JP2022116640A - Light connection structure and illumination system - Google Patents

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Abstract

To provide a technique allowing light emitted from a wavelength conversion unit efficiently incident on an optical fiber.SOLUTION: In response to irradiation with a first laser beam transmitted by a first optical fiber, a wavelength conversion unit emits first light having a wavelength spectrum different from a wavelength spectrum of the first laser beam. A surface of the wavelength conversion unit has a first area that is directly irradiated with the laser beam from the first optical fiber, a second area that is located on a first member that reflects the first light, and a third area that is not opposite to the first area. A second optical fiber has an incident surface directed to the third area. The first light includes a first component that is directly emitted from the wavelength conversion unit, the component emitted from the third area and incident on the incident surface, and a second component that is emitted from the second area, reflected on the first member, and incident on the incident surface.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本開示は、光接続構造に関する。 The present disclosure relates to an optical connection structure.

特許文献1には、レーザ光の照射に応じて光を発する波長変換部が記載されている。 Patent Literature 1 describes a wavelength conversion section that emits light in response to irradiation with laser light.

特開2012-15001号公報Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2012-15001

波長変換部が発する光を光ファイバで伝送する場合には、波長変換部が発する光を効率良く光ファイバに入射することが望まれる。 When transmitting the light emitted from the wavelength converter through an optical fiber, it is desired that the light emitted from the wavelength converter efficiently enters the optical fiber.

光接続構造及び照明システムが開示される。一の実施の形態では、光接続構造は、第1光ファイバと、波長変換部と、第2光ファイバと、第1部材とを備える。第1光ファイバは第1レーザ光を伝送する。波長変換部は、第1レーザ光が照射され、第1レーザ光の照射に応じて第1レーザ光の波長スペクトルとは異なる波長スペクトルを有する第1光を発する。第2光ファイバは、第1光が入射され、入射された第1光を伝送する。第1部材は第1光を反射する。波長変換部の表面は、第1光ファイバからレーザ光が直接照射される第1領域と、第1部材上に位置する第2領域と、第1領域と非対向な第3領域とを有する。第2光ファイバは、第3領域に向いた入射面を有する。第1光は、波長変換部から直接出射される成分であって、第3領域から出射されて入射面に入射する第1成分と、第2領域から出射されて第1部材で反射して入射面に入射する第2成分とを含む。 An optical connection structure and lighting system are disclosed. In one embodiment, an optical connection structure includes a first optical fiber, a wavelength conversion section, a second optical fiber, and a first member. A first optical fiber transmits a first laser beam. The wavelength conversion section is irradiated with the first laser light and emits the first light having a wavelength spectrum different from the wavelength spectrum of the first laser light in response to the irradiation of the first laser light. The second optical fiber receives the first light and transmits the first light. The first member reflects the first light. The surface of the wavelength converting portion has a first region directly irradiated with laser light from the first optical fiber, a second region located on the first member, and a third region not facing the first region. The second optical fiber has a face of incidence facing the third region. The first light is a component that is directly emitted from the wavelength conversion unit, and includes a first component that is emitted from the third region and is incident on the incident surface, and a first component that is emitted from the second region and is reflected by the first member and is incident. and a second component incident on the surface.

また、一の実施の形態では、照明システムは、上記の光接続構造を備え、当該光接続構造の波長変換部が発する第1光を照明光として放射する。 In one embodiment, an illumination system includes the optical connection structure described above, and emits the first light emitted by the wavelength conversion section of the optical connection structure as illumination light.

波長変換部が発する光を効率良く光ファイバに入射することができる。 The light emitted by the wavelength conversion section can be efficiently incident on the optical fiber.

光接続構造の一例を示す概略図である。It is a schematic diagram showing an example of an optical connection structure. 光接続構造の一例を示す概略図である。It is a schematic diagram showing an example of an optical connection structure. 光接続構造の一例を示す概略図である。It is a schematic diagram showing an example of an optical connection structure. 光接続構造の一例を示す概略図である。It is a schematic diagram showing an example of an optical connection structure. 光接続構造の一例を示す概略図である。It is a schematic diagram showing an example of an optical connection structure. 光接続構造の一例を示す概略図である。It is a schematic diagram showing an example of an optical connection structure. 光接続構造の一例を示す概略図である。It is a schematic diagram showing an example of an optical connection structure. 光接続構造の一例を示す概略図である。It is a schematic diagram showing an example of an optical connection structure. 光接続構造の一例を示す概略図である。It is a schematic diagram showing an example of an optical connection structure. 光接続構造の一例を示す概略図である。It is a schematic diagram showing an example of an optical connection structure. 光接続構造の一例を示す概略図である。It is a schematic diagram showing an example of an optical connection structure. 光接続構造の一例を示す概略図である。It is a schematic diagram showing an example of an optical connection structure. 光接続構造の一例を示す概略図である。It is a schematic diagram showing an example of an optical connection structure. 光接続構造の一例を示す概略図である。It is a schematic diagram showing an example of an optical connection structure. 光接続構造の一例を示す概略図である。It is a schematic diagram showing an example of an optical connection structure. 光接続構造の一例を示す概略図である。It is a schematic diagram showing an example of an optical connection structure. 光接続構造の一例を示す概略図である。It is a schematic diagram showing an example of an optical connection structure. 光接続構造の一例を示す概略図である。It is a schematic diagram showing an example of an optical connection structure. 光接続構造の一例を示す概略図である。It is a schematic diagram showing an example of an optical connection structure. 光接続構造を備えるシステムの一例を示す概略図である。1 is a schematic diagram showing an example of a system with an optical connection structure; FIG. 光接続構造を備えるシステムの一例を示す概略図である。1 is a schematic diagram showing an example of a system with an optical connection structure; FIG. 光接続構造を備えるシステムの一例を示す概略図である。1 is a schematic diagram showing an example of a system with an optical connection structure; FIG.

図1は光接続構造1の一例を示す概略図である。以下では、図1に示されるXYZ直交座標系を用いて光接続構造1について説明する。以下の説明では、-Z側を下側とし、+Z側を上側とする。 FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of an optical connection structure 1. As shown in FIG. The optical connection structure 1 will be described below using the XYZ orthogonal coordinate system shown in FIG. In the following description, the −Z side is the lower side and the +Z side is the upper side.

図1に示されるように、光接続構造1は、例えば、光ファイバ2(第1光ファイバともいう)と、光ファイバ3(第2光ファイバともいう)と、波長変換部4と、基板5と、放熱部材6とを備える。光接続構造1は、光ファイバ2から出射されるレーザ光L1を波長変換部4に照射し、波長変換部4がレーザ光L1の照射に応じて出射する光L2を光ファイバ3に入射する。図1には、光ファイバ2及び3の軸方向(光軸方向ともいう)に沿った断面が示されている。 As shown in FIG. 1, the optical connection structure 1 includes, for example, an optical fiber 2 (also referred to as a first optical fiber), an optical fiber 3 (also referred to as a second optical fiber), a wavelength converter 4, and a substrate 5. and a heat radiating member 6. The optical connection structure 1 irradiates the wavelength conversion unit 4 with the laser light L1 emitted from the optical fiber 2 , and the light L2 emitted from the wavelength conversion unit 4 in response to the irradiation of the laser light L1 enters the optical fiber 3 . FIG. 1 shows a cross section along the axial direction (also referred to as the optical axis direction) of the optical fibers 2 and 3 .

光ファイバ2は、レーザ光L1が入射され、入射されたレーザ光L1を伝送する。レーザ光L1は、光ファイバ2から波長変換部4に直接照射される。光ファイバ2の軸方向に垂直な方向の断面は、例えば円形をなしている。光ファイバ2は、例えば、波長変換部4よりも+X側に位置する。光ファイバ2は、例えばX軸方向に沿って延在している。 The optical fiber 2 receives the laser beam L1 and transmits the incident laser beam L1. The laser light L1 is directly irradiated from the optical fiber 2 to the wavelength converting section 4 . A cross section in a direction perpendicular to the axial direction of the optical fiber 2 is circular, for example. The optical fiber 2 is positioned, for example, on the +X side of the wavelength converting section 4 . The optical fiber 2 extends, for example, along the X-axis direction.

光ファイバ2は、例えば、レーザ光L1を伝送するコア20と、当該コア20の周囲を覆うクラッド21とを備える。光ファイバ2は、例えば、石英ガラスから成る石英ファイバであってもよいし、プラスッチックから成るプラスチックファイバであってもよいし、他の材料から成る光ファイバであってもよい。光ファイバ2は、シングルモードファイバであってもよいし、マルチモードファイバであってもよい。 The optical fiber 2 includes, for example, a core 20 that transmits laser light L1 and a clad 21 that surrounds the core 20 . The optical fiber 2 may be, for example, a quartz fiber made of quartz glass, a plastic fiber made of plastic, or an optical fiber made of other materials. The optical fiber 2 may be a single mode fiber or a multimode fiber.

光ファイバ2はレーザ光L1が出射される出射面20aを有する。例えばコア20が出射面20aを有する。出射面20aは、例えば円形の平面であって、出射端面ともいえる。出射面20aは波長変換部4の近傍に位置する。出射面20aは波長変換部4の方を向いている。出射面20aから出射されるレーザ光L1は波長変換部4に直接照射される。レーザ光L1は、出射面20aから、例えば-X方向に沿って出射される。 The optical fiber 2 has an emission surface 20a from which the laser beam L1 is emitted. For example, the core 20 has an exit surface 20a. The output surface 20a is, for example, a circular plane, and can be called an output end surface. The exit surface 20a is positioned near the wavelength conversion section 4 . The exit surface 20a faces the wavelength converting section 4 . The wavelength conversion section 4 is directly irradiated with the laser light L1 emitted from the emission surface 20a. The laser beam L1 is emitted from the emission surface 20a, for example, along the -X direction.

レーザ光L1としては、例えば、波長が460nm以下の短波長レーザ光が採用される。レーザ光L1は、440nm以下の短波長レーザ光であってもよい。この場合、レーザ光L1は、例えば405nmの紫色のレーザ光であってもよい。 As the laser light L1, for example, a short wavelength laser light with a wavelength of 460 nm or less is adopted. The laser light L1 may be a short wavelength laser light of 440 nm or less. In this case, the laser beam L1 may be, for example, a purple laser beam of 405 nm.

光ファイバ2は、クラッド21の周囲を覆う部材を備えてもよい。クラッド21の周囲を覆う部材は、1層で構成されてもよいし、複数層で構成されてもよい。クラッド21の周囲を覆う部材には保護層が含まれてもよい。 The optical fiber 2 may include a member that covers the clad 21 . The member covering the cladding 21 may be composed of one layer, or may be composed of multiple layers. A member covering the clad 21 may include a protective layer.

波長変換部4は、光ファイバ2からのレーザ光L1の照射に応じて、当該レーザ光L1の波長スペクトルとは異なる波長スペクトルを有する光L2(第1光ともいう)を発することが可能である。光L2は例えば可視光である。波長変換部4の形状は例えば直方体である。 The wavelength conversion unit 4 can emit light L2 (also referred to as first light) having a wavelength spectrum different from the wavelength spectrum of the laser light L1 in response to irradiation of the laser light L1 from the optical fiber 2. . The light L2 is, for example, visible light. The shape of the wavelength converting portion 4 is, for example, a rectangular parallelepiped.

波長変換部4の表面40は、例えば、互いに対向する平坦な上面45及び下面46を含む。上面45及び下面46のそれぞれは、例えばXY平面に沿って広がっている。上面45及び下面46のそれぞれは、例えばXY平面と平行をなしている。また、波長変換部4の表面40は、例えば、互いに対向する平坦な第1側面41及び第2側面42を含む。第1側面41及び第2側面42のそれぞれは、例えばYZ平面に沿って広がっている。第1側面41及び第2側面42のそれぞれは、例えばYZ平面と平行をなしている。また、波長変換部4の表面40は、例えば、互いに対向する平坦な第3側面43及び第4側面44を含む。第3側面43及び第4側面44のそれぞれは、例えばXZ平面に沿って広がっている。第3側面43及び第4側面44のそれぞれは、例えばXZ平面と平行をなしている。第1側面41、第2側面42、第3側面43及び第4側面44は、上面45と下面46を繋ぐ周側面48を構成する。本開示でいう平行とは、実質的に平行であればよく、誤差により平行からわずかにずれているもの、たとえば平行位置に対して数°傾いたものであってもよい。 The surface 40 of the wavelength converting portion 4 includes, for example, a flat upper surface 45 and a lower surface 46 facing each other. Each of the upper surface 45 and the lower surface 46 extends, for example, along the XY plane. Each of the upper surface 45 and the lower surface 46 is parallel to the XY plane, for example. Moreover, the surface 40 of the wavelength converting portion 4 includes, for example, a first flat side surface 41 and a flat second side surface 42 that face each other. Each of the first side surface 41 and the second side surface 42 extends, for example, along the YZ plane. Each of the first side surface 41 and the second side surface 42 is parallel to the YZ plane, for example. Further, the surface 40 of the wavelength converting portion 4 includes, for example, flat third and fourth side surfaces 43 and 44 facing each other. Each of the third side surface 43 and the fourth side surface 44 extends, for example, along the XZ plane. Each of the third side surface 43 and the fourth side surface 44 is parallel to the XZ plane, for example. The first side surface 41 , the second side surface 42 , the third side surface 43 and the fourth side surface 44 constitute a peripheral side surface 48 connecting the upper surface 45 and the lower surface 46 . The term "parallel" as used in the present disclosure may be substantially parallel, or slightly deviated from parallel due to an error, for example, inclined by several degrees with respect to the parallel position.

波長変換部4の表面40は、レーザ光L1が照射される被照射領域140(第1領域ともいう)を有する。図1の例では、被照射領域140は、例えば波長変換部4の第1側面41に含まれる。レーザ光L1は第1側面41に直接照射される。被照射領域140は、光照射・受光計測装置等で画像の取得等をすることで特定することができる。第1側面41には、レーザ光L1のすべてが照射されてもよいし、レーザ光L1の一部だけが照射されてもよい。 The surface 40 of the wavelength converting portion 4 has an irradiated region 140 (also referred to as a first region) irradiated with the laser beam L1. In the example of FIG. 1, the irradiated region 140 is included in the first side surface 41 of the wavelength conversion section 4, for example. The first side surface 41 is directly irradiated with the laser beam L1. The irradiated region 140 can be identified by acquiring an image using a light irradiation/light receiving measuring device or the like. The first side surface 41 may be irradiated with all of the laser light L1, or may be irradiated with only a portion of the laser light L1.

波長変換部4の表面40は、光L2を反射する部材がその上に位置する第2領域を有する。表面40に含まれる第2領域は、光L2を反射する部材に位置するとも言える。以後、波長変換部4の表面40上に位置し、かつ光L2を反射する部材を高反射率部材(第1部材あるいは第2部材ともいう)と呼ぶことがある。また、光L2を変換光L2と呼ぶことがある。本例では、高反射率部材として基板5が採用されている。高反射率部材は、変換光L2だけではなくレーザ光L1を反射することが可能であってもよい。 The surface 40 of the wavelength converting portion 4 has a second region on which a member that reflects the light L2 is located. It can also be said that the second region included in the surface 40 is positioned on a member that reflects the light L2. Hereinafter, a member that is positioned on the surface 40 of the wavelength conversion section 4 and that reflects the light L2 may be referred to as a high reflectance member (also referred to as a first member or a second member). Also, the light L2 may be referred to as the converted light L2. In this example, the substrate 5 is employed as the high reflectance member. The high reflectance member may be able to reflect not only the converted light L2 but also the laser light L1.

高反射率部材に位置する第2領域には、例えば下面46が含まれる。図1の例では、波長変換部4の表面40のうちの下面46上だけに基板5が位置することから、第2領域は下面46だけで構成されている。 A second region located on the high reflectance member includes, for example, lower surface 46 . In the example of FIG. 1, since the substrate 5 is positioned only on the lower surface 46 of the surface 40 of the wavelength converting portion 4, the second region is composed only of the lower surface 46. As shown in FIG.

波長変換部4としては、例えば、蛍光体を含む蛍光体部分400が採用される。蛍光体部分400が含む蛍光体は、レーザ光L1の照射に応じて蛍光を発することができる。蛍光体が発する蛍光の波長スペクトルにおけるピークを示す波長(ピーク波長ともいう)は、レーザ光L1の波長スペクトルのピーク波長よりも大きくてもよいし、小さくてもよい。 As the wavelength conversion section 4, for example, a phosphor portion 400 containing a phosphor is employed. The phosphor included in the phosphor portion 400 can emit fluorescence in response to irradiation with the laser beam L1. A wavelength (also referred to as a peak wavelength) indicating a peak in the wavelength spectrum of fluorescence emitted by the phosphor may be larger or smaller than the peak wavelength of the wavelength spectrum of the laser light L1.

蛍光体部分400は例えば多数の蛍光体を含む。多数の蛍光体には、例えば1種類以上の蛍光体が含まれる。蛍光体部分400には、互いに異なるピーク波長を有する複数種類の蛍光体が含まれてもよい。この場合、蛍光体部分400には、例えば、レーザ光L1の照射に応じて赤色(R)の蛍光を発する蛍光体(赤色蛍光体ともいう)と、レーザ光L1の照射に応じて緑色(G)の蛍光を発する蛍光体(緑色蛍光体ともいう)と、レーザ光L1の照射に応じて青色(B)の蛍光を発する蛍光体(青色蛍光体ともいう)とが含まれてもよい。赤色蛍光体には、例えば、レーザ光L1の照射に応じて発する蛍光の波長スペクトルのピーク波長が620nmから750nm程度の範囲にある蛍光体が適用される。緑色蛍光体には、例えば、レーザ光L1の照射に応じて発する蛍光の波長スペクトルのピーク波長が495nmから570nm程度の範囲にある蛍光体が適用される。青色蛍光体には、例えば、レーザ光L1の照射に応じて発する蛍光の波長スペクトルのピーク波長が450nmから495nm程度の範囲にある蛍光体が適用される。 Phosphor portion 400 includes, for example, multiple phosphors. Multiple phosphors include, for example, one or more phosphors. Phosphor portion 400 may include a plurality of types of phosphors having different peak wavelengths. In this case, the phosphor portion 400 includes, for example, a phosphor that emits red (R) fluorescence in response to irradiation with the laser light L1 (also referred to as a red phosphor) and a green (G) phosphor in response to irradiation with the laser light L1. ) (also referred to as green phosphor) and a phosphor that emits blue (B) fluorescence in response to irradiation with laser light L1 (also referred to as blue phosphor). For the red phosphor, for example, a phosphor having a peak wavelength in the wavelength spectrum of fluorescence emitted in response to irradiation with the laser light L1 is in the range of about 620 nm to 750 nm is applied. For the green phosphor, for example, a phosphor having a peak wavelength in the wavelength spectrum of fluorescence emitted in response to irradiation with the laser light L1 is in the range of about 495 nm to 570 nm is applied. As the blue phosphor, for example, a phosphor having a peak wavelength in the wavelength spectrum of fluorescence emitted in response to irradiation with the laser light L1 is in the range of about 450 nm to 495 nm is applied.

蛍光体部分400に複数種類の蛍光体が含まれる場合には、当該複数種類の蛍光体が発する蛍光が、蛍光体部分400が発する変換光L2を構成する。つまり、変換光L2は複数種類の色成分で構成される。蛍光体部分400に、赤色蛍光体、緑色蛍光体及び青色蛍光体が含まれる場合には、赤色蛍光体、緑色蛍光体及び青色蛍光体が発する蛍光が変換光L2を構成する。 When the phosphor portion 400 contains multiple types of phosphors, the fluorescence emitted by the multiple types of phosphors constitutes the converted light L2 emitted by the phosphor portion 400 . That is, the converted light L2 is composed of multiple types of color components. When the phosphor portion 400 contains a red phosphor, a green phosphor, and a blue phosphor, the fluorescence emitted by the red phosphor, the green phosphor, and the blue phosphor constitutes the converted light L2.

蛍光体部分400に複数種類の蛍光体が含まれる場合には、変換光L2の波長スペクトルは、互いに異なる複数の波長ピークを有する。例えば、蛍光体部分400に3種類以上の蛍光体が含まれる場合には、変換光L2の波長スペクトルは、互いに異なる3つ以上の波長ピークを有する。蛍光体部分400に、赤色蛍光体、緑色蛍光体及び青色蛍光体が含まれる場合には、変換光L2の波長スペクトルは、赤色蛍光体が発する蛍光の波長ピークと、緑色蛍光体が発する蛍光の波長ピークと、青色蛍光体が発する蛍光の波長ピークとが含まれる。変換光L2は、疑似的な白色光であってもよいし、他の色温度の可視光であってもよい。 When the phosphor portion 400 contains multiple types of phosphors, the wavelength spectrum of the converted light L2 has multiple wavelength peaks different from each other. For example, if the phosphor portion 400 contains three or more types of phosphors, the wavelength spectrum of the converted light L2 has three or more different wavelength peaks. When the phosphor portion 400 contains a red phosphor, a green phosphor, and a blue phosphor, the wavelength spectrum of the converted light L2 is the wavelength peak of the fluorescence emitted by the red phosphor and the wavelength spectrum of the fluorescence emitted by the green phosphor. A wavelength peak and a wavelength peak of the fluorescence emitted by the blue phosphor are included. The converted light L2 may be pseudo-white light or visible light of another color temperature.

なお、蛍光体部分400には、赤色蛍光体、緑色蛍光体及び青色蛍光体以外の蛍光体が含まれてもよい。蛍光体部分400には、例えば、レーザ光L1の照射に応じて青緑色の蛍光を発する蛍光体(青緑色蛍光体ともいう)が含まれてもよい。また、蛍光体部分400には、例えば、レーザ光L1の照射に応じて黄色の蛍光を発する蛍光体(黄色蛍光体ともいう)が含まれてもよい。蛍光体部分400には、赤色蛍光体、緑色蛍光体、青色蛍光体、青緑色蛍光体及び黄色蛍光体の少なくとも1種類の蛍光体が含まれてもよい。 Note that the phosphor portion 400 may contain phosphors other than the red phosphor, the green phosphor, and the blue phosphor. The phosphor portion 400 may include, for example, a phosphor that emits blue-green fluorescence in response to irradiation with the laser light L1 (also referred to as a blue-green phosphor). Further, the phosphor portion 400 may include, for example, a phosphor that emits yellow fluorescence in response to irradiation with the laser beam L1 (also referred to as a yellow phosphor). Phosphor portion 400 may include at least one phosphor of a red phosphor, a green phosphor, a blue phosphor, a blue-green phosphor, and a yellow phosphor.

青緑色蛍光体には、例えば、レーザ光L1の照射に応じて発する蛍光の波長スペクトルのピーク波長が495nm程度の蛍光体が適用される。黄色蛍光体には、例えば、レーザ光L1の照射に応じて発する蛍光の波長スペクトルのピーク波長が570nmから590nm程度の範囲にある蛍光体が適用される。 As the blue-green phosphor, for example, a phosphor having a peak wavelength of about 495 nm in the wavelength spectrum of fluorescence emitted in response to irradiation with the laser light L1 is applied. For the yellow phosphor, for example, a phosphor having a peak wavelength in the wavelength spectrum of fluorescence emitted in response to irradiation with the laser light L1 is in the range of about 570 nm to 590 nm is applied.

波長変換部4(言い換えれば蛍光体部分400)での蛍光体の濃度は、第1側面41に照射されるレーザ光L1が、当該第1側面41に対向する第2側面42まで到達するように設定されてもよい。レーザ光L1が第2側面42まで届くことによって、変換光L2の発光領域を大きくすることができる。なお、波長変換部4での蛍光体の濃度が比較的低いときにはレーザ光L1は第2側面42まで届きやすく、波長変換部4での蛍光体の濃度が比較的高いときにはレーザ光L1は第2側面42まで届きにくくなる。 The concentration of the phosphor in the wavelength converting portion 4 (in other words, the phosphor portion 400) is such that the laser light L1 irradiated to the first side surface 41 reaches the second side surface 42 opposite to the first side surface 41. may be set. Since the laser light L1 reaches the second side surface 42, the light emission area of the converted light L2 can be enlarged. When the concentration of the phosphor in the wavelength conversion section 4 is relatively low, the laser light L1 easily reaches the second side surface 42. When the concentration of the phosphor in the wavelength conversion section 4 is relatively high, the laser light L1 reaches the second side surface 42. It becomes difficult to reach the side surface 42 .

蛍光体部分400は、例えば、多数の蛍光体を含む低融点ガラスで構成されてもよい。あるいは、蛍光体部分400は、多数の蛍光体を含む結晶化ガラスで構成されてもよい。あるいは、蛍光体部分400は、多数の蛍光体を含むセラミックで構成されてもよい。あるいは、蛍光体部分400は、蛍光性を有するバルク状のセラミックで構成されてもよい。この場合には、蛍光体部分400は蛍光体だけで構成されていると言える。 Phosphor portion 400 may be composed of, for example, a low-melting glass containing multiple phosphors. Alternatively, phosphor portion 400 may be composed of crystallized glass containing multiple phosphors. Alternatively, phosphor portion 400 may be composed of a ceramic containing multiple phosphors. Alternatively, phosphor portion 400 may be composed of a bulk ceramic that is fluorescent. In this case, it can be said that the phosphor portion 400 is composed only of the phosphor.

基板5は、波長変換部4(言い換えれば蛍光体部分400)を支持する。基板5は、例えば、波長変換部4の下面46に接合されている。基板5は例えば直方体である。基板5の表面50は、互いに対向する平坦な上面51及び下面52と、上面51及び下面52を繋ぐ周側面53とを含む。波長変換部4は、例えば基板5の上面51に接合されている。上面51及び下面52は例えばXY平面と平行をなしている。 The substrate 5 supports the wavelength converting portion 4 (in other words, the phosphor portion 400). The substrate 5 is bonded to the lower surface 46 of the wavelength conversion section 4, for example. The substrate 5 is, for example, a rectangular parallelepiped. The surface 50 of the substrate 5 includes a flat upper surface 51 and a lower surface 52 facing each other, and a peripheral side surface 53 connecting the upper surface 51 and the lower surface 52 . The wavelength conversion part 4 is bonded to the upper surface 51 of the substrate 5, for example. The upper surface 51 and the lower surface 52 are parallel to the XY plane, for example.

高反射率部材としての基板5は、波長変換部4が発する変換光L2を反射することが可能である。また基板5は、例えばレーザ光L1を反射することが可能である。基板5は、変換光L2及びレーザ光L1を反射する部材として機能する。 The substrate 5 as a high reflectance member can reflect the converted light L2 emitted by the wavelength conversion section 4 . Further, the substrate 5 can reflect the laser beam L1, for example. The substrate 5 functions as a member that reflects the converted light L2 and the laser light L1.

基板5は例えば金属で構成されている。基板5は、例えば、アルミニウムを主成分としたアルミニウム合金で構成されてもよいし、アルミニウムで構成されてもよいし、他の材料で構成されてもよい。 The substrate 5 is made of metal, for example. The substrate 5 may be made of, for example, an aluminum alloy containing aluminum as a main component, may be made of aluminum, or may be made of another material.

波長変換部4は、基板5に対して、直接接合されてもよいし、接合材が使用されて接合されてもよい。例えば、波長変換部4が多数の蛍光体を含む低融点ガラスで構成される場合、波長変換部4は基板5に対して酸素結合によって直接接合されてもよい。つまり、加熱により基板5の上面51に形成された酸化膜の酸素と、波長変換部4の低融点ガラス(言い換えれば酸化物ガラス)の酸素とが結合する酸化結合によって、波長変換部4は基板5に直接接合されてもよい。あるいは、基板5の上面51に例えば数μmの微小な凹凸が設けられて、当該凹凸が利用されたアンカー効果により、波長変換部4が基板5に直接接合されてもよい。つまり、波長変換部4の低融点ガラスが流動して基板5の上面51の凹凸に入り込んで硬化することによって、波長変換部4が基板5に直接接合されてもよい。また、波長変換部4は、例えば、レーザ光L1及び変換光L2が透過する透明樹脂から成る接合材が用いられて基板5に接合されてもよい。 The wavelength conversion unit 4 may be directly bonded to the substrate 5 or may be bonded using a bonding material. For example, when the wavelength conversion section 4 is composed of low-melting glass containing many phosphors, the wavelength conversion section 4 may be directly bonded to the substrate 5 by oxygen bonding. In other words, the wavelength conversion unit 4 is formed on the substrate 5 by oxidation bonding between the oxygen in the oxide film formed on the upper surface 51 of the substrate 5 by heating and the oxygen in the low-melting-point glass (in other words, oxide glass) of the wavelength conversion unit 4 . 5 may be directly joined. Alternatively, the upper surface 51 of the substrate 5 may be provided with minute unevenness of, for example, several μm, and the wavelength conversion section 4 may be directly bonded to the substrate 5 by the anchor effect using the unevenness. That is, the low-melting-point glass of the wavelength conversion section 4 may flow, enter the unevenness of the upper surface 51 of the substrate 5 and harden, so that the wavelength conversion section 4 may be directly bonded to the substrate 5 . Also, the wavelength conversion unit 4 may be bonded to the substrate 5 using, for example, a bonding material made of a transparent resin through which the laser light L1 and the converted light L2 are transmitted.

光ファイバ3は、入射される変換光L2を伝送する。光ファイバ3の軸方向に垂直な方向の断面は、例えば円形をなしている。光ファイバ3は、例えば、波長変換部4及び光ファイバ2よりも+Z側に位置する。光ファイバ3は、例えばZ軸方向に沿って延在している。光ファイバ2と光ファイバ3は、例えば互いに交差しないように配置されている。 The optical fiber 3 transmits the incident converted light L2. A cross section of the optical fiber 3 in a direction perpendicular to the axial direction is circular, for example. The optical fiber 3 is located, for example, on the +Z side with respect to the wavelength converting section 4 and the optical fiber 2 . The optical fiber 3 extends, for example, along the Z-axis direction. The optical fibers 2 and 3 are arranged, for example, so as not to cross each other.

光ファイバ3は、例えば、コア30と、当該コア30の周囲を覆うクラッド31とを備える。コア30は、変換光L2が入射され、入射された変換光L2を伝送する。光ファイバ3は、例えば、石英ガラスから成る石英ファイバであってもよいし、プラスッチックから成るプラスチックファイバであってもよいし、他の材料から成る光ファイバであってもよい。光ファイバ3は、例えば、シングルモードファイバであってもよいし、マルチモードファイバであってもよい。 The optical fiber 3 includes, for example, a core 30 and a clad 31 surrounding the core 30 . The core 30 receives the converted light L2 and transmits the converted light L2. The optical fiber 3 may be, for example, a quartz fiber made of quartz glass, a plastic fiber made of plastic, or an optical fiber made of other materials. The optical fiber 3 may be, for example, a single mode fiber or a multimode fiber.

光ファイバ3は、変換光L2が入射される入射面30aを有する。例えばコア30が入射面30aを有する。入射面30aは、例えば円形の平面であって、入射端面ともいえる。入射面30aは波長変換部4の近傍に位置する。 The optical fiber 3 has an incident surface 30a on which the converted light L2 is incident. For example, the core 30 has an incident surface 30a. The incident surface 30a is, for example, a circular plane, and can also be called an incident end surface. The incident surface 30a is positioned near the wavelength converting section 4 .

入射面30aは波長変換部4の方を向いている。入射面30aは、波長変換部4の表面40のうち、例えば、レーザ光L1が照射される被照射領域140と基板5に位置する下面46以外の領域に向いている。入射面30aは、波長変換部4の表面40のうち、例えば、被照射領域140(言い換えれば第1領域)と非対向な、つまり被照射領域140と対向していない第3領域に向いている。本例では、第3領域は例えば上面45である。入射面30aは、例えば、波長変換部4の上面45に向いている。入射面30aが向く第3領域(本例では上面45)の面積は、例えば、レーザ光L1が照射される被照射領域140の面積よりも大きくなっている。また、第2光ファイバ3の入射面30aが第3領域に向いているとは、例えば第3領域と入射面30aが平行な状態を、第3領域と入射面30aで成す角度を0度とすると、第3領域と入射面30aとの成す角度は、0度から60度程度であるものをいってもよい。また、第3領域から出射される光のうち、入射面30aに入る光の割合が他の箇所に入る割合よりも多いことをいってもよい。 The incident surface 30a faces the wavelength converting section 4 . The incident surface 30a faces a region of the surface 40 of the wavelength conversion unit 4 other than the irradiated region 140 irradiated with the laser beam L1 and the lower surface 46 located on the substrate 5, for example. The incident surface 30a faces, of the surface 40 of the wavelength conversion unit 4, a third region that does not face the irradiated region 140 (in other words, the first region), that is, does not face the irradiated region 140, for example. . In this example, the third region is the upper surface 45, for example. The incident surface 30a faces the upper surface 45 of the wavelength converting section 4, for example. The area of the third region (upper surface 45 in this example) facing the incident surface 30a is larger than the area of the irradiated region 140 irradiated with the laser beam L1, for example. In addition, when the incident surface 30a of the second optical fiber 3 faces the third area, for example, the third area and the incident surface 30a are parallel to each other, and the angle formed by the third area and the incident surface 30a is 0 degrees. Then, the angle formed by the third region and the incident surface 30a may be about 0 to 60 degrees. In addition, it may be said that the ratio of the light that enters the incident surface 30a out of the light emitted from the third region is higher than the ratio that enters other locations.

入射面30aは、例えば、波長変換部4の上面45の直上に位置する。入射面30aは、例えば上面45と対向している。入射面30aは例えば上面45と平行をなしている。入射面30aは例えばXY平面に平行をなしている。光ファイバ3は、例えば、波長変換部4の上面45に垂直な方向に沿って延びている。 The incident surface 30a is positioned directly above the upper surface 45 of the wavelength converting section 4, for example. The incident surface 30a faces the upper surface 45, for example. The incident surface 30a is parallel to the upper surface 45, for example. The incident surface 30a is parallel to the XY plane, for example. The optical fiber 3 extends, for example, along a direction perpendicular to the upper surface 45 of the wavelength converting section 4 .

入射面30aは、光ファイバ2の出射面20aと非平行をなしている。つまり、光ファイバ3の入射面30aは、光ファイバ2の出射面20aと平行をなしていない。図1の例では、入射面30aを含む平面と出射面20aを含む平面とは例えば直交する。 The incident surface 30 a is non-parallel to the exit surface 20 a of the optical fiber 2 . That is, the entrance surface 30a of the optical fiber 3 is not parallel to the exit surface 20a of the optical fiber 2. As shown in FIG. In the example of FIG. 1, the plane including the entrance surface 30a and the plane including the exit surface 20a are, for example, orthogonal.

入射面30aは、例えば、光ファイバ2からのレーザ光L1の出射方向(図1の例では-X方向)に向いていない。入射面30aに垂直な方向(図1の例ではZ軸方向)は、例えば、光ファイバ2からのレーザ光L1の出射方向(図1の例では-X方向)と非平行をなしている。入射面30aは、例えば、光ファイバ2からレーザ光L1が直接入射されない位置に配置されている。入射面30aは、例えば、波長変換部4を透過したレーザ光L1が直接入射されない位置に配置されている。 The incident surface 30a does not face, for example, the emission direction of the laser light L1 from the optical fiber 2 (-X direction in the example of FIG. 1). The direction perpendicular to the incident surface 30a (the Z-axis direction in the example of FIG. 1) is, for example, non-parallel to the emission direction of the laser light L1 from the optical fiber 2 (the −X direction in the example of FIG. 1). The incident surface 30a is arranged, for example, at a position where the laser beam L1 from the optical fiber 2 does not directly enter. The incident surface 30a is arranged, for example, at a position where the laser light L1 that has passed through the wavelength conversion section 4 does not directly enter.

光ファイバ3は、クラッド31の周囲を覆う部材を備えてもよい。クラッド31の周囲を覆う部材は、1層で構成されてもよいし、複数層で構成されてもよい。クラッド31の周囲を覆う部材には保護層が含まれてもよい。 The optical fiber 3 may have a member that covers the clad 31 . The member covering the cladding 31 may be composed of a single layer, or may be composed of multiple layers. A member covering the clad 31 may include a protective layer.

光ファイバ3は、例えば、波長変換部4に対して基板5と反対側に位置する。光ファイバ3は、例えば、波長変換部4に対して上面45側に位置する。基板5は、例えば、波長変換部4に対して光ファイバ3と反対側に位置する。基板5は波長変換部4に対して下面46側に位置する。光ファイバ2は、波長変換部4に対して第1側面41側に位置する。 The optical fiber 3 is positioned, for example, on the side opposite to the substrate 5 with respect to the wavelength converting section 4 . The optical fiber 3 is positioned, for example, on the upper surface 45 side with respect to the wavelength converting section 4 . The substrate 5 is positioned, for example, on the side opposite to the optical fiber 3 with respect to the wavelength converting section 4 . The substrate 5 is positioned on the lower surface 46 side with respect to the wavelength conversion section 4 . The optical fiber 2 is located on the first side surface 41 side with respect to the wavelength converting section 4 .

本例では、波長変換部4の表面40において、光ファイバ3の入射面30aが向く上面45と対向する下面46上に基板5が位置する。波長変換部4の表面40において、入射面30aが向く第3領域と対向する第1対向領域上に高反射率部材が位置するといえる。 In this example, the substrate 5 is positioned on the lower surface 46 of the surface 40 of the wavelength converting section 4 that faces the upper surface 45 facing the incident surface 30a of the optical fiber 3 . It can be said that the high reflectance member is positioned on the first facing region on the surface 40 of the wavelength converting portion 4 that faces the third region facing the incident surface 30a.

波長変換部4が発する変換光L2は例えば第1成分L2aを含む。第1成分L2aは、波長変換部4から直接出射される成分であって、波長変換部4の表面40に含まれる、光ファイバ3の入射面30aが向く第3領域から出射されて光ファイバ3に入射する成分である。上述のように、本例では、第3領域は例えば上面45である。第1成分L2aは、変換光L2のうち、基板5で反射されずに波長変換部4の上面45から出射されて光ファイバ3に直接入射する成分であると言える。 The converted light L2 emitted by the wavelength converter 4 includes, for example, the first component L2a. The first component L2a is a component that is directly emitted from the wavelength converting portion 4, and is emitted from the third region, which is included in the surface 40 of the wavelength converting portion 4 and faces the incident surface 30a of the optical fiber 3, and is emitted from the optical fiber 3. is the component incident on As mentioned above, in this example the third region is, for example, the top surface 45 . The first component L2a can be said to be a component of the converted light L2 that is emitted from the upper surface 45 of the wavelength conversion section 4 without being reflected by the substrate 5 and directly enters the optical fiber 3 .

さらに、変換光L2は、波長変換部4の表面40に含まれる、基板5に位置する第2領域から出射されて基板5で反射して光ファイバ3に入射される第2成分L2bを含む。本例では、変換光L2のうち、波長変換部4の下面46から出射されて基板5で反射して光ファイバ3に入射される成分が第2成分L2bとなる。第2成分L2bは、基板5の上面51で反射され、その後、波長変換部4を透過して光ファイバ3に入射される。第2成分L2bには、波長変換部4を透過して上面45から出射されて光ファイバ3に直接入射する成分が含まれる。基板5の表面50は、第2成分L2bが照射される被照射領域150(第5領域ともいう)を有する。図1の例では、被照射領域150は、基板5の上面51に含まれる。変換光L2は、第1成分L2a及び第2成分L2b以外にも、光ファイバ3に入射されない成分も含まれる。変換光L2は、第1成分L2a及び第2成分L2b以外の、光ファイバ3に入射される成分を含んでもよい。 Further, the converted light L2 includes a second component L2b that is emitted from a second region located on the substrate 5 included in the surface 40 of the wavelength conversion unit 4, reflected by the substrate 5, and incident on the optical fiber 3. In this example, of the converted light L2, the component that is emitted from the lower surface 46 of the wavelength conversion unit 4, reflected by the substrate 5, and incident on the optical fiber 3 is the second component L2b. The second component L2b is reflected by the upper surface 51 of the substrate 5 and then transmitted through the wavelength conversion section 4 to enter the optical fiber 3 . The second component L2b includes a component that passes through the wavelength conversion section 4, is emitted from the upper surface 45, and is directly incident on the optical fiber 3. FIG. The surface 50 of the substrate 5 has an irradiated region 150 (also referred to as a fifth region) irradiated with the second component L2b. In the example of FIG. 1, the illuminated area 150 is included in the top surface 51 of the substrate 5 . The converted light L2 includes components that do not enter the optical fiber 3 in addition to the first component L2a and the second component L2b. The converted light L2 may include components incident on the optical fiber 3 other than the first component L2a and the second component L2b.

基板5の表面50での変換光L2の反射率は、例えば、波長変換部4の表面40での変換光L2の反射率よりも大きい。被照射領域150は表面50に含まれ、基板5に位置する第2領域(本例では下面46)は表面40に含まれることから、被照射領域150での変換光L2の反射率は、波長変換部4の第2領域での変換光L2の反射率よりも大きいと言える。波長変換部4の表面40での変換光L2の反射率は例えば数%である。基板5の表面50での変換光L2の反射率は、例えば35%以上である。基板5の表面50でのレーザ光L1の反射率は、これに限られず、例えば、40%以上であってもよいし、50%以上であってもよいし、60%以上であってもよいし、70%以上であってもよいし、80%以上であってもよい。 The reflectance of the converted light L2 on the surface 50 of the substrate 5 is higher than the reflectance of the converted light L2 on the surface 40 of the wavelength conversion unit 4, for example. Since the irradiated region 150 is included in the surface 50 and the second region (lower surface 46 in this example) located on the substrate 5 is included in the surface 40, the reflectance of the converted light L2 in the irradiated region 150 is the wavelength It can be said that it is higher than the reflectance of the converted light L2 in the second region of the conversion unit 4 . The reflectance of the converted light L2 on the surface 40 of the wavelength conversion unit 4 is, for example, several percent. The reflectance of the converted light L2 on the surface 50 of the substrate 5 is, for example, 35% or more. The reflectance of the laser beam L1 on the surface 50 of the substrate 5 is not limited to this, and may be, for example, 40% or more, 50% or more, or 60% or more. However, it may be 70% or more, or 80% or more.

なお、対象物での光の反射率は、当該光の波長にも依存し、当該光の波長が変化すれば当該反射率も変化する。また、反射率は、対象物の材料から特定することもできるし、測色計等で測定することもできる。 Note that the reflectance of light on an object also depends on the wavelength of the light, and if the wavelength of the light changes, the reflectance also changes. Also, the reflectance can be specified from the material of the object, or can be measured with a colorimeter or the like.

基板5の表面50でのレーザ光L1の反射率は、例えば、波長変換部4の表面40でのレーザ光L1の反射率よりも大きい。被照射領域150は表面50に含まれ、基板5に位置する第2領域(本例では下面46)は表面40に含まれることから、被照射領域150でのレーザ光L1の反射率は、波長変換部4の第2領域でのレーザ光L1の反射率よりも大きいと言える。波長変換部4の表面40でのレーザ光L1の反射率は例えば数%である。基板5の表面50でのレーザ光L1の反射率は例えば35%以上である。基板5の表面50でのレーザ光L1の反射率は、これに限られず、例えば、40%以上であってもよいし、50%以上であってもよいし、60%以上であってもよいし、70%以上であってもよいし、80%以上であってもよい。 The reflectance of the laser light L1 on the surface 50 of the substrate 5 is higher than the reflectance of the laser light L1 on the surface 40 of the wavelength conversion unit 4, for example. Since the irradiated region 150 is included in the surface 50 and the second region (lower surface 46 in this example) located on the substrate 5 is included in the surface 40, the reflectance of the laser light L1 in the irradiated region 150 is It can be said that it is higher than the reflectance of the laser beam L1 in the second region of the conversion unit 4 . The reflectance of the laser beam L1 on the surface 40 of the wavelength converting portion 4 is, for example, several percent. The reflectance of the laser beam L1 on the surface 50 of the substrate 5 is, for example, 35% or more. The reflectance of the laser beam L1 on the surface 50 of the substrate 5 is not limited to this, and may be, for example, 40% or more, 50% or more, or 60% or more. However, it may be 70% or more, or 80% or more.

なお、基板5の表面50での変換光L2の反射率は、波長変換部4の表面40での変換光L2の反射率以下であってもよい。また、基板5の表面50でのレーザ光L1の反射率は、波長変換部4の表面40でのレーザ光L1の反射率以下であってもよい。 Note that the reflectance of the converted light L2 on the surface 50 of the substrate 5 may be equal to or less than the reflectance of the converted light L2 on the surface 40 of the wavelength conversion unit 4 . Further, the reflectance of the laser light L1 on the surface 50 of the substrate 5 may be equal to or lower than the reflectance of the laser light L1 on the surface 40 of the wavelength conversion section 4 .

放熱部材6は、波長変換部4で発生する熱を放出することが可能である。放熱部材6は、例えば、電源を不要とする部材で構成される。例えば、放熱部材6は、放熱フィンを有する金属製のヒートシンクで構成される。放熱部材6は、例えば、アルミニウムを主成分としたアルミニウム合金で構成されてもよいし、アルミニウムで構成されてもよいし、他の材料で構成されてもよい。放熱部材6は、基板5と同じ材料で構成されてもよいし、基板5と異なる材料で構成されてもよい。放熱部材6の熱伝導率は、例えば、波長変換部4の熱伝導率よりも大きい。また、基板5の熱伝導率は、例えば、波長変換部4の熱伝導率よりも大きい。本例では、放熱部材6だけではなく、基板5も、波長変換部4で発生する熱を放出することが可能である。放熱部材6の熱伝導率は、基板5の熱伝導率よりも大きくてもよいし、小さくてもよいし、同じであってもよい。なお、熱伝導率は、例えば、定常法と非定常法の2つの方法で測定できる。非定常法の中には、レーザフラッシュ法、ASTM E1530(準拠)の円板熱流計法、JIS R 2616(準拠)、ASTM D5930(準拠)の熱線(プローブ)法、ISO 22007-6の交流定常法等がある。 The heat radiating member 6 can radiate the heat generated in the wavelength converting section 4 . The heat dissipation member 6 is composed of, for example, a member that does not require a power source. For example, the heat dissipation member 6 is composed of a metal heat sink having heat dissipation fins. The heat radiating member 6 may be composed of, for example, an aluminum alloy containing aluminum as a main component, may be composed of aluminum, or may be composed of another material. The heat dissipation member 6 may be made of the same material as the substrate 5 or may be made of a material different from that of the substrate 5 . The thermal conductivity of the heat radiating member 6 is, for example, higher than the thermal conductivity of the wavelength converting section 4 . Moreover, the thermal conductivity of the substrate 5 is higher than that of the wavelength conversion section 4, for example. In this example, not only the heat radiation member 6 but also the substrate 5 can radiate the heat generated in the wavelength conversion section 4 . The thermal conductivity of the heat dissipating member 6 may be greater than, less than or equal to that of the substrate 5 . Thermal conductivity can be measured by two methods, for example, a steady method and a non-steady method. Non-stationary methods include the laser flash method, ASTM E1530 (compliant) disk heat flow meter method, JIS R 2616 (compliant), ASTM D5930 (compliant) hot wire (probe) method, and ISO 22007-6 AC steady state There are laws, etc.

放熱部材6には基板5が固定されている。波長変換部4が発する熱は、基板5を通じて放熱部材6に伝達し、放熱部材6から空間に放出される。基板5の放熱部材6への固定の方法としては様々な方法が考えられる。例えば、基板5と放熱部材6との間に放熱グリスを介在させた状態で基板5を放熱部材6にネジ止めしてもよい。あるいは、高熱伝導フィラーを含む接着剤で基板5を放熱部材6に固定してもよい。あるいは、シンタリングペーストで基板5を放熱部材6に固定してもよい。 A substrate 5 is fixed to the heat radiating member 6 . The heat generated by the wavelength conversion section 4 is transferred to the heat dissipation member 6 through the substrate 5 and released from the heat dissipation member 6 into the space. Various methods are conceivable for fixing the substrate 5 to the heat dissipation member 6 . For example, the substrate 5 may be screwed to the heat radiating member 6 with heat radiating grease interposed between the substrate 5 and the heat radiating member 6 . Alternatively, the substrate 5 may be fixed to the heat radiating member 6 with an adhesive containing a high thermal conductivity filler. Alternatively, the substrate 5 may be fixed to the heat dissipation member 6 with sintering paste.

なお、放熱部材6は、電源を不要とする他の部材で構成されてもよい。例えば、放熱部材6は、ヒートシンクの一種であるヒートパイプで構成されてもよい。ヒートパイプでは、例えば、加熱部で作動液が蒸発して蒸気が発生し、その蒸気がヒートパイプの低温部に高速移動して当該低温部で凝縮し、その凝縮で得られた作動液が毛細管現象で加熱部に還流する。ヒートパイプでは、これらの相変化が連続的に行われることによって、放熱機能が実現される。また、放熱部材6は、電源を必要とする部材で構成されてもよい。例えば、放熱部材6は、ペルチェ素子で構成されてもよし、ファンで構成されてもよい。 Note that the heat dissipation member 6 may be composed of other members that do not require a power supply. For example, the heat dissipation member 6 may be composed of a heat pipe, which is a type of heat sink. In a heat pipe, for example, the working fluid evaporates in the heating portion to generate steam, which moves at high speed to the low temperature portion of the heat pipe and condenses in the low temperature portion. Reflux to the heating part by phenomenon. In the heat pipe, the heat dissipation function is realized by continuously performing these phase changes. Moreover, the heat dissipation member 6 may be configured by a member that requires a power source. For example, the heat dissipation member 6 may be composed of a Peltier element or a fan.

以上のように、本例の光接続構造1では、光ファイバ2からのレーザ光L1が波長変換部4に直接照射される。これにより、例えば、レーザ光L1を波長変換部4に照射するための、光学ミラー等を含む光学系(照射用光学系ともいう)が不要となる。本例とは異なり、光接続構造1が照射用光学系を備える場合、光接続構造1の組み上げ時に照射用光学系の各部品の位置調整が必要となり、光接続構造1の組み上げ作業が複雑となる。本例では、照射用光学系を不要にすることができることから、光接続構造1の組み上げ作業を簡素化することができる。また、光接続構造1の構成を簡素化することができる。 As described above, in the optical connection structure 1 of this example, the laser light L1 from the optical fiber 2 is directly irradiated to the wavelength conversion section 4 . As a result, for example, an optical system including an optical mirror (also referred to as an irradiation optical system) for irradiating the wavelength conversion unit 4 with the laser light L1 becomes unnecessary. Unlike this example, when the optical connection structure 1 is provided with an irradiation optical system, it is necessary to adjust the position of each part of the irradiation optical system when assembling the optical connection structure 1, and the work of assembling the optical connection structure 1 becomes complicated. Become. In this example, the assembling work of the optical connection structure 1 can be simplified because the irradiation optical system can be eliminated. Also, the configuration of the optical connection structure 1 can be simplified.

また、本例の光接続構造1では、波長変換部4が発する変換光L2が光ファイバ3に直接入射する。これにより、例えば、変換光L2を光ファイバ3に入射するための、光学ミラー等を含む光学系(ファイバ入射用光学系ともいう)が不要となる。本例とは異なり、光接続構造1がファイバ入射用光学系を備える場合、光接続構造1の組み上げ時にファイバ入射用光学系の各部品の位置調整が必要となり、光接続構造1の組み上げ作業が複雑となる。本例では、ファイバ入射用光学系を不要にすることができることから、光接続構造1の組み上げ作業を簡素化することができる。また、光接続構造1の構成を簡素化することができる。 In addition, in the optical connection structure 1 of this example, the converted light L2 emitted by the wavelength converter 4 is directly incident on the optical fiber 3 . As a result, for example, an optical system including an optical mirror (also referred to as a fiber-injection optical system) for injecting the converted light L2 into the optical fiber 3 becomes unnecessary. Unlike this example, when the optical connection structure 1 has a fiber injection optical system, it is necessary to adjust the position of each component of the fiber injection optical system when assembling the optical connection structure 1. complicated. In this example, since the optical system for fiber injection can be made unnecessary, the assembly work of the optical connection structure 1 can be simplified. Also, the configuration of the optical connection structure 1 can be simplified.

なお、光接続構造1は、レーザ光L1のうち、波長変換部4の表面40で反射する成分を、波長変換部4に再度照射するための光学系を備えてもよい。また、光接続構造1は、変換光L2のうち光ファイバ3の入射面30aに向かって進まない成分を集光して光ファイバ3に入射するための光学系を備えてもよい。 The optical connection structure 1 may include an optical system for re-irradiating the wavelength conversion section 4 with the component of the laser light L1 that is reflected by the surface 40 of the wavelength conversion section 4 . The optical connection structure 1 may also include an optical system for condensing a component of the converted light L2 that does not travel toward the incident surface 30 a of the optical fiber 3 and making the component incident on the optical fiber 3 .

また、本例では、光ファイバ3の入射面30aが、波長変換部4の表面40において、レーザ光L1が照射される被照射領域140と異なる領域(図1の例では上面45)に向いている。これに対して、例えば、光ファイバ3が、本例とは異なり、波長変換部4に対して第1側面41側に位置して、光ファイバ3の入射面30aが被照射領域140に向く場合、入射面30aを波長変換部4に近づける際に光ファイバ3が邪魔になる可能性がある。本例では、入射面30aが被照射領域140と異なるなる領域に向いていることから、入射面30aを波長変換部4に近づける際に光ファイバ3の干渉を受けにくくなる。よって、入射面30aを波長変換部4に近づけやすくなる。これにより、波長変換部4が発する変換光L2が光ファイバ3に入射されやすくなり、その結果、変換光L2を効率良く光ファイバ3に入射することができる。 Further, in this example, the incident surface 30a of the optical fiber 3 faces a region (upper surface 45 in the example of FIG. 1) different from the irradiated region 140 irradiated with the laser light L1 on the surface 40 of the wavelength conversion unit 4. there is On the other hand, for example, when the optical fiber 3 is positioned on the first side surface 41 side with respect to the wavelength conversion unit 4 and the incident surface 30a of the optical fiber 3 faces the irradiated region 140, unlike this example, , there is a possibility that the optical fiber 3 will be an obstacle when the incident surface 30a is brought close to the wavelength conversion unit 4 . In this example, since the incident surface 30 a faces a region different from the irradiated region 140 , interference from the optical fiber 3 is less likely to occur when the incident surface 30 a is brought closer to the wavelength converting section 4 . Therefore, the incident surface 30a can be easily brought closer to the wavelength converting section 4. As shown in FIG. This makes it easier for the converted light L2 emitted from the wavelength conversion unit 4 to enter the optical fiber 3, and as a result, the converted light L2 can enter the optical fiber 3 efficiently.

また、本例では、光ファイバ3の入射面30aが向く第3領域(図1の例では上面45)は、レーザ光L1が照射される被照射領域140とは非対向である。これに対して、例えば、光ファイバ3が、本例とは異なり、波長変換部4に対して第2側面42側に位置して、光ファイバ3の入射面30aが、被照射領域140と対向する第2側面42に向く場合、レーザ光L1のうち波長変換部4を透過した成分が入射面30aに入射しやすくなる。本例では、入射面30aは、波長変換部4の表面40において、被照射領域140と非対向な領域に向くことから、レーザ光L1が入射面30aに入射しにくくなる。よって、レーザ光L1が、変換光L2を伝送する光ファイバ3で意図せずに伝送される可能性が低減する。 Further, in this example, the third area (upper surface 45 in the example of FIG. 1) facing the incident surface 30a of the optical fiber 3 is not opposed to the irradiated area 140 irradiated with the laser beam L1. On the other hand, for example, unlike this example, the optical fiber 3 is located on the second side surface 42 side with respect to the wavelength conversion unit 4, and the incident surface 30a of the optical fiber 3 faces the irradiated region 140. When facing the second side surface 42, the component of the laser light L1 that has passed through the wavelength conversion unit 4 is likely to enter the incident surface 30a. In this example, since the incident surface 30a faces the region not facing the irradiated region 140 on the surface 40 of the wavelength conversion unit 4, the laser light L1 is less likely to enter the incident surface 30a. Therefore, the possibility of the laser light L1 being unintentionally transmitted through the optical fiber 3 that transmits the converted light L2 is reduced.

また、本例では、光ファイバ3の入射面30aが、波長変換部4に対して基板5と反対側に位置することから、光ファイバ3の入射面30aを波長変換部4に近づける場合に基板5の干渉を受けにくくなる。これにより、光ファイバ3の入射面30aを波長変換部4にさらに近づけやすくなる。 In addition, in this example, since the incident surface 30a of the optical fiber 3 is located on the side opposite to the substrate 5 with respect to the wavelength converting section 4, when the incident surface 30a of the optical fiber 3 is brought closer to the wavelength converting section 4, the substrate 5 becomes less susceptible to interference. This makes it easier to bring the incident surface 30 a of the optical fiber 3 closer to the wavelength converting section 4 .

また、本例では、波長変換部4の表面40に含まれる、高反射率部材(図1の例では基板5)に位置する第2領域には、光ファイバ3の入射面30aが向く第3領域(図1の例では上面45)に対向する第1対向領域(図1の例では下面46)が含まれている。これにより、波長変換部4の表面40において、入射面30aが向く第3領域に対向する第1対向領域上に高反射率部材が位置することになる。変換光L2のうち、第1対向領域から出射されて高反射率部材で反射した成分は、第1対向領域と対向する第3領域から出射されて入射面30aに入射しやすいことから、入射面30aに入射する第2成分L2bの光量を大きくすることができる。その結果、波長変換部4が発する変換光L2を効率良く光ファイバ3に入射することができる。 Further, in this example, the second region located on the high reflectance member (the substrate 5 in the example of FIG. 1) included in the surface 40 of the wavelength conversion unit 4 is the third region to which the incident surface 30a of the optical fiber 3 faces. A first opposing region (lower surface 46 in the example of FIG. 1) facing the region (upper surface 45 in the example of FIG. 1) is included. As a result, on the surface 40 of the wavelength converting portion 4, the high reflectance member is positioned on the first opposing region facing the third region facing the incident surface 30a. Of the converted light L2, the component emitted from the first opposing region and reflected by the high reflectance member is likely to be emitted from the third region opposing the first opposing region and enter the incident surface 30a. The amount of light of the second component L2b incident on 30a can be increased. As a result, the converted light L2 emitted by the wavelength conversion unit 4 can be efficiently incident on the optical fiber 3. FIG.

また、本例では、波長変換部4の表面40において、光ファイバ3の入射面30aが向く第3領域(図1の例では上面45)の面積は、被照射領域140の面積よりも大きくなっている。このように、第3領域の面積が大きい場合には、波長変換部4が発する変換光L2が光ファイバ3に入射されやすくなる。これにより、変換光L2を効率良く光ファイバ3に入射することができる。なお、第3領域の面積は、被照射領域140の面積と同じであってもよいし、被照射領域140の面積よりも小さくてもよい。 Further, in this example, on the surface 40 of the wavelength conversion section 4, the area of the third region (upper surface 45 in the example of FIG. 1) facing the incident surface 30a of the optical fiber 3 is larger than the area of the irradiated region 140. ing. Thus, when the area of the third region is large, the converted light L2 emitted by the wavelength conversion section 4 is likely to enter the optical fiber 3 . This allows the converted light L2 to enter the optical fiber 3 efficiently. The area of the third region may be the same as the area of the irradiated region 140 or may be smaller than the area of the irradiated region 140 .

また、本例の光接続構造1では、高反射率部材としての基板5の被照射領域150での変換光L2の反射率が、波長変換部4の下面46での変換光L2の反射率よりも大きくなっている。このため、変換光L2のうち、波長変換部4の下面46から出射して基板5の被照射領域150で反射して光ファイバ3に入射する第2成分L2bの光量を大きくすることができる。これにより、波長変換部4が発する変換光L2を効率良く光ファイバ3に入射することができる。その結果、接続ロスの少ない光接続構造1を実現することができる。 In addition, in the optical connection structure 1 of this example, the reflectance of the converted light L2 at the irradiated region 150 of the substrate 5 as the high reflectance member is higher than the reflectance of the converted light L2 at the lower surface 46 of the wavelength conversion unit 4. is also getting bigger. Therefore, of the converted light L2, the light amount of the second component L2b that is emitted from the lower surface 46 of the wavelength conversion unit 4, reflected by the irradiated region 150 of the substrate 5, and incident on the optical fiber 3 can be increased. As a result, the converted light L2 emitted by the wavelength converter 4 can enter the optical fiber 3 efficiently. As a result, the optical connection structure 1 with little connection loss can be realized.

また、本例の光接続構造1は、波長変換部4の熱伝導率よりも大きい基板5及び放熱部材6を備えることから、波長変換部4の発熱によりその性能が劣化する可能性を低減することができる。 In addition, since the optical connection structure 1 of this example includes the substrate 5 and the heat dissipation member 6 having thermal conductivity greater than that of the wavelength conversion section 4, the possibility of deterioration in performance due to heat generation of the wavelength conversion section 4 is reduced. be able to.

なお、光ファイバ2の出射面20a及び光ファイバ3の入射面30aの少なくとも一方は、波長変換部4の表面40に接触してもよい。図2は、出射面20a及び入射面30aの両方が波長変換部4の表面40に接触している様子の一例を示す概略図である。出射面20a及び入射面30aの一方だけが波長変換部4の表面40に接触してもよい。このとき、光ファイバ2の出射面20a及び光ファイバ3の入射面30aは、一部が波長変換部4の表面40に接触してもよいし、全部が波長変換部4の表面40に接触してもよい。 At least one of the exit surface 20 a of the optical fiber 2 and the entrance surface 30 a of the optical fiber 3 may be in contact with the surface 40 of the wavelength conversion section 4 . FIG. 2 is a schematic diagram showing an example of how both the exit surface 20a and the entrance surface 30a are in contact with the surface 40 of the wavelength conversion section 4. As shown in FIG. Only one of the exit surface 20a and the entrance surface 30a may be in contact with the surface 40 of the wavelength converting section 4 . At this time, the exit surface 20a of the optical fiber 2 and the entrance surface 30a of the optical fiber 3 may be partially in contact with the surface 40 of the wavelength converting section 4, or may be entirely in contact with the surface 40 of the wavelength converting section 4. may

図2の例では、光ファイバ2の出射面20aは、例えば波長変換部4の第1側面41に接触している。出射面20aが波長変換部4の表面40に接触する場合、当該表面40での被照射領域140を小さくすることができる。よって、波長変換部4を小さくすることができる。 In the example of FIG. 2, the output surface 20a of the optical fiber 2 is in contact with the first side surface 41 of the wavelength converting section 4, for example. When the emission surface 20a is in contact with the surface 40 of the wavelength conversion section 4, the irradiated area 140 on the surface 40 can be reduced. Therefore, the wavelength conversion part 4 can be made small.

図2の例では、光ファイバ3の入射面30aは、例えば波長変換部4の上面45に接触している。入射面30aが波長変換部4の表面40に接触する場合、波長変換部4が発する変換光L2が入射面30aに入射しやすくなる。これにより、波長変換部4が発する変換光L2を効率良く光ファイバ3に入射することができる。 In the example of FIG. 2, the incident surface 30a of the optical fiber 3 is in contact with the upper surface 45 of the wavelength converting section 4, for example. When the incident surface 30a contacts the surface 40 of the wavelength converting section 4, the converted light L2 emitted by the wavelength converting section 4 is likely to enter the incident surface 30a. As a result, the converted light L2 emitted by the wavelength converter 4 can enter the optical fiber 3 efficiently.

光接続構造1は、複数の高反射率部材を備えてもよい。図3は、光接続構造1が、基板5とは別に高反射率部材7を備える様子の一例を示す概略図である。高反射率部材7は、例えば金属膜である。高反射率部材7は、例えば、波長変換部4の表面40において、被照射領域140と対向する第2対向領域142上に位置する。図3の例では、第2対向領域142は第2側面42に含まれる。第2対向領域142は、例えばX軸方向において被照射領域140と対向する。高反射率部材7は、例えば、第2側面42の全領域上に設けられている。高反射率部材7は、第2側面42に対して例えば蒸着されている。高反射率部材7は、例えば、銀、アルミニウム、チタンあるいはクロムで構成されてもよい。また、金属膜以外でも誘電体多層膜であってもよい。高反射率部材7が誘電体多層膜の場合には、例えば酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ハフニウム、フッ化マグネシウム等で構成されてもよい。このとき、透明で屈折率が高い膜(例えば、TiO、HfO)と透明で屈折率が低い膜(例えば、SiO、MgF)とが交互に積層される。 The optical connection structure 1 may comprise a plurality of high reflectance members. FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of how the optical connection structure 1 includes a high reflectance member 7 separately from the substrate 5 . The high reflectance member 7 is, for example, a metal film. The high reflectance member 7 is positioned, for example, on the second facing region 142 facing the irradiated region 140 on the surface 40 of the wavelength converting portion 4 . In the example of FIG. 3 , the second facing area 142 is included in the second side surface 42 . The second facing region 142 faces the irradiated region 140, for example, in the X-axis direction. The high reflectance member 7 is provided, for example, on the entire area of the second side surface 42 . The high reflectance member 7 is deposited, for example, on the second side surface 42 . The high reflectance member 7 may be composed of silver, aluminum, titanium or chromium, for example. Moreover, a dielectric multilayer film may be used instead of the metal film. When the high reflectance member 7 is a dielectric multilayer film, it may be made of, for example, silicon oxide, titanium oxide, hafnium oxide, magnesium fluoride, or the like. At this time, transparent films with a high refractive index (eg, TiO 2 , HfO 2 ) and transparent films with a low refractive index (eg, SiO 2 , MgF 2 ) are alternately laminated.

高反射率部材7の表面での変換光L2の反射率は、波長変換部4の表面40での変換光L2の反射率よりも大きくてもよい。高反射率部材7の表面での変換光L2の反射率は、例えば35%以上であってもよいし、40%以上であってもよいし、50%以上であってもよい。あるいは、高反射率部材7の表面での変換光L2の反射率は、60%以上であってもよいし、70%以上であってもよいし、80%以上であってもよい。 The reflectance of the converted light L2 on the surface of the high reflectance member 7 may be higher than the reflectance of the converted light L2 on the surface 40 of the wavelength converting section 4 . The reflectance of the converted light L2 on the surface of the high reflectance member 7 may be, for example, 35% or more, 40% or more, or 50% or more. Alternatively, the reflectance of the converted light L2 on the surface of the high reflectance member 7 may be 60% or more, 70% or more, or 80% or more.

図3の例のように、波長変換部4の表面40において、被照射領域140と対向する第2対向領域142上に高反射率部材7が位置することによって、変換光L2のうち第2対向領域142から出射される成分L2cを高反射率部材7で反射させて光ファイバ3に入射することができる。これにより、波長変換部4が発する変換光L2を効率良く光ファイバ3に入射することができる。 As in the example of FIG. 3, the high reflectance member 7 is positioned on the second opposing region 142 facing the irradiated region 140 on the surface 40 of the wavelength conversion unit 4, so that the second opposing region of the converted light L2 is The component L2c emitted from the region 142 can be reflected by the high reflectance member 7 and enter the optical fiber 3 . As a result, the converted light L2 emitted by the wavelength converter 4 can enter the optical fiber 3 efficiently.

高反射率部材7は、レーザ光L1を反射する部材として機能してもよい。この場合、高反射率部材7の表面でのレーザ光L1の反射率は、波長変換部4の表面40でのレーザ光L1の反射率よりも大きくてもよい。高反射率部材7の表面でのレーザ光L1の反射率は、例えば35%以上であってもよいし、40%以上であってもよいし、50%以上であってもよい。あるいは、高反射率部材7の表面でのレーザ光L1の反射率は、60%以上であってもよいし、70%以上であってもよいし、80%以上であってもよい。 The high reflectance member 7 may function as a member that reflects the laser beam L1. In this case, the reflectance of the laser light L1 on the surface of the high reflectance member 7 may be higher than the reflectance of the laser light L1 on the surface 40 of the wavelength converting portion 4 . The reflectance of the laser beam L1 on the surface of the high reflectance member 7 may be, for example, 35% or more, 40% or more, or 50% or more. Alternatively, the reflectance of the laser beam L1 on the surface of the high reflectance member 7 may be 60% or more, 70% or more, or 80% or more.

高反射率部材7がレーザ光L1を反射することが可能である場合、被照射領域140に照射されるレーザ光L1のうち、波長変換部4を透過して第2対向領域142から出射される透過成分を、高反射率部材7で反射させて波長変換部4に再度照射することができる。これにより、波長変換部4は、透過成分の照射に応じて光を発することから、波長変換部4の発光効率が向上する。 When the high reflectance member 7 can reflect the laser light L1, the laser light L1 irradiated to the irradiated region 140 is transmitted through the wavelength conversion unit 4 and emitted from the second opposing region 142. The transmitted component can be reflected by the high reflectance member 7 and irradiated to the wavelength conversion section 4 again. As a result, the wavelength conversion section 4 emits light in accordance with the irradiation of the transmitted component, so that the luminous efficiency of the wavelength conversion section 4 is improved.

なお、高反射率部材7の表面での変換光L2の反射率は、波長変換部4の表面40での変換光L2の反射率以下であってもよい。また、高反射率部材7の表面でのレーザ光L1の反射率は、波長変換部4の表面40でのレーザ光L1の反射率以下であってもよい。 Note that the reflectance of the converted light L2 on the surface of the high reflectance member 7 may be equal to or lower than the reflectance of the converted light L2 on the surface 40 of the wavelength conversion unit 4 . Further, the reflectance of the laser light L1 on the surface of the high reflectance member 7 may be equal to or lower than the reflectance of the laser light L1 on the surface 40 of the wavelength converting portion 4 .

高反射率部材7は、第2側面42における第2対向領域142以外の領域に設けられなくてもよい。また、高反射率部材7は、波長変換部4の表面40において、第2側面42以外の領域に設けられてもよい。例えば、高反射率部材7は、第3側面43の少なくとも一部の上に設けられてもよいし、第4側面44の少なくとも一部の上に設けられてもよい。また、高反射率部材7は、上面45上に部分的に設けられてもよい。また、高反射率部材7は、波長変換部4の表面40のうち、被照射領域140の周辺に位置する周辺領域141に設けられてもよい。図4は、高反射率部材7が周辺領域141に設けられている様子の一例を示す概略図である。図4では、高反射率部材7が右上がりのハッチングで示されており、被照射領域140が右下がりのハッチングで示されている。周辺領域141は例えば第1側面41に含まれている。周辺領域141は、例えば、被照射領域140を取り囲んでいる。周辺領域141は、被照射領域140を取り囲んでいなくてもよい。 The high reflectance member 7 does not have to be provided in the area other than the second facing area 142 on the second side surface 42 . Also, the high reflectance member 7 may be provided in a region other than the second side surface 42 on the surface 40 of the wavelength converting portion 4 . For example, the high reflectance member 7 may be provided on at least part of the third side surface 43 or may be provided on at least part of the fourth side surface 44 . Also, the high reflectance member 7 may be partially provided on the upper surface 45 . Further, the high reflectance member 7 may be provided in a peripheral region 141 positioned around the irradiated region 140 on the surface 40 of the wavelength converting portion 4 . FIG. 4 is a schematic diagram showing an example of how the high reflectance member 7 is provided in the peripheral region 141. As shown in FIG. In FIG. 4, the high reflectance member 7 is indicated by hatching rising to the right, and the irradiated region 140 is indicated by hatching falling to the right. The peripheral region 141 is included in the first side surface 41, for example. The peripheral region 141 surrounds the irradiated region 140, for example. The peripheral region 141 does not have to surround the irradiated region 140 .

波長変換部4の表面40には、複数の高反射率部材7が設けられてもよい。例えば、第2側面42と、第3側面43、第4側面44と、第1側面41に含まれる周辺領域141と、上面45のうちの少なくとも2つの領域に高反射率部材7が設けられてもよい。波長変換部4の表面40に設けられた複数の高反射率部材7には、互いに同じ材料からなる複数の高反射率部材7が含まれてもよいし、互いに異なる材料からなる複数の高反射率部材7が含まれてもよい。 A plurality of high reflectance members 7 may be provided on the surface 40 of the wavelength conversion section 4 . For example, the high reflectance member 7 is provided in at least two regions of the second side surface 42, the third side surface 43, the fourth side surface 44, the peripheral region 141 included in the first side surface 41, and the upper surface 45. good too. The plurality of high reflectance members 7 provided on the surface 40 of the wavelength converting portion 4 may include a plurality of high reflectance members 7 made of the same material, or a plurality of high reflectance members 7 made of different materials. A rate member 7 may be included.

図3の例のように、被照射領域140と対向する第2対向領域142に高反射率部材7が設けられる場合、図4に示されるように被照射領域140の周辺に位置する周辺領域141にも高反射率部材7が設けられてもよい。この場合、レーザ光L1のうち、波長変換部4を透過して第2対向領域142から出射した透過成分が、第2対向領域142上の高反射率部材7で反射して波長変換部4に照射される。そして、波長変換部4に照射された当該透過成分のうち、波長変換部4を透過して、第2対向領域142の反対側の周辺領域141から出射した成分が、周辺領域141上の高反射率部材7で反射して波長変換部4に照射される。これにより、波長変換部4の発光効率が向上する。 3, when the high reflectance member 7 is provided in the second opposing region 142 facing the irradiated region 140, the peripheral region 141 positioned around the irradiated region 140 as shown in FIG. A high reflectance member 7 may also be provided on the . In this case, the transmitted component of the laser light L1 that has passed through the wavelength conversion portion 4 and is emitted from the second opposing region 142 is reflected by the high reflectance member 7 on the second opposing region 142 and is transmitted to the wavelength conversion portion 4. be irradiated. Then, among the transmission components irradiated to the wavelength conversion section 4, the component transmitted through the wavelength conversion section 4 and emitted from the peripheral region 141 on the opposite side of the second opposing region 142 is highly reflected on the peripheral region 141. The light is reflected by the index member 7 and irradiated to the wavelength converting portion 4 . Thereby, the luminous efficiency of the wavelength conversion section 4 is improved.

基板5の形状は上記の例に限られない。図5は、上記の例とは異なる形状を有する基板5(基板5Aともいう)を備える光接続構造1の一例を示す概略図である。図5には、基板5A及び波長変換部4の断面が斜線で示されている。図6は、基板5A、波長変換部4及び光ファイバ2を+Z側から見た様子の一例を示す概略平面図である。 The shape of the substrate 5 is not limited to the above examples. FIG. 5 is a schematic diagram showing an example of an optical connection structure 1 including a substrate 5 (also referred to as substrate 5A) having a shape different from the above example. In FIG. 5, cross-sections of the substrate 5A and the wavelength converting portion 4 are indicated by oblique lines. FIG. 6 is a schematic plan view showing an example of the substrate 5A, the wavelength converting section 4, and the optical fiber 2 viewed from the +Z side.

図5及び6に示されるように、基板5Aは、例えば、波長変換部4の周側面48を取り囲んでいる。基板5Aは、例えば、波長変換部4の第1側面41、第2側面42、第3側面43及び第4側面44と対向している。基板5Aは、上面51に向かって開口する凹部55を有する。波長変換部4は凹部55内に収容されている。波長変換部4の第1側面41、第2側面42、第3側面43及び第4側面44は、例えば、凹部55の内面(内壁ともいう)に接合されている。波長変換部4は、凹部55の内面に対して、上記と同様にして直接接合されてもよいし接合材が使用されて接合されてもよい。凹部55の内面は、波長変換部4の周側面48の形状に応じた形状をなしている。 As shown in FIGS. 5 and 6, the substrate 5A surrounds the peripheral side surface 48 of the wavelength conversion section 4, for example. The substrate 5A faces, for example, the first side surface 41, the second side surface 42, the third side surface 43, and the fourth side surface 44 of the wavelength conversion section 4. As shown in FIG. The substrate 5A has a concave portion 55 that opens toward the upper surface 51. As shown in FIG. The wavelength converting portion 4 is accommodated within the recess 55 . The first side surface 41 , the second side surface 42 , the third side surface 43 , and the fourth side surface 44 of the wavelength conversion section 4 are joined to the inner surface (also referred to as inner wall) of the recess 55 , for example. The wavelength converting portion 4 may be directly bonded to the inner surface of the concave portion 55 in the same manner as described above, or may be bonded using a bonding material. The inner surface of the concave portion 55 has a shape corresponding to the shape of the peripheral side surface 48 of the wavelength converting portion 4 .

波長変換部4の上面45は基板5の上面51から露出している。波長変換部4の上面45は、例えば、基板5の上面51と同一平面上に位置する。波長変換部4の上面45は、基板5の上面51よりも上側に位置してもよいし、下側に位置してもよい。 The upper surface 45 of the wavelength converting portion 4 is exposed from the upper surface 51 of the substrate 5 . The upper surface 45 of the wavelength conversion part 4 is located on the same plane as the upper surface 51 of the substrate 5, for example. The upper surface 45 of the wavelength conversion section 4 may be positioned above or below the upper surface 51 of the substrate 5 .

基板5Aは、光ファイバ2が挿入される挿入孔56を有する、挿入孔56は、基板5Aの周側面53に向かって開口し、周側面53から凹部55内の空間まで達している。挿入孔56と凹部55内の空間とは繋がっている。挿入孔56は、例えば、波長変換部4の第1側面41を部分的に基板5Aから露出させている。光ファイバ2の少なくとも先端部は、挿入孔56に挿入されることによって、基板5Aに保持されている。光ファイバ2の出射面20aから出射されるレーザ光L1は、第1側面41のうち、挿入孔56によって基板5Aから露出した露出領域41aの少なくとも一部に照射される。したがって、被照射領域140は露出領域41aに含まれる。 The substrate 5A has an insertion hole 56 into which the optical fiber 2 is inserted. The insertion hole 56 and the space inside the recess 55 are connected. The insertion hole 56 partially exposes the first side surface 41 of the wavelength conversion unit 4 from the substrate 5A, for example. At least the tip of the optical fiber 2 is held by the substrate 5A by being inserted into the insertion hole 56. As shown in FIG. The laser light L1 emitted from the emission surface 20a of the optical fiber 2 irradiates at least part of the exposed area 41a of the first side surface 41 exposed from the substrate 5A through the insertion hole 56. As shown in FIG. Therefore, the irradiated region 140 is included in the exposed region 41a.

図5及び6の例では、波長変換部4の表面40に含まれる、高反射率部材としての基板5Aが位置する第2領域には、下面46だけではなく、第2側面42と、第3側面43と、第4側面44と、第1側面41に含まれる周辺領域141とが含まれる。 In the examples of FIGS. 5 and 6, the second region, which is included in the surface 40 of the wavelength conversion unit 4 and where the substrate 5A as the high reflectance member is located, includes not only the lower surface 46 but also the second side surface 42 and the third A side surface 43 , a fourth side surface 44 and a peripheral region 141 included in the first side surface 41 are included.

ここで、変換光L2のうち、下面46から出射されて基板5Aで反射して光ファイバ3に入射する成分を下面反射成分と呼び、第2側面42から出射されて基板5Aで反射して光ファイバ3に入射する成分を第1側面反射成分と呼ぶ。また、変換光L2のうち、第3側面43から出射されて基板5Aで反射して光ファイバ3に入射する成分を第3側面反射成分と呼び、第4側面44から出射されて基板5Aで反射して光ファイバ3に入射する成分を第4側面反射成分と呼ぶ。そして、変換光L2のうち、第1側面41に含まれる周辺領域141から出射されて基板5Aで反射して光ファイバ3に入射する成分を第1側面反射成分と呼ぶ。本例では、変換光L2に含まれる第2成分L2bには、下面反射成分、第1側面反射成分、第2側面反射成分、第3側面反射成分及び第4側面反射成分が含まれる。また、本例では、凹部55の内面が、基板5Aの表面50に含まれる、第2成分L2bが照射される被照射領域150を構成する。 Here, of the converted light L2, a component that is emitted from the lower surface 46, reflected by the substrate 5A, and incident on the optical fiber 3 is called a lower-surface reflected component, and is emitted from the second side surface 42 and reflected by the substrate 5A. The component incident on the fiber 3 is called the first side reflected component. A component of the converted light L2 that is emitted from the third side surface 43, reflected by the substrate 5A, and incident on the optical fiber 3 is called a third side reflection component, and is emitted from the fourth side surface 44 and reflected by the substrate 5A. A component that is incident on the optical fiber 3 as a result is called a fourth side reflection component. A component of the converted light L2 that is emitted from the peripheral region 141 included in the first side surface 41, reflected by the substrate 5A, and incident on the optical fiber 3 is called a first side reflection component. In this example, the second component L2b included in the converted light L2 includes a bottom reflection component, a first side reflection component, a second side reflection component, a third side reflection component, and a fourth side reflection component. Further, in this example, the inner surface of the concave portion 55 constitutes the irradiated region 150, which is included in the surface 50 of the substrate 5A and is irradiated with the second component L2b.

本例のように、基板5Aが、波長変換部4の表面40のうち、下面46だけではなく周側面48の上に位置することによって、光ファイバ3に入射する変換光L2の光量を大きくすることができる。よって、変換光L2を効率よく光ファイバ3に入射することができる。 As in this example, the substrate 5A is positioned not only on the lower surface 46 but also on the peripheral side surface 48 of the surface 40 of the wavelength conversion unit 4, thereby increasing the light amount of the converted light L2 incident on the optical fiber 3. be able to. Therefore, the converted light L2 can enter the optical fiber 3 efficiently.

また、基板5Aが、波長変換部4の表面40のうち、下面46だけではなく周側面48の上に位置することによって、基板5A及び放熱部材6での放熱効果を向上することができる。よって、波長変換部4の発熱によりその性能が劣化する可能性を低減することができる。 Further, since the substrate 5A is positioned not only on the lower surface 46 but also on the peripheral side surface 48 of the surface 40 of the wavelength conversion section 4, the heat radiation effect of the substrate 5A and the heat radiation member 6 can be improved. Therefore, it is possible to reduce the possibility that the performance of the wavelength conversion section 4 is deteriorated due to the heat generation of the wavelength conversion section 4 .

また、図5及び6の例のように、基板5Aが第2側面42に含まれる第2対向領域142上に位置する場合には、レーザ光L1のうち波長変換部4を透過して第2対向領域142から出射される透過成分を基板5Aで反射させて波長変換部4に再度照射することができる。これにより、波長変換部4の発光効率が向上する。 5 and 6, when the substrate 5A is positioned on the second opposing region 142 included in the second side surface 42, the laser light L1 is transmitted through the wavelength conversion unit 4 and is transmitted to the second wavelength. The transmission component emitted from the opposing region 142 can be reflected by the substrate 5A and irradiated to the wavelength conversion section 4 again. Thereby, the luminous efficiency of the wavelength conversion section 4 is improved.

また、第2対向領域142及び周辺領域141の上に基板5Aが位置する場合には、レーザ光L1のうち、波長変換部4を透過して第2対向領域142から出射した透過成分が、第2対向領域142上の基板5Aで反射して波長変換部4に照射される。そして、波長変換部4に照射された当該透過成分のうち、波長変換部4を透過して周辺領域141から出射した成分が、周辺領域141上の基板5Aで反射して波長変換部4に照射される。これにより、波長変換部4の発光効率が向上する。 Further, when the substrate 5A is positioned above the second opposing region 142 and the peripheral region 141, the transmission component of the laser light L1 that has passed through the wavelength conversion unit 4 and is emitted from the second opposing region 142 is the second The light is reflected by the substrate 5A on the 2-opposed region 142 and is irradiated to the wavelength conversion section 4 . Then, of the transmission component irradiated to the wavelength conversion section 4, the component transmitted through the wavelength conversion section 4 and emitted from the peripheral region 141 is reflected by the substrate 5A on the peripheral region 141 and irradiated to the wavelength conversion section 4. be done. Thereby, the luminous efficiency of the wavelength conversion section 4 is improved.

なお、基板5は、第2側面42上に位置しなくてもよいし、第3側面43上に位置しなくてもよいし、第4側面44上に位置しなくてもよい。また、基板5は、周辺領域141上に位置しなくてもよい。また、基板5Aは、上面45上に部分的に位置してもよい。 In addition, the substrate 5 may not be positioned on the second side surface 42 , the third side surface 43 , or the fourth side surface 44 . Also, the substrate 5 does not have to be located on the peripheral region 141 . Also, the substrate 5A may be partially located on the upper surface 45. FIG.

また、波長変換部4の周側面48を取り囲む基板5Aの形状は、上記の例に限られない。例えば、図7に示されるように、基板5Aの上面51を凸状に形成し、それによって形成される凸部57に、波長変換部4を収容する凹部55を設けてもよい。図7の例では、凸部57には、凹部55内の波長変換部4の第1側面41を部分的に露出させる露出孔58が設けられている。露出孔58を通じてレーザ光L1が第1側面41に照射される。 Further, the shape of the substrate 5A surrounding the peripheral side surface 48 of the wavelength converting portion 4 is not limited to the above example. For example, as shown in FIG. 7, the upper surface 51 of the substrate 5A may be formed in a convex shape, and a concave portion 55 for accommodating the wavelength conversion portion 4 may be provided in the convex portion 57 formed thereby. In the example of FIG. 7 , the convex portion 57 is provided with an exposure hole 58 that partially exposes the first side surface 41 of the wavelength converting portion 4 in the concave portion 55 . The first side surface 41 is irradiated with the laser beam L1 through the exposure hole 58 .

上記の例では、レーザ光L1は、波長変換部4の周側面48に対して垂直に照射されているが、斜めに照射されてもよい。図8及び9は、レーザ光L1が波長変換部4の周側面48に対して斜めに照射されている様子の一例を示す概略図である。図8の例では、レーザ光L1は、第1側面41に対して、やや+Z側から(言い換えれば、やや上側から)斜めに照射されている。図9の例では、レーザ光L1は、第1側面41に対して、やや-Z側から(言い換えれば、やや下側から)斜めに照射されている。レーザ光L1は、第1側面41に対して、+Y側から斜めに照射されてもよいし、-Y側から斜めに照射されてもよい。 In the above example, the laser beam L1 is applied perpendicularly to the peripheral side surface 48 of the wavelength converting portion 4, but may be applied obliquely. 8 and 9 are schematic diagrams showing an example of how the laser light L1 is obliquely irradiated onto the peripheral side surface 48 of the wavelength converting portion 4. FIG. In the example of FIG. 8, the laser beam L1 is irradiated slightly obliquely from the +Z side (in other words, slightly from above) with respect to the first side surface 41 . In the example of FIG. 9, the laser beam L1 is irradiated slightly obliquely from the -Z side (in other words, from slightly below) with respect to the first side surface 41 . The first side surface 41 may be irradiated with the laser beam L1 obliquely from the +Y side or obliquely from the -Y side.

上記の例では、波長変換部4の形状は、直方体であったが、他の形状であってもよい。例えば、波長変換部4の形状は、立方体であってもよいし、円柱であってもよいし、角錐台であってもよいし、円錐台であってもよい。図10は、円錐台状の波長変換部4(波長変換部4Aともいう)を備える光接続構造1の一例を示す概略図である。図10には、基板5A及び波長変換部4Aの断面が斜線で示されている。 In the above example, the shape of the wavelength converting portion 4 is a rectangular parallelepiped, but it may be another shape. For example, the shape of the wavelength converting portion 4 may be a cube, a cylinder, a truncated pyramid, or a truncated cone. FIG. 10 is a schematic diagram showing an example of an optical connection structure 1 including a truncated cone-shaped wavelength converting portion 4 (also referred to as a wavelength converting portion 4A). In FIG. 10, cross-sections of the substrate 5A and the wavelength converting portion 4A are indicated by oblique lines.

円錐台状の波長変換部4Aの表面40(表面40Aともいう)は、互いに対向する平坦な上面145及び下面146と、上面145及び下面146を繋ぐ環状の周側面148とを有する。上面145及び下面146のそれぞれは、例えばXY平面と平行をなしている。上面145及び下面146は円形をなしている。上面145の半径は、例えば下面146の半径よりも大きい。よって、上面145の面積は下面146の面積よりも大きい。上面145の半径は、例えば下面146の半径よりも小さくてもよい。なお、上面145及び下面146の半径が同じである場合、波長変換部4Aは円柱状となる。 A surface 40 (also referred to as a surface 40A) of the truncated cone-shaped wavelength converting portion 4A has a flat upper surface 145 and a lower surface 146 facing each other, and an annular peripheral side surface 148 connecting the upper surface 145 and the lower surface 146 . Each of the upper surface 145 and the lower surface 146 is parallel to the XY plane, for example. Upper surface 145 and lower surface 146 are circular. The radius of upper surface 145 is larger than the radius of lower surface 146, for example. Therefore, the area of upper surface 145 is larger than the area of lower surface 146 . The radius of upper surface 145 may be smaller than the radius of lower surface 146, for example. In addition, when the radius of the upper surface 145 and the lower surface 146 is the same, the wavelength conversion part 4A becomes cylindrical.

波長変換部4Aは、基板5Aの凹部55に収容されている。凹部55の内面は、円錐台状の波長変換部4Aの表面40Aの形状に応じた形状となっている。波長変換部4Aの周側面148は、例えば凹部55の内面に接合されている。波長変換部4Aは、凹部55の内面に対して、直接接合されてもよいし、接合材が使用されて接合されてもよい。 The wavelength conversion section 4A is housed in a recess 55 of the substrate 5A. The inner surface of the concave portion 55 has a shape corresponding to the shape of the surface 40A of the truncated cone-shaped wavelength conversion portion 4A. A peripheral side surface 148 of the wavelength conversion section 4A is joined to the inner surface of the recess 55, for example. The wavelength converting portion 4A may be directly bonded to the inner surface of the recess 55, or may be bonded using a bonding material.

波長変換部4Aの周側面148の一部は、基板5Aに設けられた挿入孔56によって露出している。挿入孔56に挿入された光ファイバ2から出射されるレーザ光L1は、周側面148のうち、挿入孔56によって基板5Aから露出した露出領域148aの少なくとも一部に照射される。したがって、被照射領域140は露出領域148aに含まれる。 A portion of the peripheral side surface 148 of the wavelength converting portion 4A is exposed through an insertion hole 56 provided in the substrate 5A. The laser beam L1 emitted from the optical fiber 2 inserted into the insertion hole 56 irradiates at least a part of the exposed area 148a of the peripheral side surface 148 exposed from the substrate 5A through the insertion hole 56 . Therefore, the irradiated area 140 is included in the exposed area 148a.

波長変換部4Aの上面145は基板5Aから露出している。波長変換部4Aの上面145は、例えば、基板5Aの上面51と同一平面上に位置する。波長変換部4Aの上面145は、基板5Aの上面51よりも上側に位置してもよいし、下側に位置してもよい。 An upper surface 145 of the wavelength converting portion 4A is exposed from the substrate 5A. The upper surface 145 of the wavelength conversion part 4A is positioned, for example, on the same plane as the upper surface 51 of the substrate 5A. The upper surface 145 of the wavelength conversion section 4A may be positioned above or below the upper surface 51 of the substrate 5A.

光ファイバ3の入射面30aは上面145と対向している。入射面30aは上面145に向いており、上面145と例えば平行をなしている。被照射領域140は、光ファイバ3の入射面30aが向く上面145と非対向である。図10の例では、波長変換部4Aの表面40Aに含まれる、高反射率部材としての基板5Aが位置する第2領域には、下面146と、周側面148のうち露出領域148a以外の領域とが含まれる。波長変換部4Aが発する変換光L2のうち第2領域から出射された成分は基板5Aで反射して光ファイバ3に入射する。 The incident surface 30 a of the optical fiber 3 faces the upper surface 145 . The incident surface 30a faces the upper surface 145 and is parallel to the upper surface 145, for example. The irradiated region 140 does not face the upper surface 145 to which the incident surface 30a of the optical fiber 3 faces. In the example of FIG. 10, the second region, which is included in the surface 40A of the wavelength conversion unit 4A and where the substrate 5A as the high reflectance member is located, includes the lower surface 146 and the region of the peripheral side surface 148 other than the exposed region 148a. is included. A component of the converted light L2 emitted from the wavelength converter 4A, which is emitted from the second region, is reflected by the substrate 5A and enters the optical fiber 3. FIG.

図10の例では、波長変換部4Aの表面40Aでは、上面145の面積が、下面146の面積よりも大きくなっている。このように、波長変換部4Aの表面40Aにおいて、光ファイバ3の入射面30aが向く第3領域の面積を大きくすることによって、第3領域から出射される変換光L2が入射面30aに入りやすくなる。これにより、入射面30aに入射する変換光L2の光量を大きくすることができる。 In the example of FIG. 10, the area of the upper surface 145 is larger than the area of the lower surface 146 on the surface 40A of the wavelength converting portion 4A. In this manner, by increasing the area of the third region facing the incident surface 30a of the optical fiber 3 on the surface 40A of the wavelength conversion unit 4A, the converted light L2 emitted from the third region can easily enter the incident surface 30a. Become. Thereby, the light amount of the converted light L2 incident on the incident surface 30a can be increased.

図10の例では、波長変換部4Aの表面40Aにおいて、被照射領域140とX軸方向で対向する第2対向領域142は周側面148に含まれる。また、被照射領域140の周辺に位置する周辺領域141は周側面148に含まれる。基板5Aは、第2対向領域142上に位置しているが、第2対向領域142上に位置しなくてもよい。また、基板5Aは、周辺領域141上に位置しているが、周辺領域141上に位置しなくてもよい。また、基板5Aは、上面145上に部分的に位置してもよい。また、上述の図7と同様に、基板5Aの上面51を凸状に形成し、それによって形成される凸部57に、波長変換部4Aを収容する凹部55を設けてもよい。 In the example of FIG. 10, a second opposing region 142 facing the irradiated region 140 in the X-axis direction is included in the peripheral side surface 148 of the surface 40A of the wavelength converting portion 4A. A peripheral area 141 located around the irradiated area 140 is included in the peripheral side surface 148 . The substrate 5A is positioned on the second facing region 142, but does not have to be positioned on the second facing region 142. FIG. Further, the substrate 5A is located on the peripheral region 141, but it does not have to be located on the peripheral region 141. FIG. Also, the substrate 5A may be partially located on the top surface 145 . Further, similarly to FIG. 7 described above, the upper surface 51 of the substrate 5A may be formed in a convex shape, and the convex portion 57 formed thereby may be provided with the concave portion 55 for accommodating the wavelength conversion portion 4A.

上記の例では、波長変換部4の表面40に含まれる、光ファイバ3の入射面30aが向く第3領域(例えば上面45)は、平面であったが、凸面であってもよいし、凹面であってもよい。図11は、第3領域が凹面である場合の光接続構造1の一例を示す概略図である。 In the above example, the third region (for example, the upper surface 45) included in the surface 40 of the wavelength conversion unit 4 and facing the incident surface 30a of the optical fiber 3 is flat, but it may be convex or concave. may be FIG. 11 is a schematic diagram showing an example of the optical connection structure 1 in which the third region is concave.

図11の例では、波長変換部4の上面45が凹面を構成している。上面45は、例えば凹状の部分球面を構成している。このように、上面45が凹面であることによって、平面である場合と比較して、上面45から出射される変換光L2の広がりを小さくすることができる。これにより、光ファイバ3に伝搬する変換光L2の光量を大きくすることができる。よって、変換光L2を効率良く光ファイバ3に入射することができる。なお、変換光L2の広がりは、出射面の大きさあるいは、入射面の入射光の大きさ、被照射面でのスポット径等の大きさを画像、目視、入射光の割合等の測定で確認できる。このとき、広がりを小さくするとは、凹面がない場合と比較したときに、四方八方に放射する状態から集光する状態、あるいはスポット径を小さくすることをいう。 In the example of FIG. 11, the upper surface 45 of the wavelength converting portion 4 forms a concave surface. The upper surface 45 forms, for example, a concave partial spherical surface. By forming the upper surface 45 as a concave surface in this manner, the spread of the converted light L2 emitted from the upper surface 45 can be reduced compared to the case where the upper surface 45 is flat. Thereby, the light amount of the converted light L2 propagating through the optical fiber 3 can be increased. Therefore, the converted light L2 can enter the optical fiber 3 efficiently. In addition, the spread of the converted light L2 is confirmed by measuring the size of the output surface, the size of the incident light on the incident surface, the size of the spot diameter on the surface to be illuminated, etc. by visual observation, measurement of the ratio of the incident light, etc. can. At this time, reducing the spread refers to a state in which light is condensed from a state in which light is emitted in all directions, or a spot diameter is reduced, when compared with the case where there is no concave surface.

なお、第3領域が構成する凹面の形状は上記の例に限られない。例えば、第3領域が構成する凹面は、円錐あるいは角錐の側面と同じ形状であってもよいし、部分回転楕円面であってもよい。また、第3領域が構成する凹面は、平面がU字状に曲げられたものであってもよい。 Note that the shape of the concave surface formed by the third region is not limited to the above example. For example, the concave surface formed by the third region may have the same shape as the side surface of a cone or pyramid, or may be a partial spheroidal surface. Further, the concave surface formed by the third region may be a flat surface bent in a U shape.

光接続構造1は、第3領域から出射される変換光L2の広がりを小さくして光ファイバ3の入射面30aに入射する光学部材を備えてもよい。この光学部材は、レンズであってもよいし、ミラーであってもよい。図12及び13は、この場合の光接続構造1の一例を示す概略図である。図12の例では、波長変換部4の上面45と光ファイバ3の入射面30aとの間にレンズ8が設けられている。図13の例では、波長変換部4の上面45と光ファイバ3の入射面30aとの間にミラー9が設けられている。図13には、ミラー9の断面が斜線で示されている。 The optical connection structure 1 may include an optical member that reduces the spread of the converted light L2 emitted from the third region and enters the incident surface 30a of the optical fiber 3 . This optical member may be a lens or a mirror. 12 and 13 are schematic diagrams showing an example of the optical connection structure 1 in this case. In the example of FIG. 12, the lens 8 is provided between the upper surface 45 of the wavelength conversion section 4 and the incident surface 30a of the optical fiber 3. In the example of FIG. In the example of FIG. 13 , a mirror 9 is provided between the upper surface 45 of the wavelength conversion section 4 and the incident surface 30a of the optical fiber 3 . In FIG. 13, the cross section of the mirror 9 is shown hatched.

レンズ8には、波長変換部4の上面45から出射される変換光L2が入射する。レンズ8は、波長変換部4の上面45から出射される変換光L2の広がりを小さくして光ファイバ3の入射面30aに入射する。レンズ8は、例えば、変換光L2が入射する入射面81と、変換光L2を出射する出射面80とを有する。入射面81は上面45と対向し、出射面80は入射面30aと対向する。入射面81は例えば平面を構成し、出射面80は例えば凸曲面を構成する。入射面81は凹曲面を構成してもよい。 Converted light L2 emitted from the upper surface 45 of the wavelength conversion unit 4 is incident on the lens 8 . The lens 8 reduces the spread of the converted light L2 emitted from the upper surface 45 of the wavelength converter 4 and enters the incident surface 30a of the optical fiber 3 . The lens 8 has, for example, an incident surface 81 on which the converted light L2 is incident and an output surface 80 from which the converted light L2 is emitted. The entrance surface 81 faces the upper surface 45, and the exit surface 80 faces the entrance surface 30a. The incident surface 81 constitutes, for example, a flat surface, and the exit surface 80 constitutes, for example, a convex curved surface. The incident surface 81 may form a concave curved surface.

ミラー9は、レンズ8と同様に、波長変換部4の上面45から出射される変換光L2の広がりを小さくして光ファイバ3の入射面30aに入射する。ミラー9は、波長変換部4の上面45から出射される変換光L2を反射する反射面90を有する。反射面90は、例えば、仮想的な回転楕円面(仮想回転楕円面ともいう)に沿った形状を有する。このようなミラー9は楕円ミラーとも呼ばれる。仮想回転楕円面の一方の焦点は、例えば、上面45上あるいは上面45の近傍に位置する。仮想回転楕円面の他方の焦点は、例えば、入射面30a上あるいは入射面30aの近傍に位置する。 Similar to the lens 8 , the mirror 9 reduces the spread of the converted light L<b>2 emitted from the upper surface 45 of the wavelength conversion section 4 and enters the incident surface 30 a of the optical fiber 3 . The mirror 9 has a reflecting surface 90 that reflects the converted light L2 emitted from the upper surface 45 of the wavelength converting section 4 . The reflecting surface 90 has, for example, a shape along a virtual ellipsoid of revolution (also referred to as a virtual ellipsoid of revolution). Such a mirror 9 is also called an elliptical mirror. One focal point of the virtual spheroid is located on or near the top surface 45, for example. The other focal point of the virtual ellipsoid of revolution is located, for example, on or near the entrance surface 30a.

図12及び13の例のように、光接続構造1が、第3領域から出射される変換光L2の広がりを小さくして入射面30aに入射する光学部材を備えることによって、光ファイバ3に伝搬する変換光L2の光量を大きくすることができる。よって、変換光L2を効率良く光ファイバ3に入射することができる。 As in the examples of FIGS. 12 and 13, the optical connection structure 1 includes an optical member that reduces the spread of the converted light L2 emitted from the third region and enters the incident surface 30a. It is possible to increase the light amount of the converted light L2. Therefore, the converted light L2 can enter the optical fiber 3 efficiently.

また、光接続構造1がレンズ8及びミラー9等の光学部材を備えていてもよい。この場合には、図11に示されるように第3領域を凹面にすることによって、光ファイバ3に入射する変換光L2の光量を大きくすることができる。 Also, the optical connection structure 1 may include optical members such as the lens 8 and the mirror 9 . In this case, the amount of converted light L2 entering the optical fiber 3 can be increased by making the third region concave as shown in FIG.

波長変換部4において、蛍光体の濃度は均一であってもよいし、不均一であってもよい。後者の場合、波長変換部4では、レーザ光L1が照射される被照射領域140からその反対側に向かうほど、蛍光体の濃度が大きくなってもよい。言い換えれば、波長変換部4では、被照射領域140からそれ対向する第2対向領域142に向かうほど、蛍光体の濃度が大きくなってもよい。図14はこの様子の一例を示す儀略図である。図14では、波長変換部4が有する複数の蛍光体401が模式的に円形で示されている。 In the wavelength conversion section 4, the concentration of the phosphor may be uniform or non-uniform. In the latter case, in the wavelength conversion section 4, the concentration of the phosphor may increase as the area 140 to be irradiated with the laser light L1 is directed toward the opposite side thereof. In other words, in the wavelength conversion section 4 , the concentration of the phosphor may increase from the irradiated region 140 toward the second opposing region 142 that faces the irradiated region 140 . FIG. 14 is a schematic diagram showing an example of this situation. In FIG. 14, the plurality of phosphors 401 included in the wavelength conversion section 4 are schematically shown as circles.

図14に示される波長変換部4では、被照射領域140からその反対側の第2側面42に向かうほど、あるいは被照射領域140から遠ざかるほど、蛍光体401の濃度が大きくなっている。波長変換部4では、被照射領域140側での蛍光体401の濃度が小さく、第2側面42側での蛍光体401の濃度が高くなっている。図14の例では、波長変換部4での蛍光体401の濃度は、被照射領域140から、上面45に沿って奥側に向かうほど、大きくなっている。なお、蛍光体の濃度は、走査電子顕微鏡等を用いて断面画像から測定したり、部分的に分光蛍光光度計を用いることで測定したりできる。 In the wavelength conversion section 4 shown in FIG. 14 , the concentration of the phosphor 401 increases from the irradiated region 140 toward the opposite second side surface 42 or away from the irradiated region 140 . In the wavelength converting portion 4, the concentration of the phosphor 401 is low on the irradiated region 140 side, and the concentration of the phosphor 401 is high on the second side surface 42 side. In the example of FIG. 14 , the concentration of the phosphor 401 in the wavelength conversion section 4 increases from the irradiated region 140 toward the inner side along the upper surface 45 . The concentration of the phosphor can be measured from a cross-sectional image using a scanning electron microscope or the like, or can be partially measured using a spectrofluorophotometer.

このような波長変換部4は、蛍光体401の濃度が互いに異なる複数の蛍光体部分が一列に接合されることによって実現されてもよいし、一つの蛍光体部分内において蛍光体401の濃度を変化させることによって実現されてもよい。複数の蛍光体部分を接合する方法として、様々な方法が考えられる。例えば、複数の蛍光体部分は、加熱下で加圧することによって接合されてもよい。また、複数の蛍光体部分は、蛍光体部分の接合面をコロナ放電処理した上で圧着することによって接合されてもよい。また、複数の蛍光体部分は透明接着剤が使用されて接合されてもよい。また、蛍光体部分の基材がガラスである場合、複数の蛍光体部分を溶融接合してもよい。また、蛍光体部分の基材がセラミックである場合、複数の蛍光体部分を積層して焼成することで接合してもよい。 Such a wavelength conversion section 4 may be realized by joining a plurality of phosphor portions having different concentrations of the phosphor 401 in a row, or by joining the phosphor portions 401 in one phosphor portion. It may be realized by changing Various methods are conceivable as a method of joining a plurality of phosphor portions. For example, multiple phosphor portions may be joined by pressing under heat. Alternatively, the plurality of phosphor portions may be bonded by subjecting the bonding surfaces of the phosphor portions to corona discharge treatment and then pressing them together. Also, multiple phosphor portions may be joined using a transparent adhesive. Moreover, when the base material of the phosphor portion is glass, a plurality of phosphor portions may be melt-bonded. Moreover, when the base material of the phosphor portion is ceramic, a plurality of phosphor portions may be laminated and joined by firing.

このように、波長変換部4において、被照射領域140からその反対側に向かうほど、蛍光体の濃度が大きくなることによって、波長変換部4での発光強度のはらつきを低減することができる。 In this way, in the wavelength conversion section 4, the concentration of the phosphor increases toward the opposite side from the irradiated region 140, so that the fluctuation of the emission intensity in the wavelength conversion section 4 can be reduced.

ここで、例えば、波長変換部4において蛍光体の濃度がほぼ均一である場合を考える。蛍光体401はレーザ光L1によって励起されることによって発光することから、波長変換部4内でのレーザ光L1の強度は、レーザ光L1が表面40から奥に進むほど低下する。つまり、波長変換部4内でのレーザ光L1の強度は、被照射領域140からその反対側に向かうほど低下する。したがって、波長変換部4において蛍光体の濃度がほぼ均一である場合、波長変換部4での発光強度は、被照射領域140からその反対側に向かうほど低下し、波長変換部4での発光強度にばらつきが発生する。これにより、波長変換部4の上面45から出射される変換光L2の強度にむらが発生することがある。 Here, for example, consider a case where the concentration of phosphor is substantially uniform in the wavelength conversion section 4 . Since the phosphor 401 emits light when excited by the laser light L1, the intensity of the laser light L1 within the wavelength conversion section 4 decreases as the laser light L1 travels deeper from the surface 40. FIG. In other words, the intensity of the laser light L1 within the wavelength converting portion 4 decreases as it goes from the irradiated region 140 to the opposite side. Therefore, when the concentration of the phosphor is substantially uniform in the wavelength conversion section 4, the emission intensity at the wavelength conversion section 4 decreases toward the opposite side from the irradiated region 140, and the emission intensity at the wavelength conversion section 4 decreases. variation occurs. As a result, the intensity of the converted light L2 emitted from the upper surface 45 of the wavelength conversion unit 4 may be uneven.

これに対して、図14の例では、波長変換部4において、被照射領域140からその反対側に向かうほど、蛍光体401の濃度が大きくなっている。これにより、波長変換部4での発光強度のばらつきを低減することができる。その結果、波長変換部4の上面45から出射される変換光L2の強度のむらを低減することができる。 On the other hand, in the example of FIG. 14, in the wavelength conversion section 4, the concentration of the phosphor 401 increases from the irradiated region 140 toward the opposite side. As a result, variations in emission intensity in the wavelength conversion section 4 can be reduced. As a result, unevenness in the intensity of the converted light L2 emitted from the upper surface 45 of the wavelength conversion section 4 can be reduced.

なお、例えば波長変換部4において蛍光体の濃度がほぼ均一である場合、図15に示されるように、波長変換部4の表面40に対して、被照射領域140とは反対側からレーザ光L3を照射してもよい。 In addition, for example, when the concentration of the phosphor is substantially uniform in the wavelength conversion section 4, as shown in FIG. may be irradiated.

図15の例では、光接続構造1に、レーザ光L3を出射する光ファイバ12が設けられている。光ファイバ12は、レーザ光L3が入射され、入射されたレーザ光L3を伝送する。レーザ光L3の波長は、例えばレーザ光L1の波長と同じである。光ファイバ12は、例えば、波長変換部4よりも-X側に位置する。光ファイバ12は、例えばX軸方向に沿って延在している。レーザ光L1及びレーザ光L3は、一つのレーザ光源から出力されるレーザ光が2つに分けられて生成されてもよい。あるいは、レーザ光L1を出力するレーザ光源と、レーザ光L3を出力するレーザ光源とが別々に設けられてもよい。 In the example of FIG. 15, the optical connection structure 1 is provided with an optical fiber 12 that emits a laser beam L3. The optical fiber 12 receives the laser beam L3 and transmits the incident laser beam L3. The wavelength of the laser beam L3 is, for example, the same as the wavelength of the laser beam L1. The optical fiber 12 is positioned, for example, on the -X side of the wavelength converting section 4 . The optical fiber 12 extends, for example, along the X-axis direction. The laser light L1 and the laser light L3 may be generated by dividing the laser light output from one laser light source into two. Alternatively, a laser light source that outputs the laser light L1 and a laser light source that outputs the laser light L3 may be provided separately.

光ファイバ12は、例えば、レーザ光L3を伝送するコア120と、当該コア120の周囲を覆うクラッド121とを備える。光ファイバ12は、例えば、石英ガラスから成る石英ファイバであってもよいし、プラスッチックから成るプラスチックファイバであってもよいし、他の材料から成る光ファイバであってもよい。光ファイバ12は、シングルモードファイバであってもよいし、マルチモードファイバであってもよい。 The optical fiber 12 includes, for example, a core 120 that transmits laser light L3 and a clad 121 that surrounds the core 120 . The optical fiber 12 may be, for example, a quartz fiber made of quartz glass, a plastic fiber made of plastic, or an optical fiber made of other materials. The optical fiber 12 may be a single mode fiber or a multimode fiber.

光ファイバ12は、レーザ光L3が出射される出射面120aを有する。例えばコア120が出射面120aを有する。出射面120aは例えば円形の平面である。出射面120aは、例えば、波長変換部4の第2側面42に向いている。出射面120aは、例えば第2側面42と平行をなしている。出射面120aから出射されるレーザ光L3は第2側面42に直接照射される。光ファイバ12からはレーザ光L3が例えば+X方向に沿って出射される。波長変換部4の表面40は、レーザ光L3が照射される被照射領域144を有する。被照射領域144は、例えば第2側面42に含まれる。 The optical fiber 12 has an emission surface 120a from which the laser beam L3 is emitted. For example, core 120 has output surface 120a. The output surface 120a is, for example, a circular plane. The exit surface 120a faces the second side surface 42 of the wavelength conversion section 4, for example. The output surface 120a is parallel to the second side surface 42, for example. The second side surface 42 is directly irradiated with the laser light L3 emitted from the emission surface 120a. A laser beam L3 is emitted from the optical fiber 12 along, for example, the +X direction. The surface 40 of the wavelength converting portion 4 has an irradiated region 144 irradiated with the laser beam L3. The irradiated region 144 is included in the second side surface 42, for example.

光ファイバ12は、クラッド121の周囲を覆う部材を備えてもよい。クラッド121の周囲を覆う部材は、1層で構成されてもよいし、複数層で構成されてもよい。クラッド121の周囲を覆う部材には保護層が含まれてもよい。 The optical fiber 12 may have a member that covers the clad 121 . The member covering the periphery of the clad 121 may be composed of one layer, or may be composed of multiple layers. A member covering the clad 121 may include a protective layer.

図15の例のように、波長変換部4の表面40に対して、レーザ光L1が照射される被照射領域140とは反対側からレーザ光L3が照射されることによって、例えば波長変換部4において蛍光体の濃度がほぼ均一である場合であっても、波長変換部4での発光強度のばらつきを低減することができる。その結果、波長変換部4の上面45から出射される変換光L2の強度のむらを低減することができる。 As in the example of FIG. 15, by irradiating the surface 40 of the wavelength conversion section 4 with the laser light L3 from the side opposite to the irradiated region 140 irradiated with the laser light L1, for example, the wavelength conversion section 4 Even if the concentration of the phosphor is substantially uniform at , variations in the emission intensity at the wavelength conversion section 4 can be reduced. As a result, unevenness in the intensity of the converted light L2 emitted from the upper surface 45 of the wavelength conversion section 4 can be reduced.

波長変換部4を基板5に接合する方法は上記の例に限られない。例えば、波長変換部4の下面46に金属膜13を設けて、当該金属膜13に対して基板5をはんだ付けすることによって波長変換部4を基板5に接合してもよい。図16はこの場合の光接続構造1の一例を示す概略図である。 The method of bonding the wavelength conversion unit 4 to the substrate 5 is not limited to the above example. For example, the wavelength conversion section 4 may be joined to the substrate 5 by providing the metal film 13 on the lower surface 46 of the wavelength conversion section 4 and soldering the substrate 5 to the metal film 13 . FIG. 16 is a schematic diagram showing an example of the optical connection structure 1 in this case.

金属膜13は波長変換部4の下面46に対して例えば蒸着されている。金属膜13は下面46上に位置する。金属膜13と基板5との間にははんだ層14が存在し、金属膜13が基板5にはんだ付けされている。金属膜13は、例えば、銀、アルミニウム、チタンあるいはクロムで構成されてもよい。金属膜13の熱伝導率は、例えば、波長変換部4の熱伝導率よりも大きい。 The metal film 13 is deposited, for example, on the lower surface 46 of the wavelength conversion section 4 . Metal film 13 is located on lower surface 46 . A solder layer 14 is present between the metal film 13 and the substrate 5 and the metal film 13 is soldered to the substrate 5 . Metal film 13 may be composed of, for example, silver, aluminum, titanium, or chromium. The thermal conductivity of the metal film 13 is higher than the thermal conductivity of the wavelength conversion section 4, for example.

金属膜13は、高反射率部材として機能してもよい。この場合、金属膜13の表面での変換光L2の反射率は、波長変換部4の表面40での変換光L2の反射率よりも大きくてもよい。金属膜13の表面での変換光L2の反射率は、例えば35%以上であってもよいし、40%以上であってもよいし、50%以上であってもよい。あるいは、金属膜13の表面での変換光L2の反射率は、60%以上であってもよいし、70%以上であってもよいし、80%以上であってもよい。 The metal film 13 may function as a high reflectance member. In this case, the reflectance of the converted light L2 on the surface of the metal film 13 may be higher than the reflectance of the converted light L2 on the surface 40 of the wavelength conversion section 4 . The reflectance of the converted light L2 on the surface of the metal film 13 may be, for example, 35% or more, 40% or more, or 50% or more. Alternatively, the reflectance of the converted light L2 on the surface of the metal film 13 may be 60% or more, 70% or more, or 80% or more.

また、金属膜13は、レーザ光L1を反射する部材として機能してもよい。この場合、金属膜13の表面でのレーザ光L1の反射率は、波長変換部4の表面40でのレーザ光L1の反射率よりも大きくてもよい。金属膜13の表面でのレーザ光L1の反射率は、例えば35%以上であってもよいし、40%以上であってもよいし、50%以上であってもよい。あるいは、金属膜13の表面でのレーザ光L1の反射率は、60%以上であってもよいし、70%以上であってもよいし、80%以上であってもよい。 Also, the metal film 13 may function as a member that reflects the laser beam L1. In this case, the reflectance of the laser light L1 on the surface of the metal film 13 may be higher than the reflectance of the laser light L1 on the surface 40 of the wavelength converting section 4 . The reflectance of the laser beam L1 on the surface of the metal film 13 may be, for example, 35% or more, 40% or more, or 50% or more. Alternatively, the reflectance of the laser beam L1 on the surface of the metal film 13 may be 60% or more, 70% or more, or 80% or more.

なお、金属膜13の表面での変換光L2の反射率は、波長変換部4の表面40での変換光L2の反射率以下であってもよい。また、金属膜13の表面でのレーザ光L1の反射率は、波長変換部4の表面40でのレーザ光L1の反射率以下であってもよい。 Note that the reflectance of the converted light L2 on the surface of the metal film 13 may be equal to or lower than the reflectance of the converted light L2 on the surface 40 of the wavelength conversion unit 4 . Also, the reflectance of the laser light L1 on the surface of the metal film 13 may be equal to or lower than the reflectance of the laser light L1 on the surface 40 of the wavelength conversion unit 4 .

また、金属膜13は多層膜であってもよい。この場合、金属膜13は、例えば、波長変換部4側から、チタンから成る層、白金から成る層及び金から成る層がこの順で積層された多層膜であってもよい。あるいは、金属膜13は、クロムあるいは銀から成る層、白金から成る層及び金から成る層がこの順で積層された多層膜であってもよい。あるいは、金属膜13は、クロムあるいは銀から成る層、ニッケルから成る層及び金から成る層がこの順で積層された多層膜であってもよい。 Also, the metal film 13 may be a multilayer film. In this case, the metal film 13 may be, for example, a multilayer film in which a layer made of titanium, a layer made of platinum, and a layer made of gold are laminated in this order from the wavelength conversion section 4 side. Alternatively, the metal film 13 may be a multilayer film in which a layer made of chromium or silver, a layer made of platinum and a layer made of gold are laminated in this order. Alternatively, the metal film 13 may be a multilayer film in which a layer made of chromium or silver, a layer made of nickel and a layer made of gold are laminated in this order.

金属膜13での変換光L2の反射率が波長変換部4の表面40での変換光L2の反射率よりも大きい場合には、基板5での変換光L2の反射率は波長変換部4の表面40での変換光L2の反射率以下であってもよい。また、金属膜13でのレーザ光L1の反射率が波長変換部4の表面40でのレーザ光L1の反射率よりも大きい場合には、基板5でのレーザ光L1の反射率は波長変換部4の表面40での変換光L2の反射率以下であってもよい。 When the reflectance of the converted light L2 on the metal film 13 is higher than the reflectance of the converted light L2 on the surface 40 of the wavelength conversion unit 4, the reflectance of the converted light L2 on the substrate 5 is the same as that of the wavelength conversion unit 4. It may be less than or equal to the reflectance of the converted light L2 on the surface 40 . Further, when the reflectance of the laser light L1 on the metal film 13 is higher than the reflectance of the laser light L1 on the surface 40 of the wavelength conversion unit 4, the reflectance of the laser light L1 on the substrate 5 is higher than that of the wavelength conversion unit. It may be less than or equal to the reflectance of the converted light L2 on the surface 40 of 4.

光接続構造1は、図17に示されるように、基板5を備えなくてもよい。図17の例では、波長変換部4の下面46上の金属膜13が放熱部材6にはんだ付けされている。金属膜13と放熱部材6との間にはんだ層14が存在する。 The optical connection structure 1 may not have the substrate 5, as shown in FIG. In the example of FIG. 17 , the metal film 13 on the lower surface 46 of the wavelength conversion section 4 is soldered to the heat dissipation member 6 . A solder layer 14 exists between the metal film 13 and the heat dissipation member 6 .

光接続構造1が基板5を備えない場合には、図18に示されるように、波長変換部4は、放熱部材6に対して、はんだ等の接合材が使用されずに直接接合されてもよい。図18の例では、波長変換部4の下面46が放熱部材6に直接接合されている。放熱部材6は波長変換部4の下面46上に位置する。例えば、波長変換部4が基板5に接合されるときのように、波長変換部4は酸素結合によって放熱部材6に直接接合されてもよい。あるいは、放熱部材6の表面に例えば数μmの微小な凹凸が設けられて、当該凹凸が利用されたアンカー効果により、波長変換部4が放熱部材6に直接接合されてもよい。 When the optical connection structure 1 does not include the substrate 5, the wavelength conversion section 4 can be directly bonded to the heat dissipation member 6 without using a bonding material such as solder, as shown in FIG. good. In the example of FIG. 18 , the lower surface 46 of the wavelength conversion section 4 is directly bonded to the heat dissipation member 6 . The heat dissipation member 6 is positioned on the bottom surface 46 of the wavelength conversion section 4 . For example, like when the wavelength converting portion 4 is bonded to the substrate 5, the wavelength converting portion 4 may be directly bonded to the heat dissipation member 6 by oxygen bonding. Alternatively, the surface of the heat radiating member 6 may be provided with minute unevenness of several μm, for example, and the wavelength converting section 4 may be directly bonded to the heat radiating member 6 by the anchor effect using the unevenness.

波長変換部4が放熱部材6に直接接合される場合には、放熱部材6は高反射率部材として機能してもよい。この場合、高反射率部材が、波長変換部4が発する熱を放出する放熱部材として機能すると言える。放熱部材6の表面での変換光L2の反射率は、波長変換部4の表面40での変換光L2の反射率よりも大きくてもよい。放熱部材6の表面での変換光L2の反射率は、例えば35%以上であってもよいし、40%以上であってもよいし、50%以上であってもよい。あるいは、放熱部材6の表面での変換光L2の反射率は、60%以上であってもよいし、70%以上であってもよいし、80%以上であってもよい。 When the wavelength conversion section 4 is directly bonded to the heat dissipation member 6, the heat dissipation member 6 may function as a high reflectance member. In this case, it can be said that the high reflectance member functions as a heat radiating member that radiates heat generated by the wavelength conversion section 4 . The reflectance of the converted light L<b>2 on the surface of the heat dissipation member 6 may be higher than the reflectance of the converted light L<b>2 on the surface 40 of the wavelength converter 4 . The reflectance of the converted light L2 on the surface of the heat dissipation member 6 may be, for example, 35% or more, 40% or more, or 50% or more. Alternatively, the reflectance of the converted light L2 on the surface of the heat dissipation member 6 may be 60% or more, 70% or more, or 80% or more.

また、波長変換部4が直接接合される放熱部材6は、レーザ光L1を反射する部材として機能してもよい。この場合、放熱部材6の表面でのレーザ光L1の反射率は、波長変換部4の表面40でのレーザ光L1の反射率よりも大きくてもよい。放熱部材6の表面でのレーザ光L1の反射率は、例えば35%以上であってもよいし、40%以上であってもよいし、50%以上であってもよい。あるいは、放熱部材6の表面でのレーザ光L1の反射率は、60%以上であってもよいし、70%以上であってもよいし、80%以上であってもよい。 Moreover, the heat dissipation member 6 to which the wavelength conversion part 4 is directly joined may function as a member that reflects the laser beam L1. In this case, the reflectance of the laser light L1 on the surface of the heat dissipation member 6 may be higher than the reflectance of the laser light L1 on the surface 40 of the wavelength converting section 4 . The reflectance of the laser beam L1 on the surface of the heat dissipation member 6 may be, for example, 35% or more, 40% or more, or 50% or more. Alternatively, the reflectance of the laser beam L1 on the surface of the heat dissipation member 6 may be 60% or more, 70% or more, or 80% or more.

なお、波長変換部4は、放熱部材6に直接接合されるのではなく、例えば、レーザ光L1及び変換光L2が透過する透明樹脂から成る接合材が用いられて放熱部材6に接合されてもよい。 Note that the wavelength conversion unit 4 is not directly bonded to the heat dissipation member 6, but may be bonded to the heat dissipation member 6 using, for example, a bonding material made of a transparent resin through which the laser beam L1 and the converted light L2 are transmitted. good.

高反射率部材の表面の全領域において、変換光L2の反射率が、波長変換部4の表面40での変換光L2の反射率よりも大きくなくてもよい。例えば、高反射率部材の表面において、変換光L2の反射率が、波長変換部4の表面40での変換光L2の反射率よりも大きい領域は、変換光L2の第2成分L2bが照射される領域だけであってもよい。 The reflectance of the converted light L2 does not have to be higher than the reflectance of the converted light L2 on the surface 40 of the wavelength conversion unit 4 over the entire surface area of the high reflectance member. For example, on the surface of the high reflectance member, a region where the reflectance of the converted light L2 is higher than the reflectance of the converted light L2 on the surface 40 of the wavelength conversion unit 4 is irradiated with the second component L2b of the converted light L2. It may be only the area where

また、高反射率部材の表面の全領域において、レーザ光L1の反射率が、波長変換部4の表面40でのレーザ光L1の反射率よりも大きくなくてもよい。例えば、高反射率部材の表面において、レーザ光L1の反射率が、波長変換部4の表面40でのレーザ光L1の反射率よりも大きい領域は、レーザ光L1のうち波長変換部4を透過した透過成分が照射される領域だけであってもよい。例えば、図1等の例のように基板5が高反射率部材として機能し、基板5がアルミニウム合金あるいはアルミニウムで構成される場合、基板5の放熱性を高めるために、基板5の表面50のうち被照射領域150以外の領域に対して黒アルマイト処理が行われてもよい。黒アルマイト処理された領域は黒色となり、変換光L2及びレーザ光L1を吸収する。これにより、基板5の表面50において、変換光L2の反射率が、波長変換部4の表面40での変換光L2の反射率よりも大きい領域が被照射領域150だけとなる。また、基板5の表面50において、レーザ光L1の反射率が、波長変換部4の表面40でのレーザ光L1の反射率よりも大きい領域が被照射領域150だけとなる。高反射率部材7に対しても同様の処理が行われてもよいし、高反射率部材として機能する金属膜13に対しても同様の処理が行われてもよいし、高反射率部材として機能する放熱部材6に対しても同様の処理が行われてもよい。 Moreover, the reflectance of the laser beam L1 does not have to be higher than the reflectance of the laser beam L1 on the surface 40 of the wavelength conversion unit 4 in the entire surface area of the high reflectance member. For example, on the surface of the high-reflectance member, a region where the reflectance of the laser light L1 is higher than the reflectance of the laser light L1 on the surface 40 of the wavelength conversion unit 4 allows the laser light L1 to pass through the wavelength conversion unit 4. It may be only the area irradiated with the transmitted component. For example, when the substrate 5 functions as a high reflectance member and is made of an aluminum alloy or aluminum as in the example of FIG. A black alumite treatment may be performed on a region other than the irradiated region 150 among them. The black anodized area becomes black and absorbs the converted light L2 and the laser light L1. As a result, the irradiated region 150 is the only region on the surface 50 of the substrate 5 in which the reflectance of the converted light L2 is higher than the reflectance of the converted light L2 on the surface 40 of the wavelength conversion unit 4 . In addition, on the surface 50 of the substrate 5 , the irradiated area 150 is the only area where the reflectance of the laser light L<b>1 is higher than the reflectance of the laser light L<b>1 on the surface 40 of the wavelength conversion unit 4 . A similar process may be performed on the high reflectance member 7, a similar process may be performed on the metal film 13 functioning as the high reflectance member, and a similar process may be performed on the metal film 13 as the high reflectance member. A similar process may be performed on the functioning heat dissipation member 6 as well.

上記の各例では、光接続構造1は放熱部材6を備えているが、光接続構造1は放熱部材6を備えなくてもよい。また、上記の例では、レーザ光L1は第1側面41に照射されているが、波長変換部4の表面40においてレーザ光L1が照射される領域は第1側面41以外であってもよい。レーザ光L1は、例えば、第2側面42に照射されてもよいし、第3側面43に照射されてもよいし、第4側面44に照射されてもよい。 Although the optical connection structure 1 includes the heat dissipation member 6 in each of the above examples, the optical connection structure 1 does not have to include the heat dissipation member 6 . Also, in the above example, the first side surface 41 is irradiated with the laser beam L1, but the area of the surface 40 of the wavelength conversion unit 4 irradiated with the laser beam L1 may be other than the first side surface 41. The laser beam L1 may be applied to the second side surface 42, the third side surface 43, or the fourth side surface 44, for example.

波長変換部4は、図19に示されるように、例えば環状部材4Bであってもよい。図19の例では、環状部材4Bは、例えば、細長い直方体を円環状に曲げた形状を有している。環状部材4Bの表面40Bは、例えば、互いに対向する環状の外周面411及び内周面412と、互いに対向する平坦な環状側面413及び414とを有する。環状側面413及び414は、例えば互いに平行をなしている。 The wavelength converting portion 4 may be, for example, an annular member 4B, as shown in FIG. In the example of FIG. 19, the annular member 4B has, for example, a shape obtained by bending an elongated rectangular parallelepiped into an annular shape. The surface 40B of the annular member 4B has, for example, an annular outer peripheral surface 411 and an annular inner peripheral surface 412 facing each other, and flat annular side surfaces 413 and 414 facing each other. Annular sides 413 and 414 are, for example, parallel to each other.

環状部材4Bは、例えば、環状部材4Bの周方向(単に周方向ともいう)に並ぶ複数の波長変換部分450を備える。複数の波長変換部分450は環状に接合されている。各波長変換部分450は、レーザ光L1の照射に応じて変換光L2を発する。複数の波長変換部分450が発する変換光L2の波長スペクトルは、例えば互いに異なっている。複数の波長変換部分450が発する変換光L2の色温度は、例えば互いに異なっている。複数の波長変換部分450の発光色は、例えば互いに異なっている。各波長変換部分450は、例えば、上述の蛍光体部分400と同様の構成を有する。複数の波長変換部分450は、例えば、複数の蛍光体部分についての上述の接合方法と同様にして環状に接合することができる。図19の例では、環状部材4Bは、例えば3つの波長変換部分450a,450b,450cを備える。環状部材4Bを環状側面413側から見ると、波長変換部分450a,450b,450cは、この順で反時計回りに並んでいる。 The annular member 4B includes, for example, a plurality of wavelength conversion portions 450 arranged in the circumferential direction (also referred to simply as the circumferential direction) of the annular member 4B. A plurality of wavelength conversion portions 450 are joined in an annular shape. Each wavelength conversion portion 450 emits converted light L2 in response to irradiation with laser light L1. The wavelength spectra of the converted light L2 emitted by the plurality of wavelength conversion portions 450 are different from each other, for example. The color temperatures of the converted light L2 emitted by the plurality of wavelength conversion portions 450 are different from each other, for example. The emission colors of the plurality of wavelength conversion portions 450 are different from each other, for example. Each wavelength converting portion 450 has, for example, a configuration similar to the phosphor portion 400 described above. The plurality of wavelength converting portions 450 can be, for example, annularly bonded in a manner similar to the bonding method described above for the plurality of phosphor portions. In the example of FIG. 19, the annular member 4B comprises, for example, three wavelength conversion portions 450a, 450b, 450c. When the annular member 4B is viewed from the side of the annular side surface 413, the wavelength conversion portions 450a, 450b, and 450c are arranged counterclockwise in this order.

各波長変換部分450の表面は、互いに対向する外側の面451及び内側の面452と、互いに対向する平坦な側面453及び454とを有する。側面453及び454は、例えば互いに平行をなしている。複数の波長変換部分450の外側の面451が、環状部材4Bの外周面411を構成する。複数の波長変換部分450の内側の面452が、環状部材4Bの内周面412を構成する。複数の波長変換部分450の側面453が、環状部材4Bの環状側面413を構成する。複数の波長変換部分450の側面454が、環状部材4Bの環状側面414を構成する。 The surface of each wavelength converting portion 450 has an outer surface 451 and an inner surface 452 facing each other and flat sides 453 and 454 facing each other. Sides 453 and 454 are, for example, parallel to each other. An outer surface 451 of the plurality of wavelength converting portions 450 constitutes an outer peripheral surface 411 of the annular member 4B. An inner surface 452 of the plurality of wavelength conversion portions 450 constitutes an inner peripheral surface 412 of the annular member 4B. A side surface 453 of the plurality of wavelength converting portions 450 constitutes an annular side surface 413 of the annular member 4B. A side surface 454 of the plurality of wavelength converting portions 450 constitutes an annular side surface 414 of the annular member 4B.

光ファイバ2の出射面20aは、例えば環状側面413に向いている。出射面20aから出射されるレーザ光L1は、例えば環状側面413に照射される。光ファイバ3の入射面30aは、例えば外周面411に向いている。入射面30aには、外周面411から出射される変換光L2が入射する。入射面30aが向く外周面411は、レーザ光L1が照射される環状側面413と非対向である。 The exit surface 20a of the optical fiber 2 faces, for example, the annular side surface 413 . The laser light L1 emitted from the emission surface 20a is irradiated onto the annular side surface 413, for example. The incident surface 30a of the optical fiber 3 faces the outer peripheral surface 411, for example. The converted light L2 emitted from the outer peripheral surface 411 is incident on the incident surface 30a. The outer peripheral surface 411 facing the incident surface 30a is not opposed to the annular side surface 413 irradiated with the laser beam L1.

環状部材4Bの内側空間には、例えば高反射率部材18が配置されている。高反射率部材18の形状は例えば円形板状である。高反射率部材18は、例えば上述の基板5と同様の材料で構成されている。高反射率部材18の外周面180は、例えば、環状部材4Bの内周面412に接合されている。高反射率部材18の環状部材4Bに対する接合方法は、例えば、波長変換部4の基板5に対する上述の接合方法と同様である。 For example, a high reflectance member 18 is arranged in the inner space of the annular member 4B. The shape of the high reflectance member 18 is, for example, a circular plate. The high reflectance member 18 is made of, for example, the same material as the substrate 5 described above. The outer peripheral surface 180 of the high reflectance member 18 is, for example, joined to the inner peripheral surface 412 of the annular member 4B. The bonding method of the high reflectance member 18 to the annular member 4B is, for example, the same as the bonding method to the substrate 5 of the wavelength conversion section 4 described above.

高反射率部材18の表面での変換光L2の反射率は、環状部材4B(言い換えれば波長変換部4)の表面40Bでの変換光L2の反射率よりも大きくてもよい。高反射率部材18の表面での変換光L2の反射率は、例えば35%以上であってもよいし、40%以上であってもよいし、50%以上であってもよい。あるいは、高反射率部材18の表面での変換光L2の反射率は、60%以上であってもよいし、70%以上であってもよいし、80%以上であってもよい。 The reflectance of the converted light L2 on the surface of the high reflectance member 18 may be higher than the reflectance of the converted light L2 on the surface 40B of the annular member 4B (in other words, the wavelength converter 4). The reflectance of the converted light L2 on the surface of the high reflectance member 18 may be, for example, 35% or more, 40% or more, or 50% or more. Alternatively, the reflectance of the converted light L2 on the surface of the high reflectance member 18 may be 60% or more, 70% or more, or 80% or more.

高反射率部材18は、レーザ光L1を反射する部材として機能してもよい。この場合、高反射率部材18の表面でのレーザ光L1の反射率は、環状部材4B(言い換えれば波長変換部4)の表面40Bでのレーザ光L1の反射率よりも大きくてもよい。高反射率部材18の表面でのレーザ光L1の反射率は、例えば35%以上であってもよいし、40%以上であってもよいし、50%以上であってもよい。あるいは、高反射率部材18の表面でのレーザ光L1の反射率は、60%以上であってもよいし、70%以上であってもよいし、80%以上であってもよい。 The high reflectance member 18 may function as a member that reflects the laser beam L1. In this case, the reflectance of the laser light L1 on the surface of the high reflectance member 18 may be higher than the reflectance of the laser light L1 on the surface 40B of the annular member 4B (in other words, the wavelength converting portion 4). The reflectance of the laser beam L1 on the surface of the high reflectance member 18 may be, for example, 35% or more, 40% or more, or 50% or more. Alternatively, the reflectance of the laser beam L1 on the surface of the high reflectance member 18 may be 60% or more, 70% or more, or 80% or more.

環状部材4Bは、例えば、周方向に回転可能である。環状部材4Bは、例えば、回転駆動機構900によって周方向に回転させられる。回転駆動機構900は、モータ等を備えてもよい。環状部材4Bは、環状側面413側から見て時計回りに回転してもよいし、反時計回りに回転してもよいし、両方向に回転してもよい。 The annular member 4B is, for example, rotatable in the circumferential direction. The annular member 4B is rotated in the circumferential direction by a rotary drive mechanism 900, for example. The rotation drive mechanism 900 may include a motor or the like. The annular member 4B may rotate clockwise when viewed from the annular side surface 413 side, may rotate counterclockwise, or may rotate in both directions.

本例では、光ファイバ2及び光ファイバ3についての環状部材4Bに対する相対的な位置及び姿勢は一定である。光ファイバ2の出射面20aは、環状部材4Bが回転することによって、各波長変換部分450の側面453に向くことができる。また、光ファイバ3の入射面30aは、環状部材4Bが回転することによって、各波長変換部分450の外側の面451に向くことができる。 In this example, the relative positions and attitudes of the optical fibers 2 and 3 with respect to the annular member 4B are constant. The output surface 20a of the optical fiber 2 can face the side surface 453 of each wavelength converting portion 450 by rotating the annular member 4B. Also, the incident surface 30a of the optical fiber 3 can face the outer surface 451 of each wavelength conversion portion 450 by rotating the annular member 4B.

このような構成を備える光接続構造1では、環状部材4Bが回転することによって、各波長変換部分450の側面453にレーザ光L1を照射することが可能である。これにより、環状部材4B(言い換えれば波長変換部4)から、波長スペクトルが互いに異なる複数種類の変換光L2が出射される。複数種類の変換光L2のそれぞれは光ファイバ3に入射される。 In the optical connection structure 1 having such a configuration, it is possible to irradiate the side surface 453 of each wavelength conversion portion 450 with the laser light L1 by rotating the annular member 4B. As a result, a plurality of types of converted light L2 having different wavelength spectra are emitted from the annular member 4B (in other words, the wavelength conversion section 4). Each of the multiple types of converted light L2 is incident on the optical fiber 3 .

例えば、図19に示されるように、光ファイバ2の出射面20aが、波長変換部分450aの側面453に向くときに、出射面20aからレーザ光L1が出射されると、波長変換部分450aの側面453にレーザ光L1が照射されて、波長変換部分450aは変換光L2を発する。波長変換部分450aの外側の面451から出射される変換光L2は、光ファイバ3の入射面30aに入射される。波長変換部分450aが発する変換光L2のうち、波長変換部分450aの内側の面452から出射した成分は高反射率部材18で反射して、波長変換部分450aを通って入射面30aに入射する。 For example, as shown in FIG. 19, when the emission surface 20a of the optical fiber 2 faces the side surface 453 of the wavelength conversion portion 450a, when the laser beam L1 is emitted from the emission surface 20a, the side surface of the wavelength conversion portion 450a 453 is irradiated with laser light L1, and wavelength conversion portion 450a emits converted light L2. The converted light L2 emitted from the outer surface 451 of the wavelength converting portion 450a enters the incident surface 30a of the optical fiber 3. As shown in FIG. Of the converted light L2 emitted by the wavelength converting portion 450a, the component emitted from the inner surface 452 of the wavelength converting portion 450a is reflected by the high reflectance member 18 and enters the incident surface 30a through the wavelength converting portion 450a.

図19の状態から、環状部材4Bが環状側面413側から見て時計回りに回転すると、光ファイバ2の出射面20aが、波長変換部分450bの側面453に向くようになる。このとき、出射面20aからレーザ光L1が出射されると、波長変換部分450bの側面453にレーザ光L1が照射されて、波長変換部分450aは変換光L2を発する。波長変換部分450bの外側の面451から出射された変換光L2は、光ファイバ3の入射面30aに入射される。 When the annular member 4B rotates clockwise from the state of FIG. 19 as viewed from the annular side surface 413, the output surface 20a of the optical fiber 2 faces the side surface 453 of the wavelength conversion portion 450b. At this time, when the laser light L1 is emitted from the emission surface 20a, the side surface 453 of the wavelength converting portion 450b is irradiated with the laser light L1, and the wavelength converting portion 450a emits the converted light L2. The converted light L2 emitted from the outer surface 451 of the wavelength converting portion 450b enters the incident surface 30a of the optical fiber 3. As shown in FIG.

環状部材4Bが環状側面413側から見て時計回りにさらに回転すると、光ファイバ2の出射面20aが、波長変換部分450cの側面453に向くようになる。このとき、出射面20aからレーザ光L1が出射されると、波長変換部分450cの側面453にレーザ光L1が照射されて、波長変換部分450cは変換光L2を発する。波長変換部分450cの外側の面451から出射された変換光L2は、光ファイバ3の入射面30aに入射される。 When the annular member 4B further rotates clockwise when viewed from the annular side surface 413 side, the output surface 20a of the optical fiber 2 comes to face the side surface 453 of the wavelength conversion portion 450c. At this time, when the laser light L1 is emitted from the emission surface 20a, the side surface 453 of the wavelength converting portion 450c is irradiated with the laser light L1, and the wavelength converting portion 450c emits the converted light L2. The converted light L2 emitted from the outer surface 451 of the wavelength converting portion 450c enters the incident surface 30a of the optical fiber 3. As shown in FIG.

環状部材4Bが環状側面413側から見て時計回りにさらに回転すると、光ファイバ2の出射面20aが、再度、波長変換部分450aの側面453に向くようになる。このとき、出射面20aからレーザ光L1が出射されると、波長変換部分450aが変換光L2を発する。波長変換部分450aの外側の面451から出射された変換光L2は、光ファイバ3の入射面30aに入射される。以後、光接続構造1は同様に機能して、環状部材4Bの回転に応じて、入射面30aに入射される変換光L2の波長スペクトル(言い換えれば色温度あるいは発光色)が変化する。 When the annular member 4B further rotates clockwise when viewed from the annular side surface 413 side, the output surface 20a of the optical fiber 2 again faces the side surface 453 of the wavelength conversion portion 450a. At this time, when the laser light L1 is emitted from the emission surface 20a, the wavelength conversion portion 450a emits the converted light L2. The converted light L2 emitted from the outer surface 451 of the wavelength converting portion 450a is incident on the incident surface 30a of the optical fiber 3. As shown in FIG. Thereafter, the optical connection structure 1 functions similarly, and the wavelength spectrum (in other words, color temperature or emission color) of the converted light L2 incident on the incident surface 30a changes according to the rotation of the annular member 4B.

なお、高反射率部材18は、波長変換部分450の側面454上に位置してもよい。また、高反射率部材18は、波長変換部分450の側面453において、レーザ光L1が照射される領域の周辺の領域上に位置してもよい。また、高反射率部材18は、波長変換部分450の外側の面451上に部分的に位置してもよい。高反射率部材18の表面での変換光L2の反射率は、環状部材4Bの表面40Bでの変換光L2の反射率以下であってもよい。また、高反射率部材18の表面でのレーザ光L1の反射率は、環状部材4Bの表面40Bでのレーザ光L1の反射率以下であってもよい。 It should be noted that the high reflectance member 18 may be positioned on the side surface 454 of the wavelength converting portion 450 . Further, the high reflectance member 18 may be positioned on the peripheral area of the area irradiated with the laser light L1 on the side surface 453 of the wavelength converting portion 450 . Also, the high reflectance member 18 may be partially located on the outer surface 451 of the wavelength converting portion 450 . The reflectance of the converted light L2 on the surface of the high reflectance member 18 may be equal to or less than the reflectance of the converted light L2 on the surface 40B of the annular member 4B. Further, the reflectance of the laser beam L1 on the surface of the high reflectance member 18 may be equal to or less than the reflectance of the laser beam L1 on the surface 40B of the annular member 4B.

以上のような光接続構造1は様々なシステムにおいて利用されることができる。以下に、光接続構造1を備えるシステムの構成例について説明する。 The optical connection structure 1 as described above can be used in various systems. A configuration example of a system including the optical connection structure 1 will be described below.

図20は、光接続構造1を備えるシステム500Aの構成の一例を示す概略図である。図20に示されるシステム500Aは、例えば、光接続構造1の波長変換部4が発する変換光L2を照明光L5として放射する照明システムである。システム500Aが放射する照明光L5は、室内で利用されてもよい、屋外で利用されてもよい。 FIG. 20 is a schematic diagram showing an example of the configuration of a system 500A that includes the optical connection structure 1. As shown in FIG. A system 500A shown in FIG. 20 is, for example, an illumination system that radiates converted light L2 emitted by the wavelength conversion unit 4 of the optical connection structure 1 as illumination light L5. The illumination light L5 emitted by the system 500A may be used indoors or outdoors.

図20に示されるように、システム500Aは、例えば、レーザ装置510と、照明光L5を放射する放射部520と、上述の光ファイバ2とを備える。放射部520は、光接続構造1における光ファイバ2以外の構成を備える。レーザ装置510と放射部520とは光ファイバ2で接続されている。 As shown in FIG. 20, the system 500A includes, for example, a laser device 510, a radiation section 520 that emits illumination light L5, and the optical fiber 2 described above. The radiation section 520 has components other than the optical fiber 2 in the optical connection structure 1 . The laser device 510 and the radiation section 520 are connected by the optical fiber 2 .

レーザ装置510は、レーザ光L1を生成して光ファイバ2に入射することが可能である。レーザ装置510は光源511を備える。光源511はレーザ光L1を生成して出力することが可能である。光源511は例えばレーザダイオード(laser diode:LD)である。レーザダイオードは半導体レーザとも呼ばれる。光源511が出力するレーザ光L1は光ファイバ2に入射される。 The laser device 510 can generate a laser beam L<b>1 and enter the optical fiber 2 . Laser device 510 comprises a light source 511 . The light source 511 can generate and output laser light L1. The light source 511 is, for example, a laser diode (LD). Laser diodes are also called semiconductor lasers. A laser beam L<b>1 output from the light source 511 is incident on the optical fiber 2 .

レーザ装置510のレーザ光L1の出力電力は、例えば、数W以上10W以下である。レーザ光L1の出力電力はこの限りではない。レーザ装置510が複数の光源511を備える場合、レーザ装置510のレーザ光L1の出力電力は、例えば10W以上であってもよい。 The output power of the laser light L1 of the laser device 510 is, for example, several W or more and 10 W or less. The output power of the laser beam L1 is not limited to this. When the laser device 510 includes a plurality of light sources 511, the output power of the laser light L1 of the laser device 510 may be 10 W or more, for example.

光ファイバ2は、光源511が出力するレーザ光L1を放射部520まで伝送することが可能である。光ファイバ2は、光源511が出力するレーザ光L1を伝送して出射面20aから出射する。光ファイバ2の一端はレーザ装置510と接続され、光ファイバ2の他端は放射部520と接続されている。光ファイバ2は、レーザ装置510とコネクタ接続されてもよいし、他の方法で接続されてもよい。また、光ファイバ2は、放射部520とコネクタ接続されてもよいし、他の方法で接続されてもよい。 The optical fiber 2 can transmit the laser light L1 output from the light source 511 to the radiation section 520 . The optical fiber 2 transmits the laser light L1 output from the light source 511 and emits it from the emission surface 20a. One end of the optical fiber 2 is connected to the laser device 510 and the other end of the optical fiber 2 is connected to the radiation section 520 . The optical fiber 2 may be connectorized with the laser device 510 or otherwise connected. Also, the optical fiber 2 may be connector-connected to the radiating section 520, or may be connected by other methods.

光ファイバ2は放射部520の内部にまで進入している。光ファイバ2の出射面20aは、図1等に示されるように、放射部520内の波長変換部4の近傍に位置している。光ファイバ2の出射面20aから出射するレーザ光L1は、放射部520内の波長変換部4に照射される。放射部520には、例えば長さの短い光ファイバ3が設けられている。放射部520内の波長変換部4が発する変換光L2は、放射部520内の光ファイバ3に入射される。光ファイバ3は、その入射面30aに入射された変換光L2を、放射部520内で伝送する。光ファイバ3から出射される変換光L2は照明光L5として放射部520の外部に放射される。放射部520は、光ファイバ3から出射される変換光L2が入射する光学系を備えてもよい。この光学系には、レンズ、拡散板及びリフレクタの少なくとも一つが含まれてもよい。放射部520が光学系を備える場合には、放射部520は、照明光L5の配光を調整する機能を有してもよい。 The optical fiber 2 enters even inside the radiation section 520 . The exit surface 20a of the optical fiber 2 is positioned near the wavelength conversion section 4 in the radiation section 520, as shown in FIG. The laser light L1 emitted from the emission surface 20a of the optical fiber 2 is applied to the wavelength conversion section 4 in the emission section 520. As shown in FIG. The radiation section 520 is provided with, for example, a short optical fiber 3 . The converted light L2 emitted by the wavelength conversion section 4 inside the radiation section 520 enters the optical fiber 3 inside the radiation section 520 . The optical fiber 3 transmits the converted light L<b>2 incident on its incident surface 30 a within the radiation section 520 . The converted light L2 emitted from the optical fiber 3 is radiated to the outside of the radiating section 520 as illumination light L5. The radiation section 520 may include an optical system into which the converted light L2 emitted from the optical fiber 3 is incident. This optical system may include at least one of a lens, a diffuser and a reflector. When the radiation section 520 includes an optical system, the radiation section 520 may have a function of adjusting the light distribution of the illumination light L5.

なお、図15に示されるように、光接続構造1が光ファイバ12を備える場合には、光ファイバ2と同様に、光ファイバ12の一端はレーザ装置510と接続され、光ファイバ12の他端は放射部520と接続される。光ファイバ12には、光源511が出力するレーザ光が入射されてもよいし、光源511とは別にレーザ装置510に設けられた光源が出射するレーザ光が入射されてもよい。 As shown in FIG. 15, when the optical connection structure 1 includes the optical fiber 12, one end of the optical fiber 12 is connected to the laser device 510, and the other end of the optical fiber 12 is connected to the laser device 510 in the same manner as the optical fiber 2. is connected to the radiating portion 520 . A laser beam output from a light source 511 may enter the optical fiber 12 , or a laser beam emitted from a light source provided in a laser device 510 other than the light source 511 may enter the optical fiber 12 .

図21は、光接続構造1を備える他のシステム500Bの構成の一例を示す概略図である。システム500Bは、システム500Aと同様に、光接続構造1の波長変換部4が発する変換光L2を照明光L5として放射する照明システムである。 FIG. 21 is a schematic diagram showing an example of the configuration of another system 500B that includes the optical connection structure 1. As shown in FIG. The system 500B, like the system 500A, is an illumination system that emits the converted light L2 emitted by the wavelength converter 4 of the optical connection structure 1 as the illumination light L5.

図21に示されるように、システム500Bは、例えば、レーザ光L1を生成し、生成したレーザ光L1を光L2に変換する変換装置550と、照明光L5を放射する放射部560と、上述の光ファイバ3とを備える。変換装置550は、光接続構造1における光ファイバ3以外の構成を備える。変換装置550と放射部560とは光ファイバ3で接続されている。光ファイバ3の一端は変換装置550と接続され、光ファイバ3の他端は放射部560と接続されている。光ファイバ3は、変換装置550とコネクタ接続されてもよいし、他の方法で接続されてもよい。また、光ファイバ3は、放射部560とコネクタ接続されてもよいし、他の方法で接続されてもよい。 As shown in FIG. 21, the system 500B includes, for example, a conversion device 550 that generates laser light L1 and converts the generated laser light L1 into light L2, a radiation unit 560 that emits illumination light L5, and the above-described and an optical fiber 3 . The conversion device 550 has components other than the optical fiber 3 in the optical connection structure 1 . The conversion device 550 and the radiation section 560 are connected by the optical fiber 3 . One end of the optical fiber 3 is connected to the conversion device 550 and the other end of the optical fiber 3 is connected to the radiation section 560 . The optical fiber 3 may be connectorized with the conversion device 550 or otherwise connected. Also, the optical fiber 3 may be connector-connected to the radiating section 560, or may be connected by other methods.

変換装置550は上記の光源511を備える。変換装置550には、例えば長さの短い光ファイバ2が設けられている。光源511が出力するレーザ光L1は、変換装置550内の光ファイバ2に入射される。光ファイバ2は、入射されたレーザ光L1を変換装置550内で伝送し、その出射面20aからレーザ光L1を出射する。光ファイバ2から出射されたレーザ光L1は、変換装置550内の波長変換部4に照射される。 The conversion device 550 comprises the light source 511 described above. The conversion device 550 is provided with, for example, a short optical fiber 2 . A laser beam L1 output from the light source 511 enters the optical fiber 2 in the conversion device 550 . The optical fiber 2 transmits the incident laser light L1 within the conversion device 550, and emits the laser light L1 from its emission surface 20a. The laser light L1 emitted from the optical fiber 2 is applied to the wavelength conversion section 4 in the conversion device 550 .

光ファイバ3は変換装置550内部にまで進入している。光ファイバ3の入射面30aは、図1等に示されるように、変換装置550内の波長変換部4の近傍に位置している。波長変換部4が発する変換光L2は光ファイバ3の入射面30aに入射される。光ファイバ3は、入射された変換光L2を放射部560まで伝送する。 The optical fiber 3 enters even inside the conversion device 550 . The incident surface 30a of the optical fiber 3 is positioned near the wavelength conversion section 4 in the conversion device 550, as shown in FIG. The converted light L2 emitted by the wavelength converter 4 is incident on the incident surface 30a of the optical fiber 3. As shown in FIG. The optical fiber 3 transmits the incident converted light L2 to the radiation section 560 .

放射部560は、光ファイバ3から出射される変換光L2を照明光L5として外部に放射する。放射部560は、変換光L2が入射する光学系を備えてもよい。この光学系には、レンズ、拡散板及びリフレクタの少なくとも一つが含まれてもよい。放射部560が光学系を備える場合には、放射部560は、照明光L5の配光を調整する機能を有してもよい。 The radiating section 560 radiates the converted light L2 emitted from the optical fiber 3 to the outside as the illumination light L5. The radiation section 560 may include an optical system into which the converted light L2 is incident. This optical system may include at least one of a lens, a diffuser and a reflector. When the radiation section 560 includes an optical system, the radiation section 560 may have a function of adjusting the light distribution of the illumination light L5.

なお、光接続構造1が光ファイバ12を備える場合には、光ファイバ2と同様に、光ファイバ12は変換装置550に設けられる。この場合、光ファイバ12には、変換装置550内の光源511が出力するレーザ光が入射されてもよいし、光源511とは別に変換装置550に設けられた光源が出射するレーザ光が入射されてもよい。 Note that when the optical connection structure 1 includes the optical fiber 12 , the optical fiber 12 is provided in the conversion device 550 in the same manner as the optical fiber 2 . In this case, laser light output from the light source 511 in the conversion device 550 may be incident on the optical fiber 12 , or laser light emitted from a light source provided in the conversion device 550 separately from the light source 511 may be incident on the optical fiber 12 . may

図22は、光接続構造1を備える他のシステム500Cの構成の一例を示す概略図である。システム500Cは、システム500A及び500Bと同様に、光接続構造1の波長変換部4が発する変換光L2を照明光L5として放射する照明システムである。 FIG. 22 is a schematic diagram showing an example of the configuration of another system 500C that includes the optical connection structure 1. As shown in FIG. The system 500C, like the systems 500A and 500B, is an illumination system that emits the converted light L2 emitted by the wavelength converter 4 of the optical connection structure 1 as the illumination light L5.

図22に示されるように、システム500Cは、例えば、上述のレーザ装置510及び放射部560と、中継器580と、光ファイバ2及び3とを備える。中継器580は、光接続構造1における光ファイバ2及び3以外の構成を備える。 As shown in FIG. 22, system 500C includes, for example, laser device 510 and emitter 560, repeater 580, and optical fibers 2 and 3 described above. The repeater 580 has a configuration other than the optical fibers 2 and 3 in the optical connection structure 1 .

レーザ装置510と中継器580とは光ファイバ2で接続されている。光ファイバ2の一端はレーザ装置510と接続され、光ファイバ2の他端は中継器580と接続されている。光ファイバ2は、レーザ装置510とコネクタ接続されてもよいし、他の方法で接続されてもよい。また、光ファイバ2は、中継器580とコネクタ接続されてもよいし、他の方法で接続されてもよい。 The laser device 510 and the repeater 580 are connected by the optical fiber 2 . One end of the optical fiber 2 is connected to the laser device 510 and the other end of the optical fiber 2 is connected to the repeater 580 . The optical fiber 2 may be connectorized with the laser device 510 or otherwise connected. Also, the optical fiber 2 may be connector-connected to the repeater 580, or may be connected by other methods.

中継器580と放射部560とは光ファイバ3で接続されている。光ファイバ3の一端は中継器580と接続され、光ファイバ3の他端は放射部560と接続されている。光ファイバ3は、中継器580とコネクタ接続されてもよいし、他の方法で接続されてもよい。また、光ファイバ3は、放射部560とコネクタ接続されてもよいし、他の方法で接続されてもよい。 The repeater 580 and the radiation section 560 are connected by the optical fiber 3 . One end of the optical fiber 3 is connected to the repeater 580 and the other end of the optical fiber 3 is connected to the radiation section 560 . The optical fiber 3 may be connectorized with the repeater 580 or otherwise connected. Also, the optical fiber 3 may be connector-connected to the radiating section 560, or may be connected by other methods.

光ファイバ2は、レーザ装置510の光源511が出力するレーザ光L1を中継器580まで伝送する。光ファイバ2は中継器580の内部にまで進入している。光ファイバ2の出射面20aは、図1等に示されるように、中継器580内の波長変換部4の近傍に位置している。光ファイバ2の出射面20aから出射するレーザ光L1は、中継器580内の波長変換部4に照射される。 The optical fiber 2 transmits the laser light L1 output from the light source 511 of the laser device 510 to the repeater 580 . The optical fiber 2 enters even inside the repeater 580 . The output surface 20a of the optical fiber 2 is positioned near the wavelength converting section 4 in the repeater 580, as shown in FIG. The laser light L1 emitted from the emission surface 20a of the optical fiber 2 is applied to the wavelength conversion section 4 in the repeater 580. As shown in FIG.

光ファイバ3は中継器580内部にまで進入している。光ファイバ3の入射面30aは、図1等に示されるように、中継器580内の波長変換部4の近傍に位置している。波長変換部4が発する変換光L2は光ファイバ3の入射面30aに入射される。光ファイバ3は、入射された変換光L2を放射部560まで伝送する。放射部560は、光ファイバ3から出射される変換光L2を照明光L5として外部に放射する。 The optical fiber 3 enters even inside the repeater 580 . The incident surface 30a of the optical fiber 3 is positioned near the wavelength converting section 4 in the repeater 580, as shown in FIG. The converted light L2 emitted by the wavelength converter 4 is incident on the incident surface 30a of the optical fiber 3. As shown in FIG. The optical fiber 3 transmits the incident converted light L2 to the radiation section 560 . The radiating section 560 radiates the converted light L2 emitted from the optical fiber 3 to the outside as the illumination light L5.

なお、光接続構造1が光ファイバ12を備える場合には、光ファイバ2と同様に、光ファイバ12の一端はレーザ装置510と接続され、光ファイバ12の他端は中継器580と接続される。この場合、光ファイバ12には、光源511が出力するレーザ光が入射されてもよいし、光源511とは別にレーザ装置510に設けられた光源が出射するレーザ光が入射されてもよい。 When the optical connection structure 1 includes the optical fiber 12, one end of the optical fiber 12 is connected to the laser device 510, and the other end of the optical fiber 12 is connected to the repeater 580, similarly to the optical fiber 2. . In this case, the laser light output by the light source 511 may be incident on the optical fiber 12 , or the laser light emitted by a light source provided in the laser device 510 separately from the light source 511 may be incident on the optical fiber 12 .

光接続構造1を備えるシステムは、上記の例に限られない。例えば、光接続構造1は、内視鏡システムにおいて使用されてもよい。この場合、波長変換部4が発する変換光L2は、胃腸内等の体内を照らす照明光として利用される。また、光接続構造1は、照明光L5を放射する照明システム以外で使用されてもよい。例えば、光接続構造1はプロジェクタで使用されてもよい。この場合、波長変換部4が発する変換光L2が、プロジェクタの光源の光として利用されてもよい。 A system including the optical connection structure 1 is not limited to the above example. For example, the optical connection structure 1 may be used in an endoscope system. In this case, the converted light L2 emitted by the wavelength conversion unit 4 is used as illumination light for illuminating the inside of the body such as the gastrointestinal tract. Also, the optical connection structure 1 may be used in a system other than the lighting system that emits the illumination light L5. For example, the optical connection structure 1 may be used in a projector. In this case, the converted light L2 emitted by the wavelength converter 4 may be used as the light of the light source of the projector.

以上のように、光接続構造及びそれを備えるシステムは詳細に説明されたが、上記した説明は、全ての局面において例示であって、この開示がそれに限定されるものではない。また、上述した各種例は、相互に矛盾しない限り組み合わせて適用可能である。そして、例示されていない無数の例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。 As described above, the optical connection structure and the system including the same have been described in detail, but the above description is illustrative in all aspects, and the present disclosure is not limited thereto. Also, the various examples described above can be applied in combination as long as they do not contradict each other. And it is understood that countless examples not illustrated can be envisioned without departing from the scope of this disclosure.

1 光接続構造
2,3,12 光ファイバ(第1光ファイバ、第2光ファイバ、第3光ファイバ)
4,4A 波長変換部
4B 環状部材
5,5A 基板
6 放熱部材
7,18 高反射率部材
13 金属膜
20,30 コア
20a 出射面
30a 入射面
140,150 被照射領域
L1,L3 レーザ光
L2 変換光
L2a 第1成分
L2b 第2成分
1 optical connection structure 2, 3, 12 optical fiber (first optical fiber, second optical fiber, third optical fiber)
4, 4A wavelength converter 4B annular member 5, 5A substrate 6 heat dissipation member 7, 18 high reflectance member 13 metal film 20, 30 core 20a exit surface 30a entrance surface 140, 150 irradiated area
L1, L3 laser light L2 converted light L2a first component L2b second component

Claims (19)

第1レーザ光を伝送する第1光ファイバと、
前記第1レーザ光が照射され、前記第1レーザ光の照射に応じて前記第1レーザ光の波長スペクトルとは異なる波長スペクトルを有する第1光を発する波長変換部と、
前記第1光が入射され、入射された前記第1光を伝送する第2光ファイバと、
前記第1光を反射する第1部材と
を備え、
前記波長変換部の表面は、
前記第1光ファイバから前記第1レーザ光が直接照射される第1領域と、
前記第1部材上に位置する第2領域と、
前記第1領域と非対向な第3領域と
を有し、
前記第2光ファイバは、前記第3領域に向いた入射面を有し、
前記第1光は、
前記波長変換部から直接出射される成分であって、前記第3領域から出射されて前記入射面に入射する第1成分と、
前記第2領域から出射されて前記第1部材で反射して前記入射面に入射する第2成分と
を含む、光接続構造。
a first optical fiber that transmits the first laser light;
a wavelength conversion unit that is irradiated with the first laser light and emits a first light having a wavelength spectrum different from the wavelength spectrum of the first laser light in response to the irradiation of the first laser light;
a second optical fiber into which the first light is incident and which transmits the incident first light;
A first member that reflects the first light,
The surface of the wavelength conversion part is
a first region directly irradiated with the first laser beam from the first optical fiber;
a second region located on the first member;
Having a third region not facing the first region,
the second optical fiber has an incident surface facing the third region;
The first light is
a first component, which is a component that is directly emitted from the wavelength conversion unit and that is emitted from the third region and is incident on the incident surface;
and a second component that is emitted from the second region, reflected by the first member, and incident on the incident surface.
請求項1に記載の光接続構造であって、
前記第2光ファイバの前記入射面は、前記波長変換部に対して前記第1部材と反対側に位置する、光接続構造。
The optical connection structure according to claim 1,
The optical connection structure, wherein the incident surface of the second optical fiber is located on the side opposite to the first member with respect to the wavelength conversion section.
請求項1または請求項2に記載の光接続構造であって、
前記第2領域は、前記第3領域と対向する第1対向領域を有する、光接続構造。
The optical connection structure according to claim 1 or claim 2,
The optical connection structure, wherein the second region has a first opposing region facing the third region.
請求項1から請求項3のいずれか一つに記載の光接続構造であって、
前記第1部材は、前記第1レーザ光を反射する部分を有する、光接続構造。
The optical connection structure according to any one of claims 1 to 3,
The optical connection structure, wherein the first member has a portion that reflects the first laser beam.
請求項4に記載の光接続構造であって、
前記第2領域は、前記第1領域と対向する第2対向領域を有する、光接続構造。
The optical connection structure according to claim 4,
The optical connection structure, wherein the second region has a second opposing region that faces the first region.
請求項5に記載の光接続構造であって、
前記第2領域は、前記第1領域の周辺に位置する周辺領域を有する、光接続構造。
The optical connection structure according to claim 5,
The optical connection structure, wherein the second region has a peripheral region located around the first region.
請求項1から請求項6のいずれか一つに記載の光接続構造であって、
前記第1光を反射する第2部材をさらに備え、
前記波長変換部の前記表面は、前記第2部材に位置する第4領域を有する、光接続構造。
The optical connection structure according to any one of claims 1 to 6,
further comprising a second member that reflects the first light,
The optical connection structure, wherein the surface of the wavelength converting portion has a fourth region located on the second member.
請求項1から請求項7のいずれか一つに記載の光接続構造であって、
前記第1光ファイバの出射面及び前記第2光ファイバの前記入射面の少なくとも一方は、前記波長変換部の前記表面に接触している、光接続構造。
The optical connection structure according to any one of claims 1 to 7,
The optical connection structure, wherein at least one of the exit surface of the first optical fiber and the entrance surface of the second optical fiber is in contact with the surface of the wavelength converting section.
請求項1から請求項8のいずれか一つに記載の光接続構造であって、
前記第3領域は凹面である、光接続構造。
The optical connection structure according to any one of claims 1 to 8,
The optical connection structure, wherein the third region is concave.
請求項1から請求項9のいずれか一つに記載の光接続構造であって、
前記第3領域から出射される前記第1光の広がりを小さくして前記入射面に入射する光学部材をさらに備える、光接続構造。
The optical connection structure according to any one of claims 1 to 9,
The optical connection structure further comprising an optical member that reduces the spread of the first light emitted from the third region and enters the incident surface.
請求項1から請求項10のいずれか一つに記載の光接続構造であって、
前記波長変換部は、前記第1レーザ光の照射に応じて、前記第1光を構成する蛍光を発する複数の蛍光体を含み、
前記波長変換部では、前記第1領域から遠ざかるほど、蛍光体の濃度が大きくなっている、光接続構造。
The optical connection structure according to any one of claims 1 to 10,
The wavelength conversion unit includes a plurality of phosphors that emit fluorescence constituting the first light in response to irradiation with the first laser light,
In the optical connection structure, in the wavelength conversion section, the concentration of the phosphor increases as the distance from the first region increases.
請求項1から請求項11のいずれか一つに記載の光接続構造であって、
第2レーザ光を伝送する第3光ファイバをさらに備え、
前記波長変換部は、前記第2レーザ光の照射に応じて前記第1光を発し、
前記第3光ファイバは、前記波長変換部の前記表面に対して、前記第1領域とは反対側から前記第2レーザ光を照射する、光接続構造。
The optical connection structure according to any one of claims 1 to 11,
further comprising a third optical fiber that transmits the second laser light,
The wavelength conversion unit emits the first light in response to irradiation with the second laser light,
The optical connection structure, wherein the third optical fiber irradiates the surface of the wavelength converting portion with the second laser light from a side opposite to the first region.
請求項1から請求項12のいずれか一つに記載の光接続構造であって、
前記波長変換部は環状部材であって、
前記環状部材は、前記環状部材の周方向に並ぶ複数の部分を備え、
前記複数の部分のそれぞれは、前記第1レーザ光の照射に応じて前記第1光を発し、
前記複数の部分が発する前記第1光の波長スペクトルは互いに異なる、光接続構造。
The optical connection structure according to any one of claims 1 to 12,
The wavelength conversion part is an annular member,
The annular member includes a plurality of portions arranged in the circumferential direction of the annular member,
each of the plurality of portions emits the first light in response to irradiation with the first laser light;
The optical connection structure, wherein wavelength spectra of the first light emitted by the plurality of portions are different from each other.
請求項1から請求項13のいずれか一つに記載の光接続構造であって、
前記第1部材の表面は、前記第2成分が照射される第5領域を有し、
前記第1部材の前記第5領域での光の反射率は、前記波長変換部の前記第2領域での光の反射率よりも大きい、光接続構造。
The optical connection structure according to any one of claims 1 to 13,
The surface of the first member has a fifth region irradiated with the second component,
The optical connection structure, wherein the reflectance of light in the fifth region of the first member is higher than the reflectance of light in the second region of the wavelength conversion section.
請求項1から請求項14のいずれか一つに記載の光接続構造であって、
前記第1部材の熱伝導率は、前記波長変換部の熱伝導率よりも大きい、光接続構造。
The optical connection structure according to any one of claims 1 to 14,
The optical connection structure, wherein the thermal conductivity of the first member is higher than the thermal conductivity of the wavelength conversion section.
請求項15に記載の光接続構造であって、
前記第1部材が固定される放熱部材をさらに備え、
前記放熱部材の熱伝導率は、前記波長変換部の熱伝導率よりも大きい、光接続構造。
The optical connection structure according to claim 15,
Further comprising a heat dissipation member to which the first member is fixed,
The optical connection structure, wherein the thermal conductivity of the heat dissipation member is higher than the thermal conductivity of the wavelength conversion section.
第1レーザ光を伝送する第1光ファイバと、
前記第1レーザ光が照射され、前記第1レーザ光の照射に応じて前記第1レーザ光の波長スペクトルとは異なる波長スペクトルを有する第1光を発する波長変換部と、
前記第1光が入射され、入射された前記第1光を伝送する第2光ファイバと、
前記第1光を反射する第1部材と
を備え、
前記波長変換部の表面は、
前記第1光ファイバから前記第1レーザ光が直接照射される第1領域と、
前記第1部材上に位置する第2領域と
を有し、
前記第2光ファイバは、前記波長変換部の前記表面のうち、前記第1領域及び前記第2領域以外の第3領域に向いた入射面を有し、
前記入射面は、前記第1光ファイバの出射面と非平行であって、
前記第1光は、
前記波長変換部から直接出射される成分であって、前記波長変換部から出射されて前記入射面に入射する第1成分と、
前記第2領域から出射されて前記第1部材で反射して前記入射面に入射する第2成分と
を含む、光接続構造。
a first optical fiber that transmits the first laser light;
a wavelength conversion unit that is irradiated with the first laser light and emits a first light having a wavelength spectrum different from the wavelength spectrum of the first laser light in response to the irradiation of the first laser light;
a second optical fiber into which the first light is incident and which transmits the incident first light;
A first member that reflects the first light,
The surface of the wavelength conversion part is
a first region directly irradiated with the first laser beam from the first optical fiber;
a second region located on the first member;
the second optical fiber has an incident surface facing a third region other than the first region and the second region on the surface of the wavelength conversion part;
The incident surface is non-parallel to the exit surface of the first optical fiber,
The first light is
a first component, which is a component that is directly emitted from the wavelength conversion unit and that is emitted from the wavelength conversion unit and is incident on the incident surface;
and a second component that is emitted from the second region, reflected by the first member, and incident on the incident surface.
第1レーザ光を伝送する第1光ファイバと、
前記第1レーザ光が照射され、前記第1レーザ光の照射に応じて前記第1レーザ光の波長スペクトルとは異なる波長スペクトルを有する第1光を発する波長変換部と、
前記第1光が入射され、入射された前記第1光を伝送する第2光ファイバと、
前記第1光を反射する第1部材と
を備え、
前記波長変換部の表面は、
前記第1光ファイバから前記第1レーザ光が直接照射される第1領域と、
前記第1部材上に位置する第2領域と
を有し、
前記第2光ファイバは、前記波長変換部の前記表面のうち、前記第1領域及び前記第2領域以外の第3領域に向いた入射面を有し、
前記入射面は、前記波長変換部に対して、前記第1光ファイバの出射面の反対側に位置せず、
前記第1光は、
前記波長変換部から直接出射される成分であって、前記波長変換部から出射されて前記入射面に入射する第1成分と、
前記第2領域から出射されて前記第1部材で反射して前記入射面に入射する第2成分と
を含む、光接続構造。
a first optical fiber that transmits the first laser light;
a wavelength conversion unit that is irradiated with the first laser light and emits a first light having a wavelength spectrum different from the wavelength spectrum of the first laser light in response to the irradiation of the first laser light;
a second optical fiber into which the first light is incident and which transmits the incident first light;
A first member that reflects the first light,
The surface of the wavelength conversion part is
a first region directly irradiated with the first laser beam from the first optical fiber;
a second region located on the first member;
the second optical fiber has an incident surface facing a third region other than the first region and the second region on the surface of the wavelength conversion part;
the incident surface is not located on the opposite side of the emission surface of the first optical fiber with respect to the wavelength converting section,
The first light is
a first component, which is a component that is directly emitted from the wavelength conversion unit and that is emitted from the wavelength conversion unit and is incident on the incident surface;
and a second component that is emitted from the second region, reflected by the first member, and incident on the incident surface.
請求項1から請求項18のいずれか一つに記載の光接続構造を備え、前記光接続構造の前記波長変換部が発する前記第1光を照明光として放射する照明システム。 An illumination system comprising the optical connection structure according to any one of claims 1 to 18, wherein the first light emitted by the wavelength converting section of the optical connection structure is emitted as illumination light.
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