JP2021148650A - Measurement system and measurement method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、複数の単体測定装置を有し、被試験対象物の測定前に温度環境に応じて単体測定装置及び測定経路の校正を行う機能を有する測定システム及び測定方法に関する。 The present invention relates to a measurement system and a measurement method having a plurality of unit measurement devices and having a function of calibrating the unit measurement device and the measurement path according to the temperature environment before measuring the object to be tested.
例えば、携帯電話システムにおいては、携帯端末の多機能化に伴い、無線基地局(以下、基地局)との間の無線による通信速度が高速化されており、近年では、例えば、LTE−Advanced方式等を採用している4G(第4世代)のサービスから5G(第5世代) NR(New Radio)のサービスへ移行するための技術開発が進展しつつある。 For example, in a mobile phone system, the wireless communication speed with a wireless base station (hereinafter referred to as a base station) has been increased due to the increasing number of functions of mobile terminals. In recent years, for example, the LTE-Advanced method has been used. Technological development is progressing to shift from 4G (4th generation) services that employ such services to 5G (5th generation) NR (New Radio) services.
LTEや5G NRの通信規格で無線通信を行う通信装置を測定する場合の測定系として、複数の単体測定装置を有し、試験項目に応じて適宜な単体測定装置と測定経路を選んで被試験対象物の測定を行うシステム構成を有するものがある。また、このような測定システムでは、複数の単体測定装置を経由することによる測定精度の低下を防止するために、例えば温度環境等に応じて単体測定装置を校正する機能を有するものも少なくない。 As a measurement system for measuring a communication device that performs wireless communication with LTE or 5G NR communication standards, it has a plurality of single measurement devices, and an appropriate single measurement device and measurement path are selected according to the test item to be tested. Some have a system configuration for measuring an object. In addition, many such measurement systems have a function of calibrating the single measurement device according to, for example, a temperature environment, in order to prevent a decrease in measurement accuracy due to passing through a plurality of single measurement devices.
この種の従来の測定システムとしては、例えば、各モジュールやユニットに対して温度環境等を考慮した校正を実施する場合に、自己診断機能(コントローラ)により設定された順序に従って、複数のモジュールまたはユニットに対して校正または診断を行う技術が特許文献1に提案されている(段落0032〜0035、図2参照)。 As a conventional measurement system of this type, for example, when calibrating each module or unit in consideration of the temperature environment or the like, a plurality of modules or units are arranged according to the order set by the self-diagnosis function (controller). A technique for proofreading or diagnosing the above is proposed in Patent Document 1 (paragraphs 0032 to 0035, see FIG. 2).
特許文献1に記載の従来システムは、校正または診断の順番を変えることで、決められた順番で実行する場合に比べて校正または診断時間を短縮することができる。しかしながら、この従来システムでは、順番が変わっても全ての校正または診断を行うことが前提であるため、校正または診断時間の短縮効果はそれほど期待はできなかった。
In the conventional system described in
この種の測定システムで校正の時間が長いものの例としてRFコンフォーマンステストシステムが挙げられる。RFコンフォーマンステストシステムは、被試験対象物の規格適合試験に必要な種々のテストケース(Test Case:TC)に対応する組み合わせで単体測定装置を駆動する測定方法をサポートしており、TCの数が増えると単体測定装置の数も多く必要となるため、全ての単体測定装置及び測定経路に対する校正を行うと長い時間かかることがあった。 An example of this type of measurement system that takes a long time to calibrate is the RF conformance test system. The RF conformance test system supports a measurement method that drives a single measuring device in a combination corresponding to various test cases (TC) required for standard conformity testing of the object to be tested, and the number of TCs. As the number increases, a large number of unit measuring devices are required, so it may take a long time to calibrate all the unit measuring devices and measurement paths.
TCに応じて単体測定装置及び測定経路を駆動するシステム構成の場合、TCによっては、該TCを実施する単体測定装置以外の単体測定装置及び測定経路以外は校正が必要とされないものもある。しかしながら、現状、RFコンフォーマンステストシステム等においては、全ての単体測定装置及び測定経路について校正を実施することが一般的であり、今後、被試験対象物のより高度な測定を踏まえて単体測装置器及び測定経路の数が増加する(システムが拡張される)ことが見込まれるなか、校正時間も増々長くなることが懸念されていた。 In the case of a system configuration that drives a single measurement device and a measurement path according to the TC, some TCs do not require calibration except for the single measurement device and the measurement path other than the single measurement device that carries out the TC. However, at present, in RF conformance test systems, etc., it is common to calibrate all unit measurement devices and measurement paths, and in the future, unit measurement devices will be based on more advanced measurements of the object to be tested. As the number of instruments and measurement paths is expected to increase (the system is expanded), there is concern that the calibration time will also increase.
本発明は、このような従来の課題を解決するためになされたものであって、単体測定装置及び測定経路の数が増えた場合でも最低限の頻度及び時間で必要な校正を実施することができる測定システム及び測定方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve such a conventional problem, and it is possible to carry out the necessary calibration with the minimum frequency and time even when the number of unit measuring devices and measuring paths increases. It is an object of the present invention to provide a measurement system and a measurement method capable of performing the measurement.
上記課題を解決するために、本発明の請求項1に係る測定システムは、複数の単体測定装置(30)と、被試験対象物(100)の試験に際して前記単体測定装置を選択的に駆動し、前記試験に関する前記被試験対象物の測定の制御を行う制御部(10)と、を有し、前記制御部は、前記各単体測定装置にそれぞれ設けられた温度センサ(31)の検出出力に基づき前記各単体測定装置の所定期間における温度変化を検出する温度変化検出手段(25)と、前記温度変化検出手段により検出された前記各単体測定装置の温度変化と、前記各単体測定装置に対応してそれぞれ設定されている閾値温度とに基づき、前記単体測定装置ごとに前記温度変化に伴う校正を行うか否かを制御する校正制御手段(26)と、を備えることを特徴とする。
In order to solve the above problems, the measurement system according to
この構成により、本発明の請求項1に係る測定システムは、温度変化が閾値温度を超えた単体測定装置のみ校正を実行し、温度変化が閾値温度を超えていない単体測定装置の校正を実行しないため、システム構成が拡張した場合でも校正の頻度及び時間の増大を抑えつつ、常に最低限の頻度及び時間で必要な校正を実施することができる。
With this configuration, the measurement system according to
本発明の請求項2に係る測定システムは、前記複数の単体測定装置にそれぞれ対応付けて前記閾値温度が設定された第1の制御テーブル(28)を有し、前記校正制御手段は、前記単体測定装置の温度変化が前記第1の制御テーブルに設定された前記閾値温度を超えている場合は該単体測定装置に対する前記校正を実行し、前記閾値温度を超えていない場合は該単体測定装置に対する前記校正を実行しない構成であってもよい。 The measurement system according to claim 2 of the present invention has a first control table (28) in which the threshold temperature is set in association with each of the plurality of unit measuring devices, and the calibration control means is the unit. When the temperature change of the measuring device exceeds the threshold temperature set in the first control table, the calibration is performed on the single measuring device, and when the temperature change does not exceed the threshold temperature, the single measuring device is subjected to the calibration. The configuration may not perform the calibration.
この構成により、本発明の請求項2に係る測定システムは、各単体測定装置の温度を検出する温度センサの他、第1の制御テーブルを設けるだけの簡単な構成で、校正が必要な単体測定装置に対してのみ校正を実施し、校正時間を短縮することができる。 With this configuration, the measurement system according to claim 2 of the present invention has a simple configuration in which a first control table is provided in addition to a temperature sensor for detecting the temperature of each unit measuring device, and unit measurement requiring calibration is required. Calibration can be performed only on the device to reduce the calibration time.
本発明の請求項3に係る測定装置は、複数の試験の規格(TC1、TC2、TC3)に対応付けて校正対象となる単体測定装置及び経路(経路A、B、C)が設定された第2の制御テーブル(29)をさらに有し、前記校正制御手段は、前記複数の試験の規格のうちの1つが選択指定された測定要求を受け付けて、該選択指定された前記試験の規格に対応して前記第2の制御テーブルに設定されている単体測定器及び経路を特定し、該特定した単体測定器及び経路のうち、前記温度変化が前記閾値温度を超えている前記単体測定装置、及び前記経路に対する前記校正を実行し、前記温度変化が前記閾値温度を超えていない前記単体測定装置、及び前記経路に対する前記校正を実行しない構成としてもよい。 The measuring device according to claim 3 of the present invention has a unit measuring device and a route (paths A, B, C) to be calibrated in association with a plurality of test standards (TC1, TC2, TC3). The calibration control means further comprises 2 control tables (29), and the calibration control means accepts a measurement request in which one of the plurality of test standards is selectively designated and corresponds to the selected and designated test standard. Then, the single-unit measuring device and the path set in the second control table are specified, and among the specified single-unit measuring device and the path, the single-unit measuring device and the single-unit measuring device whose temperature change exceeds the threshold temperature. The unit measuring device that performs the calibration for the path and the temperature change does not exceed the threshold temperature, and the configuration that does not perform the calibration for the path may be used.
この構成により、本発明の請求項3に係る測定システムは、TC(試験の規格)に対応する経路によっても校正を実施、不実施とすることで校正の頻度及び時間を大幅に低減することができる。 With this configuration, the measurement system according to claim 3 of the present invention can significantly reduce the frequency and time of calibration by performing or not performing calibration even by a route corresponding to TC (test standard). can.
本発明の請求項4に係る測定システムは、前記経路に対応付けて温度変化の影響を受けやすいか受けにくいかを示す管理情報が設定された第3の制御テーブル(29a)をさらに有し、前記校正制御手段は、前記複数の試験の規格のうちの1つが選択指定された測定要求を受け付けて、該選択指定された前記試験の規格に対応して前記第2の制御テーブルに設定されている経路を特定し、該特定した経路のうち、前記第3の制御テーブルに温度変化の影響を受けやすいことを示す前記管理情報が設定されかつ前記温度変化が前記閾値温度を超えている前記経路に対する前記校正を実行し、前記温度変化が前記閾値温度を超えていない前記経路及び前記第3の制御テーブルに温度変化の影響を受けにくいことを示す前記管理情報が設定されている前記経路に対する前記校正を実行しない構成であってもよい。 The measurement system according to claim 4 of the present invention further has a third control table (29a) in which management information indicating whether or not it is susceptible to or less susceptible to temperature changes is set in association with the path. The calibration control means receives a measurement request selected and specified by one of the plurality of test standards, and is set in the second control table corresponding to the selected and specified test standard. The route is specified, and among the specified routes, the management information indicating that the third control table is susceptible to the temperature change is set, and the temperature change exceeds the threshold temperature. The calibration for the path for which the control information indicating that the temperature change does not exceed the threshold temperature and the third control table is less susceptible to the temperature change is set. The configuration may not perform calibration.
この構成により、本発明の請求項4に係る測定システムは、TC(試験の規格)に対応する経路によっても温度変化の影響を受けやすい部分と受けにくい部分とで校正を実施、不実施とすることで校正の頻度及び時間を大幅に低減することができる。 With this configuration, the measurement system according to claim 4 of the present invention is calibrated and not performed in the portion that is easily affected by the temperature change and the portion that is not easily affected by the temperature change even by the path corresponding to TC (test standard). As a result, the frequency and time of calibration can be significantly reduced.
本発明の請求項5に係る測定システムは、前記校正制御手段により実行された前記校正に関するログ情報を記憶するログ情報記憶手段(11b)と、前記ログ情報記憶手段に記憶された前記ログ情報を表示部(13)に表示する表示制御手段(24)と、をさらに有する構成としてもよい。 The measurement system according to claim 5 of the present invention stores log information storage means (11b) for storing log information related to the calibration executed by the calibration control means and the log information stored in the log information storage means. The configuration may further include a display control means (24) to be displayed on the display unit (13).
この構成により、本発明の請求項5に係る測定システムは、表示部に表示されたログ情報をみながら、過去に実施した校正の頻度や時間を容易に確認することができる。 With this configuration, the measurement system according to claim 5 of the present invention can easily confirm the frequency and time of calibration performed in the past while observing the log information displayed on the display unit.
上記課題を解決するために、本発明の請求項6に係る測定方法は、請求項1に記載の測定システムを用いた被試験対象物(100)の測定方法であって、前記各単体測定装置にそれぞれ設けられた温度センサ(31)の検出出力に基づき前記各単体測定装置の所定期間における温度変化を検出する検出ステップ(S7)と、前記検出ステップにより検出された前記各単体測定装置の温度変化と、前記設定ステップで前記各単体測定装置に対応してそれぞれ設定されている閾値温度とに基づき、前記単体測定装置ごとに前記温度変化に伴う校正を行うか否かを制御する校正制御ステップ(S10)と、を含むことを特徴とする。
In order to solve the above problems, the measuring method according to claim 6 of the present invention is a measuring method of the object to be tested (100) using the measuring system according to
この構成により、本発明の請求項6に係る測定方法は、温度変化が閾値温度を超えた単体測定装置のみ校正を実行し、温度変化が閾値温度を超えていない単体測定装置の校正を実行しないため、システム構成が拡張した場合でも校正の頻度及び時間の増大を抑えつつ、常に最低限の頻度及び時間で必要な校正を実施することができる。 With this configuration, the measuring method according to claim 6 of the present invention calibrates only the single measuring device whose temperature change exceeds the threshold temperature, and does not calibrate the single measuring device whose temperature change does not exceed the threshold temperature. Therefore, even when the system configuration is expanded, it is possible to always perform the necessary calibration with the minimum frequency and time while suppressing the increase in the frequency and time of calibration.
上記課題を解決するために、本発明の請求項7に係る測定方法は、請求項3に記載の測定システムを用いた被試験対象物(100)の測定方法であって、前記複数の試験の規格のうちの1つが選択指定された測定要求を受け付けて、該選択指定された前記試験の規格に対応して前記第2の制御テーブルに設定されている単体測定器及び経路を特定する特定ステップ(S25a)と、前記特定ステップで特定した単体測定器及び経路のうち、前記温度変化が前記閾値温度を超えている前記単体測定装置、及び前記経路に対する前記校正を実行し、前記温度変化が前記閾値温度を超えていない前記単体測定装置、及び前記経路に対する前記校正を実行しない校正制御ステップ(S25b)と、を含む構成であってもよい。 In order to solve the above problems, the measuring method according to claim 7 of the present invention is a measuring method of the object to be tested (100) using the measuring system according to claim 3, and is a method of measuring the object to be tested (100). A specific step in which one of the standards accepts a selectively specified measurement request and identifies a unit measuring instrument and a route set in the second control table corresponding to the selected and specified test standard. (S25a), among the unit measuring instruments and paths specified in the specific step, the unit measuring device whose temperature change exceeds the threshold temperature, and the calibration for the path are executed, and the temperature change is the said. The configuration may include the unit measuring device that does not exceed the threshold temperature, and a calibration control step (S25b) that does not perform the calibration for the path.
この構成により、本発明の請求項7に係る測定方法は、TC(試験の規格)に対応する経路によっても校正を実施、不実施とすることで校正の頻度及び時間を大幅に低減することができる。 With this configuration, the measurement method according to claim 7 of the present invention can significantly reduce the frequency and time of calibration by performing or not performing calibration even by a route corresponding to TC (test standard). can.
本発明は、単体測定装置及び測定経路の数が増えた場合でも最低限の頻度及び時間で必要な校正を実施することができる測定システム及び測定方法を提供することができる。 The present invention can provide a measurement system and a measurement method capable of performing necessary calibration with a minimum frequency and time even when the number of unit measuring devices and measurement paths increases.
以下、本発明に係る測定システム及び測定方法の実施形態について図面を用いて説明する。 Hereinafter, embodiments of the measurement system and measurement method according to the present invention will be described with reference to the drawings.
(第1の実施形態)
まず、本発明の第1の実施形態に係る測定システム1の構成について図1ないし図3を参照して説明する。
(First Embodiment)
First, the configuration of the
本実施形態に係る測定システム1は、図1に示すように、制御装置10と、複数の単体測定装置30と、信号ユニット40と、を有している。測定システム1において、制御装置10は、複数の単体測定装置30及び信号ユニット40と、例えばイーサネット(登録商標)等のネットワーク15を介して相互に通信可能に接続されている。制御装置10は、複数の単体測定装置30及び信号ユニット40を、ネットワーク15を介して統括的に制御する。具体的に、制御装置10は、DUT100の試験種別に応じて単体測定装置30を選択的に駆動し、DUT100の上記試験種別に関する測定の制御を行う。
As shown in FIG. 1, the
DUT100は、例えばLTE、5G NR等の種々の通信規格で動作する携帯電話などの無線端末機器、ルータ、スイッチングハブ、伝送装置などのネットワーク機器である。DUT100には、上記通信規格のIC(集積回路)や光モジュールといったデバイスも含まれる。
The
複数の単体測定装置30は、制御装置10の制御下で、LTE、5G NR等の種々の規格で動作するDUT100の測定を行うものであり、それぞれ例えば個別の測定機能を有する。単体測定装置30としては、例えば、DUT100に対して試験信号を送信する信号発生装置(SG:Signal Generator)、DUT100から送信される被測定信号を解析する信号解析装置(SA:Signal(Spectrum) Analyzer)、信号発生装置及び信号解析装置が一体化された装置などが用いられる。より具体的な単体測定装置30の例としては、例えば、W−CDMAシグナリングテスタ、ディジタル移動無線送信テスタ、誤り率測定器、シンセサイズド信号発生器、ベクトル信号発生器(変調妨害波)、ベクトル信号発生器(雑音源)、フェージングシミュレータ等が挙げられる。
The plurality of
図1においては、単体測定装置30として、3つの測定器30a、30b、30cを用いる構成を例示している。但し、本発明において、単体測定装置30は3台に限るものではなく、これよりも多い数や少ない数であってもよい。
FIG. 1 illustrates a configuration in which three measuring
測定器30a、30b、30cには、それぞれ、自装置の温度を検出する温度センサ31a、31b、31c(以下、温度センサ31a、31b、31c、・・をまとめて温度センサ31と呼称する場合がある)が設けられている。測定器30a、30b、30cにおいて、温度センサ31a、31b、31cによる温度検出対象部分は、ALC(自動レベル制御)部などの最も温度の影響を受けやすい部分であることが望ましい。温度センサ31a、31b、31cの検出出力は、ネットワーク15を介して制御装置10に伝送され、測定器30a、30b、30cを温度変化に応じて校正する際の制御データとして利用される。
In the measuring
信号ユニット40は、DUT100との間でRF信号の送受信を行うためのインターフェース機能である。信号ユニット40としては、例えば、RFスイッチドライバユニット、RFインターフェースユニット、RFコンバイナユニット、フィルタユニット、RFスイッチユニットなどが挙げられる。これら種々のユニットからなる信号ユニット40は、上述した複数の測定器30a、30b、30cとともに、測定条件(試験種別)に応じて選択的に(あるいは適宜組み合わせて)駆動される。
The
次に、制御装置10の構成について図2を参照して説明する。制御装置10は、例えば、パーソナル・コンピュータ(PC)等のコンピュータ装置により構成され、測定器30a、30b、30cを統括的に制御する制御PCとして機能する。
Next, the configuration of the
図2に示すように、制御装置10は、制御部11、操作部12、表示部13を有している。制御部11は、CPU11a、記憶部11b、外部インターフェース(I/F)部11cを有する。CPU11aは、例えば、記憶部11bに記憶されているプログラムを実行することで擬似基地局制御部20、設定制御部21、模擬通信制御部22、測定制御部23、表示制御部24、温度変化検出部25、校正制御部26、仮想接続先27などの各機能部を実現する。
As shown in FIG. 2, the
設定制御部21は、DUT100の測定のためのシナリオ(模擬通信対象の基地局を含む)の設定や、シミュレーション・パラメータの等の各種の設定処理を行うものである。模擬通信制御部22は、上述したシナリオにしたがって、予め模擬通信を行うための組み合わせが設定された測定器30a、30b、30cとDUT100との間の通信をシミュレーション・パラメータにしたがって模擬した模擬通信動作を実行させるものである。
The setting
測定制御部23は、模擬通信動作中に測定器30a、30b、30cとDUT100との間で送受信される信号を取得してDUT100が正常に動作するか否かを測定部で測定するための制御を行う。
The
表示制御部24は、模擬通信動作中に測定器30a、30b、30cとDUT100との間で送受信される信号に基づく当該DUT100の測定に関する測定関連情報等、各情報を表示部13に表示させる表示制御を実施する。後述するように、表示制御部24は、校正に関するログ情報を表示部13に表示させる制御機能を有していてもよい。
The
温度変化検出部25は、温度センサ31a、31b、31cの検出出力を取り込んで測定器30a、30b、30cの温度を検出するとともに、その検出した温度に基づき測定器30a、30b、30cごとの予め設定した所定期間における温度変化を検出する制御を行う。温度変化検出部25は、その検出結果(測定器30a、30b、30cごとの温度変化を示す情報)を校正制御部26に入力する。
The temperature
校正制御部26は、測定器30a、30b、30cの校正に関する制御を行う。校正に関する制御として校正制御部26はまず、例えば操作部12からの校正制御条件を規定する各設定項目の入力を受付け、入力された各設定項目によって校正制御条件が規定された校正制御テーブル28(図3参照)を設定する制御を行う。また、校正制御部26は、温度変化検出部25から測定器30a、30b、30cの温度変化を示す情報を取得し、その取得した温度変化を示す情報と校正制御テーブル28とに基づいて測定器30a、30b、30cを対象とする温度変化に応じた校正の制御を実施する。
The
仮想接続先27は、制御装置10の内部に組み込まれ、擬似基地局制御部20の制御によってDUT100と接続可能な相手先であり、仮想基地局、仮想サーバ、仮想電話装置、仮想ネットワークなどからなる。なお、擬似基地局制御部20は、所定のシナリオを実行してDUT100の通信動作試験を行うべく、DUT100と仮想接続先27との間の模擬通信動作の制御を行う。この制御は、操作部12での操作情報に基づいて設定制御部21、模擬通信制御部22、測定制御部23、さらには表示制御部24、表示部13の各部を統括制御することで実施される。
The
記憶部11bは、CPU11aが上記各機能部を実現するために必要なプログラムや、測定器30a、30b、30cに対する校正の制御に必要な校正制御テーブル(図3参照)等の各種情報を記憶する。
The
外部インターフェース(I/F)部11cは、制御装置10と、測定器30a、30b、30cあるいは信号ユニット40とをネットワーク15を介して接続するためのインターフェース機能を果たす。外部I/F部11cのインターフェース機能には、測定器30a、30b、30cにそれぞれ設けられる温度センサ31a、31b、31cの検出出力を、ネットワーク15を介して制御装置10に送出する機能も含まれる。
The external interface (I / F)
操作部12は、例えば制御装置10の筐体前面に設けられるスイッチやボタンなどの操作パネルで構成される。操作部12は、DUT100の通信動作試験の開始や停止の指示、表示部13に所望の表示を行うために必要な各種情報の設定を含め、DUT100の通信動作試験に必要な各種設定を選択的に実行可能な構成となっている。
The
表示部13は、液晶パネルなどの表示器で構成され、上述したコンフォーマンス試験(送信試験、受信試験、パフォーマンス試験等)に係る試験情報等、種々の情報を表示するものである。
The
このように、本実施形態に係る測定システム1は、複数の単体測定装置30と、システム専用品(信号ユニット40など)と、各種ソフトウェアの組み合わせで構成され、3GPP等の規格に基づいたコンフォーマンス試験を自動的に行うパフォーマンステストシステムを構成している。
As described above, the
また、本実施形態に係る測定システム1は、コンフォーマンス試験に先立って、測定器30a、30b、30cを、例えば温度変化に応じて校正する機能を有している。この校正の制御は、制御装置10のCPU11aに設けられた校正制御部26によって、例えば、記憶部11b内に予め格納されている校正制御テーブル28に基づいて実施される。
Further, the
校正制御テーブル28は、例えば、図3に示すように、測定器A(測定器30aに相当)、測定器B(測定器30bに相当)、測定器C(測定器30cに相当)に対応付けて、温度変化に応じた校正制御条件に関するデータを記憶したものである。校正制御テーブル28は、測定器A、B、Cにそれぞれ対応して「閾値」、「温度変化」、「校正」の各設定項目の欄が設けられている。これら各設定項目のうち、「閾値」の欄には、校正を実行するか否かを判定するための閾値温度が測定器A、B、Cにそれぞれ対応して設定される。「温度変化」の欄には、予め設定されている所定の監視期間中における測定器A、B、Cの温度変化(温度センサ31a、31b、31cの検出出力から検出する)が測定器A、B、Cにそれぞれ対応して設定(登録)される。「校正」の欄には、「温度変化」の欄に設定されている温度変化量が「閾値」の欄に設定されている閾値温度を超えているか否かに応じて、校正を実施することを示す「実施する」または校正を実施しないことを示す「実施しない」との設定値が測定器A、B、Cにそれぞれ対応して設定(登録)される。
As shown in FIG. 3, the calibration control table 28 is associated with measuring instrument A (corresponding to measuring
図3に示す校正制御テーブル28は、測定器Aについては、閾値が「5℃」、温度変化が「+7℃」、校正については「実施する」という各設定値が設定され、測定器Bについては、閾値が「10℃」、温度変化が「+9℃」、校正については「実施しない」という各設定値が設定され、測定器Cについては、閾値が「10℃」、温度変化が「+11℃」、校正については「実施する」という各設定値が設定されている状態を表している。 In the calibration control table 28 shown in FIG. 3, the threshold value is set to "5 ° C.", the temperature change is set to "+ 7 ° C.", and the calibration is set to "perform" for the measuring instrument A. The threshold value is set to "10 ° C", the temperature change is set to "+ 9 ° C", and the calibration is set to "do not perform". For the measuring instrument C, the threshold value is "10 ° C" and the temperature change is "+11". It indicates the state in which each set value of "° C" and "perform" for calibration is set.
校正制御部26は、温度変化検出部25より検出された測定器A、B、C(測定器30a、30b、30c)の所定期間における温度変化量(幅)と校正制御テーブル28とに基づき、測定器30a、30b、30cのうちの校正制御条件、すなわち、下式(1)の条件を満たすもののみ対象に校正を実施するように制御する。
閾値温度<温度変化量 ・・・ (1)
The
Threshold temperature <Temperature change amount ... (1)
ここで、測定器30a、30b、30cの校正の制御について説明する。本実施形態に係る測定システム1において、制御装置10は、測定モードと校正モードとを切り換えて設定可能である。制御装置10において、校正制御部26は、上述した所定の期間(監視期間)中における測定器30a、30b、30cの温度の変化を監視し、該温度変化量が校正制御条件を満たした単体測定装置30がある場合に校正モードを設定し、当該校正制御条件を満たした単体測定装置30の校正を実施する。
Here, the calibration control of the measuring
校正モードに移行すると、校正制御部26は、例えば、校正用の制御信号を信号ユニット40に送出して校正用試験用信号をDUT100に送信させる一方で、該校正用試験用信号を受信したDUT100が送出する信号(校正用被測定信号)を測定させるように当該単体測定装置30を制御する。引き続き、校正制御部26は、単体測定装置30が測定結果として出力信号を校正用の基準信号と比較しつつ、当該単体測定装置30の送受信のための機能部を、上記基準信号に一致する出力信号(測定結果)が得られるように調整する制御、すなわち校正の制御を実施する。その後、校正制御部26は、単体測定装置30の出力信号が基準信号に一致すること契機に校正モードを終了して測定モードに復帰させ、複数の単体測定装置30を駆動してDUT100の測定を開始させるように制御する。
When the mode shifts to the calibration mode, the
なお、校正モードにおいて、基準信号と一致すべく出力信号を調整するための要素としては、半導体部品により構成される各種の回路部、あるいは当該回路部の構成部品(半導体部品)などが挙げられる。この種の半導体回路の一例として、例えば、アンプ部や半導体方式のRFスイッチなどが存在する。このうち、アンプ部は、温度変化に応じて増幅率が変化し、それによって経路損が変わると、測定精度に大きな影響を与える。このため、測定精度を維持するためには、測定モードに移行する前(試験前)に、経路損を計測し、該経路損が基準信号に対応した経路損となるように調整する必要がある。こうした経路損の調整(すなわち、校正の制御)は、上述した基準信号に対応した経路損が得られるようにアンプ部の増幅率を調整制御することや計測値に補正を加えることにより実現できる。 In the calibration mode, as an element for adjusting the output signal so as to match the reference signal, various circuit parts composed of semiconductor parts, components (semiconductor parts) of the circuit parts, and the like can be mentioned. As an example of this type of semiconductor circuit, for example, there is an amplifier unit, a semiconductor type RF switch, and the like. Of these, in the amplifier section, if the amplification factor changes according to the temperature change and the path loss changes accordingly, the measurement accuracy is greatly affected. Therefore, in order to maintain the measurement accuracy, it is necessary to measure the path loss before shifting to the measurement mode (before the test) and adjust the path loss so that it corresponds to the reference signal. .. Such adjustment of the path loss (that is, control of calibration) can be realized by adjusting and controlling the amplification factor of the amplifier unit so that the path loss corresponding to the above-mentioned reference signal can be obtained, or by adding a correction to the measured value.
上述した校正に係る制御は、単体測定装置30内に限らず、測定経路(経路A、B、C)中に配置されるアンプA(アンプ33bに相当)、アンプB(アンプ33cに相当)などの電子部品33(図9参照)についても基準信号を用いて周波数ごとに実施する必要がある。周波数ごとに実施する必要があるのは、例えば、後述するTC(試験の規格)を指定したDUT100の測定においては、TCごとに求められる周波数が変わってくることに起因する。そのため、本実施形態に係る測定システム1では、電子部品33を含む経路の温度変化に起因する経路損等を、基準信号を用いて周波数ごとに検出し、その経路損をキャンセルするように各電子部品33のパラメータを調整したり、計測値に補正を加える制御を周波数ごとに実施するようになっている。
The control related to the above-mentioned calibration is not limited to the
上述した校正の制御を実現すべく、本実施形態に係る測定システム1では、所定の期間(図4のS5における「所定期間」参照)中の単体測定装置30の温度変化を監視し、該温度変化が事前に設定した閾値温度を超えた単体測定装置30のみを対象に上述した校正を実施するようにしている。本実施形態に係る測定システム1において、所定の期間は規定の時間(固定時間)であってもよいし、あるいは前回校正時からの経過時間等、流動性のある期間であってもよい。
In order to realize the above-mentioned calibration control, the
次に、本実施形態に係る測定システム1の制御装置10による校正制御について図4に示すフローチャートを参照して説明する。この制御において、校正制御部26はまず、校正制御テーブル28(図3参照)における「閾値」、「温度変化」、「校正」の各設定項目のうちの、「閾値」の設定値の入力を測定器A、B、Cごとに受付け、入力された設定値を測定器A、B、Cごとに「閾値」の欄に書き込むことで、校正制御テーブル28を初期状態に設定する(ステップS1)。上記設定値の入力は、例えば操作部12を操作することによって行うことができる。
Next, the calibration control by the
校正制御テーブル28の設定が完了した後、測定開始要求を受付けると(ステップS2)、制御装置10ではDUT100の測定を開始させるように制御する(ステップS3)。ここで制御装置10は、擬似基地局制御部20がネットワーク15を介して測定器30a、30b、30cを駆動してDUT100との間の模擬通信動作を実行させる。この模擬通信動作は、設定制御部21により予め設定されている測定用パタメータ等に基づいて実施される。模擬通信動作中、測定制御部23は、信号ユニット40を介してDUT100の試験用信号を送出させる一方で、該試験用信号を受信したDUT100が送信する被試験信号を信号ユニット40経由で測定器30a、30b、30cに受信させ、該信号の測定を行わせるように制御する。
When the measurement start request is received after the setting of the calibration control table 28 is completed (step S2), the
DUT100の測定が開始された後、制御装置10では、測定器30a、30b、30cに対する校正のための制御を開始する。この制御が開始されると、まず温度変化検出部25が、温度センサ31a、31b、31cの各検出出力に基づいて測定器30a、30b、30cの温度を検出し、該検出した測定器30a、30b、30cの温度を記憶部11bの所定領域に保持させる(ステップS4)。
After the measurement of the
次いで、温度変化検出部25は、予め設定した所定の期間(温度変化を監視するための期間)が経過したか否かを判定する(ステップS5)。ここで、所定の期間が経過していないと判定されると(ステップS5でNO)、温度変化検出部25はステップS5での所定の期間の経過監視処理を継続する。これに対し、所定の期間が経過したと判定されると(ステップS5でYES)、温度変化検出部25は、温度センサ31a、31b、31cの各検出出力に基づいて測定器30a、30b、30cの温度を検出する(ステップS6)。さらに温度変化検出部25は、ステップS4とステップS6での各測定結果に基づき、測定器30a、30b、30cの前回の監視タイミングからの温度変化(変化した温度の幅)を算出する(ステップS7)。
Next, the temperature
引き続き、校正制御部26は、ステップS7で算出された測定器30a、30b、30cの前回の監視タイミングからの温度変化の値に基づいて校正制御テーブル28を更新する(ステップS8)。具体的に、校正制御部26は、校正制御テーブル28を、例えば、図3に示すデータ内容となるように更新する。図3の例によれば、測定器30a、30b、30cについて、「温度変化」の欄がそれぞれ「+7℃」、「+9℃」、「+11℃」の値に更新され、「校正」の欄がそれぞれ校正を「実施する」、「実施しない」、「実施する」の値に更新されている。
Subsequently, the
さらに校正制御部26は、ステップS8で更新した校正制御テーブル28を参照し、校正制御条件を満たす単体測定装置30が存在するか否かを判定する(ステップS9)。具体的には、校正制御テーブル28において、「温度変化」の欄の値が「閾値」の欄の設定値を超え、「校正」の欄が「実施する」との設定値となっている単体測定装置30が存在するか否かを判定する。
Further, the
ここで校正制御条件を満たす単体測定装置30が存在しない旨の判定がなされた場合(ステップS9でNO)、校正制御部26はステップS11へと処理を進める。これに対し、校正制御条件を満たす単体測定装置30が存在する旨の判定がなされた場合(ステップS9でYES)、校正制御部26は、当該校正制御条件を満たす単体測定装置30に対する校正を実施し(ステップS10)、その後、ステップS11へと処理を進める。
If it is determined that the
ステップS11において、校正制御部26は、DUT100の測定終了要求を受付けたか否かを判定する。ここで測定終了要求を受付けていないと判定された場合(ステップS11でNO)、校正制御部26は、ステップS5からステップS11までの処理を上述した所定期間ごとに繰り返し実行する。これに対し、測定終了要求を受付けたと判定された場合(ステップS11でYES)、校正制御部26は、図4に示す校正に関する一連の制御を終了する。
In step S11, the
上述した一連の制御中、ステップS10での校正の制御については、校正制御テーブル28が例えば図3に示すデータ内容の設定状態にある期間にあっては、測定器A(測定器30a)及び測定器C(測定器30c)に対して校正が実施される。これは、当該期間において、測定器A及び測定器Cでは予め設定した閾値温度を超える温度変化が生じたからである。一方、このとき、予め設定した閾値温度を超える温度変化が生じていない測定器B(測定器30b)に対しては校正を実施しないように制御される。
In the series of controls described above, regarding the calibration control in step S10, during the period when the calibration control table 28 is in the set state of the data contents shown in FIG. 3, for example, the measuring instrument A (measuring
なお、本実施形態においては、制御装置10に、校正制御部26により実行された当該校正に関するログ情報を例えば記憶部11bに記憶しておき、ユーザによる例えば操作部12から表示要求操作に応じて、表示制御部24が、上記ログ情報を読み出して表示部13に表示する制御機能を付加した構成としてもよい。このような構成とし得るのは、以下の各実施形態においても同様である。
In the present embodiment, the
このように、第1の実施形態に係る測定システム1は、単体測定装置30としての複数の測定器30a、30b、30cとDUT100の試験に際して測定器30a、30b、30cを選択的に駆動し、上記試験に関するDUT100測定の制御を行う制御装置10と、を有し、制御装置10は、各測定器30a、30b、30cにそれぞれ設けられた温度センサ31の検出出力に基づき各測定器30a、30b、30cの所定期間における温度変化を検出する温度変化検出部25と、温度変化検出部25により検出された各測定器30a、30b、30cの温度変化と、各測定器30a、30b、30cに対応してそれぞれ設定されている閾値温度と、に基づき、測定器30a、30b、30cごとに温度変化に伴う校正を行うか否かを制御する校正制御部26と、を備えている。
As described above, the measuring
この構成により、第1の実施形態に係る測定システム1は、温度変化が閾値温度を超えた単体測定装置30のみ校正を実行し、温度変化が閾値温度を超えていない単体測定装置30の校正を実行しないため、システム構成が拡張した場合でも校正の頻度及び時間の増大を抑えつつ、常に最低限の頻度及び時間で必要な校正を実施することができる。
With this configuration, the
また、第1の実施形態に係る測定システム1は、測定器30a、30b、30cにそれぞれ対応付けて閾値温度が設定された校正制御テーブル28(図3参照)を有し、校正制御部26は、測定器30a、30b、30cの温度変化が校正制御テーブル28に設定された閾値温度を超えている場合は当該測定器30a、30b、30cに対する校正を実行し、閾値温度を超えていない場合は当該測定器30a、30b、30cに対する校正を実行しないような構成を有する。
Further, the
この構成により、第1の実施形態に係る測定システム1は、各単体測定装置30の温度を検出する温度センサ31の他、校正制御テーブル28を設けるだけの簡単な構成で、校正が必要な単体測定装置30に対してのみ校正を実施し、校正時間を短縮することができる。
With this configuration, the
また、第1の実施形態に係る測定システム1は、校正制御部26により実行された校正に関するログ情報を記憶する記憶部11bと、記憶部11bに記憶されたログ情報を表示部13に表示する表示制御部24と、をさらに有する構成である。この構成により、第1の実施形態に係る測定システム1は、表示部13に表示されたログ情報をみながら、過去に実施した校正の頻度や時間を容易に確認することができる。
Further, the
また、第1の実施形態に係る測定方法は、上記構成を有する測定システム1を用いたDUT100の測定方法であって、各測定器30a、30b、30cにそれぞれ設けられた温度センサ31の検出出力に基づき各測定器30a、30b、30cの所定期間における温度変化を検出する検出ステップ(S7)と、該検出ステップにより検出された各測定器30a、30b、30cの温度変化と、各測定器30a、30b、30cに対応してそれぞれ設定されている閾値温度とに基づき、測定器30a、30b、30cごとに温度変化に伴う校正を行うか否かを制御する校正制御ステップ(S10)と、を含む構成である。
The measurement method according to the first embodiment is a measurement method of the
この構成により、第1の実施形態に係る測定方法は、温度変化が閾値温度を超えた単体測定装置30のみ校正を実行し、温度変化が閾値温度を超えていない単体測定装置30の校正を実行しないため、システム構成が拡張した場合でも校正の頻度及び時間の増大を抑えつつ、常に最低限の頻度及び時間で必要な校正を実施することができる。
With this configuration, in the measurement method according to the first embodiment, only the
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態に係る測定システム1Aの構成について、図5ないし図7を参照して説明する。本実施形態に係る測定システム1Aは、全体として図5に示す構成を有している。図5において、第1の実施形態に係る測定システム1における各機能部と同一の機能部には同一の符号を付している。
(Second Embodiment)
Next, the configuration of the measurement system 1A according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 to 7. The measurement system 1A according to the present embodiment has the configuration shown in FIG. 5 as a whole. In FIG. 5, the same functional unit as each functional unit in the
図5に示すように、本実施形態に係る測定システム1Aは、第1の実施形態に係る測定システム1にはない構成として、測定器30d、30e、切換えスイッチ41を有している。測定器30d、30eには、それぞれの温度を検出するための温度センサ31(31b、31e)が設けられている。
As shown in FIG. 5, the measurement system 1A according to the present embodiment has measuring
測定器30dは、測定器30a、30b、30cと測定器30eとの間の測定経路(以下、経路)A、B、Cを、テストケース(Test Case:TC)に応じて適宜に切換える切換えボックスとしての機能を果たすものである。
The measuring
TCに応じた経路切換機能を果たす切換えボックスは、測定器30a、30b、30cのような測定機能は有していないものの、DUT100の測定に関与する信号が送受信されること、その信号が温度変化によって変動すると測定精度に影響を及ぼすこと、測定精度を維持するためには温度変化による校正を必要とすること、などの観点から、本実施形態では、測定器30a、30b、30c、30eと同様、あえて、温度変化による校正を必要とする測定器として分類している。
Although the switching box that performs the path switching function according to the TC does not have the measuring functions such as the measuring
図5に示す測定システム1Aの校正において、経路Aは、測定器Aと、測定器Eと、測定器D内における測定器Aと測定器E間の接続経路とを含んでいる。経路Bは、測定器Bと、測定器Eと、測定器D内における測定器Bと測定器E間の接続経路とを含んでいる。経路Cは、測定器Cと、測定器Eと、測定器D内における測定器Cと測定器E間の接続経路とを含んでいる。 In the calibration of the measuring system 1A shown in FIG. 5, the path A includes the measuring instrument A, the measuring instrument E, and the connection path between the measuring instrument A and the measuring instrument E in the measuring instrument D. The path B includes the measuring instrument B, the measuring instrument E, and the connection path between the measuring instrument B and the measuring instrument E in the measuring instrument D. The path C includes a measuring instrument C, a measuring instrument E, and a connection path between the measuring instrument C and the measuring instrument E in the measuring instrument D.
測定器30eは、測定器30a、30b、30cからそれぞれ経路A、B、C、切換えスイッチ41、信号ユニット40を経由して送出される試験用信号を受信したDUT100が送出する被試験信号を受信して上記TCに対応する信号の測定を行う測定機能を有するものである。
The measuring
切換えスイッチ41は、制御装置10Aの制御によって、経路A、B、Cと測定器30eまたは信号ユニット40との接続を切り換える機能部である。切換えスイッチ41は、例えば、DUT100に対して試験用信号等を送信する際には、そのときのTCに応じて経路A、B、Cのいずれかを信号ユニット40に接続してDUT100に対する信号の送信経路を形成する一方で、試験用信号や雑音信号を受信したDUT100が送信する被測定信号を受信する際には、経路A、B、Cのいずれかを測定器30eに接続してDUT100に対する信号の受信経路を形成する。
The
ここでTCと経路A、B、Cとの関係について説明する。周知のように、DUT100の試験は、例えば、DUT100が使用する信号を発生させた状態での通常の試験の他、DUT100が使用する信号に対する妨害波を発生させた状態での試験、DUT100との間で信号の送受信を行いつつ該DUT100が電波を出力しているか否かを確認する試験、DUT100との間で信号の送受信を行わない状態でDUT100が電波を出力していることを確認する試験等、極めて多種類のTCを想定して実施される。
Here, the relationship between TC and routes A, B, and C will be described. As is well known, the test of the
上記試験形態では、1つ1つのTC(試験の規格)ごとに使用する単体測定装置30(測定器30a、30b、30c、30d、30eなど)が異なるのが一般的である。このため、全てのTCに対応する試験を行うためには、制御装置10Aに対して、使用する単体測定装置30を経由する経路(経路A、B、Cなど)を各TCに対応して事前に設定しておく必要がある。これにより、制御装置10Aは、所望のTCを指定した測定開始要求を受付けて、測定器30eとの間にこのときのTCに対応する単体測定装置30を経由する経路を確立し、DUT100の当該TCに対応する測定を行うことが可能となる。
In the above test form, it is common that the unit measuring device 30 (measuring
このように、本実施形態に係る測定システム1Aは、TCを指定し該TCに対応する単体測定装置30を経由する経路を確立してDUT100の試験を実施する構成を前提としているところ、校正についても、TC単位で且つ単体測定装置30及び経路を対象に実施し得るようになっている。
As described above, the measurement system 1A according to the present embodiment is premised on the configuration in which the TC is designated, the route via the
測定システム1Aにおける制御装置10Aの構成は、第1の実施形態に係る測定システム1の制御装置10(図3参照)と基本的には同様である。したがって、以下に述べる制御装置10Aによる校正制御の動作説明については、図3に示す構成を援用するものとする。
The configuration of the
一方、制御装置10Aに実装される、温度変化に応じた校正を行うための制御プログラム(ソフトウェア)は第1の実施形態に係る測定システム1とは異なっている。測定システム1Aにおいて、制御装置10Aは、TC単位での経路及び単体測定装置30の校正を実施する(図8参照)ための制御プログラムを実装している。
On the other hand, the control program (software) mounted on the
上記制御プログラムによってTC単位での単体測定装置30及び経路の校正を実施すべく、本実施形態に係る測定システム1Aでは、例えば、図6に示す校正制御テーブル28a、及び図7に示すTC用校正制御テーブル29を有している。校正制御テーブル28a、及びTC用校正制御テーブル29は、TCを指定したDUT100の試験(測定)開始前に、制御装置10の例えば記憶部11bに事前に記憶(設定)される必要がある。
In order to calibrate the
校正制御テーブル28aは、例えば図6に示す構成を有し、測定器30d、30eに対応する校正制御条件が新たに付加されている以外は、第1の実施形態に係る校正制御テーブル28(図3参照)と同等のものである。具体的に、図6に示す校正制御テーブル28aは、「閾値」として、測定器30dについては「7℃」が設定され、測定器30eについては「8℃」が設定されている。また、図6においては、この校正制御テーブル28aは、DUT100の測定中のあるタイミングに、「温度変化」、及び「校正」の各欄の設定値が、それぞれ、(「+6℃」、「実施しない」)、及び(「+9℃」、「実施する」)というデータ内容に更新され得ることが示されている。
The calibration control table 28a has the configuration shown in FIG. 6, for example, and the calibration control table 28 according to the first embodiment (FIG. 6) except that the calibration control conditions corresponding to the measuring
TC用校正制御テーブル29は、図7に示すように、異なる複数のTC(この例では、TC1、TC2、TC3)に対応付けて、そのTCを実施するための単体測定装置30、単体測定装置30同士の接続経路、単体測定装置30内部における測定経路を示す経路情報と、各測定経路中における測定器30a、30b、30c、30d、30e、経路A、経路B、経路Cごとの校正の要否を示す情報を設定したものである。校正の要否を示す情報の設定値は、校正要の場合(校正を必要とする場合)には「校正」であり、校正否の場合(校正を必要としない場合)には空欄とするようになっている。なお、校正の要否を示す情報の設定値は校正の要否を区別できれば「校正」と空欄とは異なる他の設定値を使用してもよい。
As shown in FIG. 7, the TC calibration control table 29 is associated with a plurality of different TCs (TC1, TC2, TC3 in this example), and the
具体的に、図7に示すTC用校正制御テーブル29では、TC1については測定器30a、30d、30e、経路Aに対して校正を行う旨が設定されている。また、TC2については測定器30b、30d、30e、経路Bに対して校正を行う旨の設定がなされ、TC3については測定器30c、30d、30e、経路Cに対して校正を行う旨の設定がなされている。
Specifically, in the TC calibration control table 29 shown in FIG. 7, it is set that the TC1 is calibrated for the measuring
上述した構成を有する測定システム1Aにおいて、制御装置10Aは、校正制御テーブル28a、TC用校正制御テーブル29を用い、上記制御プログラムによって図8に示すフローチャートに沿った校正制御を実行する。
In the measurement system 1A having the above-described configuration, the
この校正制御が開始されると、制御装置10Aでは、校正制御テーブル28a(図6参照)における各設定項目のうちの、「閾値」の設定値の入力を測定器A、B、C、D、Eごとに受付け、入力された設定値を測定器A、B、C、D、Eごとに「閾値」の欄に書き込むことで、校正制御テーブル28aを設定する(ステップS21)。なお、この「閾値」の設定は、測定システム1Aの構成に変更が無ければ校正制御の実行の際に毎回行わなくてもよい。また、制御装置10Aは、例えば3種類のTC1、TC2、TC3に対応付けて、測定器30a、30b、30c、30d、30e、経路A、経路B、経路Cごとの校正の要否を示す情報を設定し、例えば図7に示すようなデータ内容のTC用校正制御テーブル29を設定する(ステップS21)。なお、データ内容に変更が無ければ校正制御の実行の際にTC用校正制御テーブル29を毎回設定しなくてもよい。
When this calibration control is started, the
校正制御テーブル28a、TC用校正制御テーブル29の設定が完了した後、TC1、TC2、TC3のいずれか1つを指定した測定開始要求(TCに基づく測定開始要求)を受付けると(ステップS22)、制御装置10Aでは指定されたTCに基づくDUT100の測定を開始させるように制御する(ステップS23)。このとき制御装置10Aの擬似基地局制御部20では、模擬通信制御部22が、指定された例えばTC1に対応する測定器30a、30d及び経路Aを選択的に駆動してDUT100との間の模擬通信動作を実行させ、測定制御部23がその模擬通信動作中にDUT100が送出する信号を測定器30eによって測定する測定動作を開始させるように制御する。
After the settings of the calibration control table 28a and the calibration control table 29 for TC are completed, when a measurement start request (measurement start request based on TC) specifying any one of TC1, TC2, and TC3 is accepted (step S22), The
ステップS23での例えばTC1に基づくDUT100の測定が開始された後、制御装置10Aでは、当該TC1に対応して設定される測定器30a、30d、30e、及び経路Aに対する校正の制御を開始する。この校正のための制御は、校正制御テーブル28aを更新する制御(ステップS24)と、更新後の校正制御テーブル28aとTC用校正制御テーブル29に基づく測定器30a、30d、30eに対する校正制御(ステップS25)とを含んでいる。
After the measurement of the
ステップS24における校正制御テーブル28aの更新制御は、TC1に対応して設定される測定器30a、30d、30e、及び経路Aに対して行われ、例えば、図4におけるステップS4〜S8と同等の制御により実現できる。具体的に、校正制御部26は、温度変化検出部25と協働して、校正制御テーブル28aを、例えば、図6に示す設定内容となるように更新する。図6の例によれば、TC1に対応して設定された測定器30a、30d、30eについて、「温度変化」の欄がそれぞれ「+7℃」、「+6℃」、「+9℃」の値に更新され、「校正」の欄がそれぞれ「実施する」、「実施しない」、「実施する」の値に更新されている。
The update control of the calibration control table 28a in step S24 is performed on the measuring
ステップS24における校正制御テーブル28aの更新制御が終了すると、次いで校正制御部26は、更新後の校正制御テーブル28aとTC用校正制御テーブル29に基づく校正制御を実行する(ステップS25)。
When the update control of the calibration control table 28a in step S24 is completed, the
ステップS25の校正制御において、校正制御部26はまず、TC用校正制御テーブル29を参照し、ステップS22で指定されたTC1に対応して設定されている測定器30a、30d、30e、及び経路Aを特定する(ステップS25a)。
In the calibration control in step S25, the
次いで、校正制御部26は、ステップS24で更新された校正制御テーブル28aを参照し、ステップS25aで特定した測定器30a、30d、30e、及び経路Aのうち、校正制御条件を満たすものに対する校正を実施する(ステップS25b)。
Next, the
ここで校正制御部26は、校正制御テーブル28aにおいて、測定器30a、30d、30eについて、「温度変化」の欄の値が「閾値」の欄の設定値を超え、「校正」の欄が「実施する」との設定値となっているか否かを判定する。そして、上記設定値となっている場合には校正を施し、上記設定値となっていない場合には校正を行わないように制御するようになっている。具体例として、校正制御テーブル28aが図6に示す設定状態のとき、校正制御部26は、測定器30aと測定器30eに対しては校正を実施する一方、測定器30dに対しては校正を実施しないように制御する。このとき、測定器30aと測定器30eに対して校正を行った結果、これらを経由する経路Aの校正も行われるようになっている。
Here, in the calibration control table 28a, the
ステップS25bでのTC1に対応する測定器30a、30d、30e、及び経路Aに対する校正の制御においては、各測定器30a、30d、30eの温度センサ31a、31d、31eの検出出力の収集は、例えば、第1の実施形態と同様のインターバル(所定期間)で実施されるようになっている。
In the calibration control for the measuring
ステップS25bでのTC1に対応して設定された測定器30a、30d、30e、及び経路Aに対する校正の制御を実行した後、引き続き、校正制御部26は、DUT100のTC1に基づく測定終了要求を受付けたか否かを判定する(ステップS26)。ここで測定終了要求を受付けていないと判定された場合(ステップS26でNO)、校正制御部26は、ステップS24からステップS26までの処理を上述した所定期間ごとに繰り返し実行する。この間にTC1の基づく測定終了要求を受付けたと判定された場合(ステップS26でYES)、校正制御部26は、図8に示すTCに基づく測定時の校正に関する一連の制御を終了する。
After executing the calibration control for the measuring
図8に示す一連の制御においては、ステップS22でTC2、あるいはTC3に基づく測定開始要求が受け付けられた場合も、ステップS24、S25a及びS25bの処理が、TC1に基づく測定開始要求が受け付けられた場合と同様に進行する。そして、ステップS25bにおいて、校正制御部26は、TC2に対応して設定される測定器30b、30d、30e、及び経路B、あるいはTC3に対応して設定される測定器30c、30d、30e、及び経路C(図7参照)が校正制御条件を満たすか否かについて校正制御テーブル28aを参照して判定する。
In the series of controls shown in FIG. 8, even when the measurement start request based on TC2 or TC3 is received in step S22, the processing of steps S24, S25a and S25b is the case where the measurement start request based on TC1 is received. Proceed in the same way as. Then, in step S25b, the
ここで、校正制御テーブル28aが図6に示す設定状態であるものとすると、当該ステップS25bにおいて、校正制御部26は、TC2に基づく測定時には、測定器30b、30d、30e及び経路Bのうち、予め設定した閾値温度を超える温度変化が生じた測定器30eに対して校正を実施し、閾値温度を超える温度変化が生じていない測定器30b、30dに対する校正は実施しないように制御する。また、校正制御部26は、TC3に基づく測定時には、測定器30c、30d、30e、及び経路Cのうち、閾値温度を超える温度変化が生じた測定器30c、30eに対しては校正を実施し、閾値温度を超える温度変化が生じていない測定器30dに対する校正は実施しないように制御する。
Here, assuming that the calibration control table 28a is in the setting state shown in FIG. 6, in the step S25b, the
このように、第2の実施形態に係る測定システム1Aは、校正制御テーブル28(図6参照)、及び複数のTC1、TC2、TC3に対応付けて校正対象となる測定器30a、30b、30c、30d、30e及び経路A、B、Cが設定されたTC用校正制御テーブル29(図7参照)を有し、校正制御部26は、複数のTC1、TC2、TC3のうちの1つのTCが選択指定された測定要求を受け付けて、該選択指定されたTCに対応してTC用校正制御テーブル29に設定されている測定器30a、30b、30c、30d、30e及び経路A、B、Cのうち、温度変化が閾値温度を超えている測定器例えば30a、30e、及び経路例えばAに対する校正を実行し、温度変化が閾値温度を超えていない測定器例えば30d、経路例えばBに対する校正を実行しないようになっている。
As described above, the measuring system 1A according to the second embodiment has the calibration control table 28 (see FIG. 6) and the measuring
この構成により、第2の実施形態に係る測定システム1Aは、第1の実施形態に係る測定システム1が有する作用効果に加え、TCに対応する経路A、B、Cでの温度変化の影響を受けやすいか受けにくいかを考慮した無駄のない校正を実行することができるという作用効果を奏する。
With this configuration, the measurement system 1A according to the second embodiment has an effect of temperature change in the paths A, B, and C corresponding to TC in addition to the action and effect of the
(第3の実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態に係る測定システム1Bの構成について、図9及び図10を参照して説明する。
(Third Embodiment)
Next, the configuration of the
本実施形態に係る測定システム1Bは、全体として図9に示す構成を有している。図9において、第2の実施形態に係る測定システム1Aにおける各機能部と同一の機能部には同一の符号を付している。
The
図9に本実施形態に係る測定システム1Bの一例として、経路A、B、Cのうちの測定器30d内部における経路部分が、それぞれ、パターンフィルタ33a、アンプ33b(アンプA)、アンプ33c(アンプB)といった電子部品33を含む構成を示す。
As an example of the
これらの電子部品33のうち、パターンフィルタ33aは、アンプ33b、33cに比べて温度の影響を受けにくいという性質がある。このため、測定システム1Bにおいて、パターンフィルタ33aは温度変化による校正の対象からは除外されている。
Among these
これに対し、アンプ33b、33cは、例えば半導体素子を用いた回路(半導体回路)で構成され、動作性能上、温度変化の影響を受けやすいという性質を有する。具体的には、温度変化により増幅率が変動し易く、該増幅率があるレベルを超えた場合には当該アンプ33b、33cをそれぞれ含む経路A、Bの経路損を増大せしめ測定精度に影響を及ぼす可能性がある。このため、測定システム1Bにおいて、アンプ33b、33cは温度変化による校正の対象とされ、それぞれの温度を検出する温度センサ31f、31gが設けられている。
On the other hand, the
本実施形態に係る測定システム1B(図9参照)は、経路Aがパターンフィルタ33aのみを含む経路であり、経路Bはアンプ33bを含む経路であり、経路Cがアンプ33cを含む経路であって、経路B、Cには、アンプ33b、33cの温度を検出する温度センサ31(31f、31g)が設けられる以外の構成は、第2の実施形態に係る測定システム1A(図5参照)と同様である。
In the
測定システム1Bにおける制御装置10Bの構成は、第2の実施形態に係る測定システム1Aと同様、第1の実施形態に係る測定システム1の制御装置10(図3参照)と基本的には同様である。したがって、以下に述べる制御装置10Bによる校正制御の動作説明についても図3に示す構成を援用するものとする。
The configuration of the
一方で、制御装置10Bに実装される、温度変化に応じた校正を行うための制御プログラム(ソフトウェア)は第2の実施形態に係る測定システム1Aとは異なっている。測定システム1Bにおいて、制御装置10Bは、TC単位での経路及び単体測定装置30の校正(第2の実施形態参照)とは別に、経路A、B、Cに対しては当該経路中の電子部品33の温度による影響を考慮して条件付きで、つまり、閾値温度を超えた場合に校正を実施する(図11参照)ための制御プログラムを実装している。
On the other hand, the control program (software) mounted on the
上記制御プログラムによってTC単位での経路及び単体測定装置30の校正を行うことを前提としつつ、経路に対して条件付きで校正を実施すべく、測定システム1Bでは、例えば、校正制御テーブル28a(図6参照)、TC用校正制御テーブル29(図7参照)の他、図10に示す経路用校正制御テーブル29aをさらに有している。校正制御テーブル28a、TC用校正制御テーブル29、及び経路用校正制御テーブル29aは、TCを指定したDUT100の試験(測定)開始前に、制御装置10Bの記憶部11bに事前に記憶される必要がある。
In order to conditionally calibrate the path on the premise that the path and the
本実施形態において、校正制御テーブル28a、TC用校正制御テーブル29は、それぞれ例えば、第2の実施形態に係る測定システム1Aで用いるもの(図6、図7参照)と同様のものを用いることができる。 In the present embodiment, the calibration control table 28a and the TC calibration control table 29 may be the same as those used in the measurement system 1A according to the second embodiment (see FIGS. 6 and 7), respectively. can.
経路用校正制御テーブル29aは、例えば、図10に示すように、TC用校正制御テーブル29に設定されている経路A、B、Cにそれぞれ対応して「温度変化の影響」、「閾値」、「温度変化」、「校正」の各設定項目の欄が設けられている。これら各設定項目のうち、「温度変化の影響」の欄には、経路A、B、Cが温度変化の影響を受けやすいか受けにくいかが当該経路A、B、Cにそれぞれ対応して設定される。「閾値」の欄には、校正を実行するか否かを判定するための閾値温度が経路B、Cにそれぞれ対応して設定される。「温度変化」の欄には、予め設定されている所定の監視期間中における経路B、Cの温度変化量(温度センサ31f、31gの検出出力から検出する)が当該経路B、Cにそれぞれ対応して設定される。「校正」の欄には、「温度変化」の欄に設定されている温度変化量が「閾値」の欄に設定されている閾値温度を超えているか否かに応じて、校正を実施することを示す「実施する」または校正を実施しないことを示す「実施しない」との設定値が経路B、Cにそれぞれ対応して設定される。
As shown in FIG. 10, for example, the path calibration control table 29a corresponds to the paths A, B, and C set in the TC calibration control table 29, and has "effect of temperature change", "threshold value", and so on. There are columns for each setting item of "temperature change" and "calibration". Of these setting items, in the "Effect of temperature change" column, it is set according to each of the paths A, B, and C whether the paths A, B, and C are susceptible to or not easily affected by the temperature change. Will be done. In the "threshold value" column, a threshold temperature for determining whether or not to execute calibration is set corresponding to the paths B and C, respectively. In the "Temperature change" column, the amount of temperature change of paths B and C (detected from the detection outputs of the
具体的に、図10に示す経路用校正制御テーブル29aでは、経路Aについては、該経路Aを構成する電子部品33が温度変化の影響を受けにくいパターンフィルタ33aであることから「温度変化の影響」の欄には「受けにくい」とする設定がなされ、「閾値」、「温度変化」及び「校正」の各欄については校正を実施しない旨の設定(空欄、若しくは「実施しない」)がなされている。
Specifically, in the path calibration control table 29a shown in FIG. 10, regarding the path A, since the
また、経路用校正制御テーブル29aは、経路Bについては、該経路Bを構成する電子部品33が温度の影響を受けやすいアンプ33bであることから「温度変化の影響」の欄には「受けやすい」とする設定がなされ、「閾値」の欄については、5℃という具体的な閾値温度が設定されている。
Further, in the path calibration control table 29a, with respect to the path B, since the
同様に、経路Cについても、該経路Cを構成する電子部品33が温度の影響を受けやすいアンプ33cであることから「温度変化の影響」の欄には「受けやすい」とする設定がなされ、「閾値」の欄については、10℃という具体的な閾値温度が設定されている。
Similarly, with respect to the path C, since the
なお、この経路用校正制御テーブル29aにおいて、経路B及びCに対応する「温度変化」及び「校正」の各欄の設定値は、DUT100の測定中に逐次更新される(図11のステップS35参照)ようになっている。経路用校正制御テーブル29aにおいて、経路B及びCに対応して設定される「温度変化の影響」の欄の設定値を、以下、温度変化管理用の管理情報と称するものとする。 In the path calibration control table 29a, the set values in the "temperature change" and "calibration" columns corresponding to the paths B and C are sequentially updated during the measurement of the DUT 100 (see step S35 in FIG. 11). ). In the path calibration control table 29a, the set value in the "effect of temperature change" column set corresponding to the paths B and C shall be hereinafter referred to as management information for temperature change management.
上述した構成を有する測定システム1Bにおいて、制御装置10Bは、校正制御テーブル28a、TC用校正制御テーブル29、及び経路用校正制御テーブル29aを用い、上記制御プログラムによって図11に示すフローチャートに沿った校正制御を実行する。
In the
この校正制御が開始されると、制御装置10Bではまず、校正制御テーブル28a(図6参照)、TC用校正制御テーブル29(図7参照)、及び経路用校正制御テーブル29a(図10参照)を設定する制御を行う(ステップS31)。校正制御テーブル28a(図6参照)、TC用校正制御テーブル29(図7参照)については、例えば、第2の実施形態に係る測定システム1Aと同等のものを用いることができる(図8のステップS21参照)。また、制御装置10Bは、経路用校正制御テーブル29aについては、例えば操作部12から経路A、B、Cにそれぞれ対応する「温度変化の影響」、「閾値」に関する上述した各設定値の入力を受付け、該入力された各設定値を経路A、B、Cの「温度変化の影響」の欄、「閾値」の欄にそれぞれ書き込むことで例えば図10に示す設定内容で設定する。なお、データ内容に変更が無ければ校正制御の実行の際に校正制御テーブル28a、TC用校正制御テーブル29、及び経路用校正制御テーブル29aを毎回設定しなくてもよい。
When this calibration control is started, the
校正制御テーブル28a、TC用校正制御テーブル29、経路用校正制御テーブル29aの設定が完了した後、TC1、TC2、TC3のいずれか1つを指定した測定開始要求(TCに基づく測定開始要求)を受付けると(ステップS32)、制御装置10Bでは指定されたTCに基づくDUT100の測定を開始させるように制御する(ステップS33)。このとき制御装置10Bの擬似基地局制御部20では、模擬通信制御部22が、指定された例えばTC1に対応する測定器30a、30d及び経路Aを選択的に駆動してDUT100との間の模擬通信動作を実行させ、測定制御部23がその模擬通信動作中にDUT100が送出する信号を測定器30eによって測定する測定動作を開始させるように制御する。
After the settings of the calibration control table 28a, the TC calibration control table 29, and the path calibration control table 29a are completed, a measurement start request (measurement start request based on TC) specifying any one of TC1, TC2, and TC3 is made. Upon acceptance (step S32), the
ステップS33でTC1に基づくDUT100の測定が開始された後、制御装置10Bでは、当該TC1に対応して設定される測定器30a、30d、30e、及び経路Aに対する校正の制御(ステップS34)を開始する。この校正のための制御(ステップS34)は、校正制御テーブル28aを更新する制御(ステップS35)と、更新後の校正制御テーブル28aとTC用校正制御テーブル29に基づく単体測定装置30に対する校正制御(ステップS36)と、経路用校正制御テーブル29aに基づく経路に対する校正制御(ステップS37)と、を含んでいる。
After the measurement of the
ステップS35における校正制御テーブル28aの更新制御は、TC1に対応して設定される測定器30a、30d、30eに対して行われ、例えば、図8におけるステップS24と同等の制御により実現できる。具体的に、校正制御部26は、校正制御テーブル28aを、例えば、図6に示す設定内容となるように更新する。図6の例によれば、TC1に対応して設定された測定器30a、30d、30eについて、「温度変化」の欄がそれぞれ「+7℃」、「+6℃」、「+9℃」の値に更新され、「校正」の欄がそれぞれ「実施する」、「実施しない」、「実施する」の値に更新されている。
The update control of the calibration control table 28a in step S35 is performed on the measuring
ステップS35における校正制御テーブル28aの更新制御が終了すると、次いで校正制御部26は、更新後の校正制御テーブル28aとTC用校正制御テーブル29に基づく単体測定装置30に対する校正制御を実行する(ステップS36)。
When the update control of the calibration control table 28a in step S35 is completed, the
ステップS36における校正の制御は、ステップS36a及びS36bを含んでいる。校正制御部26はまず、ステップS36aにおいて、TC用校正制御テーブル29を参照して、ステップS32で指定されたTC1に対応して設定されている測定器30a、30d、30e、及び経路Aを特定する(ステップS36a)。
The calibration control in step S36 includes steps S36a and S36b. First, in step S36a, the
次いで、校正制御部26は、ステップS35で更新された校正制御テーブル28aを参照して、ステップS36aで特定した測定器30a、30d、30eのうち、校正制御条件を満たすものに対する校正を実施する(ステップS36b)。ここで校正制御部26は、校正制御テーブル28aにおいて、測定器30a、30d、30eについて、「温度変化」の欄の値が「閾値」の欄の設定値を超え、「校正」の欄が「実施する」との設定値となっているか否かを判定する。そして、上記設定値となっている場合には校正を施し、上記設定値となっていない場合には校正を行わないように制御するようになっている。具体例として、校正制御テーブル28aが図6に示す設定状態のとき、校正制御部26は、測定器30aと測定器30eに対しては校正を実施する一方、測定器30dに対しては校正を実施しないように制御する。
Next, the
上記ステップS36bでの測定器30a及び測定器30eに対する校正の制御に続いて校正制御部26は、経路用校正制御テーブル29aに基づく経路に対する校正制御を実施する(ステップS37)。
Following the calibration control for the measuring
ステップS37における経路に対する校正の制御は、ステップS37a、S37b及びS37cを含んでいる。これにより、校正制御部26はまず、ステップS37aにおいて、ステップS36aで特定した経路Aに対応して設定されている管理情報を経路用校正制御テーブル29a(「温度変化の影響」の欄参照)から取得する(ステップS37a)。続くステップS37bにおいて、校正制御部26は、ステップS37aで取得した管理情報から経路Aが温度変化の影響を受けやすいか否かを判定する(ステップS37b)。
Control of calibration for the path in step S37 includes steps S37a, S37b and S37c. As a result, in step S37a, the
ここで、経路Aが温度変化の影響を受けにくいと判定された場合(ステップS37bでNO)、校正制御部26は、ステップS38へと処理を進める。これに対し、経路Aが温度変化の影響を受けやすいと判定された場合(ステップS37bでYES)、続くステップS37cにおいて、校正制御部26は、当該経路Aに対する校正を実施する(ステップS37c)。一例を挙げると、ここで校正制御部26は、経路用校正制御テーブル29aが例えば図10に示す設定状態のとき、経路Aに対して校正を行わないように制御する。
Here, when it is determined that the path A is not easily affected by the temperature change (NO in step S37b), the
上記ステップS37bの制御が終了した後、校正制御部26はステップS38へと処理を進める。なお、本実施形態では、ステップS36aに続いてステップS36bを行い、その後ステップS37の処理を行ったが、ステップS36aに続いて先にステップS37を行い、その後ステップS36bを行う処理でもよい。
After the control in step S37b is completed, the
ステップS38において、校正制御部26は、DUT100のTCに基づく測定終了要求を受付けたか否かを判定する。ここで測定終了要求を受付けていないと判定された場合(ステップS38でNO)、校正制御部26は、ステップS35からステップS38までの処理を上述した所定期間ごとに繰り返し実行する。この間に測定終了要求を受付けたと判定された場合(ステップS38でYES)、校正制御部26は、図11に示す校正に関する一連の制御を終了する。
In step S38, the
図11に示す校正に関する制御によれば、ステップS32でTC1に基づく測定開始要求が受け付けられた場合、ステップS36bにおいては、該TC1に対応してTC用校正制御テーブル29に設定された測定器A、測定器D及び測定器Eのうち、校正制御テーブル28aの「校正」の欄の設定値が「実施する」の値に設定されているものに対してのみ校正が実施される。また、このとき、ステップS39cでは、該TC1に対応してTC用校正制御テーブル29に設定された経路Aに対しては、経路用校正制御テーブル29aの「温度変化の影響」の欄の設定値が「受けにくい」という設定値であることを確認して校正を行わないようになっている。 According to the calibration control shown in FIG. 11, when the measurement start request based on TC1 is received in step S32, in step S36b, the measuring instrument A set in the TC calibration control table 29 corresponding to the TC1. , Measuring instrument D and measuring instrument E, the calibration is performed only for those whose setting value in the column of "calibration" of the calibration control table 28a is set to the value of "perform". Further, at this time, in step S39c, for the path A set in the TC calibration control table 29 corresponding to the TC1, the set value in the “effect of temperature change” column of the path calibration control table 29a. Is set to "difficult to receive" and is not calibrated.
また、図11に示す校正に関する制御によれば、ステップS32でTC2に基づく測定開始要求が受け付けられた場合、ステップS36bでは、該TC2に対応してTC用校正制御テーブル29に設定された測定器B、測定器D及び測定器Eのうち、校正制御テーブル28aの「校正」の欄の設定値が「実施する」の値に設定されているものに対してのみ校正が実施される。また、このとき、ステップS37cでは、該TC2に対応してTC用校正制御テーブル29に設定された経路Bに対しては、経路用校正制御テーブル29aの「温度変化の影響」の欄の設定値が「受けやすい」という設定値であることを確認したうえで、「校正」の欄の設定値が「実施する」という設定値である場合にのみ校正を実施するも、「校正」の欄の設定値が「実施しない」という設定値である場合には校正を実施しないようになっている。ここでの校正においては、経路B中のアンプA(アンプ33b)の増幅率を基準信号と一致する信号出力が得られるように調整する制御や増幅率の調整の代わりに計測値に補正を加えることなどが実施される。
Further, according to the calibration control shown in FIG. 11, when the measurement start request based on TC2 is received in step S32, in step S36b, the measuring instrument set in the TC calibration control table 29 corresponding to the TC2. Of B, measuring instrument D, and measuring instrument E, calibration is performed only for those in which the set value in the “calibration” column of the calibration control table 28a is set to the value of “perform”. Further, at this time, in step S37c, for the path B set in the TC calibration control table 29 corresponding to the TC2, the set value in the “effect of temperature change” column of the path calibration control table 29a. After confirming that is the setting value of "easy to receive", calibrate only when the setting value of the "calibration" column is the setting value of "perform", but in the "calibration" column If the set value is a set value of "do not perform", calibration is not performed. In the calibration here, the measured value is corrected instead of the control for adjusting the amplification factor of the amplifier A (
同様に、ステップS32でTC3に基づく測定開始要求が受け付けられた場合、ステップS36bでは、該TC3に対応してTC用校正制御テーブル29に設定された測定器C、測定器D及びEのうち、校正制御テーブル28aの「校正」の欄の設定値が「実施する」の値に設定されているものに対してのみ校正が実施される。また、このとき、ステップS37cでは、該TC3に対応してTC用校正制御テーブル29に設定された経路Cに対しては、経路用校正制御テーブル29aの「温度変化の影響」の欄の設定値が「受けやすい」という設定値であることを確認したうえで、「校正」の欄の設定値が「実施する」という設定値である場合にのみ校正を実施するも、「校正」の欄の設定値が「実施しない」という設定値である場合には校正を実施しないようになっている。ここでの校正においては、経路C中のアンプB(アンプ33c)の増幅率を基準信号と一致する信号出力が得られるように調整する制御や増幅率の調整の代わりに計測値に補正を加えることなどが実施される。
Similarly, when the measurement start request based on TC3 is received in step S32, in step S36b, among the measuring instruments C, measuring instruments D and E set in the TC calibration control table 29 corresponding to the TC3. Calibration is performed only for those in which the set value in the "calibration" column of the calibration control table 28a is set to the value of "perform". Further, at this time, in step S37c, for the path C set in the TC calibration control table 29 corresponding to the TC3, the set value in the “effect of temperature change” column of the path calibration control table 29a. After confirming that is the setting value of "easy to receive", calibrate only when the setting value of the "calibration" column is the setting value of "perform", but in the "calibration" column If the set value is a set value of "do not perform", calibration is not performed. In the calibration here, the measured value is corrected instead of the control for adjusting the amplification factor of the amplifier B (
このように、第3の実施形態に係る測定システム1Bは、単体測定装置30(特に、測定器30d)を構成する電子部品33(パターンフィルタ33a、アンプ33b、アンプ33cなど)のうち、温度の影響を受けやすいアンプ33b、アンプ33cなどの電子部品33に温度センサ31(温度センサ31f、31g)を取り付け、該温度センサ31の検出出力に基づき電子部品33単位に温度を監視し、温度が予め設定した閾値を超えた場合に限り当該電子部品33を含む経路の校正を実施するものである。
As described above, the measuring
具体的には、第3の実施形態に係る測定システム1Bは、校正制御テーブル28(図6参照)に加えて、複数のTC1、TC2、TC3に対応付けて校正対象となる測定器30a、30b、30c、30d、30e及び経路A、B、Cが設定されたTC用校正制御テーブル29(図7参照)と、経路A、B、Cに対応付けて温度変化の影響を受けやすいか受けにくいかを示す管理情報が設定された経路用校正制御テーブル29a(図10参照)と、をさらに有している。
Specifically, in the
そして、校正制御部26は、複数のTC1、TC2、TC3のうちの1つのTCが選択指定された測定要求を受け付けて、該選択指定されたTCに対応してTC用校正制御テーブル29に設定されている測定器30a、30b、30c、30d、30e及び経路A、B、Cのうち、温度変化が閾値温度を超えている測定器例えば30b、30c、30d、30e、及び経路用校正制御テーブル29aに温度変化の影響を受けやすいことを示す管理情報が設定されかつ温度変化が閾値温度を超えている経路例えばB中の電子部品33(あるいは経路C中の電子部品33)に関する校正を実行し、温度変化が閾値温度を超えていない測定器30a、及び経路用校正制御テーブル29aに温度変化の影響を受けにくいことを示す管理情報が設定されている経路例えばA中の電子部品33に関する校正を実行しないようになっている。
Then, the
この構成により、第3の実施形態に係る測定システム1Bは、TCに対応する経路A、B、Cによっても温度変化の影響を受けやすい部分と受けにくい部分とで校正を実施、不実施とすることで校正の頻度及び時間を大幅に低減することができる。
With this configuration, the
また、第3の実施形態に係る測定システム1Bは、温度変化の影響を受けやすいことを示す管理情報が設定されている経路B、経路C中の電子部品33は半導体素子からなるアンプ33b、アンプ33cであり、校正制御部26は、校正の実施に際してアンプ33b、アンプ33cの増幅率の調整や増幅率の調整の代わりに計測値に補正を加えるようになっている。
Further, the
この構成により、本実施形態に係る測定システム1Bは、TCに対応する経路B、C中に温度変化の影響を受けやすいアンプ33b、33cが配置されている構造であっても、該アンプ33b、33cの増幅率の調整や増幅率の調整の代わりに計測値に補正を加えることなどで高精度の校正を行い、DUT100の高精度の測定を実施できる。
With this configuration, the
また、第3の実施形態に係る測定方法は、上記構成を有する測定システム1Bを用いたDUT100の測定方法であって、複数のTC1、TC2、TC3のうちの1つのTCが選択指定された測定要求を受け付けて、該選択指定されたTCに対応してTC用校正制御テーブル29に設定されている測定器30a、30b、30c、30d、30e及び経路A、B、Cを特定する特定ステップ(S36a)と、特定ステップで特定した測定器30a、30b、30c、30d、30e及び経路A、B、Cのうち、温度変化が閾値温度を超えている測定器例えば30b、30c、30d、30e、及び経路用校正制御テーブル29aに温度変化の影響を受けやすいことを示す管理情報が設定されかつ温度変化が閾値温度を超えている経路例えばB中の電子部品33(あるいは経路C中の電子部品33)に関する校正を実行し、温度変化が閾値温度を超えていない測定器30a、及び経路用校正制御テーブル29aに温度変化の影響を受けにくいことを示す管理情報が設定されている経路例えばA中の電子部品33に関する校正を実行しない校正制御ステップ(S36b、S37c)と、を含む構成である。
Further, the measurement method according to the third embodiment is a measurement method of the
この構成により、第3の実施形態に係る測定方法は、TCに対応する経路によっても温度変化の影響を受けやすい部分と受けにくい部分とで校正を実施、不実施とすることで校正の頻度及び時間を大幅に低減することができる。 With this configuration, the measurement method according to the third embodiment calibrates the portion that is easily affected by the temperature change and the portion that is not easily affected by the temperature change depending on the path corresponding to the TC. The time can be significantly reduced.
なお、第1〜第3の各実施形態では、制御装置10、10A、10Bが独立した制御PCで構成される例を挙げているが、これに限らず、本発明においては、制御装置10、10A、10Bと同等の制御機能を有する制御機能部を、各単体測定装置30の制御部内に設ける構成としてもよい。
In each of the first to third embodiments, examples in which the
以上のように、本発明に係る測定システム及び測定方法は、単体測定装置及び測定経路の数が増えた場合でも最低限の頻度及び時間で必要な校正を実施することができるという効果を奏し、LTEやNRの無線通信規格を使用する通信端末の測定を複数の単体測定装置を用いて行うものであって、測定に先立って単体測定装置の校正を実施する機能を有する測定システム及び測定方法全般に有用である。 As described above, the measurement system and measurement method according to the present invention have the effect that necessary calibration can be performed with the minimum frequency and time even when the number of single measurement devices and measurement paths increases. Measurement of communication terminals using LTE and NR wireless communication standards is performed using a plurality of single measurement devices, and all measurement systems and measurement methods have a function of calibrating the single measurement devices prior to measurement. It is useful for.
1、1A、1B 測定システム
10、10A、10B 制御装置(制御部)
25 温度変化検出部(温度変化検出手段)
26 校正制御部(校正制御手段)
28 校正制御テーブル(第1の制御テーブル)
29 TC用校正制御テーブル(第2の制御テーブル)
29a 経路用校正制御テーブル(第3の制御テーブル)
30 単体測定装置
30a、30b、30c、30d、30e 測定器(単体測定装置)
31、31a、31b、31c、31d、31e、31f、31g 温度センサ
32a 経路A(経路)
32b 経路B(経路)
32c 経路C(経路)
33 電子部品
33a パターンフィルタ(電子部品)
33b アンプA(電子部品)
33c アンプB(電子部品)
100 被試験対象物(DUT)
TC1、TC2、TC3 測定の規格
1,1A,
25 Temperature change detection unit (Temperature change detection means)
26 Calibration control unit (calibration control means)
28 Calibration control table (first control table)
29 TC calibration control table (second control table)
29a Path calibration control table (third control table)
30
31, 31a, 31b, 31c, 31d, 31e, 31f, 31g Temperature sensor 32a Path A (path)
32b Route B (Route)
32c Route C (Route)
33
33b Amplifier A (electronic component)
33c Amplifier B (electronic component)
100 Object to be tested (DUT)
TC1, TC2, TC3 measurement standards
Claims (7)
被試験対象物(100)の試験に際して前記単体測定装置を選択的に駆動し、前記試験に関する前記被試験対象物の測定の制御を行う制御部(10)と、を有し、
前記制御部は、
前記各単体測定装置にそれぞれ設けられた温度センサ(31)の検出出力に基づき前記各単体測定装置の所定期間における温度変化を検出する温度変化検出手段(25)と、
前記温度変化検出手段により検出された前記各単体測定装置の温度変化と、前記各単体測定装置に対応してそれぞれ設定されている閾値温度とに基づき、前記単体測定装置ごとに前記温度変化に伴う校正を行うか否かを制御する校正制御手段(26)と、
を備えることを特徴とする測定システム。 Multiple single measuring devices (30) and
It has a control unit (10) that selectively drives the unit measuring device when testing the object to be tested (100) and controls the measurement of the object to be tested in relation to the test.
The control unit
A temperature change detecting means (25) for detecting a temperature change in a predetermined period of each unit measuring device based on a detection output of a temperature sensor (31) provided in each unit measuring device.
Based on the temperature change of each unit measuring device detected by the temperature change detecting means and the threshold temperature set corresponding to each unit measuring device, each unit measuring device is accompanied by the temperature change. A calibration control means (26) that controls whether or not to perform calibration, and
A measurement system characterized by being equipped with.
前記校正制御手段は、前記単体測定装置の温度変化が前記第1の制御テーブルに設定された前記閾値温度を超えている場合は該単体測定装置に対する前記校正を実行し、前記閾値温度を超えていない場合は該単体測定装置に対する前記校正を実行しないことを特徴とする請求項1に記載の測定システム。 It has a first control table (28) in which the threshold temperature is set in association with each of the plurality of single measuring devices.
When the temperature change of the single measuring device exceeds the threshold temperature set in the first control table, the calibration control means executes the calibration for the single measuring device and exceeds the threshold temperature. The measuring system according to claim 1, wherein the calibration is not performed on the single measuring device if there is no such device.
をさらに有し、
前記校正制御手段は、前記複数の試験の規格のうちの1つが選択指定された測定要求を受け付けて、該選択指定された前記試験の規格に対応して前記第2の制御テーブルに設定されている単体測定器及び経路を特定し、該特定した単体測定器及び経路のうち、前記温度変化が前記閾値温度を超えている前記単体測定装置、及び前記経路に対する前記校正を実行し、前記温度変化が前記閾値温度を超えていない前記単体測定装置、及び前記経路に対する前記校正を実行しないことを特徴とする請求項2に記載の測定システム。 A second control table (29) in which a single measuring device and a route (paths A, B, C) to be calibrated are set in association with a plurality of test standards (TC1, TC2, TC3).
Have more
The calibration control means receives a measurement request selected and specified by one of the plurality of test standards, and is set in the second control table corresponding to the selected and specified test standard. The unit measuring device and the path are specified, and among the specified unit measuring device and the path, the unit measuring device whose temperature change exceeds the threshold temperature and the calibration for the path are executed, and the temperature change is performed. The measuring system according to claim 2, wherein the unit measuring device does not exceed the threshold temperature, and the calibration is not performed on the path.
をさらに有し、
前記校正制御手段は、前記複数の試験の規格のうちの1つが選択指定された測定要求を受け付けて、該選択指定された前記試験の規格に対応して前記第2の制御テーブルに設定されている経路を特定し、該特定した経路のうち、前記第3の制御テーブルに温度変化の影響を受けやすいことを示す前記管理情報が設定されかつ前記温度変化が前記閾値温度を超えている前記経路に対する前記校正を実行し、前記温度変化が前記閾値温度を超えていない前記経路及び前記第3の制御テーブルに温度変化の影響を受けにくいことを示す前記管理情報が設定されている前記経路に対する前記校正を実行しないことを特徴とする請求項3に記載の測定システム。 A third control table (29a) in which management information indicating whether or not it is susceptible to temperature changes is set in association with the path.
Have more
The calibration control means receives a measurement request selected and specified by one of the plurality of test standards, and is set in the second control table corresponding to the selected and specified test standard. The route is specified, and among the specified routes, the management information indicating that the third control table is susceptible to the temperature change is set, and the temperature change exceeds the threshold temperature. The calibration for the path in which the temperature change does not exceed the threshold temperature and the management information indicating that the third control table is less susceptible to the temperature change is set. The measurement system according to claim 3, wherein no calibration is performed.
前記ログ情報記憶手段に記憶された前記ログ情報を表示部(13)に表示する表示制御手段(24)と、をさらに有することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の測定システム。 A log information storage means (11b) for storing log information related to the calibration executed by the calibration control means, and a log information storage means (11b).
The measurement system according to any one of claims 1 to 4, further comprising a display control means (24) for displaying the log information stored in the log information storage means on the display unit (13). ..
前記各単体測定装置にそれぞれ設けられた温度センサ(31)の検出出力に基づき前記各単体測定装置の所定期間における温度変化を検出する検出ステップ(S7)と、
前記検出ステップにより検出された前記各単体測定装置の温度変化と、前記設定ステップで前記各単体測定装置に対応してそれぞれ設定されている閾値温度とに基づき、前記単体測定装置ごとに前記温度変化に伴う校正を行うか否かを制御する校正制御ステップ(S10)と、を含むことを特徴とする測定方法。 A method for measuring an object to be tested (100) using the measurement system according to claim 1.
A detection step (S7) for detecting a temperature change in a predetermined period of each unit measuring device based on the detection output of the temperature sensor (31) provided in each unit measuring device.
The temperature change for each unit measuring device is based on the temperature change of each unit measuring device detected by the detection step and the threshold temperature set corresponding to each unit measuring device in the setting step. A measurement method comprising a calibration control step (S10) for controlling whether or not to perform calibration according to the above.
前記複数の試験の規格のうちの1つが選択指定された測定要求を受け付けて、該選択指定された前記試験の規格に対応して前記第2の制御テーブルに設定されている単体測定器及び経路を特定する特定ステップ(S25a)と、
前記特定ステップで特定した単体測定器及び経路のうち、前記温度変化が前記閾値温度を超えている前記単体測定装置、及び前記経路に対する前記校正を実行し、前記温度変化が前記閾値温度を超えていない前記単体測定装置、及び前記経路に対する前記校正を実行しない校正制御ステップ(S25b)と、を含むことを特徴とする測定方法。 A method for measuring an object to be tested (100) using the measurement system according to claim 3.
One of the plurality of test standards accepts a selection-designated measurement request, and a unit measuring instrument and a route set in the second control table corresponding to the selection-designated test standard. Specific step (S25a) to identify
Among the unit measuring instruments and paths specified in the specific step, the unit measuring device whose temperature change exceeds the threshold temperature and the calibration for the path are executed, and the temperature change exceeds the threshold temperature. A measuring method comprising the single measuring device and a calibration control step (S25b) that does not perform the calibration for the path.
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