JP2021132055A

JP2021132055A - Etched flexible substrate

Info

Publication number: JP2021132055A
Application number: JP2020024879A
Authority: JP
Inventors: 芳英西山; Yoshihide Nishiyama
Original assignee: Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date: 2020-02-18
Filing date: 2020-02-18
Publication date: 2021-09-09

Abstract

To provide an etched flexible substrate 10 capable of reducing transmission loss in high-frequency radio communication by causing surface roughness on a side face of a wire after etching is applied under a predetermined condition to become a predetermined value even without strictly managing the condition of etching.SOLUTION: In an etched flexible substrate 10, a flexible substrate 10a comprises a base film 11, an underlying metal layer 12 directly overlapping the base film 11 and a copper conductor layer 20 directly overlapping the underlying metal layer 12. Surface roughness Rz on a side face of a wire after applying etching to the flexible substrate 10a for a time corresponding to a total thickness of the copper conductor layer 20 and the underlying metal layer 12 with an etchant of a predetermined concentration is equal to or less than 1.0 μm. Thus, the surface roughness on a peripheral surface of the wire is reduced, thereby providing the etched flexible substrate 10 in which transmission loss with respect to high-frequency radio communication is reduced.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、エッチング後フレキシブル基板に関する。さらに詳しくは、エッチングにより配線が形成されたエッチング後フレキシブル基板に関する。 The present invention relates to a flexible substrate after etching. More specifically, the present invention relates to a post-etched flexible substrate in which wiring is formed by etching.

スマートフォン、携帯電話、タブレット端末などの携帯型電子端末におけるデータの送受信量が増大している。この送受信量に対応するため、これらの携帯型電子端末での通信速度は、より高速であること、すなわち高周波の無線通信であることが求められる。そのためこれらの携帯型電子端末に用いられる電子部品は、高周波の無線通信が行われた場合に伝送損失を、より低くすることが求められる。 The amount of data sent and received in portable electronic terminals such as smartphones, mobile phones, and tablet terminals is increasing. In order to correspond to this transmission / reception amount, the communication speed of these portable electronic terminals is required to be higher, that is, high-frequency wireless communication. Therefore, the electronic components used in these portable electronic terminals are required to have a lower transmission loss when high-frequency wireless communication is performed.

携帯型電子端末では、狭い空間に部品を配置する必要性が高く、樹脂フィルムをベースとしたＦＰＣ（ＦｌｅｘｉｂｌｅＰｒｉｎｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）が用いられている。多くのＦＰＣでは、ポリイミドフィルムがベースフィルムとして用いられている。このポリイミドフィルムが用いられたＦＰＣでは、特許文献１にあるように、ベースフィルムに乾式めっきをして下地金属層を形成した後、湿式めっきをして金属層を形成する製造方法が、多く採用されていた。 In a portable electronic terminal, it is highly necessary to arrange parts in a narrow space, and an FPC (Flexible Printed Circuit) based on a resin film is used. In many FPCs, a polyimide film is used as the base film. In FPCs using this polyimide film, as described in Patent Document 1, a manufacturing method in which a base film is dry-plated to form a base metal layer and then wet-plated to form a metal layer is often adopted. It had been.

特開２０１０−２０５７９９号公報JP-A-2010-205799

高周波信号は、ＦＰＣの配線の表層付近を流れることから、配線の周面の面粗さはできるだけ小さくなることが好ましい。配線の周面のうち上面は、湿式めっきの条件により所定の面粗さとすることが比較的容易である。これに対し、配線の側面は、エッチングにより出現し、面粗さを所定の値とするためには、エッチングの条件を厳密に制御する必要があるという問題がある。これは、特に湿式めっきを行う際に、銅導体層の結晶粒が大きい場合に顕著になる。例えば、湿式めっきが行われた後は時間の経過とともに結晶粒の大きさが変化するため、所定の面粗さを確保するためには、湿式めっき後の結晶粒の大きさに合わせたエッチング条件を選択する必要がある場合がある。 Since the high frequency signal flows near the surface layer of the wiring of the FPC, it is preferable that the surface roughness of the peripheral surface of the wiring is as small as possible. It is relatively easy to make the upper surface of the peripheral surface of the wiring a predetermined surface roughness depending on the wet plating conditions. On the other hand, the side surface of the wiring appears by etching, and there is a problem that the etching conditions must be strictly controlled in order to set the surface roughness to a predetermined value. This becomes remarkable especially when the crystal grains of the copper conductor layer are large, especially when performing wet plating. For example, since the size of crystal grains changes with the passage of time after wet plating is performed, etching conditions that match the size of crystal grains after wet plating are required to ensure a predetermined surface roughness. May need to be selected.

本発明は上記事情に鑑み、エッチングの条件を厳しく管理しなくても、あらかじめ定められた条件でエッチングを施した後の配線の側面における面粗さが所定の値となり、高周波の無線通信における伝送損失を少なくできるエッチング後フレキシブル基板を提供することを目的とする。 In view of the above circumstances, in view of the above circumstances, the surface roughness on the side surface of the wiring after etching is performed under predetermined conditions becomes a predetermined value without strictly controlling the etching conditions, and transmission in high-frequency wireless communication is performed. An object of the present invention is to provide a flexible substrate after etching that can reduce loss.

第１発明のエッチング後フレキシブル基板は、ベースフィルムと、該ベースフィルムに直接重畳された下地金属層と、該下地金属層に直接重畳された銅導体層とを備えたフレキシブル基板に、あらかじめ定められた濃度のエッチング液により、前記銅導体層の厚さに応じた時間でエッチングを施した後の配線の側面における面粗さＲｚが１．０μｍ以下であることを特徴とする。
第２発明のエッチング後フレキシブル基板は、第１発明において、前記銅導体層が、０．４Ａ／ｄｍ^２未満の電流密度で形成される低電流密度層と、０．４Ａ／ｄｍ^２以上の電流密度で形成される高電流密度層とを積層して形成されていることを特徴とする。
第３発明のエッチング後フレキシブル基板は、第２発明において、前記高電流密度層は、２つの前記低電流密度層に挟まれており、前記２つの低電流密度層間の厚さが１．００μｍ以下であることを特徴とする。
第４発明のエッチング後フレキシブル基板は、第１発明から第３発明のいずれかにおいて、前記ベースフィルムが、高周波対応ベースフィルムであることを特徴とする。
第５発明のエッチング後フレキシブル基板は、第１発明から第４発明のいずれかにおいて、前記下地金属層は、前記ベースフィルムに直接重畳されるニッケルクロム合金層と、該ニッケルクロム合金層に直接重畳される下地銅層とを含んで構成されており、前記ニッケルクロム合金層の厚さが２ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴とする。 The etched flexible substrate of the first invention is predetermined as a flexible substrate including a base film, a base metal layer directly superimposed on the base film, and a copper conductor layer directly superimposed on the base metal layer. The surface roughness Rz on the side surface of the wiring after etching with an etching solution having a high concentration for a time corresponding to the thickness of the copper conductor layer is 1.0 μm or less.
In the first invention, the etched flexible substrate of the second invention includes a low current density layer in which the ^{copper conductor layer is formed with a current density of less than 0.4 A / dm 2, and} ^{a current of 0.4 A / dm 2} or more. It is characterized in that it is formed by laminating a high current density layer formed with a density.
In the second invention, the etched flexible substrate of the third invention has the high current density layer sandwiched between the two low current density layers, and the thickness between the two low current density layers is 1.00 μm or less. It is characterized by being.
The post-etched flexible substrate of the fourth invention is characterized in that, in any one of the first to third inventions, the base film is a high frequency compatible base film.
In any one of the first to fourth inventions, the etched flexible substrate of the fifth invention is such that the base metal layer is directly superimposed on the nickel-chromium alloy layer and the nickel-chromium alloy layer directly superimposed on the base film. It is composed of a base copper layer to be formed, and is characterized in that the thickness of the nickel-chromium alloy layer is 2 nm or more and 50 nm or less.

第１発明によれば、あらかじめ定められた条件でエッチングを施した後の配線の側面における面粗さＲｚが１．０μｍ以下であることにより、配線の上面と平面とを含む周面の面粗さも小さくなるので、高周波の無線通信における伝送損失を小さくしたエッチング後フレキシブル基板を提供することができる。すなわちエッチングの条件を厳しく管理しなくても、高周波の無線通信における伝送損失を小さくしたエッチング後フレキシブル基板を提供することができる。
第２発明によれば、銅導体層が所定の電流密度未満の低電流密度層と、所定の電流密度以上の高電流密度層とを積層して形成されていることにより、銅導体層を形成するための電流密度の調整という簡易な方法で、銅導体層の結晶粒が大きくなることを抑制できる。
第３発明によれば、２つの低電流密度層間の厚さが１．００μｍ以下であることにより、より確実に再結晶時の結晶の大きさを抑制できる。
第４発明によれば、ベースフィルムが、高周波対応ベースフィルムであることにより、ポリイミドをベースフィルムとして採用した場合と比較して、高周波の無線通信における伝送損失をより小さくできる。
第５発明によれば、下地金属層を構成するニッケルクロム合金層の厚さが、２ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることにより、伝送損失が大きいニッケルクロム合金層が薄いので、より高周波の無線通信に適したエッチング後フレキシブル基板を提供することができる。 According to the first invention, the surface roughness Rz on the side surface of the wiring after etching under predetermined conditions is 1.0 μm or less, so that the surface roughness of the peripheral surface including the upper surface and the flat surface of the wiring is rough. Since the size is also small, it is possible to provide a flexible substrate after etching with a small transmission loss in high-frequency wireless communication. That is, it is possible to provide a post-etched flexible substrate in which transmission loss in high-frequency wireless communication is reduced without strictly controlling the etching conditions.
According to the second invention, the copper conductor layer is formed by laminating a low current density layer having a current density lower than a predetermined current density and a high current density layer having a current density equal to or higher than a predetermined current density. By a simple method of adjusting the current density for this purpose, it is possible to prevent the crystal grains of the copper conductor layer from becoming large.
According to the third invention, when the thickness between the two low current density layers is 1.00 μm or less, the size of the crystal at the time of recrystallization can be suppressed more reliably.
According to the fourth invention, since the base film is a high frequency compatible base film, the transmission loss in high frequency wireless communication can be further reduced as compared with the case where polyimide is adopted as the base film.
According to the fifth invention, since the thickness of the nickel-chromium alloy layer constituting the base metal layer is 2 nm or more and 50 nm or less, the nickel-chromium alloy layer having a large transmission loss is thin, so that it is suitable for higher frequency wireless communication. A flexible substrate can be provided after etching.

本発明の第１実施形態に係るエッチング後フレキシブル基板の斜視方向からの説明図である。It is explanatory drawing from the perspective direction of the after etching flexible substrate which concerns on 1st Embodiment of this invention. 図１のエッチング後フレキシブル基板の前段階のフレキシブル基板の断面図である。It is sectional drawing of the flexible substrate of the pre-stage of the flexible substrate after etching of FIG. 表皮効果を説明するための、ＦＰＣ上の配線の断面図である。It is sectional drawing of the wiring on FPC for demonstrating the skin effect. 図２のフレキシブル基板の製造に用いられるめっき装置の斜視図である。It is a perspective view of the plating apparatus used for manufacturing the flexible substrate of FIG. 図４のめっき装置を構成するめっき槽の平面図である。It is a top view of the plating tank which constitutes the plating apparatus of FIG. 第１実施例に係るエッチング後フレキシブル基板のＳＥＭ観察図である。It is a SEM observation figure of the flexible substrate after etching which concerns on 1st Example. 第２実施例に係るエッチング後フレキシブル基板のＳＥＭ観察図である。It is a SEM observation figure of the flexible substrate after etching which concerns on 2nd Example. 比較例のエッチング後のフレキシブル基板のＳＥＭ観察図である。It is a SEM observation figure of the flexible substrate after etching of a comparative example. 周波数と伝送損失の関係を表したグラフである。It is a graph which showed the relationship between a frequency and a transmission loss.

つぎに、本発明の実施形態を図面に基づき説明する。まずエッチング前のフレキシブル基板１０ａについて説明した後、エッチング後フレキシブル基板１０を説明する。ただし、以下に示す実施の形態は、本発明の技術思想を具体化するためのエッチング後フレキシブル基板１０を例示するものであって、本発明はエッチング後フレキシブル基板１０を以下のものに特定しない。なお、各図面が示す部材の大きさまたは位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。 Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. First, the flexible substrate 10a before etching will be described, and then the flexible substrate 10 after etching will be described. However, the embodiments shown below exemplify the post-etched flexible substrate 10 for embodying the technical idea of the present invention, and the present invention does not specify the post-etched flexible substrate 10 as the following. The size or positional relationship of the members shown in each drawing may be exaggerated to clarify the explanation.

（フレキシブル基板１０ａ）
図２には、本発明の第１実施形態に係るエッチング後フレキシブル基板１０の前段階に該当するフレキシブル基板１０ａの断面図を示す。図２に示すように、フレキシブル基板１０ａは、ベースフィルム１１と、このベースフィルム１１の一方の面に形成されている下地金属層１２と、この下地金属層１２に重畳して形成されている銅導体層２０と、を含んで構成されている。下地金属層１２は、たとえば、ベースフィルム１１側に設けられているニッケルクロム合金層１３と下地銅層１４とを積層して構成されている。なお、図２にはベースフィルム１１の一方の面に下地金属層１２等が形成されているものが開示されているが、ベースフィルム１１の両面に下地金属層１２等が形成されているフレキシブル基板１０ａをエッチングしたものも、本発明のエッチング後フレキシブル基板１０に含まれる。 (Flexible substrate 10a)
FIG. 2 shows a cross-sectional view of the flexible substrate 10a corresponding to the previous stage of the post-etched flexible substrate 10 according to the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 2, the flexible substrate 10a is formed by superimposing the base film 11, the base metal layer 12 formed on one surface of the base film 11, and the base metal layer 12. It is configured to include a conductor layer 20 and the like. The base metal layer 12 is formed by laminating, for example, a nickel-chromium alloy layer 13 provided on the base film 11 side and a base copper layer 14. Although FIG. 2 discloses a base film 11 having a base metal layer 12 or the like formed on one surface of the base film 11, a flexible substrate having a base metal layer 12 or the like formed on both sides of the base film 11. The etched 10a is also included in the etched flexible substrate 10 of the present invention.

（ベースフィルム１１）
フレキシブル基板１０ａで用いられるベースフィルム１１は、樹脂フィルム、例えばポリイミドフィルムが該当する。さらに、ポリイミドフィルムに対して、誘電特性が良い高周波対応ベースフィルムが好ましい。例えば、ＬＣＰ（ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌＰｌｙｍｅｒ）、またはＰＥＥＫ（ＰｏｌｙＥｔｈｅｒＥｔｈｅｒＫｅｔｏｎｅ）が、高周波対応ベースフィルムに該当する。これらのフィルムは、誘電特性が良く、高周波の無線通信に使用された場合でも伝送損失が大きくならない。ほかにも、ＰＥＴ（ＰｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅＴｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＰＥＮ（ＰｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅＮａｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＣＯＰ（ＣｙｃｌｏＯｌｅｆｉｎＰｏｌｙｍｅｒｓ）、ＳＰＳ（ＳｙｎｄｉｏｔａｃｔｉｃＰｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ）、ＣＯＣ（ＣｙｃｌｉｃＯｌｅｆｉｎＣｏｐｏｌｙｍｅｒ）などが高周波対応ベースフィルムとなりうる。 (Base film 11)
The base film 11 used in the flexible substrate 10a corresponds to a resin film, for example, a polyimide film. Further, a high frequency compatible base film having good dielectric properties is preferable to the polyimide film. For example, LCP (Liquid Crystal Primer) or PEEK (Poly Ether Ether Ketone) corresponds to a high-frequency compatible base film. These films have good dielectric properties and do not increase transmission loss even when used for high frequency wireless communication. In addition, PET (Polyethylene terephthalate), PEN (Polyethylene Naphthalate), PTFE (Polyethylene terephthaloethylene), COP (Cyclo Olefin Polymers), SPS (Synthetic Core), SPS (Syndic), etc.

（下地金属層１２）
フレキシブル基板１０ａは、銅導体層２０とベースフィルム１１との接着強度を上げるための下地金属層１２を有する。下地金属層１２は、ベースフィルム１１に直接重畳される。また、下地金属層１２は、ベースフィルム１１に直接重畳されるニッケルクロム合金層１３と、このニッケルクロム合金層１３に直接重畳される下地銅層１４と、を含んで構成されるのが好ましい。なお、ニッケルクロム合金層１３は、ニッケルのみからなるニッケル層、またはクロムのみからなるクロム層であっても問題ない。 (Base metal layer 12)
The flexible substrate 10a has a base metal layer 12 for increasing the adhesive strength between the copper conductor layer 20 and the base film 11. The base metal layer 12 is directly superimposed on the base film 11. Further, the base metal layer 12 is preferably configured to include a nickel-chromium alloy layer 13 directly superimposed on the base film 11 and a base copper layer 14 directly superimposed on the nickel-chromium alloy layer 13. The nickel-chromium alloy layer 13 may be a nickel layer made of only nickel or a chromium layer made of only chromium.

ニッケルクロム合金層１３は、乾式めっき法であるスパッタリングにより形成されるのが好ましい。なおニッケルクロム合金層１３の形成は、他の乾式めっきである真空蒸着、イオンプレーティングであっても問題ない。 The nickel-chromium alloy layer 13 is preferably formed by sputtering, which is a dry plating method. The nickel-chromium alloy layer 13 may be formed by vacuum vapor deposition or ion plating, which is another dry plating method.

ニッケルクロム合金層１３の厚さは２ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。さらにニッケルクロム合金層１３の厚さは２ｎｍ以上４ｎｍ以下であることが、より好ましい。ニッケルクロム合金層１３の厚さが２ｎｍ未満である場合は、その後の各処理工程時に密着性の問題が生じやすい。また５０ｎｍよりも厚い場合は、配線加工時にニッケルまたはクロムの除去が困難になるとともに、ニッケルクロム合金層１３にクラックまたはそりが生じやすくなり、この点において、ベースフィルム１１と下地金属層１２との密着性の問題が生じやすくなる。加えてニッケルクロム合金層１３の厚さが５０ｎｍよりも大きいと、高周波での通信に影響を与える。この影響を少なくするためにニッケルクロム合金層１３の厚さは４ｎｍ以下がより好ましい。 The thickness of the nickel-chromium alloy layer 13 is preferably 2 nm or more and 50 nm or less. Further, the thickness of the nickel-chromium alloy layer 13 is more preferably 2 nm or more and 4 nm or less. When the thickness of the nickel-chromium alloy layer 13 is less than 2 nm, a problem of adhesion is likely to occur in each subsequent treatment step. If it is thicker than 50 nm, it becomes difficult to remove nickel or chromium during wiring processing, and cracks or warpage are likely to occur in the nickel-chromium alloy layer 13, and in this respect, the base film 11 and the base metal layer 12 Adhesion problems are more likely to occur. In addition, if the thickness of the nickel-chromium alloy layer 13 is larger than 50 nm, it affects communication at high frequencies. In order to reduce this effect, the thickness of the nickel-chromium alloy layer 13 is more preferably 4 nm or less.

高周波での通信が行われる場合、表皮効果により配線を通過する電流は、より表皮付近を流れることになる。図３には、表皮効果を説明するための、ＦＰＣ上の配線の断面図を示す。すなわち、図３は、フレキシブル基板１０ａに対しエッチング等を行った後のエッチング後フレキシブル基板１０の上に存在する配線のうちの一つを取り上げた断面図となる。ベースフィルム１１上に、ニッケルクロム合金層１３と下地銅層１４とからなる下地金属層１２が設けられており、この下地金属層１２に重畳して銅導体層２０が設けられている。 When high-frequency communication is performed, the current passing through the wiring due to the skin effect flows closer to the skin. FIG. 3 shows a cross-sectional view of the wiring on the FPC for explaining the skin effect. That is, FIG. 3 is a cross-sectional view showing one of the wirings existing on the flexible substrate 10 after etching after etching or the like on the flexible substrate 10a. A base metal layer 12 composed of a nickel-chromium alloy layer 13 and a base copper layer 14 is provided on the base film 11, and a copper conductor layer 20 is provided so as to be superimposed on the base metal layer 12.

例えば表皮効果が発生すると、電流は、表皮部分（図３でドット表示をした部分）で流れやすく、内部で流れにくくなる。実際には、表皮効果は段階的に表れるものであるが、図３では理解しやすくするために、表皮部分とその他の部分で分けて記載している。ここで表皮部分にはニッケルクロム合金層１３が含まれることとなり、電気抵抗を考慮すると、ニッケルクロム合金層１３の抵抗は銅導体層２０等よりも高く、電流は流れにくい。しかし、高周波での通信においては、表皮部分に流れる電流が大きくなるため、抵抗が高いニッケルクロム合金層１３が存在しない、またはできるだけ薄くするほうが配線全体の抵抗の減少につながると推定される。このため、ニッケルクロム合金層１３の厚さは４ｎｍ以下がより好ましい。 For example, when the skin effect occurs, the current easily flows in the skin portion (the portion indicated by dots in FIG. 3) and becomes difficult to flow inside. Actually, the skin effect appears step by step, but in FIG. 3, the skin part and the other parts are described separately for easy understanding. Here, the nickel-chromium alloy layer 13 is included in the skin portion, and considering the electric resistance, the resistance of the nickel-chromium alloy layer 13 is higher than that of the copper conductor layer 20 and the like, and current does not easily flow. However, in high-frequency communication, the current flowing through the skin portion becomes large, so it is presumed that the absence of the nickel-chromium alloy layer 13 having a high resistance or making it as thin as possible leads to a reduction in the resistance of the entire wiring. Therefore, the thickness of the nickel-chromium alloy layer 13 is more preferably 4 nm or less.

ニッケルクロム合金層１３におけるクロムの重量パーセントは１２パーセント以上５０パーセント以下であることが好ましい。 The weight percent of chromium in the nickel-chromium alloy layer 13 is preferably 12% or more and 50% or less.

下地銅層１４は、乾式めっき法によりニッケルクロム合金層１３に重畳して形成される。下地銅層１４は、乾式めっきであるスパッタリングにより形成されるのが好ましい。なお下地銅層１４の形成は、他の乾式めっきである真空蒸着、イオンプレーティングであっても問題ない。 The base copper layer 14 is formed by superimposing on the nickel-chromium alloy layer 13 by a dry plating method. The base copper layer 14 is preferably formed by sputtering, which is dry plating. The base copper layer 14 may be formed by vacuum vapor deposition or ion plating, which are other dry plating methods.

下地銅層１４の厚さは、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。下地銅層１４の厚さが５０ｎｍ未満である場合、ピンホールによる欠陥の軽減効果が少なくなるとともに、その後に行われる湿式めっきの際に通電不良を引き起こす可能性がある。また、５００ｎｍを超えると、下地銅層１４にクラックまたはそりが生じやすくなり、この点においてベースフィルム１１と下地金属層１２との密着性の問題を生じやすくなる。 The thickness of the base copper layer 14 is preferably 50 nm or more and 500 nm or less. If the thickness of the underlying copper layer 14 is less than 50 nm, the effect of reducing defects due to pinholes is reduced, and there is a possibility of causing poor energization during the subsequent wet plating. On the other hand, if it exceeds 500 nm, cracks or warpage are likely to occur in the base copper layer 14, and in this respect, a problem of adhesion between the base film 11 and the base metal layer 12 is likely to occur.

（銅導体層２０）
フレキシブル基板１０ａは、下地金属層１２に直接重畳された銅導体層２０を有する。銅導体層２０は、電解めっきにより下地金属層１２の表面に直接形成されている。フレキシブル基板１０ａが、セミアディティブ法によりフレキシブル配線基板となる場合は、銅導体層２０の厚さは０．１〜５μｍが一般的である。これはフレキシブル基板１０ａのハンドリング性が良好になるからである。また、フレキシブル基板１０ａが、サブトラクティブ法によりフレキシブル配線基板となる場合は、銅導体層２０の厚さは８〜１２μｍが一般的である。なおフレキシブル基板１０ａは、これらの厚さに限定されない。 (Copper conductor layer 20)
The flexible substrate 10a has a copper conductor layer 20 directly superimposed on the base metal layer 12. The copper conductor layer 20 is directly formed on the surface of the base metal layer 12 by electrolytic plating. When the flexible substrate 10a becomes a flexible wiring board by the semi-additive method, the thickness of the copper conductor layer 20 is generally 0.1 to 5 μm. This is because the handleability of the flexible substrate 10a is improved. When the flexible substrate 10a becomes a flexible wiring board by the subtractive method, the thickness of the copper conductor layer 20 is generally 8 to 12 μm. The flexible substrate 10a is not limited to these thicknesses.

フレキシブル基板１０ａに所定の条件でエッチングを施した後の、エッチング後フレキシブル基板１０の配線の側面における面粗さＲｚが１．０μｍ以下となるためには、銅導体層２０における結晶粒が、所定の大きさよりも大きくならないことが必要となる。銅導体層２０の結晶粒が大きくなることを抑制するための最もシンプルな方法は、図２に示すように、銅導体層２０が低電流密度層２１と高電流密度層２２とが交互に重畳して形成されている場合である。そして高電流密度層２２の厚さは、後述するように、０．２０μｍ以上１．００μｍ以下であることが好ましい。なお結晶粒が大きくなることを抑制する他の方法としては、異なる成分のめっき液を貯留しためっきのための槽を複数設ける方法、温度を互いに異ならせためっきのための槽を複数設ける方法が挙げられる。 After etching the flexible substrate 10a under predetermined conditions, in order for the surface roughness Rz on the side surface of the wiring of the flexible substrate 10 to be 1.0 μm or less after etching, the crystal grains in the copper conductor layer 20 are predetermined. It is necessary that it does not become larger than the size of. The simplest method for suppressing the growth of crystal grains in the copper conductor layer 20 is to alternately superimpose the low current density layer 21 and the high current density layer 22 on the copper conductor layer 20, as shown in FIG. This is the case when it is formed. The thickness of the high current density layer 22 is preferably 0.20 μm or more and 1.00 μm or less, as will be described later. As another method for suppressing the growth of crystal grains, there are a method of providing a plurality of tanks for plating in which plating solutions of different components are stored, and a method of providing a plurality of tanks for plating having different temperatures. Can be mentioned.

図２では、銅導体層２０は、２つの低電流密度層２１をそれぞれ順番に挟むように、３つの高電流密度層２２が設けられている。すなわち、まず下地金属層１２に直接重畳するように高電流密度層２２が設けられる。次に、これに直接重畳するように低電流密度層２１が設けられる。次に、これに直接重畳するように高電流密度層２２が設けられる。次に、これに直接重畳するように低電流密度層２１が設けられる。そして最後に高電流密度層２２が再度設けられる。図２の紙面において最も上側に位置している、この高電流密度層２２がフレキシブル基板１０ａの表面となる。 In FIG. 2, the copper conductor layer 20 is provided with three high current density layers 22 so as to sandwich the two low current density layers 21 in order. That is, first, the high current density layer 22 is provided so as to be directly superimposed on the base metal layer 12. Next, the low current density layer 21 is provided so as to directly superimpose on this. Next, the high current density layer 22 is provided so as to directly superimpose on this. Next, the low current density layer 21 is provided so as to directly superimpose on this. Finally, the high current density layer 22 is provided again. The high current density layer 22, which is located on the uppermost side of the paper surface of FIG. 2, serves as the surface of the flexible substrate 10a.

高電流密度層２２が下地金属層１２に直接重畳されていることにより、生産性を維持することできる。また、高電流密度層２２が、銅導体層２０のもっとも外側に設けられていることにより、フレキシブル基板１０ａの最も外側の面の光沢が良くなる。 Since the high current density layer 22 is directly superimposed on the base metal layer 12, productivity can be maintained. Further, since the high current density layer 22 is provided on the outermost side of the copper conductor layer 20, the glossiness of the outermost surface of the flexible substrate 10a is improved.

なお、低電流密度層２１または高電流密度層２２の層数は限定されない。加えて低電流密度層２１と高電流密度層２２が交互に積層されていることが好ましい。 The number of layers of the low current density layer 21 or the high current density layer 22 is not limited. In addition, it is preferable that the low current density layers 21 and the high current density layers 22 are alternately laminated.

また、低電流密度層２１とは、高電流密度層２２が電解めっきされている際の電流密度よりも低い電流密度で電解めっきがされている層であり、その厚さ方向のあらかじめ定められた範囲内において、その部分がめっきされている際の電流密度、めっき温度およびめっき液の成分が同じ条件でめっきされている層を言う。ここでいう「あらかじめ定められた範囲」とは、フレキシブル基板１０ａの生産者が任意に定めることができる。例えばあらかじめ定められた範囲は０．１μｍとすることができる。また電流密度、めっき温度およびめっき液の成分は、一定である必要はない。 The low current density layer 21 is a layer in which the high current density layer 22 is electrolytically plated with a current density lower than the current density when the high current density layer 22 is electrolytically plated, and is predetermined in the thickness direction thereof. Within the range, it refers to a layer in which the current density, plating temperature, and components of the plating solution when the portion is plated are plated under the same conditions. The "predetermined range" referred to here can be arbitrarily determined by the producer of the flexible substrate 10a. For example, the predetermined range can be 0.1 μm. Further, the current density, the plating temperature, and the components of the plating solution do not have to be constant.

例えばフレキシブル基板１０ａにおける低電流密度層２１における電流密度は０．２Ａ／ｄｍ^２以上０．４Ａ／ｄｍ^２未満とし、高電流密度層２２における電流密度は、０．４Ａ／ｄｍ^２以上１０Ａ／ｄｍ^２以下とすることができる。 For example, the current density in the low current density layer 21 of the flexible substrate 10a is 0.2 A / dm ² or more and less than 0.4 A / dm ² , and the current density in the high current density layer 22 is 0.4 A / dm ² or more and 10 A / dm. It can be ^{2 or less.}

銅導体層２０が所定の電流密度未満の低電流密度層２１と、所定の電流密度以上の高電流密度層２２とを積層して形成されていることにより、銅導体層２０を形成するための設備の調整という簡易な方法で、銅導体層２０の結晶粒が大きくなることを抑制できる。 The copper conductor layer 20 is formed by laminating a low current density layer 21 having a current density lower than a predetermined current density and a high current density layer 22 having a current density equal to or higher than a predetermined current density, thereby forming the copper conductor layer 20. It is possible to prevent the crystal grains of the copper conductor layer 20 from becoming large by a simple method of adjusting the equipment.

銅導体層２０を構成する高電流密度層２２の一層あたりの厚さが０．２０μｍ以上１．００μｍ以下であることが好ましい。上記では、低電流密度層２１の間には高電流密度層２２が１層だけであったが、２層以上の場合は、２つの低電流密度層２１の間の値が０．２０μｍ以上１．００μｍ以下であることが好ましい。この厚さは、層ごとに電流密度が変化する場合、その層を形成するための電解めっきの１回あたりの時間により制御可能である。ロールツーロールにより基材１０ｂを搬送しつつ電解めっきを行なう場合、基材１０ｂの搬送速度との関係で厚さ０．２０μｍ以上１．００μｍ以下の層が成膜されるめっき時間となるよう、各高電流密度区域ＨＺの長さが設定される。 The thickness of the high current density layer 22 constituting the copper conductor layer 20 is preferably 0.20 μm or more and 1.00 μm or less. In the above, there is only one high current density layer 22 between the low current density layers 21, but in the case of two or more layers, the value between the two low current density layers 21 is 0.20 μm or more 1 It is preferably 0.00 μm or less. This thickness can be controlled by the time per electroplating for forming the layer when the current density changes from layer to layer. When electrolytic plating is performed while transporting the base material 10b by roll-to-roll, the plating time is set so that a layer having a thickness of 0.20 μm or more and 1.00 μm or less is formed in relation to the transport speed of the base material 10b. The length of each high current density area HZ is set.

ここで、銅導体層２０の各層の厚さは、電解めっきにおける電流密度とめっき時間とから求められる。具体的には、数（１）に示すように、電流密度Ｊ［Ａ／ｄｍ^２］、めっき時間Ｔ［ｍｉｎ］および所定の係数ｋを乗じて厚さｄ［μｍ］が求められる。なお、係数ｋはめっき液などの条件に依存する値であり、試験により定められる。 Here, the thickness of each layer of the copper conductor layer 20 is obtained from the current density and the plating time in electrolytic plating. Specifically, as shown in the number (1), ^{the thickness d [μm] is obtained by multiplying the current density J [A / dm 2} ], the plating time T [min], and a predetermined coefficient k. The coefficient k is a value that depends on conditions such as the plating solution, and is determined by a test.

［数１］
ｄ＝ｋ×Ｊ×Ｔ・・・（１） [Number 1]
d = k × J × T ... (1)

このような構造を有する銅導体層２０は再結晶の進行が遅いという性質を有する。その理由は不明なところもあるが、概ね次の通りであると考えられる。銅導体層２０は銅めっき液の添加剤に由来する不純物の濃度が高い層（低電流密度層２１）と低い層（高電流密度層２２）とが交互に積層された構造を有する。銅導体層２０内の不純物により再結晶が阻害されるため、銅導体層２０の再結晶の進行が遅くなる。そして、２つの低電流密度層２１の間の厚さが０．２０〜１．００μｍの場合、銅導体層２０の再結晶の進行を遅くする効果が高い。 The copper conductor layer 20 having such a structure has a property that the progress of recrystallization is slow. The reason for this is unknown, but it is thought to be as follows. The copper conductor layer 20 has a structure in which a layer having a high concentration of impurities derived from an additive of a copper plating solution (low current density layer 21) and a layer having a low concentration (high current density layer 22) are alternately laminated. Since recrystallization is inhibited by impurities in the copper conductor layer 20, the progress of recrystallization of the copper conductor layer 20 is slowed down. When the thickness between the two low current density layers 21 is 0.25 to 1.00 μm, the effect of slowing the progress of recrystallization of the copper conductor layer 20 is high.

２つの低電流密度層２１間の厚さが１．００μｍ以下であることにより、より確実に再結晶時の結晶の大きさを抑制できる。 When the thickness between the two low current density layers 21 is 1.00 μm or less, the size of the crystal at the time of recrystallization can be suppressed more reliably.

（銅導体層２０の形成方法の一例の説明）
以下では、電解めっき時に電流密度を変更する方法により、銅導体層２０を形成する方法について、図４および図５により説明する。 (Explanation of an example of a method for forming the copper conductor layer 20)
Hereinafter, a method of forming the copper conductor layer 20 by a method of changing the current density during electrolytic plating will be described with reference to FIGS. 4 and 5.

図４には、フレキシブル基板１０ａの製造に用いられるめっき装置３の斜視図を、図５には、図４のめっき装置３を構成するめっき槽４０の平面図を示す。めっき装置３は、ロールツーロールにより長尺帯状の基材１０ｂを搬送しつつ、基材１０ｂに対して電解めっきを行う装置である。めっき装置３はロール状に巻回された基材１０ｂを繰り出す供給装置３１と、めっき後の基材１０ｂ（フレキシブル基板１０ａ）をロール状に巻き取る巻取装置３２と、を有する。 FIG. 4 shows a perspective view of the plating apparatus 3 used for manufacturing the flexible substrate 10a, and FIG. 5 shows a plan view of the plating tank 40 constituting the plating apparatus 3 of FIG. The plating device 3 is a device that performs electrolytic plating on the base material 10b while transporting the long strip-shaped base material 10b by roll-to-roll. The plating device 3 includes a supply device 31 that unwinds the base material 10b wound in a roll shape, and a winding device 32 that winds the base material 10b (flexible substrate 10a) after plating into a roll shape.

また、めっき装置３は基材１０ｂを搬送する上下一対のエンドレスベルト３３（下側のエンドレスベルト３３は図示省略）を有する。各エンドレスベルト３３には基材１０ｂを把持する複数のクランプ３４が設けられている。供給装置３１から繰り出された基材１０ｂは、その幅方向が鉛直方向に沿う懸垂姿勢となり、両縁が上下のクランプ３４に把持される。基材１０ｂはエンドレスベルト３３の駆動によりめっき装置３内を周回した後、クランプ３４から開放され、巻取装置３２で巻き取られる。 Further, the plating apparatus 3 has a pair of upper and lower endless belts 33 (the lower endless belt 33 is not shown) that conveys the base material 10b. Each endless belt 33 is provided with a plurality of clamps 34 for gripping the base material 10b. The base material 10b unwound from the supply device 31 is in a suspended posture in the width direction along the vertical direction, and both edges are gripped by the upper and lower clamps 34. The base material 10b circulates in the plating device 3 by driving the endless belt 33, is released from the clamp 34, and is wound by the winding device 32.

基材１０ｂの搬送経路には、前処理槽３５、めっき槽４０、および後処理槽３６が配置されている。基材１０ｂはめっき槽４０内を搬送されつつ、電解めっきによりその表面に銅導体層２０が成膜される。これにより、長尺帯状のフレキシブル基板１０ａが得られる。 A pretreatment tank 35, a plating tank 40, and a posttreatment tank 36 are arranged in the transport path of the base material 10b. While the base material 10b is conveyed in the plating tank 40, a copper conductor layer 20 is formed on the surface of the base material 10b by electrolytic plating. As a result, a long strip-shaped flexible substrate 10a can be obtained.

図４に示すように、めっき槽４０は基材１０ｂの搬送方向に沿った横長の単一の槽である。基材１０ｂはめっき槽４０の中心に沿って搬送される。めっき槽４０には銅めっき液が貯留されている。めっき槽４０内を搬送される基材１０ｂは、その全体が銅めっき液に浸漬されている。 As shown in FIG. 4, the plating tank 40 is a single horizontally long tank along the transport direction of the base material 10b. The base material 10b is conveyed along the center of the plating tank 40. A copper plating solution is stored in the plating tank 40. The entire base material 10b conveyed in the plating tank 40 is immersed in a copper plating solution.

銅めっき液は水溶性銅塩を含む。銅めっき液に一般的に用いられる水溶性銅塩であれば、特に限定されず用いられる。水溶性銅塩として、無機銅塩、アルカンスルホン酸銅塩、アルカノールスルホン酸銅塩、有機酸銅塩などが挙げられる。無機銅塩として、硫酸銅、酸化銅、塩化銅、炭酸銅などが挙げられる。アルカンスルホン酸銅塩として、メタンスルホン酸銅、プロパンスルホン酸銅などが挙げられる。アルカノールスルホン酸銅塩として、イセチオン酸銅、プロパノールスルホン酸銅などが挙げられる。有機酸銅塩として、酢酸銅、クエン酸銅、酒石酸銅などが挙げられる。 The copper plating solution contains a water-soluble copper salt. Any water-soluble copper salt generally used in the copper plating solution is used without particular limitation. Examples of the water-soluble copper salt include an inorganic copper salt, an alkane sulfonic acid copper salt, an alkanol sulfonic acid copper salt, and an organic acid copper salt. Examples of the inorganic copper salt include copper sulfate, copper oxide, copper chloride, and copper carbonate. Examples of the alkane sulfonic acid copper salt include copper methanesulfonate and copper propane sulfonate. Examples of the alkanol sulfonic acid copper salt include copper isethionic acid and copper propanol sulfonate. Examples of the organic acid copper salt include copper acetate, copper citrate, copper tartrate and the like.

銅めっき液に用いる水溶性銅塩として、無機銅塩、アルカンスルホン酸銅塩、アルカノールスルホン酸銅塩、有機酸銅塩などから選択された１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。例えば、硫酸銅と塩化銅とを組み合わせる場合のように、無機銅塩、アルカンスルホン酸銅塩、アルカノールスルホン酸銅塩、有機酸銅塩などから選択された１つのカテゴリー内の異なる２種類以上を組み合わせて用いてもよい。ただし、銅めっき液の管理の観点からは、１種類の水溶性銅塩を単独で用いることが好ましい。 As the water-soluble copper salt used in the copper plating solution, one type selected from inorganic copper salt, alkane sulfonic acid copper salt, alkanol sulfonic acid copper salt, organic acid copper salt and the like may be used alone, or two or more types may be used. May be used in combination. For example, as in the case of combining copper sulfate and copper chloride, two or more different types in one category selected from inorganic copper salt, alkane sulfonic acid copper salt, alkanol sulfonic acid copper salt, organic acid copper salt, etc. It may be used in combination. However, from the viewpoint of controlling the copper plating solution, it is preferable to use one kind of water-soluble copper salt alone.

銅めっき液は硫酸を含んでもよい。硫酸の添加量を調整することで、銅めっき液のｐＨおよび硫酸イオン濃度を調整できる。 The copper plating solution may contain sulfuric acid. By adjusting the amount of sulfuric acid added, the pH and sulfate ion concentration of the copper plating solution can be adjusted.

銅めっき液は一般的にめっき液に添加される添加剤を含む。添加剤として、レベラー成分、ポリマー成分、ブライトナー成分、塩素成分などが挙げられる。添加剤として、レベラー成分、ポリマー成分、ブライトナー成分、塩素成分などから選択された１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。 The copper plating solution contains additives that are generally added to the plating solution. Examples of the additive include a leveler component, a polymer component, a Brightner component, a chlorine component and the like. As the additive, one type selected from a leveler component, a polymer component, a Brightener component, a chlorine component and the like may be used alone, or two or more types may be used in combination.

レベラー成分は窒素を含有するアミンなどで構成される。レベラー成分として、特に限定されないが、ジアリルジメチルアンモニウムクロライド、ヤヌス・グリーンＢなどから選択された１種類を単独で、または２種類以上を組み合わせて用いることが好ましい。ポリマー成分として、特に限定されないが、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコール共重合体から選択された１種類を単独で、または２種類以上を組み合わせて用いることが好ましい。ブライトナー成分として、特に限定されないが、ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド（略称ＳＰＳ）、３−メルカプトプロパン−１−スルホン酸（略称ＭＰＳ）などから選択された１種類を単独で、または２種類以上を組み合わせて用いることが好ましい。塩素成分として、特に限定されないが、塩酸、塩化ナトリウムなどから選択された１種類を単独で、または２種類以上を組み合わせて用いることが好ましい。 The leveler component is composed of nitrogen-containing amines and the like. The leveler component is not particularly limited, but it is preferable to use one selected from diallyldimethylammonium chloride, Janus Green B, etc. alone or in combination of two or more. The polymer component is not particularly limited, but it is preferable to use one selected from polyethylene glycol, polypropylene glycol, and polyethylene glycol-polypropylene glycol copolymer alone or in combination of two or more. The Brightener component is not particularly limited, but one type selected from bis (3-sulfopropyl) disulfide (abbreviated as SPS), 3-mercaptopropane-1-sulfonic acid (abbreviated as MPS), etc. may be used alone or in two types. It is preferable to use the above in combination. The chlorine component is not particularly limited, but it is preferable to use one selected from hydrochloric acid, sodium chloride and the like alone or in combination of two or more.

銅めっき液の各成分の含有量は任意に選択できる。ただし、銅めっき液は銅を１５〜７０ｇ／Ｌ、硫酸を２０〜２５０ｇ／Ｌ含有することが好ましい。そうすれば、銅導体層２０を十分な速度で成膜できる。銅めっき液はブライトナー成分を１〜５０ｍｇ／Ｌ含有することが好ましい。そうすれば、析出結晶を微細化し銅導体層２０の表面を平滑にできる。銅めっき液はレベラー成分を１〜３００ｍｇ／Ｌ含有することが好ましい。そうすれば、突起を抑制し平坦な銅導体層２０を形成できる。銅めっき液はポリマー成分を１０〜１５００ｍｇ／Ｌ含有することが好ましい。そうすれば、基材１０ｂ端部への電流集中を緩和し均一な銅導体層２０を形成できる。銅めっき液は塩素成分を２０〜８０ｍｇ／Ｌ含有することが好ましい。そうすれば、異常析出を抑制できる。 The content of each component of the copper plating solution can be arbitrarily selected. However, the copper plating solution preferably contains 15 to 70 g / L of copper and 20 to 250 g / L of sulfuric acid. Then, the copper conductor layer 20 can be formed at a sufficient speed. The copper plating solution preferably contains a Brightener component of 1 to 50 mg / L. Then, the precipitated crystals can be made finer and the surface of the copper conductor layer 20 can be smoothed. The copper plating solution preferably contains a leveler component of 1 to 300 mg / L. Then, the protrusions can be suppressed and the flat copper conductor layer 20 can be formed. The copper plating solution preferably contains a polymer component of 10 to 1500 mg / L. Then, the current concentration on the end portion of the base material 10b can be relaxed and a uniform copper conductor layer 20 can be formed. The copper plating solution preferably contains a chlorine component of 20 to 80 mg / L. Then, abnormal precipitation can be suppressed.

銅めっき液の温度は２０〜３５℃が好ましい。また、めっき槽４０内の銅めっき液を攪拌することが好ましい。銅めっき液を攪拌する手段は、特に限定されないが、噴流を利用した手段を用いることができる。例えば、ノズルから噴出させた銅めっき液を基材１０ｂに吹き付けることで、銅めっき液を攪拌できる。 The temperature of the copper plating solution is preferably 20 to 35 ° C. Further, it is preferable to stir the copper plating solution in the plating tank 40. The means for stirring the copper plating solution is not particularly limited, but a means using a jet can be used. For example, the copper plating solution can be agitated by spraying the copper plating solution ejected from the nozzle onto the base material 10b.

図５に示すように、めっき槽４０の内部には、基材１０ｂの搬送方向に沿って複数のアノード４１が配置されている。また、基材１０ｂを把持するクランプ３４はカソードとしての機能も有する。アノード４１とクランプ３４（カソード）との間に電流を流すことで、基材１０ｂの表面に銅導体層２０を成膜できる。 As shown in FIG. 5, a plurality of anodes 41 are arranged inside the plating tank 40 along the transport direction of the base material 10b. Further, the clamp 34 that grips the base material 10b also has a function as a cathode. By passing an electric current between the anode 41 and the clamp 34 (cathode), the copper conductor layer 20 can be formed on the surface of the base material 10b.

なお、図５に示すめっき槽４０には、基材１０ｂの表裏両側にアノード４１が配置されているが、図２に示すフレキシブル基板１０ａの場合は、基材１０ｂの片面のみ通電される。 In the plating tank 40 shown in FIG. 5, anodes 41 are arranged on both the front and back sides of the base material 10b, but in the case of the flexible substrate 10a shown in FIG. 2, only one side of the base material 10b is energized.

めっき槽４０の内部に配置された複数のアノード４１は、それぞれに整流器が接続されている。したがって、アノード４１ごとに異なる電流密度となるように設定できる。図２に示すフレキシブル基板１０ａでは、めっき槽４０の内部が基材１０ｂの搬送方向に沿って、複数の区域に区分されている。各区域は一または複数の連続するアノード４１が配置された領域に対応する。 A rectifier is connected to each of the plurality of anodes 41 arranged inside the plating tank 40. Therefore, the current density can be set to be different for each anode 41. In the flexible substrate 10a shown in FIG. 2, the inside of the plating tank 40 is divided into a plurality of areas along the transport direction of the base material 10b. Each area corresponds to an area in which one or more contiguous anodes 41 are located.

各区域は低電流密度区域ＬＺまたは高電流密度区域ＨＺとして構成されている。低電流密度区域ＬＺでは電流密度がゼロか比較的低い「低電流密度」に設定されており、基材１０ｂに対して低電流密度での電解めっきを行う。高電流密度区域ＨＺでは電流密度が低電流密度よりも高い「高電流密度」に設定されており、基材１０ｂに対して高電流密度での電解めっきを行う。 Each zone is configured as a low current density zone LZ or a high current density zone HZ. In the low current density area LZ, the current density is set to zero or a relatively low "low current density", and the base material 10b is electrolytically plated at a low current density. In the high current density area HZ, the current density is set to "high current density", which is higher than the low current density, and the base material 10b is electrolytically plated at a high current density.

ここで、上述したように、低電流密度区域ＬＺにおける電流密度（低電流密度）を０．２Ａ／ｄｍ^２以上０．４Ａ／ｄｍ^２未満に設定することが好ましい。また、高電流密度区域ＨＺにおける電流密度（高電流密度）を０．４Ａ／ｄｍ^２以上１０Ａ／ｄｍ^２以下に設定することが好ましい。 Here, as described above, it is preferable to set the current density (low current density) in the low current density area LZ to 0.2 A / dm ² or more and less than 0.4 A / dm ^2. Further, it is preferable to set the current density (high current density) in the high current density area HZ to 0.4 A / dm ² or more and 10 A / dm ^{2 or less.}

なお、下地金属層１２に直接重畳される銅導体層２０は、高電流密度層２２であることが好ましい。銅導体層２０を、電流密度を変更して高電流密度層２２と低電流密度層２１とに分ける場合、電流密度を、あらかじめ定められた生産性を維持できる程度に高くすると同時に、めっき焼けが生じない程度に低くする必要がある。この電流密度は、高電流密度層２２が生成できる電流密度であるとともに、高電流密度層２２を生成できる電流密度の中でも、比較的低い電流密度であることが好ましい。具体的には、電流密度は、０．４Ａ／ｄｍ^２以上０．５Ａ／ｄｍ^２以下に設定されることが好ましい。 The copper conductor layer 20 directly superimposed on the base metal layer 12 is preferably a high current density layer 22. When the copper conductor layer 20 is divided into a high current density layer 22 and a low current density layer 21 by changing the current density, the current density is increased to such an extent that a predetermined productivity can be maintained, and at the same time, plating burns occur. It needs to be low enough not to occur. This current density is preferably a current density that can be generated by the high current density layer 22, and is preferably a relatively low current density among the current densities that can generate the high current density layer 22. Specifically, the current density is preferably set to ^{0.4 A / dm 2} or more and 0.5 A / dm ^{2 or less.}

低電流密度区域ＬＺと高電流密度区域ＨＺとは基材１０ｂの搬送方向に沿って交互に設けられていることが好ましい。低電流密度区域ＬＺの数は１つでもよいし、複数でもよい。高電流密度区域ＨＺの数は１つでもよいし、複数でもよい。基材１０ｂの搬送方向を基準として、最も上流の区域が低電流密度区域ＬＺであってもよいし、高電流密度区域ＨＺであってもよい。また、最も下流の区域が低電流密度区域ＬＺであってもよいし、高電流密度区域ＨＺであってもよい。なお、最も下流の区域が高電流密度区域ＨＺであることが好ましい。 It is preferable that the low current density area LZ and the high current density area HZ are alternately provided along the transport direction of the base material 10b. The number of low current density areas LZ may be one or plural. The number of high current density areas HZ may be one or plural. The most upstream area may be the low current density area LZ or the high current density area HZ with reference to the transport direction of the base material 10b. Further, the most downstream area may be a low current density area LZ or a high current density area HZ. The most downstream area is preferably the high current density area HZ.

めっき槽４０に複数の低電流密度区域ＬＺが配置される場合、複数の低電流密度区域ＬＺにおける電流密度は同じでもよいし、異なってもよい。また、めっき槽４０に複数の高電流密度区域ＨＺが配置される場合、複数の高電流密度区域ＨＺにおける電流密度は同じでもよいし、異なってもよい。ただし、高電流密度区域ＨＺにおける電流密度は、基材１０ｂの搬送方向の下流側に向かって、段階的に上昇するよう設定することが好ましい。 When a plurality of low current density areas LZ are arranged in the plating tank 40, the current densities in the plurality of low current density areas LZ may be the same or different. Further, when a plurality of high current density areas HZ are arranged in the plating tank 40, the current densities in the plurality of high current density areas HZ may be the same or different. However, it is preferable that the current density in the high current density area HZ is set so as to gradually increase toward the downstream side in the transport direction of the base material 10b.

基材１０ｂの搬送方向に沿ってめっき槽４０の全領域に渡って、低電流密度区域ＬＺと高電流密度区域ＨＺとを交互に設けることができる。めっき槽４０のうち基材１０ｂの搬送方向に沿って下流側の一部領域に、低電流密度区域ＬＺと高電流密度区域ＨＺとを交互に設けることもできる。この場合、上流側の領域では、低電流密度区域ＬＺおよび高電流密度区域ＨＺとは異なる条件で電解めっきを行なってもよい。電解めっきの初期に電流密度を高くしすぎると、基材１０ｂのうち給電部（クランプ３４）と接触する部分が溶解することがある。それを防止しつつ生産性を高くするために、電流密度を段階的に上昇させることが行なわれる。めっき槽４０の上流側の領域では、電流密度を段階的に上昇させてもよい。 The low current density area LZ and the high current density area HZ can be alternately provided over the entire region of the plating tank 40 along the transport direction of the base material 10b. A low current density area LZ and a high current density area HZ can be alternately provided in a part of the plating tank 40 on the downstream side along the transport direction of the base material 10b. In this case, in the upstream region, electroplating may be performed under conditions different from those in the low current density area LZ and the high current density area HZ. If the current density is set too high at the initial stage of electroplating, the portion of the base material 10b that comes into contact with the feeding portion (clamp 34) may dissolve. In order to prevent this and increase productivity, the current density is gradually increased. In the region on the upstream side of the plating tank 40, the current density may be increased stepwise.

基材１０ｂは、低電流密度区域ＬＺと高電流密度区域ＨＺとを交互に通過しながら電解めっきされる。すなわち、めっき槽４０では基材１０ｂに対して、低電流密度での電解めっきと高電流密度での電解めっきとが交互に繰り返し行われる。これにより、銅導体層２０が成膜される。 The base material 10b is electroplated while alternately passing through the low current density area LZ and the high current density area HZ. That is, in the plating tank 40, electrolytic plating at a low current density and electrolytic plating at a high current density are alternately and repeatedly performed on the base material 10b. As a result, the copper conductor layer 20 is formed.

（フレキシブル基板１０ａのエッチング方法の説明）
フレキシブル基板１０ａは、以下のエッチングにより配線加工がおこなわれ、エッチング後フレキシブル基板１０が製造される。図１には、本発明の第１実施形態に係るエッチング後フレキシブル基板１０の斜視方向からの説明図を示す。 (Explanation of Etching Method for Flexible Substrate 10a)
The flexible substrate 10a is subjected to wiring processing by the following etching, and the flexible substrate 10 is manufactured after etching. FIG. 1 shows an explanatory view of the etched flexible substrate 10 according to the first embodiment of the present invention from a perspective direction.

フレキシブル基板１０ａの銅導体層２０表面に、ドライフィルムレジストを貼り付けて、露光、現像することで、配線形状のレジストがフレキシブル基板１０ａ上に得られる。この時のレジストは、例えばニッコー・マテリアルズ株式会社製ＮＩＴ５００であり、その厚さは１０μｍである。次に、この状態のフレキシブル基板１０ａに、４０℃の塩化第二鉄液を噴射することで、レジストで被覆されていない部分の銅導体層２０および下地金属層１２が溶解する。あらかじめ定められた濃度のエッチング液を用いて、銅導体層２０および下地金属層１２を合わせた厚さに応じた時間、例えば濃度１５ｗｔ％の塩化第二鉄液を７０秒間、シャワー圧０．３ＭＰａで、フレキシブル基板１０ａに噴射させることで、銅導体層２０および下地金属層１２の一部は溶解する。この際用いられるシャワーノズルの一例は、均等噴霧式のスプレーノズルであり、この場合、シャワー圧０．３ＭＰａは、スプレーノズル部での圧力となる。また、スプレーノズルからフレキシブル基板１０ａまでの距離は、例えば１５ｃｍとするのが好ましい。この条件は、例えば銅導体層２０の厚さが８．０μｍのときに用いられるのが好ましい。この状態のフレキシブル基板１０ａのレジストは、７０℃の水酸化ナトリウムで剥離される。このレジストが剥離されたものが、本実施形態に係るエッチング後フレキシブル基板１０である。なお、エッチング液は、濃度１５ｗｔ％の塩化第二鉄液だけでなく、濃度２ｗｔ％の塩化第二銅液を用いることも可能である。 By pasting a dry film resist on the surface of the copper conductor layer 20 of the flexible substrate 10a, exposing and developing the resist, a wiring-shaped resist can be obtained on the flexible substrate 10a. The resist at this time is, for example, NIT500 manufactured by Nikko Materials Co., Ltd., and its thickness is 10 μm. Next, by injecting a ferric chloride solution at 40 ° C. onto the flexible substrate 10a in this state, the copper conductor layer 20 and the base metal layer 12 in the portion not covered with the resist are dissolved. Using an etching solution with a predetermined concentration, a ferrous chloride solution with a concentration of 15 wt% was applied for 70 seconds for a time corresponding to the combined thickness of the copper conductor layer 20 and the base metal layer 12, and the shower pressure was 0.3 MPa. Then, by injecting it onto the flexible substrate 10a, a part of the copper conductor layer 20 and the base metal layer 12 is melted. An example of the shower nozzle used at this time is a uniform spray type spray nozzle, in which case the shower pressure of 0.3 MPa is the pressure at the spray nozzle portion. The distance from the spray nozzle to the flexible substrate 10a is preferably, for example, 15 cm. This condition is preferably used, for example, when the thickness of the copper conductor layer 20 is 8.0 μm. The resist of the flexible substrate 10a in this state is peeled off with sodium hydroxide at 70 ° C. The one from which the resist has been peeled off is the etched flexible substrate 10 according to the present embodiment. As the etching solution, not only a ferric chloride solution having a concentration of 15 wt% but also a cupric chloride solution having a concentration of 2 wt% can be used.

以下、本発明に係る銅張積層板１の具体的な実施例について説明するが、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, specific examples of the copper-clad laminate 1 according to the present invention will be described, but the present invention is not limited to these examples.

(実施例１)
＜フレキシブル基板１０ａ＞
ベースフィルム１１として、厚さ３５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産社製Ｕｐｉｌｅｘ−３５ＳＧＡＶ１）が用いられた。このベースフィルム１１に対し、マグネトロンスパッタリング装置により下地金属層１２が形成された。マグネトロンスパッタリング装置内にはニッケルクロム合金ターゲットと銅ターゲットとが設置されていた。ニッケルクロム合金ターゲットの組成はＣｒが２０質量％、Ｎｉが８０質量％であった。真空雰囲気下で、ベースフィルム１１の片面に、厚さ２５ｎｍのニッケルクロム合金からなるニッケルクロム合金層１３と、その上に厚さ１５０ｎｍの下地銅層１４が形成された。 (Example 1)
<Flexible substrate 10a>
As the base film 11, a polyimide film having a thickness of 35 μm (Upilex-35SGAV1 manufactured by Ube Industries, Ltd.) was used. A base metal layer 12 was formed on the base film 11 by a magnetron sputtering apparatus. A nickel-chromium alloy target and a copper target were installed in the magnetron sputtering apparatus. The composition of the nickel-chromium alloy target was 20% by mass of Cr and 80% by mass of Ni. Under a vacuum atmosphere, a nickel-chromium alloy layer 13 made of a nickel-chromium alloy having a thickness of 25 nm and a base copper layer 14 having a thickness of 150 nm were formed on one side of the base film 11.

銅導体層２０を形成するために用いられた銅めっき液は以下のようになる。銅めっき液は、硫酸銅を１２０ｇ／Ｌ、硫酸を７０ｇ／Ｌ、ブライトナー成分を１６ｍｇ／Ｌ、レベラー成分を２０ｍｇ／Ｌ、ポリマー成分を１，１００ｍｇ／Ｌ、塩素成分を５０ｍｇ／Ｌ含有していた。ブライトナー成分としてビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド（ＲＡＳＣＨＩＧＧｍｂＨ社製の試薬）が用いられた。レベラー成分としてジアリルジメチルアンモニウムクロライド−二酸化硫黄共重合体（ニットーボーメディカル株式会社製ＰＡＳ−Ａ―５）が用いられた。ポリマー成分としてポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコール共重合体（日油株式会社製ユニルーブ５０ＭＢ−１１）が用いられた。塩素成分として塩酸（和光純薬工業株式会社製の３５％塩酸）が用いられた。 The copper plating solution used to form the copper conductor layer 20 is as follows. The copper plating solution contains 120 g / L of copper sulfate, 70 g / L of sulfuric acid, 16 mg / L of Brightener component, 20 mg / L of leveler component, 1,100 mg / L of polymer component, and 50 mg / L of chlorine component. Was there. Bis (3-sulfopropyl) disulfide (reagent manufactured by RASCHIG GmbH) was used as the Brightener component. A diallyldimethylammonium chloride-sulfur dioxide copolymer (PAS-A-5 manufactured by Nittobo Medical Co., Ltd.) was used as a leveler component. A polyethylene glycol-polypropylene glycol copolymer (Unilube 50MB-11 manufactured by NOF CORPORATION) was used as the polymer component. Hydrochloric acid (35% hydrochloric acid manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was used as the chlorine component.

この銅めっき液が貯留されためっき槽４０に、下地銅層１４までが形成されている基材１０ｂが供給された。電解めっきによりこの基材１０ｂの片面に銅導体層２０が形成された。このときの、銅めっき液の温度は３１℃であった。また、電解めっきの間、ノズルから噴出させた銅めっき液を基材１０ｂの表面に対して略垂直に吹き付けることで、銅めっき液が撹拌された。 The base material 10b on which the underlying copper layer 14 was formed was supplied to the plating tank 40 in which the copper plating solution was stored. A copper conductor layer 20 was formed on one side of the base material 10b by electrolytic plating. At this time, the temperature of the copper plating solution was 31 ° C. Further, during the electrolytic plating, the copper plating solution ejected from the nozzle was sprayed substantially perpendicular to the surface of the base material 10b to stir the copper plating solution.

エッチングを施した後の配線の側面における面粗さＲｚが１．０μｍ以下となるように、実施例１では、表１に示すように、銅導体層２０が、低電流密度層２１と高電流密度層２２とを積層するように形成された。表１において、層番号は下地金属層１２の表面に接する層から順に採番されている。途中省略している８〜２３層目のうち偶数番目の層の電流密度は、低電流密度である０．３Ａ／ｄｍ^２であり、めっき時間も６層目と同じ５２秒である。奇数番目の層の電流密度は高電流密度である６．０Ａ／ｄｍ^２であり、めっき時間も７層目と同じ２６秒である。その結果、第４層から第２６層の低電流密度層２１では層の厚さは０．０６μｍとなり、第５層から第２７層の高電流密度層２２では層の厚さは０．５７μｍとなった。なお、第１〜第３層は、第４層以降の高電流密度層２２へのステップアップのための高電流密度層２２である。以上の工程により７．９μｍの銅導体層２０が得られた。 In Example 1, as shown in Table 1, the copper conductor layer 20 has a low current density layer 21 and a high current so that the surface roughness Rz on the side surface of the wiring after etching is 1.0 μm or less. It was formed so as to stack the density layer 22. In Table 1, the layer numbers are numbered in order from the layer in contact with the surface of the base metal layer 12. The current density of the even-numbered layers among the 8th to 23rd layers omitted in the middle is 0.3A / dm ² , which is a low current density, and the plating time is 52 seconds, which is the same as that of the 6th layer. The current density of the odd-numbered layer is 6.0 A / dm ² , which is a high current density, and the plating time is 26 seconds, which is the same as that of the seventh layer. As a result, the layer thickness of the low current density layers 21 of the 4th to 26th layers is 0.06 μm, and the layer thickness of the high current density layers 22 of the 5th to 27th layers is 0.57 μm. became. The first to third layers are high current density layers 22 for stepping up to the high current density layers 22 after the fourth layer. By the above steps, a 7.9 μm copper conductor layer 20 was obtained.

＜エッチング後フレキシブル基板１０＞
上記のフレキシブル基板１０ａに対して、厚さ１０μｍのドライフィルムレジストＮＩＴ５００が貼り付けられ、露光、現像された。そしてこの状態のフレキシブル基板１０ａに対して、濃度１５ｗｔ％、温度４０℃の塩化第二鉄液が７０秒間、シャワー圧０．３ＭＰａで噴射された。これによりエッチング後フレキシブル基板１０が得られた。 <Flexible substrate 10 after etching>
A dry film resist NIT500 having a thickness of 10 μm was attached to the flexible substrate 10a, exposed to light, and developed. Then, a ferric chloride solution having a concentration of 15 wt% and a temperature of 40 ° C. was sprayed onto the flexible substrate 10a in this state for 70 seconds at a shower pressure of 0.3 MPa. As a result, the flexible substrate 10 was obtained after etching.

エッチング後フレキシブル基板１０における配線の側面の状態を、ＳＥＭにより観察した結果を図６に示す。また、エッチング後フレキシブル基板１０の配線の端面の表面粗さはキーエンス製レーザー顕微鏡ＶＫ−９５１０により測定された。配線端面の長手方向で３０００倍にて１００μｍの線粗さを３回測定した結果、Ｒｚの平均値は０．４６μｍであった。加えて、実施例１のエッチング後フレキシブル基板１０において、周波数と伝送損失との関係を測定した図を図９に示す。この周波数と伝送損失の関係は、キーサイト社製マイクロ波ネットワーク・アナライザＥ８３６３Ｃにより測定された。伝送損失は、配線の最表面の面粗さ、ニッケルクロム合金層１３の厚さ、ベースフィルム１１の種類などによって異なるが、実施例１の構成に対しては、周波数１０ＧＨｚの際の伝送損失が−８ｄＢ／２００ｍｍよりも上であれば、合格とした。実施例１では、周波数１０ＧＨｚでの伝送損失は、−４．８ｄＢ／２００ｍｍであり、合格であった。 FIG. 6 shows the results of observing the state of the side surface of the wiring on the flexible substrate 10 after etching by SEM. After etching, the surface roughness of the end face of the wiring of the flexible substrate 10 was measured by a laser microscope VK-9510 manufactured by KEYENCE. As a result of measuring the line roughness of 100 μm three times in the longitudinal direction of the wiring end face at 3000 times, the average value of Rz was 0.46 μm. In addition, FIG. 9 shows a diagram in which the relationship between frequency and transmission loss was measured in the etched flexible substrate 10 of Example 1. The relationship between this frequency and transmission loss was measured by Keysight's microwave network analyzer E8633C. The transmission loss varies depending on the surface roughness of the outermost surface of the wiring, the thickness of the nickel-chromium alloy layer 13, the type of the base film 11, and the like. If it was above -8 dB / 200 mm, it was judged as acceptable. In Example 1, the transmission loss at a frequency of 10 GHz was -4.8 dB / 200 mm, which was acceptable.

(実施例２)
＜フレキシブル基板１０ａ＞
電解めっきによる銅導体層２０の形成方法が、表２に示すようになること以外は、実施例１と同じ方法でフレキシブル基板１０ａが製造された。 (Example 2)
<Flexible substrate 10a>
The flexible substrate 10a was manufactured by the same method as in Example 1 except that the method for forming the copper conductor layer 20 by electrolytic plating is as shown in Table 2.

エッチングを施した後の配線の側面における面粗さＲｚが１．０μｍ以下となるように、実施例２では、表２に示すように、銅導体層２０が、低電流密度層２１と高電流密度層２２とを積層するように形成された。表２において、層番号は下地金属層１２の表面に接する層から順に採番されている。途中省略している８〜１３層目のうち偶数番目の層の電流密度は、低電流密度である０．３Ａ／ｄｍ^２であり、めっき時間も６層目と同じ５２秒である。奇数番目の層の電流密度は高電流密度である６．０Ａ／ｄｍ^２であり、めっき時間も７層目と同じ４５秒である。その結果、第４層から第１６層の低電流密度層２１では層の厚さは０．０６μｍとなり、第５層から第１７層の高電流密度層２２では層の厚さは０．９９μｍとなった。なお、第１〜第３層は、第４層以降の高電流密度層２２へのステップアップのための高電流密度層２２である。以上の工程により７．７μｍの銅導体層２０が得られた。 In Example 2, as shown in Table 2, the copper conductor layer 20 has a low current density layer 21 and a high current so that the surface roughness Rz on the side surface of the wiring after etching is 1.0 μm or less. It was formed so as to stack the density layer 22. In Table 2, the layer numbers are numbered in order from the layer in contact with the surface of the base metal layer 12. The current density of the even-numbered layers among the 8th to 13th layers omitted in the middle is 0.3A / dm ² , which is a low current density, and the plating time is 52 seconds, which is the same as that of the 6th layer. The current density of the odd-numbered layer is 6.0 A / dm ² , which is a high current density, and the plating time is 45 seconds, which is the same as that of the seventh layer. As a result, the layer thickness of the low current density layers 21 of the 4th to 16th layers is 0.06 μm, and the layer thickness of the high current density layers 22 of the 5th to 17th layers is 0.99 μm. became. The first to third layers are high current density layers 22 for stepping up to the high current density layers 22 after the fourth layer. By the above steps, a 7.7 μm copper conductor layer 20 was obtained.

＜エッチング後フレキシブル基板１０＞
上記のフレキシブル基板１０ａに対して、厚さ１０μｍのドライフィルムレジストＮＩＴ５００が貼り付けられ、露光、現像された。そしてこの状態のフレキシブル基板１０ａに対して、濃度１５ｗｔ％、温度４０℃の塩化第二鉄液が７０秒間。シャワー圧０．３ＭＰａで噴射された。これによりエッチング後フレキシブル基板１０が得られた。 <Flexible substrate 10 after etching>
A dry film resist NIT500 having a thickness of 10 μm was attached to the flexible substrate 10a, exposed to light, and developed. Then, with respect to the flexible substrate 10a in this state, a ferric chloride solution having a concentration of 15 wt% and a temperature of 40 ° C. was applied for 70 seconds. The shower pressure was 0.3 MPa. As a result, the flexible substrate 10 was obtained after etching.

エッチング後フレキシブル基板１０における配線の側面の状態を、ＳＥＭにより観察した結果を図７に示す。測定方法は実施例１と同じである。測定した結果、Ｒｚは０．７８μｍであった。加えて、実施例２のエッチング後フレキシブル基板１０において、周波数と伝送損失との関係を測定した図を図９に示す。この周波数と伝送損失の関係は、実施例１と同じ測定装置により測定された。実施例２では、周波数１０ＧＨｚでの伝送損失は、−７．２ｄＢ／２００ｍｍであり、合格であった。 FIG. 7 shows the results of observing the state of the side surface of the wiring on the flexible substrate 10 after etching by SEM. The measuring method is the same as in Example 1. As a result of measurement, Rz was 0.78 μm. In addition, FIG. 9 shows a diagram in which the relationship between frequency and transmission loss was measured in the etched flexible substrate 10 of Example 2. The relationship between this frequency and the transmission loss was measured by the same measuring device as in Example 1. In Example 2, the transmission loss at a frequency of 10 GHz was −7.2 dB / 200 mm, which was acceptable.

(比較例１)
＜フレキシブル基板１０ａ＞
電解めっきによる銅導体層２０の形成方法が、表３に示すようになること以外は、実施例１と同じ方法でフレキシブル基板１０ａが製造された。 (Comparative Example 1)
<Flexible substrate 10a>
The flexible substrate 10a was manufactured by the same method as in Example 1 except that the method for forming the copper conductor layer 20 by electrolytic plating is as shown in Table 3.

比較例１では、表３に示すように、銅導体層２０が、電流密度の異なる４つの高電流密度層２２を積層するように形成された。表２において、層番号は下地金属層１２の表面に接する層から順に採番されている。第４層の高電流密度層２２では、６．０Ａ／ｄｍ^２の電流密度で、３４０秒電解めっきが実施された。なお、第１〜第３層は、第４層以降の高電流密度層２２へのステップアップのための高電流密度層２２である。以上の工程により７．８μｍの銅導体層２０が得られた。 In Comparative Example 1, as shown in Table 3, the copper conductor layer 20 was formed so as to stack four high current density layers 22 having different current densities. In Table 2, the layer numbers are numbered in order from the layer in contact with the surface of the base metal layer 12. In the high current density layer 22 of the fourth layer, electroplating was performed for 340 seconds at a current density of ^{6.0 A / dm 2.} The first to third layers are high current density layers 22 for stepping up to the high current density layers 22 after the fourth layer. By the above steps, a 7.8 μm copper conductor layer 20 was obtained.

＜エッチング後のフレキシブル基板＞
上記のフレキシブル基板１０ａに対して、厚さ１０μｍのドライフィルムレジストＮＩＴ５００が貼り付けられ、露光、現像された。そしてこの状態のフレキシブル基板１０ａに対して、濃度１５ｗｔ％、温度４０℃の塩化第二鉄液が７０秒間、シャワー圧０．３ＭＰａで噴射された。これによりエッチング後のフレキシブル基板が得られた。 <Flexible substrate after etching>
A dry film resist NIT500 having a thickness of 10 μm was attached to the flexible substrate 10a, exposed to light, and developed. Then, a ferric chloride solution having a concentration of 15 wt% and a temperature of 40 ° C. was sprayed onto the flexible substrate 10a in this state for 70 seconds at a shower pressure of 0.3 MPa. As a result, a flexible substrate after etching was obtained.

エッチング後のフレキシブル基板における配線の側面の状態を、ＳＥＭにより観察した結果を図８に示す。測定方法は実施例１と同じである。測定した結果、Ｒｚは１．１９μｍであった。加えて、比較例１のエッチング後のフレキシブル基板において、周波数と伝送損失との関係を測定した図を図９に示す。この周波数と伝送損失の関係は、実施例１と同じ測定装置により測定された。比較例１では、周波数１０ＧＨｚでの伝送損失は、−８．３ｄＢ／２００ｍｍであり、不合格であった。 FIG. 8 shows the results of observing the state of the side surface of the wiring on the flexible substrate after etching by SEM. The measuring method is the same as in Example 1. As a result of measurement, Rz was 1.19 μm. In addition, FIG. 9 shows a diagram in which the relationship between frequency and transmission loss was measured in the etched flexible substrate of Comparative Example 1. The relationship between this frequency and the transmission loss was measured by the same measuring device as in Example 1. In Comparative Example 1, the transmission loss at a frequency of 10 GHz was −8.3 dB / 200 mm, which was unacceptable.

１０エッチング後フレキシブル基板
１０ａフレキシブル基板
１１ベースフィルム
１２下地金属層
１３ニッケルクロム合金層
１４下地銅層
２０銅導体層
２１低電流密度層
２２高電流密度層
10 Flexible substrate after etching 10a Flexible substrate 11 Base film 12 Base metal layer 13 Nickel-chromium alloy layer 14 Base copper layer 20 Copper conductor layer 21 Low current density layer 22 High current density layer

Claims

A flexible substrate provided with a base film, a base metal layer directly superimposed on the base film, and a copper conductor layer directly superimposed on the base metal layer.
The surface roughness Rz on the side surface of the wiring after etching with a predetermined concentration of etching solution for a time corresponding to the combined thickness of the copper conductor layer and the base metal layer is 1.0 μm or less. ,
A flexible substrate after etching, which is characterized by being.

The copper conductor layer
It is formed by laminating a low current density layer formed with a current density of less than 0.4 A / dm ² and a high current density layer formed with a current density of ^{0.4 A / dm 2 or more.}
The post-etched flexible substrate according to claim 1.

The high current density layer is sandwiched between the two low current density layers.
The thickness between the two low current density layers is 1.00 μm or less.
The post-etched flexible substrate according to claim 2.

The base film
High frequency base film,
The post-etched flexible substrate according to any one of claims 1 to 3.

The base metal layer is composed of a nickel-chromium alloy layer directly superimposed on the base film and a base copper layer directly superimposed on the nickel-chromium alloy layer.
The thickness of the nickel-chromium alloy layer is 2 nm or more and 50 nm or less.
The post-etched flexible substrate according to any one of claims 1 to 4.