JP2022093233A - Optical film, backlight module, and method of manufacturing optical film - Google Patents

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Abstract

To provide an optical film, backlight module, and method of manufacturing the optical film.SOLUTION: An optical film of the present invention comprises a quantum dot gel layer and a shielding layer disposed on the quantum dot gel layer. The quantum dot gel layer contains a first polymer and quantum dots dispersed in the first polymer. The first polymer contains: 1-5 wt.% photoinitiator, 3-20 wt.% scattering particles, 20-50 wt.% thiol compound, 5-30 wt.% monofunctional acrylic monomer, 20-40 wt.% multifunctional acrylic monomer, 1-5 wt.% organosilicon-grafted oligomer, and 500-1500 ppm inhibitor. The quantum dot gel layer can not only omit all shielding layers, but can also maintain as good blocking effect against water vapor and oxygen while reducing the thickness.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は光学フィルムに関し、特にバックライトモジュールに適用されるＬＥＤ実装量子ドット光学フィルムに関する。 The present invention relates to an optical film, and more particularly to an LED-mounted quantum dot optical film applied to a backlight module.

近年、ディスプレイ技術の発展に伴い、ディスプレイの品質に対する期待が高まっている。量子ドット（ＱｕａｎｔｕｍＤｏｔｓ）は、独特の量子閉じ込め効果により、研究者の間で大きな注目を集めている。量子ドットの発光効率は、従来の有機発光材料と比較して、半値全幅（ＦＷＨＭ）が狭い、粒子が小さい、散乱損失がない、サイズに応じてスペクトルが調整できる、光化学的性能が安定しているなどの利点がある。また、量子ドットの光学特性、電気特性、透過特性は合成過程で調整可能である。これらの利点により、量子ドットは非常に価値のあるものとなっている。現在、量子ドットを用いた高分子複合材料は、バックライトやディスプレイデバイスなどの分野で利用されている。 In recent years, with the development of display technology, expectations for display quality have increased. Quantum Dots have received a great deal of attention among researchers due to their unique quantum confinement effect. Compared to conventional organic light emitting materials, the luminous efficiency of quantum dots is narrower in full width at half maximum (FWHM), smaller particles, no scattering loss, spectrum can be adjusted according to size, and photochemical performance is stable. There are advantages such as being. In addition, the optical characteristics, electrical characteristics, and transmission characteristics of quantum dots can be adjusted during the synthesis process. These advantages make quantum dots extremely valuable. Currently, polymer composite materials using quantum dots are used in fields such as backlights and display devices.

しかしながら、量子ドットの発光効率は酸素、水分等の影響を極めて受けやすい。従来の光学フィルム技術では、量子ドットフィルムの表裏面に樹脂フィルムを配置したり、さらにその上にバリアフィルムを配置したりして、水分や酸素を遮断する光学フィルム能力を向上させることが一般的である。しかし、このような追加層構造は、余分なコストや生産時間が増大するだけでなく、最終製品の厚みを薄くすることができないため、テレビ以外の表示装置に適用することができず、表示装置への量子ドット技術の適用範囲が限定されてしまうという問題があった。 However, the luminous efficiency of quantum dots is extremely susceptible to the effects of oxygen, moisture, and the like. In conventional optical film technology, it is common to place a resin film on the front and back surfaces of a quantum dot film, or to place a barrier film on top of it to improve the optical film's ability to block moisture and oxygen. Is. However, such an additional layer structure not only increases extra cost and production time, but also cannot reduce the thickness of the final product, so that it cannot be applied to a display device other than a television, and the display device cannot be applied. There was a problem that the scope of application of the quantum dot technology to was limited.

したがって、付加層を省略するように量子ドットゲル層の処方を改良することで、上述した欠陥をいかに克服するかが、本技術分野で解決すべき重要な課題の一つとなっている。 Therefore, how to overcome the above-mentioned defects by improving the formulation of the quantum dot gel layer so as to omit the additional layer is one of the important problems to be solved in the present technical field.

本発明において解決しようとする課題は、既存の技術の不足に対し、量子ドットゲル層の単層構造のみで構成され、膜厚がわずか３０～５０μｍとなる光学フィルムを提供することである。 An object to be solved in the present invention is to provide an optical film having only a single-layer structure of a quantum dot gel layer and having a film thickness of only 30 to 50 μm, in response to the lack of existing techniques.

上記の技術的課題を解決するために、本発明が採用する技術的手段の１つとしては、下記のような光学フィルムを提供する。光学フィルムは、量子ドットゲル層で構成される。さらに詳しくは、量子ドットゲル層は、第１のポリマー、及び前記第１のポリマーに分散される複数の量子ドットを含み、かつ、量子ドットゲル層の総重量を１００重量パーセントとする場合、前記第１のポリマーは、光開始剤１～５ｗｔ％と、散乱粒子３～２０ｗｔ％と、チオール化合物２０～５０ｗｔ％と、単官能アクリル系単量体５～３０ｗｔ％と、多官能アクリル系単量体２０～４０ｗｔ％と、有機ケイ素グラフトオリゴマー１～５ｗｔ％と、インヒビター５００～１５００ｐｐｍとを含む。 As one of the technical means adopted by the present invention in order to solve the above technical problems, the following optical films are provided. The optical film is composed of a quantum dot gel layer. More specifically, when the quantum dot gel layer contains a first polymer and a plurality of quantum dots dispersed in the first polymer, and the total weight of the quantum dot gel layer is 100% by weight, the first. The polymers of the above are photoinitiator 1 to 5 wt%, scattered particles 3 to 20 wt%, thiol compound 20 to 50 wt%, monofunctional acrylic monomer 5 to 30 wt%, and polyfunctional acrylic monomer 20. It contains ~ 40 wt%, organic silicon graft oligomers 1-5 wt% and inhibitors 500-1500 ppm.

本発明に係る具体的な実施形態において、前記量子ドットゲル層は第１の表面及び第２の表面を有し、前記第１の表面及び前記第２の表面のいずれも遮蔽層が設けらずに外部に露出されている。 In a specific embodiment of the present invention, the quantum dot gel layer has a first surface and a second surface, and neither the first surface nor the second surface is provided with a shielding layer. It is exposed to the outside.

本発明に係る具体的な実施形態において、前記チオール化合物は、２，２’－（エチレンジオキシ）ジエチルメルカプタン、２，２’－チオジエチルメルカプタン、トリメチロールプロパントリス（３－メルカプトプロピオネート）、ポリエチレングリコールジチオール、ペンタエリスリトールテトラ（３－メルカプトプロピオネート）、エチレングリコールジメルカプトアセテート及び２－メルカプトプロピオン酸エチルからなる群から選ばれる。 In a specific embodiment according to the present invention, the thiol compound is 2,2'-(ethylenedioxy) diethyl mercapto, 2,2'-thiodiethyl mercaptan, trimethylolpropanthris (3-mercaptopropionate). , Polyethylene glycol dithiol, pentaerythritol tetra (3-mercaptopropionate), ethylene glycol dimercaptoacetate and ethyl 2-mercaptopropionate.

本発明に係る具体的な実施形態において、前記単官能アクリル系単量体は、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、ステアリルアクリレート、アクリル酸ラウリルメタクリレート、アクリル酸ラウリル、イソボルニルメタクリレート、トリデシルアクリレート、アルコキシル化ノニルフェノールアクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコール（６００）ジメタクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート及びエトキシル化（１０）ビスフェノールＡジメタクリレートからなる群から選ばれる。 In a specific embodiment of the present invention, the monofunctional acrylic monomer is tetrahydrofurfuryl methacrylate, stearyl acrylate, lauryl methacrylate acrylate, lauryl acrylate, isobornyl methacrylate, tridecyl acrylate, nonyl alkylated nonylphenol. It is selected from the group consisting of acrylates, tetraethylene glycol dimethacrylates, polyethylene glycol (600) dimethacrylates, tripropylene glycol diacrylates and ethoxylated (10) bisphenol A dimethacrylates.

本発明に係る具体的な実施形態において、前記多官能アクリル系単量体は、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、エトキシル化（２０）トリメチロールプロパントリアクリレート及びペンタエリスリトールトリアクリレートからなる群から選ばれる。 In a specific embodiment of the present invention, the polyfunctional acrylic monomer comprises trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, ethoxylated (20) trimethylolpropane triacrylate and pentaerythritol triacrylate. Selected from the group.

本発明に係る具体的な実施形態において、前記有機ケイ素グラフトオリゴマーは、シリコーンアクリレート及びシリコーンエポキシ樹脂からなる群から選ばれる。 In a specific embodiment of the present invention, the organosilicon graft oligomer is selected from the group consisting of silicone acrylates and silicone epoxy resins.

本発明に係る具体的な実施形態において、前記インヒビターは、ピロガロール（ＰＹＲ）、キノール、カテコール、ヨウ化カリウム－ヨウ素混合物、ヒンダードフェノール系酸化防止剤（Ｈｉｎｄｅｒｅｄ ｐｈｅｎｏｌ ａｎｔｉｏｘｉｄａｎｔｓ）、アルミニウムまたは鉄の試薬塩（Ｎ－ニトロソフェニルヒドロキシルアミン塩）（Ｎ－ｎｉｔｒｏｓｏｐｈｅｎｙｌｈｙｄｒｏｘｙｌａｍｉｎｅ ａｍｍｏｎｉｕｍ ｓａｌｔ，Ｎ－ｎｉｔｒｏｓｏ－Ｎ－ｐｈｅｎｙｌｈｙｄｒｏｘｙｌａｍｉｎｅ ａｌｕｍｉｎｕｍ ｓａｌｔ）、３－プロペニルフェノール、トリアリールホスフィンとホスファイト（ｔｒｉａｒｙｌ ｐｈｏｓｐｈｉｎｅｓ ａｎｄ ｐｈｏｓｐｈｉｔｅｓ）、ホスホン酸（ｐｈｏｓｐｈｏｎｉｃ ａｃｉｄ）、アルケニルフェノールと試薬塩の組成物（ｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ ｏｆ ａｎ ａｌｋｅｎｙｌ－ｐｈｅｎｏｌ ａｎｄ ｃｕｐｆｅｒｒｏｎａｔｅ ｓａｌｔ）からなる群から選ばれる。 In a specific embodiment of the invention, the inhibitor is pyrogalol (PYR), quinol, catechol, potassium iodide-iodine mixture, Hindered phenolic antioxidants, a reagent salt of aluminum or iron. (N-nitrosophenylhydroxylamine aluminum salt, N-nitroso-N-phenylhydroxylamine alluminum salt), 3-propenylphenol, triarylphosphin and phosphite phosphodies ), Composition of alkenylphenol and reagent salt (combination of an alcohol-phenol and cupferronate salt).

上記技術的課題を解決するために、本発明が採用する他の技術的手段は、下記のような光学フィルムの製造方法を提供することである。光学フィルムの製造方法は、複数の量子ドットを第１のポリマーに分散させ、量子ドットゲル層として形成させる。量子ドットゲル層の総重量を１００重量パーセントとする場合、前記第１のポリマーは、光開始剤１～５ｗｔ％と、散乱粒子３～２０ｗｔ％と、チオール化合物２０～５０ｗｔ％と、単官能アクリル系単量体５～３０ｗｔ％と、多官能アクリル系単量体２０～４０ｗｔ％と、有機ケイ素グラフトオリゴマー１～５ｗｔ％と、インヒビター５００～１５００ｐｐｍとを含む。 Another technical means adopted by the present invention in order to solve the above technical problems is to provide a method for manufacturing an optical film as described below. In the method of manufacturing an optical film, a plurality of quantum dots are dispersed in a first polymer to form a quantum dot gel layer. When the total weight of the quantum dot gel layer is 100% by weight, the first polymer contains 1 to 5 wt% of a photoinitiator, 3 to 20 wt% of scattered particles, 20 to 50 wt% of a thiol compound, and a monofunctional acrylic system. It contains 5 to 30 wt% of a monomer, 20 to 40 wt% of a polyfunctional acrylic monomer, 1 to 5 wt% of an organic silicon graft oligomer, and 500 to 1500 ppm of an inhibitor.

本発明に係る具体的な実施形態において、光学フィルムの製造方法ではさらに、複数の量子ドットゲル層を前記単官能アクリル系単量体に分散させてから、前記インヒビターを仕込むようにする。 In a specific embodiment of the present invention, in the method for producing an optical film, a plurality of quantum dot gel layers are further dispersed in the monofunctional acrylic monomer, and then the inhibitor is charged.

本発明に係る具体的な実施形態において、光学フィルムの製造方法では、前記インヒビターを仕込んだ後、さらに、チオール化合物を仕込んで、前記多官能アクリル系単量体と混合してから、最後に、前記光開始剤、前記散乱粒子及び前記有機ケイ素グラフトオリゴマーを仕込むようにする。 In a specific embodiment of the present invention, in the method for producing an optical film, after charging the inhibitor, further charging a thiol compound, mixing with the polyfunctional acrylic monomer, and finally, The photoinitiator, the scattered particles and the organosilicon graft oligomer are charged.

上記技術的課題を解決するために、本発明が採用する他の技術的手段は、下記のようなバックライトモジュールを提供することである。バックライトモジュールは、ライトガイドユニット、少なくとも１つの発光ユニット及び光学フィルムを含む。なかでも、前記光学フィルムが前記光入射側に対応すると共に、前記ライトガイドユニットと少なくとも１つの前記発光ユニットとの間に位置し、前記光学フィルムは、第１のポリマー、及び前記第１のポリマーに分散される複数の量子ドットを含む量子ドットゲル層で構成され、前記第１のポリマーは、光開始剤１～５ｗｔ％と、散乱粒子３～２０ｗｔ％と、チオール化合物２０～５０ｗｔ％と、単官能アクリル系単量体５～３０ｗｔ％と、多官能アクリル系単量体２０～４０ｗｔ％と、有機ケイ素グラフトオリゴマー１～５ｗｔ％と、インヒビター５００～１５００ｐｐｍと、を含む。 Another technical means adopted by the present invention in order to solve the above technical problems is to provide a backlight module as described below. The backlight module includes a light guide unit, at least one light emitting unit and an optical film. Among them, the optical film corresponds to the light incident side and is located between the light guide unit and at least one light emitting unit, and the optical film is a first polymer and the first polymer. The first polymer is composed of a quantum dot gel layer containing a plurality of quantum dots dispersed in, and the first polymer is simply composed of 1 to 5 wt% of a photoinitiator, 3 to 20 wt% of scattered particles, and 20 to 50 wt% of a thiol compound. It contains 5 to 30 wt% of a functional acrylic monomer, 20 to 40 wt% of a polyfunctional acrylic monomer, 1 to 5 wt% of an organic silicon graft oligomer, and 500 to 1500 ppm of an inhibitor.

本発明による有益な効果の１つとしては、本発明が提供する光学フィルム、バックライトモジュール、及び光学フィルムの製造方法では、「量子ドットゲル層が第１のポリマー、及び前記第１のポリマーに分散される複数の量子ドットを含む」、及び「前記第１のポリマーは、光開始剤１～５ｗｔ％と、散乱粒子３～２０ｗｔ％と、チオール化合物２０～５０ｗｔ％と、単官能アクリル系単量体５～３０ｗｔ％と、多官能アクリル系単量体２０～４０ｗｔ％と、有機ケイ素グラフトオリゴマー１～５ｗｔ％と、インヒビター５００～１５００ｐｐｍと、を含む」という技術的手段によって、両面または一方面の遮蔽層が省略でき、即ち、量子ドット接着剤層のみで、両面遮蔽構造と同様の優れた耐水酸化防止効果を維持している。 One of the beneficial effects of the present invention is that in the optical film, the backlight module, and the method for manufacturing the optical film provided by the present invention, "the quantum dot gel layer is dispersed in the first polymer and the first polymer. "The first polymer contains 1 to 5 wt% of a photoinitiator, 3 to 20 wt% of scattered particles, 20 to 50 wt% of a thiol compound, and a monofunctional acrylic monomer." It contains 5 to 30 wt% of the body, 20 to 40 wt% of a polyfunctional acrylic monomer, 1 to 5 wt% of an organic silicon graft oligomer, and 500 to 1500 ppm of an inhibitor. " The shielding layer can be omitted, that is, only the quantum dot adhesive layer maintains the same excellent hydroxylation resistance preventing effect as the double-sided shielding structure.

本発明に係る具体的な実施形態の光学フィルムを示す断面模式図である。It is sectional drawing which shows the optical film of the specific embodiment which concerns on this invention. 本発明に係る具体的な実施形態の光学フィルムの製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing method of the optical film of the specific embodiment which concerns on this invention. 本発明に係る他の具体的な実施形態の光学フィルムの製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing method of the optical film of another specific embodiment which concerns on this invention. 本発明に係る実施形態のバックライトモジュールを示す断面模式図である。It is sectional drawing which shows the backlight module of embodiment which concerns on this invention.

本発明の特徴及び技術内容がより一層分かるように、以下本発明に関する詳細な説明と添付図面を参照する。しかし、提供される添付図面は参考と説明のために提供するものに過ぎず、本発明の特許請求の範囲を制限するためのものではない。 In order to further understand the features and technical contents of the present invention, the detailed description and the accompanying drawings relating to the present invention will be referred to below. However, the accompanying drawings provided are provided for reference only and are not intended to limit the scope of the claims of the present invention.

下記より、具体的な実施例で本発明が開示する「光学フィルム、バックライトモジュール及び光学フィルムの製造方法」に係る実施形態を説明する。当業者は本明細書の公開内容により本発明のメリット及び効果を理解し得る。本発明は他の異なる実施形態により実行又は応用できる。本明細書における各細節も様々な観点又は応用に基づいて、本発明の精神逸脱しない限りに、均等の変形と変更を行うことができる。また、本発明の図面は簡単で模式的に説明するためのものであり、実際的な寸法を示すものではない。以下の実施形態において、さらに本発明に係る技術事項を説明するが、公開された内容は本発明を限定するものではない。 Hereinafter, embodiments according to the "method for manufacturing an optical film, a backlight module, and an optical film" disclosed by the present invention in specific examples will be described. Those skilled in the art can understand the merits and effects of the present invention from the published contents of the present specification. The present invention can be implemented or applied by other different embodiments. Each subsection in the present specification can also be uniformly modified and modified based on various viewpoints or applications as long as it does not deviate from the spirit of the present invention. Further, the drawings of the present invention are for simple and schematic explanations, and do not show practical dimensions. In the following embodiments, the technical matters relating to the present invention will be further described, but the published contents are not limited to the present invention.

図１を参照されたい。本発明に係る第１の実施形態は、光学フィルムＭを提供する。光学フィルムＭは、量子ドットゲル層１０で構成される。詳しくは、量子ドットゲル層１０は、第１のポリマー１０１、及び第１のポリマーに分散される複数の量子ドット１０２を含む。さらに言えば、量子ドットゲル層１０は第１の表面１０Ａ及び第２の表面１０Ｂを有し、第１の表面１０Ａ及び第２の表面１０Ｂはいずれも被覆されずに外部に露出されている。 See FIG. The first embodiment according to the present invention provides an optical film M. The optical film M is composed of the quantum dot gel layer 10. Specifically, the quantum dot gel layer 10 includes a first polymer 101 and a plurality of quantum dots 102 dispersed in the first polymer. Furthermore, the quantum dot gel layer 10 has a first surface 10A and a second surface 10B, and neither the first surface 10A nor the second surface 10B is exposed to the outside without being covered.

詳しくは、光学フィルムＭ、即ち、量子ドットゲル層１０の厚さはおよそ３０～５０μｍである。 Specifically, the thickness of the optical film M, that is, the quantum dot gel layer 10, is about 30 to 50 μm.

さらに量子ドットゲル層の配合について説明する。量子ドットゲル層は、第１のポリマー、及び第１のポリマーに分散される複数の量子ドットを含む。詳しくは、量子ドットゲル層は０．１～５量子ドットの無機材料を含み、量子ドットゲル層の総重量を１００重量パーセントとする場合、第１のポリマーは、光開始剤１～５ｗｔ％と、散乱粒子３～２０ｗｔ％と、チオール化合物２０～５０ｗｔ％と、単官能アクリル系単量体５～３０ｗｔ％と、多官能アクリル系単量体２０～４０ｗｔ％と、有機ケイ素グラフトオリゴマー１～５ｗｔ％と、インヒビター５００～１５００ｐｐｍと、を含む。注意すべきは、量子ドットゲル層の総重量を１００重量パーセントとする場合、光開始剤、散乱粒子、チオール化合物、単官能アクリル系単量体、多官能アクリル系単量体及び有機ケイ素グラフトオリゴマーが混合された総重量は、１００重量パーセントにして、さらに、インヒビター５００～１５００ｐｐｍを加えるようになる。 Further, the formulation of the quantum dot gel layer will be described. The quantum dot gel layer contains a first polymer and a plurality of quantum dots dispersed in the first polymer. Specifically, the quantum dot gel layer contains an inorganic material of 0.1 to 5 quantum dots, and when the total weight of the quantum dot gel layer is 100% by weight, the first polymer scatters with 1 to 5 wt% of the photoinitiator. Particles 3 to 20 wt%, thiol compound 20 to 50 wt%, monofunctional acrylic monomer 5 to 30 wt%, polyfunctional acrylic monomer 20 to 40 wt%, and organic silicon graft oligomer 1 to 5 wt%. , With an inhibitor of 500 to 1500 ppm. It should be noted that when the total weight of the quantum dot gel layer is 100% by weight, the photoinitiator, the scattering particles, the thiol compound, the monofunctional acrylic monomer, the polyfunctional acrylic monomer and the organic silicon graft oligomer are used. The total weight of the mixture will be 100% by weight, and the inhibitor will be further added at 500-1500 ppm.

光開始剤は、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンゾイルイソプロパノール、トリブロモメチルベンゼン及びジフェニル（２，４，６－トリメチルベンゾイル）ホスフィンオキシドからなる群から選ばれる。前記散乱粒子は粒子径が０．５～２０μｍであると共に、表面が処理されたアクリルまたは二酸化ケイ素またはポリスチレンマイクロビーズである。なお、光開始剤の含有量が１ｗｔ％を下回ると硬化し難くなり、光開始剤の含有量が５ｗｔ％を上回るとゲル体の特性に悪い影響がかかっている。 The photoinitiator is selected from the group consisting of 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, benzoylisopropanol, tribromomethylbenzene and diphenyl (2,4,6-trimethylbenzoyl) phosphine oxide. The scattered particles are acrylic, silicon dioxide, or polystyrene microbeads having a particle size of 0.5 to 20 μm and having a treated surface. If the content of the photoinitiator is less than 1 wt%, it becomes difficult to cure, and if the content of the photoinitiator exceeds 5 wt%, the characteristics of the gel body are adversely affected.

散乱粒子は、粒子径が０．５～１０μｍであると共に表面が処理されたマイクロビーズであり、マイクロビーズの素材としては、アクリル、二酸化ケイ素、二酸化ゲルマニウム、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、酸化アルミニウムまたはポリスチレンが挙げられる。散乱粒子の屈折率はおよそ１．３９～１．４５である。散乱粒子によって、量子ドットが発光した光が散乱され、量子ドットゲル層による光がより均一になる。散乱粒子の含有量が３ｗｔ％を下回ると、ヘイズが足りず、散乱粒子の含有量が２０ｗｔ％を上回ると、全体的に樹脂の含有量が足りず、分散性と加工性に悪い影響がかかっている。 Scattered particles are microbeads having a particle size of 0.5 to 10 μm and having a treated surface, and the materials for the microbeads are acrylic, silicon dioxide, germanium dioxide, titanium dioxide, zirconium dioxide, aluminum oxide or polystyrene. Can be mentioned. The refractive index of the scattered particles is approximately 1.39 to 1.45. The scattered particles scatter the light emitted by the quantum dots, making the light from the quantum dot gel layer more uniform. If the content of the scattered particles is less than 3 wt%, the haze is insufficient, and if the content of the scattered particles is more than 20 wt%, the resin content is insufficient as a whole, which adversely affects the dispersibility and processability. ing.

具体的に、チオール化合物は、２，２‘－（エチレンジオキシ）ジエチルメルカプタン、２，２’－チオジエチルメルカプタン、トリメチロールプロパントリス（３－メルカプトプロピオネート）、ポリエチレングリコールジチオール、ペンタエリスリトールテトラ（３－メルカプトプロピオネート）、エチレングリコールジメルカプトアセテート及び２－メルカプトプロピオン酸エチルからなる群から選ばれる。チオール化合物は、メルカプト官能基（－ＳＨ）を含有する非芳香族化合物であり、量子ドットとの結合に良好な官能基を提供し、量子ドットの分散性を向上させることができる。なお、チオール化合物の含有量を既存の技術に比べて高くにすることで、重合度を高くすることができるため、２０ｗｔ％を下回ると効果が出られず、チオール化合物の含有量が５０ｗｔ％を上回るとゲル材が柔らかく過ぎで、屈折されやすくなってしまう。 Specifically, the thiol compounds include 2,2'-(ethylenedioxy) diethyl mercapto, 2,2'-thiodiethyl mercaptan, trimethyl propanthris (3-mercaptopropionate), polyethylene glycol dithiol, and pentaerythritol tetra. It is selected from the group consisting of (3-mercaptopropionate), ethylene glycol dimercaptoacetate and ethyl 2-mercaptopropionate. The thiol compound is a non-aromatic compound containing a mercapto functional group (-SH), which can provide a good functional group for binding to quantum dots and improve the dispersibility of quantum dots. Since the degree of polymerization can be increased by increasing the content of the thiol compound as compared with the existing technology, no effect can be obtained if the content is less than 20 wt%, and the content of the thiol compound is 50 wt%. If it is exceeded, the gel material will be too soft and will be easily refracted.

単官能アクリル系単量体は、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、ステアリルアクリレート、アクリル酸ラウリルメタクリレート、アクリル酸ラウリル、イソボルニルメタクリレート、トリデシルアクリレート、アルコキシル化ノニルフェノールアクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコール（６００）ジメタクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート及びエトキシル化（１０）ビスフェノールＡジメタクリレートからなる群から選ばれる。単官能アクリル系単量体が少なすぎると量子ドットの分散性が悪くなり、多すぎると重合効率が悪くなり、耐候性も悪くなる。 The monofunctional acrylic monomers include tetrahydrofurfuryl methacrylate, stearyl acrylate, lauryl methacrylate acrylate, lauryl acrylate, isobornyl methacrylate, tridecyl acrylate, nonyl alkylated nonylphenol acrylate, tetraethylene glycol dimethacrylate, and polyethylene glycol (600). ) Dimethacrylate, tripropylene glycol diacrylate and ethoxylated (10) Bisphenol A dimethacrylate. If the amount of the monofunctional acrylic monomer is too small, the dispersibility of the quantum dots is deteriorated, and if it is too large, the polymerization efficiency is deteriorated and the weather resistance is also deteriorated.

多官能アクリル系単量体は、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、エトキシル化（２０）トリメチロールプロパントリアクリレート及びペンタエリスリトールトリアクリレートからなる群から選ばれる。多官能アクリル系単量体を過剰に添加すると、プラスチック材料がもろくなりすぎて破損しやすくなってしまう。 The polyfunctional acrylic monomer is selected from the group consisting of trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, ethoxylated (20) trimethylolpropane triacrylate and pentaerythritol triacrylate. If the polyfunctional acrylic monomer is added in excess, the plastic material becomes too brittle and easily damaged.

有機ケイ素グラフトオリゴマーは、疎水性基を持つ短鎖有機ケイ素グラフトオリゴマーであり、それは、シリコーンアクリレート及びシリコーンエポキシ樹脂からなる群から選ばれる。有機ケイ素グラフトオリゴマーは、ポリマーの耐候性を高め、機械的強度を向上させることができる。具体的には、既存の光学フィルムから遮蔽層を省くと、耐水性や耐酸性が低下するだけでなく、機械的強度も不足になってしまう。なお、有機ケイ素グラフトオリゴマーを１～５ｗｔ％配合することで、量子ドットゲル層の機械的強度を向上させることができる。また、これを超えると分散性や加工性に影響し、コストアップにつながる場合もある。 Organosilicon graft oligomers are short-chain organosilicon graft oligomers with hydrophobic groups, which are selected from the group consisting of silicone acrylates and silicone epoxy resins. The organosilicon graft oligomer can enhance the weather resistance of the polymer and improve the mechanical strength. Specifically, if the shielding layer is omitted from the existing optical film, not only the water resistance and acid resistance are lowered, but also the mechanical strength is insufficient. The mechanical strength of the quantum dot gel layer can be improved by blending 1 to 5 wt% of the organosilicon graft oligomer. In addition, if it exceeds this, it affects the dispersibility and processability, which may lead to an increase in cost.

インヒビターは、ピロガロール（ＰＹＲ）、キノール、カテコール、ヨウ化カリウム－ヨウ素混合物、ヒンダードフェノール系酸化防止剤（Ｈｉｎｄｅｒｅｄ ｐｈｅｎｏｌ ａｎｔｉｏｘｉｄａｎｔｓ）、アルミニウムまたは鉄の試薬塩（Ｎ－ニトロソフェニルヒドロキシルアミン塩）（Ｎ－ｎｉｔｒｏｓｏｐｈｅｎｙｌ ｈｙｄｒｏｘｙｌａｍｉｎｅ ａｍｍｏｎｉｕｍ ｓａｌｔ，Ｎ－ｎｉｔｒｏｓｏ－Ｎ－ｐｈｅｎｙｌｈｙｄｒｏｘｙｌａｍｉｎｅ ａｌｕｍｉｎｕｍ ｓａｌｔ）、３－プロペニルフェノール、トリアリールホスフィンとホスファイト（ｔｒｉａｒｙｌ ｐｈｏｓｐｈｉｎｅｓ ａｎｄ ｐｈｏｓｐｈｉｔｅｓ）、ホスホン酸（ｐｈｏｓｐｈｏｎｉｃ ａｃｉｄ）、アルケニルフェノールと試薬塩の組成物（ｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ ｏｆ ａｎ ａｌｋｅｎｙｌ－ｐｈｅｎｏｌ ａｎｄ ｃｕｐｆｅｒｒｏｎａｔｅ ｓａｌｔ）からなる群から選ばれる。インヒビターは反応速度を効果的に減らすことができる。このように、成分同士が互いに影響されるのから避けることができる。例えば、チオール化合物と多官能アクリル系単量体は、常温で自体反応しやすいため、調製の際に、インヒビターを加えることでより優れた加工性を果たせると共に、より安定的な保存性を持たせることができる。しかし、添加量が５００ｐｐｍ未満では抑制効果が得られず、１５００ｐｐｍを超えると光硬化効率に影響が及ばされる。 Inhibitors include pyrogallol (PYR), quinol, catechol, potassium iodide-iodine mixture, Hindered phenyl antioxidants, aluminum or iron reagent salt (N-nitrosophenyl hydroxylamine salt) (N-). nitrosophenyl hydroxylamine aluminum salt, N-nitroso-N-phenylhydroxylamine alumminum salt, 3-propenylphenol, triarylphosphine and phosphite (triaryl phosphine syl phosphine syl phosphine acid) It is selected from the group consisting of combination of an alkenyl-phenol and cuppheronate salt). Inhibitors can effectively reduce the reaction rate. In this way, it can be avoided because the components are influenced by each other. For example, since a thiol compound and a polyfunctional acrylic monomer easily react with each other at room temperature, by adding an inhibitor at the time of preparation, better processability can be achieved and more stable storage stability can be achieved. be able to. However, if the addition amount is less than 500 ppm, the suppressing effect cannot be obtained, and if it exceeds 1500 ppm, the photocuring efficiency is affected.

さらに言えば、複数の量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔｓ，ＱＤｓ）は、赤色量子ドット、緑色量子ドット、青色量子ドット及びそれらの混ぜ合わせたものを含む。例えば、赤色の量子ドットと緑色量子ドットとを混ぜ合わせるものである。それらの量子ドットは同じまたは異なる粒子径を有する。また、量子ドットのそれぞれは例えば、コアと外殻を含むことができ、外殻がコアを覆っている。１つまたは複数の実施形態において、量子ドットのコア／外殻の素材は、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）／硫化亜鉛（ＺｎＳ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）／硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化鉛（ＰｂＳｅ）／硫化鉛（ＰｂＳ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）／硫化カドミウム（ＣｄＳ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）／硫化カドミウム（ＣｄＳ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）／硫化亜鉛（ＺｎＳ）であってもよいが、本発明はこの例に制限されない。 Furthermore, a plurality of quantum dots (Quantum Dots, QDs) include red quantum dots, green quantum dots, blue quantum dots, and a mixture thereof. For example, it mixes red quantum dots and green quantum dots. The quantum dots have the same or different particle sizes. Also, each of the quantum dots can include, for example, a core and an outer shell, the outer shell covering the core. In one or more embodiments, the core / outer shell material of the quantum dots is cadmium selenide (CdSe) / zinc sulfide (ZnS), indium phosphate (InP) / zinc sulfide (ZnS), lead selenium (ZnS). PbSe) / lead sulfide (PbS), cadmium selenide (CdSe) / cadmium sulfide (CdS), cadmium selenide (CdTe) / cadmium sulfide (CdS), cadmium selenide (CdTe) / zinc sulfide (ZnS). However, the present invention is not limited to this example.

さらに、量子ドットのコアおよび外殻の両方は、グループＩＩ－ＶＩ、グループＩＩ－Ｖ、グループＩＩＩ－ＶＩ、グループＩＩＩ－Ｖ、グループＩＶ－ＶＩ、グループＩＩ－ＩＶ－ＶＩまたはグループＩＩ－ＩＶ－Ｖの複合材料であってもよく、ここで、用語「グループ」は周期表の族を意味する。 In addition, both the core and outer shell of the quantum dots are Group II-VI, Group II-V, Group III-VI, Group III-V, Group IV-VI, Group II-IV-VI or Group II-IV-. It may be a composite material of V, where the term "group" means a group of periodic tables.

なかでも、コアの素材としては、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、硫化水銀（ＨｇＳ）、セレン化水銀（ＨｇＳｅ）、ＨｇＴｅ（テルル化水銀）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、リン化アルミニウム（ＡｌＰ）、ヒ化アルミニウム（ＡｌＡｓ）、アンチモン化アルミニウム（ＡｌＳｂ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、アンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）、セレン化ガリウム（ＧａＳｅ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、インジウムヒ素（ＩｎＡｓ）、アンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）、窒化タリウム（ＴｌＮ）、リン化タリウム（ＴｌＰ）、タリウムヒ化物（ＴｌＡｓ）、タリウムアンチモニド（ＴｌＳｂ）、硫化鉛（ＰｂＳ）、セレン化鉛（ＰｂＳｅ）、テルル化鉛（ＰｂＴｅ）硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、硫化水銀（ＨｇＳ）、セレン化水銀（ＨｇＳｅ）、ＨｇＴｅ（テルル化水銀）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、リン化アルミニウム（ＡｌＰ）、ヒ化アルミニウム（ＡｌＡｓ）、アンチモン化アルミニウム（ＡｌＳｂ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、アンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）、セレン化ガリウム（ＧａＳｅ）、窒化インジ又はそれらの任意の組み合わせが挙げられる。 Among them, the core materials include zinc sulfide (ZnS), zinc telluride (ZnSe), zinc telluride (ZnTe), cadmium sulfide (CdS), cadmium selenium (CdSe), cadmium telluride (CdTe), and sulfide. Mercury (HgS), mercury selenium (HgSe), HgTe (mercury telluride), aluminum nitride (AlN), aluminum phosphate (AlP), aluminum arsenide (AlAs), antimonized aluminum (AlSb), gallium nitride (GaN) ), Gallium phosphate (GaP), gallium arsenic (GaAs), antimonized gallium (GaSb), selenium gallium (GaSe), indium nitride (InN), indium phosphate (InP), indium arsenic (InAs), antimonization. Indium (InSb), Talium Nitride (TlN), Talium Phosphorus (TlP), Talium Hydrate (TlAs), Talium Antimonide (TlSb), Lead Sulphide (PbS), Lead Serene (PbSe), Lead Telluride (PbTe) Zinc sulfide (ZnS), zinc telluride (ZnSe), zinc telluride (ZnTe), cadmium sulfide (CdS), cadmium selenium (CdSe), cadmium telluride (CdTe), mercury sulfide (HgS), mercury selenium (HgS) HgSe), HgTe (mercury telluride), aluminum nitride (AlN), aluminum phosphate (AlP), aluminum arsenide (AlAs), antimonized aluminum (AlSb), gallium nitride (GaN), gallium phosphate (GaP), Gallium arsenide (GaAs), antimonized gallium (GaSb), selenium gallium (GaSe), inge nitride or any combination thereof can be mentioned.

外殻の素材としては、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ））、マグネシウム酸化物（ＭｇＯ）、硫化マグネシウム（ＭｇＳ）、セレン化マグネシウム（ＭｇＳｅ）、テルル化亜鉛（ＭｇＴｅ）、酸化水銀（ＨｇＯ）、硫化水銀（ＨｇＳ）、セレン化水銀（ＨｇＳｅ）、テルル化水銀（ＨｇＴｅ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、硫化アルミニウム（ＡｌＰ）、砒素アルミニウム（ＡｌＡｓ）、アンチモン化アルミニウム（ＡｌＳｂ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、硫化ガリウム（ＧａＰ）、砒素ガリウム（ＧａＡｓ）、アンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、砒素インジウム（ＩｎＡｓ）、アンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）、窒化タリウム（ＴｌＮ）、リン化タリウム（ＴｌＰ））、砒素タリウム（ＴｌＡｓ）、アンチモン化タリウム（ＴｌＳｂ）、硫化鉛（ＰｂＳ）、セレン化鉛（ＰｂＳｅ）、テルル化鉛（ＰｂＴｅ）又はそれらの任意の組み合わせが挙げられる。 The outer shell material includes zinc oxide (ZnO), zinc sulfide (ZnS), zinc selenium (ZnSe), zinc telluride (ZnTe), cadmium oxide (CdO), cadmium sulfide (CdS), and cadmium selenium (CdSe). ), Cadmium telluride (CdTe)), magnesium oxide (MgO), magnesium sulfide (MgS), magnesium selenate (MgSe), zinc telluride (MgTe), mercury oxide (HgO), mercury sulfide (HgS), selenium Zinc telluride (HgSe), Zinc telluride (HgTe), Aluminum nitride (AlN), Aluminum sulfide (AlP), Aluminum arsenic (AlAs), Antimonized aluminum (AlSb), Gallium nitride (GaN), Gallium sulfide (GaP), Gallium arsenic (GaAs), gallium antimonized (GaSb), indium nitride (InN), indium phosphate (InP), indium arsenic (InAs), indium antimonated (InSb), talium nitride (TlN), talium phosphate (TlP) )), Talium arsenic (TlAs), Talium antimonated (TlSb), lead sulfide (PbS), lead selenium (PbSe), lead telluride (PbTe) or any combination thereof.

図２を参照されたい。本発明はさらに提供する光学フィルムの製造方法を提供する。光学フィルムの製造方法は、複数の量子ドットを第１のポリマーに分散させ、硬化して量子ドットゲル層を形成させる（ステップＳ１００）。 See FIG. The present invention further provides a method for manufacturing an optical film. In the method for producing an optical film, a plurality of quantum dots are dispersed in a first polymer and cured to form a quantum dot gel layer (step S100).

第１のポリマー及び量子ドットの配合は上記の実施形態にて説明されたようなものとする。具体的に、図３に示すように、ステップＳ１００における分散ステップはさらに、複数の量子ドットを単官能アクリル系単量体に分散させてから、インヒビターを仕込む（ステップＳ１０１）。そして、チオール化合物を仕込んでから多官能アクリル系単量体と混合し、最後に光開始剤、散乱粒子及び有機ケイ素グラフトオリゴマーを仕込むようになる。 The formulation of the first polymer and quantum dots shall be as described in the above embodiments. Specifically, as shown in FIG. 3, in the dispersion step in step S100, a plurality of quantum dots are further dispersed in a monofunctional acrylic monomer, and then an inhibitor is charged (step S101). Then, the thiol compound is charged and then mixed with the polyfunctional acrylic monomer, and finally the photoinitiator, the scattered particles and the organosilicon graft oligomer are charged.

即ち、複数の量子ドットを第１のポリマーに分散させるのは、完全に混ぜ合わせた第１のポリマーに複数の量子ドットを分散させるのではなく、順番に量子ドットは特定の組成物中に予め分散され、次いで他の成分にさらに添加され、混合後に完全に混合され、次いで硬化するようになる。 That is, dispersing the plurality of quantum dots in the first polymer does not disperse the plurality of quantum dots in the first polymer that is completely mixed, but in turn, the quantum dots are preliminarily in a specific composition. It is dispersed, then added further to the other components, mixed thoroughly after mixing, and then cured.

上記のステップ以外、本発明に係る光学フィルムの製造方法は、さらに光学フィルムを少なくとも１つの所望のサイズに切断する切断ステップを実行し、残りの光学フィルムを使用または保存のためのロールに巻き取る巻取りステップを実行する。 Other than the above steps, the method for producing an optical film according to the present invention further performs a cutting step of cutting the optical film into at least one desired size, and the remaining optical film is wound on a roll for use or storage. Perform the take-up step.

図６を参照されたい。本発明はさらにバックライトモジュールＳを提供する。バックライトモジュールＳは、ライトガイドユニット３０、少なくとも１つの発光ユニット４０及び光学フィルムＭを含む。ライトガイドユニット３０は光入射側３０Ａを有する。少なくとも１つの発光ユニット４０は光入射側３０Ａに対向して配置される。少なくとも１つの発光ユニット４０は複数の発光部品を含み、光学フィルムＭは光入射側３０Ａに対応して配置される。光学フィルムＭはライトガイドユニット３０と少なくとも１つの発光ユニット４０との間に位置する。詳しくは、ライトガイドユニット３０は、互いに対応する光入射側３０Ａ及び光出射側３０Ｂを有する。光学フィルムＭが光入射側３０Ａに配置される。より具体的に言えば、光学フィルムＭは、本発明に係る光学フィルムである。なお、上記の例は実施可能な実施形態の例であり、本発明を制限する意図はない。
［実験例］ See FIG. The present invention further provides a backlight module S. The backlight module S includes a light guide unit 30, at least one light emitting unit 40, and an optical film M. The light guide unit 30 has a light incident side 30A. At least one light emitting unit 40 is arranged so as to face the light incident side 30A. At least one light emitting unit 40 includes a plurality of light emitting components, and the optical film M is arranged corresponding to the light incident side 30A. The optical film M is located between the light guide unit 30 and at least one light emitting unit 40. Specifically, the light guide unit 30 has a light incident side 30A and a light emitting side 30B corresponding to each other. The optical film M is arranged on the light incident side 30A. More specifically, the optical film M is an optical film according to the present invention. It should be noted that the above examples are examples of feasible embodiments, and there is no intention of limiting the present invention.
[Experimental example]

表１を参照されたい。実験例１～２及び実験例３は以下の配合で調整した量子ドットゲル層で構成される光学フィルムであり、それに製品テストを行った。詳しくは、以下の配合は、量子ドットゲル層の総重量を１００重量パーセントとする場合、光開始剤、散乱粒子、チオール化合物、単官能アクリル系単量体、多官能アクリル系単量体及び有機ケイ素グラフトオリゴマーを総重量１００重量パーセントにして、さらにインヒビターを追加したものである。 See Table 1. Experimental Examples 1 and 2 and Experimental Example 3 are optical films composed of a quantum dot gel layer prepared with the following composition, and product tests were performed on them. Specifically, in the following formulation, when the total weight of the quantum dot gel layer is 100% by weight, the photoinitiator, scattered particles, thiol compound, monofunctional acrylic monomer, polyfunctional acrylic monomer and organosilicon The total weight of the graft oligomer is 100% by weight, and an inhibitor is further added.

詳細な手順について、具体的には、まず単官能アクリル系単量体に複数の量子ドットを分散させて量子ドット－単官能アクリル溶液を形成し、次に量子ドット－単官能アクリル溶液にインヒビターを加えて均一に混合し、チオール化合物を加え、次に多官能アクリル系単量体を加え、最後に光開始剤、散乱粒子、有機ケイ素グラフトオリゴマーを加えて均一に混合し、量子ドットゲル層材料を得る。 Specifically, regarding the detailed procedure, first, a plurality of quantum dots are dispersed in a monofunctional acrylic monomer to form a quantum dot-monofunctional acrylic solution, and then an inhibitor is added to the quantum dot-monofunctional acrylic solution. In addition, mix uniformly, add the thiol compound, then add the polyfunctional acrylic monomer, and finally add the photoinitiator, scattered particles, and organic silicon graft oligomer and mix uniformly to prepare the quantum dot gel layer material. obtain.

キャリア層上に前記量子ドットゲル層材料を塗布し、乾燥工程を経て、本発明の量子ドットゲル層が形成された。 The quantum dot gel layer material was applied onto the carrier layer, and the quantum dot gel layer of the present invention was formed through a drying step.

Figure 2022093233000002
［実施形態による有益な効果］
Figure 2022093233000002
[Benefitful effect of the embodiment]

本発明による有益な効果の１つとしては、本発明が提供する光学膜光学フィルム、バックライトモジュール、及び光学フィルムの製造方法は、「量子ドットゲル層が第１のポリマー、及び前記第１のポリマーに分散される複数の量子ドットを含む」及び「前記第１のポリマーは、光開始剤１～５ｗｔ％と、散乱粒子３～２０ｗｔ％と、チオール化合物２０～５０ｗｔ％と、単官能アクリル系単量体５～３０ｗｔ％と、多官能アクリル系単量体２０～４０ｗｔ％と、有機ケイ素グラフトオリゴマー１～５ｗｔ％と、インヒビター５００～１５００ｐｐｍと、を含む」という技術的手段によって、遮蔽層を省略できる、つまり量子ドットゲル層を単層のみにすることで、適度な機械的強度と収縮率を維持しつつ、優れた耐水酸化性を実現することができる光学フィルムを提供することができる。 As one of the beneficial effects of the present invention, the optical film optical film, the backlight module, and the method for producing the optical film provided by the present invention include "a first polymer having a quantum dot gel layer and the first polymer". "The first polymer contains 1 to 5 wt% of a photoinitiator, 3 to 20 wt% of scattered particles, 20 to 50 wt% of a thiol compound, and a monofunctional acrylic mono. The shielding layer is omitted by the technical means of "containing 5 to 30 wt% of a polymer, 20 to 40 wt% of a polyfunctional acrylic monomer, 1 to 5 wt% of an organic silicon graft oligomer, and 500 to 1500 ppm of an inhibitor". That is, by using only a single quantum dot gel layer, it is possible to provide an optical film capable of achieving excellent hydroxylation resistance while maintaining an appropriate mechanical strength and shrinkage rate.

より具体的には、チオール化合物は、スルフヒドリル官能基（－ＳＨ）を含む非芳香族化合物であり、量子ドットへの結合性が良好であるため、量子ドットの分散性が良好である。現行技術に比べてチオール化合物の含有量が多いため、より高度な重合が可能となる。 More specifically, the thiol compound is a non-aromatic compound containing a sulfhydryl functional group (-SH), and has good binding property to quantum dots, so that the dispersibility of quantum dots is good. Since the content of the thiol compound is higher than that of the current technology, more advanced polymerization is possible.

一般的に、既存の光学フィルムで遮蔽層を省略すると、耐水性や耐酸性の効果が低下するだけでなく、機械的強度が不足するという不具合が生じる。本発明における有機ケイ素グラフトオリゴマーは、シリコーンアクリレート、及びシリコーンエポキシ樹脂からなる群から選ばれるものであり、ポリマーの機械的強度を高め、遮蔽層の省略を効果的に達成しながら、同じ光学フィルム特性を維持することができ、光学フィルムの厚さを約３０～５０μｍに減らすことができ、青色光バックライトモジュールに適するより優れた光学特性が持たされ、薄型仕様の携帯電話製品に適用することができる。 In general, if the shielding layer is omitted from the existing optical film, not only the effects of water resistance and acid resistance are reduced, but also the mechanical strength is insufficient. The organic silicon graft oligomer in the present invention is selected from the group consisting of silicone acrylate and silicone epoxy resin, and has the same optical film characteristics while increasing the mechanical strength of the polymer and effectively achieving the omission of the shielding layer. Can be maintained, the thickness of the optical film can be reduced to about 30-50 μm, has better optical properties suitable for blue light backlight modules, and can be applied to thin mobile phone products. can.

さらに、本発明の配合、製造方法では、組成物を混合する際の相互影響の問題に留意されている。したがって、様々な実験の後、本発明には、室温でチオール化合物と多官能アクリルモノマーとの間の自己反応の反応速度を効果的に減らし、回避することができる特定の阻害剤が選択されており、より良好な加工性と安定した保存性をさらに提供する。 Further, in the compounding and manufacturing method of the present invention, attention is paid to the problem of mutual influence when mixing the compositions. Therefore, after various experiments, certain inhibitors have been selected for the present invention that can effectively reduce and avoid the reaction rate of the self-reaction between the thiol compound and the polyfunctional acrylic monomer at room temperature. It further provides better processability and stable storage stability.

以上に開示される内容は本発明の好ましい実施可能な実施例に過ぎず、これにより本発明の特許請求の範囲を制限するものではないので、本発明の明細書及び添付図面の内容に基づき為された等価の技術変形は、全て本発明の特許請求の範囲に含まれるものとする。 The contents disclosed above are merely preferable practicable examples of the present invention and do not limit the scope of claims of the present invention. All of the equivalent technical modifications made are within the scope of the claims of the present invention.

Ｍ：光学フィルム、光学フィルム
Ｓ：バックライトモジュール
１０：量子ドットゲル層
１０Ａ：第１の表面
１０Ｂ：第２の表面
１０１：第１のポリマー
１０２：量子ドット
３０：ライトガイドユニット
３０Ａ：光入射側
３０Ｂ：光出射側
４０：発光ユニット
４０１：発光部品 M: Optical film, Optical film S: Backlight module 10: Quantum dot gel layer 10A: First surface 10B: Second surface 101: First polymer 102: Quantum dot 30: Light guide unit 30A: Light incident side 30B : Light emitting side 40: Light emitting unit 401: Light emitting component

Claims (10)

第１のポリマー、及び前記第１のポリマーに分散される複数の量子ドットを含む量子ドットゲル層で構成され、
前記第１のポリマーは、
光開始剤１～５ｗｔ％と、
散乱粒子３～２０ｗｔ％と、
チオール化合物２０～５０ｗｔ％と、
単官能アクリル系単量体５～３０ｗｔ％と、
多官能アクリル系単量体２０～４０ｗｔ％と、
有機ケイ素グラフトオリゴマー１～５ｗｔ％と、
インヒビター５００～１５００ｐｐｍと、
を含む、ことを特徴とする光学フィルム。 It is composed of a first polymer and a quantum dot gel layer containing a plurality of quantum dots dispersed in the first polymer.
The first polymer is
With 1-5 wt% photoinitiator,
Scattered particles 3 to 20 wt%,
Thiol compound 20-50 wt%,
Monofunctional acrylic monomer 5-30 wt%,
Polyfunctional acrylic monomer 20-40 wt%,
Organosilicon graft oligomer 1-5 wt%,
Inhibitor 500-1500ppm and
An optical film characterized by including. 前記量子ドットゲル層はさらに第１の表面及び第２の表面を有し、前記第１の表面及び前記第２の表面のいずれも遮蔽層が設けらずに外部に露出されている、請求項１に記載の光学フィルム。 The quantum dot gel layer further has a first surface and a second surface, and neither the first surface nor the second surface is exposed to the outside without a shielding layer. The optical film described in. 前記チオール化合物は、２，２’－（エチレンジオキシ）ジエチルメルカプタン、２，２’－チオジエチルメルカプタン、トリメチロールプロパントリス（３－メルカプトプロピオネート）、ポリエチレングリコールジチオール、ペンタエリスリトールテトラ（３－メルカプトプロピオネート）、エチレングリコールジメルカプトアセテート、及び２－メルカプトプロピオン酸エチルからなる群から選ばれる、請求項１に記載の光学フィルム。 The thiol compounds include 2,2'-(ethylenedioxy) diethyl mercapto, 2,2'-thiodiethyl mercaptan, trimethyl propanthris (3-mercaptopropionate), polyethylene glycol dithiol, and pentaerythritol tetra (3-). The optical film according to claim 1, which is selected from the group consisting of mercaptopropionate), ethylene glycol dimercaptoacetate, and ethyl 2-mercaptopropionate. 前記単官能アクリル系単量体は、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、ステアリルアクリレート、アクリル酸ラウリルメタクリレート、アクリル酸ラウリル、イソボルニルメタクリレート、トリデシルアクリレート、アルコキシル化ノニルフェノールアクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコール（６００）ジメタクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、及びエトキシル化（１０）ビスフェノールＡジメタクリレートからなる群から選ばれ、前記多官能アクリル系単量体は、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、エトキシル化（２０）トリメチロールプロパントリアクリレート、及びペンタエリスリトールトリアクリレートからなる群から選ばれる、請求項１に記載の光学フィルム。 The monofunctional acrylic monomer includes tetrahydrofurfuryl methacrylate, stearyl acrylate, lauryl methacrylate acrylate, lauryl acrylate, isobornyl methacrylate, tridecyl acrylate, nonyl alkylated nonylphenol acrylate, tetraethylene glycol dimethacrylate, and polyethylene glycol ( The polyfunctional acrylic monomer selected from the group consisting of 600) dimethacrylate, tripropylene glycol diacrylate, and ethoxylated (10) bisphenol A dimethacrylate. The optical film according to claim 1, which is selected from the group consisting of ethoxylated (20) trimethylol propanetriacrylate and pentaerythritol triacrylate. 前記有機ケイ素グラフトオリゴマーは、シリコーンアクリレート、及びシリコーンエポキシ樹脂からなる群から選ばれる、請求項１に記載の光学フィルム。 The optical film according to claim 1, wherein the organosilicon graft oligomer is selected from the group consisting of silicone acrylate and silicone epoxy resin. 前記インヒビターは、ピロガロール（ＰＹＲ）、キノール、カテコール、ヨウ化カリウム－ヨウ素混合物、ヒンダードフェノール系酸化防止剤（Ｈｉｎｄｅｒｅｄ ｐｈｅｎｏｌ ａｎｔｉｏｘｉｄａｎｔｓ）、アルミニウムまたは鉄の試薬塩（Ｎ－ニトロソフェニルヒドロキシルアミン塩）（Ｎ－ｎｉｔｒｏｓｏｐｈｅｎｙｌｈｙｄｒｏｘｙｌａｍｉｎｅ ａｍｍｏｎｉｕｍｓａｌｔ，Ｎ－ｎｉｔｒｏｓｏ－Ｎ－ｐｈｅｎｙｌｈｙｄｒｏｘｙｌａｍｉｎｅ ａｌｕｍｉｎｕｍ ｓａｌｔ）、３－プロペニルフェノール、トリアリールホスフィンとホスファイト（ｔｒｉａｒｙｌ ｐｈｏｓｐｈｉｎｅｓ ａｎｄ ｐｈｏｓｐｈｉｔｅｓ）、ホスホン酸（ｐｈｏｓｐｈｏｎｉｃ ａｃｉｄ）、アルケニルフェノールと試薬塩の組成物（ｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ ｏｆ ａｎ ａｌｋｅｎｙｌ－ｐｈｅｎｏｌ ａｎｄ ｃｕｐｆｅｒｒｏｎａｔｅ ｓａｌｔ）からなる群から選ばれる、請求項１に記載の光学フィルム。 The inhibitors include pyrogallol (PYR), quinol, catechol, potassium iodide-iodine mixture, Hindered phenol antioxidants, aluminum or iron reagent salt (N-nitrosophenyl hydroxylamine salt) (N). -Nitrosophenelydroxylamine ammonium salt, N-nitroso-N-phenylhydroxylamine alumminum salt), 3-propenylphenol, triarylphosphine and phosphite (triaryl phosphine sylphos) The optical film according to claim 1, which is selected from the group consisting of of an alcohol-phenol and phenolate salt). 複数の量子ドットを第１のポリマーに分散させ、
前記第１のポリマーは、
光開始剤１～５ｗｔ％と、
散乱粒子３～２０ｗｔ％と、
チオール化合物２０～５０ｗｔ％と、
単官能アクリル系単量体５～３０ｗｔ％と、
多官能アクリル系単量体２０～４０ｗｔ％と、
有機ケイ素グラフトオリゴマー１～５ｗｔ％と、
インヒビター５００～１５００ｐｐｍと、
を含む、ことを特徴とする光学フィルムの製造方法。 Multiple quantum dots are dispersed in the first polymer,
The first polymer is
With 1-5 wt% photoinitiator,
Scattered particles 3 to 20 wt%,
Thiol compound 20-50 wt%,
Monofunctional acrylic monomer 5-30 wt%,
Polyfunctional acrylic monomer 20-40 wt%,
Organosilicon graft oligomer 1-5 wt%,
Inhibitor 500-1500ppm and
A method for manufacturing an optical film, which comprises. 複数の量子ドットゲル層を前記単官能アクリル系単量体に分散させてから、前記インヒビターを仕込むようにする、請求項７に記載の光学フィルムの製造方法。 The method for producing an optical film according to claim 7, wherein a plurality of quantum dot gel layers are dispersed in the monofunctional acrylic monomer, and then the inhibitor is charged. 前記インヒビターを仕込んだ後、チオール化合物を仕込んで前記多官能アクリル系単量体と混合してから、最後に、前記光開始剤、前記散乱粒子及び前記有機ケイ素グラフトオリゴマーを仕込むようにする、請求項８に記載の光学フィルムの製造方法。 After charging the inhibitor, the thiol compound is charged and mixed with the polyfunctional acrylic monomer, and finally, the photoinitiator, the scattering particles and the organosilicon graft oligomer are charged. Item 8. The method for producing an optical film according to Item 8. 光入射側を有するライトガイドユニットと、
前記光入射側に対応する少なくとも１つの発光ユニットと
前記光入射側に対応して、前記ライトガイドユニットと少なくとも１つの前記発光ユニットとの間に位置する光学フィルムと、
を備え、
前記光学フィルムは、
第１のポリマー、及び前記第１のポリマーの複数の量子ドットを含む量子ドットゲル層で構成され、
前記第１のポリマーは、
光開始剤１～５ｗｔ％と、
散乱粒子３～２０ｗｔ％と、
チオール化合物２０～５０ｗｔ％と、
単官能アクリル系単量体５～３０ｗｔ％と、
多官能アクリル系単量体２０～４０ｗｔ％と、
有機ケイ素グラフトオリゴマー１～５ｗｔ％と、
インヒビター５００～１５００ｐｐｍと、
を含む、ことを特徴とするバックライトモジュール。
A light guide unit with a light incident side and
An optical film located between the light guide unit and at least one light emitting unit corresponding to the light incident side and at least one light emitting unit corresponding to the light incident side.
Equipped with
The optical film is
It is composed of a first polymer and a quantum dot gel layer containing a plurality of quantum dots of the first polymer.
The first polymer is
With 1-5 wt% photoinitiator,
Scattered particles 3 to 20 wt%,
Thiol compound 20-50 wt%,
Monofunctional acrylic monomer 5-30 wt%,
Polyfunctional acrylic monomer 20-40 wt%,
Organosilicon graft oligomer 1-5 wt%,
Inhibitor 500-1500ppm and
A backlight module characterized by including.
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