JP2022015189A - Wafer suction device and wafer suction method - Google Patents

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Akira Ozaki
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Abstract

To provide a wafer suction device capable of selectively sucking a portion different from a processed portion of a semiconductor wafer without performing positioning of the processed semiconductor wafer.SOLUTION: A wafer support 2 that has multiple suction ports 23 arranged independently from each other with a distance is configured so as to, when a processed wafer W is placed, perform a vacuum suction using a suction port 23 that is located at a position corresponding to the size of the processed wafer W, that is, using a corresponding suction port. The wafer suction device is configured so as to, when it is determined that any vacuum suction is not performed at the corresponding suction port, release the evacuation by returning the corresponding suction port to atmospheric pressure, and start the vacuum suction of the processed wafer W using the suction port 23 adjacent to the corresponding suction port, i.e., the neighboring suction port. With this, the processed wafers W can be selectively sucked in an outer edge portion W2 which is a portion different from the processed portion without performing the positioning of the processed wafer W.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、加工された半導体ウエハの吸着に用いられるウエハ吸着装置およびウエハ吸着方法に関する。 The present invention relates to a wafer adsorption device and a wafer adsorption method used for adsorption of processed semiconductor wafers.

従来、半導体ウエハの搬送やプリアライメントにおいて、半導体ウエハの一面のうち一部の領域を例えば真空吸着あるいはベルヌーイ吸着等の任意の方法で吸着し、一時的に仮固定する方法が採用されている。半導体ウエハは、デバイス形成等の加工がなされる前においては、一面が平坦面であり、仮固定における吸着部位が制限されることはない。 Conventionally, in transporting or prealigning a semiconductor wafer, a method has been adopted in which a part of one surface of the semiconductor wafer is adsorbed by an arbitrary method such as vacuum adsorption or Bernoulli adsorption to temporarily fix the semiconductor wafer. Before the semiconductor wafer is processed such as device formation, one surface is a flat surface, and the adsorption site in temporary fixing is not limited.

しかしながら、半導体ウエハが例えばMEMS(Micro Electro Mechanical Systemsの略)等の何らかの加工が施されたもの(以下「加工ウエハ」という)である場合には、吸着により加工部位の破損が生じることを防ぐため、吸着部位を制限する必要がある。例えば加工ウエハを吸着する場合、加工ウエハのうちデバイス等が形成され、後ほど半導体チップを構成する領域を「有効チップ領域」として、ウエハの破損を防ぐため、有効チップ領域の外側の領域を吸着して仮固定を行う。このようなウエハ吸着装置としては、例えば、特許文献1に記載のものが挙げられる。 However, when the semiconductor wafer is a wafer that has been processed in some way (hereinafter referred to as "processed wafer") such as MEMS (abbreviation of Micro Electro Mechanical Systems), in order to prevent damage to the processed portion due to adsorption. , It is necessary to limit the adsorption site. For example, when adsorbing a processed wafer, a device or the like is formed in the processed wafer, and the region constituting the semiconductor chip later is designated as an "effective chip region", and in order to prevent the wafer from being damaged, the region outside the effective chip region is adsorbed. Temporarily fix it. Examples of such a wafer adsorption device include those described in Patent Document 1.

特開2019-161241号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2019-161241

特許文献1に記載のウエハ吸着装置は、吸着口を有する搬送部と、昇降部と、センタリング部と、吸着口を有し、回転可能なウエハ支持部と、センサ部とを備え、加工ウエハのプリアライメントに用いられる。このウエハ吸着装置では、加工ウエハは、搬送部、昇降部を経由して真空吸着されずにウエハ支持部に搬送された後、センタリング部によりウエハ支持部の中心位置に対する位置合わせが行われる。その後、加工ウエハは、ウエハ支持部で真空吸着された状態で回転させられ、センサ部によりオリエンテーションフラットあるいはノッチが検出されることで、プリアライメントがなされる。このウエハ吸着装置は、プリアライメントやその後の搬送において、センタリング部による位置合わせ後に加工ウエハの真空吸着を行うため、加工ウエハ有効チップ領域の外側を吸着でき、加工部位の破損を防ぐことが可能である。 The wafer suction device described in Patent Document 1 includes a transport section having a suction port, an elevating section, a centering section, a rotatable wafer support section having a suction port, and a sensor section, and comprises a processed wafer. Used for prealignment. In this wafer suction device, the processed wafer is conveyed to the wafer support portion without being vacuum-adsorbed via the transport portion and the elevating portion, and then the centering portion aligns the processed wafer with respect to the center position of the wafer support portion. After that, the processed wafer is rotated in a state of being vacuum-sucked by the wafer support portion, and the orientation flat or notch is detected by the sensor portion to perform prealignment. Since this wafer suction device performs vacuum suction of the processed wafer after alignment by the centering portion in prealignment and subsequent transfer, it is possible to suck the outside of the effective chip region of the processed wafer and prevent damage to the processed portion. be.

一方、近年、この種のウエハ吸着装置においては、加工ウエハの直径サイズが変わった場合であっても吸着保持を可能にしたいとのニーズがある。しかしながら、加工ウエハのサイズが変わった場合、センタリング部などの位置合わせ機構は、複数の直径サイズに対応できるようにするためには、その平面サイズを大きくする必要があり、ウエハ吸着装置の大型化や製造コストの増大の原因となり得る。また、位置合わせ機構のような位置ずれを修正する機構を有しない構成とした場合には、加工ウエハの搬送において何らかの要因により位置ずれが生じると、加工ウエハのうち有効チップ領域を真空吸着するおそれがある。 On the other hand, in recent years, in this type of wafer adsorption device, there is a need to enable adsorption retention even when the diameter size of the processed wafer changes. However, when the size of the processed wafer changes, it is necessary to increase the plane size of the alignment mechanism such as the centering portion in order to be able to handle a plurality of diameter sizes, and the size of the wafer adsorption device is increased. And can cause an increase in manufacturing costs. In addition, if the configuration does not have a mechanism for correcting the misalignment such as the alignment mechanism, if the misalignment occurs due to some factor in the transport of the processed wafer, the effective chip region of the processed wafer may be vacuum-sucked. There is.

本発明は、上記の点に鑑み、ウエハ吸着において、ウエハ支持部に対する加工ウエハの位置ずれを修正する機構を有さず、サイズの異なる加工ウエハにも対応可能としつつ、加工ウエハのうち有効チップ領域とは異なる領域を選択的に吸着することを目的とする。 In view of the above points, the present invention does not have a mechanism for correcting the positional deviation of the processed wafer with respect to the wafer support portion in wafer adsorption, and can handle processed wafers of different sizes, and is an effective chip among the processed wafers. The purpose is to selectively adsorb a region different from the region.

上記目的を達成するため、請求項1に記載のウエハ吸着装置は、ウエハを真空吸着により保持するウエハ吸着装置であって、互いに独立した複数の空気孔(22)を有し、空気孔の開口部である複数の吸着口(23)が所定間隔で並べて配置されているウエハ支持部(2)と、互いに異なる空気孔に接続される真空引き用の複数の配管(3)と、配管の圧力を検出する圧力検出部(4)と、配管に繋がる流路の開閉を行う流路開閉部(6)と、流路開閉部の作動制御を行う吸着制御部(7)と、を備え、吸着制御部は、ウエハがウエハ支持部に載置された後に複数の吸着口のうち1つの吸着口における真空引きを開始させ、圧力検出部からの出力信号に基づいて真空引きがなされている吸着口によりウエハが吸着されているか否かを判定し、吸着口によりウエハが吸着されていないと判定した場合には、真空引きを吸着口から当該吸着口に隣接する他の吸着口に切り替える制御を実行し、吸着制御部により最初に真空引きがなされる吸着口は、ウエハのサイズに対応する位置にある対応吸着口である。 In order to achieve the above object, the wafer suction device according to claim 1 is a wafer suction device that holds a wafer by vacuum suction, has a plurality of air holes (22) independent of each other, and opens air holes. A wafer support portion (2) in which a plurality of suction ports (23) are arranged side by side at predetermined intervals, a plurality of pipes (3) for vacuuming connected to air holes different from each other, and pressure of the pipes. A pressure detection unit (4) for detecting, a flow path opening / closing unit (6) for opening / closing the flow path connected to the pipe, and a suction control unit (7) for controlling the operation of the flow path opening / closing unit are provided for suction. The control unit starts vacuuming at one of the plurality of suction ports after the wafer is placed on the wafer support, and the suction port is vacuumed based on the output signal from the pressure detection unit. If it is determined that the wafer is not adsorbed by the suction port, control is performed to switch the vacuum drawing from the suction port to another suction port adjacent to the suction port. However, the suction port that is first vacuumed by the suction control unit is the corresponding suction port at a position corresponding to the size of the wafer.

これによれば、ウエハがウエハ支持部に載置されたとき、ウエハ支持部では、互いに独立した複数の吸着口のうち当該ウエハのサイズに対応する位置にある対応吸着口による真空引きがなされ、ウエハが真空吸着されているか否かを判定するウエハ吸着装置となる。そして、このウエハ吸着装置は、対応吸着口において真空吸着がなされていないと判定した場合、対応吸着口に隣接する吸着口による真空引きに切り替える制御を行う。そのため、加工されたウエハがウエハ支持部に載置されたとき、加工ウエハのうち加工部分である有効チップ領域とは異なる領域を選択的に吸着することが可能となる。 According to this, when the wafer is placed on the wafer support portion, the wafer support portion is evacuated by the corresponding suction port located at the position corresponding to the size of the wafer among the plurality of suction ports independent of each other. It is a wafer suction device that determines whether or not the wafer is vacuum sucked. Then, when it is determined that vacuum suction is not performed at the corresponding suction port, this wafer suction device controls to switch to vacuum suction by the suction port adjacent to the corresponding suction port. Therefore, when the processed wafer is placed on the wafer support portion, it is possible to selectively adsorb a region of the processed wafer different from the effective chip region which is the processed portion.

また、ウエハのサイズに対応する位置にある対応吸着口、これに隣接する吸着口の順に真空引きを必要に応じて切り替える制御を実行することで、位置合わせ機構を有さずとも、サイズの異なるウエハであっても上記の選択的な真空吸着が可能な構成となる。 Further, by executing the control of switching the vacuum drawing in the order of the corresponding suction port at the position corresponding to the wafer size and the suction port adjacent to the corresponding suction port as needed, the size is different even if the alignment mechanism is not provided. Even if it is a wafer, the above-mentioned selective vacuum suction is possible.

請求項8に記載のウエハ吸着方法は、互いに独立した複数の空気孔(22)、および空気孔の開口部であって、平行配置された複数の吸着口(23)を備えるウエハ支持部(2)に載置されたウエハの吸着方法であって、ウエハがウエハ支持部に載置されたとき、複数の吸着口のうち1つの吸着口における真空引きを行うことと、真空引きがなされている吸着口に接続された配管(3)の圧力を検出することと、圧力に基づいてウエハが吸着されているか否かを判定することと、ウエハが吸着されていないと判定した場合、真空引きを吸着口から隣接する他の吸着口に切り替えることと、を含み、最初に真空引きがなされる吸着口は、ウエハのサイズに対応する位置にある対応吸着口である。 The wafer suction method according to claim 8 is a wafer support portion (2) having a plurality of air holes (22) independent of each other and a plurality of suction ports (23) arranged in parallel, which are openings of the air holes. ), Which is a method of sucking the wafer placed on the wafer, and when the wafer is placed on the wafer support portion, vacuuming is performed at one of the suction ports among the plurality of suction ports, and vacuuming is performed. Detecting the pressure of the pipe (3) connected to the suction port, determining whether or not the wafer is adsorbed based on the pressure, and if it is determined that the wafer is not adsorbed, vacuuming is performed. The first suction port to be vacuumed, including switching from the suction port to another adjacent suction port, is the corresponding suction port at a position corresponding to the size of the wafer.

これによれば、互いに独立し、平行配置された複数の吸着口のうち1つの吸着口を用いてウエハ支持部に載置された加工ウエハの真空吸着を行う際に、真空引きされている吸着口に繋がる配管の圧力に基づいて、加工ウエハが吸着されているか判定される。そして、加工ウエハのサイズに対応する位置にある対応吸着口を起点として真空引きを開始し、加工ウエハが吸着されていないと判定した場合に、真空引きを隣接する吸着口に切り替えるため、加工ウエハの外縁部分から内周部分に向かう順に真空引きがなされる。よって、加工ウエハの外縁部分が内周部分より先に真空吸着されると共に、対応吸着口から真空引きが開始されるため、加工ウエハの載置に際して位置ずれを考慮した位置合わせを行う必要がなく、異なるサイズの加工ウエハにも対応可能となる。 According to this, when vacuum suction is performed on the processed wafer placed on the wafer support portion by using one of the suction ports which are independent of each other and arranged in parallel, the suction is evacuated. It is determined whether the processed wafer is adsorbed based on the pressure of the pipe connected to the mouth. Then, evacuation is started from the corresponding suction port at the position corresponding to the size of the processed wafer, and when it is determined that the processed wafer is not adsorbed, the evacuation is switched to the adjacent suction port, so that the processed wafer is used. The vacuum is drawn in the order from the outer edge portion to the inner peripheral portion. Therefore, since the outer edge portion of the processed wafer is evacuated before the inner peripheral portion and the vacuum drawing is started from the corresponding suction port, it is not necessary to perform the alignment in consideration of the misalignment when placing the processed wafer. , It is possible to handle processed wafers of different sizes.

なお、各構成要素等に付された括弧付きの参照符号は、その構成要素等と後述する実施形態に記載の具体的な構成要素等との対応関係の一例を示すものである。 The reference numerals in parentheses attached to each component or the like indicate an example of the correspondence between the component or the like and the specific component or the like described in the embodiment described later.

第1実施形態のウエハ吸着装置を示す図である。It is a figure which shows the wafer adsorption apparatus of 1st Embodiment. 加工ウエハを示す図であって、(a)はノッチを備える例を示す平面図、(b)はオリエンテーションフラットを備える例を示す平面図である。It is a figure which shows the processed wafer, (a) is a plan view which shows the example which has the notch, (b) is the plan view which shows the example which has an orientation flat. ウエハ支持部を示す拡大平面図である。It is an enlarged plan view which shows the wafer support part. ウエハ支持部における加工ウエハの真空吸着について説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating vacuum suction of a processed wafer in a wafer support part. 第1実施形態のウエハ吸着装置における加工ウエハの吸着制御の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the adsorption control of the processed wafer in the wafer adsorption apparatus of 1st Embodiment. 第2実施形態のウエハ吸着装置を示す図である。It is a figure which shows the wafer adsorption apparatus of 2nd Embodiment. 第2実施形態における加工ウエハの真空吸着を示す平面図であって、(a)は1つの吸着口群による例であり、(b)は2つの吸着口群による例である。It is a plan view which shows the vacuum suction of the processed wafer in 2nd Embodiment, (a) is an example by one suction port group, (b) is an example by two suction port groups. 第2実施形態の変形例に係るウエハ支持部の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the wafer support part which concerns on the modification of 2nd Embodiment. 図8に示すウエハ支持部による加工ウエハの真空吸着の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the vacuum suction of the processed wafer by the wafer support part shown in FIG. 図8に示すウエハ支持部による他のサイズの加工ウエハの真空吸着の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the vacuum suction of the processed wafer of another size by the wafer support part shown in FIG. 第3実施形態のウエハ吸着装置を示す図である。It is a figure which shows the wafer adsorption apparatus of 3rd Embodiment. 図11のXII方向から見たウエハ支持部の矢視図である。It is an arrow view of the wafer support part seen from the XII direction of FIG. 第3実施形態の変形例に係るウエハ支持部の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the wafer support part which concerns on the modification of 3rd Embodiment. 図13に示すウエハ支持部による加工ウエハの真空吸着の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the vacuum suction of the processed wafer by the wafer support part shown in FIG. 図13に示すウエハ支持部による他のサイズの加工ウエハの真空吸着の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the vacuum suction of the processed wafer of another size by the wafer support part shown in FIG.

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In each of the following embodiments, the parts that are the same or equal to each other will be described with the same reference numerals.

(第1実施形態)
第1実施形態のウエハ吸着装置1について、図1~図5を参照して説明する。
(First Embodiment)
The wafer adsorption device 1 of the first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 5.

図1では、見易くするため、後述するウエハ支持部2のうち空気孔22を簡略化しつつ破線で示している。また、図3、図4では、説明の便宜上、後述する複数の吸着口23の配列方向D1を矢印で示している。図4では、見易くするため、加工ウエハWの一部を示すと共に、加工ウエハWの外郭、および内周部W1と外縁部W2との境界を二点鎖線で示している。 In FIG. 1, in order to make it easier to see, the air holes 22 in the wafer support portion 2 described later are shown by broken lines while being simplified. Further, in FIGS. 3 and 4, for convenience of explanation, the arrangement direction D1 of the plurality of suction ports 23, which will be described later, is indicated by an arrow. In FIG. 4, a part of the processed wafer W is shown for easy viewing, and the outer shell of the processed wafer W and the boundary between the inner peripheral portion W1 and the outer edge portion W2 are shown by a two-dot chain line.

本実施形態のウエハ吸着装置1は、例えば、加工された半導体ウエハ(加工ウエハ)の搬送やプリアライメントの際における加工ウエハの吸着保持に用いられると好適であるが、これらの用途に限定されるものではない。 The wafer adsorption device 1 of the present embodiment is suitable for being used, for example, for adsorbing and holding a processed wafer at the time of transporting or prealigning a processed semiconductor wafer (processed wafer), but is limited to these applications. It's not a thing.

〔構成〕
本実施形態のウエハ吸着装置1は、例えば図1に示すように、互いに独立した複数の吸着口23を有するウエハ支持部2と、配管3と、圧力検出部4と、真空ポンプ5と、流路開閉部6と、吸着制御部7とを備える。ウエハ吸着装置1は、ウエハ支持部2にウエハが載置されたとき、1つの吸着口23による当該ウエハの真空吸着を実行し、必要に応じて当該1つの吸着口23による真空吸着を解除し、これに隣接する吸着口23による真空吸着を実行する構成となっている。
〔Constitution〕
As shown in FIG. 1, for example, the wafer suction device 1 of the present embodiment includes a wafer support portion 2 having a plurality of suction ports 23 independent of each other, a pipe 3, a pressure detection portion 4, a vacuum pump 5, and a flow. A road opening / closing unit 6 and a suction control unit 7 are provided. When the wafer is placed on the wafer support portion 2, the wafer suction device 1 executes vacuum suction of the wafer by one suction port 23, and releases the vacuum suction by the one suction port 23 as necessary. , It is configured to execute vacuum suction by the suction port 23 adjacent to this.

ここで、加工ウエハWについて、図2を参照して説明する。加工ウエハWは、例えば、図2(a)あるいは図2(b)に示すように、略円盤状とされ、MEMS等の加工や電子デバイスが形成された図示しない有効チップ領域を有する内周部W1と、内周部W1の外側の領域である外縁部W2とを備える。加工ウエハWは、例えば、Si(シリコン)やSiC(炭化珪素)等の任意の半導体材料によりなり、外縁部W2にノッチW3あるいはオリエンテーションフラットW4が形成されている。 Here, the processed wafer W will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 2A or FIG. 2B, for example, the processed wafer W has a substantially disk shape, and has an inner peripheral portion having an effective chip region (not shown) in which processing such as MEMS or an electronic device is formed. A W1 and an outer edge portion W2 which is an outer region of the inner peripheral portion W1 are provided. The processed wafer W is made of an arbitrary semiconductor material such as Si (silicon) or SiC (silicon carbide), and a notch W3 or an orientation flat W4 is formed on the outer edge portion W2.

加工ウエハWの内周部W1は、MEMS等が形成されることで厚みに分布があり、その裏面が真空吸着された場合、その負圧により破損が生じるおそれがあるため、真空吸着に適さない領域である。加工ウエハWの外縁部W2は、例えば、加工ウエハWの外郭から数mmの幅の領域であって、MEMSや電子デバイスの形成等の加工がなされておらず、一定の厚みとされた領域である。 The inner peripheral portion W1 of the processed wafer W has a distribution in thickness due to the formation of MEMS or the like, and if the back surface thereof is vacuum-sucked, it may be damaged due to its negative pressure, so that it is not suitable for vacuum suction. It is an area. The outer edge portion W2 of the processed wafer W is, for example, a region having a width of several mm from the outer shell of the processed wafer W, which has not been processed such as MEMS or electronic device formation and has a constant thickness. be.

本実施形態のウエハ吸着装置1は、独立した複数の吸着口23により所定の方向に向かって真空吸着を順次実行することにより、加工ウエハWの内周部W1よりも先に外縁部W2を選択的に吸着保持することで、加工ウエハWの破損を抑制可能な構成である。 The wafer suction device 1 of the present embodiment sequentially executes vacuum suction in a predetermined direction by a plurality of independent suction ports 23, thereby selecting an outer edge portion W2 before the inner peripheral portion W1 of the processed wafer W. The structure is such that damage to the processed wafer W can be suppressed by suction-holding the processed wafer W.

ウエハ支持部2は、例えば図1に示すように、基部21と、基部21の内部に設けられ、互いに独立した複数の空気孔22と、空気孔22の開口部である複数の吸着口23とを有してなる。ウエハ支持部2は、複数の吸着口23のうち1つの吸着口23を用いた真空吸着により、基部21の上に載置された加工ウエハWの吸着保持を行う。 As shown in FIG. 1, for example, the wafer support portion 2 includes a base portion 21, a plurality of air holes 22 provided inside the base portion 21 and independent of each other, and a plurality of suction ports 23 which are openings of the air holes 22. Must have. The wafer support portion 2 sucks and holds the processed wafer W placed on the base 21 by vacuum suction using one of the suction ports 23 among the plurality of suction ports 23.

基部21は、例えば、略四角形板状の部材であり、金属材料等の任意の部材により構成され得る。基部21は、例えば図1に示すように、互いに独立すると共に、一面と他の面とを繋ぐ複数の空気孔22が形成され、その開口部である複数の吸着口23が互いに離れて平行配置されている。 The base 21 is, for example, a substantially quadrangular plate-shaped member, and may be made of any member such as a metal material. As shown in FIG. 1, for example, the base portion 21 is independent of each other, and a plurality of air holes 22 connecting one surface to the other surface are formed, and a plurality of suction ports 23, which are openings thereof, are arranged in parallel with each other apart from each other. Has been done.

複数の吸着口23は、例えば図3に示すように、スリット状の円弧形状とされており、所定間隔を隔てて平行配置されている。複数の吸着口23は、例えば、加工ウエハWの外縁部分と略同一の曲率半径とされている。 As shown in FIG. 3, for example, the plurality of suction ports 23 have a slit-shaped arc shape and are arranged in parallel at predetermined intervals. The plurality of suction ports 23 have substantially the same radius of curvature as the outer edge portion of the processed wafer W, for example.

以下、説明の簡便化のため、図3の両矢印に示すように、複数の吸着口23が配列される方向に沿った方向を「配列方向D1」と、配列方向D1のうち吸着口23の円弧部分が凸となる方向を「外側」と、その反対方向を「内側」と、それぞれ称することがある。また、複数の吸着口23が平行配置されてなる群を「吸着口群24」と称する。 Hereinafter, for the sake of simplicity of description, as shown by the double-headed arrow in FIG. 3, the direction along the direction in which the plurality of suction ports 23 are arranged is referred to as “arrangement direction D1”, and the suction port 23 of the arrangement directions D1. The direction in which the arc portion is convex may be referred to as "outside", and the opposite direction may be referred to as "inside". Further, a group in which a plurality of suction ports 23 are arranged in parallel is referred to as a "suction port group 24".

複数の吸着口23は、例えば、図3に示すように、それぞれ配列方向D1における幅をX1とし、配列方向D1において隣接する吸着口23同士の距離をX2として、X1とX2との合計が加工ウエハWの外縁部W2の幅以下とされる。これは、加工ウエハWを基部21の上に載置したときに、外縁部W2に1つの吸着口23が収まるようにするためである。吸着口23の幅X1と吸着口23間の距離X2との合計は、例えば、3mm以下とされるが、加工ウエハWにおける外縁部W2の幅に応じて適宜変更され得る。 For the plurality of suction ports 23, for example, as shown in FIG. 3, the width in the arrangement direction D1 is X1, the distance between the adjacent suction ports 23 in the arrangement direction D1 is X2, and the total of X1 and X2 is processed. It is set to be equal to or less than the width of the outer edge portion W2 of the wafer W. This is to ensure that one suction port 23 fits in the outer edge portion W2 when the processed wafer W is placed on the base portion 21. The total of the width X1 of the suction port 23 and the distance X2 between the suction ports 23 is, for example, 3 mm or less, but can be appropriately changed depending on the width of the outer edge portion W2 of the processed wafer W.

加工ウエハWをウエハ支持部2で真空吸着したときの安定性を向上させる観点から、吸着口23の幅X1は、吸着口23間の距離X2よりも大きくされることが好ましい。また、同様の観点から、配列方向D1に対して直交する方向を「直交方向」として、吸着口23の直交方向における幅は、配列方向D1における幅X1よりも大きくされることが好ましい。 From the viewpoint of improving the stability when the processed wafer W is vacuum-sucked by the wafer support portion 2, the width X1 of the suction port 23 is preferably larger than the distance X2 between the suction ports 23. From the same viewpoint, it is preferable that the direction orthogonal to the arrangement direction D1 is set as the "orthogonal direction" and the width of the suction port 23 in the orthogonal direction is larger than the width X1 in the arrangement direction D1.

吸着口群24は、加工ウエハWを基部21の上に載置したときに位置ずれが生じた場合であっても、少なくとも1つの吸着口23が外縁部W2の直下に位置するように、少なくも3つ以上、好ましくは4つ以上の吸着口23により構成される。 The suction port group 24 has a small number of suction ports 23 so that at least one suction port 23 is located directly below the outer edge portion W2 even if the processing wafer W is displaced on the base portion 21. Also consists of three or more, preferably four or more suction ports 23.

なお、本明細書では、吸着口群24が4つの吸着口23により構成される場合を代表例として説明するが、この代表例に限定されるものではない。 In this specification, the case where the suction port group 24 is composed of four suction ports 23 will be described as a representative example, but the present invention is not limited to this representative example.

複数の空気孔22は、基部21に形成される互いに独立した貫通孔であって、加工ウエハWを真空吸着する際の真空経路である。複数の空気孔22は、互いに連通しておらず、例えば、基部21のうち吸着口23が位置する一面とは異なる面において、それぞれ異なる配管3が接続されている。 The plurality of air holes 22 are through holes formed in the base 21 and independent of each other, and are vacuum paths for vacuum-adsorbing the processed wafer W. The plurality of air holes 22 do not communicate with each other, and for example, different pipes 3 are connected to each other on a surface of the base 21 different from the one on which the suction port 23 is located.

配管3は、例えばチューブ状とされ、空気孔22と真空ポンプ5とを繋ぐ真空引き用の管であり、加工ウエハWの真空吸着時の真空経路である。複数の配管3は、例えば図1に示すように、空気孔22から流路開閉部6までは互いに独立しており、個々の空気孔22、吸着口23を介した加工ウエハWの真空吸着を可能としている。複数の配管3は、空気孔22と真空ポンプ5との間において、それぞれ流路開閉部6が接続されている。また、複数の配管3は、流路開閉部6が開状態とされ、真空ポンプ5に連通したときに、このときの圧力を検出する圧力検出部4が接続されている。複数の配管3は、例えば、真空ポンプ5と流路開閉部6との間で連結され、連結された1つの配管3を通じて真空ポンプ5に接続される。 The pipe 3 has, for example, a tube shape, is a tube for evacuation connecting the air hole 22 and the vacuum pump 5, and is a vacuum path at the time of vacuum suction of the processed wafer W. As shown in FIG. 1, for example, the plurality of pipes 3 are independent of each other from the air hole 22 to the flow path opening / closing portion 6, and vacuum suction of the processed wafer W via the individual air hole 22 and the suction port 23 is performed. It is possible. In each of the plurality of pipes 3, the flow path opening / closing portion 6 is connected between the air hole 22 and the vacuum pump 5. Further, the plurality of pipes 3 are connected to a pressure detecting unit 4 that detects the pressure at this time when the flow path opening / closing unit 6 is opened and communicates with the vacuum pump 5. The plurality of pipes 3 are connected, for example, between the vacuum pump 5 and the flow path opening / closing portion 6, and are connected to the vacuum pump 5 through one connected pipe 3.

なお、複数の配管3は、個々の空気孔22それぞれが独立した状態で真空引きが可能となればよく、図1に示す接続例に限定されるものではなく、適宜変更され得る。 It should be noted that the plurality of pipes 3 are not limited to the connection example shown in FIG. 1 as long as each of the individual air holes 22 can be evacuated in an independent state, and can be appropriately changed.

圧力検出部4は、例えば、配管3の圧力に応じた信号を出力する任意の圧力センサである。圧力検出部4は、例えば、配管3のうち真空ポンプ5と流路開閉部6との間における任意の位置に接続され、流路開閉部6が開状態とされることで空気孔22と連通した状態の配管3の圧力を検出する。圧力検出部4は、例えば、配線等により吸着制御部7に接続されており、配管3の圧力に応じた信号を吸着制御部7に出力する。 The pressure detection unit 4 is, for example, an arbitrary pressure sensor that outputs a signal corresponding to the pressure of the pipe 3. The pressure detection unit 4 is connected to, for example, an arbitrary position between the vacuum pump 5 and the flow path opening / closing unit 6 in the pipe 3, and the flow path opening / closing unit 6 is opened to communicate with the air hole 22. The pressure of the pipe 3 in the closed state is detected. The pressure detection unit 4 is connected to the suction control unit 7 by, for example, wiring or the like, and outputs a signal corresponding to the pressure of the pipe 3 to the suction control unit 7.

なお、圧力検出部4は、個々の空気孔22における真空引きを実行する際に、真空引きがなされている空気孔22に接続された配管3の圧力を検出できればよく、配管3のうち空気孔22と流路開閉部6との間における任意の位置で接続されてもよい。この場合、圧力検出部4は、複数個用意され、空気孔22に接続された配管3それぞれに接続される。 It should be noted that the pressure detection unit 4 only needs to be able to detect the pressure of the pipe 3 connected to the air hole 22 in which the vacuum is drawn when the vacuum is drawn in each of the air holes 22, and the air hole in the pipe 3 needs to be detected. It may be connected at an arbitrary position between the 22 and the flow path opening / closing portion 6. In this case, a plurality of pressure detection units 4 are prepared and connected to each of the pipes 3 connected to the air holes 22.

真空ポンプ5は、空気を吸引する任意の真空源であり、配管3を介して空気孔22を真空経路とする。 The vacuum pump 5 is an arbitrary vacuum source for sucking air, and the air hole 22 is used as a vacuum path through the pipe 3.

流路開閉部6は、空気孔22と真空ポンプ5とを繋ぐ空気の流路の開閉を行う任意の開閉弁であり、例えば電磁弁とされる。流路開閉部6は、例えば図1に示すように、空気孔22に繋げられた配管3のそれぞれに接続されると共に、配線等により吸着制御部7に接続されている。複数の流路開閉部6は、例えば、吸着制御部7により作動制御がなされ、加工ウエハWを真空吸着する際には、いずれか1つが開状態とされ、残りすべてが閉状態とされる。これにより、複数の配管3のうちいずれか1つの配管3が真空ポンプ5に接続され、吸着口群24のうち1つの吸着口23のみによる真空吸着が行われることとなる。 The flow path opening / closing unit 6 is an arbitrary opening / closing valve for opening / closing the air flow path connecting the air hole 22 and the vacuum pump 5, and is, for example, an electromagnetic valve. As shown in FIG. 1, for example, the flow path opening / closing unit 6 is connected to each of the pipes 3 connected to the air hole 22, and is also connected to the suction control unit 7 by wiring or the like. The operation of the plurality of flow path opening / closing units 6 is controlled by, for example, the suction control unit 7, and when the processed wafer W is vacuum sucked, one of them is opened and the rest are closed. As a result, any one of the plurality of pipes 3 is connected to the vacuum pump 5, and vacuum suction is performed only by the suction port 23 of the suction port group 24.

吸着制御部7は、例えば、図示しない回路基板にCPU、ROM、RAMなどが搭載されてなる電位制御ユニットである。吸着制御部7は、加工ウエハWがウエハ支持部2に載置された場合、吸着口群24のうち所定の1つの吸着口23による真空吸着を開始し、圧力検出部4からの出力信号に基づき、加工ウエハWが真空吸着されているか否かを判定する。この判定については、例えば、圧力検出部4の出力信号から配管3の圧力またはその変化量を算出し、配管3の圧力が所定の条件を満たすか否かに基づいて実行することができる。吸着制御部7は、加工ウエハWが真空吸着されていると判定した場合には、真空引きがなされている吸着口23による真空吸着を維持し、そうでない場合には、当該吸着口23による真空引きを解除し、これに隣接する吸着口23による真空引きを開始する。吸着制御部7は、必要に応じて上記の処理を繰り返し、吸着口群24を構成する複数の吸着口23の1つずつが配列方向D1に沿って順次真空引きを実行するように、流路開閉部6の作動制御を行う。つまり、吸着制御部7は、圧力に基づく判定結果に応じて、複数の吸着口23について真空引きを行う吸着口23を順次切り替える制御を実行する。 The adsorption control unit 7 is, for example, a potential control unit in which a CPU, ROM, RAM, etc. are mounted on a circuit board (not shown). When the processed wafer W is placed on the wafer support portion 2, the suction control unit 7 starts vacuum suction by a predetermined suction port 23 in the suction port group 24, and receives an output signal from the pressure detection unit 4. Based on this, it is determined whether or not the processed wafer W is vacuum-sucked. This determination can be performed, for example, by calculating the pressure of the pipe 3 or the amount of change thereof from the output signal of the pressure detection unit 4, and based on whether or not the pressure of the pipe 3 satisfies a predetermined condition. When the suction control unit 7 determines that the processed wafer W is evacuated, the suction control unit 7 maintains the vacuum suction by the suction port 23 in which the vacuum is drawn. If not, the suction control unit 7 maintains the vacuum by the suction port 23. The pull is released, and the vacuum pull by the suction port 23 adjacent to the pull is started. The suction control unit 7 repeats the above process as necessary, so that each of the plurality of suction ports 23 constituting the suction port group 24 sequentially evacuates along the arrangement direction D1. The operation of the opening / closing unit 6 is controlled. That is, the suction control unit 7 executes control for sequentially switching the suction ports 23 that evacuate the plurality of suction ports 23 according to the determination result based on the pressure.

以上が、本実施形態のウエハ吸着装置1の基本的な構成である。 The above is the basic configuration of the wafer adsorption device 1 of the present embodiment.

〔ウエハの吸着〕
ウエハ吸着装置1による加工ウエハWの吸着方法の概要について、図4を参照して説明する。
[Wafer adsorption]
The outline of the method of adsorbing the processed wafer W by the wafer adsorption device 1 will be described with reference to FIG.

なお、吸着口群24を構成する複数の吸着口23については、例えば図4に示すように、区別のため、配列方向D1の外側から内側に向かって順に「吸着口23A」、「吸着口23B」、「吸着口23C」、「吸着口23D」とそれぞれ称する。 As for the plurality of suction ports 23 constituting the suction port group 24, for example, as shown in FIG. 4, for distinction, the “suction port 23A” and the “suction port 23B” are sequentially arranged from the outside to the inside of the arrangement direction D1. , "Suction port 23C", "Suction port 23D", respectively.

ウエハ吸着装置1は、図示しない搬送部により加工ウエハWが基部21に対して所定の相対位置となるように載置されたとき、吸着口群24のうち当該加工ウエハWのサイズに対応する位置にある吸着口23(以下「対応吸着口」という)の真空引きを行う。対応吸着口は、例えば、吸着口群24のうち吸着口23の配列方向D1における最も外側に位置する吸着口23Aとされる。 The wafer adsorption device 1 is placed in a suction port group 24 at a position corresponding to the size of the processed wafer W when the processed wafer W is placed at a predetermined relative position with respect to the base 21 by a transport unit (not shown). Vacuum is drawn from the suction port 23 (hereinafter referred to as "corresponding suction port"). The corresponding suction port is, for example, the suction port 23A located on the outermost side in the arrangement direction D1 of the suction port 23 in the suction port group 24.

なお、加工ウエハWが基部21上に載置されたかどうかについては、例えば、荷重センサや光学センサ等の任意のセンサを用いて加工ウエハWを検出するといった公知の方法により判定可能である。 Whether or not the processed wafer W is placed on the base 21 can be determined by a known method such as detecting the processed wafer W using an arbitrary sensor such as a load sensor or an optical sensor.

また、対応吸着口については、例えば、複数の吸着口23および流路開閉部6の対応関係、および加工ウエハWのサイズおよび複数の吸着口23の対応関係をそれぞれデータテーブルとして吸着制御部7の図示しない記憶部に格納しておくことで制御可能である。この場合、例えば加工ウエハWのサイズを図示しない入力装置等により吸着制御部7に入力することで、当該サイズに対応する吸着口23および流路開閉部6を決定し、最初に対応吸着口による真空引きを開始することができる。 Regarding the corresponding suction ports, for example, the correspondence relationship between the plurality of suction ports 23 and the flow path opening / closing unit 6, the size of the processed wafer W and the correspondence relationship between the plurality of suction ports 23 are used as data tables of the suction control unit 7. It can be controlled by storing it in a storage unit (not shown). In this case, for example, by inputting the size of the processed wafer W to the suction control unit 7 by an input device (not shown) or the like, the suction port 23 and the flow path opening / closing unit 6 corresponding to the size are determined, and the corresponding suction port is used first. Vacuuming can be started.

ウエハ吸着装置1は、加工ウエハWがウエハ支持部2の基部21に載置されたとき、まず対応吸着口での真空引きを実行し、これによって加工ウエハWの真空吸着ができた場合にはこれを維持する。一方、対応吸着口による加工ウエハWの真空吸着ができなかった場合には、ウエハ吸着装置1は、対応吸着口での真空引きを解除し、配列方向D1の内側において対応吸着口に隣接する吸着口23(以下「隣接吸着口」という)での真空引きを開始する。ウエハ吸着装置1は、隣接吸着口による加工ウエハWの真空吸着ができなかった場合には、隣接吸着口での真空引きを解除し、配列方向D1のさらに1つ内側の吸着口23での真空引きを開始する。 When the processed wafer W is placed on the base 21 of the wafer support portion 2, the wafer suction device 1 first evacuates at the corresponding suction port, and when the processed wafer W can be evacuated by this, the wafer suction device 1 first performs vacuum suction. Maintain this. On the other hand, when the processed wafer W cannot be evacuated by the corresponding suction port, the wafer suction device 1 releases the vacuum drawing at the corresponding suction port, and the suction adjacent to the corresponding suction port is inside the arrangement direction D1. Evacuation at the port 23 (hereinafter referred to as "adjacent suction port") is started. When the processed wafer W cannot be evacuated by the adjacent suction port, the wafer suction device 1 releases the vacuum at the adjacent suction port and evacuates at the suction port 23 further inside the arrangement direction D1. Start pulling.

このように、ウエハ吸着装置1は、加工ウエハWの真空吸着がなされるまで、対応吸着口を起点として配列方向D1の内側に向かって順次真空引きを実施する。これにより、加工ウエハWの内周部W1よりも先に外縁部W2での真空吸着が可能となり、加工ウエハWの破損を抑制することができる。 In this way, the wafer suction device 1 sequentially evacuates toward the inside of the arrangement direction D1 starting from the corresponding suction port until the processed wafer W is evacuated. As a result, vacuum suction can be performed at the outer edge portion W2 before the inner peripheral portion W1 of the processed wafer W, and damage to the processed wafer W can be suppressed.

具体的には、例えば図4に示すように、加工ウエハWが基部21に載置されたとき、ウエハ吸着装置1は、吸着口群24のうち配列方向D1の最も外側に位置する吸着口23Aにおける真空引きを開始する。その後、ウエハ吸着装置1は、圧力検出部4から得られる配管3の圧力あるいは圧力変化に基づいて、吸着口23Aにより加工ウエハWの真空吸着がなされたか否かを判定する。 Specifically, for example, as shown in FIG. 4, when the processed wafer W is placed on the base 21, the wafer suction device 1 has a suction port 23A located on the outermost side of the suction port group 24 in the arrangement direction D1. Start evacuation in. After that, the wafer suction device 1 determines whether or not the processed wafer W is vacuum sucked by the suction port 23A based on the pressure or the pressure change of the pipe 3 obtained from the pressure detection unit 4.

例えば、加工ウエハWの位置ずれ等により吸着口23Aの一部または全部が図4に示すように加工ウエハWの外縁部W2の外側に位置する場合、吸着口23Aに接続された配管3は、外部と連通した状態であるため、圧力が所定以下まで低下しない。ウエハ吸着装置1は、この場合、吸着口23Aによる加工ウエハWの真空吸着がなされなかったと判定し、吸着口23Aにおける真空引きを停止し、配列方向D1の内側に隣接する吸着口23Bにおける真空引きを開始する。 For example, when a part or all of the suction port 23A is located outside the outer edge portion W2 of the processed wafer W as shown in FIG. 4 due to a misalignment of the processing wafer W or the like, the pipe 3 connected to the suction port 23A is connected to the pipe 3. Since it is in a state of communicating with the outside, the pressure does not drop below the specified value. In this case, the wafer suction device 1 determines that the vacuum suction of the processed wafer W by the suction port 23A has not been performed, stops the vacuum drawing at the suction port 23A, and vacuum-draws at the suction port 23B adjacent to the inside of the arrangement direction D1. To start.

そして、図4に示すように、吸着口23Bの全域が外縁部W2の直下に位置する場合、吸着口23Bに接続された配管3は、加工ウエハWの外縁部W2と密着して閉塞された状態となるため、圧力が所定未満にまで低下する。ウエハ吸着装置1は、この場合、吸着口23Bによる加工ウエハWの真空吸着がなされたと判定し、吸着口23Bにおける真空引きを継続する。 Then, as shown in FIG. 4, when the entire area of the suction port 23B is located directly below the outer edge portion W2, the pipe 3 connected to the suction port 23B is in close contact with the outer edge portion W2 of the processed wafer W and is closed. As a result, the pressure drops below the specified value. In this case, the wafer suction device 1 determines that the processed wafer W has been evacuated by the suction port 23B, and continues vacuuming at the suction port 23B.

つまり、ウエハ吸着装置1は、圧力検出部4から得られる圧力の情報に基づいた判定、および判定結果に応じた流路開閉部6の作動制御を実行することで、配列方向D1の外側から内側に向かって真空引きを順次行う。 That is, the wafer adsorption device 1 performs determination based on the pressure information obtained from the pressure detection unit 4 and operation control of the flow path opening / closing unit 6 according to the determination result, from the outside to the inside of the arrangement direction D1. Vacuum is drawn in sequence toward.

これにより、加工ウエハWの外縁部W2側から内周部W1に向かうように吸着口23A~23Dによる真空引きが順次行われることで、外縁部W2での選択的な真空吸着が可能となる。上記の真空引きが逐次行われるため、ウエハ支持部2への加工ウエハWの載置に際して、加工ウエハWの位置ずれを考慮した載置位置の修正を行わずとも、外縁部W2での選択的な真空吸着が可能となる。 As a result, vacuum drawing is sequentially performed by the suction ports 23A to 23D from the outer edge portion W2 side of the processed wafer W toward the inner peripheral portion W1, so that selective vacuum suction at the outer edge portion W2 becomes possible. Since the above-mentioned evacuation is sequentially performed, when the processed wafer W is placed on the wafer support portion 2, the outer edge portion W2 is selectively used without correcting the mounting position in consideration of the positional deviation of the processed wafer W. Vacuum adsorption is possible.

〔処理動作例〕
ウエハ吸着装置1による加工ウエハWの真空吸着における処理動作例について、図5を参照して説明する。
[Processing operation example]
An example of processing operation in vacuum suction of the processed wafer W by the wafer suction device 1 will be described with reference to FIG.

ウエハ吸着装置1は、例えば、電源がオン状態にされる等の所定の条件を満たしたとき、図5に示す制御フローを実行する。ステップS01では、ウエハ吸着装置1は、加工ウエハWを基部21に載置する。なお、ウエハ吸着装置1は、外部からウエハ支持部2に加工ウエハWを搬送する図示しない搬送部をさらに有し、加工ウエハWを自ら載置する構成であってもよいし、外部の搬送装置により加工ウエハWが載置されてもよい。 The wafer adsorption device 1 executes the control flow shown in FIG. 5 when a predetermined condition such as, for example, the power being turned on is satisfied. In step S01, the wafer adsorption device 1 places the processed wafer W on the base 21. The wafer adsorption device 1 may further have a transfer unit (not shown) for transporting the processed wafer W from the outside to the wafer support portion 2, and may be configured to mount the processed wafer W by itself, or may be an external transfer device. The processed wafer W may be placed by the above method.

続くステップS02では、ウエハ吸着装置1は、加工ウエハWのサイズに対応する位置にある対応吸着口(例えば吸着口23A)における真空引きを開始する。具体的には、ステップS02では、例えば、吸着制御部7が対応吸着口に繋がる配管3に接続された流路開閉部6を開状態とし、他の流路開閉部6を閉状態となるように作動制御を行い、対応吸着口のみが真空引きされた状態とする。 In the subsequent step S02, the wafer suction device 1 starts evacuation at the corresponding suction port (for example, the suction port 23A) located at a position corresponding to the size of the processed wafer W. Specifically, in step S02, for example, the flow path opening / closing section 6 connected to the pipe 3 connected to the corresponding suction port by the suction control section 7 is opened, and the other flow path opening / closing section 6 is closed. The operation is controlled so that only the corresponding suction port is evacuated.

次いで、ステップS03では、吸着制御部7は、圧力検出部4からの出力信号に基づいて対応吸着口に接続された配管3の圧力を算出し、加工ウエハWが真空吸着されているか否かを判定する。この判定条件については、例えば、「検出された配管3の圧力あるいは圧力変化量が所定の閾値以下か否か」等が設定され得る。そして、例えば、吸着制御部7は、ステップS03にて肯定判定の場合には処理をステップS06に進め、ステップS03にて否定判定の場合には処理をステップS04に進める。 Next, in step S03, the suction control unit 7 calculates the pressure of the pipe 3 connected to the corresponding suction port based on the output signal from the pressure detection unit 4, and determines whether or not the processed wafer W is vacuum sucked. judge. For this determination condition, for example, "whether or not the detected pressure of the pipe 3 or the amount of pressure change is equal to or less than a predetermined threshold value" can be set. Then, for example, the adsorption control unit 7 advances the process to step S06 in the case of an affirmative determination in step S03, and advances the process to step S04 in the case of a negative determination in step S03.

ステップS04では、吸着制御部7は、それまで真空引きしていた吸着口23に対応する流路開閉部6を閉状態とし、配列方向D1の内側において当該吸着口23に隣接する吸着口23に対応する流路開閉部6を開状態とする制御を実行する。言い換えると、ステップS04では、吸着制御部7は、ある吸着口23による真空引きから配列方向D1の1つ内側に位置する吸着口23の真空引きに切り替える制御を行う。 In step S04, the suction control unit 7 closes the flow path opening / closing unit 6 corresponding to the suction port 23 that has been evacuated until then, and the suction port 23 adjacent to the suction port 23 inside the arrangement direction D1. Control is performed to open the corresponding flow path opening / closing unit 6. In other words, in step S04, the suction control unit 7 controls to switch from the vacuum drawing by a certain suction port 23 to the vacuum drawing of the suction port 23 located one inside in the arrangement direction D1.

ステップS05では、吸着制御部7は、ステップS03と同様に、ステップS04にて切り替えた吸着口23により加工ウエハWが真空吸着されているか否かの判定を行う。吸着制御部7は、ステップS05にて肯定判定の場合には処理をステップS06に進め、ステップS05にて否定判定の場合には処理をステップS04に戻す。ステップS05の後、ステップS04に処理が戻された場合、配列方向D1のさらに1つ内側に位置する吸着口23での真空引きが実行される。 In step S05, the suction control unit 7 determines whether or not the processed wafer W is vacuum sucked by the suction port 23 switched in step S04, as in step S03. The adsorption control unit 7 advances the process to step S06 in the case of an affirmative determination in step S05, and returns the process to step S04 in the case of a negative determination in step S05. When the process is returned to step S04 after step S05, evacuation is executed at the suction port 23 located further inside the arrangement direction D1.

ステップS06では、吸着制御部7は、ステップS03またはステップS05にて加工ウエハWが真空吸着されていると判定した際の吸着口23における真空引きを維持する制御を行う。ステップS06の終了後、吸着制御部7は、処理を終了させる。 In step S06, the suction control unit 7 controls to maintain evacuation at the suction port 23 when it is determined in step S03 or step S05 that the processed wafer W is evacuated. After the end of step S06, the adsorption control unit 7 ends the process.

例えば、以上の処理動作により、加工ウエハWの外縁部W2における真空吸着が行われる。これにより、加工ウエハWの外縁部W2から内周部W1に向かって1つの吸着口23による真空引きが順次行われ、外縁部W2を選択的に真空吸着することが可能となる。 For example, by the above processing operation, vacuum suction is performed at the outer edge portion W2 of the processed wafer W. As a result, vacuuming is sequentially performed by one suction port 23 from the outer edge portion W2 of the processed wafer W toward the inner peripheral portion W1, and the outer edge portion W2 can be selectively evacuated.

本実施形態によれば、個々の独立した複数の吸着口23を1つずつ用いて、配列方向D1の外側から内側に向かって順次真空引きを実行し、加工ウエハWの外縁部W2を選択的に真空吸着するウエハ吸着装置1となる。また、加工ウエハWが位置ずれした場合であっても、加工ウエハWのウエハ支持部2に対する相対位置を補正せずとも、内周部W1よりも先に外縁部W2において加工ウエハWを真空吸着することができる。さらに、加工ウエハWのサイズに応じて最初に真空引きする対応吸着口を決定することで、サイズが異なる加工ウエハWについても有効チップ領域とは異なる領域についての選択的な真空吸着が可能となる。 According to the present embodiment, vacuuming is sequentially performed from the outside to the inside of the arrangement direction D1 by using each of a plurality of independent suction ports 23, and the outer edge portion W2 of the processed wafer W is selectively selected. It becomes a wafer adsorption device 1 that vacuum-adsorbs to. Further, even when the processed wafer W is displaced in position, the processed wafer W is vacuum-sucked at the outer edge portion W2 before the inner peripheral portion W1 without correcting the relative position of the processed wafer W with respect to the wafer support portion 2. can do. Furthermore, by determining the corresponding suction port to be evacuated first according to the size of the processed wafer W, it is possible to selectively evacuate the region different from the effective chip region even for the processed wafer W having different sizes. ..

(第2実施形態)
第2実施形態のウエハ吸着装置1について、図6、図7を参照して説明する。
(Second Embodiment)
The wafer adsorption device 1 of the second embodiment will be described with reference to FIGS. 6 and 7.

図6では、見やすくするため、基部21の一部を省略すると共に、図1と同様に、基部21に設けられた空気孔22を破線で示している。図7(a)、図7(b)では、見やすくするため、基部21上に加工ウエハWを載置したときにおける加工ウエハWの外郭、および内周部W1と外縁部W2との境界を二点鎖線で示している。 In FIG. 6, a part of the base portion 21 is omitted for easy viewing, and the air holes 22 provided in the base portion 21 are shown by broken lines as in FIG. 1. In FIGS. 7 (a) and 7 (b), in order to make it easier to see, the outer shell of the processed wafer W when the processed wafer W is placed on the base 21, and the boundary between the inner peripheral portion W1 and the outer edge portion W2 are two. It is shown by a dotted line.

本実施形態のウエハ吸着装置1は、例えば図6に示すように、ウエハ支持部2がさらに搬送アーム25を備え、図7に示すように基部21が長方形板状である点で上記第1実施形態と相違する。本実施形態では、上記の相違点について主に説明する。 In the wafer adsorption device 1 of the present embodiment, for example, as shown in FIG. 6, the wafer support portion 2 further includes a transfer arm 25, and as shown in FIG. 7, the base portion 21 has a rectangular plate shape. It differs from the form. In this embodiment, the above differences will be mainly described.

本実施形態のウエハ吸着装置1は、ウエハ支持部2が搬送アーム25を有し、加工ウエハWの搬送装置として構成されている。 In the wafer adsorption device 1 of the present embodiment, the wafer support portion 2 has a transfer arm 25, and is configured as a transfer device for the processed wafer W.

搬送アーム25は、例えば、図示しない動力源に接続されており、基部21を移動させることが可能な構成となっている。搬送アーム25は、例えば、基部21を水平移動もしくは垂直移動またはその両方の移動が可能となるように構成される。搬送アーム25は、例えば、図示しない動力源を吸着制御部7あるいは他の制御部により作動させることで、その動作処理がなされる。 The transfer arm 25 is connected to, for example, a power source (not shown) so that the base 21 can be moved. The transport arm 25 is configured to allow, for example, the base 21 to be translated horizontally, vertically, or both. The transfer arm 25 is operated, for example, by operating a power source (not shown) by the suction control unit 7 or another control unit.

なお、ここでいう「水平移動」とは、例えば、加工ウエハWを左右方向に移動させる方向、すなわち基部21の平面方向に沿って移動させることを意味する。「垂直移動」とは、例えば、加工ウエハWを上下方向に移動させる方向、すなわち基部21の厚み方向に沿って移動させることを意味する。 The term "horizontal movement" as used herein means, for example, moving the processed wafer W in the left-right direction, that is, along the plane direction of the base 21. "Vertical movement" means, for example, moving the processed wafer W in the vertical direction, that is, along the thickness direction of the base 21.

基部21は、本実施形態では、例えば図7(a)に示すように、長方形板状とされ、その長手方向における少なくとも一方の端部に吸着口群24が設けられた構成となっている。ウエハ吸着装置1は、加工ウエハWが基部21の上に載置されたとき、上記第1実施形態と同様の制御を実行し、吸着口群24を構成する吸着口23A~23Dのいずれか1つによる加工ウエハWの真空吸着の後、加工ウエハWを搬送する。 In the present embodiment, the base portion 21 has a rectangular plate shape, for example, as shown in FIG. 7A, and has a configuration in which a suction port group 24 is provided at at least one end in the longitudinal direction thereof. When the processed wafer W is placed on the base 21, the wafer suction device 1 executes the same control as in the first embodiment, and any one of the suction ports 23A to 23D constituting the suction port group 24 After vacuum suction of the processed wafer W, the processed wafer W is conveyed.

基部21は、例えば図7(b)に示すように、長手方向の両端それぞれに1つの吸着口群24が設けられた構成とされてもよい。この場合、基部21の長手方向における端部のうち搬送アーム25とは反対側を一端とし、搬送アーム25側の端部を他端として、一端側の吸着口群24Aは、例えば、その配列方向D1の外側が他端側の吸着口群24Bのそれとは逆の配置とされる。つまり、吸着口群24Aは、複数の吸着口23の円弧部分における凸側が基部21の一端側を向くように配置され、吸着口群24Bは、複数の吸着口23の円弧部分における凸側が基部21の他端側を向くように配置される。 As shown in FIG. 7B, for example, the base portion 21 may have a configuration in which one suction port group 24 is provided at both ends in the longitudinal direction. In this case, the suction port group 24A on one end side is, for example, in the arrangement direction thereof, with one end of the end portion in the longitudinal direction of the base portion 21 opposite to the transport arm 25 and the other end end on the transport arm 25 side. The outside of D1 is arranged in the opposite direction to that of the suction port group 24B on the other end side. That is, the suction port group 24A is arranged so that the convex side in the arc portion of the plurality of suction ports 23 faces one end side of the base portion 21, and the suction port group 24B has the convex side in the arc portion of the plurality of suction ports 23 as the base portion 21. It is arranged so as to face the other end side of the.

吸着口群24A、24Bは、対となっており、それぞれ1つの吸着口23(図7(b)の例では吸着口23B)により、それぞれ加工ウエハWの外縁部W2での真空吸着を行えるように、所定の距離を隔てて配置される。例えば限定するものでないが、吸着口群24Aの吸着口23Dと吸着口群24Bの吸着口23Dとは、基部21の長手方向における距離が加工ウエハWの直径よりも1cm程度小さくなるように配置される。 The suction port groups 24A and 24B are paired, and each of the suction ports 23 (suction port 23B in the example of FIG. 7B) can be used for vacuum suction at the outer edge portion W2 of the processed wafer W. Are arranged at a predetermined distance. For example, although not limited, the suction port 23D of the suction port group 24A and the suction port 23D of the suction port group 24B are arranged so that the distance in the longitudinal direction of the base 21 is about 1 cm smaller than the diameter of the processed wafer W. To.

また、基部21が吸着口群24A、24Bを備える構成である場合、吸着制御部7は、吸着口群24A、24Bのうち一方にて加工ウエハWを真空吸着する吸着口23を決定したとき、当該吸着口23に対応して他方の吸着口群24における吸着位置を決定してもよい。例えば図7(b)に示すように、吸着口群24Aのうち吸着口23Bにおいて加工ウエハWを吸着している場合、吸着制御部7は、吸着口群24Bにおける真空引きの際、吸着口23Bを対応吸着口として最初に真空引きを実行してもよい。例えば、対となる吸着口群24の吸着口23同士を関連付けしたデータを作成し、吸着制御部7の図示しない記憶部に当該データを格納しておき、一方の吸着口群24にて吸着保持する吸着口23を決定した際に当該データを読み込む等の処理によりなし得る。勿論、それぞれの吸着口群24において複数の吸着口23の配列方向の外側から内側に向かって順次真空引きを実行しても構わない。 Further, when the base portion 21 is configured to include the suction port groups 24A and 24B, when the suction control unit 7 determines the suction port 23 for vacuum sucking the processed wafer W in one of the suction port groups 24A and 24B, The suction position in the other suction port group 24 may be determined corresponding to the suction port 23. For example, as shown in FIG. 7B, when the processed wafer W is adsorbed at the suction port 23B of the suction port group 24A, the suction control unit 7 sucks the suction port 23B at the time of evacuation in the suction port group 24B. May be first evacuated with the corresponding suction port. For example, data in which the suction ports 23 of the paired suction port groups 24 are associated with each other is created, the data is stored in a storage unit (not shown) of the suction control unit 7, and suction holding is performed by one of the suction port groups 24. This can be done by processing such as reading the data when the suction port 23 to be used is determined. Of course, in each suction port group 24, vacuuming may be sequentially executed from the outside to the inside in the arrangement direction of the plurality of suction ports 23.

本実施形態によれば、上記第1実施形態の効果が得られつつ、加工ウエハWを搬送可能なウエハ吸着装置1となる。 According to the present embodiment, the wafer adsorption device 1 is capable of transporting the processed wafer W while obtaining the effects of the first embodiment.

(第2実施形態の変形例)
第2実施形態のウエハ吸着装置1は、例えば図8に示すように、ウエハ支持部2が3以上の吸着口群24を備える構成であってもよい。この場合、ウエハ支持部2は、例えば、基部21の一端に吸着口群24Aが配置され、吸着口群24Aから所定の距離を隔てて他端側に複数の吸着口群24B~24Dが配置された構成とされる。
(Modified example of the second embodiment)
As shown in FIG. 8, for example, the wafer suction device 1 of the second embodiment may have a configuration in which the wafer support portion 2 includes a suction port group 24 having three or more suction ports 24. In this case, in the wafer support portion 2, for example, the suction port group 24A is arranged at one end of the base portion 21, and a plurality of suction port groups 24B to 24D are arranged at the other end side at a predetermined distance from the suction port group 24A. It is said to be configured.

吸着口群24Aは、円弧形状の凸側が基部21の一端側を向くように配置されている。一方、吸着口群24B~24Dは、それぞれ吸着口群24Aと対をなしており、円弧形状の凸側が基部21の他端側を向くように配置されている。 The suction port group 24A is arranged so that the convex side of the arc shape faces one end side of the base portion 21. On the other hand, the suction port groups 24B to 24D are paired with the suction port group 24A, respectively, and are arranged so that the convex side of the arc shape faces the other end side of the base portion 21.

具体的には、例えば図9に示すように、あるサイズの加工ウエハWが載置されたとき、ウエハ支持部2は、吸着口群24A、24Bを対として、当該加工ウエハWの吸着保持を実行する。また、例えば図10に示すように、より大きいサイズの加工ウエハWが載置されたときには、ウエハ支持部2は、吸着口群24A、24Cを対として、当該加工ウエハWの吸着保持を実行する。このように、ウエハ支持部2は、加工ウエハWのサイズに応じて、吸着口群24Aと対をなす他の吸着口群24とにより加工ウエハWの真空吸着を可能となっている。 Specifically, for example, as shown in FIG. 9, when a processed wafer W of a certain size is placed, the wafer support portion 2 pairs the suction port groups 24A and 24B to hold the processed wafer W by suction. Execute. Further, for example, as shown in FIG. 10, when a processed wafer W having a larger size is placed, the wafer support portion 2 executes suction holding of the processed wafer W with the suction port groups 24A and 24C as a pair. .. As described above, the wafer support portion 2 is capable of vacuum suction of the processed wafer W by the suction port group 24A and another suction port group 24 paired with the suction port group 24A according to the size of the processed wafer W.

なお、吸着口群24Aと他の吸着口群24B~24Dとの間隔については、加工ウエハWのサイズ(例えば、直径が5インチ、6インチ、8インチ、12インチ等)に応じて適宜設定される。また、上記では、ウエハ支持部2が吸着口群24Aと対をなす他の吸着口群24を3つ備える例について説明したが、これに限定されるものではなく、他の吸着口群24の数や配置等については適宜変更され得る。 The distance between the suction port group 24A and the other suction port groups 24B to 24D is appropriately set according to the size of the processed wafer W (for example, the diameter is 5 inches, 6 inches, 8 inches, 12 inches, etc.). Inch. Further, in the above description, an example in which the wafer support portion 2 includes three other suction port groups 24 paired with the suction port group 24A has been described, but the present invention is not limited to this, and the other suction port group 24 is not limited to this. The number, arrangement, etc. can be changed as appropriate.

本変形例によれば、上記第1実施形態の効果が得られつつ、異なるサイズの複数の種類の加工ウエハWをより確実に吸着保持でき、この状態で当該加工ウエハWを搬送可能なウエハ吸着装置1となる。 According to this modification, while the effect of the first embodiment is obtained, a plurality of types of processed wafers W having different sizes can be more reliably adsorbed and held, and the processed wafer W can be conveyed in this state. It becomes the device 1.

(第3実施形態)
第3実施形態のウエハ吸着装置1について、図11、図12を参照して説明する。
(Third Embodiment)
The wafer adsorption device 1 of the third embodiment will be described with reference to FIGS. 11 and 12.

図11では、見やすくするため、複数の配管3および流路開閉部6のうちの一部のみを示し、他の配管3および流路開閉部6を省略している。図12では、見やすくするため、基部21上に加工ウエハWを載置したときにおける加工ウエハWの外郭、および内周部W1と外縁部W2との境界を二点鎖線で示している。また、図12では、基部21のうち吸着口群24が形成された一面側から見えない回転機構26の外郭を破線で示している。 In FIG. 11, only a part of the plurality of pipes 3 and the flow path opening / closing section 6 is shown for easy viewing, and the other piping 3 and the flow path opening / closing section 6 are omitted. In FIG. 12, for easy viewing, the outer shell of the processed wafer W when the processed wafer W is placed on the base portion 21 and the boundary between the inner peripheral portion W1 and the outer edge portion W2 are shown by a two-dot chain line. Further, in FIG. 12, the outer shell of the rotation mechanism 26, which is invisible from one side of the base 21 on which the suction port group 24 is formed, is shown by a broken line.

本実施形態のウエハ吸着装置1は、例えば図11に示すように、ウエハ支持部2が基部21を回転させるための回転機構26を備え、加工ウエハWを真空吸着した状態で基部21を回転可能な構成となっている点で上記第1実施形態と相違する。本実施形態では、上記の相違点について主に説明する。 As shown in FIG. 11, for example, the wafer adsorption device 1 of the present embodiment includes a rotation mechanism 26 for the wafer support portion 2 to rotate the base portion 21, and can rotate the base portion 21 in a state where the processed wafer W is vacuum-adsorbed. It differs from the first embodiment in that it has a different configuration. In this embodiment, the above differences will be mainly described.

本実施形態のウエハ吸着装置1は、ウエハ支持部2が回転機構26を有してなり、加工ウエハWのプリアライメントが可能なプリアライメント装置として構成されている。このウエハ吸着装置1は、例えば、加工ウエハWのノッチW3やオリエンテーションフラットW4を検出する図示しないセンサ部を備え、加工ウエハWを真空吸着した後にプリアライメントを行うことが可能となっている。なお、ウエハのプリアライメントについては、公知のため、本明細書では詳細な説明を省略する。 In the wafer adsorption device 1 of the present embodiment, the wafer support portion 2 has a rotation mechanism 26, and is configured as a prealignment device capable of prealigning the processed wafer W. The wafer suction device 1 includes, for example, a sensor unit (not shown) that detects a notch W3 of the processed wafer W and an orientation flat W4, and can perform prealignment after vacuum suctioning the processed wafer W. Since the wafer prealignment is known, detailed description thereof will be omitted in the present specification.

ウエハ支持部2は、本実施形態では、例えば図12に示すように、基部21の長手方向の両端に吸着口群24がそれぞれ1つ形成されている。吸着口群24A、24Bは、対となっており、それぞれ円弧形状の凸側が近接する基部21の端部を向き、かつ、基部21の中心21aに対して対称配置されている。ウエハ支持部2は、上記各実施形態と同様の真空吸着の制御により、対となる吸着口群24A、24Bによって加工ウエハWの外縁部W2を吸着保持する構成である。 In the present embodiment, the wafer support portion 2 is formed with one suction port group 24 at both ends of the base portion 21 in the longitudinal direction, as shown in FIG. 12, for example. The suction port groups 24A and 24B are paired, and the convex sides of the arc shape face each other and are symmetrically arranged with respect to the center 21a of the base portion 21. The wafer support portion 2 has a configuration in which the outer edge portion W2 of the processed wafer W is sucked and held by the paired suction port groups 24A and 24B under the same vacuum suction control as in each of the above embodiments.

回転機構26は、例えば、基部21の中心21aを通る法線を軸として、基部21を所定の範囲内で回転させる任意の機構である。回転機構26は、例えば図11に示すように、基部21のうち吸着口群24が形成された一面とは反対の面に取り付けられると共に、図示しない動力源に接続されている。回転機構26は、加工ウエハWが2つの吸着口群24により真空吸着された後に、当該加工ウエハWをプリアライメントのために回転させる役割を果たす。回転機構26は、吸着制御部7あるいは図示しない他の制御部により回転の作動制御がなされる。 The rotation mechanism 26 is, for example, an arbitrary mechanism for rotating the base portion 21 within a predetermined range about a normal line passing through the center 21a of the base portion 21. As shown in FIG. 11, for example, the rotation mechanism 26 is attached to a surface of the base 21 opposite to the one on which the suction port group 24 is formed, and is connected to a power source (not shown). The rotation mechanism 26 serves to rotate the processed wafer W for prealignment after the processed wafer W is vacuum-sucked by the two suction port groups 24. The rotation mechanism 26 is controlled to rotate by the suction control unit 7 or another control unit (not shown).

本実施形態によれば、上記第1実施形態の効果が得られつつも、加工ウエハWのプリアライメントが可能なウエハ吸着装置1となる。 According to the present embodiment, the wafer adsorption device 1 is capable of prealigning the processed wafer W while obtaining the effects of the first embodiment.

(第3実施形態の変形例)
第3実施形態のウエハ吸着装置1は、例えば図13に示すように、基部21の長手方向における両端にそれぞれ複数の吸着口群24を備える構成であってもよい。
(Modified example of the third embodiment)
As shown in FIG. 13, for example, the wafer suction device 1 of the third embodiment may have a configuration in which a plurality of suction port groups 24 are provided at both ends of the base 21 in the longitudinal direction.

本変形例では、図13に示すように、複数の吸着口群24を区別するため、複数の吸着口群24のうち基部21の中心21aに最も近い2つの吸着口群24を「吸着口群24A」と称する。また、吸着口群24Aの外側において隣接する吸着口群24を「吸着口群24B」と称し、吸着口群24Bの外側において隣接する吸着口群24を「吸着口群24C」と称する。 In this modification, as shown in FIG. 13, in order to distinguish the plurality of suction port groups 24, the two suction port groups 24 closest to the center 21a of the base 21 among the plurality of suction port groups 24 are referred to as “suction port groups 24”. It is called "24A". Further, the suction port group 24 adjacent to the outside of the suction port group 24A is referred to as "suction port group 24B", and the suction port group 24 adjacent to the outside of the suction port group 24B is referred to as "suction port group 24C".

ウエハ支持部2は、例えば図14や図15に示すように、2つの吸着口群24A、24B、24Cがそれぞれ対となっており、サイズの異なる複数の種類の加工ウエハWを真空吸着により保持する構成とされる。このように、ウエハ支持部2は、二対以上の吸着口群24を有する構成であってもよく、対となる吸着口群24の数や配置等については適宜変更され得る。 As shown in FIGS. 14 and 15, for example, the wafer support portion 2 has two suction port groups 24A, 24B, and 24C as a pair, and holds a plurality of types of processed wafers W having different sizes by vacuum suction. It is configured to be. As described above, the wafer support portion 2 may have a configuration having two or more pairs of suction port groups 24, and the number and arrangement of the paired suction port groups 24 can be appropriately changed.

本変形例によれば、上記第1実施形態の効果が得られつつ、異なるサイズの複数の種類の加工ウエハWをより確実に吸着保持しつつ、加工ウエハWのプリアライメントが可能なウエハ吸着装置1となる。 According to this modification, a wafer adsorption device capable of pre-aligning the processed wafer W while more reliably adsorbing and holding a plurality of types of processed wafers W of different sizes while obtaining the effect of the first embodiment. It becomes 1.

(他の実施形態)
本発明は、実施例に準拠して記述されたが、本発明は当該実施例や構造に限定されるものではないと理解される。本発明は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらの一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本発明の範疇や思想範囲に入るものである。
(Other embodiments)
Although the present invention has been described in accordance with the examples, it is understood that the present invention is not limited to the examples and structures. The present invention also includes various modifications and variations within a uniform range. In addition, various combinations and forms, as well as other combinations and forms including only one element thereof, more or less, are also within the scope and scope of the present invention.

例えば、上記第3実施形態においては、ウエハ支持部2の基部21に複数の吸着口群24が形成されている場合において、対をなす複数の吸着口群24が基部21の中心位置に対して左右対称に配置された例について説明したが、これに限定されるものではない。具体的には、対をなす複数の吸着口群24は、加工ウエハWを真空吸着できる配置であればよく、基部21の長手方向に対して直交し、中心21aを通る直線に対して左右対称な配置に限られず、中心21aに対して点対称となる対称配置であってもよい。 For example, in the third embodiment, when a plurality of suction port groups 24 are formed on the base portion 21 of the wafer support portion 2, the plurality of paired suction port groups 24 are relative to the center position of the base portion 21. The example in which they are arranged symmetrically has been described, but the present invention is not limited to this. Specifically, the pair of suction port groups 24 may be arranged so as to be able to vacuum suck the processed wafer W, are orthogonal to the longitudinal direction of the base 21, and are symmetrical with respect to the straight line passing through the center 21a. The arrangement is not limited to the above, and may be a symmetrical arrangement that is point-symmetrical with respect to the center 21a.

2 ウエハ支持部
22 空気孔
23 吸着口
24 吸着口群
25 搬送アーム
26 回転機構
3 配管
4 圧力検出部
6 流路開閉部
7 吸着制御部
2 Wafer support 22 Air hole 23 Suction port 24 Suction port group 25 Conveyance arm 26 Rotation mechanism 3 Piping 4 Pressure detection unit 6 Flow path opening / closing unit 7 Suction control unit

Claims (10)

ウエハを真空吸着により保持するウエハ吸着装置であって、
互いに独立した複数の空気孔(22)を有し、前記空気孔の開口部である複数の吸着口(23)が所定間隔で並べて配置されているウエハ支持部(2)と、
互いに異なる前記空気孔に接続される真空引き用の複数の配管(3)と、
前記配管の圧力を検出する圧力検出部(4)と、
前記配管に繋がる流路の開閉を行う流路開閉部(6)と、
前記流路開閉部の作動制御を行う吸着制御部(7)と、を備え、
前記吸着制御部は、前記ウエハが前記ウエハ支持部に載置された後に複数の前記吸着口のうち1つの前記吸着口における真空引きを開始させ、前記圧力検出部からの出力信号に基づいて真空引きがなされている前記吸着口により前記ウエハが吸着されているか否かを判定し、前記吸着口により前記ウエハが吸着されていないと判定した場合には、真空引きを前記吸着口から当該吸着口に隣接する他の前記吸着口に切り替える制御を実行し、
前記吸着制御部により最初に真空引きがなされる前記吸着口は、前記ウエハのサイズに対応する位置にある対応吸着口である、ウエハ吸着装置。
A wafer suction device that holds a wafer by vacuum suction.
A wafer support portion (2) having a plurality of air holes (22) independent of each other and having a plurality of suction ports (23) which are openings of the air holes arranged side by side at predetermined intervals.
A plurality of pipes (3) for evacuation connected to the air holes that are different from each other, and
A pressure detection unit (4) that detects the pressure of the pipe, and
A flow path opening / closing section (6) that opens / closes the flow path connected to the pipe, and
A suction control unit (7) that controls the operation of the flow path opening / closing unit is provided.
The suction control unit starts evacuation at the suction port of one of the plurality of suction ports after the wafer is placed on the wafer support portion, and is evacuated based on an output signal from the pressure detection unit. It is determined whether or not the wafer is sucked by the suction port to which the evacuation port is being pulled, and if it is determined that the wafer is not sucked by the suction port, vacuum pulling is performed from the suction port to the suction port. Control to switch to the other suction port adjacent to the
The wafer suction device, in which the suction port that is first evacuated by the suction control unit is a corresponding suction port at a position corresponding to the size of the wafer.
前記対応吸着口は、複数の前記吸着口のうち前記ウエハ支持部の長手方向における一端に最も近い位置にある前記吸着口であり、
前記吸着制御部は、前記ウエハが吸着されていないと判定した場合、前記ウエハが吸着されていると判定されるまで、前記ウエハ支持部の前記一端から反対方向の他端に向かうように、真空引きを行う前記吸着口を順次切り替える制御を実行する、請求項1に記載のウエハ吸着装置。
The corresponding suction port is the suction port located closest to one end of the wafer support portion in the longitudinal direction among the plurality of suction ports.
When the adsorption control unit determines that the wafer is not adsorbed, the vacuum is set so as to go from one end of the wafer support unit to the other end in the opposite direction until it is determined that the wafer is adsorbed. The wafer suction device according to claim 1, wherein the control for sequentially switching the suction ports for pulling is executed.
前記ウエハ支持部を移動させる搬送アーム(25)をさらに備える、請求項1または2に記載のウエハ吸着装置。 The wafer suction device according to claim 1 or 2, further comprising a transfer arm (25) for moving the wafer support portion. 前記ウエハ支持部を回転させる回転機構(26)をさらに備える、請求項1または2に記載のウエハ吸着装置。 The wafer adsorption device according to claim 1 or 2, further comprising a rotation mechanism (26) for rotating the wafer support portion. 複数の前記吸着口によりなる群を吸着口群(24)として、前記ウエハ支持部は、互いに離れて配置され、対をなす複数の前記吸着口群を備え、
前記吸着制御部は、対をなす2つの前記吸着口群のうち一方の前記吸着口群において前記ウエハが吸着されていると判定した場合、他方の前記吸着口群において、一方の前記吸着口群において真空引きがなされている前記吸着口に対応する所定の前記吸着口を起点として真空引きを開始する、請求項1ないし4のいずれか1つに記載のウエハ吸着装置。
The group consisting of the plurality of suction ports is referred to as a suction port group (24), and the wafer support portions are arranged apart from each other and include a plurality of pairing of the suction port groups.
When the suction control unit determines that the wafer is sucked in one of the two suction port groups in a pair, the suction control unit is one of the suction port groups in the other suction port group. The wafer suction device according to any one of claims 1 to 4, wherein the vacuum drawing is started from the predetermined suction port corresponding to the suction port to which the vacuum is drawn.
複数の前記吸着口群のうち少なくとも1つの前記吸着口群は、前記ウエハ支持部の長手方向における少なくとも一方の端部側に配置されている、請求項5に記載のウエハ吸着装置。 The wafer suction device according to claim 5, wherein at least one of the plurality of suction port groups is arranged on at least one end side in the longitudinal direction of the wafer support portion. 複数の前記吸着口群は、前記ウエハ支持部の中心位置に対して対称配置されている、請求項5または6に記載のウエハ吸着装置。 The wafer suction device according to claim 5 or 6, wherein the plurality of suction ports are arranged symmetrically with respect to the center position of the wafer support portion. 互いに独立した複数の空気孔(22)、および前記空気孔の開口部であって、平行配置された複数の吸着口(23)を備えるウエハ支持部(2)に載置されたウエハの吸着方法であって、
前記ウエハが前記ウエハ支持部に載置されたとき、複数の前記吸着口のうち1つの前記吸着口における真空引きを行うことと、
真空引きがなされている前記吸着口に接続された配管(3)の圧力を検出することと、
前記圧力に基づいて前記ウエハが吸着されているか否かを判定することと、
前記ウエハが吸着されていないと判定した場合、真空引きを前記吸着口から隣接する他の前記吸着口に切り替えることと、を含み、
最初に真空引きがなされる前記吸着口は、前記ウエハのサイズに対応する位置にある対応吸着口である、ウエハの吸着方法。
A method for sucking a wafer mounted on a wafer support portion (2) having a plurality of independent air holes (22) and openings of the air holes and having a plurality of suction ports (23) arranged in parallel. And
When the wafer is placed on the wafer support portion, vacuuming is performed at the suction port of one of the plurality of suction ports.
Detecting the pressure of the pipe (3) connected to the suction port that is evacuated, and
Determining whether or not the wafer is adsorbed based on the pressure,
When it is determined that the wafer is not adsorbed, the vacuuming includes switching from the suction port to another adjacent suction port.
A method for sucking a wafer, wherein the suction port to be evacuated first is a corresponding suction port at a position corresponding to the size of the wafer.
他の前記吸着口に切り替えることにおいては、前記ウエハが吸着されていると判定されるまで、前記ウエハ支持部の一端から反対方向の他端に向かうように、真空引きを行う前記吸着口を順次切り替える、請求項8に記載のウエハの吸着方法。 In switching to the other suction port, the suction port for evacuating is sequentially drawn from one end of the wafer support portion toward the other end in the opposite direction until it is determined that the wafer is sucked. The wafer adsorption method according to claim 8, which is switched. 複数の前記吸着口によりなる群である吸着口群(24)として、前記ウエハ支持部は、互いに離れて配置され、対をなす複数の前記吸着口群を備えており、
対をなす2つの前記吸着口群のうち一方の前記吸着口群において前記ウエハが吸着されていると判定した場合、他方の前記吸着口群において、一方の前記吸着口群において真空引きがなされている前記吸着口に対応する所定の前記吸着口を起点として真空引きを開始すること、をさらに含む、請求項8または9に記載のウエハの吸着方法。
As a suction port group (24) which is a group consisting of a plurality of the suction ports, the wafer support portions are arranged apart from each other and include a plurality of the suction port groups forming a pair.
When it is determined that the wafer is adsorbed in one of the two suction port groups in a pair, the other suction port group is evacuated in one of the suction port groups. The method for sucking a wafer according to claim 8 or 9, further comprising initiating evacuation starting from the predetermined suction port corresponding to the suction port.
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