JP2022139941A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Masami Akumoto
淳一 北野
Junichi Kitano
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貴久 大塚
Takahisa Otsuka
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Koji Tanaka
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Abstract

To provide a substrate processing system equipped with a plurality of liquid processing units, which can improve throughput per footprint area.SOLUTION: A substrate processing system is equipped with: a plurality of batch-type liquid processing units which respectively have substrate holding parts which hold a plurality of substrates so that the substrates are in parallel with each other, which apply liquid processing to the plurality of substrates simultaneously; a container placement part on which a substrate conveying container is placed; at least one substrate delivering part having a substrate holding structure which holds the plurality of substrates so that the substrates are in parallel to each other; a first substrate conveying device that conveys the substrates between the substrate conveying container placed on the container placement part and the substrate delivering part; and a second substrate conveying device that simultaneously conveys the plurality of substrates between the substrate delivering part and the liquid processing units. The substrate processing system has at least two layers whose height positions are different from each other, where two or more of the plurality of liquid processing units are arranged in each of the layers and at least one of the plurality of liquid processing units is arranged above or below the substrate delivering part.SELECTED DRAWING: Figure 11

Description

本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。 The present disclosure relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

半導体装置の製造のための装置として、複数枚の基板に対して同時に液処理を施すバッチ式の液処理装置が知られている。特許文献1に記載されたバッチ式の液処理装置は、ウエハWを収納する保持手段であるローターと、ローターを収納するスライド可能な処理チャンバと、処理チャンバに配設されローターに保持されたウエハに所定の処理液を供給する処理液供給ノズルとを有している。イン・アウトポートの載置台上に載置されたウエハを収容したキャリアが、第1キャリア搬送機構によりキャリア中継部に搬送され、そこから第2キャリア搬送機構によりウエハ受渡部に搬入し、そこからウエハ受渡機構がウエハをキャリアから持ち上げてローターに渡す。その後、処理チャンバが水平方向にスライドしてローターを収納する。この状態で、ウエハに液処理が施される。 2. Description of the Related Art As an apparatus for manufacturing semiconductor devices, there is known a batch-type liquid processing apparatus that performs liquid processing on a plurality of substrates at the same time. The batch-type liquid processing apparatus described in Japanese Patent Laid-Open No. 2002-200300 includes a rotor as a holding means for housing a wafer W, a slidable processing chamber housing the rotor, and wafers disposed in the processing chamber and held by the rotor. and a processing liquid supply nozzle for supplying a predetermined processing liquid to. A carrier containing a wafer mounted on the mounting table of the in/out port is conveyed to the carrier relay section by the first carrier conveying mechanism, and then transferred to the wafer delivery section by the second carrier conveying mechanism. A wafer transfer mechanism lifts the wafer from the carrier and transfers it to the rotor. The processing chamber then slides horizontally to accommodate the rotor. In this state, the wafer is subjected to liquid processing.

特開2002-151461号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-151461

本開示は、複数の液処理ユニットを備えた基板処理システムにおいて、フットプリント面積当たりのスループット(単位時間当たりの処理枚数)を向上させることができる技術を提供する。 The present disclosure provides a technology capable of improving the throughput per footprint area (the number of processed sheets per unit time) in a substrate processing system having a plurality of liquid processing units.

本開示の一実施形態によれば、複数のバッチ式の液処理ユニットであって、前記各液処理ユニットが、複数の基板を互いに平行に保持する基板保持部を有しており、前記基板保持部に保持された前記複数の基板に対して同時に液処理を施すように構成されている、前記複数の液処理ユニットと、複数の基板を収納する基板搬送容器が載置される容器載置部と、複数の基板を互いに平行に保持する基板保持構造を有する少なくとも1つの基板受け渡し部と、前記容器載置部に載置された基板搬送容器と前記基板受け渡し部との間で基板を搬送する第1基板搬送装置と、前記基板受渡し部と前記液処理ユニットとの間で複数の基板を同時に 搬送する第2基板搬送装置と、を備えた基板処理システムであって、前記基板処理システムは、高さ位置の異なる少なくとも2つの階層を有し、各階層に、前記複数の液処理ユニットの2つ以上が配置され、前記複数の液処理ユニットのうちの少なくとも1つが、前記基板受渡し部の上方または下方に配置されている基板処理システムが提供される。 According to an embodiment of the present disclosure, there are a plurality of batch-type liquid processing units, each liquid processing unit having a substrate holding part for holding a plurality of substrates in parallel, and a plurality of liquid processing units configured to simultaneously perform liquid processing on the plurality of substrates held in the unit; and transferring the substrates between at least one substrate transfer section having a substrate holding structure for holding a plurality of substrates parallel to each other, and the substrate transfer container placed on the container mounting section and the substrate transfer section. A substrate processing system comprising a first substrate transport device and a second substrate transport device for simultaneously transporting a plurality of substrates between the substrate transfer section and the liquid processing unit, the substrate processing system comprising: At least two levels with different height positions are provided, two or more of the plurality of liquid processing units are arranged on each level, and at least one of the plurality of liquid processing units is located above the substrate transfer section. Or an underlying substrate processing system is provided.

本開示の上記実施形態によれば、複数の液処理ユニットを備えた基板処理システムにおいて、フットプリント面積当たりのスループット(単位時間当たりの処理枚数)を向上させることができる。 According to the above embodiment of the present disclosure, it is possible to improve the throughput per footprint area (the number of substrates processed per unit time) in a substrate processing system including a plurality of liquid processing units.

基板処理装置の一実施形態に係る液処理ユニットの概略縦断側面図である。1 is a schematic longitudinal side view of a liquid processing unit according to one embodiment of a substrate processing apparatus; FIG. 図1に示した液処理ユニットのローターおよび操作機構の構成を示す斜視図である。2 is a perspective view showing the configuration of a rotor and an operation mechanism of the liquid processing unit shown in FIG. 1; FIG. 図2に示したローターの側面図である。Figure 3 is a side view of the rotor shown in Figure 2; 図1に示した液処理ユニットの処理容器に設けられた処理流体ノズルを示す図である。2 is a diagram showing a processing fluid nozzle provided in a processing container of the liquid processing unit shown in FIG. 1; FIG. 液処理ユニットの別の実施形態を示す概略図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing another embodiment of a liquid processing unit; ローターの姿勢変換、ローターに対する基板の受け渡し、および処理容器の移動について説明する作用図である。FIG. 10 is an action diagram for explaining attitude change of the rotor, delivery of substrates to the rotor, and movement of the processing container; 液処理ユニットの別の実施形態を示す概略図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing another embodiment of a liquid processing unit; 液処理ユニットのさらに別の実施形態を示す概略図である。FIG. 11 is a schematic diagram showing yet another embodiment of a liquid processing unit; 処理流体供給機構の別の構成例を示す配管系統図である。It is a piping system diagram which shows another example of a structure of a process fluid supply mechanism. 複数の液処理ユニットを備えた基板処理システムの一実施形態の構成を示す図であって、処理ブロックの第1階層の平面的配置(図11におけるX-X断面に対応)を示した図である。FIG. 11 is a diagram showing the configuration of one embodiment of a substrate processing system having a plurality of liquid processing units, and showing the planar layout of the first layer of processing blocks (corresponding to the X-X cross section in FIG. 11). 図10に示した基板処理システムの、図10におけるXI-XI断面を示す図である。11 is a diagram showing a XI-XI cross section in FIG. 10 of the substrate processing system shown in FIG. 10; FIG. 図10に示した基板処理システムの、図11におけるXII-XII断面を示す図である。FIG. 11 is a view showing the XII-XII cross section in FIG. 11 of the substrate processing system shown in FIG. 10; 図10に示した基板処理システムの、図10におけるXIII-XIII断面を示す図である。11 is a diagram showing a cross section of the substrate processing system shown in FIG. 10, taken along line XIII-XIII in FIG. 10; FIG. 図10に示した基板処理システムの、図11におけるXIV-XIV断面を示す図である。FIG. 11 is a cross-sectional view taken along line XIV-XIV in FIG. 11 of the substrate processing system shown in FIG. 10; 図10に示した基板処理システムに設けられた基板受け渡し部の一構成例の正面図であって、図12における矢印XVの方向から見た図である。FIG. 12 is a front view of a configuration example of a substrate transfer section provided in the substrate processing system shown in FIG. 10, viewed from the direction of arrow XV in FIG. 12; 図15に示した基板受け渡し部を矢印XVIの方向から見た側面図である。FIG. 16 is a side view of the substrate transfer section shown in FIG. 15 as viewed from the direction of arrow XVI; 図10に示した基板処理システムに設けられた第2基板搬送ロボットの第1構成例を示す側面図である。11 is a side view showing a first configuration example of a second substrate transport robot provided in the substrate processing system shown in FIG. 10; FIG. 図10に示した基板処理システムに設けられた第2基板搬送ロボットの第2構成例を示す側面図である。11 is a side view showing a second configuration example of a second substrate transport robot provided in the substrate processing system shown in FIG. 10; FIG. 図10に示した基板処理システムに設けられた第2基板搬送ロボットの第3構成例を示す側面図である。11 is a side view showing a third configuration example of a second substrate transport robot provided in the substrate processing system shown in FIG. 10; FIG.

基板処理装置の一実施形態としてのバッチ式の液処理ユニット10について、添付図面を参照して説明する。液処理ユニット10の処理対象の基板Wは、例えば半導体ウエハであるが、これに限定されるものではなく、ガラス基板、セラミック基板等の半導体装置製造で用いられる任意の種類の基板であってもよい。 A batch-type liquid processing unit 10 as one embodiment of a substrate processing apparatus will be described with reference to the accompanying drawings. The substrate W to be processed by the liquid processing unit 10 is, for example, a semiconductor wafer, but is not limited to this. good.

液処理ユニット10は、複数(例えば25枚)の基板Wを鉛直姿勢で水平方向に等ピッチ(「第2等ピッチP2」とも呼ぶ)で並べて保持するローター(基板保持部)18を有している。第2等ピッチP2は1~10mmの範囲内の適当な値とすることができ、例えば5mm若しくは10mmである。本明細書においては「第1等ピッチP1」という用語も用いられるが、これについては後述する。なお、本明細書において、液処理ユニット10により基板Wに液処理が施されるときにローター18が同時に保持する基板Wの枚数を「規定処理枚数」とも呼ぶ。 The liquid processing unit 10 has a rotor (substrate holding portion) 18 that holds a plurality of (for example, 25) substrates W in a vertical posture and horizontally arranged at an equal pitch (also referred to as a “second equal pitch P2”). there is The second equal pitch P2 can be a suitable value within the range of 1-10 mm, for example 5 mm or 10 mm. Although the term "first equal pitch P1" is also used in this specification, this will be described later. In this specification, the number of substrates W simultaneously held by the rotor 18 when the substrates W are subjected to liquid processing by the liquid processing unit 10 is also referred to as the "specified processing number".

ローター18の第1側壁(図2に示す第1円盤181Aに相当する)から、回転軸21が水平方向に延びている。回転軸21は、水平方向(図1の左右方向)に延びる回転軸線Ax周りに回転駆動部24により回転駆動され、これによりローター18およびこれに保持された基板Wが回転軸線Ax周りに回転する。この回転軸線Axは、ローター18に保持された各基板Wの中心を通過する。以下、本明細書の液処理ユニット10に関する説明において、特別な断り書きが無い限り、回転軸線Axと平行な方向を「軸線方向」とも呼ぶ。 A rotating shaft 21 extends horizontally from a first side wall of the rotor 18 (corresponding to the first disk 181A shown in FIG. 2). The rotary shaft 21 is driven to rotate by a rotary drive unit 24 around a rotation axis Ax extending in the horizontal direction (horizontal direction in FIG. 1), thereby rotating the rotor 18 and the substrates W held thereon around the rotation axis Ax. . This rotation axis Ax passes through the center of each substrate W held by the rotor 18 . Hereinafter, in the description of the liquid processing unit 10 in this specification, the direction parallel to the rotation axis Ax will also be referred to as the "axial direction" unless otherwise specified.

本明細書においては、説明の便宜のため、XYZ直交座標系を設定し、これに基づいて方向を説明することもある。図1においては、回転軸線Axは水平方向に延びておりこの方向(軸線方向)を「X方向」とも呼ぶこととする。また、X方向と直交する別の水平方向(図1の紙面に垂直な方向)を「Y方向」と呼び、X方向と直交する鉛直方向を「Z方向」と呼ぶこととする。 In this specification, for convenience of explanation, an XYZ orthogonal coordinate system is set, and directions are sometimes explained based on this system. In FIG. 1, the rotation axis Ax extends in the horizontal direction, and this direction (axial direction) is also called "X direction". Another horizontal direction perpendicular to the X direction (perpendicular to the paper surface of FIG. 1) is called the "Y direction", and a vertical direction perpendicular to the X direction is called the "Z direction".

図示された実施形態では、回転駆動部24は電気回転モーター(以下簡便のため単に「モーター24」と呼ぶ)からなり、モーター24の回転軸がローター18の回転軸21と直結されている。変形実施形態において、回転駆動部24は、モーター24と、モーター24から回転軸21に駆動力を伝達する図示しない駆動力伝達手段(例えばベルト/プーリー)との組み合わせにより構成することもできる。 In the illustrated embodiment, the rotary drive 24 comprises an electric rotary motor (hereinafter simply referred to as "motor 24" for convenience), and the rotary shaft of the motor 24 is directly connected to the rotary shaft 21 of the rotor 18. In a modified embodiment, the rotary drive unit 24 can be configured by a combination of the motor 24 and a driving force transmission means (for example, a belt/pulley) (not shown) for transmitting the driving force from the motor 24 to the rotating shaft 21.

液処理ユニット10は、ローター18の周囲を包囲することができる可動の処理容器11を有する。処理容器11は全体として概ね円筒形とすることができ、処理容器11の中心軸はローター18の回転軸線Axと同心とすることができる。処理容器11の軸線方向(X方向)両端は開放されている。言い換えると、処理容器11は第1端に第1開口部11Aを有し、第2端に第2開口部11Bを有している。 The liquid processing unit 10 has a movable processing vessel 11 that can be wrapped around a rotor 18 . The processing container 11 can be generally cylindrical as a whole, and the central axis of the processing container 11 can be concentric with the rotation axis Ax of the rotor 18 . Both ends of the processing container 11 in the axial direction (X direction) are open. In other words, the processing vessel 11 has a first opening 11A at the first end and a second opening 11B at the second end.

処理容器11は、水平方向移動機構12により、ローター18を包囲する第1位置(実線で示される位置(閉鎖位置))と、ローター18を包囲しないで露出させる第2位置(鎖線で示される位置(開放位置))との間でX方向に移動可能である。なお、図6(D)には処理容器11が第1位置にある状態が示され、図6(C)には処理容器11が第2位置にある状態が示されているので、そちらも参照されたい。 The processing container 11 is moved by the horizontal movement mechanism 12 between a first position (position indicated by a solid line (closed position)) where the rotor 18 is surrounded and a second position (position indicated by a dashed line) where the rotor 18 is exposed without being surrounded. (open position)) in the X direction. Note that FIG. 6(D) shows a state in which the processing container 11 is at the first position, and FIG. 6(C) shows a state in which the processing container 11 is at the second position. want to be

水平方向移動機構12は、適当なリニアアクチュエータ、例えばエアシリンダから構成することができる。処理容器11をX方向に案内するガイドレール(図示せず)を設けてもよい。 Horizontal movement mechanism 12 may comprise a suitable linear actuator, such as an air cylinder. A guide rail (not shown) that guides the processing container 11 in the X direction may be provided.

処理容器11が第1位置にあるときの処理容器11とローター18との相対的な位置関係を第1位置関係とも呼び、処理容器11が第2位置にあるときの処理容器11とローター18との相対的な位置関係を第2位置関係とも呼ぶ。この位置関係の表記は、ローター18がX方向に可動で、処理容器11がX方向に不動である場合にも適用される。 The relative positional relationship between the processing container 11 and the rotor 18 when the processing container 11 is at the first position is also referred to as the first positional relationship, and the relative positional relationship between the processing container 11 and the rotor 18 when the processing container 11 is at the second position. is also called a second positional relationship. This notation of the positional relationship is also applied when the rotor 18 is movable in the X direction and the processing container 11 is immovable in the X direction.

液処理ユニット10は、第1閉塞構造物15Aおよび第2閉塞構造物15Bを有している。処理容器11が図1に示す第1位置にあるときに、第1閉塞構造物15Aが処理容器11の第1開口部11Aを閉塞し、第2閉塞構造物15Bが処理容器11の第2開口部11Bを閉塞する。 The liquid processing unit 10 has a first closure structure 15A and a second closure structure 15B. When the processing vessel 11 is in the first position shown in FIG. 1, the first closing structure 15A closes the first opening 11A of the processing vessel 11, and the second closing structure 15B closes the second opening of the processing vessel 11. Part 11B is closed.

第1閉塞構造物15Aは、ローター18の軸線方向に間隔を空けて配置された2枚の円盤状のプレート、すなわち第1プレート151および第2プレート152を有している。第1プレート151および第2プレート152は、複数の連結部材153(あるいはスペーサー)を介して堅固に連結されており、相対的に不動である。 The first closing structure 15A has two disc-shaped plates, namely a first plate 151 and a second plate 152, spaced apart in the axial direction of the rotor 18. As shown in FIG. The first plate 151 and the second plate 152 are firmly connected via a plurality of connecting members 153 (or spacers) and relatively immovable.

第1閉塞構造物15Aの第2プレート152は、固定部材154を介してモーター24に堅固に連結されている。固定部材154は、液処理ユニット10または基板処理システム1の図示しないフレーム(機枠)に堅固に固定されているか、あるいは、図1に概略的に示した姿勢変換機構のアーム155に堅固に固定されている。前者の場合、ローター18は常時水平姿勢であり、姿勢の変更はできない。後者の場合、アーム155を旋回させてローター18、第1閉塞構造物15A、回転軸21、モーター24および固定部材154を連結してなる組立体(以下、記載の簡便のため「組立体AS」とも呼ぶ)を一体的に移動(旋回)させることにより、ローター18の姿勢を変更することができる。 The second plate 152 of the first closing structure 15A is rigidly connected to the motor 24 via a fixing member 154. As shown in FIG. The fixing member 154 is firmly fixed to a frame (machine frame) (not shown) of the liquid processing unit 10 or the substrate processing system 1, or is firmly fixed to an arm 155 of a posture changing mechanism schematically shown in FIG. It is In the former case, the rotor 18 is always horizontal and cannot be changed. In the latter case, the arm 155 is rotated to connect the rotor 18, the first closing structure 15A, the rotating shaft 21, the motor 24 and the fixed member 154 (hereinafter referred to as "assembly AS" for convenience of description). ) are integrally moved (turned), the posture of the rotor 18 can be changed.

第1プレート151および第2プレート152を回転軸21が貫通している。第1プレート151には、回転軸21の外径よりも大きな内径を有する貫通穴151Hが形成されている。第2プレート152の回転軸21が貫通する部分は、適当なシール部材、またはシール構造例えばラビリンスシール25により、シールされている。 The rotating shaft 21 passes through the first plate 151 and the second plate 152 . A through hole 151</b>H having an inner diameter larger than the outer diameter of the rotating shaft 21 is formed in the first plate 151 . A portion of the second plate 152 through which the rotating shaft 21 penetrates is sealed by a suitable sealing member or a sealing structure such as a labyrinth seal 25 .

第2閉塞構造物15Bは、処理容器11と実質的に同心の円筒形の外周面を有する全体として円柱形の単一の部材とすることができる。第2閉塞構造物15BのX方向長さは、処理容器11のX方向移動距離(つまり処理容器11の第1位置と第2位置との間の距離)に概ね等しいかそれよりも長い。 The second closure structure 15B can be a generally cylindrical unitary member having a cylindrical outer peripheral surface that is substantially concentric with the process vessel 11 . The X-direction length of the second closing structure 15B is substantially equal to or longer than the X-direction movement distance of the processing container 11 (that is, the distance between the first position and the second position of the processing container 11).

処理容器11は、回転軸線Axを中心軸とする円筒の形状を有する処理容器本体11Mと、第1開口部11Aのところで処理容器本体11Mの内周面から半径方向内向きに突出する第1リング状突起111および第2リング状突起112と、第2開口部11Bのところで処理容器本体11Mの内周面から半径方向内向きに突出する第3リング状突起113および第4リング状突起114とを有している。 The processing container 11 includes a processing container main body 11M having a cylindrical shape whose center axis is the rotation axis Ax, and a first ring protruding radially inward from the inner peripheral surface of the processing container main body 11M at the first opening 11A. a second ring-shaped projection 111 and a second ring-shaped projection 112; have.

処理容器11が第1位置(図1に示す位置)にあるときに、第1リング状突起111および第2リング状突起112の軸線方向位置(X方向位置)が第1プレート151および第2プレート152の軸線方向位置とそれぞれ一致する。第1リング状突起111および第2リング状突起112の内周面にはシール部材16が取り付けられている。シール部材16は、第1リング状突起111と第1プレート151との間、および第2リング状突起112と第2プレート152との間をシールする。 When the processing container 11 is at the first position (the position shown in FIG. 1), the axial positions (X-direction positions) of the first ring-shaped projection 111 and the second ring-shaped projection 112 are aligned with the first plate 151 and the second plate. 152 axial positions, respectively. A sealing member 16 is attached to the inner peripheral surfaces of the first ring-shaped projection 111 and the second ring-shaped projection 112 . The sealing member 16 seals between the first ring-shaped projection 111 and the first plate 151 and between the second ring-shaped projection 112 and the second plate 152 .

処理容器11が第1位置にあるときに、第3リング状突起113および第4リング状突起114は、第2閉塞構造物15Bの外周面と対面する。第3リング状突起113および第4リング状突起114の内周面にはシール部材16が取り付けられており、このシール部材16は、第3リング状突起113および第4リング状突起114と第2閉塞構造物15Bとの間をシールする。 The third ring-shaped projection 113 and the fourth ring-shaped projection 114 face the outer peripheral surface of the second closing structure 15B when the processing container 11 is at the first position. A seal member 16 is attached to the inner peripheral surfaces of the third ring-shaped projection 113 and the fourth ring-shaped projection 114, and the seal member 16 is attached to the third ring-shaped projection 113 and the fourth ring-shaped projection 114 and the second ring-shaped projection 114 and the second ring-shaped projection 114. It seals with the closing structure 15B.

上記の4つのシール部材16には、図示しない加圧流体ラインを介して図示しない加圧流体源から加圧された流体(例えば加圧空気)を供給することができる。加圧流体が供給されると、シール部材16が膨張してシール機能を発揮する。処理容器11を第1位置に位置させた状態でシール部材16に加圧された流体を供給することにより、処理容器11と第1閉塞構造物15Aおよび第2閉塞構造物15Bとが密封係合し、ローター18を収容する実質的に閉鎖された空間である処理室11Cが形成される。 A pressurized fluid (for example, pressurized air) can be supplied to the four seal members 16 from a pressurized fluid source (not shown) through a pressurized fluid line (not shown). When the pressurized fluid is supplied, the seal member 16 expands and exhibits a sealing function. By supplying pressurized fluid to seal member 16 while processing vessel 11 is in the first position, processing vessel 11 and first closure structure 15A and second closure structure 15B are brought into sealing engagement. A processing chamber 11C, which is a substantially closed space in which the rotor 18 is housed, is formed.

処理室11Cが形成されるときには、処理容器本体11Mの第1端側の端部、第1リング状突起111、第2リング状突起112、第1プレート151および第2プレート152により包囲された第1副室11S1が形成される。第1副室11S1は、第1プレート151および第1リング状突起111を隔てて、処理室11Cに隣接する。 When the processing chamber 11C is formed, the first end portion of the processing chamber main body 11M, the first ring-shaped projection 111, the second ring-shaped projection 112, the first plate 151 and the second plate 152 surround the second plate. 1 sub chamber 11S1 is formed. The first sub-chamber 11S1 is adjacent to the processing chamber 11C with the first plate 151 and the first ring-shaped projection 111 interposed therebetween.

処理室11Cが形成されるときには、同様に、処理容器本体12Mの第2端側の端部、第3リング状突起113、第4リング状突起114および第2閉塞構造物15Bの外周面により包囲された第2副室11S2も形成される。第2副室11S2は、第3リング状突起113を隔てて、処理室11Cに隣接する。 When the processing chamber 11C is formed, it is similarly surrounded by the end of the processing container body 12M on the second end side, the third ring-shaped projection 113, the fourth ring-shaped projection 114, and the outer peripheral surface of the second closing structure 15B. A second sub chamber 11S2 is also formed. The second sub-chamber 11S2 is adjacent to the processing chamber 11C with the third ring-shaped projection 113 interposed therebetween.

シール部材16に加圧された流体が供給されていないとき(あるいはシール部材16から流体を排出したとき)には、シール部材16は萎み、処理容器11の第1閉塞構造物15Aおよび第2閉塞構造物15Bに対するX方向の相対移動を妨げないようになっている。 When the seal member 16 is not supplied with pressurized fluid (or when the fluid is discharged from the seal member 16), the seal member 16 is deflated and the first closure structure 15A and the second closure structure 15A of the processing vessel 11 are closed. It does not interfere with the relative movement in the X direction with respect to the blocking structure 15B.

第1プレート151には連通路(液体連通路)が設けられており、処理室11C中に貯留されている処理液の液位が当該連通路の高さを上回った場合に、処理室11Cから第1副室11S1へと処理液をオーバーフロー(流入)させることができるようになっている。この連通路は、前述した第1プレート151の貫通穴151H(回転軸21が通過する穴)とすることができる。 A communication passage (liquid communication passage) is provided in the first plate 151, and when the liquid level of the processing liquid stored in the processing chamber 11C exceeds the height of the communication passage, the liquid is discharged from the processing chamber 11C. The processing liquid can overflow (inflow) into the first sub chamber 11S1. This communication path can be the through hole 151H (the hole through which the rotating shaft 21 passes) of the first plate 151 described above.

これに代えて、連通路として、貫通穴151Hと別の高さ位置において第1プレート151をX方向に貫通する1つ以上の貫通穴(図示せず)を設けてもよい。なお、処理室11C内の処理液の液位を回転軸21よりも高くしたい場合には、第1プレート151の貫通穴151Hのところに第2プレート152と同様にラビリンスシールを設け、回転軸21よりも高い位置に連通路としての貫通穴を第1プレート151に設けることができる。なお、連通路の高さおよびサイズ(開口面積)は、基板Wの処理中おける処理室11C内の処理液の所望の液位に応じて決定することができる。 Alternatively, one or more through holes (not shown) passing through the first plate 151 in the X direction may be provided as communication paths at different height positions from the through holes 151H. If the liquid level of the processing liquid in the processing chamber 11C is to be higher than that of the rotating shaft 21, a labyrinth seal is provided at the through hole 151H of the first plate 151 in the same manner as the second plate 152 so that the rotating shaft 21 A through hole as a communication path can be provided in the first plate 151 at a position higher than the above. The height and size (opening area) of the communication path can be determined according to the desired liquid level of the processing liquid in the processing chamber 11C during processing of the substrate W.

上述したタイプのシール部材16により完全なシールを行うことは困難であり、シール部材16とこれに接する部材との間の微小隙間を通って、処理室11Cから第1副室11S1および第2副室11S2へと多少の液の漏洩が生じ得る。第2副室11S2は、漏洩した液を回収する役割も有している。 It is difficult to achieve a perfect seal with the type of sealing member 16 described above, and a small gap between the sealing member 16 and the member in contact therewith allows the flow from the processing chamber 11C to the first subchamber 11S1 and the second subchamber 11S1. Some leakage of liquid into chamber 11S2 may occur. The second sub-chamber 11S2 also has a role of collecting the leaked liquid.

処理容器11を第2位置(鎖線で示す)に位置させた状態でシール部材16に加圧された流体を供給することにより、処理容器本体11Mの内周面および第2閉塞構造物15Bの外周面との間の空間が、第1リング状突起111と第2リング状突起112との間の第1空間11S3、第1リング状突起111と第3リング状突起113との間の第2空間11S4、第3リング状突起113と第4リング状突起114との間の第3空間11S5とに仕切られる。 By supplying pressurized fluid to the sealing member 16 while the processing container 11 is positioned at the second position (indicated by the dashed line), the inner peripheral surface of the processing container main body 11M and the outer periphery of the second closing structure 15B are closed. A first space 11S3 between the first ring-shaped projection 111 and the second ring-shaped projection 112, and a second space between the first ring-shaped projection 111 and the third ring-shaped projection 113. 11S4 and a third space 11S5 between the third ring-shaped projection 113 and the fourth ring-shaped projection 114 are partitioned.

次に、処理容器11への処理流体の供給について説明する。 Next, the supply of the processing fluid to the processing container 11 will be described.

処理容器11の下部(図示例では底部)には、処理室11C内に処理液としての薬液を供給する薬液ノズル28が設けられている。薬液の具体例については後述する。薬液ノズル28は、処理容器11の底部に設けられた1つ以上の穴により構成されていてもよいし、処理室11Cの底部の近傍に設けられた1つ以上の吐出口を有するノズル体から構成されていてもよい。 A chemical liquid nozzle 28 for supplying a chemical liquid as a processing liquid into the processing chamber 11C is provided in the lower portion (bottom portion in the illustrated example) of the processing container 11 . A specific example of the chemical solution will be described later. The chemical liquid nozzle 28 may be composed of one or more holes provided in the bottom of the processing chamber 11, or may be formed from a nozzle body having one or more ejection ports provided near the bottom of the processing chamber 11C. may be configured.

処理容器11の第1副室11S1および第2副室11S2に対応する部分の底部には、これら第1副室11S1および第2副室11S2内にある液体を排出するための循環用排液口131,132と、廃棄用排液口133,134とが設けられている。処理容器11の処理室11Cに対応する部分の底部にも、処理室11C内にある液体を排出するための廃棄用排液口135が設けられている。 At the bottom of the portion corresponding to the first sub-chamber 11S1 and the second sub-chamber 11S2 of the processing container 11, a circulation drain port for discharging the liquid in the first sub-chamber 11S1 and the second sub-chamber 11S2 is provided. 131, 132 and waste drains 133, 134 are provided. A disposal drain port 135 for discharging the liquid in the processing chamber 11C is also provided at the bottom of the portion of the processing container 11 corresponding to the processing chamber 11C.

廃棄用排液口133,134,135には、開閉弁V4が介設された排液ライン136が接続されている。排液ライン136は、半導体装置製造工場に設けられたドレイン(DR)に接続されている。なお、上記の廃棄用排液口の「廃棄用」という語は、「循環用」と区別するためのものであり、廃棄用排液口133,134,135から排液ライン136に排出された液を図示しない回収タンクに回収し、再利用しても構わない。 A drain line 136 having an on-off valve V4 is connected to the drain ports 133, 134, and 135 for disposal. The drain line 136 is connected to a drain (DR) provided in a semiconductor device manufacturing factory. In addition, the word "for disposal" of the above disposal drainage port is for distinguishing from "for circulation", and the liquid discharged from the disposal drainage ports 133, 134, 135 to the drainage line 136 The liquid may be recovered in a recovery tank (not shown) and reused.

処理容器11には薬液循環機構(薬液供給機構)50が接続されている。薬液循環機構50は、薬液を貯留するタンク51と、タンク51から出て薬液ノズル28に至る上流側循環ライン52と、循環用排液口131,132から出てタンク51に戻る下流側循環ライン53とを有している。上流側循環ライン52には、上流側から順に、ポンプ54、ヒーター55およびフィルタ56が順次介設されている。処理容器11および薬液循環機構50により薬液循環系が構成されており、この薬液循環系を薬液が循環する。 A chemical circulation mechanism (chemical supply mechanism) 50 is connected to the processing container 11 . The chemical circulation mechanism 50 includes a tank 51 that stores the chemical, an upstream circulation line 52 that exits the tank 51 and reaches the chemical nozzle 28, and a downstream circulation line that exits the circulation drainage ports 131 and 132 and returns to the tank 51. 53. A pump 54 , a heater 55 and a filter 56 are sequentially interposed in the upstream circulation line 52 from the upstream side. A chemical circulation system is constituted by the processing container 11 and the chemical circulation mechanism 50, and the chemical is circulated through this chemical circulation system.

上述した薬液の循環流れは、薬液を用いて処理室11C内で基板Wの処理が行われている間中ずっと継続される。なお、以下、本明細書において、説明の簡略化のため、上記のように薬液循環系を薬液が循環することを「通常循環」とも呼び、このときに薬液が流れる経路を「通常循環経路」とも呼ぶこととする。 The above-described circulating flow of the chemical liquid is continued while the substrate W is being processed in the processing chamber 11C using the chemical liquid. In the present specification, hereinafter, for the sake of simplification of explanation, the circulation of the chemical liquid in the chemical liquid circulation system as described above is also referred to as "normal circulation", and the path through which the chemical liquid flows at this time is called the "normal circulation path". Also called

ポンプ54を駆動することによりタンク51から流出した薬液は、ヒーター55により温調された後にフィルタ56を通りそこでパーティクルが除去された後に薬液ノズル28から処理室11Cに流入し、そこで基板Wの薬液処理に供される。処理室11Cから前述した連通路(例えば第1プレート151の貫通穴151H)を通って第1副室11S1に流入した薬液は循環用排液口131を介して下流側循環ライン53に流出し、タンク51に戻される。また、前述したように、シール部材16を介して、処理室11Cから第1副室11S1および第2副室11S2に少量の処理液が漏洩する。この漏洩した処理液も、薬液は循環用排液口131,132を介して下流側循環ライン53に流出し、タンク51に戻される。 The chemical liquid flowing out of the tank 51 by driving the pump 54 is temperature-controlled by the heater 55, passes through the filter 56, and after the particles are removed there, flows into the processing chamber 11C from the chemical liquid nozzle 28, where the chemical liquid on the substrate W is discharged. subjected to processing. The chemical liquid that has flowed from the processing chamber 11C into the first sub-chamber 11S1 through the above-described communication passage (for example, the through hole 151H of the first plate 151) flows out through the circulation drain port 131 into the downstream circulation line 53, It is returned to the tank 51. Also, as described above, a small amount of the processing liquid leaks from the processing chamber 11C to the first sub chamber 11S1 and the second sub chamber 11S2 through the seal member 16. FIG. The leaked treatment liquid also flows out to the downstream circulation line 53 through the circulation drainage ports 131 and 132 and is returned to the tank 51 .

上流側循環ライン52(上流側循環ライン52のフィルタ56の下流側の位置)と下流側循環ライン53とを直接接続するバイパスライン57を設けることができる。バイパスライン57の開閉弁V1を開き、上流側循環ライン52の開閉弁V2および下流側循環ライン53の開閉弁V3を閉じることにより、処理室11C、第1副室11S1および第2副室11S2を通過させることなく、薬液の循環および温調を行うことができる。 A bypass line 57 can be provided that directly connects the upstream circulation line 52 (at a position downstream of the filter 56 of the upstream circulation line 52 ) and the downstream circulation line 53 . By opening the on-off valve V1 of the bypass line 57 and closing the on-off valve V2 of the upstream circulation line 52 and the on-off valve V3 of the downstream circulation line 53, the processing chamber 11C, the first auxiliary chamber 11S1 and the second auxiliary chamber 11S2 are closed. It is possible to circulate the chemical solution and control the temperature without passing it through.

薬液を用いて処理室11C内で基板Wの処理が行われていないときに、上述したようにバイパスライン57を介した薬液の循環および温調を行うことにより、薬液処理工程を迅速かつ円滑に開始することができる。なお、以下、本明細書において、説明の簡略化のため、上記のようにバイパスライン57を通って薬液が循環することを「待機循環」とも呼び、このときに薬液が流れる経路を「待機循環経路」とも呼ぶこととする。 By circulating the chemical through the bypass line 57 and adjusting the temperature as described above when the substrate W is not being processed in the processing chamber 11C using the chemical, the chemical processing process can be performed quickly and smoothly. can start. In this specification, hereinafter, for the sake of simplification of explanation, the circulation of the chemical liquid through the bypass line 57 as described above is also referred to as "standby circulation", and the path through which the chemical liquid flows at this time is referred to as "standby circulation." Also referred to as "route".

処理容器11の上部には、処理室11C内に処理流体を供給する少なくとも1つの処理流体ノズル30が設けられている。 At the top of the processing container 11, at least one processing fluid nozzle 30 is provided for supplying processing fluid into the processing chamber 11C.

一実施形態において、前記少なくとも1つの処理流体ノズル30として、基板Wに向けてリンス液を供給するリンスノズル31と、基板Wに向けて乾燥用流体を吐出する乾燥用流体ノズル32と、基板Wに向けてあるいは基板Wの周囲の空間に向けて不活性ガス(例えば窒素ガス)または低酸素ガス(酸素含有量の低いガス)を吐出するガスノズル33とを設けることができる。処理流体ノズル30の数は、上記のように基板Wに供給される処理流体の種類に応じた数とすることができる。複数種類の処理流体(例えばリンス液と窒素ガス)を同じ処理流体ノズル30から供給してもよい。 In one embodiment, the at least one processing fluid nozzle 30 includes a rinse nozzle 31 that supplies a rinse liquid toward the substrate W, a drying fluid nozzle 32 that discharges a drying fluid toward the substrate W, and the substrate W. A gas nozzle 33 for ejecting an inert gas (eg, nitrogen gas) or a low-oxygen gas (a gas having a low oxygen content) toward the substrate W or toward the space around the substrate W can be provided. The number of processing fluid nozzles 30 can be set according to the type of processing fluid supplied to the substrate W as described above. A plurality of types of processing fluids (eg, rinsing liquid and nitrogen gas) may be supplied from the same processing fluid nozzle 30 .

リンス液としては、純水(DIW)または機能水が例示される。機能水としては、例えば、リンス液に導電性を与えるために純水に微量の電解質成分を溶解させたもの、具体的には炭酸水、希アンモニア水が例示される。 Pure water (DIW) or functional water is exemplified as the rinse liquid. Examples of the functional water include pure water in which a small amount of electrolyte components are dissolved in order to impart electrical conductivity to the rinse liquid, specifically carbonated water and dilute ammonia water.

乾燥用流体は、基板Wを乾燥させるときに、表面張力によりパターンが倒壊することを防止するためのものである。乾燥用流体は、ミスト(液体)の状態で、あるいは蒸気の形態で供給することができる。乾燥用流体としては、リンス液よりも表面張力が低くかつ揮発性が高い有機溶剤、例えばIPA(イソプロピルアルコール)が例示される。IPAによりパターン凹部内のリンス液例えばDIWを置換した後に、乾燥を行うことにより、パターンの倒壊を防止または少なくとも大幅に抑制することができる。 The drying fluid is used to prevent the pattern from collapsing due to surface tension when the substrate W is dried. The drying fluid can be supplied in mist (liquid) or vapor form. An example of the drying fluid is an organic solvent such as IPA (isopropyl alcohol), which has a lower surface tension and higher volatility than the rinse liquid. By performing drying after replacing the rinsing liquid, such as DIW, in the recessed portions of the pattern with IPA, it is possible to prevent or at least greatly suppress collapse of the pattern.

乾燥用流体は、上述した有機溶剤に疎水化剤を混合したものであってもよい。疎水化剤としては、はシリル化剤またはシランカップリング剤、具体的には、トリメトキシフェニルシラン、テトラエトキシシラン、3-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、TMSDMA(トリメチルシリルジメチルアミン)、DMSDMA(ジメチルシリルジメチルアミン)、TMSDEA(トリメチルシリルジエチルアミン)、TMADMA(テトラメチルアミンジメチルアミン)、HMDS(ヘキサメチルジンラザン)、TMDS(1,1,3,3-テトラメチルジシラザン)等を用いることができる。疎水化剤によりパターン凹部の表面が疎水化されることにより、表面張力に起因するパターンを倒壊させる力が減少するため、パターンの倒壊をより一層抑制することができる。このように表面改質(疎水化)を行い乾燥させる技術はSMD(Surface Molecular Dry)とも呼ばれる。 The drying fluid may be a mixture of the above organic solvent and a hydrophobizing agent. Hydrophobizing agents include silylating agents or silane coupling agents, specifically trimethoxyphenylsilane, tetraethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, TMSDMA (trimethylsilyldimethylamine), DMSDMA (dimethyl silyldimethylamine), TMSDEA (trimethylsilyldiethylamine), TMADMA (tetramethylaminedimethylamine), HMDS (hexamethylzinlazane), TMDS (1,1,3,3-tetramethyldisilazane) and the like can be used. By hydrophobizing the surface of the recessed portion of the pattern with the hydrophobizing agent, the force for collapsing the pattern due to the surface tension is reduced, so that collapsing of the pattern can be further suppressed. Such a technique of surface modification (hydrophobization) and drying is also called SMD (Surface Molecular Dry).

処理流体ノズル30は、図4に概略的に示すように、ローター18により保持される基板Wの列の真上あるいはほぼ真上において、基板Wの配列方向(水平方向)に沿って延びる棒状ノズルとすることができる。棒状ノズルは、例えば、水平方向に延びる流体通路を内部に有する中空円筒体34に、複数の吐出口35を形成することにより構成することができる。このような棒状ノズルは、ローター18により保持される基板Wの数と同数、好ましくはそれよりも一つ多い数の吐出口35を有していてもよい。 As schematically shown in FIG. 4, the processing fluid nozzle 30 is a rod-shaped nozzle extending along the direction of arrangement (horizontal direction) of the substrates W directly above or substantially above the row of substrates W held by the rotor 18. can be A rod-shaped nozzle can be constructed, for example, by forming a plurality of discharge ports 35 in a hollow cylindrical body 34 having a horizontally extending fluid passage therein. Such a rod-shaped nozzle may have the same number of discharge ports 35 as the number of substrates W held by the rotor 18, preferably one more than that.

処理流体ノズル30は、上述したようにローター18により保持される基板Wの列の真上あるいはほぼ真上に設けることが好ましいが、処理室11C内の処理液(薬液)の液面より高い任意の位置に設けてもよい。 The processing fluid nozzle 30 is preferably provided directly above or almost directly above the row of substrates W held by the rotor 18 as described above, however, the processing fluid nozzle 30 is preferably provided above the liquid level of the processing liquid (chemical liquid) in the processing chamber 11C. position.

図4に示すように、吐出口35は、ローター18により保持された基板Wの配列ピッチである第2等ピッチP2(X方向間隔)と同じピッチで設けることができる。吐出口35は、ローター18により保持された隣接する基板Wの間の空間を臨む位置(両端の吐出口を除く)に設けることができる。各吐出口35からは、同一条件(吐出流量、吐出角度)で処理流体が吐出されることが好ましい。各吐出口35は、そこから扇形またはコーン(円錐)形に(つまり末広がりに)処理流体が吐出されるように形成することができる。これにより、ローター18により保持されて回転する基板Wの表面に満遍なく処理流体を供給することができる。 As shown in FIG. 4, the discharge ports 35 can be provided at the same pitch as the second equal pitch P2 (X-direction interval) that is the arrangement pitch of the substrates W held by the rotor 18 . The ejection port 35 can be provided at a position facing the space between the adjacent substrates W held by the rotor 18 (excluding the ejection ports at both ends). It is preferable that the processing fluid is discharged from each discharge port 35 under the same conditions (discharge flow rate, discharge angle). Each outlet 35 may be formed such that the processing fluid is discharged therefrom in a fan-shaped or cone-shaped (that is, diverging) manner. As a result, the processing fluid can be evenly supplied to the surface of the substrate W that is held and rotated by the rotor 18 .

なお、本明細書において、用語「基板Wの表面(surface)」は、特に区別しない限り、デバイスが形成されている面である表面(front surface)と、デバイスが形成されていない面である裏面(back surface)の両方を意味する語である。 In this specification, unless otherwise specified, the term "surface of the substrate W" means the front surface on which devices are formed and the back surface on which no devices are formed. It is a word that means both (back surface).

各処理流体ノズル30には、処理流体供給機構を介して処理流体が供給される。処理流体供給機構は、当該技術分野において広く知られているように、タンク、工場用力等の処理流体供給源と、処理流体供給源から処理流体ノズル30に処理流体を供給する供給ラインと、供給ラインに設けられた流量計、開閉弁、流量制御弁等の流量調節機器およびフィルタ、ヒーター等の補器類とから構成することができる。なお、本実施形態では処理容器11がX方向に移動するため、この移動に追従できるように、供給ラインの少なくとも一部をフレキシブルチューブにより形成してもよい。 A processing fluid is supplied to each processing fluid nozzle 30 via a processing fluid supply mechanism. The process fluid supply mechanism includes a process fluid supply such as a tank, factory supply, etc., a supply line for supplying process fluid from the process fluid supply to the process fluid nozzles 30, and a supply line, as is well known in the art. It can be composed of a flow meter provided in the line, a flow control device such as an on-off valve and a flow control valve, and auxiliary devices such as a filter and a heater. In this embodiment, since the processing container 11 moves in the X direction, at least a part of the supply line may be made of a flexible tube so as to follow this movement.

図示された実施形態では、処理流体供給機構として、リンスノズル31にリンス液を供給するリンス液供給機構31Sと、乾燥用流体ノズル32に乾燥用流体を供給する乾燥用流体供給機構32Sと、ガスノズル33にガス(不活性ガスまたは低酸素ガス)を供給するガス供給機構33Sとが設けられている。 In the illustrated embodiment, the processing fluid supply mechanism includes a rinse liquid supply mechanism 31S that supplies the rinse liquid to the rinse nozzle 31, a drying fluid supply mechanism 32S that supplies the drying fluid to the drying fluid nozzle 32, and a gas nozzle. A gas supply mechanism 33S for supplying gas (inert gas or low oxygen gas) to 33 is provided.

なお、リンス液は、処理室11Cの洗浄にも利用できるため、リンスノズル31は、ローター18に保持された基板Wにだけではなく、処理室11Cに面する処理容器11の内壁面、ローター18の側面(後述する円盤181A、181B)、並びに回転軸21の表面にもリンス液が当たるようにリンス液を吐出することができるように構成されていることが好ましい。但し、回転するローター18(あるいはローター18に保持されている基板W)から飛散するリンス液が、ローター18の円盤181A、181B、並びに回転軸21および第2回転軸22の表面等にも当たるようになっているならば、リンスノズル31は、ローター18に保持された基板Wのみに向けてリンス液を吐出するように設けられていても構わない。 Since the rinse liquid can also be used to clean the processing chamber 11C, the rinse nozzle 31 is applied not only to the substrates W held by the rotor 18, but also to the inner wall surface of the processing chamber 11 facing the processing chamber 11C, the rotor 18, and so on. (Discs 181A and 181B to be described later) and the surface of the rotating shaft 21 are also preferably configured so that the rinse liquid can be discharged. However, the rinsing liquid scattering from the rotating rotor 18 (or the substrate W held by the rotor 18) should hit the discs 181A and 181B of the rotor 18, the surfaces of the rotating shaft 21 and the second rotating shaft 22, and the like. , the rinse nozzle 31 may be provided so as to discharge the rinse liquid only toward the substrates W held by the rotor 18 .

第1副室11S1および第2副室11S2の天井部には、第1副室11S1および第2副室11S2内の雰囲気(ガス)を排出するための排気口141,142がそれぞれ設けられている。排気口141,142にはそれぞれ排気ライン143が接続されている。排気ライン143は、排気に含まれる液体(ミスト)を分離する図示しない気液分離装置(排気ボックスなどとも呼ばれる)に接続されている。気液分離装置により分離された液体は半導体製造工場の排液管路(図示せず)に、気体は半導体製造工場の排気ダクト(図示せず)に接続されている。 The ceilings of the first sub-chamber 11S1 and the second sub-chamber 11S2 are provided with exhaust ports 141 and 142 for discharging the atmosphere (gas) in the first sub-chamber 11S1 and the second sub-chamber 11S2, respectively. . An exhaust line 143 is connected to each of the exhaust ports 141 and 142 . The exhaust line 143 is connected to an unillustrated gas-liquid separation device (also called an exhaust box or the like) that separates liquid (mist) contained in the exhaust. The liquid separated by the gas-liquid separator is connected to a drain line (not shown) of the semiconductor manufacturing plant, and the gas is connected to an exhaust duct (not shown) of the semiconductor manufacturing plant.

排気ダクト内は減圧雰囲気であるため、その影響で第1副室11S1および第2副室11S2は吸引(減圧)される。排気ライン143に、排気を促進するためのエゼクタ、真空ポンプ等の吸引機器が設けられていてもよい。第1副室11S1および第2副室11S2に作用する吸引力を調整するために、排気ライン143にバタフライ弁等の流量調整弁を設けてもよい。 Since the inside of the exhaust duct is in a decompressed atmosphere, the first sub-chamber 11S1 and the second sub-chamber 11S2 are sucked (decompressed). The exhaust line 143 may be provided with a suction device such as an ejector or a vacuum pump for promoting the exhaust. In order to adjust the suction force acting on the first sub chamber 11S1 and the second sub chamber 11S2, the exhaust line 143 may be provided with a flow control valve such as a butterfly valve.

第1リング状突起111および第3リング状突起113の上部には、通気路(ガス連通路)127,128が設けられている。通気路(ガス連通路)127,128の高さ位置は、処理液の設定液面高さより上方であればよい。上記のように第1副室11S1および第2副室11S2が吸引されているため、処理室11C内の雰囲気は、通気路127,128を介して第1副室11S1および第2副室11S2に流れ、排気口141,142および排気ライン143を介して排気される。従って、処理室11C内の圧力は、第1副室11S1および第2副室11S2内の圧力よりもやや高くなる。 Ventilation paths (gas communication paths) 127 and 128 are provided above the first ring-shaped projection 111 and the third ring-shaped projection 113 . The height position of the ventilation passages (gas communication passages) 127 and 128 may be above the set liquid level of the processing liquid. Since the first sub-chamber 11S1 and the second sub-chamber 11S2 are sucked as described above, the atmosphere in the processing chamber 11C is transferred to the first sub-chamber 11S1 and the second sub-chamber 11S2 through the air passages 127 and 128. flows and is exhausted via vents 141 , 142 and exhaust line 143 . Therefore, the pressure inside the processing chamber 11C is slightly higher than the pressures inside the first sub-chamber 11S1 and the second sub-chamber 11S2.

通気路127,128内に液体が滞留しないように、通気路127,128の断面形状を、中央部が高い山形としてもよい。 The cross-sectional shape of the air passages 127 and 128 may be a mountain shape with a high central portion so that the liquid does not stay in the air passages 127 and 128 .

処理容器11の天井部の第1副室11S1および第2副室11S2に対応する部分には、第1副室11S1および第2副室11S2を洗浄するために洗浄液を供給する洗浄液ノズル37,38が設けられている。洗浄液ノズル37,38には、洗浄液供給源から、流量調節機器等が介設された供給ラインを介して洗浄液が供給される。リンスノズル31にリンス液を供給するリンス液供給機構31Sにより、洗浄液ノズル37,38に洗浄液としてのリンス液(例えばDIW)を供給してもよい。洗浄液ノズル37,38は、第1副室11S1および第2副室11S2に面する全ての壁面並びに回転軸21の表面を洗浄することができように、洗浄液を噴射するように構成されていることが好ましい。 Cleaning liquid nozzles 37 and 38 for supplying cleaning liquid for cleaning the first sub-chamber 11S1 and the second sub-chamber 11S2 are provided in portions of the ceiling of the processing container 11 corresponding to the first sub-chamber 11S1 and the second sub-chamber 11S2. is provided. A cleaning liquid is supplied to the cleaning liquid nozzles 37 and 38 from a cleaning liquid supply source through a supply line in which a flow control device or the like is interposed. A rinse liquid (for example, DIW) as a cleaning liquid may be supplied to the cleaning liquid nozzles 37 and 38 by a rinse liquid supply mechanism 31S that supplies the rinse liquid to the rinse nozzle 31 . The cleaning liquid nozzles 37 and 38 are configured to spray the cleaning liquid so as to clean all wall surfaces facing the first sub-chamber 11S1 and the second sub-chamber 11S2 and the surface of the rotating shaft 21. is preferred.

処理容器11の処理室11C内にある処理液を温調するために、処理容器11の処理室11Cに対応する部分、特にその底部に、ヒーター129が設けられている。ヒーター129は、処理容器11の壁に埋設されていてもよいし、処理容器11の外面に貼り付けられていてもよい。 In order to control the temperature of the processing liquid in the processing chamber 11C of the processing container 11, a heater 129 is provided in a portion corresponding to the processing chamber 11C of the processing container 11, particularly the bottom thereof. The heater 129 may be embedded in the wall of the processing container 11 or attached to the outer surface of the processing container 11 .

[ローターの構造]
次に、図2および図3を参照して、図1では概略的に示されていたローター18の構造について詳細に説明する。
[Rotor structure]
2 and 3, the structure of the rotor 18, shown schematically in FIG. 1, will now be described in detail.

ローター18は、一対の円盤181A(ローター18の第1側部)、181B(ローター18の第2側部)と、円盤181A、181Bの間を水平方向に延びる1本以上(例えば3~4本)の固定保持棒182と、一対の可動保持棒183とを有している。円盤181Aには回転軸21が固定されている。固定保持棒182および可動保持棒183の各々には、前述した第2等ピッチP2と同じ配列ピッチで水平方向に等間隔で並んだ基板保持溝(詳細は図示せず)が設けられている。ローター18により保持される基板Wの周縁部が、各基板保持溝内に収容される。 The rotor 18 includes a pair of disks 181A (first side of the rotor 18) and 181B (second side of the rotor 18) and one or more (for example, 3 to 4) horizontally extending between the disks 181A and 181B. ) and a pair of movable holding bars 183 . A rotating shaft 21 is fixed to the disk 181A. Each of the fixed holding bar 182 and the movable holding bar 183 is provided with substrate holding grooves (details not shown) arranged in the horizontal direction at equal intervals at the same arrangement pitch as the second equal pitch P2 described above. A peripheral portion of the substrate W held by the rotor 18 is accommodated in each substrate holding groove.

可動保持棒183は、旋回腕184を介して円盤181A、181Bに回転可能に設けられた回転軸185に取り付けられており、基板Wを保持する保持位置と、基板Wを解放する解放位置との間で旋回可能である。 The movable holding rod 183 is attached to a rotating shaft 185 rotatably provided on the discs 181A and 181B via a turning arm 184, and has a holding position for holding the substrate W and a release position for releasing the substrate W. It is possible to turn between

円盤181Bの外面側には、回転軸185に固定されたウエイト186が設けられている。ウエイト186は、ローター18が回転しているときに、可動保持棒183、旋回腕184、回転軸185およびウエイト186からなる組立体に作用する遠心力により可動保持棒183が基板Wに押し付けられるようにするために設けられている。但し、大きな遠心力が生じるローター18の高回転時に基板Wの破損が生じないようにするために、可動保持棒183の変位を制限する固定ストッパ187が円盤181Bに設けられている。 A weight 186 fixed to a rotating shaft 185 is provided on the outer surface side of the disk 181B. The weight 186 is arranged so that the movable holding bar 183 is pressed against the substrate W by centrifugal force acting on the assembly consisting of the movable holding bar 183, the swivel arm 184, the rotating shaft 185 and the weight 186 when the rotor 18 is rotating. is provided to However, a fixed stopper 187 that limits the displacement of the movable holding rod 183 is provided on the disk 181B in order to prevent the substrate W from being damaged when the rotor 18 rotates at a high speed where a large centrifugal force is generated.

可動保持棒183を保持位置に維持するために、板バネからなるバネストッパ188が円盤181Bの外面に取り付けられている。回転軸185の軸端または当該軸端に対応するウエイト186の表面には、例えばマイナスねじの頭部に形成されるような操作用の溝189が形成されている。 A spring stopper 188 made of a leaf spring is attached to the outer surface of the disk 181B to maintain the movable holding rod 183 in the holding position. An end of the rotating shaft 185 or a surface of the weight 186 corresponding to the end of the shaft is formed with a groove 189 for operation such as that formed in the head of a slotted screw, for example.

液処理ユニット10は、操作機構19を有している。操作機構19は、バネストッパ188を押圧するプッシュロッドを有する押圧機構191と、溝189と係合して回転軸185を回転させることにより可動保持棒183を旋回させる回転機構192とを有している。必要に応じて押圧機構191および回転機構192をローター18に向けて進退させる進退機構193を設けてもよい。なお、実際には2組の押圧機構191および回転機構192が設けられているが、図2には1組だけ表示されている。 The liquid processing unit 10 has an operating mechanism 19 . The operating mechanism 19 has a pressing mechanism 191 having a push rod that presses the spring stopper 188, and a rotating mechanism 192 that rotates the movable holding rod 183 by engaging with the groove 189 and rotating the rotating shaft 185. . An advancing/retreating mechanism 193 for advancing/retreating the pressing mechanism 191 and the rotating mechanism 192 toward the rotor 18 may be provided as necessary. Although two sets of the pressing mechanism 191 and the rotating mechanism 192 are actually provided, only one set is shown in FIG.

押圧機構191のプッシュロッドによりバネストッパ188を円盤181Bに向けて押しつけることにより、バネストッパ188に邪魔されることなくウエイト186が旋回できるようになる。この状態で回転機構192の回転軸192aの先端192bを溝189と係合させて回転軸185を回転させることにより、可動保持棒183を前述した保持位置と解放位置との間で移動させることができる。先端192bは、例えばマイナスねじ用のドライバービットのような形状を有する。 By pressing the spring stopper 188 toward the disk 181B with the push rod of the pressing mechanism 191, the weight 186 can turn without being hindered by the spring stopper 188. In this state, by engaging the tip 192b of the rotating shaft 192a of the rotating mechanism 192 with the groove 189 and rotating the rotating shaft 185, the movable holding rod 183 can be moved between the holding position and the releasing position described above. can. The tip 192b has a shape like a screwdriver bit for slotted screws, for example.

可動保持棒183を保持位置に位置させた状態で押圧機構191のプッシュロッドを退避させることにより、バネストッパ188が初期位置に戻り、バネストッパ188がウエイト186の移動を阻止するようになる。これにより、可動保持棒183が保持位置に維持される。 By withdrawing the push rod of the pressing mechanism 191 while the movable holding rod 183 is positioned at the holding position, the spring stopper 188 returns to its initial position and prevents the weight 186 from moving. Thereby, the movable holding bar 183 is maintained at the holding position.

操作機構19は、ローター18の姿勢が後述する姿勢変換機構80により可変の場合には、ローター18が直立姿勢にあるときに(図6(A)、(B)を参照)、上述したバネストッパ188および回転軸185を操作しうる位置(例えばローター18の真上)に配置することができる。なお、言うまでも無いが、ローター18は、モーター24の角度位置制御機能により、操作機構19による操作に適した特定の回転角度位置に停止させることができる。 When the posture of the rotor 18 is variable by a posture changing mechanism 80, which will be described later, the operation mechanism 19 operates when the rotor 18 is in an upright posture (see FIGS. 6A and 6B). and the rotating shaft 185 can be placed in an operable position (eg directly above the rotor 18). Needless to say, the rotor 18 can be stopped at a specific rotational angular position suitable for operation by the operating mechanism 19 by means of the angular position control function of the motor 24 .

ローター18の姿勢が可変で無い場合、すなわち、ローター18の回転軸線Axが常時X方向(水平方向)を向いている場合には、図5に概略的に示されるように、操作機構19を第2閉塞構造物15Bに内蔵させてもよい。さらに、モーター24も第2閉塞構造物15Bに内蔵させてもよい。この場合、図5には図示しないが、処理液により押圧機構191および回転機構192の駆動部が悪影響を受けないように、押圧機構191のプッシュロッドの周囲、回転機構192の回転軸192aの周囲には適当なシール構造が設けられる。同様に、図5には図示しないが、ローター18の回転軸21の周囲にも適当なシール構造、例えばラビリンスシール構造が設けられ、処理液がモーター24に侵入しないようになっている。またこの場合、上記のシール構造を通過した少量の液体を第2副室11S2に流下させるように導く通路を第2閉塞構造物15B内に設けてもよい。この構成を採用する場合、第1閉塞構造物15Aの第1プレート151に設けられた貫通穴151Hは、単に処理室11Cから第1副室11S1に処理液をオーバーフローさせるために用いられる。 When the posture of the rotor 18 is not variable, that is, when the rotation axis Ax of the rotor 18 is always oriented in the X direction (horizontal direction), the operation mechanism 19 is moved to the second position as schematically shown in FIG. It may be built in the 2-occlusion structure 15B. Furthermore, the motor 24 may also be built into the second closing structure 15B. In this case, although not shown in FIG. 5, the periphery of the push rod of the pressing mechanism 191 and the periphery of the rotating shaft 192a of the rotating mechanism 192 are arranged so that the driving parts of the pressing mechanism 191 and the rotating mechanism 192 are not adversely affected by the treatment liquid. is provided with a suitable sealing structure. Similarly, although not shown in FIG. 5, a suitable seal structure, such as a labyrinth seal structure, is also provided around the rotating shaft 21 of the rotor 18 to prevent the treatment liquid from entering the motor 24 . In this case, a passage may be provided in the second closing structure 15B to guide a small amount of liquid that has passed through the seal structure to flow down to the second sub-chamber 11S2. When this configuration is adopted, the through hole 151H provided in the first plate 151 of the first closing structure 15A is used simply to allow the processing liquid to overflow from the processing chamber 11C to the first sub chamber 11S1.

なお、本実施形態で用いられているローター18の構造(特に可動保持棒183の動作に関連する部分の構造)自体は、本件出願人の先行出願に係る特許公開公報(例えば特開2006-13194号等を参照)により既に公知であり、さらなる詳細についてはこれらの公報を参照されたい。 The structure of the rotor 18 used in this embodiment (especially the structure of the portion related to the operation of the movable holding bar 183) itself is based on the prior application of the present applicant (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-13194). et al.), and reference is made to these publications for further details.

次に、ローター18に対する基板の受け渡しについて説明する。 Next, transfer of substrates to the rotor 18 will be described.

ここでは、先に図1を参照して説明したローター18、第1閉塞構造物15A、回転軸21、モーター24および固定部材154の組立体(前述したように「組立体AS」と呼ぶ)が、図6に示すように姿勢変換機構80によりY方向(図6の紙面に垂直な方向)に延びる回転軸線ARを中心として回転可能であるものとする。図6の構成の場合、回転軸線ARをY方向から見ると、ローター18の第1円盤181と回転軸21とが交差する位置あるいはその近傍にある。姿勢変換機構80は、例えばステッピングモータからなる回転駆動部と、回転駆動部により回転(旋回)させられる固定部材154(図1を参照)に固定されたアーム(例えば図1に概略的に示したアーム155)とから構成することができる。 Here, the assembly of the rotor 18, the first closing structure 15A, the rotating shaft 21, the motor 24, and the fixing member 154 described with reference to FIG. As shown in FIG. 6, it is rotatable about a rotation axis AR extending in the Y direction (perpendicular to the plane of FIG. 6) by a posture changing mechanism 80. FIG. In the case of the configuration of FIG. 6, when the rotation axis AR is viewed from the Y direction, it is at or near the intersection of the first disk 181 of the rotor 18 and the rotation shaft 21 . The posture changing mechanism 80 includes a rotary drive unit, for example, a stepping motor, and an arm (for example, the arm 155).

まず、図6(A)に示すように、空のローター18が直立姿勢(回転軸線Axが鉛直方向を向いた姿勢)となっている状態を出発点とする。なおこのとき、処理容器11は第2位置に位置しており、ローター18の可動保持棒183は解放位置に位置している。 First, as shown in FIG. 6A, the starting point is a state in which the empty rotor 18 is in an upright posture (a posture in which the rotation axis Ax faces the vertical direction). At this time, the processing container 11 is positioned at the second position, and the movable holding rod 183 of the rotor 18 is positioned at the release position.

この状態で、図6(B)に示すように、複数枚の基板Wを保持した基板搬送ロボットの基板保持具(例えば後述する第2基板搬送ロボット3Cのエンドエフェクタ3C6)がX方向(水平方向)にローター18内へと侵入してローター18の固定保持棒182の基板保持溝に基板Wの周縁部を差し込む。その後、エンドエフェクタはローター18から退出する。ローター18の固定保持棒182が所定枚数の基板Wを受け取ったら、ローター18の真上に配置された操作機構19(図6には表示されていない)により可動保持棒183が保持位置に移動させられ、これにより基板Wが可動保持棒183によりしっかりと保持される。基板搬送ロボットのエンドエフェクタが可動保持棒183に基板Wを渡し、可動保持棒183を保持位置に移動させた後に、エンドエフェクタをローター18から退出させてもよい。 In this state, as shown in FIG. 6B, the substrate holder of the substrate transport robot holding a plurality of substrates W (for example, an end effector 3C6 of a second substrate transport robot 3C to be described later) moves in the X direction (horizontal direction). ) into the rotor 18 and insert the peripheral edge of the substrate W into the substrate holding groove of the fixed holding rod 182 of the rotor 18 . The end effector then exits the rotor 18. When the fixed holding bar 182 of the rotor 18 receives a predetermined number of substrates W, the movable holding bar 183 is moved to the holding position by the operating mechanism 19 (not shown in FIG. 6) arranged directly above the rotor 18 . The substrate W is thereby firmly held by the movable holding bar 183 . After the end effector of the substrate transport robot passes the substrate W to the movable holding rod 183 and moves the movable holding rod 183 to the holding position, the end effector may be withdrawn from the rotor 18 .

次に、図6(C)に示すように、姿勢変換機構80により、基板Wを保持しているローター18の姿勢が水平姿勢(回転軸線Axが水平方向(X方向)を向く姿勢)に変換される。 Next, as shown in FIG. 6C, the posture of the rotor 18 holding the substrate W is changed to a horizontal posture (a posture in which the rotation axis Ax faces the horizontal direction (X direction)) by the posture changing mechanism 80. be done.

次に、図6(D)に示すように、処理容器11が第2位置から第1位置へとX方向に移動させられる。次いで、シール部材16に加圧された流体が供給され、処理容器11と第1閉塞構造物15Aおよび第2閉塞構造物15Bが密封係合する。この状態は図1に示した状態と同じであり、この状態となったら処理室11C内で基板Wの液処理を実行することが可能となる。 Next, as shown in FIG. 6D, the processing container 11 is moved in the X direction from the second position to the first position. A pressurized fluid is then supplied to the seal member 16 to sealingly engage the processing vessel 11 with the first closure structure 15A and the second closure structure 15B. This state is the same as the state shown in FIG. 1, and in this state, it becomes possible to perform liquid processing on the substrate W within the processing chamber 11C.

処理室11C内における基板Wの処理が終了したら、シール部材16への加圧された流体の供給を停止し(あるいはシール部材16から加圧された流体を排出し)、上記と逆の手順を実行することにより、ローター18から基板を取り出して図6(A)に示す状態にすることができる。 When the processing of the substrate W in the processing chamber 11C is completed, the supply of the pressurized fluid to the seal member 16 is stopped (or the pressurized fluid is discharged from the seal member 16), and the above procedure is reversed. By doing so, the substrate can be taken out of the rotor 18 and put into the state shown in FIG. 6(A).

シール部材16への加圧された流体の供給を処理容器11が第2位置にあるとき(図6(A)~(C)に示す状態のとき)に行ってもよい。そうすることにより前述した第1空間11S3、第2空間11S4、および第3空間11S5に面する部材を(処理容器11の内周面および第1~第4リング状突起111~114の表面)を洗浄することも可能となる。 The pressurized fluid may be supplied to the sealing member 16 when the processing container 11 is at the second position (in the states shown in FIGS. 6A to 6C). By doing so, the members facing the first space 11S3, the second space 11S4, and the third space 11S5 (the inner peripheral surface of the processing container 11 and the surfaces of the first to fourth ring-shaped projections 111 to 114) are It is also possible to wash.

次に、液処理ユニット10で実行される基板の液処理について説明する。 Next, liquid processing of the substrate performed by the liquid processing unit 10 will be described.

液処理ユニット10により実行される下記の手順は、コントローラ(制御部)100(図1および図9を参照)が液処理ユニット10の各種構成要素の動作を制御することにより実行される。コントローラ100は演算処理部101および記憶部102を有している。記憶部102には、液処理ユニット10において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。演算処理部101は記憶部102に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって液処理ユニット10の動作を制御する。なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体からコントローラ100の記憶部102にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリカードなどがある。なお、コントローラ100は、液処理ユニット10の動作だけでなく、当該液処理ユニット10が組み込まれる基板処理システム1(詳細後述)の全体の動作を制御する上位コントローラであってもよい。 The following procedures executed by the liquid processing unit 10 are executed by controlling the operations of various components of the liquid processing unit 10 by a controller (control section) 100 (see FIGS. 1 and 9). The controller 100 has an arithmetic processing unit 101 and a storage unit 102 . The storage unit 102 stores programs for controlling various processes executed in the liquid processing unit 10 . The arithmetic processing unit 101 controls the operation of the liquid processing unit 10 by reading out and executing a program stored in the storage unit 102 . The program may be recorded in a computer-readable storage medium and installed in the storage unit 102 of the controller 100 from the storage medium. Examples of computer-readable storage media include hard disks (HD), flexible disks (FD), compact disks (CD), magnet optical disks (MO), and memory cards. Note that the controller 100 may be a host controller that controls not only the operation of the liquid processing unit 10 but also the overall operation of the substrate processing system 1 (details will be described later) in which the liquid processing unit 10 is incorporated.

[基板搬入工程]
先に図6を参照して説明したように、基板Wがローター18に搬入され、その後、図6(D)および図1に示す状態とされる。
[Substrate loading process]
As described above with reference to FIG. 6, the substrate W is loaded into the rotor 18 and then brought into the state shown in FIG. 6(D) and FIG.

[薬液処理工程]
次に、処理流体ノズル30(ガスノズル33)から処理室11C内に窒素ガス(不活性ガス)が供給される。第1副室11S1および第2副室11S2内の雰囲気が排気ライン143を介して吸引され、第1副室11S1および第2副室11S2が減圧されているため、処理室11C内の雰囲気(大気雰囲気)は、通気路127,128を介して第1副室11S1および第2副室11S2に流出する。このため、処理室11C内の雰囲気が窒素ガス雰囲気(非酸化性の雰囲気)に置換される。処理室11C内の圧力が、微陽圧となるように、処理流体ノズル30からの窒素ガスの供給流量および排気ライン143を介した排気流量が調整されていることが好ましい。
[Chemical liquid treatment process]
Next, nitrogen gas (inert gas) is supplied from the processing fluid nozzle 30 (gas nozzle 33) into the processing chamber 11C. The atmosphere in the first sub-chamber 11S1 and the second sub-chamber 11S2 is sucked through the exhaust line 143, and the pressure in the first sub-chamber 11S1 and the second sub-chamber 11S2 is reduced. Atmosphere) flows out to the first sub-chamber 11S1 and the second sub-chamber 11S2 via the air passages 127 and 128 . Therefore, the atmosphere in the processing chamber 11C is replaced with a nitrogen gas atmosphere (non-oxidizing atmosphere). It is preferable that the flow rate of the nitrogen gas supplied from the processing fluid nozzle 30 and the exhaust flow rate through the exhaust line 143 are adjusted so that the pressure in the processing chamber 11C becomes slightly positive.

処理室11C内は乾燥工程が終了するまで継続的に窒素ガス雰囲気としておくことが好ましい。但し、ランニングコスト低減のため、例えばリンス工程中は大気雰囲気としてもよい。 It is preferable that the inside of the processing chamber 11C is kept in a nitrogen gas atmosphere continuously until the drying process is finished. However, in order to reduce running costs, for example, an air atmosphere may be used during the rinsing process.

次に、ローター18を比較的低速(例えば10~200rpm程度)で回転させる。この時点で、薬液は、タンク51、上流側循環ライン52、バイパスライン57および下流側循環ライン53を通って(処理室11Cを迂回して)、温調された状態で循環している。つまり、ここでは前述した「待機循環」が実施されている。 Next, the rotor 18 is rotated at a relatively low speed (eg, about 10-200 rpm). At this point, the chemical is circulating through the tank 51, the upstream circulation line 52, the bypass line 57, and the downstream circulation line 53 (bypassing the processing chamber 11C) while being temperature-controlled. That is, the above-described "standby circulation" is performed here.

次に、バイパスライン57の開閉弁V1を閉じ、上流側循環ライン52および下流側循環ライン53に設けられた開閉弁V2,V3を開くことにより、薬液が、バイパスライン57を通らずに、薬液ノズル28から処理室11Cに供給されるようにする。 Next, by closing the on-off valve V1 of the bypass line 57 and opening the on-off valves V2 and V3 provided in the upstream circulation line 52 and the downstream circulation line 53, the chemical does not pass through the bypass line 57 and is The nozzle 28 is supplied to the processing chamber 11C.

処理室11C内の薬液の液位が予め定められた液位がある液位を超えると、処理室11C内の薬液が、連通路(例えば第1プレートに設けた貫通穴151H)を介して第1副室11S1に流出(オーバーフロー)する。第1副室11S1に流出した薬液は、循環用排液口131を介して下流側循環ライン53に排出されてタンク51に戻され、再び上流側循環ライン52を通って薬液ノズル28から処理室11Cに供給される。薬液ノズル28から処理室11C内に供給される薬液の流量を適宜調整することにより、処理室11C内の薬液の液位が所望の液位(以下、「薬液処理時液位」とも呼ぶ)に維持されつつ、薬液が循環する。つまり、ここでは前述した「通常循環」が実施される。処理室11C内の薬液はシール部材16を介して第2副室11S2にも流出(漏洩)するが、この薬液も循環用排液口132を介して下流側循環ライン53に流出し、循環経路内を循環する。通常循環の実施中には、処理室11C内での薬液の温度低下を防止するために、ヒーター129により、処理室11Cに面する処理容器11の壁が、例えば薬液の設定温度と概ね同じ温度に加熱される。 When the liquid level of the chemical liquid in the processing chamber 11C exceeds a predetermined liquid level, the chemical liquid in the processing chamber 11C flows through the communication path (for example, the through hole 151H provided in the first plate) to the first plate. It flows out (overflows) into the first sub-chamber 11S1. The chemical liquid that has flowed out to the first sub chamber 11S1 is discharged to the downstream circulation line 53 through the circulation drain port 131, returned to the tank 51, passes through the upstream circulation line 52 again, and is discharged from the chemical liquid nozzle 28 to the processing chamber. 11C. By appropriately adjusting the flow rate of the chemical liquid supplied from the chemical liquid nozzle 28 into the processing chamber 11C, the liquid level of the chemical liquid in the processing chamber 11C can be set to a desired liquid level (hereinafter also referred to as "liquid level during chemical liquid processing"). While being maintained, the chemical liquid circulates. That is, the above-described "normal circulation" is performed here. The chemical solution in the processing chamber 11C also flows out (leaks) to the second sub-chamber 11S2 through the sealing member 16, but this chemical solution also flows out to the downstream circulation line 53 through the circulation drainage port 132, and flows into the circulation path. circulate inside. During normal circulation, in order to prevent the temperature of the chemical in the processing chamber 11C from dropping, the wall of the processing container 11 facing the processing chamber 11C is heated by the heater 129 to a temperature approximately equal to the set temperature of the chemical, for example. is heated to

薬液処理時液位は、例えば各基板Wの下半分の領域が処理室11C内に貯留されている薬液に浸漬される程度の液位とすることができる。基板Wはローター18により回転させられているため、各基板Wの表面の薬液の液面より上方にある部分が乾くことはない。薬液の液面より上方にある基板Wの表面に付着した薬液が重力により基板の表面を下向きに流れるため、薬液の粘度および基板Wの表面に対する薬液の濡れ性次第では、基板Wの下側1/3程度の領域が薬液に浸漬されていれば十分な場合もある。 The liquid level at the time of chemical liquid processing can be, for example, a liquid level at which the lower half region of each substrate W is immersed in the chemical liquid stored in the processing chamber 11C. Since the substrates W are rotated by the rotor 18, the portions of the surfaces of the substrates W above the liquid surface of the chemical solution do not dry. Since the chemical liquid adhering to the surface of the substrate W above the liquid surface of the chemical liquid flows downward on the surface of the substrate due to gravity, depending on the viscosity of the chemical liquid and the wettability of the chemical liquid to the surface of the substrate W, the lower side 1 of the substrate W may be In some cases, it is sufficient if an area of about /3 is immersed in the chemical solution.

各基板Wの一部のみを薬液に浸漬することは、基板Wの全体を浸漬する場合と比較して、ローター18の回転駆動負荷の低減、基板Wの表面と薬液との比較的高い相対速度を実現する上で好ましい。しかしながら、薬液処理時液位を、各基板Wの全体が処理室11C内に貯留されている薬液に浸漬されるような液位にしても構わない。薬液処理時液位の高低に関わらず、処理室11C内の薬液は回転するローター18および基板Wにより攪拌されるため、処理室11C内の薬液の組成が均一化され、基板Wの処理の面内均一性および面間均一性が向上する。 Submerging only a portion of each substrate W in the chemical solution reduces the rotational drive load of the rotor 18 and relatively increases the relative speed between the surface of the substrate W and the chemical solution, compared to the case where the entire substrate W is immersed. It is preferable to realize However, the liquid level during chemical liquid processing may be set to a liquid level such that the whole of each substrate W is immersed in the chemical liquid stored in the processing chamber 11C. Since the chemical in the processing chamber 11C is agitated by the rotating rotor 18 and the substrate W regardless of the liquid level during the chemical processing, the composition of the chemical in the processing chamber 11C is made uniform, and the surface of the substrate W being processed is improved. Intra-uniformity and inter-plane uniformity are improved.

ローター18に保持された複数の基板Wのうち円盤181Aに最も近い基板Wと、円盤181Aとの間の間隔は、隣接する基板W同士の間隔と等しいか概ね等しいことが好ましい。円盤181Bとこれに最も近い基板Wとの間隔も、隣接する基板W同士の間隔と等しいか概ね等しいことが好ましい。そうすることにより、両端の基板の表面近傍の薬液の流動条件が他の基板と概ね同じになり、これにより基板Wの処理の面間均一性が向上する。 The distance between the substrate W closest to the disk 181A among the plurality of substrates W held by the rotor 18 and the disk 181A is preferably equal to or substantially equal to the distance between the adjacent substrates W. It is also preferable that the distance between the disk 181B and the substrate W closest to it is equal or approximately equal to the distance between the adjacent substrates W. By doing so, the flow conditions of the chemical near the surfaces of the substrates at both ends become substantially the same as those of the other substrates, thereby improving the inter-surface uniformity of the substrate W processing.

薬液処理工程では、処理室11Cの液面より上方の空間が窒素ガス雰囲気となっているため、処理室11C内の酸素が薬液中に溶解することによる処理結果への悪影響および酸化による薬液の劣化を抑制することができる。また、基板Wの一部のみを薬液に浸漬させる場合に、基板Wの上半部が酸化することも防止することができる。 In the chemical solution processing step, since the space above the liquid surface of the processing chamber 11C is a nitrogen gas atmosphere, oxygen in the processing chamber 11C dissolves in the chemical solution, which adversely affects the processing result and deteriorates the chemical solution due to oxidation. can be suppressed. Further, when only part of the substrate W is immersed in the chemical solution, it is possible to prevent the upper half of the substrate W from being oxidized.

例えば、薬液処理が、TMAHによりPoly-Siをエッチングする処理であった場合、基板が回転しない基板保持部により保持され、かつ処理槽内の雰囲気が大気雰囲気である場合、大気中の酸素がTMAH中に溶け込み、液面付近のTMAH中の酸素濃度が高くなり、エッチングの面内均一性が損なわれるおそれがある。本実施形態ではそのような問題は生じない。 For example, if the chemical treatment is a treatment of etching Poly-Si with TMAH, the substrate is held by a non-rotating substrate holding unit, and the atmosphere in the processing tank is an air atmosphere, oxygen in the air is removed by TMAH. The oxygen concentration in TMAH near the liquid surface increases, and the in-plane uniformity of etching may be impaired. Such a problem does not occur in this embodiment.

本実施形態では、処理室11Cは閉鎖され、概ね密閉されている。また、処理室11C内には窒素ガスが供給され、かつ、処理室11C内の雰囲気は通気路127,128を介して吸引されているが、窒素ガス供給流量および処理室11Cの吸引流量は、処理室11Cを窒素ガス雰囲気に維持するために必要な程度の少量である。従って、処理室11C内において薬液の表面から蒸発した水蒸気が自由に処理室11Cの外に出て行けないので、薬液循環系内を循環する薬液の濃度の変化は低く抑制される。このため、エッチングレート(あるいは反応速度)の変動を抑制することが可能である。この効果は、大気開放タイプの処理室(処理槽)を用いるバッチ式液処理ユニットと比較すると顕著である。 In this embodiment, the processing chamber 11C is closed and generally sealed. Nitrogen gas is supplied into the processing chamber 11C, and the atmosphere in the processing chamber 11C is sucked through the air passages 127 and 128. The nitrogen gas supply flow rate and the suction flow rate of the processing chamber 11C are It is a small amount necessary to maintain the nitrogen gas atmosphere in the processing chamber 11C. Therefore, since the water vapor evaporated from the surface of the chemical in the processing chamber 11C cannot freely go out of the processing chamber 11C, the change in the concentration of the chemical circulating in the chemical circulation system is suppressed. Therefore, it is possible to suppress variations in etching rate (or reaction rate). This effect is remarkable when compared with a batch-type liquid processing unit that uses a processing chamber (processing tank) that is open to the atmosphere.

予め定められた薬液処理時間が経過したら、処理室11C内に実質的に薬液が無い状態へと移行する。具体的には例えば、バイパスライン57の開閉弁V1を開き、上流側循環ライン52および下流側循環ライン53に設けられた開閉弁V2,V3を閉じ、排液ライン136の開閉弁V4を開く。これにより、薬液ノズル28から処理室11C内への薬液の供給が停止され、また、処理室11C、第1副室11S1および第2副室11S2内に残留している薬液が排出される。このとき「通常循環」から「待機循環」へと移行したことになる。 After the predetermined chemical solution processing time has passed, the processing chamber 11C shifts to a state in which there is substantially no chemical solution. Specifically, for example, the on-off valve V1 of the bypass line 57 is opened, the on-off valves V2 and V3 provided in the upstream circulation line 52 and the downstream circulation line 53 are closed, and the on-off valve V4 of the drain line 136 is opened. As a result, the supply of the chemical solution from the chemical solution nozzle 28 into the processing chamber 11C is stopped, and the chemical solution remaining in the processing chamber 11C, the first sub-chamber 11S1 and the second sub-chamber 11S2 is discharged. At this time, the "normal circulation" is changed to the "standby circulation".

処理室11C、第1副室11S1および第2副室11S2内に残留していた薬液の再利用が望まれる場合には、排液ライン136から回収ライン(図示せず)を分岐させ、この回収ラインを介して例えば薬液循環機構50のタンク51に薬液を戻せるような構成を採用してもよい。 When it is desired to reuse the chemical liquid remaining in the processing chamber 11C, the first sub-chamber 11S1 and the second sub-chamber 11S2, a recovery line (not shown) is branched from the drainage line 136, and this recovery is performed. A configuration may be adopted in which the chemical solution can be returned to, for example, the tank 51 of the chemical solution circulation mechanism 50 via a line.

処理室11C内から薬液のほぼ全てが排出された後、あるいは、処理室11C内の薬液の液位がローター18の最下部よりも低くなった後に、ローター18を例えば500rpm以下程度の中速で回転させて、基板Wに付着している薬液を振り切って除去する。この薬液の振り切りは省略してもよい。 After almost all of the chemical solution is discharged from the processing chamber 11C, or after the liquid level of the chemical solution in the processing chamber 11C becomes lower than the bottom of the rotor 18, the rotor 18 is rotated at a medium speed of, for example, 500 rpm or less. By rotating the substrate W, the chemical solution adhering to the substrate W is shaken off and removed. This shaking off of the chemical solution may be omitted.

[リンス工程]
次に、ローター18を例えば10~200rpm程度の比較的低回転で回転させた状態で、処理室11Cに設けられた処理流体ノズル30(リンスノズル31)からリンス液(例えばDIW)を吐出する。また、第1副室11S1および第2副室11S2の洗浄液ノズル37,38からも洗浄液としてのリンス液を吐出する。リンス液は常温であってもよく、加熱されていてもよい。
[Rinse process]
Next, while the rotor 18 is rotated at a relatively low speed of, for example, about 10 to 200 rpm, a rinse liquid (for example, DIW) is discharged from the processing fluid nozzle 30 (rinse nozzle 31) provided in the processing chamber 11C. Also, the rinse liquid as the cleaning liquid is discharged from the cleaning liquid nozzles 37 and 38 of the first sub-chamber 11S1 and the second sub-chamber 11S2. The rinse liquid may be at room temperature or may be heated.

これにより、基板Wの表面に残留する薬液がリンス液により洗い流される。また、処理室11Cの内部空間に面している液処理ユニット10の構成部品(処理容器11、ローター18、回転軸21等)の表面も、リンスノズル31から吐出されたリンス液、並びにローター18および基板Wから飛散するリンス液により洗い流される。第1副室11S1および第2副室11S2の内部空間に面している液処理ユニット10の構成部品の表面も、リンス液により洗い流される。処理室11Cおよび第1副室11S1および第2副室11S2内のリンス液(洗浄液)は、開閉弁V4が開かれた排液ライン136を介して廃棄される。 As a result, the chemical liquid remaining on the surface of the substrate W is washed away by the rinsing liquid. Also, the surfaces of the components of the liquid processing unit 10 (processing container 11, rotor 18, rotary shaft 21, etc.) facing the inner space of the processing chamber 11C are also exposed to the rinse liquid discharged from the rinse nozzle 31 and the rotor 18. and washed away by the rinsing liquid splashed from the substrate W. The surfaces of the component parts of the liquid processing unit 10 facing the internal spaces of the first sub-chamber 11S1 and the second sub-chamber 11S2 are also washed away by the rinse liquid. The rinsing liquid (cleaning liquid) in the processing chamber 11C, the first sub-chamber 11S1 and the second sub-chamber 11S2 is discharged through the drain line 136 with the on-off valve V4 opened.

次に、リンスノズル31および洗浄液ノズル37,38からのリンス液の供給を停止し、ローター18例えば500rpm以下程度の中速で回転させ、これにより、ローター18および基板Wに付着しているリンス液を振り切りある程度除去する(乾燥しないように、リンス液を完全には除去しない)。基板Wに付着したリンス液の振り切りを行っている間、洗浄液ノズル37,38から洗浄液(リンス液)を吐出し続けてもよい。振り切りを省略して次工程に進んでもよい。 Next, the supply of the rinse liquid from the rinse nozzle 31 and the cleaning liquid nozzles 37 and 38 is stopped, and the rotor 18 is rotated at a medium speed of, for example, 500 rpm or less. Shake off and remove to some extent (do not remove the rinse completely so as not to dry). While the rinse liquid adhering to the substrate W is being shaken off, the cleaning liquid (rinse liquid) may be continuously discharged from the cleaning liquid nozzles 37 and 38 . The shaking off may be omitted and the next step may be performed.

[乾燥工程(第1工程:乾燥前処理)]
次に、ローター18の回転数を、例えば10~200rpm程度の中速にし、乾燥用流体ノズル32から、乾燥用流体として以下のいずれかを吐出する。
(1)IPAミストもしくはIPA蒸気
(2)IPAミストと、SMDミスト若しくはSMD蒸気との混合流体
これにより、上記(1)(2)のいずれの場合においても、基板Wの表面特にパターンの凹部内にあるリンス液(DIW)がIPAに置換される。上記(2)の場合、さらに基板Wの表面特にパターンの凹部の表面が疎水化される。
上記(2)に代えて、IPAミストもしくはIPA蒸気の供給後に、SMDミスト若しくはSMD蒸気を供給してもよい。
[Drying step (first step: pre-drying treatment)]
Next, the rotation speed of the rotor 18 is set to a medium speed of, for example, about 10 to 200 rpm, and any one of the following drying fluids is discharged from the drying fluid nozzles 32 .
(1) IPA mist or IPA vapor (2) Mixed fluid of IPA mist and SMD mist or SMD vapor The rinse solution (DIW) in is replaced with IPA. In the case of (2) above, the surface of the substrate W, particularly the surface of the concave portions of the pattern, is further hydrophobized.
Instead of (2) above, SMD mist or SMD vapor may be supplied after supplying IPA mist or IPA vapor.

[乾燥工程(第2工程:本乾燥処理)]
次に、処理流体ノズル30(ガスノズル33)からの窒素ガスの供給を継続したまま、 で乾燥用流体ノズル32からの乾燥用流体の吐出を停止し、本乾燥処理として、(A)減圧乾燥、または(B)回転乾燥を行う。
[Drying step (second step: main drying treatment)]
Next, while the supply of nitrogen gas from the processing fluid nozzle 30 (gas nozzle 33) is continued, the discharge of the drying fluid from the drying fluid nozzle 32 is stopped in the main drying process. or (B) spin drying.

(A)減圧乾燥を行う場合には、排気ライン143を介した排気流量を調整する(例えば増加させる)ことにより、処理室11C内の圧力を例えばゲージ圧で-20kPa程度に減圧する。排気流量の調整は、排気ライン143にエゼクタまたは真空ポンプ等の吸引用機器が設けられている場合には、当該吸引用機器の吸引力を調節すればよい。また、排気ライン143にバタフライ弁等の流量調整機能を有する弁が設けられている場合には、当該弁の開度を調節すればよい。処理室11C内を減圧した状態を5分程度継続することにより、IPAが蒸発し、パターンの凹部内を含めた基板Wの全表面が乾燥する。(A)減圧乾燥を行う場合には、ローター18の回転数を、乾燥前処理の実行中と同じに維持してもよいし、回転を停止してもよい。 (A) When vacuum drying is performed, the pressure in the processing chamber 11C is reduced to about −20 kPa in gauge pressure, for example, by adjusting (for example, increasing) the exhaust flow rate through the exhaust line 143 . When the exhaust line 143 is provided with a suction device such as an ejector or a vacuum pump, the exhaust flow rate may be adjusted by adjusting the suction force of the suction device. In addition, if the exhaust line 143 is provided with a valve having a flow rate adjusting function such as a butterfly valve, the degree of opening of the valve may be adjusted. By continuing the reduced pressure state in the processing chamber 11C for about 5 minutes, the IPA evaporates and the entire surface of the substrate W including the recesses of the pattern is dried. (A) When drying under reduced pressure, the number of rotations of the rotor 18 may be maintained at the same as during the pre-drying treatment, or may be stopped.

(B)回転乾燥を行う場合には、ローター18の回転数を増大させ、例えば100~1000rpm程度(具体的には例えば800rpm程度)の比較的高回転にする。この状態を5分程度継続することにより、基板W上のIPAが振り切られるとともに蒸発し、パターンの凹部内を含めた基板Wの全表面が乾燥する。(B)回転乾燥は、処理室11C内の圧力をゲージ圧で-20kPa程度に減圧した状態で行ってもよい。つまり、(A)減圧乾燥と(B)回転乾燥とを同時に行ってもよい。 (B) When rotary drying is performed, the rotation speed of the rotor 18 is increased to a relatively high rotation speed of, for example, about 100 to 1000 rpm (specifically, about 800 rpm). By continuing this state for about 5 minutes, the IPA on the substrate W is shaken off and evaporated, and the entire surface of the substrate W including the recesses of the pattern is dried. (B) The rotary drying may be performed while the pressure inside the processing chamber 11C is reduced to about −20 kPa in gauge pressure. That is, (A) vacuum drying and (B) rotary drying may be performed simultaneously.

以上により、1バッチ(例えば25枚)の基板の処理が終了する。 Thus, the processing of one batch (for example, 25 substrates) of substrates is completed.

[基板搬出工程]
次に、ガスノズル33からの窒素ガスの供給を停止する。次に、図6の(D)から(A)へと逆行する手順により、ローター18から基板Wを取り出す。取り出された基板Wは、例えば元の基板搬送容器Cに収容される。
[Substrate unloading process]
Next, the supply of nitrogen gas from the gas nozzle 33 is stopped. Next, the substrate W is taken out from the rotor 18 by the reverse procedure from (D) to (A) in FIG. The removed substrates W are accommodated in the original substrate transfer container C, for example.

以下、液処理ユニット10により実行される薬液処理および処理条件の例を示す。 Examples of the chemical liquid processing and processing conditions performed by the liquid processing unit 10 are shown below.

<例1>
薬液処理の目的:チャネルのPoly-Siエッチング
薬液:TMAH、TM-Y(トリメチル-2ヒドロキシエチル アンモニウムハイドロオキサイド )、SC1等のアルカリ薬液
薬液温度:60~80℃
処理時間:~60min
<Example 1>
Purpose of chemical treatment: Poly-Si etching of channels Chemicals: Alkaline chemicals such as TMAH, TM-Y (trimethyl-2-hydroxyethyl ammonium hydroxide), SC1, etc. Chemicals temperature: 60-80°C
Processing time: ~60min

<例2>
薬液処理の目的:W/TiNのWエッチング、もしくはMo/TiNのMoエッチング(メタルエッチング)
薬液:PAN(リン酸+酢酸+硝酸)
薬液温度:20~80℃
処理時間:~90min
(備考:薬液は有機酸(酢酸、蟻酸、シュウ酸)等のみでも可とする。)
<Example 2>
Purpose of chemical treatment: W etching of W/TiN or Mo etching of Mo/TiN (metal etching)
Chemical solution: PAN (phosphoric acid + acetic acid + nitric acid)
Chemical liquid temperature: 20 to 80°C
Processing time: ~90min
(Remarks: Only organic acids (acetic acid, formic acid, oxalic acid, etc.) can be used as chemicals.)

<例3>
薬液処理の目的:SiNエッチング(ダミーワード抜き)
薬液:リン酸
薬液温度:150~165℃
処理時間:~300min
<Example 3>
Purpose of chemical treatment: SiN etching (dummy word removal)
Chemical solution: phosphoric acid Chemical solution temperature: 150 to 165°C
Processing time: ~300min

次に、液処理ユニットの変形実施形態について説明する。 Next, a modified embodiment of the liquid processing unit will be described.

[第1変形実施形態]
上記の実施形態では、処理容器11がX方向に移動し、ローター18、モーター24および第1閉塞構造物15Aの組立体ASおよび第2閉塞構造物15BがX方向には移動しなかったが、これには限定されない。すなわち、図7に示すように、処理容器11を不動(X方向に移動しない)に設け、組立体ASおよび第2閉塞構造物15BをX方向に移動させてもよい。図7(A)は、ローター18が処理容器11内に収容されて基板に液処理を施すことが可能となっている状態を示している。図7(A)では、ローター18と処理容器11との間の位置関係は、前述した第1位置関係にある。図7で(B)は、ローター18が処理容器11の外部に位置するとともに、第2閉塞構造物15Bが処理容器11内に位置している状態を示している。図7(B)では、ローター18と処理容器11との間の位置関係は、前述した第2位置関係にある。図7(B)に示す状態では、基板搬送ロボットとローター18との間で基板の受け渡しを行うことができる。また、図7には記載されていない姿勢変換機構によりローター18の姿勢を変化させることができる。処理容器11が可動であると、例えば、処理容器11の移動が許容されるように供給ラインを構成しなければならなくなるが(例えばフレキシブルチューブの採用)、処理容器11を固定した場合にはそのような構成を採用する必要は無い。
[First modified embodiment]
In the above embodiment, the processing vessel 11 moves in the X direction, and the rotor 18, the motor 24, the assembly AS of the first closing structure 15A and the second closing structure 15B do not move in the X direction. It is not limited to this. That is, as shown in FIG. 7, the processing container 11 may be fixed (not moved in the X direction), and the assembly AS and the second closing structure 15B may be moved in the X direction. FIG. 7A shows a state in which the rotor 18 is accommodated in the processing container 11 and the substrate can be subjected to liquid processing. In FIG. 7A, the positional relationship between the rotor 18 and the processing container 11 is the first positional relationship described above. 7B shows a state in which the rotor 18 is positioned outside the processing container 11 and the second closing structure 15B is positioned inside the processing container 11. FIG. In FIG. 7B, the positional relationship between the rotor 18 and the processing container 11 is the second positional relationship described above. In the state shown in FIG. 7B, the substrate can be transferred between the substrate transfer robot and the rotor 18. FIG. Also, the posture of the rotor 18 can be changed by a posture changing mechanism not shown in FIG. If the processing container 11 is movable, for example, the supply line must be constructed so as to allow the movement of the processing container 11 (e.g., use of a flexible tube). There is no need to adopt such a configuration.

[第2変形実施形態]
上記の実施形態では、処理容器11の両端が開放されていたが、これには限定されない。図8に概略的に示すように、処理容器11の第1端部のみを開放し、第2端部を閉鎖してもよい。この第2変形実施形態においては、処理容器11の第1端部側の構成は、図1に示したものと同じ構成とされ、第2端部側の構成のみが変更され、第2閉塞構造物15Bは設けられない。この第2変形実施形態においては、処理容器11をX方向に可動としても、ローター18、回転軸21、モーター24、第1閉塞構造物15A等からなる組立体ASをX方向に可動としても構わない。処理容器11の第2端部に第1壁117および第2壁118からなる二重壁を設け、2つの壁117,118の間の空間を第2副室11S2’として用いてもよい。第2副室11S2’の底部に、循環用排液口および廃棄用排液口を設けることができる。第1壁117に貫通穴(液体連通路)を設ければ、第1副室11S1にだけでなく第2副室11S2’にも処理室11C内の薬液をオーバーフローさせることができる。
[Second modified embodiment]
Although both ends of the processing container 11 are open in the above embodiment, the present invention is not limited to this. As shown schematically in FIG. 8, only the first end of the processing vessel 11 may be open and the second end closed. In this second modified embodiment, the structure of the processing container 11 on the first end side is the same as that shown in FIG. Object 15B is not provided. In this second modified embodiment, the processing container 11 may be movable in the X direction, or the assembly AS including the rotor 18, rotating shaft 21, motor 24, first closing structure 15A, etc. may be movable in the X direction. do not have. A double wall consisting of a first wall 117 and a second wall 118 may be provided at the second end of the processing vessel 11, and the space between the two walls 117 and 118 may be used as the second sub-chamber 11S2'. The bottom of the second sub-chamber 11S2' can be provided with a circulation drain port and a waste drain port. If a through hole (liquid communication passage) is provided in the first wall 117, the chemical solution in the processing chamber 11C can overflow not only the first sub-chamber 11S1 but also the second sub-chamber 11S2'.

[複数薬液を供給可能な処理液供給機構]
上記実施形態では、使用する薬液は1種類であったが、これに限定されず、2種類以上の薬液を用いて液処理を行ってもよい。この場合、1回目の薬液処理工程を行った後に、1回目のリンス工程を行い、その後に(乾燥工程に移行せずに)2回目の薬液処理工程および2回目のリンス工程を行い、さらにその後に乾燥工程に移行すればよい。
[Processing liquid supply mechanism capable of supplying multiple chemicals]
In the above embodiment, one type of chemical liquid is used, but the present invention is not limited to this, and liquid processing may be performed using two or more types of chemical liquids. In this case, the first rinsing step is performed after the first chemical treatment step, and then the second chemical treatment step and the second rinsing step are performed (without transitioning to the drying step), and then the second rinse step is performed. It is sufficient to shift to the drying process immediately.

以下に、2種類の薬液として酸性薬液およびアルカリ系薬液を用いて液処理を行うことができる液処理ユニット10について図9を参照して説明する。図9に示した構成と図1に示した構成との差異について以下に簡単に説明する。 A liquid processing unit 10 capable of performing liquid processing using two types of chemical solutions, an acidic chemical solution and an alkaline chemical solution, will be described below with reference to FIG. Differences between the configuration shown in FIG. 9 and the configuration shown in FIG. 1 will be briefly described below.

酸性薬液循環機構50Aとアルカリ性薬液循環機構50Bの2つの循環機構が設けられる。これらの循環機構50A、50Bに設けられた開閉弁を適宜切り替えることにより、循環機構50A、50Bの一方の薬液が、薬液ノズル28、処理室11C、第1副室11S1、第2副室11S2を介して循環し(前述した「通常循環」に相当)、循環機構50A、50Bの他方の薬液はバイパスライン(57Aまたは57B)を通って循環する(前述した「待機循環」に相当)ようにすることができる。「50+N」(Nは一桁の自然数)の数字の後に「A」が付けられた部材は酸性薬液循環機構50Aに関連する部材であり、「B」が付けられた部材はアルカリ性薬液循環機構50Bに関連する部材である。末尾のアルファベット(A,B)が付けられた50番台の参照符号(例えば51A)が付けられた部材は、図1においてアルファベット(A,B)無しの50番台の参照符号(例えば51A)が付けられた部材と同じ役割を果たす部材である。 Two circulation mechanisms, an acidic chemical circulation mechanism 50A and an alkaline chemical circulation mechanism 50B, are provided. By appropriately switching the on-off valves provided in these circulation mechanisms 50A and 50B, the chemical liquid in one of the circulation mechanisms 50A and 50B flows through the chemical liquid nozzle 28, the processing chamber 11C, the first sub-chamber 11S1 and the second sub-chamber 11S2. (corresponding to the above-mentioned "normal circulation"), and the other chemical liquid of the circulation mechanisms 50A and 50B circulates through the bypass line (57A or 57B) (corresponding to the above-mentioned "standby circulation"). be able to. Members with "A" after the number "50+N" (N is a single digit natural number) are members related to the acidic chemical liquid circulation mechanism 50A, and members with "B" are the alkaline chemical liquid circulation mechanism 50B. It is a member related to A member with a 50-series reference number (eg, 51A) with a suffix (A, B) is labeled with a 50-series reference number (eg, 51A) without the alphabet (A, B) in FIG. It is a member that plays the same role as the member that is attached.

排液ライン136が、半導体製造工場の排液管路と、酸性薬液循環機構50Aの下流側循環ライン53Aと、アルカリ性薬液循環機構50Bの下流側循環ライン53Bに選択的に接続することができるようになっている。この目的のために、排液ライン136、下流側循環ライン53A,53Bに開閉弁が設けられている。 The drainage line 136 can be selectively connected to the drainage pipeline of the semiconductor manufacturing plant, the downstream circulation line 53A of the acidic chemical circulation mechanism 50A, and the downstream circulation line 53B of the alkaline chemical circulation mechanism 50B. It has become. For this purpose, on-off valves are provided in the drainage line 136 and the downstream circulation lines 53A and 53B.

詳細には、排液ライン136の下流側端部は、ドレインボックスを介して、半導体製造工場の酸性排液用管路およびアルカリ性排液用管路のうちのいずれか一方に選択的に接続できるようになっている。ドレインボックスの上流側において、排液ライン136が、酸性薬液循環機構50Aの下流側循環ライン53Aと、アルカリ性薬液循環機構50Bの下流側循環ライン53Bに接続されている。排液ライン136、下流側循環ライン53A,53Bに開閉弁が設けられており、これら開閉弁を適宜切り替えることにより、排液ライン136を、半導体製造工場の排液管路、下流側循環ライン53Aおよび下流側循環ライン53Bのいずれか一つに選択的に連通させることができるようになっている。 Specifically, the downstream end of the drain line 136 can be selectively connected to either the acid drain line or the alkaline drain line of the semiconductor manufacturing plant via a drain box. It's like On the upstream side of the drain box, a drain line 136 is connected to the downstream circulation line 53A of the acidic chemical circulation mechanism 50A and the downstream circulation line 53B of the alkaline chemical circulation mechanism 50B. The drain line 136 and the downstream circulation lines 53A and 53B are provided with on-off valves. and downstream circulation line 53B.

下流側循環ライン53Aおよび下流側循環ライン53Bから回収ライン53A1,53B1がそれぞれ分岐しており、回収ライン53A1,53B1には酸回収タンク53A2およびアルカリ回収タンク53B2が介設されている。回収ライン53A1(53B1)は、酸性薬液循環機構50A(アルカリ性薬液循環機構50B)内を薬液が循環していないときに第1副室11S1、第2副室11S2から排出された薬液を廃棄せずに酸回収タンク53A2(アルカリ回収タンク53B2)に一時的に貯留するために用いることができる。酸回収タンク53A2(アルカリ回収タンク53B2)に貯留された薬液は適当なタイミングで酸性薬液循環機構50A(アルカリ性薬液循環機構50B)のタンク51A(51B)に戻すことができる。 Recovery lines 53A1 and 53B1 branch off from the downstream circulation line 53A and the downstream circulation line 53B, respectively, and an acid recovery tank 53A2 and an alkali recovery tank 53B2 are interposed in the recovery lines 53A1 and 53B1. The recovery line 53A1 (53B1) does not discard the chemical liquid discharged from the first sub-chamber 11S1 and the second sub-chamber 11S2 when the chemical liquid is not circulating in the acidic chemical liquid circulation mechanism 50A (alkaline chemical liquid circulation mechanism 50B). It can be used for temporary storage in the acid recovery tank 53A2 (alkali recovery tank 53B2). The chemical stored in the acid recovery tank 53A2 (alkali recovery tank 53B2) can be returned to the tank 51A (51B) of the acid chemical circulation mechanism 50A (alkaline chemical circulation mechanism 50B) at an appropriate timing.

排気ライン143には、排気中に含まれる水分(ミスト等)を排気(ガス)から分離する排気ボックス144が介設されている。排気ボックス144の下流側において、排気ライン143は、酸排気用のライン(これは半導体製造工場の酸排気用ダクト(Ac-EXH)に接続される)、アルカリ排気用のライン(これは半導体製造工場のアルカリ排気用ダクト(Al-EXH)に接続される)および有機排気用(これは半導体製造工場の有機排気用ダクト(Or-EXH)に接続される)のラインに分岐している。排気ボックス144のところで排気ライン143から分岐する排液ライン145は、酸排液用のライン(これは半導体製造工場の酸排液用管路(Ac-DR)に接続される)、アルカリ排液用のライン(これは半導体製造工場のアルカリ排液用管路(Al-DR)に接続される)および有機排液用(これは半導体製造工場の有機排液用管路(Or-DR)に接続される)のラインに分岐している。上記各ラインに介設された開閉弁を適宜切り替えることにより、排気および排液は、当該排気および排液の種類に応じた排出先に排出される。 An exhaust box 144 is interposed in the exhaust line 143 to separate moisture (mist, etc.) contained in the exhaust from the exhaust (gas). On the downstream side of the exhaust box 144, the exhaust line 143 includes a line for acid exhaust (which is connected to the acid exhaust duct (Ac-EXH) of the semiconductor manufacturing plant), a line for alkali exhaust (which is used for semiconductor manufacturing). It is branched into a line for alkaline exhaust (Al-EXH) in the factory and a line for organic exhaust (which is connected to the organic exhaust duct (Or-EXH) in the semiconductor manufacturing plant). A drainage line 145 branching from the exhaust line 143 at the exhaust box 144 is a line for acid drainage (which is connected to an acid drainage pipe (Ac-DR) in a semiconductor manufacturing plant), an alkaline drainage. (This is connected to the alkaline drainage line (Al-DR) of the semiconductor manufacturing plant) and the organic drainage line (This is connected to the organic drainage line (Or-DR) of the semiconductor manufacturing plant. connected) line. By appropriately switching the on-off valves interposed in each of the lines, the exhaust gas and the waste liquid are discharged to a discharge destination according to the type of the exhaust gas and the waste liquid.

図9に示した処理容器11の底部には、図1に示した処理容器11とは異なり、下流側循環ライン53A,53Bに直接接続される循環用排液口131,132は設けられておらず、廃液用排液口133,134に接続された排液ライン136を必要に応じて下流側循環ライン53A,53Bに連通させることができるようになっている。図9に示した処理容器11の上部に設けられた各種構成要素は、図1に示した処理容器11の上部に設けられたものと同じであり、重複説明は省略する。 Unlike the processing container 11 shown in FIG. 1, the bottom of the processing container 11 shown in FIG. Instead, the drain line 136 connected to the waste liquid drain ports 133 and 134 can be communicated with the downstream circulation lines 53A and 53B as required. Various components provided in the upper part of the processing container 11 shown in FIG. 9 are the same as those provided in the upper part of the processing container 11 shown in FIG.

上述した液処理ユニット10の実施形態によれば、複数の基板を鉛直姿勢で水平方向に並べてローターに保持させて水平軸線周りに回転させながら処理を行うため、各基板の温度の面内均一性を高めることができ、このため処理結果の面内均一性を高めることができる。また、基板を回転させることにより処理液が攪拌されるため、処理室内の各場所における処理液の状態を均一化することができる。また、基板を回転させることにより、基板表面と反応した処理液が直ちに置換されるため、各基板の処理の面内均一性を高めることができる。また、基板表面に形成されたパターンの凹部内にある処理液の置換性も向上するため、パターンのトップ/ボトム間でも均一なエッチングを行うことができる。また、基板を回転させることにより基板表面と処理液との相対速度を基板間で均一化することができる。このように、基板を回転させない従前のバッチ式液処理装置で処理の面内/面間均一性を向上させるための各種方策(例えば処理液ノズルからの吐出流量の増加、窒素ガス吐出により処理液の流速を増大させること(気泡に作用する浮力による))を実施する必要がなくなる。 According to the embodiment of the liquid processing unit 10 described above, a plurality of substrates are horizontally arranged in a vertical posture, held by the rotor, and processed while being rotated around the horizontal axis. can be increased, and therefore the in-plane uniformity of the processing result can be increased. In addition, since the processing liquid is stirred by rotating the substrate, the state of the processing liquid can be made uniform at each location in the processing chamber. Further, by rotating the substrate, the processing liquid that has reacted with the substrate surface is immediately replaced, so that the in-plane uniformity of the processing of each substrate can be improved. In addition, since the substitutability of the processing liquid in the recesses of the pattern formed on the substrate surface is also improved, uniform etching can be performed even between the top and bottom of the pattern. Further, by rotating the substrate, the relative speed between the substrate surface and the processing liquid can be made uniform among the substrates. In this way, various measures (e.g., increasing the discharge flow rate from the processing liquid nozzle, discharging nitrogen gas, etc.) have been proposed to improve the uniformity of the processing within and between the surfaces of the conventional batch-type liquid processing apparatus that does not rotate the substrate. (due to the buoyant force acting on the bubbles)).

また、上記の液処理ユニット10の実施形態によれば、処理室が閉鎖され、概ね密閉されているため、基板表面を外気に晒すことなく、薬液処理から乾燥処理まで連続して処理を行うことができる。処理室を例えば不活性ガス雰囲気とすることにより、大気程度の酸素濃度下での処理が好ましくない処理(例えば比較的容易に酸化する金属配線材料、あるいはSxP等の低酸素濃度雰囲気が要求されるカルコゲナイドが露出した基板の処理)を問題無く実施することができる。処理室を例えば不活性ガス雰囲気とすることにより、酸素による薬液の劣化を抑制することができる。また、処理室が閉鎖され、概ね密閉されているため、薬液中の水分の蒸発による薬液濃度の変化を抑制することもできる。 Further, according to the embodiment of the liquid processing unit 10 described above, the processing chamber is closed and generally sealed, so that the substrate surface is not exposed to the outside air, and the processing from the chemical liquid processing to the drying processing can be continuously performed. can be done. For example, by setting the processing chamber to an inert gas atmosphere, processing under an atmosphere oxygen concentration is not preferable (for example, a metal wiring material that oxidizes relatively easily, or a low oxygen concentration atmosphere such as SxP is required. processing of substrates with exposed chalcogenide) can be carried out without problems. Deterioration of the chemical solution due to oxygen can be suppressed by setting the processing chamber to, for example, an inert gas atmosphere. In addition, since the processing chamber is closed and generally airtight, it is possible to suppress changes in the chemical solution concentration due to evaporation of water in the chemical solution.

次に、上述した液処理ユニット10を備えた基板処理システム1の全体構成について図10~図14を参照して説明する。以下、説明の便宜のため、基板処理システム全体についてX’Y’Z’直交座標系を設定し、適宜この直交座標系を参照しつつ説明を行うこととする。X’方向およびY’方向は互いに直交する水平方向、Z’方向は鉛直方向である。 Next, the overall configuration of the substrate processing system 1 including the liquid processing unit 10 described above will be described with reference to FIGS. 10 to 14. FIG. In the following, for convenience of explanation, an X'Y'Z' orthogonal coordinate system is set for the entire substrate processing system, and the explanation will be made with appropriate reference to this orthogonal coordinate system. The X' and Y' directions are horizontal directions orthogonal to each other, and the Z' direction is a vertical direction.

基板処理システム1は、キャリアブロック2と、処理ブロック3とを有する。 A substrate processing system 1 has a carrier block 2 and a processing block 3 .

キャリアブロック2には、ロードポート2Aと、第1搬送空間2Bとが設けられている。ロードポート2Aには、Y’方向に沿って並んだ複数の容器載置台2A1(容器載置部)が設けられている。各容器載置台2A1にはFOUP等の基板搬送容器C(以下、単に「容器C」と呼ぶ)を1つずつ載置することができる。容器Cには複数例えば25枚の基板Wが、水平姿勢で、鉛直方向(Z’方向)に等間隔に(第1等ピッチP1で)収容されている。 The carrier block 2 is provided with a load port 2A and a first transfer space 2B. The load port 2A is provided with a plurality of container mounting bases 2A1 (container mounting portions) arranged along the Y' direction. A substrate transfer container C such as a FOUP (hereinafter simply referred to as "container C") can be placed one by one on each container mounting table 2A1. A plurality of, for example, 25 substrates W are accommodated in the container C in a horizontal posture at equal intervals (first equal pitch P1) in the vertical direction (Z' direction).

ロードポート2Aと第1搬送空間2Bとの間は、開閉自在の開口を有する隔壁で仕切られている。第1搬送空間2Bには、第1基板搬送ロボット(第1基板搬送装置)2Cが設けられている。第1基板搬送ロボット2Cは、多軸(X,Y,Z,θ軸等を有する)搬送ロボット、あるいは多関節ロボットとして構成することができる。 The load port 2A and the first transfer space 2B are partitioned by a partition having an openable opening. A first substrate transfer robot (first substrate transfer device) 2C is provided in the first transfer space 2B. The first substrate transport robot 2C can be configured as a multi-axis (having X, Y, Z, θ axes, etc.) transport robot or a multi-joint robot.

処理ブロック3には、未処理基板用の受け渡しユニット(基板受け渡し部)3Aと、処理済み基板用の受け渡しユニット(基板受け渡し部)3Bと、第2基板搬送ロボット(第2基板搬送装置)3Cと、複数の液処理ユニット10とが設けられている。各液処理ユニット10は、先に説明した構成(例えば図1に示された構成)を有している。受け渡しユニット3A,3Bの構成は互いに実質的に同一である。受け渡しユニット3A,3Bは、第1基板搬送ロボット2Cと第2基板搬送ロボット3Cとの間の基板Wの受け渡しを仲介する中継ユニットとしての役割を有している。 The processing block 3 includes an unprocessed substrate transfer unit (substrate transfer section) 3A, a processed substrate transfer unit (substrate transfer section) 3B, and a second substrate transfer robot (second substrate transfer device) 3C. , and a plurality of liquid processing units 10 are provided. Each liquid processing unit 10 has the configuration described above (for example, the configuration shown in FIG. 1). The construction of the delivery units 3A, 3B is substantially the same. The transfer units 3A and 3B serve as relay units that mediate transfer of the substrate W between the first substrate transfer robot 2C and the second substrate transfer robot 3C.

第1基板搬送ロボット2Cは、ロードポート2Aの任意の容器載置台2A1に載置された容器Cと、受け渡しユニット3A,3Bとの間で基板Wを搬送することができる。第1基板搬送ロボット2Cは、複数例えば25枚の基板Wを一度に保持することができるエンドエフェクタ(これは例えば25枚のフォークを有する)を有している。第1基板搬送ロボット2Cは、容器載置台2A1上に載置された容器Cから複数例えば25枚の基板Wを一括して取り出し、一括して受け渡しユニット3Aの基板保持構造3A1に渡すことができる。また、第1基板搬送ロボット2Cは、受け渡しユニット3Bの基板保持構造3B1から複数例えば25枚の基板Wを一括して取り出し、容器載置台2A1上に載置された容器Cに収納することもできる。 The first substrate transport robot 2C can transport the substrate W between the container C placed on any container table 2A1 of the load port 2A and the delivery units 3A and 3B. The first substrate transport robot 2C has an end effector (which has 25 forks, for example) capable of holding a plurality of substrates W, for example, 25 at a time. The first substrate transport robot 2C can collectively take out a plurality of, for example, 25 substrates W from the container C placed on the container mounting table 2A1 and collectively transfer them to the substrate holding structure 3A1 of the transfer unit 3A. . Further, the first substrate transport robot 2C can collectively take out a plurality of, for example, 25 substrates W from the substrate holding structure 3B1 of the transfer unit 3B, and store them in the container C placed on the container table 2A1. .

次に、図15および図16を参照して、処理ブロック3に設けられた受け渡しユニット3Aの構成について説明する。受け渡しユニット3Aは、基板保持構造3A1と、移動機構3A2と、姿勢変換機構3A3とを有している。 Next, the configuration of the delivery unit 3A provided in the processing block 3 will be described with reference to FIGS. 15 and 16. FIG. The transfer unit 3A has a substrate holding structure 3A1, a moving mechanism 3A2, and a posture changing mechanism 3A3.

基板保持構造3A1は、前面が開放された概ね箱型のフレーム(枠体)3A11と、フレーム3A11に取り付けられた複数の基板支持部材3A12と、基板支持部材3A12の間隔を変更するピッチチェンジ機構3A13とを有している。基板支持部材3A12は、例えば、基板Wの裏面周縁部を下方から支持するように形成されている。 The substrate holding structure 3A1 includes a substantially box-shaped frame (frame body) 3A11 with an open front surface, a plurality of substrate support members 3A12 attached to the frame 3A11, and a pitch change mechanism 3A13 for changing the interval between the substrate support members 3A12. and The substrate support member 3A12 is formed, for example, so as to support the peripheral portion of the back surface of the substrate W from below.

移動機構3A2は、基板保持構造3A1を、第1位置(図16の左側に示す)と第2位置(図16の右側に示す)との間でX方向に移動させることができる。基板保持構造3A1の第1位置とは、基板保持構造3A1と第1基板搬送ロボット2Cとの間での基板Wの受け渡しに適した位置である。基板保持構造3A1の第2位置とは、基板保持構造3A1と第2基板搬送ロボット3Cとの間での基板Wの受け渡しに適した位置である。移動機構3A2は、例えば、X方向に延びるガイドレール3A21と、ガイドレールに沿って走行する走行体3A22とから構成することができる。 The moving mechanism 3A2 can move the substrate holding structure 3A1 in the X direction between a first position (shown on the left side of FIG. 16) and a second position (shown on the right side of FIG. 16). The first position of the substrate holding structure 3A1 is a position suitable for transferring the substrate W between the substrate holding structure 3A1 and the first substrate transport robot 2C. The second position of the substrate holding structure 3A1 is a position suitable for transferring the substrate W between the substrate holding structure 3A1 and the second substrate transport robot 3C. The moving mechanism 3A2 can be composed of, for example, a guide rail 3A21 extending in the X direction and a traveling body 3A22 traveling along the guide rail.

基板保持構造3A1と第1基板搬送ロボット2Cとの間での基板Wの受け渡し、および基板保持構造3A1と第2基板搬送ロボット3Cとの間での基板Wの受け渡しが、同じ位置で(つまり基板保持構造3A1を移動させなくても)支障無く行えるのであれば、移動機構3A2を省略することができる。後の説明から理解できるように、本実施形態では第2基板搬送ロボット3Cのコンパクト化のために第2基板搬送ロボット3Cの機能(水平移動範囲)を制限しているため、移動機構3A2を設けた方が好ましい。 The transfer of the substrate W between the substrate holding structure 3A1 and the first substrate transport robot 2C and the transfer of the substrate W between the substrate holding structure 3A1 and the second substrate transport robot 3C are performed at the same position (that is, the substrate The moving mechanism 3A2 can be omitted if it can be performed without any trouble (without moving the holding structure 3A1). As will be understood from the following description, in this embodiment, the function (horizontal movement range) of the second substrate transfer robot 3C is limited in order to make the second substrate transfer robot 3C compact, so the movement mechanism 3A2 is provided. is preferable.

ピッチチェンジ機構3A13は、例えば、複数の基板支持部材3A12とフレーム3A11との間に介在するように設けられる。ピッチチェンジ機構3A13は、基板保持構造3A1の複数の支持部材3A12の配列ピッチを、第1等ピッチP1と第2等ピッチP2との間で変化させることができる。 The pitch change mechanism 3A13 is provided, for example, so as to be interposed between the plurality of substrate support members 3A12 and the frame 3A11. The pitch change mechanism 3A13 can change the arrangement pitch of the plurality of support members 3A12 of the substrate holding structure 3A1 between the first equal pitch P1 and the second equal pitch P2.

ピッチチェンジ機構として様々なタイプ、例えばカム式、エアシリンダ式、レージトング(lazy tongue、多連式の平行パンタグラフリンク)式のものが既に公知であり、ここでは例えばカム式のものを用いることができる。ピッチチェンジ機構は、ピッチチェンジャー、ピッチ変更機構、ピッチ変更ユニット等の名称で商業的に入手可能であり、ピッチチェンジ機構の具体的な構造の説明については省略する。公知のピッチチェンジ機構の大半は、ピッチサイズに関わらず、複数のスライダが常に等間隔に配列された状態を維持するように構成されている。図示しないスライダは、上述した基板支持部材3A12と一体的に結合されており、スライダを移動させることにより基板支持部材3A12により支持された基板Wの配列ピッチを変更することができる。 Various types of pitch change mechanisms, such as cam, air cylinder, and lazy tongue (multiple parallel pantograph links) types are already known. Here, for example, a cam type can be used. . The pitch change mechanism is commercially available under the names of pitch changer, pitch change mechanism, pitch change unit, etc., and a detailed description of the structure of the pitch change mechanism is omitted. Most of the known pitch change mechanisms are constructed so that the plurality of sliders are always arranged at regular intervals regardless of the pitch size. A slider (not shown) is integrally coupled with the substrate support member 3A12 described above, and by moving the slider, it is possible to change the arrangement pitch of the substrates W supported by the substrate support member 3A12.

姿勢変換機構3A3は、例えば、電気回転モーター(例えばステッピングモータ)3A31と、駆動タイミングプーリー3A32と従動タイミングプーリー3A33と、タイミングプーリー3A32,3A33間に掛け渡されたタイミングベルト3A34と、回転軸3A37と、支柱3A36とから構成することができる。移動機構3A2の走行体3A22には電気回転モーター3A31が取り付けられ、電気回転モーター3A31の回転軸に駆動タイミングプーリー3A32が取り付けられている。基板保持構造3A1のフレーム3A11から回転軸3A37がY方向(水平方向)に延びており、回転軸3A37はベアリング等を介して支柱3A36に支持されている。回転軸3A37の先端部には従動タイミングプーリー3A33が設けられている。従って、電気回転モーター3A31を駆動することにより、基板保持構造3A1のフレーム3A11をY方向に延びる水平方向軸線周りに回転させることができる。これにより、基板支持部材3A12により保持された基板Wの姿勢を水平姿勢と鉛直姿勢との間で変更することができる。 The posture changing mechanism 3A3 includes, for example, an electric rotary motor (for example, a stepping motor) 3A31, a driving timing pulley 3A32, a driven timing pulley 3A33, a timing belt 3A34 stretched between the timing pulleys 3A32 and 3A33, and a rotating shaft 3A37. , and struts 3A36. An electric rotary motor 3A31 is attached to the traveling body 3A22 of the moving mechanism 3A2, and a drive timing pulley 3A32 is attached to the rotary shaft of the electric rotary motor 3A31. A rotating shaft 3A37 extends in the Y direction (horizontal direction) from the frame 3A11 of the substrate holding structure 3A1, and the rotating shaft 3A37 is supported by a column 3A36 via bearings or the like. A driven timing pulley 3A33 is provided at the tip of the rotating shaft 3A37. Therefore, by driving the electric rotary motor 3A31, the frame 3A11 of the substrate holding structure 3A1 can be rotated around the horizontal axis extending in the Y direction. Thereby, the posture of the substrate W held by the substrate support member 3A12 can be changed between the horizontal posture and the vertical posture.

基板支持部材3A12には、支持している基板Wを支持部材に着脱可能に固定する手段、例えば吸着パッド3A15を設けることができる。これにより基板Wが鉛直姿勢になったときに基板支持部材3A12から基板Wが脱落することを確実に防止することができる。 The substrate supporting member 3A12 can be provided with means for detachably fixing the supported substrate W to the supporting member, for example, a suction pad 3A15. As a result, it is possible to reliably prevent the substrate W from falling off the substrate support member 3A12 when the substrate W is in the vertical posture.

受け渡しユニット3Bの構成は受け渡しユニット3Aと同一であるため、構造の図示および説明は省略する。以下、本明細書において、受け渡しユニット3Bの構成要素は、受け渡しユニット3Aの同じ構成要素の参照符号の「A」を「B」に変更して表記される(例えば、「姿勢変換機構3A3」→「姿勢変換機構3B3」)。 Since the configuration of the delivery unit 3B is the same as that of the delivery unit 3A, illustration and description of the structure are omitted. Hereinafter, in this specification, the components of the delivery unit 3B are denoted by changing the reference numerals "A" of the same components of the delivery unit 3A to "B" (for example, "attitude changing mechanism 3A3" → "attitude changing mechanism 3B3").

第2基板搬送ロボット3Cの構成の一例について、図17を参照して説明する。第2基板搬送ロボット3Cは、ベース3C1と、ターンテーブル3C2と、ガイドレール3C3と、昇降体3C4と、アーム3C5と、エンドエフェクタ3C6とを有している。 An example of the configuration of the second substrate transport robot 3C will be described with reference to FIG. The second substrate transport robot 3C has a base 3C1, a turntable 3C2, a guide rail 3C3, an elevator 3C4, an arm 3C5, and an end effector 3C6.

ベース3C1は基板処理システム1の図示しない機枠(フレーム)に固定されている。ターンテーブル3C2は、鉛直方向軸線Ax1を中心として回転可能にベース3C1に取り付けられている。ターンテーブル3C2を回転させることにより、アーム3C5の長手方向中心軸線を任意の方向に向けることができる。ガイドレール3C3は、鉛直方向軸線Ax1からオフセットした位置を鉛直方向に延びている。昇降体3C4は、当該昇降体3C4に内蔵された図示しない昇降駆動機構により、ガイドレール3C3に沿って昇降する。アーム3C5は、昇降体3C4に内蔵された図示しないアーム駆動機構により水平方向に移動する。アーム3C5の長手方向中心軸線は、鉛直方向軸線Ax1と直交している。つまり、アーム3C5は、ターンテーブル3C2の回転角度位置に関わらず、鉛直方向軸線Ax1に直交する放射(半径)方向に進退することができる。 The base 3C1 is fixed to a frame (not shown) of the substrate processing system 1. As shown in FIG. The turntable 3C2 is attached to the base 3C1 so as to be rotatable about the vertical axis Ax1. By rotating the turntable 3C2, the longitudinal central axis of the arm 3C5 can be oriented in any direction. The guide rail 3C3 extends vertically at a position offset from the vertical axis Ax1. The lifting body 3C4 is lifted and lowered along the guide rails 3C3 by an elevation driving mechanism (not shown) incorporated in the lifting body 3C4. The arm 3C5 is horizontally moved by an arm driving mechanism (not shown) incorporated in the lifting body 3C4. The longitudinal central axis of the arm 3C5 is perpendicular to the vertical axis Ax1. In other words, the arm 3C5 can move back and forth in a radial direction orthogonal to the vertical axis Ax1 regardless of the rotational angular position of the turntable 3C2.

エンドエフェクタ3C6には、複数個例えば5個または25個(図面の簡略化のため図17には5個だけ示す)の基板保持体3C61が設けられている。複数の基板保持体3C61は、複数の基板Wを鉛直姿勢で水平方向に等間隔(第2等ピッチP2)で保持する。各基板保持体3C61は吸着パッド3C62を有しており、吸着パッド3C62は基板Wの上部周縁部を真空吸着した状態で保持する。 The end effector 3C6 is provided with a plurality of substrate holders 3C61, for example, 5 or 25 (only 5 are shown in FIG. 17 for simplification of the drawing). The plurality of substrate holders 3C61 hold the plurality of substrates W in a vertical posture at equal intervals (second equal pitch P2) in the horizontal direction. Each substrate holder 3C61 has a suction pad 3C62, and the suction pad 3C62 holds the upper peripheral portion of the substrate W in a state of being vacuum-sucked.

第2基板搬送ロボット3Cのエンドエフェクタ3C6は、図18に示すように、複数の基板Wを水平姿勢で鉛直方向に等間隔(第2等ピッチP2)で保持するように構成されていてもよい。 As shown in FIG. 18, the end effector 3C6 of the second substrate transport robot 3C may be configured to hold a plurality of substrates W in a horizontal posture at equal intervals in the vertical direction (second equal pitch P2). .

第2基板搬送ロボット3Cのエンドエフェクタ3C6は、図19に示すように、基板Wを水平姿勢で保持する第1姿勢と、基板Wを鉛直姿勢で保持する第2姿勢をとることができるようになっていてもよい。このような機能は、例えば、アーム3C5とエンドエフェクタ3C6とを回転機構3C7を介して連結することにより実現することができる。 As shown in FIG. 19, the end effector 3C6 of the second substrate transport robot 3C can take a first posture for holding the substrate W in a horizontal posture and a second posture for holding the substrate W in a vertical posture. It may be. Such a function can be realized, for example, by connecting the arm 3C5 and the end effector 3C6 via the rotation mechanism 3C7.

図示はしないが、エンドエフェクタ3C6に、基板保持体3C61の同士の間隔(つまり基板の配列ピッチ)を変更するピッチチェンジ機構を設けてもよい。なお、基板搬送ロボットの分野において、基板の配列ピッチを変換することができるエンドエフェクタは公知であるので、本明細書では説明は省略する。 Although not shown, the end effector 3C6 may be provided with a pitch change mechanism for changing the spacing between the substrate holders 3C61 (that is, the substrate arrangement pitch). In the field of substrate transport robots, an end effector capable of changing the arrangement pitch of substrates is well known, so the description thereof is omitted in this specification.

第2基板搬送ロボット3Cの構成は、ローター18の姿勢変換機能の有無、受け渡しユニット3A,3Bの姿勢変換機能およびピッチチェンジ機能の有無などとの関係で決定することができる。 The configuration of the second substrate transport robot 3C can be determined depending on whether or not the rotor 18 has an attitude change function, whether or not the transfer units 3A and 3B have an attitude change function and a pitch change function, and the like.

上記の各例においては、第2基板搬送ロボット3Cのアーム3C5の移動機能を、アーム3C5が搬出入対象(例えばローター18)に対向するようにアーム3C5を鉛直方向に昇降させる機能および鉛直方向軸線Ax1周りに回転(旋回)させる機能、並びにアーム3C5を搬出入対象に対して水平方向に進退させる機能に限定している。このため、第2基板搬送ロボット3Cを簡潔な構造でコンパクトに形成することができ、フットプリント面積を小さくすることができる。 In each of the above examples, the function of moving the arm 3C5 of the second substrate transport robot 3C is the function of moving the arm 3C5 vertically so that the arm 3C5 faces the object to be loaded/unloaded (for example, the rotor 18), and the function of moving the arm 3C5 vertically. It is limited to the function of rotating (swinging) around Ax1 and the function of moving the arm 3C5 horizontally with respect to the object to be loaded/unloaded. Therefore, the second substrate transport robot 3C can be formed compactly with a simple structure, and the footprint area can be reduced.

第2基板搬送ロボット3Cの構成は上記のものに限定されるものではなく、後述する処理ブロック3内における基板Wの所望の搬送を実現することができるのであれば、他の構成を採用することも可能である。例えば、支柱をテレスコピックタイプのものとし、その上端にアーム3C5を鉛直方向軸線周りに回転させる回転機構と、アーム3C5を搬出入対象(例えばローター18)に対して進退させる水平方向移動機構を設けてもよい。 The configuration of the second substrate transport robot 3C is not limited to the one described above, and other configurations may be adopted as long as the desired transport of the substrate W within the processing block 3, which will be described later, can be realized. is also possible. For example, the column may be of a telescopic type, and a rotation mechanism for rotating the arm 3C5 around the vertical axis and a horizontal movement mechanism for advancing and retracting the arm 3C5 with respect to the loading/unloading object (for example, the rotor 18) may be provided at the upper end of the column. good too.

また例えば、第2基板搬送ロボット3Cが基板Wを水平姿勢で搬送するタイプのものである場合には、エンドエフェクタ3C6の各基板保持体は、吸着パッドを用いたバキュームクランプタイプのものに代えて、可動把持爪などを用いたメカニカルクランプタイプのものであってもよい。 Further, for example, if the second substrate transport robot 3C is of a type that transports the substrate W in a horizontal posture, each substrate holder of the end effector 3C6 is replaced with a vacuum clamp type using a suction pad. , a mechanical clamp type using movable gripping claws or the like.

次に、再度図10~図14を参照して、処理ブロック3内における複数の液処理ユニット10および各種機器の配置について詳細に説明する。 Next, with reference to FIGS. 10 to 14 again, the arrangement of the plurality of liquid processing units 10 and various devices within the processing block 3 will be described in detail.

処理ブロック3内には、上述した受け渡しユニット3A,3B、第2基板搬送ロボット3Cおよび液処理ユニット10の他に、用力を提供する各種機器が設けられている。 In the processing block 3, in addition to the transfer units 3A and 3B, the second substrate transfer robot 3C and the liquid processing unit 10 described above, various devices for providing utilities are provided.

図10~図14において、参照符号201が付けられた直方体形状のボックスにより、当該ボックスで囲われた領域内に、液処理ユニット10に供給される各種処理流体(薬液、純水、IPA、窒素ガス等)の供給に関与する各種機器(例えば図1、図9に示した薬液循環機構50など)が配置されていることが示されている。以下、説明の便宜上、上記ボックス201を「流体供給ボックス201」と呼ぶ。 10 to 14, a rectangular parallelepiped box denoted by reference numeral 201 defines a region surrounded by the box with various processing fluids (chemicals, pure water, IPA, nitrogen, etc.) supplied to the liquid processing unit 10. 1 and 9) are arranged. Hereinafter, for convenience of explanation, the box 201 will be referred to as a "fluid supply box 201".

図10~図14において、参照符号202が付けられた直方体形状のボックスより、当該ボックスで囲われた領域内に、液処理ユニット10から排出される各種処理流体の回収、廃棄などに関与する各種機器(例えば図9に示した排気ライン143,排気ボックス144など)が配置されていることを意味している。以下、説明の便宜上、上記ボックス202を「流体排出ボックス202」と呼ぶ。 In FIGS. 10 to 14, a rectangular parallelepiped box denoted by reference numeral 202 is provided within the area surrounded by the box to collect and dispose of various processing fluids discharged from the liquid processing unit 10. It means that equipment (for example, the exhaust line 143, the exhaust box 144, etc. shown in FIG. 9) is arranged. Hereinafter, for convenience of explanation, the box 202 will be referred to as a "fluid discharge box 202".

参照符号203が付けられた直方体形状のボックスにより、当該ボックスで囲われた領域内に、液処理ユニット10への電力供給用の機器および液処理ユニット10の制御用の機器(例えば図1および図9に示したコントローラ100となど)が配置されていることを意味している。以下、説明の便宜上、上記ボックス203を「電気/制御ボックス203」と呼ぶ。 A rectangular parallelepiped box with a reference numeral 203 allows a device for supplying electric power to the liquid processing unit 10 and a device for controlling the liquid processing unit 10 (for example, FIGS. 9) is arranged. Hereinafter, for convenience of explanation, the box 203 will be referred to as an "electrical/control box 203".

各ボックス(201,202,203)は、機器の配置領域のアウトラインを概略的に示す仮想のボックスであり、ボックスに対応する形状の単一のケースないしハウジング内に機器が配置されていることを意味するものではない。各ボックス(201,202,203)において、ボックスに対応する形状の単一のケースないしハウジング内に機器が配置されていても構わないが、ケースに納められていない剥き出しの配管、配線、デバイス等の集合がボックスに対応する領域に配置されていてもよい。 Each box (201, 202, 203) is a virtual box that schematically outlines the area where the equipment is placed, and indicates that the equipment is placed in a single case or housing with a shape corresponding to the box. does not mean In each box (201, 202, 203), equipment may be placed in a single case or housing having a shape corresponding to the box, but exposed piping, wiring, devices, etc., not housed in the case may be placed in the region corresponding to the box.

処理ブロック3は、高さの異なる複数の階層を有している。図示例では、処理ブロック3は、第1階層L1(最下層)、第2階層L2(中間層)および第3階層L3(最上層)を有している。説明の便宜上、第1階層L1のZ’座標は1、第2階層L2のZ’座標は2、第3階層L3のZ’座標は3と定義する。 The processing block 3 has multiple layers with different heights. In the illustrated example, the processing block 3 has a first layer L1 (bottom layer), a second layer L2 (middle layer) and a third layer L3 (top layer). For convenience of explanation, the Z' coordinate of the first layer L1 is defined as 1, the Z' coordinate of the second layer L2 is defined as 2, and the Z' coordinate of the third layer L3 is defined as 3.

各階層は、大まかに9つの区画に分割される。平面図中において最も左側の区画のX’座標を1、最も右側の区画のX’座標を3とし、中間の区画のX’座標を2と定義する。また、平面図中において最も下側の区画のY’座標を1、最も上側の区画のY’座標を3とし、中間区画のY’座標を2と定義する。以下の説明において、区画(N,M)は、X’座標がN、Y’座標がMの区画を意味するものとする。 Each hierarchy is roughly divided into nine partitions. In the plan view, the X' coordinate of the leftmost section is defined as 1, the X' coordinate of the rightmost section is defined as 3, and the X' coordinate of the middle section is defined as 2. Also, in the plan view, the Y' coordinate of the lowermost section is defined as 1, the Y' coordinate of the uppermost section is defined as 3, and the Y' coordinate of the middle section is defined as 2. In the following description, a partition (N,M) means a partition whose X' coordinate is N and whose Y' coordinate is M.

第1階層L1、第2階層L2および第3階層L3の全てにおいて、区画(1,1)および区画(3,3)には、流体排出ボックス202が設けられている。流体排出ボックス202は、第1階層L1、第2階層L2および第3階層L3を貫いて鉛直方向に連続的に設けられている。 A fluid discharge box 202 is provided in compartment (1,1) and compartment (3,3) in all of the first floor L1, the second floor L2 and the third floor L3. The fluid discharge boxes 202 are provided continuously in the vertical direction through the first floor L1, the second floor L2 and the third floor L3.

第1階層L1、第2階層L2および第3階層L3の全てにおいて、区画(1,3)および区画(3,1)には、流体供給ボックス201が設けられている。流体供給ボックス201は、第1階層L1、第2階層L2および第3階層L3を貫いて鉛直方向に連続的に設けられている。 A fluid supply box 201 is provided in the section (1,3) and the section (3,1) in all of the first floor L1, the second floor L2, and the third floor L3. The fluid supply box 201 is provided continuously in the vertical direction through the first floor L1, the second floor L2 and the third floor L3.

第1階層L1、第2階層L2および第3階層L3の全てにおいて、区画(2,2)つまり中央区画に、第2基板搬送ロボット3Cが、第1階層L1、第2階層L2および第3階層L3を貫いて鉛直方向に連続的に設けられている。 In all of the first layer L1, the second layer L2 and the third layer L3, the second substrate transport robot 3C is installed in the section (2, 2), that is, the central section, in the first layer L1, the second layer L2 and the third layer It is provided continuously in the vertical direction through L3.

第2階層L2および第3階層L3の各々において、区画(1,2)、区画(2,1)、区画(2,3)、区画(3,2)には、液処理ユニット10が1つずつ設けられている。また、第1階層L1の、区画(2,1)、区画(2,3)には、液処理ユニット10が1つずつ設けられている。各液処理ユニット10のローター18は、第2基板搬送ロボット3Cに近い側に設けられており、ローター18の回転軸線Axは第2基板搬送ロボット3Cの方を向いている。各液処理ユニット10の処理容器11は、平面視で、第2基板搬送ロボット3Cに接離するように移動する。各液処理ユニット10の処理容器11の第1位置(処理位置)は第2基板搬送ロボット3Cに近い側にあり、第2位置(退避位置)は第2基板搬送ロボット3Cから遠い側にある。 In each of the second floor L2 and the third floor L3, there is one liquid processing unit 10 in the partition (1,2), the partition (2,1), the partition (2,3), and the partition (3,2). are provided one by one. In addition, one liquid processing unit 10 is provided in each of section (2, 1) and section (2, 3) of the first floor L1. The rotor 18 of each liquid processing unit 10 is provided on the side closer to the second substrate transport robot 3C, and the rotation axis Ax of the rotor 18 faces the second substrate transport robot 3C. The processing container 11 of each liquid processing unit 10 moves toward and away from the second substrate transport robot 3C in plan view. The first position (processing position) of the processing container 11 of each liquid processing unit 10 is on the side closer to the second substrate transport robot 3C, and the second position (retreat position) is on the side farther from the second substrate transport robot 3C.

第1階層L1の区画(1,2)には、受け渡しユニット3A,3Bが配置されている。つまり、図示された実施形態では、受け渡しユニット3A,3Bは、複数の液処理ユニット10のうちの1つが、受け渡しユニット3A,3Bの上方に配置されている。受け渡しユニット3A,3Bを第2階層L2または第3階層L3に設け、複数の液処理ユニット10のうちの1つを受け渡しユニット3A,3Bの下方に配置してもよい。このように液処理ユニット10のうちの1つを上下方向に重なるように配置することにより、処理ブロック3内のスペースを有効利用することができる。 Delivery units 3A and 3B are arranged in the section (1, 2) of the first layer L1. That is, in the illustrated embodiment, one of the plurality of liquid processing units 10 is arranged above the delivery units 3A and 3B. The delivery units 3A, 3B may be provided on the second level L2 or the third level L3, and one of the plurality of liquid processing units 10 may be arranged below the delivery units 3A, 3B. By arranging one of the liquid processing units 10 so as to overlap in the vertical direction in this way, the space in the processing block 3 can be effectively utilized.

本実施形態では、図11に示すように、未処理の基板Wを扱う受け渡しユニット3Aが、処理済みの基板Wを扱う受け渡しユニット3Bの上方に設けられている。受け渡しユニット3A,3Bの各々において、基板保持構造3A1(3B1)は、第2基板搬送ロボット3Cに接離するようにX’方向に移動するようになっており、基板保持構造3A1(3B1)の第2位置が第2基板搬送ロボット3Cに近い側にある。 In this embodiment, as shown in FIG. 11, a transfer unit 3A for handling unprocessed substrates W is provided above a transfer unit 3B for handling processed substrates W. As shown in FIG. In each of the transfer units 3A and 3B, the substrate holding structure 3A1 (3B1) moves in the X' direction so as to come into contact with and separate from the second substrate transfer robot 3C. The second position is on the side closer to the second substrate transport robot 3C.

上記のように処理ブロック3が構成されているため、第2基板搬送ロボット3Cは、処理ブロック3内にある全ての液処理ユニット10のローター18との間で基板Wの受け渡しを行うことができる。さらに、第2基板搬送ロボット3Cは、受け渡しユニット3A,3Bの第2位置にある基板保持構造3A1,3A2との間で基板Wの受け渡しを行うことができる。 Since the processing block 3 is configured as described above, the second substrate transport robot 3C can transfer substrates W to and from the rotors 18 of all the liquid processing units 10 in the processing block 3. . Furthermore, the second substrate transport robot 3C can transfer the substrate W between the substrate holding structures 3A1 and 3A2 at the second positions of the transfer units 3A and 3B.

次に、基板処理システム1内における基板Wの流れについて説明する。以下に説明する各種機器の動作は、基板処理システム1全体の動作を制御するコントローラ(例えば前述したコントローラ100)により制御される。 Next, the flow of substrates W within the substrate processing system 1 will be described. The operations of various devices described below are controlled by a controller (for example, the controller 100 described above) that controls the operation of the substrate processing system 1 as a whole.

[基板の流れの第1の例]
まずは、液処理ユニット10のローター18の姿勢が可変である場合について説明する。この場合、基板Wは、容器Cから取り出されてからローター18に渡されるまでの間、ずっと水平姿勢を維持した状態で搬送される。この場合、受け渡しユニット3A,3Bから姿勢変換機構3A3,3B3が省略され、かつ、水平姿勢で基板を搬送するタイプの第2基板搬送ロボット3C(例えば図18に示した構成を有するもの)が用いられる。
[First example of substrate flow]
First, the case where the orientation of the rotor 18 of the liquid processing unit 10 is variable will be described. In this case, the substrate W is transported while maintaining a horizontal posture from being taken out of the container C to being transferred to the rotor 18 . In this case, the posture changing mechanisms 3A3 and 3B3 are omitted from the delivery units 3A and 3B, and a second substrate transport robot 3C (for example, having the configuration shown in FIG. 18) that transports substrates in a horizontal posture is used. be done.

ロードポート2Aに載置された基板搬送容器Cに第1等ピッチP1で収容された複数例えば25枚の未処理の基板Wを第1基板搬送ロボット2Cが一括して取り出し、未処理基板用の受け渡しユニット3Aの第1位置にある基板保持構造3A1に渡す。 A first substrate transport robot 2C collectively takes out a plurality of, for example, 25 unprocessed substrates W accommodated at a first equal pitch P1 in the substrate transport container C placed on the load port 2A, and transports them to unprocessed substrates. It is transferred to the substrate holding structure 3A1 at the first position of the transfer unit 3A.

基板保持構造3A1に渡された基板Wの配列ピッチは、ピッチチェンジ機構3A13により、第1等ピッチP1から第2等ピッチP2(例えばP1>P2)に変換される。その後、移動機構3A2により基板保持構造3A1が第2位置に移動する。配列ピッチの変換は、基板保持構造3A1が第1位置から第2位置に移動する途中、あるいは第2位置に移動した後に行ってもよい。 The arrangement pitch of the substrates W transferred to the substrate holding structure 3A1 is converted from the first equal pitch P1 to the second equal pitch P2 (for example, P1>P2) by the pitch change mechanism 3A13. After that, the substrate holding structure 3A1 is moved to the second position by the moving mechanism 3A2. The arrangement pitch may be converted during or after the substrate holding structure 3A1 moves from the first position to the second position.

次に、第2基板搬送ロボット3Cが、基板保持構造3A1から25枚の基板を一括して取り出し、予め定められた処理スケジュールにより指定された液処理ユニット10のローター18に基板を渡す。第2基板搬送ロボット3Cとローター18との間の基板の受け渡し、および処理容器11の移動による処理室11Cの形成については図6およびその説明を参照されたい。次いで、液処理ユニット10で基板に一連の処理(薬液処理、リンス処理、乾燥処理等)が施される。 Next, the second substrate transport robot 3C collectively takes out 25 substrates from the substrate holding structure 3A1, and transfers the substrates to the rotor 18 of the liquid processing unit 10 designated according to a predetermined processing schedule. For transfer of the substrate between the second substrate transport robot 3C and the rotor 18 and formation of the processing chamber 11C by movement of the processing container 11, see FIG. 6 and its description. Next, the substrate is subjected to a series of treatments (chemical treatment, rinse treatment, drying treatment, etc.) in the liquid treatment unit 10 .

処理の終了後、第2基板搬送ロボット3Cが、直立姿勢となっている液処理ユニット10のローター18から25枚の基板を一括して取り出し、処理済み基板用の受け渡しユニット3Bの第2位置にある基板保持構造3B1に渡す。基板保持構造3B1に渡された基板Wの配列ピッチは、ピッチチェンジ機構3B13により、第2等ピッチP2から第1等ピッチP1に変換される。その後、移動機構3B2により基板保持構造3B1が第1位置に移動する。配列ピッチの変換は、基板保持構造3B1が第2位置から第1位置に移動する途中、あるいは第1位置に移動した後に行ってもよい。 After completion of the processing, the second substrate transport robot 3C collectively takes out the 25 substrates from the rotor 18 of the liquid processing unit 10 in the upright posture, and places them at the second position of the processed substrate transfer unit 3B. It is passed to a certain substrate holding structure 3B1. The arrangement pitch of the substrates W transferred to the substrate holding structure 3B1 is converted from the second equal pitch P2 to the first equal pitch P1 by the pitch change mechanism 3B13. Thereafter, the substrate holding structure 3B1 is moved to the first position by the moving mechanism 3B2. The arrangement pitch may be converted during or after the substrate holding structure 3B1 moves from the second position to the first position.

次に、第1位置にある基板保持構造3B1から25枚の処理済みの基板Wを第1基板搬送ロボット2Cが一括して取り出し、元の基板搬送容器Cに収納する。 Next, the first substrate transport robot 2C collectively takes out 25 processed substrates W from the substrate holding structure 3B1 at the first position, and stores them in the original substrate transport container C. As shown in FIG.

なお、上記の説明では、第1基板搬送ロボット2Cおよび第2基板搬送ロボット3Cは25枚(規定処理枚数)の基板Wを一括して搬送していたが、これに限定されるものではなく、基板Wを例えば5枚(規定処理枚数の一部であってかつ複数枚)ずつ搬送してもよい。この場合、搬送時間が長くなるが、エンドエフェクタの構造を簡素化することができる。 In the above description, the first substrate transport robot 2C and the second substrate transport robot 3C collectively transport 25 substrates W (the specified number of substrates W to be processed), but the present invention is not limited to this. The substrates W may be transported, for example, five at a time (which is part of the specified number of substrates to be processed and a plurality of substrates). In this case, the transportation time is lengthened, but the structure of the end effector can be simplified.

[基板の流れの第2の例]
次に、液処理ユニット10のローター18に姿勢変換機能が無い場合、言い換えるとローター18が水平姿勢で固定されている場合における基板処理システム内における基板Wの流れについて説明する。この場合、受け渡しユニット3A,3Bとしては姿勢変換機構3A3,3B3を有するタイプのもの(図15および図16に示した構成を有するもの)が用いられ、かつ、鉛直姿勢で基板を搬送するタイプの第2基板搬送ロボット3C(例えば図17に示した構成を有するもの)が用いられる。
[Second example of substrate flow]
Next, the flow of substrates W in the substrate processing system when the rotor 18 of the liquid processing unit 10 does not have a posture change function, in other words, when the rotor 18 is fixed in a horizontal posture will be described. In this case, the transfer units 3A and 3B are of a type having posture changing mechanisms 3A3 and 3B3 (having the configuration shown in FIGS. 15 and 16), and are of a type that transports substrates in a vertical posture. A second substrate transport robot 3C (for example, having the configuration shown in FIG. 17) is used.

なお、液処理ユニット10のローター18に姿勢変換機能を設けることそれ自体により、液処理ユニット10の製造コストが高くなる。また、ローター18に姿勢変換機能を設けると、処理容器11とローター18との位置合わせのため(例えば両者間のシールのため)、各液処理ユニット10の可動部材の一層の高精度化が求められ、これによっても液処理ユニット10の製造コストが高くなる。このため、基板処理システム1に含まれる液処理ユニット10の数が多い場合には、基板Wの姿勢変換機能は、液処理ユニット10以外の機器(受け渡しユニット3A,3Bまたは第2基板搬送ロボット3C)に与えた方がコスト面からは有利である。基板処理システム1に含まれる液処理ユニット10の数が少ない場合には、液処理ユニット10のローター18に姿勢変換機能を設けた方が装置コスト面から好ましい場合もある。 It should be noted that providing the rotor 18 of the liquid processing unit 10 with the attitude changing function itself increases the manufacturing cost of the liquid processing unit 10 . In addition, if the rotor 18 is provided with a posture changing function, it is required to align the processing container 11 and the rotor 18 (for example, to seal between them), so that the movable members of each liquid processing unit 10 are required to have higher precision. This also increases the manufacturing cost of the liquid processing unit 10 . Therefore, when the number of liquid processing units 10 included in the substrate processing system 1 is large, the posture changing function of the substrate W can be performed by devices other than the liquid processing units 10 (the transfer units 3A and 3B or the second substrate transport robot 3C). ) is advantageous in terms of cost. When the number of liquid processing units 10 included in the substrate processing system 1 is small, it may be preferable in terms of apparatus cost to provide the rotor 18 of the liquid processing unit 10 with a posture changing function.

この第2の例においても、第1基板搬送ロボット2Cによるロードポート2A上の基板搬送容器Cから未処理基板用の受け渡しユニット3Aの基板保持構造3A1への基板Wの搬送は第1の例と同じである。 In this second example as well, the transfer of the substrate W from the substrate transfer container C on the load port 2A to the substrate holding structure 3A1 of the unprocessed substrate transfer unit 3A by the first substrate transfer robot 2C is the same as in the first example. are the same.

第1の例と同様に、受け渡しユニット3Aにおいては、基板保持構造3A1が第1位置にあるとき、あるいは第2位置に移動した後、あるいは第1位置から第2位置に移動する途中に、ピッチチェンジ機構3A13により、基板Wの配列ピッチを第2等ピッチP2(例えばP1>P2)に変換する。 As in the first example, in the transfer unit 3A, when the substrate holding structure 3A1 is at the first position, after moving to the second position, or while moving from the first position to the second position, the pitch is changed. The change mechanism 3A13 converts the arrangement pitch of the substrates W to a second equal pitch P2 (for example, P1>P2).

この第2の例ではさらに、受け渡しユニット3Aの姿勢変換機構3A3は、基板保持構造3A1が第1位置にあるとき、あるいは第2位置に移動した後、あるいは第1位置から第2位置に移動する途中に、基板保持構造3A1を回転させ、基板Wの姿勢を水平姿勢から鉛直姿勢に変換する。 Further, in this second example, the posture changing mechanism 3A3 of the transfer unit 3A moves from the first position to the second position when the substrate holding structure 3A1 is at the first position, after moving to the second position, or from the first position to the second position. On the way, the substrate holding structure 3A1 is rotated to change the attitude of the substrate W from the horizontal attitude to the vertical attitude.

次に、第2基板搬送ロボット3Cが、第2位置にある基板保持構造3A1から鉛直姿勢となっている25枚の基板Wを一括して取り出す。第2基板搬送ロボット3Cは、基板保持構造3A1により保持されている基板Wの真上に位置し、その後下降する。このとき、エンドエフェクタ3C6の基板保持体3C61(図17を参照)が、基板保持構造3A1により保持されている隣接する基板Wの間の隙間に挿入される。そして、エンドエフェクタ3C6を基板Wの配列方向に微少量移動させることにより、吸着パッド3C62が基板Wの周縁部(好ましくは裏面の周縁部)と接するかあるいは微小隙間を空けて近接するように、各基板保持体3C61が位置決めされる。次いで、吸着パッド3C62が基板Wを吸着する。次いで、エンドエフェクタ3C6が上昇し、基板保持構造3A1から基板Wが取り出される。 Next, the second substrate transport robot 3C collectively takes out the 25 substrates W in the vertical posture from the substrate holding structure 3A1 at the second position. The second substrate transport robot 3C is positioned directly above the substrate W held by the substrate holding structure 3A1 and then descends. At this time, the substrate holder 3C61 (see FIG. 17) of the end effector 3C6 is inserted into the gap between the adjacent substrates W held by the substrate holding structure 3A1. Then, by slightly moving the end effector 3C6 in the arrangement direction of the substrates W, the suction pads 3C62 are brought into contact with the peripheral edge portion (preferably, the peripheral edge portion of the back surface) of the substrate W or close to each other with a small gap therebetween. Each substrate holder 3C61 is positioned. Next, the suction pad 3C62 sucks the substrate W. As shown in FIG. The end effector 3C6 is then raised to remove the substrate W from the substrate holding structure 3A1.

第2基板搬送ロボット3Cは、基板Wを保持したエンドエフェクタ3C6を、液処理ユニット10のローター18の真上に位置させる。このとき、ローター18は2本の可動保持棒183が上側に位置するような角度位置にあり、かつ、2本の可動保持棒183は解放位置にある。この状態から、エンドエフェクタ3C6が下降し、ローター18の固定保持棒182の基板保持溝に基板Wを挿入し、次いで、吸着パッド3C62による基板Wの吸着を解除する。次いで、エンドエフェクタ3C6を基板Wの配列方向に微少量移動させて、基板保持体3C61を基板Wから離間させる。次いで、エンドエフェクタ3C6が上昇してローター18から退避する。 The second substrate transport robot 3C positions the end effector 3C6 holding the substrate W right above the rotor 18 of the liquid processing unit 10. As shown in FIG. At this time, the rotor 18 is in an angular position in which the two movable holding bars 183 are positioned upward, and the two movable holding bars 183 are in the release position. From this state, the end effector 3C6 descends, inserts the substrate W into the substrate holding groove of the fixed holding bar 182 of the rotor 18, and then releases the adsorption of the substrate W by the adsorption pad 3C62. Next, the end effector 3C6 is slightly moved in the arrangement direction of the substrates W to separate the substrate holder 3C61 from the substrates W. As shown in FIG. Next, the end effector 3C6 is lifted and retracted from the rotor 18.

その後、処理容器11がスライドし、処理室11Cが形成され、基板Wに対して一連の処理が施される。 After that, the processing chamber 11 is slid to form a processing chamber 11C, and the substrate W is subjected to a series of processing.

基板Wの処理が終了したら、上記と逆の手順を実行することにより、第2基板搬送ロボット3Cが液処理ユニット10のローター18から基板Wを取り出し、処理済み基板用の受け渡しユニット3Bに基板Wを渡す。受け渡しユニット3Bでは、基板Wの配列ピッチが第1等ピッチP1に変換され、また基板Wが水平姿勢とされ、そして基板保持構造3A1が第1位置に移動させられる。次いで、第1位置にある基板保持構造3B1から25枚の処理済みの基板Wを第1基板搬送ロボット2Cが一括して取り出し、元の基板搬送容器Cに収納する。 When the processing of the substrate W is completed, the second substrate transport robot 3C takes out the substrate W from the rotor 18 of the liquid processing unit 10 and transfers the substrate W to the processed substrate transfer unit 3B by executing the above-described procedure in reverse order. give. In the delivery unit 3B, the arrangement pitch of the substrates W is changed to the first equal pitch P1, the substrates W are placed in a horizontal posture, and the substrate holding structure 3A1 is moved to the first position. Next, the first substrate transport robot 2C collectively takes out 25 processed substrates W from the substrate holding structure 3B1 at the first position, and stores them in the original substrate transport container C. As shown in FIG.

上記の第2の例においても、第1基板搬送ロボット2Cおよび第2基板搬送ロボット3Cは、25枚の基板Wを一括して搬送してもよいし、例えば5枚ずつ搬送してもよい。 Also in the above second example, the first substrate transport robot 2C and the second substrate transport robot 3C may collectively transport 25 substrates W, or may transport, for example, five substrates at a time.

[その他の変形例]
前述したように第2基板搬送ロボット3Cのエンドエフェクタにピッチ変換機能を設けてもよく、この場合、受け渡しユニット3A,3Bからピッチチェンジ機構3A13,3B3が省略される。第2基板搬送ロボット3Cは、受け渡しユニット3A,3Bとローター18との間で基板Wを搬送するときに、エンドエフェクタで保持している基板Wの配列ピッチを変更する。
[Other Modifications]
As described above, the end effector of the second substrate transport robot 3C may be provided with a pitch change function, in which case the pitch change mechanisms 3A13 and 3B3 are omitted from the transfer units 3A and 3B. The second substrate transport robot 3C changes the arrangement pitch of the substrates W held by the end effector when transporting the substrates W between the delivery units 3A, 3B and the rotor 18. FIG.

前述したように第2基板搬送ロボット3Cにエンドエフェクタ3C6の姿勢を変換する姿勢変換機構を設けてもよく(図18を参照)、この場合、受け渡しユニット3A,3Bから姿勢変換機構3A3,3B4が省略され、液処理ユニット10のローター18に姿勢変換機構が省略される。第2基板搬送ロボット3Cは、受け渡しユニット3A,3Bとローター18との間で基板Wを搬送するときに、エンドエフェクタで保持している基板Wの姿勢を変換する。 As described above, the second substrate transport robot 3C may be provided with a posture changing mechanism for changing the posture of the end effector 3C6 (see FIG. 18). is omitted, and the posture changing mechanism is omitted from the rotor 18 of the liquid processing unit 10 . The second substrate transport robot 3C changes the posture of the substrate W held by the end effector when transporting the substrate W between the transfer units 3A, 3B and the rotor 18. FIG.

なお、液処理ユニット10のローター18の姿勢変換が可能である場合、あるいは第2基板搬送ロボット3Cにエンドエフェクタの姿勢変換機能が設けられている場合には、受け渡しユニット3A(3B)に姿勢変換機能が設けられない。この場合、受け渡しユニット3A(3B)の基板保持構造3A1(3B1)のフレーム3A11(3B11)は、前面および背面の両方から基板Wの搬出入が可能となるように、前面および背面が開放される(図15および図16に示した構成例では前面のみが開放されている)。 If the rotor 18 of the liquid processing unit 10 can be changed in posture, or if the second substrate transport robot 3C is provided with a function for changing the posture of the end effector, then the transfer unit 3A (3B) can change its posture. Function is not provided. In this case, the frame 3A11 (3B11) of the substrate holding structure 3A1 (3B1) of the transfer unit 3A (3B) is opened at the front and back so that the substrate W can be carried in and out from both the front and back. (Only the front side is open in the configuration example shown in FIGS. 15 and 16).

上述した基板処理システム1の実施形態によれば、基板処理システム1には高さ位置の異なる少なくとも2つの階層(図示例では3つの階層L1,L2,L3)が設けられ、当該少なくとも2つの階層の各々に、複数の液処理ユニット10の2つ以上が配置されている。複数の液処理ユニット10の少なくとも1つ(図示例では2つ)が受け渡しユニット3A,3B(基板受渡し部)の上方または下方(図示例では上方)に配置されている。このため、同じフットプリント面積に対してより多くの液処理ユニット10を配置することができ、基板処理システム1全体における処理のスループットを向上させることができる。 According to the embodiment of the substrate processing system 1 described above, the substrate processing system 1 is provided with at least two levels (three levels L1, L2, and L3 in the illustrated example) having different height positions. , two or more of the plurality of liquid processing units 10 are arranged. At least one (two in the illustrated example) of the plurality of liquid processing units 10 is arranged above or below (above in the illustrated example) the transfer units 3A and 3B (substrate transfer section). Therefore, more liquid processing units 10 can be arranged with respect to the same footprint area, and the processing throughput of the substrate processing system 1 as a whole can be improved.

また、上述した基板処理システム1の実施形態によれば、階層L2,L3の各々において、複数(図示例では4つ)の液処理ユニット10が第2基板搬送ロボット3Cの周囲を囲むように設けられている。そして、各液処理ユニット10のローター18における基板Wの配列方向が、当該ローター18に対する第2基板搬送ロボット3Cの基板の搬入方向と一致している。このことにより、第2基板搬送ロボット3Cが各液処理ユニット10に対して基板を搬出入するときに、第2基板搬送ロボット3Cのアーム3C5に複雑な動きをさせる必要がなくなる。つまり、第2基板搬送ロボット3Cとある1つの液処理ユニット10との間での基板Wの受け渡しを行うときには、第2基板搬送ロボット3Cのアーム3C5の高さを当該液処理ユニット10の高さ位置に合わせるとともに、第2基板搬送ロボット3Cのアーム3C5を鉛直方向軸線Ax1周りに回転させて当該液処理ユニット10に正対させればよい。どの液処理ユニット10が基板Wの搬出入対象であったとしても、上記の動作は共通である。また、上記配置により、第2基板搬送ロボット3Cの動作軸を少なくすることができる。つまり、第2基板搬送ロボット3Cは、アーム3C5を昇降させるZ軸、アーム3C5をZ軸周りに回転させるθ軸、アーム3C5をZ軸に直交する水平面内で進退させる水平軸(H軸)のみを有していれば十分である(但しそれより多い動作軸を有していても構わない。)。このことにより、第2基板搬送ロボット3Cの動作のために必要とされるフットプリント面積を小さくすることができる。また、このことにより、(上方から見て)第2基板搬送ロボット3Cと各液処理ユニット10との間隔を小さくすることができる。またこれにより、1つの階層内において液処理ユニット10を高密度に配置することができ、基板処理システム1のフットプリント面積を小さくすることができる。また、1つの階層内において、複数(図示例では4つ)の液処理ユニット10を、第2基板搬送ロボット3Cに正対させて第2基板搬送ロボット3Cの周囲を囲むように設けることにより、液処理ユニット10と液処理ユニット10との間に空の空間が生じるが、この空間は用力提供のための各種機器を配置するために有効利用することができる。 Further, according to the embodiment of the substrate processing system 1 described above, in each of the floors L2 and L3, a plurality of (four in the illustrated example) liquid processing units 10 are provided so as to surround the second substrate transport robot 3C. It is The direction in which the substrates W are arranged on the rotor 18 of each liquid processing unit 10 coincides with the direction in which the second substrate transport robot 3</b>C loads the substrates into the rotor 18 . As a result, when the second substrate transport robot 3C carries the substrate in and out of each liquid processing unit 10, the arm 3C5 of the second substrate transport robot 3C does not need to move in a complicated manner. That is, when the substrate W is transferred between the second substrate transport robot 3C and one liquid processing unit 10, the height of the arm 3C5 of the second substrate transport robot 3C is set to the height of the liquid processing unit 10. The arm 3C5 of the second substrate transport robot 3C may be rotated around the vertical axis Ax1 to face the liquid processing unit 10 directly. The above operation is common to any liquid processing unit 10 to which the substrate W is loaded/unloaded. In addition, the above arrangement can reduce the number of operating axes of the second substrate transport robot 3C. In other words, the second substrate transport robot 3C has only the Z-axis for raising and lowering the arm 3C5, the θ-axis for rotating the arm 3C5 around the Z-axis, and the horizontal axis (H-axis) for advancing and retracting the arm 3C5 in a horizontal plane orthogonal to the Z-axis. (although it is possible to have more axes of motion). As a result, the footprint area required for the operation of the second substrate transport robot 3C can be reduced. In addition, this makes it possible to reduce the distance between the second substrate transport robot 3C and each liquid processing unit 10 (as viewed from above). In addition, this allows the liquid processing units 10 to be arranged at high density within one story, thereby reducing the footprint area of the substrate processing system 1 . In addition, by providing a plurality of (four in the illustrated example) liquid processing units 10 in one layer so as to face the second substrate transport robot 3C and surround the second substrate transport robot 3C, Although an empty space is created between the liquid processing units 10, this space can be effectively utilized for arranging various devices for providing utilities.

つまり、上述した基板処理システム1の実施形態によれば、フットプリント面積当たりのスループット(単位時間当たりの処理枚数)を向上させることができる。 That is, according to the embodiment of the substrate processing system 1 described above, the throughput per footprint area (the number of substrates processed per unit time) can be improved.

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 It should be considered that the embodiments disclosed this time are illustrative in all respects and not restrictive. The embodiments described above may be omitted, substituted, or modified in various ways without departing from the scope and spirit of the appended claims.

1 基板処理システム
10 液処理ユニット
18 基板保持部
2A1 容器載置部
2C 第1基板搬送装置
3A,3B 基板受け渡し部
3C 第1基板搬送装置
L1,L2,L3 階層
REFERENCE SIGNS LIST 1 substrate processing system 10 liquid processing unit 18 substrate holding section 2A1 container mounting section 2C first substrate transfer device
3A, 3B Substrate transfer section 3C First substrate transfer device L1, L2, L3 Hierarchy

Claims (9)

複数のバッチ式の液処理ユニットであって、前記各液処理ユニットが、複数の基板を互いに平行に保持する基板保持部を有しており、前記基板保持部に保持された前記複数の基板に対して同時に液処理を施すように構成されている、前記複数の液処理ユニットと、
複数の基板を収納する基板搬送容器が載置される容器載置部と、
複数の基板を互いに平行に保持する基板保持構造を有する少なくとも1つの基板受け渡し部と、
前記容器載置部に載置された基板搬送容器と前記基板受け渡し部との間で基板を搬送する第1基板搬送装置と、
前記基板受渡し部と前記液処理ユニットとの間で複数の基板を同時に搬送する第2基板搬送装置と、
を備えた基板処理システムであって、
前記基板処理システムは、高さ位置の異なる少なくとも2つの階層を有し、各階層に、前記複数の液処理ユニットの2つ以上が配置され、
前記複数の液処理ユニットのうちの少なくとも1つが、前記基板受渡し部の上方または下方に配置されている
基板処理システム。
A plurality of batch-type liquid processing units, each liquid processing unit having a substrate holding section for holding a plurality of substrates in parallel, wherein the plurality of substrates held by the substrate holding section has a substrate holding portion. the plurality of liquid treatment units configured to simultaneously apply liquid treatment to the
a container placement section on which a substrate transport container for storing a plurality of substrates is placed;
at least one substrate transfer section having a substrate holding structure for holding a plurality of substrates parallel to each other;
a first substrate transfer device for transferring substrates between the substrate transfer container placed on the container mounting portion and the substrate transfer portion;
a second substrate transfer device that simultaneously transfers a plurality of substrates between the substrate transfer section and the liquid processing unit;
A substrate processing system comprising
The substrate processing system has at least two floors with different height positions, and two or more of the plurality of liquid processing units are arranged in each floor,
A substrate processing system, wherein at least one of the plurality of liquid processing units is arranged above or below the substrate transfer section.
前記第2基板搬送装置は、前記液処理ユニットが基板の処理を行うときに前記基板保持部が保持する基板の枚数である規定処理枚数と同じ枚数の基板を前記基板受渡し部と前記液処理ユニットとの間で同時に搬送するか、あるいは、前記規定処理枚数よりも少ない複数の基板を前記基板受渡し部と前記液処理ユニットとの間で同時に搬送するように構成されている、請求項1に記載の基板処理システム。 When the liquid processing unit processes the substrates, the second substrate transfer device transfers the same number of substrates as a specified number of substrates held by the substrate holding section to the substrate transfer section and the liquid processing unit. or a plurality of substrates smaller than the prescribed number of substrates to be processed are simultaneously transported between the substrate transfer section and the liquid processing unit. substrate processing system. 前記基板受渡し部は、前記基板保持構造を、前記第1基板搬送装置との間で基板の受け渡しが可能な第1位置と、前記第2基板搬送装置との間で基板の受け渡しが可能な第2位置との間で移動させる移動機構とを有している、請求項1または2記載の基板処理システム。 The substrate transfer section moves the substrate holding structure to a first position where the substrate can be transferred to and from the first substrate transfer device and a position to which the substrate can be transferred and transferred to and from the second substrate transfer device. 3. The substrate processing system according to claim 1, further comprising a moving mechanism for moving between two positions. 前記基板受渡し部は、前記第1位置、前記第2位置、または前記第1位置と前記第2位置との間の第3位置で、前記基板保持構造により保持されている基板の姿勢を水平姿勢と垂直姿勢との間で変換する姿勢変換機構を有する、請求項3に記載の基板処理システム。 The substrate transfer section changes the posture of the substrate held by the substrate holding structure to a horizontal posture at the first position, the second position, or a third position between the first position and the second position. 4. The substrate processing system according to claim 3, further comprising a posture changing mechanism for changing between a vertical posture and a vertical posture. 前記基板受渡し部は、前記基板保持構造により保持されている基板の配列ピッチを、第1等ピッチと第2等ピッチとの間で変換するピッチ変換機構を有する、前記基板搬送容器は複数の基板を前記第1等ピッチで保持するように構成され、前記液処理ユニットの前記基板保持部は複数の基板を前記第2等ピッチで保持するように構成されている、請求項1から4のうちのいずれか一項に記載の基板処理システム。 The substrate transfer section has a pitch conversion mechanism that converts an arrangement pitch of the substrates held by the substrate holding structure between a first equal pitch and a second equal pitch, and the substrate transfer container has a plurality of substrates. at the first equal pitch, and the substrate holding section of the liquid processing unit is configured to hold the plurality of substrates at the second equal pitch. The substrate processing system according to any one of Claims 1 to 3. 前記基板処理システムは、前記少なくとも1つの基板受け渡し部として、第1基板受け渡し部および第2基板受け渡し部を備え、前記第1基板受渡し部が前記第2基板受渡し部の上方に配置されている、請求項1から5のうちのいずれか一項に記載の基板処理システム。 The substrate processing system includes a first substrate transfer section and a second substrate transfer section as the at least one substrate transfer section, wherein the first substrate transfer section is arranged above the second substrate transfer section. 6. The substrate processing system according to any one of claims 1-5. 前記基板搬送容器は、複数の基板を水平姿勢で互いに平行に前記第1等ピッチで収納するように構成されており、
前記第1搬送装置は、前記基板搬送容器から、複数の基板を一括して水平姿勢で取り出すことができるように構成されている、請求項1から6のうちのいずれか一項に記載の基板処理システム。
The substrate transport container is configured to store a plurality of substrates in a horizontal posture in parallel with each other at the first equal pitch,
7. The substrate according to any one of claims 1 to 6, wherein said first transfer device is configured to be able to collectively take out a plurality of substrates in a horizontal posture from said substrate transfer container. processing system.
前記各液処理ユニットは、前記基板保持部による基板の配列方向が、前記第2基板搬送装置の前記各液処理ユニットへの搬入方向と一致するように設置されている、請求項1から7のうちのいずれか一項に記載の基板処理システム。 8. The method according to any one of claims 1 to 7, wherein each of said liquid processing units is installed such that a direction in which said substrates are arranged by said substrate holding portion coincides with a direction in which said second substrate transfer device carries said substrates into said respective liquid processing units. A substrate processing system according to any one of the preceding claims. 前記基板処理システム内において前記複数の液処理モジュールが配置されている領域と、前記複数の液処理モジュールに用力を供給する機器が配置されている領域とが互いに隣接している、請求項1から8のうちのいずれか一項に記載の基板処理システム。 2. The substrate processing system according to claim 1, wherein a region in which said plurality of liquid processing modules are arranged and a region in which equipment for supplying utilities to said plurality of liquid processing modules are arranged are adjacent to each other. 9. The substrate processing system according to any one of 8.
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