JP2021512702A - 電場および磁場の空間走査を使用する組織刺激方法 - Google Patents
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Abstract
いくつかのデバイスはコンピューティングユニットと、コンピューティングユニットに接続されている外部電源と、外部電源およびコンピューティングユニットに接続されている減結合回路と、外部電源、減結合回路、およびコンピューティングユニットに接続されているスイッチング回路と、コンピューティングユニットおよびデスイッチング回路に接続されている電磁トランスデューサの配置構成とを備え、コンピューティングユニットは、組織の電磁刺激のための開示の方法を実装する。
Description
本出願は、2018年2月7日に出願したコロンビア出願第NC2018/0001282号の優先利益を主張するものである。上述の特許出願は全体が参照により本明細書に組み込まれ、本出願の一部をなす。
トランスデューサの第2のグループは1対の電磁トランスデューサ、すなわち、トランスデューサ(1h)およびトランスデューサ(1h’)で構成され、前記1対の電磁トランスデューサは、上腕骨の軸の法線方向の平面の上に配設され、トランスデューサ(1h)の活性面は肩の上にあり皮膚と接触し、前記トランスデューサ(1h’)の活性面は肘の上にあり皮膚と接触している。
ステップA) 初期値を伴う電場トランスデューサインデックスと、電場トランスデューサの対の最大数をコンピューティングユニットにおいて定義するステップ、
ステップB) ステップ(A)の電場トランスデューサインデックスについて定義されている位置において電磁トランスデューサ(1)の配置構成から1対の電場トランスデューサを同時に選択するステップ、
ステップC) ステップ(B)において選択された電場トランスデューサの対を、決定された極性で、前記対の電場トランスデューサが決定された時間期間に前記対の他の電場トランスデューサに関して正の電位を有するように活性化し、ステップ(D)に進む、ステップ、
ステップE) ステップ(B)において選択された電場トランスデューサの対を非活性化するステップ、
ステップF) 電場トランスデューサインデックスを増やし、電場トランスデューサインデックスを電場トランスデューサの対の最大数と比較し、電場トランスデューサインデックスが電場トランスデューサの対の最大数より大きい場合に、電場トランスデューサインデックスをステップ(A)で定義された値に等しい値にし、ステップ(B)に戻り、電場トランスデューサインデックスが電場トランスデューサの対の最大数以下である場合に、ステップ(B)に戻る、ステップに従い、
電場トランスデューサインデックスは、電場トランスデューサの対の最大数より小さく、電磁トランスデューサ(1)の配置構成は、「n」を2より大きい自然数として、「n」対の電場トランスデューサを有する。
ステップa) 第1の電場トランスデューサ(1a)を、第1の電場トランスデューサの活性面が組織(3)の方向を指すように第1の位置に位置決めするステップ、
ステップb) 第2の電場トランスデューサ(1a’)を、その活性面がステップ(a)で位置決めされた第1の電場トランスデューサ(1a)の活性面に向き合うように第2の位置に位置決めするステップに従って実行され、
第1の電場トランスデューサ(1a)および第2の電場トランスデューサ(1a’)は、1対の連結された活性化トランスデューサを形成する。
A) 磁気トランスデューサインデックスおよび磁気トランスデューサの最大数を定義するステップ、
B) ステップ(A)の磁気トランスデューサインデックスについて定義されている位置で同時に電磁トランスデューサの配置構成から磁場トランスデューサを選択するステップ、
C) ステップ(B)で選択された磁気トランスデューサを決定された時間期間に活性化し、ステップ(D)に進むステップ、
D) ステップ(B)で選択された磁気トランスデューサを非活性化し、ステップ(E)に進むステップ、
E) 磁気トランスデューサインデックスを増大させ、磁気トランスデューサインデックスを磁気トランスデューサの最大数と比較し、
−磁気トランスデューサインデックスが磁気トランスデューサの最大数より大きい場合、磁気トランスデューサインデックスをステップ(A)で定義された値に等しい値にし、ステップ(B)に戻り、
−磁気トランスデューサインデックスが磁気トランスデューサの最大数以下である場合、ステップ(B)に戻る、ステップに従い、
磁気トランスデューサインデックスは、磁気トランスデューサの最大数より小さい。
定義および頭字語
SRAM スタティックランダムアクセスメモリ
DRAM ダイナミックランダムアクセスメモリ
DDRメモリ ダブルデータレートメモリ
ROM リードオンリーメモリ
HDD ハードディスクドライブ
SSD ソリッドステートドライブ
EPROM 消去可能プログラム可能リードオンリーメモリ
EEPROM 電気的消去可能プログラム可能リードオンリーメモリ
SMC スマートメディアカード
SDC セキュアデジタルメモリカード
MS メモリスティック
CD−ROM コンパクトディスクリードオンリーメモリ
DVD デジタル多用途ディスク
AM 振幅変調
EMG 筋電計
ECG 心電計
SPMF 逐次プログラム磁場
AMOLED アクティブマトリクス有機発光ダイオード
ASIC 特定用途向け集積回路
CPLD コンプレックスプログラマブルロジックデバイス
DSC デジタルシグナルコントローラ
EEG 脳波図
FM 周波数変調
FPGA フィールドプログラマブルゲートアレイ
HID ヒューマンインターフェースデバイス
LCD 液晶ディスプレイ
LED 発光ダイオード
MFG 磁場発生器
OLED 有機発光ダイオード
PM 位相変調
PPM パルス位置変調
PSoC プログラマブルシステムオンチップ
PWM パルス幅変調
QD 量子ディスプレイ
SoC システムオンチップ
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1k トランスデューサ
1k’ トランスデューサ
1l トランスデューサ
1l’ トランスデューサ
1m トランスデューサ
1m’ トランスデューサ
1n トランスデューサ
1n’ トランスデューサ
1A、1A’ 活性面
2 体積
3 組織
3a 切片
4 フレーム
21 コンピューティングユニット
21a CPU
22 外部電源
23 減結合回路
30 フィードバック
31、32、33 活性化信号出力
40 スイッチング回路
Claims (19)
- 組織の電磁刺激のための方法であって、
a)組織を含む体積を取り囲む電磁トランスデューサの配置構成を配設するステップと、
b)決定された時間期間に、活性化パターンに従って前記電磁トランスデューサの配置構成を通じて組織に電磁場刺激を印加するステップとを含み、
前記活性化パターンは、前記電磁トランスデューサの配置構成によって生成される電磁場ベクトルの強度および方向を変化させることを可能にする方法。 - ステップ(b)の後に、前記活性化パターンを変更し、ステップ(b)に戻るステップがある請求項1に記載の方法。
- 前記活性化パターンを変更するステップは、前記電磁トランスデューサの配置構成によって生成される電磁場の強度の測定結果、組織インピーダンス応答フィードバック、またはこれらの組合せに基づき実行される請求項2に記載の方法。
- ステップ(a)において、前記電磁トランスデューサの配置構成は、磁場トランスデューサの一体的配置構成である請求項1に記載の方法。
- ステップ(a)において、前記電磁トランスデューサの配置構成は、2つの電場トランスデューサを有する請求項1に記載の方法。
- ステップ(a)において、前記電磁トランスデューサの配置構成では、前記電磁トランスデューサは、エンジン、電極、光電変換素子、誘導アクチュエータ、抵抗器、誘導のために磁場を発生させるコイル、アンテナ、平行平板導体材料、およびこれらの組合せからなる群から選択される請求項1に記載の方法。
- ステップ(a)において、前記電磁トランスデューサの配置構成は、前記体積を取り囲むフレームの上に配設される請求項1に記載の方法。
- ステップ(a)において、前記電磁トランスデューサの配置構成の各電磁トランスデューサの活性面は、前記組織の外面と接触する請求項1に記載の方法。
- ステップ(a)において、前記電磁トランスデューサの配置構成の各電磁トランスデューサの活性面は、前記組織の外面から離間する請求項1に記載の方法。
- ステップ(a)において、前記電磁トランスデューサの配置構成における前記電磁トランスデューサのうちの1つの活性面は、前記組織の外面から離間する請求項1に記載の方法。
- ステップ(a)において、前記電磁トランスデューサの配置構成における前記電磁トランスデューサの活性面の領域の一部は、前記組織の外面と接触する請求項1に記載の方法。
- ステップ(b)は、コンピューティングユニットで実行され、前記活性化パターンは、
A) 初期値を伴う電場トランスデューサインデックスと、電場トランスデューサの対の最大数を前記コンピューティングユニットにおいて定義するステップと、
B) ステップ(A)の前記電場トランスデューサインデックスについて定義されている位置において前記電磁トランスデューサの配置構成から1対の電場トランスデューサを同時に選択するステップと、
C) ステップ(B)において選択された電場トランスデューサの前記対を、決定された極性で、前記対の電場トランスデューサが決定された時間期間に前記対の他の電場トランスデューサに関して正の電位を有するように活性化するステップと、
E) ステップ(B)において選択された電場トランスデューサの前記対を非活性化するステップと、
F) 電場トランスデューサに対するインデックスを増加し、前記電場トランスデューサインデックスを電場トランスデューサの対の前記最大数と比較するステップであって、
− 前記電場トランスデューサインデックスが電場トランスデューサの対の前記最大数より大きい場合、前記電場トランスデューサに対する前記インデックスをステップ(A)で定義された値に等しい値にし、ステップ(B)に戻り、
− 前記電場トランスデューサの前記インデックスが電場トランスデューサの対の前記最大数以下である場合に、ステップ(B)に戻る、ステップとに従い、
前記電場トランスデューサインデックスは、電場トランスデューサの対の前記最大数より小さく、前記電磁トランスデューサの配置構成は、「n」を2より大きい自然数として、「n」対の電場トランスデューサを有する請求項5に記載の方法。 - ステップ(C)の後に、ステップ(B)において選択された電場トランスデューサの前記対の前記極性がステップ(C)の前記極性に関して反転されるステップ(D)がある、請求項12に記載の方法。
- ステップ(b)は、コンピューティングユニットで実行され、前記活性化パターンは、
A) 磁気トランスデューサインデックスおよび磁気トランスデューサの最大数を定義するステップと、
B) ステップ(A)の前記磁場トランスデューサインデックスについて定義されている位置で同時に前記電磁トランスデューサの配置構成から磁場トランスデューサを選択するステップと、
C) ステップ(B)で選択された前記磁気トランスデューサを決定された時間期間に活性化し、ステップ(D)に進むステップと、
D) ステップ(B)で選択された前記磁気トランスデューサを非活性化し、ステップ(E)に進むステップと、
E) 磁気トランスデューサインデックスを増大させ、前記磁気トランスデューサインデックスを磁気トランスデューサの前記最大数と比較し、
− 前記磁気トランスデューサインデックスが磁気トランスデューサの前記最大数より大きい場合、前記磁気トランスデューサインデックスをステップ(A)で定義された値に等しい値にし、ステップ(B)に戻り、
− 前記磁気トランスデューサインデックスが磁気トランスデューサの前記最大数以下である場合、ステップ(B)に戻る、ステップとに従い、
前記磁気トランスデューサインデックスは、磁気トランスデューサの前記最大数より小さい請求項1に記載の方法。 - 組織を電磁場で刺激するためのデバイスであって、
− コンピューティングユニットと、
− 前記コンピューティングユニットに接続されている外部電源と、
− 前記外部電源および前記コンピューティングユニットに接続されている減結合回路と、
− 前記外部電源、前記減結合回路、および前記コンピューティングユニットに接続されているスイッチング回路と、
− 前記コンピューティングユニットおよび前記デスイッチング回路に接続されている電磁トランスデューサの配置構成とを備え、
前記コンピューティングユニットは、組織の電磁刺激のための方法を実装し、前記方法はa)組織を含む体積を取り囲む電磁トランスデューサの配置構成を配設するステップと、b)決定された時間期間に、活性化パターンに従って前記電磁トランスデューサの配置構成を通じて組織に電磁場刺激を印加するステップとを含み、前記活性化パターンは、前記電磁トランスデューサの配置構成によって生成される電磁場ベクトルの強度および方向を変化させることを可能にするデバイス。 - ステップ(b)は、前記コンピューティングユニットで実行され、前記活性化パターンは、
A) 初期値を伴う電場トランスデューサインデックスと、電場トランスデューサの対の最大数を前記コンピューティングユニットにおいて定義するステップと、
B) ステップ(A)の前記電場トランスデューサインデックスについて定義されている位置において前記電磁トランスデューサの配置構成から1対の電場トランスデューサを同時に選択するステップと、
C) ステップ(B)において選択された電場トランスデューサの前記対を、決定された極性で、前記対の電場トランスデューサが決定された時間期間に前記対の他の電場トランスデューサに関して正の電位を有するように活性化するステップと、
E) ステップ(B)において選択された電場トランスデューサの前記対を非活性化するステップと、
F) 電場トランスデューサに対するインデックスを増加し、前記電場トランスデューサインデックスを電場トランスデューサの対の前記最大数と比較するステップであって、
− 前記電場トランスデューサインデックスが電場トランスデューサの対の前記最大数より大きい場合、前記電場トランスデューサに対する前記インデックスをステップ(A)で定義された値に等しい値にし、ステップ(B)に戻り、
− 前記電場トランスデューサの前記インデックスが電場トランスデューサの対の前記最大数以下である場合に、ステップ(B)に戻る、ステップとに従い、
前記電場トランスデューサインデックスは、電場トランスデューサの対の前記最大数より小さく、前記電磁トランスデューサの配置構成は、「n」を2より大きい自然数として、「n」対の電場トランスデューサを有する請求項15に記載のデバイス。 - ステップ(b)は、前記コンピューティングユニットで実行され、前記活性化パターンは、
A) 磁気トランスデューサインデックスおよび磁気トランスデューサの最大数を定義するステップと、
B) ステップ(A)の前記磁場トランスデューサインデックスについて定義されている位置で同時に前記電磁トランスデューサの配置構成から磁場トランスデューサを選択するステップと、
C) ステップ(B)で選択された前記磁気トランスデューサを決定された時間期間に活性化し、ステップ(D)に進むステップと、
D) ステップ(B)で選択された前記磁気トランスデューサを非活性化し、ステップ(E)に進むステップと、
E) 磁気トランスデューサインデックスを増大させ、前記磁気トランスデューサインデックスを磁気トランスデューサの前記最大数と比較し、
− 前記磁気トランスデューサインデックスが磁気トランスデューサの前記最大数より大きい場合、前記磁気トランスデューサインデックスをステップ(A)で定義された値に等しい値にし、ステップ(B)に戻り、
− 前記磁気トランスデューサインデックスが磁気トランスデューサの前記最大数以下である場合、ステップ(B)に戻る、ステップとに従い、
前記磁気トランスデューサインデックスは、磁気トランスデューサの前記最大数より小さい請求項15に記載のデバイス。 - 前記コンピューティングユニットは、第1のOSC 1、第2の発振器OCS 2から発振器OSC 「n」までの発振器に接続されている中央演算処理装置(CPU)(21a)を備える専用コンピューティングユニットであり、各発振器は活性化信号出力を有し、「n」はゼロ以上の自然数である請求項15に記載のデバイス。
- 前記中央演算処理装置は、ほかにもあるがとりわけ、メモリユニット、データベース、およびハードドライブなどのストレージデバイス、キーボード、カメラ、タッチスクリーンディスプレイ、およびスキャナなどの入力デバイス、ディスプレイおよびプリンタなどの出力デバイスから選択された周辺デバイスにも接続される請求項15に記載のデバイス。
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