JP2021021906A - Wavelength conversion element, light source device, and display device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、波長変換素子、光源装置および表示装置に関する。 The present invention relates to a wavelength conversion element, a light source device and a display device.
波長変換素子は、入射した励起光を励起光の波長帯とは異なる波長帯の光に変換する光学素子であり、例えばプロジェクター等の表示装置の光源として用いられている。下記の特許文献1に、蛍光体プレートを含む波長変換体と、波長変換体上に形成された複数の金属アンテナからなるアンテナアレイと、を備えた波長変換装置が開示されている。
The wavelength conversion element is an optical element that converts the incident excitation light into light in a wavelength band different from the wavelength band of the excitation light, and is used as a light source of a display device such as a projector, for example.
特許文献1には、各金属アンテナに光が照射されると、金属アンテナ表面での局在表面プラズモン共鳴により金属アンテナ近傍の電場強度が増大し、波長変換光が増幅されるとともに、狭角の配光分布となってアンテナアレイから射出される、と記載されている。
According to
しかしながら、特許文献1の構成では、金属アンテナのみによってプラズモン共鳴の誘起と光の放射角の制御との双方を実現しているため、互いが制約を受け、波長選択と放射角制御との自由度が少ないという課題があった。
However, in the configuration of
上記の課題を解決するために、本発明の一つの態様の波長変換素子は、入射面と射出面とを有し、前記入射面から入射された第1波長帯の一次光を波長変換して前記第1波長帯とは異なる第2波長帯の二次光を生成し、前記二次光を前記射出面から射出する波長変換体と、前記波長変換体の極近傍に設けられ、互いの距離が前記波長変換体における前記二次光の光学波長程度の距離で離間するように配置された複数の金属アンテナを含む金属アンテナ群と、前記波長変換体の前記射出面に対向して設けられ、複数の誘電体アンテナを含む誘電体アンテナ群と、を備える。 In order to solve the above problems, the wavelength conversion element of one aspect of the present invention has an incident surface and an emission surface, and wavelength-converts the primary light of the first wavelength band incident from the incident surface. A wavelength converter that generates secondary light in a second wavelength band different from the first wavelength band and emits the secondary light from the emission surface, and a wavelength converter that is provided in the immediate vicinity of the wavelength converter and is at a distance from each other. Is provided to face the emission surface of the wavelength converter and a group of metal antennas including a plurality of metal antennas arranged so as to be separated by a distance of about the optical wavelength of the secondary light in the wavelength converter. A group of dielectric antennas including a plurality of dielectric antennas is provided.
本発明の一つの態様の波長変換素子において、前記金属アンテナ群は、前記複数の金属アンテナが同一平面上に格子状に配列された構成を有していてもよい。 In the wavelength conversion element of one aspect of the present invention, the metal antenna group may have a configuration in which the plurality of metal antennas are arranged in a grid pattern on the same plane.
本発明の一つの態様の波長変換素子において、前記誘電体アンテナ群は、前記複数の誘電体アンテナが同一平面上に格子状に配列された構成を有していてもよい。 In the wavelength conversion element of one aspect of the present invention, the dielectric antenna group may have a configuration in which the plurality of dielectric antennas are arranged in a grid pattern on the same plane.
本発明の一つの態様の波長変換素子において、前記金属アンテナ群と前記誘電体アンテナ群とは、前記波長変換体の前記射出面に対向して同層上に設けられていてもよい。 In the wavelength conversion element of one aspect of the present invention, the metal antenna group and the dielectric antenna group may be provided on the same layer facing the emission surface of the wavelength converter.
本発明の一つの態様の波長変換素子は、前記金属アンテナ群を覆う誘電体層をさらに備えていてもよく、前記誘電体アンテナ群は、前記誘電体層を挟んで前記金属アンテナ群と対向して設けられていてもよい。 The wavelength conversion element of one aspect of the present invention may further include a dielectric layer covering the metal antenna group, and the dielectric antenna group faces the metal antenna group with the dielectric layer interposed therebetween. It may be provided.
本発明の一つの態様の波長変換素子は、前記波長変換体の前記入射面に対向して設けられ、前記一次光を透過させ、前記二次光を反射させる第1ダイクロイックミラーをさらに備えていてもよい。 The wavelength conversion element of one aspect of the present invention is further provided with a first dichroic mirror which is provided so as to face the entrance surface of the wavelength converter, transmits the primary light, and reflects the secondary light. May be good.
本発明の一つの態様の波長変換素子は、前記波長変換体の前記射出面に対向して設けられ、前記二次光を透過させ、前記一次光を反射させる第2ダイクロイックミラーをさらに備えていてもよい。 The wavelength conversion element of one aspect of the present invention is further provided with a second dichroic mirror which is provided so as to face the emission surface of the wavelength converter, transmits the secondary light, and reflects the primary light. May be good.
本発明の一つの態様の波長変換素子は、前記波長変換体の前記入射面および前記射出面とは異なる面に設けられた光反射層または光吸収層をさらに備えていてもよい。 The wavelength conversion element of one aspect of the present invention may further include a light reflecting layer or a light absorbing layer provided on a surface different from the incident surface and the emitting surface of the wavelength converter.
本発明の一つの態様の光源装置は、本発明の一つの態様の波長変換素子と、前記一次光を前記波長変換素子に射出する光源と、を備える。 The light source device of one aspect of the present invention includes a wavelength conversion element of one aspect of the present invention and a light source that emits the primary light to the wavelength conversion element.
本発明の一つの態様の表示装置は、本発明の一つの態様の光源装置と、前記光源装置からの光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、を備える。 The display device according to one aspect of the present invention includes a light source device according to one aspect of the present invention and an optical modulation device that modulates light from the light source device according to image information.
[第1実施形態]
以下、本発明の第1実施形態について、図1〜図3を用いて説明する。
図1は、第1実施形態の波長変換素子20の斜視図である。図2は、波長変換素子20の平面図である。図3は、図2のIII−III線に沿う波長変換素子20の断面図である。
なお、以下の各図面においては各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。
[First Embodiment]
Hereinafter, the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3.
FIG. 1 is a perspective view of the
In each of the following drawings, in order to make each component easy to see, the scale of the dimension may be different depending on the component.
図1〜図3に示すように、本実施形態の波長変換素子20は、波長変換体21と、第1誘電体層22と、金属アンテナアレイ23(金属アンテナ群)と、誘電体アンテナアレイ24(誘電体アンテナ群)と、光反射層25と、を備えている。なお、後述するように、光反射層25は、光吸収層であってもよい。
As shown in FIGS. 1 to 3, the
本明細書においては、複数のアンテナの全体をまとめてアンテナ群と称する。また、アンテナ群のうち、特に複数のアンテナが同一平面上に規則的に配列されたアンテナ群をアンテナアレイと称する。 In the present specification, the entire plurality of antennas are collectively referred to as an antenna group. Further, among the antenna groups, an antenna group in which a plurality of antennas are regularly arranged on the same plane is referred to as an antenna array.
波長変換体21は、入射面21aと、射出面21bと、4つの側面21cと、を有し、射出面21bの法線方向から見て、矩形状に形成されている。波長変換体21は、入射面21aから入射された第1波長帯の一次光L1を波長変換して第1波長帯とは異なる第2波長帯の二次光L2を生成し、二次光L2を射出面21bから射出する。一次光L1は、例えば440〜450nmの青色波長帯(第1波長帯)の光である。以下、射出面21bの法線方向から見た場合を平面視と称する。
The
波長変換体21は、例えば賦活剤としてセリウムを含有するイットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG:Ce)等の無機蛍光体から構成されている。YAG:Ceからなる波長変換体21は、一次光L1の一部を例えば490〜750nmの黄色波長帯(第2波長帯)の二次光L2に波長変換し、二次光L2を射出面21bから射出する。このとき、二次光L2に波長変換されなかった一次光L1の他の一部の光L11は、二次光L2とともに射出面21bから射出される。
The
波長変換体21は、YAG:Ce等の無機蛍光体の他、例えばルモゲン、ローダミン6Gなどの有機蛍光色素を母材内に溶解させて薄膜化させた有機蛍光体で構成されていてもよい。その場合、有機蛍光色素の母材には、例えばポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリカーボネート(PC)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、アクリル樹脂などが使用できる。
The
金属アンテナアレイ23は、波長変換体21の極近傍に設けられている。なお、「波長変換体21の極近傍」とは、波長変換体21から10nm以上のギャップを隔て、かつ、波長変換体21との間のギャップが1000nm以下であることと定義する。ギャップは、10nm以上、30nm以下であることが好ましい。また、ギャップを構成する材料として、後述する誘電体アンテナ241と同様の材料を用いることができる。ギャップを構成する材料の屈折率は、波長変換体21を基準として±0.3以内であることが好ましい。本実施形態の場合、図3に示すように、金属アンテナアレイ23は、波長変換体21の射出面21b上に第1誘電体層22を介して設けられている。第1誘電体層22の厚さは、例えば20nmである。
The
また、金属アンテナアレイ23は、波長変換体21の極近傍に設けられており、波長変換体21に直接接触していないことが必要である。その理由は、金属アンテナアレイ23が波長変換体21に直接接触すると、金属アンテナ231の近傍で共鳴誘起している表面プラズモンポラリトンのエネルギーが波長変換体21に流れ、表面プラズモンポラリトンが失活するからである。
Further, it is necessary that the
誘電体アンテナアレイ24は、波長変換体21の射出面21bに対向して設けられている。本実施形態の場合、誘電体アンテナアレイ24は、金属アンテナアレイ23と同様、波長変換体21の射出面21b上に第1誘電体層22を介して設けられている。すなわち、金属アンテナアレイ23と誘電体アンテナアレイ24とは、波長変換体21の射出面21bに対向して同層上に設けられている。
The
金属アンテナアレイ23は、互いの距離が波長変換体21における二次光L2の光学波長程度の距離で離間するように配置された複数の金属アンテナ231を有している。すなわち、金属アンテナアレイ23は、複数の金属アンテナ231が同一平面上に格子状に配列された構成を有している。金属アンテナ231間の距離、すなわち、金属アンテナアレイ23の周期P1は、図2に示すように、波長変換体21の一辺に平行な方向(図2の左右方向または上下方向)に並ぶ2つの金属アンテナ231間の距離と定義する。また、波長変換体21における二次光L2の光学波長は、以下の(1)式で定義される。
光学波長=二次光の波長/波長変換体の屈折率 …(1)
The
Optical wavelength = wavelength of secondary light / refractive index of wavelength converter ... (1)
本明細書において、波長変換体21における二次光L2の光学波長程度とは、例えば波長変換体21における蛍光体の発光波長帯に±50nmを加えた波長帯域のことを言う。なお、金属アンテナアレイ23の周期P2は、斜め方向に並ぶ2つの金属アンテナ231間の距離と定義してもよい。
In the present specification, the optical wavelength of the secondary light L2 in the
一方、誘電体アンテナアレイ24は、二次光L2を所望の回折角で回折させるピッチで配列された複数の誘電体アンテナ241を有している。すなわち、誘電体アンテナアレイ24は、複数の誘電体アンテナ241が同一平面上に格子状に配列された構成を有している。
On the other hand, the
図2に示すように、本実施形態の場合、複数の金属アンテナ231と複数の誘電体アンテナ241とは、全体として正方格子状に配列されている。すなわち、図2の最上行のアンテナを左から右に向かってみると、左端に金属アンテナ231が配置され、その後、誘電体アンテナ241、金属アンテナ231、誘電体アンテナ241、…というように、金属アンテナ231と誘電体アンテナ241とが交互に配列されている。次に、図2の上から2行目のアンテナを左から右に向かってみると、左端に誘電体アンテナ241が配置され、その後、金属アンテナ231、誘電体アンテナ241、金属アンテナ231…というように、誘電体アンテナ241と金属アンテナ231とが交互に配列されている。
As shown in FIG. 2, in the case of the present embodiment, the plurality of
複数の金属アンテナ231の各々、および複数の誘電体アンテナ241の各々は、図1に示すように、柱状、錐状、錐台状などの波長変換体21から突出する立体構造を有している。本実施形態の場合、金属アンテナ231および誘電体アンテナ241は、ともに円柱状である。また、各アンテナを平面視すると、金属アンテナ231および誘電体アンテナ241の平面形状は、粒形、円形、楕円形、多角形、輪形、線形、多角形などの種々の形状を採用することができる。また、金属アンテナ231の形状と誘電体アンテナ241の形状とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。複数の金属アンテナ231および複数の誘電体アンテナ241の配列は、周期性を有する。周期は、一定の比率で伸縮していてもよく、フラクタル構造を含む。
As shown in FIG. 1, each of the plurality of
金属アンテナ231については、金属アンテナ231の最大幅をW1とし、金属アンテナ231の高さをhとすると、最大幅w1と高さhとは、以下の(2)式の関係を満たす。
0.05≦(h/w1)≦2 …(2)
ただし、金属アンテナ231の最大幅w1は、100nm以上である。
なお、誘電体アンテナ241は、所望の波長を有する二次光L2を回折するように放射角が設定されるため、(2)式の関係に拘束されることはない。
Regarding the
0.05 ≦ (h / w1) ≦ 2… (2)
However, the maximum width w1 of the
Since the radiation angle of the
金属アンテナ231の構成材料には、例えば金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、ニッケル(Ni)、アルミニウム(Al)等が使用でき、これらの合金であってもよい。金属アンテナ231の構成材料は、使用する二次光L2の波長に対してプラズマ周波数(吸収)を持つ金属であれば、上記以外の材料であってもよい。
As the constituent material of the
誘電体アンテナ241の構成材料としては、例えばTiO2、Al2O3、LiNbO3、HfO2、Ta2O5、SiON、Si3N4などの誘電体多層膜として使用される、可視域の光に対して透明な物質のいずれかが使用できる。または、上記の材料の積層体であってもよいし、混合体であってもよい。
As a constituent material of the
光反射層25は、波長変換体21の入射面21aおよび射出面21bとは異なる面、具体的には、波長変換体21の4つの側面21cに設けられている。光反射層25は、波長変換体21の側面21cに成膜された金属膜、誘電体多層膜、微細構造体などで構成することができる。なお、光反射層25に代えて、波長変換体21の4つの側面21cに、光吸収層が設けられていてもよい。光吸収層は、波長変換体21の側面21cに成膜された金属膜、誘電体多層膜などで構成することができる。
The
以下、上記構成の波長変換素子20の作用について説明する。
上述したように、波長変換素子20に一次光L1が入射されると、波長変換体21が一次光L1を波長変換して二次光L2を生成する。このとき、二次光L2と、二次光L2に波長変換されなかった一次光の一部の光L11とが、波長変換体21の射出面21bから射出される。
Hereinafter, the operation of the
As described above, when the primary light L1 is incident on the
このとき、金属アンテナアレイ23の各金属アンテナ231に二次光L2が入射すると、金属アンテナ231の表面で局在表面プラズモン共鳴が生じ、金属アンテナ231の近傍の電場強度が増大する。ここで、金属アンテナアレイ23の周期が二次光L2の光学波長程度に設定されているため、隣接する金属アンテナ231の局在表面プラズモン共鳴が光回折を介した共振を起こし、更なる電場強度の増大が生じる。その結果、二次光L2が増強され、二次光の光取り出し効率が向上する。
At this time, when the secondary light L2 is incident on each
また、誘電体アンテナアレイ24は、周期的に配列された複数の誘電体アンテナ241から構成されているため、回折格子として機能する。したがって、誘電体アンテナアレイ24に二次光L2が入射すると、二次光L2は、所定の回折角で回折し、誘電体アンテナアレイ24から所定の放射角をもって射出される。誘電体アンテナアレイ24のピッチをdとし、二次光L2の回折角をθmとし、二次光L2の入射角をθ0とし、二次光L2の波長をλとすると、回折角θmは下記の(3)式から求められる。
d(sinθm−sinθ0)=mλ …(3)
ただし、mは、回折光の次数(正または負の整数)である。
Further, since the
d (sinθm−sinθ0) = mλ… (3)
However, m is the order of the diffracted light (a positive or negative integer).
本実施形態の波長変換素子20は、金属アンテナアレイ23と誘電体アンテナアレイ24とを備え、金属アンテナアレイ23が二次光L2の増強を担い、誘電体アンテナアレイ24が放射角の制御を担うというように、金属アンテナアレイ23と誘電体アンテナアレイ24とで機能が分担されている。また、誘電体アンテナ241の形状や寸法、ピッチ等を、金属アンテナ231が必要とする形状や寸法、ピッチ等の制約に縛られることなく、設定することができる。これにより、波長選択と放射角制御との自由度が高い波長変換素子20を実現することができる。
The
また、本実施形態の場合、金属アンテナアレイ23と誘電体アンテナアレイ24とが同層上に設けられているため、構成が簡略で、薄型の波長変換素子20を提供することができる。
Further, in the case of the present embodiment, since the
また、本実施形態の場合、波長変換体21の側面21cに光反射層25が設けられているため、光反射層25がない場合には波長変換体21の側面21cから射出されてしまう二次光L2を波長変換体21に戻すことができ、射出面21bからの二次光L2の取り出し効率を高めることができる。
Further, in the case of the present embodiment, since the
また、波長変換体21の側面21cに光吸収層が設けられた場合には、波長変換体21の側面21cから射出された二次光L2が光源装置の筐体内で迷光となり、ノイズを発生させるおそれを少なくすることができる。
Further, when the light absorption layer is provided on the
[第2実施形態]
以下、本発明の第2実施形態について、図4を用いて説明する。
第2実施形態の波長変換素子の基本構成は第1実施形態と同様であり、アンテナアレイの配置が第1実施形態と異なる。そのため、波長変換素子の全体の説明は省略する。
図4は、第2実施形態の波長変換素子30の断面図である。
図4において、第1実施形態で用いた図面と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
[Second Embodiment]
Hereinafter, the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
The basic configuration of the wavelength conversion element of the second embodiment is the same as that of the first embodiment, and the arrangement of the antenna array is different from that of the first embodiment. Therefore, the entire description of the wavelength conversion element will be omitted.
FIG. 4 is a cross-sectional view of the
In FIG. 4, components common to the drawings used in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
図4に示すように、本実施形態の波長変換素子30は、波長変換体21と、第1誘電体層22と、金属アンテナアレイ33と、第2誘電体層35と、誘電体アンテナアレイ34と、光反射層25と、を備えている。このように、波長変換素子30は、金属アンテナアレイ33を覆う第2誘電体層35をさらに備えている。本実施形態の第2誘電体層35は、特許請求の範囲の誘電体層に対応する。
As shown in FIG. 4, the
本実施形態において、金属アンテナアレイ33は、第1実施形態と同様、波長変換体21の射出面21b上に第1誘電体層22を介して設けられている。
In the present embodiment, the
また、金属アンテナアレイ33を覆うように第2誘電体層35が設けられ、金属アンテナ331による凹凸は第2誘電体層35に埋め込まれることによって平坦化されている。
Further, a
誘電体アンテナアレイ34は、第2誘電体層35の上面に設けられている。言い換えると、誘電体アンテナアレイ34は、第2誘電体層35を挟んで金属アンテナアレイ33と対向して設けられている。すなわち、第1実施形態では、金属アンテナアレイ23と誘電体アンテナアレイ24とが同層に設けられていたのに対し、第2実施形態では、金属アンテナアレイ33と誘電体アンテナアレイ34とが互いに異なる層に設けられ、誘電体アンテナアレイ34が金属アンテナアレイ33よりも上層側に設けられている。
The
第2誘電体層35の構成材料には、第1誘電体層22と同様、誘電体アンテナと同様の材料、例えばTiO2、Al2O3、LiNbO3、HfO2、Ta2O5、SiON、Si3N4などを用いることができる。第2誘電体層35の厚さは、例えば100nmである。本実施形態において、各層の膜厚の一例を挙げると、波長変換体21(YAG:Ce)が200μmであり、第1誘電体層22(TiO2)が20nmであり、金属アンテナ331(Ag)が20nmであり、第2誘電体層35(TiO2)が100nmであり、誘電体アンテナ341(TiO2)が200nmである。
The constituent materials of the
平面視において、複数の金属アンテナ331と複数の誘電体アンテナ341との位置関係は、第1実施形態と同様である。すなわち、複数の金属アンテナ331と複数の誘電体アンテナ341とは、全体として正方格子状に配置され、波長変換体21の一辺に平行な方向に沿って見たとき、金属アンテナ331と誘電体アンテナ341とは交互に配置されている。
波長変換素子30のその他の構成は、第1実施形態と同様である。
In a plan view, the positional relationship between the plurality of
Other configurations of the
本実施形態においても、波長選択と放射角制御との自由度が高い波長変換素子30を実現できる、といった第1実施形態と同様の効果が得られる。
Also in this embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained, such as being able to realize the
また、本実施形態の場合、複数の誘電体アンテナ341が第2誘電体層35を挟んで複数の金属アンテナ331とは異なる層に設けられているため、複数の誘電体アンテナ341の配置の自由度を高めることができる。例えば、以下の第1変形例の構成を採用することができる。
Further, in the case of the present embodiment, since the plurality of
(第1変形例)
図5は、第1変形例の波長変換素子40の断面図である。
図5に示すように、第1変形例の波長変換素子40において、誘電体アンテナアレイ44を構成する複数の誘電体アンテナ441のうち、一部の誘電体アンテナ441は、金属アンテナ331の直上に配置されている。言い換えると、一部の誘電体アンテナ441は、平面視において金属アンテナ331と重なる位置に配置されている。これにより、誘電体アンテナアレイ44のピッチを、金属アンテナアレイ33のピッチよりも狭くするなど、自由に設定することができる。
(First modification)
FIG. 5 is a cross-sectional view of the
As shown in FIG. 5, in the
(第2変形例)
図6は、第2変形例の波長変換素子45の断面図である。
図6に示すように、第2変形例の波長変換素子45においては、第2誘電体層46が、下地誘電体層461と平坦化誘電体層462の2層の誘電体層により構成されている。下地誘電体層461は、各金属アンテナ331を覆うとともに、金属アンテナ331の形状を反映する程度の薄膜で構成されている。平坦化誘電体層462は、下地誘電体層461をさらに覆うとともに、金属アンテナ331による凹凸を平坦化している。
(Second modification)
FIG. 6 is a cross-sectional view of the
As shown in FIG. 6, in the
本変形例において、各層の膜厚の一例を挙げると、例えば波長変換体21(YAG:Ce)が200μmであり、第1誘電体層22(TiO2)が20nmであり、金属アンテナ331(Ag)が20nmであり、下地誘電体層461(TiO2)が20nmであり、平坦化誘電体層462(Si3N4)が50nmであり、誘電体アンテナ341(TiO2)が200nmである。 In this modification, to give an example of the film thickness of each layer, for example, the wavelength converter 21 (YAG: Ce) is 200 μm, the first dielectric layer 22 (TiO 2 ) is 20 nm, and the metal antenna 331 (Ag). ) Is 20 nm, the underlying dielectric layer 461 (TIO 2 ) is 20 nm, the flattened dielectric layer 462 (Si 3 N 4 ) is 50 nm, and the dielectric antenna 341 (TIO 2 ) is 200 nm.
平坦化誘電体層462は、他の種類の波長変換体に置き換えてもよい。例えば、上記のSi3N4をLumogen F Red(BASF社製)を添加したPMMAに置き換えることによって、YAG:Ceで蛍光発光する黄色光に、赤色のスペクトルを追加しつつ増強することができる。ここで、金属アンテナ331の表面プラズモンポラリトンによる増強は、極近傍に存在する波長変換体21に寄与できるため、Lumogenの蛍光増強効果も得られる。
The flattening
第1実施形態のように、誘電体アンテナアレイ24が金属アンテナアレイ23と同層に配置されている場合、誘電体アンテナ241が金属アンテナ231と重ならないように、金属アンテナ231の隙間を縫って誘電体アンテナ241を配置しなければならず、誘電体アンテナ241の配置の自由度が低い。これに対し、本実施形態の場合、例えば図5に示したように、平面視において誘電体アンテナ441を金属アンテナ331と重なる位置に配置することができるため、誘電体アンテナ441の配置の自由度が高くなる。その結果、本実施形態および変形例の波長変換素子30,40,45によれば、所望の放射角をより高い自由度で制御しやすい。
When the
また、金属アンテナアレイ33については、放射角制御の点を考慮する必要がないため、複数の金属アンテナ331の配置の自由度を高めることができる。そのため、より効率的、かつ、より選択的な表面プラズモンポラリトンの誘起が可能となる。
Further, with respect to the
[第3実施形態]
以下、本発明の第3実施形態について、図7を用いて説明する。
第3実施形態の波長変換素子の基本構成は第1実施形態と同様であり、2枚のダイクロイックミラーを備えた点が第1実施形態と異なる。そのため、波長変換素子の全体の説明は省略する。
図7は、第3実施形態の波長変換素子50の断面図である。
図7において、第1実施形態で用いた図面と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
[Third Embodiment]
Hereinafter, the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 7.
The basic configuration of the wavelength conversion element of the third embodiment is the same as that of the first embodiment, and is different from the first embodiment in that two dichroic mirrors are provided. Therefore, the entire description of the wavelength conversion element will be omitted.
FIG. 7 is a cross-sectional view of the
In FIG. 7, components common to the drawings used in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
図7に示すように、本実施形態の波長変換素子50は、波長変換体21と、第1誘電体層22と、金属アンテナアレイ33と、第2誘電体層35と、誘電体アンテナアレイ44と、光反射層25と、第1ダイクロイックミラー51と、第2ダイクロイックミラー52と、を備えている。
As shown in FIG. 7, the
第1ダイクロイックミラー51は、波長変換体21の入射面21aに対向して設けられている。第1ダイクロイックミラー51は、誘電体多層膜から構成されている。第1ダイクロイックミラー51は、青色波長帯の光を透過させ、黄色波長帯の光を反射させる分光特性を有する。したがって、第1ダイクロイックミラー51は、外部から波長変換体21の入射面21aに向かって進む一次光L1を透過させ、波長変換体21の内部で生成された二次光L2を反射させる。
The first
本実施形態においては、図4に示す第2実施形態と同様、波長変換体21の射出面21bに対向し、金属アンテナアレイ33を覆う第2誘電体層35が設けられている。第2ダイクロイックミラー52は、波長変換体21の射出面21bに対向して、第2誘電体層35上に設けられている。誘電体アンテナアレイ44は、第2ダイクロイックミラー52上に設けられている。第2ダイクロイックミラー52は、誘電体多層膜から構成されている。第2ダイクロイックミラー52は、黄色波長帯の光を透過させ、青色波長帯の光を反射させる分光特性を有する。したがって、第2ダイクロイックミラー52は、波長変換体21の射出面21bから射出された二次光L2を透過させ、波長変換体21の内部を通過した一次光L1を反射させる。
波長変換素子50のその他の構成は、第1実施形態と同様である。
In the present embodiment, as in the second embodiment shown in FIG. 4, a
Other configurations of the
本実施形態においても、波長選択と放射角制御との自由度が高い波長変換素子50を実現できる、といった第1実施形態と同様の効果が得られる。
Also in this embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained, such as being able to realize the
また、本実施形態の場合、二次光L2を反射させる第1ダイクロイックミラー51が波長変換体21の入射面21aに対向して設けられているため、波長変換体21の内部で生成された二次光L2が入射面21aから外部に漏れ出すことが抑制され、二次光L2の損失を低減することができる。
Further, in the case of the present embodiment, since the first
さらに、一次光L1を反射させる第2ダイクロイックミラー52が波長変換体21の射出面21bに対向して設けられているため、波長変換されずに射出面21bに到達した一次光L1を波長変換体に再度戻して波長変換に寄与させることができ、一次光L1の変換効率を高めることができる。
Further, since the second
本実施形態の場合、第2ダイクロイックミラー52が設けられたことで一次光の一部の光L11が波長変換素子50から射出されないため、波長変換素子50から射出される光は、黄色の二次光L2のみとなる。したがって、白色光を得たい用途で波長変換素子50を用いる場合には、第2ダイクロイックミラー52に代えて、反射防止膜を設けるようにしてもよい。
In the case of the present embodiment, since the second
[第4実施形態]
以下、本発明の第4実施形態について、図8を用いて説明する。
第4実施形態の波長変換素子の基本構成は第1実施形態と同様であり、金属アンテナアレイの構成が第1実施形態と異なる。そのため、波長変換素子の全体の説明は省略する。
図8は、第4実施形態の波長変換素子60の平面図である。なお、図8には、金属アンテナアレイ61のみを図示し、誘電体アンテナアレイの図示は省略する。誘電体アンテナアレイは、金属アンテナアレイ61と同層上に設けられていてもよいし、金属アンテナアレイ61とは異なる層に設けられていてもよい。
図8において、第1実施形態で用いた図面と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
[Fourth Embodiment]
Hereinafter, the fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
The basic configuration of the wavelength conversion element of the fourth embodiment is the same as that of the first embodiment, and the configuration of the metal antenna array is different from that of the first embodiment. Therefore, the entire description of the wavelength conversion element will be omitted.
FIG. 8 is a plan view of the wavelength conversion element 60 of the fourth embodiment. Note that FIG. 8 shows only the
In FIG. 8, components common to the drawings used in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
図8に示すように、本実施形態の波長変換素子60において、金属アンテナアレイ61は、複数の金属アンテナ611を有している。複数の金属アンテナ611は、上下方向に隣り合う行の金属アンテナ611が左右方向に半ピッチずつずれて配置されている。このように、複数の金属アンテナ611は、いわゆる斜方格子状に配列されている。各金属アンテナ611の平面形状は、楕円形である。
波長変換素子60のその他の構成は、上記実施形態と同様である。
As shown in FIG. 8, in the wavelength conversion element 60 of the present embodiment, the
Other configurations of the wavelength conversion element 60 are the same as those in the above embodiment.
本実施形態においても、波長選択と放射角制御との自由度が高い波長変換素子60を実現できる、といった第1実施形態と同様の効果が得られる。 Also in this embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained, such that the wavelength conversion element 60 having a high degree of freedom in wavelength selection and radiation angle control can be realized.
複数の金属アンテナ611の配置は、以下の変形例であってもよい。
(第3変形例)
図9は、第3変形例の波長変換素子63の平面図である。
図9に示すように、本変形例の波長変換素子63において、金属アンテナアレイ64は、複数の金属アンテナ641を有している。複数の金属アンテナ641は、上下方向および左右方向に互いに異なるピッチで矩形格子状に配置されている。各金属アンテナ641の平面形状は、矩形である。
The arrangement of the plurality of
(Third modification example)
FIG. 9 is a plan view of the
As shown in FIG. 9, in the
(第4変形例)
図10は、第4変形例の波長変換素子66の平面図である。
図10に示すように、本変形例の波長変換素子66において、金属アンテナアレイ67は、複数の金属アンテナ671を有している。複数の金属アンテナ671は、上下方向に隣り合う行の金属アンテナ671が左右方向に半ピッチずつずれて配置されている。このように、複数の金属アンテナ671は、いわゆる六角格子状に配列されている。各金属アンテナ671の形状は、円錐台形である。
(Fourth modification)
FIG. 10 is a plan view of the
As shown in FIG. 10, in the
また、各金属アンテナ611の形状は、以下の変形例であってもよい。
図11〜図17は、金属アンテナの他の形状例を示す平面図である。
図11に示すように、金属アンテナ681の形状は、L字状であってもよい。
図12に示すように、金属アンテナ682の形状は、六角形状であってもよい。
図13に示すように、金属アンテナ683の形状は、台形状であってもよい。
図14に示すように、金属アンテナ684の形状は、十字状であってもよい。
図15に示すように、金属アンテナ685の形状は、円形の一部が扇形に切り欠かれた形状であってもよい。
図16に示すように、金属アンテナ686の形状は、矩形環状であってもよい。
図17に示すように、金属アンテナ687の形状は、円環の一部が途切れた形状であってもよい。
Further, the shape of each
11 to 17 are plan views showing other shape examples of the metal antenna.
As shown in FIG. 11, the shape of the
As shown in FIG. 12, the shape of the
As shown in FIG. 13, the shape of the
As shown in FIG. 14, the shape of the
As shown in FIG. 15, the shape of the
As shown in FIG. 16, the shape of the
As shown in FIG. 17, the shape of the
以上示したように、金属アンテナの配置および形状は、高い自由度をもって選択することができる。また、上記の配置や形状のうち、異なる配置や形状の金属アンテナを組み合わせてもよい。例えば形状の異なる金属アンテナを組み合わせることにより、波長変換素子の面内で誘起される表面プラズモンポラリトンの電場強度または電場分布を制御することができる。 As shown above, the arrangement and shape of the metal antenna can be selected with a high degree of freedom. Further, among the above arrangements and shapes, metal antennas having different arrangements and shapes may be combined. For example, by combining metal antennas having different shapes, it is possible to control the electric field intensity or electric field distribution of the surface plasmon polaritons induced in the plane of the wavelength conversion element.
[第5実施形態]
以下、本発明の第5実施形態について、図18を用いて説明する。
第5実施形態の波長変換素子の基本構成は第1実施形態と同様であり、金属アンテナアレイの構成が第1実施形態と異なる。そのため、波長変換素子の全体の説明は省略する。
図18は、第5実施形態の波長変換素子70の平面図である。なお、図18においては、金属アンテナアレイ71のみを図示し、誘電体アンテナアレイの図示は省略する。誘電体アンテナアレイは、金属アンテナアレイ71と同層上に設けられていてもよいし、金属アンテナアレイ71とは異なる層に設けられていてもよい。
図18において、第1実施形態で用いた図面と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
[Fifth Embodiment]
Hereinafter, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
The basic configuration of the wavelength conversion element of the fifth embodiment is the same as that of the first embodiment, and the configuration of the metal antenna array is different from that of the first embodiment. Therefore, the entire description of the wavelength conversion element will be omitted.
FIG. 18 is a plan view of the
In FIG. 18, components common to the drawings used in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
図18に示すように、本実施形態の波長変換素子70において、金属アンテナアレイ71は、複数の金属アンテナ711を有している。複数の金属アンテナ711は、周方向に沿って所定のピッチをもって同心円状に配置されている。各円上に並ぶ金属アンテナ711の周方向に沿うピッチは、円毎に異なっている。本実施形態の場合、波長変換素子70の中心部に近い円上に並ぶ金属アンテナ711のピッチが狭く、波長変換素子70の周縁部に近い円上に並ぶ金属アンテナ711のピッチが広くなっている。
波長変換素子70のその他の構成は、上記実施形態と同様である。
As shown in FIG. 18, in the
Other configurations of the
本実施形態においても、波長選択と放射角制御との自由度が高い波長変換素子70を実現できる、といった第1実施形態と同様の効果が得られる。
Also in this embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained, such as being able to realize the
本実施形態のように、金属アンテナ711のピッチは、波長変換素子70の面内で必ずしも一定でなくてもよく、同心円状、正方格子状等の種々の配置に係わらず、場所によって伸縮があってもよい。このように、金属アンテナ711の配置とピッチとを面内で変化させることにより、波長変換素子70の面内で誘起される表面プラズモンポラリトンの電場強度または電場分布を制御することができる。
As in the present embodiment, the pitch of the
[第6実施形態]
以下、本発明の第6実施形態について、図19を用いて説明する。
第6実施形態の波長変換素子の基本構成は第1実施形態と同様であり、金属アンテナアレイの構成が第1実施形態と異なる。そのため、波長変換素子の全体の説明は省略する。
図19は、第6実施形態の波長変換素子80の断面図である。
図19において、第1実施形態で用いた図面と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
[Sixth Embodiment]
Hereinafter, the sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
The basic configuration of the wavelength conversion element of the sixth embodiment is the same as that of the first embodiment, and the configuration of the metal antenna array is different from that of the first embodiment. Therefore, the entire description of the wavelength conversion element will be omitted.
FIG. 19 is a cross-sectional view of the
In FIG. 19, components common to the drawings used in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
図19に示すように、本実施形態の波長変換素子80は、波長変換体21と、金属アンテナ群81と、誘電体アンテナアレイ44と、光反射層25と、を備えている。本実施形態の場合も、第1実施形態と同様、光反射層25は、光吸収層であってもよい。
As shown in FIG. 19, the
金属アンテナ群81は、波長変換体21の内部に分散された複数の金属アンテナ811を有している。複数の金属アンテナ811の各々は、金属粒子812と、金属粒子812の周囲を覆う誘電体コーティング層813と、から構成されている。誘電体コーティング層813の厚さは、第1実施形態の第1誘電体層22と同様、10nm以上、30nm以下であることが好ましい。本実施形態の場合、このような構造によって、金属アンテナ群81は、波長変換体21とは直接接触せず、波長変換体21の極近傍に位置することになる。本実施形態の波長変換体21は、例えば蛍光体粒子としてのLumgen F RedをPMMAに分散させる際に、誘電体材料で周囲をコーティングした、100nm程度の径を有する金属粒子を同時に分散させることによって作製が可能である。
The
本実施形態の場合、金属アンテナ群81が波長変換体21の内部に配置されているため、波長変換体21の射出面21bには、第1誘電体層22が設けられておらず、誘電体アンテナアレイ44のみが設けられている。
波長変換素子80のその他の構成は、第1実施形態と同様である。
In the case of the present embodiment, since the
Other configurations of the
本実施形態においても、波長選択と放射角制御との自由度が高い波長変換素子80を実現できる、といった第1実施形態と同様の効果が得られる。
Also in this embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained, such as being able to realize the
特に本実施形態の場合、金属粒子812の近傍に局在プラズモンが誘起されるため、金属の種類と粒径に応じた波長の二次光L2(蛍光)の増強が見込める。局在プラズモンを用いる場合、表面プラズモンポラリトンとは異なり、表面での電場増強度は小さくなるが、波長変換体21の体積全体として増強を促すことができる。
In particular, in the case of the present embodiment, since localized plasmon is induced in the vicinity of the
また、本実施形態の場合も、第2実施形態などと同様、複数の誘電体アンテナ441が複数の金属アンテナ811と同層上に配置されないため、複数の誘電体アンテナ441の配置の自由度を高めることができる。これにより、所望の放射角をより高い自由度で制御しやすいという効果が得られる。特に、本実施形態の場合、複数の金属アンテナ811が同一平面上になく、波長変換体21の内部にランダムに分散されている。そのため、製造工程において金属粒子の濃度を適切に調整することにより、金属アンテナ811間の所望のピッチ範囲を実現することができる。
Further, also in the case of the present embodiment, as in the second embodiment and the like, since the plurality of
(光源装置)
以下、本発明の一実施形態の光源装置について説明する。
図20は、光源装置2の概略構成図である。
(Light source device)
Hereinafter, the light source device according to the embodiment of the present invention will be described.
FIG. 20 is a schematic configuration diagram of the
図20に示すように、光源装置2は、光源部11と、均一化照明光学系12と、を備えている。
As shown in FIG. 20, the
光源部11は、光源13と、コリメーター光学系14と、第1集光光学系15と、ロッドインテグレーター16と、第2集光光学系17と、波長変換素子20と、ピックアップ光学系18と、を備えている。光源13は、一次光L1を波長変換素子20に向けて射出する。
The
光源13は、第1波長帯を有する青色の一次光L1を射出する複数の半導体レーザー131から構成されている。一次光L1は、発光強度のピーク波長が445nmである440〜450nmの青色波長帯(第1波長帯)の光である。複数の半導体レーザー131は、照明光軸AX1と直交する一つの平面内においてアレイ状に配置されている。半導体レーザー131は、445nm以外のピーク波長、例えば455nmまたは460nmのピーク波長を有する一次光L1を射出してもよい。
The
コリメーター光学系14は、光源13と第1集光光学系15との間に設けられている。コリメーター光学系14は、複数のコリメーターレンズ141から構成されている。コリメーターレンズ141は、各半導体レーザー131に対応して設けられ、照明光軸AX1と直交する一つの平面内においてアレイ状に配置されている。コリメーターレンズ141は、対応する半導体レーザー131から射出された一次光L1を平行化する。
The collimator
第1集光光学系15は、コリメーター光学系14とロッドインテグレーター16との間に設けられている。第1集光光学系15は、コリメーター光学系14から射出された一次光L1を集光させ、ロッドインテグレーター16に入射させる。第1集光光学系15は、例えば凸レンズから構成されている。第1集光光学系15は、複数のレンズから構成されていてもよい。
The first condensing
ロッドインテグレーター16は、第1集光光学系15と第2集光光学系17との間に設けられている。ロッドインテグレーター16は、四角柱状の光透過性部材で構成されており、光入射端面16aと光射出端面16bと4つの反射面16cとを有する。一次光L1は、ロッドインテグレーター16の反射面16cで反射を繰り返しつつ、ロッドインテグレーター16を透過することによって、強度分布が均一化される。
The
第2集光光学系17は、ロッドインテグレーター16と波長変換素子20との間に設けられている。第2集光光学系17は、ロッドインテグレーター16から射出された一次光L1を集光させ、波長変換素子20に入射させる。第2集光光学系17は、例えば凸レンズからなる第1レンズ171と第2レンズ172とから構成されている。
The second condensing
波長変換素子20は、光源13から射出された一次光L1を波長変換して二次光L2を生成し、二次光L2と、波長変換されなかった一次光L1の一部の光L11とからなる白色光LWを射出する。波長変換素子20として、上記実施形態のいずれの波長変換素子が用いられてもよい。
The
ピックアップ光学系18は、波長変換素子20と均一化照明光学系12との間に設けられている。ピックアップ光学系18は、波長変換素子20から射出された白色光LWを平行化し、均一化照明光学系12に導く。ピックアップ光学系18は、例えば凸レンズから構成されている。ピックアップ光学系18は、複数のレンズから構成されていてもよい。
The pickup
均一化照明光学系12は、第1レンズアレイ91と、第2レンズアレイ92と、偏光変換素子93と、重畳レンズ94と、を有している。
The uniform illumination
第1レンズアレイ91は、ピックアップ光学系18から射出された白色光LWを複数の部分光束に分割するための複数の第1レンズ911を有している。複数の第1レンズ911は、照明光軸AX1と直交する面内にマトリクス状に配列されている。
The
第2レンズアレイ92は、第1レンズアレイ91の複数の第1レンズ911に対応する複数の第2レンズ921を有している。第2レンズアレイ92は、重畳レンズ94とともに、第1レンズアレイ91の各第1レンズ911の像を光変調装置4R,4G,4Bの画像形成領域の近傍に結像させる。複数の第2レンズ921は、照明光軸AX1に直交する面内にマトリクス状に配列されている。
The
偏光変換素子93は、白色光LWの偏光方向を一方向に揃える機能を有する。偏光変換素子93は、図示を省略するが、偏光分離膜と、位相差板と、ミラーと、を有している。偏光変換素子93は、白色光LWの偏光方向を揃えるため、他方の偏光成分を一方の偏光成分に変換する。偏光変換素子93は、例えばP偏光成分をS偏光成分に変換する。
The
重畳レンズ94は、偏光変換素子93からの各部分光束を集光して光変調装置4R,4G,4Bの画像形成領域の近傍で互いに重畳させる。第1レンズアレイ91、第2レンズアレイ92および重畳レンズ94は、白色光LWの面内光強度分布を均一にするインテグレーター光学系を構成する。
The superimposing
本実施形態の光源装置2は、上記実施形態の波長変換素子20を備え、波長変換素子20によって増強された白色光が、波長変換素子20から所望の放射角で射出されるため、波長変換素子20の後段の光学系における光のけられが少ない。したがって、光強度が高く、光利用効率が高い光源装置2を実現することができる。
The
(プロジェクター)
以下、本発明の一実施形態のプロジェクター1(表示装置)について説明する。
図21は、プロジェクター1の概略構成図である。
(projector)
Hereinafter, the projector 1 (display device) according to the embodiment of the present invention will be described.
FIG. 21 is a schematic configuration diagram of the
図21に示すように、本実施形態のプロジェクター1は、スクリーンSCR上にカラー映像を表示する投射型画像表示装置である。プロジェクター1は、光源装置2と、色分離光学系3と、光変調装置4R,光変調装置4G,光変調装置4Bと、合成光学系5と、投射光学装置6と、を備えている。光源装置として、図20に示す上記実施形態の光源装置が用いられている。
As shown in FIG. 21, the
色分離光学系3は、第1ダイクロイックミラー7aと、第2ダイクロイックミラー7bと、反射ミラー8aと、反射ミラー8bと、反射ミラー8cと、リレーレンズ9aと、リレーレンズ9bと、を備えている。色分離光学系3は、光源装置2から射出された白色光LWを赤色光LRと緑色光LGと青色光LBとに分離し、赤色光LRを光変調装置4Rに導き、緑色光LGを光変調装置4Gに導き、青色光LBを光変調装置4Bに導く。
The color separation optical system 3 includes a first
フィールドレンズ10Rは、色分離光学系3と光変調装置4Rとの間に配置され、入射した光を略平行化して光変調装置4Rに向けて射出する。フィールドレンズ10Gは、色分離光学系3と光変調装置4Gとの間に配置され、入射した光を略平行化して光変調装置4Gに向けて射出する。フィールドレンズ10Bは、色分離光学系3と光変調装置4Bとの間に配置され、入射した光を略平行化して光変調装置4Bに向けて射出する。
The
第1ダイクロイックミラー7aは、赤色光成分を透過させ、緑色光成分および青色光成分を反射させる。第2ダイクロイックミラー7bは、第1ダイクロイックミラー7aで反射された光のうち、緑色光成分を反射させ、青色光成分を透過させる。反射ミラー8aは、第1ダイクロイックミラー7aを透過した赤色光成分を反射させる。反射ミラー8bおよび反射ミラー8cは、第2ダイクロイックミラー7bを透過した青色光成分を反射させる。
The first
第1ダイクロイックミラー7aを透過した赤色光LRは、反射ミラー8aで反射し、フィールドレンズ10Rを透過して赤色光用の光変調装置4Rの画像形成領域に入射する。第1ダイクロイックミラー7aで反射した緑色光LGは、第2ダイクロイックミラー7bでさらに反射し、フィールドレンズ10Gを透過して緑色光用の光変調装置4Gの画像形成領域に入射する。第2ダイクロイックミラー7bを透過した青色光LBは、リレーレンズ9a、入射側の反射ミラー8b、リレーレンズ9b、射出側の反射ミラー8c、およびフィールドレンズ10Bを経て青色光用の光変調装置4Bの画像形成領域に入射する。
The red light LR transmitted through the first
光変調装置4R、光変調装置4G、および光変調装置4Bのそれぞれは、入射された色光を画像情報に応じて変調し、画像光を形成する。光変調装置4R、光変調装置4G、および光変調装置4Bのそれぞれは、液晶ライトバルブから構成されている。図示を省略したが、光変調装置4R、光変調装置4G、および光変調装置4Bの光入射側に、入射側偏光板がそれぞれ配置されている。光変調装置4R、光変調装置4G、および光変調装置4Bの光射出側に、射出側偏光板がそれぞれ配置されている。
Each of the
合成光学系5は、光変調装置4R、光変調装置4G、および光変調装置4Bから射出された各画像光を合成してフルカラーの画像光を形成する。合成光学系5は、4つの直角プリズムを貼り合わせた、平面視で略正方形状をなすクロスダイクロイックプリズムで構成されている。直角プリズム同士を貼り合わせた略X字状の界面には、誘電体多層膜が形成されている。
The synthetic
合成光学系5から射出された画像光は、投射光学装置6によって拡大投射され、スクリーンSCR上で画像を形成する。すなわち、投射光学装置6は、光変調装置4R、光変調装置4G、および光変調装置4Bにより変調された光を投射する。投射光学装置6は、複数の投射レンズで構成されている。
The image light emitted from the synthetic
本実施形態のプロジェクター1は、上記実施形態の光源装置2を備えているため、光利用効率に優れ、明るい画像が得られる。
Since the
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば上記実施形態では、誘電体アンテナアレイを構成する複数の誘電体アンテナが2次元状に配列されていたが、この構成に代えて、所定の方向に延在する線状の誘電体アンテナを有し、複数の誘電体アンテナが各誘電体アンテナの延在方向と直交する方向に1次元状に配列された構成を有する波長変換素子であってもよい。すなわち、誘電体アンテナ群として、複数の線状の誘電体アンテナと、隣り合う誘電体アンテナ間に位置する複数のスリット部と、を備えた誘電体アンテナ群が用いられてもよい。
The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
For example, in the above embodiment, a plurality of dielectric antennas constituting the dielectric antenna array are arranged in a two-dimensional manner, but instead of this configuration, a linear dielectric antenna extending in a predetermined direction is provided. However, it may be a wavelength conversion element having a configuration in which a plurality of dielectric antennas are arranged one-dimensionally in a direction orthogonal to the extending direction of each dielectric antenna. That is, as the dielectric antenna group, a dielectric antenna group including a plurality of linear dielectric antennas and a plurality of slit portions located between adjacent dielectric antennas may be used.
その他、波長変換素子、光源装置、およびプロジェクターの各構成要素の形状、数、配置、材料等の具体的な記載については、上記実施形態に限らず、適宜変更が可能である。上記実施形態では、本発明による光源装置を、液晶ライトバルブを用いたプロジェクターに搭載した例を示したが、これに限られない。本発明による光源装置を、光変調装置としてデジタルマイクロミラーデバイスを用いたプロジェクターに搭載してもよい。 In addition, the specific description of the shape, number, arrangement, material, and the like of each component of the wavelength conversion element, the light source device, and the projector is not limited to the above embodiment, and can be appropriately changed. In the above embodiment, an example in which the light source device according to the present invention is mounted on a projector using a liquid crystal light bulb is shown, but the present invention is not limited to this. The light source device according to the present invention may be mounted on a projector using a digital micromirror device as a light modulation device.
また、上記実施形態では、本発明による光源装置をプロジェクターに搭載した例を示したが、これに限られない。本発明による光源装置は、照明器具や自動車のヘッドライト等にも適用することができる。 Further, in the above embodiment, an example in which the light source device according to the present invention is mounted on the projector is shown, but the present invention is not limited to this. The light source device according to the present invention can also be applied to lighting equipment, automobile headlights, and the like.
1…プロジェクター、2…光源装置、4R,4G,4B…光変調装置、13…光源、20,30,40,45,50,60,63,66,70,80…波長変換素子、21…波長変換体、21a…入射面、21b…射出面、23,33,61,64,67,71…金属アンテナアレイ(金属アンテナ群)、24,34,44…誘電体アンテナアレイ(誘電体アンテナ群)、25…光反射層、35,46…第2誘電体層(誘電体層)、51…第1ダイクロイックミラー、52…第2ダイクロイックミラー、81…金属アンテナ群、231,331,611,641,671,681、682,683,684,685,686,687,711,811…金属アンテナ、241,341,441…誘電体アンテナ、L1…一次光、L2…二次光。 1 ... Projector, 2 ... Light source device, 4R, 4G, 4B ... Light modulator, 13 ... Light source, 20, 30, 40, 45, 50, 60, 63, 66, 70, 80 ... Wavelength conversion element, 21 ... Wavelength Transformant, 21a ... Incident surface, 21b ... Ejection surface, 23,33,61,64,67,71 ... Metal antenna array (metal antenna group), 24,34,44 ... Dielectric antenna array (dielectric antenna group) , 25 ... light reflection layer, 35, 46 ... second dielectric layer (dielectric layer), 51 ... first dichroic mirror, 52 ... second dichroic mirror, 81 ... metal antenna group, 231, 331, 611, 641, 671,681,682,683,684,685,686,687,711,811 ... Metal antenna, 241,341,441 ... Dielectric antenna, L1 ... Primary light, L2 ... Secondary light.
Claims (10)
前記波長変換体の極近傍に設けられ、互いの距離が前記波長変換体における前記二次光の光学波長程度の距離で離間するように配置された複数の金属アンテナを含む金属アンテナ群と、
前記波長変換体の前記射出面に対向して設けられ、複数の誘電体アンテナを含む誘電体アンテナ群と、
を備えた、波長変換素子。 It has an incident surface and an ejection surface, and wavelength-converts the primary light of the first wavelength band incident from the incident surface to generate secondary light of a second wavelength band different from the first wavelength band. A wavelength converter that emits secondary light from the injection surface,
A group of metal antennas including a plurality of metal antennas provided in the immediate vicinity of the wavelength converter and arranged so as to be separated from each other by a distance of about the optical wavelength of the secondary light in the wavelength converter.
A dielectric antenna group provided so as to face the injection surface of the wavelength converter and including a plurality of dielectric antennas,
Wavelength conversion element equipped with.
前記誘電体アンテナ群は、前記誘電体層を挟んで前記金属アンテナ群と対向して設けられている、請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の波長変換素子。 Further provided with a dielectric layer covering the metal antenna group,
The wavelength conversion element according to any one of claims 1 to 3, wherein the dielectric antenna group is provided so as to face the metal antenna group with the dielectric layer interposed therebetween.
前記一次光を前記波長変換素子に射出する光源と、
を備えた、光源装置。 The wavelength conversion element according to any one of claims 1 to 8.
A light source that emits the primary light to the wavelength conversion element,
A light source device equipped with.
前記光源装置からの光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、
を備えた、表示装置。 The light source device according to claim 9 and
An optical modulation device that modulates the light from the light source device according to image information,
A display device equipped with.
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