JP2022051527A - 隆起フレーム構造を備えるバルク弾性波デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】横方向エネルギー漏洩を低減し、高い品質係数を有するバルク弾性波デバイスを提供する。【解決手段】バルク弾性波デバイスであるＢＡＷデバイス１０は、第１電極１２、第２電極１４、第１電極と第２電極との間に配置される圧電層１１、支持基板１７、空気キャビティ１８のような音響反射器及びパッシベーション層１９を有する。さらに、当該バルク弾性波デバイスの主要音響アクティブ領域からの横方向エネルギー漏洩を低減するように構成される第１隆起フレーム層１５及び第２隆起フレーム層１６からなる多重勾配隆起フレーム構造物を有する。多重勾配隆起フレーム構造物は、対向両側が先細りとされる。【選択図】図１

Description

優先権出願の相互参照
本願とともに提出される出願データシートにおいて外国又は国内の優先権主張が特定されるすべての出願は、３７ＣＦＲ§１．５７に基づいて参照によりここに組み込まれる。本願は、２０２０年９月１８日に出願された「隆起フレーム構造を備えるバルク弾性波デバイス」との名称の米国仮出願第６３／０８０，５３０号の優先権の利益を主張し、その開示は、全体が参照によりここに組み込まれる。

本開示の実施形態は弾性波デバイスに関し、詳しくはバルク弾性波デバイスに関する。
関連技術の説明

弾性波フィルタは、無線周波数電子システムに実装することができる。例えば、携帯電話機の無線周波数フロントエンドにおけるフィルタは、一以上の弾性波フィルタを含み得る。複数の弾性波フィルタがマルチプレクサとして配列され得る。例えば、２つの弾性波フィルタをデュプレクサとして配列することができる。

弾性波フィルタは、無線周波数信号をフィルタリングするべく配列される複数の音響共振器を含み得る。弾性波フィルタの例は、弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタ及びバルク弾性波（ＢＡＷ）フィルタを含む。ＢＡＷフィルタはＢＡＷ共振器を含む。ＢＡＷ共振器の例は、薄膜バルク弾性波共振器（ＦＢＡＲ）及びソリッドマウント共振器（ＳＭＲ）を含む。ＢＡＷ共振器においで、弾性波は圧電層のバルク内を伝搬する。

ＢＡＷデバイスにとって、高い品質係数（Ｑ）が一般に望ましい。しかしながら、Ｑは、製造のばらつき及び／又は他の理由により、ＢＡＷデバイスにおいてばらつき得る。

特許請求の範囲に記載されるイノベーションはそれぞれが、いくつかの側面を有し、そのうちの一つのみがその望ましい属性について全責任を負うものではない。特許請求の範囲を限定することなく、本開示のいくつかの顕著な特徴が以下に簡潔に記載される。

本開示の一側面は、多重勾配隆起フレームを備えるバルク弾性波デバイスである。バルク弾性波デバイスは、第１電極と、第２電極と、第１電極と第２電極との間に配置される圧電層と、当該バルク弾性波デバイスの主要音響アクティブ領域からの横方向エネルギー漏洩を低減するように構成される多重勾配隆起フレーム構造物とを含む。多重勾配隆起フレーム構造物は、対向両側が先細りとされる。バルク弾性波デバイスは、バルク弾性波を生成するべく構成される。

多重勾配隆起フレーム構造物は、平面視でバルク弾性波デバイスの主要音響アクティブ領域を取り囲み得る。多重勾配隆起フレーム構造物は、２つの勾配部分間に非勾配部分を有してよい。多重勾配隆起フレーム構造物は本質的に、勾配部分からなり得る。

多重勾配隆起フレーム構造物は、複数の隆起フレーム層を含み得る。複数の隆起フレーム層は、第１隆起フレーム層及び第２隆起フレーム層を含み得る。第２隆起フレーム層は、対向両側が第１隆起フレーム層を超えるように延びてよい。第１隆起フレーム層は、圧電層及び／又は第２隆起フレーム層よりも音響インピーダンスが低くてよい。第１隆起フレーム層は酸化物層としてよく、第２隆起フレーム層は金属としてよい。第１隆起フレーム層は二酸化ケイ素層としてよく、第２隆起フレーム層は金属としてよい。第１隆起フレーム層は、第１電極と第２電極との間に配置されてよい。いくつかの例において、第２電極は、第１隆起フレーム層と第２隆起フレーム層との間に配置されてよい。第２隆起フレーム層は、第１側に第１先細り角度を有し、第２側に第２先細り角度を有してよい。ここで、第１先細り角度及び第２先細り角度は５度～４５度の範囲にある。

多重勾配隆起フレーム構造物は、圧電層に対して凸構造としてよい。

バルク弾性波デバイスは、薄膜バルク弾性共振器としてよい。

本開示の他側面は、多重勾配隆起フレームバルク弾性波デバイスを備える弾性波フィルタである。弾性波フィルタは、無線周波数信号をフィルタリングするべく一緒に配列されるバルク弾性波デバイス及び少なくとも一つの付加的な弾性波デバイスを含む。バルク弾性波デバイスは、第１電極と、第２電極と、第１電極と第２電極との間に配置される圧電層と、当該バルク弾性波デバイスの主要音響アクティブ領域からの横方向エネルギー漏洩を低減するように構成される多重勾配隆起フレーム構造物とを含む。多重勾配隆起フレーム構造物は、対向両側が先細りとされる。

当該少なくとも一つの付加的な弾性波デバイスは、対向両側が先細りにされた第２多重勾配隆起フレーム構造物を含む第２バルク弾性波デバイスを含んでよい。

多重勾配隆起フレーム構造物は、第１隆起フレーム層及び第２隆起フレーム層を含んでよい。第１隆起フレーム層は酸化物を含んでよく、第２隆起フレーム層は金属としてよい。第２隆起フレーム層は、対向両側が第１隆起フレーム層を超えるように延びてよい。

本開示の他側面は、弾性波フィルタと当該弾性波フィルタに動作可能に結合されるアンテナとを含む無線通信デバイスである。弾性波フィルタはバルク弾性波デバイスを含む。バルク弾性波デバイスは、第１電極と、第２電極と、第１電極と第２電極との間に配置される圧電層と、当該バルク弾性波デバイスの主要音響アクティブ領域からの横方向エネルギー漏洩を低減するように構成される多重勾配隆起フレーム構造物とを含む。多重勾配隆起フレーム構造物は、対向両側が先細りとされる。

無線通信デバイスは携帯電話機としてよい。弾性波フィルタはマルチプレクサの中に含まれてよい。

本開示の他側面は、多重勾配隆起フレームを備えるバルク弾性波デバイスである。バルク弾性波デバイスは、第１電極と、第２電極と、第１電極と第２電極との間に配置される圧電層と、多重勾配隆起フレーム構造物とを含む。多重勾配隆起フレーム構造物は、第１隆起フレーム層及び第２隆起フレーム層を含んでよい。第２隆起フレーム層は、第１隆起フレーム層を超えるように延びる。第２隆起フレーム層は、対向両側が先細りとされる。バルク弾性波デバイスは、バルク弾性波を生成するべく構成される。

第２隆起フレーム層は、対向両側が第１隆起フレーム層を超えるように延びてよく、当該対向両側は、バルク弾性波デバイスの主要音響アクティブ領域へ向かう第１側と、当該主要音響アクティブ領域から離れる第２側とを含む。

第１隆起フレーム層は、音響インピーダンスが圧電層よりも低くてよい。第１隆起フレーム層は酸化物を含んでよく、第２隆起フレーム層は金属を含んでよい。第２隆起フレーム層は、ルテニウム、モリブデン、タングステン、白金又はイリジウムの一以上を含んでよい。

第１隆起フレーム層は金属を含んでよい。第１隆起フレーム層はポリマーを含んでよい。

多重勾配隆起フレーム構造物は、２つの勾配部分間に非勾配部分を有してよい。多重勾配隆起フレーム構造物は本質的に、勾配部分からなり得る。

第１隆起フレーム層は、第１電極と第２電極との間に配置されてよい。

第２電極は、第２隆起フレーム層と第１隆起フレーム層との間に配置されてよい。第１隆起フレーム層はまた、圧電層と第２電極との間に配置されてもよい。

第２隆起フレーム層は、第１側に第１先細り角度を有し、第２側に第２先細り角度を有してよく、第１先細り角度及び第２先細り角度はそれぞれが、５度よりも大きくかつ４５度よりも小さくてよい。

第２隆起フレーム層は、圧電層の表面に対して凸構造としてよい。

多重勾配隆起フレーム構造物は、平面視でバルク弾性波デバイスの主要音響アクティブ領域を取り囲み得る。

バルク弾性波デバイスは、薄膜バルク弾性共振器としてよい。

本開示の他側面は、無線周波数信号をフィルタリングするべく一緒に配列されるバルク弾性波デバイスと少なくとも一つの付加的な弾性波デバイスとを含む弾性波フィルタである。バルク弾性波デバイスは、第１電極と、第２電極と、第１電極と第２電極との間に配置される圧電層と、第１隆起フレーム層及び第２隆起フレーム層を含む多重勾配隆起フレーム構造物とを含む。第２隆起フレーム層は、第１隆起フレーム層を超えるように延びる。第２隆起フレーム層は、対向両側が先細りとされる。

当該少なくとも一つの付加的な弾性波デバイスは、対向両側が先細りにされた第２多重勾配隆起フレーム構造物を含む第２バルク弾性波デバイスを含んでよい。

本開示の他側面は、無線周波数信号をフィルタリングするべく構成される弾性波フィルタと、無線周波数回路素子と、当該弾性波フィルタ及び当該無線周波数回路素子を封入するパッケージ構造物とを含むパッケージ状無線周波数モジュールである。弾性波フィルタはバルク弾性波デバイスを含む。バルク弾性波デバイスは、第１電極と、第２電極と、第１電極と第２電極との間に配置される圧電層と、第１隆起フレーム層及び第２隆起フレーム層を含む多重勾配隆起フレーム構造物とを含む。第２隆起フレーム層は、第１隆起フレーム層を超えるように延びる。第２隆起フレーム層は、対向両側が先細りとされる。

無線周波数回路素子は無線周波数スイッチとしてよい。無線周波数回路素子は無線周波数増幅器としてよい。

本開示の他側面は、バルク弾性波デバイスであり、これは、第１電極と、第２電極と、第１電極と第２電極との間に配置される圧電層と、当該バルク弾性波デバイスの主要音響アクティブ領域からの横方向エネルギー漏洩を低減するように構成される多層隆起フレーム構造物とを含む。多層隆起フレーム構造物は、圧電層に埋め込まれた第１隆起フレーム層と、第２隆起フレーム層とを含む。第１隆起フレーム層は、音響インピーダンスが圧電層よりも低くてよい。第２隆起フレーム層は少なくとも、バルク弾性波デバイスの隆起フレーム領域において第１隆起フレーム層と重なる。バルク弾性波デバイスは、バルク弾性波を生成するべく構成される。

第２隆起フレーム層は、圧電層に埋め込まれてよい。

第１隆起フレーム層は酸化物を含んでよく、第２隆起フレーム層は金属を含んでよい。第１隆起フレーム層は二酸化ケイ素層としてよく、第２隆起フレーム層は金属としてよい。第２隆起フレーム層は、圧電層に埋め込まれてよい。

多層隆起フレーム構造物は多重勾配隆起フレーム構造物としてよい。第２隆起フレーム層は、多層隆起フレーム構造物の対向両側が第１隆起フレーム層を超えるように延びてよい。多重勾配隆起フレーム構造物は、２つの勾配部分間に非勾配部分を有してよい。第２隆起フレーム層は、第１側に第１先細り角度を有し、第２側に第２先細り角度を有してよく、第１先細り角度及び第２先細り角度はそれぞれが、５度よりも大きくかつ４５度よりも小さくてよい。

多層隆起フレーム構造物は、平面視でバルク弾性波デバイスの主要音響アクティブ領域を取り囲み得る。

バルク弾性波デバイスは、薄膜バルク弾性共振器としてよい。

本開示の他側面は、無線周波数信号をフィルタリングするべく一緒に配列されるバルク弾性波デバイスと少なくとも一つの付加的な弾性波デバイスとを含む弾性波フィルタである。バルク弾性波デバイスは、第１電極と、第２電極と、第１電極と第２電極との間に配置される圧電層と、第１隆起フレーム層及び第２隆起フレーム層を含む多層隆起フレーム構造物とを含む。第１隆起フレーム層は圧電層に埋め込まれ、音響インピーダンスが当該圧電層よりも低い。第２隆起フレーム層は少なくとも部分的に、第１隆起フレーム層と重なる。

少なくとも一つの付加的な弾性波デバイスは、第２バルク弾性波デバイスを含んでよく、当該第２バルク弾性波デバイスは、当該第２バルク弾性波デバイスの圧電層に埋め込まれた隆起フレーム層を含む。

多層隆起フレーム構造物は多重勾配隆起フレーム構造物としてよい。第２隆起フレーム層は、第１側に第１先細り角度を有し、第２側に第２先細り角度を有してよく、第１先細り角度及び第２先細り角度はそれぞれが、５度よりも大きくかつ４５度よりも小さくてよい。第１隆起フレーム層は酸化物としてよく、第２隆起フレーム層は金属としてよい。第１隆起フレーム層は二酸化ケイ素層としてよい。

本開示の他側面は、弾性波フィルタと、無線周波数回路素子と、当該弾性波フィルタ及び当該無線周波数回路素子を封入するパッケージ構造物とを含むパッケージ状無線周波数モジュールである。弾性波フィルタはバルク弾性波デバイスを含む。バルク弾性波デバイスは、第１電極と、第２電極と、第１電極と第２電極との間に配置される圧電層と、第１隆起フレーム層及び第２隆起フレーム層を含む多層隆起フレーム構造物とを含む。第１隆起フレーム層は圧電層に埋め込まれ、音響インピーダンスが当該圧電層よりも低い。第２隆起フレーム層は少なくとも部分的に、第１隆起フレーム層と重なる。

無線周波数回路素子は無線周波数スイッチとしてよい。無線周波数回路素子は無線周波数増幅器としてよい。

本開示をまとめることを目的として、本イノベーションの所定の側面、利点、及び新規な特徴がここに記載されてきた。かかる利点の必ずしもすべてが、いずれかの特定の実施形態に従って達成されるわけではないことを理解すべきである。すなわち、本イノベーションは、ここに教示又は示唆され得る他の利点を必ずしも達成することなく、ここに教示される一つの利点又は複数の利点の一群を達成又は最適化する態様で具体化し又は実施することができる。

本開示の実施形態が、添付図面を参照する非限定的な例を介して以下に記載される。

一実施形態に係る二重勾配隆起フレーム構造物を備えるバルク弾性波（ＢＡＷ）デバイスの模式的な断面図である。 主要音響アクティブ領域を取り囲むフレーム領域を備える例示的なＢＡＷデバイスの平面図である。 主要音響アクティブ領域を取り囲むフレーム領域を備える他のＢＡＷデバイスの平面図である。 二重勾配隆起フレーム構造物を備えるＢＡＷデバイスの断面図である。 図３ＡのＢＡＷデバイスのシミュレーション結果を示す。 単数勾配隆起フレーム構造物を備えるＢＡＷデバイスの一部分の断面図である。 図４ＡのＢＡＷデバイスのシミュレーション結果を示す。 二重勾配隆起フレーム構造物を備えるＢＡＷデバイスの断面図である。 図５ＡのＢＡＷデバイスのシミュレーション結果を示す。 一実施形態に係る二重勾配隆起フレーム構造物を備えるソリッドマウント共振器（ＳＭＲ）ＢＡＷデバイスの断面図である。 一実施形態に係る多重勾配隆起フレーム構造物を備えるＢＡＷデバイスの断面図である。 他実施形態に係るＢＡＷデバイスの断面図である。 他実施形態に係るＢＡＷデバイスの断面図である。 一実施形態に係る単数隆起フレーム層を備えるＢＡＷデバイスの断面図である。 他実施形態に係る単数隆起フレーム層を備えるＢＡＷデバイスの断面図である。 他実施形態に係るＢＡＷデバイスの断面図である。 一実施形態に係る圧電層と下側電極との間に多重勾配隆起フレーム構造物を備えるＢＡＷデバイスの断面図である。 一実施形態に係る圧電層の対向両側に隆起フレーム層を有する多重勾配隆起フレーム構造物を備えるＢＡＷデバイスの断面図である。 一実施形態に係る圧電層の対向両側に隆起フレーム層を有する多層隆起フレーム構造物を備えるＢＡＷデバイスの断面図である。 一実施形態に係る隆起フレーム層が圧電層に埋め込まれた多層隆起フレーム構造物を備えるＢＡＷデバイスの断面図である。 一実施形態に係る勾配を備える多層隆起フレーム構造物を有するＢＡＷデバイスの模式的な断面図である。 一実施形態に係る隆起フレーム層が圧電層に埋め込まれた二重勾配隆起フレーム構造物を備えるＢＡＷデバイスの模式的な断面図である。 一実施形態に係る二重勾配隆起フレーム構造物を備えるＢＡＷデバイスの模式的な断面図である。 一実施形態に係るＢＡＷデバイスの模式的な断面図を示す。 他実施形態に係るＢＡＷデバイスの模式的な断面図を示す。 隆起フレーム層の勾配部分の先細り角度を示す。 隆起フレーム層の勾配部分の例を示す。ここで、勾配部分は非線形である。 一実施形態に係るバルク弾性波共振器を含むラダーフィルタの模式図である。 一実施形態に係るバルク弾性波共振器を含むラティスフィルタの模式図である。 一実施形態に係るバルク弾性波共振器を含むハイブリッドラダーラティスフィルタの模式図である。 弾性波フィルタの模式図である。 一実施形態に係る弾性波フィルタを含むデュプレクサの模式図である。 一実施形態に係る弾性波フィルタを含むマルチプレクサの模式図である。 一実施形態に係る弾性波フィルタを含むマルチプレクサの模式図である。 一実施形態に係る弾性波フィルタを含むマルチプレクサの模式図である。 所定実施形態に係る例示のパッケージ状モジュールの模式的なブロック図である。 所定実施形態に係る例示のパッケージ状モジュールの模式的なブロック図である。 所定実施形態に係る例示のパッケージ状モジュールの模式的なブロック図である。 所定実施形態に係る例示のパッケージ状モジュールの模式的なブロック図である。 所定実施形態に係る例示のパッケージ状モジュールの模式的なブロック図である。 携帯デバイスの一実施形態の模式的な図である。 通信ネットワークの一例の模式的な図である。

所定実施形態の以下の詳細な説明は、特定の実施形態の様々な記載を提示する。しかしながら、ここに記載されるイノベーションは、例えば特許請求の範囲により画定かつカバーされる数多くの異なる態様で具体化することができる。本明細書において、同じ参照番号が同一の又は機能的に同様の要素を示す図面が参照される。理解されることだが、図面に示される要素は必ずしも縮尺どおりとは限らない。さらに理解されることだが、所定の実施形態は、図面に示されるよりも多くの要素、及び／又は図面に示される要素の部分集合を含み得る。さらに、いくつかの実施形態は、２つ以上の図面からの特徴の任意の適切な組み合わせも含み得る。

ＢＡＷデバイスが隆起フレーム構造物を含み得る。隆起フレーム構造物は、バルク弾性波デバイスの主要音響アクティブ領域からの横方向エネルギー漏洩を低減することができる。

本開示の側面は、多重勾配隆起フレーム構造物を備えるバルク弾性波（ＢＡＷ）デバイスに関する。ここに開示される多重勾配隆起フレーム構造物は、高い品質係数（Ｑ）安定性を達成するとともに隆起フレーム技術のＱ感度を低減することができる。ＢＡＷデバイスのＱは、多層隆起フレーム構造物と勾配隆起フレームとを組み合わせることによって改善することができる。このＱは、ＢＡＷデバイスのＱｐとしてよい。ここで、Ｑｐは反共振における品質係数である。ここに開示される二重勾配隆起フレーム構造物は、Ｑ安定性を改善するとともに、隆起フレームのＱへの感度を低減することもできる。二重勾配隆起フレーム構造物は、単数勾配隆起フレーム構造物と比べて漏洩からのエネルギー反射を補償することができる。したがって、二重勾配隆起フレーム構造物は、所定のアプリケーションにおいて単数勾配隆起フレーム構造物よりも良好な性能を与えることができる。

ここに開示される実施形態は、複数の勾配を備える多層隆起フレーム構造物を含むＢＡＷデバイスに関する。多層隆起フレーム構造物は、ＢＡＷデバイスの下側電極と上側電極との間に配置される第１隆起フレーム層を含み得る。多層隆起フレーム構造物はまた、第１隆起フレーム層の上に配置される第２隆起フレーム層も含み得る。第２隆起フレーム層は、第１隆起フレーム層を超えるように延びてよい。第２隆起フレーム層は、対向両側が先細りとなってよい。ここで、第２隆起フレーム層は、第１隆起フレーム層を超えるように延びる。第２隆起フレーム層の先細り部分は、９０度よりも小さな先細り角度を有してよい。例えば、先細り角度は４５度よりも小さくてよい。多層隆起フレーム構造物は、圧電層及び／又は電極層の表面に対して凸構造を有してよい。多層隆起フレーム構造物は、空気キャビティのような音響反射器に対して凸構造を有してよい。多層隆起フレーム構造物はドーム形状の構造を有してよい。多層隆起フレーム構造物は、平面視でＢＡＷデバイスの主要音響アクティブ領域を取り囲み得る。

第１隆起フレーム層は、音響インピーダンスがＢＡＷデバイスの圧電層よりも低くてよい。第１隆起フレーム層は、音響インピーダンスがＢＡＷデバイスの下側電極層及び上側電極層よりも低くてよい。第１隆起フレーム層は結合係数を低減することができる。第１隆起フレーム層は酸化物としてよい。第１隆起フレーム層は金属としてよい。第１隆起フレーム層はポリマーとしてよい。第１隆起フレーム層は、酸化物、金属又はポリマーの一以上を含んでよい。第１隆起フレーム層は、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）層、窒化ケイ素（ＳｉＮ）層、炭化ケイ素（ＳｉＣ）層、又は任意の他の適切な低音響インピーダンス材料を含んでよい。ＳｉＯ_２は様々なバルク弾性波デバイスにおいて既に使用されているので、ＳｉＯ_２の第１隆起フレーム層は製造が比較的容易となり得る。第１隆起フレーム層を所定例において酸化物として称してよいが、第１隆起フレーム層は特定のアプリケーションにおいて任意の適切な材料を含んでよい。

第２隆起フレーム層は相対的に高い音響インピーダンスを有し得る。例えば、第２隆起フレーム層は、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）等、又はこれらの任意の適切な合金を含み得る。第２隆起フレーム層は金属層としてよい。代替的に、第２隆起フレーム層は、相対的に高い音響インピーダンスを有する適切な非金属材料としてよい。第２隆起フレーム層の音響インピーダンスは、ＢＡＷデバイスの電極層の音響インピーダンスと同等か又はこれよりも高くてよい。いくつかの例において、第２隆起フレーム層は、ＢＡＷデバイスの電極層と同じ材料としてよい。第２隆起フレーム層は相対的に高い密度を有してよい。第２隆起フレーム層を所定例において金属層と称してよいが、第２隆起フレーム層は、特定のアプリケーションにおいて任意の適切な材料を含み得る。

多重勾配隆起フレーム構造物を備える例示的なＢＡＷデバイスが以下に説明される。これらのＢＡＷデバイスの任意の適切な原理及び利点は、互いに一緒に実装することができる。

図１は、一実施形態に係る二重勾配隆起フレーム構造物を備えるＢＡＷデバイス１０の模式的な断面図である。ＢＡＷデバイス１０はバルク弾性波を生成し得る。ＢＡＷデバイス１０はＢＡＷ共振器としてよい。例示のＢＡＷデバイス１０は、図示の断面視において主要音響アクティブ領域の対向両側に主要音響アクティブ領域「主要領域」とフレーム領域とを含む。主要音響アクティブ領域「主要」とフレーム領域とが、ＢＡＷデバイス１０の音響反射器の上に含まれる。主要音響アクティブ領域に対してフレーム領域には、主要モードのときに圧電層における音響エネルギーの有意な（例えば指数関数状の）落ち込みが存在し得る。フレーム領域において、第１勾配領域ＲａＦ１、非勾配領域ＲａＦ２、及び第２勾配領域ＲａＦ３が存在する。第１勾配領域ＲａＦ１及び第２勾配領域ＲａＦ３はそれぞれが、双方とも音響反射器の上に含まれる。図１に示されるように、第１勾配領域ＲａＦ１及び第２勾配領域ＲａＦ３はそれぞれが、空気キャビティ１８の上に存在する。主要音響アクティブ領域は、フレーム領域よりも有意に大きくてよい。図２Ａ及び図２Ｂは、図１の断面図よりも縮尺どおりに主要音響アクティブ領域及びフレーム領域の相対的なサイズを示し得る。

図示のように、ＢＡＷデバイス１０は、圧電層１１、第１電極１２、第２電極１４、第１隆起フレーム層１５、第２隆起フレーム層１６、支持基板１７、空気キャビティ１８のような音響反射器、及びパッシベーション層１９を含む。

圧電層１１は、第１電極１２と第２電極１４との間に配置される。圧電層１１は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）層としてよい。圧電層１１は、任意の他の適切な圧電層としてよい。主要音響アクティブ領域「主要領域」において、圧電層１１は、空気キャビティ１８の上で第１電極１２及び第２電極１４の双方と重なるとともに物理的に接触する。主要音響アクティブ領域「主要領域」にはまた、第１隆起フレーム層１５及び第２隆起フレーム層１６それぞれが存在しない。

第１電極１２は、相対的に高い音響インピーダンスを有してよい。例えば、第１電極１２は、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ルテニウム（Ｒｕ）、クロム（Ｃｒ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、Ｉｒ／Ｐｔ、又はこれらの任意の適切な合金及び／若しくは組み合わせを含み得る。同様に、第２電極１４も、相対的に高い音響インピーダンスを有してよい。第２電極１４は、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｉｒ／Ｐｔ、又はこれらの任意の適切な合金及び／又は組み合わせを含み得る。第２電極１４は、所定例において第１電極１４と同じ材料から形成されてよい。第１電極１２は下側電極と称してよい。第２電極１４は上側電極と称してよい。

第１隆起フレーム層１５は音響インピーダンスが、ＢＡＷデバイス１０の圧電層１１よりも低くてよい。第１隆起フレーム層１５は音響インピーダンスが、ＢＡＷデバイス１０の第１電極１２及び第２電極層１４よりも低くてよい。第１隆起フレーム層１５は、酸化ケイ素のような酸化物としてよい。かかる第１隆起フレーム層１５は、酸化物隆起フレーム層と称してよい。第１隆起フレーム層１５は誘電層としてよい。第１隆起フレーム１５層は金属を含んでよい。第１隆起フレーム１５層はポリマーとしてよい。第１隆起フレーム層は、酸化物、金属又はポリマーの一以上を含んでよい。第１隆起フレーム層１５は、例えば、ＳｉＯ_２層、ＳｉＮ層、ＳｉＣ層、又は任意の他の適切な低音響インピーダンス材料を含み得る。ＳｉＯ_２は様々なバルク弾性波デバイスにおいて既に使用されているので、ＳｉＯ_２の第１隆起フレーム層１５は製造が比較的容易となり得る。

第２隆起１６フレーム層は、相対的に高い音響インピーダンスの材料としてよい。例えば、第２隆起フレーム１６層は、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｐｔ等、又はこれらの任意の適切な合金を含んでよい。第２隆起１６フレーム層は金属層としてよい。かかる実施形態において、第２隆起フレーム層１６は、金属隆起フレーム層と称してよい。代替的に、第２隆起フレーム層は、相対的に高い音響インピーダンスを有する適切な非金属材料としてよい。第２隆起フレーム層１６の音響インピーダンスは、ＢＡＷデバイス１０の電極１２及び／又は１４の音響インピーダンスと同様か又はこれよりも大きくてよい。いくつかの例において、第２隆起フレーム層１６は、ＢＡＷデバイス１０の電極１２及び／又は１４と同じ材料としてよい。第２隆起フレーム層１６は相対的に高い密度を有してよい。第２隆起フレーム層１６の密度は、ＢＡＷデバイス１０の電極１２及び／又は１４の密度と同様か又はこれよりも大きくてよい。

所定の実施形態において、第１隆起フレーム層１５は酸化物層（例えば二酸化ケイ素層）であり、第２隆起フレーム層１６は金属層である。少なくともいくつかのかかる実施形態において、第１隆起フレーム層１５は、パッシベーション層１９と同じ材料からなってよい。第２隆起フレーム層１６は、いくつかのかかる例において、電極１２及び１４の少なくとも一方と同じ材料からなってよい。

図１において、第１隆起フレーム層１５及び第２隆起フレーム層１６は双方が、フレーム領域の非勾配領域ＲａＦ２において圧電層１１と実質的に平行である。例示の第２隆起フレーム層１６は、フレーム領域の第１勾配領域ＲａＦ１及び第２勾配領域ＲａＦ３それぞれにおいて先細りであり、第１隆起フレーム層１５を超えて延びる。第１勾配領域ＲａＦ１及び第２勾配領域ＲａＦ３は、隆起フレーム構造物の対向両側に存在する。図１に示されるＢＡＷデバイス１０において、対向両側は、主要音響アクティブ領域「主要領域」に向かって延びる隆起フレーム構造物の内側、及び主要音響アクティブ領域「主要領域」から離れる外側である。外側は、図１において空気キャビティ１８の端に又は当該端の近くに存在する。第２隆起フレーム層１６は、ＢＡＷデバイス１０において第１勾配領域ＲａＦ１から第２勾配領域ＲａＦ３まで延びる連続層である。第２隆起フレーム層１６は、図１において、非勾配領域ＲａＦ２にある非勾配部分と、勾配領域ＲａＦ１及びＲａＦ３にある勾配部分とを有する。

ここに開示される実施形態が二重勾配隆起フレーム構造物を含み得るにもかかわらず、ここに開示される任意の適切な原理及び利点は、３つ以上の勾配領域を備えるＢＡＷデバイスに実装してよい。図１のフレーム領域が２つの勾配領域ＲａＦ１及びＲａＦ３と、当該勾配領域ＲａＦ１及びＲａＦ３間の非勾配領域ＲａＦ２とを有する一方、いくつかの他の多重勾配隆起フレーム構造物（例えば相対的に狭い幅の隆起フレーム構造物）は非勾配領域なしで勾配領域を含んでよい。したがって、多重勾配隆起フレーム構造物は、勾配領域からなってよく、又は本質的に勾配領域からなってよい。かかるＢＡＷデバイスの一例が図２１に示される。

ここに開示される任意の適切な原理及び利点は、隆起フレーム構造物が浮遊電圧レベルにある浮遊隆起フレーム構造物に適用してよい。浮遊隆起フレーム構造物は、ＢＡＷデバイスの電極から（例えば誘電性材料によって）電気的に分離されてよい。

フレーム領域は、平面視でＢＡＷデバイスの主要音響アクティブ領域を取り囲むことができる。図２Ａは、平面視で主要音響アクティブ領域２１を取り囲む例示的なフレーム領域２２を示す。図面において断面図は、所定の実施形態において、図２ＡのＡ－Ａ’線に沿っている。図２Ａに示されるＢＡＷデバイス２０Ａは、平面視で半円又は半楕円の形状を有する。図２Ａにおけるフレーム領域２２は、図面の断面図のいずれかに示される勾配フレーム領域及び非勾配フレーム領域のいずれかを含み得る。フレーム領域２２はまた、一以上の陥凹フレーム領域も含み得る。陥凹フレーム領域は、主要音響アクティブ領域２１の隆起フレーム領域と中央部分との間に位置決めされてよい。陥凹フレーム領域には、主要音響アクティブ領域２１においてよりも少ない質量負荷が存在してよい。

ここに開示される任意の適切な原理及び利点に係るＢＡＷデバイスは、代替的に、四角形状、曲線の辺を備える四辺形状、五辺形状、曲線の辺を備える五辺形状等のような、平面視で任意の他の適切な形状を有してよい。例えば、図２Ｂは、平面視で主要音響アクティブ領域２１を取り囲むフレーム領域２２ａを有する他のＢＡＷデバイス２０Ｂの他例を示す。図２Ｂに示されるＢＡＷデバイス２０Ｂは、平面視で丸い辺を備える五辺形状を有する。図面において断面図は、所定の実施形態において、図２ＢのＢ－Ｂ’線に沿っている。図２Ｂにおけるフレーム領域２２は、図面の断面図のいずれかに示される勾配フレーム領域及び非勾配フレーム領域のいずれかを含み得る。ＢＡＷデバイス２０Ｂのフレーム領域２２はまた、主要音響アクティブ領域２１の隆起フレーム領域と中央部分との間に位置決めされる一以上の陥凹フレーム領域を含み得る。

図３Ａは、二重勾配隆起フレーム構造物を備えるＢＡＷデバイス３０の断面図を示す。図３Ｂは、図３ＡのＢＡＷデバイス３０のシミュレーション結果を示す。ここで、円で囲まれた二重勾配隆起フレーム構造物の鏡像が、ＢＡＷデバイス３０の断面図の対向両側に含まれる。シミュレーション結果は、二酸化ケイ素第１隆起フレーム層１５の傾斜及び厚さが変化したときのＱに関する。シミュレーション結果は、高いＱ値が達成された大きな領域を示す。これらのシミュレーション結果は、プロセスの変更及び／又はプロセスのばらつきが存在しても安定したＱが達成可能であることを示す。例えば、これらのシミュレーション結果は、図３Ａの第１隆起フレーム層１５の厚さが、Ｑへの有意な影響なしに調整できることを示す。

図４Ａは、円で囲まれた単数勾配隆起フレーム構造物を備えるＢＡＷデバイス４０の一部分の断面図を示す。ＢＡＷデバイス４０において、主要音響アクティブ領域まで延びる隆起フレーム構造物の内側に単数勾配が存在する。ＢＡＷデバイス４０の、空気キャビティ１８の一端に近い隆起フレーム構造物の外側は、勾配を含まない。図４Ｂは、図４ＡのＢＡＷデバイス４０のシミュレーション結果を示す。ここで、円で囲まれた単数勾配隆起フレーム構造物の鏡像が、ＢＡＷデバイス４０の断面の対向両側に含まれる。シミュレーション結果は、二酸化ケイ素第１隆起フレーム層１５の傾斜及び厚さが変化したときのＱに関する。シミュレーション結果は、シミュレーションされたＢＡＷデバイス４０が高いＱを達成し得ることを示す。これらのシミュレーション結果はまた、第１隆起フレーム層１５の厚さのようなデバイスパラメータが変化するときに図３ＡのＢＡＷデバイス３０と比較してＱが安定でなくなることも示す。

図５Ａは、第１隆起フレーム層１５を超えて主要音響アクティブ領域へと延びる第２隆起フレーム層１６を有しない隆起フレーム構造物が丸で囲まれたＢＡＷデバイス５０の一部分の断面図を示す。図５Ｂは、図５ＡのＢＡＷデバイス５０のシミュレーション結果を示す。ここで、円で囲まれた隆起フレーム構造物の鏡像が、ＢＡＷデバイス５０の断面の対向両側に含まれる。シミュレーション結果は、二酸化ケイ素第１隆起フレーム層１５の傾斜及び厚さが変化したときのＱに関する。シミュレーション結果は、シミュレーションされたＢＡＷデバイス５０が、図３Ｂ及び図４Ｂそれぞれにおけるシミュレーション結果に対応するＢＡＷデバイス３０及び４０と比較してＱが望ましくなくなることを示す。隆起フレーム構造物の対向両側において第２隆起フレーム層１６が第１隆起フレーム層を超えて延びることが望ましい。

図１のＢＡＷデバイス１０は薄膜バルク弾性共振器（ＦＢＡＲ）である。ここに開示される原理及び利点は他のＢＡＷデバイスにも適用することができる。図６は、二重勾配隆起フレーム構造物を備えるソリッドマウント共振器（ＳＭＲ）ＢＡＷデバイス６０を示す。ＳＭＲＢＡＷデバイス６０は、音響反射器として空気キャビティの代わりにソリッド音響ミラー６２を有する。ソリッド音響ミラー６２は音響ブラッグ反射器である。ソリッド音響ミラー６２は、交互する低音響インピーダンス層６３及び高音響インピーダンス層６４を含む。一例として、ソリッド音響ミラー６２は、交互する低インピーダンス層６３としての二酸化ケイ素層及び高インピーダンス層６４としてのタングステン層を含む。ここに開示される任意の適切な原理及び利点はＳＭＲＢＡＷデバイスにも適用することができる。

図７～図２１は、多重勾配隆起フレーム構造物を備えるＢＡＷデバイスの実施形態の断面図である。これらの図面において、これらの実施形態において支持基板が音響反射器の下に含まれるにもかかわらず、音響反射器（例えば空気キャビティ）の下にある支持基板は図示しない。これらの実施形態の特徴の任意の適切な組み合わせを、互いに一緒に及び／又はここに開示される他実施形態と一緒に実装することができる。

図７は、一実施形態に係る多重勾配隆起フレーム構造物を備えるＢＡＷデバイス７０の模式的な断面図である。図７に示されるように、第２隆起フレーム層１６は、ＢＡＷデバイス７０の第１部分７２に対しては第１隆起フレーム層１５の一側のみにおいて第１隆起フレーム層１５を超えるように延びてよく、ＢＡＷデバイス７０の第２部分７４に対しては、第１隆起フレーム層１５の両側を超えて延びてよい。ＢＡＷデバイス７０の第１部分７２及び第２部分７４は、図７に示されるように、主要音響アクティブ領域の対向両側に存在してよい。

図８は、一実施形態に係る多重勾配隆起フレーム構造物を備えるＢＡＷデバイス８０の模式的な断面図である。図８において、第１隆起フレーム層１５は、例示の模式的な断面図においてＢＡＷデバイスの一側に含まれる。図示のように、ＢＡＷデバイス８０の多重勾配隆起フレーム構造物は、多層部分８５及び単層部分８４を含む。ＢＡＷデバイス８０は、多重勾配隆起フレームＢＡＷデバイスの一例である。ここで、隆起フレーム層（すなわちＢＡＷデバイス８０の第１隆起フレーム層１５）は、ＢＡＷデバイスの主要音響アクティブ領域の一部にのみ沿うように含まれる。

図９は、一実施形態に係る多重勾配隆起フレーム構造物を備えるＢＡＷデバイス９０の模式的な断面図である。図９において、断面図ｉの一側がＢＡＷデバイス９０の第１部分９２において単数隆起フレーム層を含み、断面図の第２側がＢＡＷデバイス９０の第２部分９４において、第２層が一側において第１層を超えるように延びる二重層隆起フレーム層を含む。ＢＡＷデバイス９０の隆起フレーム構造物は、多層部分９４及び単層部分９２を含む。多重勾配隆起フレーム構造物の多層部分９４において、第２隆起フレーム層１６は、一側のみにおいて第１隆起フレーム層１５を超えるように延びる。多重勾配隆起フレーム構造物の単層部分９２におけるＢＡＷデバイス９０の第２隆起フレーム層１６の一部分は、多重勾配隆起フレーム構造物の多層部分における第２隆起フレーム層１６の一部分よりも厚い。単層部分９２の非勾配領域における第２隆起フレーム層１６は、多層部分９４における第２隆起フレーム層１６よりも厚い。

ここに開示されるいくつかの多重勾配隆起フレームＢＡＷデバイスが複数の隆起フレーム層を含むにもかかわらず、多重勾配隆起フレームＢＡＷデバイスは単数隆起フレーム層を含んでよい。図１０、図１１及び図１２は、かかるＢＡＷデバイスの例を示す。

図１０は、一実施形態に係る単層隆起フレーム構造物を備えるＢＡＷデバイス１００の模式的な断面図を示す。隆起フレーム層１６は、図示においてＢＡＷデバイス１００の主要音響アクティブ領域の中心に対して非対称である。ＢＡＷデバイス１００は、単数隆起フレーム層を備える多重勾配隆起フレーム構造物を含む。単数隆起フレーム層１６は、ここに開示される他のＢＡＷデバイスの第２隆起フレーム層１６に対応する。隆起フレーム層１６は、同じ材料のいくつかの層から形成されていても単層とみなすことができる。ＢＡＷデバイス１００の隆起フレーム層１６は、所定実施形態において、電極１４と同じ材料からなってよい。ＢＡＷデバイス１００の隆起フレーム層１６は、相対的に高い音響インピーダンスを有してよい。

図１１は、一実施形態に係る単層隆起フレーム構造物を備えるＢＡＷデバイス１１０の模式的な断面図を示す。ＢＡＷデバイス１１０において、隆起フレーム層１５は、他実施形態の第１隆起フレーム層１５に対応する。ＢＡＷデバイス１１０の単層隆起フレーム層１５は、所定実施形態において、パッシベーション層１９と同じ材料からなってよい。ＢＡＷデバイス１１０の隆起フレーム層１５は、電極１２及び１４並びに／又は圧電層１１の音響インピーダンスよりも低い相対的に低い音響インピーダンスを有してよい。図示のように、隆起フレーム層１５は、圧電層１１と電極１４との間に配置される。いくつかの他実施形態において、隆起フレーム層１５は代替的又は付加的に、圧電層１１と電極１２との間に配置してよい。

図１２は、一実施形態に係るＢＡＷデバイス１２０の模式的な断面図を示す。ＢＡＷデバイス１２０は、隆起フレーム構造物が圧電層１１と下側電極１２との間に配置される二重勾配隆起フレーム構造物を含む。ＢＡＷデバイス１２０において、隆起フレーム構造物は単数隆起フレーム層１６を含む。ＢＡＷデバイス１２０の隆起フレーム層１６は、他実施形態のＢＡＷデバイスの第２隆起フレーム層１６に対応する。図１２に示されるように、隆起フレーム層は電極１２と電極１４との間に配置される。

図１３は、一実施形態に係るＢＡＷデバイス１３０の模式的な断面図を示す。ＢＡＷデバイス１３０は、隆起フレーム構造物が圧電層１１と下側電極１２との間に配置される２層を含む二重勾配隆起フレーム構造物を含む。二重勾配隆起フレーム構造物は、ＢＡＷデバイス１３０において電極１２と電極１４との間に配置される。ＢＡＷデバイス１３０において、第１隆起フレーム層１５は、電極１２と第２隆起フレーム構造物１６との間に配置される。第２隆起フレーム層１６は一部分が、ＢＡＷデバイス１３０において第１隆起フレーム層１５と圧電層との間に含まれる。第２隆起フレーム層１６は、図１３において対向両側が、第１隆起フレーム層１５を超えるように延びる。

図１４は、一実施形態に係るＢＡＷデバイス１４０の模式的な断面図を示す。ＢＡＷデバイス１４０は、隆起フレーム構造物が、圧電層１１の対向両側において電極１２と電極１４との間に配置される２つの層を含む二重勾配隆起フレーム構造物を含む。ＢＡＷデバイス１４０において、圧電層１１は第１隆起フレーム層１５と第２隆起フレーム層１６との間に配置され、第１隆起フレーム層１５及び第２隆起フレーム層１６は双方とも電極１２と電極１４との間に配置される。ＢＡＷデバイス１４０において、第２隆起フレーム層１６は、対向両側が第１隆起フレーム層１５を超えるように延びる。第２隆起フレーム層１６は、ＢＡＷデバイス１４０において圧電層１１と第２電極１４との間に配置される。第１隆起フレーム層１５は、ＢＡＷデバイス１４０において圧電層１１と第１電極１２との間に配置される。

図１５は、一実施形態に係るＢＡＷデバイス１５０の模式的な断面図を示す。ＢＡＷデバイス１５０は、隆起フレーム構造物が、圧電層１１の対向両側において電極１２と電極１４との間に配置される２つの層を含む二重勾配隆起フレーム構造物を含む。ＢＡＷデバイス１５０において、第２隆起フレーム層１６は、隆起フレーム構造物の内側が主要音響アクティブ領域に向かって第１隆起フレーム層１５を超えるように延びる。第２隆起フレーム層１６は、ＢＡＷデバイス１５０における主要音響アクティブ領域に対向する隆起フレーム構造物の外側が第１隆起フレーム層１５を超えるようには延びない。第２隆起フレーム層１６は、ＢＡＷデバイス１５０における音響反射器の上で圧電層１１と第１電極１２との間に配置される。第１隆起フレーム層１５は、ＢＡＷデバイス１５０において圧電層１１と第２電極１４との間に配置される。

ここに開示される実施形態は、バルク弾性波デバイスの主要音響アクティブ領域からの横方向エネルギー漏洩を低減するように構成される多層隆起フレーム構造物に関し、当該多層隆起フレーム構造物の一層が圧電層に埋め込まれる。隆起フレーム層が圧電層に埋め込まれる例示的な実施形態が、図１６、図１８及び図２０を参照して説明される。

図１６は、一実施形態に係るＢＡＷデバイス１６０の模式的な断面図を示す。ＢＡＷデバイス１６０は、隆起フレーム層１５が圧電層１１に埋め込まれる二重層隆起フレーム構造物を含む。圧電層１１は、所定のアプリケーションにおいて、埋め込まれる隆起フレーム層１５の対向両側に異なる材料を含んでよい。例えば、埋め込まれる隆起フレーム層１５の一側における圧電層１１がＡｌＮを含み、埋め込まれる隆起フレーム層１５の反対側における圧電層１１がスカンジウムがドープされたＡｌＮを含んでよい。所定例において、圧電層１１は、埋め込まれた隆起フレーム構造物の対向両側において同じ材料を含む。ＢＡＷデバイス１６０において、第２隆起フレーム層１６は、隆起フレーム構造物の内側がＢＡＷデバイス１６０の主要音響アクティブ領域に向かって第１隆起フレーム１５を超えるように延びる。第２隆起フレーム層１６は、ＢＡＷデバイス１６０における主要音響アクティブ領域に対向する隆起フレーム構造物の外側が第１隆起フレーム層１５を超えるようには延びない。

図１７は、一実施形態に係る複数の勾配を備える多層隆起フレーム構造物を有するＢＡＷデバイス１７０の模式的な断面図を示す。ＢＡＷデバイス１７０において、第１隆起フレーム層１６は圧電層１１に埋め込まれる。ＢＡＷデバイス１７０は、図１６のＢＡＷデバイス１６０と同様であるが、第１隆起フレーム層１５が、ＢＡＷデバイス１６０において音響反射器の上にある圧電層１１と第１電極１２との間に配置される点が異なる。

図１８は、一実施形態に係る隆起フレーム層１５が圧電層１１に埋め込まれた二重勾配隆起フレーム構造物を備えるＢＡＷデバイス１８０の模式的な断面図を示す。ＢＡＷデバイス１８０は、図１のＢＡＷデバイス１０と同様であるが、ＢＡＷデバイス１８０においては第１隆起フレーム層１５が圧電層１１に埋め込まれる点が異なる。

図１９は、一実施形態に係る二重勾配隆起フレーム構造物を備えるＢＡＷデバイス１９０の模式的な断面図を示す。ＢＡＷデバイス１９０は、図１のＢＡＷデバイス１０と同様であるが、第１隆起フレーム層１５が、ＢＡＷデバイス１９０においては圧電層１１と第１電極１２との間に配置される点が異なる。ＢＡＷデバイス１９０は、図１７のＢＡＷデバイス１７０と同様であるが、第２隆起フレーム層１６が、ＢＡＷデバイス１９０においては隆起フレーム構造物の内側及び外側の双方において第１隆起フレーム層１５を超えるように延びる点が異なる。

図２０は、一実施形態に係るＢＡＷデバイス２００の模式的な断面図を示す。所定のアプリケーションにおいて、多重勾配隆起フレーム構造物は圧電層１１に埋め込まれてよい。ＢＡＷデバイス２００は、隆起フレーム構造物の２つの層１５及び１６が圧電層１１に埋め込まれた二重勾配隆起フレーム構造物を含む。

図２１は、一実施形態に係るＢＡＷデバイス２１０の模式的な断面図を示す。ＢＡＷデバイス２１０は、勾配領域ＲａＦ１及びＲａＦ３からなるか又は本質的に勾配領域ＲａＦ１及びＲａＦ３からなる多重勾配隆起フレーム構造物を備えるＢＡＷデバイスの一例である。かかるＢＡＷデバイスにおいて、隆起フレーム構造物は、音響反射器の上にわたって相対的に狭い幅を有してよい。

隆起フレーム層の勾配部分は、例示の模式的な断面図において水平方向に対して先細り角度αを有してよい。先細り角度αは、下位層（例えば圧電層及び／又は電極層）に対して存在し得る。図２２は先細り角度αを示す。先細り角度αは４５°よりも小さくてよい。いくつかのアプリケーションでは、先細り角度は、第１勾配領域ＲａＦ１における隆起フレーム層の勾配部分について４５°よりも小さくてよい。先細り角度はまた、かかるアプリケーションでは、第１勾配領域ＲａＦ１において５°よりも大きくてよい。いくつかの例において、先細り角度は、第１勾配領域ＲａＦ１における隆起フレーム層の勾配部分について５°から４５°の範囲にあってよい。いくつかのアプリケーションでは、先細り角度は、ここに開示される実施形態のいずれかの第２勾配領域ＲａＦ３における隆起フレーム層の勾配部分について４５°よりも小さくてよい。先細り角度はまた、かかるアプリケーションでは、第２勾配領域ＲａＦ３において５°よりも大きくてよい。いくつかの例において、先細り角度は、ここに開示される実施形態のいずれかの第２勾配領域ＲａＦ３における隆起フレーム層の勾配部分について約５°から４５°の範囲にあってよい。

所定のアプリケーションでは、先細り角度は、ここに開示される実施形態のいずれかの第１勾配領域ＲａＦ１及び／又は第２勾配領域ＲａＦ３における隆起フレーム層の勾配部分について約１０°から４０°の範囲にあってよい。いくつかのアプリケーションでは、先細り角度は、ここに開示される実施形態のいずれかの第１勾配領域ＲａＦ１及び／又は第２勾配領域ＲａＦ３における隆起フレーム層の勾配部分について約１０°から４０°の範囲にあってよい。

先細り角度は、所定のアプリケーションにおいて、第１勾配領域ＲａＦ１及び第２勾配領域ＲａＦ３について近似的に同じとしてよい。先細り角度は、いくつかの他のアプリケーションでは、第１勾配領域ＲａＦ１及び第２勾配領域ＲａＦ３について異なってよい。この段落で説明される先細り角度は、ここに開示される任意の適切なＢＡＷデバイスに適用することができる。

図２３は、勾配部分が非線形となり得る隆起フレーム層の例示的な勾配部分を示す。非線形勾配部分は、凸部分、凹部分、又はこれらの任意の組み合わせを含んでよい。勾配隆起フレーム層部分の、他のバリエーションも可能である。

ここに開示されるＢＡＷデバイスは、弾性波フィルタにおけるＢＡＷ共振器として実装することができる。かかるフィルタは、無線周波数信号をフィルタリングするべく配列され得る。所定のアプリケーションにおいて、弾性波フィルタは、無線周波数帯域を通過させて当該無線周波数帯域の外側の周波数を減衰させるべく配列される帯域通過フィルタとしてよい。弾性波フィルタは、帯域阻止フィルタとして実装してよい。ここに開示されるバルク弾性波デバイスは、様々な異なるフィルタトポロジーで実装することができる。例示的なフィルタトポロジーは、ラダーフィルタ、ラティスフィルタ、ハイブリッドラダーラティスフィルタ等を含む。弾性波フィルタは、すべてのＢＡＷ共振器又は一以上のＢＡＷ共振器、及びＳＡＷ共振器のような一以上の他のタイプの弾性波共振器を含んでよい。ここに開示されるＢＡＷ共振器は、少なくとも一つのＢＡＷ共振器と一の非弾性インダクタ・キャパシタコンポーネントとを含むフィルタに実装することができる。いくつかの例示的なフィルタトポロジーが図２４～図２６を参照して以下に説明される。図２４から図２６のフィルタトポロジーの特徴の任意の適切な組み合わせを、互いに一緒に及び／又は他のフィルタトポロジーと一緒に実装することができる。

図２４は、一実施形態に係るバルク弾性波共振器を含むラダーフィルタ２４０の模式図である。ラダーフィルタ２４０は、弾性波共振器から形成される帯域通過フィルタを実装することができる例示的なトポロジーである。ラダーフィルタトポロジーを備える帯域通過フィルタでは、シャント共振器は、直列共振器よりも共振周波数が低い。ラダーフィルタ２４０は、無線周波数信号をフィルタリングするべく配列することができる。図示のように、ラダーフィルタ２４０は、第１入力／出力ポートＩ／Ｏ_１と第２入力／出力ポートＩ／Ｏ_２との間に結合される直列弾性波共振器Ｒ１、Ｒ３、Ｒ５及びＲ７と、シャント弾性波共振器Ｒ２、Ｒ４、Ｒ６及びＲ８を含む。任意の適切な数の直列弾性波共振器をラダーフィルタに含めてよい。任意の適切な数のシャント弾性波共振器をラダーフィルタに含めてよい。第１入力／出力ポートＩ／Ｏ_１を送信ポートとしてよく、第２入力／出力ポートＩ／Ｏ_２をアンテナポートとしてよい。代替的に、第１入力／出力ポートＩ／Ｏ_１を受信ポートとしてよく、第２入力／出力ポートＩ／Ｏ_２をアンテナポートとしてよい。

ラダーフィルタ２４０の弾性波共振器の一以上が、一実施形態に係るバルク弾性波フィルタを含み得る。例えば、シャント共振器Ｒ２、Ｒ４、Ｒ６及びＲ８の一部又はすべてを、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従う多重勾配隆起フレームＢＡＷ共振器としてよい。ラダーフィルタ２４０が帯域通過フィルタである場合、ラダーフィルタ２４０のシャント共振器の反共振周波数を、通過帯域の下側端に設定することができる。多重勾配隆起フレームＢＡＷシャント共振器によれば、有利なことに、反共振Ｑｐでの品質係数について、例えば図３Ｂのグラフに示されるように、高い品質係数安定性を達成することができる。代替的又は付加的に、ラダーフィルタ２４０の直列共振器の一以上を、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従って実装することができる。

図２５は、一実施形態に係るバルク弾性波共振器を含むラティスフィルタ２５０の模式図である。ラティスフィルタ２５０は、弾性波共振器から帯域通過フィルタを形成することができる例示的なトポロジーである。ラティスフィルタ２５０は、ＲＦ信号をフィルタリングするべく配列することができる。図示のように、ラティスフィルタ２５０は、弾性波共振器ＲＬ１、ＲＬ２、ＲＬ３及びＲＬ４を含む。弾性波共振器ＲＬ１及びＲＬ２は直列共振器である。弾性波共振器ＲＬ３及びＲＬ４はシャント共振器である。図示のラティスフィルタ２５０は、平衡入力及び平衡出力を有する。図示の弾性波共振器ＲＬ１～ＲＬ４の一以上を、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従うバルク弾性波共振器としてよい。

図２６は、一実施形態に係るバルク弾性波共振器を含むハイブリッドラダー及びラティスフィルタ２６０の模式図である。図示のハイブリッドラダー及びラティスフィルタ２６０は、直列弾性共振器ＲＬ１、ＲＬ２、ＲＨ３及びＲＨ４とシャント弾性共振器ＲＬ３、ＲＬ４、ＲＨ１及びＲＨ２とを含む。ハイブリッドラダー及びラティスフィルタ２６０は、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従う一以上のバルク弾性波共振器を含む。

いくつかのアプリケーションにおいて、バルク弾性波共振器は、一以上のインダクタ及び一以上のキャパシタも含むフィルタに含まれてよい。

ここに開示される原理及び利点は、スタンドアロンフィルタに及び／又は任意の適切なマルチプレクサにおける一以上のフィルタに実装することができる。かかるフィルタは、図２１のいずれかを参照して開示される任意の適切な原理及び利点に従うフィルタトポロジーｉのような、ここに説明される任意の適切なトポロジーとしてよい。フィルタは、第４世代（４Ｇ）ロングタームエボリューション（ＬＴＥ）帯域及び／又は第５世代（５Ｇ）ニューラジオ（ＮＲ）帯域をフィルタリングするべく配列される帯域通過フィルタとしてよい。スタンドアロンフィルタ及びマルチプレクサの例が、図２７Ａ～図２７Ｅを参照して説明される。これらのフィルタ及び／又はマルチプレクサの任意の適切な原理及び利点は、互いに一緒に実装することができる。さらに、ここに開示される多重勾配隆起フレームバルク音響バルク弾性波共振器は、一以上のインダクタ及び一以上のキャパシタも含むフィルタに含めることができる。

図２７Ａは、弾性波フィルタ３３０の模式図である。弾性波フィルタ３３０は帯域通過フィルタである。弾性波フィルタ３３０は、無線周波数信号をフィルタリングするべく配列される。弾性波フィルタ３３０は、第１入力／出力ポートＲＦ＿ＩＮと第２入力／出力ポートＲＦ＿ＯＵＴとの間に結合される複数の弾性波共振器を含む。弾性波フィルタ３３０は、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従って実装される多重勾配隆起フレーム構造物を備える一以上のＢＡＷ共振器を含む。

図２７Ｂは、一実施形態に係る弾性波フィルタを含むデュプレクサ３３２の模式図である。デュプレクサ３３２は、共通ノードＣＯＭにおいて一緒に結合される第１フィルタ３３０Ａ及び第２フィルタ３３０Ｂを含む。デュプレクサ３３２のフィルタの一方を送信フィルタとしてよく、デュプレクサ３３２のフィルタの他方を受信フィルタとしてよい。いくつかの他例において、ダイバーシティ受信アプリケーションにおいてのように、デュプレクサ３３２が２つの受信フィルタを含み得る。代替的に、デュプレクサ３３２は２つの送信フィルタを含み得る。共通ノードＣＯＭはアンテナノードとしてよい。

第１フィルタ３３０Ａは、無線周波数信号をフィルタリングするべく配列される弾性波フィルタである。第１フィルタ３３０Ａは、第１無線周波数ノードＲＦ１と共通ノードＣＯＭとの間に結合される弾性波共振器を含む。第１無線周波数ノードＲＦ１は送信ノード又は受信ノードとしてよい。第１フィルタ３３０Ａは、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従って実装される多重勾配隆起フレーム構造物を備える一以上のＢＡＷ共振器を含む。

第２フィルタ３３０Ｂは、第２無線周波数信号をフィルタリングするべく配列される任意の適切なフィルタとしてよい。第２フィルタ３３０Ｂは、例えば、弾性波フィルタ、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従って実装される多重勾配隆起フレーム構造物を備える一以上のＢＡＷ共振器を含む弾性波フィルタ、ＬＣフィルタ、ハイブリッド弾性波ＬＣフィルタ等としてよい。第２フィルタ３３０Ｂは、第２無線周波数ノードＲＦ２と共通ノードとの間に結合される。第２無線周波数ノードＲＦ２は送信ノード又は受信ノードとしてよい。

例示目的でフィルタ又はデュプレクサを備える例示的な実施形態が説明されるにもかかわらず、ここに開示される任意の適切な原理及び利点は、共通ノードにおいて一緒に結合される複数のフィルタを含むマルチプレクサに実装してよい。マルチプレクサの例は、共通ノードにおいて２つのフィルタが一緒に結合されるデュプレクサ、共通ノードにおいて３つフィルタが一緒に結合されるトライプレクサ、共通ノードにおいて４つフィルタが一緒に結合されるクアッドプレクサ、共通ノードにおいて６つフィルタが一緒に結合されるヘキサプレクサ、共通ノードにおいて８つフィルタが一緒に結合されるオクタプレクサ等を含むがこれらに限られない。マルチプレクサは、異なる通過帯域を有するフィルタを含み得る。マルチプレクサは、任意の適切な数の送信フィルタ及び任意の適切な数の受信フィルタを含み得る。例えば、マルチプレクサは、すべての受信フィルタ、すべての送信フィルタ、又は一以上の送信フィルタ及び一以上の受信フィルタを含み得る。マルチプレクサの一以上のフィルタが、多重勾配隆起フレーム構造物を備える任意の適切な数のＢＡＷ共振器を含み得る。

図２７Ｃは、一実施形態に係る弾性波フィルタを含むマルチプレクサ３３４の模式図である。マルチプレクサ３３４は、共通ノードＣＯＭにおいて一緒に結合される複数のフィルタ３３０Ａ～３３０Ｎを含む。複数のフィルタは、任意の適切な数のフィルタを含み得る。例えば、３つのフィルタ、４つのフィルタ、５つのフィルタ、６つのフィルタ、７つのフィルタ、８つのフィルタ、又はこれよりも多い数のフィルタを含み得る。複数の弾性波フィルタの一部又はすべてを弾性波フィルタとしてよい。図示のように、フィルタ３３０Ａ～３３０Ｎはそれぞれが、共通ノードＣＯＭとの固定電気接続部を有する。これは、ハードマルチプレクシング又は固定マルチプレクシングと称してよい。フィルタは、ハードマルチプレクシングアプリケーションにおいて、共通ノードとの固定電気接続部を有する。フィルタ３３０Ａ～３３０Ｎはそれぞれが、対応する入力／出力ノードＲＦ１～ＲＦＮを有する。

第１フィルタ３３０Ａは、無線周波数信号をフィルタリングするべく配列される弾性波フィルタである。第１フィルタ３３０Ａは、第１無線周波数ノードＲＦ１と共通ノードＣＯＭとの間に結合される一以上の弾性波デバイスを含み得る。第１無線周波数ノードＲＦ１は送信ノード又は受信ノードとしてよい。第１フィルタ３３０Ａは、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従う多重勾配隆起フレーム構造物を備える一以上のＢＡＷ共振器を含む。マルチプレクサ３３４の他のフィルタは、一以上の弾性波フィルタ、多重勾配隆起フレーム構造物を備える一以上のＢＡＷ共振器を含む一以上の弾性波フィルタ、一以上のＬＣフィルタ、一以上のハイブリッド弾性波ＬＣフィルタ、又はこれらの任意の適切な組み合わせを含んでよい。

図２７Ｄは、一実施形態に係る弾性波フィルタを含むマルチプレクサ３３６の模式図である。マルチプレクサ３３６は、図２７Ｃのマルチプレクサ３３４と同様であるが、マルチプレクサ３３６がスイッチトマルチプレクシングを実装する点が異なる。スイッチトマルチプレクシングにおいて、フィルタは、スイッチを介して共通ノードに結合される。マルチプレクサ３３６において、スイッチ３３７Ａ～３３７Ｎは、対応するフィルタ３３０Ａ～３３０Ｎを共通ノードＣＯＭに選択的かつ電気的に接続することができる。例えば、スイッチ３３７Ａは、スイッチ３３７Ａを介して第１フィルタ３３０Ａを共通ノードＣＯＭに選択的かつ電気的に接続することができる。スイッチ３３７Ａ～３３７Ｎのうち任意の適切な数が、所与の状態において、対応するフィルタ３３０Ａ～３３０Ｎを共通ノードＣＯＭに電気的に接続することができる。同様に、スイッチ３３７Ａ～３３７Ｎのうち任意の適切な数が、所与の状態において、対応するフィルタ３３０Ａ～３３０Ｎを共通ノードＣＯＭに電気的に分離することができる。スイッチ３３７Ａ～３３７Ｎの機能は、様々なキャリアアグリゲーションをサポートし得る。

図２７Ｄは、一実施形態に係る弾性波フィルタを含むマルチプレクサ３３８の模式図である。マルチプレクサ３３８は、マルチプレクサがハードマルチプレクシングフィルタとスイッチトマルチプレクシングフィルタとの任意の適切な組み合わせを含み得ることを示す。多重勾配隆起フレーム構造物を備える一以上のＢＡＷ共振器が、マルチプレクサの共通ノードにハードマルチプレクシングされるフィルタに含まれてよい。代替的又は付加的に、多重勾配隆起フレーム構造物を備える一以上のＢＡＷ共振器が、マルチプレクサの共通ノードにスイッチトマルチプレクシングされるフィルタに含まれてもよい。

ここに開示されるＢＡＷ共振器は、様々なパッケージ状モジュールに実装することができる。ここに開示されるＢＡＷデバイスの任意の適切な原理及び利点が実装され得るいくつかの例示的なパッケージ状モジュールが以下に説明される。例示的なパッケージ状モジュールは、一以上の弾性波フィルタ、一以上の無線周波数増幅器（例えば一以上の電力増幅器及び／又は一以上の低雑音増幅器）、及び／又は一以上の無線周波数スイッチを含む。例示的なパッケージ状モジュールは、図示の回路素子を封入するパッケージを含んでよい。図示の回路素子は、共通パッケージ基板に配置されてよい。パッケージ基板は、例えば積層基板としてよい。図２８～図３２は、所定実施形態に係る例示のパッケージ状モジュールの模式的なブロック図である。これらのパッケージ状モジュールの特徴の任意の適切な組み合わせを、互いに実装することができる。デュプレクサが図２９～図３２の例示的なパッケージ状モジュールに示されるにもかかわらず、共通ノードに結合される複数のフィルタを含む任意の他の適切なマルチプレクサを、一以上のデュプレクサの代わりに実装してよい。例えば、所定のアプリケーションにおいてクアッドプレクサを実装してよい。代替的又は付加的に、パッケージ状モジュールの一以上のフィルタは、マルチプレクサに含まれない送信フィルタ又は受信フィルタとして配列することができる。

図２８は、一実施形態に係る弾性波コンポーネント３４２を含む無線周波数モジュール３４０の模式図である。図示の無線周波数モジュール３４０は、弾性波コンポーネント３４２及び他の回路３４３を含む。弾性波コンポーネント３４２は、ここに開示される特徴の任意の適切な組み合わせに係る多重勾配隆起フレーム構造物を備える一以上のＢＡＷ共振器を含み得る。弾性波コンポーネント３４２は、ＢＡＷ共振器を含むＢＡＷダイを含み得る。

図２８に示される弾性波コンポーネント３４２は、フィルタ３４４と端子３４５Ａ及び３４５Ｂとを含む。フィルタ３４４は、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従って実装される一以上のＢＡＷ共振器を含む。端子３４５Ａ及び３４４Ｂは、例えば、入力接点及び出力接点としての役割を果たし得る。弾性波コンポーネント３４２及び他の回路３４３は、図２８において共通パッケージ基板３４６の上に存在する。パッケージ基板３４６は積層基板としてよい。端子３４５Ａ及び３４５Ｂは、パッケージ基板３４６において、電気コネクタ３４８Ａ及び３４８Ｂそれぞれを経由して接点３４７Ａ及び３４７Ｂそれぞれに電気的に接続され得る。電気コネクタ３４８Ａ及び３４８Ｂは、例えば、バンプ又はワイヤボンドとしてよい。

他の回路３４３が、任意の適切な付加的回路を含み得る。例えば、他の回路は、一以上の無線周波数増幅器（例えば一以上の電力増幅器及び／又は一以上の低雑音増幅器）、一以上の電力増幅器、一以上の無線周波数スイッチ、一以上の付加的フィルタ、一以上の低雑音増幅器、一以上のＲＦ結合器、一以上の遅延線、一以上の位相シフタ等、又はこれらの任意の適切な組み合わせを含み得る。他の回路３４３は、フィルタ３４４に電気的に接続され得る。無線周波数モジュール３４０は、例えば、無線周波数モジュール３４０の保護を与え及び／又は取り扱いを容易にする一以上のパッケージ構造物を含み得る。かかるパッケージ構造物は、パッケージ基板３４０の上に形成されるオーバーモールド構造物を含み得る。オーバーモールド構造物は、無線周波数モジュール３４０のコンポーネントの一部又はすべてを封止することができる。

図２９は、デュプレクサ３５１Ａ～３５１Ｎ及びアンテナスイッチ３５２を含むモジュール３５０の模式的なブロック図である。デュプレクサ３５１Ａ～３５１Ｎの一以上のフィルタが、ここに説明される任意の適切な原理及び利点に従う多重勾配隆起フレーム構造物を備える一以上のＢＡＷ共振器を含み得る。任意の適切な数のデュプレクサ３５１Ａ～３５１Ｎを実装してよい。アンテナスイッチ３５２は、デュプレクサ３５１Ａ～３５１Ｎの数に対応する一定数の投を有してよい。アンテナスイッチ３５２は、モジュール３５０の外部の一以上のフィルタに結合され及び／又は他の回路に結合される一以上の付加的な投を含んでよい。アンテナスイッチ３５２は、選択されたデュプレクサをモジュール３５０のアンテナポートに電気的に結合することができる。

図３０は、一以上の実施形態に係る電力増幅器３５５、無線周波数スイッチ３５６及びマルチプレクサ３５１Ａ～３５１Ｎを含むモジュール３５４の模式的なブロック図である。電力増幅器３５５は無線周波数信号を増幅することができる。無線周波数スイッチ３５６は多投無線周波数スイッチとしてよい。無線周波数スイッチ３５６は、電力増幅器３５５の出力を、マルチプレクサ３５１Ａ～３５１Ｎの選択された送信フィルタに電気的に結合することができる。マルチプレクサ３５１Ａ～３５１Ｎの一以上のフィルタが、ここに説明される任意の適切な原理及び利点に従う多重勾配隆起フレーム構造物を備える任意の適切な数のＢＡＷ共振器を含み得る。任意の適切な数のマルチプレクサ３５１Ａ～３５１Ｎを実装することができる。

図３１は、一実施形態に係るマルチプレクサ３５１Ａ’～３５１Ｎ’、無線周波数スイッチ３５８’及び低雑音増幅器３５９を含むモジュール３５７の模式的なブロック図である。マルチプレクサ３５１Ａ’～３５１Ｎ’の一以上のフィルタが、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従う多重勾配隆起フレーム構造物を備える任意の適切な数のＢＡＷ共振器を含み得る。任意の適切な数のマルチプレクサ３５１Ａ’～３５１Ｎ’を実装することができる。無線周波数スイッチ３５８は多投無線周波数スイッチとしてよい。無線周波数スイッチ３５８は、マルチプレクサ３５１Ａ’～３５１Ｎ’の選択されたフィルタの出力を低雑音増幅器３５９に電気的に結合することができる。いくつかの実施形態において（図示せず）、複数の低雑音増幅器を実装することができる。モジュール３５７は、所定のアプリケーションにおいてダイバーシティ受信機能を含み得る。

図３２は、一実施形態に係る弾性波フィルタを含む無線周波数モジュール３８０の模式図である。図示のように、無線周波数モジュール３８０は、デュプレクサ３８２Ａ～３８２Ｎ、電力増幅器３８４、選択スイッチ３８５及びアンテナスイッチ３８６を含む。デュプレクサ３８２Ａ～３８２Ｎは、対応する送信フィルタ３８３Ａ１～３８３Ｎ１、及び対応する受信フィルタ３８３Ａ２～３８３Ｎ２を含む。無線周波数モジュール３８０は、図示の要素を封入するパッケージを含んでよい。図示の要素は、共通パッケージ基板３８７に配置されてよい。パッケージ基板３８３は、例えば積層基板としてよい。電力増幅器を含む無線周波数モジュールは、電力増幅器モジュールと称してよい。無線周波数モジュールは、図３２に示される要素及び／又は付加的な要素の部分集合を含んでよい。無線周波数モジュール３８０は、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従う多重勾配隆起フレーム構造物を備える一以上のＢＡＷ共振器を含んでよい。

デュプレクサ３８２Ａ～３８２Ｎはそれぞれが、共通ノードに結合される２つの弾性波フィルタを含み得る。例えば、２つの弾性波フィルタは、送信フィルタ及び受信フィルタとしてよい。図示のように、送信フィルタ及び受信フィルタはそれぞれが、無線周波数信号をフィルタリングするべく配列される帯域通過フィルタであってよい。送信フィルタ３８３Ａ１～３８３Ｎ１の一以上が、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従う多重勾配隆起フレーム構造物を備える一以上のＢＡＷ共振器を含んでよい。同様に、受信フィルタ３８３Ａ２～３８３Ｎ２の一以上が、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従う多重勾配隆起フレーム構造物を備える一以上のＢＡＷ共振器を含んでよい。図３２がデュプレクサを示すにもかかわらず、ここに開示される任意の適切な原理及び利点は、他のマルチプレクサ（例えばクアッドプレクサ、ヘキサプレクサ、オクタプレクサ等）及び／又はスイッチトマルチプレクサに実装することができる。

電力増幅器３８４は無線周波数信号を増幅することができる。図示のスイッチ３８５は多投無線周波数スイッチである。スイッチ３８５は、電力増幅器３８４の出力を、送信フィルタ３８３Ａ１～３８３Ｎ１の選択された送信フィルタに電気的に結合することができる。いくつかの例において、スイッチ３８５は、電力増幅器３８４の出力を、送信フィルタ３８３Ａ１～３８３Ｎ１のうちの一以上に電気的に接続することができる。アンテナスイッチ３８６は、デュプレクサ３８２Ａ～３８２Ｎの一以上からの信号をアンテナポートＡＮＴに選択的に結合することができる。デュプレクサ３８２Ａ～３８２Ｎは、異なる周波数帯域及び／又は異なる動作モード（例えば異なる電力モード、異なる信号伝達モード等）に関連付けることができる。

ここに開示される多重勾配隆起フレーム構造物を備えるＢＡＷデバイスは、携帯デバイスのような様々な無線通信デバイスに実装することができる。ここに開示される任意の適切な原理及び利点が実装される任意の適切な数のＢＡＷデバイスを備える一以上のフィルタを、携帯電話機のような様々な無線通信デバイスに含めることができる。ＢＡＷデバイスは、無線周波数フロントエンドのフィルタに含まれてよい。図３３は、携帯デバイス３９０の一実施形態の模式的な図である。携帯デバイス３９０は、ベース帯域システム３９１、送受信器３９２、フロントエンドシステム３９３、アンテナ３９４、電力管理システム３９５、メモリ３９６、ユーザインタフェイス３９７及び電池３９８を含む。

モバイルデバイス３９０は、第２世代（２Ｇ）、第３世代（３Ｇ）、第４世代（４Ｇ）（ＬＴＥ、ＬＴＥアドバンスト及びＬＴＥアドバンストプロを含む）、第５世代（５Ｇ）ニューラジオ（ＮＲ）、無線ローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）（例えばＷｉＦｉ）、無線パーソナルエリアネットワーク（ＷＰＡＮ）（例えばＢｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）及びＺｉｇＢｅｅ（登録商標））、ＷＭＡＮ（無線メトロポリタンエリアネットワーク）（例えばＷｉＭａｘ（登録商標））、グローバルポジショニングシステム（ＧＰＳ）技術、又はこれらの任意の適切な組み合わせを含むがこれらに限られない多種多様な通信技術を使用して通信するように使用することができる。

送受信器３９２は、送信のためのＲＦ信号を生成し、アンテナ３９４から受信した入来ＲＦ信号を処理する。理解されることだが、ＲＦ信号の送信及び受信に関連付けられる様々な機能は、図３３においてまとめて送受信器３９２として代表される一以上のコンポーネントによって達成することができる。一例において、所定タイプのＲＦ信号を取り扱うべく別個のコンポーネント（例えば別個の回路又はダイ）を設けてもよい。

フロントエンドシステム３９３は、アンテナ３９４に送信し及び／又はアンテナ８０４から受信する信号のコンディショニングを補助する。図示される実施形態において、フロントエンドシステム３９３は、アンテナチューニング回路４００、電力増幅器（ＰＡ）４０１、低雑音増幅器（ＬＮＡ）４０２、フィルタ４０３、スイッチ４０４、及び信号分割／結合回路４０５を含む。しかしながら、他の実装例も可能である。フィルタ４０３の一以上を、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従って実装することができる。例えば、フィルタ４０３の一以上は、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従う多重勾配隆起フレーム構造物を備える少なくとも一つのＢＡＷ共振器を含んでよい。

例えば、フロントエンドシステム３９３は、送信信号の増幅、受信信号の増幅、信号のフィルタリング、異なる帯域間のスイッチング、異なる電力モード間のスイッチング、送信モード及び受信モード間のスイッチング、信号のデュプレクシング、信号のマルチプレクシング（例えばダイプレクシング又はトライプレクシング）、又はこれらの任意の適切な組み合わせを含むがこれらに限られない一定数の機能を与えることができる。

所定の実装例において、携帯デバイス３９０は、キャリアアグリゲーションをサポートするので、ピークデータレートを増加させる柔軟性が得られる。キャリアアグリゲーションは、周波数分割デュプレクシング（ＦＤＤ）及び時間分割デュプレクシング（ＴＤＤ）の双方に使用することができるので、複数のキャリア又はチャネルを集約（アグリゲーション）するべく使用してよい。キャリアアグリゲーションは、同じ動作周波数帯域内に連続キャリアが集約される隣接集約を含む。キャリアアグリゲーションは不連続でもよく、共通帯域内又は異なる帯域内で周波数が分離したキャリアを含んでもよい。

アンテナ３９４は、多種多様なタイプの通信のために使用されるアンテナを含み得る。例えば、アンテナ３９４は、多種多様な周波数及び通信規格に関連付けられる信号の送信及び／又は受信のためのアンテナを含み得る。

所定の実装例において、アンテナ３９４は、ＭＩＭＯ通信及び／又はスイッチトダイバーシティ通信をサポートする。例えば、ＭＩＭＯ通信は、単数の無線周波数チャネルを経由して多重データストリームを通信する多重アンテナを使用する。ＭＩＭＯ通信は、無線環境の空間的多重化（マルチプレクシング）に起因して高信号対雑音比、改善されたコーディング、及び／又は信号干渉低減からの利益を受ける。スイッチトダイバーシティとは、特定の時刻に動作する特定のアンテナが選択される通信を言及する。例えば、観測ビット誤り率及び／又は信号強度指標のような様々な係数に基づいて一群のアンテナから特定のアンテナを選択するようにスイッチを使用することができる。

携帯デバイス３９０は、所定の実装例においてビームフォーミングとともに動作し得る。例えば、フロントエンドシステム３９３は、制御可能利得を有する増幅器と、アンテナ３９４を使用する信号の送信及び／又は受信のためのビームフォーミング及び指向性を与えるべく制御可能な位相を有する位相シフタとを含み得る。例えば、信号送信の文脈において、アンテナ３９４に与えられる送信信号の振幅及び位相が、アンテナ３９４から放射される信号が建設的及び破壊的な干渉を使用して結合されるように、制御され、所与の方向に伝播する強い信号強度を有するビームのような品質を示す集約送信信号が生成される。信号受信の文脈において、振幅及び位相は、信号が特定の方向からアンテナ３９４に到達するときに多くの信号エネルギーが受信されるように制御される。所定の実装例において、アンテナ３９４は、ビームフォーミングを強化するべく一以上のアレイのアンテナ素子を含む。

ベース帯域システム３９１は、処理ｏｆ音声及びデータのような様々なユーザ入出力（Ｉ／Ｏ）の処理を容易にするユーザインタフェイス３９７に結合される。ベース帯域システム３９１は、送受信器３９２に送信信号のデジタル表現を与え、これを送受信器３９２が処理して送信用のＲＦ信号が生成される。ベース帯域システム３９１はまた、送受信器３９２により与えられる受信信号のデジタル表現も処理する。図３３に示されるように、携帯デバイス３９０の動作を容易にするべくベース帯域システム３９１がメモリ３９６に結合される。

メモリ３９６は、携帯デバイス３９０の動作を容易にし及び／又はユーザ情報の格納を与えるべく、データ及び／又は命令の格納のような多種多様な目的のために使用することができる。

電力管理システム３９５は、携帯デバイス３９０の一定数の電力管理機能を与える。所定の実装例において、電力管理システム３９５は、複数の電力増幅器４０１の供給電圧を制御するＰＡ供給制御回路を含む。例えば、電力管理システム３９５は、電力付加効率（ＰＡＥ）のような効率を改善するべく複数の電力増幅器４０１のうちの一以上に与えられる供給電圧を変化させるように構成してよい。

図３３に示されるように、電力管理システム３９５は、電池３９８から電池電圧を受信する。電池３９８は、携帯デバイス３９０における使用のための、例えばリチウムイオン電池を含む任意の適切な電池としてよい。

ここに開示される技術は、５Ｇアプリケーションでの弾性波フィルタに実装することができる。５Ｇ技術はここでは、５Ｇニューラジオ（ＮＲ）とも称する。５ＧＮＲは、ミリメートル波スペクトルによる通信、ビームフォーミング能力、高スペクトル効率波形、低レイテンシ通信、多重ラジオヌメロロジー、及び／又は非直交多重アクセス（ＮＯＭＡ）のような様々な特徴をサポートし及び／又はサポート予定である。かかるＲＦ機能がネットワークに柔軟性を与えてユーザデータレートを向上させるにもかかわらず、かかる特徴をサポートするには一定数の技術的な課題がある。

ここでの教示は、ＬＴＥアドバンスト、ＬＴＥアドバンストプロ及び／又は５ＧＮＲのようなアドバンストセルラー技術を使用する通信システムを含むがこれらに限られない多種多様な通信システムに適用可能である。ここに開示される特徴の任意の適切な組み合わせを含む弾性波デバイスが、周波数レンジ１（ＦＲ１）内の５ＧＮＲ動作帯域の無線周波数信号をフィルタリングするべく配列されるフィルタに含まれる。５ＧＮＲ動作帯域の無線周波数信号をフィルタリングするべく配列されるフィルタは、ここに開示されるＢＡＷデバイスの一以上を含んでよい。ＦＲ１は、例えば、現行の５ＧＮＲ仕様に特定されるように４１０ＭＨｚ～７．１２５ＧＨｚとしてよい。ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従う一以上のＢＡＷデバイスを、第４世代（４Ｇ）ロングタームエボリューション（ＬＴＥ）の無線周波数信号をフィルタリングするべく配列されるフィルタに含めることができる。ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従う一以上のＢＡＷデバイスを、４ＧＬＴＥ動作帯域及び５ＧＮＲ動作帯域を含む通過帯域を有するフィルタに含めることができる。かかるフィルタは、Ｅ－ＵＴＲＡＮニューラジオ二重接続（ＥＮＤＣ）アプリケーションのような二重接続アプリケーションに実装することができる。

ここに開示されるＢＡＷデバイスは、製造ばらつきが存在しても高いＱ及び／又は高いＱ安定性を与えることができる。かかる特徴は、５ＧＮＲアプリケーションにおいて有利となり得る。例えば、ＢＡＷデバイスに対するＱ安定性は、フィルタレベル及び／又はシステムレベルで５Ｇ性能仕様を満たすときに有意となり得る。

図３４は、通信ネットワーク４１０の一例の模式的な図である。通信ネットワーク４１０は、マクロセル基地局４１１、スモールセル基地局４１３、及びユーザ機器（ＵＥ）の様々な例を含む。ユーザ機器（ＵＥ）は、第１モバイルデバイス４１２ａ、無線接続車両４１２ｂ、ラップトップ４１２ｃ、静止無線デバイス４１２ｄ、無線接続列車４１２ｅ、第２モバイルデバイス４１２ｆ、及び第３モバイルデバイス４１２ｇを含む。ＵＥは無線通信デバイスである。図３４に示されるマクロセル基地局１４１、スモールセル基地局４１３又はＵＥの一以上が、ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従う弾性波フィルタの一以上を実装してよい。例えば、図３４に示されるＵＥの一以上が、多重勾配隆起フレーム構造物を備える任意の適切な数のＢＡＷ共振器を含む一以上の弾性波フィルタを含んでよい。

基地局及びユーザ機器の特定例が図３４に示されるにもかかわらず、通信ネットワークは、多種多様なタイプ及び／又は数の基地局及びユーザ機器を含んでよい。例えば、図示の例において、通信ネットワーク４１０はマクロセル基地局４１１及びスモールセル基地局４１３を含む。スモールセル基地局４１３は、マクロセル基地局４１１と比べて相対的に低い電力、短い距離、及び／又は少ない同時ユーザで動作し得る。スモールセル基地局４１３、フェムトセル、ピコセル又はマイクロセルとも称してよい。通信ネットワーク４１０が２つの基地局を含むように示されるにもかかわらず、通信ネットワーク４１０は、これよりも多い又は少ない基地局及び／又は他のタイプの基地局を含むように実装してよい。

ユーザ機器の様々な例が示されるにもかかわらず、ここでの教示は、携帯電話機、タブレット、ラップトップ、インターネットオブシングス（ＩｏＴ）デバイス、ウェアラブル電子機器、加入者宅内機器（ＣＰＥ）、無線接続車両、無線リレー、及び／又は多種多様な他の通信デバイスを含むがこれらに限られない多種多様なユーザ機器に適用可能である。さらに、ユーザ機器は、セルラーネットワークにおいて動作する現在利用可能な通信デバイスのみならず、ここに記載されかつ特許請求の範囲に請求される本発明のシステム、プロセス、方法及びデバイスに容易に実装可能な、その後開発される通信デバイスをも含む。

図３４の例示の通信ネットワーク４１０は、例えば４ＧＬＴＥ及び５ＧＮＲを含む様々なセルラー技術を使用する通信をサポートする。所定の実装例において、通信ネットワーク４１０はさらに、ＷｉＦｉのような無線ローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）を与えるように適合される。通信技術の様々な例が与えられてきたにもかかわらず、通信ネットワーク４１０は、多種多様な通信技術をサポートするように適合され得る。

通信ネットワーク４１０の様々な通信リンクが図３４に描かれている。通信リンクは、例えば、周波数分割二重化（ＦＤＤ）及び／又は時分割二重化（ＴＤＤ）を使用することを含む多種多様な方法で二重化（デュプレクシング）することができる。ＦＤＤは、信号の送信及び受信に異なる周波数を使用するタイプの無線周波数通信である。ＦＤＤは、高いデータレート及び低いレイテンシのような一定数の利点を与えることができる。これとは対照的に、ＴＤＤは、信号の送信及び受信にほぼ同じ周波数を使用するタイプの無線周波数通信であり、送信通信と受信通信とが時間で切り替わる。ＴＤＤには、スペクトルの効率的な使用、及び送受信方向間のスループットの可変的割り当てのような一定数の利点を与えることができる。

所定の実装例において、ユーザ機器は、４ＧＬＴＥ、５ＧＮＲ及びＷｉＦｉ技術の一以上を使用して基地局と通信することができる。所定の実装例において、エンハンスト・ライセンス・アシステッド・アクセス（ｅＬＡＡ）が、一以上のライセンスされた周波数キャリア（例えばライセンスされた４ＧＬＴＥ及び／又は５ＧＮＲ周波数）を、一以上の未ライセンスキャリア（例えば未ライセンスＷｉＦｉ周波数）と集約するべく使用される。

図３４に示されるように、通信リンクは、ＵＥと基地局との間の通信リンクのみならず、ＵＥ対ＵＥ通信及び基地局対基地局通信をも含む。例えば、通信ネットワーク４１０は、（例えばモバイルデバイス４１２ｇとモバイルデバイス４１２ｆとの間のような）自己フロントホール及び／又は自己バックホールをサポートするように実装することができる。

通信リンクは、多種多様な周波数にわたって動作することができる。所定の実装例において、通信は、６ギガヘルツ（ＧＨｚ）未満の一以上の周波数帯域にわたって及び／又は６ＧＨｚ超過の一以上の周波数帯域にわたって、５ＧＮＲ技術を使用してサポートされる。所定の実装例によれば、通信リンクは、周波数レンジ１（ＦＲ１）、周波数レンジ２（ＦＲ２）、又はこれらの組み合わせに役立ち得る。ここに開示される任意の適切な原理及び利点に従う弾性波フィルタｉは、ＦＲ１内の無線周波数信号をフィルタリングすることができる。一実施形態において、モバイルデバイスの一以上が、ＨＰＵＥ電力クラス仕様をサポートする。

所定の実装例において、基地局及び／又はユーザ機器はビームフォーミングを使用して通信する。例えば、ビームフォーミングは、高い信号周波数にわたる通信に関連付けられる高い損失のような、経路損失を克服するべく信号強度を収束させるべく使用することができる。所定の実施形態では、一以上の携帯電話機のようなユーザ機器は、３０ＧＨｚ～３００ＧＨｚの範囲のミリメートル波周波数帯域において、及び／又は６ＧＨｚ～３０ＧＨｚ、詳しくは２４ＧＨｚ～３０ＧＨｚの範囲の上側センチメートル波周波数において、ビームフォーミングを使用して通信する。

通信ネットワーク４１０の異なるユーザが、利用可能な周波数スペクトルのような利用可能なネットワークリソースを、多種多様な態様で共有することができる。一例において、一周波数帯域を分割して多重周波数キャリアにするべく周波数分割多重接続（ＦＤＭＡ）が使用される。加えて、一以上のキャリアが特定の一ユーザに割り当てられる。ＦＤＭＡの例は、シングルキャリアＦＤＭＡ（ＳＣ－ＦＤＭＡ）及び直交ＦＤＭＡ（ＯＦＤＭＡ）を含むがこれらに限られない。ＯＦＤＭＡは、利用可能な帯域幅を多数の相互に直交する狭帯域サブキャリアに分割するマルチキャリア技術であり、異なるユーザに別々に割り当てることができる。

共有アクセスの他の例は、周波数リソースを使用するべくユーザに特定のタイムスロットが割り当てられる時分割多重接続（ＴＤＭＡ）、各ユーザに固有の符号を割り当てることにより周波数リソースを異なるユーザ間で共有する符号分割多重接続（ＣＤＭＡ）、空間分割による共有アクセスを与えるべくビームフォーミングが使用される空間分割多重接続（ＳＤＭＡ）、多重アクセスを目的としてパワードメインが使用される非直交多重接続（ＮＯＭＡ）を含むが、これらに限られない。例えば、ＮＯＭＡは、同じ周波数、時間及び／又は符号であるが異なる電力レベルにより多数のユーザにサービスを提供するべく使用され得る。

エンハンストモバイルブロードバンド（ｅＭＢＢ）は、ＬＴＥネットワークのシステムキャパシティを増加させる技術を言及する。例えば、ｅＭＢＢは、各ユーザに対して少なくとも１０Ｇｂｐｓのピークデータレートかつ最小１００Ｍｂｐｓの通信を言及してよい。超高信頼性低レイテンシ通信（ｕＲＬＬＣ）は、例えば３ミリ秒未満の非常に低いレイテンシの通信のための技術を言及する。ｕＲＬＬＣは、自動運転及び／又は遠隔手術アプリケーション目的のようなミッションクリティカルな通信に使用することができる。大規模機械タイプ通信（ｍＭＴＣ）は、日常的な物体との無線接続に関連付けられる低コストかつ低データレートの通信、例えばインターネットオブシングス（ＩｏＴ）アプリケーションに関連付けられる通信を言及する。

図３４の通信ネットワーク４１０は、ｅＭＢＢ、ｕＲＬＬＣ及び／又はｍＭＴＣを含むがこれらに限られない多種多様なアドバンスト通信機能をサポートするべく使用することができる。

上述された実施形態はいずれも、セルラーハンドセットのような携帯デバイスに関連して実装することができる。これらの実施形態の原理及び利点は、ここに記載される実施形態のいずれかから利益が得られる任意のアップリンク無線通信デバイスのような任意のシステム又は装置のために使用することができる。ここでの教示は、様々なシステムに適用可能である。本開示がいくつかの例示的な実施形態を含むにもかかわらず、ここに記載される教示は、様々な構造物に適用することができる。ここに説明された原理及び利点はいずれも、例えば約４５０ＭＨｚ～５ＧＨｚの周波数範囲、約４５０ＭＨｚ～８．５ＧＨｚの周波数範囲、又は約４５０ＭＨｚ～１０ＧＨｚの周波数範囲のような、約３０ｋＨｚ～３００ＧＨｚの周波数範囲の信号を処理するように構成されるＲＦ回路に関連して実装することができる。

本開示の側面は、様々な電子デバイスに実装することができる。子デバイスの例は、消費者用電子製品、パッケージ状無線周波数モジュールのような消費者用電子製品の部品、アップリンク無線通信デバイス、無線通信インフラストラクチャ、電子試験機器等を含み得るがこれらに限られない。電子デバイスの例は、スマートフォンのような携帯型電話機、スマートウォッチ又はイヤーピースのような装着可能コンピューティングデバイス、電話機、テレビ、コンピュータモニタ、コンピュータ、モデム、ハンドヘルドコンピュータ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、電子レンジ、冷蔵庫、自動車電子システムのような車載電子システム、ステレオシステム、デジタル音楽プレーヤー、ラジオ、デジタルカメラのようなカメラ、携帯型メモリーチップ、洗濯機、乾燥機、洗濯／乾燥機、コピー機、ファクシミリ装置、スキャナ、多機能周辺デバイス、腕時計、置時計等を含み得るがこれらに限られない。さらに、電子デバイスは未完成の製品も含んでよい。

文脈が明確にそうでないことを示さない限り、明細書及び特許請求の範囲全体を通して、「含む」、「備える」等の用語は一般に、排他的又は網羅的な意味とは逆の、包括的な意味で、すなわち「～を含むがこれに限られない」意味で解釈されるべきである。具体的に記述されない限り、又は使用される文脈内でそうでないと理解されない限り、とりわけ「できる」、「し得る」、「してよい」、「かもしれない」、「例えば」、「のような」等のようなここで使用される条件的言語は一般に、所定の実施形態が所定の特徴、要素、及び／又は状態を含む一方で他の実施形態は含まないことを意図する。ここで一般に使用される用語「結合」は、２つ以上の要素が、直接に接続されるか、又は一以上の中間要素を経由して接続されるかのいずれかとなり得ることを言及する。同様に、ここで一般に使用される用語「接続」も、２つ以上の要素が、直接に接続されるか、又は一以上の中間要素を経由して接続されるかのいずれかとなり得ることを言及する。付加的に、本願において使用される場合、用語「ここで」、「上」、「下」、及び同様の意味の用語は、本願全体を言及するものとし、本願のいずれか特定の部分を言及するわけではない。文脈上許容される場合、単数又は複数の数を使用する上記の詳細な説明における用語は、それぞれ複数又は単数の数も含み得る。

所定の実施形態が記載されてきたが、これらの実施形態は例としてのみ提示され、本開示の範囲を限定する意図はない。実際のところ、ここに記載される新規な共振器は、様々な他の形態で具体化することができる。さらに、ここに記載される共振器の形態における様々な省略、置換及び変更が、本開示の要旨から逸脱することなくなし得る。上述の様々な実施形態の要素及び／又は作用の任意の適切な組み合わせを、さらなる実施形態を与えるべく組み合わせることができる。添付の特許請求の範囲及びその均等物が、本開示の範囲及び要旨に収まるかかる形態又は修正をカバーすることが意図される。

Claims (40)

1. 多重勾配隆起フレームを備えるバルク弾性波デバイスであって、
   第１電極と、
   第２電極と、
   前記第１電極と前記第２電極との間に配置される圧電層と、
   前記バルク弾性波デバイスの主要音響アクティブ領域からの横方向エネルギー漏洩を低減させるように構成される多重勾配隆起フレーム構造物と
   を含み、
   前記多重勾配隆起フレーム構造物は対向両側が先細りにされ、
   前記バルク弾性波デバイスはバルク弾性波を生成するように構成される、バルク弾性波デバイス。
2. 前記多重勾配隆起フレーム構造物は、平面視において前記バルク弾性波デバイスの前記主要音響アクティブ領域を取り囲む、請求項１のバルク弾性波デバイス。
3. 前記多重勾配隆起フレーム構造物は、２つの勾配部分の間に非勾配部分を有する、請求項１のバルク弾性波デバイス。
4. 前記多重勾配隆起フレーム構造物は本質的に勾配部分からなる、請求項１のバルク弾性波デバイス。
5. 前記バルク弾性波デバイスは薄膜バルク弾性共振器である、請求項１のバルク弾性波デバイス。
6. 前記多重勾配隆起フレーム構造物は複数の隆起フレーム層を含む、請求項１のバルク弾性波デバイス。
7. 前記複数の隆起フレーム層は第１隆起フレーム層及び第２隆起フレーム層を含み、
   前記第２隆起フレーム層は、前記対向両側が前記第１隆起フレーム層を超えるように延びる、請求項６のバルク弾性波デバイス。
8. 前記第１隆起フレーム層は、前記圧電層又は前記第２隆起フレーム層の少なくとも一方よりも低い音響インピーダンスを有する、請求項７のバルク弾性波デバイス。
9. 前記第１隆起フレーム層は酸化物層であり、
   前記第２隆起フレーム層は金属である、請求項７のバルク弾性波デバイス。
10. 前記第１隆起フレーム層は二酸化ケイ素層であり、
    前記第２隆起フレーム層は金属である、請求項７のバルク弾性波デバイス。
11. 前記第１隆起フレーム層は前記第１電極と前記第２電極との間に配置される、請求項７のバルク弾性波デバイス。
12. 前記第２電極は、前記第１隆起フレーム層と前記第２隆起フレーム層との間に配置される、請求項１１のバルク弾性波デバイス。
13. 前記第２隆起フレーム層は、第１側に第１先細り角度を有し、第２側に第２先細り角度を有し、
    前記第１先細り角度及び前記第２先細り角度は５度から４５度の範囲にある、請求項７のバルク弾性波デバイス。
14. 前記多重勾配隆起フレーム構造物は、前記圧電層に対する凸構造物である、請求項１のバルク弾性波デバイス。
15. 多重勾配隆起フレームバルク弾性波デバイスを備える弾性波フィルタであって、
    バルク弾性波デバイスと、
    少なくとも一つの付加的弾性波デバイスと
    を含み、
    前記バルク弾性波デバイスは、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される圧電層と、前記バルク弾性波デバイスの主要音響アクティブ領域からの横方向エネルギー漏洩を低減するように構成される多重勾配隆起フレーム構造物とを含み、
    前記多重勾配隆起フレーム構造物は対向両側が先細りにされ、
    前記バルク弾性波デバイスと前記少なくとも一つの付加的弾性波デバイスとは一緒になって無線周波数信号をフィルタリングするように配列される、弾性波フィルタ。
16. 少なくとも一つの付加的弾性波デバイスが、対向両側が先細りにされる第２多重勾配隆起フレーム構造物を含む第２バルク弾性波デバイスを含む、請求項１５の弾性波フィルタ。
17. 前記多重勾配隆起フレーム構造物は第１隆起フレーム層及び第２隆起フレーム層を含み、
    前記第１隆起フレーム層は酸化物を含み、
    前記第２隆起フレーム層は金属を含み、
    前記第２隆起フレーム層は対向両側が前記第１隆起フレーム層を超えるように延びる、請求項１５の弾性波フィルタ。
18. 無線通信デバイスであって、
    バルク弾性波デバイスを含む弾性波フィルタと、
    前記弾性波フィルタに動作可能に結合されるアンテナと
    を含み、
    前記バルク弾性波デバイスは、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される圧電層と、前記バルク弾性波デバイスの主要音響アクティブ領域からの横方向エネルギー漏洩を低減するように構成される多重勾配隆起フレーム構造物とを含み、
    前記多重勾配隆起フレーム構造物は対向両側が先細りにされる、無線通信デバイス。
19. 前記無線通信デバイスは携帯電話機である、請求項１８の無線通信デバイス。
20. 前記弾性波フィルタはマルチプレクサに含まれる、請求項１８の無線通信デバイス。
21. 多重勾配隆起フレームを備えるバルク弾性波デバイスであって、
    第１電極と、
    第２電極と、
    前記第１電極と前記第２電極との間に配置される圧電層と、
    第１隆起フレーム層及び第２隆起フレーム層を含む多重勾配隆起フレーム構造物と
    を含み、
    前記第２隆起フレーム層は前記第１隆起フレーム層を超えるように延び、
    前記第２隆起フレーム層は対向両側が先細りにされ、
    前記バルク弾性波デバイスはバルク弾性波を生成するように構成される、バルク弾性波デバイス。
22. 前記第２隆起フレーム層は対向両側が前記第１隆起フレーム層を超えるように延び、
    前記対向両側は、前記バルク弾性波デバイスの主要音響アクティブ領域の方に向かう第１側と、前記主要音響アクティブ領域から離れる第２側とを含む、請求項２１のバルク弾性波デバイス。
23. 前記第１隆起フレーム層は前記圧電層よりも低い音響インピーダンスを有する、請求項２１のバルク弾性波デバイス。
24. 前記第１隆起フレーム層は酸化物を含み、
    前記第２隆起フレーム層は金属を含む、請求項２１のバルク弾性波デバイス。
25. 前記第２隆起フレーム層は、ルテニウム、モリブデン、タングステン、白金又はイリジウムの一以上を含む、請求項２４のバルク弾性波デバイス。
26. 前記第１隆起フレーム層は金属を含む、請求項２１のバルク弾性波デバイス。
27. 前記第１隆起フレーム層はポリマーを含む、請求項２１のバルク弾性波デバイス。
28. 前記多重勾配隆起フレーム構造物は、２つの勾配部分の間に非勾配部分を有する、請求項２１のバルク弾性波デバイス。
29. 前記第１隆起フレーム層は前記第１電極と前記第２電極との間に配置される、請求項２１のバルク弾性波デバイス。
30. 前記第２電極は前記第２隆起フレーム層と前記第１隆起フレーム層との間に配置される、請求項２１のバルク弾性波デバイス。
31. 前記第１隆起フレーム層は前記圧電層と前記第２電極との間に配置される、請求項３０のバルク弾性波デバイス。
32. 前記第２隆起フレーム層は、第１側に第１先細り角度を有し、第２側に第２先細り角度を有し、
    前記第１先細り角度及び前記第２先細り角度はいずれも５度よりも大きくかつ４５度よりも小さい、請求項２１のバルク弾性波デバイス。
33. 前記第２隆起フレーム層は前記圧電層の表面に対する凸構造物である、請求項２１のバルク弾性波デバイス。
34. 前記多重勾配隆起フレーム構造物は、平面視において前記バルク弾性波デバイスの主要音響アクティブ領域を取り囲む、請求項２１のバルク弾性波デバイス。
35. 前記バルク弾性波デバイスは薄膜バルク弾性共振器である、請求項２１のバルク弾性波デバイス。
36. 弾性波フィルタであって、
    バルク弾性波デバイスと、
    少なくとも一つの付加的弾性波デバイスと
    を含み、
    前記バルク弾性波デバイスは、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される圧電層と、多重勾配隆起フレーム構造物とを含み、
    前記多重勾配隆起フレーム構造物は、第１隆起フレーム層と、前記第１隆起フレーム層を超えて延びる第２隆起フレーム層とを含み、
    前記第２隆起フレーム層は対向両側が先細りにされ、
    前記バルク弾性波デバイスと前記少なくとも一つの付加的弾性波デバイスとは一緒になって無線周波数信号をフィルタリングするように配列される、弾性波フィルタ。
37. 前記少なくとも一つの付加的弾性波デバイスは、対向両側が先細りにされる第２多重勾配隆起フレーム構造物を含む第２バルク弾性波デバイスを含む、請求項３６の弾性波フィルタ。
38. パッケージ状無線周波数モジュールであって、
    バルク弾性波デバイスを含む弾性波フィルタと、
    無線周波数回路素子と、
    前記弾性波フィルタ及び前記無線周波数回路素子を封止するパッケージ構造物と
    を含み、
    前記バルク弾性波デバイスは、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される圧電層と、第１隆起フレーム層及び第２隆起フレーム層を含む多重勾配隆起フレーム構造物とを含み、
    前記第２隆起フレーム層は前記第１隆起フレーム層を超えるように延び、
    前記第２隆起フレーム層は対向両側が先細りにされ、
    前記弾性波フィルタは無線周波数信号をフィルタリングするように構成される、パッケージ状無線周波数モジュール。
39. 前記無線周波数回路素子は無線周波数スイッチである、請求項３８のパッケージ状無線周波数モジュール。
40. 前記無線周波数回路素子は無線周波数増幅器である、請求項３８のパッケージ状無線周波数モジュール。

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