JP2021064904A

JP2021064904A - Filter device

Info

Publication number: JP2021064904A
Application number: JP2019189572A
Authority: JP
Inventors: 雄介上道; Yusuke Uemichi
Original assignee: Fujikura Ltd
Current assignee: Fujikura Ltd
Priority date: 2019-10-16
Filing date: 2019-10-16
Publication date: 2021-04-22

Abstract

To realize a narrow bandpass filter with smaller insertion loss than conventional bandpass filters.SOLUTION: A bandpass filter (1) includes a first bandpass filter (1A) including a plurality of electromagnetically coupled resonators (11A to 15A), and a second bandpass filter (1B) including a plurality of electromagnetically coupled resonators (11B to 15B). A number of resonators (11A to 15A) included in the first bandpass filter (1A) and a number of resonators (11B to 15B) included in the second bandpass filter (1B) are equal to each other. A pass band of the first bandpass filter (1A) and a pass band of the second bandpass filter (1B) are set so as to be different from each other and have a common part.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、特定の周波数帯域に属する電磁波を選択的に透過させるフィルタ装置に関する。 The present invention relates to a filter device that selectively transmits electromagnetic waves belonging to a specific frequency band.

特定の周波数帯域に属する電磁波を選択的に透過させるバンドパスフィルタが通信その他の用途において広く利用されている。バンドパスフィルタは、例えば、複数の共振器を連結することによって実現することができる。非特許文献１には、このようなバンドパスフィルタの挿入損失Ｌが以下の式を用いて算出できることが記載されている。

Bandpass filters that selectively transmit electromagnetic waves belonging to a specific frequency band are widely used in communications and other applications. The bandpass filter can be realized, for example, by connecting a plurality of resonators. Non-Patent Document 1 describes that the insertion loss L of such a bandpass filter can be calculated by using the following formula.

ここで、ＦＢＷは、バンドパスフィルタの比帯域幅である。また、Ｑ_ｕｉは、バンドパスフィルタを構成する各共振器の無負荷Ｑ値である。ｇｉは、プロトタイプローパスフィルタのｇパラメータである。Ωｃは、定数である。ここでは、Ωｃ＝１とする。 Here, FBW is the specific bandwidth of the bandpass filter. Further, the _QUI is a no-load Q value of each resonator constituting the bandpass filter. gi is a g parameter of the prototype low-pass filter. Ωc is a constant. Here, Ωc = 1.

通過帯域の中心周波数が２８ＧＨｚに設定された５段チェビシェフフィルタの挿入損失を式（１）を用いて算出した結果を図１０に示す。ここでは、厚さ０．８６ｍｍの石英ガラスからなる誘電体基板内に実現された５段チェビシェフフィルタ、及び、厚さ０．８６ｍｍのセラミクスからなる誘電体基板内に実現された５段チェビシェフフィルタについて、通過帯域の帯域幅を変えながら挿入損失を算出し、挿入損失の帯域幅依存性を示している。 FIG. 10 shows the result of calculating the insertion loss of the 5-stage Chebyshev filter in which the center frequency of the pass band is set to 28 GHz using the equation (1). Here, the 5-stage Chebyshev filter realized in a dielectric substrate made of quartz glass having a thickness of 0.86 mm and the 5-stage Chebyshev filter realized in a dielectric substrate made of ceramics having a thickness of 0.86 mm. , The insertion loss is calculated while changing the bandwidth of the pass band, and the bandwidth dependence of the insertion loss is shown.

Hong, Jia-Sheng, Microstrip filters for RF microwave application - 2nd ed., Wiley series in microwave and optical engineering;216, John Wiley & Sons, Inc., 2011Hong, Jia-Sheng, Microstrip filters for RF microwave application --2nd ed., Wiley series in microwave and optical engineering; 216, John Wiley & Sons, Inc., 2011

従来のバンドパスフィルタにおいては、通過帯域の狭帯域化を図ると挿入損失が著しく増大するという問題があった。 In the conventional bandpass filter, there is a problem that the insertion loss increases remarkably when the pass band is narrowed.

例えば、石英ガラスからなる誘電体基板内に実現された５段チェビシェフフィルタの場合、以下のような問題が生じることが、図１０から確かめられる。すなわち、通過帯域の帯域幅が１．５ＧＨｚであれば、挿入損失は１．５ｄＢ程度である。しかしながら、通過帯域の帯域幅が６００ＭＨｚになると、挿入損失は３．４ｄＢ程度になる。したがって、通過帯域幅を１．５ＧＨｚから６００ＭＨｚへと狭帯域化すると、挿入損失が１．９ｄＢも増大する。また、通過帯域の帯域幅が４００ＭＨｚになると、挿入損失は５．１ｄＢ程度になる。したがって、通過帯域幅を１．５ＧＨｚから４００ＭＨｚへと狭帯域化すると、挿入損失が３．６ｄＢも増大する。 For example, in the case of a 5-stage Chebyshev filter realized in a dielectric substrate made of quartz glass, it can be confirmed from FIG. 10 that the following problems occur. That is, if the bandwidth of the pass band is 1.5 GHz, the insertion loss is about 1.5 dB. However, when the bandwidth of the pass band becomes 600 MHz, the insertion loss becomes about 3.4 dB. Therefore, narrowing the passband bandwidth from 1.5 GHz to 600 MHz increases the insertion loss by 1.9 dB. Further, when the bandwidth of the pass band becomes 400 MHz, the insertion loss becomes about 5.1 dB. Therefore, narrowing the passband bandwidth from 1.5 GHz to 400 MHz increases the insertion loss by 3.6 dB.

第５世代移動通信システムに関して、日本では、２８ＧＨｚ帯において各キャリアに４００ＭＨｚの帯域幅を割り当てる予定であることが、総務省から報告されている。このため、狭帯域化を図ると挿入損失が著しく増大する従来のバンドパスフィルタは、第５世代移動通信システムへの適用が困難であると考えられる。 Regarding the 5th generation mobile communication system, the Ministry of Internal Affairs and Communications has reported that Japan plans to allocate a bandwidth of 400 MHz to each carrier in the 28 GHz band. Therefore, it is considered difficult to apply the conventional bandpass filter, in which the insertion loss is remarkably increased when the band is narrowed, to the 5th generation mobile communication system.

本発明の一態様は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、従来のバンドパスフィルタよりも挿入損失の小さい、狭帯域なバンドパスフィルタを実現することを目的とする。 One aspect of the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to realize a narrow band bandpass filter having a smaller insertion loss than a conventional bandpass filter.

本発明の態様１に係るフィルタ装置においては、電磁結合された複数の共振器を含む第１バンドパスフィルタと、電磁結合された複数の共振器を含む第２バンドパスフィルタと、を備え、前記第１バンドパスフィルタに含まれる共振器の個数と前記第２バンドパスフィルタに含まれる共振器の個数とは、互いに等しく、前記第１バンドパスフィルタの通過帯域と前記第２バンドパスフィルタの通過帯域とが、互いに相違し、且つ、共通部分を有するように設定されている、という構成が採用されている。 The filter device according to the first aspect of the present invention includes a first bandpass filter including a plurality of electromagnetically coupled resonators and a second bandpass filter including a plurality of electromagnetically coupled resonators. The number of resonators included in the first bandpass filter and the number of resonators included in the second bandpass filter are equal to each other, and the pass band of the first bandpass filter and the pass band of the second bandpass filter are equal to each other. A configuration is adopted in which the bands are set so as to be different from each other and have a common part.

上記の構成によれば、第１バンドパスフィルタの通過帯域と第２バンドパスフィルタの通過帯域の共通部分を通過帯域とする、狭帯域なバンドパスフィルタを実現することができる。また、同様の狭帯域化を図った従来のバンドパスフィルタ（例えば、５段チェビシェフフィルタ）と比べて挿入損失が小さいバンドパスフィルタを実現することができる。 According to the above configuration, it is possible to realize a narrow bandpass filter in which the common portion of the passband of the first bandpass filter and the passband of the second bandpass filter is the passband. In addition, it is possible to realize a bandpass filter having a smaller insertion loss than a conventional bandpass filter (for example, a 5-stage Chebyshev filter) with the same narrow band.

本発明の態様２に係るフィルタ装置においては、態様１に係るフィルタ装置の構成に加えて、前記第１バンドパスフィルタに含まれる各共振器のサイズと、該共振器に対応する、前記第２バンドパスフィルタに含まれる共振器のサイズとが、互いに相違している、という構成が採用されている。 In the filter device according to the second aspect of the present invention, in addition to the configuration of the filter device according to the first aspect, the size of each resonator included in the first bandpass filter and the second one corresponding to the resonator. A configuration is adopted in which the sizes of the resonators included in the bandpass filter are different from each other.

上記の構成によれば、同様の狭帯域化を図った従来のバンドパスフィルタと比べて挿入損失が小さいバンドパスフィルタを、容易に設計することができる。 According to the above configuration, it is possible to easily design a bandpass filter having a smaller insertion loss than a conventional bandpass filter having the same narrow band.

本発明の態様３に係るフィルタ装置においては、態様１に係るフィルタ装置の構成に加えて、前記第１バンドパスフィルタに含まれる少なくとも１つの共振器の内部に第１導体ポストが設けられており、前記第２バンドパスフィルタに含まれる少なくとも１つの共振器の内部に第２導体ポストが設けられており、前記第１導体ポストから前記第１バンドパスフィルタに含まれる前記少なくとも１つの共振器の狭壁までの最短距離と、前記第２導体ポストから前記第２バンドパスフィルタに含まれる前記少なくとも１つの共振器の狭壁までの最短距離とが、互いに相違している、という構成が採用されている。 In the filter device according to the third aspect of the present invention, in addition to the configuration of the filter device according to the first aspect, a first conductor post is provided inside at least one resonator included in the first bandpass filter. A second conductor post is provided inside at least one resonator included in the second bandpass filter, and the first conductor post to the at least one resonator included in the first bandpass filter. A configuration is adopted in which the shortest distance to the narrow wall and the shortest distance from the second conductor post to the narrow wall of the at least one resonator included in the second bandpass filter are different from each other. ing.

本発明の態様４に係るフィルタ装置においては、態様１に係るフィルタ装置の構成に加えて、前記第１バンドパスフィルタ又は前記第２バンドパスフィルタの一方に含まれる少なくとも１つの共振器の内部に導体ポストが設けられており、前記第１バンドパスフィルタ又は前記第２バンドパスフィルタの他方に含まれる少なくとも１つの共振器の内部に導体ポストが設けられていない、という構成が採用されている。 In the filter device according to the fourth aspect of the present invention, in addition to the configuration of the filter device according to the first aspect, inside at least one resonator included in either the first bandpass filter or the second bandpass filter. A conductor post is provided, and the conductor post is not provided inside at least one resonator included in the first bandpass filter or the other of the second bandpass filter.

本発明の態様５に係るフィルタ装置においては、態様１〜４の何れか一態様に係るフィルタ装置の構成に加えて、前記第１バンドパスフィルタに含まれる各共振器は、円柱状であり、前記第１バンドパスフィルタは、前記複数の共振器を花弁状に配置することにより構成されており、前記第２バンドパスフィルタに含まれる各共振器は、円柱状であり、前記第２バンドパスフィルタは、前記複数の共振器を花弁状に配置することより構成されている、という構成が採用されている。 In the filter device according to the fifth aspect of the present invention, in addition to the configuration of the filter device according to any one of the first to fourth aspects, each resonator included in the first bandpass filter is cylindrical. The first bandpass filter is configured by arranging the plurality of resonators in a petal shape, and each resonator included in the second bandpass filter has a columnar shape, and the second bandpass filter is formed. The filter is configured by arranging the plurality of resonators in a petal shape.

上記の構成によれば、各共振器の半径を調整すること、或いは、各共振器の内部に設けられた導体ポストから該共振器の狭壁までの距離を調整することによって、所望の特性を有するバンドパスフィルタを容易に設計することができる。また、所望の特性を有するバンドパスフィルタをコンパクトに実現することができる。 According to the above configuration, the desired characteristics can be obtained by adjusting the radius of each resonator or by adjusting the distance from the conductor post provided inside each resonator to the narrow wall of the resonator. The bandpass filter to have can be easily designed. Further, a bandpass filter having desired characteristics can be realized compactly.

本発明の一態様によれば、従来のバンドパスフィルタよりも挿入損失の小さい、狭帯域なバンドパスフィルタを実現することができる。 According to one aspect of the present invention, it is possible to realize a narrow band bandpass filter having a smaller insertion loss than a conventional bandpass filter.

本発明の一実施形態に係るフィルタ装置の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the filter apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 図１に示すフィルタ装置の平面図である。It is a top view of the filter apparatus shown in FIG. 図１に示すフィルタ装置における通過帯域の第１の設定方法を示す図である。（ａ）は、第１バンドパスフィルタの平面図であり、（ｂ）は、第２バンドパスフィルタの平面図である。（ｃ）は、第１バンドパスフィルタ、第２バンドパスフィルタ、及びフィルタ装置全体について、透過係数の周波数依存性を表すグラフである。It is a figure which shows the 1st setting method of the pass band in the filter apparatus shown in FIG. (A) is a plan view of the first bandpass filter, and (b) is a plan view of the second bandpass filter. (C) is a graph showing the frequency dependence of the transmission coefficient for the first bandpass filter, the second bandpass filter, and the entire filter device. 図１に示すフィルタ装置における通過帯域の第２の設定方法を示す図である。（ａ）は、第１バンドパスフィルタの平面図であり、（ｂ）は、第２バンドパスフィルタの平面図である。（ｃ）は、第１バンドパスフィルタ、第２バンドパスフィルタ、及びフィルタ装置全体について、透過係数の周波数依存性を表すグラフである。It is a figure which shows the 2nd setting method of the pass band in the filter apparatus shown in FIG. (A) is a plan view of the first bandpass filter, and (b) is a plan view of the second bandpass filter. (C) is a graph showing the frequency dependence of the transmission coefficient for the first bandpass filter, the second bandpass filter, and the entire filter device. 図１に示すフィルタ装置における通過帯域の第３の設定方法を示す図である。（ａ）は、第１バンドパスフィルタの平面図であり、（ｂ）は、第２バンドパスフィルタの平面図である。（ｃ）は、第１バンドパスフィルタ、第２バンドパスフィルタ、及びフィルタ装置全体について、透過係数の周波数依存性を表すグラフである。It is a figure which shows the 3rd setting method of the pass band in the filter apparatus shown in FIG. (A) is a plan view of the first bandpass filter, and (b) is a plan view of the second bandpass filter. (C) is a graph showing the frequency dependence of the transmission coefficient for the first bandpass filter, the second bandpass filter, and the entire filter device. 第１の実施例に係るフィルタ装置の平面図である。It is a top view of the filter apparatus which concerns on 1st Example. 図６に示すフィルタ装置に関して、第１バンドパスフィルタ、第２バンドパスフィルタ、及びフィルタ装置全体における透過係数の周波数依存性を表すグラフである。6 is a graph showing the frequency dependence of the transmission coefficient in the first bandpass filter, the second bandpass filter, and the entire filter device with respect to the filter device shown in FIG. 第２の実施例に係るフィルタ装置の平面図である。It is a top view of the filter apparatus which concerns on 2nd Example. 図７に示すフィルタ装置に関して、第１バンドパスフィルタ、第２バンドパスフィルタ、及びフィルタ装置全体における透過係数の周波数依存性を表すグラフである。It is a graph which shows the frequency dependence of the transmission coefficient in the 1st bandpass filter, the 2nd bandpass filter, and the filter apparatus as a whole about the filter apparatus shown in FIG. 従来のバンドパスフィルタに関して、透過係数の周波数依存性を表すグラフである。It is a graph which shows the frequency dependence of the transmission coefficient with respect to the conventional bandpass filter.

（フィルタの構成）
本発明の一実施形態に係るフィルタ装置１について、図１を参照して説明する。図１は、フィルタ装置１の斜視透視図である。 (Filter configuration)
The filter device 1 according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a perspective perspective view of the filter device 1.

フィルタ装置１は、第１バンドパスフィルタ１Ａと、第２バンドパスフィルタ１Ｂと、結合導波路１Ｃと、導波路１０Ａと、導波路１０Ｂと、を備えている。第１バンドパスフィルタ１Ａと第２バンドパスフィルタ１Ｂとは、結合導波路１Ｃを介して結合されている。第１バンドパスフィルタ１Ａの通過帯域と第２バンドパスフィルタ１Ｂの通過帯域とは、互いに相違し、且つ、共通部分を有している。これにより、フィルタ装置１は、この共通部分を通過帯域とする、狭帯域バンドパスフィルタとして機能する。 The filter device 1 includes a first bandpass filter 1A, a second bandpass filter 1B, a coupled waveguide 1C, a waveguide 10A, and a waveguide 10B. The first bandpass filter 1A and the second bandpass filter 1B are coupled via a coupling waveguide 1C. The pass band of the first bandpass filter 1A and the pass band of the second bandpass filter 1B are different from each other and have a common part. As a result, the filter device 1 functions as a narrow band bandpass filter having this common portion as a pass band.

第１バンドパスフィルタ１Ａは、円柱状の５つの共振器１１Ａ〜１５Ａを備えている。また、第１バンドパスフィルタ１Ａは、直方体状の導波路１０Ａを介して外部と結合されている。 The first bandpass filter 1A includes five columnar resonators 11A to 15A. Further, the first bandpass filter 1A is coupled to the outside via a rectangular parallelepiped waveguide 10A.

導波路１０Ａは、互いに対向する一対の広壁１０Ａ１，１０Ａ２と、広壁１０Ａ１，１０Ａ２に挟まれた空間を取り囲み、広壁１０Ａ１，１０Ａ２を短絡する狭壁１０Ａ３と、により構成されている。また、共振器１１Ａは、互いに対向する一対の広壁１１Ａ１，１１Ａ２と、広壁１１Ａ１，１１Ａ２に挟まれた空間を取り囲み、広壁１１Ａ１，１１Ａ２を短絡する狭壁１１Ａ３と、により構成されている。また、共振器１２Ａは、互いに対向する一対の広壁１２Ａ１，１２Ａ２と、広壁１２Ａ１，１２Ａ２に挟まれた空間を取り囲み、広壁１２Ａ１，１２Ａ２を短絡する狭壁１２Ａ３により構成されている。また、共振器１３Ａは、互いに対向する一対の広壁１３Ａ１，１３Ａ２と、広壁１３Ａ１，１３Ａ２に挟まれた空間を取り囲み、広壁１３Ａ１，１３Ａ２を短絡する狭壁１３Ａ３により構成されている。また、共振器１４Ａは、互いに対向する一対の広壁１４Ａ１，１４Ａ２と、広壁１４Ａ１，１４Ａ２に挟まれた空間を取り囲み、広壁１４Ａ１，１４Ａ２を短絡する狭壁１４Ａ３により構成されている。また、共振器１５Ａは、互いに対向する一対の広壁１５Ａ１，１５Ａ２と、広壁１５Ａ１，１５Ａ２に挟まれた空間を取り囲み、広壁１５Ａ１，１５Ａ２を短絡する狭壁１５Ａ３により構成されている。 The waveguide 10A is composed of a pair of wide walls 10A1 and 10A2 facing each other and a narrow wall 10A3 that surrounds a space sandwiched between the wide walls 10A1 and 10A2 and short-circuits the wide walls 10A1 and 10A2. Further, the resonator 11A is composed of a pair of wide walls 11A1 and 11A2 facing each other and a narrow wall 11A3 that surrounds the space sandwiched between the wide walls 11A1 and 11A2 and short-circuits the wide walls 11A1 and 11A2. .. Further, the resonator 12A is composed of a pair of wide walls 12A1 and 12A2 facing each other and a narrow wall 12A3 that surrounds the space sandwiched between the wide walls 12A1 and 12A2 and short-circuits the wide walls 12A1 and 12A2. Further, the resonator 13A is composed of a pair of wide walls 13A1 and 13A2 facing each other and a narrow wall 13A3 that surrounds the space sandwiched between the wide walls 13A1 and 13A2 and short-circuits the wide walls 13A1 and 13A2. Further, the resonator 14A is composed of a pair of wide walls 14A1 and 14A2 facing each other and a narrow wall 14A3 that surrounds the space sandwiched between the wide walls 14A1 and 14A2 and short-circuits the wide walls 14A1 and 14A2. Further, the resonator 15A is composed of a pair of wide walls 15A1 and 15A2 facing each other and a narrow wall 15A3 that surrounds the space sandwiched between the wide walls 15A1 and 15A2 and short-circuits the wide walls 15A1 and 15A2.

ここで、広壁１０Ａ１，１１Ａ１，１２Ａ１，１３Ａ１，１４Ａ１，１５Ａ１は、個別の又は一連の導体層により構成することができる。また、広壁１０Ａ１，１１Ａ１，１２Ａ１，１３Ａ１，１４Ａ１，１５Ａ１は、図示した座標系においてｘｙ平面と平行な同一の平面上に配置される。一方、広壁１０Ａ２，１１Ａ２，１２Ａ２，１３Ａ２，１４Ａ２，１５Ａ２は、個別の又は一連の導体層により構成することができる。また、広壁１０Ａ２，１１Ａ２，１２Ａ２，１３Ａ２，１４Ａ２，１５Ａ２は、図示した座標系においてｘｙ平面と平行な同一の平面上に配置される。狭壁１０Ａ３，１１Ａ３，１２Ａ３，１３Ａ３，１４Ａ３，１５Ａ３は、個別の又は一連の導体層、又は、ポスト壁により構成することができる。ここで、ポスト壁とは、柵状に配列された導体ポストの集合のことを指す。ポスト壁は、導体層と同様、第１バンドパスフィルタ１Ａに入力された電磁波を反射する反射壁として機能する。 Here, the wide walls 10A1, 11A1, 12A1, 13A1, 14A1, 15A1 can be composed of individual or a series of conductor layers. Further, the wide walls 10A1, 11A1, 12A1, 13A1, 14A1, 15A1 are arranged on the same plane parallel to the xy plane in the illustrated coordinate system. On the other hand, the wide walls 10A2, 11A2, 12A2, 13A2, 14A2, 15A2 can be composed of individual or a series of conductor layers. Further, the wide walls 10A2, 11A2, 12A2, 13A2, 14A2, 15A2 are arranged on the same plane parallel to the xy plane in the illustrated coordinate system. The narrow walls 10A3, 11A3, 12A3, 13A3, 14A3, 15A3 can be composed of individual or series of conductor layers or post walls. Here, the post wall refers to a set of conductor posts arranged in a fence shape. Like the conductor layer, the post wall functions as a reflective wall that reflects electromagnetic waves input to the first bandpass filter 1A.

共振器１１Ａの内部には、導体ポスト１１Ａ４が形成されている。導体ポスト１１Ａ４は、広壁１１Ａ１と広壁１１Ａ２とを短絡する、柱状（例えば、円柱状）又は筒状（例えば、円筒状）の導体である。また、共振器１２Ａの内部には、導体ポスト１２Ａ４が形成されている。導体ポスト１２Ａ４は、広壁１２Ａ１と広壁１２Ａ２とを短絡する、柱状（例えば、円柱状）又は筒状（例えば、円筒状）の導体である。また、共振器１３Ａの内部には、導体ポスト１３Ａ４が形成されている。導体ポスト１３Ａ４は、広壁１３Ａ１と広壁１３Ａ２とを短絡する、柱状（例えば、円柱状）又は筒状（例えば、円筒状）の導体である。また、共振器１４Ａの内部には、導体ポスト１４Ａ４が形成されている。導体ポスト１４Ａ４は、広壁１４Ａ１と広壁１４Ａ２とを短絡する、柱状（例えば、円柱状）又は筒状（例えば、円筒状）の導体である。また、共振器１５Ａの内部には、導体ポスト１５Ａ４が形成されている。導体ポスト１５Ａ４は、広壁１５Ａ１と広壁１５Ａ２とを短絡する、柱状（例えば、円柱状）又は筒状（例えば、円筒状）の導体である。 A conductor post 11A4 is formed inside the resonator 11A. The conductor post 11A4 is a columnar (for example, cylindrical) or cylindrical (for example, cylindrical) conductor that short-circuits the wide wall 11A1 and the wide wall 11A2. Further, a conductor post 12A4 is formed inside the resonator 12A. The conductor post 12A4 is a columnar (for example, cylindrical) or cylindrical (for example, cylindrical) conductor that short-circuits the wide wall 12A1 and the wide wall 12A2. Further, a conductor post 13A4 is formed inside the resonator 13A. The conductor post 13A4 is a columnar (for example, cylindrical) or cylindrical (for example, cylindrical) conductor that short-circuits the wide wall 13A1 and the wide wall 13A2. Further, a conductor post 14A4 is formed inside the resonator 14A. The conductor post 14A4 is a columnar (for example, cylindrical) or cylindrical (for example, cylindrical) conductor that short-circuits the wide wall 14A1 and the wide wall 14A2. Further, a conductor post 15A4 is formed inside the resonator 15A. The conductor post 15A4 is a columnar (for example, cylindrical) or cylindrical (for example, cylindrical) conductor that short-circuits the wide wall 15A1 and the wide wall 15A2.

導波路１０Ａ、共振器１１Ａ、共振器１２Ａ、共振器１３Ａ、共振器１４Ａ、及び共振器１５Ａは、この順に電磁結合されている。すなわち、導波路１０Ａと共振器１１Ａとは、導波路１０Ａの狭壁１０Ａ３に設けられた開口及び共振器１１Ａの狭壁１１Ａ３に設けられた開口を介して、互いに電磁結合されている。この開口のことを、以下、結合窓１０１Ａと記載する。また、共振器１１Ａと共振器１２Ａとは、共振器１１Ａの狭壁１１Ａ３に設けられた開口及び共振器１２Ａの狭壁１２Ａ３に設けられた開口を介して、互いに電磁結合されている。この開口のことを、以下、結合窓１１２Ａと記載する。また、共振器１２Ａと共振器１３Ａとは、共振器１２Ａの狭壁１２Ａ３に設けられた開口及び共振器１３Ａの狭壁１３Ａ３に設けられた開口を介して、互いに電磁結合されている。この開口のことを、以下、結合窓１２３Ａと記載する。また、共振器１３Ａと共振器１４Ａとは、共振器１３Ａの狭壁１３Ａ３に設けられた開口及び共振器１４Ａの狭壁１４Ａ３に設けられた開口を介して互いに電磁結合されている。この開口のことを、以下、結合窓１３４Ａと記載する。また、共振器１４Ａと共振器１５Ａとは、共振器１４Ａの狭壁１４Ａ３に設けられた開口及び共振器１５Ａの狭壁１５Ａ３に設けられた開口を介して互いに電磁結合されている。この開口のことを、以下、結合窓１４５Ａと記載する。 The waveguide 10A, the resonator 11A, the resonator 12A, the resonator 13A, the resonator 14A, and the resonator 15A are electromagnetically coupled in this order. That is, the waveguide 10A and the resonator 11A are electromagnetically coupled to each other through an opening provided in the narrow wall 10A3 of the waveguide 10A and an opening provided in the narrow wall 11A3 of the resonator 11A. This opening will be hereinafter referred to as a coupling window 101A. Further, the resonator 11A and the resonator 12A are electromagnetically coupled to each other through an opening provided in the narrow wall 11A3 of the resonator 11A and an opening provided in the narrow wall 12A3 of the resonator 12A. This opening will be hereinafter referred to as a coupling window 112A. Further, the resonator 12A and the resonator 13A are electromagnetically coupled to each other through an opening provided in the narrow wall 12A3 of the resonator 12A and an opening provided in the narrow wall 13A3 of the resonator 13A. This opening will be hereinafter referred to as a coupling window 123A. Further, the resonator 13A and the resonator 14A are electromagnetically coupled to each other through an opening provided in the narrow wall 13A3 of the resonator 13A and an opening provided in the narrow wall 14A3 of the resonator 14A. This opening will be hereinafter referred to as a coupling window 134A. Further, the resonator 14A and the resonator 15A are electromagnetically coupled to each other through an opening provided in the narrow wall 14A3 of the resonator 14A and an opening provided in the narrow wall 15A3 of the resonator 15A. This opening will be hereinafter referred to as a coupling window 145A.

第２バンドパスフィルタ１Ｂは、円柱状の５つの共振器１１Ｂ〜１５Ｂを備えている。また、第２バンドパスフィルタ１Ｂは、直方体状の導波路１０Ｂを介して外部と結合されている。 The second bandpass filter 1B includes five columnar resonators 11B to 15B. Further, the second bandpass filter 1B is coupled to the outside via a rectangular parallelepiped waveguide 10B.

共振器１１Ｂは、互いに対向する一対の広壁１１Ｂ１，１１Ｂ２と、広壁１１Ｂ１，１１Ｂ２に挟まれた空間を取り囲み、広壁１１Ｂ１，１１Ｂ２を短絡する狭壁１１Ｂ３と、により構成されている。また、共振器１２Ｂは、互いに対向する一対の広壁１２Ｂ１，１２Ｂ２と、広壁１２Ｂ１，１２Ｂ２に挟まれた空間を取り囲み、広壁１２Ｂ１，１２Ｂ２を短絡する狭壁１２Ｂ３により構成されている。また、共振器１３Ｂは、互いに対向する一対の広壁１３Ｂ１，１３Ｂ２と、広壁１３Ｂ１，１３Ｂ２に挟まれた空間を取り囲み、広壁１３Ｂ１，１３Ｂ２を短絡する狭壁１３Ｂ３により構成されている。また、共振器１４Ｂは、互いに対向する一対の広壁１４Ｂ１，１４Ｂ２と、広壁１４Ｂ１，１４Ｂ２に挟まれた空間を取り囲み、広壁１４Ｂ１，１４Ｂ２を短絡する狭壁１４Ｂ３により構成されている。また、共振器１５Ｂは、互いに対向する一対の広壁１５Ｂ１，１５Ｂ２と、広壁１５Ｂ１，１５Ｂ２に挟まれた空間を取り囲み、広壁１５Ｂ１，１５Ｂ２を短絡する狭壁１５Ｂ３により構成されている。また、導波路１０Ｂは、互いに対向する一対の広壁１０Ｂ１，１０Ｂ２と、広壁１０Ｂ１，１０Ｂ２に挟まれた空間を取り囲み、広壁１０Ｂ１，１０Ｂ２を短絡する狭壁１０Ｂ３と、により構成されている。 The resonator 11B is composed of a pair of wide walls 11B1 and 11B2 facing each other and a narrow wall 11B3 that surrounds a space sandwiched between the wide walls 11B1 and 11B2 and short-circuits the wide walls 11B1 and 11B2. Further, the resonator 12B is composed of a pair of wide walls 12B1 and 12B2 facing each other and a narrow wall 12B3 that surrounds the space sandwiched between the wide walls 12B1 and 12B2 and short-circuits the wide walls 12B1 and 12B2. Further, the resonator 13B is composed of a pair of wide walls 13B1 and 13B2 facing each other and a narrow wall 13B3 that surrounds the space sandwiched between the wide walls 13B1 and 13B2 and short-circuits the wide walls 13B1 and 13B2. Further, the resonator 14B is composed of a pair of wide walls 14B1 and 14B2 facing each other and a narrow wall 14B3 that surrounds the space sandwiched between the wide walls 14B1 and 14B2 and short-circuits the wide walls 14B1 and 14B2. Further, the resonator 15B is composed of a pair of wide walls 15B1 and 15B2 facing each other and a narrow wall 15B3 that surrounds the space sandwiched between the wide walls 15B1 and 15B2 and short-circuits the wide walls 15B1 and 15B2. Further, the waveguide 10B is composed of a pair of wide walls 10B1 and 10B2 facing each other and a narrow wall 10B3 that surrounds the space sandwiched between the wide walls 10B1 and 10B2 and short-circuits the wide walls 10B1 and 10B2. ..

ここで、広壁１１Ｂ１，１２Ｂ１，１３Ｂ１，１４Ｂ１，１５Ｂ１，１０Ｂ１は、個別の又は一連の導体層により構成することができる。また、広壁１１Ｂ１，１２Ｂ１，１３Ｂ１，１４Ｂ１，１５Ｂ１，１０Ｂ１は、図示した座標系においてｘｙ平面と平行な同一の平面上に配置される。一方、広壁１１Ｂ２，１２Ｂ２，１３Ｂ２，１４Ｂ２，１５Ｂ２，１０Ｂ２は、個別の又は一連の導体層により構成することができる。また、広壁１１Ｂ２，１２Ｂ２，１３Ｂ２，１４Ｂ２，１５Ｂ２，１０Ｂ２は、図示した座標系においてｘｙ平面と平行な同一の平面上に配置される。狭壁１１Ｂ３，１２Ｂ３，１３Ｂ３，１４Ｂ３，１５Ｂ３，１０Ｂ３は、個別の又は一連の導体層、又は、ポスト壁により構成することができる。 Here, the wide walls 11B1, 12B1, 13B1, 14B1, 15B1, 10B1 can be composed of individual or a series of conductor layers. Further, the wide walls 11B1, 12B1, 13B1, 14B1, 15B1, 10B1 are arranged on the same plane parallel to the xy plane in the illustrated coordinate system. On the other hand, the wide walls 11B2, 12B2, 13B2, 14B2, 15B2, 10B2 can be composed of individual or a series of conductor layers. Further, the wide walls 11B2, 12B2, 13B2, 14B2, 15B2, 10B2 are arranged on the same plane parallel to the xy plane in the illustrated coordinate system. The narrow walls 11B3, 12B3, 13B3, 14B3, 15B3, 10B3 can be composed of individual or series of conductor layers or post walls.

共振器１１Ｂの内部には、導体ポスト１１Ｂ４が形成されている。導体ポスト１１Ｂ４は、広壁１１Ｂ１と広壁１１Ｂ２とを短絡する、柱状（例えば、円柱状）又は筒状（例えば、円筒状）の導体である。また、共振器１２Ｂの内部には、導体ポスト１２Ｂ４が形成されている。導体ポスト１２Ｂ４は、広壁１２Ｂ１と広壁１２Ｂ２とを短絡する、柱状（例えば、円柱状）又は筒状（例えば、円筒状）の導体である。また、共振器１３Ｂの内部には、導体ポスト１３Ｂ４が形成されている。導体ポスト１３Ｂ４は、広壁１３Ｂ１と広壁１３Ｂ２とを短絡する、柱状（例えば、円柱状）又は筒状（例えば、円筒状）の導体である。また、共振器１４Ｂの内部には、導体ポスト１４Ｂ４が形成されている。導体ポスト１４Ｂ４は、広壁１４Ｂ１と広壁１４Ｂ２とを短絡する、柱状（例えば、円柱状）又は筒状（例えば、円筒状）の導体である。また、共振器１５Ｂの内部には、導体ポスト１５Ｂ４が形成されている。導体ポスト１５Ｂ４は、広壁１５Ｂ１と広壁１５Ｂ２とを短絡する、柱状（例えば、円柱状）又は筒状（例えば、円筒状）の導体である。 A conductor post 11B4 is formed inside the resonator 11B. The conductor post 11B4 is a columnar (for example, cylindrical) or cylindrical (for example, cylindrical) conductor that short-circuits the wide wall 11B1 and the wide wall 11B2. Further, a conductor post 12B4 is formed inside the resonator 12B. The conductor post 12B4 is a columnar (for example, cylindrical) or cylindrical (for example, cylindrical) conductor that short-circuits the wide wall 12B1 and the wide wall 12B2. Further, a conductor post 13B4 is formed inside the resonator 13B. The conductor post 13B4 is a columnar (for example, cylindrical) or cylindrical (for example, cylindrical) conductor that short-circuits the wide wall 13B1 and the wide wall 13B2. Further, a conductor post 14B4 is formed inside the resonator 14B. The conductor post 14B4 is a columnar (for example, cylindrical) or cylindrical (for example, cylindrical) conductor that short-circuits the wide wall 14B1 and the wide wall 14B2. Further, a conductor post 15B4 is formed inside the resonator 15B. The conductor post 15B4 is a columnar (for example, cylindrical) or cylindrical (for example, cylindrical) conductor that short-circuits the wide wall 15B1 and the wide wall 15B2.

共振器１１Ｂ、共振器１２Ｂ、共振器１３Ｂ、共振器１４Ｂ、共振器１５Ｂ、及び導波路１０Ｂは、この順に電磁結合されている。すなわち、共振器１１Ｂと共振器１２Ｂとは、共振器１１Ｂの狭壁１１Ｂ３に設けられた開口及び共振器１２Ｂの狭壁１２Ｂ３に設けられた開口を介して、互いに電磁結合されている。この開口のことを、以下、結合窓１１２Ｂと記載する。また、共振器１２Ｂと共振器１３Ｂとは、共振器１２Ｂの狭壁１２Ｂ３に設けられた開口及び共振器１３Ｂの狭壁１３Ｂ３に設けられた開口を介して、互いに電磁結合されている。この開口のことを、以下、結合窓１２３Ｂと記載する。また、共振器１３Ｂと共振器１４Ｂとは、共振器１３Ｂの狭壁１３Ｂ３に設けられた開口及び共振器１４Ｂの狭壁１４Ｂ３に設けられた開口を介して互いに電磁結合されている。この開口のことを、以下、結合窓１３４Ｂと記載する。また、共振器１４Ｂと共振器１５Ｂとは、共振器１４Ｂの狭壁１４Ｂ３に設けられた開口及び共振器１５Ｂの狭壁１５Ｂ３に設けられた開口を介して互いに電磁結合されている。この開口のことを、以下、結合窓１４５Ｂと記載する。また、共振器１５Ｂと導波路１０Ｂとは、共振器１５Ｂの狭壁１５Ｂ３に設けられた開口及び導波路１０Ｂの狭壁１０Ｂ３に設けられた開口を介して、互いに電磁結合されている。この開口のことを、以下、結合窓１５０Ｂと記載する。 The resonator 11B, the resonator 12B, the resonator 13B, the resonator 14B, the resonator 15B, and the waveguide 10B are electromagnetically coupled in this order. That is, the resonator 11B and the resonator 12B are electromagnetically coupled to each other through an opening provided in the narrow wall 11B3 of the resonator 11B and an opening provided in the narrow wall 12B3 of the resonator 12B. This opening will be hereinafter referred to as a coupling window 112B. Further, the resonator 12B and the resonator 13B are electromagnetically coupled to each other through an opening provided in the narrow wall 12B3 of the resonator 12B and an opening provided in the narrow wall 13B3 of the resonator 13B. This opening will be hereinafter referred to as a coupling window 123B. Further, the resonator 13B and the resonator 14B are electromagnetically coupled to each other through an opening provided in the narrow wall 13B3 of the resonator 13B and an opening provided in the narrow wall 14B3 of the resonator 14B. This opening will be hereinafter referred to as a coupling window 134B. Further, the resonator 14B and the resonator 15B are electromagnetically coupled to each other through an opening provided in the narrow wall 14B3 of the resonator 14B and an opening provided in the narrow wall 15B3 of the resonator 15B. This opening will be hereinafter referred to as a coupling window 145B. Further, the resonator 15B and the waveguide 10B are electromagnetically coupled to each other through an opening provided in the narrow wall 15B3 of the resonator 15B and an opening provided in the narrow wall 10B3 of the waveguide 10B. This opening will be hereinafter referred to as a coupling window 150B.

結合導波路１Ｃは、互いに対向する一対の広壁１０Ｃ１，１０Ｃ２と、広壁１０Ｃ１，１０Ｃ２に挟まれた空間を取り囲み、広壁１０Ｃ１，１０Ｃ２を短絡する狭壁１０Ｃ３と、により構成されている。広壁１０Ｃ１は、第１バンドパスフィルタ１Ａの広壁１１Ａ１，１２Ａ１，１３Ａ１，１４Ａ１，１５Ａ１、及び、第２バンドパスフィルタ１Ｂの広壁１１Ｂ１，１２Ｂ１，１３Ｂ１，１４Ｂ１，１５Ｂ１と同一の平面上に配置されている。一方、広壁１０Ｃ２は、第１バンドパスフィルタ１Ａの広壁１１Ａ２，１２Ａ２，１３Ａ２，１４Ａ２，１５Ａ２、及び、第２バンドパスフィルタ１Ｂの広壁１１Ｂ２，１２Ｂ２，１３Ｂ２，１４Ｂ２，１５Ｂ２と同一の平面上に配置されている。なお、広壁１０Ｃ１，１０Ｃ２は、それぞれ、導体層により構成することができる。また、狭壁１０Ｃ３は、個別の又は一連の導体層、又は、ポスト壁により構成することができる。 The coupled waveguide 1C is composed of a pair of wide walls 10C1 and 10C2 facing each other and a narrow wall 10C3 that surrounds a space sandwiched between the wide walls 10C1 and 10C2 and short-circuits the wide walls 10C1 and 10C2. The wide wall 10C1 is on the same plane as the wide walls 11A1, 12A1, 13A1, 14A1, 15A1 of the first bandpass filter 1A and the wide walls 11B1, 12B1, 13B1, 14B1, 15B1 of the second bandpass filter 1B. It is arranged. On the other hand, the wide wall 10C2 has the same flat surface as the wide walls 11A2, 12A2, 13A2, 14A2, 15A2 of the first bandpass filter 1A and the wide walls 11B2, 12B2, 13B2, 14B2, 15B2 of the second bandpass filter 1B. It is placed on top. The wide walls 10C1 and 10C2 can each be composed of a conductor layer. Further, the narrow wall 10C3 can be composed of an individual or a series of conductor layers or a post wall.

結合導波路１Ｃと第１バンドパスフィルタ１Ａとは、結合導波路１Ｃの狭壁１０Ｃ３に設けられた開口、及び、第１バンドパスフィルタ１Ａの最終段の共振器１５Ａの狭壁１５Ａ３に設けられた開口を介して電磁結合されている。この開口のことを、以下、結合窓１００Ａと記載する。また、結合導波路１Ｃと第２バンドパスフィルタ１Ｂとは、結合導波路１Ｃの狭壁１０Ｃ３に設けられた開口、及び、第２バンドパスフィルタ１Ｂの最初段の共振器１１Ｂの狭壁１１Ｂ３に設けられた開口を介して電磁結合されている。この開口のことを、以下、結合窓１００Ｂと記載する。 The coupled waveguide 1C and the first bandpass filter 1A are provided in the opening provided in the narrow wall 10C3 of the coupled waveguide 1C and in the narrow wall 15A3 of the resonator 15A in the final stage of the first bandpass filter 1A. It is electromagnetically coupled through the opening. This opening will be hereinafter referred to as a coupling window 100A. Further, the coupled waveguide 1C and the second bandpass filter 1B are provided in an opening provided in the narrow wall 10C3 of the coupled waveguide 1C and in the narrow wall 11B3 of the first stage resonator 11B of the second bandpass filter 1B. It is electromagnetically coupled through the provided opening. This opening will be hereinafter referred to as a coupling window 100B.

フィルタ装置１において、第１バンドパスフィルタ１Ａの最初段の共振器１１Ａの結合窓１０１Ａ、及び、第２バンドパスフィルタ１Ｂの最終段の共振器１５Ｂの結合窓１５０Ｂは、何れも入出力ポートとして利用することができる。すなわち、前者の結合窓１０１Ａを入力ポートとすれば、後者の結合窓１５０Ｂが出力ポートなり、後者の結合窓１５０Ｂを入力ポートとすれば、前者の結合窓１０１Ａが出力ポートとなる。本実施形態においては、第１バンドパスフィルタ１Ａの最初段の共振器１１Ａの結合窓１０１Ａを入力ポートとして利用しているが、本発明は、これに限定されない。すなわち、第２バンドパスフィルタ１Ｂの最終段の共振器１５Ｂの結合窓１５０Ｂを入力ポートとして利用してもよい。 In the filter device 1, the coupling window 101A of the resonator 11A in the first stage of the first bandpass filter 1A and the coupling window 150B of the resonator 15B in the final stage of the second bandpass filter 1B are both used as input / output ports. It can be used. That is, if the former coupling window 101A is used as an input port, the latter coupling window 150B becomes an output port, and if the latter coupling window 150B is used as an input port, the former coupling window 101A becomes an output port. In the present embodiment, the coupling window 101A of the resonator 11A in the first stage of the first bandpass filter 1A is used as an input port, but the present invention is not limited to this. That is, the coupling window 150B of the resonator 15B in the final stage of the second bandpass filter 1B may be used as an input port.

換言すると、フィルタ装置１において、導波路１０Ａ及び導波路１０Ｂは、何れも入出力導波路として利用することができる。すなわち、導波路１０Ａを入力導波路とすれば、導波路１０Ｂが出力導波路となり、導波路１０Ｂを入力導波路とすれば、導波路１０Ａが出力導波路となる。本実施形態においては、導波路１０Ａを入力導波路として利用しているが、本発明は、これに限定されない。すなわち、導波路１０Ｂを入力導波路として利用してもよい。 In other words, in the filter device 1, both the waveguide 10A and the waveguide 10B can be used as input / output waveguides. That is, if the waveguide 10A is an input waveguide, the waveguide 10B is an output waveguide, and if the waveguide 10B is an input waveguide, the waveguide 10A is an output waveguide. In the present embodiment, the waveguide 10A is used as the input waveguide, but the present invention is not limited to this. That is, the waveguide 10B may be used as the input waveguide.

なお、本実施形態においては、第１バンドパスフィルタ１Ａを構成する共振器１１Ａ〜１５Ａの個数を５個としているが、本発明はこれに限定されない。すなわち、第１バンドパスフィルタ１Ａを構成する共振器の個数は任意であり、５個よりも少なくてもよいし、５個よりも多くてもよい。また、本実施形態においては、第２バンドパスフィルタ１Ｂを構成する共振器１１Ｂ〜１５Ｂの個数を５個としているが、本発明はこれに限定されない。すなわち、第２バンドパスフィルタ１Ｂを構成する共振器の個数は任意であり、５個よりも少なくてもよいし、５個よりも多くてもよい。なお、第１バンドパスフィルタ１Ａを構成する共振器の個数と第２バンドパスフィルタ１Ｂを構成する共振器の個数とは、一致していてもよいし、一致していなくてもよい。 In the present embodiment, the number of resonators 11A to 15A constituting the first bandpass filter 1A is 5, but the present invention is not limited to this. That is, the number of resonators constituting the first bandpass filter 1A is arbitrary, and may be less than 5 or more than 5. Further, in the present embodiment, the number of resonators 11B to 15B constituting the second bandpass filter 1B is set to 5, but the present invention is not limited to this. That is, the number of resonators constituting the second bandpass filter 1B is arbitrary, and may be less than 5 or more than 5. The number of resonators constituting the first bandpass filter 1A and the number of resonators constituting the second bandpass filter 1B may or may not match.

（第１バンドパスフィルタにおける共振器の配置）
第１バンドパスフィルタ１Ａにおける共振器１１Ａ〜１５Ａの配置について、図２を参照して説明する。図２は、フィルタ装置１の平面図である。 (Arrangement of resonator in 1st bandpass filter)
The arrangement of the resonators 11A to 15A in the first bandpass filter 1A will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a plan view of the filter device 1.

以下の説明においては、共振器１１Ａ，１２Ａ，１３Ａ，１４Ａ，１５Ａの中心を、それぞれ、中心Ｃ_１１Ａ，Ｃ_１２Ａ，Ｃ_１３Ａ，Ｃ_１４Ａ，Ｃ_１５Ａと記載する。また、共振器１１Ａ，１２Ａ，１３Ａ，１４Ａ，１５Ａの半径（特許請求の範囲における「サイズ」の一例）を、それぞれ、半径Ｒ_１１Ａ，Ｒ_１２Ａ，Ｒ_１３Ａ，Ｒ_１４Ａ，Ｒ_１５Ａと記載する。また、共振器１１Ａと共振器１２Ａとの中心間距離を、中心間距離Ｄ_１２Ａと記載する。同様に、共振器１２Ａと共振器１３Ａとの中心間距離を、中心間距離Ｄ_２３Ａと記載する。同様に、共振器１３Ａと共振器１４Ａとの中心間距離を、中心間距離Ｄ_３４Ａと記載する。同様に、共振器１４Ａと共振器１５Ａとの中心間距離を、中心間距離Ｄ_４５Ａと記載する。ここで、中心間距離Ｄ_１２Ａは、共振器１１Ａの中心Ｃ_１１Ａと共振器１２Ａの中心Ｃ_１２Ａとの距離である。中心間距離Ｄ_２３Ａ，Ｄ_３４Ａ，Ｄ_４５Ａについても、同様である。 In the following description, the centers of the resonators 11A, 12A, 13A, 14A, and 15A will be referred to as centers C _11A , C _12A , C _13A , C _14A , and C _15A , respectively. Further, the radii of the resonators 11A, 12A, 13A, 14A, and 15A (an example of "size" in the claims) are described as radii R _11A , R _12A , R _13A , R _14A , and R _15A , respectively. Further, the center-to-center distance between the resonator 11A and the resonator _12A is described as the center-to-center distance D 12A. Similarly, the center-to-center distance between the resonator 12A and the resonator 13A is described _{as the center-to-center distance D 23A.} Similarly, the center-to-center distance between the resonator 13A and the resonator 14A is described _{as the center-to-center distance D 34A.} Similarly, the center-to-center distance between the resonator 14A and the resonator 15A is described _{as the center-to-center distance D 45A.} Here, the center-to-center distance D _12A is the distance between the center C _11A of the resonator 11A and the center C _12A of the resonator 12A. The same applies to the center-to-center distances D _23A , D _34A , and D _45A.

第１バンドパスフィルタ１Ａにおいては、半径Ｒ_１１Ａ，Ｒ_１２Ａ，Ｒ_１３Ａ，Ｒ_１４Ａ，Ｒ_１５Ａ及び中心間距離Ｄ_１２Ａ，Ｄ_２３Ａ，Ｄ_３４Ａ，Ｄ_４５Ａが以下の条件を満たす。 In the first bandpass filter 1A, the radii R _11A , R _12A , R _13A , R _14A , R _15A and the center distances D _12A , D _23A , D _34A , and D _45A satisfy the following conditions.

Ｄ_１２Ａ＜Ｒ_１１Ａ＋Ｒ_１２Ａ・・・（Ａ１）、
Ｄ_２３Ａ＜Ｒ_１２Ａ＋Ｒ_１３Ａ・・・（Ａ２）、
Ｄ_３４Ａ＜Ｒ_１３Ａ＋Ｒ_１４Ａ・・・（Ａ３）、
Ｄ_４５Ａ＜Ｒ_１４Ａ＋Ｒ_１５Ａ・・・（Ａ４）。 D _12A <R _11A + R _12A ... (A1),
D _23A <R _12A + R _13A ... (A2),
D _34A <R _13A + R _14A ... (A3),
D _45A <R _14A + R _15A ... (A4).

ここで、条件Ａ１は、共振器１１Ａと共振器１２Ａとが、結合窓１１２Ａを介して電磁結合していることを意味する。また、条件Ａ２は、共振器１２Ａと共振器１３Ａとが、結合窓１２３Ａを介して電磁結合していることを意味する。また、条件Ａ３は、共振器１３Ａと共振器１４Ａとが、結合窓１３４Ａを介して電磁結合していることを意味する。また、条件Ａ４は、共振器１４Ａと共振器１５Ａとが、結合窓１４５Ａを介して電磁結合していることを意味する。 Here, the condition A1 means that the resonator 11A and the resonator 12A are electromagnetically coupled via the coupling window 112A. Further, the condition A2 means that the resonator 12A and the resonator 13A are electromagnetically coupled via the coupling window 123A. Further, the condition A3 means that the resonator 13A and the resonator 14A are electromagnetically coupled via the coupling window 134A. Further, the condition A4 means that the resonator 14A and the resonator 15A are electromagnetically coupled via the coupling window 145A.

また、第１バンドパスフィルタ１Ａは、平面視において５つの共振器１１Ａ〜１５Ａが線対称になるように設計されている。ここで、５つの共振器１１Ａ〜１５Ａの対称軸は、中央の共振器１３Ａの中心Ｃ_１３Ａを通る直線Ｌ_１Ａである。これにより、第１バンドパスフィルタ１Ａの形状を規定する独立なパラメータの数を更に減らすことができるので、所望の特性を有するバンドパスフィルタ１Ａの設計が更に容易になる。 Further, the first bandpass filter 1A is designed so that the five resonators 11A to 15A are line-symmetrical in a plan view. Here, the axis of symmetry of five resonators 11A~15A is a straight line _{L 1A} passing through the center _{C 13A} of the central cavity 13A. As a result, the number of independent parameters that define the shape of the first bandpass filter 1A can be further reduced, which further facilitates the design of the bandpass filter 1A having the desired characteristics.

また、第１バンドパスフィルタ１Ａは、５つの共振器１１Ａ〜１５Ａが花弁状に配置され、最初段の共振器１１Ａと最終段の共振器１５Ａとが互いに近接するように設計されている。換言すれば、５つの共振器１１Ａ〜１５Ａが平面視において花弁状に配置されるように設計されている。これにより、５つの共振器１１Ａ〜１５Ａが共通の直線上に配置され、最初段の共振器１１Ａと最終段の共振器１５Ａとが互いに離間するように設計されている場合と比べて、よりコンパクトな第１バンドパスフィルタ１Ａを実現することができる。また、これにより、温度変化に起因する熱膨張又は熱収縮を抑制することができ、その結果、熱膨張又は熱収縮に起因する通過帯域の中心周波数及び帯域幅の変化を抑制することができる。換言すれば、温度変化に対する特性の安定性を向上させることができる。 Further, the first bandpass filter 1A is designed so that five resonators 11A to 15A are arranged in a petal shape, and the first stage resonator 11A and the final stage resonator 15A are close to each other. In other words, the five resonators 11A to 15A are designed to be arranged in a petal shape in a plan view. As a result, the five resonators 11A to 15A are arranged on a common straight line, and are more compact than the case where the first-stage resonator 11A and the final-stage resonator 15A are designed to be separated from each other. First bandpass filter 1A can be realized. Further, this makes it possible to suppress the thermal expansion or thermal contraction caused by the temperature change, and as a result, the change in the center frequency and the bandwidth of the pass band due to the thermal expansion or thermal contraction can be suppressed. In other words, the stability of the characteristics against temperature changes can be improved.

なお、結合窓１１２Ａ，１２３Ａ，１３４Ａ，１４５Ａの幅Ｗ_１２Ａ，Ｗ_２３Ａ，Ｗ_３４Ａ，Ｗ_４５Ａは、導波路１０Ａから遠ざかるに従って次第に大きくなり、その後、結合導波路１０Ｃに近づくに従って次第に小さくなる。本実施形態においては、Ｗ_１２Ａ＝Ｗ_４５Ａ＜Ｗ_２３Ａ＝Ｗ_３４Ａが成り立つ。これにより、第１バンドパスフィルタ１Ａは、第２バンドパスフィルタ１Ｂとは独立な一つのバンドパスフィルタとして機能する。 _{The widths W 12A} , W _23A , W _34A , and W _45A of the coupling windows 112A, 123A, 134A, and 145A gradually increase as they move away from the waveguide 10A, and then gradually decrease as they approach the coupling waveguide 10C. In this embodiment, W _12A = W _45A <W _23A = W _34A holds. As a result, the first bandpass filter 1A functions as one bandpass filter independent of the second bandpass filter 1B.

（第２バンドパスフィルタにおける共振器配置）
第２バンドパスフィルタ１Ｂにおける共振器１１Ｂ〜１５Ｂの配置について、引き続き図２を参照して説明する。 (Resonator arrangement in the second bandpass filter)
The arrangement of the resonators 11B to 15B in the second bandpass filter 1B will be described with reference to FIG.

以下の説明においては、共振器１１Ｂ，１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂの中心を、それぞれ、中心Ｃ_１１Ｂ，Ｃ_１２Ｂ，Ｃ_１３Ｂ，Ｃ_１４Ｂ，Ｃ_１５Ｂと記載する。また、共振器１１Ｂ，１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂ，１５Ｂの半径（特許請求の範囲における「サイズ」の一例）を、それぞれ、半径Ｒ_１１Ｂ，Ｒ_１２Ｂ，Ｒ_１３Ｂ，Ｒ_１４Ｂ，Ｒ_１５Ｂと記載する。また、共振器１１Ｂと共振器１２Ｂとの中心間距離を、中心間距離Ｄ_１２Ｂと記載する。同様に、共振器１２Ｂと共振器１３Ｂとの中心間距離を、中心間距離Ｄ_２３Ｂと記載する。同様に、共振器１３Ｂと共振器１４Ｂとの中心間距離を、中心間距離Ｄ_３４Ｂと記載する。同様に、共振器１４Ｂと共振器１５Ｂとの中心間距離を、中心間距離Ｄ_４５Ｂと記載する。ここで、中心間距離Ｄ_１２Ｂは、共振器１１Ｂの中心Ｃ_１１Ｂと共振器１２Ｂの中心Ｃ_１２Ｂとの距離である。中心間距離Ｄ_２３Ｂ，Ｄ_３４Ｂ，Ｄ_４５Ｂについても、同様である。 In the following description, the centers of the resonators 11B, 12B, 13B, 14B, and 15B will be referred to as centers C _11B , C _12B , C _13B , C _14B , and C _15B , respectively. Further, the radii of the resonators 11B, 12B, 13B, 14B, and 15B (an example of "size" in the claims) are described as radii R _11B , R _12B , R _13B , R _14B , and R _15B , respectively. Further, the center-to-center distance between the resonator 11B and the resonator _12B is described as the center-to-center distance D 12B. Similarly, the center-to-center distance between the resonator 12B and the resonator 13B is referred to as the center-to-center distance D _23B . Similarly, the center-to-center distance between the resonator 13B and the resonator 14B is described _{as the center-to-center distance D 34B.} Similarly, the center-to-center distance between the resonator 14B and the resonator 15B is described _{as the center-to-center distance D 45B.} Here, the center-to-center distance D _12B is the distance between the center C _11B of the resonator 11B and the center C _12B of the resonator 12B. The same applies to the center-to-center distances D _23B , D _34B , and D _45B.

第２バンドパスフィルタ１Ｂにおいては、半径Ｒ_１１Ｂ，Ｒ_１２Ｂ，Ｒ_１３Ｂ，Ｒ_１４Ｂ，Ｒ_１５Ｂ及び中心間距離Ｄ_１２Ｂ，Ｄ_２３Ｂ，Ｄ_３４Ｂ，Ｄ_４５Ｂが以下の条件を満たす。 In the second bandpass filter 1B, the radii R _11B , R _12B , R _13B , R _14B , R _15B and the center distances D _12B , D _23B , D _34B , and D _45B satisfy the following conditions.

Ｄ_１２Ｂ＜Ｒ_１１Ｂ＋Ｒ_１２Ｂ・・・（Ｂ１）、
Ｄ_２３Ｂ＜Ｒ_１２Ｂ＋Ｒ_１３Ｂ・・・（Ｂ２）、
Ｄ_３４Ｂ＜Ｒ_１３Ｂ＋Ｒ_１４Ｂ・・・（Ｂ３）、
Ｄ_４５Ｂ＜Ｒ_１４Ｂ＋Ｒ_１５Ｂ・・・（Ｂ４）。 D _12B <R _11B + R _12B ... (B1),
D _23B <R _12B + R _13B ... (B2),
D _34B <R _13B + R _14B ... (B3),
D _45B <R _14B + R _15B ... (B4).

ここで、条件Ｂ１は、共振器１１Ｂと共振器１２Ｂとが、結合窓１１２Ｂを介して電磁結合していることを意味する。また、条件Ｂ２は、共振器１２Ｂと共振器１３Ｂとが、結合窓１２３Ｂを介して電磁結合していることを意味する。また、条件Ｂ３は、共振器１３Ｂと共振器１４Ｂとが、結合窓１３４Ｂを介して電磁結合していることを意味する。また、条件Ｂ４は、共振器１４Ｂと共振器１５Ｂとが、結合窓１４５Ｂを介して電磁結合していることを意味する。 Here, the condition B1 means that the resonator 11B and the resonator 12B are electromagnetically coupled via the coupling window 112B. Further, the condition B2 means that the resonator 12B and the resonator 13B are electromagnetically coupled via the coupling window 123B. Further, the condition B3 means that the resonator 13B and the resonator 14B are electromagnetically coupled via the coupling window 134B. Further, the condition B4 means that the resonator 14B and the resonator 15B are electromagnetically coupled via the coupling window 145B.

また、第２バンドパスフィルタ１Ｂは、平面視において５つの共振器１１Ｂ〜１５Ｂが線対称になるように設計されている。ここで、５つの共振器１１Ｂ〜１５Ｂの対称軸は、中央の共振器１３Ｂの中心Ｃ_１３Ｂを通る直線Ｌ_１Ｂである。これにより、第２バンドパスフィルタ１Ｂの形状を規定する独立なパラメータの数を更に減らすことができるので、所望の特性を有するバンドパスフィルタ１Ｂの設計が更に容易になる。 Further, the second bandpass filter 1B is designed so that the five resonators 11B to 15B are line-symmetrical in a plan view. Here, the axis of symmetry of five resonators 11B~15B is a straight line _{L 1B} passing through the center _{C 13B} of the central resonator 13B. As a result, the number of independent parameters that define the shape of the second bandpass filter 1B can be further reduced, which further facilitates the design of the bandpass filter 1B having the desired characteristics.

また、第２バンドパスフィルタ１Ｂは、５つの共振器１１Ｂ〜１５Ｂが花弁状に配置され、最初段の共振器１１Ｂと最終段の共振器１５Ｂとが互いに近接するように設計されている。換言すれば、５つの共振器１１Ｂ〜１５Ｂが平面視において花弁状に配置されるように設計されている。これにより、５つの共振器１１Ｂ〜１５Ｂが共通の直線上に配置され、最初段の共振器１１Ｂと最終段の共振器１５Ｂとが互いに離間するように設計されている場合と比べて、よりコンパクトな第２バンドパスフィルタ１Ｂを実現することができる。また、これにより、温度変化に起因する熱膨張又は熱収縮を抑制することができ、その結果、熱膨張又は熱収縮に起因する通過帯域の中心周波数及び帯域幅の変化を抑制することができる。換言すれば、温度変化に対する特性の安定性を向上させることができる。 Further, the second bandpass filter 1B is designed so that five resonators 11B to 15B are arranged in a petal shape, and the first stage resonator 11B and the final stage resonator 15B are close to each other. In other words, the five resonators 11B to 15B are designed to be arranged in a petal shape in a plan view. As a result, the five resonators 11B to 15B are arranged on a common straight line, and are more compact than the case where the first stage resonator 11B and the final stage resonator 15B are designed to be separated from each other. 2nd bandpass filter 1B can be realized. Further, this makes it possible to suppress the thermal expansion or thermal contraction caused by the temperature change, and as a result, the change in the center frequency and the bandwidth of the pass band due to the thermal expansion or thermal contraction can be suppressed. In other words, the stability of the characteristics against temperature changes can be improved.

結合窓１１２Ｂ，１２３Ｂ，１３４Ｂ，１４５Ｂの幅Ｗ_１２Ｂ，Ｗ_２３Ｂ，Ｗ_３４Ｂ，Ｗ_４５Ｂは、結合導波路１０Ｃから遠ざかるに従って次第に大きくなり、その後、導波路１０Ｂに近づくに従って次第に小さくなる。本実施形態においては、Ｗ_１２Ｂ＝Ｗ_４５Ｂ＜Ｗ_２３Ｂ＝Ｗ_３４Ｂが成り立つ。これにより、第２バンドパスフィルタ１Ｂは、第１バンドパスフィルタ１Ａとは独立な一つのバンドパスフィルタとして機能する。 _{The widths W 12B} , W _23B , W _34B , and W _45B of the coupling windows 112B, 123B, 134B, and 145B gradually increase as they move away from the coupling waveguide 10C, and then gradually decrease as they approach the coupling waveguide 10B. In this embodiment, W _12B = W _45B <W _23B = W _34B holds. As a result, the second bandpass filter 1B functions as one bandpass filter independent of the first bandpass filter 1A.

（２つのバンドパスフィルタの位置関係）
フィルタ装置１における第１バンドパスフィルタ１Ａ及び第２バンドパスフィルタ１Ｂの位置関係について、引き続き図２を参照して説明する。 (Positional relationship between two bandpass filters)
The positional relationship between the first bandpass filter 1A and the second bandpass filter 1B in the filter device 1 will be described with reference to FIG.

前述したように、第１バンドパスフィルタ１Ａにおいて、５つの共振器１１Ａ〜１５Ａは、花弁状に配置されている。また、前述したように、第２バンドパスフィルタ１Ｂにおいて、５つの共振器１１Ｂ〜１５Ｂは、花弁状に配置されている。そして、第１バンドパスフィルタ１Ａ及び第２バンドパスフィルタ１Ｂは、以下の条件を満たすように配置されている。 As described above, in the first bandpass filter 1A, the five resonators 11A to 15A are arranged in a petal shape. Further, as described above, in the second bandpass filter 1B, the five resonators 11B to 15B are arranged in a petal shape. The first bandpass filter 1A and the second bandpass filter 1B are arranged so as to satisfy the following conditions.

（１）平面視において、第１バンドパスフィルタ１Ａの最初段の共振器１１Ａの中心Ｃ_１１Ａ及び第１バンドパスフィルタ１Ａの最終段の共振器１５Ａの中心Ｃ_１５Ａを通る直線がｘ軸（第１の軸）と平行になる。第１バンドパスフィルタ１Ａのその他の共振器１２Ａ，１３Ａ，１４Ａの中心Ｃ_１２Ａ，Ｃ_１３Ａ，Ｃ_１４Ａは、この直線よりもｙ軸正方向側に位置する。 (1) In a plan view, a _{straight line passing through the center C 11A} _{of the first stage resonator 11A of the first bandpass filter 1A and the center C 15A} of the last stage resonator 15A of the first bandpass filter 1A is the x-axis (first stage). It becomes parallel to the axis of 1). _{The centers C 12A} , C _13A , and C _14A of the other resonators 12A, 13A, and 14A of the first bandpass filter 1A are located on the positive side of the y-axis with respect to this straight line.

（２）平面視において、第２バンドパスフィルタ１Ｂの最初段の共振器１１Ｂの中心Ｃ_１１Ｂ及び第２バンドパスフィルタ１Ｂの最終段の共振器１５Ｂの中心Ｃ_１５Ｂを通る直線がｘ軸（第１の軸）と平行になる。第２バンドパスフィルタ１Ｂのその他の共振器１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂの中心Ｃ_１２Ｂ，Ｃ_１３Ｂ，Ｃ_１４Ｂは、この直線よりもｙ軸負方向側に位置する。 (2) In a plan view, a _{straight line passing through the center C 11B} _{of the first stage resonator 11B of the second bandpass filter 1B and the center C 15B} of the last stage resonator 15B of the second bandpass filter 1B is the x-axis (third). It becomes parallel to the axis of 1). _{The centers C 12B} , C _13B , and C _14B of the other resonators 12B, 13B, and 14B of the second bandpass filter 1B are located on the negative side of the y-axis with respect to this straight line.

（３）平面視において、第１バンドパスフィルタ１Ａの最初段の共振器１１Ａの中心Ｃ_１１Ａ及び第２バンドパスフィルタ１Ｂの最終段の共振器１５Ｂの中心Ｃ_１５Ｂを通る直線がｙ軸（第２の軸）と平行になる。 _{(3) In a plan view, a straight line passing through the center C 11A} of the first stage resonator 11A of the first bandpass filter 1A _{and the center C 15B} of the last stage resonator 15B of the second bandpass filter 1B is the y-axis (third axis). It becomes parallel to the axis 2).

（４）平面視において、第１バンドパスフィルタ１Ａの最終段の共振器１５Ａの中心Ｃ_１５Ａ及び第２バンドパスフィルタ１Ｂの最初段の共振器１１Ｂの中心Ｃ_１１Ｂを通る直線がｙ軸（第２の軸）と平行になる。 _{(4) In a plan view, a straight line passing through the center C 15A} of the resonator 15A in the final stage of the first bandpass filter 1A _{and the center C 11B} of the resonator 11B in the first stage of the second bandpass filter 1B is the y-axis (third axis). It becomes parallel to the axis 2).

結合導波路１Ｃは、第１バンドパスフィルタ１Ａの最終段の共振器１５Ａと第２バンドパスフィルタ１Ｂの最初段の共振器１１Ｂとの間に配置されている。前述したように、第１バンドパスフィルタ１Ａの最終段の共振器１５Ａは、結合窓１００Ａを介して結合導波路１Ｃと電磁結合されている。また、前述したように、第２バンドパスフィルタ１Ｂの最初段の共振器１１Ｂは、結合窓１００Ｂを介して結合導波路１Ｃと電磁結合されている。これにより、第１バンドパスフィルタ１Ａと第２バンドパスフィルタ１Ｂとの電磁結合が実現される。 The coupled waveguide 1C is arranged between the resonator 15A in the final stage of the first bandpass filter 1A and the resonator 11B in the first stage of the second bandpass filter 1B. As described above, the resonator 15A in the final stage of the first bandpass filter 1A is electromagnetically coupled to the coupling waveguide 1C via the coupling window 100A. Further, as described above, the resonator 11B at the first stage of the second bandpass filter 1B is electromagnetically coupled to the coupled waveguide 1C via the coupling window 100B. As a result, electromagnetic coupling between the first bandpass filter 1A and the second bandpass filter 1B is realized.

このとき、第１バンドパスフィルタ１Ａは、１０個の共振器１１Ａ〜１５Ａ，１１Ｂ〜１５Ｂからなるバンドパスフィルタの一部としてではなく、第２バンドパスフィルタ１Ｂと独立な、５個の共振器１１Ａ〜１５Ａからなるバンドパスフィルタとして機能する。これは、結合窓１１２Ａ，１２３Ａ，１３４Ａ，１４５Ａの幅Ｗ_１２Ａ，Ｗ_２３Ａ，Ｗ_３４Ａ，Ｗ_４５Ａが、導波路１０Ａから遠ざかるに従って次第に大きくなり、その後、結合導波路１０Ｃに近づくに従って次第に小さくなるように設定されているためである。 At this time, the first bandpass filter 1A is not a part of the bandpass filter composed of 10 resonators 11A to 15A and 11B to 15B, but five resonators independent of the second bandpass filter 1B. It functions as a bandpass filter consisting of 11A to 15A. _{This is so that the widths W 12A} , W _23A , W _34A , W _45A of the coupling windows 112A, 123A, 134A, 145A gradually increase as the distance from the waveguide 10A increases, and then gradually decrease as the coupling windows 10C are approached. This is because it is set to.

同様に、第２バンドパスフィルタ１Ｂは、１０個の共振器１１Ａ〜１５Ａ，１１Ｂ〜１５Ｂからなるバンドパスフィルタの一部としてではなく、第１バンドパスフィルタ１Ａと独立な、５個の共振器１１Ｂ〜１５Ｂからなるバンドパスフィルタとして機能する。これは、結合窓１１２Ｂ，１２３Ｂ，１３４Ｂ，１４５Ｂの幅Ｗ_１２Ｂ，Ｗ_２３Ｂ，Ｗ_３４Ｂ，Ｗ_４５Ｂが、結合導波路１０Ｃから遠ざかるに従って次第に大きくなり、その後、導波路１０Ｂに近づくに従って次第に小さくなるように設定されているためである。 Similarly, the second bandpass filter 1B is not part of a bandpass filter consisting of ten resonators 11A-15A, 11B-15B, but five resonators independent of the first bandpass filter 1A. It functions as a bandpass filter consisting of 11B to 15B. _{This is so that the widths W 12B} , W _23B , W _34B , and W _45B of the coupling windows 112B, 123B, 134B, and 145B gradually increase as they move away from the coupling waveguide 10C, and then gradually decrease as they approach the waveguide 10B. This is because it is set to.

（第１バンドパスフィルタ及び第２バンドパスフィルタの通過帯域の設定方法）
フィルタ装置１の狭帯域化を実現するために、第１バンドパスフィルタ１Ａ及び第２バンドパスフィルタ１Ｂの通過帯域は、互いに相違し、且つ、共通部分を有するように設定されている。第１バンドパスフィルタ１Ａ及び第２バンドパスフィルタ１Ｂの通過帯域の設定方法について、図３〜図５を参照して説明する。 (Method of setting the pass band of the first bandpass filter and the second bandpass filter)
In order to realize the narrowing of the band of the filter device 1, the pass bands of the first bandpass filter 1A and the second bandpass filter 1B are set so as to be different from each other and have a common portion. A method of setting the pass band of the first bandpass filter 1A and the second bandpass filter 1B will be described with reference to FIGS. 3 to 5.

図３は、第１バンドパスフィルタ１Ａ及び第２バンドパスフィルタ１Ｂの通過帯域の第１の設定方法を示す。図３の（ａ）は、第１バンドパスフィルタ１Ａの平面図であり、図３の（ｂ）は、第２バンドパスフィルタ１Ｂの平面図である。図３の（ｃ）は、第１バンドパスフィルタ１Ａ及び第２バンドパスフィルタ１Ｂの透過係数｜Ｓ２１｜の周波数依存性を示すグラフである。 FIG. 3 shows a first method of setting the pass band of the first bandpass filter 1A and the second bandpass filter 1B. FIG. 3A is a plan view of the first bandpass filter 1A, and FIG. 3B is a plan view of the second bandpass filter 1B. FIG. 3C is a graph showing the frequency dependence of the transmission coefficient | S21 | of the first bandpass filter 1A and the second bandpass filter 1B.

本設定方法においては、図３の（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１バンドパスフィルタ１Ａの共振器１１Ａ〜１５Ａの半径Ｒ_１１Ａ〜Ｒ_１５Ａと、第２バンドパスフィルタ１Ｂの共振器１１Ｂ〜１５Ｂの半径Ｒ_１１Ｂ〜Ｒ_１５Ｂと、を以下の条件を満たすように設定している。 In this setting method, as shown in FIGS. 3A and 3B, the radii R _{11A to} R _{15A of the resonators 11A to 15A of} the first bandpass filter 1A and the resonance of the second bandpass filter 1B. The radii R _{11B to} R _15B of the vessels 11B to 15B are set so as to satisfy the following conditions.

Ｒ_１１Ａ＞Ｒ_１１Ｂ・・・（Ｃ１）、
Ｒ_１２Ａ＞Ｒ_１２Ｂ・・・（Ｃ２）、
Ｒ_１３Ａ＞Ｒ_１３Ｂ・・・（Ｃ３）、
Ｒ_１４Ａ＞Ｒ_１４Ｂ・・・（Ｃ４）。 R _11A > R _11B ... (C1),
R _12A > R _12B ... (C2),
R _13A > R _13B ... (C3),
R _14A > R _14B ... (C4).

これにより、共振器１１Ａ〜１５Ａのサイズが、それぞれ、共振器１１Ｂ〜１５Ｂのサイズよりも大きくなる。したがって、図３の（ｃ）に示すように、第１バンドパスフィルタ１Ａにおける導体ポスト１１Ａ４〜１５Ａ４、及び、第２バンドパスフィルタ１Ｂにおける導体ポスト１１Ｂ４〜１５Ｂ４を省略しても、第１バンドパスフィルタ１Ａの通過帯域を第２バンドパスフィルタ１Ｂの通過帯域よりも低周波側に配置することができる。換言すれば、第２バンドパスフィルタ１Ｂの通過帯域を第１バンドパスフィルタ１Ａの通過帯域よりも高周波側に配置することができる。また、半径Ｒ_１１Ａ〜Ｒ_１５Ａと半径Ｒ_１１Ｂ〜Ｒ_１５Ｂとの違いは、第１バンドパスフィルタ１Ａの通過帯域と第２バンドパスフィルタ１Ｂの通過帯域とが、共通部分を有するように調整されている。これにより、フィルタ装置１を、第１バンドパスフィルタ１Ａの通過帯域と第２バンドパスフィルタ１Ｂの通過帯域との共通部分を通過帯域とする、狭帯域バンドパスフィルタとして機能させることが可能になる。 As a result, the size of the resonators 11A to 15A becomes larger than the size of the resonators 11B to 15B, respectively. Therefore, as shown in FIG. 3C, even if the conductor posts 11A4 to 15A4 in the first bandpass filter 1A and the conductor posts 11B4 to 15B4 in the second bandpass filter 1B are omitted, the first bandpass The pass band of the filter 1A can be arranged on the lower frequency side than the pass band of the second bandpass filter 1B. In other words, the pass band of the second bandpass filter 1B can be arranged on the higher frequency side than the pass band of the first bandpass filter 1A. Further, the difference between the radii R _{11A to} R _15A and the radii R _{11B to} R _15B is that the pass band of the first bandpass filter 1A and the pass band of the second bandpass filter 1B are adjusted so as to have a common part. ing. This makes it possible to make the filter device 1 function as a narrow band pass filter in which the common portion between the pass band of the first band pass filter 1A and the pass band of the second band pass filter 1B is the pass band. ..

なお、条件Ｃ１〜Ｃ４における符号の向きを逆転させることによって、第１バンドパスフィルタ１Ａの通過帯域を第２バンドパスフィルタ１Ｂの通過帯域よりも高周波側に配置することができる。 By reversing the directions of the symbols under the conditions C1 to C4, the pass band of the first bandpass filter 1A can be arranged on the higher frequency side than the pass band of the second bandpass filter 1B.

図４は、第１バンドパスフィルタ１Ａ及び第２バンドパスフィルタ１Ｂの通過帯域の第２の設定方法を示す。図４の（ａ）は、第１バンドパスフィルタ１Ａの平面図であり、図４の（ｂ）は、第２バンドパスフィルタ１Ｂの平面図である。図４の（ｃ）は、第１バンドパスフィルタ１Ａ及び第２バンドパスフィルタ１Ｂの透過係数Ｓ２１の周波数依存性を示すグラフである。 FIG. 4 shows a second method of setting the pass band of the first bandpass filter 1A and the second bandpass filter 1B. FIG. 4A is a plan view of the first bandpass filter 1A, and FIG. 4B is a plan view of the second bandpass filter 1B. FIG. 4C is a graph showing the frequency dependence of the transmission coefficient S21 of the first bandpass filter 1A and the second bandpass filter 1B.

本設定方法においては、図４の（ａ）及び（ｂ）に示すように、導体ポスト１１Ａ４〜１５Ａ４の狭壁１１Ａ３〜１５Ａ３からの最短距離δ_１１Ａ〜δ_１５Ａと、導体ポスト１１Ｂ４〜１５Ｂ４の狭壁１１Ｂ３〜１５Ｂ３からの最短距離δ_１１Ｂ〜δ_１５Ｂと、を以下の条件を満たすように設定している。 In this setting method, as shown in FIGS. 4A and 4B, the shortest distances δ _{11A to} _{δ 15A from} the narrow walls 11A3 to 15A3 of the conductor posts 11A4 to 15A4 and the narrowness of the conductor posts 11B4 to 15B4. _{The shortest distances δ 11B to} _{δ 15B} from the walls 11B3 to 15B3 are set so as to satisfy the following conditions.

δ_１１Ａ＜ δ_１１Ｂ・・・（Ｄ１）、
δ_１２Ａ＜ δ_１２Ｂ・・・（Ｄ２）、
δ_１３Ａ＜ δ_１３Ｂ・・・（Ｄ３）、
δ_１４Ａ＜ δ_１４Ｂ・・・（Ｄ４）。 δ _11A <δ _11B ... (D1),
δ _12A <δ _12B ... (D2),
δ _13A <δ _13B ... (D3),
δ _14A <δ _14B ... (D4).

これにより、共振器１１Ａ〜１５Ａの実効サイズが、それぞれ、共振器１１Ｂ〜１５Ｂの実効サイズよりも大きくなる。したがって、図４の（ｃ）に示すように、第１バンドパスフィルタ１Ａの通過帯域を第２バンドパスフィルタ１Ｂの通過帯域よりも低周波側に配置することができる。換言すれば、第２バンドパスフィルタ１Ｂの通過帯域を第１バンドパスフィルタ１Ａの通過帯域よりも高周波側に配置することができる。また、最短距離δ_１１Ａ〜δ_１５Ａと最短距離δ_１１Ｂ〜δ_１５Ｂとの違いは、第１バンドパスフィルタ１Ａの通過帯域と第２バンドパスフィルタ１Ｂの通過帯域とが、共通部分を有するように調整されている。これにより、フィルタ装置１を、第１バンドパスフィルタ１Ａの通過帯域と第２バンドパスフィルタ１Ｂの通過帯域との共通部分を通過帯域とする、狭帯域バンドパスフィルタとして機能させることが可能になる。 As a result, the effective size of the resonators 11A to 15A becomes larger than the effective size of the resonators 11B to 15B, respectively. Therefore, as shown in FIG. 4C, the pass band of the first bandpass filter 1A can be arranged on the lower frequency side than the pass band of the second bandpass filter 1B. In other words, the pass band of the second bandpass filter 1B can be arranged on the higher frequency side than the pass band of the first bandpass filter 1A. The difference between the shortest distances δ _{11A to} _{δ 15A} and the shortest distances δ _{11B to} _{δ 15B} is that the pass band of the first bandpass filter 1A and the pass band of the second bandpass filter 1B have a common part. It has been adjusted. This makes it possible to make the filter device 1 function as a narrow band pass filter in which the common portion between the pass band of the first band pass filter 1A and the pass band of the second band pass filter 1B is the pass band. ..

なお、条件Ｃ１〜Ｃ４における符号の向きを逆転させることによって、第１バンドパスフィルタ１Ａの通過帯域を第２バンドパスフィルタ１Ｂの通過帯域よりも高周波側に配置することができる（後述する第１の実施例参照）。 By reversing the directions of the symbols under the conditions C1 to C4, the pass band of the first bandpass filter 1A can be arranged on the higher frequency side than the pass band of the second bandpass filter 1B (the first described later). (See Examples).

図５は、第１バンドパスフィルタ１Ａ及び第２バンドパスフィルタ１Ｂの通過帯域の第３の設定方法を示す。図５の（ａ）は、第１バンドパスフィルタ１Ａの平面図であり、図５の（ｂ）は、第２バンドパスフィルタ１Ｂの平面図である。図５の（ｃ）は、第１バンドパスフィルタ１Ａ及び第２バンドパスフィルタ１Ｂの透過係数Ｓ２１の周波数依存性を示すグラフである。 FIG. 5 shows a third method of setting the pass band of the first bandpass filter 1A and the second bandpass filter 1B. FIG. 5A is a plan view of the first bandpass filter 1A, and FIG. 5B is a plan view of the second bandpass filter 1B. FIG. 5C is a graph showing the frequency dependence of the transmission coefficient S21 of the first bandpass filter 1A and the second bandpass filter 1B.

本設定方法においては、図５の（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１バンドパスフィルタ１Ａには導体ポスト１１Ａ４〜１５Ａ４を設けず、第２バンドパスフィルタ１Ｂには導体ポスト１１Ｂ４〜１５Ｂ４を設ける構成を採用している。 In this setting method, as shown in FIGS. 5A and 5B, the first bandpass filter 1A is not provided with the conductor posts 11A4 to 15A4, and the second bandpass filter 1B is not provided with the conductor posts 11B4 to. A configuration in which 15B4 is provided is adopted.

これにより、共振器１１Ａ〜１５Ａの実効サイズが、それぞれ、共振器１１Ｂ〜１５Ｂの実効サイズよりも大きくなる。したがって、図５の（ｃ）に示すように、第１バンドパスフィルタ１Ａの通過帯域を第２バンドパスフィルタ１Ｂの通過帯域よりも低周波側に配置することができる。換言すれば、第２バンドパスフィルタ１Ｂの通過帯域を第１バンドパスフィルタ１Ａの通過帯域よりも高周波側に配置することができる。また、導体ポスト１１Ｂ４〜１５Ｂ４の位置は、第１バンドパスフィルタ１Ａの通過帯域と第２バンドパスフィルタ１Ｂの通過帯域とが、共通部分を有するように調整されている。これにより、フィルタ装置１を、第１バンドパスフィルタ１Ａの通過帯域と第２バンドパスフィルタ１Ｂの通過帯域との共通部分を通過帯域とする、狭帯域バンドパスフィルタとして機能させることが可能になる。 As a result, the effective size of the resonators 11A to 15A becomes larger than the effective size of the resonators 11B to 15B, respectively. Therefore, as shown in FIG. 5C, the pass band of the first bandpass filter 1A can be arranged on the lower frequency side than the pass band of the second bandpass filter 1B. In other words, the pass band of the second bandpass filter 1B can be arranged on the higher frequency side than the pass band of the first bandpass filter 1A. Further, the positions of the conductor posts 11B4 to 15B4 are adjusted so that the pass band of the first bandpass filter 1A and the pass band of the second bandpass filter 1B have a common portion. This makes it possible to make the filter device 1 function as a narrow band pass filter in which the common portion between the pass band of the first band pass filter 1A and the pass band of the second band pass filter 1B is the pass band. ..

なお、第２バンドパスフィルタ１Ｂには導体ポスト１１Ｂ４〜１５Ｂ４を設けず、第１バンドパスフィルタ１Ａには導体ポスト１１Ａ４〜１５Ａ４を設ける構成を採用することも可能である。この場合、第１バンドパスフィルタ１Ａの通過帯域を第２バンドパスフィルタ１Ｂの通過帯域よりも高周波側に配置することができる。 It is also possible to adopt a configuration in which the conductor posts 11B4 to 15B4 are not provided in the second bandpass filter 1B and the conductor posts 11A4 to 15A4 are provided in the first bandpass filter 1A. In this case, the pass band of the first bandpass filter 1A can be arranged on the higher frequency side than the pass band of the second bandpass filter 1B.

（フィルタ装置の第１の実施例）
フィルタ装置１の第１の実施例について、図６〜図７を参照して説明する。 (First Example of Filter Device)
A first embodiment of the filter device 1 will be described with reference to FIGS. 6 to 7.

図６は、本実施例に係るフィルタ装置１の平面図である。 FIG. 6 is a plan view of the filter device 1 according to the present embodiment.

本実施例では、第１バンドパスフィルタ１Ａを構成する５つの共振器１１Ａ〜１５Ａを、花弁状に配置した。また、本実施例では、第２バンドパスフィルタ１Ｂを構成する５つの共振器１１Ｂ〜１５Ｂを、花弁状に配置した。また、本実施例では、第１バンドパスフィルタ１Ａ及び第２バンドパスフィルタ１Ｂを、以下の条件を満たすように配置した。 In this embodiment, the five resonators 11A to 15A constituting the first bandpass filter 1A are arranged in a petal shape. Further, in this embodiment, the five resonators 11B to 15B constituting the second bandpass filter 1B are arranged in a petal shape. Further, in this embodiment, the first bandpass filter 1A and the second bandpass filter 1B are arranged so as to satisfy the following conditions.

（１）平面視において、第１バンドパスフィルタ１Ａの最初段及び最終段の共振器１１Ａ，１５Ａの中心Ｃ_１１Ａ，Ｃ_１５Ａ、及び、第２バンドパスフィルタ１Ｂの最初段及び最終段の共振器１１Ｂ，１５Ｂの中心Ｃ_１１Ｂ，Ｃ_１５Ｂを通る直線がｘ軸（第１の軸）と平行になる。 (1) In a plan view, the first and final stage resonators 11A and 15A of the first bandpass filter 1A, the centers C _11A and C _15A , and the first and final stage resonators of the second bandpass filter 1B. The straight line passing through the centers C _11B and C _15B of 11B and 15B becomes parallel to the x-axis (first axis).

（２）第１バンドパスフィルタ１Ａのその他の共振器１２Ａ，１３Ａ，１４Ａの中心Ｃ_１２Ａ，Ｃ_１３Ａ，Ｃ_１４Ａ、及び、第２バンドパスフィルタ１Ｂのその他の共振器１２Ｂ，１３Ｂ，１４Ｂの中心Ｃ_１２Ｂ，Ｃ_１３Ｂ，Ｃ_１４Ｂは、この直線よりもｙ軸正方向側に位置する。 (2) Centers of other resonators 12A, 13A, 14A of the first bandpass filter 1A Centers of C _12A , C _13A , C _14A , and other resonators 12B, 13B, 14B of the second bandpass filter 1B. C _12B , C _13B , and C _14B are located on the positive side of the y-axis with respect to this straight line.

また、本実施例では、第１バンドパスフィルタ１Ａの共振器１１Ａ〜１５Ａの半径Ｒ_１１Ａ〜Ｒ_１５Ａ、及び、第２バンドパスフィルタ１Ｂの共振器１１Ｂ〜１５Ｂの半径Ｒ_１１Ｂ〜Ｒ_１５Ｂを、以下のように設定した。 Further, in this embodiment, the radii R _{11A to} R _{15A of the resonators 11A to 15A of} _{the first bandpass filter 1A and the radii R 11B to} R _15B of the resonators 11B to 15B of the second bandpass filter 1B are used. It was set as follows.

Ｒ_１１Ａ＝Ｒ_１５Ａ＝Ｒ_１１Ｂ＝Ｒ_１５Ｂ＝２０２０μｍ、
Ｒ_１２Ａ＝Ｒ_１４Ａ＝Ｒ_１２Ｂ＝Ｒ_１４Ｂ＝２１２２．５μｍ、
Ｒ_１３Ａ＝Ｒ_１３Ｂ＝２１３０μｍ。 R _11A = R _15A = R _11B = R _15B = 2020 μm,
R _12A = R _14A = R _12B = R _14B = 2122.5 μm,
R _13A = R _13B = 2130 μm.

また、本実施例では、導体ポスト１１Ａ４〜１５Ａ４の狭壁１１Ａ３〜１５Ａ３からの最短距離δ_１１Ａ〜δ_１５Ａ、及び、導体ポスト１１Ｂ４〜１５Ｂ４の狭壁１１Ｂ３〜１５Ｂ３からの最短距離δ_１１Ｂ〜δ_１５Ｂを、上述した条件Ｄ１〜Ｄ４の符号を逆転させた条件を満たすべく、以下のように設定した。 Further, in this embodiment, the shortest distances δ _{11A to} _{δ 15A} from the narrow walls 11A3 to 15A3 of the conductor posts 11A4 to 15A4 and the shortest distances δ _{11B to} _{δ 15B from the narrow walls 11B3 to 15B3 of the conductor posts 11B4 to 15B4.} Was set as follows in order to satisfy the condition that the above-mentioned conditions D1 to D4 were reversed.

δ_１１Ａ＝δ_１５Ａ＝７５０μｍ、δ_１１Ｂ＝δ_１５Ｂ＝２５０μｍ、
δ_１２Ａ＝δ_１４Ａ＝７５０μｍ、δ_１２Ｂ＝δ_１４Ｂ＝２５０μｍ、
δ_１３Ａ＝７５０μｍ、δ_１３Ｂ＝２５０μｍ。 δ _11A = δ _15A = 750 μm, δ _11B = δ _15B = 250 μm,
δ _12A = δ _14A = 750 μm, δ _12B = δ _14B = 250 μm,
δ _13A = 750 μm, δ _13B = 250 μm.

また、本実施例においては、（１）導波路１０Ａ、（２）第１バンドパスフィルタ１Ａを構成する共振器１１Ａ〜１５Ａ、（３）導波路１０Ｂ、（４）第２バンドパスフィルタ１Ｂを構成する共振器１１Ｂ〜１５Ｂ、並びに、（５）結合導波路１Ｃの内部を満たす材料として、厚さ０．８６ｍｍの合成石英ガラスを用いた。 Further, in this embodiment, (1) waveguide 10A, (2) resonators 11A to 15A constituting the first bandpass filter 1A, (3) waveguide 10B, and (4) second bandpass filter 1B are used. Synthetic quartz glass having a thickness of 0.86 mm was used as a material for filling the inside of the resonators 11B to 15B and (5) the coupled waveguide 1C.

図７は、第１バンドパスフィルタ１Ａ、第２バンドパスフィルタ１Ｂ、及び、フィルタ装置１の透過係数Ｓ２１の周波数特性を示すグラフ（シミュレーション結果）である。 FIG. 7 is a graph (simulation result) showing the frequency characteristics of the first bandpass filter 1A, the second bandpass filter 1B, and the transmission coefficient S21 of the filter device 1.

図７によれば、第１バンドパスフィルタ１Ａ及び第２バンドパスフィルタの通過帯域が、互いに相違し、且つ、共通部分を有することが確かめられる。また、図７によれば、フィルタ装置１の通過帯域が、第１バンドパスフィルタ１Ａ及び第２バンドパスフィルタの通過帯域の共通部分と略一致することが確かめられる。すなわち、フィルタ装置１が、狭帯域バンドパスフィルタとして機能することが確かめられる。実際、フィルタ装置１の３ｄＢ帯域幅は、約６００ＭＨｚであり、第１バンドパスフィルタ１Ａ及び第２バンドパスフィルタ１Ｂの３ｄＢ帯域幅（約１．５ＧＨｚ）の２／５程度であった。 According to FIG. 7, it is confirmed that the pass bands of the first bandpass filter 1A and the second bandpass filter are different from each other and have a common portion. Further, according to FIG. 7, it is confirmed that the pass band of the filter device 1 substantially coincides with the common portion of the pass band of the first bandpass filter 1A and the second bandpass filter. That is, it is confirmed that the filter device 1 functions as a narrow band bandpass filter. In fact, the 3 dB bandwidth of the filter device 1 was about 600 MHz, which was about 2/5 of the 3 dB bandwidth (about 1.5 GHz) of the first bandpass filter 1A and the second bandpass filter 1B.

また、図７によれば、フィルタ装置１の挿入損失は、約２．９ｄＢである。一方、図１０によれば、３ｄＢ帯域幅が６００ＭＨｚの５段チェビシェフフィルタの挿入損失は、約３．４ｄＢである。したがって、フィルタ装置１においては、狭帯域化に伴う挿入損失の増加が５段チェビシェフフィルタよりも小さく抑えられていることが分かる。 Further, according to FIG. 7, the insertion loss of the filter device 1 is about 2.9 dB. On the other hand, according to FIG. 10, the insertion loss of the 5-stage Chebyshev filter having a 3 dB bandwidth of 600 MHz is about 3.4 dB. Therefore, it can be seen that in the filter device 1, the increase in insertion loss due to the narrowing of the band is suppressed to be smaller than that in the 5-stage Chebyshev filter.

（フィルタ装置の第２の実施例）
フィルタ装置１の第２の実施例について、図８〜図９を参照して説明する。 (Second Example of Filter Device)
A second embodiment of the filter device 1 will be described with reference to FIGS. 8 to 9.

図８は、本実施例に係るフィルタ装置１の平面図である。 FIG. 8 is a plan view of the filter device 1 according to the present embodiment.

Ｒ_１１Ａ＝Ｒ_１５Ａ＝Ｒ_１１Ｂ＝Ｒ_１５Ｂ＝２０２０μｍ、
Ｒ_１２Ａ＝Ｒ_１４Ａ＝Ｒ_１２Ｂ＝Ｒ_１４Ｂ＝２１２２μｍ、
Ｒ_１３Ａ＝Ｒ_１３Ｂ＝２１３０μｍ。 R _11A = R _15A = R _11B = R _15B = 2020 μm,
R _12A = R _14A = R _12B = R _14B = 2122 μm,
R _13A = R _13B = 2130 μm.

また、本実施例では、第１バンドパスフィルタ１Ａには導体ポスト１１Ａ４〜１５Ａ４を設けず、第２バンドパスフィルタ１Ｂには導体ポスト１１Ｂ４〜１５Ｂ４を設ける構成を採用した。第１バンドパスフィルタ１Ａにおいて、導体ポスト１１Ａ４〜１５Ａ４の狭壁１１Ａ３〜１５Ａ３からの最短距離δ_１１Ａ〜δ_１５Ａは、一律に７５０μｍとした。 Further, in this embodiment, the first bandpass filter 1A is not provided with the conductor posts 11A4 to 15A4, and the second bandpass filter 1B is provided with the conductor posts 11B4 to 15B4. _{In the first bandpass filter 1A, the shortest distances δ 11A to} _{δ 15A} from the narrow walls 11A3 to 15A3 of the conductor posts 11A4 to 15A4 were uniformly set to 750 μm.

図９は、第１バンドパスフィルタ１Ａ、第２バンドパスフィルタ１Ｂ、及び、フィルタ装置１の透過係数Ｓ２１の周波数特性を示すグラフ（シミュレーション結果）である。 FIG. 9 is a graph (simulation result) showing the frequency characteristics of the first bandpass filter 1A, the second bandpass filter 1B, and the transmission coefficient S21 of the filter device 1.

図９によれば、第１バンドパスフィルタ１Ａ及び第２バンドパスフィルタの通過帯域が、互いに相違し、且つ、共通部分を有することが確かめられる。また、図９によれば、フィルタ装置１の通過帯域が、第１バンドパスフィルタ１Ａ及び第２バンドパスフィルタの通過帯域の共通部分と略一致することが確かめられる。すなわち、フィルタ装置１が、狭帯域バンドパスフィルタとして機能することが確かめられる。実際、フィルタ装置１の３ｄＢ帯域幅は、約５７５ＭＨｚであり、第１バンドパスフィルタ１Ａ及び第２バンドパスフィルタ１Ｂの３ｄＢ帯域幅（約１．５ＧＨｚ）の２／５程度であった。 According to FIG. 9, it is confirmed that the pass bands of the first bandpass filter 1A and the second bandpass filter are different from each other and have a common portion. Further, according to FIG. 9, it is confirmed that the pass band of the filter device 1 substantially coincides with the common portion of the pass band of the first bandpass filter 1A and the second bandpass filter. That is, it is confirmed that the filter device 1 functions as a narrow band bandpass filter. In fact, the 3 dB bandwidth of the filter device 1 was about 575 MHz, which was about 2/5 of the 3 dB bandwidth (about 1.5 GHz) of the first bandpass filter 1A and the second bandpass filter 1B.

また、図９によれば、フィルタ装置１の挿入損失は、約３．３ｄＢである。一方、図１０によれば、３ｄＢ帯域幅が５７５ＭＨｚの５段チェビシェフフィルタの挿入損失は、約３．６ｄＢである。したがって、フィルタ装置１においては、狭帯域化に伴う挿入損失の増加が５段チェビシェフフィルタよりも小さく抑えられていることが分かる。 Further, according to FIG. 9, the insertion loss of the filter device 1 is about 3.3 dB. On the other hand, according to FIG. 10, the insertion loss of the 5-stage Chebyshev filter having a 3 dB bandwidth of 575 MHz is about 3.6 dB. Therefore, it can be seen that in the filter device 1, the increase in insertion loss due to the narrowing of the band is suppressed to be smaller than that in the 5-stage Chebyshev filter.

（付記事項）
本発明は、上述した実施形態に限定されるものでなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、上述した実施形態に開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。 (Additional notes)
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made within the scope of the claims, and the embodiment obtained by appropriately combining the technical means disclosed in the above-described embodiment. Is also included in the technical scope of the present invention.

１フィルタ装置
１Ａ第１バンドパスフィルタ
１１Ａ〜１５Ａ共振器
１１Ａ１〜１５Ａ１広壁
１１Ａ２〜１５Ａ２広壁
１１Ａ３〜１５Ａ３狭壁
１１Ａ４〜１５Ａ４導体ポスト
１Ｂ第２バンドパスフィルタ
１１Ｂ〜１５Ｂ共振器
１１Ｂ１〜１５Ｂ１広壁
１１Ｂ２〜１５Ｂ２広壁
１１Ｂ３〜１５Ｂ３狭壁
１１Ｂ４〜１５Ｂ４導体ポスト 1 Filter device 1A 1st bandpass filter 11A to 15A Resonator 11A1 to 15A1 Wide wall 11A2 to 15A2 Wide wall 11A3 to 15A3 Narrow wall 11A4 to 15A4 Conductor post 1B 2nd bandpass filter 11B to 15B Resonator 11B1 to 15B1 Wide wall 11B2-15B2 Wide wall 11B3-15B3 Narrow wall 11B4-15B4 Conductor post

Claims

A first bandpass filter containing multiple electromagnetically coupled resonators,
A second bandpass filter, including a plurality of electromagnetically coupled resonators, is provided.
The number of resonators included in the first bandpass filter and the number of resonators included in the second bandpass filter are equal to each other.
The pass band of the first bandpass filter and the pass band of the second bandpass filter are set so as to be different from each other and have a common portion.
A filter device characterized by that.

The size of each resonator included in the first bandpass filter and the size of the resonator included in the second bandpass filter corresponding to the resonator are different from each other.
The filter device according to claim 1.

A first conductor post is provided inside at least one resonator included in the first bandpass filter.
A second conductor post is provided inside at least one resonator included in the second bandpass filter.
The shortest distance from the first conductor post to the narrow wall of the at least one resonator included in the first bandpass filter, and the at least one resonance contained in the second bandpass filter from the second conductor post. The shortest distance to the narrow wall of the vessel is different from each other,
The filter device according to claim 1.

A conductor post is provided inside at least one resonator included in either the first bandpass filter or the second bandpass filter.
A conductor post is not provided inside at least one resonator contained in the first bandpass filter or the other of the second bandpass filter.
The filter device according to claim 1.

Each resonator included in the first bandpass filter is cylindrical and has a columnar shape.
The first bandpass filter is configured by arranging the plurality of resonators in a petal shape.
Each resonator included in the second bandpass filter is cylindrical and has a columnar shape.
The second bandpass filter is configured by arranging the plurality of resonators in a petal shape.
The filter device according to any one of claims 1 to 4.