JP2021179597A - Reticle pod provided with optically identifiable marks and method for identifying the same - Google Patents

Reticle pod provided with optically identifiable marks and method for identifying the same Download PDF

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Abstract

To provide a reticle pod provided with optically identifiable marks so as to allow its disposition to a correct site within a semiconductor processing device.SOLUTION: The invention discloses a reticle pod including a base and a lid mounted to the base. The base has a bottom surface (200) having at least one first mark (201) and at least one second mark (202). The first mark has a first reflectivity relative to a light source (311), and the second mark has a second reflectivity relative to the light source. The first reflectivity is different from the second reflectivity and also different from that of the rest area of the bottom surface.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本開示内容(本発明)は、レチクルポッド、特に光学的に識別可能なマークが周囲に設けられたレチクルポッドおよびレチクルポッド上のマークを識別する方法に関する。 The present disclosure (the present invention) relates to a reticle pod, particularly a reticle pod with an optically identifiable mark around it and a method for identifying a mark on the reticle pod.

開放機構の面から見ると、レチクルポッドは、一般に、前側(フロント)開放機構を備えた形式および頂部(トップ)開放機構を備えた別の形式にそれぞれ分類できる。しかしながら、レチクルポッドの形式とは無関係に、プロセス全体において経路のオフセットおよび配置場所のずれが何ら生じないようにして処理装置(例えば、黄色光リソグラフィプロセスを実施する装置)のプラットホーム内でレチクルポッドを首尾良く開くことができるようにするためには、レチクルポッドは、かかるプラットホーム内に正しくかつ寸分違わず配置されなければならない。 In terms of opening mechanism, reticle pods can generally be categorized into a type with a front opening mechanism and another type with a top opening mechanism. However, regardless of the type of reticle pod, the reticle pod should be placed within the platform of the processing device (eg, a device that performs a yellow light lithography process) so that there is no path offset or misalignment throughout the process. To be able to open successfully, the reticle pods must be placed correctly and exactly in the platform.

台湾国実用新案登録(TWM)第496146号明細書として発行された公開特許文献は、マークを備えたEUV(極紫外線)レチクルポッドを開示しており、このEUVレチクルポッドは、ポッドおよびポッドの本体に設けられた少なくとも1つのマークを有し、このマークは、レーザ彫刻法によって形成される。このマークは、レーザビームに対して反射性を有する。したがって、プロセス装置のプラットホームにはレーザ検出手段を搭載するのが良く、それによりプラットホームに対するレチクルポッドの向きを識別することができる。具体的には、プラットホームは、レチクルポッドが所要の位置にあるかどうかを確認するためにマークに当たるレーザビームを出し、そしてこのマークからの反射レーザビームを受け取るよう構成されているのが良い。 The published patent document issued as Taiwan Utility Model Registration (TWM) No. 496146 discloses an EUV (extreme ultraviolet) reticle pod with a mark, which is the pod and the body of the pod. It has at least one mark provided on the site, and this mark is formed by the laser engraving method. This mark is reflective to the laser beam. Therefore, it is preferable to mount the laser detection means on the platform of the process apparatus, whereby the orientation of the reticle pod with respect to the platform can be identified. Specifically, the platform should be configured to emit a laser beam that hits the mark and receive a reflected laser beam from this mark to see if the reticle pod is in the required position.

台湾国実用新案登録第496146号明細書Taiwan Utility Model Registration No. 496146

かかるレーザ検出手段または光検出手段を備えるのが良い従来および将来の半導体処理装置を考慮して、種々のプロセスにおいて種々の要件を満たしまたは生じさせるために光学的に識別可能なマークを備えたレチクルポッドを開発することが要望されている。 Considering conventional and future semiconductor processing equipment to which such laser detecting means or photodetecting means may be provided, a reticle with an optically identifiable mark to meet or give rise to various requirements in various processes. It is requested to develop a pod.

本発明の目的は、基部および基部に係合する蓋を有するレチクルポッドを提供することにある。基部は、少なくとも1つの第1のマークおよび少なくとも1つの第2のマークを備えた底面を有し、第1のマークは、光源に対して第1の反射性を有し、第2のマークは、光源に対して第2の反射性を有し、第1の反射性は、第2の反射性とは異なっている。 An object of the present invention is to provide a base and a reticle pod having a lid that engages the base. The base has a bottom surface with at least one first mark and at least one second mark, the first mark has a first reflectivity to a light source, and the second mark has a second mark. , Has a second reflectivity with respect to the light source, the first reflectivity is different from the second reflectivity.

一実施形態では、少なくとも1つの第1のマークは、底面の中心軸線上に位置し、少なくとも1つの第2のマークは、中心軸線によって定められた底面の一方の側上に位置する。 In one embodiment, at least one first mark is located on the central axis of the bottom surface and at least one second mark is located on one side of the bottom surface defined by the central axis.

一実施形態では、底面は、中心軸線に垂直でありかつ底面を第1の領域と第2の領域に分割する横方向軸線を有し、少なくとも1つの第1のマークは、中心軸線と横方向軸線の交点上に位置し、第2のマークは、第2の領域内に位置する。 In one embodiment, the bottom surface is perpendicular to the central axis and has a lateral axis that divides the bottom surface into a first region and a second region, and at least one first mark is lateral to the central axis. Located on the intersection of the axes, the second mark is located within the second region.

一実施形態では、第1のマークは、円形のマークであり、第2のマークは、円形のマークであり、第1のマークの直径は、第2のマークの直径よりも大きい。 In one embodiment, the first mark is a circular mark, the second mark is a circular mark, and the diameter of the first mark is larger than the diameter of the second mark.

一実施形態では、第2のマークの中心と中心軸線は、横方向オフセット距離を定め、第2のマークの中心と横方向軸線は、垂直方向オフセット距離を定め、横方向オフセット距離は、垂直方向オフセット距離よりも短い。 In one embodiment, the center of the second mark and the central axis define the lateral offset distance, the center of the second mark and the lateral axis define the vertical offset distance, and the lateral offset distance is the vertical. Shorter than the offset distance.

一実施形態では、横方向オフセット距離は、18mmであり、垂直方向オフセット距離は、58mmである。 In one embodiment, the lateral offset distance is 18 mm and the vertical offset distance is 58 mm.

一実施形態では、光源は、特定の波長を持つレーザビームである。 In one embodiment, the light source is a laser beam with a particular wavelength.

一実施形態では、少なくとも1つの第1のマークは、第1の表面粗さを有し、少なくとも1つの第2のマークは、第1の表面粗さと異なる第2の表面粗さを有し、第1の表面粗さと第2の表面粗さの両方は、底面上の他の領域の表面粗さとは異なっている。 In one embodiment, at least one first mark has a first surface roughness and at least one second mark has a second surface roughness different from the first surface roughness. Both the first surface roughness and the second surface roughness are different from the surface roughness of the other regions on the bottom surface.

本発明の別の目的は、少なくとも1つの第1のマークおよび少なくとも1つの第2のマークを備えた底面を有する基部を備えたレチクルポッドを識別する方法を提供することにある。第1のマークは、光源に対して第1の反射性を有し、第2のマークは、光源に対して第2の反射性を有し、第1の反射性は、第2の反射性とは異なる。本方法は、レチクルポッドを多数のプローブ光を備えた処理プラットホーム上に配置するステップと、プローブ光を少なくとも1つの第1のマークおよび少なくとも1つの第2のマーク上にそれぞれ投射するステップと、少なくとも1つの第1のマークからの第1の反射光および少なくとも1つの第2のマークからの第2の反射光を受け取り、それに応じて少なくとも1つの第1のメッセージおよび少なくとも1つの第2のメッセージを生成するステップとを含み、第1のメッセージは、レチクルポッドが正しい場所に配置されているかどうかを示し、少なくとも1つの第2のメッセージは、レチクルポッドの識別結果を示す。 Another object of the present invention is to provide a method of identifying a reticle pod with a base having a bottom surface with at least one first mark and at least one second mark. The first mark has the first reflectivity to the light source, the second mark has the second reflectivity to the light source, and the first reflectivity is the second reflectivity. Is different. The method comprises placing the reticle pod on a processing platform with a large number of probe lights, projecting the probe lights onto at least one first mark and at least one second mark, respectively, and at least. Receives the first reflected light from one first mark and the second reflected light from at least one second mark, and accordingly at least one first message and at least one second message. The first message, including the step to generate, indicates whether the reticle pod is in the correct location, and at least one second message indicates the identification result of the reticle pod.

一実施形態では、プローブ光は、特定の波長を持つレーザビームである。 In one embodiment, the probe light is a laser beam with a particular wavelength.

一実施形態では、本方法は、少なくとも1つの第1の反射光に対応した少なくとも1つの第1の電圧値および少なくとも1つの第2の反射光に対応した少なくとも1つの第2の電圧値を受け取るステップをさらに含み、少なくとも1つの第1の電圧値は、少なくとも1つの第2の電圧値とは異なっている。 In one embodiment, the method receives at least one first voltage value corresponding to at least one first reflected light and at least one second voltage value corresponding to at least one second reflected light. Further including a step, at least one first voltage value is different from at least one second voltage value.

一実施形態では、少なくとも1つの第1の電圧値は、4.8〜5.2Vであり、少なくとも1つの第2の電圧値は、4.0V未満である。 In one embodiment, at least one first voltage value is 4.8 to 5.2 V and at least one second voltage value is less than 4.0 V.

一実施形態では、識別結果は、レチクルポッドまたはレチクルのモデルまたはバージョンを含む。 In one embodiment, the identification result comprises a reticle pod or a model or version of the reticle.

本発明のさらに別の目的は、レチクルポッドを識別する方法を提供することにある。本方法は、レチクルポッドの基部の底面上に少なくとも1つの第1のマークおよび少なくとも1つの第2のマークを用意するステップを含み、第1のマークは、光源に対して第1の反射性を有し、第2のマークは、光源に対して第2の反射性を有し、第1の反射性は、第2の反射性とは異なっており、第2の反射性は、レチクルポッドの識別結果と関連しており、本方法は、レチクルポッドを多数のプローブ光を備えた処理プラットホーム上に配置するステップと、プローブ光を少なくとも1つの第1のマークおよび少なくとも1つの第2のマーク上に投射するステップと、少なくとも1つの第1のマークからの第1の反射光および少なくとも1つの第2のマークからの第2の反射光を受け取り、そして少なくとも1つの第1のメッセージおよび少なくとも1つの第2のメッセージを生成するステップとをさらに含み、少なくとも1つのメッセージは、レチクルポッドが正しい場所に配置されているかどうかを示す一方で、少なくとも1つの第2のメッセージは、レチクルポッドの識別結果を示す。 Yet another object of the present invention is to provide a method for identifying a reticle pod. The method comprises the step of preparing at least one first mark and at least one second mark on the bottom surface of the base of the reticle pod, where the first mark provides first reflectivity to the light source. The second mark has a second reflectivity to the light source, the first reflectivity is different from the second reflectivity, and the second reflectivity is of the reticle pod. Related to the identification results, the method involves placing the reticle pod on a processing platform with a large number of probe lights and placing the probe lights on at least one first mark and at least one second mark. To receive the first reflected light from at least one first mark and the second reflected light from at least one second mark, and at least one first message and at least one. Further including the step of generating a second message, at least one message indicates whether the reticle pod is placed in the correct place, while at least one second message indicates the identification result of the reticle pod. show.

一実施形態では、少なくとも1つの第1のマークおよび少なくとも1つの第2のマークは、レーザ彫刻法によって基部の底面上に形成される。 In one embodiment, the at least one first mark and the at least one second mark are formed on the bottom surface of the base by laser engraving.

本発明は、添付の図面および以下に与えられる説明を参照すると、より完全に理解できる。図面を参照して、本発明を限定することを意図しておらず、しかも網羅的であることを意図していない種々の実施例について説明する。図中に示されている要素は、構造および関連の原理を説明するために、必ずしも実際の縮尺通りには描かれていない。 The present invention can be more fully understood with reference to the accompanying drawings and the description given below. With reference to the drawings, various embodiments that are not intended to be limiting and are not intended to be exhaustive will be described. The elements shown in the figure are not necessarily drawn to actual scale to explain the structural and related principles.

レチクルポッドの分解組立図である。It is an exploded view of the reticle pod. 本発明にかかるレチクルポッドの底面図である。It is a bottom view of the reticle pod which concerns on this invention. 複数のマークおよびこれらの対応した検出光源を備えている処理装置のプラットホーム上に位置する本発明にかかるレチクルポッドを示す図である。It is a figure which shows the reticle pod which concerns on this invention located on the platform of the processing apparatus equipped with a plurality of marks and corresponding detection light sources of these. 複数のマークおよびこれらの対応した検出光源を備えている処理装置のプラットホーム上に位置する本発明にかかるレチクルポッドを示す図である。It is a figure which shows the reticle pod which concerns on this invention located on the platform of the processing apparatus equipped with a plurality of marks and corresponding detection light sources of these.

本発明のより完全な説明が添付の図面を参照して以下に与えられており、諸実施例は、例示の実施形態を実証するために提供されている。それにもかかわらず、本発明のクレーム請求された主題を種々の形態で具体化することができ、したがって、権利範囲に含まれまたはクレーム請求された主題の構成は、本明細書に開示された例示のどの実施形態にも限定されるべきではなく、例示の実施形態は、実施例として提供されているに過ぎない。同様に、本発明は、クレーム請求されまたは権利範囲に含まれる主題に関して合理的に広い範囲を提供することが意図されている。さらに、例えば、クレーム請求された主題は、方法、装置、またはシステムとして具体化できる。したがって、特定の実施形態は、例えばハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、またはこれらの任意の組み合わせ(ノンソフトウェア(non-software)であると呼ばれている)の形態を取ることができる。 A more complete description of the invention is given below with reference to the accompanying drawings, and examples are provided to demonstrate exemplary embodiments. Nevertheless, the claimed subject matter of the present invention can be embodied in various forms, and thus the composition of the claimed subject matter included in the scope of rights is exemplified herein. It should not be limited to any of the embodiments, and the exemplary embodiments are provided only as examples. Similarly, the invention is intended to provide a reasonably broad scope with respect to the subject matter claimed or included in the scope of rights. Further, for example, the claimed subject matter can be embodied as a method, device, or system. Thus, a particular embodiment may take the form of, for example, hardware, software, firmware, or any combination thereof (referred to as non-software).

本明細書で用いられる「実施形態」という用語は、必ずしも、同一の実施形態そのものを指すわけではなく、本明細書で用いられる「他の(幾つかの/ある特定の)実施形態」という用語は、必ずしも、互いに異なる実施形態を指すものではない。本明細書の目的は、例示の実施形態の全てまたは一部の組み合わせを含む諸実施例を用いてクレーム請求された主題を説明することにある。 The term "embodiment" as used herein does not necessarily refer to the same embodiment itself, but the term "other (several / certain) embodiments" as used herein. Does not necessarily refer to different embodiments. It is an object of the present specification to illustrate the claimed subject matter with examples including all or a combination of all or part of the exemplary embodiments.

図1は、外側ポッド(100)および内側ポッド(110)を備えたレチクルポッドの分解組立図であり、このレチクルポッドは、EUVレチクルポッドであるのが良い。外側ポッド(100)は、内側ポッド(110)を受け入れるよう互いに組み合わせ可能な蓋(101)および基部(102)を有する。内側ポッド(110)は、蓋(111)および基部(112)を有しかつレチクル(120)を受け入れるよう構成されている。 FIG. 1 is an exploded view of a reticle pod with an outer pod (100) and an inner pod (110), which reticle pod is preferably an EUV reticle pod. The outer pod (100) has a lid (101) and a base (102) that can be combined with each other to accommodate the inner pod (110). The inner pod (110) has a lid (111) and a base (112) and is configured to receive the reticle (120).

外側ポッド(100)および内側ポッド(110)は、省かれている多くの細部を有することができるが、本発明に関連した内容についてのみ説明する。具体的には示されておらずかつ説明されていないが、当業者であれば、幾つかの形態では、外側ポッド(100)の蓋(101)の内部が複数の制限ピンを備えるのが良く、基部(102)が排気弁を備えるのが良く、内側ポッド(110)の蓋(111)がフィルタチャネルを備えるのが良いことは予想できよう。 The outer pod (100) and the inner pod (110) can have many details omitted, but only the content related to the present invention will be described. Although not specifically shown and described, those skilled in the art will preferably have a plurality of limiting pins inside the lid (101) of the outer pod (100) in some embodiments. It can be expected that the base (102) should be equipped with an exhaust valve and the inner pod (110) lid (111) should be equipped with a filter channel.

図2は、本発明にかかるレチクルポッドの底面図である。具体的に説明すると、この図は、内側ポッドの底面(200)および対応の蓋の一部である1対の保持部材(210)を示すよう単純化されたレチクルポッドの内側ポッドの底面図である。1対の保持部材(210)を手で保持して蓋から持ち上げることができ、それによりレチクルが露出する。レチクルポッドが処理装置のプラットホーム上に配置される場合、底面(200)は、プラットホームの運搬インターフェースに接触しまたは結合することになる。幾つかの形式のプラットホームが多数のプローブ光源および対応の読み取りユニットを提供し、これらは、光学利用測定および識別を達成するよう用いられる。 FIG. 2 is a bottom view of the reticle pod according to the present invention. Specifically, this figure is a bottom view of the inner pod of the reticle pod simplified to show the bottom of the inner pod (200) and a pair of holding members (210) that are part of the corresponding lid. be. A pair of holding members (210) can be held by hand and lifted from the lid, thereby exposing the reticle. If the reticle pod is placed on the platform of the processing device, the bottom surface (200) will contact or connect to the platform's hauling interface. Several types of platforms provide a large number of probe light sources and corresponding reading units, which are used to achieve optical utilization measurements and identification.

上述の光学的識別向きに構成された複数のマークが本発明に従って基部の底面(200)上に設けられている。図示の実施形態では、底面(200)は、3つの第1のマーク(201)および第2のマーク(202)を備えている。第1のマーク(201)は、プラットホーム上に配置されたときの基部(112)の水平度をチェックするために用いられる。第2のマーク(202)は、レチクルポッドに関する上方(例えば、バージョン)をチェックするために用いられる。これら第1のマーク(201)のうちの1つは、一般に、底面(200)の中心のところ、より具体的には、Y方向に沿って延びかつ底面(200)を2つの対称半部(200A,200B)に分割する中心軸線(203)のところに位置している。 A plurality of marks configured for the above-mentioned optical identification orientation are provided on the bottom surface (200) of the base according to the present invention. In the illustrated embodiment, the bottom surface (200) comprises three first marks (201) and a second mark (202). The first mark (201) is used to check the levelness of the base (112) when placed on the platform. The second mark (202) is used to check upwards (eg, version) for the reticle pod. One of these first marks (201) generally extends at the center of the bottom surface (200), more specifically along the Y direction, and extends the bottom surface (200) into two symmetric halves (200). It is located at the central axis (203) that divides into 200A and 200B).

中心軸線(203)上の第1のマーク(201)は、X方向に沿う横方向軸線(204)をさらに定め、横方向軸線(204)は、中心軸線(203)に垂直である。横方向軸線(204)は、底面(200)を第1の領域(200′)および第2の領域(200″)にさらに分割している。中心軸線(203)上の第1のマーク(201)に加えて、他の2つの第1のマーク(201)は両方とも、第1の領域(200′)内に位置するが、それぞれ半部(200A,200B)内に位置している。図示のように、横方向オフセット距離は、それぞれの半部(200A,200B)内に配置された第1のマーク(201)と中心軸線(203)によって定められ、他方、垂直方向オフセット距離は、それぞれの半部(200A,200B)内に配置された第1のマーク(201)と横方向軸線によって定められ、横方向オフセット距離は、垂直方向オフセット距離よりも長い。換言すると、それぞれ2つの半部(200A,200B)内に配置された第1のマーク(201)は、垂直軸線(203)よりも横方向軸線(204)の方に隣接して位置している。 The first mark (201) on the central axis (203) further defines the lateral axis (204) along the X direction, and the lateral axis (204) is perpendicular to the central axis (203). The horizontal axis (204) further divides the bottom surface (200) into a first region (200 ′) and a second region (200 ″). The first mark (201) on the central axis (203). ), The other two first marks (201) are both located within the first region (200'), but are located within half (200A, 200B), respectively. As such, the lateral offset distance is determined by the first mark (201) and the central axis (203) located within each half (200A, 200B), while the vertical offset distance is, respectively. The lateral offset distance is longer than the vertical offset distance, as defined by the first mark (201) and the lateral axis located within the half (200A, 200B) of the. The first mark (201) arranged in (200A, 200B) is located adjacent to the horizontal axis (204) rather than the vertical axis (203).

第2のマーク(202)は、底面(200)の第2の領域(200″)の半部(200A)内に位置している。第2のマーク(202)の中心と中心軸線(203)は、横方向オフセット距離(D1)を定めている。第2のマーク(202)の中心と垂直軸線(204)は、垂直方向オフセット距離(D2)を定めている。D1は、D2よりも小さい。したがって、第2のマークは、相対的に中心軸線(203)に隣接して位置し、第2のマーク(202)は、相対的に中心軸線(203)の第1のマーク(201)に隣接して位置している。 The second mark (202) is located within the half portion (200A) of the second region (200 ″) of the bottom surface (200); the center of the second mark (202) and the central axis (203). Defines the lateral offset distance (D1). The center of the second mark (202) and the vertical axis (204) define the vertical offset distance (D2). D1 is smaller than D2. Therefore, the second mark is located relatively adjacent to the central axis (203), and the second mark (202) is relatively located on the first mark (201) of the central axis (203). It is located adjacent to each other.

図示の実施形態では、第1のマーク(201)および第2のマーク(202)は、全体として円形の形状をなしており、第2のマーク(202)の直径は、第1のマーク(201)の直径よりも小さい。理解されるべきこととして、底面(200)は、実際には完全に平坦な表面ではない。構造的に紛らわしくないようにするために、第1のマーク(201)および第2のマーク(202)は、不完全な円の形に切り取られても良い。変形例として、第1のマーク(201)および第2のマーク(202)は、平坦度が不完全な表面に起因して互いに異なる高さ位置に位置しても良いが、底面図で見て円形の形に観察できるようにするのが良い。 In the illustrated embodiment, the first mark (201) and the second mark (202) have a circular shape as a whole, and the diameter of the second mark (202) is the diameter of the first mark (201). ) Is smaller than the diameter. It should be understood that the bottom surface (200) is not really a perfectly flat surface. The first mark (201) and the second mark (202) may be cut into an incomplete circular shape so as not to be structurally confusing. As a modification, the first mark (201) and the second mark (202) may be located at different height positions due to the surface with incomplete flatness, but as seen from the bottom view. It is good to be able to observe it in a circular shape.

一実施形態では、中心軸線(203)上の第1のマーク(201)は、第1のマーク(201)を通る中心軸線(203)および横方向軸線(204)が底面(200)を互いに等しい半部(200A,200B)にかつ第1の領域(200′)および第2の領域(200″)の互いに等しい領域に分割するよう底面(200)の中心のところに位置するのが良い。好ましくは、第2のマーク(202)は、直径が16mmまたはそれ以上の円の形状をしている。第2のマーク(202)の中心と中心軸線(203)との間の横方向オフセット距離(D1)は、18mmであり、第2のマーク(202)の中心と横方向軸線(204)との間の垂直方向オフセット距離(D2)は、58mmである。 In one embodiment, the first mark (201) on the central axis (203) has the central axis (203) and the lateral axis (204) passing through the first mark (201) equal to each other on the bottom surface (200). It is preferably located at the center of the bottom surface (200) so as to divide it into half (200A, 200B) and equal regions of the first region (200') and the second region (200 ″). The second mark (202) is in the shape of a circle with a diameter of 16 mm or more. The lateral offset distance (203) between the center of the second mark (202) and the central axis (203). D1) is 18 mm, and the vertical offset distance (D2) between the center of the second mark (202) and the lateral axis (204) is 58 mm.

それにもかかわらず、第2のマーク(202)の形状および被覆率は、図面によって制限されることはない。考えられる実施形態では、第2のマーク(202)の被覆率は、第2の領域(200″)の2つの半部(200A,200B)を含んでも良く、あるいは第1および第2の領域(200′,200″)を含んでも良い。 Nevertheless, the shape and coverage of the second mark (202) is not limited by the drawings. In a conceivable embodiment, the coverage of the second mark (202) may include two halves (200A, 200B) of the second region (200 ″), or the first and second regions (200A, 200B). 200 ′, 200 ″) may be included.

第1のマーク(201)および第2のマーク(202)は、特定の表面処理によって底面(200)上に形成され、この表面処理は、第1のマーク(201)および第2のマーク(202)に第1の光学反射性および第2の光学反射性をそれぞれ与える。理解されるべきこととして、本発明にかかる「反射性」という用語は、特定の光源(例えば、特定の波長を持つレーザビーム)に対する光反射性を意味している。内側ポッドの基部が金属で作られている場合、第1のマーク(201)および第2のマーク(202)は、レーザ表面処理によってまたは金属表面に適用される化学反応によって形成される。さらには、第1のマーク(201)および第2のマーク(202)を作るには、他の物質のフィルムを金属表面に取り付けても良い。したがって、第1のマーク(201)の第1の反射性と第2のマーク(202)の第2の反射性は、基部の底面(200)の反射性と異なっている。 The first mark (201) and the second mark (202) are formed on the bottom surface (200) by a specific surface treatment, and this surface treatment is performed on the first mark (201) and the second mark (202). ) Is given a first optical reflectivity and a second optical reflectivity, respectively. It should be understood that the term "reflective" in the present invention means light reflectivity to a particular light source (eg, a laser beam having a particular wavelength). If the base of the inner pod is made of metal, the first mark (201) and second mark (202) are formed by laser surface treatment or by a chemical reaction applied to the metal surface. Furthermore, in order to make the first mark (201) and the second mark (202), a film of another substance may be attached to the metal surface. Therefore, the first reflectivity of the first mark (201) and the second reflectivity of the second mark (202) are different from the reflectivity of the bottom surface (200) of the base.

具体的に説明すると、マークは、他の物質および他の色のTLSM(silver matt pet label stock:PETシルバーマット素材)または他のステッカであるのが良い。変形例として、金属物質、例えば銀、アルミニウムまたは銅を電気メッキ、蒸着、無電解めっき、ろう付け、埋め込みおよび超音波融合のような方式でマークの所定の領域に取り付けて比較的高いまたは比較的低い反射性を生じさせても良い。カーボンナノチューブを含む被膜を標的表面に被着させて減少したマーク反射性を得ても良い。 Specifically, the mark may be TLSM (silver matt pet label stock) or other stickers of other substances and colors. As a variant, metallic materials such as silver, aluminum or copper are attached to a given area of the mark in a manner such as electroplating, vapor deposition, electroless plating, brazing, embedding and ultrasonic fusion to be relatively high or relatively high. It may produce low reflectivity. A film containing carbon nanotubes may be applied to the target surface to obtain reduced mark reflectivity.

反射性の差は、特定の波長を持つレーザビームを第1のマーク(201)、第2のマーク(202)および底面(200)の他の領域にそれぞれ投射し、そして対応の反射方向における反射値を受け取ることによって観察できる。例えば、ある特定のパワー値を持つレーザビームを第1のマーク(201)上に投射し、そして反射方向における反射レーザビームのパワー値を測定し、測定パワー値が投射レーザの60%である場合には第1のマーク(201)は、光源に対して60%反射性を有する。処理装置では、反射光の読み取り値を異なるマーク反射性に依存する電圧値に変換することができる。 The difference in reflectivity projects a laser beam with a specific wavelength onto the other regions of the first mark (201), second mark (202) and bottom surface (200), respectively, and reflects in the corresponding reflection direction. It can be observed by receiving the value. For example, when a laser beam with a specific power value is projected onto the first mark (201) and the power value of the reflected laser beam in the reflection direction is measured and the measured power value is 60% of the projection laser. The first mark (201) has 60% reflectivity with respect to the light source. The processing device can convert the reading of the reflected light into a voltage value that depends on different mark reflectivity.

一実施形態では、マークの反射性は、その表面粗さによって算定される。上述のレーザ表面処理は、基部の元々の表面を粗面化することであり、それにより、プラットホームに設けられたプローブ光源が粗面に当たって反射性をその反射方向に向かって減少させたときに不規則な反射性を生じさせる。例えば、第1のマーク(201)および第2のマーク(202)はそれぞれ、第1の表面粗さおよび第2の表面粗さを有し、第1の表面粗さと第2の表面粗さは、互いに、しかも底面の他の領域とは著しく異なっている。第1のマーク(201)および第2のマーク(202)からのそれぞれの反射光が互いに干渉したり読み取り値に悪影響を及ぼすのを避けるために、本発明にかかる中心軸線(203)上の第2のマーク(202)および第1のマーク(201)は、反射光がプラットホームによって読み取られたときに互いに干渉することがないようにする特定の関係を持っている。 In one embodiment, the reflectivity of a mark is calculated by its surface roughness. The laser surface treatment described above is to roughen the original surface of the base, which is not possible when the probe light source provided on the platform hits the rough surface and reduces its reflectivity towards its reflection direction. Produces regular reflectivity. For example, the first mark (201) and the second mark (202) have a first surface roughness and a second surface roughness, respectively, and the first surface roughness and the second surface roughness are. , Each other, and significantly different from the other areas on the bottom. In order to prevent the reflected light from the first mark (201) and the second mark (202) from interfering with each other or adversely affecting the reading, the first on the central axis (203) according to the present invention. The second mark (202) and the first mark (201) have a specific relationship that prevents the reflected light from interfering with each other when read by the platform.

幾つかの実施形態では、追加の第3のマーク(205)が1対の保持部材(210)の下向きの表面上に設けられるのが良く、これら第3のマークは、蓋が基部の上方に位置しているかどうかまたは蓋の向きを識別するのを助けることができる。 In some embodiments, additional third marks (205) are preferably provided on the downward surface of the pair of holding members (210), which have a lid above the base. It can help identify whether it is located or the orientation of the lid.

本発明はさらに、レチクルポッドを識別する方法を提供し、この場合、レチクルポッドは、第1のマーク(201)および第2のマーク(202)を備えている。レチクルポッドを概略的に示している図3Aおよび図3Bを参照すると、レチクルポッドは、処理プラットホーム(310)の運搬面の上方に配置されている。本方法は、レチクルポッドを多数のプローブ光源(311,312,313,314)を備えた処理プラットホーム(310)上に配置するステップを含み、この場合、プローブ光源は、特定の波長を持つレーザ光源であり、各プローブ光源の各々は、光検出器をさらに含む。 The present invention further provides a method of identifying the reticle pod, in which case the reticle pod comprises a first mark (201) and a second mark (202). With reference to FIGS. 3A and 3B, which schematically show the reticle pod, the reticle pod is located above the transport surface of the processing platform (310). The method comprises placing the reticle pod on a processing platform (310) with a large number of probe light sources (311, 312, 313, 314), in which case the probe light source is a laser light source with a specific wavelength. And each of the probe light sources further includes a photodetector.

本方法は、プローブ光源(311,312,313,314)からのプローブ光を第1のマーク(201)および第2のマーク(202)上にそれぞれ投射するステップを含む。図示のように、プローブ光源(311,312,313,314)は、第1のマーク(201)および第2のマーク(202)に対応するよう配置されている。実際には、プローブ光は、マークに斜めに当たるよう構成されているのが良く、この場合、反射光もまた斜めであるのが良い。幾つかの実施形態では、プローブ光源(311,312,313,314)は、プローブ光を光案内組立体経由でこれらのマークに投射する。これらプローブ光源(311,312,313,314)は、同一の光学パラメータを有するのが良い。変形例として、第1のマーク(201)に対応したプローブ光源(311,312,313)は、第2のマーク(202)に対応したプローブ光源(314)の形態とは異なる形態を有しても良い。 The method comprises projecting probe light from a probe light source (311, 312, 313, 314) onto the first mark (201) and the second mark (202), respectively. As shown, the probe light sources (311, 312, 313, 314) are arranged to correspond to the first mark (201) and the second mark (202). In practice, the probe light should be configured to hit the mark at an angle, in which case the reflected light should also be at an angle. In some embodiments, the probe light source (311, 312, 313, 314) projects the probe light onto these marks via the light guide assembly. These probe light sources (311, 312, 313, 314) may have the same optical parameters. As a modification, the probe light source (311, 312, 313) corresponding to the first mark (201) has a different form from the probe light source (314) corresponding to the second mark (202). Is also good.

本方法は、プラットホーム(310)によって、第1のマーク(201)からの第1の反射光および第2のマーク(202)からの第2の反射光を受け取り、それに応じて第1のメッセージおよび第2のメッセージを生成するステップを含む。例えば、プラットホームは、反射光を電圧値に変換することができ、それによって、第1の反射光は、第1の電圧値に対応し、第2の反射光は、第2の電圧値に対応する。第1の電圧値は、第1のマーク(201)と第2のマーク(202)との反射性の差に起因して第2の電圧値とは一般に異なっている。 The method receives the first reflected light from the first mark (201) and the second reflected light from the second mark (202) by the platform (310), and accordingly the first message and the first message. Includes a step to generate a second message. For example, the platform can convert the reflected light into a voltage value, whereby the first reflected light corresponds to the first voltage value and the second reflected light corresponds to the second voltage value. do. The first voltage value is generally different from the second voltage value due to the difference in reflectivity between the first mark (201) and the second mark (202).

光検出器が第1のマーク(201)に関するそれぞれの第1の電圧値を読み取り、それぞれの第1の電圧値が所定の範囲内に収まる場合、第1のメッセージは、レチクルポッドが正しい場所に配置されていることを指示する。光検出器が第2のマーク(202)に関する第2の電圧値を読み取り、第2の電圧値が所定の範囲内に収まっている場合、第2のメッセージは、レチクルポッドの識別結果を指示することができる。例えば、第1のマーク(201)に関する第1の電圧値の所定の範囲は、4.8〜5.2Vであり、第2のマーク(202)に関する第2の電圧値の所定の範囲は、4.0V未満である(ゼロではない)。「メッセージ」は、プラットホームによって送信される検出結果である。 If the photodetector reads each first voltage value for the first mark (201) and each first voltage value falls within a predetermined range, the first message is that the reticle pod is in the correct place. Instruct that it is placed. If the photodetector reads the second voltage value for the second mark (202) and the second voltage value is within a predetermined range, the second message indicates the identification result of the reticle pod. be able to. For example, the predetermined range of the first voltage value for the first mark (201) is 4.8 to 5.2V, and the predetermined range of the second voltage value for the second mark (202) is. It is less than 4.0V (not zero). A "message" is a detection result sent by the platform.

識別結果は、レチクルポッドモデルまたはバージョンの識別を含む。例えば、プラットホームは、検出された第2の電圧値をプラットホームによって接近可能な記憶装置に記憶されかつレチクルポッドに関する情報(例えば、モデルまたはバージョン)または第2の電圧値に対するレチクルの情報を含む所定のレチクルポッド識別一覧に関連付けることができる。 Identification results include identification of the reticle pod model or version. For example, the platform stores the detected second voltage value in a storage device accessible by the platform and contains information about the reticle pod (eg, model or version) or information about the reticle for the second voltage value. Can be associated with the reticle pod identification list.

上述の実施形態に関する説明を考慮して、本発明は、情報がマシンプラットホームによって識別可能なレチクルポッドおよびかかるレチクルポッドを識別する方法を開示しており、その結果、レーザ検出方式を備えた処理装置は、レチクルポッド情報識別をさらに提供することができ、それにより製造プロセスにおけるデータ操作具合が向上する。 In view of the above description of embodiments, the present invention discloses a reticle pod whose information is identifiable by a machine platform and a method of identifying such reticle pods, resulting in a processing apparatus comprising a laser detection scheme. Can further provide reticle pod information identification, which improves data manipulation in the manufacturing process.

100 外側ポッド
101,111 蓋
102,112 基部
110 内側ポッド
120 レチクル
201 第1のマーク
202 第2のマーク
203 中心軸線
204 横方向軸線
205 第3のマーク
210 保持部材
200 底面
200A,200B 半部
200′ 第1の領域
200″ 第2の領域
300,310 処理プラットホーム
311,312,313 プローブ光源
100 Outer pod 101,111 Lid 102,112 Base 110 Inner pod 120 Reticle 201 First mark 202 Second mark 203 Central axis 204 Horizontal axis 205 Third mark 210 Retaining member 200 Bottom 200A, 200B Half 200' First region 200 ″ Second region 300,310 Processing platform 311, 312, 313 Probe light source

Claims (15)

基部および前記基部に係合している蓋を備えたレチクルポッドであって、
前記基部は、少なくとも1つの第1のマークおよび少なくとも1つの第2のマークを備えた底面を有し、第1のマークは、光源に対して第1の反射性を有し、第2のマークは、前記光源に対して第2の反射性を有し、前記第1の反射性は、前記第2の反射性とは異なっている、レチクルポッド。
A reticle pod with a base and a lid engaged to the base.
The base has a bottom surface with at least one first mark and at least one second mark, the first mark having a first reflectivity to a light source and a second mark. Is a reticle pod that has a second reflectivity with respect to the light source, the first reflectivity being different from the second reflectivity.
前記少なくとも1つの第1のマークは、前記底面の中心軸線上に位置し、前記少なくとも1つの第2のマークは、前記中心軸線によって定められた前記底面の一方の側上に位置する、請求項1記載のレチクルポッド。 Claimed that the at least one first mark is located on the central axis of the bottom surface and the at least one second mark is located on one side of the bottom surface defined by the central axis. 1 The reticle pod described. 前記底面は、前記中心軸線に垂直でありかつ前記底面を第1の領域と第2の領域に分割する横方向軸線を有し、前記少なくとも1つの第1のマークは、前記中心軸線と前記横方向軸線の交点上に位置し、前記第2のマークは、前記第2の領域内に位置する、請求項2記載のレチクルポッド。 The bottom surface is perpendicular to the central axis and has a lateral axis that divides the bottom surface into a first region and a second region, and the at least one first mark is the central axis and the lateral axis. The reticle pod according to claim 2, which is located on the intersection of the directional axes, and the second mark is located in the second region. 前記第1のマークは、円形のマークであり、前記第2のマークは、円形のマークであり、前記第1のマークの直径は、前記第2のマークの直径よりも大きい、請求項3記載のレチクルポッド。 3. The third mark, wherein the first mark is a circular mark, the second mark is a circular mark, and the diameter of the first mark is larger than the diameter of the second mark. Reticle pod. 前記第2のマークの中心と前記中心軸線は、横方向オフセット距離を定め、前記第2のマークの前記中心と前記横方向軸線は、垂直方向オフセット距離を定め、前記横方向オフセット距離は、前記垂直方向オフセット距離よりも短い、請求項4記載のレチクルポッド。 The center of the second mark and the central axis define a lateral offset distance, the center of the second mark and the lateral axis define a vertical offset distance, and the lateral offset distance is the above. The reticle pod according to claim 4, which is shorter than the vertical offset distance. 前記横方向オフセット距離は、18mmであり、前記垂直方向オフセット距離は、58mmである、請求項5記載のレチクルポッド。 The reticle pod according to claim 5, wherein the lateral offset distance is 18 mm and the vertical offset distance is 58 mm. 前記光源は、特定の波長を持つレーザビームである、請求項1記載のレチクルポッド。 The reticle pod according to claim 1, wherein the light source is a laser beam having a specific wavelength. 前記少なくとも1つの第1のマークは、第1の表面粗さを有し、前記少なくとも1つの第2のマークは、前記第1の表面粗さと異なる第2の表面粗さを有し、前記第1の表面粗さと前記第2の表面粗さの両方は、前記底面上の他の領域の表面粗さとは異なっている、請求項1記載のレチクルポッド。 The at least one first mark has a first surface roughness, and the at least one second mark has a second surface roughness different from the first surface roughness, said first. The reticle pod according to claim 1, wherein both the surface roughness of 1 and the surface roughness of the second surface are different from the surface roughness of other regions on the bottom surface. 少なくとも1つの第1のマークおよび少なくとも1つの第2のマークを備えた底面を有する基部を備えたレチクルポッドを識別する方法であって、前記第1のマークが光源に対して第1の反射性を有し、前記第2のマークが前記光源に対して第2の反射性を有し、前記第1の反射性が前記第2の反射性とは異なる、方法において、
前記レチクルポッドを多数のプローブ光を備えた処理プラットホーム上に配置するステップと、
前記プローブ光を前記少なくとも1つの第1のマークおよび前記少なくとも1つの第2のマーク上にそれぞれ投射するステップと、
前記少なくとも1つの第1のマークからの第1の反射光および前記少なくとも1つの第2のマークからの第2の反射光を受け取り、それに応じて少なくとも1つの第1のメッセージおよび少なくとも1つの第2のメッセージを生成するステップとを含み、
前記第1のメッセージは、前記レチクルポッドが正しい場所に配置されているかどうかを示し、前記少なくとも1つの第2のメッセージは、前記レチクルポッドの識別結果を示す、方法。
A method of identifying a reticle pod with a base having a bottom surface with at least one first mark and at least one second mark, wherein the first mark is the first reflectivity to a light source. In a method, wherein the second mark has a second reflectivity with respect to the light source, and the first reflectivity is different from the second reflectivity.
The step of placing the reticle pod on a processing platform with a large number of probe lights,
A step of projecting the probe light onto the at least one first mark and the at least one second mark, respectively.
It receives the first reflected light from the at least one first mark and the second reflected light from the at least one second mark, and accordingly at least one first message and at least one second. Including steps to generate a message for
The method, wherein the first message indicates whether the reticle pod is placed in the correct place, and the at least one second message indicates the identification result of the reticle pod.
前記プローブ光は、特定の波長を持つレーザビームである、請求項9記載の方法。 The method according to claim 9, wherein the probe light is a laser beam having a specific wavelength. 前記少なくとも1つの第1の反射光に対応した少なくとも1つの第1の電圧値および前記少なくとも1つの第2の反射光に対応した少なくとも1つの第2の電圧値を受け取るステップをさらに含み、前記少なくとも1つの第1の電圧値は、前記少なくとも1つの第2の電圧値とは異なっている、請求項9記載の方法。 The step further comprises receiving at least one first voltage value corresponding to the at least one first reflected light and at least one second voltage value corresponding to the at least one second reflected light, said at least. The method of claim 9, wherein the one first voltage value is different from the at least one second voltage value. 前記少なくとも1つの第1の電圧値は、4.8〜5.2Vであり、前記少なくとも1つの第2の電圧値は、4.0V未満である、請求項11記載の方法。 11. The method of claim 11, wherein the at least one first voltage value is 4.8 to 5.2 V and the at least one second voltage value is less than 4.0 V. 前記識別結果は、前記レチクルポッドまたはレチクルのモデルまたはバージョンを含む、請求項9記載の方法。 9. The method of claim 9, wherein the identification result comprises a model or version of the reticle pod or reticle. レチクルポッドを識別する方法であって、
レチクルポッドの基部の底面上に少なくとも1つの第1のマークおよび少なくとも1つの第2のマークを用意するステップを含み、前記第1のマークは、光源に対して第1の反射性を有し、前記第2のマークは、前記光源に対して第2の反射性を有し、前記第1の反射性は、前記第2の反射性とは異なっており、前記第2の反射性は、前記レチクルポッドの識別結果と関連しており、
前記レチクルポッドを多数のプローブ光を備えた処理プラットホーム上に配置するステップを含み、
前記プローブ光を前記少なくとも1つの第1のマークおよび前記少なくとも1つの第2のマーク上に投射するステップを含み、
前記少なくとも1つの第1のマークからの第1の反射光および前記少なくとも1つの第2のマークからの第2の反射光を受け取り、そして少なくとも1つの第1のメッセージおよび少なくとも1つの第2のメッセージを生成するステップを含み、前記少なくとも1つのメッセージは、前記レチクルポッドが正しい場所に配置されているかどうかを示す一方で、前記少なくとも1つの第2のメッセージは、前記レチクルポッドの前記識別結果を示す、方法。
A way to identify reticle pods
It comprises the step of preparing at least one first mark and at least one second mark on the bottom surface of the base of the reticle pod, wherein the first mark has a first reflectivity to a light source. The second mark has a second reflectivity with respect to the light source, the first reflectivity is different from the second reflectivity, and the second reflectivity is the second reflectivity. It is related to the identification result of the reticle pod and
Including the step of placing the reticle pod on a processing platform with a large number of probe lights.
It comprises the step of projecting the probe light onto the at least one first mark and the at least one second mark.
It receives the first reflected light from the at least one first mark and the second reflected light from the at least one second mark, and at least one first message and at least one second message. The at least one message indicates whether the reticle pod is placed in the correct place, while the at least one second message indicates the identification result of the reticle pod. ,Method.
前記少なくとも1つの第1のマークおよび前記少なくとも1つの第2のマークは、レーザ彫刻法によって前記基部の前記底面上に形成される、請求項14記載の方法。 14. The method of claim 14, wherein the at least one first mark and the at least one second mark are formed on the bottom surface of the base by a laser engraving method.
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