JP2022160356A - Frequency characteristics measurement device - Google Patents

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Abstract

To provide a frequency characteristics measurement device capable of easily measuring frequency characteristics of a DUT at low cost.SOLUTION: A frequency characteristics measurement device includes: a calibration unit 3 configured to perform SOLT calibration at a cable end surface; a first measurement unit configured to measure an S parameter of a first substrate on which a DUT is mounted after SOLT calibration by the calibration unit 3; a second measurement unit configured to measure the S parameter of a second substrate that has a structure in which a portion on which the DUT is mounted from the first substrate is removed after SOLT calibration by the calibration unit 3; and an extraction unit 5 that is configured to extract the S parameter of the DUT by performing vector calculation on measurement results of the first measurement unit and measurement results of the second measurement unit. The extraction unit 5 regards reflection at a second substrate end surface of each of first fixture and second fixture obtained by virtually dividing the second substrate into two at a center as less than reflection at an end surface of the second substrate when it is not virtually divided into two at the center.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本明細書中に開示されている発明は、DUT(Device Under Test)の周波数特性を測定する技術に関する。 The invention disclosed in this specification relates to a technique for measuring frequency characteristics of a DUT (Device Under Test).

DUTの周波数特性は、ベクトル・ネットワークアナライザ等の周波数特性測定装置によって測定される。従来の一般的な測定手法では、まずはケーブル端面で非特許文献1に記載されているSOLT(Short-Open-Load-Thru)校正が実施される。そして、DUTの代わりにShortさせた基板、DUTの代わりにOpenにした基板、DUTの代わりに負荷(Load)が実装された基板、DUTが実装されたサンプル基板からDUTが実装された部分を除去したThru基板を順次ケーブル間に取り付けて、SOLT校正が実施される。その後、DUTが実装されたサンプル基板のSパラメータの測定結果から、DUTのみのSパラメータが抽出される。これにより、純粋なDUTの周波数特性を得ることができる。 The frequency characteristic of the DUT is measured by a frequency characteristic measuring device such as a vector network analyzer. In a conventional general measurement method, SOLT (Short-Open-Load-Thru) calibration described in Non-Patent Document 1 is first performed on the cable end surface. Then, remove the part where the DUT is mounted from the board with the Short instead of the DUT, the board with the Open instead of the DUT, the board with the Load mounted instead of the DUT, and the sample board with the DUT mounted. SOLT calibration is performed by sequentially attaching the Thru boards between the cables. After that, the S-parameters of only the DUT are extracted from the measurement results of the S-parameters of the sample board on which the DUT is mounted. Thereby, a pure DUT frequency characteristic can be obtained.

市川古都美、市川裕一著,「高周波回路設計のためのSパラメータ詳解」,第5版,CQ出版社,2020年1月1日,p.14-143Kotomi Ichikawa and Yuichi Ichikawa, "Detailed explanation of S-parameters for high-frequency circuit design", 5th edition, CQ Publishing, January 1, 2020, pp.14-143

しかしながら、上述した従来の一般的な測定手法は、4種類の校正用基板を必要とするので、校正用基板に多大なコストがかかるともに、校正作業に時間がかかるという課題を有する。 However, the conventional general measurement method described above requires four types of calibration substrates, and thus has the problem that the calibration substrates require a great deal of cost and the calibration work takes a long time.

本明細書中に開示されている周波数特性測定装置は、ケーブル端面でSOLT校正を行うように構成される校正部と、前記校正部による前記SOLT校正の後、DUTが実装された第1基板のSパラメータを測定するように構成される第1測定部と、前記校正部による前記SOLT校正の後、第2基板のSパラメータを測定するように構成される第2測定部と、前記第1測定部の測定結果及び前記第2測定部の測定結果をベクトル演算することによって、前記DUTのSパラメータを抽出するように構成される抽出部と、を備え、前記抽出部は、前記第2基板を仮想的に中央で2分割して得られる第1フィクスチャ及び第2フィクスチャそれぞれの前記第2基板端面での反射を、仮想的に中央で2分割しない場合の前記第2基板の端面での反射以下とみなし、前記第1基板は、第1端面及び第2端面それぞれに少なくとも一つのコネクタを備える構造であり、前記第2基板は、前記第1基板から前記DUTが実装された部分を除去し、前記第1基板に設けられた全ての前記コネクタの中から任意の2個を選んでスルー接続する構造であり、前記第2基板の個数は、前記第1基板に設けられた全ての前記コネクタの中から2個を選ぶ組み合わせの総数である構成(第1の構成)である。 The frequency characteristic measuring apparatus disclosed in this specification includes a calibration unit configured to perform SOLT calibration on the end surface of a cable, and a first substrate on which a DUT is mounted after the SOLT calibration by the calibration unit. a first measurement unit configured to measure an S-parameter; a second measurement unit configured to measure an S-parameter of a second substrate after the SOLT calibration by the calibration unit; and the first measurement. an extraction unit configured to extract the S-parameters of the DUT by performing a vector operation on the measurement results of the second measurement unit and the measurement results of the second measurement unit, the extraction unit configured to extract the second substrate from the Reflection at the end surface of the second substrate of the first fixture and the second fixture, which are obtained by virtually dividing the fixture into two at the center The first board has a structure in which at least one connector is provided on each of the first end face and the second end face, and the second board removes the portion where the DUT is mounted from the first board. and through-connection is performed by selecting arbitrary two connectors from all the connectors provided on the first substrate, and the number of the second substrates is equal to all the connectors provided on the first substrate. This is the configuration (first configuration) that is the total number of combinations in which two connectors are selected.

上記第1の構成の周波数特性測定装置において、前記抽出部は、前記第1フィクスチャの前記第2基板端面での反射を示すSパラメータの振幅を、測定範囲の全周波数域に渡って単一の第1固定値とし、前記第1フィクスチャの前記第2基板端面での反射を示すSパラメータの位相を、測定範囲の全周波数域に渡ってゼロとし、前記第2フィクスチャの前記第2基板端面での反射を示すSパラメータの振幅を、測定範囲の全周波数域に渡って前記第1固定値とし、前記第2フィクスチャの前記第2基板端面での反射を示すSパラメータの位相を、測定範囲の全周波数域に渡ってゼロとする構成(第2の構成)としてもよい。 In the frequency characteristic measuring apparatus having the first configuration, the extractor extracts the amplitude of the S parameter indicating the reflection of the first fixture at the end surface of the second substrate by a single value over the entire frequency range of the measurement range. is a first fixed value, the phase of the S parameter indicating the reflection at the second substrate end surface of the first fixture is set to zero over the entire frequency range of the measurement range, and the second The amplitude of the S-parameter indicating the reflection at the substrate edge is set to the first fixed value over the entire frequency range of the measurement range, and the phase of the S-parameter indicating the reflection at the second substrate edge of the second fixture is set to , may be set to zero over the entire frequency range of the measurement range (second configuration).

上記第1又は第2の構成の周波数特性測定装置において、前記抽出部は、前記第1フィクスチャの透過特性と前記第2フィクスチャの透過特性とが対称であるとみなす構成(第3の構成)としてもよい。 In the frequency characteristic measuring apparatus having the first or second configuration, the extraction unit assumes that the transmission characteristics of the first fixture and the transmission characteristics of the second fixture are symmetrical (third configuration ).

上記第1又は第2の構成の周波数特性測定装置において、前記抽出部は、前記第1フィクスチャの透過特性と前記第2フィクスチャの透過特性とが対称であるとみなさない構成(第4の構成)としてもよい。 In the frequency characteristic measuring apparatus having the first or second configuration, the extraction unit does not consider the transmission characteristics of the first fixture and the transmission characteristics of the second fixture to be symmetrical (fourth configuration).

上記第1~4いずれかの構成の周波数特性測定装置において、前記第2基板のケーブルが接続される2つの端面間距離は、測定範囲の最も低い周波数の逆数の2倍未満である構成(第5の構成)としてもよい。 In the frequency characteristic measuring device having any one of the first to fourth configurations, the distance between the two end faces to which the cable of the second board is connected is less than twice the reciprocal of the lowest frequency in the measurement range (the second 5 configuration).

本明細書中に開示されているコンピュータプログラムは、ケーブル端面でSOLT校正を行うように構成される校正部と、前記校正部による前記SOLT校正の後、DUTが実装された第1基板のSパラメータを測定するように構成される第1測定部と、前記校正部による前記SOLT校正の後、第2基板のSパラメータを測定するように構成される第2測定部と、を備える周波数特性測定装置の測定結果を処理するためのコンピュータプログラムであって、コンピュータを、前記第1測定部の測定結果を取得する第1取得部、前記第2測定部の測定結果を取得する第2取得部、並びに前記第1測定部の測定結果及び前記第2測定部の測定結果をベクトル演算することによって、前記DUTのSパラメータを抽出するように構成される抽出部として機能させ、前記抽出部は、前記第2基板を仮想的に中央で2分割して得られる第1フィクスチャ及び第2フィクスチャそれぞれの前記第2基板端面での反射を、仮想的に中央で2分割しない場合の前記第2基板の端面での反射以下とみなし、前記第1基板は、第1端面及び第2端面それぞれに少なくとも一つのコネクタを備える構造であり、前記第2基板は、前記第1基板から前記DUTが実装された部分を除去し、前記第1基板に設けられた全ての前記コネクタの中から任意の2個を選んでスルー接続する構造であり、前記第2基板の個数は、前記第1基板に設けられた全ての前記コネクタの中から2個を選ぶ組み合わせの総数である構成(第6の構成)である。 A computer program disclosed in this specification includes a calibration unit configured to perform SOLT calibration at a cable end face, and S parameters of a first substrate on which a DUT is mounted after the SOLT calibration by the calibration unit. and a second measurement unit configured to measure S-parameters of a second substrate after the SOLT calibration by the calibration unit. A computer program for processing the measurement results of, comprising: a computer comprising: a first acquisition unit for acquiring the measurement results of the first measurement unit; Functioning as an extraction unit configured to extract the S-parameters of the DUT by performing a vector operation on the measurement result of the first measurement unit and the measurement result of the second measurement unit, the extraction unit Reflection at the end surface of the second substrate of each of the first fixture and the second fixture obtained by virtually dividing the two substrates into two at the center is The first board has a structure in which at least one connector is provided on each of the first end face and the second end face, and the second board is mounted with the DUT from the first board. A portion is removed, and any two of the connectors provided on the first substrate are selected and through-connected, and the number of the second substrates is equal to the number of the connectors provided on the first substrate. This is a configuration (sixth configuration) that is the total number of combinations in which two connectors are selected from all the connectors.

本明細書中に開示されている発明によれば、低コストで簡便にDUTの周波数特性を測定することができる。 According to the invention disclosed in this specification, the frequency characteristics of a DUT can be easily measured at low cost.

図1は、一実施形態に係る周波数特性測定装置の概略構成を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a frequency characteristic measuring device according to one embodiment. 図2は、第1基板の概略構造を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing a schematic structure of the first substrate. 図3は、第2基板の概略構造を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing a schematic structure of the second substrate. 図4は、抽出部の動作例を示すフローチャートである。FIG. 4 is a flowchart illustrating an operation example of an extraction unit. 図5は、第1フィクスチャのSパラメータを模式的に示す図である。FIG. 5 is a diagram schematically showing the S-parameters of the first fixture. 図6は、第2フィクスチャのSパラメータを模式的に示す図である。FIG. 6 is a diagram schematically showing the S-parameters of the second fixture. 図7は、第2基板のSパラメータを模式的に示す図である。FIG. 7 is a diagram schematically showing S parameters of the second substrate.

図1は、一実施形態に係る周波数特定測定装置の概略構成を示すブロック図である。図1に示す一実施形態に係る周波数特性測定装置10(以下、「周波数特性測定装置10」と略す)は、ベクトル・ネットワークアナライザである。 FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of a frequency specific measurement device according to one embodiment. A frequency characteristic measuring device 10 (hereinafter abbreviated as “frequency characteristic measuring device 10”) according to one embodiment shown in FIG. 1 is a vector network analyzer.

周波数特性測定装置10は、第1ポート1と、第2ポート2と、校正部3と、測定部4と、抽出部5と、を備える。 A frequency characteristic measuring device 10 includes a first port 1 , a second port 2 , a calibrating section 3 , a measuring section 4 and an extracting section 5 .

第1ポート1は、第1同軸ケーブルCX1の一端E11が接続可能に構成される。第2ポート2は、第2同軸ケーブルCX2の一端E21が接続可能に構成される。 The first port 1 is configured to be connectable with one end E11 of the first coaxial cable CX1. The second port 2 is configured to be connectable with one end E21 of the second coaxial cable CX2.

校正部3は、ケーブル端面でSOLT校正を行うように構成される。具体的には、第1ポート1に第1同軸ケーブルCX1の一端E11が接続され、第2ポート2に第2同軸ケーブルCX2の一端E21が接続された状態で、校正部3は、第1同軸ケーブルCX1の他端E12の端面及び第2同軸ケーブルCX2の他端E22の端面それぞれでSOLT校正を行うように構成される。ケーブル端面におけるSOLT校正は、例えば非特許文献1等に開示されている周知技術であるため、ここでは詳細な説明を省略する。校正部3は、校正結果を測定部4に提供する。 The calibration unit 3 is configured to perform SOLT calibration on the cable end face. Specifically, the first port 1 is connected to one end E11 of the first coaxial cable CX1, and the second port 2 is connected to one end E21 of the second coaxial cable CX2. It is configured to perform SOLT calibration on each of the end face of the other end E12 of the cable CX1 and the end face of the other end E22 of the second coaxial cable CX2. Since the SOLT calibration on the cable end surface is a well-known technique disclosed in Non-Patent Document 1, for example, detailed description thereof is omitted here. The calibration unit 3 provides the calibration result to the measurement unit 4 .

測定部4は、Sパラメータを測定する。測定部4は、第1測定部としても機能し、第2測定部としても機能する。 The measurement unit 4 measures S parameters. The measurement unit 4 functions as both a first measurement unit and a second measurement unit.

第1測定部は、校正部3によるSOLT校正の後、DUTが実装された第1基板SUB1(図2参照)のSパラメータを測定するように構成される。つまり、第1測定部が測定を実行するときには、第1基板SUB1が第1同軸ケーブルCX1及び第2同軸ケーブルCX2を介して周波数特性測定装置10に接続される。 The first measurement unit is configured to measure the S-parameters of the first substrate SUB1 (see FIG. 2) on which the DUT is mounted after SOLT calibration by the calibration unit 3 . That is, when the first measuring section performs measurement, the first substrate SUB1 is connected to the frequency characteristic measuring device 10 via the first coaxial cable CX1 and the second coaxial cable CX2.

第2測定部は、校正部3によるSOLT校正の後、第1基板SUB1からDUTが実装された部分を除去した構造である第2基板SUB2(図3参照)のSパラメータを測定するように構成される。つまり、第2測定部が測定を実行するときには、第2基板SUB2が第1同軸ケーブルCX1及び第2同軸ケーブルCX2を介して周波数特性測定装置10に接続される。 The second measurement unit is configured to measure the S parameter of the second substrate SUB2 (see FIG. 3) having a structure obtained by removing the DUT-mounted portion from the first substrate SUB1 after SOLT calibration by the calibration unit 3. be done. That is, when the second measuring section performs measurement, the second substrate SUB2 is connected to the frequency characteristic measuring device 10 via the first coaxial cable CX1 and the second coaxial cable CX2.

図2は第1基板SUB1の概略構造を示す模式図である。図3は第2基板SUB2の概略構造を示す模式図である。第1基板SUB1は、DUTが実装された部分P1と、第1フィクスチャP2と、第2フィクスチャP3と、を有する。第2基板SUB2は、第1フィクスチャP2と、第2フィクスチャP3と、を有する。第2基板SUB2において、第1フィクスチャP2及び第2フィクスチャP3は、第2基板SUB2を仮想的に中央で2分割して得ることができる。 FIG. 2 is a schematic diagram showing a schematic structure of the first substrate SUB1. FIG. 3 is a schematic diagram showing a schematic structure of the second substrate SUB2. The first substrate SUB1 has a portion P1 on which the DUT is mounted, a first fixture P2, and a second fixture P3. The second substrate SUB2 has a first fixture P2 and a second fixture P3. In the second substrate SUB2, the first fixture P2 and the second fixture P3 can be obtained by virtually dividing the second substrate SUB2 into two at the center.

第1フィクスチャP2は、第1同軸ケーブルCX1の他端E12に接続可能な第1コネクタCN1を有する。第1コネクタCN1は、第1フィクスチャP2の左端部に設けられる。第2フィクスチャP3は、第2同軸ケーブルCX1の他端E22に接続可能な第2コネクタCN2を有する。第2コネクタCN2は、第2フィクスチャP3の右端部に設けられる。なお、第1フィクスチャP2と第2フィクスチャP3とは互いに左右対称の構造である。しかしながら、第1フィクスチャP2と第2フィクスチャP3とは互いに完全に左右対称の構造でなく、若干の製造ばらつきを有していてもよい。 The first fixture P2 has a first connector CN1 connectable to the other end E12 of the first coaxial cable CX1. The first connector CN1 is provided at the left end of the first fixture P2. The second fixture P3 has a second connector CN2 connectable to the other end E22 of the second coaxial cable CX1. A second connector CN2 is provided at the right end of the second fixture P3. The first fixture P2 and the second fixture P3 have bilaterally symmetric structures. However, the first fixture P2 and the second fixture P3 may not have completely bilaterally symmetrical structures, and may have slight manufacturing variations.

抽出部5は、第1測定部の測定結果及び第2測定部の測定結果をベクトル演算することによって、DUTのSパラメータを抽出するように構成される。抽出部5の抽出結果は、例えば周波数特性測定装置10に対して装脱着可能な可搬型記憶媒体に記憶してもよく、周波数特性測定装置10に設けられる表示部に表示してもよく、周波数特性測定装置10の外部に通信によって出力してもよい。 The extraction unit 5 is configured to extract the S-parameters of the DUT by performing vector operations on the measurement results of the first measurement unit and the measurement results of the second measurement unit. The extraction result of the extraction unit 5 may be stored, for example, in a portable storage medium detachable from the frequency characteristic measuring device 10, or may be displayed on a display unit provided in the frequency characteristic measuring device 10. It may be output to the outside of the characteristic measuring device 10 by communication.

抽出部5は、例えばマイクロコンピュータ等のコンピュータに、第1測定部の測定結果及び前記第2測定部の測定結果を処理するためのコンピュータプログラムをインストールし、当該コンピュータプログラムを実行することによって実現することができる。本実施形態では、抽出部5は周波数特性測定装置10に内蔵されているが、周波数特性測定装置10の外部に設けられるコンピュータを抽出部5として機能させてもよい。 The extraction unit 5 is implemented by installing a computer program for processing the measurement result of the first measurement unit and the measurement result of the second measurement unit in a computer such as a microcomputer, and executing the computer program. be able to. Although the extractor 5 is built in the frequency characteristic measuring device 10 in this embodiment, a computer provided outside the frequency characteristic measuring device 10 may function as the extractor 5 .

図4は、抽出部5の動作例を示すフローチャートである。抽出部5は、まず始めに第1測定部の測定結果を取得する(ステップS10)。次に、抽出部5は、第2測定部の測定結果を取得する(ステップS20)。なお、本実施形態とは異なり、ステップS20を先に実行し、その後ステップS10を実行してもよく、ステップS10及びステップS20を並行して実行してもよい。 FIG. 4 is a flow chart showing an operation example of the extraction unit 5 . The extraction unit 5 first acquires the measurement result of the first measurement unit (step S10). Next, the extraction unit 5 acquires the measurement result of the second measurement unit (step S20). Note that, unlike the present embodiment, step S20 may be performed first and then step S10 may be performed, or step S10 and step S20 may be performed in parallel.

第1測定部の測定結果及び第2測定部の測定結果を取得した後、抽出部5は、第1測定部の測定結果及び第2測定部の測定結果をベクトル演算することによって、DUTのSパラメータを抽出し(ステップS30)、フロー動作を終了する。 After obtaining the measurement result of the first measurement unit and the measurement result of the second measurement unit, the extraction unit 5 performs vector operation on the measurement result of the first measurement unit and the measurement result of the second measurement unit to obtain the S of the DUT. Parameters are extracted (step S30), and the flow operation ends.

次に、ステップS30の処理の詳細について説明する。図5は第1フィクスチャP2のSパラメータを模式的に示す図である。図6は第2フィクスチャP3のSパラメータを模式的に示す図である。図7は第2基板SUB2のSパラメータを模式的に示す図である。 Next, details of the processing in step S30 will be described. FIG. 5 is a diagram schematically showing S parameters of the first fixture P2. FIG. 6 is a diagram schematically showing the S-parameters of the second fixture P3. FIG. 7 is a diagram schematically showing S parameters of the second substrate SUB2.

第1フィクスチャP2と第2フィクスチャP3との左右対称性から、抽出部5は、S21A=S12B、S12A=S21Bとする。また、抽出部5は、第1フィクスチャP2及び第2フィクスチャP3それぞれの第2基板端面での反射を、第2基板SUB2の端面での反射以下とみなし、第1フィクスチャP2及び第2フィクスチャP3それぞれの仮想分割面での反射を、第2基板SUB2の端面での反射以下とみなさない。なお、「第1フィクスチャP2及び第2フィクスチャP3それぞれの第2基板端面での反射を、第2基板SUB2の端面での反射以下とみなす」とは、測定範囲の周波数域において概ね又は完全に、第1フィクスチャP2及び第2フィクスチャP3それぞれの第2基板端面での反射を第2基板SUB2の端面での反射以下とみなせればよい。すなわち、測定範囲の周波数域において、部分的に、第1フィクスチャP2及び第2フィクスチャP3それぞれの第2基板端面での反射が第2基板SUB2の端面での反射より高くなる場合を排除するものではない。そして、抽出部5は、第2測定部の測定結果から第1フィクスチャP2のSパラメータ及び第2フィクスチャP3のSパラメータを求める。具体的には、第1フィクスチャP2のSパラメータ及び第2フィクスチャP3のSパラメータは以下のようになる。
(1)S11A(第1フィクスチャP2の第2基板端面での反射を示すSパラメータ)の振幅は、測定範囲の全周波数域に渡って単一の第1固定値
(2)S11Aの位相は、測定範囲の全周波数域に渡ってゼロ
(3)S22A=(S22C-S11A)/S12C
(4)S21A=(1-S11B×S21C)0.5
(5)S12A=(1-S22A×S12C)0.5
(6)S11B=(S11C-S11A)/S21C
(7)S22B(第2フィクスチャP3の第2基板端面での反射を示すSパラメータ)の振幅は、測定範囲の全周波数域に渡って単一の第1固定値
(8)S22Bの位相は、測定範囲の全周波数域に渡ってゼロ
(9)S21B=S12A
(10)S12B=S21A
Based on the left-right symmetry between the first fixture P2 and the second fixture P3, the extraction unit 5 sets S21A=S12B and S12A=S21B. In addition, the extraction unit 5 regards the reflection on the second substrate end face of each of the first fixture P2 and the second fixture P3 as less than or equal to the reflection on the end face of the second substrate SUB2. The reflection on each virtual split surface of the fixture P3 is not regarded as less than the reflection on the end surface of the second substrate SUB2. It should be noted that "the reflection on the second substrate end surface of each of the first fixture P2 and the second fixture P3 is considered to be equal to or less than the reflection on the end surface of the second substrate SUB2" means substantially or completely in the frequency range of the measurement range. In addition, the reflection on the second substrate end face of each of the first fixture P2 and the second fixture P3 should be regarded as less than the reflection on the end face of the second substrate SUB2. In other words, in the frequency range of the measurement range, the case where the reflection at the second substrate end surface of each of the first fixture P2 and the second fixture P3 is partially eliminated is higher than the reflection at the end surface of the second substrate SUB2. not a thing Then, the extraction unit 5 obtains the S-parameters of the first fixture P2 and the S-parameters of the second fixture P3 from the measurement results of the second measurement unit. Specifically, the S-parameters of the first fixture P2 and the S-parameters of the second fixture P3 are as follows.
(1) The amplitude of S11A (the S parameter indicating the reflection from the second substrate end surface of the first fixture P2) is a single first fixed value over the entire frequency range of the measurement range. (2) The phase of S11A is , zero over the entire frequency range of the measurement range (3) S22A=(S22C-S11A)/S12C
(4) S21A=(1−S11B 2 ×S21C) 0.5
(5) S12A=(1-S22A 2 ×S12C) 0.5
(6) S11B=(S11C-S11A)/S21C
(7) The amplitude of S22B (the S parameter indicating the reflection at the second substrate end face of the second fixture P3) is a single first fixed value over the entire frequency range of the measurement range. (8) The phase of S22B is , zero over the entire frequency range of the measurement range (9) S21B=S12A
(10) S12B=S21A

抽出部5は、第1測定部の測定結果から、第1フィクスチャP2のSパラメータ及び第2フィクスチャP3のSパラメータをベクトル演算により差し引いて、DUTのみのSパラメータを求める。 The extraction unit 5 subtracts the S-parameters of the first fixture P2 and the S-parameters of the second fixture P3 from the measurement results of the first measurement unit by vector calculation to obtain the S-parameters of only the DUT.

周波数特性測定装置10を用いた測定では、DUTの代わりにShortさせた基板、DUTの代わりにOpenにした基板、DUTの代わりに負荷(Load)が実装された基板が不要である。従って、周波数特性測定装置10は、低コストで簡便にDUTの周波数特性を測定することができる。 Measurement using the frequency characteristic measurement apparatus 10 does not require a short board instead of a DUT, an open board instead of a DUT, or a board on which a load is mounted instead of a DUT. Therefore, the frequency characteristic measuring apparatus 10 can easily measure the frequency characteristic of the DUT at low cost.

第1フィクスチャP2のSパラメータS11Aが低反射を示す値であるとすると、DUTが高透過特性を有する場合、第1基板SUB1のSパラメータS11は第2フィクスチャP3のSパラメータS11Bでほぼ決まることになり、逆にDUTが高反射特性を有する場合、第1基板SUB1のSパラメータS11はDUTのSパラメータS11でほぼ決まることになる。DUTが高透過特性である場合、DUTが高反射特性を有する場合という極端な2つの場合について説明したが、それ以外の場合でも、第1基板SUB1のSパラメータS11は、第2フィクスチャP3のSパラメータS11BとDUTのSパラメータS11とでほぼ決まることになる。 Assuming that the S-parameter S11A of the first fixture P2 has a value indicating low reflection, the S-parameter S11 of the first substrate SUB1 is almost determined by the S-parameter S11B of the second fixture P3 if the DUT has high transmission characteristics. Conversely, if the DUT has high reflection characteristics, the S-parameter S11 of the first substrate SUB1 is almost determined by the S-parameter S11 of the DUT. Although the two extreme cases of the DUT having high transmission characteristics and the DUT having high reflection characteristics have been described, even in other cases, the S parameter S11 of the first substrate SUB1 is the same as that of the second fixture P3. It is almost determined by the S parameter S11B and the S parameter S11 of the DUT.

同様に、第2フィクスチャP3のSパラメータS22Bが低反射を示す値であるとすると、DUTが高透過特性を有する場合、第1基板SUB1のSパラメータS22は第1フィクスチャP2のSパラメータS22Aでほぼ決まることになり、逆にDUTが高反射特性を有する場合、第1基板SUB1のSパラメータS22はDUTのSパラメータS22でほぼ決まることになる。DUTが高透過特性である場合、DUTが高反射特性を有する場合という極端な2つの場合について説明したが、それ以外の場合でも、第1基板SUB1のSパラメータS22は、第1フィクスチャP2のSパラメータS22AとDUTのSパラメータS22とでほぼ決まることになる。 Similarly, if the S-parameter S22B of the second fixture P3 is a value indicating low reflection, then the S-parameter S22 of the first substrate SUB1 will be the S-parameter S22A of the first fixture P2 if the DUT has high transmission characteristics. On the contrary, if the DUT has a high reflection characteristic, the S parameter S22 of the first substrate SUB1 is almost determined by the S parameter S22 of the DUT. Two extreme cases, that is, the case where the DUT has high transmission characteristics and the case where the DUT has high reflection characteristics, have been described. It is almost determined by the S parameter S22A and the S parameter S22 of the DUT.

つまり、抽出部5は、第1フィクスチャP2及び第2フィクスチャP3それぞれの第2基板端面での反射を、測定範囲の全周波数域に渡って所定レベル以下であるとみなすことは、合理的である。 In other words, it is reasonable for the extraction unit 5 to regard the reflection on the second substrate end surface of each of the first fixture P2 and the second fixture P3 as being below a predetermined level over the entire frequency range of the measurement range. is.

周波数特性測定装置10と同様に、DUTの代わりにShortさせた基板、DUTの代わりにOpenにした基板、DUTの代わりに負荷(Load)が実装された基板が不要である測定装置が、“Design criteria of automatic fixture removal(AFR) for asymmetric fixture dembeddinng”(IEEE Conference Paper,p.654-p.659,August 2014)に開示されている。しかしながら、“Design criteria of automatic fixture removal(AFR) for asymmetric fixture dembeddinng”(IEEE Conference Paper,p.654-p.659,August 2014)のFig.2に記載されている第1フィクスチャと第2フィクスチャとの仮想的な分割は、第2基板SUB2のケーブルが接続される2つの端面間距離が測定範囲の最も低い周波数の逆数の2倍以上でなければ適切に実行できないと推察される。一方、周波数特性測定装置10では、上記(1)~(10)の各Sパラメータを求めるのに、第2基板SUB2のケーブルが接続される2つの端面間距離が測定範囲の最も低い周波数の逆数の2倍以上である必要はない。したがって、第2基板SUB2の小型化及び低コスト化を図る観点から、第2基板SUB2のケーブルが接続される2つの端面間距離が測定範囲の最も低い周波数の逆数の2倍未満にすることが好ましい。 Similar to the frequency characteristic measuring apparatus 10, a measuring apparatus that does not require a short board instead of a DUT, an open board instead of a DUT, and a board on which a load is mounted instead of a DUT is called "Design criteria of automatic fixture removal (AFR) for asymmetric fixture dembeddining” (IEEE Conference Paper, p.654-p.659, August 2014). However, the first and second fixtures described in Fig. 2 of "Design criteria of automatic fixture removal (AFR) for asymmetric fixture dembeddining" (IEEE Conference Paper, p.654-p.659, August 2014) It is presumed that the virtual division with the channel cannot be properly executed unless the distance between the two end faces to which the cable of the second substrate SUB2 is connected is at least twice the reciprocal of the lowest frequency in the measurement range. On the other hand, in the frequency characteristic measuring apparatus 10, the distance between the two end faces to which the cable of the second substrate SUB2 is connected is the reciprocal of the lowest frequency in the measurement range in order to obtain each of the above S parameters (1) to (10). need not be more than twice the Therefore, from the viewpoint of miniaturization and cost reduction of the second substrate SUB2, it is preferable that the distance between the two end faces to which the cable of the second substrate SUB2 is connected is less than twice the reciprocal of the lowest frequency in the measurement range. preferable.

上述した実施形態では、抽出部5は、第1フィクスチャP2の透過特性と第2フィクスチャP3の透過特性とが対称であるとみなしたが、抽出部5は、第1フィクスチャP2の透過特性と第2フィクスチャP3の透過特性とが対称であるとみなさなくてもよい。抽出部5は、第1フィクスチャP2の透過特性と第2フィクスチャP3の透過特性とが対称であるとみなさない場合、上記(9)が下記(9)’に変わり、上記(10)が下記(10)’に変わる。
(9)’S21B=(1-S11B×S21C)0.5
(10)’S12B=(1-S22A×S12C)0.5
In the above-described embodiment, the extraction unit 5 assumed that the transmission characteristics of the first fixture P2 and the transmission characteristics of the second fixture P3 were symmetrical. It may not be assumed that the characteristics and the transmission characteristics of the second fixture P3 are symmetrical. If the extraction unit 5 does not consider that the transmission characteristics of the first fixture P2 and the transmission characteristics of the second fixture P3 are symmetrical, the above (9) changes to the following (9)′, and the above (10) becomes It changes to (10)' below.
(9) 'S21B=(1-S11B 2 ×S21C) 0.5
(10) 'S12B=(1-S22A 2 ×S12C) 0.5

上述した実施形態では、第1基板SUB1が2つのコネクタ(第1コネクタCN1、第2コネクタCN2)を備える構造であるが、第1基板SUB1に設けられるコネクタの個数は3つ以上であってもよい。 In the above-described embodiment, the first substrate SUB1 has a structure including two connectors (the first connector CN1 and the second connector CN2). good.

つまり、第1基板SUB1は、第1端面及び第2端面それぞれに少なくとも一つのコネクタを備える構造であればよい。そして、第2基板SUB2は、第1基板SUB1からDUTが実装された部分を除去し、第1基板SUB1に設けられた全てのコネクタの中から任意の2個を選んでスルー接続する構造であればよい。なお、第2基板SUB2の個数は、第1基板SUB1に設けられた全てのコネクタの中から2個を選ぶ組み合わせの総数である。 That is, the first substrate SUB1 may have a structure in which at least one connector is provided on each of the first end surface and the second end surface. The second substrate SUB2 may have a structure in which the portion where the DUT is mounted is removed from the first substrate SUB1, and any two connectors are selected from among all the connectors provided on the first substrate SUB1 and through-connected. Just do it. The number of second substrates SUB2 is the total number of combinations in which two connectors are selected from all the connectors provided on the first substrate SUB1.

以下、第1基板SUB1が4つのコネクタ(第1~第4コネクタ)を備える構造である場合を例に挙げて測定手順の概要を説明する。 An outline of the measurement procedure will be described below, taking as an example the case where the first substrate SUB1 has a structure including four connectors (first to fourth connectors).

第1基板SUB1が4つのコネクタ(第1~第4コネクタ)を備える構造である場合、第2基板SUB2の個数は6個(=)になる。 If the first substrate SUB1 has a structure with four connectors (first to fourth connectors), the number of second substrates SUB2 is six (= 4 C 2 ).

1番目の第2基板SUB2は、第1基板SUB1からDUTが実装された部分を除去し、第1基板SUB1に設けられた第1コネクタと第2コネクタをスルー接続する構造である。 The first second substrate SUB2 has a structure in which the portion where the DUT is mounted is removed from the first substrate SUB1, and the first connector and the second connector provided on the first substrate SUB1 are through-connected.

2番目の第2基板SUB2は、第1基板SUB1からDUTが実装された部分を除去し、第1基板SUB1に設けられた第1コネクタと第3コネクタをスルー接続する構造である。 The second substrate SUB2 has a structure in which the portion where the DUT is mounted is removed from the first substrate SUB1, and the first connector and the third connector provided on the first substrate SUB1 are through-connected.

3番目の第2基板SUB2は、第1基板SUB1からDUTが実装された部分を除去し、第1基板SUB1に設けられた第1コネクタと第4コネクタをスルー接続する構造である。 The third second substrate SUB2 has a structure in which the portion where the DUT is mounted is removed from the first substrate SUB1, and through connection is made between the first connector and the fourth connector provided on the first substrate SUB1.

4番目の第2基板SUB2は、第1基板SUB1からDUTが実装された部分を除去し、第1基板SUB1に設けられた第2コネクタと第3コネクタをスルー接続する構造である。 The fourth second substrate SUB2 has a structure in which the portion where the DUT is mounted is removed from the first substrate SUB1, and the second connector and the third connector provided on the first substrate SUB1 are through-connected.

5番目の第2基板SUB2は、第1基板SUB1からDUTが実装された部分を除去し、第1基板SUB1に設けられた第2コネクタと第4コネクタをスルー接続する構造である。 The fifth second substrate SUB2 has a structure in which the portion where the DUT is mounted is removed from the first substrate SUB1, and the second connector and the fourth connector provided on the first substrate SUB1 are through-connected.

6番目の第2基板SUB2は、第1基板SUB1からDUTが実装された部分を除去し、第1基板SUB1に設けられた第3コネクタと第4コネクタをスルー接続する構造である。 The sixth second substrate SUB2 has a structure in which the portion where the DUT is mounted is removed from the first substrate SUB1, and the third connector and the fourth connector provided on the first substrate SUB1 are through-connected.

上述した実施形態と同様に、1~6番目の第2基板SUB2それぞれに対して仮想的な分割が行われ、第1フィクスチャのSパラメータ及び第2フィクスチャのSパラメータが求められ、第1フィクスチャのSパラメータ及び第2フィクスチャのSパラメータを用いて、DUTのみのSパラメータが求められる。 As in the above-described embodiment, virtual division is performed for each of the first to sixth second substrates SUB2, and the S-parameters of the first fixture and the S-parameters of the second fixture are obtained. Using the fixture S-parameters and the second fixture S-parameters, the DUT-only S-parameters are determined.

ここで、1番目の第2基板SUB2と2番目の第2基板SUB2とに注目する。1番目の第2基板SUB2での第1フィクスチャのSパラメータはS11A、S12A、S21A、S22Aとなる。また、1番目の第2基板SUB2での第2フィクスチャのSパラメータはS11B、S12B、S21B、S22Bとなる。2番目の第2基板SUB2での第1フィクスチャのSパラメータはS11A、S31A、S13A、S33Aとなる。また、2番目の第2基板SUB2での第2フィクスチャのSパラメータはS11B、S31B、S13B、S33Bとなる。したがって、1番目の第2基板SUB2からS11Bが求まり、2番目の第2基板SUB2からもS11Bが求まる。 Here, attention is focused on the first second substrate SUB2 and the second second substrate SUB2. The S parameters of the first fixture on the first second substrate SUB2 are S11A, S12A, S21A, and S22A. The S parameters of the second fixture on the first second substrate SUB2 are S11B, S12B, S21B, and S22B. The S parameters of the first fixture on the second second substrate SUB2 are S11A, S31A, S13A, and S33A. Also, the S parameters of the second fixture on the second substrate SUB2 are S11B, S31B, S13B, and S33B. Therefore, S11B is obtained from the first second substrate SUB2, and S11B is obtained from the second second substrate SUB2.

このようにSパラメータの対角成分は重複して求まる。そのため、重複して求まった各対角成分に関しては、例えば1番反射の大きいものを採用するという基準、また例えば平均処理するという基準などを設けて、その基準に基づき各対角成分の値が決定される。 In this way, the diagonal components of the S parameters are obtained redundantly. Therefore, for each diagonal component obtained in duplicate, a criterion such as adopting the one with the largest reflection or averaging processing, for example, is set, and the value of each diagonal component is calculated based on the criterion. It is determined.

なお、各対角成分の値が決定された後、再度各非対角成分の値が計算されるようにしてもよい。そして、再計算前の各非対角成分の値と再計算後の各非対角成分の値とを比較して、例えば1番反射の大きいものを採用するという基準、また例えば平均処理するという基準などを設けて、その基準に基づき各非対角成分の値が最終決定される。 After the value of each diagonal component is determined, the value of each off-diagonal component may be calculated again. Then, the value of each off-diagonal component before recalculation is compared with the value of each off-diagonal component after recalculation, and for example, the one with the largest reflection is adopted as a criterion, or for example, average processing is performed. A criterion or the like is provided, and the value of each off-diagonal component is finally determined based on the criterion.

また、周波数特性測定装置のポート数が第1基板SUB1のコネクタ数よりも多い場合には、未使用となる周波数特性測定装置のポートを50Ω終端すればよい。 If the number of ports of the frequency characteristic measuring device is greater than the number of connectors of the first substrate SUB1, unused ports of the frequency characteristic measuring device may be terminated with 50Ω.

1 第1ポート
2 第2ポート
3 校正部
4 測定部
5 抽出部
10 一実施形態に係る周波数特定測定装置
CN1 第1コネクタ
CN2 第2コネクタ
CX1 第1同軸ケーブル
CX2 第2同軸ケーブル
E11 第1同軸ケーブルの一端
E12 第1同軸ケーブルの他端
E21 第2同軸ケーブルの一端
E22 第2同軸ケーブルの他端
P1 DUTが実装された部分
P2 第1フィクスチャ
P3 第2フィクスチャ
SUB1 第1基板
SUB2 第2基板
Reference Signs List 1 first port 2 second port 3 calibration unit 4 measurement unit 5 extraction unit 10 frequency specific measurement device according to one embodiment CN1 first connector CN2 second connector CX1 first coaxial cable CX2 second coaxial cable E11 first coaxial cable One end E12 The other end of the first coaxial cable E21 One end of the second coaxial cable E22 The other end of the second coaxial cable P1 Portion where DUT is mounted P2 First fixture P3 Second fixture SUB1 First substrate SUB2 Second substrate

Claims (6)

ケーブル端面でSOLT校正を行うように構成される校正部と、
前記校正部による前記SOLT校正の後、DUTが実装された第1基板のSパラメータを測定するように構成される第1測定部と、
前記校正部による前記SOLT校正の後、第2基板のSパラメータを測定するように構成される第2測定部と、
前記第1測定部の測定結果及び前記第2測定部の測定結果をベクトル演算することによって、前記DUTのSパラメータを抽出するように構成される抽出部と、
を備え、
前記抽出部は、前記第2基板を仮想的に中央で2分割して得られる第1フィクスチャ及び第2フィクスチャそれぞれの前記第2基板端面での反射を、仮想的に中央で2分割しない場合の前記第2基板の端面での反射以下とみなし、
前記第1基板は、第1端面及び第2端面それぞれに少なくとも一つのコネクタを備える構造であり、
前記第2基板は、前記第1基板から前記DUTが実装された部分を除去し、前記第1基板に設けられた全ての前記コネクタの中から任意の2個を選んでスルー接続する構造であり、
前記第2基板の個数は、前記第1基板に設けられた全ての前記コネクタの中から2個を選ぶ組み合わせの総数である、周波数特性測定装置。
a calibration unit configured to perform a SOLT calibration at the cable end face;
a first measurement unit configured to measure S-parameters of a first substrate on which a DUT is mounted after the SOLT calibration by the calibration unit;
a second measurement unit configured to measure S-parameters of a second substrate after the SOLT calibration by the calibration unit;
an extraction unit configured to extract S-parameters of the DUT by performing vector operations on the measurement results of the first measurement unit and the measurement results of the second measurement unit;
with
The extracting unit does not virtually divide the second substrate into two at the center, the reflection of each of the first fixture and the second fixture obtained by virtually dividing the second substrate into two at the center. Considered as less than the reflection at the end surface of the second substrate in the case of
The first substrate has a structure in which at least one connector is provided on each of the first end face and the second end face,
The second substrate has a structure in which the portion where the DUT is mounted is removed from the first substrate, and two arbitrary connectors are selected from all the connectors provided on the first substrate and through-connected. ,
The frequency characteristic measuring device, wherein the number of second substrates is the total number of combinations in which two connectors are selected from all the connectors provided on the first substrate.
前記抽出部は、
前記第1フィクスチャの前記第2基板端面での反射を示すSパラメータの振幅を、測定範囲の全周波数域に渡って単一の第1固定値とし、
前記第1フィクスチャの前記第2基板端面での反射を示すSパラメータの位相を、測定範囲の全周波数域に渡ってゼロとし、
前記第2フィクスチャの前記第2基板端面での反射を示すSパラメータの振幅を、測定範囲の全周波数域に渡って前記第1固定値とし、
前記第2フィクスチャの前記第2基板端面での反射を示すSパラメータの位相を、測定範囲の全周波数域に渡ってゼロとする、請求項1に記載の周波数特性測定装置。
The extractor is
The amplitude of the S parameter indicating the reflection at the end surface of the second substrate of the first fixture is set to a single first fixed value over the entire frequency range of the measurement range,
setting the phase of the S parameter indicating the reflection at the end surface of the second substrate of the first fixture to zero over the entire frequency range of the measurement range;
The amplitude of the S parameter indicating the reflection at the end surface of the second substrate of the second fixture is set to the first fixed value over the entire frequency range of the measurement range,
2. The frequency characteristic measuring apparatus according to claim 1, wherein the phase of the S parameter indicating the reflection of said second fixture at said second substrate end surface is set to zero over the entire frequency range of the measurement range.
前記抽出部は、
前記第1フィクスチャの透過特性と前記第2フィクスチャの透過特性とが対称であるとみなす、請求項1又は請求項2に記載の周波数特性測定装置。
The extractor is
3. The frequency characteristic measuring apparatus according to claim 1, wherein the transmission characteristics of said first fixture and the transmission characteristics of said second fixture are assumed to be symmetrical.
前記抽出部は、
前記第1フィクスチャの透過特性と前記第2フィクスチャの透過特性とが対称であるとみなさない、請求項1又は請求項2に記載の周波数特性測定装置。
The extractor is
3. The frequency characteristic measuring apparatus according to claim 1, wherein the transmission characteristics of said first fixture and the transmission characteristics of said second fixture are not considered symmetrical.
前記第2基板のケーブルが接続される2つの端面間距離は、測定範囲の最も低い周波数の逆数の2倍未満である、請求項1~4のいずれか一項に記載の周波数特性測定装置。 The frequency characteristic measuring device according to any one of claims 1 to 4, wherein the distance between two end faces to which the cable of the second substrate is connected is less than twice the reciprocal of the lowest frequency in the measurement range. ケーブル端面でSOLT校正を行うように構成される校正部と、
前記校正部による前記SOLT校正の後、DUTが実装された第1基板のSパラメータを測定するように構成される第1測定部と、
前記校正部による前記SOLT校正の後、第2基板のSパラメータを測定するように構成される第2測定部と、
を備える周波数特性測定装置の測定結果を処理するためのコンピュータプログラムであって、
コンピュータを、
前記第1測定部の測定結果を取得する第1取得部、
前記第2測定部の測定結果を取得する第2取得部、並びに
前記第1測定部の測定結果及び前記第2測定部の測定結果をベクトル演算することによって、前記DUTのSパラメータを抽出するように構成される抽出部として機能させ、
前記抽出部は、前記第2基板を仮想的に中央で2分割して得られる第1フィクスチャ及び第2フィクスチャそれぞれの前記第2基板端面での反射を、仮想的に中央で2分割しない場合の前記第2基板の端面での反射以下とみなし、
前記第1基板は、第1端面及び第2端面それぞれに少なくとも一つのコネクタを備える構造であり、
前記第2基板は、前記第1基板から前記DUTが実装された部分を除去し、前記第1基板に設けられた全ての前記コネクタの中から任意の2個を選んでスルー接続する構造であり、
前記第2基板の個数は、前記第1基板に設けられた全ての前記コネクタの中から2個を選ぶ組み合わせの総数である、コンピュータプログラム。
a calibration unit configured to perform a SOLT calibration at the cable end face;
a first measurement unit configured to measure S-parameters of a first substrate on which a DUT is mounted after the SOLT calibration by the calibration unit;
a second measurement unit configured to measure S-parameters of a second substrate after the SOLT calibration by the calibration unit;
A computer program for processing measurement results of a frequency characteristic measuring device comprising
the computer,
a first acquisition unit that acquires the measurement result of the first measurement unit;
a second acquisition unit that acquires the measurement result of the second measurement unit; and a vector operation of the measurement result of the first measurement unit and the measurement result of the second measurement unit to extract the S-parameter of the DUT. function as an extractor composed of
The extracting unit does not virtually divide the second substrate into two at the center, the reflection of each of the first fixture and the second fixture obtained by virtually dividing the second substrate into two at the center. Considered as less than the reflection at the end surface of the second substrate in the case of
The first substrate has a structure in which at least one connector is provided on each of the first end face and the second end face,
The second substrate has a structure in which the portion where the DUT is mounted is removed from the first substrate, and two arbitrary connectors are selected from all the connectors provided on the first substrate and through-connected. ,
A computer program according to claim 1, wherein the number of second substrates is the total number of combinations in which two of all the connectors provided on the first substrate are selected.
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