JP2021176186A - Mounting platform assembly, board processing device, and board processing method - Google Patents

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Abstract

To provide a technique for reducing the amount of heat transfer gas leak at the time of suction of an edge ring.SOLUTION: A mounting base assembly on which a substrate is mounted includes a base, an electrostatic chuck mounted on the base, and a plurality of edge rings arranged around the substrate. The edge ring is composed of a plurality of edge ring pieces divided in the circumferential direction. The electrostatic chuck includes a substrate suction portion that sucks the substrate and an edge ring suction portion that sucks the plurality of edge rings. The edge ring adsorption portion includes a heat transfer gas groove to which heat transfer gas is supplied to each region where the plurality of edge ring pieces are sucked.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本開示は、載置台アセンブリ、基板処理装置および基板処理方法に関する。 The present disclosure relates to a mounting table assembly, a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

例えば、特許文献１には、フォーカスリング（エッジリング）の裏面をフォーカスリング載置面に静電吸着する基板保持部と、フォーカスリングの裏面に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給部とを備える基板処理装置が開示されている。 For example, in Patent Document 1, a substrate holding portion that electrostatically attracts the back surface of a focus ring (edge ring) to a focus ring mounting surface and a heat transfer gas supply portion that supplies heat transfer gas to the back surface of the focus ring are provided. The substrate processing apparatus provided is disclosed.

特開２０１５−０６２２３７号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2015-062237

本開示は、エッジリング吸着時に伝熱ガスのリーク量を低減させる技術を提供する。 The present disclosure provides a technique for reducing the amount of heat transfer gas leak during edge ring adsorption.

本開示の一の態様によれば、基板を載置する載置台アセンブリであって、基台と、前記基台上に配置される静電チャックと、前記基板の周囲に配置される複数のエッジリングと、を備え、前記エッジリングは、周方向に分割された複数のエッジリング片から構成され、前記静電チャックは、前記基板を吸着する基板吸着部と、前記複数のエッジリング片を吸着するエッジリング吸着部とを有し、前記エッジリング吸着部は、前記複数のエッジリングが吸着される各領域に、伝熱ガスが供給される伝熱ガス溝をそれぞれ有する載置台アセンブリが提供される。 According to one aspect of the present disclosure, it is a mounting base assembly on which a substrate is mounted, that is, a base, an electrostatic chuck arranged on the base, and a plurality of edges arranged around the base. The edge ring includes a ring, and the edge ring is composed of a plurality of edge ring pieces divided in the circumferential direction. The electrostatic chuck attracts a substrate suction portion that sucks the substrate and the plurality of edge ring pieces. An edge ring suction portion is provided, and the edge ring suction portion is provided with a mounting table assembly having heat transfer gas grooves to which heat transfer gas is supplied to each region where the plurality of edge rings are sucked. NS.

本開示は、エッジリング吸着時に伝熱ガスのリーク量を低減させる技術を提供する。 The present disclosure provides a technique for reducing the amount of heat transfer gas leak during edge ring adsorption.

図１は、本実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to the present embodiment. 図２は、本実施形態に係る基板処理装置のエッジリング周辺の拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the periphery of the edge ring of the substrate processing apparatus according to the present embodiment. 図３は、本実施形態に係る基板処理装置の載置台アセンブリの上面図である。FIG. 3 is a top view of the mounting table assembly of the substrate processing apparatus according to the present embodiment. 図４は、本実施形態に係る基板処理装置の静電チャックの上面図である。FIG. 4 is a top view of the electrostatic chuck of the substrate processing apparatus according to the present embodiment. 図５は、本実施形態に係る基板処理装置の静電チャックの断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of an electrostatic chuck of the substrate processing apparatus according to the present embodiment. 図６は、本実施形態に係る基板処理装置の静電チャックへの伝熱ガスの供給を説明する図である。FIG. 6 is a diagram illustrating the supply of heat transfer gas to the electrostatic chuck of the substrate processing apparatus according to the present embodiment. 図７は、本実施形態に係る基板処理装置の静電チャックへの伝熱ガスの圧力制御について説明する図である。FIG. 7 is a diagram illustrating pressure control of heat transfer gas to the electrostatic chuck of the substrate processing apparatus according to the present embodiment. 図８は、本実施形態に係る基板処理装置のエッジリング温度と圧力設定値との相関について説明する図である。FIG. 8 is a diagram for explaining the correlation between the edge ring temperature of the substrate processing apparatus according to the present embodiment and the pressure set value. 図９は、本実施形態に係る基板処理装置のエッチングレートの分布の例を説明する図である。FIG. 9 is a diagram illustrating an example of an etching rate distribution of the substrate processing apparatus according to the present embodiment. 図１０は、ウエハ背面の伝熱ガスの圧力とウエハの温度との関係を説明する図である。FIG. 10 is a diagram illustrating the relationship between the pressure of the heat transfer gas on the back surface of the wafer and the temperature of the wafer. 図１１は、本実施形態に係る基板処理装置の基板処理方法について説明する図である。FIG. 11 is a diagram illustrating a substrate processing method of the substrate processing apparatus according to the present embodiment. 図１２は、本実施形態に係る基板処理装置の静電チャックへの電力の供給を説明する図である。FIG. 12 is a diagram illustrating the supply of electric power to the electrostatic chuck of the substrate processing apparatus according to the present embodiment. 図１３は、本実施形態に係る基板処理装置の基板処理方法について説明する図である。FIG. 13 is a diagram illustrating a substrate processing method of the substrate processing apparatus according to the present embodiment. 図１４は、本実施形態に係る基板処理装置での処理枚数とエッチングレートの変動率について説明する図である。FIG. 14 is a diagram illustrating a volatility of the number of sheets processed and the etching rate in the substrate processing apparatus according to the present embodiment. 図１５は、本実施形態に係る基板処理装置のエッジリングの端部の断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view of an end portion of an edge ring of the substrate processing apparatus according to the present embodiment. 図１６は、本実施形態に係る基板処理装置のエッジリングの端部の断面図である。FIG. 16 is a cross-sectional view of an end portion of an edge ring of the substrate processing apparatus according to the present embodiment. 図１７は、本実施形態に係る基板処理装置のエッジリングの端部の断面図である。FIG. 17 is a cross-sectional view of an end portion of an edge ring of the substrate processing apparatus according to the present embodiment.

以下、本開示を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。なお、理解の容易のため、図面における各部の縮尺は、実際とは異なる場合がある。平行、直角、直交、水平、垂直、上下、左右などの方向には、実施形態の効果を損なわない程度のずれが許容される。角部の形状は、直角に限られず、弓状に丸みを帯びてもよい。平行、直角、直交、水平、垂直には、略平行、略直角、略直交、略水平、略垂直が含まれてもよい。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present disclosure will be described with reference to the drawings. In the present specification and the drawings, substantially the same configurations are designated by the same reference numerals to omit duplicate explanations. For ease of understanding, the scale of each part in the drawing may differ from the actual scale. In the directions of parallel, right angle, orthogonal, horizontal, vertical, up and down, left and right, etc., a deviation that does not impair the effect of the embodiment is allowed. The shape of the corner portion is not limited to a right angle, and may be rounded in a bow shape. Parallel, right-angled, orthogonal, horizontal, and vertical may include substantially parallel, substantially right-angled, substantially orthogonal, substantially horizontal, and substantially vertical.

＜基板処理装置１の全体構成＞
まず、図１を参照しながら基板処理装置１の全体構成の一例について説明する。図１は、本実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す断面図である。なお、本実施形態では、基板処理装置１がＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）型の基板処理装置である例について説明する。ただし、基板処理装置１は、プラズマエッチング装置やプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置等であってもよい。 <Overall configuration of substrate processing device 1>
First, an example of the overall configuration of the substrate processing apparatus 1 will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment. In this embodiment, an example in which the substrate processing apparatus 1 is a RIE (Reactive Ion Etching) type substrate processing apparatus will be described. However, the substrate processing apparatus 1 may be a plasma etching apparatus, a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus, or the like.

図１において、基板処理装置１は、金属製、例えば、アルミニウム製またはステンレス鋼製の接地された円筒型の処理容器２を有し、該処理容器２内に、基板Ｗを載置する円板状の載置台１０が配設されている。載置台１０は、基台１００と、静電チャック２００と、を備える。基台１００は、下部電極として機能する。基台１００は、例えばアルミニウムからなる。基台１００は、絶縁性の筒状保持部材１２を介して処理容器２の底から垂直上方に延びる筒状支持部１３に支持されている。 In FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 has a grounded cylindrical processing container 2 made of metal, for example, aluminum or stainless steel, and a disk on which the substrate W is placed is placed in the processing container 2. A mounting table 10 in the shape of a shape is arranged. The mounting base 10 includes a base 100 and an electrostatic chuck 200. The base 100 functions as a lower electrode. The base 100 is made of, for example, aluminum. The base 100 is supported by a cylindrical support portion 13 extending vertically upward from the bottom of the processing container 2 via an insulating tubular holding member 12.

処理容器２の側壁と筒状支持部１３の間には排気路１４が形成され、排気路１４の入口または途中に環状のバッフル板１５が配設されると共に、底部に排気口１６が設けられ、該排気口１６に排気管１７を介して排気装置１８が接続されている。ここで、排気装置１８は、ドライポンプおよび真空ポンプを有し、処理容器２内の処理空間を所定の真空度まで減圧する。また、排気管１７は可変式バタフライバルブである自動圧力制御弁（ａｕｔｏｍａｔｉｃ ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｃｏｎｔｒｏｌ ｖａｌｖｅ）（以下、「ＡＰＣ」という。）を有し、該ＡＰＣは自動的に処理容器２内の圧力制御を行う。さらに、処理容器２の側壁には、基板Ｗの搬入出口１９を開閉するゲートバルブ２０が取り付けられている。 An exhaust passage 14 is formed between the side wall of the processing container 2 and the tubular support portion 13, an annular baffle plate 15 is arranged at the entrance or in the middle of the exhaust passage 14, and an exhaust port 16 is provided at the bottom. An exhaust device 18 is connected to the exhaust port 16 via an exhaust pipe 17. Here, the exhaust device 18 has a dry pump and a vacuum pump, and decompresses the processing space in the processing container 2 to a predetermined degree of vacuum. Further, the exhaust pipe 17 has an automatic pressure control valve (automatic pressure control valve) (hereinafter, referred to as “APC”) which is a variable butterfly valve, and the APC automatically controls the pressure in the processing container 2. .. Further, a gate valve 20 for opening and closing the carry-in / outlet 19 of the substrate W is attached to the side wall of the processing container 2.

基台１００には、整合部を介して、高周波（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ：ＲＦ）電源が接続される。図１に示す例では、基台１００には、整合部２２ａを介して第１高周波電源２１ａが接続されている。また、基台１００には、整合部２２ｂを介して第２高周波電源２１ｂが接続されている。第１高周波電源２１ａは、所定周波数（例えば４０ＭＨｚ）のプラズマ発生用の高周波電力を基台１００に供給する。第２高周波電源２１ｂは、第１高周波電源２１ａよりも低い所定周波数（例えば、４００ｋＨｚ）のイオン引き込み用の高周波電力を基台１００に供給する。 A high frequency (Radio Frequency: RF) power supply is connected to the base 100 via a matching portion. In the example shown in FIG. 1, the first high frequency power supply 21a is connected to the base 100 via the matching portion 22a. Further, a second high frequency power supply 21b is connected to the base 100 via a matching portion 22b. The first high-frequency power supply 21a supplies high-frequency power for generating plasma at a predetermined frequency (for example, 40 MHz) to the base 100. The second high-frequency power supply 21b supplies the base 100 with high-frequency power for attracting ions at a predetermined frequency (for example, 400 kHz) lower than that of the first high-frequency power supply 21a.

処理容器２の天井部には、上部電極としても機能するシャワーヘッド２４が配設されている。これにより、基台１００とシャワーヘッド２４の間に、第１高周波電源２１ａおよび第２高周波電源２１ｂからの２つの周波数の高周波電力が供給される。 A shower head 24 that also functions as an upper electrode is arranged on the ceiling of the processing container 2. As a result, high frequency power of two frequencies from the first high frequency power supply 21a and the second high frequency power supply 21b is supplied between the base 100 and the shower head 24.

基台１００の上面には静電吸着力により基板Ｗを吸着する静電チャック２００が設けられている。静電チャック２００は、基板Ｗが載置される円板状の基板吸着部２００ａと、基板吸着部２００ａを囲むように形成された環状のエッジリング吸着部２００ｂとを有する。基板吸着部２００ａは、エッジリング吸着部２００ｂに対して図中上方に突出している。基板吸着部２００ａの上面は、基板Ｗを載置する基板載置面２００ａ１である。エッジリング吸着部２００ｂの上面はエッジリング３００を載置するエッジリング載置面２００ｂ１である。エッジリング載置面２００ｂ１は、基板載置面２００ａ１の周囲にてエッジリング３００を載置するようになっている。エッジリング３００は、フォーカスリングともいう。なお、後述するように、本実施形態の基板処理装置１では、エッジリング３００は、複数のエッジリング片３０１〜３０６から構成される。 An electrostatic chuck 200 that attracts the substrate W by electrostatic attraction is provided on the upper surface of the base 100. The electrostatic chuck 200 has a disk-shaped substrate suction portion 200a on which the substrate W is placed, and an annular edge ring suction portion 200b formed so as to surround the substrate suction portion 200a. The substrate suction portion 200a projects upward in the drawing with respect to the edge ring suction portion 200b. The upper surface of the substrate suction portion 200a is a substrate mounting surface 200a1 on which the substrate W is mounted. The upper surface of the edge ring suction portion 200b is an edge ring mounting surface 200b1 on which the edge ring 300 is mounted. The edge ring mounting surface 200b1 is adapted to mount the edge ring 300 around the substrate mounting surface 200a1. The edge ring 300 is also referred to as a focus ring. As will be described later, in the substrate processing apparatus 1 of the present embodiment, the edge ring 300 is composed of a plurality of edge ring pieces 301 to 306.

また、基板吸着部２００ａは、導電膜からなる基板吸着用電極板２１０を一対の誘電膜の間に挟み込むことによって構成される。基板吸着用電極板２１０には、直流電源２７が電気的に接続されている。エッジリング吸着部２００ｂは、導電膜からなるエッジリング吸着用電極板２２０を一対の誘電膜の間に挟み込むことによって構成される。エッジリング吸着用電極板２２０には、直流電源２８が電気的に接続されている。なお、後述するように、本実施形態の基板処理装置１では、エッジリング吸着部２００ｂに複数のエッジリング吸着用電極板を備える。複数のエッジリング吸着用電極板のそれぞれには、直流電源２８が接続される。なお、本開示において、特に区別する必要がない場合は、それぞれのエッジリング吸着部２００ｂの電極板を総称してエッジリング吸着用電極板２２０と呼ぶ。 Further, the substrate adsorption portion 200a is configured by sandwiching a substrate adsorption electrode plate 210 made of a conductive film between a pair of dielectric films. A DC power supply 27 is electrically connected to the substrate adsorption electrode plate 210. The edge ring adsorption portion 200b is configured by sandwiching an edge ring adsorption electrode plate 220 made of a conductive film between a pair of dielectric films. A DC power supply 28 is electrically connected to the edge ring adsorption electrode plate 220. As will be described later, in the substrate processing apparatus 1 of the present embodiment, the edge ring adsorption portion 200b is provided with a plurality of edge ring adsorption electrode plates. A DC power supply 28 is connected to each of the plurality of edge ring suction electrode plates. In the present disclosure, when it is not necessary to distinguish between them, the electrode plates of the respective edge ring adsorption portions 200b are collectively referred to as an edge ring adsorption electrode plate 220.

なお、載置台１０と、エッジリング３００との組み合わせを、載置台アセンブリ５という場合がある。 The combination of the mounting table 10 and the edge ring 300 may be referred to as the mounting table assembly 5.

直流電源２７および直流電源２８は、供給する直流電圧のレベルおよび極性の変更が可能とされている。直流電源２７は、後述する制御部４３からの制御により、基板吸着用電極板２１０に直流電圧を印加する。直流電源２８は、制御部４３からの制御により、エッジリング吸着用電極板２２０に直流電圧を印加する。静電チャック２００は、直流電源２７から基板吸着用電極板２１０に印加された電圧によりクーロン力等の静電気力を発生させ、静電気力により静電チャック２００に基板Ｗを吸着保持する。また、静電チャック２００は、直流電源２８からエッジリング吸着用電極板２２０に印加された電圧によりクーロン力等の静電気力を発生させ、静電気力により静電チャック２００にエッジリング３００を吸着保持する。直流電源２８は、複数のエッジリング吸着用電極板のそれぞれに、個別の電圧を印加することができる。 The DC power supply 27 and the DC power supply 28 can change the level and polarity of the DC voltage to be supplied. The DC power supply 27 applies a DC voltage to the substrate adsorption electrode plate 210 under the control of the control unit 43 described later. The DC power supply 28 applies a DC voltage to the edge ring adsorption electrode plate 220 under the control of the control unit 43. The electrostatic chuck 200 generates an electrostatic force such as a Coulomb force by the voltage applied from the DC power supply 27 to the substrate adsorption electrode plate 210, and attracts and holds the substrate W on the electrostatic chuck 200 by the electrostatic force. Further, the electrostatic chuck 200 generates an electrostatic force such as a Coulomb force by the voltage applied to the edge ring adsorption electrode plate 220 from the DC power supply 28, and attracts and holds the edge ring 300 on the electrostatic chuck 200 by the electrostatic force. .. The DC power supply 28 can apply an individual voltage to each of the plurality of edge ring adsorption electrode plates.

なお、本実施形態の静電チャック２００は、基板吸着部２００ａとエッジリング吸着部２００ｂとが一体となっているが、基板吸着部２００ａとエッジリング吸着部２００ｂとをそれぞれ別の静電チャックとしてもよい。すなわち、基板吸着用電極板２１０とエッジリング吸着用電極板２２０とがそれぞれ独立した誘電膜に挟まれるように構成してもよい。また、本実施形態のエッジリング吸着用電極板２２０は、単極の電極の例を示したが、双極の電極としてもよい。なお、双極の場合、プラズマが生成されていないときでも、エッジリング３００を吸着することができる。 In the electrostatic chuck 200 of the present embodiment, the substrate suction portion 200a and the edge ring suction portion 200b are integrated, but the substrate suction portion 200a and the edge ring suction portion 200b are used as separate electrostatic chucks. May be good. That is, the substrate adsorption electrode plate 210 and the edge ring adsorption electrode plate 220 may be configured to be sandwiched between independent dielectric films. Further, although the edge ring adsorption electrode plate 220 of the present embodiment shows an example of a unipolar electrode, it may be a bipolar electrode. In the case of bipolar, the edge ring 300 can be adsorbed even when plasma is not generated.

基台１００の内部には、例えば、円周方向に延在する流路１１０が設けられている。流路１１０には、チラーユニット３２から配管３３、３４を介して所定温度の冷媒、例えば、冷却水が循環供給され、当該冷媒の温度によって静電チャック２００上の基板Ｗの処理温度やエッジリング３００の温度を制御する。なお、冷媒は、流路１１０に循環供給される温度調整用の媒体（温調媒体）の一例である。温調媒体は、基台１００および基板Ｗを冷却するだけでなく、加熱する場合もあり得る。 Inside the base 100, for example, a flow path 110 extending in the circumferential direction is provided. A refrigerant having a predetermined temperature, for example, cooling water, is circulated and supplied from the chiller unit 32 to the flow path 110 via the pipes 33 and 34, and the processing temperature of the substrate W on the electrostatic chuck 200 and the edge ring are determined by the temperature of the refrigerant. Control the temperature of 300. The refrigerant is an example of a temperature adjusting medium (temperature control medium) that is circulated and supplied to the flow path 110. The temperature control medium may not only cool the base 100 and the substrate W, but may also heat them.

また、静電チャック２００には、ガス供給ライン３６を介して第１伝熱ガス供給部３５が接続されている。第１伝熱ガス供給部３５は、ガス供給ライン３６を用いて、静電チャック２００の基板吸着部２００ａと基板Ｗとで挟まれる空間に伝熱ガスを供給する。静電チャック２００には、ガス供給ライン４６を介して第２伝熱ガス供給部４５が接続されている。第２伝熱ガス供給部４５は、ガス供給ライン４６を用いて、静電チャック２００のエッジリング吸着部２００ｂとエッジリング３００とで挟まれる空間に伝熱ガスを供給する。伝熱ガスとしては、熱伝導性を有するガス、例えば、Ｈｅガス等が好適に用いられる。なお、複数のエッジリングのそれぞれに対応して、第２伝熱ガス供給部４５から伝熱ガスが供給される。 Further, the first heat transfer gas supply unit 35 is connected to the electrostatic chuck 200 via the gas supply line 36. The first heat transfer gas supply unit 35 uses the gas supply line 36 to supply the heat transfer gas to the space sandwiched between the substrate adsorption portion 200a of the electrostatic chuck 200 and the substrate W. A second heat transfer gas supply unit 45 is connected to the electrostatic chuck 200 via a gas supply line 46. The second heat transfer gas supply unit 45 uses the gas supply line 46 to supply the heat transfer gas to the space sandwiched between the edge ring adsorption unit 200b of the electrostatic chuck 200 and the edge ring 300. As the heat transfer gas, a gas having thermal conductivity, for example, He gas or the like is preferably used. The heat transfer gas is supplied from the second heat transfer gas supply unit 45 corresponding to each of the plurality of edge rings.

伝熱ガスを静電チャック２００と基板Ｗとの間、静電チャック２００とエッジリング３００との間、供給することにより、プラズマから基板Ｗまたはエッジリング３００に入熱した熱を効率よく基台１００に伝熱することができる。 By supplying heat transfer gas between the electrostatic chuck 200 and the substrate W and between the electrostatic chuck 200 and the edge ring 300, the heat input from the plasma to the substrate W or the edge ring 300 is efficiently based. It can transfer heat to 100.

天井部のシャワーヘッド２４は、多数のガス通気孔３７ａを有する下面の電極板３７と、該電極板３７を着脱可能に支持する電極支持体３８とを有する。電極支持体３８の内部にはバッファ室３９が設けられ、バッファ室３９と連通するガス導入口３８ａには、ガス供給配管４１を介して処理ガス供給部４０が接続されている。 The shower head 24 on the ceiling has an electrode plate 37 on the lower surface having a large number of gas vents 37a and an electrode support 38 that detachably supports the electrode plate 37. A buffer chamber 39 is provided inside the electrode support 38, and a processing gas supply unit 40 is connected to a gas introduction port 38a communicating with the buffer chamber 39 via a gas supply pipe 41.

基板処理装置１の各構成要素は、制御部４３に接続されている。例えば、排気装置１８、第１高周波電源２１ａ、第２高周波電源２１ｂ、整合部２２ａ、整合部２２ｂ、直流電源２７、直流電源２８、チラーユニット３２、第１伝熱ガス供給部３５、第２伝熱ガス供給部４５および処理ガス供給部４０は、制御部４３に接続されている。制御部４３は、基板処理装置１の各構成要素を制御する。 Each component of the substrate processing apparatus 1 is connected to the control unit 43. For example, the exhaust device 18, the first high frequency power supply 21a, the second high frequency power supply 21b, the matching unit 22a, the matching unit 22b, the DC power supply 27, the DC power supply 28, the chiller unit 32, the first heat transfer gas supply unit 35, the second transmission. The heat gas supply unit 45 and the processing gas supply unit 40 are connected to the control unit 43. The control unit 43 controls each component of the substrate processing device 1.

制御部４３は、図示しない中央処理装置（ＣＰＵ）およびメモリなどの記憶装置を備え、記憶装置に記憶されたプログラムおよび処理レシピを読み出して実行することで、基板処理装置１において所望の処理を実行する。また、制御部４３は、エッジリング３００を静電吸着するための静電吸着処理を行う。 The control unit 43 includes a central processing unit (CPU) and a storage device such as a memory (not shown), and executes a desired process in the board processing device 1 by reading and executing a program and a processing recipe stored in the storage device. do. Further, the control unit 43 performs an electrostatic adsorption process for electrostatically adsorbing the edge ring 300.

基板処理装置１では、まずゲートバルブ２０を開状態にして加工対象の基板Ｗを処理容器２内に搬入し、静電チャック２００の上に載置する。そして、基板処理装置１では、処理ガス供給部４０より処理ガス（例えば、Ｃ４Ｆ８ガス、Ｏ２ガスおよびＡｒガスから成る混合ガス）を所定の流量および流量比で処理容器２内に導入し、排気装置１８等により処理容器２内の圧力を所定値にする。 In the substrate processing apparatus 1, first, the gate valve 20 is opened, the substrate W to be processed is carried into the processing container 2, and the substrate W is placed on the electrostatic chuck 200. Then, in the substrate processing apparatus 1, introducing the processing gas supply unit 40 from the processing gas (e.g., C 4 F 8 gas, O 2 gas and mixed gas of Ar gas) into the processing chamber 2 at a predetermined flow rate and flow rate ratio Then, the pressure in the processing container 2 is set to a predetermined value by the exhaust device 18 or the like.

さらに、基板処理装置１では、第１高周波電源２１ａおよび第２高周波電源２１ｂからそれぞれ周波数の異なる高周波電力を基台１００に供給する。また、基板処理装置１では、直流電源２７より直流電圧を静電チャック２００の基板吸着用電極板２１０に印加して、基板Ｗを静電チャック２００に吸着する。また、基板処理装置１では、直流電源２８より直流電圧を静電チャック２００のエッジリング吸着用電極板２２０に印加して、エッジリング３００を静電チャック２００に吸着する。シャワーヘッド２４より吐出された処理ガスはプラズマ化され、プラズマ中のラジカルやイオンによって基板Ｗにエッチング処理が施される。 Further, in the substrate processing device 1, high-frequency power having different frequencies is supplied to the base 100 from the first high-frequency power supply 21a and the second high-frequency power supply 21b. Further, in the substrate processing device 1, a DC voltage is applied from the DC power supply 27 to the substrate adsorption electrode plate 210 of the electrostatic chuck 200 to attract the substrate W to the electrostatic chuck 200. Further, in the substrate processing device 1, a DC voltage is applied from the DC power supply 28 to the edge ring adsorption electrode plate 220 of the electrostatic chuck 200 to attract the edge ring 300 to the electrostatic chuck 200. The processing gas discharged from the shower head 24 is turned into plasma, and the substrate W is etched by the radicals and ions in the plasma.

＜エッジリング３００の吸着＞
エッジリング３００の吸着について説明する。図２は、本実施形態に係る基板処理装置１のエッジリング３００周辺の拡大断面図である。本実施形態の基板処理装置１では、エッジリング３００は、周方向に分割された複数のエッジリング片３０１〜３０６を備える。また、基板処理装置１は、各エッジリング片３０１〜３０６に対応してそれぞれエッジリング吸着用電極板２２１〜２２６を備える（図３、図５参照）。ここでは、各エッジリング片３０１〜３０６と、当該エッジリング片３０１〜３０６に対応するエッジリング吸着用電極板２２１〜２２６のうち、エッジリング片３０１、エッジリング吸着用電極板２２１を用いて説明する。 <Adsorption of edge ring 300>
The adsorption of the edge ring 300 will be described. FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the periphery of the edge ring 300 of the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment. In the substrate processing apparatus 1 of the present embodiment, the edge ring 300 includes a plurality of edge ring pieces 301 to 306 divided in the circumferential direction. Further, the substrate processing device 1 includes edge ring adsorption electrode plates 221 to 226 corresponding to each edge ring piece 301 to 306 (see FIGS. 3 and 5). Here, among the edge ring pieces 301 to 306 and the edge ring adsorption electrode plates 221 to 226 corresponding to the edge ring pieces 301 to 306, the edge ring piece 301 and the edge ring adsorption electrode plate 221 will be described. do.

エッジリング片３０１は、エッジリング吸着用電極板２２１により、静電チャック２００に吸着される。エッジリング吸着用電極板２２１は、直流電源２８から電圧が供給される給電部２２１ａを有する。また、エッジリング吸着用電極板２２１は、ガス供給ライン４６が貫通する貫通孔２２１ｂを有する。 The edge ring piece 301 is attracted to the electrostatic chuck 200 by the edge ring adsorption electrode plate 221. The edge ring adsorption electrode plate 221 has a power feeding unit 221a to which a voltage is supplied from the DC power supply 28. Further, the edge ring adsorption electrode plate 221 has a through hole 221b through which the gas supply line 46 penetrates.

静電チャック２００は、エッジリング載置面２００ｂ１に、ガス供給ライン４６から伝熱ガスが供給される伝熱ガス供給孔２３１ａを有する。 The electrostatic chuck 200 has a heat transfer gas supply hole 231a on the edge ring mounting surface 200b1 to which the heat transfer gas is supplied from the gas supply line 46.

伝熱ガスは、第２伝熱ガス供給部４５からガス供給ライン４６を介して伝熱ガス供給孔２３１ａに供給される。第２伝熱ガス供給部４５は、ガス供給源４５ａと、圧力制御弁４５ｂ１を備える。なお、後述するように、第２伝熱ガス供給部４５は、複数のエッジリング片３０１〜３０６に対応して、それぞれ圧力制御弁４５ｂ１〜４５ｂ６を備える。図２では、一つのエッジリング片３０１について説明する。 The heat transfer gas is supplied from the second heat transfer gas supply unit 45 to the heat transfer gas supply hole 231a via the gas supply line 46. The second heat transfer gas supply unit 45 includes a gas supply source 45a and a pressure control valve 45b1. As will be described later, the second heat transfer gas supply unit 45 includes pressure control valves 45b1 to 45b6 corresponding to the plurality of edge ring pieces 301 to 306, respectively. FIG. 2 describes one edge ring piece 301.

伝熱ガス供給孔２３１ａに供給された伝熱ガスは、エッジリング載置面２００ｂ１に設けられた伝熱ガス溝２３１（図４参照）を介して、エッジリング片３０１の裏面３０１ｃと、エッジリング載置面２００ｂ１との間に供給される。 The heat transfer gas supplied to the heat transfer gas supply hole 231a passes through the heat transfer gas groove 231 (see FIG. 4) provided on the edge ring mounting surface 200b1 and the back surface 301c of the edge ring piece 301 and the edge ring. It is supplied between the mounting surface 200b1 and the mounting surface 200b1.

なお、処理容器２は、処理チャンバの一例である。 The processing container 2 is an example of a processing chamber.

＜基板処理装置１のエッジリング３００＞
図３は、本実施形態に係る基板処理装置１の載置台アセンブリ５の上面図である。載置台アセンブリ５は、静電チャック２００のエッジリング載置面２００ｂ１に載置され吸着されるエッジリング３００を複数備える。具体的には、載置台アセンブリ５は、６個のエッジリング片３０１〜３０６を備える。エッジリング片３０１〜３０６は、基板載置面２００ａ１、すなわち、基板Ｗ、の周囲に配置される。エッジリング片３０１〜３０６は、それぞれ同じ形状となっている。なお、エッジリング片の個数については、エッジリング載置面２００ｂ１を全て覆うことができれば、２個以上であればよい。伝熱ガスのリーク量の抑制や作業性の観点から、３〜９個が好ましく、４〜８個がより好ましい。また、エッジリング片の形状についても、エッジリング載置面２００ｂ１を周方向に不等間隔で分割してもよい。 <Edge ring 300 of substrate processing device 1>
FIG. 3 is a top view of the mounting table assembly 5 of the substrate processing device 1 according to the present embodiment. The mounting table assembly 5 includes a plurality of edge rings 300 that are mounted and attracted to the edge ring mounting surface 200b1 of the electrostatic chuck 200. Specifically, the mounting table assembly 5 includes six edge ring pieces 301 to 306. The edge ring pieces 301 to 306 are arranged around the substrate mounting surface 200a1, that is, the substrate W. The edge ring pieces 301 to 306 have the same shape. The number of edge ring pieces may be two or more as long as the edge ring mounting surface 200b1 can be completely covered. From the viewpoint of suppressing the amount of heat transfer gas leak and workability, 3 to 9 pieces are preferable, and 4 to 8 pieces are more preferable. Further, regarding the shape of the edge ring piece, the edge ring mounting surface 200b1 may be divided at irregular intervals in the circumferential direction.

＜静電チャック２００のエッジリング載置面２００ｂ１＞
次に、静電チャック２００（エッジリング吸着部２００ｂ）のエッジリング載置面２００ｂ１について説明する。図４は、本実施形態に係る基板処理装置１の静電チャック２００の上面図である。静電チャック２００は、静電チャック２００のエッジリング載置面２００ｂ１に、エッジリング片３０１〜３０６のそれぞれに対応して、伝熱ガス溝２３１〜２３６を備える。具体的には、静電チャック２００は、エッジリング片３０１が吸着される領域（エッジリング片３０１の裏面に対向する部分）に伝熱ガス溝２３１を備える。同様に、エッジリング吸着部２００ｂは、エッジリング片３０２、３０３、３０４、３０５、３０６のそれぞれの裏面に対向する部分に、それぞれ伝熱ガス溝２３２、２３３、２３４、２３５、２３６を備える。伝熱ガス溝２３１〜２３６のそれぞれは、エッジリング載置面２００ｂ１に垂直な方向にくぼむように形成されている。伝熱ガス溝２３１〜２３６のそれぞれは、それぞれ伝熱ガス供給孔２３１ａ〜２３６ａを有する。伝熱ガス供給孔２３１ａから供給される伝熱ガスは、エッジリング片３０１と伝熱ガス溝２３１との間に充填される。エッジリング片３０２〜３０６と、伝熱ガス溝２３２〜２３６についても同様である。伝熱ガス溝２３１〜２３６は、それぞれ伝熱ガス供給孔２３１ａ〜２３６ａを備え、それぞれ分離して設けられていることから、伝熱ガス溝２３１〜２３６のそれぞれに、独立して伝熱ガスを供給することができる。なお、伝熱ガス溝の形状については、それぞれ伝熱ガス供給孔と連通していれば、扇型に限らず、伝熱ガス溝を径方向や円周方向に分割してもよい。 <Edge ring mounting surface 200b1 of electrostatic chuck 200>
Next, the edge ring mounting surface 200b1 of the electrostatic chuck 200 (edge ring suction portion 200b) will be described. FIG. 4 is a top view of the electrostatic chuck 200 of the substrate processing device 1 according to the present embodiment. The electrostatic chuck 200 is provided with heat transfer gas grooves 231 to 236 corresponding to each of the edge ring pieces 301 to 306 on the edge ring mounting surface 200b1 of the electrostatic chuck 200. Specifically, the electrostatic chuck 200 includes a heat transfer gas groove 231 in a region where the edge ring piece 301 is adsorbed (a portion facing the back surface of the edge ring piece 301). Similarly, the edge ring suction portion 200b is provided with heat transfer gas grooves 232, 233, 234, 235, and 236 in portions facing the back surfaces of the edge ring pieces 302, 303, 304, 305, and 306, respectively. Each of the heat transfer gas grooves 231 to 236 is formed so as to be recessed in the direction perpendicular to the edge ring mounting surface 200b1. Each of the heat transfer gas grooves 231 to 236 has heat transfer gas supply holes 231a to 236a, respectively. The heat transfer gas supplied from the heat transfer gas supply hole 231a is filled between the edge ring piece 301 and the heat transfer gas groove 231. The same applies to the edge ring pieces 302 to 306 and the heat transfer gas grooves 232 to 236. Since the heat transfer gas grooves 231 to 236 are provided with heat transfer gas supply holes 231a to 236a and are provided separately from each other, heat transfer gas is independently supplied to each of the heat transfer gas grooves 231 to 236. Can be supplied. The shape of the heat transfer gas groove is not limited to the fan shape as long as it communicates with the heat transfer gas supply hole, and the heat transfer gas groove may be divided in the radial direction or the circumferential direction.

＜静電チャック２００のエッジリング吸着用電極板２２０＞
次に、静電チャック２００のエッジリング吸着用電極板２２０について説明する。図５は、本実施形態に係る基板処理装置１の静電チャック２００の断面図である。具体的には、静電チャック２００のエッジリング吸着用電極板２２０の部分で、エッジリング載置面２００ｂ１に平行な面で切断した断面図である。 <Electrode plate 220 for adsorbing edge ring of electrostatic chuck 200>
Next, the edge ring adsorption electrode plate 220 of the electrostatic chuck 200 will be described. FIG. 5 is a cross-sectional view of the electrostatic chuck 200 of the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment. Specifically, it is a cross-sectional view of a portion of the electrode plate 220 for adsorbing the edge ring of the electrostatic chuck 200, cut along a surface parallel to the edge ring mounting surface 200b1.

静電チャック２００は、エッジリング片３０１〜３０６のそれぞれに対応して、エッジリング吸着用電極板２２１〜２２６を備える。具体的には、静電チャック２００は、エッジリング片３０１が吸着される領域（エッジリング片３０１の裏面に対向する部分）の内部にエッジリング吸着用電極板２２１を備える。同様に、静電チャック２００は、エッジリング片３０２、３０３、３０４、３０５、３０６のそれぞれの裏面に対向する部分の内部に、それぞれエッジリング吸着用電極板２２２、２２３、２２４、２２５、２２６を備える。エッジリング吸着用電極板２２１〜２２６のそれぞれは、直流電源２８から給電される給電部２２１ａ〜２２６ａを有する。また、エッジリング吸着用電極板２２１〜２２６のそれぞれは、ガス供給ライン４６が貫通する貫通孔２２１ｂ〜２２６ｂを有する。エッジリング吸着用電極板２２１〜２２６は、それぞれ給電部２２１ａ〜２２６ａを有し、それぞれ分離して設けられていることから、エッジリング吸着用電極板２２１〜２２６のそれぞれに、独立して電圧を供給（印加）することができる。 The electrostatic chuck 200 includes edge ring adsorption electrode plates 221 to 226 corresponding to each of the edge ring pieces 301 to 306. Specifically, the electrostatic chuck 200 includes an edge ring adsorption electrode plate 221 inside a region where the edge ring piece 301 is attracted (a portion facing the back surface of the edge ring piece 301). Similarly, the electrostatic chuck 200 has edge ring adsorption electrode plates 222, 223, 224, 225, and 226 inside the portions of the edge ring pieces 302, 303, 304, 305, and 306 facing the back surfaces, respectively. Be prepared. Each of the edge ring adsorption electrode plates 221 to 226 has feeding portions 221a to 226a to be fed from the DC power supply 28. Further, each of the edge ring adsorption electrode plates 221 to 226 has through holes 221b to 226b through which the gas supply line 46 penetrates. Since the edge ring adsorption electrode plates 221 to 226 each have feeding portions 221a to 226a and are provided separately from each other, a voltage is independently applied to each of the edge ring adsorption electrode plates 221 to 226. It can be supplied (applied).

エッジリング吸着用電極板２２１〜２２６に印加する印加電圧を制御することで伝熱ガスのリーク量を制御することができる。印加電圧を制御して、リーク量も制御（低減）することにより、エッジリング片３０１〜３０６の温度を安定させることができる。 The amount of heat transfer gas leak can be controlled by controlling the applied voltage applied to the edge ring adsorption electrode plates 221 to 226. By controlling the applied voltage and controlling (reducing) the amount of leakage, the temperature of the edge ring pieces 301 to 306 can be stabilized.

＜静電チャック２００への伝熱ガスの供給＞
次に、載置台アセンブリ５の制御方法の一例について説明する。ここでは、静電チャック２００への伝熱ガスの供給について説明する。図６は、本実施形態に係る基板処理装置１の静電チャック２００への伝熱ガスの供給を説明する図である。エッジリング片３０１〜３０６に対応して設けられた伝熱ガス溝２３１〜２３６の伝熱ガス供給孔２３１ａ〜２３６ａは、第２伝熱ガス供給部４５に接続される。第２伝熱ガス供給部４５は、各伝熱ガス溝２３１〜２３６に対応して圧力制御弁４５ｂ１〜４５ｂ６を備える。各圧力制御弁４５ｂ１〜４５ｂ６は、制御部４３によりそれぞれ圧力を設定可能になっている。各圧力制御弁４５ｂ１〜４５ｂ６は、供給する伝熱ガスの圧力が、設定された圧力設定値になるように制御を行う。静電チャック２００への伝熱ガスの制御を行うことによって、載置台アセンブリ５の制御を行う。 <Supply of heat transfer gas to electrostatic chuck 200>
Next, an example of the control method of the mounting table assembly 5 will be described. Here, the supply of the heat transfer gas to the electrostatic chuck 200 will be described. FIG. 6 is a diagram illustrating the supply of heat transfer gas to the electrostatic chuck 200 of the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment. The heat transfer gas supply holes 231a to 236a of the heat transfer gas grooves 231 to 236 provided corresponding to the edge ring pieces 301 to 306 are connected to the second heat transfer gas supply unit 45. The second heat transfer gas supply unit 45 includes pressure control valves 45b1 to 45b6 corresponding to the heat transfer gas grooves 231 to 236. The pressure of each of the pressure control valves 45b1 to 45b6 can be set by the control unit 43. Each pressure control valve 45b1 to 45b6 controls so that the pressure of the heat transfer gas to be supplied becomes the set pressure set value. The mounting table assembly 5 is controlled by controlling the heat transfer gas to the electrostatic chuck 200.

制御部４３は、各圧力制御弁４５ｂ１〜４５ｂ６の圧力設定値を同じ値にしてもよい。また、基板処理装置１の基板処理結果に基づいて、各圧力制御弁４５ｂ１〜４５ｂ６の圧力設定値を変えてもよい。例えば、処理レートが速い領域に近いエッジリング片に対応する圧力制御弁の圧力設定値を処理レートが遅くなるように変更（例えば、高く）してもよい。さらに、制御部４３は、各エッジリング片３０１〜３０６の温度に基づいて、各圧力制御弁４５ｂ１〜４５ｂ６の圧力の設定値を変えてもよい。例えば、温度の高いエッジリング片に対応する圧力制御弁の圧力設定値を変更（例えば、高く）してもよい。 The control unit 43 may set the pressure set values of the pressure control valves 45b1 to 45b6 to the same value. Further, the pressure set values of the pressure control valves 45b1 to 45b6 may be changed based on the substrate processing result of the substrate processing apparatus 1. For example, the pressure set value of the pressure control valve corresponding to the edge ring piece near the region where the processing rate is high may be changed (for example, high) so that the processing rate becomes slow. Further, the control unit 43 may change the set value of the pressure of each pressure control valve 45b1 to 45b6 based on the temperature of each edge ring piece 301 to 306. For example, the pressure set value of the pressure control valve corresponding to the hot edge ring piece may be changed (for example, increased).

ここでは、各エッジリング片３０１〜３０６の温度に基づいて、各圧力制御弁４５ｂ１〜４５ｂ６の圧力の設定値を変更する制御方法について説明する。図７は、本実施形態に係る基板処理装置１の静電チャック２００への伝熱ガスの圧力制御について説明する図である。具体的には、制御部４３が行う制御のフローチャートである。各処理ステップ（工程）について説明する。 Here, a control method for changing the pressure set value of each pressure control valve 45b1 to 45b6 based on the temperature of each edge ring piece 301 to 306 will be described. FIG. 7 is a diagram illustrating pressure control of heat transfer gas to the electrostatic chuck 200 of the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment. Specifically, it is a flowchart of control performed by the control unit 43. Each processing step (process) will be described.

（ステップＳ１０）
最初に、制御部４３は、メモリから、エッジリング片の温度（エッジリング温度）と圧力制御弁の圧力設定値との相関情報（相関関係を示すデータ）を取得する。メモリには、あらかじめ測定してエッジリング温度と圧力制御弁の圧力設定値との相関情報（相関関係を示すデータ）が記憶されている。図８は、本実施形態に係る基板処理装置１のエッジリング温度と圧力制御弁の圧力設定値との相関について説明する図である。図８（ａ）は、後述するステップＳ３０で測定したエッジリング温度（Ｔ）と、圧力制御弁により制御すべき伝熱ガスの圧力設定値（Ｐ）との関係を示す図である。一方、図８（ｂ）は、プラズマからの入熱が一定と仮定して、図８（ａ）に従って、伝熱ガスの圧力設定値（Ｐ）を制御した場合のエッジリング温度（Ｔ´）を示す図である。メモリは、記憶部の一例である。 (Step S10)
First, the control unit 43 acquires correlation information (data showing the correlation) between the temperature of the edge ring piece (edge ring temperature) and the pressure set value of the pressure control valve from the memory. Correlation information (data showing the correlation) between the edge ring temperature and the pressure set value of the pressure control valve, which is measured in advance, is stored in the memory. FIG. 8 is a diagram for explaining the correlation between the edge ring temperature of the substrate processing apparatus 1 and the pressure set value of the pressure control valve according to the present embodiment. FIG. 8A is a diagram showing the relationship between the edge ring temperature (T) measured in step S30 described later and the pressure set value (P) of the heat transfer gas to be controlled by the pressure control valve. On the other hand, FIG. 8 (b) shows the edge ring temperature (T') when the pressure set value (P) of the heat transfer gas is controlled according to FIG. 8 (a) assuming that the heat input from the plasma is constant. It is a figure which shows. The memory is an example of a storage unit.

なお、エッジリング温度と圧力制御弁の圧力設定値との相関情報（相関関係を示すデータ）を記憶する場所については、メモリに限らず、例えば、ディスク装置等の情報を記憶できるものであればよい。 The location for storing the correlation information (data indicating the correlation) between the edge ring temperature and the pressure set value of the pressure control valve is not limited to the memory, as long as it can store information such as a disk device. good.

（ステップＳ２０）
次に、制御部４３は、伝熱ガス溝に伝熱ガスを供給して，基板処理を実行するように制御を行う。 (Step S20)
Next, the control unit 43 supplies the heat transfer gas to the heat transfer gas groove and controls so as to execute the substrate processing.

（ステップＳ３０）
次に、制御部４３は、圧力制御弁に対応するエッジリング片の温度を測定するように制御を行う。例えば、制御部４３は、圧力制御弁４５ｂ１に対応するエッジリング片３０１の温度を測定するように制御を行う。エッジリング片の温度の測定は、光学的に測定を行ってもよいし、エッジリング片の温度を測定する温度センサを備え当該温度センサをエッジリング片に接触させて測定を行ってもよい。 (Step S30)
Next, the control unit 43 controls so as to measure the temperature of the edge ring piece corresponding to the pressure control valve. For example, the control unit 43 controls so as to measure the temperature of the edge ring piece 301 corresponding to the pressure control valve 45b1. The temperature of the edge ring piece may be measured optically, or the temperature sensor for measuring the temperature of the edge ring piece may be provided and the temperature sensor may be brought into contact with the edge ring piece for measurement.

（ステップＳ４０）
次に、制御部４３は、ステップＳ３０で温度を測定したエッジリング片、例えば、エッジリング片３０１の温度と、ステップＳ１０で取得した相関情報（相関関係を示すデータ）から圧力制御弁の圧力設定値を求める。そして、制御部４３は、ステップＳ３０で温度を測定したエッジリングに対応する圧力制御弁、例えば、エッジリング片３０１に対応する圧力制御弁４５ｂ１、の圧力を上記で求めた圧力設定値になるように制御する。 (Step S40)
Next, the control unit 43 sets the pressure of the pressure control valve from the temperature of the edge ring piece whose temperature was measured in step S30, for example, the edge ring piece 301, and the correlation information (data showing the correlation) acquired in step S10. Find the value. Then, the control unit 43 sets the pressure of the pressure control valve corresponding to the edge ring whose temperature is measured in step S30, for example, the pressure control valve 45b1 corresponding to the edge ring piece 301, to be the pressure set value obtained above. To control.

例えば、ステップＳ３０で測定したエッジリング片３０１の温度がＴ１であった場合、図８（ａ）に基づき、圧力制御弁４５ｂ１を制御して圧力設定値をＰ１に調整する。この結果、プラズマからの入熱が一定と仮定すれば、エッジリング片３０１の温度は、図８（ｂ）より、最終的にＴ１´となることが分かる。 For example, when the temperature of the edge ring piece 301 measured in step S30 is T1, the pressure control valve 45b1 is controlled to adjust the pressure set value to P1 based on FIG. 8A. As a result, assuming that the heat input from the plasma is constant, it can be seen from FIG. 8 (b) that the temperature of the edge ring piece 301 finally becomes T1'.

（ステップＳ５０）
次に、制御部４３は、すべての圧力制御弁を制御したかどうか判定する。制御を行っていない圧力制御弁がある場合（ステップＳ５０の「Ｎｏ」の場合）は、ステップＳ２０に戻って処理を繰り返す。例えば、上記圧力制御弁４５ｂ１の制御が終了して、圧力制御弁４５ｂ２の制御を行っていない場合には、ステップＳ２０に戻って圧力制御弁４５ｂ２の制御を行う。その他の圧力制御弁についても同様である。また、すべての圧力制御弁を制御した場合（ステップＳ５０の「Ｙｅｓ」の場合）は、ステップＳ６０に進む。 (Step S50)
Next, the control unit 43 determines whether or not all the pressure control valves have been controlled. If there is a pressure control valve that is not controlled (in the case of "No" in step S50), the process returns to step S20 and the process is repeated. For example, when the control of the pressure control valve 45b1 is completed and the pressure control valve 45b2 is not controlled, the process returns to step S20 to control the pressure control valve 45b2. The same applies to other pressure control valves. If all the pressure control valves are controlled (in the case of "Yes" in step S50), the process proceeds to step S60.

（ステップＳ６０）
次に、制御部４３は、基板処理が終了したかどうかを判定する。基板処理が終了した場合（ステップＳ６０のＹｅｓ）には処理を終了する。処理が終了していない場合（ステップＳ６０のＮｏ）には、ステップＳ３０に戻って処理を繰り返す。ステップＳ２０とステップＳ６０との間において、基板を処理する工程が並列に行われる。 (Step S60)
Next, the control unit 43 determines whether or not the substrate processing is completed. When the substrate processing is completed (Yes in step S60), the processing is completed. If the process is not completed (No in step S60), the process returns to step S30 and the process is repeated. The steps of processing the substrate are performed in parallel between step S20 and step S60.

以上の処理を行うことにより、エッジリング片の温度と圧力設定値との相関情報（相関関係を示すデータ）を記憶した記憶部を参照して、圧力制御弁の圧力設定値、すなわち、伝熱ガス溝のそれぞれに供給する圧力、を、対応するエッジリング片の温度に基づいて変更する。なお、当該制御方法を含む基板の処理方法が、基板処理装置１を用いた基板処理方法の一例である。 By performing the above processing, the pressure set value of the pressure control valve, that is, heat transfer is referred to with reference to the storage unit that stores the correlation information (data showing the correlation) between the temperature of the edge ring piece and the pressure set value. The pressure supplied to each of the gas grooves is changed based on the temperature of the corresponding edge ring piece. The substrate processing method including the control method is an example of the substrate processing method using the substrate processing device 1.

なお、ステップＳ３０において、エッジリング片の温度を測定したが、基板の処理結果から温度を推定して、推定結果をエッジリング片の温度としてもよい。また、エッチング中の温度をフィードバックして制御してもよい。 Although the temperature of the edge ring piece was measured in step S30, the temperature may be estimated from the processing result of the substrate and the estimated result may be used as the temperature of the edge ring piece. Further, the temperature during etching may be fed back and controlled.

図９は、本実施形態に係る基板処理装置１のエッチングレートの分布の例を説明する図である。例えば、図９において、基板Ｗ（ウエハ）の領域ＲＡは、エッチングレートを上げたい領域を示す。また、図９において、基板Ｗ（ウエハ）の領域ＲＢは、エッチングレートを下げたい部分を示す。 FIG. 9 is a diagram illustrating an example of the distribution of the etching rate of the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment. For example, in FIG. 9, the region RA of the substrate W (wafer) indicates a region where the etching rate is desired to be increased. Further, in FIG. 9, the region RB of the substrate W (wafer) indicates a portion where the etching rate is desired to be lowered.

最初に、基板Ｗ（ウエハ）の領域ＲＡについて説明する。基板Ｗ（ウエハ）の領域ＲＡのエッチングレートを上げたい場合は、領域ＲＡに近接するエッジリング片３０６の伝熱ガスの圧力を高くする。図１０は、ウエハ背面の伝熱ガスの圧力とウエハの温度との関係を説明する図である。ウエハ背面の伝熱ガスの圧力を高くすると、ウエハの温度は低くなる。同様に、エッジリング片３０６についても、エッジリング片３０６の伝熱ガスの圧力を高くすると、エッジリング片３０６の温度が下がる。エッジリング片３０６の温度を下げることにより、エッジリング片３０６近傍の基板Ｗ（ウエハ）の領域ＲＡにおけるエッチングレートを上げることができる。なお、上記の説明は一例であり、基板Ｗの膜種（膜の材質）によっては、エッチリング片の温度を下げるとエッチングレートが下がる場合がある。この場合には、エッジリング片の温度を上げることによって、エッチングレートを上げることができる。 First, the region RA of the substrate W (wafer) will be described. When it is desired to increase the etching rate of the region RA of the substrate W (wafer), the pressure of the heat transfer gas of the edge ring piece 306 adjacent to the region RA is increased. FIG. 10 is a diagram illustrating the relationship between the pressure of the heat transfer gas on the back surface of the wafer and the temperature of the wafer. When the pressure of the heat transfer gas on the back surface of the wafer is increased, the temperature of the wafer is lowered. Similarly, with respect to the edge ring piece 306, when the pressure of the heat transfer gas of the edge ring piece 306 is increased, the temperature of the edge ring piece 306 is lowered. By lowering the temperature of the edge ring piece 306, the etching rate in the region RA of the substrate W (wafer) in the vicinity of the edge ring piece 306 can be increased. The above description is an example, and depending on the film type (film material) of the substrate W, the etching rate may decrease when the temperature of the etching ring piece is lowered. In this case, the etching rate can be increased by increasing the temperature of the edge ring piece.

次に、基板Ｗ（ウエハ）の領域ＲＢについて説明する。基板Ｗ（ウエハ）の領域ＲＢのエッチングレートを下げたい場合は、領域ＲＢに近接するエッジリング片３０３の伝熱ガスの圧力を低くする。図１０と同様に、エッジリング片３０３についても、エッジリング片３０３の伝熱ガスの圧力を低くすると、エッジリング片３０３の温度は上がる。エッジリング片３０３の温度を上げることにより、エッジリング片３０３近傍の基板Ｗ（ウエハ）の領域ＲＢにおけるエッチングレートを下げることができる。なお、上記の説明は一例であり、基板Ｗの膜種によっては、エッチリング片の温度を上げるとエッチングレートが上がる場合がある。この場合には、エッジリング片の温度を下げることによって、エッチングレートを下げることができる。 Next, the region RB of the substrate W (wafer) will be described. When it is desired to lower the etching rate of the region RB of the substrate W (wafer), the pressure of the heat transfer gas of the edge ring piece 303 adjacent to the region RB is lowered. Similar to FIG. 10, with respect to the edge ring piece 303, when the pressure of the heat transfer gas of the edge ring piece 303 is lowered, the temperature of the edge ring piece 303 rises. By raising the temperature of the edge ring piece 303, the etching rate in the region RB of the substrate W (wafer) in the vicinity of the edge ring piece 303 can be lowered. The above description is an example, and depending on the film type of the substrate W, the etching rate may increase when the temperature of the etching ring piece is increased. In this case, the etching rate can be lowered by lowering the temperature of the edge ring piece.

このように、エッジリング３００は、周方向に分割された複数のエッジリング片３０１〜３０６により構成して、それぞれのエッジリング片３０１〜３０６の圧力を独立して制御することにより、エッジリングの温度制御性を向上させることができる。すなわち、分割した複数のエッジリング片３０１〜３０６に対応した領域ごとに温度制御することができる。 As described above, the edge ring 300 is composed of a plurality of edge ring pieces 301 to 306 divided in the circumferential direction, and the pressure of each edge ring piece 301 to 306 is independently controlled to control the edge ring. Temperature controllability can be improved. That is, the temperature can be controlled for each region corresponding to the plurality of divided edge ring pieces 301 to 306.

また、基板処理装置１を用いた基板処理方法について説明する。図１１は、本実施形態に係る基板処理装置１の基板処理方法について説明する図である。具体的には、制御部４３が行う制御のフローチャートである。各処理ステップ（工程）について説明する。 Moreover, the substrate processing method using the substrate processing apparatus 1 will be described. FIG. 11 is a diagram illustrating a substrate processing method of the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment. Specifically, it is a flowchart of control performed by the control unit 43. Each processing step (process) will be described.

（ステップＳ１１０）
最初に、制御部４３は、複数のエッジリング片３０１、３０２、３０３、３０４、３０５および３０６をエッジリング吸着部２００ｂに吸着するように制御する。 (Step S110)
First, the control unit 43 controls so that the plurality of edge ring pieces 301, 302, 303, 304, 305 and 306 are attracted to the edge ring suction unit 200b.

（ステップＳ１２０）
次に、制御部４３は、伝熱ガス溝に伝熱ガスを供給して，基板処理を実行するように制御を行う。 (Step S120)
Next, the control unit 43 supplies the heat transfer gas to the heat transfer gas groove and controls so as to execute the substrate processing.

（ステップＳ１３０）
次に、制御部４３は、基板Ｗ（ウエハ）の処理（基板処理）を開始する。基板処理としては、例えば、基板Ｗ（ウエハ）のエッチングを行う。 (Step S130)
Next, the control unit 43 starts processing (board processing) of the substrate W (wafer). As the substrate processing, for example, etching of the substrate W (wafer) is performed.

（ステップＳ１４０）
次に、制御部４３は、領域ごと、すなわち、エッジリング片ごとに、伝熱ガスの圧力を制御する。 (Step S140)
Next, the control unit 43 controls the pressure of the heat transfer gas for each region, that is, for each edge ring piece.

（ステップＳ１５０）
次に、制御部４３は、基板処理が終了したかどうかを判定する。基板処理が終了した場合（ステップＳ１５０のＹｅｓ）には処理を終了する。処理が終了していない場合（ステップＳ１５０のＮｏ）には、ステップＳ１４０に戻って処理を繰り返す。ステップＳ１３０とステップＳ１５０との間において、基板を処理する工程が並列に行われる。 (Step S150)
Next, the control unit 43 determines whether or not the substrate processing is completed. When the substrate processing is completed (Yes in step S150), the processing is completed. If the process is not completed (No in step S150), the process returns to step S140 and the process is repeated. The steps of processing the substrate are performed in parallel between step S130 and step S150.

以上の処理を行うことにより、エッジリング片ごとの温度を制御することができる。 By performing the above processing, the temperature of each edge ring piece can be controlled.

＜静電チャック２００への電力の供給＞
次に、載置台アセンブリ５の制御方法の一例について説明する。ここでは、静電チャック２００への電力の供給について説明する。図１２は、本実施形態に係る基板処理装置１の静電チャック２００への電力の供給を説明する図である。エッジリング片３０１〜３０６に対応して設けられたエッジリング吸着用電極板２２１〜２２６は、直流電源２８に接続される。直流電源２８は、各エッジリング吸着用電極板２２１〜２２６に対応して電圧変換部２８ｂ１〜２８ｂ６を備える。各電圧変換部２８ｂ１〜２８ｂ６は、制御部４３によりそれぞれ出力する電圧を設定可能になっている。各電圧変換部２８ｂ１〜２８ｂ６は、出力する電圧が、設定された電圧設定値になるように制御を行う。静電チャック２００への電力の制御を行うことによって、載置台アセンブリ５の制御を行う。 <Supplying power to the electrostatic chuck 200>
Next, an example of the control method of the mounting table assembly 5 will be described. Here, the supply of electric power to the electrostatic chuck 200 will be described. FIG. 12 is a diagram illustrating the supply of electric power to the electrostatic chuck 200 of the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment. The edge ring suction electrode plates 221 to 226 provided corresponding to the edge ring pieces 301 to 306 are connected to the DC power supply 28. The DC power supply 28 includes voltage conversion units 28b1 to 28b6 corresponding to the electrode plates 221 to 226 for adsorbing the edge ring. Each of the voltage conversion units 28b1 to 28b6 can set the voltage to be output by the control unit 43. Each voltage conversion unit 28b1 to 28b6 controls so that the output voltage becomes a set voltage set value. The mounting table assembly 5 is controlled by controlling the electric power to the electrostatic chuck 200.

また、基板処理装置１を用いた基板処理方法について説明する。図１３は、本実施形態に係る基板処理装置１の基板処理方法について説明する図である。具体的には、制御部４３が行う制御のフローチャートである。各処理ステップ（工程）について説明する。 Moreover, the substrate processing method using the substrate processing apparatus 1 will be described. FIG. 13 is a diagram illustrating a substrate processing method of the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment. Specifically, it is a flowchart of control performed by the control unit 43. Each processing step (process) will be described.

（ステップＳ２１０）
最初に、制御部４３は、複数のエッジリング片３０１、３０２、３０３、３０４、３０５および３０６をエッジリング吸着部２００ｂに吸着するように制御する。 (Step S210)
First, the control unit 43 controls so that the plurality of edge ring pieces 301, 302, 303, 304, 305 and 306 are attracted to the edge ring suction unit 200b.

（ステップＳ２２０）
次に、制御部４３は、伝熱ガス溝に伝熱ガスを供給して，基板処理を実行するように制御を行う。 (Step S220)
Next, the control unit 43 supplies the heat transfer gas to the heat transfer gas groove and controls so as to execute the substrate processing.

（ステップＳ２３０）
次に、制御部４３は、基板Ｗ（ウエハ）の処理（基板処理）を開始する。基板処理としては、例えば、基板Ｗ（ウエハ）のエッチングを行う。 (Step S230)
Next, the control unit 43 starts processing (board processing) of the substrate W (wafer). As the substrate processing, for example, etching of the substrate W (wafer) is performed.

（ステップＳ２４０）
次に、制御部４３は、領域ごと、すなわち、エッジリング片の電極ごとに、電極に印加する電圧を制御する。 (Step S240)
Next, the control unit 43 controls the voltage applied to the electrodes for each region, that is, for each electrode of the edge ring piece.

（ステップＳ２５０）
次に、制御部４３は、基板処理が終了したかどうかを判定する。基板処理が終了した場合（ステップＳ２５０のＹｅｓ）には処理を終了する。処理が終了していない場合（ステップＳ２５０のＮｏ）には、ステップＳ１４０に戻って処理を繰り返す。ステップＳ２３０とステップＳ２５０との間において、基板を処理する工程が並列に行われる。 (Step S250)
Next, the control unit 43 determines whether or not the substrate processing is completed. When the substrate processing is completed (Yes in step S250), the processing is completed. If the process is not completed (No in step S250), the process returns to step S140 and the process is repeated. The steps of processing the substrate are performed in parallel between step S230 and step S250.

以上の処理を行うことにより、エッジリング片ごとの温度を制御することができる。 By performing the above processing, the temperature of each edge ring piece can be controlled.

例えば、図９を用いて処理について説明する。基板Ｗ（ウエハ）の領域ＲＡについて説明する。基板Ｗ（ウエハ）の領域ＲＡのエッチングレートを上げたい場合は、領域ＲＡに近接するエッジリング片３０６に対応するエッジリング吸着用電極板２２６に供給する電圧を高くする。エッジリング片３０６に対応するエッジリング吸着用電極板２２６に供給する電圧を高くすると、エッジリング片３０６の温度が下がる。エッジリング片３０６の温度を下げることにより、エッジリング片３０６近傍の基板Ｗ（ウエハ）の領域ＲＡにおけるエッチングレートを上げることができる。なお、上記の説明は一例であり、基板Ｗの膜種によっては、エッチリング片の温度を下げるとエッチングレートが下がる場合がある。この場合には、エッジリング片の温度を上げることによって、エッチングレートを上げることができる。 For example, the process will be described with reference to FIG. The region RA of the substrate W (wafer) will be described. When it is desired to increase the etching rate of the region RA of the substrate W (wafer), the voltage supplied to the edge ring adsorption electrode plate 226 corresponding to the edge ring piece 306 adjacent to the region RA is increased. When the voltage supplied to the edge ring adsorption electrode plate 226 corresponding to the edge ring piece 306 is increased, the temperature of the edge ring piece 306 is lowered. By lowering the temperature of the edge ring piece 306, the etching rate in the region RA of the substrate W (wafer) in the vicinity of the edge ring piece 306 can be increased. The above description is an example, and depending on the film type of the substrate W, the etching rate may decrease when the temperature of the etching ring piece is lowered. In this case, the etching rate can be increased by increasing the temperature of the edge ring piece.

次に、基板Ｗ（ウエハ）の領域ＲＢについて説明する。基板Ｗ（ウエハ）の領域ＲＢのエッチングレートを下げたい場合は、領域ＲＢに近接するエッジリング片３０３に対応するエッジリング吸着用電極板２２３に供給する電圧を低くする。エッジリング片３０６に対応するエッジリング吸着用電極板２２３に供給する電圧を低くすると、エッジリング片３０３の温度は上がる。エッジリング片３０３の温度を上げることにより、エッジリング片３０３近傍の基板Ｗ（ウエハ）の領域ＲＢにおけるエッチングレートを下げることができる。なお、上記の説明は一例であり、基板Ｗの膜種によっては、エッチング片の温度を上げるとエッチングレートが上がる場合がある。この場合には、エッジリング片の温度を下げることによって、エッチングレートを下げることができる。 Next, the region RB of the substrate W (wafer) will be described. When it is desired to lower the etching rate of the region RB of the substrate W (wafer), the voltage supplied to the edge ring adsorption electrode plate 223 corresponding to the edge ring piece 303 adjacent to the region RB is lowered. When the voltage supplied to the edge ring adsorption electrode plate 223 corresponding to the edge ring piece 306 is lowered, the temperature of the edge ring piece 303 rises. By raising the temperature of the edge ring piece 303, the etching rate in the region RB of the substrate W (wafer) in the vicinity of the edge ring piece 303 can be lowered. The above description is an example, and depending on the film type of the substrate W, the etching rate may increase when the temperature of the etching piece is increased. In this case, the etching rate can be lowered by lowering the temperature of the edge ring piece.

このように、エッジリング３００は、周方向に分割された複数のエッジリング片３０１〜３０６により構成して、それぞれのエッジリング片３０１〜３０６を吸着する電圧を独立して制御することにより、エッジリングの温度制御性を向上させることができる。すなわち、分割した複数のエッジリング片３０１〜３０６に対応した領域ごとに温度制御することができる。 As described above, the edge ring 300 is composed of a plurality of edge ring pieces 301 to 306 divided in the circumferential direction, and the voltage for adsorbing each edge ring piece 301 to 306 is independently controlled to control the edge. The temperature controllability of the ring can be improved. That is, the temperature can be controlled for each region corresponding to the plurality of divided edge ring pieces 301 to 306.

＜伝熱ガスの圧力と電源の電圧の設定について＞
設定する伝熱ガスの圧力と、電源の電圧の設定値について、例えば、基板処理装置１で行った基板処理の枚数やロット数によって定めてもよい。例えば、図１４は、本実施形態に係る基板処理装置１での処理枚数とエッチングレートの変動率について説明する図である。横軸は、処理を行うウエハにおける半径方向の位置を示す。また、縦軸は、エッチングレートの変動率を表す。ラインＮ１は基板処理をウエハ１枚行ったとき（１枚目のウエハ）のエッチングレートの変動率を示す。ラインＮ１０は基板処理をウエハ１０枚行ったとき（１０枚目のウエハ）のエッチングレートの変動率を示す。ラインＮ２５は基板処理をウエハ２５枚行ったとき（２５枚目のウエハ）のエッチングレートの変動率を示す。 <Regarding the setting of heat transfer gas pressure and power supply voltage>
The pressure of the heat transfer gas to be set and the set value of the voltage of the power supply may be determined by, for example, the number of substrates processed by the substrate processing apparatus 1 or the number of lots. For example, FIG. 14 is a diagram illustrating a volatility of the number of sheets processed and the etching rate in the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment. The horizontal axis indicates the position in the radial direction on the wafer to be processed. The vertical axis represents the volatility of the etching rate. Line N1 shows the volatility of the etching rate when one wafer is processed (the first wafer). Line N10 shows the volatility of the etching rate when 10 wafers are processed on the substrate (10th wafer). Line N25 shows the volatility of the etching rate when 25 wafers are processed on the substrate (25th wafer).

基板処理を行ったウエハの枚数が増えると、ウエハの特に端部のエッチングレートが低くなる。基板処理を行ったウエハの枚数が増えるとウエハのエッチングレートが低くなるのは、エッジリングの温度が基板処理を行うと上昇していくことによるものである。なお、図１４は、エッジリングを吸着せず冷却ガスを入れないときの変動を試験した結果を示す。そこで、エッチングレートと、基板処理を行ったウエハの枚数（処理枚数）との相関関係を示すデータに基づいて、伝熱ガスの圧力と電源の電圧の設定を変更してもよい。また、基板処理を行ったウエハの枚数（処理枚数）は、基板の処理を行った時間、すなわち、基板の処理時間と考えることができることから、エッチングレートと、基板の処理時間とは基板の処理時間との相関関係を示すデータに基づいて設定を行ってもよい。さらに、エッジリング片の温度と電圧の設定値との相関情報（相関関係を示すデータ）に基づいて、電源の電圧の設定を変更してもよい。 As the number of wafers subjected to substrate processing increases, the etching rate of the wafers, particularly at the edges, decreases. The etching rate of wafers decreases as the number of wafers subjected to substrate processing increases because the temperature of the edge ring increases as the number of wafers processed with the substrate increases. Note that FIG. 14 shows the results of testing the fluctuation when the edge ring is not adsorbed and the cooling gas is not introduced. Therefore, the settings of the heat transfer gas pressure and the power supply voltage may be changed based on the data showing the correlation between the etching rate and the number of wafers processed on the substrate (processed number of wafers). Further, since the number of wafers processed on the substrate (number of processed wafers) can be considered as the time on which the substrate is processed, that is, the processing time on the substrate, the etching rate and the processing time on the substrate are the processing of the substrate. The setting may be made based on the data showing the correlation with time. Further, the voltage setting of the power supply may be changed based on the correlation information (data showing the correlation) between the temperature of the edge ring piece and the voltage setting value.

なお、エッジリング片の温度を制御するのに、エッジリング片に供給する伝熱ガスの圧力の制御と、電極に供給する電圧の制御との両方を組み合わせて制御してもよい。 In addition, in order to control the temperature of the edge ring piece, both the control of the pressure of the heat transfer gas supplied to the edge ring piece and the control of the voltage supplied to the electrode may be combined and controlled.

＜エッジリング片３０１〜３０６の端部構造＞
エッジリング３００の分割部の構造、すなわち、エッジリング片３０１〜３０６の端部構造について説明する。エッジリング片３０１〜３０６の端部構造は、隣接するエッジリング片の間、例えば、図３のエッジリング片３０１の端部３０１ｂとエッジリング片３０２の端部３０２ａとの合わせ目やエッジリング片３０１の端部３０１ａとエッジリング片３０６の端部３０６ｂとの合わせ目において、プラズマにエッジリング載置面２００ｂ１が露出しない構造であることが好ましい。具体的には、エッジリング片３０１〜３０６のそれぞれは、周方向の両端部に、隣接するエッジリング片３０１〜３０６の端部と、鉛直方向に重なる相補的な構造を有することが好ましい。以下に、エッジリング片３０１と、このエッジリング片３０１に隣接するエッジリング片３０２およびエッジリング片３０６の端部構造について説明する。なお、以下の説明では、特定のエッジリング片について説明するが、他のエッジリング片についても同様である。 <End structure of edge ring pieces 301 to 306>
The structure of the divided portion of the edge ring 300, that is, the end structure of the edge ring pieces 301 to 306 will be described. The end structure of the edge ring pieces 301 to 306 is such that between adjacent edge ring pieces, for example, a seam between the end portion 301b of the edge ring piece 301 and the end portion 302a of the edge ring piece 302 in FIG. It is preferable that the edge ring mounting surface 200b1 is not exposed to the plasma at the joint between the end portion 301a of the 301 and the end portion 306b of the edge ring piece 306. Specifically, it is preferable that each of the edge ring pieces 301 to 306 has a complementary structure vertically overlapping with the ends of the adjacent edge ring pieces 301 to 306 at both ends in the circumferential direction. Hereinafter, the edge ring piece 301, and the end structures of the edge ring piece 302 and the edge ring piece 306 adjacent to the edge ring piece 301 will be described. In the following description, a specific edge ring piece will be described, but the same applies to other edge ring pieces.

［第１例］
図１５は、本実施形態に係る基板処理装置１のエッジリング片３０１Ａと、このエッジリング片３０１Ａと隣接するエッジリング片３０２Ａおよび３０６Ａの端部の断面図である。 [First example]
FIG. 15 is a cross-sectional view of the edge ring piece 301A of the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment and the ends of the edge ring pieces 302A and 306A adjacent to the edge ring piece 301A.

図１５において、エッジリング片３０１Ａ、３０２Ａおよび３０６Ａの左側端部を一端部、右側端部を他端部とする。エッジリング片３０１Ａおよび３０２Ａは、一端部に第１傾斜面３０１Ａａ、３０２Ａａをそれぞれ有する。また、エッジリング片３０１Ａおよび３０６Ａは、他端部に第２傾斜面３０１Ａｂ、３０６Ａｂをそれぞれ有する。ここで、エッジリング３００をエッジリング吸着部２００ｂに吸着させた状態において、エッジリング片３０１Ａの第１傾斜面３０１Ａａは、隣接するエッジリング片３０６Ａの第２傾斜面３０６Ａｂと当接する。同様に、エッジリング片３０１Ａの第２傾斜面３０１Ａｂは、隣接するエッジリング片３０２Ａの第１傾斜面３０２Ａａと当接する。すなわち、エッジリング片３０１Ａの第１傾斜面３０１Ａａは、隣接するエッジリング片３０６Ａの第２傾斜面３０６Ａｂと鉛直方向に重なり合う相補的な傾斜面である。また、エッジリング片３０１Ａの第２傾斜面３０１Ａｂは、隣接するエッジリング片３０２Ａの第１傾斜面３０２Ａａと鉛直方向に重なり合う相補的な傾斜面である。したがって、第１例によれば、エッジリング片３０１Ａと、このエッジリング片３０１Ａと隣接するエッジリング片３０２Ａおよび３０６Ａとの合わせ目において、エッジリング載置面２００ｂ１がプラズマに露出することを回避できる。 In FIG. 15, the left end of the edge ring pieces 301A, 302A and 306A is one end, and the right end is the other end. The edge ring pieces 301A and 302A have first inclined surfaces 301Aa and 302Aa at one end, respectively. Further, the edge ring pieces 301A and 306A have second inclined surfaces 301Ab and 306Ab at the other end thereof, respectively. Here, in a state where the edge ring 300 is attracted to the edge ring suction portion 200b, the first inclined surface 301Aa of the edge ring piece 301A comes into contact with the second inclined surface 306Ab of the adjacent edge ring piece 306A. Similarly, the second inclined surface 301Ab of the edge ring piece 301A comes into contact with the first inclined surface 302Aa of the adjacent edge ring piece 302A. That is, the first inclined surface 301Aa of the edge ring piece 301A is a complementary inclined surface that vertically overlaps with the second inclined surface 306Ab of the adjacent edge ring piece 306A. Further, the second inclined surface 301Ab of the edge ring piece 301A is a complementary inclined surface that vertically overlaps with the first inclined surface 302Aa of the adjacent edge ring piece 302A. Therefore, according to the first example, it is possible to prevent the edge ring mounting surface 200b1 from being exposed to plasma at the joint between the edge ring piece 301A and the edge ring pieces 302A and 306A adjacent to the edge ring piece 301A. ..

［第２例］
図１６は、本実施形態に係る基板処理装置１のエッジリング片３０１Ｂと、このエッジリング片３０１Ｂと隣接するエッジリング片３０２Ｂおよび３０６Ｂの端部の断面図である。 [Second example]
FIG. 16 is a cross-sectional view of the edge ring piece 301B of the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment and the end portions of the edge ring pieces 302B and 306B adjacent to the edge ring piece 301B.

図１６において、エッジリング片３０１Ｂ、３０２Ｂおよび３０６Ｂの左側端部を一端部、右側端部を他端部とする。エッジリング片３０１Ｂおよび３０２Ｂは、一端部に第１段差部３０１Ｂａ、３０２Ｂａをそれぞれ有する。また、エッジリング片３０１Ｂおよび３０６Ｂは、他端部に第２段差部３０１Ｂｂ、３０６Ｂｂをそれぞれ有する。ここで、エッジリング３００をエッジリング吸着部２００ｂに吸着させた状態で、エッジリング片３０１Ｂの第１段差部３０１Ｂａは、隣接するエッジリング片３０６Ｂの第２段差部３０６Ｂｂと嵌合する。同様に、エッジリング片３０１Ｂの第２段差部３０１Ｂｂは、隣接するエッジリング片３０２Ｂの第１段差部３０２Ｂａと嵌合する。すなわち、エッジリング片３０１Ｂの第１段差部３０１Ｂａは、隣接するエッジリング片３０６Ｂの第２段差部３０６Ｂｂと鉛直方向に重なり合う相補的な段差部である。また、エッジリング片３０１Ｂの第２段差部３０１Ｂｂは、隣接するエッジリング片３０２Ｂの第１段差部３０２Ｂａと鉛直方向に重なり合う相補的な段差部である。したがって、第２例によれば、エッジリング片３０１Ｂと、このエッジリング片３０２Ｂと隣接するエッジリング片３０２Ｂおよび３０６Ｂとの合わせ目において、エッジリング載置面２００ｂ１がプラズマに露出することを回避できる。 In FIG. 16, the left end of the edge ring pieces 301B, 302B and 306B is one end, and the right end is the other end. The edge ring pieces 301B and 302B have first stepped portions 301Ba and 302Ba at one end, respectively. Further, the edge ring pieces 301B and 306B have second stepped portions 301Bb and 306Bb at the other end thereof, respectively. Here, in a state where the edge ring 300 is attracted to the edge ring suction portion 200b, the first step portion 301Ba of the edge ring piece 301B fits with the second step portion 306Bb of the adjacent edge ring piece 306B. Similarly, the second step portion 301Bb of the edge ring piece 301B fits with the first step portion 302Ba of the adjacent edge ring piece 302B. That is, the first step portion 301Ba of the edge ring piece 301B is a complementary step portion that vertically overlaps with the second step portion 306Bb of the adjacent edge ring piece 306B. Further, the second step portion 301Bb of the edge ring piece 301B is a complementary step portion that vertically overlaps with the first step portion 302Ba of the adjacent edge ring piece 302B. Therefore, according to the second example, it is possible to prevent the edge ring mounting surface 200b1 from being exposed to plasma at the joint between the edge ring piece 301B and the edge ring pieces 302B and 306B adjacent to the edge ring piece 302B. ..

［第３例］
図１７は、本実施形態に係る基板処理装置１のエッジリング片３０１Ｃと、このエッジリング片３０１Ｃと隣接するエッジリング片３０２Ｃおよび３０６Ｃの端部の断面図である。 [Third example]
FIG. 17 is a cross-sectional view of the edge ring piece 301C of the substrate processing apparatus 1 according to the present embodiment and the end portions of the edge ring pieces 302C and 306C adjacent to the edge ring piece 301C.

図１７において、エッジリング片３０１Ｃ、３０２Ｃおよび３０６Ｃの左側端部を一端部、右側端部を他端部とする。エッジリング片３０１Ｃおよび３０２Ｃは、一端部に凸部３０１Ｃａ、３０２Ｃａをそれぞれ有する。また、エッジリング片３０１Ｃおよび３０６Ｃは、他端部に凹部３０１Ｃｂ、３０６Ｃｂをそれぞれ有する。ここで、エッジリング３００をエッジリング吸着部２００ｂに吸着させた状態で、エッジリング片３０１Ｃの凸部３０１Ｃａは、隣接するエッジリング片３０６Ｃの凹部３０６Ｃｂと嵌合する。同様に、エッジリング片３０１Ｃの凹部３０１Ｃｂは、隣接するエッジリング片３０２Ｃの凸部３０２Ｃａと嵌合する。すなわち、エッジリング片３０１Ｃの凸部３０２Ｃａは、隣接するエッジリング片３０６Ｃの凹部３０６Ｃｂと鉛直方向に重なり合う相補的な凸部である。また、エッジリング片３０１Ｃの凹部３０１Ｃｂは、隣接するエッジリング片３０２Ｃの凸部３０２Ｃａと鉛直方向に重なり合う相補的な凹部である。したがって、第３例によれば、エッジリング片３０１Ｃと、このエッジリング片３０１Ｃと隣接するエッジリング片３０２Ｃおよび３０６Ｃとの合わせ目において、エッジリング載置面２００ｂ１がプラズマに露出することを回避できる。 In FIG. 17, the left end of the edge ring pieces 301C, 302C and 306C is one end, and the right end is the other end. The edge ring pieces 301C and 302C have convex portions 301Ca and 302Ca at one end, respectively. Further, the edge ring pieces 301C and 306C have recesses 301Cb and 306Cb at the other ends, respectively. Here, in a state where the edge ring 300 is attracted to the edge ring suction portion 200b, the convex portion 301Ca of the edge ring piece 301C fits with the concave portion 306Cb of the adjacent edge ring piece 306C. Similarly, the concave portion 301Cb of the edge ring piece 301C fits with the convex portion 302Ca of the adjacent edge ring piece 302C. That is, the convex portion 302Ca of the edge ring piece 301C is a complementary convex portion that vertically overlaps the concave portion 306Cb of the adjacent edge ring piece 306C. Further, the concave portion 301Cb of the edge ring piece 301C is a complementary concave portion that vertically overlaps with the convex portion 302Ca of the adjacent edge ring piece 302C. Therefore, according to the third example, it is possible to prevent the edge ring mounting surface 200b1 from being exposed to plasma at the joint between the edge ring piece 301C and the edge ring pieces 302C and 306C adjacent to the edge ring piece 301C. ..

上記エッジリングの端部の例については、載置台アセンブリ５で同じ例を使ってもよいし、組み合わせてもよい。 As for the example of the end portion of the edge ring, the same example may be used or combined in the mounting table assembly 5.

＜作用・効果＞
従来、エッジリングは一体に成型されており、加工精度上、静電チャックのエッジリング載置面の平面度とエッジリング裏面の平坦度には一定の差がある。また、エッジリングは、基板Ｗと比較して厚みがあるため、エッジリングを静電チャックに吸着しても、エッジリングはエッチンリング載置面の表面形状に合わせて変形することは困難である。特に、基板処理中において、静電チャックの温度変化によりエッジリング載置面の平面度が変化したような場合に、エッジリングは、エッジリング載置面の表面形状の変化に追従することが困難である。このため、一体に成型されたエッジリングでは、エッジリングと静電チャック間における伝熱ガスのリークを抑制することは困難である。 <Action / effect>
Conventionally, the edge ring is integrally molded, and there is a certain difference between the flatness of the edge ring mounting surface of the electrostatic chuck and the flatness of the back surface of the edge ring in terms of processing accuracy. Further, since the edge ring is thicker than the substrate W, it is difficult for the edge ring to be deformed according to the surface shape of the etching ring mounting surface even if the edge ring is attracted to the electrostatic chuck. .. In particular, when the flatness of the edge ring mounting surface changes due to a temperature change of the electrostatic chuck during substrate processing, it is difficult for the edge ring to follow the change in the surface shape of the edge ring mounting surface. Is. Therefore, it is difficult to suppress the leakage of heat transfer gas between the edge ring and the electrostatic chuck with the integrally molded edge ring.

これに対して本実施形態の載置台アセンブリ５によれば、エッジリング３００が複数のエッジリング片３０１〜３０６により構成されている。このため、静電チャック２００のエッジリング載置面２００ｂ１の平面度と、エッジリング３００（エッジリング片３０１〜３０６）裏面の平面度に差がある場合であっても、エッジリング３００は、エッジリング載置面２００ｂ１の表面形状に合わせて載置することができる。また、基板処理中において、静電チャック２００の温度変化によりエッジリング載置面２００ｂ１の平面度が変化したような場合であっても、エッジリング３００は、エッジリング載置面２００ｂ１の表面形状の変化に追従することができる。このため、本実施形態体の載置台アセンブリ５によれば、伝熱ガスのリークを効果的に抑制することができる。この結果、基板処理中、伝熱ガスの圧力を一定に保つことができるため、エッジリング３００と静電チャック２００との熱伝導効率を改善することができる。 On the other hand, according to the mounting table assembly 5 of the present embodiment, the edge ring 300 is composed of a plurality of edge ring pieces 301 to 306. Therefore, even if there is a difference between the flatness of the edge ring mounting surface 200b1 of the electrostatic chuck 200 and the flatness of the back surface of the edge ring 300 (edge ring pieces 301 to 306), the edge ring 300 has an edge. It can be mounted according to the surface shape of the ring mounting surface 200b1. Further, even when the flatness of the edge ring mounting surface 200b1 changes due to the temperature change of the electrostatic chuck 200 during the substrate processing, the edge ring 300 has the surface shape of the edge ring mounting surface 200b1. It can follow changes. Therefore, according to the mounting table assembly 5 of the present embodiment, leakage of heat transfer gas can be effectively suppressed. As a result, the pressure of the heat transfer gas can be kept constant during the substrate processing, so that the heat conduction efficiency between the edge ring 300 and the electrostatic chuck 200 can be improved.

さらに、本実施形態の載置台アセンブリ５は、複数のエッジリング片３０１〜３０６が載置される領域ごとに、伝熱ガス溝２３１〜２３６を備える。したがって、各伝熱ガス溝２３１〜２３６への伝熱ガスの供給量を独立して制御することができ、エッジリング片３０１〜３０６ごとの温度制御が可能となる。 Further, the mounting table assembly 5 of the present embodiment includes heat transfer gas grooves 231 to 236 for each region on which a plurality of edge ring pieces 301 to 306 are mounted. Therefore, the amount of heat transfer gas supplied to each heat transfer gas groove 231 to 236 can be controlled independently, and the temperature of each edge ring piece 301 to 306 can be controlled.

さらにまた、本実施形態の載置台アセンブリ５は、複数のエッジリング片３０１〜３０６が載置される領域ごとに、エッジリング吸着用電極板２２１〜２２６を備える。したがって、エッジリング片３０１〜３０６それぞれへの吸着力を独立して制御することができ、エッジリング片３０１〜３０６ごとの温度分布を制御が可能となる。 Furthermore, the mounting table assembly 5 of the present embodiment includes edge ring suction electrode plates 221 to 226 for each region on which a plurality of edge ring pieces 301 to 306 are mounted. Therefore, the suction force to each of the edge ring pieces 301 to 306 can be controlled independently, and the temperature distribution for each of the edge ring pieces 301 to 306 can be controlled.

今回開示された本実施形態に係る基板処理装置は、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形および改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。 The substrate processing apparatus according to the present embodiment disclosed this time should be considered to be exemplary in all respects and not restrictive. The above embodiments can be modified and improved in various forms without departing from the scope of the appended claims and their gist. The matters described in the plurality of embodiments may have other configurations within a consistent range, and may be combined within a consistent range.

本開示の基板処理装置は、Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ（ＣＣＰ）、Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ（ＩＣＰ）、マイクロ波によるプラズマ生成する装置、例えば、Ｒａｄｉａｌ Ｌｉｎｅ Ｓｌｏｔ Ａｎｔｅｎｎａ（ＲＬＳＡ）により生成されたプラズマ、Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ Ｐｌａｓｍａ（ＥＣＲ）、そしてＨｅｌｉｃｏｎ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ（ＨＷＰ）などのどのタイプでも適用可能である。 The substrate processing apparatus of the present disclosure is a Capacitively Coupled Plasma (CCP), an Inductively Coupled Plasma (ICP), a plasma generating apparatus by microwaves, for example, a plasma generated by a Radial Line Slot Antenna (RLSA), a plasma generated by a Radial Line Slot Antenna (RLSA). ECR), and any type such as Helicon Wave Plasma (HWP) is applicable.

１ 基板処理装置
５ 載置台アセンブリ
１００ 基台
２００ 静電チャック
２００ｂ１ エッジリング載置面
２３１〜２３６ 伝熱ガス溝
３００ エッジリング
３０１〜３０６、３０１Ａ〜３０１Ｃ、３０２Ａ〜３０２Ｃ、３０６Ａ〜３０６Ｃ エッジリング片
Ｗ 基板 1 Substrate processing device 5 Mounting base assembly 100 Base base 200 Electrostatic chuck 200b1 Edge ring mounting surface 231 to 236 Heat transfer gas groove 300 Edge ring 301 to 306, 301A to 301C, 302A to 302C, 306A to 306C Edge ring piece W substrate

Claims (17)

基板を載置する載置台アセンブリであって、
基台と、
前記基台上に配置される静電チャックと、
前記基板の周囲に配置されるエッジリングと、
を備え、
前記エッジリングは、周方向に分割された複数のエッジリング片から構成され、
前記静電チャックは、前記基板を吸着する基板吸着部と、前記複数のエッジリング片を吸着するエッジリング吸着部とを有し、
前記エッジリング吸着部は、前記複数のエッジリング片が吸着される各領域に、伝熱ガスが供給される伝熱ガス溝をそれぞれ有する、
載置台アセンブリ。 A mounting table assembly on which a board is mounted.
Base and
An electrostatic chuck arranged on the base and
An edge ring arranged around the substrate and
With
The edge ring is composed of a plurality of edge ring pieces divided in the circumferential direction.
The electrostatic chuck has a substrate suction portion that sucks the substrate and an edge ring suction portion that sucks the plurality of edge ring pieces.
The edge ring adsorption portion has heat transfer gas grooves to which heat transfer gas is supplied in each region where the plurality of edge ring pieces are adsorbed.
Mount assembly. 前記伝熱ガス溝のそれぞれは、伝熱ガス供給孔を有する、
請求項１に記載の載置台アセンブリ。 Each of the heat transfer gas grooves has a heat transfer gas supply hole.
The mounting table assembly according to claim 1. 前記エッジリング吸着部は、前記各領域に、前記複数のエッジリング片を吸着するための電極をそれぞれ備える、
請求項１または請求項２に記載の載置台アセンブリ。 The edge ring suction unit includes electrodes for sucking the plurality of edge ring pieces in each of the regions.
The mount assembly according to claim 1 or 2. 前記複数のエッジリング片のそれぞれは、周方向の両端部に、隣接するエッジリング片の端部と、鉛直方向に重なる相補的な構造を有する、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の載置台アセンブリ。 One of claims 1 to 3, each of the plurality of edge ring pieces has a complementary structure vertically overlapping with the ends of adjacent edge ring pieces at both ends in the circumferential direction. The mount assembly described in. 前記複数のエッジリング片のそれぞれは、一端部に第１傾斜面を有し、他端部に隣接するエッジリング片の第１傾斜面と当接する第２傾斜面を有する、
請求項４に記載の載置台アセンブリ。 Each of the plurality of edge ring pieces has a first inclined surface at one end and a second inclined surface in contact with the first inclined surface of the edge ring piece adjacent to the other end.
The mounting table assembly according to claim 4. 前記複数のエッジリング片のそれぞれは、一端部に第１段差部を有し、他端部に隣接するエッジリング片の第１段差部と嵌合する第２段差部を有する、
請求項４に記載の載置台アセンブリ。 Each of the plurality of edge ring pieces has a first step portion at one end and a second step portion that fits with the first step portion of the edge ring piece adjacent to the other end.
The mounting table assembly according to claim 4. 前記複数のエッジリング片のそれぞれは、一端部に凹部を有し、他端部に隣接するエッジリング片の凹部と嵌合する凸部を有する、
請求項４に記載の載置台アセンブリ。 Each of the plurality of edge ring pieces has a concave portion at one end and a convex portion that fits with the concave portion of the edge ring piece adjacent to the other end.
The mounting table assembly according to claim 4. 前記エッジリングは、３〜９個のエッジリング片により構成される、
請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の載置台アセンブリ。 The edge ring is composed of 3 to 9 pieces of edge ring.
The mounting table assembly according to any one of claims 1 to 7. 処理チャンバと、
前記処理チャンバ内に配置される請求項１から請求項７のいずれかに記載の載置台アセンブリと、
制御部と、
を備える、基板処理装置。 With the processing chamber
The mounting table assembly according to any one of claims 1 to 7, which is arranged in the processing chamber.
Control unit and
A board processing device. 前記エッジリング片の温度を測定する温度センサを備える、
請求項９に記載の基板処理装置。 A temperature sensor for measuring the temperature of the edge ring piece is provided.
The substrate processing apparatus according to claim 9. 処理チャンバと、
基板を載置する載置台アセンブリと、
制御部と
を備え、
前記載置台アセンブリは、
基台と、
前記基台上に配置される静電チャックと、
前記基板の周囲に配置されるエッジリングと、
を備え、
前記エッジリングは、周方向に分割された複数のエッジリング片から構成され、
前記静電チャックは、前記基板を吸着する基板吸着部と、前記複数のエッジリング片を吸着するエッジリング吸着部とを有し、
前記エッジリング吸着部は、前記複数のエッジリング片が吸着される各領域に、伝熱ガスが供給される伝熱ガス溝をそれぞれ有する、
基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
（ａ）前記複数のエッジリング片を前記エッジリング吸着部に吸着する工程と、
（ｂ）前記伝熱ガス溝に伝熱ガスを供給して、基板処理を実行する工程と、
（ｃ）前記基板を処理する工程と、
（ｄ）前記領域ごとに伝熱ガスの圧力を制御する工程と、を含む、
基板処理方法。 With the processing chamber
A mounting table assembly on which the board is mounted and
Equipped with a control unit
The above-mentioned stand assembly is
Base and
An electrostatic chuck arranged on the base and
An edge ring arranged around the substrate and
With
The edge ring is composed of a plurality of edge ring pieces divided in the circumferential direction.
The electrostatic chuck has a substrate suction portion that sucks the substrate and an edge ring suction portion that sucks the plurality of edge ring pieces.
The edge ring adsorption portion has heat transfer gas grooves to which heat transfer gas is supplied in each region where the plurality of edge ring pieces are adsorbed.
It is a board processing method using a board processing device.
(A) A step of adsorbing the plurality of edge ring pieces to the edge ring suction portion, and
(B) A step of supplying heat transfer gas to the heat transfer gas groove to execute substrate processing, and
(C) The step of processing the substrate and
(D) Including a step of controlling the pressure of the heat transfer gas for each of the regions.
Substrate processing method. 前記（ｄ）の工程は、エッチングレートと、前記基板の処理時間または処理枚数との相関関係を示すデータに基づいて、前記領域ごとに前記伝熱ガスの圧力を制御する工程である、
請求項１１に記載の基板処理方法。 The step (d) is a step of controlling the pressure of the heat transfer gas for each region based on the data showing the correlation between the etching rate and the processing time or the number of processed substrates.
The substrate processing method according to claim 11. 前記複数のエッジリング片の温度をそれぞれ測定する温度センサをさらに備え、
前記（ｄ）の工程は、
（ｄ−１）前記温度センサを用いて、前記複数のエッジリング片の温度をそれぞれ測定する工程と、
（ｄ−２）前記エッジリング片の温度と、前記伝熱ガス溝に供給する伝熱ガスとの相関関係を示すデータ、および前記測定した前記複数のエッジリングの温度に基づいて、前記領域ごとに前記伝熱ガスの圧力を制御する工程と、を含む、
請求項１１に記載の基板処理方法。 Further provided with a temperature sensor for measuring the temperature of each of the plurality of edge ring pieces,
The step (d) described above is
(D-1) A step of measuring the temperature of each of the plurality of edge ring pieces using the temperature sensor, and
(D-2) Based on the data showing the correlation between the temperature of the edge ring piece and the heat transfer gas supplied to the heat transfer gas groove, and the measured temperature of the plurality of edge rings for each of the regions. Including a step of controlling the pressure of the heat transfer gas.
The substrate processing method according to claim 11. 処理チャンバと、
基板を載置する載置台アセンブリと、
制御部と
を備え、
前記載置台アセンブリは、
基台と、
前記基台上に配置される静電チャックと、
前記基板の周囲に配置されるエッジリングと、
を備え、
前記エッジリングは、周方向に分割された複数のエッジリング片から構成され、
前記静電チャックは、前記基板を吸着する基板吸着部と、前記複数のエッジリング片を吸着するエッジリング吸着部とを有し、
前記エッジリング吸着部は、前記複数のエッジリング片が吸着される各領域に、伝熱ガスが供給される伝熱ガス溝および前記複数のエッジリング片を吸着するための電極をそれぞれ有する、
基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
（ａ）前記複数のエッジリング片を前記エッジリング吸着部に吸着する工程と、
（ｂ）前記伝熱ガス溝に伝熱ガスを供給する工程と、
（ｃ）前記基板を処理をする工程と、
（ｄ）前記領域ごとに前記電極に印加する電圧を制御する工程と、を含む、
基板処理方法。 With the processing chamber
A mounting table assembly on which the board is mounted and
Equipped with a control unit
The above-mentioned stand assembly is
Base and
An electrostatic chuck arranged on the base and
An edge ring arranged around the substrate and
With
The edge ring is composed of a plurality of edge ring pieces divided in the circumferential direction.
The electrostatic chuck has a substrate suction portion that sucks the substrate and an edge ring suction portion that sucks the plurality of edge ring pieces.
The edge ring adsorption unit has a heat transfer gas groove to which heat transfer gas is supplied and an electrode for adsorbing the plurality of edge ring pieces in each region where the plurality of edge ring pieces are adsorbed.
It is a board processing method using a board processing device.
(A) A step of adsorbing the plurality of edge ring pieces to the edge ring suction portion, and
(B) A step of supplying the heat transfer gas to the heat transfer gas groove and
(C) The process of processing the substrate and
(D) Including a step of controlling the voltage applied to the electrode for each of the regions.
Substrate processing method. 前記（ｄ）の工程は、エッチングレートと、前記基板の処理時間または処理枚数との相関関係を示すデータに基づいて、前記領域ごとに前記電極に印加する電圧を制御する工程である、
請求項１４に記載の基板処理方法。 The step (d) is a step of controlling the voltage applied to the electrode for each region based on the data showing the correlation between the etching rate and the processing time or the number of processed substrates.
The substrate processing method according to claim 14. 前記複数のエッジリング片の温度をそれぞれ測定する温度センサをさらに備え、
前記（ｄ）の工程は、
（ｄ−１）前記温度センサを用いて、前記複数のエッジリング片の温度をそれぞれ測定する工程と、
（ｄ−２）前記エッジリング片の温度と、前記電極に印加する電圧との相関関係を示すデータ、および前記測定した前記複数のエッジリングの温度に基づいて、前記領域ごとに前記電極に印加する電圧を制御する工程と、を含む、
請求項１４に記載の基板処理方法。 Further provided with a temperature sensor for measuring the temperature of each of the plurality of edge ring pieces,
The step (d) described above is
(D-1) A step of measuring the temperature of each of the plurality of edge ring pieces using the temperature sensor, and
(D-2) Based on the data showing the correlation between the temperature of the edge ring piece and the voltage applied to the electrode, and the measured temperature of the plurality of edge rings, the voltage is applied to the electrode for each region. Including the process of controlling the voltage to be
The substrate processing method according to claim 14. 前記（ｄ）の工程は、前記領域ごとに伝熱ガスの圧力を制御する工程をさらに含む、
請求項１４に記載の基板処理方法。 The step (d) further includes a step of controlling the pressure of the heat transfer gas for each of the regions.
The substrate processing method according to claim 14.
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