JP2022123546A - Pressure measuring device - Google Patents

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里奈 小笠原
Rina Ogasawara
興仁 結城
Koji Yuki
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Abstract

To provide a pressure measuring device capable of precisely measuring a wide range of pressure.SOLUTION: A pressure measuring device includes a sensor diaphragm 101 that is displaceable, and receives pressure of a measurement object by a pressure reception surface 101a, and a measurement part (non-illustrated) for measuring displacement of the sensor diaphragm 101, and the sensor diaphragm 101 is set to a convex state to a side of the pressure reception surface 101a in a reference state. The sensor diaphragm 101 is disposed in a sensor element 102, includes a reference chamber 102a formed between an inner wall of the sensor element 102 and a surface in a side opposite to the pressure reception surface 101a, and can be displaced in a direction of the reference chamber 102a or in the opposite direction.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、圧力測定装置に関する。 The present invention relates to a pressure measuring device.

例えば、圧力を受けたダイヤフラムのたわみ量、すなわち変位より圧力値を測定する圧力測定装置は、半導体設備をはじめ、工業用途で広く使用されている。半導体装置の製造においては、気相成長による様々な成膜装置や、ドライエッチング装置が用いられている。このような製造装置では、nm単位の厚さの薄膜を数パーセント以下の膜厚精度で安定的に形成することが求められるため、処理室内の圧力やプロセスガスの分圧などを正確に制御しており、圧力を正確に計測することが重要となる。このような圧力の計測のために、圧力測定装置が用いられている。 For example, a pressure measuring device that measures the pressure value from the amount of deflection of a diaphragm under pressure, that is, the displacement, is widely used in industrial applications including semiconductor equipment. 2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor devices, various film forming apparatuses using vapor phase epitaxy and dry etching apparatuses are used. Such manufacturing equipment is required to stably form a thin film with a thickness on the order of nanometers with a film thickness accuracy of several percent or less. Therefore, it is important to measure the pressure accurately. A pressure measuring device is used to measure such pressure.

この種の圧力測定装置において、絶対圧を計測するために、ダイヤフラムの片側に真空基準室を設け、測定対象の圧力に応じたダイヤフラムの変位に基づき検出する技術がある。また、このような絶対圧を測定する圧力測定装置の中で、封入液が圧力伝達媒体として広く用いられている(特許文献1参照)。 In order to measure the absolute pressure in this type of pressure measuring device, there is a technique in which a vacuum reference chamber is provided on one side of the diaphragm and detection is made based on the displacement of the diaphragm according to the pressure to be measured. Among such pressure measuring devices for measuring absolute pressure, a sealed liquid is widely used as a pressure transmission medium (see Patent Document 1).

特許第3285971号公報Japanese Patent No. 3285971

上記のような絶対圧センサにおいては、圧力領域が一定以上広くなると、圧力感度が非線形となり、高感度を維持することが困難である。また、この結果として、計測精度が低下してしまう。このため、現在、広い圧力範囲を高精度に計測可能な絶対圧を計測する圧力測定装置が望まれている。 In the absolute pressure sensor as described above, when the pressure range becomes wider than a certain level, the pressure sensitivity becomes non-linear, and it is difficult to maintain high sensitivity. Moreover, as a result of this, the measurement accuracy is degraded. Therefore, there is currently a demand for a pressure measuring device capable of measuring a wide pressure range with high accuracy and measuring absolute pressure.

本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、広い圧力範囲を高精度に計測可能な圧力測定装置の提供を目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to solve the problems described above, and to provide a pressure measuring device capable of measuring a wide pressure range with high accuracy.

本発明に係る圧力測定装置は、変位可能とされて測定対象の圧力を受圧面で受けるセンサダイヤフラムと、センサダイヤフラムの変位を測定する測定部とを備え、センサダイヤフラムは、基準の状態で受圧面の側に凸の状態とされている。 A pressure measuring device according to the present invention includes a sensor diaphragm that is displaceable and receives a pressure to be measured on its pressure receiving surface, and a measurement unit that measures the displacement of the sensor diaphragm. It is in a convex state on the side of .

上記圧力測定装置の一構成例において、センサダイヤフラムは、センサ素子の中に配置され、センサ素子の内壁と受圧面の反対側の面との間に形成された基準室を備え、基準室の方向あるいは逆方向に変位可能とされている。 In one configuration example of the above pressure measuring device, the sensor diaphragm is disposed in the sensor element and has a reference chamber formed between the inner wall of the sensor element and the surface opposite to the pressure receiving surface. Alternatively, it can be displaced in the opposite direction.

上記圧力測定装置の一構成例において、基準室は、密閉され、基準の状態は、基準室の圧力と受圧面で受ける圧力とが同一の状態である。 In one configuration example of the pressure measuring device, the reference chamber is closed, and the reference state is a state in which the pressure in the reference chamber and the pressure received by the pressure receiving surface are the same.

上記圧力測定装置の一構成例において、測定部は、センサダイヤフラムの可動領域に形成された可動電極と、可動電極に向かい合って形成された固定電極とを有する。 In one configuration example of the pressure measuring device, the measuring section has a movable electrode formed in the movable region of the sensor diaphragm and a fixed electrode formed facing the movable electrode.

上記圧力測定装置の一構成例において、測定部は、センサダイヤフラムの歪みを計測する。 In one configuration example of the pressure measurement device, the measurement unit measures strain of the sensor diaphragm.

上記圧力測定装置の一構成例において、測定対象の圧力を直接受ける受圧ダイヤフラムと、受圧ダイヤフラムが受けた圧力をセンサダイヤフラムに伝達する圧力伝達物質とをさらに備え、センサダイヤフラムは、圧力伝達物質を介して測定対象の圧力を受圧面で受ける。 An example of the configuration of the pressure measuring device further includes a pressure-receiving diaphragm that directly receives the pressure to be measured, and a pressure-transmitting substance that transmits the pressure received by the pressure-receiving diaphragm to the sensor diaphragm. The pressure to be measured is received by the pressure receiving surface.

上記圧力測定装置の一構成例において、測定部は、センサダイヤフラムに形成されたピエゾ抵抗領域を備える。 In one configuration example of the pressure measuring device, the measuring section includes a piezoresistive region formed on the sensor diaphragm.

以上説明したように、本発明によれば、センサダイヤフラムを、基準の状態で受圧面の側に凸の状態としているので、広い圧力範囲を高精度に計測可能な圧力測定装置が提供できる。 As described above, according to the present invention, since the sensor diaphragm is convex toward the pressure receiving surface in the standard state, it is possible to provide a pressure measuring device capable of measuring a wide pressure range with high accuracy.

図1は、本発明の実施の形態に係る圧力測定装置の構成を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing the configuration of a pressure measuring device according to an embodiment of the invention. 図2は、圧力感度の状態を示す特性図である。FIG. 2 is a characteristic diagram showing the state of pressure sensitivity.

以下、本発明の実施の形態に係る圧力測定装置について図1を参照して説明する。この圧力測定装置は、変位可能とされて測定対象の圧力を受圧面101aで受けるセンサダイヤフラム101と、センサダイヤフラム101の変位を測定する測定部(不図示)とを備え、センサダイヤフラム101は、基準の状態で受圧面101aの側に凸の状態とされている。 A pressure measuring device according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. This pressure measuring device includes a sensor diaphragm 101 that is displaceable and receives a pressure to be measured on a pressure receiving surface 101a, and a measurement unit (not shown) that measures the displacement of the sensor diaphragm 101. The sensor diaphragm 101 is provided with a reference , the pressure-receiving surface 101a is in a convex state.

センサダイヤフラム101は、センサ素子102の中に配置されている。なお、ここでは、センサダイヤフラム101を備え、センサダイヤフラム101の変位(歪み)を計測し、圧力値に変換して出力する機構を総称してセンサ素子102としている。例えば、センサダイヤフラム101は、センサ素子102を構成する筐体の内部に配置されている。また、センサ素子102の内壁と、センサダイヤフラム101の受圧面101aの反対側の面との間に形成された基準室102aを備える。 A sensor diaphragm 101 is arranged in a sensor element 102 . Here, a sensor element 102 is a general term for a mechanism that includes a sensor diaphragm 101, measures the displacement (distortion) of the sensor diaphragm 101, converts it into a pressure value, and outputs the pressure value. For example, the sensor diaphragm 101 is arranged inside a housing that constitutes the sensor element 102 . It also includes a reference chamber 102a formed between the inner wall of the sensor element 102 and the surface of the sensor diaphragm 101 opposite to the pressure receiving surface 101a.

例えば、センサ素子102を構成する筐体の内部に設けられたセンサダイヤフラム101を配置する領域の内壁と、センサダイヤフラム101の受圧面101aの反対側の面との間に、基準室102aを形成することができる。センサダイヤフラム101は、基準室102aの方向あるいは逆方向に変位可能とされている。なお、基準室102aは、受圧面101aの反対側の面に接して設けられていれば良い。例えば、センサダイヤフラム101は、基準の状態で、基準室102aから見ると、凹面となっている。 For example, the reference chamber 102a is formed between the inner wall of the area in which the sensor diaphragm 101 is arranged and the surface of the sensor diaphragm 101 opposite to the pressure receiving surface 101a. be able to. The sensor diaphragm 101 can be displaced toward or away from the reference chamber 102a. Note that the reference chamber 102a may be provided in contact with the surface opposite to the pressure receiving surface 101a. For example, the sensor diaphragm 101 has a concave surface when viewed from the reference chamber 102a in the reference state.

また、基準室102aは、密閉されている。例えば、基準室102aは、内部が基準圧力の状態で密閉されている。この基準圧力は、絶対真空に近い圧力とすることができる。上述した基準の状態は、基準室102aの内部の圧力と受圧面101aで受ける圧力とが同一の状態である。また、基準の状態は、受圧面101aが受圧していない状態とすることもできる。また、センサ素子102の受圧面101aの側には、圧力導入口102bが形成されている。 Also, the reference chamber 102a is sealed. For example, the reference chamber 102a is hermetically sealed in the state of the reference pressure. This reference pressure can be a pressure close to absolute vacuum. In the reference state described above, the pressure inside the reference chamber 102a and the pressure received by the pressure receiving surface 101a are the same. The reference state can also be a state in which the pressure receiving surface 101a does not receive pressure. A pressure introduction port 102b is formed on the side of the pressure receiving surface 101a of the sensor element 102 .

測定部は、センサダイヤフラム101の可動領域に形成された可動電極と、可動電極に向かい合って形成された固定電極とを有する静電容量式とすることができる。可動電極と固定電極との間に形成される容量の変化により、センサダイヤフラム101で受けた圧力を測定する。可動電極と固定電極との間に形成される容量の変化は、測定器において、設定されているセンサ感度を用いて圧力値に変換されて出力される。 The measurement unit can be of a capacitance type having a movable electrode formed in the movable region of the sensor diaphragm 101 and a fixed electrode formed facing the movable electrode. The change in capacitance formed between the movable electrode and the fixed electrode measures the pressure received by the sensor diaphragm 101 . A change in the capacitance formed between the movable electrode and the fixed electrode is converted into a pressure value by the measuring device using the set sensor sensitivity and output.

また、測定部は、センサダイヤフラム101の歪みを計測する歪式とすることができる。この場合、測定部は、センサダイヤフラム101に形成されたピエゾ抵抗領域を備える。例えば、センサダイヤフラム101の周囲4箇所の各々にピエゾ素子を配置し、4つのピエゾ素子の4個のピエゾ抵抗領域をブリッジ接続し、圧力を受けたセンサダイヤフラム101の変形に伴う4つのピエゾ抵抗領域の抵抗値の変化を、ブリッジ出力として得ることで、圧力が測定できる。 Moreover, the measurement unit can be a strain type that measures the strain of the sensor diaphragm 101 . In this case, the measuring part comprises a piezoresistive area formed in the sensor diaphragm 101 . For example, a piezo element is arranged at each of four locations around the sensor diaphragm 101, four piezo resistance regions of the four piezo elements are bridge-connected, and the four piezo resistance regions accompanying the deformation of the sensor diaphragm 101 under pressure. The pressure can be measured by obtaining the change in the resistance value of as the bridge output.

例えば、センサダイヤフラム101をシリコンから構成する場合、ピエゾ素子は、シリコンから構成したセンサダイヤフラム101に、拡散抵抗により形成することができる。また、センサダイヤフラム101を金属薄板から構成し、金属板から構成したセンサダイヤフラム101の上に金属歪ゲージを形成し、センサダイヤフラム101の歪みを計測することもできる。 For example, when the sensor diaphragm 101 is made of silicon, the piezo elements can be formed by diffusion resistors in the sensor diaphragm 101 made of silicon. Moreover, the strain of the sensor diaphragm 101 can be measured by forming the sensor diaphragm 101 from a thin metal plate and forming a metal strain gauge on the sensor diaphragm 101 formed from the metal plate.

また、圧力測定装置は、センサ素子102が搭載される基部111を備える。基部111には、受圧ダイヤフラム103が設けられ、また、受圧ダイヤフラム室104、貫通孔105、注入孔106が形成されている。図1においては、センサダイヤフラム101の受圧面101aが向く側に受圧ダイヤフラム103を配置しているが、これに限るものではない。例えば、貫通孔105を屈曲させて引き回し、受圧ダイヤフラム103が、センサダイヤフラム101から見て、基準室102aの側に配置される構成とすることができる。また、貫通孔105を屈曲させ、受圧ダイヤフラム103が、基部111の側面に配置される構成とすることもできる。 The pressure measuring device also comprises a base 111 on which the sensor element 102 is mounted. A pressure-receiving diaphragm 103 is provided in the base portion 111, and a pressure-receiving diaphragm chamber 104, a through hole 105, and an injection hole 106 are formed. In FIG. 1, the pressure-receiving diaphragm 103 is arranged on the side facing the pressure-receiving surface 101a of the sensor diaphragm 101, but it is not limited to this. For example, the through hole 105 can be bent and routed so that the pressure-receiving diaphragm 103 is arranged on the reference chamber 102 a side when viewed from the sensor diaphragm 101 . Alternatively, the through hole 105 may be bent and the pressure receiving diaphragm 103 may be arranged on the side surface of the base portion 111 .

基部111は、例えば、SUS316Lから構成されている。基部111の外形は、平面視で、円形または矩形とされている。センサ素子102は、基部111の主面111aの側に設けられている。受圧ダイヤフラム103は、基部111の裏面111bの側に形成されている。受圧ダイヤフラム103と基部111との間に、受圧ダイヤフラム室104が形成されている。受圧ダイヤフラム室104の平面形状は、例えば、円形とされている。 The base 111 is made of SUS316L, for example. The outer shape of the base 111 is circular or rectangular in plan view. The sensor element 102 is provided on the main surface 111a side of the base portion 111 . The pressure receiving diaphragm 103 is formed on the rear surface 111b side of the base 111 . A pressure-receiving diaphragm chamber 104 is formed between the pressure-receiving diaphragm 103 and the base portion 111 . The planar shape of the pressure receiving diaphragm chamber 104 is, for example, circular.

また、貫通孔105は、センサ素子102の圧力導入口102bと、受圧ダイヤフラム室104とを連通している。また、注入孔106は、基部111の外部と貫通孔105とを連通している。受圧ダイヤフラム室104、貫通孔105、および注入孔106には、圧力伝達物質107が充填され、封止材108で封止されている。注入孔106から圧力伝達物質107を注入し、受圧ダイヤフラム室104、貫通孔105に充填した後、封止材108で注入孔106の入り口を封止する。 Further, the through hole 105 communicates the pressure introduction port 102b of the sensor element 102 and the pressure receiving diaphragm chamber 104 with each other. Injection hole 106 communicates the outside of base 111 with through hole 105 . Pressure-receiving diaphragm chamber 104 , through-hole 105 , and injection hole 106 are filled with pressure-transmitting substance 107 and sealed with sealing material 108 . After injecting the pressure transmitting substance 107 from the injection hole 106 to fill the pressure receiving diaphragm chamber 104 and the through hole 105 , the inlet of the injection hole 106 is sealed with the sealing material 108 .

測定対象の圧力は、受圧ダイヤフラム103で受圧し、受圧ダイヤフラム103で受圧した圧力は、圧力伝達物質107により、センサ素子102のセンサダイヤフラム101(受圧面101a)に伝達される。実施の形態において、測定対象の圧力は、受圧ダイヤフラム103で直接受け、センサダイヤフラム101は、圧力伝達物質107を介して測定対象の圧力を受圧面101aで受ける。なお、注入孔106は、圧力伝達物質107が充填される領域と外部とを連通させるものであれば良く、例えば、センサ素子102の筐体に設けることもできる。 The pressure to be measured is received by the pressure receiving diaphragm 103 , and the pressure received by the pressure receiving diaphragm 103 is transmitted to the sensor diaphragm 101 (pressure receiving surface 101 a ) of the sensor element 102 by the pressure transmitting substance 107 . In the embodiment, the pressure to be measured is directly received by the pressure receiving diaphragm 103 , and the sensor diaphragm 101 receives the pressure to be measured on the pressure receiving surface 101 a via the pressure transmitting material 107 . It should be noted that the injection hole 106 can be provided in the housing of the sensor element 102 as long as it allows the area filled with the pressure transmitting substance 107 to communicate with the outside.

実施の形態1に係る圧力測定装置によれば、要求計測範囲に対してプロセス圧力が高い領域でも、圧力感度を線形な状態に維持することが可能となるよく知られているように、耐食性が求められる環境で使用される圧力測定装置は、基部111や受圧ダイヤフラム室104やなどの環境に触れる部分の材料は、ステンレス鋼、チタン合金、ニッケル合金、セラミックスなどが用いられる。また、圧力伝達物質107には、シリコーンオイルなどの非圧縮性流体が用いられる。 According to the pressure measuring device according to the first embodiment, it is possible to maintain the pressure sensitivity in a linear state even in a region where the process pressure is high with respect to the required measurement range. In the pressure measuring device used in the required environment, stainless steel, titanium alloy, nickel alloy, ceramics, etc. are used as the materials of the parts that come into contact with the environment, such as the base 111 and the pressure receiving diaphragm chamber 104 . Incompressible fluid such as silicone oil is used as the pressure transmitting substance 107 .

実施の形態によれば、センサダイヤフラム101は、基準の状態で受圧面101aの側に凸の状態とされているので、センサダイヤフラム101の十分な圧力感度を得られる撓み領域(動作領域)が、より広くなる。言い換えると、実施の形態によれば、動作域のスパンは維持したまま、最大撓み量を小さくできるため、高感度が維持できる。 According to the embodiment, the sensor diaphragm 101 is projected toward the pressure receiving surface 101a in the standard state. become wider. In other words, according to the embodiment, the maximum amount of deflection can be reduced while maintaining the span of the motion range, so high sensitivity can be maintained.

図2の(a)に例示するように、従来は、要求計測範囲に対し、点線で囲う領域に示すプロセス圧力が高い領域では、プロセス圧力に対するセンサ素子の出力の変化(圧力感度)が非線形となり高感度が維持できない。これに対し、図2の(b)に示すように、実施の形態によれば、要求計測範囲よりも広い領域で圧力感度が得られ、要求計測範囲に対してプロセス圧力が高い領域でも、圧力感度を線形な状態に維持することが可能となる。もしくは、完全に線形でなくても、必要な圧力感度を維持することが可能となる。 As exemplified in FIG. 2(a), conventionally, in the area surrounded by the dotted line where the process pressure is high with respect to the required measurement range, the change in the output of the sensor element (pressure sensitivity) with respect to the process pressure becomes non-linear. High sensitivity cannot be maintained. On the other hand, as shown in FIG. 2B, according to the embodiment, the pressure sensitivity is obtained in a region wider than the required measurement range, and even in a region where the process pressure is higher than the required measurement range, the pressure It becomes possible to maintain the sensitivity in a linear state. Alternatively, it is possible to maintain the required pressure sensitivity without being perfectly linear.

ここで、圧力伝達物質107の充填(注入)および封入について説明する。一般に、減圧下にて、圧力伝達物質107を注入した後、室温(≒基準温度)において、基準室102aの圧力Prefと大気圧Patmとの圧力差(=Patm-Pref)によりセンサダイヤフラム101が変位した状態で、圧力伝達物質107を注入し、封止材108で封止する。このように、圧力伝達物質107を注入して封止した後、測定対象のプロセス圧P1をP1=Prefまで減圧すると、センサダイヤフラム101の変位はゼロとなる。ここでは、受圧ダイヤフラムの剛性による圧力損失は十分小さく、無視できると考える。なお、センサダイヤフラム101が、受圧面101aの側にも、基準室102aの側にも変位していない(凸となっていない)平坦な状態を、変位がゼロの状態とする。この、一般的な圧力伝達物質107の封入では、センサダイヤフラム101を、受圧していない状態で受圧面101aの側に凸の状態とすることができない。 The filling (injection) and encapsulation of the pressure transmitting substance 107 will now be described. In general, after injecting the pressure-transmitting substance 107 under reduced pressure, the pressure difference (=P atm -P ref ) between the pressure P ref in the reference chamber 102a and the atmospheric pressure P atm at room temperature (≈reference temperature) causes the sensor While the diaphragm 101 is displaced, the pressure transmitting substance 107 is injected and sealed with the sealing material 108 . After injecting and sealing the pressure transmitting substance 107 in this way, when the process pressure P 1 to be measured is reduced to P 1 =P ref , the displacement of the sensor diaphragm 101 becomes zero. Here, it is considered that the pressure loss due to the rigidity of the pressure-receiving diaphragm is sufficiently small and can be ignored. A flat state (not convex) in which the sensor diaphragm 101 is neither displaced toward the pressure receiving surface 101a nor toward the reference chamber 102a is referred to as a zero displacement state. With this general encapsulation of the pressure-transmitting substance 107, the sensor diaphragm 101 cannot be projected toward the pressure-receiving surface 101a in a non-pressure-receiving state.

一方で、まず、圧力伝達物質107の温度(液温)を、基準温度より高いT℃(T>基準温度)として注入し、Patm-Prefの圧力の差分、センサダイヤフラム101が変位した状態で、封止材108で封止する。室温で圧力伝達物質107注入した後、基部111を含めて圧力伝達物質107の温度をT℃にした状態で封止することもできる。封止した後、基準温度まで冷却すると、T℃-基準温度の温度変化に応じ、封入した圧力伝達物質107の体積が収縮する。 On the other hand, first, the temperature (liquid temperature) of the pressure transmitting substance 107 is injected as T° C. (T>reference temperature) higher than the reference temperature, and the pressure difference of P atm −P ref is the state in which the sensor diaphragm 101 is displaced. , the sealing material 108 is used for sealing. After injecting the pressure-transmitting substance 107 at room temperature, the pressure-transmitting substance 107 including the base 111 can be sealed at a temperature of T.degree. After sealing, when cooled to the reference temperature, the volume of the sealed pressure transmitting material 107 shrinks according to the temperature change of T° C.-reference temperature.

上述した圧力伝達物質107の体積の収縮に伴い、センサダイヤフラム101の変位が減少する方向へオフセットする。この状態から、例えばプロセス圧P1をP1=Prefまで減圧すると、センサダイヤフラム101は、冷却時にオフセットさせた分だけ、受圧面101aの側、言い換えると基準室102aと逆方向に変位した状態となる。圧力伝達物質107の封止時の温度Tは、センサダイヤフラム101の所望のオフセット量に合わせて調整可能である。また、センサダイヤフラム101のオフセット量を厳密に調整し、再現性の良い出力を得るためには、圧力伝達物質107とこれが封入される領域を構成している基部111を含めた部材全体の温度を一定温度に加温することが好適である。なお、温度は、例えばセンサ素子102に予め形成されている温度センサの信号に基づき管理することができる。 As the volume of the pressure transmitting substance 107 shrinks, the displacement of the sensor diaphragm 101 is offset in a decreasing direction. From this state, for example, when the process pressure P 1 is reduced to P 1 =P ref , the sensor diaphragm 101 is displaced toward the pressure receiving surface 101a side, in other words, in the direction opposite to the reference chamber 102a by the amount offset during cooling. becomes. The sealing temperature T of the pressure transmitting material 107 can be adjusted according to the desired amount of offset of the sensor diaphragm 101 . In addition, in order to precisely adjust the offset amount of the sensor diaphragm 101 and obtain an output with good reproducibility, the temperature of the entire member including the pressure transmitting material 107 and the base 111 constituting the region in which this is enclosed must be increased. Warming to a constant temperature is preferred. Note that the temperature can be managed based on, for example, a signal from a temperature sensor previously formed in the sensor element 102 .

以上に説明したように、本発明によれば、センサダイヤフラムを、基準の状態で受圧面の側に凸の状態としているので、広い圧力範囲を高精度に計測可能な、絶対圧を計測する圧力測定装置が提供できる。上述した実施の形態では、圧力伝達物質107の封止時の温度調整による方法を示したが、これに限定されるものではない。例えば、構成部材の接合応力や膜応力によるセンサダイヤフラムの変形を利用することもできる。 As described above, according to the present invention, the sensor diaphragm is in a state of being convex toward the pressure-receiving surface side in the standard state. Measurement equipment can be provided. In the above-described embodiment, the method of temperature control during sealing of the pressure transmitting substance 107 was shown, but the present invention is not limited to this. For example, deformation of the sensor diaphragm due to bonding stress or membrane stress of the constituent members can be used.

なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。 It should be noted that the present invention is not limited to the embodiments described above, and many modifications and combinations can be implemented by those skilled in the art within the technical concept of the present invention. It is clear.

101…センサダイヤフラム、101a…受圧面、102…センサ素子、102a…基準室、102b…圧力導入口、103…受圧ダイヤフラム、104…受圧ダイヤフラム室、105…貫通孔、106…注入孔、107…圧力伝達物質、108…封止材、111…基部、111a…主面、111b…裏面。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 101... Sensor diaphragm, 101a... Pressure receiving surface, 102... Sensor element, 102a... Reference chamber, 102b... Pressure introduction port, 103... Pressure receiving diaphragm, 104... Pressure receiving diaphragm chamber, 105... Through hole, 106... Injection hole, 107... Pressure Transfer substance 108 Sealing material 111 Base 111a Main surface 111b Back surface.

Claims (7)

変位可能とされて測定対象の圧力を受圧面で受けるセンサダイヤフラムと、
前記センサダイヤフラムの変位を測定する測定部と
を備え、
前記センサダイヤフラムは、基準の状態で前記受圧面の側に凸の状態とされていることを特徴とする圧力測定装置。
a sensor diaphragm that is displaceable and receives the pressure to be measured on its pressure-receiving surface;
a measuring unit that measures the displacement of the sensor diaphragm,
A pressure measuring device according to claim 1, wherein the sensor diaphragm is convex toward the pressure receiving surface side in a reference state.
請求項1記載の圧力測定装置において、
前記センサダイヤフラムは、センサ素子の中に配置され、前記センサ素子の内壁と前記受圧面の反対側の面との間に形成された基準室を備え、前記基準室の方向あるいは逆方向に変位可能とされている
ことを特徴とする圧力測定装置。
The pressure measuring device according to claim 1,
The sensor diaphragm is disposed in the sensor element, has a reference chamber formed between an inner wall of the sensor element and a surface opposite to the pressure receiving surface, and is displaceable in the direction of the reference chamber or in the opposite direction. A pressure measuring device characterized by:
請求項2記載の圧力測定装置において、
前記基準室は、密閉され、前記基準の状態は、前記基準室の圧力と前記受圧面で受ける圧力とが同一の状態であることを特徴とする圧力測定装置。
The pressure measuring device according to claim 2,
The pressure measuring device, wherein the reference chamber is sealed, and the reference state is a state in which the pressure in the reference chamber and the pressure received by the pressure receiving surface are the same.
請求項1~3のいずれか1項に記載の圧力測定装置において、
前記測定部は、
前記センサダイヤフラムの可動領域に形成された可動電極と、
前記可動電極に向かい合って形成された固定電極と
を有することを特徴とする圧力測定装置。
In the pressure measuring device according to any one of claims 1 to 3,
The measurement unit
a movable electrode formed in the movable region of the sensor diaphragm;
and a fixed electrode formed to face the movable electrode.
請求項1~3のいずれか1項に記載の圧力測定装置において、
前記測定部は、前記センサダイヤフラムの歪みを計測することを特徴とする圧力測定装置。
In the pressure measuring device according to any one of claims 1 to 3,
The pressure measuring device, wherein the measuring unit measures strain of the sensor diaphragm.
請求項5記載の圧力測定装置において、
前記測定部は、前記センサダイヤフラムに形成されたピエゾ抵抗領域を備えることを特徴とする圧力測定装置。
The pressure measuring device according to claim 5,
A pressure measuring device, wherein the measuring unit includes a piezoresistive region formed on the sensor diaphragm.
請求項1~6のいずれか1項に記載の圧力測定装置において、
前記測定対象の圧力を直接受ける受圧ダイヤフラムと、
前記受圧ダイヤフラムが受けた圧力を前記前記センサダイヤフラムに伝達する圧力伝達物質とをさらに備え、
前記センサダイヤフラムは、前記圧力伝達物質を介して前記測定対象の圧力を前記受圧面で受けることを特徴とする圧力測定装置。
In the pressure measuring device according to any one of claims 1 to 6,
a pressure receiving diaphragm that directly receives the pressure to be measured;
a pressure transmitting substance that transmits the pressure received by the pressure receiving diaphragm to the sensor diaphragm,
A pressure measuring device, wherein the sensor diaphragm receives the pressure to be measured on the pressure receiving surface via the pressure transmitting substance.
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