JP2023010305A - Photoelectric converter, imager, photosensor, and compound - Google Patents

Photoelectric converter, imager, photosensor, and compound Download PDF

Info

Publication number
JP2023010305A
JP2023010305A JP2021114352A JP2021114352A JP2023010305A JP 2023010305 A JP2023010305 A JP 2023010305A JP 2021114352 A JP2021114352 A JP 2021114352A JP 2021114352 A JP2021114352 A JP 2021114352A JP 2023010305 A JP2023010305 A JP 2023010305A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substituent
group
ring
formula
hydrogen atom
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2021114352A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
和平 金子
wahei Kaneko
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Priority to JP2021114352A priority Critical patent/JP2023010305A/en
Publication of JP2023010305A publication Critical patent/JP2023010305A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

To provide a photoelectric converter excellent in manufacturing suitability and also excellent in photoelectric conversion efficiency for a specific wavelength; and an imager, a photosensor and a compound.SOLUTION: The photoelectric converter has a conductive film, a photoelectric conversion film and a transparent conductive film in this order, where the photoelectric conversion film contains a compound represented by formula (1).SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、光電変換素子、撮像素子、光センサ及び化合物に関する。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to a photoelectric conversion device, an imaging device, an optical sensor, and a compound.

近年、光電変換膜を有する素子の開発が進んでいる。例えば、特許文献1では、光電変換素子に適用される材料として、下記式で表される化合物が開示されている。 In recent years, the development of devices having a photoelectric conversion film has progressed. For example, Patent Document 1 discloses a compound represented by the following formula as a material applied to a photoelectric conversion element.

Figure 2023010305000001
Figure 2023010305000001

国際公開第2020/013246号WO2020/013246

近年、撮像素子及び光センサ等の性能向上の要求に伴い、これらに使用される光電変換素子に求められる諸特性の更なる向上が求められている。例えば、光電変換素子においては、光電変換素子が有する光電変換膜の製造適性に優れること、及び、光電変換素子の緑色光(例えば、波長500nm等)及び赤色光(例えば、波長600nm等)に対する光電変換効率に優れること(以下、「特定波長に対する光電変換効率」ともいう。)が求められている。
製造適性とは、光電変換膜の成膜速度を高速化した際にも光電変換効率に優れる光電変換素子を得られることを意味する。
2. Description of the Related Art In recent years, along with the demand for improved performance of imaging devices, optical sensors, and the like, there is a demand for further improvement in various characteristics required of photoelectric conversion devices used in these devices. For example, in the photoelectric conversion element, the photoelectric conversion film possessed by the photoelectric conversion element must be excellent in manufacturing aptitude, and the photoelectric conversion element for green light (e.g., wavelength 500 nm) and red light (e.g., wavelength 600 nm). Excellent conversion efficiency (hereinafter also referred to as “photoelectric conversion efficiency for a specific wavelength”) is required.
The manufacturability means that a photoelectric conversion element having excellent photoelectric conversion efficiency can be obtained even when the film formation speed of the photoelectric conversion film is increased.

本発明者は、特許文献1等に開示されている化合物を用いた光電変換素子について検討したところ、製造適性及び特定波長に対する光電変換効率の両立が困難であることを知見した。 The present inventors have studied photoelectric conversion elements using compounds disclosed in Patent Document 1 and the like, and have found that it is difficult to achieve both manufacturing suitability and photoelectric conversion efficiency for a specific wavelength.

そこで、本発明は、製造適性に優れ、特定波長に対する光電変換効率にも優れる光電変換素子を提供することを課題とする。また、本発明は、撮像素子、光センサ及び化合物の提供も課題とする。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a photoelectric conversion element that is excellent in manufacturability and also excellent in photoelectric conversion efficiency with respect to a specific wavelength. Another object of the present invention is to provide an imaging device, an optical sensor, and a compound.

本発明者らは、上記課題について鋭意検討した結果、所定の構造を有する化合物を光電変換膜に用いれば上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。 As a result of intensive studies on the above problems, the present inventors have found that the above problems can be solved by using a compound having a predetermined structure in a photoelectric conversion film, and have completed the present invention.

〔1〕
導電性膜、光電変換膜及び透明導電性膜をこの順で有する光電変換素子であって、
上記光電変換膜が、後述する式(1)で表される化合物を含む、光電変換素子。
〔2〕
a11が、酸素原子である、〔1〕に記載の光電変換素子。
〔3〕
Ara11が、5員環である、〔1〕又は〔2〕に記載の光電変換素子。
〔4〕
が、後述する式(2A)で表される基又は後述する式(3A)で表される基である、〔1〕~〔3〕のいずれか1つに記載の光電変換素子。
〔5〕
が、後述する式(1D)~後述する式(3D)のいずれかで表される基である、〔1〕~〔4〕のいずれか1つに記載の光電変換素子。
〔6〕
が、上記後述する式(1D)で表される基である、〔5〕に記載の光電変換素子。
〔7〕
が、後述する式(4D)で表される基である、〔1〕~〔6〕のいずれか1つに記載の光電変換素子。
〔8〕
が、後述する式(5D)で表される基である、〔1〕~〔7〕のいずれか1つに記載の光電変換素子。
〔9〕
が、後述する式(6D)で表される基である、〔1〕~〔8〕のいずれか1つに記載の光電変換素子。
〔10〕
上記光電変換膜が、更にn型有機半導体を含み、
上記光電変換膜が、上記後述する式(1)で表される化合物と、上記n型有機半導体とが混合された状態で形成するバルクへテロ構造を有する、〔1〕~〔9〕のいずれか1つに記載の光電変換素子。
〔11〕
上記n型有機半導体が、フラーレン及びその誘導体からなる群から選択されるフラーレン類を含む、〔10〕に記載の光電変換素子。
〔12〕
上記光電変換膜が、更にp型有機半導体を含む、〔10〕又は〔11〕に記載の光電変換素子。
〔13〕
上記導電性膜と上記透明導電性膜の間に、上記光電変換膜の他に1種以上の中間層を有する、〔1〕~〔12〕のいずれか1つに記載の光電変換素子。
〔14〕
〔1〕~〔13〕のいずれか1つに記載の光電変換素子を有する、撮像素子。
〔15〕
〔1〕~〔13〕のいずれか1つに記載の光電変換素子を有する、光センサ。
〔16〕
後述する式(1)で表される化合物。
〔17〕
a11が、酸素原子である、〔16〕に記載の化合物。
〔18〕
Ara11が、5員環である、〔16〕又は〔17〕に記載の化合物。
〔19〕
が、後述する式(2A)で表される基又は後述する式(3A)で表される基である、〔16〕~〔18〕のいずれか1つに記載の化合物。
〔20〕
が、後述する式(1D)~後述する式(3D)のいずれかで表される基である、〔16〕~〔19〕のいずれか1つに記載の化合物。
〔21〕
が、上記後述する式(1D)で表される基である、〔20〕に記載の化合物。
〔22〕
が、後述する式(4D)で表される基である、〔16〕~〔21〕のいずれか1つに記載の化合物。
〔23〕
が、後述する式(5D)で表される基である、〔16〕~〔22〕のいずれか1つに記載の化合物。
〔24〕
が、後述する式(6D)で表される基である、〔16〕~〔23〕のいずれか1つに記載の化合物。
[1]
A photoelectric conversion element having a conductive film, a photoelectric conversion film and a transparent conductive film in this order,
A photoelectric conversion device, wherein the photoelectric conversion film contains a compound represented by formula (1) described later.
[2]
The photoelectric conversion device according to [1], wherein Y a11 is an oxygen atom.
[3]
The photoelectric conversion device according to [1] or [2], wherein Ar a11 is a five-membered ring.
[4]
The photoelectric conversion device according to any one of [1] to [3], wherein A 1 is a group represented by formula (2A) described later or a group represented by formula (3A) described later.
[5]
The photoelectric conversion element according to any one of [1] to [4], wherein D 1 is a group represented by any one of formulas (1D) to (3D) described below.
[6]
The photoelectric conversion element according to [5], wherein D 1 is a group represented by formula (1D) described later.
[7]
The photoelectric conversion device according to any one of [1] to [6], wherein D 1 is a group represented by formula (4D) described later.
[8]
The photoelectric conversion device according to any one of [1] to [7], wherein D 1 is a group represented by formula (5D) described later.
[9]
The photoelectric conversion device according to any one of [1] to [8], wherein D 1 is a group represented by formula (6D) described later.
[10]
The photoelectric conversion film further contains an n-type organic semiconductor,
Any one of [1] to [9], wherein the photoelectric conversion film has a bulk heterostructure formed in a state where the compound represented by the formula (1) described later and the n-type organic semiconductor are mixed. or the photoelectric conversion element according to one.
[11]
The photoelectric conversion device according to [10], wherein the n-type organic semiconductor contains fullerenes selected from the group consisting of fullerenes and derivatives thereof.
[12]
The photoelectric conversion element according to [10] or [11], wherein the photoelectric conversion film further contains a p-type organic semiconductor.
[13]
The photoelectric conversion element according to any one of [1] to [12], which has one or more intermediate layers in addition to the photoelectric conversion film between the conductive film and the transparent conductive film.
[14]
An imaging device comprising the photoelectric conversion device according to any one of [1] to [13].
[15]
An optical sensor comprising the photoelectric conversion element according to any one of [1] to [13].
[16]
A compound represented by formula (1) described later.
[17]
The compound of [16], wherein Y a11 is an oxygen atom.
[18]
The compound of [16] or [17], wherein Ar a11 is a 5-membered ring.
[19]
The compound according to any one of [16] to [18], wherein A 1 is a group represented by formula (2A) described below or a group represented by formula (3A) described below.
[20]
The compound according to any one of [16] to [19], wherein D 1 is a group represented by any one of formulas (1D) to (3D) described below.
[21]
The compound according to [20], wherein D 1 is a group represented by formula (1D) described later.
[22]
The compound according to any one of [16] to [21], wherein D 1 is a group represented by formula (4D) described later.
[23]
The compound according to any one of [16] to [22], wherein D 1 is a group represented by formula (5D) described later.
[24]
The compound according to any one of [16] to [23], wherein D 1 is a group represented by formula (6D) described below.

本発明によれば、製造適性に優れ、特定波長に対する光電変換効率にも優れる光電変換素子を提供できる。また、本発明によれば、撮像素子、光センサ及び化合物を提供できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the photoelectric conversion element which is excellent in the manufacturing aptitude, and is excellent also in the photoelectric conversion efficiency with respect to a specific wavelength can be provided. Further, according to the present invention, an imaging device, an optical sensor, and a compound can be provided.

光電変換素子の一構成例を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows one structural example of a photoelectric conversion element. 光電変換素子の一構成例を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows one structural example of a photoelectric conversion element.

以下に、本発明の光電変換素子の好適実施形態について説明する。
本明細書において、「~」を用いて表される数値範囲は、「~」前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
本明細書において、特定の符号で表示された置換基及び連結基等(以下、「置換基等」ともいう。)が複数あるとき、又は、複数の置換基等を同時に規定するときには、それぞれの置換基等は互いに同一でも異なっていてもよいことを意味する。この点は、置換基等の数の規定についても同様である。
本明細書において、水素原子は、軽水素原子(通常の水素原子)及び重水素原子(例えば、二重水素原子等)であってもよい。
本明細書において、「置換基」は、特段の断りがない限り、後述する置換基Wで例示される基が挙げられる。
Preferred embodiments of the photoelectric conversion device of the present invention are described below.
In the present specification, a numerical range represented using "to" means a range including the numerical values described before and after "to" as lower and upper limits.
In this specification, when there are multiple substituents, linking groups, etc. (hereinafter also referred to as "substituents, etc.") indicated by specific symbols, or when multiple substituents, etc. are defined at the same time, each It means that substituents and the like may be the same or different from each other. This point also applies to the definition of the number of substituents and the like.
As used herein, the hydrogen atom may be a protium atom (ordinary hydrogen atom) or a deuterium atom (eg, a double hydrogen atom, etc.).
In the present specification, unless otherwise specified, the "substituent" includes groups exemplified for the substituent W described later.

(置換基W)
本明細書における置換基Wについて記載する。
置換基Wは、例えば、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等)、アルキル基(シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、及び、トリシクロアルキル基を含む)、アルケニル基(シクロアルケニル基及びビシクロアルケニル基を含む)、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基(ヘテロ環基といってもよい。)、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、2級又は3級のアミノ基(アニリノ基を含む。)、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、アルキル又はアリールスルフィニル基、アルキル又はアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリール又はヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、カルボキシ基、リン酸基、スルホン酸基、ヒドロキシ基、チオール基、アシルアミノ基、カルバモイル基、ウレイド基、ボロン酸基及び1級アミノ基が挙げられる。また、上述の各基は、可能な場合、更に置換基(例えば、上述の各基のうちの1以上の基)を有してもよい。例えば、置換基を有してもよいアルキル基も、置換基Wの一形態として含まれる。
また、置換基Wが炭素原子を有する場合、置換基Wが有する炭素数は、例えば、1~20である。
置換基Wが有する水素原子以外の原子の数は、例えば、1~30である。
なお、特定化合物は、置換基として、カルボキシ基、カルボキシ基の塩、リン酸基の塩、スルホン酸基、スルホン酸基の塩、ヒドロキシ基、チオール基、アシルアミノ基、カルバモイル基、ウレイド基、ボロン酸基(-B(OH))、及び/又は、1級アミノ基を有さないことも好ましい。
(Substituent W)
The substituent W in this specification is described.
Substituent W is, for example, a halogen atom (e.g., fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom, etc.), alkyl group (including cycloalkyl group, bicycloalkyl group, and tricycloalkyl group), alkenyl group ( cycloalkenyl groups and bicycloalkenyl groups), alkynyl groups, aryl groups, heteroaryl groups (also referred to as heterocyclic groups), cyano groups, nitro groups, alkoxy groups, aryloxy groups, silyloxy groups, heterocycles oxy group, acyloxy group, carbamoyloxy group, alkoxycarbonyloxy group, aryloxycarbonyloxy group, secondary or tertiary amino group (including anilino group), alkylthio group, arylthio group, heterocyclic thio group, alkyl or arylsulfinyl group, alkyl or arylsulfonyl group, acyl group, aryloxycarbonyl group, alkoxycarbonyl group, aryl or heterocyclic azo group, imide group, phosphino group, phosphinyl group, phosphinyloxy group, phosphinylamino group, A phosphono group, a silyl group, a carboxy group, a phosphate group, a sulfonic acid group, a hydroxy group, a thiol group, an acylamino group, a carbamoyl group, a ureido group, a boronic acid group and a primary amino group. In addition, each group described above may further have a substituent (for example, one or more groups among the groups described above), if possible. For example, an alkyl group which may have a substituent is also included as one form of the substituent W.
Further, when the substituent W has carbon atoms, the carbon number of the substituent W is, for example, 1 to 20.
The number of atoms other than hydrogen atoms possessed by the substituent W is, for example, 1-30.
In addition, the specific compound has, as a substituent, a carboxy group, a salt of a carboxy group, a salt of a phosphoric acid group, a sulfonic acid group, a salt of a sulfonic acid group, a hydroxy group, a thiol group, an acylamino group, a carbamoyl group, a ureido group, a boron It is also preferred not to have acid groups (-B(OH) 2 ) and/or primary amino groups.

本明細書において、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。 As used herein, halogen atoms include, for example, fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms.

また、本明細書において、特段の断りがない限り、アルキル基の炭素数は、1~20が好ましく、1~10がより好ましく、1~6が更に好ましい。
アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよい。
アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、t-ブチル基、n-ヘキシル基及びシクロペンチル基が挙げられる。
また、アルキル基は、例えば、シクロアルキル基、ビシクロアルキル基及びトリシクロアルキル基であってもよく、これらの環状構造を部分構造として有してもよい。
置換基を有してもよいアルキル基において、アルキル基が有してもよい置換基は特に制限されず、例えば、置換基Wが挙げられ、アリール基(好ましくは炭素数6~18、より好ましくは炭素数6)、ヘテロアリール基(好ましくは炭素数5~18、より好ましくは炭素数5~6)又はハロゲン原子(好ましくはフッ素原子又は塩素原子)が好ましい。
In this specification, unless otherwise specified, the number of carbon atoms in the alkyl group is preferably 1-20, more preferably 1-10, and even more preferably 1-6.
Alkyl groups may be linear, branched or cyclic.
Alkyl groups include, for example, methyl, ethyl, n-propyl, i-propyl, n-butyl, t-butyl, n-hexyl and cyclopentyl groups.
Also, the alkyl group may be, for example, a cycloalkyl group, a bicycloalkyl group, or a tricycloalkyl group, and may have a cyclic structure thereof as a partial structure.
In the alkyl group which may have a substituent, the substituent which the alkyl group may have is not particularly limited. has 6 carbon atoms), a heteroaryl group (preferably 5 to 18 carbon atoms, more preferably 5 to 6 carbon atoms) or a halogen atom (preferably a fluorine atom or a chlorine atom).

本明細書において、特段の断りがない限り、アルコキシ基におけるアルキル基部分は上記アルキル基が好ましい。アルキルチオ基におけるアルキル基部分は上記アルキル基が好ましい。
置換基を有してもよいアルコキシ基において、アルコキシ基が有してもよい置換基は、置換基を有してもよいアルキル基における置換基と同様の例が挙げられる。置換基を有してもよいアルキルチオ基において、アルキルチオ基が有してもよい置換基は、置換基を有してもよいアルキル基における置換基と同様の例が挙げられる。
In this specification, unless otherwise specified, the alkyl group moiety in the alkoxy group is preferably the above alkyl group. The alkyl group portion in the alkylthio group is preferably the alkyl group described above.
In the alkoxy group which may have a substituent, examples of the substituent which the alkoxy group may have are the same as those of the alkyl group which may have a substituent. In the alkylthio group which may have a substituent, examples of the substituent which the alkylthio group may have are the same as those of the alkyl group which may have a substituent.

本明細書において、特段の断りがない限り、アルケニル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよい。上記アルケニル基の炭素数は、2~20が好ましい。置換基を有してもよいアルケニル基において、アルケニル基が有してもよい置換基は、置換基を有してもよいアルキル基における置換基と同様の例が挙げられる。
本明細書において、特段の断りがない限り、アルキニル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよい。上記アルキニル基の炭素数は、2~20が好ましい。置換基を有してもよいアルキニル基において、アルキニル基が有してもよい置換基は、置換基を有してもよいアルキル基における置換基と同様の例が挙げられる。
In this specification, unless otherwise specified, alkenyl groups may be linear, branched or cyclic. The alkenyl group preferably has 2 to 20 carbon atoms. In the alkenyl group which may have a substituent, examples of the substituent which the alkenyl group may have are the same as those of the alkyl group which may have a substituent.
In this specification, unless otherwise specified, alkynyl groups may be linear, branched or cyclic. The alkynyl group preferably has 2 to 20 carbon atoms. In the alkynyl group which may have a substituent, examples of the substituent which the alkynyl group may have are the same as those of the alkyl group which may have a substituent.

本明細書において、特段の断りがない限り、置換基を有してもよいシリル基としては、例えば、-Si(RS1)(RS2)(RS3)で表される基が挙げられる。RS1、RS2及びRS3は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアルキルチオ基、置換基を有してもよいアリール基又は置換基を有してもよいヘテロアリール基を表すことが好ましい。 In the present specification, unless otherwise specified, examples of silyl groups which may have substituents include groups represented by —Si(R S1 )(R S2 )(R S3 ). R S1 , R S2 and R S3 each independently represent a hydrogen atom or a substituent, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted alkoxy group, or a substituted It preferably represents an alkylthio group which may be substituted, an aryl group which may be substituted, or a heteroaryl group which may be substituted.

本明細書において、芳香環は、特段の断りがない限り、単環及び多環(例えば、2~6環等)のいずれであってもよい。単環の芳香環は、環構造として、1環の芳香環構造のみを有する芳香環である。多環(例えば、2~6環等)の芳香環は、環構造として複数(例えば、2~6等)の芳香環構造が縮環している芳香環である。
上記芳香環の環員原子の数は、5~15が好ましい。
上記芳香環は、芳香族炭化水素環でも芳香族複素環でもよい。
上記芳香環が芳香族複素環の場合、環員原子として有するヘテロ原子の数は、例えば、1~10である。上記ヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、テルル原子、リン原子、ケイ素原子及びホウ素原子が挙げられる。
上記芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、及び、フェナントレン環が挙げられる。
上記芳香族複素環としては、例えば、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、トリアジン環(1,2,3-トリアジン環、1,2,4-トリアジン環、1,3,5-トリアジン環等)及びテトラジン環(1,2,4,5-テトラジン環等)、キノキサリン環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ベンゾピロール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾチアゾール環、ナフトピロール環、ナフトフラン環、ナフトチオフェン環、ナフトイミダゾール環、ナフトオキサゾール環、3H-ピロリジン環、ピロロイミダゾール環(5H-ピロロ[1,2-a]イミダゾール環等)、イミダゾオキサゾール環(イミダゾ[2,1-b]オキサゾール環等)、チエノチアゾール環(チエノ[2,3-d]チアゾール環等)、ベンゾチアジアゾール環、ベンゾジチオフェン環(ベンゾ[1,2-b:4,5-b’]ジチオフェン環等)、チエノチオフェン環(チエノ[3,2-b]チオフェン環等)、チアゾロチアゾール環(チアゾロ[5,4-d]チアゾール環等)、ナフトジチオフェン環(ナフト[2,3-b:6,7-b’]ジチオフェン環、ナフト[2,1-b:6,5-b’]ジチオフェン環、ナフト[1,2-b:5,6-b’]ジチオフェン環、1,8-ジチアジシクロペンタ[b,g]ナフタレン環等)、ベンゾチエノベンゾチオフェン環、ジチエノ[3,2-b:2’,3’-d]チオフェン環及び3,4,7,8-テトラチアジシクロペンタ[a,e]ペンタレン環が挙げられる。
置換基を有してもよい芳香環において、芳香環が有してもよい置換基の種類は特に制限されず、例えば、置換基Wが挙げられる、上記芳香環が置換基を有する場合の置換基の数は1以上(例えば、1~4等)であればよい。
本明細書において、芳香環基という場合、例えば、上記芳香環から水素原子を1個以上(例えば、1~5等)除いてなる基が挙げられる。
本明細書でアリール基という場合、例えば、上記芳香環のうちの芳香族炭化水素環に該当する環から水素原子を1個取り除いてなる基が挙げられる。
本明細書でヘテロアリール基という場合、例えば、上記芳香環のうちの芳香族複素環に該当する環から水素原子を1個除いてなる基が挙げられる。
本明細書でアリーレン基という場合、例えば、上記芳香環のうちの芳香族炭化水素環に該当する環から水素原子を2個除いてなる基が挙げられる。
本明細書でヘテロアリーレン基という場合、例えば、上記芳香環のうちの芳香族複素環に該当する環から水素原子を2個除いてなる基が挙げられる。
置換基を有してもよい芳香環基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいヘテロアリール基、置換基を有してもよいアリーレン基、及び、置換基を有してもよいヘテロアリーレン基において、これらの基が有してもよい置換基の種類は特に制限されず、例えば、置換基Wが挙げられる。置換基を有してもよいこれらの基が置換基を有する場合の置換基の数は1以上(例えば、1~4等)であればよい。
In the present specification, unless otherwise specified, aromatic rings may be either monocyclic or polycyclic (eg, 2 to 6 rings). A monocyclic aromatic ring is an aromatic ring having only one aromatic ring structure as a ring structure. A polycyclic (eg, 2 to 6, etc.) aromatic ring is an aromatic ring in which a plurality of (eg, 2 to 6, etc.) aromatic ring structures are condensed as a ring structure.
The number of ring member atoms in the aromatic ring is preferably 5-15.
The aromatic ring may be either an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocyclic ring.
When the above aromatic ring is an aromatic heterocyclic ring, the number of heteroatoms it has as ring member atoms is, for example, 1-10. Examples of the heteroatom include nitrogen atom, sulfur atom, oxygen atom, selenium atom, tellurium atom, phosphorus atom, silicon atom and boron atom.
Examples of the aromatic hydrocarbon ring include benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, and phenanthrene ring.
Examples of the aromatic heterocyclic ring include pyridine ring, pyrimidine ring, pyridazine ring, pyrazine ring, triazine ring (1,2,3-triazine ring, 1,2,4-triazine ring, 1,3,5-triazine ring, ring, etc.) and tetrazine ring (1,2,4,5-tetrazine ring, etc.), quinoxaline ring, pyrrole ring, furan ring, thiophene ring, imidazole ring, oxazole ring, thiazole ring, benzopyrrole ring, benzofuran ring, benzothiophene ring, benzimidazole ring, benzoxazole ring, benzothiazole ring, naphthopyrrole ring, naphthofuran ring, naphthothiophene ring, naphthoimidazole ring, naphthoxazole ring, 3H-pyrrolidine ring, pyrroloimidazole ring (5H-pyrrolo[1,2- a] imidazole ring, etc.), imidazooxazole ring (imidazo[2,1-b]oxazole ring, etc.), thienothiazole ring (thieno[2,3-d]thiazole ring, etc.), benzothiadiazole ring, benzodithiophene ring ( benzo[1,2-b:4,5-b′]dithiophene ring, etc.), thienothiophene ring (thieno[3,2-b]thiophene ring, etc.), thiazolothiazole ring (thiazolo[5,4-d] thiazole ring, etc.), naphthodithiophene ring (naphtho[2,3-b:6,7-b′]dithiophene ring, naphtho[2,1-b:6,5-b′]dithiophene ring, naphtho[1, 2-b: 5,6-b′]dithiophene ring, 1,8-dithiadicyclopenta[b,g]naphthalene ring, etc.), benzothienobenzothiophene ring, dithieno[3,2-b: 2′,3 '-d]thiophene ring and 3,4,7,8-tetrathiadicyclopenta[a,e]pentalene ring.
In the aromatic ring which may have a substituent, the type of substituent which the aromatic ring may have is not particularly limited, and examples thereof include a substituent W. Substitution when the aromatic ring has a substituent The number of groups may be 1 or more (eg, 1 to 4).
In the present specification, the aromatic ring group includes, for example, a group obtained by removing one or more (eg, 1 to 5) hydrogen atoms from the above aromatic ring.
In the present specification, an aryl group includes, for example, a group obtained by removing one hydrogen atom from a ring corresponding to an aromatic hydrocarbon ring among the above aromatic rings.
In the present specification, the term "heteroaryl group" includes, for example, a group obtained by removing one hydrogen atom from a ring corresponding to an aromatic heterocyclic ring among the above aromatic rings.
In the present specification, the term arylene group includes, for example, a group obtained by removing two hydrogen atoms from a ring corresponding to an aromatic hydrocarbon ring among the above aromatic rings.
In the present specification, the term "heteroarylene group" includes, for example, a group obtained by removing two hydrogen atoms from a ring corresponding to an aromatic heterocyclic ring among the above aromatic rings.
An aromatic ring group which may have a substituent, an aryl group which may have a substituent, a heteroaryl group which may have a substituent, an arylene group which may have a substituent, and a substituent In the heteroarylene group which may have, the type of substituent which these groups may have is not particularly limited, and examples thereof include the substituent W. When these groups which may have substituents have substituents, the number of substituents may be 1 or more (eg, 1 to 4).

本明細書において、化学構造を示す一つの式(一般式)中に、基の種類、又は、数を示す同一の記号が複数存在する場合、特段の断りがない限り、それらの複数存在する同一の記号同士の内容はそれぞれ独立であり、同一の記号同士の内容は同一でもよいし異なっていてもよい。
本明細書において、化学構造を示す一つの式(一般式)中に、同種の基(アルキル基等)が複数存在する場合、特段の断りがない限り、それらの複数存在する同種の基同士の具体的な内容はそれぞれ独立であり、同種の基同士の具体的な内容は同一でもよいし異なっていてもよい。
In this specification, in one formula (general formula) representing a chemical structure, when there are multiple the same symbols indicating the type or number of groups, unless otherwise specified, a plurality of the same The contents of the symbols are independent, and the contents of the same symbols may be the same or different.
In this specification, when a plurality of groups of the same type (such as an alkyl group) are present in one formula (general formula) representing a chemical structure, unless otherwise specified, The specific contents are independent of each other, and the specific contents of groups of the same type may be the same or different.

本明細書において表記される2価の基(例えば、-CO-O-)の結合方向は、特に断らない限り制限されない。例えば、「X-Y-Z」なる一般式で表される化合物中の、Yが-CO-O-である場合、上記化合物は「X-O-CO-Z」であってもよく「X-CO-O-Z」であってもよい。 The bonding direction of the divalent groups (eg, --CO--O--) described herein is not limited unless otherwise specified. For example, when Y is -CO-O- in a compound represented by the general formula "X-Y-Z", the compound may be "X-O-CO-Z". —CO—O—Z”.

〔光電変換素子〕
本発明の光電変換素子は、導電性膜、光電変換膜及び透明導電性膜をこの順で有する光電変換素子であって、光電変換膜が、式(1)で表される化合物(以下、「特定化合物」ともいう。)を含む。
本発明の特徴点としては、特定化合物を含む点が挙げられる。
本発明者は、特に特定化合物が式(1A)で表される基を有するため、可視光領域の緑色光及び赤色光に対する光電変換効率に優れると推測している。また、特定化合物の全体構造及び全体物性(例えば、分子量等)の影響により製造適性にも優れると考えられる。
以下、特定波長に対する光電変換効率及び製造適性の少なくとも一方の効果がより優れることを「本発明の効果がより優れる」ともいう。
[Photoelectric conversion element]
The photoelectric conversion element of the present invention is a photoelectric conversion element having a conductive film, a photoelectric conversion film and a transparent conductive film in this order, wherein the photoelectric conversion film is a compound represented by formula (1) (hereinafter, " Also referred to as "specific compounds").
A feature of the present invention is that it contains a specific compound.
The present inventor speculates that the particular compound has a group represented by formula (1A), and therefore has excellent photoelectric conversion efficiency for green light and red light in the visible light region. In addition, it is considered that the production aptitude is also excellent due to the influence of the overall structure and overall physical properties (for example, molecular weight, etc.) of the specific compound.
Hereinafter, when at least one of the photoelectric conversion efficiency and manufacturability with respect to a specific wavelength is more excellent, it is also referred to as "the effect of the present invention is more excellent".

図1に、本発明の光電変換素子の一実施形態の断面模式図を示す。
図1に示す光電変換素子10aは、下部電極として機能する導電性膜(以下、「下部電極」ともいう。)11と、電子ブロッキング膜16Aと、特定化合物を含む光電変換膜12と、上部電極として機能する透明導電性膜(以下、「上部電極」ともいう。)15とがこの順に積層された構成を有する。
図2に別の光電変換素子の構成例を示す。図2に示す光電変換素子10bは、下部電極11上に、電子ブロッキング膜16Aと、光電変換膜12と、正孔ブロッキング膜16Bと、上部電極15とがこの順に積層された構成を有する。なお、図1及び図2中の電子ブロッキング膜16A、光電変換膜12及び正孔ブロッキング膜16Bの積層順は、用途及び特性に応じて、適宜変更してもよい。
FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of one embodiment of the photoelectric conversion element of the present invention.
A photoelectric conversion element 10a shown in FIG. 1 includes a conductive film (hereinafter also referred to as a “lower electrode”) 11 functioning as a lower electrode, an electron blocking film 16A, a photoelectric conversion film 12 containing a specific compound, and an upper electrode. A transparent conductive film (hereinafter, also referred to as an “upper electrode”) 15 that functions as an electrode is laminated in this order.
FIG. 2 shows a configuration example of another photoelectric conversion element. The photoelectric conversion element 10b shown in FIG. 2 has a structure in which an electron blocking film 16A, a photoelectric conversion film 12, a hole blocking film 16B, and an upper electrode 15 are laminated on a lower electrode 11 in this order. The stacking order of the electron blocking film 16A, the photoelectric conversion film 12, and the hole blocking film 16B in FIGS. 1 and 2 may be appropriately changed according to the application and characteristics.

光電変換素子10a(又は10b)では、上部電極15を介して光電変換膜12に光が入射されるのが好ましい。
また、光電変換素子10a(又は10b)を使用する場合には、電圧を印加できる。この場合、下部電極11と上部電極15とが一対の電極をなし、この一対の電極間に、1×10-5~1×10V/cmの電圧を印加するのが好ましい。性能及び消費電力の点から、印加される電圧としては、1×10-4~1×10V/cmがより好ましく、1×10-3~5×10V/cmが更に好ましい。
なお、電圧印加方法については、図1及び図2において、電子ブロッキング膜16A側が陰極となり、光電変換膜12側が陽極となるように印加するのが好ましい。光電変換素子10a(又は10b)を光センサとして使用した場合、また、撮像素子に組み込んだ場合も、同様の方法により電圧を印加できる。
後段で、詳述するように、光電変換素子10a(又は10b)は撮像素子用途に好適に適用できる。
以下に、本発明の光電変換素子を構成する各層の形態について詳述する。
In the photoelectric conversion element 10 a (or 10 b ), light is preferably incident on the photoelectric conversion film 12 via the upper electrode 15 .
Moreover, when using the photoelectric conversion element 10a (or 10b), a voltage can be applied. In this case, it is preferable that the lower electrode 11 and the upper electrode 15 form a pair of electrodes, and a voltage of 1×10 −5 to 1×10 7 V/cm is applied between the pair of electrodes. From the viewpoint of performance and power consumption, the applied voltage is more preferably 1×10 −4 to 1×10 7 V/cm, further preferably 1×10 −3 to 5×10 6 V/cm.
1 and 2, it is preferable to apply the voltage so that the electron blocking film 16A side becomes the cathode and the photoelectric conversion film 12 side becomes the anode. When the photoelectric conversion element 10a (or 10b) is used as an optical sensor, or incorporated in an imaging device, a voltage can be applied by a similar method.
As will be described later in detail, the photoelectric conversion element 10a (or 10b) is suitable for use as an imaging element.
The form of each layer constituting the photoelectric conversion element of the present invention will be described in detail below.

[光電変換膜]
光電変換素子は、光電変換膜を有する。
[Photoelectric conversion film]
A photoelectric conversion element has a photoelectric conversion film.

<特定化合物>
光電変換膜は、光電変換材料として特定化合物を含む。
特定化合物は、式(1)で表される化合物である。
<Specific compound>
A photoelectric conversion film contains a specific compound as a photoelectric conversion material.
A specific compound is a compound represented by Formula (1).

特定化合物に式(1)中、Rが結合する炭素原子とそれに隣接する炭素原子とで構成されるC=C二重結合に基づいて区別され得る幾何異性体について、式(1)はそのいずれをも含む。つまり、上記C=C二重結合に基づいて区別されるシス体とトランス体とは、いずれも式(1)で表される化合物に含まれる。 For geometric isomers that can be distinguished based on the C═C double bond consisting of the carbon atom to which R 1 is attached to a particular compound in formula (1) and the carbon atoms adjacent thereto, formula (1) Including both. In other words, both the cis isomer and the trans isomer, which are distinguished based on the C=C double bond, are included in the compound represented by formula (1).

Figure 2023010305000002
Figure 2023010305000002

式(1)中、Aは、式(1A)で表される基を表す。Dは、芳香環を有する置換基を表す。Rは、水素原子又は置換基を表す。 In formula ( 1 ), A1 represents a group represented by formula (1A). D 1 represents a substituent having an aromatic ring. R 1 represents a hydrogen atom or a substituent.

は、水素原子又は置換基を表す。
上記置換基としては、例えば、置換基Wで例示される基が挙げられる。
としては、水素原子が好ましい。
R 1 represents a hydrogen atom or a substituent.
Examples of the substituent include groups exemplified for the substituent W.
R 1 is preferably a hydrogen atom.

は、式(1A)で表される基を表す。
としては、式(2A)で表される基又は式(3A)で表される基が好ましい。
A 1 represents a group represented by formula (1A).
A 1 is preferably a group represented by formula (2A) or a group represented by formula (3A).

Figure 2023010305000003
Figure 2023010305000003

式(1A)中、*は、結合位置を表す。Ya11は、酸素原子、硫黄原子、=NRY11又は=CRY12Y13を表す。RY11は、水素原子又は置換基を表す。RY12及びRY13は、それぞれ独立に、シアノ基又は-COORY14を表す。RY14は、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。Xa11及びXa12は、それぞれ独立に、窒素原子又は=C<を表す。Xa11とXa12との間の実線及び点線で表される結合は、単結合又は二重結合を表す。ただし、Xa11とXa12との結合が二重結合を表す場合、Xa11及びXa12は、=C<を表す。Xa11とXa12との結合が単結合を表す場合、Xa11及びXa12の一方は窒素原子を表し、他方は窒素原子又は=C<を表す。Ara11は、Xa11及びXa12を含む環を表す。Ara11で表される環は、更に置換基を有していてもよい。Xa13は、窒素原子又は-CRX11=を表す。RX11は、水素原子又は置換基を表す。 In formula (1A), * represents a binding position. Y a11 represents an oxygen atom, a sulfur atom, =NR Y11 or =CR Y12 R Y13 . RY11 represents a hydrogen atom or a substituent. R Y12 and R Y13 each independently represent a cyano group or —COOR Y14 . RY14 represents an optionally substituted alkyl group or an optionally substituted aromatic ring group. X a11 and X a12 each independently represent a nitrogen atom or =C<. A bond represented by a solid line and a dotted line between Xa11 and Xa12 represents a single bond or a double bond. However, when the bond between X a11 and X a12 represents a double bond, X a11 and X a12 represent =C<. When the bond between X a11 and X a12 represents a single bond, one of X a11 and X a12 represents a nitrogen atom and the other represents a nitrogen atom or =C<. Ar a11 represents a ring containing X a11 and X a12 . The ring represented by Ar a11 may further have a substituent. X a13 represents a nitrogen atom or —CR X11 =. R X11 represents a hydrogen atom or a substituent.

a11は、酸素原子、硫黄原子、=NRY11又は=CRY12Y13を表す。
Y11は、水素原子又は置換基を表す。RY12及びRY13は、それぞれ独立に、シアノ基又は-COORY14を表す。RY14は、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。
a11としては、酸素原子又は硫黄原子が好ましく、酸素原子がより好ましい。
Y14で表される置換基を有していてもよい芳香環基としては、例えば、置換基を有していてもよいアリール基及び置換基を有していてもよいヘテロアリール基が挙げられる。
Y11で表される置換基、RY14で表される芳香環基が有していてもよい置換基、及び、RY14で表されるアルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、置換基Wで例示される基が挙げられる。
Y a11 represents an oxygen atom, a sulfur atom, =NR Y11 or =CR Y12 R Y13 .
RY11 represents a hydrogen atom or a substituent. R Y12 and R Y13 each independently represent a cyano group or —COOR Y14 . RY14 represents an optionally substituted alkyl group or an optionally substituted aromatic ring group.
Y a11 is preferably an oxygen atom or a sulfur atom, more preferably an oxygen atom.
Examples of the optionally substituted aromatic ring group represented by R Y14 include an optionally substituted aryl group and an optionally substituted heteroaryl group. .
The substituent represented by R Y11 , the substituent which the aromatic ring group represented by R Y14 may have, and the substituent which the alkyl group represented by R Y14 may have include: For example, groups exemplified for the substituent W can be mentioned.

a11及びXa12は、それぞれ独立に、窒素原子又は=C<を表す。Xa11とXa12との実線及び点線で表される結合は、単結合又は二重結合を表す。ただし、Xa11とXa12との結合が二重結合を表す場合、Xa11及びXa12は、=C<を表す。Xa11とXa12との結合が単結合を表す場合、Xa11及びXa12の一方は窒素原子を表し、他方は窒素原子又は=C<を表す。
a11及びXa12の少なくとも一方は=C<を表すことが好ましい。
具体的には、後述する式(1A-1)~式(1A-4)中のXa11及びXa12に該当する部分の態様が挙げられる。
X a11 and X a12 each independently represent a nitrogen atom or =C<. The bonds of Xa11 and Xa12 represented by solid lines and dotted lines represent single bonds or double bonds. However, when the bond between X a11 and X a12 represents a double bond, X a11 and X a12 represent =C<. When the bond between X a11 and X a12 represents a single bond, one of X a11 and X a12 represents a nitrogen atom and the other represents a nitrogen atom or =C<.
At least one of X a11 and X a12 preferably represents =C<.
Specifically, aspects of portions corresponding to X a11 and X a12 in formulas (1A-1) to (1A-4) described below are mentioned.

a13は、窒素原子又は-CRX11=を表す。RX11は、水素原子又は置換基を表す。
a13としては、-CRX11=が好ましい。
X11で表される置換基としては、例えば、置換基Wで例示される基が挙げられ、ハロゲン原子(好ましくはフッ素原子)、アルキル基又はハロゲン原子(好ましくはフッ素原子)を有するアルキル基が好ましく、炭素数1~3のアルキル基又はフッ素原子を有する炭素数1~3のアルキル基がより好ましい。上記アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよく、直鎖状が好ましい。
X a13 represents a nitrogen atom or —CR X11 =. R X11 represents a hydrogen atom or a substituent.
X a13 is preferably —CR X11 =.
Examples of the substituent represented by R X11 include groups exemplified for the substituent W, a halogen atom (preferably a fluorine atom), an alkyl group, or an alkyl group having a halogen atom (preferably a fluorine atom) An alkyl group having 1 to 3 carbon atoms or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms having a fluorine atom is more preferable. The alkyl group may be linear, branched or cyclic, preferably linear.

Ara11は、Xa11及びXa12を含む環を表す。Ara11で表される環は、更に置換基を有していてもよい。
Ara11は、Xa11及びXa12を含む環である。換言すると、Ara11で表される環は、環員原子としてXa11及びXa12を含む。
上記Ara11で表される環が有していてもよい置換基としては、例えば、置換基Wで例示される基が挙げられ、置換基を有していてもよいアルキル基、ハロゲン原子又はシアノ基が好ましい。上記アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよく、直鎖状が好ましい。
Ara11は、単環及び多環のいずれであってもよく、単環が好ましい。上記多環は、縮合環であってもよい。
Ara11の炭素数は、2~20が好ましく、2~5がより好ましい。
Ara11は、環員原子としてヘテロ原子を有していてもよい。上記ヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、硫黄原子、酸素原子、セレン原子、テルル原子、リン原子、ケイ素原子及びホウ素原子が挙げられ、窒素原子が好ましい。
Ara11は、芳香族性及び非芳香族性のいずれであってもよく、芳香族性であることが好ましい。
Ara11は、5員環又は6員環を含むことが好ましく、5員環を含むことがより好ましく、5員環(単環の5員環)であることが更に好ましい。
Ar a11 represents a ring containing X a11 and X a12 . The ring represented by Ar a11 may further have a substituent.
Ar a11 is a ring containing X a11 and X a12 . In other words, the ring represented by Ar a11 includes X a11 and X a12 as ring member atoms.
Examples of the substituent that the ring represented by Ar a11 may have include groups exemplified for the substituent W, an alkyl group optionally having a substituent, a halogen atom or a cyano groups are preferred. The alkyl group may be linear, branched or cyclic, preferably linear.
Ar a11 may be either monocyclic or polycyclic, preferably monocyclic. The polycyclic ring may be a condensed ring.
Ar a11 preferably has 2 to 20 carbon atoms, more preferably 2 to 5 carbon atoms.
Ar a11 may have a heteroatom as a ring member atom. Examples of the heteroatom include nitrogen atom, sulfur atom, oxygen atom, selenium atom, tellurium atom, phosphorus atom, silicon atom and boron atom, with nitrogen atom being preferred.
Ar a11 may be either aromatic or non-aromatic, preferably aromatic.
Ar a11 preferably contains a 5- or 6-membered ring, more preferably a 5-membered ring, and even more preferably a 5-membered ring (monocyclic 5-membered ring).

Ara11としては、例えば、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環等の芳香環、並びに、非芳香族環が挙げられ、芳香環が好ましく、芳香族複素環がより好ましい。
Ara11としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環及びフェナントレン環等の芳香族炭化水素環;ピロール環、ピラゾール環、トリアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、チオフェン環、フラン環、ピラン環、チアゾール環、オキサゾール環、セレノフェン環、イミダゾール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ベンゾトリアゾール環及びベンゾオキサゾール環等の芳香族複素環;シクロアルカン環、ピロリジン環、ピロリン環、イミダゾリジン環及びテトラフラン環等の非芳香族環が挙げられる。
Ar a11 includes, for example, an aromatic ring such as an aromatic hydrocarbon ring and an aromatic heterocyclic ring, and a non-aromatic ring, preferably an aromatic ring, more preferably an aromatic heterocyclic ring.
Ar a11 includes, for example, aromatic hydrocarbon rings such as benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring and phenanthrene ring; pyrrole ring, pyrazole ring, triazole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyrimidine ring, pyridazine ring, thiophene ring; Aromatic heterocycles such as furan ring, pyran ring, thiazole ring, oxazole ring, selenophene ring, imidazole ring, benzofuran ring, benzothiophene ring, benzotriazole ring and benzoxazole ring; cycloalkane ring, pyrrolidine ring, pyrroline ring, imidazo Non-aromatic rings such as lysine ring and tetrafuran ring are included.

式(1A)で表される基としては、例えば、式(1A-1)~式(1A-4)のいずれかで表される基が挙げられる。 Examples of the group represented by formula (1A) include groups represented by any one of formulas (1A-1) to (1A-4).

Figure 2023010305000004
Figure 2023010305000004

式(1A-1)~式(1A-4)中、各表記は、上述したとおりである。 In formulas (1A-1) to (1A-4), each notation is as described above.

Figure 2023010305000005
Figure 2023010305000005

式(2A)中、*は、結合位置を表す。Ra21は、水素原子又は置換基を表す。Xa21~Xa23は、それぞれ独立に、窒素原子又は-CRX21=を表す。RX21は、水素原子又は置換基を表す。 In formula (2A), * represents a binding position. R a21 represents a hydrogen atom or a substituent. X a21 to X a23 each independently represent a nitrogen atom or —CR X21 =. R X21 represents a hydrogen atom or a substituent.

a21は、上記RX11と同じであり、好適態様も同じである。 R a21 is the same as R X11 above, and the preferred embodiments are also the same.

a21~Xa23は、それぞれ独立に、窒素原子又は-CRX21=を表す。RX21は、水素原子又は置換基を表す。
X21で表される置換基としては、例えば、置換基Wで例示される基が挙げられる。
X21としては、水素原子が好ましい。
a21~Xa23のうち少なくとも1つは、-CRX21=を表すことが好ましく、Xa21~Xa23の全てが-CRX21=を表すことがより好ましい。
X a21 to X a23 each independently represent a nitrogen atom or —CR X21 =. R X21 represents a hydrogen atom or a substituent.
Examples of the substituent represented by R X21 include groups exemplified for the substituent W.
R X21 is preferably a hydrogen atom.
At least one of X a21 to X a23 preferably represents —CR X21 =, and more preferably all of X a21 to X a23 represent —CR X21 =.

式(3A)中、*は、結合位置を表す。Ra31及びRa32は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Xa31及びXa32は、それぞれ独立に、窒素原子又は-CRX22=を表す。RX22は、水素原子又は置換基を表す。 In formula (3A), * represents a binding position. R a31 and R a32 each independently represent a hydrogen atom or a substituent. X a31 and X a32 each independently represent a nitrogen atom or —CR X22 =. R X22 represents a hydrogen atom or a substituent.

a31は、上記RX11と同じであり、好適態様も同じである。
a32で表される置換基としては、例えば、置換基Wで例示される基が挙げられ、アルキル基が好ましく、炭素数1~3のアルキル基がより好ましい。上記アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよく、直鎖状が好ましい。
R a31 is the same as R X11 above, and the preferred embodiments are also the same.
Examples of the substituent represented by R a32 include groups exemplified for the substituent W, preferably an alkyl group, more preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms. The alkyl group may be linear, branched or cyclic, preferably linear.

a31及びXa32は、それぞれ独立に、窒素原子又は-CRX22=を表す。RX22は、水素原子又は置換基を表す。
X22は、上記RX21と同じであり、好適態様も同じである。
a31及びXa32の一方は窒素原子を表し、他方は-CRX22=を表すことが好ましい。
X a31 and X a32 each independently represent a nitrogen atom or —CR X22 =. R X22 represents a hydrogen atom or a substituent.
R X22 is the same as R X21 above, and the preferred embodiments are also the same.
One of X a31 and X a32 preferably represents a nitrogen atom and the other preferably represents —CR X22 =.

は、芳香環を有する置換基を表す。
芳香環を有する置換基とは、置換基の一部又は全部に芳香環を有していることを意味する。つまり、芳香環を有する置換基は、芳香環と置換基とを有する基及び芳香環のみを有する芳香環基であってもよい。
としては、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基が好ましく、置換基を有していてもよいヘテロアリール基がより好ましい。上記アリール基及び上記ヘテロアリール基が有していてもよい置換基としては、例えば、置換基Wで例示される基が挙げられ、置換基を有していてもよいアリール基(好ましくはアルキル基を有していてもよいアリール基)又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基が(好ましくはアルキル基を有していてもよいヘテロアリール基)が好ましい。
D 1 represents a substituent having an aromatic ring.
A substituent having an aromatic ring means that a part or all of the substituent has an aromatic ring. That is, the substituent having an aromatic ring may be a group having an aromatic ring and a substituent or an aromatic ring group having only an aromatic ring.
D 1 is preferably an optionally substituted aryl group or an optionally substituted heteroaryl group, more preferably an optionally substituted heteroaryl group. Examples of the substituents that the aryl group and the heteroaryl group may have include groups exemplified for the substituent W, and optionally substituted aryl groups (preferably alkyl groups ) or a heteroaryl group optionally having a substituent (preferably a heteroaryl group optionally having an alkyl group).

は、単環及び多環のいずれであってもよい。上記多環は、縮合環であってもよい。
が有する芳香環の環員数は、5~40が好ましく、10~30がより好ましく、20~30が更に好ましい。
芳香環としては、例えば、芳香族炭化水素環、芳香族複素環及びこれらを組み合わせた環が挙げられる。
芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環及びこれらを組み合わせた環が挙げられる。
芳香族複素環としては、例えば、チオフェン環、フラン環、ピラン環、チアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、オキサゾール環、セレノフェン環、イミダゾール環、キノキサリン環、ベンゾチアゾール環及びこれらを組み合わせた環が挙げられる。
は、上記芳香環以外に、更にその他環を有していてもよい。その他環と上記芳香環と縮合して縮合環を形成していてもよい。
上記その他環としては、例えば、シクロアルカン環、ピペリジン環、ピペラジン環、イミダゾリジン環及びこれらを組み合わせた環が挙げられる。
D 1 may be either monocyclic or polycyclic. The polycyclic ring may be a condensed ring.
The number of ring members of the aromatic ring of D 1 is preferably 5-40, more preferably 10-30, even more preferably 20-30.
Aromatic rings include, for example, aromatic hydrocarbon rings, aromatic heterocyclic rings, and rings in which these are combined.
Examples of aromatic hydrocarbon rings include benzene, naphthalene, anthracene, phenanthrene and combinations thereof.
Examples of aromatic heterocyclic rings include thiophene ring, furan ring, pyran ring, thiazole ring, pyrrole ring, pyridine ring, pyrazine ring, pyrimidine ring, pyridazine ring, oxazole ring, selenophene ring, imidazole ring, quinoxaline ring, and benzothiazole ring. Rings and rings in which these are combined are included.
D 1 may have other rings in addition to the above aromatic ring. Other rings may be condensed with the aromatic ring to form a condensed ring.
Examples of the other rings include cycloalkane rings, piperidine rings, piperazine rings, imidazolidine rings, and rings in which these are combined.

としては、式(1D)~式(3D)のいずれかで表される基が好ましく、式(1D)で表される基がより好ましく、式(4D)で表される基が更に好ましく、式(5D)で表される基が特に好ましく、式(6D)で表される基が最も好ましい。 D 1 is preferably a group represented by any one of formulas (1D) to (3D), more preferably a group represented by formula (1D), and even more preferably a group represented by formula (4D). , a group of formula (5D) is particularly preferred, and a group of formula (6D) is most preferred.

Figure 2023010305000006
Figure 2023010305000006

式(1D)中、*は、結合位置を表す。Ard11は、2つ以上の炭素原子を含む芳香環を表す。Ard11で表される芳香環は、更に置換基を有していてもよい。Rd11及びRd12は、それぞれ独立に、-C(RL11)(RL12)(RL13)又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。RL11~RL13は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。RL11~RL13で表される、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい芳香環基は、互いに結合して環を形成していてもよい。Rd13は、水素原子又は置換基を表す。 In formula (1D), * represents a binding position. Ar d11 represents an aromatic ring containing two or more carbon atoms. The aromatic ring represented by Ar d11 may further have a substituent. R d11 and R d12 each independently represent —C(R L11 ) (R L12 ) (R L13 ) or an optionally substituted aromatic ring group. R L11 to R L13 each independently represent a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group or an optionally substituted aromatic ring group. The alkyl groups optionally having substituents or the aromatic ring groups optionally having substituents represented by R L11 to R L13 may combine with each other to form a ring. R d13 represents a hydrogen atom or a substituent.

Ard11は、2つ以上の炭素原子を含む芳香環を表す。Ard11で表される芳香環は、更に置換基を有していてもよい。
Ard11としては、芳香族複素環が好ましく、キノキサリン環又はピラジン環がより好ましい。
Ard11で表される芳香環が有する置換基としては、例えば、置換基Wで例示される基が挙げられ、置換基を有していてもよいアルキル基、塩素原子、フッ素原子又はシアノ基が好ましい。
Ar d11 represents an aromatic ring containing two or more carbon atoms. The aromatic ring represented by Ar d11 may further have a substituent.
Ar d11 is preferably an aromatic heterocyclic ring, more preferably a quinoxaline ring or a pyrazine ring.
The substituents possessed by the aromatic ring represented by Ar d11 include, for example, groups exemplified for the substituent W, an optionally substituted alkyl group, a chlorine atom, a fluorine atom or a cyano group. preferable.

d11及びRd12は、それぞれ独立に、-C(RL11)(RL12)(RL13)又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。
d11及びRd12で表される置換基を有していてもよい芳香環基としては、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基が好ましく、置換基を有していてもよいアリール基がより好ましい。
R d11 and R d12 each independently represent —C(R L11 ) (R L12 ) (R L13 ) or an optionally substituted aromatic ring group.
The optionally substituted aromatic ring group represented by R d11 and R d12 is preferably an optionally substituted aryl group or an optionally substituted heteroaryl group. , an optionally substituted aryl group is more preferable.

上記置換基を有していてもよいアリール基は、置換基を有していてもよい、フェニル基、ナフチル基又はフルオレニル基が好ましく、置換基を有していてもよいフェニル基又は置換基を有していてもよいナフチル基がより好ましい。
上記置換基を有していてもよいアリール基が置換基を有していてもよいフェニル基である場合、上記フェニル基は置換基を有していることが好ましい。上記置換基は、それぞれ独立に、アルキル基(好ましくは炭素数1~3)が好ましい。
上記置換基を有していてもよいアリール基が置換基を有していてもよいフェニル基である場合、フェニル基が有する置換基の数は、1~5が好ましく、2又は3がより好ましい。
The aryl group which may have a substituent is preferably a phenyl group, a naphthyl group or a fluorenyl group which may have a substituent, and a phenyl group or a substituent which may have a substituent. An optional naphthyl group is more preferred.
When the aryl group optionally having substituents is a phenyl group optionally having substituents, the phenyl group preferably has a substituent. The above substituents are each independently preferably an alkyl group (preferably having 1 to 3 carbon atoms).
When the aryl group optionally having substituents is a phenyl group optionally having substituents, the number of substituents the phenyl group has is preferably 1 to 5, more preferably 2 or 3. .

L11~RL13は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。
L11~RL13で表される置換基を有していてもよい芳香環基としては、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基が好ましい。
L11~RL13のうち少なくとも2つは、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基を表すことが好ましい。
L11~RL13で表される置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基及び置換基を有していてもよいヘテロアリール基は、互いに結合して環を形成していてもよい。
例えば、置換基を有していてもよいアルキル基同士が互いに結合して環を形成していてもよい。置換基を有していてもよいアリール基における置換基と、置換基を有していてもよいアルキル基とが互いに結合して環を形成していてもよい。置換基を有していてもよいヘテロアリール基における置換基と、置換基を有していてもよいアルキル基とが互いに結合して環を形成していてもよい。置換基を有していてもよいアリール基における置換基と、置換基を有していてもよい別のアリール基における置換基とが互いに結合して環を形成していてもよい。置換基を有していてもよいアリール基における置換基と、置換基を有していてもよいヘテロアリール基における置換基とが互いに結合して環を形成していてもよい。置換基を有していてもよいヘテロアリール基における置換基と、置換基を有していてもよい別のヘテロアリール基における置換基とが互いに結合して環を形成していてもよい。
このようにして形成された環が有する置換基と、置換基を有していてもよい別のアルキル基、置換基を有していてもよい別のアリール基における置換基、又は、置換基を有していてもよい別のヘテロアリール基における置換基とが結合して、更に環を形成してもよい。
なお、上述のように置換基と置換基(例えば、置換基を有していてもよいアリール基における置換基と、置換基を有していてもよいヘテロアリール基における置換基)とが互いに結合して形成する基は、単結合でもよい。
なお、RL11~RL13で表される置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよい芳香環基(好ましくは置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基)が、互いに結合して環を形成する場合において、-C(RL11)(RL12)(RL13)は、アリール基及びヘテロアリール基以外が好ましい。
R L11 to R L13 each independently represent a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group or an optionally substituted aromatic ring group.
The optionally substituted aromatic ring group represented by R L11 to R L13 is preferably an optionally substituted aryl group or an optionally substituted heteroaryl group. .
At least two of R L11 to R L13 are each independently an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted aryl group, or an optionally substituted hetero group. It preferably represents an aryl group.
The alkyl group optionally having substituents, the aryl group optionally having substituents and the heteroaryl group optionally having substituents represented by R L11 to R L13 are bonded to each other. may form a ring.
For example, optionally substituted alkyl groups may bond together to form a ring. A substituent in the aryl group which may have a substituent and an alkyl group which may have a substituent may combine with each other to form a ring. A substituent in the heteroaryl group which may have a substituent and an alkyl group which may have a substituent may combine with each other to form a ring. A substituent in an aryl group which may have a substituent and a substituent in another aryl group which may have a substituent may combine with each other to form a ring. A substituent in the aryl group which may have a substituent and a substituent in the heteroaryl group which may have a substituent may combine with each other to form a ring. A substituent in an optionally substituted heteroaryl group and a substituent in another optionally substituted heteroaryl group may be combined to form a ring.
A substituent of the ring thus formed, another alkyl group optionally having a substituent, a substituent in another aryl group optionally having a substituent, or a substituent A substituent of another heteroaryl group which may be present may be combined to further form a ring.
In addition, as described above, a substituent and a substituent (for example, a substituent in an aryl group which may have a substituent and a substituent in a heteroaryl group which may have a substituent) are bonded to each other. The group formed by combining may be a single bond.
An optionally substituted alkyl group represented by R L11 to R L13 , an optionally substituted aromatic ring group (preferably an optionally substituted aryl group or optionally substituted heteroaryl group) are bonded to each other to form a ring, and —C(R L11 )(R L12 )(R L13 ) is a group other than an aryl group and a heteroaryl group preferable.

L11~RL13で表されるアルキル基は、それぞれ独立に、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよい。RL11~RL13で表されるアルキル基は、2本のアルキル基同士が互いに結合して環を形成していることが好ましい。
より具体的には、RL11で表されるアルキル基とRL12で表されるアルキル基とが互いに結合して環を形成していてもよい。更に、RL11で表されるアルキル基とRL12で表されるアルキル基とが互いに結合して形成される環(例えば、単環のシクロアルカン環等)が有する置換基と、RL13で表されるアルキル基とが互いに結合して多環(例えば、多環のシクロアルカン環等)を形成していてもよい。
つまり、-C(RL11)(RL12)(RL13)は、置換基を有していてもよいシクロアルキル基(好ましくはシクロヘキシル基)であってもよい。上記シクロアルキル基の環員数は、3~12が好ましく、5~8がより好ましく、6が更に好ましい。
上記シクロアルキル基は、単環(例えば、シクロヘキシル基等)及び多環(例えば、1-アダマンチル基等)であってもよい。
上記シクロアルキル基は、置換基を有することが好ましい。上記シクロアルキル基が置換基を有する場合、式(1D)中に明示される窒素原子に直接結合する炭素原子(つまり、「-C(RL11)(RL12)(RL13)」中に明示される「C」原子)に隣接する炭素原子が置換基を有するのが好ましい。
上記シクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基(好ましくは炭素数1~3)が挙げられる。
上記シクロアルキル基が有する置換基同士が互いに結合して環を形成していてもよく、置換基同士が互いに結合して形成する環は、シクロアルカン環以外であってもよい。
The alkyl groups represented by R L11 to R L13 may each independently be linear, branched or cyclic. In the alkyl groups represented by R L11 to R L13 , two alkyl groups are preferably bonded to each other to form a ring.
More specifically, the alkyl group represented by RL11 and the alkyl group represented by RL12 may combine with each other to form a ring. Further, a substituent of a ring formed by bonding an alkyl group represented by R L11 and an alkyl group represented by R L12 (for example, a monocyclic cycloalkane ring) and a substituent represented by R L13 may be bonded to each other to form a polycyclic ring (for example, a polycyclic cycloalkane ring, etc.).
That is, —C(R L11 )(R L12 )(R L13 ) may be an optionally substituted cycloalkyl group (preferably a cyclohexyl group). The number of ring members of the cycloalkyl group is preferably 3 to 12, more preferably 5 to 8, and even more preferably 6.
The cycloalkyl group may be monocyclic (eg, cyclohexyl group, etc.) or polycyclic (eg, 1-adamantyl group, etc.).
The cycloalkyl group preferably has a substituent. When the cycloalkyl group has a substituent, the carbon atom directly bonded to the nitrogen atom specified in formula (1D) (that is, specified in "-C (R L11 ) (R L12 ) (R L13 )" It is preferred that the carbon atoms adjacent to the "C" atom where the group is substituted) have substituents.
Examples of the substituent that the cycloalkyl group may have include an alkyl group (preferably having 1 to 3 carbon atoms).
The substituents of the cycloalkyl group may be bonded to each other to form a ring, and the ring formed by the substituents to be bonded to each other may be a ring other than a cycloalkane ring.

d11及びRd12は、それぞれ独立に、式(X)で表される基、-C(RL11)(RL12)(RL13)、置換基を有していてもよい多環のアリール基又は置換基を有していてもよい多環のヘテロアリール基を表すことが好ましい。
本発明の光電変換素子の製造適正がより優れる点から、Rd11及びRd12は、それぞれ独立に、式(X)で表される基、-C(RL11)(RL12)(RL13)又は置換基を有していてもよい多環のアリール基が好ましい。式(X)で表される基は、後述する式(Z)で表される基であることが好ましく、後述する式(ZB)で表される基であることがより好ましい。
R d11 and R d12 are each independently a group represented by formula (X), —C(R L11 )(R L12 )(R L13 ), an optionally substituted polycyclic aryl group or an optionally substituted polycyclic heteroaryl group.
R d11 and R d12 are each independently a group represented by formula (X), —C(R L11 ) (R L12 ) (R L13 ), from the viewpoint of better suitability for manufacturing the photoelectric conversion element of the present invention. or an optionally substituted polycyclic aryl group is preferred. The group represented by formula (X) is preferably a group represented by formula (Z) described below, and more preferably a group represented by formula (ZB) described below.

Figure 2023010305000007
Figure 2023010305000007

式(X)中、Cは、Rd1以外にも置換基を有していてもよい単環の芳香環を表す。Rd1は、アルキル基、シリル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、シアノ基、ハロゲン原子、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基又はアルキニル基を表す。これらの基は、可能な場合、更に置換基を有していてもよい。*は結合位置を表す。 In formula (X), C 1 represents a monocyclic aromatic ring optionally having a substituent other than R d1 . R d1 represents an alkyl group, silyl group, alkoxy group, alkylthio group, cyano group, halogen atom, aryl group, heteroaryl group, alkenyl group or alkynyl group. These groups may further have a substituent if possible. * represents a binding position.

は、Rd1以外にも置換基を有していてもよい単環の芳香環を表す。
上記単環の芳香環としては、例えば、単環の芳香族炭化水素環及び単環の芳香族複素環が挙げられる。芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環が挙げられる。芳香族複素環としては、例えば、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環及びオキサゾール環が挙げられる。
光電変換素子の耐熱性がより優れる点で、上記単環の芳香環としては、芳香族炭化水素環が好ましく、ベンゼン環がより好ましい。
C 1 represents a monocyclic aromatic ring optionally having a substituent other than R d1 .
Examples of the monocyclic aromatic ring include a monocyclic aromatic hydrocarbon ring and a monocyclic aromatic heterocyclic ring. Aromatic hydrocarbon rings include, for example, benzene rings. Aromatic heterocycles include, for example, pyrrole, furan, thiophene, imidazole and oxazole rings.
The monocyclic aromatic ring is preferably an aromatic hydrocarbon ring, and more preferably a benzene ring, from the viewpoint that the photoelectric conversion element has better heat resistance.

d1は、アルキル基、シリル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、シアノ基、ハロゲン原子、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基又はアルキニル基を表す。これらの基は、可能な場合、更に置換基を有していてもよい。
d1で表されるアルキル基の炭素数は、1~12が好ましく、1~6がより好ましく、1~3が更に好ましい。
d1で表されるシリル基の炭素数は、1~12が好ましく、1~6が好ましく、3が更に好ましい。
d1で表されるアルコキシ基の炭素数は、1~12が好ましく、1~6がより好ましく、1~3が更に好ましい。
d1で表されるアルキルチオ基の炭素数は、1~12が好ましく、1~6がより好ましく、1~3が更に好ましい。
d1で表されるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、ヨウ素原子、臭素原子及び塩素原子が挙げられる。
d1で表されるアルケニル基の炭素数は、2~12が好ましく、2~6がより好ましく、2~3が更に好ましい。
d1で表されるアルキニル基の炭素数は、2~12が好ましく、2~6がより好ましく、2~3が更に好ましい。
R d1 represents an alkyl group, silyl group, alkoxy group, alkylthio group, cyano group, halogen atom, aryl group, heteroaryl group, alkenyl group or alkynyl group. These groups may further have a substituent if possible.
The number of carbon atoms in the alkyl group represented by R d1 is preferably 1-12, more preferably 1-6, and even more preferably 1-3.
The silyl group represented by R d1 preferably has 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, and more preferably 3 carbon atoms.
The number of carbon atoms in the alkoxy group represented by R d1 is preferably 1-12, more preferably 1-6, and even more preferably 1-3.
The number of carbon atoms in the alkylthio group represented by R d1 is preferably 1-12, more preferably 1-6, even more preferably 1-3.
Halogen atoms represented by R d1 include, for example, a fluorine atom, an iodine atom, a bromine atom and a chlorine atom.
The alkenyl group represented by R d1 preferably has 2 to 12 carbon atoms, more preferably 2 to 6 carbon atoms, and still more preferably 2 to 3 carbon atoms.
The alkynyl group represented by R d1 preferably has 2 to 12 carbon atoms, more preferably 2 to 6 carbon atoms, and still more preferably 2 to 3 carbon atoms.

d1とCが有する置換基とは、互いに結合して非芳香環を形成していてもよい。
の芳香環は、式(1D)中に明示される窒素原子と直接結合する。
The substituents of R d1 and C 1 may combine with each other to form a non-aromatic ring.
The aromatic ring of C 1 is directly attached to the nitrogen atom specified in formula (1D).

Figure 2023010305000008
Figure 2023010305000008

式(Z)中、T~Tは、それぞれ独立に、-CRe12=又は窒素原子(=N-)を表す。Re12は、水素原子又は置換基を表す。 In formula (Z), T 1 to T 4 each independently represent -CR e12 = or a nitrogen atom (=N-). R e12 represents a hydrogen atom or a substituent.

「T~Tの少なくとも1つが-CRe12=を表し、かつ、Re12の少なくとも1つが置換基を表す」のが好ましく、「少なくともTが-CRe12=を表し、かつ、TにおけるRe12がアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す」のがより好ましい。
e12で表される置換基は、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、シリル基、ハロゲン原子又はシアノ基が好ましい。なお、これらの基は、更に置換基(例えば、フッ素原子等のハロゲン原子等)を有していてもよい。
e12で表されるアルキル基の炭素数は、1~12が好ましく、1~6がより好ましく、1~3が更に好ましい。
e12で表されるシリル基は、例えば、Rd1で表されるシリル基として説明したシリル基が挙げられる。
e12で表されるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、ヨウ素原子、臭素原子、及び、塩素原子が挙げられる。
また、式(Z)中にRe12が複数存在する場合、Re12は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
It is preferable that "at least one of T 1 to T 4 represents -CR e12 = and at least one of R e12 represents a substituent", and "at least T 4 represents -CR e12 = and T 4 Re12 in represents an alkyl group, an aryl group or a heteroaryl group" is more preferable.
The substituent represented by R e12 is preferably an alkyl group, an aryl group, a heteroaryl group, a silyl group, a halogen atom or a cyano group. These groups may further have a substituent (for example, a halogen atom such as a fluorine atom).
The number of carbon atoms in the alkyl group represented by R e12 is preferably 1-12, more preferably 1-6, even more preferably 1-3.
Examples of the silyl group represented by R e12 include the silyl groups described as the silyl group represented by R d1 .
Halogen atoms represented by R e12 include, for example, a fluorine atom, an iodine atom, a bromine atom and a chlorine atom.
In addition, when a plurality of R e12 are present in the formula (Z), the R e12 may be the same or different.

式(Z)中、Rf2は、アルキル基、シリル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、シアノ基、ハロゲン原子、アリール基、ヘテロアリール基、アルケニル基又はアルキニル基を表す。式(X)におけるRd1と同義であり、好適態様も同じである。
f2と、TにおけるRe12とは、互いに結合して非芳香環を形成していてもよい。
f2で表されるアルキル基の炭素数は、1~12が好ましく、1~6がより好ましく、1~3が更に好ましい。
In formula (Z), R f2 represents an alkyl group, silyl group, alkoxy group, alkylthio group, cyano group, halogen atom, aryl group, heteroaryl group, alkenyl group or alkynyl group. It has the same meaning as R d1 in Formula (X), and the preferred embodiments are also the same.
R f2 and R e12 in T 1 may combine with each other to form a non-aromatic ring.
The number of carbon atoms in the alkyl group represented by R f2 is preferably 1-12, more preferably 1-6, even more preferably 1-3.

Figure 2023010305000009
Figure 2023010305000009

式(ZB)中、T~Tは、それぞれ独立に、-CRe12=又は窒素原子を表す。Re12は、水素原子又は置換基を表す。
式(ZB)中におけるRe12は、式(Z)中におけるRe12と同様である。
In formula (ZB), T 1 to T 3 each independently represent —CR e12 = or a nitrogen atom. R e12 represents a hydrogen atom or a substituent.
R e12 in formula (ZB) is the same as R e12 in formula (Z).

式(ZB)中、Rf3及びRf4は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、又は、ヘテロアリール基を表す。これらの基は、可能な場合、更に置換基を有していてもよい。*は、結合位置を表す。
f3及びRf4で表されるアルキル基の炭素数は、1~12が好ましく、1~6がより好ましく、1~3が更に好ましい。
In formula (ZB), R f3 and R f4 each independently represent an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group. These groups may further have a substituent if possible. * represents a binding position.
The number of carbon atoms in the alkyl group represented by R f3 and R f4 is preferably 1-12, more preferably 1-6, and still more preferably 1-3.

置換基を有していてもよい多環のアリール基及び置換基を有していてもよい多環のヘテロアリール基を構成する環の数は2以上であり、2~4が好ましく、2~3がより好ましく、2が更に好ましい。
置換基を有していてもよい多環のアリール基及び置換基を有していてもよい多環のヘテロアリール基が有していてもよい置換基は、非芳香環を含んでいてもよい。
置換基を有していてもよい多環のアリール基としては、例えば、置換基を有していてもよいナフチル基が好ましい。
The number of rings constituting the optionally substituted polycyclic aryl group and the optionally substituted polycyclic heteroaryl group is 2 or more, preferably 2 to 4, and 2 to 3 is more preferred, and 2 is even more preferred.
The optionally substituted polycyclic aryl group and the optionally substituted polycyclic heteroaryl group may have a non-aromatic ring. .
As the optionally substituted polycyclic aryl group, for example, an optionally substituted naphthyl group is preferable.

d13は、水素原子又は置換基を表す。
d13で表される置換基としては、例えば、置換基Wで例示される基が挙げられる。
d13としては、水素原子が好ましい。
R d13 represents a hydrogen atom or a substituent.
Examples of the substituent represented by R d13 include groups exemplified for the substituent W.
R d13 is preferably a hydrogen atom.

式(2D)中、*は、結合位置を表す。Ard21は、2つ以上の炭素原子を含む芳香環を表す。Ard21で表される芳香環は、更に置換基を有していてもよい。Zd21は、カルコゲン原子又は-NRZ21-を表す。RZ21は、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。Zd22は、窒素原子又は-CRZ22=を表す。RZ22は、水素原子又は置換基を表す。 In formula (2D), * represents a binding position. Ar d21 represents an aromatic ring containing two or more carbon atoms. The aromatic ring represented by Ar d21 may further have a substituent. Z d21 represents a chalcogen atom or -NR Z21 -. R Z21 represents a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group or an optionally substituted aromatic ring group. Z d22 represents a nitrogen atom or -CR Z22 =. R Z22 represents a hydrogen atom or a substituent.

Ard21は、2つ以上の炭素原子を含む芳香環を表す。Ard21で表される芳香環は、更に置換基を有していてもよい。
Ard21としては、例えば、Ard11で表される芳香環が挙げられ、芳香族複素環が好ましい。
Ard21で表される芳香環が有していてもよい置換基としては、例えば、置換基Wで例示される基が挙げられ、アルキル基又はアリール基が好ましい。
Ard21は、単環及び多環のいずれであってもよい。上記多環は、縮合環であってもよい。
Ard21で表される芳香環の環員数は、5~6が好ましく、5がより好ましい。
上記芳香族複素環としては、例えば、キノキサリン環、ピラジン環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環及びこれらを組み合わせた環が挙げられ、ピロール環、フラン環又はチオフェン環が好ましい。
Ar d21 represents an aromatic ring containing two or more carbon atoms. The aromatic ring represented by Ar d21 may further have a substituent.
Ar d21 includes, for example, an aromatic ring represented by Ar d11 , preferably an aromatic heterocyclic ring.
Examples of the substituent that the aromatic ring represented by Ar d21 may have include groups exemplified for the substituent W, and an alkyl group or an aryl group is preferable.
Ar d21 may be either monocyclic or polycyclic. The polycyclic ring may be a condensed ring.
The number of ring members of the aromatic ring represented by Ar d21 is preferably 5-6, more preferably 5.
Examples of the aromatic heterocyclic ring include a quinoxaline ring, a pyrazine ring, a pyrrole ring, a furan ring, a thiophene ring, an imidazole ring, an oxazole ring, a thiazole ring, and rings in which these are combined. A ring is preferred.

d21は、カルコゲン原子又は-NRZ21-を表す。RZ21は、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。
カルコゲン原子としては、例えば、酸素原子、硫黄原子、セレン原子及びテルル原子が挙げられ、酸素原子又は硫黄原子が好ましい。
Z21としては、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基が好ましく、置換基を有していてもよいアルキル基がより好ましく、無置換のアルキル基が更に好ましい。上記置換基としては、例えば、置換基Wで例示される基が挙げられ、アルキル基が好ましい。
d21としては、-NRZ21-が好ましい。
Z d21 represents a chalcogen atom or -NR Z21 -. R Z21 represents a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group or an optionally substituted aromatic ring group.
The chalcogen atom includes, for example, an oxygen atom, a sulfur atom, a selenium atom and a tellurium atom, preferably an oxygen atom or a sulfur atom.
R Z21 is preferably an optionally substituted alkyl group or an optionally substituted aryl group, more preferably an optionally substituted alkyl group, unsubstituted alkyl groups are more preferred. Examples of the substituent include groups exemplified for the substituent W, and an alkyl group is preferable.
Z d21 is preferably -NR Z21 -.

d22は、窒素原子又は-CRZ22=を表す。RZ22は、水素原子又は置換基を表す。
上記置換基としては、例えば、置換基Wで例示される基が挙げられ、アルキル基が好ましい。
Z22としては、水素原子が好ましい。
Z d22 represents a nitrogen atom or -CR Z22 =. R Z22 represents a hydrogen atom or a substituent.
Examples of the substituent include groups exemplified for the substituent W, and an alkyl group is preferable.
R Z22 is preferably a hydrogen atom.

式(3D)中、*は、結合位置を表す。Ard31及びArd32は、それぞれ独立に、2つ以上の炭素原子を含む芳香環を表す。Ard31及びArd32で表される芳香環は、更に置換基を有していてもよい。Zd31は、-CRZ31Z32-、-SiRZ31Z32-又は>C=RZ33を表す。RZ31及びRZ32は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。RZ31及びRZ32は、互いに結合して環を形成していてもよい。RZ33は、酸素原子、硫黄原子又は=CRZ34Z35を表す。RZ34及びRZ35は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。RZ34及びRZ35のうち少なくとも一方と、Ard31及びArd32のうち少なくとも一方とは、互いに縮合して縮合環を形成していてもよい。Rd31は、水素原子又は置換基を表す。 In formula (3D), * represents a binding position. Ar d31 and Ar d32 each independently represent an aromatic ring containing two or more carbon atoms. The aromatic rings represented by Ar d31 and Ar d32 may further have a substituent. Z d31 represents -CR Z31 R Z32 -, -SiR Z31 R Z32 - or >C=R Z33 . R Z31 and R Z32 each independently represent a hydrogen atom or a substituent. R 2 Z31 and R 2 Z32 may combine with each other to form a ring. R Z33 represents an oxygen atom, a sulfur atom or =CR Z34 R Z35 . R Z34 and R Z35 each independently represent a hydrogen atom or a substituent. At least one of R Z34 and R Z35 and at least one of Ar d31 and Ar d32 may be condensed with each other to form a condensed ring. R d31 represents a hydrogen atom or a substituent.

Ard31及びArd32は、それぞれ独立に、2つ以上の炭素原子を含む芳香環を表す。Ard31及びArd32で表される芳香環は、更に置換基を有していてもよい。
上記芳香環は、単環及び多環のいずれであってもよい。上記多環は、縮合環であってもよい。
Ard31及びArd32のうち一方が単環であり他方が多環であることが好ましく、Ard31が単環でありArd32が多環であることがより好ましく、Ard31がベンゼン環でありArd32がナフタレン環であることが更に好ましい。
上記単環の環員数は、5~12が好ましく、5~6がより好ましい。
上記多環の合計環員数は、10以上が好ましく、12以上がより好ましい。上限は、20以下の場合が多い。
Ard31及びArd32で表される芳香環の炭素数は、それぞれ独立に、2以上であり、6以上が好ましい。上限は、20以下の場合が多く、12以下が好ましい。
Ard31及びArd32で表される芳香環が有していてもよい置換基としては、例えば、置換基Wで例示される基が挙げられ、アルキル基が好ましい。
Ard31及びArd32で表される芳香環は、置換基を有さないことも好ましい。
Ard31及びArd32で表される芳香環としては、例えば、Ara11で表される芳香族炭化水素環及び芳香族複素環が挙げられる。
上記芳香環としては、芳香族炭化水素環が好ましく、ベンゼン環又はナフタレン環がより好ましい。
Ar d31 and Ar d32 each independently represent an aromatic ring containing two or more carbon atoms. The aromatic rings represented by Ar d31 and Ar d32 may further have a substituent.
The above aromatic ring may be either monocyclic or polycyclic. The polycyclic ring may be a condensed ring.
One of Ar d31 and Ar d32 is preferably monocyclic and the other is polycyclic, more preferably Ar d31 is monocyclic and Ar d32 is polycyclic, Ar d31 is a benzene ring and Ar More preferably, d32 is a naphthalene ring.
The number of ring members of the monocyclic ring is preferably 5-12, more preferably 5-6.
The total number of ring members of the polycyclic ring is preferably 10 or more, more preferably 12 or more. The upper limit is often 20 or less.
The number of carbon atoms in the aromatic rings represented by Ar d31 and Ar d32 is each independently 2 or more, preferably 6 or more. The upper limit is often 20 or less, preferably 12 or less.
Examples of the substituent that the aromatic rings represented by Ar d31 and Ar d32 may have include groups exemplified for the substituent W, and an alkyl group is preferable.
The aromatic rings represented by Ar d31 and Ar d32 also preferably have no substituents.
Examples of the aromatic rings represented by Ar d31 and Ar d32 include aromatic hydrocarbon rings and aromatic heterocycles represented by Ar a11 .
The aromatic ring is preferably an aromatic hydrocarbon ring, more preferably a benzene ring or a naphthalene ring.

d31は、-CRZ31Z32-、-SiRZ31Z32-又は>C=RZ33を表す。RZ31及びRZ32は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。RZ31及びRZ32は、互いに結合して環を形成していてもよい。
d31としては、-CRZ31Z32-が好ましい。
Z31及びRZ32で表される置換基としては、例えば、置換基Wで例示される基が挙げられ、アルキル基(好ましくは炭素数1~3のアルキル基)が好ましい。上記アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよく、直鎖状が好ましい。
Z d31 represents -CR Z31 R Z32 -, -SiR Z31 R Z32 - or >C=R Z33 . R Z31 and R Z32 each independently represent a hydrogen atom or a substituent. R 2 Z31 and R 2 Z32 may combine with each other to form a ring.
Z d31 is preferably -CR Z31 R Z32 -.
Examples of the substituents represented by R 2 Z31 and R 2 Z32 include groups exemplified for the substituent W, and alkyl groups (preferably alkyl groups having 1 to 3 carbon atoms) are preferred. The alkyl group may be linear, branched or cyclic, preferably linear.

Z33は、酸素原子、硫黄原子又は=CRZ34Z35を表す。RZ34及びRZ35は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
Z34及びRZ35で表される置換基としては、例えば、置換基Wで例示される基が挙げられる。
R Z33 represents an oxygen atom, a sulfur atom or =CR Z34 R Z35 ; R Z34 and R Z35 each independently represent a hydrogen atom or a substituent.
Examples of substituents represented by R 2 Z34 and R 2 Z35 include groups exemplified for substituent W.

Z34及びRZ35のうち少なくとも一方と、Ard31及びArd32のうち少なくとも一方とは、互いに縮合して縮合環を形成していてもよい。
具体的には、Ard31とRZ34又はRZ35と、Ard32とRZ34又はRZ35と、並びに、Ard31、Ard32、RZ34及びRZ35が、互いに縮合して縮合環を形成していてもよい。
At least one of R Z34 and R Z35 and at least one of Ar d31 and Ar d32 may be condensed with each other to form a condensed ring.
Specifically, Ar d31 and R Z34 or R Z35 , Ar d32 and R Z34 or R Z35 , and Ar d31 , Ar d32 , R Z34 and R Z35 are condensed with each other to form condensed rings. may

Figure 2023010305000010
Figure 2023010305000010

式(4D)中、*は、結合位置を表す。Rd41及びRd42は、それぞれ独立に、-C(RL41)(RL42)(RL43)又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。RL41~RL43は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。RL41~RL43で表される、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい芳香環基は、互いに結合して環を形成していてもよい。Rd43は、水素原子又は置換基を表す。Ed41~Ed44は、それぞれ独立に、窒素原子又は-CRE41=を表す。RE41は、水素原子又は置換基を表す。RE41が複数存在する場合、複数存在するRE41同士は、互いに結合して環を形成していてもよい。 In formula (4D), * represents a binding position. R d41 and R d42 each independently represent —C(R L41 ) (R L42 ) (R L43 ) or an optionally substituted aromatic ring group. R L41 to R L43 each independently represent a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group or an optionally substituted aromatic ring group. The alkyl groups optionally having substituents or the aromatic ring groups optionally having substituents represented by R L41 to R L43 may combine with each other to form a ring. R d43 represents a hydrogen atom or a substituent. E d41 to E d44 each independently represent a nitrogen atom or —CR E41 =. R E41 represents a hydrogen atom or a substituent. When multiple R E41 are present, the multiple R E41 may be bonded to each other to form a ring.

d41及びRd42は、それぞれ独立に、-C(RL41)(RL42)(RL43)又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。
d41及びRd42としては、上記Rd11及び上記Rd12と同じであり、好適態様も同じである。
d43は、水素原子又は置換基を表す。
d43としては、上記Rd13と同じであり、好適態様も同じである。
R d41 and R d42 each independently represent —C(R L41 ) (R L42 ) (R L43 ) or an optionally substituted aromatic ring group.
R d41 and R d42 are the same as R d11 and R d12 above, and the preferred embodiments are also the same.
R d43 represents a hydrogen atom or a substituent.
R d43 is the same as R d13 above, and the preferred embodiments are also the same.

d41~Ed44は、それぞれ独立に、窒素原子又は-CRE41=を表す。RE41は、水素原子又は置換基を表す。RE41が複数存在する場合、複数存在するRE41同士は、互いに結合して環を形成していてもよい。
d41~Ed44のうち少なくとも2つが窒素原子であることが好ましく、少なくともEd41及びEd44が窒素原子であることがより好ましく、Ed41及びEd44のみが窒素原子であることが更に好ましい。
複数存在するRE41が互いに結合して形成する環としては、芳香環が好ましく、ベンゼン環又はピリジン環がより好ましい。上記形成する環は、更に置換基(例えば、置換基Wで例示される基等)を有していてもよい。
E d41 to E d44 each independently represent a nitrogen atom or —CR E41 =. R E41 represents a hydrogen atom or a substituent. When multiple R E41 are present, the multiple R E41 may be bonded to each other to form a ring.
At least two of E d41 to E d44 are preferably nitrogen atoms, more preferably at least E d41 and E d44 are nitrogen atoms, and even more preferably only E d41 and E d44 are nitrogen atoms.
The ring formed by combining a plurality of RE41s is preferably an aromatic ring, more preferably a benzene ring or a pyridine ring. The ring formed above may further have a substituent (eg, a group exemplified for the substituent W).

Figure 2023010305000011
Figure 2023010305000011

式(5D)中、*は、結合位置を表す。Rd51及びRd52は、それぞれ独立に、-C(RL51)(RL52)(RL53)又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。RL51~RL53は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。RL51~RL53で表される、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい芳香環基は、互いに結合して環を形成していてもよい。Rd53~Rd55は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Rd54及びRd55は、互いに結合して環を形成していてもよい。 In formula (5D), * represents a binding position. R d51 and R d52 each independently represent —C(R L51 ) (R L52 ) (R L53 ) or an optionally substituted aromatic ring group. R L51 to R L53 each independently represent a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group or an optionally substituted aromatic ring group. The alkyl groups optionally having substituents or the aromatic ring groups optionally having substituents represented by R L51 to R L53 may combine with each other to form a ring. R d53 to R d55 each independently represent a hydrogen atom or a substituent. R d54 and R d55 may combine with each other to form a ring.

d51及びRd52としては、上記Rd11及び上記Rd12と同じであり、好適態様も同じである。
d53~Rd55は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
d53としては、上記Rd13と同じであり、好適態様も同じである。
d54及びRd55で表される置換基としては、例えば、置換基Wで例示される基が挙げられ、アルキル基が好ましい。
d54及びRd55は、互いに結合して形成する環としては、芳香環が好ましく、ベンゼン環がより好ましい。上記形成する環は、更に置換基(例えば、置換基Wで例示される基等)を有していてもよい。
R d51 and R d52 are the same as R d11 and R d12 above, and the preferred embodiments are also the same.
R d53 to R d55 each independently represent a hydrogen atom or a substituent.
R d53 is the same as R d13 above, and the preferred embodiments are also the same.
Examples of substituents represented by R d54 and R d55 include groups exemplified for substituent W, and alkyl groups are preferred.
The ring formed by combining R d54 and R d55 is preferably an aromatic ring, more preferably a benzene ring. The ring formed above may further have a substituent (eg, a group exemplified for the substituent W).

Figure 2023010305000012
Figure 2023010305000012

式(6D)中、*は、結合位置を表す。Rd61及びRd62は、それぞれ独立に、-C(RL61)(RL62)(RL63)又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。RL61~RL63は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。RL61~RL63で表される、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい芳香環基は、互いに結合して環を形成していてもよい。Rd63~Rd65は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Rd64及びRd65は、互いに結合して環を形成していてもよい。Ed61及びEd62は、それぞれ独立に、窒素原子又は-CRE61=を表す。RE61は、水素原子又は置換基を表す。 In formula (6D), * represents a binding position. R d61 and R d62 each independently represent —C(R L61 ) (R L62 ) (R L63 ) or an optionally substituted aromatic ring group. R L61 to R L63 each independently represent a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group or an optionally substituted aromatic ring group. The alkyl groups optionally having substituents or the aromatic ring groups optionally having substituents represented by R L61 to R L63 may combine with each other to form a ring. R d63 to R d65 each independently represent a hydrogen atom or a substituent. R d64 and R d65 may combine with each other to form a ring. E d61 and E d62 each independently represent a nitrogen atom or -CR E61 =. R E61 represents a hydrogen atom or a substituent.

d61及びRd62としては、上記Rd41及び上記Rd42と同じであり、好適態様も同じである。
d63~Rd65は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
d63としては、上記Rd13と同じであり、好適態様も同じである。
d64及びRd65で表される置換基としては、例えば、置換基Wで例示される基が挙げられる。
d64及びRd65としては、水素原子、ハロゲン原子又はシアノ基が好ましい。
R d61 and R d62 are the same as R d41 and R d42 above, and the preferred embodiments are also the same.
R d63 to R d65 each independently represent a hydrogen atom or a substituent.
R d63 is the same as R d13 above, and the preferred embodiments are also the same.
Examples of substituents represented by R d64 and R d65 include groups exemplified for substituent W.
R d64 and R d65 are preferably a hydrogen atom, a halogen atom or a cyano group.

d61及びEd62は、それぞれ独立に、窒素原子又は-CRE61=を表す。RE61は、水素原子又は置換基を表す。
d61及びEd62の一方が-CRE61=を表し、他方が窒素原子又は-CRE61=を表すことが好ましく、Ed61及びEd62が-CRE61=を表すことが好ましい。
E61で表される置換基としては、例えば、置換基Wで例示される基が挙げられる。
E d61 and E d62 each independently represent a nitrogen atom or -CR E61 =. R E61 represents a hydrogen atom or a substituent.
One of E d61 and E d62 preferably represents -CR E61 = and the other preferably represents a nitrogen atom or -CR E61 =, and preferably E d61 and E d62 represent -CR E61 =.
Examples of the substituent represented by R E61 include groups exemplified for the substituent W.

特定化合物の好適態様としては、例えば、以下の態様が挙げられる。
特定化合物の好適態様としては、態様Aが好ましく、態様Bがより好ましく、態様Cが更に好ましく、態様Dが特に好ましい。
態様A:Dが芳香環を含む置換基であり、Aが式(2A)で表される基である。
態様B:Dが式(1D)~式(3D)のいずれかで表される基であり、Aが式(2A)で表される基又は式(3A)で表される基である。
態様C:Dが式(5D)で表される基であり、Aが式(2A)で表される基又は式(3A)で表される基である。
態様D:Dが式(6D)で表される基であり、Aが式(2A)で表される基又は式(3A)で表される基である。
Preferred aspects of the specific compound include, for example, the following aspects.
As preferred embodiments of the specific compound, Aspect A is preferred, Aspect B is more preferred, Aspect C is still more preferred, and Aspect D is particularly preferred.
Aspect A: D 1 is a substituent containing an aromatic ring, and A 1 is a group represented by formula (2A).
Mode B: D 1 is a group represented by any one of formulas (1D) to (3D), and A 1 is a group represented by formula (2A) or a group represented by formula (3A) .
Mode C: D 1 is a group represented by formula (5D), and A 1 is a group represented by formula (2A) or a group represented by formula (3A).
Mode D: D 1 is a group represented by formula (6D), and A 1 is a group represented by formula (2A) or a group represented by formula (3A).

以下に、特定化合物を例示する。
なお、下記に例示する特定化合物を式(1)に当てはめた場合において、Rが結合する炭素原子とそれに隣接する炭素原子とで構成されるC=C二重結合に基づいて区別され得る幾何異性体について、下記に例示する特定化合物はそのいずれをも含む。つまり、上記C=C二重結合に基づいて区別されるシス体とトランス体とは、いずれも下記に例示する特定化合物にそれぞれ含まれる。
Specific compounds are exemplified below.
In addition, when the specific compounds exemplified below are applied to formula ( 1 ), the geometric With respect to isomers, the specific compounds exemplified below include both. That is, both the cis isomer and the trans isomer, which are distinguished based on the C=C double bond, are included in the specific compounds exemplified below.

Figure 2023010305000013
Figure 2023010305000013

Figure 2023010305000014
Figure 2023010305000014

Figure 2023010305000015
Figure 2023010305000015

特定化合物の分子量は特に制限されないが、製造適性が優れる点から、400~1200が好ましく、400~1000がより好ましく、400~800が更に好ましい。
上記分子量である場合、特定化合物の昇華温度が低くなり、高速で光電変換膜を成膜した際にも光電変換効率に優れると推測される。
Although the molecular weight of the specific compound is not particularly limited, it is preferably from 400 to 1200, more preferably from 400 to 1000, and even more preferably from 400 to 800, from the viewpoint of excellent production aptitude.
In the case of the above molecular weight, the sublimation temperature of the specific compound is low, and it is presumed that the photoelectric conversion efficiency is excellent even when the photoelectric conversion film is formed at high speed.

特定化合物は、撮像素子、光センサ又は光電池に用いる光電変換膜の材料として特に有用である。なお、特定化合物は、光電変換膜内でp型有機半導体として機能する場合が多い。また、特定化合物は、着色材料、液晶材料、有機半導体材料、電荷輸送材料、医薬材料及び蛍光診断薬材料としても使用できる。 The specific compound is particularly useful as a material for photoelectric conversion films used in imaging devices, optical sensors, or photoelectric cells. In addition, the specific compound often functions as a p-type organic semiconductor in the photoelectric conversion film. The specific compound can also be used as a coloring material, a liquid crystal material, an organic semiconductor material, a charge transport material, a pharmaceutical material, and a fluorescent diagnostic agent material.

特定化合物は、p型有機半導体として使用する際の安定性とn型有機半導体とのエネルギー準位のマッチングの点で、単膜でのイオン化ポテンシャルが-5.0~-6.0eVである化合物であることが好ましい。 The specific compound is a compound having an ionization potential of -5.0 to -6.0 eV in a single film in terms of stability when used as a p-type organic semiconductor and energy level matching with an n-type organic semiconductor. is preferably

特定化合物の極大吸収波長は、500~600nmの範囲が好ましく、530~580nmの範囲がより好ましい。
なお、上記極大吸収波長は、特定化合物の膜(例えば、特定化合物の蒸着膜)の状態で測定した値である。
The maximum absorption wavelength of the specific compound is preferably in the range of 500-600 nm, more preferably in the range of 530-580 nm.
The maximum absorption wavelength is a value measured in the state of a film of a specific compound (for example, a vapor-deposited film of a specific compound).

特定化合物は、必要に応じて精製されてもよい。
特定化合物の精製方法は特に制限されないが、昇華精製が好ましい。
昇華精製後の特定化合物の純度(例えば、HPLCやGCでの測定純度)は特に制限されないが、95%以上が好ましく、98%以上がより好ましく、99%以上が更に好ましい。
A particular compound may be purified if desired.
Although the method for purifying the specific compound is not particularly limited, sublimation purification is preferred.
The purity of the specific compound after sublimation purification (for example, purity measured by HPLC or GC) is not particularly limited, but is preferably 95% or higher, more preferably 98% or higher, and even more preferably 99% or higher.

特定化合物を昇華精製する前に、特定化合物は他の方法で精製されてもよく、例えば、特定化合物に対しては、シリカゲルカラムクロマトグラフィーを用いた精製、GPC(GEL PERMEATION CHROMATOGRAPHY)を用いた精製、リスラリー洗浄、再沈殿精製、活性炭などの吸着剤を用いた精製、及び、再結晶精製が施されることが好ましい。
昇華精製する前の特定化合物の純度(例えば、HPLCやGCでの測定純度)は特に制限されないが、95%以上が好ましく、98%以上がより好ましく、99%以上が更に好ましい。
再結晶精製の際に使用される溶媒(再結晶溶媒)は特に制限されないが、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、トルエン、キシレン、アニソール、1,2-ジメトキシベンゼン、テトラリン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、アセトニトリル、ベンゾニトリル、酢酸、クロロホルム、ジクロロメタン、酢酸エチル、酢酸ブチル、テトラヒドロフラン、4-メチルテトラヒドロピラン、及び、シクロペンチルメチルエーテルなどが挙げられる。
再結晶溶媒は、複数種の溶媒を混合した混合液であってもよい。
Prior to sublimation purification of the specific compound, the specific compound may be purified by other methods. For example, for the specific compound, purification using silica gel column chromatography, purification using GPC (GEL Permeation CHROMATOGRAPHY). , reslurry washing, reprecipitation purification, purification using an adsorbent such as activated carbon, and recrystallization purification are preferably performed.
The purity of the specific compound before sublimation purification (for example, purity measured by HPLC or GC) is not particularly limited, but is preferably 95% or higher, more preferably 98% or higher, and even more preferably 99% or higher.
The solvent (recrystallization solvent) used during recrystallization purification is not particularly limited, but examples include methanol, ethanol, isopropanol, butanol, toluene, xylene, anisole, 1,2-dimethoxybenzene, tetralin, chlorobenzene, and dichlorobenzene. , hexane, heptane, octane, acetonitrile, benzonitrile, acetic acid, chloroform, dichloromethane, ethyl acetate, butyl acetate, tetrahydrofuran, 4-methyltetrahydropyran, and cyclopentyl methyl ether.
The recrystallization solvent may be a mixture of multiple solvents.

昇華精製に供される特定化合物を含む粗体に含まれる残溶媒量は特に制限されないが、粗体中の特定化合物全モル量に対して、残溶媒量は10mol%以下が好ましく、5mol%以下がより好ましく、2mol%以下が更に好ましい。 The amount of residual solvent contained in the crude material containing the specific compound to be subjected to sublimation purification is not particularly limited, but the amount of residual solvent is preferably 10 mol% or less, and 5 mol% or less based on the total molar amount of the specific compound in the crude material. is more preferable, and 2 mol % or less is even more preferable.

昇華精製に供される特定化合物を含む粗体に含まれる特定化合物を構成していない元素(例えば、Li、Na、K、Mg、Ca、Al、Si、P、Sn、遷移金属元素等)を含む不純物は特に制限されないが、粗体全質量に対して、1000質量ppm以下が好ましく、100質量ppm以下がより好ましい、10質量ppm以下が更に好ましい。
上記元素の測定方法としては、ICP(高周波誘導結合プラズマ)発光分析法が挙げられる。
Elements (for example, Li, Na, K, Mg, Ca, Al, Si, P, Sn, transition metal elements, etc.) that do not constitute the specific compound contained in the crude body containing the specific compound to be subjected to sublimation purification Impurities included are not particularly limited, but are preferably 1000 mass ppm or less, more preferably 100 mass ppm or less, and still more preferably 10 mass ppm or less, relative to the total mass of the crude product.
Methods for measuring the above elements include ICP (Inductively Coupled Plasma) emission spectrometry.

特定化合物は公知の方法で合成できる。
特定化合物の純度を向上させるために、中間体を含む特定化合物の合成に用いる原料の純度(例えば、HPLCやGCでの測定純度)は特に制限されないが、97%以上が好ましく、98%以上がより好ましく、99%以上が更に好ましい。
市販原料及び合成中間体の純度が低い場合は、公知の方法で精製したものを使用してもよい。
A specific compound can be synthesized by a known method.
In order to improve the purity of the specific compound, the purity of the raw materials used in the synthesis of the specific compound including intermediates (for example, the purity measured by HPLC or GC) is not particularly limited, but is preferably 97% or more, and 98% or more. More preferably, 99% or more is even more preferable.
When the purity of commercially available raw materials and synthetic intermediates is low, those purified by known methods may be used.

特定化合物は、1種単独又は2種以上で用いてもよい。
光電変換膜中の特定化合物の含有量(=特定化合物の単層換算での膜厚/光電変換膜の膜厚×100)は、15~75体積%が好ましく、20~60体積%がより好ましく、25~50体積%が更に好ましい。
You may use a specific compound individually by 1 type or in 2 or more types.
The content of the specific compound in the photoelectric conversion film (=thickness of the specific compound in terms of a single layer/thickness of the photoelectric conversion film×100) is preferably 15 to 75% by volume, more preferably 20 to 60% by volume. , 25 to 50% by volume is more preferred.

<n型有機半導体>
光電変換膜は、上記特定化合物以外に、n型有機半導体を含むことが好ましい。
n型有機半導体は、上記特定化合物とは異なる化合物である。
n型有機半導体は、アクセプター性有機半導体材料(化合物)であり、電子を受容しやすい性質がある有機化合物をいう。つまり、n型有機半導体は、2つの有機化合物を接触させて用いた場合に電子親和力の大きい方の有機化合物をいう。つまり、アクセプター性有機半導体としては、電子受容性のある有機化合物であれば、いずれの有機化合物も使用可能である。
n型有機半導体としては、例えば、フラーレン及びその誘導体からなる群から選択されるフラーレン類、縮合芳香族炭素環化合物(例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体及びフルオランテン誘導体等);窒素原子、酸素原子及び硫黄原子からなる群から選択される少なくとも1つを有する5~7員環のヘテロ環化合物(例えば、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、キノキサリン、キナゾリン、フタラジン、シンノリン、イソキノリン、プテリジン、アクリジン、フェナジン、フェナントロリン、テトラゾール、ピラゾール、イミダゾール及びチアゾール等);ポリアリーレン化合物;フルオレン化合物;シクロペンタジエン化合物;シリル化合物;1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸無水物;1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸無水物イミド誘導体及びオキサジアゾール誘導体;アントラキノジメタン誘導体;ジフェニルキノン誘導体;バソクプロイン、バソフェナントロリン及びこれらの誘導体;トリアゾール化合物;ジスチリルアリーレン誘導体;含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体;シロール化合物;並びに特開2006-100767号公報の段落[0056]~[0057]に記載の化合物が挙げられる。
<n-type organic semiconductor>
The photoelectric conversion film preferably contains an n-type organic semiconductor in addition to the specific compound.
The n-type organic semiconductor is a compound different from the above specific compound.
An n-type organic semiconductor is an acceptor organic semiconductor material (compound), and refers to an organic compound having a property of easily accepting electrons. That is, the n-type organic semiconductor refers to an organic compound having a larger electron affinity when two organic compounds are used in contact with each other. That is, any organic compound can be used as the acceptor organic semiconductor as long as it is an organic compound having an electron-accepting property.
Examples of n-type organic semiconductors include fullerenes selected from the group consisting of fullerenes and derivatives thereof, condensed aromatic carbocyclic compounds (e.g., naphthalene derivatives, anthracene derivatives, phenanthrene derivatives, tetracene derivatives, pyrene derivatives, perylene derivatives and fluoranthene derivatives, etc.); 5- to 7-membered heterocyclic compounds having at least one selected from the group consisting of a nitrogen atom, an oxygen atom and a sulfur atom (e.g., pyridine, pyrazine, pyrimidine, pyridazine, triazine, quinoline, quinoxaline) , quinazoline, phthalazine, cinnoline, isoquinoline, pteridine, acridine, phenazine, phenanthroline, tetrazole, pyrazole, imidazole and thiazole, etc.); polyarylene compounds; fluorene compounds; cyclopentadiene compounds; silyl compounds; Tetracarboxylic anhydrides; 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic anhydride imide derivatives and oxadiazole derivatives; anthraquinodimethane derivatives; diphenylquinone derivatives; bathocuproine, bathophenanthroline and their derivatives; triazole compounds; metal complexes having a nitrogen-containing heterocyclic compound as a ligand; silole compounds; and compounds described in paragraphs [0056] to [0057] of JP-A-2006-100767.

n型有機半導体(化合物)としては、フラーレン及びその誘導体からなる群から選択されるフラーレン類が好ましい。
フラーレンとしては、例えば、フラーレンC60、フラーレンC70、フラーレンC76、フラーレンC78、フラーレンC80、フラーレンC82、フラーレンC84、フラーレンC90、フラーレンC96、フラーレンC240、フラーレンC540及びミックスドフラーレンが挙げられる。
フラーレン誘導体は、例えば、上記フラーレンに置換基が付加した化合物が挙げられる。上記置換基としては、アルキル基、アリール基又は複素環基が好ましい。フラーレン誘導体としては、特開2007-123707号公報に記載の化合物が好ましい。
As the n-type organic semiconductor (compound), fullerenes selected from the group consisting of fullerenes and derivatives thereof are preferred.
Fullerenes include, for example, fullerene C60, fullerene C70, fullerene C76, fullerene C78, fullerene C80, fullerene C82, fullerene C84, fullerene C90, fullerene C96, fullerene C240, fullerene C540 and mixed fullerene.
Fullerene derivatives include, for example, compounds in which substituents are added to the above fullerenes. The above substituent is preferably an alkyl group, an aryl group or a heterocyclic group. As the fullerene derivative, compounds described in JP-A-2007-123707 are preferred.

n型有機半導体としては、有機色素を用いてもよい。
有機色素としては、例えば、シアニン色素、スチリル色素、ヘミシアニン色素、メロシアニン色素(ゼロメチンメロシアニン(シンプルメロシアニン)を含む)、ロダシアニン色素、アロポーラー色素、オキソノール色素、ヘミオキソノール色素、スクアリウム色素、クロコニウム色素、アザメチン色素、クマリン色素、アリーリデン色素、アントラキノン色素、トリフェニルメタン色素、アゾ色素、アゾメチン色素、メタロセン色素、フルオレノン色素、フルギド色素、ペリレン色素、フェナジン色素、フェノチアジン色素、キノン色素、ジフェニルメタン色素、ポリエン色素、アクリジン色素、アクリジノン色素、ジフェニルアミン色素、キノフタロン色素、フェノキサジン色素、フタロペリレン色素、ジオキサン色素、ポルフィリン色素、クロロフィル色素、フタロシアニン色素、サブフタロシアニン色素及び金属錯体色素が挙げられる。
An organic dye may be used as the n-type organic semiconductor.
Examples of organic dyes include cyanine dyes, styryl dyes, hemicyanine dyes, merocyanine dyes (including zeromethine merocyanine (simple merocyanine)), rhodacyanine dyes, allopolar dyes, oxonol dyes, hemioxonol dyes, squarium dyes, croconium dyes, Azamethine dyes, coumarin dyes, arylidene dyes, anthraquinone dyes, triphenylmethane dyes, azo dyes, azomethine dyes, metallocene dyes, fluorenone dyes, fulgide dyes, perylene dyes, phenazine dyes, phenothiazine dyes, quinone dyes, diphenylmethane dyes, polyene dyes, Examples include acridine dyes, acridinone dyes, diphenylamine dyes, quinophthalone dyes, phenoxazine dyes, phthaloperylene dyes, dioxane dyes, porphyrin dyes, chlorophyll dyes, phthalocyanine dyes, subphthalocyanine dyes, and metal complex dyes.

n型有機半導体の分子量は、200~1200が好ましく、200~900がより好ましい。 The molecular weight of the n-type organic semiconductor is preferably 200-1200, more preferably 200-900.

n型有機半導体は、無色、又は、特定化合物に近い吸収極大波長及び/又は吸収波形を有することも好ましい。具体的な数値としては、n型有機半導体の吸収極大波長が400nm以下、又は、500~600nmの範囲にあるのが好ましい。 It is also preferred that the n-type organic semiconductor is colorless or has an absorption maximum wavelength and/or absorption waveform close to that of a specific compound. As a specific numerical value, it is preferable that the maximum absorption wavelength of the n-type organic semiconductor is 400 nm or less, or in the range of 500 to 600 nm.

光電変換膜は、特定化合物とn型有機半導体とが混合された状態で形成されるバルクヘテロ構造を有することが好ましい。バルクヘテロ構造は、光電変換膜内で、特定化合物とn型有機半導体とが混合及び分散している層である。バルクヘテロ構造を有する光電変換膜は、湿式法及び乾式法のいずれ方法でも形成できる。なお、バルクへテロ構造については、特開2005-303266号公報の段落[0013]~[0014]において詳細に説明されている。 The photoelectric conversion film preferably has a bulk heterostructure formed by mixing the specific compound and the n-type organic semiconductor. A bulk heterostructure is a layer in which a specific compound and an n-type organic semiconductor are mixed and dispersed in a photoelectric conversion film. A photoelectric conversion film having a bulk heterostructure can be formed by either a wet method or a dry method. The bulk heterostructure is described in detail in paragraphs [0013] to [0014] of JP-A-2005-303266.

光電変換膜がn型有機半導体を含む場合、光電変換膜中のn型有機半導体の含有量(=n型有機半導体の単層換算での膜厚/光電変換膜の膜厚×100)は、15~75体積%が好ましく、20~60体積%がより好ましく、25~50体積%が更に好ましい。
なお、n型半導体材料は、1種単独で使用してもよく、2種以上使用してもよい。
When the photoelectric conversion film contains an n-type organic semiconductor, the content of the n-type organic semiconductor in the photoelectric conversion film (=thickness of the n-type organic semiconductor in terms of a single layer/thickness of the photoelectric conversion film×100) is 15 to 75% by volume is preferred, 20 to 60% by volume is more preferred, and 25 to 50% by volume is even more preferred.
In addition, n-type semiconductor materials may be used individually by 1 type, and may be used 2 or more types.

また、n型半導体材料がフラーレン類を含む場合、n型半導体材料の合計の含有量に対する、フラーレン類の含有量(=フラーレン類の単層換算での膜厚/単層換算した各n型半導体材料の膜厚の合計×100)は、50~100体積%が好ましく、80~100体積%がより好ましい。
なお、フラーレン類は、1種単独で使用してもよく、2種以上使用してもよい。
In addition, when the n-type semiconductor material contains fullerenes, the content of fullerenes with respect to the total content of the n-type semiconductor material (= film thickness in terms of single layer of fullerenes / each n-type semiconductor in terms of single layer The total thickness of the material×100) is preferably 50 to 100% by volume, more preferably 80 to 100% by volume.
In addition, fullerenes may be used individually by 1 type, and may be used 2 or more types.

特定化合物とn型有機半導体との電子親和力の差は、0.1eV以上であることが好ましい。 The difference in electron affinity between the specific compound and the n-type organic semiconductor is preferably 0.1 eV or more.

光電変換素子の応答性の点から、特定化合物とn型有機半導体との合計の含有量に対する特定化合物の含有量(=特定化合物の単層換算での膜厚/(特定化合物の単層換算での膜厚+n型有機半導体の単層換算での膜厚)×100)は、20~80体積%が好ましく、40~80体積%がより好ましい。
また、光電変換膜が、後述するp型有機半導体を含む場合、特定化合物の含有量(=特定化合物の単層換算での膜厚/(特定化合物の単層換算での膜厚+n型有機半導体の単層換算での膜厚+p型有機半導体の単層換算での膜厚)×100)は、15~75体積%が好ましく、30~75体積%がより好ましい。
なお、光電変換膜は、実質的に、特定化合物とn型有機半導体と所望に応じて含まれるp型有機半導体とから構成されるのが好ましい。実質的とは、光電変換膜全質量に対して、特定化合物、n型有機半導体、及び、所望に応じて含まれるp型有機半導体の合計含有量が90~100体積%(好ましくは95~100体積%、より好ましくは99~100体積%)であることを意図する。
From the viewpoint of the responsiveness of the photoelectric conversion element, the content of the specific compound with respect to the total content of the specific compound and the n-type organic semiconductor (= film thickness in terms of a single layer of the specific compound / (in terms of a single layer of the specific compound The film thickness of the n-type organic semiconductor + the film thickness in terms of a single layer of the n-type organic semiconductor)×100) is preferably 20 to 80 volume %, more preferably 40 to 80 volume %.
Further, when the photoelectric conversion film contains a p-type organic semiconductor to be described later, the content of the specific compound (= film thickness of the specific compound in terms of a single layer / (thickness of the specific compound in terms of a single layer + n-type organic semiconductor The film thickness in terms of a single layer + the film thickness in terms of a single layer of the p-type organic semiconductor)×100) is preferably 15 to 75% by volume, more preferably 30 to 75% by volume.
The photoelectric conversion film is preferably substantially composed of a specific compound, an n-type organic semiconductor, and optionally a p-type organic semiconductor. Substantially means that the total content of the specific compound, the n-type organic semiconductor, and optionally the p-type organic semiconductor contained in the total mass of the photoelectric conversion film is 90 to 100% by volume (preferably 95 to 100 % by volume, more preferably 99-100% by volume).

<p型有機半導体>
光電変換膜は、上記特定化合物以外に、p型有機半導体を含むことが好ましい。
p型有機半導体は、上記特定化合物とは異なる化合物である。
p型有機半導体とは、ドナー性有機半導体材料(化合物)であり、電子を供与しやすい性質がある有機化合物をいう。つまり、p型有機半導体とは、2つの有機化合物を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物をいう。
p型有機半導体は、1種単独又は2種以上で用いてもよい。
<p-type organic semiconductor>
The photoelectric conversion film preferably contains a p-type organic semiconductor in addition to the specific compound.
The p-type organic semiconductor is a compound different from the above specific compound.
A p-type organic semiconductor is a donor organic semiconductor material (compound), and refers to an organic compound having a property of easily donating electrons. In other words, the p-type organic semiconductor refers to an organic compound having a smaller ionization potential when two organic compounds are used in contact with each other.
The p-type organic semiconductor may be used singly or in combination of two or more.

p型有機半導体としては、例えば、トリアリールアミン化合物(例えば、N,N’-ビス(3-メチルフェニル)-(1,1’-ビフェニル)-4,4’-ジアミン(TPD)、4,4’-ビス[N-(ナフチル)-N-フェニル-アミノ]ビフェニル(α-NPD)、特開2011-228614号公報の段落[0128]~[0148]に記載の化合物、特開2011-176259号公報の段落[0052]~[0063]に記載の化合物、特開2011-225544号公報の段落[0119]~[0158]に記載の化合物、特開2015-153910号公報の[0044]~[0051]に記載の化合物及び特開2012-94660号公報の段落[0086]~[0090]に記載の化合物等)、ピラゾリン化合物、スチリルアミン化合物、ヒドラゾン化合物、ポリシラン化合物、チオフェン化合物(例えば、チエノチオフェン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ベンゾジチオフェン誘導体、ジチエノチオフェン誘導体、[1]ベンゾチエノ[3,2-b]チオフェン(BTBT)誘導体、チエノ[3,2-f:4,5-f´]ビス[1]ベンゾチオフェン(TBBT)誘導体、特開2018-014474号の段落[0031]~[0036]に記載の化合物、WO2016-194630号の段落[0043]~[0045]に記載の化合物、WO2017-159684号の段落[0025]~[0037]、[0099]~[0109]に記載の化合物、特開2017-076766号公報の段落[0029]~[0034]に記載の化合物、WO2018-207722の段落[0015]~[0025]に記載の化合物、特開2019-054228の段落[0045]~[0053]に記載の化合物、WO2019-058995の段落[0045]~[0055]に記載の化合物、WO2019-081416の段落[0063]~[0089]に記載の化合物、特開2019-80052の段落[0033]~[0036]に記載の化合物、WO2019-054125の段落[0044]~[0054]に記載の化合物、WO2019-093188の段落[0041]~[0046]に記載の化合物等)、特開2019-050398号公報の段落[0034]~[0037]の化合物、特開2018-206878号公報の段落[0033]~[0036]の化合物、特開2018-190755号公報の段落[0038]の化合物、特開2018-026559号公報の段落[0019]~[0021]の化合物、特開2018-170487号公報の段落[0031]~[0056]の化合物、特開2018-078270号公報の段落[0036]~[0041]の化合物、特開2018-166200号公報の段落[0055]~[0082]の化合物、特開2018-113425号公報の段落[0041]~[0050]の化合物、特開2018-85430号公報の段落[0044]~[0048]の化合物、特開2018-056546号公報の段落[0041]~[0045]の化合物、特開2018-046267号公報の段落[0042]~[0049]の化合物、特開2018-014474号公報の段落[0031]~[0036]の化合物、WO2018-016465号の段落[0036]~[0046]に記載の化合物、特開2020-010024号公報の段落[0045]~[0048]の化合物、等)、シアニン化合物、オキソノール化合物、ポリアミン化合物、インドール化合物、ピロール化合物、ピラゾール化合物、ポリアリーレン化合物、縮合芳香族炭素環化合物(例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、テトラセン誘導体、ペンタセン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体及びフルオランテン誘導体等)、ポルフィリン化合物、フタロシアニン化合物、トリアゾール化合物、オキサジアゾール化合物、イミダゾール化合物、ポリアリールアルカン化合物、ピラゾロン化合物、アミノ置換カルコン化合物、オキサゾール化合物、フルオレノン化合物、シラザン化合物、並びに、含窒素ヘテロ環化合物を配位子として有する金属錯体が挙げられる。
p型有機半導体としては、n型有機半導体よりもイオン化ポテンシャルが小さい化合物が挙げられ、この条件を満たせば、n型有機半導体として例示した有機色素を使用し得る。
以下に、p型半導体化合物として使用し得る化合物を例示する。
Examples of p-type organic semiconductors include triarylamine compounds (eg, N,N'-bis(3-methylphenyl)-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine (TPD), 4, 4'-bis[N-(naphthyl)-N-phenyl-amino]biphenyl (α-NPD), compounds described in paragraphs [0128] to [0148] of JP-A-2011-228614, JP-A-2011-176259 The compounds described in paragraphs [0052] to [0063] of JP-A-2011-225544, the compounds described in paragraphs [0119] to [0158] of JP-A-2015-153910, [0044] to [ 0051] and compounds described in paragraphs [0086] to [0090] of JP-A-2012-94660), pyrazoline compounds, styrylamine compounds, hydrazone compounds, polysilane compounds, thiophene compounds (e.g., thienothiophene derivatives, dibenzothiophene derivatives, benzodithiophene derivatives, dithienothiophene derivatives, [1]benzothieno[3,2-b]thiophene (BTBT) derivatives, thieno[3,2-f:4,5-f′]bis[ 1] Benzothiophene (TBBT) derivatives, compounds described in paragraphs [0031] to [0036] of JP-A-2018-014474, compounds described in paragraphs [0043] to [0045] of WO2016-194630, WO2017-159684 The compounds described in paragraphs [0025] to [0037] and [0099] to [0109] of JP-A-2017-076766, the compounds described in paragraphs [0029] to [0034] of JP-A-2017-076766, the paragraph [ 0015] to [0025], compounds described in paragraphs [0045] to [0053] of JP-A-2019-054228, compounds described in paragraphs [0045] to [0055] of WO2019-058995, WO2019-081416 The compound described in paragraphs [0063] to [0089] of JP-A-2019-80052, the compound described in paragraphs [0033] to [0036], the compound described in paragraphs [0044] to [0054] of WO2019-054125, Compounds described in paragraphs [0041] to [0046] of WO2019-093188), paragraphs [0034] to [0037] of JP-A-2019-050398, paragraph [0033] of JP-A-2018-206878 - compound of [0036], JP-A-20 18-190755 paragraph [0038] compound, JP 2018-026559 paragraph [0019] ~ [0021] compound, JP 2018-170487 paragraph [0031] ~ [0056] compounds , Compounds of paragraphs [0036] to [0041] of JP-A-2018-078270, compounds of paragraphs [0055]-[0082] of JP-A-2018-166200, paragraph [0041 of JP-A-2018-113425 ] ~ [0050] compounds, compounds of paragraphs [0044] ~ [0048] of JP-A-2018-85430, compounds of paragraphs [0041] ~ [0045] of JP-A-2018-056546, JP 2018- Compounds of paragraphs [0042] to [0049] of JP-A-046267, compounds of paragraphs [0031] to [0036] of JP-A-2018-014474, paragraphs [0036] to [0046] of WO2018-016465 compound, paragraphs [0045] to [0048] of JP-A-2020-010024, etc.), cyanine compound, oxonol compound, polyamine compound, indole compound, pyrrole compound, pyrazole compound, polyarylene compound, condensed aromatic carbon Ring compounds (e.g., naphthalene derivatives, anthracene derivatives, phenanthrene derivatives, tetracene derivatives, pentacene derivatives, pyrene derivatives, perylene derivatives, fluoranthene derivatives, etc.), porphyrin compounds, phthalocyanine compounds, triazole compounds, oxadiazole compounds, imidazole compounds, polyaryls Examples thereof include alkane compounds, pyrazolone compounds, amino-substituted chalcone compounds, oxazole compounds, fluorenone compounds, silazane compounds, and metal complexes having nitrogen-containing heterocyclic compounds as ligands.
Examples of the p-type organic semiconductor include compounds having a smaller ionization potential than that of the n-type organic semiconductor. If this condition is satisfied, the organic dyes exemplified as the n-type organic semiconductor can be used.
Compounds that can be used as the p-type semiconductor compound are exemplified below.

Figure 2023010305000016
Figure 2023010305000016

Figure 2023010305000017
Figure 2023010305000017

Figure 2023010305000018
Figure 2023010305000018

Figure 2023010305000019
Figure 2023010305000019

特定化合物とp型有機半導体とのイオン化ポテンシャルの差は、0.1eV以上であることが好ましい。 The difference in ionization potential between the specific compound and the p-type organic semiconductor is preferably 0.1 eV or more.

光電変換膜がp型有機半導体を含む場合、光電変換膜中のp型有機半導体の含有量(=p型有機半導体の単層換算での膜厚/光電変換膜の膜厚×100)は、15~75体積%が好ましく、20~60体積%がより好ましく、25~50体積%が更に好ましい。
なお、p型半導体材料は、1種単独で使用してもよく、2種以上使用してもよい。
When the photoelectric conversion film contains a p-type organic semiconductor, the content of the p-type organic semiconductor in the photoelectric conversion film (=film thickness of the p-type organic semiconductor in terms of a single layer/thickness of the photoelectric conversion film×100) is 15 to 75% by volume is preferred, 20 to 60% by volume is more preferred, and 25 to 50% by volume is even more preferred.
The p-type semiconductor material may be used singly or in combination of two or more.

特定化合物を含む光電変換膜は非発光性膜であり、有機電界発光素子(OLED:Organic Light Emitting Diode)とは異なる特徴を有する。非発光性膜とは発光量子効率が1%以下の膜を意図し、発光量子効率は0.5%以下が好ましく、0.1%以下がより好ましい。下限は、0%以上の場合が多い。 A photoelectric conversion film containing a specific compound is a non-luminous film and has characteristics different from those of an organic electroluminescent device (OLED: Organic Light Emitting Diode). A non-luminous film is intended to be a film having a luminescence quantum efficiency of 1% or less, preferably 0.5% or less, more preferably 0.1% or less. The lower limit is often 0% or more.

<成膜方法>
光電変換膜の成膜方法としては、例えば、乾式成膜法が挙げられる。
乾式成膜法としては、例えば、蒸着法(特に真空蒸着法)、スパッタ法、イオンプレーティング法及びMBE(Molecular Beam Epitaxy)法等の物理気相成長法、並びに、プラズマ重合等のCVD(Chemical Vapor Deposition)法が挙げられ、真空蒸着法が好ましい。真空蒸着法により光電変換膜を成膜する場合、真空度及び蒸着温度等の製造条件は、常法に従って設定できる。
<Deposition method>
Examples of a method for forming a photoelectric conversion film include a dry film forming method.
Examples of dry film formation methods include vapor deposition (especially vacuum vapor deposition), sputtering, ion plating, MBE (Molecular Beam Epitaxy) and other physical vapor deposition methods, and plasma polymerization and other CVD (Chemical Vapor Deposition) method is mentioned, and a vacuum deposition method is preferable. When forming a photoelectric conversion film by a vacuum deposition method, manufacturing conditions such as the degree of vacuum and deposition temperature can be set according to conventional methods.

光電変換膜の膜厚は、10~1000nmが好ましく、50~800nmがより好ましく、50~500nmが更に好ましく、50~300nmが特に好ましい。 The thickness of the photoelectric conversion film is preferably 10 to 1000 nm, more preferably 50 to 800 nm, still more preferably 50 to 500 nm, and particularly preferably 50 to 300 nm.

[電極]
光電変換素子は、電極を有することが好ましい。
電極(上部電極(透明導電性膜)15と下部電極(導電性膜)11)は、導電性材料から構成される。導電性材料としては、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物及びこれらの混合物が挙げられる。
上部電極15から光が入射されるため、上部電極15は検知したい光に対して透明であることが好ましい。上部電極15を構成する材料としては、例えば、アンチモン又はフッ素等をドープした酸化錫(ATO:Antimony Tin Oxide、FTO:Fluorine doped Tin Oxide)、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫(ITO:Indium Tin Oxide)及び酸化亜鉛インジウム(IZO:Indium zinc oxide)等の導電性金属酸化物;金、銀、クロム及びニッケル等の金属薄膜;これらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物;並びに、ポリアニリン、ポリチオフェン及びポリピロール等の有機導電性材料が挙げられ、高導電性及び透明性の点から、導電性金属酸化物が好ましい。
[electrode]
The photoelectric conversion element preferably has electrodes.
The electrodes (upper electrode (transparent conductive film) 15 and lower electrode (conductive film) 11) are made of a conductive material. Conductive materials include metals, alloys, metal oxides, electrically conductive compounds, and mixtures thereof.
Since light is incident from the upper electrode 15, the upper electrode 15 is preferably transparent to the light to be detected. Materials constituting the upper electrode 15 include, for example, antimony or fluorine-doped tin oxide (ATO: Antimony Tin Oxide, FTO: Fluorine doped Tin Oxide), tin oxide, zinc oxide, indium oxide, and indium tin oxide (ITO). Conductive metal oxides such as Indium Tin Oxide (IZO) and Indium Zinc Oxide (IZO); Metal thin films such as gold, silver, chromium and nickel; Mixtures or laminates of these metals and conductive metal oxides and organic conductive materials such as polyaniline, polythiophene, and polypyrrole, and conductive metal oxides are preferred from the viewpoint of high conductivity and transparency.

通常、導電性膜をある範囲より薄くすると、急激に抵抗値が増加する場合が多い。本実施形態にかかる光電変換素子を組み込んだ固体撮像素子においては、シート抵抗は、100~10000Ω/□であってもよく、薄膜化できる膜厚の範囲の自由度は大きい。
また、上部電極(透明導電性膜)15は膜厚が薄いほど吸収する光の量は少なくなり、一般に光透過率が増加する。光透過率の増加は、光電変換膜での光吸収を増大させ、光電変換能を増大させるため、好ましい。薄膜化に伴う、リーク電流の抑制、薄膜の抵抗値の増大及び透過率の増加を考慮すると、上部電極15の厚さは、5~100nmが好ましく、5~20nmがより好ましい。
Generally, when the conductive film is made thinner than a certain range, the resistance value increases abruptly in many cases. In the solid-state imaging device incorporating the photoelectric conversion device according to this embodiment, the sheet resistance may be 100 to 10000Ω/□, and the degree of freedom in the range of film thickness that can be reduced is large.
Also, the thinner the upper electrode (transparent conductive film) 15, the less light it absorbs, and generally the light transmittance increases. An increase in light transmittance is preferable because it increases the light absorption in the photoelectric conversion film and increases the photoelectric conversion performance. Considering the suppression of leakage current, the increase in the resistance value of the thin film, and the increase in transmittance due to thinning, the thickness of the upper electrode 15 is preferably 5 to 100 nm, more preferably 5 to 20 nm.

下部電極11は、用途に応じて、透明性を持たせる場合と、逆に透明性を持たせず光を反射させる場合とがある。下部電極11を構成する材料としては、例えば、アンチモン又はフッ素等をドープした酸化錫(ATO、FTO)、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫(ITO)及び酸化亜鉛インジウム(IZO)等の導電性金属酸化物;金、銀、クロム、ニッケル、チタン、タングステン及びアルミ等の金属;これらの金属の酸化物又は窒化物等の導電性化合物(例えば、窒化チタン(TiN)等);これらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物;並びに、ポリアニリン、ポリチオフェン及びポリピロール等の有機導電性材料が挙げられる。 Depending on the application, the lower electrode 11 may be transparent or may reflect light without transparency. Materials constituting the lower electrode 11 include, for example, tin oxide (ATO, FTO) doped with antimony or fluorine, tin oxide, zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO). metals such as gold, silver, chromium, nickel, titanium, tungsten and aluminum; conductive compounds such as oxides or nitrides of these metals (e.g., titanium nitride (TiN), etc.); and conductive metal oxides; and organic conductive materials such as polyaniline, polythiophene and polypyrrole.

電極を形成する方法としては、電極材料に応じて適宜選択できる。具体的には、印刷方式及びコーティング方式等の湿式方式;真空蒸着法、スパッタ法及びイオンプレーティング法等の物理的方式;並びに、CVD及びプラズマCVD法等の化学的方式が挙げられる。
電極の材料がITOである場合、電子ビーム法、スパッタ法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法(ゾル-ゲル法等)及び酸化インジウムスズの分散物の塗布等の方法が挙げられる。
A method for forming the electrodes can be appropriately selected according to the electrode material. Specific examples include wet methods such as printing methods and coating methods; physical methods such as vacuum deposition methods, sputtering methods and ion plating methods; and chemical methods such as CVD and plasma CVD methods.
When the electrode material is ITO, methods such as an electron beam method, a sputtering method, a resistance heating vapor deposition method, a chemical reaction method (such as a sol-gel method), and application of an indium tin oxide dispersion can be used.

[電荷ブロッキング膜:電子ブロッキング膜、正孔ブロッキング膜]
光電変換素子は、導電性膜と透明導電性膜との間に、光電変換膜の他に1種以上の中間層を有することが好ましい。
上記中間層としては、例えば、電荷ブロッキング膜が挙げられる。光電変換素子がこの膜を有すれば、得られる光電変換素子の特性(光電変換効率及び応答性等)がより優れる。電荷ブロッキング膜としては、例えば、電子ブロッキング膜と正孔ブロッキング膜とが挙げられる。
[Charge blocking film: electron blocking film, hole blocking film]
The photoelectric conversion element preferably has one or more intermediate layers in addition to the photoelectric conversion film between the conductive film and the transparent conductive film.
Examples of the intermediate layer include a charge blocking film. If the photoelectric conversion element has this film, the characteristics (photoelectric conversion efficiency, responsiveness, etc.) of the obtained photoelectric conversion element are more excellent. Charge blocking films include, for example, electron blocking films and hole blocking films.

<電子ブロッキング膜>
電子ブロッキング膜は、ドナー性有機半導体材料(化合物)であり、上記p型有機半導体を使用できる。
また、電子ブロッキング膜として、高分子材料も使用できる。
高分子材料としては、例えば、フェニレンビニレン、フルオレン、カルバゾール、インドール、ピレン、ピロール、ピコリン、チオフェン、アセチレン及びジアセチレン等の重合体、並びに、その誘導体が挙げられる。
<Electron blocking film>
The electron blocking film is a donor organic semiconductor material (compound), and the above p-type organic semiconductor can be used.
Polymeric materials can also be used as the electron blocking film.
Examples of polymeric materials include polymers such as phenylene vinylene, fluorene, carbazole, indole, pyrene, pyrrole, picoline, thiophene, acetylene and diacetylene, and derivatives thereof.

なお、電子ブロッキング膜は、複数膜で構成してもよい。
電子ブロッキング膜は、無機材料で構成されていてもよい。一般的に、無機材料は有機材料よりも誘電率が大きいため、無機材料を電子ブロッキング膜に用いた場合に、光電変換膜に電圧が多くかかるようになり、光電変換効率が高くなる。電子ブロッキング膜となりうる無機材料としては、例えば、酸化カルシウム、酸化クロム、酸化クロム銅、酸化マンガン、酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化銅、酸化ガリウム銅、酸化ストロンチウム銅、酸化ニオブ、酸化モリブデン、酸化インジウム銅、酸化インジウム銀及び酸化イリジウムが挙げられる。
Note that the electron blocking film may be composed of a plurality of films.
The electron blocking film may be composed of an inorganic material. In general, an inorganic material has a higher dielectric constant than an organic material. Therefore, when an inorganic material is used for an electron blocking film, a large voltage is applied to the photoelectric conversion film, resulting in a high photoelectric conversion efficiency. Examples of inorganic materials that can serve as an electron blocking film include calcium oxide, chromium oxide, chromium copper oxide, manganese oxide, cobalt oxide, nickel oxide, copper oxide, gallium copper oxide, strontium copper oxide, niobium oxide, molybdenum oxide, and indium oxide. Copper, indium silver oxide and iridium oxide are mentioned.

<正孔ブロッキング膜>
正孔ブロッキング膜は、アクセプター性有機半導体材料(化合物)であり、上記n型y有機半導体を利用できる。
なお、正孔ブロッキング膜は、複数膜で構成してもよい。
<Hole blocking film>
The hole blocking film is an acceptor organic semiconductor material (compound), and can use the above n-type y organic semiconductor.
Note that the hole blocking film may be composed of a plurality of films.

電荷ブロッキング膜の製造方法としては、例えば、乾式成膜法及び湿式成膜法が挙げられる。乾式成膜法としては、例えば、蒸着法及びスパッタ法が挙げられる。蒸着法は、物理蒸着(PVD:Physical Vapor Deposition)法及び化学蒸着(CVD)法のいずれでもよく、真空蒸着法等の物理蒸着法が好ましい。湿式成膜法としては、例えば、インクジェット法、スプレー法、ノズルプリント法、スピンコート法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、バーコート法及びグラビアコート法が挙げられ、高精度パターニングの点から、インクジェット法が好ましい。 Examples of methods for manufacturing the charge blocking film include dry film formation methods and wet film formation methods. Dry film-forming methods include, for example, a vapor deposition method and a sputtering method. The vapor deposition method may be a physical vapor deposition (PVD) method or a chemical vapor deposition (CVD) method, and a physical vapor deposition method such as a vacuum vapor deposition method is preferable. Examples of wet film formation methods include inkjet, spray, nozzle printing, spin coating, dip coating, casting, die coating, roll coating, bar coating, and gravure coating, and high precision. From the viewpoint of patterning, the inkjet method is preferable.

電荷ブロッキング膜(電子ブロッキング膜及び正孔ブロッキング膜)の膜厚は、それぞれ、3~200nmが好ましく、5~100nmがより好ましく、5~30nmが更に好ましい。 The thickness of the charge blocking film (electron blocking film and hole blocking film) is preferably 3 to 200 nm, more preferably 5 to 100 nm, and even more preferably 5 to 30 nm.

<基板>
光電変換素子は、更に基板を有してもよい。
基板としては、例えば、半導体基板、ガラス基板及びプラスチック基板が挙げられる。
なお、基板の位置は特に制限されないが、通常、基板上に導電性膜、光電変換膜及び透明導電性膜をこの順で積層する。
<Substrate>
The photoelectric conversion element may further have a substrate.
Substrates include, for example, semiconductor substrates, glass substrates, and plastic substrates.
Although the position of the substrate is not particularly limited, the conductive film, the photoelectric conversion film and the transparent conductive film are usually laminated in this order on the substrate.

<封止層>
光電変換素子は、更に封止層を有してもよい。
光電変換材料は水分子等の劣化因子の存在で顕著にその性能が劣化してしまう場合がある。そこで、水分子を浸透させない緻密な金属酸化物、金属窒化物若しくは金属窒化酸化物等のセラミックス又はダイヤモンド状炭素(DLC:Diamond-like Carbon)等の封止層で光電変換膜全体を被覆して封止して、上記劣化を防止できる。
なお、封止層としては、例えば、特開2011-082508号公報の段落[0210]~[0215]に記載が挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
<Sealing layer>
The photoelectric conversion element may further have a sealing layer.
The performance of the photoelectric conversion material may be remarkably deteriorated due to the presence of deterioration factors such as water molecules. Therefore, the entire photoelectric conversion film is covered with a sealing layer such as dense ceramics such as metal oxide, metal nitride or metal oxynitride, or diamond-like carbon (DLC) that does not allow water molecules to permeate. The above deterioration can be prevented by sealing.
The sealing layer is described, for example, in paragraphs [0210] to [0215] of JP-A-2011-082508, the contents of which are incorporated herein.

〔撮像素子〕
光電変換素子の用途として、例えば、撮像素子が挙げられる。
撮像素子とは、画像の光情報を電気信号に変換する素子であり、通常、複数の光電変換素子が同一平面状でマトリクス上に配置されており、各々の光電変換素子(画素)において光信号を電気信号に変換し、その電気信号を画素ごとに逐次撮像素子外に出力できるものをいう。そのために、画素ひとつあたり、1つ以上の光電変換素子及び1つ以上のトランジスタから構成される。
[Image sensor]
An example of an application of a photoelectric conversion element is an imaging element.
An image pickup device is a device that converts optical information of an image into an electrical signal. Usually, a plurality of photoelectric conversion devices are arranged in a matrix on the same plane. is converted into an electric signal, and the electric signal can be sequentially output to the outside of the image sensor for each pixel. Therefore, each pixel is composed of one or more photoelectric conversion elements and one or more transistors.

〔光センサ〕
光電変換素子の他の用途として、例えば、光電池及び光センサが挙げられ、本発明の光電変換素子は光センサとして用いることが好ましい。光センサとしては、上記光電変換素子単独で用いてもよいし、上記光電変換素子を直線状に配したラインセンサ又は平面上に配した2次元センサとして用いてもよい。
[Optical sensor]
Other applications of the photoelectric conversion element include, for example, photoelectric cells and optical sensors, and the photoelectric conversion element of the present invention is preferably used as an optical sensor. As the optical sensor, the photoelectric conversion element may be used alone, or may be used as a line sensor in which the photoelectric conversion elements are linearly arranged or a two-dimensional sensor in which the photoelectric conversion elements are arranged on a plane.

〔化合物〕
本発明は、化合物の発明も含む。本発明の化合物とは、上記特定化合物である。
〔Compound〕
The present invention also includes compound inventions. The compound of the present invention is the specific compound described above.

以下に実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容及び処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜変更できる。よって、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきものではない。 The present invention will be described in more detail based on examples below. The materials, amounts used, ratios, processing details, processing procedures, etc. shown in the following examples can be changed as appropriate without departing from the gist of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be construed to be limited by the examples shown below.

〔光電変換膜に用いられる化合物〕
[化合物(D-1)の合成]
化合物(D-1)は、以下のスキームに従って、合成した。
[Compound used for photoelectric conversion film]
[Synthesis of compound (D-1)]
Compound (D-1) was synthesized according to the following scheme.

Figure 2023010305000020
Figure 2023010305000020

1-アミノピロール(3.0g、35.8mmol)、4,4,4-トリフルオロアセト酢酸エチル(7.25g、39.4mmol)、p-トルエンスルホン酸-水和物(1.34g、7.16mmol)及びトルエン(120mL)を、100℃で1時間撹拌した。得られた反応溶液を室温まで放冷し、不溶物をセライトろ過で除去してろ液を減圧濃縮した。得られた粗体をシリカゲルクロマトグラフィー(溶出液(体積比):ジクロロメタン/酢酸エチル=80:20)で精製することで、化合物(D-1-1)(1.50g、収率21%)を得た。 1-aminopyrrole (3.0 g, 35.8 mmol), ethyl 4,4,4-trifluoroacetoacetate (7.25 g, 39.4 mmol), p-toluenesulfonic acid-hydrate (1.34 g, 7 .16 mmol) and toluene (120 mL) were stirred at 100° C. for 1 hour. The resulting reaction solution was allowed to cool to room temperature, insoluble matter was removed by Celite filtration, and the filtrate was concentrated under reduced pressure. The resulting crude product was purified by silica gel chromatography (eluent (volume ratio): dichloromethane/ethyl acetate = 80:20) to give compound (D-1-1) (1.50 g, yield 21%). got

2,6-キシリジン(300g、2.48mol)及びイソプロパノール(300mL)の混合物に、30%塩酸(288mL、2.73mol)を滴下し、得られた反応液を加熱還流下にて1時間撹拌した。上記混合液を2℃まで冷却し、生じた結晶をろ過し、得られた結晶をイソプロパノール、ヘキサンの順で洗浄し、2,6-キシリジン塩酸塩(350g、収率90%)を得た。続いて、2,6-キシリジン塩酸塩(300g、1.90mol)及び水(600mL)の混合物に、50%水酸化ナトリウム水溶液(199g、2.48mol)を滴下し、得られた反応液を室温(25℃)で1時間撹拌した。得られた混合液を分液ロートに移し、ヘキサン(150mL)を加え洗浄した後、水相を除去した。得られた有機相を減圧濃縮し、2,6-キシリジン(200g、87%)を得た。 To a mixture of 2,6-xylidine (300 g, 2.48 mol) and isopropanol (300 mL), 30% hydrochloric acid (288 mL, 2.73 mol) was added dropwise, and the resulting reaction mixture was heated under reflux and stirred for 1 hour. . The mixture was cooled to 2° C., and the resulting crystals were filtered and washed with isopropanol and hexane in that order to give 2,6-xylidine hydrochloride (350 g, yield 90%). Subsequently, to a mixture of 2,6-xylidine hydrochloride (300 g, 1.90 mol) and water (600 mL), 50% aqueous sodium hydroxide solution (199 g, 2.48 mol) was added dropwise, and the resulting reaction mixture was allowed to cool to room temperature. Stir at (25° C.) for 1 hour. The resulting mixed solution was transferred to a separating funnel, hexane (150 mL) was added for washing, and then the aqueous phase was removed. The resulting organic phase was concentrated under reduced pressure to give 2,6-xylidine (200 g, 87%).

2,3-ジクロロキノキサリン(8.0g、40.2mmol)、ヘキサメチルジシラザンナトリウム35%テトラヒドロフラン溶液(1.9mol/L)(90.4mL、181mol)及びテトラヒドロフラン(80mL)を混合したところへ、上記で得られた2、6-キシリジン(11mL、88.2mmol)を滴下した。60℃で1時間撹拌した後、室温まで放冷し、水(40mL)を滴下した。更に20質量%食塩水(80mL)を加え、有機相を抽出した。得られた有機相を硫酸マグネシウム上で乾燥後、ろ過して減圧濃縮した。得られた粗体をトルエン/2-プロパノールの混合液を用いて再結晶することで、中間体(D-1-2)(9.95g、収率67%)を得た。 2,3-dichloroquinoxaline (8.0 g, 40.2 mmol), hexamethyldisilazane sodium 35% tetrahydrofuran solution (1.9 mol / L) (90.4 mL, 181 mol) and tetrahydrofuran (80 mL) were mixed, 2,6-Xylidine (11 mL, 88.2 mmol) obtained above was added dropwise. After stirring at 60° C. for 1 hour, the mixture was allowed to cool to room temperature, and water (40 mL) was added dropwise. Further, 20 wt% brine (80 mL) was added and the organic phase was extracted. The resulting organic phase was dried over magnesium sulfate, filtered and concentrated under reduced pressure. The resulting crude product was recrystallized using a mixture of toluene/2-propanol to obtain intermediate (D-1-2) (9.95 g, yield 67%).

p-トルエンスルホン酸-水和物(9.3g、48.9mmol)、無水酢酸(16mL)及び中間体(D-1-2)(6.0g、16.3mmol)を加え、130℃で1時間撹拌した。得られた反応溶液を室温まで放冷し、50質量/体積%水酸化ナトリウム水溶液(48mL)と氷(143g)を混合したところに滴下し、30分撹拌した。反応混合物へ酢酸を加え、pHを8に調整し、更に20分撹拌した。生じた沈殿物をろ過し、水及びメタノールの順に洗浄した。得られた粗体をジクロロメタン/メタノールの混合液から再沈殿することで、中間体(D-1-3)(6.2g、収率98%)を得た。 p-Toluenesulfonic acid-hydrate (9.3 g, 48.9 mmol), acetic anhydride (16 mL) and intermediate (D-1-2) (6.0 g, 16.3 mmol) were added and stirred at 130°C for 1 Stirred for an hour. The resulting reaction solution was allowed to cool to room temperature, added dropwise to a mixture of 50% by mass/volume sodium hydroxide aqueous solution (48 mL) and ice (143 g), and stirred for 30 minutes. Acetic acid was added to the reaction mixture to adjust the pH to 8 and stirred for an additional 20 minutes. The resulting precipitate was filtered and washed with water and methanol in that order. Intermediate (D-1-3) (6.2 g, yield 98%) was obtained by reprecipitating the resulting crude product from a mixture of dichloromethane/methanol.

(クロロメチレン)ジメチルイミニウムクロリド(5.87g、45.9mmol)及びアセトニトリル(60mL)を混合したところへ、中間体(D-1-3)(6.0g、15.3mmol)を添加し、50℃で2時間撹拌した。室温まで放冷した反応溶液を、1mol/L水酸化ナトリウム水溶液(90mL)と氷(90g)を混合したところに滴下し、1時間撹拌した。生じた沈殿物をろ過し、水及びメタノールの順に洗浄した。得られた粗体をジクロロメタン/アセトニトリルの混合液から再沈殿することで、中間体(D-1-4)(4.4g、収率68%)を得た。 To a mixture of (chloromethylene)dimethyliminium chloride (5.87 g, 45.9 mmol) and acetonitrile (60 mL) was added intermediate (D-1-3) (6.0 g, 15.3 mmol), Stir at 50° C. for 2 hours. The reaction solution allowed to cool to room temperature was added dropwise to a mixture of 1 mol/L sodium hydroxide aqueous solution (90 mL) and ice (90 g), and stirred for 1 hour. The resulting precipitate was filtered and washed with water and methanol in that order. Intermediate (D-1-4) (4.4 g, yield 68%) was obtained by reprecipitating the resulting crude product from a mixture of dichloromethane/acetonitrile.

中間体(D-1-4)(0.80g、1.64mmol)、中間体(D-1-1)(0.43g、2.13mmol)及び無水酢酸(375mL)を混合し、130℃で30時間撹拌した。反応溶液を室温まで放冷した後、生じた沈殿物をろ過し、メタノールで洗浄した。得られた粗体をシリカゲルクロマトグラフィー(溶出液(体積比):ジクロロメタン/酢酸エチル=96:4)で精製することで、化合物(D-1)(0.41g、収率37%)を得た。 Intermediate (D-1-4) (0.80 g, 1.64 mmol), Intermediate (D-1-1) (0.43 g, 2.13 mmol) and acetic anhydride (375 mL) were mixed and heated at 130°C. Stirred for 30 hours. After allowing the reaction solution to cool to room temperature, the resulting precipitate was filtered and washed with methanol. The obtained crude product was purified by silica gel chromatography (eluent (volume ratio): dichloromethane/ethyl acetate=96:4) to obtain compound (D-1) (0.41 g, yield 37%). rice field.

化合物(D-1)以外の光電変換膜に用いられる化合物は、上記化合物(D-1)の合成方法を参照して、合成した。
以下、各化合物を示す。
なお、化合物(D-1)~化合物(D-13)は特定化合物に該当し、化合物(R-1)~化合物(R-2)は比較用化合物に該当する。
The compounds used in the photoelectric conversion film other than the compound (D-1) were synthesized by referring to the method for synthesizing the compound (D-1).
Each compound is shown below.
Compounds (D-1) to (D-13) correspond to specific compounds, and compounds (R-1) to (R-2) correspond to comparative compounds.

Figure 2023010305000021
Figure 2023010305000021

Figure 2023010305000022
Figure 2023010305000022

〔n型有機半導体〕
C60:フラーレン(C60
[n-type organic semiconductor]
C60: Fullerene ( C60)

〔p型有機半導体〕 [p-type organic semiconductor]

Figure 2023010305000023
Figure 2023010305000023

〔評価〕
[光電変換素子の作製]
得られた化合物を用いて図1の形態の光電変換素子を作製した。ここで、光電変換素子は、下部電極11、電子ブロッキング膜16A、光電変換膜12及び上部電極15からなる。
具体的には、ガラス基板上に、アモルファス性ITOをスパッタ法により成膜して、下部電極11(膜厚:30nm)を形成し、更に下部電極11上に下記化合物(EB-1)を真空加熱蒸着法により成膜して、電子ブロッキング膜16A(膜厚:30nm)を形成した。
更に、基板の温度を25℃に制御した状態で、電子ブロッキング膜16A上に各特定化合物とn型有機半導体(フラーレン(C60))とをそれぞれ単層換算で80nmとなるように真空蒸着法により共蒸着して成膜した。これによって、160nm((p型半導体材料も使用した場合は240nm)のバルクヘテロ構造を有する光電変換膜12を形成した。この際、光電変換膜12の成膜速度は1.0Å/秒とした。
更に、光電変換膜12上に、アモルファス性ITOをスパッタ法により成膜して、上部電極15(透明導電性膜)(膜厚:10nm)を形成した。上部電極15上に、真空蒸着法により封止層としてSiO膜を形成した後、その上にALCVD(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition)法により酸化アルミニウム(Al)層を形成し、光電変換素子(素子(A))を作製した。
〔evaluation〕
[Production of photoelectric conversion element]
Using the obtained compound, a photoelectric conversion device having the configuration shown in FIG. 1 was produced. Here, the photoelectric conversion element is composed of a lower electrode 11, an electron blocking film 16A, a photoelectric conversion film 12 and an upper electrode 15. FIG.
Specifically, an amorphous ITO film is formed on a glass substrate by a sputtering method to form a lower electrode 11 (thickness: 30 nm), and the following compound (EB-1) is applied on the lower electrode 11 in a vacuum. An electron blocking film 16A (thickness: 30 nm) was formed by depositing by a heating vapor deposition method.
Furthermore, with the temperature of the substrate controlled at 25° C., each specific compound and n-type organic semiconductor (fullerene (C 60 )) were deposited on the electron blocking film 16A so as to have a thickness of 80 nm in terms of a single layer by vacuum deposition. A film was formed by co-depositing with. As a result, a photoelectric conversion film 12 having a bulk heterostructure of 160 nm (240 nm when a p-type semiconductor material is also used) was formed.
Further, an amorphous ITO film was formed on the photoelectric conversion film 12 by a sputtering method to form an upper electrode 15 (transparent conductive film) (thickness: 10 nm). After forming a SiO film as a sealing layer on the upper electrode 15 by a vacuum deposition method, an aluminum oxide (Al 2 O 3 ) layer is formed thereon by an ALCVD (Atomic Layer Chemical Vapor Deposition) method to obtain a photoelectric conversion element. (Device (A)) was produced.

Figure 2023010305000024
Figure 2023010305000024

[光電変換効率(外部量子効率)の評価]
得られた各光電変換素子(素子(A))の駆動の確認をした。各光電変換素子に2.0×10V/cmの電界強度となるように電圧を印加した。その後、上部電極(透明導電性膜)側から光を照射し、IPCE(Incident photon-to-current conversion efficiency)測定を行い、波長500nm及び波長600nmでの各光電変換効率(外部量子効率)を抽出した。光電変換効率は、オプテル製定エネルギー量子効率測定装置を用いて測定した。照射した光量は50μW/cmであった。実施例1の光電変換素子の光電変換効率を1と規格化した場合における、各光電変換素子の光電変換効率を求め、求められた光電変換効率に基づき下記区分で評価した。
A:0.9以上
B:0.8以上、0.9未満
C:0.7以上、0.8未満
D:0.7未満
なお、波長500nm及び波長600nmの両方の波長に対して、C以上となることが好ましく、Aとなることが最も好ましい。
また、各実施例又は各比較例の光電変換素子(素子(A))はいずれも、波長500nm及び波長600nmにおいて、40%以上の光電変換効率を示し、光電変換素子として一定以上の外部量子効率を有することを確認した。
[Evaluation of photoelectric conversion efficiency (external quantum efficiency)]
Driving of each photoelectric conversion element (element (A)) obtained was confirmed. A voltage was applied to each photoelectric conversion element so as to have an electric field intensity of 2.0×10 5 V/cm. After that, light is irradiated from the upper electrode (transparent conductive film) side, IPCE (Incident photon-to-current conversion efficiency) is measured, and each photoelectric conversion efficiency (external quantum efficiency) at a wavelength of 500 nm and a wavelength of 600 nm is extracted. bottom. The photoelectric conversion efficiency was measured using an Optel constant energy quantum efficiency measurement device. The amount of irradiated light was 50 μW/cm 2 . The photoelectric conversion efficiency of each photoelectric conversion element was determined when the photoelectric conversion efficiency of the photoelectric conversion element of Example 1 was normalized to 1, and was evaluated in the following categories based on the determined photoelectric conversion efficiency.
A: 0.9 or more B: 0.8 or more and less than 0.9 C: 0.7 or more and less than 0.8 D: less than 0.7 For both wavelengths of 500 nm and 600 nm, C It is preferable that it becomes above, and it is most preferable that it becomes A.
In addition, the photoelectric conversion element (element (A)) of each example or each comparative example exhibits a photoelectric conversion efficiency of 40% or more at a wavelength of 500 nm and a wavelength of 600 nm, and has a certain or higher external quantum efficiency as a photoelectric conversion element. It was confirmed to have

[製造適性(高速成膜時の光電変換効率)の評価]
光電変換膜12の成膜速度を3.0Å/秒としたこと以外は、素子(A)と同様の手順で、各実施例又は比較例の光電変換素子(素子(B))を作製した。得られた素子(B)を用いて、[光電変換効率(外部量子効率)の評価]の項目に示したのと同様の方法で、光電変換効率(外部量子効率)の評価を行った。
同じ実施例又は比較例の素子(A)と素子(B)との光電変換効率を比較し、「素子(B)の光電変換効率/素子(A)の光電変換効率」の値を算出し、得られた値を下記基準に照らして、各光電変換素子の製造適正を評価した。
A:0.90以上
B:0.90未満
[Evaluation of manufacturability (photoelectric conversion efficiency during high-speed film formation)]
A photoelectric conversion element (element (B)) of each example or comparative example was produced in the same manner as the element (A), except that the film formation rate of the photoelectric conversion film 12 was set to 3.0 Å/sec. Using the obtained device (B), photoelectric conversion efficiency (external quantum efficiency) was evaluated in the same manner as shown in the item [Evaluation of photoelectric conversion efficiency (external quantum efficiency)].
Comparing the photoelectric conversion efficiency of the element (A) and the element (B) of the same example or comparative example, calculating the value of "photoelectric conversion efficiency of element (B) / photoelectric conversion efficiency of element (A)", The manufacturing suitability of each photoelectric conversion element was evaluated in light of the obtained values according to the following criteria.
A: 0.90 or more B: less than 0.90

[応答性の評価]
得られた各素子(A)の応答性を評価した。各素子(A)に2.0×10V/cmの強度となるように電圧を印加した。その後、LED(light emitting diode)を瞬間的に点灯させて上部電極(透明導電性膜)側から光を照射し、波長580nmでの光電流をオシロスコープで測定して、0%信号強度から97%信号強度に上昇するまでの立ち上がり時間を計った。次いで波長580nmにおいて化合物(D-1)を用いた際の光電変換素子の立ち上がり時間を1に規格化して、化合物(D-1)を用いた際の素子(A)の立ち上がり時間に対する各素子(A)の立ち上がり時間の相対値(各素子(A)の立ち上がり時間の相対値/化合物(D-1)を用いた際の素子(A)の立ち上がり時間)を求め、得られた値を下記基準により評価した。なお、実用上、D以上が好ましく、Aが最も好ましい。
A:1.0未満
B:1.0以上2.0未満
C:2.0以上3.0未満
D:3.0以上
[Evaluation of responsiveness]
Responsiveness of each device (A) obtained was evaluated. A voltage of 2.0×10 5 V/cm was applied to each device (A). After that, the LED (light emitting diode) is turned on momentarily to irradiate light from the upper electrode (transparent conductive film) side, and the photocurrent at a wavelength of 580 nm is measured with an oscilloscope, and the signal intensity changes from 0% to 97%. The rise time to rise to signal strength was timed. Then, the rise time of the photoelectric conversion element when using the compound (D-1) at a wavelength of 580 nm is normalized to 1, and each element ( The relative value of the rise time of A) (the relative value of the rise time of each element (A) / the rise time of the element (A) when using the compound (D-1)) is obtained, and the obtained value is measured according to the following criteria. Evaluated by In addition, D or more is preferable practically, and A is the most preferable.
A: Less than 1.0 B: 1.0 or more and less than 2.0 C: 2.0 or more and less than 3.0 D: 3.0 or more

表1に評価結果を示す。
表1中の各表記は以下を示す。
「D」の欄は、Dが該当する式のうち最も下位概念の式を意味する。具体的には、特定化合物(D-1)である場合、Dは式(1D)及び式(4D)~式(6D)の全てに該当するが、上記のうち最も下位概念である式(6D)のみを記載することとする。
なお、上記Dにおける概念の順は、式(1D)~式(3D)/式(4D)/式(5D)/式(6D)の順に下位概念となる。
「A」の欄は、Aが該当する式のうち最も下位概念の式を意味する。具体的には、特定化合物(D-1)である場合、Aは、式(1A)及び式(2A)の全てに該当するが、上記のうち最も下位概念である式(2A)のみを記載することとする。
なお、上記Aにおける概念の順は、式(1A)/式(2A)及び式(3A)の順に下位概念となる。
「Ya11」の欄は、「A」が式(1A)に該当し、式(1A)中のYa11、又は、特定化合物中のYa11に該当する部分が、酸素原子である場合は「O」とし、硫黄原子である場合は「S」とした。
「Ara11の環員数」の欄は、「A」が式(1A)に該当し、式(1A)中のAra11、又は、特定化合物中のAra11に該当する部分の環員数が、5である場合は「5」とし、6である場合は「6」とした。
Table 1 shows the evaluation results.
Each notation in Table 1 indicates the following.
The column of "D 1 " means the formula of the lowest concept among the formulas to which D 1 corresponds. Specifically, in the case of the specific compound (D-1), D 1 corresponds to all of formula (1D) and formula (4D) to formula (6D), but the most subordinate concept among the above formula ( 6D) only.
The order of the concepts in D1 is the lower concepts in the order of formula (1D) to formula (3D)/formula (4D)/formula (5D)/formula (6D).
The column of "A 1 " means the formula of the lowest concept among the formulas to which A 1 corresponds. Specifically, in the case of the specific compound (D-1), A 1 corresponds to both formula (1A) and formula (2A), but only formula (2A), which is the most subordinate concept among the above shall be described.
Note that the order of the concepts in A1 above is a subordinate concept in the order of formula ( 1A )/formula (2A) and formula (3A).
In the column of "Y a11 ", when "A 1 " corresponds to formula (1A) and Y a11 in formula (1A) or the portion corresponding to Y a11 in the specific compound is an oxygen atom, "O", and "S" when it is a sulfur atom.
In the column of "Number of ring members of Ar a11 ", "A 1 " corresponds to formula (1A), and the number of ring members of the portion corresponding to Ar a11 in formula (1A) or Ar a11 in the specific compound is When it was 5, it was set to "5", and when it was 6, it was set to "6".

Figure 2023010305000025
Figure 2023010305000025

上記表に示す結果から、本発明の光電変換素子は、所望の効果が得られることが確認された。
a11が酸素原子である場合、本発明の効果がより優れることが確認された(実施例1-6及び1-7の比較等)。
Ara11が5員環である場合、本発明の効果がより優れることが確認された(実施例1-5~1-9の比較等)。
が式(2A)で表される基又は式(3A)で表される基である場合、応答性がより優れることが確認された(実施例1-1~1-2及び1-6の比較等)。
が、式(1D)~式(3D)のいずれかで表される基である場合、本発明の効果がより優れることが確認された(実施例1-1及び1-10~1-13の比較等)。また、同様の比較から、Dが、式(1D)(好ましくは式(5D)、より好ましくは式(6D))で表される基である場合、本発明の効果がより優れることが確認された。
光電変換膜が、n型有機半導体及びp型有機半導体を更に含む場合、応答性がより優れることが確認された(実施例1-1、1-14及び1-15の比較等)。
From the results shown in the table above, it was confirmed that the photoelectric conversion element of the present invention can achieve the desired effects.
It was confirmed that when Y a11 was an oxygen atom, the effects of the present invention were more excellent (comparison of Examples 1-6 and 1-7, etc.).
It was confirmed that the effects of the present invention are more excellent when Ar a11 is a five-membered ring (comparison with Examples 1-5 to 1-9, etc.).
It was confirmed that when A 1 is a group represented by formula (2A) or a group represented by formula (3A), the responsiveness is more excellent (Examples 1-1 to 1-2 and 1-6 comparison, etc.).
It was confirmed that the effects of the present invention are more excellent when D 1 is a group represented by any one of formulas (1D) to (3D) (Examples 1-1 and 1-10 to 1- 13 comparisons, etc.). Further, from a similar comparison, when D 1 is a group represented by formula (1D) (preferably formula (5D), more preferably formula (6D)), it is confirmed that the effects of the present invention are more excellent. was done.
It was confirmed that the responsiveness was more excellent when the photoelectric conversion film further contained an n-type organic semiconductor and a p-type organic semiconductor (comparison of Examples 1-1, 1-14 and 1-15, etc.).

10a,10b 光電変換素子
11 導電性膜(下部電極)
12 光電変換膜
15 透明導電性膜(上部電極)
16A 電子ブロッキング膜
16B 正孔ブロッキング膜
10a, 10b photoelectric conversion element 11 conductive film (lower electrode)
12 photoelectric conversion film 15 transparent conductive film (upper electrode)
16A electron blocking film 16B hole blocking film

Claims (24)

導電性膜、光電変換膜及び透明導電性膜をこの順で有する光電変換素子であって、
前記光電変換膜が、式(1)で表される化合物を含む、光電変換素子。
Figure 2023010305000026
式(1)中、Aは、式(1A)で表される基を表す。Dは、芳香環を有する置換基を表す。Rは、水素原子又は置換基を表す。
Figure 2023010305000027
式(1A)中、*は、結合位置を表す。Ya11は、酸素原子、硫黄原子、=NRY11又は=CRY12Y13を表す。RY11は、水素原子又は置換基を表す。RY12及びRY13は、それぞれ独立に、シアノ基又は-COORY14を表す。RY14は、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。
a11及びXa12は、それぞれ独立に、窒素原子又は=C<を表す。Xa11とXa12との実線及び点線で表される結合は、単結合又は二重結合を表す。ただし、Xa11とXa12との結合が二重結合を表す場合、Xa11及びXa12は、=C<を表す。Xa11とXa12との結合が単結合を表す場合、Xa11及びXa12の一方は窒素原子を表し、他方は窒素原子又は=C<を表す。Xa13は、窒素原子又は-CRX11=を表す。RX11は、水素原子又は置換基を表す。Ara11は、Xa11及びXa12を含む環を表す。Ara11で表される環は、更に置換基を有していてもよい。
A photoelectric conversion element having a conductive film, a photoelectric conversion film and a transparent conductive film in this order,
A photoelectric conversion device, wherein the photoelectric conversion film contains a compound represented by formula (1).
Figure 2023010305000026
In formula ( 1 ), A1 represents a group represented by formula (1A). D 1 represents a substituent having an aromatic ring. R 1 represents a hydrogen atom or a substituent.
Figure 2023010305000027
In formula (1A), * represents a binding position. Y a11 represents an oxygen atom, a sulfur atom, =NR Y11 or =CR Y12 R Y13 . RY11 represents a hydrogen atom or a substituent. R Y12 and R Y13 each independently represent a cyano group or —COOR Y14 . RY14 represents an optionally substituted alkyl group or an optionally substituted aromatic ring group.
X a11 and X a12 each independently represent a nitrogen atom or =C<. The bonds of Xa11 and Xa12 represented by solid lines and dotted lines represent single bonds or double bonds. However, when the bond between X a11 and X a12 represents a double bond, X a11 and X a12 represent =C<. When the bond between X a11 and X a12 represents a single bond, one of X a11 and X a12 represents a nitrogen atom and the other represents a nitrogen atom or =C<. X a13 represents a nitrogen atom or —CR X11 =. R X11 represents a hydrogen atom or a substituent. Ar a11 represents a ring containing X a11 and X a12 . The ring represented by Ar a11 may further have a substituent.
a11が、酸素原子である、請求項1に記載の光電変換素子。 The photoelectric conversion device according to claim 1, wherein Y a11 is an oxygen atom. Ara11が、5員環である、請求項1又は2に記載の光電変換素子。 3. The photoelectric conversion device according to claim 1, wherein Ar a11 is a five-membered ring. が、式(2A)で表される基又は式(3A)で表される基である、請求項1~3のいずれか1項に記載の光電変換素子。
Figure 2023010305000028
式(2A)中、*は、結合位置を表す。Ra21は、水素原子又は置換基を表す。Xa21~Xa23は、それぞれ独立に、窒素原子又は-CRX21=を表す。RX21は、水素原子又は置換基を表す。
式(3A)中、*は、結合位置を表す。Ra31及びRa32は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Xa31及びXa32は、それぞれ独立に、窒素原子又は-CRX22=を表す。RX22は、水素原子又は置換基を表す。
The photoelectric conversion device according to any one of claims 1 to 3, wherein A 1 is a group represented by formula (2A) or a group represented by formula (3A).
Figure 2023010305000028
In formula (2A), * represents a binding position. R a21 represents a hydrogen atom or a substituent. X a21 to X a23 each independently represent a nitrogen atom or —CR X21 =. R X21 represents a hydrogen atom or a substituent.
In formula (3A), * represents a binding position. R a31 and R a32 each independently represent a hydrogen atom or a substituent. X a31 and X a32 each independently represent a nitrogen atom or —CR X22 =. R X22 represents a hydrogen atom or a substituent.
が、式(1D)~式(3D)のいずれかで表される基である、請求項1~4のいずれか1項に記載の光電変換素子。
Figure 2023010305000029
式(1D)中、*は、結合位置を表す。Ard11は、2つ以上の炭素原子を含む芳香環を表す。前記Ard11で表される芳香環は、更に置換基を有していてもよい。Rd11及びRd12は、それぞれ独立に、-C(RL11)(RL12)(RL13)又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。RL11~RL13は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。RL11~RL13で表される、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい芳香環基は、互いに結合して環を形成していてもよい。Rd13は、水素原子又は置換基を表す。
式(2D)中、*は、結合位置を表す。Ard21は、2つ以上の炭素原子を含む芳香環を表す。Ard21で表される芳香環は、更に置換基を有していてもよい。Zd21は、カルコゲン原子又は-NRZ21-を表す。RZ21は、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。Zd22は、窒素原子又は-CRZ22=を表す。RZ22は、水素原子又は置換基を表す。
式(3D)中、*は、結合位置を表す。Ard31及びArd32は、それぞれ独立に、2つ以上の炭素原子を含む芳香環を表す。Ard31及びArd32で表される芳香環は、更に置換基を有していてもよい。Zd31は、-CRZ31Z32-、-SiRZ31Z32-又は>C=RZ33を表す。RZ31及びRZ32は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。RZ31及びRZ32は、互いに結合して環を形成していてもよい。RZ33は、酸素原子、硫黄原子又は=CRZ34Z35を表す。RZ34及びRZ35は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。RZ34及びRZ35のうち少なくとも一方と、Ard31及びArd32のうち少なくとも一方とは、互いに縮合して縮合環を形成していてもよい。Rd31は、水素原子又は置換基を表す。
The photoelectric conversion device according to any one of claims 1 to 4, wherein D 1 is a group represented by any one of formulas (1D) to (3D).
Figure 2023010305000029
In formula (1D), * represents a binding position. Ar d11 represents an aromatic ring containing two or more carbon atoms. The aromatic ring represented by Ar d11 may further have a substituent. R d11 and R d12 each independently represent —C(R L11 ) (R L12 ) (R L13 ) or an optionally substituted aromatic ring group. R L11 to R L13 each independently represent a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group or an optionally substituted aromatic ring group. The alkyl groups optionally having substituents or the aromatic ring groups optionally having substituents represented by R L11 to R L13 may combine with each other to form a ring. R d13 represents a hydrogen atom or a substituent.
In formula (2D), * represents a binding position. Ar d21 represents an aromatic ring containing two or more carbon atoms. The aromatic ring represented by Ar d21 may further have a substituent. Z d21 represents a chalcogen atom or -NR Z21 -. R Z21 represents a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group or an optionally substituted aromatic ring group. Z d22 represents a nitrogen atom or -CR Z22 =. R Z22 represents a hydrogen atom or a substituent.
In formula (3D), * represents a binding position. Ar d31 and Ar d32 each independently represent an aromatic ring containing two or more carbon atoms. The aromatic rings represented by Ar d31 and Ar d32 may further have a substituent. Z d31 represents -CR Z31 R Z32 -, -SiR Z31 R Z32 - or >C=R Z33 . R Z31 and R Z32 each independently represent a hydrogen atom or a substituent. R 2 Z31 and R 2 Z32 may combine with each other to form a ring. R Z33 represents an oxygen atom, a sulfur atom or =CR Z34 R Z35 . R Z34 and R Z35 each independently represent a hydrogen atom or a substituent. At least one of R Z34 and R Z35 and at least one of Ar d31 and Ar d32 may be condensed with each other to form a condensed ring. R d31 represents a hydrogen atom or a substituent.
が、前記式(1D)で表される基である、請求項5に記載の光電変換素子。 The photoelectric conversion device according to claim 5, wherein D1 is a group represented by formula (1D). が、式(4D)で表される基である、請求項1~6のいずれか1項に記載の光電変換素子。
Figure 2023010305000030
式(4D)中、*は、結合位置を表す。Rd41及びRd42は、それぞれ独立に、-C(RL41)(RL42)(RL43)又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。RL41~RL43は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。RL41~RL43で表される、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい芳香環基は、互いに結合して環を形成していてもよい。Rd43は、水素原子又は置換基を表す。Ed41~Ed44は、それぞれ独立に、窒素原子又は-CRE41=を表す。RE41は、水素原子又は置換基を表す。RE41が複数存在する場合、複数存在するRE41同士は、互いに結合して環を形成していてもよい。
The photoelectric conversion device according to any one of claims 1 to 6, wherein D 1 is a group represented by formula (4D).
Figure 2023010305000030
In formula (4D), * represents a binding position. R d41 and R d42 each independently represent —C(R L41 ) (R L42 ) (R L43 ) or an optionally substituted aromatic ring group. R L41 to R L43 each independently represent a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group or an optionally substituted aromatic ring group. The alkyl groups optionally having substituents or the aromatic ring groups optionally having substituents represented by R L41 to R L43 may combine with each other to form a ring. R d43 represents a hydrogen atom or a substituent. E d41 to E d44 each independently represent a nitrogen atom or —CR E41 =. R E41 represents a hydrogen atom or a substituent. When multiple R E41 are present, the multiple R E41 may be bonded to each other to form a ring.
が、式(5D)で表される基である、請求項1~7のいずれか1項に記載の光電変換素子。
Figure 2023010305000031
式(5D)中、*は、結合位置を表す。Rd51及びRd52は、それぞれ独立に、-C(RL51)(RL52)(RL53)又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。RL51~RL53は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。RL51~RL53で表される、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい芳香環基は、互いに結合して環を形成していてもよい。Rd53~Rd55は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Rd54及びRd55は、互いに結合して環を形成していてもよい。
The photoelectric conversion device according to any one of claims 1 to 7, wherein D 1 is a group represented by formula (5D).
Figure 2023010305000031
In formula (5D), * represents a binding position. R d51 and R d52 each independently represent —C(R L51 ) (R L52 ) (R L53 ) or an optionally substituted aromatic ring group. R L51 to R L53 each independently represent a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group or an optionally substituted aromatic ring group. The alkyl groups optionally having substituents or the aromatic ring groups optionally having substituents represented by R L51 to R L53 may combine with each other to form a ring. R d53 to R d55 each independently represent a hydrogen atom or a substituent. R d54 and R d55 may combine with each other to form a ring.
が、式(6D)で表される基である、請求項1~8のいずれか1項に記載の光電変換素子。
Figure 2023010305000032
式(6D)中、*は、結合位置を表す。Rd61及びRd62は、それぞれ独立に、-C(RL61)(RL62)(RL63)又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。RL61~RL63は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。RL61~RL63で表される、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい芳香環基は、互いに結合して環を形成していてもよい。Rd63~Rd65は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Rd64及びRd65は、互いに結合して環を形成していてもよい。Ed61及びEd62は、それぞれ独立に、窒素原子又は-CRE61=を表す。RE61は、水素原子又は置換基を表す。
The photoelectric conversion device according to any one of claims 1 to 8, wherein D 1 is a group represented by formula (6D).
Figure 2023010305000032
In formula (6D), * represents a binding position. R d61 and R d62 each independently represent —C(R L61 ) (R L62 ) (R L63 ) or an optionally substituted aromatic ring group. R L61 to R L63 each independently represent a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group or an optionally substituted aromatic ring group. The alkyl groups optionally having substituents or the aromatic ring groups optionally having substituents represented by R L61 to R L63 may combine with each other to form a ring. R d63 to R d65 each independently represent a hydrogen atom or a substituent. R d64 and R d65 may combine with each other to form a ring. E d61 and E d62 each independently represent a nitrogen atom or -CR E61 =. R E61 represents a hydrogen atom or a substituent.
前記光電変換膜が、更にn型有機半導体を含み、
前記光電変換膜が、前記式(1)で表される化合物と、前記n型有機半導体とが混合された状態で形成するバルクへテロ構造を有する、請求項1~9のいずれか1項に記載の光電変換素子。
The photoelectric conversion film further includes an n-type organic semiconductor,
The photoelectric conversion film according to any one of claims 1 to 9, wherein the compound represented by the formula (1) and the n-type organic semiconductor have a bulk heterostructure formed in a mixed state. The photoelectric conversion device described.
前記n型有機半導体が、フラーレン及びその誘導体からなる群から選択されるフラーレン類を含む、請求項10に記載の光電変換素子。 11. The photoelectric conversion device according to claim 10, wherein said n-type organic semiconductor contains fullerenes selected from the group consisting of fullerenes and derivatives thereof. 前記光電変換膜が、更にp型有機半導体を含む、請求項10又は11に記載の光電変換素子。 12. The photoelectric conversion device according to claim 10, wherein said photoelectric conversion film further contains a p-type organic semiconductor. 前記導電性膜と前記透明導電性膜の間に、前記光電変換膜の他に1種以上の中間層を有する、請求項1~12のいずれか1項に記載の光電変換素子。 13. The photoelectric conversion element according to claim 1, further comprising one or more intermediate layers in addition to said photoelectric conversion film between said conductive film and said transparent conductive film. 請求項1~13のいずれか1項に記載の光電変換素子を有する、撮像素子。 An imaging device comprising the photoelectric conversion device according to any one of claims 1 to 13. 請求項1~13のいずれか1項に記載の光電変換素子を有する、光センサ。 An optical sensor comprising the photoelectric conversion element according to any one of claims 1 to 13. 式(1)で表される化合物。
Figure 2023010305000033
式(1)中、Aは、式(1A)で表される基を表す。Dは、芳香環を有する置換基を表す。Rは、水素原子又は置換基を表す。
Figure 2023010305000034
式(1A)中、*は、結合位置を表す。Ya11は、酸素原子、硫黄原子、=NRY11又は=CRY12Y13を表す。RY11は、水素原子又は置換基を表す。RY12及びRY13は、それぞれ独立に、シアノ基又は-COORY14を表す。RY14は、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。
a11及びXa12は、それぞれ独立に、窒素原子又は=C<を表す。Xa11とXa12との実線及び点線で表される結合は、単結合又は二重結合を表す。ただし、Xa11とXa12との結合が二重結合を表す場合、Xa11及びXa12は、=C<を表す。Xa11とXa12との結合が単結合を表す場合、Xa11及びXa12の一方は窒素原子を表し、他方は窒素原子又は=C<を表す。Xa13は、窒素原子又は-CRX11=を表す。RX11は、水素原子又は置換基を表す。Ara11は、Xa11及びXa12を含む環を表す。Ara11で表される環は、更に置換基を有していてもよい。
A compound represented by formula (1).
Figure 2023010305000033
In formula ( 1 ), A1 represents a group represented by formula (1A). D 1 represents a substituent having an aromatic ring. R 1 represents a hydrogen atom or a substituent.
Figure 2023010305000034
In formula (1A), * represents a binding position. Y a11 represents an oxygen atom, a sulfur atom, =NR Y11 or =CR Y12 R Y13 . RY11 represents a hydrogen atom or a substituent. R Y12 and R Y13 each independently represent a cyano group or —COOR Y14 . RY14 represents an optionally substituted alkyl group or an optionally substituted aromatic ring group.
X a11 and X a12 each independently represent a nitrogen atom or =C<. The bonds of Xa11 and Xa12 represented by solid lines and dotted lines represent single bonds or double bonds. However, when the bond between X a11 and X a12 represents a double bond, X a11 and X a12 represent =C<. When the bond between X a11 and X a12 represents a single bond, one of X a11 and X a12 represents a nitrogen atom and the other represents a nitrogen atom or =C<. X a13 represents a nitrogen atom or —CR X11 =. R X11 represents a hydrogen atom or a substituent. Ar a11 represents a ring containing X a11 and X a12 . The ring represented by Ar a11 may further have a substituent.
a11が、酸素原子である、請求項16に記載の化合物。 17. The compound of claim 16, wherein Y a11 is an oxygen atom. Ara11が、5員環である、請求項16又は17に記載の化合物。 18. The compound of claim 16 or 17, wherein Ar a11 is a 5-membered ring. が、式(2A)で表される基又は式(3A)で表される基である、請求項16~18のいずれか1項に記載の化合物。
Figure 2023010305000035
式(2A)中、*は、結合位置を表す。Ra21は、水素原子又は置換基を表す。Xa21~Xa23は、それぞれ独立に、窒素原子又は-CRX21=を表す。RX21は、水素原子又は置換基を表す。
式(3A)中、*は、結合位置を表す。Ra31及びRa32は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Xa31及びXa32は、それぞれ独立に、窒素原子又は-CRX22=を表す。RX22は、水素原子又は置換基を表す。
The compound according to any one of claims 16 to 18, wherein A 1 is a group represented by formula (2A) or a group represented by formula (3A).
Figure 2023010305000035
In formula (2A), * represents a binding position. R a21 represents a hydrogen atom or a substituent. X a21 to X a23 each independently represent a nitrogen atom or —CR X21 =. R X21 represents a hydrogen atom or a substituent.
In formula (3A), * represents a binding position. R a31 and R a32 each independently represent a hydrogen atom or a substituent. X a31 and X a32 each independently represent a nitrogen atom or —CR X22 =. R X22 represents a hydrogen atom or a substituent.
が、式(1D)~式(3D)のいずれかで表される基である、請求項16~19のいずれか1項に記載の化合物。
Figure 2023010305000036
式(1D)中、*は、結合位置を表す。Ard11は、2つ以上の炭素原子を含む芳香環を表す。前記Ard11で表される芳香環は、更に置換基を有していてもよい。Rd11及びRd12は、それぞれ独立に、-C(RL11)(RL12)(RL13)又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。RL11~RL13は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。RL11~RL13で表される、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい芳香環基は、互いに結合して環を形成していてもよい。Rd13は、水素原子又は置換基を表す。
式(2D)中、*は、結合位置を表す。Ard21は、2つ以上の炭素原子を含む芳香環を表す。Ard21で表される芳香環は、更に置換基を有していてもよい。Zd21は、カルコゲン原子又は-NRZ21-を表す。RZ21は、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。Zd22は、窒素原子又は-CRZ22=を表す。RZ22は、水素原子又は置換基を表す。
式(3D)中、*は、結合位置を表す。Ard31及びArd32は、それぞれ独立に、2つ以上の炭素原子を含む芳香環を表す。Ard31及びArd32で表される芳香環は、更に置換基を有していてもよい。Zd31は、-CRZ31Z32-、-SiRZ31Z32-又は>C=RZ33を表す。RZ31及びRZ32は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。RZ31及びRZ32は、互いに結合して環を形成していてもよい。RZ33は、酸素原子、硫黄原子又は=CRZ34Z35を表す。RZ34及びRZ35は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。RZ34及びRZ35のうち少なくとも一方と、Ard31及びArd32のうち少なくとも一方とは、互いに縮合して縮合環を形成していてもよい。Rd31は、水素原子又は置換基を表す。
The compound according to any one of claims 16 to 19, wherein D 1 is a group represented by any one of formulas (1D) to (3D).
Figure 2023010305000036
In formula (1D), * represents a binding position. Ar d11 represents an aromatic ring containing two or more carbon atoms. The aromatic ring represented by Ar d11 may further have a substituent. R d11 and R d12 each independently represent —C(R L11 ) (R L12 ) (R L13 ) or an optionally substituted aromatic ring group. R L11 to R L13 each independently represent a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group or an optionally substituted aromatic ring group. The alkyl groups optionally having substituents or the aromatic ring groups optionally having substituents represented by R L11 to R L13 may combine with each other to form a ring. R d13 represents a hydrogen atom or a substituent.
In formula (2D), * represents a binding position. Ar d21 represents an aromatic ring containing two or more carbon atoms. The aromatic ring represented by Ar d21 may further have a substituent. Z d21 represents a chalcogen atom or -NR Z21 -. R Z21 represents a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group or an optionally substituted aromatic ring group. Z d22 represents a nitrogen atom or -CR Z22 =. R Z22 represents a hydrogen atom or a substituent.
In formula (3D), * represents a binding position. Ar d31 and Ar d32 each independently represent an aromatic ring containing two or more carbon atoms. The aromatic rings represented by Ar d31 and Ar d32 may further have a substituent. Z d31 represents -CR Z31 R Z32 -, -SiR Z31 R Z32 - or >C=R Z33 . R Z31 and R Z32 each independently represent a hydrogen atom or a substituent. R 2 Z31 and R 2 Z32 may combine with each other to form a ring. R Z33 represents an oxygen atom, a sulfur atom or =CR Z34 R Z35 ; R Z34 and R Z35 each independently represent a hydrogen atom or a substituent. At least one of R Z34 and R Z35 and at least one of Ar d31 and Ar d32 may be condensed with each other to form a condensed ring. R d31 represents a hydrogen atom or a substituent.
が、前記式(1D)で表される基である、請求項20に記載の化合物。 21. The compound according to claim 20, wherein D1 is a group represented by formula (1D). が、式(4D)で表される基である、請求項16~21のいずれか1項に記載の化合物。
Figure 2023010305000037
式(4D)中、*は、結合位置を表す。Rd41及びRd42は、それぞれ独立に、-C(RL41)(RL42)(RL43)又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。RL41~RL43は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。RL41~RL43で表される、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい芳香環基は、互いに結合して環を形成していてもよい。Rd43は、水素原子又は置換基を表す。Ed41~Ed44は、それぞれ独立に、窒素原子又は-CRE41=を表す。RE41は、水素原子又は置換基を表す。RE41が複数存在する場合、複数存在するRE41同士は、互いに結合して環を形成していてもよい。
The compound according to any one of claims 16 to 21, wherein D 1 is a group represented by formula (4D).
Figure 2023010305000037
In formula (4D), * represents a binding position. R d41 and R d42 each independently represent —C(R L41 ) (R L42 ) (R L43 ) or an optionally substituted aromatic ring group. R L41 to R L43 each independently represent a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group or an optionally substituted aromatic ring group. The alkyl groups optionally having substituents or the aromatic ring groups optionally having substituents represented by R L41 to R L43 may combine with each other to form a ring. R d43 represents a hydrogen atom or a substituent. E d41 to E d44 each independently represent a nitrogen atom or —CR E41 =. R E41 represents a hydrogen atom or a substituent. When multiple R E41 are present, the multiple R E41 may be bonded to each other to form a ring.
が、式(5D)で表される基である、請求項16~22のいずれか1項に記載の化合物。
Figure 2023010305000038
式(5D)中、*は、結合位置を表す。Rd51及びRd52は、それぞれ独立に、-C(RL51)(RL52)(RL53)又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。RL51~RL53は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。RL51~RL53で表される、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい芳香環基は、互いに結合して環を形成していてもよい。Rd53~Rd55は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Rd54及びRd55は、互いに結合して環を形成していてもよい。
A compound according to any one of claims 16 to 22, wherein D 1 is a group represented by formula (5D).
Figure 2023010305000038
In formula (5D), * represents a binding position. R d51 and R d52 each independently represent —C(R L51 ) (R L52 ) (R L53 ) or an optionally substituted aromatic ring group. R L51 to R L53 each independently represent a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group or an optionally substituted aromatic ring group. The alkyl groups optionally having substituents or the aromatic ring groups optionally having substituents represented by R L51 to R L53 may combine with each other to form a ring. R d53 to R d55 each independently represent a hydrogen atom or a substituent. R d54 and R d55 may combine with each other to form a ring.
が、式(6D)で表される基である、請求項16~23のいずれか1項に記載の化合物。
Figure 2023010305000039
式(6D)中、*は、結合位置を表す。Rd61及びRd62は、それぞれ独立に、-C(RL61)(RL62)(RL63)又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。RL61~RL63は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい芳香環基を表す。RL61~RL63で表される、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよい芳香環基は、互いに結合して環を形成していてもよい。Rd63~Rd65は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Rd64及びRd65は、互いに結合して環を形成していてもよい。Ed61及びEd62は、それぞれ独立に、窒素原子又は-CRE61=を表す。RE61は、水素原子又は置換基を表す。
The compound according to any one of claims 16 to 23, wherein D 1 is a group represented by formula (6D).
Figure 2023010305000039
In formula (6D), * represents a binding position. R d61 and R d62 each independently represent —C(R L61 ) (R L62 ) (R L63 ) or an optionally substituted aromatic ring group. R L61 to R L63 each independently represent a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group or an optionally substituted aromatic ring group. The alkyl groups optionally having substituents or the aromatic ring groups optionally having substituents represented by R L61 to R L63 may combine with each other to form a ring. R d63 to R d65 each independently represent a hydrogen atom or a substituent. R d64 and R d65 may combine with each other to form a ring. E d61 and E d62 each independently represent a nitrogen atom or -CR E61 =. R E61 represents a hydrogen atom or a substituent.
JP2021114352A 2021-07-09 2021-07-09 Photoelectric converter, imager, photosensor, and compound Pending JP2023010305A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021114352A JP2023010305A (en) 2021-07-09 2021-07-09 Photoelectric converter, imager, photosensor, and compound

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021114352A JP2023010305A (en) 2021-07-09 2021-07-09 Photoelectric converter, imager, photosensor, and compound

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023010305A true JP2023010305A (en) 2023-01-20

Family

ID=85118936

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021114352A Pending JP2023010305A (en) 2021-07-09 2021-07-09 Photoelectric converter, imager, photosensor, and compound

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2023010305A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3243822B1 (en) Selenophene derivatives and organic photoelectric device, image sensor and electronic device including the same
JP5938028B2 (en) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND METHOD OF USING THE SAME, OPTICAL SENSOR
EP2292586B1 (en) Photoelectric conversion material, film containing the material, photoelectric conversion device, production method thereof, photosensor, imaging device and their use methods
JP6010567B2 (en) Photoelectric conversion material, photoelectric conversion element, optical sensor, and imaging element
WO2014051007A1 (en) Photoelectric conversion element, method for using same, light sensor, and imaging element
JP6077426B2 (en) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND METHOD OF USING THE SAME, OPTICAL SENSOR
WO2019189134A1 (en) Photoelectric conversion element, imaging element, optical sensor, and compound
TWI632203B (en) Photoelectric conversion element, optical sensor and image capture element
WO2022014721A1 (en) Photoelectric conversion element, imaging element, optical sensor, and compound
JP7308984B2 (en) Photoelectric conversion device, image pickup device, optical sensor
JP2013012535A (en) Photoelectric conversion element and usage thereof, image pickup device, optical sensor, and photoelectric conversion film
JP2023010305A (en) Photoelectric converter, imager, photosensor, and compound
JP6059616B2 (en) Photoelectric conversion material, photoelectric conversion element and method of using the same, optical sensor, imaging element
WO2022168856A1 (en) Photoelectric conversion element, imaging element, photosensor, and compound
WO2023038064A1 (en) Photoelectric conversion element, imaging element, light sensor, and compound
JP7215970B2 (en) Photoelectric conversion device, image pickup device, optical sensor, material for photoelectric conversion device, compound
WO2023219033A1 (en) Photoelectric conversion element, imaging element, light sensor, and compound
WO2023189605A1 (en) Photoelectric conversion element, imaging element, photosensor, and compound
JP7133707B2 (en) Photoelectric conversion device, image pickup device, optical sensor, photoelectric conversion device material, image pickup device material, optical sensor material
WO2023054346A1 (en) Photoelectric conversion element, imaging element, light sensor, and compound
JP2023118497A (en) Photoelectric conversion element, imaging element, optical sensor, and compound
WO2020261938A1 (en) Photoelectric conversion element, imaging element, optical sensor, and material for photoelectric conversion element
WO2023219042A1 (en) Photoelectric conversion device, imaging device, photosensor, and compound
WO2021221032A1 (en) Photoelectric conversion element, imaging element, optical sensor, and compound
WO2024071188A1 (en) Photoelectric conversion element, imaging element, light sensor, and compound

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20240404