JP2022030735A - Nonvolatile memory, consumables, and printer - Google Patents
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Abstract
Description
本開示は、データを記憶する不揮発性メモリーについての技術に関する。 The present disclosure relates to techniques for non-volatile memory for storing data.
従来、フラッシュEEPROMにおいて、メモリーセルの消去モードに入る度に、消去回数判定回路のカウンターがアップする技術が知られている。 Conventionally, in flash EEPROM, there is known a technique in which the counter of the erase count determination circuit is increased every time the memory cell is entered into the erase mode.
ここで、メモリーセルに対して消去データを書き込んだり、消去データとは異なるデータを書き込んだりする書き込み処理を繰り返した場合、メモリーセルが劣化してデータの書き込み処理が失敗する場合が生じ得る。従来の技術では、書き込み処理が失敗したことを外部の装置が容易に判定することは困難であった。よって、メモリーセルの書き込み処理失敗要因となるメモリーの劣化を外部の装置が容易に判定できる技術が望まれている。 Here, when the writing process of writing the erased data to the memory cell or writing the data different from the erased data is repeated, the memory cell may deteriorate and the data writing process may fail. With the conventional technique, it is difficult for an external device to easily determine that the writing process has failed. Therefore, there is a demand for a technique that allows an external device to easily determine the deterioration of the memory that causes the write processing of the memory cell to fail.
本開示の第1の形態によれば、印刷装置に着脱可能な消耗品に設けられ、データを記憶する不揮発性メモリーが提供される。この不揮発性メモリーは、前記データを記憶する複数のメモリーセルと、前記データを前記メモリーセルに書き込む書き込み処理を実行するメモリー制御部と、前記メモリー制御部の書き込み処理において、書き込み対象の前記メモリーセルである対象メモリーセルに前記データを書き込む場合の書き込み動作回数を記憶する記憶部と、を備え、前記メモリー制御部は、前記書き込み処理において、(A)前記対象メモリーセルへ前記データを書き込むときに、前記記憶部が記憶する前記書き込み動作回数を1つ加算し、(B)前記書き込みが失敗したと判定した場合、前記記憶部の前記書き込み動作回数を参照し、前記書き込み動作回数が予め定めた規定回数以上であるか否かを判定し、(C)前記書き込み動作回数が前記規定回数以上であると判定した場合、前記書き込み処理の中止を表す中止信号を前記印刷装置に送信し、(D)前記書き込み動作回数が前記規定回数以上ではないと判定した場合、再び前記(A)以降を再び実行する。 According to the first aspect of the present disclosure, a non-volatile memory provided in a consumable that can be attached to and detached from a printing device and stores data is provided. This non-volatile memory includes a plurality of memory cells for storing the data, a memory control unit that executes a writing process for writing the data to the memory cell, and the memory cell to be written in the writing process of the memory control unit. The memory control unit includes a storage unit that stores the number of write operations when the data is written to the target memory cell, and the memory control unit receives (A) when the data is written to the target memory cell in the write process. , The number of writing operations stored in the storage unit is added by one, and (B) when it is determined that the writing has failed, the number of writing operations is determined in advance with reference to the number of writing operations in the storage unit. It is determined whether or not the number of times is equal to or greater than the specified number of times, and (C) when it is determined that the number of times of the writing operation is equal to or more than the specified number of times, a stop signal indicating the cancellation of the writing process is transmitted to the printing apparatus (D). ) When it is determined that the number of times of the writing operation is not more than the specified number of times, the above (A) and subsequent steps are executed again.
本開示の第2の形態によれば、印刷装置に着脱可能な消耗品が提供される。この消耗品は、上記形態の不揮発性メモリーを備える。 According to the second aspect of the present disclosure, a removable consumable is provided for the printing apparatus. This consumable includes the above-mentioned form of non-volatile memory.
本開示の第3の形態によれば、印刷装置が提供される。この印刷装置は、上記形態の不揮発性メモリーを備える消耗品を着脱可能な装着部と、前記対象メモリーセルに前記データを書き込む書き込み処理を実行させるライトコマンドを送信する装置側制御部と、を備え、前記装置側制御部は、前記不揮発性メモリーから受信した前記書き込み動作回数が、予め定めた閾値以上である場合、前記対象メモリーセルが劣化していると判定する。 According to the third aspect of the present disclosure, a printing apparatus is provided. This printing device includes a mounting unit for attaching and detaching consumables having the above-mentioned non-volatile memory, and a device-side control unit for transmitting a write command for executing a writing process for writing the data to the target memory cell. When the number of writing operations received from the non-volatile memory is equal to or greater than a predetermined threshold value, the device-side control unit determines that the target memory cell has deteriorated.
本開示の第4の形態によれば、印刷装置が提供される。この印刷装置は、上記形態の不揮発性メモリーを備える消耗品を着脱可能な装着部と、前記対象メモリーセルに前記データを書き込む書き込み処理を実行させるライトコマンドを送信する装置側制御部と、前記ライトコマンドごとに実行される前記書き込み処理の前記書き込み動作回数を累積した累積回数を記憶する装置側記憶部と、を備え、前記装置側制御部は、前記ライトコマンドの送信回数に対する、前記累積回数の割合が、予め定めた値以上である場合、前記対象メモリーセルが劣化していると判定する。 According to the fourth aspect of the present disclosure, a printing apparatus is provided. This printing device includes a mounting unit for attaching and detaching consumables having the above-mentioned non-volatile memory, a device-side control unit for transmitting a write command for executing a write process for writing the data to the target memory cell, and the write. A device-side storage unit that stores the cumulative number of times the write operation of the write process is executed for each command is provided, and the device-side control unit has the cumulative number of times with respect to the number of times the write command is transmitted. When the ratio is equal to or higher than a predetermined value, it is determined that the target memory cell has deteriorated.
本開示の第5の形態によれば、印刷装置が提供される。この印刷装置は、上記形態の不揮発性メモリーを備える消耗品と、前記消耗品を装着可能な装着部と、前記対象メモリーセルに前記データを書き込む書き込み処理を実行させるライトコマンドを送信する装置側制御部と、前記ライトコマンドごとに実行される前記書き込み処理の前記書き込み動作回数を累積した累積回数を記憶する装置側記憶部と、を備え、前記装置側制御部は、前記不揮発性メモリーから受信した前記書き込み動作回数が、予め定めた閾値以上であり、かつ、前記ライトコマンドの送信回数に対する、前記累積回数の割合が、予め定めた値以上である場合に、前記対象メモリーセルが劣化していると判定する。 According to the fifth aspect of the present disclosure, a printing apparatus is provided. This printing device is a device-side control that transmits a consumable unit having the above-mentioned non-volatile memory, a mounting unit on which the consumable item can be mounted, and a write command for executing a write process for writing the data to the target memory cell. The device-side control unit includes a unit and a device-side storage unit that stores the cumulative number of times of the write operation of the write process executed for each write command, and the device-side control unit receives from the non-volatile memory. The target memory cell is deteriorated when the number of write operations is equal to or higher than a predetermined threshold value and the ratio of the cumulative number of times to the number of transmissions of the write command is equal to or higher than a predetermined value. Is determined.
A.第1実施形態:
図1は、本開示の第1実施形態としての印刷システム1000の概略構成を示す説明図である。印刷システム1000は、印刷装置20と、印刷装置20に着脱可能な複数のインクカートリッジ100と、コンピューター90と、を備えている。印刷装置20は、インクを印刷媒体PAに吐出して印刷を行うインクジェットプリンターである。印刷装置20は、コネクター80を介して、コンピューター90とデータ通信可能に接続されている。
A. First Embodiment:
FIG. 1 is an explanatory diagram showing a schematic configuration of a
印刷装置20は、副走査送り機構と、主走査送り機構と、ヘッド駆動機構と、装置側制御部としての主制御部40と、を備えている。副走査送り機構は、紙送りモーター22とプラテン26とを備えており、紙送りモーター22の回転をプラテン26に伝達することによって印刷媒体PAを副走査方向に搬送する。主走査送り機構は、キャリッジモーター32と、プーリ38と、キャリッジモーター32とプーリ38との間に張設された駆動ベルト36と、プラテン26の軸と並行に設けられた摺動軸34と、を備えている。摺動軸34は、駆動ベルト36に固定されたキャリッジ30を摺動可能に保持している。キャリッジモーター32の回転は、駆動ベルト36を介してキャリッジ30に伝達され、キャリッジ30は、摺動軸34に沿ってプラテン26の軸方向である主走査方向に往復動する。ヘッド駆動機構は、キャリッジ30を備えている。キャリッジ30は、消耗品としてのインクカートリッジ100を装着可能な装着部4と、インクを吐出する印刷ヘッド5と、後述する図6に示すインク導入部6と、後述する図6に示す接続機構400と、後述する図6に示す副制御基板500と、を備えている。ヘッド駆動機構は、キャリッジ30の印刷ヘッド5を駆動して印刷媒体PA上にインクを吐出させる。
The
装置側制御部としての主制御部40は、上述した各機構を制御して印刷処理を実現する。主制御部40はバス46を介してキャリッジ30の後述する副制御基板500と電気的に接続されている。主制御部40は、例えば、コンピューター90を介してユーザーの印刷ジョブを受信し、受信した印刷ジョブの内容に基づき、上述した各機構を制御して印刷動作を実行する。また主制御部40は、消耗品としてのインクカートリッジ100が装着部4に装着されたか否かの装着判定や、インクカートリッジ100が有するメモリー基板120が劣化しているか否かの劣化判定を行う。装着判定や劣化判定の詳細は後述する。
The
キャリッジ30の装着部4は、複数のインクカートリッジ100を着脱自在に装着できる。すなわち、印刷ヘッド5にインクを供給するインクカートリッジ100が、ユーザーの操作により取り付け、取り外し可能に、キャリッジ30の装着部4に備えられる。本実施形態では、装着部4に装着できるインクカートリッジ100の数は6つである。6つのインクカートリッジ100には、異なる色または種類のインクが収容されている。複数のインクカートリッジ100を区別して用いる場合には、符号100A,100B,100C,100D,100E,100Fを用いる。6つのインクカートリッジ100A~100Fはそれぞれ、装着部4の予め定められた装着位置に装着される。印刷装置20は、さらに、ユーザーが印刷装置20の各種の設定を行ったり、印刷装置20のステータスを確認したりする操作部70を備えている。
A plurality of
なお、本実施形態では、インクカートリッジ100がキャリッジ30の装着部4に装着されるオンキャリッジと呼ばれる構成としたが、これに限定されるものではない。インクカートリッジ100がキャリッジ30と異なる他の場所に位置する装着部に装着されるオフキャリッジと呼ばれる構成としてもよい。
In the present embodiment, the
図2および図3を用いて、インクカートリッジ100の構成について説明する。図2は、インクカートリッジ100の構成を示す第1斜視図である。図3は、インクカートリッジ100の構成を示す第2斜視図である。図2以降には必要に応じて、互いに直交するX軸、Y軸、Z軸を付している。図2では、X軸,Y軸,Z軸の矢印が向いている方向は、それぞれX軸,Y軸,Z軸に沿った正の方向を示している。X軸,Y軸,Z軸に沿った正の方向を、それぞれ+X方向,+Y方向,+Z方向とする。X軸,Y軸,Z軸の矢印が向いている方向と逆の方向が、それぞれX軸,Y軸,Z軸に沿った負の方向である。X軸,Y軸,Z軸に沿った負の方向を、それぞれ-X方向,-Y方向,-Z方向とする。X軸,Y軸,Z軸に沿った方向で正負を問わないものを、それぞれX方向,Y方向,Z方向とよぶ。これ以降に示す図及び説明についても同様である。他の図に描かれたXYZ軸は、図2のXYZ軸に方向が対応している。インクカートリッジ100についてのX軸、Y軸、Z軸の向きは、X方向とY方向とに平行な水平面に印刷装置20が配置され、かつ、印刷装置20にインクカートリッジ100が装着された状態を基準としている。
The configuration of the
図2および図3に示すように、インクカートリッジ100の外観形状は略直方体形状である。図2に示すように、インクカートリッジ100は、液体であるインクを収容する本体101と、メモリー基板120と、インク検出用部材110と、を備えている。本体101は、-Y方向側の壁である前壁101wfと、+Z方向側の壁である底壁101wbを含む。前壁101wfは、底壁101wbと交差、本実施形態では実質的に直交している。本体101の底壁101wbは、キャリッジ30の装着部4に装着されたときに、キャリッジ30に対してインクを供給するインク供給口104を備える。本体101には、インクを収容するインク室150が形成されている。インク供給口104は、インク室150と連通している。インク供給口104の開口104opは、フィルム104fによって封止されている。インクカートリッジ100をキャリッジ30に装着することによって、フィルム104fが破られ、図6に示すキャリッジ30が有するインク導入部6がインク供給口104に挿入される。インク室150に収容されているインクは、インク導入部6を介して、印刷装置20の印刷ヘッド5に供給される。インク室150のインクが消費されるに伴って、インク室150には、図示しない大気開放孔から空気が導入される。なお、本体101は、インク室150のインク消費の有無に拘わらず変形しない外殻を構成する。
As shown in FIGS. 2 and 3, the external shape of the
ここで、フィルム104fによって封止されているフィルム面をインク供給口104の開口端とする。Z方向は、インク供給口104の開口端に垂直な方向である。また、+Z方向は、インク供給口104の開口方向と同じである。また、X方向は、キャリッジ30に装着される複数のインクカートリッジ100A~100Fの配列方向であり、インクカートリッジ100の幅方向である。また本実施形態では、Z方向は、重力方向に沿った方向であり、+Z方向は重力方向であり、-Z方向は反重力方向である。また、インクカートリッジ100を印刷装置20のキャリッジ30に装着する方向は装着方向MDであり、装着方向MDの成分を含む方向を第1方向FDとする。本実施形態では、装着方向MDと第1方向FDは同一方向であり、+Z方向である。なお、他の実施形態では、装着方向MDと第1方向FDとは同一方向でなくてもよい。第1方向FDとは真っ直ぐにのびる方向であり、本実施形態ではインク供給口104の開口方向である。第1方向FDは、メモリー基板120の表面120faに実質的に沿った方向である。他の実施形態において、表面120faが装着方向MDに対して傾斜している場合には、装着方向MDと第1方向FDとは同一方向ではなく、異なる方向となる。
Here, the film surface sealed by the
図2に示すように、インク検出用部材110は、本体101の内部に固定されている。インク検出用部材110は、印刷装置20がインクカートリッジ100のインク残量を検出するための部材である。インク検出用部材110は、例えば、光学的にインク残量を検出するためのプリズムであってもよいし、圧電体を2枚の対向する電極で挟んだ圧電素子であってもよいし、電極間の抵抗の違いによってインク残量を検出する2つの電極であってもよい。インク検出用部材110が出力する検出信号を用いて印刷装置20の主制御部40がインク残量を検出する。なお、主制御部40がインク検出用部材110の検出信号を用いてインク残量検出を行わない場合は、インク検出用部材110は省略してもよい。
As shown in FIG. 2, the
メモリー基板120は、本体101の前壁101wfに設けられている。メモリー基板120は、複数の端子から構成される端子群290を備えている。本実施形態では、端子群290を構成する端子は9つ設けられている。端子群290の詳細については後述する。
The
前壁101wfには、2つの突起Pr1、Pr2が形成されている。これらの突起Pr1、Pr2は、-Y方向に突出している。メモリー基板120には、これらの突起Pr1、Pr2をそれぞれ受け入れる穴122と切り欠き121とが形成されている。穴122は、メモリー基板120のインク供給口104側の端部の中央に形成され、切り欠き121は、メモリー基板120のインク供給口104とは反対側の端部の中央に形成されている。メモリー基板120が前壁101wfに固定された状態では、突起Pr1、Pr2は、穴122、切り欠き121に、それぞれ挿入される。なお、インクカートリッジ100の製造時に、メモリー基板120が前壁101wfに装着された後には、これらの突起Pr1、Pr2の先端が潰される。これにより、メモリー基板120は、前壁101wfに固定される。
Two protrusions Pr1 and Pr2 are formed on the front wall 101wf. These protrusions Pr1 and Pr2 project in the −Y direction. The
図4は、本実施形態に係るメモリー基板120の構成を示す第1図である。図5は、メモリー基板120の構成を示す第2図である。メモリー基板120は、表面120faに端子群290と、裏面120fbにメモリー130とを有する。端子群290は、メモリー端子群230と装着検出端子群210とを備える。インクカートリッジ100A~100Fのそれぞれのメモリー130を区別する場合には、末尾に「A」~「F」を付す。
FIG. 4 is a diagram showing the configuration of the
メモリー端子群230は、メモリー130用の端子である。図4に示すように、メモリー端子群230は、データ端子235と、クロック端子232と、電源端子233と、リセット端子231と、接地端子234とを含む。データ端子235は、メモリー130と印刷装置20との間でインク色情報などの各種データ信号を送受信するために用いられる。
The memory terminal group 230 is a terminal for the
装着検出端子群210は、第1検出端子211と、第2検出端子212と、第3検出端子213と、第4検出端子214とを備える。4つの検出端子211~214は、メモリー端子群230の集合の4隅に配置されている。
The mounting detection terminal group 210 includes a
9つの端子211,212,213,214,231,232,233,234,235によって構成されている。各端子211,212,213,214,231,232,233,234,235は、略矩形状に形成され、第1方向FDと垂直な列を2列形成するように配置されている。つまり、2列の方向は、第1方向FDと垂直な第2方向SDに平行である。2つの列同士が並ぶ方向は、第1方向FDに沿った方向である。2つの列のうち、第1方向FD側に位置する列を第1列R1と呼び、第1方向FDとの反対側に位置する列を第2列R2と呼ぶ。各端子211,212,213,214,231,232,233,234,235の中央には、後述する装置端子と接触する接点cpが存在する。 It is composed of nine terminals 211,212,213,214,231,232,233,234,235. Each terminal 211,212,213,214,231,232,233,234,235 is formed in a substantially rectangular shape, and is arranged so as to form two rows perpendicular to the first direction FD. That is, the directions of the two rows are parallel to the second direction SD perpendicular to the first direction FD. The direction in which the two rows are lined up is the direction along the first direction FD. Of the two rows, the row located on the FD side in the first direction is called the first row R1, and the row located on the opposite side of the FD in the first direction is called the second row R2. At the center of each terminal 211,212,213,214,231,232,233,234,235, there is a contact cp that comes into contact with the device terminal described later.
端子群290の各端子211,212,213,214,231,232,233,234,235はそれぞれ、図示しないメモリー基板120の表裏面の配線パターン層やメモリー基板120に配置されたスルーホールを介して、メモリー130に接続されている。
Each terminal 211,212,213,214,231,232,233,234,235 of the
図5に示すメモリー130は、不揮発性メモリーである。本実施形態では、メモリー130はNAND型のフラッシュメモリーである。なお、他の実施形態では、メモリー130は、EEPROMなどであってもよい。メモリー130は、メモリー制御部136と、複数のメモリーセル138と、記憶部としてのレジスター139とを備える。複数のメモリーセル138はそれぞれ1ビットのデータを記憶する。
The
メモリー制御部136は、データをメモリーセルに書き込む書き込み処理を実行する。この書き込み処理は、消去処理としての第1処理と、書き込み対象のデータを書き込み対象のメモリーセル138である対象メモリーセル138に書き込む第2処理とを含む。第1処理は、書き込み対象である指定アドレスの対象メモリーセル138を含み、複数のページを単位とするブロック単位で消去データを書き込む処理である。消去データは「1」を表すデータである。第1処理は、メモリーセル138のP型半導体層に電圧をかけて浮遊ゲートから電子を引き抜く第1書き込み動作を実行することで行われる。第2処理は、第1処理の後に実行され、消去データとは異なる書き込み対象のデータを、書き込み対象のメモリーセル138を含む複数のメモリーセル138によって構成されたページ単位で書き込む処理である。第2処理は、メモリーセル138に「0」を書き込む場合には、メモリーセル138の制御ゲートに書き込み電圧を印加する第2書き込み動作を実行することで、浮遊ゲート内に電子を蓄積する。
The
レジスター139は、フリップフロップ回路によって構成され、データを対象メモリーセル138に書き込む場合の書き込み動作回数を記憶する。詳細には、レジスター139は、第1処理の際に実行される書き込み動作である第1書き込み動作の回数をカウントして記憶する消去レジスター139aと、第2処理の際に実行される書き込み動作である第2書き込み動作の回数をカウントして記憶する書き込みレジスター139bとを含む。消去レジスター139aは、ブロック単位ごとに関連付けられて複数設けられている。書き込みレジスター139bも、消去レジスター139aと同様にブロック単位ごとに関連付けられて複数設けられている。なお、書き込みレジスター139bはページ単位ごとに関連付けれて複数設けられてもよい。
The
図6は、インクカートリッジ100がキャリッジ30の装着部4に装着される様子を示す図である。図7は、接続機構400を示す第1の図である。図8は、接続機構400を示す第2の図である。
FIG. 6 is a diagram showing how the
図6に示すように、キャリッジ30は、装着部4と、印刷ヘッド5と、インク導入部6と、接続機構400と、副制御基板500とを備える。装着部4はインクカートリッジ100を装着する装着室65を形成する。印刷ヘッド5は、複数のノズルと、複数の圧電素子と、を含み、各圧電素子に印加される電圧に応じて各ノズルからインク滴を吐出し、印刷媒体PA上にドットを形成する。インク導入部6は、印刷ヘッド5上に配置され、インクカートリッジ100から印刷ヘッド5にインクを供給する。本実施形態では、インク導入部6は、インクカートリッジ100A~100Fの数に対応して6つ設けられている。接続機構400は、副制御基板500と装着室65に装着されたインクカートリッジ100のメモリー基板120とを電気的に接続する。接続機構400は、インクカートリッジ100A~100Fの数に対応して6つ設けられている。図8に示すように、副制御基板500は中継部50を有する。中継部50は、主制御部40と協働してインクカートリッジ100に関連する制御を行う。
As shown in FIG. 6, the
図6に示すように、インクカートリッジ100は、装着方向MDに挿入されることにより、印刷装置20の装着部4に装着される。このようにして、インクカートリッジ100は、印刷装置20に着脱可能に装着される。また、インクカートリッジ100が印刷装置20に正しく装着されたときには、メモリー基板120は、接続機構400や副制御基板500やバス46を介して印刷装置20の主制御部40に電気的に接続される。
As shown in FIG. 6, the
図7に示すように、接続機構400は、端子保持部405と、端子保持部405に保持された、導電性と弾性とを備えた複数の接点形成部材403と、を備える。端子保持部405は、複数のスリット301を有する。接点形成部材403はスリット301に嵌め込まれる。本実施形態では、各接続機構400について、接点形成部材403は、端子群290の端子の数と同じ9つ設けられている。
As shown in FIG. 7, the
図8に示すように、接点形成部材403は、端子群290と副制御基板500の基板端子590とを電気的に接続する部材である。基板端子590は、装着室65ごとに設けられている。また各基板端子590は、端子群290の数に対応して9つ設けられている。9つの基板端子590を区別して用いる場合には、符号「511」、「512」、「513」、「514」、「531」、「532」、「533」、「534」、「535」を用いる。接点形成部材403のうち、装着室65側に突出した部分は、端子群290と接触する装置端子490を形成する。また接点形成部材403のうち、副制御基板500側に突出した部分は、基板端子590と接触する中継端子439を形成する。9つの接点形成部材403を区別して用いる場合には末尾に「A」~「I」を付す。また9つの装置端子490を区別して用いる場合には、符号「411」、「412」、「413」、「414」、「431」、「432」、「433」、「434」、「435」を用いる。また、9つの中継端子439を区別して用いる場合には、符号「411a」、「412a」、「413a」、「414a」、「431a」、「432a」、「433a」、「434a」、「435a」を用いる。また、9つの基板端子590を区別して用いる場合には、符号「511」、「512」、「513」、「514」、「531」、「532」、「533」、「534」、「535」を用いる。
As shown in FIG. 8, the
装置端子411と中継端子411aとを有する接点形成部材403Aは、第1検出端子211と基板端子511とを電気的に接続する。装置端子412と中継端子412aとを有する接点形成部材403Bは、第2検出端子212と基板端子512とを電気的に接続する。装置端子413と中継端子413aとを有する接点形成部材403Cは、第3検出端子213と基板端子513とを電気的に接続する。装置端子414と中継端子414aとを有する接点形成部材403Dは、第4検出端子214と基板端子514とを電気的に接続する。装置端子431と中継端子431aとを有する接点形成部材403Eは、リセット端子231と基板端子531とを電気的に接続する。装置端子432と中継端子432aとを有する接点形成部材403Fは、クロック端子232と基板端子532とを電気的に接続する。装置端子433と中継端子433aとを有する接点形成部材403Gは、電源端子233と基板端子533とを電気的に接続する。装置端子434と中継端子434aとを有する接点形成部材403Hは、接地端子234と基板端子534とを電気的に接続する。装置端子435と中継端子435aとを有する接点形成部材403Iは、データ端子235と基板端子535とを電気的に接続する。
The
図9は、印刷装置20の機能構成を一つのインクカートリッジ100と共に示す図である。図10は、装着判定について説明するための図である。図9および図10を用いて、印刷装置20とインクカートリッジ100の内部構成についてさらに説明する。図9に示すように、副制御基板500は、リセット信号線LRSTと、クロック信号線LSCKと、電源信号線LVDDと、データ信号線LSDAと、接地信号線LVSSと、第1検出信号線LM1と、第2検出信号線LM2と、第3検出信号線LM3と、第4検出信号線LM4とを有する。リセット信号線LRSTは、中継部50と基板端子531とを電気的に接続する。クロック信号線LSCKは、中継部50と基板端子532とを電気的に接続する。電源信号線LVDDは、中継部50と基板端子533とを電気的に接続する。接地信号線LVSSは、中継部50と基板端子534とを電気的に接続する。データ信号線LSDAは、中継部50と基板端子535とを電気的に接続する。第1検出信号線LM1~第4検出信号線LM4は、中継部50と基板端子511~514とを電気的に接続する。中継部50は、CPUや記憶装置などによって構成され、バス46や電源ラインを介して供給されたデータや電力を中継してインクカートリッジ100に送信する。なお、他の実施形態では、中継部50に主制御部40の後述する一部の機能、例えばメモリー通信部416や劣化判定部417や装着判定部418を有させてもよい。この場合、中継部50と主制御部40とが装置側制御部として機能する。
FIG. 9 is a diagram showing the functional configuration of the
印刷装置20は、表示パネル495と、電源440と、主制御部40と、中継部50とを備えている。主制御部40と中継部50とは制御部85を構成する。表示パネル495は、ユーザーに印刷装置20の動作状態や、メモリー130に記憶されているデータである、インク消費量、インクの色、製造年月日などの各種の通知を行う。表示パネル495は、例えば、図1の操作部70に設けられる。電源440は、第1電源電圧VDDを生成する第1電源441と、第2電源電圧VHVを生成する第2電源442とを有する。第1電源電圧VDDは、ロジック回路に用いられる通常の電源電圧(定格3.3V)である。第2電源電圧VHVは、印刷ヘッド5を駆動してインクを吐出させるために用いられる高い電圧(例えば定格42V)である。これらの電圧VDD、VHVは、副制御基板500に供給され、また、必要に応じて他の回路などの構成要素にも供給される。
The
主制御部40は、CPU415と、装置側記憶部としての本体メモリー420とを有している。CPU415は、本体メモリー420に記憶された各種プログラムを実行することで、印刷装置20の動作を制御する。例えば、主制御部40は、表示パネル495の動作を制御したり、中継部50の動作を制御したりする。また、CPU415は、本体メモリー420に記憶された各種プログラムを実行することで、メモリー通信部416と劣化判定部417と装着判定部418として機能する。なお、CPU415の機能の少なくとも一部はソフトウェアに限らず、回路などのハードウェアによって構成されていてもよい。
The
メモリー通信部416は、装着されたインクカートリッジ100のメモリー制御部136とデータ通信を行う。例えば、メモリー通信部416は、ライトコマンドWCやリードコマンドRCを生成して、バス46やデータ信号線LSDA535を介して対象となるメモリー制御部136に送信する。
The
ライトコマンドWCは、書き込み対象のメモリーセル138である対象メモリーセル138にデータを書き込む書き込み処理をメモリー制御部136に実行させる。ライトコマンドWCは、書き込み対象となるメモリー130の識別子データと、データとしての書き込み対象である対象データと、ライトコマンドWCであることを示すコマンド識別データと、複数のメモリーセル138のうち対象データを書き込むアドレスを指定する指定アドレスと、を備える。対象データとしては、例えば、インク検出用部材110を用いて主制御部40が検出したインクカートリッジ100のインク残量を表すデータや、本体メモリー420に記憶されたインクカートリッジ100の装着回数を表すデータである。指定アドレスは、例えば、ページやブロックやメモリーセル138を特定するアドレスである。なお、他の実施形態では、ライトコマンドWCは、指定アドレスを含まなくてもよい。この場合、メモリー制御部136が、書き込み対象のメモリーセル138を指定して対象データの書き込み処理を実行する。
The write command WC causes the
リードコマンドRCは、対象メモリーセル138のデータを読み出すことをメモリー制御部136に指令する。リードコマンドRCは、読み出し対象となるメモリー130の識別子データと、リードコマンドRCであることを示すコマンド識別データと、複数のメモリーセル138のうち読み出す対象を指定する指定アドレスと、を備える。指定アドレスは、例えば、ブロックやページやメモリーセル138を特定するアドレスである。なお、他の実施形態では、リードコマンドRCは指定アドレスを含まなくてもよい。この場合、リードコマンドRCは、読み出す対象のデータ内容を識別するデータ識別子を有し、このデータ識別子をもとにメモリー制御部136が読み出し対象となるメモリーセル138のアドレスを特定してデータを読み出す。
The read command RC commands the
劣化判定部417は、消去レジスター139aや書き込みレジスター139bに記憶された書き込み動作回数を用いて対象メモリーセル138が劣化しているか否かを判定する。劣化判定部417の詳細は後述する。
The
装着判定部418は、インクカートリッジ100が装着部4に装着されているか否かを判定する。メモリー基板120の第1検出端子211~第4検出端子214は、対応する接続機構400や基板端子511~514などを介して装着判定部418に電気的に接続される。図10に示すようにメモリー基板120の第1検出端子211~第4検出端子214は接地されている。基板端子511~514と装着判定部418と装着判定部418とを接続する電気配線は、プルアップ抵抗を介して第1電源電圧VDD(定格3.3V)にそれぞれ接続されている。
The mounting
図10に示す例では、メモリー基板120の第1検出端子211~第4検出端子214のうちの第1検出端子211~第3検出端子213は、対応する基板端子511~513と良好な接続状態にある。一方、第4検出端子214は、対応する装置端子414と接触不良の状態にある。接続状態が良好な3つの装置端子411,412,413の配線の電圧はローレベルになり、一方、接続状態が不良である装置端子414の配線の電圧はハイレベルとなる。従って、装着判定部418は、これらの各配線の電圧レベルを調べることによって、4つの検出端子211,212,213,214のそれぞれについて、接触状態の良否を判定することが可能である。本実施形態では、装着判定部418は、4つの装置端子411~414のそれぞれの配線の電圧レベルがローレベルである場合には、インクカートリッジ100が正しく装着されていると判定し、それ以外の状態の場合にはインクカートリッジ100が正しく装着されていないと判定する。
In the example shown in FIG. 10, the
図11は、メモリー制御部136が実行する書き込み処理の第1フローチャートである。図12は、書き込み処理の第2のフローチャートである。書き込み処理は、印刷装置20の主制御部40から対象のメモリー130宛てに送信されたライトコマンドWCを受信したことをトリガーとして実行される。
FIG. 11 is a first flowchart of a write process executed by the
まず、図11に示すステップS12において、メモリー制御部136は、ライトコマンドWCに含まれる指定アドレスに対応して設けられた消去レジスター139aおよび書き込みレジスター139bのそれぞれの値を初期化、すなわち「0」にする。ここで、指定アドレスに対応して設けられた消去レジスター139aおよび書き込みレジスター139bをそれぞれ、対象消去レジスター139aおよび対象書き込みレジスター139bとも呼ぶ。次に、ステップS14において、メモリー制御部136は、ステップS12において初期化した消去レジスター139aの値を「1」だけカウントアップする。つまり、メモリー制御部136は、初期化した消去レジスター139aが記憶する書き込み動作回数を1つ加算する。次にステップS16において、メモリー制御部136は、対象メモリーセル138を含むブロックである対象ブロックへ消去データを書き込む。このステップS14およびステップS16を、第1処理におけるステップ(A)とも呼ぶ。ステップS16を実行する場合、メモリー制御部136は、対象ブロックのデータをメモリー130が有するRAMに一時的に記憶させる。なお、ステップ(A)においては、ステップ16の後にステップ14を実行しても良く、またステップ14とステップ16は同時に実行しても良い。
First, in step S12 shown in FIG. 11, the
次にステップS18において、メモリー制御部136は、対象ブロックに消去データが書き込まれることでデータの消去が完了したか否かを判定する。ステップS18では、例えば、メモリー制御部136は、ステップS16で消去した対象ブロックのデータを読み出して、対象ブロックの全てのメモリーセル138のデータが「1」であるか否かを判定する。メモリー制御部136は、全てのデータが「1」である場合には、データの消去処理である第1処理が完了したと判定し、少なくとも一つのメモリーセル138のデータが「0」である場合には、データの消去が完了しておらず第1処理は失敗したと判定する。このステップS18を第1処理におけるステップ(B)とも呼ぶ。なお、データの消去処理である第1処理が完了したか否かの判定は上記に限定されるものではなく、メモリー制御部136は、チェックサムを用いて第1処理が完了しているか否かを判定してもよい。
Next, in step S18, the
メモリー制御部136は、ステップS18においてデータの消去が失敗したと判定した場合には、ステップS20において、対象消去レジスター139aの書き込み動作回数を参照し、書き込み動作回数が予め定めた規定回数としての第1規定回数以上であるか否かを判定する。第1規定回数は、例えば、対象ブロックを構成するメモリーセル138の劣化の程度が進み、再び対象ブロックに対して第1書き込み動作を行った場合でもデータ消去が完了できない可能性が高いと推定できる値に設定される。本実施形態では、第1規定回数は、例えば「5」に設定されている。
When the
メモリー制御部136は、ステップS20において対象消去レジスター139aが記憶する値である第1書き込み動作回数が第1規定回数以上であると判定した場合には、ステップS22において、データ端子235を介して印刷装置20に中止信号を送信して、書き込み処理を中止する。中止信号は、書き込み処理ができなかったことを示す信号である。ここで、ステップS20およびステップS22のステップを第1処理におけるステップ(C)とも呼ぶ。なお、中止信号は、第1検出端子211、第2検出端子212、第3検出端子213、第4検出端子214を介して送信されても良い。
When the
一方で、メモリー制御部136は、ステップS20において対象消去レジスター139aの値である第1書き込み動作回数が第1規定回数以上ではないと判定した場合、再び、ステップ(A)以降のステップを実行する。つまり、まずメモリー制御部136は、ステップS12において、対象消去レジスター139aの値をさらに「1」だけカウントアップする。このステップS20において「No」の判定が成されて再びステップS14以降の処理が実行されるステップを第1処理におけるステップ(D)とも呼ぶ。
On the other hand, if the
メモリー制御部136は、ステップS18において対象ブロックのデータの消去が完了していると判定した場合には、図12に示すステップS30の処理を実行する。すなわち、メモリー制御部136は、ステップS12において初期化した対象書き込みレジスター139bの値を「1」だけカウントアップする。つまり、メモリー制御部136は、初期化した書き込みレジスター139bが記憶する書き込み動作回数を1つ加算する。次にステップS32において、メモリー制御部136は、対象メモリーセル138を含むページである対象ページに対象データを書き込む書き込み動作を実行する。詳細には、メモリー制御部136は、図示しないRAMに一時的に記憶させた、データ消去前の対象ブロックのデータのうち、対象ページのデータを更新し、RAMに記憶された更新後のデータである書き込み対象のデータを対象ブロックに書き込む書き込み動作を実行する。このステップS30およびステップS32を第2処理におけるステップ(A)とも呼ぶ。なお、ステップ(A)においては、ステップ32の後にステップ30を実行しても良く、またステップ30とステップ32は同時に実行しても良い。
When the
次にステップS34において、メモリー制御部136は、対象ページにインク消費量を示すデータなどの書き込み対象のデータの書き込みが完了したか否かを判定する。ステップS34では、例えば、メモリー制御部136は、対象ページを読み出して、対象ページのメモリーセル138の値が、RAMに記憶した書き込み対象のデータの値と一致しているか否かを判定する。メモリー制御部136は、対象ページにおける全てのデータが一致する場合には、データの書き込み処理である第2処理が完了したと判定し、少なくとも一つのメモリーセル138のデータが一致していない場合には、データの書き込みが完了しておらず第2処理は失敗したと判定する。このステップS34を第2処理におけるステップ(B)とも呼ぶ。なお、データの書き込み処理である第2処理が完了したか否かの判定は上記に限定されるものではなく、メモリー制御部136は、チェックサムを用いて第2処理が完了しているか否かを判定してもよい。
Next, in step S34, the
メモリー制御部136は、ステップS34において対象データの書き込みが失敗したと判定した場合には、ステップS36において、対象書き込みレジスター139bの書き込み動作回数を参照し、書き込み動作回数が予め定めた規定回数としての第2規定回数以上であるか否かを判定する。第2規定回数は、例えば、対象ページを構成するメモリーセル138の劣化の程度が進み、再び対象ページに対して第2書き込み動作を行った場合でも対象データの書き込みが完了できない可能性が高いと推定できる値に設定される。本実施形態では、第2規定回数は、図11のステップS20の第1規定回数と同じ「5」に設定されている。
When the
メモリー制御部136は、ステップS36において対象書き込みレジスター139bが記憶する値である第2書き込み動作回数が第2規定回数以上であると判定した場合には、ステップS22においてデータ端子235を介して印刷装置20に中止信号を送信して、書き込み処理を中止する。ここで、ステップS36およびステップS22のステップを第2処理におけるステップ(C)とも呼ぶ。
When the
一方で、メモリー制御部136は、ステップS36において対象書き込みレジスター139bの値である第2書き込み動作回数が第2規定回数以上ではないと判定した場合、再び、ステップ(A)以降のステップを実行する。つまり、まずメモリー制御部136は、ステップS30において、対象書き込みレジスター139bの値をさらに「1」だけカウントアップする。このステップS36において「No」の判定が成されて再びステップS30以降の処理が実行されるステップを第2処理におけるステップ(D)とも呼ぶ。
On the other hand, if the
メモリー制御部136は、ステップS34において対象データの書き込みが完了していると判定した場合には、ステップS38において、データ端子235を介して印刷装置に完了信号を送信して、書き込み処理を終了する。完了信号は、ライトコマンドWCが示す書き込み処理が完了したことを示す信号である。なお、完了信号は、第1検出端子211、第2検出端子212、第3検出端子213、第4検出端子214を介して送信されても良い。
When the
図13は、レジスター読み出し処理を示すフローチャートである。レジスター読み出し処理は、書き込み処理の後に実行される。詳細には、主制御部40のメモリー通信部416は、ステップS22における中止信号とステップS38の完了信号とのいずれかを受信した場合に、レジスターリードコマンドRRCをライトコマンドWCと同じ宛先のメモリー130に送信する。このレジスターリードコマンドRRCをメモリー制御部136が受信することでレジスター読み出し処理が開始される。レジスターリードコマンドRRCは、ライトコマンドWCによって書き込み処理を実行した場合における対象消去レジスター139aと対象書き込みレジスター139bのそれぞれに記憶された書き込み動作回数を読み出すコマンドである。
FIG. 13 is a flowchart showing a register read process. The register read process is executed after the write process. Specifically, when the
レジスターリードコマンドRRCを受信したメモリー制御部136は、ステップS42において、対象消去レジスター139aと対象書き込みレジスター139bとのそれぞれに記憶された値である書き込み動作回数を、データ端子235を介して印刷装置20に出力する。主制御部40は、受信した対象消去レジスター139aと対象書き込みレジスター139bとのそれぞれの値を本体メモリー420に記憶する。
Upon receiving the register read command RRC, the
図14は、劣化判定部417が実行する劣化判定を説明するための図である。図14に示すように、劣化判定部417は、メモリー130から受信した書き込み動作回数である第1書き込み動作回数と第2書き込み動作回数との少なくともいずれか一方が、予め定めた閾値以上である場合、対象メモリーセル138が劣化していると判定する。一方で、劣化判定部417は、メモリー130から受信した書き込み動作回数である第1書き込み動作回数と第2書き込み動作回数とのそれぞれが、予め定めた閾値未満である場合には、対象メモリーセル138が劣化していないと判定する。予め定めた閾値は、書き込み処理が完了できる程度が低いと判断できる値であればよく、本実施形態では例えば閾値は「4」に設定されている。なお、他の実施形態では、劣化判定部417は、第1書き込み動作回数と第2書き込み動作回数とのそれぞれが、予め定めた閾値以上である場合、対象メモリーセル138が劣化していると判定してもよい。
FIG. 14 is a diagram for explaining the deterioration determination executed by the
劣化判定部417によって対象メモリーセル138を含むブロックが劣化したと判定された場合には、メモリー通信部416は、以降にライトコマンドWCをメモリー130に送信する場合には、劣化したと判定されたブロックとは異なるブロックに含まれるメモリーセル138を書き込み対象として指定する。つまり、主制御部40は、対象メモリーセル138が劣化していると判定した後に書き込み処理をメモリー制御部136に実行させる場合には、劣化していると判定した対象メモリーセル138を含むブロックとは異なるメモリーセル138に対して書き込み処理を実行させる。一方で、劣化判定部417が対象メモリーセル138を含むブロックが劣化していないと判定した場合には、メモリー通信部416は、書き込み処理の対象となる対象メモリーセル138の指定に制限を受けることなく、任意の対象メモリーセル138を含むブロックを指定する。
When the
図15は、メモリー130の動作状況の一例を示す図である。詳細には、図15では、ライトコマンドWCの送信回数と、複数のメモリーセル138から構成されるある一つの対象ブロックのデータを消去するための第1書き込み動作の回数との一例を示している。図15に示すように、メモリー通信部416からライトコマンドWCが送信される回数が増えるに従い、複数のメモリーセル138によって構成された対象ブロックは劣化し、1回のライトコマンドWCで実行されるデータ消去動作である第1書き込み動作の回数は増加する傾向にある。図15に示す例では、劣化判定部417は、ライトコマンドWCの送信回数が15000回目の際に、対象メモリーセル138を含むブロックが劣化したと判定する。
FIG. 15 is a diagram showing an example of the operating status of the
上記第1実施形態によれば、図11および図12に示すように、メモリー130は、第1書き込み動作回数が第1規定回数以上である場合や、第2書き込み動作回数が第2規定回数以上である場合に、中止信号を印刷システム1000の制御部85に送信する。これにより、印刷装置20は書き込み対象のメモリーセル138への書き込み処理が失敗したことを容易に判定できる。また図13に示すように、メモリー130は、レジスターリードコマンドRRCを受信した場合に、レジスター139に記憶された値である書き込み動作回数を印刷装置20に出力する。これにより、印刷装置20は、第1書き込み動作回数や第2書き込み動作回数を用いて対象メモリーセル138の劣化の程度を容易に判定できる。また、図14に示すように、劣化判定部417によって対象メモリーセル138が劣化していると判定された場合には、メモリー通信部416は、以降において、判定された対象メモリーセル138とは異なるアドレスのメモリーセル138に対して書き込み処理を実行させる。これにより、劣化がしていないメモリーセル138に対して書き込み処理を実行できるので、メモリー130の寿命を延ばすことができる。
According to the first embodiment, as shown in FIGS. 11 and 12, the
B.第2実施形態:
図16は、第2実施形態の印刷装置20aを説明するための図である。図16は、第1実施形態の図9に相当する図である。第2実施形態の印刷装置20aと第1実施形態の印刷装置20との異なる点は、劣化判定部417aの判定内容と、本体メモリー420が新たにテーブル422を記憶している点である。その他の印刷装置20aの構成は第1実施形態の印刷装置20の構成と同様の構成であるため、同様の構成については同一符号を付すと共に説明を省略する。また、第2実施形態のインクカートリッジ100は第1実施形態のインクカートリッジ100と同様の構成である。
B. Second embodiment:
FIG. 16 is a diagram for explaining the
図17は、テーブル422を説明するための図である。テーブル422は、メモリー130A~130Fごとに書き込み処理の履歴を記憶するテーブルである。テーブル422は、メモリー130A~130Fを識別する識別子と、対象データの種別と、対象データの書き込み処理を実行するメモリー130のブロックを識別するアドレスと、書き込み処理の動作状況と、ライトコマンドWCの送信回数とを記憶する。書き込み処理の動作状況は、第1書き込み動作回数と、第1累積回数と、第2書き込み動作回数と、第2累積回数と、ライトコマンドWCの送信回数とを含む。
FIG. 17 is a diagram for explaining the table 422. The table 422 is a table for storing the history of the writing process for each of the memories 130A to 130F. Table 422 shows an identifier that identifies the memories 130A to 130F, a type of the target data, an address that identifies a block of the
第1書き込み動作回数は、1回のライトコマンドWCに対して実行されたメモリーセル138のデータをブロック単位で消去するための第1書き込み動作の回数である。第1書き込み動作回数は、図13に示すステップS42によってメモリー制御部136から送信されて主制御部40が受信することでテーブル422に記憶される。第1書き込み動作回数は、ステップS42によってメモリー制御部136からデータを受信するたびに上書きされる。第1累積回数は、ライトコマンドWCごとに実行される書き込み処理としての第1処理における第1書き込み動作回数の累積である。第2書き込み動作回数は、1回のライトコマンドWCに対して実行された対象データをメモリーセルに書き込む第2書き込み動作の回数である。第2書き込み回数は、図13に示すステップS42によってメモリー制御部136から送信されて主制御部40が受信することでテーブル422に記憶される。第2書き込み動作回数は、ステップS42によってメモリー制御部136からデータを受信するたびに上書きされる。第2累積回数は、ライトコマンドWCごとに実行される書き込み処理としての第2処理における第2書き込み動作の累積回数である。ライトコマンド送信回数は、書き込むデータの種類ごとのライトコマンドWCの送信回数である。
The number of first write operations is the number of first write operations for erasing the data of the
図18は、劣化判定部417aが実行する劣化判定を説明するための図である。劣化判定部417aは、第1条件と第2条件との両方の条件を満たした場合に、対象メモリーセル138が劣化していると判定する。第1条件は、1回のライトコマンドWCに対するメモリー制御部136から送信されるレジスター139の値に関連する条件であり、図14に示す第1実施形態の劣化判定部417の判定条件と同じである。つまり、第1条件は、メモリー130から受信した書き込み動作回数である第1書き込み動作回数と第2書き込み動作回数との少なくともいずれか一方が、予め定めた閾値以上であるという条件である。
FIG. 18 is a diagram for explaining the deterioration determination executed by the
第2条件は、ライトコマンドWCの送信回数と書き込み動作の累積回数とに関連する条件である。詳細には、第2条件は、ライトコマンドWCの送信回数に対する書き込み動作回数の累積回数の割合Rが予め定めた値以上であるという条件である。割合Rは、ライトコマンドWCの送信回数を「M1」とし、書き込み動作回数の累積回数を「M2」とした場合、M2/M1で表される。本実施形態の場合、第2条件は、ライトコマンドWCの送信回数に対する第1書き込み動作回数の累積回数の割合R1aが予め定めた第1値以上であることと、ライトコマンドWCの送信回数に対する第2書き込み動作回数の累積回数の割合R1bが予め定めた第2値以上であること、の少なくともいずれかを満たすという条件である。第1値と第2値とは、書き込み処理が完了できる程度が低いと判断できる値であればよく、本実施形態では例えば「2」に設定されている。なお、他の実施形態では、劣化判定部417aは、第1条件を満たすか否かに拘わらず、第2条件を満たす場合に、対象メモリーセル138が劣化していると判定してもよい。また、第2条件は、ライトコマンドWCの送信回数に対する第1書き込み動作回数の累積回数の割合R1aが予め定めた第1値以上であることと、ライトコマンドWCの送信回数に対する第2書き込み動作回数の累積回数の割合R1bが予め定めた第2値以上であることの両方を満たすという条件であってもよい。
The second condition is a condition related to the number of transmissions of the write command WC and the cumulative number of writing operations. Specifically, the second condition is that the ratio R of the cumulative number of write operations to the number of transmissions of the write command WC is equal to or higher than a predetermined value. The ratio R is represented by M2 / M1 when the number of transmissions of the write command WC is "M1" and the cumulative number of writing operations is "M2". In the case of the present embodiment, the second condition is that the ratio R1a of the cumulative number of times of the first write operation to the number of transmissions of the write command WC is equal to or more than a predetermined first value, and the second condition is to the number of transmissions of the write command WC. 2 It is a condition that at least one of the conditions that the ratio R1b of the cumulative number of writing operations is equal to or higher than a predetermined second value is satisfied. The first value and the second value may be any value as long as it can be determined that the degree to which the writing process can be completed is low, and are set to, for example, "2" in the present embodiment. In another embodiment, the
劣化判定部417aが対象メモリーセル138を含むブロックが劣化したと判定した場合には、メモリー通信部416は、以降にライトコマンドWCをメモリー130に送信する場合には、劣化したと判定されたブロックとは異なるブロックに含まれるメモリーセル138を書き込み対象として指定する。つまり、主制御部40は、対象メモリーセル138が劣化していると判定した後に書き込み処理をメモリー制御部136に実行させる場合には、劣化していると判定した対象メモリーセル138を含むブロックとは異なるメモリーセル138に対して書き込み処理を実行させる。一方で、劣化判定部417aが対象メモリーセル138を含むブロックが劣化していないと判定した場合には、メモリー通信部416は、書き込み処理の対象となる対象メモリーセル138の指定に制限を受けることなく、任意の対象メモリーセル138を含むブロックを指定する。
When the
図19は、メモリー130の動作状況の一例を示す図である。詳細には、図19では、ライトコマンドWCの送信回数と、複数のメモリーセル138から構成されるある一つの対象ブロックのデータを消去するための第1書き込み動作の回数と、ライトコマンドWCの送信回数に対する第1書き込み動作回数の累積回数の割合R1aとの一例を示している。ライトコマンド送信回数が2000回において、第1書き込み動作回数が「5」となり第1条件が満たされる。一方で、ライトコマンド送信回数が2000回において、割合R1aは1未満であるため第2条件は満たさない。よって、劣化判定部417aは、ライトコマンド送信回数が2000回の時点では、対象メモリーセル138が劣化していないと判定する。一方で、ライトコマンド回数が15000回においては、第1書き込み動作回数が「4」となり、割合R1aも2以上となっていることから、劣化判定部417aは、対象メモリーセル138が劣化したと判定する。
FIG. 19 is a diagram showing an example of the operating status of the
上記第2実施形態によれば、上記第1実施形態と同様の構成は工程を有する点において同様の効果を奏する。例えば、メモリー130は、第1書き込み動作回数が第1規定回数以上である場合や、第2書き込み動作回数が第2規定回数以上である場合に、中止信号を印刷システム1000の制御部85に送信する。これにより、印刷装置20は書き込み対象のメモリーセル138への書き込み処理が失敗したことを容易に判定できる。また上記第2実施形態によれば、図18に示すように、劣化判定部417aは第1条件と第2条件との両方を満たす場合に、対象メモリーセル138が劣化していると判定する。第1条件は、1回のライトコマンドWCに対するメモリー制御部136から送信されるレジスター139の値に関連する条件であり、第2条件はライトコマンドWCの送信回数と書き込み動作の累積回数とに関連する条件である。これにより、対象メモリーセル138が劣化しているか否かを容易に判定できると共に、対象メモリーセル138の劣化の程度をより精度良く判定できる。例えば、対象メモリーセル138の劣化の程度が小さい場合において、突発的に1回のライトコマンドWCに対する書き込み動作回数が増加した場合に対象メモリーセル138が劣化していないと判定できる。
According to the second embodiment, the same configuration as that of the first embodiment has the same effect in that it has a process. For example, the
C.他の実施形態:
C-1.他の実施形態1:
上記第2実施形態において、図18に示すように、劣化判定部417aは第1条件と第2条件の両方を満たす場合に、対象メモリーセル138を含むブロックが劣化していると判定したがこれに限定されるものではない。例えば劣化判定部417aは、第1条件を満たすか否かに拘わらず第2条件を満たした場合に、対象メモリーセル138を含むブロックが劣化していると判定してもよい。このようにしても、対象メモリーセル138の劣化を容易に判定できる。
C. Other embodiments:
C-1. Other Embodiment 1:
In the second embodiment, as shown in FIG. 18, the
C-2.他の実施形態2:
上記各実施形態では、ライトコマンドWCは、対象データを書き込むアドレスを指定する指定アドレスを含んでいたが、含んでいなくてもよい。この場合、ライトコマンドWCを受信したメモリー制御部136が書き込み処理を実行するメモリーセル138を指定すればよい。またこの場合、劣化判定部417,417aによってメモリーセル138が劣化していると判定された場合、メモリー通信部416は、劣化しているメモリーセル138の情報、例えば、メモリーセル138のアドレス情報をメモリー制御部136に送信する。複数のメモリーセル138には、劣化情報を記憶する領域を予め設けておき、受信したアドレス情報を記憶させる。これにより、メモリー制御部136は、アドレス情報を参照することで、劣化していないメモリーセル138を用いて書き込み処理を実行できる。
C-2. Other Embodiment 2:
In each of the above embodiments, the write command WC includes a designated address that specifies an address for writing the target data, but may not be included. In this case, the
C-3.他の実施形態3:
上記各実施形態では、消耗品はインクカートリッジ100であったが、これに限定されるものではなく、メモリー基板120を備えるインク袋であってもよい。
C-3. Other Embodiment 3:
In each of the above embodiments, the consumable is the
C-4.他の実施形態4:
上記各実施形態では、図11に示す消去処理としての第1処理と、図12に示す書き込み対象のデータを対象メモリーセル138に書き込む第2処理との両方の処理において、ステップ(A)~(D)を実行したが、第1処理と第2処理との少なくとも一方の処理においてステップ(A)~(D)を実行してもよい。
C-4. Other Embodiment 4:
In each of the above embodiments, in both the first process as the erasing process shown in FIG. 11 and the second process of writing the data to be written to the
C-5.他の実施形態5:
上記実施形態では、レジスター139に書き込み動作回数を記憶させたが、SRAMや不揮発性メモリーなどの記憶部に書き込み回数を記憶させても良い。
C-5. Other Embodiment 5:
In the above embodiment, the number of writing operations is stored in the
D.他の形態:
本開示は、上述の実施形態に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、以下に記載する各形態中の技術的特徴に対応する実施形態の技術的特徴は、上述の課題の一部又は全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部又は全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。
D. Other forms:
The present disclosure is not limited to the above-described embodiment, and can be realized by various configurations within a range not deviating from the gist thereof. For example, the technical features of the embodiments corresponding to the technical features in each of the embodiments described below may solve some or all of the above problems, or achieve some or all of the above effects. Therefore, it is possible to replace or combine them as appropriate. Further, if the technical feature is not described as essential in the present specification, it can be appropriately deleted.
(1)本開示の第1の形態によれば、印刷装置に着脱可能な消耗品に設けられ、データを記憶する不揮発性メモリーが提供される。この不揮発性メモリーは、前記データを記憶する複数のメモリーセルと、前記データを前記メモリーセルに書き込む書き込み処理を実行するメモリー制御部と、前記メモリー制御部の書き込み処理において、書き込み対象の前記メモリーセルである対象メモリーセルに前記データを書き込む場合の書き込み動作回数を記憶する記憶部と、を備え、前記メモリー制御部は、前記書き込み処理において、(A)前記対象メモリーセルへ前記データを書き込むときに、前記記憶部が記憶する前記書き込み動作回数を1つ加算し、(B)前記書き込みが失敗したと判定した場合、前記記憶部の前記書き込み動作回数を参照し、前記書き込み動作回数が予め定めた規定回数以上であるか否かを判定し、(C)前記書き込み動作回数が前記規定回数以上であると判定した場合、前記書き込み処理の中止を表す中止信号を前記印刷装置に送信し、(D)前記書き込み動作回数が前記規定回数以上ではないと判定した場合、再び前記(A)以降を再び実行する。
この形態によれば、書き込み動作回数が規定回数以上である場合に、中止信号を印刷装置に送信することで、印刷装置は書き込み対象のメモリーセルへの書き込み処理が失敗したことを容易に判定できる。
(1) According to the first aspect of the present disclosure, a non-volatile memory provided in a consumable that can be attached to and detached from a printing device and stores data is provided. This non-volatile memory includes a plurality of memory cells for storing the data, a memory control unit that executes a writing process for writing the data to the memory cell, and the memory cell to be written in the writing process of the memory control unit. The memory control unit includes a storage unit that stores the number of write operations when the data is written to the target memory cell, and the memory control unit receives (A) when the data is written to the target memory cell in the write process. , The number of writing operations stored in the storage unit is added by one, and (B) when it is determined that the writing has failed, the number of writing operations is determined in advance with reference to the number of writing operations in the storage unit. It is determined whether or not the number of times is equal to or greater than the specified number of times, and (C) when it is determined that the number of times of the writing operation is equal to or more than the specified number of times, a stop signal indicating the cancellation of the writing process is transmitted to the printing apparatus (D). ) When it is determined that the number of times of the writing operation is not more than the specified number of times, the above (A) and subsequent steps are executed again.
According to this embodiment, when the number of writing operations is equal to or greater than the specified number of times, the printing device can easily determine that the writing process to the memory cell to be written has failed by transmitting the stop signal to the printing device. ..
(2)上記形態において、前記書き込み処理は、前記対象メモリーセルに前記データとしての消去データを書き込む第1処理と、前記第1処理の後に実行され、前記データとしての書き込み対象である対象データを前記対象メモリーセルに書き込む第2処理とを含み、前記メモリー制御部は、前記書き込み処理のうち前記第1処理と前記第2処理との少なくとも一方を実行する場合に、前記(A)~前記(D)を実行してもよい。
この形態によれば、第1処理や第2処理における書き込み動作回数が規定回数以上である場合に、中止信号を印刷装置に送信することで、印刷装置は書き込み対象のメモリーセルへの書き込み処理が失敗したことを容易に判定できる。
(2) In the above embodiment, the write process is executed after the first process of writing the erased data as the data to the target memory cell and the target data to be written as the data. The memory control unit includes the second process of writing to the target memory cell, and when the memory control unit executes at least one of the first process and the second process of the write processes, the above (A) to the above ( D) may be executed.
According to this embodiment, when the number of write operations in the first process and the second process is equal to or greater than the specified number of times, the print device can write to the memory cell to be written by transmitting the stop signal to the printing device. It can be easily determined that the failure has occurred.
(3)上記形態において、前記メモリー制御部は、前記印刷装置から前記記憶部に記憶された前記書き込み動作回数を読み出すコマンドを受信した場合、前記記憶部に記憶された前記書き込み動作回数を前記印刷装置に出力してもよい。
この形態によれば、コマンドによって記憶部に記憶された書き込み動作回数を印刷装置に出力することで、印刷装置が書き込み動作回数を用いてメモリーセルの劣化の程度を容易に判定できる。
(3) In the above embodiment, when the memory control unit receives a command from the printing device to read the number of writing operations stored in the storage unit, the memory control unit prints the number of writing operations stored in the storage unit. It may be output to the device.
According to this form, by outputting the number of writing operations stored in the storage unit by a command to the printing device, the printing device can easily determine the degree of deterioration of the memory cell by using the number of writing operations.
(4)本開示の第2の形態によれば、印刷装置に着脱可能な消耗品が提供される。この消耗品は、上記形態の不揮発性メモリーを備える。
この形態によれば、書き込み対象のメモリーセルへの書き込み処理が失敗したことを印刷装置によって容易に判定できる消耗品を提供できる。
(4) According to the second aspect of the present disclosure, a removable consumable is provided for the printing apparatus. This consumable includes the above-mentioned form of non-volatile memory.
According to this form, it is possible to provide a consumable that can be easily determined by the printing apparatus that the writing process to the memory cell to be written has failed.
(5)本開示の第3の形態によれば、印刷装置が提供される。この印刷装置は、上記形態の不揮発性メモリーを備える消耗品を着脱可能な装着部と、前記対象メモリーセルに前記データを書き込む書き込み処理を実行させるライトコマンドを送信する装置側制御部と、を備え、前記装置側制御部は、前記不揮発性メモリーから受信した前記書き込み動作回数が、予め定めた閾値以上である場合、前記対象メモリーセルが劣化していると判定する。
この形態によれば、不揮発性メモリーから受信した書き込み動作回数を用いて対象メモリーセルが劣化しているか否かを容易に判定できる。
(5) According to the third aspect of the present disclosure, a printing apparatus is provided. This printing device includes a mounting unit for attaching and detaching consumables having the above-mentioned non-volatile memory, and a device-side control unit for transmitting a write command for executing a writing process for writing the data to the target memory cell. When the number of writing operations received from the non-volatile memory is equal to or greater than a predetermined threshold value, the device-side control unit determines that the target memory cell has deteriorated.
According to this form, it can be easily determined whether or not the target memory cell is deteriorated by using the number of writing operations received from the non-volatile memory.
(6)本開示の第4の形態によれば、印刷装置が提供される。この印刷装置は、上記形態の不揮発性メモリーを備える消耗品を着脱可能な装着部と、前記対象メモリーセルに前記データを書き込む書き込み処理を実行させるライトコマンドを送信する装置側制御部と、前記ライトコマンドごとに実行される前記書き込み処理の前記書き込み動作回数を累積した累積回数を記憶する装置側記憶部と、を備え、前記装置側制御部は、前記ライトコマンドの送信回数に対する、前記累積回数の割合が、予め定めた値以上である場合、前記対象メモリーセルが劣化していると判定する。
この形態によれば、不揮発性メモリーから受信した書き込み動作回数と、ライトコマンドの送信回数に対する累積回数の割合とを用いて対象メモリーセルが劣化しているか否かを容易に判定できる。
(6) According to the fourth aspect of the present disclosure, a printing apparatus is provided. This printing device includes a mounting unit for attaching and detaching consumables having the above-mentioned non-volatile memory, a device-side control unit for transmitting a write command for executing a write process for writing the data to the target memory cell, and the write. A device-side storage unit that stores the cumulative number of times the write operation of the write process is executed for each command is provided, and the device-side control unit has the cumulative number of times with respect to the number of times the write command is transmitted. When the ratio is equal to or higher than a predetermined value, it is determined that the target memory cell has deteriorated.
According to this form, it can be easily determined whether or not the target memory cell is deteriorated by using the number of write operations received from the non-volatile memory and the ratio of the cumulative number of times to the number of times the write command is transmitted.
(7)本開示の第5の形態によれば、印刷装置が提供される。この印刷装置は、上記形態の不揮発性メモリーを備える消耗品と、前記消耗品を装着可能な装着部と、前記対象メモリーセルに前記データを書き込む書き込み処理を実行させるライトコマンドを送信する装置側制御部と、前記ライトコマンドごとに実行される前記書き込み処理の前記書き込み動作回数を累積した累積回数を記憶する装置側記憶部と、を備え、前記装置側制御部は、前記不揮発性メモリーから受信した前記書き込み動作回数が、予め定めた閾値以上であり、かつ、前記ライトコマンドの送信回数に対する、前記累積回数の割合が、予め定めた値以上である場合に、前記対象メモリーセルが劣化していると判定する。
この形態によれば、不揮発性メモリーから受信した書き込み動作回数と、ライトコマンドの送信回数に対する累積回数の割合とを用いて対象メモリーセルが劣化しているか否かを容易に判定できる。
(7) According to the fifth aspect of the present disclosure, a printing apparatus is provided. This printing device is a device-side control that transmits a consumable unit having the above-mentioned non-volatile memory, a mounting unit on which the consumable item can be mounted, and a write command for executing a write process for writing the data to the target memory cell. The device-side control unit includes a unit and a device-side storage unit that stores the cumulative number of times of the write operation of the write process executed for each write command, and the device-side control unit receives from the non-volatile memory. The target memory cell is deteriorated when the number of write operations is equal to or higher than a predetermined threshold value and the ratio of the cumulative number of times to the number of transmissions of the write command is equal to or higher than a predetermined value. Is determined.
According to this form, it can be easily determined whether or not the target memory cell is deteriorated by using the number of write operations received from the non-volatile memory and the ratio of the cumulative number of times to the number of times the write command is transmitted.
(8)上記形態において、前記装置側制御部は、前記対象メモリーセルが劣化していると判定した後に前記書き込み処理を前記メモリー制御部に実行させる場合には、劣化していると判定した前記対象メモリーセルとは異なる前記メモリーセルに対して前記書き込み処理を実行させてもよい。
この形態によれば、装置側制御部は劣化していると判定した対象メモリーセルとは異なるメモリーセルに対して書き込み処理を実行させることができる。
(8) In the above embodiment, when the device-side control unit determines that the target memory cell is deteriorated and then causes the memory control unit to execute the write process, the device-side control unit determines that the memory cell is deteriorated. The writing process may be executed on the memory cell different from the target memory cell.
According to this embodiment, the device-side control unit can execute the write process on a memory cell different from the target memory cell determined to be deteriorated.
本開示は、上記形態の他に、不揮発性メモリーの製造方法、不揮発性メモリーの劣化判定方法、消耗品と印刷装置とを備える印刷システムなどの形態で実現することができる。 In addition to the above embodiments, the present disclosure can be realized in the form of a method for manufacturing a non-volatile memory, a method for determining deterioration of the non-volatile memory, a printing system including consumables and a printing device, and the like.
4…装着部、5…印刷ヘッド、6…インク導入部、20,20a…印刷装置、22…モーター、26…プラテン、30…キャリッジ、32…キャリッジモーター、34…摺動軸、36…駆動ベルト、38…プーリ、40…主制御部、46…バス、50…中継部、65…装着室、70…操作部、80…コネクター、85…制御部、90…コンピューター、100、100A~100F…インクカートリッジ、101…本体、101wb…底壁、101wf…前壁、104…インク供給口、104f…フィルム、104op…開口、110…インク検出用部材、120…メモリー基板、120fa…表面、120fb…裏面、122…穴、130,130A~130F…メモリー、136…メモリー制御部、138…メモリーセル、139…レジスター、139a…消去レジスター、139b…書き込みレジスター、150…インク室、210…装着検出端子群、211…第1検出端子、212…第2検出端子、213…第3検出端子、214…第4検出端子、230…メモリー端子群、231…リセット端子、232…クロック端子、233…電源端子、234…接地端子、235…データ端子、290…端子群、301…スリット、400…接続機構、403,403A~403I…接点形成部材、405…端子保持部、411,412,413,414,431,432,433,434,435…装置端子、411a,412a,413a,414a,431a,432a,433a,434a,435a…中継端子、415…CPU、416…メモリー通信部、417,417a…劣化判定部、418…装着判定部、420…本体メモリー、422…テーブル、440…電源、441…第1電源、442…第2電源、490…装置端子、495…表示パネル、500…副制御基板、511,512,513,514,531,532,533,534,535,590…基板端子、1000…印刷システム、FD…第1方向、LM1…第1検出信号線、LM2…第2検出信号線、LM3…第3検出信号線、LM4…第4検出信号線、LRST…リセット信号線、LSCK…クロック信号線、LSDA…データ信号線、LVDD…電源信号線、LVSS…接地信号線、MD…装着方向、PA…印刷媒体、Pr1…突起、R1…第1列、R2…第2列、SD…第2方向、VDD…第1電源電圧、VHV…第2電源電圧、WC…ライトコマンド、cp…接点 4 ... Mounting part, 5 ... Print head, 6 ... Ink introduction part, 20, 20a ... Printing device, 22 ... Motor, 26 ... Platen, 30 ... Carriage, 32 ... Carriage motor, 34 ... Sliding shaft, 36 ... Drive belt , 38 ... pulley, 40 ... main control unit, 46 ... bus, 50 ... relay unit, 65 ... mounting room, 70 ... operation unit, 80 ... connector, 85 ... control unit, 90 ... computer, 100, 100A-100F ... ink Cartridge, 101 ... Main body, 101wb ... Bottom wall, 101wf ... Front wall, 104 ... Ink supply port, 104f ... Film, 104op ... Opening, 110 ... Ink detection member, 120 ... Memory substrate, 120fa ... Front side, 120fb ... Back side, 122 ... hole, 130, 130A to 130F ... memory, 136 ... memory control unit, 138 ... memory cell, 139 ... register, 139a ... erase register, 139b ... write register, 150 ... ink chamber, 210 ... mounting detection terminal group, 211. ... 1st detection terminal, 212 ... 2nd detection terminal, 213 ... 3rd detection terminal, 214 ... 4th detection terminal, 230 ... Memory terminal group, 231 ... Reset terminal, 232 ... Clock terminal, 233 ... Power supply terminal, 234 ... Ground terminal, 235 ... Data terminal, 290 ... Terminal group, 301 ... Slit, 400 ... Connection mechanism, 403,403A to 403I ... Contact forming member, 405 ... Terminal holder, 411,421,413,414,431,432 433,434,435 ... Device terminal, 411a, 421a, 413a, 414a, 431a, 432a, 433a, 434a, 435a ... Relay terminal, 415 ... CPU, 416 ... Memory communication unit, 417, 417a ... Deterioration determination unit, 418 ... Mounting determination unit, 420 ... Main unit memory, 422 ... Table, 440 ... Power supply, 441 ... First power supply, 442 ... Second power supply, 490 ... Device terminal, 495 ... Display panel, 500 ... Sub-control board, 511,512,513 , 514,531,532,533,534,535,590 ... Board terminal, 1000 ... Printing system, FD ... 1st direction, LM1 ... 1st detection signal line, LM2 ... 2nd detection signal line, LM3 ... 3rd detection Signal line, LM4 ... 4th detection signal line, LRST ... Reset signal line, LSCK ... Clock signal line, LSDA ... Data signal line, L VDD ... Power supply signal line, LVSS ... Ground signal line, MD ... Mounting direction, PA ... Print medium , Pr1 ... Protrusion, R1 ... 1st row, R2 ... 2nd row, SD ... 2nd direction, VDD ... 1st power supply voltage, VHV ... 2nd power supply voltage, W C ... write command, cp ... contact
Claims (8)
前記データを記憶する複数のメモリーセルと、
前記データを前記メモリーセルに書き込む書き込み処理を実行するメモリー制御部と、
前記メモリー制御部の書き込み処理において、書き込み対象の前記メモリーセルである対象メモリーセルに前記データを書き込む場合の書き込み動作回数を記憶する記憶部と、を備え、
前記メモリー制御部は、前記書き込み処理において、
(A)前記対象メモリーセルへ前記データを書き込むときに、前記記憶部が記憶する前記書き込み動作回数を1つ加算し、
(B)前記書き込みが失敗したと判定した場合、前記記憶部の前記書き込み動作回数を参照し、前記書き込み動作回数が予め定めた規定回数以上であるか否かを判定し、
(C)前記書き込み動作回数が前記規定回数以上であると判定した場合、前記書き込み処理の中止を表す中止信号を前記印刷装置に送信し、
(D)前記書き込み動作回数が前記規定回数以上ではないと判定した場合、再び前記(A)以降を再び実行する、不揮発性メモリー。 It is a non-volatile memory that is installed in consumables that can be attached to and detached from the printing device and stores data.
A plurality of memory cells for storing the data and
A memory control unit that executes a write process for writing the data to the memory cell,
In the writing process of the memory control unit, a storage unit for storing the number of writing operations when the data is written to the target memory cell, which is the memory cell to be written, is provided.
The memory control unit is in the writing process.
(A) When writing the data to the target memory cell, the number of times of the writing operation stored by the storage unit is added by one.
(B) When it is determined that the writing has failed, the number of writing operations in the storage unit is referred to, and it is determined whether or not the number of writing operations is equal to or more than a predetermined number of times.
(C) When it is determined that the number of times of the writing operation is equal to or more than the specified number of times, a stop signal indicating the cancellation of the writing process is transmitted to the printing device.
(D) A non-volatile memory for executing the (A) and subsequent operations again when it is determined that the number of writing operations is not equal to or greater than the specified number of times.
前記書き込み処理は、前記対象メモリーセルに前記データとしての消去データを書き込む第1処理と、前記第1処理の後に実行され、前記データとしての書き込み対象である対象データを前記対象メモリーセルに書き込む第2処理とを含み、
前記メモリー制御部は、前記書き込み処理のうち前記第1処理と前記第2処理との少なくとも一方を実行する場合に、前記(A)~前記(D)を実行する、不揮発性メモリー。 The non-volatile memory according to claim 1.
The write process is executed after the first process of writing the erased data as the data to the target memory cell and the first process, and the target data to be written as the data is written to the target memory cell. Including 2 processes
The memory control unit is a non-volatile memory that executes the above (A) to the above (D) when at least one of the first processing and the second processing of the writing processing is executed.
前記メモリー制御部は、前記印刷装置から前記記憶部に記憶された前記書き込み動作回数を読み出すコマンドを受信した場合、前記記憶部に記憶された前記書き込み動作回数を前記印刷装置に出力する、不揮発性メモリー。 The non-volatile memory according to claim 1 or 2.
When the memory control unit receives a command from the printing device to read the number of writing operations stored in the storage unit, the memory control unit outputs the number of writing operations stored in the storage unit to the printing device, which is non-volatile. memory.
請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の不揮発性メモリーを備える、消耗品。 It is a consumable item that can be attached to and detached from the printing device.
A consumable item comprising the non-volatile memory according to any one of claims 1 to 3.
請求項3に記載の不揮発性メモリーを備える消耗品を着脱可能な装着部と、
前記対象メモリーセルに前記データを書き込む書き込み処理を実行させるライトコマンドを送信する装置側制御部と、を備え、
前記装置側制御部は、前記不揮発性メモリーから受信した前記書き込み動作回数が、予め定めた閾値以上である場合、前記対象メモリーセルが劣化していると判定する、印刷装置。 It ’s a printing device.
A mounting portion to which the consumables provided with the non-volatile memory according to claim 3 can be attached and detached, and
A device-side control unit for transmitting a write command for executing a write process for writing the data to the target memory cell is provided.
The device-side control unit is a printing device that determines that the target memory cell has deteriorated when the number of write operations received from the non-volatile memory is equal to or greater than a predetermined threshold value.
請求項3に記載の不揮発性メモリーを備える消耗品を着脱可能な装着部と、
前記対象メモリーセルに前記データを書き込む書き込み処理を実行させるライトコマンドを送信する装置側制御部と、
前記ライトコマンドごとに実行される前記書き込み処理の前記書き込み動作回数を累積した累積回数を記憶する装置側記憶部と、を備え、
前記装置側制御部は、前記ライトコマンドの送信回数に対する、前記累積回数の割合が、予め定めた値以上である場合、前記対象メモリーセルが劣化していると判定する、印刷装置。 It ’s a printing device.
A mounting portion to which the consumables provided with the non-volatile memory according to claim 3 can be attached and detached, and
A device-side control unit that sends a write command to execute a write process for writing the data to the target memory cell, and a control unit on the device side.
A device-side storage unit that stores the cumulative number of times of the write operation of the write process executed for each write command is provided.
The device-side control unit determines that the target memory cell has deteriorated when the ratio of the cumulative number of times to the transmission number of the write command is equal to or higher than a predetermined value.
請求項3に記載の不揮発性メモリーを備える消耗品と、
前記消耗品を装着可能な装着部と、
前記対象メモリーセルに前記データを書き込む書き込み処理を実行させるライトコマンドを送信する装置側制御部と、
前記ライトコマンドごとに実行される前記書き込み処理の前記書き込み動作回数を累積した累積回数を記憶する装置側記憶部と、を備え、
前記装置側制御部は、前記不揮発性メモリーから受信した前記書き込み動作回数が、予め定めた閾値以上であり、かつ、前記ライトコマンドの送信回数に対する、前記累積回数の割合が、予め定めた値以上である場合に、前記対象メモリーセルが劣化していると判定する、印刷装置。 It ’s a printing device.
Consumables having the non-volatile memory according to claim 3 and
A mounting part on which the consumables can be mounted and
A device-side control unit that sends a write command to execute a write process for writing the data to the target memory cell, and a control unit on the device side.
A device-side storage unit that stores the cumulative number of times of the write operation of the write process executed for each write command is provided.
In the device-side control unit, the number of writing operations received from the non-volatile memory is equal to or greater than a predetermined threshold value, and the ratio of the cumulative number of times to the number of transmissions of the write command is equal to or greater than a predetermined value. If, the printing device determines that the target memory cell has deteriorated.
前記装置側制御部は、前記対象メモリーセルが劣化していると判定した後に前記書き込み処理を前記メモリー制御部に実行させる場合には、劣化していると判定した前記対象メモリーセルとは異なる前記メモリーセルに対して前記書き込み処理を実行させる、印刷装置。 The printing apparatus according to any one of claims 5 to 7.
When the device-side control unit determines that the target memory cell is deteriorated and then causes the memory control unit to execute the write process, the device-side control unit is different from the target memory cell determined to be deteriorated. A printing device that causes a memory cell to execute the writing process.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020134934A JP2022030735A (en) | 2020-08-07 | 2020-08-07 | Nonvolatile memory, consumables, and printer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020134934A JP2022030735A (en) | 2020-08-07 | 2020-08-07 | Nonvolatile memory, consumables, and printer |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022030735A true JP2022030735A (en) | 2022-02-18 |
Family
ID=80324279
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020134934A Pending JP2022030735A (en) | 2020-08-07 | 2020-08-07 | Nonvolatile memory, consumables, and printer |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2022030735A (en) |
-
2020
- 2020-08-07 JP JP2020134934A patent/JP2022030735A/en active Pending
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