JP2022024991A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】反射率を高めることができる横電界モードの反射型又は半透過型液晶表示装置を提供する。【解決手段】第一の基板と、第一の配向層と、電圧無印加時に水平配向する液晶分子を含む液晶層と、第二の配向層と、画素電極及び共通電極を有する第二の基板と、をこの順に備え、かつ上記第一の配向層、上記液晶層、上記第二の配向層、上記画素電極及び上記共通電極よりも背面側であって画素の少なくとも一部に設けられた反射層を備え、上記第一の配向層及び上記第二の配向層の少なくとも一方の配向層は、方位角アンカリングエネルギーが１×１０－４Ｊ／ｍ２未満である液晶表示装置。【選択図】図２

Description

以下の開示は、液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は、表示のために液晶組成物を利用する表示装置であり、その代表的な表示方式は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を備えるＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して配置される対向基板との間に封入された液晶層に対して光を照射し、液晶層に含まれる液晶分子に対して電圧を印加して液晶分子の配向状態を変化させることにより、光の透過量を制御するものである。液晶層への印加電圧が閾値電圧未満（電圧無印加を含む）のときには、主に、ＴＦＴ基板及び対向基板の液晶層側にそれぞれ設けられた配向膜の働きによって、液晶層中の液晶分子の配向が制御される。

液晶表示装置は、液晶層への光の透過方法により、反射型と透過型に大別される。透過型液晶表示装置は、バックライトユニットを備え、バックライトユニットから出射された光が液晶層を透過することで表示を行う。透過型液晶表示装置は、装置内に光源を有するため、暗い環境下でも視認性がよい。一方、反射型液晶表示装置は、画素の少なくとも一部に設けられた反射層を有し、外部からの入射光を反射層で反射し、反射光が液晶層を透過することで表示を行う。反射型液晶表示装置は、バックライトユニットを必要としないため、低消費電力化、薄型化、軽量化が達成できる。また、近年、室内での視認性だけでなく、外光視認性も考慮し、反射型と透過型の両方の利点を併せもつ液晶表示装置として、半透過型液晶表示装置が提案されている。

反射型液晶表示装置や半透過型液晶表示装置に関する技術として、例えば、特許文献１～４が挙げられる。特許文献１には、第１の基板に強アンカリングの配向膜が設けられたマスター基板と、第２の基板に弱アンカリングの配向膜が設けられたスレーブ基板とがそれぞれの配向膜側が対向配置され、これら配向膜間にネマティック液晶層が挟持されてなる液晶セルが備えられ、駆動電圧に応じて液晶層の液晶分子の配列が双安定状態のうちいずれかの状態に制御されるようにした液晶表示装置であって、マスター基板側にカラーフィルタと反射体が設けられた双安定型ネマティック液晶表示装置が開示されている。

特許文献２には、対向配置された一対の基板に封止され、光又は熱により重合する重合性成分を含有する液晶と、一方の上記基板上に配置された反射電極と、上記液晶に電圧を印加しながら上記重合性成分を重合して上記反射電極上に形成した、液晶分子にプレチルト角を付与するポリマー層とを有する反射型液晶表示装置が開示されている。

特許文献３には、信号電極と共通電極とを有してマトリクス状に配列された複数の画素を有し、上記各画素が透過部と反射部とを備えた液晶表示装置であって、上記画素は、互いに液晶配向方向が異なる第一の液晶配向領域と第二の液晶配向領域とを有し、上記第一の液晶配向領域と上記第二の液晶配向領域とは上記画素内で互いに隣接しており、上記互いに隣接している上記第一の液晶配向領域と上記第二の液晶配向領域の間に、上記第一の液晶配向領域と上記第二の液晶配向領域の液晶配向方向が連続する如く変化する境界領域を有し、上記第一の液晶配向領域は上記透過部よりも広く、上記第二の液晶配向領域は上記反射部よりも狭い液晶表示装置が開示されている。

特許文献４には、反射電極、上記反射電極と対向して設けられる対向電極、上記対向電極の上記反射電極と対向する側とは反対側に設けられるカラーフィルタ、及び、階調表現に応じた電位を保持する保持部を含む複数の分割画素と、上記カラーフィルタよりも上記対向電極側に設けられて、光を照射する無機発光体と、を備える、表示装置が開示されている。

特開２００５－１７３２０９号公報 特開２００３－１７７４１８号公報 特開２００９－１６２８３７号公報 国際公開第２０２０／２３０５７１号公報

観察面側からの光を装置内部の反射層で反射し、液晶層に反射光を透過させることにより表示を行う反射型液晶表示装置や半透過型液晶表示装置では、印加電圧に応じて液晶層の面内位相差（以下、単に位相差ともいう。）をゼロ～１／４波長の間で変調することで、光の反射率をコントロールしている。

ここで、液晶表示装置は、液晶層の液晶分子の配向を変化させるための電界の印加方向により、大きくは次の二通りに分類される。すなわち、第一の分類として、表示装置（液晶層）の厚さ方向（あるいは面外方向）に電界が印加される、縦電界モードがある。縦電界モードには、例えばＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モードや、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード等がある。また、第二の分類として、表示装置（液晶層）の平面方向（あるいは面内方向）に電界が印加される、横電界モードがある。横電界モードには、例えばＩＰＳ（Ｉｎ－Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードや、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード等がある。

縦電界モードでは、液晶層を挟持する一対の基板間に発生する一様な電界によって液晶分子の配向変化をおこすため、電圧印加時の液晶分子の配向も画素面内で一様である。そのため、液晶層の位相差Δｎｄも面内で一様となり、液晶層の位相差Δｎｄの変調幅も大きい。したがって、縦電界モードの反射型液晶表示装置や半透過型液晶表示装置では、充分な反射率が得られる。

一方、横電界モードでは、液晶層を挟持する一対の基板のうち一方の基板に設けられた共通電極及び画素電極間で発生する横電界（ＦＦＳモードでは特にフリンジ電界）により液晶分子の配向変化を起こす。従来のＦＦＳモードの液晶表示装置である比較形態の液晶表示装置を例に挙げて、横電界モードについてより具体的に説明する。図４９は、比較形態の液晶表示装置における液晶分子の配向状態を計算したシミュレーション結果である。図４９に示すように、比較形態の液晶表示装置１Ｒは、第一の基板１００と、液晶分子３１０を有する液晶層３００と、絶縁基板５１０、共通電極５４０及び画素電極５６０を有する第二の基板５００と、を備える。

比較形態の液晶表示装置１Ｒでは、第二の基板５００に設けられた共通電極５４０及び画素電極５６０間で発生するフリンジ電界により液晶分子３１０の配向変化を起こすため、図４９の破線で囲まれた領域に示すように主に第二の基板５００側の電極付近の液晶分子３１０しか駆動せず、電圧印加時の液晶分子３１０の配向は厚み方向にも面内方向にも分布を持つ。そのため、横電界モードの液晶表示装置である比較形態の液晶表示装置１Ｒは、液晶層３００の位相差Δｎｄの変調幅が縦電界モードよりも小さくなる。したがって、従来の横電界モード（例えば、ＦＦＳモード）の反射型及び半透過型液晶表示装置の反射率は、縦電界モードの反射型及び半透過型液晶表示装置の反射率に比べて低くなる。

上記特許文献１～４では、いずれも、横電界モードの反射型又は半透過型液晶表示装置において、反射率を高めることは検討されていない。

本発明は上記現状に鑑みてなされたものであり、反射率を高めることができる横電界モードの反射型又は半透過型液晶表示装置を提供することを目的とするものである。

（１）本発明の一実施形態は、第一の基板と、第一の配向層と、電圧無印加時に水平配向する液晶分子を含む液晶層と、第二の配向層と、画素電極及び共通電極を有する第二の基板と、をこの順に備え、かつ上記第一の配向層、上記液晶層、上記第二の配向層、上記画素電極及び上記共通電極よりも背面側であって画素の少なくとも一部に設けられた反射層を備え、上記第一の配向層及び上記第二の配向層の少なくとも一方の配向層は、方位角アンカリングエネルギーが１×１０^－４Ｊ／ｍ^２未満である、液晶表示装置。

（２）また、本発明のある実施形態は、上記（１）の構成に加え、上記第一の配向層は、方位角アンカリングエネルギーが１×１０^－４Ｊ／ｍ^２未満であり、上記第二の配向層は、方位角アンカリングエネルギーが１×１０^－４Ｊ／ｍ^２以上である、液晶表示装置。

（３）また、本発明のある実施形態は、上記（２）の構成に加え、上記第一の配向層は、方位角アンカリングエネルギーが１×１０^－５Ｊ／ｍ^２未満である、液晶表示装置。

（４）また、本発明のある実施形態は、上記（２）又は上記（３）の構成に加え、上記画素は、上記反射層が設けられた反射領域と、上記反射層が設けられていない透過領域とを有し、上記液晶層は、上記透過領域における位相差が２２０ｎｍ以上、３２０ｎｍ以下である、液晶表示装置。

（５）また、本発明のある実施形態は、上記（２）、上記（３）又は上記（４）の構成に加え、更に、λ／４板を備え、上記第一の配向層の配向方位は、上記第二の配向層の配向方位と平行であり、上記液晶層は、上記反射層に重畳する領域における位相差が８０ｎｍ以上、１８０ｎｍ以下である、液晶表示装置。

（６）また、本発明のある実施形態は、上記（１）の構成に加え、上記第二の配向層は、方位角アンカリングエネルギーが１×１０^－４Ｊ／ｍ^２未満であり、上記第一の配向層は、方位角アンカリングエネルギーが１×１０^－４Ｊ／ｍ^２以上である、液晶表示装置。

（７）また、本発明のある実施形態は、上記（６）の構成に加え、上記第二の配向層は、方位角アンカリングエネルギーが１×１０^－５Ｊ／ｍ^２未満である、液晶表示装置。

（８）また、本発明のある実施形態は、上記（６）又は上記（７）の構成に加え、更に、λ／４板を備え、上記第一の配向層の配向方位は、上記第二の配向層の配向方位と平行であり、上記液晶層は、上記反射層に重畳する領域における位相差が１３０ｎｍ以上、２３０ｎｍ以下である、液晶表示装置。

（９）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）、上記（４）、上記（５）、上記（６）、上記（７）又は上記（８）の構成に加え、上記第一の配向層の配向方位は、上記第二の配向層の配向方位と平行であり、上記液晶層は、上記反射層に重畳する領域における位相差が１３０ｎｍ以上、１４５ｎｍ以下である、液晶表示装置。

（１０）本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）、上記（４）、上記（６）又は上記（７）の構成に加え、上記第一の配向層の配向方位は、上記第二の配向層の配向方位と平行ではなく、上記液晶層は、上記反射層に重畳する領域における位相差が２４０ｎｍ以上、２６０ｎｍ以下である、液晶表示装置。

（１１）また、本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）、上記（４）、上記（５）、上記（６）、上記（７）、上記（８）、上記（９）又は上記（１０）の構成に加え、上記第二の基板は、更に、カラーフィルタを備える、液晶表示装置。

（１２）また、本発明のある実施形態は、上記（１１）の構成に加え、上記第一の配向層及び上記第二の配向層の少なくとも一方は、シクロブタン基、アゾベンゼン基、カルコン基、シンナメート基、クマリン基、スチルベン基、フェノールエステル基及びフェニルベンゾエート基から選択される少なくとも一種の第一の光官能基と、アクリレート基、メタクリレート基、シンナモイル基、クマリン基、ビニル基、アリル基、スチリル基及びマレイミド基から選択される少なくとも一種の第二の光官能基と、を有するポリマーを含み、上記液晶層は、アクリレート基、メタクリレート基、シンナモイル基、クマリン基、ビニル基、アリル基、スチリル基及びマレイミド基からなる群より選択される少なくとも一種の基を有する添加剤を含む、液晶表示装置。

（１３）本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）、上記（４）、上記（５）、上記（６）、上記（７）、上記（８）、上記（９）、上記（１０）、上記（１１）又は上記（１２）の構成に加え、更に、λ／２板を備える、液晶表示装置。

（１４）本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）、上記（４）、上記（５）、上記（６）、上記（７）、上記（８）、上記（９）、上記（１０）、上記（１１）、上記（１２）又は上記（１３）の構成に加え、更に、λ／４板を備える、液晶表示装置。

（１５）本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）、上記（４）、上記（５）、上記（６）、上記（７）、上記（８）、上記（９）、上記（１０）、上記（１１）、上記（１２）、上記（１３）又は上記（１４）の構成に加え、上記画素は、複数の副画素を有する、液晶表示装置。

（１６）本発明のある実施形態は、上記（１）、上記（２）、上記（３）、上記（４）、上記（５）、上記（６）、上記（７）、上記（８）、上記（９）、上記（１０）、上記（１１）、上記（１２）、上記（１３）、上記（１４）又は上記（１５）の構成に加え、上記画素は、メモリ回路を備える、液晶表示装置。

本発明によれば、反射率を高めることができる横電界モードの反射型又は半透過型液晶表示装置を提供することができる。

実施形態１の液晶表示装置の平面模式図である。 図１のＡ１－Ａ２線に沿った断面模式図である。 実施形態１の液晶表示装置における液晶分子の配向状態を計算したシミュレーション結果である。 実施形態２の液晶表示装置の平面模式図である。 図４のＡ１－Ａ２線に沿った断面模式図である。 実施形態３の液晶表示装置の平面模式図である。 図６のＡ１－Ａ２線に沿った断面模式図である。 変形例１の液晶表示装置の平面模式図である。 図８のＢ１－Ｂ２線に沿った断面模式図である。 変形例１－１、１－２、及び、従来のＦＦＳモードの透過型液晶表示装置の、透過領域における液晶層の位相差に対する透過率を示すグラフである。 変形例３の液晶表示装置の断面模式図の一例であり、実施形態１～３においてλ／２板を配置せず、λ／４板を配置した場合を示す。 変形例３の液晶表示装置の偏光板の透過軸方位、第一及び第二の配向層の配向方位、並びに、λ／４板の遅相軸方位の一例を示す図である。 変形例３－１の液晶表示装置及び従来のＦＦＳモードの反射型液晶表示装置の、液晶層の位相差に対する反射率をプロットしたグラフである。 変形例４の液晶表示装置の断面模式図である。 変形例４の液晶表示装置の偏光板の透過軸方位、第一及び第二の配向層の配向方位の一例を示す図である。 変形例５の液晶表示装置の断面模式図の一例であり、実施形態１においてカラーフィルタ層を第一の基板側に配置した場合を示す。 変形例８の液晶表示装置の断面模式図の一例であり、実施形態１～３の部材を逆の順序で配置した場合を示す。 弱アンカリングの配向層を備える横電界モードの液晶表示装置のＶＲ特性を示すグラフである。 変形例１０の液晶表示装置の中間階調の表示について説明する模式図である。 液晶表示装置のＶＲ特性を示すグラフにおいて白表示及び黒表示について説明する図である。 変形例１０の液晶表示装置の画素について説明する模式図である。 変形例１０の液晶表示装置の画素の階調について説明する模式図である。 変形例１０の液晶表示装置の画素の回路構成の一例を簡易的に示す回路図である。 変形例１０の液晶表示装置の画素の回路構成の一例を具体的に示す回路図である。 変形例１０の液晶表示装置の駆動に用いられる各信号電圧および液晶層に印加される電圧の模式的な波形図の一例である。 変形例１０の液晶表示装置の画素の回路構成の一例を示す回路図である。 変形例１０の液晶表示装置の駆動に用いられる各信号電圧および液晶層に印加される電圧の模式的な波形図の一例である。 実施例１の液晶表示装置の平面模式図である。 実施例１の液晶表示装置の断面模式図である。 実施例１及び２の液晶表示装置の偏光板の透過軸方位、並びに、第一及び第二の配向層の配向方位を示す図である。 実施例２の液晶表示装置の断面模式図である。 実施例３の液晶表示装置の断面模式図である。 実施例３及び４の液晶表示装置の偏光板の透過軸方位、第一及び第二の配向層の配向方位、並びに、λ／２板の遅相軸方位を示す図である。 実施例４の液晶表示装置の断面模式図である。 比較例の液晶表示装置の断面模式図である。 比較例の液晶表示装置の偏光板の透過軸方位、第一及び第二の配向層の配向方位、並びに、λ／２板の遅相軸方位を示す図である。 比較例の液晶表示装置における液晶分子の配向状態を計算したシミュレーション結果である。 実施例３の液晶表示装置における液晶分子の配向状態を計算したシミュレーション結果である。 実施例４の液晶表示装置における液晶分子の配向状態を計算したシミュレーション結果である。 実施例３、４及び比較例の液晶表示装置における液晶分子の変位角の大きさを液晶層の厚さ方向に対して計算したシミュレーション結果の図である。 実施例３、４及び比較例の液晶表示装置のＶＲ特性を示すグラフである。 実施例５の液晶表示装置の断面模式図である。 実施例５の液晶表示装置の偏光板の透過軸方位、第一及び第二の配向層の配向方位、並びに、λ／２板の遅相軸方位を示す図である。 実施例６の液晶表示装置の断面模式図である。 実施例６の液晶表示装置の偏光板の透過軸方位、第一及び第二の配向層の配向方位、並びに、λ／２板の遅相軸方位を示す図である。 実施例１～６、比較例及び参考例の液晶表示装置のＶＲ特性を示すグラフである。 実施例７の液晶表示装置の断面模式図である。 ＭＩＰ型液晶表示装置のＶＲ特性を示すグラフである。 比較形態の液晶表示装置における液晶分子の配向状態を計算したシミュレーション結果である。

以下、本発明の実施形態について説明する。本発明は、以下の実施形態に記載された内容に限定されるものではなく、本発明の構成を充足する範囲内で、適宜設計変更を行うことが可能である。なお、実施形態に記載された各構成は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜組み合わされてもよいし、変更されてもよい。

＜実施形態１＞
図１は、実施形態１の液晶表示装置の平面模式図である。図２は、図１のＡ１－Ａ２線に沿った断面模式図である。図３は、実施形態１の液晶表示装置における液晶分子の配向状態を計算したシミュレーション結果である。本実施形態の液晶表示装置１は、図１に示すように、第二の基板上に、互いに平行に延設された複数のゲート線５０１と、絶縁膜を介して各ゲート線５０１と交差する方向に互いに平行に延設された複数のソース線５０２と、を有する。複数のゲート線５０１及び複数のソース線５０２は、各画素１ＰＸを区画するように全体として格子状に形成されている。各ゲート線５０１と各ソース線５０２との交点には薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）５０３が配置されている。互いに隣接する２本のゲート線５０１と互いに隣接する２本のソース線５０２とに囲まれた各領域には画素電極５６０が配置されている。

ＴＦＴ５０３は、ゲート線５０１から延伸されたゲート電極５０５と、ソース線５０２から延伸されたソース電極５０６と、半導体層５０７と、半導体層５０７上に設けられ、かつ、ソース電極５０６と対向するように配置されたドレイン電極５０８と、から構成される。ドレイン電極５０８は、絶縁膜５５０、共通電極５４０、平坦化膜５３０及びカラーフィルタ層１ＣＦに設けられたコンタクトホール５０９を介して、画素電極５６０と電気的に接続される。なお、反射層５２０は、ドレイン電極５０８と画素電極５６０との接続部には配置されていない。

本実施形態の液晶表示装置１は、図２及び図３に示すように、観察面側から背面側に向かって順に、直線偏光板１０と、λ／２板１１と、第一の基板１００と、第一の配向層２００と、電圧無印加時に水平配向する液晶分子３１０を含む液晶層３００と、第二の配向層４００と、第二の基板５００と、を備える。第二の基板５００はＴＦＴ５０３を備えるＴＦＴ基板であり、第一の基板１００は第二の基板５００に対向して配置される対向基板である。

第一の配向層２００は、方位角アンカリングエネルギーが１×１０^－４Ｊ／ｍ^２未満であり、第二の配向層４００は、方位角アンカリングエネルギーが１×１０^－４Ｊ／ｍ^２以上である。以下では、方位角アンカリングエネルギーが１×１０^－４Ｊ／ｍ^２未満である配向層を弱アンカリングの配向層ともいい、方位角アンカリングエネルギーが１×１０^－４Ｊ／ｍ^２以上である配向層を強アンカリングの配向層ともいう。

第二の基板５００は、背面側から観察面側に向かって順に、絶縁基板５１０と、画素１ＰＸの全面に設けられた反射層５２０と、カラーフィルタ層１ＣＦと、平坦化膜５３０と、共通電極５４０と、絶縁膜５５０と、スリットが設けられた画素電極５６０と、を備える。液晶表示装置１では、反射層５２０が設けられた反射領域Ｒにおいて、観察面側からの入射光が反射層５２０で反射され、反射光が液晶層３００を透過することで表示が行われる。すなわち、本実施形態の液晶表示装置１は、横電界モード（具体的には、ＦＦＳモード）の反射型液晶表示装置である。

ＦＦＳモードの反射型液晶表示装置である本実施形態の液晶表示装置１は、共通電極５４０及び画素電極５６０間に電圧が印加されていない電圧無印加状態では、観察面側から背面側に向かって直線偏光板１０を透過した直線偏光の光が、λ／２板１１及び水平配向した液晶層３００を通過し、円偏光となり反射層５２０へ到達する。反射層５２０に到達した光は、反射層５２０で反対の円偏光に変換され、入射時と逆の順序で液晶層３００及びλ／２板１１を通過し、入射時の直線偏光と直交する直線偏光となり、暗状態が実現される。

一方、共通電極５４０及び画素電極５６０間に電圧が印加された電圧印加状態では、液晶層３００の液晶分子３１０の配向が変化し、液晶層３００の面内位相差が変化する。直線偏光板１０を透過した直線偏光の光は、λ／２板１１及び液晶層３００を通過し、理想的には直線偏光となり、反射層５２０へ到達する。反射層５２０に到達した光は、反射層５２０で反射され、入射時と逆の順序で液晶層３００及びλ／２板１１を通過し、入射時の直線偏光と平行な直線偏光となり、明状態が実現される。

しかしながら、従来のＦＦＳモードの反射型液晶表示装置では、電圧印加状態での液晶層の位相差Δｎｄが充分に取れず、位相差層及び液晶層を通過して反射層へ到達する光は理想的な直線偏光ではなく、楕円偏光に近い。そのため、反射層で反射される光も楕円偏光に近く、充分な反射率を得ることができない。

上記比較形態の液晶表示装置１Ｒを例に挙げて、配向層のアンカリング力と反射率との関係について説明する。上記比較形態の液晶表示装置１Ｒは、第一の基板１００と液晶層３００との間、及び、第二の基板５００と液晶層３００との間にそれぞれ強アンカリングの配向層を有する。比較形態の液晶表示装置１Ｒでは、図４９の破線で囲まれた領域に示すように、液晶層３００の厚さに対して中央部より第二の基板５００側（共通電極５４０及び画素電極５６０が設けられた基板側）に液晶分子３１０の最大変位領域があり、第二の基板５００側に比べて第一の基板１００側の液晶分子３１０は可動し難い。その結果、液晶層３００の位相差Δｎｄの変調幅を面内で充分に大きくすることができず、高い反射率を得ることが困難である。

一方、本実施形態の液晶表示装置１では、第一の配向層２００は弱アンカリングの配向層である。このような態様とすることにより、共通電極５４０及び画素電極５６０が設けられた第二の基板５００側だけでなく、第一の基板１００側の液晶分子３１０も可動し易くなり、より広いエリアで液晶分子３１０を可動させることができる。その結果、図３の破線で囲まれた領域に示すように、上記比較形態の液晶表示装置１Ｒよりも広い領域で液晶分子３１０を回転させ、液晶層３００の位相差Δｎｄの変調幅を面内で比較的一様に大きくすることが可能となり、高い反射率を実現することができる。また、最大反射率を与える最適セル厚を薄く設定することができる。この点は、応答速度の点でも有利となる。

このようにして、本実施形態では、液晶層３００のΔｎｄの変調幅を大きくし、反射層５２０へ到達する光を直線偏光に近づけることにより反射率を高めることができる。なお、特開平１１－１４２８３６号公報に記載されている通り、反射層５２０上での偏光状態が任意の方位の直線偏光であれば明状態となり、反射層５２０上で右又は左の円偏光であれば暗状態となることが知られている。

また、本実施形態の液晶表示装置１は、横電界モードの液晶表示装置であるため、縦電界モードの液晶表示装置では搭載することが困難なインセル型タッチパネルの機能を搭載することもできる。インセルタッチパネルを備える液晶表示装置では、表示パネルの画素に設けられた電極がタッチパネル（Ｔｏｕｃｈ Ｐａｎｅｌ、以下、ＴＰとも略記する。）電極としても活用される。例えば、各画素に共通電圧を印加するための共通電極を分割し、各画素に表示用の信号である表示信号（データ信号）が書き込まれる書き込み期間の間は共通電極として、表示領域への指示体の接触及び近接の少なくとも一方を検出するセンシング期間の間はＴＰ電極として機能させることができる。一方、縦電界モードの液晶表示装置では、第一の基板側にベタ状の共通電極が配置されるため、共通電極がシールドとなりセンシングを行うことができない。縦電界モードでタッチパネルをインセル化するには、第一の基板側に共通電極とは別にセンシング用の複数の電極をパターニング及び積層して設ける必要があり、液晶素子が厚くなり、かつ、複雑化する。

以下、本実施形態について詳細を説明する。

液晶表示装置１は、ゲート線５０１に電気的に接続されたゲートドライバ、ソース線５０２に電気的に接続されたソースドライバ、及び、コントローラを備えている。ゲートドライバは、コントローラによる制御に基づいて、ゲート線５０１に走査信号を順次供給する。ソースドライバは、ＴＦＴ５０３が走査信号によって電圧印加状態となるタイミングで、コントローラによる制御に基づいてソース線５０２にデータ信号を供給する。画素電極５６０は各々、対応するＴＦＴ５０３を介して供給されるデータ信号に応じた電位に設定され、共通電極５４０及び画素電極５６０との間でフリンジ電界が発生し、液晶層３００の液晶分子３１０が回転する。このようにして共通電極５４０及び画素電極５６０との間に印加する電圧の大きさを制御し、液晶層３００のリタデーションを変化させ、光の透過、不透過を制御する。

第一の基板１００と液晶層３００との間、及び、第二の基板５００と液晶層３００との間には、それぞれ、液晶層３００に含まれる液晶分子３１０の配向を制御する機能を有する第一の配向層２００及び第二の配向層４００が配置されている。第一の配向層２００及び第二の配向層４００は、それぞれ、液晶層３００への電圧無印加時（液晶層３００への印加電圧が閾値電圧未満である場合）に、液晶層３００中の液晶分子３１０を第一の基板１００及び第二の基板５００の各々の主面に対して略平行に配向させる機能を有する。ここで、液晶分子が基板の主面に対して略平行に配向するとは、液晶分子のプレチルト角が、基板の主面に対して０～５°であることを意味し、好ましくは０°～２°、より好ましくは０°～１°であることを意味する。液晶分子のプレチルト角は、液晶層への電圧無印加時に、液晶分子の長軸が各基板の主面に対して傾斜する角度を意味する。

第一の配向層２００は、方位角アンカリングエネルギーが１×１０^－５Ｊ／ｍ^２未満であることが好ましい。このような態様とすることにより、第一の基板１００側の液晶分子３１０がより可動し易くなり、更に広いエリアで液晶分子３１０を可動させることができる。その結果、液晶層３００の位相差Δｎｄの変調幅を更に大きくすることが可能となり、反射率を更に高めることができる。また、最大反射率を与える最適セル厚をより薄く設定することができる。

第一の配向層２００の方位角アンカリングエネルギーの下限値は特に限定されないが、例えば、１×１０^－８Ｊ／ｍ^２以上である。

また、本実施形態の第二の配向層４００は、強アンカリングの配向層である。本実施形態の第二の基板５００は共通電極５４０及び画素電極５６０を備えるため、第一の基板１００側よりも第二の基板５００側の方が、電界強度が強い。本実施形態では、電界強度のより強い第二の基板５００側に強アンカリングの配向層である第二の配向層４００を設けることにより、焼付きを改善することができる。また、配向復元力が高まることから、液晶分子３１０の応答速度も向上させることができる。第二の配向層４００の方位角アンカリングエネルギーの下限値は、１×１０^－３Ｊ／ｍ^２以上であってもよい。

第二の配向層４００の方位角アンカリングエネルギーの上限値は特に限定されないが、例えば、１Ｊ／ｍ^２以下である。

第一の配向層２００及び第二の配向層４００は、それぞれ、液晶層３００に接している。本明細書において、「配向層の方位角アンカリングエネルギー」とは、当該配向層が液晶層と接している面（両者の界面）での方位角アンカリングエネルギーを意味する。

方位角アンカリングエネルギーは、トルクバランス法、ネールウオール法、電場応答閾値からの算出、回転磁場からの算出等、各種公知の方法で算出することができる。なお、本明細書に記載された方位角アンカリングエネルギーは、電場応答閾値からの算出法を用いて算出されたものである。

弱アンカリングの配向層と、強アンカリングの配向層とは、液晶分子３１０の配向方向を拘束する配向拘束力が互いに異なる。

共通電極５４０及び画素電極５６０間に印加される電圧が閾値以上になると、弱アンカリングの配向層側の液晶分子３１０は、当該弱アンカリングの配向層の拘束から離脱する。そして、液晶分子３１０の配向方向は、共通電極５４０及び画素電極５６０間に印加される電圧に応じて、第一の基板１００及び第二の基板５００の表面に平行な面内で、初期配向方位から変化する。弱アンカリングの配向層は、液晶層３００との界面でスリッパリー界面（液体界面）を形成している。

これに対し、強アンカリングの配向層側の液晶分子３１０は、共通電極５４０及び画素電極５６０間に閾値以上の電圧（例えば、白電圧）が印加されても、その長軸方向を第一の基板１００及び第二の基板５００の表面に平行な面内で初期配向方位にほぼ一致させた状態を維持する。

このように、共通電極５４０及び画素電極５６０間に電圧が印加されたときに、液晶層３００の、弱アンカリングの配向層側では、弱アンカリングの配向層による配向規制力を脱して液晶分子３１０の配向方向が変化するのに対し、液晶層３００の、強アンカリングの配向層側では、液晶分子３１０が強アンカリングの配向層による配向規制力を受けたまま、その配向方向をほぼ維持する。

なお、本明細書では弱アンカリングという表記を用いているが、ゼロ面アンカリングや、潤滑界面等とも言い換えることができる。弱アンカリングの配向層と液晶層との界面は液体層あるいはゲル層、低配向秩序層、超低粘層等、アンカリングがほぼないスリッパリー界面を形成している。

強アンカリングの配向層は、配向処理を行うことにより形成される。弱アンカリングの配向層は配向処理を行うことにより形成される他、配向処理を行わなくとも形成することができる。具体的には、強アンカリングの配向層は、ラビング処理が施されたラビング配向層であってもよいし、光配向処理が施された光配向層であってもよい。弱アンカリングの配向層は、ラビング配向層であってもよいし、光配向層であってもよいし、配向処理が施されていない未処理の配向層であってもよい。

ラビング配向層は、例えば、ラビング配向層用ポリマーを含む配向層材料を基板上に成膜し、レーヨンや綿等からなるラビング布を巻いたラビングローラを、回転数及びラビングローラと基板との距離を一定に保った状態で回転させ、配向層材料を成膜した基板を載せたステージを移動させて、ラビング配向層用ポリマーを含む膜の表面を所定の方向に擦る（ラビング法）ことにより得られる。ラビング処理の条件を変更することにより、配向層の方位角アンカリングエネルギーを調整し、強アンカリングの配向層及び弱アンカリングの配向層を形成することができる。

一般に、ラビング強度Ｌは下記式で表される。
Ｌ＝Ｎ×ａ×｛１＋（２×π×ｒ×ｎ）｝／（６０×ｖ）
ここで、Ｎはラビング回数、ａはラビング布と基板とが接する部分の長さ、ｒはラビングローラの半径、ｎはラビングローラの回転数、ｖはステージ移動速度である。ラビングローラの半径は装置の設計により決まることから、例えば、ラビングローラの回転数を小さくしたり、押し込み量を減らしてラビング布と基板とが接する部分の長さを短くしたりすることなどにより弱アンカリングの配向層を形成することができる。

また、例えば、炭素数２～２０の直鎖状又は分岐状のアルキル基、及び、ポリエチレングリコール、ポリプロポレングリコール等のポリアルキレンオキサイド基の少なくとも一方の基を含むラビング配向層用ポリマーを用いることにより、弱アンカリングのラビング配向層を形成することができる。

また、例えば、下記化学式（Ｄ１）～（Ｄ６）で表される構造の少なくとも一種の構造を含むラビング配向層用ポリマーを用いることにより、強アンカリングのラビング配向層を形成することができる。

ラビング配向層用ポリマーとしては、例えば、ポリイミド等が挙げられる。ラビング配向層に含まれるラビング配向層用ポリマーは、一種であっても、二種以上であってもよい。

光配向層は、例えば、光官能基を有する光配向性ポリマーを含む配向膜材料を基板上に成膜し、偏光紫外線を照射して光配向性ポリマーを含む膜の表面に異方性を発生させる（光配向法）ことにより得られる。光配向処理の条件や材料構造を変更することにより、配向層の方位角アンカリングエネルギーを調整し、強アンカリングの配向層及び弱アンカリングの配向層を形成することができる。

また、例えば、炭素数２～２０の直鎖状又は分岐状のアルキル基、及び、ポリエチレングリコール、ポリプロポレングリコール等のポリアルキレンオキサイド基の少なくとも一方の基を含む光配向性ポリマーを用いることにより、弱アンカリングの光配向層を形成することができる。

また、例えば、上記化学式（Ｄ１）～（Ｄ６）で表される構造の少なくとも一種の構造を含む光配向性ポリマーを用いることにより、強アンカリングの光配向層を形成することができる。

上記光配向性ポリマーとしては、例えば、シクロブタン基、アゾベンゼン基、カルコン基、シンナメート基、クマリン基、スチルベン基、フェノールエステル基及びフェニルベンゾエート基から選択される少なくとも一種の光官能基を有する光配向性ポリマー等が挙げられる。光配向層に含まれる光配向性ポリマーは、一種であっても、二種以上であってもよい。光配向性ポリマーが有する光官能基は、ポリマーの主鎖に存在してもよいし、ポリマーの側鎖に存在してもよいし、ポリマーの主鎖及び側鎖の両方に存在してもよい。

上記光配向性ポリマーの光反応の型も特に限定されないが、光分解型ポリマー、光転移型ポリマー（好ましくは光フリース転移型ポリマー）、光異性化型ポリマー、光二量化型ポリマー及び光架橋型ポリマーを好適な例として挙げることができる。これらは何れかを単独で用いることもでき、二種以上を併用することもできる。なかでも、配向安定性の観点からは、２５４ｎｍ付近を反応波長（主感度波長）とする光分解型ポリマー及び光分解型ポリマーが特に好ましい。側鎖に光官能基を有する光異性化型ポリマー及び光二量化型ポリマーもまた好ましい。

上記光配向性ポリマーの主鎖構造は特に限定されないが、ポリアミック酸構造、ポリイミド構造、ポリ（メタ）アクリル酸構造及びポリシロキサン構造、ポリエチレン構造、ポリスチレン構造、ポリビニル構造を好適な例として挙げることができる。

未処理の配向層は、例えば、基板上に配向膜ポリマーを含む配向膜材料を成膜することにより得られる。上記配向膜ポリマーとしては、例えば、ポリイミド、ポリへキシルメタクリレート等が挙げられる。未処理の配向層に含まれる配向膜ポリマーは、一種であっても、二種以上であってもよい。

また、未処理の配向層に含まれる上記配向膜ポリマーとしては、ポリイミド及びポリへキシルメタクリレート以外に、国際公開２０１７／０３４０２３号に記載されているポリマーも挙げられ、なかでもポリエチレングリコール、ポリプロポレングリコール等のポリアルキレンオキサイドが好ましい。

弱アンカリングの配向層である第一の配向層２００は、シクロブタン基、アゾベンゼン基、カルコン基、シンナメート基、クマリン基、スチルベン基、フェノールエステル基及びフェニルベンゾエート基から選択される少なくとも一種の第一の光官能基と、アクリレート基（アクリロイル基）、メタクリレート基（メタクリロイル基）、シンナモイル基、クマリン基、ビニル基、アリル基、スチリル基及びマレイミド基から選択される少なくとも一種の第二の光官能基と、を有するポリマーを含み、液晶層３００は、アクリレート基（アクリロイル基）、メタクリレート基（メタクリロイル基）、シンナモイル基、クマリン基、ビニル基、アリル基、スチリル基及びマレイミド基からなる群より選択される少なくとも一種の基を有する添加剤を含むことが好ましい。

このような態様とすることにより、第一の光官能基及び第二の光官能基を有するポリマーに対して光配向処理を行って強アンカリングの配向層を形成し、その後、液晶パネルの観察面側から追加照射を行うことによって、第二の光官能基を液晶層３００に含まれる添加剤と反応させて第一の光官能基により付与されるアンカリング力を弱めて、弱アンカリングの配向層を形成することができる。

上記第一の光官能基と上記第二の光官能基とを有するポリマーは、下記化学式（Ａ）で表される構造を有することが好ましい。

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は各々独立に、水素原子又は炭化水素基を表し、Ｘ^１は、シクロブタン基、アゾベンゼン基、カルコン基、シンナメート基、クマリン基、スチルベン基、フェノールエステル基又はフェニルベンゾエート基を有する四価の基を表し、Ｙ^１は、アクリレート基、メタクリレート基、シンナモイル基、クマリン基、ビニル基、アリル基、スチリル基又はマレイミド基を有する二価の基を表す。）

上記化学式（Ａ）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は各々独立に、水素原子又は炭素数１～３の炭化水素基であることが好ましい。

上記第一の光官能基は、光配向性官能基である。配向安定性の観点から、第一の光官能基及び第二の光官能基を有するポリマーは、第一の光官能基としてシクロブタン基を主鎖に有することが好ましい。なお、第一の光官能基は、ポリマーの主鎖に存在してもよいし、側鎖に存在してもよいし、主鎖及び側鎖の両方に存在してもよい。

上記第二の光官能基は、重合性官能基である。反応性の観点から、第一の光官能基及び第二の光官能基を有するポリマーは、第二の光官能基として（メタ）アクリレート基を有することが好ましい。第二の光官能基として挙げられたアクリレート基及びメタクリレート基は、それぞれ、アクリロイルオキシ基及びメタクリロイルオキシ基であってもよい。なお、第二の光官能基は、ポリマーの主鎖に存在してもよいし、側鎖に存在してもよいし、主鎖及び側鎖の両方に存在してもよいが、側鎖に存在することが好ましい。

第一の光官能基及び第二の光官能基のそれぞれの反応波長は特に限定されないが、互いに異なる波長であることが好ましい。

液晶層３００に含まれる上記添加剤は、一種であっても二種以上であってもよい。

上記添加剤の導入量は、液晶層３００の材料（液晶材料）全体に対して、好ましくは０．１～１０重量％であり、より好ましくは０．２～５重量％である。

上記添加剤は、アルキル基を含むことが好ましい。このような態様とすることにより、アンカリング力を弱めることができる。添加剤に含まれるアルキル基としては、炭素数２～２０のアルキル基が好ましく、特に好ましくは、炭素数４～１６のアルキル基である。また、添加剤に含まれるアルキル基は、直鎖構造であってもよいし、分岐構造であってもよいし、環状構造をとっていてもよい。炭素数の異なる複数のアルキル基を分子構造中に有する添加剤もまた好ましい。

上記添加剤の具体的な種類は特に限定されないが、メタクリル酸エステル、アクリル酸エステル、イタコン酸エステル、フマル酸エステル、マレイン酸エステル、クロトン酸エステル等の不飽和脂肪酸エステルを好適な例として挙げることができる。これらは何れかを単独で用いることもでき、二種以上を併用することもできる。

第一の基板１００及び第二の基板５００がそれぞれ備える絶縁基板１１０、５１０は、絶縁性を有する無色透明な基材である。絶縁基板１１０、５１０としては、例えば、ガラス基板、プラスチック基板等の基板が挙げられる。ガラス基板の材料としては、例えば、フロートガラス、ソーダガラス等のガラスが挙げられる。ブラスチック基板の材料としては、例えば、リエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、脂環式ポリオレフィン等のプラスチックが挙げられる。

反射層５２０は、観察面側から入射した光を観察面側へ反射する機能を有する。反射層５２０は、微細な凹凸状の表面構造（ＭＲＳ：Ｍｉｃｒｏ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有している。ＭＲＳ形状は、例えば、フォトリソグラフィ法で有機絶縁膜に凹凸形状を形成し、ＡｌやＡｇ合金等の各種高反射金属を成膜することで得られる。ＭＲＳ形状は、外光をある一定の角度範囲で散乱させることができる。そのため、効率的に周囲光を利用することが可能であり、明るい反射表示が得られる。

カラーフィルタ層１ＣＦは、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ及び青色カラーフィルタから構成され、各画素１ＰＸに、赤色カラーフィルタを備える絵素、緑色カラーフィルタを備える絵素及び青色カラーフィルタを備える絵素の３つの絵素がストライプ状に設けられている。また、各色カラーフィルタを区画するように格子状にブラックマトリクスが配置されている。

本実施形態では、第二の基板５００は、カラーフィルタ層１ＣＦを備える。このような態様とすることにより、第一の基板１００側から液晶層３００側へ効果的に光を透過させることが可能となるため、第一の基板１００側から光を照射し、上記第一の光官能基及び上記第二の光官能基を有するポリマーと液晶層３００に含まれる添加剤とを効果的に反応させて、弱アンカリングの配向層である第一の配向層２００を形成することができる。

平坦化膜５３０は、それよりも下層側に配置される配線やＴＦＴ等に起因して生じる凹凸を平坦化する機能を有する。平坦化膜５３０は、主に有機絶縁材料からなる。

共通電極５４０は、画素１ＰＸの境界に関わらず、ほぼ一面に形成された電極である。共通電極５４０に対しては一定値に保たれた共通信号が供給され、共通電極５４０は一定の電位に保たれる。画素電極５６０は、絶縁膜５５０を介して共通電極５４０上に設けられ、かつ、互いに隣接する２本のゲート線５０１と互いに隣接する２本のソース線５０２とに囲まれた各領域に配置された電極であり、対応するＴＦＴ５０３を介して供給されるデータ信号に応じた電位に設定される。

共通電極５４０及び画素電極５６０は、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ）等の透明導電材料、又は、それらの合金を、スパッタリング法等により単層又は複数層で成膜して形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングを行うことで形成することができる。

液晶層３００は、液晶材料を含んでおり、液晶層３００に対して電圧を印加し、印加した電圧に応じて液晶材料中の液晶分子３１０の配向状態を変化させることにより、光の透過量を制御するものである。液晶分子３１０は、下記式Ｌで定義される誘電率異方性（Δε）が正の値を有するものであってもよく、負の値を有するものであってもよい。正の誘電率異方性を有する液晶分子はポジ型液晶ともいい、負の誘電率異方性を有する液晶分子はネガ型液晶ともいう。なお、液晶分子の長軸方向が遅相軸の方向となる。また、液晶分子は、電圧が印加されていない状態（電圧無印加状態）で、ホモジニアス配向するものであり、電圧無印加状態における液晶分子の長軸の方向は、液晶分子の初期配向の方向ともいう。
Δε＝（液晶分子の長軸方向の誘電率）－（液晶分子の短軸方向の誘電率） （式Ｌ）

液晶層３００に含まれる液晶分子３１０は、電圧無印加時に水平配向する。液晶分子３１０が水平配向するとは、液晶層３００への電圧無印加時（液晶層３００への印加電圧が閾値電圧未満である場合）に、液晶層３００中の液晶分子３１０が第一の基板１００及び第二の基板５００の各々の主面に対して略平行に配向することをいう。なお、本明細書では、共通電極と画素電極との間に電圧が印加された電圧印加状態を、単に「電圧印加状態」とも言い、共通電極と画素電極との間に電圧が印加されていない電圧無印加状態を、単に「電圧無印加状態」又は「電圧無印加時」とも言う。

本実施形態の液晶層３００は、反射層５２０に重畳する領域における位相差が１３０ｎｍ以上、１４５ｎｍ以下であることが好ましい。このような態様とすることにより、光漏れを抑制して良好な黒表示を実現することができる。

上記特許文献１及び２では、液晶層３００の、反射層５２０に重畳する領域における位相差の好適な範囲は開示されていない。

直線偏光板１０は、吸収型偏光板であり、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）染色延伸フィルム偏光子と、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）保護層とからなる直線偏光板や、染料偏光板、塗布型偏光板等、各種直線偏光板である。

λ／２板１１は、波長５５０ｎｍの光に対して２４５ｎｍ～３０５ｎｍの面内位相差を付与する位相差層である。ここで、位相差層は、複屈折材料等を利用して直交する２つの偏光成分に位相差をつけて、入射偏光の状態を変える機能を有する層である。λ／２板１１が設けられていない液晶表示装置では、５５０ｎｍ（緑）のみ良好な黒反射率が得られるが、青や赤では黒表示でも光漏れが発生する場合がある。その結果、黒輝度が十分に抑えられずコントラストが低くなってしまう場合がある。一方、本実施形態のようにλ／２板１１を設けると、青～緑～赤の可視域に渡って光漏れが発生せず良好な黒を得ることができる。その結果、コントラストが向上する。λ／２板１１は、例えば、第一の基板１００と直線偏光板１０との間に配置される。

面内位相差は、層（フィルム）の厚みをｄ（ｎｍ）としたとき、Ｒｅ＝（ｎｘ－ｎｙ）×ｄによって求められる。「ｎｘ」は、面内の屈折率が最大になる方向（すなわち、遅相軸方向）の屈折率であり、「ｎｙ」は、面内で遅相軸と直交する方向の屈折率であり、「ｎｚ」は、厚み方向の屈折率である。屈折率は、特に断りのない限り、波長５５０ｎｍの光に対する値を指す。

λ／２板１１は、例えば、高分子ポリマーフィルムを延伸することにより作成することができる。上記高分子ポリマーフィルムを構成する材料の具体例としては、例えば、ポリカーボネート、ポリプロピレン等の鎖状ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート及びポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリノルボルネン等の環状ポリオレフィン、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルビニルエーテル、ポリヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、メチルセルロース、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルファイド、ポリフェニレンオキサイド、ポリアリルスルホン、ポリビニルアルコール、ポリアミド、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、セルロース等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく組み合わせて用いてもよい。λ／２板３０１は、より具体的には、特開２００４－３２５４６８号公報の０１２３段落に記載されたように、ポリカーボネートフィルムを延伸することにより形成することができる。

直線偏光板１０の透過軸方位とλ／２板１１の遅相軸方位とのなす角度は、５°以上、２５°以下であることが好ましく、１０°以上、２０°以下であることがより好ましい。

直線偏光板１０の透過軸方位と第一の配向層２００の配向方位とのなす角度は、６５°以上、８５°以下であることが好ましく、７０°以上、８０°以下であることがより好ましい。直線偏光板１０の透過軸方位と第二の配向層４００の配向方位とのなす角度は、６５°以上、８５°以下であることが好ましく、７０°以上、８０°以下であることがより好ましい。

λ／２板１１の遅相軸方位と第一の配向層２００の配向方位とのなす角度は、５０°以上、７０°以下であることが好ましく、５５°以上、６５°以下であることがより好ましい。λ／２板１１の遅相軸方位と第二の配向層４００の配向方位とのなす角度は、５０°以上、７０°以下であることが好ましく、５５°以上、６５°以下であることがより好ましい。

第一の配向層２００の配向方位は、第二の配向層４００の配向方位と平行である。第一の配向層２００の配向方位が、第二の配向層４００の配向方位と平行であるとは、両者のなす角度（絶対値）が０°以上、３°以下であることを指し、好ましくは０°以上、１°以下であり、より好ましくは０°以上、０．５°以下であり、特に好ましくは０°（完全に平行）である。

第一の配向層２００及び第二の配向層４００の配向方位は、赤外分光法、偏光解析法、ＳＨＧ（ｓｅｃｏｎｄ－ｈａｒｍｏｎｉｃ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）法、Ｘ線回折法等により測定することができる。なお、本明細書中の配向方位は、偏光解析法にて確認されたものである。

＜実施形態２＞
本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、上記実施形態１と重複する内容については説明を省略する。本実施形態は、第一の配向層２００及び第二の配向層４００のアンカリングエネルギーが異なることを除いて、実施形態１と実質的に同じである。図４は、実施形態２の液晶表示装置の平面模式図である。図５は、図４のＡ１－Ａ２線に沿った断面模式図である。上記実施形態１では、第一の配向層２００が弱アンカリングの配向層であり、第二の配向層４００が強アンカリングの配向層であるが、本実施形態の液晶表示装置１は、図４及び図５に示すように、第二の配向層４００が弱アンカリングの配向層であり、第一の配向層２００が強アンカリングの配向層である。このような態様とすることにより、共通電極５４０及び画素電極５６０が設けられた第二の基板５００側において、電極付近だけでなくより広い範囲で液晶分子３１０が可動し易くなり、液晶層３００の位相差Δｎｄの変調幅を面内でより大きくすることが可能となり、高い反射率を実現することができる。

ここで、第一の配向層２００が弱アンカリングの配向層である上記実施形態１と、第二の配向層４００が弱アンカリングの配向層である本実施形態とを比較すると、本実施形態では共通電極５４０及び画素電極５６０が設けられた第二の基板５００側で液晶分子３１０がより可動しやすくなる一方、上記実施形態１では、液晶分子３１０が可動し易くなる領域が第一の基板１００側に広がる。そのため、本実施形態に比べて、上記実施形態１の方が、より広い範囲で液晶分子３１０を可動させることが可能となり、反射率をより高めることができる。また、本実施形態に比べて、上記実施形態１の方が、最大反射率を与える最適セル厚をより薄く設定でき、応答速度の点でも有利となる。

一方、第二の配向層４００が弱アンカリングの配向層である本実施形態では、共通電極５４０及び画素電極５６０が設けられた第二の基板５００側のアンカリング力が弱まるため、より低電圧で液晶分子３１０を可動させることができる。その結果、本実施形態では、上記実施形態１よりも、低電圧で反射率を高めることができる。

本実施形態の液晶表示装置１は、上記実施形態１と同様に第二の基板５００がカラーフィルタ層１ＣＦを備える。このような態様とすることにより、第一の基板１００側から液晶層３００側へ効果的に光を透過させることが可能となるため、第一の基板１００側から光を照射し、上記第一の光官能基及び上記第二の光官能基を有するポリマーと液晶層３００に含まれる添加剤とを効果的に反応させて、弱アンカリングの配向層である第二の配向層４００を形成することができる。

本実施形態の第二の配向層４００は、方位角アンカリングエネルギーが１×１０^－５Ｊ／ｍ^２未満であることが好ましい。このような態様とすることにより、第二の基板５００側の液晶分子３１０が更に可動し易くなり、液晶層３００の位相差Δｎｄの変調幅を面内で更に大きくすることが可能となり、高い反射率を実現することができる。

第二の配向層４００の方位角アンカリングエネルギーの下限値は特に限定されないが、例えば、１×１０^－８Ｊ／ｍ^２以上である。

また、本実施形態の第一の配向層２００は、強アンカリングの配向層である。第一の配向層２００の方位角アンカリングエネルギーの下限値は、１×１０^－３Ｊ／ｍ^２以上であってもよい。第一の配向層２００の方位角アンカリングエネルギーの上限値は特に限定されないが、例えば、１Ｊ／ｍ^２以下である。

本実施形態の液晶層３００は、反射層５２０に重畳する領域における位相差が１３０ｎｍ以上、１４５ｎｍ以下であることが好ましい。このような態様とすることにより、光漏れを抑制して良好な黒表示を実現することができる。

＜実施形態３＞
本実施形態では、本実施形態に特有の特徴について主に説明し、上記実施形態１及び２と重複する内容については説明を省略する。本実施形態は、第一の配向層２００及び第二の配向層４００のアンカリングエネルギーが異なることを除いて、実施形態１と実質的に同じである。図６は、実施形態３の液晶表示装置の平面模式図である。図７は、図６のＡ１－Ａ２線に沿った断面模式図である。上記実施形態１及び２では、第一の配向層２００及び第二の配向層４００のいずれか一方が弱アンカリングの配向層であり、他方が強アンカリングの配向層であるが、本実施形態の液晶表示装置１は、図６及び図７に示すように、第一の配向層２００及び第二の配向層４００の両者が弱アンカリングの配向層である。このような態様とすることにより、第一の基板１００側及び第二の基板５００側の両側において液晶分子３１０が可動し易くなり、更に広い範囲で液晶分子３１０を可動させることが可能となり、反射率をより高めることができる。

本実施形態の第一の配向層２００は、方位角アンカリングエネルギーが１×１０^－５Ｊ／ｍ^２未満であることが好ましい。このような態様とすることにより、第一の基板１００側の液晶分子３１０がより可動し易くなり、更に広いエリアで液晶分子３１０を可動させることができる。その結果、液晶層３００の位相差Δｎｄの変調幅を更に大きくすることが可能となり、反射率を更に高めることができる。また、最大反射率を与える最適セル厚をより薄く設定することができる。

第一の配向層２００の方位角アンカリングエネルギーの下限値は特に限定されないが、例えば、１×１０^－１０Ｊ／ｍ^２以上である。

本実施形態の第二の配向層４００は、方位角アンカリングエネルギーが１×１０^－５Ｊ／ｍ^２未満であることが好ましい。このような態様とすることにより、第二の基板５００側の液晶分子３１０が更に可動し易くなり、液晶層３００の位相差Δｎｄの変調幅を面内で更に大きくすることが可能となり、高い反射率を実現することができる。また、最大反射率を与える最適セル厚を更に薄く設定することができる。

第二の配向層４００の方位角アンカリングエネルギーの下限値は特に限定されないが、例えば、１×１０^－１０Ｊ／ｍ^２以上である。

実施形態１～３に示すように、第一の配向層２００及び第二の配向層４００の少なくとも一方を弱アンカリングの配向層とすることにより、弱アンカリングの配向層側で液晶分子３１０を拘束するアンカリング力が弱まり、液晶分子３１０が可動し易くなる。その結果、上記比較形態の液晶表示装置１Ｒよりも広い領域で液晶分子３１０を回転させ、液晶層３００の位相差Δｎｄの変調幅を面内で比較的一様に大きくすることが可能となり、高い反射率を実現することができる。すなわち、液晶パネルの少なくとも片側の基板の配向を弱アンカリング（ゼロ面アンカリング、スリッパリー界面）とすることにより、従来可動し難かった基板付近の液晶分子３１０も可動させることができ、得られるΔｎｄの変調幅を面内で比較的一様に大きくすることが可能となる。その結果、横電界モードにおいて、縦電界モードに匹敵する高い反射率を得ることができる。同時に、より低い電圧で広範囲の液晶分子３１０を可動させることができるため、低電圧化（低消費電力化）を達成することができる。

このようにして、実施形態１～３では、液晶層３００のΔｎｄの変調幅を大きくし、反射層５２０へ到達する光を直線偏光に近づけることにより反射率を高めることができる。

上記特許文献１に開示された液晶表示装置は、双安定型ネマティック液晶表示装置であり、横電界モードの液晶表示装置については検討されていない。特許文献１の液晶表示装置は、電圧パルスにより液晶分子のツイスト角を０度及び１８０度の２値にスイッチングする液晶表示装置であり、白及び黒の２値表示しかできず、データ書き換え時に一度液晶分子を垂直配向にしてから別の安定状態（ツイスト角０度又は１８０度）へ切り替えるため、応答速度が遅い。また、上記特許文献１に開示された液晶表示装置では、ツイスト角が０度の画素と１８０度の画素とが隣接する可能性があり、０°ツイストと１８０°ツイストとの境界では配向欠陥が生じる。精細度が高くない場合には、表示可能領域に対して配向欠陥部（表示不能領域）が小さいため配向欠陥はブラックマトリクス部で遮光することができるが、高精細の場合には配向欠陥の占める面積が大きくなる。そのため、特許文献１に開示された液晶表示装置では、高精細化することはできない。一方、実施形態１～３の液晶表示装置１はＦＦＳモードの液晶表示装置であるため応答速度が速い。また高精細化も可能である。

また、上記特許文献１で開示されているアンカリングエネルギーは、双安定を安定化させるためのアンカリングエネルギーであるため、弱アンカリングの配向膜の極角方向の極角アンカリングエネルギーが６×１０^－５～２×１０^－４Ｊ／ｍ^２であり、方位角アンカリングエネルギーが１×１０^－５～５×１０^－５Ｊ／ｍ^２であり、配向膜の極角アンカリングエネルギー及び方位角アンカリングエネルギーが非常に狭い範囲に設定されている。

一方、実施形態１～３では、極角アンカリングエネルギーに制約は無く、方位角アンカリングエネルギーについては上記範囲に設定すればよく、配向層の材料選択や製造プロセス選択の幅が広い。

上記特許文献２では、重合可能なモノマーを含む液晶層に電圧を印加した状態でモノマーを重合してポリマー化し、当該ポリマーに液晶分子の傾斜を記憶させる技術（以下、ポリマーを用いたプレチルト角付与技術ともいう。）が用いられている。特許文献２の実施例では、アンカリングエネルギーの小さな配向膜に対してポリマーを用いたプレチルト角付与技術を適用することにより、アンカリングエネルギーを高め、強い配向規制力を有する強アンカリングの配向膜を得ている。このような特許文献２の配向膜を、横電界モードの反射型液晶表示装置や半透過型液晶表示装置に適用した場合、電圧印加時の液晶分子の配向が厚み方向にも面内方向にも分布を持つため、反射率が低くなってしまう。特許文献２では、いずれの配向膜も強いアンカリング力を有するが、実施形態１～３では、第一の配向層２００及び第二の配向層４００の少なくとも一方の配向層が弱アンカリングの配向層であり、特許文献２の構成とは異なる。

上記特許文献３では、第一の液晶配向領域及び第二の液晶配向領域のうち一方の領域におけるアンカリング強度が許容値以下に低下すると残像減少等の表示不良が発生するため、両領域におけるアンカリング強度が異なる点に注意する必要があると開示されている。すなわち、特許文献３では強アンカリングの配向膜の使用を意図しており、当該技術を横電界モードの反射型液晶表示装置や半透過型液晶表示装置に適用した場合、電圧印加時の液晶分子の配向が厚み方向にも面内方向にも分布を持つため、反射率が低くなってしまう。一方、実施形態１～３では、第一の配向層２００及び第二の配向層４００の少なくとも一方の配向層が弱アンカリングの配向層であり、特許文献３の構成とは異なる。

＜変形例１＞
上記実施形態１～３では、反射型液晶表示装置について説明したが、画素１ＰＸが、反射層５２０が設けられた反射領域と反射層５２０が設けられていない透過領域とを備える半透過型液晶表示装置についても、第一の配向層２００及び第二の配向層４００の少なくとも一方を弱アンカリングの配向層とすることにより、液晶層３００の位相差Δｎｄの変調幅を大きくすることが可能となり、高い反射率を実現することができる。

図８は、変形例１の液晶表示装置の平面模式図である。図９は、図８のＢ１－Ｂ２線に沿った断面模式図である。図８及び図９に示すように、本変形例の液晶表示装置１は、第二の基板５００の背面側に、直線偏光板２０及びバックライト３０を備え、カラーフィルタ層１ＣＦと共通電極５４０との間に、平坦化膜５３０とギャップ形成層から構成される段差制御層５３１を備え、反射層５２０には所定の割合で開口部５２０Ｈが設けられ、かつ、λ／２板１１を備えないことを除いて、実施形態１～３と実質的に同じである。反射層５２０は、画素１ＰＸの一部に設けられている。本変形例の液晶表示装置１は、反射層５２０が設けられた反射領域Ｒと、反射層５２０が設けられていない透過領域Ｔとを備える半透過型液晶表示装置である。透過領域Ｔでは、バックライト３０から出射された光が液晶層３００を透過して観察面側に射出されることで表示が行われる。

本変形例の液晶表示装置１では、上記実施形態１の平坦化膜５３０と共通電極５４０との間に相当する位置にギャップ形成層を設け、平坦化膜５３０とギャップ形成層から構成される段差制御層５３１を配置することにより、反射領域Ｒにおける液晶層３００は、透過領域Ｔにおける液晶層３００の厚さの略半分の厚さに設定されている。なお、平坦化膜５３０と共通電極５４０との間ではなく、絶縁基板１１０と第一の配向層２００との間にギャップ形成層を設けることにより、反射領域Ｒにおける液晶層３００の厚さを、透過領域Ｔにおける液晶層３００の厚さの略半分となるように設定してもよい。

本変形例の具体例として、変形例１－１及び１－２を挙げて以下を説明する。変形例１－１の液晶表示装置は、変形例１のうち上記実施形態１に対応する変形例であり、変形例１－１の液晶表示装置１では、対向基板側の第一の配向層２００が弱アンカリングの配向層であり、ＴＦＴ基板側の第二の配向層４００が強アンカリングの配向層である。また、本変形例１－２の液晶表示装置は、変形例１のうち上記実施形態２に対応する変形例であり、変形例１－２の液晶表示装置１では、対向基板側の第一の配向層２００が強アンカリングの配向層であり、ＴＦＴ基板側の第二の配向層４００が弱アンカリングの配向層である。

図１０は、変形例１－１、１－２、及び、従来のＦＦＳモードの透過型液晶表示装置の、透過領域における液晶層の位相差に対する透過率を示すグラフである。従来のＦＦＳモードの透過型液晶表示装置は、反射層５２０を備えず、第一の配向層及び第二の配向層のいずれもが強アンカリングの配向層であること以外は、変形例１－１及び１－２の液晶表示装置と同様の構成を有する。変形例１－１、１－２及び従来のＦＦＳモードの液晶表示装置のいずれも、第一の配向層の配向方位は、第二の配向層の配向方位と平行である。

従来のＦＦＳモードの透過型液晶表示装置では、液晶層の位相差Δｎｄを３００～４００ｎｍ付近に設定するのが一般的であり、Δｎｄが高過ぎると表示の色味が黄色付くため、主には３３０～３５０ｎｍ付近に設定される。しかしながら変形例１－１のように第一の配向層２００を弱アンカリングの配向層とする（対向基板側を弱アンカリングとする）場合、図１０に示すように、透過領域Ｔの液晶層３００の位相差Δｎｄを２２０ｎｍ以上、３２０ｎｍ以下に設定することにより、白の色度が黄色に着色せず、透過率を高めることができる。更に、セル厚を薄くすることができるため応答速度を向上させることもできる。変形例１－１では、透過率を高める観点から、透過領域Ｔの液晶層３００の位相差Δｎｄは２５０ｎｍ以上、３１０ｎｍ以下であることが好ましい。

半透過型液晶表示装置では、通常、反射領域Ｒにおける液晶層３００の厚さは、透過領域Ｔにおける液晶層３００の厚さの略半分に設定されるが、本変形例では、透過率を高める観点から、透過領域Ｔの液晶層３００の位相差を２２０ｎｍ以上、３２０ｎｍ以下に設定することが好ましく、また、上記実施形態１に記載されているように、良好な白反射率を実現する観点から、反射領域Ｒの液晶層３００の位相差を８０ｎｍ以上、１８０ｎｍ以下に設定することが好ましい。このように、本変形例１－１では、従来の半透過型液晶表示装置とは異なる観点で、反射領域Ｒ及び透過領域Ｔの液晶層３００の位相差を設定することができる。従来の半透過型ＦＦＳ表示装置では、透過領域の液晶層位相差を３３０ｎｍ、反射領域の液晶層位相差を１３７．５ｎｍで設定するのが望ましいため、その差１９２．５ｎｍに相当する液晶層の厚みの差を、透過領域・反射領域間で設ける必要があった。一方で、本変形例１－１では、例えば、透過領域の液晶層位相差を２８０ｎｍ、反射領域の液晶層位相差を１３７．５ｎｍで設定するのが望ましいため、その差は１４２．５ｎｍとなる。従来の表示装置より差が小さいため、ギャップ制御のための段差も小さくてよく、パネルの薄型化、及び製造プロセスの簡便化につながる。

また、図１０に示すように、第二の配向層４００を弱アンカリングの配向層とする（ＴＦＴ基板側を弱アンカリングとする）変形例１－２の液晶表示装置１についても、従来のＦＦＳモードの透過型液晶表示装置よりも、液晶層３００の位相差Δｎｄに対する透過率を高めることができる。変形例１－２では、図１０に示すように、透過領域Ｔの液晶層３００の位相差Δｎｄを３３０ｎｍ以上、３５０ｎｍ以下に設定することにより、白の色度が黄色に着色せず、透過率を高めることができる。また、応答速度を高める観点からは、透過領域Ｔの液晶層３００の位相差Δｎｄを３００ｎｍ以上、３３０ｎｍ以下に設定することが好ましい。

なお、上記の液晶層３００の位相差Δｎｄの範囲は、第一の配向層２００の配向方位と第二の配向層４００の配向方位とが平行である場合について示しており、第一の配向層２００の配向方位と第二の配向層４００の配向方位とが平行でない場合、液晶層３００の位相差Δｎｄの範囲は上記範囲に限られないが、第一の配向層２００を弱アンカリングの配向層とすることによりセル厚を薄くすることができるという効果は同様に得られる。

また、本変形例の液晶表示装置１はλ／２板１１を備えないが、実施形態１～３のようにλ／２板１１を備えていてもよい。

直線偏光板２０は、吸収型偏光板であり、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）染色延伸フィルム偏光子と、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）保護層とからなる直線偏光板や、染料偏光板、塗布型偏光板等、各種直線偏光板である。

直線偏光板１０の透過軸方位と直線偏光板２０の透過軸方位とのなす角度は、８７°以上、９３°以下であることが好ましく、８９°以上、９１°以下であることがより好ましく、９０°であることが更に好ましい。

直線偏光板１０の透過軸方位と第一の配向層２００の配向方位とのなす角度は、３５°以上、５５°以下であることが好ましく、４０°以上、５０°以下であることがより好ましく、４５°であることが特に好ましい。直線偏光板１０の透過軸方位と第二の配向層４００の配向方位とのなす角度は、３５°以上、５５°以下であることが好ましく、４０°以上、５０°以下であることがより好ましく、４５°であることが特に好ましい。

＜変形例２＞
上記実施形態１～３及び変形例１では、第一の配向層２００の配向方位が第二の配向層４００の配向方位と平行である場合について説明したが、第一の配向層２００の配向方位は、第二の配向層４００の配向方位と平行でなくてもよい。この場合、液晶層３００は、反射層５２０に重畳する領域における位相差が２４０ｎｍ以上、２６０ｎｍ以下であることが好ましい。このような態様とすることにより、良好な黒表示を実現することができる。

本変形例において、第一の配向層２００の配向方位と第二の配向層４００の配向方位とのなす角度は、６０°以上、８０°以下であることが好ましく、６５°以上、７５°以下であることが好ましい。

直線偏光板１０の透過軸方位と、第一の配向層２００の配向方位とのなす角度は、１２５°以上、１４５°以下であることが好ましく、１３０°以上、１４０°以下であることがより好ましい。直線偏光板１０の透過軸方位と第二の配向層４００の配向方位とのなす角度は、５５°以上、７５°以下であることが好ましく、６０°以上、７０°以下であることがより好ましい。

λ／２板１１の遅相軸方位と第一の配向層２００の配向方位とのなす角度は、１１０°以上、１３０°以下であることが好ましく、１１５°以上、１２５°以下であることがより好ましい。λ／２板１１の遅相軸方位と第二の配向層４００の配向方位とのなす角度は、４０°以上、６０°以下であることが好ましく、４５°以上、５５°以下であることがより好ましい。

＜変形例３＞
上記実施形態１～３、変形例２では、λ／２板１１が設けられる態様について説明したが、λ／２板１１を設けず、λ／４板１２を設けてもよい。また、上記変形例１おいて、λ／４板１２を設けてもよい。λ／４板１２を設けて例えば図１２のように遅相軸方位を設定することにより、液晶層３００の位相差によらず良好な黒表示が得られる。なお、λ／４板１２は反射層５２０より観察面側、かつ、直線偏光板１０より背面側であればいずれの場所に配置されてもよい。

図１１は、変形例３の液晶表示装置の断面模式図の一例であり、実施形態１～３においてλ／２板を配置せず、λ／４板を配置した場合を示す。図１２は、変形例３の液晶表示装置の偏光板の透過軸方位、第一及び第二の配向層の配向方位、並びに、λ／４板の遅相軸方位の一例を示す図である。図１１及び図１２に示すように、本変形例の液晶表示装置１は、直線偏光板１０と第一の基板１００との間にλ／２板１１を設けず、第二の配向層４００と第二の基板５００との間にλ／４板１２を設け、第一の配向層２００及び第二の配向層４００の配向方位を例えば図１２のように設定する。

λ／４板１２は、波長５５０ｎｍの光に対して１０７．５ｎｍ～１６７．５ｎｍの面内位相差を付与する位相差層である。

λ／４板１２の材料としては、例えば、光重合性液晶材料等が挙げられる。光重合性液晶材料の構造としては、例えば、液晶分子の骨格の末端に、アクリレート基、メタクリレート基等の光重合性基を有する構造が挙げられる。

λ／４板１２は、例えば、下記の方法によって形成可能である。まず、光重合性液晶材料を、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）等の有機溶媒に溶かす。次に、得られた溶液を、基材（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム）の表面上に塗布し、溶液の塗膜を形成する。その後、この溶液の塗膜に対して、仮焼成、光照射（例えば、紫外線照射）、及び、本焼成を順に行うことによって、λ／４板が形成される。

λ／４板１２としては、例えば、延伸処理された高分子フィルムも使用可能である。高分子フィルムの材料としては、例えば、シクロオレフィンポリマー、ポリカーボネート、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリビニルアルコール、ノルボルネン、トリアセチルセルロース、ジアチルセルロース等が挙げられる。

直線偏光板１０の透過軸方位とλ／４板１２の遅相軸方位とのなす角度は、３５°以上、５５°以下であることが好ましく、４０°以上、５０°以下であることがより好ましく、図１２に示すように４５°であることが特に好ましい。

直線偏光板１０の透過軸方位と、第一の配向層２００の配向方位とのなす角度は、０°以上、１０°以下であることが好ましく、０°以上、５°以下であることがより好ましく、図１２に示すように０°であることが特に好ましい。直線偏光板１０の透過軸方位と第二の配向層４００の配向方位とのなす角度は、０°以上、１０°以下であることが好ましく、０°以上、５°以下であることがより好ましく、図１２に示すように０°であることが特に好ましい。

λ／４板１２の遅相軸方位と第一の配向層２００の配向方位とのなす角度は、３５°以上、５５°以下であることが好ましく、４０°以上、５０°以下であることがより好ましく、図１２に示すように４５°であることが特に好ましい。λ／４板１２の遅相軸方位と第二の配向層４００の配向方位とのなす角度は、３５°以上、５５°以下であることが好ましく、４０°以上、５０°以下であることがより好ましく、図１２に示すように４５°であることが特に好ましい。

本変形例の具体例として、変形例３－１及び３－２を挙げて以下を説明する。変形例３－１の液晶表示装置は、変形例３のうち上記実施形態１に対応する変形例であり、変形例３－１の液晶表示装置１では、対向基板側の第一の配向層２００が弱アンカリングの配向層であり、ＴＦＴ基板側の第二の配向層４００が強アンカリングの配向層である。また、変形例３－２の液晶表示装置１は、変形例３のうち上記実施形態２に対応する変形例であり、変形例３－２の液晶表示装置では、対向基板側の第一の配向層２００が強アンカリングの配向層であり、ＴＦＴ基板側の第二の配向層４００が弱アンカリングの配向層である。

図１３は、変形例３－１の液晶表示装置及び従来のＦＦＳモードの反射型液晶表示装置の、液晶層の位相差に対する反射率をプロットしたグラフである。良好な白反射率を得るには、第一の配向層２００が強アンカリングの配向層である従来のＦＦＳモードの反射型液晶表示装置では、第一の配向層２００の配向方位と第二の配向層４００の配向方位とが平行である場合、図１３に示すように、液晶層３００は、反射層５２０に重畳する領域における位相差が１３０ｎｍ以上、２３０ｎｍ以下であることが好ましい。一方、第一の配向層２００が弱アンカリングの配向層である本変形例３－１の液晶表示装置１では、第一の配向層２００の配向方位と第二の配向層４００の配向方位とが平行である場合、図１３に示すように、液晶層３００は、反射層５２０に重畳する領域における位相差が８０ｎｍ以上、１８０ｎｍ以下であることが好ましい。このような態様とすることにより、良好な白反射率（高い白反射率）を実現することができる。良好な白反射率を実現する観点から、液晶層３００は、反射層５２０に重畳する領域における位相差が１５０ｎｍ以上、１８０ｎｍ以下であることがより好ましい。

ここで、液晶層の位相差Δｎｄは、液晶材料の屈折率異方性Δｎと液晶層の厚さｄの乗算であることから、Δｎｄを小さくできるとは即ち液晶層の厚さｄを薄くできることと同義である。液晶の応答速度はセル厚の２乗に比例することから、セル厚を薄くできる点は、応答速度の点で非常に有利である。本変形例では、上述のようにλ／４板１２を設けて例えば図１２のように遅相軸方位を設定することにより、液晶層３００の位相差によらず良好な黒表示が得られるため、変形例３－１では、黒輝度（コントラスト）、最大白反射率及び応答速度に優れた液晶表示装置を得ることができる。

なお、良好な白反射率が得られる液晶層３００の位相差の好適な範囲を上記に記載したが、当該範囲は、第一の配向層２００の配向方位が第二の配向層４００の配向方位と平行である場合に好適な範囲である。したがって、第一の配向層２００の配向方位が第二の配向層４００の配向方位と平行でない場合や、本変形例以外の各種位相差板が配置される場合等は、好適な白反射率が得られる液晶層３００の位相差の好適な範囲は上記範囲に限られない。しかしながら、いずれの態様においても第一の配向層２００を弱アンカリングの配向層とすることによりセル厚を薄くできるという効果は得られる。

また、第二の配向層４００が弱アンカリングの配向層である本変形例３－２の液晶表示装置１では、第一の配向層２００の配向方位と第二の配向層４００の配向方位とが平行である場合、液晶層３００は、反射層５２０に重畳する領域における位相差が１３０ｎｍ以上、２３０ｎｍ以下であることが好ましい。このような態様とすることにより、良好な白反射率を実現することができる。良好な白反射率を実現する観点から、液晶層３００は、反射層５２０に重畳する領域における位相差が２００ｎｍ以上、２３０ｎｍ以下であることがより好ましい。

＜変形例４＞
図１４は、変形例４の液晶表示装置の断面模式図である。図１５は、変形例４の液晶表示装置の偏光板の透過軸方位、第一及び第二の配向層の配向方位の一例を示す図である。上記実施形態１～３及び変形例２では直線偏光板１０と第一の基板１００との間にλ／２板１１を設けるが、図１４に示すように、λ／２板１１を設けなくてもよい。この場合、直線偏光板１０の透過軸方位と第一の配向層２００の配向方位とのなす角度は、３５°以上、５５°以下であることが好ましく、４０°以上、５０°以下であることがより好ましく、図１５に示すように４５°であることが特に好ましい。直線偏光板１０の透過軸方位と第二の配向層４００の配向方位とのなす角度は、３５°以上、５５°以下であることが好ましく、４０°以上、５０°以下であることがより好ましく、図１５に示すように４５°であることが特に好ましい。

＜変形例５＞
上記実施形態１～３及び変形例１～４では、第二の基板５００がカラーフィルタ層１ＣＦを備えるが、カラーフィルタ層１ＣＦは第一の基板１００が備えていてもよい。このように、カラーフィルタ層１ＣＦと反射層５２０とが異なる基板に設けられる場合、第一の基板１００及び第二の基板５００のいずれの基板側から追加照射を行っても、カラーフィルタ層１ＣＦ又は反射層５２０によって光が吸収又は反射されるため、配向層に含まれる光配向性ポリマーを液晶層３００中に含まれる添加剤と反応させることはできず、追加照射により弱アンカリングの配向層を形成することはできない。本変形例では、ラビング配向層用ポリマーを含む膜に対してラビング処理を行うことにより、又は、配向膜ポリマーを含む配向膜材料を成膜して配向処理を行わないことにより、弱アンカリングの配向層を形成することができる。図１６は、変形例５の液晶表示装置の断面模式図の一例であり、実施形態１においてカラーフィルタ層を第一の基板側に配置した場合を示す。図１６に示すように、本変形例の液晶表示装置１が備える第一の基板１００は、絶縁基板１１０とカラーフィルタ層１ＣＦとを備え、第二の基板５００は、反射層５２０を備えてもよい。

＜変形例６＞
上記実施態様１～３及び変形例１～５では、面状の共通電極５４０上に、絶縁膜５５０を介して、スリットが設けられた画素電極５６０を配置するが、共通電極５４０及び画素電極５６０の配置は入れ替わっていてもよい。その場合、各画素領域を占めるように形成された面状の画素電極５６０上に、絶縁膜５５０を介して、スリットが設けられた共通電極５４０が配置される。

＜変形例７＞
上記実施形態１～３及び変形例１～６の液晶表示装置は、面状の共通電極５４０上に、絶縁膜５５０を介して、スリットが設けられた画素電極５６０が配置されたＦＦＳモードの液晶表示装置であるが、共通電極５４０及び画素電極５６０は櫛歯電極であり、櫛歯電極である共通電極５４０及び櫛歯電極である画素電極５６０が、互いに櫛歯が嵌合し合うように、同一の電極層に設けられたＩＰＳ（Ｉｎ Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードの液晶表示装置であってもよい。

＜変形例８＞
上記実施形態１～３及び変形例１～７では、観察面側から背面側に向かって順に、第一の基板１００、第一の配向層２００、液晶層３００、第二の配向層４００及び第二の基板５００が配置されるが、これらの部材は逆の順序で配置されてもよい。このような態様によっても、第一の配向層２００及び第二の配向層４００の少なくとも一方の配向層を弱アンカリングの配向層とすることにより、反射率を高めることができる。図１７は、変形例８の液晶表示装置の断面模式図の一例であり、実施形態１～３の部材を逆の順序で配置した場合を示す。図１７に示すように、本変形例の液晶表示装置１は、観察面側から背面側に向かって順に、直線偏光板１０、λ／２板１１、第二の基板５００、第二の配向層４００、液晶層３００、第一の配向層２００及び第一の基板１００を備え、第一の基板１００は、絶縁基板１１０と、絶縁基板１１０の液晶層３００側に配置された反射層５２０とを備えてもよい。

＜変形例９＞
上記実施形態１～３及び変形例１～８では、画素電極５６０又は共通電極５４０に設けられたスリットは直線状であるが、スリットは、くの字状（直線が一ヶ所で折れ曲がった形状）であってもよい。このような態様とすることにより、電圧印加状態において、液晶分子が互いに異なる方向に配向する２つの液晶ドメインが１つの画素内に形成され、デュアルドメイン構造をとることができるため、視野角を向上させることができる。

＜変形例１０＞
上記実施形態１～３及び変形例１～９では、各画素１ＰＸは分割されていないが、各画素１ＰＸは複数の副画素に分割され、面積階調により中間調表示を行ってもよい。

弱アンカリングの配向層を備える横電界モードの液晶表示装置は、従来の横電界モードの液晶表示装置に比べて焼き付き特性が悪化する場合がある。具体的には、焼き付き試験後に中間調を表示すると焼き付きが視認される。

図１８は、弱アンカリングの配向層を備える横電界モードの液晶表示装置のＶＲ特性を示すグラフである。弱アンカリングの配向層を備える横電界モードの液晶表示装置は、図１８に示すように、ＶＲ特性が急峻なため、液晶表示装置を駆動し続けた際の電荷の蓄積や配向変形などでＶＲ特性がずれた場合に、同じ階調電圧を印加しても輝度差が生じ、焼き付きとして視認されやすい。

図１９は、変形例１０の液晶表示装置の中間階調の表示について説明する模式図である。図２０は、液晶表示装置のＶＲ特性を示すグラフにおいて白表示及び黒表示について説明する図である。本変形例では、図１９に示すように、各画素１ＰＸが複数の副画素２ＰＸに分割され、面積階調により中間調表示が行われる。面積階調駆動では、ひとつの副画素としては白表示及び黒表示しか行われず、中間調は黒と白の面積比で表示される。すなわち、白と黒だけで中間階調（グレー階調）を表現する。図２０に示すように、白表示及び黒表示はいずれもＶＲ特性を示すグラフにおいて飽和点に位置するため焼き付かせても輝度差が生じず、焼き付きが視認されにくい。すなわち、本変形例の面積階調では、輝度の差が生じない電圧のみ使用することができるため、焼き付きが視認されにくい。

面積階調の駆動方法としては、ＭＩＰ駆動（Ｍｅｍｏｒｙ ｉｎ Ｐｉｘｅｌ）で０／１の二値表示をしてもよいし、通常の保持駆動での白黒の二値表示を用いてもよい。

例えば１画素を４つの副画素に分割した面積階調の場合は、（黒、黒、黒、黒）、（黒、黒、黒、白）、（黒、黒、白、白）、（黒、白、白、白）、（白、白、白、白）の５階調表示ができる。カラーフィルタを用いた場合には、Ｒ／Ｇ／Ｂそれぞれが５階調ずつ表現できるため、１２５色の表示が可能となる。

１画素を３つの副画素に分割した３画素分割でカラーフィルタを用いた場合には、Ｒ／Ｇ／Ｂそれぞれが４階調ずつ表現できるため、４×４×４＝６４色の表示が可能となる。また、２画素分割であっても、面積比を１：２などとすれば、６４色の表示が可能となる。

半透過型液晶表示装置の場合には、透過部だけを面積階調にしてもよく、反射部だけを面積階調としてもよく、両方を面積階調表示させてもよい。

特許文献４では、面積階調により色の階調を表示するＭＩＰ型の反射型液晶表示装置において、無機蛍光体を設けて色の階調表現を広げる技術が開示されており、実施形態としてＦＦＳモードが挙げられている。

通常のＦＦＳモードの液晶表示装置は反射率が低く、反射型液晶表示装置に用いるには実用的ではないが、特許文献４にはＦＦＳモードについての詳細な開示がない。また、反射型液晶表示装置ではセル厚が薄いため駆動電圧も比較的高くなり、ドライバやＩＣ（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）が制限されるが、この点についても同様に、特許文献４はＦＦＳモードの詳細を開示していない。更に、特許文献４には、ＦＦＳモードの液晶表示装置に用いられる配向膜、液晶等の材料、設計情報も開示されていない。なお、現在実用化されている反射型液晶表示装置はほぼ全てが縦電界モードであり、ＦＦＳモード等の横電界モードは採用されていない。

本変形例では、特許文献４には開示されていない弱アンカリングの配向層を用いることによりＦＦＳモードにおいて低電圧駆動（低消費電力化）及び高反射率を実現することができるため、反射型液晶表示装置に好適に適用することができる。また、上述の通り、弱アンカリングの配向層を備える横電界モードの液晶表示装置はＶＲ特性が急峻である。そこで、本変形例では、各画素を複数の副画素に分割して、各副画素を白黒の２値で表示する面積階調を適用することにより、輝度の差が生じない電圧のみ使用し、焼き付きを抑えることができる。このように本変形例では、特許文献４において具体的な実現手段が開示されていない低電圧駆動、低消費電力化、及び焼き付き抑制を、横電界モードの反射型液晶表示装置において実現することができる。

図２１は、変形例１０の液晶表示装置の画素について説明する模式図である。図２２は、変形例１０の液晶表示装置の画素の階調について説明する模式図である。本変形例の液晶表示装置１では、各画素１ＰＸは３つの副画素に分割されている。具体的には、図２１及び図２２に示すように、赤色画素１ＰＸＲは、第一の副画素２１ＰＸＲ、第二の副画素２２ＰＸＲ及び第三の副画素２３ＰＸＲに分割されており、緑色画素１ＰＸＧは、第一の副画素２１ＰＸＧ、第二の副画素２２ＰＸＧ及び第三の副画素２３ＰＸＧに分割されており、青色画素１ＰＸＢは、第一の副画素２１ＰＸＢ、第二の副画素２２ＰＸＢ及び第三の副画素２３ＰＸＢに分割されている。

ただし、第一の副画素２１ＰＸＲ、２１ＰＸＧ及び２１ＰＸＢと、第三の副画素２３ＰＸＲ、２３ＰＸＧ及び２３ＰＸＢとは互いに連結されており、実質的に面積比が１：２の二分割状態となっている。これにより、図２２に示すように、４階調×４階調×４階調＝６４色の表示が可能となる。

図２３は、変形例１０の液晶表示装置の画素の回路構成の一例を簡易的に示す回路図である。図２４は、変形例１０の液晶表示装置の画素の回路構成の一例を具体的に示す回路図である。本変形例の液晶表示装置１が備える第二の基板５００は、例えばＴＦＴ基板であり、図２３に模式的に示す様に、ゲート線５０１、ソース線５０２、メモリ回路（メモリ回路部）３０Ｍ、表示電圧供給回路（表示電圧供給回路部）３０Ｄを有している。メモリ回路３０Ｍは、例えば１ビットＳＲＡＭ回路で、画素ごとに設けられている。メモリ回路３０Ｍ等の具体的な構成と動作は後述する。

本変形例の液晶表示装置１は、画素ごとにメモリ回路３０Ｍが設けられた反射型液晶表示装置である。画素ごとにメモリ回路が設けられた液晶表示装置は、「メモリ液晶」または「ＭＩＰ液晶」ともいう。ＭＩＰ方式の反射型液晶表示装置は、データを記憶するメモリ（メモリ回路３０Ｍ）を画素１ＰＸ内に持つことにより、アナログ表示モードによる表示と、メモリ表示モードによる表示とを実現できる。ここで、アナログ表示モードとは、画素の階調をアナログ的に表示する表示モードである。また、メモリ表示モードとは、画素１ＰＸ内のメモリに記憶されている２値情報（論理“１”／論理“０”）に基づいて、画素１ＰＸの階調をデジタル的に表示する表示モードである。

メモリ表示モードの場合、メモリに保持されている情報を用いるため、階調を反映した信号電位（データ信号に応じた電位）の書き込み動作をフレーム周期で実行する必要がない。そのため、メモリ表示モードの場合は、階調を反映した信号電位の書き込み動作をフレーム周期で実行する必要があるアナログ表示モードの場合に比べて消費電力が少なくて済む、即ち、液晶表示装置の低消費電力化を図ることができる。すなわち、メモリ液晶は、リフレッシュレート（フレームレートまたは駆動周波数ということがある。）を低くすることができるので、低消費電力特性に優れている。

液晶表示装置１は、１ｆｐｓ以下のフレームレートで、液晶層３００に黒電圧または白電圧のいずれかを印加する駆動回路を有する。この駆動回路は、複数のフレームにわたって液晶層３００に白電圧を印加する場合、共通電極５４０の電位（Ｖｃｏｍという。）を基準として、フレーム毎に極性が反転する白表示電圧を印加する。すなわち、液晶表示装置１は、いわゆるフレーム反転駆動される。液晶表示装置１は、各画素は２階調（黒と白）表示を行う。ただし、カラーフィルタを設け、面積階調法を用いて、カラー表示を行うことができる。液晶表示装置１は、電圧無印加時（しきい値電圧よりも低い電圧を印加している時を含む）に黒を表示する。

図２４に示すように、画素１ＰＸは、ゲートライン出力ＧＬ、ソースライン出力ＳＬ、液晶容量ＣＬｃ、アナログスイッチ３３、３４及びインバータ３５、３６を備えている。液晶容量ＣＬｃは、画素電極５６０と共通電極５４０との間に設けられた液晶層３００によって構成されており、画素電極５６０には極性出力ＯＵＴが供給され、共通電極５４０にはコモン出力Ｖｃｏｍが供給されるように構成されている。アナログスイッチ３３、３４及びインバータ３５、３６はＣＭＯＳ回路で構成されている。

インバータ３５の出力はインバータ３６の入力に接続されている。インバータ３５、３６は、電源ＶＤＤをＨｉｇｈ側電源に用い、電源ＶＳＳをＬｏｗ側電源に用いている。

アナログスイッチ３３は、白極性用出力ＶＡと極性出力ＯＵＴとの間に挿入されており、そのＰＭＯＳトランジスタ３３ａのゲートはインバータ３５の出力に接続されているとともに、ＮＭＯＳトランジスタ３３ｂのゲートはインバータ３５の入力に接続されている。アナログスイッチ３４は、黒極性用出力ＶＢと極性出力ＯＵＴとの間に挿入されており、そのＰＭＯＳトランジスタ３４ａのゲートはインバータ３５の入力に接続されているとともに、ＮＭＯＳトランジスタ３４ｂのゲートはインバータ３５の出力に接続されている。

図２５は、変形例１０の液晶表示装置の駆動に用いられる各信号電圧および液晶層に印加される電圧の模式的な波形図の一例である。図２５に示される（ａ）はコモン出力Ｖｃｏｍ、図２５に示される（ｂ）は白極性用出力ＶＡ、図２５に示される（ｃ）は黒極性用出力ＶＢの波形を示す。これらの電圧は、公知のドライバから供給され得る。コモン出力Ｖｃｏｍは、０ＶとＶｃｏｍ（正極性）との間を振動する電圧（振動の周期は２フレーム（２Ｆ））である。図２５に示される（ｄ）は液晶層に印加される白電圧ＶＬＣ１を示し、図２５に示される（ｅ）は液晶層に印加される黒電圧ＶＬＣ２を示す。白電圧ＶＬＣ１は、ＶＡ－Ｖｃｏｍであり、黒電圧ＶＬＣ２は、ＶＢ－Ｖｃｏｍである。

また、ＭＩＰ方式の反射型液晶表示装置は、次のような構成によっても実現することができる。図２６は、変形例１０の液晶表示装置の画素の回路構成の一例を示す回路図である。図２７は、変形例１０の液晶表示装置の駆動に用いられる各信号電圧および液晶層に印加される電圧の模式的な波形図の一例である。

図２６に示すように、画素１ＰＸは、３つのスイッチ素子４１～４３、ラッチ部４４、及び、液晶セル４５を有するＳＲＡＭ機能付きの画素構成となっている。ここで、液晶セル４５は、画素電極５６０とこれに対向して配される共通電極５４０との間で発生する液晶容量を意味している。

スイッチ素子４１は、ゲート線５０１に一端が接続されており、走査信号φＶ（φＶ１～φＶｍ）が与えられることによってオン（閉）状態となり、ゲート線５０１を介して供給されるデータＳＩＧを取り込む。ラッチ部４４は、互いに逆向きに並列接続されたインバータ４４１、４４２によって構成されており、スイッチ素子４１によって取り込まれたデータＳＩＧに応じた電位を保持（ラッチ）する。

スイッチ素子４２、４３は、ラッチ部４４の保持電位の極性に応じていずれか一方がオン状態となり、共通電極５４０にコモン電位（コモン出力）Ｖｃｏｍが印加されている液晶セル４５に対して、当該コモン電位Ｖｃｏｍと同相の制御パルスＦＲＰまたは逆相の制御パルスＸＦＲＰを画素電極５６０に与える。スイッチ素子４２、４３の各一方の端子が共通に接続されたノードが、本画素回路の出力ノードＮｏｕｔとなる。

図２７から明らかなように、ラッチ部４４の保持電位が負側極性のときは、液晶セル４５の画素電位がコモン電位Ｖｃｏｍと同相になるため黒表示となり、ラッチ部４４の保持電位が正側極性のときは、液晶セル４５の画素電位がコモン電位Ｖｃｏｍと逆相になるため白表示となる。

なお、本変形例では、画素内蔵のメモリとしてＳＲＡＭを用いる場合を例に挙げたが、ＳＲＡＭは一例に過ぎず、他の構成のメモリ、例えばＤＲＡＭを用いる構成であってもよい。

このＭＩＰ方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、画素１ＰＸ毎にメモリを持つことで、上述のように、アナログ表示モードによる表示と、メモリ表示モードによる表示とを実現できる。そして、メモリ表示モードの場合、メモリに保持されている画素データを用いて表示を行うことから、階調を反映した信号電位の書き込み動作をフレーム周期で実行する必要がないため、液晶表示装置の消費電力の低減を図ることができる、という利点がある。

また、表示画面を部分的に、即ち、表示画面の一部だけを書き換えたい、というニーズがある。この場合、部分的に画素データを書き換えればよいことになる。表示画面を部分的に書き換える、即ち、画素データを部分的に書き換えると、書き換えを行わない画素についてはデータを転送する必要がなくなる。従って、データ転送量を減らすことができるため、液晶表示装置の省電力化を図ることができる、という利点もある。

以下に、実施例及び比較例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。

（実施例１）
図２８は、実施例１の液晶表示装置の平面模式図である。図２９は、実施例１の液晶表示装置の断面模式図である。図３０は、実施例１及び２の液晶表示装置の偏光板の透過軸方位、並びに、第一及び第二の配向層の配向方位を示す図である。絶縁基板５１０、反射層５２０、平坦化膜５３０、共通電極５４０、絶縁膜５５０及び画素電極５６０を有する第二の基板５００と、絶縁基板１１０、カラーフィルタ層１ＣＦ及びフォトスペーサを有する第一の基板１００と、を準備した。更に、第一の基板１００上に上記ラビング配向層用ポリマーとしてポリイミドを含む配向膜材料を成膜してラビング処理を施し、第一の配向層２００（ラビング配向層）を形成した。また、第二の基板５００上に上記配向膜ポリマーとしてポリヘキシルメタクリレート（ＰＨＭＡ：ｐｏｌｙｈｅｘｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）（ＰＨＭＡ）を含む配向膜材料を成膜し、第二の配向層４００（未処理の配向層）を形成した。

続いて、第二の基板５００に熱・ＵＶ光併用シール材をディスペンサーにより描画し、第一の基板１００と第二の基板５００とを、液晶層３００を挟み込んで貼り合わせてセルを作製した。なおこの貼り合せシール硬化時には、シール描画部分以外にはＵＶ光は当たらないようにマスクをして、シールＵＶ硬化を行った。また、液晶材料としては、誘電異方性が正のポジ型液晶（Δε＝６．９， Δｎ＝０．０６８）を用いた。

その後、１３０℃で４０分加熱することで液晶分子の再配向処理を行い、一様に一軸配向したＦＦＳ液晶パネルを得た。更に、上記で得られた液晶パネルの第一の基板１００の観察面側に直線偏光板１０を設け、図２８～図３０に示す実施例１の液晶表示装置１を得た。液晶表示装置１の表示面における水平右方向を基準の方位（０°）とし、反時計回りを正とすると、直線偏光板１０の透過軸方位は０°であり、第一の配向層２００の配向方位及び第二の配向層４００の配向方位は４５°であり、画素電極５６０のスリットの延伸方向は５２°であった。

実施例１では、第一の配向層２００は強アンカリングの配向層であり、第一の配向層２００の方位角アンカリングエネルギーは６×１０^－３Ｊ／ｍ^２であった。第二の配向層４００は弱アンカリングの配向層であり、第二の配向層４００の方位角アンカリングエネルギーは６×１０^－６Ｊ／ｍ^２であった。また、反射領域における液晶層３００の位相差Δｎｄは１３７．５ｎｍであった。

なお、実施例及び比較例で用いた配向層の方位角アンカリングエネルギーは、下記手順で定量化を行った。
１）基準となる強アンカリング配向層により液晶層が挟持された基準液晶セルを作製する。基準となる強アンカリング配向層は、例えば、方位角アンカリングエネルギーが１×１０^－３Ｊ／ｍ^２以上の配向層であり、より具体的には、市販されているＡＬ１２５４、ＡＬ３０４６、ＡＬ１６３０１（ＪＳＲ株式会社製）、又は、ＳＥ２４１４、ＳＥ６４１４（日産化学株式会社製）を用いることができる。本明細書における実施例及び比較例では、ＪＳＲ株式会社製ＡＬ１６３０１を用い、ステージ移動速度１５ｍｍ／ｓ、ラビングローラの回転数５００ｒｐｍ、押し込み量０．４ｍｍの条件でラビング処理したものを用いた。
２）方位角アンカリングエネルギーを算出する対象となる配向層により液晶層が挟持されること以外は、基準液晶セルと同様の構成を有する対象液晶セルを作製する。
３）上記基準液晶セル及び上記対象液晶セルの各々について、電圧－透過率特性（ＶＴ特性）を測定し、透過率が１０％となる閾値電圧を測定する。
４）下記式より、方位角アンカリングエネルギーＡを算出する。
Ａ＝２×Ｋ_２２／［｛（Ｖ_ｔｈｓ ／ Ｖ_ｔｈｗ）－１｝×ｄ］
なお、Ｋ２２は液晶のツイスト弾性定数、Ｖ_ｔｈｓは基準セルの透過率１０％となる閾値電圧、Ｖ_ｔｈｗは対象液晶セルの透過率１０％となる閾値電圧、ｄはセル厚、を表す。

実施例１の液晶表示装置の最大反射率は２４．３％であり、コントラストは２７であり、焼付き輝度比は１．２４であった。液晶表示装置の最大反射率は、液晶表示装置に電圧を印加しながら反射率を測定し、最も高い反射率を、第二の基板の反射率で規格化することにより、最大反射率を算出した。なお、コニカミノルタ製ＣＭ７００ｄを用いて測定を行った。以下、最も高い反射率を白反射率と述べ、黒表示時の反射率を黒反射率と述べる。液晶表示装置のコントラストは、白反射率を黒反射率で除することにより算出した。液晶表示装置の焼付き輝度比は、液晶表示装置で白黒チェッカーパターンを２４時間通電試験した後、全面に３２階調（ただし、最高階調＝２５５階調）を表示し、白を表示していた部分と黒を表示していた部分の輝度比を測定し、焼付き輝度比とした。輝度の測定には、トプコンテクノハウス社製の分光放射計ＳＲ－ＵＬ２を用いた。

（実施例２）
図３１は、実施例２の液晶表示装置の断面模式図である。第一の基板１００上に上記配向膜ポリマーとしてＰＨＭＡを含む配向膜材料を成膜して第一の配向層２００（未処理の配向層）を形成し、第二の基板５００上に上記ラビング配向層用ポリマーとしてポリイミドを含む配向膜材料を成膜してラビング処理を施し、第二の配向層４００（ラビング配向層）を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、図３０及び図３１に示す実施例２の液晶表示装置１を得た。

実施例２では、第一の配向層２００は弱アンカリングの配向層であり、第一の配向層２００の方位角アンカリングエネルギーは６×１０^－６Ｊ／ｍ^２であった。第二の配向層４００は強アンカリングの配向層であり、第二の配向層４００の方位角アンカリングエネルギーは６×１０^－３Ｊ／ｍ^２であった。また、反射領域における液晶層３００の位相差Δｎｄは１３７．５ｎｍであった。

実施例２の液晶表示装置１の最大反射率は２７．１％であり、コントラストは３２であり、焼付き輝度比は１．１３であった。

ここで、共通電極５４０及び画素電極５６０（以下、共通電極及び画素電極をまとめてＦＦＳ電極ともいう。）が設けられた基板側の液晶分子３１０は、ＦＦＳ電極が設けられていない基板側の液晶分子３１０よりも電界の影響を受けるため可動し易く、ＦＦＳ電極が設けられていない基板側の液晶分子３１０は可動し難い。実施例１では、ＦＦＳ電極が設けられていない基板（第一の基板１００）側の第一の配向層２００が強アンカリングの配向層であったのに対して、実施例２では、第一の配向層２００が弱アンカリングの配向層であったため、実施例１に比べて実施例２では、電界の影響を受け難く可動し難い第一の基板１００側の液晶分子をより可動させることができた。その結果、実施例１に比べて実施例２では、より広いエリアの液晶分子３１０を可動させることが可能となり、反射率をより高めることができたと考えられる。

また、第二の基板５００はＦＦＳ電極を備えるため、第二の基板５００側は第一の基板１００側よりも電界強度が強い。実施例２では、電界強度が第一の基板１００側よりも強い第二の基板５００側に位置する第二の配向層４００を強アンカリングの配向層としたため、実施例１よりも焼付きを改善することができたと考えられる。

（実施例３）
図３２は、実施例３の液晶表示装置の断面模式図である。図３３は、実施例３及び４の液晶表示装置の偏光板の透過軸方位、第一及び第二の配向層の配向方位、並びに、λ／２板の遅相軸方位を示す図である。第一の配向層２００及び第二の配向層４００の配向方位を変更し、かつ、液晶パネルを得た後、第一の基板１００の観察面側にλ／２板１１を設けたこと以外は、実施例１と同様にして図３２及び図３３に示す実施例３の液晶表示装置１を得た。液晶表示装置１の表示面における水平右方向を基準の方位（０°）とし、反時計回りを正とすると、直線偏光板１０の透過軸方位は０°であり、λ／２板１１の遅相軸方位は１５°であり、第一の配向層２００の配向方位及び第二の配向層４００の配向方位は７５°であり、画素電極５６０のスリットの延伸方向は８５°であった。

実施例３では、第一の配向層２００は強アンカリングの配向層であり、第一の配向層２００の方位角アンカリングエネルギーは６×１０^－３Ｊ／ｍ^２であった。第二の配向層４００は弱アンカリングの配向層であり、第二の配向層４００の方位角アンカリングエネルギーは６×１０^－６Ｊ／ｍ^２であった。また、反射領域における液晶層３００の位相差Δｎｄは１３７．５ｎｍであった。

実施例３の液晶表示装置の最大反射率は２４．１％であり、コントラストは７５であり、焼付き輝度比は１．２４であった。実施例３では、第一の基板１００と直線偏光板１０との間にλ／２板１１を設けることにより、実施例１よりもコントラストを高めることができた。

（実施例４）
図３４は、実施例４の液晶表示装置の断面模式図である。第一の基板１００上に上記配向膜ポリマーとしてＰＨＭＡを含む配向膜材料を成膜して第一の配向層２００（未処理の配向層）を形成し、第二の基板５００上に上記ラビング配向層用ポリマーとしてポリイミドを含む配向膜材料を成膜してラビング処理を施し、第二の配向層４００（ラビング配向層）を形成したこと以外は、実施例３と同様にして図３３及び図３４に示す実施例３の液晶表示装置１を得た。

実施例４では、第一の配向層２００は弱アンカリングの配向層であり、第一の配向層２００の方位角アンカリングエネルギーは６×１０^－６Ｊ／ｍ^２であった。第二の配向層４００は強アンカリングの配向層であり、第二の配向層４００の方位角アンカリングエネルギーは６×１０^－３Ｊ／ｍ^２であった。また、反射領域における液晶層３００の位相差Δｎｄは１３７．５ｎｍであった。

実施例４の液晶表示装置１の最大反射率は２７．０％であり、コントラストは９１であり、焼付き輝度比は１．１３であった。実施例４は、実施例２の第一の配向層２００及び第二の配向層４００を用いることにより反射率及び焼付きを改善し、かつ、実施例３で配置したλ／２板１１を用いることにより、コントラストを改善することができた。

（比較例）
図３５は、比較例の液晶表示装置の断面模式図である。図３６は、比較例の液晶表示装置の偏光板の透過軸方位、第一及び第二の配向層の配向方位、並びに、λ／２板の遅相軸方位を示す図である。第二の基板５００上に上記ラビング配向層用ポリマーとしてポリイミドを含む配向膜材料を成膜してラビング処理を施し、第二の配向層４００（ラビング配向層）を形成したこと以外は、実施例３と同様にして図３５及び図３６に示す比較例の液晶表示装置１Ｒを得た。

比較例では、第一の配向層２００及び第二の配向層４００はいずれも強アンカリングの配向層であり、方位角アンカリングエネルギーは、６×１０^－３Ｊ／ｍ^２であった。また、反射領域における液晶層３００の位相差Δｎｄは１３７．５ｎｍであった。

比較例の液晶表示装置の最大反射率は２０．５％であり、コントラストは２３であり、焼付き輝度比は１．０４であった。

（実施例３、４及び比較例の評価）
液晶表示装置の最大反射率が、比較例では２０．５％であったのに対して、実施例３では２４．１％であり、実施例４では２７．０％であった。実施例３及び４では、ＦＦＳモードの反射型液晶表示装置において、第一の配向層２００及び第二の配向層４００の一方の配向層を弱アンカリング（ゼロ面アンカリング、スリッパリー界面）の配向層とし、片側の基板の配向を弱アンカリングとすることにより、従来可動しなかった基板付近の液晶分子３１０を可動させることができ、液晶層３００のΔｎｄ変調幅を大きくすることが可能になったと考えられる。その結果、実施例３及び４では、比較例よりも高い反射率を実現することが可能となり、縦電界モードに匹敵する高い反射率を得ることができたと考えられる。また、実施例３及び４では、高い反射率と同時に、低電圧化も達成することができる。

図３７、図３８、及び、図３９は、それぞれ、比較例、実施例３及び４の液晶表示装置における液晶分子の配向状態を計算したシミュレーション結果である。図４０は、実施例３、４及び比較例の液晶表示装置における液晶分子の変位角の大きさを液晶層の厚さ方向に対して計算したシミュレーション結果の図である。

実施例３、４及び比較例の液晶表示装置について、シンテック社製ＬＣＤ－ＭＡＳＴＥＲを用いて液晶分子の配向状態をシミュレーションした。ただし、実施例３では、第一の配向層２００の方位角アンカリングエネルギーを１×１０^－３Ｊ／ｍ^２に設定し、第二の配向層４００の方位角アンカリングエネルギーを１×１０^－７Ｊ／ｍ^２に設定した。実施例４では、第一の配向層２００の方位角アンカリングエネルギーを１×１０^－７Ｊ／ｍ^２に設定し、第二の配向層４００の方位角アンカリングエネルギーを１×１０^－３Ｊ／ｍ^２に設定した。比較例では、第一の配向層２００及び第二の配向層４００の方位角アンカリングエネルギーを１×１０^－３Ｊ／ｍ^２に設定した。結果を図３７～図４０に示す。

図３７に示すように、比較例では、液晶層３００の厚さ方向の中間領域のみ液晶分子３１０が回転するため、面内位相差Δｎｄの変調幅を充分に大きくすることができない。そのため、反射層５２０上で理想的な直線偏光にならず、反射率が低くなり、充分な明状態にならない。

一方、実施例３では、図３８に示すように、弱アンカリングとした第二の基板５００側の界面付近の液晶分子も面内回転するため、面内位相差Δｎｄの変調幅を大きくすることができ、反射率を向上させることができる。

また、実施例４では、図３９に示すように、第一の基板１００側を弱アンカリングとすることにより、第一の基板１００側の界面の液晶分子３１０も面内回転する。ここで、比較例の液晶表示装置１Ｒでは、図４０に示すように、液晶層３００の厚さ方向の中央部よりＦＦＳ電極側に液晶分子の最大変位位置がある。そのため、ＦＦＳ電極が設けられた第二の基板５００側を弱アンカリングにするよりも、第一の基板１００側を弱アンカリングとした方が、より広いエリアの液晶分子３１０を駆動させることができる。したがって、実施例４では実施例３よりも更に反射率に優れた液晶表示装置が得られたと考えられる。なお、第一の基板１００側を弱アンカリングとする構成は液晶層３００の位相差Δｎｄの変調幅が大きいため、液晶表示装置が透過領域を有する場合には当該透過領域の液晶層３００の厚さを従来のＦＦＳモードの液晶表示装置よりも小さくすることができ、応答速度の面で有利な構成となる。

図４１は、実施例３、４及び比較例の液晶表示装置のＶＲ特性を示すグラフである。実施例３、４及び比較例の液晶表示装置について、反射率の電圧依存特性（ＶＲ特性）を測定した。測定には、コニカミノルタ社製ＣＭ７００ｄを用いた。結果を図４１に示す。

図４１に示すように、実施例３及び４では、比較例に対して低電圧化し、かつ、反射率を向上することを確認できた。実施例３では、より低電圧であり、消費電力に優れた液晶表示装置を得ることができた。実施例４では、より反射率が高く、明るさに優れた液晶表示装置を得ることができた。

（実施例５）
図４２は、実施例５の液晶表示装置の断面模式図である。図４３は、実施例５の液晶表示装置の偏光板の透過軸方位、第一及び第二の配向層の配向方位、並びに、λ／２板の遅相軸方位を示す図である。絶縁基板５１０と、反射層５２０と、カラーフィルタ層１ＣＦと、平坦化膜５３０と、共通電極５４０と、絶縁膜５５０と、画素電極５６０とを有する第二の基板５００、並びに、絶縁基板１１０とフォトスペーサとを有する第一の基板１００を準備した。第一の基板１００上に、上記光配向性ポリマーとして、上記化学式（Ａ）で表されるポリアミック酸（ただし、化学式（Ａ）におけるＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４が水素原子又は炭化水素基であり、Ｘ^１はシクロブタン環を含む四価の有機基であり、Ｙ^１はメタクリレート基を含む二価の有機基）を有する配向膜材料を製膜した。

更に第二の基板５００上に、上記光配向性ポリマーとして光分解型ポリマーを含む配向膜材料（分解型光配向膜材料）を成膜した。成膜後、両基板に２５４ｎｍのバンドパスフィルタを用いて直線偏光紫外線を膜面に対して照射し、配向処理を行い、第二の基板５００上に設けられた第二の配向層４００（光配向層）を形成した。

続いて、第二の基板５００に熱・ＵＶ光併用シール材をディスペンサーにより描画し、第一の基板１００と第二の基板５００とを、液晶層３００を挟み込んで貼り合わせてセルを作製した。なおこの貼り合せシール硬化時には、シール描画部分以外にはＵＶ光は当たらないようにマスクをして、シールＵＶ硬化を行った。また、液晶材料としては、誘電異方性が正のポジ型液晶（Δε＝６．９， Δｎ＝０．０６８）に、下記化学式（Ｌ１）で表される添加剤を５ｗｔ％添加した材料を用いた。

その後、１３０℃で４０分加熱することで液晶分子の再配向処理を行い、一様に一軸配向したＦＦＳ液晶パネルを得た。得られた液晶パネルに対して、主波長３１３ｎｍのＵＶＢを第一の基板１００側から１０Ｊ／ｃｍ^２照射して第一の配向層２００（光配向層）を形成した。その後、第一の基板１００の観察面側にλ／２板１１及び直線偏光板１０を設け、図４２及び図４３に示す実施例５の液晶表示装置を得た。液晶表示装置１の表示面における水平右方向を基準の方位（０°）とし、反時計回りを正とすると、直線偏光板１０の透過軸方位は０°であり、λ／２板１１の遅相軸方位は１５°であり、第一の配向層２００の配向方位及び第二の配向層４００の配向方位は７５°であり、画素電極５６０のスリットの延伸方向は８５°であった。

実施例５では、第一の配向層２００は弱アンカリングの配向層であり、第一の配向層２００の方位角アンカリングエネルギーは２×１０^－７Ｊ／ｍ^２であった。第二の配向層４００は強アンカリングの配向層であり、第二の配向層４００の方位角アンカリングエネルギーは１×１０^－３Ｊ／ｍ^２であった。また、反射領域における液晶層３００の位相差Δｎｄは１３７．５ｎｍであった。

実施例５の液晶表示装置の最大反射率は２９．０％であり、コントラストは９５であり、焼付き輝度比は１．０７であった。実施例５は、第一の基板１００側を弱アンカリングの配向層とし、第二の基板５００側を強アンカリングとしたが、比較例では両基板側を強アンカリングとした。そのため、実施例５では比較例よりも配向層による液晶分子の配向規制力が弱く、より低電圧で液晶分子の可動域を広げることが可能となった。その結果、実施例５は比較例に対してより低電圧で反射率を向上させることができたと考えられる。また、実施例５では比較例よりも配向層により液晶分子の配向規制力が弱いため、液晶分子の可動域をより広げることが可能となり、比較例よりも反射率を向上させることができたと考えられる。

また、実施例３及び５は、弱アンカリング層を構成する材料が互いに異なり、実施例５は、焼付き及び反射率を実施例３よりも向上させることができた。実施例５では、液晶層３００に含まれる添加剤を用いて、追加照射により第二の配向層４００を形成した。実施例３のように配向膜材料のみから配向層を形成するよりも、液晶層３００に添加された添加剤及び追加照射も用いて配向層を形成した方が、材料のバリエーションも広く、より反射率に優れた液晶表示装置が得られることが分かった。実施例５の構成は追加照射が必要であり、第一の基板１００側は紫外線を透過する必要があるため、反射層５２０とカラーフィルタ層１ＣＦとは第二の基板５００に配置する必要がある。

（実施例６）
図４４は、実施例６の液晶表示装置の断面模式図である。図４５は、実施例６の液晶表示装置の偏光板の透過軸方位、第一及び第二の配向層の配向方位、並びに、λ／２板の遅相軸方位を示す図である。第一の配向層及び第二の配向層の配向方位、並びに、液晶層３００の位相差Δｎｄを変更し、液晶層にカイラル剤を添加したこと以外は、実施例５と同様にして図４４及び図４５に示す実施例６の液晶表示装置１を得た。液晶表示装置１の表示面における水平右方向を基準の方位（０°）とし、反時計回りを正とすると、直線偏光板１０の透過軸方位は０°であり、λ／２板１１の遅相軸方位は１５°であり、第一の配向層２００の配向方位は１３５°であり、第二の配向層４００の配向方位は６５°であり、画素電極５６０のスリットの延伸方向は１１０°であった。

実施例６では、第一の配向層２００は弱アンカリングの配向層であり、第一の配向層２００の方位角アンカリングエネルギーは２×１０^－７Ｊ／ｍ^２であった。第二の配向層４００は強アンカリングの配向層であり、第二の配向層４００の方位角アンカリングエネルギーは１×１０^－３Ｊ／ｍ^２であった。また、反射領域における液晶層３００の位相差Δｎｄは２５０ｎｍであった。また、液晶層のカイラルピッチは１３．９μｍであった。実施例１～５のように、第一の配向層２００の配向方位と第二の配向層４００の配向方位とが平行である場合、液晶層３００の位相差Δｎｄは１３７．５ｎｍ付近が好ましいが、実施例６のように第一の配向層２００の配向方位と第二の配向層４００の配向方位とが平行でない場合、液晶層３００の位相差Δｎｄは２５０ｎｍ付近が好ましい。

実施例６の液晶表示装置の最大反射率は２５．２％であり、コントラストは２５であり、焼付き輝度比は１．０７であった。実施例６は、第一の基板１００側を弱アンカリングの配向層とし、第二の基板５００側を強アンカリングとしたが、比較例では両基板側を強アンカリングとした。そのため、実施例６では比較例よりも配向層による液晶分子の配向規制力が弱く、より低電圧で液晶分子の可動域を広げることが可能となった。その結果、実施例６は比較例に対してより低電圧で反射率を向上させることができたと考えられる。また、実施例６では比較例よりも配向層により液晶分子３１０の配向規制力が弱いため、液晶分子３１０の可動域をより広げることが可能となり、比較例よりも反射率を向上させることができたと考えられる。

また、仮にセル厚がばらつき、液晶層３００の位相差Δｎｄがばらついていても、実施例６では液晶分子３１０をツイスト配向させているため、反射層５２０上での偏光状態のばらつきを抑制することができ、製品品質に優れた液晶表示装置をえることができる。

また、電圧オン時に液晶層３００に含まれる液晶分子３１０が回転する方向とは逆回転のカイラル剤を用いることにより、応答速度を向上させることができる。

なお、本実施例の形態に限らず、λ／２板やλ／４板を適宜挿入してもよい。

（実施例１～６、比較例及び参考例のＶＲ特性）
図４６は、実施例１～６、比較例及び参考例の液晶表示装置のＶＲ特性を示すグラフである。上記実施例１～６及び比較例に加えて、現在の反射型液晶表示装置に用いられている縦電界モードの液晶表示装置のＶＲ特性も測定し、図４６に結果を示した。

従来の横電界モードの反射型液晶表示装置（比較例）は、現在の縦電界モードの反射型液晶表示装置（参考例）に対して反射率が劣っていたため、製品には適していなかった。しかしながら、実施例１～６では、いずれも、縦電界モードの参考例に匹敵する反射率が得られた。

（実施例７）
図４７は、実施例７の液晶表示装置の断面模式図である。変形例１０に対応する実施例７の液晶表示装置１を作製した。具体的には、図４７に示すように、第二の基板５００として、反射層５２０、カラーフィルタ層１ＣＦ、フォトスペーサ、並びに、ＦＦＳ電極構造を有する共通電極５４０及び画素電極５６０を備え、各画素１ＰＸにメモリ回路（メモリ回路部）３０Ｍ及び表示電圧供給回路（表示電圧供給回路部）３０Ｄを備えるＭＩＰ駆動型のＴＦＴ基板を用意した。

各画素１ＰＸは図２１に示されるように３つの副画素（第一の副画素２１ＰＸ、第二の副画素２２ＰＸ及び第三の副画素２３ＰＸ）に分割されていた。ただし、各画素１ＰＸにおいて、第一の副画素２１ＰＸと第三の副画素２３ＰＸとは互いに連結されており、実質的に面積比が１：２の２分割状態となっていた。これにより、４階調×４階調×４階調＝６４色の表示が可能であった。

更に、第一の基板１００上に、上記化学式（Ａ）で表される構造を有するポリアミック酸（ただし、上記化学式（Ａ）におけるＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は水素原子又は炭化水素基であり、Ｘ^１はシクロブタン環を含む四価の有機基であり、Ｙ^１はメタクリレート基を含む二価の有機基）を有する配向膜材料を製膜した。また、第二の基板５００上に、実施例５と同様の分解型光配向膜材料を成膜した。

次に、第二の基板５００に熱・ＵＶ光併用シール材をディスペンサーにより描画し、第一の基板１００と第二の基板５００とを、液晶層３００を挟み込んで張り合わせてセルを作製した。なおこの貼り合せシール硬化時には、シール描画部分以外にはＵＶ光は当たらないようにマスクをして、シールＵＶ硬化を行った。また、液晶材料としては、誘電率異方性が正のポジ型液晶（Δε＝６．９、Δｎ＝０．０６８）に、上記化学式（Ｌ１）で表されるヘキシルメタクリレートを０．５ｗｔ％添加した材料を用いた。

その後、１３０℃で４０分加熱することで液晶分子の再配向処理を行い、一様に一軸配向したＦＦＳ液晶パネルを得た。得られた液晶パネルに対して、主波長３１３ｎｍのＵＶＢを第一の基板１００側から１Ｊ／ｃｍ^２照射して第一の配向層２００（光配向層）を形成した。その後、第一の基板１００の観察面側にλ／２板１１及び直線偏光板１０を設け、図４７に示す実施例７の液晶表示装置を得た。なお、偏光板やλ／２板の軸配置は、上記実施例５と同様に設定した。

実施例７では、第一の配向層２００は弱アンカリングの配向層であり、第一の配向層２００の方位角アンカリングエネルギーは２×１０^－７Ｊ／ｍ^２であった。第二の配向層４００は強アンカリングの配向層であり、第二の配向層４００の方位角アンカリングエネルギーは１×１０^－３Ｊ／ｍ^２であった。また、反射領域における液晶層３００の位相差Δｎｄは１３７．５ｎｍであった。

また、実施例７の液晶表示装置の最大反射率は２８．２％であり、コントラストは９１であり、焼付き輝度比は１．０４であった。

ここで、実施例７における液晶表示装置の焼付き輝度比は、液晶表示装置で半面に（黒／黒／黒）の最小階調を表示し、もう半面に（白／白／白）の最大階調を２４時間通電試験した後、全面に（黒／白／黒）のグレー階調を表示し、最大階調を表示していた箇所と最小階調を表示していた箇所の輝度比を測定し、焼付き輝度比とした。ＴＦＴ駆動の反射型液晶表示装置の焼き付き試験は、上記実施例１に記載の通りであるが、本実施例はＭＩＰ駆動のため、３２階調という階調が存在しない。したがって、このような方法により焼付き輝度比を求めた。

実施例７の面積階調駆動では、ひとつの副画素としては白表示及び黒表示しかしない（中間調は黒と白の面積比で表示する）。白表示及び黒表示はどちらもＶＲ特性を示すグラフにおいて飽和点に位置するため焼き付かせても輝度差が生じず、焼き付きが視認されにくい。

当該原理を確認するために、電圧を細かく振りながら反射輝度を測定できる液晶素子を別途準備した。なお、配向層の材料や光学軸の配置は、本実施例７と同にして作製した。当該液晶素子にて、焼付き試験前後でＶＲ特性を評価すると、図４８に示す通りであった。図４８は、ＭＩＰ型液晶表示装置のＶＲ特性を示すグラフである。電圧２Ｖ前後では、反射率差が大きくなっているのが分かる。一方で、０Ｖや３Ｖ付近では、反射率差がほとんど生じていないのが分かる。この結果より、本実施例のＭＩＰ型反射素子では黒（０Ｖ）と白（３．２Ｖ）との組み合わせで中間調を表示するため、焼き付きが抑えられたと考えられる。

また駆動電圧の大きさという観点でも、比較例１は５Ｖの電圧印加が必要だが、本実施例を含む弱アンカリング液晶素子は、３～３．５Ｖ程度でよい。駆動電圧が下がると、電荷の蓄積が抑えられ、すなわちＶＲ特性の変化も抑えられ、焼き付きを抑制できる。そういった低電圧駆動を実現するために、Δε≧５の高Δε液晶を好適に用いることができる。

なお、実施例７は、第一の配向層２００が弱アンカリングの配向層であり、第二の配向層４００が強アンカリングの配向層である上記実施形態１に対応するものであるが、第一の配向層２００が強アンカリングの配向層であり、第二の配向層４００が弱アンカリングの配向層である上記実施形態２、及び、第一の配向層２００及び第二の配向層４００が弱アンカリングの配向層である上記実施形態３においても、実施例７のＭＩＰ型を適用することにより、実施例７と同様の効果が得られる。

（方位角アンカリングエネルギーの検討）
シンテック社製ＬＣＤ－ＭＡＳＴＥＲを用いて、実施例２に相当する構成（第一の配向層２００が弱アンカリングの配向層）にて、液晶表示装置の反射率が、弱アンカリングの配向層の方位角アンカリングエネルギーに依存してどのように変化するのかをシミュレーションした。結果を下記表１に示す。参考例である縦電界モードの反射型液晶表示装置の最大反射率は２６％であった。表１では、最大反射率が２６％を超えたものをＯＫ（○）と判定し、最大反射率が参考例の９０％以上、すなわち２３．４％以上であり、２６％未満のものを、実用可能であるとしてＯＫ（△）と判定した。

上記表１より、一方の配向層の方位角アンカリングエネルギーを１×１０^－４Ｊ／ｍ^２未満とすることにより反射率を向上させることができ、方位角アンカリングエネルギーを１×１０^－５Ｊ／ｍ^２未満とすることにより、反射率をより向上させることができることが分かった。

１、１Ｒ：液晶表示装置
１ＣＦ：カラーフィルタ層
１ＰＸ：画素
１ＰＸＢ：青色画素
１ＰＸＧ：緑色画素
１ＰＸＲ：赤色画素
２１ＰＸ、２１ＰＸＢ、２１ＰＸＧ、２１ＰＸＲ：第一の副画素
２２ＰＸ、２２ＰＸＢ、２２ＰＸＧ、２２ＰＸＲ：第二の副画素
２３ＰＸ、２３ＰＸＢ、２３ＰＸＧ、２３ＰＸＲ：第三の副画素
２ＰＸ：副画素
１０、２０：直線偏光板
１１：λ／２板
１２：λ／４板
２１：位相差層
３０：バックライト
３０Ｄ：表示電圧供給回路（表示電圧供給回路部）
３０Ｍ：メモリ回路（メモリ回路部）
３３、３４：アナログスイッチ
３３ａ、３４ａ：ＰＭＯＳトランジスタ
３３ｂ、３４ｂ：ＮＭＯＳトランジスタ
３５、３６、４４１、４４２：インバータ
４１、４２、４３、４４３：スイッチ素子
４４：ラッチ部
４５：液晶セル
１００：第一の基板
１１０、５１０：絶縁基板
２００：第一の配向層
３００：液晶層
３１０：液晶分子
４００：第二の配向層
５００：第二の基板
５０１：ゲート線
５０２：ソース線
５０３：薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
５０５：ゲート電極
５０６：ソース電極
５０７：半導体層
５０８：ドレイン電極
５０９：コンタクトホール
５２０：反射層
５３０：平坦化膜
５３１：段差制御層
５４０：共通電極
５５０：絶縁膜
５６０：画素電極
ＣＬｃ：液晶容量
ＦＲＰ、ＸＦＲＰ：制御パルス
ＧＬ：ゲートライン出力
Ｎｏｕｔ：出力ノード
ＯＵＴ：極性出力
Ｒ：反射領域
ＳＩＧ：データ
ＳＬ：ソースライン出力
Ｔ：透過領域
ＶＡ：白極性用出力
ＶＢ：黒極性用出力
Ｖｃｏｍ：コモン出力（コモン電位）
ＶＤＤ、ＶＳＳ：電源
φＶ（φＶ１～φＶｍ）：操作信号

Claims (16)

1. 第一の基板と、
   第一の配向層と、
   電圧無印加時に水平配向する液晶分子を含む液晶層と、
   第二の配向層と、
   画素電極及び共通電極を有する第二の基板と、をこの順に備え、かつ
   前記第一の配向層、前記液晶層、前記第二の配向層、前記画素電極及び前記共通電極よりも背面側であって画素の少なくとも一部に設けられた反射層を備え、
   前記第一の配向層及び前記第二の配向層の少なくとも一方の配向層は、方位角アンカリングエネルギーが１×１０^－４Ｊ／ｍ^２未満であることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記第一の配向層は、方位角アンカリングエネルギーが１×１０^－４Ｊ／ｍ^２未満であり、
   前記第二の配向層は、方位角アンカリングエネルギーが１×１０^－４Ｊ／ｍ^２以上であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記第一の配向層は、方位角アンカリングエネルギーが１×１０^－５Ｊ／ｍ^２未満であることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
4. 前記画素は、前記反射層が設けられた反射領域と、前記反射層が設けられていない透過領域とを有し、
   前記液晶層は、前記透過領域における位相差が２２０ｎｍ以上、３２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２又は３に記載の液晶表示装置。
5. 更に、λ／４板を備え、
   前記第一の配向層の配向方位は、前記第二の配向層の配向方位と平行であり、
   前記液晶層は、前記反射層に重畳する領域における位相差が８０ｎｍ以上、１８０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２～４のいずれかに記載の液晶表示装置。
6. 前記第二の配向層は、方位角アンカリングエネルギーが１×１０^－４Ｊ／ｍ^２未満であり、
   前記第一の配向層は、方位角アンカリングエネルギーが１×１０^－４Ｊ／ｍ^２以上であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
7. 前記第二の配向層は、方位角アンカリングエネルギーが１×１０^－５Ｊ／ｍ^２未満であることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
8. 更に、λ／４板を備え、
   前記第一の配向層の配向方位は、前記第二の配向層の配向方位と平行であり、
   前記液晶層は、前記反射層に重畳する領域における位相差が１３０ｎｍ以上、２３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項６又は７に記載の液晶表示装置。
9. 前記第一の配向層の配向方位は、前記第二の配向層の配向方位と平行であり、
   前記液晶層は、前記反射層に重畳する領域における位相差が１３０ｎｍ以上、１４５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１～８のいずれかに記載の液晶表示装置。
10. 前記第一の配向層の配向方位は、前記第二の配向層の配向方位と平行ではなく、
    前記液晶層は、前記反射層に重畳する領域における位相差が２４０ｎｍ以上、２６０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１～４、６及び７のいずれかに記載の液晶表示装置。
11. 前記第二の基板は、更に、カラーフィルタを備えることを特徴とする請求項１～１０のいずれかに記載の液晶表示装置。
12. 前記第一の配向層及び前記第二の配向層の少なくとも一方は、シクロブタン基、アゾベンゼン基、カルコン基、シンナメート基、クマリン基、スチルベン基、フェノールエステル基及びフェニルベンゾエート基から選択される少なくとも一種の第一の光官能基と、アクリレート基、メタクリレート基、シンナモイル基、クマリン基、ビニル基、アリル基、スチリル基及びマレイミド基から選択される少なくとも一種の第二の光官能基と、を有するポリマーを含み、
    前記液晶層は、アクリレート基、メタクリレート基、シンナモイル基、クマリン基、ビニル基、アリル基、スチリル基及びマレイミド基からなる群より選択される少なくとも一種の基を有する添加剤を含むことを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
13. 更に、λ／２板を備えることを特徴とする請求項１～１２のいずれかに記載の液晶表示装置。
14. 更に、λ／４板を備えることを特徴とする請求項１～１３のいずれかに記載の液晶表示装置。
15. 前記画素は、複数の副画素を有することを特徴とする請求項１～１４のいずれかに記載の液晶表示装置。
16. 前記画素は、メモリ回路を備えることを特徴とする請求項１～１５のいずれかに記載の液晶表示装置。
    
    

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