JP2021021906A - Wavelength conversion element, light source device, and display device - Google Patents

Wavelength conversion element, light source device, and display device Download PDF

Info

Publication number
JP2021021906A
JP2021021906A JP2019139950A JP2019139950A JP2021021906A JP 2021021906 A JP2021021906 A JP 2021021906A JP 2019139950 A JP2019139950 A JP 2019139950A JP 2019139950 A JP2019139950 A JP 2019139950A JP 2021021906 A JP2021021906 A JP 2021021906A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
wavelength
conversion element
wavelength conversion
dielectric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019139950A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP7400246B2 (en
Inventor
隼人 松木
Hayato Matsuki
隼人 松木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2019139950A priority Critical patent/JP7400246B2/en
Priority to US16/942,557 priority patent/US11249227B2/en
Publication of JP2021021906A publication Critical patent/JP2021021906A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7400246B2 publication Critical patent/JP7400246B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/008Surface plasmon devices
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V9/00Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
    • F21V9/30Elements containing photoluminescent material distinct from or spaced from the light source
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B21/00Projectors or projection-type viewers; Accessories therefor
    • G03B21/14Details
    • G03B21/20Lamp housings
    • G03B21/2006Lamp housings characterised by the light source
    • G03B21/2033LED or laser light sources
    • G03B21/204LED or laser light sources using secondary light emission, e.g. luminescence or fluorescence
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/0549Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising spectrum splitting means, e.g. dichroic mirrors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/055Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means where light is absorbed and re-emitted at a different wavelength by the optical element directly associated or integrated with the PV cell, e.g. by using luminescent material, fluorescent concentrators or up-conversion arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/508Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/005Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0087Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for illuminating phosphorescent or fluorescent materials, e.g. using optical arrangements specifically adapted for guiding or shaping laser beams illuminating these materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/0607Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature
    • H01S5/0608Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature controlled by light, e.g. optical switch
    • H01S5/0609Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature controlled by light, e.g. optical switch acting on an absorbing region, e.g. wavelength convertors
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52PV systems with concentrators

Abstract

To provide a wavelength conversion element having a high degree of freedom between wavelength selection and radiation angle control.SOLUTION: A wavelength conversion element includes: a wavelength conversion body having an incident surface and an output surface, converting primary light in a first wavelength band, which has entered the incident surface, and generating secondary light in a second wavelength band different from the first wavelength band so as to emit it from the output surface; a metal antenna group which is provided very close to the wavelength conversion body and which includes a plurality of metal antennas arranged in a manner to be separated from each other at a some distance of an optical wavelength of the secondary light in the wavelength conversion body; and a dielectric antenna group which is provided facing the output surface of the wavelength conversion body and which includes a plurality of dielectric antennas.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、波長変換素子、光源装置および表示装置に関する。 The present invention relates to a wavelength conversion element, a light source device and a display device.

波長変換素子は、入射した励起光を励起光の波長帯とは異なる波長帯の光に変換する光学素子であり、例えばプロジェクター等の表示装置の光源として用いられている。下記の特許文献1に、蛍光体プレートを含む波長変換体と、波長変換体上に形成された複数の金属アンテナからなるアンテナアレイと、を備えた波長変換装置が開示されている。 The wavelength conversion element is an optical element that converts the incident excitation light into light in a wavelength band different from the wavelength band of the excitation light, and is used as a light source of a display device such as a projector, for example. Patent Document 1 below discloses a wavelength converter including a wavelength converter including a phosphor plate and an antenna array composed of a plurality of metal antennas formed on the wavelength converter.

特開2018−13688号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2018-13688

特許文献1には、各金属アンテナに光が照射されると、金属アンテナ表面での局在表面プラズモン共鳴により金属アンテナ近傍の電場強度が増大し、波長変換光が増幅されるとともに、狭角の配光分布となってアンテナアレイから射出される、と記載されている。 According to Patent Document 1, when each metal antenna is irradiated with light, the electric field intensity in the vicinity of the metal antenna is increased by the localized surface plasmon resonance on the surface of the metal antenna, the wavelength conversion light is amplified, and the angle is narrow. It is stated that the light is distributed and emitted from the antenna array.

しかしながら、特許文献1の構成では、金属アンテナのみによってプラズモン共鳴の誘起と光の放射角の制御との双方を実現しているため、互いが制約を受け、波長選択と放射角制御との自由度が少ないという課題があった。 However, in the configuration of Patent Document 1, since both the induction of plasmon resonance and the control of the radiation angle of light are realized only by the metal antenna, they are restricted from each other and the degree of freedom between wavelength selection and radiation angle control is high. There was a problem that there were few.

上記の課題を解決するために、本発明の一つの態様の波長変換素子は、入射面と射出面とを有し、前記入射面から入射された第1波長帯の一次光を波長変換して前記第1波長帯とは異なる第2波長帯の二次光を生成し、前記二次光を前記射出面から射出する波長変換体と、前記波長変換体の極近傍に設けられ、互いの距離が前記波長変換体における前記二次光の光学波長程度の距離で離間するように配置された複数の金属アンテナを含む金属アンテナ群と、前記波長変換体の前記射出面に対向して設けられ、複数の誘電体アンテナを含む誘電体アンテナ群と、を備える。 In order to solve the above problems, the wavelength conversion element of one aspect of the present invention has an incident surface and an emission surface, and wavelength-converts the primary light of the first wavelength band incident from the incident surface. A wavelength converter that generates secondary light in a second wavelength band different from the first wavelength band and emits the secondary light from the emission surface, and a wavelength converter that is provided in the immediate vicinity of the wavelength converter and is at a distance from each other. Is provided to face the emission surface of the wavelength converter and a group of metal antennas including a plurality of metal antennas arranged so as to be separated by a distance of about the optical wavelength of the secondary light in the wavelength converter. A group of dielectric antennas including a plurality of dielectric antennas is provided.

本発明の一つの態様の波長変換素子において、前記金属アンテナ群は、前記複数の金属アンテナが同一平面上に格子状に配列された構成を有していてもよい。 In the wavelength conversion element of one aspect of the present invention, the metal antenna group may have a configuration in which the plurality of metal antennas are arranged in a grid pattern on the same plane.

本発明の一つの態様の波長変換素子において、前記誘電体アンテナ群は、前記複数の誘電体アンテナが同一平面上に格子状に配列された構成を有していてもよい。 In the wavelength conversion element of one aspect of the present invention, the dielectric antenna group may have a configuration in which the plurality of dielectric antennas are arranged in a grid pattern on the same plane.

本発明の一つの態様の波長変換素子において、前記金属アンテナ群と前記誘電体アンテナ群とは、前記波長変換体の前記射出面に対向して同層上に設けられていてもよい。 In the wavelength conversion element of one aspect of the present invention, the metal antenna group and the dielectric antenna group may be provided on the same layer facing the emission surface of the wavelength converter.

本発明の一つの態様の波長変換素子は、前記金属アンテナ群を覆う誘電体層をさらに備えていてもよく、前記誘電体アンテナ群は、前記誘電体層を挟んで前記金属アンテナ群と対向して設けられていてもよい。 The wavelength conversion element of one aspect of the present invention may further include a dielectric layer covering the metal antenna group, and the dielectric antenna group faces the metal antenna group with the dielectric layer interposed therebetween. It may be provided.

本発明の一つの態様の波長変換素子は、前記波長変換体の前記入射面に対向して設けられ、前記一次光を透過させ、前記二次光を反射させる第1ダイクロイックミラーをさらに備えていてもよい。 The wavelength conversion element of one aspect of the present invention is further provided with a first dichroic mirror which is provided so as to face the entrance surface of the wavelength converter, transmits the primary light, and reflects the secondary light. May be good.

本発明の一つの態様の波長変換素子は、前記波長変換体の前記射出面に対向して設けられ、前記二次光を透過させ、前記一次光を反射させる第2ダイクロイックミラーをさらに備えていてもよい。 The wavelength conversion element of one aspect of the present invention is further provided with a second dichroic mirror which is provided so as to face the emission surface of the wavelength converter, transmits the secondary light, and reflects the primary light. May be good.

本発明の一つの態様の波長変換素子は、前記波長変換体の前記入射面および前記射出面とは異なる面に設けられた光反射層または光吸収層をさらに備えていてもよい。 The wavelength conversion element of one aspect of the present invention may further include a light reflecting layer or a light absorbing layer provided on a surface different from the incident surface and the emitting surface of the wavelength converter.

本発明の一つの態様の光源装置は、本発明の一つの態様の波長変換素子と、前記一次光を前記波長変換素子に射出する光源と、を備える。 The light source device of one aspect of the present invention includes a wavelength conversion element of one aspect of the present invention and a light source that emits the primary light to the wavelength conversion element.

本発明の一つの態様の表示装置は、本発明の一つの態様の光源装置と、前記光源装置からの光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、を備える。 The display device according to one aspect of the present invention includes a light source device according to one aspect of the present invention and an optical modulation device that modulates light from the light source device according to image information.

第1実施形態の波長変換素子の斜視図である。It is a perspective view of the wavelength conversion element of 1st Embodiment. 波長変換素子の平面図である。It is a top view of the wavelength conversion element. 図2のIII−III線に沿う波長変換素子の断面図である。It is sectional drawing of the wavelength conversion element along the line III-III of FIG. 第2実施形態の波長変換素子の断面図である。It is sectional drawing of the wavelength conversion element of 2nd Embodiment. 第1変形例の波長変換素子の断面図である。It is sectional drawing of the wavelength conversion element of the 1st modification. 第2変形例の波長変換素子の断面図である。It is sectional drawing of the wavelength conversion element of the 2nd modification. 第3実施形態の波長変換素子の断面図である。It is sectional drawing of the wavelength conversion element of 3rd Embodiment. 第4実施形態の波長変換素子の平面図である。It is a top view of the wavelength conversion element of 4th Embodiment. 第3変形例の波長変換素子の断面図である。It is sectional drawing of the wavelength conversion element of the 3rd modification. 第4変形例の波長変換素子の断面図である。It is sectional drawing of the wavelength conversion element of the 4th modification. 金属アンテナの他の例を示す平面図である。It is a top view which shows another example of a metal antenna. 金属アンテナのさらに他の例を示す平面図である。It is a top view which shows still another example of a metal antenna. 金属アンテナのさらに他の例を示す平面図である。It is a top view which shows still another example of a metal antenna. 金属アンテナのさらに他の例を示す平面図である。It is a top view which shows still another example of a metal antenna. 金属アンテナのさらに他の例を示す平面図である。It is a top view which shows still another example of a metal antenna. 金属アンテナのさらに他の例を示す平面図である。It is a top view which shows still another example of a metal antenna. 金属アンテナのさらに他の例を示す平面図である。It is a top view which shows still another example of a metal antenna. 第5実施形態の波長変換素子の平面図である。It is a top view of the wavelength conversion element of 5th Embodiment. 第6実施形態の波長変換素子の断面図である。It is sectional drawing of the wavelength conversion element of 6th Embodiment. 光源装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of a light source device. プロジェクターの概略構成図である。It is a schematic block diagram of a projector.

[第1実施形態]
以下、本発明の第1実施形態について、図1〜図3を用いて説明する。
図1は、第1実施形態の波長変換素子20の斜視図である。図2は、波長変換素子20の平面図である。図3は、図2のIII−III線に沿う波長変換素子20の断面図である。
なお、以下の各図面においては各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。
[First Embodiment]
Hereinafter, the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3.
FIG. 1 is a perspective view of the wavelength conversion element 20 of the first embodiment. FIG. 2 is a plan view of the wavelength conversion element 20. FIG. 3 is a cross-sectional view of the wavelength conversion element 20 along the line III-III of FIG.
In each of the following drawings, in order to make each component easy to see, the scale of the dimension may be different depending on the component.

図1〜図3に示すように、本実施形態の波長変換素子20は、波長変換体21と、第1誘電体層22と、金属アンテナアレイ23(金属アンテナ群)と、誘電体アンテナアレイ24(誘電体アンテナ群)と、光反射層25と、を備えている。なお、後述するように、光反射層25は、光吸収層であってもよい。 As shown in FIGS. 1 to 3, the wavelength conversion element 20 of the present embodiment includes a wavelength converter 21, a first dielectric layer 22, a metal antenna array 23 (metal antenna group), and a dielectric antenna array 24. (Dielectric antenna group) and a light reflecting layer 25 are provided. As will be described later, the light reflecting layer 25 may be a light absorbing layer.

本明細書においては、複数のアンテナの全体をまとめてアンテナ群と称する。また、アンテナ群のうち、特に複数のアンテナが同一平面上に規則的に配列されたアンテナ群をアンテナアレイと称する。 In the present specification, the entire plurality of antennas are collectively referred to as an antenna group. Further, among the antenna groups, an antenna group in which a plurality of antennas are regularly arranged on the same plane is referred to as an antenna array.

波長変換体21は、入射面21aと、射出面21bと、4つの側面21cと、を有し、射出面21bの法線方向から見て、矩形状に形成されている。波長変換体21は、入射面21aから入射された第1波長帯の一次光L1を波長変換して第1波長帯とは異なる第2波長帯の二次光L2を生成し、二次光L2を射出面21bから射出する。一次光L1は、例えば440〜450nmの青色波長帯(第1波長帯)の光である。以下、射出面21bの法線方向から見た場合を平面視と称する。 The wavelength converter 21 has an incident surface 21a, an injection surface 21b, and four side surfaces 21c, and is formed in a rectangular shape when viewed from the normal direction of the injection surface 21b. The wavelength converter 21 performs wavelength conversion of the primary light L1 of the first wavelength band incident from the incident surface 21a to generate the secondary light L2 of the second wavelength band different from the first wavelength band, and the secondary light L2. Is injected from the injection surface 21b. The primary light L1 is, for example, light in the blue wavelength band (first wavelength band) of 440 to 450 nm. Hereinafter, the case where the injection surface 21b is viewed from the normal direction is referred to as a plan view.

波長変換体21は、例えば賦活剤としてセリウムを含有するイットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG:Ce)等の無機蛍光体から構成されている。YAG:Ceからなる波長変換体21は、一次光L1の一部を例えば490〜750nmの黄色波長帯(第2波長帯)の二次光L2に波長変換し、二次光L2を射出面21bから射出する。このとき、二次光L2に波長変換されなかった一次光L1の他の一部の光L11は、二次光L2とともに射出面21bから射出される。 The wavelength converter 21 is composed of, for example, an inorganic phosphor such as yttrium aluminum garnet (YAG: Ce) containing cerium as an activator. The wavelength converter 21 made of YAG: Ce converts a part of the primary light L1 into the secondary light L2 in the yellow wavelength band (second wavelength band) of, for example, 490 to 750 nm, and converts the secondary light L2 into the emission surface 21b. Eject from. At this time, the other part of the primary light L1 whose wavelength has not been converted into the secondary light L2 is emitted from the injection surface 21b together with the secondary light L2.

波長変換体21は、YAG:Ce等の無機蛍光体の他、例えばルモゲン、ローダミン6Gなどの有機蛍光色素を母材内に溶解させて薄膜化させた有機蛍光体で構成されていてもよい。その場合、有機蛍光色素の母材には、例えばポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリカーボネート(PC)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、アクリル樹脂などが使用できる。 The wavelength converter 21 may be composed of an inorganic fluorescent substance such as YAG: Ce or an organic fluorescent substance obtained by dissolving an organic fluorescent dye such as lumogen or rhodamine 6G in a base material to make a thin film. In that case, for example, polymethylmethacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), acrylic resin and the like can be used as the base material of the organic fluorescent dye.

金属アンテナアレイ23は、波長変換体21の極近傍に設けられている。なお、「波長変換体21の極近傍」とは、波長変換体21から10nm以上のギャップを隔て、かつ、波長変換体21との間のギャップが1000nm以下であることと定義する。ギャップは、10nm以上、30nm以下であることが好ましい。また、ギャップを構成する材料として、後述する誘電体アンテナ241と同様の材料を用いることができる。ギャップを構成する材料の屈折率は、波長変換体21を基準として±0.3以内であることが好ましい。本実施形態の場合、図3に示すように、金属アンテナアレイ23は、波長変換体21の射出面21b上に第1誘電体層22を介して設けられている。第1誘電体層22の厚さは、例えば20nmである。 The metal antenna array 23 is provided in the immediate vicinity of the wavelength converter 21. The term "extremely close to the wavelength converter 21" is defined as having a gap of 10 nm or more from the wavelength converter 21 and a gap of 1000 nm or less from the wavelength converter 21. The gap is preferably 10 nm or more and 30 nm or less. Further, as the material constituting the gap, the same material as the dielectric antenna 241 described later can be used. The refractive index of the material forming the gap is preferably within ± 0.3 with respect to the wavelength converter 21. In the case of the present embodiment, as shown in FIG. 3, the metal antenna array 23 is provided on the injection surface 21b of the wavelength converter 21 via the first dielectric layer 22. The thickness of the first dielectric layer 22 is, for example, 20 nm.

また、金属アンテナアレイ23は、波長変換体21の極近傍に設けられており、波長変換体21に直接接触していないことが必要である。その理由は、金属アンテナアレイ23が波長変換体21に直接接触すると、金属アンテナ231の近傍で共鳴誘起している表面プラズモンポラリトンのエネルギーが波長変換体21に流れ、表面プラズモンポラリトンが失活するからである。 Further, it is necessary that the metal antenna array 23 is provided in the immediate vicinity of the wavelength converter 21 and is not in direct contact with the wavelength converter 21. The reason is that when the metal antenna array 23 comes into direct contact with the wavelength converter 21, the energy of the surface plasmon polariton that is resonance-induced in the vicinity of the metal antenna 231 flows to the wavelength converter 21, and the surface plasmon polariton is deactivated. Is.

誘電体アンテナアレイ24は、波長変換体21の射出面21bに対向して設けられている。本実施形態の場合、誘電体アンテナアレイ24は、金属アンテナアレイ23と同様、波長変換体21の射出面21b上に第1誘電体層22を介して設けられている。すなわち、金属アンテナアレイ23と誘電体アンテナアレイ24とは、波長変換体21の射出面21bに対向して同層上に設けられている。 The dielectric antenna array 24 is provided so as to face the injection surface 21b of the wavelength converter 21. In the case of the present embodiment, the dielectric antenna array 24 is provided on the emission surface 21b of the wavelength converter 21 via the first dielectric layer 22, similarly to the metal antenna array 23. That is, the metal antenna array 23 and the dielectric antenna array 24 are provided on the same layer facing the injection surface 21b of the wavelength converter 21.

金属アンテナアレイ23は、互いの距離が波長変換体21における二次光L2の光学波長程度の距離で離間するように配置された複数の金属アンテナ231を有している。すなわち、金属アンテナアレイ23は、複数の金属アンテナ231が同一平面上に格子状に配列された構成を有している。金属アンテナ231間の距離、すなわち、金属アンテナアレイ23の周期P1は、図2に示すように、波長変換体21の一辺に平行な方向(図2の左右方向または上下方向)に並ぶ2つの金属アンテナ231間の距離と定義する。また、波長変換体21における二次光L2の光学波長は、以下の(1)式で定義される。
光学波長=二次光の波長/波長変換体の屈折率 …(1)
The metal antenna array 23 has a plurality of metal antennas 231 arranged so as to be separated from each other by a distance of about the optical wavelength of the secondary light L2 in the wavelength converter 21. That is, the metal antenna array 23 has a configuration in which a plurality of metal antennas 231 are arranged in a grid pattern on the same plane. As shown in FIG. 2, the distance between the metal antennas 231 or the period P1 of the metal antenna array 23 is two metals arranged in a direction parallel to one side of the wavelength converter 21 (horizontal direction or vertical direction in FIG. 2). It is defined as the distance between the antennas 231. The optical wavelength of the secondary light L2 in the wavelength converter 21 is defined by the following equation (1).
Optical wavelength = wavelength of secondary light / refractive index of wavelength converter ... (1)

本明細書において、波長変換体21における二次光L2の光学波長程度とは、例えば波長変換体21における蛍光体の発光波長帯に±50nmを加えた波長帯域のことを言う。なお、金属アンテナアレイ23の周期P2は、斜め方向に並ぶ2つの金属アンテナ231間の距離と定義してもよい。 In the present specification, the optical wavelength of the secondary light L2 in the wavelength converter 21 refers to, for example, a wavelength band obtained by adding ± 50 nm to the emission wavelength band of the phosphor in the wavelength converter 21. The period P2 of the metal antenna array 23 may be defined as the distance between two metal antennas 231 arranged in an oblique direction.

一方、誘電体アンテナアレイ24は、二次光L2を所望の回折角で回折させるピッチで配列された複数の誘電体アンテナ241を有している。すなわち、誘電体アンテナアレイ24は、複数の誘電体アンテナ241が同一平面上に格子状に配列された構成を有している。 On the other hand, the dielectric antenna array 24 has a plurality of dielectric antennas 241 arranged at a pitch that diffracts the secondary light L2 at a desired diffraction angle. That is, the dielectric antenna array 24 has a configuration in which a plurality of dielectric antennas 241 are arranged in a grid pattern on the same plane.

図2に示すように、本実施形態の場合、複数の金属アンテナ231と複数の誘電体アンテナ241とは、全体として正方格子状に配列されている。すなわち、図2の最上行のアンテナを左から右に向かってみると、左端に金属アンテナ231が配置され、その後、誘電体アンテナ241、金属アンテナ231、誘電体アンテナ241、…というように、金属アンテナ231と誘電体アンテナ241とが交互に配列されている。次に、図2の上から2行目のアンテナを左から右に向かってみると、左端に誘電体アンテナ241が配置され、その後、金属アンテナ231、誘電体アンテナ241、金属アンテナ231…というように、誘電体アンテナ241と金属アンテナ231とが交互に配列されている。 As shown in FIG. 2, in the case of the present embodiment, the plurality of metal antennas 231 and the plurality of dielectric antennas 241 are arranged in a square lattice as a whole. That is, when the topmost antenna in FIG. 2 is viewed from left to right, the metal antenna 231 is arranged at the left end, and then the dielectric antenna 241, the metal antenna 231 and the dielectric antenna 241 are made of metal. The antenna 231 and the dielectric antenna 241 are arranged alternately. Next, looking at the antenna in the second row from the top of FIG. 2 from left to right, the dielectric antenna 241 is arranged at the left end, and then the metal antenna 231, the dielectric antenna 241 and the metal antenna 231 ... Dielectric antennas 241 and metal antennas 231 are alternately arranged.

複数の金属アンテナ231の各々、および複数の誘電体アンテナ241の各々は、図1に示すように、柱状、錐状、錐台状などの波長変換体21から突出する立体構造を有している。本実施形態の場合、金属アンテナ231および誘電体アンテナ241は、ともに円柱状である。また、各アンテナを平面視すると、金属アンテナ231および誘電体アンテナ241の平面形状は、粒形、円形、楕円形、多角形、輪形、線形、多角形などの種々の形状を採用することができる。また、金属アンテナ231の形状と誘電体アンテナ241の形状とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。複数の金属アンテナ231および複数の誘電体アンテナ241の配列は、周期性を有する。周期は、一定の比率で伸縮していてもよく、フラクタル構造を含む。 As shown in FIG. 1, each of the plurality of metal antennas 231 and each of the plurality of dielectric antennas 241 has a three-dimensional structure protruding from the wavelength converter 21 such as a columnar shape, a cone shape, and a cone shape. .. In the case of this embodiment, both the metal antenna 231 and the dielectric antenna 241 are columnar. Further, when each antenna is viewed in a plane, various shapes such as a grain shape, a circle shape, an ellipse shape, a polygonal shape, a ring shape, a linear shape, and a polygonal shape can be adopted as the plane shape of the metal antenna 231 and the dielectric antenna 241. .. Further, the shape of the metal antenna 231 and the shape of the dielectric antenna 241 may be the same or different. The arrangement of the plurality of metal antennas 231 and the plurality of dielectric antennas 241 has periodicity. The period may expand and contract at a constant rate and includes a fractal structure.

金属アンテナ231については、金属アンテナ231の最大幅をW1とし、金属アンテナ231の高さをhとすると、最大幅w1と高さhとは、以下の(2)式の関係を満たす。
0.05≦(h/w1)≦2 …(2)
ただし、金属アンテナ231の最大幅w1は、100nm以上である。
なお、誘電体アンテナ241は、所望の波長を有する二次光L2を回折するように放射角が設定されるため、(2)式の関係に拘束されることはない。
Regarding the metal antenna 231, where the maximum width of the metal antenna 231 is W1 and the height of the metal antenna 231 is h, the maximum width w1 and the height h satisfy the relationship of the following equation (2).
0.05 ≦ (h / w1) ≦ 2… (2)
However, the maximum width w1 of the metal antenna 231 is 100 nm or more.
Since the radiation angle of the dielectric antenna 241 is set so as to diffract the secondary light L2 having a desired wavelength, the dielectric antenna 241 is not restricted by the relationship of the equation (2).

金属アンテナ231の構成材料には、例えば金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、ニッケル(Ni)、アルミニウム(Al)等が使用でき、これらの合金であってもよい。金属アンテナ231の構成材料は、使用する二次光L2の波長に対してプラズマ周波数(吸収)を持つ金属であれば、上記以外の材料であってもよい。 As the constituent material of the metal antenna 231, for example, gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), platinum (Pt), palladium (Pd), nickel (Ni), aluminum (Al) and the like can be used. It may be an alloy of. The constituent material of the metal antenna 231 may be a material other than the above as long as it is a metal having a plasma frequency (absorption) with respect to the wavelength of the secondary light L2 to be used.

誘電体アンテナ241の構成材料としては、例えばTiO、Al、LiNbO、HfO、Ta、SiON、Siなどの誘電体多層膜として使用される、可視域の光に対して透明な物質のいずれかが使用できる。または、上記の材料の積層体であってもよいし、混合体であってもよい。 As a constituent material of the dielectric antenna 241, for example, a dielectric multilayer film used as a dielectric multilayer film such as TiO 2 , Al 2 O 3 , LiNbO 3 , HfO 2 , Ta 2 O 5 , SiON, Si 3 N 4 and the like in the visible region. Any material that is transparent to light can be used. Alternatively, it may be a laminate of the above materials or a mixture.

光反射層25は、波長変換体21の入射面21aおよび射出面21bとは異なる面、具体的には、波長変換体21の4つの側面21cに設けられている。光反射層25は、波長変換体21の側面21cに成膜された金属膜、誘電体多層膜、微細構造体などで構成することができる。なお、光反射層25に代えて、波長変換体21の4つの側面21cに、光吸収層が設けられていてもよい。光吸収層は、波長変換体21の側面21cに成膜された金属膜、誘電体多層膜などで構成することができる。 The light reflecting layer 25 is provided on a surface different from the incident surface 21a and the emitting surface 21b of the wavelength converter 21, specifically, the four side surfaces 21c of the wavelength converter 21. The light reflecting layer 25 can be composed of a metal film, a dielectric multilayer film, a microstructure, or the like formed on the side surface 21c of the wavelength converter 21. Instead of the light reflecting layer 25, light absorbing layers may be provided on the four side surfaces 21c of the wavelength converter 21. The light absorption layer can be composed of a metal film, a dielectric multilayer film, or the like formed on the side surface 21c of the wavelength converter 21.

以下、上記構成の波長変換素子20の作用について説明する。
上述したように、波長変換素子20に一次光L1が入射されると、波長変換体21が一次光L1を波長変換して二次光L2を生成する。このとき、二次光L2と、二次光L2に波長変換されなかった一次光の一部の光L11とが、波長変換体21の射出面21bから射出される。
Hereinafter, the operation of the wavelength conversion element 20 having the above configuration will be described.
As described above, when the primary light L1 is incident on the wavelength conversion element 20, the wavelength converter 21 performs wavelength conversion of the primary light L1 to generate the secondary light L2. At this time, the secondary light L2 and a part of the primary light L11 whose wavelength has not been converted into the secondary light L2 are emitted from the injection surface 21b of the wavelength converter 21.

このとき、金属アンテナアレイ23の各金属アンテナ231に二次光L2が入射すると、金属アンテナ231の表面で局在表面プラズモン共鳴が生じ、金属アンテナ231の近傍の電場強度が増大する。ここで、金属アンテナアレイ23の周期が二次光L2の光学波長程度に設定されているため、隣接する金属アンテナ231の局在表面プラズモン共鳴が光回折を介した共振を起こし、更なる電場強度の増大が生じる。その結果、二次光L2が増強され、二次光の光取り出し効率が向上する。 At this time, when the secondary light L2 is incident on each metal antenna 231 of the metal antenna array 23, localized surface plasmon resonance occurs on the surface of the metal antenna 231 and the electric field strength in the vicinity of the metal antenna 231 increases. Here, since the period of the metal antenna array 23 is set to about the optical wavelength of the secondary light L2, the localized surface plasmon resonance of the adjacent metal antenna 231 causes resonance via optical diffraction, and further electric field strength. Will occur. As a result, the secondary light L2 is enhanced, and the light extraction efficiency of the secondary light is improved.

また、誘電体アンテナアレイ24は、周期的に配列された複数の誘電体アンテナ241から構成されているため、回折格子として機能する。したがって、誘電体アンテナアレイ24に二次光L2が入射すると、二次光L2は、所定の回折角で回折し、誘電体アンテナアレイ24から所定の放射角をもって射出される。誘電体アンテナアレイ24のピッチをdとし、二次光L2の回折角をθmとし、二次光L2の入射角をθ0とし、二次光L2の波長をλとすると、回折角θmは下記の(3)式から求められる。
d(sinθm−sinθ0)=mλ …(3)
ただし、mは、回折光の次数(正または負の整数)である。
Further, since the dielectric antenna array 24 is composed of a plurality of dielectric antennas 241 arranged periodically, it functions as a diffraction grating. Therefore, when the secondary light L2 is incident on the dielectric antenna array 24, the secondary light L2 is diffracted at a predetermined diffraction angle and emitted from the dielectric antenna array 24 at a predetermined radiation angle. Assuming that the pitch of the dielectric antenna array 24 is d, the diffraction angle of the secondary light L2 is θm, the incident angle of the secondary light L2 is θ0, and the wavelength of the secondary light L2 is λ, the diffraction angle θm is as follows. It is obtained from equation (3).
d (sinθm−sinθ0) = mλ… (3)
However, m is the order of the diffracted light (a positive or negative integer).

本実施形態の波長変換素子20は、金属アンテナアレイ23と誘電体アンテナアレイ24とを備え、金属アンテナアレイ23が二次光L2の増強を担い、誘電体アンテナアレイ24が放射角の制御を担うというように、金属アンテナアレイ23と誘電体アンテナアレイ24とで機能が分担されている。また、誘電体アンテナ241の形状や寸法、ピッチ等を、金属アンテナ231が必要とする形状や寸法、ピッチ等の制約に縛られることなく、設定することができる。これにより、波長選択と放射角制御との自由度が高い波長変換素子20を実現することができる。 The wavelength conversion element 20 of the present embodiment includes a metal antenna array 23 and a dielectric antenna array 24, the metal antenna array 23 is responsible for enhancing the secondary light L2, and the dielectric antenna array 24 is responsible for controlling the radiation angle. As described above, the functions are shared between the metal antenna array 23 and the dielectric antenna array 24. Further, the shape, dimensions, pitch, etc. of the dielectric antenna 241 can be set without being restricted by the shape, dimensions, pitch, etc. required by the metal antenna 231. As a result, it is possible to realize the wavelength conversion element 20 having a high degree of freedom in wavelength selection and radiation angle control.

また、本実施形態の場合、金属アンテナアレイ23と誘電体アンテナアレイ24とが同層上に設けられているため、構成が簡略で、薄型の波長変換素子20を提供することができる。 Further, in the case of the present embodiment, since the metal antenna array 23 and the dielectric antenna array 24 are provided on the same layer, the configuration is simple and the thin wavelength conversion element 20 can be provided.

また、本実施形態の場合、波長変換体21の側面21cに光反射層25が設けられているため、光反射層25がない場合には波長変換体21の側面21cから射出されてしまう二次光L2を波長変換体21に戻すことができ、射出面21bからの二次光L2の取り出し効率を高めることができる。 Further, in the case of the present embodiment, since the light reflecting layer 25 is provided on the side surface 21c of the wavelength converter 21, if the light reflecting layer 25 is not provided, the light is emitted from the side surface 21c of the wavelength converter 21. The light L2 can be returned to the wavelength converter 21, and the efficiency of extracting the secondary light L2 from the emission surface 21b can be improved.

また、波長変換体21の側面21cに光吸収層が設けられた場合には、波長変換体21の側面21cから射出された二次光L2が光源装置の筐体内で迷光となり、ノイズを発生させるおそれを少なくすることができる。 Further, when the light absorption layer is provided on the side surface 21c of the wavelength converter 21, the secondary light L2 emitted from the side surface 21c of the wavelength converter 21 becomes stray light in the housing of the light source device and generates noise. The risk can be reduced.

[第2実施形態]
以下、本発明の第2実施形態について、図4を用いて説明する。
第2実施形態の波長変換素子の基本構成は第1実施形態と同様であり、アンテナアレイの配置が第1実施形態と異なる。そのため、波長変換素子の全体の説明は省略する。
図4は、第2実施形態の波長変換素子30の断面図である。
図4において、第1実施形態で用いた図面と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
[Second Embodiment]
Hereinafter, the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
The basic configuration of the wavelength conversion element of the second embodiment is the same as that of the first embodiment, and the arrangement of the antenna array is different from that of the first embodiment. Therefore, the entire description of the wavelength conversion element will be omitted.
FIG. 4 is a cross-sectional view of the wavelength conversion element 30 of the second embodiment.
In FIG. 4, components common to the drawings used in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

図4に示すように、本実施形態の波長変換素子30は、波長変換体21と、第1誘電体層22と、金属アンテナアレイ33と、第2誘電体層35と、誘電体アンテナアレイ34と、光反射層25と、を備えている。このように、波長変換素子30は、金属アンテナアレイ33を覆う第2誘電体層35をさらに備えている。本実施形態の第2誘電体層35は、特許請求の範囲の誘電体層に対応する。 As shown in FIG. 4, the wavelength conversion element 30 of the present embodiment includes a wavelength converter 21, a first dielectric layer 22, a metal antenna array 33, a second dielectric layer 35, and a dielectric antenna array 34. And a light reflecting layer 25. As described above, the wavelength conversion element 30 further includes a second dielectric layer 35 that covers the metal antenna array 33. The second dielectric layer 35 of the present embodiment corresponds to the dielectric layer in the claims.

本実施形態において、金属アンテナアレイ33は、第1実施形態と同様、波長変換体21の射出面21b上に第1誘電体層22を介して設けられている。 In the present embodiment, the metal antenna array 33 is provided on the injection surface 21b of the wavelength converter 21 via the first dielectric layer 22 as in the first embodiment.

また、金属アンテナアレイ33を覆うように第2誘電体層35が設けられ、金属アンテナ331による凹凸は第2誘電体層35に埋め込まれることによって平坦化されている。 Further, a second dielectric layer 35 is provided so as to cover the metal antenna array 33, and the unevenness due to the metal antenna 331 is flattened by being embedded in the second dielectric layer 35.

誘電体アンテナアレイ34は、第2誘電体層35の上面に設けられている。言い換えると、誘電体アンテナアレイ34は、第2誘電体層35を挟んで金属アンテナアレイ33と対向して設けられている。すなわち、第1実施形態では、金属アンテナアレイ23と誘電体アンテナアレイ24とが同層に設けられていたのに対し、第2実施形態では、金属アンテナアレイ33と誘電体アンテナアレイ34とが互いに異なる層に設けられ、誘電体アンテナアレイ34が金属アンテナアレイ33よりも上層側に設けられている。 The dielectric antenna array 34 is provided on the upper surface of the second dielectric layer 35. In other words, the dielectric antenna array 34 is provided so as to face the metal antenna array 33 with the second dielectric layer 35 interposed therebetween. That is, in the first embodiment, the metal antenna array 23 and the dielectric antenna array 24 are provided in the same layer, whereas in the second embodiment, the metal antenna array 33 and the dielectric antenna array 34 are provided with each other. It is provided on different layers, and the dielectric antenna array 34 is provided on the upper layer side of the metal antenna array 33.

第2誘電体層35の構成材料には、第1誘電体層22と同様、誘電体アンテナと同様の材料、例えばTiO、Al、LiNbO、HfO、Ta、SiON、Siなどを用いることができる。第2誘電体層35の厚さは、例えば100nmである。本実施形態において、各層の膜厚の一例を挙げると、波長変換体21(YAG:Ce)が200μmであり、第1誘電体層22(TiO)が20nmであり、金属アンテナ331(Ag)が20nmであり、第2誘電体層35(TiO)が100nmであり、誘電体アンテナ341(TiO)が200nmである。 The constituent materials of the second dielectric layer 35 include the same materials as the dielectric antenna as in the first dielectric layer 22, such as TiO 2 , Al 2 O 3 , LiNbO 3 , HfO 2 , Ta 2 O 5 , SiON. , Si 3 N 4 and the like can be used. The thickness of the second dielectric layer 35 is, for example, 100 nm. In the present embodiment, to give an example of the film thickness of each layer, the wavelength converter 21 (YAG: Ce) is 200 μm, the first dielectric layer 22 (TiO 2 ) is 20 nm, and the metal antenna 331 (Ag). Is 20 nm, the second dielectric layer 35 (TiO 2 ) is 100 nm, and the dielectric antenna 341 (TiO 2 ) is 200 nm.

平面視において、複数の金属アンテナ331と複数の誘電体アンテナ341との位置関係は、第1実施形態と同様である。すなわち、複数の金属アンテナ331と複数の誘電体アンテナ341とは、全体として正方格子状に配置され、波長変換体21の一辺に平行な方向に沿って見たとき、金属アンテナ331と誘電体アンテナ341とは交互に配置されている。
波長変換素子30のその他の構成は、第1実施形態と同様である。
In a plan view, the positional relationship between the plurality of metal antennas 331 and the plurality of dielectric antennas 341 is the same as that of the first embodiment. That is, the plurality of metal antennas 331 and the plurality of dielectric antennas 341 are arranged in a square grid as a whole, and when viewed along a direction parallel to one side of the wavelength converter 21, the metal antenna 331 and the dielectric antennas It is arranged alternately with 341.
Other configurations of the wavelength conversion element 30 are the same as those in the first embodiment.

本実施形態においても、波長選択と放射角制御との自由度が高い波長変換素子30を実現できる、といった第1実施形態と同様の効果が得られる。 Also in this embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained, such as being able to realize the wavelength conversion element 30 having a high degree of freedom in wavelength selection and radiation angle control.

また、本実施形態の場合、複数の誘電体アンテナ341が第2誘電体層35を挟んで複数の金属アンテナ331とは異なる層に設けられているため、複数の誘電体アンテナ341の配置の自由度を高めることができる。例えば、以下の第1変形例の構成を採用することができる。 Further, in the case of the present embodiment, since the plurality of dielectric antennas 341 are provided on a layer different from the plurality of metal antennas 331 with the second dielectric layer 35 interposed therebetween, the plurality of dielectric antennas 341 can be freely arranged. The degree can be increased. For example, the following configuration of the first modification can be adopted.

(第1変形例)
図5は、第1変形例の波長変換素子40の断面図である。
図5に示すように、第1変形例の波長変換素子40において、誘電体アンテナアレイ44を構成する複数の誘電体アンテナ441のうち、一部の誘電体アンテナ441は、金属アンテナ331の直上に配置されている。言い換えると、一部の誘電体アンテナ441は、平面視において金属アンテナ331と重なる位置に配置されている。これにより、誘電体アンテナアレイ44のピッチを、金属アンテナアレイ33のピッチよりも狭くするなど、自由に設定することができる。
(First modification)
FIG. 5 is a cross-sectional view of the wavelength conversion element 40 of the first modification.
As shown in FIG. 5, in the wavelength conversion element 40 of the first modification, among the plurality of dielectric antennas 441 constituting the dielectric antenna array 44, some of the dielectric antennas 441 are directly above the metal antenna 331. It is arranged. In other words, some dielectric antennas 441 are arranged at positions that overlap with the metal antenna 331 in a plan view. As a result, the pitch of the dielectric antenna array 44 can be freely set, such as being narrower than the pitch of the metal antenna array 33.

(第2変形例)
図6は、第2変形例の波長変換素子45の断面図である。
図6に示すように、第2変形例の波長変換素子45においては、第2誘電体層46が、下地誘電体層461と平坦化誘電体層462の2層の誘電体層により構成されている。下地誘電体層461は、各金属アンテナ331を覆うとともに、金属アンテナ331の形状を反映する程度の薄膜で構成されている。平坦化誘電体層462は、下地誘電体層461をさらに覆うとともに、金属アンテナ331による凹凸を平坦化している。
(Second modification)
FIG. 6 is a cross-sectional view of the wavelength conversion element 45 of the second modification.
As shown in FIG. 6, in the wavelength conversion element 45 of the second modification, the second dielectric layer 46 is composed of two dielectric layers, a base dielectric layer 461 and a flattening dielectric layer 462. There is. The base dielectric layer 461 covers each metal antenna 331 and is composed of a thin film that reflects the shape of the metal antenna 331. The flattening dielectric layer 462 further covers the underlying dielectric layer 461 and flattens the irregularities of the metal antenna 331.

本変形例において、各層の膜厚の一例を挙げると、例えば波長変換体21(YAG:Ce)が200μmであり、第1誘電体層22(TiO)が20nmであり、金属アンテナ331(Ag)が20nmであり、下地誘電体層461(TiO)が20nmであり、平坦化誘電体層462(Si)が50nmであり、誘電体アンテナ341(TiO)が200nmである。 In this modification, to give an example of the film thickness of each layer, for example, the wavelength converter 21 (YAG: Ce) is 200 μm, the first dielectric layer 22 (TiO 2 ) is 20 nm, and the metal antenna 331 (Ag). ) Is 20 nm, the underlying dielectric layer 461 (TIO 2 ) is 20 nm, the flattened dielectric layer 462 (Si 3 N 4 ) is 50 nm, and the dielectric antenna 341 (TIO 2 ) is 200 nm.

平坦化誘電体層462は、他の種類の波長変換体に置き換えてもよい。例えば、上記のSiをLumogen F Red(BASF社製)を添加したPMMAに置き換えることによって、YAG:Ceで蛍光発光する黄色光に、赤色のスペクトルを追加しつつ増強することができる。ここで、金属アンテナ331の表面プラズモンポラリトンによる増強は、極近傍に存在する波長変換体21に寄与できるため、Lumogenの蛍光増強効果も得られる。 The flattening dielectric layer 462 may be replaced with another type of wavelength converter. For example, by replacing the above Si 3 N 4 with PMMA to which Lumogen F Red (manufactured by BASF) is added, it is possible to enhance the yellow light fluorescently emitted by YAG: Ce while adding a red spectrum. Here, since the enhancement of the metal antenna 331 by the surface plasmon polariton can contribute to the wavelength converter 21 existing in the immediate vicinity, the fluorescence enhancement effect of Lumogen can also be obtained.

第1実施形態のように、誘電体アンテナアレイ24が金属アンテナアレイ23と同層に配置されている場合、誘電体アンテナ241が金属アンテナ231と重ならないように、金属アンテナ231の隙間を縫って誘電体アンテナ241を配置しなければならず、誘電体アンテナ241の配置の自由度が低い。これに対し、本実施形態の場合、例えば図5に示したように、平面視において誘電体アンテナ441を金属アンテナ331と重なる位置に配置することができるため、誘電体アンテナ441の配置の自由度が高くなる。その結果、本実施形態および変形例の波長変換素子30,40,45によれば、所望の放射角をより高い自由度で制御しやすい。 When the dielectric antenna array 24 is arranged in the same layer as the metal antenna array 23 as in the first embodiment, the gap between the metal antennas 231 is sewn so that the dielectric antenna 241 does not overlap with the metal antenna 231. The dielectric antenna 241 must be arranged, and the degree of freedom in the arrangement of the dielectric antenna 241 is low. On the other hand, in the case of the present embodiment, for example, as shown in FIG. 5, since the dielectric antenna 441 can be arranged at a position overlapping the metal antenna 331 in a plan view, the degree of freedom in the arrangement of the dielectric antenna 441 is high. Will be higher. As a result, according to the wavelength conversion elements 30, 40, and 45 of the present embodiment and the modified examples, it is easy to control the desired radiation angle with a higher degree of freedom.

また、金属アンテナアレイ33については、放射角制御の点を考慮する必要がないため、複数の金属アンテナ331の配置の自由度を高めることができる。そのため、より効率的、かつ、より選択的な表面プラズモンポラリトンの誘起が可能となる。 Further, with respect to the metal antenna array 33, since it is not necessary to consider the point of radiation angle control, the degree of freedom in arranging the plurality of metal antennas 331 can be increased. Therefore, more efficient and more selective induction of surface plasmon polaritons becomes possible.

[第3実施形態]
以下、本発明の第3実施形態について、図7を用いて説明する。
第3実施形態の波長変換素子の基本構成は第1実施形態と同様であり、2枚のダイクロイックミラーを備えた点が第1実施形態と異なる。そのため、波長変換素子の全体の説明は省略する。
図7は、第3実施形態の波長変換素子50の断面図である。
図7において、第1実施形態で用いた図面と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
[Third Embodiment]
Hereinafter, the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 7.
The basic configuration of the wavelength conversion element of the third embodiment is the same as that of the first embodiment, and is different from the first embodiment in that two dichroic mirrors are provided. Therefore, the entire description of the wavelength conversion element will be omitted.
FIG. 7 is a cross-sectional view of the wavelength conversion element 50 of the third embodiment.
In FIG. 7, components common to the drawings used in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

図7に示すように、本実施形態の波長変換素子50は、波長変換体21と、第1誘電体層22と、金属アンテナアレイ33と、第2誘電体層35と、誘電体アンテナアレイ44と、光反射層25と、第1ダイクロイックミラー51と、第2ダイクロイックミラー52と、を備えている。 As shown in FIG. 7, the wavelength conversion element 50 of the present embodiment includes a wavelength converter 21, a first dielectric layer 22, a metal antenna array 33, a second dielectric layer 35, and a dielectric antenna array 44. A light reflecting layer 25, a first dichroic mirror 51, and a second dichroic mirror 52 are provided.

第1ダイクロイックミラー51は、波長変換体21の入射面21aに対向して設けられている。第1ダイクロイックミラー51は、誘電体多層膜から構成されている。第1ダイクロイックミラー51は、青色波長帯の光を透過させ、黄色波長帯の光を反射させる分光特性を有する。したがって、第1ダイクロイックミラー51は、外部から波長変換体21の入射面21aに向かって進む一次光L1を透過させ、波長変換体21の内部で生成された二次光L2を反射させる。 The first dichroic mirror 51 is provided so as to face the incident surface 21a of the wavelength converter 21. The first dichroic mirror 51 is composed of a dielectric multilayer film. The first dichroic mirror 51 has a spectral characteristic of transmitting light in the blue wavelength band and reflecting light in the yellow wavelength band. Therefore, the first dichroic mirror 51 transmits the primary light L1 traveling toward the incident surface 21a of the wavelength converter 21 from the outside, and reflects the secondary light L2 generated inside the wavelength converter 21.

本実施形態においては、図4に示す第2実施形態と同様、波長変換体21の射出面21bに対向し、金属アンテナアレイ33を覆う第2誘電体層35が設けられている。第2ダイクロイックミラー52は、波長変換体21の射出面21bに対向して、第2誘電体層35上に設けられている。誘電体アンテナアレイ44は、第2ダイクロイックミラー52上に設けられている。第2ダイクロイックミラー52は、誘電体多層膜から構成されている。第2ダイクロイックミラー52は、黄色波長帯の光を透過させ、青色波長帯の光を反射させる分光特性を有する。したがって、第2ダイクロイックミラー52は、波長変換体21の射出面21bから射出された二次光L2を透過させ、波長変換体21の内部を通過した一次光L1を反射させる。
波長変換素子50のその他の構成は、第1実施形態と同様である。
In the present embodiment, as in the second embodiment shown in FIG. 4, a second dielectric layer 35 is provided so as to face the injection surface 21b of the wavelength converter 21 and cover the metal antenna array 33. The second dichroic mirror 52 is provided on the second dielectric layer 35 so as to face the injection surface 21b of the wavelength converter 21. The dielectric antenna array 44 is provided on the second dichroic mirror 52. The second dichroic mirror 52 is composed of a dielectric multilayer film. The second dichroic mirror 52 has a spectral characteristic of transmitting light in the yellow wavelength band and reflecting light in the blue wavelength band. Therefore, the second dichroic mirror 52 transmits the secondary light L2 emitted from the emission surface 21b of the wavelength converter 21 and reflects the primary light L1 that has passed through the inside of the wavelength converter 21.
Other configurations of the wavelength conversion element 50 are the same as those in the first embodiment.

本実施形態においても、波長選択と放射角制御との自由度が高い波長変換素子50を実現できる、といった第1実施形態と同様の効果が得られる。 Also in this embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained, such as being able to realize the wavelength conversion element 50 having a high degree of freedom in wavelength selection and radiation angle control.

また、本実施形態の場合、二次光L2を反射させる第1ダイクロイックミラー51が波長変換体21の入射面21aに対向して設けられているため、波長変換体21の内部で生成された二次光L2が入射面21aから外部に漏れ出すことが抑制され、二次光L2の損失を低減することができる。 Further, in the case of the present embodiment, since the first dichroic mirror 51 that reflects the secondary light L2 is provided so as to face the incident surface 21a of the wavelength converter 21, it is generated inside the wavelength converter 21. It is possible to suppress the leakage of the secondary light L2 from the incident surface 21a to the outside, and reduce the loss of the secondary light L2.

さらに、一次光L1を反射させる第2ダイクロイックミラー52が波長変換体21の射出面21bに対向して設けられているため、波長変換されずに射出面21bに到達した一次光L1を波長変換体に再度戻して波長変換に寄与させることができ、一次光L1の変換効率を高めることができる。 Further, since the second dichroic mirror 52 that reflects the primary light L1 is provided so as to face the emission surface 21b of the wavelength converter 21, the primary light L1 that reaches the emission surface 21b without wavelength conversion is converted into a wavelength converter. It can be returned to to contribute to wavelength conversion, and the conversion efficiency of the primary light L1 can be improved.

本実施形態の場合、第2ダイクロイックミラー52が設けられたことで一次光の一部の光L11が波長変換素子50から射出されないため、波長変換素子50から射出される光は、黄色の二次光L2のみとなる。したがって、白色光を得たい用途で波長変換素子50を用いる場合には、第2ダイクロイックミラー52に代えて、反射防止膜を設けるようにしてもよい。 In the case of the present embodiment, since the second dichroic mirror 52 is provided, a part of the primary light L11 is not emitted from the wavelength conversion element 50, so that the light emitted from the wavelength conversion element 50 is a yellow secondary light. Only light L2. Therefore, when the wavelength conversion element 50 is used for the purpose of obtaining white light, an antireflection film may be provided instead of the second dichroic mirror 52.

[第4実施形態]
以下、本発明の第4実施形態について、図8を用いて説明する。
第4実施形態の波長変換素子の基本構成は第1実施形態と同様であり、金属アンテナアレイの構成が第1実施形態と異なる。そのため、波長変換素子の全体の説明は省略する。
図8は、第4実施形態の波長変換素子60の平面図である。なお、図8には、金属アンテナアレイ61のみを図示し、誘電体アンテナアレイの図示は省略する。誘電体アンテナアレイは、金属アンテナアレイ61と同層上に設けられていてもよいし、金属アンテナアレイ61とは異なる層に設けられていてもよい。
図8において、第1実施形態で用いた図面と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
[Fourth Embodiment]
Hereinafter, the fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
The basic configuration of the wavelength conversion element of the fourth embodiment is the same as that of the first embodiment, and the configuration of the metal antenna array is different from that of the first embodiment. Therefore, the entire description of the wavelength conversion element will be omitted.
FIG. 8 is a plan view of the wavelength conversion element 60 of the fourth embodiment. Note that FIG. 8 shows only the metal antenna array 61, and the dielectric antenna array is not shown. The dielectric antenna array may be provided on the same layer as the metal antenna array 61, or may be provided on a layer different from the metal antenna array 61.
In FIG. 8, components common to the drawings used in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

図8に示すように、本実施形態の波長変換素子60において、金属アンテナアレイ61は、複数の金属アンテナ611を有している。複数の金属アンテナ611は、上下方向に隣り合う行の金属アンテナ611が左右方向に半ピッチずつずれて配置されている。このように、複数の金属アンテナ611は、いわゆる斜方格子状に配列されている。各金属アンテナ611の平面形状は、楕円形である。
波長変換素子60のその他の構成は、上記実施形態と同様である。
As shown in FIG. 8, in the wavelength conversion element 60 of the present embodiment, the metal antenna array 61 has a plurality of metal antennas 611. In the plurality of metal antennas 611, the metal antennas 611 in rows adjacent to each other in the vertical direction are arranged so as to be offset by half a pitch in the horizontal direction. In this way, the plurality of metal antennas 611 are arranged in a so-called oblique lattice pattern. The planar shape of each metal antenna 611 is elliptical.
Other configurations of the wavelength conversion element 60 are the same as those in the above embodiment.

本実施形態においても、波長選択と放射角制御との自由度が高い波長変換素子60を実現できる、といった第1実施形態と同様の効果が得られる。 Also in this embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained, such that the wavelength conversion element 60 having a high degree of freedom in wavelength selection and radiation angle control can be realized.

複数の金属アンテナ611の配置は、以下の変形例であってもよい。
(第3変形例)
図9は、第3変形例の波長変換素子63の平面図である。
図9に示すように、本変形例の波長変換素子63において、金属アンテナアレイ64は、複数の金属アンテナ641を有している。複数の金属アンテナ641は、上下方向および左右方向に互いに異なるピッチで矩形格子状に配置されている。各金属アンテナ641の平面形状は、矩形である。
The arrangement of the plurality of metal antennas 611 may be the following modification.
(Third modification example)
FIG. 9 is a plan view of the wavelength conversion element 63 of the third modification.
As shown in FIG. 9, in the wavelength conversion element 63 of this modification, the metal antenna array 64 has a plurality of metal antennas 641. The plurality of metal antennas 641 are arranged in a rectangular grid pattern at different pitches in the vertical direction and the horizontal direction. The planar shape of each metal antenna 641 is rectangular.

(第4変形例)
図10は、第4変形例の波長変換素子66の平面図である。
図10に示すように、本変形例の波長変換素子66において、金属アンテナアレイ67は、複数の金属アンテナ671を有している。複数の金属アンテナ671は、上下方向に隣り合う行の金属アンテナ671が左右方向に半ピッチずつずれて配置されている。このように、複数の金属アンテナ671は、いわゆる六角格子状に配列されている。各金属アンテナ671の形状は、円錐台形である。
(Fourth modification)
FIG. 10 is a plan view of the wavelength conversion element 66 of the fourth modification.
As shown in FIG. 10, in the wavelength conversion element 66 of this modification, the metal antenna array 67 has a plurality of metal antennas 671. In the plurality of metal antennas 671, the metal antennas 671 in rows adjacent to each other in the vertical direction are arranged so as to be offset by half a pitch in the horizontal direction. In this way, the plurality of metal antennas 671 are arranged in a so-called hexagonal lattice. The shape of each metal antenna 671 is a conical trapezoid.

また、各金属アンテナ611の形状は、以下の変形例であってもよい。
図11〜図17は、金属アンテナの他の形状例を示す平面図である。
図11に示すように、金属アンテナ681の形状は、L字状であってもよい。
図12に示すように、金属アンテナ682の形状は、六角形状であってもよい。
図13に示すように、金属アンテナ683の形状は、台形状であってもよい。
図14に示すように、金属アンテナ684の形状は、十字状であってもよい。
図15に示すように、金属アンテナ685の形状は、円形の一部が扇形に切り欠かれた形状であってもよい。
図16に示すように、金属アンテナ686の形状は、矩形環状であってもよい。
図17に示すように、金属アンテナ687の形状は、円環の一部が途切れた形状であってもよい。
Further, the shape of each metal antenna 611 may be a modified example as follows.
11 to 17 are plan views showing other shape examples of the metal antenna.
As shown in FIG. 11, the shape of the metal antenna 681 may be L-shaped.
As shown in FIG. 12, the shape of the metal antenna 682 may be a hexagonal shape.
As shown in FIG. 13, the shape of the metal antenna 683 may be trapezoidal.
As shown in FIG. 14, the shape of the metal antenna 684 may be cross-shaped.
As shown in FIG. 15, the shape of the metal antenna 685 may be a shape in which a part of a circle is cut out in a fan shape.
As shown in FIG. 16, the shape of the metal antenna 686 may be a rectangular ring shape.
As shown in FIG. 17, the shape of the metal antenna 687 may be a shape in which a part of the ring is interrupted.

以上示したように、金属アンテナの配置および形状は、高い自由度をもって選択することができる。また、上記の配置や形状のうち、異なる配置や形状の金属アンテナを組み合わせてもよい。例えば形状の異なる金属アンテナを組み合わせることにより、波長変換素子の面内で誘起される表面プラズモンポラリトンの電場強度または電場分布を制御することができる。 As shown above, the arrangement and shape of the metal antenna can be selected with a high degree of freedom. Further, among the above arrangements and shapes, metal antennas having different arrangements and shapes may be combined. For example, by combining metal antennas having different shapes, it is possible to control the electric field intensity or electric field distribution of the surface plasmon polaritons induced in the plane of the wavelength conversion element.

[第5実施形態]
以下、本発明の第5実施形態について、図18を用いて説明する。
第5実施形態の波長変換素子の基本構成は第1実施形態と同様であり、金属アンテナアレイの構成が第1実施形態と異なる。そのため、波長変換素子の全体の説明は省略する。
図18は、第5実施形態の波長変換素子70の平面図である。なお、図18においては、金属アンテナアレイ71のみを図示し、誘電体アンテナアレイの図示は省略する。誘電体アンテナアレイは、金属アンテナアレイ71と同層上に設けられていてもよいし、金属アンテナアレイ71とは異なる層に設けられていてもよい。
図18において、第1実施形態で用いた図面と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
[Fifth Embodiment]
Hereinafter, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
The basic configuration of the wavelength conversion element of the fifth embodiment is the same as that of the first embodiment, and the configuration of the metal antenna array is different from that of the first embodiment. Therefore, the entire description of the wavelength conversion element will be omitted.
FIG. 18 is a plan view of the wavelength conversion element 70 of the fifth embodiment. In FIG. 18, only the metal antenna array 71 is shown, and the dielectric antenna array is not shown. The dielectric antenna array may be provided on the same layer as the metal antenna array 71, or may be provided on a layer different from the metal antenna array 71.
In FIG. 18, components common to the drawings used in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

図18に示すように、本実施形態の波長変換素子70において、金属アンテナアレイ71は、複数の金属アンテナ711を有している。複数の金属アンテナ711は、周方向に沿って所定のピッチをもって同心円状に配置されている。各円上に並ぶ金属アンテナ711の周方向に沿うピッチは、円毎に異なっている。本実施形態の場合、波長変換素子70の中心部に近い円上に並ぶ金属アンテナ711のピッチが狭く、波長変換素子70の周縁部に近い円上に並ぶ金属アンテナ711のピッチが広くなっている。
波長変換素子70のその他の構成は、上記実施形態と同様である。
As shown in FIG. 18, in the wavelength conversion element 70 of the present embodiment, the metal antenna array 71 has a plurality of metal antennas 711. The plurality of metal antennas 711 are arranged concentrically with a predetermined pitch along the circumferential direction. The pitch along the circumferential direction of the metal antennas 711 lined up on each circle is different for each circle. In the case of the present embodiment, the pitch of the metal antennas 711 arranged on the circle near the center of the wavelength conversion element 70 is narrow, and the pitch of the metal antennas 711 arranged on the circle near the peripheral edge of the wavelength conversion element 70 is wide. ..
Other configurations of the wavelength conversion element 70 are the same as those in the above embodiment.

本実施形態においても、波長選択と放射角制御との自由度が高い波長変換素子70を実現できる、といった第1実施形態と同様の効果が得られる。 Also in this embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained, such as being able to realize the wavelength conversion element 70 having a high degree of freedom in wavelength selection and radiation angle control.

本実施形態のように、金属アンテナ711のピッチは、波長変換素子70の面内で必ずしも一定でなくてもよく、同心円状、正方格子状等の種々の配置に係わらず、場所によって伸縮があってもよい。このように、金属アンテナ711の配置とピッチとを面内で変化させることにより、波長変換素子70の面内で誘起される表面プラズモンポラリトンの電場強度または電場分布を制御することができる。 As in the present embodiment, the pitch of the metal antenna 711 does not necessarily have to be constant in the plane of the wavelength conversion element 70, and may expand or contract depending on the location regardless of various arrangements such as concentric circles and square grids. You may. By changing the arrangement and pitch of the metal antenna 711 in the plane in this way, it is possible to control the electric field intensity or the electric field distribution of the surface plasmon polariton induced in the plane of the wavelength conversion element 70.

[第6実施形態]
以下、本発明の第6実施形態について、図19を用いて説明する。
第6実施形態の波長変換素子の基本構成は第1実施形態と同様であり、金属アンテナアレイの構成が第1実施形態と異なる。そのため、波長変換素子の全体の説明は省略する。
図19は、第6実施形態の波長変換素子80の断面図である。
図19において、第1実施形態で用いた図面と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
[Sixth Embodiment]
Hereinafter, the sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
The basic configuration of the wavelength conversion element of the sixth embodiment is the same as that of the first embodiment, and the configuration of the metal antenna array is different from that of the first embodiment. Therefore, the entire description of the wavelength conversion element will be omitted.
FIG. 19 is a cross-sectional view of the wavelength conversion element 80 of the sixth embodiment.
In FIG. 19, components common to the drawings used in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

図19に示すように、本実施形態の波長変換素子80は、波長変換体21と、金属アンテナ群81と、誘電体アンテナアレイ44と、光反射層25と、を備えている。本実施形態の場合も、第1実施形態と同様、光反射層25は、光吸収層であってもよい。 As shown in FIG. 19, the wavelength conversion element 80 of the present embodiment includes a wavelength conversion body 21, a metal antenna group 81, a dielectric antenna array 44, and a light reflection layer 25. In the case of the present embodiment as well, the light reflecting layer 25 may be a light absorbing layer as in the first embodiment.

金属アンテナ群81は、波長変換体21の内部に分散された複数の金属アンテナ811を有している。複数の金属アンテナ811の各々は、金属粒子812と、金属粒子812の周囲を覆う誘電体コーティング層813と、から構成されている。誘電体コーティング層813の厚さは、第1実施形態の第1誘電体層22と同様、10nm以上、30nm以下であることが好ましい。本実施形態の場合、このような構造によって、金属アンテナ群81は、波長変換体21とは直接接触せず、波長変換体21の極近傍に位置することになる。本実施形態の波長変換体21は、例えば蛍光体粒子としてのLumgen F RedをPMMAに分散させる際に、誘電体材料で周囲をコーティングした、100nm程度の径を有する金属粒子を同時に分散させることによって作製が可能である。 The metal antenna group 81 has a plurality of metal antennas 811 dispersed inside the wavelength converter 21. Each of the plurality of metal antennas 811 is composed of metal particles 812 and a dielectric coating layer 813 that surrounds the metal particles 812. The thickness of the dielectric coating layer 813 is preferably 10 nm or more and 30 nm or less, as in the case of the first dielectric layer 22 of the first embodiment. In the case of the present embodiment, due to such a structure, the metal antenna group 81 does not come into direct contact with the wavelength converter 21 and is located in the very vicinity of the wavelength converter 21. In the wavelength converter 21 of the present embodiment, for example, when Lumgen F Red as a phosphor particle is dispersed in PMMA, metal particles having a diameter of about 100 nm coated with a dielectric material are simultaneously dispersed. It can be manufactured.

本実施形態の場合、金属アンテナ群81が波長変換体21の内部に配置されているため、波長変換体21の射出面21bには、第1誘電体層22が設けられておらず、誘電体アンテナアレイ44のみが設けられている。
波長変換素子80のその他の構成は、第1実施形態と同様である。
In the case of the present embodiment, since the metal antenna group 81 is arranged inside the wavelength converter 21, the first dielectric layer 22 is not provided on the injection surface 21b of the wavelength converter 21, and the dielectric is a dielectric. Only the antenna array 44 is provided.
Other configurations of the wavelength conversion element 80 are the same as those of the first embodiment.

本実施形態においても、波長選択と放射角制御との自由度が高い波長変換素子80を実現できる、といった第1実施形態と同様の効果が得られる。 Also in this embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained, such as being able to realize the wavelength conversion element 80 having a high degree of freedom in wavelength selection and radiation angle control.

特に本実施形態の場合、金属粒子812の近傍に局在プラズモンが誘起されるため、金属の種類と粒径に応じた波長の二次光L2(蛍光)の増強が見込める。局在プラズモンを用いる場合、表面プラズモンポラリトンとは異なり、表面での電場増強度は小さくなるが、波長変換体21の体積全体として増強を促すことができる。 In particular, in the case of the present embodiment, since localized plasmon is induced in the vicinity of the metal particles 812, enhancement of the secondary light L2 (fluorescence) having a wavelength corresponding to the type and particle size of the metal can be expected. When the localized plasmon is used, unlike the surface plasmon polariton, the electric field strengthening intensity on the surface becomes small, but the enhancement can be promoted as a whole volume of the wavelength converter 21.

また、本実施形態の場合も、第2実施形態などと同様、複数の誘電体アンテナ441が複数の金属アンテナ811と同層上に配置されないため、複数の誘電体アンテナ441の配置の自由度を高めることができる。これにより、所望の放射角をより高い自由度で制御しやすいという効果が得られる。特に、本実施形態の場合、複数の金属アンテナ811が同一平面上になく、波長変換体21の内部にランダムに分散されている。そのため、製造工程において金属粒子の濃度を適切に調整することにより、金属アンテナ811間の所望のピッチ範囲を実現することができる。 Further, also in the case of the present embodiment, as in the second embodiment and the like, since the plurality of dielectric antennas 441 are not arranged on the same layer as the plurality of metal antennas 811, the degree of freedom in the arrangement of the plurality of dielectric antennas 441 is increased. Can be enhanced. This has the effect that the desired radiation angle can be easily controlled with a higher degree of freedom. In particular, in the case of the present embodiment, the plurality of metal antennas 811 are not on the same plane and are randomly dispersed inside the wavelength converter 21. Therefore, a desired pitch range between the metal antennas 811 can be realized by appropriately adjusting the concentration of the metal particles in the manufacturing process.

(光源装置)
以下、本発明の一実施形態の光源装置について説明する。
図20は、光源装置2の概略構成図である。
(Light source device)
Hereinafter, the light source device according to the embodiment of the present invention will be described.
FIG. 20 is a schematic configuration diagram of the light source device 2.

図20に示すように、光源装置2は、光源部11と、均一化照明光学系12と、を備えている。 As shown in FIG. 20, the light source device 2 includes a light source unit 11 and a uniform illumination optical system 12.

光源部11は、光源13と、コリメーター光学系14と、第1集光光学系15と、ロッドインテグレーター16と、第2集光光学系17と、波長変換素子20と、ピックアップ光学系18と、を備えている。光源13は、一次光L1を波長変換素子20に向けて射出する。 The light source unit 11 includes a light source 13, a collimator optical system 14, a first condensing optical system 15, a rod integrator 16, a second condensing optical system 17, a wavelength conversion element 20, and a pickup optical system 18. , Is equipped. The light source 13 emits the primary light L1 toward the wavelength conversion element 20.

光源13は、第1波長帯を有する青色の一次光L1を射出する複数の半導体レーザー131から構成されている。一次光L1は、発光強度のピーク波長が445nmである440〜450nmの青色波長帯(第1波長帯)の光である。複数の半導体レーザー131は、照明光軸AX1と直交する一つの平面内においてアレイ状に配置されている。半導体レーザー131は、445nm以外のピーク波長、例えば455nmまたは460nmのピーク波長を有する一次光L1を射出してもよい。 The light source 13 is composed of a plurality of semiconductor lasers 131 that emit blue primary light L1 having a first wavelength band. The primary light L1 is light in the blue wavelength band (first wavelength band) of 440 to 450 nm, which has a peak wavelength of emission intensity of 445 nm. The plurality of semiconductor lasers 131 are arranged in an array in one plane orthogonal to the illumination optical axis AX1. The semiconductor laser 131 may emit primary light L1 having a peak wavelength other than 445 nm, for example, a peak wavelength of 455 nm or 460 nm.

コリメーター光学系14は、光源13と第1集光光学系15との間に設けられている。コリメーター光学系14は、複数のコリメーターレンズ141から構成されている。コリメーターレンズ141は、各半導体レーザー131に対応して設けられ、照明光軸AX1と直交する一つの平面内においてアレイ状に配置されている。コリメーターレンズ141は、対応する半導体レーザー131から射出された一次光L1を平行化する。 The collimator optical system 14 is provided between the light source 13 and the first condensing optical system 15. The collimator optical system 14 is composed of a plurality of collimator lenses 141. The collimator lens 141 is provided corresponding to each semiconductor laser 131, and is arranged in an array in one plane orthogonal to the illumination optical axis AX1. The collimator lens 141 parallelizes the primary light L1 emitted from the corresponding semiconductor laser 131.

第1集光光学系15は、コリメーター光学系14とロッドインテグレーター16との間に設けられている。第1集光光学系15は、コリメーター光学系14から射出された一次光L1を集光させ、ロッドインテグレーター16に入射させる。第1集光光学系15は、例えば凸レンズから構成されている。第1集光光学系15は、複数のレンズから構成されていてもよい。 The first condensing optical system 15 is provided between the collimator optical system 14 and the rod integrator 16. The first condensing optical system 15 condenses the primary light L1 emitted from the collimator optical system 14 and causes it to enter the rod integrator 16. The first condensing optical system 15 is composed of, for example, a convex lens. The first condensing optical system 15 may be composed of a plurality of lenses.

ロッドインテグレーター16は、第1集光光学系15と第2集光光学系17との間に設けられている。ロッドインテグレーター16は、四角柱状の光透過性部材で構成されており、光入射端面16aと光射出端面16bと4つの反射面16cとを有する。一次光L1は、ロッドインテグレーター16の反射面16cで反射を繰り返しつつ、ロッドインテグレーター16を透過することによって、強度分布が均一化される。 The rod integrator 16 is provided between the first condensing optical system 15 and the second condensing optical system 17. The rod integrator 16 is composed of a square columnar light transmitting member, and has a light incident end surface 16a, a light emitting end surface 16b, and four reflecting surfaces 16c. The intensity distribution of the primary light L1 is made uniform by passing through the rod integrator 16 while repeating reflection on the reflecting surface 16c of the rod integrator 16.

第2集光光学系17は、ロッドインテグレーター16と波長変換素子20との間に設けられている。第2集光光学系17は、ロッドインテグレーター16から射出された一次光L1を集光させ、波長変換素子20に入射させる。第2集光光学系17は、例えば凸レンズからなる第1レンズ171と第2レンズ172とから構成されている。 The second condensing optical system 17 is provided between the rod integrator 16 and the wavelength conversion element 20. The second condensing optical system 17 condenses the primary light L1 emitted from the rod integrator 16 and causes it to enter the wavelength conversion element 20. The second condensing optical system 17 is composed of, for example, a first lens 171 made of a convex lens and a second lens 172.

波長変換素子20は、光源13から射出された一次光L1を波長変換して二次光L2を生成し、二次光L2と、波長変換されなかった一次光L1の一部の光L11とからなる白色光LWを射出する。波長変換素子20として、上記実施形態のいずれの波長変換素子が用いられてもよい。 The wavelength conversion element 20 wavelength-converts the primary light L1 emitted from the light source 13 to generate the secondary light L2, and from the secondary light L2 and a part of the light L11 of the primary light L1 that has not been wavelength-converted. White light LW is emitted. As the wavelength conversion element 20, any wavelength conversion element of the above embodiment may be used.

ピックアップ光学系18は、波長変換素子20と均一化照明光学系12との間に設けられている。ピックアップ光学系18は、波長変換素子20から射出された白色光LWを平行化し、均一化照明光学系12に導く。ピックアップ光学系18は、例えば凸レンズから構成されている。ピックアップ光学系18は、複数のレンズから構成されていてもよい。 The pickup optical system 18 is provided between the wavelength conversion element 20 and the uniform illumination optical system 12. The pickup optical system 18 parallelizes the white light LW emitted from the wavelength conversion element 20 and guides it to the uniform illumination optical system 12. The pickup optical system 18 is composed of, for example, a convex lens. The pickup optical system 18 may be composed of a plurality of lenses.

均一化照明光学系12は、第1レンズアレイ91と、第2レンズアレイ92と、偏光変換素子93と、重畳レンズ94と、を有している。 The uniform illumination optical system 12 includes a first lens array 91, a second lens array 92, a polarization conversion element 93, and a superimposing lens 94.

第1レンズアレイ91は、ピックアップ光学系18から射出された白色光LWを複数の部分光束に分割するための複数の第1レンズ911を有している。複数の第1レンズ911は、照明光軸AX1と直交する面内にマトリクス状に配列されている。 The first lens array 91 has a plurality of first lenses 911 for dividing the white light LW emitted from the pickup optical system 18 into a plurality of partial luminous fluxes. The plurality of first lenses 911 are arranged in a matrix in a plane orthogonal to the illumination optical axis AX1.

第2レンズアレイ92は、第1レンズアレイ91の複数の第1レンズ911に対応する複数の第2レンズ921を有している。第2レンズアレイ92は、重畳レンズ94とともに、第1レンズアレイ91の各第1レンズ911の像を光変調装置4R,4G,4Bの画像形成領域の近傍に結像させる。複数の第2レンズ921は、照明光軸AX1に直交する面内にマトリクス状に配列されている。 The second lens array 92 has a plurality of second lenses 921 corresponding to the plurality of first lenses 911 of the first lens array 91. The second lens array 92, together with the superimposing lens 94, forms an image of each first lens 911 of the first lens array 91 in the vicinity of the image forming region of the optical modulation devices 4R, 4G, and 4B. The plurality of second lenses 921 are arranged in a matrix in a plane orthogonal to the illumination optical axis AX1.

偏光変換素子93は、白色光LWの偏光方向を一方向に揃える機能を有する。偏光変換素子93は、図示を省略するが、偏光分離膜と、位相差板と、ミラーと、を有している。偏光変換素子93は、白色光LWの偏光方向を揃えるため、他方の偏光成分を一方の偏光成分に変換する。偏光変換素子93は、例えばP偏光成分をS偏光成分に変換する。 The polarization conversion element 93 has a function of aligning the polarization directions of the white light LW in one direction. Although not shown, the polarization conversion element 93 includes a polarization separation membrane, a retardation plate, and a mirror. The polarization conversion element 93 converts the other polarization component into one polarization component in order to align the polarization directions of the white light LW. The polarization conversion element 93 converts, for example, a P polarization component into an S polarization component.

重畳レンズ94は、偏光変換素子93からの各部分光束を集光して光変調装置4R,4G,4Bの画像形成領域の近傍で互いに重畳させる。第1レンズアレイ91、第2レンズアレイ92および重畳レンズ94は、白色光LWの面内光強度分布を均一にするインテグレーター光学系を構成する。 The superimposing lens 94 collects each partial luminous flux from the polarization conversion element 93 and superimposes them on each other in the vicinity of the image forming region of the optical modulation devices 4R, 4G, and 4B. The first lens array 91, the second lens array 92, and the superimposed lens 94 constitute an integrator optical system that makes the in-plane light intensity distribution of the white light LW uniform.

本実施形態の光源装置2は、上記実施形態の波長変換素子20を備え、波長変換素子20によって増強された白色光が、波長変換素子20から所望の放射角で射出されるため、波長変換素子20の後段の光学系における光のけられが少ない。したがって、光強度が高く、光利用効率が高い光源装置2を実現することができる。 The light source device 2 of the present embodiment includes the wavelength conversion element 20 of the above embodiment, and the white light enhanced by the wavelength conversion element 20 is emitted from the wavelength conversion element 20 at a desired radiation angle. There is little light eclipse in the optical system in the latter stage of 20. Therefore, it is possible to realize the light source device 2 having high light intensity and high light utilization efficiency.

(プロジェクター)
以下、本発明の一実施形態のプロジェクター1(表示装置)について説明する。
図21は、プロジェクター1の概略構成図である。
(projector)
Hereinafter, the projector 1 (display device) according to the embodiment of the present invention will be described.
FIG. 21 is a schematic configuration diagram of the projector 1.

図21に示すように、本実施形態のプロジェクター1は、スクリーンSCR上にカラー映像を表示する投射型画像表示装置である。プロジェクター1は、光源装置2と、色分離光学系3と、光変調装置4R,光変調装置4G,光変調装置4Bと、合成光学系5と、投射光学装置6と、を備えている。光源装置として、図20に示す上記実施形態の光源装置が用いられている。 As shown in FIG. 21, the projector 1 of the present embodiment is a projection type image display device that displays a color image on the screen SCR. The projector 1 includes a light source device 2, a color separation optical system 3, a light modulation device 4R, a light modulation device 4G, a light modulation device 4B, a composite optical system 5, and a projection optical device 6. As the light source device, the light source device of the above embodiment shown in FIG. 20 is used.

色分離光学系3は、第1ダイクロイックミラー7aと、第2ダイクロイックミラー7bと、反射ミラー8aと、反射ミラー8bと、反射ミラー8cと、リレーレンズ9aと、リレーレンズ9bと、を備えている。色分離光学系3は、光源装置2から射出された白色光LWを赤色光LRと緑色光LGと青色光LBとに分離し、赤色光LRを光変調装置4Rに導き、緑色光LGを光変調装置4Gに導き、青色光LBを光変調装置4Bに導く。 The color separation optical system 3 includes a first dichroic mirror 7a, a second dichroic mirror 7b, a reflection mirror 8a, a reflection mirror 8b, a reflection mirror 8c, a relay lens 9a, and a relay lens 9b. .. The color separation optical system 3 separates the white light LW emitted from the light source device 2 into red light LR, green light LG, and blue light LB, guides the red light LR to the light modulator 4R, and emits the green light LG. It leads to the modulator 4G and leads the blue light LB to the optical modulator 4B.

フィールドレンズ10Rは、色分離光学系3と光変調装置4Rとの間に配置され、入射した光を略平行化して光変調装置4Rに向けて射出する。フィールドレンズ10Gは、色分離光学系3と光変調装置4Gとの間に配置され、入射した光を略平行化して光変調装置4Gに向けて射出する。フィールドレンズ10Bは、色分離光学系3と光変調装置4Bとの間に配置され、入射した光を略平行化して光変調装置4Bに向けて射出する。 The field lens 10R is arranged between the color separation optical system 3 and the light modulation device 4R, substantially parallelizes the incident light, and emits the incident light toward the light modulation device 4R. The field lens 10G is arranged between the color separation optical system 3 and the light modulation device 4G, substantially parallelizes the incident light, and emits the incident light toward the light modulation device 4G. The field lens 10B is arranged between the color separation optical system 3 and the light modulation device 4B, substantially parallelizes the incident light, and emits the incident light toward the light modulation device 4B.

第1ダイクロイックミラー7aは、赤色光成分を透過させ、緑色光成分および青色光成分を反射させる。第2ダイクロイックミラー7bは、第1ダイクロイックミラー7aで反射された光のうち、緑色光成分を反射させ、青色光成分を透過させる。反射ミラー8aは、第1ダイクロイックミラー7aを透過した赤色光成分を反射させる。反射ミラー8bおよび反射ミラー8cは、第2ダイクロイックミラー7bを透過した青色光成分を反射させる。 The first dichroic mirror 7a transmits a red light component and reflects a green light component and a blue light component. The second dichroic mirror 7b reflects the green light component of the light reflected by the first dichroic mirror 7a and transmits the blue light component. The reflection mirror 8a reflects the red light component transmitted through the first dichroic mirror 7a. The reflection mirror 8b and the reflection mirror 8c reflect the blue light component transmitted through the second dichroic mirror 7b.

第1ダイクロイックミラー7aを透過した赤色光LRは、反射ミラー8aで反射し、フィールドレンズ10Rを透過して赤色光用の光変調装置4Rの画像形成領域に入射する。第1ダイクロイックミラー7aで反射した緑色光LGは、第2ダイクロイックミラー7bでさらに反射し、フィールドレンズ10Gを透過して緑色光用の光変調装置4Gの画像形成領域に入射する。第2ダイクロイックミラー7bを透過した青色光LBは、リレーレンズ9a、入射側の反射ミラー8b、リレーレンズ9b、射出側の反射ミラー8c、およびフィールドレンズ10Bを経て青色光用の光変調装置4Bの画像形成領域に入射する。 The red light LR transmitted through the first dichroic mirror 7a is reflected by the reflection mirror 8a, passes through the field lens 10R, and is incident on the image forming region of the light modulator 4R for red light. The green light LG reflected by the first dichroic mirror 7a is further reflected by the second dichroic mirror 7b, passes through the field lens 10G, and is incident on the image forming region of the light modulator 4G for green light. The blue light LB transmitted through the second dichroic mirror 7b passes through the relay lens 9a, the reflection mirror 8b on the incident side, the relay lens 9b, the reflection mirror 8c on the emission side, and the field lens 10B, and then the light modulator 4B for blue light. It is incident on the image forming region.

光変調装置4R、光変調装置4G、および光変調装置4Bのそれぞれは、入射された色光を画像情報に応じて変調し、画像光を形成する。光変調装置4R、光変調装置4G、および光変調装置4Bのそれぞれは、液晶ライトバルブから構成されている。図示を省略したが、光変調装置4R、光変調装置4G、および光変調装置4Bの光入射側に、入射側偏光板がそれぞれ配置されている。光変調装置4R、光変調装置4G、および光変調装置4Bの光射出側に、射出側偏光板がそれぞれ配置されている。 Each of the light modulation device 4R, the light modulation device 4G, and the light modulation device 4B modulates the incident colored light according to the image information to form the image light. Each of the light modulation device 4R, the light modulation device 4G, and the light modulation device 4B is composed of a liquid crystal light bulb. Although not shown, the polarizing plates on the incident side are arranged on the light incident side of the optical modulation device 4R, the optical modulation device 4G, and the light modulation device 4B, respectively. Ejection side polarizing plates are arranged on the light emission side of the light modulation device 4R, the light modulation device 4G, and the light modulation device 4B, respectively.

合成光学系5は、光変調装置4R、光変調装置4G、および光変調装置4Bから射出された各画像光を合成してフルカラーの画像光を形成する。合成光学系5は、4つの直角プリズムを貼り合わせた、平面視で略正方形状をなすクロスダイクロイックプリズムで構成されている。直角プリズム同士を貼り合わせた略X字状の界面には、誘電体多層膜が形成されている。 The synthetic optical system 5 synthesizes each image light emitted from the light modulation device 4R, the light modulation device 4G, and the light modulation device 4B to form a full-color image light. The synthetic optical system 5 is composed of a cross-dichroic prism in which four right-angled prisms are bonded together to form a substantially square shape in a plan view. A dielectric multilayer film is formed at a substantially X-shaped interface in which right-angled prisms are bonded to each other.

合成光学系5から射出された画像光は、投射光学装置6によって拡大投射され、スクリーンSCR上で画像を形成する。すなわち、投射光学装置6は、光変調装置4R、光変調装置4G、および光変調装置4Bにより変調された光を投射する。投射光学装置6は、複数の投射レンズで構成されている。 The image light emitted from the synthetic optical system 5 is magnified and projected by the projection optical device 6, and forms an image on the screen SCR. That is, the projection optical device 6 projects the light modulated by the light modulation device 4R, the light modulation device 4G, and the light modulation device 4B. The projection optical device 6 is composed of a plurality of projection lenses.

本実施形態のプロジェクター1は、上記実施形態の光源装置2を備えているため、光利用効率に優れ、明るい画像が得られる。 Since the projector 1 of the present embodiment includes the light source device 2 of the above embodiment, the light utilization efficiency is excellent and a bright image can be obtained.

なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば上記実施形態では、誘電体アンテナアレイを構成する複数の誘電体アンテナが2次元状に配列されていたが、この構成に代えて、所定の方向に延在する線状の誘電体アンテナを有し、複数の誘電体アンテナが各誘電体アンテナの延在方向と直交する方向に1次元状に配列された構成を有する波長変換素子であってもよい。すなわち、誘電体アンテナ群として、複数の線状の誘電体アンテナと、隣り合う誘電体アンテナ間に位置する複数のスリット部と、を備えた誘電体アンテナ群が用いられてもよい。
The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
For example, in the above embodiment, a plurality of dielectric antennas constituting the dielectric antenna array are arranged in a two-dimensional manner, but instead of this configuration, a linear dielectric antenna extending in a predetermined direction is provided. However, it may be a wavelength conversion element having a configuration in which a plurality of dielectric antennas are arranged one-dimensionally in a direction orthogonal to the extending direction of each dielectric antenna. That is, as the dielectric antenna group, a dielectric antenna group including a plurality of linear dielectric antennas and a plurality of slit portions located between adjacent dielectric antennas may be used.

その他、波長変換素子、光源装置、およびプロジェクターの各構成要素の形状、数、配置、材料等の具体的な記載については、上記実施形態に限らず、適宜変更が可能である。上記実施形態では、本発明による光源装置を、液晶ライトバルブを用いたプロジェクターに搭載した例を示したが、これに限られない。本発明による光源装置を、光変調装置としてデジタルマイクロミラーデバイスを用いたプロジェクターに搭載してもよい。 In addition, the specific description of the shape, number, arrangement, material, and the like of each component of the wavelength conversion element, the light source device, and the projector is not limited to the above embodiment, and can be appropriately changed. In the above embodiment, an example in which the light source device according to the present invention is mounted on a projector using a liquid crystal light bulb is shown, but the present invention is not limited to this. The light source device according to the present invention may be mounted on a projector using a digital micromirror device as a light modulation device.

また、上記実施形態では、本発明による光源装置をプロジェクターに搭載した例を示したが、これに限られない。本発明による光源装置は、照明器具や自動車のヘッドライト等にも適用することができる。 Further, in the above embodiment, an example in which the light source device according to the present invention is mounted on the projector is shown, but the present invention is not limited to this. The light source device according to the present invention can also be applied to lighting equipment, automobile headlights, and the like.

1…プロジェクター、2…光源装置、4R,4G,4B…光変調装置、13…光源、20,30,40,45,50,60,63,66,70,80…波長変換素子、21…波長変換体、21a…入射面、21b…射出面、23,33,61,64,67,71…金属アンテナアレイ(金属アンテナ群)、24,34,44…誘電体アンテナアレイ(誘電体アンテナ群)、25…光反射層、35,46…第2誘電体層(誘電体層)、51…第1ダイクロイックミラー、52…第2ダイクロイックミラー、81…金属アンテナ群、231,331,611,641,671,681、682,683,684,685,686,687,711,811…金属アンテナ、241,341,441…誘電体アンテナ、L1…一次光、L2…二次光。 1 ... Projector, 2 ... Light source device, 4R, 4G, 4B ... Light modulator, 13 ... Light source, 20, 30, 40, 45, 50, 60, 63, 66, 70, 80 ... Wavelength conversion element, 21 ... Wavelength Transformant, 21a ... Incident surface, 21b ... Ejection surface, 23,33,61,64,67,71 ... Metal antenna array (metal antenna group), 24,34,44 ... Dielectric antenna array (dielectric antenna group) , 25 ... light reflection layer, 35, 46 ... second dielectric layer (dielectric layer), 51 ... first dichroic mirror, 52 ... second dichroic mirror, 81 ... metal antenna group, 231, 331, 611, 641, 671,681,682,683,684,685,686,687,711,811 ... Metal antenna, 241,341,441 ... Dielectric antenna, L1 ... Primary light, L2 ... Secondary light.

Claims (10)

入射面と射出面とを有し、前記入射面から入射された第1波長帯の一次光を波長変換して前記第1波長帯とは異なる第2波長帯の二次光を生成し、前記二次光を前記射出面から射出する波長変換体と、
前記波長変換体の極近傍に設けられ、互いの距離が前記波長変換体における前記二次光の光学波長程度の距離で離間するように配置された複数の金属アンテナを含む金属アンテナ群と、
前記波長変換体の前記射出面に対向して設けられ、複数の誘電体アンテナを含む誘電体アンテナ群と、
を備えた、波長変換素子。
It has an incident surface and an ejection surface, and wavelength-converts the primary light of the first wavelength band incident from the incident surface to generate secondary light of a second wavelength band different from the first wavelength band. A wavelength converter that emits secondary light from the injection surface,
A group of metal antennas including a plurality of metal antennas provided in the immediate vicinity of the wavelength converter and arranged so as to be separated from each other by a distance of about the optical wavelength of the secondary light in the wavelength converter.
A dielectric antenna group provided so as to face the injection surface of the wavelength converter and including a plurality of dielectric antennas,
Wavelength conversion element equipped with.
前記金属アンテナ群は、前記複数の金属アンテナが同一平面上に格子状に配列された構成を有する、請求項1に記載の波長変換素子。 The wavelength conversion element according to claim 1, wherein the metal antenna group has a configuration in which the plurality of metal antennas are arranged in a grid pattern on the same plane. 前記誘電体アンテナ群は、前記複数の誘電体アンテナが同一平面上に格子状に配列された構成を有する、請求項1または請求項2に記載の波長変換素子。 The wavelength conversion element according to claim 1 or 2, wherein the dielectric antenna group has a configuration in which the plurality of dielectric antennas are arranged in a grid pattern on the same plane. 前記金属アンテナ群と前記誘電体アンテナ群とは、前記波長変換体の前記射出面に対向して同層上に設けられている、請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の波長変換素子。 The invention according to any one of claims 1 to 3, wherein the metal antenna group and the dielectric antenna group are provided on the same layer facing the emission surface of the wavelength converter. Wavelength conversion element. 前記金属アンテナ群を覆う誘電体層をさらに備え、
前記誘電体アンテナ群は、前記誘電体層を挟んで前記金属アンテナ群と対向して設けられている、請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の波長変換素子。
Further provided with a dielectric layer covering the metal antenna group,
The wavelength conversion element according to any one of claims 1 to 3, wherein the dielectric antenna group is provided so as to face the metal antenna group with the dielectric layer interposed therebetween.
前記波長変換体の前記入射面に対向して設けられ、前記一次光を透過させ、前記二次光を反射させる第1ダイクロイックミラーをさらに備えた、請求項1から請求項5までのいずれか一項に記載の波長変換素子。 Any one of claims 1 to 5, further comprising a first dichroic mirror provided so as to face the incident surface of the wavelength converter, transmit the primary light, and reflect the secondary light. The wavelength conversion element according to the item. 前記波長変換体の前記射出面に対向して設けられ、前記二次光を透過させ、前記一次光を反射させる第2ダイクロイックミラーをさらに備えた、請求項1から請求項6までのいずれか一項に記載の波長変換素子。 Any one of claims 1 to 6, further comprising a second dichroic mirror provided so as to face the emission surface of the wavelength converter, transmit the secondary light, and reflect the primary light. The wavelength conversion element according to the item. 前記波長変換体の前記入射面および前記射出面とは異なる面に設けられた光反射層または光吸収層をさらに備えた、請求項1から請求項7までのいずれか一項に記載の波長変換素子。 The wavelength conversion according to any one of claims 1 to 7, further comprising a light reflecting layer or a light absorbing layer provided on a surface different from the incident surface and the emitting surface of the wavelength converter. element. 請求項1から請求項8までのいずれか一項に記載の波長変換素子と、
前記一次光を前記波長変換素子に射出する光源と、
を備えた、光源装置。
The wavelength conversion element according to any one of claims 1 to 8.
A light source that emits the primary light to the wavelength conversion element,
A light source device equipped with.
請求項9に記載の光源装置と、
前記光源装置からの光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、
を備えた、表示装置。
The light source device according to claim 9 and
An optical modulation device that modulates the light from the light source device according to image information,
A display device equipped with.
JP2019139950A 2019-07-30 2019-07-30 Wavelength conversion elements, light source devices, and display devices Active JP7400246B2 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019139950A JP7400246B2 (en) 2019-07-30 2019-07-30 Wavelength conversion elements, light source devices, and display devices
US16/942,557 US11249227B2 (en) 2019-07-30 2020-07-29 Wavelength converting element, light source device, and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019139950A JP7400246B2 (en) 2019-07-30 2019-07-30 Wavelength conversion elements, light source devices, and display devices

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021021906A true JP2021021906A (en) 2021-02-18
JP7400246B2 JP7400246B2 (en) 2023-12-19

Family

ID=74260282

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019139950A Active JP7400246B2 (en) 2019-07-30 2019-07-30 Wavelength conversion elements, light source devices, and display devices

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11249227B2 (en)
JP (1) JP7400246B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023027144A1 (en) * 2021-08-25 2023-03-02 国立大学法人京都大学 Wavelength converting device, and illuminating device

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022152156A (en) * 2021-03-29 2022-10-12 セイコーエプソン株式会社 Light source device and projector

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4621270B2 (en) 2007-07-13 2011-01-26 キヤノン株式会社 Optical filter
JP5257687B2 (en) 2009-02-23 2013-08-07 カシオ計算機株式会社 Light source device and projector
EP2477240A1 (en) * 2011-01-18 2012-07-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination device
JP2013038115A (en) * 2011-08-04 2013-02-21 Koito Mfg Co Ltd Light wavelength conversion unit
CN105409016B (en) * 2013-08-06 2018-07-24 亮锐控股有限公司 Enhancing transmitting from the plasmon coupling emitter for solid-state lighting
KR102187847B1 (en) * 2013-08-06 2020-12-10 루미리즈 홀딩 비.브이. Solid state illumination device having plasmonic antenna array for anisotropic emission
KR102113257B1 (en) * 2013-10-31 2020-05-20 삼성전자주식회사 Apparatus of outputting directional light and light interconnection system having the same
JP2016099566A (en) 2014-11-25 2016-05-30 セイコーエプソン株式会社 Wavelength conversion element, light source unit and projector
JP6789536B2 (en) 2016-07-22 2020-11-25 国立大学法人京都大学 Wavelength converter and light source device
US10996451B2 (en) 2017-10-17 2021-05-04 Lumileds Llc Nanostructured meta-materials and meta-surfaces to collimate light emissions from LEDs
CN108827938A (en) 2018-08-09 2018-11-16 兰州理工大学 Surface enhanced Raman scattering substrate based on dielectric grating-metallic film Yu metal nanoparticle composite construction

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023027144A1 (en) * 2021-08-25 2023-03-02 国立大学法人京都大学 Wavelength converting device, and illuminating device

Also Published As

Publication number Publication date
JP7400246B2 (en) 2023-12-19
US11249227B2 (en) 2022-02-15
US20210033756A1 (en) 2021-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2789897B1 (en) Light source and illuminating device
US9874741B2 (en) Wavelength conversion element, light source device, and projector
JP5990666B2 (en) Display screen
JP5966843B2 (en) Light source device and image display device
JP5716401B2 (en) Light source device and projector
US8870383B2 (en) Incoherence device and optical apparatus using same
JP5961343B2 (en) Light source device and projector
JP2024023800A (en) Light source device, image projection device, and light source optical system
EP3598747B1 (en) Light source device and projector
JP7031567B2 (en) Light source optical system, light source device and image projection device
JP2012185403A (en) Light emitting element and method for producing the same, light source device, and projector
JP2016061852A (en) Wavelength conversion element, light source device, and projector
JPWO2010061699A1 (en) Thin backlight system and liquid crystal display device using the same
JP7238294B2 (en) Light source device and projector
JP2021092761A (en) Light source device and image projection device
US11249227B2 (en) Wavelength converting element, light source device, and display device
CN110824820A (en) Wavelength conversion element, light source device, and projector
JP2012128121A (en) Illumination device and projector
JP7413740B2 (en) Light source device, image projection device, and light source optical system
JP2019174528A (en) Wavelength conversion element, light source device, and projector
WO2016121721A1 (en) Wavelength conversion member, and image formation device
JP5651949B2 (en) Collimator lens unit, lighting device and projector
JP2020101751A (en) Light source device and projector
JP6977285B2 (en) Wavelength converters, light source devices and projectors
JP6911541B2 (en) Light emitting device and projector

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220728

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230630

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230704

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230816

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20231107

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20231120

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7400246

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150