JP2022039965A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2022039965A5
JP2022039965A5 JP2021101853A JP2021101853A JP2022039965A5 JP 2022039965 A5 JP2022039965 A5 JP 2022039965A5 JP 2021101853 A JP2021101853 A JP 2021101853A JP 2021101853 A JP2021101853 A JP 2021101853A JP 2022039965 A5 JP2022039965 A5 JP 2022039965A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
gas
amine compound
organic amine
supplying
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2021101853A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP7683343B2 (ja
JP2022039965A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to TW110129887A priority Critical patent/TW202213495A/zh
Priority to CN202110953644.2A priority patent/CN114121640B/zh
Priority to KR1020210109840A priority patent/KR102834698B1/ko
Priority to US17/445,961 priority patent/US20220068657A1/en
Publication of JP2022039965A publication Critical patent/JP2022039965A/ja
Publication of JP2022039965A5 publication Critical patent/JP2022039965A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7683343B2 publication Critical patent/JP7683343B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2021101853A 2020-08-28 2021-06-18 エッチング方法及びエッチング装置 Active JP7683343B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW110129887A TW202213495A (zh) 2020-08-28 2021-08-13 蝕刻方法及蝕刻裝置
CN202110953644.2A CN114121640B (zh) 2020-08-28 2021-08-19 蚀刻方法和蚀刻装置
KR1020210109840A KR102834698B1 (ko) 2020-08-28 2021-08-20 에칭 방법 및 에칭 장치
US17/445,961 US20220068657A1 (en) 2020-08-28 2021-08-26 Etching method and etching apparatus

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020144867 2020-08-28
JP2020144867 2020-08-28

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2022039965A JP2022039965A (ja) 2022-03-10
JP2022039965A5 true JP2022039965A5 (https=) 2024-06-19
JP7683343B2 JP7683343B2 (ja) 2025-05-27

Family

ID=80497916

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021101853A Active JP7683343B2 (ja) 2020-08-28 2021-06-18 エッチング方法及びエッチング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7683343B2 (https=)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2024107949A (ja) 2023-01-30 2024-08-09 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びエッチング装置
JP2024129577A (ja) * 2023-03-13 2024-09-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置及びソフトウエア
JP2024129581A (ja) * 2023-03-13 2024-09-27 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びエッチング装置
WO2025074942A1 (ja) * 2023-10-02 2025-04-10 セントラル硝子株式会社 エッチング方法、半導体デバイスの製造方法、エッチング装置、表面処理ガス組成物、及び表面処理材料含有エッチングガス組成物
WO2026005055A1 (ja) * 2024-06-28 2026-01-02 Ａｇｃ株式会社 凹部構造を有する部材を製造する方法
WO2026005052A1 (ja) * 2024-06-28 2026-01-02 Ａｇｃ株式会社 有機系材料、およびＳｉ含有部材をエッチングする方法
WO2026005048A1 (ja) * 2024-06-28 2026-01-02 Ａｇｃ株式会社 有機系材料、およびＳｉ含有部材をエッチングする方法
WO2026054107A1 (ja) * 2024-09-09 2026-03-12 セントラル硝子株式会社 ドライエッチング方法、半導体デバイスの製造方法、エッチング装置及びエッチングガス組成物

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008103645A (ja) * 2006-10-20 2008-05-01 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
KR102463863B1 (ko) * 2015-07-20 2022-11-04 삼성전자주식회사 연마용 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US10280519B2 (en) * 2016-12-09 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Thermal atomic layer etching processes
KR102902002B1 (ko) * 2018-09-13 2025-12-18 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 실리콘 산화물의 에칭 방법 및 에칭 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2022039965A5 (https=)
JP2016127285A5 (ja) 活性化を使用しない、シリコン酸化物のための異方性原子層エッチングの方法及びエッチング装置
KR101217778B1 (ko) 패터닝 방법
TWI674328B (zh) 藉由原子層沉積疏水化含矽薄膜表面的方法
JP2016139792A5 (https=)
KR101011490B1 (ko) 패터닝 방법
TWI524425B (zh) 氮化矽膜的成膜方法及成膜裝置
JP6711839B2 (ja) 酸化ケイ素薄膜の選択的横成長
JP2015053445A5 (https=)
JP2010534935A5 (https=)
JP2011176095A5 (https=)
JP2007258426A5 (https=)
JP2006156675A5 (https=)
JP2006049798A5 (https=)
JP2011168881A5 (https=)
JP2015510260A5 (https=)
US20180301347A1 (en) Method of processing target object
JP2014229834A5 (https=)
JP2016131210A5 (https=)
TW200633058A (en) Film forming method, film forming system and recording medium
JP2022039965A (ja) エッチング方法及びエッチング装置
TW200644116A (en) Etching method and apparatus
TW200600606A (en) Wafer treatment device and the manufacturing method of semiconductor device
JP2010206058A5 (https=)
JP2019192907A5 (https=)