JP2021150671A - Light receiving ic, proximity sensor, and electronic apparatus - Google Patents

Light receiving ic, proximity sensor, and electronic apparatus Download PDF

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Abstract

To provide a light receiving IC, a proximity sensor, and an electronic apparatus, having a high inspection accuracy of an article.SOLUTION: A light receiving IC 11 comprises: a driving part 39 driving a first light source 21-a and a second light source 21-b, ejecting a light, respectively; and a light reception element 34 detecting the light reflected. The light receiving IC 11, the first light source 21-a, and the second light source 21-b, are arranged in a region covered with an OLED panel 5 on a lower side of the OLED panel 5. The first light source 21-a is arranged at a position near the light reception element 34 from the second light source 21-b. The driving part 39 reduces an intensity of the light ejected from the first light source 21-a so as to be smaller than the intensity of the light ejected from the second light source 21-b.SELECTED DRAWING: Figure 7

Description

本発明は、受光ＩＣ、近接センサ、および電子機器に関する。 The present invention relates to a light receiving IC, a proximity sensor, and an electronic device.

近接センサが組み込まれたＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）パネルが知られている。たとえば、特許文献１に記載のＯＬＥＤパネルは、基板と、基板上に配置されて可視光を発光するＯＬＥＤスタックと、基板とＯＬＥＤスタックとの間に配置され、近赤外線光を発光する発光部及び近赤外線光を受光する受光部を含む近赤外線光センサスタックとを備える。 An OLED (Organic Light Emitting Diode) panel incorporating a proximity sensor is known. For example, the OLED panel described in Patent Document 1 is arranged between a substrate, an OLED stack arranged on the substrate and emitting visible light, and a light emitting unit which is arranged between the substrate and the OLED stack and emits near-infrared light. It includes a near-infrared light sensor stack including a light receiving unit that receives near-infrared light.

特開２０１７−２７５９５号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2017-27595

しかしながら、特許文献１の近接センサが組み込まれたＯＬＥＤパネルでは、以下のような問題がある。発光部から出射された近赤外線光の一部は、ＯＬＥＤスタックを透過して、検出物体で反射されて受光部に入射される。発光部から出射された近赤外線光の他の一部は、ＯＬＥＤスタックを透過せずに、ＯＬＥＤスタックから近赤外線光センサの方向に戻る。発光部と受光部との距離が近いと、この赤外光は、干渉光として受光部に入射される。検出物体で反射された赤外光が干渉光に埋もれてしまい、近接センサの物体の検出精度が低下する。 However, the OLED panel incorporating the proximity sensor of Patent Document 1 has the following problems. A part of the near-infrared light emitted from the light emitting unit passes through the OLED stack, is reflected by the detection object, and is incident on the light receiving unit. The other part of the near-infrared light emitted from the light emitting unit does not pass through the OLED stack and returns from the OLED stack toward the near-infrared light sensor. When the distance between the light emitting unit and the light receiving unit is short, this infrared light is incident on the light receiving unit as interference light. The infrared light reflected by the detection object is buried in the interference light, and the detection accuracy of the object of the proximity sensor is lowered.

それゆえに、本発明の目的は、物体の検出精度が高い受光ＩＣ、近接センサ、および電子機器を提供することである。 Therefore, an object of the present invention is to provide a light receiving IC, a proximity sensor, and an electronic device having high object detection accuracy.

本発明は、ＯＬＥＤパネルを有する電子機器に搭載可能な受光ＩＣであって、各々が、光を出射する第１の光源および第２の光源を駆動する駆動部と、反射された光を検出する受光素子とを備える。受光ＩＣ、第１の光源および第２の光源は、ＯＬＥＤパネルの下側のＯＬＥＤパネルで覆われる領域に配置される。第１の光源は、第２の光源よりも、受光素子に近い位置に配置される。駆動部は、第１の光源から出射される光の強度を、第２の光源から出射される光の強度よりも小さくする。 The present invention is a light receiving IC that can be mounted on an electronic device having an OLED panel, and each detects a first light source that emits light, a drive unit that drives the second light source, and reflected light. It is provided with a light receiving element. The light receiving IC, the first light source, and the second light source are arranged in the area covered by the OLED panel under the OLED panel. The first light source is arranged closer to the light receiving element than the second light source. The drive unit makes the intensity of the light emitted from the first light source smaller than the intensity of the light emitted from the second light source.

好ましくは、駆動部は、第１の光源と第２の光源とを同一のタイミングで駆動することによって、第１の光源と第２の光源とは、同一のタイミングで光を出射する。受光ＩＣは、受光素子の受光量が、閾値以上であるか否かを判定する制御ロジックを備える。 Preferably, the driving unit drives the first light source and the second light source at the same timing, so that the first light source and the second light source emit light at the same timing. The light receiving IC includes a control logic for determining whether or not the amount of light received by the light receiving element is equal to or greater than a threshold value.

好ましくは、駆動部は、第１の光源と第２の光源とを異なるタイミングで駆動することによって、第１の光源と第２の光源とは、異なるタイミングで光を出射する。受光ＩＣは、第１の光源が光を出射したときには、受光素子の受光量が第１の閾値以上であるか否かを判定する第１の判定を実行し、第２の光源が光を出射したときには、受光素子の受光量が第２の閾値以上であるか否かを判定する第２の判定を実行し、第１の判定の結果と第２の判定の結果との論理和を算出する制御ロジックを備える。 Preferably, the driving unit drives the first light source and the second light source at different timings, so that the first light source and the second light source emit light at different timings. When the first light source emits light, the light receiving IC executes the first determination of determining whether or not the amount of light received by the light receiving element is equal to or greater than the first threshold value, and the second light source emits light. When this is done, a second determination for determining whether or not the amount of light received by the light receiving element is equal to or greater than the second threshold value is executed, and the logical sum of the result of the first determination and the result of the second determination is calculated. It has control logic.

好ましくは、第１の光源は第１のＬＥＤであり、第２の光源は第２のＬＥＤである。駆動部は、第１のＬＥＤおよび第２のＬＥＤを駆動する。 Preferably, the first light source is the first LED and the second light source is the second LED. The drive unit drives the first LED and the second LED.

好ましくは、駆動部は、第１のＬＥＤを駆動する第１のドライバと、第２のＬＥＤを駆動する第２のドライバと、第１のドライバへの第１のパルス幅変調信号と、第２のドライバへの第２のパルス幅変調信号とを出力するパルス生成器とを備える。第１のパルス幅変調信号の振幅が、第２のパルス幅変調信号の振幅よりも小さい。 Preferably, the drive unit includes a first driver for driving the first LED, a second driver for driving the second LED, a first pulse width modulation signal to the first driver, and a second. It is provided with a pulse generator that outputs a second pulse width modulated signal to the driver. The amplitude of the first pulse width modulated signal is smaller than the amplitude of the second pulse width modulated signal.

好ましくは、駆動部は、第１のＬＥＤおよび第２のＬＥＤを駆動する共通のドライバを備える。第１のＬＥＤおよび第２のＬＥＤは、電源に接続される。電源から第１のＬＥＤに供給される電流は、電源から第２のＬＥＤに供給される電流よりも小さい。 Preferably, the drive unit comprises a common driver for driving the first LED and the second LED. The first LED and the second LED are connected to the power supply. The current supplied from the power supply to the first LED is smaller than the current supplied from the power supply to the second LED.

好ましくは、駆動部は、第１のＬＥＤおよび第２のＬＥＤを駆動する共通のドライバを備える。共通のドライバから第１のＬＥＤに供給される電流は、共通のドライバから第２のＬＥＤに供給される電流よりも小さい。 Preferably, the drive unit comprises a common driver for driving the first LED and the second LED. The current supplied from the common driver to the first LED is smaller than the current supplied from the common driver to the second LED.

本発明は、ＯＬＥＤパネルを有する電子機器に搭載可能な受光ＩＣであって、各々が、光を出射する第１の光源および第２の光源を駆動する駆動部と、反射された光を検出する受光素子とを備える。受光ＩＣ、第１の光源および第２の光源は、ＯＬＥＤパネルの下側のＯＬＥＤパネルで覆われる領域に配置される。第１の光源は、第２の光源よりも、受光素子に近い位置に配置される。駆動部は、第１の光源から出射される光の強度と、第２の光源から出射される光の強度とを同じにする。駆動部は、第１の光源と第２の光源とを異なるタイミングで駆動することによって、第１の光源と第２の光源とは、異なるタイミングで光を出射する。受光ＩＣは、第１の光源が光を出射したときには、受光素子の受光量が第１の閾値以上であるか否かを判定する第１の判定を実行し、第２の光源が光を出射したときには、受光素子の受光量が第２の閾値以上であるか否かを判定する第２の判定を実行し、第１の判定の結果と第２の判定の結果との論理和を算出する制御ロジックを備える。 The present invention is a light receiving IC that can be mounted on an electronic device having an OLED panel, and each detects a first light source that emits light, a drive unit that drives the second light source, and reflected light. It is provided with a light receiving element. The light receiving IC, the first light source, and the second light source are arranged in the area covered by the OLED panel under the OLED panel. The first light source is arranged closer to the light receiving element than the second light source. The drive unit makes the intensity of the light emitted from the first light source the same as the intensity of the light emitted from the second light source. The driving unit drives the first light source and the second light source at different timings, so that the first light source and the second light source emit light at different timings. When the first light source emits light, the light receiving IC executes the first determination of determining whether or not the amount of light received by the light receiving element is equal to or greater than the first threshold value, and the second light source emits light. When this is done, a second determination for determining whether or not the amount of light received by the light receiving element is equal to or greater than the second threshold value is executed, and the logical sum of the result of the first determination and the result of the second determination is calculated. It has control logic.

好ましくは、第１の光源は第１のＬＥＤであり、第２の光源は第２のＬＥＤである。駆動部は、第１のＬＥＤおよび第２のＬＥＤを駆動する。 Preferably, the first light source is the first LED and the second light source is the second LED. The drive unit drives the first LED and the second LED.

好ましくは、近接センサは、上記記載の受光ＩＣと、第１のＬＥＤおよび第２のＬＥＤと、第１のＬＥＤと電源との間に配置される第１の制限抵抗素子と、第２のＬＥＤと電源との間に配置される第２の制限抵抗素子とを備える。第１の制限抵抗素子の抵抗値は、第２の制限抵抗素子の抵抗値よりも大きい。 Preferably, the proximity sensor includes the light receiving IC described above, the first LED and the second LED, the first limiting resistor element arranged between the first LED and the power supply, and the second LED. It is provided with a second limiting resistor element arranged between the power supply and the power supply. The resistance value of the first limiting resistance element is larger than the resistance value of the second limiting resistance element.

好ましくは、近接センサは、上記記載の受光ＩＣと、第１のＬＥＤおよび第２のＬＥＤと、第１のＬＥＤと電源との間に配置される第１の制限抵抗素子を備える。第２のＬＥＤと電源との間には、制限抵抗素子が配置されない。 Preferably, the proximity sensor includes the light receiving IC described above, a first LED and a second LED, and a first limiting resistor element arranged between the first LED and the power supply. No limiting resistor element is arranged between the second LED and the power supply.

好ましくは、近接センサは、上記記載の受光ＩＣと、第１のＬＥＤおよび第２のＬＥＤと、第１のＬＥＤと共通のドライバとの間に配置される第１の制限抵抗素子と、第２のＬＥＤと共通のドライバとの間に配置される第２の制限抵抗素子とを備える。第１の制限抵抗素子の抵抗値は、第２の制限抵抗素子の抵抗値よりも大きい。 Preferably, the proximity sensor includes the light receiving IC described above, a first LED and a second LED, a first limiting resistor element arranged between the first LED and a common driver, and a second limiting resistor element. A second limiting resistor element is provided between the LED and a common driver. The resistance value of the first limiting resistance element is larger than the resistance value of the second limiting resistance element.

好ましくは、近接センサは、上記記載の受光ＩＣと、第１のＬＥＤおよび第２のＬＥＤと、第１のＬＥＤと共通のドライバとの間に配置される第１の制限抵抗素子を備える。第２のＬＥＤと共通のドライバとの間には、制限抵抗素子が配置されない。 Preferably, the proximity sensor includes the light receiving IC described above, a first LED and a second LED, and a first limiting resistor element arranged between the first LED and a common driver. No limiting resistor element is arranged between the second LED and the common driver.

好ましくは、近接センサは、上記記載の受光ＩＣと、第１のＬＥＤおよび第２のＬＥＤとを備える。 Preferably, the proximity sensor includes the above-mentioned light receiving IC and a first LED and a second LED.

好ましくは、受光ＩＣ、第１のＬＥＤおよび第２のＬＥＤは、互いに別個のモジュールに搭載されている。 Preferably, the light receiving IC, the first LED and the second LED are mounted in modules separate from each other.

好ましくは、電子機器は、上記記載のＯＬＥＤパネルと、上記記載の近接センサとを備える。 Preferably, the electronic device comprises the OLED panel described above and the proximity sensor described above.

本発明は、ＯＬＥＤパネルを有する電子機器に搭載可能な受光ＩＣであって、各々が、光を出射する３個以上の光源を駆動する駆動部と、反射された光を検出する受光素子とを備える。受光ＩＣおよび３個以上の光源は、ＯＬＥＤパネルの下側のＯＬＥＤパネルで覆われる領域に配置される。受光素子から近い位置の光源から出射される光の強度は、受光素子から遠い位置の光源から出射される光の強度よりも小さい。 The present invention is a light receiving IC that can be mounted on an electronic device having an OLED panel, each of which has a driving unit that drives three or more light sources that emit light, and a light receiving element that detects the reflected light. Be prepared. The light receiving IC and the three or more light sources are arranged in the area covered by the OLED panel under the OLED panel. The intensity of the light emitted from the light source located near the light receiving element is smaller than the intensity of the light emitted from the light source located far from the light receiving element.

本発明によれば、第１の光源は、第２の光源よりも受光素子に近い位置に配置され、第１の光源から出射される光の強度は、第２の光源から出射される光の強度よりも小さくすることによって、高精度で物体を検出することができる。 According to the present invention, the first light source is arranged closer to the light receiving element than the second light source, and the intensity of the light emitted from the first light source is that of the light emitted from the second light source. By making it smaller than the intensity, the object can be detected with high accuracy.

また、本発明によれば、第１の光源は、第２の光源よりも、受光素子に近い位置に配置され、第１の光源から出射される光の強度と、第２の光源から出射される光の強度とを同じにし、第１の光源と第２の光源とは、異なるタイミングで光を出射することによって、高精度で物体を検出することができる。 Further, according to the present invention, the first light source is arranged at a position closer to the light receiving element than the second light source, and the intensity of the light emitted from the first light source and the light emitted from the second light source are emitted. By making the intensity of the light to be the same and emitting light at different timings from the first light source and the second light source, it is possible to detect an object with high accuracy.

実施の形態のスマートフォンの主要な構成を表わす図である。It is a figure which shows the main structure of the smartphone of embodiment. ＯＬＥＤパネル５の構成の一例を表わす図である。It is a figure which shows an example of the structure of the OLED panel 5. 発光部１０が、１つのＬＥＤによって構成されている場合における、光の干渉を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the interference of light in the case where a light emitting part 10 is composed of one LED. ＬＥＤ２１と受光素子３４との距離が近い場合の、受光素子３４の応答特性を表わす図である。It is a figure which shows the response characteristic of the light receiving element 34 when the distance between LED 21 and the light receiving element 34 is short. ＬＥＤ２１と受光素子３４との距離が遠い場合の、受光素子の応答特性を表わす図である。It is a figure which shows the response characteristic of the light receiving element when the distance between LED 21 and the light receiving element 34 is long. 第１の実施形態の近接センサ９の配置を表わす図である。It is a figure which shows the arrangement of the proximity sensor 9 of 1st Embodiment. 第１の実施形態の電子機器１００における、カバーパネル５１よりも内部の配置を表わす図である。It is a figure which shows the arrangement inside the cover panel 51 in the electronic device 100 of 1st Embodiment. 第１の実施形態の受光素子３４の応答特性を表わす図である。It is a figure which shows the response characteristic of the light receiving element 34 of 1st Embodiment. 第１の実施形態の近接センサ９の構成を表わす図である。It is a figure which shows the structure of the proximity sensor 9 of 1st Embodiment. イネーブル信号ＥＮ、第１のパルス幅変調信号ＰＷＭａ、および第２のパルス幅変調信号ＰＷＭｂのタイミングチャートである。It is a timing chart of the enable signal EN, the first pulse width modulation signal PWMa, and the second pulse width modulation signal PWMb. 第２の実施形態の電子機器１００における、カバーパネル５１よりも内部の配置を表わす図である。It is a figure which shows the arrangement inside the cover panel 51 in the electronic device 100 of 2nd Embodiment. 第３の実施形態の電子機器１００における、カバーパネル５１よりも内部の配置を表わす図である。It is a figure which shows the arrangement inside the cover panel 51 in the electronic device 100 of 3rd Embodiment. 第４の実施形態の電子機器１００における、カバーパネル５１よりも内部の配置を表わす図である。It is a figure which shows the arrangement inside the cover panel 51 in the electronic device 100 of 4th Embodiment. 第４の実施形態の受光素子３４の応答特性を表わす図である。It is a figure which shows the response characteristic of the light receiving element 34 of 4th Embodiment. 第５の実施形態の近接センサ９の構成を表わす図である。It is a figure which shows the structure of the proximity sensor 9 of 5th Embodiment. 第６の実施形態の近接センサ９の構成を表わす図である。It is a figure which shows the structure of the proximity sensor 9 of 6th Embodiment. 第７の実施形態の近接センサ９の構成を表わす図である。It is a figure which shows the structure of the proximity sensor 9 of 7th Embodiment. 第８の実施形態の近接センサ９の構成を表わす図である。It is a figure which shows the structure of the proximity sensor 9 of 8th Embodiment. 第９の実施形態の近接センサ９の構成を表わす図である。It is a figure which shows the structure of the proximity sensor 9 of 9th Embodiment. 第９の実施形態における、イネーブル信号ＥＮａ、ＥＮｂ、第１のパルス幅変調信号ＰＷＭａ、および第２のパルス幅変調信号ＰＷＭｂのタイミングチャートである。9 is a timing chart of the enable signals ENa and ENb, the first pulse width modulation signal PWMa, and the second pulse width modulation signal PWMb in the ninth embodiment. 第９の実施形態の近接センサ９の動作の手順を表わすフローチャートである。It is a flowchart which shows the operation procedure of the proximity sensor 9 of 9th Embodiment. 第１の判定結果、第２の判定結果、および総合判定結果の例を表わす図である。It is a figure which shows the example of the 1st determination result, the 2nd determination result, and the comprehensive determination result. 第１０の実施形態におけるイネーブル信号ＥＮａ、ＥＮｂ、第１のパルス幅変調信号ＰＷＭａ、および第２のパルス幅変調信号ＰＷＭｂのタイミングチャートである。It is a timing chart of the enable signal ENa, ENb, the first pulse width modulation signal PWMa, and the second pulse width modulation signal PWMb in the tenth embodiment. 第１０の実施形態の近接センサ９の動作の手順を表わすフローチャートである。It is a flowchart which shows the operation procedure of the proximity sensor 9 of 10th Embodiment.

以下、実施の形態について、図面を参照して説明する。
以下の説明では、電子機器の一例としてスマートフォンを説明するが、これに限定されるものではなく、タッチパッド、テレビ、カメラ、音楽プレイヤ、スマートフォン以外の携帯通信機器などを含む。 Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings.
In the following description, a smartphone will be described as an example of an electronic device, but the present invention is not limited to this, and includes a touch pad, a television, a camera, a music player, a mobile communication device other than the smartphone, and the like.

[第１の実施形態］
以下の説明では、電子機器の一例としてスマートフォンを説明する。 [First Embodiment]
In the following description, a smartphone will be described as an example of an electronic device.

図１は、実施の形態のスマートフォンの主要な構成を表わす図である。
スマートフォン１００は、アンテナ２と、無線通信部３と、タッチパネル４と、ＯＬＥＤパネル５と、照度センサ６と、スピーカ７と、マイク８と、近接センサ９と、加速度センサ１６と、ジャイロセンサ１７と、制御回路１２と、電池１５とを備える。近接センサ９は、発光部１０と、受光ＩＣ（Integrated Circuit）１１とを備える。制御回路１２は、プロセッサ１３と、メモリ１４とを備える。 FIG. 1 is a diagram showing a main configuration of a smartphone according to an embodiment.
The smartphone 100 includes an antenna 2, a wireless communication unit 3, a touch panel 4, an OLED panel 5, an illuminance sensor 6, a speaker 7, a microphone 8, a proximity sensor 9, an acceleration sensor 16, and a gyro sensor 17. , The control circuit 12 and the battery 15. The proximity sensor 9 includes a light emitting unit 10 and a light receiving IC (Integrated Circuit) 11. The control circuit 12 includes a processor 13 and a memory 14.

アンテナ２は、基地局へ無線信号を送信し、基地局からの無線信号を受信する。
無線通信部３は、アンテナ２から送られる無線信号を増幅処理およびダウンコンバートして、制御回路１２へ出力する。無線通信部３は、制御回路１２で生成された音信号等を含む送信信号をアップコンバートおよび増幅処理をして、処理後の無線信号をアンテナ２へ出力する。 The antenna 2 transmits a radio signal to the base station and receives the radio signal from the base station.
The wireless communication unit 3 amplifies and downconverts the wireless signal sent from the antenna 2 and outputs it to the control circuit 12. The wireless communication unit 3 up-converts and amplifies a transmission signal including a sound signal generated by the control circuit 12, and outputs the processed wireless signal to the antenna 2.

タッチパネル４は、ユーザの指などの物体の接触または近接を検出し、その検出結果に応じた検出信号を制御回路１２へ出力する。 The touch panel 4 detects the contact or proximity of an object such as a user's finger, and outputs a detection signal according to the detection result to the control circuit 12.

マイク８は、スマートフォン１００の外部から入力される音を電気的な音信号に変換して制御回路１２に出力する。 The microphone 8 converts the sound input from the outside of the smartphone 100 into an electrical sound signal and outputs it to the control circuit 12.

スピーカ７は、制御回路１２からの電気的な音信号を音に変換して出力する。
加速度センサ１６は、スマートフォン１００の加速度を検出する。 The speaker 7 converts an electrical sound signal from the control circuit 12 into sound and outputs it.
The acceleration sensor 16 detects the acceleration of the smartphone 100.

ジャイロセンサ１７は、スマートフォン１００の回転速度を検出する。
ＯＬＥＤパネル５は、制御回路１２の制御によって、文字、記号、図形などの各種情報を表示する。 The gyro sensor 17 detects the rotation speed of the smartphone 100.
The OLED panel 5 displays various information such as characters, symbols, and figures under the control of the control circuit 12.

照度センサ６は、周辺の環境の照度を検出して、その検出結果に応じた検出信号を制御回路１２へ出力する。 The illuminance sensor 6 detects the illuminance of the surrounding environment and outputs a detection signal according to the detection result to the control circuit 12.

近接センサ９は、物体の近接を検出し、その検出結果に応じた検出信号を制御回路１２へ出力する。制御回路１２は、物体の近接が検出されたときには、タッチパネル４およびＯＬＥＤパネル５をオフ状態に設定する。 The proximity sensor 9 detects the proximity of an object and outputs a detection signal according to the detection result to the control circuit 12. The control circuit 12 sets the touch panel 4 and the OLED panel 5 to the off state when the proximity of an object is detected.

発光部１０は、赤外光を出射する。発光部１０は光源を含む。光源は、たとえば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）によって構成される。 The light emitting unit 10 emits infrared light. The light emitting unit 10 includes a light source. The light source is composed of, for example, an LED (Light Emitting Diode).

受光ＩＣ１１は、発光部１０による赤外光の出射を制御するとともに、発光部１０から出射され、物体によって反射された赤外光を検出する。 The light receiving IC 11 controls the emission of infrared light by the light emitting unit 10 and detects the infrared light emitted from the light emitting unit 10 and reflected by the object.

プロセッサ１３は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、およびＤＳＰ（Digital Signal Processing）などによって構成される。 The processor 13 is composed of a CPU (Central Processing Unit), a DSP (Digital Signal Processing), and the like.

メモリ１４は、スマートフォン１００を制御するための制御プログラム、および複数のアプリケーションプログラムなどを記憶する。制御回路１２の各種機能は、プロセッサ１３がメモリ１４内の各種プログラムを実行することによって実現される。 The memory 14 stores a control program for controlling the smartphone 100, a plurality of application programs, and the like. Various functions of the control circuit 12 are realized by the processor 13 executing various programs in the memory 14.

電池１５は、スマートフォン１００に含まれる電子部品に電力を供給する。
図２は、ＯＬＥＤパネル５の構成の一例を表わす図である。 The battery 15 supplies electric power to the electronic components included in the smartphone 100.
FIG. 2 is a diagram showing an example of the configuration of the OLED panel 5.

ＯＬＥＤパネル５は、基板フィルム７１と、無機膜７２と、ＯＬＥＤ層７６と、封止体７５と、側部封止体７３と、封止フィルム７４とを備える。 The OLED panel 5 includes a substrate film 71, an inorganic film 72, an OLED layer 76, a sealing body 75, a side sealing body 73, and a sealing film 74.

基板フィルム７１は、高分子材料によって形成されている。無機膜７２は、基板フィルム７１の上に形成されている。無機膜７２は、無機材料によって形成されている。ＯＬＥＤ層７６は、無機膜７２の上に形成されている。ＯＬＥＤ層７６は、陽極層、陰極層、発光層などの層を有し、複数のＯＬＥＤ素子を有する。封止体７５は、無機膜７２の上に形成されている。封止体７５は、高分子材料を主成分とする材料によって形成されている。封止体７５は、ＯＬＥＤ層７６を包囲して、ＯＬＥＤ層７６を保護する。封止フィルム７４は、封止体７５の上部を覆うように形成されている。封止フィルム７４は、ガラスまたは金属によって形成されている。側部封止体７３は、封止体７５の側部を覆うように形成されている。側部封止体７３は、高分子材料および添加剤によって形成されている。 The substrate film 71 is made of a polymer material. The inorganic film 72 is formed on the substrate film 71. The inorganic film 72 is formed of an inorganic material. The OLED layer 76 is formed on the inorganic film 72. The OLED layer 76 has layers such as an anode layer, a cathode layer, and a light emitting layer, and has a plurality of OLED elements. The sealing body 75 is formed on the inorganic film 72. The sealing body 75 is formed of a material containing a polymer material as a main component. The sealant 75 surrounds the OLED layer 76 and protects the OLED layer 76. The sealing film 74 is formed so as to cover the upper part of the sealing body 75. The sealing film 74 is made of glass or metal. The side sealing body 73 is formed so as to cover the side portion of the sealing body 75. The side sealer 73 is formed of a polymer material and an additive.

これらの素子で構成されるＯＬＥＤパネル５は、ＬＥＤから出射される赤外光に対して１〜１０％の透過率を有する。 The OLED panel 5 composed of these elements has a transmittance of 1 to 10% with respect to the infrared light emitted from the LED.

図３は、発光部１０が１つのＬＥＤによって構成されている場合における、光の干渉を説明するための図である。 FIG. 3 is a diagram for explaining light interference when the light emitting unit 10 is composed of one LED.

カバーパネル５１の下側に接触してタッチパネル４が配置される。タッチパネル４の下側に接触してＯＬＥＤパネル５が配置される。ＯＬＥＤパネル５の下側の一部に遮光膜２４が形成されている。ＯＬＥＤパネル５の下側に、メイン基板６１が配置される。メイン基板６１上に、受光ＩＣモジュール５４と、ＬＥＤモジュール５３とが配置される。受光ＩＣモジュール５４とＬＥＤモジュール５３との間に、遮光壁２５が配置されている。遮光壁２５の下面はメイン基板６１に接続し、遮光壁２５の上面はＯＬＥＤパネル５に接続する。 The touch panel 4 is arranged in contact with the lower side of the cover panel 51. The OLED panel 5 is arranged in contact with the lower side of the touch panel 4. A light-shielding film 24 is formed on a part of the lower side of the OLED panel 5. The main board 61 is arranged under the OLED panel 5. The light receiving IC module 54 and the LED module 53 are arranged on the main board 61. A light-shielding wall 25 is arranged between the light-receiving IC module 54 and the LED module 53. The lower surface of the light-shielding wall 25 is connected to the main substrate 61, and the upper surface of the light-shielding wall 25 is connected to the OLED panel 5.

受光ＩＣモジュール５４は、ベース基板６０と、受光ＩＣ１１と、透明のケース部材５７と、集光部材５５とを備える。受光ＩＣ１１は、メイン基板６１と電気的に接続する。集光部材５５は、物体ＲＦによって反射された赤外光を集光して、受光ＩＣ１１内の受光素子３４へ送る。 The light receiving IC module 54 includes a base substrate 60, a light receiving IC 11, a transparent case member 57, and a light collecting member 55. The light receiving IC 11 is electrically connected to the main board 61. The light collecting member 55 collects the infrared light reflected by the object RF and sends it to the light receiving element 34 in the light receiving IC 11.

ＬＥＤモジュール５３は、ベース基板５９と、ＬＥＤ２１と、透明のケース部材５８と、集光部材５６とを備える。ＬＥＤ２１は、メイン基板６１と電気的に接続する。集光部材５６は、ＬＥＤ２１から出射された赤外光を集光して、ＬＥＤモジュール５３の外部へ出力する。 The LED module 53 includes a base substrate 59, an LED 21, a transparent case member 58, and a light collecting member 56. The LED 21 is electrically connected to the main board 61. The light collecting member 56 collects infrared light emitted from the LED 21 and outputs the infrared light to the outside of the LED module 53.

ＬＥＤ２１から出射された赤外光の一部は、物体ＲＦで反射されて、受光ＩＣモジュール５４の受光素子３４に入力される。ＬＥＤモジュール５３のＬＥＤ２１から出射された赤外光の他の一部は、ＯＬＥＤパネル５を透過せずに、ＯＬＥＤパネル５から近接センサの方向に戻る。 A part of the infrared light emitted from the LED 21 is reflected by the object RF and input to the light receiving element 34 of the light receiving IC module 54. The other part of the infrared light emitted from the LED 21 of the LED module 53 does not pass through the OLED panel 5 and returns from the OLED panel 5 toward the proximity sensor.

ＬＥＤ３２と受光素子３４との距離が近いと、この赤外光は、強度の大きな干渉光として受光素子３４に入射される。物体ＲＦで反射された赤外光が強度の大きな干渉光に埋もれてしまい、近接センサの物体ＲＦの検出精度が低下する。受光素子３４には、物体ＲＦからの反射光だけでなく、干渉光が入力されるため、近接センサ９による物体ＲＦの検出精度が低下するという問題がある。 When the distance between the LED 32 and the light receiving element 34 is short, this infrared light is incident on the light receiving element 34 as high-intensity interference light. The infrared light reflected by the object RF is buried in the strong interference light, and the detection accuracy of the object RF of the proximity sensor is lowered. Since not only the reflected light from the object RF but also the interference light is input to the light receiving element 34, there is a problem that the detection accuracy of the object RF by the proximity sensor 9 is lowered.

一方、ＬＥＤ３２と受光素子３４との距離が遠いと、近接センサ９から極めて近い位置にある物体ＲＦを検出できないという問題がある。 On the other hand, if the distance between the LED 32 and the light receiving element 34 is long, there is a problem that the object RF at a position extremely close to the proximity sensor 9 cannot be detected.

図４は、ＬＥＤ２１と受光素子３４との距離が近い場合の、受光素子３４の応答特性を表わす図である。横軸は、受光素子３４と物体ＲＦとの距離を表わす。縦軸は、受光素子３４による物体ＲＦの反射光の受光量を表わす。受光量は、受光素子３４の電流値に一定の係数を乗算したものである。図４では、受光素子３４による干渉光の受光量は、約１０００である。閾値ＴＨＡが約２０００に設定される。 FIG. 4 is a diagram showing the response characteristics of the light receiving element 34 when the distance between the LED 21 and the light receiving element 34 is short. The horizontal axis represents the distance between the light receiving element 34 and the object RF. The vertical axis represents the amount of received light reflected by the object RF by the light receiving element 34. The amount of light received is obtained by multiplying the current value of the light receiving element 34 by a constant coefficient. In FIG. 4, the amount of interference light received by the light receiving element 34 is about 1000. The threshold THA is set to about 2000.

図４に示すように、受光量が閾値ＴＨＡ以上のときには、物体ＲＦが受光素子３４から近い距離（１２［ｍｍ］以下）に存在すると判定することができる。しかしながら、受光素子３４と物体ＲＦとの距離が３０［ｍｍ］以上の場合には、反射光が干渉光に埋もれてしまうので、物体ＲＦが受光素子３４から近い距離に存在するのか、遠い距離に存在するのかを判定することができない。 As shown in FIG. 4, when the light receiving amount is equal to or more than the threshold value THA, it can be determined that the object RF exists at a short distance (12 [mm] or less) from the light receiving element 34. However, when the distance between the light receiving element 34 and the object RF is 30 [mm] or more, the reflected light is buried in the interference light. It cannot be determined whether it exists.

図５は、ＬＥＤ２１と受光素子３４との距離が遠い場合の、受光素子３４の応答特性を表わす図である。図５では、受光素子３４による干渉光の受光量は、約２５である。閾値ＴＨＢが約１５０に設定される。 FIG. 5 is a diagram showing the response characteristics of the light receiving element 34 when the distance between the LED 21 and the light receiving element 34 is long. In FIG. 5, the amount of interference light received by the light receiving element 34 is about 25. The threshold THB is set to about 150.

図５に示すように、受光量が閾値ＴＨＢ以上のときには、物体ＲＦと受光素子３４との距離が７［ｍｍ］〜３０［ｍｍ］であると判定できる。しかしながら、受光量が閾値ＴＨＢ未満のときには、物体ＲＦと受光素子３４との距離が７［ｍｍ］未満であるのか、あるいは３０［ｍｍ］を超えるのかを判定することができない。 As shown in FIG. 5, when the light receiving amount is equal to or higher than the threshold value THB, it can be determined that the distance between the object RF and the light receiving element 34 is 7 [mm] to 30 [mm]. However, when the light receiving amount is less than the threshold value THB, it cannot be determined whether the distance between the object RF and the light receiving element 34 is less than 7 [mm] or exceeds 30 [mm].

このような問題を解決するために、本実施の形態の近接センサ９は、近接センサ９から近い位置を検出するための光を出射する第１の光源（第１のＬＥＤ）と、近接センサ９から遠い位置を検出するための光を出射する第２の光源（第２のＬＥＤ）とを備える。第１の光源から出射される光の強度は、第２の光源から出射される光の強度よりも小さい。 In order to solve such a problem, the proximity sensor 9 of the present embodiment has a first light source (first LED) that emits light for detecting a position close to the proximity sensor 9 and a proximity sensor 9. It is provided with a second light source (second LED) that emits light for detecting a position far from the light source. The intensity of the light emitted from the first light source is smaller than the intensity of the light emitted from the second light source.

図６は、第１の実施形態の近接センサ９の配置を表わす図である。
第１の実施の形態では、タッチパネル４およびＯＬＥＤパネル５の下側のＯＬＥＤパネル５で覆われる領域に受光ＩＣ１１と第１のＬＥＤ２１−ａと第２のＬＥＤ２１−ｂとが配置される。 FIG. 6 is a diagram showing the arrangement of the proximity sensor 9 of the first embodiment.
In the first embodiment, the light receiving IC 11, the first LED 21-a, and the second LED 21-b are arranged in the area covered by the OLED panel 5 below the touch panel 4 and the OLED panel 5.

近接センサ９への物体の近接の検出と、タッチパネル４への入力とが同時に発生した場合に、近接センサ９への物体の近接の検出を優先するものとすることができる。近接センサ９による物体の近接の検出と、タッチパネル４ヘの入力との競合をできるだけ避けるために、ＯＬＥＤパネル５で覆われる領域のできるだけ隅に受光ＩＣ１１と、第１のＬＥＤ２１−ａと、第２のＬＥＤ２１−ｂとを配置するものとしてもよい。たとえば、図６に示すように、受光ＩＣ１１と、第１のＬＥＤ２１−ａと、第２のＬＥＤ２１−ｂとは、右上の隅に配置されるものとしてもよい。また、右上の隅の領域には、ユーザによってタッチ指示される項目を表示しないようにしてもよい。 When the detection of the proximity of the object to the proximity sensor 9 and the input to the touch panel 4 occur at the same time, the detection of the proximity of the object to the proximity sensor 9 can be prioritized. In order to avoid conflict between the proximity detection of the object by the proximity sensor 9 and the input to the touch panel 4, the light receiving IC 11, the first LED 21-a, and the second LED 21-a are located in the corners of the area covered by the OLED panel 5 as much as possible. The LED 21-b of the above may be arranged. For example, as shown in FIG. 6, the light receiving IC 11, the first LED 21-a, and the second LED 21-b may be arranged in the upper right corner. Further, the item touch-instructed by the user may not be displayed in the upper right corner area.

図７は、第１の実施形態の電子機器１００における、カバーパネル５１よりも内部の配置を表わす図である。図７は、ＸＺ平面に平行な面における配置を表わす。 FIG. 7 is a diagram showing an arrangement inside the cover panel 51 in the electronic device 100 of the first embodiment. FIG. 7 shows the arrangement in a plane parallel to the XZ plane.

カバーパネル５１の下側に接触してタッチパネル４が配置される。タッチパネル４の下側に接触してＯＬＥＤパネル５が配置される。ＯＬＥＤパネル５の下側の一部に遮光膜２４が形成されている。ＯＬＥＤパネル５の下側に、メイン基板６１が配置される。メイン基板６１上に、受光ＩＣモジュール５４と、第１のＬＥＤモジュール５３−ａと、第２のＬＥＤモジュール５３−ｂとが配置される。受光ＩＣモジュール５４と第１のＬＥＤモジュール５３−ａとの間、および第１のＬＥＤモジュール５３−ａと第２のＬＥＤモジュール５３−ｂとの間に、遮光壁２５が配置されている。遮光壁２５の下面はメイン基板６１に接続し、遮光壁２５の上面はＯＬＥＤパネル５に接続する。 The touch panel 4 is arranged in contact with the lower side of the cover panel 51. The OLED panel 5 is arranged in contact with the lower side of the touch panel 4. A light-shielding film 24 is formed on a part of the lower side of the OLED panel 5. The main board 61 is arranged under the OLED panel 5. The light receiving IC module 54, the first LED module 53-a, and the second LED module 53-b are arranged on the main board 61. A light-shielding wall 25 is arranged between the light receiving IC module 54 and the first LED module 53-a, and between the first LED module 53-a and the second LED module 53-b. The lower surface of the light-shielding wall 25 is connected to the main substrate 61, and the upper surface of the light-shielding wall 25 is connected to the OLED panel 5.

受光ＩＣモジュール５４は、ベース基板６０と、受光ＩＣ１１と、透明のケース部材５７と、集光部材５５とを備える。受光ＩＣ１１は、メイン基板６１と電気的に接続する。集光部材５５は、物体ＲＦによって反射された赤外光を集光して、受光ＩＣ１１内の受光素子３４へ送る。 The light receiving IC module 54 includes a base substrate 60, a light receiving IC 11, a transparent case member 57, and a light collecting member 55. The light receiving IC 11 is electrically connected to the main board 61. The light collecting member 55 collects the infrared light reflected by the object RF and sends it to the light receiving element 34 in the light receiving IC 11.

第１のＬＥＤモジュール５３−ａは、ベース基板５９−ａと、第１のＬＥＤ２１−ａと、透明のケース部材５８−ａと、集光部材５６−ａとを備える。第１のＬＥＤ２１−ａは、メイン基板６１と電気的に接続する。集光部材５６−ａは、第１のＬＥＤ２１−ａから出射された赤外光を集光して、第１のＬＥＤモジュール５３−ａの外部へ出力する。 The first LED module 53-a includes a base substrate 59-a, a first LED 21-a, a transparent case member 58-a, and a light collecting member 56-a. The first LED 21-a is electrically connected to the main board 61. The light collecting member 56-a collects the infrared light emitted from the first LED 21-a and outputs the infrared light to the outside of the first LED module 53-a.

第２のＬＥＤモジュール５３−ｂは、ベース基板５９−ｂと、第２のＬＥＤ２１−ｂと、透明のケース部材５８−ｂと、集光部材５６−ｂとを備える。第２のＬＥＤ２１−ｂは、メイン基板６１と電気的に接続する。集光部材５６−ｂは、第２のＬＥＤ２１−ｂから出射された赤外光を集光して、第２のＬＥＤモジュール５３−ｂの外部へ出力する。 The second LED module 53-b includes a base substrate 59-b, a second LED 21-b, a transparent case member 58-b, and a light collecting member 56-b. The second LED 21-b is electrically connected to the main board 61. The light collecting member 56-b collects the infrared light emitted from the second LED 21-b and outputs the infrared light to the outside of the second LED module 53-b.

受光素子３４から近い位置にある第１のＬＥＤ２１−ａから出射される光の強度は、受光素子３４から遠い位置にある第２のＬＥＤ２１−ｂから出射される光の強度よりも小さい。 The intensity of the light emitted from the first LED 21-a located near the light receiving element 34 is smaller than the intensity of the light emitted from the second LED 21-b located far from the light receiving element 34.

第１のＬＥＤ２１−ａと受光素子３４との距離および第２のＬＥＤ２１−ｂと受光素子３４との距離、遮光壁２５の大きさなどに応じて、第１のＬＥＤ２１−ａから出射される光の強度と第２のＬＥＤ２１−ｂが出射される光の強度の比が調整される。たとえば、第１のＬＥＤ２１−ａと受光素子３４との距離が４［ｍｍ］、第２のＬＥＤ２１−ｂと受光素子３４との距離が１０［ｍｍ］とし、第１のＬＥＤ２１−ａから出射される赤外光の強度と第２のＬＥＤ２１−ｂから出射される赤外光の強度との比を、１／１０〜１／５とすることができる。 Light emitted from the first LED 21-a according to the distance between the first LED 21-a and the light receiving element 34, the distance between the second LED 21-b and the light receiving element 34, the size of the light shielding wall 25, and the like. The ratio of the intensity of the light emitted from the second LED 21-b to the intensity of the light emitted from the second LED 21-b is adjusted. For example, the distance between the first LED 21-a and the light receiving element 34 is 4 [mm], the distance between the second LED 21-b and the light receiving element 34 is 10 [mm], and the light is emitted from the first LED 21-a. The ratio of the intensity of the infrared light to the intensity of the infrared light emitted from the second LED 21-b can be set to 1/10 to 1/5.

第１のＬＥＤ２１−ａから出射された赤外光の一部は、物体ＲＦで反射されて、受光ＩＣモジュール５４の受光素子３４に入力される。ＯＬＥＤパネル５の赤外光の透過率は低いため、第１のＬＥＤ２１−ａから出射された赤外光の一部は、ＯＬＥＤパネル５を透過せずに、干渉光として受光素子３４に向けて出射される。 A part of the infrared light emitted from the first LED 21-a is reflected by the object RF and input to the light receiving element 34 of the light receiving IC module 54. Since the infrared light transmittance of the OLED panel 5 is low, a part of the infrared light emitted from the first LED 21-a does not pass through the OLED panel 5 but is directed toward the light receiving element 34 as interference light. It is emitted.

第２のＬＥＤ２１−ｂから出射された赤外光の一部は、物体ＲＦで反射されて、受光ＩＣモジュール５４の受光素子３４に入力される。ＯＬＥＤパネル５の赤外光の透過率は低いため、第２のＬＥＤ２１−ｂから出射された赤外光の一部は、ＯＬＥＤパネル５を透過せずに、干渉光として受光素子３４に向けて出射される。 A part of the infrared light emitted from the second LED 21-b is reflected by the object RF and input to the light receiving element 34 of the light receiving IC module 54. Since the infrared light transmittance of the OLED panel 5 is low, a part of the infrared light emitted from the second LED 21-b does not pass through the OLED panel 5 but is directed toward the light receiving element 34 as interference light. It is emitted.

受光素子３４に物体ＲＦからの反射光だけでなく、干渉光が入力される。しかしながら、本実施の形態では、第１のＬＥＤ２１−ａから出射された光から生ずる反射光と第２のＬＥＤ２１−ｂから出射された光から生ずる反射光とが合成された光の強度が干渉光の強度よりも大きいため、近接センサ９による物体ＲＦの検出精度が低下するという問題が生じない。 Not only the reflected light from the object RF but also the interference light is input to the light receiving element 34. However, in the present embodiment, the intensity of the light obtained by combining the reflected light generated from the light emitted from the first LED 21-a and the reflected light generated from the light emitted from the second LED 21-b is the interference light. Since it is larger than the intensity of, there is no problem that the detection accuracy of the object RF by the proximity sensor 9 is lowered.

図８は、第１の実施形態の受光素子３４の応答特性を表わす図である。横軸は、受光素子３４と物体ＲＦとの距離を表わす。第１のＬＥＤ２１−ａと受光素子３４との距離、第２のＬＥＤ２１−ｂと受光素子３４との距離、第１のＬＥＤ２１−ａから出射される赤外光の強度、および第２のＬＥＤ２１−ｂが出射される赤外光の強度の比が適切な大きさに調整されている。縦軸は、受光素子３４による物体ＲＦの反射光の受光量を表わす。受光量は、受光素子３４の電流値に一定の係数を乗算したものである。図８では、受光素子３４による干渉光の受光量は、約３００である。閾値ＴＨＣが約５００に設定される。 FIG. 8 is a diagram showing the response characteristics of the light receiving element 34 of the first embodiment. The horizontal axis represents the distance between the light receiving element 34 and the object RF. The distance between the first LED 21-a and the light receiving element 34, the distance between the second LED 21-b and the light receiving element 34, the intensity of the infrared light emitted from the first LED 21-a, and the second LED 21- The ratio of the intensity of the infrared light emitted from b is adjusted to an appropriate magnitude. The vertical axis represents the amount of received light reflected by the object RF by the light receiving element 34. The amount of light received is obtained by multiplying the current value of the light receiving element 34 by a constant coefficient. In FIG. 8, the amount of interference light received by the light receiving element 34 is about 300. The threshold THC is set to about 500.

図４および図８を参照して、物体ＲＦが受光素子３４から近いときの応答特性の主成分は、受光素子３４から近い位置にある第１のＬＥＤ２１−ａの応答特性である。図５および図８を参照して、物体ＲＦが受光素子３４から遠いときの応答特性の主成分は、受光素子３４から遠い位置にある第２のＬＥＤ２１−ｂの応答特性である。受光量が閾値ＴＨＣ以上のときには、物体ＲＦが受光素子から近い距離（２６［ｍｍ］以下）に存在すると判定することができる。受光量が閾値ＴＨＣ未満のときには、物体ＲＦが受光素子から遠い距離（２６［ｍｍ］を超える）に存在すると判定することができる。 With reference to FIGS. 4 and 8, the main component of the response characteristic when the object RF is close to the light receiving element 34 is the response characteristic of the first LED 21-a located near the light receiving element 34. With reference to FIGS. 5 and 8, the main component of the response characteristic when the object RF is far from the light receiving element 34 is the response characteristic of the second LED 21-b located at a position far from the light receiving element 34. When the amount of light received is equal to or greater than the threshold value THC, it can be determined that the object RF exists at a short distance (26 [mm] or less) from the light receiving element. When the amount of received light is less than the threshold value THC, it can be determined that the object RF exists at a distance (more than 26 [mm]) from the light receiving element.

図９は、第１の実施形態の近接センサ９の構成を表わす図である。
受光ＩＣ１１は、制御ロジック３１と、パルス生成器３２と、第１のドライバ３３−ａおよび第２のドライバ３３−ｂを含む駆動部３９と、受光素子３４と、アンプ３５と、ＡＤＣ３６とを含む。発光部１０は、第１のＬＥＤ２１−ａと、第２のＬＥＤ２１−ｂとを含む。 FIG. 9 is a diagram showing the configuration of the proximity sensor 9 of the first embodiment.
The light receiving IC 11 includes a control logic 31, a pulse generator 32, a drive unit 39 including a first driver 33-a and a second driver 33-b, a light receiving element 34, an amplifier 35, and an ADC 36. .. The light emitting unit 10 includes a first LED 21-a and a second LED 21-b.

制御ロジック３１は、プロセッサ１３からの指令に従って、第１のＬＥＤ２１−ａおよび第２のＬＥＤ２１−ｂの駆動を制御する。制御ロジック３１は、イネーブル信号ＥＮによって、第１のＬＥＤ２１−ａから赤外光が出射されるタイミングと、第２のＬＥＤ２１−ｂから赤外光が出射されるタイミングとが同時となるように制御する。 The control logic 31 controls the driving of the first LED 21-a and the second LED 21-b according to the command from the processor 13. The control logic 31 controls the enable signal EN so that the timing at which infrared light is emitted from the first LED 21-a and the timing at which infrared light is emitted from the second LED 21-b are simultaneous. do.

パルス生成器３２は、第１のパルス幅変調信号ＰＷＭａおよび第２のパルス幅変調信号ＰＷＭｂを出力する。第１のパルス幅変調信号ＰＷＭａの振幅ＡＰは、第２のパルス幅変調信号ＰＷＭｂの振幅ＢＰよりも小さい。 The pulse generator 32 outputs the first pulse width modulation signal PWMa and the second pulse width modulation signal PWMb. The amplitude AP of the first pulse width modulation signal PWMa is smaller than the amplitude BP of the second pulse width modulation signal PWMb.

第１のドライバ３３−ａは、第１のパルス幅変調信号ＰＷＭａに従って、第１のＬＥＤ２１−ａを駆動する。第２のドライバ３３−ｂは、第２のパルス幅変調信号ＰＷＭｂに従って、第２のＬＥＤ２１−ｂを駆動する。第１のパルス幅変調信号ＰＷＭａの振幅ＡＰが、第２のパルス幅変調信号ＰＷＭｂの振幅ＢＰよりも小さいため、駆動部３９は、第１のＬＥＤ２１−ａから出射される赤外光の強度を、第２のＬＥＤ２１−ｂから出射される赤外光の強度よりも小さくすることができる。 The first driver 33-a drives the first LED 21-a according to the first pulse width modulation signal PWMa. The second driver 33-b drives the second LED 21-b according to the second pulse width modulation signal PWMb. Since the amplitude AP of the first pulse width modulation signal PWMa is smaller than the amplitude BP of the second pulse width modulation signal PWMb, the drive unit 39 determines the intensity of the infrared light emitted from the first LED 21-a. , The intensity of the infrared light emitted from the second LED 21-b can be made smaller.

駆動部３９は、第１のＬＥＤ２１−ａと第２のＬＥＤ２１−ｂとを同一のタイミングで駆動する。制御ロジック３１は、受光素子３４の受光量が、閾値ＴＨＣ以上であるか否かを判定する。制御ロジック３１は、受光素子３４の受光量が閾値ＴＨＣ以上のときには、物体ＲＦが受光素子３４から近い距離に存在すると判定し、受光素子３４の受光量が閾値ＴＨＣ未満のときには、物体ＲＦが受光素子３４から遠い距離に存在すると判定することができる。 The drive unit 39 drives the first LED 21-a and the second LED 21-b at the same timing. The control logic 31 determines whether or not the amount of light received by the light receiving element 34 is equal to or greater than the threshold THC. The control logic 31 determines that the object RF exists at a short distance from the light receiving element 34 when the light receiving amount of the light receiving element 34 is equal to or more than the threshold THC, and when the light receiving amount of the light receiving element 34 is less than the threshold THC, the object RF receives light. It can be determined that the element 34 exists at a long distance.

受光素子３４は、物体ＲＦで反射された赤外光を検出する。受光素子３４は、フォトダイオードによって構成される。 The light receiving element 34 detects the infrared light reflected by the object RF. The light receiving element 34 is composed of a photodiode.

アンプ３５は、受光素子３４の出力信号を増幅する。
ＡＤＣ３６は、アンプ３５の出力信号をデジタル信号に変換して、制御ロジック３１へ出力する。 The amplifier 35 amplifies the output signal of the light receiving element 34.
The ADC 36 converts the output signal of the amplifier 35 into a digital signal and outputs it to the control logic 31.

本実施の形態では、後述する実施形態のように、発光部１０に制限抵抗素子を設けなくてもよいという利点がある。 In this embodiment, there is an advantage that the limiting resistance element does not have to be provided in the light emitting unit 10 as in the embodiment described later.

図１０は、イネーブル信号ＥＮ、第１のパルス幅変調信号ＰＷＭａ、および第２のパルス幅変調信号ＰＷＭｂのタイミングチャートである。 FIG. 10 is a timing chart of the enable signal EN, the first pulse width modulation signal PWMa, and the second pulse width modulation signal PWMb.

時刻Ｔ１において、制御ロジック３１によって、イネーブル信号ＥＮが活性化されると、時刻Ｔ１において、パルス生成器３２による第１のパルス幅変調信号ＰＷＭａおよび第２のパルス幅変調信号ＰＷＭｂの生成が開始される。これによって、駆動部３９は、第１のＬＥＤ２１−ａと第２のＬＥＤ２１−ｂとを同一のタイミングで駆動する。その結果、第１のＬＥＤ２１−ａからの赤外光の出射の開始タイミングと、第２のＬＥＤ２１−ｂからの赤外光の出射の開始タイミングとを同時にすることができる。 When the enable signal EN is activated by the control logic 31 at time T1, the pulse generator 32 starts generating the first pulse width modulation signal PWMa and the second pulse width modulation signal PWMb at time T1. NS. As a result, the drive unit 39 drives the first LED 21-a and the second LED 21-b at the same timing. As a result, the start timing of infrared light emission from the first LED 21-a and the start timing of infrared light emission from the second LED 21-b can be simultaneously performed.

時刻Ｔ２において、制御ロジック３１によって、イネーブル信号ＥＮが非活性化されると、時刻Ｔ２において、パルス生成器３２による第１のパルス幅変調信号ＰＷＭａおよび第２のパルス幅変調信号ＰＷＭｂの生成が終了する。これによって、駆動部３９は、第２のＬＥＤ２１−ａの駆動と第２のＬＥＤ２１−ｂの駆動とを同一のタイミングで終了する。その結果、第１のＬＥＤ２１−ａからの赤外光の出射の終了タイミングと、第２のＬＥＤ２１−ｂからの赤外光の出射の終了タイミングとを同時にすることができる。 When the enable signal EN is deactivated by the control logic 31 at time T2, the generation of the first pulse width modulation signal PWMa and the second pulse width modulation signal PWMb by the pulse generator 32 ends at time T2. do. As a result, the drive unit 39 ends the drive of the second LED 21-a and the drive of the second LED 21-b at the same timing. As a result, the end timing of the infrared light emission from the first LED 21-a and the end timing of the infrared light emission from the second LED 21-b can be simultaneously performed.

［第２の実施形態］
第１の実施形態では、図７に示すように、受光ＩＣモジュール５４と、第２のＬＥＤモジュール５３−ｂとの間に、第１のＬＥＤモジュール５３−ｂが配置された。本実施の形態が、第１の実施形態と相違するのは、近接センサ９の配置である。 [Second Embodiment]
In the first embodiment, as shown in FIG. 7, the first LED module 53-b is arranged between the light receiving IC module 54 and the second LED module 53-b. The difference between the present embodiment and the first embodiment is the arrangement of the proximity sensor 9.

図１１は、第２の実施形態の電子機器１００における、カバーパネル５１よりも内部の配置を表わす図である。図１１は、ＸＺ平面に平行な面における配置を表わす。 FIG. 11 is a diagram showing an arrangement inside the cover panel 51 in the electronic device 100 of the second embodiment. FIG. 11 shows the arrangement in a plane parallel to the XZ plane.

図１１に示すように、第１のＬＥＤモジュール５３−ａと、第２のＬＥＤモジュール５３−ｂとの間に受光ＩＣモジュール５４が配置される。 As shown in FIG. 11, the light receiving IC module 54 is arranged between the first LED module 53-a and the second LED module 53-b.

本実施の形態においても、第１のＬＥＤ２１−ａは、受光素子３４から近い位置に配置され、第２のＬＥＤ２１−ｂは、受光素子３４から遠い位置に配置される。第１のＬＥＤ２１−ａから出射される光の強度は、第２のＬＥＤ２１−ｂから出射される光の強度よりも小さい。 Also in the present embodiment, the first LED 21-a is arranged at a position close to the light receiving element 34, and the second LED 21-b is arranged at a position far from the light receiving element 34. The intensity of the light emitted from the first LED 21-a is smaller than the intensity of the light emitted from the second LED 21-b.

［第３の実施形態］
図１２は、第３の実施形態の電子機器１００における、カバーパネル５１よりも内部の配置を表わす図である。図１２は、ＸＺ平面に平行な面における配置を表わす。 [Third Embodiment]
FIG. 12 is a diagram showing an arrangement inside the cover panel 51 in the electronic device 100 of the third embodiment. FIG. 12 shows the arrangement in a plane parallel to the XZ plane.

図１２に示すように、第３の実施形態では、遮光壁２５が配置されない。その代わりにケース部材１５７、１５８−ａ、１５８−ｂが遮光性のケース部材で構成されている。 As shown in FIG. 12, in the third embodiment, the light-shielding wall 25 is not arranged. Instead, the case members 157, 158-a, and 158-b are made of a light-shielding case member.

［第４の実施形態］
図１３は、第４の実施形態の電子機器１００における、カバーパネル５１よりも内部の配置を表わす図である。図１３は、ＸＺ平面に平行な面における配置を表わす。 [Fourth Embodiment]
FIG. 13 is a diagram showing an arrangement inside the cover panel 51 in the electronic device 100 of the fourth embodiment. FIG. 13 shows the arrangement in a plane parallel to the XZ plane.

本実施の形態の発光部１０は、第１のＬＥＤモジュール５３−ａと、第２のＬＥＤモジュール５３−ｂと、第３のＬＥＤモジュール５３−ｃとを備える。 The light emitting unit 10 of the present embodiment includes a first LED module 53-a, a second LED module 53-b, and a third LED module 53-c.

メイン基板６１上に、受光ＩＣモジュール５４と、第１のＬＥＤモジュール５３−ａと、第２のＬＥＤモジュール５３−ｂと、第３のＬＥＤモジュール５３−ｃとが配置される。受光ＩＣモジュール５４と第１のＬＥＤモジュール５３−ａとの間、第１のＬＥＤモジュール５３−ａと第２のＬＥＤモジュール５３−ｂとの間、および第２のＬＥＤモジュール５３−ｂと第３のＬＥＤモジュール５３−ｃとの間に、遮光壁２５が配置されている。遮光壁２５の下面はメイン基板６１に接続し、遮光壁２５の上面はＯＬＥＤパネル５に接続する。 The light receiving IC module 54, the first LED module 53-a, the second LED module 53-b, and the third LED module 53-c are arranged on the main board 61. Between the light receiving IC module 54 and the first LED module 53-a, between the first LED module 53-a and the second LED module 53-b, and between the second LED module 53-b and the third LED module 53-b. A light-shielding wall 25 is arranged between the LED module 53-c and the LED module 53-c. The lower surface of the light-shielding wall 25 is connected to the main substrate 61, and the upper surface of the light-shielding wall 25 is connected to the OLED panel 5.

第１のＬＥＤモジュール５３−ａおよび第２のＬＥＤ５３−ｂの構成は、第１の実施形態と同様である。 The configuration of the first LED module 53-a and the second LED 53-b is the same as that of the first embodiment.

第３のＬＥＤモジュール５３−ｃは、ベース基板５９−ｃと、第３のＬＥＤ２１−ｃと、透明のケース部材５８−ｃと、集光部材５６−ｃとを備える。第３のＬＥＤ２１−ｃは、メイン基板６１と電気的に接続する。集光部材５６−ｃは、第３のＬＥＤ２１−ｃから出射された赤外光を集光して、第３のＬＥＤモジュール５３−ｃの外部へ出力する。 The third LED module 53-c includes a base substrate 59-c, a third LED 21-c, a transparent case member 58-c, and a light collecting member 56-c. The third LED 21-c is electrically connected to the main board 61. The light collecting member 56-c collects the infrared light emitted from the third LED 21-c and outputs the infrared light to the outside of the third LED module 53-c.

受光素子３４から近い位置にあるＬＥＤから出射される赤外光の強度は、受光素子３４から遠い位置にあるＬＥＤから出射される赤外光の強度よりも小さい。すなわち、受光素子３４から近いものから順に第１のＬＥＤ２１−ａ、第２のＬＥＤ２１−ｂ、第３のＬＥＤ２１−ｃが配置されているので、出射される赤外光の強度は、小さいものから順に、第１のＬＥＤ２１−ａの赤外光、第２のＬＥＤ２１−ｂの赤外光、第３のＬＥＤ２１−ｃの赤外光となる。 The intensity of the infrared light emitted from the LED located near the light receiving element 34 is smaller than the intensity of the infrared light emitted from the LED located far from the light receiving element 34. That is, since the first LED 21-a, the second LED 21-b, and the third LED 21-c are arranged in order from the one closest to the light receiving element 34, the intensity of the emitted infrared light is from the smallest. In order, the infrared light of the first LED 21-a, the infrared light of the second LED 21-b, and the infrared light of the third LED 21-c are obtained.

第１のＬＥＤ２１−ａと受光素子３４との距離、第２のＬＥＤ２１−ｂと受光素子３４との距離、第３のＬＥＤ２１−ｃと受光素子３４との距離、遮光壁２５の大きさなどに応じて、第１のＬＥＤ２１−ａから出射される光の強度と第２のＬＥＤ２１−ｂが出射される光の強度と第３のＬＥＤ２１−ｃから出射される光の強度との比が調整される。 For the distance between the first LED 21-a and the light receiving element 34, the distance between the second LED 21-b and the light receiving element 34, the distance between the third LED 21-c and the light receiving element 34, the size of the light shielding wall 25, and the like. Correspondingly, the ratio of the intensity of the light emitted from the first LED 21-a, the intensity of the light emitted from the second LED 21-b, and the intensity of the light emitted from the third LED 21-c is adjusted. NS.

図１４は、第４の実施形態の受光素子３４の応答特性を表わす図である。横軸は、受光素子３４と物体ＲＦとの距離を表わす。第１のＬＥＤ２１−ａと受光素子３４との距離、第２のＬＥＤ２１−ｂと受光素子３４との距離、第３のＬＥＤ２１−ｃと受光素子３４との距離、第１のＬＥＤ２１−ａから出射される光の強度と第２のＬＥＤ２１−ｂが出射される光の強度と第３のＬＥＤ２１−ｃから出射される光の強度との比が適切な大きさに調整されている。 FIG. 14 is a diagram showing the response characteristics of the light receiving element 34 of the fourth embodiment. The horizontal axis represents the distance between the light receiving element 34 and the object RF. The distance between the first LED 21-a and the light receiving element 34, the distance between the second LED 21-b and the light receiving element 34, the distance between the third LED 21-c and the light receiving element 34, and the light emitted from the first LED 21-a. The ratio of the intensity of the light to be generated, the intensity of the light emitted from the second LED 21-b, and the intensity of the light emitted from the third LED 21-c is adjusted to an appropriate magnitude.

図８の応答特性では、距離が５［ｍｍ］において反射光の受光量がピークを示す。距離が５［ｍｍ］よりも大きい範囲では、距離が大きくなるにつれて、反射光の受光量が急激に減少した後、増加する。極小値の反射光の受光量は、閾値ＴＨＣ以上を維持しているが、ノイズなどの影響によって、極小値の反射光の受光量が閾値ＴＨＣを下回る危険性がある。 In the response characteristics of FIG. 8, the amount of reflected light received peaks at a distance of 5 [mm]. In the range where the distance is larger than 5 [mm], the amount of reflected light received decreases sharply and then increases as the distance increases. Although the received amount of the reflected light of the minimum value is maintained at or above the threshold THC, there is a risk that the received amount of the reflected light of the minimum value may be lower than the threshold THC due to the influence of noise or the like.

これに対して、本実施の形態の図１４の応答特性は、距離が５［ｍｍ］よりも大きい範囲では、距離が大きくなるにつれて、反射光の受光量が緩やかに減少する。したがって、ノイズなどの影響によっても、反射光の受光量が閾値ＴＨＣを下回る危険性がない。 On the other hand, in the response characteristic of FIG. 14 of the present embodiment, in the range where the distance is larger than 5 [mm], the amount of reflected light received gradually decreases as the distance increases. Therefore, there is no risk that the amount of reflected light received will fall below the threshold THC due to the influence of noise and the like.

本実施の形態では、近接センサは、３個のＬＥＤを備えるものとしたが、４個以上のＬＥＤを備えるものとしてよい。ＬＥＤの個数が多いほど、応答特性である反射光の受光量の変化を緩やかにすることができる。ＬＥＤの個数が４個以上の場合においても、受光素子３４から近い位置にあるＬＥＤから出射される赤外光の強度は、受光素子３４から遠い位置にあるＬＥＤから出射される赤外光の強度よりも小さい。 In the present embodiment, the proximity sensor is provided with three LEDs, but may be provided with four or more LEDs. As the number of LEDs increases, the change in the amount of reflected light received, which is a response characteristic, can be moderated. Even when the number of LEDs is four or more, the intensity of the infrared light emitted from the LED located near the light receiving element 34 is the intensity of the infrared light emitted from the LED located far from the light receiving element 34. Smaller than

［第５の実施形態］
図１５は、第５の実施形態の近接センサ９の構成を表わす図である。 [Fifth Embodiment]
FIG. 15 is a diagram showing the configuration of the proximity sensor 9 according to the fifth embodiment.

受光ＩＣ１１は、制御ロジック３１と、パルス生成器３２と、ドライバ２３３を含む駆動部３９と、受光素子３４と、アンプ３５と、ＡＤＣ３６とを含む。発光部１０は、第１のＬＥＤ２１ａと、第２のＬＥＤ２１−ｂとを含む。 The light receiving IC 11 includes a control logic 31, a pulse generator 32, a drive unit 39 including a driver 233, a light receiving element 34, an amplifier 35, and an ADC 36. The light emitting unit 10 includes a first LED 21a and a second LED 21-b.

制御ロジック３１は、プロセッサ１３からの指令に従って、第１のＬＥＤ２１−ａおよび第２のＬＥＤ２１−ｂの駆動を制御する。制御ロジック３１は、赤外光の受光の有無をプロセッサ１３へ通知する。 The control logic 31 controls the driving of the first LED 21-a and the second LED 21-b according to the command from the processor 13. The control logic 31 notifies the processor 13 of whether or not infrared light is received.

パルス生成器３２は、パルス幅変調信号ＰＷＭを出力する。
ドライバ２３３は、パルス幅変調信号ＰＷＭに従って、第１のＬＥＤ２１−ａおよび第２のＬＥＤ２１−ｂを駆動する。 The pulse generator 32 outputs a pulse width modulation signal PWM.
The driver 233 drives the first LED 21-a and the second LED 21-b according to the pulse width modulation signal PWM.

受光素子３４は、物体ＲＦで反射された赤外光を検出する。受光素子３４は、フォトダイオードによって構成される。 The light receiving element 34 detects the infrared light reflected by the object RF. The light receiving element 34 is composed of a photodiode.

アンプ３５は、受光素子３４の出力信号を増幅する。
ＡＤＣ３６は、アンプ３５の出力信号をデジタル信号に変換して、制御ロジック３１へ出力する。 The amplifier 35 amplifies the output signal of the light receiving element 34.
The ADC 36 converts the output signal of the amplifier 35 into a digital signal and outputs it to the control logic 31.

第１のＬＥＤ２１−ａおよび第２のＬＥＤ２１−ｂは、電源ＶＣＣに接続される。電源ＶＣＣから第１のＬＥＤ２１−ａに供給される電流は、電源ＶＣＣから第２のＬＥＤ２１−ｂに供給される電流よりも小さい。 The first LED 21-a and the second LED 21-b are connected to the power supply VCS. The current supplied from the power supply VCS to the first LED 21-a is smaller than the current supplied from the power supply VCS to the second LED 21-b.

より具体的には、発光部１０は、第１の制限抵抗素子Ｒ１と第２の制限抵抗素子Ｒ２とを備える。第１の制限抵抗素子Ｒ１は、電源ＶＣＣと第１のＬＥＤ２１−ａとの間に配置される。第２の制限抵抗素子Ｒ２は、電源ＶＣＣと第２のＬＥＤ２１−ｂとの間に配置される。第１の制限抵抗素子Ｒ１の抵抗値は、第２の制限抵抗素子Ｒ２の抵抗値よりも大きい。これによって、電源ＶＣＣから第１のＬＥＤ２１−ａに供給される電流を、電源ＶＣＣから第２のＬＥＤ２１−ｂに供給される電流よりも小さくすることができる。その結果、第１のＬＥＤ２１−ａから出射される赤外光の強度を、第２のＬＥＤ２１−ｂから出射される赤外光の強度よりも小さくすることができる。 More specifically, the light emitting unit 10 includes a first limiting resistance element R1 and a second limiting resistance element R2. The first limiting resistor element R1 is arranged between the power supply VCS and the first LED 21-a. The second limiting resistor element R2 is arranged between the power supply VCS and the second LED 21-b. The resistance value of the first limiting resistance element R1 is larger than the resistance value of the second limiting resistance element R2. As a result, the current supplied from the power supply VCS to the first LED 21-a can be made smaller than the current supplied from the power supply VCS to the second LED 21-b. As a result, the intensity of the infrared light emitted from the first LED 21-a can be made smaller than the intensity of the infrared light emitted from the second LED 21-b.

以上のように、本実施の形態では、１つの共通のドライバによって、強度の小さい赤外光を出射する第１のＬＥＤ２１−ａと、強度の大きい赤外光を出射する第２のＬＥＤ２１−ｂとを駆動することができる。 As described above, in the present embodiment, the first LED 21-a that emits low-intensity infrared light and the second LED 21-b that emits high-intensity infrared light are emitted by one common driver. And can be driven.

［第６の実施形態］
図１６は、第６の実施形態の近接センサ９の構成を表わす図である。 [Sixth Embodiment]
FIG. 16 is a diagram showing the configuration of the proximity sensor 9 of the sixth embodiment.

第６の実施形態の近接センサ９が、第５の実施形態の近接センサ９と相違する点は、発光部１０である。 The difference between the proximity sensor 9 of the sixth embodiment and the proximity sensor 9 of the fifth embodiment is the light emitting unit 10.

第６の実施形態の発光部１０は、制限抵抗素子Ｒを備える。制限抵抗素子Ｒは、電源ＶＣＣと第１のＬＥＤ２１−ａとの間に配置される。電源ＶＣＣと第２のＬＥＤ２１−ｂとの間には制限抵抗素子が配置されない。これによって、電源ＶＣＣから第１のＬＥＤ２１−ａに供給される電流を、電源ＶＣＣから第２のＬＥＤ２１−ｂに供給される電流よりも小さくすることができる。その結果、第１のＬＥＤ２１−ａから出射される赤外光の強度を、第２のＬＥＤ２１−ｂから出射される赤外光の強度よりも小さくすることができる。 The light emitting unit 10 of the sixth embodiment includes a limiting resistance element R. The limiting resistor element R is arranged between the power supply VCS and the first LED 21-a. No limiting resistor element is arranged between the power supply VCS and the second LED 21-b. As a result, the current supplied from the power supply VCS to the first LED 21-a can be made smaller than the current supplied from the power supply VCS to the second LED 21-b. As a result, the intensity of the infrared light emitted from the first LED 21-a can be made smaller than the intensity of the infrared light emitted from the second LED 21-b.

［第７の実施形態］
図１７は、第７の実施形態の近接センサ９の構成を表わす図である。 [7th Embodiment]
FIG. 17 is a diagram showing the configuration of the proximity sensor 9 according to the seventh embodiment.

第７の実施形態の近接センサ９が、第５の実施形態の近接センサ９と相違する点は、発光部１０である。 The difference between the proximity sensor 9 of the seventh embodiment and the proximity sensor 9 of the fifth embodiment is the light emitting unit 10.

第７の実施形態の発光部１０は、第１の制限抵抗素子Ｒ１と第２の制限抵抗素子Ｒ２とを備える。第１の制限抵抗素子Ｒ１は、ドライバ２３３と第１のＬＥＤ２１−ａとの間に配置される。第２の制限抵抗素子Ｒ２は、ドライバ２３３と第２のＬＥＤ２１−ｂとの間に配置される。第１の制限抵抗素子Ｒ１の抵抗値は、第２の制限抵抗素子Ｒ２の抵抗値よりも大きい。これによって、ドライバ２３３から第１のＬＥＤ２１−ａに供給される電流を、ドライバ２３３から第２のＬＥＤ２１−ｂに供給される電流よりも小さくすることができる。その結果、第１のＬＥＤ２１−ａから出射される赤外光の強度を、第２のＬＥＤ２１−ｂから出射される赤外光の強度よりも小さくすることができる。 The light emitting unit 10 of the seventh embodiment includes a first limiting resistance element R1 and a second limiting resistance element R2. The first limiting resistor element R1 is arranged between the driver 233 and the first LED 21-a. The second limiting resistor element R2 is arranged between the driver 233 and the second LED 21-b. The resistance value of the first limiting resistance element R1 is larger than the resistance value of the second limiting resistance element R2. As a result, the current supplied from the driver 233 to the first LED 21-a can be made smaller than the current supplied from the driver 233 to the second LED 21-b. As a result, the intensity of the infrared light emitted from the first LED 21-a can be made smaller than the intensity of the infrared light emitted from the second LED 21-b.

［第８の実施形態］
図１８は、第８の実施形態の近接センサ９の構成を表わす図である。 [8th Embodiment]
FIG. 18 is a diagram showing the configuration of the proximity sensor 9 of the eighth embodiment.

第８の実施形態の近接センサ９が、第７の実施形態の近接センサ９と相違する点は、発光部１０である。 The difference between the proximity sensor 9 of the eighth embodiment and the proximity sensor 9 of the seventh embodiment is the light emitting unit 10.

第８の実施形態の発光部１０は、制限抵抗素子Ｒを備える。制限抵抗素子Ｒは、ドライバ２３３と第１のＬＥＤ２１−ａとの間に配置される。ドライバ２３３と第２のＬＥＤ２１−ｂとの間には制限抵抗素子が配置されない。これによって、ドライバ２３３から第１のＬＥＤ２１−ａに供給される電流を、ドライバ２３３から第２のＬＥＤ２１−ｂに供給される電流よりも小さくすることができる。その結果、第１のＬＥＤ２１−ａから出射される赤外光の強度を、第２のＬＥＤ２１−ｂから出射される赤外光の強度よりも小さくすることができる。 The light emitting unit 10 of the eighth embodiment includes a limiting resistance element R. The limiting resistor element R is arranged between the driver 233 and the first LED 21-a. No limiting resistor element is arranged between the driver 233 and the second LED 21-b. As a result, the current supplied from the driver 233 to the first LED 21-a can be made smaller than the current supplied from the driver 233 to the second LED 21-b. As a result, the intensity of the infrared light emitted from the first LED 21-a can be made smaller than the intensity of the infrared light emitted from the second LED 21-b.

［第９の実施形態］
図１９は、第９の実施形態の近接センサ９の構成を表わす図である。 [9th Embodiment]
FIG. 19 is a diagram showing the configuration of the proximity sensor 9 according to the ninth embodiment.

第９の実施形態の近接センサ９は、図９の第１の実施形態の近接センサ９と相違する点について説明する。 The proximity sensor 9 of the ninth embodiment will be described as being different from the proximity sensor 9 of the first embodiment of FIG.

制御ロジック３１は、プロセッサ１３からの指令に従って、第１のＬＥＤ２１−ａおよび第２のＬＥＤ２１−ｂの駆動を制御する。制御ロジック３１は、イネーブル信号ＥＮａ、およびＥＮｂによって、第１のＬＥＤ２１−ａから赤外光が出射されるタイミングと、第２のＬＥＤ２１−ｂから赤外光が出射されるタイミングとが異なるように制御する。 The control logic 31 controls the driving of the first LED 21-a and the second LED 21-b according to the command from the processor 13. In the control logic 31, the timing at which infrared light is emitted from the first LED 21-a and the timing at which infrared light is emitted from the second LED 21-b are different depending on the enable signals ENa and ENb. Control.

パルス生成器３２は、第１の実施形態と同様に、第１のパルス幅変調信号ＰＷＭａおよび第２のパルス幅変調信号ＰＷＭｂを出力する。第１のパルス幅変調信号ＰＷＭａの振幅ＡＰは、第２のパルス幅変調信号ＰＷＭｂの振幅ＢＰよりも小さい。 The pulse generator 32 outputs the first pulse width modulation signal PWMa and the second pulse width modulation signal PWMb as in the first embodiment. The amplitude AP of the first pulse width modulation signal PWMa is smaller than the amplitude BP of the second pulse width modulation signal PWMb.

第１のドライバ３３−ａは、第１のパルス幅変調信号ＰＷＭａに従って、第１のＬＥＤ２１−ａを駆動する。第２のドライバ３３−ｂは、第２のパルス幅変調信号ＰＷＭｂに従って、第２のＬＥＤ２１−ｂを駆動する。第１のパルス幅変調信号ＰＷＭａの振幅ＡＰが、第２のパルス幅変調信号ＰＷＭｂの振幅ＢＰよりも小さいため、駆動部３９は、第１のＬＥＤ２１−ａから出射される赤外光の強度を、第２のＬＥＤ２１−ｂから出射される赤外光の強度よりも小さくすることができる。 The first driver 33-a drives the first LED 21-a according to the first pulse width modulation signal PWMa. The second driver 33-b drives the second LED 21-b according to the second pulse width modulation signal PWMb. Since the amplitude AP of the first pulse width modulation signal PWMa is smaller than the amplitude BP of the second pulse width modulation signal PWMb, the drive unit 39 determines the intensity of the infrared light emitted from the first LED 21-a. , The intensity of the infrared light emitted from the second LED 21-b can be made smaller.

駆動部３９は、第１のＬＥＤ２１−ａと第２のＬＥＤ２１−ｂとを異なるタイミングで駆動する。制御ロジック３１は、第１のＬＥＤ２１−ａが赤外光を出射したときには、受光素子３４の受光量が第１の閾値ＴＨＡ以上であるか否かを判定する第１の判定を実行する。制御ロジック３１は、第２のＬＥＤ２１−ｂが赤外光を出射したときには、受光素子３４の受光量が第２の閾値以上ＴＨＢであるか否かを判定する第２の判定を実行する。制御ロジック３１は、第１の判定の結果と第２の判定結果との論理和を総合判定結果として算出する。 The drive unit 39 drives the first LED 21-a and the second LED 21-b at different timings. When the first LED 21-a emits infrared light, the control logic 31 executes the first determination of determining whether or not the amount of light received by the light receiving element 34 is equal to or greater than the first threshold value THA. When the second LED 21-b emits infrared light, the control logic 31 executes a second determination of determining whether or not the amount of light received by the light receiving element 34 is THB equal to or greater than the second threshold value. The control logic 31 calculates the logical sum of the result of the first determination and the result of the second determination as a comprehensive determination result.

制御ロジック３１は、総合判定結果がＨレベルのときには、物体ＲＦが受光素子３４から近い距離に存在すると判定し、総合判定結果がＬレベルのときには、物体ＲＦが受光素子３４から遠い距離に存在すると判定することができる。 The control logic 31 determines that the object RF exists at a short distance from the light receiving element 34 when the comprehensive judgment result is H level, and determines that the object RF exists at a distance far from the light receiving element 34 when the comprehensive judgment result is L level. It can be determined.

図２０は、第９の実施形態におけるイネーブル信号ＥＮａ、ＥＮｂ、第１のパルス幅変調信号ＰＷＭａ、および第２のパルス幅変調信号ＰＷＭｂのタイミングチャートである。 FIG. 20 is a timing chart of the enable signals ENa and ENb, the first pulse width modulation signal PWMa, and the second pulse width modulation signal PWMb according to the ninth embodiment.

時刻Ｔ１において、制御ロジック３１によって、イネーブル信号ＥＮａが活性化されると、時刻Ｔ１において、パルス生成器３２による振幅ＡＰの第１のパルス幅変調信号ＰＷＭａの生成が開始される。 When the enable signal ENa is activated by the control logic 31 at time T1, the pulse generator 32 starts generating the first pulse width modulation signal PWMa of the amplitude AP at time T1.

時刻Ｔ２において、制御ロジック３１によって、イネーブル信号ＥＮａが非活性化されると、時刻Ｔ２において、パルス生成器３２による第１のパルス幅変調信号ＰＷＭａの生成が終了する。 When the enable signal ENa is deactivated by the control logic 31 at time T2, the generation of the first pulse width modulation signal PWMa by the pulse generator 32 ends at time T2.

時刻Ｔ３において、制御ロジック３１によって、イネーブル信号ＥＮｂが活性化されると、時刻Ｔ３において、パルス生成器３２による振幅ＢＰの第２のパルス幅変調信号ＰＷＭｂの生成が開始される。 When the enable signal ENb is activated by the control logic 31 at the time T3, the pulse generator 32 starts generating the second pulse width modulation signal PWMb of the amplitude BP at the time T3.

時刻Ｔ４において、制御ロジック３１によって、イネーブル信号ＥＮｂが非活性化されると、時刻Ｔ４において、パルス生成器３２による第２のパルス幅変調信号ＰＷＭｂの生成が終了する。 When the enable signal ENb is deactivated by the control logic 31 at the time T4, the generation of the second pulse width modulation signal PWMb by the pulse generator 32 ends at the time T4.

以上によって、第１のＬＥＤ２１−ａからの赤外光の出射のタイミングと、第２のＬＥＤ２１−ｂからの赤外光の出射のタイミングとが異なるようにすることができる。 As described above, the timing of infrared light emission from the first LED 21-a and the timing of infrared light emission from the second LED 21-b can be made different from each other.

図２１は、第９の実施形態の近接センサ９の動作の手順を表わすフローチャートである。図２２は、第１の判定結果、第２の判定結果、および総合判定結果の例を表わす図である。 FIG. 21 is a flowchart showing the operation procedure of the proximity sensor 9 according to the ninth embodiment. FIG. 22 is a diagram showing an example of a first determination result, a second determination result, and a comprehensive determination result.

ステップＳ１０１において、制御ロジック３１は、閾値ＴＨを閾値ＴＨＡに設定する。
ステップＳ１０２において、制御ロジック３１は、イネーブル信号ＥＮａを活性化することによって、パルス生成器３２は、振幅ＡＰの第１のパルス幅変調信号ＰＷＭａを出力する。これによって、第１のＬＥＤ２１−ａから強度の小さな赤外光が出射される。 In step S101, the control logic 31 sets the threshold TH to the threshold THA.
In step S102, the control logic 31 activates the enable signal ENa, so that the pulse generator 32 outputs the first pulse width modulation signal PWMa of the amplitude AP. As a result, low-intensity infrared light is emitted from the first LED 21-a.

ステップＳ１０３において、受光素子３４の受光量が閾値ＴＨ以上のときには、処理がステップＳ１０４に進み、受光素子３４の受光量が閾値ＴＨ未満のときには、処理がステップＳ１０５に進む。 In step S103, when the light receiving amount of the light receiving element 34 is equal to or higher than the threshold value TH, the process proceeds to step S104, and when the light receiving amount of the light receiving element 34 is less than the threshold value TH, the process proceeds to step S105.

ステップＳ１０４において、制御ロジック３１は、第１の判定結果ＤＴ１をＨレベルに設定する。ステップＳ１０５において、制御ロジック３１は、第１の判定結果ＤＴ１をＬレベルに設定する。 In step S104, the control logic 31 sets the first determination result DT1 to the H level. In step S105, the control logic 31 sets the first determination result DT1 to the L level.

図４を参照して、物体ＲＦと受光素子３４との距離が０〜１２［ｍｍ］のときには、受光素子３４の受光量が閾値ＴＨ（＝ＴＨＡ）以上となり、第１の判定結果がＨレベルとなる。物体ＲＦと受光素子３４との距離が１２〜［ｍｍ］のときには、受光素子３４の受光量が閾値ＴＨ（＝ＴＨＡ）未満となり、第１の判定結果がＬレベルとなる。 With reference to FIG. 4, when the distance between the object RF and the light receiving element 34 is 0 to 12 [mm], the light receiving amount of the light receiving element 34 is equal to or more than the threshold value TH (= THA), and the first determination result is the H level. It becomes. When the distance between the object RF and the light receiving element 34 is 12 to [mm], the light receiving amount of the light receiving element 34 is less than the threshold value TH (= THA), and the first determination result is the L level.

ステップＳ１０６において、制御ロジック３１は、イネーブル信号ＥＮａを非活性化することによって、第１のＬＥＤ２１−ａから赤外光が出射されないように制御する。 In step S106, the control logic 31 controls so that infrared light is not emitted from the first LED 21-a by deactivating the enable signal ENa.

ステップＳ１０７において、制御ロジック３１は、閾値ＴＨを閾値ＴＨＢに設定する。
ステップＳ１０８において、制御ロジック３１は、イネーブル信号ＥＮｂを活性化することによって、パルス生成器３２は、振幅ＢＰの第２のパルス幅変調信号ＰＷＭｂを出力する。これによって、第２のＬＥＤ２１−ｂから強度の大きな赤外光が出射される。 In step S107, the control logic 31 sets the threshold TH to the threshold THB.
In step S108, the control logic 31 activates the enable signal ENb, so that the pulse generator 32 outputs a second pulse width modulation signal PWMb having an amplitude BP. As a result, high-intensity infrared light is emitted from the second LED 21-b.

ステップＳ１０９において、受光素子３４の受光量が閾値ＴＨ以上のときには、処理がステップＳ１１０に進み、受光素子３４の受光量が閾値ＴＨ未満のときには、処理がステップＳ１１１に進む。 In step S109, when the light receiving amount of the light receiving element 34 is equal to or greater than the threshold value TH, the process proceeds to step S110, and when the light receiving amount of the light receiving element 34 is less than the threshold value TH, the process proceeds to step S111.

ステップＳ１１０において、制御ロジック３１は、第２の判定結果ＤＴ２をＨレベルに設定する。ステップＳ１１１において、制御ロジック３１は、第２の判定結果ＤＴ２をＬレベルに設定する。 In step S110, the control logic 31 sets the second determination result DT2 to the H level. In step S111, the control logic 31 sets the second determination result DT2 to the L level.

図５を参照して、物体ＲＦと受光素子３４との距離が７〜３０［ｍｍ］のときには、受光素子３４の受光量が閾値ＴＨ（＝ＴＨＢ）以上となり、第２の判定結果がＨレベルとなる。物体ＲＦと受光素子３４との距離が０〜７、３０〜［ｍｍ］のときには、受光素子３４の受光量が閾値ＴＨ（＝ＴＨＢ）未満となり、第２の判定結果がＬレベルとなる。 With reference to FIG. 5, when the distance between the object RF and the light receiving element 34 is 7 to 30 [mm], the light receiving amount of the light receiving element 34 is equal to or more than the threshold value TH (= THB), and the second determination result is the H level. It becomes. When the distance between the object RF and the light receiving element 34 is 0 to 7, 30 to [mm], the light receiving amount of the light receiving element 34 is less than the threshold value TH (= THB), and the second determination result is the L level.

ステップＳ１１２において、制御ロジック３１は、イネーブル信号ＥＮｂを非活性化することによって、第２のＬＥＤ２１−ｂから赤外光が出射されないように制御する。 In step S112, the control logic 31 controls so that infrared light is not emitted from the second LED 21-b by deactivating the enable signal ENb.

ステップＳ１１３において、制御ロジック３１は、第１の判定結果ＤＴ１と第２の判定結果ＤＴ２との論理和を総合判定結果として算出する。物体ＲＦと受光素子３４との距離が０〜７、７〜１２、１２〜３０［ｍｍ］のときには、総合判定結果がＨレベルとなり、物体ＲＦと受光素子３４との距離が３０〜［ｍｍ］のときには、総合判定結果がＬレベルとなる。制御ロジック３１は、総合判定結果がＨレベルのときには、物体ＲＦが受光素子３４から近い距離に存在すると判定し、総合判定結果がＬレベルのときには、物体ＲＦが受光素子３４から遠い距離に存在すると判定することができる。 In step S113, the control logic 31 calculates the logical sum of the first determination result DT1 and the second determination result DT2 as the overall determination result. When the distance between the object RF and the light receiving element 34 is 0 to 7, 7 to 12, 12 to 30 [mm], the overall judgment result is H level, and the distance between the object RF and the light receiving element 34 is 30 to [mm]. In the case of, the comprehensive judgment result becomes the L level. The control logic 31 determines that the object RF exists at a short distance from the light receiving element 34 when the comprehensive judgment result is H level, and determines that the object RF exists at a distance far from the light receiving element 34 when the comprehensive judgment result is L level. It can be determined.

［第１０の実施形態］
第１０の実施形態の近接センサ９は、第１の実施形態の近接センサ９と相違する点について説明する。 [10th Embodiment]
The proximity sensor 9 of the tenth embodiment will be described as being different from the proximity sensor 9 of the first embodiment.

制御ロジック３１は、プロセッサ１３からの指令に従って、第１のＬＥＤ２１−ａおよび第２のＬＥＤ２１−ｂの駆動を制御する。第９の実施形態と同様に、制御ロジック３１は、イネーブル信号ＥＮａ、およびＥＮｂによって、第１のＬＥＤ２１−ａから赤外光が出射されるタイミングと、第２のＬＥＤ２１−ｂから赤外光が出射されるタイミングとが異なるように制御する。 The control logic 31 controls the driving of the first LED 21-a and the second LED 21-b according to the command from the processor 13. Similar to the ninth embodiment, the control logic 31 determines the timing at which infrared light is emitted from the first LED 21-a and the infrared light from the second LED 21-b by the enable signals ENa and ENb. Control so that the timing of emission is different.

パルス生成器３２は、第１のパルス幅変調信号ＰＷＭａおよび第２のパルス幅変調信号ＰＷＭｂを出力する。第１のパルス幅変調信号ＰＷＭａの振幅は、第２のパルス幅変調信号ＰＷＭｂの振幅と等しい。 The pulse generator 32 outputs the first pulse width modulation signal PWMa and the second pulse width modulation signal PWMb. The amplitude of the first pulse width modulation signal PWMa is equal to the amplitude of the second pulse width modulation signal PWMb.

第１のドライバ３３−ａは、第１のパルス幅変調信号ＰＷＭａに従って、第１のＬＥＤ２１−ａを駆動する。第２のドライバ３３−ｂは、第２のパルス幅変調信号ＰＷＭｂに従って、第２のＬＥＤ２１−ｂを駆動する。第１のパルス幅変調信号ＰＷＭａの振幅と、第２のパルス幅変調信号ＰＷＭｂの振幅とが同じであるため、駆動部３９は、第１のＬＥＤ２１−ａから出射される赤外光の強度を、第２のＬＥＤ２１−ｂから出射される赤外光の強度と同じにすることができる。 The first driver 33-a drives the first LED 21-a according to the first pulse width modulation signal PWMa. The second driver 33-b drives the second LED 21-b according to the second pulse width modulation signal PWMb. Since the amplitude of the first pulse width modulation signal PWMa and the amplitude of the second pulse width modulation signal PWMb are the same, the drive unit 39 determines the intensity of the infrared light emitted from the first LED 21-a. , The intensity of the infrared light emitted from the second LED 21-b can be the same.

駆動部３９は、第９の実施の形態と同様に、第１のＬＥＤ２１−ａと第２のＬＥＤ２１−ｂとを異なるタイミングで駆動する。制御ロジック３１は、第１のＬＥＤ２１−ａが赤外光を出射したときには、受光素子３４の受光量が第１の閾値ＴＨＡ２以上であるか否かを判定する第１の判定を実行する。制御ロジック３１は、第２のＬＥＤ２１−ｂが赤外光を出射したときには、受光素子３４の受光量が第２の閾値以上ＴＨＢ２であるか否かを判定する第２の判定を実行する。制御ロジック３１は、第１の判定の結果と第２の判定結果との論理和を総合判定結果として算出する。 The drive unit 39 drives the first LED 21-a and the second LED 21-b at different timings, as in the ninth embodiment. When the first LED 21-a emits infrared light, the control logic 31 executes a first determination of determining whether or not the amount of light received by the light receiving element 34 is equal to or greater than the first threshold value THA2. When the second LED 21-b emits infrared light, the control logic 31 executes a second determination of determining whether or not the amount of light received by the light receiving element 34 is THB2 equal to or greater than the second threshold value. The control logic 31 calculates the logical sum of the result of the first determination and the result of the second determination as a comprehensive determination result.

制御ロジック３１は、総合判定結果がＨレベルのときには、物体ＲＦが受光素子３４から近い距離に存在すると判定し、総合判定結果がＬレベルのときには、物体ＲＦが受光素子３４から遠い距離に存在すると判定することができる。 The control logic 31 determines that the object RF exists at a short distance from the light receiving element 34 when the comprehensive judgment result is H level, and determines that the object RF exists at a distance far from the light receiving element 34 when the comprehensive judgment result is L level. It can be determined.

図２３は、第１０の実施形態におけるイネーブル信号ＥＮａ、ＥＮｂ、第１のパルス幅変調信号ＰＷＭａ、および第２のパルス幅変調信号ＰＷＭｂのタイミングチャートである。 FIG. 23 is a timing chart of the enable signals ENa and ENb, the first pulse width modulation signal PWMa, and the second pulse width modulation signal PWMb according to the tenth embodiment.

時刻Ｔ１において、制御ロジック３１によって、イネーブル信号ＥＮａが活性化されると、時刻Ｔ１において、パルス生成器３２による振幅Ｐの第１のパルス幅変調信号ＰＷＭａの生成が開始される。 When the enable signal ENa is activated by the control logic 31 at time T1, the pulse generator 32 starts generating the first pulse width modulation signal PWMa having the amplitude P at time T1.

時刻Ｔ２において、制御ロジック３１によって、イネーブル信号ＥＮａが非活性化されると、時刻Ｔ２において、パルス生成器３２による第１のパルス幅変調信号ＰＷＭａの生成が終了する。 When the enable signal ENa is deactivated by the control logic 31 at time T2, the generation of the first pulse width modulation signal PWMa by the pulse generator 32 ends at time T2.

時刻Ｔ３において、制御ロジック３１によって、イネーブル信号ＥＮｂが活性化されると、時刻Ｔ３において、パルス生成器３２による振幅Ｐの第２のパルス幅変調信号ＰＷＭｂの生成が開始される。 When the enable signal ENb is activated by the control logic 31 at time T3, the pulse generator 32 starts generating a second pulse width modulation signal PWMb having an amplitude P at time T3.

時刻Ｔ４において、制御ロジック３１によって、イネーブル信号ＥＮｂが非活性化されると、時刻Ｔ４において、パルス生成器３２による第２のパルス幅変調信号ＰＷＭｂの生成が終了する。 When the enable signal ENb is deactivated by the control logic 31 at the time T4, the generation of the second pulse width modulation signal PWMb by the pulse generator 32 ends at the time T4.

以上によって、第１のＬＥＤ２１−ａからの赤外光の出射のタイミングと、第２のＬＥＤ２１−ｂからの赤外光の出射のタイミングとが異なるようにすることができる。 As described above, the timing of infrared light emission from the first LED 21-a and the timing of infrared light emission from the second LED 21-b can be made different from each other.

図２４は、第１０の実施形態の近接センサ９の動作の手順を表わすフローチャートである。 FIG. 24 is a flowchart showing the operation procedure of the proximity sensor 9 according to the tenth embodiment.

ステップＳ２０１において、制御ロジック３１は、閾値ＴＨを閾値ＴＨＡ２に設定する。 In step S201, the control logic 31 sets the threshold TH to the threshold THA2.

ステップＳ２０２において、制御ロジック３１は、イネーブル信号ＥＮａを活性化することによって、パルス生成器３２は、振幅Ｐのパルス幅変調信号ＰＷＭａを出力する。これによって、第１のＬＥＤ２１−ａから赤外光が出射される。 In step S202, the control logic 31 activates the enable signal ENa, so that the pulse generator 32 outputs a pulse width modulation signal PWMa having an amplitude P. As a result, infrared light is emitted from the first LED 21-a.

ステップＳ２０３において、受光素子３４の受光量が閾値ＴＨ以上のときには、処理がステップＳ２０４に進み、受光素子３４の受光量が閾値ＴＨ未満のときには、処理がステップＳ２０５に進む。 In step S203, when the light receiving amount of the light receiving element 34 is equal to or greater than the threshold value TH, the process proceeds to step S204, and when the light receiving amount of the light receiving element 34 is less than the threshold value TH, the process proceeds to step S205.

ステップＳ２０４において、制御ロジック３１は、第１の判定結果ＤＴ１をＨレベルに設定する。ステップＳ２０５において、制御ロジック３１は、第１の判定結果ＤＴ１をＬレベルに設定する。 In step S204, the control logic 31 sets the first determination result DT1 to the H level. In step S205, the control logic 31 sets the first determination result DT1 to the L level.

ステップＳ２０６において、制御ロジック３１は、イネーブル信号ＥＮａを非活性化することによって、第１のＬＥＤ２１−ａから赤外光が出射されないように制御する。 In step S206, the control logic 31 controls so that infrared light is not emitted from the first LED 21-a by deactivating the enable signal ENa.

ステップＳ２０７において、制御ロジック３１は、閾値ＴＨを閾値ＴＨＢ２に設定する。 In step S207, the control logic 31 sets the threshold TH to the threshold THB2.

ステップＳ２０８において、制御ロジック３１は、イネーブル信号ＥＮｂを活性化することによって、パルス生成器３２は、振幅Ｐのパルス幅変調信号ＰＷＭｂを出力する。これによって、第２のＬＥＤ２１−ａから第１のＬＥＤ２１−Ｂから出射させる赤外光と同じ強度の赤外光が出射される。 In step S208, the control logic 31 activates the enable signal ENb, so that the pulse generator 32 outputs a pulse width modulation signal PWMb having an amplitude P. As a result, infrared light having the same intensity as the infrared light emitted from the first LED 21-B is emitted from the second LED 21-a.

ステップＳ２０９において、受光素子３４の受光量が閾値ＴＨ以上のときには、処理がステップＳ２１０に進み、受光素子３４の受光量が閾値ＴＨ未満のときには、処理がステップＳ２１１に進む。 In step S209, when the light receiving amount of the light receiving element 34 is equal to or more than the threshold value TH, the process proceeds to step S210, and when the light receiving amount of the light receiving element 34 is less than the threshold value TH, the process proceeds to step S211.

ステップＳ２１０において、制御ロジック３１は、第２の判定結果ＤＴ２をＨレベルに設定する。ステップＳ２１１において、制御ロジック３１は、第２の判定結果ＤＴ２をＬレベルに設定する。 In step S210, the control logic 31 sets the second determination result DT2 to the H level. In step S211 the control logic 31 sets the second determination result DT2 to the L level.

ステップＳ２１２において、制御ロジック３１は、イネーブル信号ＥＮｂを非活性化することによって、第２のＬＥＤ２１−ｂから赤外光が出射されないように制御する。 In step S212, the control logic 31 controls so that infrared light is not emitted from the second LED 21-b by deactivating the enable signal ENb.

ステップＳ２１３において、制御ロジック３１は、第１の判定結果ＤＴ１と第２の判定結果ＤＴ２との論理和を総合判定結果ＤＴとして算出する。 In step S213, the control logic 31 calculates the logical sum of the first determination result DT1 and the second determination result DT2 as the comprehensive determination result DT.

（変形例）
本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、たとえば、以下のような変形例も含む。 (Modification example)
The present invention is not limited to the above embodiment, and includes, for example, the following modifications.

（１）ＬＥＤの代わりに、ＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting LASER）を用いてもよい。 (1) A VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting LASER) may be used instead of the LED.

（２）ＬＥＤから赤外光が出射され、受光素子が赤外光を検出するものとしたが、これに限定されるものではない。たとえば、ＬＥＤから可視光または近赤外光が出射され、受光素子が可視光または近赤外光を検出するものとしてもよい。 (2) Infrared light is emitted from the LED, and the light receiving element detects the infrared light, but the present invention is not limited to this. For example, visible light or near-infrared light may be emitted from the LED, and the light receiving element may detect visible light or near-infrared light.

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 It should be considered that the embodiments disclosed this time are exemplary in all respects and not restrictive. The scope of the present invention is shown by the scope of claims rather than the above description, and it is intended to include all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of claims.

２ アンテナ、３ 無線通信部、４ タッチパネル、５ ＯＬＥＤパネル、６ 照度センサ、７ スピーカ、８ マイク、９ 近接センサ、１０ 発光部、１１ 受光ＩＣ、１２ 制御回路、１３ プロセッサ、１４ メモリ、１５ 電池、１６ 加速度センサ、１７ ジャイロセンサ、２１，２１−ａ，２１−ｂ，２１−ｃ ＬＥＤ、３１ 制御ロジック、３２ パルス生成器、３３−ａ，３３−ｂ，２３３ ドライバ、３４ 受光素子、３５ アンプ、３６ ＡＤＣ、３９ 駆動部、５１ カバーパネル、５３，５３−ａ，５３−ｂ，５３−ｃ ＬＥＤモジュール、５４ 受光ＩＣモジュール、５５，５６，５６−ａ，５６−ｂ，５６−ｃ 集光部材、５７，５８，５８−ａ，５８−ｂ，５８−ｃ，１５７，１５８−ａ，１５８−ｂ ケース部材、５９，５９−ａ，５９−ｂ，６０ ベース基板、６１ メイン基板、９５ 液晶パネル、１００ スマートフォン、ＲＦ 物体、Ｒ，Ｒ１，Ｒ２ 制限抵抗素子。 2 antenna, 3 wireless communication unit, 4 touch panel, 5 OLED panel, 6 illuminance sensor, 7 speaker, 8 microphone, 9 proximity sensor, 10 light emitting unit, 11 light receiving IC, 12 control circuit, 13 processor, 14 memory, 15 battery, 16 Acceleration sensor, 17 Gyro sensor, 21,21-a, 21-b, 21-c LED, 31 Control logic, 32 Pulse generator, 33-a, 33-b, 233 driver, 34 light receiving element, 35 amplifier, 36 ADC, 39 drive unit, 51 cover panel, 53, 53-a, 53-b, 53-c LED module, 54 light receiving IC module, 55, 56, 56-a, 56-b, 56-c condensing member , 57, 58, 58-a, 58-b, 58-c, 157, 158-a, 158-b Case member, 59, 59-a, 59-b, 60 Base board, 61 Main board, 95 LCD panel , 100 Smartphone, RF object, R, R1, R2 limiting resistance element.

Claims (17)

ＯＬＥＤパネルを有する電子機器に搭載可能な受光ＩＣであって、
各々が、光を出射する第１の光源および第２の光源を駆動する駆動部と、
反射された光を検出する受光素子とを備え、
前記受光ＩＣ、前記第１の光源および前記第２の光源は、前記ＯＬＥＤパネルの下側の前記ＯＬＥＤパネルで覆われる領域に配置され、
前記第１の光源は、前記第２の光源よりも、前記受光素子に近い位置に配置され、
前記駆動部は、前記第１の光源から出射される光の強度を、前記第２の光源から出射される光の強度よりも小さくする、受光ＩＣ。 A light receiving IC that can be mounted on an electronic device having an OLED panel.
A drive unit that drives a first light source and a second light source, each of which emits light,
Equipped with a light receiving element that detects reflected light,
The light receiving IC, the first light source, and the second light source are arranged in an area covered by the OLED panel under the OLED panel.
The first light source is arranged at a position closer to the light receiving element than the second light source.
The drive unit is a light receiving IC that reduces the intensity of light emitted from the first light source to be smaller than the intensity of light emitted from the second light source. 前記駆動部は、前記第１の光源と前記第２の光源とを同一のタイミングで駆動することによって、前記第１の光源と前記第２の光源とは、同一のタイミングで光を出射し、
前記受光素子の受光量が、閾値以上であるか否かを判定する制御ロジックを備える、請求項１記載の受光ＩＣ。 The driving unit drives the first light source and the second light source at the same timing, so that the first light source and the second light source emit light at the same timing.
The light receiving IC according to claim 1, further comprising a control logic for determining whether or not the light receiving amount of the light receiving element is equal to or greater than a threshold value. 前記駆動部は、前記第１の光源と前記第２の光源とを異なるタイミングで駆動することによって、前記第１の光源と前記第２の光源とは、異なるタイミングで光を出射し、
前記第１の光源が光を出射したときには、前記受光素子の受光量が第１の閾値以上であるか否かを判定する第１の判定を実行し、前記第２の光源が光を出射したときには、前記受光素子の受光量が第２の閾値以上であるか否かを判定する第２の判定を実行し、前記第１の判定の結果と前記第２の判定の結果の論理和を算出する制御ロジックを備える、請求項１記載の受光ＩＣ。 By driving the first light source and the second light source at different timings, the driving unit emits light at different timings from the first light source and the second light source.
When the first light source emits light, the first determination for determining whether or not the amount of light received by the light receiving element is equal to or greater than the first threshold value is executed, and the second light source emits light. Occasionally, a second determination for determining whether or not the amount of light received by the light receiving element is equal to or greater than the second threshold value is executed, and the logical sum of the result of the first determination and the result of the second determination is calculated. The light receiving IC according to claim 1, further comprising a control logic for the operation. 前記第１の光源は第１のＬＥＤであり、前記第２の光源は第２のＬＥＤであり、
前記駆動部は、前記第１のＬＥＤおよび前記第２のＬＥＤを駆動する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の受光ＩＣ。 The first light source is a first LED, and the second light source is a second LED.
The light receiving IC according to any one of claims 1 to 3, wherein the driving unit drives the first LED and the second LED. 前記駆動部は、
前記第１のＬＥＤを駆動する第１のドライバと、
前記第２のＬＥＤを駆動する第２のドライバと、
前記第１のドライバへの第１のパルス幅変調信号と、前記第２のドライバへの第２のパルス幅変調信号とを出力するパルス生成器とを備え、
前記第１のパルス幅変調信号の振幅が、前記第２のパルス幅変調信号の振幅よりも小さい、請求項４記載の受光ＩＣ。 The drive unit
The first driver that drives the first LED and
A second driver for driving the second LED,
A pulse generator that outputs a first pulse width modulation signal to the first driver and a second pulse width modulation signal to the second driver is provided.
The light receiving IC according to claim 4, wherein the amplitude of the first pulse width modulation signal is smaller than the amplitude of the second pulse width modulation signal. 前記駆動部は、
前記第１のＬＥＤおよび前記第２のＬＥＤを駆動する共通のドライバを備え、
前記第１のＬＥＤおよび前記第２のＬＥＤは、電源に接続され、
前記電源から前記第１のＬＥＤに供給される電流は、前記電源から前記第２のＬＥＤに供給される電流よりも小さい、請求項４記載の受光ＩＣ。 The drive unit
A common driver for driving the first LED and the second LED is provided.
The first LED and the second LED are connected to a power source.
The light receiving IC according to claim 4, wherein the current supplied from the power source to the first LED is smaller than the current supplied from the power source to the second LED. 前記駆動部は、
前記第１のＬＥＤおよび前記第２のＬＥＤを駆動する共通のドライバを備え、
前記共通のドライバから前記第１のＬＥＤに供給される電流は、前記共通のドライバから前記第２のＬＥＤに供給される電流よりも小さい、請求項４記載の受光ＩＣ。 The drive unit
A common driver for driving the first LED and the second LED is provided.
The light receiving IC according to claim 4, wherein the current supplied from the common driver to the first LED is smaller than the current supplied from the common driver to the second LED. ＯＬＥＤパネルを有する電子機器に搭載可能な受光ＩＣであって、
各々が、光を出射する第１の光源および第２の光源を駆動する駆動部と、
反射された光を検出する受光素子とを備え、
前記受光ＩＣ、前記第１の光源および前記第２の光源は、前記ＯＬＥＤパネルの下側の前記ＯＬＥＤパネルで覆われる領域に配置され、
前記第１の光源は、前記第２の光源よりも、前記受光素子に近い位置に配置され、
前記駆動部は、前記第１の光源から出射される光の強度と、前記第２の光源から出射される光の強度とを同じにし、
前記駆動部は、前記第１の光源と前記第２の光源とを異なるタイミングで駆動することによって、前記第１の光源と前記第２の光源とは、異なるタイミングで光を出射し、
前記第１の光源が光を出射したときには、前記受光素子の受光量が第１の閾値以上であるか否かを判定する第１の判定を実行し、前記第２の光源が光を出射したときには、前記受光素子の受光量が第２の閾値以上であるか否かを判定する第２の判定を実行し、前記第１の判定の結果と前記第２の判定の結果の論理和を算出する制御ロジックを備える、受光ＩＣ。 A light receiving IC that can be mounted on an electronic device having an OLED panel.
A drive unit that drives a first light source and a second light source, each of which emits light,
Equipped with a light receiving element that detects reflected light,
The light receiving IC, the first light source, and the second light source are arranged in an area covered by the OLED panel under the OLED panel.
The first light source is arranged at a position closer to the light receiving element than the second light source.
The drive unit has the same intensity of light emitted from the first light source and the same intensity of light emitted from the second light source.
By driving the first light source and the second light source at different timings, the driving unit emits light at different timings from the first light source and the second light source.
When the first light source emits light, the first determination for determining whether or not the amount of light received by the light receiving element is equal to or greater than the first threshold value is executed, and the second light source emits light. Occasionally, a second determination for determining whether or not the amount of light received by the light receiving element is equal to or greater than the second threshold value is executed, and the logical sum of the result of the first determination and the result of the second determination is calculated. A light receiving IC having a control logic to perform. 前記第１の光源は第１のＬＥＤであり、前記第２の光源は第２のＬＥＤであり、
前記駆動部は、前記第１のＬＥＤおよび前記第２のＬＥＤを駆動する、請求項８記載の受光ＩＣ。 The first light source is a first LED, and the second light source is a second LED.
The light receiving IC according to claim 8, wherein the driving unit drives the first LED and the second LED. 請求項６記載の受光ＩＣと、
前記第１のＬＥＤおよび前記第２のＬＥＤと、
前記第１のＬＥＤと前記電源との間に配置される第１の制限抵抗素子と、
前記第２のＬＥＤと前記電源との間に配置される第２の制限抵抗素子とを備え、
前記第１の制限抵抗素子の抵抗値は、前記第２の制限抵抗素子の抵抗値よりも大きい、近接センサ。 The light receiving IC according to claim 6 and
With the first LED and the second LED,
A first limiting resistor element arranged between the first LED and the power supply,
A second limiting resistor element arranged between the second LED and the power supply is provided.
A proximity sensor in which the resistance value of the first limiting resistance element is larger than the resistance value of the second limiting resistance element. 請求項６記載の受光ＩＣと、
前記第１のＬＥＤおよび前記第２のＬＥＤと、
前記第１のＬＥＤと前記電源との間に配置される第１の制限抵抗素子を備え、
前記第２のＬＥＤと前記電源との間には、制限抵抗素子が配置されない、近接センサ。 The light receiving IC according to claim 6 and
With the first LED and the second LED,
A first limiting resistor element arranged between the first LED and the power supply is provided.
A proximity sensor in which a limiting resistor element is not arranged between the second LED and the power supply. 請求項７記載の受光ＩＣと、
前記第１のＬＥＤおよび前記第２のＬＥＤと、
前記第１のＬＥＤと前記共通のドライバとの間に配置される第１の制限抵抗素子と、
前記第２のＬＥＤと前記共通のドライバとの間に配置される第２の制限抵抗素子とを備え、
前記第１の制限抵抗素子の抵抗値は、前記第２の制限抵抗素子の抵抗値よりも大きい、近接センサ。 The light receiving IC according to claim 7 and
With the first LED and the second LED,
A first limiting resistor element arranged between the first LED and the common driver,
A second limiting resistor element arranged between the second LED and the common driver is provided.
A proximity sensor in which the resistance value of the first limiting resistance element is larger than the resistance value of the second limiting resistance element. 請求項７記載の受光ＩＣと、
前記第１のＬＥＤおよび前記第２のＬＥＤと、
前記第１のＬＥＤと前記共通のドライバとの間に配置される第１の制限抵抗素子を備え、
前記第２のＬＥＤと前記共通のドライバとの間には、制限抵抗素子が配置されない、近接センサ。 The light receiving IC according to claim 7 and
With the first LED and the second LED,
A first limiting resistor element arranged between the first LED and the common driver is provided.
A proximity sensor in which a limiting resistor element is not arranged between the second LED and the common driver. 請求項４、５、６、７または９に記載の受光ＩＣと、
前記第１のＬＥＤおよび前記第２のＬＥＤとを備えた、近接センサ。 The light receiving IC according to claim 4, 5, 6, 7 or 9,
A proximity sensor including the first LED and the second LED. 前記受光ＩＣ、前記第１のＬＥＤおよび前記第２のＬＥＤは、互いに別個のモジュールに搭載されている、請求項１４記載の近接センサ。 The proximity sensor according to claim 14, wherein the light receiving IC, the first LED, and the second LED are mounted in modules separate from each other. 前記ＯＬＥＤパネルと、
請求項１０〜１５のいずれか１項に記載の近接センサとを備えた、電子機器。 With the OLED panel
An electronic device comprising the proximity sensor according to any one of claims 10 to 15. ＯＬＥＤパネルを有する電子機器に搭載可能な受光ＩＣであって、
各々が、光を出射する３個以上の光源を駆動する駆動部と、
反射された光を検出する受光素子とを備え、
前記受光ＩＣおよび前記３個以上の光源は、前記ＯＬＥＤパネルの下側の前記ＯＬＥＤパネルで覆われる領域に配置され、
前記受光素子から近い位置の光源から出射される光の強度は、前記受光素子から遠い位置の光源から出射される光の強度よりも小さい、受光ＩＣ。 A light receiving IC that can be mounted on an electronic device having an OLED panel.
A drive unit that drives three or more light sources, each of which emits light,
Equipped with a light receiving element that detects reflected light,
The light receiving IC and the three or more light sources are arranged in an area covered by the OLED panel under the OLED panel.
A light receiving IC in which the intensity of light emitted from a light source located near the light receiving element is smaller than the intensity of light emitted from a light source located far from the light receiving element.
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