JP2021082186A - Linear regulator - Google Patents

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Abstract

To reduce heat generation and destruction of a power supply circuit, a load circuit or the like when a short-circuit state occurs, and to eliminate the need for a circuit design of phase compensation.SOLUTION: In this linear regulator, a main control circuit 20 drives a control terminal of an output transistor 14 according to a feedback voltage FB so that an output voltage VOUT matches a rated value. When an output current OUT exceeds a limit value, an overcurrent limiting circuit 36 controls a gate voltage of the output transistor 14 via a node N1 and limits the output current IOUT by means of a drooping characteristic. If a state in which the output current IOUT is restricted by the overcurrent limiting circuit 36 and the feedback voltage FB is lower than a threshold value FBTH exceeds a fixed limit, a cutoff-and-recovery circuit 40 brings an output transistor 14 into a completely off-state to stop a control operation of the main control circuit 20 and, after measuring a preset pause time, releases the off-state of the output transistor 14 to resume the control operation of the main control circuit 20.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、直流の入力電圧をトランジスタのオン抵抗により降圧して直流の出力電圧に変換するリニアレギュレータに係わり、特にLDO(低ドロップアウト)型のリニアレギュレータに関する。 The present invention relates to a linear regulator that steps down a direct current input voltage by an on-resistance of a transistor and converts it into a direct current output voltage, and particularly relates to an LDO (low dropout) type linear regulator.

今日、リニアレギュレータは、電圧リップルや電圧ノイズの少ない安定した電源電圧を出力できる小型・簡便な直流安定化電源として随所に用いられている。一般に、リニアレギュレータは、負荷と直列に接続される出力トランジスタのオン抵抗を可変して入力電圧VINを降圧し、入力電圧VINが変動しても出力電圧VOUTを設定値または定格値VRATに保つように作られている。特に、LDO型のリニアレギュレータは、入力電圧VINが定格値VRATの近くまで低下しても(入出力間の電圧差つまりドロップアウトが相当小さくなっても)、安定動作できるように作られている。 Today, linear regulators are used everywhere as a compact and simple regulated DC power supply that can output a stable power supply voltage with little voltage ripple and voltage noise. In general, a linear regulator changes the on-resistance of an output transistor connected in series with a load to lower the input voltage V IN , and even if the input voltage V IN fluctuates, the output voltage V OUT is set to a set value or a rated value V. It is designed to keep on LAT. In particular, LDO-type linear regulators are designed to operate stably even when the input voltage V IN drops close to the rated value V LAT (even if the voltage difference between the input and output, that is, the dropout becomes considerably small). ing.

従来より、LDO型のリニアレギュレータは、装置回路を過電流による発熱や破壊から保護するために、出力トランジスタより出力される電流(出力電流)IOUTを監視し、出力電流IOUTが所定の制限値ILIMを超えて過電流状態になったときは、出力電流IOUTおよび出力電圧VOUTを図8に示すようなフの字特性で制御するフォールドバック制御型の過電流制御回路を備えている。これによれば、過電流状態になったときは過電流制御回路が動作して、出力電流IOUTを絞りながら出力電圧VOUTを下げ、出力電圧VOUTの低下に応じてさらに出力電流IOUTを絞りこむようにして、出力電流IOUTと出力電圧VOUTをフの字に倣って同時に減少・低下させ、出力短絡の場合にはVOUT=0,IOUT=Iの出力停止状態に至らせる。 Conventionally, the LDO type linear regulator monitors the current (output current) I OUT output from the output transistor in order to protect the device circuit from heat generation and destruction due to overcurrent, and the output current I OUT is a predetermined limit. When the value I LIM is exceeded and an overcurrent state occurs, a foldback control type overcurrent control circuit that controls the output current I OUT and the output voltage V OUT with the F-shaped characteristic as shown in FIG. 8 is provided. There is. According to this, when it is over-current condition is operated overcurrent control circuit, while squeezing the output current I OUT lowers the output voltage V OUT, and the output current I OUT in accordance with the decrease in the output voltage V OUT the as narrowing, to follow the output current I OUT and the output voltage V OUT to fold-decrease-lowering simultaneously bring the output stop state of V OUT = 0, I OUT = I S in the case of an output short circuit ..

ここで、出力停止状態の間も一定の電流(下限電流)Iを流し続けるのは、短絡状態が解除されたときに自動復帰するためである。この種のリニアレギュレータでは、負荷と並列に出力コンデンサが接続されており、短絡状態が解除されれば、下限電流Iにより出力コンデンサの充電電圧つまり出力電圧VOUTが立ち上がり、フの字特性によって出力電圧VOUTの上昇とともに出力電流IOUTも増大し、やがて正常な出力電圧VOUTおよび出力電流IOUTに復帰するようになっている。 Here, the output of between stop state also continues to flow a constant current (limit current) I S is to automatically return when the short circuit state is canceled. In this type of linear regulator, load is connected to an output capacitor in parallel, if it is released short-circuited state, the charging voltage, i.e. the output voltage V OUT of the output capacitor rises by the lowest current I S, the curve characteristics of the full As the output voltage V OUT rises, the output current I OUT also increases, and eventually returns to the normal output voltage V OUT and output current I OUT.

特開2006−155501号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2006-155501 特開2015−64866号公報JP-A-2015-64866

しかしながら、上記のようなフォールドバック制御においては、フの字特性にしたがって出力電流IOUTを絞り込んでいく過程で相当量の発熱を伴うだけでなく、出力電圧VOUTが零になっている間も一定の下限電流Iを流し続けるので、出力トランジスタは発熱し続け、電力損失も大きい。また、地絡やレアショートのようにそれほど低くないインピーダンスで過電流が生じた場合には、出力電圧VOUTが零まで下がらず、しかも下限電流Iよりも大きな電流量で出力電流IOUTが出力停止中に流れ続け、負荷側でも発熱が避けられない。さらに、出力電流IOUTと出力電圧VOUTをフの字に倣って制御する過程で主制御回路のフィードバック制御系が異常発振を起しやすい。このため、主制御回路の誤差増幅器回り等に位相補償用のコンデンサを設けなければならず、回路設計が面倒であるという不利点もある。 However, in the foldback control as described above, not only a considerable amount of heat is generated in the process of narrowing down the output current I OUT according to the F-shaped characteristic, but also while the output voltage V OUT is zero. since continues to flow a constant lower limit current I S, the output transistor continues to fever, is large power loss. Further, when the overcurrent is generated in the not so low impedance as ground fault or short circuit, the output voltage V OUT is not lowered to zero, yet lower-limit current I S output current I OUT at a large amount of current than is It continues to flow while the output is stopped, and heat generation is unavoidable even on the load side. Further, in the process of controlling the output current I OUT and the output voltage V OUT following the letter F, the feedback control system of the main control circuit is likely to cause abnormal oscillation. Therefore, a capacitor for phase compensation must be provided around the error amplifier of the main control circuit, which has the disadvantage that the circuit design is troublesome.

本発明は、上記従来技術の課題を解決するものであり、短絡状態が発生したときに電源回路や負荷回路等の発熱ないし破壊を少なくするとともに位相補償の回路設計を不要とするリニアレギュレータを提供する。 The present invention solves the above-mentioned problems of the prior art, and provides a linear regulator that reduces heat generation or destruction of a power supply circuit, a load circuit, etc. when a short-circuit state occurs, and eliminates the need for phase compensation circuit design. To do.

本発明のリニアレギュレータは、入力電圧を入力する入力端子と出力電圧を出力する出力端子との間に接続されている出力トランジスタと、前記出力電圧を分圧して帰還電圧を生成する帰還電圧生成回路と、前記帰還電圧に基づいて、前記出力電圧が一致または近似するように第1のノードを介して前記出力トランジスタの制御端子の電圧を制御する主制御回路と、前記出力トランジスタを流れる出力電流を監視し、前記出力電流が所定の制限値を超えたときに、前記第1のノードを介して前記出力トランジスタの制御端子の電圧を制御し、垂下特性で前記出力電流を制限する過電流制限回路と、前記帰還電圧および前記出力電流を監視し、前記出力電流が前記過電流制限回路による制限を受け、かつ前記帰還電圧が所定の電圧閾値を下回っている状態が一定の限度を超えたときに、前記出力トランジスタを完全にオフ状態にして前記主制御回路の制御動作を止め、予め設定した休止時間を計時した後に、前記出力トランジスタのオフ状態を解除して、前記主制御回路の制御動作を再開させる遮断・復帰回路とを有する。 The linear regulator of the present invention has an output transistor connected between an input terminal for inputting an input voltage and an output terminal for outputting an output voltage, and a feedback voltage generation circuit that divides the output voltage to generate a feedback voltage. And, based on the feedback voltage, the main control circuit that controls the voltage of the control terminal of the output transistor via the first node so that the output voltage matches or approximates, and the output current flowing through the output transistor. An overcurrent limiting circuit that monitors and controls the voltage of the control terminal of the output transistor via the first node and limits the output current with a drooping characteristic when the output current exceeds a predetermined limit value. When the feedback voltage and the output current are monitored and the output current is limited by the overcurrent limiting circuit and the feedback voltage is below a predetermined voltage threshold exceeds a certain limit. , The output transistor is completely turned off to stop the control operation of the main control circuit, the preset pause time is timed, and then the off state of the output transistor is released to perform the control operation of the main control circuit. It has a cutoff / return circuit to restart.

上記構成のリニアレギュレータにおいて、主制御回路は、出力電圧を設定値付近に保つように負帰還制御の動作を行い、出力電圧が低下すれば出力電流を増やす方向に出力トランジスタの制御電圧を制御し、出力電圧が上昇すれば出力電流を減らす方向に出力トランジスタの制御電圧を制御する。 In the linear regulator having the above configuration, the main control circuit performs negative feedback control operation so as to keep the output voltage close to the set value, and controls the control voltage of the output transistor in the direction of increasing the output current when the output voltage drops. If the output voltage rises, the control voltage of the output transistor is controlled in the direction of reducing the output current.

しかし、出力電流が制限値を超えると、過電流制限回路が動作して、垂下特性によって出力電流を制限値以下ないしその付近に制限する。そして、帰還電圧生成回路より得られる帰還電圧が電圧閾値を下回ると、遮断・復帰回路が動作を開始し、過電流制限回路により出力電流が制限値付近に制限され、かつ帰還電圧が電圧閾値を下回っている状態が一定の限度を超えたときは、出力トランジスタを強制的に完全なオフ状態にし、主制御回路の制御動作を止める。 However, when the output current exceeds the limit value, the overcurrent limit circuit operates and limits the output current to or near the limit value due to the drooping characteristic. Then, when the feedback voltage obtained from the feedback voltage generation circuit falls below the voltage threshold, the cutoff / recovery circuit starts operating, the output current is limited to the vicinity of the limit value by the overcurrent limiting circuit, and the feedback voltage sets the voltage threshold. When the voltage falls below a certain limit, the output transistor is forcibly turned off completely and the control operation of the main control circuit is stopped.

この出力停止期間中は出力電圧が零になるだけでなく出力電流も全く流れないため、出力トランジスタの発熱は全くない。そして、一定の休止時間経過後に、遮断・復帰回路が出力トランジスタのオフ状態を解除して主制御回路の制御動作を再開させるので、休止時間の間に短絡状態が解除されていれば、正常な出力状態に戻すことができる。 During this output stop period, not only the output voltage becomes zero, but also the output current does not flow at all, so that the output transistor does not generate heat at all. Then, after a certain pause time elapses, the cutoff / recovery circuit releases the off state of the output transistor and restarts the control operation of the main control circuit. Therefore, if the short-circuit state is released during the pause time, it is normal. It can be returned to the output state.

また、本発明における遮断・復帰回路は、ロジック制御の動作を行うため、主制御回路のフィードバック制御系が異常発振を起すことがない。したがって、位相補償用コンデンサを設けるなどの面倒な位相補償設計は不要である。 Further, since the cutoff / return circuit in the present invention performs the operation of logic control, the feedback control system of the main control circuit does not cause abnormal oscillation. Therefore, a troublesome phase compensation design such as providing a phase compensation capacitor is unnecessary.

本発明のリニアレギュレータによれば、上記のような構成と作用により、短絡状態が発生したとき電源回路や負荷回路等の発熱ないし破壊を少なくするとともに位相補償の回路設計を不要とすることができる。 According to the linear regulator of the present invention, the above configuration and operation can reduce heat generation or destruction of the power supply circuit, load circuit, etc. when a short-circuit state occurs, and eliminate the need for phase compensation circuit design. ..

本発明の一実施形態におけるリニアレギュレータの全体構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the whole structure of the linear regulator in one Embodiment of this invention. の具体的な構成例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the concrete configuration example of. 図2のリニアレギュレータにおいて、出力短絡によって過電流の状態が起きた場合の各部の状態または波形を示す図である。It is a figure which shows the state or the waveform of each part in the linear regulator of FIG. 2 when the state of an overcurrent occurs by the output short circuit. 図2のリニアレギュレータにおいて、地絡またはレアショートによって過電流の状態が起きた場合の各部の状態または波形を示す図である。It is a figure which shows the state or the waveform of each part in the linear regulator of FIG. 2 when the state of an overcurrent occurs by a ground fault or a rare short circuit. 一時的な過負荷によって過電流の状態が起きた場合の各部の状態または波形を示す図である。It is a figure which shows the state or the waveform of each part when the state of an overcurrent occurs by a temporary overload. 図3Aの場合における出力電流IOUT−出力電圧VOUTの特性を示す図である。It is a figure which shows the characteristic of the output current I OUT − output voltage V OUT in the case of FIG. 3A. 図3Bの場合における出力電流IOUT−出力電圧VOUTの特性を示す図である。It is a figure which shows the characteristic of the output current I OUT − output voltage V OUT in the case of FIG. 3B. 図3Cの場合における出力電流IOUT−出力電圧VOUTの特性を示す図である。It is a figure which shows the characteristic of the output current I OUT − output voltage V OUT in the case of FIG. 3C. 図2のリニアレギュレータにおいて、短絡状態がしばらく続いた場合の自動復帰動作の周期とその作用(出力電流の波形)を示す図である。It is a figure which shows the cycle of the automatic return operation and its action (waveform of an output current) when a short-circuit state continues for a while in the linear regulator of FIG. 図5の周期および電流波形をマクロ的にみた図である。FIG. 5 is a macroscopic view of the period and current waveforms of FIG. 本発明の適用可能な複合電源ICのレイアウト構成を示す図である。It is a figure which shows the layout structure of the compound power supply IC which can apply this invention. 従来技術における出力電流−出力電圧のフの字特性を示す図である。It is a figure which shows the F-shaped characteristic of output current-output voltage in the prior art.

以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。
[実施形態におけるリニアレギュレータの全体構成]
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
[Overall configuration of the linear regulator in the embodiment]

図1に、本発明の一実施形態におけるリニアレギュレータの全体構成を示す。このリニアレギュレータは、シリーズレギュレータとして構成され、負荷と直列でVIN入力端子10とVOUT出力端子12との間に出力トランジスタ14を設けている。 FIG. 1 shows the overall configuration of the linear regulator according to the embodiment of the present invention. This linear regulator is configured as a series regulator, and an output transistor 14 is provided between the V IN input terminal 10 and the V OUT output terminal 12 in series with the load.

IN入力端子10には、電池、蓄電池または他の直流電源(図示せず)より出力電圧VOUTの設定値または定格値VRATより高い直流の電圧VINが入力される。VOUT出力端子12とグランド電位端子との間には、負荷だけでなく、出力コンデンサ16も接続される。 A DC voltage V IN higher than the set value or rated value V LAT of the output voltage V OUT is input to the V IN input terminal 10 from a battery, a storage battery or another DC power supply (not shown). Not only the load but also the output capacitor 16 is connected between the V OUT output terminal 12 and the ground potential terminal.

このリニアレギュレータは、基本要素として主制御回路20および帰還電圧生成回路22を備えている。帰還電圧生成回路22は、VOUT出力端子12とグランド電位端子との間に直列に接続されている2つの抵抗24,26からなり、両抵抗間のノードNより出力電圧VOUTに比例する分圧電圧を帰還電圧FBとして取り出すようにしている。 This linear regulator includes a main control circuit 20 and a feedback voltage generation circuit 22 as basic elements. The feedback voltage generation circuit 22 is composed of two resistors 24 and 26 connected in series between the V OUT output terminal 12 and the ground potential terminal, and is proportional to the output voltage V OUT from the node N 0 between the two resistors. The voltage dividing voltage is taken out as the feedback voltage FB.

主制御回路20は、出力電圧VOUTが定格値VRATに一致または近似するように、帰還電圧FBに応じて出力トランジスタ14のオン抵抗を可変するように構成されている。より詳しくは、主制御回路20は、固定の基準電圧VREF1を出力する基準電圧源28と、可変の基準電圧SSTを出力する基準電圧回路30と、基準電圧VREF1,SSTのうちの低い方を比較基準電圧に用いてそれと帰還電圧FBとの比較誤差を表す誤差信号ERを生成する誤差増幅器32と、誤差信号ERに応じて出力トランジスタ14の制御端子をノードNを介して駆動するドライバ回路34とを有している。 The main control circuit 20 is configured to change the on-resistance of the output transistor 14 according to the feedback voltage FB so that the output voltage V OUT matches or approximates the rated value V LAT. More specifically, the main control circuit 20 compares the reference voltage source 28 that outputs the fixed reference voltage VREF1 with the reference voltage circuit 30 that outputs the variable reference voltage SST, and the lower of the reference voltages VREF1 and SST. an error amplifier 32 for generating an error signal ER by using the reference voltage represents a comparison error between it and the feedback voltage FB, driver circuit 34 which drives via the node N 1 to the control terminal of the output transistor 14 in response to the error signal ER And have.

ここで、基準電圧源28より出力される固定の基準電圧VREF1は、出力電圧VOUTの定格値VRATに対応する固定の電圧レベルを有し、起動完了または復帰完了後の比較基準電圧に用いられる。これに対して、基準電圧回路30より出力される可変の基準電圧SSTは、第1の基準電圧VREF1より低いグランド電位とVREF1より高いVINレベル(入力電圧レベル)との間で可変の電圧レベルを有し、起動時または復帰時の比較基準電圧に用いられる。 Here, a fixed reference voltage VREF1 that is output from the reference voltage source 28, has a fixed voltage level corresponding to the rated value V RAT of the output voltage V OUT, using the comparison reference voltage after completing boot completion or return Be done. On the other hand, the variable reference voltage SST output from the reference voltage circuit 30 has a variable voltage level between a ground potential lower than the first reference voltage VREF1 and a VIN level (input voltage level) higher than VREF1. Is used as a reference voltage for comparison at startup or recovery.

このリニアレギュレータは、LDO型のリニアレギュータとしても構成され、過電流制限回路36を備えている。この過電流制限回路36は、出力トランジスタ14を流れる出力電流IOUTを監視し、出力電流IOUTが予め設定された制限値ILIMを超えたときは、主制御回路20に優先してノードNを介して出力トランジスタ14のゲート電圧を制御し、垂下特性で出力電流IOUTを制限するように構成されている。 This linear regulator is also configured as an LDO type linear regulator and includes an overcurrent limiting circuit 36. The overcurrent limiting circuit 36 monitors the output current I OUT flowing through the output transistor 14, and when the output current I OUT exceeds the preset limit value ILIM , the node N takes precedence over the main control circuit 20. The gate voltage of the output transistor 14 is controlled via 1 , and the output current I OUT is limited by the drooping characteristic.

なお、シリーズレギュータにおいては、出力トランジスタ14の入力側で流れる電流IINと出力側で流れる電流IOUTとは全く同じ(電界効果型トランジスタの場合)か実質的に同じ(バイポーラ型トランジスタの場合)である。したがって、過電流制限回路36は、出力トランジスタ14の入力側で流れる電流IINを出力電流IOUTとして検出してもよい。 In the series regulator, the current I IN flowing on the input side of the output transistor 14 and the current I OUT flowing on the output side are exactly the same (in the case of a field effect transistor) or substantially the same (in the case of a bipolar transistor). If). Therefore, the overcurrent limiting circuit 36 may detect the current I IN flowing on the input side of the output transistor 14 as the output current I OUT.

さらに、このリニアレギュレータは、出力短絡、地絡、レアショート等の各種短絡状態が発生したときに電源回路および負荷回路を発熱や破壊から保護するための遮断・復帰回路(保護回路)40を具備している。 Further, this linear regulator is provided with a cutoff / recovery circuit (protection circuit) 40 for protecting the power supply circuit and load circuit from heat generation and destruction when various short-circuit states such as output short circuit, ground fault, and rare short circuit occur. doing.

遮断・復帰回路40は、帰還電圧生成回路22および過電流制限回路36を介して帰還電圧FBおよび出力電流IOUTを監視し、出力電流IOUTが過電流制限回路36による制限を受け、かつ帰還電圧FBが所定の電圧閾値FBTHを下回っている状態が一定の限度を超えたときに、出力トランジスタ14を完全にオフ状態にして主制御回路20の制御動作を止め、予め設定した休止時間DTを計時してから、出力トランジスタ14のオフ状態を解除して、主制御回路20の制御動作を再開させるように構成されている。

[実施形態におけるリニアレギュレータの具体的構成]
Blocking and restoring circuit 40, a feedback voltage FB and the output current I OUT and monitored via a feedback voltage generating circuit 22 and the overcurrent limiting circuit 36, the output current I OUT is limited by the overcurrent limiting circuit 36, and feedback When the state in which the voltage FB is below the predetermined voltage threshold FB TH exceeds a certain limit, the output transistor 14 is completely turned off to stop the control operation of the main control circuit 20, and the preset pause time DT After the time is measured, the off state of the output transistor 14 is released, and the control operation of the main control circuit 20 is restarted.

[Specific configuration of the linear regulator in the embodiment]

図2に、この実施形態におけるリニアレギュレータの具体的な構成を示す。 FIG. 2 shows a specific configuration of the linear regulator in this embodiment.

出力トランジスタ14はPMOSトランジスタからなり、ソースがVIN入力端子10に接続され、ドレインがVOUT出力端子12に接続され、ゲートがノードN1に接続されている。 The output transistor 14 is composed of a epitaxial transistor, the source is connected to the V IN input terminal 10, the drain is connected to the V OUT output terminal 12, and the gate is connected to the node N1.

主制御回路20において、可変の基準電圧SSTを出力する直流電圧回路30は、VIN入力端子10に相当するVIN供給端子とグランド電位端子との間で定電流源42とコンデンサ44とを直列に接続し、両者間のノードNより可変の基準電圧SSTを出力するようにしている。 In the main control circuit 20, the DC voltage circuit 30 that outputs a variable reference voltage SST has a constant current source 42 and a capacitor 44 in series between the VIN supply terminal corresponding to the VIN input terminal 10 and the ground potential terminal. The variable reference voltage SST is output from the node N2 between the two.

ノードNは、誤差増幅器32の一方の非反転入力端子(+)に接続されるとともに、後述する遮断・復帰回路40のNMOSトランジスタ94のドレインおよびコンパレータ82の反転入力端子(−)にも接続されている。NMOSトランジスタ94がオフしている間は、コンデンサ44が定電流源42からの定電流によって満充電されており、ノードNよりVINレベルの基準電圧SSTが誤差増幅器32およびコンパレータ82に与えられる。しかし、NMOSトランジスタ94がオンすると、コンデンサ44はノードNおよびオン状態のNMOSトランジスタ94を介して放電し、ノードNよりグランド電位の基準電圧SSTが誤差増幅器32およびコンパレータ82に与えられる。そして、NMOSトランジスタ94がオン状態からオフ状態に変わると、定電流源42からの定電流がコンデンサ44に流れ込んで、コンデンサ44の充電電圧つまりノードN上の基準電圧SSTがグランド電位からVINレベルまで線形的に上昇するようになっている。 Node N 2 is connected to one non-inverting input terminal (+) of the error amplifier 32, and is also connected to the drain of the NMOS transistor 94 of the cutoff / recovery circuit 40 and the inverting input terminal (-) of the comparator 82, which will be described later. Has been done. While the NMOS transistor 94 is off, the capacitor 44 is applied to the constant current are fully charged, the node N 2 than V IN level of the reference voltage SST error amplifier 32 and the comparator 82 from the constant current source 42 .. However, when the NMOS transistor 94 is turned on, the capacitor 44 is discharged via the node N 2 and the on state NMOS transistor 94, and the ground potential reference voltage SST is given to the error amplifier 32 and the comparator 82 from the node N 2. Then, when the NMOS transistor 94 changes from the on state to the off state, the constant current from the constant current source 42 flows into the capacitor 44, and the charging voltage of the capacitor 44, that is, the reference voltage SST on the node N 2 changes from the ground potential to VIN. It is designed to rise linearly to the level.

ドライバ回路34は、VIN供給端子とグランド電位端子との間で抵抗46とNMOSトランジスタ48とをノードNを介して直列に接続している。ここで、NMOSトランジスタ48は、ソースがグランド電位端子に接続され、ドレインがノードNに接続され、ゲートに誤差増幅器32からの誤差信号ERを入力する。 The driver circuit 34 is connected in series with the resistor 46 and the NMOS transistor 48 between the V IN supply terminal and the ground potential terminal via the node N 1. Here, NMOS transistor 48 has a source connected to the ground potential terminal, the drain is connected to the node N 1, and inputs an error signal ER from the error amplifier 32 to the gate.

かかる構成の主制御回路20においては、比較基準電圧(VREF1もしくはSST)に対して帰還電圧FBが低くなると、誤差信号ERの電圧レベルが高くなってNMOSトランジスタ48のドレイン電流i48ひいては抵抗46の電圧降下が増大して、ノードNの電位つまり出力トランジスタ(PMOSトランジスタ)14のゲート電圧が下がる。これにより、出力トランジスタ14のドレイン電流つまり出力電流IOUTが増大する。反対に、帰還電圧FBが高くなると、各部が上記と反対方向に変化し、それによって出力電流IOUTが減少するようになっている。 In the main control circuit 20 having such a configuration, when the feedback voltage FB becomes lower than the comparison reference voltage (VREF1 or SST), the voltage level of the error signal ER becomes higher and the drain current i 48 of the NMOS transistor 48 and thus the resistor 46 voltage drop increases, decreases the gate voltage of the node N 1 of the potential, that the output transistor (PMOS transistor) 14. As a result, the drain current of the output transistor 14, that is, the output current I OUT increases. On the contrary, when the feedback voltage FB becomes high, each part changes in the opposite direction to the above, and the output current I OUT decreases accordingly.

もっとも、後述する過電流制限回路36および遮断・復帰回路40もノードNに接続されており、それらの回路36,40が動作するときは主制御回路20に優先して出力トランジスタ14のゲート電圧を制御するようになっている。 However, the overcurrent limiting circuit 36 and the shutoff-recovery circuit 40 will be described later are also connected to the node N 1, preferentially the gate voltage of the output transistor 14 to the main control circuit 20 when these circuits 36 and 40 operate Is designed to control.

過電流制限回路36は、PMOSトランジスタ50,52,54、抵抗56およびNMOSトランジスタ58を含んでいる。 The overcurrent limiting circuit 36 includes a MOSFET transistors 50, 52, 54, a resistor 56 and an NMOS transistor 58.

より詳しくは、PMOSトランジスタ50は、ソースがVIN入力端子10に接続され、ドレインがノードNおよび抵抗56を介してグランド電位端子に接続され、ゲートがノードNに接続されている。PMOSトランジスタ52は、ソースがVIN入力端子10に接続され、ドレインがノードNに接続され、ゲートが該ドレインおよびノードNに接続されている。PMOSトランジスタ54は、ソースがVIN入力端子10に接続され、ドレインがノードNに接続され、ゲートがPMOSトランジスタ52のゲートおよびドレインに接続されている。両PMOSトランジスタ52,54はカレントミラー回路を構成している。NMOSトランジスタ58は、ソースがグランド電位端子に接続され、ドレインがノードNに接続され、ゲートがノードNに接続されている。 More specifically, PMOS transistor 50 has a source connected to V IN input terminal 10, the drain is connected to the ground potential terminal via the node N 3 and a resistor 56, a gate connected to node N 1. PMOS transistor 52 has a source connected to V IN input terminal 10, a drain connected to the node N 4, the gate is connected to the drain and the node N 4. PMOS transistor 54 has a source connected to V IN input terminal 10, a drain connected to the node N 1, a gate connected to the gate and drain of the PMOS transistor 52. Both epitaxial transistors 52 and 54 form a current mirror circuit. NMOS transistor 58 has a source connected to the ground potential terminal, the drain is connected to the node N 4, a gate connected to the node N 3.

この過電流制限回路36においては、PMOSトランジスタ50のゲートがノードNを介して出力トランジスタ(PMOSトランジスタ)14のゲートと共通接続されている。これにより、PMOSトランジスタ50には出力電流IOUTに応じたドレイン電流i50が流れ、ノードNに抵抗56の電圧降下としてドレイン電流i50ひいては出力電流IOUTに応じた電圧VNが生成されるようになっている。 In this overcurrent limiting circuit 36, the gate of the PMOS transistor 50 are commonly connected to the gate of the output transistor (PMOS transistor) 14 via the node N 1. As a result, a drain current i 50 corresponding to the output current I OUT flows through the epitaxial transistor 50, and a drain current i 50 and thus a voltage VN 3 corresponding to the output current I OUT are generated as a voltage drop of the resistor 56 at the node N 3. It has become so.

そして、ノードNの電圧VNがNMOSトランジスタ58の閾値TH58を超えると、NMOSトランジスタ58がオンして、PMOSトランジスタ52のドレイン電流i52が流れるようになり、さらにはカレントミラー効果によりPMOSトランジスタ54でも同量または比例量のドレイン電流i54が流れるようになっている。このように、PMOSトランジスタ50,52,54をそれぞれ流れる電流は出力電流IOUTに対応している。この実施形態では、出力電流IOUTが許容値ILIMを超えたときにノードNの電圧VNがNMOSトランジスタ58の閾値TH58を超えるように、抵抗56の抵抗値が設定されている。なお、PMOSトランジスタ54のドレイン電流i54は、ノードNを介してドライバ回路34のNMOSトランジスタ48のドレイン電流i48の一部となる。そのため、抵抗46の電圧降下が減少してNの電圧が上昇し、過電流を抑制する。 When the voltage VN 3 of the node N 3 is greater than the threshold value TH 58 of the NMOS transistor 58, NMOS transistor 58 is turned on, now flowing drain current i 52 of the PMOS transistor 52 is further PMOS by a current mirror effect The same amount or a proportional amount of drain current i 54 flows through the transistor 54 as well. In this way, the currents flowing through the epitaxial transistors 50, 52, and 54 correspond to the output currents I OUT, respectively. In this embodiment, the resistance value of the resistor 56 is set so that the voltage VN 3 of the node N 3 exceeds the threshold value TH 58 of the NMOS transistor 58 when the output current I OUT exceeds the allowable value ILIM. The drain current i 54 of the PMOS transistor 54 is a part of the drain current i 48 of the NMOS transistor 48 of the driver circuit 34 via the node N 1. Therefore, the voltage drop of the resistor 46 decreases , the voltage of N 1 rises, and the overcurrent is suppressed.

なお、ノードNの電圧VNがNMOSトランジスタ58の閾値TH58より低いときは、NMOSトランジスタ58はオフ状態になり、PMOSトランジスタ52,54にドレイン電流i52,i54は流れない。 If the voltage VN 3 of the node N 3 is less than the threshold value TH 58 of the NMOS transistor 58, NMOS transistor 58 is turned off, the drain current i 52, i 54 in the PMOS transistors 52 and 54 does not flow.

遮断・復帰回路40は、出力状態監視回路60、判定回路62、イネーブル回路64、ラッチ回路66およびタイマ回路100を有している。 The cutoff / return circuit 40 includes an output state monitoring circuit 60, a determination circuit 62, an enable circuit 64, a latch circuit 66, and a timer circuit 100.

出力状態監視回路60は、VIN入力端子10とノードNとの間で2つのPMOSトランジスタ70,72を直列に接続している。ここで、一方のPMOSトランジスタ70は、出力電流IOUTを監視するためのものであり、ソースがVIN入力端子10に接続され、ドレインがPMOSトランジスタ72のソースに接続され、ゲートがノードNを介して過電流制限回路36のPMOSトランジスタ52のドレインおよびゲートに接続されている。PMOSトランジスタ72がオンしているときに、PMOSトランジスタ70は、PMOSトランジスタ52のドレイン電流i52をカレントミラーまたはコピーしたドレイン電流i70を流すようになっている。 Output state monitoring circuit 60 connects the two PMOS transistors 70 and 72 in series between the V IN input terminal 10 and the node N 5. Here, one of the PMOS transistor 70 is for monitoring the output current I OUT, a source connected to V IN input terminal 10, a drain connected to the source of the PMOS transistor 72, a gate node N 4 It is connected to the drain and gate of the epitaxial transistor 52 of the overcurrent limiting circuit 36 via. When the epitaxial transistor 72 is on, the epitaxial transistor 70 causes a drain current i 70 which is a current mirror or a copy of the drain current i 52 of the epitaxial transistor 52 to flow.

PMOSトランジスタ72は、出力電圧VOUTまたは帰還電圧FBを監視するためのものであり、そのソースがPMOSトランジスタ70のドレインに接続され、そのドレインがノードNに接続され、ゲートに帰還電圧生成回路22からの帰還電圧FBを入力する。PMOSトランジスタ72は、そのゲート電圧つまり帰還電圧FBが所定の電圧閾値FBTHより高いときはオフ状態を保ち、帰還電圧FBが該電圧閾値FBTHを下回るとオンするようになっている。なお、電圧閾値FBTHは、帰還電圧FBが異常低下したときにそれを早期に検知できる値が好ましく、たとえばFBTH=0.7〜0.8VREF1に設定されてよい。 PMOS transistor 72 is for monitoring the output voltage V OUT or the feedback voltage FB, its source connected to the drain of the PMOS transistor 70, its drain connected to the node N 5, the feedback voltage generation circuit to the gate The feedback voltage FB from 22 is input. PMOS transistor 72, then the gate voltage, i.e. the feedback voltage FB is higher than a predetermined voltage threshold FB TH keeps the off state, the feedback voltage FB is adapted to turn on if the lower electric pressure threshold FB TH. The voltage threshold value FB TH is preferably a value that can detect an abnormal drop in the feedback voltage FB at an early stage, and may be set to , for example, FB TH = 0.7 to 0.8 VREF1.

ノードNには、判定回路62およびイネーブル回路64も接続されている。判定回路62は、過電流状態になったときに、それが短絡によるものなのか、一時的な過負荷によるものなのかを判定するためのもので、コンデンサ74,抵抗76およびコンパレータ78を有している。コンデンサ74および抵抗76は、ノードNとグランド電位端子との間で並列に接続されている。コンパレータ78は、一方の入力端子(+)がノードNに接続され、他方の入力端子(−)が基準電圧源80に接続されている。基準電圧源80は、判定用の基準電圧VREF2を与える。 The node N 5, the decision circuit 62 and the enable circuit 64 is also connected. The determination circuit 62 is for determining whether it is due to a short circuit or a temporary overload when an overcurrent state occurs, and has a capacitor 74, a resistor 76, and a comparator 78. ing. Capacitor 74 and resistor 76 are connected in parallel between the node N 5 and the ground potential terminal. The comparator 78 is connected to one input terminal (+) of the node N 5, the other input terminal (-) is connected to a reference voltage source 80. The reference voltage source 80 provides a reference voltage VREF2 for determination.

コンデンサ74は、PMOSトランジスタ72がオンしている時にPMOSトランジスタ70のドレイン電流i70によって充電される。コンデンサ74の充電電圧つまりノードNの電圧VCHGは、コンパレータ78により判定基準電圧VREF2と比較される。コンパレータ78の出力DETは、VCHG<VREF2のときはLレベルであり、VCHG>VREF2のときにHレベルになる。コンパレータ78の出力DETがLレベルからHレベルに変わると、後述するラッチ回路66がこれに応動するようになっている。 The capacitor 74 is charged by the drain current i 70 of the epitaxial transistor 70 when the epitaxial transistor 72 is on. Voltage VCHG of the charging voltage, i.e. node N 5 of the capacitor 74 is compared with the determination reference voltage VREF2 by the comparator 78. The output DET of the comparator 78 is L level when VCHG <VREF2 and H level when VCHG> VREF2. When the output DET of the comparator 78 changes from the L level to the H level, the latch circuit 66 described later responds to this.

イネーブル回路64は、コンパレータ82、基準電圧源84およびNMOSトランジスタ86を有する。コンパレータ82の一方の入力端子(−)には、主制御回路20の基準電圧回路30より可変基準電圧SSTが入力される。他方の入力端子(+)には、基準電圧源84より所定の基準電圧VREF3が入力される。コンパレータ82の出力は、SST<VREF3のときはHレベルであり、SST>VREF3のときはLレベルになる。なお、基準電圧VREFはSSTの最大値であるVレベルより幾らか低い値に設定される。 The enable circuit 64 includes a comparator 82, a reference voltage source 84, and an NMOS transistor 86. A variable reference voltage SST is input from the reference voltage circuit 30 of the main control circuit 20 to one input terminal (-) of the comparator 82. A predetermined reference voltage VREF3 is input from the reference voltage source 84 to the other input terminal (+). The output of the comparator 82 is H level when SST <VREF3 and L level when SST> VREF3. The reference voltage VREF 3 is set to a somewhat lower value than V I level which is the maximum value of the SST.

NMOSトランジスタ86は、ソースがグランド電位端子に接続され、ドレインがノードNに接続され、ゲートにコンパレータ82の出力を受ける。SST<VREF3のときは、コンパレータ82の出力はHレベルであり、NMOSトランジスタ86がオンしている。この状態では、コンデンサ74が充電不能であり、判定回路62はディスエーブル状態に置かれる。 NMOS transistor 86 has a source connected to the ground potential terminal, the drain is connected to the node N 5, receives the output of the comparator 82 to the gate. When SST <VREF3, the output of the comparator 82 is H level, and the NMOS transistor 86 is on. In this state, the capacitor 74 cannot be charged, and the determination circuit 62 is placed in an disabled state.

しかし、SST>VREF3になると、コンパレータ82の出力がLレベルになり、NMOSトランジスタ86がオフして、コンデンサ74が充電可能となり、判定回路62はイネーブル状態になる。 However, when SST> VREF3, the output of the comparator 82 becomes the L level, the NMOS transistor 86 is turned off, the capacitor 74 can be charged, and the determination circuit 62 is enabled.

ラッチ回路66は、RSフリップフロップ88、NMOSトランジスタ90,92,94、PMOSトランジスタ96および抵抗98を含んでいる。 The latch circuit 66 includes an RS flip-flop 88, an NMOS transistors 90, 92, 94, a MOSFET transistor 96 and a resistor 98.

RSフリップフロップ88は、セット入力端子(S)が判定回路62のコンパレータ78の出力端子に接続され、出力端子(Q)がNMOSトランジスタ90,92,94のゲートおよびタイマ回路100の入力端子に接続され、リセット入力端子(R)がタイマ回路100の出力端子に接続されている。 In the RS flip-flop 88, the set input terminal (S) is connected to the output terminal of the comparator 78 of the determination circuit 62, and the output terminal (Q) is connected to the gate of the NMOS transistors 90, 92, 94 and the input terminal of the timer circuit 100. Then, the reset input terminal (R) is connected to the output terminal of the timer circuit 100.

RSフリップフロップ88は、コンパレータ78の出力DETがLレベルからHレベルに変わったときに、これをラッチして(Q)出力SETをHレベルにセットし、各NMOSトランジスタ90,92,94に遮断のためのスイッチ動作を行わせるとともにタイマ回路100に自動復帰のための計時動作を行わせる。 When the output DET of the comparator 78 changes from the L level to the H level, the RS flip-flop 88 latches the output DET of the comparator 78, sets the (Q) output SET to the H level, and cuts off the output SET to the NMOS transistors 90, 92, 94. The timer circuit 100 is made to perform the time counting operation for the automatic return as well as the switch operation for the above.

各NMOSトランジスタ90,92,94は、RSフリップフロップ88の(Q)出力SETに応じて連動してオン・オフする。すなわち、(Q)出力SETがLレベルのときは各NMOSトランジスタ90,92,94がオフしていて、(Q)出力SETがHレベルになると各NMOSトランジスタ90,92,94がオンするようになっている。 The NMOS transistors 90, 92, and 94 are turned on and off in conjunction with each other according to the (Q) output SET of the RS flip-flop 88. That is, when the (Q) output SET is at the L level, the NMOS transistors 90, 92, 94 are off, and when the (Q) output SET is at the H level, the NMOS transistors 90, 92, 94 are turned on. It has become.

NMOSトランジスタ90は、出力トランジスタ14を強制的にオフするためのスイッチとして機能し、ソースがグランド電位端子に接続され、ドレインがPMOSトランジスタ96のゲートに接続されるとともに抵抗98を介してVIN入力端子10に接続されている。PMOSトランジスタ96のソースはVIN入力端子10に接続され、ドレインはノードNに接続されている。PMOSトランジスタ96は、NMOSトランジスタ90と主従関係を有するスイッチとして機能する。 The NMOS transistor 90 functions as a switch for forcibly turning off the output transistor 14, the source is connected to the ground potential terminal, the drain is connected to the gate of the NMOS transistor 96, and the VIN input is via a resistor 98. It is connected to the terminal 10. The source of the PMOS transistor 96 is connected to V IN input terminal 10, the drain is connected to node N 1. The MOSFET transistor 96 functions as a switch having a master-slave relationship with the NMOS transistor 90.

すなわち、NMOSトランジスタ90がオフしているときは、PMOSトランジスタ96もオフしていて、NMOSトランジスタ90がオンすると、PMOSトランジスタ96もオンするようになっている。PMOSトランジスタ96がオンすると、ノードNがオン状態のPMOSトランジスタ96を介してVINレベルにクランプされ、出力トランジスタ14は完全なオフ状態になる。 That is, when the NMOS transistor 90 is off, the NMOS transistor 96 is also off, and when the NMOS transistor 90 is on, the NMOS transistor 96 is also on. When the PMOS transistor 96 is turned on, the node N 1 is clamped to V IN level via the PMOS transistor 96 in the ON state, the output transistor 14 becomes completely off state.

そして、復帰動作を行うときは、後述するようにRSフリップフロップ88の(Q)出力SETがHレベルからLレベルに変わることにより、NMOSトランジスタ90がオフし、それに伴ってPMOSトランジスタ96がオフ状態に切り替わる。 Then, when the return operation is performed, the (Q) output SET of the RS flip-flop 88 changes from the H level to the L level as described later, so that the NMOS transistor 90 is turned off and the NMOS transistor 96 is turned off accordingly. Switch to.

NMOSトランジスタ92は、出力トランジスタ14を強制的にオフするときに、それと連動してドライバ回路34のNMOSトランジスタ48を強制的にオフするためのスイッチとして機能する。NMOSトランジスタ92のソースはグランド電位端子に接続され、ドレインはNMOSトランジスタ48のゲートに接続されている。 When the output transistor 14 is forcibly turned off, the NMOS transistor 92 functions as a switch for forcibly turning off the NMOS transistor 48 of the driver circuit 34 in conjunction with the output transistor 14. The source of the NMOS transistor 92 is connected to the ground potential terminal and the drain is connected to the gate of the NMOS transistor 48.

NMOSトランジスタ92がオフしているとき、NMOSトランジスタ48は、誤差増幅器32からの誤差信号ERに応じて出力トランジスタ14を駆動することができる。しかし、NMOSトランジスタ92がオンすると、NMOSトランジスタ48のゲートがグランド電位にクランプされ、NMOSトランジスタ48は完全なオフ状態になる。 When the NMOS transistor 92 is off, the NMOS transistor 48 can drive the output transistor 14 in response to the error signal ER from the error amplifier 32. However, when the NMOS transistor 92 is turned on, the gate of the NMOS transistor 48 is clamped to the ground potential, and the NMOS transistor 48 is completely turned off.

そして、復帰動作を行うときは、RSフリップフロップ88の(Q)出力SETがHレベルからLレベルに変わって、NMOSトランジスタ92がオフすることにより、ドライバ回路34のNMOSトランジスタ48はイネーブル状態になる。 Then, when the return operation is performed, the (Q) output SET of the RS flip-flop 88 changes from the H level to the L level, and the NMOS transistor 92 is turned off, so that the NMOS transistor 48 of the driver circuit 34 is enabled. ..

NMOSトランジスタ94は、出力トランジスタ14を強制的にオフするときに、それと連動して基準電圧回路30の可変の基準電圧SSTをVINレベルからグランド電位に下げるためのスイッチとして機能する。NMOSトランジスタ94のソースはグランド電位端子に接続され、ドレインは基準電圧回路30のノードNに接続されている。 The NMOS transistor 94 functions as a switch for lowering the variable reference voltage SST of the reference voltage circuit 30 from the VIN level to the ground potential in conjunction with the forced off of the output transistor 14. The source of the NMOS transistor 94 is connected to the ground potential terminal, the drain is connected to the node N 2 of the reference voltage circuit 30.

NMOSトランジスタ94がオフしているときは、基準電圧回路30において定電流源42がコンデンサ44を充電し、または満充電状態を維持し、コンデンサ44の充電電圧が基準電圧SSTとしてノードNより誤差増幅器32およびコンパレータ82に出力される。しかし、NMOSトランジスタ94がオンすると、コンデンサ44が放電して、ノードN上の基準電圧SSTは瞬時にVINレベルからグランド電位に下がる。 When the NMOS transistor 94 is off, the constant current source 42 charges the capacitor 44 in the reference voltage circuit 30, or maintains the fully charged state, the error from the node N 2 charge voltage as a reference voltage SST capacitor 44 It is output to the amplifier 32 and the comparator 82. However, when the NMOS transistor 94 is turned on, the capacitor 44 is discharged, the reference voltage SST on node N 2 drops to ground potential from V IN level instantly.

復帰動作を行うときは、RSフリップフロップ88の(Q出力)SETがHレベルからLレベルに変わって、NMOSトランジスタ94がオフすることにより、基準電圧回路30ではコンデンサ44が定電流源42からの定電流によって充電され、ノードN上の基準電圧SSTはグランド電位からVINレベルまで漸次的に上昇する。 When performing the return operation, the (Q output) SET of the RS flip flop 88 changes from the H level to the L level, and the NMOS transistor 94 is turned off, so that the capacitor 44 is transmitted from the constant current source 42 in the reference voltage circuit 30. It is charged by the constant current, a reference voltage SST on node N 2 is gradually increased from the ground potential to V iN level.

タイマ回路100は、たとえばクロック生成回路およびカウンタ回路を有し、RSフリップフロップ88の(Q)出力SETがLレベルからHレベルに変わったときにそれに応動して計時動作を開始し、予め設定した休止時間DTを計時してから、RSフリップフロップ88のリセット入力端子(R)にHレベルのリセット信号RESETを与えるように構成されている。なお、休止時間DTは、任意の長さに設定可能であり、たとえば数100ミリ秒に設定される。 The timer circuit 100 has, for example, a clock generation circuit and a counter circuit, and when the (Q) output SET of the RS flip-flop 88 changes from the L level to the H level, the timer circuit 100 starts the timing operation in response to the change and is set in advance. After measuring the pause time DT, the reset input terminal (R) of the RS flip-flop 88 is configured to give an H level reset signal RESET. The pause time DT can be set to any length, and is set to, for example, several hundred milliseconds.

RSフリップフロップ88は、タイマ回路100からのリセット信号RESETを受け取ると、それに応動して(Q)出力SETをそれまでのHレベルからLレベルに変える。そうすると、各NMOSトランジスタ90,92,94がオン状態からオフ状態に変わり、復帰動作が開始される。

[実施形態におけるリニアレギュレータの作用]
When the RS flip-flop 88 receives the reset signal RESET from the timer circuit 100, the RS flip-flop 88 changes the (Q) output SET from the previous H level to the L level in response to the reset signal RESET. Then, the NMOS transistors 90, 92, and 94 change from the on state to the off state, and the return operation is started.

[Operation of linear regulator in the embodiment]

以下に、図3A〜図3C、4A〜図4C、図5および図6を参照してこのリニアレギュレータの過電流状態における作用を説明する。
《出力短絡の場合》
The operation of this linear regulator in an overcurrent state will be described below with reference to FIGS. 3A to 3C, 4A to 4C, and FIGS. 5 and 6.
<< In case of output short circuit >>

図3Aは、出力短絡によって過電流の状態が起きた場合の各部の状態または波形を示す。図4Aは、図3Aの場合における出力電流IOUT−出力電圧VOUTの特性を示す。 FIG. 3A shows the state or waveform of each part when an overcurrent state occurs due to an output short circuit. FIG. 4A shows the characteristics of the output current I OUT − output voltage V OUT in the case of FIG. 3A.

この場合、時点tまでは出力状態が安定しており、過電流制限回路36および遮断・復帰回路40のいずれも動作していない。過電流制限回路36においては、PMOSトランジスタ50が出力電流IOUTをカレントミラーしたドレイン電流i50を流しているが、ノードNの電圧VNがNMOSトランジスタ58の閾値TH58より低いため、制限動作スイッチのNMOSトランジスタ58はオフ状態にあり、それによってカレントミラー回路の両PMMOSトランジスタ52,54がオフしている。 In this case, the output state is stable until the time point t 0 , and neither the overcurrent limiting circuit 36 nor the cutoff / recovery circuit 40 is operating. In the overcurrent limiting circuit 36, the epitaxial transistor 50 causes the drain current i 50 , which is a current mirror of the output current I OUT , to flow, but the voltage VN 3 of the node N 3 is lower than the threshold value TH 58 of the NMOS transistor 58, so that the current is limited. The NMOS transistor 58 of the operation switch is in the off state, whereby both PMMOS transistors 52 and 54 of the current mirror circuit are turned off.

遮断・復帰回路40においても、帰還電圧監視用スイッチのPMOSトランジスタ72がオフしているため、ノードNの電圧VCHGはグランド電位にあり、判定回路62においてコンパレータ78の出力DETはLレベル、ラッチ回路66においてRSフリップフロップ88の(Q)出力SETはLレベル、NMOSトランジスタ90,92,94はオフ状態、PMOSトランジスタ96もオフ状態に置かれている。タイマ回路100は計時動作を行っていない。 Also in cutoff-recovery circuit 40, since the feedback voltage PMOS transistor 72 of the monitoring switch is turned off, the voltage VCHG at the node N 5 is in the ground potential, the output DET is L level of the comparator 78 in the decision circuit 62, a latch In the circuit 66, the (Q) output SET of the RS flip-flop 88 is set to the L level, the NMOS transistors 90, 92, and 94 are set to the off state, and the NMOS transistors 96 are also set to the off state. The timer circuit 100 is not performing a timekeeping operation.

これにより、出力トランジスタ14のゲート電圧は、ノードNを介して専ら主制御回路20により制御される。この時、ドライバ回路34のNMOSトランジスタ48は誤差信号ERに応じたドレイン電流i48を流し、抵抗46にも同じ電流i48が流れ、入力電圧VINより抵抗46の電圧降下だけ低い電圧がノードNを介して出力トランジスタ14のゲートに与えられる。主制御回路20の負帰還制御が働くことにより、入力電圧VINや出力電流IOUTに多少の変動があっても、出力電圧VOUTが定格値VRAT付近で安定に維持されている。 Accordingly, the gate voltage of the output transistor 14 is controlled exclusively by the main control circuit 20 via the node N 1. At this time, the NMOS transistor 48 of the driver circuit 34 passes a drain current i 48 corresponding to the error signal ER, the same current i 48 also flows through the resistor 46, and a voltage lower than the input voltage VIN by the voltage drop of the resistor 46 is a node. It is given to the gate of the output transistor 14 via N 1. By the negative feedback control of the main control circuit 20, the output voltage V OUT is stably maintained near the rated value V LAT even if the input voltage V IN and the output current I OUT fluctuate to some extent.

しかし、時点tで出力短絡が起こり、それによって出力電流IOUTが急激に増大して制限値ILIMを超えるや否や、過電流制限回路36が動作する。すなわち、出力電流IOUTが制限値ILIMを超えた瞬間に、ノードNの電圧VNがNMOSトランジスタ58の閾値TH58を超え、制限動作スイッチのNMOSトランジスタ58がオンする。そうすると、PMOSトランジスタ52がドレイン電流i52を流し始め、PMOSトランジスタ54がドレイン電流i52をカレントミラーまたはコピーしたドレイン電流i54を流す。このPMOSトランジスタ54のドレイン電流i54は、PMOSトランジスタ50のドレイン電流i50に対応し、ひいては出力トランジスタ14を流れる出力電流IOUTに対応している。 However, it occurs output short at time t 0, which causes the output current I OUT exceeds the limit value I LIM rapidly increasing As soon as the overcurrent limiting circuit 36 is operated. That is, at the moment when the output current I OUT exceeds the limit value ILIM , the voltage VN 3 of the node N 3 exceeds the threshold value TH 58 of the NMOS transistor 58, and the NMOS transistor 58 of the limiting operation switch is turned on. Then, the epitaxial transistor 52 starts to flow the drain current i 52 , and the epitaxial transistor 54 flows the drain current i 54 which is a current mirror or a copy of the drain current i 52. The drain current i 54 of the epitaxial transistor 54 corresponds to the drain current i 50 of the epitaxial transistor 50, and thus corresponds to the output current I OUT flowing through the output transistor 14.

PMOSトランジスタ54のドレイン電流i54は、抵抗46を流れる電流にノードNで合流して、ドライバ回路34のNMOSトランジスタ48のドレイン電流i48の一部となる。これによって、NMOSトランジスタ48のドレイン電流i48が同じでも、抵抗46を流れる電流はPMOSトランジスタ54のドレイン電流i54のぶんだけ減少する。こうして、出力トランジスタ14のゲート電圧はPMOSトランジスタ54のドレイン電流i54により律速されて高くなり、出力電流IOUTが制限値ILIM以下またはその近辺に制限される。 Drain current i 54 of the PMOS transistor 54 is joined to the current flowing through the resistor 46 at node N 1, a part of the drain current i 48 of the NMOS transistor 48 of the driver circuit 34. Thus, even a drain current i 48 of the NMOS transistor 48 is the same, the current flowing through the resistor 46 is reduced by the drain current i 54 of the PMOS transistor 54. In this way, the gate voltage of the output transistor 14 is rate-determined and increased by the drain current i 54 of the epitaxial transistor 54, and the output current I OUT is limited to or near the limit value ILIM.

本来、主制御回路20においては、出力電圧VOUTが低下すれば、誤差増幅器32の出力電圧つまり誤差信号ERの電圧が高くなって、ドライバ回路34のNMOSトランジスタ48のドレイン電流i48が増加し、それによってノードNの電圧つまり出力トランジスタ14のゲート電圧が下がり、出力電流IOUTが増加するはずである。しかし、過電流制限回路36が動作するときは、PMOSトランジスタ54のドレイン電流i54がノードNの電圧つまり出力トランジスタ14のゲート電圧を支配的に制御し、出力電流IOUTを制限値ILIM付近に制限するようになっている。 Originally, in the main control circuit 20, if the output voltage V OUT decreases, the output voltage of the error amplifier 32, that is, the voltage of the error signal ER increases, and the drain current i 48 of the NMOS transistor 48 of the driver circuit 34 increases. thereby lowers the gate voltage of the voltage, i.e. the output transistor 14 of the node N 1, the output current I OUT is should increase. However, when the overcurrent limiting circuit 36 operates, the drain current i 54 of the epitaxial transistor 54 dominates the voltage of the node N 1 , that is, the gate voltage of the output transistor 14, and the output current I OUT is set to the limit value I LIM. It is designed to be restricted to the vicinity.

一方、出力短絡が起きると、負荷側で出力コンデンサ16が瞬時に放電して、出力電圧VOUTがグランド電位付近まで急激に下がり、それに応じて帰還電圧FBもグランド電位付近まで急激に下がる。この時、正確には帰還電圧FBが電圧閾値FBTHを下回った時(時点t)、遮断・復帰回路40で出力状態監視回路60のPMOSトランジスタ72がオンし、PMOSトランジスタ70が出力トランジスタ14の出力電流IOUTをカレントミラーしたドレイン電流i70を流し始め、このドレイン電流i70によるコンデンサ74の充電が開始される。なお、イネーブル回路64では、SST>VREF3であるから、コンパレータ82の出力がLレベルで、NMOSトランジスタ86はオフしている。 On the other hand, when an output short circuit occurs, the output capacitor 16 is instantaneously discharged on the load side, the output voltage V OUT drops sharply to the vicinity of the ground potential, and the feedback voltage FB also drops sharply to the vicinity of the ground potential accordingly. At this time, to be precise, when the feedback voltage FB falls below the voltage threshold FB TH (time point t 1 ), the epitaxial transistor 72 of the output state monitoring circuit 60 is turned on by the cutoff / recovery circuit 40, and the epitaxial transistor 70 is the output transistor 14 A drain current i 70, which is a current mirror of the output current I OUT of the above, is started to flow, and charging of the capacitor 74 by the drain current i 70 is started. In the enable circuit 64, since SST> VREF3, the output of the comparator 82 is at the L level, and the NMOS transistor 86 is off.

そして、過電流制限回路36が上記のようにして出力電流IOUTを制限値ILIM付近に制限し、かつ帰還電圧FBが電圧閾値FBTHを下回っている状態がそのまま持続すると、やがて遮断・復帰回路40の判定回路62においてノードNの電圧VCFGが監視値VREF2を超えた時(時点t)、コンパレータ78の出力DETがLレベルからHレベルに変わる。そうすると、これに応動してラッチ回路66のRSフリップフロップ88の(Q)出力SETがLレベルからHレベルに変わり、NMOSトランジスタ90,92,94,96がそれぞれオンすることによって、出力トランジスタ14を強制的に完全なオフ状態にし、主制御回路20の制御動作を止める。 Then, when the overcurrent limiting circuit 36 limits the output current I OUT to the vicinity of the limiting value ILIM as described above, and the state in which the feedback voltage FB is below the voltage threshold FB TH continues as it is, the circuit is cut off and restored. when the voltage VCFG node N 5 in the judgment circuit 62 of the circuit 40 exceeds the monitoring value VREF2 (time t 2), output DET from the comparator 78 changes from L level to H level. Then, in response to this, the (Q) output SET of the RS flip-flop 88 of the latch circuit 66 changes from the L level to the H level, and the NMOS transistors 90, 92, 94, and 96 are turned on, respectively, so that the output transistor 14 is turned on. The control operation of the main control circuit 20 is stopped by forcibly turning it off completely.

こうして、出力トランジスタ14が完全にオフ状態になることで、出力電流IOUTは全く流れなくなり、出力電圧VOUTもグランド電位に保持され、完全な出力停止状態になる。このような完全出力停止状態の下では、負荷はもちろん出力トランジスタ14が発熱することも一切ない。なお、出力電流IOUTが遮断されると、過電流制限回路36内でも内部電流は一切流れなくなり、各トランジスタ50,52,54,58はオフ状態に置かれる。また、遮断・復帰回路40内でも、PMOSトランジスタ70がオフしてドレイン電流i70を流さなくなり、コンデンサ74はNMOSトランジスタ86により放電する。 In this way, when the output transistor 14 is completely turned off, the output current I OUT does not flow at all, the output voltage V OUT is also held at the ground potential, and the output is completely stopped. Under such a completely output stop state, not only the load but also the output transistor 14 does not generate heat at all. When the output current I OUT is cut off, no internal current flows even in the overcurrent limiting circuit 36, and the transistors 50, 52, 54, and 58 are placed in the off state. Further, even in the cutoff / recovery circuit 40, the NMOS transistor 70 is turned off and the drain current i70 does not flow, and the capacitor 74 is discharged by the NMOS transistor 86.

一方、RSフリップフロップ88の(Q)出力SETがLレベルからHレベルに変わった時(時点t)から、タイマ回路100が計時動作を開始する。そして、所定の休止時間DTを計時した時(時点t)に、タイマ回路100がリセット信号RESETを出力し、それに応動してRSフリップフロップ88が(Q)出力SETをLレベルに戻す。そうすると、NMOSトランジスタ90,92,94,96がそれぞれオフし、出力トランジスタ14、ドライバ回路34のNMOSトランジスタ48および基準電圧回路30が遮断・復帰回路40から解放される。そして、次のようなソフトスタートによる復帰動作が開始される。 On the other hand, when the (Q) output SET of RS flip-flop 88 changes from L level to H level (time t 2), the timer circuit 100 starts measuring operation. Then, when counting a predetermined dwell time DT (time t 3), the timer circuit 100 outputs a reset signal RESET, Soreni response you want to bring RS flip-flop 88 is the (Q) output SET to L level. Then, the NMOS transistors 90, 92, 94, and 96 are turned off, respectively, and the output transistor 14, the NMOS transistor 48 of the driver circuit 34, and the reference voltage circuit 30 are released from the cutoff / recovery circuit 40. Then, the following return operation by soft start is started.

すなわち、遮断・復帰回路40のNMOSトランジスタ90およびPMOSトランジスタ96がオフすることによって、出力トランジスタ14のゲートまたはノードNが強制オフのクランプ電位(VIN)から解放される。また、NMOSトランジスタ92がオフすることによって、主制御回路20内でドライバ回路34のNMOSトランジスタ48のゲートが強制オフのクランプ電位(グランド電位)から解放される。一方、NMOSトランジスタ94がオフすることによって、基準電圧回路30内でコンデンサ44が充電され、ノードN上の基準電圧SSTがグランド電位からVINレベルに漸次的に上昇する。 That, NMOS transistor 90 and PMOS transistor 96 of the shutoff-recovery circuit 40 by turning off the gate or node N 1 of the output transistor 14 is released from the clamp potential forced off (V IN). Further, when the NMOS transistor 92 is turned off, the gate of the NMOS transistor 48 of the driver circuit 34 in the main control circuit 20 is released from the clamp potential (ground potential) of forced off. On the other hand, NMOS transistor 94 by turning off, the capacitor 44 is charged by the reference voltage circuit 30. In the reference voltage SST on node N 2 is gradually increased to V IN level from the ground potential.

こうして、過電流制限回路36および遮断・復帰回路40の双方が停止状態にある中で、主制御回路20がイネーブル状態となり、基準電圧回路30内で漸次的に上昇する可変の基準電圧SSTが固定の基準電圧VREF1を超えるまで誤差増幅器32の比較基準電圧に用いられることにより、休止時間DTの間に出力短絡が解除されていたと仮定すれば、図3Aに示すように、基準電圧SSTの上昇とともに出力電流IOUT,出力電圧VOUTおよび帰還電圧FBも漸次的に増大または上昇し、正常な出力状態に復帰する。 In this way, while both the overcurrent limiting circuit 36 and the cutoff / recovery circuit 40 are in the stopped state, the main control circuit 20 is in the enabled state, and the variable reference voltage SST that gradually rises in the reference voltage circuit 30 is fixed. Assuming that the output short circuit was released during the pause time DT by being used as the comparison reference voltage of the error amplifier 32 until it exceeded the reference voltage VREF1, as shown in FIG. 3A, as the reference voltage SST increased. The output current I OUT , output voltage V OUT, and feedback voltage FB also gradually increase or rise, and return to the normal output state.

このように、このリニアレギュレータにおいて、負荷側のインピーダンスが略零で出力短絡が起こった場合は、図4Aに示すような出力電流IOUT−出力電圧VOUTの特性が得られる。従来技術のフの字特性(図8)とは異なり、出力停止期間中は出力電圧VOUTが零になるだけでなく出力電流IOUTも全く流れないため、出力トランジスタ14の発熱は全くない。しかも、出力短絡に対して出力トランジスタ14を完全にオフ状態にした後、一定の休止時間DTが経過すれば自動的に復帰動作を行って正常な出力状態に戻すことができる。 As described above, in this linear regulator, when the impedance on the load side is substantially zero and an output short circuit occurs, the characteristics of output current I OUT − output voltage V OUT as shown in FIG. 4A can be obtained. Unlike the F-shaped characteristic (FIG. 8) of the prior art , not only the output voltage V OUT becomes zero but also the output current I OUT does not flow at all during the output stop period, so that the output transistor 14 does not generate heat at all. Moreover, after the output transistor 14 is completely turned off in response to an output short circuit, if a certain pause time DT elapses, a recovery operation is automatically performed to return to the normal output state.

また、本実施形態における遮断・復帰回路40は、所定の閾値(FBTH)や監視値(VREF2)を用いて当該過電流が短絡によるものであると判定したときは、直ちに出力トランジスタ14を強制的にオフする。このように、遮断・復帰回路40は、主制御回路20のフィードバック制御系から独立して、ロジック的な制御動作を行う。このため、主制御回路20のフィードバック制御系が異常発振を起すことがなく、位相補償用のコンデンサが不要となっている。

《レアショートの場合》
Further, the cutoff / recovery circuit 40 in the present embodiment immediately forces the output transistor 14 when it is determined that the overcurrent is due to a short circuit using a predetermined threshold value (FB TH) or monitoring value (VREF2). Turn off. In this way, the cutoff / return circuit 40 performs a logical control operation independently of the feedback control system of the main control circuit 20. Therefore, the feedback control system of the main control circuit 20 does not cause abnormal oscillation, and a capacitor for phase compensation is not required.

《In the case of rare shorts》

図3Bは、それほど低くないインピーダンスの短絡(たとえば地絡あるいはレアショート)が起こった場合の各部の状態または波形を示す。図4Bは、図3Bの場合における出力電流IOUT−出力電圧VOUTの特性を示す。 FIG. 3B shows the state or waveform of each part in the event of a not-so-low impedance short circuit (eg, ground fault or rare short circuit). FIG. 4B shows the characteristics of the output current I OUT − output voltage V OUT in the case of FIG. 3B.

この場合も、時点tまでは出力状態が安定しており、上述した出力短絡の場合(図3A)と同様に、過電流制限回路36および遮断・復帰回路40のいずれも動作しておらず、入力電圧VINや出力電流IOUTに多少の変動があっても、主制御回路20の負帰還制御により出力電圧VOUTが定格値VRAT付近で安定に維持されている。 In this case as well, the output state is stable until the time point t 0 , and neither the overcurrent limiting circuit 36 nor the cutoff / recovery circuit 40 is operating as in the case of the output short circuit described above (FIG. 3A). Even if the input voltage V IN and the output current I OUT fluctuate to some extent, the output voltage V OUT is stably maintained near the rated value V RAT by the negative feedback control of the main control circuit 20.

そして、時点t付近で地絡あるいはレアショートが起きて出力電流IOUTが制限値ILIMを超えた直後の各部の動作も上述した出力短絡の場合(図3A)と大体同じである。ただし、出力短絡の場合とは異なり、負荷のインピーダンスが極端に低くはならないので、出力電圧VOUTは出力コンデンサ14の放電特性に倣って比較的緩やかに下がる。このため、帰還電圧FBが電圧閾値FBTHを下回る時のタイミングが少し遅くなり、それによって遮断・復帰回路40において監視スイッチのPMOSトランジスタ72がオンするタイミングおよび判定回路62のコンデンサ74が充電を開始するタイミング(t’)が遅くなる。 Then, the operation of each part immediately after a ground fault or a rare short circuit occurs near the time point t 0 and the output current I OUT exceeds the limit value ILIM is almost the same as the case of the output short circuit described above (FIG. 3A). However, unlike the case of an output short circuit, the impedance of the load does not become extremely low, so that the output voltage V OUT drops relatively slowly according to the discharge characteristics of the output capacitor 14. Therefore, the timing when the feedback voltage FB falls below the voltage threshold value FB TH is slightly delayed, so that the timing at which the epitaxial transistor 72 of the monitoring switch is turned on in the cutoff / recovery circuit 40 and the capacitor 74 of the determination circuit 62 start charging. The timing (t 1 ') to do is delayed.

しかし、この場合でも、過電流制限回路36が出力電流IOUTを制限値ILIM近辺に制限し、かつ帰還電圧FBが電圧閾値FBTHを下回る状態がしばらく持続する限り、遮断・復帰回路40においてコンデンサ74の充電電圧VCHGが監視値VREF2を超え、このタイミング(時点t’)でコンパレータ78の出力DETがLレベルからHレベルに変わって、RSフリップフロップ88の(Q)出力SETがLレベルからHレベルに変わる。その結果、上記と同様な仕方で、出力トランジスタ14が完全なオフ状態となり、主制御回路20の制御動作も止まる。そして、その後の措置も出力短絡の場合と全く同じであり、休止時間DTの経過後に上記のようなソフトスタートによる復帰動作が行われる。 However, even in this case, the overcurrent limiting circuit 36 limits the output current I OUT near limit value I LIM, and unless the feedback voltage FB is a state below the voltage threshold FB TH a while persists, the circuit breaking and recovery circuit 40 charging voltage VCHG of the capacitor 74 exceeds the monitoring value VREF2, the output DET from the comparator 78 at the timing (time t 2 ') is changed from L level to H level, the RS flip-flop 88 (Q) output SET is L level Changes from to H level. As a result, the output transistor 14 is completely turned off in the same manner as described above, and the control operation of the main control circuit 20 is also stopped. Then, the subsequent measures are exactly the same as in the case of the output short circuit, and after the pause time DT elapses, the return operation by the soft start as described above is performed.

こうして、負荷側のインピーダンスがそれほど低くならない短絡が起こった場合は、図4Bに示すような出力電流IOUT−出力電圧VOUTの特性が得られる。この場合も、従来技術のフの字特性(図8)とは異なり、出力停止期間中は出力電流IOUTが全く流れない(しかも出力電圧VOUTが零になる)ため、出力トランジスタ14の発熱は全くなく、負荷の発熱も全くない。また、出力トランジスタ14を完全にオフ状態に保持しても、所定の休止時間DTの経過後に自動的に復帰動作を行って正常な出力電流IOUTおよび出力電圧VOUTに戻すことができる。さらには、出力電流IOUTおよび出力電圧VOUTを制御する過程で主制御回路20のフィードバック制御系が発振を起すこともない。

《一時的な過負荷の場合》
In this way, when a short circuit occurs in which the impedance on the load side does not become so low, the characteristics of output current I OUT − output voltage V OUT as shown in FIG. 4B can be obtained. Also in this case, unlike the F-shaped characteristic (FIG. 8) of the prior art, the output current I OUT does not flow at all (and the output voltage V OUT becomes zero) during the output stop period, so that the output transistor 14 generates heat. There is no load and no load heat generation. Further, even if the output transistor 14 is kept completely off, the return operation can be automatically performed after the lapse of the predetermined pause time DT to return to the normal output current I OUT and output voltage V OUT . Further, the feedback control system of the main control circuit 20 does not oscillate in the process of controlling the output current I OUT and the output voltage V OUT.

<< In case of temporary overload >>

図3Cは、一時的な過負荷による過電流が生じた場合の各部の状態または波形を示す。図4Cは、図3Cの場合における出力電流IOUT−出力電圧VOUTの特性を示す。 FIG. 3C shows the state or waveform of each part when an overcurrent occurs due to a temporary overload. FIG. 4C shows the characteristics of the output current I OUT − output voltage V OUT in the case of FIG. 3C.

この場合、先ず過電流制限回路36が動作して出力電流IOUTを制限値ILIM付近に制限する。そして、帰還電圧FBが電圧閾値FBTHを下回れば、遮断・復帰回路40も動作を開始し、コンデンサ74の充電電圧VCHGが上昇する。しかし、今回の過電流が過負荷による一時的なものであって、出力電圧VOUTが直ぐに定格値VRAT付近まで回復し、帰還電圧FBが電圧閾値FBTHより高くなると、そのタイミング(時点t)で監視スイッチのPMOSトランジスタ72がオフし、コンデンサ74の充電が監視値VREF2に到達する前に止まる。 In this case, the overcurrent limiting circuit 36 first operates to limit the output current I OUT to the vicinity of the limit value ILIM. Then, when the feedback voltage FB falls below the voltage threshold value FB TH , the cutoff / recovery circuit 40 also starts operating, and the charging voltage VCHG of the capacitor 74 rises. However, when the overcurrent this time is temporary due to overload, the output voltage V OUT immediately recovers to the vicinity of the rated value V LAT , and the feedback voltage FB becomes higher than the voltage threshold FB TH , the timing (time point t). At a ), the epitaxial transistor 72 of the monitoring switch is turned off, and the charging of the capacitor 74 is stopped before reaching the monitoring value VREF2.

こうして、遮断・復帰回路40内では、コンパレータ78の出力DETがLレベルの状態を保ち、RSフリップフロップ88の(Q)出力SETもLレベルの状態を保つ。その結果、遮断・復帰回路40が、出力トランジスタ14を強制的にオフ状態にすることはなく、また、ドライバ回路32の制御動作を止めることもなければ、基準電圧回路30の可変基準電圧SSTをグランド電位に下げることもない。 In this way, in the cutoff / recovery circuit 40, the output DET of the comparator 78 keeps the L level state, and the (Q) output SET of the RS flip-flop 88 also keeps the L level state. As a result, the cutoff / recovery circuit 40 does not forcibly turn off the output transistor 14 and does not stop the control operation of the driver circuit 32, and the variable reference voltage SST of the reference voltage circuit 30 is set. It does not drop to the ground potential.

こうして、一時的な過負荷による過電流が生じた場合は、図4Cに示すような出力電流IOUT−出力電圧VOUTの特性が得られる。従来技術のフの字特性(図8)とは異なり、制限値ILIMを超えた出力電流IOUTが過電流制限回路36によって制限され、出力電圧VOUTがいったん下がっても、すぐに過負荷状態が解除されて出力電圧VOUTが電圧閾値FBTHより高くなれば、遮断・復帰回路40が出力トランジスタ14の強制オフを見送るようになっている。また、過負荷による過電流が長引いて遮断・復帰回路40が出力トランジスタ14をいったんオフにしても、休止時間DTの経過後に上記のようなソフトスタートの復帰動作が自動的に行われるので、過負荷状態が解除され次第正常な出力状態に戻すことができる。 In this way, when an overcurrent occurs due to a temporary overload, the characteristics of output current I OUT − output voltage V OUT as shown in FIG. 4C can be obtained. Unlike the F-shaped characteristic (FIG. 8) of the prior art, the output current I OUT exceeding the limit value ILIM is limited by the overcurrent limiting circuit 36, and even if the output voltage V OUT drops once, it is immediately overloaded. When the state is released and the output voltage V OUT becomes higher than the voltage threshold FB TH , the cutoff / recovery circuit 40 forcibly turns off the output transistor 14. Further, even if the overcurrent due to the overload is prolonged and the cutoff / recovery circuit 40 turns off the output transistor 14, the soft start recovery operation as described above is automatically performed after the pause time DT elapses. It can be returned to the normal output state as soon as the load state is released.

なお、図3Aおよび図3Bのように各種短絡が起きて遮断・復帰回路40が出力トランジスタ14をいったんオフ状態にした後も、当該短絡状態がしばらく持続する場合は、図5に示すように、ソフトスタートにより一定の勾配で立ち上がった出力電流IOUTがそのまま制限値ILIMを超えて過電流制限回路36による制限を受け、かつ遮断・復帰回路40により遮断される。こうして、ソフトスタートの復帰動作が休止時間DTを挟んで数回ないし多数回繰り返される。 If various short circuits occur as shown in FIGS. 3A and 3B and the short circuit state continues for a while even after the cutoff / recovery circuit 40 turns off the output transistor 14 for a while, as shown in FIG. The output current I OUT that rises with a constant gradient due to the soft start exceeds the limit value ILIM as it is, is limited by the overcurrent limiting circuit 36, and is cut off by the cutoff / recovery circuit 40. In this way, the return operation of the soft start is repeated several times or many times with the pause time DT in between.

この場合、休止時間DTが数100ミリ秒であるのに対し、ソフトスタート中に出力電流IOUTが流れる時間FTはほんの数ミリ程度である。したがって、マクロ的にみれば、図6に示すように、短絡状態が継続している間にソフトスタートの復帰動作によって間欠的に出力電流IOUTが流れる時間はほんの一瞬であり、消費電流や発熱は無視できるほど少ない。
[他の実施形態又は変形例]
In this case, the pause time DT is several hundred milliseconds, while the time FT when the output current I OUT flows during the soft start is only a few millimeters. Therefore, from a macroscopic point of view, as shown in FIG. 6, the time during which the output current I OUT flows intermittently due to the return operation of the soft start while the short-circuit state continues is only a moment, and the current consumption and heat generation are generated. Is so small that it can be ignored.
[Other Embodiments or Modifications]

以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、上述した実施形態は本発明を限定するものではない。当業者にあっては、具体的な実施態様において本発明の技術思想および技術範囲から逸脱せずに種々の変形・変更を加えることが可能である。 Although preferred embodiments of the present invention have been described above, the above-described embodiments do not limit the present invention. Those skilled in the art can make various modifications and changes in specific embodiments without departing from the technical idea and scope of the present invention.

たとえば、上述した実施形態において、遮断・復帰回路40は、過電流制限回路36の内部電流を介して出力電流IOUTを監視したが、過電流制限回路36を介さずに直接出力電流IOUTを監視する構成とすることも可能である。 For example, in the above-described embodiment, the cutoff / recovery circuit 40 monitors the output current I OUT via the internal current of the overcurrent limiting circuit 36, but directly outputs the output current I OUT without passing through the overcurrent limiting circuit 36. It is also possible to have a configuration for monitoring.

上述した実施形態においては、遮断・復帰回路40が出力トランジスタ14を完全にオフ状態にして主制御回路20の制御動作を止めるときは、PMOSトランジスタ70をオンし、出力トランジスタ14のゲートをノードN1およびオン状態のPMOSトランジスタ70を介してVINレベルにクランプする第1の遮断動作と、主制御回路20に対してはNMOSトランジスタ94をオンして、ドライバ回路34のNMOSトランジスタ48のゲートをグランド電位にクランプする第2の遮断動作とを併用した。このように、出力トランジスタ14のオフ動作および主制御回路20の停止動作を同時かつ個別に行う二重の遮断動作により、本発明による完全オフ状態への移行を高速確実に行うことができる。しかし、高速確実性の一定の低下を伴うが、上記第1の遮断動作または第2の遮断動作の一方を省く構成も可能である。 In the above-described embodiment, when the cutoff / recovery circuit 40 completely turns off the output transistor 14 to stop the control operation of the main control circuit 20, the MOSFET transistor 70 is turned on and the gate of the output transistor 14 is set to the node N1. And the first cutoff operation that clamps to the VIN level via the MOSFET transistor 70 in the on state, and the NMOS transistor 94 is turned on for the main control circuit 20, and the gate of the NMOS transistor 48 of the driver circuit 34 is grounded. It was used in combination with the second shutoff operation of clamping to the potential. As described above, the transition to the completely off state according to the present invention can be reliably performed at high speed by the double cutoff operation in which the output transistor 14 is turned off and the main control circuit 20 is stopped simultaneously and individually. However, although there is a certain decrease in high-speed certainty, it is possible to omit either the first blocking operation or the second blocking operation.

また、上述した実施形態では、出力トランジスタ14の出力状態として出力電流IOUTおよび帰還電圧FBを監視したが、他のパラメータ(たとえばドライバ回路34の入出力状態など)の監視で代替することも可能である。 Further, in the above-described embodiment, the output current I OUT and the feedback voltage FB are monitored as the output state of the output transistor 14, but it can be replaced by monitoring other parameters (for example, the input / output state of the driver circuit 34). Is.

本発明のリニアレギュレータは、MOSトランジスタを主たる回路素子とする半導体集積回路(IC)として製作される。その場合、1チップの半導体基板上に単一の電源ICとして製作されてもよいが、複合電源ICの中に作り込まれてもよい。 The linear regulator of the present invention is manufactured as a semiconductor integrated circuit (IC) in which a MOS transistor is a main circuit element. In that case, it may be manufactured as a single power supply IC on a one-chip semiconductor substrate, or it may be manufactured in a composite power supply IC.

図7に、複合電源ICの一例を示す。この複合電源ICは、1チップの半導体基板上に2つのスイッチングレギュレータ100,102と1つのリニアレギュレータ104を搭載する。ここで、リニアレギュレータ104は、スイッチングレギュレータ100の出力電圧VOUT1をVIN入力端子10に入力し、VOUT出力端子12から電圧VOUT1より電圧レベルは低いが低リップルおよび低ノイズの出力電圧VOUT3を出力する。 FIG. 7 shows an example of a composite power supply IC. This composite power supply IC mounts two switching regulators 100 and 102 and one linear regulator 104 on a one-chip semiconductor substrate. Here, the linear regulator 104 inputs the output voltage V OUT 1 of the switching regulator 100 to the V IN input terminal 10, and the voltage level is lower than the voltage V OUT 1 from the V OUT output terminal 12, but the output voltage V has low ripple and low noise. Output OUT3.

このような複合電源ICにおいては、リニアレギュレータ104の発熱が多いと、そこから隣のスイッチングレギュレータ100,102に熱が伝わるだけでなく、半導体基板に熱歪が生じることによって、スイッチングレギュレータ100,102の誤動作を引き起こすことがある。かかる課題は、リニアレギュレータ104に本発明を適用することによって解決することができる。 In such a composite power supply IC, if the linear regulator 104 generates a lot of heat, not only heat is transferred from the linear regulator 104 to the adjacent switching regulators 100 and 102, but also thermal distortion occurs in the semiconductor substrate, so that the switching regulators 100 and 102 are generated. May cause malfunction. Such a problem can be solved by applying the present invention to the linear regulator 104.

10 VIN入力端子
12 VOUT出力端子
14 出力トランジスタ
20 主制御回路
22 帰還電圧生成回路
28 (固定)基準電圧源
30 (可変)基準電圧回路
32 誤差増幅器
34 ドライバ回路
36 過電流制限回路
40 遮断・復帰回路
50,52,54 PMOSトランジスタ
58 NMOSトランジスタ
70,72 PMOSトランジスタ
74 コンデンサ
78 コンパレータ
88 RSフリップフロップ
90,92,94 NMOSトランジスタ
96 PMOSトランジスタ
100 タイマ回路
10 V IN input terminal 12 V OUT output terminal 14 Output transistor 20 Main control circuit 22 Feedback voltage generation circuit 28 (Fixed) Reference voltage source 30 (Variable) Reference voltage circuit 32 Error amplifier 34 Driver circuit 36 Overcurrent limit circuit 40 Break Return circuit 50, 52, 54 ProLiant transistor 58 NMOS transistor 70,72 ProLiant transistor 74 Condenser 78 Comparator 88 RS flip flop 90, 92, 94 NMOS transistor 96 ProLiant transistor 100 Timer circuit

Claims (11)

入力電圧を入力する入力端子と出力電圧を出力する出力端子との間に設けられている出力トランジスタと、
前記出力電圧を分圧して帰還電圧を生成する帰還電圧生成回路と、
前記帰還電圧に基づいて、前記出力電圧が設定値に一致または近似するように第1のノードを介して前記出力トランジスタの制御端子の電圧を制御する主制御回路と、
前記出力トランジスタを流れる出力電流を監視し、前記出力電流が所定の制限値を超えたときに、前記第1のノードを介して前記出力トランジスタの制御端子の電圧を制御し、垂下特性で前記出力電流を制限する過電流制限回路と、
前記帰還電圧および前記出力電流を監視し、前記出力電流が前記過電流制限回路による制限を受け、かつ前記帰還電圧が所定の電圧閾値を下回っている状態が一定の限度を超えたときに、前記出力トランジスタを完全にオフ状態にして前記主制御回路の制御動作を止め、予め設定した休止時間を計時した後に、前記出力トランジスタのオフ状態を解除して、前記主制御回路の制御動作を再開させる遮断・復帰回路と
を有するリニアレギュレータ。
An output transistor provided between the input terminal that inputs the input voltage and the output terminal that outputs the output voltage,
A feedback voltage generation circuit that divides the output voltage to generate a feedback voltage,
A main control circuit that controls the voltage of the control terminal of the output transistor via the first node so that the output voltage matches or approximates the set value based on the feedback voltage.
The output current flowing through the output transistor is monitored, and when the output current exceeds a predetermined limit value, the voltage of the control terminal of the output transistor is controlled via the first node, and the output has a drooping characteristic. An overcurrent limiting circuit that limits the current and
The feedback voltage and the output current are monitored, and when the output current is limited by the overcurrent limiting circuit and the state where the feedback voltage is below a predetermined voltage threshold exceeds a certain limit, the said The output transistor is completely turned off to stop the control operation of the main control circuit, and after measuring a preset pause time, the output transistor is released from the off state to restart the control operation of the main control circuit. A linear regulator with a cutoff / recovery circuit.
前記過電流制限回路は、前記入力端子と前記第1のノードとの間に設けられている第1のトランジスタを有し、前記出力電流が前記制限値を超えているときに前記出力電流に対応する第1の内部電流を前記第1のトランジスタに流して、前記出力トランジスタの制御端子の電圧を制御する、
請求項1に記載のリニアレギュレータ。
The overcurrent limiting circuit has a first transistor provided between the input terminal and the first node, and corresponds to the output current when the output current exceeds the limit value. A first internal current is passed through the first transistor to control the voltage of the control terminal of the output transistor.
The linear regulator according to claim 1.
前記過電流制限回路は、
制御端子が前記第1のノードに接続され、前記出力電流に対応する第2の内部電流を流す第2のトランジスタと、
前記第2の内部電流に応じた電圧降下を発生する抵抗と、
前記抵抗の電圧降下を制御電圧として入力し、前記出力電流が前記制限値を超えているときにオンする第3のトランジスタと、
前記入力端子と基準電圧端子との間で前記第3のトランジスタと直列に接続され、かつ前記第1のトランジスタとカレントミラー回路を構成する第4のトランジスタと
を有する、請求項2に記載のリニアレギュレータ。
The overcurrent limiting circuit is
A second transistor in which a control terminal is connected to the first node and a second internal current corresponding to the output current flows,
A resistor that generates a voltage drop according to the second internal current,
A third transistor that inputs the voltage drop of the resistor as a control voltage and turns on when the output current exceeds the limit value, and
The linear according to claim 2, wherein the input terminal and the reference voltage terminal are connected in series with the third transistor and have the first transistor and a fourth transistor constituting the current mirror circuit. regulator.
前記遮断・復帰回路は、前記入力端子と前記第1のノードとの間に設けられている第5のトランジスタを有し、前記出力電流が前記過電流制限回路による制限を受け、かつ前記帰還電圧が所定の電圧閾値を下回っている状態が一定の限度を超えたときに、前記第5のトランジスタをオンさせて前記出力トランジスタをオフさせる、請求項1〜3のいずれか一項に記載のリニアレギュレータ。 The cutoff / recovery circuit has a fifth transistor provided between the input terminal and the first node, the output current is limited by the overcurrent limiting circuit, and the feedback voltage is limited. The linear according to any one of claims 1 to 3, wherein when the state below a predetermined voltage threshold exceeds a certain limit, the fifth transistor is turned on and the output transistor is turned off. regulator. 前記遮断・復帰回路は、
前記帰還電圧を制御電圧として入力し、前記帰還電圧が予め設定した電圧閾値を下回ったときにオンする第6のトランジスタと、
前記出力電流が前記制限値を超えているときに、オン状態の前記第6のトランジスタを介して前記出力電流に対応する第3の内部電流を流す第7のトランジスタと、
前記第3の内部電流によって充電されるコンデンサと、
前記コンデンサの充電電圧と所定の監視値とを比較して両者の高低関係を表す二値論理の比較結果を出力するコンパレータと、
前記コンデンサの充電電圧が前記監視値を超えたときに、前記コンパレータの出力に応動して前記第5のトランジスタをオンさせるラッチ回路と
を有し、
前記充電電圧が前記監視値を超える前に前記帰還電圧が前記電圧閾値より高くなったときは、前記第6のトランジスタがオフして、前記第3の内部電流による前記コンデンサの充電が停止し、前記コンデンサが放電する、
請求項4に記載のリニアレギュレータ。
The cutoff / recovery circuit is
A sixth transistor that inputs the feedback voltage as a control voltage and turns on when the feedback voltage falls below a preset voltage threshold value.
When the output current exceeds the limit value, a seventh transistor that allows a third internal current corresponding to the output current to flow through the sixth transistor in the ON state, and a seventh transistor.
A capacitor charged by the third internal current and
A comparator that compares the charging voltage of the capacitor with a predetermined monitoring value and outputs a comparison result of binary logic that expresses the high-low relationship between the two.
It has a latch circuit that turns on the fifth transistor in response to the output of the comparator when the charging voltage of the capacitor exceeds the monitoring value.
When the feedback voltage becomes higher than the voltage threshold value before the charging voltage exceeds the monitoring value, the sixth transistor is turned off and charging of the capacitor by the third internal current is stopped. The capacitor discharges,
The linear regulator according to claim 4.
前記第7のトランジスタは、前記出力電流を監視するために前記過電流制限回路内で生成される内部電流をカレントミラーして前記第3の内部電流を生成する、請求項5に記載のリニアレギュレータ。 The linear regulator according to claim 5, wherein the seventh transistor currently mirrors an internal current generated in the overcurrent limiting circuit in order to monitor the output current to generate the third internal current. .. 前記主制御回路は、
前記出力電圧の設定値に対応する第1の基準電圧を出力する基準電圧源と、
コンデンサの充放電によりグランド電位から入力電圧レベルまで可変する第2の基準電圧を出力する基準電圧回路と、
前記帰還電圧を前記第1および第2の基準電圧のうちの低い方と比較して比較誤差を表す誤差信号を生成する誤差増幅器と、
前記誤差信号に応じて前記出力トランジスタの制御端子に与えるための電圧を出力するドライバ回路と
を有し、
前記遮断・復帰回路は、前記出力トランジスタのオフ状態を持続している間は、前記基準電圧回路における前記第2の基準電圧を前記グランド電位に保持し、前記出力トランジスタのオフ状態を解除する時は、前記第2の基準電圧を前記グランド電位から前記入力電圧レベルまで漸次的に上昇させる、
請求項1〜6のいずれか一項に記載のリニアレギュレータ。
The main control circuit
A reference voltage source that outputs a first reference voltage corresponding to the set value of the output voltage, and
A reference voltage circuit that outputs a second reference voltage that varies from the ground potential to the input voltage level by charging and discharging the capacitor,
An error amplifier that compares the feedback voltage with the lower of the first and second reference voltages to generate an error signal that represents a comparison error.
It has a driver circuit that outputs a voltage to be applied to the control terminal of the output transistor in response to the error signal.
When the cutoff / recovery circuit holds the second reference voltage in the reference voltage circuit at the ground potential and releases the off state of the output transistor while the output transistor is kept off. Gradually raises the second reference voltage from the ground potential to the input voltage level.
The linear regulator according to any one of claims 1 to 6.
前記ドライバ回路は、
前記入力端子と前記第1のノードとの間に設けられている抵抗と、
前記第1のノードと基準電位端子との間に接続され、その制御端子に前記誤差増幅器からの前記誤差信号を入力する第8のトランジスタと
を有する、請求項7に記載のリニアレギュレータ。
The driver circuit
A resistor provided between the input terminal and the first node,
The linear regulator according to claim 7, further comprising an eighth transistor connected between the first node and the reference potential terminal and input to the control terminal the error signal from the error amplifier.
前記遮断・復帰回路は、前記出力トランジスタのオフ状態を解除して前記主制御回路の制御動作を再開させるときは、前記第2の基準電圧が所定の判定用基準電圧を超えてから前記帰還電圧および前記出力電流の監視を開始する、請求項7または請求項8に記載のリニアレギュレータ。 When the cutoff / recovery circuit releases the off state of the output transistor and restarts the control operation of the main control circuit, the feedback voltage is waited after the second reference voltage exceeds a predetermined reference voltage for determination. The linear regulator according to claim 7 or 8, wherein the monitoring of the output current is started. 前記遮断・復帰回路は、前記休止時間を計時するためのタイマ回路を有する、請求項1〜9のいずれか一項に記載のリニアレギュレータ。 The linear regulator according to any one of claims 1 to 9, wherein the cutoff / return circuit has a timer circuit for measuring the pause time. 入力電圧を入力する入力端子と出力電圧を出力する出力端子との間に設けられている出力トランジスタと、
前記出力電圧を分圧して帰還電圧を生成する帰還電圧生成回路と、
前記帰還電圧に基づいて、前記出力電圧が設定値に一致または近似するように前記出力トランジスタの制御端子の電圧を制御する主制御回路と、
前記出力トランジスタを流れる出力電流を監視し、前記出力電流が所定の制限値を超えたときに、前記主制御回路に優先して前記出力トランジスタの制御端子の電圧を制御し、前記出力電流を前記制限値以下に制限する過電流制限回路と、
前記出力トランジスタの出力状態を監視し、前記出力状態が所定の限度を超えたときは、前記出力トランジスタを強制的にオフ状態にして前記主制御回路の制御動作を止め、予め設定した休止時間を計時した後に、前記出力トランジスタのオフ状態を解除して、前記主制御回路の制御動作を再開させる遮断・復帰回路と
を有するリニアレギュレータ。
An output transistor provided between the input terminal that inputs the input voltage and the output terminal that outputs the output voltage,
A feedback voltage generation circuit that divides the output voltage to generate a feedback voltage,
A main control circuit that controls the voltage of the control terminal of the output transistor so that the output voltage matches or approximates the set value based on the feedback voltage.
The output current flowing through the output transistor is monitored, and when the output current exceeds a predetermined limit value, the voltage of the control terminal of the output transistor is controlled in preference to the main control circuit, and the output current is controlled by the output current. An overcurrent limiting circuit that limits below the limit value, and
The output state of the output transistor is monitored, and when the output state exceeds a predetermined limit, the output transistor is forcibly turned off to stop the control operation of the main control circuit, and a preset pause time is set. A linear regulator having a cutoff / return circuit that releases the off state of the output transistor after timing and restarts the control operation of the main control circuit.
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