JP2022187050A

JP2022187050A - Radiation imaging device

Info

Publication number: JP2022187050A
Application number: JP2021094849A
Authority: JP
Inventors: 浩宇都宮; Hiroshi Utsunomiya
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 2021-06-07
Filing date: 2021-06-07
Publication date: 2022-12-19

Abstract

To reduce an electric field generated in the vicinity of an antenna provided in a radiation imaging device without adding a new component.SOLUTION: A radiation imaging device 100, 100A, 100B, or 100C includes: a sensor panel 3 (3A) having an imaging surface 321a in which a plurality of semiconductor elements 322 are distributed two-dimensionally; a communication unit 65 having an antenna 65b and performing wireless communication with other devices; and a conductor layer L (first and second shield layers 4 and 8, moisture-proof layers 33 and 36A, front part 11, back part 21) spreading along the imaging surface 321a and reflecting an electromagnetic wave emitted by the antenna 65b. A wavelength λ of the electromagnetic wave and a distance d from the antenna 65b to a plane P including the conductor layer L satisfies a relation of 0<d<Nλ+λ/8, Nλ+3λ/8<d<Nλ+5λ/8, or Nλ+7λ/8<d<Nλ+9λ/8 where N is any integer greater than or equal to 0.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、放射線撮像装置に関する。 The present invention relates to a radiation imaging apparatus.

可搬型の放射線撮像装置（例えば、Flat Panel Detector：ＦＰＤ）は、生成した放射線画像の画像データを他の装置へ転送する無線通信機能を有している、すなわち、通信のための電磁波を発するアンテナを備えていることが多い。こうした放射線撮像装置を用いて、より遠くにある装置へ画像データを転送するためには、アンテナが発する電磁波の出力を大きくする必要がある。
一方、こうした放射線撮像装置は、被検者と接触した状態で用いられることが多い。このため、被検者は、アンテナが電磁波を発する際にアンテナの近傍で生じる電磁波を吸収し易い状況に置かれることになる。強い電磁波は人体に悪影響を及ぼすため、無線通信機能を有する放射線撮像装置は、人体が電磁波を吸収する尺度である比吸収率（Specific Absorption Rate：以下ＳＡＲ）が、定められた規制値を超えないように構成されている必要がある。
従来、こうした電磁波の出力増大とＳＡＲの低減とを両立するための手段として、例えば特許文献１に記載されているような積層軟磁性部材を放射線撮像装置に組み込むことが行われている。 A portable radiation imaging device (e.g., Flat Panel Detector: FPD) has a wireless communication function to transfer image data of a generated radiographic image to another device, that is, an antenna that emits electromagnetic waves for communication often have In order to transfer image data to a device located farther away using such a radiation imaging device, it is necessary to increase the output of electromagnetic waves emitted by the antenna.
On the other hand, such a radiation imaging apparatus is often used while in contact with a subject. Therefore, when the antenna emits electromagnetic waves, the subject is placed in a situation where it is easy to absorb the electromagnetic waves generated in the vicinity of the antenna. Since strong electromagnetic waves have an adverse effect on the human body, radiation imaging devices with wireless communication functions must have a Specific Absorption Rate (SAR), which is a measure of how much electromagnetic waves are absorbed by the human body, does not exceed a set regulatory value. must be configured as
Conventionally, as means for achieving both an increase in electromagnetic wave output and a reduction in SAR, a laminated soft magnetic member as described in Patent Document 1, for example, has been incorporated into a radiation imaging apparatus.

特開２００４－３０３８２４号公報JP 2004-303824 A

しかしながら、特許文献１に記載されたような従来のＳＡＲの低減技術で用いられる積層軟磁性部材は、アンテナの近傍に生じる電界を低減するための専用の部品である。
こうした専用の部品を放射線撮像装置に新たに組み込むと、放射線撮像装置の重量が従来に比べて増加してしまうという問題が生じる。
また、専用の部品を新たに組み込むと、放射線撮像装置内のスペースの減少（装置の大型化、設計の自由度低下）、製造コストの増加といった問題も生じる。 However, the laminated soft magnetic member used in the conventional SAR reduction technique described in Patent Document 1 is a dedicated component for reducing the electric field generated in the vicinity of the antenna.
If such a dedicated component is newly incorporated into a radiation imaging apparatus, there arises a problem that the weight of the radiation imaging apparatus increases as compared with the conventional one.
In addition, if a new dedicated part is incorporated, problems such as a decrease in the space inside the radiation imaging apparatus (an increase in the size of the apparatus and a decrease in the degree of freedom in design) and an increase in the manufacturing cost will arise.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、放射線撮像装置が備えるアンテナの近傍で生じる電界を、新たな部品を追加することなく低減できるようにすることを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to reduce an electric field generated near an antenna included in a radiation imaging apparatus without adding new components.

上記課題を解決するため、本発明に係る放射線撮像装置は、
複数の半導体素子が二次元状に分布するように配列された撮像面を有するセンサーパネルと、
アンテナを有し、他の装置との間で無線通信を行う通信部と、
前記撮像面に沿って広がり、前記アンテナが発した電磁波を反射する導体層と、を備え、
前記電磁波の波長λと、前記アンテナから前記導体層を含む平面までの距離ｄとが、０＜ｄ＜Ｎλ＋λ／８、Ｎλ＋３λ／８＜ｄ＜Ｎλ＋５λ／８、又はＮλ＋７λ／８＜ｄ＜Ｎλ＋９λ／８（ただし、Ｎは０以上の任意の整数）の関係を満たしている。 In order to solve the above problems, a radiation imaging apparatus according to the present invention includes:
a sensor panel having an imaging surface in which a plurality of semiconductor elements are arranged in a two-dimensional distribution;
a communication unit that has an antenna and performs wireless communication with another device;
a conductor layer that spreads along the imaging surface and reflects electromagnetic waves emitted by the antenna;
The wavelength λ of the electromagnetic wave and the distance d from the antenna to the plane containing the conductor layer are 0<d<Nλ+λ/8, Nλ+3λ/8<d<Nλ+5λ/8, or Nλ+7λ/8<d<Nλ+9λ/ 8 (where N is any integer greater than or equal to 0).

導体層は、多くの場合、放射線撮像装置が従来備えている。
このため、本発明によれば、放射線撮像装置が備えるアンテナの近傍で生じる電界を、新たな部品を追加することなく低減することができる。 Conductive layers are often conventionally included in radiation imaging devices.
Therefore, according to the present invention, it is possible to reduce the electric field generated in the vicinity of the antenna included in the radiation imaging apparatus without adding new parts.

本発明の第一～第四実施形態に係る放射線撮像装置の分解斜視図である。1 is an exploded perspective view of a radiation imaging apparatus according to first to fourth embodiments of the present invention; FIG. 第一実施形態に係る放射線撮像装置の断面図である。1 is a cross-sectional view of a radiation imaging apparatus according to a first embodiment; FIG. 電磁波を低減する仕組みを説明するグラフである。It is a graph explaining the mechanism which reduces electromagnetic waves. 第一実施形態の変形例に係る放射線撮像装置の断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of a radiation imaging apparatus according to a modification of the first embodiment; 第二実施形態に係る放射線撮像装置の断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of a radiation imaging apparatus according to a second embodiment; 第三実施形態に係る放射線撮像装置の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of a radiation imaging apparatus according to a third embodiment; 第四実施形態に係る放射線撮像装置が備えるセンサーパネルの断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of a sensor panel included in a radiation imaging apparatus according to a fourth embodiment;

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。しかし、本発明は、図面に図示されたものに限定されるものではない。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the invention is not limited to what is illustrated in the drawings.

＜１．第一実施形態＞
まず、本発明の第一実施形態について説明する。 <1. First Embodiment>
First, a first embodiment of the present invention will be described.

始めに、本実施形態に係る放射線撮像装置（以下、撮像装置１００）の概略構成について説明する。
図１は撮像装置１００の分解斜視図、図２は撮像装置の断面図（撮像装置１００の厚さ方向に沿って切断した場合）、図３は電磁波を低減する仕組みを説明するグラフである。 First, a schematic configuration of a radiation imaging apparatus (hereinafter referred to as an imaging apparatus 100) according to this embodiment will be described.
1 is an exploded perspective view of the imaging device 100, FIG. 2 is a cross-sectional view of the imaging device (when cut along the thickness direction of the imaging device 100), and FIG. 3 is a graph explaining a mechanism for reducing electromagnetic waves.

撮像装置１００は、受けた放射線の線量分布に応じた放射線画像を生成するためのものである。
撮像装置１００は、例えば図１に示すように、筐体１１０と、内部モジュール１２０と、を備えている。
本実施形態に係る撮像装置１００は、各種スイッチ（電源スイッチ、操作スイッチ等）、インジケーター等を備えている。 The imaging apparatus 100 is for generating a radiographic image according to the dose distribution of received radiation.
The imaging device 100 includes a housing 110 and an internal module 120, as shown in FIG. 1, for example.
The imaging device 100 according to this embodiment includes various switches (power switch, operation switch, etc.), indicators, and the like.

［１－１．筐体］
筐体１１０は、内部モジュール１２０を収納するためのものである。
本実施形態に係る筐体１１０は、矩形のパネル状をしている。すなわち、本実施形態に係る撮像装置１００は、可搬型のものとなっている。
また、筐体１１０は、箱体１と、蓋体２と、を備えている。 [1-1. Housing]
The housing 110 is for housing the internal module 120 .
The housing 110 according to this embodiment has a rectangular panel shape. That is, the imaging device 100 according to this embodiment is of a portable type.
The housing 110 also includes a box 1 and a lid 2 .

〔１－１－１．箱体〕
箱体１は、前面部１１を有している。
また、本実施形態に係る箱体１は、側面部１２を更に有している。
本実施形態に係る前面部１１及び側面部１２は一体に形成されている。
なお、前面部１１と側面部１２とは別部材であってもよい。 [1-1-1. box]
The box 1 has a front portion 11 .
Moreover, the box 1 according to this embodiment further has a side portion 12 .
The front part 11 and the side part 12 according to this embodiment are integrally formed.
Note that the front portion 11 and the side portion 12 may be separate members.

（前面部）
前面部１１は、矩形の平板状に形成されている。
また、前面部１１の外側表面が撮像装置１００（筐体１１０）の放射線入射面１１ａ（前面）となる。
本実施形態に係る前面部１１は、矩形板状に形成されている。 (Front part)
The front part 11 is formed in a rectangular flat plate shape.
Further, the outer surface of the front portion 11 is the radiation entrance surface 11a (front surface) of the imaging device 100 (housing 110).
The front part 11 according to this embodiment is formed in a rectangular plate shape.

前面部１１は、放射線の透過を邪魔しない材料で形成されている。
放射線の透過を邪魔しない材料の具体例としては、炭素繊維強化樹脂（Carbon Fiber Reinforced Plastic：ＣＦＲＰ）、ガラス繊維強化樹脂（Glass Fiber Reinforced Plastic：ＧＦＲＰ）、ＡｌやＭｇ等の軽金属等が挙げられる The front part 11 is made of a material that does not interfere with transmission of radiation.
Specific examples of materials that do not interfere with the transmission of radiation include carbon fiber reinforced plastic (CFRP), glass fiber reinforced plastic (GFRP), and light metals such as Al and Mg.

（側面部）
側面部１２は、前面部１１の周縁部から、放射線入射面１１ａと直交する方向であって前面部１１から離れる方向に延設されている。
また、側面部１２の外側表面が撮像装置１００（筐体１１０）の側面となる。 (Side part)
The side surface portion 12 extends from the peripheral portion of the front surface portion 11 in a direction perpendicular to the radiation entrance surface 11 a and away from the front surface portion 11 .
Also, the outer surface of the side surface portion 12 is the side surface of the imaging device 100 (housing 110).

〔１－１－２．蓋体〕
蓋体２は、背面部２１を有している。
本実施形態に係る蓋体２は、全体が背面部２１となっている。
本実施形態に係る背面部２１は、前面部１１と略等しい矩形に形成されている。
背面部２１を形成する材質の具体例としては、炭素繊維強化樹脂、ガラス繊維強化樹脂、ＡｌやＭｇ等の軽金属等が含まれる。
なお、背面部２１は、箱体１と同一の材料で形成されていてもよいし、異なる材料で形成されていてもよい。 [1-1-2. lid]
The lid 2 has a back portion 21 .
The lid body 2 according to the present embodiment has a rear surface portion 21 as a whole.
The rear portion 21 according to this embodiment is formed in a rectangular shape substantially equal to the front portion 11 .
Specific examples of the material forming the back portion 21 include carbon fiber reinforced resin, glass fiber reinforced resin, and light metals such as Al and Mg.
In addition, the back part 21 may be formed with the same material as the box 1, and may be formed with a different material.

背面部２１は、内部モジュール１２０を挟んで箱体１の前面部１１と対向するとともに当該前面部１１と平行に広がるように配置されている。
このため、背面部２１の外側表面が撮像装置１００（筐体１１０）の背面となる。
また、背面部２１は、箱体１の側面部１２に当接するとともに側面部１２に取り付けられている。
本実施形態に係る蓋体２は、箱体１の側面部１２にネジ止めされている。 The back surface portion 21 is arranged to face the front surface portion 11 of the box 1 with the internal module 120 interposed therebetween and extend parallel to the front surface portion 11 .
Therefore, the outer surface of the back surface portion 21 is the back surface of the imaging device 100 (housing 110).
Further, the back surface portion 21 is attached to the side surface portion 12 while being in contact with the side surface portion 12 of the box 1 .
The lid 2 according to this embodiment is screwed to the side surface 12 of the box 1 .

〔１－１－３．筐体その他〕
なお、図１には、側面部１２が前面部１１と一体形成された筐体１１０（箱体１）を例示したが、筐体１１０は、側面部１２が背面部２１と一体になったものであってもよいし、前面部１１、側面部１２及び背面部２１がそれぞれ別々の部材となっているものであってもよい。
また、前面部１１と背面部２１の両方が側面部を備えたものであってもよい。
また、図１には、箱体１と蓋体２とを備える筐体１１０を例示したが、前面部１１と、背面部２１と、前面部１１の両端と背面部２１の両端とをそれぞれつなぐ一対の側面部１２と、を有し筒状に形成された筒体と、筒体の開口部を閉塞する蓋体と、を備えたものであってもよい。 [1-1-3. Housing, etc.]
1 illustrates the housing 110 (box 1) in which the side surface 12 is integrally formed with the front surface 11, the housing 110 has the side surface 12 integrally formed with the rear surface 21. Alternatively, the front portion 11, the side portion 12, and the rear portion 21 may be separate members.
Moreover, both the front part 11 and the back part 21 may have side parts.
1 illustrates the case 110 including the box 1 and the lid 2, the front part 11, the back part 21, and both ends of the front part 11 and the both ends of the back part 21 are respectively connected. It may be provided with a tubular body having a pair of side surfaces 12 and formed in a tubular shape, and a lid body that closes the opening of the tubular body.

［１－２．内部モジュール］
内部モジュール１２０は、筐体１１０に収納されている。
内部モジュール１２０は、筐体１１０の前面部１１、背面部２１及び側面部１２のうちの少なくともいずれかの内側表面に固定されている。
内部モジュール１２０の筐体１１０への固定方法には、接着剤を用いた接着、粘着テープを用いた粘着、内側表面に形成された凹部又は凸部への嵌合、内側表面に形成された係合部への係合等が含まれる。 [1-2. internal module]
The internal module 120 is housed in the housing 110 .
The internal module 120 is fixed to the inner surface of at least one of the front portion 11 , the rear portion 21 and the side portion 12 of the housing 110 .
Methods for fixing the internal module 120 to the housing 110 include adhesion using an adhesive, adhesion using an adhesive tape, fitting into concave portions or convex portions formed on the inner surface, and engagement formed on the inner surface. Engagement with joints and the like are included.

内部モジュール１２０は、図２に示すように、センサーパネル３と、第一シールド層４と、基台５と、電子部品６と、導体層Ｌと、を備えている。
また、本実施形態に係る内部モジュール１２０は、放射線減弱層７と、第二シールド層８と、を更に備えている。
各部３～８，Ｌは、図示しないスペーサーや、粘着材等によって、筐体１１０内に固定されている。 The internal module 120 includes a sensor panel 3, a first shield layer 4, a base 5, an electronic component 6, and a conductor layer L, as shown in FIG.
Moreover, the internal module 120 according to this embodiment further includes a radiation attenuation layer 7 and a second shield layer 8 .
Each part 3 to 8, L is fixed inside the housing 110 by spacers (not shown), adhesive material, or the like.

〔１－２－１．センサーパネル〕
本実施形態に係るセンサーパネル３は、波長変換部３１と、光電変換部３２と、防湿層３３と、を備えている。 [1-2-1. sensor panel]
The sensor panel 3 according to this embodiment includes a wavelength conversion section 31 , a photoelectric conversion section 32 and a moisture-proof layer 33 .

（波長変換部）
波長変換部３１は、放射線を可視光等に変換するためのものである。
本実施形態に係る波長変換部３１は、シンチレーター３１１を有している。
シンチレーター３１１は、蒸着用基板と、蛍光体層と、を有している。 (Wavelength converter)
The wavelength converter 31 is for converting radiation into visible light or the like.
The wavelength conversion section 31 according to this embodiment has a scintillator 311 .
The scintillator 311 has a deposition substrate and a phosphor layer.

蒸着用基板は、蛍光体層を支持するためのものである。
本実施形態に係る蒸着用基板は、筐体１１０の放射線入射面１１ａよりも一回り小さい矩形板状に形成されている。 The vapor deposition substrate is for supporting the phosphor layer.
The vapor deposition substrate according to this embodiment is formed in a rectangular plate shape that is one size smaller than the radiation incident surface 11 a of the housing 110 .

蛍光体層は、蛍光体で、蒸着用基板における、筐体１１０の前面部１１が存在する側と反対側の面全体に膜状に形成されている。
蛍光体は、α線、γ線、Ｘ線等の電離放射線が照射されたときに原子が励起されることにより発光する物質のことである。すなわち、蛍光体は、放射線を紫外線や可視光に変換するものである。
蛍光体には、例えばヨウ化セシウム（ＣｓＩ）の柱状結晶等が含まれる。
なお、蛍光体層は、後述する光電変換部３２の表面に形成されていてもよい。その場合、蒸着用基板は不要である。 The phosphor layer is a phosphor, and is formed in the form of a film on the entire surface of the vapor deposition substrate opposite to the side where the front portion 11 of the housing 110 exists.
A phosphor is a substance that emits light when atoms are excited when irradiated with ionizing radiation such as α-rays, γ-rays, and X-rays. That is, phosphors convert radiation into ultraviolet rays or visible light.
Phosphors include, for example, columnar crystals of cesium iodide (CsI).
Note that the phosphor layer may be formed on the surface of the photoelectric conversion section 32, which will be described later. In that case, no vapor deposition substrate is required.

（防湿層）
防湿層３３は、前記シンチレーター３１１を被覆して当該シンチレーター３１１への湿気の到達を防ぐものである。
防湿層３３は、シンチレーター３１１の前面を被覆する部分と、側面を被覆する部分を有している。
防湿層３３の前面を被覆する部分は、撮像面３２１ａに沿って広がっている。
本実施形態に係る防湿層３３は、アルミ箔である。
アルミニウムは、周囲から到達した（アンテナ６５ｂが発した）電磁波を反射する。
このため、本実施形態に係る防湿層３３は、導体層Ｌを兼ねていることになる。 (Moisture-proof layer)
The moisture-proof layer 33 covers the scintillator 311 to prevent moisture from reaching the scintillator 311 .
The moisture-proof layer 33 has a portion that covers the front surface of the scintillator 311 and a portion that covers the side surfaces of the scintillator 311 .
A portion covering the front surface of the moisture-proof layer 33 extends along the imaging surface 321a.
The moisture-proof layer 33 according to this embodiment is aluminum foil.
Aluminum reflects the electromagnetic waves (radiated by the antenna 65b) arriving from the surroundings.
Therefore, the moisture-proof layer 33 according to this embodiment also serves as the conductor layer L.

また、本実施形態に係る防湿層３３（アルミ箔）の厚さは、９ｕｍ以上である。
厚さ９ｕｍ以上のアルミ箔は、１．０ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下の透湿度を有する。このため、こうすることで、シンチレーター３１１を十分に防湿することができる。
なお、防湿層３３の厚さは、１０ｕｍ以上であってもよい。アルミニウムは、電気抵抗率が低いため、こうすることで、電磁波を９９％以上反射することができる。
すなわち、本実施形態に係る防湿層３３は、導体層Ｌひいては撮像装置１００を軽量化しつつ、電磁波の確実な反射と、シンチレーターの防湿を両立することができる。 Moreover, the thickness of the moisture-proof layer 33 (aluminum foil) according to the present embodiment is 9 μm or more.
An aluminum foil having a thickness of 9 μm or more has a moisture permeability of 1.0 g/m ² ·day or less. Therefore, by doing so, the scintillator 311 can be sufficiently moisture-proof.
Note that the moisture-proof layer 33 may have a thickness of 10 μm or more. Since aluminum has a low electrical resistivity, it can reflect 99% or more of electromagnetic waves.
That is, the moisture-proof layer 33 according to the present embodiment can achieve both reliable reflection of electromagnetic waves and moisture-proofing of the scintillator while reducing the weight of the conductor layer L and thus the imaging device 100 .

このように構成された波長変換部３１は、蒸着用基板を筐体１１０の前面部１１が存在する方へ向けるとともに、筐体１１０の放射線入射面１１ａと平行に広がるように配置されている。
このように構成された波長変換部３１は、放射線を受けた領域が、受けた放射線の線量に応じた強度で発光する。
なお、波長変換部３１は、蒸着用基板を含めた全体が可撓性を有していてもよい。 The wavelength conversion unit 31 configured in this way is arranged so that the vapor deposition substrate faces the front part 11 of the housing 110 and extends parallel to the radiation incident surface 11a of the housing 110 .
The wavelength conversion unit 31 configured in this manner emits light with an intensity corresponding to the dose of the received radiation in the region receiving the radiation.
The wavelength conversion unit 31 may be flexible as a whole including the vapor deposition substrate.

（光電変換部）
光電変換部３２は、光を電気信号に変換するためのものである。
光電変換部３２は、波長変換部３１の、基台５が存在する側に配置されている。 (Photoelectric converter)
The photoelectric conversion section 32 is for converting light into an electrical signal.
The photoelectric conversion unit 32 is arranged on the side of the wavelength conversion unit 31 on which the base 5 exists.

光電変換部３２は、基板３２１と、複数の半導体素子３２２（図１参照）と、を有している。
また、本実施形態に係る光電変換部３２は、図示しない複数の走査線と、複数の信号線と、複数のスイッチ素子と、複数のバイアス線と、有している。 The photoelectric conversion unit 32 has a substrate 321 and a plurality of semiconductor elements 322 (see FIG. 1).
Further, the photoelectric conversion unit 32 according to this embodiment has a plurality of scanning lines, a plurality of signal lines, a plurality of switching elements, and a plurality of bias lines (not shown).

本実施形態に係る基板３２１は、波長変換部３１の輪郭よりも一回り大きい矩形板状に形成されている。
そして、基板３２１は、波長変換部３１と平行に広がるように配置されている。 The substrate 321 according to this embodiment is formed in a rectangular plate shape that is one size larger than the outline of the wavelength conversion section 31 .
The substrate 321 is arranged so as to extend parallel to the wavelength conversion section 31 .

本実施形態に係る複数の走査線は、基板３２１の表面に、等間隔且つ互いに平行に延びるように形成されている。
本実施形態に係る複数の信号線は、基板３２１における走査線が設けられた面に、等間隔且つ走査線と直交するように形成されている。
すなわち、本実施形態に係る基板３２１の表面は、複数の走査線及び複数の信号線によって囲まれる複数の矩形領域を有する。 A plurality of scanning lines according to this embodiment are formed on the surface of the substrate 321 so as to extend at regular intervals and parallel to each other.
A plurality of signal lines according to the present embodiment are formed on the surface of the substrate 321 on which the scanning lines are provided, at regular intervals and perpendicular to the scanning lines.
That is, the surface of the substrate 321 according to this embodiment has a plurality of rectangular areas surrounded by a plurality of scanning lines and a plurality of signal lines.

複数の半導体素子３２２は、それぞれ受けた光の強度に応じた量の電荷を発生させる。
また、複数の半導体素子３２２は、図１に示したように、基板３２１における走査線及び信号線が設けられた面に二次元状に分布するように配列されている。
具体的には、本実施形態に係る複数の半導体素子３２２は、複数の走査線及び複数の信号線によって囲まれる複数の矩形領域内にそれぞれ配置されている。
このため、本実施形態に係る複数の半導体素子３２２は、マトリクス（行列）状に配列される。 The plurality of semiconductor elements 322 generate electric charges in amounts corresponding to the intensity of the light they receive.
Also, as shown in FIG. 1, the plurality of semiconductor elements 322 are arranged so as to be distributed two-dimensionally on the surface of the substrate 321 on which the scanning lines and signal lines are provided.
Specifically, the plurality of semiconductor elements 322 according to this embodiment are arranged in a plurality of rectangular regions surrounded by a plurality of scanning lines and a plurality of signal lines.
Therefore, the plurality of semiconductor elements 322 according to this embodiment are arranged in a matrix (row and column).

また、各矩形領域内には、スイッチ素子がそれぞれ設けられている。
本実施形態に係るスイッチ素子は、例えばＴＦＴ（Thin Film Transistor）で構成されている。
各スイッチ素子は、ゲートが走査線に、ソースが信号線に、ドレインが半導体素子に、それぞれ接続されている。
以下、基板３２１における、複数の半導体素子３２２が形成された面を撮像面３２１ａと称する。 A switch element is provided in each rectangular area.
The switch element according to this embodiment is composed of, for example, a TFT (Thin Film Transistor).
Each switch element has a gate connected to a scanning line, a source connected to a signal line, and a drain connected to a semiconductor element.
Hereinafter, the surface of the substrate 321 on which the plurality of semiconductor elements 322 are formed is referred to as an imaging surface 321a.

このように構成された光電変換部３２は、撮像面３２１ａを波長変換部３１が存在する方へ向けるとともに、図２に示したように、波長変換部３１と平行に広がるように配置されている。
本実施形態に係る光電変換部３２は、撮像面３２１ａが波長変換部３１に貼り付けられている。 The photoelectric conversion section 32 configured in this way is arranged so that the imaging surface 321a faces the direction in which the wavelength conversion section 31 exists, and extends parallel to the wavelength conversion section 31 as shown in FIG. .
The photoelectric conversion unit 32 according to the present embodiment has an imaging surface 321 a attached to the wavelength conversion unit 31 .

〔１－２－２．放射線減弱層〕
放射線減弱層７は、放射線の後方散乱線を吸収するとともに、前方からの放射線が電子部品６へ到達するのを抑制するためのものである。
本実施形態に係る放射線減弱層７は、鉛で、センサーパネル３の輪郭と略等しい矩形のシート状に形成されている。
なお、放射線減弱層７は、鉛以外の材料、すなわち、タングステン、モリブデン等で形成されていてもよい。
本実施形態に係る放射線減弱層７の厚さ（放射線入射面１１ａと直交する方向の幅）は、７０～９０μｍの範囲内であり、８０μｍとなっているのが好ましい。 [1-2-2. Radiation attenuation layer]
The radiation-attenuating layer 7 is for absorbing backscattered rays of radiation and for suppressing radiation from reaching the electronic component 6 from the front.
The radiation attenuating layer 7 according to the present embodiment is made of lead and is formed in a rectangular sheet shape having substantially the same contour as the sensor panel 3 .
The radiation attenuation layer 7 may be made of materials other than lead, such as tungsten and molybdenum.
The thickness of the radiation-attenuating layer 7 according to the present embodiment (the width in the direction orthogonal to the radiation entrance surface 11a) is in the range of 70 to 90 μm, preferably 80 μm.

本実施形態に係る放射線減弱層７は、センサーパネル３（光電変換部３２）と基台５との間に、センサーパネル３と平行に広がるように配置されている。
また、本実施形態に係る放射線減弱層７は、センサーパネル３における基台５が存在する方向を向く面、及び基台５におけるセンサーパネル３が存在する方向を向く面のうちの少なくとも一方の面に貼り付けられている。
なお、放射線減弱層７は、隣接する部材の表面に蒸着された膜状のものとなっていてもよい。 The radiation attenuating layer 7 according to this embodiment is arranged between the sensor panel 3 (photoelectric conversion section 32 ) and the base 5 so as to spread parallel to the sensor panel 3 .
Moreover, the radiation-attenuating layer 7 according to the present embodiment is at least one of the surface of the sensor panel 3 facing the direction in which the base 5 exists and the surface of the base 5 facing the direction in which the sensor panel 3 exists. affixed to.
The radiation attenuating layer 7 may be in the form of a film deposited on the surface of the adjacent member.

〔１－２－３．第一シールド層〕
第一シールド層４は、電子部品６が発生させた磁気が前記センサーパネルへ到達するのを抑制するためのものである。
第一シールド層４は、放射線減弱層７よりも導電率が高い導電性材料で形成されている。
本実施形態に係る第一シールド層４は、アルミニウムで、センサーパネル３の輪郭と略等しい矩形のシート状に形成されている。
なお、第一シールド層４は、アルミニウム以外の材料、すなわち、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、
チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、カーボン・ナノ・チューブ、フラーレン、ダイヤモンド等で形成されていてもよい。 [1-2-3. first shield layer]
The first shield layer 4 is for suppressing the magnetism generated by the electronic component 6 from reaching the sensor panel.
The first shield layer 4 is made of a conductive material having higher conductivity than the radiation attenuation layer 7 .
The first shield layer 4 according to the present embodiment is made of aluminum and is formed into a rectangular sheet that has substantially the same contour as the sensor panel 3 .
The first shield layer 4 is made of materials other than aluminum, such as lithium, beryllium, sodium, magnesium, aluminum, potassium, calcium, scandium,
It may be made of titanium, vanadium, chromium, manganese, iron, cobalt, nickel, copper, zinc, gallium, carbon nanotubes, fullerenes, diamond, and the like.

また、本実施形態に係る第一シールド層４は、放射線減弱層７よりも薄くなっている。
すなわち、放射線減弱層７の厚さは７０～９０μｍの範囲内であったのに対し、本実施形態に係る第一シールド層４の厚さは４０～６０μｍの範囲内であり、５０μｍとなっているのが好ましい。 Also, the first shield layer 4 according to this embodiment is thinner than the radiation attenuation layer 7 .
That is, while the thickness of the radiation attenuation layer 7 was within the range of 70 to 90 μm, the thickness of the first shield layer 4 according to the present embodiment was within the range of 40 to 60 μm, reaching 50 μm. It is preferable to be

第一シールド層４は、センサーパネル３と基台５との間に配置されている。
本実施形態に係る第一シールド層４は、放射線減弱層７と基台５との間に配置されている。
また、本実施形態に係る第一シールド層４は、放射線減弱層７における基台５が存在する方向を向く面、及び基台５における放射線減弱層７が存在する方向を向く面のうちの少なくとも一方の面に貼り付けられている。
この第一シールド層４の位置は、筐体１１０の厚さ（放射線入射面１１ａから筐体１１０の背面までの距離）を１５ｍｍ程度とした場合、電子部品６から概ね２．７０～２．９０ｍｍ離れたところとなる。 A first shield layer 4 is arranged between the sensor panel 3 and the base 5 .
The first shield layer 4 according to this embodiment is arranged between the radiation attenuation layer 7 and the base 5 .
In addition, the first shield layer 4 according to the present embodiment includes at least one of the surface of the radiation attenuation layer 7 facing the direction in which the base 5 exists and the surface of the base 5 facing the direction in which the radiation attenuation layer 7 exists. It is attached on one side.
The position of the first shield layer 4 is approximately 2.70 to 2.90 mm from the electronic component 6 when the thickness of the housing 110 (the distance from the radiation incident surface 11a to the rear surface of the housing 110) is approximately 15 mm. becomes distant.

なお、第一シールド層４は、センサーパネル３と放射線減弱層７との間に設けられていてもよい。
また、電子部品６を基台５へ取り付ける邪魔にならないようであれば、第一シールド層４は、基台５と電子部品６との間に設けられていてもよい。 Note that the first shield layer 4 may be provided between the sensor panel 3 and the radiation attenuation layer 7 .
Further, the first shield layer 4 may be provided between the base 5 and the electronic component 6 as long as it does not interfere with mounting the electronic component 6 on the base 5 .

また、第一シールド層４は、隣接する部材の表面に蒸着された膜状のものとなっていてもよい。
また、第一シールド層４は、複数枚設けられていてもよい。
その場合、複数の第一シールド層４は、互いに積層されていてもよいし、異なる部材の間にそれぞれ配置されていてもよい。
また、その場合、複数の第一シールド層４は、全て同じ材料で形成されていてもよいし、少なくとも一部が異なる材料で形成されていてもよい。 Also, the first shield layer 4 may be in the form of a film deposited on the surface of the adjacent member.
Also, a plurality of first shield layers 4 may be provided.
In that case, the plurality of first shield layers 4 may be laminated with each other, or may be arranged between different members.
Moreover, in that case, the plurality of first shield layers 4 may all be made of the same material, or at least part of them may be made of different materials.

〔１－２－４．第二シールド層〕
第二シールド層８は、電子部品が発生させ撮像面３２１ａ側へ回り込んできた磁気がセンサーパネルへ到達するのを抑制するためのものである。
第二シールド層８は、導電性材料で形成されている。
本実施形態に係る第二シールド層８は、アルミニウムで、第一シールド層４と同様の矩形のシート状に形成されている。
なお、第二シールド層８を形成する導電性材料は、第一シールド層４を形成する導電性材料として挙げたアルミニウム以外のものであってもよい。 [1-2-4. second shield layer]
The second shield layer 8 is for suppressing the magnetism generated by the electronic component and flowing toward the imaging surface 321a from reaching the sensor panel.
The second shield layer 8 is made of a conductive material.
The second shield layer 8 according to the present embodiment is made of aluminum and formed into a rectangular sheet like the first shield layer 4 .
The conductive material forming the second shield layer 8 may be a material other than aluminum, which is mentioned as the conductive material forming the first shield layer 4 .

第二シールド層８は、センサーパネル３の撮像面３２１ａ側に配置されている。
すなわち、第二シールド層８は、箱体１の前面部１１とセンサーパネル３との間に設けられている。
本実施形態に係る第二シールド層８は、撮像面３２１ａ及び前面部１１の内側表面の少なくとも一方の面に貼り付けられている。 The second shield layer 8 is arranged on the imaging surface 321a side of the sensor panel 3 .
That is, the second shield layer 8 is provided between the front portion 11 of the box 1 and the sensor panel 3 .
The second shield layer 8 according to this embodiment is attached to at least one of the imaging surface 321 a and the inner surface of the front surface portion 11 .

なお、第二シールド層８は、隣接する部材の表面に蒸着された膜状のものとなっていてもよい。
また、第二シールド層８は、複数枚設けられていてもよい。
その場合、複数の第二シールド層８は、全て同じ材料で形成されていてもよいし、少な
くとも一部が異なる材料で形成されていてもよい。 The second shield layer 8 may be in the form of a film deposited on the surface of the adjacent member.
Also, a plurality of second shield layers 8 may be provided.
In that case, the plurality of second shield layers 8 may all be made of the same material, or at least some of them may be made of different materials.

〔１－２－５．基台〕
基台５は、センサーパネル３を撮像面３２１ａが存在する側の反対側から支持するものである。
基台５は、筐体１１０の背面部２１とセンサーパネル３との間に配置されている。 [1-2-5. base]
The base 5 supports the sensor panel 3 from the opposite side of the imaging surface 321a.
The base 5 is arranged between the rear portion 21 of the housing 110 and the sensor panel 3 .

〔１－２－６．電子部品〕
電子部品６は、基台５の、センサーパネル３が存在する側とは反対側に配置され、図示しない基板間束線を介して光電変換部３２とを接続されている。
電子部品６は、走査部６１、読み出し部６２、制御部６３、電源部６４の他、通信部６５を含んでいる。
走査部６１は、各スイッチ素子を制御する回路を有している。
読み出し部６２は、電荷を信号値として読み出す回路を有している。
制御部６３は、各回路を制御して画像データを生成する回路を有している。
電源部６４は、半導体素子に電圧を印加したり、上記回路へ電力を供給したりするための回路を有している。 [1-2-6. Electronic parts]
The electronic component 6 is arranged on the side of the base 5 opposite to the side on which the sensor panel 3 exists, and is connected to the photoelectric conversion section 32 via an inter-board bundle wire (not shown).
The electronic component 6 includes a scanning section 61 , a reading section 62 , a control section 63 , a power supply section 64 , and a communication section 65 .
The scanning unit 61 has a circuit that controls each switch element.
The reading unit 62 has a circuit for reading electric charge as a signal value.
The control unit 63 has a circuit that controls each circuit to generate image data.
The power supply unit 64 has a circuit for applying voltage to the semiconductor element and supplying power to the circuit.

通信部６５は、他の装置との間で通信を行うためのものである。
通信部６５は、通信回路６５ａと、アンテナ６５ｂと、を有している。
本実施形態に係る通信部６５は、有線通信を行うためのコネクター６５ｃ（図１参照）も有している。
また、本実施形態に係る通信部６５は、２．４ＧＨｚ帯又は５ＧＨｚ帯の電磁波を用いて無線通信を行う。
具体的には、通信部６５は、２．４ＧＨｚ帯又は５ＧＨｚ帯の電磁波を用いた無線ＬＡＮやBluetooth（登録商標）等に接続可能である。
２．４ＧＨｚ帯の電磁波は、Wi-Fi（登録商標）及びBluetoothで用いられるものであり、５ＧＨｚ帯の電磁波は、Wi-Fi専用で用いられるものである。 The communication unit 65 is for communicating with other devices.
The communication unit 65 has a communication circuit 65a and an antenna 65b.
The communication unit 65 according to this embodiment also has a connector 65c (see FIG. 1) for wire communication.
Also, the communication unit 65 according to the present embodiment performs wireless communication using electromagnetic waves in the 2.4 GHz band or the 5 GHz band.
Specifically, the communication unit 65 can be connected to a wireless LAN, Bluetooth (registered trademark), or the like using electromagnetic waves in the 2.4 GHz band or the 5 GHz band.
The 2.4 GHz band electromagnetic wave is used for Wi-Fi (registered trademark) and Bluetooth, and the 5 GHz band electromagnetic wave is used exclusively for Wi-Fi.

［１－３．アンテナ、導体層及び筐体の位置関係］
アンテナ６５ｂは、図２に示したように、筐体１１０に取り付けられている。
図２には、アンテナ６５ｂを筐体１１０の側面部１２に配置した場合を例示したが、アンテナ６５ｂは蓋体２（背面部２１）に配置されていてもよい。
また、アンテナ６５ｂは、電磁波の波長λと、アンテナ６５ｂから第二シールド層８（導体層Ｌ）を含む平面Ｐまでの距離ｄとが、０＜ｄ＜Ｎλ＋λ／８、Ｎλ＋３λ／８＜ｄ＜Ｎλ＋５λ／８、又はＮλ＋７λ／８＜ｄ＜Ｎλ＋９λ／８（ただし、Ｎは０以上の任意の整数）の関係を満たすような位置に配置されている。
なお、平面Ｐは、導体層Ｌの表面の場合もあれば、導体層Ｌの表面の延長線上にある場合もある。
また、筐体１１０の前面部１１は、導体層Ｌからの距離が、０～λ／８，３λ／８～５λ／８，又は７λ／８～９λ／８・・の範囲内となる箇所に位置している。
アンテナ６５ｂ、導体層Ｌ及び筐体１１０の前面部１１が上記のような位置関係にあるとき、アンテナ６５ｂが電磁波を発すると、アンテナ６５ｂから導体層Ｌへ向かう電磁波（進行波Ｅ₁）と、導体層Ｌで反射した電磁波（反射波Ｅ₂）とが干渉して、例えば図３に示すような定常波Ｅとなる。
そして、この定常波の節Ｎ及びその近傍（導体層Ｌからλ／８，３λ／８～５λ／８，７λ／８～９λ／８・・の範囲内）では、電磁波が低減し、筐体１１０の前面部１１は、この電磁波が低減した領域に位置することになる。 [1-3. Positional relationship between antenna, conductor layer and housing]
The antenna 65b is attached to the housing 110 as shown in FIG.
Although FIG. 2 illustrates the case where the antenna 65b is arranged on the side surface portion 12 of the housing 110, the antenna 65b may be arranged on the lid body 2 (back surface portion 21).
Further, in the antenna 65b, the wavelength λ of the electromagnetic wave and the distance d from the antenna 65b to the plane P including the second shield layer 8 (conductor layer L) are 0<d<Nλ+λ/8 and Nλ+3λ/8<d<. They are arranged at positions satisfying the relationship Nλ+5λ/8 or Nλ+7λ/8<d<Nλ+9λ/8 (where N is an arbitrary integer equal to or greater than 0).
The plane P may be the surface of the conductor layer L or may be on an extension of the surface of the conductor layer L. FIG.
In addition, the front part 11 of the housing 110 has a distance from the conductor layer L within the range of 0 to λ/8, 3λ/8 to 5λ/8, or 7λ/8 to 9λ/8. positioned.
When the antenna 65b, the conductor layer L, and the front part 11 of the housing 110 are in the positional relationship as described above, when the antenna 65b emits an electromagnetic wave, an electromagnetic wave (traveling wave E ₁ ) directed from the antenna 65b toward the conductor layer L, Interference with the electromagnetic wave (reflected wave E ₂ ) reflected by the conductor layer L results in a standing wave E as shown in FIG. 3, for example.
Then, at the node N of this standing wave and its vicinity (within the range of λ/8, 3λ/8 to 5λ/8, 7λ/8 to 9λ/8, etc. from the conductor layer L), the electromagnetic wave is reduced, and the housing 110 The front part 11 of is located in the region where the electromagnetic waves are reduced.

なお、通信部６１が２．４ＧＨｚ帯の電磁波を用いる場合、λ／８は１５．６ｍｍ程度になる。
撮像装置１００の筐体１１０の厚さは、ＩＳＯ４０９０／ＪＩＳＺ４９０５に基づき、一般に１５ｍｍ程度であることが多いため、２．４ＧＨｚ帯の電磁波を用いる場合、距離ｄと波長λが上記関係を満たすためには、多くの場合、筐体１１０の背面（背面部２１）にアンテナ６５ｂを取り付けることになる。
一方、通信部６１が５ＧＨｚ帯の電磁波を用いる場合、λ／８は７．５ｍｍ程度になる。
上述したように、撮像装置１００の筐体１１０の厚さは、一般に１５ｍｍ程度であることが多いため、５ＧＨｚ帯の電磁波を用いる場合、距離ｄと波長λが上記関係を満たすためには、多くの場合、筐体１１０の側面（側面部１２）にアンテナ６５Ｂ取り付けることになる。 When the communication unit 61 uses electromagnetic waves in the 2.4 GHz band, λ/8 is approximately 15.6 mm.
Based on ISO4090/JISZ4905, the thickness of the housing 110 of the imaging device 100 is generally about 15 mm. In many cases, the antenna 65b is attached to the rear surface of the housing 110 (back surface portion 21).
On the other hand, when the communication unit 61 uses electromagnetic waves in the 5 GHz band, λ/8 is approximately 7.5 mm.
As described above, the thickness of the housing 110 of the imaging device 100 is generally about 15 mm in many cases. In this case, the antenna 65B is attached to the side surface of the housing 110 (side surface portion 12).

［１－４．第一実施形態その他］
ここまで、防湿層３３と第二シールド層８とが積層された撮像装置１００について説明してきたが、防湿層３３がアルミ箔である（導体層Ｌを兼ねている）場合、撮像装置１００は、例えば図４に示すように、第一，第二シールド層４，８のうち、少なくとも第二シールド層８を備えていなくてもよい（図４には、第二シールド層８のみが無い場合を例示した）。 [1-4. First embodiment and others]
So far, the imaging device 100 in which the moisture-proof layer 33 and the second shield layer 8 are laminated has been described. For example, as shown in FIG. 4, of the first and second shield layers 4 and 8, at least the second shield layer 8 may be omitted (FIG. 4 shows the case where only the second shield layer 8 is absent). exemplified).

＜２．第二実施形態＞
次に、本発明の第二実施形態について説明する。
なお、ここでは、上記第一実施形態と同様の構成には同様の符号を付し、その説明を省略する。 <2. Second Embodiment>
Next, a second embodiment of the invention will be described.
In addition, here, the same code|symbol is attached|subjected to the structure similar to said 1st embodiment, and the description is abbreviate|omitted.

本実施形態に係る放射線撮像装置（以下、撮像装置１００Ａ）は、筐体１１０Ａ及び内部モジュール１２０Ａの構成が、上記第一実施形態と異なっている。 A radiation imaging apparatus according to this embodiment (hereinafter referred to as an imaging apparatus 100A) differs from the first embodiment in the configurations of a housing 110A and an internal module 120A.

［２－１．内部モジュール］
本実施形態に係る内部モジュール１２０Ａは、例えば図５に示すように、第一，第二シールド層４，８のうち、少なくとも一方を備えていない（図５には、第一，第二シールド層４，８が両方無い場合を例示した）。 [2-1. internal module]
For example, as shown in FIG. 5, the internal module 120A according to this embodiment does not include at least one of the first and second shield layers 4 and 8 (FIG. 5 shows the first and second shield layers 4 and 8 are both absent).

［２－２．筐体］
本実施形態に係る筐体１１０Ａは、前面部１１Ａ及び背面部２１Ａのうち少なくとも一方が金属で形成されている。
そして、前面部１１Ａ及び背面部２１Ａのうち、金属で形成された部材は、導体層Ｌを兼ねている。すなわち、電磁波の波長λと、アンテナ６５ｂから前面部１１又は背面部２１までの距離ｄが０＜ｄ＜Ｎλ＋λ／８、Ｎλ＋３λ／８＜ｄ＜Ｎλ＋５λ／８、又はＮλ＋７λ／８＜ｄ＜Ｎλ＋９λ／８（ただし、Ｎは０以上の任意の整数）の関係を満たしている。
なお、前面部１１Ａが金属で形成されている場合、側面部１２Ａも金属で形成されていてもよい。 [2-2. Housing]
At least one of the front portion 11A and the rear portion 21A of the housing 110A according to the present embodiment is made of metal.
The member formed of metal of the front portion 11A and the rear portion 21A also serves as the conductor layer L. As shown in FIG. That is, the wavelength λ of the electromagnetic wave and the distance d from the antenna 65b to the front portion 11 or the rear portion 21 are 0<d<Nλ+λ/8, Nλ+3λ/8<d<Nλ+5λ/8, or Nλ+7λ/8<d<Nλ+9λ/ 8 (where N is any integer greater than or equal to 0).
In addition, when the front portion 11A is made of metal, the side portion 12A may also be made of metal.

［２－３．第二実施形態その他］
本実施形態のように筐体１１０Ａの前面部１１Ａ又は背面部２１Ａが導体層Ｌを兼ねている場合、内部モジュール１２０Ａのセンサーパネル３Ａの波長変換部３１Ａは、防湿層３３を備えていなくてもよい。
この場合、波長変換部３１Ａは、蒸着用基板の反対側から蛍光体層を覆うカバーと、蒸着用基板の周縁部とカバーの周縁部との間に蛍光体層を囲む封止材と、によってシンチレーター３１１を防湿するようになっていてもよい。 [2-3. Second embodiment and others]
When the front portion 11A or the rear portion 21A of the housing 110A also serves as the conductor layer L as in the present embodiment, the wavelength conversion portion 31A of the sensor panel 3A of the internal module 120A does not have the moisture-proof layer 33. good.
In this case, the wavelength conversion unit 31A is formed by a cover that covers the phosphor layer from the opposite side of the vapor deposition substrate, and a sealing material that surrounds the phosphor layer between the periphery of the vapor deposition substrate and the periphery of the cover. The scintillator 311 may be moisture-proof.

＜３．第三実施形態＞
次に、本発明の第三実施形態について説明する。
なお、ここでは、上記第一実施形態と同様の構成には同様の符号を付し、その説明を省略する。 <3. Third Embodiment>
Next, a third embodiment of the invention will be described.
In addition, here, the same code|symbol is attached|subjected to the structure similar to said 1st embodiment, and the description is abbreviate|omitted.

［３－１．内部モジュール］
本実施形態に係る放射線撮像装置（以下、撮像装置１００Ｂ）の内部モジュール１２０Ｂは、例えば図６に示すように、第一シールド層４又は第二シールド層８が導体層Ｌを兼ねている。すなわち、電磁波の波長λと、アンテナ６５ｂから第一シールド層４又は第二シールド層８までの距離ｄが０＜ｄ＜Ｎλ＋λ／８、Ｎλ＋３λ／８＜ｄ＜Ｎλ＋５λ／８、又はＮλ＋７λ／８＜ｄ＜Ｎλ＋９λ／８（ただし、Ｎは０以上の任意の整数）の関係を満たしている。 [3-1. internal module]
In the internal module 120B of the radiation imaging apparatus (hereinafter referred to as imaging apparatus 100B) according to this embodiment, the first shield layer 4 or the second shield layer 8 also serves as the conductor layer L, as shown in FIG. 6, for example. That is, the wavelength λ of the electromagnetic wave and the distance d from the antenna 65b to the first shield layer 4 or the second shield layer 8 are 0<d<Nλ+λ/8, Nλ+3λ/8<d<Nλ+5λ/8, or Nλ+7λ/8< It satisfies the relationship d<Nλ+9λ/8 (where N is any integer equal to or greater than 0).

［３－２．第三実施形態その他］
本実施形態のように第一シールド層４又は第二シールド層８が導体層Ｌを兼ねている場合、内部モジュール１２０Ｂのセンサーパネル３Ｂの波長変換部３１Ｂは、上記センサーパネル３Ａのものと同様に構成されていてもよい。 [3-2. Third embodiment and others]
When the first shield layer 4 or the second shield layer 8 also serves as the conductor layer L as in the present embodiment, the wavelength conversion section 31B of the sensor panel 3B of the internal module 120B is the same as that of the sensor panel 3A. may be configured.

＜４．第四実施形態＞
次に、本発明の第四実施形態について説明する。
なお、ここでは、上記第一実施形態と同様の構成には同様の符号を付し、その説明を省略する。 <4. Fourth Embodiment>
Next, a fourth embodiment of the invention will be described.
In addition, here, the same code|symbol is attached|subjected to the structure similar to said 1st embodiment, and the description is abbreviate|omitted.

本実施形態に係る放射線撮像装置（以下、撮像装置１００Ｃ）の内部モジュール１２０Ｃは、センサーパネル３Ｃが可撓性を有している点が上記第一実施形態と異なっている。
本実施形態に係るセンサーパネル３Ｃは、例えば図７に示すように、波長変換部３１Ｃと、光電変換部３２Ａと、防湿層３３と、第二防湿層３４Ａと、第三防湿層３５Ａと、第四防湿層３６Ａと、を備えている。 An internal module 120C of a radiation imaging apparatus (hereinafter referred to as an imaging apparatus 100C) according to this embodiment differs from that of the first embodiment in that a sensor panel 3C has flexibility.
The sensor panel 3C according to the present embodiment includes, for example, as shown in FIG. Four moisture-proof layers 36A are provided.

［４－１．光電変換部］
本実施形態に係る光電変換部３２Ａは、第一実施形態と同様の走査線、信号線、スイッチ素子、半導体素子３２２（図１参照）の他、基板３２１Ａと、素子保護層３２３と、を有している。 [4-1. photoelectric converter]
A photoelectric conversion unit 32A according to the present embodiment includes scanning lines, signal lines, switching elements, and semiconductor elements 322 (see FIG. 1) similar to those in the first embodiment, as well as a substrate 321A and an element protection layer 323. doing.

〔４－１－１．基板〕
基板３２１Ａは、可撓性を有する材料で、上記第一実施形態に係る基板３２１と同様の矩形板状に形成されている。
「可撓性を有する材料」の具体例としては、例えば、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルイミド、アラミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、又はこれらの複合材料が挙げられる。 [4-1-1. substrate〕
The substrate 321A is made of a flexible material and is formed in a rectangular plate like the substrate 321 according to the first embodiment.
Specific examples of the "flexible material" include polyethylene naphthalate, polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate, polyimide, polyamide, polyetherimide, aramid, polysulfone, polyethersulfone, fluororesin, polytetrafluoro Ethylene (PTFE), or a composite material thereof may be mentioned.

〔４－１－２．素子保護層〕
素子保護層３２３は、撮像面３２１ａの中央部（半導体素子３２２が設けられている領域）を覆っている。
素子保護層３２３は、半導体素子３２２を保護することが可能であり、且つ波長変換部３１Ｃから届く光を遮らない材料でシート状に形成されている。
本実施形態に係る素子保護層３２３は、有機材料及び無機材料のうちの少なくともいずれかの材料で形成されている。
有機材料の具体例としては、例えば、ポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）、フッ素樹脂、ポリエステル樹脂、ポリパラキシレン等が挙げられる。
無機材料の具体例としては、ＳｉＮ等の窒化膜、酸化ケイ素、酸化アルミ、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等が挙げられる。
なお、素子保護層３２３は、基板３２１Ａ側からシンチレーター３１１Ａへ湿気が到達するのを防ぐ防湿層を兼ねていてもよい。 [4-1-2. Element protection layer]
The device protective layer 323 covers the central portion (the region where the semiconductor device 322 is provided) of the imaging surface 321a.
The element protection layer 323 is formed in a sheet shape from a material that can protect the semiconductor element 322 and does not block the light arriving from the wavelength conversion section 31C.
The element protection layer 323 according to the present embodiment is made of at least one of an organic material and an inorganic material.
Specific examples of the organic material include polymethyl methacrylate resin (PMMA), fluororesin, polyester resin, polyparaxylene, and the like.
Specific examples of inorganic materials include nitride films such as SiN, silicon oxide, aluminum oxide, and ITO (Indium Tin Oxide).
The device protective layer 323 may also serve as a moisture-proof layer that prevents moisture from reaching the scintillator 311A from the substrate 321A side.

［４－２．波長変換部］
本実施形態に係る波長変換部３１Ｃは、シンチレーター３１１Ａと、光学接着層３１２と、防湿層接着層３１３と、を有している。 [4-2. Wavelength converter]
31 C of wavelength conversion parts which concern on this embodiment have the scintillator 311A, the optical adhesive layer 312, and the moisture-proof layer adhesive layer 313. As shown in FIG.

〔４－２－１．シンチレーター〕
シンチレーター３１１Ａは、蒸着用基板３１１ａと、蛍光体層３１１ｂと、を有している。 [4-2-1. scintillator]
The scintillator 311A has a deposition substrate 311a and a phosphor layer 311b.

蒸着用基板３１１ａは、蛍光体層３１１ｂを支持するためのものである。
本実施形態に係る蒸着用基板３１１ａは、可撓性を有する材料で、上記第一実施形態に係る蒸着用基板と同様の矩形板状に形成されている。
蒸着用基板３１１ａの形成に用いることのできる材料は、上記光電変換部３２Ａの基板３２１Ａの材料として挙げたものと同様である。
なお、蒸着用基板３１１ａは、基板３２１Ａと同一の材料で形成されていてもよいし、異なる材料で形成されていてもよい。 The deposition substrate 311a is for supporting the phosphor layer 311b.
The vapor deposition substrate 311a according to the present embodiment is made of a flexible material and is formed into a rectangular plate like the vapor deposition substrate according to the first embodiment.
Materials that can be used to form the vapor deposition substrate 311a are the same as those listed as the materials for the substrate 321A of the photoelectric conversion section 32A.
The vapor deposition substrate 311a may be made of the same material as the substrate 321A, or may be made of a different material.

蛍光体層３１１ｂは、上記第一実施形態に係る蛍光体層と同様である。 The phosphor layer 311b is the same as the phosphor layer according to the first embodiment.

〔４－２－２．光学接着層〕
光学接着層３１２は、光電変換部３２Ａの素子保護層３２３と蛍光体層３１１ｂとを貼り合わせている。
光学接着層３１２は、光学接着剤からなる。
光学接着剤の具体例としては、例えば、ＯＣＡ（Optical Clear Adhesive）、ホットメルト樹脂等が挙げられる。
ＯＣＡの具体例としては、例えば、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂及びフッ素樹脂のうちの少なくともいずれかの樹脂を主成分とするものが挙げられる。
ホットメルト樹脂の具体例としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂及びアクリル樹脂のうちの少なくともいずれかの樹脂を主成分とするものが挙げられる。
なお、素子保護層３２３と蛍光体層３１１ｂとを貼り合わせる必要が無い場合（例えば、後述する防湿層３３によってシンチレーター３１１Ａを光電変換部３２Ａへ押さえつける場合）、光学接着層３１２は不要である。 [4-2-2. Optical adhesive layer]
The optical adhesive layer 312 bonds together the element protection layer 323 of the photoelectric conversion section 32A and the phosphor layer 311b.
The optical adhesive layer 312 is made of an optical adhesive.
Specific examples of optical adhesives include OCA (Optical Clear Adhesive) and hot-melt resins.
Specific examples of OCA include those containing at least one of acrylic resin, urethane resin, silicone resin, and fluororesin as a main component.
Specific examples of hot-melt resins include those containing at least one of polyolefin resins, polyamide resins, polyester resins, polyurethane resins, and acrylic resins as a main component.
If there is no need to bond the element protective layer 323 and the phosphor layer 311b together (for example, if the scintillator 311A is pressed against the photoelectric conversion section 32A by the moisture-proof layer 33, which will be described later), the optical adhesive layer 312 is unnecessary.

〔４－２－３．防湿層接着層〕
防湿層接着層３１３は、蒸着用基板３１１ａ及び蛍光体層３１１ｂのうちの少なくとも一方の部材と防湿層３３とを貼り合わせている。
また、防湿層接着層３１３の周縁部は、素子保護層３２３の周縁部及び第三防湿層３５Ａのうちの少なくとも一方の部材と防湿層３３とを貼り合わせている。
防湿層接着層３１３は、有機材料からなる接着剤で形成されている。
有機材料の具体例としては、アクリル、ウレタン、ポリエステル、スチレン・イソプレン・スチレン・ブロック共重合体、天然ゴム、ブチルゴム、エポキシ等が挙げられる。 [4-2-3. Moisture-proof layer adhesion layer]
The moisture-proof layer adhesive layer 313 bonds at least one of the vapor deposition substrate 311 a and the phosphor layer 311 b to the moisture-proof layer 33 .
In addition, the peripheral edge portion of the moisture-proof adhesive layer 313 bonds at least one member of the peripheral edge portion of the device protective layer 323 and the third moisture-proof layer 35</b>A to the moisture-proof layer 33 .
The moisture-proof adhesive layer 313 is made of an adhesive made of an organic material.
Specific examples of organic materials include acrylic, urethane, polyester, styrene-isoprene-styrene-block copolymer, natural rubber, butyl rubber, and epoxy.

〔４－２－４．波長変換部その他〕
なお、波長変換部３１Ｃは、反射層を備えていてもよい。
反射層は、蛍光体層３１１ｂが発生させた光を反射させるためのものである。
反射層は、反射層は、金属（例えば銀、アルミニウム、ニッケル、銅等）で形成された膜であってもよいし、酸化チタン、酸化アルミニウム等の粒子が混錬された樹脂によってシート状に形成されたものであってもよい。
反射層は、シンチレーター３１１Ａにおける筐体１１０の前面部１１が存在する側に配置される。
これにより、蛍光体層３１１ｂで発生し、光電変換部３２Ａから遠のく方向（反射層が存在する方向）へ向かう光が、反射層で反射して光電変換部３２Ａが存在する方向へ向かうようになる。その結果、蛍光体層３１１ｂで発生した光がより多く半導体素子３２２に到達するようになり、撮像装置１００Ｃの感度が向上する。 [4-2-4. Wavelength converter, etc.]
Note that the wavelength conversion section 31C may include a reflective layer.
The reflective layer is for reflecting the light generated by the phosphor layer 311b.
The reflective layer may be a film made of metal (for example, silver, aluminum, nickel, copper, etc.), or may be a sheet of resin in which particles of titanium oxide, aluminum oxide, etc. are kneaded. It may be formed.
The reflective layer is arranged on the side of the scintillator 311A on which the front portion 11 of the housing 110 exists.
As a result, the light generated in the phosphor layer 311b and traveling away from the photoelectric conversion section 32A (the direction in which the reflective layer exists) is reflected by the reflective layer and travels in the direction in which the photoelectric conversion section 32A exists. . As a result, more light generated in the phosphor layer 311b reaches the semiconductor element 322, improving the sensitivity of the imaging device 100C.

［４－３．防湿層］
防湿層３３は、シンチレーター３１１Ａの蛍光体層３１１ｂが湿気を吸収してしまうのを防ぐためのものである。
防湿層３３は、湿気を通過させない性質を有する材料でシート状に形成されている。
本実施形態に係る防湿層３３は、金属、無機材料及び有機材料のうちの少なくともいずれかの材料で形成されている。
金属の具体例としては、例えば例えば、アルミニウム、銀、クロム、銅、ニッケル、チタン、マグネシウム、ロジウム、鉛、白金、金等が挙げられる。
無機材料の具体例としては、例えば、上記金属の酸化物、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）、ＳｉＮ等が挙げられる。
有機材料の具体例としては、例えば、フッ素樹脂、ＰＶＡ、ＰＶＤＣ、ＰＭＭＡ、ポリアクリロニトリル（ＰＡＮ）、ＰＬＡ樹脂（ポリ乳酸）、ポリパラキシレン等が挙げられる。 [4-3. Moisture-proof layer]
The moisture-proof layer 33 is for preventing the phosphor layer 311b of the scintillator 311A from absorbing moisture.
The moisture-proof layer 33 is formed in a sheet form from a material having moisture-impermeable properties.
The moisture-proof layer 33 according to this embodiment is made of at least one of metals, inorganic materials, and organic materials.
Specific examples of metals include aluminum, silver, chromium, copper, nickel, titanium, magnesium, rhodium, lead, platinum, and gold.
Specific examples of inorganic materials include oxides of the above metals, Al2O3, SiO2, and ITO.
(Indium Tin Oxide), SiN, and the like.
Specific examples of organic materials include fluororesin, PVA, PVDC, PMMA, polyacrylonitrile (PAN), PLA resin (polylactic acid), and polyparaxylene.

防湿層３３の中央部は、シンチレーター３１１Ａを覆っている。
本実施形態に係る防湿層３３の中央部は、防湿層接着層３１３によってシンチレーター３１１Ａに貼り付けられている。
また、防湿層３３の周縁部は、防湿層接着層３１３によって光電変換部３２Ａの素子保護層３２３及び第三防湿層３５Ａのうちの少なくとも一方の部材の表面に貼り付けられている。
なお、筐体１１０が防湿構造を備えている場合には、防湿層３３及び波長変換部３１Ｃの防湿層接着層３１３は不要である。 A central portion of the moisture-proof layer 33 covers the scintillator 311A.
The central portion of the moisture-proof layer 33 according to this embodiment is attached to the scintillator 311A by the moisture-proof layer adhesive layer 313 .
In addition, the peripheral portion of the moisture-proof layer 33 is adhered to the surface of at least one member of the element protection layer 323 of the photoelectric conversion section 32A and the third moisture-proof layer 35A by means of the moisture-proof layer adhesive layer 313 .
Note that when the housing 110 has a moisture-proof structure, the moisture-proof layer 33 and the moisture-proof layer adhesion layer 313 of the wavelength conversion section 31C are unnecessary.

［４－４．第二防湿層］
第二防湿層３４Ａは、基板３２１Ａにおける波長変換部３１Ｃが存在する側とは反対側の面を覆っている。
第二防湿層３４Ａの形成に用いることのできる材料は、上記防湿層３３の材料として挙げたものと同様である。
なお、第二防湿層３４Ａの材料は、防湿層３３と同一の材料で形成されていてもよいし、異なる材料で形成されていてもよい。 [4-4. Second moisture-proof layer]
The second moisture-proof layer 34A covers the surface of the substrate 321A opposite to the side where the wavelength conversion section 31C exists.
The material that can be used for forming the second moisture-proof layer 34A is the same as the material for the moisture-proof layer 33 described above.
The second moisture-proof layer 34A may be made of the same material as the moisture-proof layer 33, or may be made of a different material.

［４－５．第三防湿層］
第三防湿層３５Ａは、撮像面３２１ａの周縁部（半導体素子３２２が設けられていない領域）を覆っている。
第三防湿層３５Ａは、湿気を通過させない性質を有する材料でシート状に形成されている。
本実施形態に係る第三防湿層３５Ａは、金属、複合材料、樹脂材料のうちの少なくともいずれかの材料で形成されている。
金属の具体例としては、アルミニウム、銅、ニッケル、鉛等が挙げられる。
複合材料の具体例としては、ガラス、カーボン、ＣＦＲＰ等が挙げられる。
樹脂材料の具体例としては、ＰＥＴ、ＰＣ、ＰＭＭＡ、ＡＢＳ等が挙げられる。
なお、センサーパネル３Ｃは、この第三防湿層３５Ａを備えていなくてもよい。 [4-5. Third moisture-proof layer]
The third moisture-proof layer 35A covers the periphery of the imaging surface 321a (the area where the semiconductor element 322 is not provided).
The third moisture-proof layer 35A is formed in a sheet shape from a material that does not allow moisture to pass through.
35 A of 3rd moisture-proof layers which concern on this embodiment are formed with the material of at least one of a metal, a composite material, and a resin material.
Specific examples of metals include aluminum, copper, nickel, and lead.
Specific examples of composite materials include glass, carbon, CFRP, and the like.
Specific examples of resin materials include PET, PC, PMMA, ABS, and the like.
Note that the sensor panel 3C does not have to be provided with the third moisture-proof layer 35A.

［４－６．第四防湿層］
第四防湿層３６Ａは、シンチレーター３１１Ａの蛍光体層３１１ｂが湿気を吸収してしまうのを防ぐためのものである。
第四防湿層３６Ａは、防湿層接着層３１３の内側で、少なくともシンチレーター３１１Ａにおける撮像面３２１ａに沿う面を覆っている。
本実施形態に係る第四防湿層３６Ａは、シンチレーター３１１Ａの側面も更に覆っている。また、第四防湿層３６Ａは、シンチレーター３１１Ａの底面を覆っていてもよい。
第四防湿層３６Ａは、湿気を通過させない性質を有する材料でシート状に形成されている。
本実施形態に係る第四防湿層３６Ａは、防湿層３３と同様に、金属、無機材料及び有機材料のうちの少なくともいずれかの材料で形成されている。
金属の具体例としては、例えば例えば、アルミニウム、銀、クロム、銅、ニッケル、チタン、マグネシウム、ロジウム、鉛、白金、金等が挙げられる。
無機材料の具体例としては、例えば、上記金属の酸化物、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＳｉＮ等が挙げられる。
有機材料の具体例としては、例えば、フッ素樹脂、ＰＶＡ、ＰＶＤＣ、ＰＭＭＡ、ポリアクリロニトリル（ＰＡＮ）、ＰＬＡ樹脂（ポリ乳酸）、ポリパラキシレン等が挙げられる。
防湿層３３で選択した無機または有機材料以外のものを組み合わせて使用することで、腐食等の弊害を防ぎ、相補的な効果を得ることができる。例えば、防湿層３３が無機材料からの選択なら、第四防湿層３６Ａは有機材料から選択し、防湿層３３が有機材料からの選択なら、第四防湿層３６Ａは無機材料から選択するとよい。 [4-6. Fourth Moisture-Proof Layer]
The fourth moisture-proof layer 36A is for preventing the phosphor layer 311b of the scintillator 311A from absorbing moisture.
The fourth moisture-proof layer 36A covers at least the surface of the scintillator 311A along the imaging surface 321a on the inner side of the moisture-proof layer adhesive layer 313 .
The fourth moisture-proof layer 36A according to this embodiment also covers the side surface of the scintillator 311A. Also, the fourth moisture-proof layer 36A may cover the bottom surface of the scintillator 311A.
The fourth moisture-proof layer 36A is formed in a sheet shape from a material that does not allow moisture to pass through.
Like the moisture-proof layer 33, the fourth moisture-proof layer 36A according to this embodiment is made of at least one of metals, inorganic materials, and organic materials.
Specific examples of metals include aluminum, silver, chromium, copper, nickel, titanium, magnesium, rhodium, lead, platinum, and gold.
Specific examples of inorganic materials include oxides of the above metals, Al2O3, SiO2, ITO (Indium Tin Oxide), and SiN.
Specific examples of organic materials include fluororesin, PVA, PVDC, PMMA, polyacrylonitrile (PAN), PLA resin (polylactic acid), and polyparaxylene.
By using a combination of materials other than the selected inorganic or organic material for the moisture-proof layer 33, harmful effects such as corrosion can be prevented and complementary effects can be obtained. For example, if the moisture-proof layer 33 is selected from inorganic materials, the fourth moisture-proof layer 36A should be selected from organic materials, and if the moisture-proof layer 33 is selected from organic materials, the fourth moisture-proof layer 36A should be selected from inorganic materials.

以上説明してきた第四防湿層３６Ａを設けることで、シンチレーター３１１Ａの取り扱いにおける耐湿性能が向上し、最終製品としても耐湿性能が向上する。
なお、ここでは、防湿層３３及び第四防湿層３６Ａによる二重の防湿構造について説明したが、防湿層３３が設けられている場合、第四防湿層３６Ａを必ずしも設ける必要はない。 By providing the fourth moisture-proof layer 36A as described above, the scintillator 311A has improved moisture resistance in handling, and the final product also has improved moisture resistance.
Here, a double moisture-proof structure with the moisture-proof layer 33 and the fourth moisture-proof layer 36A has been described, but when the moisture-proof layer 33 is provided, the fourth moisture-proof layer 36A does not necessarily have to be provided.

［４－７．第四実施形態その他］
なお、波長変換部は、反射層を備えていてもよい。
反射層は、蛍光体層３１１ｂが発生させた光を反射させるためのものである。
反射層は、反射層は、金属（例えば銀、アルミニウム、ニッケル、銅等）で形成された膜であってもよいし、酸化チタン、酸化アルミニウム等の粒子が混錬された樹脂によってシート状に形成されたものであってもよい。
反射層は、シンチレーター３１１Ａにおける筐体１１０の前面部１１が存在する側に配置されている。
これにより、蛍光体層３１１ｂで発生し、光電変換部３２Ａから遠のく方向（反射層が存在する方向）へ向かう光が、反射層で反射して光電変換部３２Ａが存在する方向へ向かうようになる。その結果、蛍光体層３１１ｂで発生した光がより多く半導体素子３２２に到達するようになり、撮像装置１００Ｃの感度が向上する。 [4-7. Fourth embodiment and others]
In addition, the wavelength conversion part may be provided with a reflective layer.
The reflective layer is for reflecting the light generated by the phosphor layer 311b.
The reflective layer may be a film made of metal (for example, silver, aluminum, nickel, copper, etc.), or may be a sheet of resin in which particles of titanium oxide, aluminum oxide, etc. are kneaded. It may be formed.
The reflective layer is arranged on the side of the scintillator 311A on which the front portion 11 of the housing 110 exists.
As a result, the light generated in the phosphor layer 311b and traveling away from the photoelectric conversion section 32A (the direction in which the reflective layer exists) is reflected by the reflective layer and travels in the direction in which the photoelectric conversion section 32A exists. . As a result, more light generated in the phosphor layer 311b reaches the semiconductor element 322, improving the sensitivity of the imaging device 100C.

また、筐体１１０の前面部１１とセンサーパネル３Ｃの第三防湿層３５Ａとの間（第三防湿層３５Ａの表面）には、必要に応じて、第二シールド層８が配置される。
なお、第三防湿層３５Ａと第二シールド層８とは、同一の材質によって一体形成されていてもよい（共通化されていてもよい）。
また、第四防湿層３６Ａが十分な防湿効果を有しており、かつ導体層Ｌを兼ねる部材が防湿層３３とは別に設けられている場合、防湿層３３を必ずしも設ける必要はない。 A second shield layer 8 is arranged between the front surface portion 11 of the housing 110 and the third moisture-proof layer 35A of the sensor panel 3C (the surface of the third moisture-proof layer 35A), if necessary.
In addition, the third moisture-proof layer 35A and the second shield layer 8 may be integrally formed of the same material (they may be made common).
Further, if the fourth moisture-proof layer 36A has a sufficient moisture-proof effect and a member that also serves as the conductor layer L is provided separately from the moisture-proof layer 33, the moisture-proof layer 33 does not necessarily need to be provided.

＜５．作用・効果＞
以上説明してきた撮像装置１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃは、複数の半導体素子３２２が二次元状に分布するように配列された撮像面３２１ａを有するセンサーパネル３，３Ａと、アンテナ６５ｂを有し、他の装置との間で無線通信を行う通信部６５と、撮像面３２１ａに沿って広がり、アンテナ６５ｂが発した電磁波を反射する導体層Ｌ（第一，第二シールド層４，８、防湿層３３，３６Ａ、前面部１１、背面部２１）と、を備え、電磁波の波長λと、アンテナ６５ｂから導体層Ｌを含む平面Ｐまでの距離ｄとが、０＜ｄ＜Ｎλ＋λ／８、Ｎλ＋３λ／８＜ｄ＜Ｎλ＋５λ／８、又はＮλ＋７λ／８＜ｄ＜Ｎλ＋９λ／８（ただし、Ｎは０以上の任意の整数）の関係を満たしている。 <5. Action/Effect>
The imaging devices 100, 100A, 100B, and 100C described above have sensor panels 3 and 3A each having an imaging surface 321a in which a plurality of semiconductor elements 322 are arranged in a two-dimensional distribution, and an antenna 65b. A communication unit 65 that performs wireless communication with other devices, and a conductor layer L (first and second shield layers 4 and 8, moisture-proof layer 33, 36A, front part 11, rear part 21), and the wavelength λ of the electromagnetic wave and the distance d from the antenna 65b to the plane P including the conductor layer L are 0<d<Nλ+λ/8, Nλ+3λ/ It satisfies the relationship of 8<d<Nλ+5λ/8 or Nλ+7λ/8<d<Nλ+9λ/8 (where N is any integer equal to or greater than 0).

アンテナ６５ｂ及び導体層Ｌが上記のような位置関係にあるとき、アンテナ６５ｂが電磁波を発すると、アンテナ６５ｂから導体層Ｌへ向かう電磁波（進行波Ｅ₁）と、導体層Ｌで反射した電磁波（反射波Ｅ₂）とが干渉して定常波となる。
そして、この定常波の節Ｎ及びその近傍（導体層Ｌからλ／８，３λ／８～５λ／８，７λ／８～９λ／８・・の範囲内）では、電磁波が低減する。
この相殺効果は、反射波Ｅ₂の強度が高いほど大きくなるが、本実施形態に係る導体層Ｌは、電磁波を十分に反射できる厚さ（９μｍ以上）を有しているため、より多くの電磁波を相殺することができる。
また、導体層Ｌは、防湿層３３，３６Ａ、前面部１１、背面部２１、第一シールド層４、又は第二シールド層８であり、放射線撮像装置が従来備えている部材である。
このため、撮像装置１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃによれば、アンテナ６５ｂの近傍で生じる電界を、新たな部品を追加することなく低減することができる。
その結果、撮像装置１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃに接触する人体への悪影響を小さくしつつ、画像データ等を遠くまで送信することができる。 When the antenna 65b and the conductor layer L are in the positional relationship as described above, when the antenna 65b emits an electromagnetic wave, the electromagnetic wave (traveling wave E ₁ ) traveling from the antenna 65b to the conductor layer L and the electromagnetic wave reflected by the conductor layer L ( It interferes with the reflected wave E ₂ ) and becomes a standing wave.
At the node N of this standing wave and its vicinity (within the range of λ/8, 3λ/8 to 5λ/8, 7λ/8 to 9λ/8, etc. from the conductor layer L), the electromagnetic wave is reduced.
This offsetting effect increases as the intensity of the reflected wave _E2 increases. Can cancel electromagnetic waves.
Also, the conductor layer L is the moisture-proof layers 33, 36A, the front portion 11, the rear portion 21, the first shield layer 4, or the second shield layer 8, which is a member conventionally provided in the radiation imaging apparatus.
Therefore, according to the imaging devices 100, 100A, 100B, and 100C, the electric field generated near the antenna 65b can be reduced without adding new components.
As a result, it is possible to transmit image data and the like over long distances while reducing adverse effects on the human body coming into contact with the imaging devices 100, 100A, 100B, and 100C.

また、第一，第四実施形態に係る撮像装置１００，１００Ｃは、シンチレーター３１１の防湿層３３が導体層Ｌを兼ねている。
このため、撮像装置１００，１００Ｃによれば、新たな部品を追加することなく、アンテナ６５ｂの近傍で生じる電界を低減する、及びシンチレーターが湿気を吸収してしまうのを防ぐ、という全く異なる二つの課題を、同時に解決することができる。 Further, in the imaging devices 100 and 100C according to the first and fourth embodiments, the moisture-proof layer 33 of the scintillator 311 also serves as the conductor layer L.
For this reason, according to the imaging devices 100 and 100C, completely different functions of reducing the electric field generated in the vicinity of the antenna 65b and preventing the scintillator from absorbing moisture can be achieved without adding new components. Problems can be solved simultaneously.

また、第四実施形態に係る撮像装置１００Ｃは、センサーパネル３Ｃが可撓性を有している。
このため、撮像装置１００Ｃによれば、センサーパネルの基板をガラスで構成した場合に比べて、センサーパネルを軽量化することができるとともに、衝撃によって破損しにくくすることができる。
また、第一，第四実施形態に係る撮像装置１００，１００Ｃは、防湿層３３がアルミ箔で構成されている。
アルミニウムは、電気伝導率が低く、且つ軽量である。このため、撮像装置１００，１００Ｃによれば、アンテナ６５ｂの近傍で生じる電界をより確実に低減しつつ、導体層Ｌひいては撮像装置１００を軽量化することができる。
また、アルミニウムは、展延性が高い。このため、撮像装置１００，１００Ｃによれば、防湿層３３を柔軟性が高いものとすることができ、可撓性のセンサーパネルが撓んでもシンチレーターを防湿し続けることができる。 Further, in the imaging device 100C according to the fourth embodiment, the sensor panel 3C has flexibility.
Therefore, according to the imaging device 100C, the sensor panel can be made lighter and less likely to be damaged by an impact than when the substrate of the sensor panel is made of glass.
Also, in the imaging devices 100 and 100C according to the first and fourth embodiments, the moisture-proof layer 33 is made of aluminum foil.
Aluminum has low electrical conductivity and is lightweight. Therefore, according to the imaging devices 100 and 100C, the electric field generated in the vicinity of the antenna 65b can be more reliably reduced, and the weight of the conductive layer L and thus the imaging device 100 can be reduced.
Aluminum is also highly ductile. Therefore, according to the imaging devices 100 and 100C, the moisture-proof layer 33 can be highly flexible, and the scintillator can continue to be moisture-proof even when the flexible sensor panel is bent.

＜６．本発明その他＞
以上、本発明を実施形態に基づいて説明してきたが、本発明は上記の実施形態等に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能であることは言うまでもない。 <6. The present invention and others>
Although the present invention has been described above based on the embodiments, it goes without saying that the present invention is not limited to the above-described embodiments and the like, and can be modified as appropriate without departing from the scope of the present invention.

例えば、第一実施形態に係る波長変換部３１は、第二実施形態で説明した光学接着層３１２、第三防湿層３５Ａ及び防湿層接着層３１３のうちの少なくともいずれかの部材を備えていてもよい。
また、第一実施形態に係る光電変換部３２Ａは、第二実施形態で説明した素子保護層３２３、防湿層３３及び第二防湿層３４Ａのうちの少なくともいずれかの部材を備えていてもよい。 For example, the wavelength conversion section 31 according to the first embodiment may include at least one of the optical adhesive layer 312, the third moisture-proof layer 35A, and the moisture-proof layer adhesive layer 313 described in the second embodiment. good.
Further, the photoelectric conversion section 32A according to the first embodiment may include at least one of the element protective layer 323, the moisture-proof layer 33, and the second moisture-proof layer 34A described in the second embodiment.

１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ放射線撮像装置
１１０，１１０Ａ筐体
１，１Ａ箱体
１１前面部
１１Ａ前面部（導体層）
１１ａ放射線入射面
１２側面部
１２Ａ側面部（導体層）
２蓋体
２１，２１Ａ背面部
１２０，１２０Ａ，１２０Ｂ，１２０Ｃ内部モジュール
３，３Ａ，３Ｂ，３Ｃセンサーパネル
３１，３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ波長変換部
３１１，３１１Ａシンチレーター
３１１ａ蒸着用基板
３１１ｂ蛍光体層
３１２光学接着層
３１３防湿層接着層
３２，３２Ａ光電変換部
３２１，３２１Ａ基板
３２１ａ撮像面
３２２半導体素子
３２３素子保護層
３３防湿層
３４Ａ第二防湿層
３５Ａ第三防湿層
３６Ａ第四防湿層
４第一シールド層
５基台
６電子部品
６１走査部
６１通信部
６２読み出し部
６３制御部
６４電源部
６５通信部
６５ａ通信回路
６５ｂアンテナ
６５ｃコネクター
７放射線減弱層
８第二シールド層
Ｅ定常波
Ｅ₁ 進行波
Ｅ₂ 反射波
Ｌ導体層
Ｎ節
Ｐ導体層Ｌを含む平面
ｄアンテナから導体層を含む平面までの距離
λ 電磁波の波長 100, 100A, 100B, 100C Radiation imaging device 110, 110A Housing 1, 1A Box 11 Front part 11A Front part (conductor layer)
11a radiation incident surface 12 side portion 12A side portion (conductor layer)
2 Lid 21, 21A Rear portion 120, 120A, 120B, 120C Internal module 3, 3A, 3B, 3C Sensor panel 31, 31A, 31B, 31C Wavelength converter 311, 311A Scintillator
311a deposition substrate
311b Phosphor layer 312 Optical adhesive layer 313 Moisture-proof layer adhesive layer 32, 32A Photoelectric converter 321, 321A Substrate
321a imaging surface 322 semiconductor element 323 element protective layer 33 moisture-proof layer 34A second moisture-proof layer 35A third moisture-proof layer 36A fourth moisture-proof layer 4 first shield layer 5 base 6 electronic component 61 scanning unit 61 communication unit 62 reading unit 63 control Part 64 Power supply part 65 Communication part 65a Communication circuit 65b Antenna 65c Connector 7 Radiation attenuation layer 8 Second shield layer E Standing wave E ₁ Traveling wave E ₂ Reflected wave L Conductor layer N Node P Plane d including conductor layer L From antenna to conductor layer the distance to the plane containing λ the wavelength of the electromagnetic wave

Claims

a sensor panel having an imaging surface in which a plurality of semiconductor elements are arranged in a two-dimensional distribution;
a communication unit that has an antenna and performs wireless communication with another device;
a conductor layer that spreads along the imaging surface and reflects electromagnetic waves emitted by the antenna;
The wavelength λ of the electromagnetic wave and the distance d from the antenna to the plane containing the conductor layer are 0<d<Nλ+λ/8, Nλ+3λ/8<d<Nλ+5λ/8, or Nλ+7λ/8<d<Nλ+9λ/ 8 (where N is any integer equal to or greater than 0).

The sensor panel has a scintillator and a moisture-proof layer that covers the scintillator and prevents moisture from reaching the scintillator,
2. The radiation imaging device according to claim 1, wherein the moisture-proof layer also serves as the conductor layer.

2. The radiation imaging apparatus according to claim 1, wherein said sensor panel is flexible.

3. The radiation imaging apparatus according to claim 2, wherein said moisture-proof layer is aluminum foil.

The radiation imaging apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the communication unit performs wireless communication using the electromagnetic waves in the 2.4 GHz band.

The radiation imaging apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the communication unit performs wireless communication using the electromagnetic waves in the 5 GHz band.

5. The radiation imaging apparatus according to claim 4, wherein the aluminum foil has a thickness of 10 μm or more.

6. The radiation imaging apparatus according to claim 5, wherein the communication unit is connectable to a wireless LAN using the electromagnetic waves of 2.4 GHz band.

7. The radiation imaging apparatus according to claim 6, wherein the communication unit is connectable to a wireless LAN using the electromagnetic waves of 5 GHz band.