JP2022020448A - Sample for detecting hydrogen permeation, and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

To provide a sample for detecting hydrogen permeation that is obtained by causing a support member to impart desired rigidity to a thin-film sample body having low rigidity that cannot stand on its own, and a manufacturing method thereof.SOLUTION: A sample 45 for detecting hydrogen permeation is composed of a plate-shaped support member 46 having predetermined rigidity and hydrogen permeability, and a thin-film sample body 47 arranged on the surface of the support member 46.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、板状の試料の背面から透過した水素原子あるいは当該試料の材料内部から湧出した水素原子を走査型電子顕微鏡の走査電子により励起させて、水素イオンを電子遷移誘起脱離法によって脱離し、走査型電子顕微鏡の電子線の走査に同期して該脱離した水素イオンのESD像を取得する、水素透過検出のための試料に関するものである。 In the present invention, hydrogen atoms transmitted from the back surface of a plate-shaped sample or hydrogen atoms ejected from the inside of the material of the sample are excited by scanning electrons of a scanning electron microscope, and hydrogen ions are desorbed by an electron transition-induced desorption method. It relates to a sample for detecting hydrogen permeation, which is separated and obtains an ESD image of the desorbed hydrogen ions in synchronization with scanning of an electron beam of a scanning electron microscope.

従来、このような水素透過検出のためには、例えば特許文献1に開示されている水素透過拡散経路観測装置が使用される。水素透過拡散経路観測装置は、走査型電子顕微鏡と、分析室と、試料が装着される隔膜型真空容器と、隔膜型真空容器に接続されて試料の裏面側に水素を供給する水素配管等を備えている。試料が、分析室と隔膜型真空容器の水素を収容する中空部(以下、水素室という)とを仕切る隔膜となる。試料表面から湧出する水素が、走査型電子顕微鏡像(Scanning Electron Microscope 像、以下、SEM像と呼ぶ)を取得する電子線より励起されて水素イオンとなって表面から脱離し(これをESD(Electron Stimulated Desorption)機構と呼ぶ)、この水素イオンによるESD像が、SEM像と共に取得される。 Conventionally, for such hydrogen permeation detection, for example, the hydrogen permeation diffusion path observation device disclosed in Patent Document 1 is used. The hydrogen permeation / diffusion path observation device includes a scanning electron microscope, an analysis room, a diaphragm-type vacuum vessel on which the sample is mounted, and a hydrogen pipe connected to the diaphragm-type vacuum vessel to supply hydrogen to the back surface of the sample. I have. The sample serves as a diaphragm that separates the analysis chamber from the hollow portion (hereinafter referred to as the hydrogen chamber) that houses hydrogen in the diaphragm-type vacuum vessel. Hydrogen that springs out from the surface of the sample is excited by an electron beam that acquires a scanning electron microscope image (hereinafter referred to as SEM image) to become hydrogen ions and is desorbed from the surface (ESD (Electron)). Stimulated Desorption) mechanism), the ESD image by this hydrogen ion is acquired together with the SEM image.

特開2017-187457号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2017-187457

ところで、このような水素透過拡散経路観測装置においては、上述したように、試料自体が分析室と水素室とを仕切る隔膜としても機能していることから、ある程度の剛性と真空シールとして機能することが必要である。
これに対して、試料が単体では自立できない程度に薄い薄膜状に形成されている場合には、剛性が低いため形状を保持することが困難であると共に、前述した隔膜としては機能し得なくなってしまう。このため、このような試料に関しては、試料単体では水素透過検出を行なうことが実質的に不可能であった。
By the way, in such a hydrogen permeation / diffusion path observation device, as described above, since the sample itself also functions as a diaphragm separating the analysis chamber and the hydrogen chamber, it functions as a certain degree of rigidity and a vacuum seal. is necessary.
On the other hand, when the sample is formed into a thin thin film that cannot stand on its own, it is difficult to maintain its shape due to its low rigidity, and it cannot function as the above-mentioned diaphragm. It ends up. Therefore, for such a sample, it is practically impossible to detect hydrogen permeation with the sample alone.

さらに、このように試料単体では自立できない程度に薄い薄膜状の試料の表面に、局所的な絶縁領域が存在すると、当該絶縁領域が局所的にマイナスに帯電して、所謂チャージアップが発生する。その結果、当該絶縁領域のチャージアップ発生エリアにおいて、電子照射の際に電子が接近しにくくなるため、試料の表面全体における電子照射密度が不均一になってしまう。 Further, if a local insulating region exists on the surface of the thin film sample that is so thin that the sample alone cannot stand on its own, the insulating region is locally negatively charged and so-called charge-up occurs. As a result, in the charge-up generation area of the insulating region, it becomes difficult for electrons to approach during electron irradiation, so that the electron irradiation density on the entire surface of the sample becomes non-uniform.

これに対して、一般的な電子顕微鏡においては、チャージアップしやすい絶縁体やプラスチックの表面にプラスイオンを照射して中性化する手法や、絶縁体やプラスチック自体の測定を行なう場合には表面に薄いカーボンや金属の薄膜をコーティングしてチャージアップの発生を抑制する手法が知られている。 On the other hand, in a general electron microscope, a method of irradiating the surface of an insulator or plastic that is easily charged up with positive ions to neutralize it, or a surface when measuring the insulator or plastic itself. A method of coating a thin carbon or metal thin film on the surface to suppress the occurrence of charge-up is known.

しかしながら、二次電子の測定を行なう場合には、カーボンや金属の薄膜を試料表面に配設することは、チャージアップの発生を抑止するために有効ではあるが、水素イオンの測定を行なう場合には、水素イオンの透過を妨げるおそれがあることから、このようなカーボンや金属の薄膜を用いることは、水素イオンの透過には必ずしも有効ではない。 However, when measuring secondary electrons, disposing a thin film of carbon or metal on the surface of the sample is effective for suppressing the occurrence of charge-up, but when measuring hydrogen ions, Since there is a risk of hindering the permeation of hydrogen ions, the use of such a thin film of carbon or metal is not always effective for the permeation of hydrogen ions.

本発明は、以上の点に鑑み、自立できない程度に剛性の低い薄膜状の試料本体に対して、支持部材により所望の剛性と真空シールとして機能を付与するようにした水素透過検出のための試料を提供することを第1の目的とし,その製造方法を提供することを第2の目的としている。 In view of the above points, the present invention is a sample for hydrogen permeation detection in which a thin-film sample body having a low rigidity that cannot stand on its own is provided with a desired rigidity and a function as a vacuum seal by a support member. The first purpose is to provide the above, and the second purpose is to provide the manufacturing method thereof.

上記第1の目的は、所定の剛性及び水素透過性を備えた板状の支持部材と支持部材の表面に配設された薄膜状の試料本体とを備えた、水素透過検出のための試料により達成される。 The first purpose is to use a sample for detecting hydrogen permeation, which comprises a plate-shaped support member having predetermined rigidity and hydrogen permeability and a thin-film sample body disposed on the surface of the support member. Achieved.

上記構成において、水素透過検出のための試料は、好ましくは、試料本体が単体では自立できない程度の薄膜である。
支持部材は、好ましくは、パラジウム,バナジウム,ニオブ,タンタル,チタン,ジルコニウム,銀又はこれらの合金の何れかから構成される。
支持部材の表面及び/又は裏面が鏡面研磨されることが好ましい。この支持部材は好ましくは、水素透過性に関して均一に形成され、試料本体の構造分布に対して大きい、例えば一桁以上大きい結晶粒又は単結晶から構成されるか、または、試料本体の構造分布に対して小さい、例えば一桁以上小さい微結晶から構成されていてもよい。この試料本体は、好ましくは局所的に絶縁部分を備え、又は全体が絶縁材料から構成され、試料本体の表面上に水素透過性を備えた導電性薄膜が配設されている。
In the above configuration, the sample for detecting hydrogen permeation is preferably a thin film to the extent that the sample body cannot stand on its own.
The support member is preferably composed of either palladium, vanadium, niobium, tantalum, titanium, zirconium, silver or an alloy thereof.
It is preferable that the front surface and / or the back surface of the support member is mirror-polished. This support member is preferably formed uniformly with respect to hydrogen permeability and is composed of crystal grains or single crystals that are larger than the structural distribution of the sample body, for example, one digit or more larger, or have a structural distribution of the sample body. On the other hand, it may be composed of small crystals, for example, one digit or more smaller. The sample body is preferably locally provided with an insulating portion, or is entirely composed of an insulating material, and a conductive thin film having hydrogen permeability is disposed on the surface of the sample body.

上記第2の目的は、支持部材の表面上に化学堆積法又は物理堆積法により試料本体を形成する、水素透過検出のための試料の製造方法により達成される。 The second object is achieved by a method for producing a sample for detecting hydrogen permeation, in which a sample body is formed on the surface of a support member by a chemical deposition method or a physical deposition method.

上記構成において、試料本体は、好ましくは、真空蒸着法,電子ビーム蒸着法又はスパッタリング法の何れかにより形成される。
試料本体の表面上に、好ましくは蒸着により導電性薄膜を形成する。この導電性薄膜は、好ましくは真空蒸着法,電子ビーム蒸着法又はスパッタリング法により形成され、または、前記試料の表面を損傷しない程度にスパッタリング法により形成されてもよい。
In the above configuration, the sample body is preferably formed by either a vacuum vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, or a sputtering method.
A conductive thin film is formed on the surface of the sample body, preferably by thin film deposition. The conductive thin film is preferably formed by a vacuum vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, or a sputtering method, or may be formed by a sputtering method to the extent that the surface of the sample is not damaged.

本発明によれば、自立できない程度に剛性の低い薄膜状の試料本体に対して、支持部材により所望の剛性を付与するようにした水素透過検出のための試料及びその製造方法を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a sample for detecting hydrogen permeation and a method for producing the same, in which a support member imparts desired rigidity to a thin-film sample body having a low rigidity that cannot be self-supporting. can.

本発明による水素透過検出のための試料の第一の実施形態の構成を示す拡大断面図である。It is an enlarged sectional view which shows the structure of the 1st Embodiment of a sample for hydrogen permeation detection by this invention. 図1の試料に対して水素透過検出を行なうための水素透過拡散経路観測装置の構成例を模式的に示す図である。It is a figure which shows the structural example of the hydrogen permeation diffusion path observation apparatus for performing hydrogen permeation detection with respect to the sample of FIG. 1 schematically. 図2の水素透過拡散経路観測装置の分析室内の水素イオン検出部と試料ホルダーの装着構造等を示す部分拡大図である。FIG. 2 is a partially enlarged view showing a hydrogen ion detection unit and a mounting structure of a sample holder in the analysis chamber of the hydrogen permeation / diffusion path observation device of FIG. 図2の水素透過拡散経路観測装置の制御部の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the control part of the hydrogen permeation diffusion path observation apparatus of FIG. 図2の水素透過拡散経路観測装置の電子衝撃脱離全体制御部の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the electron shock desorption whole control part of the hydrogen permeation diffusion path observation apparatus of FIG. 電子線の走査とESD像の二次元計測との関係を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the relationship between the scanning of an electron beam and the two-dimensional measurement of an ESD image. 電子線の走査により二次元のESD像を計測するフロー図である。It is a flow diagram which measures a two-dimensional ESD image by scanning an electron beam. 図1の試料を支持する支持部材として大きな結晶粒を有する結晶構造の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the crystal structure which has a large crystal grain as a support member which supports the sample of FIG. 図8の結晶構造をさらに拡大して示す図である。It is a figure which shows the crystal structure of FIG. 8 further enlarged. 本発明による水素透過検出のための試料の第二の実施形態の構成を示す拡大断面図である。It is an enlarged sectional view which shows the structure of the 2nd Embodiment of a sample for hydrogen permeation detection by this invention.

以下、図面に示した実施形態に基づいて本発明を詳細に説明する。
図1は、本発明による水素透過検出のための試料(以下、試料という)の第一の実施形態の構成を示している。
Hereinafter, the present invention will be described in detail based on the embodiments shown in the drawings.
FIG. 1 shows the configuration of a first embodiment of a sample (hereinafter referred to as a sample) for detecting hydrogen permeation according to the present invention.

図1において、試料45は、支持部材46と支持部材46の表面に配設された試料本体47とから構成されている。試料本体47は、導電性材料又は絶縁材料からなる薄膜状の層である。図示の場合、試料本体47の一部には絶縁領域48a,48bが配設されている。この絶縁領域48a,48bは1箇所に限らず複数が配設される場合を示している。支持部材46は、所定の剛性及び水素透過性を備えた材料から構成されており、板状の偏平な形状に形成されている。
所定の剛性とは、後述する水素透過拡散経路観測装置10において、試料本体47の形状を保持し得ると共に、走査型電子顕微鏡15の分析室11と試料ホルダー12の中空部12a(水素室と呼ぶ)とを仕切る隔膜として機能し得る程度の剛性である。このような剛性と水素透過性を備えた材料としては、金属材料、例えばパラジウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、チタン、ジルコニウム、銀やこれらの合金が好適である。合金としては、例えばパラジウムと銀との合金等が挙げられる。
In FIG. 1, the sample 45 is composed of a support member 46 and a sample body 47 arranged on the surface of the support member 46. The sample body 47 is a thin film layer made of a conductive material or an insulating material. In the case of illustration, insulating regions 48a and 48b are arranged in a part of the sample body 47. The insulating regions 48a and 48b are not limited to one location, and a plurality of insulating regions 48a and 48b are arranged. The support member 46 is made of a material having predetermined rigidity and hydrogen permeability, and is formed in a plate-like flat shape.
The predetermined rigidity means that the shape of the sample body 47 can be maintained in the hydrogen permeation / diffusion path observation device 10 described later, and the hollow portion 12a (referred to as a hydrogen chamber) of the analysis chamber 11 of the scanning electron microscope 15 and the sample holder 12. ) And the rigidity that can function as a diaphragm. As the material having such rigidity and hydrogen permeability, metal materials such as palladium, vanadium, niobium, tantalum, titanium, zirconium, silver and alloys thereof are suitable. Examples of the alloy include an alloy of palladium and silver.

また、支持部材46は、その厚さが例えば100μmから1000μm程度の範囲において、支持部材46表面に配設される試料本体47の種類に応じて所定の剛性を備えるように適宜に選定される。支持部材46の寸法は任意であるが、直径を例えば5mm~20mm程度としてもよい。 Further, the support member 46 is appropriately selected so as to have a predetermined rigidity according to the type of the sample main body 47 arranged on the surface of the support member 46, for example, in the range of the thickness of about 100 μm to 1000 μm. The size of the support member 46 is arbitrary, but the diameter may be, for example, about 5 mm to 20 mm.

さらに、支持部材46は、好ましくはその表面及び/又は裏面が鏡面研磨されている。支持部材46の表面が鏡面研磨されることにより、支持部材46の表面から水素原子が脱離する際に、支持部材46の表面形状によって影響を受けることがなく、正確な水素透過検出が行なわれ得ると共に、さらに支持部材46の裏面が鏡面研磨されることにより密着性が向上して、仕切る隔膜としての真空シール性が確保される。 Further, the support member 46 is preferably mirror-polished on its front surface and / or back surface. Since the surface of the support member 46 is mirror-polished, when hydrogen atoms are desorbed from the surface of the support member 46, it is not affected by the surface shape of the support member 46, and accurate hydrogen permeation detection is performed. At the same time, the back surface of the support member 46 is mirror-polished to improve the adhesion and secure the vacuum sealing property as a partitioning membrane.

支持部材46の上記した材料は、所定の剛性を備え前記隔膜として機能し得ると共に高い水素透過性を備え、従来から所謂水素フィルタとして実用化されており、水素透過性を備えているので支持部材46として使用することができ、水素透過検出の際に水素イオンの透過を妨げるようなことはない。 The above-mentioned material of the support member 46 has predetermined rigidity, can function as the diaphragm, and has high hydrogen permeability. It has been practically used as a so-called hydrogen filter, and has hydrogen permeability, so that the support member has a hydrogen permeability. It can be used as 46 and does not interfere with the permeation of hydrogen ions during hydrogen permeation detection.

さらに、支持部材46は、水素透過性に関して均一に形成されている。この構成によれば、試料本体47が水素透過性に関して均一に形成された支持部材46の表面に配設されることで、試料本体47の電子遷移誘起による水素透過検出を、支持部材46の水素透過性に影響されることなく、試料本体47の表面全体に亘って均一に且つ正確に行なうことができる。 Further, the support member 46 is uniformly formed with respect to hydrogen permeability. According to this configuration, the sample body 47 is arranged on the surface of the support member 46 uniformly formed with respect to hydrogen permeability, so that hydrogen permeation detection by electron transition induction of the sample body 47 can be detected by hydrogen in the support member 46. It can be performed uniformly and accurately over the entire surface of the sample body 47 without being affected by the permeability.

具体的には、支持部材46は、試料本体47の水素透過検出が行なわれるべき領域、即ち構造分布に対して、あるいは走査型電子顕微鏡15の視野に対して、十分に大きい結晶粒又は単結晶から構成されている。支持部材46の結晶粒又は単結晶は、試料本体47の構造分布に対して一桁以上大きい結晶粒又は単結晶から構成してもよい。例えば、試料本体47の構造分布が30μmよりも小さい場合には、支持部材46を300μm以上の大きさの結晶粒又は単結晶から構成されるようにすればよい。これにより、試料本体47の水素透過検出が行なわれるべき領域即ち構造分布が支持部材46のただ一つの結晶内に収まることになり、試料本体47の電子遷移誘起による水素透過検出を、支持部材46の結晶の境界に影響されることなく、試料本体47の表面全体に亘って均一に且つ正確に行なうことができる。 Specifically, the support member 46 is a crystal grain or a single crystal that is sufficiently large with respect to the region where hydrogen permeation detection of the sample body 47 should be performed, that is, with respect to the structural distribution or the field of view of the scanning electron microscope 15. It is composed of. The crystal grains or single crystals of the support member 46 may be composed of crystal grains or single crystals that are an order of magnitude larger than the structural distribution of the sample body 47. For example, when the structural distribution of the sample body 47 is smaller than 30 μm, the support member 46 may be composed of crystal grains or single crystals having a size of 300 μm or more. As a result, the region where the hydrogen permeation detection of the sample body 47 should be performed, that is, the structural distribution is contained in only one crystal of the support member 46, and the hydrogen permeation detection by the electron transition induction of the sample body 47 can be detected by the support member 46. It can be performed uniformly and accurately over the entire surface of the sample body 47 without being affected by the crystal boundary of the sample body 47.

他方、支持部材46は、試料本体47の水素透過検出が行なわれるべき領域即ち構造分布に対して、あるいは走査型電子顕微鏡15の視野に対して、十分に小さい、例えば一桁以上小さい多数の微結晶から構成されていてもよい。例えば、試料本体47の構造分布が30μmとすれば、微結晶の粒径は3μm以下とすることでもよい。これにより、試料本体47の水素透過検出が行なわれるべき領域が、支持部材46の多数の微結晶で対応することになり、全体として水素透過性がほぼ均一になることから、試料本体47の電子遷移誘起による水素透過検出を支持部材46の結晶の境界に影響されることなく、試料本体47の表面全体に亘って均一に且つ正確に行なうことができる。 On the other hand, the support member 46 is sufficiently small with respect to the region where hydrogen permeation detection of the sample body 47 should be detected, that is, the structural distribution, or with respect to the field of view of the scanning electron microscope 15, for example, a large number of crystals smaller by an order of magnitude or more. It may be composed of crystals. For example, if the structural distribution of the sample body 47 is 30 μm, the particle size of the microcrystals may be 3 μm or less. As a result, the region where hydrogen permeation detection of the sample body 47 should be performed corresponds to a large number of microcrystals of the support member 46, and the hydrogen permeation becomes almost uniform as a whole. Hydrogen permeation detection by transition induction can be performed uniformly and accurately over the entire surface of the sample body 47 without being affected by the crystal boundary of the support member 46.

試料本体47は、金属,Si等の材料から構成されている。ここで、試料本体47は、本発明による水素透過検出のための試料の製造方法の実施形態によって、支持部材46の表面に対して化学堆積法(CVD法)や物理堆積法(PVD法)により成膜することができる。物理堆積法としては、蒸着法、例えば真空蒸着法,電子ビーム蒸着法,スパッタリング法等の何れかの蒸着方法によって、支持部材46の表面に対するコーティング膜として形成される。これにより、試料本体47が、支持部材46の表面に対して例えば蒸着、特に真空蒸着法,電子ビーム蒸着法又はスパッタリング法の何れかの方法により確実に且つ均一に形成され得る。 The sample body 47 is made of a material such as metal or Si. Here, the sample body 47 is subjected to a chemical vapor deposition method (CVD method) or a physical vapor deposition method (PVD method) on the surface of the support member 46 according to the embodiment of the sample manufacturing method for detecting hydrogen permeation according to the present invention. A film can be formed. As the physical deposition method, a coating film is formed on the surface of the support member 46 by any vapor deposition method such as a vapor deposition method, for example, a vacuum vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a sputtering method, or the like. As a result, the sample body 47 can be reliably and uniformly formed on the surface of the support member 46 by, for example, a vapor deposition method, particularly a vacuum vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, or a sputtering method.

試料本体47は、単体では自立できない程度の低い剛性を備えた薄膜である。このため試料本体47を支持部材46表面に配設する場合、支持部材46により補強して自立できるような形状保持性を備えさせることが必要となり、これによって走査型電子顕微鏡15の分析室11と水素室12aとを仕切る隔膜として機能し得る。なお、試料本体47は、水素拡散防止効果又は水素拡散抑制効果がある場合もない場合も含む。さらに、試料本体47は、部分的に水素拡散防止効果又は水素拡散抑制効果がある薄膜も含む。 The sample body 47 is a thin film having a low rigidity that cannot stand on its own. Therefore, when the sample body 47 is arranged on the surface of the support member 46, it is necessary to reinforce the sample body 47 with the support member 46 so as to have a shape-retaining property so that the sample body 47 can stand on its own. It can function as a diaphragm separating the hydrogen chamber 12a. The sample body 47 may or may not have a hydrogen diffusion preventing effect or a hydrogen diffusion suppressing effect. Further, the sample body 47 also includes a thin film having a hydrogen diffusion preventing effect or a hydrogen diffusion suppressing effect partially.

本発明実施形態の水素透過検出のための試料45は以上のように構成されており、この試料45の水素透過検出を行なう場合について説明する。図2は試料45に対して水素透過検出を行なうための水素透過拡散経路観測装置10の構成例を模式的に示し、図3は水素透過拡散経路観測装置10の分析室11内の水素イオン検出部20の構造と試料ホルダー12の装着構造等を示す部分拡大図である。 The sample 45 for detecting hydrogen permeation according to the embodiment of the present invention is configured as described above, and a case of detecting hydrogen permeation of this sample 45 will be described. FIG. 2 schematically shows a configuration example of the hydrogen permeation / diffusion path observation device 10 for detecting hydrogen permeation with respect to the sample 45, and FIG. 3 shows hydrogen ion detection in the analysis chamber 11 of the hydrogen permeation / diffusion path observation device 10. It is a partially enlarged view which shows the structure of a part 20 and the mounting structure of a sample holder 12.

図2に示すように、水素透過拡散経路観測装置10は走査型電子顕微鏡15を備え、この走査型電子顕微鏡15の分析室11内には、試料ホルダー12の上部に配設した試料45に電子線を照射する電子源16が備えられている。さらに、分析室11には、分析室11で試料45に照射された電子線16aにより生じる二次電子を検出する二次電子検出器18と、電子源16から照射された電子線16aにより生じる水素イオンを検出する水素イオン検出部20と、水素イオン検出部20を制御する制御部50と、試料45の裏面側に接続される水素配管14に水素を供給するガス供給部19と、を備えている。 As shown in FIG. 2, the hydrogen permeation diffusion path observation device 10 includes a scanning electron microscope 15, and in the analysis chamber 11 of the scanning electron microscope 15, electrons are generated in a sample 45 arranged above the sample holder 12. An electron source 16 for irradiating a line is provided. Further, in the analysis chamber 11, a secondary electron detector 18 for detecting secondary electrons generated by the electron beam 16a irradiated on the sample 45 in the analysis chamber 11 and hydrogen generated by the electron beam 16a emitted from the electron source 16 are provided. A hydrogen ion detection unit 20 for detecting ions, a control unit 50 for controlling the hydrogen ion detection unit 20, and a gas supply unit 19 for supplying hydrogen to a hydrogen pipe 14 connected to the back surface side of the sample 45 are provided. There is.

試料45は、分析室11内で図示しない試料加熱部により加熱されてもよい。また、試料45は、試料ホルダー12の図示しない試料搭載部に固定され又は溶接等により接着される。図3に示すように、試料45は、試料ホルダー12と共に走査型電子顕微鏡15の分析室11内に配置される。これにより、試料ホルダー12の水素室12aと分析室11との間が試料45により仕切られるので、試料45が分析室11と水素室12aとを仕切る隔膜として機能する。 The sample 45 may be heated by a sample heating unit (not shown) in the analysis chamber 11. Further, the sample 45 is fixed to a sample mounting portion (not shown) of the sample holder 12 or adhered by welding or the like. As shown in FIG. 3, the sample 45 is arranged in the analysis chamber 11 of the scanning electron microscope 15 together with the sample holder 12. As a result, the hydrogen chamber 12a of the sample holder 12 and the analysis chamber 11 are partitioned by the sample 45, so that the sample 45 functions as a diaphragm separating the analysis chamber 11 and the hydrogen chamber 12a.

水素イオン検出部20は、試料45の表面から生じる水素イオンを収集する収集機構21と、水素イオン以外を除去するイオンエネルギー分解部22と、イオンエネルギー分解部22を通過した水素イオンを検出するイオン検出部23と、からなる。 The hydrogen ion detection unit 20 has a collection mechanism 21 that collects hydrogen ions generated from the surface of the sample 45, an ion energy decomposition unit 22 that removes non-hydrogen ions, and an ion that detects hydrogen ions that have passed through the ion energy decomposition unit 22. It consists of a detection unit 23 and.

試料ホルダー12には、水素ガス供給部19から供給され試料ホルダー12の水素室12aの内部に存在する水素が、試料45の裏面側に接触していて、試料45の支持部材46の裏面側から内部に導入される。この水素は、試料45の支持部材46及び試料本体47の内部を拡散して、試料45の表側、即ち試料本体47の表面に到達し試料本体47の表面から放出される。つまり、水素や重水素は、試料45の裏面側から表面に透過する。この試料本体47の表面に到達した水素に電子線16aを照射することで、電子衝撃脱離(ESD)により試料本体47から水素イオンが脱離し、この水素イオンを収集機構21で集束することによって水素イオン検出部20で検出される。 In the sample holder 12, hydrogen supplied from the hydrogen gas supply unit 19 and existing inside the hydrogen chamber 12a of the sample holder 12 is in contact with the back surface side of the sample 45, and is from the back surface side of the support member 46 of the sample 45. Introduced inside. This hydrogen diffuses inside the support member 46 of the sample 45 and the sample body 47, reaches the front side of the sample 45, that is, the surface of the sample body 47, and is released from the surface of the sample body 47. That is, hydrogen and deuterium permeate from the back surface side of the sample 45 to the front surface. By irradiating the hydrogen reaching the surface of the sample body 47 with an electron beam 16a, hydrogen ions are desorbed from the sample body 47 by electron shock desorption (ESD), and the hydrogen ions are focused by the collection mechanism 21. It is detected by the hydrogen ion detection unit 20.

水素イオン検出部20では、ESD法により試料本体47の表面で発生する水素イオンを検出する。電子線16aの走査で検出した水素イオンによる二次元の像を、ESD像又はESDマップとも呼ぶ。 The hydrogen ion detection unit 20 detects hydrogen ions generated on the surface of the sample body 47 by the ESD method. The two-dimensional image of hydrogen ions detected by scanning the electron beam 16a is also called an ESD image or ESD map.

試料45の表面側の近傍には、脱離イオンを効率よく収集するための収集機構21が配設されている。図示の収集機構21は例えば金属線のメッシュからなり、グリッド構造のレンズである。収集機構21で収集した目的ガスのイオン、例えば水素イオンは水素イオン検出部20に入射する。イオンエネルギー分解部22では、例えば水素イオンを選別してイオン検出器23に入射させる。 A collection mechanism 21 for efficiently collecting desorbed ions is arranged in the vicinity of the surface side of the sample 45. The illustrated collection mechanism 21 is made of, for example, a mesh of metal wires, and is a lens having a grid structure. Ions of the target gas collected by the collection mechanism 21, for example, hydrogen ions, are incident on the hydrogen ion detection unit 20. In the ion energy decomposition unit 22, for example, hydrogen ions are selected and incident on the ion detector 23.

イオンエネルギー分解部22は、イオン検出器23が試料45に直接対向しないように蓋形状を有する金属電極からなる。イオンエネルギー分解部22は円筒形や円錐を含む形状の電極を用いることができる。イオンエネルギー分解部22の円筒形の電極に適当な正電圧を印加し、電場により目的ガスのイオン、例えば水素イオンだけをイオン検出器23に導き、試料45に電子線16aを照射することで発生する光と電子を除去することができる。イオン検出器23は、例えばセラトロンや二次電子増倍管を用いることができる。 The ion energy decomposition unit 22 is composed of a metal electrode having a lid shape so that the ion detector 23 does not directly face the sample 45. The ion energy decomposition unit 22 can use an electrode having a shape including a cylinder or a cone. Generated by applying an appropriate positive voltage to the cylindrical electrode of the ion energy decomposition unit 22, guiding only the ions of the target gas, for example, hydrogen ions, to the ion detector 23 by an electric field, and irradiating the sample 45 with an electron beam 16a. Can remove light and electrons. As the ion detector 23, for example, a seratron or a secondary electron multiplier tube can be used.

制御部50は、電子源16から照射する電子線16aの走査により試料45から発生する二次電子によるSEM像を取得し、且つ試料45の内部や表面の点欠陥部分から湧出する水素原子を、電子線の電子衝撃脱離(ESD)により水素イオン化して、水素イオンのESD像を電子線の走査に同期して取得する。ここで、ESDは、材料から湧出して表面に滞在している水素原子に照射された電子が当たったとき、水素原子の中の電子が励起状態となり、あるいは剥ぎ取られて水素原子がイオン化することにより、表面に結合した状態から反結合状態になって脱離する現象で、ESD像はこの脱離した水素イオンを撮像して得られる。そして、制御部50によって試料45のSEM像とESD像とを同期させることにより検出した水素イオンの位置情報を得て、試料45の点欠陥の位置を検出することができる。 The control unit 50 acquires an SEM image of secondary electrons generated from the sample 45 by scanning the electron beam 16a emitted from the electron source 16, and generates hydrogen atoms ejected from point defects on the inside and the surface of the sample 45. Hydrogen ionization is performed by electron shock desorption (ESD) of the electron beam, and an ESD image of the hydrogen ion is acquired in synchronization with the scanning of the electron beam. Here, in ESD, when an irradiated electron hits a hydrogen atom that springs out from a material and stays on the surface, the electron in the hydrogen atom becomes an excited state or is stripped off to ionize the hydrogen atom. As a result, the ESD image is obtained by imaging the desorbed hydrogen ions in a phenomenon in which the desorbed hydrogen ions are desorbed from the state of being bonded to the surface to the anti-bonded state. Then, the control unit 50 can obtain the position information of the detected hydrogen ion by synchronizing the SEM image and the ESD image of the sample 45, and can detect the position of the point defect of the sample 45.

次に、水素イオン検出装置10の制御部50の構成及び動作について、より詳細に説明する。図4及び図5のブロック図はそれぞれ、制御部50及び電子衝撃脱離全体制御部52の構成を示し、図6は電子源16の走査とESD像の二次元計測との関係を示す模式図である。 Next, the configuration and operation of the control unit 50 of the hydrogen ion detection device 10 will be described in more detail. The block diagrams of FIGS. 4 and 5 show the configurations of the control unit 50 and the electron shock desorption overall control unit 52, respectively, and FIG. 6 is a schematic diagram showing the relationship between the scanning of the electron source 16 and the two-dimensional measurement of the ESD image. Is.

図4に示すように制御部50は、走査型電子顕微鏡15を制御する電子顕微鏡全体制御部51と、ESD像の取得をする電子衝撃脱離全体制御部52と、を含んで構成されている。制御部50は、電子顕微鏡全体制御部51の他には、試料45の走査型電子顕微鏡像(SEM像)を取得するための二次電子検出部53と、電子光学系制御部54と、SEM用の画像演算部55と、高電圧安定化電源56と、入力装置57と、ディスプレイ58と、記憶装置59等から構成されている。電子顕微鏡全体制御部51により、二次電子検出部53と電子光学系制御部54とSEM用の画像演算部55と高電圧安定化電源56と記憶装置59とが制御される。走査型電子顕微鏡15の分析室11内に配設される二次電子検出器18の出力は、二次電子検出部53に入力される。 As shown in FIG. 4, the control unit 50 includes an electron microscope overall control unit 51 that controls the scanning electron microscope 15, and an electron shock desorption overall control unit 52 that acquires an ESD image. .. In addition to the electron microscope overall control unit 51, the control unit 50 includes a secondary electron detection unit 53 for acquiring a scanning electron microscope image (SEM image) of the sample 45, an electron optical system control unit 54, and an SEM. It is composed of an image calculation unit 55 for use, a high voltage stabilized power supply 56, an input device 57, a display 58, a storage device 59, and the like. The electron microscope overall control unit 51 controls the secondary electron detection unit 53, the electron optical system control unit 54, the image calculation unit 55 for SEM, the high voltage stabilized power supply 56, and the storage device 59. The output of the secondary electron detector 18 arranged in the analysis chamber 11 of the scanning electron microscope 15 is input to the secondary electron detection unit 53.

次に、電子衝撃脱離全体制御部52について説明する。図5に示すように、ESD像の取得を制御する電子衝撃脱離全体制御部52は、二次元のマルチチャンネルスケーラー60と、パルス係数部61と、同期制御部62と、測定信号の二次元平面への並べ替え部63と、マイクロプロセッサ72等から構成されている。
分析室11内に配設される水素イオン検出部20の出力は、電子衝撃脱離イオン検出部67を介して、その出力67aがパルス計数部61に入力される。電子衝撃脱離全体制御部52には、電子光学系制御部54から走査信号が入力され、SEM像と同期して制御される。さらに、電子衝撃脱離全体制御部52には、ディスプレイ65と記憶装置66が接続されている。
Next, the electron shock desorption overall control unit 52 will be described. As shown in FIG. 5, the electronic shock desorption overall control unit 52 that controls the acquisition of the ESD image includes a two-dimensional multi-channel scaler 60, a pulse coefficient unit 61, a synchronization control unit 62, and a two-dimensional measurement signal. It is composed of a rearrangement unit 63 on a flat surface, a microprocessor 72, and the like.
The output of the hydrogen ion detection unit 20 arranged in the analysis chamber 11 is input to the pulse counting unit 61 via the electron shock desorption ion detection unit 67. A scanning signal is input from the electron optical system control unit 54 to the electron shock desorption overall control unit 52, and is controlled in synchronization with the SEM image. Further, a display 65 and a storage device 66 are connected to the electronic shock desorption overall control unit 52.

マイクロプロセッサ72は、マイクロコントローラ等のマイコン,パーソナルコンピュータ,現場でプログラム可能なゲートアレイであるFPGA(Field-Programmable Gate Array)であってもよい。 The microprocessor 72 may be a microcomputer such as a microcontroller, a personal computer, or an FPGA (Field-Programmable Gate Array) which is a gate array programmable in the field.

図4に示すように電子光学系制御部54から電子衝撃脱離全体制御部52に出力された走査信号は、図5に示すように、同期制御部62を介して垂直走査信号62aとして電子源16の第一の偏向コイル16bに出力される。同期制御部62からの水平走査信号62bは、電子源16の第二の偏向コイル16cに出力される。同期制御部62からの走査位置に関する情報62cはマイクロプロセッサ72に出力される。 As shown in FIG. 4, the scanning signal output from the electron optical system control unit 54 to the electron shock desorption overall control unit 52 is an electron source as a vertical scanning signal 62a via the synchronization control unit 62 as shown in FIG. It is output to the first deflection coil 16b of 16. The horizontal scanning signal 62b from the synchronization control unit 62 is output to the second deflection coil 16c of the electron source 16. The information 62c regarding the scanning position from the synchronization control unit 62 is output to the microprocessor 72.

パルス計数部61から出力される水素イオンのカウント数信号61aは、各走査位置の水素イオンのカウント数信号としてマイクロプロセッサ72に出力される。 The hydrogen ion count signal 61a output from the pulse counting unit 61 is output to the microprocessor 72 as a hydrogen ion count signal at each scanning position.

マイクロプロセッサ72で生成されたESD像は、入出力インターフェース(I/O)72aを介してディスプレイ65に出力され、且つ入出力インターフェース(I/O)72bを介して記憶装置66に出力される。 The ESD image generated by the microprocessor 72 is output to the display 65 via the input / output interface (I / O) 72a, and is output to the storage device 66 via the input / output interface (I / O) 72b.

次に、電子衝撃脱離全体制御部52の動作について説明する。
図6に示すように、電子源16から発生した電子線16aは、第一の偏向コイル16bと第二の偏向コイル16cを通過することにより、水平方向と垂直方向に走査されて試料45に二次元に照射される。
Next, the operation of the electronic shock desorption overall control unit 52 will be described.
As shown in FIG. 6, the electron beam 16a generated from the electron source 16 passes through the first deflection coil 16b and the second deflection coil 16c, and is scanned in the horizontal and vertical directions to the sample 45. The dimension is illuminated.

図6に示す同期制御部62で発生したデジタル信号である垂直走査信号62aのクロック信号は、デジタルアナログ変換器(DAC)62dにより鋸波に変換されて、電子源16の第一の偏向コイル16bに印加される。同様に、デジタル信号である水平走査信号62bのクロック信号は、デジタルアナログ変換器(DAC)62eにより鋸波に変換されて、電子源16の第二の偏向コイル16cに印加される。 The clock signal of the vertical scanning signal 62a, which is a digital signal generated by the synchronization control unit 62 shown in FIG. 6, is converted into a saw wave by the digital-to-analog converter (DAC) 62d, and the first deflection coil 16b of the electron source 16 is used. Is applied to. Similarly, the clock signal of the horizontal scanning signal 62b, which is a digital signal, is converted into a saw wave by the digital-to-analog converter (DAC) 62e and applied to the second deflection coil 16c of the electron source 16.

1パルスの撮影タイミング信号(Shoot timing、以下ST信号という)によって、垂直走査信号(Vertical clock)が、合計2048パルス発生するように制御が開始される。1パルスの垂直走査信号のパルス幅の期間に、水平方向の画素信号(Horizontal clock)が合計2048パルス出力される。これにより、2048行×2048列(=4194304)の約419万画素の二次元走査を生成する。つまり、パルス計数部61でカウントされる信号は、ST信号,垂直走査用のクロック信号,水平走査用のクロック信号からなる複数のカウンターを同期させることで、各走査位置におけるイオン検出器23からの水素イオンのカウント数として取得することができる。 Control is started so that a total of 2048 pulses is generated in the vertical scanning signal (Vertical clock) by the shooting timing signal (Shoot timing, hereinafter referred to as ST signal) of one pulse. During the period of the pulse width of one pulse of the vertical scanning signal, a total of 2048 pulses of the horizontal pixel signal (Horizontal clock) are output. As a result, a two-dimensional scan of about 4.19 million pixels of 2048 rows × 2048 columns (= 4194304) is generated. That is, the signal counted by the pulse counting unit 61 is from the ion detector 23 at each scanning position by synchronizing a plurality of counters including an ST signal, a clock signal for vertical scanning, and a clock signal for horizontal scanning. It can be obtained as a count number of hydrogen ions.

続いて、ESD像の取得方法について説明する。
図7は走査による二次元のESD像を計測するフロー図である。図7に示すように、二次元のESD像の取得は、以下のステップで行なうことができる。
ステップ1:試料45の表面から脱離した水素イオンが、イオン検出器23で検出される。
ステップ2:イオン検出器23で検出した水素イオンの定量計測を、パルス計数部61で行なう。
ステップ3:図6に示した垂直走査用のクロック信号及び水平走査用のクロック信号を生成する同期制御部62により、試料45の二次元の各測定点の水素イオンのカウントを行なう。
ステップ4:ステップ3で測定した試料45の二次元の各測定点の水素イオンのカウント数を記憶装置66のメモリーに保存する。
ステップ5:垂直走査用のクロック信号及び水平走査用のクロック信号を元に記憶装置66のメモリーに保存されたイオン信号を二次元画像(ESD像)として並べ替える。
ステップ6:ステップ5で取得したESD像をディスプレイ65に表示し、画像及び数値データとて記憶装置66に保存する。
これにより、SEM像と同じ領域のESD像が取得される。
Subsequently, a method of acquiring an ESD image will be described.
FIG. 7 is a flow chart for measuring a two-dimensional ESD image by scanning. As shown in FIG. 7, acquisition of a two-dimensional ESD image can be performed by the following steps.
Step 1: Hydrogen ions desorbed from the surface of the sample 45 are detected by the ion detector 23.
Step 2: Quantitative measurement of hydrogen ions detected by the ion detector 23 is performed by the pulse counting unit 61.
Step 3: The synchronization control unit 62 that generates the clock signal for vertical scanning and the clock signal for horizontal scanning shown in FIG. 6 counts hydrogen ions at each of the two-dimensional measurement points of the sample 45.
Step 4: The count number of hydrogen ions at each two-dimensional measurement point of the sample 45 measured in step 3 is stored in the memory of the storage device 66.
Step 5: The ion signal stored in the memory of the storage device 66 is rearranged as a two-dimensional image (ESD image) based on the clock signal for vertical scanning and the clock signal for horizontal scanning.
Step 6: The ESD image acquired in step 5 is displayed on the display 65, and the image and numerical data are stored in the storage device 66.
As a result, an ESD image in the same region as the SEM image is acquired.

上記ステップ1~6のESD像の取得は、計測機器制御に特化したプログラム製作環境で作製したソフトウェアで実行することができる。このようなソフトウェアとしては、National Instruments社製のLabVIEW(登録商標)(http://www.ni.com/labview/ja/)を用いることができる。上記ステップ1~6のESD像は、マイクロプロセッサ72において、LabVIEWで作製したプログラムで実行される二次元のマルチチャンネルスケーラー60により取得できる。 The acquisition of the ESD image in steps 1 to 6 can be executed by software created in a program production environment specialized for measuring instrument control. As such software, LabVIEW® (http://www.ni.com/labview/ja/) manufactured by National Instruments Co., Ltd. can be used. The ESD images of steps 1 to 6 can be acquired by the two-dimensional multi-channel scaler 60 executed by the program created by LabVIEW in the microprocessor 72.

水素透過拡散経路観測装置10においては、SEM像は従来と同様にして得ることができる。二次電子検出器18からの信号は制御部50の二次電子検出部53で検知され、電子顕微鏡全体制御部51によりディスプレイ58に表示される。 In the hydrogen permeation / diffusion path observation device 10, the SEM image can be obtained in the same manner as in the conventional case. The signal from the secondary electron detector 18 is detected by the secondary electron detection unit 53 of the control unit 50, and is displayed on the display 58 by the electron microscope overall control unit 51.

このようにして、水素透過拡散経路観測装置10によれば、試料45に関して二次電子によるSEM像と上記ステップ6で取得したESD像を比較することにより、例えば金属からなる試料本体47の組織の局所構造と水素透過との関連を調べることが可能となる。例えば、局所構造としては、金属の結晶粒サイズやその結晶構造と水素透過、つまり水素放出能とを比較することができる。 In this way, according to the hydrogen permeation / diffusion path observation device 10, by comparing the SEM image by secondary electrons with respect to the sample 45 and the ESD image acquired in step 6, for example, the structure of the sample body 47 made of metal, for example, It is possible to investigate the relationship between local structure and hydrogen permeation. For example, as a local structure, it is possible to compare the crystal grain size of a metal and its crystal structure with hydrogen permeation, that is, hydrogen release ability.

ここで、水素放出位置の空間分解能は、本質的には走査型電子顕微鏡15の倍率に依存するため、走査型電子顕微鏡15の倍率と同等まで向上できるので、50nm以下、例えば2~10nm、つまり10nm以下の分解能が得られる。走査型電子顕微鏡15の倍率の限界は、走査型電子顕微鏡15とその周囲の振動除去と電子ビーム径により決まる。 Here, since the spatial resolution of the hydrogen emission position essentially depends on the magnification of the scanning electron microscope 15, it can be improved to the same level as the magnification of the scanning electron microscope 15, so that it is 50 nm or less, for example, 2 to 10 nm, that is, A resolution of 10 nm or less can be obtained. The limit of the magnification of the scanning electron microscope 15 is determined by the vibration elimination and the electron beam diameter of the scanning electron microscope 15 and its surroundings.

さらに、水素イオンの検出を走査型電子顕微鏡15の二次電子検出の限界と一致させるためには、電子と水素イオンの飛行時間の差が問題となるが、測定中の電子走査の時間を遅くすること、又はイオン検出器23と試料45の距離を短くすることで、対応することができる。 Further, in order to match the detection of hydrogen ions with the limit of secondary electron detection of the scanning electron microscope 15, the difference in flight time between electrons and hydrogen ions becomes a problem, but the time of electron scanning during measurement is delayed. This can be done by doing so or by shortening the distance between the ion detector 23 and the sample 45.

このようにして、試料45において、単体では自立できない程度の剛性の低い薄膜からなる試料本体47が支持部材46の上に配設されることによって、支持部材46により補強されることになるので、所定の剛性を備えることになり走査型電子顕微鏡15の分析室11と水素室12aとを仕切る隔膜として確実に機能する。従って、単体では自立できない程度の薄膜からなる試料本体47であっても、その水素透過検出を行なうことが可能となる。 In this way, in the sample 45, the sample main body 47 made of a thin film having a low rigidity that cannot stand alone is arranged on the support member 46, so that the sample body 46 is reinforced by the support member 46. It has a predetermined rigidity and surely functions as a diaphragm separating the analysis chamber 11 and the hydrogen chamber 12a of the scanning electron microscope 15. Therefore, even if the sample body 47 is made of a thin film that cannot stand on its own, hydrogen permeation can be detected.

ここで、図1において矢印Aで示すように、均一で高い水素透過性を備えた支持部材46を拡散してきた水素は、試料45の試料本体47に関して、水素拡散防止効果又は水素拡散抑制効果がある場合には、試料本体47を透過しないか、あるいはごく少量しか透過しない。
これに対して、矢印Bで示すように、均一で高い水素透過性を備えた支持部材46を拡散してきた水素は、試料45の試料本体47に関して、水素拡散防止効果又は水素拡散抑制効果がない場合には、試料本体47を高い透過率で透過する。従って、支持部材46が均一で高い水素透過性を備えていることによって、試料本体47を透過する表面水素分布は、試料本体47の水素透過特性を反映するものとなる。
Here, as shown by an arrow A in FIG. 1, the hydrogen that has diffused the support member 46 having uniform and high hydrogen permeability has a hydrogen diffusion preventing effect or a hydrogen diffusion suppressing effect with respect to the sample body 47 of the sample 45. In some cases, it does not permeate the sample body 47, or permeates only a very small amount.
On the other hand, as shown by the arrow B, the hydrogen that has diffused the support member 46 having uniform and high hydrogen permeability has no hydrogen diffusion preventing effect or hydrogen diffusion suppressing effect with respect to the sample body 47 of the sample 45. In this case, the sample body 47 is transmitted with a high transmittance. Therefore, since the support member 46 is uniform and has high hydrogen permeability, the surface hydrogen distribution that permeates the sample body 47 reflects the hydrogen permeation characteristics of the sample body 47.

以上説明したように、本発明の水素透過検出のための試料45において、試料本体47が、単体では自立できない程度に低い剛性の薄膜であっても、所定の剛性及び水素透過性を備えた板状の支持部材46により支持され且つ補強されているので、試料本体47の形状が確実に保持され得ると共に、水素透過検出のために、水素透過拡散経路観測装置10における走査型電子顕微鏡15の分析室11と水素室12aとを仕切る隔膜として十分に機能し得ることとなる。従って、試料本体47が単体では自立できない程度の低剛性の薄膜であっても、確実に当該試料本体47の水素透過検出を行なうことができる。 As described above, in the sample 45 for detecting hydrogen permeation of the present invention, even if the sample body 47 is a thin film having a rigidity so low that it cannot stand on its own, it is a plate having predetermined rigidity and hydrogen permeability. Since it is supported and reinforced by the support member 46, the shape of the sample body 47 can be reliably maintained, and the scanning electron microscope 15 in the hydrogen permeation diffusion path observation device 10 is analyzed for hydrogen permeation detection. It can sufficiently function as a diaphragm separating the chamber 11 and the hydrogen chamber 12a. Therefore, even if the sample body 47 is a thin film having a low rigidity that cannot stand on its own, hydrogen permeation detection of the sample body 47 can be reliably performed.

試料45を構成する支持部材46の試作例について説明する。
この試作例では、支持部材46をパラジウムの多結晶の薄板から構成するとともに、パラジウムの薄板の表面及び裏面を研磨して熱処理を施した。パラジウムの薄板の表面及び裏面の研磨と熱処理は、1回だけではなく繰り返して実施されてもよい。
このような支持部材46の試作例について、その構造解析のために、走査型電子顕微鏡15を使用して表面を撮像した。そのSEM像を図8に、また電子線後方散乱解析法(Electron Back Scattered Diffraction; 以下EBSD)によるEBSD像を図9にそれぞれ示す。
図8及び図9において、支持部材46の結晶構造が表現されており、各結晶粒はそれぞれ300μm以上であり、走査型電子顕微鏡15の視野内では均一な水素供給基板とすることができた。なお、図8の画像中心付近の三点のマーカーは、場所を特定するためにイオンビーム又はレーザーにより刻印したものである。
An example of a prototype of the support member 46 constituting the sample 45 will be described.
In this prototype, the support member 46 was made of a palladium polycrystalline thin plate, and the front and back surfaces of the palladium polycrystalline plate were polished and heat-treated. Polishing and heat treatment of the front surface and the back surface of the palladium thin plate may be performed not only once but repeatedly.
The surface of such a prototype of the support member 46 was imaged using a scanning electron microscope 15 for structural analysis. The SEM image is shown in FIG. 8, and the EBSD image by the Electron Back Scattered Diffraction (hereinafter referred to as EBSD) is shown in FIG.
In FIGS. 8 and 9, the crystal structure of the support member 46 is represented, and each crystal grain is 300 μm or more, and a uniform hydrogen supply substrate can be obtained in the field of view of the scanning electron microscope 15. The three markers near the center of the image in FIG. 8 are engraved with an ion beam or a laser to specify the location.

図10は本発明による水素透過検出のための試料の第二の実施形態を示す。図10の試料45Aにおいて、図1に示した試料45の場合と支持部材46は同じであり、試料本体47の表面領域に局所的に酸化物等による絶縁領域48a及び48bが配設されているが、第二の実施形態では、さらに試料本体47の絶縁領域48a及び48bを含む表面全体に亘って導電性薄膜49が配設されている。 FIG. 10 shows a second embodiment of a sample for detecting hydrogen permeation according to the present invention. In the sample 45A of FIG. 10, the support member 46 is the same as that of the sample 45 shown in FIG. 1, and the insulating regions 48a and 48b due to oxides and the like are locally arranged on the surface region of the sample body 47. However, in the second embodiment, the conductive thin film 49 is further arranged over the entire surface including the insulating regions 48a and 48b of the sample body 47.

絶縁領域48a及び48bは、それぞれ同様の絶縁材料から構成されてもよく、例えば試料本体47の表面に形成された酸化膜や窒化膜等の絶縁膜であってもよく、特に製造方法には依存しない。絶縁領域48a及び48bは、試料本体47の表面に形成された絶縁膜だけではなく、内部から表面に埋め込まれるように形成した絶縁膜でもよい。 The insulating regions 48a and 48b may be made of the same insulating material, respectively, and may be, for example, an insulating film such as an oxide film or a nitride film formed on the surface of the sample body 47, and particularly depend on the manufacturing method. do not do. The insulating regions 48a and 48b are not limited to the insulating film formed on the surface of the sample body 47, but may be an insulating film formed so as to be embedded in the surface from the inside.

導電性薄膜49は水素透過性を備えた導電性材料、好ましくは試料本体47の表面との間で相互拡散を生じない材料から構成されている。相互拡散を生じないことによって、導電性薄膜49を配設しても、試料本体47の表面状態に影響を与えて変化させてしまうようなことはない。 The conductive thin film 49 is made of a conductive material having hydrogen permeability, preferably a material that does not cause mutual diffusion with the surface of the sample body 47. By not causing mutual diffusion, even if the conductive thin film 49 is arranged, it does not affect and change the surface state of the sample body 47.

ここで、水素透過性を備えた導電性材料としては、金属材料、例えばパラジウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、チタン、ジルコニウム、銀や、これらの合金が好適である。合金としては、例えばパラジウムと銀との合金等が挙げられる。これらの材料は高い水素透過性を備えており、従来から所謂水素フィルタとして実用化されており、水素透過検出の際に水素イオンの透過を妨げるようなことはない。 Here, as the conductive material having hydrogen permeability, metal materials such as palladium, vanadium, niobium, tantalum, titanium, zirconium, silver and alloys thereof are suitable. Examples of the alloy include an alloy of palladium and silver. These materials have high hydrogen permeability and have been put into practical use as so-called hydrogen filters, and do not interfere with the permeation of hydrogen ions when detecting hydrogen permeation.

ここで、導電性薄膜49は、本発明による水素透過検出のための試料45Aの製造方法によって、試料本体47の表面に対して化学堆積法(CVD法)や物理堆積法(PVD法)により成膜することができる。物理堆積法としては、蒸着法、例えば真空蒸着法,電子ビーム蒸着法,スパッタリング法等の蒸着方法により、試料本体47の表面に対するコーティング膜として形成される。これにより、導電性薄膜49が、試料本体47の表面に対して蒸着、特に真空蒸着法又は電子ビーム蒸着法、あるいはスパッタリング法の何れかの方法により正確な膜厚で均一に形成される。
なお、スパッタリング法の場合には、スパッタリングにより試料本体47の表面に衝突する粒子等によって、試料本体47の表面を損傷しない程度に導電性薄膜49を形成することにより、試料本体47の表面状態が変化してしまうことがなく、正確な水素透過検出を行なうことができる。
Here, the conductive thin film 49 is formed by a chemical deposition method (CVD method) or a physical deposition method (PVD method) on the surface of the sample body 47 by the method for producing the sample 45A for detecting hydrogen permeation according to the present invention. Can be filmed. As a physical deposition method, a vapor deposition method such as a vacuum vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, or a sputtering method is used to form a coating film on the surface of the sample body 47. As a result, the conductive thin film 49 is uniformly formed on the surface of the sample body 47 with an accurate film thickness by any method of vapor deposition, particularly vacuum vapor deposition, electron beam vapor deposition, or sputtering.
In the case of the sputtering method, the surface condition of the sample body 47 is changed by forming the conductive thin film 49 to the extent that the surface of the sample body 47 is not damaged by particles or the like colliding with the surface of the sample body 47 by sputtering. Accurate hydrogen permeation detection can be performed without changing.

さらに、導電性薄膜49は全体として均一の膜厚を有し、その膜厚は、例えば水素透過検出のために使用する走査型電子顕微鏡15の空間分解能と同程度以下、例えば50nm以下、好ましくは10nm~20nm程度、あるいは数nmから10nm程度に選定される。なお、導電性薄膜49は、好ましくは、数nmから10nm、例えば2nmから10nm程度の膜厚を備えるように形成される。導電性薄膜49の膜厚が厚すぎると、水素透過性が低下してしまうと共に、導電性薄膜49内で水素イオンが水平方向に移動して分解能が低下してしまう。これに対して膜厚が薄すぎると、均一な膜厚の形成が困難である。 Further, the conductive thin film 49 has a uniform film thickness as a whole, and the film thickness is, for example, about the same as the spatial resolution of the scanning electron microscope 15 used for detecting hydrogen permeation, for example, 50 nm or less, preferably 50 nm or less. It is selected to be about 10 nm to 20 nm, or several nm to about 10 nm. The conductive thin film 49 is preferably formed so as to have a film thickness of several nm to 10 nm, for example, about 2 nm to 10 nm. If the thickness of the conductive thin film 49 is too thick, the hydrogen permeability is lowered and the hydrogen ions move horizontally in the conductive thin film 49 to lower the resolution. On the other hand, if the film thickness is too thin, it is difficult to form a uniform film thickness.

第二の実施形態の試料45Aによれば、試料45の場合と同様に、試料本体47が支持部材46により補強されることによって、走査型電子顕微鏡15の分析室11と水素室12aとを仕切る隔膜として機能し得る。さらに、水素透過検出を行なう場合に、導電性薄膜49の存在によって、絶縁領域48a,48bにおいてチャージアップが発生しないので、これらの絶縁領域48a,48bにて電子密度が低下するようなことはなく、試料本体47の全体に亘って水素透過検出を確実に行なうことができる。 According to the sample 45A of the second embodiment, as in the case of the sample 45, the sample body 47 is reinforced by the support member 46 to partition the analysis chamber 11 and the hydrogen chamber 12a of the scanning electron microscope 15. Can function as a diaphragm. Further, when hydrogen permeation detection is performed, charge-up does not occur in the insulating regions 48a and 48b due to the presence of the conductive thin film 49, so that the electron density does not decrease in these insulating regions 48a and 48b. , Hydrogen permeation can be reliably detected over the entire sample body 47.

前記第二の実施形態の試料45Aによれば、試料本体47の表面に水素透過性を備えた導電性薄膜49が配設されているので、当該試料45Aを走査型電子顕微鏡15の走査電子により電子遷移誘起で励起させて水素透過を検出する際に、当該試料本体47の絶縁領域48a,48bに電子が蓄積しようとしても、導電性薄膜49に沿って移動することで、当該絶縁領域48a,48bが帯電して所謂チャージアップの発生が防止される。従って、上述した電子遷移誘起で励起された水素イオンは、チャージアップの影響を受けることなく脱離する。 According to the sample 45A of the second embodiment, since the conductive thin film 49 having hydrogen permeability is arranged on the surface of the sample body 47, the sample 45A is subjected to the scanning electrons of the scanning electron microscope 15. Even if electrons try to accumulate in the insulating regions 48a and 48b of the sample body 47 when excited by electron transition induction to detect hydrogen permeation, they move along the conductive thin film 49, so that the insulating regions 48a, The 48b is charged to prevent the occurrence of so-called charge-up. Therefore, the hydrogen ions excited by the above-mentioned electron transition induction are desorbed without being affected by the charge-up.

ここで、導電性薄膜49が水素透過性を備えていることから、水素イオンは導電性薄膜49の存在によって妨げられることなく脱離する。これにより、脱離した水素イオンのESD像を走査型電子顕微鏡15の電子線の走査に同期させることによって、ESD像が正確に取得され、高精度で水素イオンの透過検出が行なわれ得る。 Here, since the conductive thin film 49 has hydrogen permeability, hydrogen ions are desorbed without being hindered by the presence of the conductive thin film 49. As a result, by synchronizing the ESD image of the desorbed hydrogen ions with the scanning of the electron beam of the scanning electron microscope 15, the ESD image can be accurately acquired and the permeation detection of the hydrogen ions can be performed with high accuracy.

なお、水素透過検出で検出される水素原子は、それまでの透過経路の履歴を情報として記憶していることから、導電性薄膜49が水素透過性の材料から構成されることにより、水素原子が導電性薄膜49を透過する際にこれらの履歴情報が消されることはなく、チャージアップの影響のみを排除することが可能である。 Since the hydrogen atom detected by the hydrogen permeation detection stores the history of the permeation path up to that point as information, the conductive thin film 49 is made of a hydrogen-permeable material, so that the hydrogen atom is generated. These historical information are not erased when passing through the conductive thin film 49, and it is possible to eliminate only the influence of charge-up.

本発明はその趣旨を逸脱しない範囲において様々な形態で実施することができる。上述した実施形態においては、試料45の試料本体47は、鉄鋼,ステンレス鋼等の導電性を備えた材料から構成されているが、これに限らず、絶縁材料から構成されていてもよいことは明らかである。 The present invention can be implemented in various forms without departing from the spirit of the present invention. In the above-described embodiment, the sample body 47 of the sample 45 is made of a conductive material such as steel or stainless steel, but the present invention is not limited to this, and the sample body 47 may be made of an insulating material. it is obvious.

また、上述した実施形態においては、試料45Aはその試料本体47の表面領域に局所的に配設された酸化物等による絶縁領域48a及び48b備えているが、これに限らず、試料45Aはその試料本体47の表面全体に絶縁領域を備えていてもよく、また試料本体47がそれ自体絶縁材料から構成されていてもよい。 Further, in the above-described embodiment, the sample 45A is provided with insulating regions 48a and 48b due to oxides and the like locally disposed on the surface region of the sample body 47, but the sample 45A is not limited to this. The entire surface of the sample body 47 may be provided with an insulating region, or the sample body 47 may itself be made of an insulating material.

10:水素透過拡散経路測定装置、 11:分析室、 12:試料ホルダー、 12a:中空部(水素室)、 14:水素配管、 15:走査型電子顕微鏡、 16:電子源、
18:二次電子検出器、 19:ガス供給部、 20:水素イオン検出部、 21:収集機構、 22:イオンエネルギー分解部、 23:イオン検出器、 45,45A:水素透過検出のための試料、 46:支持部材、 47:試料本体、 48a,48b:絶縁領域、 49:水素透過性を備えた導電性薄膜、
50:制御部、 51:電子顕微鏡全体制御部、 52:電子衝撃脱離全体制御部、
53:二次電子検出部、 54:電子光学系制御部、 55:SEM用の画像演算部、
56:高電圧安定化電源、 57:入力装置、 58,65:ディスプレイ、
59,66:記憶装置、 60:二次元のマルチチャンネルスケーラー、
61:パルス計数部、 61a:水素イオンのカウント数信号、 62:同期制御部、
62a:垂直走査信号、 62b:水平走査信号、 62c:走査位置に関する情報、
62d,62e:デジタルアナログ変換器、 63:測定信号の二次元平面への並べ替え部、 64:ESD用の画像演算部、 67:電子衝撃脱離イオン検出部、 72:マイクロプロセッサ、 72a,72b:入出力インターフェース
10: Hydrogen permeation / diffusion path measuring device, 11: Analysis chamber, 12: Sample holder, 12a: Hollow part (hydrogen chamber), 14: Hydrogen piping, 15: Scanning electron microscope, 16: Electron source,
18: Secondary electron detector, 19: Gas supply unit, 20: Hydrogen ion detector, 21: Collection mechanism, 22: Ion energy decomposition unit, 23: Ion detector, 45, 45A: Sample for hydrogen permeation detection , 46: Support member, 47: Sample body, 48a, 48b: Insulation region, 49: Conductive thin film with hydrogen permeability,
50: Control unit, 51: Electron microscope overall control unit, 52: Electron shock desorption overall control unit,
53: Secondary electron detection unit, 54: Electron optics control unit, 55: Image calculation unit for SEM,
56: High voltage regulated power supply, 57: Input device, 58, 65: Display,
59, 66: Storage device, 60: Two-dimensional multi-channel scaler,
61: Pulse counting unit, 61a: Hydrogen ion count signal, 62: Synchronous control unit,
62a: vertical scan signal, 62b: horizontal scan signal, 62c: information about scan position,
62d, 62e: Digital-to-analog converter, 63: Sorting part of measurement signal to two-dimensional plane, 64: Image calculation part for ESD, 67: Electronic shock desorption ion detection part, 72: Microprocessor, 72a, 72b : Input / output interface

Claims (13)

所定の剛性及び水素透過性を備えた板状の支持部材と、
前記支持部材の表面に配設された薄膜状の試料本体と、
を備えた、水素透過検出のための試料。
A plate-shaped support member with predetermined rigidity and hydrogen permeability, and
A thin-film sample body disposed on the surface of the support member and
A sample for hydrogen permeation detection.
前記試料本体が、単体では自立できない程度の薄膜である、請求項1に記載の水素透過検出のための試料。 The sample for detecting hydrogen permeation according to claim 1, wherein the sample body is a thin film that cannot stand on its own. 前記支持部材が、パラジウム,バナジウム,ニオブ,タンタル,チタン,ジルコニウム,銀又はこれらの合金の何れかから構成されている、請求項1又は2に記載の水素透過検出のための試料。 The sample for detecting hydrogen permeation according to claim 1 or 2, wherein the support member is made of palladium, vanadium, niobium, tantalum, titanium, zirconium, silver or an alloy thereof. 前記支持部材は、その表面及び/又は裏面が鏡面研磨されている、請求項1から3の何れかに記載の水素透過検出のための試料。 The sample for detecting hydrogen permeation according to any one of claims 1 to 3, wherein the support member has a front surface and / or a back surface polished to a mirror surface. 前記支持部材が、水素透過性に関して均一に形成されている、請求項1から4の何れかに記載の水素透過検出のための試料。 The sample for detecting hydrogen permeation according to any one of claims 1 to 4, wherein the support member is uniformly formed with respect to hydrogen permeability. 前記支持部材が、前記試料本体の構造分布に対して大きい結晶粒又は単結晶から構成されている、請求項5に記載の水素透過検出のための試料。 The sample for detecting hydrogen permeation according to claim 5, wherein the support member is composed of crystal grains or single crystals that are larger than the structural distribution of the sample body. 前記支持部材が、前記試料本体の構造分布に対して小さい微結晶から構成されている、請求項5に記載の水素透過検出のための試料。 The sample for detecting hydrogen permeation according to claim 5, wherein the support member is composed of microcrystals that are smaller than the structural distribution of the sample body. 前記試料本体が、局所的に絶縁部分を備え又は全体が絶縁材料から構成されており、前記試料本体の表面上に、水素透過性を備えた導電性薄膜が配設されている、請求項1から7の何れかに記載の水素透過検出のための試料。 Claim 1 in which the sample body is locally provided with an insulating portion or is entirely composed of an insulating material, and a conductive thin film having hydrogen permeability is disposed on the surface of the sample body. A sample for detecting hydrogen permeation according to any one of 1 to 7. 前記支持部材の表面上に、化学堆積法又は物理堆積法により前記試料本体を形成する、請求項1から8の何れかに記載の水素透過検出のための試料の製造方法。 The method for producing a sample for detecting hydrogen permeation according to any one of claims 1 to 8, wherein the sample body is formed on the surface of the support member by a chemical deposition method or a physical deposition method. 前記試料本体が、真空蒸着法,電子ビーム蒸着法又はスパッタリング法の何れかにより形成される、請求項9に記載の水素透過検出のための試料の製造方法。 The method for producing a sample for detecting hydrogen permeation according to claim 9, wherein the sample body is formed by any of a vacuum vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, and a sputtering method. 前記試料本体の表面上に、蒸着により前記導電性薄膜を形成する、請求項8に記載の水素透過検出のための試料の製造方法。 The method for producing a sample for detecting hydrogen permeation according to claim 8, wherein the conductive thin film is formed on the surface of the sample body by vapor deposition. 前記導電性薄膜が、真空蒸着法又は電子ビーム蒸着法により形成される、請求項11に記載の水素透過検出のための試料の製造方法。 The method for producing a sample for detecting hydrogen permeation according to claim 11, wherein the conductive thin film is formed by a vacuum vapor deposition method or an electron beam vapor deposition method. 前記導電性薄膜が、前記試料本体の表面を損傷しない程度にスパッタリング法により形成される、請求項11に記載の水素透過検出のための試料の製造方法。 The method for producing a sample for detecting hydrogen permeation according to claim 11, wherein the conductive thin film is formed by a sputtering method to the extent that the surface of the sample body is not damaged.
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