合を有さない置換基は、キャリアを輸送する機能に乏しいため、キャリア輸送またはキャリア再結合に影響をほとんど与えずに、ＴＡＤＦ材料と蛍光発光物質の発光団との距離を遠ざけることができる。
ここで、発光団とは、蛍光発光物質において発光の原因となる原子団（骨格）を指す。発光団は、π結合を有する骨格が好ましく、芳香環を含むことが好ましく、縮合芳香環または縮合複素芳香環を有すると好ましい。
縮合芳香環または縮合複素芳香環としては、フェナントレン骨格、スチルベン骨格、アクリドン骨格、フェノキサジン骨格、フェノチアジン骨格等が挙げられる。特に、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、フルオレン骨格、クリセン骨格、トリフェニレン骨格、テトラセン骨格、ピレン骨格、ペリレン骨格、クマリン骨格、キナクリドン骨格、ナフトビスベンゾフラン骨格を有する蛍光発光物質は蛍光量子収率が高いため好ましい。
例えば、発光性の材料に用いることができるＴＡＤＦ材料を、ホスト材料に用いることができる。
［混合材料の構成例１］
また、複数種の物質を混合した材料を、ホスト材料に用いることができる。例えば、電子輸送性を有する材料と正孔輸送性を有する材料を、混合材料に用いることができる。混合材料に含まれる正孔輸送性を有する材料と電子輸送性を有する材料の重量比は、正孔輸送性を有する材料：電子輸送性を有する材料の比の値を１／１９以上１９／１以下とすればよい。これにより、層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）のキャリア輸送性を容易に調整することができる。また、再結合領域の制御も簡便に行うことができる。
［混合材料の構成例２］
りん光発光物質を混合した材料を、ホスト材料に用いることができる。りん光発光物質は、発光物質として蛍光発光物質を用いる際に蛍光発光物質へ励起エネルギーを供与するエネルギードナーとして用いることができる。
励起錯体を形成する材料を含む混合材料を、ホスト材料に用いることができる。例えば、形成される励起錯体の発光スペクトルが、発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なる材料を、ホスト材料に用いることができる。これにより、エネルギー移動がスムーズとなり、発光効率を向上することができる。または、駆動電圧を抑制することができる。
励起錯体を形成する材料の少なくとも一方に、りん光発光物質を用いることができる。これにより、逆項間交差を利用することができる。または、三重項励起エネルギーを効率よく一重項励起エネルギーへ変換することができる。
励起錯体を形成する材料の組み合わせとしては、正孔輸送性を有する材料のＨＯＭＯ準位が電子輸送性を有する材料のＨＯＭＯ準位以上であると好ましい。または、正孔輸送性を有する材料のＬＵＭＯ準位が電子輸送性を有する材料のＬＵＭＯ準位以上であると好ましい。これにより、効率よく励起錯体を形成することができる。なお、材料のＬＵＭＯ準位およびＨＯＭＯ準位は、電気化学特性（還元電位および酸化電位）から導出することができる。具体的には、サイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定法を用いて、還元電位および酸化電位を測定することができる。
なお、励起錯体の形成は、例えば正孔輸送性を有する材料の発光スペクトル、電子輸送性を有する材料の発光スペクトル、およびこれら材料を混合した混合膜の発光スペクトルを比較し、混合膜の発光スペクトルが、各材料の発光スペクトルよりも長波長シフトする（あるいは長波長側に新たなピークを持つ）現象を観測することにより確認することができる。あるいは、正孔輸送性を有する材料の過渡フォトルミネッセンス（ＰＬ）、電子輸送性を有する材料の過渡ＰＬ、及びこれら材料を混合した混合膜の過渡ＰＬを比較し、混合膜の過渡ＰＬ寿命が、各材料の過渡ＰＬ寿命よりも長寿命成分を有する、あるいは遅延成分の割合が大きくなるなどの過渡応答の違いを観測することにより、確認することができる。また、上述の過渡ＰＬは過渡エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）と読み替えても構わない。すなわち、正孔輸送性を有する材料の過渡ＥＬ、電子輸送性を有する材料の過渡ＥＬ及びこれらの混合膜の過渡ＥＬを比較し、過渡応答の違いを観測することによっても、励起錯体の形成を確認することができる。
《層１１２Ｙ（ｉ，ｊ）の構成例》
例えば、正孔輸送性を有する材料を、層１１２Ｙ（ｉ，ｊ）に用いることができる。また、層１１２Ｙ（ｉ，ｊ）を正孔輸送層ということができる。なお、層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）に含まれる発光性の材料より大きいバンドギャップを備える材料を、層１１２Ｙ（ｉ，ｊ）に用いる構成が好ましい。これにより、層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）において生じる励起子から層１１２Ｙ（ｉ，ｊ）へのエネルギー移動を、抑制することができる。なお、実施の形態２において説明する層１１２に用いることができる構成を層１１２Ｙ（ｉ，ｊ）に用いることができる。
《層１１３Ｙ（ｉ，ｊ）の構成例》
例えば、電子輸送性を有する材料、アントラセン骨格を有する材料および混合材料等を、層１１３Ｙ（ｉ，ｊ）に用いることができる。また、層１１３Ｙ（ｉ，ｊ）を電子輸送層ということができる。なお、層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）に含まれる発光性の材料より大きいバンドギャップを有する材料を、層１１３Ｙ（ｉ，ｊ）に用いる構成が好ましい。これにより、層１１１Ｙ（ｉ，ｊ）において生じる励起子から層１１３Ｙ（ｉ，ｊ）へのエネルギー移動を、抑制することができる。なお、実施の形態２において説明する層１１３に用いることができる構成を層１１３Ｙ（ｉ，ｊ）に用いることができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置７００の構成について、図４（Ａ）および図４（Ｂ）を参照しながら説明する。
図４（Ａ）は、本発明の一態様の表示装置７００の構成を説明する断面図であり、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）とは異なる本発明の一態様の表示装置７００の構成を説明する断面図である。
＜表示装置７００の構成例１＞
本実施の形態で説明する表示装置７００は、発光デバイス５５０Ｘ（ｉ，ｊ）と、光電変換デバイス５５０Ｓ（ｉ，ｊ）とを有する（図４（Ａ）参照）。光電変換デバイス５５０Ｓ（ｉ，ｊ）は、発光デバイス５５０Ｘ（ｉ，ｊ）と隣接する。
また、表示装置７００は絶縁膜５２１を有し、発光デバイス５５０Ｘ（ｉ，ｊ）および光電変換デバイス５５０Ｓ（ｉ，ｊ）は、絶縁膜５２１上に形成される。
《発光デバイス５５０Ｘ（ｉ，ｊ）の構成例》
発光デバイス５５０Ｘ（ｉ，ｊ）は、電極５５１Ｘ（ｉ，ｊ）と、電極５５２Ｘ（ｉ，ｊ）と、ユニット１０３Ｘ（ｉ，ｊ）を有する。また、層１０４および層１０５を有する。
例えば、実施の形態２乃至実施の形態６において説明する発光デバイスを、発光デバイス５５０Ｘ（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、電極５５１Ｘに用いることができる構成を電極５５１Ｘ（ｉ，ｊ）に用いることができる。また、ユニット１０３Ｘに用いることができる構成をユニット１０３Ｘ（ｉ，ｊ）に用いることができる。また、層１０４に用いることができる構成を層１０４に用いることができ、層１０５に用いることができる構成を層１０５に用いることができる。
《光電変換デバイス５５０Ｓ（ｉ，ｊ）の構成例１》
光電変換デバイス５５０Ｓ（ｉ，ｊ）は、電極５５１Ｓ（ｉ，ｊ）と、電極５５２Ｓ（ｉ，ｊ）と、ユニット１０３Ｓ（ｉ，ｊ）と、を有する。電極５５２Ｓ（ｉ，ｊ）は電極５５１Ｓ（ｉ，ｊ）と重なり、ユニット１０３Ｓ（ｉ，ｊ）は、電極５５２Ｓ（ｉ，ｊ）および電極５５１Ｓ（ｉ，ｊ）の間に挟まれる。
電極５５１Ｓ（ｉ，ｊ）は、ユニット１０３Ｓ（ｉ，ｊ）および絶縁膜５２１の間に挟まれ、電極５５１Ｓ（ｉ，ｊ）は、電極５５１Ｘ（ｉ，ｊ）との間に間隙５５１ＸＳ（ｉ，ｊ）を備える。
《ユニット１０３Ｓ（ｉ，ｊ）の構成例１》
ユニット１０３Ｓ（ｉ，ｊ）は光ｈｖを吸収して、一方の電極に電子を、他方の電極に正孔を供給する。例えば、ユニット１０３Ｓ（ｉ，ｊ）は電極５５１Ｓ（ｉ，ｊ）に正孔を、電極５５２Ｓ（ｉ，ｊ）に電子を供給する。
ユニット１０３Ｓ（ｉ，ｊ）は単層構造または積層構造を備える。例えば、ユニット１０３Ｓ（ｉ，ｊ）は、層１１４Ｓ（ｉ，ｊ）、層１１２および層１１３を備える（図４（Ａ）参照）。層１１４Ｓ（ｉ，ｊ）は層１１２および層１１３の間に挟まれ、層１１２は電極５５１Ｓ（ｉ，ｊ）および層１１４Ｓ（ｉ，ｊ）の間に挟まれ、層１１３は電極５５２Ｓ（ｉ，ｊ）および層１１４Ｓ（ｉ，ｊ）の間に挟まれる。
例えば、光電変換層、正孔輸送層、電子輸送層、キャリアブロック層、などの機能層から選択した層を、ユニット１０３Ｓに用いることができる。
《層１１４Ｓ（ｉ，ｊ）の構成例１》
層１１４Ｓ（ｉ，ｊ）を光電変換層ということができる。層１１４Ｓ（ｉ，ｊ）は光ｈｖを吸収し、一方に接する層に電子を、他方に接する層に正孔を供給する。例えば、層１１４Ｓ（ｉ，ｊ）は層１１２に正孔を、層１１３に電子を供給する。例えば、有機太陽電池に用いることができる材料を、層１１４Ｓ（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、電子受容性の材料および電子供与性の材料を、層１１４Ｓ（ｉ，ｊ）に用いることができる。
［電子受容性の材料の例］
例えば、フラーレン誘導体、非フラーレン電子受容体等を電子受容性の材料に用いることができる。
電子受容性の材料としては、例えば、Ｃ６０フラーレン、Ｃ７０フラーレン、［６，６］－フェニル－Ｃ７１－酪酸メチルエステル（略称：ＰＣ７１ＢＭ）、［６，６］－フェニル－Ｃ６１－酪酸メチルエステル（略称：ＰＣ６１ＢＭ）、１’，１’’，４’，４’’－テトラヒドロ－ジ［１，４］メタノナフタレノ［１，２：２’，３’，５６，６０：２’’，３’’］［５，６］フラーレン－Ｃ６０（略称：ＩＣＢＡ）等を用いることができる。
また、非フラーレン電子受容体としては、例えば、ペリレン誘導体、ジシアノメチレンインダノン基を有する化合物、等を用いることができる。Ｎ，Ｎ’－ジメチル－３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：Ｍｅ－ＰＴＣＤＩ）、等を用いることができる。
［電子供与性の材料の例］
例えば、フタロシアニン化合物、テトラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ルブレン誘導体、等を電子供与性の材料に用いることができる。
電子供与性の材料としては、例えば、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）、すず（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＳｎＰｃ）、亜鉛フタロシアニン（略称：ＺｎＰｃ）、テトラフェニルジベンゾペリフランテン（略称：ＤＢＰ）、ルブレン等を用いることができる。
《層１１４Ｓ（ｉ，ｊ）の構成例２》
例えば、単層構造または積層構造を層１１４Ｓ（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、バルクヘテロ接合型の構造を層１１４Ｓ（ｉ，ｊ）に用いることができる。または、ヘテロ接合型の構造を層１１４Ｓ（ｉ，ｊ）に用いることができる。
［混合材料の構成例］
例えば、電子受容性の材料および電子供与性の材料を含む混合材料を層１１４Ｓ（ｉ，ｊ）に用いることができる（図４（Ａ）参照）。なお、電子受容性の材料および電子供与性の材料を含む混合材料を層１１４Ｓ（ｉ，ｊ）に用いる構成をバルクヘテロ接合型ということができる。
具体的には、Ｃ７０フラーレンおよびＤＢＰを含む混合材料を層１１４Ｓ（ｉ，ｊ）に用いることができる。
［ヘテロ接合型の例］
層１１４Ｎ（ｉ，ｊ）および層１１４Ｐ（ｉ，ｊ）を層１１４Ｓ（ｉ，ｊ）に用いることができる（図４（Ｂ）参照）。層１１４Ｎ（ｉ，ｊ）は一方の電極および層１１４Ｐ（ｉ，ｊ）の間に挟まれ、層１１４Ｐ（ｉ，ｊ）は層１１４Ｎ（ｉ，ｊ）および他方の電極の間に挟まれる。例えば、層１１４Ｎ（ｉ，ｊ）は電極５５２Ｓ（ｉ，ｊ）および層１１４Ｐ（ｉ，ｊ）の間に挟まれ、層１１４Ｐ（ｉ，ｊ）は層１１４Ｎ（ｉ，ｊ）および電極５５１Ｓ（ｉ，ｊ）の間に挟まれる。
ｎ型の半導体を層１１４Ｎ（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、Ｍｅ－ＰＴＣＤＩを層１１４Ｎ（ｉ，ｊ）に用いることができる。
また、ｐ型の半導体を層１１４Ｐ（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、ルブレンを層１１４Ｐ（ｉ，ｊ）に用いることができる。
なお、層１１４Ｐ（ｉ，ｊ）が層１１４Ｎ（ｉ，ｊ）と接する構成を備える光電変換デバイス５５０Ｓ（ｉ，ｊ）を、ＰＮ接合型のフォトダイオードということができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態９）
本実施の形態では、実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一に記載の発光デバイスを用いた発光装置について説明する。
本実施の形態では、実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一に記載の発光デバイスを用いて作製された発光装置について図５を用いて説明する。なお、図５（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）をＡ－ＢおよびＣ－Ｄで切断した断面図である。この発光装置は、発光デバイスの発光を制御するものとして、点線で示された画素部６０２および駆動回路部を有し、駆動回路部はソース線駆動回路６０１およびゲート線駆動回路６０３を含んでいる。また、発光装置は封止基板６０４およびシール材６０５を備え、シール材６０５は空間６０７を囲む。
なお、引き回し配線６０８はソース線駆動回路６０１及びゲート線駆動回路６０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子６０９となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
次に、断面構造について図５（Ｂ）を用いて説明する。素子基板６１０上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース線駆動回路６０１と、画素部６０２中の一つの画素が示されている。
素子基板６１０はガラス、石英、有機樹脂、金属、合金、半導体などからなる基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル樹脂等からなるプラスチック基板を用いて作製すればよい。
画素または駆動回路に用いられるトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、逆スタガ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型のトランジスタでもボトムゲート型トランジスタでもよい。トランジスタに用いる半導体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム、炭化シリコン、窒化ガリウム等を用いることができる。または、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系金属酸化物などの、インジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも一つを含む酸化物半導体を用いてもよい。
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
ここで、上記画素または駆動回路に設けられるトランジスタの他、後述するタッチセンサ等に用いられるトランジスタなどの半導体装置には、酸化物半導体を適用することが好ましい。特にシリコンよりもバンドギャップの広い酸化物半導体を適用することが好ましい。シリコンよりもバンドギャップの広い酸化物半導体を用いることで、トランジスタのオフ状態における電流を低減できる。
上記酸化物半導体は、少なくともインジウム（Ｉｎ）又は亜鉛（Ｚｎ）を含むことが好ましい。また、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ系酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）で表記される酸化物を含む酸化物半導体であることがより好ましい。
特に、半導体層として、複数の結晶部を有し、当該結晶部はｃ軸が半導体層の被形成面、または半導体層の上面に対し垂直に配向し、且つ隣接する結晶部間には粒界を有さない酸化物半導体膜を用いることが好ましい。
半導体層としてこのような材料を用いることで、電気特性の変動が抑制され、信頼性の高いトランジスタを実現できる。
また、上述の半導体層を有するトランジスタはその低いオフ電流により、トランジスタを介して容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用することで、各表示領域に表示した画像の階調を維持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。その結果、極めて消費電力の低減された電子機器を実現できる。
トランジスタの特性安定化等のため、下地膜を設けることが好ましい。下地膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無機絶縁膜を用い、単層で又は積層して作製することができる。下地膜はスパッタリング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法（プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法など）、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、塗布法、印刷法等を用いて形成できる。なお、下地膜は、必要で無ければ設けなくてもよい。
なお、ＦＥＴ６２３はソース線駆動回路６０１に形成されるトランジスタの一つを示すものである。また、駆動回路は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成すれば良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる。
また、画素部６０２はスイッチング用ＦＥＴ６１１と、電流制御用ＦＥＴ６１２とそのドレインに電気的に接続された第１の電極６１３とを含む複数の画素により形成されているが、これに限定されず、３つ以上のＦＥＴと、容量素子とを組み合わせた画素部としてもよい。
なお、第１の電極６１３の端部を覆って絶縁物６１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成することができる。
また、後に形成するＥＬ層等の被覆性を良好なものとするため、絶縁物６１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物６１４の材料としてポジ型の感光性アクリル樹脂を用いた場合、絶縁物６１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ以上３μｍ以下）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物６１４として、ネガ型の感光性樹脂、或いはポジ型の感光性樹脂のいずれも使用することができる。
第１の電極６１３上には、ＥＬ層６１６、および第２の電極６１７がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第１の電極６１３に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ膜、またはケイ素を含有したインジウム錫酸化物膜、２ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下の酸化亜鉛を含む酸化インジウム膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。
また、ＥＬ層６１６は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート法等の種々の方法によって形成される。ＥＬ層６１６は、実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一で説明したような構成を含んでいる。また、ＥＬ層６１６を構成する他の材料としては、低分子化合物、または高分子化合物（オリゴマー、デンドリマーを含む）であっても良い。
さらに、ＥＬ層６１６上に形成され、陰極として機能する第２の電極６１７に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金または化合物（ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ等）等）を用いることが好ましい。なお、ＥＬ層６１６で生じた光が第２の電極６１７を透過させる場合には、第２の電極６１７として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ、２ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下の酸化亜鉛を含む酸化インジウム、ケイ素を含有したインジウム錫酸化物、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが良い。
なお、第１の電極６１３、ＥＬ層６１６、第２の電極６１７でもって、発光デバイスが形成されている。当該発光デバイスは実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一に記載の発光デバイスである。なお、画素部は複数の発光デバイスが形成されており、本実施の形態における発光装置では、実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一に記載の発光デバイスと、それ以外の構成を有する発光デバイスの両方が混在していても良い。
さらにシール材６０５で封止基板６０４を素子基板６１０と貼り合わせることにより、素子基板６１０、封止基板６０４、およびシール材６０５で囲まれた空間６０７に発光デバイス６１８が備えられた構造になっている。なお、空間６０７は、不活性気体（窒素またはアルゴン等）が充填される場合の他、シール材で充填される場合もある。封止基板には凹部を形成し、そこに乾燥材を設けることで水分の影響による劣化を抑制することができ、好ましい構成である。
なお、シール材６０５にはエポキシ系樹脂またはガラスフリットを用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分および酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板６０４に用いる材料としてガラス基板または石英基板の他、ＦＲＰ、ＰＶＦ、ポリエステルまたはアクリル樹脂等からなるプラスチック基板を用いることができる。
図５（Ａ）および図５（Ｂ）には示されていないが、第２の電極６１７上に保護膜を設けても良い。保護膜は有機樹脂膜または無機絶縁膜で形成すればよい。また、シール材６０５の露出した部分を覆うように、保護膜が形成されていても良い。また、保護膜は、一対の基板の表面及び側面、封止層、絶縁層、等の露出した側面を覆って設けることができる。
保護膜には、水などの不純物を透過しにくい材料を用いることができる。したがって、水などの不純物が外部から内部に拡散することを効果的に抑制することができる。
保護膜を構成する材料としては、酸化物、窒化物、フッ化物、硫化物、三元化合物、金属またはポリマー等を用いることができ、例えば、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、ハフニウムシリケート、酸化ランタン、酸化珪素、チタン酸ストロンチウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化イットリウム、酸化セリウム、酸化スカンジウム、酸化エルビウム、酸化バナジウムまたは酸化インジウム等を含む材料または窒化アルミニウム、窒化ハフニウム、窒化珪素、窒化タンタル、窒化チタン、窒化ニオブ、窒化モリブデン、窒化ジルコニウムまたは窒化ガリウム等を含む材料、チタンおよびアルミニウムを含む窒化物、チタンおよびアルミニウムを含む酸化物、アルミニウムおよび亜鉛を含む酸化物、マンガンおよび亜鉛を含む硫化物、セリウムおよびストロンチウムを含む硫化物、エルビウムおよびアルミニウムを含む酸化物、イットリウムおよびジルコニウムを含む酸化物等を含む材料を用いることができる。
保護膜は、段差被覆性（ステップカバレッジ）の良好な成膜方法を用いて形成することが好ましい。このような手法の一つに、原子層堆積法がある。ＡＬＤ法を用いて形成することができる材料を、保護膜に用いることが好ましい。ＡＬＤ法を用いることで緻密な、クラックまたはピンホールなどの欠陥が低減された、または均一な厚さを備える保護膜を形成することができる。また、保護膜を形成する際に加工部材に与える損傷を、低減することができる。
例えばＡＬＤ法を用いて保護膜を形成することで、複雑な凹凸形状を有する表面または、タッチパネルの上面、側面及び裏面にまで均一で欠陥の少ない保護膜を形成することができる。
以上のようにして、実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一に記載の発光デバイスを用いて作製された発光装置を得ることができる。
本実施の形態における発光装置は、実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一に記載の発光デバイスを用いているため、良好な特性を備えた発光装置を得ることができる。具体的には、実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一に記載の発光デバイスは発光効率が良好なため、消費電力の小さい発光装置とすることが可能である。
図６（Ａ）および図６（Ｂ）には白色発光を呈する発光デバイスを形成し、着色層（カラーフィルタ）等を設けることによってフルカラー化した発光装置の例を示す。図６（Ａ）には基板１００１、下地絶縁膜１００２、ゲート絶縁膜１００３、ゲート電極１００６、ゲート電極１００７、ゲート電極１００８、第１の層間絶縁膜１０２０、第２の層間絶縁膜１０２１、周辺部１０４２、画素部１０４０、駆動回路部１０４１、発光デバイスの電極１０２４Ｗ、電極１０２４Ｒ、電極１０２４Ｇ、電極１０２４Ｂ、隔壁１０２５、ＥＬ層１０２８、発光デバイスの電極１０２９、封止基板１０３１、シール材１０３２などが図示されている。
また、図６（Ａ）では着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）は透明な基材１０３３に設けている。また、ブラックマトリクス１０３５をさらに設けても良い。着色層及びブラックマトリクスが設けられた透明な基材１０３３は、位置合わせし、基板１００１に固定する。なお、着色層、及びブラックマトリクス１０３５は、オーバーコート層１０３６で覆われている。また、図６（Ａ）においては、光が着色層を透過せずに外部へと出る発光層と、各色の着色層を透過して外部に光が出る発光層とがあり、着色層を透過しない光は白、着色層を透過する光は赤、緑、青となることから、４色の画素で映像を表現することができる。
図６（Ｂ）では着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）をゲート絶縁膜１００３と第１の層間絶縁膜１０２０との間に形成する例を示した。このように、着色層は基板１００１と封止基板１０３１の間に設けられていても良い。
また、以上に説明した発光装置では、ＦＥＴが形成されている基板１００１側に光を取り出す構造（ボトムエミッション型）の発光装置としたが、封止基板１０３１側に発光を取り出す構造（トップエミッション型）の発光装置としても良い。トップエミッション型の発光装置の断面図を図７に示す。この場合、基板１００１は光を通さない基板を用いることができる。ＦＥＴと発光デバイスの陽極とを接続する接続電極を作製するまでは、ボトムエミッション型の発光装置と同様に形成する。その後、第３の層間絶縁膜１０３７を、電極１０２２を覆って形成する。この絶縁膜は平坦化の役割を担っていても良い。第３の層間絶縁膜１０３７は第２の層間絶縁膜と同様の材料の他、他の公知の材料を用いて形成することができる。
発光デバイスの電極１０２４Ｗ、電極１０２４Ｒ、電極１０２４Ｇ、電極１０２４Ｂはここでは陽極とするが、陰極であっても構わない。また、図７のようなトップエミッション型の発光装置である場合、電極１０２４Ｗ、電極１０２４Ｒ、電極１０２４Ｇ、電極１０２４Ｂを反射電極とすることが好ましい。ＥＬ層１０２８の構成は、実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一においてユニット１０３として説明したような構成とし、且つ、白色の発光が得られるような素子構造とする。
図７のようなトップエミッションの構造では着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）を設けた封止基板１０３１で封止を行うことができる。封止基板１０３１には画素と画素との間に位置するようにブラックマトリクス１０３５を設けても良い。着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）またはブラックマトリックスはオーバーコート層１０３６によって覆われていても良い。なお封止基板１０３１は透光性を有する基板を用いることとする。また、ここでは赤、緑、青、白の４色でフルカラー表示を行う例を示したが特に限定されず、赤、黄、緑、青の４色または赤、緑、青の３色でフルカラー表示を行ってもよい。
トップエミッション型の発光装置では、マイクロキャビティ構造の適用が好適に行える。マイクロキャビティ構造を有する発光デバイスは、第１の電極を反射電極、第２の電極を半透過・半反射電極とすることにより得られる。反射電極と半透過・半反射電極との間には少なくともＥＬ層を有し、少なくとも発光領域となる発光層を有している。
なお、反射電極は、可視光の反射率が４０％乃至１００％、好ましくは７０％乃至１００％であり、かつその抵抗率が１×１０－２Ωｃｍ以下の膜であるとする。また、半透過・半反射電極は、可視光の反射率が２０％乃至８０％、好ましくは４０％乃至７０％であり、かつその抵抗率が１×１０－２Ωｃｍ以下の膜であるとする。
ＥＬ層に含まれる発光層から射出される発光は、反射電極と半透過・半反射電極とによって反射され、共振する。
当該発光デバイスは、透明導電膜または上述の複合材料、キャリア輸送材料などの厚みを変えることで反射電極と半透過・半反射電極の間の光学的距離を変えることができる。これにより、反射電極と半透過・半反射電極との間において、共振する波長の光を強め、共振しない波長の光を減衰させることができる。
なお、反射電極によって反射されて戻ってきた光（第１の反射光）は、発光層から半透過・半反射電極に直接入射する光（第１の入射光）と大きな干渉を起こすため、反射電極と発光層の光学的距離を（２ｎ－１）λ／４（ただし、ｎは１以上の自然数、λは増幅したい発光の波長）に調節することが好ましい。当該光学的距離を調節することにより、第１の反射光と第１の入射光との位相を合わせ発光層からの発光をより増幅させることができる。
なお、上記構成においてＥＬ層は、複数の発光層を有する構造であっても、単一の発光層を有する構造であっても良く、例えば、上述のタンデム型発光デバイスの構成と組み合わせて、一つの発光デバイスに電荷発生層を挟んで複数のＥＬ層を設け、それぞれのＥＬ層に単数もしくは複数の発光層を形成する構成に適用してもよい。
マイクロキャビティ構造を有することで、特定波長の発光強度を強めることが可能となるため、低消費電力化を図ることができる。なお、赤、黄、緑、青の４色の副画素で映像を表示する発光装置の場合、黄色発光による輝度向上効果のうえ、全副画素において各色の波長に合わせたマイクロキャビティ構造を適用できるため良好な特性の発光装置とすることができる。
本実施の形態における発光装置は、実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一に記載の発光デバイスを用いているため、良好な特性を備えた発光装置を得ることができる。具体的には、実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一に記載の発光デバイスは発光効率が良好なため、消費電力の小さい発光装置とすることが可能である。
ここまでは、アクティブマトリクス型の発光装置について説明したが、以下からはパッシブマトリクス型の発光装置について説明する。図８（Ａ）および図８（Ｂ）には本発明を適用して作製したパッシブマトリクス型の発光装置を示す。なお、図８（Ａ）は、発光装置を示す斜視図、図８（Ｂ）は図８（Ａ）をＸ－Ｙで切断した断面図である。図８（Ａ）および図８（Ｂ）において、基板９５１上には、電極９５２と電極９５６との間にはＥＬ層９５５が設けられている。電極９５２の端部は絶縁層９５３で覆われている。そして、絶縁層９５３上には隔壁層９５４が設けられている。隔壁層９５４の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁層９５４の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺（絶縁層９５３の面方向と同様の方向を向き、絶縁層９５３と接する辺）の方が上辺（絶縁層９５３の面方向と同様の方向を向き、絶縁層９５３と接しない辺）よりも短い。このように、隔壁層９５４を設けることで、静電気等に起因した発光デバイスの不良を防ぐことが出来る。また、パッシブマトリクス型の発光装置においても、実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一に記載の発光デバイスを用いており、信頼性の良好な発光装置、又は消費電力の小さい発光装置とすることができる。
以上、説明した発光装置は、マトリクス状に配置された多数の微小な発光デバイスをそれぞれ制御することが可能であるため、画像の表現を行う表示装置として好適に利用できる発光装置である。
また、本実施の形態は他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
（実施の形態１０）
本実施の形態では、実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一に記載の発光デバイスを照明装置として用いる例を、図９を参照しながら説明する。図９（Ｂ）は照明装置の上面図、図９（Ａ）は図９（Ｂ）におけるｅ－ｆで切断した断面図である。
本実施の形態における照明装置は、支持体である透光性を有する基板４００上に、第１の電極４０１が形成されている。第１の電極４０１は実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一における電極５５１Ｘに相当する。第１の電極４０１側から発光を取り出す場合、第１の電極４０１は透光性を有する材料により形成する。
第２の電極４０４に電圧を供給するためのパッド４１２が基板４００上に形成される。
第１の電極４０１上にはＥＬ層４０３が形成されている。ＥＬ層４０３は実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一における層１０４、ユニット１０３および層１０５を合わせた構成または層１０４、ユニット１０３Ｘ、層１０６、ユニット１０３Ｘ２および層１０５を合わせた構成などに相当する。なお、これらの構成については当該記載を参照されたい。
ＥＬ層４０３を覆って第２の電極４０４を形成する。第２の電極４０４は実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一における電極５５２Ｘに相当する。発光を第１の電極４０１側から取り出す場合、第２の電極４０４は反射率の高い材料によって形成される。第２の電極４０４はパッド４１２と接続することによって、電圧が供給される。
以上、第１の電極４０１、ＥＬ層４０３、及び第２の電極４０４を有する発光デバイスを本実施の形態で示す照明装置は有している。当該発光デバイスは発光効率の高い発光デバイスであるため、本実施の形態における照明装置は消費電力の小さい照明装置とすることができる。
以上の構成を有する発光デバイスが形成された基板４００と、封止基板４０７とを、シール材４０５およびシール材４０６を用いて固着し、封止することによって照明装置が完成する。シール材４０５およびシール材４０６はどちらか一方でもかまわない。また、内側のシール材４０６（図９（Ｂ）では図示せず）には乾燥剤を混ぜることもでき、これにより、水分を吸着することができ、信頼性の向上につながる。
また、パッド４１２と第１の電極４０１の一部をシール材４０５、シール材４０６の外に伸張して設けることによって、外部入力端子とすることができる。また、その上にコンバーターなどを搭載したＩＣチップ４２０などを設けても良い。
以上、本実施の形態に記載の照明装置は、実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一に記載の発光デバイスを備えており、消費電力の小さい照明装置とすることができる。
（実施の形態１１）
本実施の形態では、実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一に記載の発光デバイスをその一部に含む電子機器の例について説明する。実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一に記載の発光デバイスは発光効率が良好であり、消費電力の小さい発光デバイスである。その結果、本実施の形態に記載の電子機器は、消費電力が小さい発光部を有する電子機器とすることが可能である。
上記発光デバイスを適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を以下に示す。
図１０（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置は、筐体７１０１に表示部７１０３が組み込まれている。また、ここでは、スタンド７１０５により筐体７１０１を支持した構成を示している。表示部７１０３により、映像を表示することが可能であり、表示部７１０３は、実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一に記載の発光デバイスをマトリクス状に配列して構成されている。
テレビジョン装置の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチまたは、別体のリモコン操作機７１１０により行うことができる。リモコン操作機７１１０が備える操作キー７１０９により、チャンネルまたは音量の操作を行うことができ、表示部７１０３に表示される映像を操作することができる。また、表示部７１０７をリモコン操作機７１１０に設け、出力する情報を表示してもよい。
なお、テレビジョン装置は、受信機またはモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
図１０（Ｂ）はコンピュータであり、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キーボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む。なお、このコンピュータは、実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一に記載の発光デバイスをマトリクス状に配列して表示部７２０３に用いることにより作製される。図１０（Ｂ）のコンピュータは、図１０（Ｃ）のような形態であっても良い。図１０（Ｃ）のコンピュータは、キーボード７２０４、ポインティングデバイス７２０６の代わりに第２の表示部７２１０が設けられている。第２の表示部７２１０はタッチパネル式となっており、第２の表示部７２１０に表示された入力用の表示を指または専用のペンで操作することによって入力を行うことができる。また、第２の表示部７２１０は入力用表示だけでなく、その他の画像を表示することも可能である。また表示部７２０３もタッチパネルであっても良い。二つの画面がヒンジで接続されていることによって、収納または運搬をする際に画面を傷つける、破損するなどのトラブルの発生も防止することができる。
図１０（Ｄ）は、携帯端末の一例を示している。携帯端末は、筐体７４０１に組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、スピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯端末は、実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一に記載の発光デバイスをマトリクス状に配列して作製された表示部７４０２を有している。
図１０（Ｄ）に示す携帯端末は、表示部７４０２を指などで触れることで、情報を入力することができる構成とすることもできる。この場合、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。
表示部７４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。
例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部７４０２を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好ましい。
また、携帯端末内部に、ジャイロセンサ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯端末の向き（縦か横か）を判断して、表示部７４０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
また、画面モードの切り替えは、表示部７４０２を触れること、又は筐体７４０１の操作ボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
また、入力モードにおいて、表示部７４０２の光センサで検出される信号を検知し、表示部７４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
表示部７４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７４０２に掌または指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
図１１（Ａ）は、掃除ロボットの一例を示す模式図である。
掃除ロボット５１００は、上面に配置されたディスプレイ５１０１、側面に配置された複数のカメラ５１０２、ブラシ５１０３、操作ボタン５１０４を有する。また図示されていないが、掃除ロボット５１００の下面には、タイヤ、吸い込み口等が備えられている。掃除ロボット５１００は、その他に赤外線センサ、超音波センサ、加速度センサ、ピエゾセンサ、光センサ、ジャイロセンサなどの各種センサを備えている。また、掃除ロボット５１００は、無線による通信手段を備えている。
掃除ロボット５１００は自走し、ゴミ５１２０を検知し、下面に設けられた吸い込み口からゴミを吸引することができる。
また、掃除ロボット５１００はカメラ５１０２が撮影した画像を解析し、壁、家具または段差などの障害物の有無を判断することができる。また、画像解析により、配線などブラシ５１０３に絡まりそうな物体を検知した場合は、ブラシ５１０３の回転を止めることができる。
ディスプレイ５１０１には、バッテリーの残量または、吸引したゴミの量などを表示することができる。掃除ロボット５１００が走行した経路をディスプレイ５１０１に表示させてもよい。また、ディスプレイ５１０１をタッチパネルとし、操作ボタン５１０４をディスプレイ５１０１に設けてもよい。
掃除ロボット５１００は、スマートフォンなどの携帯電子機器５１４０と通信することができる。カメラ５１０２が撮影した画像は、携帯電子機器５１４０に表示させることができる。そのため、掃除ロボット５１００の持ち主は、外出先からでも、部屋の様子を知ることができる。また、ディスプレイ５１０１の表示をスマートフォンなどの携帯電子機器５１４０で確認することもできる。
本発明の一態様の発光装置はディスプレイ５１０１に用いることができる。
図１１（Ｂ）に示すロボット２１００は、演算装置２１１０、マイクロフォン２１０２、上部カメラ２１０３、スピーカ２１０４、ディスプレイ２１０５、下部カメラ２１０６および障害物センサ２１０７、移動機構２１０８を備える。
マイクロフォン２１０２は、使用者の話し声及び環境音等を検知する機能を有する。また、スピーカ２１０４は、音声を発する機能を有する。ロボット２１００は、マイクロフォン２１０２およびスピーカ２１０４を用いて、使用者とコミュニケーションをとることが可能である。
ディスプレイ２１０５は、種々の情報の表示を行う機能を有する。ロボット２１００は、使用者の望みの情報をディスプレイ２１０５に表示することが可能である。ディスプレイ２１０５は、タッチパネルを搭載していてもよい。また、ディスプレイ２１０５は取り外しのできる情報端末であっても良く、ロボット２１００の定位置に設置することで、充電およびデータの受け渡しを可能とする。
上部カメラ２１０３および下部カメラ２１０６は、ロボット２１００の周囲を撮像する機能を有する。また、障害物センサ２１０７は、移動機構２１０８を用いてロボット２１００が前進する際の進行方向における障害物の有無を察知することができる。ロボット２１００は、上部カメラ２１０３、下部カメラ２１０６および障害物センサ２１０７を用いて、周囲の環境を認識し、安全に移動することが可能である。本発明の一態様の発光装置はディスプレイ２１０５に用いることができる。
図１１（Ｃ）はゴーグル型ディスプレイの一例を表す図である。ゴーグル型ディスプレイは、例えば、筐体５０００、表示部５００１、スピーカ５００３、ＬＥＤランプ５００４、操作キー（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子５００６、センサ５００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい、又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン５００８、表示部５００２、支持部５０１２、イヤホン５０１３等を有する。
本発明の一態様の発光装置は表示部５００１および表示部５００２に用いることができる。
図１２は、実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一に記載の発光デバイスを、照明装置である電気スタンドに用いた例である。図１２に示す電気スタンドは、筐体２００１と、光源２００２を有し、光源２００２としては、実施の形態１０に記載の照明装置を用いても良い。
図１３は、実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一に記載の発光デバイスを、室内の照明装置３００１として用いた例である。実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一に記載の発光デバイスは発光効率の高い発光デバイスであるため、消費電力の小さい照明装置とすることができる。また、実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一に記載の発光デバイスは大面積化が可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。また、実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一に記載の発光デバイスは、薄型であるため、薄型化した照明装置として用いることが可能となる。
実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一に記載の発光デバイスは、自動車のフロントガラスまたはダッシュボードにも搭載することができる。図１４に実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一に記載の発光デバイスを自動車のフロントガラスまたはダッシュボードに用いる一態様を示す。表示領域５２００乃至表示領域５２０３は実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一に記載の発光デバイスを用いて設けられた表示領域である。
表示領域５２００と表示領域５２０１は自動車のフロントガラスに設けられた実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一に記載の発光デバイスを搭載した表示装置である。実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一に記載の発光デバイスは、第１の電極と第２の電極を透光性を有する電極で作製することによって、反対側が透けて見える、いわゆるシースルー状態の表示装置とすることができる。シースルー状態の表示であれば、自動車のフロントガラスに設置したとしても、視界の妨げになることなく設置することができる。なお、駆動のためのトランジスタなどを設ける場合には、有機半導体材料による有機トランジスタまたは、酸化物半導体を用いたトランジスタなど、透光性を有するトランジスタを用いると良い。
表示領域５２０２はピラー部分に設けられた実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一に記載の発光デバイスを搭載した表示装置である。表示領域５２０２には、車体に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、ピラーで遮られた視界を補完することができる。また、同様に、ダッシュボード部分に設けられた表示領域５２０３は車体によって遮られた視界を、自動車の外側に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、死角を補い、安全性を高めることができる。見えない部分を補完するように映像を映すことによって、より自然に違和感なく安全確認を行うことができる。
表示領域５２０３は、ナビゲーション情報、速度または回転、走行距離、燃料残量、ギア状態、空調の設定などを表示することで、様々な情報を提供することができる。表示は使用者の好みに合わせて適宜その表示項目またはレイアウトを変更することができる。なお、これら情報は表示領域５２００乃至表示領域５２０２にも設けることができる。また、表示領域５２００乃至表示領域５２０３は照明装置として用いることも可能である。
また、図１５（Ａ）乃至図１５（Ｃ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末９３１０を示す。図１５（Ａ）に展開した状態の携帯情報端末９３１０を示す。図１５（Ｂ）に展開した状態又は折りたたんだ状態の一方から他方に変化する途中の状態の携帯情報端末９３１０を示す。図１５（Ｃ）に折りたたんだ状態の携帯情報端末９３１０を示す。携帯情報端末９３１０は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。
表示パネル９３１１はヒンジ９３１３によって連結された３つの筐体９３１５に支持されている。なお、表示パネル９３１１は、タッチセンサ（入力装置）を搭載したタッチパネル（入出力装置）であってもよい。また、表示パネル９３１１は、ヒンジ９３１３を介して２つの筐体９３１５間を屈曲させることにより、携帯情報端末９３１０を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。本発明の一態様の発光装置を表示パネル９３１１に用いることができる。
なお、本実施の形態に示す構成は、実施の形態２乃至実施の形態６に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。
以上の様に実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一に記載の発光デバイスを備えた発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。実施の形態２乃至実施の形態６のいずれか一に記載の発光デバイスを用いることにより消費電力の小さい電子機器を得ることができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（合成例１）
本実施例では、本発明の一態様の有機化合物の物性および合成方法について説明する。具体的には、実施の形態１において構造式（０２９）で示す、２，９－ジ（１－ナフチル）－１０－フェニルアントラセン－１，３，４，５，６，７，８－ｄ７（略称：２αＮ－αＮＰｈＡ－ｄ７）の合成方法について説明する。なお、２αＮ－αＮＰｈＡ－ｄ７の構造を以下に示す。
Figure 2023020998000019
＜ステップ１：２－ブロモアントラセン－１，３，４，５，６，７，８，９，１０－ｄ９の合成＞
２．６ｇ（１０ｍｍｏｌ）の２－ブロモアントラセンを５０ｍＬ三口フラスコに加え、フラスコ内を窒素置換した。ここに２０ｍＬのトルエン－ｄ８（Ｔｏｌｕｅｎｅ－ｄ８）と０．９０ｇ（３．３ｍｍｏｌ）の五塩化モリブデン（Ｖ）（ＭｏＣｌ５）を加え、この混合物を窒素気流下、８０℃で１１時間攪拌した。
攪拌後、この混合物にトルエンと２Ｎ塩酸を加え、水層と有機層とに分けた。トルエンを用いて、水層に含まれる目的物を抽出した。得られた抽出液と有機層を合わせ、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液と、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。この混合物を自然濾過により濾別し、濾液を濃縮して褐色固体を得た。
得られた固体にトルエンを加えて加熱し、フロリジール（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：０６６－０５２６５）、セライト（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５３７－０２３０５）、アルミナを通して吸引ろ過し、ろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、褐色固体を得た。
得られた固体をトルエンとヘキサンにて再結晶し、不純物を再結晶化して取り除いた。吸引濾過して得た濾液を濃縮したところ、目的の白色固体を１．１ｇ、収率４１％で得た。ステップ１の合成スキームを下記（ａ－１）に示す。
Figure 2023020998000020
また、上記ステップ１で得られた固体のＬＣ／ＭＳ（Ｌｉｑｕｉｄ ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ／ｍａｓｓ ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）による分子量測定をしたところ、目的物の分子量２６５に対して、ｍ／ｅ＝２６５であったため、２－ブロモアントラセン－１，３，４，５，６，７，８，９，１０－ｄ９が得られたことが分かった。
＜ステップ２：２－（１－ナフチル）アントラセン－１，３，４，５，６，７，８，９，１０－ｄ９の合成＞
１．１ｇ（４．１ｍｍｏｌ）の２－ブロモアントラセン－１，３，４，５，６，７，８，９，１０－ｄ９と、０．９０ｇ（５．２ｍｍｏｌ）の１－ナフタレンボロン酸と、６０ｍｇ（０．２０ｍｍｏｌ）のトリ（ｏ－トリル）ホスフィン（略称：Ｐ（ｏ－ｔｏｌ）３）を１００ｍＬ三口フラスコに加え、フラスコ内を窒素置換した。ここに、３５ｍＬのトルエン（略称：Ｔｏｌｕｅｎｅ）と、１０ｍＬのエタノール（略称：ＥｔＯＨ）と、５ｍＬの２Ｍ炭酸カリウム（略称：Ｋ２ＣＯ３）水溶液を加え、フラスコ内を減圧脱気した後、混合物に２０ｍｇ（８９μｍｏｌ）の酢酸パラジウム（ＩＩ）（略称：Ｐｄ（ＯＡｃ）２）を加え、この混合物を窒素気流下、９０℃で６時間攪拌した。
攪拌後、この混合物に水を加え、水層と有機層とに分けた。トルエンを用いて、水層に含まれる目的物を抽出した。得られた抽出液と有機層を合わせ、水と、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。この混合物を自然濾過により濾別し、濾液を濃縮して褐色油状物を得た。
得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製したところ、目的物の白色固体を１．２ｇ、収率９３％で得た。合成スキームを下記（ａ－２）に示す。
Figure 2023020998000021
また、上記ステップ２で得られた白色固体の１Ｈ ＮＭＲによる測定結果を以下に示す。この結果から、２－（１－ナフチル）アントラセン－１，３，４，５，６，７，８，９，１０－ｄ９が得られたことがわかった。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：σ＝８．１４－７．９０（ｍ、３Ｈ）、７．６６－７．４２（ｍ、４Ｈ）。
＜ステップ３：２－（１－ナフチル）－９－ブロモアントラセン－１，３，４，５，６，７，８，１０－ｄ８の合成＞
１．２ｇ（３．８ｍｍｏｌ）の２－（１－ナフチル）アントラセン－１，３，４，５，６，７，８，９，１０－ｄ９を１Ｌナスフラスコに加え、フラスコ内を窒素置換した。ここに３０ｍＬのトルエンと、３０ｍＬのＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（略称：ＤＭＦ）を加え、室温で攪拌した。この溶液に０．７５ｇ（４．２ｍｍｏｌ）のＮ－ブロモスクシンイミド（略称：ＮＢＳ）を加え、室温にて２１時間撹拌した。
攪拌後、この混合物に水を加え、水層をトルエンで抽出した。得られた抽出液と有機層を合わせ、水と、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。この混合物を自然濾過により濾別し、濾液を濃縮して褐色固体を得た。
得られた固体にトルエン、メタノールを加えて超音波照射することにより精製したところ、目的の白色固体を０．６０ｇ、収率４０％で得た。ステップ３の合成スキームを下記（ａ－３）に示す。
Figure 2023020998000022
また、上記ステップ３で得られた白色固体の１Ｈ ＮＭＲによる測定結果を以下に示す。この結果から、２－（１－ナフチル）－９－ブロモアントラセン－１，３，４，５，６，７，８，１０－ｄ８が得られたことがわかった。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：σ＝７．９９－７．９２（ｍ、３Ｈ）、７．６３－７．４４（ｍ、４Ｈ）。
＜ステップ４：２，９－ジ（１－ナフチル）アントラセン－１，３，４，５，６，７，８，１０－ｄ８の合成＞
０．６０ｇ（１．５ｍｍｏｌ）の２－（１－ナフチル）－９－ブロモアントラセン－１，３，４，５，６，７，８，１０－ｄ８と、０．３０ｇ（１．７ｍｍｏｌ）の１－ナフタレンボロン酸と、３０ｍｇ（９９μｍｏｌ）のトリ（ｏ－トリル）ホスフィンを５０ｍＬ三口フラスコに加え、フラスコ内を窒素置換した。ここに、１５ｍＬのトルエンと、４ｍＬのエタノールと、２ｍＬの２Ｍ炭酸カリウム水溶液を加え、フラスコ内を減圧脱気した後、混合物に１０ｍｇ（４５μｍｏｌ）の酢酸パラジウム（ＩＩ）を加え、この混合物を窒素気流下、９０℃で２時間攪拌した。
攪拌後、この混合物に水を加え、水層をトルエンで抽出した。得られた抽出液と有機層を合わせ、水と、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。この混合物を自然濾過により濾別し、濾液を濃縮して褐色油状物を得た。
得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製したところ、目的物の白色固体を０．６０ｇ、収率８９％で得た。合成スキームを下記（ａ－４）に示す。
Figure 2023020998000023
また、上記ステップ４で得られた白色固体の１Ｈ ＮＭＲによる測定結果を以下に示す。この結果から、２，９－ジ（１－ナフチル）アントラセン－１，３，４，５，６，７，８，１０－ｄ８が得られたことがわかった。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：σ＝７．９７－７．９２（ｍ、２Ｈ）、７．８３－７．７５（ｍ、３Ｈ）、７．６５－７．３８（ｍ、５Ｈ）、７．３３－７．１６（ｍ、４Ｈ）。
＜ステップ５：２，９－ジ（１－ナフチル）－１０－ブロモアントラセン－１，３，４，５，６，７，８－ｄ７の合成＞
０．９９ｇ（２．３ｍｍｏｌ）の２，９－ジ（１－ナフチル）アントラセン－１，３，４，５，６，７，８，１０－ｄ８を５００ｍＬナスフラスコに加え、フラスコ内を窒素置換した。ここに２０ｍＬのトルエンと、３０ｍＬのＤＭＦを加え、５０℃に昇温させて溶解させた後、室温に戻して攪拌した。この溶液に０．５０ｇ（２．８ｍｍｏｌ）のＮ－ブロモスクシンイミドを加え、室温にて２１時間撹拌した。
攪拌後、この混合物に水を加え、水層をトルエンで抽出した。得られた抽出液と有機層を合わせ、水と、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。この混合物を自然濾過により濾別し、濾液を濃縮して褐色固体を得た。
得られた固体をトルエンにより再結晶したところ、目的の白色固体を１．０ｇ、収率８７％で得た。ステップ５の合成スキームを下記（ａ－５）に示す。
Figure 2023020998000024
また、上記ステップ５で得られた白色固体の１Ｈ ＮＭＲによる測定結果を以下に示す。この結果から、２，９－ジ（１－ナフチル）－１０－ブロモアントラセン－１，３，４，５，６，７，８－ｄ７が得られたことがわかった。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：σ＝７．９８－７．９３（ｍ、２Ｈ）、７．８４－７．７３（ｍ、３Ｈ）、７．６４－７．３８（ｍ、５Ｈ）、７．３２－７．１３（ｍ、４Ｈ）。
＜ステップ６：２αＮ－αＮＰｈＡ－ｄ７の合成＞
０．７ｇ（１．４ｍｍｏｌ）の２，９－ジ（１－ナフチル）－１０－ブロモアントラセン－１，３，４，５，６，７，８－ｄ７と、０．２０ｇ（１．６ｍｍｏｌ）のフェニルボロン酸と、６０ｍｇ（０．２０ｍｍｏｌ）のトリ（ｏ－トリル）ホスフィンを２００ｍＬ三口フラスコに加え、フラスコ内を窒素置換した。ここに、１５ｍＬのトルエンと、４ｍＬのエタノールと、２ｍＬの２Ｍ炭酸カリウム水溶液を加え、フラスコ内を減圧脱気した後、混合物に２０ｍｇ（８９μｍｏｌ）の酢酸パラジウム（ＩＩ）を加え、この混合物を窒素気流下、９０℃で２時間攪拌した。
攪拌後、この混合物に水を加え、水層をトルエンで抽出した。得られた抽出液と有機層を合わせ、水と、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥した。この混合物を自然濾過により濾別し、濾液を濃縮して褐色固体を得た。
得られた固体をトルエンにより再結晶したところ、目的の黄白色固体を０．６１ｇ、収率８８％で得た。ステップ６の合成スキームを下記（ａ－６）に示す。
Figure 2023020998000025
得られた化合物の重水素化クロロホルム（略称：ＣＤＣｌ３）溶液の１Ｈ ＮＭＲスペクトルを図１６（Ａ）および図１６（Ｂ）に示す。また、黄白色固体の１Ｈ ＮＭＲによる測定結果を以下に示す。この結果から、２αＮ－αＮＰｈＡ－ｄ７（構造式（０２９））が得られたことがわかった。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：σ＝７．９８－７．９４（ｍ、２Ｈ）、７．８１－７．７４（ｍ、３Ｈ）、７．６８－７．５８（ｍ、７Ｈ）、７．５３－７．３５（ｍ、３Ｈ）、７．３０－７．１８（ｍ、４Ｈ）。
得られた黄白色固体０．６０ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力３．０Ｐａの条件で、黄白色固体を２２５℃で１５時間加熱して行った。昇華精製後、目的物の黄色固体を収量０．４９ｇ、回収率８２％で得た。
＜物性＞
２αＮ－αＮＰｈＡ－ｄ７のトルエン溶液の紫外可視吸収スペクトルおよび発光スペクトルについて、図１７を用いて説明する。
図１７は、吸収強度の波長依存性および発光強度の波長依存性を説明する図である。
２αＮ－αＮＰｈＡ－ｄ７のトルエン溶液の紫外可視吸収スペクトルは、４０３ｎｍ付近に吸収強度のピークを備えていた（図１７参照）。また、発光スペクトルは、４２０ｎｍ付近に発光強度のピークを備えていた。なお、波長３８０ｎｍの光を励起光に用いた。
なお、紫外可視吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光度計（（株）日本分光製 Ｖ－７７０ＤＳ）を用いた。また、発光スペクトルの測定には、分光蛍光光度計（（株）日本分光製 ＦＰ－８６００ＤＳ）を用いた。
本実施例では、本発明の一態様の発光デバイス１について、図１８乃至図２５を参照しながら説明する。
図１８は、発光デバイス５５０Ｘの構成を説明する図である。
図１９は、発光デバイス１及び比較デバイス１の電流密度－輝度特性を説明する図である。
図２０は、発光デバイス１及び比較デバイス１の輝度－電流効率特性を説明する図である。
図２１は、発光デバイス１及び比較デバイス１の電圧－輝度特性を説明する図である。
図２２は、発光デバイス１及び比較デバイス１の電圧－電流特性を説明する図である。
図２３は、発光デバイス１及び比較デバイス１の輝度－外部量子効率特性を説明する図である。なお、発光デバイスの配光特性がランバーシアン型と仮定して、輝度から外部量子効率を算出した。
図２４は、発光デバイス１及び比較デバイス１を１０００ｃｄ／ｍ２の輝度で発光させた際の発光スペクトルを説明する図である。
図２５は、一定の電流密度（５０ｍＡ／ｃｍ２）で発光させた場合における、発光デバイス１及び比較デバイス１の規格化輝度の経時変化を説明する図である。
＜発光デバイス１＞
本実施例で説明する作製した発光デバイス１は、発光デバイス５５０Ｘと同様の構成を備える（図１８参照）。
発光デバイス１は、電極５５１と、電極５５２と、ユニット１０３と、を有する。電極５５２は電極５５１と重なり、ユニット１０３は、電極５５１および電極５５２の間に挟まれる。
ユニット１０３は、層１１１、層１１２および層１１３を備え、層１１１は、層１１２および層１１３の間に挟まれる。
また、層１１３は、電極５５２および層１１１の間に挟まれ、層１１２は、層１１１および電極５５１の間に挟まれ、層１１２は、正孔輸送性の材料を含む。
層１１１は、発光性の有機化合物ＥＭおよび下記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物を含む。
Figure 2023020998000026
ただし、上記一般式（Ｇ１）において、Ｒ１乃至Ｒ２６の少なくとも一は、重水素である。
また、Ｒ１乃至Ｒ７の少なくとも一は、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基または置換もしくは無置換のアリール基のいずれか一である。また、Ｒ１乃至Ｒ７の他は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基または置換もしくは無置換のアリール基のいずれか一である。
Ｒ８乃至Ｒ２６は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基または置換もしくは無置換のアリール基のいずれか一である。
なお、Ｒ１乃至Ｒ２６に置換するアルキル基は炭素数３以上１０以下であり、Ｒ１乃至Ｒ２６に置換するシクロアルキル基は炭素数３以上１０以下であり、Ｒ１乃至Ｒ２６に置換するトリアルキルシリル基は炭素数３以上１２以下であり、Ｒ１乃至Ｒ２６に置換するアリール基は、炭素数６以上２５以下である。
《発光デバイス１の構成》
発光デバイス１の構成を表１に示す。また、本実施例で説明する発光デバイスに用いた材料の構造式を以下に示す。なお、本実施例の表中において、下付き文字および上付き文字は、便宜上、標準の大きさで記載される。例えば、略称に用いる下付き文字および単位に用いる上付き文字は、表中において、標準の大きさで記載される。表中のこれらの記載は、明細書の記載を参酌して読み替えることができる。
Figure 2023020998000027
Figure 2023020998000028
《発光デバイス１の作製方法》
下記のステップを有する方法を用いて、本実施例で説明する発光デバイス１を作製した。
［第１のステップ］
第１のステップにおいて、電極５５１を形成した。具体的には、ターゲットにケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム－酸化スズ（略称：ＩＴＳＯ）を用いて、スパッタリング法により形成した。
なお、電極５５１はＩＴＳＯを含み、７０ｎｍの厚さと、４ｍｍ２（２ｍｍ×２ｍｍ）の面積を備える。
次いで、電極５５１が形成された基材を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。その後、１０－４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基材を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った。その後、基材を３０分程度放冷した。
［第２のステップ］
第２のステップにおいて、電極５５１上に層１０４を形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて材料を共蒸着した。
なお、層１０４は、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）－６－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ）および電子アクセプタ材料（略称：ＯＣＨＤ－００３）をＢＢＡＢｎｆ：ＯＣＨＤ－００３＝１：０．１（重量比）で含み、１０ｎｍの厚さを備える。なお、電子アクセプタ材料ＯＣＨＤ－００３はフッ素を含み、その分子量は６７２である。
［第３のステップ］
第３のステップにおいて、層１０４上に層１１２（１）を形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて材料を蒸着した。
なお、層１１２（１）はＢＢＡＢｎｆを含み、２０ｎｍの厚さを備える。
［第４のステップ］
第４のステップにおいて、層１１２（１）上に層１１２（２）を形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて材料を蒸着した。
なお、層１１２（２）は、３，３’－（ナフタレン－１，４－ジイル）ビス（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール）（略称：ＰＣｚＮ２）を含み、１０ｎｍの厚さを備える。
［第５のステップ］
第５のステップにおいて、層１１２（２）上に層１１１を形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて材料を共蒸着した。
なお、層１１１は、２，９－ジ（１－ナフチル）－１０－フェニルアントラセン－１，３，４，５，６，７，８－ｄ７（略称：２αＮ－αＮＰｈＡ－ｄ７）および３，１０－ビス［Ｎ－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ナフト［２，３－ｂ；６，７－ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）－０２）を２αＮ－αＮＰｈＡ－ｄ７：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）－０２＝１：０．０１５（重量比）で含み、２５ｎｍの厚さを備える。３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）－０２は青色の蛍光を放出する有機化合物であり、３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）－０２を発光性の有機化合物ＥＭに用いた。
［第６のステップ］
第６のステップにおいて、層１１１上に層１１３（１）を形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて材料を蒸着した。
なお、層１１３（１）は、２－［３－（３’－ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ）を含み、１０ｎｍの厚さを備える。
［第７のステップ］
第７のステップにおいて、層１１３（１）上に層１１３（２）を形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて材料を蒸着した。
なお、層１１３（２）は、２，９－ジ（２－ナフチル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）を含み、２０ｎｍの厚さを備える。
［第８のステップ］
第８のステップにおいて、層１１３（２）上に層１０５を形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて材料を蒸着した。
なお、層１０５はフッ化リチウム（略称：ＬｉＦ）を含み、１ｎｍの厚さを備える。
［第９のステップ］
第９のステップにおいて、層１０５上に電極５５２を形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて材料を蒸着した。
なお、電極５５２はアルミニウム（略称：Ａｌ）を含み、１５０ｎｍの厚さを備える。
《発光デバイス１の動作特性》
電力を供給すると発光デバイス１は光ＥＬＸを射出した（図１８参照）。発光デバイス１の動作特性を、室温にて測定した（図１９乃至図２４参照）。なお、輝度、ＣＩＥ色度および発光スペクトルの測定には、分光放射計（トプコン社製、ＳＲ－ＵＬ１Ｒ）を用いた。
作製した発光デバイスを輝度１０００ｃｄ／ｍ２程度で発光させた場合の主な初期特性を表２に示す。また、発光デバイスを一定の電流密度（５０ｍＡ／ｃｍ２）で発光させ、輝度が初期輝度の９５％に低下するまでの経過時間であるＬＴ９５を表２に示す。また、構成を後述する他の発光デバイスの特性も表２に記載する。
Figure 2023020998000029
発光デバイス１は、良好な特性を示すことがわかった。特に、初期輝度の９５％に低下するまでの経過時間が、比較デバイス１に比べて長く、高い信頼性を備えていた。
炭素－水素結合より結合解離エネルギーが大きい炭素－重水素結合を利用して、化合物の結合解離エネルギーを大きくすることができる。また、励起状態における化合物構造内の結合解離を抑制することができる。また、炭素－重水素結合の解離による化合物の劣化または変質を抑制することができる。また、劣化物の生成を抑えることができる。また、劣化物による発光効率の低下を抑制することが可能となる。また、発光効率の高い発光デバイスを提供することができる。また、良好な駆動寿命を備える発光デバイスを提供することができる。また、駆動に伴う発光色の変化を抑制できる。また、色純度の高い発光デバイスを提供することができる。その結果、利便性、有用性または信頼性に優れた新規な発光デバイスを提供することができた。
（参考例）
本参考例で説明する作製した比較デバイス１は、発光デバイス５５０Ｘと同様の構成を備える（図１８参照）。
《比較デバイス１の構成》
比較デバイス１の構成を表１に示す。なお、２αＮ－αＮＰｈＡ－ｄ７に換えて２，９－ジ（１－ナフチル）－１０－フェニルアントラセン（略称：２αＮ－αＮＰｈＡ）を用いた点が、発光デバイス１とは異なる。２αＮ－αＮＰｈＡの構造式を以下に示す。
Figure 2023020998000030
《比較デバイス１の作製方法》
下記のステップを有する方法を用いて、本参考例で説明する比較デバイス１を作製した。なお、比較デバイス１の作製方法は、層１１１を形成するステップにおいて、２αＮ－αＮＰｈＡ－ｄ７に換えて２αＮ－αＮＰｈＡを用いた点が、発光デバイス１の作製方法とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の方法を用いた部分については、上記の説明を援用する。
［第５のステップ］
第５のステップにおいて、層１１２（２）上に層１１１を形成した。具体的には、抵抗加熱法を用いて材料を共蒸着した。
なお、層１１１は、２αＮ－αＮＰｈＡおよび３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）－０２を２αＮ－αＮＰｈＡ：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）－０２＝１：０．０１５（重量比）で含み、２５ｎｍの厚さを備える。
ＥＬＸ 光
ＥＬＸ２ 光
ＥＬＹ 光
ｈｖ 光
ＨＭ１ ＨＯＭＯ準位
ＨＭ２ ＨＯＭＯ準位
１０３ ユニット
１０３Ｓ ユニット
１０３Ｘ ユニット
１０３Ｘ２ ユニット
１０３Ｙ ユニット
１０４ 層
１０４Ｘ 層
１０４ＸＹ 間隙
１０４Ｙ 層
１０５ 層
１０５＿２ 層
１０６ 層
１０６＿１ 層
１０６＿２ 層
１１１ 層
１１１Ｘ 層
１１１Ｘ２ 層
１１１Ｙ 層
１１２ 層
１１２＿２ 層
１１２Ｘ 層
１１２Ｘ２ 層
１１２Ｙ 層
１１３ 層
１１３＿２ 層
１１３Ｘ 層
１１３Ｙ 層
１１４Ｎ 層
１１４Ｐ 層
１１４Ｓ 層
４００ 基板
４０１ 電極
４０３ ＥＬ層
４０４ 電極
４０５ シール材
４０６ シール材
４０７ 封止基板
４１２ パッド
４２０ ＩＣチップ
５２１ 絶縁膜
５２８ 絶縁膜
５２９ 絶縁膜
５２９ＸＹ 絶縁膜
５５０Ｓ 光電変換デバイス
５５０Ｘ 発光デバイス
５５０Ｙ 発光デバイス
５５１ 電極
５５１Ｓ 電極
５５１Ｘ 電極
５５１ＸＳ 間隙
５５１ＸＹ 間隙
５５１Ｙ 電極
５５２ 電極
５５２Ｓ 電極
５５２Ｘ 電極
５５２Ｙ 電極
６０１ ソース線駆動回路
６０２ 画素部
６０３ ゲート線駆動回路
６０４ 封止基板
６０５ シール材
６０７ 空間
６０８ 配線
６０９ 外部入力端子
６１０ 素子基板
６１１ スイッチング用ＦＥＴ
６１２ 電流制御用ＦＥＴ
６１３ 電極
６１４ 絶縁物
６１６ ＥＬ層
６１７ 電極
６１８ 発光デバイス
６２３ ＦＥＴ
７００ 表示装置
９５１ 基板
９５２ 電極
９５３ 絶縁層
９５４ 隔壁層
９５５ ＥＬ層
９５６ 電極
１００１ 基板
１００２ 下地絶縁膜
１００３ ゲート絶縁膜
１００６ ゲート電極
１００７ ゲート電極
１００８ ゲート電極
１０２０ 層間絶縁膜
１０２１ 層間絶縁膜
１０２２ 電極
１０２４Ｂ 電極
１０２４Ｇ 電極
１０２４Ｒ 電極
１０２４Ｗ 電極
１０２５ 隔壁
１０２８ ＥＬ層
１０２９ 電極
１０３１ 封止基板
１０３２ シール材
１０３３ 基材
１０３４Ｂ 着色層
１０３４Ｇ 着色層
１０３４Ｒ 着色層
１０３５ ブラックマトリクス
１０３６ オーバーコート層
１０３７ 層間絶縁膜
１０４０ 画素部
１０４１ 駆動回路部
１０４２ 周辺部
２００１ 筐体
２００２ 光源
２１００ ロボット
２１０２ マイクロフォン
２１０３ 上部カメラ
２１０４ スピーカ
２１０５ ディスプレイ
２１０６ 下部カメラ
２１０７ 障害物センサ
２１０８ 移動機構
２１１０ 演算装置
３００１ 照明装置
５０００ 筐体
５００１ 表示部
５００２ 表示部
５００３ スピーカ
５００４ ＬＥＤランプ
５００６ 接続端子
５００７ センサ
５００８ マイクロフォン
５０１２ 支持部
５０１３ イヤホン
５１００ 掃除ロボット
５１０１ ディスプレイ
５１０２ カメラ
５１０３ ブラシ
５１０４ 操作ボタン
５１２０ ゴミ
５１４０ 携帯電子機器
５２００ 表示領域
５２０１ 表示領域
５２０２ 表示領域
５２０３ 表示領域
７１０１ 筐体
７１０３ 表示部
７１０５ スタンド
７１０７ 表示部
７１０９ 操作キー
７１１０ リモコン操作機
７２０１ 本体
７２０２ 筐体
７２０３ 表示部
７２０４ キーボード
７２０５ 外部接続ポート
７２０６ ポインティングデバイス
７２１０ 表示部
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ 操作ボタン
７４０４ 外部接続ポート
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク
９３１０ 携帯情報端末
９３１１ 表示パネル
９３１３ ヒンジ
９３１５ 筐体

Claims (10)

  1. 一般式（Ｇ１）で表される有機化合物。
    Figure 2023020998000031
    ただし、上記一般式（Ｇ１）において、Ｒ１乃至Ｒ２６の少なくとも一は、重水素であり、
    Ｒ１乃至Ｒ７の少なくとも一は、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基または置換もしくは無置換のアリール基のいずれか一であり、
    Ｒ１乃至Ｒ７の他は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基または置換もしくは無置換のアリール基のいずれか一であり、
    Ｒ８乃至Ｒ２６は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基または置換もしくは無置換のアリール基のいずれか一であり、
    前記アルキル基は、炭素数３以上１０以下であり、
    前記シクロアルキル基は、炭素数３以上１０以下であり、
    前記トリアルキルシリル基は、炭素数３以上１２以下であり、
    前記アリール基は、炭素数６以上２５以下である。
  2. 一般式（Ｇ１）で表される有機化合物。
    Figure 2023020998000032
    ただし、上記一般式（Ｇ１）において、Ｒ１乃至Ｒ７は、水素であり、
    Ｒ２０乃至Ｒ２６の少なくとも一は、重水素であり、
    Ｒ２０乃至Ｒ２６の他およびＲ８乃至Ｒ１９は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基または置換もしくは無置換のアリール基のいずれか一であり、
    前記アルキル基は、炭素数３以上１０以下であり、
    前記シクロアルキル基は、炭素数３以上１０以下であり、
    前記トリアルキルシリル基は、炭素数３以上１２以下であり、
    前記アリール基は、炭素数６以上２５以下である。
  3. 一般式（Ｇ２）で表される有機化合物。
    Figure 2023020998000033
    ただし、上記一般式（Ｇ２）において、Ｒ１乃至Ｒ７は、それぞれ独立に、水素または置換もしくは無置換のアリール基のいずれか一であり、
    Ｒ８乃至Ｒ１９は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のトリアルキルシリル基または置換もしくは無置換のアリール基のいずれか一であり、
    前記アルキル基は、炭素数３以上１０以下であり、
    前記シクロアルキル基は、炭素数３以上１０以下であり、
    前記トリアルキルシリル基は、炭素数３以上１２以下であり、
    前記アリール基は、炭素数６以上２５以下である。
  4. 一般式（Ｇ２）で表される有機化合物。
    Figure 2023020998000034
    ただし、上記一般式（Ｇ２）において、Ｒ１乃至Ｒ７は、それぞれ独立に、水素または置換もしくは無置換のアリール基であり、
    Ｒ８乃至Ｒ１９は、水素であり、
    前記アリール基は、炭素数６以上２５以下である。
  5. 第１の電極と、
    第２の電極と、
    ユニットと、を有し、
    前記ユニットは、前記第１の電極および前記第２の電極の間に挟まれ、
    前記ユニットは、発光性の有機化合物および請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の有機化合物を含む、発光デバイス。
  6. 第１の電極と、
    第２の電極と、
    ユニットと、を有し、
    前記ユニットは、前記第１の電極および前記第２の電極の間に挟まれ、
    前記ユニットは、第１の層、第２の層および第３の層を備え、
    前記第１の層は、前記第２の層および前記第３の層の間に挟まれ、
    前記第３の層は、前記第２の電極および前記第１の層の間に挟まれ、
    前記第２の層は、前記第１の層および前記第１の電極の間に挟まれ、
    前記第２の層は、正孔輸送性の材料を含み、
    前記第１の層は、発光性の有機化合物および請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の有機化合物を含む、発光デバイス。
  7. 第１の電極と、
    第２の電極と、
    ユニットと、を有し、
    前記ユニットは、前記第１の電極および前記第２の電極の間に挟まれ、
    前記ユニットは、第１の層、第２の層および第３の層を備え、
    前記第１の層は、前記第２の層および前記第３の層の間に挟まれ、
    前記第３の層は、前記第２の電極および前記第１の層の間に挟まれ、
    前記第２の層は、前記第１の層および前記第１の電極の間に挟まれ、
    前記第２の層は、正孔輸送性の材料を含み、
    前記第１の層は、発光性の有機化合物を含み、
    前記第３の層は、請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の有機化合物を含む、発光デバイス。
  8. 第１の電極と、
    第２の電極と、
    ユニットと、を有し、
    前記ユニットは、前記第１の電極および前記第２の電極の間に挟まれ、
    前記ユニットは、発光性の有機化合物および請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の有機化合物を含み、
    前記発光性の有機化合物は、青色の蛍光を放出する、発光デバイス。
  9. 第１の電極と、
    第２の電極と、
    ユニットと、を有し、
    前記ユニットは、前記第１の電極および前記第２の電極の間に挟まれ、
    前記ユニットは、第１の層、第２の層および第３の層を備え、
    前記第１の層は、前記第２の層および前記第３の層の間に挟まれ、
    前記第３の層は、前記第２の電極および前記第１の層の間に挟まれ、
    前記第２の層は、前記第１の層および前記第１の電極の間に挟まれ、
    前記第２の層は、正孔輸送性の材料を含み、
    前記第１の層は、発光性の有機化合物および請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の有機化合物を含み、
    前記発光性の有機化合物は、青色の蛍光を放出する、発光デバイス。
  10. 第１の電極と、
    第２の電極と、
    ユニットと、を有し、
    前記ユニットは、前記第１の電極および前記第２の電極の間に挟まれ、
    前記ユニットは、第１の層、第２の層および第３の層を備え、
    前記第１の層は、前記第２の層および前記第３の層の間に挟まれ、
    前記第３の層は、前記第２の電極および前記第１の層の間に挟まれ、
    前記第２の層は、前記第１の層および前記第１の電極の間に挟まれ、
    前記第２の層は、正孔輸送性の材料を含み、
    前記第１の層は、発光性の有機化合物を含み、
    前記第３の層は、請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の有機化合物を含み、
    前記発光性の有機化合物は、青色の蛍光を放出する、発光デバイス。
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