JP2021044378A - ウェーハの加工方法 - Google Patents

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成規 原田
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Abstract

【課題】品質を低下させることなくデバイスチップを形成する。【解決手段】複数のデバイスが形成されたウェーハを個々のデバイスチップに分割するウェーハの加工方法であって、ウェーハの裏面または表面にポリオレフィン系シートを配設するポリオレフィン系シート配設工程と、熱圧着により該ウェーハと、該ポリオレフィン系シートと、を一体化させる一体化工程と、ウェーハを収容できる大きさの開口を有する内枠と、該内枠の外径に対応した径の開口を有する外枠と、で構成されるフレームを使用して、該内枠の外周壁と、該外枠の内周壁と、の間にポリオレフィン系シートの外周を挟持することでポリオレフィン系シートを該フレームで支持するフレーム支持工程と、該ウェーハにシールドトンネルを形成し、該ウェーハを個々のデバイスチップに分割する分割工程と、エアーを吹き付けてデバイスチップを突き上げピックアップするピックアップ工程と、を備える。【選択図】図4

Description

本発明は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画された表面の各領域に形成されたウェーハを個々のデバイスチップに分割するウェーハの加工方法に関する。
携帯電話やパソコン等の電子機器に使用されるデバイスチップの製造工程では、まず、半導体等の材料からなるウェーハの表面に複数の交差する分割予定ライン(ストリート)を設定する。そして、該分割予定ラインで区画される各領域にIC(Integrated Circuit)、LSI(Large-Scale Integration)、LED(Light Emitting Diode)等のデバイスを形成する。
その後、開口を有する環状のフレームに該開口を塞ぐように貼られたダイシングテープと呼ばれる粘着テープを該ウェーハの裏面または表面に貼着し、ウェーハと、粘着テープと、環状のフレームと、が一体となったフレームユニットを形成する。そして、フレームユニットに含まれるウェーハを該分割予定ラインに沿って加工して分割すると、個々のデバイスチップが形成される。
ウェーハの分割には、例えば、レーザー加工装置が使用される。レーザー加工装置は、粘着テープを介してウェーハを保持するチャックテーブルと、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを集光点が該ウェーハの内部に位置付けられた状態で該ウェーハに照射するレーザー加工ユニットと、を備える。
ウェーハを分割する際には、チャックテーブルの上にフレームユニットを載せ、粘着テープを介してチャックテーブルにウェーハを保持させる。そして、チャックテーブルと、レーザー加工ユニットと、をチャックテーブルの上面に平行な方向に沿って相対移動させながら各分割予定ラインに沿ってウェーハに該レーザー加工ユニットから次々と該レーザービームを照射する。
該レーザービームがウェーハに照射されると、シールドトンネルと称されるフィラメント状の領域が分割予定ラインに沿って次々に形成される。このシールドトンネルは、ウェーハの厚さ方向に沿う細孔と、該細孔を囲繞する非晶質領域から構成されており、ウェーハの分割起点となる(特許文献1参照)。
その後、レーザー加工装置からフレームユニットを搬出し、粘着テープを径方向外側に拡張すると、ウェーハが分割されて個々のデバイスチップが形成される。形成されたデバイスチップを粘着テープからピックアップする際には、予め、粘着テープに紫外線を照射する等の処理を施して粘着テープの粘着力を低下させておく。デバイスチップの生産効率が高い加工装置として、ウェーハの分割と、粘着テープへの紫外線の照射と、を一つの装置で連続して実施できる加工装置が知られている(特許文献2参照)。
特許第6151557号公報 特許第3076179号公報
粘着テープは、例えば、塩化ビニールシート等で形成された基材層と、該基材層上に配設された糊層と、を含む。レーザー加工装置では、分割起点となるシールドトンネルをウェーハに形成するためにレーザービームがウェーハの内部に照射される。このとき、該レーザービームの漏れ光の一部が粘着テープの糊層に達する。そして、レーザービームの照射による熱的な影響により粘着テープの糊層が溶融し、ウェーハから形成されたデバイスチップの裏面側または表面側に糊層の一部が固着する。
この場合、粘着テープからデバイスチップをピックアップする際に粘着テープに紫外線を照射する等の処理を実施しても、ピックアップされたデバイスチップの裏面または表面側には糊層の該一部が残存してしまう。そのため、デバイスチップの品質の低下が問題となる。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、形成されるデバイスチップの裏面または表面側に糊層が付着せず、デバイスチップに糊層の付着に由来する品質の低下が生じないウェーハの加工方法を提供することである。
本発明の一態様によれば、複数のデバイスが、分割予定ラインによって区画された表面の各領域に形成されたウェーハを個々のデバイスチップに分割するウェーハの加工方法であって、ウェーハの裏面または該表面にポリオレフィン系シートを配設するポリオレフィン系シート配設工程と、該ポリオレフィン系シートを加熱し、熱圧着により該ウェーハと、該ポリオレフィン系シートと、を一体化させる一体化工程と、該一体化工程の前または後に、該ウェーハを収容できる大きさの開口を有する内枠と、該内枠の外径に対応した径の開口を有する外枠と、で構成されるフレームを使用して、該内枠の外周壁と、該外枠の内周壁と、の間に該ポリオレフィン系シートの外周を挟持することで該ポリオレフィン系シートを該フレームで支持するフレーム支持工程と、該ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を該ウェーハの内部に位置付け、該レーザービームを該分割予定ラインに沿って該ウェーハに照射して該ウェーハに連続的にシールドトンネルを形成し、該ウェーハを個々のデバイスチップに分割する分割工程と、該ポリオレフィン系シート側からエアーを吹き付けることにより個々にデバイスチップを突き上げ、該ポリオレフィン系シートから個々の該デバイスチップをピックアップするピックアップ工程と、を備えることを特徴とするウェーハの加工方法が提供される。
好ましくは、該一体化工程において、赤外線の照射によって該熱圧着を実施する。
また、好ましくは、該ピックアップ工程では、該ポリオレフィン系シートを拡張して各デバイスチップ間の間隔を広げる。
また、好ましくは、該ポリオレフィン系シートは、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、ポリスチレンシートのいずれかである。
さらに、好ましくは、該一体化工程において、該ポリオレフィン系シートが該ポリエチレンシートである場合に加熱温度は120℃〜140℃であり、該ポリオレフィン系シートが該ポリプロピレンシートである場合に加熱温度は160℃〜180℃であり、該ポリオレフィン系シートが該ポリスチレンシートである場合に加熱温度は220℃〜240℃である。
また、好ましくは、該ウェーハは、Si、GaN、GaAs、ガラスのいずれかで構成される。
本発明の一態様に係るウェーハの加工方法では、フレームユニットに糊層を有する粘着テープを使用せず、糊層を備えないポリオレフィン系シートを用いてフレームと、ウェーハと、を一体化する。ポリオレフィン系シートと、ウェーハと、を一体化させる一体化工程は、熱圧着により実現される。
本発明の一態様に係るウェーハの加工方法では、ウェーハを収容できる大きさの開口を有する内枠と、該内枠の外径に対応した径の開口を有する外枠と、で構成されるフレームが使用される。そして、フレーム支持工程において、該外枠の該開口内に該内枠を挿入し、このとき、該内枠の外周壁と、該外枠の内周壁と、の間にポリオレフィン系シートを挟むことで該ポリオレフィン系シートをフレームで支持できる。
すなわち、ポリオレフィン系シートが糊層を備えていなくても、該一体化工程及びフレーム支持工程を実施することで、ウェーハと、ポリオレフィン系シートと、フレームと、を一体化させてフレームユニットを形成できる。
その後、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームをウェーハに照射し、分割予定ラインに沿って連続的にシールドトンネルを形成して該ウェーハを分割する。その後、ポリオレフィン系シート側からエアーを吹き付けることにより個々にデバイスチップを突き上げ、ポリオレフィン系シートからデバイスチップをピックアップする。ピックアップされたデバイスチップは、それぞれ、所定の実装対象に実装される。なお、ピックアップの際にエアーによりデバイスチップを突き上げると、ポリオレフィン系シートから剥離する際にデバイスチップにかかる負荷を軽減できる。
ウェーハの内部にシールドトンネルを形成する際、レーザービームの漏れ光がポリオレフィン系シートに達する。しかしながら、ポリオレフィン系シートは糊層を備えないため、該糊層が溶融してデバイスチップの裏面または表面側に固着することがない。
すなわち、本発明の一態様によると、糊層を備えないポリオレフィン系シートを用いてフレームユニットを形成できるため、糊層を備えた粘着テープが不要であり、結果として糊層の付着に起因するデバイスチップの品質低下が生じない。
したがって、本発明の一態様によると、形成されるデバイスチップの裏面または表面側に糊層が付着せず、デバイスチップに糊層の付着に由来する品質の低下が生じないウェーハの加工方法が提供される。
図1(A)は、ウェーハの表面を模式的に示す斜視図であり、図1(B)は、ウェーハの裏面を模式的に示す斜視図である。 チャックテーブルの保持面上にウェーハを位置付ける様子を模式的に示す斜視図である。 ポリオレフィン系シート配設工程を模式的に示す斜視図である。 一体化工程の一例を模式的に示す斜視図である。 一体化工程の一例を模式的に示す斜視図である。 一体化工程の一例を模式的に示す斜視図である。 図7(A)は、フレーム支持工程を模式的に示す斜視図であり、図7(B)は、形成されたフレームユニットを模式的に示す斜視図である。 図8(A)は、分割工程を模式的に示す斜視図であり、図8(B)は、同断面図であり、図8(C)は、シールドトンネルを模式的に示す斜視図である。 ピックアップ装置へのフレームユニットの搬入を模式的に示す斜視図である。 図10(A)は、フレーム支持台の上に固定されたフレームユニットを模式的に示す断面図であり、図10(B)は、ピックアップ工程を模式的に示す断面図である。
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。まず、本実施形態に係るウェーハの加工方法で加工されるウェーハについて説明する。図1(A)は、ウェーハ1の表面を模式的に示す斜視図であり、図1(B)は、ウェーハ1の裏面を模式的に示す斜視図である。
ウェーハ1は、例えば、Si(シリコン)、SiC(シリコンカーバイド)、GaN(ガリウムナイトライド)、GaAs(ヒ化ガリウム)、若しくは、その他の半導体等の材料、または、サファイア、ガラス、石英等の材料からなる略円板状の基板等である。該ガラスは、例えば、アルカリガラス、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス等である。
ウェーハ1の表面1aは格子状に配列された複数の分割予定ライン3で区画される。また、ウェーハ1の表面1aの分割予定ライン3で区画された各領域にはICやLSI、LED等のデバイス5が形成される。本実施形態に係るウェーハ1の加工方法では、分割予定ライン3に沿ってウェーハ1に連側的にシールドトンネルを形成し、該シールドトンネルを起点にしてウェーハ1を分割し、個々のデバイスチップを形成する。
ウェーハ1にシールドトンネルを形成する際には、ウェーハ1に対して透過性を有する波長のレーザービームを分割予定ライン3に沿ってウェーハ1に照射し、該レーザービームをウェーハ1の内部に集光させる。このとき、該レーザービームは、図1(A)に示す表面1a側からウェーハ1に照射されてもよく、または、図1(B)に示す裏面1b側からウェーハ1に照射されてもよい。尚、裏面1b側からウェーハ1にレーザービームを照射する場合、赤外線カメラを備えたアライメント手段を用いてウェーハ1を透過して表面1a側の分割予定ライン3を検出し、分割予定ライン3に沿ってレーザービームを照射する。
ウェーハ1にシールドトンネルを形成するレーザー加工が実施されるレーザー加工装置10(図8(A)参照)にウェーハ1を搬入する前に、ウェーハ1と、ポリオレフィン系シートと、フレームと、が一体化され、フレームユニットが形成される。ウェーハ1は、フレームユニットの状態でレーザー加工装置10に搬入され、加工される。
そして、ポリオレフィン系シートを拡張するとウェーハ1を分割でき、ウェーハ1を分割することで形成された個々のデバイスチップは該ポリオレフィン系シートに支持される。その後、ポリオレフィン系シートをさらに拡張することでデバイスチップ間の間隔を広げ、ピックアップ装置によりデバイスチップをピックアップする。
環状のフレーム7(図7(A)等参照)は、例えば、金属等の材料で形成され、ウェーハ1を収容できる大きさの開口を有する内枠7cと、該内枠7cの外径に対応した径の開口を有する外枠7aと、の2つの部材で構成される。内枠7cと、外枠7aと、は略同一の高さを備える。
ポリオレフィン系シート9(図3等参照)は、柔軟性を有する樹脂系シートであり、表裏面が平坦である。そして、ポリオレフィン系シート9は、フレーム7の内枠7cの外径よりも大きい径を有し、糊層を備えない。ポリオレフィン系シート9は、アルケンをモノマーとして合成されるポリマーのシートであり、例えば、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、または、ポリスチレンシート等の可視光に対して透明または半透明なシートである。ただし、ポリオレフィン系シート9はこれに限定されず、不透明でもよい。
ポリオレフィン系シート9は、粘着性を備えないため室温ではウェーハ1に貼着できない。しかしながら、ポリオレフィン系シート9は熱可塑性を有するため、所定の圧力を印加しながらウェーハ1と接合させた状態で融点近傍の温度まで加熱すると、部分的に溶融してウェーハ1に接着できる。
本実施形態に係るウェーハ1の加工方法では、熱圧着によりウェーハ1の裏面1b側にポリオレフィン系シート9を接着し、ポリオレフィン系シート9の外周部を内枠7cの外周壁7eと、該外枠7aの内周壁7bと、の間に挟持してフレームユニットを形成する。
次に、本実施形態に係るウェーハ1の加工方法の各工程について説明する。まず、ウェーハ1と、ポリオレフィン系シート9と、を一体化させる準備のために、ポリオレフィン系シート配設工程を実施する。図2は、チャックテーブル2の保持面2a上にウェーハ1を位置付ける様子を模式的に示す斜視図である。図2に示す通り、ポリオレフィン系シート配設工程は、上部に保持面2aを備えるチャックテーブル2上で実施される。
チャックテーブル2は、上部中央にウェーハ1の外径よりも大きな径の多孔質部材を備える。該多孔質部材の上面は、チャックテーブル2の保持面2aとなる。チャックテーブル2は、図3に示す如く一端が該多孔質部材に通じた排気路を内部に有し、該排気路の他端側には吸引源2bが配設される。排気路には、連通状態と、切断状態と、を切り替える切り替え部2cが配設され、切り替え部2cが連通状態であると保持面2aに置かれた被保持物に吸引源2bにより生じた負圧が作用し、被保持物がチャックテーブル2に吸引保持される。
ポリオレフィン系シート配設工程では、まず、図2に示す通り、チャックテーブル2の保持面2a上にウェーハ1を載せる。このとき、後述の分割工程においてレーザービームが照射される被照射面を表面1a及び裏面1bのいずれとするかを考慮して、ウェーハ1の向きを選択する。例えば、該被照射面を表面1aとする場合、表面1a側を下方に向ける。また、例えば、該被照射面を裏面1bとする場合、裏面1b側を下方に向ける。以下、レーザービームの被照射面を表面1aとする場合を例に本実施形態に係るウェーハの加工方法について説明するが、ウェーハ1の向きはこれに限定されない。
チャックテーブル2の保持面2a上にウェーハ1を載せた後、ウェーハ1の裏面1b(または表面1a)上にポリオレフィン系シート9を配設する。図3は、ポリオレフィン系シート配設工程を模式的に示す斜視図である。図3に示す通り、ウェーハ1を覆うようにウェーハ1の上にポリオレフィン系シート9を配設する。
なお、ポリオレフィン系シート配設工程では、ポリオレフィン系シート9の径よりも小さい径の保持面2aを備えるチャックテーブル2が使用される。後に実施される一体化工程でチャックテーブル2による負圧をポリオレフィン系シート9に作用させる際に、保持面2aの全体がポリオレフィン系シート9により覆われていなければ、負圧が隙間から漏れてしまい、ポリオレフィン系シート9に適切に圧力を印加できないためである。
本実施形態に係るウェーハ1の加工方法では、次に、ポリオレフィン系シート9を加熱し、熱圧着によりウェーハ1と、該ポリオレフィン系シート9と、を一体化する一体化工程を実施する。図4は、一体化工程の一例を模式的に示す斜視図である。図4では、可視光に対して透明または半透明であるポリオレフィン系シート9を通して視認できるものを破線で示す。
一体化工程では、まず、チャックテーブル2の切り替え部2cを作動させて吸引源2bをチャックテーブル2の上部の多孔質部材に接続する連通状態とし、吸引源2bによる負圧をポリオレフィン系シート9に作用させる。すると、大気圧によりポリオレフィン系シート9がウェーハ1に対して密着する。
次に、吸引源2bによりポリオレフィン系シート9を吸引しながらポリオレフィン系シート9を加熱して、熱圧着を実施する。ポリオレフィン系シート9の加熱は、例えば、図4に示す通り、チャックテーブル2の上方に配された赤外線ランプ4が使用される。赤外線ランプ4は、少なくともポリオレフィン系シート9の材料が吸収性を有する波長の赤外線4aを照射可能である。
赤外線ランプ4を作動させて、ポリオレフィン系シート9に赤外線4aを照射してポリオレフィン系シート9を加熱する。すると、ポリオレフィン系シート9がウェーハ1に熱圧着される。
ポリオレフィン系シート9の加熱は、他の方法により実施されてもよい。図5は、一体化工程の他の一例を模式的に示す斜視図である。図5では、可視光に対して透明または半透明であるポリオレフィン系シート9を通して視認できるものを破線で示す。図5に示す一体化工程は、チャックテーブル2の上方に配設されるヒートガン6により実施される。
ヒートガン6は、電熱線等の加熱手段と、ファン等の送風機構と、を内部に備え、空気を加熱し噴射できる。吸引源2bによる負圧をポリオレフィン系シート9に作用させながらヒートガン6によりポリオレフィン系シート9に上面から熱風6aを供給し、ポリオレフィン系シート9を所定の温度に加熱すると、ポリオレフィン系シート9がウェーハ1に熱圧着される。
また、ポリオレフィン系シート9の加熱は、さらに他の方法により実施されてもよく、例えば、所定の温度に加熱された部材でウェーハ1を上方から押圧することで実施される。図6は一体化工程の他の一例を模式的に示す斜視図である。図6では、可視光に対して透明または半透明であるポリオレフィン系シート9を通して視認できるものを破線で示す。
図6に示す一体化工程では、例えば、内部に熱源を備えるヒートローラー8を使用する。図6に示す一体化工程においても、まず、吸引源2bによる負圧をポリオレフィン系シート9に作用させ、大気圧によりポリオレフィン系シート9をウェーハ1に密着させる。
その後、ヒートローラー8を所定の温度に加熱して、チャックテーブル2の保持面2aの一端に該ヒートローラー8を載せる。そして、ヒートローラー8を回転させ、該一端から他端にまでチャックテーブル2上でヒートローラー8を転がす。すると、ポリオレフィン系シート9がウェーハ1に熱圧着される。この際、ヒートローラー8によりポリオレフィン系シート9を押し下げる方向に力を印加すると、大気圧より大きい圧力で熱圧着が実施される。尚、ヒートローラー8の表面をフッ素樹脂で被覆することが好ましい。
また、内部に熱源を備え、平たい底板を有するアイロン状の押圧部材をヒートローラー8に代えて使用してポリオレフィン系シート9の熱圧着を実施してもよい。この場合、該押圧部材を所定の温度に加熱して熱板とし、チャックテーブル2に保持されたポリオレフィン系シート9を該押圧部材で上方から押圧する。
いずれかの方法によりポリオレフィン系シート9がその融点近傍の温度にまで加熱されると、ポリオレフィン系シート9がウェーハ1に熱圧着される。ポリオレフィン系シート9を熱圧着した後は、切り替え部2cを作動させてチャックテーブル2の多孔質部材と、吸引源2bと、の連通状態を解除し、チャックテーブル2による吸着を解除する。
なお、熱圧着を実施する際にポリオレフィン系シート9は、好ましくは、その融点以下の温度に加熱される。加熱温度が融点を超えると、ポリオレフィン系シート9が溶解してシートの形状を維持できなくなる場合があるためである。また、ポリオレフィン系シート9は、好ましくは、その軟化点以上の温度に加熱される。加熱温度が軟化点に達していなければ熱圧着を適切に実施できないためである。すなわち、ポリオレフィン系シート9は、その軟化点以上でかつその融点以下の温度に加熱されるのが好ましい。
さらに、一部のポリオレフィン系シート9は、明確な軟化点を有しない場合もある。そこで、熱圧着を実施する際にポリオレフィン系シート9は、好ましくは、その融点よりも20℃低い温度以上でかつその融点以下の温度に加熱される。
また、ポリオレフィン系シート9がポリエチレンシートである場合、加熱温度は120℃〜140℃とされるのが好ましい。また、該ポリオレフィン系シート9がポリプロピレンシートである場合、加熱温度は160℃〜180℃とされるのが好ましい。さらに、ポリオレフィン系シート9がポリスチレンシートである場合、加熱温度は220℃〜240℃とされるのが好ましい。
ここで、加熱温度とは、一体化工程を実施する際のポリオレフィン系シート9の温度をいう。例えば、赤外線ランプ4、ヒートガン6、ヒートローラー8等の熱源では出力温度を設定できる機種が実用に供されているが、該熱源を使用してポリオレフィン系シート9を加熱しても、ポリオレフィン系シート9の温度が設定された該出力温度にまで達しない場合もある。そこで、ポリオレフィン系シート9を所定の温度に加熱するために、熱源の出力温度をポリオレフィン系シート9の融点よりも高く設定してもよい。
本実施形態に係るウェーハ1の加工方法では、該一体化工程の前または後に、ポリオレフィン系シート9をフレーム7で支持するフレーム支持工程を実施する。図7(A)は、フレーム支持工程を模式的に示す斜視図である。フレーム支持工程では、フレーム7の内枠7cの外周壁7eと、フレーム7の外枠7aの内周壁7bと、の間にポリオレフィン系シート9の外周を挟持することでポリオレフィン系シート9を該フレーム7で支持する。
まず、内枠7cの上にポリオレフィン系シート9を載せる。この際、内枠7cの上面のすべての領域がポリオレフィン系シート9に覆われるようにポリオレフィン系シート9の位置を決める。次に、外枠7aをポリオレフィン系シート9の上方に載せる。この際、内枠7cの外周壁7eと、外枠7aの内周壁7bと、が概略重なるように外枠7aの位置を決める。
その後、ポリオレフィン系シート9の上方に載る外枠7aを下方に押し下げ、外枠7aの開口中に内枠7cを収容させる。このとき、ポリオレフィン系シート9の外周部は外枠7aにより折り曲げられ、内枠7cの外周壁7eと、外枠7aの内周壁7bと、の間に挟持される。すると、図7(B)に示す通り、ウェーハ1と、ポリオレフィン系シート9と、フレーム7と、が一体となったフレームユニット11が形成される。該フレームユニット11では、フレーム7の内枠7cの上面の上にポリオレフィン系シート9が配される。
なお、一体化工程の後にフレーム支持工程を実施する場合について説明したが、本実施形態に係るウェーハの加工方法はこれに限定されない。例えば、フレーム支持工程の後に一体化工程を実施してもよい。この場合、一体化工程における加熱によりポリオレフィン系シート9のフレーム7の内枠7c及び外枠7aの間に挟まれた部分が内枠7cの外周壁7eと、外枠7aの内周壁7bと、に接着されて、ポリオレフィン系シート9がより強い力でフレーム7に支持される。
また、フレーム7の内枠7cの上にポリオレフィン系シート9を配し、その上に外枠7aを配してフレーム支持工程を実施する場合について説明したが、本実施形態に係るウェーハの加工方法では、内枠7cと、外枠7aと、を入れ替えてもよい。
すなわち、外枠7aの上にポリオレフィン系シート9を配し、その上に内枠7cを配し、内枠7cを上から押圧して外枠7aの開口に内枠7c収容させてもよい。この場合、形成されるフレームユニットでは、内枠7cの下面にポリオレフィン系シート9が接し、内枠7cの内周壁7dで囲まれた開口内にウェーハ1が配される。
次に、本実施形態に係るウェーハの加工方法では、フレームユニット11の状態となったウェーハ1をレーザー加工して、分割予定ライン3に沿ってウェーハ1に次々にシールドトンネルを形成して該ウェーハ1を分割する分割工程を実施する。分割工程は、例えば、図8(A)に示すレーザー加工装置で実施される。図8(A)は、分割工程を模式的に示す斜視図であり、図8(B)は、分割工程を模式的に示す断面図である。
レーザー加工装置10は、ウェーハ1にレーザービーム14を照射するレーザー加工ユニット12と、ウェーハ1を保持するチャックテーブル(不図示)と、を備える。レーザー加工ユニット12は、レーザーを発振できるレーザー発振器(不図示)を備え、ウェーハ1に対して透過性を有する波長の(ウェーハ1を透過できる波長の)レーザービーム14を出射できる。該チャックテーブルは、上面に平行な方向に沿って移動(加工送り)できる。
レーザー加工ユニット12は、該レーザー発振器から出射されたレーザービーム14を該チャックテーブルに保持されたウェーハ1に照射する。レーザー加工ユニット12が備える加工ヘッド12aは、レーザービーム14の集光点12bをウェーハ1の内部の所定の高さ位置に位置付ける機構を有する。加工ヘッド12aは、集光レンズ(不図示)を内部に備える。該集光レンズの開口数(NA)は、開口数(NA)をウェーハ1の屈折率(N)で除した値が0.05〜0.2の範囲に収まるように決定される。
ウェーハ1をレーザー加工する際には、チャックテーブルの上にフレームユニット11を載せ、ポリオレフィン系シート9を介してチャックテーブルにウェーハ1を保持させる。次に、チャックテーブルを回転させウェーハ1の分割予定ライン3をレーザー加工装置10の加工送り方向に合わせる。また、分割予定ライン3の延長線の上方に加工ヘッド12aが配設されるように、チャックテーブル及びレーザー加工ユニット12の相対位置を調整する。そして、レーザービーム14の集光点12bを所定の高さ位置に位置付ける。
次に、レーザー加工ユニット12からウェーハ1の内部に次々にレーザービーム14を照射しながらチャックテーブルと、レーザー加工ユニット12と、をチャックテーブルの上面に平行な加工送り方向に沿って相対移動させる。すなわち、レーザービーム14の集光点12bをウェーハ1の内部に位置付け、レーザービーム14を分割予定ライン3に沿ってウェーハ1に照射する。
すると、シールドトンネル3aと称されるフィラメント状の領域が分割予定ライン3に沿って次々に形成される。図8(B)には、シールドトンネル3aが連続的に形成されているウェーハ1の断面図が模式的に示されている。また、図8(C)は、シールドトンネル3aを模式的に示す斜視図である。シールドトンネル3aは、ウェーハ1の厚さ方向に沿う細孔3bと、該細孔3bを囲繞する非晶質領域3cから構成されている。なお、図8(A)においては、分割予定ライン3に沿って並ぶシールドトンネル3aを実線で示している。
分割工程におけるレーザービーム14の照射条件は、例えば、以下のように設定される。ただし、レーザービーム14の照射条件は、これに限定されない。
波長 :1030nm
平均出力 :3W
繰り返し周波数:50kHz
パルス幅 :10ps
集光スポット径:φ10μm
送り速度 :500mm/秒
レーザービーム14がウェーハ1にこのように照射されると、分割予定ライン3に沿ってウェーハ1に10μm間隔でシールドトンネル3aが形成される。そして、形成されるそれぞれのシールドトンネル3aは、φ1μm程度の細孔3bと、φ10μm程度の非晶質領域3cと、を含む。そのため、互いに隣接するシールドトンネル3aは、図8(B)に示す通り、互いの非晶質領域3cが接続された形態となる。
一つの分割予定ライン3に沿ってウェーハ1にシールドトンネル3aを形成した後、チャックテーブル及びレーザー加工ユニット12を加工送り方向とは垂直な割り出し送り方向に相対的に移動させ、他の分割予定ライン3に沿って同様にウェーハ1をレーザー加工する。一つの方向に沿った全ての分割予定ライン3に沿ってシールドトンネル3aを形成した後、チャックテーブルを保持面に垂直な軸の回りに回転させ、他の方向に沿った分割予定ライン3に沿って同様にウェーハ1をレーザー加工する。
ここで、レーザー加工ユニット12によりウェーハ1にレーザービーム14を照射してシールドトンネル3aを形成すると、該レーザービーム14の漏れ光がウェーハ1の下方のポリオレフィン系シート9に到達する。
例えば、フレームユニット11にポリオレフィン系シート9ではなく粘着テープが使用される場合、該粘着テープの糊層にレーザービーム14の漏れ光が照射されると粘着テープの糊層が溶融し、ウェーハ1の裏面1b側に糊層の一部が固着する。この場合、ウェーハ1が分割されて形成されるデバイスチップの裏面側には糊層の該一部が残存してしまう。そのため、デバイスチップの品質の低下が問題となる。
これに対して、本実施形態に係るウェーハの加工方法では、フレームユニット11に糊層を備えないポリオレフィン系シート9を使用する。そのため、レーザービーム14の漏れ光がポリオレフィン系シート9に到達しても、ウェーハ1の裏面1b側に糊層が固着することはない。したがって、ウェーハ1から形成されたデバイスチップの品質は良好に保たれる。
次に、ポリオレフィン系シート9を径方向外側に拡張することでウェーハ1を分割してデバイスチップを形成する。その後、ポリオレフィン系シート9から個々の該デバイスチップをピックアップするピックアップ工程を実施する。ポリオレフィン系シート9の拡張には、図9下部に示すピックアップ装置16を使用する。図9は、ピックアップ装置16へのフレームユニット11の搬入を模式的に示す斜視図である。
ピックアップ装置16は、ウェーハ1の径よりも大きい径を有する円筒状のドラム18と、フレーム支持台22を含むフレーム保持ユニット20と、を備える。フレーム保持ユニット20のフレーム支持台22は、該ドラム18の径よりも大きい径の開口を備え、該ドラム18の上端部と同様の高さに配設され、該ドラム18の上端部を外周側から囲む。さらに、フレーム支持台22は、フレームユニット11のフレーム7を構成する内枠7cの開口の径に対応する大きさの外径を備える。
また、フレーム支持台22の外周壁には、例えば、複数の吸引孔22aが設けられる。フレーム支持台22は、該フレーム支持台22の外周側に位置付けられたフレーム7の内枠7cに該吸引孔22aを通じて負圧を作用できる。フレーム支持台22の上にフレームユニット11を載せ、フレーム7の内枠7cに負圧を作用させると、フレームユニット11がフレーム支持台22に固定される。
フレーム支持台22は、鉛直方向に沿って伸長する複数のロッド24により支持され、各ロッド24の下端部には、該ロッド24を昇降させるエアシリンダ26が配設される。複数のエアシリンダ26は、円板状のベース28に支持される。各エアシリンダ26を作動させると、フレーム支持台22がドラム18に対して引き下げられる。
ドラム18の内部には、ポリオレフィン系シート9に支持されたデバイスチップを下方から突き上げる突き上げ機構30が配設される。突き上げ機構30は、上方に向けてエアー30aを吹き出す機能を有する。また、ドラム18の上方には、デバイスチップを吸引保持できるコレット32(図10(B)参照)が配設される。突き上げ機構30及びコレット32は、フレーム支持台22の上面に沿った水平方向に移動可能である。また、コレット32は、切り替え部32b(図10(B)参照)を介して吸引源32a(図10(B)参照)に接続される。
ポリオレフィン系シート9を拡張する際、まず、ピックアップ装置16のドラム18の上端の高さと、フレーム支持台22の上面の高さと、が一致するように、エアシリンダ26を作動させてフレーム支持台22の高さを調節する。次に、レーザー加工装置10から搬出されたフレームユニット11をピックアップ装置16のドラム18の上に載せる。このとき、フレーム7の内枠7cの開口にフレーム支持台22を挿入させ、該内枠7cの内周壁7dをフレーム支持台22の外周壁に対面させる。
その後、フレーム支持台22の吸引孔22aからフレーム7の内枠7cに負圧を作用させてフレーム支持台22の上にフレームユニット11のフレーム7を固定する。図10(A)は、フレーム支持台22の上に固定されたフレームユニット11を模式的に示す断面図である。ウェーハ1には、分割予定ライン3に沿って並ぶシールドトンネル3aが形成されている。
次に、エアシリンダ26を作動させてフレーム保持ユニット20のフレーム支持台22をドラム18に対して引き下げる。すると、図10(B)に示す通り、ポリオレフィン系シート9が径方向外側に拡張される。図10(B)は、拡張されたポリオレフィン系シート9を模式的に示す断面図である。
ポリオレフィン系シート9が拡張されると、ウェーハ1に径方向外側に向いた力が働き、ウェーハ1がシールドトンネル3aを起点として分割され、個々のデバイスチップ1cが形成される。ポリオレフィン系シート9をさらに拡張すると、ポリオレフィン系シート9に支持された各デバイスチップ1cの間隔が広げられ、個々のデバイスチップ1cのピックアップが容易となる。
本実施形態に係るウェーハの加工方法では、ウェーハ1を分割して個々のデバイスチップ1cを形成した後、ポリオレフィン系シート9からデバイスチップ1cをピックアップするピックアップ工程を実施する。ピックアップ工程では、ピックアップの対象となるデバイスチップ1cを決め、該デバイスチップ1cの下方に突き上げ機構30を移動させ、該デバイスチップ1cの上方にコレット32を移動させる。
その後、突き上げ機構30を作動させてポリオレフィン系シート9側からエアー30aを吹き付けることにより該デバイスチップ1cを突き上げる。そして、切り替え部32bを作動させてコレット32を吸引源32aに連通させる。すると、コレット32により該デバイスチップ1cが吸引保持され、デバイスチップ1cがポリオレフィン系シート9からピックアップされる。ピックアップされた個々のデバイスチップ1cは、その後、所定の配線基板等に実装されて使用される。
なお、デバイスチップ1cのピックアップ時に該ポリオレフィン系シート9側からデバイスチップ1cにエアー30aを吹き付けて該デバイスチップ1cを突き上げると、該ポリオレフィン系シート9からデバイスチップ1cを剥離する際に該デバイスチップ1cにかかる負荷が軽減される。
例えば、粘着テープを使用してフレームユニット11を形成する場合、分割工程においてウェーハ1に照射されるレーザービーム14の漏れ光が粘着テープに到達し、粘着テープの糊層がデバイスチップの裏面側に固着する。そして、糊層の付着によるデバイスチップの品質の低下が問題となる。
これに対して、本実施形態に係るウェーハの加工方法によると、熱圧着により糊層を備えないポリオレフィン系シート9を用いたフレームユニット11の形成が可能となるため、糊層を備えた粘着テープが不要である。結果として裏面側への糊層の付着によるデバイスチップの品質低下が生じない。
なお、本発明は上記実施形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施形態では、ポリオレフィン系シート9が、例えば、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、または、ポリスチレンシートである場合について説明したが、本発明の一態様はこれに限定されない。例えば、ポリオレフィン系シートは、他の材料が使用されてもよく、プロピレンとエチレンとのコポリマーや、オレフィン系エラストマー等でもよい。
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
1 ウェーハ
1a 表面
1b 裏面
3 分割予定ライン
3a シールドトンネル
3b 細孔
3c 非晶質領域
5 デバイス
7 フレーム
7a 外枠
7b,7d 内周壁
7c 内枠
7e 外周壁
9 ポリオレフィン系シート
11 フレームユニット
2 チャックテーブル
2a 保持面
2b,32a 吸引源
2c,32b 切り替え部
4 赤外線ランプ
4a 赤外線
6 ヒートガン
6a 熱風
8 ヒートローラー
10 レーザー加工装置
12 レーザー加工ユニット
12a 加工ヘッド
12b 集光点
14 レーザービーム
16 ピックアップ装置
18 ドラム
20 フレーム保持ユニット
22 フレーム支持台
22a 吸引孔
24 ロッド
26 エアシリンダ
28 ベース
30 突き上げ機構
30a エアー
32 コレット

Claims (6)

  1. 複数のデバイスが、分割予定ラインによって区画された表面の各領域に形成されたウェーハを個々のデバイスチップに分割するウェーハの加工方法であって、
    ウェーハの裏面または該表面にポリオレフィン系シートを配設するポリオレフィン系シート配設工程と、
    該ポリオレフィン系シートを加熱し、熱圧着により該ウェーハと、該ポリオレフィン系シートと、を一体化させる一体化工程と、
    該一体化工程の前または後に、該ウェーハを収容できる大きさの開口を有する内枠と、該内枠の外径に対応した径の開口を有する外枠と、で構成されるフレームを使用して、該内枠の外周壁と、該外枠の内周壁と、の間に該ポリオレフィン系シートの外周を挟持することで該ポリオレフィン系シートを該フレームで支持するフレーム支持工程と、
    該ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点を該ウェーハの内部に位置付け、該レーザービームを該分割予定ラインに沿って該ウェーハに照射して該ウェーハに連続的にシールドトンネルを形成し、該ウェーハを個々のデバイスチップに分割する分割工程と、
    該ポリオレフィン系シート側からエアーを吹き付けることにより個々にデバイスチップを突き上げ、該ポリオレフィン系シートから個々の該デバイスチップをピックアップするピックアップ工程と、
    を備えることを特徴とするウェーハの加工方法。
  2. 該一体化工程において、赤外線の照射によって該熱圧着を実施することを特徴とする請求項1記載のウェーハの加工方法。
  3. 該ピックアップ工程では、該ポリオレフィン系シートを拡張して各デバイスチップ間の間隔を広げることを特徴とする請求項1記載のウェーハの加工方法。
  4. 該ポリオレフィン系シートは、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、ポリスチレンシートのいずれかであることを特徴とする請求項1記載のウェーハの加工方法。
  5. 該一体化工程において、該ポリオレフィン系シートが該ポリエチレンシートである場合に加熱温度は120℃〜140℃であり、該ポリオレフィン系シートが該ポリプロピレンシートである場合に加熱温度は160℃〜180℃であり、該ポリオレフィン系シートが該ポリスチレンシートである場合に加熱温度は220℃〜240℃であることを特徴とする請求項4記載のウェーハの加工方法。
  6. 該ウェーハは、Si、GaN、GaAs、ガラスのいずれかで構成されることを特徴とする請求項1記載のウェーハの加工方法。
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