JP2021093482A - Manufacturing method of insulation circuit board - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000009413 insulation Methods 0.000 title description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 108
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 108
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 107
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 41
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 39
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 28
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 24
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 8
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 6
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 5
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 5
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 229910017945 Cu—Ti Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017518 Cu Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017752 Cu-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017943 Cu—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000220317 Rosa Species 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N copper zinc Chemical compound [Cu].[Zn] TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000000550 scanning electron microscopy energy dispersive X-ray spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
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Abstract
Description
本発明は、パワーモジュール用基板等の絶縁回路基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing an insulated circuit board such as a power module board.
パワーモジュール用基板として、セラミックス基板からなる絶縁層の一方の面に回路層が形成されるとともに、他方の面に放熱層が形成されたものが知られている。また、電子部品の小型化や高出力化により、高いパワー密度が求められる場合には、回路層の放熱性を高めるために、回路層に銅又は銅合金が用いられている。
特許文献1には、銅板に活性金属ろうの薄板をクラッドした複合ろう材をプレス抜き又は放電加工して回路パターンを形成し、この回路パターンを形成した複合ろう材を活性金属ろうの薄板側でセラミックス基板上に接合し、その後、複合ろう材の回路パターンの繋ぎ部分をエッチングして除去することが記載されている。
この場合、プレス抜きにより銅板を回路パターンに形成する場合に比べて、ワイヤカット放電加工により回路パターンに形成する方が、プレス金型の製作を省略できる分、納期を短くすることができる。
As a substrate for a power module, one in which a circuit layer is formed on one surface of an insulating layer made of a ceramic substrate and a heat radiating layer is formed on the other surface is known. Further, when high power density is required due to miniaturization and high output of electronic components, copper or a copper alloy is used for the circuit layer in order to improve the heat dissipation of the circuit layer.
In
In this case, as compared with the case where the copper plate is formed into a circuit pattern by punching, the case where the copper plate is formed into a circuit pattern by wire-cut electric discharge machining can shorten the delivery time because the production of the press die can be omitted.
ところで、活性金属ろう材を用いて銅板をセラミックス基板に接合すると、溶融したろう材の余剰分がセラミックス基板と銅板との間から漏れ出し、銅板の側面を伝って上昇して銅板の表面に這い上がる現象が生じる場合がある。この銅板の表面に這い上がったろう材がそのまま固化すると、回路層の表面にろうのシミ(ろうシミと称す)となって残存する。このろうシミは、回路層の周縁から面方向に濡れ広がっており、目視では、回路層の表面が荒れたように見える。このろうシミが形成された状態で電子部品が搭載されると、ワイヤボンディングなどの際に接合不良が生じるおそれがある。 By the way, when a copper plate is joined to a ceramic substrate using an active metal brazing material, a surplus of the molten brazing material leaks from between the ceramic substrate and the copper plate, rises along the side surface of the copper plate, and crawls on the surface of the copper plate. The phenomenon of rising may occur. When the brazing material that crawls up on the surface of this copper plate solidifies as it is, it remains as a wax stain (called a wax stain) on the surface of the circuit layer. The wax stains are wet and spread in the surface direction from the peripheral edge of the circuit layer, and the surface of the circuit layer appears to be rough to the naked eye. If an electronic component is mounted in a state where the wax stain is formed, a bonding defect may occur during wire bonding or the like.
特許文献1記載のプレス抜きにより銅板を打抜いて回路パターンに形成する場合に比べて、放電加工(ワイヤカット放電加工)により回路パターンに形成した場合に、ろうシミの発生が顕著になる。ただし、この特許文献1記載の回路基板の場合は、セラミックス基板に接合した後に、回路層における回路パターンの繋ぎ部分をエッチングにより除去しているため、接合後にろうシミが形成されたとしても、エッチングにより除去することが可能である。
しかしながら、回路パターンに繋ぎ部分を形成しない場合など、エッチングを施さない場合には、ろうシミが残ったままとなる。
Compared with the case where the copper plate is punched out by the press punching described in
However, if etching is not performed, such as when a connecting portion is not formed in the circuit pattern, wax stains remain.
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、銅板をワイヤカット放電加工により回路パターンに形成してセラミックス基板に接合する場合のろうシミの発生を防止できる絶縁回路基板の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and a method for manufacturing an insulated circuit board capable of preventing the occurrence of wax stains when a copper plate is formed into a circuit pattern by wire-cut electric discharge machining and bonded to a ceramic substrate. The purpose is to provide.
本発明者は、ろうシミの防止策について鋭意研究し、以下の知見を得た。
接合時に溶融して液相となったろう材は、セラミックス基板と銅板との間から余剰分が漏れ出た後、銅板の側面を伝って上昇し、側面から表面にかけて這い上がることで、回路層の表面にろうシミを形成する。このため、回路層表面のろうシミの発生を防止するためには、セラミックス基板と銅板との間からの溶融ろう材の漏れ出し、銅板の側面での上昇、側面から表面への這い上がりの三つの形態のうちのいずれかを抑制する必要がある。
The present inventor has earnestly studied measures to prevent wax stains and obtained the following findings.
The brazing material, which melts at the time of joining and becomes a liquid phase, leaks from the space between the ceramic substrate and the copper plate, then rises along the side surface of the copper plate, and crawls up from the side surface to the surface of the circuit layer. Form wax stains on the surface. Therefore, in order to prevent the occurrence of wax stains on the surface of the circuit layer, the molten brazing material leaks from between the ceramic substrate and the copper plate, rises on the side surface of the copper plate, and crawls up from the side surface to the surface. It is necessary to suppress one of the two forms.
特許文献1記載のプレス抜きにより銅板を打抜いて回路パターンに形成する場合、回路パターンの周縁にバリが生じるため、このバリが銅板の表裏面と側面との間でのろう材の移動を妨げることができると考えられる。しかし、ワイヤカット放電加工により銅板を回路パターンに形成する場合は、バリが生じないため、前述の三つの形態のうち、セラミックス基板と銅板との間からのろう材の漏れ出し、及び銅板の切断端面(側面)から表面への這い上がりを抑制することは難しい。また、回路層の周縁まで良好な接合を得るため、ろう材の漏れ出しを完全になくすことは不可能である。このため、このワイヤカット放電加工によって銅板を形成する場合にあっては、銅板の切断端面(側面)でのろう材の上昇を防止できなければ、ろうシミの発生を防止できない。
When a copper plate is punched out to form a circuit pattern by punching according to
そこで、ワイヤカット放電加工により切断した銅板の切断端面(側面)とプレスにより打抜いた銅板の打ち抜き端面(側面)の状態を比較調査するために、走査型電子顕微鏡(SEM:Scanning Electron Microscope)を用いたエネルギー分散型X線分光法(EDX:Energy Dispersive X-ray Spectroscopy)により銅板の側面をそれぞれ成分分析したところ、銅以外に炭素、酸素、亜鉛が多く確認された。そして、この分析結果に基づきワイヤカット放電加工による銅板の切断端面(側面)におけるろう材の上昇防止策を研究したところ、切断端面の亜鉛濃度が高いと、ろう材が切断端面を伝って上昇し易いことを見出し、この亜鉛濃度を所定値以下に抑えることで、切断端面におけるろう材の上昇を防止して、表面のろうシミの発生を抑制できるとの結論に至った。 Therefore, in order to compare and investigate the state of the cut end face (side surface) of the copper plate cut by wire cut discharge processing and the punched end face (side surface) of the copper plate punched by the press, a scanning electron microscope (SEM) was used. When the side surfaces of the copper plate were analyzed for their components by the energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX: Energy Dispersive X-ray Spectroscopy) used, a large amount of carbon, oxygen, and zinc were confirmed in addition to copper. Then, based on this analysis result, a study was conducted on measures to prevent the brazing material from rising on the cut end face (side surface) of the copper plate by wire-cut electric discharge machining. As a result, when the zinc concentration on the cut end face was high, the brazing material rose along the cut end face. We found that it was easy, and concluded that by suppressing the zinc concentration to a predetermined value or less, it was possible to prevent the brazing material from rising on the cut end face and suppress the occurrence of wax stains on the surface.
すなわち、本発明は、セラミックス基板の表面に、回路パターンに形成された回路層を有する絶縁回路基板の製造方法であって、銅又は銅合金からなる銅板をワイヤカット放電加工により前記回路パターンに切断して、切断端面の亜鉛濃度が1.21at%以下の回路層用銅板を形成する回路層用銅板形成工程と、前記回路層用銅板を前記セラミックス基板に活性金属ろう材によって接合して前記回路層を形成する接合工程とを有する。 That is, the present invention is a method for manufacturing an insulated circuit board having a circuit layer formed in a circuit pattern on the surface of a ceramics substrate, in which a copper plate made of copper or a copper alloy is cut into the circuit pattern by wire-cut discharge processing. Then, the circuit layer copper plate forming step of forming the circuit layer copper plate having a zinc concentration of 1.21 at% or less on the cut end face and the circuit layer copper plate are joined to the ceramics substrate with an active metal brazing material to form the circuit. It has a joining step of forming a layer.
銅板をワイヤカット放電加工により回路パターンに形成すると、切断端面の亜鉛濃度が増大する傾向にあり、その亜鉛濃度が1.21at%を超えていると、その銅板をセラミックス基板に活性金属ろう材によって接合したときに、セラミックス基板と銅板との間から漏れ出た溶融ろう材が銅板の切断端面を伝って上昇して表面に這い上がり、回路層にろうシミが生じ易い。この亜鉛濃度を1.21at%以下とすることにより、接合時に溶融したろう材が銅板の切断端面(側面)を伝って表面まで上昇する現象を抑制でき、ろうシミの発生を防止できる。 When a copper plate is formed into a circuit pattern by wire-cut electric discharge machining, the zinc concentration on the cut end face tends to increase, and when the zinc concentration exceeds 1.21 at%, the copper plate is used as a ceramic substrate with an active metal brazing material. When joined, the molten brazing material leaking from between the ceramic substrate and the copper plate rises along the cut end face of the copper plate and crawls up to the surface, and wax stains are likely to occur in the circuit layer. By setting the zinc concentration to 1.21 at% or less, it is possible to suppress the phenomenon that the brazing material melted at the time of joining travels along the cut end face (side surface) of the copper plate and rises to the surface, and the occurrence of wax stains can be prevented.
この製造方法の好ましい実施態様として、ワイヤカット放電加工の電極として用いられるワイヤの表面の亜鉛濃度が20質量%以下であるとよい。 As a preferred embodiment of this manufacturing method, the zinc concentration on the surface of the wire used as an electrode for wire cut electric discharge machining is preferably 20% by mass or less.
ワイヤカット放電加工の電極として用いられるワイヤとしては、銅と亜鉛の合金である黄銅(真鍮)(但し、亜鉛の量は20質量%以下)、無酸素銅、タングステンなどが材料として用いられる。また、黄銅等の素線の外周面に亜鉛のコーティングをしたものも存在する。これらワイヤのうち、加工時に銅板に接近して放電するワイヤの表面の亜鉛濃度が高いと、加工後の銅板の切断端面の亜鉛濃度が高くなる。前述した銅板の切断端面の亜鉛濃度を1.21at%以下に抑えるためには、ワイヤの表面の亜鉛濃度を20質量%以下にするとよい。 As the wire used as the electrode for wire cut discharge processing, brass (brass) which is an alloy of copper and zinc (however, the amount of zinc is 20% by mass or less), oxygen-free copper, tungsten and the like are used as materials. In addition, there are also those in which the outer peripheral surface of a wire such as brass is coated with zinc. Of these wires, if the zinc concentration on the surface of the wire that is discharged in close proximity to the copper plate during processing is high, the zinc concentration on the cut end face of the copper plate after processing is high. In order to suppress the zinc concentration on the cut end surface of the copper plate to 1.21 at% or less, the zinc concentration on the surface of the wire may be 20% by mass or less.
本発明によれば、銅板をワイヤカット放電加工により回路パターンに形成してセラミックス基板に接合する場合のろうシミの発生を防止できる。 According to the present invention, it is possible to prevent the occurrence of wax stains when a copper plate is formed into a circuit pattern by wire-cut electric discharge machining and bonded to a ceramic substrate.
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[絶縁回路基板の構成]
絶縁回路基板1は、セラミックス基板11と、セラミックス基板11の一方の面に形成された回路層12と、セラミックス基板11の他方の面に形成された放熱層13とを備える。
[Structure of insulated circuit board]
The insulating
セラミックス基板11は、回路層12と放熱層13の間の電気的接続を防止する矩形板状の絶縁基板であって、例えば窒化けい素(Si3N4)、窒化アルミニウム(AlN)、酸化アルミニウム(Al2O3)等により形成され、その厚さは例えば0.2mm〜1.2mmである。なお、セラミックス基板11の両面に形成される回路層12及び金属層13がいずれも銅又は銅合金からなる場合には、セラミックス基板を窒化けい素により構成することが好ましい。
The
セラミックス基板11の平面サイズは特に限定されないが、例えば(40mm〜140mm)×(40mm〜100mm)に設定されている。
The plane size of the
回路層12は、セラミックス基板11の上面(一方の面)に形成され、純度99質量%以上の銅又は銅合金が用いられ、その厚さは、例えば0.2mm以上2.0mm以下である。
The
回路層12の平面サイズはセラミックス基板11よりも小さく、特に限定されないが、例えば(36mm〜136mm)×(36mm〜96mm)に設定されている。また、図2に示すように、複数の小回路層121,122が所定の間隔をおいて並べられて一つの回路層12が構成されており、回路層12としての平面サイズは、これら小回路層121,122と小回路層121,122間の隙間を含む全体のサイズである。なお、回路層12が一枚の金属板から構成される、いわゆる、ベタ回路層であってもよい。
The plane size of the
放熱層13は、セラミックス基板11の下面(他方の面)に形成され、純度99質量%以上の銅又は銅合金を用いることができる。その厚さは、例えば0.2mm以上2.0mm以下である。
The
また、放熱層13の平面サイズはセラミックス基板11よりも小さく、特に限定されないが、例えば回路層12と同じ(36mm〜136mm)×(36mm〜96mm)に設定されている。この放熱層13は、図示例では一枚の金属板により構成されているが、例えば回路層12の小回路層121,122と同様に、複数枚の金属板によって構成されていてもよい。
The plane size of the
なお、回路層12及び放熱層13は、銅又は銅合金として同じ組成でもよいが、異なる組成としてもよい。回路層12及び放熱層13の厚さ及び大きさも、同じの場合もあるが、異なる場合もある。
The
[絶縁回路基板の製造方法]
次に、本実施形態の絶縁回路基板1の製造方法について説明する。
[Manufacturing method of insulated circuit board]
Next, a method of manufacturing the insulated
(回路層12及び放熱層13に用いられる金属板の形成工程(回路層用銅板形成工程))
銅又は銅合金からなる平板状の銅板をワイヤカット放電加工により切断して、回路層用銅板及び放熱層用銅板を形成する。図3には平板状の銅板150から小回路層用銅板151,152を形成する場合について示している。
ワイヤカット放電加工は、例えば0.2mm〜0.3mm程度の直径のワイヤ(電極線)20にパルス電流を流して、ワーク(銅板150)との間で放電現象を発生させながら、例えば図3の矢印Aで示すようにワイヤ20を走行させ、ワイヤ20の長さ方向と直交する方向にワーク(銅板150)を矢印Bで示すように移動させることにより、ワーク(銅板150)をワイヤ20に対向する部分で局部的に溶融除去しつつ切断加工するものである。この場合、ワイヤ20及びワーク(銅板150)の冷却、加工粉の除去等のために、切断部分の全体を水等の加工液中に浸漬させた状態で加工する。
(Metal plate forming step used for
A flat copper plate made of copper or a copper alloy is cut by wire-cut electric discharge machining to form a copper plate for a circuit layer and a copper plate for a heat dissipation layer. FIG. 3 shows a case where the
In the wire cut discharge processing, for example, a pulse current is passed through a wire (electrode wire) 20 having a diameter of about 0.2 mm to 0.3 mm to generate a discharge phenomenon with the work (copper plate 150), for example, FIG. The work (copper plate 150) is moved to the
このワイヤカット放電加工により銅板150を切断加工する場合、ワイヤ20と銅板150とは数μm〜数十μmの距離で接近して放電する。電極としてのワイヤ20には、亜鉛が40質量%程度含まれる黄銅(真鍮)が用いられることが多い。黄銅(真鍮)のように亜鉛を含む素材からなる場合、放電により切断された回路層用銅板151,152の切断端面S2に亜鉛が付着する。この回路層用銅板151,152の切断端面S2の亜鉛濃度が高いと、次の接合工程において、切断端面S2における溶融ろう材の上昇を防止できず、回路層12表面S1にろうシミが発生する。亜鉛濃度がろうシミの発生に影響する理由は定かでないが、ろうシミが発生しないようにするためには、回路層用銅板151,152の切断端面S2の亜鉛濃度は1.21at%以下にする必要がある。
When the
そこで、ワイヤカット放電加工による切断加工後の回路層用銅板151,152の切断端面S2の亜鉛濃度が1.21at%以下となる条件で放電加工する。亜鉛濃度が1.21at%以下となる条件としては、無酸素銅やタングステンからなるワイヤを用いるとよいが、Cu−Zn系合金のように亜鉛を含む場合、亜鉛濃度が20質量%以下であれば、加工後の回路層用銅板151,152の切断端面S2を1.21at%以下にすることができる。なお、亜鉛濃度が20質量%を超えたワイヤは、これを用いると切断端面S2の亜鉛濃度が1.21at%を超えるため、使用できない。
Therefore, electric discharge machining is performed under the condition that the zinc concentration of the cut end faces S2 of the circuit
また、ワイヤの表面に亜鉛コーティングしたものも使用可能であるが、その場合も表面の亜鉛濃度が20質量%以下であれば使用できる。
また、プレス加工により回路層用銅板を形成する場合等には、加工後に回路層用銅板を脱脂・洗浄することが行われるが、このワイヤカット放電加工により形成された回路層用銅板151,152については、脱脂・洗浄の処理を施すことなく、加工後にそのまま次の接合工程に供される。
Further, a wire coated with zinc on the surface can be used, but even in that case, it can be used as long as the zinc concentration on the surface is 20% by mass or less.
Further, when the circuit layer copper plate is formed by press working, the circuit layer copper plate is degreased and washed after the processing, and the circuit layer copper plate 151,152 formed by this wire cut electric discharge machining is performed. Is used as it is in the next joining step after processing without being subjected to degreasing / cleaning treatment.
なお、回路層用銅板151,152は回路層12がパターンに形成されるため、ワイヤカット放電加工によって形成されるが、放熱層用銅板130については、ワイヤカット放電加工によって形成してもよいし、プレスによる打ち抜き加工によって形成してもよい。この場合、放熱層13については、その表面にヒートシンク等が接合され、回路層12と異なり、ワイヤボンディング等がなされないので、ろうシミが生じていたとしても接合への影響は少ないが、外観を損なうので、ワイヤカット放電加工する場合は、回路層用銅板151,152の場合と同様、表面の亜鉛濃度を20質量%以下のワイヤ20を用いて、切断端面の亜鉛濃度を1.21at%以下にするとよい。
Since the circuit layers 12 are formed in a pattern, the circuit
(接合工程)
以上のようにして回路層用銅板151,152及び放熱層用銅板130を形成した後、セラミックス基板11に回路層用銅板151,152及び放熱層用銅板130をそれぞれAg−Ti系又はAg−Cu−Ti系の活性金属ろう材を用いて接合する。具体的には、図4に示すように、セラミックス基板11の両面に、それぞれAg−Cu−Ti系等からなるろう材箔30を介在させて回路層用銅板151,152及び放熱層用銅板130を積層する。そして、これらの積層体をカーボン板(図示略)により挟持し、積層方向に荷重をかけながら真空中で加熱することにより、セラミックス基板11と回路層用銅板151,152及び放熱層用銅板130を接合する。これにより、セラミックス基板11の上面に回路層12が接合部(ろう付け部)を介して接合され、下面に放熱層13が接合部(ろう付け部)を介して接合された絶縁回路基板1が形成される。
(Joining process)
After forming the circuit
セラミックス基板11と回路層用銅板151,152及び放熱層用銅板130とを接合する際、積層方向への加圧力は0.1MPa〜1.0MPa、加熱温度は800℃〜930℃とするとよい。また、Ag−Cu−Ti系等のろう材箔30は、厚さ5μm〜15μmであるとよい。箔に代えて、ペーストとしてもよく、ペーストを例えばセラミックス基板11の両面に塗布し、その上に回路層用銅板151,152及び放熱層用銅板130を積層して接合すればよい。
When joining the
この接合工程において、セラミックス基板11と回路層用銅板151,152との間に介在したろう材箔30が溶融し、余剰分がセラミックス基板11と回路層用銅板151,152との間から漏れ出したとしても、回路層用銅板151,152の側面(ワイヤカット放電加工時の切断端面)S2における亜鉛の濃度が低いため、この側面S2を伝って溶融ろう材が上昇する現象が抑制され、その結果、回路層12表面S1のろうシミの発生が防止される。
In this joining step, the
その他、細部構成は上記実施形態の構成のものに限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態ではセラミックス基板の回路層とは反対側の面に放熱層が形成されているが、放熱層を有しない絶縁回路基板にも本発明を適用することができる。
In addition, the detailed configuration is not limited to that of the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
For example, in the above embodiment, the heat radiating layer is formed on the surface of the ceramic substrate opposite to the circuit layer, but the present invention can be applied to an insulated circuit board having no heat radiating layer.
無酸素銅からなる厚さ0.8mmの銅板をワイヤカット放電加工により回路パターンに切断加工し、回路層用銅板を作製した。
このとき、ワイヤカット放電加工に使用したワイヤ表面及び回路層用銅板の切断端面をそれぞれ走査型電子顕微鏡を用いたエネルギー分散型X線分光法(SEM−EDX)により成分分析して、その亜鉛濃度を測定した。
次いで、ワイヤカット後の銅板を窒化けい素からなるセラミックス基板の表面に厚さ10μmとなるように塗布したAg−Cu−Tiの活性金属ろう材ペーストを介して積層し、これを加圧加熱することによって接合した。このときの接合条件は、真空雰囲気下、加圧力を0.2MPa、温度を815℃とした。
A copper plate having a thickness of 0.8 mm made of oxygen-free copper was cut into a circuit pattern by wire-cut electric discharge machining to prepare a copper plate for a circuit layer.
At this time, the surface of the wire used for the wire cut discharge processing and the cut end face of the copper plate for the circuit layer were respectively component-analyzed by energy dispersive X-ray spectroscopy (SEM-EDX) using a scanning electron microscope, and the zinc concentration thereof. Was measured.
Next, the wire-cut copper plate is laminated on the surface of a ceramic substrate made of silicon nitride via an active metal brazing paste of Ag-Cu-Ti coated so as to have a thickness of 10 μm, and this is pressurized and heated. Joined by. The joining conditions at this time were a vacuum atmosphere, a pressing force of 0.2 MPa, and a temperature of 815 ° C.
得られた接合体について、回路層表面のろうシミの有無を確認した。ろうシミが生じる場合は、回路層の周縁から表面へ面方向に濡れ広がって形成されており、銅表面に対してろうシミの部分が荒れたように見えることから、目視により、荒れたように見えた部分が存在するか否かでろうシミの有無を判断した。
その結果を表1に示す。
With respect to the obtained bonded body, the presence or absence of wax stains on the surface of the circuit layer was confirmed. When wax stains occur, they are formed by wetting and spreading from the peripheral edge of the circuit layer to the surface in the surface direction, and the wax stains appear to be rough with respect to the copper surface. The presence or absence of wax stains was judged based on the presence or absence of visible parts.
The results are shown in Table 1.
表1に示す結果から明らかなように、接合前の銅板の切断端面の亜鉛濃度が1.21at%以下であると、ろうシミの発生が抑制できている。また、ワイヤカット放電加工の際に使用されるワイヤ表面の亜鉛濃度が20質量%以下の場合に、銅板の切断端面の亜鉛濃度が1.21at%以下となり、ろうシミの発生を抑制できることがわかった。 As is clear from the results shown in Table 1, when the zinc concentration on the cut end face of the copper plate before joining is 1.21 at% or less, the occurrence of wax stains can be suppressed. Further, it was found that when the zinc concentration on the wire surface used in wire cut electric discharge machining is 20% by mass or less, the zinc concentration on the cut end surface of the copper plate is 1.21 at% or less, and the occurrence of wax stains can be suppressed. It was.
10 絶縁回路基板
11 セラミックス基板
12 回路層
121,122 小回路層
150 銅板
151,152 回路層用銅板
S1 表面
S2 切断端面(側面)
13 放熱層
131 放熱層用金属板
20 ワイヤ
30 活性金属ろう材箔
10
13 Heat dissipation layer 131 Heat dissipation
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2019224389A JP7490950B2 (en) | 2019-12-12 | Manufacturing method for insulating circuit board |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2021093482A true JP2021093482A (en) | 2021-06-17 |
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