JP2022060054A - Solder paste - Google Patents

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Abstract

To provide a solder paste which can improve wettability of solder, suppress increase in viscosity of solder paste over time, and suppress occurrence of soft error.SOLUTION: A solder paste comprises: solder powder comprising U of less than 5 mass ppb, Th of less than 5 mass ppb, Pb of less than 5 mass ppb, As of less than 5 mass ppb, and the remainder comprising Sn, and has α-dose of 0.02cph/cm2 or less; and a flux which contains halogen-based activator, rosin, thixotropic agent and solvent, and does not contain an organic acid with a carbon number of 5 or less. A content of the halogen-based activator is 0.1% by mass or more and 4% by mass or less.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、ソルダペーストに関する。 The present invention relates to solder paste.

はんだ材料として、はんだ粉末とフラックスとを含有するソルダペーストが用いられている。
プリント基板に搭載される電子部品においては、小型化、高性能化がますます要求されている。かかる電子部品としては、例えば、半導体パッケージが挙げられる。半導体パッケージでは、電極を有する半導体素子が樹脂成分で封止されている。この電極には、はんだ材料によるはんだバンプが形成されている。このはんだ材料によって、半導体素子とプリント基板とのはんだ付けがされ、両者は接続している。
As the solder material, a solder paste containing solder powder and flux is used.
Electronic components mounted on printed circuit boards are increasingly required to be smaller and have higher performance. Examples of such electronic components include semiconductor packages. In a semiconductor package, a semiconductor element having an electrode is sealed with a resin component. Solder bumps made of a solder material are formed on this electrode. With this solder material, the semiconductor element and the printed circuit board are soldered, and both are connected.

はんだ材料においては、ソフトエラーに対するα線の影響が問題となる。このような半導体素子の動作への悪影響を軽減させるために、はんだ材料を含めた低α線量材料の開発が行われている。 In solder materials, the influence of α rays on soft errors becomes a problem. In order to reduce such adverse effects on the operation of semiconductor devices, low α-dose materials including solder materials are being developed.

α線源となる要因は、例えばはんだ材料におけるはんだ合金、特にベースとなる錫(Sn)地金中に含まれる微量の放射性元素である。はんだ合金は、原料金属を溶融混合して製造することができる。かかるはんだ合金において、低α線量材料の設計のためには、ウラン(U)、トリウム(Th)、ポロニウム(Po)といった、上流となる放射性元素を合金組成から取り除くことが重要となる。
これに対し、Sn地金の精錬においてU、Th、Poを取り除くことは、技術的に難しくはない(例えば、特許文献1参照)。
一般的に、Sn中には、不純物として鉛(Pb)、ビスマス(Bi)が含まれている。Pb及びBi中の放射性同位体である210Pb及び210Biがβ崩壊して210Poとなり、210Poがα崩壊して206Pb生成時にα線が発生する。このウラン系列における一連の壊変が、はんだ材料からのα線発生の主たる原因と言われている。
The factor that becomes the α-ray source is, for example, a trace amount of radioactive elements contained in the solder alloy in the solder material, particularly the base tin (Sn) bullion. The solder alloy can be produced by melting and mixing the raw material metal. In such a solder alloy, it is important to remove upstream radioactive elements such as uranium (U), thorium (Th), and polonium (Po) from the alloy composition in order to design a low α-dose material.
On the other hand, it is not technically difficult to remove U, Th, and Po in the refining of Sn bullion (see, for example, Patent Document 1).
Generally, Sn contains lead (Pb) and bismuth (Bi) as impurities. Radioactive isotopes 210 Pb and 210 Bi in Pb and Bi are β-decayed to 210 Po, 210 Po is α-decayed, and α rays are generated when 206 Pb is generated. This series of decays in the uranium series is said to be the main cause of α-ray generation from solder materials.

尚、材料から発生するα線量の評価において、単位には「cph/cm」がよく用いられる。「cph/cm」は“counts per hour/cm”の略であり、1cm当たり、1時間当たりのα線のカウント数を意味する。 In the evaluation of the α dose generated from the material, “cph / cm 2 ” is often used as the unit. “Cph / cm 2 ” is an abbreviation for “counts per hour / cm 2 ” and means the number of alpha rays counted per 1 cm 2 per hour.

Pb及びBiの半減期については、以下の通りである。
Biについて、210Biの半減期は約5日間である。Pbについて、210Pbの半減期は約22.3年間である。そして、これらの影響度(存在比)は、下式で表すことができるとされる(非特許文献1参照)。すなわち、Biのα線発生への影響は、Pbに比べて非常に低い。
210Bi]≒[210Pb]/1.6×10
式中、[210Bi]は、210Biのモル濃度を表す。[210Pb]は、210Pbのモル濃度を表す。
The half-lives of Pb and Bi are as follows.
For Bi, the half-life of 210 Bi is about 5 days. For Pb, the half-life of 210 Pb is about 22.3 years. The degree of influence (abundance ratio) can be expressed by the following equation (see Non-Patent Document 1). That is, the influence of Bi on the generation of α rays is much lower than that of Pb.
[ 210 Bi] ≒ [ 210 Pb] /1.6 × 10 3
In the formula, [ 210 Bi] represents the molar concentration of 210 Bi. [ 210 Pb] represents the molar concentration of 210 Pb.

以上のように、従来、低α線量材料の設計においては、U、Thを取り除き、さらにPbを徹底して除去することが一般的である。 As described above, conventionally, in the design of low α-dose materials, it is common to remove U and Th, and further thoroughly remove Pb.

また、はんだ材料から発生するα線量は、経時変化によって、基本的にα線量が増加することが知られている。これは、はんだ合金中の放射性Pb及び放射性Biがβ崩壊してPo量が増加し、そしてPoがα壊変してα線を発生することが原因と言われている。
極低α線量の材料においては、これら放射性元素をほとんど含有していないものの、210Poの偏析が原因となって、α線量が経時変化によって増加する場合がある。210Poは、もともとα線を放射しているが、はんだ合金凝固時においてはんだ合金中心部分に偏析するため、放射しているα線がはんだ合金で遮蔽されてしまう。そして、時間経過とともに210Poが合金中に均一に分散して、α線が検出される表面にも存在するようになるため、α線量が経時変化によって増加する(非特許文献2参照)。
Further, it is known that the α-dose generated from the solder material basically increases with the passage of time. It is said that this is because the radioactive Pb and the radioactive Bi in the solder alloy are β-decayed to increase the amount of Po, and the Po is α-decayed to generate α rays.
Although the material having an extremely low α-dose contains almost no of these radioactive elements, the α-dose may increase with time due to the segregation of 210 Po. The 210 Po originally emits α rays, but since it segregates at the center of the solder alloy during solidification of the solder alloy, the emitted α rays are shielded by the solder alloy. Then, with the passage of time, 210 Po is uniformly dispersed in the alloy and is also present on the surface where α rays are detected, so that the α dose increases with time (see Non-Patent Document 2).

上述したように、はんだ合金中に含まれる極微量の不純物の影響で、発生するα線量は増加してしまう。このため、低α線量材料の設計においては、はんだ合金の従来の製造方法のように、単に各種元素を添加することが難しくなる。
例えば、ソルダペーストの経時での粘度増加を抑制する増粘抑制のために、はんだ合金に砒素(As)を添加する方法が知られている(例えば、特許文献2参照)。
As described above, the generated α-dose increases due to the influence of a very small amount of impurities contained in the solder alloy. For this reason, in the design of low α-dose materials, it becomes difficult to simply add various elements as in the conventional manufacturing method of solder alloys.
For example, a method of adding arsenic (As) to a solder alloy is known in order to suppress the increase in viscosity of the solder paste over time (see, for example, Patent Document 2).

一方、はんだ付けに用いられるフラックスは、はんだ及びはんだ付けの対象となる接合対象物の金属表面に存在する金属酸化物を化学的に除去し、両者の境界で金属元素の移動を可能にする効能を持つ。このため、フラックスを使用してはんだ付けを行うことで、はんだと接合対象物の金属表面との間に金属間化合物が形成できるようになり、強固な接合が得られる。 On the other hand, the flux used for soldering has the effect of chemically removing metal oxides present on the metal surface of the solder and the object to be soldered, and enabling the movement of metal elements at the boundary between the two. have. Therefore, by soldering using a flux, an intermetallic compound can be formed between the solder and the metal surface of the object to be joined, and a strong bond can be obtained.

特開2010-156052号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2010-156052 特開2015-98052号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2015-98052

Radioactive Nuclei Induced Soft Errors at Ground Level;IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE,DECEMBER 2009,VOL.56,NO.6,p.3437-3441Radioactive Nuclear Integrated Soft Errors at Ground Level; IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIEENCE, DECEMBER 2009, VOL. 56, NO. 6, p. 3437-3441 Energy Dependent Efficiency in Low Background Alpha Measurements and Impacts on Accurate Alpha Characterization;IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE,DECEMBER 2015,VOL.62,NO.6,p.3034-3039Energy December Efficiency in Low Blankround Alpha Mechanisms and Impacts on Accurate Alpha characterization; IEEE TRANSACTIONS ON MENU. 62, NO. 6, p. 3034-3039

例えば特許文献2に記載された方法のように、ソルダペーストの経時での増粘抑制のため、はんだ合金にAsを添加する方法では、Asが添加されることにより、合金に、As中に含まれる放射性同位体をもつ不純物も含まれることになる。この場合、その不純物中に放射性元素が存在することで、はんだ材料から発生するα線量が増加してしまう。 For example, in the method of adding As to the solder alloy in order to suppress the thickening of the solder paste over time as in the method described in Patent Document 2, the addition of As is contained in the alloy. Impurities with radioactive isotopes will also be included. In this case, the presence of radioactive elements in the impurities increases the α-dose generated from the solder material.

また、ソルダペーストに用いられるフラックスにおいては、接合対象物の金属表面に対する、はんだの濡れ速度が高く、はんだ濡れ性の良いことが要求される。
はんだボールを使用したはんだ付けの際、接合対象物の金属表面に対してはんだの濡れ性が確保できないと、電極上で、はんだが均等に濡れ広がりにくくなる。はんだの濡れ広がり性が悪くなると、電極に対するはんだボールの位置ずれが生じて、はんだボールが電極パッドから外れた状態(ボールミッシング)となり、接合不良や導電不良が起きやすくなる、という問題がある。
Further, in the flux used for the solder paste, it is required that the solder wetting speed is high and the solder wetting property is good with respect to the metal surface of the object to be joined.
When soldering using a solder ball, if the wettability of the solder cannot be ensured on the metal surface of the object to be joined, it becomes difficult for the solder to evenly wet and spread on the electrodes. When the wettability and spreadability of the solder deteriorates, the position of the solder ball is displaced with respect to the electrode, and the solder ball is in a state of being detached from the electrode pad (ball missing), which causes a problem that poor bonding or poor conductivity is likely to occur.

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、はんだの濡れ性を高められ、ソルダペーストの経時での粘度増加を抑制し、かつ、ソフトエラーの発生を抑制することが可能なソルダペーストを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and is a solder capable of enhancing the wettability of the solder, suppressing an increase in the viscosity of the solder paste over time, and suppressing the occurrence of soft errors. The purpose is to provide a paste.

本発明者らは、放射性元素を含む不純物を伴うAsを添加することなく、ソルダペーストの経時での増粘抑制が可能な、低α線量のはんだ合金の設計を目的として検討した。
かかる検討により、主成分としてのSnとを含有する低α線量の合金組成とし、かつ、ソルダペーストに用いられるフラックスが、炭素数が5以下の有機酸を含まないことで、ソルダペーストの経時での増粘抑制が可能となることを見出した。
加えて、ソルダペーストに用いられるフラックスが、ハロゲン系活性剤を含むことにより、はんだの濡れ性が十分なものとなることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、上記の課題を解決するため、以下の手段を採用する。
The present inventors have studied for the purpose of designing a low α-dose solder alloy capable of suppressing thickening of solder paste over time without adding As with impurities containing radioactive elements.
Based on this study, the alloy composition has a low α dose containing Sn as the main component, and the flux used for the solder paste does not contain an organic acid having 5 or less carbon atoms. It was found that it is possible to suppress the thickening of the paste.
In addition, it has been found that the flux used in the solder paste contains a halogen-based activator, so that the wettability of the solder becomes sufficient, and the present invention has been completed.
That is, the present invention employs the following means in order to solve the above problems.

本発明の一態様は、はんだ粉末とフラックスとからなるソルダペーストであって、前記はんだ粉末は、U:5質量ppb未満、Th:5質量ppb未満、Pb:5質量ppm未満、As:5質量ppm未満、並びに残部がSnからなる合金組成を有し、かつ、α線量が0.02cph/cm以下であるはんだ合金からなり、前記フラックスは、ハロゲン系活性剤と、ロジンと、チキソ剤と、溶剤とを含み、前記フラックスは、炭素数が5以下の有機酸を含まず、前記ハロゲン系活性剤の含有量は、前記フラックスの総量に対して0.1質量%以上4質量%以下である、ソルダペーストである。 One aspect of the present invention is a solder paste composed of a solder powder and a flux, wherein the solder powder has U: less than 5 mass ppb, Th: less than 5 mass ppb, Pb: less than 5 mass ppm, As: 5 mass. It is made of a solder alloy having an alloy composition of less than ppm and the balance of Sn, and having an α dose of 0.02 cf / cm 2 or less. The flux does not contain an organic acid having 5 or less carbon atoms, and the content of the halogen-based activator is 0.1% by mass or more and 4% by mass or less with respect to the total amount of the flux. There is a solder paste.

前記一態様にかかるソルダペーストにおいて、更に、前記合金組成は、Pbが2質量ppm未満であることが好ましい。 In the solder paste according to the above aspect, the alloy composition preferably has Pb of less than 2 parts by mass.

前記一態様にかかるソルダペーストにおいて、更に、前記合金組成は、Asが2質量ppm未満であることが好ましい。 In the solder paste according to the above aspect, the alloy composition preferably has As of less than 2 parts by mass.

前記一態様にかかるソルダペーストにおいて、更に、前記合金組成は、Ag:0質量%以上4質量%以下、及びCu:0質量%以上0.7質量%以下の少なくとも一種を含有することが好ましい。 In the solder paste according to the above aspect, it is preferable that the alloy composition further contains at least one of Ag: 0% by mass or more and 4% by mass or less, and Cu: 0% by mass or more and 0.7% by mass or less.

前記一態様にかかるソルダペーストにおいて、更に、前記合金組成は、Bi:0質量%以上0.3質量%以下、及びSb:0質量%以上0.9質量%以下の少なくとも一種を含有することが好ましい。 In the solder paste according to the above aspect, the alloy composition may further contain at least one of Bi: 0% by mass or more and 0.3% by mass or less, and Sb: 0% by mass or more and 0.9% by mass or less. preferable.

前記一態様にかかるソルダペーストにおいて、更に、前記合金組成は、下記(2)式を満たすことが好ましい。
0.03≦Bi+Sb≦1.2 (2)
(2)式中、Bi及びSbは、各々前記合金組成での含有量(質量%)を表す。
In the solder paste according to the above aspect, it is preferable that the alloy composition further satisfies the following formula (2).
0.03 ≤ Bi + Sb ≤ 1.2 (2)
In the formula (2), Bi and Sb each represent the content (mass%) in the alloy composition.

前記一態様にかかるソルダペーストにおいて、前記はんだ合金は、一面の面積が900cmであるシート状に成形したはんだ合金シートに対して、100℃で1時間の加熱処理を施した後におけるα線量が、0.02cph/cm以下となることが好ましい。 In the solder paste according to the above aspect, the solder alloy has an α dose after being heat-treated at 100 ° C. for 1 hour on a sheet-shaped solder alloy sheet having an area of 900 cm 2 on one surface. , 0.02 cph / cm 2 or less is preferable.

前記一態様にかかるソルダペーストにおいて、前記はんだ合金は、α線量が0.002cph/cm以下であることが好ましい。 In the solder paste according to the above aspect, it is preferable that the α dose of the solder alloy is 0.002 cf / cm 2 or less.

前記一態様にかかるソルダペーストにおいて、前記はんだ合金は、α線量が0.001cph/cm以下であることが好ましい。 In the solder paste according to the above aspect, it is preferable that the α dose of the solder alloy is 0.001 cf / cm 2 or less.

前記一態様にかかるソルダペーストにおいて、前記はんだ粉末は、平均粒子径が0.1~15μmのはんだ合金粒子群からなることが好ましい。 In the solder paste according to the above aspect, it is preferable that the solder powder is composed of a group of solder alloy particles having an average particle diameter of 0.1 to 15 μm.

前記一態様にかかるソルダペーストにおいて、前記はんだ粉末は、平均粒子径が異なる2種以上のはんだ合金粒子群を併有することが好ましい。 In the solder paste according to the above aspect, it is preferable that the solder powder has two or more kinds of solder alloy particle groups having different average particle diameters.

前記一態様にかかるソルダペーストにおいて、前記ハロゲン系活性剤は、アミンハロゲン化水素酸塩を含むことが好ましい。 In the solder paste according to the above aspect, the halogen-based activator preferably contains an amine hydrohalide hydrochloride.

前記一態様にかかるソルダペーストにおいて、前記アミンハロゲン化水素酸塩は、シクロヘキシルアミン臭化水素酸塩、ヘキサデシルアミン臭化水素酸塩、ステアリルアミン臭化水素酸塩、シクロヘキシルアミンテトラフルオロホウ酸塩、エチルアミン臭化水素酸塩、ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩及びエチルアミン塩酸塩からなる群より選択される少なくとも一種を含むことが好ましい。 In the solder paste according to the above aspect, the amine halide hydrobromide is cyclohexylamine hydrobromide, hexadecylamine hydrobromide, stearylamine hydrobromide, cyclohexylamine tetrafluoroborate. , Ethylamine hydrobromide, diphenylguanidine hydrobromide and ethylamine hydrochloride preferably contain at least one selected from the group.

前記一態様にかかるソルダペーストにおいて、前記ハロゲン系活性剤は、更に、前記アミンハロゲン化水素酸塩以外の有機ハロゲン化合物を含むことが好ましい。 In the solder paste according to the above aspect, it is preferable that the halogen-based activator further contains an organic halogen compound other than the amine hydrohalide.

前記一態様にかかるソルダペーストにおいて、前記ロジンは、重合ロジン、アクリル酸変性水添ロジン、アクリル酸変性ロジン、不均化ロジン及び水添ロジンからなる群より選択される少なくとも一種を含むことが好ましい。 In the solder paste according to the above aspect, it is preferable that the rosin contains at least one selected from the group consisting of a polymerized rosin, an acrylic acid-modified hydrogenated rosin, an acrylic acid-modified rosin, a disproportionated rosin and a hydrogenated rosin. ..

前記一態様にかかるソルダペーストにおいて、前記ロジンは、更に、ロジンエステルを含み、前記ロジンエステルは、水添ロジンメチルを含むことが好ましい。 In the solder paste according to the above aspect, it is preferable that the rosin further contains a rosin ester, and the rosin ester contains hydrogenated rosin methyl.

前記一態様にかかるソルダペーストにおいて、前記フラックスは、更に、炭素数が6以上の有機酸を含むことが好ましい。 In the solder paste according to the above aspect, it is preferable that the flux further contains an organic acid having 6 or more carbon atoms.

前記一態様にかかるソルダペーストにおいて、アジピン酸、セバシン酸、ダイマー酸、水添ダイマー酸、トリマー酸、ミリスチン酸、パルミチン酸及び12-ヒドロキシステアリン酸からなる群より選択される少なくとも一種を含むことが好ましい。 The solder paste according to the above aspect may contain at least one selected from the group consisting of adipic acid, sebacic acid, dimer acid, hydrogenated dimer acid, trimeric acid, myristic acid, palmitic acid and 12-hydroxystearic acid. preferable.

前記一態様にかかるソルダペーストにおいて、前記チキソ剤は、エステル系チキソ剤、アマイド系チキソ剤及びソルビトール系チキソ剤からなる群より選択される少なくとも一種を含むことが好ましい。 In the solder paste according to the above aspect, the thixotropy preferably contains at least one selected from the group consisting of ester-based thixotropy, amide-based thixotropy and sorbitol-based thixotropy.

前記一態様にかかるソルダペーストにおいて、前記エステル系チキソ剤は、ヒマシ硬化油及びミリスチン酸エチルからなる群より選択される少なくとも一種を含むことが好ましい。 In the solder paste according to the above aspect, the ester thixotropy preferably contains at least one selected from the group consisting of castor oil and ethyl myristate.

前記一態様にかかるソルダペーストにおいて、前記アマイド系チキソ剤は、4-メチルベンズアミド及びエチレンビスヒドロキシステアリン酸アミドからなる群より選択される少なくとも一種を含むことが好ましい。 In the solder paste according to the above aspect, the amido thixotropic agent preferably contains at least one selected from the group consisting of 4-methylbenzamide and ethylenebishydroxystearic acid amide.

前記一態様にかかるソルダペーストにおいて、前記ソルビトール系チキソ剤は、ビス(4-メチルベンジリデン)ソルビトール及びジベンジリデンソルビトールからなる群より選択される少なくとも一種を含むことが好ましい。 In the solder paste according to the above aspect, the sorbitol-based thixotropy preferably contains at least one selected from the group consisting of bis (4-methylbenzylidene) sorbitol and dibenzylidene sorbitol.

前記一態様にかかるソルダペーストにおいて、前記活性剤は、更に、アミン系活性剤を含むことが好ましい。 In the solder paste according to the above aspect, it is preferable that the activator further contains an amine-based activator.

前記一態様にかかるソルダペーストにおいて、前記フラックスは、更に、有機リン化合物を含むことが好ましい。 In the solder paste according to the above aspect, it is preferable that the flux further contains an organic phosphorus compound.

前記一態様にかかるソルダペーストにおいて、前記フラックスは、更に、酸化防止剤を含むことが好ましい。 In the solder paste according to the one aspect, it is preferable that the flux further contains an antioxidant.

本発明によれば、はんだの濡れ性を高められ、ソルダペーストの経時での粘度増加を抑制し、かつ、ソフトエラーの発生を抑制することが可能なソルダペーストを提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a solder paste capable of improving the wettability of the solder, suppressing an increase in the viscosity of the solder paste over time, and suppressing the occurrence of soft errors.

本発明を以下により詳しく説明する。
本明細書において、はんだ合金組成に関する「ppb」は、特に指定しない限り「質量ppb」である。「ppm」は、特に指定しない限り「質量ppm」である。「%」は、特に指定しない限り「質量%」である。
The present invention will be described in more detail below.
In the present specification, "ppb" relating to the solder alloy composition is "mass ppb" unless otherwise specified. "Ppm" is "mass ppm" unless otherwise specified. “%” Is “mass%” unless otherwise specified.

(ソルダペースト)
本実施形態のソルダペーストは、特定のはんだ粉末と、特定のフラックスとからなるものである。
前記はんだ粉末は、U:5質量ppb未満、Th:5質量ppb未満、Pb:5質量ppm未満、As:5質量ppm未満、並びに残部がSnからなる合金組成を有し、かつ、α線量が0.02cph/cm以下であるはんだ合金からなる。
前記フラックスは、ハロゲン系活性剤と、ロジンと、チキソ剤と、溶剤とを含む。
前記フラックスは、炭素数が5以下の有機酸を含まない。
前記ハロゲン系活性剤の含有量は、前記フラックスの総量に対して0.1質量%以上4質量%以下である。
(Solder paste)
The solder paste of the present embodiment is composed of a specific solder powder and a specific flux.
The solder powder has an alloy composition consisting of U: less than 5 mass ppb, Th: less than 5 mass ppb, Pb: less than 5 mass ppm, As: less than 5 mass ppm, and the balance of Sn, and has an α dose. It is made of a solder alloy having a capacity of 0.02 cph / cm 2 or less.
The flux contains a halogen-based activator, a rosin, a thixotropic agent, and a solvent.
The flux does not contain an organic acid having 5 or less carbon atoms.
The content of the halogen-based activator is 0.1% by mass or more and 4% by mass or less with respect to the total amount of the flux.

<はんだ粉末>
本実施形態のソルダペーストに用いられるはんだ粉末は、U:5質量ppb未満、Th:5質量ppb未満、Pb:5質量ppm未満、並びに残部がSnからなる合金組成を有し、かつ、α線量が0.02cph/cm以下であるはんだ合金からなる。
<Solder powder>
The solder powder used in the solder paste of the present embodiment has an alloy composition consisting of U: less than 5 mass ppb, Th: less than 5 mass ppb, Pb: less than 5 mass ppm, and the balance of Sn, and has an α dose. It is made of a solder alloy having a mass of 0.02 cph / cm 2 or less.

本実施形態におけるはんだ合金は、U:5質量ppb未満、Th:5質量ppb未満、Pb:5質量ppm未満、As:5質量ppm未満、並びに残部がSnからなる合金組成を有する。 The solder alloy in the present embodiment has an alloy composition consisting of U: less than 5 mass ppb, Th: less than 5 mass ppb, Pb: less than 5 mass ppm, As: less than 5 mass ppm, and the balance of Sn.

≪U:5質量ppb未満、Th:5質量ppb未満≫
U及びThは、放射性元素である。ソフトエラーの発生を抑制するには、はんだ合金中のこれらの含有量を抑える必要がある。
本実施形態において、はんだ合金中のU及びThの含有量は、はんだ合金から発生するα線量を0.02cph/cm以下とする観点から、はんだ合金の総質量(100質量%)に対して、各々5ppb未満である。高密度実装でのソフトエラー発生を抑制する観点から、U及びThの含有量は、好ましくは各々2ppb以下であり、低いほどよい。
≪U: less than 5 mass ppb, Th: less than 5 mass ppb≫
U and Th are radioactive elements. In order to suppress the occurrence of soft errors, it is necessary to suppress these contents in the solder alloy.
In the present embodiment, the contents of U and Th in the solder alloy are based on the total mass (100% by mass) of the solder alloy from the viewpoint that the α dose generated from the solder alloy is 0.02 cf / cm 2 or less. , Each less than 5 ppb. From the viewpoint of suppressing the occurrence of soft errors in high-density mounting, the contents of U and Th are preferably 2 ppb or less, respectively, and the lower the better.

≪Pb:5質量ppm未満≫
一般的に、Sn中には、不純物としてPbが含まれている。このPb中の放射性同位体がβ崩壊して210Poとなり、210Poがα崩壊して206Pb生成時にα線が発生する。このことから、はんだ合金中の、不純物であるPbの含有量も極力少ないことが好ましい。
本実施形態において、はんだ合金中のPbの含有量は、はんだ合金の総質量(100質量%)に対して、5ppm未満であり、好ましくは2ppm未満であり、より好ましくは1ppm未満である。尚、はんだ合金中のPbの含有量の下限は0ppm以上でもよい。
≪Pb: less than 5 mass ppm≫
Generally, Sn contains Pb as an impurity. The radioactive isotope in this Pb undergoes β-decay to become 210 Po, and 210 Po undergoes α-decay to generate α rays when 206 Pb is generated. For this reason, it is preferable that the content of Pb, which is an impurity, in the solder alloy is as small as possible.
In the present embodiment, the content of Pb in the solder alloy is less than 5 ppm, preferably less than 2 ppm, and more preferably less than 1 ppm with respect to the total mass (100% by mass) of the solder alloy. The lower limit of the Pb content in the solder alloy may be 0 ppm or more.

≪As:5質量ppm未満≫
はんだ合金にAsを添加することは、ソルダペーストの経時での増粘抑制に有効であるが、Asの添加に伴い、合金に、As由来の不純物から放射性元素も含まれることになり、はんだ材料から発生するα線量が増加してしまう。
本実施形態においては、放射性元素を含む不純物を伴うAsを添加することなく、ソルダペーストの経時での増粘抑制を図ることを目的とする。
本実施形態において、はんだ合金中のAsの含有量は、はんだ合金の総質量(100質量%)に対して、5ppm未満であり、好ましくは2ppm未満であり、より好ましくは1ppm未満である。尚、はんだ合金中のAsの含有量の下限は0ppm以上でもよい。
≪As: less than 5 mass ppm≫
Adding As to the solder alloy is effective in suppressing the thickening of the solder paste over time, but with the addition of As, the alloy also contains radioactive elements from impurities derived from As, and the solder material The α-dose generated from the solder increases.
In the present embodiment, it is an object to suppress the thickening of the solder paste over time without adding As with impurities containing radioactive elements.
In the present embodiment, the content of As in the solder alloy is less than 5 ppm, preferably less than 2 ppm, and more preferably less than 1 ppm with respect to the total mass (100% by mass) of the solder alloy. The lower limit of the content of As in the solder alloy may be 0 ppm or more.

≪任意元素≫
本実施形態におけるはんだ合金に関し、合金組成は、上述した元素以外の元素を必要に応じて含有してもよい。
はんだ付けにより、はんだ合金中の接合界面近傍において、Sn含有金属間化合物(Snを含む金属間化合物)の形成が進み、このSn含有金属間化合物が析出すると、はんだ継手の機械的強度が劣化する。
これに対して、例えば、本実施形態におけるはんだ合金に関し、合金組成は、上述した元素に加えて、更に、Ni:0質量ppm以上600質量ppm以下、及びFe:0質量ppm以上100質量ppm以下を含有することが好ましい。
≪Arbitrary element≫
Regarding the solder alloy in the present embodiment, the alloy composition may contain an element other than the above-mentioned elements, if necessary.
By soldering, the formation of Sn-containing intermetallic compounds (intermetallic compounds containing Sn) progresses in the vicinity of the bonding interface in the solder alloy, and when the Sn-containing intermetallic compounds precipitate, the mechanical strength of the solder joint deteriorates. ..
On the other hand, for example, regarding the solder alloy in the present embodiment, in addition to the above-mentioned elements, the alloy composition further includes Ni: 0 mass ppm or more and 600 mass ppm or less, and Fe: 0 mass ppm or more and 100 mass ppm or less. Is preferably contained.

Ni:0質量ppm以上600質量ppm以下
Niは、Sn含有金属間化合物が接合界面で形成することを抑制する元素である。
はんだ合金がNiを含有することで、前記Sn含有金属間化合物の形成が抑制されて、はんだ継手の機械的強度が維持される。一方、はんだ合金中のNiの含有量が600ppmを超えると、はんだ合金中の接合界面近傍において、SnNi化合物が析出し、はんだ継手の機械的強度が劣化するおそれがある。
本実施形態において、はんだ合金中のNiの含有量は、はんだ合金の総質量(100質量%)に対して、0ppm以上600ppm以下が好ましく、より好ましくは20ppm以上600ppm以下であり、更に好ましくは40ppm以上600ppm以下である。
Ni: 0 mass ppm or more and 600 mass ppm or less Ni is an element that suppresses the formation of Sn-containing intermetallic compounds at the bonding interface.
When the solder alloy contains Ni, the formation of the Sn-containing intermetallic compound is suppressed, and the mechanical strength of the solder joint is maintained. On the other hand, if the Ni content in the solder alloy exceeds 600 ppm, the SnNi compound may precipitate in the vicinity of the bonding interface in the solder alloy, and the mechanical strength of the solder joint may deteriorate.
In the present embodiment, the content of Ni in the solder alloy is preferably 0 ppm or more and 600 ppm or less, more preferably 20 ppm or more and 600 ppm or less, still more preferably 40 ppm, based on the total mass (100% by mass) of the solder alloy. It is 600 ppm or less.

Fe:0質量ppm以上100質量ppm以下
Feは、Niと同様に、Sn含有金属間化合物が接合界面で形成することを抑制する元素である。加えて、所定の含有量の範囲内では、SnFe化合物による針状結晶の析出が抑制されて、回路の短絡を防ぐことができる。
ここでいう「針状結晶」とは、1つのSnFe化合物由来の結晶において、長径と短径との比であるアスペクト比が2以上の結晶をいう。
本実施形態において、はんだ合金中のFeの含有量は、はんだ合金の総質量(100質量%)に対して、0ppm以上100ppm以下が好ましく、より好ましくは20ppm以上100ppm以下であり、更に好ましくは40ppm以上80ppm以下である。
Fe: 0 mass ppm or more and 100 mass ppm or less Fe is an element that suppresses the formation of Sn-containing intermetallic compounds at the bonding interface, similar to Ni. In addition, within a predetermined content range, precipitation of needle-like crystals due to the SnFe compound is suppressed, and short circuit of the circuit can be prevented.
The term "acicular crystal" as used herein refers to a crystal derived from one SnFe compound having an aspect ratio of 2 or more, which is the ratio of the major axis to the minor axis.
In the present embodiment, the content of Fe in the solder alloy is preferably 0 ppm or more and 100 ppm or less, more preferably 20 ppm or more and 100 ppm or less, still more preferably 40 ppm, based on the total mass (100% by mass) of the solder alloy. More than 80 ppm and less.

本実施形態におけるはんだ合金に関し、合金組成については、下記(1)式を満たすことが好ましい。
20≦Ni+Fe≦700 (1)
(1)式中、Ni及びFeは、各々前記合金組成での含有量(質量ppm)を表す。
Regarding the solder alloy in the present embodiment, it is preferable that the alloy composition satisfies the following formula (1).
20 ≦ Ni + Fe ≦ 700 (1)
In the formula (1), Ni and Fe each represent the content (mass ppm) in the alloy composition.

(1)式におけるNi及びFeは、いずれも、Sn含有金属間化合物が接合界面で形成することを抑制する元素である。加えて、本実施形態において、Ni及びFeは、いずれも、ソルダペーストの経時での増粘抑制の効果にも寄与する。
前記Sn含有金属間化合物の形成を抑制する効果、及びソルダペーストの経時での増粘抑制の効果を高めるために、はんだ合金中のNiとFeとの合計の含有量が、はんだ合金の総質量(100質量%)に対して、20ppm以上700ppm以下であることが好ましい。NiとFeとの合計の含有量は、より好ましくは40ppm以上700ppm以下であり、更に好ましくは40ppm以上600ppm以下であり、最も好ましくは40ppm以上200ppm以下である。
Both Ni and Fe in the formula (1) are elements that suppress the formation of Sn-containing intermetallic compounds at the bonding interface. In addition, in the present embodiment, both Ni and Fe also contribute to the effect of suppressing the thickening of the solder paste over time.
In order to enhance the effect of suppressing the formation of the Sn-containing intermetallic compound and the effect of suppressing the thickening of the solder paste over time, the total content of Ni and Fe in the solder alloy is the total mass of the solder alloy. It is preferably 20 ppm or more and 700 ppm or less with respect to (100% by mass). The total content of Ni and Fe is more preferably 40 ppm or more and 700 ppm or less, further preferably 40 ppm or more and 600 ppm or less, and most preferably 40 ppm or more and 200 ppm or less.

但し、前記「NiとFeとの合計の含有量」は、はんだ合金中のNiの含有量が0ppmである場合にはFeの含有量となり、はんだ合金中のFeの含有量が0ppmである場合にはNiの含有量となり、NiとFeとを併有する場合にはこれらの合計の含有量となる。 However, the above-mentioned "total content of Ni and Fe" is the content of Fe when the content of Ni in the solder alloy is 0 ppm, and the content of Fe in the solder alloy is 0 ppm. Is the content of Ni, and when both Ni and Fe are present, the total content of these is obtained.

また、本実施形態においてNiとFeとを併有する場合、はんだ合金中のNiとFeとの比率は、Ni/Feで表される質量比として、好ましくは0.4以上30以下であり、より好ましくは0.4以上10以下であり、さらに好ましくは0.4以上5以下であり、特に好ましくは0.4以上2以下である。
かかる質量比のNi/Feが前記の好ましい範囲であれば、本発明の効果がより得られやすくなる。
Further, when Ni and Fe are used together in the present embodiment, the ratio of Ni and Fe in the solder alloy is preferably 0.4 or more and 30 or less as the mass ratio represented by Ni / Fe, and more. It is preferably 0.4 or more and 10 or less, more preferably 0.4 or more and 5 or less, and particularly preferably 0.4 or more and 2 or less.
If the mass ratio of Ni / Fe is in the above-mentioned preferable range, the effect of the present invention can be more easily obtained.

例えば、本実施形態におけるはんだ合金に関し、合金組成は、上述した元素に加えて、更に、Ag:0質量%以上4質量%以下、及びCu:0質量%以上0.9質量%以下の少なくとも一種を含有してもよい。 For example, with respect to the solder alloy in the present embodiment, the alloy composition is, in addition to the above-mentioned elements, at least one of Ag: 0% by mass or more and 4% by mass or less, and Cu: 0% by mass or more and 0.9% by mass or less. May be contained.

Ag:0質量%以上4質量%以下
Agは、結晶界面にAgSnを形成してはんだ合金の信頼性を向上させることができる任意元素である。また、Agは、イオン化傾向がSnに対して貴な元素であり、Ni及びFeと共存することによって、ソルダペーストの経時での増粘抑制効果を高める。さらに、はんだ合金中のAgの含有量が上記範囲内であれば、合金の融点の上昇を抑制することができるため、リフロー温度を過度に高くする必要がなくなる。
本実施形態において、はんだ合金中のAgの含有量は、はんだ合金の総質量(100質量%)に対して、0%以上4%以下が好ましく、より好ましくは0.5%以上3.5%以下であり、さらに好ましくは1.0%以上3.0%以下であり、特に好ましくは2.0%以上3.0%以下である。
Ag: 0% by mass or more and 4% by mass or less Ag is an optional element capable of forming Ag 3 Sn at the crystal interface to improve the reliability of the solder alloy. Further, Ag is an element whose ionization tendency is noble with respect to Sn, and when it coexists with Ni and Fe, it enhances the effect of suppressing the thickening of the solder paste over time. Further, when the Ag content in the solder alloy is within the above range, it is possible to suppress an increase in the melting point of the alloy, so that it is not necessary to raise the reflow temperature excessively.
In the present embodiment, the content of Ag in the solder alloy is preferably 0% or more and 4% or less, more preferably 0.5% or more and 3.5%, based on the total mass (100% by mass) of the solder alloy. It is less than or equal to, more preferably 1.0% or more and 3.0% or less, and particularly preferably 2.0% or more and 3.0% or less.

Cu:0質量%以上0.9質量%以下
Cuは、一般的なはんだ合金で使用されており、はんだ継手の接合強度を向上させることができる任意元素である。また、Cuは、イオン化傾向がSnに対して貴な元素であり、Ni及びFeと共存することによって、ソルダペーストの経時での増粘抑制効果を高める。
本実施形態において、はんだ合金中のCuの含有量は、はんだ合金の総質量(100質量%)に対して、0%以上0.9%以下が好ましく、より好ましくは0.1%以上0.8%以下であり、さらに好ましくは0.2%以上0.7%以下である。
Cu: 0% by mass or more and 0.9% by mass or less Cu is an optional element used in general solder alloys and capable of improving the bonding strength of solder joints. Further, Cu is an element whose ionization tendency is noble with respect to Sn, and when it coexists with Ni and Fe, it enhances the effect of suppressing the thickening of the solder paste over time.
In the present embodiment, the Cu content in the solder alloy is preferably 0% or more and 0.9% or less, more preferably 0.1% or more and 0.1% or more, based on the total mass (100% by mass) of the solder alloy. It is 8% or less, more preferably 0.2% or more and 0.7% or less.

本実施形態においてCuとNiとを併有する場合、はんだ合金中のCuとNiとの比率は、Cu/Niで表される質量比として、好ましくは8以上175以下であり、より好ましくは10以上150以下である。
かかる質量比のCu/Niが前記の好ましい範囲であれば、本発明の効果がより得られやすくなる。
When Cu and Ni are used together in this embodiment, the ratio of Cu and Ni in the solder alloy is preferably 8 or more and 175 or less, and more preferably 10 or more as the mass ratio represented by Cu / Ni. It is 150 or less.
If Cu / Ni having such a mass ratio is in the above-mentioned preferable range, the effect of the present invention can be more easily obtained.

本実施形態においてCuとFeとを併有する場合、はんだ合金中のCuとFeとの比率は、Cu/Feで表される質量比として、好ましくは50以上350以下であり、より好ましくは70以上250以下である。
かかる質量比のCu/Feが前記の好ましい範囲であれば、本発明の効果がより得られやすくなる。
When Cu and Fe are used together in the present embodiment, the ratio of Cu and Fe in the solder alloy is preferably 50 or more and 350 or less, more preferably 70 or more, as the mass ratio expressed by Cu / Fe. It is 250 or less.
If Cu / Fe having such a mass ratio is in the above-mentioned preferable range, the effect of the present invention can be more easily obtained.

本実施形態においてCuとNiとFeとを併有する場合、はんだ合金中のCuとNiとFeとの比率は、Cu/(Ni+Fe)で表される質量比として、好ましくは7以上350以下であり、より好ましくは10以上250以下である。
かかる質量比のCu/(Ni+Fe)が前記の好ましい範囲であれば、本発明の効果がより得られやすくなる。
When Cu, Ni, and Fe are used together in this embodiment, the ratio of Cu, Ni, and Fe in the solder alloy is preferably 7 or more and 350 or less as the mass ratio expressed by Cu / (Ni + Fe). , More preferably 10 or more and 250 or less.
If the mass ratio of Cu / (Ni + Fe) is in the above-mentioned preferable range, the effect of the present invention can be more easily obtained.

例えば、本実施形態におけるはんだ合金に関し、合金組成は、上述した元素に加えて、更に、Bi:0質量%以上0.3質量%以下、及びSb:0質量%以上0.9質量%以下の少なくとも一種を含有してもよい。 For example, with respect to the solder alloy in the present embodiment, the alloy composition is, in addition to the above-mentioned elements, Bi: 0% by mass or more and 0.3% by mass or less, and Sb: 0% by mass or more and 0.9% by mass or less. It may contain at least one kind.

Bi:0質量%以上0.3質量%以下
Biは、フラックスとの反応性が低く、ソルダペーストの経時での増粘抑制効果を示す元素である。また、Biは、はんだ合金の液相線温度を下げるとともに、溶融はんだの粘性を低減させるため、濡れ性の劣化を抑えることができる元素である。
本実施形態において、はんだ合金中のBiの含有量は、はんだ合金の総質量(100質量%)に対して、0%以上0.3%以下が好ましく、より好ましくは0.0020%以上0.3%以下であり、さらに好ましくは0.01%以上0.1%以下であり、最も好ましくは0.01%以上0.05%以下である。
Bi: 0% by mass or more and 0.3% by mass or less Bi is an element that has low reactivity with flux and exhibits an effect of suppressing thickening of solder paste over time. Further, Bi is an element capable of suppressing deterioration of wettability because it lowers the liquidus temperature of the solder alloy and reduces the viscosity of the molten solder.
In the present embodiment, the Bi content in the solder alloy is preferably 0% or more and 0.3% or less, more preferably 0.0020% or more and 0.% with respect to the total mass (100% by mass) of the solder alloy. It is 3% or less, more preferably 0.01% or more and 0.1% or less, and most preferably 0.01% or more and 0.05% or less.

Sb:0質量%以上0.9質量%以下
Sbは、Biと同様に、フラックスとの反応性が低く、ソルダペーストの経時での増粘抑制効果を示す元素である。はんだ合金中のSbの含有量が多すぎると、濡れ性が劣化するため、Sbを添加する場合には適度な含有量にする必要がある。
本実施形態において、はんだ合金中のSbの含有量は、はんだ合金の総質量(100質量%)に対して、0%以上0.9%以下が好ましく、より好ましくは0.0020%以上0.9%以下であり、さらに好ましくは0.01%以上0.1%以下であり、最も好ましくは0.01%以上0.05%以下である。
Sb: 0% by mass or more and 0.9% by mass or less Sb is an element that has low reactivity with flux and exhibits an effect of suppressing thickening of solder paste over time, like Bi. If the content of Sb in the solder alloy is too large, the wettability deteriorates. Therefore, when adding Sb, it is necessary to make the content appropriate.
In the present embodiment, the content of Sb in the solder alloy is preferably 0% or more and 0.9% or less, more preferably 0.0020% or more and 0. It is 9% or less, more preferably 0.01% or more and 0.1% or less, and most preferably 0.01% or more and 0.05% or less.

本実施形態におけるはんだ合金に関し、合金組成が、更に、Bi:0質量%以上0.3質量%以下、及びSb:0質量%以上0.9質量%以下の少なくとも一種を含有する場合、前記合金組成は、下記(2)式を満たすことが好ましい。
0.03≦Bi+Sb≦1.2 (2)
(2)式中、Bi及びSbは、各々前記合金組成での含有量(質量%)を表す。
Regarding the solder alloy in the present embodiment, when the alloy composition further contains at least one of Bi: 0% by mass or more and 0.3% by mass or less and Sb: 0% by mass or more and 0.9% by mass or less, the alloy. The composition preferably satisfies the following formula (2).
0.03 ≤ Bi + Sb ≤ 1.2 (2)
In the formula (2), Bi and Sb each represent the content (mass%) in the alloy composition.

(2)式におけるBi及びSbは、いずれも、ソルダペーストの経時での増粘抑制効果を示す元素である。加えて、本実施形態において、Bi及びSbは、いずれも、はんだ合金の濡れ性にも寄与する。
はんだ合金中のBiとSbとの合計の含有量は、はんだ合金の総質量(100質量%)に対して、0.03%以上1.2%以下が好ましく、より好ましくは0.03%以上0.9%以下であり、さらに好ましくは0.3%以上0.9%以下である。
Both Bi and Sb in the formula (2) are elements showing the effect of suppressing the thickening of the solder paste over time. In addition, in this embodiment, both Bi and Sb also contribute to the wettability of the solder alloy.
The total content of Bi and Sb in the solder alloy is preferably 0.03% or more and 1.2% or less, more preferably 0.03% or more, based on the total mass (100% by mass) of the solder alloy. It is 0.9% or less, more preferably 0.3% or more and 0.9% or less.

但し、前記「BiとSbとの合計の含有量」は、はんだ合金中のBiの含有量が0%である場合にはSbの含有量となり、はんだ合金中のSbの含有量が0%である場合にはBiの含有量となり、BiとSbとを併有する場合にはこれらの合計の含有量となる。 However, the above-mentioned "total content of Bi and Sb" is the content of Sb when the content of Bi in the solder alloy is 0%, and the content of Sb in the solder alloy is 0%. In some cases, it is the content of Bi, and in the case of having both Bi and Sb, it is the total content of these.

本実施形態においてBiとSbとを併有する場合、はんだ合金中のBiとSbとの比率は、Sb/Biで表される質量比として、好ましくは0.01以上10以下であり、より好ましくは0.1以上5以下である。
かかる質量比のSb/Biが前記の好ましい範囲であれば、本発明の効果がより得られやすくなる。
When Bi and Sb are used together in the present embodiment, the ratio of Bi and Sb in the solder alloy is preferably 0.01 or more and 10 or less, more preferably 10 or less, as the mass ratio expressed by Sb / Bi. It is 0.1 or more and 5 or less.
If the mass ratio of Sb / Bi is in the above-mentioned preferable range, the effect of the present invention can be more easily obtained.

≪残部:Sn≫
本実施形態におけるはんだ合金に関し、合金組成は、残部がSnからなる。上述した元素の他に不可避的不純物を含有してもよい。不可避的不純物を含有する場合であっても、上述の効果に影響することはない。
≪Remaining part: Sn≫
Regarding the solder alloy in the present embodiment, the alloy composition is composed of Sn as the balance. In addition to the above-mentioned elements, unavoidable impurities may be contained. Even if it contains unavoidable impurities, it does not affect the above-mentioned effects.

≪α線量≫
本実施形態におけるはんだ合金は、α線量が0.02cph/cm以下である。
これは、電子部品の高密度実装においてソフトエラーが問題にならない程度のα線量である。
本実施形態におけるはんだ合金から発生するα線量は、更なる高密度実装でのソフトエラーを抑制する観点から、好ましくは0.01cph/cm以下であり、より好ましくは0.002cph/cm以下であり、さらに好ましくは0.001cph/cm以下である。
≪α dose≫
The solder alloy in this embodiment has an α dose of 0.02 cph / cm 2 or less.
This is an α-dose that does not cause soft errors in high-density mounting of electronic components.
The α-dose generated from the solder alloy in the present embodiment is preferably 0.01 cf / cm 2 or less, more preferably 0.002 cf / cm 2 or less, from the viewpoint of suppressing soft errors in further high-density mounting. It is more preferably 0.001 cf / cm 2 or less.

はんだ合金から発生するα線量は、以下のようにして測定することができる。かかるα線量の測定方法は、国際標準であるJEDEC STANDARDに基づいている。 The α dose generated from the solder alloy can be measured as follows. The method for measuring the α dose is based on the international standard JEDEC STANDARD.

手順(i):
ガスフロー型のα線量測定装置を用いる。
測定サンプルとして、はんだ合金を溶融し、一面の面積が900cmであるシート状に成形したはんだ合金シートを用いる。
前記α線量測定装置内に、測定サンプルとして前記はんだ合金シートを設置し、そこにPRガスをパージする。
Procedure (i):
A gas flow type α dosimetry device is used.
As a measurement sample, a solder alloy sheet formed by melting a solder alloy into a sheet having an area of 900 cm 2 on one side is used.
The solder alloy sheet is installed as a measurement sample in the α-dose measuring device, and PR gas is purged therein.

尚、PRガスには、国際標準であるJEDEC STANDARDに従うものを用いる。すなわち、測定に使用するPRガスは、アルゴン90%-メタン10%の混合ガスをガスボンベに充填してから3週間以上が経過した、ガス中の不純物ラドン(Rn)の崩壊したものとする。 As the PR gas, a gas that complies with the international standard JEDEC STANDARD is used. That is, the PR gas used for the measurement is assumed to be the disintegration of the impurity radon (Rn) in the gas after 3 weeks or more have passed since the gas cylinder was filled with the mixed gas of 90% argon and 10% methane.

手順(ii):
前記はんだ合金シートを設置した前記α線量測定装置内に、前記PRガスを12時間流し静置した後、72時間α線量測定を行う。
Procedure (ii):
The PR gas is allowed to flow in the α-dose measuring device on which the solder alloy sheet is installed for 12 hours, and then the α-dose is measured for 72 hours.

手順(iii):
平均α線量を「cph/cm」として算出する。異常点(装置振動によるカウント等)はその1時間分のカウントを除去する。
Procedure (iii):
The average α-dose is calculated as “cph / cm 2 ”. Abnormal points (counts due to device vibration, etc.) are removed from the count for one hour.

本実施形態におけるはんだ合金は、一面の面積が900cmであるシート状に成形した際のはんだ合金シートに対して、100℃で1時間の加熱処理を施した後におけるα線量が、0.02cph/cm以下となるものが好ましく、より好ましくは0.01cph/cm以下となるものであり、さらに好ましくは0.002cph/cm以下となるものであり、特に好ましくは0.001cph/cm以下となるものである。
このようなα線量を示すはんだ合金は、合金中で210Poの偏析が起こりにくいものであり、α線量の経時変化による影響が小さく、有用である。このようなα線量を示すはんだ合金を適用することにより、ソフトエラーの発生がより抑制されて、半導体素子の安定な動作がいっそう確保されやすくなる。
In the solder alloy of the present embodiment, the α dose of the solder alloy sheet formed into a sheet having an area of 900 cm 2 on one surface after being heat-treated at 100 ° C. for 1 hour is 0.02 cf. It is preferably / cm 2 or less, more preferably 0.01 cf / cm 2 or less, still more preferably 0.002 cf / cm 2 or less, and particularly preferably 0.001 cf / cm. It is 2 or less.
Solder alloys exhibiting such an α dose are useful because they are less likely to segregate 210 Po in the alloy and are less affected by changes in the α dose over time. By applying a solder alloy exhibiting such an α dose, the occurrence of soft errors is further suppressed, and it becomes easier to secure stable operation of the semiconductor element.

[はんだ合金の製造方法]
本実施形態におけるはんだ合金は、例えば、Ni及びFeの少なくとも一種、並びにSnを含有する原料金属を溶融混合する工程を有する製造方法を用いることにより製造できる。
低α線量のはんだ合金の設計を目的としていることから、その原料金属として低α線量材を用いることが好ましく、例えば、原料金属としてのSn、Ni及びFeには、それぞれ、高純度のもの、並びにU、Th及びPbを除去したものを用いることが好ましい。
原料金属としてのSnとしては、例えば、特開2010-156052号公報(特許文献1)に記載の製造方法に準じて製造したものを用いることができる。
原料金属としてのNi及びFeとしては、それぞれ、例えば、特許第5692467号公報に準じて製造したものを用いることができる。
原料金属を溶融混合する操作は、従来公知の方法を用いることができる。
[Manufacturing method of solder alloy]
The solder alloy in the present embodiment can be produced, for example, by using a production method having a step of melt-mixing at least one of Ni and Fe and a raw material metal containing Sn.
Since the purpose is to design a solder alloy with a low α-dose, it is preferable to use a low-α-dose material as the raw material metal. Further, it is preferable to use one from which U, Th and Pb have been removed.
As the Sn as the raw material metal, for example, one manufactured according to the manufacturing method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-156052 (Patent Document 1) can be used.
As the raw material metals Ni and Fe, for example, those manufactured according to Japanese Patent No. 5692467 can be used.
A conventionally known method can be used for the operation of melting and mixing the raw metal.

本実施形態におけるはんだ粉末の製造は、溶融させたはんだ合金を滴下して粒子を得る滴下法や、遠心噴霧する噴霧法、アトマイズ法、液中造粒法、バルクのはんだ合金を粉砕する方法など、公知の方法を採用することができる。滴下法又は噴霧法における、滴下又は噴霧は、粒子状とするために不活性雰囲気又は溶媒中で行うことが好ましい。 The solder powder in the present embodiment is produced by a dropping method of dropping a molten solder alloy to obtain particles, a spraying method of centrifugal spraying, an atomizing method, an in-liquid granulation method, a method of crushing a bulk solder alloy, and the like. , A known method can be adopted. The dropping or spraying in the dropping method or the spraying method is preferably carried out in an inert atmosphere or a solvent in order to form particles.

本実施形態におけるはんだ粉末は、球状粉末であることが好ましい。球状粉末であることにより、はんだ合金の流動性が向上する。
本実施形態におけるはんだ粉末が球状粉末である場合、JIS Z 3284-1:2014における粉末サイズの分類(表2)において、記号1~8を満たしていることが好ましく、記号4~8を満たしていることがより好ましい。はんだ粉末の粒径がこの条件を満たすと、粉末の表面積が大きすぎず、ソルダペーストの経時での粘度の上昇が抑制され、また、微細粉末の凝集が抑制されて、ソルダペーストの粘度の上昇が抑えられることがある。このため、より微細な部品へのはんだ付けが可能となる。
The solder powder in this embodiment is preferably a spherical powder. The spherical powder improves the fluidity of the solder alloy.
When the solder powder in the present embodiment is a spherical powder, it is preferable that the symbols 1 to 8 are satisfied, and the symbols 4 to 8 are satisfied in the powder size classification (Table 2) in JIS Z 3284-1: 2014. It is more preferable to be there. When the particle size of the solder powder satisfies this condition, the surface area of the powder is not too large, the increase in the viscosity of the solder paste over time is suppressed, and the aggregation of the fine powder is suppressed, so that the viscosity of the solder paste is increased. May be suppressed. Therefore, it is possible to solder to finer parts.

また、本実施形態におけるはんだ粉末は、平均粒子径が0.1~50μmのはんだ合金粒子群からなるものを用いることが好ましく、平均粒子径が1~25μmのはんだ合金粒子群からなるものを用いることがより好ましく、平均粒子径が1~15μmのはんだ合金粒子群からなるものを用いることがさらに好ましい。
はんだ粉末の粒径が前記の好ましい範囲であると、ソルダペーストの経時での粘度増加が抑制されやすくなる。
ここでいうはんだ粉末の平均粒子径とは、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置によって測定される粒度分布における積算値50%での粒子径を意味する。
Further, as the solder powder in the present embodiment, it is preferable to use a solder alloy particle group having an average particle diameter of 0.1 to 50 μm, and a solder alloy particle group having an average particle diameter of 1 to 25 μm is used. It is more preferable to use a solder alloy particle group having an average particle diameter of 1 to 15 μm.
When the particle size of the solder powder is in the above-mentioned preferable range, the increase in viscosity of the solder paste with time is likely to be suppressed.
The average particle size of the solder powder referred to here means the particle size at an integrated value of 50% in the particle size distribution measured by the laser diffraction / scattering type particle size distribution measuring device.

また、本実施形態におけるはんだ粉末は、粒度分布の異なる2種以上のはんだ合金粒子群を併有することが好ましい。これにより、ソルダペーストの滑り性が高められて、印刷しやすくなる等の作業性が向上する。
例えば、はんだ粉末として、平均粒子径が異なる2種以上のはんだ合金粒子群を併有することが挙げられる。一例として、平均粒子径5μm以上10μm未満のはんだ合金粒子群(S1)と、平均粒子径1μm以上5μm未満のはんだ合金粒子群(S2)とを併有したはんだ粉末が好適に挙げられる。
はんだ合金粒子群(S1)とはんだ合金粒子群(S2)との混合比率は、(S1)/(S2)で表される質量比として、(S1)/(S2)=9/1~1/9が好ましく、9/1~3/7がより好ましく、9/1~5/5がさらに好ましい。
Further, it is preferable that the solder powder in the present embodiment also has two or more kinds of solder alloy particle groups having different particle size distributions. As a result, the slipperiness of the solder paste is enhanced, and workability such as easy printing is improved.
For example, the solder powder may have two or more kinds of solder alloy particles having different average particle diameters. As an example, a solder powder having both a solder alloy particle group (S1) having an average particle diameter of 5 μm or more and less than 10 μm and a solder alloy particle group (S2) having an average particle diameter of 1 μm or more and less than 5 μm can be preferably mentioned.
The mixing ratio of the solder alloy particle group (S1) and the solder alloy particle group (S2) is (S1) / (S2) = 9/1 to 1 / as the mass ratio represented by (S1) / (S2). 9 is preferable, 9/1 to 3/7 is more preferable, and 9/1 to 5/5 is even more preferable.

本実施形態におけるはんだ粉末について、球状粉末の真球度は、0.8以上が好ましく、0.9以上がより好ましく、0.95以上がさらに好ましく、0.99以上が特に好ましい。 Regarding the solder powder in the present embodiment, the sphericity of the spherical powder is preferably 0.8 or more, more preferably 0.9 or more, further preferably 0.95 or more, and particularly preferably 0.99 or more.

ここでいう「球状粉末の真球度」は、最小領域中心法(MZC法)を用いるCNC画像測定システム(ミツトヨ社製のウルトラクイックビジョンULT RA QV350-PRO測定装置)を使用して測定することができる。
真球度とは、真球からのずれを表し、例えば500個の各はんだ合金粒子の直径を長径で割った際に算出される算術平均値であり、その値が上限である1.00に近いほど真球に近いことを表す。
The "spherical degree of spherical powder" referred to here shall be measured using a CNC image measurement system (Ultra Quick Vision ULT RA QV350-PRO measuring device manufactured by Mitutoyo Co., Ltd.) that uses the minimum region center method (MZC method). Can be done.
The sphericity represents the deviation from the sphere, and is an arithmetic mean value calculated when, for example, the diameter of each of 500 solder alloy particles is divided by the major axis, and the value is 1.00, which is the upper limit. The closer it is, the closer it is to a true sphere.

<フラックス>
本実施形態のソルダペーストに用いられるフラックスは、フラックスは、ハロゲン系活性剤と、ロジンと、チキソ剤と、溶剤とを含む。加えて、前記フラックスは、炭素数が5以下の有機酸を含まないものである。前記ハロゲン系活性剤の含有量は、前記フラックスの総量に対して0.1質量%以上4.0質量%以下である。
<Flux>
The flux used in the solder paste of the present embodiment includes a halogen-based activator, a rosin, a thixotropic agent, and a solvent. In addition, the flux does not contain an organic acid having 5 or less carbon atoms. The content of the halogen-based activator is 0.1% by mass or more and 4.0% by mass or less with respect to the total amount of the flux.

本実施形態のソルダペーストに用いられるフラックスは、ハロゲン系活性剤を含むことにより、はんだの濡れ性を高めることができる。本実施形態のソルダペーストは、炭素数が5以下の有機酸を含まないことにより、ソルダペーストの経時での粘度増加を抑制することができる。 The flux used in the solder paste of the present embodiment can enhance the wettability of the solder by containing a halogen-based activator. Since the solder paste of the present embodiment does not contain an organic acid having 5 or less carbon atoms, it is possible to suppress an increase in viscosity of the solder paste over time.

《ハロゲン系活性剤》
ハロゲン系活性剤としては、例えば、アミンハロゲン化水素酸塩、アミンハロゲン化水素酸塩以外の有機ハロゲン化合物等が挙げられる。
<< Halogen-based activator >>
Examples of the halogen-based activator include an amine hydrohalide, an organic halogen compound other than an amine halide hydride, and the like.

アミンハロゲン化水素酸塩は、アミンとハロゲン化水素とを反応させた化合物である。ここでのアミンとしては、例えば、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、ジフェニルグアニジン、ジトリルグアニジン、メチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール等が挙げられ、ハロゲン化水素としては、例えば、塩素、臭素、ヨウ素の水素化物が挙げられる。
より具体的には、アミンハロゲン化水素酸塩としては、例えば、シクロヘキシルアミン臭化水素酸塩、ヘキサデシルアミン臭化水素酸塩、ステアリルアミン臭化水素酸塩、エチルアミン臭化水素酸塩、ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩、エチルアミン塩酸塩、ステアリルアミン塩酸塩、ジエチルアニリン塩酸塩、ジエタノールアミン塩酸塩、2-エチルヘキシルアミン臭化水素酸塩、ピリジン臭化水素酸塩、イソプロピルアミン臭化水素酸塩、ジエチルアミン臭化水素酸塩、ジメチルアミン臭化水素酸塩、ジメチルアミン塩酸塩、ロジンアミン臭化水素酸塩、2-エチルヘキシルアミン塩酸塩、イソプロピルアミン塩酸塩、シクロヘキシルアミン塩酸塩、2-ピペコリン臭化水素酸塩、1,3-ジフェニルグアニジン塩酸塩、ジメチルベンジルアミン塩酸塩、ヒドラジンヒドラート臭化水素酸塩、ジメチルシクロヘキシルアミン塩酸塩、トリノニルアミン臭化水素酸塩、ジエチルアニリン臭化水素酸塩、2-ジエチルアミノエタノール臭化水素酸塩、2-ジエチルアミノエタノール塩酸塩、塩化アンモニウム、ジアリルアミン塩酸塩、ジアリルアミン臭化水素酸塩、ジエチルアミン塩酸塩、トリエチルアミン臭化水素酸塩、トリエチルアミン塩酸塩、ヒドラジン一塩酸塩、ヒドラジン二塩酸塩、ヒドラジン一臭化水素酸塩、ヒドラジン二臭化水素酸塩、ピリジン塩酸塩、アニリン臭化水素酸塩、ブチルアミン塩酸塩、へキシルアミン塩酸塩、n-オクチルアミン塩酸塩、ドデシルアミン塩酸塩、ジメチルシクロヘキシルアミン臭化水素酸塩、エチレンジアミン二臭化水素酸塩、ロジンアミン臭化水素酸塩、2-フェニルイミダゾール臭化水素酸塩、4-ベンジルピリジン臭化水素酸塩、L-グルタミン酸塩酸塩、N-メチルモルホリン塩酸塩、ベタイン塩酸塩、2-ピペコリンヨウ化水素酸塩、シクロヘキシルアミンヨウ化水素酸塩、1,3-ジフェニルグアニジンフッ化水素酸塩、ジエチルアミンフッ化水素酸塩、2-エチルヘキシルアミンフッ化水素酸塩、シクロヘキシルアミンフッ化水素酸塩、エチルアミンフッ化水素酸塩、ロジンアミンフッ化水素酸塩、シクロヘキシルアミンテトラフルオロホウ酸塩、及びジシクロヘキシルアミンテトラフルオロホウ酸塩等が挙げられる。
Amine hydrohalide is a compound obtained by reacting an amine with hydrogen halide. Examples of the amine here include ethylamine, diethylamine, triethylamine, ethylenediamine, diphenylguanidine, ditrilguanidine, methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole and the like, and examples of the hydrogen halide include chlorine and the like. Examples include bromine and hydrides of iodine.
More specifically, examples of the amine halide hydride include cyclohexylamine hydrobromite, hexadecylamine hydrobromide, stearylamine hydrobromide, ethylamine hydrobromide, and diphenyl. Guanidin Hydrobromide, Ethylamine Hydrochloride, Stearylamine Hydrochloride, diethylaniline Hydrochloride, Diethanolamine Hydrochloride, 2-Ethylhexylamine Hydrobromide, pyridine Hydrochloride, Isopropylamine Hydrochloride, Diethylamine Hydrobromide, Dimethylamine Hydrobromide, Dimethylamine Hydrochloride, Rodinamine Hydrobromide, 2-Ethylhexylamine Hydrochloride, Isopropylamine Hydrochloride, Cyclohexylamine Hydrochloride, 2-Pipecholine Hydrogen Bromide Hydroate, 1,3-diphenylguanidine hydrochloride, dimethylbenzylamine hydrochloride, hydrazinehydrate hydrobromide, dimethylcyclohexylamine hydrochloride, trinonylamine hydrobromide, diethylaniline hydrobromide, 2-diethylaminoethanol hydrobromide, 2-diethylaminoethanol hydrochloride, ammonium chloride, diallylamine hydrochloride, diallylamine hydrobromide, diethylamine hydrochloride, triethylamine hydrobromide, triethylamine hydrochloride, hydrazine monohydrochloride , Hydrazin dihydrochloride, Hydrazin monobromide, Hydrazin dibromide, Ppyridine hydrochloride, Aniline hydrobromide, Butylamine hydrochloride, Hexylamine hydrochloride, n-octylamine hydrochloride, Dodecyl Amine hydrochloride, dimethylcyclohexylamine hydrobromide, ethylenediamine dihydrobromide, rosinamine hydrobromide, 2-phenylimidazole hydrobromide, 4-benzylpyridine hydrobromide, L- Glutamine hydrochloride, N-methylmorpholine hydrochloride, betaine hydrochloride, 2-pipecholine hydride, cyclohexylamine hydride, 1,3-diphenylguanidine fluoride, diethylamine fluorinated, 2-Ethylhexylamine Hydrochloride, Cyclohexylamine Hydrochloride, Ethylamine Hydrochloride, Rosinamine Hydrochloride, Cyclohexylamine Tetrafluoroborate, Dicyclohexylamine Tetrafluoroborate, etc. Can be mentioned.

また、ハロゲン系活性剤としては、例えば、アミンとテトラフルオロホウ酸(HBF)とを反応させた塩、アミンと三フッ化ホウ素(BF)とを反応させた錯体も用いることができる。
前記錯体としては、例えば、三フッ化ホウ素ピぺリジン等が挙げられる。
Further, as the halogen-based activator, for example, a salt obtained by reacting an amine with tetrafluoroboric acid (HBF 4 ) and a complex obtained by reacting an amine with boron trifluoride (BF 3 ) can also be used.
Examples of the complex include boron trifluoride piperidine and the like.

アミンハロゲン化水素酸塩以外の有機ハロゲン化合物としては、例えば、trans-2,3-ジブロモ-2-ブテン-1,4-ジオール、トリアリルイソシアヌレート6臭化物、イソシアヌル酸トリス-(2,3-ジブロモプロピル)、1-ブロモ-2-ブタノール、1-ブロモ-2-プロパノール、3-ブロモ-1-プロパノール、3-ブロモ-1,2-プロパンジオール、1,4-ジブロモ-2-ブタノール、1,3-ジブロモ-2-プロパノール、2,3-ジブロモ-1-プロパノール、2,3-ジブロモ-1,4-ブタンジオール、2,3-ジブロモ-2-ブテン-1,4-ジオール等が挙げられる。
また、アミンハロゲン化水素酸塩以外の有機ハロゲン化合物としては、ハロゲン化カルボキシル化合物も挙げられ、例えば、2-ヨード安息香酸、3-ヨード安息香酸、2-ヨードプロピオン酸、5-ヨードサリチル酸、5-ヨードアントラニル酸などのヨウ化カルボキシル化合物;2-クロロ安息香酸、3-クロロプロピオン酸などの塩化カルボキシル化合物;2,3-ジブロモプロピオン酸、2,3-ジブロモコハク酸、2-ブロモ安息香酸などの臭素化カルボキシル化合物等が挙げられる。
Examples of the organic halogen compound other than the amine hydrohalide include trans-2,3-dibromo-2-butene-1,4-diol, triallyl isocyanurate 6 bromide, and tris isocyanurate- (2,3-). Dibromopropyl), 1-bromo-2-butanol, 1-bromo-2-propanol, 3-bromo-1-propanol, 3-bromo-1,2-propanediol, 1,4-dibromo-2-butanol, 1 , 3-Dibromo-2-propanol, 2,3-dibromo-1-propanol, 2,3-dibromo-1,4-butanediol, 2,3-dibromo-2-butene-1,4-diol and the like. Be done.
Examples of the organic halogen compound other than the hydrogen halide hydride include a halide carboxyl compound, for example, 2-iodobenzoic acid, 3-iodobenzoic acid, 2-iodopropionic acid, 5-iodosalicylic acid, 5 -Carboxyl iodide compounds such as iodoanthranyl acid; carboxyl compounds chloride such as 2-chlorobenzoic acid and 3-chloropropionic acid; 2,3-dibromopropionic acid, 2,3-dibromosuccinic acid, 2-bromobenzoic acid and the like. Examples include the brominated carboxyl compound of.

本実施形態のソルダペーストに用いられるフラックスにおいて、ハロゲン系活性剤を、一種又は二種以上で用いることができる。
ハロゲン系活性剤は、アミンハロゲン化水素酸塩を含むことが好ましい。
アミンハロゲン化水素酸塩は、シクロヘキシルアミン臭化水素酸塩、ヘキサデシルアミン臭化水素酸塩、ステアリルアミン臭化水素酸塩、シクロヘキシルアミンテトラフルオロホウ酸塩、エチルアミン臭化水素酸塩、ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩及びエチルアミン塩酸塩からなる群より選択される少なくとも一種を含むことが好ましく、シクロヘキシルアミン臭化水素酸塩、ヘキサデシルアミン臭化水素酸塩及びステアリルアミン臭化水素酸塩からなる群より選択される一種以上を含むことがより好ましい。
アミンハロゲン化水素酸塩以外の有機ハロゲン化合物は、trans-2,3-ジブロモ-2-ブテン-1,4-ジオール及びイソシアヌル酸トリス-(2,3-ジブロモプロピル)からなる群より選択される一種以上を含むことが好ましい。
In the flux used for the solder paste of the present embodiment, one or more halogen-based activators can be used.
The halogen-based activator preferably contains an amine hydrohalide hydrochloride.
Amine halides are cyclohexylamine hydrobromide, hexadecylamine hydrobromide, stearylamine hydrobromide, cyclohexylaminetetrafluoroborate, ethylamine hydrobromide, diphenylguanidine. It preferably contains at least one selected from the group consisting of hydrobromide and ethylamine hydrochloride, and comprises cyclohexylamine hydrobromide, hexadecylamine hydrobromide and stearylamine hydrobromide. It is more preferable to include one or more selected from the group.
Organic halogen compounds other than amine hydrogen halides are selected from the group consisting of trans-2,3-dibromo-2-butene-1,4-diol and tris-isocyanurate- (2,3-dibromopropyl). It is preferable to include one or more.

前記フラックス中の、前記ハロゲン系活性剤の合計の含有量は、前記フラックスの総量(100質量%)に対して0.1質量%以上4.0質量%以下であり、0.5質量%以上4.0質量%以下がより好ましい。
前記フラックス中の、前記有機ハロゲン化合物の含有量は、前記フラックスの総量(100質量%)に対して、0質量%以上4.0質量%以下であることが好ましく、0.9質量%以上2.0質量%以下であることがより好ましい。
前記フラックス中の、前記アミンハロゲン化水素酸塩の含有量は、前記フラックスの総量(100質量%)に対して、0質量%以上4.0質量%以下であることが好ましく、0.1質量%以上4.0質量%以下であることがより好ましく、0.5量%以上2.0質量%以下であることが更に好ましい。
The total content of the halogen-based activator in the flux is 0.1% by mass or more and 4.0% by mass or less with respect to the total amount (100% by mass) of the flux, and is 0.5% by mass or more. More preferably, it is 4.0% by mass or less.
The content of the organic halogen compound in the flux is preferably 0% by mass or more and 4.0% by mass or less, and 0.9% by mass or more 2 with respect to the total amount (100% by mass) of the flux. More preferably, it is 0.0% by mass or less.
The content of the amine halide hydride in the flux is preferably 0% by mass or more and 4.0% by mass or less, preferably 0.1% by mass, based on the total amount (100% by mass) of the flux. It is more preferably% or more and 4.0% by mass or less, and further preferably 0.5% by mass or more and 2.0% by mass or less.

《ロジン》
ロジンとしては、例えば、ガムロジン、ウッドロジン及びトール油ロジン等の原料ロジン、並びに該原料ロジンから得られる誘導体が挙げられる。
該誘導体としては、例えば、精製ロジン、水添ロジン、不均化ロジン、重合ロジン、酸変性ロジン、フェノール変性ロジン及びα,β不飽和カルボン酸変性物(アクリル化ロジン、マレイン化ロジン、フマル化ロジン等)、並びに該重合ロジンの精製物、水素化物及び不均化物、並びに該α,β不飽和カルボン酸変性物の精製物、水素化物及び不均化物等が挙げられる。
本実施形態のソルダペーストに用いられるフラックスにおいて、ロジンを、一種又は二種以上で用いることができる。
ロジンは、更に、ロジンエステルを含んでもよい。
ロジンエステルは、水添ロジンメチルを含むことが好ましい。
この水添ロジン酸メチルは、ロジンから得られる水素添加した環状脂肪酸とメチルアルコールとから得られるエステルであり、別名が水添アビエチン酸メチルであり、CAS番号:8050-15-5を有するものである。
ロジンは、重合ロジン、アクリル酸変性水添ロジン、アクリル酸変性ロジン、不均化ロジン及び水添ロジンからなる群より選択される少なくとも一種を含むことが好ましく、重合ロジン及び水添ロジン酸メチルからなる群より選択される少なくとも一種を含むことがより好ましい。
《Rosin》
Examples of the rosin include raw material rosins such as gum rosin, wood rosin and tall oil rosin, and derivatives obtained from the raw material rosin.
Examples of the derivative include purified rosin, hydrogenated rosin, disproportionated rosin, polymerized rosin, acid-modified rosin, phenol-modified rosin and α, β-unsaturated carboxylic acid-modified products (acrylicized rosin, maleated rosin, fumarization). (Rodin, etc.), and purified products, hydrides, and disproportionated products of the polymerized rosin, and purified products, hydrides, and disproportionated products of the α, β unsaturated carboxylic acid modified products.
In the flux used for the solder paste of the present embodiment, rosin can be used alone or in combination of two or more.
The rosin may further contain a rosin ester.
The rosin ester preferably contains hydrogenated rosin methyl.
This methyl hydrogenated rosinate is an ester obtained from a hydrogenated cyclic fatty acid obtained from rosin and a methyl alcohol, also known as methyl hydrogenated abietic acid, and has a CAS number: 8050-15-5. be.
The rosin preferably contains at least one selected from the group consisting of polymerized rosin, acrylic acid-modified hydrogenated rosin, acrylic acid-modified rosin, disproportionated rosin and hydrogenated rosin, preferably from polymerized rosin and methyl hydrogenated rosin. It is more preferable to include at least one selected from the group.

前記フラックス中の、前記ロジンの合計の含有量は、前記フラックスの総量(100質量%)に対して、30.0質量%以上60.0質量%以下であることが好ましく、35.0質量%以上50.0質量%以下であることがより好ましく、40.0質量%以上50.0質量%以下であることが更に好ましい。
前記フラックス中のロジンエステルの含有量は、前記フラックスの総量(100質量%)に対して、0質量%以上30.0質量%以下であることが好ましく、5.0質量%以上20.0質量%以下であることがより好ましく、5.0質量%以上10.0質量%以下が更に好ましい。
前記フラックスがロジンエステルを含む場合、前記ロジンエステルの含有量は、前記ロジンの総量に対して、0質量%以上60.0質量%以下であることが好ましく、10.0質量%以上50.0質量%以下であることがより好ましく、10.0質量%以上20.0質量%以下が更に好ましい。
The total content of the rosin in the flux is preferably 30.0% by mass or more and 60.0% by mass or less with respect to the total amount (100% by mass) of the flux. It is more preferably 50.0% by mass or less, and further preferably 40.0% by mass or more and 50.0% by mass or less.
The content of the rosin ester in the flux is preferably 0% by mass or more and 30.0% by mass or less, and 5.0% by mass or more and 20.0% by mass with respect to the total amount (100% by mass) of the flux. % Or less, more preferably 5.0% by mass or more and 10.0% by mass or less.
When the flux contains a rosin ester, the content of the rosin ester is preferably 0% by mass or more and 60.0% by mass or less with respect to the total amount of the rosin, and 10.0% by mass or more and 50.0. It is more preferably 10.0% by mass or less, and further preferably 10.0% by mass or more and 20.0% by mass or less.

《チキソ剤》
チキソ剤としては、例えば、エステル系チキソ剤、アマイド系チキソ剤、ソルビトール系チキソ剤等が挙げられる。
《Thixotropic agent》
Examples of the thixotropic agent include an ester-based thixotropy, an amide-based thixotropy, and a sorbitol-based thixotropy.

エステル系チキソ剤としては、例えばエステル化合物が挙げられ、具体的にはヒマシ硬化油、ミリスチン酸エチル等が挙げられる。 Examples of the ester-based thixotropy include ester compounds, and specific examples thereof include castor oil, ethyl myristate, and the like.

アマイド系チキソ剤としては、例えば、モノアマイド、ビスアマイド、ポリアマイドが挙げられ、具体的には、ラウリン酸アミド、パルミチン酸アミド、ステアリン酸アミド、ベヘン酸アミド、ヒドロキシステアリン酸アミド、飽和脂肪酸アミド、オレイン酸アミド、エルカ酸アミド、不飽和脂肪酸アミド、4-メチルベンズアミド(p-トルアミド)、p-トルエンメタンアミド、芳香族アミド、ヘキサメチレンヒドロキシステアリン酸アミド、置換アミド、メチロールステアリン酸アミド、メチロールアミド、脂肪酸エステルアミド等のモノアミド;メチレンビスステアリン酸アミド、エチレンビスラウリン酸アミド、エチレンビスヒドロキシ脂肪酸(脂肪酸の炭素数C6~24)アミド、エチレンビスヒドロキシステアリン酸アミド、飽和脂肪酸ビスアミド、メチレンビスオレイン酸アミド、不飽和脂肪酸ビスアミド、m-キシリレンビスステアリン酸アミド、芳香族ビスアミド等のビスアミド;飽和脂肪酸ポリアミド、不飽和脂肪酸ポリアミド、芳香族ポリアミド、1,2,3-プロパントリカルボン酸トリス(2-メチルシクロヘキシルアミド)、環状アミドオリゴマー、非環状アミドオリゴマー等のポリアミドが挙げられる。 Examples of the amide-based thixo agent include monoamide, bisamide, and polyamide, and specific examples thereof include lauric acid amide, palmitic acid amide, stearic acid amide, behenic acid amide, hydroxystearic acid amide, saturated fatty acid amide, and oleic acid. Amides, erucic acid amides, unsaturated fatty acid amides, 4-methylbenzamides (p-toluamides), p-toluenemethaneamides, aromatic amides, hexamethylenehydroxystearic acid amides, substituted amides, methylolstearate amides, methylolamides, fatty acids. Monoamides such as ester amides; methylene bisstearic acid amides, ethylene bislauric acid amides, ethylene bishydroxy fatty acid (c6 to 24 carbon atoms of fatty acids) amides, ethylene bishydroxystearic acid amides, saturated fatty acid bisamides, methylene bisoleic acid amides, Bisamides such as unsaturated fatty acid bisamides, m-xylylene bisstearic acid amides, and aromatic bisamides; saturated fatty acid polyamides, unsaturated fatty acid polyamides, aromatic polyamides, tris 1,2,3-propanetricarboxylic acids (2-methylcyclohexylamides). ), Cyclic amide oligomers, non-cyclic amide oligomers and other polyamides.

前記環状アミドオリゴマーは、ジカルボン酸とジアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、トリカルボン酸とジアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、ジカルボン酸とトリアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、トリカルボン酸とトリアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、ジカルボン酸及びトリカルボン酸とジアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、ジカルボン酸及びトリカルボン酸とトリアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、ジカルボン酸とジアミン及びトリアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、トリカルボン酸とジアミン及びトリアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー、ジカルボン酸及びトリカルボン酸とジアミン及びトリアミンとが環状に重縮合したアミドオリゴマー等が挙げられる。 The cyclic amide oligomer includes an amide oligomer in which dicarboxylic acid and diamine are cyclically polycondensed, an amide oligomer in which tricarboxylic acid and diamine are cyclically polycondensed, an amide oligomer in which dicarboxylic acid and triamine are cyclically polycondensed, and tricarboxylic acid. Amido oligomer in which triamine is cyclically polycondensed, dicarboxylic acid and amide oligomer in which tricarboxylic acid and diamine are cyclically polycondensed, amide oligomer in which dicarboxylic acid and tricarboxylic acid and triamine are cyclically polycondensed, dicarboxylic acid and diamine Examples thereof include an amide oligomer in which triamine is cyclically polycondensed, an amide oligomer in which tricarboxylic acid and diamine and triamine are cyclically polycondensed, and an amide oligomer in which dicarboxylic acid and tricarboxylic acid and diamine and triamine are cyclically polycondensed. ..

また、前記非環状アミドオリゴマーは、モノカルボン酸とジアミン及び/又はトリアミンとが非環状に重縮合したアミドオリゴマーである場合、ジカルボン酸及び/又はトリカルボン酸とモノアミンとが非環状に重縮合したアミドオリゴマーである場合等が挙げられる。モノカルボン酸又はモノアミンを含むアミドオリゴマーであると、モノカルボン酸、モノアミンがターミナル分子(terminal molecules)として機能し、分子量を小さくした非環状アミドオリゴマーとなる。また、非環状アミドオリゴマーは、ジカルボン酸及び/又はトリカルボン酸と、ジアミン及び/又はトリアミンとが非環状に重縮合したアミド化合物である場合、非環状高分子系アミドポリマーとなる。更に、非環状アミドオリゴマーは、モノカルボン酸とモノアミンとが非環状に縮合したアミドオリゴマーも含まれる。 When the acyclic amide oligomer is an amide oligomer in which a monocarboxylic acid and diamine and / or triamine are polycondensed in an acyclic manner, the amide in which the dicarboxylic acid and / or the tricarboxylic acid and the monoamine are polycondensed in an acyclic manner. Examples thereof include the case of an oligomer. When it is an amide oligomer containing a monocarboxylic acid or a monoamine, the monocarboxylic acid and the monoamine function as terminal molecules (terminal molecules), and become an acyclic amide oligomer having a reduced molecular weight. When the acyclic amide oligomer is an amide compound in which a dicarboxylic acid and / or a tricarboxylic acid and a diamine and / or a triamine are cyclically polycondensed, the acyclic amide oligomer is an acyclic polymer amide polymer. Further, the acyclic amide oligomer also includes an amide oligomer in which a monocarboxylic acid and a monoamine are cyclically condensed.

ソルビトール系チキソ剤としては、例えば、ジベンジリデン-D-ソルビトール、ビス(4-メチルベンジリデン)-D-ソルビトール、(D-)ソルビトール、モノベンジリデン(-D-)ソルビトール、モノ(4-メチルベンジリデン)-(D-)ソルビトール等が挙げられる。 Examples of the sorbitol-based thixo agent include dibenzylidene-D-sorbitol, bis (4-methylbenzylidene) -D-sorbitol, (D-) sorbitol, monobenzylidene (-D-) sorbitol, and mono (4-methylbenzylidene). -(D-) Sorbitol and the like can be mentioned.

本実施形態のソルダペーストに用いられるフラックスにおいて、チキソ剤を、一種又は二種以上で用いることができる。
上記の中でも、前記チキソ剤は、エステル系チキソ剤、アマイド系チキソ剤及びソルビトール系チキソ剤からなる群より選択される少なくとも一種を含有することが好ましい。
エステル系チキソ剤は、ヒマシ硬化油及びミリスチン酸エチルからなる群より選択される少なくとも一種を含むことが好ましい。
アマイド系チキソ剤は、ビスアマイド及びモノアマイドからなる群より選択される少なくとも一種を含むことが好ましい。
アマイド系チキソ剤は、4-メチルベンズアミド及びエチレンビスヒドロキシステアリン酸アミドからなる群より選択される少なくとも一種を含むことが好ましく、エチレンビスヒドロキシステアリン酸アミドを含むことがより好ましい。
ソルビトール系チキソ剤は、ビス(4-メチルベンジリデン)ソルビトール及びジベンジリデンソルビトールからなる群より選択される少なくとも一種を含むことが好ましく、ビス(4-メチルベンジリデン)ソルビトールを含むことがより好ましい。
In the flux used for the solder paste of the present embodiment, the thixotropic agent can be used alone or in combination of two or more.
Among the above, the thixotropic agent preferably contains at least one selected from the group consisting of ester-based thixotropic agents, amide-based thixotropic agents, and sorbitol-based thixotropic agents.
The ester thixotropic agent preferably contains at least one selected from the group consisting of castor oil and ethyl myristate.
The thixotropic agent preferably contains at least one selected from the group consisting of bisamide and monoamide.
The amide-based thixo agent preferably contains at least one selected from the group consisting of 4-methylbenzamide and ethylenebishydroxystearate amide, and more preferably contains ethylenebishydroxystearic acid amide.
The sorbitol-based thixo agent preferably contains at least one selected from the group consisting of bis (4-methylbenzylidene) sorbitol and dibenzylidene sorbitol, and more preferably contains bis (4-methylbenzylidene) sorbitol.

前記フラックス中の、前記チキソ剤の合計の含有量は、前記フラックスの総量(100質量%)に対して、4.0質量%以上20.0質量%以下であることが好ましく、6.0質量%以上13.0質量%以下であることがより好ましく、6.0質量%以上10.0質量%以下であることが更に好ましい。
前記フラックス中の、前記エステル系チキソ剤の含有量は、前記フラックスの総量(100質量%)に対して、1.0質量%以上15.0質量%以下であることが好ましく、2.0質量%以上10.0質量%以下であることがより好ましく、3.0質量%以上7.0質量%以下であることが更に好ましい。
前記フラックス中の、前記アマイド系チキソ剤の含有量は、前記フラックスの総量(100質量%)に対して、0質量%以上5.0質量%以下であることが好ましく、2.0質量%以上3.0質量%以下であることがより好ましい。
前記フラックス中の、前記ソルビトール系チキソ剤の含有量は、前記フラックスの総量(100質量%)に対して、0質量%以上5質量%以下であることが好ましく、1.0質量%以上3.0質量%以下であることがより好ましい。
The total content of the thixo agent in the flux is preferably 4.0% by mass or more and 20.0% by mass or less, preferably 6.0% by mass, based on the total amount (100% by mass) of the flux. It is more preferably% or more and 13.0% by mass or less, and further preferably 6.0% by mass or more and 10.0% by mass or less.
The content of the ester-based thixo agent in the flux is preferably 1.0% by mass or more and 15.0% by mass or less, preferably 2.0% by mass, based on the total amount (100% by mass) of the flux. It is more preferably% or more and 10.0% by mass or less, and further preferably 3.0% by mass or more and 7.0% by mass or less.
The content of the amido-based thixotropic agent in the flux is preferably 0% by mass or more and 5.0% by mass or less, preferably 2.0% by mass or more, with respect to the total amount (100% by mass) of the flux. It is more preferably 3.0% by mass or less.
The content of the sorbitol-based thixotropic agent in the flux is preferably 0% by mass or more and 5% by mass or less, and 1.0% by mass or more, with respect to the total amount (100% by mass) of the flux. It is more preferably 0% by mass or less.

《溶剤》
溶剤は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
溶剤としては、例えば、水、アルコール系溶剤、グリコールエーテル系溶剤、テルピネオール類等が挙げられる。
アルコール系溶剤としては、例えば、イソプロピルアルコール、1,2-ブタンジオール、イソボルニルシクロヘキサノール、2,4-ジエチル-1,5-ペンタンジオール、2,2-ジメチル-1,3-プロパンジオール、2,5-ジメチル-2,5-ヘキサンジオール、2,5-ジメチル-3-ヘキシン-2,5-ジオール、2,3-ジメチル-2,3-ブタンジオール、2-メチルペンタン-2,4-ジオール、1,1,1-トリス(ヒドロキシメチル)プロパン、2-エチル-2-ヒドロキシメチル-1,3-プロパンジオール、2,2′-オキシビス(メチレン)ビス(2-エチル-1,3-プロパンジオール)、2,2-ビス(ヒドロキシメチル)-1,3-プロパンジオール、1,2,6-トリヒドロキシヘキサン、1-エチニル-1-シクロヘキサノール、1,4-シクロヘキサンジオール、1,4-シクロヘキサンジメタノール、2,4,7,9-テトラメチル-5-デシン-4,7-ジオール等が挙げられる。
グリコールエーテル系溶剤としては、例えば、ジエチレングリコールモノ-2-エチルヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル(ヘキシルジグリコール)、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、メチルプロピレントリグルコール、ブチルプロピレントリグルコール、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル等が挙げられる。
"solvent"
As the solvent, one type may be used alone, or two or more types may be mixed and used.
Examples of the solvent include water, alcohol-based solvents, glycol ether-based solvents, terpineols and the like.
Examples of the alcohol solvent include isopropyl alcohol, 1,2-butanediol, isobornylcyclohexanol, 2,4-diethyl-1,5-pentanediol, 2,2-dimethyl-1,3-propanediol, and the like. 2,5-dimethyl-2,5-hexanediol, 2,5-dimethyl-3-hexine-2,5-diol, 2,3-dimethyl-2,3-butanediol, 2-methylpentane-2,4 -Diol, 1,1,1-tris (hydroxymethyl) propane, 2-ethyl-2-hydroxymethyl-1,3-propanediol, 2,2'-oxybis (methylene) bis (2-ethyl-1,3) -Propanediol), 2,2-bis (hydroxymethyl) -1,3-propanediol, 1,2,6-trihydroxyhexane, 1-ethynyl-1-cyclohexanol, 1,4-cyclohexanediol, 1, Examples thereof include 4-cyclohexanedimethanol, 2,4,7,9-tetramethyl-5-decine-4,7-diol and the like.
Examples of the glycol ether-based solvent include diethylene glycol mono-2-ethylhexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, diethylene glycol monohexyl ether (hexyl diglycol), diethylene glycol dibutyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, methylpropylene triglucol, and butyl. Examples thereof include propylene triglucol, triethylene glycol butyl methyl ether, and tetraethylene glycol dimethyl ether.

前記溶剤は、グリコールエーテル系溶剤及びテルピネオール類からなる群より選択される一種以上を含むことが好ましい。
前記グリコールエーテル系溶剤は、ヘキシルジグリコールを含むことが好ましい。
The solvent preferably contains one or more selected from the group consisting of glycol ether solvents and terpineols.
The glycol ether solvent preferably contains hexyl diglycol.

前記フラックス中の、前記溶剤の合計の含有量は、前記フラックスの総量(100質量%)に対して、30質量%以上60質量%以下であることが好ましく、33質量%以上50質量%以下であることがより好ましい。 The total content of the solvent in the flux is preferably 30% by mass or more and 60% by mass or less, and 33% by mass or more and 50% by mass or less with respect to the total amount (100% by mass) of the flux. It is more preferable to have.

《炭素数が5以下の有機酸》
本実施形態のソルダペーストに用いられるフラックスは、炭素数が5以下の有機酸を含有しない。
炭素数が5以下の有機酸としては、例えば、炭素数が5以下のモノカルボン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、ジグリコール酸等のジカルボン酸等が挙げられる。
<< Organic acid with 5 or less carbon atoms >>
The flux used in the solder paste of the present embodiment does not contain an organic acid having 5 or less carbon atoms.
Examples of the organic acid having 5 or less carbon atoms include monocarboxylic acids having 5 or less carbon atoms, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, diglycolic acid and the like.

《その他成分》
本実施形態におけるフラックスは、ハロゲン系活性剤、ロジン、チキソ剤及び溶剤以外に、必要に応じてその他成分を含んでもよい。
その他成分としては、ハロゲン系活性剤以外の活性剤、ロジン系樹脂以外の樹脂成分、金属不活性化剤、界面活性剤、シランカップリング剤、酸化防止剤、着色剤等が挙げられる。
<< Other ingredients >>
The flux in the present embodiment may contain other components, if necessary, in addition to the halogen-based activator, rosin, thixotropic agent and solvent.
Examples of other components include activators other than halogen-based activators, resin components other than rosin-based resins, metal deactivating agents, surfactants, silane coupling agents, antioxidants, colorants and the like.

ハロゲン系活性剤以外の活性剤としては、例えば、有機酸系活性剤、アミン系活性剤、有機リン化合物等が挙げられる。 Examples of the activator other than the halogen-based activator include an organic acid-based activator, an amine-based activator, and an organic phosphorus compound.

有機酸系活性剤:
有機酸系活性剤は、炭素数が6以上の有機酸を含んでもよい。炭素数が6以上の有機酸としては、例えば、アジピン酸、アゼライン酸、エイコサン二酸、サリチル酸、ジピコリン酸、ジブチルアニリンジグリコール酸、スベリン酸、セバシン酸、テレフタル酸、ドデカン二酸、パラヒドロキシフェニル酢酸、ピコリン酸、フェニルコハク酸、フタル酸、ラウリン酸、安息香酸、酒石酸、イソシアヌル酸トリス(2-カルボキシエチル)、1,3-シクロヘキサンジカルボン酸、2,2-ビス(ヒドロキシメチル)プロピオン酸、2,2-ビス(ヒドロキシメチル)ブタン酸、2,3-ジヒドロキシ安息香酸、2,4-ジエチルグルタル酸、2-キノリンカルボン酸、3-ヒドロキシ安息香酸、p-アニス酸、ステアリン酸、12-ヒドロキシステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ピメリン酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、イソペラルゴン酸、カプリン酸、カプロレイン酸、ウンデカン酸、ラウリン酸、リンデル酸、トリデカン酸、ミリストレイン酸、ペンタデカン酸、イソパルミチン酸、パルミトレイン酸、ヒラゴン酸、ヒドノカーピン酸、マーガリン酸、イソステアリン酸、エライジン酸、ペトロセリン酸、モロクチン酸、エレオステアリン酸、タリリン酸、バクセン酸、リミノレイン酸、ベルノリン酸、ステルクリン酸、ノナデカン酸、エイコサン酸、ダイマー酸、トリマー酸、ダイマー酸に水素を添加した水添物である水添ダイマー酸、トリマー酸に水素を添加した水添物である水添トリマー酸等が挙げられる。
Organic acid activator:
The organic acid-based activator may contain an organic acid having 6 or more carbon atoms. Examples of organic acids having 6 or more carbon atoms include adipic acid, azelaic acid, eicosanic acid, salicylic acid, dipicolinic acid, dibutylaniline diglycolic acid, suberic acid, sebacic acid, terephthalic acid, dodecanedic acid, and parahydroxyphenyl. Acetic acid, picolinic acid, phenylsuccinic acid, phthalic acid, lauric acid, benzoic acid, tartaric acid, tris isocyanurate (2-carboxyethyl), 1,3-cyclohexanedicarboxylic acid, 2,2-bis (hydroxymethyl) propionic acid, 2,2-bis (hydroxymethyl) butanoic acid, 2,3-dihydroxybenzoic acid, 2,4-diethylglutaric acid, 2-quinolinecarboxylic acid, 3-hydroxybenzoic acid, p-anisic acid, stearic acid, 12- Hydroxystearic acid, oleic acid, linoleic acid, linolenic acid, myristic acid, palmitic acid, pimelic acid, caproic acid, enanthic acid, capric acid, pelargonic acid, isoperalgonic acid, capric acid, caproleic acid, undecanoic acid, lauric acid, Lindel acid, tridecanoic acid, myristoleic acid, pentadecanoic acid, isopalmitic acid, palmitreic acid, hiragon acid, hydrnocarpine acid, margaric acid, isostearic acid, ellagic acid, petroseric acid, morotinic acid, eleostearic acid, tariphosphate, bacsen Acid, liminoreic acid, vernophosphate, sterclinic acid, nonadecanic acid, eikosanoic acid, dimer acid, trimer acid, hydrogenated dimer acid, which is a hydrogenated dimer acid, hydrogenated dimer acid, hydrogenated trimer acid Examples thereof include hydrogenated trimeric acid.

ダイマー酸、トリマー酸としては、例えば、オレイン酸とリノール酸との反応物であるダイマー酸、オレイン酸とリノール酸との反応物であるトリマー酸、アクリル酸の反応物であるダイマー酸、アクリル酸の反応物であるトリマー酸、メタクリル酸の反応物であるダイマー酸、メタクリル酸の反応物であるトリマー酸、アクリル酸とメタクリル酸との反応物であるダイマー酸、アクリル酸とメタクリル酸との反応物であるトリマー酸、オレイン酸の反応物であるダイマー酸、オレイン酸の反応物であるトリマー酸、リノール酸の反応物であるダイマー酸、リノール酸の反応物であるトリマー酸、リノレン酸の反応物であるダイマー酸、リノレン酸の反応物であるトリマー酸、アクリル酸とオレイン酸との反応物であるダイマー酸、アクリル酸とオレイン酸との反応物であるトリマー酸、アクリル酸とリノール酸との反応物であるダイマー酸、アクリル酸とリノール酸との反応物であるトリマー酸、アクリル酸とリノレン酸との反応物であるダイマー酸、アクリル酸とリノレン酸との反応物であるトリマー酸、メタクリル酸とオレイン酸との反応物であるダイマー酸、メタクリル酸とオレイン酸との反応物であるトリマー酸、メタクリル酸とリノール酸との反応物であるダイマー酸、メタクリル酸とリノール酸との反応物であるトリマー酸、メタクリル酸とリノレン酸との反応物であるダイマー酸、メタクリル酸とリノレン酸との反応物であるトリマー酸、オレイン酸とリノレン酸との反応物であるダイマー酸、オレイン酸とリノレン酸との反応物であるトリマー酸、リノール酸とリノレン酸との反応物であるダイマー酸、リノール酸とリノレン酸との反応物であるトリマー酸、上述した各ダイマー酸の水添物である水添ダイマー酸、上述した各トリマー酸の水添物である水添トリマー酸等が挙げられる。
例えば、オレイン酸とリノール酸との反応物であるダイマー酸は、炭素数が36の2量体である。また、オレイン酸とリノール酸との反応物であるトリマー酸は、炭素数が54の3量体である。
Examples of dimer acid and trimer acid include dimer acid which is a reaction product of oleic acid and linoleic acid, trimer acid which is a reaction product of oleic acid and linoleic acid, and dimer acid and acrylic acid which are reaction products of acrylic acid. Trimmer acid which is a reaction product of, dimer acid which is a reaction product of methacrylic acid, trimer acid which is a reaction product of methacrylic acid, dimer acid which is a reaction product of acrylic acid and methacrylic acid, reaction of acrylic acid and methacrylic acid. Reaction of trimeric acid, which is a reaction product of oleic acid, dimer acid, which is a reaction product of oleic acid, trimeric acid, which is a reaction product of oleic acid, dimer acid, which is a reaction product of linoleic acid, and trimeric acid, which is a reaction product of linoleic acid. Dimer acid, which is a reaction product of linolenic acid, trimer acid, which is a reaction product of acrylic acid and oleic acid, dimer acid, which is a reaction product of acrylic acid and oleic acid, trimer acid, which is a reaction product of acrylic acid and oleic acid, acrylic acid and linoleic acid. Dimeric acid, which is a reaction product of acrylate, trimer acid, which is a reaction product of acrylic acid and linoleic acid, dimer acid, which is a reaction product of acrylic acid and linolenic acid, and trimer acid, which is a reaction product of acrylic acid and linolenic acid. Dimeric acid, which is a reaction product of methacrylic acid and oleic acid, trimeric acid, which is a reaction product of methacrylic acid and oleic acid, dimer acid, which is a reaction product of methacrylic acid and linoleic acid, and reaction of methacrylic acid and linoleic acid. Trimmer acid, which is a reaction product of methacrylic acid and linolenic acid, trimeric acid, which is a reaction product of methacrylic acid and linolenic acid, dimer acid, which is a reaction product of oleic acid and linolenic acid, oleic acid. Trimmer acid, which is a reaction product of linolenic acid, dimer acid, which is a reaction product of linoleic acid and linolenic acid, trimer acid, which is a reaction product of linoleic acid and linolenic acid, and the above-mentioned hydrogenated products of each dimer acid. Examples thereof include a certain hydrogenated dimer acid, a hydrogenated trimer acid which is an adjunct of each of the above-mentioned trimer acids, and the like.
For example, dimer acid, which is a reaction product of oleic acid and linoleic acid, is a dimer having 36 carbon atoms. Further, trimeric acid, which is a reaction product of oleic acid and linoleic acid, is a trimer having 54 carbon atoms.

有機酸系活性剤は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
有機酸系活性剤は、アジピン酸、セバシン酸、ダイマー酸、水添ダイマー酸、トリマー酸、ミリスチン酸、パルミチン酸及び12-ヒドロキシステアリン酸からなる群より選択される少なくとも一種を含むことが好ましく、セバシン酸及びミリスチン酸からなる群より選択される少なくとも一種を含むことがより好ましい。
前記フラックス中の、有機酸系活性剤の含有量は、前記フラックスの総量(100質量%)に対して、0質量%以上10質量%以下であることが好ましく、0質量%以上5質量%以下であることがより好ましく、0.5質量%以上2.0質量%以下であることが更に好ましい。
The organic acid-based activator may be used alone or in combination of two or more.
The organic acid-based activator preferably contains at least one selected from the group consisting of adipic acid, sebacic acid, dimer acid, hydrogenated dimer acid, trimeric acid, myristic acid, palmitic acid and 12-hydroxystearic acid. It is more preferable to contain at least one selected from the group consisting of sebacic acid and myristic acid.
The content of the organic acid-based activator in the flux is preferably 0% by mass or more and 10% by mass or less, and 0% by mass or more and 5% by mass or less, based on the total amount (100% by mass) of the flux. It is more preferable that it is 0.5% by mass or more and 2.0% by mass or less.

アミン系活性剤:
アミン系活性剤としては、例えば、エチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、トリエチレンテトラミン、シクロヘキシルアミン、ヘキサデシルアミン、ステアリルアミン等のアルキルアミン化合物;
N,N,N’,N’-テトラキス(2-ヒドロキシプロピル)エチレンジアミン等のアミノアルコール化合物;
2-メチルイミダゾール、2-ウンデシルイミダゾール、2-ヘプタデシルイミダゾール、1,2-ジメチルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-メチルイミダゾール、1-ベンジル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾール、1-シアノエチル-2-エチル-4-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、1-シアノエチル-2-フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-ウンデシルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-エチル-4’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾリル-(1’)]-エチル-s-トリアジンイソシアヌル酸付加物、2-フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール、2,3-ジヒドロ-1H-ピロロ[1,2-a]ベンズイミダゾール、1-ドデシル-2-メチル-3-ベンジルイミダゾリウムクロライド、2-メチルイミダゾリン、2-フェニルイミダゾリン、2,4-ジアミノ-6-ビニル-s-トリアジン、2,4-ジアミノ-6-ビニル-s-トリアジンイソシアヌル酸付加物、2,4-ジアミノ-6-メタクリロイルオキシエチル-s-トリアジン、エポキシ-イミダゾールアダクト、2-メチルベンゾイミダゾール、2-オクチルベンゾイミダゾール、2-ペンチルベンゾイミダゾール、2-(1-エチルペンチル)ベンゾイミダゾール、2-ノニルベンゾイミダゾール、2-(4-チアゾリル)ベンゾイミダゾール、ベンゾイミダゾール、1,2,4-トリアゾール、2-(2’-ヒドロキシ-5’-メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2-(2’-ヒドロキシ-3’-tert-ブチル-5’-メチルフェニル)-5-クロロベンゾトリアゾール、2-(2’-ヒドロキシ-3’,5’-ジ-tert-アミルフェニル)ベンゾトリアゾール、2-(2’-ヒドロキシ-5’-tert-オクチルフェニル)ベンゾトリアゾール、2,2’-メチレンビス[6-(2H-ベンゾトリアゾール-2-イル)-4-tert-オクチルフェノール]、6-(2-ベンゾトリアゾリル)-4-tert-オクチル-6’-tert-ブチル-4’-メチル-2,2’-メチレンビスフェノール、1,2,3-ベンゾトリアゾール、1-[N,N-ビス(2-エチルヘキシル)アミノメチル]ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、1-[N,N-ビス(2-エチルヘキシル)アミノメチル]メチルベンゾトリアゾール、2,2’-[[(メチル-1H-ベンゾトリアゾール-1-イル)メチル]イミノ]ビスエタノール、1-(1’,2’-ジカルボキシエチル)ベンゾトリアゾール、1-(2,3-ジカルボキシプロピル)ベンゾトリアゾール、1-[(2-エチルヘキシルアミノ)メチル]ベンゾトリアゾール、2,6-ビス[(1H-ベンゾトリアゾール-1-イル)メチル]-4-メチルフェノール、5-メチルベンゾトリアゾール、5-フェニルテトラゾール等のアゾール系化合物;
ジフェニルグアニジン、ジトリルグアニジン等のグアニジン系化合物;
等が挙げられる。
アミン系活性剤は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
Amine-based activator:
Examples of the amine-based activator include alkylamine compounds such as ethylamine, triethylamine, ethylenediamine, triethylenetetramine, cyclohexylamine, hexadecylamine and stearylamine;
Amino alcohol compounds such as N, N, N', N'-tetrakis (2-hydroxypropyl) ethylenediamine;
2-Methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl -2-Methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl -2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1) ')]-Ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-undecylimidazolyl- (1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'- Ethyl-4'-methylimidazolyl- (1')] -ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2'-methylimidazolyl- (1')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct , 2-Phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo [1,2- a] Benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline, 2-phenylimidazolin, 2,4-diamino-6-vinyl-s-triazine, 2,4-diamino- 6-vinyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-s-triazine, epoxy-imidazole admazole, 2-methylbenzoimidazole, 2-octylbenzoimidazole, 2-pentylbenzoimidazole , 2- (1-ethylpentyl) benzoimidazole, 2-nonylbenzoimidazole, 2- (4-thiazolyl) benzoimidazole, benzoimidazole, 1,2,4-triazole, 2- (2'-hydroxy-5'- Methylphenyl) benzotriazole, 2- (2'-hydroxy-3'-tert-butyl-5'-methylphenyl) -5-chlorobenzotriazole, 2- (2'-hydroxy-3', 5'-di- ter t-amylphenyl) benzotriazole, 2- (2'-hydroxy-5'-tert-octylphenyl) benzotriazole, 2,2'-methylenebis [6- (2H-benzotriazole-2-yl) -4-tert -Octylphenol], 6- (2-benzotriazolyl) -4-tert-octyl-6'-tert-butyl-4'-methyl-2,2'-methylenebisphenol, 1,2,3-benzotriazole, 1- [N, N-bis (2-ethylhexyl) aminomethyl] benzotriazole, carboxybenzotriazole, 1- [N, N-bis (2-ethylhexyl) aminomethyl] methylbenzotriazole, 2,2'-[[ (Methyl-1H-benzotriazole-1-yl) methyl] imino] bisethanol, 1- (1', 2'-dicarboxyethyl) benzotriazole, 1- (2,3-dicarboxypropyl) benzotriazole, 1 -[(2-Ethylhexylamino) methyl] benzotriazole, 2,6-bis [(1H-benzotriazole-1-yl) methyl] -4-methylphenol, 5-methylbenzotriazole, 5-phenyltetrazole and other azoles. System compounds;
Guanidine compounds such as diphenylguanidine and ditrilguanidine;
And so on.
As the amine-based activator, one type may be used alone, or two or more types may be mixed and used.

アミン系活性剤は、シクロヘキシルアミン、ヘキサデシルアミン、ステアリルアミン、N,N,N’,N’-テトラキス(2-ヒドロキシプロピル)エチレンジアミン、2-フェニルイミダゾール、1,2,4-トリアゾール及びジトリルグアニジンからなる群より選択される少なくとも一種を含むことが好ましい。
前記フラックス中の、アミン系活性剤の含有量は、前記フラックスの総量(100質量%)に対して、0質量%以上30質量%以下であることが好ましく、0.5質量%以上20質量%以下であることがより好ましい。
Amine-based activators include cyclohexylamine, hexadecylamine, stearylamine, N, N, N', N'-tetrakis (2-hydroxypropyl) ethylenediamine, 2-phenylimidazole, 1,2,4-triazole and ditril. It preferably contains at least one selected from the group consisting of guanidine.
The content of the amine-based activator in the flux is preferably 0% by mass or more and 30% by mass or less, and 0.5% by mass or more and 20% by mass, based on the total amount (100% by mass) of the flux. The following is more preferable.

有機リン化合物:
有機リン化合物としては、例えば、酸性リン酸エステル、酸性ホスホン酸エステル、酸性ホスフィン酸エステル等が挙げられる。
酸性リン酸エステルとしては、例えば、メチルアシッドホスフェイト、エチルアシッドホスフェイト、イソプロピルアシッドホスフェイト、モノブチルアシッドホスフェイト、ブチルアシッドホスフェイト、ジブチルアシッドホスフェイト、ブトキシエチルアシッドホスフェイト、2-エチルへキシルアシッドホスフェイト、ビス(2-エチルへキシル)ホスフェイト、モノイソデシルアシッドホスフェイト、ジイソデシルアシッドホスフェイト、ラウリルアシッドホスフェイト、イソトリデシルアシッドホスフェイト、ステアリルアシッドホスフェイト、オレイルアシッドホスフェイト、牛脂ホスフェイト、ヤシ油ホスフェイト、イソステアリルアシッドホスフェイト、アルキルアシッドホスフェイト、テトラコシルアシッドホスフェイト、エチレングリコールアシッドホスフェイト、2-ヒドロキシエチルメタクリレートアシッドホスフェイト、ジブチルピロホスフェイトアシッドホスフェイト等が挙げられる。
酸性ホスホン酸エステルとしては、例えば、2-エチルヘキシル(2-エチルヘキシル)ホスホネート、n-オクチル(n-オクチル)ホスホネート、n-デシル(n-デシル)ホスホネート、n-ブチル(n-ブチル)ホスホネート、イソデシル(イソデシル)ホスホネート等のアルキル(アルキル)ホスホネート、ジエチル(p-メチルベンジル)ホスホネート等が挙げられる。
酸性ホスフィン酸エステルとしては、例えば、フェニル置換ホスフィン酸等が挙げられる。フェニル置換ホスフィン酸としては、例えば、フェニルホスフィン酸、及びジフェニルホスフィン酸が挙げられる。
Organophosphorus compounds:
Examples of the organic phosphorus compound include an acidic phosphoric acid ester, an acidic phosphonic acid ester, and an acidic phosphinic acid ester.
Examples of the acidic phosphate ester include methyl acid phosphate, ethyl acid phosphate, isopropyl acid phosphate, monobutyl acid phosphate, butyl acid phosphate, dibutyl acid phosphate, butoxyethyl acid phosphate and 2-ethyl. Kisyl Acid Phosphate, Bis (2-ethylhexyl) Phosphate, Monoisodecyl Acid Phosphate, Diisodecyl Acid Phosphate, Lauryl Acid Phosphate, Isotridecyl Acid Phosphate, Stearyl Acid Phosphate, Oleyl Acid Phosphate, Beef Fat Phosphates, palm oil phosphates, isostearly acid phosphates, alkyl acid phosphates, tetracosyl acid phosphates, ethylene glycol acid phosphates, 2-hydroxyethyl methacrylate acid phosphates, dibutylpyrophosphates acid phosphates and the like can be mentioned. ..
Examples of the acidic phosphonic acid ester include 2-ethylhexyl (2-ethylhexyl) phosphonate, n-octyl (n-octyl) phosphonate, n-decyl (n-decyl) phosphonate, n-butyl (n-butyl) phosphonate, and isodecyl. Examples thereof include alkyl (alkyl) phosphonates such as (isodecyl) phosphonates and diethyl (p-methylbenzyl) phosphonates.
Examples of the acidic phosphinic acid ester include phenyl-substituted phosphinic acid and the like. Examples of the phenyl-substituted phosphinic acid include phenylphosphinic acid and diphenylphosphinic acid.

有機リン化合物は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
有機リン化合物は、モノイソデシルアシッドホスフェイト、ジイソデシルアシッドホスフェイト、2-エチルヘキシル(2-エチルヘキシル)ホスホネート及びフェニルホスフィン酸からなる群より選択される少なくとも一種を含むことがより好ましい。
前記フラックス中の、有機リン化合物の合計の含有量は、前記フラックスの総量(100質量%)に対して、0質量%以上5.0質量%以下であることが好ましく、0.3質量%以上0.5質量%以下であることがより好ましい。
As the organic phosphorus compound, one kind may be used alone, or two or more kinds may be mixed and used.
It is more preferable that the organic phosphorus compound contains at least one selected from the group consisting of monoisodecyl acid phosphate, diisodecyl acid phosphate, 2-ethylhexyl (2-ethylhexyl) phosphonate and phenylphosphinic acid.
The total content of the organic phosphorus compound in the flux is preferably 0% by mass or more and 5.0% by mass or less, preferably 0.3% by mass or more, with respect to the total amount (100% by mass) of the flux. It is more preferably 0.5% by mass or less.

ロジン系樹脂以外の樹脂成分:
ロジン系樹脂以外の樹脂成分としては、例えば、テルペン樹脂、変性テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、変性テルペンフェノール樹脂、スチレン樹脂、変性スチレン樹脂、キシレン樹脂、変性キシレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン樹脂、アクリル-ポリエチレン共重合樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。
変性テルペン樹脂としては、芳香族変性テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、水添芳香族変性テルペン樹脂等が挙げられる。変性テルペンフェノール樹脂としては、水添テルペンフェノール樹脂等が挙げられる。変性スチレン樹脂としては、スチレンアクリル樹脂、スチレンマレイン酸樹脂等が挙げられる。変性キシレン樹脂としては、フェノール変性キシレン樹脂、アルキルフェノール変性キシレン樹脂、フェノール変性レゾール型キシレン樹脂、ポリオール変性キシレン樹脂、ポリオキシエチレン付加キシレン樹脂等が挙げられる。
Resin components other than rosin-based resin:
Resin components other than the rosin-based resin include, for example, terpene resin, modified terpene resin, terpenephenol resin, modified terpenephenol resin, styrene resin, modified styrene resin, xylene resin, modified xylene resin, acrylic resin, polyethylene resin, acrylic-. Examples thereof include polyethylene copolymer resin and epoxy resin.
Examples of the modified terpene resin include aromatic modified terpene resin, hydrogenated terpene resin, hydrogenated aromatic modified terpene resin and the like. Examples of the modified terpene phenol resin include hydrogenated terpene phenol resin and the like. Examples of the modified styrene resin include styrene acrylic resin and styrene maleic acid resin. Examples of the modified xylene resin include a phenol-modified xylene resin, an alkylphenol-modified xylene resin, a phenol-modified resol-type xylene resin, a polyol-modified xylene resin, and a polyoxyethylene-added xylene resin.

金属不活性化剤:
金属不活性化剤としては、例えば、ヒンダードフェノール系化合物、窒素化合物等が挙げられる。フラックスがヒンダードフェノール系化合物、又は窒素化合物のいずれかを含有することで、ソルダペーストの増粘抑制効果が高められやすくなる。
ここでいう「金属不活性化剤」とは、ある種の化合物との接触により金属が劣化することを防止する性能を有する化合物をいう。
Metal inactivating agent:
Examples of the metal inactivating agent include hindered phenolic compounds and nitrogen compounds. When the flux contains either a hindered phenolic compound or a nitrogen compound, the effect of suppressing the thickening of the solder paste can be easily enhanced.
The term "metal inactivating agent" as used herein refers to a compound having the ability to prevent the metal from deteriorating due to contact with a certain compound.

ヒンダードフェノール系化合物とは、フェノールのオルト位の少なくとも一方に嵩高い置換基(例えばt-ブチル基等の分岐状又は環状アルキル基)を有するフェノール系化合物をいう。
ヒンダードフェノール系化合物としては、特に限定されず、例えば、ビス[3-(3-tert-ブチル-4-ヒドロキシ-5-メチルフェニル)プロピオン酸][エチレンビス(オキシエチレン)]、N,N’-ヘキサメチレンビス[3-(3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロパンアミド]、1,6-ヘキサンジオールビス[3-(3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオナート]、2,2’-メチレンビス[6-(1-メチルシクロヘキシル)-p-クレゾール]、2,2’-メチレンビス(6-tert-ブチル-p-クレゾール)、2,2’-メチレンビス(6-tert-ブチル-4-エチルフェノール)、トリエチレングリコール-ビス[3-(3-tert-ブチル-5-メチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、1,6-ヘキサンジオール-ビス-[3-(3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、2,4-ビス-(n-オクチルチオ)-6-(4-ヒドロキシ-3,5-ジ-t-ブチルアニリノ)-1,3,5-トリアジン、ペンタエリスリチル-テトラキス[3-(3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、2,2-チオ-ジエチレンビス[3-(3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、オクタデシル-3-(3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオネート、N,N’-ヘキサメチレンビス(3,5-ジ-t-ブチル-4-ヒドロキシ-ヒドロシンナマミド)、3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシベンジルフォスフォネート-ジエチルエステル、1,3,5-トリメチル-2,4,6-トリス(3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシベンジル)ベンゼン、N,N’-ビス[2-[2-(3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)エチルカルボニルオキシ]エチル]オキサミド、下記化学式で表される化合物等が挙げられる。
The hindered phenol-based compound refers to a phenol-based compound having a bulky substituent (for example, a branched or cyclic alkyl group such as a t-butyl group) at at least one of the ortho positions of the phenol.
The hindered phenolic compound is not particularly limited, and is, for example, bis [3- (3-tert-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl) propionic acid] [ethylenebis (oxyethylene)], N, N. '-Hexamethylenebis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propanamide], 1,6-hexanediolbis [3- (3,5-di-tert-butyl-4) -Hydroxyphenyl) propionate], 2,2'-methylenebis [6- (1-methylcyclohexyl) -p-cresol], 2,2'-methylenebis (6-tert-butyl-p-cresol), 2,2' -Methylenebis (6-tert-butyl-4-ethylphenol), triethylene glycol-bis [3- (3-tert-butyl-5-methyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 1,6-hexanediol-bis -[3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 2,4-bis- (n-octylthio) -6- (4-hydroxy-3,5-di-t-) Butylanilino) -1,3,5-triazine, pentaerythrityl-tetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], 2,2-thio-diethylenebis [3-( 3,5-Di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], octadecyl-3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate, N, N'-hexamethylenebis (3) , 5-Di-t-butyl-4-hydroxy-hydrocinnamamide), 3,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzylphosphonate-diethyl ester, 1,3,5-trimethyl-2, 4,6-Tris (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxybenzyl) benzene, N, N'-bis [2- [2- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) ) Ethylcarbonyloxy] ethyl] oxamid, compounds represented by the following chemical formulas and the like.

Figure 2022060054000001
(式中、Zは、置換されてもよいアルキレン基である。R及びRは、それぞれ独立して、置換されてもよい、アルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、シクロアルキル基又はヘテロシクロアルキル基である。R及びRは、それぞれ独立して、置換されてもよいアルキル基である。)
Figure 2022060054000001
(In the formula, Z is an alkylene group which may be substituted. R 1 and R 2 are an alkyl group, an aralkyl group, an aryl group, a heteroaryl group and a cycloalkyl which may be substituted independently, respectively. It is a group or a heterocycloalkyl group. R 3 and R 4 are alkyl groups that may be substituted independently of each other.)

金属不活性化剤における窒素化合物としては、例えば、ヒドラジド系窒素化合物、アミド系窒素化合物、トリアゾール系窒素化合物、メラミン系窒素化合物等が挙げられる。 Examples of the nitrogen compound in the metal deactivating agent include hydrazide-based nitrogen compounds, amide-based nitrogen compounds, triazole-based nitrogen compounds, and melamine-based nitrogen compounds.

ヒドラジド系窒素化合物としては、ヒドラジド骨格を有する窒素化合物であればよく、ドデカン二酸ビス[N2-(2ヒドロキシベンゾイル)ヒドラジド]、N,N’-ビス[3-(3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオニル]ヒドラジン、デカンジカルボン酸ジサリチロイルヒドラジド、N-サリチリデン-N’-サリチルヒドラジド、m-ニトロベンズヒドラジド、3-アミノフタルヒドラジド、フタル酸ジヒドラジド、アジピン酸ヒドラジド、オキザロビス(2-ヒドロキシ-5-オクチルベンジリデンヒドラジド)、N’-ベンゾイルピロリドンカルボン酸ヒドラジド、N,N’-ビス(3-(3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオニル)ヒドラジン等が挙げられる。 The hydrazide-based nitrogen compound may be any nitrogen compound having a hydrazide skeleton, and is bis dodecanoate [N2- (2-hydroxybenzoyl) hydrazide], N, N'-bis [3- (3,5-di-tert). -Butyl-4-hydroxyphenyl) propionyl] hydrazine, decandicarboxylic acid disalicyloyl hydrazide, N-salicylidene-N'-salityl hydrazide, m-nitrobenzhydrazide, 3-aminophthalhydrazide, phthalic acid dihydrazide, adipate hydrazide , Oxalobis (2-hydroxy-5-octylbenzylidene hydrazide), N'-benzoylpyrrolidone carboxylic acid hydrazide, N, N'-bis (3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionyl) Hydrazide and the like can be mentioned.

アミド系窒素化合物としては、アミド骨格を有する窒素化合物であればよく、N,N’-ビス{2-[3-(3,5-ジ-tert-ブチル-4-ヒドロキシフェニル)プロピオニルオキシル]エチル}オキサミド等が挙げられる。 The amide-based nitrogen compound may be any nitrogen compound having an amide skeleton, and N, N'-bis {2- [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionyloxyl] ethyl. } Oxamide and the like can be mentioned.

トリアゾール系窒素化合物としては、トリアゾール骨格を有する窒素化合物であればよく、N-(2H-1,2,4-トリアゾール-5-イル)サリチルアミド、3-アミノ-1,2,4-トリアゾール、3-(N-サリチロイル)アミノ-1,2,4-トリアゾール等が挙げられる。 The triazole-based nitrogen compound may be a nitrogen compound having a triazole skeleton, and may be N- (2H-1,2,4-triazole-5-yl) salicylamide, 3-amino-1,2,4-triazole, Examples thereof include 3- (N-salicyloyl) amino-1,2,4-triazole.

メラミン系窒素化合物としては、メラミン骨格を有する窒素化合物であればよく、メラミン、メラミン誘導体等が挙げられる。より具体的には、例えば、トリスアミノトリアジン、アルキル化トリスアミノトリアジン、アルコキシアルキル化トリスアミノトリアジン、メラミン、アルキル化メラミン、アルコキシアルキル化メラミン、N2-ブチルメラミン、N2,N2-ジエチルメラミン、N,N,N’,N’,N’’,N’’-ヘキサキス(メトキシメチル)メラミン等が挙げられる。 The melamine-based nitrogen compound may be any nitrogen compound having a melamine skeleton, and examples thereof include melamine and melamine derivatives. More specifically, for example, trisaminotriazine, alkylated trisaminotriazine, alkoxyalkylated trisaminotriazine, melamine, alkylated melamine, alkoxyalkylated melamine, N2-butyl melamine, N2, N2-diethyl melamine, N, Examples thereof include N, N', N', N'', N''-hexax (methoxymethyl) melamine and the like.

金属不活性化剤は、ビス[3-(3-tert-ブチル-4-ヒドロキシ-5-メチルフェニル)プロピオン酸][エチレンビス(オキシエチレン)]を含むことが好ましい。
金属不活性化剤の含有量は、前記フラックスの総量(100質量%)に対して、0質量%以上10.0質量%以下であることが好ましく、0.6質量%以上3.0質量%以下であることがより好ましい。
The metal inactivating agent preferably contains bis [3- (3-tert-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl) propionic acid] [ethylenebis (oxyethylene)].
The content of the metal deactivating agent is preferably 0% by mass or more and 10.0% by mass or less, and 0.6% by mass or more and 3.0% by mass or less, based on the total amount (100% by mass) of the flux. The following is more preferable.

界面活性剤:
界面活性剤としては、ノニオン系界面活性剤、弱カチオン系界面活性剤等が挙げられる。
ノニオン系界面活性剤としては、例えば、ポリエチレングリコール、ポリエチレングリコール-ポリプロピレングリコール共重合体、脂肪族アルコールポリオキシエチレン付加体、芳香族アルコールポリオキシエチレン付加体、多価アルコールポリオキシエチレン付加体が挙げられる。
弱カチオン系界面活性剤としては、例えば、末端ジアミンポリエチレングリコール、末端ジアミンポリエチレングリコール-ポリプロピレングリコール共重合体、脂肪族アミンポリオキシエチレン付加体、芳香族アミンポリオキシエチレン付加体、多価アミンポリオキシエチレン付加体が挙げられる。
Surfactant:
Examples of the surfactant include nonionic surfactants, weak cationic surfactants and the like.
Examples of the nonionic surfactant include polyethylene glycol, polyethylene glycol-polypropylene glycol copolymer, aliphatic alcohol polyoxyethylene adduct, aromatic alcohol polyoxyethylene adduct, and polyhydric alcohol polyoxyethylene adduct. Be done.
Examples of the weak cationic surfactant include terminal diamine polyethylene glycol, terminal diamine polyethylene glycol-polypropylene glycol copolymer, aliphatic amine polyoxyethylene adduct, aromatic amine polyoxyethylene adduct, and polyvalent amine polyoxy. Examples include polyethylene adducts.

上記以外の界面活性剤としては、例えば、ポリオキシアルキレンアセチレングリコール類、ポリオキシアルキレングリセリルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンエステル、ポリオキシアルキレンアルキルアミン、ポリオキシアルキレンアルキルアミド等が挙げられる。 Examples of the surfactant other than the above include polyoxyalkylene acetylene glycols, polyoxyalkylene glyceryl ether, polyoxyalkylene alkyl ether, polyoxyalkylene ester, polyoxyalkylene alkyl amine, polyoxyalkylene alkyl amide and the like. ..

ソルダペースト中のフラックスの含有量:
本実施形態のソルダペースト中のフラックスの含有量は、ソルダペーストの全質量(100質量%)に対して、5~95質量%であることが好ましく、5~50質量%であることがより好ましく、5~15質量%であることがさらに好ましい。
ソルダペースト中のフラックスの含有量がこの範囲であると、はんだ粉末に起因する増粘抑制効果が十分に発揮される。加えて、フラックスに配合する成分の効果、すなわち、ボイドの発生が少ないはんだ付けを実現しやすくなる。
Flux content in solder paste:
The content of the flux in the solder paste of the present embodiment is preferably 5 to 95% by mass, more preferably 5 to 50% by mass, based on the total mass (100% by mass) of the solder paste. It is more preferably 5 to 15% by mass.
When the content of the flux in the solder paste is in this range, the effect of suppressing thickening due to the solder powder is sufficiently exhibited. In addition, the effect of the components blended in the flux, that is, soldering with less generation of voids can be easily realized.

本実施形態のソルダペーストは、当業界で一般的な製造方法により製造することができる。
上記フラックスを構成する配合成分を加熱混合してフラックスを調製し、このフラックス中に、上記はんだ粉末を撹拌混合することにより、ソルダペーストを得ることができる。また、経時での増粘抑制効果を期待して、上記はんだ粉末とは別に、酸化ジルコニウム粉末をさらに配合してもよい。
The solder paste of the present embodiment can be produced by a production method common in the art.
A solder paste can be obtained by heating and mixing the compounding components constituting the flux to prepare a flux, and stirring and mixing the solder powder in the flux. Further, in anticipation of the effect of suppressing thickening over time, zirconium oxide powder may be further blended in addition to the solder powder.

以上説明したように、本実施形態のソルダペーストにおいては、Snを主成分とした合金組成を有し、かつ、低α線量のはんだ合金からなるはんだ粉末を採用する。かかるはんだ粉末と、特定のフラックスとを組み合わせたソルダペーストでは、粘度上昇等の経時変化が起きにくく、ソフトエラーの発生を抑制することが可能となる。加えて、本実施形態のソルダペーストによれば、フラックスに配合する成分を選択したことで、はんだの濡れ性をより高めることができる。 As described above, in the solder paste of the present embodiment, a solder powder having an alloy composition containing Sn as a main component and being made of a low α-dose solder alloy is adopted. In the solder paste in which such a solder powder and a specific flux are combined, changes with time such as an increase in viscosity are unlikely to occur, and it is possible to suppress the occurrence of soft errors. In addition, according to the solder paste of the present embodiment, the wettability of the solder can be further enhanced by selecting the component to be blended in the flux.

一般に、はんだ合金においては、はんだ合金を構成する各構成元素が独自に機能するものではなく、各構成元素の含有量がすべて所定の範囲である場合に、初めて種々の効果を発揮することができる。以上説明した実施形態におけるはんだ合金によれば、各構成元素の含有量が上述の範囲であることにより、ソフトエラーの発生を抑制することができる。すなわち、本実施形態におけるはんだ合金は、目的とする低α線量材料として有用であり、メモリ周辺のはんだバンプの形成に適用することで、ソフトエラーの発生を抑制することが可能となる。 Generally, in a solder alloy, each constituent element constituting the solder alloy does not function independently, and various effects can be exhibited only when the content of each constituent element is all within a predetermined range. .. According to the solder alloy in the above-described embodiment, the occurrence of soft errors can be suppressed when the content of each constituent element is within the above range. That is, the solder alloy in the present embodiment is useful as a target low α-dose material, and by applying it to the formation of solder bumps around the memory, it is possible to suppress the occurrence of soft errors.

また、本実施形態では、Asを積極的に添加することなく、地金の精錬時又は加工時に高温で加熱されるような高融点金属であるNi及びFeを、特定の割合で含有するはんだ合金を採用することで、ソルダペーストの経時での増粘抑制効果をより優れたものとすることもできる。
かかる効果が得られる理由は定かではないが、以下のように推測される。
低α線量のはんだ合金用のSnは非常に高純度であり、溶融した合金を凝固する際、Snの結晶サイズが大きくなってしまう。また、そのSnにおける酸化膜も、それに応じた疎な酸化膜を形成してしまう。そこで、高融点金属であるNi及びFeを添加することにより、結晶サイズを小さくし、密な酸化膜を形成させることで、合金とフラックスとの反応性が抑えられるため、ソルダペーストの経時での増粘抑制が可能となる。
Further, in the present embodiment, a solder alloy containing Ni and Fe, which are refractory metals that are heated at a high temperature during refining or processing of the bare metal, in a specific ratio without actively adding As. By adopting the above, the effect of suppressing the thickening of the solder paste over time can be made more excellent.
The reason why such an effect is obtained is not clear, but it is presumed as follows.
Sn for low α-dose solder alloys has very high purity, and when the molten alloy is solidified, the crystal size of Sn becomes large. Further, the oxide film in Sn also forms a sparse oxide film corresponding to the oxide film. Therefore, by adding the refractory metals Ni and Fe, the crystal size is reduced and a dense oxide film is formed, so that the reactivity between the alloy and the flux is suppressed, so that the solder paste can be used over time. It is possible to suppress thickening.

以下、実施例により本発明を説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described with reference to Examples, but the present invention is not limited to the following Examples.

本実施例において、特に指定しない限り、はんだ合金組成についての「ppb」は「質量ppb」であり、「ppm」は「質量ppm」であり、「%」は「質量%」である。 In this embodiment, unless otherwise specified, "ppb" for the solder alloy composition is "mass ppb", "ppm" is "mass ppm", and "%" is "mass%".

<はんだ合金の作製>
(製造例1~312)
原料金属を溶融・撹拌して、表1から表14に示す各合金組成を有するはんだ合金をそれぞれ作製した。
Sn-3.0Ag-0.5Cu合金:製造例1~4
Sn合金:製造例5~8
Sn-0.7Cu合金:製造例9~12
Sn-4.0Ag合金:製造例13~16
Sn-Ni-Fe合金:製造例17~90
Sn-3.5Ag-Ni-Fe合金:製造例91~164
Sn-0.7Cu-Ni-Fe合金:製造例165~238
Sn-3.0Ag-0.5Cu-Ni-Fe合金:製造例239~312
As:5質量ppm以上又はPb:5質量ppm以上の合金:製造例313~320
<Manufacturing of solder alloy>
(Manufacturing Examples 1 to 312)
The raw metal was melted and stirred to prepare solder alloys having the respective alloy compositions shown in Tables 1 to 14.
Sn-3.0Ag-0.5Cu alloy: Production Examples 1 to 4
Sn alloy: Production Examples 5 to 8
Sn-0.7Cu alloy: Production Examples 9-12
Sn-4.0 Ag alloy: Production Examples 13 to 16
Sn—Ni—Fe alloy: Production Examples 17 to 90
Sn-3.5Ag-Ni-Fe alloy: Production Examples 91 to 164
Sn-0.7Cu-Ni-Fe alloy: Production Examples 165 to 238
Sn-3.0Ag-0.5Cu-Ni-Fe alloy: Production Examples 239 to 312
As: 5 mass ppm or more or Pb: 5 mass ppm or more alloy: Production Examples 313 to 320

各製造例のはんだ合金について、α線量の評価を以下のようにして行った。評価した結果を表1から表14に示した。 For the solder alloys of each production example, the α dose was evaluated as follows. The evaluation results are shown in Tables 1 to 14.

[α線量]
(1)検証方法その1
α線量の測定は、ガスフロー比例計数器のα線量測定装置を用い、上述した手順(i)、(ii)及び(iii)に従うことにより行った。
測定サンプルとして、製造直後のはんだ合金シートを用いた。
このはんだ合金シートは、作製直後のはんだ合金を溶融し、一面の面積が900cmであるシート状に成形することにより製造した。
この測定サンプルを、α線量測定装置内に入れ、PR-10ガスを12時間流し静置した後、72時間α線量を測定した。
[Α dose]
(1) Verification method 1
The α-dose was measured by using the α-dose measuring device of the gas flow proportional counter and following the above-mentioned procedures (i), (ii) and (iii).
As a measurement sample, a solder alloy sheet immediately after production was used.
This solder alloy sheet was manufactured by melting the solder alloy immediately after production and forming it into a sheet having an area of 900 cm 2 on one surface.
This measurement sample was placed in an α-dose measuring device, PR-10 gas was allowed to flow for 12 hours, and the mixture was allowed to stand, and then the α-dose was measured for 72 hours.

(2)判定基準その1
〇〇:測定サンプルから発生するα線量が0.002cph/cm以下であった。
〇:測定サンプルから発生するα線量が0.002cph/cm超、0.02cph/cm以下であった。
×:測定サンプルから発生するα線量が0.02cph/cm超であった。
この判定が「〇〇」又は「〇」であれば、低α線量のはんだ材料であると言える。
(2) Judgment criteria 1
〇 〇: The α dose generated from the measurement sample was 0.002 cph / cm 2 or less.
◯: The α dose generated from the measurement sample was more than 0.002 cf / cm 2 and 0.02 cf / cm 2 or less.
X: The α dose generated from the measurement sample was more than 0.02 cph / cm 2 .
If this determination is "○○" or "○", it can be said that the solder material has a low α dose.

(3)検証方法その2
測定サンプルを変更した以外は、上記の(1)検証方法その1と同様にして、α線量の測定を行った。
測定サンプルとして、作製直後のはんだ合金を溶融し、一面の面積が900cmであるシート状に成形したはんだ合金シートに対して、100℃で1時間の加熱処理を行い、放冷したものを用いた。
(3) Verification method 2
The α dose was measured in the same manner as in (1) Verification method 1 above, except that the measurement sample was changed.
As a measurement sample, a solder alloy sheet formed by melting a solder alloy immediately after production and forming a sheet having an area of 900 cm 2 on one side is heat-treated at 100 ° C. for 1 hour and then allowed to cool. board.

(4)判定基準その2
〇〇:測定サンプルから発生するα線量が0.002cph/cm以下であった。
〇:測定サンプルから発生するα線量が0.002cph/cm超、0.02cph/cm以下であった。
×:測定サンプルから発生するα線量が0.02cph/cm超であった。
この判定が「〇〇」又は「〇」であれば、低α線量のはんだ材料であると言える。
(4) Judgment criteria 2
〇 〇: The α dose generated from the measurement sample was 0.002 cph / cm 2 or less.
◯: The α dose generated from the measurement sample was more than 0.002 cf / cm 2 and 0.02 cf / cm 2 or less.
X: The α dose generated from the measurement sample was more than 0.02 cph / cm 2 .
If this determination is "○○" or "○", it can be said that the solder material has a low α dose.

(5)検証方法その3
上記の(1)検証方法その1にてα線量を測定した測定サンプルのはんだ合金シートを1年間保管した後、再度、上述した手順(i)、(ii)及び(iii)に従うことによりα線量を測定して、α線量の経時変化を評価した。
(5) Verification method 3
After storing the solder alloy sheet of the measurement sample whose α-dose was measured in the above (1) verification method 1 for one year, the α-dose is again followed in the above-mentioned procedures (i), (ii) and (iii). Was measured to evaluate the change over time in the α dose.

(6)判定基準その3
〇〇:測定サンプルから発生するα線量が0.002cph/cm以下であった。
〇:測定サンプルから発生するα線量が0.002cph/cm超、0.02cph/cm以下であった。
×:測定サンプルから発生するα線量が0.02cph/cm超であった。
この判定が「〇〇」又は「〇」であれば、発生するα線量が経時変化せず、安定なものであると言える。すなわち、電子機器類におけるソフトエラーの発生を抑制することができる。
(6) Judgment criteria 3
〇 〇: The α dose generated from the measurement sample was 0.002 cph / cm 2 or less.
◯: The α dose generated from the measurement sample was more than 0.002 cf / cm 2 and 0.02 cf / cm 2 or less.
X: The α dose generated from the measurement sample was more than 0.02 cph / cm 2 .
If this determination is "○○" or "○", it can be said that the generated α-dose does not change with time and is stable. That is, it is possible to suppress the occurrence of soft errors in electronic devices.

Figure 2022060054000002
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Figure 2022060054000003
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Figure 2022060054000004
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Figure 2022060054000005
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Figure 2022060054000007
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Figure 2022060054000008
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Figure 2022060054000009
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Figure 2022060054000010
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Figure 2022060054000013
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Figure 2022060054000014
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Figure 2022060054000015
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表1~13に示すように、製造例1~312の各はんだ合金についてα線量を評価した結果、製造例1~312のはんだ合金は、製造直後のはんだ合金シート、100℃で1時間の加熱処理後のはんだ合金シート、1年間保管した後のはんだ合金シートについて、いずれも、判定は「〇〇」であること、が確認された。
これに対し、製造例313~320の各はんだ合金についてα線量を評価した結果、製造例313~320のはんだ合金は、製造直後のはんだ合金シート、100℃で1時間の加熱処理後のはんだ合金シート、1年間保管した後のはんだ合金シートについて、いずれも、判定は「×」であること、が確認された。
As shown in Tables 1 to 13, as a result of evaluating the α dose for each of the solder alloys of Production Examples 1 to 312, the solder alloys of Production Examples 1 to 312 were obtained by heating the solder alloy sheet immediately after production at 100 ° C. for 1 hour. It was confirmed that the judgment was "○○" for the treated solder alloy sheet and the solder alloy sheet after being stored for one year.
On the other hand, as a result of evaluating the α dose for each of the solder alloys of Production Examples 313 to 320, the solder alloys of Production Examples 313 to 320 were the solder alloy sheet immediately after production and the solder alloy after heat treatment at 100 ° C. for 1 hour. It was confirmed that the judgment was "x" for all the sheets and the solder alloy sheets after being stored for one year.

<はんだ粉末の製造>
各製造例のはんだ合金を溶融し、アトマイズ法により、表1から表13に示す合金組成をそれぞれ有するはんだ合金からなり、平均粒子径が6μmのはんだ合金粒子群からなるはんだ粉末を製造した。
<Manufacturing of solder powder>
The solder alloys of each production example were melted, and a solder powder composed of solder alloy particles having the alloy compositions shown in Tables 1 to 13 and having an average particle diameter of 6 μm was produced by an atomizing method.

また、製造例1~4、製造例239~312のはんだ合金については、各製造例のはんだ合金を溶融し、アトマイズ法により、表1、表11~13に示す合金組成をそれぞれ有するはんだ合金からなり、平均粒子径が4μmのはんだ合金粒子群からなるはんだ粉末を製造した。 For the solder alloys of Production Examples 1 to 4 and Production Examples 239 to 312, the solder alloys of each production example are melted, and the solder alloys having the alloy compositions shown in Tables 1 and 11 to 13 are selected by the atomizing method. Therefore, a solder powder composed of a group of solder alloy particles having an average particle diameter of 4 μm was produced.

<フラックスの調製>
(調製例1~55)
樹脂成分として、重合ロジン、アクリル酸変性水添ロジン、アクリル酸変性ロジン、不均化ロジン、水添ロジン、水添ロジンメチルエステルを用いた。
溶剤として、ターピネオール、ヘキシルジグリコールを用いた。
有機酸系活性剤として、アジピン酸、セバシン酸、ダイマー酸(炭素数36)、水添ダイマー酸(炭素数36)、トリマー酸(炭素数54)、ミリスチン酸、パルミチン酸、12-ヒドロキシステアリン酸、ジグリコール酸、コハク酸、グルタル酸を用いた。
ハロゲン系活性剤として、trans-2,3-ジブロモ-2-ブテン-1,4-ジオール、イソシアヌル酸トリス(2,3-ジブロモプロピル)、シクロヘキシルアミン臭化水素酸塩、ヘキサデシルアミン臭化水素酸塩、ステアリルアミン臭化水素酸塩、テトラフルオロホウ酸シクロヘキシルアミン、エチルアミン臭化水素酸塩、ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩、エチルアミン塩酸塩を用いた。
アミン系活性剤として、シクロヘキシルアミン、ヘキサデシルアミン、ステアリルアミン、N,N,N’,N’-テトラキス(2-ヒドロキシプロピル)エチレンジアミン、2-フェニルイミダゾール、1,2,4-トリアゾール、ジトリルグアニジンを用いた。
有機リン化合物として、2-エチルヘキシル(2-エチルヘキシル)ホスホネート、フェニルホスフィン酸、(mono-/di-)イソデシルアシッドホスフェートを用いた。
金属不活性化剤として、ビス[3-(3-tert-ブチル-4-ヒドロキシ-5-メチルフェニル)プロピオン酸][エチレンビス(オキシエチレン)]を用いた。
チキソ剤として、ヒマシ硬化油、ミリスチン酸エチル、4-メチルベンズアミド、エチレンビスヒドロキシステアリン酸アミド、ビス(4-メチルベンジリデン)ソルビトール、ジベンジリデンソルビトールを用いた。
<Preparation of flux>
(Preparation Examples 1 to 55)
As the resin component, polymerized rosin, acrylic acid-modified hydrogenated rosin, acrylic acid-modified rosin, disproportionated rosin, hydrogenated rosin, and hydrogenated rosin methyl ester were used.
Tarpineol and hexyldiglycol were used as the solvent.
As organic acid-based activators, adipic acid, sebacic acid, dimer acid (36 carbon atoms), hydrogenated dimer acid (36 carbon atoms), trimer acid (54 carbon atoms), myristic acid, palmitic acid, 12-hydroxystearic acid. , Diglycolic acid, succinic acid and glutaric acid were used.
As halogen-based activators, trans-2,3-dibromo-2-butene-1,4-diol, tris isocyanurate (2,3-dibromopropyl), cyclohexylamine hydrobromide, hexadecylamine hydrobromide. Hydrobromide, stearylamine hydrobromide, cyclohexylamine tetrafluoroborate, ethylamine hydrobromide, diphenylguanidine hydrobromide, and ethylamine hydrochloride were used.
As amine-based activators, cyclohexylamine, hexadecylamine, stearylamine, N, N, N', N'-tetrakis (2-hydroxypropyl) ethylenediamine, 2-phenylimidazole, 1,2,4-triazole, ditril Guanidin was used.
As the organic phosphorus compound, 2-ethylhexyl (2-ethylhexyl) phosphonate, phenylphosphinic acid, and (mono- / di-) isodecyl acid phosphate were used.
As the metal inactivating agent, bis [3- (3-tert-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl) propionic acid] [ethylenebis (oxyethylene)] was used.
As the thixo agent, hydrogenated castor oil, ethyl myristate, 4-methylbenzamide, ethylenebishydroxystearic acid amide, bis (4-methylbenzylidene) sorbitol, and dibenzylidene sorbitol were used.

<ソルダペーストの製造>
(実施例1~45)
調製例1~3、調製例14~55のフラックスと、製造例1~4の各はんだ合金からなり、平均粒子径が6μmのはんだ合金粒子群からなるはんだ粉末と、をそれぞれ混合し、実施例1~46のソルダペーストを製造した。
フラックスとはんだ粉末との混合比率は、いずれも質量比として、フラックス:はんだ粉末=11:89とした。
<Manufacturing of solder paste>
(Examples 1 to 45)
The fluxes of Preparation Examples 1 to 3 and Preparation Examples 14 to 55 and the solder powder consisting of the solder alloys of Production Examples 1 to 4 and the solder alloy particle group having an average particle diameter of 6 μm were mixed and described in Examples. 1-46 solder pastes were produced.
The mixing ratio of the flux and the solder powder was set to flux: solder powder = 11:89 as a mass ratio.

(実施例46)
調製例1~3、調製例14~55の各フラックスと、製造例1~4の各はんだ合金からなり、平均粒子径が6μmのはんだ合金粒子群からなるはんだ粉末と、をそれぞれ混合し、実施例46のソルダペーストを製造した。
フラックスとはんだ粉末との混合比率は、いずれも質量比として、フラックス:はんだ粉末=35:65とした。
(Example 46)
The fluxes of Preparation Examples 1 to 3 and Preparation Examples 14 to 55 and the solder powder composed of the solder alloys of Production Examples 1 to 4 and having an average particle diameter of 6 μm were mixed and carried out. The solder paste of Example 46 was produced.
The mixing ratio of the flux and the solder powder was set to flux: solder powder = 35:65 as a mass ratio.

(実施例47)
調製例1~3、調製例14~55の各フラックスと、製造例5~8の各はんだ合金からなり、平均粒子径が6μmのはんだ合金粒子群からなるはんだ粉末と、をそれぞれ混合し、実施例47のソルダペーストを製造した。
フラックスとはんだ粉末との混合比率は、いずれも質量比として、フラックス:はんだ粉末=11:89とした。
(Example 47)
The fluxes of Preparation Examples 1 to 3 and Preparation Examples 14 to 55 and the solder powder consisting of the solder alloys of Production Examples 5 to 8 and the solder alloy particle group having an average particle diameter of 6 μm were mixed and carried out. Example 47 solder paste was produced.
The mixing ratio of the flux and the solder powder was set to flux: solder powder = 11:89 as a mass ratio.

(実施例48)
実施例47におけるはんだ合金を、製造例9~12の各はんだ合金に変更した以外は、実施例47と同様にして各ソルダペーストを製造した。
(Example 48)
Each solder paste was produced in the same manner as in Example 47, except that the solder alloy in Example 47 was changed to each of the solder alloys of Production Examples 9 to 12.

(実施例49)
実施例47におけるはんだ合金を、製造例13~16の各はんだ合金に変更した以外は、実施例47と同様にして各ソルダペーストを製造した。
(Example 49)
Each solder paste was produced in the same manner as in Example 47, except that the solder alloy in Example 47 was changed to each of the solder alloys of Production Examples 13 to 16.

(実施例50)
実施例47におけるはんだ合金を、製造例17~90の各はんだ合金に変更した以外は、実施例47と同様にして各ソルダペーストを製造した。
(Example 50)
Each solder paste was produced in the same manner as in Example 47, except that the solder alloy in Example 47 was changed to each of the solder alloys of Production Examples 17 to 90.

(実施例51)
実施例47におけるはんだ合金を、製造例91~164の各はんだ合金に変更した以外は、実施例47と同様にして各ソルダペーストを製造した。
(Example 51)
Each solder paste was produced in the same manner as in Example 47, except that the solder alloy in Example 47 was changed to each of the solder alloys of Production Examples 91 to 164.

(実施例52)
実施例47におけるはんだ合金を、製造例165~238の各はんだ合金に変更した以外は、実施例47と同様にして各ソルダペーストを製造した。
(Example 52)
Each solder paste was produced in the same manner as in Example 47, except that the solder alloy in Example 47 was changed to each of the solder alloys of Production Examples 165 to 238.

(実施例53)
実施例47におけるはんだ合金を、製造例239~312の各はんだ合金に変更した以外は、実施例47と同様にして各ソルダペーストを製造した。
(Example 53)
Each solder paste was produced in the same manner as in Example 47, except that the solder alloy in Example 47 was changed to each of the solder alloys of Production Examples 239 to 312.

(実施例54)
いずれも製造例1~4の各はんだ合金からなる、平均粒子径が異なる2種のはんだ合金粒子群を併有する各混合はんだ粉末を製造した。
具体的には、製造例1~4のはんだ合金からなり平均粒子径が6μmの各はんだ合金粒子群(S1a)と、製造例1~4のはんだ合金からなり平均粒子径が4μmの各はんだ合金粒子群(S2a)とを、質量比(S1a)/(S2a)=50/50で混合して、各混合はんだ粉末を得た。
次いで、調製例1~55の各フラックスと、各混合はんだ粉末と、をそれぞれ混合して各ソルダペーストを製造した。
フラックスと、混合はんだ粉末の総量と、の混合比率は、いずれも質量比として、フラックス:混合はんだ粉末=11:89とした。
(Example 54)
In each case, each mixed solder powder having two kinds of solder alloy particle groups having different average particle diameters, which were made of the solder alloys of Production Examples 1 to 4, was produced.
Specifically, each solder alloy particle group (S1a) composed of the solder alloys of Production Examples 1 to 4 and having an average particle diameter of 6 μm and each solder alloy composed of the solder alloys of Production Examples 1 to 4 and having an average particle diameter of 4 μm. The particle group (S2a) was mixed at a mass ratio (S1a) / (S2a) = 50/50 to obtain each mixed solder powder.
Next, each flux of Preparation Examples 1 to 55 and each mixed solder powder were mixed to produce each solder paste.
The mixing ratio of the flux and the total amount of the mixed solder powder was set to flux: mixed solder powder = 11:89 as a mass ratio.

(実施例55)
実施例54における各混合はんだ粉末の材料である各はんだ合金を、製造例239~312の各はんだ合金に変更した以外は、実施例54と同様にして各ソルダペーストを製造した。
(Example 55)
Each solder paste was produced in the same manner as in Example 54, except that each solder alloy, which is the material of each mixed solder powder in Example 54, was changed to each solder alloy of Production Examples 239 to 312.

<評価>
前記のフラックスについて、濡れ性(はんだの濡れ速度)の評価を行った。
また、前記のソルダペーストについて、増粘抑制の各評価を行った。
また、これらの評価結果から総合評価を行った。
詳細は以下のとおりである。評価した結果を表15~30に示した。
<Evaluation>
The wettability (wetting speed of solder) was evaluated for the above flux.
In addition, the solder paste was evaluated for suppressing thickening.
In addition, a comprehensive evaluation was performed based on these evaluation results.
The details are as follows. The evaluation results are shown in Tables 15 to 30.

[濡れ性(はんだの濡れ速度)]
(1)検証方法
濡れ性(はんだの濡れ速度)の評価試験を以下のようにして行った。
メニスコグラフ試験の方法に準拠し、試験板である幅5mm×長さ25mm×厚さ0.5mmの銅板、及び、試験装置であるSolder Checker SAT-5200(RHESCA社製)を用い、合金組成Sn-3Ag-0.5Cu(各数値は質量%;残部Sn)を有するはんだ合金を用いて、次のように評価した。
まず、ビーカーに測り取った各例のフラックスに対して、試験板を浸漬深さが約10mmとなるように浸漬させ、試験板にフラックスを塗布した。続いて、フラックスを塗布後、速やかにフラックスが塗布された試験板を、前記合金組成を有するはんだ合金のはんだ槽に浸漬させ、ゼロクロスタイム(sec)を得た。
続いて、各例のフラックスにつき5回の測定を行い、得られた5個のゼロクロスタイム(sec)の平均値を算出した。試験条件を以下のように設定した。
はんだ槽への浸漬速度:20mm/sec(JIS Z 3198-4:2014)
はんだ槽への浸漬深さ:5mm(JIS Z 3198-4:2014)
はんだ槽への浸漬時間:10sec(JIS Z 3198-4:2014)
はんだ槽温度:280℃(JIS C 60068-2-69:2019 附属書B)
ゼロクロスタイム(sec)の平均値が短いほど、濡れ速度は高くなり、はんだ濡れ性が良いことを意味する。
[Wetability (wetting speed of solder)]
(1) Verification method An evaluation test of wettability (wetting speed of solder) was conducted as follows.
Based on the method of the meniscograph test, a copper plate having a width of 5 mm, a length of 25 mm and a thickness of 0.5 mm, which is a test plate, and a Solder Checker SAT-5200 (manufactured by RHESCA), which is a test device, are used, and the alloy composition Sn- Using a solder alloy having 3Ag-0.5Cu (each numerical value is mass%; balance Sn), the evaluation was performed as follows.
First, the test plate was immersed in the flux of each example measured in a beaker so that the immersion depth was about 10 mm, and the flux was applied to the test plate. Subsequently, after the flux was applied, the test plate to which the flux was applied was immediately immersed in a solder bath of a solder alloy having the alloy composition to obtain a zero cross time (sec).
Subsequently, the flux of each example was measured 5 times, and the average value of the obtained 5 zero cross times (sec) was calculated. The test conditions were set as follows.
Immersion speed in solder bath: 20 mm / sec (JIS Z 3198-4: 2014)
Immersion depth in solder bath: 5 mm (JIS Z 3198-4: 2014)
Immersion time in solder bath: 10 sec (JIS Z 3198-4: 2014)
Solder tank temperature: 280 ° C (JIS C 60068-2-69: 2019 Annex B)
The shorter the average value of the zero cross time (sec), the higher the wetting speed and the better the solder wetting property.

(2)判定基準
〇:ゼロクロスタイム(sec)の平均値が2秒以下である。
×:ゼロクロスタイム(sec)の平均値が2秒を超える。
(2) Judgment criteria 〇: The average value of zero cross time (sec) is 2 seconds or less.
X: The average value of zero cross time (sec) exceeds 2 seconds.

[増粘抑制]
(1)検証方法
製造直後のソルダペーストについて、株式会社マルコム社製:PCU-205を用い、回転数:10rpm、25℃、大気中で12時間粘度を測定した。
[Suppression of thickening]
(1) Verification method The viscosity of the solder paste immediately after production was measured at a rotation speed of 10 rpm, 25 ° C., and in the air for 12 hours using PCU-205 manufactured by Malcolm Co., Ltd.

(2)判定基準
〇:12時間後の粘度が、ソルダペーストを調製直後から30分経過した時の粘度と比較して1.2倍以下である。
×:12時間後の粘度が、ソルダペーストを調製直後から30分経過した時の粘度と比較して1.2倍を超える。
この判定が「〇」であれば、十分な増粘抑制効果が得られたものであると言える。すなわち、ソルダペーストの経時での粘度増加を抑制することができる。
(2) Judgment criteria 〇: The viscosity after 12 hours is 1.2 times or less the viscosity when 30 minutes have passed immediately after the preparation of the solder paste.
X: The viscosity after 12 hours exceeds 1.2 times the viscosity when 30 minutes have passed immediately after preparing the solder paste.
If this determination is "〇", it can be said that a sufficient thickening suppressing effect has been obtained. That is, it is possible to suppress an increase in the viscosity of the solder paste over time.

[総合評価]
〇:表15~30において、濡れ性、増粘抑制の各評価が、いずれも〇であった。
×:表15~30において、濡れ性、増粘抑制の各評価のうち、少なくとも1つが×であった。
[Comprehensive evaluation]
◯: In Tables 15 to 30, each evaluation of wettability and suppression of thickening was 〇.
X: In Tables 15 to 30, at least one of the evaluations of wettability and suppression of thickening was x.

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実施例1~55のソルダペーストは、いずれにおいても、フラックスの濡れ速度が十分であり、増粘抑制の効果が十分であった。
これに対し、比較例1~4のソルダペーストは、炭素数5以下の有機酸を含むため、増粘抑制の効果が不十分であった。
また、比較例5~8のソルダペーストは、炭素数6以上の有機酸を含むが、炭素数5以下の有機酸を含むため、増粘抑制の効果が不十分であった。
また、比較例9、10のソルダペーストは、ハロゲン系活性剤の含有量が、前記フラックスの総量に対して0.1質量%未満であるため、フラックスの濡れ速度は十分ではなかった。
In each of the solder pastes of Examples 1 to 55, the wetting rate of the flux was sufficient, and the effect of suppressing thickening was sufficient.
On the other hand, since the solder pastes of Comparative Examples 1 to 4 contained an organic acid having 5 or less carbon atoms, the effect of suppressing thickening was insufficient.
Further, the solder pastes of Comparative Examples 5 to 8 contained an organic acid having 6 or more carbon atoms, but contained an organic acid having 5 or less carbon atoms, so that the effect of suppressing thickening was insufficient.
Further, in the solder pastes of Comparative Examples 9 and 10, since the content of the halogen-based activator was less than 0.1% by mass with respect to the total amount of the flux, the wetting rate of the flux was not sufficient.

実施例50~53、55のソルダペーストは、実施例1~49のソルダペーストと比較して、各ソルダペーストを調製直後から30分経過した時の粘度に対する、粘度測定を開始して12時間後の各ソルダペーストの粘度の比が、低かった。
すなわち、実施例50~53、55のソルダペーストは、実施例1~49のソルダペーストと比較して、増粘抑制効果が優れていた。
The solder pastes of Examples 50 to 53 and 55 were compared with the solder pastes of Examples 1 to 49, and 12 hours after the start of viscosity measurement with respect to the viscosity when 30 minutes had passed immediately after each solder paste was prepared. The viscosity ratio of each solder paste was low.
That is, the solder pastes of Examples 50 to 53 and 55 were superior in the thickening suppressing effect as compared with the solder pastes of Examples 1 to 49.

本発明によれば、はんだの濡れ性を高められ、ソルダペーストの経時での粘度増加を抑制し、かつ、ソフトエラーの発生を抑制することが可能なソルダペーストを提供することができる。かかるソルダペーストは、電子部品を基板にはんだ付けするために用いることができる。 According to the present invention, it is possible to provide a solder paste capable of improving the wettability of the solder, suppressing an increase in the viscosity of the solder paste over time, and suppressing the occurrence of soft errors. Such solder paste can be used to solder electronic components to a substrate.

Claims (25)

はんだ粉末とフラックスとからなるソルダペーストであって、
前記はんだ粉末は、U:5質量ppb未満、Th:5質量ppb未満、Pb:5質量ppm未満、As:5質量ppm未満、並びに残部がSnからなる合金組成を有し、かつ、α線量が0.02cph/cm以下であるはんだ合金からなり、
前記フラックスは、ハロゲン系活性剤と、ロジンと、チキソ剤と、溶剤とを含み、
前記フラックスは、炭素数が5以下の有機酸を含まず、
前記ハロゲン系活性剤の含有量は、前記フラックスの総量に対して0.1質量%以上4質量%以下である、ソルダペースト。
A solder paste consisting of solder powder and flux,
The solder powder has an alloy composition consisting of U: less than 5 mass ppb, Th: less than 5 mass ppb, Pb: less than 5 mass ppm, As: less than 5 mass ppm, and the balance of Sn, and has an α dose. It consists of a solder alloy with a capacity of 0.02 cph / cm 2 or less.
The flux contains a halogen-based activator, a rosin, a thixotropic agent, and a solvent.
The flux does not contain an organic acid having 5 or less carbon atoms.
The content of the halogen-based activator is 0.1% by mass or more and 4% by mass or less with respect to the total amount of the flux.
更に、前記合金組成は、Pbが2質量ppm未満である、請求項1に記載のソルダペースト。 Further, the solder paste according to claim 1, wherein the alloy composition has Pb of less than 2 parts by mass. 更に、前記合金組成は、Asが2質量ppm未満である、請求項1又は2に記載のソルダペースト。 Further, the solder paste according to claim 1 or 2, wherein the alloy composition has As of less than 2 parts by mass ppm. 更に、前記合金組成は、Ag:0質量%以上4質量%以下、及びCu:0質量%以上0.9質量%以下の少なくとも一種を含有する、請求項1~3のいずれか一項に記載のソルダペースト。 Further, according to any one of claims 1 to 3, the alloy composition contains at least one of Ag: 0% by mass or more and 4% by mass or less, and Cu: 0% by mass or more and 0.9% by mass or less. Solder paste. 更に、前記合金組成は、Bi:0質量%以上0.3質量%以下、及びSb:0質量%以上0.9質量%以下の少なくとも一種を含有する、請求項1~4のいずれか一項に記載のソルダペースト。 Further, any one of claims 1 to 4, wherein the alloy composition contains at least one of Bi: 0% by mass or more and 0.3% by mass or less, and Sb: 0% by mass or more and 0.9% by mass or less. Solder paste described in. 更に、前記合金組成は、下記(2)式を満たす、請求項5に記載のソルダペースト。
0.03≦Bi+Sb≦1.2 (2)
(2)式中、Bi及びSbは、各々前記合金組成での含有量(質量%)を表す。
Further, the solder paste according to claim 5, wherein the alloy composition satisfies the following formula (2).
0.03 ≤ Bi + Sb ≤ 1.2 (2)
In the formula (2), Bi and Sb each represent the content (mass%) in the alloy composition.
前記はんだ合金は、一面の面積が900cmであるシート状に成形したはんだ合金シートに対して、100℃で1時間の加熱処理を施した後におけるα線量が、0.02cph/cm以下となる、請求項1~6のいずれか一項に記載のソルダペースト。 The solder alloy has an α-dose of 0.02 cph / cm 2 or less after being heat-treated at 100 ° C. for 1 hour on a solder alloy sheet formed into a sheet having an area of 900 cm 2 on one surface. The solder paste according to any one of claims 1 to 6. 前記はんだ合金は、α線量が0.002cph/cm以下である、請求項1~7のいずれか一項に記載のソルダペースト。 The solder paste according to any one of claims 1 to 7, wherein the solder alloy has an α dose of 0.002 cf / cm 2 or less. 前記はんだ合金は、α線量が0.001cph/cm以下である、請求項8に記載のソルダペースト。 The solder paste according to claim 8, wherein the solder alloy has an α dose of 0.001 cf / cm 2 or less. 前記はんだ粉末は、平均粒子径が0.1~15μmのはんだ合金粒子群からなる、請求項1~9のいずれか一項に記載のソルダペースト。 The solder paste according to any one of claims 1 to 9, wherein the solder powder is composed of a group of solder alloy particles having an average particle diameter of 0.1 to 15 μm. 前記はんだ粉末は、平均粒子径が異なる2種以上のはんだ合金粒子群を併有する、請求項1~10のいずれか一項に記載のソルダペースト。 The solder paste according to any one of claims 1 to 10, wherein the solder powder has two or more kinds of solder alloy particles having different average particle diameters. 前記ハロゲン系活性剤は、アミンハロゲン化水素酸塩を含む、請求項1~11のいずれか一項に記載のソルダペースト。 The solder paste according to any one of claims 1 to 11, wherein the halogen-based activator contains an amine hydrohalide hydrochloride. 前記アミンハロゲン化水素酸塩は、シクロヘキシルアミン臭化水素酸塩、ヘキサデシルアミン臭化水素酸塩、ステアリルアミン臭化水素酸塩、シクロヘキシルアミンテトラフルオロホウ酸塩、エチルアミン臭化水素酸塩、ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩及びエチルアミン塩酸塩からなる群より選択される少なくとも一種を含む、請求項12に記載のソルダペースト。 The amine halide hydrobromide includes cyclohexylamine hydrobromide, hexadecylamine hydrobromide, stearylamine hydrobromide, cyclohexylamine tetrafluoroborate, ethylamine hydrobromide, and diphenyl. The solder paste according to claim 12, which comprises at least one selected from the group consisting of guanidine hydrobromide and ethylamine hydrochloride. 前記ハロゲン系活性剤は、更に、前記アミンハロゲン化水素酸塩以外の有機ハロゲン化合物を含む、請求項12又は13に記載のソルダペースト。 The solder paste according to claim 12 or 13, wherein the halogen-based activator further contains an organic halogen compound other than the amine hydrohalide hydrochloride. 前記ロジンは、重合ロジン、アクリル酸変性水添ロジン、アクリル酸変性ロジン、不均化ロジン及び水添ロジンからなる群より選択される少なくとも一種を含む、請求項1~14のいずれか一項に記載のソルダペースト。 13. The solder paste described. 前記ロジンは、更に、ロジンエステルを含み、
前記ロジンエステルは、水添ロジンメチルを含む、請求項15に記載のソルダペースト。
The rosin further comprises a rosin ester
The solder paste according to claim 15, wherein the rosin ester contains hydrogenated rosin methyl.
前記フラックスは、更に、炭素数が6以上の有機酸を含む、請求項1~16のいずれか一項に記載のソルダペースト。 The solder paste according to any one of claims 1 to 16, wherein the flux further contains an organic acid having 6 or more carbon atoms. 前記炭素数が6以上の有機酸が、アジピン酸、セバシン酸、ダイマー酸、水添ダイマー酸、トリマー酸、ミリスチン酸、パルミチン酸及び12-ヒドロキシステアリン酸からなる群より選択される少なくとも一種を含む、請求項17に記載のソルダペースト。 The organic acid having 6 or more carbon atoms contains at least one selected from the group consisting of adipic acid, sebacic acid, dimer acid, hydrogenated dimer acid, trimeric acid, myristic acid, palmitic acid and 12-hydroxystearic acid. , The solder paste according to claim 17. 前記チキソ剤は、エステル系チキソ剤、アマイド系チキソ剤及びソルビトール系チキソ剤からなる群より選択される少なくとも一種を含む、請求項1~18のいずれか一項に記載のソルダペースト。 The solder paste according to any one of claims 1 to 18, wherein the thixotropy comprises at least one selected from the group consisting of an ester-based thixotropy, an amide-based thixotropy, and a sorbitol-based thixotropy. 前記エステル系チキソ剤は、ヒマシ硬化油及びミリスチン酸エチルからなる群より選択される少なくとも一種を含む、請求項19に記載のソルダペースト。 The solder paste according to claim 19, wherein the ester-based thixotropy comprises at least one selected from the group consisting of castor oil and ethyl myristate. 前記アマイド系チキソ剤は、4-メチルベンズアミド及びエチレンビスヒドロキシステアリン酸アミドからなる群より選択される少なくとも一種を含む、請求項19又は20に記載のソルダペースト。 The solder paste according to claim 19 or 20, wherein the amido-based thixotropy comprises at least one selected from the group consisting of 4-methylbenzamide and ethylenebishydroxystearic acid amide. 前記ソルビトール系チキソ剤は、ビス(4-メチルベンジリデン)ソルビトール及びジベンジリデンソルビトールからなる群より選択される少なくとも一種を含む、請求項19~21のいずれか一項に記載のソルダペースト。 The solder paste according to any one of claims 19 to 21, wherein the sorbitol-based thixotropy comprises at least one selected from the group consisting of bis (4-methylbenzylidene) sorbitol and dibenzylidene sorbitol. 前記フラックスは、更に、アミン系活性剤を含む、請求項1~22のいずれか一項に記載のソルダペースト。 The solder paste according to any one of claims 1 to 22, wherein the flux further contains an amine-based activator. 前記フラックスは、更に、有機リン化合物を含む、請求項1~23のいずれか一項に記載のソルダペースト。 The solder paste according to any one of claims 1 to 23, wherein the flux further contains an organic phosphorus compound. 前記フラックスは、更に、酸化防止剤を含む、請求項1~24のいずれか一項に記載のソルダペースト。 The solder paste according to any one of claims 1 to 24, wherein the flux further contains an antioxidant.
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