JP2021156794A - Sensor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、センサ装置に関する。 The present invention relates to a sensor device.
近年、ＬｉＤＡＲ（Ｌｉｇｈｔ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ Ａｎｄ Ｒａｎｇｉｎｇ）等、様々なセンサ装置が開発されている。センサ装置は、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）ミラー等の可動反射部を備えている。センサ装置は、赤外線等の電磁波を所定の走査範囲に向けて可動反射部によって反射することで、センサ装置の外部に存在する物体等の対象物を走査する。 In recent years, various sensor devices such as LiDAR (Light Detection And Ringing) have been developed. The sensor device includes a movable reflecting unit such as a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) mirror. The sensor device scans an object such as an object existing outside the sensor device by reflecting an electromagnetic wave such as infrared rays toward a predetermined scanning range by a movable reflecting unit.
特許文献１には、可動反射部によって反射されたレーザ光が出力された方向を求めるため、可動反射部の走査範囲の一端側に反射部材を配置することが記載されている。反射部材によって反射されたレーザ光は、受光部によって受光される。受光部の受光結果に基づいて、可動反射部から反射部材までの距離が算出される。可動反射部から反射部材までの距離に基づいて、可動反射部によって反射されたレーザ光が出力された方向が算出される。
特許文献２には、可動反射部等、センサ装置を構成する部材を収容する筐体に反射部材を設けて、反射部材によって反射されたレーザ光によって可動反射部の走査位置のずれを検知することが記載されている。
In
センサ装置では、可動反射部によって反射された電磁波の照射によって点群が生成される。しかしながら、様々な要因、例えば、可動反射部の伝達関数の位相が設計状態の位相からずれることによって、点群の位置が設計状態の位置からずれることがある。 In the sensor device, a point cloud is generated by irradiating an electromagnetic wave reflected by a movable reflection unit. However, the position of the point cloud may deviate from the position in the design state due to various factors, for example, the phase of the transfer function of the movable reflection unit deviates from the phase in the design state.
本発明が解決しようとする課題としては、点群の位置の設計状態の位置からのずれを補正することが一例として挙げられる。 As an example of the problem to be solved by the present invention, it is possible to correct the deviation of the position of the point cloud from the position in the design state.
請求項１に記載の発明は、
電磁波を出射する出射部と、
所定の走査範囲内に向けて前記電磁波を反射する可動反射部と、
前記走査範囲内に位置する構造体によって反射又は散乱された前記電磁波を受信する受信部と、
前記構造体によって反射された前記電磁波の前記受信部による受信結果に基づいて、前記出射部からの前記電磁波の出射タイミングを遷移させる制御部と、
を備えるセンサ装置である。
The invention according to
The exit part that emits electromagnetic waves and
A movable reflector that reflects the electromagnetic wave toward a predetermined scanning range,
A receiving unit that receives the electromagnetic wave reflected or scattered by a structure located within the scanning range, and a receiving unit.
A control unit that transitions the emission timing of the electromagnetic wave from the emission unit based on the reception result of the electromagnetic wave reflected by the structure by the reception unit.
It is a sensor device provided with.
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all drawings, similar components are designated by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.
図１は、実施形態に係るセンサ装置１０を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a
図１において、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、互いに交差しており、具体的には直交している。図１において、第１方向Ｘは水平方向である。第１方向Ｘを示す矢印の方向である第１方向Ｘの正方向は、後述する可動反射部１２０から可動反射部１２０の後述する走査範囲に向けて見て左方向である。第１方向Ｘを示す矢印の方向の反対方向である第１方向Ｘの負方向は、可動反射部１２０が位置する側から可動反射部１２０の走査範囲に向けて見て右方向である。第２方向Ｙは垂直方向である。第２方向Ｙを示す矢印の方向である第２方向Ｙの正方向は、上方向である。第２方向Ｙを示す矢印の方向の反対方向である第２方向Ｙの負方向は、下方向である。
In FIG. 1, the first direction X and the second direction Y intersect each other and are specifically orthogonal to each other. In FIG. 1, the first direction X is the horizontal direction. The positive direction of the first direction X, which is the direction of the arrow indicating the first direction X, is the left direction when viewed from the
本明細書の説明から明らかなように、第１方向Ｘは水平方向と異なる方向であってもよく、第２方向Ｙは垂直方向と異なる方向であってもよい。 As is clear from the description of the present specification, the first direction X may be a direction different from the horizontal direction, and the second direction Y may be a direction different from the vertical direction.
センサ装置１０は、出射部１１０、可動反射部１２０、受信部１３０、ビームスプリッタ１４０、及び制御部１５０を備えている。図１において、出射部１１０、可動反射部１２０、受信部１３０、ビームスプリッタ１４０及び走査線Ｌにかけて延びる点線は、出射部１１０、可動反射部１２０、受信部１３０、ビームスプリッタ１４０及び走査線Ｌに亘って伝搬する電磁波を示している。図１では、可動反射部１２０から走査線Ｌに向けて反射された電磁波は、走査線Ｌが形成される領域のおおよそ中央部に向けて照射されている。
The
出射部１１０は、一定のタイミングの間隔でパルス状の赤外線等の電磁波を出射する。出射部１１０は、例えばレーザダイオード（ＬＤ）等、電流等の電気を光等の電磁波に変換可能な素子である。出射部１１０から出射された電磁波は、ビームスプリッタ１４０を透過して可動反射部１２０に入射する。
The emitting
可動反射部１２０は、出射部１１０から出射された電磁波を所定の走査範囲内に向けて反射する。可動反射部１２０の走査範囲は、可動反射部１２０によって反射された電磁波によって照射可能な範囲である。可動反射部１２０は、例えば、２軸ＭＥＭＳミラーである。可動反射部１２０は、第１方向Ｘに共振駆動されており、第２方向Ｙに線型駆動されている。可動反射部１２０の共振駆動には、例えば、正弦波又は余弦波が用いられている。可動反射部１２０の線形駆動には、例えば、鋸波又は三角波が用いられている。
The
出射部１１０から出射されて可動反射部１２０によって反射された一部の電磁波は、センサ装置１０の外部に存在する物体等の対象物によって反射又は散乱される。この電磁波は、可動反射部１２０に戻り、可動反射部１２０による反射と、ビームスプリッタ１４０による反射と、を順に経て、受信部１３０に入射して受信部１３０によって受信される。受信部１３０は、例えばアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）等、光等の電磁波を電流等の電気に変換可能な素子である。
A part of the electromagnetic wave emitted from the
出射部１１０から出射された可動反射部１２０によって反射された他の一部の電磁波は、上記対象物よりも可動反射部１２０の近くに位置する構造体２００によって反射又は散乱される。この電磁波は、可動反射部１２０に向けて戻り、可動反射部１２０による反射と、ビームスプリッタ１４０の透過と、を順に経て、受信部１３０に入射して受信部１３０によって受信される。構造体２００としては、例えば、メッキ等経時安定性の高い表面処理を施した金属等が用いられる。
Some other electromagnetic waves reflected by the movable reflecting
可動反射部１２０から構造体２００までの距離は、可動反射部１２０から上記対象物までの距離より短くなっている。したがって、出射部１１０からの電磁波の出射から、構造体２００による電磁波の反射を経て、受信部１３０による電磁波の受信までの時間は、出射部１１０からの電磁波の出射から、上記対象物による電磁波の反射を経て、受信部１３０による電磁波の受信までの時間より短くなる。このため、受信部１３０において発生する信号の時間差に基づいて、センサ装置１０は、受信部１３０において発生した信号が、構造体２００に起因する信号であるか、又は上記対象物に起因する信号であるかを区別することができる。
The distance from the
センサ装置１０は、構造体２００を備えていてもよい。或いは、構造体２００は、センサ装置１０の外部に設けられていてもよい。センサ装置１０が構造体２００を備えている場合、構造体２００は、例えば、出射部１１０、可動反射部１２０、受信部１３０、ビームスプリッタ１４０等センサ装置１０を構成する部材を収容する筐体の窓部、すなわち、筐体の内部と外部との間で電磁波が透過する部分に設けることができる。しかしながら、構造体２００が設けられる場所は、窓部に限定されない。
The
本実施形態において、制御部１５０は、ハードウエア単位の構成ではなく、機能単位のブロックを示している。制御部１５０は、任意のコンピュータのＣＰＵ、メモリ、メモリにロードされたプログラム、そのプログラムを格納するハードディスクなどの記憶メディア、ネットワーク接続用インタフェースを中心にハードウエアとソフトウエアの任意の組合せによって実現される。そして、その実現方法、装置には様々な変形例がある。
In the present embodiment, the
制御部１５０は、構造体２００によって反射又は散乱された電磁波の受信部１３０による受信結果に基づいて、可動反射部１２０の振動の振幅を制御する。また、制御部１５０は、構造体２００によって反射又は散乱された電磁波の受信部１３０による受信結果に基づいて、出射部１１０からの電磁波の出射タイミングの間隔を制御する。さらに、制御部１５０は、構造体２００によって反射又は散乱された電磁波の受信部１３０による受信結果に基づいて、出射部１１０からの電磁波の出射タイミングを遷移させている。制御部１５０は、構造体２００によって反射又は散乱された電磁波の受信部１３０による受信結果に応じて、出射部１１０及び可動反射部１２０についてのこれらの制御のうちの少なくとも一つを実施する。制御部１５０の制御によって、可動反射部１２０によって生成される点群の位置の設計状態の位置からのずれを補正することができる。
The
図２は、構造体２００と、可動反射部１２０の走査線Ｌと、の関係の一例を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing an example of the relationship between the
走査線Ｌは、第１方向Ｘ、すなわち可動反射部１２０の共振駆動の方向に折り返しながら第２方向Ｙ、すなわち可動反射部１２０の線型駆動の方向の正方向から負方向に向けて伸びている。図２では、走査線Ｌの第１周期Ｔ１の一部分と、第２周期Ｔ２と、第３周期Ｔ３と、が示されている。
The scanning line L extends from the positive direction to the negative direction in the second direction Y, that is, the linear drive direction of the
走査線Ｌの第１周期Ｔ１は、走査線Ｌの上端を第１周期Ｔ１の始点から約１／４周期ずれた位置とし、走査線Ｌの右側における上から１段目の折り返しを経て、走査線Ｌの左側における上から１段目の折り返しを終点とする区間である。 In the first cycle T1 of the scanning line L, the upper end of the scanning line L is set to a position shifted by about 1/4 cycle from the start point of the first cycle T1, and scanning is performed through the first-stage folding back from the top on the right side of the scanning line L. This is a section on the left side of the line L whose end point is the first turn from the top.
走査線Ｌの第２周期Ｔ２は、走査線Ｌの第１周期Ｔ１の終点を始点として、走査線Ｌの右側における上から２段目の折り返しを経て、走査線Ｌの左側における上から２段目の折り返しを終点とする区間である。 The second cycle T2 of the scanning line L starts from the end point of the first cycle T1 of the scanning line L, passes through the second step from the top on the right side of the scanning line L, and then the second step from the top on the left side of the scanning line L. This section ends at the turn of the eye.
走査線Ｌの第３周期Ｔ３は、走査線Ｌの第２周期Ｔ２の終点を始点として、走査線Ｌの右側における上から３段目の折り返しを経て、走査線Ｌの左側における上から３段目の折り返しを終点とする区間である。 The third cycle T3 of the scanning line L starts from the end point of the second cycle T2 of the scanning line L, passes through the third step from the top on the right side of the scanning line L, and then the third step from the top on the left side of the scanning line L. This section ends at the turn of the eye.
構造体２００は、可動反射部１２０の走査線Ｌの折り返しの少なくとも一部分と交差している。図２に示す例では、構造体２００は、走査線Ｌの第１周期Ｔ１の右側の折り返しの少なくとも一部分と、走査線Ｌの第２周期Ｔ２の右側の折り返しの少なくとも一部分と、走査線Ｌの第３周期Ｔ３の右側の折り返しの少なくとも一部分と、交差している。仮に、構造体２００が、走査線Ｌが生成される領域の第１方向Ｘにおけるおおよそ中央又はその周辺に配置される場合、センサ装置１０は、構造体２００が配置されている領域における対象物を検出することができなくなり、又は検出することが難しくなる可能性がある。これに対して、本実施形態においては、センサ装置１０が対象物を検出することができなくなり、又は検出することが難しくなる領域を可動反射部１２０の走査範囲の端部に限定することができる。
The
構造体２００が配置される領域は図２に示す例に限定されない。例えば、構造体２００は、走査線Ｌが生成される領域の第１方向Ｘにおけるおおよそ中央又はその周辺に配置されていてもよい。例えば、構造体２００は、第２方向Ｙに沿って線状に延伸するワイヤ等の部材であってもよい。この場合であっても、構造体２００の第１方向Ｘにおける幅が比較的狭く、例えば、可動反射部１２０によって生成されるスポットの第１方向Ｘの幅より狭い場合、構造体２００によって減衰される電磁波を抑制することができる。
The area where the
走査線Ｌの第１周期Ｔ１において、可動反射部１２０は、設計状態で動作している。走査線Ｌの第１周期Ｔ１における右側折り返しには、出射部１１０から出射され、かつ可動反射部１２０によって反射された電磁波によって生成される３つのスポットが黒丸として示されている。
In the first period T1 of the scanning line L, the
走査線Ｌの第２周期Ｔ２において、可動反射部１２０は、可動反射部１２０の伝達関数のゲインが設計状態のゲインからずれた状態で動作している。走査線Ｌの第２周期Ｔ２における右側折り返しには、出射部１１０から出射され、かつ可動反射部１２０によって反射された電磁波によって生成される３つのスポットが黒丸として示されている。ゲインのずれによって、第２周期Ｔ２における走査線Ｌの第１方向Ｘにおける振幅が設計状態の振幅より小さくなっている。これによって、走査線Ｌの第２周期Ｔ２における３つのスポットは、走査線Ｌの第１周期Ｔ１における３つのスポットに対して、左側にずれている。
In the second period T2 of the scanning line L, the
走査線Ｌの第３周期Ｔ３において、可動反射部１２０は、可動反射部１２０の伝達関数の位相が設計状態の位相からずれた状態で動作している。走査線Ｌの第３周期Ｔ３における右側折り返し及びその近傍には、出射部１１０から出射され、かつ可動反射部１２０によって反射された電磁波によって生成される３つのスポットが黒丸として示されている。位相のずれによって、走査線Ｌの第３周期Ｔ３における３つのスポットの位相は、設計状態の位相から遅れている。これによって、走査線Ｌの第３周期Ｔ３における３つのスポットは、走査線Ｌの第１周期Ｔ１における３つのスポットに対してずれている。
In the third period T3 of the scanning line L, the
図３及び図４は、制御部１５０による制御の第１例を説明するための図である。
3 and 4 are diagrams for explaining a first example of control by the
図３及び図４では、可動反射部１２０のＦＯＶ（Ｆｉｅｌｄ ｏｆ Ｖｉｅｗ）等の視野Ｆが破線で示されている。図１及び図２に示した構造体２００は、例えば、視野Ｆの外側に配置される。或いは、構造体２００は、視野Ｆの内側に配置されていてもよい。
In FIGS. 3 and 4, the field of view F of the
図３及び図４では、出射部１１０によって出射され、かつ可動反射部１２０によって反射される電磁波によって生成される点群、すなわちスポットが、走査線Ｌと重なる複数の黒丸として示されている。
In FIGS. 3 and 4, a point cloud, that is, a spot generated by an electromagnetic wave emitted by the emitting
図３では、第１周期Ｔ１における可動反射部１２０は、設計状態で動作している。これに対して、第２周期Ｔ２における可動反射部１２０の伝達関数のゲインは、設計状態のゲインからずれている。このため、走査線Ｌの第２周期Ｔ２の第１方向Ｘにおける振幅が設計状態の振幅より大きくなっている。したがって、視野Ｆ内において、第１周期Ｔ１の点群と、第２周期Ｔ２の点群と、が第１方向Ｘに互いにずれて配置されている。具体的には、視野Ｆ内において、第２周期Ｔ２の点群の第１方向Ｘにおける間隔が第１周期Ｔ１の点群の第１方向Ｘにおける間隔より広くなっている。
In FIG. 3, the
図４では、制御部１５０は、構造体２００によって反射又は散乱された電磁波の受信部１３０による受信結果に基づいて、可動反射部１２０の振幅と、出射部１１０からの電磁波の出射タイミングの間隔と、の少なくとも一方を制御している。可動反射部１２０の振幅は、例えば、可動反射部１２０に入力される駆動信号の振幅によって制御することができる。具体的には、制御部１５０は、視野Ｆ内において、第１周期Ｔ１の点群と、第２周期Ｔ２の点群と、を第１方向Ｘに実質的に揃わせている。
In FIG. 4, the
なお、図３及び図４に示す例では、視野Ｆ内において、第１周期Ｔ１の点群と、第２周期Ｔ２の点群と、を第１方向Ｘに揃わせることについて説明している。つまり、図３及び図４に示す例では、視野Ｆ内における各周期の点群が図４に示すように第１方向Ｘに揃っている状態が、視野Ｆ内の点群の配置についての設計状態等の基準状態となっている。しかしながら、視野Ｆ内の点群の配置の基準状態は、視野Ｆ内における各周期の点群が第１方向Ｘに揃っている状態に限定されない。例えば、視野Ｆ内の点群の配置の基準状態は、視野Ｆ内における各周期の点群が第１方向Ｘに沿って所定の距離だけずれていてもよい。この例においても、視野Ｆ内の点群の配置が基準状態の配置からずれても、図３及び図４を用いて説明した例と同様にして、視野Ｆ内における点群の配置を基準状態の配置に戻すことができる。後述する図５及び図６についても同様である。 In the examples shown in FIGS. 3 and 4, it is described that the point cloud of the first cycle T1 and the point cloud of the second cycle T2 are aligned in the first direction X in the visual field F. That is, in the examples shown in FIGS. 3 and 4, the state in which the point clouds of each cycle in the visual field F are aligned in the first direction X as shown in FIG. 4 is the design for the arrangement of the point clouds in the visual field F. It is a standard state such as a state. However, the reference state of the arrangement of the point cloud in the visual field F is not limited to the state in which the point cloud of each cycle in the visual field F is aligned in the first direction X. For example, in the reference state of the arrangement of the point cloud in the visual field F, the point cloud of each cycle in the visual field F may be deviated by a predetermined distance along the first direction X. In this example as well, even if the arrangement of the point cloud in the visual field F deviates from the arrangement in the reference state, the arrangement of the point cloud in the visual field F is in the reference state in the same manner as in the examples described with reference to FIGS. 3 and 4. Can be reverted to the placement of. The same applies to FIGS. 5 and 6 described later.
制御部１５０による可動反射部１２０の振幅の制御の一例は以下のようになる。
An example of controlling the amplitude of the
例えば、図３に示したように視野Ｆ内において第２周期Ｔ２の点群の第１方向Ｘにおける間隔が第１周期Ｔ１の点群の第１方向Ｘにおける間隔より広い場合、制御部１５０は、可動反射部１２０の第２周期Ｔ２における第１方向Ｘの振動の振幅を小さくすることで、視野Ｆ内における第２周期Ｔ２の点群の第１方向Ｘにおける間隔を狭くすることができ、これによって、視野Ｆ内における第１周期Ｔ１の点群の第１方向Ｘにおける位置と第２周期Ｔ２の点群の第１方向Ｘにおける位置とを揃えることができる。また、視野Ｆ内において第２周期Ｔ２の点群の第１方向Ｘにおける間隔が第１周期Ｔ１の点群の第１方向Ｘにおける間隔より狭い場合、制御部１５０は、可動反射部１２０の第２周期Ｔ２における第１方向Ｘの振動の振幅を大きくすることで、視野Ｆ内における第２周期Ｔ２の点群の第１方向Ｘにおける間隔を広くすることができ、これによって、視野Ｆ内における第１周期Ｔ１の点群の第１方向Ｘにおける位置と第２周期Ｔ２の点群の第１方向Ｘにおける位置とを揃えることができる。
For example, as shown in FIG. 3, when the interval in the first direction X of the point group of the second period T2 is wider than the interval in the first direction X of the point group of the first period T1 in the field F, the
制御部１５０による出射部１１０の電磁波の出射タイミングの間隔の制御の一例は以下のようになる。
An example of controlling the interval of the emission timing of the electromagnetic wave of the
例えば、図３に示したように視野Ｆ内において第２周期Ｔ２の点群の第１方向Ｘにおける間隔が第１周期Ｔ１の点群の第１方向Ｘにおける間隔より広い場合、制御部１５０は、出射部１１０からの視野Ｆ内における電磁波の出射タイミングの間隔を短くすることで、視野Ｆ内における第２周期Ｔ２の点群の第１方向Ｘにおける間隔を狭くすることができる。また、視野Ｆ内において第２周期Ｔ２の点群の第１方向Ｘにおける間隔が第１周期Ｔ１の点群の第１方向Ｘにおける間隔より狭い場合、制御部１５０は、出射部１１０からの視野Ｆ内における電磁波の出射タイミングの間隔を長くすることで、視野Ｆ内における第２周期Ｔ２の点群の第１方向Ｘにおける間隔を広くすることができる。
For example, as shown in FIG. 3, when the interval in the first direction X of the point group of the second period T2 is wider than the interval in the first direction X of the point group of the first period T1 in the field F, the
図５及び図６は、制御部１５０による制御の第２例を説明するための図である。図５及び図６に示す例は、以下の点を除いて、図３及び図４に示した例と同様である。
5 and 6 are diagrams for explaining a second example of control by the
図５では、第１周期Ｔ１における可動反射部１２０は、設計状態で動作している。一方、第２周期Ｔ２における可動反射部１２０の伝達関数の位相は、設計状態の位相からずれている。このため、第２周期Ｔ２の点群の各位相が設計状態の位相から進んでいる。したがって、視野Ｆ内において、第１周期Ｔ１の点群と、第２周期Ｔ２の点群と、が第１方向Ｘに互いにずれて配置されている。
In FIG. 5, the
図６では、制御部１５０は、構造体２００によって反射又は散乱された電磁波の受信部１３０による受信結果に基づいて、出射部１１０からの電磁波の出射タイミングを遷移させている。具体的には、制御部１５０は、視野Ｆ内において、第１周期Ｔ１の点群と、第２周期Ｔ２の点群と、を第１方向Ｘに実質的に揃わせている。
In FIG. 6, the
制御部１５０による出射部１１０からの電磁波の出射タイミングの遷移の一例は以下のようになる。
An example of the transition of the emission timing of the electromagnetic wave from the
例えば、図５に示したように第２周期Ｔ２の点群の各位相が設計状態の位相より進んでいる場合、制御部１５０は、第２周期Ｔ２における出射部１１０からの視野Ｆ内における電磁波の出射タイミングを早めることで、視野Ｆ内における第１周期Ｔ１の点群の第１方向Ｘにおける位置と第２周期Ｔ２の点群の第１方向Ｘにおける位置とを揃えることができる。また、第２周期Ｔ２の点群の各位相が設計状態の位相より遅れている場合、制御部１５０は、第２周期Ｔ２における出射部１１０からの視野Ｆ内における電磁波の出射のタイミングを遅らせることで、視野Ｆ内における第１周期Ｔ１の点群の第１方向Ｘにおける位置と第２周期Ｔ２の点群の第１方向Ｘにおける位置とを揃えることができる。
For example, as shown in FIG. 5, when each phase of the point group in the second period T2 is ahead of the phase in the design state, the
図７は、構造体２００と、可動反射部１２０が設計状態で動作した場合における第１スポットＳ１及び第２スポットＳ２と、の関係の第１例を示す図である。図８は、図７に示した第１スポットＳ１及び第２スポットＳ２によって受信部１３０に発生する信号の一例を示すグラフである。
FIG. 7 is a diagram showing a first example of the relationship between the
図７では、可動反射部１２０によって生成される走査線Ｌの１周期の一部分、具体的には走査線Ｌのうちの右側折り返し及びその周辺が示されている。走査線Ｌは、図内の左上から右側に向けて延びて、図内の右側で折り返して、図内の右側から左下に向けて延びている。
FIG. 7 shows a part of one cycle of the scanning line L generated by the
図８において、グラフの横軸は時刻ｔを示しており、グラフの縦軸は受信部１３０によって発生した信号の強度を示している。図８では、時刻ｔ１において第１スポットＳ１によって強度ｒ０の信号が発生しており、時刻ｔ２において第２スポットＳ２によって強度ｒ０の信号が発生している。
In FIG. 8, the horizontal axis of the graph indicates the time t, and the vertical axis of the graph indicates the intensity of the signal generated by the receiving
図７及び図８では、可動反射部１２０が設計状態で動作した場合に第１スポットＳ１によって時刻ｔ１に受信部１３０に発生する信号の強度ｒ０と、可動反射部１２０が設計状態で動作した場合に第２スポットＳ２によって時刻ｔ２に受信部１３０に発生する信号の強度ｒ０と、が実質的に等しくなるように、構造体２００が設けられている。具体的には、構造体２００のうち走査線Ｌの右側折り返しと交差する縁は、第２方向Ｙに対して平行になっている。また、構造体２００の反射率は、構造体２００内のいずれの領域においても一様となっている。しかしながら、可動反射部１２０が設計状態で動作した場合に第１スポットＳ１によって時刻ｔ１に受信部１３０に発生する信号の強度と、可動反射部１２０が設計状態で動作した場合に第２スポットＳ２によって時刻ｔ２に受信部１３０に発生する信号の強度とは、実質的に等しくなくてもよく、互いに異なっていてもよい。
In FIGS. 7 and 8, when the
図９は、構造体２００と、可動反射部１２０の伝達関数の第１方向Ｘにおけるゲインが図７に示した設計状態のゲインからずれた状態で可動反射部１２０が動作した場合における第１スポットＳ１及び第２スポットＳ２と、の関係の一例を示す図である。図１０は、図９に示した第１スポットＳ１及び第２スポットＳ２によって受信部１３０に発生する信号の一例を示すグラフである。
FIG. 9 shows the first spot when the
図９では、可動反射部１２０の伝達関数の第１方向Ｘ、すなわち共振駆動の方向におけるゲインが設計状態のゲインからずれている。これによって、可動反射部１２０の振動の第１方向Ｘにおける振幅が設計状態の振幅より大きくなっている。
In FIG. 9, the gain in the first direction X of the transfer function of the
図９における第１スポットＳ１のうち構造体２００への照射面積は、図７における第１スポットＳ１のうち構造体２００への照射面積より大きくなっている。したがって、図１０において時刻ｔ１に受信部１３０によって受信される電磁波の量は、図８において時刻ｔ１に受信部１３０によって受信される電磁波の量より多くなっている。このため、図１０において時刻ｔ１に発生している信号の強度ｒ１は、図８において時刻ｔ１に発生している信号の強度ｒ０より高くなっている。
The irradiation area of the first spot S1 in FIG. 9 on the
図９における第２スポットＳ２のうち構造体２００への照射面積は、図７における第２スポットＳ２のうち構造体２００への照射面積より大きくなっている。したがって、図１０において時刻ｔ２に受信部１３０によって受信される電磁波の量は、図８において時刻ｔ２に受信部１３０によって受信される電磁波の量より多くなっている。このため、図１０において時刻ｔ２に発生している信号の強度ｒ１は、図８において時刻ｔ２に発生している信号の強度ｒ０より高くなっている。
The irradiation area of the second spot S2 in FIG. 9 on the
図１に示した制御部１５０は、構造体２００の第１部分によって反射又は散乱された電磁波の受信部１３０による第１受信値と、構造体２００の第２部分によって反射又は散乱された電磁波の受信部１３０による第２受信値と、の関係と、可動反射部１２０が基準状態、例えば設計状態で動作した場合における構造体２００の第１部分によって反射又は散乱された電磁波の受信部１３０による第１基準受信値と、可動反射部１２０が基準状態で動作した場合における構造体２００の第２部分によって反射又は散乱された電磁波の受信部１３０による第２基準受信値と、の関係と、の比較結果に基づいて、可動反射部１２０の伝達関数の第１方向Ｘにおけるゲインの設計状態のゲインからのずれを判断することができる。制御部１５０は、この判断結果に基づいて、各種制御、例えば、可動反射部１２０の第１方向Ｘにおける振動の振幅の制御又は出射部１１０からの電磁波の出射タイミングの間隔の制御を行うことができる。構造体２００の第１部分は、例えば、構造体２００のうち第１スポットＳ１が生成される部分又はその近傍である。構造体２００の第２部分は、例えば、構造体２００のうち第２スポットＳ２が生成される部分又はその近傍である。また、構造体２００の第１部分及び第２部分は、例えば、可動反射部１２０の走査線Ｌの折り返しを挟んで互いに反対側に位置している。
The
例えば、制御部１５０は、第１受信値及び第２受信値の双方が第１基準受信値又は第２基準受信値より大きいか又は小さいかに基づいて、可動反射部１２０の伝達関数の第１方向Ｘにおけるゲインの設計状態のゲインからのずれを判断することができる。例えば、図１０において時刻ｔ１に発生した信号の強度ｒ１及び時刻ｔ２に発生した信号の強度ｒ１の双方が、図８において時刻ｔ１に発生した信号の強度ｒ０又は時刻ｔ２に発生した信号の強度ｒ０より大きい場合、制御部１５０は、可動反射部１２０の伝達関数の第１方向Ｘにおけるゲインが設計状態のゲインより大きくなっていると判断することができる。また、図１０において時刻ｔ１に発生した信号の強度ｒ１及び時刻ｔ２に発生した信号の強度ｒ１の双方が、図８において時刻ｔ１に発生した信号の強度ｒ０又は時刻ｔ２に発生した信号の強度ｒ０より小さい場合、制御部１５０は、可動反射部１２０の伝達関数の第１方向Ｘにおけるゲインが設計状態のゲインより小さくなっていると判断することができる。
For example, the
図１１は、構造体２００と、可動反射部１２０の伝達関数の位相が図７に示した設計状態の位相からずれた状態で可動反射部１２０が動作した場合における第１スポットＳ１及び第２スポットＳ２と、の関係の一例を示す図である。図１２は、図１１に示した第１スポットＳ１及び第２スポットＳ２によって受信部１３０に発生する信号の一例を示すグラフである。
FIG. 11 shows the first spot S1 and the second spot when the
図１１では、可動反射部１２０の伝達関数の位相が設計状態の位相から進んでいる。
In FIG. 11, the phase of the transfer function of the
図１１における第１スポットＳ１のうち構造体２００への照射面積は、図７における第１スポットＳ１のうち構造体２００への照射面積より大きくなっている。したがって、図１２において時刻ｔ１に受信部１３０によって受信される電磁波の量は、図８において時刻ｔ１に受信部１３０によって受信される電磁波の量より多くなっている。このため、図１２において時刻ｔ１に発生している信号の強度ｒ２は、図８において時刻ｔ１に発生している信号の強度ｒ０より高くなっている。
The irradiation area of the first spot S1 in FIG. 11 on the
図１１における第２スポットＳ２のうち構造体２００への照射面積は、図７における第２スポットＳ２のうち構造体２００への照射面積より小さくなっている。したがって、図１２において時刻ｔ２に受信部１３０によって受信される電磁波の量は、図８において時刻ｔ２に受信部１３０によって受信される電磁波の量より少なくなっている。このため、図１２において時刻ｔ２に発生している信号の強度ｒ３は、図８において時刻ｔ２に発生している信号の強度ｒ０より低くなっている。
The irradiation area of the second spot S2 in FIG. 11 on the
図１に示した制御部１５０は、構造体２００の第１部分によって反射又は散乱された電磁波の受信部１３０による第１受信値と、構造体２００の第２部分によって反射又は散乱された電磁波の受信部１３０による第２受信値と、の関係と、可動反射部１２０が基準状態、例えば設計状態で動作した場合における構造体２００の第１部分によって反射又は散乱された電磁波の受信部１３０による第１基準受信値と、可動反射部１２０が基準状態で動作した場合における構造体２００の第２部分によって反射又は散乱された電磁波の受信部１３０による第２基準受信値と、の関係と、の比較結果に基づいて、可動反射部１２０の伝達関数の位相の設計状態の位相からのずれを判断することができる。制御部１５０は、この判断結果に基づいて、各種制御、例えば、出射部１１０からの電磁波の出射タイミングの遷移を行うことができる。構造体２００の第１部分は、例えば、構造体２００のうち第１スポットＳ１が生成される部分又はその近傍である。構造体２００の第２部分は、例えば、構造体２００のうち第２スポットＳ２が生成される部分又はその近傍である。また、構造体２００の第１部分及び第２部分は、例えば、可動反射部１２０の走査線Ｌの折り返しを挟んで互いに反対側に位置している。
The
例えば、制御部１５０は、第１受信値及び第２受信値の一方が第１基準受信値又は第２基準受信値より大きく、かつ第１受信値及び第２受信値の他方が第１基準受信値又は第２基準受信値より小さいかに基づいて、可動反射部１２０の伝達関数の位相の設計状態の位相からのずれを判断することができる。例えば、図１２において時刻ｔ１に発生した信号の強度ｒ２が、図８において時刻ｔ１に発生した信号の強度ｒ０より大きく、かつ図１２において時刻ｔ２に発生した信号の強度ｒ３が、図８において時刻ｔ１に発生した信号の強度ｒ０より小さい場合、制御部１５０は、可動反射部１２０の伝達関数の位相が設計状態の位相より進んでいると判断することができる。また、図１２において時刻ｔ１に発生した信号の強度ｒ２が、図８において時刻ｔ１に発生した信号の強度ｒ０より小さく、かつ図１２において時刻ｔ２に発生した信号の強度ｒ３が、図８において時刻ｔ１に発生した信号の強度ｒ０より大きい場合、制御部１５０は、可動反射部１２０の伝達関数の位相が設計状態の位相より遅れていると判断することができる。
For example, in the
図１３は、構造体２００Ａと、可動反射部１２０が設計状態で動作した場合における第１スポットＳ１及び第２スポットＳ２と、の関係の第２例を示す図である。図１４は、図１３に示した第１スポットＳ１及び第２スポットＳ２によって受信部１３０に発生する信号の一例を示すグラフである。
FIG. 13 is a diagram showing a second example of the relationship between the
図１３及び図１４では、可動反射部１２０が設計状態で動作した場合に第１スポットＳ１によって時刻ｔ１に受信部１３０に発生する信号の強度ｒ０と、可動反射部１２０が設計状態で動作した場合に第２スポットＳ２によって時刻ｔ２に受信部１３０に発生する信号の強度ｒ０´と、が異なるように、構造体２００Ａが配置されている。具体的には、構造体２００Ａのうち走査線Ｌの右側折り返しと交差する縁は、第２方向Ｙに対して斜めになっている。より具体的には、構造体２００Ａの当該縁は、構造体２００Ａの上方から下方に向かうにつれて構造体２００Ａの左側から右側に向けて斜めに傾いている。また、構造体２００Ａの反射率は、構造体２００Ａ内のいずれの領域においても一様となっている。
In FIGS. 13 and 14, when the
図１５は、構造体２００Ａと、可動反射部１２０の伝達関数の第２方向Ｙにおけるゲインが図１３に示した設計状態のゲインからずれた状態で可動反射部１２０が動作した場合における第１スポットＳ１及び第２スポットＳ２と、の関係の一例を示す図である。図１６は、図１５に示した第１スポットＳ１及び第２スポットＳ２によって受信部１３０に発生する信号の一例を示すグラフである。
FIG. 15 shows the first spot when the
図１５では、可動反射部１２０の伝達関数の第２方向Ｙ、すなわち線型駆動の方向におけるゲインが設計状態のゲインからずれている。これによって、第１スポットＳ１及び第２スポットＳ２の間の第２方向Ｙにおける間隔が設計状態の間隔より広くなっている。
In FIG. 15, the gain in the second direction Y of the transfer function of the
図１５における第１スポットＳ１のうち構造体２００Ａへの照射面積に対する第２スポットＳ２のうち構造体２００Ａへの照射面積の比は、図１３における第１スポットＳ１のうち構造体２００Ａへの照射面積に対する第２スポットＳ２のうち構造体２００Ａへの照射面積の比より小さくなっている。したがって、図１６において時刻ｔ１に発生している信号の強度ｒ１に対する時刻ｔ２に発生している信号の強度ｒ１´の比βは、図１４において時刻ｔ１に発生している信号の強度ｒ０に対する時刻ｔ２に発生している信号の強度ｒ０´の比αより小さくなっている（α＝ｒ０´／ｒ０、β＝ｒ１´／ｒ１）。
The ratio of the irradiation area of the second spot S2 to the
例えば、制御部１５０は、第１受信値及び第２受信値の比及び差の少なくとも一方と、第１基準受信値又は第２基準受信値の比及び差の少なくとも一方と、の比較結果に基づいて、可動反射部１２０の伝達関数の第２方向Ｙにおけるゲインの設計状態のゲインからのずれを判断することができる。例えば、比βが比αより小さい場合、制御部１５０は、可動反射部１２０の伝達関数の第２方向Ｙにおけるゲインが設計状態のゲインより大きくなっていると判断することができる。また、比βが比αより大きい場合、制御部１５０は、可動反射部１２０の伝達関数の第２方向Ｙにおけるゲインが設計状態のゲインより小さくなっていると判断することができる。制御部１５０は、この判断結果に基づいて、各種制御、例えば、可動反射部１２０の第２方向Ｙにおける振動の振幅の制御を行うことができる。
For example, the
なお、図７及び図９に示した構造体２００と、図１３及び図１５に示した構造体２００Ａと、は、走査線Ｌが形成される領域において第１方向Ｘにおいて互いに反対側に配置されていてもよい。この場合、制御部１５０は、図７及び図９に示した構造体２００によって、可動反射部１２０の伝達関数の第１方向Ｘにおけるゲインの設計状態のゲインからのずれを判断することができ、図１３及び図１５に示した構造体２００Ａによって、可動反射部１２０の伝達関数の第２方向Ｙにおけるゲインの設計状態のゲインからのずれを判断することができる。
The
以上、図面を参照して実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。 Although the embodiments have been described above with reference to the drawings, these are examples of the present invention, and various configurations other than the above can be adopted.
例えば、実施形態では、センサ装置１０は、コアキシャル型ＬｉＤＡＲとなっている。しかしながら、センサ装置１０は、バイアキシャル型ＬｉＤＡＲであってもよい。
For example, in the embodiment, the
本明細書によれば、以下の態様が提供される。
（態様１−１）
所定の走査範囲内に向けて電磁波を反射する可動反射部と、
前記走査範囲内に位置する構造体によって反射又は散乱された前記電磁波を受信する受信部と、
前記構造体によって反射又は散乱された前記電磁波の前記受信部による受信結果に基づいて、前記可動反射部の振動の振幅を制御する制御部と、
を備えるセンサ装置。
（態様１−２）
態様１−１に記載のセンサ装置において、
前記可動反射部は、出射部から出射された前記電磁波を前記走査範囲内に向けて反射しており、
前記制御部は、前記出射部からの前記電磁波の出射タイミングの間隔をさらに制御する、センサ装置。
（態様１−３）
態様１−１又は１−２に記載のセンサ装置において、
前記制御部は、前記構造体の第１部分によって反射又は散乱された前記電磁波の前記受信部による第１受信値と、前記構造体の第２部分によって反射又は散乱された前記電磁波の前記受信部による第２受信値と、の関係と、前記可動反射部が基準状態で動作した場合における前記構造体の前記第１部分によって反射又は散乱された前記電磁波の前記受信部による第１基準受信値と、前記可動反射部が前記基準状態で動作した場合における前記構造体の前記第２部分によって反射又は散乱された前記電磁波の前記受信部による第２基準受信値と、の関係と、の比較結果に基づいて、前記可動反射部の前記振動の前記振幅を制御する、センサ装置。
（態様１−４）
態様１−３に記載のセンサ装置において、
前記制御部は、前記第１受信値及び前記第２受信値の双方が前記第１基準受信値又は前記第２基準受信値より大きいか又は小さいかに基づいて、前記可動反射部の前記振動の前記振幅を制御する、センサ装置。
（態様１−５）
態様１−３に記載のセンサ装置において、
前記構造体は、前記第１基準受信値と前記第２基準受信値とが異なるように設けられており、
前記制御部は、前記第１受信値及び前記第２受信値の比及び差の少なくとも一方と、前記第１基準受信値及び前記第２基準受信値の比及び差の少なくとも一方と、の比較結果に基づいて、前記可動反射部の前記振動の前記振幅を制御する、センサ装置。
（態様１−６）
態様１−３〜１−５のいずれか一に記載のセンサ装置において、
前記構造体の前記第１部分及び前記第２部分は、前記可動反射部の走査線の折り返しを挟んで互いに反対側に位置している、センサ装置。
（態様１−７）
態様１−１〜１−６までのいずれか一に記載のセンサ装置において、
前記構造体は、前記可動反射部の走査線の折り返しの少なくとも一部分と交差している、センサ装置。
（態様２−１）
電磁波を出射する出射部と、
所定の走査範囲内に向けて前記電磁波を反射する可動反射部と、
前記走査範囲内に位置する構造体によって反射又は散乱された前記電磁波を受信する受信部と、
前記構造体によって反射された前記電磁波の前記受信部による受信結果に基づいて、前記出射部からの前記電磁波の出射タイミングを遷移させる制御部と、
を備えるセンサ装置。
（態様２−２）
態様２−１に記載のセンサ装置において、
前記制御部は、前記構造体の第１部分によって反射又は散乱された前記電磁波の前記受信部による第１受信値と、前記構造体の第２部分によって反射又は散乱された前記電磁波の前記受信部による第２受信値と、の関係と、前記可動反射部が基準状態で動作した場合における前記構造体の前記第１部分によって反射又は散乱された前記電磁波の前記受信部による第１基準受信値と、前記可動反射部が前記基準状態で動作した場合における前記構造体の前記第２部分によって反射又は散乱された前記電磁波の前記受信部による第２基準受信値と、の関係と、の比較結果に基づいて、前記出射部からの前記電磁波の前記出射タイミングを遷移させる、センサ装置。
（態様２−３）
態様２−２に記載のセンサ装置において、
前記制御部は、前記第１受信値及び前記第２受信値の一方が前記第１基準受信値又は前記第２基準受信値より大きく、かつ前記第１受信値及び前記第２受信値の他方が前記第１基準受信値又は前記第２基準受信値より小さいかに基づいて、前記出射部からの前記電磁波の前記出射タイミングを遷移させる、センサ装置。
（態様２−４）
態様２−２又は２−３に記載のセンサ装置において、
前記構造体の前記第１部分及び前記第２部分は、前記可動反射部の走査線の折り返しを挟んで互いに反対側に位置している、センサ装置。
（態様２−５）
態様２−１〜２−４までのいずれか一に記載のセンサ装置において、
前記構造体は、前記可動反射部の走査線の折り返しの少なくとも一部分と交差している、センサ装置。
According to the present specification, the following aspects are provided.
(Aspect 1-1)
A movable reflector that reflects electromagnetic waves toward a predetermined scanning range,
A receiving unit that receives the electromagnetic wave reflected or scattered by a structure located within the scanning range, and a receiving unit.
A control unit that controls the vibration amplitude of the movable reflection unit based on the reception result of the electromagnetic wave reflected or scattered by the structure by the reception unit.
A sensor device equipped with.
(Aspect 1-2)
In the sensor device according to aspect 1-1,
The movable reflecting unit reflects the electromagnetic wave emitted from the emitting unit toward the scanning range.
The control unit is a sensor device that further controls the interval of emission timing of the electromagnetic wave from the emission unit.
(Aspect 1-3)
In the sensor device according to aspect 1-1 or 1-2,
The control unit includes a first reception value of the electromagnetic wave reflected or scattered by the first portion of the structure by the receiving unit, and the receiving unit of the electromagnetic wave reflected or scattered by the second portion of the structure. The relationship with the second reception value according to the above, and the first reference reception value of the electromagnetic wave reflected or scattered by the first portion of the structure when the movable reflection unit operates in the reference state. , The comparison result of the relationship between the movable reflection unit and the second reference reception value of the electromagnetic wave reflected or scattered by the second portion of the structure when the movable reflection unit operates in the reference state. Based on this, a sensor device that controls the amplitude of the vibration of the movable reflection unit.
(Aspect 1-4)
In the sensor device according to aspect 1-3,
The control unit determines that the vibration of the movable reflection unit is based on whether both the first reception value and the second reception value are larger or smaller than the first reference reception value or the second reference reception value. A sensor device that controls the amplitude.
(Aspect 1-5)
In the sensor device according to aspect 1-3,
The structure is provided so that the first reference reception value and the second reference reception value are different from each other.
The control unit has a comparison result of at least one of the ratio and difference between the first reception value and the second reception value and at least one of the ratio and difference between the first reference reception value and the second reference reception value. A sensor device that controls the amplitude of the vibration of the movable reflection unit based on the above.
(Aspect 1-6)
In the sensor device according to any one of aspects 1-3 to 1-5.
A sensor device in which the first portion and the second portion of the structure are located on opposite sides of each other with the folded back of the scanning line of the movable reflection portion.
(Aspect 1-7)
In the sensor device according to any one of aspects 1-1 to 1-6.
A sensor device in which the structure intersects at least a portion of the scan line folds of the movable reflector.
(Aspect 2-1)
The exit part that emits electromagnetic waves and
A movable reflector that reflects the electromagnetic wave toward a predetermined scanning range,
A receiving unit that receives the electromagnetic wave reflected or scattered by a structure located within the scanning range, and a receiving unit.
A control unit that transitions the emission timing of the electromagnetic wave from the emission unit based on the reception result of the electromagnetic wave reflected by the structure by the reception unit.
A sensor device equipped with.
(Aspect 2-2)
In the sensor device according to aspect 2-1
The control unit includes a first reception value of the electromagnetic wave reflected or scattered by the first portion of the structure by the receiving unit, and the receiving unit of the electromagnetic wave reflected or scattered by the second portion of the structure. The relationship with the second reception value according to the above, and the first reference reception value of the electromagnetic wave reflected or scattered by the first portion of the structure when the movable reflection unit operates in the reference state. , The comparison result of the relationship between the movable reflection unit and the second reference reception value of the electromagnetic wave reflected or scattered by the second portion of the structure when the movable reflection unit operates in the reference state. Based on this, a sensor device that transitions the emission timing of the electromagnetic wave from the emission unit.
(Aspect 2-3)
In the sensor device according to aspect 2-2,
In the control unit, one of the first reception value and the second reception value is larger than the first reference reception value or the second reference reception value, and the other of the first reception value and the second reception value is A sensor device that transitions the emission timing of the electromagnetic wave from the emission unit based on whether it is smaller than the first reference reception value or the second reference reception value.
(Aspect 2-4)
In the sensor device according to aspect 2-2 or 2-3.
A sensor device in which the first portion and the second portion of the structure are located on opposite sides of each other with the folded back of the scanning line of the movable reflection portion.
(Aspect 2-5)
In the sensor device according to any one of aspects 2-1 to 2-4.
A sensor device in which the structure intersects at least a portion of the scan line folds of the movable reflector.
１０ センサ装置
１１０ 出射部
１２０ 可動反射部
１３０ 受信部
１４０ ビームスプリッタ
１５０ 制御部
２００ 構造体
２００Ａ 構造体
Ｆ 視野
Ｌ 走査線
Ｓ１ 第１スポット
Ｓ２ 第２スポット
Ｔ１ 第１周期
Ｔ２ 第２周期
Ｔ３ 第３周期
Ｘ 第１方向
Ｙ 第２方向
10
Claims (5)
所定の走査範囲内に向けて前記電磁波を反射する可動反射部と、
前記走査範囲内に位置する構造体によって反射又は散乱された前記電磁波を受信する受信部と、
前記構造体によって反射された前記電磁波の前記受信部による受信結果に基づいて、前記出射部からの前記電磁波の出射タイミングを遷移させる制御部と、
を備えるセンサ装置。 The exit part that emits electromagnetic waves and
A movable reflector that reflects the electromagnetic wave toward a predetermined scanning range,
A receiving unit that receives the electromagnetic wave reflected or scattered by a structure located within the scanning range, and a receiving unit.
A control unit that transitions the emission timing of the electromagnetic wave from the emission unit based on the reception result of the electromagnetic wave reflected by the structure by the reception unit.
A sensor device equipped with.
前記制御部は、前記構造体の第１部分によって反射又は散乱された前記電磁波の前記受信部による第１受信値と、前記構造体の第２部分によって反射又は散乱された前記電磁波の前記受信部による第２受信値と、の関係と、前記可動反射部が基準状態で動作した場合における前記構造体の前記第１部分によって反射又は散乱された前記電磁波の前記受信部による第１基準受信値と、前記可動反射部が前記基準状態で動作した場合における前記構造体の前記第２部分によって反射又は散乱された前記電磁波の前記受信部による第２基準受信値と、の関係と、の比較結果に基づいて、前記出射部からの前記電磁波の前記出射タイミングを遷移させる、センサ装置。 In the sensor device according to claim 1,
The control unit includes a first reception value of the electromagnetic wave reflected or scattered by the first portion of the structure by the receiving unit, and the receiving unit of the electromagnetic wave reflected or scattered by the second portion of the structure. The relationship with the second reception value according to the above, and the first reference reception value of the electromagnetic wave reflected or scattered by the first portion of the structure when the movable reflection unit operates in the reference state. , The comparison result of the relationship between the movable reflection unit and the second reference reception value of the electromagnetic wave reflected or scattered by the second portion of the structure when the movable reflection unit operates in the reference state. Based on this, a sensor device that transitions the emission timing of the electromagnetic wave from the emission unit.
前記制御部は、前記第１受信値及び前記第２受信値の一方が前記第１基準受信値又は前記第２基準受信値より大きく、かつ前記第１受信値及び前記第２受信値の他方が前記第１基準受信値又は前記第２基準受信値より小さいかに基づいて、前記出射部からの前記電磁波の前記出射タイミングを遷移させる、センサ装置。 In the sensor device according to claim 2,
In the control unit, one of the first reception value and the second reception value is larger than the first reference reception value or the second reference reception value, and the other of the first reception value and the second reception value is A sensor device that transitions the emission timing of the electromagnetic wave from the emission unit based on whether it is smaller than the first reference reception value or the second reference reception value.
前記構造体の前記第１部分及び前記第２部分は、前記可動反射部の走査線の折り返しを挟んで互いに反対側に位置している、センサ装置。 In the sensor device according to claim 2 or 3.
A sensor device in which the first portion and the second portion of the structure are located on opposite sides of each other with the folded back of the scanning line of the movable reflection portion.
前記構造体は、前記可動反射部の走査線の折り返しの少なくとも一部分と交差している、センサ装置。 In the sensor device according to any one of claims 1 to 4.
A sensor device in which the structure intersects at least a portion of the scan line folds of the movable reflector.
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