JP2022160196A - Synthetic light generation device - Google Patents
Synthetic light generation device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022160196A JP2022160196A JP2021064810A JP2021064810A JP2022160196A JP 2022160196 A JP2022160196 A JP 2022160196A JP 2021064810 A JP2021064810 A JP 2021064810A JP 2021064810 A JP2021064810 A JP 2021064810A JP 2022160196 A JP2022160196 A JP 2022160196A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- optical multiplexer
- laser diode
- base substrate
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 104
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 84
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 37
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N copper tungsten Chemical compound [Cu].[W] SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
本発明は、ベース基板上に光源である複数のレーザダイオードを搭載すると共に光合波器基板を配設する合成光生成装置に関する。より詳しくは、前記複数のレーザダイオードを搭載するための台座および前記光合波器基板を嵌合して配設するための凹構造を有するベース基板上に、前記複数のレーザダイオードを搭載すると共に前記光合波器基板を嵌合して配設する合成光生成装置に関する。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to a combined light generating device in which a plurality of laser diodes as light sources are mounted on a base substrate and an optical multiplexer substrate is arranged. More specifically, the plurality of laser diodes are mounted on a base substrate having a pedestal for mounting the plurality of laser diodes and a concave structure for fitting and arranging the optical multiplexer substrate. The present invention relates to a combined light generating device in which an optical multiplexer substrate is fitted and arranged.
近年、眼鏡型端末や携帯型プロジェクタ等の画像投影装置の光源として用いられる合成光生成装置において、複数のレーザダイオードを光源として用いた光合波器が知られている(特許文献1を参照)。前記光合波器は、シリコン基板上に公知の化学気相成長法(CVD)やスパッタリング法等を用いて低屈折率及び高屈折率のシリコン酸化膜を積層形成した後、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィー法によりパターニングを行い、さらに低屈折率シリコン酸化膜を積層形成するという工程を経て製造される。 2. Description of the Related Art In recent years, an optical multiplexer using a plurality of laser diodes as a light source is known in a combined light generation device used as a light source for an image projection device such as a glasses-type terminal or a portable projector (see Patent Document 1). The optical multiplexer is formed by stacking silicon oxide films with a low refractive index and a high refractive index on a silicon substrate using a known chemical vapor deposition method (CVD), sputtering method, or the like, and then photolithography using a photomask. It is manufactured through the steps of patterning by lithography and laminating a low refractive index silicon oxide film.
また、シリコン基板上の一部に形成された光導波路部と、この光導波路部の端面で光学的に結合されるレーザダイオードを前記基板上に搭載したデバイスも知られている(特許文献2を参照)。ここで、前記デバイスは、前記光導波路部の形成工程と前記レーザダイオードの搭載部の形成工程を含むため、多数の製造工程を有している。 Also known is a device in which an optical waveguide portion formed on a part of a silicon substrate and a laser diode optically coupled to the end surface of the optical waveguide portion are mounted on the substrate (see Patent Document 2). reference). Here, since the device includes a step of forming the optical waveguide portion and a step of forming the mounting portion of the laser diode, it has a large number of manufacturing steps.
前記デバイスにおける光導波路部に前記光合波器を採用すると共に、前記デバイスの基板上に3色のレーザダイオードを搭載した合成光生成装置を製造する場合、前記合成光生成装置は、より大型化すると共に製造工程がさらに増加することから、製造コストが増大するという問題がある。 When the optical multiplexer is adopted in the optical waveguide portion of the device and a combined light generating device is manufactured by mounting laser diodes of three colors on the substrate of the device, the combined light generating device becomes larger. Along with this, the number of manufacturing processes is further increased, resulting in an increase in manufacturing cost.
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、小型化を実現すると共に、生産の効率が高く、製造コストを低減する合成光生成装置を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a synthetic light generating apparatus that achieves miniaturization, high production efficiency, and reduced manufacturing costs.
ベース基板と、前記ベース基板上に配設され、複数個の入力ポートおよび少なくとも1個の出力ポートを有する光合波器基板と、前記ベース基板上に配設された複数個の光源とを含み、前記複数個の光源のそれぞれはレーザダイオードから構成され、かつ前記光合波器基板の複数個の入力ポートのそれぞれに対向して配設されており、前記レーザダイオードには電極が付設されている合成光生成装置であって、
前記ベース基板が、前記光合波器基板を嵌合して配設するための凹構造および、前記レーザダイオードを搭載するための台座を有しており、前記光合波器基板が前記凹構造に嵌合して配設され、かつ、前記台座の上面に前記レーザダイオードが当接せしめて搭載されており、
前記凹構造および前記台座は、前記複数個のレーザダイオードのそれぞれの発光中心を、それぞれのレーザダイオードに対向して搭載された前記光合波器基板の入力ポートの中心に合致する高さにそれぞれ設定されていることを特徴とする合成光生成装置を提供する。
a base substrate; an optical multiplexer substrate disposed on the base substrate and having a plurality of input ports and at least one output port; and a plurality of light sources disposed on the base substrate; Each of the plurality of light sources is composed of a laser diode and arranged to face each of the plurality of input ports of the optical multiplexer substrate, and the laser diode is provided with an electrode. A light generating device,
The base substrate has a recessed structure for fitting and disposing the optical multiplexer substrate and a pedestal for mounting the laser diode, and the optical multiplexer substrate is fitted into the recessed structure. and the laser diode is mounted in contact with the upper surface of the pedestal,
The concave structure and the pedestal set the light emission center of each of the plurality of laser diodes to a height corresponding to the center of the input port of the optical multiplexer substrate mounted facing each laser diode. Provided is a synthetic light generation device characterized by:
前記複数個の光源が、少なくとも青色、緑色および赤色の光源を含み、かつ画像投影装置の光源として用いられることが好ましい。 Preferably, the plurality of light sources include at least blue, green and red light sources and are used as light sources of an image projection device.
前記レーザダイオードが、それぞれサブマウントを有していることが好ましい。 Preferably, the laser diodes each have a submount.
前記台座のそれぞれは、少なくとも2分割された複数の台座片から構成され、前記複数の台座片の間に、前記レーザダイオードの光の出射方向と平行方向の溝を有していることが好ましい。 It is preferable that each of the pedestals is composed of a plurality of pedestal pieces that are divided into at least two pieces, and that a groove parallel to the light emitting direction of the laser diode is provided between the plurality of pedestal pieces.
本発明によれば、合成光生成装置におけるベース基板と光合波器基板とを別個に製造することにより、多数の製造工程をそれぞれ2つの基板の製造工程に分割することができ、一方の基板の製造途中で不良品が出たとしても他方の基板の生産の効率には影響せず、総合的な生産の効率が高くなるため、製造コストを低減することが可能となる。また、それぞれのレーザダイオードの発光中心を、光合波器基板のそれぞれの入力ポートの中心に合致するための調整作業を必要としないことから、小型化を実現すると共に、生産の効率が高く、製造コストを低減する合成光生成装置に関する。
ここで、前記レーザダイオードの発光中心は、レーザダイオードの片方の端面に有するレーザ光出射領域(NFP/ニアフィールドパターン)の中心を意味する。
According to the present invention, by separately manufacturing the base substrate and the optical multiplexer substrate in the combined light generating device, a large number of manufacturing processes can be divided into two manufacturing processes for each of the two substrates. Even if a defective product appears during manufacturing, it does not affect the efficiency of production of the other substrate, and the overall efficiency of production is improved, so that the production cost can be reduced. In addition, since there is no need for adjustment work to match the light emission center of each laser diode with the center of each input port of the optical multiplexer substrate, miniaturization is achieved and production efficiency is high. The present invention relates to a synthetic light generating device that reduces costs.
Here, the emission center of the laser diode means the center of the laser light emission region (NFP/near-field pattern) on one end face of the laser diode.
以下、本発明を実施するための実施例について、図面を参照しながら説明する。なお、本発明はこれらの実施例に限られるものではない。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, the present invention is not limited to these examples.
図1(a)は、実施例1の合成光生成装置におけるベース基板100の斜視図であり、シリコン基板1を用いて、レーザダイオードを実装するための溝をダイシング加工やエッチング加工等公知の方法で加工することにより台座部分を4個に分割すると共に、多結晶シリコン層3および酸化シリコン層4を公知の化学気相成長法等により積層し、適宜の段階で、公知のエッチング加工を行うことにより、3個のレーザダイオードを搭載するための台座2、光合波器基板実装面5および光合波器基板を配設するための凹部6を有するベース基板100を得ることができる。
FIG. 1(a) is a perspective view of a
図1(b)は、前記ベース基板100の上面図であり、光合波器基板実装面5および凹部6に光合波器基板200が嵌合して配設される。ここで、嵌合性を向上させるために前記凹部6の内面側壁が下部に行くほど狭くなるような段差を設けることが好ましい。また、4個の台座2の間に加工された3個の溝をそれぞれ横断するように3種類のレーザダイオードが当接せしめて搭載される。ここで、嵌合とは、前記ベース基板100および光合波器基板200が、すき間なくぴったりはまり合う場合だけでなく、ある程度の余裕をもってゆるくはまり合う場合も含む。後者の場合は、アライメントマークを用いる等の公知の接合・実装技術を用いることが可能である。
FIG. 1(b) is a top view of the
図1(c)は、図1(a)の左手前方向から見た側面図であり、光合波器基板実装面5の表面は酸化シリコン層4で形成されており、光合波器基板200を実装するための基準面となる。
ここで、前記酸化シリコン層4は、酸化シリコンに代えて、窒化シリコン、酸化チタンなど他の材質を用いることもできる。前記他の材質に比較して酸化シリコンの熱伝導率は小さく、放熱性に劣ることから、酸化シリコンを用いる場合、膜厚が5μm以下の薄層であることが好ましく、膜厚が1μm以下の薄層であることがより好ましい。
FIG. 1(c) is a side view of FIG. 1(a) viewed from the left front direction. It becomes the reference plane for mounting.
Here, for the
図1(d)は、図1(a)の右手前方向から見た、前記ベース基板100のレーザダイオード搭載部分の側面図であり、4個の台座2の間に加工された3個の溝をそれぞれ横断するように、例えば左から青色、緑色および赤色のレーザダイオードが搭載される。ここで、前記レーザダイオードはサブマウントを有し、下凸に搭載される。また、多結晶シリコン層3がレーザダイオード搭載の基準面となっており、左側2個の台座2の基準面高さは等しく、最も右側の台座2の基準面高さはやや高くなっている。
FIG. 1(d) is a side view of the laser diode mounting portion of the
図2(a)は、実施例1の合成光生成装置における光合波器基板200の斜視図であり、シリコン基板7の上に公知の化学気相成長法およびエッチング加工等により、アンダークラッド層8、光導波路9、オーバークラッド層10および光合波部11を有する光合波器基板200を得ることができる。
FIG. 2(a) is a perspective view of an
図2(b)は、前記光合波器基板200の上面図であり、例えば、青色、緑色および赤色の3種類の光が入力ポートから入力され、それぞれの光導波路9を経由し、光合波部11で合波された後、光導波路9を経由し、1つの出力ポートから出力される。ここで、オーバークラッド層10の形状は、前記ベース基板100の凹部6に嵌合して配設することができるように形成されている。前記凹部6の内面側壁が下部に行くほど狭くなるような段差を有している場合、オーバークラッド層10の外面側壁は、前記段差に対応するよう上部にいくほど狭くなる段差を有する。
FIG. 2(b) is a top view of the
図2(c)は、図2(a)の左手前方向から見た側面図であり、光導波路9はアンダークラッド層8の上に形成され、周囲をオーバークラッド層10で被覆されており、アンダークラッド層8の上面は前記ベース基板100と嵌合するための基準面となる。
FIG. 2(c) is a side view of FIG. 2(a) seen from the left front direction, the
図2(d)は、前記光合波器基板200の出力ポート側の側面図であり、光導波路9の光学中心13の高さは、アンダークラッド層8の上面から上方の距離12の位置にある。
FIG. 2(d) is a side view of the output port side of the
図3は、実施例1の合成光生成装置におけるベース基板100のレーザダイオード側の側面図、およびベース基板100の凹部6と光合波器基板200における1つの入力ポートの側面の拡大図であり、例えば左から青色、緑色および赤色のレーザダイオードはそれぞれサブマウント17を有しており、それぞれのレーザダイオード発光中心14~16が台座2の間の溝に下凸になるように、基準面である多結晶シリコン層3の上に当接せしめて搭載されている。ここで、前記溝とレーザダイオードの間に空間18があってもよく、前記凹部6と前記入力ポートのオーバークラッド層10の間に空間19があってもよい。
FIG. 3 is a side view of the laser diode side of the
前記サブマウント17は、シリコン、シリコンカーバイド(SiC)、銅タングステン(CuW)、酸化ベリリウム(BeO)、立方晶窒化ホウ素(cBN)、窒化アルミニウム及び酸化アルミニウム等からなり、熱伝導性が高く、放熱性に優れるという作用、機能を有している。本発明のように複数のレーザダイオードを近接して用いる場合において、レーザダイオードに起因する発熱に対し、効率的な放熱に有効であることから、前記レーザダイオードが、それぞれサブマウント17を有していることが好ましい。
The
また、前記発光中心14~16の高さはすべて同じ高さに統一され、入力ポートにおける光導波路9の光学中心13の高さに一致するように、それぞれの台座2の高さは調整して製造される。ここでは、青色の台座2に比べ、緑色の台座2をやや低く、赤色の台座2をやや高く製造されている。さらに、水平方向についても、3色の光の光軸はそれぞれ前記光合波器基板200の入力ポートにおける3本の光導波路9の光学中心に一致している。水平方向の位置決めを容易にするために段差等を設けてもよい。なお、電極や電極に接続する金属線は図示していないが、任意の位置に付設することができる。
Further, the heights of the
図4は、実施例2の合成光生成装置におけるベース基板100のレーザダイオード側の側面図、およびベース基板100の凹部6と光合波器基板200における1つの入力ポートの側面の拡大図である。ここで、それぞれのレーザダイオードはサブマウント17を有さず、レーザダイオード本体のみからなり、例えば青色光、緑色光および赤色光のレーザダイオード発光中心14~16がいずれも台座2に上凸になるように、基準面である多結晶シリコン層3の上に当接せしめて搭載されている。また、台座2は実施例1と異なり、溝を有さず一体となっていてもよいが、前記発光中心14~16の高さはすべて同じ高さに統一され、入力ポートにおける光導波路9の光学中心13の高さに一致するように、それぞれの台座2の高さは調整して製造される。ここでは、青色の台座2に比べ、緑色の台座2をやや高く、赤色の台座2をやや低く製造されている。さらに、水平方向についても、3色の光の光軸はそれぞれ前記光合波器基板200の入力ポートにおける3本の光導波路9の光学中心に一致している。水平方向の位置決めを容易にするために段差等を設けてもよい。なお、電極や電極については、図3同様に任意の位置に付設することができる。
FIG. 4 is a side view of the laser diode side of the
図5は、ベース基板100の凹部6に、上下を反転した光合波器基板200を嵌合して配設すると共に、台座2に3種類の光のレーザダイオードを搭載する実施例1の合成光生成装置の斜視図である。ここで、単にベース基板100、光合波器基板200および各レーザダイオードを組み合せるだけで、光合波器基板200の入力ポートとレーザダイオードの発光中心14~16を一致させることができることから、光軸等の調整作業は不要であるため、製造コストを低減することが可能となる。ここで、光源であるレーザダイオードの発光色は少なくとも青色、緑色および赤色を用いるが、さらに必要に応じて橙色、黄色、紫色等の他の可視光領域の単色光を用いてもよい。
画像表示装置用光源として用いる場合には、色再現範囲を大きくする観点から、レーザダイオードの青色の発光波長は430~495nmが好ましく、緑色の発光波長は495~570nmが好ましく、さらに、赤色の発光波長は620~750nmが好ましい。
レーザダイオードを搭載したサブマウントとベース基板100との接合方法として、放熱性向上の観点から、はんだ接続や金と錫との金属共晶接続などが好ましい。
また、出力ポート以降に必要に応じてコリメートレンズ、シリンダーレンズまたはMEMSミラーを用いてもよい。
FIG. 5 shows the synthesized light of Example 1, in which the
When used as a light source for an image display device, the blue emission wavelength of the laser diode is preferably 430 to 495 nm, the green emission wavelength is preferably 495 to 570 nm, and the red emission wavelength is preferable from the viewpoint of widening the color reproduction range. The wavelength is preferably 620-750 nm.
From the viewpoint of improving heat dissipation, solder connection, metal eutectic connection of gold and tin, and the like are preferable as the method of bonding the submount on which the laser diode is mounted and the
Also, a collimator lens, a cylinder lens, or a MEMS mirror may be used after the output port, if necessary.
ベース基板100と光合波器基板200が一体化した基板を製造する場合、化学気相成長法等によりシリコン酸化膜等の積層形成を行う際に真空チャンバーを用いることから、1ロット当たりの加工可能な個数に限界がある。また、高真空条件が必要であることから、真空チャンバーの容量を大型化することも困難であるため、製造コストの低減には限界がある。また、光合波部と台座を一体化して形成するために多数の製造工程を要しており、製造途中で不良品が出た場合、それまでの製造工程が無駄になることも高コストの要因である。
When manufacturing a substrate in which the
本発明の合成光生成装置は、ベース基板100と光合波器基板200を別個に製造することにより、上記多数の製造工程をそれぞれ2つの基板の製造工程に分割することから、一方の基板の製造途中で不良品が出たとしても他方の基板の生産の効率には影響せず、総合的な生産の効率が高くなるため、製造コストを低減することが可能となる。
In the synthetic light generating device of the present invention, the
ベース基板100は光合波部を有さないことから、光合波器基板実装面5および凹部6を形成する以外は、多結晶シリコン層3および酸化シリコン層4を積層した台座2を形成するだけであるため、製造途中で不良品がでたとしても光合波器基板200の生産の効率には影響せず、また、光合波器基板200は、前記凹部6に嵌合して配設できるように、低屈折率及び高屈折率のシリコン酸化膜を積層形成した後、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィー法によりパターニングを行い、さらに低屈折率シリコン酸化膜を積層することにより、光合波部11を形成するだけであるため、製造途中で不良品がでたとしてもベース基板100の生産の効率には影響しない。
Since the
さらに、光合波器基板200は、ベース基板100よりも小型の基板であることから、ベース基板100と光合波器基板200が一体化した基板を製造する場合に比較して、上記真空チャンバーを用いて基板の加工を行う場合、1ロット当たりの加工可能な個数をより多くすることができるため、製造コストを低減することが可能となる。
Furthermore, since the
本発明の合成光生成装置は、眼鏡型端末や携帯型プロジェクタ等の画像投影装置の光源として用いることができ、小型化を実現すると共に、生産の効率が高く、製造コストを低減することができる。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The synthetic light generation device of the present invention can be used as a light source for an image projection device such as a spectacles-type terminal or a portable projector, and can achieve miniaturization, high production efficiency, and a reduction in manufacturing cost. .
100 ベース基板
200 光合波器基板
1 ベース基板におけるシリコン基板
2 台座
3 多結晶シリコン層
4 酸化シリコン層
5 光合波器基板実装面
6 凹部
7 光合波器基板におけるシリコン基板
8 アンダークラッド層
9 光導波路
10 オーバークラッド層
11 光合波部
12 アンダークラッド層8の上面から光導波路9の光学中心13までの距離
13 光導波路9の光学中心
14 青色光レーザダイオードの発光中心
15 緑色光レーザダイオードの発光中心
16 赤色光レーザダイオードの発光中心
17 サブマウント
18 溝とレーザダイオードの間の空間
19 凹部6とオーバークラッド層10の間の空間
100
Claims (4)
前記ベース基板が、前記光合波器基板を嵌合して配設するための凹構造および、前記レーザダイオードを搭載するための台座を有しており、前記光合波器基板が前記凹構造に嵌合して配設され、かつ、前記台座の上面に前記レーザダイオードが当接せしめて搭載されており、
前記凹構造および前記台座は、前記複数個のレーザダイオードのそれぞれの発光中心を、それぞれのレーザダイオードに対向して搭載された前記光合波器基板の入力ポートの中心に合致する高さにそれぞれ設定されていることを特徴とする合成光生成装置。 a base substrate; an optical multiplexer substrate disposed on the base substrate and having a plurality of input ports and at least one output port; and a plurality of light sources disposed on the base substrate; Each of the plurality of light sources is composed of a laser diode and arranged to face each of the plurality of input ports of the optical multiplexer substrate, and the laser diode is provided with an electrode. A light generating device,
The base substrate has a recessed structure for fitting and disposing the optical multiplexer substrate and a pedestal for mounting the laser diode, and the optical multiplexer substrate is fitted into the recessed structure. and the laser diode is mounted in contact with the upper surface of the pedestal,
The concave structure and the pedestal set the light emission center of each of the plurality of laser diodes to a height corresponding to the center of the input port of the optical multiplexer substrate mounted facing each laser diode. A synthetic light generation device characterized by:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021064810A JP2022160196A (en) | 2021-04-06 | 2021-04-06 | Synthetic light generation device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021064810A JP2022160196A (en) | 2021-04-06 | 2021-04-06 | Synthetic light generation device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022160196A true JP2022160196A (en) | 2022-10-19 |
Family
ID=83657693
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021064810A Pending JP2022160196A (en) | 2021-04-06 | 2021-04-06 | Synthetic light generation device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2022160196A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024080380A1 (en) * | 2022-10-14 | 2024-04-18 | セーレンKst株式会社 | Combined beam generation device |
-
2021
- 2021-04-06 JP JP2021064810A patent/JP2022160196A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024080380A1 (en) * | 2022-10-14 | 2024-04-18 | セーレンKst株式会社 | Combined beam generation device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20150316234A1 (en) | Light source, light source unit, and light source module using same | |
US20080084905A1 (en) | High power diode laser having multiple emitters and method for its production | |
US20160349470A1 (en) | Hybrid integrated optical sub-assembly | |
JPWO2018003156A1 (en) | Optical module | |
JP2018010944A (en) | Optical module | |
WO2023195129A1 (en) | Synthesized light generation device | |
JP2022160196A (en) | Synthetic light generation device | |
JP2007080988A (en) | Method of manufacturing semiconductor laser device and laser reflecting film | |
JP2019211536A (en) | Light source for illumination device | |
JP2018181927A (en) | Optical module | |
WO2023042461A1 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
US11616339B2 (en) | Light source device | |
JP7201929B2 (en) | Light source device | |
JP2023135554A (en) | Light-emitting device | |
WO2024080380A1 (en) | Combined beam generation device | |
JP7428129B2 (en) | Light emitting device and projection display device | |
JP2012098756A (en) | Optical path converting body and packaging structure thereof, and optical module with the same | |
JP2540298Y2 (en) | Multi-beam semiconductor laser device | |
TW200947893A (en) | Dual-wavelength laser element for fiber communication | |
CN112955692A (en) | Compact hyperspectral radiation source comprising a parabolic mirror and a plano-convex phosphor | |
TWI822603B (en) | Optical transmitting assembly and optical module | |
WO2022172374A1 (en) | Composite light gernation device and manufacturing method therefor | |
JP7371642B2 (en) | semiconductor light emitting device | |
US20240055835A1 (en) | Red green blue laser module | |
CN217425916U (en) | Laser device and laser projection equipment |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20240222 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20240222 |