JP2022170994A - Electro-optical device and electronic apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電気光学装置および電子機器に関する。 The present invention relates to electro-optical devices and electronic equipment.
有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子等の発光素子を有する電気光学装置が知られている。この種の装置では、一般に、例えば、特許文献1に開示されるように、発光素子からの光のうち所定の波長域の光を透過させるカラーフィルターが設けられる。
2. Description of the Related Art Electro-optical devices having light-emitting elements such as organic EL (electroluminescence) elements are known. In this type of device, for example, as disclosed in
しかし、特許文献1に記載の装置では、発光素子からの光がカラーフィルターを通過する際に、当該光の輝度が大幅に減衰してしまい、当該光を効率的に取り出すことができないという課題がある。
However, in the device described in
本発明の電気光学装置の一態様は、第1電極と、前記第1電極との間の光学距離が第1光学距離となる位置に配置される第1反射層と、を含む第1発光素子と、前記第1電極と一体に設けられる第2電極と、前記第2電極との間の光学距離が前記第1光学距離とは異なる第2光学距離となる位置に配置される第2反射層と、を含む第2発光素子と、平面視で前記第1発光素子の発光領域と前記第2発光素子の発光領域との間に配置される遮光部と、を備え、前記遮光部に接する層は、実質的に無色透明である。 An aspect of the electro-optical device of the present invention is a first light-emitting element including a first electrode and a first reflective layer arranged at a position where the optical distance between the first electrode and the first electrode is the first optical distance. and a second reflective layer disposed at a position where an optical distance between a second electrode provided integrally with the first electrode and the second electrode is a second optical distance different from the first optical distance. and a light-shielding portion disposed between the light-emitting region of the first light-emitting device and the light-emitting region of the second light-emitting device in a plan view, the layer being in contact with the light-shielding portion is substantially colorless and transparent.
本発明の電気光学装置の他の一態様は、第1電極と、前記第1電極との間の光学距離が第1光学距離となる位置に配置される第1反射層と、を含む第1発光素子と、前記第1電極と一体に設けられる第2電極と、前記第2電極との間の光学距離が前記第1光学距離とは異なる第2光学距離となる位置に配置される第2反射層と、を含む第2発光素子と、平面視で前記第1発光素子の発光領域と前記第2発光素子の発光領域との間に配置される遮光部と、前記第1発光素子が有する第1画素電極と電気的に接続される第1中継電極と、前記第2発光素子が有する第2画素電極と電気的に接続される第2中継電極と、前記第1画素電極と前記第1中継電極との間、かつ、前記第2画素電極と前記第2中継電極との間に設けられる絶縁層と、を備え、前記第1画素電極は、前記絶縁層を貫通して前記第1中継電極と電気的に接続する第1コンタクト部を有し、前記第2画素電極は、前記絶縁層を貫通して前記第2中継電極と電気的に接続する第2コンタクト部を有し、前記遮光部は、平面視で前記第1コンタクト部および前記第2コンタクト部を包含する。 Another aspect of the electro-optical device of the present invention is a first electro-optical device including a first electrode and a first reflective layer disposed at a position where the optical distance between the first electrode and the first electrode is the first optical distance. A second optical distance between a light emitting element, a second electrode provided integrally with the first electrode, and the second electrode is a second optical distance different from the first optical distance. a second light emitting element including a reflective layer; a light blocking portion disposed between a light emitting region of the first light emitting element and a light emitting region of the second light emitting element in a plan view; a first relay electrode electrically connected to a first pixel electrode; a second relay electrode electrically connected to a second pixel electrode of the second light emitting element; an insulating layer provided between the relay electrode and between the second pixel electrode and the second relay electrode, wherein the first pixel electrode penetrates the insulating layer to pass through the first relay electrode; a first contact portion electrically connected to an electrode; the second pixel electrode having a second contact portion penetrating the insulating layer and electrically connected to the second relay electrode; The portion includes the first contact portion and the second contact portion in plan view.
本発明の電子機器の一態様は、前述のいずれかの態様の電気光学装置と、前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有する。 According to another aspect of the invention, there is provided an electronic apparatus including the electro-optical device according to any one of the above-described aspects, and a controller for controlling the operation of the electro-optical device.
以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法および縮尺は実際と適宜に異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。 Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. Note that the dimensions and scale of each part in the drawings are appropriately different from the actual ones, and some parts are schematically shown for easy understanding. Moreover, the scope of the present invention is not limited to these forms unless there is a description to the effect that the present invention is particularly limited in the following description.
1.電気光学装置
1-1.電気光学装置の概要
図1は、実施形態に係る電気光学装置100を模式的に示す平面図である。電気光学装置100は、有機ELを利用して画像を表示する装置である。電気光学装置100は、例えば、ヘッドマウントディスプレイ等に好適に用いられるマイクロディスプレイである。
1. Electro-optical device 1-1. Overview of Electro-Optical Device FIG. 1 is a plan view schematically showing an electro-
以下、電気光学装置100について説明する。なお、以下の説明は、便宜上、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を適宜に用いる。また、以下では、X軸に沿う一方向がX1方向であり、X1方向とは反対の方向がX2方向である。同様に、Y軸に沿う一方向がY1方向であり、Y1方向とは反対の方向がY2方向である。Z軸に沿う一方向がZ1方向であり、Z1方向とは反対の方向がZ2方向である。以下では、Z1方向またはZ2方向にみることを「平面視」という場合がある。
The electro-
電気光学装置100は、画像を表示する表示領域A10と、平面視で表示領域A10の周囲を囲む周辺領域A20と、を有する。図1に示す例では、表示領域A10の平面視での形状が四角形である。なお、表示領域A10の平面視での形状は、図1に示す例に限定されず、他の形状でもよい。
The electro-
表示領域A10は、複数の画素Pで構成される。各画素Pは、画像の表示における最小単位である。複数の画素Pは、例えば、X軸およびY軸に沿う方向に行列状に配置される。各画素Pは、青色の波長域の光が得られるサブ画素PBと、緑色の波長域の光が得られるサブ画素PGと、赤色の波長域の光が得られるサブ画素PRと、を有する。 The display area A10 is composed of a plurality of pixels P. As shown in FIG. Each pixel P is the minimum unit for displaying an image. A plurality of pixels P are arranged in a matrix in directions along the X-axis and the Y-axis, for example. Each pixel P has a sub-pixel PB that obtains light in the blue wavelength range, a sub-pixel PG that obtains light in the green wavelength range, and a sub-pixel PR that obtains light in the red wavelength range.
なお、以下では、サブ画素PB、サブ画素PGおよびサブ画素PRを区別せずに、これらのそれぞれをサブ画素P0という場合がある。サブ画素P0は、独立して発光を制御可能な最小単位である。 Note that hereinafter, each of the sub-pixel PB, the sub-pixel PG and the sub-pixel PR may be referred to as a sub-pixel P0 without distinguishing between them. The sub-pixel P0 is a minimum unit capable of independently controlling light emission.
図1に示すように、電気光学装置100は、素子基板200と、光透過性を有する透光性基板300と、を有する。電気光学装置100は、いわゆるトップエミッション構造である。電気光学装置100は、透光性基板300から光を出射させる。なお、光透過性とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が50%以上であることをいう。
As shown in FIG. 1, the electro-
素子基板200は、データ線駆動回路101と走査線駆動回路102と制御回路103と複数の外部端子104とを有する。データ線駆動回路101、走査線駆動回路102、制御回路103および複数の外部端子104は、周辺領域A20に配置される。データ線駆動回路101および走査線駆動回路102は、複数のサブ画素P0の駆動を制御する周辺回路である。制御回路103は、データ線駆動回路101および走査線駆動回路102の駆動を制御する。制御回路103には、図示しない上位回路から画像データが供給される。制御回路103は、当該画像データに基づく各種信号をデータ線駆動回路101および走査線駆動回路102に供給する。図示しないが、外部端子104には、上位回路との電気的な接続のためのFPC(Flexible printed circuits)基板等が接続される。また、素子基板200には、図示しない電源回路が電気的に接続される。
The
透光性基板300は、素子基板200等を保護するカバーである。透光性基板300は、例えば、ガラス基板または石英基板で構成される。透光性基板300は、図示しない接着剤を介して素子基板200に接合される。当該接着剤は、例えば、エポキシ樹脂またはアクリル樹脂等の樹脂材料を用いた透明な接着剤である。
The
図2は、図1に示すサブ画素P0の等価回路図である。図2では、1つのサブ画素P0とこれに対応する要素とが代表的に図示される。図2に示すように、素子基板200には、複数の走査線111と複数のデータ線112と複数の給電線113と複数の給電線114とが設けられる。
FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the sub-pixel P0 shown in FIG. FIG. 2 representatively shows one sub-pixel P0 and its corresponding elements. As shown in FIG. 2 , the
走査線111はX軸に沿う方向に延びるのに対し、データ線112はY軸に沿う方向に延びる。図示しないが、複数の走査線111と複数のデータ線112は、格子状に配列される。また、図示しないが、走査線111は、図1に示す走査線駆動回路102に接続され、データ線112は、図1に示すデータ線駆動回路101に接続される。
The
図2に示すように、素子基板200は、サブ画素P0ごとに、発光素子120と、発光素子120に電流を供給する画素回路130と、を有する。発光素子120は、OLED(有機発光ダイオード)で構成される。後に詳述するが、発光素子120は、画素電極226と、共通電極229と、これらの間に配置される有機層228と、を有する。
As shown in FIG. 2, the
画素電極226には、画素回路130を介して給電線113が電気的に接続される。一方、共通電極229には、給電線114が電気的に接続される。ここで、給電線113には、図示しない電源回路から高位側の電源電位Velが供給される。給電線114には、図示しない電源回路から低位側の電源電位Vctが供給される。このため、画素電極226が陽極として機能し、共通電極229が陰極として機能する。発光素子120では、画素電極226から供給される正孔と、共通電極229から供給される電子とが有機層228で再結合することにより、有機層228が光を発生させる。
The
画素回路130は、スイッチング用トランジスター131と駆動用トランジスター132と保持容量133とを有する。スイッチング用トランジスター131のゲートは、走査線111に電気的に接続される。スイッチング用トランジスター131のソースおよびドレインのうち、一方がデータ線112に電気的に接続され、他方が駆動用トランジスター132のゲートに電気的に接続される。駆動用トランジスター132のソースおよびドレインのうち、一方が給電線113に電気的に接続され、他方が画素電極226に電気的に接続される。保持容量133の両電極のうち、一方が駆動用トランジスター132のゲートに接続され、他方が給電線113に接続される。
The
以上の画素回路130では、走査線駆動回路102が走査信号をアクティブにすることで走査線111が選択されると、選択されるサブ画素P0に設けられるスイッチング用トランジスター131がオンする。すると、データ線112からデータ信号が、選択される走査線111に対応する駆動用トランジスター132に供給される。駆動用トランジスター132は、供給されるデータ信号の電位、すなわちゲートおよびソース間の電位差に応じた電流を発光素子120に対して供給する。この結果、発光素子120は、駆動用トランジスター132から供給される電流の大きさに応じた輝度で発光する。その後、走査線駆動回路102が走査線111の選択を解除してスイッチング用トランジスター131がオフした場合、駆動用トランジスター132のゲートの電位は、保持容量133により保持される。このため、スイッチング用トランジスター131がオフした後も、発光素子120の発光を維持することができる。
In the
なお、前述の画素回路130の構成は、図示の構成に限定されない。例えば、画素回路130は、画素電極226と駆動用トランジスター132との間の導通を制御するトランジスターをさらに備えてもよい。
Note that the configuration of the
1-2.素子基板の詳細
図3は、実施形態における素子基板200の一部を示す平面図である。図4は、図3中のA-A線断面図である。図5は、図3中のB-B線断面図である。図6は、図3中のC-C線断面図である。なお、図3では、素子基板200を構成する要素のうち、1つの画素Pについて、後述の遮光部250およびこれに関連する要素が代表的に図示される。
1-2. Details of Element Substrate FIG. 3 is a plan view showing a part of the
図3に示すように、素子基板200は、画素Pごとに、発光素子120R、120G、120Bの組を有する。発光素子120Rは、サブ画素PRに設けられる発光素子120である。発光素子120Gは、サブ画素PGに設けられる発光素子120である。発光素子120Bは、サブ画素PBに設けられる発光素子120である。
As shown in FIG. 3, the
ここで、発光素子120Rが「第1発光素子」の一例であり、発光素子120Gが「第2発光素子」の一例である。なお、発光素子120Gが複数の発光素子で構成されてもよい。この場合、例えば、当該2つの発光素子は、サブ画素PGごとに、1つの画素回路130を共用する。
Here, the
本実施形態では、発光素子120Rに対してY2方向の位置には、発光素子120Bが配置される。発光素子120Rおよび発光素子120Bに対してX1方向の位置には、発光素子120Gが配置される。
In this embodiment, the
発光素子120Rは、サブ画素PRのための光LLRを発する発光領域RRを有する。発光素子120Gは、サブ画素PGのための光LLGを発する発光領域RGを有する。発光素子120Bは、サブ画素PBのための光LLBを発する発光領域RBを有する。
The
図3に示す例では、発光領域RR、RGおよびRBのそれぞれが平面視で四角角形をなす。ただし、発光領域RRの面積は、発光領域RBおよびRGのそれぞれの面積よりも小さい。また、発光領域RBの面積は、発光領域RGの面積よりも小さい。なお、発光領域RR、RGおよびRBの面積および平面視形状は、図3に示す例に限定されず、任意である。例えば、発光領域RRの面積が発光領域RBまたは発光領域RGの面積と等しくてもよい。また、発光領域RR、RGおよびRBのそれぞれの形状は、四角形に限定されず、例えば、8角形等の他の多角形でもよい。また、発光領域RR、RGおよびRBの平面視形状は、互いに異なってもよい。 In the example shown in FIG. 3, each of the light emitting regions RR, RG, and RB forms a quadrangle in plan view. However, the area of light emitting region RR is smaller than the area of each of light emitting regions RB and RG. Also, the area of the light emitting region RB is smaller than the area of the light emitting region RG. Note that the areas and plan view shapes of the light emitting regions RR, RG, and RB are not limited to the example shown in FIG. 3, and are arbitrary. For example, the area of the light emitting region RR may be equal to the area of the light emitting region RB or the light emitting region RG. Also, the shape of each of the light emitting regions RR, RG, and RB is not limited to a quadrangle, and may be other polygons such as an octagon. Also, the planar view shapes of the light emitting regions RR, RG, and RB may be different from each other.
図4および図5に示すように、素子基板200は、基板210と発光素子層220と封止層230と密着層240と遮光部250と樹脂層260とを有する。これらの層は、この順でZ1方向に積層される。なお、素子基板200を構成する各層は、公知の成膜法を適宜に用いて形成される。
As shown in FIGS. 4 and 5, the
基板210は、例えばシリコン基板である。図示しないが、基板210には、前述の画素回路130およびこれに接続される各種配線等が形成される。なお、基板210は、シリコン基板に限定されず、例えば、ガラス基板、樹脂基板またはセラミックス基板でもよい。本実施形態では、電気光学装置100がトップエミッション型であるため、基板210は光透過性を有しなくてもよい。画素回路130が有する前述の各トランジスターは、MOS型トランジスター、薄膜トランジスターまたは電界効果トランジスターのいずれでもよい。画素回路130が有するトランジスターがアクティブ層を有するMOS型トランジスターである場合、当該アクティブ層は、シリコン基板で構成されてもよい。また、画素回路130を構成する各部および各種配線の材料としては、例えば、ポリシリコン、金属、金属シリサイドおよび金属化合物等の導電材料が挙げられる。
発光素子層220は、発光素子120R、120Gおよび120Bが設けられる層である。具体的には、発光素子層220は、絶縁層221と反射層222と増反射層223と絶縁層224と距離調整層225と複数の画素電極226R、226Gおよび226Bと素子分離層227と有機層228と共通電極229とを有する。これらの層は、この順でZ1方向に積層される。
The light emitting
絶縁層221は、基板210と反射層222との間に配置される層間絶縁膜である。絶縁層221は、例えば、酸化シリコン(SiO2)等の絶縁材料で構成される。
The insulating
反射層222は、有機層228で発生した光をZ1方向に反射する光反射性を有する層である。反射層222は、平面視で、複数のサブ画素P0に対応して行列状に配置される複数の部分に分割される。すなわち、反射層222は、サブ画素PRに対応する反射層222Rと、サブ画素PBに対応する反射層222Bと、サブ画素PGに対応する反射層222G、を含む。反射層222Rは、「第1反射層」の一例である。反射層222Bは、「第2反射層」の一例である。
The
反射層222の構成材料としては、例えば、Al(アルミニウム)、Ag(銀)、Cu(銅)、Ti(チタン)等の金属またはこれらのいずれかの金属の合金等が挙げられる。例えば、反射層222は、Tiで構成される膜とAlおよびCuを含む合金で構成される膜との積層体で構成される。図4および図5に示す例では、反射層222は、配線としても機能する。当該配線は、図示しないが、例えば、前述の画素回路130と電気的に接続される。なお、反射層222は、当該配線として機能しなくてもよい。この場合、反射層222とは別途配線が設けられる。また、光反射性とは、可視光に対する反射性を意味し、好ましくは可視光の反射率が50%以上であることをいう。
Examples of constituent materials of the
増反射層223は、反射層222の光反射性を高めるための光透過性および絶縁性を有する層である。増反射層223は、平面視で反射層222の全域にわたる範囲に配置される。増反射層223は、例えば、酸化シリコン膜で構成される。
The
絶縁層224は、第1絶縁層224aおよび第2絶縁層224bを有する。第1絶縁層224aは、反射層222および増反射層223の分割された複数の部分の間を埋めるとともに、増反射層223上の全域にわたり配置される。第2絶縁層224bは、第1絶縁層224a上の全域にわたり配置される。第1絶縁層224aおよび第2絶縁層224bのそれぞれは、例えば、窒化シリコン(SiN)膜で構成される。
The insulating
距離調整層225は、サブ画素P0ごとに、反射層222と共通電極229との間の距離を調整するための光透過性および絶縁性を有する層である。距離調整層225は、第1距離調整層225aおよび第2距離調整層225bを有する。第1距離調整層225aおよび第2距離調整層225bのそれぞれは、例えば、酸化シリコン膜で構成される。
The
第1距離調整層225aは、サブ画素PR、PGおよびPBのうち、サブ画素PRに配置され、サブ画素PGおよびPBに配置されない。第2距離調整層225bは、サブ画素PR、PGおよびPBのうち、サブ画素PRおよびPGに配置され、サブ画素PBに配置されない。したがって、サブ画素PRには、第1距離調整層225aおよび第2距離調整層225bが配置される。サブ画素PGには、第1距離調整層225aおよび第2距離調整層225bのうち第2距離調整層225bが配置される。サブ画素PBには、第1距離調整層225aおよび第2距離調整層225bのいずれも配置されない。
Of the sub-pixels PR, PG and PB, the first
画素電極226R、226Gおよび226Bのそれぞれは、サブ画素P0ごとに設けられ、導電性および光透過性を有する層である。画素電極226R、226Gおよび226Bのそれぞれの構成材料としては、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)およびIZO(Indium Zinc Oxide)等の透明導電材料が挙げられる。
Each of the
画素電極226Rは、サブ画素PRに設けられる画素電極226である。画素電極226Gは、サブ画素PGに設けられる画素電極226である。画素電極226Bは、サブ画素PBに設けられる画素電極226である。なお、画素電極226Rは、「第1画素電極」の一例である。画素電極226Gは、「第2画素電極」の一例である。
The
素子分離層227は、画素電極226R、226Gおよび226Bのそれぞれの外縁を覆う絶縁性の層である。素子分離層227は、例えば、酸化シリコン等の絶縁材料で構成される。素子分離層227には、画素電極226R、226Gおよび226Bの所定領域を有機層228に接触させるための複数の開口が設けられる。当該複数の開口により、発光領域RR、RGおよびRBが規定される。
The
ここで、画素電極226Rと有機層228との接触する領域は、平面視で発光領域RRに等しい。同様に、画素電極226Gと有機層228との接触する領域は、平面視で発光領域RGに等しい。画素電極226Bと有機層228との接触する領域は、平面視で発光領域RBに等しい。
Here, the contact area between the
有機層228は、有機化合物を主材料として構成される層である。具体的には、有機層228は、通電により発光する発光層を含む。本実施形態では、当該発光層は、例えば、赤色の発光色が得られる発光層と、緑色の発光色が得られる発光層と、青色の発光色が得られる発光層と、を有し、これらが適宜に積層される。このため、有機層228で白色またはこれに近似した色の発光が実現される。なお、有機層228は、公知の構成および材料を適用可能である。図示しないが、有機層228は、発光層のほか、必要に応じて、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層または電子注入層等を適宜に含む。また、有機層228は、必要に応じて、金属等の無機材料で構成される層を含んでもよい。
The
共通電極229は、サブ画素PR、PGおよびPBに共通して設けられ、光反射性、光透過性および導電性を有する層である。共通電極229の構成材料としては、例えば、Agを含むMgAg等の合金が挙げられる。なお、共通電極229のうち、サブ画素PRに対応する部分が「第1電極」の一例であり、サブ画素PBに対応する部分が「第2電極」の一例である。
The
以上の発光素子層220において、発光素子120Rは、絶縁層221と反射層222と増反射層223と絶縁層224と第1距離調整層225aと第2距離調整層225bと画素電極226Rと素子分離層227と有機層228と共通電極229とを有する。発光素子120Gは、第1距離調整層225aが省略されるとともに、画素電極226Rに代えて画素電極226Gを有する以外は、発光素子120Rと同様の層構成を有する。発光素子120Bは、第1距離調整層225aおよび第2距離調整層225bが省略されるとともに、画素電極226Rに代えて画素電極226Bを有する以外は、発光素子120Rと同様の層構成を有する。
In the light emitting
ここで、反射層222と共通電極229との間の距離は、サブ画素P0ごとに異なる。具体的には、サブ画素PRにおける当該距離は、赤色の波長域に対応して設定される距離L0Rである。サブ画素PGにおける当該距離は、緑色の波長域に対応して設定される距離L0Gである。サブ画素PBにおける当該距離は、青色の波長域に対応して設定される距離L0Bである。
Here, the distance between the
このため、サブ画素PRでは、反射層222と共通電極229との間で赤色の波長の光を共振させる光共振構造が実現される。サブ画素PGでは、反射層222と共通電極229との間で緑色の波長の光を共振させる光共振構造が実現される。サブ画素PBでは、反射層222と共通電極229との間で青色の波長の光を共振させる光共振構造が実現される。
Therefore, in the sub-pixel PR, an optical resonance structure that resonates light of red wavelength between the
前述の光共振構造における共振波長は、反射層222と共通電極229との間の距離によって決まる。当該距離をL0とし、当該共振波長をλ0とするとき、次のような関係式[1]が成り立つ。なお、関係式[1]中のΦ(ラジアン)は、反射層222と共通電極229との間での透過および反射の際に生じる位相シフトの総和を表す。
{(2×L0)/λ0+Φ}/(2π)=m0(m0は整数)・・・・・[1]
The resonant wavelength in the optical resonant structure described above is determined by the distance between the
{(2×L0)/λ0+Φ}/(2π)=m0 (m0 is an integer) [1]
取り出したい波長域の光のピーク波長が波長λ0となるよう、光学距離L0が設定される。この設定により、取り出したい所定の波長域の光が増強され、当該光の高強度化およびスペクトルの狭幅化を図ることができる。 The optical distance L0 is set so that the peak wavelength of the light in the wavelength band desired to be extracted is the wavelength λ0. With this setting, the light in the predetermined wavelength range to be extracted is enhanced, and the intensity of the light can be increased and the spectrum can be narrowed.
以上のように、本実施形態では、サブ画素P0ごとに距離調整層225の厚さを異ならせることにより、光学距離L0が調整される。なお、光学距離L0の調整方法は、距離調整層225の厚さによる調整方法に限定されない。例えば、サブ画素PB、PGおよびPRごとに画素電極226の厚さを異ならせることにより、光学距離L0が調整されてもよい。
As described above, in the present embodiment, the optical distance L0 is adjusted by varying the thickness of the
封止層230は、発光素子層220を外部の水分または酸素等から保護するよう封止するガスバリア性および光透過性を有する層である。具体的には、封止層230は、第1層231と第2層232と第3層233とを有する。これらの層は、この順でZ1方向に積層される。第1層231および第3層233のそれぞれは、ガスバリア性を高めるための光透過性を有する層である。第1層231および第3層233のそれぞれは、例えば、酸窒化シリコン(SiON)膜で構成される。第2層232は、第3層233に平坦な面を提供するための光透過性を有する層である。第2層232は、例えば、エポキシ樹脂等の樹脂材料で構成される。
The
密着層240は、封止層230と遮光部250との密着性を高めるための光透過性の層である。密着層240は、例えば、エポキシ樹脂等の樹脂材料で構成される。なお、密着層240の厚さは、特に限定されず、任意である。
The
遮光部250は、発光領域RR、RGおよびRBからの不要光を遮光するための遮光性の層である。ここで、遮光部250は、Z2方向を向く第1面F1と、Z1方向を向く第2面F2と、を有する。
The
遮光部250は、遮光性だけでなく、光吸収性または反射防止性を有することが好ましく、例えば、顔料または染料等の色材を含むアクリル系の感光性樹脂材料等の樹脂材料で構成される。当該色材は、発光領域RR、RGおよびRBのそれぞれの光を遮光することができればよいが、遮光性を高める観点から、遮光部250の色が黒色またはそれに近い暗色となる色材であることが好ましい。遮光部250の色が黒色またはそれに近い暗色となる色材としては、例えば、カーボンブラック等の黒色の色材、赤色、青色および緑色等の複数色の色材を混合した色材等が挙げられる。
The
本実施形態では、遮光部250は、複数の第1遮光部251と複数の第2遮光部252と複数の第3遮光部253と複数の第4遮光部254とを有する。
In this embodiment, the
図3に示すように、第1遮光部251および第2遮光部252のそれぞれは、平面視でX軸に沿う方向に延びる帯状をなす。ここで、第1遮光部251は、平面視で、同一の画素P内において互いに隣り合う発光領域RRと発光領域RBとの間の領域と、発光素子120Bの後述のコンタクト部226aと、に重なる。第2遮光部252は、平面視で、異なる画素P間において互いに隣り合う発光領域RRと発光領域RBとの間の領域と、異なる画素P間において互いに隣り合う発光領域RG同士の間の領域と、発光素子120Rおよび120Gのそれぞれのコンタクト部226aと、に重なる。
As shown in FIG. 3, each of the first
これに対し、第3遮光部253および第4遮光部254のそれぞれは、平面視でY軸に沿う方向に延びる帯状をなす。ここで、第3遮光部253は、平面視で、同一の画素P内において互いに隣り合う発光領域RRと発光領域RGとの間の領域と、同一の画素P内において互いに隣り合う発光領域RBと発光領域RGとの間の領域と、に重なる。第4遮光部254は、平面視で、異なる画素P間において互いに隣り合う発光領域RRと発光領域RGとの間の領域と、異なる画素P間において互いに隣り合う発光領域RBと発光領域RG同士の間の領域と、に重なる。
On the other hand, each of the third
図3に示す例では、Y軸に沿う方向での第1遮光部251および第2遮光部252のそれぞれの幅は、X軸に沿う方向での全域にわたり一定である。また、Y軸に沿う方向での第1遮光部251および第2遮光部252の幅は、互いに等しい。なお、Y軸に沿う方向での第1遮光部251および第2遮光部252のそれぞれの幅は、X軸に沿う方向での全域にわたり一定でなくともよく、部分的に太くなったり細くなったりしてもよい。また、Y軸に沿う方向での第1遮光部251および第2遮光部252の幅は、互いに異なってもよい。
In the example shown in FIG. 3, the width of each of the first
同様に、X軸に沿う方向での第3遮光部253および第4遮光部254のそれぞれの幅は、Y軸に沿う方向での全域にわたり一定である。また、X軸に沿う方向での第3遮光部253および第4遮光部254の幅は、互いに等しい。なお、X軸に沿う方向での第3遮光部253および第4遮光部254のそれぞれの幅は、Y軸に沿う方向での全域にわたり一定でなくともよく、部分的に太くなったり細くなったりしてもよい。また、X軸に沿う方向での第3遮光部253および第4遮光部254の幅は、互いに異なってもよい。
Similarly, the width of each of the third
本実施形態では、図4および図5に示すように、第3遮光部253および第4遮光部254のそれぞれは、Y軸に直交する断面でみたとき、Z2方向に向かって幅が小さくなるよう台形をなす。同様に、図6に示すように、第2遮光部252は、X軸に直交する断面でみたとき、Z2方向に向かって幅が小さくなるよう台形をなす。また、図示しないが、第1遮光部251は、X軸に直交する断面でみたとき、Z2方向に向かって幅が小さくなるよう台形をなす。
In this embodiment, as shown in FIGS. 4 and 5, each of the third
以上のような第1遮光部251、第2遮光部252、第3遮光部253および第4遮光部254の各長さ方向に直交する断面である横断面は、第1面F1に基づく辺と、第2面F2に基づく辺と、を有する。そして、当該横断面において、第1面F1に基づく辺の長さが第2面F2に基づく辺の長さよりも短い。このため、各発光領域の外周近傍の異常発光を遮光しつつ、各サブ画素P0の視野角を大きくすることができる。このような断面形状の遮光部250は、例えば、ネガ型の感光性樹脂材料を構成材料として用いることにより形成される。
The cross section, which is a cross section perpendicular to the length direction of each of the first
なお、遮光部250の断面形状は、Z2方向に向かって幅が連続的に小さくなる形状に限定されず、例えば、Z2方向に向かって幅が段階的に小さくなる形状でもよい。また、遮光部250の断面形状は、矩形でもよいし、Z1方向に向かって幅が小さくなるよう台形でもよい。
Note that the cross-sectional shape of the
以上の遮光部250には、平面視で発光領域RRに重なる第1開口部255Rと、平面視で発光領域RBに重なる第2開口部255Bと、平面視で発光領域RGに重なる第3開口部255Gと、が設けられる。このため、これらの各開口部を介して、対応する各発光領域からの光を素子基板200の外部へ出射させることができる。
The
樹脂層260は、遮光部250の各開口部を埋めるように、遮光部250を覆う光透過性の層である。ここで、樹脂層260は、Z2方向を向く第3面F3と、Z1方向を向く第4面F4と、を有する。樹脂層260は、実質的に無色透明であり、例えば、色材を実質的に含まないアクリル系の感光性樹脂材料等の樹脂材料で構成される。「実質的に無色透明」とは、完全に無色透明であることのほか、製造上不可避な程度に着色された透明であることも含む概念である。樹脂層260が実質的に透明であることにより、遮光部250の各開口部を通過した光の損失を低減することができる。
The
ここで、樹脂層260は、遮光部250による凹凸を緩和して平坦化するための平坦化層である。したがって、樹脂層260のZ2方向を向く面は、遮光部250に沿う形状をなすのに対し、樹脂層260のZ1方向を向く第4面F4は、実質的な平坦面である。「実質的な平坦面」とは、平坦面であることのほか、平坦面とみなされる略平坦面であることを含む概念である。このような樹脂層260を設けることにより、素子基板200と透光性基板300との接着性を向上させたり、これらの基板間での界面による不本意な反射を低減したりすることができる。
Here, the
ここで、図6に基づいて、コンタクト部226aについて説明する。図6に示すように、絶縁層224の第1絶縁層224aと第2絶縁層224bとの間には、中継電極271が配置されており、画素電極226は、距離調整層225を貫通して中継電極271に接続するコンタクト部226aを有する。中継電極271は、画素電極226を画素回路130に電気的に接続するための電極であり、反射層222に電気的に接続される。中継電極271は、発光素子120ごとに設けられており、平面視で発光領域RR、RGおよびRBに重ならない位置に配置される。中継電極271の構成材料としては、例えば、タングステン(W)、チタン(Ti)および窒化チタン(TiN)等の導電材料が挙げられる。
Here, based on FIG. 6, the
図6に示す例では、中継電極271と第1絶縁層224aとの間には、絶縁層272が配置されており、中継電極271は、絶縁層272および第1絶縁層224aを貫通して反射層222に接続される。絶縁層272は、例えば、酸化シリコン膜で構成される。なお、図6では、発光素子120Gの画素電極226および中継電極271が代表的に図示されるが、発光素子120Rおよび120Bの画素電極226および中継電極271は、発光素子120Gの画素電極226および中継電極271と同様に構成される。
In the example shown in FIG. 6, an insulating
ここで、発光素子120Rに対応する中継電極271は、「第1中継電極」の一例である。発光素子120Gに対応する中継電極271は、「第2中継電極」の一例である。また、発光素子120Rの画素電極226のコンタクト部226aは、「第1コンタクト部」の一例である。発光素子120Gの画素電極226のコンタクト部226aは、「第2コンタクト部」の一例である。
Here, the
以上のような中継電極271を設ける構成では、コンタクト部226aおよび素子分離層227による段差に起因して、各発光領域の外周付近で有機層228の厚さが薄くなりやすい。このため、発光素子120を低電流で駆動する場合、各発光領域の外周部が中央部に比べて優先的に発光する傾向を示す。このような各発光領域の外周付近での発光は、前述の光共振構造において意図する共振周波数とは異なる周波数で共振してしまうので、色ずれの原因となる。したがって、このような発光を遮光部250により遮光することが望ましい。特に、電気光学装置100がマイクロディスプレイとして用いられる場合、画素が小さいため、本来の発光領域に対する外周部の割合が大きくなり、正常な発光の量に対して、前述のような色ずれの原因となる異常な発光の量の割合が多くなるので、当該異常な発光を遮光することが望ましい。
In the configuration in which the
なお、前述の異常な発光は、素子分離層227の厚さ分長い光学距離で共振するので、赤色になりやすい。また、有機層228の厚さが薄くなると、有機層228内での励起エネルギーの移動が生じやすくなるので、この点でも、前述の異常な発光が赤色になりやすいといえる。
Note that the above-described abnormal light emission resonates at an optical distance that is longer by the thickness of the
1-3.遮光部250の作用
図7は、遮光部250の効果を説明するためのシミュレーション結果を示す図である。図7では、実施例1および比較例1~比較例3の電気光学装置について、輝度効率、色域および輝度視野角のシミュレーション結果が示される。なお、当該輝度効率は、投入電流に対する白色輝度の効率を示す。当該色域は、sRGBの色域に対する面積比を示す。当該輝度視野角は、正面での輝度に対する20°の視野角での輝度の比を示す。
1-3. Operation of
ここで、実施例1の電気光学装置は、前述の電気光学装置100である。比較例1の電気光学装置は、遮光部250を省略した以外は、前述の電気光学装置100と同様である。比較例2の電気光学装置は、遮光部250を省略するとともにカラーフィルターを追加した以外は、前述の電気光学装置100と同様である。比較例3の電気光学装置は、カラーフィルターを追加した以外は、前述の電気光学装置100と同様である。
Here, the electro-optical device of Example 1 is the above-described electro-
図7に示すように、実施例1では、比較例2、3に近い色域を実現しつつ、比較例1に近い輝度効率および輝度視野角を実現することができる。 As shown in FIG. 7, in Example 1, it is possible to achieve a luminance efficiency and a luminance viewing angle close to those of Comparative Example 1 while realizing a color gamut close to those of Comparative Examples 2 and 3.
1-4.実施形態のまとめ
以上の電気光学装置100は、前述のように、「第1発光素子」の一例である発光素子120Rと、「第2発光素子」の一例である発光素子120Bと、遮光部250と、を備える。発光素子120Rは、「第1電極」の一例である共通電極229と、「第1反射層」の一例である反射層222Rと、を含む。反射層222Rは、共通電極229との間の光学距離L0が第1光学距離となる位置に配置される。発光素子120Bは、「第1電極と一体に設けられる第2電極」の一例である共通電極229と、「第2反射層」の一例である反射層222Bと、を含む。反射層222Bは、共通電極229との間の光学距離L0が第1光学距離とは異なる第2光学距離となる位置に配置される。遮光部250は、平面視で発光素子120Rの発光領域RRと発光素子120Bの発光領域RBとの間に配置される。
1-4. Summary of Embodiments As described above, the electro-
しかも、遮光部250に接する層は、実質的に無色透明である。特に、電気光学装置100では、平面視で発光領域RRおよび発光領域RBにカラーフィルターのような着色された層が重ならない。
Moreover, the layer in contact with the
以上の電気光学装置100では、発光素子120Rが共通電極229と反射層222Rとの間の共振により第1光学距離に対応する波長域の光を出射する。発光素子120Bが第2電極と反射層222Bとの間の共振により第2光学距離に対応する波長域の光を出射する。そのうえで、発光素子120Rおよび発光素子120Bのそれぞれの発光領域の外周縁近傍での異常発光を遮光部250により遮光することができる。このため、遮光部250に接する層が実質的に無色透明であっても、カラーフィルターを設けずに、各発光素子120R、120Bから当該層を介して所望の波長域の光を取り出すことができる。このように、各発光素子120R、120Bからの光を取り出す際に輝度の減衰の原因となるカラーフィルターを設けなくて済むので、各発光素子120R、120Bから所望の波長域の光を効率よく取り出すことができる。
In the electro-
ここで、前述のように、遮光部250は、平面視で発光素子120Rの発光領域RRに重なる第1開口部255Rと、平面視で発光素子120Bの発光領域RBに重なる第2開口部255Bと、を有する。そして、第1開口部255Rおよび第2開口部255Bのそれぞれには、実質的に無色透明の樹脂層260が設けられる。樹脂層260は、遮光部250に接する層の一例である。
Here, as described above, the
また、前述のように、遮光部250は、第1面F1と、第1面F1とは反対側の第2面F2と、を有する。第1面F1は、第2面F2と共通電極229との間に位置する。遮光部250の横断面は、第1面F1に基づく辺と、第2面F2に基づく辺と、を有する。ここで、第1面F1に基づく辺の長さW1は、第2面F2に基づく辺の長さW2よりも短い。このため、第1面F1に基づく辺の長さW1が第2面F2に基づく辺の長さW2よりも長い構成に比べて、視野角特性を高めることができる。
Further, as described above, the
ここで、前述のように、電気光学装置100は、発光素子120R、120Gのそれぞれの有する中継電極271と、絶縁層272と、を備える。発光素子120Rは、「第1画素電極」の一例として画素電極226Rを有しており、画素電極226Rには、「第1中継電極」の一例としての中継電極271が電気的に接続される。発光素子120Gは、「第2画素電極」の一例として画素電極226Gを有しており、画素電極226Gには、「第2中継電極」の一例としての中継電極271が電気的に接続される。絶縁層272は、画素電極226Rと第1中継電極としての中継電極271との間、かつ、画素電極226Gと第2中継電極としての中継電極271との間に設けられる。画素電極226Rは、絶縁層272を貫通して第1中継電極としての中継電極271と電気的に接続する第1コンタクト部としてのコンタクト部226aを有する。画素電極226Gは、絶縁層272を貫通して第2中継電極としての中継電極271と電気的に接続する第2コンタクト部としてのコンタクト部226aを有する。第2面F2は、平面視で第1コンタクト部としてのコンタクト部226aおよび第2コンタクト部としてのコンタクト部226aを包含する。このため、各発光素子120R、120Bのコンタクト部226a近傍での異常発光を遮光部250により遮光しつつ、視野角特性を高めることができる。
Here, as described above, the electro-
また、前述のように、樹脂層260は、第3面F3と、第3面F3とは反対側の第4面F4と、を有する。第3面F3は、第4面F4と共通電極229との間に位置する。樹脂層260が遮光部250を覆っており、第4面F4が平坦面である。このように、樹脂層260は、遮光部250による凹凸を緩和して平坦化するための平坦化層である。このため、樹脂層260とカバーのための透光性基板300とを好適に接着することができる。
Further, as described above, the
また、電気光学装置100は、前述のように、封止層230と密着層240とを備える。封止層230は、前記共通電極229および前記第2電極と前記遮光部250との間に配置される。密着層240は、封止層230と遮光部250との間で遮光部250に接して配置され、樹脂を含む。このため、遮光部250と封止層230との接合強度を高めることができる。
The electro-
また、前述のように、平面視で前記発光素子120Rの発光領域RRと前記発光素子120Bの発光領域RBとの間の距離は、封止層230の厚さtよりも小さい。画素間ピッチが短くなるほど、正常な発光に対して発光領域の外周付近での異常発光の影響が大きくなる。特に、平面視で発光素子120Rの発光領域RRと発光素子120Bの発光領域RBとの間の距離が封止層の厚さよりも小さくなるような画素間ピッチが短い構成では、正常な発光に対して発光領域の外周付近での異常発光の影響が顕著となる。したがって、このような場合、当該異常発光を遮光部250により遮光することが望まれる。
In addition, as described above, the distance between the light emitting region RR of the
2.変形例
以上に例示した各形態は多様に変形され得る。前述の各形態に適用され得る具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された2以上の態様は、相互に矛盾しない範囲で適宜に併合され得る。また、以下に示す第1実施形態の各変形の態様は、相互に矛盾しない範囲で第2実施形態に適宜適用される。
2. MODIFICATIONS Each form illustrated above can be variously modified. Specific modifications that can be applied to each of the above-described modes are exemplified below. Two or more aspects arbitrarily selected from the following examples can be combined as appropriate within a mutually consistent range. In addition, each modified aspect of the first embodiment described below is appropriately applied to the second embodiment within a mutually consistent range.
2-1.変形例1
図8は、変形例1における素子基板200Aの平面図である。図8では、素子基板200Aを構成する要素のうち、1つの画素Pについて、後述の遮光部250Aおよびこれに関連する要素が代表的に図示される。
2-1.
8 is a plan view of an element substrate 200A in
変形例1の素子基板200Aは、発光素子120R、120G、120Bの配置および平面視形状が異なるとともに、遮光部250に代えて遮光部250Aを有する以外は、前述の実施形態の素子基板200と同様である。
The element substrate 200A of
変形例1の発光素子120R、120G、120Bは、ストライプ配列となるよう、画素Pごとに、X軸に沿う方向に並ぶ。ここで、発光素子120R、120G、120Bは、光学距離L0が異なる以外は、互いに同じ構成である。図8に示す例では、発光素子120Rの発光領域RRと発光素子120Gの発光領域RGと発光素子120Bの発光領域RBとのそれぞれが平面視でY軸に沿う方向に延びる長方形をなす。これらの発光領域に対してY1方向の位置には、コンタクト部226aが配置される。
The
ここで、遮光部250Aは、平面視で発光領域間の領域および各コンタクト部226aに重なる。このような遮光部250Aには、平面視で発光領域RRに重なる長方形の第1開口部255Rと、平面視で発光領域RBに重なる長方形の第2開口部255Bと、平面視で発光領域RGに重なる長方形の第3開口部255Gと、が設けられる。以上の変形例1によっても、前述の電気光学装置100と同様、所望の波長域の光を効率よく取り出すことができる。
Here, the
2-2.変形例2
図9は、変形例2における素子基板200Bの平面図である。図9では、素子基板200Bを構成する要素のうち、1つの画素Pについて、後述の遮光部250Bおよびこれに関連する要素が代表的に図示される。なお、図9では、コンタクト部226aの図示が省略されるが、コンタクト部226aは、平面視で発光領域RR、RG、RBと重ならない位置に配置される。
2-2. Modification 2
FIG. 9 is a plan view of an element substrate 200B in Modification 2. FIG. FIG. 9 representatively illustrates, for one pixel P, a
変形例2の素子基板200Bは、発光素子120R、120G、120Bの配置および平面視形状が異なるとともに、遮光部250に代えて遮光部250Bを有する以外は、前述の実施形態の素子基板200と同様である。
The element substrate 200B of Modification 2 is the same as the
変形例2の発光素子120R、120G、120Bは、デルタ配列となるよう配置される。ここで、発光素子120R、120G、120Bは、光学距離L0が異なる以外は、互いに同じ構成である。図示しないが、発光素子120Rの発光領域RRと発光素子120Gの発光領域RGと発光素子120Bの発光領域RBとのそれぞれが平面視で6角形をなす。
The
ここで、遮光部250Bは、平面視で発光領域間の領域に重なる。このような遮光部250Bには、平面視で発光領域RRに重なる円形の第1開口部255Rと、平面視で発光領域RBに重なる円形の第2開口部255Bと、平面視で発光領域RGに重なる円形の第3開口部255Gと、が設けられる。以上の変形例2によっても、前述の電気光学装置100と同様、所望の波長域の光を効率よく取り出すことができる。
Here, the
なお、発光領域RR、RG、RBの配列は、前述のデルタ配列およびストライプ配列に限定されず、任意であり、例えば、レクタングル配列またはベイヤー配列であってもよい。 The arrangement of the light-emitting regions RR, RG, and RB is not limited to the above-described delta arrangement and stripe arrangement, but may be arbitrary, and may be, for example, a rectangular arrangement or a Bayer arrangement.
2-3.変形例3
前述の形態では、発光素子120Rを「第1発光素子」とし、発光素子120Gを「第2発光素子」とする場合が例示されるが、発光素子120Bを「第2発光素子」として捉えてもよい。また、発光素子120Gまたは発光素子120Bを「第1発光素子」として捉えてもよい。発光素子120Gを「第1発光素子」として捉えた場合、発光素子120Rまたは発光素子120Bが「第2発光素子」の一例である。発光素子120Bを「第1発光素子」として捉えた場合、発光素子120Rまたは発光素子120Gが「第2発光素子」の一例である。
2-3. Modification 3
In the above embodiment, the case where the
3.電子機器
前述の実施形態の電気光学装置100は、各種の電子機器に適用することができる。
3. Electronic Equipment The electro-
3-1.ヘッドマウントディスプレイ
図10は、電子機器の一例である虚像表示装置700を模式的に示す図である。図10に示す虚像表示装置700は、観察者の頭部に装着されて画像の表示を行うヘッドマウントディスプレイ(HMD)である。虚像表示装置700は、前述した電気光学装置100と、コリメーター71と、導光体72と、第1反射型体積ホログラム73と、第2反射型体積ホログラム74と、制御部79と、を備える。なお、電気光学装置100から出射される光は、映像光LLとして出射される。また、電気光学装置100は、前述の各形態または変形例の構成を適用可能である。
3-1. Head Mounted Display FIG. 10 is a diagram schematically showing a virtual
制御部79は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置100の動作を制御する。コリメーター71は、電気光学装置100と導光体72との間に配置される。コリメーター71は、電気光学装置100から出射された光を平行光にする。コリメーター71は、コリメーターレンズ等で構成される。コリメーター71で平行光に変換された光は、導光体72に入射する。
The
導光体72は、平板状をなし、コリメーター71を介して入射する光の方向と交差する方向に延在して配置される。導光体72は、その内部で光を反射して導光する。導光体72のコリメーター71と対向する面721には、光が入射する光入射口と、光を出射する光出射口が設けられる。導光体72の面721とは反対側の面722には、回折光学素子としての第1反射型体積ホログラム73および回折光学素子としての第2反射型体積ホログラム74が配置される。第1反射型体積ホログラム73は、第2反射型体積ホログラム74よりも光出射口側に設けられる。第1反射型体積ホログラム73および第2反射型体積ホログラム74は、所定の波長域に対応する干渉縞を有し、所定の波長域の光を回折反射させる。
The
かかる構成の虚像表示装置700では、光入射口から導光体72内に入射した映像光LLが、反射を繰り返して進み、光出射口から観察者の瞳EYに導かれることで、映像光LLにより形成された虚像で構成される画像を観察者が観察することができる。
In the virtual
以上の虚像表示装置700は、電気光学装置100と、電気光学装置100の動作を制御する制御部79と、を有する。このため、従来よりも優れた配光特性の虚像表示装置700を提供することができる。
The virtual
なお、虚像表示装置700は、電気光学装置100から出射される光を合成するダイクロイックプリズム等の合成素子を備えてもよい。その場合、虚像表示装置700は、例えば、青色の波長域の光を出射する電気光学装置100、緑色の波長域の光を出射する電気光学装置100および赤色の波長域の光を出射する電気光学装置100を備えることができる。
Note that the virtual
3-2.パーソナルコンピューター
図11は、電子機器の一例であるパーソナルコンピューター400を示す斜視図である。図11に示すパーソナルコンピューター400は、電気光学装置100と、電源スイッチ401およびキーボード402が設けられた本体部403と、制御部409とを備える。制御部409は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置100の動作を制御する。パーソナルコンピューター400は、前述の電気光学装置100を備えるため、品質に優れる。なお、電気光学装置100は、前述の各形態または各変形例の構成を適用可能である。
3-2. Personal Computer FIG. 11 is a perspective view showing a
なお、電気光学装置100を備える「電子機器」としては、図10に例示した虚像表示装置700および図11に例示したパーソナルコンピューター400の他、デジタルスコープ、デジタル双眼鏡、デジタルスチルカメラ、ビデオカメラなど眼に近接して配置する機器が挙げられる。また、電気光学装置100を備える「電子機器」は、携帯電話機、スマートフォン、PDA(Personal Digital Assistants)、カーナビゲーション装置、および車載用の表示部として適用される。さらに、電気光学装置100を備える「電子機器」は、光を照らす照明として適用される。
10 and the
以上、本発明について図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。また、本発明の各部の構成は、前述した実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成のものに置換することができ、また、任意の構成を付加することもできる。また、本発明は、前述した各実施形態の任意の構成同士を組み合わせるようにしてもよい。 Although the present invention has been described above based on the illustrated embodiments, the present invention is not limited to these. Also, the configuration of each part of the present invention can be replaced with any configuration that exhibits the same functions as those of the above-described embodiments, or any configuration can be added. In addition, the present invention may combine arbitrary configurations of the above-described embodiments.
71…コリメーター、72…導光体、73…第1反射型体積ホログラム、74…第2反射型体積ホログラム、79…制御部、100…電気光学装置、101…データ線駆動回路、102…走査線駆動回路、103…制御回路、104…外部端子、111…走査線、112…データ線、113…給電線、114…給電線、120…発光素子、120B…発光素子(第2発光素子)、120G…発光素子、120R…発光素子(第1発光素子)、130…画素回路、131…スイッチング用トランジスター、132…駆動用トランジスター、133…保持容量、200…素子基板、200A…素子基板、200B…素子基板、210…基板、220…発光素子層、221…絶縁層、222…反射層、222B…反射層(第2反射層)、222G…反射層、222R…反射層(第1反射層)、223…増反射層、224…絶縁層、224a…第1絶縁層、224b…第2絶縁層、225…距離調整層、225a…第1距離調整層、225b…第2距離調整層、226…画素電極、226B…画素電極、226G…画素電極、226R…画素電極、226a…コンタクト部、227…素子分離層、228…有機層、229…共通電極(第1電極、第2電極)、230…封止層、231…第1層、232…第2層、233…第3層、240…密着層、250…遮光部、250A…遮光部、250B…遮光部、251…第1遮光部、252…第2遮光部、253…第3遮光部、254…第4遮光部、255B…第2開口部、255G…第3開口部、255R…第1開口部、260…樹脂層、271…中継電極、272…絶縁層、300…透光性基板、400…パーソナルコンピューター、401…電源スイッチ、402…キーボード、403…本体部、409…制御部、700…虚像表示装置、721…面、722…面、A10…表示領域、A20…周辺領域、EY…瞳、F1…第1面、F2…第2面、F3…第3面、F4…第4面、L0B…距離、L0G…距離、L0R…距離、LL…映像光、LLB…光、LLG…光、LLR…光、P…画素、P0…サブ画素、PB…サブ画素、PG…サブ画素、PR…サブ画素、RB…発光領域、RG…発光領域、RR…発光領域、Vct…電源電位、Vel…電源電位、t…厚さ。
71
Claims (9)
前記第1電極と一体に設けられる第2電極と、前記第2電極との間の光学距離が前記第1光学距離とは異なる第2光学距離となる位置に配置される第2反射層と、を含む第2発光素子と、
平面視で前記第1発光素子の発光領域と前記第2発光素子の発光領域との間に配置される遮光部と、を備え、
前記遮光部に接する層は、実質的に無色透明である、
ことを特徴とする電気光学装置。 a first light emitting element including a first electrode and a first reflective layer disposed at a position where the optical distance between the first electrode and the first electrode is the first optical distance;
a second electrode provided integrally with the first electrode; a second reflective layer disposed at a position where the optical distance between the second electrode and the second electrode is a second optical distance different from the first optical distance; a second light emitting element comprising
a light shielding portion arranged between the light emitting region of the first light emitting element and the light emitting region of the second light emitting element in plan view,
The layer in contact with the light shielding part is substantially colorless and transparent,
An electro-optical device characterized by:
前記第1開口部および前記第2開口部のそれぞれには、実質的に無色透明の樹脂層が設けられる、
請求項1に記載の電気光学装置。 The light shielding part has a first opening that overlaps the light emitting region of the first light emitting element in plan view and a second opening that overlaps the light emitting region of the second light emitting element in plan view,
A substantially colorless and transparent resin layer is provided in each of the first opening and the second opening,
The electro-optical device according to claim 1.
前記第1面は、前記第2面と前記第1電極または前記第2電極との間に位置し、
前記遮光部の横断面は、前記第1面に基づく辺と、前記第2面に基づく辺と、を有し、
前記第1面に基づく辺の長さは、前記第2面に基づく辺の長さよりも短い、
請求項2に記載の電気光学装置。 The light shielding part has a first surface and a second surface opposite to the first surface,
the first surface is located between the second surface and the first electrode or the second electrode;
a cross section of the light shielding portion has a side based on the first surface and a side based on the second surface;
a side length based on the first surface is shorter than a side length based on the second surface;
3. The electro-optical device according to claim 2.
前記第2発光素子が有する第2画素電極と電気的に接続される第2中継電極と、
前記第1画素電極と前記第1中継電極との間、かつ、前記第2画素電極と前記第2中継電極との間に設けられる絶縁層と、を備え、
前記第1画素電極は、前記絶縁層を貫通して前記第1中継電極と電気的に接続する第1コンタクト部を有し、
前記第2画素電極は、前記絶縁層を貫通して前記第2中継電極と電気的に接続する第2コンタクト部を有し、
前記第2面は、平面視で前記第1コンタクト部および前記第2コンタクト部を包含する、
請求項3に記載の電気光学装置。 a first relay electrode electrically connected to a first pixel electrode of the first light emitting element;
a second relay electrode electrically connected to a second pixel electrode of the second light emitting element;
an insulating layer provided between the first pixel electrode and the first relay electrode and between the second pixel electrode and the second relay electrode;
the first pixel electrode has a first contact portion that penetrates the insulating layer and is electrically connected to the first relay electrode;
the second pixel electrode has a second contact portion that penetrates the insulating layer and is electrically connected to the second relay electrode;
The second surface includes the first contact portion and the second contact portion in a plan view,
4. The electro-optical device according to claim 3.
前記第3面は、前記第4面と前記第1電極または前記第2電極との間に位置し、
前記樹脂層は、前記遮光部を覆っており、
前記第4面が平坦面である、
請求項2から4のいずれか1項に記載の電気光学装置。 The resin layer has a third surface and a fourth surface opposite to the third surface,
the third surface is located between the fourth surface and the first electrode or the second electrode;
The resin layer covers the light shielding part,
wherein the fourth surface is a flat surface;
5. The electro-optical device according to claim 2.
前記封止層と前記遮光部との間で前記遮光部に接して配置され、樹脂を含む密着層と、をさらに備える、
請求項1から5のいずれか1項に記載の電気光学装置。 a sealing layer disposed between the first electrode and the second electrode and the light shielding portion;
an adhesion layer disposed between the sealing layer and the light shielding portion in contact with the light shielding portion and containing a resin;
The electro-optical device according to any one of claims 1 to 5.
請求項6に記載の電気光学装置。 The distance between the light emitting region of the first light emitting element and the light emitting region of the second light emitting element in plan view is smaller than the thickness of the sealing layer.
The electro-optical device according to claim 6.
前記第1電極と一体に設けられる第2電極と、前記第2電極との間の光学距離が前記第1光学距離とは異なる第2光学距離となる位置に配置される第2反射層と、を含む第2発光素子と、
平面視で前記第1発光素子の発光領域と前記第2発光素子の発光領域との間に配置される遮光部と、
前記第1発光素子が有する第1画素電極と電気的に接続される第1中継電極と、
前記第2発光素子が有する第2画素電極と電気的に接続される第2中継電極と、
前記第1画素電極と前記第1中継電極との間、かつ、前記第2画素電極と前記第2中継電極との間に設けられる絶縁層と、を備え、
前記第1画素電極は、前記絶縁層を貫通して前記第1中継電極と電気的に接続する第1コンタクト部を有し、
前記第2画素電極は、前記絶縁層を貫通して前記第2中継電極と電気的に接続する第2コンタクト部を有し、
前記遮光部は、平面視で前記第1コンタクト部および前記第2コンタクト部を包含する、
ことを特徴とする電気光学装置。 a first light emitting element including a first electrode and a first reflective layer disposed at a position where the optical distance between the first electrode and the first electrode is the first optical distance;
a second electrode provided integrally with the first electrode; a second reflective layer disposed at a position where the optical distance between the second electrode and the second electrode is a second optical distance different from the first optical distance; a second light emitting element comprising
a light-shielding portion arranged between the light-emitting region of the first light-emitting element and the light-emitting region of the second light-emitting element in plan view;
a first relay electrode electrically connected to a first pixel electrode of the first light emitting element;
a second relay electrode electrically connected to a second pixel electrode of the second light emitting element;
an insulating layer provided between the first pixel electrode and the first relay electrode and between the second pixel electrode and the second relay electrode;
the first pixel electrode has a first contact portion that penetrates the insulating layer and is electrically connected to the first relay electrode;
the second pixel electrode has a second contact portion that penetrates the insulating layer and is electrically connected to the second relay electrode;
The light shielding portion includes the first contact portion and the second contact portion in a plan view,
An electro-optical device characterized by:
前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有する、
電子機器。 an electro-optical device according to any one of claims 1 to 8;
a control unit that controls the operation of the electro-optical device;
Electronics.
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20240402 |