JP2021012950A - Support peeling method and support peeling system - Google Patents
Support peeling method and support peeling system Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021012950A JP2021012950A JP2019126417A JP2019126417A JP2021012950A JP 2021012950 A JP2021012950 A JP 2021012950A JP 2019126417 A JP2019126417 A JP 2019126417A JP 2019126417 A JP2019126417 A JP 2019126417A JP 2021012950 A JP2021012950 A JP 2021012950A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support
- peeling
- light
- wafer
- circuit forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 70
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 34
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 21
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 21
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 6
- 238000005304 joining Methods 0.000 abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 225
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 162
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 110
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 110
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 30
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 21
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 15
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 101150081985 scrib gene Proteins 0.000 description 1
Abstract
Description
本開示は、支持体剥離方法及び支持体剥離システムに関する。 The present disclosure relates to a support peeling method and a support peeling system.
特許文献１には、接着層を介して互いに接合された第１及び第２の部材を剥離する部材剥離方法が開示されている。この部材剥離方法は、第１の部材の第１主面に光熱変換層を配置するステップと、第１の部材の第１主面と第２の部材の第２主面とを、接着層を介して互いに接合するステップと、光熱変換層にレーザ光を照射するステップと、第１の部材と第２の部材に力を加えて、第１の部材を第２の部材から剥離するステップと、を有する。 Patent Document 1 discloses a member peeling method for peeling the first and second members joined to each other via an adhesive layer. In this member peeling method, a step of arranging a photothermal conversion layer on the first main surface of the first member and an adhesive layer between the first main surface of the first member and the second main surface of the second member are formed. A step of joining to each other via the step, a step of irradiating the photothermal conversion layer with laser light, and a step of applying a force to the first member and the second member to peel the first member from the second member. Has.
本開示にかかる技術は、基板と支持体とが接着層を介して接合された重合体から、当該支持体を効率よく剥離する。 The technique according to the present disclosure efficiently peels the support from the polymer in which the substrate and the support are bonded via an adhesive layer.
本開示の一態様は、基板と支持体とが接着層を介して接合された重合体から、前記支持体を剥離する支持体剥離方法であって、前記基板は、回路が形成された複数の回路形成領域と、隣り合う前記回路形成領域の間において前記回路が形成されていない非回路形成領域とを有し、前記支持体は光を透過させ、前記接着層は前記光を吸収することにより変質し、前記非回路形成領域の少なくとも一部に、前記支持体を介して前記光を照射する工程と、前記光を照射した前記重合体に力を作用させ、当該重合体から前記支持体を剥離する工程と、を有する。 One aspect of the present disclosure is a support peeling method for peeling the support from a polymer in which a substrate and a support are bonded via an adhesive layer, wherein the substrate has a plurality of circuits formed therein. By having a circuit forming region and a non-circuit forming region in which the circuit is not formed between adjacent circuit forming regions, the support transmits light and the adhesive layer absorbs the light. A step of irradiating at least a part of the non-circuit forming region with the light through the support and a force acting on the polymer irradiated with the light to obtain the support from the polymer. It has a step of peeling.
本開示によれば、基板と支持体とが接着層を介して接合された重合体から、当該支持体を効率よく剥離することができる。 According to the present disclosure, the support can be efficiently peeled off from the polymer in which the substrate and the support are bonded via the adhesive layer.
近年、半導体デバイスの薄型化が要求されており、かかる半導体デバイスの製造工程において、例えばＴＳＶプロセスやＦａｎｏｕｔプロセスでは、表面に複数の回路等のデバイス層が形成された半導体ウェハ（以下、ウェハという）を薄化することが行われている。このように薄化されたウェハをそのまま搬送したり、後続の処理、例えばフォトリソグラフィ処理を行ったりすると、ウェハに反りや割れが生じるおそれがある。そこで、ウェハを補強するために、例えば接着剤を介してウェハと支持基板を接合することが行われている。そして、ウェハと支持基板が接合された状態で後続の処理が行われた後、支持基板がウェハから剥離される。 In recent years, there has been a demand for thinner semiconductor devices, and in the manufacturing process of such semiconductor devices, for example, in the TSV process and Fanout process, a semiconductor wafer in which device layers such as a plurality of circuits are formed on the surface (hereinafter referred to as a wafer). Is being diluted. If the wafer thinned in this way is conveyed as it is, or if subsequent processing, for example, photolithography processing is performed, the wafer may be warped or cracked. Therefore, in order to reinforce the wafer, for example, the wafer and the support substrate are joined via an adhesive. Then, after the subsequent processing is performed in a state where the wafer and the support substrate are joined, the support substrate is peeled off from the wafer.
ウェハと支持基板を剥離するにあたっては、従来、種々の方法が用いられている。主たる剥離方法として例えば、ウェハと支持基板に力を作用させて剥離する方法と、接着剤にレーザ光を照射してウェハと支持基板を剥離する方法とがある。以下の説明においては、前者の剥離方法をメカニカル剥離といい、後者の方法をレーザ剥離というが場合がある。また、レーザ剥離において、レーザ光として赤外光を用いた剥離方法をＩＲレーザ剥離といい、紫外光を用いた剥離方法をＵＶレーザ剥離という場合がある。 Conventionally, various methods have been used to separate the wafer from the support substrate. As the main peeling method, for example, there are a method of applying a force to the wafer and the support substrate to peel them off, and a method of irradiating the adhesive with laser light to peel off the wafer and the support substrate. In the following description, the former peeling method may be referred to as mechanical peeling, and the latter method may be referred to as laser peeling. Further, in laser peeling, a peeling method using infrared light as laser light may be referred to as IR laser peeling, and a peeling method using ultraviolet light may be referred to as UV laser peeling.
メカニカル剥離では、例えばウェハと支持基板の接合界面にブレードを挿入して、支持基板をウェハから離間させて剥離する。ここで、剥離前には、ウェハと支持基板が接合された状態で、例えばウェハの薄化処理などを行う必要があるため、これらの処理に耐えられる程度の接合強度が必要となる。換言すれば、剥離時には、ある程度大きな力（以下、剥離力という）を加える必要があり、かかる場合、ウェハへの負荷が高く、ウェハが割れるおそれもある。また、ブレードを用いる場合、ブレードの選定及び調整が難しく、さらにブレードの消耗に対してメンテナンスの手間がかかる。また、ウェハと支持基板を接合する接着剤が３層必要な場合があり、剥離後の接着剤除去の洗浄に時間がかかる。 In mechanical peeling, for example, a blade is inserted at the bonding interface between the wafer and the support substrate, and the support substrate is separated from the wafer and peeled. Here, before peeling, it is necessary to perform, for example, a thinning process of the wafer in a state where the wafer and the support substrate are bonded, so that the bonding strength is required to withstand these processes. In other words, at the time of peeling, it is necessary to apply a certain amount of large force (hereinafter referred to as peeling force), and in such a case, the load on the wafer is high and the wafer may be cracked. Further, when a blade is used, it is difficult to select and adjust the blade, and maintenance is required for the wear of the blade. In addition, three layers of adhesive for joining the wafer and the support substrate may be required, and it takes time to clean the adhesive after peeling.
ＩＲレーザ剥離では、例えば赤外光を、支持基板を透過させて接着剤に照射することで、当該接着材を変質させて、ウェハと支持基板を剥離する。この赤外光の波長は長いため、赤外光が接着剤を透過して、デバイス層まで到達する場合がある。そうすると、デバイス層が損傷（ダメージ）を被る。 In IR laser peeling, for example, infrared light is transmitted through the support substrate and irradiates the adhesive to change the quality of the adhesive and peel the wafer from the support substrate. Since the wavelength of this infrared light is long, the infrared light may pass through the adhesive and reach the device layer. Then, the device layer is damaged (damaged).
ＵＶレーザ剥離では、例えば紫外光を、支持基板を透過させて接着剤に照射することで、当該接着材を変質させて、ウェハと支持基板を剥離する。この場合、支持基板には、紫外線を透過させる基板、例えばガラス基板が用いられる。このガラス基板はシリコンからなるウェハと熱膨張係数（ＣＴＥ）が異なるため、例えば熱処理を行う際、ウェハとガラス基板で熱変形に差が出る。 In UV laser peeling, for example, ultraviolet light is transmitted through a support substrate and irradiates the adhesive to change the quality of the adhesive and peel the wafer from the support substrate. In this case, as the support substrate, a substrate that transmits ultraviolet rays, for example, a glass substrate is used. Since this glass substrate has a different coefficient of thermal expansion (CTE) from that of a wafer made of silicon, for example, when heat treatment is performed, there is a difference in thermal deformation between the wafer and the glass substrate.
以上のように、メカニカル剥離、ＩＲレーザ剥離、ＵＶレーザ剥離にはそれぞれ、短所が存在する。そこで本発明者らは、鋭意検討した結果、メカニカル剥離とレーザ剥離を適切に組み合わせることで、これら短所を補完し、安定した剥離処理を効率よく行うことを想到した。 As described above, each of mechanical peeling, IR laser peeling, and UV laser peeling has disadvantages. Therefore, as a result of diligent studies, the present inventors have come up with the idea that by appropriately combining mechanical peeling and laser peeling, these shortcomings are complemented and stable peeling treatment is efficiently performed.
なお、上述した特許文献１に記載された剥離方法では、第１の部材と第２の部材の間に設けられた光熱変換層にレーザ光を照射し、さらに第１の部材を第２の部材に力を加えて、第１の部材を第２の部材から剥離する。しかしながら、この剥離方法では、接着層とは別に光熱変換層を設ける必要があり、手間がかかり効率が悪い。したがって、従来の剥離方法には改善の余地がある。 In the peeling method described in Patent Document 1 described above, the photothermal conversion layer provided between the first member and the second member is irradiated with laser light, and the first member is further subjected to the second member. The first member is peeled from the second member by applying a force to. However, in this peeling method, it is necessary to provide a photothermal conversion layer separately from the adhesive layer, which is troublesome and inefficient. Therefore, there is room for improvement in the conventional peeling method.
本開示にかかる技術は、基板と支持体とが接着層を介して接合された重合体から、当該支持体を効率よく剥離する。以下、本実施形態にかかる支持体剥離システムとしての剥離システム、及び支持体剥離方法としての剥離方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。 The technique according to the present disclosure efficiently peels the support from the polymer in which the substrate and the support are bonded via an adhesive layer. Hereinafter, the peeling system as the support peeling system and the peeling method as the support peeling method according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. In the present specification and the drawings, elements having substantially the same functional configuration are designated by the same reference numerals to omit duplicate description.
＜剥離システムの構成＞
先ず、本実施形態にかかる剥離システムの構成について説明する。図１は、剥離システム１の構成の概略を示す平面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
<Structure of peeling system>
First, the configuration of the peeling system according to the present embodiment will be described. FIG. 1 is a plan view showing an outline of the configuration of the peeling system 1. In the following, in order to clarify the positional relationship, the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction that are orthogonal to each other are defined, and the Z-axis positive direction is defined as the vertically upward direction.
剥離システム１では、図２に示すようにデバイスウェハＷと支持ウェハＳとが接着剤Ｇを介して接合された重合ウェハＴから、支持ウェハＳを剥離する。なお、デバイスウェハＷは本開示における基板に相当し、支持ウェハＳは本開示における支持体に相当し、接着剤Ｇは本開示における接着層に相当し、重合ウェハＴは本開示における重合体に相当する。なお、接着剤Ｇは１層に形成されている。 In the peeling system 1, as shown in FIG. 2, the support wafer S is peeled from the polymerized wafer T in which the device wafer W and the support wafer S are bonded via the adhesive G. The device wafer W corresponds to the substrate in the present disclosure, the support wafer S corresponds to the support in the present disclosure, the adhesive G corresponds to the adhesive layer in the present disclosure, and the polymerized wafer T corresponds to the polymer in the present disclosure. Equivalent to. The adhesive G is formed in one layer.
以下では、デバイスウェハＷにおいて、接着剤Ｇを介して支持ウェハＳと接合された面を表面Ｗａといい、表面Ｗａと反対側の面を裏面Ｗｂという。同様に、支持ウェハＳにおいて、接着剤Ｇを介してデバイスウェハＷに接合された面を表面Ｓａといい、表面Ｓａと反対側の面を裏面Ｓｂという。 In the following, in the device wafer W, the surface bonded to the support wafer S via the adhesive G is referred to as a front surface Wa, and the surface opposite to the front surface Wa is referred to as a back surface Wb. Similarly, in the support wafer S, the surface bonded to the device wafer W via the adhesive G is referred to as a front surface Sa, and the surface opposite to the front surface Sa is referred to as a back surface Sb.
デバイスウェハＷは、例えばシリコン基板などの半導体ウェハであって、表面Ｗａに複数の回路等を含むデバイス層Ｄが形成されている。デバイスウェハＷは、例えば裏面Ｗｂが研磨処理されることによって薄化されている。 The device wafer W is, for example, a semiconductor wafer such as a silicon substrate, and a device layer D including a plurality of circuits and the like is formed on the surface Wa. The device wafer W is thinned, for example, by polishing the back surface Wb.
また、図３に示すようにデバイスウェハＷにはダイシング処理が施され、スクライブラインＷｓ（ストリートと呼ばれることもある）によって、複数のダイＷｄに分割されている。本実施形態では平面視において、ダイＷｄは矩形状であり、スクライブラインＷｓは格子状に形成されている。ダイＷｄの表面にはデバイス層Ｄの回路が形成され、ダイＷｄは本開示における回路形成領域を構成している。スクライブラインＷｓには回路が形成されておらず、スクライブラインＷｓは本開示における非回路形成領域を構成している。なお、これらダイＷｄとスクライブラインＷｓの径方向外側のデバイスウェハＷの外周部Ｗｅにも、回路は形成されていない。 Further, as shown in FIG. 3, the device wafer W is subjected to a dicing process, and is divided into a plurality of die Wds by scribe lines Ws (sometimes called streets). In the present embodiment, the die Wd is rectangular and the scribe lines Ws are formed in a grid pattern in a plan view. The circuit of the device layer D is formed on the surface of the die Wd, and the die Wd constitutes the circuit forming region in the present disclosure. No circuit is formed in the scribe line Ws, and the scribe line Ws constitutes a non-circuit forming region in the present disclosure. No circuit is also formed on the outer peripheral portion We of the device wafer W on the radial outer side of the die Wd and the scribe line Ws.
支持ウェハＳは、デバイスウェハＷを支持するウェハである。支持ウェハＳには、赤外光が透過する材料が用いられ、例えばシリコンウェハが用いられる。 The support wafer S is a wafer that supports the device wafer W. As the support wafer S, a material that transmits infrared light is used, and for example, a silicon wafer is used.
接着剤Ｇは、デバイスウェハＷと支持ウェハＳに接着し、且つ赤外光を吸収することによって変質する。なお、ここでいう変質とは、接着剤Ｇがわずかな外力を受けて破壊され得る状態、又は接着剤Ｇと接する層との接着力が低下した状態にさせる現象を示す。すなわち、接着剤Ｇが赤外光を吸収すると、当該接着剤Ｇは脆くなり、赤外光の照射を受ける前の接合強度（接着性）を失う。より詳細には、接着剤Ｇが赤外光を吸収すると、その吸収した赤外光のエネルギーによって加熱されて溶融され、さらに炭化する。こうして、接着剤Ｇは、赤外光が照射された部分が接着機能を失う。また、重合ウェハＴより側方にはみ出した接着剤Ｇが赤外光を吸収すると、その吸収した赤外光のエネルギーによって加熱され、接着剤Ｇが昇華することで、はみ出した接着剤Ｇを除去することができる。 The adhesive G is altered by adhering to the device wafer W and the support wafer S and absorbing infrared light. The term "alteration" as used herein refers to a phenomenon in which the adhesive G can be destroyed by receiving a slight external force, or a state in which the adhesive force with the layer in contact with the adhesive G is reduced. That is, when the adhesive G absorbs infrared light, the adhesive G becomes brittle and loses the bonding strength (adhesiveness) before being irradiated with infrared light. More specifically, when the adhesive G absorbs infrared light, it is heated by the energy of the absorbed infrared light to be melted and further carbonized. In this way, the adhesive G loses its adhesive function at the portion irradiated with infrared light. Further, when the adhesive G protruding laterally from the polymerized wafer T absorbs infrared light, it is heated by the energy of the absorbed infrared light, and the adhesive G sublimates to remove the protruding adhesive G. can do.
また、図２に示すように重合ウェハＴは、ダイシングテープＰを介してダイシングフレームＦに固定される。具体的には、ダイシングフレームＦの開口部Ｆａに重合ウェハＴを配置し、開口部Ｆａを裏面から塞ぐようにデバイスウェハＷの裏面Ｗｂ及びダイシングフレームＦの裏面にダイシングテープＰを貼り付ける。これにより、重合ウェハＴは、ダイシングフレームＦに固定（保持）された状態となる。 Further, as shown in FIG. 2, the polymerization wafer T is fixed to the dicing frame F via the dicing tape P. Specifically, the polymerization wafer T is arranged in the opening Fa of the dicing frame F, and the dicing tape P is attached to the back surface Wb of the device wafer W and the back surface of the dicing frame F so as to close the opening Fa from the back surface. As a result, the polymerization wafer T is in a state of being fixed (held) to the dicing frame F.
図１に示すように剥離システム１は、搬入出ステーション１０、搬送ステーション２０、及び処理ステーション３０を一体に接続した構成を有している。搬入出ステーション１０は、例えば外部との間で複数のデバイスウェハＷ、複数の支持ウェハＳ、複数の重合ウェハＴをそれぞれ収容可能なカセットＣｗ、Ｃｓ、Ｃｔが搬入出される。搬送ステーション２０は、搬入出ステーション１０と処理ステーション３０との間で、デバイスウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴを搬送する。処理ステーション３０は、デバイスウェハＷ、支持ウェハＳ、重合ウェハＴに対して所定の処理を施す各種処理装置を備えている。 As shown in FIG. 1, the peeling system 1 has a configuration in which the loading / unloading station 10, the transport station 20, and the processing station 30 are integrally connected. The carry-in / out station 10 carries in / out cassettes Cw, Cs, and Ct capable of accommodating a plurality of device wafers W, a plurality of support wafers S, and a plurality of polymerization wafers T, respectively, to and from the outside. The transfer station 20 transfers the device wafer W, the support wafer S, and the polymerization wafer T between the carry-in / out station 10 and the processing station 30. The processing station 30 includes various processing devices that perform predetermined processing on the device wafer W, the support wafer S, and the polymerization wafer T.
搬入出ステーション１０には、カセット載置台１１が設けられている。図示の例では、カセット載置台１１には、複数、例えば４つのカセットＣｗ、Ｃｓ、ＣｔをＸ軸方向に一列に載置自在になっている。本実施形態においては、Ｘ軸負方向側のカセットＣｔは、未処理の重合ウェハＴを収容したローダカセットとして用いられ、Ｘ軸中央のカセットＣｗ、Ｃｓは、処理後（剥離後）のデバイスウェハＷと支持ウェハＳを収容するアンローダカセットと用いられる。さらに、Ｘ軸正方向側のカセットＣｔは、処理中に不具合のあった重合ウェハＴを回収して収容するアンローダカセットと用いられる。なお、カセット載置台１１に載置されるカセットＣｗ、Ｃｓ、Ｃｔの個数は、本実施形態に限定されず、任意に決定することができる。 The loading / unloading station 10 is provided with a cassette mounting table 11. In the illustrated example, a plurality of cassettes, for example, four cassettes Cw, Cs, and Ct can be freely mounted in a row in the X-axis direction on the cassette mounting table 11. In the present embodiment, the cassette Ct on the negative side of the X-axis is used as a loader cassette containing the untreated polymerized wafer T, and the cassettes Cw and Cs in the center of the X-axis are the device wafer after processing (after peeling). It is used as an unloader cassette for accommodating W and the support wafer S. Further, the cassette Ct on the positive direction side of the X-axis is used as an unloader cassette for collecting and accommodating the polymerized wafer T having a defect during processing. The number of cassettes Cw, Cs, and Ct mounted on the cassette mounting table 11 is not limited to this embodiment and can be arbitrarily determined.
搬送ステーション２０は、搬入出ステーション１０に隣接して設けられている。搬送ステーション２０には、Ｘ軸方向に延伸する搬送路２１上を移動自在なウェハ搬送装置２２が設けられている。ウェハ搬送装置２２は、例えば２本の搬送アーム２３、２４を有している。第１の搬送アーム２３は、ダイシングフレーム搬送用のアームであり、ダイシングフレームＦに固定された重合ウェハＴ又はデバイスウェハＷを搬送する。第２の搬送アーム２４は、ウェハ搬送用のアームであり、剥離された支持ウェハＳを搬送する。各搬送アーム２３、２４は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。なお、搬送アーム２３、２４の構成は本実施形態に限定されず、任意の構成を取り得る。 The transport station 20 is provided adjacent to the carry-in / out station 10. The transfer station 20 is provided with a wafer transfer device 22 that is movable on a transfer path 21 extending in the X-axis direction. The wafer transfer device 22 has, for example, two transfer arms 23 and 24. The first transfer arm 23 is an arm for transferring the dicing frame, and transfers the polymerization wafer T or the device wafer W fixed to the dicing frame F. The second transfer arm 24 is an arm for transferring a wafer, and transfers the peeled support wafer S. Each of the transport arms 23 and 24 is configured to be movable in the horizontal direction, the vertical direction, the horizontal axis, and the vertical axis. The configurations of the transport arms 23 and 24 are not limited to this embodiment, and any configuration can be adopted.
処理ステーション３０は、搬送ステーション２０に隣接して設けられている。処理ステーション３０において搬送ステーション２０のＹ軸正方向側には、アライメント装置３１、光照射装置としてのレーザ照射装置３２、剥離装置３３、第１の洗浄装置３４、第２の洗浄装置３５が、Ｘ軸正方向から負方向に向けて並べて配置されている。また、処理ステーション３０において搬送ステーション２０のＸ軸正方向側には、反転装置３６が配置されている。なお、これら装置３１〜３６の数や配置は、本実施形態に限定されず、任意に決定することができる。 The processing station 30 is provided adjacent to the transport station 20. In the processing station 30, on the Y-axis positive direction side of the transport station 20, an alignment device 31, a laser irradiation device 32 as a light irradiation device, a peeling device 33, a first cleaning device 34, and a second cleaning device 35 are X. They are arranged side by side from the positive direction to the negative direction of the axis. Further, in the processing station 30, the reversing device 36 is arranged on the X-axis positive direction side of the transport station 20. The number and arrangement of these devices 31 to 36 are not limited to this embodiment and can be arbitrarily determined.
アライメント装置３１では、例えばＩＲカメラ（赤外線カメラ）を用いて、デバイスウェハＷのパターン、すなわちダイＷｄ及びスクライブラインＷｓのパターンを検出し、重合ウェハＴの位置調整を行う。なお、アライメント装置３１は、このようにパターンを検出するため、本開示における検出装置としても機能する。また、アライメント装置３１には、公知の装置が用いられる。 In the alignment device 31, for example, an IR camera (infrared camera) is used to detect the pattern of the device wafer W, that is, the pattern of the die Wd and the scribing line Ws, and adjust the position of the laminated wafer T. Since the alignment device 31 detects the pattern in this way, it also functions as the detection device in the present disclosure. Further, a known device is used as the alignment device 31.
レーザ照射装置３２では、支持ウェハＳを介して接着剤Ｇに、レーザ光である赤外光を照射する。なお、レーザ照射装置３２の構成は後述する。 In the laser irradiation device 32, the adhesive G is irradiated with infrared light, which is a laser beam, via the support wafer S. The configuration of the laser irradiation device 32 will be described later.
剥離装置３３では、重合ウェハＴに力を作用させ、重合ウェハＴから支持ウェハＳを剥離する。具体的には、デバイスウェハＷと支持ウェハＳの接合界面の一端部にブレードを挿入した後、当該一端部から他端部に向かって順次、支持ウェハＳをデバイスウェハＷから離間させて剥離する。なお、剥離装置３３には、公知の装置が用いられる。 In the peeling device 33, a force is applied to the polymerized wafer T to peel the support wafer S from the polymerized wafer T. Specifically, after inserting the blade into one end of the bonding interface between the device wafer W and the support wafer S, the support wafer S is sequentially separated from the device wafer W and peeled from the one end to the other end. .. A known device is used as the peeling device 33.
第１の洗浄装置３４では、ダイシングフレームＦに固定され、且つ剥離後のデバイスウェハＷに対し、その表面Ｗａから接着剤Ｇを除去して、表面Ｗａをスピン洗浄する。なお、第１の洗浄装置３４には公知の装置が用いられる。 In the first cleaning device 34, the adhesive G is removed from the surface Wa of the device wafer W fixed to the dicing frame F and peeled off, and the surface Wa is spin-cleaned. A known device is used for the first cleaning device 34.
第２の洗浄装置３５では、剥離後の支持ウェハＳの表面Ｓａから接着剤Ｇを除去して、表面Ｓａをスピン洗浄する。なお、第２の洗浄装置３５には公知の装置が用いられる。 In the second cleaning device 35, the adhesive G is removed from the surface Sa of the support wafer S after peeling, and the surface Sa is spin-cleaned. A known device is used for the second cleaning device 35.
反転装置３６では、剥離後の支持ウェハＳの表裏面を反転させる。なお、反転装置３６には公知の装置が用いられる。 In the reversing device 36, the front and back surfaces of the support wafer S after peeling are reversed. A known device is used for the reversing device 36.
以上の剥離システム１には、制御装置４０が設けられている。制御装置４０は、例えばＣＰＵやメモリなどを備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、剥離システム１における剥離処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、剥離システム１における剥離処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御装置４０にインストールされたものであってもよい。 The peeling system 1 described above is provided with a control device 40. The control device 40 is, for example, a computer equipped with a CPU, a memory, or the like, and has a program storage unit (not shown). The program storage unit stores a program that controls the peeling process in the peeling system 1. Further, the program storage unit also stores a program for controlling the operation of drive systems such as various processing devices and transfer devices to realize the peeling process in the peeling system 1. The program may be recorded on a computer-readable storage medium H and may be installed on the control device 40 from the storage medium H.
＜レーザ照射装置の構成＞
次に、上述したレーザ照射装置３２について説明する。図４は、レーザ照射装置３２の構成の概略を示す側面図である。図５は、レーザ照射装置３２の構成の概略を示す平面図である。
<Construction of laser irradiation device>
Next, the above-mentioned laser irradiation device 32 will be described. FIG. 4 is a side view showing an outline of the configuration of the laser irradiation device 32. FIG. 5 is a plan view showing an outline of the configuration of the laser irradiation device 32.
レーザ照射装置３２は、重合ウェハＴを上面で保持するチャック１００を有している。チャック１００は、ダイシングフレームＦに固定された重合ウェハＴを吸着保持する。チャック１００は、エアベアリング１０１を介して、スライダテーブル１０２に支持されている。スライダテーブル１０２の下面側には、回転機構１０３が設けられている。回転機構１０３は、駆動源として例えばモータを内蔵している。チャック１００は、回転機構１０３によってエアベアリング１０１を介して、θ軸（鉛直軸）回りに回転自在に構成されている。スライダテーブル１０２は、その下面側に設けられた移動機構１０４によって、基台１０６に設けられＹ軸方向に延伸するレール１０５に沿って移動可能に構成されている。なお、移動機構１０４の駆動源は特に限定されるものではないが、例えばリニアモータが用いられる。 The laser irradiation device 32 has a chuck 100 that holds the polymerized wafer T on the upper surface. The chuck 100 attracts and holds the polymerized wafer T fixed to the dicing frame F. The chuck 100 is supported by the slider table 102 via an air bearing 101. A rotation mechanism 103 is provided on the lower surface side of the slider table 102. The rotation mechanism 103 has, for example, a built-in motor as a drive source. The chuck 100 is rotatably configured around the θ axis (vertical axis) by the rotation mechanism 103 via the air bearing 101. The slider table 102 is configured to be movable along a rail 105 provided on the base 106 and extending in the Y-axis direction by a moving mechanism 104 provided on the lower surface side thereof. The drive source of the moving mechanism 104 is not particularly limited, but for example, a linear motor is used.
チャック１００の上方には、赤外光照射部としてのレーザヘッド１１０が設けられている。レーザヘッド１１０は、レンズ１１１を有している。レンズ１１１は、レーザヘッド１１０の下面に設けられた筒状の部材であり、チャック１００に保持された重合ウェハＴにレーザ光を照射する。本実施形態ではレーザ光は赤外光であり、レーザヘッド１１０から発せられた赤外光は支持ウェハＳを透過し、接着剤Ｇに照射される。 A laser head 110 as an infrared light irradiation unit is provided above the chuck 100. The laser head 110 has a lens 111. The lens 111 is a tubular member provided on the lower surface of the laser head 110, and irradiates the polymerized wafer T held by the chuck 100 with laser light. In the present embodiment, the laser light is infrared light, and the infrared light emitted from the laser head 110 passes through the support wafer S and irradiates the adhesive G.
レーザヘッド１１０には、例えばガルバノが用いられる。図６に示すようにレーザヘッド１１０の内部には、ガルバノミラー１１２が複数配置されている。また、レンズ１１１にはｆ−θレンズが用いられる。かかる構成により、レーザヘッド１１０に入力された赤外光Ｌｉｒは、ガルバノミラー１１２で反射され、レンズ１１１へと伝播され、支持ウェハＳを介して接着剤Ｇに照射される。そして、ガルバノミラー１１２の角度を調整することで、接着剤Ｇに対して赤外光Ｌｉｒを走査させることができる。 For the laser head 110, for example, galvano is used. As shown in FIG. 6, a plurality of galvanometer mirrors 112 are arranged inside the laser head 110. Further, an f−θ lens is used for the lens 111. With this configuration, the infrared light Lir input to the laser head 110 is reflected by the galvanometer mirror 112, propagated to the lens 111, and irradiated to the adhesive G via the support wafer S. Then, by adjusting the angle of the galvanometer mirror 112, the infrared light Lir can be scanned by the adhesive G.
なお、レーザヘッド１１０は、昇降機構（図示せず）によって昇降自在に構成されている。 The laser head 110 is configured to be able to move up and down by an elevating mechanism (not shown).
＜剥離システムの動作＞
次に、以上のように構成された剥離システム１を用いて行われる剥離処理について説明する。図７は、剥離処理の主な工程を示すフロー図である。
<Operation of peeling system>
Next, the peeling process performed by using the peeling system 1 configured as described above will be described. FIG. 7 is a flow chart showing the main steps of the peeling process.
先ず、複数の重合ウェハＴを収納したカセットＣｔが、搬入出ステーション１０のカセット載置台１１に載置される。この際、重合ウェハＴはダイシングフレームＦに固定されている。 First, the cassette Ct containing the plurality of polymerized wafers T is placed on the cassette mounting table 11 of the loading / unloading station 10. At this time, the polymerization wafer T is fixed to the dicing frame F.
次に、ウェハ搬送装置２２の第１の搬送アーム２３により、カセットＣｔ内の重合ウェハＴが取り出され、アライメント装置３１に搬送される。アライメント装置３１では、先ず、ＩＲカメラを用いて、デバイスウェハＷのパターン、すなわちダイＷｄ及びスクライブラインＷｓのパターンを検出する（図７のステップＡ１）。続いて、パターンの検出結果に基づいて、重合ウェハＴの位置調整（アライメント）を行う（図７のステップＡ２）。 Next, the polymerized wafer T in the cassette Ct is taken out by the first transfer arm 23 of the wafer transfer device 22, and is transferred to the alignment device 31. The alignment device 31 first detects the pattern of the device wafer W, that is, the pattern of the die Wd and the scribe line Ws by using an IR camera (step A1 in FIG. 7). Subsequently, the position of the polymerized wafer T is adjusted (aligned) based on the pattern detection result (step A2 in FIG. 7).
次に、ウェハ搬送装置２２の第１の搬送アーム２３により、重合ウェハＴはレーザ照射装置３２に搬送される。レーザ照射装置３２に搬入された重合ウェハＴは、チャック１００に保持され、さらに移動機構１０４によって処理位置に配置される。この際、上述したステップＡ１におけるデバイスウェハＷのパターンの検出結果に基づいて、重合ウェハＴの偏心制御と周方向の位置調整が行われる。 Next, the polymerized wafer T is transferred to the laser irradiation device 32 by the first transfer arm 23 of the wafer transfer device 22. The polymerized wafer T carried into the laser irradiation device 32 is held by the chuck 100 and further arranged at the processing position by the moving mechanism 104. At this time, based on the detection result of the pattern of the device wafer W in step A1 described above, the eccentricity control of the polymerized wafer T and the position adjustment in the circumferential direction are performed.
続いて図８に示すように、回転機構１０３によって重合ウェハＴを回転させながら、レーザヘッド１１０から重合ウェハＴの外縁部に赤外光Ｌｉｒを照射する。ここで、図９の点線に示すように接着剤Ｇが重合ウェハＴより側方にはみ出している場合、後述する剥離装置３３においてブレード１４０を適切な位置に挿入されない場合がある。そこで、本実施形態では、重合ウェハＴの外縁部に赤外光Ｌｉｒを照射することによって、重合ウェハＴより側方にはみ出した接着剤Ｇを除去する（図７のステップＡ３）。具体的には、図９に示すように接着剤Ｇの端部が、支持ウェハＳのベベル部（湾曲部）の端部に位置するのが好ましい。 Subsequently, as shown in FIG. 8, the laser head 110 irradiates the outer edge of the polymerized wafer T with infrared light Lir while rotating the polymerized wafer T by the rotation mechanism 103. Here, when the adhesive G protrudes laterally from the polymerization wafer T as shown by the dotted line in FIG. 9, the blade 140 may not be inserted at an appropriate position in the peeling device 33 described later. Therefore, in the present embodiment, the outer edge portion of the polymerized wafer T is irradiated with infrared light Lir to remove the adhesive G protruding laterally from the polymerized wafer T (step A3 in FIG. 7). Specifically, as shown in FIG. 9, it is preferable that the end portion of the adhesive G is located at the end portion of the bevel portion (curved portion) of the support wafer S.
続いて図１０に示すように、レーザヘッド１１０から支持ウェハＳを介して接着剤Ｇに赤外光Ｌｉｒを照射し、さらに接着剤Ｇに対して赤外光Ｌｉｒを走査させて、当該接着剤Ｇの表面を変質させる（図７のステップＡ４）。具体的には、図１１及び図１２に示すように、デバイスウェハＷのスクライブラインＷｓ及び外周部Ｗｅに対応する位置の、接着剤Ｇｓ、Ｇｅに赤外光Ｌｉｒを照射して変質させる。以下、スクライブラインＷｓに対応する位置の接着剤ＧｓをスクライブラインＧｓとし、外周部Ｗｅに対応する位置の接着剤Ｇｅを外周部Ｇｅとする。図１３は、接着剤ＧのスクライブラインＧｓと外周部Ｇｅを変質させる様子を示す説明図である。 Subsequently, as shown in FIG. 10, the adhesive G is irradiated with infrared light Lir from the laser head 110 via the support wafer S, and the adhesive G is further scanned with infrared light Lir to scan the adhesive. The surface of G is altered (step A4 in FIG. 7). Specifically, as shown in FIGS. 11 and 12, the adhesives Gs and Ge at positions corresponding to the scribe lines Ws and the outer peripheral portion We of the device wafer W are irradiated with infrared light Lir to change the quality. Hereinafter, the adhesive Gs at the position corresponding to the scribe line Ws will be referred to as the scribe line Gs, and the adhesive Ge at the position corresponding to the outer peripheral portion We will be referred to as the outer peripheral portion Ge. FIG. 13 is an explanatory view showing how the scribe lines Gs of the adhesive G and the outer peripheral portion Ge are altered.
先ず、図１３（ａ）に示すように、回転機構１０３によって重合ウェハＴを回転させながら、レーザヘッド１１０から接着剤Ｇの外周部Ｇｅに赤外光Ｌｉｒを照射する。そして、外周部Ｇｅが変質する。なお、この際、赤外光Ｌｉｒの照射位置を径方向に移動させてもよい。すなわち、赤外光Ｌｉｒを複数の環状に照射して、外周部Ｇｅにおいて変質部分を複数の環状に形成してもよい。あるいは、重合ウェハＴを回転させながら赤外光Ｌｉｒの照射位置を径方向に移動させて、外周部Ｇｅにおいて変質部分を螺旋状に形成してもよい。 First, as shown in FIG. 13A, the laser head 110 irradiates the outer peripheral Ge of the adhesive G with infrared light Lir while rotating the polymerized wafer T by the rotation mechanism 103. Then, the outer peripheral portion Ge is altered. At this time, the irradiation position of the infrared light Lir may be moved in the radial direction. That is, infrared light Lir may be irradiated in a plurality of rings to form the altered portion in the outer peripheral Ge in a plurality of rings. Alternatively, the irradiation position of the infrared light Lir may be moved in the radial direction while rotating the polymerization wafer T to spirally form the altered portion on the outer peripheral portion Ge.
次に、接着剤ＧのスクライブラインＧｓに赤外光Ｌｉｒを照射して変質させる。本実施形態では、図１３（ｂ）〜（ｅ）に示すように、接着剤Ｇを４分割し、各エリアＧ１〜Ｇ４を変質させる。すなわち、先ず、図１３（ｂ）に示すように接着剤Ｇの第１のエリアＧ１において、赤外光ＬｉｒをスクライブラインＧｓに沿って走査させ、当該スクライブラインＧｓを変質させる。その後、図１３（ｃ）に示すように重合ウェハＴを９０度回転させ、第２のエリアＧ２において、赤外光ＬｉｒをスクライブラインＧｓに沿って走査させ、当該スクライブラインＧｓを変質させる。これを繰り返すことによって、図１３（ｄ）に示すように第３のエリアＧ３におけるスクライブラインＧｓを変質させ、さらに図１３（ｅ）に示すように第４のエリアＧ４におけるスクライブラインＧｓを変質させる。こうして、接着剤Ｇの全面におけるスクライブラインＧｓが変質する。 Next, the scribe lines Gs of the adhesive G are irradiated with infrared light Lir to change the quality. In the present embodiment, as shown in FIGS. 13 (b) to 13 (e), the adhesive G is divided into four parts, and the areas G1 to G4 are altered. That is, first, as shown in FIG. 13B, in the first area G1 of the adhesive G, the infrared light Lir is scanned along the scribe line Gs to alter the scribe line Gs. Then, as shown in FIG. 13C, the polymerization wafer T is rotated by 90 degrees, and in the second area G2, the infrared light Lir is scanned along the scribe line Gs to alter the scribe line Gs. By repeating this, the scribe line Gs in the third area G3 is altered as shown in FIG. 13 (d), and further, the scribe line Gs in the fourth area G4 is altered as shown in FIG. 13 (e). .. In this way, the scribe lines Gs on the entire surface of the adhesive G are altered.
なお、本実施形態では、４つのエリアＧ１〜Ｇ４毎に接着剤Ｇを変質させたが、分割する数はこれに限定されない。また、接着剤Ｇを分割せず、１回の赤外光Ｌｉｒの照射で、接着剤Ｇの全面におけるスクライブラインＧｓを変質させてもよい。 In the present embodiment, the adhesive G is altered for each of the four areas G1 to G4, but the number of divisions is not limited to this. Further, the scribe lines Gs on the entire surface of the adhesive G may be altered by one irradiation of infrared light Lir without dividing the adhesive G.
但し、装置構成上、ガルバノミラー１１２の角度がある範囲で決まっているため、１回の赤外線照射で接着剤Ｇをカバーしようとすると、レーザヘッド１１０を上方に配置する必要がある。この場合、剥離装置３３の高さが高くなり、大型化する。また、ｆ−θレンズであるレンズ１１１の大きさは概ね、接着剤Ｇの径を分割数で割った大きさになるため、赤外光Ｌｉｒを照射する際の接着剤Ｇの分割数が少ないと、その分レンズ１１１が大きくなる。この場合、レンズ１１１が高価になり、剥離装置３３のコストが増加する。以上より、接着剤Ｇを複数のエリアに分割して、エリアごとに赤外光Ｌｉｒを照射するのが好ましい。 However, since the angle of the galvano mirror 112 is determined within a certain range due to the device configuration, it is necessary to arrange the laser head 110 upward when trying to cover the adhesive G with one infrared irradiation. In this case, the height of the peeling device 33 becomes high, and the size increases. Further, since the size of the lens 111, which is an f−θ lens, is generally the size obtained by dividing the diameter of the adhesive G by the number of divisions, the number of divisions of the adhesive G when irradiating infrared light Lir is small. Then, the lens 111 becomes larger by that amount. In this case, the lens 111 becomes expensive and the cost of the peeling device 33 increases. From the above, it is preferable to divide the adhesive G into a plurality of areas and irradiate each area with infrared light Lir.
また、スクライブラインＧｓに照射される赤外光Ｌｉｒの形状は、丸形状であってもよいし、矩形状であってもよい。さらに、例えばスクライブラインＧｓの幅に対して赤外光Ｌｉｒの径が小さい場合には、１つのスクライブラインＧｓに対して複数回赤外光Ｌｉｒを照射してもよい。赤外光Ｌｉｒの形状や照射方法は任意に設定することができる。 Further, the shape of the infrared light Lir irradiated to the scribe lines Gs may be a round shape or a rectangular shape. Further, for example, when the diameter of the infrared light Lir is smaller than the width of the scribe line Gs, one scribe line Gs may be irradiated with the infrared light Lir a plurality of times. The shape and irradiation method of the infrared light Lir can be arbitrarily set.
また、上述したステップＡ１において、デバイスウェハＷのダイＷｄ及びスクライブラインＷｓのパターンが検出されており、ステップＡ４ではこの検出結果に基づいて、赤外光Ｌｉｒを照射する位置を制御してもよい。かかる場合、デバイスウェハＷ毎に照射位置を制御できるので、接着剤ＧのスクライブラインＧｓと外周部Ｇｅを適切に変質させることができる。但し、予め定められた設計値に基づいて、赤外光Ｌｉｒの照射位置を制御してもよく、かかる方法も本開示の範囲内である。 Further, in step A1 described above, the pattern of the die Wd and the scribe line Ws of the device wafer W is detected, and in step A4, the position of irradiating the infrared light Lir may be controlled based on the detection result. .. In such a case, since the irradiation position can be controlled for each device wafer W, the scribe lines Gs of the adhesive G and the outer peripheral portion Ge can be appropriately altered. However, the irradiation position of the infrared light Lir may be controlled based on a predetermined design value, and such a method is also within the scope of the present disclosure.
また、本実施形態では、接着剤Ｇの外周部Ｇｅを変質させた後、スクライブラインＧｓを変質させたが、この順序は逆であってもよい。すなわち、スクライブラインＧｓを変質させた後、外周部Ｇｅを変質させてもよい。 Further, in the present embodiment, the outer peripheral portion Ge of the adhesive G is altered, and then the scribe lines Gs are altered, but the order may be reversed. That is, after the scribe line Gs is altered, the outer peripheral Ge may be altered.
以上のようにステップＡ４では、接着剤ＧのスクライブラインＧｓと外周部Ｇｅを変質させることで、デバイスウェハＷと支持ウェハＳの接合強度を低下させることができ、後述するステップＡ５における剥離力を低下させることができる。また、赤外光Ｌｉｒは、回路が形成されていない部分にのみ照射され、回路が形成されている部分には照射されない。このため、デバイス層Ｄが損傷を被るのを抑制することができる。 As described above, in step A4, the bonding strength between the device wafer W and the support wafer S can be reduced by altering the scribe line Gs of the adhesive G and the outer peripheral portion Ge, and the peeling force in step A5 described later can be reduced. Can be lowered. Further, the infrared light Lir is irradiated only to the portion where the circuit is not formed, and is not irradiated to the portion where the circuit is formed. Therefore, it is possible to prevent the device layer D from being damaged.
次に、ウェハ搬送装置２２の第１の搬送アーム２３により、重合ウェハＴは剥離装置３３に搬送される。剥離装置３３では、重合ウェハＴに力を作用させ、重合ウェハＴをデバイスウェハＷと支持ウェハＳに剥離する（図７のステップＡ５）。図１４は、デバイスウェハＷと支持ウェハＳを剥離する様子を示す説明図である。 Next, the polymerized wafer T is transferred to the peeling device 33 by the first transfer arm 23 of the wafer transfer device 22. In the peeling device 33, a force is applied to the polymerized wafer T to peel the polymerized wafer T onto the device wafer W and the support wafer S (step A5 in FIG. 7). FIG. 14 is an explanatory view showing how the device wafer W and the support wafer S are peeled off.
先ず、図１４（ａ）に示すようにダイシングテープＰを介してデバイスウェハＷの全面を第１保持部１２０で吸着保持するとともに、支持ウェハＳを第２保持部１３０で吸着保持する。第２保持部１３０は、変形自在の薄板状の弾性部材１３１と、支持ウェハＳを吸着保持する複数の吸着部１３２とを有している。なお、複数の吸着部１３２の配置と個数は任意に設定することができる。また、複数の吸着部１３２に代えて、変形自在で、支持ウェハＳを全面で吸着する吸着部を用いてもよい。 First, as shown in FIG. 14A, the entire surface of the device wafer W is sucked and held by the first holding portion 120 via the dicing tape P, and the support wafer S is sucked and held by the second holding portion 130. The second holding portion 130 has a deformable thin plate-shaped elastic member 131 and a plurality of suction portions 132 that suck and hold the support wafer S. The arrangement and number of the plurality of suction portions 132 can be arbitrarily set. Further, instead of the plurality of suction portions 132, a suction portion that is deformable and sucks the support wafer S on the entire surface may be used.
次に、図１４（ａ）に示すようにブレード１４０をデバイスウェハＷと支持ウェハＳの接合界面に挿入する。より詳細には、図１５（ａ）に示すようにブレード１４０を支持ウェハＳと接着剤Ｇの界面に挿入する。そして、ブレード１４０をさらに前進させると、一端部Ｓ１側の側面において支持ウェハＳと接着剤Ｇとの間に、剥離のきっかけとなる剥離開始部Ｍが形成される。この剥離開始部Ｍから、支持ウェハＳの剥離が開始する。なお、ブレード１４０の数は複数でもよい。 Next, as shown in FIG. 14A, the blade 140 is inserted into the bonding interface between the device wafer W and the support wafer S. More specifically, as shown in FIG. 15A, the blade 140 is inserted into the interface between the support wafer S and the adhesive G. Then, when the blade 140 is further advanced, a peeling start portion M that triggers peeling is formed between the support wafer S and the adhesive G on the side surface of one end portion S1 side. The peeling of the support wafer S starts from the peeling start portion M. The number of blades 140 may be plural.
ここで、上述したようにステップＡ１において、重合ウェハＴより側方にはみ出した接着剤Ｇが除去されている。仮に図１５（ｂ）に示すように接着剤Ｇが重合ウェハＴより側方にはみ出していると、ブレード１４０が適切な位置に挿入されず、上記剥離開始部Ｍが形成されない。したがって、本実施形態のようにステップＡ１を行うことで、ブレード１４０の挿入を安定して行うことができる。 Here, as described above, in step A1, the adhesive G protruding laterally from the polymerization wafer T is removed. If the adhesive G protrudes laterally from the polymerized wafer T as shown in FIG. 15B, the blade 140 is not inserted at an appropriate position and the peeling start portion M is not formed. Therefore, by performing step A1 as in the present embodiment, the blade 140 can be stably inserted.
次に、図１４（ｂ）に示すように一端部Ｓ１側の吸着部１３２を上昇させる。そうすると、剥離開始部Ｍを基点に、支持ウェハＳが一端部Ｓ１から他端部Ｓ２に向けて順次剥離する。そして、図１４（ｃ）に示すように、他端部Ｓ２側の吸着部１３２も上昇させて、支持ウェハＳがその全面においてデバイスウェハＷから剥離する。この際、ステップＡ４において接着剤ＧのスクライブラインＧｓと外周部Ｇｅを変質させることで、デバイスウェハＷと支持ウェハＳの接合強度が低下しているので、小さい剥離力でデバイスウェハＷから支持ウェハＳを剥離することができる。 Next, as shown in FIG. 14B, the suction portion 132 on the one end portion S1 side is raised. Then, the support wafer S is sequentially peeled from the one end portion S1 toward the other end portion S2 with the peeling start portion M as the base point. Then, as shown in FIG. 14C, the suction portion 132 on the other end S2 side is also raised, and the support wafer S is peeled from the device wafer W on the entire surface thereof. At this time, since the bonding strength between the device wafer W and the support wafer S is lowered by altering the scribing line Gs of the adhesive G and the outer peripheral portion Ge in step A4, the support wafer is removed from the device wafer W with a small peeling force. S can be peeled off.
次に、ウェハ搬送装置２２の第１の搬送アーム２３により、剥離後のデバイスウェハＷは第１の洗浄装置３４に搬送される。第１の洗浄装置３４では、デバイスウェハＷに残存する接着剤Ｇを除去して、表面Ｗａがスピン洗浄される（図７のステップＡ６）。このステップＡ６では、接着剤ＧのスクライブラインＧｓと外周部Ｇｅは変質しており、洗浄も容易となる。このため、従来用の接着剤Ｇを変質させない場合に比べて、洗浄時間を短縮することができる。さらに、スピン洗浄で用いられる洗浄液の量も低減することも可能となる。 Next, the device wafer W after peeling is transferred to the first cleaning device 34 by the first transfer arm 23 of the wafer transfer device 22. In the first cleaning device 34, the adhesive G remaining on the device wafer W is removed, and the surface Wa is spin-cleaned (step A6 in FIG. 7). In this step A6, the scribe lines Gs of the adhesive G and the outer peripheral Ge are denatured, and cleaning becomes easy. Therefore, the cleaning time can be shortened as compared with the case where the conventional adhesive G is not deteriorated. Further, it is possible to reduce the amount of the cleaning liquid used in the spin cleaning.
その後、すべての処理が施されたデバイスウェハＷは、ウェハ搬送装置２２の第１の搬送アーム２３によりカセット載置台１１のカセットＣｗに搬送される。 After that, the device wafer W that has been subjected to all the processing is transferred to the cassette Cw of the cassette mounting table 11 by the first transfer arm 23 of the wafer transfer device 22.
以上のように剥離後のデバイスウェハＷに対してステップＡ６が行われるのに並行して、剥離後の支持ウェハＳにも所望の処理が行われる。 As described above, in parallel with the step A6 being performed on the device wafer W after peeling, the desired processing is also performed on the support wafer S after peeling.
すなわち、ウェハ搬送装置２２の第２の搬送アーム２４により、剥離後の支持ウェハＳは、反転装置３６に搬送される。反転装置３６では、支持ウェハＳの表裏面が反転される（図７のステップＡ７）。 That is, the support wafer S after peeling is transferred to the reversing device 36 by the second transfer arm 24 of the wafer transfer device 22. In the reversing device 36, the front and back surfaces of the support wafer S are reversed (step A7 in FIG. 7).
次に、ウェハ搬送装置２２の第２の搬送アーム２４により、支持ウェハＳは第２の洗浄装置３５に搬送される。第２の洗浄装置３５では、支持ウェハＳに残存する接着剤Ｇを除去して、表面Ｓａがスピン洗浄される（図７のステップＡ８）。 Next, the support wafer S is transferred to the second cleaning device 35 by the second transfer arm 24 of the wafer transfer device 22. In the second cleaning device 35, the adhesive G remaining on the support wafer S is removed, and the surface Sa is spin-cleaned (step A8 in FIG. 7).
その後、すべての処理が施された支持ウェハＳは、ウェハ搬送装置２２の第２の搬送アーム２４によりカセット載置台１１のカセットＣｓに搬送される。こうして、剥離システム１における一連の剥離処理が終了する。 After that, the support wafer S that has been subjected to all the processing is transferred to the cassette Cs of the cassette mounting table 11 by the second transfer arm 24 of the wafer transfer device 22. In this way, a series of peeling processes in the peeling system 1 are completed.
以上の実施形態によれば、ＩＲレーザ剥離とメカニカル剥離を組み合わせることで、重合ウェハＴから支持ウェハＳを適切に、且つ効率よく剥離することができる。 According to the above embodiment, the support wafer S can be appropriately and efficiently peeled from the polymerized wafer T by combining the IR laser peeling and the mechanical peeling.
すなわち、メカニカル剥離を単独で行った場合の、上述した短所を改善することができる。本実施形態によれば、ステップＡ５における剥離力を小さくでき、デバイスウェハＷにかかる負荷を低減することができる。また、剥離力が小さくて済むので、ブレード１４０の選定及び調整が容易で、ブレード１４０の消耗を抑えてメンテナンス頻度を低減することができる。さらに、本実施形態では接着剤Ｇが１層であり、剥離後の接着剤Ｇの除去洗浄を短時間で行うことができる。 That is, the above-mentioned disadvantages when the mechanical peeling is performed alone can be improved. According to this embodiment, the peeling force in step A5 can be reduced, and the load applied to the device wafer W can be reduced. Further, since the peeling force is small, the blade 140 can be easily selected and adjusted, and the consumption of the blade 140 can be suppressed and the maintenance frequency can be reduced. Further, in the present embodiment, the adhesive G is one layer, and the removal and cleaning of the adhesive G after peeling can be performed in a short time.
また、ＩＲレーザ剥離を単独で行った場合の、上述した短所も改善することができる。本実施形態によれば、ステップＡ４において赤外光Ｌｉｒを用いているが、赤外光Ｌｉｒは、回路が形成されていない部分にのみ照射され、回路が形成されている部分には照射されない。このため、デバイス層Ｄが損傷を被るのを抑制することができる。 In addition, the above-mentioned disadvantages when the IR laser peeling is performed alone can be improved. According to the present embodiment, the infrared light Lir is used in step A4, but the infrared light Lir is irradiated only to the portion where the circuit is not formed and is not irradiated to the portion where the circuit is formed. Therefore, it is possible to prevent the device layer D from being damaged.
さらに、ＵＶレーザ剥離を行っておらず、支持ウェハＳにガラス基板を用いる必要がなく、シリコンウェハが用いられるため、デバイスウェハＷと支持ウェハＳの熱膨張係数の差が生じない。そうすると、例えば熱処理を行っても、デバイスウェハＷと支持ウェハＳで熱変形に差が生じず、適切な接合状態を維持することができる。また、シリコンウェハはガラス基板より安価であり、コストを低減することができる。 Further, since UV laser peeling is not performed, it is not necessary to use a glass substrate for the support wafer S, and a silicon wafer is used, there is no difference in the coefficient of thermal expansion between the device wafer W and the support wafer S. Then, for example, even if heat treatment is performed, there is no difference in thermal deformation between the device wafer W and the support wafer S, and an appropriate bonded state can be maintained. Further, the silicon wafer is cheaper than the glass substrate, and the cost can be reduced.
＜変質パターンの他の実施形態＞
以上の実施形態では、ステップＡ４において、接着剤ＧのスクライブラインＧｓと外周部Ｇｅに赤外光Ｌｉｒを照射して変質したが、接着剤Ｇの変質パターンはこれに限定されない。図１６は、他の実施形態にかかる接着剤Ｇの変質パターンを示す説明図である。
<Other embodiments of alteration pattern>
In the above embodiment, in step A4, the scribe lines Gs of the adhesive G and the outer peripheral Ge are irradiated with infrared light Lir to be altered, but the alteration pattern of the adhesive G is not limited to this. FIG. 16 is an explanatory diagram showing a alteration pattern of the adhesive G according to another embodiment.
図１６（ａ）に示すように接着剤Ｇの外周部Ｇｅに赤外光Ｌｉｒを照射せず、スクライブラインＧｓのみに赤外光Ｌｉｒを照射して変質させてもよい。また、図１６（ｂ）に示すように接着剤ＧのスクライブラインＧｓにおいて、中央部に赤外光Ｌｉｒを照射せず、外周部のみに赤外光Ｌｉｒを照射して変質させてもよい。 As shown in FIG. 16A, the outer peripheral portion Ge of the adhesive G may not be irradiated with the infrared light Lir, and only the scribe line Gs may be irradiated with the infrared light Lir to change the quality. Further, as shown in FIG. 16B, in the scribe line Gs of the adhesive G, the central portion may not be irradiated with the infrared light Lir, and only the outer peripheral portion may be irradiated with the infrared light Lir to change the quality.
図１６（ｃ）に示すように接着剤ＧのスクライブラインＧｓの一端部Ｓ１側のみに赤外光Ｌｉｒを照射して変質させてもよい。この一端部Ｓ１は、ステップＡ５においてブレード１４０が挿入される位置である。そして、一端部Ｓ１の剥離力を低下させることで、ブレード１４０を挿入しやすくなり、剥離開始部Ｍを形成しやすくなる。 As shown in FIG. 16C, infrared light Lir may be irradiated only on one end S1 side of the scribe line Gs of the adhesive G to change the quality. This one end portion S1 is a position where the blade 140 is inserted in step A5. Then, by reducing the peeling force of one end portion S1, the blade 140 can be easily inserted, and the peeling start portion M can be easily formed.
図１６（ｄ）に示すように、ステップＡ５における一端部Ｓ１から他端部Ｓ２に向かう剥離方向Ｊに沿った、接着剤ＧのスクライブラインＧｓのみに赤外線を照射して変質させてもよい。かかる場合、ステップＡ５でデバイスウェハＷから支持ウェハＳを剥離する際、剥離方向Ｊの剥離力が小さくなるので、当該剥離処理を容易に行うことができる。 As shown in FIG. 16D, only the scribe lines Gs of the adhesive G along the peeling direction J from one end S1 to the other end S2 in step A5 may be altered by irradiating infrared rays. In such a case, when the support wafer S is peeled from the device wafer W in step A5, the peeling force in the peeling direction J becomes small, so that the peeling process can be easily performed.
図１６（ｄ）に示すように、ステップＡ５における一端部Ｓ１から他端部Ｓ２に向かう剥離方向Ｊと直交する方向に沿った、接着剤ＧのスクライブラインＧｓのみに赤外線を照射して変質させてもよい。ステップＡ５における支持ウェハＳの剥離面は、この剥離方向Ｊと直交する方向になる。図１６（ｅ）に示す例では、剥離面に沿った方向の剥離力が小さくなるので、当該剥離処理を容易に行うことができる。 As shown in FIG. 16D, only the scribe lines Gs of the adhesive G along the direction orthogonal to the peeling direction J from one end S1 to the other end S2 in step A5 are irradiated with infrared rays to be altered. You may. The peeling surface of the support wafer S in step A5 is in a direction orthogonal to the peeling direction J. In the example shown in FIG. 16E, the peeling force in the direction along the peeling surface becomes small, so that the peeling process can be easily performed.
以上、図１６に示した接着剤Ｇの変質パターンは一例である。接着剤Ｇを変質させる面積が大きくなれば、剥離力が小さくなり剥離処理に有利である。一方、接着剤Ｇを変質させる面積が大きくなれば、それだけ赤外光Ｌｉｒを照射する時間がかかる。したがって、接着剤Ｇの変質パターンは、処理時間（タクト）と剥離力を複合的に判断して決定するのが良い。 As described above, the alteration pattern of the adhesive G shown in FIG. 16 is an example. If the area where the adhesive G is altered becomes large, the peeling force becomes small, which is advantageous for the peeling treatment. On the other hand, the larger the area for deteriorating the adhesive G, the longer it takes to irradiate the infrared light Lir. Therefore, the alteration pattern of the adhesive G should be determined by comprehensively judging the treatment time (tact) and the peeling force.
＜レーザ照射方法の他の実施形態＞
以上の実施形態のレーザ照射装置３２では、チャック１００はθ軸回りに回転自在で、一軸（Ｙ軸）方向に移動自在であったが、二軸（Ｘ軸及びＹ軸）に移動させてもよい。図１７は、他の実施形態にかかるレーザ照射装置２００の構成の概略を示す側面図である。図１８は、他の実施形態にかかるレーザ照射装置２００の構成の概略を示す平面図である。
<Other Embodiments of Laser Irradiation Method>
In the laser irradiation device 32 of the above embodiment, the chuck 100 is rotatable around the θ axis and movable in the uniaxial (Y axis) direction, but can be moved in the biaxial (X axis and Y axis). Good. FIG. 17 is a side view showing an outline of the configuration of the laser irradiation device 200 according to another embodiment. FIG. 18 is a plan view showing an outline of the configuration of the laser irradiation device 200 according to another embodiment.
レーザ照射装置２００は、重合ウェハＴを上面で保持するチャック２１０を有している。チャック２１０は、ダイシングフレームＦに固定された重合ウェハＴを吸着保持する。チャック２１０は、エアベアリング２１１を介して、スライダテーブル２１２に支持されている。スライダテーブル２１２の下面側には、回転機構２１３が設けられている。回転機構２１３は、駆動源として例えばモータを内蔵している。チャック２１０は、回転機構２１３によってエアベアリング２１１を介して、θ軸（鉛直軸）回りに回転自在に構成されている。スライダテーブル２１２は、その下面側に設けられた移動機構２１４によって、移動ステージ２１６に設けられＹ軸方向に延伸するレール２１５に沿って移動可能に構成されている。なお、移動機構２１４の駆動源は特に限定されるものではないが、例えばリニアモータが用いられる。 The laser irradiation device 200 has a chuck 210 that holds the polymerized wafer T on the upper surface. The chuck 210 attracts and holds the polymerized wafer T fixed to the dicing frame F. The chuck 210 is supported by the slider table 212 via an air bearing 211. A rotation mechanism 213 is provided on the lower surface side of the slider table 212. The rotation mechanism 213 has, for example, a built-in motor as a drive source. The chuck 210 is rotatably configured around the θ axis (vertical axis) by the rotation mechanism 213 via the air bearing 211. The slider table 212 is configured to be movable along a rail 215 provided on the moving stage 216 and extending in the Y-axis direction by a moving mechanism 214 provided on the lower surface side thereof. The drive source of the moving mechanism 214 is not particularly limited, but for example, a linear motor is used.
移動ステージ２１６は、その下面側に設けられた移動機構（図示せず）によって、基台２１８に設けられＸ軸に延伸するレール２１７に沿って移動可能に構成されている。なお、移動機構の駆動源は特に限定されるものではないが、例えばリニアモータが用いられる。かかる構成により、チャック１００は、θ軸回りに回転自在であり、且つＸ軸及びＹ軸に移動自在になっている。 The moving stage 216 is configured to be movable along a rail 217 provided on the base 218 and extending along the X axis by a moving mechanism (not shown) provided on the lower surface side thereof. The drive source of the moving mechanism is not particularly limited, but for example, a linear motor is used. With this configuration, the chuck 100 is rotatable around the θ axis and is movable around the X axis and the Y axis.
チャック２１０の上方には、赤外光照射部としてのレーザヘッド２２０が設けられている。レーザヘッド１１０は、レンズ２２１を有している。レーザヘッド２２０とレンズ２２１の構成は、上記実施形態のレーザヘッド１１０とレンズ１１１と同様である。 A laser head 220 as an infrared light irradiation unit is provided above the chuck 210. The laser head 110 has a lens 221. The configuration of the laser head 220 and the lens 221 is the same as that of the laser head 110 and the lens 111 of the above embodiment.
かかるレーザ照射装置２００でステップＡ４を行う際にも、図１３に示したように接着剤ＧのスクライブラインＧｓと外周部Ｇｅを形成する。図１３（ａ）に示したように外周部Ｇｅを変質させる方法は、上記実施形態のレーザ照射装置３２と同様であるので説明を省略する。 When step A4 is performed by the laser irradiation device 200, the scribe lines Gs of the adhesive G and the outer peripheral portion Ge are formed as shown in FIG. As shown in FIG. 13A, the method of altering the outer peripheral portion Ge is the same as that of the laser irradiation device 32 of the above embodiment, and thus the description thereof will be omitted.
また、スクライブラインＧｓを変質させる際にも、図１３（ｂ）〜（ｅ）に示したように接着剤Ｇを４分割し、各エリアＧ１〜Ｇ４を変質させる。但し、上記実施形態のレーザ照射装置３２では、重合ウェハＴを９０度回転させて、エリアＧ１〜Ｇ４をレーザヘッド１１０の下方に移動させた。これに対して、本実施形態のレーザ照射装置２００では、重合ウェハＴをＸ軸及びＹ軸に移動させて、エリアＧ１〜Ｇ４をレーザヘッド１１０の下方に移動させる。 Further, when the scribe lines Gs are altered, the adhesive G is divided into four as shown in FIGS. 13 (b) to 13 (e), and the areas G1 to G4 are altered. However, in the laser irradiation device 32 of the above embodiment, the polymerization wafer T is rotated by 90 degrees to move the areas G1 to G4 below the laser head 110. On the other hand, in the laser irradiation device 200 of the present embodiment, the polymerization wafer T is moved to the X-axis and the Y-axis, and the areas G1 to G4 are moved below the laser head 110.
本実施形態においても、上記実施形態と同様の効果を享受できる。しかも、重合ウェハＴ（チャック１００）を回転させないので、この回転に伴う重合ウェハの位置調整を省略することも可能である。但し、本実施形態のレーザ照射装置２００は、レーザ照射装置３２に比べて大型化する。 Also in this embodiment, the same effects as those in the above embodiment can be enjoyed. Moreover, since the polymerization wafer T (chuck 100) is not rotated, it is possible to omit the position adjustment of the polymerization wafer due to this rotation. However, the laser irradiation device 200 of the present embodiment is larger than the laser irradiation device 32.
以上の実施形態では、ＩＲレーザ剥離とメカニカル剥離を組み合わせて、重合ウェハＴから支持ウェハＳを剥離したが、さらにＵＶレーザ剥離を組み合わせてもよい。図１９は、他の実施形態にかかるレーザ照射装置２５０の構成の概略を示す側面図である。 In the above embodiment, the IR laser peeling and the mechanical peeling are combined to peel the support wafer S from the polymerization wafer T, but UV laser peeling may be further combined. FIG. 19 is a side view showing an outline of the configuration of the laser irradiation device 250 according to another embodiment.
レーザ照射装置２５０は、レーザ照射装置３２の構成に、さらに紫外光照射部としてのレーザヘッド２６０とレンズ２６１を加えた構成を有する。このため、レーザヘッド２６０とレンズ２６１以外の構成部材については、レーザ照射装置３２の構成部材と同じ符号を付して、その説明を省略する。 The laser irradiation device 250 has a configuration in which a laser head 260 and a lens 261 as an ultraviolet light irradiation unit are added to the configuration of the laser irradiation device 32. Therefore, the components other than the laser head 260 and the lens 261 are designated by the same reference numerals as the components of the laser irradiation device 32, and the description thereof will be omitted.
レーザヘッド２６０は、チャック１００の上方に設けられている。レーザヘッド２６０のレンズ２６１は、レーザヘッド１１０の下面に設けられた筒状の部材であり、チャック１００に保持された重合ウェハＴにレーザ光を照射する。本実施形態ではレーザヘッド２６０から照射されるレーザ光は紫外光である。また、本実施形態において支持ウェハＳには、紫外光を透過する材料が用いられ、例えばガラス基板が用いられる。そして、レーザヘッド２６０から発せられた紫外光は支持ウェハＳを透過し、接着剤Ｇに照射される。なお、レーザヘッド１１０から照射される赤外光も支持ウェハＳを透過する。 The laser head 260 is provided above the chuck 100. The lens 261 of the laser head 260 is a tubular member provided on the lower surface of the laser head 110, and irradiates the polymerized wafer T held by the chuck 100 with laser light. In the present embodiment, the laser light emitted from the laser head 260 is ultraviolet light. Further, in the present embodiment, a material that transmits ultraviolet light is used for the support wafer S, for example, a glass substrate is used. Then, the ultraviolet light emitted from the laser head 260 passes through the support wafer S and is irradiated to the adhesive G. Infrared light emitted from the laser head 110 also passes through the support wafer S.
かかるレーザ照射装置２５０でステップＡ４を行う場合、図２０に示すようにレーザヘッド１１０から支持ウェハＳを介して接着剤Ｇに赤外光Ｌｉｒを照射し、またレーザヘッド２６０から支持ウェハＳを介して接着剤Ｇに紫外光Ｌｕｖを照射する。なお、この赤外光Ｌｉｒと紫外光Ｌｕｖの照射順序はいずれが先でもよい。また、赤外光Ｌｉｒと紫外光Ｌｕｖを同時に照射してもよい。 When step A4 is performed by the laser irradiation device 250, the adhesive G is irradiated with infrared light Lir from the laser head 110 via the support wafer S as shown in FIG. 20, and the laser head 260 via the support wafer S. The adhesive G is irradiated with ultraviolet light Luv. The irradiation order of the infrared light Lir and the ultraviolet light Luv may be any first. Further, infrared light Lir and ultraviolet light Luv may be irradiated at the same time.
図２１及び図２２に示すように赤外光Ｌｉｒは、接着剤Ｇの接着剤ＧのスクライブラインＧｓと外周部Ｇｅに照射され、当該スクライブラインＧｓと外周部Ｇｅが変質する。この赤外光ＬｉｒによるスクライブラインＧｓと外周部Ｇｅの変質は、上記実施形態と同様である。 As shown in FIGS. 21 and 22, the infrared light Lir irradiates the scribe line Gs and the outer peripheral portion Ge of the adhesive G of the adhesive G, and the scribe line Gs and the outer peripheral portion Ge are altered. The alteration of the scribe lines Gs and the outer peripheral Ge by the infrared light Lir is the same as that of the above embodiment.
一方、紫外光Ｌｕｖは、デバイスウェハＷのダイＷｄに対応する位置の、接着剤Ｇｄに照射され、当該接着剤Ｇｄが変質する。以下、ダイＷｄに対応する位置の接着剤ＧｄをダイＧｄとする。このように紫外光Ｌｕｖを回路が形成されたダイＧｄに照射しても、紫外光Ｌｕｖは接着剤Ｇを透過せず、デバイス層Ｄの回路に到達することはない。 On the other hand, the ultraviolet light Luv irradiates the adhesive Gd at a position corresponding to the die Wd of the device wafer W, and the adhesive Gd is altered. Hereinafter, the adhesive Gd at the position corresponding to the die Wd will be referred to as the die Gd. Even if the ultraviolet light Luv is irradiated to the die Gd on which the circuit is formed in this way, the ultraviolet light Luv does not pass through the adhesive G and does not reach the circuit of the device layer D.
本実施形態においても、上記実施形態と同様の効果を享受することができる。しかも、赤外光Ｌｉｒによる接着剤Ｇの接着剤ＧのスクライブラインＧｓと外周部Ｇｅの変質に加えて、紫外光ＬｕｖによるダイＧｄも変質されるので、ステップＡ５における剥離力をさらに小さくすることができる。そして、紫外光Ｌｕｖは回路に到達しないので、デバイス層Ｄが損傷を被るのを抑制することもできる。 Also in this embodiment, the same effects as those in the above embodiment can be enjoyed. Moreover, in addition to the alteration of the scribing line Gs and the outer peripheral Ge of the adhesive G of the adhesive G by the infrared light Lir, the die Gd by the ultraviolet light Luv is also altered, so that the peeling force in step A5 is further reduced. Can be done. Further, since the ultraviolet light Luv does not reach the circuit, it is possible to prevent the device layer D from being damaged.
なお、本実施形態において、赤外光Ｌｉｒの照射を行わず、紫外光Ｌｕｖを接着剤ＧのスクライブラインＧｓ、外周部Ｇｅ、及びダイＧｄに照射し、これらスクライブラインＧｓ、外周部Ｇｅ、及びダイＧｄを変質させてもよい。但し、赤外光Ｌｉｒと紫外光Ｌｕｖを併用する方が、処理時間（タクト）を短縮することができる。 In the present embodiment, the ultraviolet light Luv is irradiated on the scribe lines Gs, the outer peripheral portion Ge, and the die Gd of the adhesive G without irradiating the infrared light Lir, and these scribe lines Gs, the outer peripheral portion Ge, and the outer peripheral portion Ge are irradiated. The die Gd may be altered. However, the processing time (tact) can be shortened by using the infrared light Lir and the ultraviolet light Luv together.
＜剥離方法の他の実施形態＞
以上の実施形態の剥離装置３３では、ステップＡ５においてデバイスウェハＷから支持ウェハＳを一端部Ｓ１から他端部Ｓ２に向かって順次剥離したが、支持ウェハＳを全面でデバイスウェハＷから離間させて剥離してもよい。
<Other Embodiments of Peeling Method>
In the peeling device 33 of the above embodiment, the support wafer S is sequentially peeled from the device wafer W toward the other end S2 in step A5, but the support wafer S is separated from the device wafer W on the entire surface. It may be peeled off.
図２３（ａ）に示すようにダイシングテープＰを介してデバイスウェハＷの全面を第１保持部２７０で吸着保持するとともに、支持ウェハＳの全面を第２保持部２８０で吸着保持する。続いて、ブレード２９０をデバイスウェハＷと支持ウェハＳの接合界面に挿入する。そして、一端部Ｓ１側の側面において支持ウェハＳと接着剤Ｇとの間に、剥離のきっかけとなる剥離開始部Ｍが形成される。この剥離開始部Ｍから、支持ウェハＳの剥離が開始する。 As shown in FIG. 23A, the entire surface of the device wafer W is adsorbed and held by the first holding portion 270 via the dicing tape P, and the entire surface of the supporting wafer S is adsorbed and held by the second holding portion 280. Subsequently, the blade 290 is inserted into the bonding interface between the device wafer W and the support wafer S. Then, a peeling start portion M that triggers peeling is formed between the support wafer S and the adhesive G on the side surface of one end portion S1 side. The peeling of the support wafer S starts from the peeling start portion M.
次に、図２３（ｂ）に示すように第２保持部２８０を上昇させる。そうすると、支持ウェハＳの全体がデバイスウェハＷから離間する。かかる場合でも、ステップＡ４において接着剤ＧのスクライブラインＧｓと外周部Ｇｅが変質して、デバイスウェハＷと支持ウェハＳの接合強度が低下しているので、小さい剥離力でデバイスウェハＷから支持ウェハＳを剥離することができる。 Next, as shown in FIG. 23 (b), the second holding portion 280 is raised. Then, the entire support wafer S is separated from the device wafer W. Even in such a case, in step A4, the scribing line Gs of the adhesive G and the outer peripheral portion Ge are altered, and the bonding strength between the device wafer W and the support wafer S is lowered. Therefore, the device wafer W to the support wafer can be peeled off with a small peeling force. S can be peeled off.
さらに、上記実施形態において、図２４（ａ）に示すようにブレード２９０を挿入する際、支持ウェハＳを吸着保持する第２保持部２８０を回転させてもよい。かかる場合、剥離開始部Ｍを全周に亘って形成することができ、剥離処理をさらに容易に行うことができる。 Further, in the above embodiment, when the blade 290 is inserted as shown in FIG. 24A, the second holding portion 280 that sucks and holds the support wafer S may be rotated. In such a case, the peeling start portion M can be formed over the entire circumference, and the peeling process can be performed more easily.
なお、以上の実施形態では、剥離装置３３でデバイスウェハＷと支持ウェハＳを剥離する際、ブレード１４０、２９０を用いて剥離開始部Ｍを形成したが、剥離力が十分に小さい場合には、ブレード１４０、２９０を省略してもよい。 In the above embodiment, when the device wafer W and the support wafer S are peeled by the peeling device 33, the peeling start portion M is formed by using the blades 140 and 290, but when the peeling force is sufficiently small, The blades 140 and 290 may be omitted.
＜剥離システムの他の実施形態＞
以上の実施形態の剥離システム１は、アライメント装置３１、レーザ照射装置３２、剥離装置３３が別々に設けられていたが、図２５に示すように１つの装置であってもよい。アライメント装置３１、レーザ照射装置３２、剥離装置３３を統合した処理装置３００は、例えばアライメント部３０１、レーザ照射部３０２、剥離部３０３を有している。処理装置３００には、重合ウェハＴを保持する１つのチャック３１０と、アライメント部３０１、レーザ照射部３０２、剥離部３０３を横断して敷設されたレール３１１とが設けられている。そして、チャック３１０は、レール３１１に沿って、アライメント部３０１、レーザ照射部３０２、剥離部３０３の間を移動自在に構成されている。なお、アライメント部３０１、レーザ照射部３０２、剥離部３０３の各構成部材は、上記実施形態のアライメント装置３１、レーザ照射装置３２、剥離装置３３の各構成部材と同様である。
<Other Embodiments of Peeling System>
Although the peeling system 1 of the above embodiment is provided with the alignment device 31, the laser irradiation device 32, and the peeling device 33 separately, it may be one device as shown in FIG. 25. The processing device 300 that integrates the alignment device 31, the laser irradiation device 32, and the peeling device 33 includes, for example, an alignment unit 301, a laser irradiation unit 302, and a peeling unit 303. The processing apparatus 300 is provided with one chuck 310 for holding the polymerized wafer T, and a rail 311 laid across the alignment portion 301, the laser irradiation portion 302, and the peeling portion 303. The chuck 310 is configured to be movable along the rail 311 between the alignment unit 301, the laser irradiation unit 302, and the peeling unit 303. The components of the alignment unit 301, the laser irradiation unit 302, and the peeling unit 303 are the same as the components of the alignment device 31, the laser irradiation device 32, and the peeling device 33 of the above embodiment.
かかる場合、先ず、チャック３１０をアライメント部３０１に配置して、ステップＡ１におけるデバイスウェハＷのパターンの検出と、ステップＡ２における重合ウェハＴの位置調整を行う。次に、チャック３１０をレーザ照射部３０２に移動させて、ステップＡ３における接着剤Ｇの除去と、ステップＡ４における接着剤Ｇの変質を行う。次に、チャック３１０を剥離部３０３に移動させて、ステップＡ５におけるデバイスウェハＷと支持ウェハＳの剥離を行う。その後のステップＡ６〜Ａ８は上記実施形態と同様である。 In such a case, first, the chuck 310 is arranged in the alignment unit 301 to detect the pattern of the device wafer W in step A1 and adjust the position of the polymerized wafer T in step A2. Next, the chuck 310 is moved to the laser irradiation unit 302 to remove the adhesive G in step A3 and to change the quality of the adhesive G in step A4. Next, the chuck 310 is moved to the peeling portion 303 to peel the device wafer W and the support wafer S in step A5. Subsequent steps A6 to A8 are the same as those in the above embodiment.
本実施形態においても、上記実施形態と同様の効果を享受できる。しかも、本実施形態によれば、チャック３１０を移動させてステップＡ１〜Ａ５を行うので、ウェハ搬送装置２２による搬送を省略でき、剥離処理のスループットをさらに向上させることができる。 Also in this embodiment, the same effects as those in the above embodiment can be enjoyed. Moreover, according to the present embodiment, since the chuck 310 is moved to perform steps A1 to A5, the transfer by the wafer transfer device 22 can be omitted, and the throughput of the peeling process can be further improved.
＜その他の実施形態＞
以上の実施形態では、デバイスウェハＷに形成されたダイＷｄは矩形状であったが、ダイＷｄの形状はこれに限定されず、例えばダイＷｄは六角形状であってもよい。また、ダイＷｄはＸ軸とＹ軸に整列して形成されていたが、ダイＷｄの配置はこれに限定されず、例えば千鳥状に配置されていてもよい。いずれの場合でも、スクライブラインＷｓはダイＷｄの外周部を囲うように形成される。
<Other Embodiments>
In the above embodiment, the die Wd formed on the device wafer W has a rectangular shape, but the shape of the die Wd is not limited to this, and for example, the die Wd may have a hexagonal shape. Further, although the die Wd is formed so as to be aligned with the X-axis and the Y-axis, the arrangement of the die Wd is not limited to this, and may be arranged in a staggered pattern, for example. In either case, the scribe lines Ws are formed so as to surround the outer peripheral portion of the die Wd.
以上の実施形態では、デバイスウェハＷと支持ウェハＳを接合する接着層として接着剤Ｇを用いたが、例えば接着テープを用いてもよい。 In the above embodiments, the adhesive G is used as the adhesive layer for joining the device wafer W and the support wafer S, but for example, an adhesive tape may be used.
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 It should be considered that the embodiments disclosed this time are exemplary in all respects and not restrictive. The above-described embodiment may be omitted, replaced, or changed in various forms without departing from the scope of the appended claims and the gist thereof.
なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）基板と支持体とが接着層を介して接合された重合体から、前記支持体を剥離する支持体剥離方法であって、前記基板は、回路が形成された複数の回路形成領域と、隣り合う前記回路形成領域の間において前記回路が形成されていない非回路形成領域とを有し、前記支持体は光を透過させ、前記接着層は前記光を吸収することにより変質し、前記非回路形成領域の少なくとも一部に、前記支持体を介して前記光を照射する工程と、前記光を照射した前記重合体に力を作用させ、当該重合体から前記支持体を剥離する工程と、を有する、支持体剥離方法。
（２）前記回路形成領域は矩形状であり、前記非回路形成領域は格子状である、前記（１）に記載の支持体剥離方法。
（３）前記光を照射する工程では、前記非回路形成領域の外周部に前記光を照射する、前記（２）に記載の支持体剥離方法。
（４）前記光を照射する工程では、前記非回路形成領域の一端部に前記光を照射する、前記（２）に記載の支持体剥離方法。
（５）前記光を照射する工程では、前記非回路形成領域の一端部から他端部に向かって延伸する当該非回路形成領域に前記光を照射する、前記（２）に記載の支持体剥離方法。
（６）前記光は赤外光である、前記（１）〜（５）のいずれかに記載の支持体剥離方法。
（７）前記光を照射する工程では、前記回路形成領域の少なくとも一部に紫外光を照射する、前記（６）に記載の支持体剥離方法。
（８）前記光は紫外光である、前記（１）〜（５）のいずれかに記載の支持体剥離方法。
（９）前記光を照射する工程では、前記前記非回路形成領域の少なくとも一部に前記光を照射する前に、前記重合体より側方にはみ出した前記接着層に前記光を照射して、当該接着層を除去する、前記（１）〜（８）のいずれかに記載の支持体剥離方法。
（１０）前記光を照射する工程の前に、前記非回路形成領域を検出する工程を有する、前記（１）〜（９）のいずれかに記載の支持体剥離方法。
（１１）前記支持体を剥離する工程では、当該支持体を一端部から他端部に向かって順次剥離する、前記（１）〜（１０）のいずれかに記載の支持体剥離方法。
（１２）前記支持体を剥離する工程では、当該支持体を全面で前記基板から離間させて剥離する、前記（１）〜（１０）のいずれかに記載の支持体剥離方法。
（１３）前記支持体を剥離する工程では、支持体が剥離するきっかけとなる剥離開始部を前重合体の一端部に形成する、前記（１１）又は（１２）に記載の支持体剥離方法。
（１４）基板と支持体とが接着層を介して接合された重合体から、前記支持体を剥離する支持体剥離システムであって、前記基板は、回路が形成された複数の回路形成領域と、隣り合う前記回路形成領域の間において前記回路が形成されていない非回路形成領域とを有し、前記支持体は光を透過させ、前記接着層は前記光を吸収することにより変質し、前記非回路形成領域の少なくとも一部に、前記支持体を介して前記光を照射する光照射装置と、
前記光を照射した前記重合体に力を作用させ、当該重合体から前記支持体を剥離する剥離装置と、を有する、支持体剥離システム。
（１５）前記回路形成領域は矩形状であり、前記非回路形成領域は格子状である、前記（１４）に記載の支持体剥離システム。
（１６）前記光照射装置では、前記非回路形成領域の外周部に前記光を照射する、前記（１５）に記載の支持体剥離システム。
（１７）前記光照射装置では、前記非回路形成領域の一端部に前記光を照射する、前記（１５）に記載の支持体剥離システム。
（１８）前記光照射装置では、前記非回路形成領域の一端部から他端部に向かって延伸する当該非回路形成領域に前記光を照射する、前記（１５）に記載の支持体剥離システム。
（１９）前記光照射装置は、前記非回路形成領域の少なくとも一部に、赤外光を照射する赤外光照射部と、
前記回路形成領域の少なくとも一部に、紫外光を照射する紫外光照射部と、を有する、前記（１４）〜（１８）のいずれかに記載の支持体剥離システム。
（２０）前記非回路形成領域を検出する検出装置を有する、前記（１４）〜（１９）のいずれかに記載の支持体剥離システム。
The following configurations also belong to the technical scope of the present disclosure.
(1) A support peeling method for peeling the support from a polymer in which a substrate and a support are joined via an adhesive layer, wherein the substrate has a plurality of circuit forming regions in which circuits are formed. The support has a non-circuit forming region in which the circuit is not formed between adjacent circuit forming regions, the support transmits light, and the adhesive layer is altered by absorbing the light. A step of irradiating at least a part of the non-circuit forming region with the light through the support, and a step of applying a force to the polymer irradiated with the light to peel the support from the polymer. , A support peeling method.
(2) The support peeling method according to (1) above, wherein the circuit forming region has a rectangular shape and the non-circuit forming region has a grid shape.
(3) The support peeling method according to (2) above, wherein in the step of irradiating the light, the outer peripheral portion of the non-circuit forming region is irradiated with the light.
(4) The support peeling method according to (2) above, wherein in the step of irradiating the light, one end of the non-circuit forming region is irradiated with the light.
(5) The support peeling according to (2) above, wherein in the step of irradiating the light, the light is irradiated to the non-circuit forming region extending from one end to the other end of the non-circuit forming region. Method.
(6) The support peeling method according to any one of (1) to (5) above, wherein the light is infrared light.
(7) The support peeling method according to (6) above, wherein in the step of irradiating the light, at least a part of the circuit forming region is irradiated with ultraviolet light.
(8) The support peeling method according to any one of (1) to (5) above, wherein the light is ultraviolet light.
(9) In the step of irradiating the light, the adhesive layer protruding laterally from the polymer is irradiated with the light before irradiating at least a part of the non-circuit forming region with the light. The support peeling method according to any one of (1) to (8) above, which removes the adhesive layer.
(10) The support peeling method according to any one of (1) to (9) above, which comprises a step of detecting the non-circuit forming region before the step of irradiating the light.
(11) The support peeling method according to any one of (1) to (10) above, wherein in the step of peeling the support, the support is sequentially peeled from one end to the other end.
(12) The support peeling method according to any one of (1) to (10) above, wherein in the step of peeling the support, the support is peeled away from the substrate on the entire surface.
(13) The support peeling method according to (11) or (12) above, wherein in the step of peeling the support, a peeling start portion that triggers the peeling of the support is formed at one end of the prepolymer.
(14) A support peeling system for peeling the support from a polymer in which a substrate and a support are bonded via an adhesive layer, wherein the substrate has a plurality of circuit forming regions in which circuits are formed. The support has a non-circuit forming region in which the circuit is not formed between adjacent circuit forming regions, the support transmits light, and the adhesive layer is altered by absorbing the light. A light irradiating device that irradiates at least a part of the non-circuit forming region with the light through the support.
A support peeling system comprising a peeling device for peeling the support from the polymer by applying a force to the polymer irradiated with light.
(15) The support peeling system according to (14), wherein the circuit forming region has a rectangular shape and the non-circuit forming region has a grid shape.
(16) The support peeling system according to (15), wherein the light irradiation device irradiates the outer peripheral portion of the non-circuit forming region with the light.
(17) The support peeling system according to (15), wherein the light irradiation device irradiates one end of the non-circuit forming region with the light.
(18) The support peeling system according to (15), wherein the light irradiation device irradiates the non-circuit forming region extending from one end to the other end of the non-circuit forming region with the light.
(19) The light irradiation device includes an infrared light irradiation unit that irradiates at least a part of the non-circuit forming region with infrared light.
The support peeling system according to any one of (14) to (18) above, wherein at least a part of the circuit forming region includes an ultraviolet light irradiation unit that irradiates ultraviolet light.
(20) The support peeling system according to any one of (14) to (19) above, which has a detection device for detecting the non-circuit forming region.
１ 剥離システム
３２ レーザ照射装置
３３ 剥離装置
Ｇ 接着剤
Ｓ 支持ウェハ
Ｔ 重合ウェハ
Ｗ デバイスウェハ
Ｗｄ ダイ
Ｗｓ スクライブライン
1 Peeling system 32 Laser irradiation device 33 Peeling device G Adhesive S Support wafer T Polymerized wafer W Device wafer Wd Die Ws Scrib line
Claims (20)
前記基板は、回路が形成された複数の回路形成領域と、隣り合う前記回路形成領域の間において前記回路が形成されていない非回路形成領域とを有し、
前記支持体は光を透過させ、
前記接着層は前記光を吸収することにより変質し、
前記非回路形成領域の少なくとも一部に、前記支持体を介して前記光を照射する工程と、
前記光を照射した前記重合体に力を作用させ、当該重合体から前記支持体を剥離する工程と、を有する、支持体剥離方法。 A support peeling method for peeling the support from a polymer in which a substrate and a support are bonded via an adhesive layer.
The substrate has a plurality of circuit forming regions in which circuits are formed, and non-circuit forming regions in which the circuits are not formed between adjacent circuit forming regions.
The support transmits light and
The adhesive layer is altered by absorbing the light,
A step of irradiating at least a part of the non-circuit forming region with the light through the support, and
A support peeling method comprising a step of applying a force to the polymer irradiated with light to peel the support from the polymer.
前記基板は、回路が形成された複数の回路形成領域と、隣り合う前記回路形成領域の間において前記回路が形成されていない非回路形成領域とを有し、
前記支持体は光を透過させ、
前記接着層は前記光を吸収することにより変質し、
前記非回路形成領域の少なくとも一部に、前記支持体を介して前記光を照射する光照射装置と、
前記光を照射した前記重合体に力を作用させ、当該重合体から前記支持体を剥離する剥離装置と、を有する、支持体剥離システム。 A support peeling system that peels the support from a polymer in which a substrate and a support are bonded via an adhesive layer.
The substrate has a plurality of circuit forming regions in which circuits are formed, and non-circuit forming regions in which the circuits are not formed between adjacent circuit forming regions.
The support transmits light and
The adhesive layer is altered by absorbing the light,
A light irradiation device that irradiates at least a part of the non-circuit forming region with the light through the support.
A support peeling system comprising a peeling device for peeling the support from the polymer by applying a force to the polymer irradiated with light.
前記非回路形成領域の少なくとも一部に、赤外光を照射する赤外光照射部と、
前記回路形成領域の少なくとも一部に、紫外光を照射する紫外光照射部と、を有する、請求項１４〜１８のいずれか一項に記載の支持体剥離システム。 The light irradiation device is
An infrared light irradiation unit that irradiates at least a part of the non-circuit forming region with infrared light,
The support peeling system according to any one of claims 14 to 18, further comprising an ultraviolet light irradiation unit that irradiates at least a part of the circuit forming region with ultraviolet light.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019126417A JP7285151B2 (en) | 2019-07-05 | 2019-07-05 | Support peeling method and support peeling system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019126417A JP7285151B2 (en) | 2019-07-05 | 2019-07-05 | Support peeling method and support peeling system |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021012950A true JP2021012950A (en) | 2021-02-04 |
| JP7285151B2 JP7285151B2 (en) | 2023-06-01 |
Family
ID=74227584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019126417A Active JP7285151B2 (en) | 2019-07-05 | 2019-07-05 | Support peeling method and support peeling system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7285151B2 (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014187327A (en) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Method of processing substrate and laminate for temporarily supporting substrate |
| JP2015122370A (en) * | 2013-12-20 | 2015-07-02 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | Member peeling method, member processing method and semiconductor chip manufacture method |
| JP2016500918A (en) * | 2012-10-11 | 2016-01-14 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｂｕｓｉｎｅｓｓ Ｍａｃｈｉｎｅｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | Method for processing a semiconductor wafer |
| JP2017084910A (en) * | 2015-10-26 | 2017-05-18 | 東京応化工業株式会社 | Method for separating support |
-
2019
- 2019-07-05 JP JP2019126417A patent/JP7285151B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016500918A (en) * | 2012-10-11 | 2016-01-14 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｂｕｓｉｎｅｓｓ Ｍａｃｈｉｎｅｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | Method for processing a semiconductor wafer |
| JP2014187327A (en) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Method of processing substrate and laminate for temporarily supporting substrate |
| JP2015122370A (en) * | 2013-12-20 | 2015-07-02 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | Member peeling method, member processing method and semiconductor chip manufacture method |
| JP2017084910A (en) * | 2015-10-26 | 2017-05-18 | 東京応化工業株式会社 | Method for separating support |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP7285151B2 (en) | 2023-06-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7109537B2 (en) | Substrate processing system and substrate processing method | |
| KR20200130816A (en) | Substrate processing system, substrate processing method and computer storage medium | |
| JP5580806B2 (en) | Peeling apparatus, peeling system, peeling method, program, and computer storage medium | |
| JP6158721B2 (en) | Cleaning device, peeling system, cleaning method, program, and computer storage medium | |
| JP7304433B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| JP5538282B2 (en) | Joining apparatus, joining method, program, and computer storage medium | |
| JP5829171B2 (en) | Peeling system, peeling method, program, and computer storage medium | |
| JP7386077B2 (en) | Substrate processing equipment and substrate processing method | |
| JP7221076B2 (en) | LASER PROCESSING APPARATUS SETTING METHOD, LASER PROCESSING METHOD, LASER PROCESSING APPARATUS, THINNING SYSTEM, AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD | |
| JP7178491B2 (en) | Processing equipment and processing method | |
| JP6145060B2 (en) | Joining method, joining system and joining apparatus | |
| JP6145061B2 (en) | Joining system and joining method | |
| JP2021012950A (en) | Support peeling method and support peeling system | |
| JP7344965B2 (en) | Processing equipment and processing method | |
| JP6929452B2 (en) | Board processing system and board processing method | |
| JP2022091504A (en) | Laser irradiation system, substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP5777549B2 (en) | Peeling apparatus, peeling system, peeling method, program, and computer storage medium | |
| JP2020072238A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP7308292B2 (en) | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD | |
| WO2023176519A1 (en) | Substrate processing device and substrate processing method | |
| JP7286250B2 (en) | Protective member forming device | |
| JP2023180066A (en) | Substrate processing device and position adjustment method | |
| WO2022153886A1 (en) | Substrate processing device, substrate processing method, and substrate manufacturing method | |
| WO2024034197A1 (en) | Substrate treatment device and substrate treatment method | |
| JP2017139492A (en) | Substrate processing method and substrate processing device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220407 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230216 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230221 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230410 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230425 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230522 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7285151 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |