JP2021518267A - ゲートされたcwおよび短パルスレーザーを使用したレーザー穿孔および機械加工の強化 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2018年3月23日に出願された米国特許仮出願第62/647,544号明細書の利益を主張する。上記出願の全開示は、参照により本明細書に組み込まれる。
米国政府は、米国エネルギー省と、ローレンスリバモア国立研究所の運営のためのローレンスリバモアナショナルセキュリティLLCとの間の契約番号DE−AC52−07NA27344にしたがって、本発明の権利を有する。
Claims (28)
- 材料を処理するためのレーザーシステムであって、
処理されている材料の表面のスポットで、第1の持続時間および第1の平均パワーの第1のレーザーパルスと、第2の持続時間および第2のピークパワーを有する第2のレーザーパルスとを断続的に発生するように構成されたレーザーであって、第2の持続時間は、第1の持続時間よりも少なくとも1000倍短く、スポットに向けられており、第2のレーザーパルスは、第1のレーザーパルスが発生された後に発生される、レーザーを備え、
レーザーからの第1のレーザーパルスは、材料の表面のスポットを少なくとも加熱するように構成されており、第2のレーザーパルスは、スポットからの材料排出を誘発する
レーザーシステム。 - レーザーは、
ゲートされた連続波(CW)レーザーと、
パルスレーザーと
を備える、請求項1に記載のレーザーシステム。 - レーザーを制御するためのコントローラをさらに備える、請求項1に記載のレーザーシステム。
- CWレーザーおよびパルスレーザーを制御するためのコントローラをさらに備える、請求項2に記載のレーザーシステム。
- 第1のレーザーパルスは、約10μsから500μsの持続時間を有する、請求項1に記載のレーザーシステム。
- 第2のレーザーパルスは、約1psから100psの持続時間を有する、請求項1に記載のレーザーシステム。
- 第1のレーザーパルスは、第2のレーザーパルスが印加される前に溶融プールを形成するのに十分にスポットを加熱する、請求項1に記載のレーザーシステム。
- 第2のレーザーパルスは、第1のレーザーパルスがスポットで溶融プールを形成する前に印加される、請求項1に記載のレーザーシステム。
- レーザーは単一のパルスレーザー増幅器を備える、請求項1に記載のレーザーシステム。
- 第1のレーザーパルスおよび第2のレーザーパルスを受信し、第2のレーザーパルスの波長を短縮するように修正するための周波数変換クリスタルをさらに備える、請求項1に記載のレーザーシステム。
- 第2のレーザーパルスのパルス長はナノ秒以下であり、第1のレーザーパルスのパルス長はマイクロ秒以上である、請求項1に記載のレーザーシステム。
- 第2のレーザーパルスのピークパワーは、第1のレーザーパルスの平均パワーよりも少なくとも約1000倍高い、請求項1に記載のレーザーシステム。
- 材料を処理するためのレーザーシステムであって、
処理されている材料の表面のスポットで、第1の持続時間および第1の平均パワーの第1のレーザーパルスを生成するゲートされた連続波(CW)レーザー、
第2の持続時間および第2のピークパワーを有する第2のレーザーパルスを生成するための短パルスレーザーであって、第2の持続時間は、第1の持続時間よりも少なくとも1000倍短く、スポットに向けられており、第2のレーザーパルスは、第1のレーザーパルスが発生された後に発生される、短パルスレーザー
を備え、
CWレーザーからの第1のレーザーパルスは、スポットで材料を少なくとも加熱するように構成されており、短パルスレーザーは、スポットからの材料排出を誘発する
レーザーシステム。 - 第2のレーザーパルスは、第1のレーザーパルスを終了すると直ちに形成される、請求項13に記載のレーザーシステム。
- 第2のレーザーパルスは、第1および第2のレーザーパルスが重複するように、第1のレーザーパルスの終了前に形成される、請求項13に記載のレーザーシステム。
- 第1および第2のレーザーパルスは同じスポットサイズを有する、請求項13に記載のレーザーシステム。
- 第1のレーザーパルスは、約10μsから500μsのパルスを備える、請求項13に記載のレーザーシステム。
- 第2のレーザーパルスは、約1psから100psのパルスを備える、請求項13に記載のレーザーシステム。
- CWレーザーは、約250Wから1500Wのレーザーパワーを備える、請求項13に記載のレーザーシステム。
- 短パルスレーザーは、約100MWを超えるピークレーザーパワーを発生する、請求項13に記載のレーザーシステム。
- 第2のレーザーパルスのパルス長はナノ秒以下であり、第1のレーザーパルスのパルス長はマイクロ秒以上である、請求項13に記載のレーザーシステム。
- CWレーザーおよび短パルスレーザーの各々は、所定周波数でオンおよびオフにされる、請求項13に記載のレーザーシステム。
- 所定周波数は、少なくとも10Hzの周波数を含む、請求項22に記載のレーザーシステム。
- 所定周波数は、50Hz以下の周波数を含む、請求項22に記載のレーザーシステム。
- CWレーザーおよび短パルスレーザーのオンおよびオフ動作を制御するためのコントローラをさらに備える、請求項13に記載のレーザーシステム。
- 材料を処理するためのレーザーベースの方法であって、
レーザーを使用して、処理されている材料の表面のスポットで、第1の持続時間および第1の平均パワーの第1のレーザーパルスと、第2の持続時間および第2のピークパワーを有する第2のレーザーパルスとを断続的に発生することであって、第2の持続時間は、第1の持続時間よりも少なくとも100倍短く、スポットに向けられており、第2のレーザーパルスは、第1のレーザーパルスが発生された後に発生される、ことと、
第1のレーザーパルスを使用して、材料の表面のスポットを少なくとも加熱することと、
第2のレーザーパルスを使用して、処理されている材料からの材料排出を誘発することと
を含む、方法。 - 第1のレーザーパルスは、材料の表面のスポットに溶融プールを形成し、第2のレーザーパルスは、溶融運動および溶融プールからの溶融材料の材料排出を誘発する、請求項26に記載の方法。
- レーザーを使用することは、
ゲートされた連続波(CW)レーザーを使用して、第1のレーザーパルスを生成することと、
パルスレーザーを使用して、第2のレーザーパルスを生成することと
を含む、請求項26に記載の方法。
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