JP2022018790A

JP2022018790A - Manufacturing method of ceramic assembly, and ceramic assembly

Info

Publication number: JP2022018790A
Application number: JP2020122145A
Authority: JP
Inventors: メルヴィンヴェルバー; Velbaa Melvin; 良幸花田; Yoshiyuki Hanada; 賢太朗朝倉; Kentaro Asakura; 伸高吉岡; Nobutaka Yoshioka; 隆望月; Takashi Mochizuki; 栄之輔津田; Einosuke Tsuda; 孝一中嶋; Koichi Nakajima; 紗希松尾; Saki Matsuo
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2020-07-16
Filing date: 2020-07-16
Publication date: 2022-01-27

Abstract

To provide a manufacturing method of a ceramic assembly, and the ceramic assembly that improve the corrosion resistance to process gas.SOLUTION: In a manufacturing method of a ceramic assembly formed by bonding a first ceramic member and a second ceramic member together using a brazing material, a passivation film is formed on the exposed surface of the brazing material of the ceramic assembly in which the first ceramic member and the second ceramic member are bonded to each other using the brazing material.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本開示は、セラミックスアセンブリの製造方法及びセラミックスアセンブリに関する。 The present disclosure relates to a method for manufacturing a ceramic assembly and a ceramic assembly.

ウェハ等の基板に所望の処理（成膜処理、エッチング処理等）を施す基板処理装置が知られている。 A substrate processing apparatus that applies a desired treatment (film formation treatment, etching treatment, etc.) to a substrate such as a wafer is known.

特許文献１には、ＣＶＤ成膜処理を施すチャンバー内に、被処理体を存在させない状態で、パッシベーション用ガスを供給し、チャンバー内壁および／またはチャンバー内部材表面にパッシベーション膜を形成する工程と、引き続き前記チャンバー内に、被処理体を存在させない状態で、プリコート用ガスを供給し、前記パッシベーション膜の表面にプリコート膜を形成する工程と、前記チャンバー内に被処理体を装入する工程と、前記チャンバー内に成膜用ガスを供給し、被処理体に対し成膜処理を行う工程とを具備することを特徴とするＣＶＤ成膜方法が開示されている。 Patent Document 1 describes a step of supplying a passivation gas in a chamber to be subjected to a CVD film forming process in a state where a passivation film is not present, and forming a passivation film on the inner wall of the chamber and / or the surface of a member inside the chamber. Subsequently, a step of supplying a precoat gas to the surface of the passivation film in a state where the object to be treated does not exist in the chamber, a step of forming the precoat film on the surface of the passivation film, and a step of charging the object to be treated into the chamber. A CVD film forming method is disclosed, which comprises a step of supplying a film forming gas into the chamber and performing a film forming process on an object to be processed.

特開２００１－２４７９６８号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2001-247768

ところで、基板処理装置の処理容器内に配置される部材として、金属をろう材として複数のセラミックス部材を貼り合わせて構成されるセラミックスアセンブリが検討されている。セラミックスアセンブリのろう付け部がプロセスガスに曝されることにより、ろう付け部が浸蝕されるおそれがある。 By the way, as a member arranged in a processing container of a substrate processing apparatus, a ceramic assembly composed of a plurality of ceramic members bonded together using a metal as a brazing material has been studied. Exposure of the brazed portion of the ceramic assembly to the process gas can erode the brazed portion.

一の側面では、本開示は、プロセスガスに対する耐食性を向上するセラミックスアセンブリの製造方法及びセラミックスアセンブリを提供する。 In one aspect, the present disclosure provides a method of manufacturing a ceramic assembly and a ceramic assembly that improves corrosion resistance to process gas.

上記課題を解決するために、一の態様によれば、第１のセラミックス部材と第２のセラミックス部材とをろう材を用いて貼り合わせることにより形成されるセラミックスアセンブリの製造方法であって、前記ろう材を用いて前記第１のセラミックス部材と前記第２のセラミックス部材とが貼り合わされた前記セラミックスアセンブリの露出した前記ろう材の表面に不動態膜を形成する、セラミックスアセンブリの製造方法が提供される。 In order to solve the above problem, according to one aspect, there is a method for manufacturing a ceramic assembly formed by bonding a first ceramic member and a second ceramic member together using a brazing material. Provided is a method for manufacturing a ceramic assembly, which forms a passivation film on the surface of the exposed brazing material of the ceramic assembly in which the first ceramic member and the second ceramic member are bonded to each other using a brazing material. To.

一の側面によれば、プロセスガスに対する耐食性を向上するセラミックスアセンブリの製造方法及びセラミックスアセンブリを提供することができる。 According to one aspect, it is possible to provide a method for manufacturing a ceramic assembly and a ceramic assembly having improved corrosion resistance to a process gas.

第１実施形態に係る基板処理装置の構成を説明する断面模式図の一例。An example of a schematic cross-sectional view illustrating the configuration of the substrate processing apparatus according to the first embodiment. 第１実施形態に係る基板処理装置における処理工程の一例を説明するフローチャート。The flowchart explaining an example of the processing process in the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment. パッシベーション膜の形成処理時における基板処理装置の断面模式図の一例。An example of a schematic cross-sectional view of a substrate processing apparatus during a passivation film forming process. パッシベーション膜の形成処理後のＸ線光電子分光の一例を示すグラフ。The graph which shows an example of the X-ray photoelectron spectroscopy after the formation process of a passivation film. 第２実施形態に係る基板処理装置における処理工程の一例を説明するフローチャート。The flowchart explaining an example of the processing process in the substrate processing apparatus which concerns on 2nd Embodiment. パッシベーション膜を形成する処理装置の断面模式図の一例。An example of a schematic cross-sectional view of a processing device that forms a passivation film. パッシベーション膜を形成する処理装置の断面模式図の他の一例。Another example of a schematic cross-sectional view of a processing device that forms a passivation film.

以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present disclosure will be described with reference to the drawings. In each drawing, the same components may be designated by the same reference numerals and duplicate explanations may be omitted.

第１実施形態に係る基板処理装置１について、図１を用いて説明する。図１は、第１実施形態に係る基板処理装置１の構成を説明する断面模式図の一例である。 The substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is an example of a schematic cross-sectional view illustrating the configuration of the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment.

基板処理装置１は、処理容器２と、ステージヒータ（セラミックスアセンブリ）３と、プロセスガス供給源４と、パッシベーション用ガス供給源５と、排気装置６と、を備える。基板処理装置１は、プロセスガス供給源４から処理容器２内にプロセスガスを供給して、処理容器２内のステージヒータ３に載置されたウェハＷに所望の処理を施す装置である。以下の説明において、基板処理装置１は、ウェハＷに成膜処理やエッチング処理を施す基板処理装置であるものとして説明する。 The substrate processing device 1 includes a processing container 2, a stage heater (ceramic assembly) 3, a process gas supply source 4, a passivation gas supply source 5, and an exhaust device 6. The substrate processing device 1 is an device that supplies process gas from the process gas supply source 4 into the processing container 2 to perform desired processing on the wafer W placed on the stage heater 3 in the processing container 2. In the following description, the substrate processing apparatus 1 will be described as being a substrate processing apparatus that performs a film forming process and an etching process on the wafer W.

処理容器２は、ステージヒータ３を収容する。また、処理容器２の側面には、開閉可能なゲートバルブ（図示せず）が設けられ、ウェハＷを搬入・搬出することができるように構成されている。 The processing container 2 houses the stage heater 3. Further, a gate valve (not shown) that can be opened and closed is provided on the side surface of the processing container 2 so that the wafer W can be carried in and out.

ステージヒータ３は、処理容器２内に配置され、ウェハＷが載置される。ステージヒータ３は、セラミックス部材３１とセラミックス部材３２とをろう付け部３３でろう付けすることにより貼り合わされて構成されている。ここで、セラミックス部材３１，３２は、例えば、ＡｌＮの円板状の部材が用いられる。ろう付け部３３は、ろう材として金属、例えば、Ｎｉが用いられる。セラミックス部材３１，３２をろう付け部３３で貼り合わせてステージヒータ３を形成することにより、例えば、内部に冷媒流路を有するステージヒータ３の形成が容易となる。また、例えば、セラミックス部材３１，３２の貼り合わせ部におけるシール部材を不要とすることができる。 The stage heater 3 is arranged in the processing container 2, and the wafer W is placed on the stage heater 3. The stage heater 3 is configured by brazing the ceramic member 31 and the ceramic member 32 with a brazing portion 33 to bond them together. Here, as the ceramic members 31 and 32, for example, AlN disk-shaped members are used. For the brazing portion 33, a metal such as Ni is used as the brazing material. By laminating the ceramic members 31 and 32 at the brazing portion 33 to form the stage heater 3, for example, the stage heater 3 having a refrigerant flow path inside can be easily formed. Further, for example, the sealing member in the bonded portion of the ceramic members 31 and 32 can be eliminated.

また、ステージヒータ３は、ろう付け部３３のうち、処理容器２内に露出する面（換言すれば、プロセスガスに曝される面）に、パッシベーション膜３４が形成されている。パッシベーション膜３４は、後述するプロセスガスに対して耐食性を有する不動態膜となる。ここで、パッシベーション膜３４は、ろう材としての金属（Ｎｉ）をパッシベーション用ガス（ハロゲン含有ガス、フッ素含有ガス、例えば、ＣｌＦ_３）で処理した膜（ハロゲン化処理膜、フッ化処理膜）である。具体的には、パッシベーション膜３４は、例えば、ＮｉＦ_２膜である。 Further, in the stage heater 3, the passivation film 34 is formed on the surface of the brazed portion 33 exposed in the processing container 2 (in other words, the surface exposed to the process gas). The passivation membrane 34 is a passivation membrane having corrosion resistance to the process gas described later. Here, the passivation film 34 is a film (halogenation-treated film, fluoride-treated film) in which a metal (Ni) as a brazing material is treated with a passivation gas (halogen-containing gas, fluorine-containing gas, for example, ClF ₃ ). be. Specifically, the passivation film 34 is, for example, a NiF ₂ film.

プロセスガス供給源４は、ウェハＷに所望の処理を施すためのプロセスガスを処理容器２内に供給する。ここで、プロセスガス（成膜ガスやエッチングガス）として、例えば、ＨＣｌガスが用いられる。プロセスガス（成膜ガスやエッチングガス）は、ろう付け部３３のろう材としての金属（Ｎｉ）を浸蝕する作用を有する。 The process gas supply source 4 supplies the process gas for performing a desired treatment on the wafer W into the processing container 2. Here, for example, HCl gas is used as the process gas (deposition gas or etching gas). The process gas (deposition gas or etching gas) has an action of eroding the metal (Ni) as the brazing material of the brazing portion 33.

パッシベーション用ガス供給源５は、ステージヒータ３にパッシベーション膜３４を形成させるためのパッシベーション用ガスを処理容器２内に供給する。ここで、パッシベーション用ガスとしては、例えば、ハロゲン含有ガス、フッ素含有ガスが用いられる。具体的には、パッシベーション用ガスは、例えば、ＣｌＦ_３ガスが用いられる。 The passivation gas supply source 5 supplies the passivation gas for forming the passivation film 34 in the stage heater 3 into the processing container 2. Here, as the passivation gas, for example, a halogen-containing gas and a fluorine-containing gas are used. Specifically, as the passivation gas, for example, ClF ₃ gas is used.

排気装置６は、処理容器２内のガスを排気する。また、排気装置６は、処理容器２内の所望の圧力に制御することができる。 The exhaust device 6 exhausts the gas in the processing container 2. Further, the exhaust device 6 can control the pressure in the processing container 2 to a desired level.

処理容器２、ステージヒータ３には、ヒータ（図示せず）が設けられていてもよい。ヒータは、ステージヒータ３に載置されたウェハＷに所望の処理（成膜処理やエッチング処理）を施す際、ウェハＷの温度を所定の温度に昇温する。また、ステージヒータ３のパッシベーション膜３４を形成する際に、ステージヒータ３の温度を所定の温度に昇温する。 The processing container 2 and the stage heater 3 may be provided with a heater (not shown). The heater raises the temperature of the wafer W to a predetermined temperature when the wafer W placed on the stage heater 3 is subjected to a desired treatment (film forming treatment or etching treatment). Further, when the passivation film 34 of the stage heater 3 is formed, the temperature of the stage heater 3 is raised to a predetermined temperature.

次に、第１実施形態に係る基板処理装置１の動作の一例について、図２を用いて説明する。図２は、第１実施形態に係る基板処理装置１における処理工程の一例を説明するフローチャートである。 Next, an example of the operation of the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a flowchart illustrating an example of a processing process in the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment.

ステップＳ１０１において、ステージヒータ３のろう付け部３３の表面にパッシベーション膜３４を形成する。 In step S101, the passivation film 34 is formed on the surface of the brazed portion 33 of the stage heater 3.

図３は、パッシベーション膜３４の形成処理時における基板処理装置１の断面模式図の一例である。ステップＳ１０１において、図３に示すように、処理容器２内には、セラミックス部材３１，３２がろう付け部３３で貼り合わされたステージヒータ３が配置されている。ここでは、ろう付け部３３の側面が処理容器２内に露出している。 FIG. 3 is an example of a schematic cross-sectional view of the substrate processing apparatus 1 at the time of forming the passivation film 34. In step S101, as shown in FIG. 3, a stage heater 3 to which the ceramic members 31 and 32 are bonded by the brazing portion 33 is arranged in the processing container 2. Here, the side surface of the brazed portion 33 is exposed inside the processing container 2.

基板処理装置１の制御部（図示せず）は、パッシベーション用ガス供給源５から処理容器２へパッシベーション用ガスを供給させる。また、基板処理装置１の制御部は、排気装置６を制御して、処理容器２内を所定の圧力とする。また、基板処理装置１の制御部は、ヒータ（図示せず）を制御して、ステージヒータ３の温度を所定の温度とする。なお、プロセスガス供給源４から処理容器２へのプロセスガスの供給は停止されている。 The control unit (not shown) of the substrate processing apparatus 1 supplies the passivation gas from the passivation gas supply source 5 to the processing container 2. Further, the control unit of the substrate processing device 1 controls the exhaust device 6 to set the pressure inside the processing container 2 to a predetermined pressure. Further, the control unit of the substrate processing apparatus 1 controls a heater (not shown) to set the temperature of the stage heater 3 to a predetermined temperature. The supply of process gas from the process gas supply source 4 to the processing container 2 is stopped.

パッシベーション膜３４の形成時のレシピの一例を示す。
パッシベーション用ガス：ＣｌＦ_３ガス
ステージヒータ温度：２００℃～５００℃
処理容器内圧力：１Ｔｏｒｒ～１０Ｔｏｒｒ（１３３Ｐａ～１３３０Ｐａ）
処理時間：１時間～７時間 An example of the recipe at the time of forming the passivation film 34 is shown.
Passivation gas: ClF ₃ gas stage heater temperature: 200 ° C to 500 ° C
Pressure inside the processing vessel: 1 Torr to 10 Torr (133 Pa to 1330 Pa)
Processing time: 1 hour to 7 hours

ここで、一例として以下の化学式（１）で示すように、ろう付け部３３の表面で、ろう付け部３３の金属（Ｎｉ）とパッシベーション用ガス（ＣｌＦ_３ガス）が反応することにより、ろう付け部３３の表面にパッシベーション膜３４としてのＮｉＦ_２膜が形成される。これにより、図１に示すように、ろう付け部３３のうち、処理容器２内に露出する面（換言すれば、プロセスガスに曝される面）に、パッシベーション膜３４が形成される。 Here, as an example, as shown by the following chemical formula (1), brazing is performed by the reaction between the metal (Ni) of the brazing portion 33 and the passivation gas (ClF ₃ gas) on the surface of the brazing portion 33. A NiF ₂ film as a passivation film 34 is formed on the surface of the portion 33. As a result, as shown in FIG. 1, the passivation film 34 is formed on the surface of the brazed portion 33 exposed in the processing container 2 (in other words, the surface exposed to the process gas).

３Ｎｉ＋２ＣｌＦ_３→３ＮｉＦ_２＋Ｃｌ_２・・・（１） 3Ni + 2ClF ₃ → 3NiF ₂ + Cl ₂ ... (1)

図４は、パッシベーション膜３４の形成処理後のＸ線光電子分光の一例を示すグラフである。横軸は結合エネルギ、縦軸は強度を示す。ここでは、パッシベーション用ガスとしてＣｌＦ_３ガスを用い、ステージヒータ３温度３００℃、処理容器２内圧力１．２Ｔｏｒｒ（１６０Ｐａ）、処理時間５時間、として処理を施した。図４に示すように、ＮｉＦ_ｘと対応する結合エネルギの位置で、強度のピークを確認できた。即ち、ろう付け部３３の表面にパッシベーション膜３４が形成されることを確認できた。 FIG. 4 is a graph showing an example of X-ray photoelectron spectroscopy after the formation treatment of the passivation film 34. The horizontal axis shows the binding energy, and the vertical axis shows the strength. Here, ClF ₃ gas was used as the passivation gas, and the treatment was performed with a stage heater 3 temperature of 300 ° C., a treatment container 2 internal pressure of 1.2 Torr (160 Pa), and a treatment time of 5 hours. As shown in FIG. 4, the peak of the intensity could be confirmed at the position of the binding energy corresponding to NiF _x . That is, it was confirmed that the passivation film 34 was formed on the surface of the brazed portion 33.

パッシベーション膜３４の形成が終了すると、パッシベーション用ガス供給源５から処理容器２へパッシベーション用ガスの供給は停止され、排気装置６により処理容器２内のパッシベーション用ガスが排気され、ステップＳ１０２に進む。 When the formation of the passivation film 34 is completed, the supply of the passivation gas from the passivation gas supply source 5 to the processing container 2 is stopped, the passivation gas in the processing container 2 is exhausted by the exhaust device 6, and the process proceeds to step S102.

ステップＳ１０２において、処理容器２の側面に設けられたゲートバルブ（図示せず）を介して、ウェハＷが処理容器２内に搬入される。そして、ステージヒータ３にウェハＷが載置される。 In step S102, the wafer W is carried into the processing container 2 via a gate valve (not shown) provided on the side surface of the processing container 2. Then, the wafer W is placed on the stage heater 3.

ステップＳ１０３において、ウェハＷに所望の処理を施す。ステップＳ１０３において、図１に示すように、処理容器２内には、セラミックス部材３１，３２がろう付け部３３で貼り合わされたステージヒータ３が配置されている。また、ろう付け部３３の側面には、パッシベーション膜３４が形成されている。また、ステージヒータ３には、ウェハＷが載置されている。 In step S103, the wafer W is subjected to a desired process. In step S103, as shown in FIG. 1, a stage heater 3 to which ceramic members 31 and 32 are bonded by a brazing portion 33 is arranged in the processing container 2. Further, a passivation film 34 is formed on the side surface of the brazed portion 33. Further, a wafer W is placed on the stage heater 3.

基板処理装置１の制御部（図示せず）は、プロセスガス供給源４から処理容器２へプロセスガスを供給させる。また、基板処理装置１の制御部は、排気装置６を制御して、処理容器２内を所定の圧力とする。また、基板処理装置１の制御部は、ヒータ（図示せず）を制御して、ステージヒータ３の温度（ステージヒータ３に載置）を所定の温度とする。なお、パッシベーション用ガス供給源５から処理容器２へのパッシベーション用ガスの供給は停止されている。 The control unit (not shown) of the substrate processing apparatus 1 supplies the process gas from the process gas supply source 4 to the processing container 2. Further, the control unit of the substrate processing device 1 controls the exhaust device 6 to set the pressure inside the processing container 2 to a predetermined pressure. Further, the control unit of the substrate processing apparatus 1 controls a heater (not shown) to set the temperature of the stage heater 3 (mounted on the stage heater 3) to a predetermined temperature. The supply of the passivation gas from the passivation gas supply source 5 to the processing container 2 is stopped.

ウェハＷのエッチング処理時のレシピの一例を示す。
プロセスガス：ＨＣｌガス
ステージヒータ温度：８００℃ An example of the recipe at the time of the etching process of the wafer W is shown.
Process gas: HCl gas Stage heater temperature: 800 ° C

ここでは、ウェハＷに所望の処理（エッチング処理）を施す。この際、処理容器２内に配置されたステージヒータ３は、高温（例えば、８００℃）のプロセスガスに曝される。また、ステージヒータ３のろう付け部３３のうち、処理容器２内に露出する面（換言すれば、プロセスガスに曝される面）には、プロセスガスに対して耐食性を有するパッシベーション膜３４が形成されている。これにより、ステージヒータ３のろう付け部３３のにおけるプロセスガスに対する耐食性を向上させることができる。また、プロセスガスによるろう付け部３３の浸蝕を抑制することができ、ろう付け部３３の浸蝕によるクラックを防止することができる。 Here, the wafer W is subjected to a desired treatment (etching treatment). At this time, the stage heater 3 arranged in the processing container 2 is exposed to a high temperature (for example, 800 ° C.) process gas. Further, of the brazed portion 33 of the stage heater 3, a passivation film 34 having corrosion resistance to the process gas is formed on the surface exposed in the processing container 2 (in other words, the surface exposed to the process gas). Has been done. This makes it possible to improve the corrosion resistance of the brazed portion 33 of the stage heater 3 to the process gas. Further, it is possible to suppress the erosion of the brazing portion 33 due to the process gas, and it is possible to prevent cracks due to the erosion of the brazing portion 33.

ウェハＷの所望の処理（エッチング処理）が終了すると、プロセスガス供給源４から処理容器２へプロセスガスの供給は停止され、排気装置６により処理容器２内のプロセスガスが排気される。そして、処理容器２の側面に設けられたゲートバルブ（図示せず）を介して、処理済みのウェハＷが処理容器２から搬出される。 When the desired processing (etching processing) of the wafer W is completed, the supply of the process gas from the process gas supply source 4 to the processing container 2 is stopped, and the process gas in the processing container 2 is exhausted by the exhaust device 6. Then, the processed wafer W is carried out from the processing container 2 via a gate valve (not shown) provided on the side surface of the processing container 2.

以上、第１実施形態に係る基板処理装置１によれば、ステージヒータ３の耐食性を向上させることができる。 As described above, according to the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment, the corrosion resistance of the stage heater 3 can be improved.

なお、セラミックス部材３１とセラミックス部材３２とをろう付け部３３でろう付けすることにより貼り合わされて構成されるセラミックスアセンブリの一例として、ステージヒータ３を例に説明したが、これに限られるものではない。例えば、処理容器２内に設けられるシャワーヘッド（図示せず）に適用してもよい。 The stage heater 3 has been described as an example of a ceramic assembly configured by brazing a ceramic member 31 and a ceramic member 32 with a brazing portion 33, but the present invention is not limited thereto. .. For example, it may be applied to a shower head (not shown) provided in the processing container 2.

また、第１実施形態に係る基板処理装置１では、Ｉｎ－Ｓｉｔｕでステージヒータ３にパッシベーション膜３４を形成するものとして説明したが、これに限られるものではない。 Further, in the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment, it has been described that the passivation film 34 is formed on the stage heater 3 by In-Situ, but the present invention is not limited to this.

図５は、第２実施形態に係る基板処理装置における処理工程の一例を説明するフローチャートである。ここで、第２実施形態に係る基板処理装置は、第１実施形態に係る基板処理装置１と比較して、パッシベーション用ガス供給源５が除かれている点で相違する。また、第１実施形態のステージヒータ３は、Ｉｎ－Ｓｉｔｕ（基板処理装置１の処理容器２内）でパッシベーション膜３４が形成されるのに対し、第２実施形態のステージヒータ３は、Ｅｘ－Ｓｉｔｕ（基板処理装置１の処理容器２外）でパッシベーション膜３４が形成される点で相違する。 FIG. 5 is a flowchart illustrating an example of a processing process in the substrate processing apparatus according to the second embodiment. Here, the substrate processing apparatus according to the second embodiment is different from the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment in that the passivation gas supply source 5 is excluded. Further, in the stage heater 3 of the first embodiment, the passivation film 34 is formed in In-Situ (inside the processing container 2 of the substrate processing apparatus 1), whereas in the stage heater 3 of the second embodiment, Ex-. The difference is that the passivation film 34 is formed in the in situ (outside the processing container 2 of the substrate processing apparatus 1).

ステップＳ２０１において、ステージヒータ３は、処理装置１１（２１）に搬入される。ステップＳ２０２において、ステージヒータ３にパッシベーション膜３４が形成される。 In step S201, the stage heater 3 is carried into the processing device 11 (21). In step S202, the passivation film 34 is formed on the stage heater 3.

ここで、処理装置１１の一例を図６に示す。図６は、パッシベーション膜３４を形成する処理装置１１の断面模式図の一例である。処理装置１１は、処理容器１２と、パッシベーション用ガス供給源１５と、排気装置１６と、を備える。 Here, an example of the processing device 11 is shown in FIG. FIG. 6 is an example of a schematic cross-sectional view of the processing device 11 that forms the passivation film 34. The processing device 11 includes a processing container 12, a passivation gas supply source 15, and an exhaust device 16.

図６に示すように、処理容器２内には、セラミックス部材３１，３２がろう付け部３３で貼り合わされたステージヒータ３が配置されている。ここでは、ろう付け部３３の側面が処理容器２内に露出している。 As shown in FIG. 6, a stage heater 3 in which the ceramic members 31 and 32 are bonded by the brazing portion 33 is arranged in the processing container 2. Here, the side surface of the brazed portion 33 is exposed inside the processing container 2.

処理装置１１の制御部（図示せず）は、パッシベーション用ガス供給源１５から処理容器１２へパッシベーション用ガスを供給させる。また、処理装置１１の制御部は、排気装置１６を制御して、処理容器１２内を所定の圧力とする。また、処理装置１１の制御部は、ヒータ（図示せず）を制御して、ステージヒータ３の温度を所定の温度とする。これにより、Ｅｘ－Ｓｉｔｕでステージヒータ３にパッシベーション膜３４を形成する。 The control unit (not shown) of the processing apparatus 11 supplies the passivation gas from the passivation gas supply source 15 to the processing container 12. Further, the control unit of the processing device 11 controls the exhaust device 16 to set the pressure inside the processing container 12 to a predetermined pressure. Further, the control unit of the processing device 11 controls a heater (not shown) to set the temperature of the stage heater 3 to a predetermined temperature. As a result, the passivation film 34 is formed on the stage heater 3 by Ex-Situ.

また、他の処理装置２１の一例を図７に示す。図７は、パッシベーション膜３４を形成する処理装置２１の断面模式図の一例である。処理装置２１は、処理容器２２と、処理容器２２に貯留された処理液２３と、を備える。 Further, an example of another processing device 21 is shown in FIG. FIG. 7 is an example of a schematic cross-sectional view of the processing device 21 that forms the passivation film 34. The processing device 21 includes a processing container 22 and a processing liquid 23 stored in the processing container 22.

図７に示すように、セラミックス部材３１，３２がろう付け部３３で貼り合わされたステージヒータ３が処理液２３内に配置されている。ここでは、処理液２３としては、ハロゲン含有液、フッ素含有液、具体的には、ＨＦ溶液を用いることができる。これにより、Ｅｘ－Ｓｉｔｕでステージヒータ３にパッシベーション膜３４を形成する。 As shown in FIG. 7, the stage heater 3 to which the ceramic members 31 and 32 are bonded by the brazing portion 33 is arranged in the processing liquid 23. Here, as the treatment liquid 23, a halogen-containing liquid, a fluorine-containing liquid, specifically, an HF solution can be used. As a result, the passivation film 34 is formed on the stage heater 3 by Ex-Situ.

ステップＳ２０３において、ステージヒータ３を第２実施形態に係る基板処理装置の処理容器内に搬入（配置）する。 In step S203, the stage heater 3 is carried (arranged) into the processing container of the substrate processing apparatus according to the second embodiment.

ステップＳ２０４において、処理容器２の側面に設けられたゲートバルブ（図示せず）を介して、ウェハＷが処理容器２内に搬入される。そして、ステージヒータ３にウェハＷが載置される。 In step S204, the wafer W is carried into the processing container 2 via a gate valve (not shown) provided on the side surface of the processing container 2. Then, the wafer W is placed on the stage heater 3.

ステップＳ２０５において、ウェハＷに所望の処理を施す。処理容器２内には、セラミックス部材３１，３２がろう付け部３３で貼り合わされたステージヒータ３が配置されている。また、ろう付け部３３の側面には、パッシベーション膜３４が形成されている。また、ステージヒータ３には、ウェハＷが載置されている。 In step S205, the wafer W is subjected to a desired process. In the processing container 2, a stage heater 3 to which the ceramic members 31 and 32 are bonded by the brazing portion 33 is arranged. Further, a passivation film 34 is formed on the side surface of the brazed portion 33. Further, a wafer W is placed on the stage heater 3.

ウェハＷのエッチング処理時のレシピの一例を示す。
プロセスガス：ＨＣｌガス
ステージヒータ３温度：８００℃ An example of the recipe at the time of the etching process of the wafer W is shown.
Process gas: HCl gas stage heater 3 temperature: 800 ° C

以上、第２実施形態に係る基板処理装置によれば、ステージヒータ３の耐食性を向上させることができる。 As described above, according to the substrate processing apparatus according to the second embodiment, the corrosion resistance of the stage heater 3 can be improved.

以上、第１～第２実施形態に係る基板処理装置について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本開示の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。 Although the substrate processing apparatus according to the first and second embodiments has been described above, the present disclosure is not limited to the above-described embodiments and the like, and is within the scope of the gist of the present disclosure described in the claims. , Various modifications and improvements are possible.

Ｗ基板
１基板処理装置
２処理容器
３ステージヒータ（セラミックスアセンブリ）
４プロセスガス供給源
５パッシベーション用ガス供給源
６排気装置
３１，３２セラミックス部材
３１セラミックス部材
３２セラミックス部材
３３ろう付け部
３４パッシベーション膜 W Substrate 1 Substrate processing device 2 Processing container 3 Stage heater (ceramic assembly)
4 Process gas supply source 5 Passivation gas supply source 6 Exhaust device 31, 32 Ceramic member 31 Ceramic member 32 Ceramic member 33 Brazing part 34 Passivation film

Claims

A method for manufacturing a ceramic assembly formed by bonding a first ceramic member and a second ceramic member together using a brazing material.
A passivation film is formed on the exposed surface of the brazing material of the ceramic assembly in which the first ceramic member and the second ceramic member are bonded to each other using the brazing material.
How to manufacture ceramic assemblies.

The brazing material is made of nickel and is made of nickel.
The passivation film is formed by treating the brazing material with a halogen-containing gas or a halogen-containing solution.
The method for manufacturing a ceramic assembly according to claim 1.

The passivation film is formed by treating the brazing material with a fluorine-containing gas or a fluorine-containing solution.
The method for manufacturing a ceramic assembly according to claim 2.

The fluorine-containing gas is ClF ₃ gas.
The method for manufacturing a ceramic assembly according to claim 3.

The passivation film is formed by exposing the surface of the brazing filler metal to ClF ₃ gas at 200 ° C. or higher and 500 ° C. or lower in an atmosphere of 1 Torr or higher and 10 Torr or lower for 1 hour or more and 7 hours or less.
The method for manufacturing a ceramic assembly according to claim 4.

The first ceramic member and the second ceramic member are AlN.
The method for manufacturing a ceramic assembly according to any one of claims 1 to 5.

In the ceramic assembly, the passivation film is formed on the surface of the brazing material in a processing device different from the substrate processing device for processing the substrate.
After forming the passivation film, it is carried into the substrate processing apparatus.
The method for manufacturing a ceramic assembly according to any one of claims 1 to 6.

The first ceramic member and
The second ceramic member and
A brazing portion for bonding the first ceramic member and the second ceramic member to each other using a brazing material is provided.
A ceramic assembly having a passivation film on the surface of the exposed brazed portion.