JP2022131776A - 紫外線検知装置、紫外線センサの製造方法、紫外線センサ、紫外線検知方法、プログラム - Google Patents

Abstract

【課題】紫外線の照射を容易に検知する紫外線検知装置、紫外線センサの製造方法、紫外線センサ、紫外線検知方法、プログラムを提供する。【解決手段】レンズの前面に装着された紫外線センサと、前記レンズを通過する光を撮像する撮像手段とを備えた紫外線検知装置が、紫外線の前記レンズへの入光により変化する紫外線センサの状態に基づいて紫外線の照射を検知する。【選択図】図１

Description

本発明は、紫外線検知装置、紫外線センサの製造方法、紫外線センサ、紫外線検知方法、プログラムに関する。

紫外線を用いてウィルスの死滅、除菌、滅菌を行う紫外線照射装置が多く利用されている。このような紫外線照射装置の照射する紫外線を用意に検出する技術が求められている。

特許文献１には、インジケータ要素および物品を１００ｎｍ～２８０ｎｍの波長を有する電磁エネルギーに暴露し、インジケータ要素に対して視覚的変化またはテクスチャ変化をもたらし、その変化を検出して物品の滅菌や消毒の程度を検出する技術が開示されている。

特開２０２０－１０８８２９号公報

上述のような技術において、紫外線の照射を容易に検知できる技術が求められている。

そこでこの発明は、上述の課題を解決する紫外線検知装置、紫外線センサの製造方法、紫外線センサ、紫外線検知方法、プログラムを提供することを目的としている。

本発明の第１の態様によれば、紫外線検知装置は、レンズの前面に装着された紫外線センサと、前記レンズを通過する光を撮像する撮像手段と、紫外線の前記レンズへの入光により変化する前記紫外線センサの状態に基づいて前記紫外線の照射を検知する照射検知手段と、を備える。

本発明の第２の態様によれば、紫外線センサの製造方法は、酸化亜鉛の粉と酸化ゲルマニウムの粉の混合紛を透明基材に吹き付けて膜を形成する膜形成工程と、前記透明基材に前記膜が形成された後に加熱する加熱工程と、を有する。

本発明の第３の態様によれば、紫外線センサは、酸化亜鉛の粉と酸化ゲルマニウムの粉の混合紛を透明基材に吹き付けて膜を形成した後に加熱処理される。

本発明の第４の態様によれば、紫外線検知方法は、レンズの前面に装着された紫外線センサと、前記レンズを通過する光を撮像する撮像手段とを備えた紫外線検知装置が、紫外線の前記レンズへの入光により変化する前記紫外線センサの状態に基づいて前記紫外線の照射を検知する。

本発明の第５の態様によれば、プログラムは、レンズの前面に装着された紫外線センサと、前記レンズを通過する光を撮像する撮像手段と、を備えた紫外線検知装置のコンピュータを、紫外線の前記レンズへの入光により変化する前記紫外線センサの状態に基づいて前記紫外線の照射を検知する照射検知手段、として機能させる。

本発明によれば、紫外線の照射を容易に検知することができる。

第一実施形態による紫外線検知装置の概略構成を示す第一の図である。 第一実施形態による制御モジュールの機能ブロック図である。 第一実施形態による制御部の機能ブロック図である。 第一実施形態による紫外線検知装置の処理フローを示す図である。 第一実施形態による紫外線検知装置の概略構成を示す第二の図である。 第二実施形態による紫外線検知装置の概略構成を示す図である。 第二実施形態による紫外線センサの回路構成を示す図である。 第二実施形態による処理装置の構成の一例を示す図である。 第二実施形態による処理装置が行う処理を説明するための図である。 第二実施形態による検出システムの処理フローの一例を示す図である。 少なくとも１つの実施形態に係るコンピュータの構成を示す概略ブロック図である。

以下、本発明の第一実施形態による紫外線検知装置を図面を参照して説明する。
図１は第一実施形態による紫外線検知装置の概略構成を示す第一の図である。
紫外線検知装置１は、カメラのレンズの前面に紫外線センサ１１を設けて構成される。そして紫外線検知装置１の一部を構成するカメラには、レンズ１２、撮像部１３、制御モジュール１４、バッテリ１５などが設けられる。撮像部１３はＣＭＯＳセンサなどにより構成されて紫外線センサ１１、レンズ１２を介して入射した光を検知する。制御モジュール１４は撮像部１３から得た信号に基づいて、画像を生成する。バッテリ１５は紫外線検知装置１に電力を供給する。なお紫外線センサ１１は薄い円盤形状を成しており、紫外線検知装置１はレンズの前面に紫外線センサ１１を装着できる構造を有している。

図２は第一実施形態による制御モジュールの機能ブロック図である。
制御モジュール１４は、制御部１４１、無線通信部１４２、加速度検知部１４３などを備える。制御部１４１は紫外線検知装置１の各機能部を制御する。無線通信部１４２は外部装置と無線通信により通信接続する。加速度検知部１４３は紫外線検知装置１に与えられた加速度を検知する。

紫外線検知装置１に装着される紫外線センサ１１は、酸化亜鉛の粉と酸化ゲルマニウムの粉の混合紛を透明基材に吹き付けて膜を形成した後に加熱処理されたものである。なお透明基材は一例としては石英ガラスである。透明基材は透明な他のガラスを用いてもよい。酸化亜鉛の粉と酸化ゲルマニウムの粉の混合紛を透明基材に吹き付けて膜を形成するために、一例としてスパッタリングの技術を用いる。またスパッタリングの後に膜を形成した透明基材をアニール処理して加熱する。これにより、紫外線の照射を受けた場合に緑色に光る紫外線センサ１１を製造することができる。本実施形態においては、紫外線の波長帯をＵＶ（ultraviolet）－Ａ，ＵＶ－Ｂ，ＵＶ－Ｃの３つの波長帯に区分けした時の記ＵＶ－Ｃと定義される波長帯が照射された場合に光る紫外線センサ１１を、紫外線検知装置１に用いる。なおＵＶ－Ｃは一例としては、１００ｎｍ～２８０ｎｍの波長の紫外線である。ＵＶ－Ａや３１５ｎｍ～４００ｎｍの波長、ＵＶ－Ｂは２８０ｎｍ～３１５ｎｍの波長と定義されてよい。なおこれらの波長の定義は一例であり、ＵＶ－Ａ、ＵＶ－Ｂ、ＵＶ－Ｃの波長がそれぞれ他の波長帯を示すよう定義されてよい。

図３は第一実施形態による制御部の機能ブロック図である。
制御部１４１は、画像生成部４１１、照射検知部４１２、出力部４１３の各機能を発揮する。
画像生成部４１１は、撮像部１３から得た信号に基づいて公知の技術により画像を生成する。
照射検知部４１２は紫外線のレンズへの入光により変化する紫外線センサの状態に基づいて紫外線の照射を検知する。
出力部４１３は、紫外線の照射の検知結果を出力する。

図４は第一実施形態による紫外線検知装置の処理フローを示す図である。
以下、紫外線検知装置１の処理フローについて説明する。
紫外線が照射された環境において紫外線検知装置１起動する。すると撮像部１３は紫外線センサ１１、レンズ１２を介して入射した紫外線を検知する（ステップＳ１０１）。紫外線センサ１１は、紫外線が照射されることにより発光する。紫外線センサ１１は紫外線の強度が大きいほど強く光る。つまり紫外線が弱い場合と、強い場合とで紫外線センサ１１の発光による色の濃度が異なり、紫外線が強い場合にはより濃い緑で、紫外線が弱い場合には淡い緑で発行する。撮像部１３は検知した光の信号を制御モジュール１４へ出力する。

制御モジュール１４において画像生成部４１１は撮像部１３から得た信号に基づいて画像を生成する（ステップＳ１０２）。紫外線が入射している場合、紫外線センサ１１が緑色に発光しているため画像生成部４１１の生成した画像は被写体が写る画像であるものの全体的に紫外線センサ１１の発光色に近似する色を帯びている。照射検知部４１２は画像生成部４１１の生成した画像を取得する。照射検知部４１２は、画像の各画素の色情報に基づいて、その色が紫外線センサ１１の発光色に近似しているか否かを判定する。例えば照射検知部４１２は、紫外線の強度が強い場合と、弱い場合の各発光色の色情報をＲＧＢ値で記憶している。紫外線の強度が弱い場合の紫外線センサ１１の発光色を第一発光色、紫外線の強度が強い場合の紫外線センサ１１の発光色を第二発光色と呼ぶこととする。

照射検知部４１２は、取得した画像の各画素のＲＧＢ値の平均値と第一発光色が示すＲＧＢ値とを比較して、取得した画像の各画素の平均のＲ，Ｇ，Ｂの値が、第一発光色が示すＲ，Ｇ，Ｂの各値を基準とする所定の誤差内であるかを判定する（ステップＳ１０３）。取得した画像の各画素のＲＧＢ値の平均値が、第一発光色が示すＲ，Ｇ，Ｂの各値を基準とする所定の誤差内である場合には、画像の色は、第一発光色が示す色に近い。照射検知部４１２は、取得した画像の各画素のＲＧＢ値の平均値が、第一発光色が示すＲ，Ｇ，Ｂの各値を基準とする所定の誤差内である場合には画像の色が第一発光色に近似していると判定する（ステップＳ１０４）。照射検知部４１２は、第一発光色であることを示す情報を出力部４１３へ出力する。また照射検知部４１２は、画像の色が第一発光色に近似していると判定した時刻からＵＶ－Ｃの照射時間をカウントし、所定の間隔でその照射時間を出力部４１３へ出力する。

出力部４１３は、第一発光色であることを示す情報取得すると、ＵＶ－Ｃを検出したことを示す情報、検出したＵＶ－Ｃが第一発光色に対応する照射強度であることを示す情報、照射時間を含む検出情報を所定の送信先装置３０へ送信する（ステップＳ１０５）。例えば、紫外線検知装置１は、サーバ装置やスマートフォンなどと通信接続されている場合には、それらサーバ装置やスマートフォンへ検出情報を送信してよい。サーバ装置やスマートフォンは検出情報を取得すると、所定の処理を行う。例えばサーバ装置やスマートフォンは、ＵＶ－Ｃの照射強度（弱）の情報と、その照射時間などを含む警告情報を表示装置へ出力してよい。

照射検知部４１２は、取得した画像の各画素のＲＧＢ値の平均値と第二発光色が示すＲＧＢ値とを比較して、取得した画像の各画素のＲＧＢ値の平均値が、第二発光色が示すＲ，Ｇ，Ｂの各値を基準とする所定の誤差内であるかを判定する（ステップＳ１０６）。取得した画像の各画素のＲＧＢ値の平均値が、第二発光色が示すＲ，Ｇ，Ｂの各値を基準とする所定の誤差内である場合には、画像の色は、第二発光色が示す色に近い。照射検知部４１２は、取得した画像の各画素のＲＧＢ値の平均値が、第一発光色が示すＲ，Ｇ，Ｂの各値を基準とする所定の誤差内である場合には画像の色が第二発光色に近似していると判定する（ステップＳ１０７）。照射検知部４１２は、第二発光色であることを示す情報を出力部４１３へ出力する。なお第一発光色が示す緑色よりも、第二発光色が示す緑色は、濃い緑色であるとする。紫外線（ＵＶ－Ｃ）の照射強度によって色が濃くなるため、画像が第二発光色に近似している場合、より強いＵＶ－Ｃが照射されていることを検知することができる。また照射検知部４１２は、画像の色が第二発光色に近似していると判定した時刻からＵＶ－Ｃの照射時間をカウントし、所定の間隔でその照射時間を出力部４１３へ出力する。

出力部４１３は、第二発光色であることを示す情報取得すると、ＵＶ－Ｃを検出したことを示す情報、検出したＵＶ－Ｃが第二発光色に対応する照射強度であることを示す情報、照射時間を含む検出情報を所定の送信先装置３０へ送信する（ステップＳ１０８）。例えば、紫外線検知装置１は、サーバ装置やスマートフォンなどと通信接続されている場合には、それらサーバ装置やスマートフォンへ検出情報を送信してよい。サーバ装置やスマートフォンは検出情報を取得すると、所定の処理を行う。例えばサーバ装置やスマートフォンは、ＵＶ－Ｃの照射強度（強）の情報と、その照射時間などを含む警告情報を表示装置へ出力してよい。

照射検知部４１２は、取得した画像の各画素のＲＧＢ値の平均値と第一発光色や第二発光色が示すＲＧＢ値とを比較して、取得した画像の各画素のＲＧＢ値の平均値が、第一発光色や第二発光色が示すＲ，Ｇ，Ｂの各値を基準とする所定の誤差内でない場合には、ＵＶ－Ｃは照射されていないと判定する（ステップＳ１０９）。照射検知部４１２は、ＵＶ－Ｃが照射されていないことを出力部４１３へ出力してよい。この場合、出力部４１３はサーバ装置やスマートフォンなどの送信先装置３０へＵＶ－Ｃが照射されていないことを示す情報を含む検出情報を送信してよい。サーバ装置やスマートフォンは検出情報にＵＶ－Ｃが照射されていないことを示す情報が含まれる場合には、ＵＶ－Ｃの照射無を示す情報を表示装置に表示してよい。照射検知部４１２は処理を終了するかを判定し（ステップＳ１１０）、終了しない場合には処理を繰り返す。

なお制御部１４１は加速度検知部１４３から出力された加速度の値に基づいて、紫外線検知装置１が倒れたことを検知して、倒れたことを検知した場合に、その情報を送信先装置に送信する制御を行ってよい。

紫外線の波長帯のうちＵＶ－Ｃと定義される波長帯の紫外線は、ＵＶ－ＡやＵＶ－Ｂと定義される波長帯の紫外線に比べ殺菌効果が非常に高いと言われ、消毒や殺菌装置として使用されている。例えば、理美容院に設置されている、はさみ等の器具を消毒する装置はＵＶ－Ｃを使用した消毒器として昔から普及している。最近は新型コロナウイルスへの滅菌効果も期待されており、ＵＶ－Ｃに対する市場認知が急速に高まっており、パーソナルユースの紫外線ＵＶ－Ｃの照射装置（照射源）や、病院へのＵＶ－Ｃ照射ロボットの導入が拡がっている状況である。人間がＵＶ－Ｃを浴びると細胞のＤＮＡが破壊される為、非常に危険であり、ＵＶ－Ｃを使用した装置を扱う際は注意が必要である。従って、ＵＶ－Ｃ照射時はそのエリアへの人間の侵入を防ぐ必要や、視界に入らない様に密閉した空間で照射する必要がある為、ユーザは紫外線の照射装置が正常にＵＶ－Ｃを照射しているか容易に確認する術がない状況であり、ユーザは紫外線に照射装置がＵＶ－Ｃを照射しているかどうかを正確に把握することが必要となる。

上述の紫外線検知装置１の処理によれば、カメラ型の装置を用いるだけで、紫外線（特にＵＶ－Ｃ）の照射を検知することができ、またその紫外線の強度の情報を画像として、また送信先装置３０での受信情報として記録することができる。また上述の紫外線センサ１１は、紫外線ＵＶ－Ｃが照射している場合にはその強度に応じて緑色に短時間で光り、紫外線ＵＶ－Ｃが照射されていた状況から照射されていない状況に変化した場合には短時間（１秒弱程度）で緑色の発光が停止する。これにより紫外線検知装置１は瞬時に紫外線（ＵＶ－Ｃ）の照射を検知することができる。

また、上述の紫外線検知装置１の処理によれば、今迄はウィルスを殺菌する事が優先され、市場にＵＶ－Ｃ照射製品が投入されてきたが、見えない（見てはいけない）光で、見えないウィルスを殺菌している現状で、ＵＶ－Ｃの出力低下や、紫外線照射装置の故障により出力が停止している事も容易に確認できず、照射装置の性能確認や、ＵＶ－Ｃ照射時の危険喚起がおざなりになっていたのが改善される。また上述の紫外線検知装置１によれば、ＵＶ－Ｃ照射されている事を知らずにＵＶ－Ｃを曝露だけでなく、ＵＶ－Ｃの照射装置が故障している事を知らずに使用し続け、効果のない照射装置を使用し続けていることを検知することもできる。

なお上述の紫外線センサ１１は、紫外線の波長帯のうちＵＶ－Ｃの波長帯の紫外線が照射されている場合に緑色に発光するものであって良いが、他の実施形態においては、ＵＶ－ＡやＵＶ－Ｂの波長帯の紫外線が照射されている間に発光するものであってもよい。

図５は第一実施形態による紫外線検知装置の概略構成を示す第二の図である。
図５で示すように紫外線検知装置１は紫外線センサ１１の前に減衰レンズ１８を備えてよい。これにより減衰レンズ１８で減衰された強度の光が、紫外線センサ１１、レンズ１２、撮像部１３へと順次入光する。紫外線の強度が大きい場合には、減衰レンズ１８でその紫外線の強度を減衰することで、紫外線センサ１１を紫外線の強度が大きい場合でも、第一発光色に発光させることができる。

＜第二実施形態＞
図６は第二実施形態による紫外線センサを装着した紫外線検知装置を示す図である。
図７は第二実施形態による紫外線センサの回路構成を示す図である。
上述の紫外線センサ１１は他の紫外線センサ２１であってもよい。例えば紫外線センサ２１は、図６（ａ）で示すようなセンサ２０１をレンズ１２の前に装着し、当該センサ２０１と制御モジュール１４に含まれる回路とを含むものであってよい。紫外線検知装置１のセンサ２０１以外の構成は第一実施形態と同様である。なお図６（ｂ）で示すように、レンズ１２の大きさに比べてセンサ２０１は小さい。そしてそのような小型のセンサ２０１がレンズ１２近傍に装着されているため、紫外線検知装置１を構成するカメラで撮影した画像にはセンサ２０１がぼやけてほぼセンサ２０１が写らない状態の画像が生成される。

紫外線センサ２１は、紫外線の照射装置が照射するＵＶ－Ｃを検出する。紫外線センサ２１は、図７に示すように、センサ２０１、検出回路２０２、処理装置２０３、Ｄ／Ａ変換装置２０４、無線通信部１４２、コネクタ２０６を備える。なおセンサ２０１以外の、検出回路２０２、処理装置２０３、Ｄ／Ａ変換装置２０４、無線通信部１４２、コネクタ２０６は上述した制御モジュール１４の内部に、第一実施形態で示した制御部１４１に代えて、または制御部１４１と共に設けられてよい。

センサ２０１は、ＵＶ－Ｃを検出する。具体的には、センサ２０１は、ＵＶ－Ｃが照射されると抵抗値が変化する。例えば、センサ２０１は、照射されるＵＶ－Ｃの発光強度が高くなるにつれて抵抗値が低下する。センサ２０１の抵抗値は、照射されるＵＶ－Ｃの発光強度に応じて、例えば、数１０ｋオーム～数１０Ｇオームの範囲で変化する。

検出回路２０２は、センサ２０１の抵抗値を電圧として検出する回路である。検出回路２０２は、図７に示すように、オペレーショナルアンプリファイア（以下、オペアンプと記載）２０２１、抵抗２０２２ａ、２０２２ｂ、キャパシタ２０２３ａ、２０２３ｂを備える。

オペアンプ２０２１は、反転端子（図７においてマイナスの符号によって表される端子）、正転端子（図７においてプラスの符号によって表される端子）、出力端子を備える。オペアンプ２０２１の反転端子には、センサ２０１の第１端子、抵抗２０２２ａの第１端子、キャパシタ２０２３ａの第１端子が接続される。オペアンプ２０２１の正転端子には、抵抗２０２２ｂの第１端子、キャパシタ２０２３ｂの第１端子が接続される。オペアンプ２０２１の出力端子には、抵抗２０２２ａの第２端子、キャパシタ２０２３ａの第２端子が接続される。センサ２０１の第２端子およびキャパシタ２０２３ｂの第２端子は、グラウンドに接続される。なお、キャパシタ２０２３ａは、検出回路２０２の帰還量を調整し、検出回路２０２の周波数特性（位相余裕および利得余裕）を改善するためのキャパシタである。また、オペアンプ２０２１の出力端子は、処理装置２０３に接続され、オペアンプ２０２１の出力電圧が処理装置２０３に出力される。また、抵抗２０２２ｂの第２端子は、処理装置２０３に接続され、処理装置２０３からオペアンプ２０２１の正転端子にバイアス電圧が印加される。

図８は第二実施形態による処理装置の構成の一例を示す図である。
図９は第二実施形態による処理装置が行う処理を説明するための図である。
処理装置２０３は、図８に示すように、Ａ／Ｄ（Ａｎａｌｏｇ ｔｏ Ｄｉｇｉｔａｌ）変換部２０３１、バイアス生成部２０３２、処理部２０３３、切替部２０３４、出力部２０３５ａ、２０３５ｂ、リセット部２０３６を備える。処理装置２０３は、例えばコンピュータ（マイクロコンピュータを含む）である。

Ａ／Ｄ変換部２０３１は、オペアンプ２０２１から出力されるアナログの出力電圧をデジタルの出力電圧に変換する。Ａ／Ｄ変換部２０３１は、例えば、Ａ／Ｄ変換器である。なお、Ａ／Ｄ変換部２０３１の分解能は、例えば１０ビット（１０２４）である。

バイアス生成部２０３２は、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力（つまり、Ａ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値、または、その読み取り値が示す電圧値）に基づくアナログのバイアス電圧を生成する。バイアス生成部２０３２は、生成したバイアス電圧を抵抗２０２２ｂの第２端子に印加する。センサ２０１の抵抗値は、例えば、数１０ｋオーム～数１０Ｇオームの範囲で変化する。そのため、Ａ／Ｄ変換部２０３１の分解能が１０ビット程度の場合、抵抗変化に対する分解能が充分ではない。バイアス生成部２０３２は、予め定めた条件を満足した場合に設定を変更することにより、分解能の低い（例えば、１０ビットの）Ａ／Ｄ変換部２０３１を用いた場合でも、センサ２０１の抵抗値の変化に対応している。以下に、バイアス生成部２０３２の設定の変更例を示す。

例えば、Ａ／Ｄ変換部２０３１の分解能が１０ビット、抵抗２０２２ａが１０Ｍオームであるものとする。そして、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧の初期値が４ボルトであるものとする。なお、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧の初期値は、センサ２０１の抵抗値が変化してもオペアンプ２０２１の入出力が安定して変化しない０ボルトとしなければ、動作可能な電圧範囲においてどのような初期値であってもよい。

バイアス生成部２０３２の設定は、例えば、図９に示す予め定めた条件であるレンジ変更条件を満足した場合、変更される。バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧（図９におけるＤ／Ａ出力電圧に相当）の初期値は４ボルトである。バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が４ボルトであり、Ａ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値が９５８以下（すなわち、オペアンプ２０２１の出力電圧が４．０２ボルト以下であり、センサ２０１の抵抗値に換算すると２９８０Ｍオーム以上）である場合、バイアス生成部２０３２の設定値を２３８（Ａ／Ｄ変換部２０３１の設定値に換算した場合９５２）に設定する。また、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が４ボルトであり、Ａ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値が１００１以上（すなわち、オペアンプ２０２１の出力電圧が４．２０ボルト以上であり、センサ２０１の抵抗値に換算すると２０６Ｍオーム以下）である場合、バイアス生成部２０３２の設定値を１１９（Ａ／Ｄ変換部２０３１の設定値に換算した場合４７６）に設定を変更する。なお、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が４ボルトであり、Ａ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値が９５９以上１０００以下の場合、バイアス生成部２０３２の設定値２３８はそのままである。つまり、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が４ボルトである場合、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力が４．２０ボルト以上になった場合（センサ２０１の抵抗値が２０６Ｍオーム以下になった場合）のみ、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧を２ボルトに変更する。

バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が２ボルトであり、Ａ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値が５００以下（すなわち、オペアンプ２０２１の出力電圧が２．１０ボルト以下であり、センサ２０１の抵抗値に換算すると２１１Ｍオーム以上）である場合、バイアス生成部２０３２の設定値を２３８に設定を変更する。また、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が２ボルトであり、Ａ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値が１００１以上（すなわち、オペアンプ２０２１の出力電圧が４．２０ボルト以上であり、センサ２０１の抵抗値に換算すると９．１２Ｍオーム以下）である場合、バイアス生成部２０３２の設定値を２４（Ａ／Ｄ変換部２０３１の設定値に換算した場合９６）に設定を変更する。なお、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が２ボルトであり、Ａ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値が５０１以上１０００以下の場合、バイアス生成部２０３２の設定値１１９はそのままである。つまり、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が２ボルトである場合、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力が４．２０ボルト以上（センサ２０１の抵抗値が９．１２Ｍオーム以下）になった場合、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧を０．４ボルトに変更する。また、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力が２．１ボルト以下（センサ２０１の抵抗値が２１１Ｍオーム以上）になった場合、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧を４ボルトに変更する。

バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が０．４ボルトであり、Ａ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値が２００以下（すなわち、オペアンプ２０２１の出力電圧が０．８４ボルト以下であり、センサ２０１の抵抗値に換算すると９．２８Ｍオーム以上）である場合、バイアス生成部２０３２の設定値を１１９に設定を変更する。また、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が０．４ボルトであり、Ａ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値が１００１以上（すなわち、オペアンプ２０２１の出力電圧が４．２０ボルト以上であり、センサ２０１の抵抗値に換算すると１．０６Ｍオーム以下）である場合、バイアス生成部２０３２の設定値を１２（Ａ／Ｄ変換部２０３１の設定値に換算した場合４８）に設定を変更する。なお、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が０．４ボルトであり、Ａ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値が２０１以上１０００以下の場合、バイアス生成部２０３２の設定値２４はそのままである。つまり、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が０．４ボルトである場合、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力が４．２０ボルト以上（センサ２０１の抵抗値が１．０６Ｍオーム以下）になった場合、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧を０．２ボルトに変更する。また、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力が０．８４ボルト以下（センサ２０１の抵抗値が９．２８Ｍオーム以上）になった場合、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧を２ボルトに変更する。

バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が０．２ボルトであり、Ａ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値が２００以下（すなわち、オペアンプ２０２１の出力電圧が０．８４ボルト以下であり、センサ２０１の抵抗値に換算すると３．１７Ｍオーム以上）である場合、バイアス生成部２０３２の設定値を２４に設定を変更する。また、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が０．２ボルトであり、Ａ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値が１００１以上（すなわち、オペアンプ２０２１の出力電圧が４．２０ボルト以上であり、センサ２０１の抵抗値に換算すると５０．５ｋオーム以下）である場合、バイアス生成部２０３２の設定値を３（Ａ／Ｄ変換部２０３１の設定値に換算した場合１２）に設定を変更する。なお、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が０．２ボルトであり、Ａ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値が２０１以上１０００以下の場合、バイアス生成部２０３２の設定値１２はそのままである。つまり、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が０．２ボルトである場合、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力が４．２０ボルト以上（センサ２０１の抵抗値が５０．５ｋオーム以下）になった場合、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧を０．０５ボルトに変更する。また、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力が０．８４ボルト以下（センサ２０１の抵抗値が３．１７Ｍオーム以上）になった場合、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧を０．４ボルトに変更する。

バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が０．０５ボルトであり、Ａ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値が２００以下（すなわち、オペアンプ２０２１の出力電圧が０．８４ボルト以下であり、センサ２０１の抵抗値に換算すると６４０ｋオーム以上）である場合、バイアス生成部２０３２の設定値を１２に設定を変更する。また、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が０．０５ボルトであり、Ａ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値が１００１以上（すなわち、オペアンプ２０２１の出力電圧が４．２０ボルト以上であり、センサ２０１の抵抗値に換算すると１２２ｋオーム未満）である場合、バイアス生成部２０３２の設定値を３に設定する。なお、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が０．０５ボルトであり、Ａ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値が２０１以上１０００以下の場合、バイアス生成部２０３２の設定値３はそのままである。つまり、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が０．０５ボルトである場合、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力が０．８４ボルト以下になった場合のみ、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧を０．２ボルトに変更する。

処理部２０３３は、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力に基づいて、センサ２０１が設置された場所において照射装置からＵＶ－Ｃが照射されているか否かを判定する。例えば、図９で示す例の場合、処理部２０３３は、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力が２９８０Ｍオーム以上である場合、すなわち、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧が４ボルトであり、Ａ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値が９５８以下である場合、ＵＶ－Ｃが照射されていないと判定する。また、バイアス生成部２０３２が出力するバイアス電圧４ボルト、２ボルト、０．４ボルト、０．２ボルト、０．０５ボルトの何れかから変化しない場合、処理部２０３３は、そのバイアス電圧の場合にＡ／Ｄ変換部２０３１の読み取り値に対応するセンサ２０１の抵抗値に応じた発光強度のＵＶ－Ｃが照射装置から照射されていると判定する。つまり、例えば、処理部２０３３は、センサ２０１の抵抗値が所定の抵抗値以上（図９で示す例の場合、２９８０Ｍオーム以上）になった場合に、ＵＶ－Ｃの照射がされていないと判定する。そして、処理部２０３３は、ＵＶ－Ｃの照射がされていないことを示す報知信号を、例えば、送信先装置３０に送信する。こうすることで、送信先装置３０のユーザは、少なくともＵＶ－Ｃが照射されている場所に立ち入ることを回避することが可能になる。

また、処理部２０３３は、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力に対応する照射の発光強度と、その照射の発光時間とに基づいて、センサ２０１が設置された場所に照射装置から所定の照射がされているか否かを判定する。この判定は、所定の短い時間間隔で（例えば、１秒ごとに）行われる。所定の照射とは、予め定めた殺菌、除菌、滅菌効果が得られるＵＶ－Ｃの照射である。例えば、所定の照射を単位発光強度による累積時間として予め定めておき、処理部２０３３は、実際に検出された照射の発光強度と発光時間とにより表される単位発光強度による累積時間が、予め定めた単位発光強度による累積時間に達した場合、所定の照射がされたと判定する。また、処理部２０３３は、実際に検出された照射の発光強度と発光時間とにより表される単位発光強度による累積時間が、予め定めた単位発光強度による累積時間に達しない場合、所定の照射がされていないと判定する。

処理部２０３３は、所定の照射がされたと判定する前に、例えば自身を示す固有の識別情報を、無線通信部１４２を介して照射装置に送信する。処理部２０３３は、所定の照射がされたと判定した場合、識別情報とともにＵＶ－Ｃの照射を停止させる停止信号を、無線通信部１４２を介して照射装置に送信する。そして、照射装置は、停止信号に応じて照射を停止する。こうすることで、人間に影響を及ぼす可能性のあるＵＶ－Ｃを必要以上に照射することを回避することができる。また、照射装置は、必要以上の電力を消費することを回避できる。なお、処理部２０３３は、所定の照射がされていないと判定した場合、所定の照射がされたと判定するまで、ＵＶ－Ｃの照射を停止させなければよい（つまり継続すればよい）。

また、処理部２０３３は、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力に基づいて、照射装置の発光部の経時劣化、照射の停止、および断線の何れであるかを判定するものであってもよい。例えば、発光部が経時劣化した場合、発光強度が低下する。そのため、処理部２０３３は、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力が示す発光部の最大発光強度が所定の発光強度を示すしきい値以下である場合、発光部が経時劣化していると判定することができる。また、処理部２０３３は、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力に対応する最大発光強度付近の発光強度からの単位時間当たりの発光強度の変化が、所定の発光強度の変化を示すしきい値以上の変化を示した場合、照射装置からその変化を示したタイミングにおける制御信号を取得する。処理部２０３３は、取得した制御信号が照射の停止を示す場合、照射が停止されたと判定する。また、処理部２０３３は、取得した制御信号が照射の停止を示さない場合、断線が生じたと判定する。処理部２０３３は、これらの判定結果を報知信号として、例えば、送信先装置３０や照射装置に送信する。こうすることで、送信先装置３０のユーザや照射装置のユーザは、発光部の経時劣化や断線が生じたことを認識することができる。発光部の経時劣化や断線が生じたことを認識したユーザが、発光部の交換や断線の修理を行うまたは修理を依頼することにより、早急に発光部の経時劣化や断線に対応することができる。

また、処理部２０３３は、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力に対応する最大発光強度付近の発光強度からの単位時間当たりの発光強度の変化が、所定の発光強度の変化を示すしきい値以上の変化を示した場合、その変化を示したタイミングをＵＶ－Ｃの照射が停止されたタイミングとして、例えば、照射の対象物を制御する制御装置（不図示）に送信する。こうすることで、例えば、照射の対象物が水道水などである場合、照射の対象物を制御する制御装置は対象物（この例では、水の）の流れを止める蛇口を閉にすることができ、ＵＶ－Ｃが照射されていない対象物の増加や流出を防ぐことができる。なお、センサ２０１の抵抗値の変化は、最小の抵抗値から最大の抵抗値へ瞬間的に変化するものではなく、抵抗値が大きくなるにつれて単位時間当たりの抵抗値の変化が緩やかになる場合がある。そのような場合、処理部２０３３は、その緩やかな変化を示す信号の代わりに、単位時間当たりの発光強度の変化が所定の発光強度の変化を示すしきい値以上の変化を示したタイミングに瞬間的に最大の抵抗値まで変化する波形の信号を生成するものであってもよい。そして、照射の対象物を制御する制御装置は、処理部２０３３が生成した信号の瞬間的に最大の抵抗値まで変化する波形のタイミングをもって対象物（この例では、水）の流れを止めるものであってもよい。

切替部２０３４は、ＧＰＩＯ端子を備える。切替部２０３４は、ＧＰＩＯ端子に抵抗Ｒが接続されるか否かに応じて、後述する出力部２０３５ａが出力するデジタル信号をリニア（線形）として出力させるか、対数として出力させるかを切り替える。例えば、抵抗ＲによってＧＰＩＯ端子がグラウンドにプルダウンされた場合、切替部２０３４は、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力をそのまま出力部２０３５ａに出力させることにより、出力部２０３５ａが出力する値をリニアで出力させる。また、切替部２０３４は、ＧＰＩＯ端子がオープン状態である場合、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力を対数変換する変換部（不図示）を介して出力部２０３５ａに出力させることにより、出力部２０３５ａが出力する値を対数で出力させる。

出力部２０３５ａは、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力を第１の形式で出力する。第１の形式の例としては、ＳＰＩ（Ｓｅｒｉａｌ Ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）が挙げられる。例えば、出力部２０３５ａは、ＧＰＩＯ端子が抵抗Ｒによってグラウンドにプルダウンされている場合、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力を、ＳＰＩによって規定される形式でリニアな信号として出力する。また、出力部２０３５ａは、ＧＰＩＯ端子がオープン状態の場合、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力を、ＳＰＩによって規定される形式で対数の信号として出力する。出力部２０３５ａが出力する信号は、無線通信部１４２を介して、ＵＶ－Ｃの照射のログ情報を示すログ信号として、例えば、照射装置に送信される。

出力部２０３５ｂは、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力を第１の形式とは異なる第２の形式で出力する。第２の形式の例としては、ＵＡＲＴ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ Ａｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ Ｒｅｃｅｉｖｅｒ／Ｔｒａｎｓｍｉｔｔｅｒ）が挙げられる。例えば、出力部２０３５ｂは、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力を、ＵＡＲＴによって規定されるデジタル信号として出力する。出力部２０３５ｂが出力する信号は、無線通信部１４２を介して、ＵＶ－Ｃの照射のログ情報を示すログ信号として、例えば、照射装置に送信される。

リセット部２０３６は、コネクタ２０６を介して入力されるリセット信号に応じて、処理装置２０３をリセットする。リセットとは、初期値を用いて処理装置２０３を再起動することである。

Ｄ／Ａ変換装置２０４は、出力部２０３５ａが出力するデジタル信号をアナログ信号に変換する。Ｄ／Ａ変換装置２０４は、例えば、Ｄ／Ａ変換器である。

無線通信部１４２は、照射装置および送信先装置３０と通信を行う。例えば、無線通信部１４２は、Ｄ／Ａ変換装置２０４が出力するアナログ信号、および出力部２０３５ｂが出力するデジタル信号をログ信号として、照射装置に送信する。また、無線通信部１４２は、処理部２０３３が生成した報知信号を照射装置や送信先装置３０に送信する。

コネクタ２０６は、紫外線センサ２１の外部装置と接続を可能にする。例えば、コネクタ２０６には、紫外線センサ２１における各構成に電力を供給する電源が接続される。また、例えば、コネクタ２０６には、処理装置２０３にリセット信号を入力するための装置（不図示）が接続される。なお、コネクタ２０６には、照射装置や送信先装置３０が有線で接続されてもよい。

送信先装置３０は、ＵＶ－Ｃの照射に関連する情報をユーザに報知する。送信先装置３０は、例えば、スマートフォンである。例えば、送信先装置３０は、専用のアプリケーションプログラムを実行し、紫外線センサ２１から送信された報知信号に含まれる情報を報知する。

図１０は第二実施形態による検出システムの処理フローの一例を示す図である。
次に、図１０を参照して紫外線検知装置１を有する検出システムの処理について説明する。なお、センサ２０１は、ＵＶ－Ｃが照射されていない場合２９８０Ｍオームの抵抗値を示すものとする。また、センサ２０１は、ＵＶ－Ｃが照射された場合に１２２ｋの抵抗値になるものと仮定する。また、処理装置２０３は、図９に示すレンジ変更条件にしたがって処理を行うものとする。また、バイアス生成部２０３２が生成するバイアス電圧の初期値は、４ボルトであるものとする。

照射装置は、自装置の発光部からＵＶ－Ｃを照射させない制御を、駆動部に対して行う（ステップＳ３０１）。紫外線検知装置１のバイアス生成部２０３２は、バイアス電圧の初期値（この場合、４ボルト）を出力する（ステップＳ３０２）。ＵＶ－Ｃが照射されていない場合、センサ２０１は、最大の抵抗値（２９８０Ｍオームの抵抗値）となる（ステップＳ３０３）。処理部２０３３は、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力に基づいて、センサ２０１が設置された場所において照射装置からＵＶ－Ｃが照射されているか否かを判定している。この場合、処理部２０３３は、ＵＶ－Ｃの照射がされていないと判定する（ステップＳ３０４）。そして、処理部２０３３は、ＵＶ－Ｃの照射がされていないことを示す報知信号を送信先装置３０に送信する。送信先装置３０は、ＵＶ－Ｃの照射がされていないことを報知する（ステップＳ３０５）。

ここで、照射装置は、駆動部に制御信号を送信することにより、発光部からＵＶ－Ｃを照射させる制御を、駆動部に対して行う（ステップＳ３０６）。駆動部は、制御信号に基づいて、発光部を駆動する。発光部は、ＵＶ－Ｃを放射する。紫外線検知装置１において、センサ２０１は、最小の抵抗値（１２２ｋオームの抵抗値）をなる（ステップＳ３０７）。処理部２０３３は、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力に基づいて、センサ２０１が設置された場所において照射装置からＵＶ－Ｃが照射されているか否かを判定している。この場合、処理部２０３３は、ＵＶ－Ｃの照射がされていると判定する（ステップＳ３０８）。そして、処理部２０３３は、ＵＶ－Ｃの照射がされていることを示す報知信号を送信先装置３０に送信する。送信先装置３０は、ＵＶ－Ｃの照射がされていることを報知する（ステップＳ３０９）。バイアス生成部２０３２は、図９に示すレンジ変更条件にしたがって、４ボルト、２ボルト、０．４ボルト、０．２ボルトのバイアス電圧を生成し出力する（ステップＳ３１０）。

処理部２０３３は、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力に対応する照射の発光強度と、その照射の発光時間とに基づいて、センサ２０１が設置された場所に照射装置から所定の照射がされているか否かを判定している。処理部２０３３は、所定の照射がされたと判定する前に、自身を示す固有の識別情報を無線通信部１４２を介して照射装置に送信する。やがて、処理部２０３３は、センサ２０１が設置された場所に照射装置から所定の照射がされたと判定する（ステップＳ３１１）。処理部２０３３は、所定の照射がされたと判定した場合、識別情報とともにＵＶ－Ｃの照射を停止させる停止信号を、無線通信部１４２を介して照射装置に送信する。照射装置は、停止信号に応じて照射を停止する（ステップＳ３１２）。

センサ２０１は、最大の抵抗値となる（ステップＳ３１３）。処理部２０３３は、Ａ／Ｄ変換部２０３１の出力に基づいて、センサ２０１が設置された場所において照射装置からＵＶ－Ｃが照射されているか否かを判定している。この場合、処理部２０３３は、ＵＶ－Ｃの照射がされていないと判定する（ステップＳ３１４）。そして、処理部２０３３は、ＵＶ－Ｃの照射がされていないことを示す報知信号を送信先装置３０に送信する。送信先装置３０は、ＵＶ－Ｃの照射がされていないことを報知する（ステップＳ３１５）。

以上、本発明の一実施形態による紫外線検知装置１について説明した。
第二の実施形態による紫外線検知装置１において、センサ２０１は、ＵＶ－Ｃを示す波長帯のうちの少なくとも１つの波長の紫外線が照射されると抵抗値が変化する。検出回路２０２は、センサ２０１の抵抗値に応じてバイアス電圧を変化させ、センサ２０１の抵抗値を電圧値として検出する。こうすることにより、紫外線検知装置１において、紫外線センサ２１は、簡易的な構成でＵＶ－Ｃを検出することができる。

なお、本発明の実施形態における処理は、適切な処理が行われる範囲において、処理の順番が入れ替わってもよい。

本開示の実施形態における記憶部やその他の記憶装置（レジスタ、ラッチを含む）のそれぞれは、適切な情報の送受信が行われる範囲においてどこに備えられていてもよい。また、記憶部やその他の記憶装置のそれぞれは、適切な情報の送受信が行われる範囲において複数存在しデータを分散して記憶していてもよい。

本発明の実施形態について説明したが、上述の照射装置、紫外線検知装置１、送信先装置３０、その他の各装置は内部に、コンピュータ装置を有していてもよい。そして、上述した処理の過程は、プログラムの形式でコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記憶されており、このプログラムをコンピュータが読み出して実行することによって、上記処理が行われる。コンピュータの具体例を以下に示す。

図１１は、少なくとも１つの実施形態に係るコンピュータの構成を示す概略ブロック図である。
コンピュータ５は、図１１に示すように、ＣＰＵ６（ベクトルプロセッサを含む）、メインメモリ７、ストレージ８、インターフェース９を備える。
例えば、上述の照射装置、紫外線検知装置１、送信先装置３０、その他の制御装置のそれぞれは、コンピュータ５に実装される。そして、上述した各処理部の動作は、プログラムの形式でストレージ８に記憶されている。ＣＰＵ６は、プログラムをストレージ８から読み出してメインメモリ７に展開し、当該プログラムに従って上記処理を実行する。また、ＣＰＵ６は、プログラムに従って、上述した各記憶部に対応する記憶領域をメインメモリ７に確保する。

ストレージ８の例としては、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、磁気ディスク、光磁気ディスク、ＣＤ－ＲＯＭ（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｃ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＤＶＤ－ＲＯＭ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、半導体メモリ等が挙げられる。ストレージ８は、コンピュータ５のバスに直接接続された内部メディアであってもよいし、インターフェース９または通信回線を介してコンピュータ５に接続される外部メディアであってもよい。また、このプログラムが通信回線によってコンピュータ５に配信される場合、配信を受けたコンピュータ５が当該プログラムをメインメモリ７に展開し、上記処理を実行してもよい。少なくとも１つの実施形態において、ストレージ８は、一時的でない有形の記憶媒体である。

また、上記プログラムは、前述した機能の一部を実現してもよい。さらに、上記プログラムは、前述した機能をコンピュータシステムにすでに記録されているプログラムとの組み合わせで実現できるファイル、いわゆる差分ファイル（差分プログラム）であってもよい。

本開示のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例であり、開示の範囲を限定しない。これらの実施形態は、開示の要旨を逸脱しない範囲で、種々の追加、種々の省略、種々の置き換え、種々の変更を行ってよい。

なお、上記の実施形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記載されうるが、以下には限られない。

（付記１）
レンズの前面に装着された紫外線センサと、
前記レンズを通過する光を撮像する撮像手段と、
紫外線の前記レンズへの入光により変化する前記紫外線センサの状態に基づいて前記紫外線の照射を検知する照射検知手段と、
を備える紫外線検知装置。

（付記２）
前記紫外線センサは、酸化亜鉛と酸化ゲルマニウムを透明基材に吹き付けて膜を形成した後に加熱処理した透明基材であり、
前記撮像手段は、前記当該透明基材と前記レンズとを通過する光を撮像し、
前記照射検知手段は、前記紫外線の入光により発光した前記透明基材の前記膜の色を前記撮像に基づいて生成された画像から検知して、当該色に基づいて照射源からの前記紫外線の照射を検知する
付記１に記載の紫外線検知装置。

（付記３）
前記紫外線センサは、前記紫外線を示す波長帯のうちの少なくとも１つの波長帯の紫外線が照射されると抵抗値が変化するセンサと、当該センサの抵抗値に応じてバイアス電圧を変化させて前記抵抗値を電圧値として検出する検出回路とを備え、
前記照射検知手段は、前記検出回路の出力に基づいて照射源からの前記紫外線の照射を検知する
付記１に記載の紫外線検知装置。

（付記４）
前記紫外線は、当該紫外線の波長帯をＵＶ－Ａ，ＵＶ－Ｂ，ＵＶ－Ｃの３つの波長帯に区分けした時の前記ＵＶ－Ｃと定義される波長帯である
付記１から付記３の何れか一つに記載の紫外線検知装置。

（付記５）
前記照射検知手段は、前記色の濃度に応じて前記紫外線の照射強度を検出する
付記２に記載の紫外線検知装置。

（付記６）
酸化亜鉛の粉と酸化ゲルマニウムの粉の混合紛を透明基材に吹き付けて膜を形成する膜形成工程と、
前記透明基材に前記膜が形成された後に加熱する加熱工程と、
を有する紫外線センサの製造方法。

（付記７）
前記透明基材は石英ガラスである付記６に記載の紫外線センサの製造方法。

（付記８）
前記膜形成工程は、前記混合紛をスパッタリングすることで前記透明基材に前記膜を形成する
付記６または付記７に記載の紫外線センサの製造方法。

（付記９）
酸化亜鉛の粉と酸化ゲルマニウムの粉の混合紛を透明基材に吹き付けて膜を形成した後に加熱処理された紫外線センサ。

（付記１０）
前記透明基材は石英ガラスである付記９に記載の紫外線センサ。

（付記１１）
レンズの前面に装着された紫外線センサと、前記レンズを通過する光を撮像する撮像手段とを備えた紫外線検知装置が、
紫外線の前記レンズへの入光により変化する前記紫外線センサの状態に基づいて前記紫外線の照射を検知する
紫外線検知方法。

（付記１２）
レンズの前面に装着された紫外線センサと、前記レンズを通過する光を撮像する撮像手段と、を備えた紫外線検知装置のコンピュータを、
紫外線の前記レンズへの入光により変化する前記紫外線センサの状態に基づいて前記紫外線の照射を検知する照射検知手段、
としてさせるプログラム。

１・・・紫外線検知装置
１１，２１・・・紫外線センサ
１２・・・レンズ
１３・・・撮像部
１４・・・制御モジュール
１５・・・バッテリ
１６・・・撮像部
１８・・・減衰レンズ
２０１・・・センサ
４１１・・・画像生成部
４１２・・・照射検知部
４１３・・・出力部

Claims (10)

1. レンズの前面に装着された紫外線センサと、
   前記レンズを通過する光を撮像する撮像手段と、
   紫外線の前記レンズへの入光により変化する前記紫外線センサの状態に基づいて前記紫外線の照射を検知する照射検知手段と、
   を備える紫外線検知装置。
2. 前記紫外線センサは、酸化亜鉛と酸化ゲルマニウムを透明基材に吹き付けて膜を形成した後に加熱処理した透明基材であり、
   前記撮像手段は、前記当該透明基材と前記レンズとを通過する光を撮像し、
   前記照射検知手段は、前記紫外線の入光により発光した前記透明基材の前記膜の色を前記撮像に基づいて生成された画像から検知して、当該色に基づいて照射源からの前記紫外線の照射を検知する
   請求項１に記載の紫外線検知装置。
3. 前記紫外線センサは、前記紫外線を示す波長帯のうちの少なくとも１つの波長帯の紫外線が照射されると抵抗値が変化するセンサと、当該センサの抵抗値に応じてバイアス電圧を変化させて前記抵抗値を電圧値として検出する検出回路とを備え、
   前記照射検知手段は、前記検出回路の出力に基づいて照射源からの前記紫外線の照射を検知する
   請求項１に記載の紫外線検知装置。
4. 前記紫外線は、当該紫外線の波長帯をＵＶ－Ａ，ＵＶ－Ｂ，ＵＶ－Ｃの３つの波長帯に区分けした時の前記ＵＶ－Ｃと定義される波長帯である
   請求項１から請求項３の何れか一項に記載の紫外線検知装置。
5. 前記照射検知手段は、前記色の濃度に応じて前記紫外線の照射強度を検出する
   請求項２に記載の紫外線検知装置。
6. 酸化亜鉛の粉と酸化ゲルマニウムの粉の混合紛を透明基材に吹き付けて膜を形成する膜形成工程と、
   前記透明基材に前記膜が形成された後に加熱する加熱工程と、
   を有する紫外線センサの製造方法。
7. 前記膜形成工程は、前記混合紛をスパッタリングすることで前記透明基材に前記膜を形成する
   請求項６に記載の紫外線センサの製造方法。
8. 酸化亜鉛の粉と酸化ゲルマニウムの粉の混合紛を透明基材に吹き付けて膜を形成した後に加熱処理された紫外線センサ。
9. レンズの前面に装着された紫外線センサと、前記レンズを通過する光を撮像する撮像手段とを備えた紫外線検知装置が、
   紫外線の前記レンズへの入光により変化する前記紫外線センサの状態に基づいて前記紫外線の照射を検知する
   紫外線検知方法。
10. レンズの前面に装着された紫外線センサと、前記レンズを通過する光を撮像する撮像手段と、を備えた紫外線検知装置のコンピュータを、
    紫外線の前記レンズへの入光により変化する前記紫外線センサの状態に基づいて前記紫外線の照射を検知する照射検知手段、
    としてさせるプログラム。

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