JP2021186951A - Polishing pad and polishing device - Google Patents

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Abstract

To provide a polishing pad and a polishing device which enable detection of a temperature during polishing without causing unstable polishing.SOLUTION: A polishing device 10 includes: a chuck table 30 which has a lower surface 32 that is a holding surface for holding a wafer 1 and is rotated around a rotation axis 33 perpendicular to the lower surface 32; a polishing unit 20 which has a polishing pad 12 having a diameter larger than that of the chuck table 30 mounted on an upper surface 24 that is a mounting surface parallel to the lower surface 32 and is rotated around a rotation axis 25 perpendicular to the upper surface 24; and a control unit 100 for detecting a color of the polishing pad 12 during polishing of the wafer 1, and determines a state of the polishing. The polishing pad 12 contains a coating material whose color is reversibly changed according to the temperature. The control unit 100 compares the color of the polishing pad 12 during polishing of the wafer 1 with the color of the polishing pad 12 during previously registered normal polishing, determines whether or not the polishing is normal, and notifies a user of a determination result.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、ウェーハを研磨する研磨パッド及び研磨装置に関する。 The present invention relates to a polishing pad and a polishing apparatus for polishing a wafer.

半導体デバイスチップを形成するシリコン等のウェーハは、電子部品の軽薄短小化に伴い、デバイスが形成された面の反対側の面が研削砥石で削られた後、研磨(例えば、特許文献1及び特許文献2参照)されて研削痕が除去され、薄く抗折強度の高いチップに加工されるのが一般的である。 Wafers such as silicon that form semiconductor device chips are polished (for example, Patent Document 1 and Patent Document 1) after the surface opposite to the surface on which the device is formed is ground with a grinding wheel as electronic components become lighter, thinner, shorter, and smaller. (Refer to Document 2), grinding marks are removed, and the chip is generally processed into a thin chip having high bending resistance.

研磨では、研磨パッドとスラリー溶液を用いるCMP(Chemical Mechanical Polishing)加工や、砥粒を含む研磨パッドとアルカリ性や酸性の溶液を用いる研磨など各種の加工方法が用いられる。これらの研磨では、ウェーハの研磨パッドと接触する加工点には、ある程度の加工熱が発生する事が共通する。 In polishing, various processing methods such as CMP (Chemical Mechanical Polishing) processing using a polishing pad and a slurry solution and polishing using a polishing pad containing abrasive grains and an alkaline or acidic solution are used. In these polishings, it is common that a certain amount of processing heat is generated at the processing point in contact with the polishing pad of the wafer.

特開2019−102687号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2019-102687 特許第6192778号公報Japanese Patent No. 6192778

そこで、研磨中の研磨パッドの温度を測定しつつ、加工の状況を監視する方法が各種考案されており、例えば、研磨パッドの一部に穴を開け、そこに温度センサを配置して研磨中の熱を測る場合がある。しかし、温度センサの部分では加工が行われず、加工の不安定を引き起こす恐れがある。また、センサのある部分しか温度は測定出来ないため、研磨パッドとウェーハが接触している領域全面を検査する事が出来ないという課題が有る。 Therefore, various methods have been devised to monitor the processing status while measuring the temperature of the polishing pad during polishing. For example, a hole is made in a part of the polishing pad and a temperature sensor is placed there to perform polishing. May measure the heat of. However, processing is not performed on the temperature sensor part, which may cause processing instability. Further, since the temperature can be measured only in a certain part of the sensor, there is a problem that the entire area where the polishing pad and the wafer are in contact cannot be inspected.

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、研磨の不安定を引き起こすことなく、研磨中の温度を検出することを可能とする研磨パッド及び研磨装置を提供することである。 The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a polishing pad and a polishing apparatus capable of detecting a temperature during polishing without causing instability of polishing. Is.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の研磨パッドは、ウェーハの被研磨面に押圧されてウェーハを研磨する研磨パッドであって、温度に応じて色が可逆的に変化する塗料を含み、該塗料の色によって研磨中の温度が視認できることを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems and achieve the object, the polishing pad of the present invention is a polishing pad that is pressed against the surface to be polished of the wafer to polish the wafer, and its color changes reversibly according to the temperature. It is characterized in that the temperature during polishing can be visually recognized by the color of the paint.

本発明の研磨装置は、前記研磨パッドを用いてウェーハを研磨する研磨装置であって、ウェーハを保持する保持面を有し、該保持面と直交する回転軸で回転するチャックテーブルと、該保持面と平行な装着面に該チャックテーブルよりも大きい直径の研磨パッドが装着され、該装着面と直交する回転軸で回転する研磨ユニットと、ウェーハを研磨中の該研磨パッドの色を検出し、該研磨の状態を判定する判定ユニットと、を備え、該判定ユニットは、ウェーハを研磨中に検出された該研磨パッドの色と、予め登録された正常又は異常な研磨時の該研磨パッドの色とを比較して、研磨が正常か否かを判定し、判定結果を報知することを特徴とする。 The polishing apparatus of the present invention is a polishing apparatus that polishes a wafer using the polishing pad, and has a holding surface for holding the wafer, and a chuck table that rotates on a rotation axis orthogonal to the holding surface, and the holding. A polishing pad having a diameter larger than that of the chuck table is mounted on a mounting surface parallel to the surface, and a polishing unit that rotates on a rotation axis orthogonal to the mounting surface and the color of the polishing pad that is polishing the wafer are detected. A determination unit for determining the polishing state is provided, and the determination unit includes a color of the polishing pad detected during polishing of the wafer and a color of the polishing pad at the time of normal or abnormal polishing registered in advance. It is characterized in that it is determined whether or not the polishing is normal by comparing with and, and the determination result is notified.

前記研磨装置において、該判定ユニットは、該研磨パッドの色が変化した領域が、予め設定した領域より小さいか否かを判定し、判定結果を報知しても良い。 In the polishing apparatus, the determination unit may determine whether or not the region where the color of the polishing pad has changed is smaller than the preset region, and may notify the determination result.

本発明は、研磨の不安定を引き起こすことなく、研磨中の温度を検出することを可能とするという効果を奏する。 The present invention has the effect of making it possible to detect the temperature during polishing without causing instability in polishing.

図1は、実施形態1に係る研磨装置の研磨対象のウェーハの一例を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an example of a wafer to be polished by the polishing apparatus according to the first embodiment. 図2は、実施形態1に係る研磨装置の概略の構成を示す側面図である。FIG. 2 is a side view showing a schematic configuration of the polishing apparatus according to the first embodiment. 図3は、図2に示された研磨装置の平面図である。FIG. 3 is a plan view of the polishing apparatus shown in FIG. 図4は、図3に示された研磨装置の研磨開始直後の研磨パッドなどを示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing a polishing pad and the like immediately after the start of polishing of the polishing apparatus shown in FIG. 図5は、図3に示された研磨装置の研磨中の研磨パッドなどの一例を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing an example of a polishing pad and the like during polishing of the polishing apparatus shown in FIG. 図6は、図3に示された研磨装置の研磨中の研磨パッドなどの他の例を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing another example such as a polishing pad during polishing of the polishing apparatus shown in FIG. 図7は、実施形態2に係る研磨装置の概略の構成を示す側面図である。FIG. 7 is a side view showing a schematic configuration of the polishing apparatus according to the second embodiment. 図8は、実施形態1及び実施形態2の変形例に係る研磨装置の概略の構成を示す側面図である。FIG. 8 is a side view showing a schematic configuration of a polishing apparatus according to a modification of the first embodiment and the second embodiment.

本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。 An embodiment (embodiment) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the contents described in the following embodiments. In addition, the components described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the configurations described below can be combined as appropriate. In addition, various omissions, substitutions or changes of the configuration can be made without departing from the gist of the present invention.

〔実施形態1〕
本発明の実施形態1に係る研磨パッド及び研磨装置を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係る研磨装置の研磨対象のウェーハの一例を示す斜視図である。図2は、実施形態1に係る研磨装置の概略の構成を示す側面図である。図3は、図2に示された研磨装置の平面図である。図4は、図3に示された研磨装置の研磨開始直後の研磨パッドなどを示す平面図である。図5は、図3に示された研磨装置の研磨中の研磨パッドなどの一例を示す平面図である。図6は、図3に示された研磨装置の研磨中の研磨パッドなどの他の例を示す平面図である。
[Embodiment 1]
The polishing pad and the polishing apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing an example of a wafer to be polished by the polishing apparatus according to the first embodiment. FIG. 2 is a side view showing a schematic configuration of the polishing apparatus according to the first embodiment. FIG. 3 is a plan view of the polishing apparatus shown in FIG. FIG. 4 is a plan view showing a polishing pad and the like immediately after the start of polishing of the polishing apparatus shown in FIG. FIG. 5 is a plan view showing an example of a polishing pad and the like during polishing of the polishing apparatus shown in FIG. FIG. 6 is a plan view showing another example such as a polishing pad during polishing of the polishing apparatus shown in FIG.

実施形態1に係る図2に示す研磨装置10は、図1に示すウェーハ1を研磨する加工装置である。研磨装置10の研磨対象のウェーハ1は、シリコン、サファイア、又はガリウムヒ素などを基板2とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハである。なお、実施形態1では、ウェーハ1の基板2は、単結晶のシリコンにより構成されて、ウェーハ1は、単結晶シリコンウェーハである。 The polishing apparatus 10 shown in FIG. 2 according to the first embodiment is a processing apparatus for polishing the wafer 1 shown in FIG. The wafer 1 to be polished by the polishing device 10 is a disk-shaped semiconductor wafer or an optical device wafer having silicon, sapphire, gallium arsenide, or the like as the substrate 2. In the first embodiment, the substrate 2 of the wafer 1 is made of single crystal silicon, and the wafer 1 is a single crystal silicon wafer.

ウェーハ1は、図1に示すように、基板2の表面3に格子状の分割予定ライン4と、分割予定ライン4に区画された各領域にデバイス5が形成されている。デバイス5は、例えば、IC(Integrated Circuit)、又はLSI(Large Scale Integration)等の集積回路、CCD(Charge Coupled Device)、又はCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)等のイメージセンサである。 As shown in FIG. 1, in the wafer 1, a grid-like division schedule line 4 is formed on the surface 3 of the substrate 2, and a device 5 is formed in each region partitioned by the division schedule line 4. The device 5 is, for example, an integrated circuit such as an IC (Integrated Circuit) or an LSI (Large Scale Integration), an image sensor such as a CCD (Charge Coupled Device) or a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor).

図2に示された研磨装置10は、ウェーハ1の被研磨面である裏面6(表面3の裏側の面)を研磨する加工装置である。図2に示された研磨装置10は、ウェーハ1の裏面6に研磨液11を供給しながら、研磨パッド12をウェーハ1の裏面6に接触させて、裏面6を研磨する加工装置、即ち、研磨パッド12を用いてウェーハ1を研磨する研磨装置である。 The polishing apparatus 10 shown in FIG. 2 is a processing apparatus for polishing the back surface 6 (the surface on the back surface of the surface 3), which is the surface to be polished of the wafer 1. The polishing apparatus 10 shown in FIG. 2 is a processing apparatus for polishing the back surface 6 by bringing the polishing pad 12 into contact with the back surface 6 of the wafer 1 while supplying the polishing liquid 11 to the back surface 6 of the wafer 1, that is, polishing. This is a polishing device that polishes the wafer 1 using the pad 12.

研磨装置10は、図2に示すように、研磨ユニット20と、チャックテーブル30と、研磨液供給ノズル40と、撮像ユニット50と、判定ユニットである制御ユニット100とを備える。 As shown in FIG. 2, the polishing apparatus 10 includes a polishing unit 20, a chuck table 30, a polishing liquid supply nozzle 40, an image pickup unit 50, and a control unit 100 as a determination unit.

研磨ユニット20は、ウェーハ1の直径よりも直径が大きい円盤形状の研磨ホイール21と、研磨ホイール21を上端に取り付けたスピンドル22とを備える。研磨ホイール21は、ステンレス鋼などの金属で構成されたホイール基台23と、研磨パッド12とを備える。 The polishing unit 20 includes a disk-shaped polishing wheel 21 having a diameter larger than the diameter of the wafer 1 and a spindle 22 having the polishing wheel 21 attached to the upper end. The polishing wheel 21 includes a wheel base 23 made of a metal such as stainless steel, and a polishing pad 12.

ホイール基台23は、直径が、ウェーハ1の直径よりも大きい円盤形状に形成され、装着面である上面24が水平方向に沿って平坦である。研磨パッド12は、ウェーハ1の裏面6に押圧されて、ウェーハ1を研磨するものである。研磨パッド12は、直径が、ウェーハ1の直径よりも大きくかつホイール基台23の直径よりも小さい円盤形状に形成され、ホイール基台23の上面24に装着されている。研磨パッド12は、厚みが一定の円板状に形成され、ホイール基台23と同軸となる位置に配置されている。 The wheel base 23 is formed in a disk shape having a diameter larger than the diameter of the wafer 1, and the upper surface 24, which is a mounting surface, is flat along the horizontal direction. The polishing pad 12 is pressed against the back surface 6 of the wafer 1 to polish the wafer 1. The polishing pad 12 is formed in a disk shape having a diameter larger than the diameter of the wafer 1 and smaller than the diameter of the wheel base 23, and is mounted on the upper surface 24 of the wheel base 23. The polishing pad 12 is formed in a disk shape having a constant thickness, and is arranged at a position coaxial with the wheel base 23.

研磨ホイール21は、ホイール基台23がスピンドル22の上端に取り付けられて、スピンドル22により上面24と直交する鉛直方向と平行な回転軸25回りに回転自在に設けられている。このように、研磨ユニット20は、ホイール基台23の上面24に研磨パッド12が装着され、スピンドル27により回転軸25で回転する。 The polishing wheel 21 has a wheel base 23 attached to the upper end of the spindle 22, and is rotatably provided around a rotation axis 25 parallel to the vertical direction orthogonal to the upper surface 24 by the spindle 22. In this way, the polishing unit 20 has the polishing pad 12 mounted on the upper surface 24 of the wheel base 23, and is rotated by the spindle 27 on the rotating shaft 25.

実施形態1において、研磨パッド12は、例えば、WO2003/101668号公報に示された固定砥粒研磨パッドであり、例えば、発砲ウレタンなどの樹脂材料中に砥粒が分散されて固定されたものである。実施形態1において、研磨パッド12の砥粒は、例えば粒径が0.2μm以上でかつ1.5μm以下のGC(Green Carbide)により構成される。また、研磨パッド12は、発泡ウレタンに替えて不織布中にGC砥粒を含有させてもよい。 In the first embodiment, the polishing pad 12 is, for example, a fixed abrasive grain polishing pad shown in WO2003 / 101668, for example, the abrasive grains are dispersed and fixed in a resin material such as urethane foam. be. In the first embodiment, the abrasive grains of the polishing pad 12 are composed of, for example, a GC (Green Carbide) having a particle size of 0.2 μm or more and 1.5 μm or less. Further, the polishing pad 12 may contain GC abrasive grains in the non-woven fabric instead of urethane foam.

砥粒は、ウェーハ1より硬度が高くウェーハ1に傷をつけることが可能なものであればよく、実施形態1では、ウェーハ1が単結晶シリコンウェーハであるので、モース硬度5以上の物質を主材料にした砥材が好ましく、例えば、GC砥粒に替えてダイヤモンドやアルミナ、セリア、CBN等の砥粒でも良い。研磨ユニット20は、研磨パッド12上にウェーハ1の裏面6が載置される。 The abrasive grains may be any as long as they have a hardness higher than that of the wafer 1 and can damage the wafer 1. In the first embodiment, since the wafer 1 is a single crystal silicon wafer, a substance having a Mohs hardness of 5 or more is mainly used. The abrasive material used as the material is preferable, and for example, the abrasive grains such as diamond, alumina, ceria, and CBN may be used instead of the GC abrasive grains. In the polishing unit 20, the back surface 6 of the wafer 1 is placed on the polishing pad 12.

また、研磨パッド12は、前述した樹脂材料中に温度に応じて色が可逆的に変化する塗料を含んでいる。塗料は、常温では所定の色124を発し、温度が上がると所定の温度で消色し、所定の温度よりも温度が下がると所定の色124を発色する可逆性のものである。研磨パッド12は、前述した塗料を含んでいるために、常温では全体が所定の色124を発し、温度が上がると所定の温度で全体が消色し、所定の温度よりも温度が下がると全体が所定の色124を発色することとなる。このために、研磨パッド12は、研磨開始から正常にウェーハ1を研磨すると、色が変化することとなる。 Further, the polishing pad 12 contains a paint whose color reversibly changes depending on the temperature in the resin material described above. The paint is a reversible paint that emits a predetermined color 124 at room temperature, decolorizes at a predetermined temperature when the temperature rises, and develops a predetermined color 124 when the temperature drops below the predetermined temperature. Since the polishing pad 12 contains the above-mentioned paint, the entire polishing pad 12 emits a predetermined color 124 at room temperature, the entire polishing pad 12 is decolorized at a predetermined temperature when the temperature rises, and the entire polishing pad 12 emits a predetermined color when the temperature drops below the predetermined temperature. Will develop a predetermined color 124. Therefore, the color of the polishing pad 12 changes when the wafer 1 is normally polished from the start of polishing.

塗料としては、パイロットインキ株式会社製メタモカラー(登録商標)や、株式会社記録素材総合研究所製のサーマルカラー(登録商標)OR、又は、サーマルカラー(登録商標)ERを用いることができる。実施形態1では、研磨パッド12は、例えば、所定の温度が60℃の塗料を含み、常温では所定の色124を発し、温度が上がると60℃で消色し、60℃よりも温度が下がると所定の色124を発色することとなる。研磨パッド12は、砥粒と、塗料を含むカプセルスラリー(カプセル内に塗料を含んだスラリーを収容したもの)、粉末、又はペレットが混入されて、所定の形状に成型されて得られる。実施形態1に係る研磨パッド12は、研磨中の樹脂材料に含まれた塗料の色が変化することによって、研磨中の温度を視認することができる。 As the paint, Metamocolor (registered trademark) manufactured by Pilot Ink Co., Ltd., Thermal Color (registered trademark) OR manufactured by Recording Material Research Institute Co., Ltd., or Thermal Color (registered trademark) ER can be used. In the first embodiment, the polishing pad 12 contains, for example, a paint having a predetermined temperature of 60 ° C., emits a predetermined color 124 at a predetermined temperature, decolorizes at 60 ° C. when the temperature rises, and has a temperature lower than 60 ° C. And the predetermined color 124 will be developed. The polishing pad 12 is obtained by mixing abrasive grains, a capsule slurry containing paint (a capsule containing a slurry containing paint), powder, or pellets, and molding the polishing pad 12 into a predetermined shape. The polishing pad 12 according to the first embodiment can visually recognize the temperature during polishing by changing the color of the paint contained in the resin material being polished.

チャックテーブル30は、円盤形状であり、図2に示すように、スピンドル31の下端に装着されて、下面32が研磨パッド12に対向している。チャックテーブル30は、直径が、ウェーハ1の直径よりも大きく、かつ研磨ホイール21のホイール基台23及び研磨パッド12の直径よりも小さい。チャックテーブル30は、下面32が水平方向に沿って平坦であるとともにポーラスセラミック等から形成された保持面であり、下面32にウェーハ1を保持する。即ち、チャックテーブル30は、装着面である上面24と平行な保持面を備える。チャックテーブル30は、図示しない真空吸引源と接続され、真空吸引源により吸引されることで、下面32にウェーハ1を吸引、保持する。実施形態1では、チャックテーブル30は、ウェーハ1の表面3側を吸引、保持する。 The chuck table 30 has a disk shape, and as shown in FIG. 2, it is mounted on the lower end of the spindle 31 and the lower surface 32 faces the polishing pad 12. The diameter of the chuck table 30 is larger than the diameter of the wafer 1 and smaller than the diameter of the wheel base 23 of the polishing wheel 21 and the polishing pad 12. The chuck table 30 has a lower surface 32 that is flat along the horizontal direction and is a holding surface formed of porous ceramic or the like, and holds the wafer 1 on the lower surface 32. That is, the chuck table 30 has a holding surface parallel to the upper surface 24 which is a mounting surface. The chuck table 30 is connected to a vacuum suction source (not shown) and is sucked by the vacuum suction source to suck and hold the wafer 1 on the lower surface 32. In the first embodiment, the chuck table 30 sucks and holds the surface 3 side of the wafer 1.

チャックテーブル30は、スピンドル31により鉛直方向に平行でかつ保持面である下面32と直交する回転軸33回りに回転する。チャックテーブル30は、スピンドル31により回転軸33回りに回転しながら、下面32に吸引保持したウェーハ1を研磨パッド12に鉛直方向に沿って押圧する。チャックテーブル30は、下面32に吸引保持したウェーハ1を鉛直方向に沿って押圧することによって、研磨パッド12にウェーハ1の裏面7を研磨させる。 The chuck table 30 is rotated by the spindle 31 around a rotation axis 33 parallel to the vertical direction and orthogonal to the lower surface 32 which is a holding surface. The chuck table 30 presses the wafer 1 sucked and held on the lower surface 32 against the polishing pad 12 along the vertical direction while rotating around the rotation shaft 33 by the spindle 31. The chuck table 30 causes the polishing pad 12 to polish the back surface 7 of the wafer 1 by pressing the wafer 1 sucked and held on the lower surface 32 along the vertical direction.

また、実施形態1では、チャックテーブル30の保持面である下面32は、研磨パッド12の中央と図2中に左側に示す水平方向の一端部とに亘って研磨パッド12に対向する。また、チャックテーブル30の直径が、研磨ホイール21のホイール基台23及び研磨パッド12の直径よりも小さいので、研磨中において、研磨パッド12の上面121のうち水平方向の他端部が露出することとなる。こうして、実施形態1に係る研磨装置10は、ウェーハ1を吸引保持するチャックテーブル30を、ウェーハ1の裏面6を研磨する研磨ユニット20の研磨パッド12に対向させて研磨ユニット20の上方に配置している。 Further, in the first embodiment, the lower surface 32, which is the holding surface of the chuck table 30, faces the polishing pad 12 over the center of the polishing pad 12 and one end in the horizontal direction shown on the left side in FIG. Further, since the diameter of the chuck table 30 is smaller than the diameters of the wheel base 23 of the polishing wheel 21 and the polishing pad 12, the other end of the upper surface 121 of the polishing pad 12 in the horizontal direction is exposed during polishing. Will be. In this way, in the polishing apparatus 10 according to the first embodiment, the chuck table 30 that sucks and holds the wafer 1 is arranged above the polishing unit 20 so as to face the polishing pad 12 of the polishing unit 20 that polishes the back surface 6 of the wafer 1. ing.

研磨液供給ノズル40は、研磨ユニット20の研磨パッド12上に図示しない研磨液供給源から供給される研磨液11を供給するものである。実施形態1では、研磨液供給ノズル40は、研磨ユニット20の研磨パッド12の上面121と鉛直方向に対向して、研磨パッド12の上面121に研磨液11を供給する。 The polishing liquid supply nozzle 40 supplies the polishing liquid 11 supplied from a polishing liquid supply source (not shown) onto the polishing pad 12 of the polishing unit 20. In the first embodiment, the polishing liquid supply nozzle 40 vertically faces the upper surface 121 of the polishing pad 12 of the polishing unit 20 and supplies the polishing liquid 11 to the upper surface 121 of the polishing pad 12.

実施形態1において、研磨液11は、アルカリ性の研磨液(薬液ともいう)のみで構成されて、即ち、砥粒を含んでいない。研磨液11は、pH(potential of Hydrogen)が、9以上でかつ13以下のアルカリ性の水溶液であり、実施形態1では、10.0以上でかつ11.4以下のアルカリ性の水溶液である。 In the first embodiment, the polishing liquid 11 is composed only of an alkaline polishing liquid (also referred to as a chemical liquid), that is, does not contain abrasive grains. The polishing liquid 11 is an alkaline aqueous solution having a pH (potential of Hydrogen) of 9 or more and 13 or less, and in the first embodiment, it is an alkaline aqueous solution having a pH of 10.0 or more and 11.4 or less.

撮像ユニット50は、研磨ユニット20の研磨パッド12の図2及び図3中に右側に示す水平方向の他端部と鉛直方向に対向している。撮像ユニット50は、研磨パッド12のウェーハ1の裏面6を研磨している箇所を除いて、研磨パッド12の上面121を撮像する撮像素子を備えている。撮像素子は、例えば、CCD(Charge-Coupled Device)撮像素子又はCMOS(Complementary MOS)撮像素子である。撮像ユニット50は、研磨中にウェーハ1の裏面6と接していない研磨パッド12の上面を撮像し、撮像して得た画像を制御ユニット100に出力する。なお、撮像ユニット50が取得する画像は、R(赤色)の光の強度と、G(緑色)の光の強度と、及びB(青色)の光の強度を含む所謂カラー画像である。 The image pickup unit 50 faces the other end in the horizontal direction shown on the right side in FIGS. 2 and 3 of the polishing pad 12 of the polishing unit 20 in the vertical direction. The image pickup unit 50 includes an image pickup element that images the upper surface 121 of the polishing pad 12, except for the portion where the back surface 6 of the wafer 1 of the polishing pad 12 is polished. The image sensor is, for example, a CCD (Charge-Coupled Device) image sensor or a CMOS (Complementary MOS) image sensor. The image pickup unit 50 takes an image of the upper surface of the polishing pad 12 which is not in contact with the back surface 6 of the wafer 1 during polishing, and outputs the image obtained by taking the image to the control unit 100. The image acquired by the image pickup unit 50 is a so-called color image including the intensity of R (red) light, the intensity of G (green) light, and the intensity of B (blue) light.

制御ユニット100は、研磨装置10を構成する上述した構成要素をそれぞれ制御するものである。即ち、制御ユニット100は、ウェーハ1に対する研磨動作を研磨装置10に実行させるものである。制御ユニット100は、コンピュータプログラムを実行可能なコンピュータである。制御ユニット100は、CPU(central processing unit)のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ROM(read only memory)又はRAM(random access memory)のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インタフェース装置とを有する。制御ユニット100の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムを実行して、研磨装置10を制御するための制御信号を生成する。制御ユニットの演算処理装置は、生成した制御信号を入出力インタフェース装置を介して研磨装置10の各構成要素に出力する。 The control unit 100 controls each of the above-mentioned components constituting the polishing apparatus 10. That is, the control unit 100 causes the polishing device 10 to perform a polishing operation on the wafer 1. The control unit 100 is a computer capable of executing a computer program. The control unit 100 includes an arithmetic processing unit having a microprocessor such as a CPU (central processing unit), a storage device having a memory such as a ROM (read only memory) or a RAM (random access memory), and an input / output interface device. And have. The arithmetic processing unit of the control unit 100 executes a computer program stored in the storage device to generate a control signal for controlling the polishing device 10. The arithmetic processing unit of the control unit outputs the generated control signal to each component of the polishing device 10 via the input / output interface device.

また、制御ユニット100は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される表示ユニット110と、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる入力ユニット120と、報知ユニット130とに接続されている。入力ユニット120は、表示ユニット110に設けられたタッチパネルと、キーボード等の外部入力装置とのうち少なくとも一つにより構成される。報知ユニット130は、音と光のうち少なくとも一方を発してオペレータに報知する。 Further, the control unit 100 includes a display unit 110 composed of a liquid crystal display device for displaying a processing operation state, an image, and the like, an input unit 120 used by an operator to register processing content information, and a notification unit 130. Is connected to. The input unit 120 is composed of at least one of a touch panel provided on the display unit 110 and an external input device such as a keyboard. The notification unit 130 emits at least one of sound and light to notify the operator.

また、制御ユニット100は、正常データ記憶部101と、判定部102とを備える。正常データ記憶部101は、ウェーハ1を研磨開始から所定時間経過し正常に研磨中に維持される研磨パッド12の上面121の色を示す正常色データ103を記憶している。正常色データ103は、ウェーハ1を正常に研磨中の研磨パッド12の上面121を撮像ユニット50が撮像して得た画像のR(赤色)の光の強度である正常時強度と、G(緑色)の光の強度である正常時強度と、及びB(青色)の光の強度である正常時強度を含む。 Further, the control unit 100 includes a normal data storage unit 101 and a determination unit 102. The normal data storage unit 101 stores normal color data 103 indicating the color of the upper surface 121 of the polishing pad 12 which is normally maintained during polishing after a predetermined time has elapsed from the start of polishing the wafer 1. The normal color data 103 includes normal intensity, which is the intensity of R (red) light of an image obtained by imaging the upper surface 121 of the polishing pad 12 during normal polishing of wafer 1 by the image pickup unit 50, and G (green). ) Is the normal intensity of light, and B (blue) is the intensity of normal light.

判定部102は、ウェーハ1を研磨中の研磨パッド12の上面121を撮像ユニット50が撮像して得た画像から、研磨パッド12の色の情報であるR(赤色)の光の強度と、G(緑色)の光の強度と、及びB(青色)の光の強度を検出する。判定部102は、ウェーハ1を研磨中の研磨パッド12の上面121を撮像ユニット50が撮像して得た画像から検出した研磨パッド12の色の情報であるR(赤色)の光の強度、G(緑色)の光の強度、及びB(青色)の光の強度と、正常データ記憶部101に記憶された正常色データ103とを対比して、研磨パッド12によるウェーハ1の研磨の状態を判定する。こうして、判定部102即ち制御ユニット100は、ウェーハ1を研磨中の研磨パッド12の色を検出し、研磨パッド12によるウェーハ1の研磨の状態を判定する。 The determination unit 102 determines the intensity of R (red) light, which is the color information of the polishing pad 12, and G from the image obtained by imaging the upper surface 121 of the polishing pad 12 while the wafer 1 is being polished by the image pickup unit 50. (Green) light intensity and B (blue) light intensity are detected. The determination unit 102 has R (red) light intensity, G, which is color information of the polishing pad 12 detected from an image obtained by imaging the upper surface 121 of the polishing pad 12 while the wafer 1 is being polished by the image pickup unit 50. The polishing state of the wafer 1 by the polishing pad 12 is determined by comparing the light intensity of (green) and the light intensity of B (blue) with the normal color data 103 stored in the normal data storage unit 101. do. In this way, the determination unit 102, that is, the control unit 100 detects the color of the polishing pad 12 while the wafer 1 is being polished, and determines the polishing state of the wafer 1 by the polishing pad 12.

判定時には、判定部102は、ウェーハ1を研磨中の研磨パッド12の上面121を撮像ユニット50が撮像して得た画像から検出したR(赤色)の光の強度、G(緑色)の光の強度、及びB(青色)の光の強度と、正常データ記憶部101に記憶された正常色データ103のR(赤色)の光の正常時強度、G(緑色)の光の正常時強度、及びB(青色)の光の正常時強度とを比較する。具体的には、判定部102は、撮像ユニット50が撮像して得た画像から検出したR(赤色)の光の強度と正常色データ103のR(赤色)の光の正常時強度との差が予め記憶された所定値よりも低く、撮像ユニット50が撮像して得た画像から検出したG(緑色)の光の強度と正常色データ103のG(緑色)の光の正常時強度との差が予め記憶された所定値よりも低く、撮像ユニット50が撮像して得た画像から検出したB(青色)の光の強度と正常色データ103のB(青色)の光の正常時強度との差が予め記憶された所定値よりも低い部分123(図5及び図6中に研磨パッド12の上面121の後述する研磨領域122内の白地で示す部分)の面積を算出する。なお、実施形態1では、部分123は、研磨開始から所定時間経過に、研磨パッド12の消色した部分でもあるとともに、研磨開始から研磨パッド12の色が変化した領域でもある。 At the time of determination, the determination unit 102 determines the intensity of the R (red) light and the intensity of the G (green) light detected from the image obtained by imaging the upper surface 121 of the polishing pad 12 while the wafer 1 is being polished by the image pickup unit 50. The intensity, the intensity of the B (blue) light, the normal intensity of the R (red) light of the normal color data 103 stored in the normal data storage unit 101, the normal intensity of the G (green) light, and the normal intensity of the G (green) light. Compare with the normal intensity of B (blue) light. Specifically, the determination unit 102 determines the difference between the intensity of the R (red) light detected from the image captured by the image pickup unit 50 and the normal intensity of the R (red) light of the normal color data 103. Is lower than the predetermined value stored in advance, and the intensity of the G (green) light detected from the image obtained by the image pickup unit 50 and the normal intensity of the G (green) light of the normal color data 103 The difference is lower than the predetermined value stored in advance, and the intensity of the B (blue) light detected from the image obtained by the image pickup unit 50 and the normal intensity of the B (blue) light of the normal color data 103. The area of the portion 123 (the portion shown by a white background in the polishing region 122 described later on the upper surface 121 of the polishing pad 12 in FIGS. 5 and 6) in which the difference between the two is lower than the predetermined value stored in advance is calculated. In the first embodiment, the portion 123 is not only the decolorized portion of the polishing pad 12 but also the region where the color of the polishing pad 12 has changed from the start of polishing after a lapse of a predetermined time from the start of polishing.

判定部102は、算出した部分123の面積が予め記憶装置に記憶(設定)された領域(面積)よりも小さいか否かを判定する。判定部102は、算出した部分123の面積が予め記憶装置に記憶(設定)された領域(面積)よりも小さくない(即ち、領域(面積)以上である)と判定すると、研磨パッド12によるウェーハ1の研磨が正常であると判定し、判定結果を表示ユニット110に表示して、オペレータに判定結果を報知する。また、判定部102は、算出した部分123の面積が予め記憶装置に記憶(設定)された領域(面積)よりも小さいと判定すると、研磨パッド12によるウェーハ1の研磨が異常であると判定して、判定結果を表示ユニット110に表示するとともに、報知ユニット130から音と光の一方を発して、オペレータに判定結果を報知する。 The determination unit 102 determines whether or not the calculated area of the portion 123 is smaller than the area (area) stored (set) in the storage device in advance. When the determination unit 102 determines that the calculated area of the portion 123 is not smaller than the area (area) stored (set) in the storage device in advance (that is, is equal to or larger than the area (area)), the wafer by the polishing pad 12 is used. It is determined that the polishing of 1 is normal, the determination result is displayed on the display unit 110, and the determination result is notified to the operator. Further, when the determination unit 102 determines that the calculated area of the portion 123 is smaller than the area (area) stored (set) in the storage device in advance, the determination unit 102 determines that the polishing of the wafer 1 by the polishing pad 12 is abnormal. The determination result is displayed on the display unit 110, and one of sound and light is emitted from the notification unit 130 to notify the operator of the determination result.

こうして、実施形態1では、判定部102即ち制御ユニット100は、ウェーハ1を研磨中に検出された研磨パッド12の色と、予め登録された研磨開始から所定時間経過し正常な研磨時に維持される研磨パッド12の色とを比較して、研磨が正常か否かを判定し、判定結果を報知する。また、こうして、実施形態1では、研磨パッド12が、研磨開始時の常温では所定の色124を発色し、正常にウェーハ1を研磨する状態で研磨開始から所定時間経過すると全体が消色した状態を維持する塗料を含んでいるので、判定部102即ち制御ユニット100は、研磨パッド12の色が変化した領域である研磨開始から所定時間経過後に消色した部分123が、予め設定した領域より小さいか否かを判定して、研磨が正常か否かを判定し、判定結果を報知する。 Thus, in the first embodiment, the determination unit 102, that is, the control unit 100 is maintained at the time of normal polishing after a predetermined time has elapsed from the color of the polishing pad 12 detected while polishing the wafer 1 and the start of polishing registered in advance. By comparing with the color of the polishing pad 12, it is determined whether or not the polishing is normal, and the determination result is notified. Further, in the first embodiment, the polishing pad 12 develops a predetermined color 124 at room temperature at the start of polishing, and the entire wafer 1 is decolorized after a predetermined time has elapsed from the start of polishing in a state where the wafer 1 is normally polished. In the determination unit 102, that is, the control unit 100, the portion 123 that has been decolorized after a predetermined time has elapsed from the start of polishing, which is the region where the color of the polishing pad 12 has changed, is smaller than the preset region. It is determined whether or not the polishing is normal, and the determination result is notified.

なお、正常データ記憶部101の機能は、前述した記憶装置により実現される。判定部102の機能は、前述した演算処理装置が記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムを実行することにより実現される。 The function of the normal data storage unit 101 is realized by the above-mentioned storage device. The function of the determination unit 102 is realized by the above-mentioned arithmetic processing unit executing a computer program stored in the storage device.

実施形態1に係る研磨装置10は、研磨パッド12上にウェーハ1が載置され、研磨パッド12上のウェーハ1の表面3側にチャックテーブル30の下面32を接触させ、オペレータが加工内容情報を制御ユニット100に登録し、オペレータから加工動作の開始指示を制御ユニット100が受け付けると、研磨動作を開始する。研磨動作では、研磨装置10は、制御ユニット100が真空吸引源を制御して、チャックテーブル30の下面32にウェーハ1の表面3側を吸引保持する。 In the polishing apparatus 10 according to the first embodiment, the wafer 1 is placed on the polishing pad 12, the lower surface 32 of the chuck table 30 is brought into contact with the surface 3 side of the wafer 1 on the polishing pad 12, and the operator provides processing content information. When the control unit 100 registers with the control unit 100 and the control unit 100 receives an instruction to start the machining operation from the operator, the polishing operation is started. In the polishing operation, in the polishing device 10, the control unit 100 controls the vacuum suction source to suck and hold the surface 3 side of the wafer 1 on the lower surface 32 of the chuck table 30.

研磨動作では、研磨装置10は、制御ユニット100が研磨液供給ノズル40から研磨液11を研磨パッド12の上面121に供給しながら研磨ユニット20の研磨ホイール21を回転軸25回りに回転するとともにチャックテーブル30を回転軸33回りに回転する。このために、研磨動作では、研磨装置10は、研磨パッド12の外縁よりも外周側の図3に示す破線の内側にウェーハ1の裏面6が接触して研磨する。なお、研磨パッド12の図3に示す破線の内側の領域を、以下、研磨パッド12の研磨領域122と記す。 In the polishing operation, in the polishing device 10, the control unit 100 rotates the polishing wheel 21 of the polishing unit 20 around the rotation axis 25 while supplying the polishing liquid 11 from the polishing liquid supply nozzle 40 to the upper surface 121 of the polishing pad 12, and chucks the polishing device 10. The table 30 is rotated around the rotation axis 33. Therefore, in the polishing operation, the polishing apparatus 10 makes the back surface 6 of the wafer 1 come into contact with the inside of the broken line shown in FIG. 3 on the outer peripheral side of the outer edge of the polishing pad 12 to polish. The area inside the broken line shown in FIG. 3 of the polishing pad 12 is hereinafter referred to as the polishing area 122 of the polishing pad 12.

研磨動作では、研磨装置10は、研磨ホイール21及びチャックテーブル30を回転軸25,33回りに回転させながら、チャックテーブル30でウェーハ1を研磨ユニット20に所定の送り速度で近づけることによって、研磨パッド12でウェーハ1の裏面7を研磨する。研磨パッド12上に供給された研磨液11は、研磨ユニット20の軸心回りの回転に伴う遠心力により研磨パッド12上を研磨ユニット20の外周方向に移動しながらウェーハ1の裏面6と研磨パッド12との間に浸入する。 In the polishing operation, the polishing apparatus 10 brings the wafer 1 close to the polishing unit 20 at a predetermined feed rate on the chuck table 30 while rotating the polishing wheel 21 and the chuck table 30 around the rotation shafts 25 and 33, whereby the polishing pad is used. The back surface 7 of the wafer 1 is polished with 12. The polishing liquid 11 supplied onto the polishing pad 12 moves on the polishing pad 12 in the outer peripheral direction of the polishing unit 20 due to the centrifugal force accompanying the rotation around the axis of the polishing unit 20, and the back surface 6 of the wafer 1 and the polishing pad. Infiltrate between 12 and 12.

また、研磨装置10は、研磨開始時には研磨パッド12が常温であるので、研磨領域122を含む全体が図4に網掛けで示す所定の色124を発している。研磨装置10は、ウェーハ1を研磨すると、研磨パッド12の温度が上がり所定の温度に近づいて所定の温度よりも一定温度低い温度に到達すると研磨パッド12の消色が開始し、研磨パッド12の温度が所定の温度になると、研磨パッド12が所定の色124が消えて消色する。なお、実施形態1では、一定温度は、所定の温度よりも低い5℃であるが、本発明では、5℃に限定されない。 Further, since the polishing pad 12 is at room temperature at the start of polishing, the polishing apparatus 10 emits a predetermined color 124 shaded in FIG. 4 as a whole including the polishing region 122. When the polishing device 10 polishes the wafer 1, the temperature of the polishing pad 12 rises and approaches a predetermined temperature, and when the temperature reaches a certain temperature lower than the predetermined temperature, the polishing pad 12 starts to be decolorized, and the polishing pad 12 starts to be decolorized. When the temperature reaches a predetermined temperature, the polishing pad 12 erases the predetermined color 124. In the first embodiment, the constant temperature is 5 ° C., which is lower than the predetermined temperature, but is not limited to 5 ° C. in the present invention.

なお、実施形態1では、研磨装置10は、研磨パッド12が正常にウェーハ1を研磨した場合、ウェーハ1の研磨開始から所定時間経過すると、研磨パッド12全体が所定の温度になって、図5に示すように、研磨パッド12の研磨領域122内の全体が所定の色124が消えて消色する。また、実施形態1では、研磨装置10は、ウェーハ1の研磨開始から所定時間経過してから以降では、研磨パッド12全体が所定の温度に維持されて、研磨パッド12の研磨領域122内の全体が消色した状態を維持する。 In the first embodiment, in the polishing apparatus 10, when the polishing pad 12 normally polishes the wafer 1, after a predetermined time elapses from the start of polishing the wafer 1, the entire polishing pad 12 reaches a predetermined temperature, and FIG. As shown in the above, the entire inside of the polishing area 122 of the polishing pad 12 disappears and the predetermined color 124 disappears. Further, in the first embodiment, the polishing apparatus 10 keeps the entire polishing pad 12 at a predetermined temperature after a predetermined time has elapsed from the start of polishing the wafer 1, and the entire polishing pad 12 in the polishing region 122. Maintains the decolorized state.

また、研磨中、研磨装置10は、ウェーハ1の研磨開始から所定時間経過すると、制御ユニット100が撮像ユニット50を制御して、撮像ユニット50に研磨パッド12を撮像させる。研磨装置10は、制御ユニット100の判定部102が、撮像ユニット50が撮像して得た画像から研磨パッド12の色の情報であるR(赤色)の光の強度と、G(緑色)の光の強度と、及びB(青色)の光の強度とを検出する。研磨装置10は、制御ユニット100の判定部102が、撮像ユニット50が撮像して得た画像から検出した研磨パッド12の色の情報であるR(赤色)の光の強度と、G(緑色)の光の強度と、及びB(青色)の光の強度と、正常データ記憶部101に記憶された正常色データ103のR(赤色)の光の正常時強度と、G(緑色)の光の正常時強度と、及びB(青色)の光の正常時強度とを比較し、前述した強度の差が予め記憶された所定値よりも低い部分123の面積を算出する。 Further, during polishing, when a predetermined time elapses from the start of polishing of the wafer 1, the control unit 100 controls the image pickup unit 50 to cause the image pickup unit 50 to take an image of the polishing pad 12. In the polishing device 10, the determination unit 102 of the control unit 100 captures the image obtained by the image pickup unit 50, and the intensity of the R (red) light, which is the color information of the polishing pad 12, and the light of G (green). And the intensity of B (blue) light are detected. In the polishing device 10, the determination unit 102 of the control unit 100 has R (red) light intensity, which is color information of the polishing pad 12 detected from the image obtained by the image pickup unit 50, and G (green). Light intensity, B (blue) light intensity, R (red) light intensity of normal color data 103 stored in the normal data storage unit 101, and G (green) light intensity. The normal intensity and the normal intensity of B (blue) light are compared, and the area of the portion 123 whose above-mentioned difference in intensity is lower than the predetermined value stored in advance is calculated.

研磨装置10は、制御ユニット100の判定部102が、算出した部分123の面積が予め記憶装置に記憶(設定)された所定の領域(面積)よりも小さいか否かを判定し、研磨パッド12によるウェーハ1の研磨が正常であるか否かを判定する。例えば、研磨装置10は、撮像ユニット50が撮像して得た画像が図5にように研磨パッド12の研磨領域122内の全体が消色していると、算出した部分123の面積が所定の領域(面積)以上であると判定して、研磨パッド12によるウェーハ1の研磨が正常であると判定し、判定結果を表示ユニット110に表示して、オペレータに判定結果を報知する。 The polishing device 10 determines whether or not the calculated area of the portion 123 is smaller than a predetermined area (area) stored (set) in the storage device in advance by the determination unit 102 of the control unit 100, and the polishing pad 12 determines. It is determined whether or not the polishing of the wafer 1 is normal. For example, in the polishing device 10, when the image obtained by the image pickup unit 50 is completely decolorized in the polishing area 122 of the polishing pad 12 as shown in FIG. 5, the calculated area of the portion 123 is predetermined. It is determined that the area is equal to or larger than the area (area), it is determined that the polishing of the wafer 1 by the polishing pad 12 is normal, the determination result is displayed on the display unit 110, and the determination result is notified to the operator.

また、研磨装置10は、撮像ユニット50が撮像して得た画像が図6にように研磨パッド12の所定の色124を発している部分が存在すると、算出した部分123の面積が所定の領域(面積)よりも小さいと判定して、研磨パッド12によるウェーハ1の研磨が異常であると判定し、判定結果を表示ユニット110に表示するとともに、報知ユニット130から音と光の一方を発して、オペレータに判定結果を報知する。研磨装置10は、ウェーハ1の裏面6の所定の研磨を終了すると、研磨動作を終了する。 Further, in the polishing apparatus 10, if there is a portion where the image obtained by the image pickup unit 50 emits a predetermined color 124 of the polishing pad 12 as shown in FIG. 6, the area of the calculated portion 123 is a predetermined region. It is determined that it is smaller than (area), it is determined that the polishing of the wafer 1 by the polishing pad 12 is abnormal, the determination result is displayed on the display unit 110, and one of sound and light is emitted from the notification unit 130. , Notify the operator of the determination result. The polishing apparatus 10 ends the polishing operation when the predetermined polishing of the back surface 6 of the wafer 1 is completed.

以上説明した実施形態1に係る研磨パッド12は、樹脂材料に温度に応じて色が可逆的に変化する塗料を含むことで、研磨中の温度に応じて色が変化する。このために、研磨パッド12は、研磨中の研磨パッド12の色を視認することで、研磨パッド12の温度を認識することができる。その結果、研磨パッド12は、一部に穴を開け、そこに温度センサを配置することなく温度を検出することができ、研磨の不安定を引き起こすことなく、研磨中の温度を検出することを可能とすることができる。 The polishing pad 12 according to the first embodiment described above contains a paint whose color changes reversibly according to the temperature in the resin material, so that the color changes according to the temperature during polishing. Therefore, the polishing pad 12 can recognize the temperature of the polishing pad 12 by visually recognizing the color of the polishing pad 12 during polishing. As a result, the polishing pad 12 can detect the temperature without making a hole in a part and arranging a temperature sensor there, and can detect the temperature during polishing without causing instability of polishing. It can be possible.

また、研磨装置10は、前述した研磨パッド12を備えているので、研磨の不安定を引き起こすことなく、研磨中の温度を検出することを可能とすることができる。また、研磨パッド12及び研磨装置10は、研磨中の温度に応じて色が変化するために、研磨において適切な種類の研磨液11が用いられているか否か、即ち、研磨の加工条件が適切であるか否かなどの研磨液11の適切なものへ変更されているか否かや、適切な加工条件へ変更されているか否かを確認することができる。 Further, since the polishing device 10 includes the polishing pad 12 described above, it is possible to detect the temperature during polishing without causing instability of polishing. Further, since the color of the polishing pad 12 and the polishing device 10 changes depending on the temperature during polishing, whether or not an appropriate type of polishing liquid 11 is used in polishing, that is, the polishing processing conditions are appropriate. It is possible to confirm whether or not the polishing liquid 11 has been changed to an appropriate one, and whether or not the polishing liquid 11 has been changed to an appropriate processing condition.

例えば、研磨パッド12及び研磨装置10は、特許文献2に示すように、研磨液が研磨中にアルカリ性の水溶液から純水に変更されても、発生する加工熱が異なるため研磨パッド12の色の変化によって、研磨液11が適切に変更されたか否かを確認することができる。 For example, as shown in Patent Document 2, the polishing pad 12 and the polishing device 10 generate different processing heat even if the polishing liquid is changed from an alkaline aqueous solution to pure water during polishing, so that the color of the polishing pad 12 is different. By the change, it can be confirmed whether or not the polishing liquid 11 is appropriately changed.

また、研磨装置10は、ウェーハ1を研磨中に検出された研磨パッド12の色と、予め登録された正常な研磨時の研磨パッド12の色とを比較して、研磨が正常か否かを判定し、判定結果を報知する判定部102即ち制御ユニット100を備えている。その結果、研磨装置10は、ウェーハ1の研磨中に研磨が正常か否かを認識することができる。 Further, the polishing apparatus 10 compares the color of the polishing pad 12 detected while polishing the wafer 1 with the color of the polishing pad 12 at the time of normal polishing registered in advance, and determines whether or not the polishing is normal. A determination unit 102, that is, a control unit 100, for determining and notifying the determination result is provided. As a result, the polishing apparatus 10 can recognize whether or not the polishing is normal during the polishing of the wafer 1.

また、研磨装置10は、判定部102即ち制御ユニット100が、研磨パッド12の色が変化した領域である研磨開始から所定時間経過に消色した部分123が予め設定した領域より小さいか否かを判定して研磨が正常か否かを判定し、判定結果を報知するので、研磨パッド12の色を認識することで、ウェーハ1の裏面6全体に研磨パッド12が適切に当接しているか、研磨パッド12が均一の圧力で当接しているか、等も認識することができる。 Further, the polishing device 10 determines whether or not the determination unit 102, that is, the control unit 100, has a portion 123 that has been decolorized after a lapse of a predetermined time from the start of polishing, which is a region where the color of the polishing pad 12 has changed, smaller than a preset region. Since the determination is made to determine whether the polishing is normal and the determination result is notified, by recognizing the color of the polishing pad 12, whether the polishing pad 12 is properly in contact with the entire back surface 6 of the wafer 1 or not is polished. It can also be recognized whether the pads 12 are in contact with each other with a uniform pressure.

〔実施形態2〕
本発明の実施形態2に係る研磨装置を図面に基づいて説明する。図7は、実施形態2に係る研磨装置の概略の構成を示す側面図である。なお、図7は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
[Embodiment 2]
The polishing apparatus according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 7 is a side view showing a schematic configuration of the polishing apparatus according to the second embodiment. In FIG. 7, the same parts as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

実施形態2に係る研磨装置10は、図7に示すように、制御ユニット100が正常データ記憶部101の代わりに異常データ記憶部104を備え、判定部102の判定内容が異なること以外、実施形態1と同じである。異常データ記憶部104は、ウェーハ1を異常な状態で研磨中の研磨パッド12の上面121の色を示す異常色データ105を記憶している。異常色データ105は、ウェーハ1を異常な状態で研磨中の研磨パッド12の上面121を撮像ユニット50が撮像して得た画像のR(赤色)の光の強度である異常時強度と、G(緑色)の光の強度である異常時強度と、及びB(青色)の光の強度である異常時強度を含む。 In the polishing apparatus 10 according to the second embodiment, as shown in FIG. 7, the control unit 100 includes an abnormal data storage unit 104 instead of the normal data storage unit 101, and the determination content of the determination unit 102 is different. Same as 1. The abnormality data storage unit 104 stores the abnormality color data 105 indicating the color of the upper surface 121 of the polishing pad 12 during polishing of the wafer 1 in an abnormal state. The abnormal color data 105 includes an abnormal intensity which is the intensity of R (red) light of an image obtained by imaging the upper surface 121 of the polishing pad 12 in which the wafer 1 is being polished in an abnormal state by the imaging unit 50, and G. It includes an abnormal intensity which is the intensity of (green) light and an abnormal intensity which is the intensity of B (blue) light.

判定部102は、ウェーハ1を研磨中の研磨パッド12の上面121を撮像ユニット50が撮像して得た画像から、実施形態1と同様に、R(赤色)の光の強度と、G(緑色)の光の強度と、及びB(青色)の光の強度を検出する。判定部102は、ウェーハ1を研磨中の研磨パッド12の上面121を撮像ユニット50が撮像して得た画像から検出した研磨パッド12の色の情報であるR(赤色)の光の強度と、G(緑色)の光の強度と、及びB(青色)の光の強度と、異常データ記憶部104に記憶された異常色データ105とを対比して、研磨パッド12によるウェーハ1の研磨の状態を判定する。 Similar to the first embodiment, the determination unit 102 has R (red) light intensity and G (green) from the image obtained by the image pickup unit 50 taking an image of the upper surface 121 of the polishing pad 12 while the wafer 1 is being polished. ) And the light intensity of B (blue) are detected. The determination unit 102 determines the intensity of R (red) light, which is color information of the polishing pad 12 detected from the image obtained by imaging the upper surface 121 of the polishing pad 12 while the wafer 1 is being polished by the image pickup unit 50. The state of polishing of the wafer 1 by the polishing pad 12 by comparing the light intensity of G (green), the light intensity of B (blue), and the abnormal color data 105 stored in the abnormal data storage unit 104. Is determined.

判定時には、判定部102は、ウェーハ1を研磨中の研磨パッド12の上面121を撮像ユニット50が撮像して得た画像から検出したR(赤色)の光の強度、G(緑色)の光の強度、及びB(青色)の光の強度と、異常データ記憶部104に記憶された異常色データ105のR(赤色)の光の異常時強度、G(緑色)の光の異常時強度、及びB(青色)の光の異常時強度とを比較する。具体的には、判定部102は、撮像ユニット50が撮像して得た画像から検出したR(赤色)の光の強度と異常色データ105のR(赤色)の光の異常強度との差が予め記憶された所定値以上で、撮像ユニット50が撮像して得た画像から検出したG(緑色)の光の強度と異常色データ105のG(緑色)の光の異常時強度との差が予め記憶された所定値以上で、撮像ユニット50が撮像して得た画像から検出したB(青色)の光の強度と異常色データ105のB(青色)の光の異常時強度との差が予め記憶された所定値以上である部分123(図5及び図6中に研磨パッド12の上面121の研磨領域122内の白地で示す部分)の面積を算出する。なお、実施形態1では、部分123は、研磨開始から所定時間経過に、研磨パッド12の消色した部分でもある。 At the time of determination, the determination unit 102 determines the intensity of the R (red) light and the intensity of the G (green) light detected from the image obtained by imaging the upper surface 121 of the polishing pad 12 while the wafer 1 is being polished by the image pickup unit 50. Intensity, B (blue) light intensity, R (red) light abnormal intensity of abnormal color data 105 stored in the abnormal data storage unit 104, G (green) light abnormal intensity, and Compare with the abnormal intensity of B (blue) light. Specifically, the determination unit 102 has a difference between the intensity of the R (red) light detected from the image captured by the imaging unit 50 and the abnormal intensity of the R (red) light of the abnormal color data 105. The difference between the intensity of G (green) light detected from the image obtained by the image pickup unit 50 and the intensity of G (green) light of the abnormal color data 105 at the time of abnormality is equal to or higher than a predetermined value stored in advance. The difference between the intensity of the B (blue) light detected from the image obtained by the image pickup unit 50 and the abnormal intensity of the B (blue) light of the abnormal color data 105 is equal to or higher than the predetermined value stored in advance. The area of the portion 123 (the portion shown by the white background in the polishing region 122 of the upper surface 121 of the polishing pad 12 in FIGS. 5 and 6) which is equal to or larger than the predetermined value stored in advance is calculated. In the first embodiment, the portion 123 is also a decolorized portion of the polishing pad 12 after a predetermined time has elapsed from the start of polishing.

判定部102は、算出した部分123の面積が予め記憶装置に記憶(設定)された領域(面積)よりも小さいか否かを判定する。判定部102は、算出した部分123の面積が予め記憶装置に記憶(設定)された領域(面積)よりも小さくない(即ち、領域(面積)以上である)と判定すると、研磨パッド12によるウェーハ1の研磨が正常であると判定し、判定結果を表示ユニット110に表示して、オペレータに判定結果を報知する。また、判定部102は、算出した部分123の面積が予め記憶装置に記憶(設定)された領域(面積)よりも小さいと判定すると、研磨パッド12によるウェーハ1の研磨が異常であると判定して、判定結果を表示ユニット110に表示するとともに、報知ユニット130から音と光の一方を発して、オペレータに判定結果を報知する。 The determination unit 102 determines whether or not the calculated area of the portion 123 is smaller than the area (area) stored (set) in the storage device in advance. When the determination unit 102 determines that the calculated area of the portion 123 is not smaller than the area (area) stored (set) in the storage device in advance (that is, is equal to or larger than the area (area)), the wafer by the polishing pad 12 is used. It is determined that the polishing of 1 is normal, the determination result is displayed on the display unit 110, and the determination result is notified to the operator. Further, when the determination unit 102 determines that the calculated area of the portion 123 is smaller than the area (area) stored (set) in the storage device in advance, the determination unit 102 determines that the polishing of the wafer 1 by the polishing pad 12 is abnormal. The determination result is displayed on the display unit 110, and one of sound and light is emitted from the notification unit 130 to notify the operator of the determination result.

こうして、実施形態1では、判定部102即ち制御ユニット100は、ウェーハ1を研磨中に検出された研磨パッド12の色と、予め登録された異常な研磨時の研磨パッド12の色とを比較して、研磨が正常か否かを判定し、判定結果を報知する。また、こうして、実施形態1では、研磨パッド12が、研磨開始時の常温では所定の色124を発色し、正常にウェーハ1を研磨する状態で研磨開始から所定時間経過すると全体が消色する塗料を含んでいるので、判定部102即ち制御ユニット100は、研磨パッド12の色が変化した領域である研磨開始から所定時間経過に消色した部分123が、予め設定した領域より小さいか否かを判定して、研磨が正常か否かを判定し、判定結果を報知する。 Thus, in the first embodiment, the determination unit 102, that is, the control unit 100, compares the color of the polishing pad 12 detected while polishing the wafer 1 with the color of the polishing pad 12 at the time of abnormal polishing registered in advance. Then, it is determined whether or not the polishing is normal, and the determination result is notified. Further, in the first embodiment, the polishing pad 12 develops a predetermined color 124 at room temperature at the start of polishing, and the entire surface is decolorized when a predetermined time elapses from the start of polishing in a state where the wafer 1 is normally polished. The determination unit 102, that is, the control unit 100 determines whether or not the portion 123 that has been decolorized after a predetermined time has elapsed from the start of polishing, which is the region where the color of the polishing pad 12 has changed, is smaller than the preset region. Judgment is made, it is judged whether or not polishing is normal, and the judgment result is notified.

実施形態2に係る研磨パッド12は、実施形態1と同様に、樹脂材料に温度に応じて色が可逆的に変化する塗料を含んでいるので、研磨中の温度に応じて色が変化するために、一部に穴を開け、そこに温度センサを配置することなく温度を検出することができ、研磨の不安定を引き起こすことなく、研磨中の温度を検出することを可能とすることができる。 As in the first embodiment, the polishing pad 12 according to the second embodiment contains a paint whose color changes reversibly according to the temperature in the resin material, so that the color changes according to the temperature during polishing. In addition, it is possible to detect the temperature without making a hole in a part and placing a temperature sensor there, and it is possible to detect the temperature during polishing without causing instability of polishing. ..

また、研磨装置10は、前述した研磨パッド12を備えているので、実施形態1と同様に、研磨の不安定を引き起こすことなく、研磨中の温度を検出することを可能とすることができる。 Further, since the polishing device 10 is provided with the polishing pad 12 described above, it is possible to detect the temperature during polishing without causing instability of polishing, as in the first embodiment.

〔変形例〕
本発明の実施形態1及び実施形態2の変形例に係る研磨装置を図面に基づいて説明する。図8は、実施形態1及び実施形態2の変形例に係る研磨装置の概略の構成を示す側面図である。なお、図8は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
[Modification example]
The polishing apparatus according to the first and second embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 8 is a side view showing a schematic configuration of a polishing apparatus according to a modification of the first embodiment and the second embodiment. In FIG. 8, the same parts as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

変形例に係る研磨装置10−1は、図8に示すように、ウェーハ1を吸引保持するチャックテーブル30を、ウェーハ1の裏面6を研磨する研磨ユニット20の研磨パッド12に対向させて研磨ユニット20の下方に配置している。 In the polishing apparatus 10-1 according to the modified example, as shown in FIG. 8, the chuck table 30 that sucks and holds the wafer 1 is opposed to the polishing pad 12 of the polishing unit 20 that polishes the back surface 6 of the wafer 1, and is a polishing unit. It is placed below 20.

変形例に係る研磨装置10−1の研磨ユニット20は、研磨ホイール21をスピンドル27の下端に取り付け、研磨パッド12をホイール基台23の装着面である下面26に装着し、研磨パッド12をチャックテーブル30に吸引保持されたウェーハ1に向かって鉛直方向に沿って押圧する。 In the polishing unit 20 of the polishing apparatus 10-1 according to the modified example, the polishing wheel 21 is attached to the lower end of the spindle 27, the polishing pad 12 is attached to the lower surface 26 which is the mounting surface of the wheel base 23, and the polishing pad 12 is chucked. It is pressed along the vertical direction toward the wafer 1 attracted and held by the table 30.

変形例に係る研磨装置10−1のチャックテーブル30は、上面34が研磨パッド12に対向して、ウェーハ1の表面3を吸引保持する保持面である。変形例に係る研磨装置10−1のチャックテーブル30は、スピンドル31の上端に取り付けられている。 The chuck table 30 of the polishing apparatus 10-1 according to the modified example is a holding surface in which the upper surface 34 faces the polishing pad 12 and sucks and holds the surface 3 of the wafer 1. The chuck table 30 of the polishing apparatus 10-1 according to the modified example is attached to the upper end of the spindle 31.

また、変形例に係る研磨装置10−1は、スピンドル27及び研磨ホイール21の中心に設けられ、研磨パッド12の下面125に開口した研磨液供給通路41を通して研磨液11を供給する、また、変形例に係る研磨装置10−1の撮像ユニット50は、研磨パッド12の下面125の下方に配置されて、研磨パッド12の下面125を撮像する。 Further, the polishing apparatus 10-1 according to the modified example is provided at the center of the spindle 27 and the polishing wheel 21, and supplies the polishing liquid 11 through the polishing liquid supply passage 41 opened in the lower surface 125 of the polishing pad 12, and also deforms. The image pickup unit 50 of the polishing apparatus 10-1 according to the example is arranged below the lower surface 125 of the polishing pad 12, and images the lower surface 125 of the polishing pad 12.

変形例に係る研磨パッド12及び研磨装置10は、実施形態1及び実施形態2と同様に、樹脂材料に温度に応じて色が可逆的に変化する塗料を含んでいるので、研磨中の温度に応じて色が変化するために、一部に穴を開け、そこに温度センサを配置することなく温度を検出することができ、研磨の不安定を引き起こすことなく、研磨中の温度を検出することを可能とすることができる。 Similar to the first and second embodiments, the polishing pad 12 and the polishing apparatus 10 according to the modified example include a paint whose color changes reversibly depending on the temperature in the resin material, so that the temperature during polishing can be adjusted. Since the color changes accordingly, it is possible to detect the temperature without making a hole in a part and placing a temperature sensor there, and to detect the temperature during polishing without causing instability of polishing. Can be made possible.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、本発明では、研磨パッド12が、樹脂材料に互いに色を消色する温度が異なる塗料を複数含んでも良い。この場合、研磨パッド12が、研磨開始時の常温では所定の色124を発色し正常にウェーハ1を研磨する状態で研磨開始から所定時間経過すると全体が消色する塗料に加え、常温では所定の色124と異なる第2の所定の色を発色しかつ所定の温度よりも高温の第2の所定の温度で消色する第2の塗料を含んでも良い。この場合、研磨パッド12は、所定の温度を維持すると塗料が消色して、第2の塗料の第2の所定の色を発色するので、研磨パッド12の色を検出することで研磨が正常か否かを判定できるとともに、所定の温度よりも高温の第2の所定の温度になると第2の塗料も消色するので、研磨パッド12の色を検出することで、研磨中の研磨パッド12が所定の温度よりも高温になる研磨の異常も検出することができる。また、本発明では、研磨パッド12が、樹脂材料に常温(研磨開始前)では発色していなく所定の温度になると所定の色を発色する塗料を含んでいいても良い。即ち、本発明では、研磨パッド12が、常温(研磨開始前)では発色しない場合でも良い。 The present invention is not limited to the above embodiment. That is, it can be variously modified and carried out within a range that does not deviate from the gist of the present invention. For example, in the present invention, the polishing pad 12 may contain a plurality of paints having different temperatures at which the resin materials are decolorized from each other. In this case, in addition to the paint that the polishing pad 12 develops a predetermined color 124 at room temperature at the start of polishing and the entire surface is decolorized after a predetermined time has passed from the start of polishing in a state where the wafer 1 is normally polished, a predetermined color is specified at room temperature. It may contain a second paint that develops a second predetermined color different from the color 124 and erases the color at a second predetermined temperature higher than the predetermined temperature. In this case, when the polishing pad 12 maintains a predetermined temperature, the paint is decolorized and a second predetermined color of the second paint is developed. Therefore, the polishing is normal by detecting the color of the polishing pad 12. It is possible to determine whether or not the color is present, and the second paint is also decolorized when the temperature reaches a second predetermined temperature higher than the predetermined temperature. Therefore, by detecting the color of the polishing pad 12, the polishing pad 12 being polished It is also possible to detect abnormalities in polishing in which the temperature becomes higher than a predetermined temperature. Further, in the present invention, the polishing pad 12 may include a paint that does not develop a color at room temperature (before the start of polishing) but develops a predetermined color at a predetermined temperature in the resin material. That is, in the present invention, the polishing pad 12 may not develop color at room temperature (before the start of polishing).

なお、研磨中の研磨パッド12が所定の温度よりも高温になる研磨の異常は、研磨液11の不足、研磨液11の温度が高すぎること、又は研磨パッド12のウェーハ1の押圧力が高過ぎることが原因で発生すると考えられる。また、研磨中の研磨パッド12が所定の温度よりも低温になるのは、研磨液11の過多、研磨液11の温度が低くすぎること、又は研磨パッド12のウェーハ1の押圧力が低く過ぎることが原因で発生すると考えられる。 In addition, the abnormality of polishing that the polishing pad 12 becomes higher than a predetermined temperature during polishing is that the polishing liquid 11 is insufficient, the temperature of the polishing liquid 11 is too high, or the pressing force of the wafer 1 of the polishing pad 12 is high. It is thought that it is caused by passing. Further, the reason why the polishing pad 12 during polishing becomes lower than a predetermined temperature is that the polishing liquid 11 is excessive, the temperature of the polishing liquid 11 is too low, or the pressing force of the wafer 1 of the polishing pad 12 is too low. Is thought to be the cause.

1 ウェーハ
6 裏面(被研磨面)
10 研磨装置
11 研磨液
12 研磨パッド
20 研磨ユニット
24 上面(装着面)
25 回転軸
26 下面(装着面)
30 チャックテーブル
32 下面(保持面)
33 回転軸
34 上面(保持面)
100 制御ユニット(判定ユニット)
123 部分(研磨パッドの色が変化した領域)
1 Wafer 6 Back side (polished surface)
10 Polishing device 11 Polishing liquid 12 Polishing pad 20 Polishing unit 24 Top surface (mounting surface)
25 Rotating shaft 26 Bottom surface (mounting surface)
30 Chuck table 32 Bottom surface (holding surface)
33 Rotating shaft 34 Top surface (holding surface)
100 Control unit (judgment unit)
123 parts (area where the color of the polishing pad changed)

Claims (3)

ウェーハの被研磨面に押圧されてウェーハを研磨する研磨パッドであって、
温度に応じて色が可逆的に変化する塗料を含み、該塗料の色によって研磨中の温度が視認できる研磨パッド。
A polishing pad that is pressed against the surface to be polished of the wafer to polish the wafer.
A polishing pad that contains a paint whose color changes reversibly according to the temperature, and the temperature during polishing can be visually recognized by the color of the paint.
請求項1に記載の研磨パッドを用いてウェーハを研磨する研磨装置であって、
ウェーハを保持する保持面を有し、該保持面と直交する回転軸で回転するチャックテーブルと、
該保持面と平行な装着面に該チャックテーブルよりも大きい直径の研磨パッドが装着され、該装着面と直交する回転軸で回転する研磨ユニットと、
ウェーハを研磨中の該研磨パッドの色を検出し、該研磨の状態を判定する判定ユニットと、を備え、
該判定ユニットは、ウェーハを研磨中に検出された該研磨パッドの色と、予め登録された正常又は異常な研磨時の該研磨パッドの色とを比較して、研磨が正常か否かを判定し、判定結果を報知する研磨装置。
A polishing apparatus for polishing a wafer using the polishing pad according to claim 1.
A chuck table having a holding surface for holding a wafer and rotating on a rotation axis orthogonal to the holding surface,
A polishing unit having a diameter larger than that of the chuck table mounted on a mounting surface parallel to the holding surface and rotating on a rotation axis orthogonal to the mounting surface, and a polishing unit.
A determination unit that detects the color of the polishing pad during polishing of the wafer and determines the polishing state is provided.
The determination unit compares the color of the polishing pad detected while polishing the wafer with the color of the polishing pad at the time of normal or abnormal polishing registered in advance, and determines whether or not the polishing is normal. A polishing device that notifies the judgment result.
該判定ユニットは、該研磨パッドの色が変化した領域が、予め設定した領域より小さいか否かを判定し、判定結果を報知する請求項2に記載の研磨装置。 The polishing device according to claim 2, wherein the determination unit determines whether or not the region where the color of the polishing pad has changed is smaller than a preset region, and notifies the determination result.
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