JP2021182687A - Front-end module - Google Patents

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武彦 加藤
Takehiko Kato
優作 駒村
Yusaku Komamura
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Abstract

To provide a front-end module capable of suppressing deterioration in performance.SOLUTION: A front-end module 1 comprises: a PA1 that amplifies a first transmission signal; a PA2 that amplifies a second transmission signal; an LNA1 that amplifies a first reception signal; an LNA2 that amplifies a second reception signal; an FIL1 that filters the first transmission signal or the first reception signal; an FIL2 that filters the second transmission signal or the second reception signal; a TX/RXSW1 that switches the first transmission signal and the first reception signal to be passed through the FIL1; and a TX/RXSW2 that switches the second transmission signal and the second reception signal to be passed through the FIL 2. A substrate 2 has: a first region 100 where the PA1 and the FIL1 are mounted; a second region 200 where the PA2 and the FIL2 are mounted; and a third region 300 where the LNA1, the LNA2, the TX/RXSW1 and the TX/RXSW2 are mounted.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、フロントエンドモジュールに関する。 The present invention relates to a front-end module.

近年、携帯端末の新たな通信規格である第5世代移動通信システム(以下、単に「5G」とも称する)に対応したフロントエンドモジュールの開発が進められている。フロントエンドモジュールは、PA(Power Amp)やLNA(Low Noise Amp)等の無線フロントエンド回路にて用いられる各種機能部品を一体化した超小型集積モジュールである。フロントエンドモジュールは、例えばLTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics)や誘電体基板上に複数の機能デバイスが実装される。 In recent years, the development of front-end modules compatible with the 5th generation mobile communication system (hereinafter, also simply referred to as "5G"), which is a new communication standard for mobile terminals, has been promoted. The front-end module is an ultra-compact integrated module that integrates various functional components used in wireless front-end circuits such as PA (Power Amp) and LNA (Low Noise Amp). In the front-end module, for example, a plurality of functional devices are mounted on an LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics) or a dielectric substrate.

1つの基板上に複数の機能デバイスを実装してフロントエンドモジュールを構成する際、機能デバイスの配置によっては、性能劣化を招くことが考えられる。例えば、送受信信号の伝送経路が長くなると、送受信信号の伝搬ロスが大きくなる可能性がある。また、複数のPAを有する構成では、各PAの発熱が互いに影響を及ぼし、増幅特性の劣化を招く可能性がある。また、複数のフィルタ回路を有する構成では、回路間のアイソレーションが悪化する場合がある。 When a plurality of functional devices are mounted on one board to form a front-end module, performance deterioration may occur depending on the arrangement of the functional devices. For example, if the transmission path of the transmission / reception signal becomes long, the propagation loss of the transmission / reception signal may increase. Further, in a configuration having a plurality of PAs, the heat generated by each PA may affect each other, resulting in deterioration of the amplification characteristics. Further, in a configuration having a plurality of filter circuits, isolation between the circuits may deteriorate.

本開示は、上記に鑑みてなされたものであって、性能劣化を抑制することができるフロントエンドモジュールを実現することを目的とする。 The present disclosure has been made in view of the above, and an object of the present disclosure is to realize a front-end module capable of suppressing performance deterioration.

本開示の一側面のフロントエンドモジュールは、基板に複数の回路ブロックが実装されるフロントエンドモジュールであって、前記回路ブロックは、第1送信信号を増幅する第1パワーアンプ回路と、第2送信信号を増幅する第2パワーアンプ回路と、第1受信信号を増幅する第1ローノイズアンプ回路と、第2受信信号を増幅する第2ローノイズアンプ回路と、第1送信信号又は第1受信信号をフィルタリングする第1フィルタ回路と、第2送信信号又は第2受信信号をフィルタリングする第2フィルタ回路と、前記第1フィルタ回路を通過する前記第1送信信号と前記第1受信信号とを切り替える第1送受信切替回路と、前記第2フィルタ回路を通過する前記第2送信信号と前記第2受信信号とを切り替える第2送受信切替回路と、を含み、前記基板は、前記第1パワーアンプ回路及び前記第1フィルタ回路が実装される第1領域と、前記第2パワーアンプ回路及び前記第2フィルタ回路が実装される第2領域と、前記第1ローノイズアンプ回路、前記第2ローノイズアンプ回路、前記第1送受信切替回路、及び前記第2送受信切替回路が実装される第3領域と、を有し、前記第1領域と前記第2領域とが、前記第3領域を挟むように配置されていることを特徴とする。 The front-end module on one aspect of the present disclosure is a front-end module in which a plurality of circuit blocks are mounted on a substrate, and the circuit blocks are a first power amplifier circuit for amplifying a first transmission signal and a second transmission. The second power amplifier circuit that amplifies the signal, the first low noise amplifier circuit that amplifies the first received signal, the second low noise amplifier circuit that amplifies the second received signal, and the first transmission signal or the first reception signal are filtered. First transmission / reception that switches between the first filter circuit, the second filter circuit that filters the second transmission signal or the second reception signal, and the first transmission signal and the first reception signal that pass through the first filter circuit. The substrate includes a switching circuit and a second transmission / reception switching circuit for switching between the second transmission signal and the second reception signal passing through the second filter circuit, and the substrate includes the first power amplifier circuit and the first. The first region in which the filter circuit is mounted, the second region in which the second power amplifier circuit and the second filter circuit are mounted, the first low noise amplifier circuit, the second low noise amplifier circuit, and the first transmission / reception It has a switching circuit and a third region on which the second transmission / reception switching circuit is mounted, and the first region and the second region are arranged so as to sandwich the third region. And.

この構成では、第1受信信号及び第2受信信号の伝送経路、及び、第1送信信号及び第2送信信号の伝送経路を短くすることができ、各送受信信号の伝搬ロスを低減することができる。また、第1パワーアンプ回路及び第2パワーアンプ回路の発熱による増幅特性の劣化を抑制することができる。また、第1フィルタ回路と第2フィルタ回路との間のアイソレーションの悪化を抑制することができる。 In this configuration, the transmission path of the first received signal and the second received signal and the transmission path of the first transmitted signal and the second transmitted signal can be shortened, and the propagation loss of each transmitted / received signal can be reduced. .. Further, it is possible to suppress deterioration of the amplification characteristics due to heat generation of the first power amplifier circuit and the second power amplifier circuit. In addition, deterioration of isolation between the first filter circuit and the second filter circuit can be suppressed.

さらに、第1領域と第2領域との間に第3領域を挟むことによって、第1領域の第1パワーアンプ回路によって増幅した信号が第2領域に漏れこむことを防ぐことができる。また、第2領域の第2パワーアンプによって増幅した信号が第1領域に漏れこむことを防ぐことができる。 Further, by sandwiching the third region between the first region and the second region, it is possible to prevent the signal amplified by the first power amplifier circuit in the first region from leaking into the second region. Further, it is possible to prevent the signal amplified by the second power amplifier in the second region from leaking into the first region.

上記フロントエンドモジュールにおいて、前記第1パワーアンプ回路及び前記第2パワーアンプ回路に印加する電源電圧のデカップリングコンデンサと、前記デカップリングコンデンサの容量値を切り替えるデカップリングコンデンサ切替回路と、を備え、前記デカップリングコンデンサ及び前記デカップリングコンデンサ切替回路は、前記第3領域に実装されていることを特徴とする。 The front-end module includes a decoupling capacitor of a power supply voltage applied to the first power amplifier circuit and the second power amplifier circuit, and a decoupling capacitor switching circuit for switching the capacitance value of the decoupling capacitor. The decoupling capacitor and the decoupling capacitor switching circuit are mounted in the third region.

この構成では、デカップリングコンデンサ切替回路とデカップリングコンデンサとの間の配線を短くすることができる。また、デカップリングコンデンサと第1領域との間の配線、及び、デカップリングコンデンサと第2領域との間の配線を短くすることができる。これにより、平滑機能の低下を抑制することができる。 In this configuration, the wiring between the decoupling capacitor switching circuit and the decoupling capacitor can be shortened. Further, the wiring between the decoupling capacitor and the first region and the wiring between the decoupling capacitor and the second region can be shortened. As a result, deterioration of the smoothing function can be suppressed.

本開示の一側面のフロントエンドモジュールは、基板に複数のデバイスが実装されるフロントエンドモジュールであって、前記デバイスは、第1送信信号を増幅する第1パワーアンプ回路を含む第1チップデバイスと、第2送信信号を増幅する第2パワーアンプ回路を含む第2チップデバイスと、第1受信信号を増幅する第1ローノイズアンプ回路、第2受信信号を増幅する第2ローノイズアンプ回路、前記第1フィルタ回路を通過する前記第1送信信号と前記第1受信信号とを切り替える第1送受信切替回路、及び、前記第2フィルタ回路を通過する前記第2送信信号と前記第2受信信号とを切り替える第2送受信切替回路を含む第3チップデバイスと、第1送信信号又は第1受信信号をフィルタリングする第1フィルタ回路の構成部品と、第2送信信号又は第2受信信号をフィルタリングする第2フィルタ回路の構成部品と、を含み、前記基板上において、前記第1チップデバイス及び前記第1フィルタ回路の構成部品と、前記第2チップデバイス及び前記第2フィルタ回路の構成部品とが、前記第3チップデバイスを挟む位置に実装されていることを特徴とする。 The front-end module according to one aspect of the present disclosure is a front-end module in which a plurality of devices are mounted on a substrate, wherein the device is a first chip device including a first power amplifier circuit for amplifying a first transmission signal. , A second chip device including a second power amplifier circuit that amplifies the second transmission signal, a first low noise amplifier circuit that amplifies the first received signal, a second low noise amplifier circuit that amplifies the second received signal, the first. A first transmission / reception switching circuit that switches between the first transmission signal and the first reception signal that passes through the filter circuit, and a second transmission signal that switches between the second transmission signal and the second reception signal that passes through the second filter circuit. 2 A third chip device including a transmission / reception switching circuit, a component of a first filter circuit for filtering a first transmission signal or a first reception signal, and a second filter circuit for filtering a second transmission signal or a second reception signal. The third chip device includes the components, the first chip device and the components of the first filter circuit, and the second chip device and the components of the second filter circuit on the substrate. It is characterized in that it is mounted at a position that sandwiches.

この構成では、第1受信信号及び第2受信信号の伝送経路、及び、第1送信信号及び第2送信信号の伝送経路を短くすることができ、各送受信信号の伝搬ロスを低減することができる。また、第1チップデバイス及び第2チップデバイスの発熱による増幅特性の劣化を抑制することができる。また、第1フィルタ回路の構成部品と第2フィルタ回路の構成部品との間のアイソレーションの悪化を抑制することができる。 In this configuration, the transmission path of the first received signal and the second received signal and the transmission path of the first transmitted signal and the second transmitted signal can be shortened, and the propagation loss of each transmitted / received signal can be reduced. .. In addition, deterioration of amplification characteristics due to heat generation of the first chip device and the second chip device can be suppressed. In addition, deterioration of isolation between the components of the first filter circuit and the components of the second filter circuit can be suppressed.

さらに、第1チップデバイス及び第1フィルタ回路の構成部品と、第2チップデバイス及び第2フィルタ回路の構成部品とを、第3チップデバイスを挟む位置に実装することによって、第1チップデバイスの第1パワーアンプ回路によって増幅した信号が第2チップデバイスに漏れこむことを防ぐことができる。また、第2チップデバイスの第2パワーアンプによって増幅した信号が第1チップデバイスに漏れこむことを防ぐことができる。 Further, by mounting the components of the first chip device and the first filter circuit and the components of the second chip device and the second filter circuit at positions sandwiching the third chip device, the first chip device can be first. It is possible to prevent the signal amplified by the 1 power amplifier circuit from leaking to the second chip device. Further, it is possible to prevent the signal amplified by the second power amplifier of the second chip device from leaking to the first chip device.

上記フロントエンドモジュールにおいて、前記第1パワーアンプ回路及び前記第2パワーアンプ回路に印加する電源電圧のデカップリングコンデンサと、前記デカップリングコンデンサの容量値を切り替えるデカップリングコンデンサ切替回路と、を備え、前記デカップリングコンデンサ切替回路は、前記第3チップデバイスに設けられ、前記デカップリングコンデンサは、前記第3チップデバイスに隣接して実装されていることを特徴とする。 The front-end module includes a decoupling capacitor of a power supply voltage applied to the first power amplifier circuit and the second power amplifier circuit, and a decoupling capacitor switching circuit for switching the capacitance value of the decoupling capacitor. The decoupling capacitor switching circuit is provided in the third chip device, and the decoupling capacitor is mounted adjacent to the third chip device.

この構成では、デカップリングコンデンサ切替回路とデカップリングコンデンサとの間の配線を短くすることができる。また、デカップリングコンデンサと第1チップデバイスとの間の配線、及び、デカップリングコンデンサと第2チップデバイスとの間の配線を短くすることができる。これにより、平滑機能の低下を抑制することができる。 In this configuration, the wiring between the decoupling capacitor switching circuit and the decoupling capacitor can be shortened. Further, the wiring between the decoupling capacitor and the first chip device and the wiring between the decoupling capacitor and the second chip device can be shortened. As a result, deterioration of the smoothing function can be suppressed.

上記フロントエンドモジュールにおいて、前記基板を覆うシールドケースを備えることを特徴とする。 The front-end module is characterized by including a shield case that covers the substrate.

本開示によれば、性能劣化を抑制することができるフロントエンドモジュールを実現することができる。 According to the present disclosure, it is possible to realize a front-end module capable of suppressing performance deterioration.

実施形態に係るフロントエンドモジュールの回路ブロック構成を示す概略図である。It is a schematic diagram which shows the circuit block composition of the front-end module which concerns on embodiment. 実施形態に係るフロントエンドモジュールの回路ブロック構成の変形例を示す概略図である。It is a schematic diagram which shows the modification of the circuit block composition of the front-end module which concerns on embodiment. 実施形態に係るフロントエンドモジュールの回路ブロック構成の変形例を示す概略図である。It is a schematic diagram which shows the modification of the circuit block composition of the front-end module which concerns on embodiment. 実施形態に係るフロントエンドモジュールの回路ブロック構成の変形例を示す概略図である。It is a schematic diagram which shows the modification of the circuit block composition of the front-end module which concerns on embodiment. 実施形態に係るフロントエンドモジュールの回路ブロック構成の変形例を示す概略図である。It is a schematic diagram which shows the modification of the circuit block composition of the front-end module which concerns on embodiment. 実施形態に係るフロントエンドモジュールの回路ブロック構成の変形例を示す概略図である。It is a schematic diagram which shows the modification of the circuit block composition of the front-end module which concerns on embodiment. 実施形態に係るフロントエンドモジュールの回路ブロック構成の変形例を示す概略図である。It is a schematic diagram which shows the modification of the circuit block composition of the front-end module which concerns on embodiment. 実施形態に係るフロントエンドモジュールの回路ブロック構成の変形例を示す概略図である。It is a schematic diagram which shows the modification of the circuit block composition of the front-end module which concerns on embodiment. 実施形態に係るフロントエンドモジュールの回路ブロック構成の変形例を示す概略図である。It is a schematic diagram which shows the modification of the circuit block composition of the front-end module which concerns on embodiment. 実施形態に係るフロントエンドモジュールの回路配置の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the circuit arrangement of the front-end module which concerns on embodiment. 第1比較例に係るフロントエンドモジュールの回路配置を示す図である。It is a figure which shows the circuit arrangement of the front-end module which concerns on 1st comparative example. 第2比較例に係るフロントエンドモジュールの回路配置を示す図である。It is a figure which shows the circuit arrangement of the front-end module which concerns on 2nd comparative example. 実施形態に係るフロントエンドモジュールにおける第1受信信号及び第2受信信号の伝送経路を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the transmission path of the 1st receive signal and the 2nd receive signal in the front-end module which concerns on embodiment. 実施形態に係るフロントエンドモジュールにおける第1送信信号及び第2送信信号の伝送経路を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the transmission path of the 1st transmission signal and the 2nd transmission signal in the front-end module which concerns on embodiment. 実施形態に係るフロントエンドモジュールにおける第1チップデバイス及び第2チップデバイスの配置の合理性を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the rationality of the arrangement of the 1st chip device and the 2nd chip device in the front-end module which concerns on embodiment. 実施形態に係るフロントエンドモジュールにおける第1フィルタ回路及び第2フィルタ回路の配置の合理性を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the rationality of the arrangement of the 1st filter circuit and the 2nd filter circuit in the front-end module which concerns on embodiment. 図7に示すA−A縦断面図である。FIG. 7 is a vertical sectional view taken along the line AA shown in FIG. 実施形態に係るフロントエンドモジュールにおけるデカップリングコンデンサの配置の合理性を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the rationality of the arrangement of the decoupling capacitor in the front-end module which concerns on embodiment. 実施形態に係るフロントエンドモジュールにおけるデカップリングコンデンサの配置の合理性を示す模式図の変形例である。It is a modification of the schematic diagram which shows the rationality of the arrangement of the decoupling capacitor in the front-end module which concerns on embodiment. 実施形態に係るフロントエンドモジュールにおけるデカップリングコンデンサの配置の合理性を示す模式図の変形例である。It is a modification of the schematic diagram which shows the rationality of the arrangement of the decoupling capacitor in the front-end module which concerns on embodiment.

以下に、実施形態に係るフロントエンドモジュールを図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示が限定されるものではない。 Hereinafter, the front-end module according to the embodiment will be described in detail with reference to the drawings. The present disclosure is not limited to this embodiment.

図1Aは、実施形態に係るフロントエンドモジュールの回路ブロック構成を示す概略図である。図1Bから図1Iは、実施形態に係るフロントエンドモジュールの回路ブロック構成の変形例を示す概略図である。図2は、実施形態に係るフロントエンドモジュールの回路配置の一例を示す図である。本実施形態に係るフロントエンドモジュール1は、基板2上に実装された複数の集積回路、及び各種機能部品を一体化した超小型集積モジュールである。基板2は、例えばLTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics)基板等のセラミック積層基板が例示される。以下、まず、図1Aに示す回路ブロック構成について説明する。 FIG. 1A is a schematic diagram showing a circuit block configuration of a front-end module according to an embodiment. 1B to 1I are schematic views showing a modified example of the circuit block configuration of the front-end module according to the embodiment. FIG. 2 is a diagram showing an example of a circuit arrangement of a front-end module according to an embodiment. The front-end module 1 according to the present embodiment is an ultra-compact integrated module in which a plurality of integrated circuits mounted on a substrate 2 and various functional components are integrated. The substrate 2 is exemplified by a ceramic laminated substrate such as an LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics) substrate. Hereinafter, first, the circuit block configuration shown in FIG. 1A will be described.

図1Aに示すように、実施形態1に係るフロントエンドモジュール1は、主要な機能ブロックとして、第1パワーアンプ回路(以下、「PA1」とも称する)と、第2パワーアンプ回路(以下、「PA2」とも称する)と、第1ローノイズアンプ(以下、「LNA1」とも称する)と、第2ローノイズアンプ(以下、「LNA2」とも称する)と、第1フィルタ回路(以下、「FIL1」とも称する)と、第2フィルタ回路(以下、「FIL2」とも称する)と、第1パワーアンプ送信電力切替回路(以下、「PASW1」とも称する)と、第2パワーアンプ送信電力切替回路(以下、「PASW2」とも称する)と、デカップリングコンデンサ切替回路(以下、「PACAPSW」とも称する)と、第1送受信切替回路(以下、「TX/RXSW1」とも称する)と、第2送受信切替回路(以下、「TX/RXSW2」とも称する)と、アンテナ切替回路(以下、「ANTSW」とも称する)と、パワーアンプ制御回路(以下、「PAC」とも称する)と、ローノイズアンプ制御回路(以下、「LNAC」とも称する)と、を備える。 As shown in FIG. 1A, the front-end module 1 according to the first embodiment has a first power amplifier circuit (hereinafter, also referred to as “PA1”) and a second power amplifier circuit (hereinafter, “PA2”) as main functional blocks. ”), A first low noise amplifier (hereinafter, also referred to as“ LNA1 ”), a second low noise amplifier (hereinafter, also referred to as“ LNA2 ”), and a first filter circuit (hereinafter, also referred to as“ FIL1 ”). , The second filter circuit (hereinafter, also referred to as "FIL2"), the first power amplifier transmission power switching circuit (hereinafter, also referred to as "PASW1"), and the second power amplifier transmission power switching circuit (hereinafter, also referred to as "PASW2"). (Hereinafter referred to as), a decoupling amplifier switching circuit (hereinafter, also referred to as “PACAPSW”), a first transmission / reception switching circuit (hereinafter, also referred to as “TX / RXSW1”), and a second transmission / reception switching circuit (hereinafter, “TX / RXSW2”). ”), An antenna switching circuit (hereinafter, also referred to as“ ANTSW ”), a power amplifier control circuit (hereinafter, also referred to as“ PAC ”), and a low noise amplifier control circuit (hereinafter, also referred to as“ LNAC ”). To prepare for.

PA1は、送信信号入力端子TX1から入力された第1送信信号を増幅する。PA2は、送信信号入力端子TX2から入力された第2送信信号を増幅する。例えば、図1Aに示す回路ブロック構成において、PA1及びPA2は、初段、パワー段、及びドライブ段の3段の増幅回路が直列接続されて構成される。初段、パワー段、ドライブ段の各増幅回路は、それぞれ電源電圧端子VCC1,VCC2,VCC3からそれぞれ電源電圧が印加されて増幅動作を行う。 PA1 amplifies the first transmission signal input from the transmission signal input terminal TX1. PA2 amplifies the second transmission signal input from the transmission signal input terminal TX2. For example, in the circuit block configuration shown in FIG. 1A, PA1 and PA2 are configured by connecting three stages of amplifier circuits, a first stage, a power stage, and a drive stage, in series. Each of the amplifier circuits of the first stage, the power stage, and the drive stage performs an amplification operation by applying a power supply voltage from each of the power supply voltage terminals VCS1, VCC2, and VCS3, respectively.

PA1及びPA2は、入力信号の振幅レベルに応じて電力増幅器の電源電圧を制御することによって電力効率の向上を図る、エンベロープトラッキング(ET:Envelope Tracking)方式と、平均出力電力に応じて電力増幅器の電源電圧を制御することによって電力効率の向上を図る、平均電力トラッキング(APT:Average Power Tracking)方式とを切り替えて電力増幅を行う。 PA1 and PA2 are an envelope tracking (ET: Envelope Tracking) method that improves power efficiency by controlling the power supply voltage of the power amplifier according to the amplitude level of the input signal, and the power amplifier according to the average output power. Power amplification is performed by switching between the average power tracking (APT) method, which improves power efficiency by controlling the power supply voltage.

PA1及びPA2は、例えば、バイポーラトランジスタで構成されていても良いし、例えば、電界効果型トランジスタ(FET:Field Effect Transistor)で構成されていても良い。PA1及びPA2をバイポーラトランジスタで構成する場合、例えばヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT:Heterojunction Bipolar Transistor)が例示される。PA1及びPA2の構成により本開示が限定されるものではない。 The PA1 and PA2 may be composed of, for example, a bipolar transistor, or may be composed of, for example, a field effect transistor (FET). When PA1 and PA2 are composed of bipolar transistors, for example, a heterojunction bipolar transistor (HBT) is exemplified. The present disclosure is not limited by the configurations of PA1 and PA2.

PACAPSWは、電源電圧端子VCC3に接続される電源ライン(図1Aに示す回路ブロック構成では、PA1及びPA2のドライブ段増幅回路の電源供給配線)のインピーダンスを切り替える。具体的に、電源電圧端子VCC3に接続される電源ラインを低インピーダンスとする場合、例えば、PA1及びPA2においてAPT方式の電力増幅を行う際に、PACAPSWをオン制御し、電源電圧端子VCC3に接続される電源ラインを高インピーダンスとする場合、例えば、PA1及びPA2においてET方式の電力増幅を行う際に、PACAPSWをオフ制御する。PACAPSWをオン制御した際の電源電圧端子VCC3に接続される電源ラインのインピーダンスは、電源電圧端子VCC3とPACAPSWとの間に接続されたデカップリングコンデンサの容量値により決まる。 The PACAPSW switches the impedance of the power supply line connected to the power supply voltage terminal VCS3 (in the circuit block configuration shown in FIG. 1A, the power supply wiring of the drive stage amplifier circuit of PA1 and PA2). Specifically, when the power supply line connected to the power supply voltage terminal VCC3 has a low impedance, for example, when performing APT method power amplification in PA1 and PA2, PACAPSW is turned on and connected to the power supply voltage terminal VCS3. When the power supply line has a high impedance, for example, the PACAPSW is off-controlled when the power amplification of the ET method is performed in PA1 and PA2. The impedance of the power supply line connected to the power supply voltage terminal VCS3 when the PACAPSW is turned on is determined by the capacitance value of the decoupling capacitor connected between the power supply voltage terminal VCS3 and the PACAPSW.

PASW1は、PA1のゲインを切り替える。具体的に、PASW1は、第1送信信号を入力する増幅回路を切り替える。図1Aに示す回路ブロック構成においては、第1送信信号をPA1の初段増幅回路に入力するかパワー段増幅回路に入力するかを切り替える。PA1は、第1送信信号が初段増幅回路に入力されているとき、所謂ハイパワーモードで動作し、第1送信信号がパワー段増幅回路に入力されているとき、所謂ローパワーモードで動作する。PASW1およびPA1の接続箇所の構成により、本開示が限定されるものではない。 PASW1 switches the gain of PA1. Specifically, PASW1 switches the amplifier circuit for inputting the first transmission signal. In the circuit block configuration shown in FIG. 1A, it is switched whether the first transmission signal is input to the first stage amplifier circuit of PA1 or the power stage amplifier circuit. The PA1 operates in the so-called high power mode when the first transmission signal is input to the first stage amplifier circuit, and operates in the so-called low power mode when the first transmission signal is input to the power stage amplifier circuit. The present disclosure is not limited by the configuration of the connection points of PASW1 and PA1.

PASW2は、PA2のゲインを切り替える。具体的に、PASW2は、第2送信信号を入力する増幅回路を切り替える。図1Aに示す回路ブロック構成においては、第2送信信号をPA2の初段増幅回路に入力するかパワー段増幅回路に入力するかを切り替える。PA2は、第2送信信号が初段増幅回路に入力されているとき、所謂ハイパワーモードで動作し、第2送信信号がパワー段増幅回路に入力されているとき、所謂ローパワーモードで動作する。PASW2およびPA2の接続箇所の構成により、本開示が限定されるものではない。 PASW2 switches the gain of PA2. Specifically, PASW2 switches the amplifier circuit for inputting the second transmission signal. In the circuit block configuration shown in FIG. 1A, it is switched whether the second transmission signal is input to the first stage amplifier circuit of PA2 or the power stage amplifier circuit. The PA2 operates in the so-called high power mode when the second transmission signal is input to the first stage amplifier circuit, and operates in the so-called low power mode when the second transmission signal is input to the power stage amplifier circuit. The present disclosure is not limited by the configuration of the connection points of PASW2 and PA2.

LNA1は、アンテナ端子ANT1、ANT2、ANT3、ANT4から入力された第1受信信号を増幅する。例えば、図1Aに示す回路ブロック構成において、LNA1により増幅された第1受信信号は、受信信号出力端子RX1から出力される。 The LNA1 amplifies the first received signal input from the antenna terminals ANT1, ANT2, ANT3, and ANT4. For example, in the circuit block configuration shown in FIG. 1A, the first received signal amplified by LNA1 is output from the received signal output terminal RX1.

LNA2は、アンテナ端子ANT1、ANT2、ANT3、ANT4から入力された第2受信信号を増幅する。例えば、図1Aに示す回路ブロック構成において、LNA2により増幅された第2受信信号は、受信信号出力端子RX2から出力される。 The LNA2 amplifies the second received signal input from the antenna terminals ANT1, ANT2, ANT3, and ANT4. For example, in the circuit block configuration shown in FIG. 1A, the second received signal amplified by LNA2 is output from the received signal output terminal RX2.

図1Aに示す回路ブロック構成において、TX/RXSW1は、PA1から出力される第1送信信号とLNA1への第1受信信号とを切り替える。具体的に、TX/RXSW1は、第1送信信号を送信する際、PA1から出力される第1送信信号をFIL1に出力する。また、TX/RXSW1は、第1受信信号を受信する際、FIL1から出力される第1受信信号をLNA1に出力する。 In the circuit block configuration shown in FIG. 1A, the TX / RXSW1 switches between a first transmission signal output from PA1 and a first reception signal to LNA1. Specifically, when the TX / RXSW1 transmits the first transmission signal, the TX / RXSW1 outputs the first transmission signal output from the PA1 to the FIL1. Further, when the TX / RXSW1 receives the first reception signal, the TX / RXSW1 outputs the first reception signal output from the FIL1 to the LNA1.

図1Aに示す回路ブロック構成において、TX/RXSW2は、PA2から出力される第2送信信号とLNA2への第2受信信号とを切り替える。具体的に、TX/RXSW2は、第2送信信号を送信する際、PA2から出力される第2送信信号をFIL2に出力する。また、TX/RXSW2は、第2受信信号を受信する際、FIL2から出力される第2受信信号をLNA2に出力する。 In the circuit block configuration shown in FIG. 1A, the TX / RXSW2 switches between a second transmission signal output from PA2 and a second reception signal to LNA2. Specifically, when the TX / RXSW2 transmits the second transmission signal, the TX / RXSW2 outputs the second transmission signal output from the PA2 to the FIL2. Further, when the TX / RXSW2 receives the second reception signal, the TX / RXSW2 outputs the second reception signal output from the FIL2 to the LNA2.

FIL1は、第1送信信号又は第1受信信号をフィルタリングする。具体的に、FIL1は、第1送信信号を送信する際、第1送信信号をフィルタリングして、ANTSWに出力する。また、FIL1は、第1受信信号を受信する際、第1受信信号をフィルタリングして、TX/RXSW1に出力する。 FIL1 filters the first transmission signal or the first reception signal. Specifically, when transmitting the first transmission signal, the FIL1 filters the first transmission signal and outputs it to the ANTSW. Further, when the FIL1 receives the first received signal, the FIL1 filters the first received signal and outputs it to the TX / RXSW1.

FIL2は、第2送信信号又は第2受信信号をフィルタリングする。具体的に、FIL2は、第2送信信号を送信する際、第2送信信号をフィルタリングして、ANTSWに出力する。また、FIL2は、第2受信信号を受信する際、第2受信信号をフィルタリングして、TX/RXSW2に出力する。 FIL2 filters the second transmitted signal or the second received signal. Specifically, when the FIL2 transmits the second transmission signal, the FIL2 filters the second transmission signal and outputs it to the ANTSW. Further, when the FIL2 receives the second received signal, the FIL2 filters the second received signal and outputs it to the TX / RXSW2.

ANTSWは、第1送信信号、第1受信信号、第2送信信号、及び第2受信信号の送受信パスを切り替える。具体的に、ANTSWは、FIL1から入力された第1送信信号の出力先(アンテナ端子ANT1、ANT2、ANT3、ANT4)を切り替える。また、ANTSWは、FIL2から入力された第2送信信号の出力先(アンテナ端子ANT1、ANT2、ANT3、ANT4)を切り替える。また、ANTSWは、アンテナ端子ANT1、ANT2、ANT3、ANT4から入力された受信信号の出力先(FIL1、FIL2)を切り替える。なお、図1では、4つのアンテナ端子ANT1、ANT2、ANT3、ANT4を有する構成を例示したが、アンテナ端子の数はこれに限るものではない。 The ANTSW switches the transmission / reception path of the first transmission signal, the first reception signal, the second transmission signal, and the second reception signal. Specifically, the ANTSW switches the output destination (antenna terminals ANT1, ANT2, ANT3, ANT4) of the first transmission signal input from the FIL1. Further, the ANTSW switches the output destination (antenna terminals ANT1, ANT2, ANT3, ANT4) of the second transmission signal input from the FIL2. Further, the ANTSW switches the output destination (FIL1, FIL2) of the received signal input from the antenna terminals ANT1, ANT2, ANT3, and ANT4. Although FIG. 1 illustrates a configuration having four antenna terminals ANT1, ANT2, ANT3, and ANT4, the number of antenna terminals is not limited to this.

PACは、主としてPA1及びPA2の制御を行う。また、本開示の構成において、PACは、PASW1、PASW2、PACAPSW、TX/RXSW1、TX/RXSW2、ANTSWの切替制御を行う。 The PAC mainly controls PA1 and PA2. Further, in the configuration of the present disclosure, the PAC controls switching between PASW1, PASW2, PACAPSW, TX / RXSW1, TX / RXSW2, and ANTSW.

LNACは、主としてLNA1及びLNA2の制御を行う。 LNAC mainly controls LNA1 and LNA2.

以上、図1Aに示す回路ブロック構成について説明した。以下、図1Bから図1Iに示す回路ブロック構成の変形例について説明する。なお、以下の図1Bから図1Iに示す回路ブロック構成の変形例において、図1Aに示す回路ブロック構成と同じ構成要素については、図1Aと同様であるので説明を省略する。 The circuit block configuration shown in FIG. 1A has been described above. Hereinafter, a modified example of the circuit block configuration shown in FIGS. 1B to 1I will be described. In the following modified examples of the circuit block configuration shown in FIGS. 1B to 1I, the same components as the circuit block configuration shown in FIG. 1A are the same as those in FIG. 1A, and thus the description thereof will be omitted.

図1Bに示す回路ブロック構成において、PASW1は、第1送信信号をPA1の初段増幅回路に入力するかドライブ段増幅回路に入力するかを切り替える。また、図1Bに示す回路ブロック構成において、PASW2は、第2送信信号をPA2の初段増幅回路に入力するかドライブ段増幅回路に入力するかを切り替える。 In the circuit block configuration shown in FIG. 1B, PASW1 switches whether the first transmission signal is input to the first stage amplifier circuit of PA1 or the drive stage amplifier circuit. Further, in the circuit block configuration shown in FIG. 1B, the PASW2 switches whether the second transmission signal is input to the first stage amplifier circuit of the PA2 or the drive stage amplifier circuit.

図1Cに示す回路ブロック構成において、PA1及びPA2は、それぞれ2つの初段増幅回路が並列にパワー段増幅回路に接続されている。PASW1は、第1送信信号を入力する初段増幅回路を切り替える。PASW2は、第2送信信号を入力する初段増幅回路を切り替える。 In the circuit block configuration shown in FIG. 1C, in each of PA1 and PA2, two first-stage amplifier circuits are connected in parallel to the power stage amplifier circuit. PASW1 switches the first-stage amplifier circuit for inputting the first transmission signal. PASW2 switches the first-stage amplifier circuit for inputting the second transmission signal.

図1Dに示す回路ブロック構成において、PA1及びPA2は、それぞれ2つの初段増幅回路が並列にドライブ段増幅回路に接続されている。PASW1は、第1送信信号を入力する初段増幅回路を切り替える。PASW2は、第2送信信号を入力する初段増幅回路を切り替える。 In the circuit block configuration shown in FIG. 1D, in each of PA1 and PA2, two first-stage amplifier circuits are connected in parallel to the drive stage amplifier circuit. PASW1 switches the first-stage amplifier circuit for inputting the first transmission signal. PASW2 switches the first-stage amplifier circuit for inputting the second transmission signal.

図1Eに示す回路ブロック構成において、PA1及びPA2は、図1Aに示す構成とは異なり、2段の増幅回路が直列接続されて構成される。PA1及びPA2は、それぞれ2つの第1段増幅回路が並列に第2段増幅回路に接続されている。PASW1は、第1送信信号を入力する第1段増幅回路を切り替える。 In the circuit block configuration shown in FIG. 1E, PA1 and PA2 are configured by connecting two-stage amplifier circuits in series, unlike the configuration shown in FIG. 1A. In PA1 and PA2, two first-stage amplifier circuits are connected in parallel to the second-stage amplifier circuit, respectively. PASW1 switches the first stage amplifier circuit for inputting the first transmission signal.

図1Fに示す回路ブロック構成において、PA1及びPA2は、それぞれ3段構成の増幅回路と1段構成の増幅回路とを含む。PASW1は、第1送信信号を3段構成の増幅回路に入力するか1段構成の増幅回路に入力するかを切り替える。PASW2は、第2送信信号を3段構成の増幅回路に入力するか1段構成の増幅回路に入力するかを切り替える。TX/RXSW1は、第1送信信号を送信する際、PA1の3段構成の増幅回路の出力と1段構成の増幅回路の出力とを切り替える。TX/RXSW2は、第2送信信号を送信する際、PA2の3段構成の増幅回路の出力と1段構成の増幅回路の出力とを切り替える。 In the circuit block configuration shown in FIG. 1F, PA1 and PA2 each include an amplifier circuit having a three-stage configuration and an amplifier circuit having a one-stage configuration. The PASW1 switches between inputting the first transmission signal to the amplifier circuit having a three-stage configuration and inputting the first transmission signal to the amplifier circuit having a one-stage configuration. The PASW2 switches whether the second transmission signal is input to the amplifier circuit having a three-stage configuration or the amplifier circuit having a one-stage configuration. When the TX / RXSW1 transmits the first transmission signal, the TX / RXSW1 switches between the output of the amplifier circuit having a three-stage configuration and the output of the amplifier circuit having a one-stage configuration of PA1. When the TX / RXSW2 transmits the second transmission signal, the TX / RXSW2 switches between the output of the amplifier circuit having a three-stage configuration and the output of the amplifier circuit having a one-stage configuration of PA2.

図1Gに示す回路ブロック構成において、PA1及びPA2は、それぞれ2段構成の増幅回路と1段構成の増幅回路とを含む。PASW1は、第1送信信号を2段構成の増幅回路に入力するか1段構成の増幅回路に入力するかを切り替える。PASW2は、第2送信信号を2段構成の増幅回路に入力するか1段構成の増幅回路に入力するかを切り替える。TX/RXSW1は、第1送信信号を送信する際、PA1の2段構成の増幅回路の出力と1段構成の増幅回路の出力とを切り替える。TX/RXSW2は、第2送信信号を送信する際、PA2の2段構成の増幅回路の出力と1段構成の増幅回路の出力とを切り替える。 In the circuit block configuration shown in FIG. 1G, PA1 and PA2 each include a two-stage amplifier circuit and a one-stage amplifier circuit. The PASW1 switches between inputting the first transmission signal to the amplifier circuit having a two-stage configuration and inputting it to the amplifier circuit having a one-stage configuration. The PASW2 switches between inputting the second transmission signal to the amplifier circuit having a two-stage configuration and inputting it to the amplifier circuit having a one-stage configuration. When the TX / RXSW1 transmits the first transmission signal, the TX / RXSW1 switches between the output of the amplifier circuit having a two-stage configuration and the output of the amplifier circuit having a one-stage configuration of PA1. When the TX / RXSW2 transmits the second transmission signal, the TX / RXSW2 switches between the output of the amplifier circuit having a two-stage configuration and the output of the amplifier circuit having a one-stage configuration of PA2.

図1Hに示す回路ブロック構成において、PA1及びPA2は、それぞれ3段構成の増幅回路と2段構成の増幅回路とを含む。PASW1は、第1送信信号を3段構成の増幅回路に入力するか2段構成の増幅回路に入力するかを切り替える。PASW2は、第2送信信号を3段構成の増幅回路に入力するか2段構成の増幅回路に入力するかを切り替える。TX/RXSW1は、第1送信信号を送信する際、PA1の3段構成の増幅回路の出力と2段構成の増幅回路の出力とを切り替える。TX/RXSW2は、第2送信信号を送信する際、PA2の3段構成の増幅回路の出力と2段構成の増幅回路の出力とを切り替える。 In the circuit block configuration shown in FIG. 1H, PA1 and PA2 include an amplifier circuit having a three-stage configuration and an amplifier circuit having a two-stage configuration, respectively. The PASW1 switches between inputting the first transmission signal to the amplifier circuit having a three-stage configuration and inputting it to the amplifier circuit having a two-stage configuration. The PASW2 switches whether the second transmission signal is input to the amplifier circuit having a three-stage configuration or the amplifier circuit having a two-stage configuration. When the TX / RXSW1 transmits the first transmission signal, the TX / RXSW1 switches between the output of the amplifier circuit having a three-stage configuration and the output of the amplifier circuit having a two-stage configuration of PA1. When the TX / RXSW2 transmits the second transmission signal, the TX / RXSW2 switches between the output of the amplifier circuit having a three-stage configuration and the output of the amplifier circuit having a two-stage configuration of PA2.

図1Iに示す回路ブロック構成において、LNA1及びLNA2は、それぞれ2つのアンプ回路を備えている。TX/RXSW1は、LNA1を構成する2つのアンプ回路の一方に第1受信信号を切り替えて出力する。TX/RXSW2は、LNA2を構成する2つのアンプ回路の一方に第2受信信号を切り替えて出力する。 In the circuit block configuration shown in FIG. 1I, LNA1 and LNA2 each include two amplifier circuits. The TX / RXSW1 switches and outputs the first received signal to one of the two amplifier circuits constituting the LNA1. The TX / RXSW2 switches and outputs the second received signal to one of the two amplifier circuits constituting the LNA2.

上述した図1Aから図1Iに示す各回路ブロック構成は一例であり、PA1及びPA2の各回路構成、LNA1及びLNA2の各回路構成、PASW1及びPASW2の切替態様、TX/RXSW1及びTX/RXSW2の切替態様により本開示が限定されるものではない。 Each circuit block configuration shown in FIGS. 1A to 1I described above is an example, and each circuit configuration of PA1 and PA2, each circuit configuration of LNA1 and LNA2, a switching mode of PASW1 and PASW2, and switching of TX / RXSW1 and TX / RXSW2. The present disclosure is not limited by aspects.

上述した図1Aから図1Iに例示した各回路ブロックを構成する複数の機能デバイスを1つの基板2上に実装してフロントエンドモジュール1を構成する際、機能デバイスの配置によっては、性能劣化を招くことが考えられる。例えば、送受信信号の伝送経路が長くなると、送受信信号の伝搬ロスが大きくなる可能性がある。また、PA1及びPA2の発熱が互いに影響を及ぼし、増幅特性の劣化を招く可能性がある。また、FIL1とFIL2との間のアイソレーションが悪化する場合がある。 When a plurality of functional devices constituting each circuit block illustrated in FIGS. 1A to 1I described above are mounted on one board 2 to form a front-end module 1, performance deterioration may occur depending on the arrangement of the functional devices. Can be considered. For example, if the transmission path of the transmission / reception signal becomes long, the propagation loss of the transmission / reception signal may increase. In addition, the heat generated by PA1 and PA2 may affect each other, resulting in deterioration of amplification characteristics. In addition, the isolation between FIL1 and FIL2 may deteriorate.

以下、本実施形態に係るフロントエンドモジュール1の図1に示す各回路ブロックの基板2上の配置について、図2を参照して説明する。本実施形態に係るフロントエンドモジュール1は、基板2の一方面を部品実装面としている。図2では、基板2の部品実装面を見た回路配置を例示している。 Hereinafter, the arrangement of each circuit block shown in FIG. 1 of the front-end module 1 according to the present embodiment on the substrate 2 will be described with reference to FIG. In the front-end module 1 according to the present embodiment, one surface of the substrate 2 is a component mounting surface. FIG. 2 illustrates a circuit arrangement in which the component mounting surface of the board 2 is viewed.

本実施形態では、図2に示すように、基板2の部品実装面を、第1領域100、第2領域200、及び第3領域300の3つの領域に分割している。 In the present embodiment, as shown in FIG. 2, the component mounting surface of the substrate 2 is divided into three regions, a first region 100, a second region 200, and a third region 300.

PA1は、基板2上に実装された第1チップデバイス11に含まれる。第1チップデバイス11は、例えばHBTで構成される。第1チップデバイス11が実装される第1領域100の第1チップデバイス11の周辺には、PA1の周辺回路部品が搭載される。PA1の周辺回路部品は、基板2の表面に実装されるSMDであっても良いし、基板2の内層に設けられる導体で構成されていても良い。 PA1 is included in the first chip device 11 mounted on the substrate 2. The first chip device 11 is composed of, for example, an HBT. Peripheral circuit components of PA1 are mounted around the first chip device 11 in the first region 100 on which the first chip device 11 is mounted. The peripheral circuit component of the PA 1 may be an SMD mounted on the surface of the substrate 2, or may be composed of a conductor provided in the inner layer of the substrate 2.

FIL1は、基板2の第1領域100に実装される。FIL1の構成部品12は、基板2の表面に実装されるSMDであっても良いし、基板2の内層に設けられる導体で構成されていても良い。FIL1が実装される第1領域100のFIL1の周辺には、FIL1の周辺回路部品が搭載される。FIL1の周辺回路部品は、基板2の表面に実装されるSMDであっても良いし、基板2の内層に設けられる導体で構成されていても良い。 The FIL 1 is mounted on the first region 100 of the substrate 2. The component 12 of the FIL 1 may be an SMD mounted on the surface of the substrate 2 or may be composed of a conductor provided in the inner layer of the substrate 2. Peripheral circuit components of FIL1 are mounted around FIL1 in the first region 100 on which FIL1 is mounted. The peripheral circuit component of the FIL 1 may be an SMD mounted on the surface of the substrate 2, or may be composed of a conductor provided in the inner layer of the substrate 2.

PA2は、基板2上に実装された第2チップデバイス21に含まれる。第2チップデバイス21は、例えばHBTで構成される。第2チップデバイス21が実装される第2領域200の第2チップデバイス21の周辺には、PA2の周辺回路部品が搭載される。PA2の周辺回路部品は、基板2の表面に実装されるSMDであっても良いし、基板2の内層に設けられる導体で構成されていても良い。 PA2 is included in the second chip device 21 mounted on the substrate 2. The second chip device 21 is composed of, for example, an HBT. Peripheral circuit components of PA2 are mounted around the second chip device 21 in the second region 200 on which the second chip device 21 is mounted. The peripheral circuit component of the PA 2 may be an SMD mounted on the surface of the substrate 2, or may be composed of a conductor provided in the inner layer of the substrate 2.

FIL2は、基板2の第2領域200に実装される。FIL2の構成部品22は、基板2の表面に実装されるSMDであっても良いし、基板2の内層に設けられる導体で構成されていても良い。FIL2が実装される第2領域200のFIL2の周辺には、FIL2の周辺回路部品が搭載される。FIL2の周辺回路部品は、基板2の表面に実装されるSMDであっても良いし、基板2の内層に設けられる導体で構成されていても良い。 The FIL 2 is mounted on the second region 200 of the substrate 2. The component 22 of the FIL 2 may be an SMD mounted on the surface of the substrate 2 or may be composed of a conductor provided in the inner layer of the substrate 2. Peripheral circuit components of FIL2 are mounted around FIL2 in the second region 200 on which FIL2 is mounted. The peripheral circuit component of the FIL 2 may be an SMD mounted on the surface of the substrate 2, or may be composed of a conductor provided in the inner layer of the substrate 2.

LNA1、LNA2、及びLNACは、基板2上に実装されたチップデバイス31に含まれる。チップデバイス31は、例えば、CMOSやシリコンゲルマニウム(SiGe)で構成される。チップデバイス31が実装される第3領域300のチップデバイス31の周辺には、LNA1、LNA2、及びLNACの周辺回路部品が搭載される。LNA1、LNA2、及びLNACの周辺回路部品は、基板2の表面に実装される表面実装部品(Surface Mount Device、以下「SMD」とも称する)であっても良いし、基板2の内層に設けられる導体で構成されていても良い。 LNA1, LNA2, and LNAC are included in the chip device 31 mounted on the substrate 2. The chip device 31 is composed of, for example, CMOS or silicon germanium (SiGe). Peripheral circuit components of LNA1, LNA2, and LNAC are mounted around the chip device 31 in the third region 300 on which the chip device 31 is mounted. Peripheral circuit components of LNA1, LNA2, and LNAC may be surface mount components (Surface Mount Device, hereinafter also referred to as "SMD") mounted on the surface of the substrate 2, or conductors provided in the inner layer of the substrate 2. It may be composed of.

PAC、PASW1、PASW2、及びPACAPSWは、基板2上に実装されたチップデバイス32に含まれる。チップデバイス32は、例えば、CMOSやシリコンゲルマニウム(SiGe)で構成される。チップデバイス32が実装される第3領域300のチップデバイス32の周辺には、PAC、PASW1、PASW2、及びPACAPSWの周辺回路部品が搭載される。PAC、PASW1、PASW2、及びPACAPSWの周辺回路部品は、基板2の表面に実装されるSMDであっても良いし、基板2の内層に設けられる導体で構成されていても良い。 The PAC, PASW1, PASW2, and PACAPSW are included in the chip device 32 mounted on the substrate 2. The chip device 32 is composed of, for example, CMOS or silicon germanium (SiGe). Peripheral circuit components of PAC, PASW1, PASW2, and PACAPSW are mounted around the chip device 32 in the third region 300 on which the chip device 32 is mounted. Peripheral circuit components of PAC, PASW1, PASW2, and PACAPSW may be SMDs mounted on the surface of the substrate 2, or may be composed of conductors provided in the inner layer of the substrate 2.

また、チップデバイス32が実装される第3領域300のチップデバイス32の周辺には、電源電圧端子VCC3に接続される電源ラインを低インピーダンスとするためのデカップリングコンデンサ34が搭載される。デカップリングコンデンサ34は、例えば基板2の表面に実装されるSMDが例示される。 Further, a decoupling capacitor 34 for lowering the impedance of the power supply line connected to the power supply voltage terminal VCC3 is mounted around the chip device 32 in the third region 300 on which the chip device 32 is mounted. As the decoupling capacitor 34, for example, an SMD mounted on the surface of the substrate 2 is exemplified.

TX/RXSW1、TX/RXSW2、及びANTSWは、基板2上に実装されたチップデバイス33に含まれる。チップデバイス33は、例えば、CMOSやシリコンゲルマニウム(SiGe)で構成される。チップデバイス33が実装される第3領域300のチップデバイス33の周辺には、TX/RXSW1、TX/RXSW2、及びANTSWの周辺回路部品が搭載される。TX/RXSW1、TX/RXSW2、及びANTSWの周辺回路部品は、基板2の表面に実装されるSMDであっても良いし、基板2の内層に設けられる導体で構成されていても良い。 The TX / RXSW1, TX / RXSW2, and ANTSW are included in the chip device 33 mounted on the substrate 2. The chip device 33 is composed of, for example, CMOS or silicon germanium (SiGe). Peripheral circuit components of TX / RXSW1, TX / RXSW2, and ANTSW are mounted around the chip device 33 in the third region 300 on which the chip device 33 is mounted. The peripheral circuit components of the TX / RXSW1, TX / RXSW2, and ANTSW may be an SMD mounted on the surface of the substrate 2, or may be composed of a conductor provided in the inner layer of the substrate 2.

なお、チップデバイス31、チップデバイス32、及びチップデバイス33は1つのチップデバイスで構成される態様であっても良いし、2つのチップデバイスで構成される態様であっても良い。以下、チップデバイス31、チップデバイス32、及びチップデバイス33を区別する必要がない場合には、チップデバイス31、チップデバイス32、及びチップデバイス33を纏めて第3チップデバイス30として説明する。 The chip device 31, the chip device 32, and the chip device 33 may be configured by one chip device or may be configured by two chip devices. Hereinafter, when it is not necessary to distinguish the chip device 31, the chip device 32, and the chip device 33, the chip device 31, the chip device 32, and the chip device 33 will be collectively referred to as a third chip device 30.

本実施形態に係るフロントエンドモジュール1は、第1チップデバイス11及びFIL1の構成部品12が実装される第1領域100と、第2チップデバイス21及びFIL2の構成部品22が実装される第2領域200とが、第3チップデバイス30が実装される第3領域300を挟む位置に実装されている。 The front-end module 1 according to the present embodiment has a first region 100 in which the first chip device 11 and the component 12 of the FIL 1 are mounted, and a second region in which the second chip device 21 and the component 22 of the FIL 2 are mounted. The 200 is mounted at a position sandwiching the third region 300 on which the third chip device 30 is mounted.

すなわち、本実施形態に係るフロントエンドモジュール1は、PA1(第1パワーアンプ回路)及びFIL1(第1フィルタ回路)が実装される第1領域100と、PA2(第2パワーアンプ回路)及びFIL2(第2フィルタ回路)が実装される第2領域200と、LNA1(第1ローノイズアンプ)、LNA2(第2ローノイズアンプ)、LNAC(ローノイズアンプ制御回路)、PAC(パワーアンプ制御回路)、PASW1(第1パワーアンプ送信電力切替回路)、PASW2(第2パワーアンプ送信電力切替回路)、PACAPSW(デカップリングコンデンサ切替回路)、TX/RXSW1(第1送受信切替回路)、TX/RXSW2(第2送受信切替回路)、及びANTSW(アンテナ切替回路)が実装される第3領域300とを有する。そして、第1領域100と第2領域200とが、第3領域300を挟むように配置されている。 That is, the front-end module 1 according to the present embodiment has a first region 100 in which PA1 (first power amplifier circuit) and FIL1 (first filter circuit) are mounted, and PA2 (second power amplifier circuit) and FIL2 ( The second area 200 on which the second filter circuit) is mounted, LNA1 (first low noise amplifier), LNA2 (second low noise amplifier), LNAC (low noise amplifier control circuit), PAC (power amplifier control circuit), PASW1 (first). 1 power amplifier transmission power switching circuit), PASW2 (second power amplifier transmission power switching circuit), PACAPSW (decoupling capacitor switching circuit), TX / RXSW1 (first transmission / reception switching circuit), TX / RXSW2 (second transmission / reception switching circuit) ), And a third region 300 on which an ANTSW (amplifier switching circuit) is mounted. The first region 100 and the second region 200 are arranged so as to sandwich the third region 300.

換言すれば、本実施形態に係るフロントエンドモジュール1は、第1チップデバイス11及びFIL1の構成部品12と、第2チップデバイス21及びFIL2の構成部品22とが、第3チップデバイス30を挟む位置に実装されている。第1チップデバイス11及びFIL1の構成部品12と、第2チップデバイス21及びFIL2の構成部品22とは、第3チップデバイス30を挟み対称に配置されていることが好ましい。 In other words, in the front-end module 1 according to the present embodiment, the position where the component 12 of the first chip device 11 and the FIL1 and the component 22 of the second chip device 21 and the FIL2 sandwich the third chip device 30. It is implemented in. It is preferable that the component 12 of the first chip device 11 and the FIL1 and the component 22 of the second chip device 21 and the FIL2 are symmetrically arranged with the third chip device 30 interposed therebetween.

図3Aは、第1比較例に係るフロントエンドモジュールの回路配置を示す図である。図3Bは、第2比較例に係るフロントエンドモジュールの回路配置を示す図である。以下、図3Aに示す第1例及び図3Bに示す第2例と比較しつつ、図2に示す本実施形態に係るフロントエンドモジュール1の回路配置の合理性について、図4から図9Cの各図を参照して説明する。 FIG. 3A is a diagram showing a circuit arrangement of the front-end module according to the first comparative example. FIG. 3B is a diagram showing a circuit arrangement of the front-end module according to the second comparative example. Hereinafter, while comparing with the first example shown in FIG. 3A and the second example shown in FIG. 3B, the rationality of the circuit arrangement of the front-end module 1 according to the present embodiment shown in FIG. 2 is described in FIGS. 4 to 9C. This will be described with reference to the figure.

図4は、実施形態に係るフロントエンドモジュールにおける第1受信信号及び第2受信信号の伝送経路を示す模式図である。図4では、第1受信信号及び第2受信信号の伝送経路を実線矢示している。 FIG. 4 is a schematic diagram showing a transmission path of a first received signal and a second received signal in the front-end module according to the embodiment. In FIG. 4, the transmission paths of the first received signal and the second received signal are shown by solid arrows.

図5は、実施形態に係るフロントエンドモジュールにおける第1送信信号及び第2送信信号の伝送経路を示す模式図である。図5では、第1送信信号及び第2送信信号の伝送経路を実線矢示している。 FIG. 5 is a schematic diagram showing a transmission path of a first transmission signal and a second transmission signal in the front-end module according to the embodiment. In FIG. 5, the transmission paths of the first transmission signal and the second transmission signal are shown by solid arrows.

第1受信信号及び第2受信信号の伝搬ロスを低減するためには、第1受信信号及び第2受信信号の伝送経路を短くする必要がある。また、第1送信信号及び第2送信信号の伝搬ロスを低減するためには、第1送信信号及び第2送信信号の伝送経路を短くする必要がある。 In order to reduce the propagation loss of the first received signal and the second received signal, it is necessary to shorten the transmission path of the first received signal and the second received signal. Further, in order to reduce the propagation loss of the first transmission signal and the second transmission signal, it is necessary to shorten the transmission path of the first transmission signal and the second transmission signal.

図4に示すように、本実施形態に係るフロントエンドモジュール1の回路配置では、アンテナ端子ANT1、ANT2、ANT3、ANT4から受信信号出力端子RX1、RX2までの第1受信信号及び第2受信信号の伝送経路を短くすることができる。具体的に、第1受信信号は、アンテナ端子ANT1、ANT2、ANT3、ANT4から、ANTSW、FIL1、TX/RXSW1、LNA1、受信信号出力端子RX1の経路で伝送される。また、第2受信信号は、アンテナ端子ANT1、ANT2、ANT3、ANT4から、ANTSW、FIL2、TX/RXSW2、LNA2、受信信号出力端子RX2の経路で伝送される。 As shown in FIG. 4, in the circuit arrangement of the front-end module 1 according to the present embodiment, the first received signal and the second received signal from the antenna terminals ANT1, ANT2, ANT3, and ANT4 to the received signal output terminals RX1 and RX2 are The transmission path can be shortened. Specifically, the first received signal is transmitted from the antenna terminals ANT1, ANT2, ANT3, and ANT4 via the paths of the ANTSW, FIL1, TX / RXSW1, LNA1, and the received signal output terminal RX1. Further, the second received signal is transmitted from the antenna terminals ANT1, ANT2, ANT3, and ANT4 via the paths of the ANTSW, FIL2, TX / RXSW2, LNA2, and the received signal output terminal RX2.

また、図5に示すように、本実施形態に係るフロントエンドモジュール1の回路配置では、送信信号入力端子TX1、TX2からアンテナ端子ANT1、ANT2、ANT3、ANT4までの第1送信信号及び第2送信信号の伝送経路を短くすることができる。具体的に、第1送信信号は、受信信号出力端子RX1から、PASW1、PA1、TX/RXSW1、FIL1、アンテナ端子ANT1、ANT2、ANT3、ANT4の経路で伝送される。また、第2送信信号は、受信信号出力端子RX2から、PASW2、PA2、TX/RXSW2、FIL2、アンテナ端子ANT1、ANT2、ANT3、ANT4の経路で伝送される。 Further, as shown in FIG. 5, in the circuit arrangement of the front-end module 1 according to the present embodiment, the first transmission signal and the second transmission from the transmission signal input terminals TX1 and TX2 to the antenna terminals ANT1, ANT2, ANT3, and ANT4. The signal transmission path can be shortened. Specifically, the first transmission signal is transmitted from the reception signal output terminal RX1 via the paths of PASW1, PA1, TX / RXSW1, FIL1, and antenna terminals ANT1, ANT2, ANT3, and ANT4. Further, the second transmission signal is transmitted from the reception signal output terminal RX2 via the paths of PASW2, PA2, TX / RXSW2, FIL2, antenna terminals ANT1, ANT2, ANT3, and ANT4.

本実施形態に係るフロントエンドモジュール1の回路配置に対し、図3Aに示す第1比較例や、図3Bに示す第2比較例では、各送受信信号の伝送経路が長くなり、各送受信信号の伝搬ロスが大きくなる可能性がある。 In the first comparative example shown in FIG. 3A and the second comparative example shown in FIG. 3B, the transmission path of each transmitted / received signal becomes longer with respect to the circuit arrangement of the front-end module 1 according to the present embodiment, and each transmitted / received signal propagates. The loss may be large.

図6は、実施形態に係るフロントエンドモジュールにおける第1チップデバイス及び第2チップデバイスの配置の合理性を示す模式図である。 FIG. 6 is a schematic diagram showing the rationality of the arrangement of the first chip device and the second chip device in the front-end module according to the embodiment.

第1チップデバイス11及び第2チップデバイス21は発熱部品である。第1チップデバイス11による放熱と第2チップデバイス21による放熱とが互いに影響することを防ぐためには、第1チップデバイス11と第2チップデバイス21とを離して配置する必要がある。 The first chip device 11 and the second chip device 21 are heat generating components. In order to prevent the heat radiation by the first chip device 11 and the heat radiation by the second chip device 21 from affecting each other, it is necessary to arrange the first chip device 11 and the second chip device 21 apart from each other.

図3Aに示す第1比較例や、図3Bに示す第2比較例では、第1チップデバイス11と第2チップデバイス21とが近接配置されるため、第1チップデバイス11と第2チップデバイス21との間で互いに放熱の影響を受けて増幅特性が劣化する可能性がある。 In the first comparative example shown in FIG. 3A and the second comparative example shown in FIG. 3B, since the first chip device 11 and the second chip device 21 are arranged close to each other, the first chip device 11 and the second chip device 21 are arranged in close proximity to each other. There is a possibility that the amplification characteristics will deteriorate due to the influence of heat dissipation from each other.

本実施形態に係るフロントエンドモジュール1の回路配置では、図6に実線矢示したように、第1チップデバイス11と第2チップデバイス21との間に第3チップデバイス30が実装される。このため、第1チップデバイス11及び第2チップデバイス21の発熱による増幅特性の劣化を抑制することができる。 In the circuit arrangement of the front-end module 1 according to the present embodiment, as shown by the solid line arrow in FIG. 6, the third chip device 30 is mounted between the first chip device 11 and the second chip device 21. Therefore, deterioration of the amplification characteristics due to heat generation of the first chip device 11 and the second chip device 21 can be suppressed.

図7は、実施形態に係るフロントエンドモジュールにおける第1フィルタ回路及び第2フィルタ回路の配置の合理性を示す模式図である。図8は、図7に示すA−A縦断面図である。 FIG. 7 is a schematic diagram showing the rationality of the arrangement of the first filter circuit and the second filter circuit in the front-end module according to the embodiment. FIG. 8 is a vertical sectional view taken along the line AA shown in FIG.

FIL1の構成部品12及びFIL2の構成部品22には、複数の伝送線路が含まれる。図3Aに示す第1比較例や図3Bに示す第2比較例のように、FIL1の構成部品12及びFIL2の構成部品22が近接配置される構成では、FIL1やFIL2の伝送線路がアンテナとなりアイソレーションが悪化する可能性がある。 The component 12 of FIL1 and the component 22 of FIL2 include a plurality of transmission lines. In a configuration in which the component 12 of FIL1 and the component 22 of FIL2 are arranged close to each other as in the first comparative example shown in FIG. 3A and the second comparative example shown in FIG. 3B, the transmission line of FIL1 and FIL2 serves as an antenna and is isolated. The ration may worsen.

本実施形態に係るフロントエンドモジュール1の回路配置では、図7に実線矢示したように、FIL1の構成部品12とFIL2の構成部品22との間に第3チップデバイス30が実装される。このため、FIL1とFIL2との間のアイソレーションの悪化を抑制することができる。 In the circuit arrangement of the front-end module 1 according to the present embodiment, as shown by the solid line arrow in FIG. 7, the third chip device 30 is mounted between the component 12 of the FIL1 and the component 22 of the FIL2. Therefore, deterioration of isolation between FIL1 and FIL2 can be suppressed.

また、複数のフロントエンドモジュール1を設けることを想定し、図8に示すように、基板2の部品実装面をシールドケース3で覆う構成が考えられる。このシールドケース3を介してFIL1とFIL2との間で送受信信号が伝搬する可能性があるが、FIL1の構成部品12とFIL2の構成部品22との間に第3チップデバイス30を設ける構成とすることで、図3Aに示す第1比較例や図3Bに示す第2比較例よりもアイソレーションの悪化を抑制することができる。 Further, assuming that a plurality of front-end modules 1 are provided, as shown in FIG. 8, a configuration is conceivable in which the component mounting surface of the substrate 2 is covered with the shield case 3. Although the transmission / reception signal may propagate between the FIL1 and the FIL2 through the shield case 3, the third chip device 30 is provided between the component 12 of the FIL1 and the component 22 of the FIL2. As a result, deterioration of isolation can be suppressed as compared with the first comparative example shown in FIG. 3A and the second comparative example shown in FIG. 3B.

図9Aは、実施形態に係るフロントエンドモジュールにおけるデカップリングコンデンサの配置の合理性を示す模式図である。図9B及び図9Cは、実施形態に係るフロントエンドモジュールにおけるデカップリングコンデンサの配置の合理性を示す模式図の変形例である。以下、まず、図9Aについて説明する。図9Aでは、電源電圧VCC3のPA1及びPA2への供給経路とデカップリングコンデンサ34の配線経路を実線で模式的に示している。 FIG. 9A is a schematic diagram showing the rationality of the arrangement of the decoupling capacitor in the front-end module according to the embodiment. 9B and 9C are modified examples of the schematic diagram showing the rationality of the arrangement of the decoupling capacitor in the front-end module according to the embodiment. Hereinafter, FIG. 9A will be described first. In FIG. 9A, the supply path of the power supply voltage VCS3 to PA1 and PA2 and the wiring path of the decoupling capacitor 34 are schematically shown by a solid line.

PADAPSWとデカップリングコンデンサ34との間の配線が長くなると、配線の抵抗成分が大きくなり電源電圧VCC3のインピーダンスが高くなる可能性がある。このため、PACAPSWとデカップリングコンデンサ34との間の配線は短いことが望ましい。 If the wiring between the PADAPSW and the decoupling capacitor 34 becomes long, the resistance component of the wiring becomes large and the impedance of the power supply voltage VCS3 may become high. Therefore, it is desirable that the wiring between the PACAPSW and the decoupling capacitor 34 is short.

本実施形態に係るフロントエンドモジュール1の回路配置では、第3チップデバイス30が実装される第3領域300にデカップリングコンデンサ34を設けている。図9に示す例では、第3チップデバイス30に隣接してデカップリングコンデンサCが実装されている。具体的に、デカップリングコンデンサ34は、PACAPSWを含むチップデバイス32に近接して配置されている(図2参照)。これにより、PACAPSWとデカップリングコンデンサ34との間の配線を短くすることができる。 In the circuit arrangement of the front-end module 1 according to the present embodiment, the decoupling capacitor 34 is provided in the third region 300 on which the third chip device 30 is mounted. In the example shown in FIG. 9, the decoupling capacitor C is mounted adjacent to the third chip device 30. Specifically, the decoupling capacitor 34 is located in close proximity to the chip device 32 containing the PACAPSW (see FIG. 2). As a result, the wiring between the PACAPSW and the decoupling capacitor 34 can be shortened.

以上、図9Aについて説明した。以下、図9B及び図9Cに示す変形例について説明する。なお、以下の図9B及び図9Cにおいて、図9Aと同じ構成要素については、図9Aと同様であるので説明を省略する。 The FIG. 9A has been described above. Hereinafter, the modified examples shown in FIGS. 9B and 9C will be described. In the following FIGS. 9B and 9C, the same components as those in FIG. 9A are the same as those in FIG. 9A, and thus the description thereof will be omitted.

図9Aでは、電源電圧端子VCC3とPACAPSWの一方端との間にデカップリングコンデンサ34が接続された例を示したが、図9Bに示すように、電源電圧端子VCC3とPACAPSWとの間に接続されたデカップリングコンデンサ34に加え、PACAPSWの他方端とGNDとの間にデカップリングコンデンサ34aを設けた構成であっても良い。また、図9Cに示すように、電源電圧端子VCC3とPACAPSWの一方端との間にデカップリングコンデンサ34を設けず、PACAPSWの他方端とGNDとの間にデカップリングコンデンサ34aを設けた構成であっても良い。PACAPSWに対するデカップリングコンデンサの接続箇所及び数は、図9Aおあら図9Cに示した構成に限定されない。 FIG. 9A shows an example in which the decoupling capacitor 34 is connected between the power supply voltage terminal VCS3 and one end of the PACAPSW, but as shown in FIG. 9B, it is connected between the power supply voltage terminal VCS3 and the PACAPSW. In addition to the decoupling capacitor 34, a decoupling capacitor 34a may be provided between the other end of the PACAPSW and GND. Further, as shown in FIG. 9C, the decoupling capacitor 34 is not provided between the power supply voltage terminal VCC3 and one end of PACAPSW, and the decoupling capacitor 34a is provided between the other end of PACAPSW and GND. May be. The connection points and the number of decoupling capacitors to PACAPSW are not limited to the configuration shown in FIG. 9A and FIG. 9C.

なお、PA1及びPA2の構成及び増幅回路の段数は、上述した実施形態に開示した構成に限定されない。例えば、PA1及びPA2が4段以上の増幅回路で構成されていても良いし、1つの増幅回路で構成されている態様であっても良い。 The configurations of PA1 and PA2 and the number of stages of the amplifier circuit are not limited to the configurations disclosed in the above-described embodiment. For example, PA1 and PA2 may be configured by four or more stages of amplifier circuits, or may be configured by one amplifier circuit.

また、上記した実施形態は、本開示の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本開示は、その趣旨を逸脱することなく、変更/改良され得るとともに、本開示にはその等価物も含まれる。 Further, the above-described embodiment is for facilitating the understanding of the present disclosure, and is not for limiting the interpretation of the present invention. The present disclosure may be modified / improved without departing from its spirit, and the present disclosure also includes its equivalents.

本開示は、上述したように、あるいは、上述に代えて、以下の構成をとることができる。 The present disclosure may have the following configurations as described above or in place of the above.

(1)本開示の一側面のフロントエンドモジュールは、基板に複数の回路ブロックが実装されるフロントエンドモジュールであって、前記回路ブロックは、第1送信信号を増幅する第1パワーアンプ回路と、第2送信信号を増幅する第2パワーアンプ回路と、第1受信信号を増幅する第1ローノイズアンプ回路と、第2受信信号を増幅する第2ローノイズアンプ回路と、第1送信信号又は第1受信信号をフィルタリングする第1フィルタ回路と、第2送信信号又は第2受信信号をフィルタリングする第2フィルタ回路と、前記第1フィルタ回路を通過する前記第1送信信号と前記第1受信信号とを切り替える第1送受信切替回路と、前記第2フィルタ回路を通過する前記第2送信信号と前記第2受信信号とを切り替える第2送受信切替回路と、を含み、前記基板は、前記第1パワーアンプ回路及び前記第1フィルタ回路が実装される第1領域と、前記第2パワーアンプ回路及び前記第2フィルタ回路が実装される第2領域と、前記第1ローノイズアンプ回路、前記第2ローノイズアンプ回路、前記第1送受信切替回路、及び前記第2送受信切替回路が実装される第3領域と、を有し、前記第1領域と前記第2領域とが、前記第3領域を挟むように配置されていることを特徴とする。 (1) The front-end module on one aspect of the present disclosure is a front-end module in which a plurality of circuit blocks are mounted on a substrate, and the circuit blocks include a first power amplifier circuit for amplifying a first transmission signal and a first power amplifier circuit. A second power amplifier circuit that amplifies the second transmission signal, a first low noise amplifier circuit that amplifies the first reception signal, a second low noise amplifier circuit that amplifies the second reception signal, and a first transmission signal or a first reception. The first filter circuit for filtering the signal, the second filter circuit for filtering the second transmission signal or the second reception signal, and the first transmission signal and the first reception signal passing through the first filter circuit are switched. A first transmission / reception switching circuit and a second transmission / reception switching circuit for switching between the second transmission signal and the second reception signal passing through the second filter circuit are included, and the substrate includes the first power amplifier circuit and the first power amplifier circuit. The first region in which the first filter circuit is mounted, the second region in which the second power amplifier circuit and the second filter circuit are mounted, the first low noise amplifier circuit, the second low noise amplifier circuit, and the above. It has a first transmission / reception switching circuit and a third region in which the second transmission / reception switching circuit is mounted, and the first region and the second region are arranged so as to sandwich the third region. It is characterized by that.

この構成では、第1受信信号及び第2受信信号の伝送経路、及び、第1送信信号及び第2送信信号の伝送経路を短くすることができ、各送受信信号の伝搬ロスを低減することができる。また、第1パワーアンプ回路及び第2パワーアンプ回路の発熱による増幅特性の劣化を抑制することができる。また、第1フィルタ回路と第2フィルタ回路との間のアイソレーションの悪化を抑制することができる。 In this configuration, the transmission path of the first received signal and the second received signal and the transmission path of the first transmitted signal and the second transmitted signal can be shortened, and the propagation loss of each transmitted / received signal can be reduced. .. Further, it is possible to suppress deterioration of the amplification characteristics due to heat generation of the first power amplifier circuit and the second power amplifier circuit. In addition, deterioration of isolation between the first filter circuit and the second filter circuit can be suppressed.

さらに、第1領域と第2領域との間に第3領域を挟むことによって、第1領域の第1パワーアンプ回路によって増幅した信号が第2領域に漏れこむことを防ぐことができる。また、第2領域の第2パワーアンプによって増幅した信号が第1領域に漏れこむことを防ぐことができる。 Further, by sandwiching the third region between the first region and the second region, it is possible to prevent the signal amplified by the first power amplifier circuit in the first region from leaking into the second region. Further, it is possible to prevent the signal amplified by the second power amplifier in the second region from leaking into the first region.

(2)上記(1)のフロントエンドモジュールにおいて、前記第1パワーアンプ回路及び前記第2パワーアンプ回路に印加する電源電圧のデカップリングコンデンサと、前記デカップリングコンデンサの容量値を切り替えるデカップリングコンデンサ切替回路と、を備え、前記デカップリングコンデンサ及び前記デカップリングコンデンサ切替回路は、前記第3領域に実装されていることを特徴とする。 (2) In the front-end module of (1) above, the decoupling capacitor switching between the decoupling capacitor of the power supply voltage applied to the first power amplifier circuit and the second power amplifier circuit and the capacitance value of the decoupling capacitor. A circuit is provided, and the decoupling capacitor and the decoupling capacitor switching circuit are mounted in the third region.

この構成では、デカップリングコンデンサ切替回路とデカップリングコンデンサとの間の配線を短くすることができる。また、デカップリングコンデンサと第1領域との間の配線、及び、デカップリングコンデンサと第2領域との間の配線を短くすることができる。これにより、平滑機能の低下を抑制することができる。 In this configuration, the wiring between the decoupling capacitor switching circuit and the decoupling capacitor can be shortened. Further, the wiring between the decoupling capacitor and the first region and the wiring between the decoupling capacitor and the second region can be shortened. As a result, deterioration of the smoothing function can be suppressed.

(3)本開示の一側面のフロントエンドモジュールは、基板に複数のデバイスが実装されるフロントエンドモジュールであって、前記デバイスは、第1送信信号を増幅する第1パワーアンプ回路を含む第1チップデバイスと、第2送信信号を増幅する第2パワーアンプ回路を含む第2チップデバイスと、第1受信信号を増幅する第1ローノイズアンプ回路、第2受信信号を増幅する第2ローノイズアンプ回路、前記第1フィルタ回路を通過する前記第1送信信号と前記第1受信信号とを切り替える第1送受信切替回路、及び、前記第2フィルタ回路を通過する前記第2送信信号と前記第2受信信号とを切り替える第2送受信切替回路を含む第3チップデバイスと、第1送信信号又は第1受信信号をフィルタリングする第1フィルタ回路の構成部品と、第2送信信号又は第2受信信号をフィルタリングする第2フィルタ回路の構成部品と、を含み、前記基板上において、前記第1チップデバイス及び前記第1フィルタ回路の構成部品と、前記第2チップデバイス及び前記第2フィルタ回路の構成部品とが、前記第3チップデバイスを挟む位置に実装されていることを特徴とする。 (3) The front-end module on one aspect of the present disclosure is a front-end module in which a plurality of devices are mounted on a substrate, and the device includes a first power amplifier circuit for amplifying a first transmission signal. A second chip device including a chip device and a second power amplifier circuit for amplifying a second transmission signal, a first low noise amplifier circuit for amplifying a first received signal, and a second low noise amplifier circuit for amplifying a second received signal. A first transmission / reception switching circuit that switches between the first transmission signal and the first reception signal that passes through the first filter circuit, and the second transmission signal and the second reception signal that pass through the second filter circuit. A third chip device including a second transmission / reception switching circuit for switching, a component of a first filter circuit for filtering a first transmission signal or a first reception signal, and a second for filtering a second transmission signal or a second reception signal. The components of the first chip device and the first filter circuit, and the components of the second chip device and the second filter circuit include the components of the filter circuit, and the components of the first chip device and the first filter circuit are included in the substrate. The feature is that it is mounted at a position sandwiching the 3-chip device.

この構成では、第1受信信号及び第2受信信号の伝送経路、及び、第1送信信号及び第2送信信号の伝送経路を短くすることができ、各送受信信号の伝搬ロスを低減することができる。また、第1チップデバイス及び第2チップデバイスの発熱による増幅特性の劣化を抑制することができる。また、第1フィルタ回路の構成部品と第2フィルタ回路の構成部品との間のアイソレーションの悪化を抑制することができる。 In this configuration, the transmission path of the first received signal and the second received signal and the transmission path of the first transmitted signal and the second transmitted signal can be shortened, and the propagation loss of each transmitted / received signal can be reduced. .. In addition, deterioration of amplification characteristics due to heat generation of the first chip device and the second chip device can be suppressed. In addition, deterioration of isolation between the components of the first filter circuit and the components of the second filter circuit can be suppressed.

さらに、第1チップデバイス及び第1フィルタ回路の構成部品と、第2チップデバイス及び第2フィルタ回路の構成部品とを、第3チップデバイスを挟む位置に実装することによって、第1チップデバイスの第1パワーアンプ回路によって増幅した信号が第2チップデバイスに漏れこむことを防ぐことができる。また、第2チップデバイスの第2パワーアンプによって増幅した信号が第1チップデバイスに漏れこむことを防ぐことができる。 Further, by mounting the components of the first chip device and the first filter circuit and the components of the second chip device and the second filter circuit at positions sandwiching the third chip device, the first chip device can be first. It is possible to prevent the signal amplified by the 1 power amplifier circuit from leaking to the second chip device. Further, it is possible to prevent the signal amplified by the second power amplifier of the second chip device from leaking to the first chip device.

(4)上記(3)のフロントエンドモジュールにおいて、前記第1パワーアンプ回路及び前記第2パワーアンプ回路に印加する電源電圧のデカップリングコンデンサと、前記デカップリングコンデンサの容量値を切り替えるデカップリングコンデンサ切替回路と、を備え、前記デカップリングコンデンサ切替回路は、前記第3チップデバイスに設けられ、前記デカップリングコンデンサは、前記第3第3チップデバイスに隣接して実装されていることを特徴とする。 (4) In the front-end module of (3) above, the decoupling capacitor switching between the decoupling capacitor of the power supply voltage applied to the first power amplifier circuit and the second power amplifier circuit and the capacitance value of the decoupling capacitor. The decoupling capacitor switching circuit is provided in the third chip device, and the decoupling capacitor is mounted adjacent to the third chip device.

この構成では、デカップリングコンデンサ切替回路とデカップリングコンデンサとの間の配線を短くすることができる。また、デカップリングコンデンサと第1チップデバイスとの間の配線、及び、デカップリングコンデンサと第2チップデバイスとの間の配線を短くすることができる。これにより、平滑機能の低下を抑制することができる。 In this configuration, the wiring between the decoupling capacitor switching circuit and the decoupling capacitor can be shortened. Further, the wiring between the decoupling capacitor and the first chip device and the wiring between the decoupling capacitor and the second chip device can be shortened. As a result, deterioration of the smoothing function can be suppressed.

(5)上記(1)から(4)の何れかのフロントエンドモジュールにおいて、前記基板を覆うシールドケースを備えることを特徴とする。 (5) The front-end module according to any one of (1) to (4) is provided with a shield case for covering the substrate.

本開示により、性能劣化を抑制することができるフロントエンドモジュールを実現することができる。 According to the present disclosure, it is possible to realize a front-end module capable of suppressing performance deterioration.

1 フロントエンドモジュール
2 基板
3 シールドケース
11 第1チップデバイス
12 構成部品(第1フィルタ回路)
21 第2チップデバイス
22 構成部品(第2フィルタ回路)
30 第3チップデバイス
31 チップデバイス
32 チップデバイス
33 チップデバイス
34 デカップリングコンデンサ
100 第1領域
200 第2領域
300 第3領域
1 Front-end module 2 Board 3 Shield case 11 1st chip device 12 Components (1st filter circuit)
21 2nd chip device 22 Components (2nd filter circuit)
30 3rd chip device 31 Chip device 32 Chip device 33 Chip device 34 Decoupling capacitor 100 1st region 200 2nd region 300 3rd region

Claims (5)

基板に複数の回路ブロックが実装されるフロントエンドモジュールであって、
前記回路ブロックは、
第1送信信号を増幅する第1パワーアンプ回路と、
第2送信信号を増幅する第2パワーアンプ回路と、
第1受信信号を増幅する第1ローノイズアンプ回路と、
第2受信信号を増幅する第2ローノイズアンプ回路と、
第1送信信号又は第1受信信号をフィルタリングする第1フィルタ回路と、
第2送信信号又は第2受信信号をフィルタリングする第2フィルタ回路と、
前記第1フィルタ回路を通過する前記第1送信信号と前記第1受信信号とを切り替える第1送受信切替回路と、
前記第2フィルタ回路を通過する前記第2送信信号と前記第2受信信号とを切り替える第2送受信切替回路と、
を含み、
前記基板は、
前記第1パワーアンプ回路及び前記第1フィルタ回路が実装される第1領域と、
前記第2パワーアンプ回路及び前記第2フィルタ回路が実装される第2領域と、
前記第1ローノイズアンプ回路、前記第2ローノイズアンプ回路、前記第1送受信切替回路、及び前記第2送受信切替回路が実装される第3領域と、
を有し、
前記第1領域と前記第2領域とが、前記第3領域を挟むように配置されている
ことを特徴とするフロントエンドモジュール。
A front-end module in which multiple circuit blocks are mounted on a board.
The circuit block is
The first power amplifier circuit that amplifies the first transmission signal and
A second power amplifier circuit that amplifies the second transmission signal,
The first low noise amplifier circuit that amplifies the first received signal, and
The second low noise amplifier circuit that amplifies the second received signal, and
A first filter circuit that filters the first transmission signal or the first reception signal,
A second filter circuit that filters the second transmission signal or the second reception signal,
A first transmission / reception switching circuit that switches between the first transmission signal and the first reception signal that passes through the first filter circuit.
A second transmission / reception switching circuit that switches between the second transmission signal and the second reception signal that passes through the second filter circuit.
Including
The substrate is
The first region in which the first power amplifier circuit and the first filter circuit are mounted, and
A second region in which the second power amplifier circuit and the second filter circuit are mounted, and
A third region in which the first low noise amplifier circuit, the second low noise amplifier circuit, the first transmission / reception switching circuit, and the second transmission / reception switching circuit are mounted.
Have,
A front-end module characterized in that the first region and the second region are arranged so as to sandwich the third region.
請求項1に記載のフロントエンドモジュールであって、
前記第1パワーアンプ回路及び前記第2パワーアンプ回路に印加する電源電圧のデカップリングコンデンサと、
前記デカップリングコンデンサの容量値を切り替えるデカップリングコンデンサ切替回路と、
を備え、
前記デカップリングコンデンサ及び前記デカップリングコンデンサ切替回路は、前記第3領域に実装されている
ことを特徴とするフロントエンドモジュール。
The front-end module according to claim 1.
A decoupling capacitor of the power supply voltage applied to the first power amplifier circuit and the second power amplifier circuit,
The decoupling capacitor switching circuit that switches the capacitance value of the decoupling capacitor,
Equipped with
The front-end module, wherein the decoupling capacitor and the decoupling capacitor switching circuit are mounted in the third region.
基板に複数のデバイスが実装されるフロントエンドモジュールであって、
前記デバイスは、
第1送信信号を増幅する第1パワーアンプ回路を含む第1チップデバイスと、
第2送信信号を増幅する第2パワーアンプ回路を含む第2チップデバイスと、
第1送信信号又は第1受信信号をフィルタリングする第1フィルタ回路の構成部品と、
第2送信信号又は第2受信信号をフィルタリングする第2フィルタ回路の構成部品と、
第1受信信号を増幅する第1ローノイズアンプ回路、第2受信信号を増幅する第2ローノイズアンプ回路、前記第1フィルタ回路を通過する前記第1送信信号と前記第1受信信号とを切り替える第1送受信切替回路、及び、前記第2フィルタ回路を通過する前記第2送信信号と前記第2受信信号とを切り替える第2送受信切替回路を含む第3チップデバイスと、
を含み、
前記基板上において、前記第1チップデバイス及び前記第1フィルタ回路の構成部品と、前記第2チップデバイス及び前記第2フィルタ回路の構成部品とが、前記第3チップデバイスを挟む位置に実装されている
ことを特徴とするフロントエンドモジュール。
A front-end module in which multiple devices are mounted on the board.
The device is
A first chip device including a first power amplifier circuit that amplifies the first transmission signal, and
A second chip device including a second power amplifier circuit that amplifies the second transmission signal, and
The components of the first filter circuit that filters the first transmission signal or the first reception signal, and
A component of the second filter circuit that filters the second transmission signal or the second reception signal, and
A first low noise amplifier circuit that amplifies the first received signal, a second low noise amplifier circuit that amplifies the second received signal, and a first switch between the first transmitted signal passing through the first filter circuit and the first received signal. A third chip device including a transmission / reception switching circuit and a second transmission / reception switching circuit for switching between the second transmission signal and the second reception signal passing through the second filter circuit.
Including
On the substrate, the components of the first chip device and the first filter circuit, and the components of the second chip device and the second filter circuit are mounted at positions sandwiching the third chip device. Front-end module characterized by being present.
請求項3に記載のフロントエンドモジュールであって、
前記第1パワーアンプ回路及び前記第2パワーアンプ回路に印加する電源電圧のデカップリングコンデンサと、
前記デカップリングコンデンサの容量値を切り替えるデカップリングコンデンサ切替回路と、
を備え、
前記デカップリングコンデンサ切替回路は、前記第3チップデバイスに設けられ、
前記デカップリングコンデンサは、前記第3チップデバイスに隣接して実装されている
ことを特徴とするフロントエンドモジュール。
The front-end module according to claim 3.
A decoupling capacitor of the power supply voltage applied to the first power amplifier circuit and the second power amplifier circuit,
The decoupling capacitor switching circuit that switches the capacitance value of the decoupling capacitor,
Equipped with
The decoupling capacitor switching circuit is provided in the third chip device.
The decoupling capacitor is a front-end module characterized in that it is mounted adjacent to the third chip device.
請求項1から4の何れか一項に記載のフロントエンドモジュールであって、
前記基板を覆うシールドケースを備える
ことを特徴とするフロントエンドモジュール。
The front-end module according to any one of claims 1 to 4.
A front-end module comprising a shield case that covers the substrate.
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