JP2022042183A - Memory device, video server, broadcasting system, and memory access control method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の実施形態は、メモリ装置、ビデオサーバ、放送システム、およびメモリアクセス制御方法に関する。 Embodiments of the present invention relate to a memory device, a video server, a broadcasting system, and a memory access control method.
ビデオサーバ(送出サーバ)は、33msecの映像フレームに同期して、映像・音声をリアルタイム再生できることが必須である。そこで、データストレージ媒体として不揮発性メモリが用いられる。NAND Flashに代表される不揮発性メモリは、半導体メーカ間の競争の激化とともに微細化、高集積化の一途を辿っている。しかし、微細化によリ記憶容量の増大、ならびにコストダウンが達成されると、信頼性を確保するためリードリトライ等の処理が必要になる。このためメモリアクセス(Read/Write/Erase)に時間がかかり、速度が犠牲になる。 It is essential that the video server (sending server) can reproduce video and audio in real time in synchronization with a video frame of 33 msec. Therefore, a non-volatile memory is used as a data storage medium. Non-volatile memory represented by NAND Flash is becoming smaller and more integrated with intensifying competition among semiconductor manufacturers. However, if the storage capacity is increased and the cost is reduced by miniaturization, processing such as read retry is required to ensure reliability. Therefore, memory access (Read / Write / Erase) takes time, and speed is sacrificed.
すでに到来した4K/8K時代においては、コンテンツの素材あたりのビットレート(サイズ)は旧来の2K素材よりも格段に大きい。ビデオサーバの更なる大容量化が求められるが、メモリアクセス時間が長くなると映像フレーム時間が圧迫され、再生チャンネル数等の、装置のスペックを保証できなくなる可能性がある。そこで、記憶容量を犠牲にすることなくスループットを向上させることのできる技術が求められている。 In the 4K / 8K era that has already arrived, the bit rate (size) per content material is much higher than that of the conventional 2K material. Further increase in capacity of the video server is required, but if the memory access time becomes long, the video frame time is compressed, and there is a possibility that the specifications of the device such as the number of playback channels cannot be guaranteed. Therefore, there is a demand for a technique capable of improving throughput without sacrificing storage capacity.
目的は、スループットを向上させたメモリ装置、ビデオサーバ、放送システム、およびメモリアクセス制御方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a memory device, a video server, a broadcasting system, and a memory access control method with improved throughput.
実施形態によれば、メモリ装置は、複数のメモリ記憶部を具備する。複数のメモリ記憶部の各々は、ページ単位でアクセス可能なメモリチップと、メモリコントローラとを備える。メモリチップは、エリアごとにおいて共通のバスラインに接続される。メモリコントローラは、メモリチップへのアクセスを、異なるバスラインに接続された複数のメモリチップからなる上記エリアを処理単位として制御する。メモリコントローラは、アクセス制御部を備える。アクセス制御部は、メモリチップへのアクセスを、ページ単位でエリアを切り替えて並列に処理する。 According to the embodiment, the memory device includes a plurality of memory storage units. Each of the plurality of memory storage units includes a memory chip that can be accessed on a page-by-page basis and a memory controller. The memory chip is connected to a common bus line in each area. The memory controller controls access to the memory chips using the above area consisting of a plurality of memory chips connected to different bus lines as a processing unit. The memory controller includes an access control unit. The access control unit processes access to the memory chip in parallel by switching areas on a page-by-page basis.
不揮発性メモリを用いたストレージでは、複数の不揮発性メモリを並列に動作させることで処理速度の向上が図られる。記憶容量の増大のためには、並列に実装された複数の不揮発性メモリで構成される処理単位(“エリア”と称する)を複数設けることで、対応することが可能である。 In the storage using the non-volatile memory, the processing speed can be improved by operating a plurality of non-volatile memories in parallel. In order to increase the storage capacity, it is possible to cope with it by providing a plurality of processing units (referred to as "areas") composed of a plurality of non-volatile memories mounted in parallel.
図1は、エリアについて説明するための図である。図1に示されるストレージは、一例として4つのエリアを備え、各エリアは8つのメモリを備える。ストレージの動作はメモリコントローラにより制御される。 FIG. 1 is a diagram for explaining an area. The storage shown in FIG. 1 includes four areas as an example, and each area has eight memories. The operation of the storage is controlled by the memory controller.
エリア単位でメモリを並列動作させる場合、1エリアあたりのメモリ個数を増やすことが高速化のキーポイントである。しかし、増加させたメモリの個数分だけコストもサイズもアップし、消費電力も大きくなる。さらに、メモリコントローラの制約も大きく影響する。つまり、エリアあたりのメモリ個数を増やすにはメモリコントローラのバス幅(制御/アドレス/データ)を増やさなくてはならない。しかし、FPGA(Field Programmable Gate Array)等のデバイスのバス本数(ピン数)には上限があるので、その制約に縛られることになる。 When operating memories in parallel for each area, increasing the number of memories per area is the key to speeding up. However, the cost and size increase by the number of increased memories, and the power consumption also increases. In addition, memory controller constraints also have a significant effect. That is, in order to increase the number of memories per area, the bus width (control / address / data) of the memory controller must be increased. However, since there is an upper limit to the number of buses (number of pins) of devices such as FPGAs (Field Programmable Gate Arrays), they are bound by the restrictions.
図2は、図1の構成におけるエリア間の処理タイミングの一例を示すシーケンスチャートである。図1に示されるメモリが例えばNANDフラッシュ型であれば、書き込み/読み出しの処理はNANDのページ単位となる。しかし並列動作において、エリア内の同じメモリに連続して処理し続けるため、1つのページの処理が完了しなければ次のページの処理を開始することができない。 FIG. 2 is a sequence chart showing an example of processing timing between areas in the configuration of FIG. 1. If the memory shown in FIG. 1 is, for example, a NAND flash type, the write / read process is in NAND page units. However, in the parallel operation, since the same memory in the area is continuously processed, the processing of the next page cannot be started until the processing of one page is completed.
図2において、Cはコマンド発行に要する時間、Tは、I/Oレジスタ(図示せず)ないしラッチ回路からメモリセルにデータを転送するのに要する期間である。メモリセルは、メモリチップMCを構成する記憶素子の最小単位である。BUSYは、メモリの動作にかかるビジー期間であり、その後に、データがメモリ素子に正しく書き込まれたかを確認(ベリファイ)するためのステータスチェック期間Sが設けられる。 In FIG. 2, C is the time required to issue a command, and T is the period required to transfer data from the I / O register (not shown) or the latch circuit to the memory cell. A memory cell is a minimum unit of a storage element constituting a memory chip MC. BUSY is a busy period required for the operation of the memory, and after that, a status check period S for confirming (verifying) whether the data is correctly written to the memory element is provided.
図2に示される既存の技術では、C、T、BUSY、およびSの各プロセスが順に実行された後でなければ、次のページへの制御プロセスに移ることができない。つまり、エリア内の複数チップは並列処理でもページ間はシーケンシャル処理であることから、パイプライン(図3)が効率的でなく、高速化に限界がある。以下ではこのような事情に対処可能とする技術について説明する。 With the existing technology shown in FIG. 2, the control process to the next page can be performed only after the C, T, BUSY, and S processes are executed in order. That is, since the plurality of chips in the area are processed in parallel but the pages are sequentially processed, the pipeline (FIG. 3) is not efficient and there is a limit to the speedup. The technology that makes it possible to deal with such a situation will be described below.
図4は、実施形態に関わるビデオサーバの一例を示す機能ブロック図である。放送システム1に備えられるビデオサーバ10は、放送設備6に放送コンテンツを送出する。この放送コンテンツはモニタ装置7によってモニタされる。
FIG. 4 is a functional block diagram showing an example of a video server according to an embodiment. The
ビデオサーバ10は、入力部11、メモリ装置12、出力部13、および制御部14を備える。このうち制御部14は、CPU(Central Processing Unit)等のプロセッサであり、操作端末2から与えられたユーザ操作を受け付ける。
The
入力部11は、例えばカメラ装置3、再生装置4、及び編集装置5などの送信装置に接続可能に設けられる。入力部11は、送信装置からの放送用コンテンツデータを取得する。取得された各種データはメモリ装置12に書き込まれ、また、読み出される。読み出されたコンテンツデータは出力部13を介して放送設備6に送出される。
The
コンテンツデータは、映像データ、音声データ、およびこれらのデータに付随するメタデータなどを含む。コンテンツデータはMXF(Material eXchange Format)ファイル形式で授受されることが多くなっているが、SDI(Serial Digital Interface)形式で授受されることも可能である。 Content data includes video data, audio data, and metadata associated with these data. Content data is often exchanged in the MXF (Material eXchange Format) file format, but it can also be exchanged in the SDI (Serial Digital Interface) format.
メモリ装置12は、制御部14の制御に基づきコンテンツデータを記憶する。メモリ装置12は、複数のメモリ記憶部100と、メモリ記憶部100を管理するメモリ管理部120とを備える。メモリ管理部120は、例えば、メモリ装置12に入力されたコンテンツデータにリードソロモン符号などの誤り訂正データを付加し、メモリ記憶部100のいずれかに記憶させる。またメモリ管理部120は、メモリ記憶部100に記憶されたデータを読み出し、読み出したコンテンツデータを出力部13に出力する。
The
図5は、メモリ記憶部100の一例を示すブロック図である。メモリ記憶部100は、複数のメモリチップMCと、各メモリチップMCへの書き込み/読み出し/消去を制御するメモリコントローラ101とを備える。それぞれのメモリチップMCは、バスラインBL、および制御バスCBを介してメモリコントローラ101に接続される。
FIG. 5 is a block diagram showing an example of the
ここで、メモリ記憶部100は、ページ単位でアクセス可能な、NAND型フラッシュメモリに代表される不揮発性メモリである。SLC(Single Level Cell)型のメモリチップに加え、MLC(Multi Level Cell)、TLC(Tri Level Cell)、あるいはそれ以上の多値レベルセルを用いることもできる。
Here, the
バスラインBLは、データバス、およびアドレスバスとしての機能を有する。つまりバスラインBLは、データ転送/アドレス指定で共用される。アドレス指定において、バスラインBLは、アクセス対象のメモリチップMCのアドレスを指定する。データ転送において、バスラインBLは、上記指定されたアドレスに書き込むためのデータ、あるいは指定されたアドレスから読み出されたデータを転送する。制御バスCBは、クロックジェネレータ(図示せず)からメモリコントローラ101に与えられる同期信号102に同期して、チップセレクト信号、リード/ライト信号などの信号を出力する。
The bus line BL has a function as a data bus and an address bus. That is, the bus line BL is shared by data transfer / address designation. In the address specification, the bus line BL specifies the address of the memory chip MC to be accessed. In data transfer, the bus line BL transfers data for writing to the specified address or data read from the specified address. The control bus CB outputs signals such as a chip select signal and a read / write signal in synchronization with the
実施形態において、各メモリチップMCは、エリアA1~エリアA4のいずれかに属する。エリアは、それぞれ異なるバスラインに接続された一群のメモリチップMCからなる単位である。なお、同じバスラインに接続されたメモリチップ群からなる単位をエリアと称するケースもあるが、この実施形態では、そのようなケースとは異なるエリアについて説明する。実施形態では4つのエリアを想定するが、8つのエリア、あるいはそれ以外の数のエリアを備えるメモリ記憶部についても以下と同じ議論が成り立つ。 In the embodiment, each memory chip MC belongs to any of areas A1 to A4. An area is a unit consisting of a group of memory chip MCs connected to different bus lines. In some cases, a unit consisting of a group of memory chips connected to the same bus line is referred to as an area, but in this embodiment, an area different from such a case will be described. In the embodiment, four areas are assumed, but the same argument as below holds for a memory storage unit including eight areas or a number of other areas.
メモリコントローラ101は、例えばFPGA(Field Programmable Gate Array)などの集積回路であり、メモリ管理部120からのアドレス信号103、データ信号104に基づいて、各メモリチップMCへの書き込み/読み出し/消去を制御する。メモリコントローラ101は、このようなメモリチップMCへのアクセスを、エリアを単位として制御する。
The
ところで、メモリコントローラ101は、FPGAに予め書き込まれ、ソフトウェアとして実装可能な処理機能として、アクセス制御部101aを備える。アクセス制御部101aは、メモリチップMCへのアクセスを、ページ単位でエリアを切り替えることにより、並列に処理する。つまりアクセス制御部101aは、メモリチップMCのページ単位で、エリアを順次切り替えながら並列にアクセス処理を行う。
By the way, the
図6に示されるように、エリアの数が4個であれば、アクセス制御部101aは、最初のエリアであるエリアA1の処理コマンドを発行し終えたら、エリアA2の処理コマンドを発行し(1)、エリアA2の処理コマンドを発行し終えたら、エリアA3の処理コマンドを発行する(2)。そして、エリアA4への処理コマンドを発行(3)し終えると、アクセス制御部101aは処理の対象を再びエリアA1に戻し、エリアA1への処理コマンドを発行する(4)。このようにアクセス制御部101aは、エリアをページ単位で切り替えながら処理を行うことで、エリア間での並列処理を実現する。
As shown in FIG. 6, if the number of areas is 4, the
図7は、実施形態におけるエリア間の処理タイミング例を示すシーケンスチャートである。図7は、書き込み処理時におけるシーケンスを示す。図7において、メモリコントローラ101は、以下の順で処理シーケンスを実行する。
FIG. 7 is a sequence chart showing an example of processing timing between areas in the embodiment. FIG. 7 shows a sequence during the writing process. In FIG. 7, the
(S1) エリアA1内の全メモリチップMCに書き込みコマンドを発行する。
(S2) エリアA2内の全メモリチップMCに書き込みコマンドを発行する。
(S3) エリアA3内の全メモリチップMCに書き込みコマンドを発行する。
(S4) エリアA4内の全メモリチップMCに書き込みコマンドを発行する。
(S5) (S1)で発行した書き込みコマンドによる書き込み処理が完了すると(ステータスチェックが完了すると)次のページの書き込みコマンドを発行する。
(S6) (S2)で発行した書き込みコマンドによる書き込み処理が完了すると(ステータスチェックが完了すると)次のページの書き込みコマンドを発行する。
(S7) (S3)で発行した書き込みコマンドによる書き込み処理が完了すると(ステータスチェックが完了すると)次のページの書き込みコマンドを発行する。
(S8) (S4)で発行した書き込みコマンドによる書き込み処理が完了すると(ステータスチェックが完了すると)次のページの書き込みコマンドを発行する。
(S1) A write command is issued to all memory chip MCs in the area A1.
(S2) A write command is issued to all memory chip MCs in the area A2.
(S3) A write command is issued to all memory chip MCs in the area A3.
(S4) A write command is issued to all memory chip MCs in the area A4.
(S5) When the write process by the write command issued in (S1) is completed (when the status check is completed), the write command on the next page is issued.
(S6) When the write process by the write command issued in (S2) is completed (when the status check is completed), the write command on the next page is issued.
(S7) When the write process by the write command issued in (S3) is completed (when the status check is completed), the write command on the next page is issued.
(S8) When the write process by the write command issued in (S4) is completed (when the status check is completed), the write command on the next page is issued.
図7においては、メモリチップMCがBUSYステータスに入ると直ちに次のエリアへのコマンドが発行される。このように(S1)~(S8)のようにエリアを切り替えながら書き込み処理を行うことで、処理の高速化を図ることができる。図5、図6に示されるようにエリア数が4であれば、4つのエリアへのアクセスが同時並行的に処理される。このため既存の、エリア内での並列処理と比較して処理時間は1/4になる。すなわち4倍の処理性能を引き出すことが可能になるので、スループットを劇的に向上させることが可能になる。上記構成において、並列数はエリア数に比例することから、エリア数が増えれば増えるほど高速化を促すことができる。 In FIG. 7, as soon as the memory chip MC enters the BUSY status, a command to the next area is issued. By performing the writing process while switching the area as in (S1) to (S8) in this way, the processing speed can be increased. If the number of areas is 4, as shown in FIGS. 5 and 6, access to the four areas is processed in parallel. Therefore, the processing time is 1/4 of the existing parallel processing in the area. That is, since it is possible to bring out four times the processing performance, it is possible to dramatically improve the throughput. In the above configuration, since the number of parallels is proportional to the number of areas, it is possible to promote higher speed as the number of areas increases.
以上説明したようにこの実施形態では、アクセス制御部101aにより、メモリチップMCのページ単位で、エリアを順次切り替えながら並列にアクセス処理を行うようにした。
As described above, in this embodiment, the
既存の技術において、1つのエリアのみで複数メモリを並列処理しようとすると、エリアあたりのメモリ個数を増やすことは難しい。デバイスの個数を増やそうにも、コストがアップする。メモリコントローラの実装例であるFPGAは、シリアルインタフェースやSERDESについては本数(ピン数)が増えているが、パラレルバスの本数は増えていかない傾向にある。 In the existing technology, if it is attempted to process a plurality of memories in parallel in only one area, it is difficult to increase the number of memories per area. Even if you try to increase the number of devices, the cost will increase. FPGAs, which are examples of memory controller implementations, have an increasing number (number of pins) for serial interfaces and SERDES, but tend not to increase the number of parallel buses.
MLC以降のNAND Flashメモリにおいては、リードリトライという指標がスループットに大きく関わる。リードリトライとは、読み出し時にECCエラーが発生した際、そのデータを破棄して同じアドレスのデータを再度読み出さなければならないという仕様である。リアルタイムの制約の厳しい放送分野においては、度重なるリードリトライの発生が製品仕様に影響を及ぼす。甚だしくはフレーム同期期間の33msecをオーバし、放送障害にもつながる。 In NAND Flash memory after MLC, the index of read retry is greatly related to throughput. Read retry is a specification that when an ECC error occurs during reading, the data must be discarded and the data at the same address must be read again. In the broadcasting field, where real-time restrictions are severe, repeated read retries affect product specifications. Extremely, it exceeds the frame synchronization period of 33 msec, which leads to broadcasting failure.
特に、今後主流になることが予想される、BiCS(Bit Cost Scalable) NANDに代表される三次元構造のNAND Flashメモリにおいては、リードリトライ回数が増える可能性があり、対処が望まれていた。 In particular, in NAND Flash memory having a three-dimensional structure represented by BiCS (Bit Cost scalable) NAND, which is expected to become mainstream in the future, the number of read retries may increase, and it has been desired to deal with it.
実施形態によればこのようなニーズに答え、1エリアあたりのメモリ個数を増やすことなく、ストレージの高速化を図ることができる。これにより、メモリコントローラのピン数の制約に縛られることなく、ストレージの高速化を促すことができる。また、コストアップ、サイズアップ、および消費電力アップを伴うこともない。 According to the embodiment, it is possible to meet such needs and increase the speed of storage without increasing the number of memories per area. As a result, it is possible to promote high-speed storage without being bound by the limitation of the number of pins of the memory controller. In addition, there is no cost increase, size increase, and power consumption increase.
しかも、図1と図6の比較からもわかるように、ハードウェア構成としては大きな変更を必要としない。つまりメモリコントローラ101に実装される内部ロジック、およびソフトウェアを変更することにより、上記説明したアクセス制御部101aの機能は実現可能である。
Moreover, as can be seen from the comparison between FIGS. 1 and 6, the hardware configuration does not require a large change. That is, the function of the
これらのことから、実施形態によれば、スループットを向上させたメモリ装置、ビデオサーバ、放送システム、およびメモリアクセス制御方法を提供することが可能となる。 From these things, according to the embodiment, it becomes possible to provide a memory device, a video server, a broadcasting system, and a memory access control method with improved throughput.
なお、この発明は上記実施の形態に限定されるものではない。例えばエリア数は4に限らず、3、あるいは2でも同様の議論が成り立つ。エリア数が2の場合、メモリコントローラ101は、第1エリアのメモリチップのページへの書き込みコマンドを発行し、第2エリアのメモリチップのページヘの書き込みコマンドを発行し、第1エリアへの書き込み処理が完了すると、当該第1エリアのメモリチップの次のページへの書き込みコマンドを発行し、第2エリアへの書き込み処理が完了すると、当該第2エリアのメモリチップの次のページへの書き込みコマンドを発行する。このエリア数が2のケースでの手順に基づけば、図7に示されるシーケンスは一意に導き出されるものである。
The present invention is not limited to the above embodiment. For example, the number of areas is not limited to 4, and the same argument holds for 3 or 2. When the number of areas is 2, the
本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は例として提示するものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。この実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。 Although embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented as examples and are not intended to limit the scope of the invention. This novel embodiment can be implemented in various other embodiments, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the gist of the invention. This embodiment and its modifications are included in the scope and gist of the invention, and are also included in the scope of the invention described in the claims and the equivalent scope thereof.
1…放送システム、2…操作端末、3…カメラ装置、4…再生装置、5…編集装置、6…放送設備、7…モニタ装置、10…ビデオサーバ、11…入力部、12…メモリ装置、13…出力部、14…制御部、100…メモリ記憶部、101…メモリコントローラ、101a…アクセス制御部、102…同期信号、103…アドレス信号、104…データ信号、120…メモリ管理部、MC…メモリチップ、BL…バスライン。 1 ... Broadcast system, 2 ... Operation terminal, 3 ... Camera device, 4 ... Playback device, 5 ... Editing device, 6 ... Broadcasting equipment, 7 ... Monitor device, 10 ... Video server, 11 ... Input unit, 12 ... Memory device, 13 ... Output unit, 14 ... Control unit, 100 ... Memory storage unit, 101 ... Memory controller, 101a ... Access control unit, 102 ... Synchronous signal, 103 ... Address signal, 104 ... Data signal, 120 ... Memory management unit, MC ... Memory chip, BL ... Bus line.
Claims (7)
前記複数のメモリ記憶部の各々は、
共通のバスラインに接続されページ単位でアクセス可能な複数のメモリチップと、
前記メモリチップへのアクセスを、異なるバスラインに接続された複数のメモリチップからなるエリアを単位として制御するメモリコントローラとを備え、
前記メモリコントローラは、
前記メモリチップへのアクセスを、前記ページ単位で前記エリアを切り替えて並列に処理するアクセス制御部を備える、メモリ装置。 Equipped with multiple memory storage units
Each of the plurality of memory storage units
Multiple memory chips connected to a common bus line and accessible on a page-by-page basis,
It is provided with a memory controller that controls access to the memory chips in units of areas consisting of a plurality of memory chips connected to different bus lines.
The memory controller is
A memory device including an access control unit that processes access to the memory chip in parallel by switching the area in units of pages.
第1エリアのメモリチップのページへの書き込みコマンドを発行し、
第2エリアのメモリチップのページヘの書き込みコマンドを発行し、
前記第1エリアへの書き込み処理が完了すると、当該第1エリアのメモリチップの次のページへの書き込みコマンドを発行し、
前記第2エリアへの書き込み処理が完了すると、当該第2エリアのメモリチップの次のページへの書き込みコマンドを発行する、請求項1に記載のメモリ装置。 The access control unit
Issue a command to write to the page of the memory chip in the first area,
Issue a write command to the page of the memory chip in the second area,
When the writing process to the first area is completed, a write command to the next page of the memory chip in the first area is issued.
The memory device according to claim 1, wherein when the writing process to the second area is completed, a write command to the next page of the memory chip in the second area is issued.
取得された前記コンテンツデータを記憶するメモリ装置と、
前記メモリ装置から前記コンテンツデータを読み出して送出する出力部とを具備し、
前記メモリ装置は、複数のメモリ記憶部を備え、
前記複数のメモリ記憶部の各々は、
共通のバスラインに接続されページ単位でアクセス可能な複数のメモリチップと、
前記メモリチップへのアクセスを、異なるバスラインに接続された複数のメモリチップからなるエリアを単位として制御するメモリコントローラとを有し、
前記メモリコントローラは、
前記メモリチップへのアクセスを、前記ページ単位で前記エリアを切り替えて並列に処理するアクセス制御部を備える、ビデオサーバ。 Input section for inputting content data and
A memory device that stores the acquired content data,
It includes an output unit that reads out the content data from the memory device and sends it out.
The memory device includes a plurality of memory storage units, and the memory device includes a plurality of memory storage units.
Each of the plurality of memory storage units
Multiple memory chips connected to a common bus line and accessible on a page-by-page basis,
It has a memory controller that controls access to the memory chip in units of an area composed of a plurality of memory chips connected to different bus lines.
The memory controller is
A video server including an access control unit that processes access to the memory chip in parallel by switching the area in units of pages.
第1エリアのメモリチップのページへの書き込みコマンドを発行し、
第2エリアのメモリチップのページヘの書き込みコマンドを発行し、
前記第1エリアへの書き込み処理が完了すると、当該第1エリアのメモリチップの次のページへの書き込みコマンドを発行し、
前記第2エリアへの書き込み処理が完了すると、当該第2エリアのメモリチップの次のページへの書き込みコマンドを発行する、請求項3に記載のビデオサーバ。 The access control unit
Issue a command to write to the page of the memory chip in the first area,
Issue a write command to the page of the memory chip in the second area,
When the writing process to the first area is completed, a write command to the next page of the memory chip in the first area is issued.
The video server according to claim 3, which issues a write command to the next page of the memory chip in the second area when the writing process to the second area is completed.
前記コンテンツデータを前記ビデオサーバに送信する送信装置と、
前記ビデオサーバから送出された前記コンテンツデータを放送する放送設備とを具備する、放送システム。 The video server according to claim 3 or 4,
A transmission device that transmits the content data to the video server, and
A broadcasting system including broadcasting equipment for broadcasting the content data transmitted from the video server.
前記メモリチップへのアクセスを、前記メモリコントローラが、前記ページ単位で前記エリアを切り替えて並列に処理することを含む、メモリアクセス制御方法。 A plurality of memory chips connected to a common bus line and accessible on a page-by-page basis, and a memory controller that controls access to the memory chips in units of an area consisting of a plurality of memory chips connected to different bus lines. It is an access control method applicable to a memory device having a plurality of memory storage units.
A memory access control method comprising the memory controller processing the access to the memory chip in parallel by switching the area in the page unit.
第1エリアのメモリチップのページへの書き込みコマンドを発行し、
第2エリアのメモリチップのページヘの書き込みコマンドを発行し、
前記第1エリアへの書き込み処理が完了すると、当該第1エリアのメモリチップの次のページへの書き込みコマンドを発行し、
前記第2エリアへの書き込み処理が完了すると、当該第2エリアのメモリチップの次のページへの書き込みコマンドを発行する、請求項6に記載のメモリアクセス制御方法。 The memory controller is
Issue a command to write to the page of the memory chip in the first area,
Issue a write command to the page of the memory chip in the second area,
When the writing process to the first area is completed, a write command to the next page of the memory chip in the first area is issued.
The memory access control method according to claim 6, wherein when the write process to the second area is completed, a write command to the next page of the memory chip in the second area is issued.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2020147478A JP2022042183A (en) | 2020-09-02 | 2020-09-02 | Memory device, video server, broadcasting system, and memory access control method |
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